KR20220138205A - Circuit board and package substrate including the same - Google Patents

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KR20220138205A
KR20220138205A KR1020210044048A KR20210044048A KR20220138205A KR 20220138205 A KR20220138205 A KR 20220138205A KR 1020210044048 A KR1020210044048 A KR 1020210044048A KR 20210044048 A KR20210044048 A KR 20210044048A KR 20220138205 A KR20220138205 A KR 20220138205A
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권명재
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

A circuit board according to an embodiment includes: a first insulating layer; multiple first vias passing through the first insulating layer; a first circuit pattern disposed on an upper surface of the first insulating layer and including multiple pads connected to upper surfaces of the multiple first vias; and a second circuit pattern positioned on a lower surface of the first insulating layer and including multiple pads connected to lower surfaces of the multiple first vias. The first insulating layer is a first outermost insulating layer disposed on a first outermost side of the circuit board, the upper surface of the first insulating layer is exposed to the first outermost side to form a first outermost side surface of the circuit board, and a pitch corresponding to a distance between the centers of the multiple pads in the first circuit pattern is 100㎛ or less. The present invention aims to provide a circuit board having a new structure capable of minimizing the pitch of mounting pads and a package substrate including the circuit board.

Description

회로기판 및 이를 포함하는 패키지 기판 {CIRCUIT BOARD AND PACKAGE SUBSTRATE INCLUDING THE SAME}Circuit board and package board including same {CIRCUIT BOARD AND PACKAGE SUBSTRATE INCLUDING THE SAME}

실시 예는 회로 기판에 관한 것으로, 특히 이웃하는 복수의 패드 사이의 피치를 최소화할 수 있는 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판에 관한 것이다.The embodiment relates to a circuit board, and more particularly, to a circuit board capable of minimizing a pitch between a plurality of adjacent pads, and a package board including the same.

전기/전자 제품의 고성능화가 진행됨에 따라, 한정된 크기의 기판에 더 많은 수의 패키지를 부착하기 위한 기술들이 제안 및 연구되고 있다. 다만, 일반적인 패키지는 하나의 반도체 칩이 탑재되는 것을 기본으로 하기 때문에, 원하는 성능을 얻는데 한계가 있다.As the performance of electric/electronic products progresses, techniques for attaching a larger number of packages to a substrate having a limited size are being proposed and studied. However, since a general package is based on mounting one semiconductor chip, there is a limit in obtaining desired performance.

일반적인 패키지 기판은 프로세서 칩이 배치된 프로세서 패키지와, 메모리 칩이 부착된 메모리 패키지가 하나로 연결된 형태를 가진다. 이러한 패키지 기판은 프로세서 칩과 메모리 칩을 하나의 통합 패키지로 제조함으로써, 칩의 실장 면적을 줄이고, 짧은 패스를 통해 고속 신호이 가능한 장점이 있다.A typical package substrate has a form in which a processor package in which a processor chip is disposed and a memory package to which a memory chip is attached are connected as one. Such a package substrate has the advantage of reducing a chip mounting area and enabling high-speed signals through a short pass by manufacturing the processor chip and the memory chip as one integrated package.

이러한 장점으로 인해, 상기와 같은 패키지 기판은 모바일 기기 등에 많이 적용되고 있다. Due to these advantages, the package substrate as described above is widely applied to mobile devices and the like.

한편, 최근 들어 모바일 기기와 같은 전자기기의 고사양화, HBM(High Bandwidth Memory) 채용 등으로, 하나의 패키지 기판에 복수의 칩을 실장할 수 있는 회로 기판이 요구되고 있다.On the other hand, in recent years, due to the high specification of electronic devices such as mobile devices and the adoption of high bandwidth memory (HBM), a circuit board capable of mounting a plurality of chips on one package board is required.

그러나, 종래의 패키지용 회로 기판은, 칩이 실장되는 패드의 디자인 한계로 인해 사이즈에 제약이 있다. 예를 들어, 종래의 패키지용 회로 기판은 최소 비아의 사이즈, 상기 비아의 사이즈에 의한 패드의 사이즈, 그리고 복수의 패드 사이에 배치되는 트레이스의 사이즈, 나아가 상기 패드의 표면을 오픈하는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region) 사이즈에 제약이 있다. 예를 들어, 종래의 패키지용 회로 기판에서, 칩 실장용 패드의 피치(pitch)는 100㎛를 초과하고 있다. 이에 따라, 종래의 패키지용 회로기판을 이용하면, 제한된 공간 내에 실장될 수 있는 칩의 수가 감소할 수 있다. 예를 들어, 종래에서는 상기와 같은 패드의 피치 한계로 인해 다수의 칩을 모두 실장하기 위해 회로 기판의 부피가 커지는 문제가 있다.However, the conventional circuit board for a package has a size limitation due to a design limitation of a pad on which a chip is mounted. For example, in a conventional circuit board for a package, the size of a minimum via, a size of a pad according to the size of the via, a size of a trace disposed between a plurality of pads, and an opening of a solder resist for opening the surface of the pad The size of the Solder resist open region (SOR) is limited. For example, in the conventional circuit board for package, the pitch of the pad for chip mounting exceeds 100 micrometers. Accordingly, when the conventional circuit board for a package is used, the number of chips that can be mounted in a limited space can be reduced. For example, in the related art, there is a problem in that the volume of the circuit board increases in order to mount all of the plurality of chips due to the limitation of the pitch of the pads.

또한, 최근에는 감광성 물질(예를 들어, PID)을 사용하여 미세 피치를 구현한 회로 기판이 개발되고 있다. 그러나, 상기 감광성 물질로 제조된 회로 기판은 휨(warpage)에 취약하고, 프리프레그를 사용하여 제조된 회로 기판 대비 제조 단가가 높은 문제가 있다.In addition, recently, a circuit board having a fine pitch using a photosensitive material (eg, PID) has been developed. However, the circuit board made of the photosensitive material is vulnerable to warpage, and there is a problem in that the manufacturing cost is high compared to the circuit board manufactured using the prepreg.

실시 예에서는 실장 패드의 피치를 최소화할 수 있는 새로운 구조의 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판을 제공하고자 한다.In the embodiment, an object of the present invention is to provide a circuit board having a novel structure capable of minimizing the pitch of mounting pads and a package board including the same.

또한, 실시 예에서는 프리프레그로 구성된 회로 기판에서, 최외측의 칩 실장 패드가 100㎛ 이하의 미세 피치를 가질 수 있도록 한 새로운 구조의 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment is to provide a circuit board having a new structure such that the outermost chip mounting pad has a fine pitch of 100 μm or less in a circuit board made of a prepreg, and a package board including the same.

또한, 실시 예에서는 회로 기판의 최외층에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하여, 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 의한 패드의 사이즈 제약을 해결할 수 있는 새로운 구조의 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판을 제공하고자 한다.In addition, in the embodiment, by removing the solder resist disposed on the outermost layer of the circuit board, the circuit board of a new structure capable of solving the size restriction of the pad due to the solder resist open region (SOR), and including the same An object of the present invention is to provide a package substrate for

제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical tasks to be achieved in the proposed embodiment are not limited to the technical tasks mentioned above, and other technical tasks not mentioned are clear to those of ordinary skill in the art to which the proposed embodiment belongs from the description below. will be able to understand

실시 예에 따른 회로 기판은 제1 절연층; 상기 제1 절연층을 관통하는 복수의 제1 비아; 상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 복수의 제1 비아의 상면과 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제1 회로 패턴; 및 상기 제1 절연층의 하면에 배치되고, 상기 복수의 제1 비아의 하면과 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제2 회로 패턴을 포함하고, 상기 제1 절연층은 회로 기판의 제1 최외측에 배치된 제1 최외측 절연층이고, 상기 제1 절연층의 상기 상면은, 상기 제1 최외측으로 노출되어, 상기 회로 기판의 제1 최외측 표면을 구성하고, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드의 중심 사이의 거리에 대응하는 피치는, 100㎛ 이하이다.A circuit board according to an embodiment includes a first insulating layer; a plurality of first vias passing through the first insulating layer; a first circuit pattern disposed on an upper surface of the first insulating layer and including a plurality of pads connected to upper surfaces of the plurality of first vias; and a second circuit pattern disposed on a lower surface of the first insulating layer and including a plurality of pads connected to lower surfaces of the plurality of first vias, wherein the first insulating layer is a first outermost side of the circuit board. a first outermost insulating layer disposed on The pitch corresponding to the distance between the centers of the plurality of pads is 100 µm or less.

또한, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드는, 상기 제1 절연층의 상면 위로 돌출되어 배치된다.In addition, the plurality of pads of the first circuit pattern are disposed to protrude above the upper surface of the first insulating layer.

또한, 상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 크고, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭의 101% 내지 130%의 범위의 폭을 가진다.In addition, the width of the upper surface of the first via is greater than the width of the lower surface, and the pad of the first circuit pattern has a width in the range of 101% to 130% of the width of the upper surface of the first via.

또한, 상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 크고, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭보다 작은 폭을 가진다.In addition, the width of the upper surface of the first via is greater than the width of the lower surface, and the pad of the first circuit pattern has a width smaller than the width of the upper surface of the first via.

또한, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제2 회로 패턴의 패드의 폭보다 작고, 상기 제1 비아의 하면의 폭보다 크다.In addition, the pad of the first circuit pattern is smaller than the width of the pad of the second circuit pattern and is larger than the width of the lower surface of the first via.

또한, 상기 제1 회로 패턴은 상기 제1 회로 패턴의 패드와 연결되는 트레이스를 포함하고, 상기 트레이스는 상기 제1 회로 패턴의 패드 및 상기 제1 비아의 상면과 직접 접촉하는 부분을 포함한다.In addition, the first circuit pattern includes a trace connected to a pad of the first circuit pattern, and the trace includes a portion in direct contact with the pad of the first circuit pattern and an upper surface of the first via.

또한, 상기 제1 회로 패턴은, 상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드 사이에 배치되는 트레이스를 포함한다.In addition, the first circuit pattern may include a trace disposed on an upper surface of the first insulating layer and disposed between the plurality of pads of the first circuit pattern.

또한, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드는, 상기 제1 절연층의 상면에 매립되어 배치된다.In addition, the plurality of pads of the first circuit pattern are disposed to be embedded in the upper surface of the first insulating layer.

또한, 상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 작고, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭의 101% 내지 130%의 범위의 폭을 가진다.In addition, the width of the upper surface of the first via is smaller than the width of the lower surface, and the pad of the first circuit pattern has a width in the range of 101% to 130% of the width of the upper surface of the first via.

또한, 상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 작고, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭보다 작은 폭을 가지며, 상기 제1 비아는 상기 제1 회로 패턴의 패드의 측면을 둘러싸며 배치된다.In addition, the width of the upper surface of the first via is smaller than the width of the lower surface, the pad of the first circuit pattern has a width smaller than the width of the upper surface of the first via, and the first via has a width of the first circuit pattern is placed around the side of the pad.

또한, 상기 제1 회로 패턴은 트레이스를 포함하고, 상기 트레이스는 상기 제1 비아의 측면과 직접 접촉한다.In addition, the first circuit pattern includes a trace, and the trace is in direct contact with a side surface of the first via.

또한, 상기 회로 기판은 상기 제1 회로 패턴의 상기 패드의 상면에 배치되는 제1 표면 처리층을 포함한다.In addition, the circuit board may include a first surface treatment layer disposed on an upper surface of the pad of the first circuit pattern.

또한, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드의 중심 사이의 거리에 대응하는 피치는 90㎛ 이하이다.In addition, a pitch corresponding to a distance between the centers of the plurality of pads of the first circuit pattern is 90 μm or less.

또한, 상기 제1 절연층 아래에 배치되는 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층의 하면에 배치되는 보호층을 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 회로 기판의 상기 제1 최외측과 반대되는 제2 최외측에 배치된 제2 최외측 절연층이고, 상기 보호층의 하면은 상기 제2 최외측으로 노출되어, 상기 회로 기판의 제2 최외측 표면을 구성한다.In addition, a second insulating layer disposed under the first insulating layer; and a protective layer disposed on a lower surface of the second insulating layer, wherein the second insulating layer is a second outermost insulating layer disposed on a second outermost side opposite to the first outermost side of the circuit board, A lower surface of the protective layer is exposed as the second outermost surface to constitute a second outermost surface of the circuit board.

한편, 실시 예에 따른 패키지 기판은 제1 절연층; 상기 제1 절연층을 관통하며, 폭 방향으로 상호 이격되는 제1-1 비아 및 제1-2 비아를 포함하는 제1 비아; 상기 제1-1 비아의 상면에 배치되는 제1 패드, 상기 제1-2 비아의 상면에 배치되는 제2 패드 및 상기 제1 절연층의 상면에서 상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이에 배치되는 제1 트레이스를 포함하는 제1 회로 패턴; 상기 제1 절연층의 하면에 배치되고, 상기 제2 비아의 하면과 연결되는 제2 회로 패턴; 상기 제1 패드 및 상기 제2 패드에 배치되는 제1 표면 처리층; 상기 제1 표면 처리층에 배치되는 제1 접착부; 상기 제1 접착부에 부착되는 칩; 및 상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 칩을 몰딩하는 몰딩층을 포함하고, 상기 몰딩층은 상기 제1 절연층의 상면과 직접 접촉하면서, 상기 제1 회로 패턴을 덮으며 배치되고, 상기 제1 회로 패턴의 상기 제1 패드의 중심에서 상기 제1 회로 패턴의 상기 제2 패드의 중심까지의 거리에 대응하는 피치는 100㎛ 이하이다.On the other hand, the package substrate according to the embodiment includes a first insulating layer; a first via passing through the first insulating layer and including 1-1 vias and 1-2 vias spaced apart from each other in a width direction; A first pad disposed on an upper surface of the 1-1 via, a second pad disposed on an upper surface of the first-2 via, and an upper surface of the first insulating layer between the first pad and the second pad a first circuit pattern including a first trace to be formed; a second circuit pattern disposed on a lower surface of the first insulating layer and connected to a lower surface of the second via; a first surface treatment layer disposed on the first pad and the second pad; a first adhesive portion disposed on the first surface treatment layer; a chip attached to the first adhesive part; and a molding layer disposed on an upper surface of the first insulating layer and molding the chip, wherein the molding layer is in direct contact with the upper surface of the first insulating layer and is disposed to cover the first circuit pattern, A pitch corresponding to a distance from a center of the first pad of the first circuit pattern to a center of the second pad of the first circuit pattern is 100 μm or less.

또한, 상기 제1 접착부의 폭은 상기 제1 패드의 폭 및 상기 제2 패드의 폭보다 작다.In addition, a width of the first adhesive portion is smaller than a width of the first pad and a width of the second pad.

또한, 상기 칩은 폭 방향으로 상호 이격되어 배치되는 제1 칩 및 제2 칩을 포함하고, 상기 제1 칩은 센트랄 프로세서(CPU)에 대응하고, 상기 제2 칩은 그래픽 프로세서(GPU)에 대응한다.In addition, the chip includes a first chip and a second chip disposed to be spaced apart from each other in a width direction, the first chip corresponding to a central processor (CPU), the second chip to the graphic processor (GPU) respond

실시 예에 따른 회로 기판은 칩이 실장되는 영역에 배치된 실장 패드를 포함한다. 이때, 비교 예에서의 실장 패드는 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)보다 큰 폭을 가지며, 이에 따른 상기 실장 패드는 110㎛보다 큰 피치를 가지게 된다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서의 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 사이즈에 영향을 받지 않으며, 이에 따른 비교 예 대비 상기 실장 패드의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있음에 따라, 제한된 공간 내에 더 많은 칩을 실장시킬 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 부피, 나아가 패키지 기판의 부피를 감소시킬 수 있다.A circuit board according to an embodiment includes a mounting pad disposed in an area on which a chip is mounted. In this case, the mounting pad in the comparative example has a larger width than a solder resist open region (SOR) disposed on the outermost side of the circuit board, and thus the mounting pad has a pitch larger than 110 μm. do. On the contrary, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist disposed on the outermost side of the circuit board is removed. Accordingly, the width of the mounting pad in the embodiment is not affected by the size of the solder resist open region (SOR), and thus the width of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example. Accordingly, in the embodiment, since the pitch of the mounting pad can be reduced compared to the comparative example, more chips can be mounted in a limited space, and thus the volume of the circuit board and further the volume of the package board can be reduced.

또한, 실시 예에서는 상기와 같이 피치가 감소함에 따라, 상기 회로 기판에 실장되는 칩의 단자 사이를 연결하는 전송 라인의 길이를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신호 전송 손실을 최소화하여 통신 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, as the pitch decreases as described above, the length of the transmission line connecting between the terminals of the chip mounted on the circuit board can be reduced, and thus the communication performance can be improved by minimizing the signal transmission loss. have.

도 1a는 비교 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 1b는 도 1a의 회로기판에서 A영역의 확대도이다.
도 1c는 비교 예에 따른 회로 기판에서 실장 패드의 피치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 3a는 도 2의 T1 영역의 확대도이다.
도 3b는 도 2의 B1 영역의 확대도이다.
도 4는 제1 실시 예에 따른 실장 패드의 피치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a는 제1 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 5b는 제2 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 5c는 제3 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 5d는 제4 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 5e는 제5 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 6은 제2 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6의 최외측의 확대도이다.
도 8a는 제1 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 8b는 제2 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 8c는 제3 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 9a 내지 도 9f는 도 2에 도시된 회로 기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.
도 10a 내지 도 10h는 도 6에 도시된 회로 기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 제1 실시 예에 따른 패키지 기판을 나타낸 도면이다.
도 12는 제2 실시 예에 따른 패키지 기판을 나타낸 도면이다.
1A is a diagram illustrating a circuit board according to a comparative example.
1B is an enlarged view of area A in the circuit board of FIG. 1A.
1C is a view for explaining a pitch of mounting pads in a circuit board according to a comparative example.
2 is a view showing a circuit board according to the first embodiment.
FIG. 3A is an enlarged view of a region T1 of FIG. 2 .
FIG. 3B is an enlarged view of area B1 of FIG. 2 .
4 is a view for explaining a pitch of a mounting pad according to the first embodiment.
5A is a diagram illustrating a circuit board according to a first modified example.
5B is a diagram illustrating a circuit board according to a second modified example.
5C is a diagram illustrating a circuit board according to a third modified example.
5D is a diagram illustrating a circuit board according to a fourth modified example.
5E is a diagram illustrating a circuit board according to a fifth modified example.
6 is a diagram illustrating a circuit board according to a second embodiment.
FIG. 7 is an enlarged view of the outermost side of FIG. 6 .
8A is a diagram illustrating a circuit board according to a first modified example.
8B is a diagram illustrating a circuit board according to a second modified example.
8C is a diagram illustrating a circuit board according to a third modified example.
9A to 9F are views for explaining the manufacturing method of the circuit board shown in FIG. 2 in order of process.
10A to 10H are views for explaining the manufacturing method of the circuit board shown in FIG. 6 in order of process.
11 is a view showing a package substrate according to the first embodiment.
12 is a view showing a package substrate according to a second embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are assigned the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "part" for components used in the following description are given or mixed in consideration of only the ease of writing the specification, and do not have distinct meanings or roles by themselves. In addition, in describing the embodiments disclosed in the present specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in the present specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed herein is not limited by the accompanying drawings, and all changes included in the spirit and scope of the present invention , should be understood to include equivalents or substitutes.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, terms such as “comprises” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

- 비교 예 -- Comparative Example -

실시 예의 설명에 앞서, 본원의 실시 예의 회로 기판과 비교되는 비교 예에 대해 설명하기로 한다.Prior to the description of the embodiment, a comparative example compared with the circuit board of the embodiment of the present application will be described.

