KR20220167378A - 접합 시스템 - Google Patents

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KR20220167378A
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bonding
processing block
transport
lock chamber
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KR1020227039123A
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타쿠오 카와우치
마사타카 마츠나가
료이치 사카모토
마사루 혼다
사토시 니시무라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

제 1 반송 장치(22) 및 제 2 반송 장치(32)는, 상압 분위기에 있어서 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)을 반송한다. 제 3 반송 장치(34)는, 감압 분위기에 있어서 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)을 반송한다. 로드록실(31d)은, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)을 수용 가능한 수용부(311, 312)를 가지고, 수용부(311, 312)를 상압 분위기와 감압 분위기와의 사이에서 전환 가능하다. 복수의 게이트(101 ~ 104)는, 로드록실(31d)의 상이한 3 개의 측면에 각각 마련되고, 로드록실(31d)을 개폐 가능하다. 또한, 제 1 반송 장치(22), 제 2 반송 장치(32) 및 제 3 반송 장치(34)는, 복수의 게이트(101 ~ 104) 중 각각 상이한 게이트(101 ~ 104)를 거쳐 로드록실(31d)에 대한 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 반입반출을 행한다.

Description

접합 시스템
본 개시는 접합 시스템에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스의 고집적화의 요청에 응하기 위하여, 반도체 디바이스를 3차원으로 적층하는 3차원 집적 기술을 이용하는 것이 제안되고 있다. 이 3차원 집적 기술을 이용한 시스템으로서는, 예를 들면 반도체 웨이퍼 등의 기판끼리를 접합하는 접합 기술이 알려져 있다.
접합 기술의 하나로서, 접착제 등을 사용하지 않고, 기판끼리를 화학 결합에 의해 직접 접합하는 방법이 알려져 있다. 이 방법을 이용한 접합 시스템은, 제 1, 제 2 기판의 접합면을 개질하는 표면 개질 장치와, 개질 후의 제 1, 제 2 기판의 접합면을 친수화하는 친수화 장치와, 친수화 후의 제 1, 제 2 기판을 접합하는 접합 장치를 구비한다. 또한, 접합 시스템은, 각 장치 간에서 제 1, 제 2 기판을 반송하는 복수의 기판 반송 장치를 구비한다.
일본특허공개공보 2018-010921호
본 개시는, 접합 시스템이 클린룸 등의 바닥 면적에 차지하는 비율인 풋프린트를 작게 할 수 있는 접합 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일태양에 따른 접합 시스템은, 제 1 기판 및 제 2 기판을 분자간력에 의해 접합함으로써 중합 기판을 형성하는 접합 시스템으로서, 제 1 반송 장치 및 제 2 반송 장치와, 제 3 반송 장치와, 로드록실과, 복수의 게이트를 구비한다. 제 1 반송 장치 및 제 2 반송 장치는, 상압 분위기에 있어서 제 1 기판 및 제 2 기판을 반송한다. 제 3 반송 장치는, 감압 분위기에 있어서 제 1 기판 및 제 2 기판을 반송한다. 로드록실은, 제 1 기판 및 제 2 기판을 수용 가능한 수용부를 가지고, 수용부를 상압 분위기와 감압 분위기와의 사이에서 전환 가능하다. 복수의 게이트는, 로드록실의 상이한 3 개의 측면에 각각 마련되고, 로드록실을 개폐 가능하다. 또한, 제 1 반송 장치, 제 2 반송 장치 및 제 3 반송 장치는, 복수의 게이트 중 각각 상이한 게이트를 거쳐 로드록실에 대한 제 1 기판 및 제 2 기판의 반입반출을 행한다.
본 개시에 따르면, 풋프린트를 작게 할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 접합 시스템의 레이아웃도이다.
도 4는 제 1 기판 및 제 2 기판의 모식 측면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 접합 장치의 구성을 나타내는 도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 로드록실의 평면도이다.
도 7은 실시 형태에 따른 로드록실을 제 1 반송 장치의 액세스 방향에서 본 측면도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 로드록실을 제 2 반송 장치의 액세스 방향에서 본 측면도이다.
도 9는 실시 형태에 따른 로드록실을 제 3 반송 장치의 액세스 방향에서 본 측면도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 접합 시스템에 있어서의 제 1 기판, 제 2 기판 및 중합 기판의 반송 순서를 나타내는 순서도이다.
도 11은 검사 장치의 배치예를 나타내는 도이다.
도 12는 검사 장치의 배치예를 나타내는 도이다.
도 13은 검사 장치의 배치예를 나타내는 도이다.
도 14는 제 2 변형예에 따른 접합 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이다.
이하에, 본 개시에 따른 접합 시스템을 실시하기 위한 형태(이하, ‘실시 형태’라 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.
또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, ‘일정’, ‘직교’, ‘수직’ 혹은 ‘평행’과 같은 표현이 이용되는 경우가 있는데, 이들 표현은, 엄밀하게 ‘일정’, ‘직교’, ‘수직’ 혹은 ‘평행’인 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은, 예를 들면 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 오차를 허용하는 것으로 한다.
또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라 부르는 경우가 있다.
＜1. 접합 시스템의 구성＞
먼저, 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성에 대하여 도 1 ~ 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1 및 도 2는 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이다.
또한, 실시 형태에 따른 접합 시스템은, 크게 나누어 상층 및 하층의 2층 구조로 되어 있으며, 도 1에는 하층의 구성이 주로 나타나 있고, 도 2에는 상층의 구성이 주로 나타나 있다. 또한, 도 3은 실시 형태에 따른 접합 시스템의 레이아웃도이다. 또한 도 4는, 제 1 기판 및 제 2 기판의 모식 측면도이다.
도 1 ~ 도 3에 나타내는 본 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)은, 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)을 접합함으로써 중합 기판(T)을 형성한다(도 4 참조).
제 1 기판(W1)은, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판에 복수의 전자 회로가 형성된 기판이다. 또한, 제 2 기판(W2)은, 예를 들면 전자 회로가 형성되어 있지 않은 베어 웨이퍼이다. 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)은 대략 동일 직경을 가진다.
또한, 제 2 기판(W2)에 전자 회로가 형성되어 있어도 된다. 또한, 상술한 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 예를 들면 비화 갈륨, 탄화 실리콘, 질화 갈륨 및 인화 인듐 등을 포함하는 웨이퍼를 이용할 수 있는데, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 접합 시스템(1)은 반입반출 블록(2)과 처리 블록(3)을 구비한다. 또한, 처리 블록(3)은 제 1 처리 블록(3a)과 제 2 처리 블록(3b)을 구비한다.
반입반출 블록(2), 제 1 처리 블록(3a) 및 제 2 처리 블록(3b)은 X축 정방향을 따라, 반입반출 블록(2), 제 1 처리 블록(3a) 및 제 2 처리 블록(3b)의 순서로 배열되어 일체적으로 접속된다.
(반입반출 블록에 대하여)
반입반출 블록(2)은 배치대(10)와, 반송 에어리어(20)를 구비한다. 배치대(10)는 복수의 배치판(11a ~ 11d)을 구비한다. 배치판(11a ~ 11d)에는, 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판을 수평 상태로 수용 가능한 카세트(C1 ~ C4)가 각각 배치된다. 카세트(C1)는 제 1 기판(W1)을 수용하는 카세트이며, 카세트(C2)는 제 2 기판(W2)을 수용하는 카세트이며, 카세트(C3)는 중합 기판(T)을 수용하는 카세트이다. 또한, 카세트(C4)는, 예를 들면, 문제가 생긴 기판을 회수하기 위한 카세트이다.
또한, 카세트(C1, C2)에 있어서, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)은, 접합면을 상면으로 한 상태로 방향을 일치시켜 수용된다.
반송 에어리어(20)는 배치대(10)의 X축 정방향측에 인접하여 배치된다. 이러한 반송 에어리어(20)에는, Y축 방향으로 연장되는 반송로(21)와, 이 반송로(21)를 따라 이동 가능한 제 1 반송 장치(22)가 마련된다. 제 1 반송 장치(22)는, 예를 들면 연직 방향, 수평 방향 및 연직축 둘레로 이동 가능한 반송 암을 가진다. 제 1 반송 장치(22)는, 이러한 반송 암을 이용하여, 배치판(11a ~ 11c)에 배치된 카세트(C1 ~ C3)와, 제 1 처리 블록(3a)과의 사이에서, 제 1 기판(W1), 제 2 기판(W2) 및 중합 기판(T)의 반송을 행한다.
구체적으로, 제 1 반송 장치(22)는, 카세트(C1)로부터 제 1 기판(W1)을 취출하여 제 1 처리 블록(3a)으로 반송한다. 또한, 제 1 반송 장치(22)는, 카세트(C2)로부터 제 2 기판(W2)을 취출하여 제 1 처리 블록(3a)으로 반송한다. 또한, 제 1 반송 장치(22)는, 제 1 처리 블록(3a)으로부터 중합 기판(T)을 수취하여 카세트(C3)에 수용한다.