도 1a는 비교 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이고, 도 1b는 도 1a의 회로기판에서 A영역의 확대도이고, 도 1c는 비교 예에 따른 회로 기판에서 실장 패드의 피치를 설명하기 위한 도면이다. 1A is a view showing a circuit board according to a comparative example, FIG. 1B is an enlarged view of area A in the circuit board of FIG. 1A, and FIG. 1C is a view for explaining the pitch of mounting pads in the circuit board according to the comparative example .

도 1a를 참조하면, 비교 예에 따른 회로 기판에서는 비아 및 패드의 디자인 한계로 인해, 이웃하는 패드(명확하게는, 칩이 실장되는 실장 패드) 사이의 피치가 110㎛를 초과한다. 비교 예에서의 회로 기판은 코어 타입의 구조를 가진다.Referring to FIG. 1A , in a circuit board according to a comparative example, a pitch between adjacent pads (specifically, a mounting pad on which a chip is mounted) exceeds 110 μm due to design limitations of vias and pads. The circuit board in the comparative example has a core type structure.

비교 예에 따른 회로 기판은, 절연층, 회로 패턴, 비아, 및 보호층을 포함한다.The circuit board according to the comparative example includes an insulating layer, a circuit pattern, a via, and a protective layer.

절연층은 코어층(1), 제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)을 포함한다. 비교 예의 회로 기판은 코어층(1)을 중심으로, 이의 상부 및 하부에 제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)이 대칭 구조를 가지고 배치된다. 코어층(1)은 프리프레그를 포함하는 CCL(Clad Copper Laminate)이거나, 인터포져에서 사용되는 실리콘, 글라스, 및 세라믹과 같은 재료를 포함한다.The insulating layer includes a core layer 1 , a first insulating layer 5 and a second insulating layer 8 . In the circuit board of the comparative example, the first insulating layer 5 and the second insulating layer 8 are disposed on the core layer 1 as the center, and the first insulating layer 5 and the second insulating layer 8 have a symmetrical structure thereon. The core layer 1 is CCL (Clad Copper Laminate) including a prepreg, or includes a material such as silicon, glass, and ceramic used in an interposer.

제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)은 상기 코어층(1)의 상면 및 하면에 각각 배치된다. 상기 제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)은 프리프레그를 포함한다. 예를 들어, 제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)은 수지 및 상기 수지 내에 강화 섬유를 포함한다.The first insulating layer 5 and the second insulating layer 8 are respectively disposed on the upper and lower surfaces of the core layer 1 . The first insulating layer 5 and the second insulating layer 8 include prepregs. For example, the first insulating layer 5 and the second insulating layer 8 include a resin and reinforcing fibers in the resin.

제1 회로 패턴(2)은 제1 절연층(5)의 하면에 배치된다. 또한, 상기 제1 회로 패턴(2)은 코어층(1)의 상면에 배치된다. The first circuit pattern 2 is disposed on the lower surface of the first insulating layer 5 . In addition, the first circuit pattern 2 is disposed on the upper surface of the core layer 1 .

제2 회로 패턴(7)은 제1 절연층(5)의 상면에 배치된다. 상기 제2 회로 패턴(7)은 상기 제1 절연층(5)의 상면 위로 돌출되어 배치된다. The second circuit pattern 7 is disposed on the upper surface of the first insulating layer 5 . The second circuit pattern 7 is disposed to protrude above the upper surface of the first insulating layer 5 .

제3 회로 패턴(3)은 제2 절연층(8)의 상면에 배치된다. 또한, 상기 제3 회로 패턴(3)은 제2 절연층(8)의 하면에 배치된다.The third circuit pattern 3 is disposed on the upper surface of the second insulating layer 8 . In addition, the third circuit pattern 3 is disposed on the lower surface of the second insulating layer 8 .

제4 회로 패턴(10)은 제2 절연층(8)의 하면에 배치된다. 상기 제4 회로 패턴(10)은 제2 절연층(8)의 하면 아래로 돌출되어 배치된다.The fourth circuit pattern 10 is disposed on the lower surface of the second insulating layer 8 . The fourth circuit pattern 10 is disposed to protrude below the lower surface of the second insulating layer 8 .

이때, 비교 예의 회로 기판에서, 제1 절연층(5)은 다층 구조에서, 제1 최외측 또는 최상측에 배치된 절연층이고, 제2 절연층(8)은 제2 최외측 또는 최하측에 배치된 절연층이다.At this time, in the circuit board of the comparative example, the first insulating layer 5 is an insulating layer disposed on the first outermost or uppermost side in the multilayer structure, and the second insulating layer 8 is on the second outermost or lowermost side of the circuit board. placed insulating layer.

상기 제1 회로 패턴(2), 제2 회로 패턴(7), 제3 회로 패턴(3) 및 제4 회로 패턴(10)은 각각 패드 및 트레이스를 포함한다. 상기 패드는 비아와 연결되거나, 칩이 실장되거나, 외부기판의 메인보드와 연결되는 접착부(미도시)가 배치되는 부분이다. 상기 트레이스는 상기 패드로부터 길게 연장되는 신호 라인이다. The first circuit pattern 2 , the second circuit pattern 7 , the third circuit pattern 3 , and the fourth circuit pattern 10 include pads and traces, respectively. The pad is a portion in which an adhesive portion (not shown) connected to a via, a chip is mounted, or a main board of an external substrate is disposed. The trace is a signal line extending long from the pad.

비아는 각각의 절연층을 관통하며 배치된다. 예를 들어, 제1 비아(6)는 제1 절연층(5)을 관통하며 배치된다. 제1 비아(6)는 일단이 제1 회로 패턴(2)과 연결되고, 타단이 제2 회로 패턴(7)과 연결된다. 예를 들어, 제2 비아(4)는 코어층(1)을 관통하며 배치된다. 예를 들어, 제3 비아(9)는 제2 절연층(8)을 관통하며 배치된다. 예를 들어, 제3 비아(9)는 일단이 제3 회로 패턴(3)과 연결되고, 타단이 제4 회로 패턴(10)과 연결된다. A via is disposed through each insulating layer. For example, the first via 6 is disposed through the first insulating layer 5 . One end of the first via 6 is connected to the first circuit pattern 2 , and the other end is connected to the second circuit pattern 7 . For example, the second via 4 is disposed through the core layer 1 . For example, the third via 9 is disposed passing through the second insulating layer 8 . For example, one end of the third via 9 is connected to the third circuit pattern 3 and the other end is connected to the fourth circuit pattern 10 .

제1 보호층(11) 및 제2 보호층(12)은 상기 제1 절연층(5)의 상면 및 상기 제2 절연층(8)의 하면에 각각 배치된다. 상기 제1 보호층(11) 및 제2 보호층(12)은 각각 제2 회로 패턴(7) 및 제4 회로 패턴(10)의 표면을 노출하는 개구부를 가진다. The first protective layer 11 and the second protective layer 12 are respectively disposed on the upper surface of the first insulating layer 5 and the lower surface of the second insulating layer 8 . The first protective layer 11 and the second protective layer 12 have openings exposing the surfaces of the second circuit pattern 7 and the fourth circuit pattern 10 , respectively.

이때, 비교 예의 회로 기판에서, 제1 및 제2 최외측에 배치된 회로 패턴 중 하나는 칩이 실장되는 실장부를 포함하고, 다른 하나는 외부 기판의 메인 보드와 연결되는 단자부를 포함한다. In this case, in the circuit board of the comparative example, one of the first and second outermost circuit patterns includes a mounting part on which a chip is mounted, and the other includes a terminal part connected to the main board of the external board.

예를 들어, 비교 예에서, 제1 최외측에 배치된 제2 회로 패턴(7)은 칩이 실장되는 실장 패드를 포함하고, 제2 최외측에 배치된 제4 회로 패턴(10)은 외부 기판의 메인 보드가 연결되는 단자 패드를 포함한다.For example, in the comparative example, the second circuit pattern 7 disposed on the first outermost side includes a mounting pad on which a chip is mounted, and the fourth circuit pattern 10 disposed on the second outermost side is an external substrate. It includes a terminal pad to which the main board is connected.

구체적으로, 도 1a의 비교 예의 회로 기판에서, 제2 회로 패턴(7)은 실장 패드를 포함하고, 제4 회로 패턴(10)은 단자 패드를 포함한다. Specifically, in the circuit board of the comparative example of FIG. 1A , the second circuit pattern 7 includes a mounting pad, and the fourth circuit pattern 10 includes a terminal pad.

이때, 비교 예에서의 회로 기판은 비아의 디자인에 따른 사이즈, 및 실장 패드의 디자인에 따른 사이즈에 한계가 있으며, 이로 인해 이웃하는 실장 패드의 중심 사이의 거리인 피치가 110㎛를 초과하고 있다. In this case, the circuit board in the comparative example has limitations in the size according to the design of the via and the size according to the design of the mounting pad, so that the pitch, which is the distance between the centers of the neighboring mounting pads, exceeds 110 μm.

즉, 비교 예에서의 제1 절연층(5)은 프리프레그를 포함한다. 이때, 상기 제1 절연층(5)에 비아 홀을 형성하기 위해서는 레이저 가공을 진행해야 한다. 이때, 일반적인 레이저 가공의 특성 상, 상기 제1 비아(6)는 일정 수준 이상의 사이즈를 가지게 된다.That is, the first insulating layer 5 in the comparative example includes a prepreg. At this time, in order to form a via hole in the first insulating layer 5, laser processing should be performed. At this time, due to the characteristics of general laser processing, the first via 6 has a size greater than or equal to a certain level.

예를 들어, 상기 제1 비아(6)는 레이저 가공에 의해 형성된 비아 홀 내부를 채우는 것에 의해, 제1면의 폭과 제2면의 폭이 다르다. 예를 들어, 상기 제1 비아(6)의 제1면 또는 상면의 폭(w1)은 제2면 또는 하면의 폭(w2)보다 크다. 그리고, 코어층을 포함하는 회로 기판에서, 제1 최외측에 배치되는 실장 패드는 상기 제1 비아(6)의 넓은 폭 부분인 제1면 또는 상면과 연결된다. For example, the width of the first surface and the width of the second surface are different from the width of the first via 6 by filling the inside of the via hole formed by laser processing. For example, the width w1 of the first surface or the upper surface of the first via 6 is greater than the width w2 of the second surface or the lower surface of the first via 6 . In addition, in the circuit board including the core layer, the first outermost mounting pad is connected to the first surface or the upper surface that is the wide portion of the first via 6 .

이때, 상기 제1 비아(6)의 제1면의 폭(w1)은 레이저 공정의 한계로 인해, 최소 45㎛ 이상을 가진다. 또한, 상기 제1 비아(6)의 제2면의 폭(w2)은 상기 제1면의 폭(w1)의 80% 수준인 40㎛ 이상을 가진다. In this case, the width w1 of the first surface of the first via 6 has a minimum of 45 μm or more due to the limitation of the laser process. In addition, the width w2 of the second surface of the first via 6 has a width of 40 µm or more, which is 80% of the width w1 of the first surface.

또한, 비교 예에서, 상기 제1 비아(6)의 제1면과 직접 접촉하는 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 폭(w3)은 최소 70㎛ 이상을 가진다. 즉, 비교 예에서, 제1 비아(6)의 상면과 연결되는 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)는, 상기 제1 비아(6)의 제1면의 폭(w1)보다 일정 수준 이상의 폭을 가진다. 또한, 상기 제1 절연층(5)의 제2면 또는 하면과 직접 접촉하는 제1 회로 패턴(2)의 패드의 폭(w4)은 최소 67㎛ 이상을 가진다. 즉, 상기 제1 회로 패턴(2)의 패드는 상기 제1 비아(6)의 제2면의 폭(w2)보다 일정 수준 이상의 폭을 가진다.In addition, in the comparative example, the width w3 of the mounting pads 7-2a and 7-2b of the second circuit pattern 7 in direct contact with the first surface of the first via 6 is at least 70 μm or more. have That is, in the comparative example, the mounting pads 7 - 2a and 7 - 2b of the second circuit pattern 7 connected to the upper surface of the first via 6 are formed on the first surface of the first via 6 . It has a width more than a certain level than the width w1. In addition, the width w4 of the pad of the first circuit pattern 2 in direct contact with the second surface or the lower surface of the first insulating layer 5 is at least 67 μm. That is, the pad of the first circuit pattern 2 has a width greater than or equal to the width w2 of the second surface of the first via 6 .

이에 따라, 상기 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b), 이웃하는 패드와의 피치에 영향을 주는 부분의 폭(w5=(w3-w1)/2)은 최소 12.5㎛ 수준이다. 즉, 상기 비아(40)의 제1면의 일단에서, 상기 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 일단까지의 폭 방향으로의 수평 직선 거리(w5)는 최소 12.5㎛ 수준이다. 또한, 상기 제1 회로 패턴(2)의 패드에서, 이웃하는 패드와의 피치에 영향을 주는 부분의 폭(w6=(w4-w2)/2)은 최소 13.5㎛ 수준이다. 즉, 상기 제1 절연층(5)의 제2면의 일단에서, 상기 제1 회로 패턴(2)의 패드의 일단까지의 폭 방향으로의 수평 직선 거리(w5)는 최소 12.5㎛ 수준이다. 또한, 상기 제1 비아(6)의 제1면의 일단에서, 상기 제1 회로 패턴(2)의 패드의 일단까지의 폭 방향으로의 수평 직선 거리(w7=(w4-w1)/2)는 최소 11㎛ 수준이다. Accordingly, the width (w5=(w3-w1)/2) of the portion affecting the pitch of the mounting pads 7-2a and 7-2b of the second circuit pattern 7 and the neighboring pads is the minimum. It is about 12.5 μm. That is, the horizontal straight line distance w5 in the width direction from one end of the first surface of the via 40 to one end of the mounting pads 7-2a and 7-2b of the second circuit pattern 7 is It is at least 12.5 μm. In addition, in the pad of the first circuit pattern 2 , the width (w6=(w4-w2)/2) of the portion affecting the pitch with respect to the neighboring pad is at least 13.5 μm. That is, the horizontal straight line distance w5 in the width direction from one end of the second surface of the first insulating layer 5 to one end of the pad of the first circuit pattern 2 is at least 12.5 μm. In addition, the horizontal straight line distance (w7=(w4-w1)/2) in the width direction from one end of the first surface of the first via 6 to the one end of the pad of the first circuit pattern 2 is It is at least 11 μm.

이에 따라, 비교 예에서는, 상기와 같은 디자인 및 사이즈를 가지는 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)를 이용하여 칩을 실장하는 경우, 상기 제1 패드(7-2a)의 중심과 제2 패드(7-2b)의 중심 사이의 거리인 피치는 최소 78㎛ 이상을 가진다. 즉, 비교 예에서의 상기 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b) 사이는 8㎛ 이상의 이격 간격을 가진다. 이에 따라, 단순히 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b)의 디자인 및 사이즈만을 고려하는 경우, 상기 제1 패드(7-2a)의 중심과 제2 패드(7-2b)의 중심 사이의 거리인 피치는 78㎛ 정도를 가지게 된다.Accordingly, in the comparative example, when the chip is mounted using the mounting pads 7-2a and 7-2b of the second circuit pattern 7 having the design and size as described above, the first pad 7- The pitch, which is the distance between the center of 2a) and the center of the second pad 7-2b, has a minimum of 78 μm or more. That is, the first pad 7-2a and the second pad 7-2b in the comparative example have a spacing of 8 μm or more. Accordingly, when only the design and size of the first pad 7-2a and the second pad 7-2b are considered, the center of the first pad 7-2a and the second pad 7-2b The pitch, which is the distance between the centers of , is about 78 μm.

그러나, 최근 전자 제품의 고사양화에 따라, 칩의 단자의 수가 증가하고, 이에 따라 상기 칩의 단자와 단자 사이를 연결하는 트레이스의 수도 증가하고 있다. 따라서, 도 1c의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 칩이 실장되는 회로 기판에서, 상기 칩이 실장될 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b) 사이에는 적어도 1개의 트레이스가 배치되어야 한다. 예를 들어, 상기 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b) 사이에 적어도 1개의 트레이스가 배치되지 않는 경우, 회로 기판의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. 또한, 상기 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b) 사이에 적어도 1개의 트레이스가 배치되지 않는 경우, 상기 칩의 단자와 단자 사이를 연결하는 트레이스의 길이가 증가하게 되고, 상기 트레이스의 길이 증가에 따른 신호 전송 손실이 증가하는 문제가 있다.However, with the recent high-spec electronic products, the number of terminals of the chip increases, and accordingly, the number of traces connecting the terminals of the chip and the terminals also increases. Accordingly, as shown in (a) of FIG. 1C, in the circuit board on which the chip is mounted, at least between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b on which the chip is to be mounted. One trace should be placed. For example, when at least one trace is not disposed between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b, the overall volume of the circuit board may increase. In addition, when at least one trace is not disposed between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b, the length of the trace connecting the terminal and the terminal of the chip increases, There is a problem in that signal transmission loss increases as the length of the trace increases.

이에 따라, 칩이 실장될 수 있는 회로 기판에서, 상기 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b) 사이에는 적어도 1개의 트레이스(7-2)가 존재해야 한다. 상기 트레이스(7-2)는 상기 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b) 사이를 연결하는 신호 라인일 수 있고, 이와 다르게, 상기 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b) 중 어느 하나 또는 이를 제외한 다른 패드 사이를 연결하는 신호 라인일 수 있다. Accordingly, in the circuit board on which the chip can be mounted, at least one trace 7-2 should exist between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b. The trace 7-2 may be a signal line connecting the first pad 7-2a and the second pad 7-2b. Alternatively, the first pad 7-2a and the second pad 7-2b It may be a signal line connecting any one of the two pads 7 - 2b or other pads except the same.

이때, 상기 트레이스(7-2)는 7㎛ 이상의 선폭(w8)을 가지고, 최소 8㎛의 이격 간격(w9)을 가진다. 상기 이격 간격(w9)은 복수의 트레이스들 사이의 이격 간격을 의미할 수 있고, 상기 트레이스(7-2)와 상기 제1 패드(7-2a) 또는 제2 패드(7-2b) 사이의 이격 간격을 의미할 수 있다. In this case, the trace 7-2 has a line width w8 of 7 μm or more, and a spacing w9 of at least 8 μm. The spacing w9 may mean a spacing between a plurality of traces, and a spacing between the trace 7-2 and the first pad 7-2a or the second pad 7-2b. It could mean an interval.

또한, 비교 예에서의 제1 보호층(11)의 개구부의 폭(w10)은 최소 45㎛ 이상의 폭을 가진다. 이는, 상기 제1 보호층(11)의 개구부는 노광 및 현상 공정을 거쳐 형성되는데, 상기 노광 및 현상 진행 시의 공정 능력 한계에 따라 최소 45㎛의 폭을 가지게 된다. In addition, the width w10 of the opening of the first passivation layer 11 in the comparative example has a minimum width of 45 μm or more. In this case, the opening of the first passivation layer 11 is formed through an exposure and development process, and has a width of at least 45 μm depending on a process capability limit during the exposure and development.