또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 도면에 있어서는, 배치판(11a ~ 11d)을 ‘FUST’라 기재하고, 제 1 반송 장치(22)를 ‘CRA’라 기재하는 경우가 있다.
(처리 블록에 대하여)
처리 블록(3)(제 1 처리 블록(3a) 및 제 2 처리 블록(3b))은, X축 방향을 따라 연장되는 반송 에어리어(3c)와, 반송 에어리어(3c)를 사이에 두고 배치되는 2 개의 처리 에어리어(3d, 3e)를 구비한다. 처리 에어리어(3d)는, 반송 에어리어(3c)의 Y축 정방향측에 배치되고, 처리 에어리어(3e)는, 반송 에어리어(3c)의 Y축 부방향측에 배치된다. 처리 블록(3)은 하층 및 상층의 2층 구조를 가지는데, 이 점에 대해서는 후술한다.
(제 1 처리 블록에 대하여)
제 1 처리 블록(3a)은, 반입반출 블록(2)의 반송 에어리어(20)에 인접한다. 제 1 처리 블록(3a)의 반송 에어리어(3c)에는 제 1 적층부(31)와, 제 2 반송 장치(32)와, 제 2 적층부(33)가 배치된다. 제 1 적층부(31), 제 2 반송 장치(32) 및 제 2 적층부(33)는 X축 정방향을 따라, 제 1 적층부(31), 제 2 반송 장치(32) 및 제 2 적층부(33)의 순서로 배열된다.
구체적으로, 제 1 적층부(31)는, 반입반출 블록(2)의 반송 에어리어(20)와 제 2 반송 장치(32)와의 사이에 배치된다. 제 2 적층부(33)는, 제 2 반송 장치(32)와 제 2 처리 블록(3b)의 반송 에어리어(3c)와의 사이에 배치된다. 제 2 반송 장치(32)는, 제 1 적층부(31)와 제 2 적층부(33)와의 사이에 배치된다.
제 1 적층부(31) 및 제 2 적층부(33)에는, 복수의 모듈이 Z축 방향으로 적층되어 있다. 예를 들면, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 적층부(31)에는 판독부(31a), 제 1 임시 배치부(31b), 2 개의 제 1 전달부(31c) 및 2 개의 로드록실(31d)이 적층되어 있다.
판독부(31a), 제 1 임시 배치부(31b), 2 개의 제 1 전달부(31c) 및 2 개의 로드록실(31d)은, 예를 들면, 아래로부터 차례로, 판독부(31a), 제 1 임시 배치부(31b), 2 개의 제 1 전달부(31c) 및 2 개의 로드록실(31d)의 순서로 적층된다.
판독부(31a)는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)에 부착된 식별 정보를 판독하는 모듈이다.
제 1 임시 배치부(31b)는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)이 일시적으로 배치되는 장소이다. 예를 들면, 제 2 반송 장치(32)에 의해 유지된 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)의 위치가 기준 위치로부터 어긋나 있는 경우, 제 2 반송 장치(32)는, 이러한 기판을 제 1 임시 배치부(31b)에 일단 배치하고 다시 고침으로써, 이러한 기판의 위치 어긋남을 해소할 수 있다.
제 1 전달부(31c)는, 중합 기판(T)이 배치되는 장소이다. 구체적으로, 제 2 반송 장치(32)로부터 제 1 반송 장치(22)로의 중합 기판(T)의 전달이 제 1 전달부(31c)에 있어서 행해진다.
로드록실(31d)은, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)을 수용 가능한 수용부를 가진다. 로드록실(31d)의 수용부는, 흡인관을 개재하여 진공 펌프 등의 흡인 장치에 접속되어 있고, 흡인 장치에 의해 수용부를 상압 분위기와 감압 분위기와의 사이에서 전환할 수 있다.
실시 형태에 있어서, 2 개의 로드록실(31d)끼리는 적층되어 있지 않고, 수평 방향(Y축 방향)으로 배열되어 배치되어 있다(도 1 참조). 로드록실(31d)의 구체적인 구성 등에 대해서는 후술한다.
또한, 도면에 있어서는, 판독부(31a)를 ‘WID’, 제 1 임시 배치부(31b)를 ‘THS’, 제 1 전달부(31c)를 ‘TRS’, 로드록실(31d)을 ‘LLS’라 기재하는 경우가 있다.
제 2 적층부(33)에는, 예를 들면, 제 2 임시 배치부(33a), 제 2 전달부(33b), 제 3 전달부(33c), 제 2 얼라이먼트부(33d), 제 1 얼라이먼트부(33e)가 적층되어 있다.
제 2 임시 배치부(33a)는, 제 1 적층부(31)에 배치되는 제 1 임시 배치부(31b)와 마찬가지로, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)이 일시적으로 배치되는 장소이다. 제 2 전달부(33b)는, 중합 기판(T)이 배치되는 장소이다. 구체적으로, 후술하는 제 4 반송 장치(37)로부터 제 2 반송 장치(32)로의 중합 기판(T)의 전달이 제 2 전달부(33b)에 있어서 행해진다. 제 3 전달부(33c)는, 반전 기구를 가지는 전달부이다. 제 3 전달부(33c)는, 예를 들면, 후술하는 접합 장치(39)에 의해 접합되지 않았던 제 1 기판(W1)을 반전시킨다.
제 2 얼라이먼트부(33d)는, 제 2 기판(W2)의 얼라이먼트 처리를 행하는 모듈이다. 예를 들면, 제 2 얼라이먼트부(33d)는, 제 2 기판(W2)을 흡착 유지하여 회전시키는 유지부와, 제 2 기판(W2)의 노치부의 위치를 검출하는 검출부를 구비한다. 제 2 얼라이먼트부(33d)는, 유지부에 흡착 유지된 제 2 기판(W2)을 회전시키면서 검출부로 제 2 기판(W2)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 제 2 기판(W2)의 수평 방향의 방향을 조절할 수 있다.
제 1 얼라이먼트부(33e)는, 제 1 기판(W1)의 얼라이먼트 처리를 행하는 모듈이다. 예를 들면, 상술한 제 2 얼라이먼트부(33d)의 구성에 더하여, 유지부에 유지된 제 1 기판(W1)을 반전시키는 반전 기구를 구비한다. 이러한 제 1 얼라이먼트부(33e)는, 제 1 기판(W1)의 수평 방향의 방향을 조절할 수 있고, 또한 제 1 기판(W1)의 표리를 반전시킬 수 있다.
또한, 도면에 있어서는, 제 2 임시 배치부(33a)를 ‘THS’, 제 2 전달부(33b)를 ‘TRS’, 제 3 전달부(33c)를 ‘RTRS’, 제 2 얼라이먼트부(33d)를 ‘NAM’, 제 1 얼라이먼트부(33e)를 ‘RNAM’이라 기재하는 경우가 있다.
제 2 반송 장치(32)는, 예를 들면 연직 방향, 수평 방향 및 연직축 둘레로 이동 가능한 반송 암을 가진다. 제 2 반송 장치(32)는, 반송 암을 이용하여, 제 1 적층부(31)와, 제 2 적층부(33)와, 후술하는 표면 친수화 장치(36)와의 사이에서, 제 1 기판(W1), 제 2 기판(W2) 및 중합 기판(T)의 반송을 행한다.
제 1 처리 블록(3a)의 처리 에어리어(3d, 3e)에는 각각, 제 3 반송 장치(34)와, 표면 개질 장치(35)와, 복수(여기서는 2 개)의 표면 친수화 장치(36)가 배치된다.
제 3 반송 장치(34) 및 표면 개질 장치(35)는, X축 정방향을 따라, 제 3 반송 장치(34) 및 표면 개질 장치(35)의 순서로 배열된다. 또한, 2 개의 표면 친수화 장치(36)는, 서로 적층되고, 제 3 반송 장치(34)(구체적으로, 반송실(34a)) 및 표면 개질 장치(35)의 상부에 걸치도록 배치된다(도 3 참조). 또한 표면 친수화 장치(36)는, 제 3 반송 장치(34)(구체적으로, 반송실(34a)) 및 표면 개질 장치(35)의 하부에 배치되어도 된다.
이와 같이, 실시 형태에 있어서, 표면 친수화 장치(36)는, 제 3 반송 장치(34)(반송실(34a)) 및 표면 개질 장치(35)의 상부 또는 하부에 배치된다. 이에 의해, 예를 들면, 반송실(34a) 및 표면 개질 장치(35)에 접속되는 흡인 장치 및 흡인관을 일괄하여 설치할 수 있는 점에서, 시스템 전체를 소형화할 수 있다.
제 3 반송 장치(34)는, 내부를 밀폐 가능한 반송실(34a)에 배치된다. 제 3 반송 장치(34)는, 예를 들면 연직 방향, 수평 방향 및 연직축 둘레로 이동 가능한 반송 암을 가진다. 제 3 반송 장치(34)는, 반송 암을 이용하여, 로드록실(31d)과 표면 개질 장치(35)와의 사이에서, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 반송을 행한다.
반송실(34a)은, 로드록실(31d)에 인접하고, 또한 표면 개질 장치(35)에 인접한다. 반송실(34a)에는, 흡인관을 개재하여 진공 펌프 등의 흡인 장치가 접속된다. 반송실(34a)은, 흡인 장치가 작동하면, 실내가 감압되어 감압 분위기가 된다.
반송실(34a)은, 흡인 장치에 의해 상시 감압 분위기가 된다. 이와 같이, 제 3 반송 장치(34)는, 감압 분위기에 있어서 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)을 반송한다. 한편, 상술한 제 1 반송 장치(22) 및 제 2 반송 장치(32)는, 상압 분위기에 있어서 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)을 반송한다.
또한, 상압이란 예를 들면 대기압이지만, 대기압과 완전히 동일한 것을 요하지 않으며, 대기압에 대하여, 예를 들면 ±10 kPa의 압력 범위를 포함하고 있어도 된다.
표면 개질 장치(35)는, 게이트 밸브(105)를 개재하여 반송실(34a)에 접속된다. 표면 개질 장치(35)에는, 흡인관을 개재하여 진공 펌프 등의 흡인 장치가 접속된다. 표면 개질 장치(35)는, 흡인 장치가 작동하면, 실내가 감압되어 감압 분위기가 된다. 반송실(34a)과 마찬가지로, 표면 개질 장치(35)도 상시 감압 분위기가 된다.
표면 개질 장치(35)는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면을 감압 분위기에서 개질한다. 구체적으로, 표면 개질 장치(35)는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면에 있어서의 SiO2의 결합을 절단하여 단결합의 SiO로 함으로써, 이 후 친수화되기 쉽게 하도록 당해 접합면을 개질한다.
또한, 표면 개질 장치(35)에서는, 감압 분위기에서 처리 가스인 산소 가스가 여기되어 플라즈마화되어, 이온화된다. 그리고, 이러한 산소 이온이, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면에 조사됨으로써, 접합면이 플라즈마 처리되어 개질된다.
표면 친수화 장치(36)는, 예를 들면 탈이온수 등의 친수화 처리액에 의해 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면을 친수화하고, 또한 접합면을 세정한다. 표면 친수화 장치(36)에서는, 예를 들면 스핀 척에 유지된 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)을 회전시키면서, 당해 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2) 상에 탈이온수를 공급한다. 이에 의해, 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2) 상에 공급된 탈이온수가 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)의 접합면 상을 확산되어, 접합면이 친수화된다.
또한, 도면에 있어서는, 제 2 반송 장치(32)를 ‘PRA’라 기재하고, 제 3 반송 장치(34)를 ‘VSRA’라 기재하고, 표면 개질 장치(35)를 ‘SAP’라 기재하고, 표면 친수화 장치(36)를 ‘SCR’이라 기재하는 경우가 있다.
(제 2 처리 블록에 대하여)
제 2 처리 블록(3b)은, 제 1 처리 블록(3a)의 제 2 적층부(33)에 인접한다. 제 2 처리 블록(3b)의 반송 에어리어(3c)에는, 제 4 반송 장치(37)와, 제 3 임시 배치부(38a)와, 제 4 임시 배치부(38b)가 배치된다.
제 4 반송 장치(37)는, 제 1 처리 블록(3a)의 제 2 적층부(33)와, 제 3 임시 배치부(38a) 및 제 4 임시 배치부(38b)와의 사이에 배치된다. 또한, 제 3 임시 배치부(38a) 및 제 4 임시 배치부(38b)는, 아래로부터 차례로, 제 4 임시 배치부(38b) 및 제 3 임시 배치부(38a)의 순서로 적층된다.
제 4 반송 장치(37)는, X축 방향으로 연장되는 도시하지 않는 반송로를 따라 이동 가능하다. 제 4 반송 장치(37)는, 예를 들면 연직 방향, 수평 방향 및 연직축 둘레로 이동 가능한 반송 암을 가진다. 제 4 반송 장치(37)는, 반송 암을 이용하여, 제 2 적층부(33), 제 3 임시 배치부(38a), 제 4 임시 배치부(38b), 후술하는 제 1 온조판(溫調板)(39a), 제 2 온조판(39b) 및 접합 장치(40)의 사이에서, 제 1 기판(W1), 제 2 기판(W2) 및 중합 기판(T)의 반송을 행한다.
제 3 임시 배치부(38a)는, 제 1 기판(W1)의 위치를 수정하기 위하여 제 1 기판(W1)이 일시적으로 배치되는 장소이다. 마찬가지로, 제 4 임시 배치부(38b)는, 제 2 기판(W2)의 위치를 수정하기 위하여 제 2 기판(W2)이 일시적으로 배치되는 장소이다.
또한, 도면에 있어서는, 제 3 임시 배치부(38a)를 ‘UTHS’라 기재하고, 제 4 임시 배치부(38b)를 ‘LTHS’라 기재하는 경우가 있다.
제 2 처리 블록(3b)의 처리 에어리어(3d, 3e)에는 각각, 제 1 온조판(39a)과, 제 2 온조판(39b)과, 접합 장치(40)가 배치된다.
제 1 온조판(39a) 및 제 2 온조판(39b)은 아래로부터 차례로, 제 2 온조판(39b) 및 제 1 온조판(39a)의 순서로 적층된다.
제 1 온조판(39a)은, 제 1 기판(W1)의 온도를 미리 정해진 온도로 조정한다. 또한, 제 2 온조판(39b)은, 제 2 기판(W2)의 온도를 미리 정해진 온도로 조정한다.
또한, 도면에 있어서는, 제 1 온조판(39a)을 ‘UCPL’이라 기재하고, 제 2 온조판(39b)을 ‘ICPL’이라 기재하는 경우가 있다.
접합 장치(40)는, 친수화된 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)을 분자간력에 의해 접합함으로써, 중합 기판(T)을 제작한다.
여기서, 접합 장치(40)의 구성예에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 실시 형태에 따른 접합 장치(40)의 구성을 나타내는 도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 접합 장치(40)는 제 1 유지부(140)와, 제 2 유지부(141)와, 스트라이커(190)를 구비한다.
제 1 유지부(140)는 본체부(170)를 가진다. 본체부(170)는, 지지 부재(180)에 의해 지지된다. 지지 부재(180) 및 본체부(170)에는, 지지 부재(180) 및 본체부(170)를 연직 방향으로 관통하는 관통 홀(176)이 형성된다. 관통 홀(176)의 위치는, 제 1 유지부(140)에 흡착 유지되는 제 1 기판(W1)의 중심부에 대응하고 있다. 관통 홀(176)에는, 스트라이커(190)의 누름 핀(191)이 삽입 관통된다.
스트라이커(190)는, 지지 부재(180)의 상면에 배치되고, 누름 핀(191)과, 액츄에이터부(192)와, 직동 기구(193)를 구비한다. 누름 핀(191)은, 연직 방향을 따라 연장되는 원주(圓柱) 형상의 부재이며, 액츄에이터부(192)에 의해 지지된다.
액츄에이터부(192)는, 예를 들면 전공 레귤레이터(도시하지 않음)로부터 공급되는 공기에 의해 일정 방향(여기서는 연직 하방)으로 일정한 압력을 발생시킨다. 액츄에이터부(192)는, 전공 레귤레이터로부터 공급되는 공기에 의해, 제 1 기판(W1)의 중심부와 접촉하여 당해 제 1 기판(W1)의 중심부에 걸리는 누름 하중을 제어할 수 있다. 또한, 액츄에이터부(192)의 선단부는, 전공 레귤레이터로부터의 공기에 의해, 관통 홀(176)을 삽입 관통하여 연직 방향으로 승강 가능하게 되어 있다.
액츄에이터부(192)는, 직동 기구(193)에 지지된다. 직동 기구(193)는, 예를 들면 모터를 내장한 구동부에 의해 액츄에이터부(192)를 연직 방향을 따라 이동시킨다.
스트라이커(190)는, 직동 기구(193)에 의해 액츄에이터부(192)의 이동을 제어하고, 액츄에이터부(192)에 의해 누름 핀(191)에 의한 제 1 기판(W1)의 누름 하중을 제어한다. 이에 의해, 스트라이커(190)는, 제 1 유지부(140)에 흡착 유지된 제 1 기판(W1)의 중심부를 눌러 제 2 기판(W2)에 접촉시킨다.