이때, 실시 예에서의 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 폭(w3)은 상기 설명한 바와 같이, 상기 제1 보호층(11)의 개구부의 폭(w10)보다는 커야 한다. 이는, 상기 제1 보호층(11)의 개구부를 통해 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 표면의 전체가 노출되어야 하기 때문이다. 이때, 상기 제1 보호층(11)의 개구부를 정확한 위치에 형성하는데 한계가 있다. 이에 따라, 비교 예에서는 상기 개구부가 형성되는 위치의 편차를 고려하여, 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)는 상기 개구부보다 큰 70㎛ 정도의 폭(w3)을 가지게 된다.In this case, as described above, the width w3 of the mounting pads 7-2a and 7-2b in the embodiment should be greater than the width w10 of the opening of the first protective layer 11 . This is because the entire surface of the mounting pads 7 - 2a and 7 - 2b must be exposed through the opening of the first protective layer 11 . In this case, there is a limit in forming the opening of the first protective layer 11 at an accurate position. Accordingly, in the comparative example, the mounting pads 7-2a and 7-2b have a width w3 of about 70 μm larger than the opening in consideration of the deviation of the position where the opening is formed.

이에 따라, 도 1c의 (b)에서와 같이, 비교 예의 회로 기판에서, 상기 제2 회로 패턴(7)을 실장 패드로 이용하는 경우, 상기 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b)의 중심들 사이의 거리인 피치는 상기 제1 패드(7-2a)의 폭, 제2 패드(7-2b)의 폭, 상기 트레이스(7-2)의 폭, 상기 트레이스(7-2)의 이격 간격에 의해 결정된다. 예를 들어, 상기 설명한 바와 같이 비교 예에서는 상기 제1 패드(7-2a)의 폭, 제2 패드(7-2b)의 폭, 상기 트레이스(7-2)의 폭, 상기 트레이스(7-2)의 이격 간격이 결정되며, 이로 인해 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b) 사이의 피치(p1)는 110㎛를 초과하게 된다. 즉, 비교 예에서는 상기 비아(6)의 사이즈 및 상기 제1 보호층(11)의 SOR의 사이즈의 한계에 의해, 상기 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b)의 폭이 증가하고, 이에 따른 이들 사이의 피치(p1)가 110㎛를 초과한다.Accordingly, as shown in (b) of FIG. 1C , in the circuit board of the comparative example, when the second circuit pattern 7 is used as a mounting pad, the first pad 7-2a and the second pad 7- The pitch, which is the distance between the centers of 2b), is the width of the first pad 7-2a, the width of the second pad 7-2b, the width of the trace 7-2, and the width of the trace 7-2. ) is determined by the spacing of the For example, as described above, in the comparative example, the width of the first pad 7-2a, the width of the second pad 7-2b, the width of the trace 7-2, and the width of the trace 7-2 ) is determined, so that the pitch p1 between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b exceeds 110 μm. That is, in the comparative example, the widths of the first pad 7-2a and the second pad 7-2b are limited by the size of the via 6 and the size of the SOR of the first protective layer 11 . increases, and thus the pitch p1 between them exceeds 110 μm.

상기와 같이, 비교 예에서는 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b)의 중심 사이의 피치가 최소 110㎛를 초과하게 되며, 이에 따른 제한된 공간 내에서 다수의 칩을 실장하기가 어려울 수 있다. 예를 들어, 상기 피치가 증가함에 따라 상기 칩을 실장하는데 필요한 회로 기판의 폭 방향으로의 폭이 증가하는 문제가 있다. 또한, 상기 피치가 증가한다는 것은 이웃하는 패드 사이의 신호 전송 라인이 증가한다는 것을 의미하며, 상기 신호 전송 라인이 증가함에 따른 신호 전송 손실이 증가하는 문제가 있다. As described above, in the comparative example, the pitch between the centers of the first pad 7-2a and the second pad 7-2b exceeds at least 110 μm, and accordingly, it is difficult to mount a plurality of chips within a limited space. can be difficult For example, as the pitch increases, there is a problem in that the width in the width direction of the circuit board required to mount the chip increases. In addition, an increase in the pitch means an increase in signal transmission lines between adjacent pads, and there is a problem in that a signal transmission loss increases as the signal transmission lines increase.

또한, 최근 전기/전자 제품의 고성능화가 진행됨에 따라, 한정된 크기의 기판에 더 많은 수의 패키지를 부착하기 위한 기술들이 연구되고 있으며, 이에 따라 회로 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 그러나, 비교 예의 회로 기판을 이용한 패키지 기판의 경우, 패드의 피치의 미세화에 한계가 있다. 또한, 최근 들어 애플리케이션 프로세서(AP: Application Processor)에서 처리되는 기능들의 증가에 따라, 이를 하나의 칩으로 구현하기 어려워지고 있다. 그러나, 비교 예에서 제공되는 회로 기판을 이용해서는 제한된 공간 내에, 서로 다른 기능을 하는 2개의 애플리케이션 프로세서(AP)를 실장하는데 어려움이 있다.In addition, as the performance of electric/electronic products is progressing recently, techniques for attaching a larger number of packages to a substrate having a limited size are being studied, and accordingly, miniaturization of circuit patterns is required. However, in the case of the package substrate using the circuit board of the comparative example, there is a limit to the miniaturization of the pad pitch. In addition, as functions processed by an application processor (AP) increase in recent years, it is becoming difficult to implement them in a single chip. However, it is difficult to mount two application processors (APs) having different functions in a limited space using the circuit board provided in the comparative example.

실시 예는 이러한 비교 예의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 실장 패드가 배치되는 회로 기판의 최외측의 솔더 레지스트를 제거함에 의해, 상기 실장 패드의 피치를 100㎛이하, 바람직하게 90㎛ 이하, 더욱 바람직하게 80㎛ 이하로 축소할 수 있도록 한다. 나아가, 실시 예에서는 상기 피치의 축소에 따라 하나의 회로 기판에 복수의 칩의 실장이 가능하도록 한다. 예를 들어, 실시 예에서는 하나의 회로 기판에 서로 다른 기능을 하는 복수의 프로세서 칩이나, 메모리 칩을 모두 실장할 수 있는 새로운 구조의 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판을 제공할 수 있도록 한다.The embodiment is to solve the problems of the comparative example, and by removing the solder resist of the outermost side of the circuit board on which the mounting pad is disposed, the pitch of the mounting pad is 100 μm or less, preferably 90 μm or less, more preferably It should be reduced to less than 80㎛. Furthermore, in the embodiment, it is possible to mount a plurality of chips on one circuit board according to the reduction of the pitch. For example, in the embodiment, it is possible to provide a circuit board having a new structure on which a plurality of processor chips or memory chips having different functions can be mounted on a single circuit board, and a package board including the same.

-전자 디바이스--Electronic device-

실시 예의 설명에 앞서, 실시 예의 패키지 기판을 포함하는 전자 디바이스에 대해 간략하게 설명하기로 한다. 전자 디바이스는 메인 보드(미도시)를 포함한다. 상기 메인 보드는 다양한 부품들과 물리적 및/또는 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 메인 보드는 실시 예의 패키지 기판과 연결될 수 있다. 상기 패키지 기판에는 다양한 칩이 실장될 수 있다. 크게, 상기 패키지 기판에는, 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리 칩과, 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 어플리케이션 프로세서 칩과, 아날로그-디지털 컨버터, ASIC(application-specific IC) 등의 로직 칩 등이 실장될 수 있다. Prior to the description of the embodiment, an electronic device including the package substrate of the embodiment will be briefly described. The electronic device includes a main board (not shown). The main board may be physically and/or electrically connected to various components. For example, the main board may be connected to the package substrate of the embodiment. Various chips may be mounted on the package substrate. Broadly, the package substrate includes a volatile memory (eg, DRAM), a non-volatile memory (eg, ROM), a memory chip such as a flash memory, a central processor (eg, CPU), a graphics processor (eg, GPU), An application processor chip such as a digital signal processor, an encryption processor, a microprocessor, and a microcontroller, and a logic chip such as an analog-to-digital converter and an ASIC (application-specific IC) may be mounted.

그리고, 실시 예에서는 패드의 피치를 미세화할 수 있도록 하고, 상기 피치의 미세화에 따라 하나의 기판에 서로 다른 종류의 적어도 2개의 칩을 실장할 수 있는 회로 기판 및 패키지 기판을 제공한다. 나아가, 실시 예에서는 비교 예보다 작은 피치를 가지는 실장 패드 사이에 비교 예보다 더 많은 트레이스를 배치할 수 있도록 한 회로 기판 및 패키지 기판을 제공한다.In addition, the embodiment provides a circuit board and a package board capable of refining the pitch of the pads and capable of mounting at least two different types of chips on a single board according to the miniaturization of the pitch. Furthermore, the embodiment provides a circuit board and a package substrate in which more traces than in the comparative example can be disposed between mounting pads having a smaller pitch than in the comparative example.

이때, 상기 전자 디바이스는 스마트 폰(smart phone), 개인용 정보 단말기(personal digital assistant), 디지털 비디오 카메라(digital video camera), 디지털 스틸 카메라(digital still camera), 네트워크 시스템(network system), 컴퓨터(computer), 모니터(monitor), 태블릿(tablet), 랩탑(laptop), 넷북(netbook), 텔레비전(television), 비디오 게임(video game), 스마트 워치(smart watch), 오토모티브(Automotive) 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 외에도 데이터를 처리하는 임의의 다른 전자기기일 수 있음은 물론이다.In this case, the electronic device includes a smart phone, a personal digital assistant, a digital video camera, a digital still camera, a network system, and a computer. ), a monitor, a tablet, a laptop, a netbook, a television, a video game, a smart watch, an automotive, and the like. However, the present invention is not limited thereto, and may be any other electronic device that processes data in addition to these.

-제1 실시 예--First embodiment-

이하에서는 실시 예에 따른 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a circuit board according to an embodiment and a package board including the same will be described.

도 2는 제1 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이고, 도 3a는 도 2의 T1 영역의 확대도이고, 도 3b는 도 2의 B1 영역의 확대도이며, 도 4는 제1 실시 예에 따른 실장 패드의 피치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2 내지 도 4를 참조하여, 제1 실시 예에 따른 회로 기판에 대해 설명하기로 한다.2 is a view showing a circuit board according to the first embodiment, FIG. 3A is an enlarged view of area T1 of FIG. 2 , FIG. 3B is an enlarged view of area B1 of FIG. 2 , and FIG. 4 is an enlarged view of area B1 of FIG. It is a diagram for explaining the pitch of the mounting pad according to the present invention. A circuit board according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 4 .

도 2를 참조하면, 회로 기판(100)은 적어도 1개의 칩이 실장될 수 있도록 하는 실장 공간을 제공한다. 상기 회로 기판(100)에 실장되는 칩은, 1개일 수 있으며, 이와 다르게 2개일 수 있으며, 이와 다르게 3개 이상일 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(100)에는 1개의 프로세서 칩이 실장될 수 있고, 이와 다르게 서로 다른 기능을 하는 적어도 2개의 프로세서 칩이 실장될 수 있으며, 이와 다르게 1개의 프로세서 칩과 함께 1개의 메모리 칩이 실장될 수 있고, 이와 다르게 서로 다른 기능을 하는 적어도 2개의 프로세서 칩과 적어도 1개의 메모리 칩이 실장될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the circuit board 100 provides a mounting space in which at least one chip can be mounted. The number of chips mounted on the circuit board 100 may be one, alternatively, two, or alternatively, three or more. For example, one processor chip may be mounted on the circuit board 100 , and at least two processor chips having different functions may be mounted differently. Alternatively, one processor chip and one memory chip may be mounted on the circuit board 100 . This may be mounted, otherwise, at least two processor chips and at least one memory chip having different functions may be mounted.

회로 기판(100)은 절연층(110)을 포함한다.The circuit board 100 includes an insulating layer 110 .

이때, 실시 예의 회로 기판(100)은 코어 기판일 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(100)은 코어층(111)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(100)은 코어층(111)을 중심으로, 이의 상부 및 하부에 대칭적으로 복수의 절연층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 이때, 실시 예에서, 상기 회로 기판(100)이 코어 기판일 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 다른 실시 예에서 회로 기판은 코어층이 제거된 코어리그 기판일 수 있다. 이때, 실시 예에서는 칩의 실장을 위한 실장 패드에 그 특징이 있다. 이에 따라, 실시 예에서, 상기 회로 기판(100)이 코어층을 포함하는지 여부는 크게 중요하지 않으며, 회로 기판의 다층 구조에서, 최외측에 배치된 절연층, 비아 및 회로 패턴에 그 특징이 있다. 그리고, 이하에서 설명되는 최외측에 배치된 절연층, 비아 및 회로 패턴에 특징은 코어 기판뿐 아니라, 코어리스 기판에도 동일하게 적용될 수 있을 것이다. 다만, 실시 예에서는 회로 기판의 휨 특성을 최대화하기 위해, 상기 회로 기판(100)이 코어층을 포함하는 코어 기판인 것으로 하여 설명한다.In this case, the circuit board 100 of the embodiment may be a core board. For example, the circuit board 100 may include a core layer 111 . For example, the circuit board 100 may have a structure in which a plurality of insulating layers are stacked symmetrically on top and bottom of the core layer 111 . At this time, in the embodiment, it has been described that the circuit board 100 is a core substrate, but is not limited thereto. For example, in another embodiment, the circuit board may be a core rig board from which the core layer is removed. At this time, in the embodiment, the mounting pad for mounting the chip has its characteristics. Accordingly, in the embodiment, it is not very important whether the circuit board 100 includes the core layer, and in the multilayer structure of the circuit board, the outermost insulating layer, the via, and the circuit pattern are characterized. . In addition, features of the outermost insulating layer, via, and circuit pattern described below may be equally applied to not only the core substrate but also the coreless substrate. However, in the embodiment, in order to maximize the bending characteristics of the circuit board, the circuit board 100 will be described as a core board including a core layer.

이에 따라, 회로 기판(100)의 절연층(110)은 코어층(111), 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)을 포함할 수 있다.Accordingly, the insulating layer 110 of the circuit board 100 may include a core layer 111 , a first insulating layer 112 , and a second insulating layer 113 .

코어층(111)은 프리프레그를 포함하는 CCL(Clad Copper Laminate)이거나, 인터포져에서 사용되는 실리콘, 글라스, 및 세라믹과 같은 재료를 포함한다.The core layer 111 is CCL (clad copper laminate) including a prepreg, or includes a material such as silicon, glass, and ceramic used in an interposer.

제1 절연층(112)은 상기 코어층(111)의 제1면 상에 적층될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(112)은 상기 코어층(111)의 상면에 적층될 수 있다. 이때, 도 2에서, 상기 제1 절연층(112)이 1층으로 구성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 절연층(112)은 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제1 절연층(112)이 다층 구조를 가지는 경우, 이에 대응하게 제2 절연층(113)도 다층 구조를 가질 것이다. 또한, 회로 기판(100)에서, 코어층(111)의 제1면 또는 상면에 적어도 2개 이상의 제1 절연층이 적층되는 경우, 도 2에 도시된 제1 절연층(112)은 상기 2개 이상의 제1 절연층 중 제1 최외측(또는 최상측)에 배치된 제1 절연층을 나타낸 것일 수 있다. 이때, 상기 제1 최외측은 칩이 실장되는 칩 실장 영역에 대응할 수 있다.The first insulating layer 112 may be stacked on the first surface of the core layer 111 . For example, the first insulating layer 112 may be stacked on the upper surface of the core layer 111 . At this time, although it has been described that the first insulating layer 112 is composed of one layer in FIG. 2 , the present invention is not limited thereto. For example, the first insulating layer 112 may have a multilayer structure of two or more layers. And, when the first insulating layer 112 has a multilayer structure, the second insulating layer 113 may also have a multilayer structure corresponding thereto. In addition, when at least two or more first insulating layers are stacked on the first surface or upper surface of the core layer 111 in the circuit board 100 , the first insulating layer 112 shown in FIG. 2 includes the two Among the above first insulating layers, the first insulating layer disposed on the first outermost (or uppermost) side may be shown. In this case, the first outermost side may correspond to a chip mounting area in which a chip is mounted.

또한, 제2 절연층(113)은 상기 코어층(111)의 제2면 상에 적층될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(113)은 상기 코어층(111)의 하면에 적층될 수 있다. 이때, 도 2에서 상기 제2 절연층(113)이 1층으로 구성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(113)은 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제2 절연층(113)이 다층 구조를 가지는 경우, 이에 대응하여 제1 절연층(112)도 동일한 층수의 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 실시 예의 회로 기판(100)에서 코어층(111)의 제2면 또는 하면에 적어도 2개 이상의 제2 절연층이 적층되는 경우, 도 2에 도시된 제2 절연층(113)은 상기 2개 이상의 제2 절연층 중 제2 최외측(또는 최하측)에 배치된 제2 절연층을 나타낸 것일 수 있다.In addition, the second insulating layer 113 may be stacked on the second surface of the core layer 111 . For example, the second insulating layer 113 may be stacked on a lower surface of the core layer 111 . At this time, although it has been described that the second insulating layer 113 is composed of one layer in FIG. 2 , the present invention is not limited thereto. For example, the second insulating layer 113 may have a multilayer structure of two or more layers. In addition, when the second insulating layer 113 has a multilayer structure, the first insulating layer 112 may have a multilayer structure with the same number of layers corresponding thereto. In addition, when at least two or more second insulating layers are stacked on the second surface or lower surface of the core layer 111 in the circuit board 100 of the embodiment, the second insulating layer 113 shown in FIG. 2 is The second insulating layer disposed on the second outermost (or lowermost) side of the two or more second insulating layers may be shown.

상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 프리프레그(PPG, prepreg)를 포함할 수 있다. 상기 프리프레그는 유리 섬유 실(glass yarn)으로 직조된 글라스 패브릭(glass fabric)과 같은 직물 시트(fabric sheet) 형태의 섬유층에 에폭시 수지 등을 함침한 후 열 압착을 진행함으로써 형성될 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)을 구성하는 프리프레그는 탄소 섬유 실로 직조된 직물 시트 형태의 섬유층을 포함할 수 있을 것이다.The first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may include a prepreg (PPG). The prepreg may be formed by impregnating a fiber layer in the form of a fabric sheet, such as a glass fabric woven with glass yarn, with an epoxy resin, and then performing thermocompression. However, the embodiment is not limited thereto, and the prepreg constituting the first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may include a fiber layer in the form of a fabric sheet woven with carbon fiber threads.

상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 수지 및 상기 수지 내에 배치되는 강화 섬유를 포함할 수 있다. 상기 수지는 에폭시 수지일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 수지는 에폭시 수지에 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 분자 내에 에폭시기가 1개 이상 포함될 수 있고, 이와 다르게 에폭시계가 2개 이상 포함될 수 있으며, 이와 다르게 에폭시계가 4개 이상 포함될 수 있을 것이다. 또한, 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)의 수지는 나프탈렌(naphthalene)기를 포함될 수 있으며, 예를 들어, 방향족 아민형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 아르알킬형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 페놀류와 페놀성 히드록실기를 갖는 방향족 알데히드와의 축합물의 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 크산텐형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, 고무 변성형 에폭시 수지 및 인(phosphorous)계 에폭시 수지 등을 들 수 있으며, 나프탈렌계 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 고무 변성형 에폭시 수지, 및 인(phosphorous)계 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 또한, 상기 강화 섬유는 유리 섬유, 탄소 섬유, 아라미드 섬유(예를 들어, 아라미드 계열의 유기 재료), 나일론(nylon), 실리카(silica) 계열의 무기 재료 또는 티타니아(titania) 계열의 무기 재료가 사용될 수 있다. 상기 강화 섬유는 상기 수지 내에서, 평면 방향으로 서로 교차하는 형태로 배열될 수 있다.The first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may include a resin and a reinforcing fiber disposed in the resin. The resin may be an epoxy resin, but is not limited thereto. The resin is not particularly limited to the epoxy resin, for example, one or more epoxy groups may be included in the molecule, and alternatively, two or more epoxy groups may be included. Alternatively, four or more epoxy groups may be included. In addition, the resin of the first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may include a naphthalene group, for example, may be an aromatic amine type, but is not limited thereto. For example, the resin is a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, an alkylphenol novolak type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, an aralkyl type epoxy resin Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, epoxy resin of condensate of phenol and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group, biphenyl aralkyl type epoxy resin, fluorene type epoxy resin resins, xanthene-type epoxy resins, triglycidyl isocyanurate, rubber-modified epoxy resins, phosphorous-based epoxy resins, and the like, and naphthalene-based epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, and phenol novolac epoxy resins , cresol novolac epoxy resins, rubber-modified epoxy resins, and phosphorous-based epoxy resins. In addition, the reinforcing fiber is glass fiber, carbon fiber, aramid fiber (eg, aramid-based organic material), nylon (nylon), silica (silica)-based inorganic material or titania-based inorganic material is used. can The reinforcing fibers may be arranged in the resin to cross each other in a planar direction.