본체부(170)의 하면에는, 제 1 기판(W1)의 상면(비접합면)에 접촉하는 복수의 핀(171)이 마련되어 있다. 복수의 핀(171)은, 예를 들면, 직경 치수가 0.1 mm ~ 1 mm이며, 높이가 수십 μm ~ 수백 μm이다. 복수의 핀(171)은, 예를 들면 2 mm의 간격으로 균등하게 배치된다.
제 1 유지부(140)는, 이들 복수의 핀(171)이 마련되어 있는 영역 중 일부의 영역에, 제 1 기판(W1)을 흡착하는 복수의 흡착부를 구비한다. 구체적으로, 제 1 유지부(140)에 있어서의 본체부(170)의 하면에는, 제 1 기판(W1)을 진공 배기하여 흡착하는 복수의 외측 흡착부(301) 및 복수의 내측 흡착부(302)가 마련되어 있다. 복수의 외측 흡착부(301) 및 복수의 내측 흡착부(302)는, 평면에서 봤을 때 원호 형상의 흡착 영역을 가진다. 복수의 외측 흡착부(301) 및 복수의 내측 흡착부(302)는, 핀(171)과 동일한 높이를 가진다.
복수의 외측 흡착부(301)는, 본체부(170)의 외주부에 배치된다. 복수의 외측 흡착부(301)는, 진공 펌프 등의 도시하지 않는 흡인 장치에 접속되고, 진공 배기에 의해 제 1 기판(W1)의 외주부를 흡착한다.
복수의 내측 흡착부(302)는, 복수의 외측 흡착부(301)보다 본체부(170)의 직경 방향 내방에 있어서, 둘레 방향을 따라 배열되어 배치된다. 복수의 내측 흡착부(302)는, 진공 펌프 등의 도시하지 않는 흡인 장치에 접속되고, 진공 배기에 의해 제 1 기판(W1)의 외주부와 중심부와의 사이의 영역을 흡착한다.
제 2 유지부(141)에 대하여 설명한다. 제 2 유지부(141)는, 제 2 기판(W2)과 동일 직경 혹은 제 2 기판(W2)보다 큰 직경을 가지는 본체부(200)를 가진다. 여기서는, 제 2 기판(W2)보다 큰 직경을 가지는 제 2 유지부(141)를 나타내고 있다. 본체부(200)의 상면은, 제 2 기판(W2)의 하면(비접합면)과 대향하는 대향면이다.
본체부(200)의 상면에는, 제 2 기판(W2)의 하면(비접합면)에 접촉하는 복수의 핀(201)이 마련되어 있다. 복수의 핀(201)은, 예를 들면, 직경 치수가 0.1 mm ~ 1 mm이며, 높이가 수십 μm ~ 수백 μm이다. 복수의 핀(201)은, 예를 들면 2 mm의 간격으로 균등하게 배치된다.
또한, 본체부(200)의 상면에는, 하측 리브(202)가 복수의 핀(201)의 외측에 환상(環狀)으로 마련되어 있다. 하측 리브(202)는 환상으로 형성되고, 제 2 기판(W2)의 외주부를 전둘레에 걸쳐 지지한다.
또한, 본체부(200)는, 복수의 하측 흡인구(203)를 가진다. 복수의 하측 흡인구(203)는, 하측 리브(202)에 의해 둘러싸인 흡착 영역에 복수 마련된다. 복수의 하측 흡인구(203)는, 도시하지 않는 흡인관을 개재하여 진공 펌프 등의 도시하지 않는 흡인 장치에 접속된다.
제 2 유지부(141)는, 하측 리브(202)에 의해 둘러싸인 흡착 영역을 복수의 하측 흡인구(203)로부터 진공 배기함으로써 흡착 영역을 감압한다. 이에 의해, 흡착 영역에 배치된 제 2 기판(W2)은, 제 2 유지부(141)에 흡착 유지된다.
하측 리브(202)가 제 2 기판(W2)의 하면의 외주부를 전둘레에 걸쳐 지지하기 때문에, 제 2 기판(W2)은 외주부까지 적절하게 진공 배기된다. 이에 의해, 제 2 기판(W2)의 전면을 흡착 유지할 수 있다. 또한, 제 2 기판(W2)의 하면은 복수의 핀(201)에 지지되기 때문에, 제 2 기판(W2)의 진공 배기를 해제했을 시에, 제 2 기판(W2)이 제 2 유지부(141)로부터 떼어내기 쉬워진다.
이러한 접합 장치(40)는, 제 1 유지부(140)에 제 1 기판(W1)을 흡착 유지하고, 제 2 유지부(141)에 제 2 기판(W2)을 흡착 유지한다. 이 후, 접합 장치(40)는, 복수의 내측 흡착부(302)에 의한 제 1 기판(W1)의 흡착 유지를 해제한 후, 스트라이커(190)의 누름 핀(191)을 하강시킴으로써, 제 1 기판(W1)의 중심부를 누른다. 이에 의해, 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)이 접합된 중합 기판(T)이 얻어진다. 중합 기판(T)은, 제 4 반송 장치(37)에 의해 접합 장치(40)로부터 반출된다. 접합 장치(40)에 의한 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
(제어 장치에 대하여)
또한, 접합 시스템(1)은 제어 장치(70)를 구비한다. 제어 장치(70)는, 접합 시스템(1)의 동작을 제어한다. 이러한 제어 장치(70)는 예를 들면 컴퓨터이며, 도시하지 않는 제어부 및 기억부를 구비한다. 제어부는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 가지는 마이크로 컴퓨터 및 각종의 회로를 포함한다. 이러한 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 읽어내 실행함으로써, 후술하는 제어를 실현한다. 또한, 기억부는, 예를 들면, RAM, 플래쉬 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기록 매체로부터 제어 장치(70)의 기억부에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
(로드록실에 대하여)
다음으로, 실시 형태에 따른 로드록실(31d)의 구체적인 구성예에 대하여 도 6 ~ 도 9를 참조하여 설명한다. 도 6은 실시 형태에 따른 로드록실(31d)의 평면도이다. 도 7은 실시 형태에 따른 로드록실(31d)을 제 1 반송 장치(22)의 액세스 방향에서 본 측면도이다. 도 8은 실시 형태에 따른 로드록실(31d)을 제 2 반송 장치(32)의 액세스 방향에서 본 측면도이다. 도 9는 실시 형태에 따른 로드록실(31d)을 제 3 반송 장치(34)의 액세스 방향에서 본 측면도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 따른 로드록실(31d)은, 제 1 반송 장치(22), 제 2 반송 장치(32) 및 제 3 반송 장치(34)에 의해 액세스된다.
구체적으로, 로드록실(31d)에는, 복수(여기서는, 4 개)의 게이트 밸브(101 ~ 104)가 로드록실(31d)의 상이한 3 개의 측면에 각각 마련된다. 각 게이트 밸브(101 ~ 104)는, 로드록실(31d)의 내부에 마련된 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 수용부를 개폐 가능하다.
보다 구체적으로, 도 7 ~ 도 9에 나타내는 바와 같이, 로드록실(31d)이 구비하는 수용부는, 높이 방향으로 적층되는 제 1 수용부(311) 및 제 2 수용부(312)로 구획된다. 제 1 수용부(311) 및 제 2 수용부(312)는, 예를 들면, 1 매의 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)을 수용 가능하다.
도 7 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 1 수용부(311)는, 제 1 반송 장치(22)와 대향하는 측면에 개구부(311a)를 가지고, 또한 제 3 반송 장치(34)와 대향하는 측면에 개구부(311b)를 가진다.
로드록실(31d)의 제 1 반송 장치(22)와 대향하는 측면에는, 제 1 게이트 밸브(101)가 마련되어 있고, 제 1 수용부(311)의 개구부(311a)는, 제 1 게이트 밸브(101)에 의해 개폐된다. 또한, 로드록실(31d)의 제 3 반송 장치(34)와 대향하는 측면에는, 제 3 게이트 밸브(103)가 마련되어 있고, 제 1 수용부(311)의 개구부(311b)는, 제 3 게이트 밸브(103)에 의해 개폐된다.
제 1 수용부(311)는, 흡인관을 개재하여 진공 펌프 등의 흡인 장치에 접속된다. 제 1 수용부(311)는, 제 1 게이트 밸브(101) 및 제 3 게이트 밸브(103)에 의해 개구부(311a, 311b)가 닫힌 상태, 즉, 제 1 수용부(311)가 밀폐된 상태로, 흡인 장치에 의해 진공 배기된다. 이에 의해, 제 1 수용부(311)의 분위기는, 상압 분위기로부터 감압 분위기로 전환된다.
제 1 게이트 밸브(101)는, 제 3 게이트 밸브(103)가 닫혀 있는 것을 조건으로서 열린다. 이에 의해, 제 3 반송 장치(34)가 배치되는 반송실(34a)의 감압 분위기가 유지된다.
도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 2 수용부(312)는, 제 2 반송 장치(32)와 대향하는 측면에 개구부(312a)를 가지고, 또한 제 3 반송 장치(34)와 대향하는 측면에 개구부(312b)를 가진다.
로드록실(31d)의 제 2 반송 장치(32)와 대향하는 측면에는, 제 2 게이트 밸브(102)가 마련되어 있고, 제 2 수용부(312)의 개구부(312a)는, 제 2 게이트 밸브(102)에 의해 개폐된다. 또한, 로드록실(31d)의 제 3 반송 장치(34)와 대향하는 측면에는, 제 4 게이트 밸브(104)가 마련되어 있고, 제 2 수용부(312)의 개구부(312b)는, 제 4 게이트 밸브(104)에 의해 개폐된다.
제 2 수용부(312)는, 흡인관을 개재하여, 제 1 수용부(311)와는 다른 흡인 장치에 접속된다. 제 2 수용부(312)는, 제 2 게이트 밸브(102) 및 제 4 게이트 밸브(104)에 의해 개구부(312a, 312b)가 닫힌 상태, 즉, 제 2 수용부(312)가 밀폐된 상태로, 흡인 장치에 의해 진공 배기된다. 이에 의해, 제 2 수용부(312)의 분위기는, 상압 분위기로부터 감압 분위기로 전환된다.
제 2 게이트 밸브(102)는, 제 3 게이트 밸브(103)가 닫혀 있는 것을 조건으로서 열린다. 이에 의해, 제 3 반송 장치(34)가 배치되는 반송실(34a)의 감압 분위기가 유지된다.
여기서는, 제 2 수용부(312)가 제 1 수용부(311)의 상부에 배치되는 경우의 예를 나타냈지만, 제 2 수용부(312)는, 제 1 수용부(311)의 하부에 배치되어도 된다.
실시 형태에 따른 로드록실(31d)은 상기와 같이 구성되어 있고, 제 1 반송 장치(22)는, 제 1 게이트 밸브(101)를 개재하여 제 1 수용부(311)에 액세스 가능하며, 제 2 반송 장치(32)는, 제 2 게이트 밸브(102)를 개재하여 제 2 수용부(312)에 액세스 가능하다. 또한, 제 3 반송 장치(34)는, 제 3 게이트 밸브(103)를 개재하여 제 1 수용부(311)에 액세스 가능하며, 제 4 게이트 밸브(104)를 개재하여 제 2 수용부(312)에 액세스 가능하다.
이와 같이, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에서는, 제 1 반송 장치(22), 제 2 반송 장치(32) 및 제 3 반송 장치(34)가, 각각 상이한 게이트 밸브(101 ~ 104)를 거쳐 로드록실(31d)에 대한 액세스를 행한다.
＜2. 접합 시스템의 구체적인 동작＞
다음으로, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)의 구체적인 동작에 대하여 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에 있어서의 제 1 기판(W1), 제 2 기판(W2) 및 중합 기판(T)의 반송 순서를 나타내는 순서도이다. 도 10에 나타내는 반송 처리 및 반송처에서 행해지는 각종의 처리는, 제어 장치(70)에 의한 제어에 기초하여 실행된다.
먼저, 복수 매의 제 1 기판(W1)을 수용한 카세트(C1), 복수 매의 제 2 기판(W2)을 수용한 카세트(C2), 및 빈 카세트(C3)가, 반입반출 블록(2)의 배치판(11a ~ 11c)에 각각 배치된다. 이 후, 배치판(11a)에 배치된 카세트(C1)로부터 제 1 기판(W1)이 제 1 반송 장치(22)에 의해 취출되어(단계(S101)), 판독부(31a)로 반송된다(단계(S102)). 판독부(31a)에서는, 제 1 기판(W1)의 식별 번호를 판독하는 판독 처리가 행해진다.
이어서, 제 1 기판(W1)은, 제 1 반송 장치(22)에 의해 판독부(31a)로부터 로드록실(31d)로 반송된다(단계(S103)). 구체적으로, 제 1 기판(W1)이 로드록실(31d)의 앞까지 반송되면, 게이트 밸브(101)가 개방되고, 로드록실(31d)의 제 1 수용부(311)에 배치된다. 이 후, 게이트 밸브(101)가 폐쇄된다. 그리고, 흡인 장치가 작동함으로써, 제 1 수용부(311)는 감압되어 감압 분위기가 된다.
이 후, 게이트 밸브(103)가 개방되고, 제 3 반송 장치(34)가 제 1 수용부(311)로부터 제 1 기판(W1)을 취출한다. 또한, 게이트 밸브(105)가 개방되고, 제 3 반송 장치(34)가 제 1 기판(W1)을 표면 개질 장치(35)로 반송한다(단계(S104)). 이 후, 게이트 밸브(105)가 폐쇄되고, 표면 개질 장치(35)에서 제 1 기판(W1)의 표면 개질 처리가 행해진다.
표면 개질 처리가 완료되면, 게이트 밸브(105)가 개방되고, 제 3 반송 장치(34)가 표면 개질 장치(35)로부터 제 1 기판(W1)을 취출한다. 또한, 게이트 밸브(104)가 개방되고, 제 3 반송 장치(34)가 제 1 기판(W1)을 로드록실(31d)의 제 2 수용부(312)에 배치한다(단계(S105)). 이 후, 게이트 밸브(104)가 폐쇄되고, 제 2 수용부(312)가 감압 분위기로부터 대기 분위기로 전환된다.
이어서, 게이트 밸브(102)가 개방된 후, 제 2 반송 장치(32)가 제 2 수용부(312)로부터 제 1 기판(W1)을 취출하고, 표면 친수화 장치(36)로 반송한다(단계(S106)). 표면 친수화 장치(36)에서는, 제 1 기판(W1)의 접합면을 친수화하는 처리 및 접합면의 세정 처리가 행해진다.
이어서, 제 1 기판(W1)은, 제 2 반송 장치(32)에 의해 제 1 얼라이먼트부(33e)로 반송된다(단계(S107)). 제 1 얼라이먼트부(33e)에서는, 제 1 기판(W1)의 수평 방향의 방향을 조정하는 처리와, 제 1 기판(W1)의 표리를 반전하는 처리가 행해진다. 이에 의해, 제 1 기판(W1)의 접합면은 하향이 된다.
이어서, 제 1 기판(W1)은, 제 4 반송 장치(37)에 의해 제 1 얼라이먼트부(33e)로부터 취출되어, 제 1 온조판(39a)으로 반송된다(단계(S108)). 제 1 온조판(39a)에서는, 제 1 기판(W1)의 온도를 미리 정해진 온도로 조정하는 처리가 행해진다.
이 후, 제 1 기판(W1)은, 제 4 반송 장치(37)에 의해 제 1 온조판(39a)으로부터 취출되어, 접합 장치(40)로 반송된다(단계(S109)). 접합 장치(40)는, 제 1 기판(W1)의 접합면을 하방을 향하게 한 상태로, 제 1 유지부(140)를 이용하여 제 1 기판(W1)을 상방으로부터 흡착 유지한다. 제 1 기판(W1)은, 노치부를 미리 정해진 방향을 향하게 한 상태로 제 1 유지부(140)에 유지된다.
제 1 기판(W1)에 대한 단계(S101 ~ S109)의 처리와 중복하여, 제 2 기판(W2)의 처리도 행해진다. 또한, 판독부(31a), 표면 개질 장치(35), 표면 친수화 장치(36)에 있어서의 처리는, 제 1 기판(W1)에 대한 처리와 동일하기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.
먼저, 배치판(11b)에 배치된 카세트(C2)로부터 제 2 기판(W2)이 제 1 반송 장치(22)에 의해 취출되어(단계(S110)), 판독부(31a)로 반송된다(단계(S111)). 이어서, 제 2 기판(W2)은, 제 1 반송 장치(22)에 의해 로드록실(31d)의 제 1 수용부(311)로 반송된 후(단계(S112)), 제 3 반송 장치(34)에 의해 제 1 수용부(311)로부터 취출되어, 표면 개질 장치(35)로 반송된다(단계(S113)).
이어서, 제 2 기판(W2)은, 제 3 반송 장치(34)에 의해 표면 개질 장치(35)로부터 취출되어, 로드록실(31d)의 제 2 수용부(312)에 배치된다(단계(S114)). 이 후, 제 2 기판(W2)은, 제 2 반송 장치(32)에 의해 제 2 수용부(312)로부터 취출되어, 표면 친수화 장치(36)로 반송된다(단계(S115)).
이어서, 제 2 기판(W2)은, 제 2 반송 장치(32)에 의해 표면 친수화 장치(36)로부터 취출되어, 제 2 얼라이먼트부(33d)로 반송된다. 제 2 얼라이먼트부(33d)에서는, 제 2 기판(W2)의 수평 방향의 방향을 조정하는 처리가 행해진다.