한편, 상기 유리 섬유, 탄소 섬유, 아라미드 섬유(예를 들어, 아라미드 계열의 유기 재료), 나일론(nylon), 실리카(silica) 계열의 무기 재료 또는 티타니아(titania) 계열의 무기 재료가 사용될 수 있다.Meanwhile, the glass fiber, carbon fiber, aramid fiber (eg, aramid-based organic material), nylon, silica-based inorganic material or titania-based inorganic material may be used.

상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 10㎛ 내지 60㎛의 범위의 두께(도 3a의 T1, 도 3b의 T3)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 15㎛ 내지 55㎛의 범위의 두께(T1, T3)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 20㎛ 내지 50㎛의 범위의 두께(T1, T3)를 가질 수 있다. 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)의 두께(T1, T3)는 이의 표면에 각각 배치되는 회로 패턴들 사이의 거리를 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(112)의 두께(T1)는 이하에서 설명되는 제1 회로 패턴(140)의 제2면 또는 하면과 및 제2 회로 패턴(120)의 제1면 또는 상면 사이의 거리를 의미할 수 있다. 또한, 제2 절연층(113)의 두께(T2)는 이하에서 설명되는 제3 회로 패턴(125)의 하면과 제4 회로 패턴(160)의 상면 사이의 거리를 의미할 수 있다.The first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may have a thickness (T1 in FIG. 3A and T3 in FIG. 3B ) in the range of 10 μm to 60 μm. For example, the first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may have thicknesses T1 and T3 in the range of 15 μm to 55 μm. For example, the first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may have thicknesses T1 and T3 in the range of 20 μm to 50 μm. The thicknesses T1 and T3 of the first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may mean a distance between circuit patterns respectively disposed on the surface thereof. For example, the thickness T1 of the first insulating layer 112 may be between the second surface or the lower surface of the first circuit pattern 140 and the first surface or the upper surface of the second circuit pattern 120 to be described below. can mean the distance of Also, the thickness T2 of the second insulating layer 113 may mean a distance between the lower surface of the third circuit pattern 125 and the upper surface of the fourth circuit pattern 160 , which will be described below.

실시 예의 절연층(110)의 표면에는 회로 패턴이 각각 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(112)의 제1면 또는 상면에는 제1 회로 패턴(140)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(112)의 제2면 또는 하면에는 제2 회로 패턴(120)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(113)의 제1면 또는 상면에는 제3 회로 패턴(125)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(113)의 제2면 또는 하면에는 제4 회로 패턴(160)이 배치될 수 있다. Circuit patterns may be respectively disposed on the surface of the insulating layer 110 of the embodiment. For example, the first circuit pattern 140 may be disposed on the first surface or the upper surface of the first insulating layer 112 . For example, the second circuit pattern 120 may be disposed on the second surface or the lower surface of the first insulating layer 112 . For example, the third circuit pattern 125 may be disposed on the first surface or the upper surface of the second insulating layer 113 . For example, the fourth circuit pattern 160 may be disposed on the second surface or the lower surface of the second insulating layer 113 .

상기 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125) 및 제4 회로 패턴(160)은 통상적인 인쇄회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다. The first circuit pattern 140 , the second circuit pattern 120 , the third circuit pattern 125 , and the fourth circuit pattern 160 are a conventional printed circuit board manufacturing process using an additive process, Subtractive process (Subtractive Process), MSAP (Modified Semi Additive Process), SAP (Semi Additive Process), etc. are possible, and a detailed description will be omitted here.

상기 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125) 및 제4 회로 패턴(160) 각각은, 코어층(111)을 중심으로, 각각의 절연층의 표면 상으로 돌출되어 형성될 수 있다. Each of the first circuit pattern 140 , the second circuit pattern 120 , the third circuit pattern 125 , and the fourth circuit pattern 160 is a surface of each insulating layer with the core layer 111 as the center. It may be formed to protrude upward.

제1 회로 패턴(140)은 제1 절연층(112)의 제1면에 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(112)의 상기 제1면은 상기 제1 절연층(112)의 상면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)은 상기 제1 절연층(112)의 제1면 또는 상면 위로 돌출된 구조를 가질 수 있다.The first circuit pattern 140 is disposed on the first surface of the first insulating layer 112 . For example, the first surface of the first insulating layer 112 may be a top surface of the first insulating layer 112 . For example, the first circuit pattern 140 may have a structure protruding above the first surface or the top surface of the first insulating layer 112 .

상기 제1 회로 패턴(140)은 트레이스(141) 및 패드(142)를 포함할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 상기 회로 기판(100)에서, 칩이 실장될 칩 실장 영역(미도시)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 칩 실장 패드를 의미할 수 있다. The first circuit pattern 140 may include a trace 141 and a pad 142 . The pads 142 of the first circuit pattern 140 may be disposed on the circuit board 100 in a chip mounting region (not shown) in which a chip is to be mounted. For example, the pad 142 of the first circuit pattern 140 may mean a chip mounting pad.

상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)는 제1 절연층(112)의 제1면 또는 상면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 하면은 상기 제1 절연층(112)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)은 시드층(미도시) 및 상기 시드층 상의 전해 도금층을 포함할 수 있고, 상기 제1 회로 패턴(140)의 시드층의 하면은 상기 제1 절연층(112)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(112)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)와의 접합력 향상을 위한 프라이머층(미도시)을 포함할 수 있고, 이와 같은 경우, 상기 제1 회로 패턴(140)의 하면은 상기 프라이머층의 상면과 직접 접촉할 수 있다.The traces 141 of the first circuit pattern 140 may be disposed on a first surface or an upper surface of the first insulating layer 112 . For example, the lower surface of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may directly contact the upper surface of the first insulating layer 112 . For example, the first circuit pattern 140 may include a seed layer (not shown) and an electrolytic plating layer on the seed layer, and a lower surface of the seed layer of the first circuit pattern 140 is the first insulating layer. It may be in direct contact with the top surface of layer 112 . However, the embodiment is not limited thereto. For example, the first insulating layer 112 may include a primer layer (not shown) for improving adhesion to the traces 141 of the first circuit pattern 140 , and in this case, the first The lower surface of the circuit pattern 140 may directly contact the upper surface of the primer layer.

상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 상기 제1 절연층(112)을 관통하는 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면 위에 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 상기 제1 비아(150)의 제1면 위에 배치되고, 상기 트레이스(141)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141) 및 패드(142)는 기능적인 구분을 위한 것일 뿐, 실질적으로 이들은 서로 일체로 형성된 하나의 패턴일 수 있다.The pad 142 of the first circuit pattern 140 is disposed on the first surface or the top surface of the first via 150 penetrating the first insulating layer 112 . For example, the pad 142 of the first circuit pattern 140 may be disposed on the first surface of the first via 150 and may be electrically connected to the trace 141 . In this case, the traces 141 and the pads 142 of the first circuit pattern 140 are only for functional distinction, and in reality, they may be a single pattern integrally formed with each other.

상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 하면은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 하면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 상면은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이때, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제1 절연층(112)의 상면에 배치된다. 또한, 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 적어도 일부는 제1 절연층(112)의 상면에 배치될 수 있다.A lower surface of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may be positioned on the same plane as a lower surface of the pad 142 of the first circuit pattern 140 . For example, an upper surface of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may be positioned on the same plane as an upper surface of the pad 142 of the first circuit pattern 140 . In this case, at least a portion of the trace 141 of the first circuit pattern 140 is disposed on the upper surface of the first insulating layer 112 . Also, at least a portion of the pad 142 of the first circuit pattern 140 may be disposed on the upper surface of the first insulating layer 112 .

이와 같은 상기 제1 회로 패턴(140)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 회로 패턴(140)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 회로 패턴(140)은 전기전도성이 높으면서 가격이 비교적 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다. The first circuit pattern 140 is at least one selected from gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), tin (Sn), copper (Cu), and zinc (Zn). It may be formed of a metal material of In addition, the first circuit pattern 140 is selected from among gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), tin (Sn), copper (Cu), and zinc (Zn) having excellent bonding strength. It may be formed of a paste or solder paste including at least one metal material. Preferably, the first circuit pattern 140 may be formed of copper (Cu), which has high electrical conductivity and is relatively inexpensive.

상기 제1 회로 패턴(140)은 5㎛ 내지 20㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)은 6㎛ 내지 17㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(140)은 7㎛ 내지 13㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(140)의 두께가 5㎛ 미만인 경우에는 상기 제1 회로 패턴(140)의 저항이 증가할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(140)의 두께가 20㎛를 초과하는 경우에는 상기 제1 회로 패턴(140)을 구성하는 트레이스(141)의 선폭이 증가하고, 이에 따른 회로 기판(100)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. The first circuit pattern 140 may have a thickness in a range of 5 μm to 20 μm. For example, the first circuit pattern 140 may have a thickness in a range of 6 μm to 17 μm. The first circuit pattern 140 may have a thickness in a range of 7 μm to 13 μm. When the thickness of the first circuit pattern 140 is less than 5 μm, the resistance of the first circuit pattern 140 may increase. When the thickness of the first circuit pattern 140 exceeds 20 μm, the line width of the trace 141 constituting the first circuit pattern 140 increases, and thus the overall volume of the circuit board 100 decreases. can increase

상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)는 특정 선폭(W5)과 특정 간격(W6)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 선폭(W5)은 6㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 선폭(W5)은 7㎛ 내지 15㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 선폭(W5)은 8㎛ 내지 12㎛의 범위를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스들의 간격(W6)은 6㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스들의 간격(W6)은 7㎛ 내지 15㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스들의 간격(W6)은 8㎛ 내지 12㎛의 범위를 가질 수 있다. 여기에서, 상기 간격(W6)은 제1 회로 패턴(140)을 구성하는 복수의 트레이스들 사이의 이격 간격을 의미할 수 있다. 또한, 상기 간격(W6)은 상기 제1 회로 패턴(140)을 구성하는 트레이스(141)와, 상기 패드(142) 사이의 간격을 의미할 수 있다. The trace 141 of the first circuit pattern 140 may have a specific line width W5 and a specific interval W6 . For example, the line width W5 of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may be in a range of 6 μm to 20 μm. For example, the line width W5 of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may be in a range of 7 μm to 15 μm. For example, the line width W5 of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may be in a range of 8 μm to 12 μm. Also, the interval W6 between the traces of the first circuit pattern 140 may be in a range of 6 μm to 20 μm. For example, the interval W6 between the traces of the first circuit pattern 140 may be in a range of 7 μm to 15 μm. For example, the interval W6 between the traces of the first circuit pattern 140 may be in a range of 8 μm to 12 μm. Here, the spacing W6 may mean a spacing between a plurality of traces constituting the first circuit pattern 140 . In addition, the gap W6 may mean a gap between the trace 141 constituting the first circuit pattern 140 and the pad 142 .

실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)는 실장 패드로 이용되는, 상기 제1 회로 패턴(140)의 복수의 패드(142) 사이에 적어도 1개가 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 폭 방향으로 상호 이격되는 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 절연층(112)의 상면에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 사이에는 상기 제1 회로 패턴(140)의 적어도 1개의 트레이스(141)가 배치될 수 있다. 상기 패드들 사이에 배치된 트레이스(141)는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 중 적어도 어느 하나와 직접 연결되거나, 이를 제외한 제1 절연층(112)의 다른 패드와 직접 연결될 수 있다.In an embodiment, at least one trace 141 of the first circuit pattern 140 may be positioned between the plurality of pads 142 of the first circuit pattern 140 , which are used as mounting pads. For example, the pad 142 of the first circuit pattern 140 may include a first pad 142-1 and a second pad 142-2 spaced apart from each other in the width direction. In addition, on the upper surface of the first insulating layer 112 , the first circuit pattern 140 is disposed between the first pad 142-1 and the second pad 142-2 of the first circuit pattern 140 . ) of at least one trace 141 may be disposed. The trace 141 disposed between the pads is directly connected to at least one of the first pad 142-1 and the second pad 142-2, or the other of the first insulating layer 112 except for this. It can be directly connected to the pad.

즉, 실시 예에서, 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)는 칩이 실장되는 실장 패드이다. 이때, 상기 실장 패드 사이들 사이는 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 1b에서와 같이, 트레이스는 이웃하는 패드들 사이에 적어도 1개가 배치될 수 있다. 그리고, 실시 예에서는 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 사이에 적어도 하나의 트레이스(141)에 배치되면서, 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)의 중심들 사이의 피치가 100㎛ 이하가 되도록 한다.That is, in the embodiment, the first pad 142-1 and the second pad 142-2 are mounting pads on which chips are mounted. In this case, the mounting pads may be electrically connected to each other. For example, as shown in FIG. 1B , at least one trace may be disposed between neighboring pads. And, in the embodiment, while being disposed on at least one trace 141 between the first pad 142-1 and the second pad 142-2, the first pad 142-1 and the second pad 142 -2) so that the pitch between the centers is 100 μm or less.

한편, 일반적으로 비아의 폭 및 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈에 의해 실장 패드의 폭이 결정되고, 상기 실장 패드의 폭에 의해 복수의 실장 패드들 사이의 피치가 결정된다. 또한, 상기 실장 패드들 사이에는 적어도 1개의 트레이스가 배치되어야 하며, 이에 따라 상기 실장 패드의 폭 및 상기 트레이스의 폭에 의해 비교 예에서는 상기 실장 패드의 피치가 110㎛를 초과하였다. 이와 다르게, 실시 예에서는 솔더 레지스트를 제거하도록 하고, 이에 따라 상기 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않고 형성될 수 있도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 실장 패드의 폭을 비교 예 대비 감소할 수 있다. 그리고, 실시 예에서는 상기 실장 패드의 폭이 감소하는 것만큼 상기 비아들 사이의 간격을 줄일 수 있다. 즉, 실시 예에서의 상기 실장 패드의 피치는 상기 비아의 폭 및 이들 사이의 간격만을 고려하면 되며, 이에 따라 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있다. Meanwhile, in general, the width of the mounting pad is determined by the width of the via and the size of the open area of the solder resist, and the pitch between the plurality of mounting pads is determined by the width of the mounting pad. In addition, at least one trace should be disposed between the mounting pads. Accordingly, in the comparative example, the pitch of the mounting pads exceeds 110 μm due to the width of the mounting pad and the width of the trace. Alternatively, in the embodiment, the solder resist is removed, and accordingly, the width of the mounting pad can be formed without considering the size of the open area of the solder resist. Accordingly, in the embodiment, the width of the mounting pad may be reduced compared to that of the comparative example. Also, in an embodiment, the spacing between the vias may be reduced as much as the width of the mounting pad is reduced. That is, the pitch of the mounting pad in the embodiment only needs to consider the width of the via and the distance therebetween, and accordingly, the pitch of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example.

구체적으로, 제1 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)보다 클 수 있다. Specifically, in the first embodiment, the width W3 of the pad 142 of the first circuit pattern 140 may be greater than the width W1 of the first surface or the top surface of the first via 150 . .

예를 들어, 상기 패드(142)의 폭(W3)은 26㎛ 내지 65㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 패드(142)의 폭(W3)은 30㎛ 내지 60㎛일 수 있다. 상기 패드(142)의 폭(W3)은 35㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 상기 패드(142)의 폭(W3)이 65㎛보다 크면, 상기 패드(142)의 폭 증가에 따른 복수의 패드들 사이의 피치가 증가할 수 있다. For example, the width W3 of the pad 142 may be 26 μm to 65 μm. For example, the width W3 of the pad 142 may be 30 μm to 60 μm. The width W3 of the pad 142 may be 35 μm to 50 μm. When the width W3 of the pad 142 is greater than 65 μm, a pitch between the plurality of pads may increase according to an increase in the width of the pad 142 .

제1 실시 예에서, 상기 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)과 유사할 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)의 101% 내지 130% 사이의 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)의 102% 내지 125% 사이의 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)의 105% 내지 120% 사이의 값을 가질 수 있다. 즉, 비교 예에서, 상기 패드의 폭은 제1 비아의 제1면의 폭 및 제1 보호층의 개구부의 폭에 의해 결정되었다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 회로 기판의 제1 최외측에 배치되는 보호층인 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 패드(142)의 폭(W3)을 결정하는데 있어, 상기 솔더 레지스의 오픈 영역(SOR)의 사이즈를 고려하지 않아도 된다. 따라서, 실시 예에서는 비교 예 대비 패드(142)의 폭(W3)을 줄일 수 있으며, 나아가 이웃하는 패드들 사이의 피치를 100㎛ 이하로 줄일 수 있다.In the first embodiment, the width W3 of the pad 142 may be similar to the width W1 of the first surface or the top surface of the first via 150 . For example, in the first embodiment, the width W3 of the pad 142 may have a value between 101% and 130% of the width W1 of the first surface or the top surface of the first via 150 . have. For example, in the first embodiment, the width W3 of the pad 142 may have a value between 102% and 125% of the width W1 of the first surface or the top surface of the first via 150 . have. For example, in the first embodiment, the width W3 of the pad 142 may have a value between 105% and 120% of the width W1 of the first surface or the top surface of the first via 150 . have. That is, in the comparative example, the width of the pad was determined by the width of the first surface of the first via and the width of the opening of the first passivation layer. In contrast, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist, which is a protective layer disposed on the first outermost side of the circuit board, is removed. Accordingly, in the embodiment, in determining the width W3 of the pad 142 , it is not necessary to consider the size of the open area SOR of the solder resist. Accordingly, in the embodiment, the width W3 of the pad 142 may be reduced compared to the comparative example, and further, the pitch between neighboring pads may be reduced to 100 μm or less.

또한, 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)은 제2 회로 패턴(120)의 패드의 폭(W4)보다 작을 수 있다. 즉, 비교 예에서는 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려해야 함에 따라, 상기 제1 회로 패턴의 패드의 폭이 제2 회로 패턴의 패드의 폭보다 크다. 이와 다르게, 제1 실시 예에서 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않아도 됨에 따라, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)을 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 폭(W4)보다 작게 형성할 수 있다.Also, in an embodiment, the width W3 of the pad 142 of the first circuit pattern 140 may be smaller than the width W4 of the pad 142 of the second circuit pattern 120 . That is, in the comparative example, the width of the pad of the first circuit pattern is greater than the width of the pad of the second circuit pattern because the size of the open area of the solder resist should be considered. Unlike this, since the size of the open region of the solder resist does not need to be considered in the first embodiment, the width W3 of the pad 142 of the first circuit pattern 140 is equal to that of the second circuit pattern 120 . It may be formed to be smaller than the width W4 of the pads 121 and 122 .