이어서, 제 2 기판(W2)은, 제 4 반송 장치(37)에 의해 제 2 얼라이먼트부(33d)로부터 취출되어, 제 2 온조판(39b)으로 반송된다(단계(S117)). 제 2 온조판(39b)에서는, 제 2 기판(W2)의 온도를 미리 정해진 온도로 조정하는 처리가 행해진다.
이 후, 제 2 기판(W2)은, 제 4 반송 장치(37)에 의해 제 2 온조판(39b)으로부터 취출되어, 접합 장치(40)로 반송된다(단계(S118)). 접합 장치(40)는, 제 2 기판(W2)의 접합면을 상방을 향하게 한 상태로, 제 2 유지부(141)를 이용하여 제 2 기판(W2)을 하방으로부터 흡착 유지한다. 제 2 기판(W2)은, 노치부를 미리 정해진 방향을 향하게 한 상태로 제 2 유지부(141)에 유지된다.
이어서, 접합 장치(40)에 있어서 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)을 접합하는 처리가 행해진다. 먼저, 접합 장치(40)는, 도시하지 않는 승강 기구를 이용하여 제 2 유지부(141)를 연직 상방으로 이동시킴으로써, 제 2 기판(W2)을 제 1 기판(W1)에 접근시킨다.
이어서, 복수의 내측 흡착부(302)에 의한 제 1 기판(W1)의 흡착 유지를 해제한 후, 스트라이커(190)의 누름 핀(191)을 하강시킴으로써, 제 1 기판(W1)의 중심부를 누른다.
제 1 기판(W1)의 중심부가 제 2 기판(W2)의 중심부에 접촉하고, 제 1 기판(W1)의 중심부와 제 2 기판(W2)의 중심부가 스트라이커(190)에 의해 정해진 힘으로 눌리면, 눌린 제 1 기판(W1)의 중심부와 제 2 기판(W2)의 중심부와의 사이에서 접합이 개시된다. 즉, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면은 표면 개질 장치(35)에 의해 개질되어 있기 때문에, 먼저, 접합면 간에 반데르발스력(분자간력)이 생겨, 당해 접합면끼리가 접합된다. 또한, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면은 표면 친수화 장치(36)에 의해 친수화되어 있기 때문에, 접합면 간의 친수기가 수소 결합하여, 접합면끼리가 강고하게 접합된다. 이와 같이 하여, 접합 영역이 형성된다.
이 후, 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)과의 사이에서는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 중심부로부터 외주부를 향해 접합 영역이 확대되어 가는 본딩 웨이브가 발생한다. 이 후, 복수의 외측 흡착부(301)에 의한 제 1 기판(W1)의 흡착 유지가 해제된다. 이에 의해, 외측 흡착부(301)에 의해 흡착 유지되어 있던 제 1 기판(W1)의 외주부가 낙하한다. 그 결과, 제 1 기판(W1)의 접합면과 제 2 기판(W2)의 접합면이 전면에서 접촉하여, 중합 기판(T)이 형성된다.
이 후, 누름 핀(191)을 제 1 유지부(140)까지 상승시키고, 제 2 유지부(141)에 의한 제 2 기판(W2)의 흡착 유지를 해제한다.
중합 기판(T)은, 제 4 반송 장치(37)에 의해 접합 장치(40)로부터 취출되어(단계(S119)), 제 2 전달부(33b)로 반송된다(단계(S120)). 이어서, 중합 기판(T)은, 제 2 반송 장치(32)에 의해 제 2 전달부(33b)로부터 취출되어, 제 1 전달부(31c)로 반송된다(단계(S121)). 그리고, 중합 기판(T)은, 제 1 반송 장치(22)에 의해 제 1 전달부(31c)로부터 취출되어, 배치판(11C)에 배치된 카세트(C3)에 수용된다(단계(S122)). 이에 의해, 접합 시스템(1)에 의한 일련의 기판 처리가 수용한다.
종래의 접합 시스템은, 제 1 반송 장치와 제 2 반송 장치와의 사이에 제 1 기판 및 제 2 기판의 배치대가 배치되어 있고, 로드록실은, 제 1 반송 장치로부터 떨어진 장소에 배치되어 있었다. 이러한 종래의 접합 시스템에서는, 제 1 반송 장치에 의해 반송된 제 1 기판 또는 제 2 기판은, 배치대를 개재하여 제 2 반송 장치로 전달된 후, 제 2 반송 장치에 의해 로드록실로 반송되어 있었다.
이에 대하여, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에서는, 제 1 반송 장치(22)가 액세스 가능한 위치에 로드록실(31d)이 배치된다. 구체적으로, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에 있어서, 로드록실(31d)은, 제 1 반송 장치(22)와 제 2 반송 장치(32)와의 사이에 배치된다. 이와 같이, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에 의하면, 로드록실(31d)에 대한 액세스를 제 1 반송 장치(22)로부터도 가능하게 함으로써, 예를 들면 종래의 접합 시스템에 있어서의 배치대의 스페이스분만큼 전체 길이(X축 방향의 길이)를 짧게 억제할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에 의하면, 접합 시스템(1)이 클린룸 등의 바닥 면적에 차지하는 비율인 풋프린트를 작게 할 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에 의하면, 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)을 로드록실(31d)로 반송할 시에, 제 1 반송 장치(22)로부터 제 2 반송 장치(32)로 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)을 전달하는 공정이 불필요해진다. 따라서, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에 의하면, 접합 시스템(1)에 있어서 실행되는 일련의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
실시 형태에 따른 로드록실(31d)의 수용부는, 제 1 반송 장치(22)에 의해 액세스되는 제 1 수용부(311)와, 제 2 반송 장치(32)에 의해 액세스되는 제 2 수용부(312)로 구획된다. 제 1 수용부(311)와 제 2 수용부(312)는, 서로 독립하여 상압 분위기와 감압 분위기와의 사이에서 전환 가능하다.
이와 같이 구성함으로써, 제 1 수용부(311) 및 제 2 수용부(312) 중 일방의 수용부를 상압 분위기로 하고, 타방의 수용부를 감압 분위기로 할 수 있다. 즉, 로드록실(31d)에 있어서, 상압 분위기에서 행해지는 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)의 반입반출 동작과, 감압 분위기에서 행해지는 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)의 반입반출 동작을 병행하여 행할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)에 의하면, 접합 시스템(1)에 있어서 실행되는 일련의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1에 나타내는 평면에서 봤을 때, 2 개의 제 3 반송 장치(34), 2 개의 표면 개질 장치(35), 2 개의 로드록실(31d)은, 반입반출 블록(2) 및 처리 블록(3)의 배열 방향(X축 방향)을 따른 직선으로서, 제 2 반송 장치(32)를 지나는 직선에 대하여 대칭으로 배치된다.
그리고, 2 개의 로드록실(31d)은, 반입반출 블록(2), 2 개의 제 3 반송 장치(34) 및 제 2 반송 장치(32)에 의해 둘러싸이는 영역에 배치된다. 2 개의 로드록실(31d)을 상기와 같이 배치함으로써, 풋프린트를 작게 할 수 있다.
또한, 로드록실(31d)은, 평면에서 봤을 때 4 개의 측면으로 이루어지는 형상이 사다리꼴 형상이다. 로드록실(31d)을 이러한 형상으로 함으로써, 풋프린트를 더 작게 할 수 있다.
(제 1 변형예)
접합 시스템(1)은, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 검사를 행하는 검사 장치를 더 구비하고 있어도 된다. 검사 장치는, 예를 들면 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면에 있어서의 파티클의 유무 등을 검사한다.
도 11 ~ 도 13은 검사 장치의 배치예를 나타내는 도이다. 예를 들면, 도 11에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(80)는, 제 1 처리 블록(3a)에 있어서, 표면 친수화 장치(36)의 상부에 배치되어도 된다. 즉, 검사 장치(80)는, 표면 개질 장치(35) 및 표면 친수화 장치(36)와 함께 적층되어도 된다. 또한 검사 장치(80)는, 표면 친수화 장치(36)의 하부에 배치되어도 되고, 표면 개질 장치(35)의 하부에 배치되어도 된다. 이러한 배치로 함으로써, 풋프린트의 증대를 억제할 수 있다.
또한, 도 12에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(80)는, 예를 들면, 제 1 처리 블록(3a)에 있어서, 표면 친수화 장치(36) 및 표면 개질 장치(35)의 측방에 배치되어도 된다. 또한 이 경우, 제 2 반송 장치(32)는, 표면 개질 장치(35) 및 검사 장치(80)의 양방에 액세스 가능하도록, X축 방향을 따라 이동 가능하게 구성되어도 된다.
또한, 표면 친수화 장치(36)는, 반드시 표면 친수화 장치(36)에 적층되는 것을 요하지 않으며, 표면 친수화 장치(36)의 측방에 배치되어도 된다. 이 경우, 검사 장치(80)는, 표면 개질 장치(35)의 측방에 있어서, 표면 친수화 장치(36)의 상부 또는 하부에 배치되어도 된다.
또한, 도 13에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(80)는, 제 2 처리 블록(3b)에 있어서, 접합 장치(40)의 상부에 배치되어도 된다. 또한, 검사 장치(80)는, 접합 장치(40)의 하부에 배치되어도 된다. 이와 같이, 접합 장치(40)의 상부 또는 하부에 검사 장치(80)를 배치함으로써, 풋프린트의 증대를 억제할 수 있다.
또한, 제 2 처리 블록(3b)에 배치되는 검사 장치(80)는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 검사에 한정되지 않고, 중합 기판(T)의 검사를 행하는 것이어도 된다.
(제 2 변형예)
상술한 실시 형태에서는, 처리 블록(3)이 제 1 처리 블록(3a)과 제 2 처리 블록(3b)으로 분할되는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 처리 블록(3)은, 반드시 분할되는 것을 요하지 않는다. 처리 블록(3)이 분할되지 않는 경우의 예에 대하여 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14는 제 2 변형예에 따른 접합 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 제 2 변형예에 따른 접합 시스템(1A)은, 처리 블록(3A)을 구비한다. 처리 블록(3A)은, 중앙에 반송 영역(90)을 구비하고 있고, 이러한 반송 영역(90)에는, X축 방향으로 연장되는 반송로(91)와, 이 반송로(91)를 따라 이동 가능한 제 2 반송 장치(32)가 배치된다.
반송 영역(90)의 Y축 정방향측 및 Y축 부방향측에는 각각, 처리 블록(3A)에는, 제 3 반송 장치(34), 표면 개질 장치(35) 및 접합 장치(40)가 배치된다. 제 3 반송 장치(34), 표면 개질 장치(35) 및 접합 장치(40)는, X축 정방향을 따라, 제 3 반송 장치(34), 표면 개질 장치(35) 및 접합 장치(40)의 순서로 배열된다.
또한, 처리 블록(3A)에 있어서, 반송 영역(90)과 반입반출 블록(2)과의 사이에는, 로드록실(31d)을 포함하는 제 1 적층부(31)가 배치된다. 또한, 처리 블록(3A)에 있어서, 반송 영역(90)을 사이에 두고 제 1 적층부(31)와 반대측에는, 제 3 임시 배치부(38a) 및 제 4 임시 배치부(38b)가 배치된다.
이와 같이, 접합 시스템(1A)은, 반드시 제 1 처리 블록(3a)과 제 2 처리 블록(3b)으로 분할되는 것을 요하지 않는다.
상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 접합 시스템(일례로서, 접합 시스템(1))은, 제 1 기판(일례로서, 제 1 기판(W1)) 및 제 2 기판(일례로서, 제 2 기판(W2))을 분자간력에 의해 접합함으로써 중합 기판(일례로서, 중합 기판(T))을 형성하는 접합 시스템으로서, 제 1 반송 장치(일례로서, 제 1 반송 장치(22)) 및 제 2 반송 장치(일례로서, 제 2 반송 장치(32))와, 제 3 반송 장치(일례로서, 제 3 반송 장치(34))와, 로드록실(일례로서, 로드록실(31d))과, 복수의 게이트(일례로서, 게이트 밸브(101 ~ 104))를 구비한다. 제 1 반송 장치 및 제 2 반송 장치는, 상압 분위기에 있어서 제 1 기판 및 제 2 기판을 반송한다. 제 3 반송 장치는, 감압 분위기에 있어서 제 1 기판 및 제 2 기판을 반송한다. 로드록실은, 제 1 기판 및 제 2 기판을 수용 가능한 수용부(일례로서, 제 1 수용부(311) 및 제 2 수용부(312))를 가지고, 수용부를 상압 분위기와 감압 분위기와의 사이에서 전환 가능하다. 복수의 게이트는, 로드록실의 상이한 3 개의 측면에 각각 마련되고, 로드록실을 개폐 가능하다. 또한, 제 1 반송 장치, 제 2 반송 장치 및 제 3 반송 장치는, 복수의 게이트 중 각각 상이한 게이트를 거쳐 로드록실에 대한 제 1 기판 및 제 2 기판의 반입반출을 행한다.
따라서, 실시 형태에 따른 접합 시스템에 의하면, 풋프린트를 작게 할 수 있다.
실시 형태에 따른 접합 시스템은, 반입반출 블록(일례로서, 반입반출 블록(2))과, 처리 블록(일례로서, 처리 블록(3))을 구비한다. 반입반출 블록은, 카세트(일례로서, 카세트(C1 ~ C4))가 배치되는 배치대(일례로서, 배치판(11a ~ 11d))를 가지고 있어도 된다. 처리 블록은, 제 1 기판 및 제 2 기판의 접합되는 표면(일례로서, 접합면)을 감압 분위기에서 개질하는 표면 개질 장치(일례로서, 표면 개질 장치(35))와, 개질된 제 1 기판 및 제 2 기판의 표면을 친수화하는 표면 친수화 장치(일례로서, 표면 친수화 장치(36))가 배치된다. 이 경우, 제 1 반송 장치는, 반입반출 블록에 배치되어, 카세트로부터 로드록실로의 제 1 기판 및 제 2 기판의 반송을 행해도 된다. 또한, 제 3 반송 장치는, 처리 블록에 배치되어, 로드록실로부터 표면 개질 장치로의 제 1 기판 및 제 2 기판의 반송을 행해도 된다. 또한, 제 2 반송 장치는, 처리 블록에 배치되어, 로드록실로부터 표면 친수화 장치로의 제 1 기판 및 제 2 기판의 반송을 행해도 된다.
로드록실은, 제 1 반송 장치와 제 2 반송 장치와의 사이에 배치되어도 된다. 이에 의해, 풋프린트를 작게 할 수 있다.
수용부는, 제 1 수용부(일례로서, 제 1 수용부(311))와, 제 2 수용부(일례로서, 제 2 수용부(312))를 구비하고 있어도 된다. 제 1 수용부는, 제 1 반송 장치에 의해 액세스된다. 제 2 수용부는, 제 1 수용부의 상부 또는 하부에 배치되고, 제 1 수용부와 독립하여 상압 분위기와 감압 분위기와의 사이에서 전환 가능하며, 제 2 반송 장치에 의해 액세스된다. 이에 의해, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
평면에서 봤을 때, 2 개의 제 3 반송 장치, 2 개의 표면 개질 장치, 2 개의 로드록실이, 반입반출 블록 및 처리 블록의 배열 방향을 따른 직선으로서, 제 2 반송 장치를 지나는 직선에 대하여 대칭으로 배치되어도 된다. 그리고, 2 개의 로드록실은, 반입반출 블록, 2 개의 제 3 반송 장치 및 제 2 반송 장치에 의해 둘러싸이는 영역에 배치되어도 된다. 이에 의해, 풋프린트를 작게 할 수 있다.
로드록실은, 평면에서 봤을 때, 상이한 3 개의 측면을 포함하는 4 개의 측면으로 이루어지는 형상이 사다리꼴 형상이어도 된다. 이에 의해, 풋프린트를 더 작게 할 수 있다.
처리 블록은, 반입반출 블록과 제 2 반송 장치와의 사이에, 복수의 모듈이 적층된 적층부(일례로서, 제 1 적층부(31))를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 로드록실은, 적층부에 배치되어도 된다. 또한, 복수의 모듈은, 중합 기판의 제 2 반송 장치로부터 제 1 반송 장치로의 전달이 행해지는 제 1 전달부(일례로서, 제 1 전달부(31c)), 제 1 기판 및 제 2 기판의 임시 배치부(일례로서, 제 1 임시 배치부(31b)), 제 1 기판 및 제 2 기판에 부착된 식별 정보를 판독하는 판독부(일례로서, 판독부(31a)) 중 적어도 1 개를 포함하고 있어도 된다.
표면 친수화 장치는, 표면 개질 장치의 상부 또는 하부에 배치되어도 된다. 이에 의해, 풋프린트를 더 작게 할 수 있다.
실시 형태에 따른 접합 시스템은, 제 1 기판 및 제 2 기판의 검사를 행하는 검사 장치(일례로서, 검사 장치(80))를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 검사 장치는, 처리 블록(일례로서, 제 1 처리 블록(3a))에 있어서, 표면 개질 장치 및 표면 친수화 장치와 함께 적층되어도 된다. 이에 의해, 풋프린트의 증대를 억제할 수 있다.
실시 형태에 따른 접합 시스템은, 친수화된 제 1 기판과 제 2 기판을 분자간력에 의해 접합하는 접합 장치(일례로서, 접합 장치(40))를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 접합 장치는, 처리 블록(일례로서, 제 2 처리 블록(3b))에 배치되어도 된다.