제2 회로 패턴(120)은 제1 절연층(112)의 제2면 또는 하면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)은 상기 제1 절연층(112)의 표면에서, 상기 제1 회로 패턴(140)이 배치되는 면의 반대면에 배치될 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(140)은 상기 제1 절연층(112)의 제2면 또는 하면에 매립될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 상면 및 측면은 상기 제1 절연층(112)에 의해 덮일 수 있다. 명확하게, 상기 제2 회로 패턴(120)은 상기 제1 절연층(112) 아래에 배치된 절연층의 상면에 돌출되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2에서와 같이, 상기 제1 절연층(112) 아래에 코어층(111)이 배치되는 경우, 상기 제2 회로 패턴(120)은 상기 코어층(111)의 상면 또는 제1면에 돌출되어 배치될 수 있다. 다만, 상기 설명한 바와 같이, 상기 코어층(111) 위에 상기 제1 절연층(112)이 복수 개의 층 구조를 가지며 배치될 수 있다. 그리고, 이와 같은 경우 상기 제2 회로 패턴(120)은 최외측의 제1 절연층의 아래에 배치된 절연층의 상면에 배치될 수 있다.The second circuit pattern 120 may be disposed on the second surface or the lower surface of the first insulating layer 112 . For example, the second circuit pattern 120 may be disposed on the surface of the first insulating layer 112 , opposite to the surface on which the first circuit pattern 140 is disposed. The second circuit pattern 140 may be buried in the second surface or the lower surface of the first insulating layer 112 . For example, an upper surface and a side surface of the second circuit pattern 120 may be covered by the first insulating layer 112 . Specifically, the second circuit pattern 120 may be disposed to protrude from the upper surface of the insulating layer disposed under the first insulating layer 112 . For example, as shown in FIG. 2 , when the core layer 111 is disposed under the first insulating layer 112 , the second circuit pattern 120 is formed on the upper surface of the core layer 111 or the first It may be disposed to protrude from the surface. However, as described above, the first insulating layer 112 may be disposed on the core layer 111 to have a plurality of layer structures. In this case, the second circuit pattern 120 may be disposed on the upper surface of the insulating layer disposed under the outermost first insulating layer.

상기 제2 회로 패턴(120)은 제1 비아(150)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 회로 패턴(120)은 패드(121, 122) 및 트레이스를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)는 상기 제1 비아(150)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 회로 패턴(120)은 상기 패드(121, 122)와 연결되는 트레이스(미도시)를 포함할 수 있다. The second circuit pattern 120 may be connected to the first via 150 . Specifically, the second circuit pattern 120 may include pads 121 and 122 and traces. Also, the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be connected to the first via 150 . In addition, the second circuit pattern 120 may include traces (not shown) connected to the pads 121 and 122 .

상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)는 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면과 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 제1면 또는 상면은 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(120)의 트레이스는 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 사이에 배치되지 않을 수 있다. 즉, 실시 예에서, 상기 제2 회로 패턴(120)은 패드(121, 122) 및 트레이스를 포함하기는 하나, 상기 제2 회로 패턴(120)의 트레이스는 상기 제1 절연층(112)의 제2면 또는 하면에서, 상기 패드(121, 122)의 사이 영역을 회피하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격을 최소화할 수 있고, 나아가, 복수의 제1 비아 사이의 간격을 최소화할 수 있으며, 더 나아가 제1 회로 패턴(140)의 복수의 패드(142) 사이의 피치를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기와 같은 구조적 특징에 의해, 실시 예에서는 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142) 사이의 피치를 100㎛ 이하, 나아가 90㎛ 이하, 더 나아가 80㎛ 이하로 할 수 있다. The pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be connected to a second surface or a lower surface of the first via 150 . Specifically, the first surface or upper surface of the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may directly contact the second surface or the lower surface of the first via 150 . The traces of the second circuit pattern 120 may not be disposed between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 . That is, in the embodiment, although the second circuit pattern 120 includes the pads 121 and 122 and the trace, the trace of the second circuit pattern 120 is the second circuit pattern of the first insulating layer 112 . On two or lower surfaces, the pad 121 and 122 may be disposed avoiding the area between the pads. Accordingly, in the embodiment, the gap between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 can be minimized, and further, the gap between the plurality of first vias can be minimized, and furthermore, the first The pitch between the plurality of pads 142 of the circuit pattern 140 may be minimized. For example, due to the structural features as described above, in the embodiment, the pitch between the pads 142 of the first circuit pattern 140 may be 100 μm or less, further 90 μm or less, and further 80 μm or less. .

상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 20㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 10㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 7㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 2㎛ 이상일 수 있다.The interval W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be 30 μm or less. For example, the gap W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be 20 μm or less. For example, the gap W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be 10 μm or less. For example, the gap W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be 7 μm or less. For example, the gap W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be 5 μm or less. For example, the gap W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be 2 μm or more.

구체적으로, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 2㎛ 내지 30㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 2.5㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 2.5㎛ 내지 7㎛의 범위를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 간격(W7)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141) 또는 제2 회로 패턴(120)의 트레이스의 선폭 또는 간격보다 작을 수 있다. Specifically, the interval W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be in a range of 2 μm to 30 μm. For example, the distance W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be in a range of 2.5 μm to 20 μm. For example, the interval W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may be in a range of 2.5 μm to 7 μm. Preferably, the interval W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 is the line width of the trace 141 of the first circuit pattern 140 or the trace of the second circuit pattern 120 or may be smaller than the interval.

상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 간격(W7)이 2㎛ 미만이면, 상기 패드(121, 122) 사이가 서로 연결되는 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 132)의 간격(W7)이 2㎛ 미만이면, 상기 패드(121, 122) 사이의 신호 간섭에 따른 통신 성능에 문제가 발생할 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(120)의 간격(W7)이 30㎛보다 크면, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)에 의한 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)들 사이의 피치를 100㎛ 이하로 맞추기 어려울 수 있다. 즉, 상기 제2 회로 패턴(120)의 간격(W7)이 30㎛보다 크면, 상기 피치 증가에 따른 전체적인 회로 기판(100)의 부피가 증가할 수 있다.If the interval W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 is less than 2 μm, a reliability problem in which the pads 121 and 122 are connected to each other may occur. If the interval W7 between the pads 121 and 132 of the second circuit pattern 120 is less than 2 μm, a problem in communication performance may occur due to signal interference between the pads 121 and 122 . When the interval W7 of the second circuit pattern 120 is greater than 30 μm, the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 are formed between the pads 142 of the first circuit pattern 140 . It may be difficult to set the pitch of 100 μm or less. That is, when the interval W7 between the second circuit patterns 120 is greater than 30 μm, the overall volume of the circuit board 100 may increase according to the increase in the pitch.

상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)는 두께 방향(또는 수직 방향 또는 3차원 좌표계에서 z축 방향)으로 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)와 오버랩될 수 있다. The pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 may overlap the traces 141 of the first circuit pattern 140 in a thickness direction (or a vertical direction or a z-axis direction in a three-dimensional coordinate system). .

즉, 상기 제2 회로 패턴(120)은 폭 방향(또는 수평 방향 또는 3차원 좌표계에서 x축, y축 및 이들 사이의 대각축 방향)으로 이격되는 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)를 포함한다. That is, the second circuit pattern 120 includes the first pad 121 and the second pad 122 spaced apart in the width direction (or the x-axis, the y-axis, and a diagonal direction therebetween in a horizontal direction or a three-dimensional coordinate system). ) is included.

그리고, 실시 예에서, 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 제2 패드(122) 사이에는 제2 회로 패턴(120)의 트레이스가 배치되지 않는다. 그리고, 실시 예에서, 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 제2 패드(122) 사이의 간격을 최소화하여, 이에 따른 폭 방향으로 이격되는 복수의 제1 비아들 사이의 피치가 100㎛ 이하가 되도록 하고, 이에 대응하게 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 피치가 100㎛ 이하가 되도록 한다. And, in an embodiment, the trace of the second circuit pattern 120 is not disposed between the first pad 121 and the second pad 122 of the second circuit pattern 120 . And, in an embodiment, the gap between the first pad 121 and the second pad 122 of the second circuit pattern 120 is minimized, thereby providing a space between the plurality of first vias spaced apart in the width direction. The pitch is set to be 100 μm or less, and correspondingly, the pitch of the pads 142 of the first circuit pattern 140 is set to be 100 μm or less.

이때, 상기와 같이 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 제2 패드(122) 사이의 간격이 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 선폭 또는 간격보다 작도록 하며, 이에 따라 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 또는 제2 패드(122)와 두께 방향으로 오버랩될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 두께 방향으로 오버랩될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제2 패드(142)와 두께 방향으로 오버랩될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 두께 방향으로 오버랩되고, 다른 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제2 패드(122)와 두께 방향으로 오버랩될 수 있다.At this time, as described above, the interval between the first pad 121 and the second pad 122 of the second circuit pattern 120 is smaller than the line width or interval of the trace 141 of the first circuit pattern 140 . Accordingly, at least a portion of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may overlap the first pad 121 or the second pad 122 of the second circuit pattern 120 in the thickness direction. have. For example, at least a portion of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may overlap the first pad 121 of the second circuit pattern 120 in the thickness direction. For example, at least a portion of the trace 141 of the first circuit pattern 140 may overlap the second pad 142 of the second circuit pattern 120 in the thickness direction. For example, at least a portion of the trace 141 of the first circuit pattern 140 overlaps the first pad 121 of the second circuit pattern 120 in the thickness direction, and another portion of the trace 141 of the second circuit pattern 120 overlaps with the second circuit. The second pad 122 of the pattern 120 may overlap in the thickness direction.

상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)의 폭(W4)은 서로 대응될 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)의 폭(W4)은 30㎛ 내지 70㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)의 폭(W4)은 32㎛ 내지 65㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)의 폭(W4)은 35㎛ 내지 60㎛일 수 있다.The width W4 of the first pad 121 and the second pad 122 of the second circuit pattern 120 may correspond to each other. For example, the width W4 of the first pad 121 and the second pad 122 of the second circuit pattern 120 may be 30 μm to 70 μm. For example, the width W4 of the first pad 121 and the second pad 122 of the second circuit pattern 120 may be 32 μm to 65 μm. For example, the width W4 of the first pad 121 and the second pad 122 of the second circuit pattern 120 may be 35 μm to 60 μm.

실시 예에서의 회로 기판(100)은 제1 절연층(112)을 관통하는 제1 비아(150)를 포함한다. 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면은 상기 제1 회로 패턴(140)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 하면과 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면은 상기 제2 회로 패턴(120)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면은 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)와 접촉할 수 있다. The circuit board 100 in the embodiment includes a first via 150 passing through the first insulating layer 112 . A first surface or an upper surface of the first via 150 may contact the first circuit pattern 140 . For example, a first surface or an upper surface of the first via 150 may contact a lower surface of the pad 142 of the first circuit pattern 140 . Also, a second surface or a lower surface of the first via 150 may contact the second circuit pattern 120 . For example, the second surface or lower surface of the first via 150 may contact the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 .

상기 제1 비아(150)는 상기 제1 절연층(112)을 관통하는 비아 홀(미도시)을 형성하고, 상기 형성된 비아 홀 내부를 전도성 물질로 충진하여 형성할 수 있다.The first via 150 may be formed by forming a via hole (not shown) penetrating the first insulating layer 112 and filling the formed via hole with a conductive material.

상기 비아 홀은 기계, 레이저 및 화학 가공 중 어느 하나의 가공 방식에 의해 형성될 수 있다. 상기 비아 홀이 기계 가공에 의해 형성되는 경우에는 밀링(Milling), 드릴(Drill) 및 라우팅(Routing) 등의 방식을 사용할 수 있고, 레이저 가공에 의해 형성되는 경우에는 UV나 CO2 레이저 방식을 사용할 수 있으며, 화학 가공에 의해 형성되는 경우에는 아미노실란, 케톤류 등을 포함하는 약품을 이용하여 상기 복수의 절연층 중 적어도 하나의 절연층을 개방할 수 있다.The via hole may be formed by any one of mechanical, laser, and chemical processing. When the via hole is formed by machining, methods such as milling, drilling, and routing can be used, and when formed by laser processing, UV or CO 2 laser method is used. In the case of being formed by chemical processing, at least one insulating layer among the plurality of insulating layers may be opened by using a chemical containing aminosilane, ketones, or the like.

한편, 상기 레이저에 의한 가공은 광학 에너지를 표면에 집중시켜 재료의 일부를 녹이고 증발시켜, 원하는 형태를 취하는 절단 방법으로, 컴퓨터 프로그램에 의한 복잡한 형성도 쉽게 가공할 수 있고, 다른 방법으로는 절단하기 어려운 복합 재료도 가공할 수 있다. On the other hand, the processing by the laser is a cutting method that melts and evaporates a part of the material by concentrating optical energy on the surface to take a desired shape, and complex formation by a computer program can be easily processed. Even difficult composite materials can be machined.

또한, 상기 레이저에 의한 가공은 절단 직경이 최소 0.005mm까지 가능하며, 가공 가능한 두께 범위로 넓은 장점이 있다.In addition, the processing by the laser can have a cutting diameter of at least 0.005 mm, and has a wide advantage in a range of possible thicknesses.

상기 레이저 가공 드릴로, YAG(Yttrium Aluminum Garnet)레이저나 CO2 레이저나 자외선(UV) 레이저를 이용하는 것이 바람직하다. YAG 레이저는 동박층 및 절연층 모두를 가공할 수 있는 레이저이고, CO2 레이저는 절연층만 가공할 수 있는 레이저이다.As the laser processing drill, it is preferable to use a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser, a CO 2 laser, or an ultraviolet (UV) laser. The YAG laser is a laser that can process both the copper foil layer and the insulating layer, and the CO 2 laser is a laser that can process only the insulating layer.

상기 비아 홀이 형성되면, 상기 비아 홀 내부를 전도성 물질로 충진하여 상기 제1 비아(150)를 형성할 수 있다. 상기 제1 비아(150)를 형성하는 금속 물질은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있으며, 상기 전도성 물질 충진은 무전해 도금, 전해 도금, 스크린 인쇄(Screen Printing), 스퍼터링(Sputtering), 증발법(Evaporation), 잉크젯팅 및 디스펜싱 중 어느 하나 또는 이들의 조합된 방식을 이용할 수 있다. When the via hole is formed, the first via 150 may be formed by filling an inside of the via hole with a conductive material. The metal material forming the first via 150 may be one selected from copper (Cu), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), nickel (Ni), and palladium (Pd). For the conductive material filling, any one or a combination of electroless plating, electrolytic plating, screen printing, sputtering, evaporation, inkjetting and dispensing may be used. have.

상기 제1 비아(150)의 두께는 상기 제1 절연층(112)의 두께와 동일 수 있다. 예를 들어, 도 2에서의 T1은 상기 제1 비아(150)의 두께를 의미할 수 있고, 이와 다르게 제1 절연층(112)의 두께를 의미할 수도 있다.The thickness of the first via 150 may be the same as the thickness of the first insulating layer 112 . For example, T1 in FIG. 2 may mean the thickness of the first via 150 , or alternatively, the thickness of the first insulating layer 112 .

상기 제1 비아(150)는 제1면 및 제2면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제1면은 상면일 수 있고, 제1 비아(150)의 제2면은 하면일 수 있다.The first via 150 may include a first surface and a second surface. For example, a first surface of the first via 150 may be an upper surface, and a second surface of the first via 150 may be a lower surface.

상기 제1 비아(150)는 제1면 또는 상면의 폭(W1)이 제2면 또는 하면의 폭(W2)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(150)는 제1면 및 제2면의 폭이 서로 다른 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 그리고, 실시 예에서의 상기 제1 비아(150)는 상대적으로 폭이 큰 제1면 또는 상면이 회로 기판의 제1 최외측에 배치된 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)와 연결될 수 있다. The width W1 of the first surface or the upper surface of the first via 150 may be greater than the width W2 of the second surface or the lower surface of the first via 150 . For example, the first via 150 may have a trapezoidal shape in which the width of the first surface and the second surface are different from each other. In addition, in the embodiment, the first via 150 may be connected to the pad 142 of the first circuit pattern 140 having a relatively large first surface or upper surface disposed on the first outermost side of the circuit board. have.

구체적으로, 상기 제1 비아(150)는 폭 방향으로 상호 이격되는 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)를 포함할 수 있다.Specifically, the first via 150 may include a 1-1 via 151 and a 1-2 via 152 that are spaced apart from each other in the width direction.

그리고, 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)이 25㎛보다 작으면, 레이저 공정에 의해 프리프레그를 포함하는 제1 절연층(112)을 관통하는 비아 홀을 용이하게 형성하기 어려울 수 있다. 구체적으로, 레이저 공정의 한계로 인해, 상기 제1 절연층(112)에 25㎛보다 작은 사이즈의 비아 홀을 형성하기가 어려울 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)이 50㎛보다 크면, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152) 사이의 피치가 증가할 수 있고, 이에 따라 칩을 실장하기 위한 회로 기판의 부피가 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)이 50㎛보다 크면, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142) 사이의 피치가 증가하고, 이에 따라 상기 패드(142) 상에 배치된 칩의 신호 전송 거리가 증가에 따른 신호 전송 손실이 증가할 수 있다. In addition, the width W1 of the first surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W1 of the first surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W1 of the first surfaces of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 30 μm to 47 μm. For example, when the width W1 of the first surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 is less than 25 μm, the first insulation including the prepreg is performed by a laser process. It may be difficult to easily form a via hole through the layer 112 . Specifically, it may be difficult to form a via hole having a size smaller than 25 μm in the first insulating layer 112 due to a limitation of the laser process. For example, when the width W1 of the first surfaces of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 is greater than 50 μm, the 1-1 via 151 and the 1-th via 151 are The pitch between the two vias 152 may increase, and accordingly, the volume of a circuit board for mounting a chip may increase. For example, if the width W1 of the first surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 is greater than 50 μm, the pad 142 of the first circuit pattern 140 . As the pitch between them increases, the signal transmission loss may increase as the signal transmission distance of the chip disposed on the pad 142 increases.

상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제2면의 폭(W2)은 20㎛ 내지 40㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제2면의 폭(W2)은 22㎛ 내지 37㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제2면의 폭(W2)은 25㎛ 내지 35㎛일 수 있다.A width W2 of the second surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 20 μm to 40 μm. For example, the width W2 of the second surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 22 μm to 37 μm. For example, the width W2 of the second surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 25 μm to 35 μm.

다시 말해서, 제1 실시 예의 회로 기판의 제1 최외측의 구조를 설명하면 다음과 같다. 회로 기판의 제1 최외측에는 제1 절연층(112)이 배치된다. 그리고, 상기 제1 절연층(112)의 상면에는 제1 회로 패턴(140)이 배치되고, 하면에는 제2 회로 패턴(120)이 배치된다. 또한, 상기 제1 절연층(112) 내에는 상기 제1 회로 패턴(140) 및 제2 회로 패턴(120)과 연결되는 제1 비아(150)를 포함한다.In other words, the first outermost structure of the circuit board of the first embodiment will be described as follows. A first insulating layer 112 is disposed on the first outermost side of the circuit board. A first circuit pattern 140 is disposed on an upper surface of the first insulating layer 112 , and a second circuit pattern 120 is disposed on a lower surface of the first insulating layer 112 . In addition, a first via 150 connected to the first circuit pattern 140 and the second circuit pattern 120 is included in the first insulating layer 112 .

이때, 상기 제1 회로 패턴(140)은 상기 제1 비아(150)와 연결되는 패드(142) 및 상기 패드(142)와 연결되는 트레이스(141)를 포함한다. 그리고, 제1 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)과 유사하도록 한다. 즉, 실시 예에서는 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않은 상태에서 상기 패드(142)의 폭(W3)을 결정할 수 있으며, 상기 패드(142)의 폭(W3)의 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)과 최대한 유사하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 패드(142)의 폭을 줄일 수 있음에 따라, 제1 회로 패턴(140)의 복수의 패드 사이의 피치를 줄일 수 있다.In this case, the first circuit pattern 140 includes a pad 142 connected to the first via 150 and a trace 141 connected to the pad 142 . And, in the first embodiment, the width W3 of the pad 142 of the first circuit pattern 140 is similar to the width W1 of the first surface of the first via 150 . That is, in the embodiment, the width W3 of the pad 142 may be determined without considering the size of the open area of the solder resist, and the width W3 of the pad 142 is equal to the width W3 of the first via 150 . ) to be as similar as possible to the width W1 of the first surface. Accordingly, in the embodiment, as the width of the pad 142 may be reduced, the pitch between the plurality of pads of the first circuit pattern 140 may be reduced.

한편, 회로 기판(100)은 제2 절연층(113)의 제1면 또는 상면에 배치되는 제3 회로 패턴(125)과, 상기 제2 절연층(113)의 제2면 또는 하면에 배치되는 제4 회로 패턴(160)을 포함한다. 또한, 회로 패턴(140)은 제2 절연층(113)을 관통하며, 상기 제3 회로 패턴(125)과 제4 회로 패턴(160)을 연결하는 제2 비아(170)를 포함한다.Meanwhile, the circuit board 100 includes a third circuit pattern 125 disposed on the first or upper surface of the second insulating layer 113 , and the second or lower surface of the second insulating layer 113 . A fourth circuit pattern 160 is included. In addition, the circuit pattern 140 passes through the second insulating layer 113 and includes a second via 170 connecting the third circuit pattern 125 and the fourth circuit pattern 160 .

상기 제2 비아(170)는 제1면 또는 상면의 폭(W11)이 제2면 또는 하면의 폭(W12)보다 작은 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)는 상기 제1 비아(150)와 대칭 형상을 가질 수 있다.The second via 170 may have a trapezoidal shape in which the width W11 of the first surface or the upper surface is smaller than the width W12 of the second surface or the lower surface. For example, the second via 170 may have a symmetrical shape with the first via 150 .

상기 제2 비아(170)의 제1 면 또는 상면의 폭(W11)은 상기 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면의 폭(W2)에 대응할 수 있다. 상기 제2 비아(170)의 제1 면 또는 상면의 폭(W11)은 20㎛ 내지 40㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)의 제1 면 또는 상면의 폭(W11)은 22㎛ 내지 37㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)의 제1 면 또는 상면의 폭(W11)은 25㎛ 내지 35㎛일 수 있다.The width W11 of the first surface or the upper surface of the second via 170 may correspond to the width W2 of the second surface or the lower surface of the first via 150 . The width W11 of the first surface or the upper surface of the second via 170 may be 20 μm to 40 μm. For example, the width W11 of the first surface or the upper surface of the second via 170 may be 22 μm to 37 μm. For example, the width W11 of the first surface or the upper surface of the second via 170 may be 25 μm to 35 μm.

상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)에 대응할 수 있다. 상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다. The width W12 of the second surface or the lower surface of the second via 170 may correspond to the width W1 of the first surface or the upper surface of the first via 150 . The width W12 of the second surface or the lower surface of the second via 170 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W12 of the second surface or the lower surface of the second via 170 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W12 of the second surface or the lower surface of the second via 170 may be 30 μm to 47 μm.

상기 제3 회로 패턴(125)은 상기 제2 비아(170)와 연결되는 패드를 포함한다. 상기 제3 회로 패턴(125)의 패드의 폭(W13)은 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 폭(W4)에 대응할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 회로 패턴(125)의 패드의 폭(W13)은 20㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 회로 패턴(125)의 패드의 폭(W13)은 22㎛ 내지 47㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 회로 패턴(125)의 패드의 폭(W13)은 25㎛ 내지 40㎛일 수 있다.The third circuit pattern 125 includes a pad connected to the second via 170 . The width W13 of the pad of the third circuit pattern 125 may correspond to the width W4 of the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 . For example, the width W13 of the pad of the third circuit pattern 125 may be 20 μm to 50 μm. For example, the width W13 of the pad of the third circuit pattern 125 may be 22 μm to 47 μm. For example, the width W13 of the pad of the third circuit pattern 125 may be 25 μm to 40 μm.

상기 제4 회로 패턴(160)은 제2 비아(170)와 연결되는 패드를 포함한다. 이때, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드는 단자 패드일 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드는 전자 디바이스의 메인보드와 연결되는 단자부로 기능할 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드는 전자 디바이스의 메인 보드와 연결되기 위해 솔더 볼이 배치되는 패드일 수 있다.The fourth circuit pattern 160 includes a pad connected to the second via 170 . In this case, the pad of the fourth circuit pattern 160 may be a terminal pad. For example, the pad of the fourth circuit pattern 160 may function as a terminal connected to the main board of the electronic device. For example, the pad of the fourth circuit pattern 160 may be a pad on which solder balls are disposed to be connected to the main board of the electronic device.

이때, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 피치는 상기 메인 보드의 패드에 대응하는 피치를 가지면 된다. 이때, 상대적으로 상기 메인 보드의 패드의 피치는 100㎛를 초과하며, 이에 따라 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 피치는 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 피치 대비 커도 무방하다. 이에 따라, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3) 및 상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)보다 클 수 있다.In this case, the pitch of the pads of the fourth circuit pattern 160 may have a pitch corresponding to the pads of the main board. In this case, the pitch of the pads of the main board relatively exceeds 100 μm, and accordingly, the pitch of the pads of the fourth circuit pattern 160 is greater than the pitch of the pads 142 of the first circuit pattern 140 . free of charge Accordingly, the width W14 of the pad of the fourth circuit pattern 160 is the width W3 of the pad 142 of the first circuit pattern 140 and the second surface of the second via 170 or It may be larger than the width W12 of the lower surface.

예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)은 30㎛ 내지 80㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)은 35㎛ 내지 70㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)은 40㎛ 내지 60㎛일 수 있다.For example, the width W14 of the pad of the fourth circuit pattern 160 may be 30 μm to 80 μm. For example, the width W14 of the pad of the fourth circuit pattern 160 may be 35 μm to 70 μm. For example, the width W14 of the pad of the fourth circuit pattern 160 may be 40 μm to 60 μm.

한편, 실시 예에서, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드들 사이의 간격(W16)은 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)들 사이의 간격(W7)보다 클 수 있다.Meanwhile, in an embodiment, the spacing W16 between the pads of the fourth circuit pattern 160 may be greater than the spacing W7 between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 . .

이에 따라, 실시 예에서의 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 중심 사이의 거리인 피치는, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 중심 사이의 거리인 피치보다 클 수 있다.Accordingly, in the embodiment, the pitch that is the distance between the centers of the pads of the fourth circuit pattern 160 may be greater than the pitch that is the distance between the centers of the pads 142 of the first circuit pattern 140 . .

실시 예의 회로 기판(100)은 보호층(185)을 포함한다. 상기 보호층(185)은 제2 절연층(113)의 제2면 또는 하면에 배치된다. The circuit board 100 of the embodiment includes a protective layer 185 . The protective layer 185 is disposed on the second surface or the lower surface of the second insulating layer 113 .

이때, 실시 예의 회로 기판(100)에서 제1 및 제2 최외측의 층 구조가 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서의 회로 기판(100)의 제1 최외측에는 제1 절연층(112)이 배치되고, 제2 최외측에는 제2 절연층(113)이 배치된다. 이때, 실시 예에서, 상기 제1 최외측에 배치되는 제1 절연층(112)의 제1면에는 보호층인 솔더 레지스트를 배치하지 않는다. 이에 따라, 실시 예에서, 회로 기판의 제1 최외측의 표면은 제1 절연층(112)의 제1면 또는 상면으로 구성될 수 있다. 이와 다르게, 실시 예에서 상기 제2 최외측에 배치되는 제2 절연층(113)의 제2면에는 보호층(185)이 배치된다. 이에 따라, 실시 예에서 회로 기판의 제2 최외측의 표면은 상기 보호층(185)의 제2면 또는 하면으로 구성될 수 있다. In this case, in the circuit board 100 of the embodiment, the first and second outermost layer structures may be different from each other. For example, the first insulating layer 112 is disposed on the first outermost side of the circuit board 100 in the embodiment, and the second insulating layer 113 is disposed on the second outermost side. At this time, in the embodiment, a solder resist, which is a protective layer, is not disposed on the first surface of the first insulating layer 112 disposed on the first outermost side. Accordingly, in an embodiment, the first outermost surface of the circuit board may be configured as the first surface or the upper surface of the first insulating layer 112 . Alternatively, in the embodiment, the protective layer 185 is disposed on the second surface of the second insulating layer 113 disposed on the second outermost side. Accordingly, in the embodiment, the second outermost surface of the circuit board may be configured as the second surface or the lower surface of the protective layer 185 .

상기 보호층(185)은 적어도 1개의 개구부(미도시)를 포함할 수 있다.The protective layer 185 may include at least one opening (not shown).

상기 보호층(185)의 개구부의 폭(W15)은 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 보호층(185)은 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 보호층(185)은 개구부를 통해 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 하면의 중앙을 노출하면서, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 하면의 가장자리 영역을 덮으며 배치될 수 있다.The width W15 of the opening of the passivation layer 185 may be smaller than the width W14 of the pad of the fourth circuit pattern 160 . Accordingly, the second passivation layer 185 may cover at least a portion of the pad of the fourth circuit pattern 160 . For example, the second passivation layer 185 exposes the center of the lower surface of the pad of the fourth circuit pattern 160 through the opening, and covers the edge area of the lower surface of the pad of the fourth circuit pattern 160 . It can be covered and placed.

한편, 상기 보호층(185)는 일정 두께(T4)를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 보호층(185)의 두께(T4)는 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 하면에서 상기 제2 보호층(185)의 하면까지의 두께를 의미할 수 있다. 상기 보호층(185)의 두께(T4)는 2㎛ 내지 20㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. 상기 보호층(185)의 두께(T4)는 4㎛ 내지 15㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. 상기 보호층(185)의 두께(T4)는 7㎛ 내지 12㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. Meanwhile, the protective layer 185 may have a predetermined thickness T4. Preferably, the thickness T4 of the second passivation layer 185 may mean a thickness from the lower surface of the pad of the fourth circuit pattern 160 to the lower surface of the second passivation layer 185 . A thickness T4 of the passivation layer 185 may be in a range of 2 μm to 20 μm. A thickness T4 of the passivation layer 185 may be in a range of 4 μm to 15 μm. A thickness T4 of the passivation layer 185 may be in a range of 7 μm to 12 μm.

실시 예에서, 회로 기판(100)은 표면 처리층을 포함한다. 상기 표면 처리층은 패드의 부식 및 산화를 방지하면서, 솔더성을 높이기 위해 형성될 수 있다. 이때, 상기 표면 처리층은 회로 기판의 최외측에 배치된 패드의 표면 상에 배치될 수 있다. In an embodiment, the circuit board 100 includes a surface treatment layer. The surface treatment layer may be formed to increase solderability while preventing corrosion and oxidation of the pad. In this case, the surface treatment layer may be disposed on the surface of the pad disposed on the outermost side of the circuit board.

예를 들어, 회로 기판(100)은 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)에 배치된 제1 표면 처리층(190)을 포함할 수 있다.For example, the circuit board 100 may include the first surface treatment layer 190 disposed on the pad 142 of the first circuit pattern 140 .

상기 제1 표면 처리층(190)은 OSP(Organic Solderability Preservative) 층일 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142) 상에 코팅된 벤지미다졸(Benzimidazole)과 같은 유기물로 형성된 유기층일 수 있다.The first surface treatment layer 190 may be an Organic Solderability Preservative (OSP) layer. Preferably, the first surface treatment layer 190 may be an organic layer formed of an organic material such as benzimidazole coated on the pad 142 of the first circuit pattern 140 .

이와 다르게, 상기 제1 표면 처리층(190)은 도금층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 제1면에 무전해 도금된 금(Au) 도금층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 제1면에 무전해 도금된 니켈(Ni) 도금층과, 상기 니켈 도금층에 무전해 도금된 금(Au) 도금층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 제1면에 무전해 도금된 니켈(Ni) 도금층과, 상기 니켈 도금층에 무전해 도금된 팔라듐(Pd) 도금층과, 상기 팔라듐 도금층에 무전해 도금된 금(Au) 도금층을 포함할 수 있다.Alternatively, the first surface treatment layer 190 may be a plating layer. For example, the first surface treatment layer 190 may include a gold (Au) plating layer electrolessly plated on the first surface of the pad 142 of the first circuit pattern 140 . For example, the first surface treatment layer 190 may include a nickel (Ni) plating layer electrolessly plated on the first surface of the pad 142 of the first circuit pattern 140 and an electroless plating layer on the nickel plating layer. and a gold (Au) plating layer. For example, the first surface treatment layer 190 may include a nickel (Ni) plating layer electrolessly plated on the first surface of the pad 142 of the first circuit pattern 140 and an electroless plating layer on the nickel plating layer. The palladium (Pd) plating layer may include a gold (Au) plating layer electrolessly plated on the palladium plating layer.

일 실시 예에서, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)에 대응하는 폭을 가질 수 있다.In an embodiment, the first surface treatment layer 190 may have a width corresponding to the width W3 of the pad 142 of the first circuit pattern 140 .

이에 대응하게, 제2 표면 처리층(195)은 제4 회로 패턴(160)의 패드의 제2면 또는 하면에 배치된다. 상기 제2 표면 처리층(195)은 OSP(Organic Solderability Preservative) 층일 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 표면 처리층(195)은 상기 제1 표면 처리층(190)에 대응하게, 유기층일 수 있고, 이와 다르게 니켈(Ni) 도금층, 팔라듐(Pd) 도금층, 및 금(Au) 도금층 중 적어도 하나를 포함하는 금 도금층일 수 있다.Correspondingly, the second surface treatment layer 195 is disposed on the second surface or the lower surface of the pad of the fourth circuit pattern 160 . The second surface treatment layer 195 may be an Organic Solderability Preservative (OSP) layer. Preferably, the second surface treatment layer 195 may be an organic layer corresponding to the first surface treatment layer 190 , and alternatively a nickel (Ni) plating layer, a palladium (Pd) plating layer, and a gold (Au) plating layer. It may be a gold plating layer including at least one of the plating layers.

상기 제2 표면 처리층(195)의 폭은 상기 보호층(185)의 개구부의 폭(W15)에 대응할 수 있다.A width of the second surface treatment layer 195 may correspond to a width W15 of the opening of the passivation layer 185 .

도 4를 참조하면, 실시 예에서는 폭 방향으로 이격되는 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)를 포함한다. 그리고, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152) 상에는, 이보다 큰 폭을 가지는 제1 회로 패턴(140)의 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)가 각각 배치된다. 또한, 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 사이에는 적어도 하나의 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)가 가로질러 배치될 수 있다. 이때, 실시 예에서는 상기와 같이 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)가 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭보다 큰 폭을 가지도록 한다. 또한, 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)가 배치되는 제1 절연층(112) 위에는 솔더 레지스트인 보호층이 배치되지 않도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않고, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)를 형성할 수 있음에 따라, 상기 패드(142)의 폭을 줄일 수 있다.Referring to FIG. 4 , the embodiment includes a 1-1 via 151 and a 1-2 via 152 that are spaced apart from each other in the width direction. In addition, on the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 , the first pad 142-1 and the second pad 142- of the first circuit pattern 140 having a greater width 2) are placed respectively. Also, a trace 141 of at least one first circuit pattern 140 may be disposed across the first pad 142-1 and the second pad 142-2. In this case, in the embodiment, as described above, the pad 142 of the first circuit pattern 140 has a width greater than the width of the first surface of the first via 150 . Also, in an embodiment, a protective layer, which is a solder resist, is not disposed on the first insulating layer 112 on which the pads 142 of the first circuit pattern 140 are disposed. Accordingly, in the embodiment, the pad 142 of the first circuit pattern 140 can be formed without considering the size of the open region of the solder resist, so that the width of the pad 142 can be reduced. have.

이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152) 사이의 간격을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)의 중심들 사이의 거리에 대응하는 피치(P1)를 100㎛ 이하로 할 수 있다. 나아가, 실시 예에서는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)의 중심들 사이의 거리에 대응하는 피치(P1)를 90㎛ 이하로 할 수 있다. 더 나아가, 실시 예에서는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)의 중심들 사이의 거리에 대응하는 피치(P1)를 80㎛ 이하로 할 수 있다. Accordingly, in the embodiment, the gap between the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be minimized. Accordingly, in the embodiment, the pitch P1 corresponding to the distance between the centers of the first pad 142-1 and the second pad 142-2 may be 100 μm or less. Furthermore, in the embodiment, the pitch P1 corresponding to the distance between the centers of the first pad 142-1 and the second pad 142-2 may be set to 90 μm or less. Furthermore, in the embodiment, the pitch P1 corresponding to the distance between the centers of the first pad 142-1 and the second pad 142-2 may be 80 μm or less.

예를 들어, 실시 예에서는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 사이에 1개의 트레이스(141), 나아가 적어도 2개 이상의 트레이스들을 배치하더라도, 비교 예 대비 상기 피치(P1)를 감소시킬 수 있다.For example, in the embodiment, even if one trace 141 and further at least two or more traces are disposed between the first pad 142-1 and the second pad 142-2, the pitch ( P1) can be reduced.

즉, 실시 예에서는 제1 비아(150)에 배치되는 실장 패드인 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭이 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭과 유사하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 복수의 제1 비아들 사이의 간격을 최소화한다. 이때, 도 1b에서와 같은 비교 예에서도, 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)사이의 간격을 최소화함에 따라 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 피치를 줄일 수 있는 것처럼 보이나, 실질적으로 비교 예에서는 실장 패드의 피치를 100㎛ 이하로 줄이기 어렵다. 이는, 실장 패드(7-2a, 7-2b)가 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려한 폭을 가지도록 하면서, 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)들 사이에 적어도 1개의 트레이스(7-1)를 배치해야 하기 때문이다. 이에 따라, 비교 예에서는 상기 제2 회로 패턴(7)으로 구성되는 실장 패드들의 폭, 그리고 이들 사이에 배치되는 트레이스의 선폭 및 간격에 의해 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)들 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이지 못한다. 즉, 비교 예에서는 실장 패드(7-2a, 7-2b) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이지 못하였으며, 이에 따라 실장 패드(7-2a, 7-2b)들 사이의 피치는 100㎛를 초과하였다.That is, in the embodiment, the width of the pad 142 of the first circuit pattern 140 , which is a mounting pad disposed on the first via 150 , is similar to the width of the first surface of the first via 150 . Accordingly, in the embodiment, the spacing between the plurality of first vias is minimized. At this time, even in the comparative example as in FIG. 1B , as the spacing between the mounting pads 7-2a and 7-2b of the second circuit pattern 7 is minimized, the mounting pads 7-2a and 7-2b Although it seems that the pitch can be reduced, it is practically difficult to reduce the pitch of the mounting pad to 100 μm or less in the comparative example. This allows the mounting pads 7-2a and 7-2b to have a width in consideration of the size of the open area of the solder resist, and at least one trace 7 between the mounting pads 7-2a and 7-2b. -1) should be placed. Accordingly, in the comparative example, the distance between the mounting pads 7-2a and 7-2b is determined by the width of the mounting pads composed of the second circuit pattern 7 and the line width and spacing of the traces disposed therebetween. The gap cannot be reduced to less than 30 μm. That is, in the comparative example, the distance between the mounting pads 7-2a and 7-2b could not be reduced to 30 μm or less, and accordingly, the pitch between the mounting pads 7-2a and 7-2b exceeded 100 μm. did.