처리 블록은, 제 1 처리 블록(일례로서, 제 1 처리 블록(3a))과, 제 2 처리 블록(일례로서, 제 2 처리 블록(3b))을 구비하고 있어도 된다. 제 1 처리 블록은, 반입반출 블록에 인접하고, 제 2 반송 장치, 제 3 반송 장치, 표면 개질 장치 및 표면 친수화 장치가 배치된다. 제 2 처리 블록은, 제 1 처리 블록에 인접한다. 이 경우, 접합 장치는, 제 2 처리 블록에 배치되어도 된다.
제 1 처리 블록은, 제 2 반송 장치와 제 2 처리 블록과의 사이에 제 2 전달부(일례로서, 제 2 전달부(33b))를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 제 2 처리 블록은, 제 2 반송 장치에 의해 제 2 전달부에 배치된 제 1 기판 및 제 2 기판을 접합 장치로 반송하는 제 4 반송 장치(일례로서, 제 4 반송 장치(37))를 구비하고 있어도 된다.
실시 형태에 따른 접합 시스템은, 제 1 기판, 제 2 기판 및 중합 기판 중 적어도 1 개의 검사를 행하는 검사 장치(일례로서, 검사 장치(80))를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 검사 장치는, 제 2 처리 블록에 있어서, 접합 장치의 상부 또는 하부에 배치되어도 된다. 이에 의해, 풋프린트의 증대를 억제할 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1 : 접합 시스템
2 : 반입반출 블록
3 : 처리 블록
3a : 제 1 처리 블록
3b : 제 2 처리 블록
10 : 배치대
11a : 배치판
11b : 배치판
11c : 배치판
11d : 배치판
22 : 제 1 반송 장치
31：제 1 적층부
31a : 판독부
31b : 제 1 임시 배치부
31c : 제 1 전달부
31d : 로드록실
32 : 제 2 반송 장치
33 : 제 2 적층부
33a : 제 2 임시 배치부
33b : 제 2 전달부
33c : 제 3 전달부
33d : 제 2 얼라이먼트부
33e : 제 1 얼라이먼트부
34 : 제 3 반송 장치
35 : 표면 개질 장치
36 : 표면 개질 장치
37 : 제 4 반송 장치
38a : 제 3 임시 배치부
38b : 제 4 임시 배치부
39 : 접합 장치
39a : 제 1 온조판
39b : 제 2 온조판
40 : 접합 장치
101 ~ 105 : 게이트 밸브
311 : 제 1 수용부
312 : 제 2 수용부

Claims (15)

  1. 제 1 기판 및 제 2 기판을 분자간력에 의해 접합함으로써 중합 기판을 형성하는 접합 시스템으로서,
    상압 분위기에 있어서 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 반송하는 제 1 반송 장치 및 제 2 반송 장치와,
    감압 분위기에 있어서 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 반송하는 제 3 반송 장치와,
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 수용 가능한 수용부를 가지고, 상기 수용부를 상기 상압 분위기와 상기 감압 분위기와의 사이에서 전환 가능한 로드록실과,
    상기 로드록실의 상이한 3 개의 측면에 각각 마련되고, 상기 로드록실을 개폐 가능한 복수의 게이트
    를 구비하고,
    상기 제 1 반송 장치, 상기 제 2 반송 장치 및 상기 제 3 반송 장치는, 상기 복수의 게이트 중 각각 상이한 게이트를 거쳐 상기 로드록실에 대한 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 반입반출을 행하는, 접합 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    카세트가 배치되는 배치대를 가지는 반입반출 블록과,
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 접합되는 표면을 상기 감압 분위기에서 개질하는 표면 개질 장치와, 개질된 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 표면을 친수화하는 표면 친수화 장치가 배치되는 처리 블록
    을 구비하고,
    상기 제 1 반송 장치는, 상기 반입반출 블록에 배치되고, 상기 카세트로부터 상기 로드록실로의 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 반송을 행하고,
    상기 제 3 반송 장치는, 상기 처리 블록에 배치되고, 상기 로드록실로부터 상기 표면 개질 장치로의 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 반송을 행하고,
    상기 제 2 반송 장치는, 상기 처리 블록에 배치되고, 상기 로드록실로부터 상기 표면 친수화 장치로의 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 반송을 행하는, 접합 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 로드록실은, 상기 제 1 반송 장치와 상기 제 2 반송 장치와의 사이에 배치되는, 접합 시스템.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수용부는,
    상기 제 1 반송 장치에 의해 액세스되는 제 1 수용부와,
    상기 제 1 수용부의 상부 또는 하부에 배치되고, 상기 제 1 수용부와 독립하여 상기 상압 분위기와 상기 감압 분위기와의 사이에서 전환 가능하며, 상기 제 2 반송 장치에 의해 액세스되는 제 2 수용부
    를 구비하는, 접합 시스템.
  5. 제 2 항에 있어서,
    평면에서 봤을 때, 2 개의 상기 제 3 반송 장치, 2 개의 상기 표면 개질 장치, 2 개의 상기 로드록실이, 상기 반입반출 블록 및 상기 처리 블록의 배열 방향을 따른 직선으로서, 상기 제 2 반송 장치를 통과하는 상기 직선에 대하여 대칭으로 배치되는, 접합 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    2 개의 상기 로드록실은, 상기 반입반출 블록, 2 개의 상기 제 3 반송 장치 및 상기 제 2 반송 장치에 의해 둘러싸이는 영역에 배치되는, 접합 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 로드록실은, 평면에서 봤을 때, 상기 상이한 3 개의 측면을 포함하는 4 개의 측면으로 이루어지는 형상이 사다리꼴 형상인, 접합 시스템.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리 블록은, 상기 반입반출 블록과 상기 제 2 반송 장치와의 사이에, 복수의 모듈이 적층된 적층부
    를 구비하고,
    상기 로드록실은, 상기 적층부에 배치되는, 접합 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 모듈은, 상기 중합 기판의 상기 제 2 반송 장치로부터 상기 제 1 반송 장치로의 전달이 행해지는 제 1 전달부, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 임시 배치부, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판에 부착된 식별 정보를 판독하는 판독부 중 적어도 1 개를 포함하는, 접합 시스템.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 표면 친수화 장치는, 상기 표면 개질 장치의 상부 또는 하부에 배치되는, 접합 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 검사를 행하는 검사 장치
    를 구비하고,
    상기 검사 장치는, 상기 처리 블록에 있어서, 상기 표면 개질 장치 및 상기 표면 친수화 장치와 함께 적층되는, 접합 시스템.
  12. 제 2 항에 있어서,
    친수화된 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 분자간력에 의해 접합하는 접합 장치
    를 구비하고,
    상기 접합 장치는, 상기 처리 블록에 배치되는, 접합 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 처리 블록은,
    상기 반입반출 블록에 인접하여, 상기 제 2 반송 장치, 상기 제 3 반송 장치, 상기 표면 개질 장치 및 상기 표면 친수화 장치가 배치되는 제 1 처리 블록과,
    상기 제 1 처리 블록에 인접하는 제 2 처리 블록
    을 구비하고,
    상기 접합 장치는, 상기 제 2 처리 블록에 배치되는, 접합 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 블록은,
    상기 제 2 반송 장치와 상기 제 2 처리 블록과의 사이에 제 2 전달부
    를 구비하고,
    상기 제 2 처리 블록은,
    상기 제 2 반송 장치에 의해 상기 제 2 전달부에 배치된 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 상기 접합 장치로 반송하는 제 4 반송 장치
    를 구비하는, 접합 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 기판, 상기 제 2 기판 및 상기 중합 기판 중 적어도 1 개의 검사를 행하는 검사 장치
    를 구비하고,
    상기 검사 장치는, 상기 제 2 처리 블록에 있어서, 상기 접합 장치의 상부 또는 하부에 배치되는, 접합 시스템.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018010921A (ja) 2016-07-12 2018-01-18 東京エレクトロン株式会社 接合システム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06349931A (ja) * 1993-06-10 1994-12-22 Tokyo Electron Ltd 処理システム
US7010388B2 (en) * 2003-05-22 2006-03-07 Axcelis Technologies, Inc. Work-piece treatment system having load lock and buffer
TW200715448A (en) * 2005-07-25 2007-04-16 Canon Anelva Corp Vacuum processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system
JP4635972B2 (ja) * 2006-06-29 2011-02-23 株式会社ニコン ロードロック装置、それを使用した方法及びウエハ接合システム
JP5445160B2 (ja) * 2010-01-18 2014-03-19 株式会社ニコン ウェハ処理装置、ウェハ処理方法およびデバイスの製造方法
JP5476171B2 (ja) * 2010-03-16 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP2011236479A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 金属膜形成システム、金属膜形成方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5752639B2 (ja) * 2012-05-28 2015-07-22 東京エレクトロン株式会社 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US10328580B2 (en) * 2013-08-09 2019-06-25 Persimmon Technologies Corporation Reduced footprint substrate transport vacuum platform

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018010921A (ja) 2016-07-12 2018-01-18 東京エレクトロン株式会社 接合システム

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