이에 반하여, 실시 예에서는, 비교 예 대비 제1 회로 패턴(140)의 패드의 폭을 줄일 수 있고, 이에 의해, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이더라도(나아가, 2㎛까지 줄이더라도), 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142) 사이의 공간에 적어도 1개의 트레이스(141)를 배치할 공간이 충분히 나오게 된다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이고, 이에 따라 제1 비아(150)들의 중심 사이의 간격 또는 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 중심 사이의 간격인 피치(P1)를 100㎛ 이하, 나아가 90㎛ 이하, 더 나아가, 80㎛이하까지 낮출 수 있다.On the other hand, in the embodiment, the width of the pad of the first circuit pattern 140 may be reduced compared to the comparative example, and thereby, in the embodiment, the gap between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 Even if is reduced to 30 μm or less (and further reduced to 2 μm), a space for arranging at least one trace 141 is sufficiently provided in the space between the pads 142 of the first circuit pattern 140 . Accordingly, in the embodiment, the distance between the pads 121 and 122 of the second circuit pattern 120 is reduced to 30 μm or less, and accordingly, the distance between the centers of the first vias 150 or the first circuit pattern ( 140), the pitch P1, which is an interval between the centers of the pads 142, may be lowered to 100 μm or less, further to 90 μm or less, and further to 80 μm or less.

이하에서는, 도 2에 도시된 제1 실시 예에 따른 회로 기판의 변형 예에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a modified example of the circuit board according to the first embodiment shown in FIG. 2 will be described.

-변형 예--Variation example-

도 5a는 제1 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5A is a diagram illustrating a circuit board according to a first modified example.

도 5a는 도 2 대비, 제1 표면 처리층(190a)의 배치 위치가 상이할 수 있다. In FIG. 5A , the arrangement position of the first surface treatment layer 190a may be different from that of FIG. 2 .

제1 변형 예에 따른 회로 기판(100a)은 도 2의 회로 기판에 대응하게, 제1 절연층(112), 코어층(111), 제2 절연층(113), 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125), 제4 회로 패턴(160), 제1 비아(150), 제2 비아(170), 제2 표면 처리층(195) 및 보호층(185)을 포함한다.The circuit board 100a according to the first modification has a first insulating layer 112 , a core layer 111 , a second insulating layer 113 , and a first circuit pattern 140 corresponding to the circuit board of FIG. 2 . , second circuit pattern 120 , third circuit pattern 125 , fourth circuit pattern 160 , first via 150 , second via 170 , second surface treatment layer 195 , and a protective layer (185).

제1 변형 예에서의 회로 기판은 제1 표면 처리층(190a)을 포함한다. 이때, 제1 실시 예에서의 제1 표면 처리층(190)은 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 상면에만 배치되었다. 이와 다르게, 제1 변형 예에서의 제1 표면 처리층(190a)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 상면 및 측면에 배치될 수 잇다. 이에 따라, 상기 제1 표면 처리층(190a)의 적어도 일부는 상기 제1 절연층(112)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. The circuit board in the first modified example includes the first surface treatment layer 190a. In this case, the first surface treatment layer 190 according to the first embodiment is disposed only on the upper surface of the pad 142 of the first circuit pattern 140 . Alternatively, the first surface treatment layer 190a in the first modified example may be disposed on the upper surface and the side surface of the pad 142 of the first circuit pattern 140 . Accordingly, at least a portion of the first surface treatment layer 190a may directly contact the upper surface of the first insulating layer 112 .

도 5b는 제2 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5B is a diagram illustrating a circuit board according to a second modified example.

도 5b 도 2 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 폭에 차이가 있다. 5B , there is a difference in the width of the pad of the first circuit pattern compared to FIG. 2 .

제2 변형 예에 따른 회로 기판은 도 2의 회로 기판에 대응하게, 제1 절연층(112), 코어층(111), 제2 절연층(113), 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125), 제4 회로 패턴(160), 제1 비아(150), 제2 비아(170), 제1 표면 처리층(190), 제2 표면 처리층(195) 및 제2 보호층(185)을 포함한다.The circuit board according to the second modified example corresponds to the circuit board of FIG. 2 , the first insulating layer 112 , the core layer 111 , the second insulating layer 113 , the first circuit pattern 140 , and the second Circuit pattern 120 , third circuit pattern 125 , fourth circuit pattern 160 , first via 150 , second via 170 , first surface treatment layer 190 , and second surface treatment layer 195 and a second passivation layer 185 .

제2 변형 예에서의 회로 기판(100b)은 제1 회로 패턴(140)의 패드를 포함한다.The circuit board 100b in the second modified example includes the pads of the first circuit pattern 140 .

상기 제1 회로 패턴(140)의 패드는 제1 패드(142-1b) 및 제2 패드(142-2b)를 포함한다. 이때, 제1 패드(142-1b) 및 제2 패드(142-2b)의 폭은 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭과 동일할 수 있다. The pad of the first circuit pattern 140 includes a first pad 142-1b and a second pad 142-2b. In this case, the width of the first pad 142-1b and the second pad 142-2b may be the same as the width of the first surface or the upper surface of the first via 150 .

예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1b)은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1b)은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1b)은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다For example, the width W1b of the first surface of the first via 150 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W1b of the first surface of the first via 150 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W1b of the first surface of the first via 150 may be 30 μm to 47 μm.

그리고, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1b) 및 제2 패드(142-2b)는 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1b)과 동일할 수 있다. 이에 따라, 제2 변형 예에 따르면, 도 2에 도시된 실시 예 대비, 제1 패드(142-1b) 및 제2 패드(142-2b) 사이의 피치를 더욱 줄일 수 있다.In addition, the first pad 142-1b and the second pad 142-2b of the first circuit pattern may be the same as the width W1b of the first surface of the first via 150 . Accordingly, according to the second modification, the pitch between the first pad 142-1b and the second pad 142-2b may be further reduced compared to the embodiment illustrated in FIG. 2 .

도 5c는 제3 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5C is a diagram illustrating a circuit board according to a third modified example.

도 5c 도 2 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 폭에 차이가 있다. 5C , there is a difference in the width of the pad of the first circuit pattern compared to FIG. 2 .

제3 변형 예에 따른 회로 기판(100c)은 도 2의 회로 기판에 대응하게, 제1 절연층(112), 코어층(111), 제2 절연층(113), 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125), 제4 회로 패턴(160), 제1 비아(150), 제2 비아(170), 제1 표면 처리층(190), 제2 표면 처리층(195) 및 보호층(185)을 포함한다.The circuit board 100c according to the third modified example corresponds to the circuit board of FIG. 2 , the first insulating layer 112 , the core layer 111 , the second insulating layer 113 , and the first circuit pattern 140 . , second circuit pattern 120 , third circuit pattern 125 , fourth circuit pattern 160 , first via 150 , second via 170 , first surface treatment layer 190 , second It includes a surface treatment layer 195 and a protective layer 185 .

제3 변형 예에서의 회로 기판(100c)은 제1 회로 패턴(140)의 패드를 포함한다.The circuit board 100c in the third modified example includes the pads of the first circuit pattern 140 .

상기 제1 회로 패턴(140)의 패드는 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)를 포함한다. 이때, 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭은 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭보다 작을 수 있다. The pad of the first circuit pattern 140 includes a first pad 142-1c and a second pad 142-2c. In this case, the width of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c may be smaller than the width of the first surface or the upper surface of the first via 150 .

예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다.For example, the width W1 of the first surface of the first via 150 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W1 of the first surface of the first via 150 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W1 of the first surface of the first via 150 may be 30 μm to 47 μm.

그리고, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)는 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)보다 작은 폭(W3c)을 가질 수 있다. In addition, the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may have a width W3c smaller than the width W1 of the first surface of the first via 150 . can

예를 들어, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)은 5㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)은 10㎛ 내지 40㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)은 15㎛ 내지 35㎛일 수 있다.For example, the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may be 5 μm to 50 μm. For example, the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may be 10 μm to 40 μm. For example, the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may be 15 μm to 35 μm.

상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)이 5㎛보다 작으면, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 저항이 증가하고, 이에 따른 신호 전송 손실이 증가할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)이 50㎛보다 크면, 상기 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 중심 사이의 피치가 증가할 수 있다. When the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern is less than 5 μm, the first pad 142-1c of the first circuit pattern and The resistance of the second pad 142 - 2c may increase, and thus signal transmission loss may increase. When the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern is greater than 50 μm, the first pad 142-1c of the first circuit pattern and A pitch between the centers of the second pads 142 - 2c may increase.

이때, 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)은 상기 비아(150)의 제1면의 폭(W1)보다 작고, 제2면의 폭(W2)보다 크도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭과, 상기 제1 비아(150) 사이의 폭의 차이를 최소화할 수 있고, 상기 폭 차이에 의해 발생하는 신호 전송 손실을 최소화할 수 있다.In this case, in the embodiment, the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern is greater than the width W1 of the first surface of the via 150 . It is small and larger than the width W2 of the second surface. Accordingly, in the embodiment, the difference between the widths of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern and the width between the first via 150 may be minimized. , it is possible to minimize the signal transmission loss caused by the width difference.

또한, 상기 제1 표면 처리층(190c)는 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 상면에만 배치될 수 있다.Also, the first surface treatment layer 190c may be disposed only on upper surfaces of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern.

한편, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)이 상기 제1 비아(151, 152)의 제1면의 폭보다 작음에 따라, 상기 제1 회로 패턴의 트레이스 중 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)와 연결되는 트레이스는 상기 제1 비아(151, 152)와 직접 접촉할 수 있다.Meanwhile, as the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern is smaller than the width of the first surface of the first vias 151 and 152, , among the traces of the first circuit pattern, the traces connected to the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may be in direct contact with the first vias 151 and 152. can

예를 들어, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)가 상기 제1 비아(151, 152)의 제1면의 폭보다 큰 경우, 상기 제1 회로 패턴의 트레이스는 상기 제1 비아(151, 152)와 직접 접촉할 수 없다. 이와 다르게, 실시 예에서는 상기와 같이 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)가 상기 제1 비아(151, 152)의 제1면의 폭보다 작게 형성됨에 따라, 상기 제1 회로 패턴의 트레이스 중 적어도 하나는, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)로부터 연장되어, 상기 제1 비아(151, 152)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. For example, when the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern are larger than the widths of the first surfaces of the first vias 151 and 152, the first The traces of the circuit pattern may not directly contact the first vias 151 and 152 . Alternatively, in the embodiment, as described above, the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern are smaller than the widths of the first surfaces of the first vias 151 and 152. As it is formed, at least one of the traces of the first circuit pattern extends from the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern, so that the first via 151; 152) may be in direct contact with the upper surface.

도 5d는 제4 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5D is a diagram illustrating a circuit board according to a fourth modified example.

도 5d 도 5c 대비, 제1 표면 처리층의 배치 위치에 차이가 있다. 5D and 5C, there is a difference in the arrangement position of the first surface treatment layer.

제4 변형 예에 따른 회로 기판(100d)은 도 5c 회로 기판에 대응하*, 제1 절연층(112), 코어층(111), 제2 절연층(113), 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125), 제4 회로 패턴(160), 제1 비아(150), 제2 비아(170), 제2 표면 처리층(195) 및 보호층(185)을 포함한다.The circuit board 100d according to the fourth modified example corresponds to the circuit board of FIG. 5C *, the first insulating layer 112 , the core layer 111 , the second insulating layer 113 , and the first circuit pattern 140 . , second circuit pattern 120 , third circuit pattern 125 , fourth circuit pattern 160 , first via 150 , second via 170 , second surface treatment layer 195 , and a protective layer (185).

이때, 상기 회로 기판(100d)의 제1 표면 처리층(190d)은 상기 제3 변형 예와는 다르게, 상기 제1 회로 패턴의 패드(142-1d, 142-2d)의 측면에도 배치될 수 있다.In this case, the first surface treatment layer 190d of the circuit board 100d may also be disposed on the side surfaces of the pads 142-1d and 142-2d of the first circuit pattern, unlike the third modified example. .

또한, 상기 회로 기판(100d)의 제1 표면 처리층(190d)은 상기 제3 변형 예와는 다르게, 상기 제1 비아(150)의 상면에도 배치될 수 있다.Also, unlike the third modified example, the first surface treatment layer 190d of the circuit board 100d may be disposed on the upper surface of the first via 150 .

즉, 상기 회로 기판(100d)의 제1 표면 처리층(190d)은 패드의 상면에 배치되는 제1 부분과, 패드의 측면에 배치되는 제2 부분과, 상기 제1 비아의 상면에 배치되는 제3 부분을 포함할 수 있다. That is, the first surface treatment layer 190d of the circuit board 100d includes a first portion disposed on an upper surface of a pad, a second portion disposed on a side surface of the pad, and a first surface treatment layer 190d disposed on an upper surface of the first via. It can contain 3 parts.

도 5e는 제5 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5E is a diagram illustrating a circuit board according to a fifth modified example.

도 5e를 참조하면, 회로 기판은 도 2 대비 절연층의 층수에 차이가 있다.Referring to FIG. 5E , the circuit board has a difference in the number of insulating layers compared to FIG. 2 .

예를 들어, 도 2에서는 코어층(111)을 중심으로 이의 상부 및 하부에 각각 1층의 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)이 배치되었다.For example, in FIG. 2 , a first insulating layer 112 and a second insulating layer 113 of one layer are respectively disposed above and below the core layer 111 , respectively.

이와 다르게, 도 5e에서와 같이 제5 변형 예에 따른 회로 기판은 코어층(111)의 상부 및 하부에 각각 다층의 절연층이 배치될 수 있다. 예를 들어, 절연층은 절연층의 층수를 기준으로 7층 이상의 층수를 가질 수도 있을 것이다.Alternatively, as shown in FIG. 5E , in the circuit board according to the fifth modified example, multi-layered insulating layers may be respectively disposed above and below the core layer 111 . For example, the insulating layer may have a number of layers of 7 or more based on the number of insulating layers.

회로 기판은 코어층(111)과 제1 절연층(112) 사이에 배치되는 제1 내측 절연층(114)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내측 절연층(114)은 코어층(111) 위에 배치되는 제1-1 내측 절연층(114a)과, 상기 제1-1 내측 절연층(114a) 위에 배치되는 제1-2 내측 절연층(114b)을 포함할 수 있다. The circuit board may include a first inner insulating layer 114 disposed between the core layer 111 and the first insulating layer 112 . For example, the first inner insulating layer 114 may include a 1-1 inner insulating layer 114a disposed on the core layer 111 and a 1-1 first inner insulating layer 114a disposed on the 1-1 inner insulating layer 114a. Two inner insulating layers 114b may be included.

또한, 회로 기판은 코어층(111)와 제2 절연층(113) 사이에 배치되는 제2 내측 절연층(115)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 내측 절연층(115)은 코어층(111) 아래에 배치되는 제2-1 내측 절연층(115a)과, 제2-1 내측 절연층(115a) 아래에 배치되는 제2-2 내측 절연층(115b)을 포함할 수 있다. Also, the circuit board may include a second inner insulating layer 115 disposed between the core layer 111 and the second insulating layer 113 . For example, the second inner insulating layer 115 may include a 2-1 th inner insulating layer 115a disposed under the core layer 111 and a second inner insulating layer 115a disposed under the 2-1 th inner insulating layer 115a. -2 may include an inner insulating layer 115b.

그리고, 상기 제1 절연층(112)은 회로 기판의 제1 최외측에 배치되는 절연층이고, 제2 절연층(113)은 회로 기판의 제2 최외측에 배치되는 절연층이다. In addition, the first insulating layer 112 is an insulating layer disposed on the first outermost side of the circuit board, and the second insulating layer 113 is an insulating layer disposed on the second outermost side of the circuit board.

또한, 실시 예는 코어층(111), 제1 내측 절연층(114) 및 제2 내측 절연층(115)에 배치되는 회로 패턴 및 비아를 포함할 수 있다. In addition, the embodiment may include circuit patterns and vias disposed on the core layer 111 , the first inner insulating layer 114 , and the second inner insulating layer 115 .

실시 예에 따른 회로 기판은 칩이 실장되는 영역에 배치된 실장 패드를 포함한다. 이때, 비교 예에서의 실장 패드는 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)보다 큰 폭을 가지며, 이에 따른 상기 실장 패드는 110㎛보다 큰 피치를 가지게 된다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서의 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 사이즈에 영향을 받지 않으며, 이에 따른 비교 예 대비 상기 실장 패드의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있음에 따라, 제한된 공간 내에 더 많은 칩을 실장시킬 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 부피, 나아가 패키지 기판의 부피를 감소시킬 수 있다.A circuit board according to an embodiment includes a mounting pad disposed in an area on which a chip is mounted. In this case, the mounting pad in the comparative example has a larger width than a solder resist open region (SOR) disposed on the outermost side of the circuit board, and thus the mounting pad has a pitch larger than 110 μm. do. On the contrary, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist disposed on the outermost side of the circuit board is removed. Accordingly, the width of the mounting pad in the embodiment is not affected by the size of the solder resist open region (SOR), and thus the width of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example. Accordingly, in the embodiment, since the pitch of the mounting pad can be reduced compared to the comparative example, more chips can be mounted in a limited space, and thus the volume of the circuit board and further the volume of the package board can be reduced.

또한, 실시 예에서는 상기와 같이 피치가 감소함에 따라, 상기 회로 기판에 실장되는 칩의 단자 사이를 연결하는 전송 라인의 길이를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신호 전송 손실을 최소화하여 통신 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, as the pitch decreases as described above, the length of the transmission line connecting between the terminals of the chip mounted on the circuit board can be reduced, and thus the communication performance can be improved by minimizing the signal transmission loss. have.

-제2 실시 예--Second embodiment-

도 6은 제2 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6의 최외측의 확대도이다.6 is a view showing a circuit board according to the second embodiment, and FIG. 7 is an enlarged view of the outermost side of FIG. 6 .

도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 실시 예에 따른 회로 기판은 ETS 구조를 가질 수 있다. 즉, 도 2에서의 제1 실시 예에 따른 회로 기판은 SAP 구조를 가졌다. 이와 다르게, 도 6 및 도 7에서의 제2 실시 예에 따른 회로 기판은 ETS 구조를 가질 수 있다.6 and 7 , the circuit board according to the second embodiment may have an ETS structure. That is, the circuit board according to the first embodiment in FIG. 2 has an SAP structure. Alternatively, the circuit board according to the second embodiment of FIGS. 6 and 7 may have an ETS structure.

도 6를 참조하면, 회로 기판(200)은 적어도 1개의 칩이 실장될 수 있도록 하는 실장 공간을 제공한다. Referring to FIG. 6 , the circuit board 200 provides a mounting space in which at least one chip can be mounted.

회로 기판(200)은 절연층(210), 제1 회로 패턴(240), 제2 회로 패턴(220), 제3 회로 패턴(225), 제4 회로 패턴(260), 제1 비아(250), 제2 비아(230), 제3 비아(270), 제1 표면 처리층(290), 제2 표면 처리층(295) 및 보호층(285)을 포함한다. 이때, 상기 제2 실시 예의 구성 중 제1 실시 예와 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 이에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다.The circuit board 200 includes an insulating layer 210 , a first circuit pattern 240 , a second circuit pattern 220 , a third circuit pattern 225 , a fourth circuit pattern 260 , and a first via 250 . , a second via 230 , a third via 270 , a first surface treatment layer 290 , a second surface treatment layer 295 , and a protective layer 285 . In this case, a detailed description of the components of the second embodiment that are substantially the same as those of the first embodiment will be omitted.

제2 실시 예의 회로 기판(200)은 절연층(210)을 포함한다. 상기 절연층(210)은 적어도 1층 이상의 구조를 가진다. 이때, 도 6에서는 상기 회로 기판(200)이 절연층(210)의 층수를 기준으로 3층 구조를 가지는 것으로 도시하였으나 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 회로 기판(200)은 절연층(210)의 층수를 기준으로 1층 또는 2층의 구조를 가질 수 있고, 이와 다르게 4층 이상의 구조를 가질 수 있을 것이다. 다만, 이하에서는 상기 회로 기판(200)이 절연층(210)의 층수를 기준으로 1층 구조를 가지는 것으로 하여 설명하기로 한다.The circuit board 200 of the second embodiment includes an insulating layer 210 . The insulating layer 210 has a structure of at least one layer. At this time, although FIG. 6 illustrates that the circuit board 200 has a three-layer structure based on the number of insulating layers 210 , the present invention is not limited thereto. For example, the circuit board 200 may have a structure of one or two layers based on the number of layers of the insulating layer 210 , or alternatively may have a structure of four or more layers. However, hereinafter, the circuit board 200 will be described as having a one-layer structure based on the number of layers of the insulating layer 210 .

상기 절연층(210)은 프리프레그(PPG, prepreg)를 포함할 수 있다. 상기 프리프레그는 유리 섬유 실(glass yarn)으로 직조된 글라스 패브릭(glass fabric)과 같은 직물 시트(fabric sheet) 형태의 섬유층에 에폭시 수지 등을 함침한 후 열 압착을 진행함으로써 형성될 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 절연층(210)을 구성하는 프리프레그는 탄소 섬유 실로 직조된 직물 시트 형태의 섬유층을 포함할 수 있을 것이다.The insulating layer 210 may include a prepreg (PPG). The prepreg may be formed by impregnating a fiber layer in the form of a fabric sheet, such as a glass fabric woven with glass yarn, with an epoxy resin, and then performing thermocompression. However, the embodiment is not limited thereto, and the prepreg constituting the insulating layer 210 may include a fiber layer in the form of a fabric sheet woven with carbon fiber yarn.

상기 절연층(210)은 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)을 포함할 수 있다. The insulating layer 210 may include an inner insulating layer 211 , a first insulating layer 212 , and a second insulating layer 213 .

내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)은 각각 10㎛ 내지 60㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213) 각각은 15㎛ 내지 55㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213) 각각은 20㎛ 내지 50㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)의 각각의 두께는 이의 표면에 각각 배치되는 회로 패턴들 사이의 거리를 의미할 수 있다. Each of the inner insulating layer 211 , the first insulating layer 212 , and the second insulating layer 213 may have a thickness in a range of 10 μm to 60 μm. For example, each of the inner insulating layer 211 , the first insulating layer 212 , and the second insulating layer 213 may have a thickness in the range of 15 μm to 55 μm. For example, each of the inner insulating layer 211 , the first insulating layer 212 , and the second insulating layer 213 may have a thickness in a range of 20 μm to 50 μm. Each thickness of the inner insulating layer 211 , the first insulating layer 212 , and the second insulating layer 213 may mean a distance between circuit patterns respectively disposed on the surface thereof.

예를 들어, 제1 절연층(212)의 두께는 제1 회로 패턴(240)의 하면과 제2 회로 패턴(220)의 상면 사이의 거리를 의미할 수 있다. 내측 절연층(211)의 두께는 제2 회로 패턴(220)의 하면과 제3 회로 패턴(225)의 상면 사이의 거리를 의미할 수 있다. 제2 절연층(213)의 두께는 제3 회로 패턴(225)의 하면과 제4 회로 패턴(260)의 상면 사이의 두께를 의미할 수 있다.For example, the thickness of the first insulating layer 212 may mean a distance between the lower surface of the first circuit pattern 240 and the upper surface of the second circuit pattern 220 . The thickness of the inner insulating layer 211 may mean a distance between the lower surface of the second circuit pattern 220 and the upper surface of the third circuit pattern 225 . The thickness of the second insulating layer 213 may mean a thickness between the lower surface of the third circuit pattern 225 and the upper surface of the fourth circuit pattern 260 .

내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)의 표면에는 각각 회로 패턴이 배치된다.Circuit patterns are respectively disposed on the surfaces of the inner insulating layer 211 , the first insulating layer 212 , and the second insulating layer 213 .

예를 들어, 제1 절연층(212)의 제1면 또는 상면에는 제1 회로 패턴(240)이 배치된다. 또한, 상기 제1 절연층(212)의 제2면 또는 하면에는 제2 회로 패턴(220)이 배치된다. 또한, 내측 절연층(211)의 제2면 또는 하면에는 제3 회로 패턴(225)이 배치된다. 또한, 제2 절연층(213)의 제2면 또는 하면에는 제4 회로 패턴(260)이 배치된다. 상기 제2 실시 예의 회로 기판(200)은 ETS(Embedded Trace Substrate) 공법을 이용하여 제조될 수 있다. 이에 따라, 상기 회로 기판(200)에 포함된 회로 패턴들 중 적어도 하나는 ETS 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(200)에 포함된 회로 패턴들 중 제1 최외측에 배치된 제1 회로 패턴(240)은 ETS를 구조를 가지며, 이에 따라 제1 절연층(212)의 제1면 또는 상면에 매립된 구조를 가질 수 있다.For example, the first circuit pattern 240 is disposed on the first surface or the upper surface of the first insulating layer 212 . In addition, a second circuit pattern 220 is disposed on the second surface or the lower surface of the first insulating layer 212 . In addition, a third circuit pattern 225 is disposed on the second or lower surface of the inner insulating layer 211 . In addition, a fourth circuit pattern 260 is disposed on the second or lower surface of the second insulating layer 213 . The circuit board 200 of the second embodiment may be manufactured using an Embedded Trace Substrate (ETS) method. Accordingly, at least one of the circuit patterns included in the circuit board 200 may have an ETS structure. For example, the first circuit pattern 240 disposed on the first outermost side of the circuit patterns included in the circuit board 200 has an ETS structure, and thus the first surface of the first insulating layer 212 . Alternatively, it may have a structure buried in the upper surface.

실시 예의 제1 회로 패턴(240)은 트레이스(241) 및 패드(242)를 포함할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드2142)는 상기 회로 기판(200)에서, 칩이 실장될 칩 실장 영역(미도시)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 칩 실장 패드를 의미할 수 있다. The first circuit pattern 240 of the embodiment may include a trace 241 and a pad 242 . The pad 2142 of the first circuit pattern 240 may be disposed in a chip mounting area (not shown) in which a chip is to be mounted on the circuit board 200 . For example, the pad 242 of the first circuit pattern 240 may mean a chip mounting pad.

상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 상기 제1 절연층(212)을 관통하는 제1 비아(250)의 제1면 또는 상면 위에 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 상기 제1 비아(250)의 제1면 위에 배치되고, 상기 트레이스(241)와 전기적으로 연결될 수 있다. The pad 242 of the first circuit pattern 240 is disposed on the first surface or the top surface of the first via 250 passing through the first insulating layer 212 . For example, the pad 242 of the first circuit pattern 240 may be disposed on the first surface of the first via 250 and may be electrically connected to the trace 241 .

상기 제1 회로 패턴(240)은 5㎛ 내지 20㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)은 6㎛ 내지 17㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(240)은 7㎛ 내지 13㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(240)의 두께가 5㎛ 미만인 경우에는 상기 제1 회로 패턴(240)의 저항이 증가할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(240)의 두께가 20㎛를 초과하는 경우에는 상기 제1 회로 패턴(240)을 구성하는 트레이스(241)의 선폭이 증가하고, 이에 따른 회로 기판(200)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. The first circuit pattern 240 may have a thickness in a range of 5 μm to 20 μm. For example, the first circuit pattern 240 may have a thickness in a range of 6 μm to 17 μm. The first circuit pattern 240 may have a thickness in a range of 7 μm to 13 μm. When the thickness of the first circuit pattern 240 is less than 5 μm, the resistance of the first circuit pattern 240 may increase. When the thickness of the first circuit pattern 240 exceeds 20 μm, the line width of the trace 241 constituting the first circuit pattern 240 increases, and thus the overall volume of the circuit board 200 decreases. can increase

상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)는 특정 선폭(W5')과 특정 간격(W6')을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)의 선폭(W5')은 6㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)의 선폭(W5')은 7㎛ 내지 15㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)의 선폭(W5')은 8㎛ 내지 12㎛의 범위를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스들의 간격(W6')은 6㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스들의 간격(W6')은 7㎛ 내지 15㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스들의 간격(W6')은 8㎛ 내지 12㎛의 범위를 가질 수 있다. The trace 241 of the first circuit pattern 240 may have a specific line width W5' and a specific interval W6'. For example, the line width W5 ′ of the trace 241 of the first circuit pattern 240 may be in a range of 6 μm to 20 μm. For example, the line width W5 ′ of the trace 241 of the first circuit pattern 240 may be in a range of 7 μm to 15 μm. For example, the line width W5 ′ of the trace 241 of the first circuit pattern 240 may range from 8 μm to 12 μm. Also, the interval W6 ′ between the traces of the first circuit pattern 240 may be in a range of 6 μm to 20 μm. For example, the interval W6 ′ between the traces of the first circuit pattern 240 may be in a range of 7 μm to 15 μm. For example, the interval W6 ′ between the traces of the first circuit pattern 240 may be in a range of 8 μm to 12 μm.

실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)는 실장 패드로 이용되는, 제1 회로 패턴(240)의 복수의 패드(242) 사이에 적어도 1개가 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 폭 방향으로 상호 이격되는 제1 패드(242-1) 및 제2 패드(242-2)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 절연층(212)의 상면에서, 상기 제1 회로 패턴(240)의 상기 제1 패드(242-1) 및 제2 패드(242-2) 사이에는 상기 제1 회로 패턴(240)의 적어도 1개의 트레이스(241)가 배치될 수 있다. 상기 패드들 사이에 배치된 트레이스(241)는 상기 제1 패드(242-1) 및 제2 패드(242-2) 중 적어도 어느 하나와 직접 연결되거나, 이를 제외한 제1 절연층(212)의 다른 패드와 직접 연결될 수 있다.In an embodiment, at least one trace 241 of the first circuit pattern 240 may be positioned between a plurality of pads 242 of the first circuit pattern 240 used as mounting pads. For example, the pad 242 of the first circuit pattern 240 may include a first pad 242-1 and a second pad 242-2 spaced apart from each other in the width direction. In addition, on the upper surface of the first insulating layer 212 , the first circuit pattern 240 is between the first pad 242-1 and the second pad 242-2 of the first circuit pattern 240 . ) of at least one trace 241 may be disposed. The trace 241 disposed between the pads is directly connected to at least one of the first pad 242-1 and the second pad 242-2, or the other of the first insulating layer 212 except this. It can be directly connected to the pad.

한편, 일반적으로 비아의 폭 및 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈에 의해 실장 패드의 폭이 결정되고, 상기 실장 패드의 폭에 의해 복수의 실장 패드들 사이의 피치가 결정된다. 또한, 상기 실장 패드들 사이에는 적어도 1개의 트레이스가 배치되어야 하며, 이에 따라 상기 실장 패드의 폭 및 상기 트레이스의 폭에 의해 비교 예에서는 상기 실장 패드의 피치가 110㎛를 초과하였다. 이와 다르게, 실시 예에서는 솔더 레지스트를 제거하도록 하고, 이에 따라 상기 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않고 형성될 수 있도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 실장 패드의 폭을 비교 예 대비 감소할 수 있다. 그리고, 실시 예에서는 상기 실장 패드의 폭이 감소하는 것만큼 상기 비아들 사이의 간격을 줄일 수 있다. 즉, 실시 예에서의 상기 실장 패드의 피치는 상기 비아의 폭 및 이들 사이의 간격만을 고려하면 되며, 이에 따라 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있다.Meanwhile, in general, the width of the mounting pad is determined by the width of the via and the size of the open area of the solder resist, and the pitch between the plurality of mounting pads is determined by the width of the mounting pad. In addition, at least one trace should be disposed between the mounting pads. Accordingly, in the comparative example, the pitch of the mounting pads exceeds 110 μm due to the width of the mounting pad and the width of the trace. Alternatively, in the embodiment, the solder resist is removed, and accordingly, the width of the mounting pad can be formed without considering the size of the open area of the solder resist. Accordingly, in the embodiment, the width of the mounting pad may be reduced compared to that of the comparative example. Also, in an embodiment, the spacing between the vias may be reduced as much as the width of the mounting pad is reduced. That is, the pitch of the mounting pad in the embodiment only needs to consider the width of the via and the distance therebetween, and accordingly, the pitch of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example.

구체적으로, 제1 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 상기 제1 비아(250)의 제1면 또는 상면의 폭(W1')보다 클 수 있다. Specifically, in the first embodiment, the width W3 ′ of the pad 242 of the first circuit pattern 240 is greater than the width W1 ′ of the first surface or the top surface of the first via 250 . can

예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 22㎛ 내지 42㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 25㎛ 내지 40㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 27㎛ 내지 37㎛일 수 있다. 즉 비교 예에서는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈에 대응하게, 70㎛ 이상으로 형성되었다. 이와 다르게, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않고 형성됨에 따라, 상기 제1 비아(250)의 제1면의 폭(W1')과 유사한 폭(W3')을 가질 수 있을 것이다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 상기 패드(242)의 폭은 상기 제1 비아의 제1면의 폭의 101% 내지 130%의 범위를 만족할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 상기 패드(242)의 폭은 상기 제1 비아의 제1면의 폭의 102% 내지 125%의 범위를 만족할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 상기 패드(242)의 폭은 상기 제1 비아의 제1면의 폭의 105% 내지 120%의 범위를 만족할 수 있다.For example, the width W3 ′ of the pad 242 of the first circuit pattern 240 may be 22 μm to 42 μm. For example, the width W3 ′ of the pad 242 of the first circuit pattern 240 may be 25 μm to 40 μm. For example, the width W3 ′ of the pad 242 of the first circuit pattern 240 may be 27 μm to 37 μm. That is, in the comparative example, the width W3 ′ of the pad 242 of the first circuit pattern 240 was formed to be 70 μm or more to correspond to the size of the open region of the solder resist. Unlike this, the pad 242 of the first circuit pattern 240 is formed without considering the size of the open region of the solder resist, so that the width W1 ′ of the first surface of the first via 250 . It may have a width W3' similar to . For example, a width of the pad 242 of the first circuit pattern 240 may satisfy a range of 101% to 130% of a width of the first surface of the first via. For example, a width of the pad 242 of the first circuit pattern 240 may satisfy a range of 102% to 125% of a width of the first surface of the first via. For example, a width of the pad 242 of the first circuit pattern 240 may satisfy a range of 105% to 120% of a width of the first surface of the first via.

상기와 같이, 실시 예에서의 회로 기판은 회로 기판의 제1 최외측에 배치되는 보호층인 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 패드(242)의 폭(W3')을 결정하는데 있어, 상기 솔더 레지스의 오픈 영역(SOR)의 사이즈를 고려하지 않아도 된다. 따라서, 실시 예에서는 비교 예 대비 패드(242)의 폭(W3')을 줄일 수 있으며, 나아가 이웃하는 패드들 사이의 피치를 100㎛ 이하로 줄일 수 있다.As described above, in the circuit board in the embodiment, the solder resist, which is a protective layer disposed on the first outermost side of the circuit board, is removed. Accordingly, in the embodiment, when determining the width W3 ′ of the pad 242 , it is not necessary to consider the size of the open area SOR of the solder resistor. Accordingly, in the embodiment, the width W3 ′ of the pad 242 may be reduced compared to the comparative example, and further, the pitch between neighboring pads may be reduced to 100 μm or less.

또한, 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 제2 회로 패턴(220)의 패드의 폭(W4')보다 작을 수 있다. Also, in an embodiment, the width W3 ′ of the pad 242 of the first circuit pattern 240 may be smaller than the width W4 ′ of the pad 24 of the second circuit pattern 220 .

제2 회로 패턴(220)은 제1 절연층(212)의 제2면 또는 하면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(220)은 상기 제1 절연층(212)의 표면에서, 상기 제1 회로 패턴(240)이 배치되는 면의 반대면에 배치될 수 있다. The second circuit pattern 220 may be disposed on the second surface or the lower surface of the first insulating layer 212 . For example, the second circuit pattern 220 may be disposed on a surface of the first insulating layer 212 opposite to a surface on which the first circuit pattern 240 is disposed.

상기 제2 회로 패턴(220)은 제1 비아(250)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 회로 패턴(220)은 패드(221, 222) 및 트레이스를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)는 상기 제1 비아(250)와 연결될 수 있다. The second circuit pattern 220 may be connected to the first via 250 . Specifically, the second circuit pattern 220 may include pads 221 and 222 and traces. In addition, the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be connected to the first via 250 .

상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)는 제1 비아(250)의 제2면 또는 하면과 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 제1면 또는 상면은 제1 비아(250)의 제2면 또는 하면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(220)의 트레이스는 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 사이에 배치되지 않을 수 있다. The pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be connected to a second surface or a lower surface of the first via 250 . Specifically, the first surface or upper surface of the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may directly contact the second surface or lower surface of the first via 250 . Traces of the second circuit pattern 220 may not be disposed between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 .

상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 20㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 10㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 7㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 2㎛ 이상일 수 있다.The gap W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 30 μm or less. For example, the gap W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 20 μm or less. For example, the interval W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 10 μm or less. For example, the gap W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 7 μm or less. For example, the gap W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 5 μm or less. For example, the gap W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 2 μm or more.

구체적으로, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 2㎛ 내지 30㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 2.5㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 2.5㎛ 내지 7㎛의 범위를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241) 또는 제2 회로 패턴(220)의 트레이스의 선폭 또는 간격보다 작을 수 있다. Specifically, the interval W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be in a range of 2 μm to 30 μm. For example, the interval W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be in a range of 2.5 μm to 20 μm. For example, the gap W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be in a range of 2.5 μm to 7 μm. Preferably, the interval W7 ′ between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 is that of the trace 241 of the first circuit pattern 240 or the trace of the second circuit pattern 220 . It may be smaller than the line width or spacing.

상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 폭(W4')은 30㎛ 내지 75㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 폭(W4')은 32㎛ 내지 70㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 폭(W4')은 35㎛ 내지 65㎛일 수 있다.The width W4' of the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 30 μm to 75 μm. For example, the width W4 ′ of the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 32 μm to 70 μm. For example, the width W4 ′ of the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 may be 35 μm to 65 μm.

실시 예에서, 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)에는 각각 비아가 형성될 수 있다.In an embodiment, vias may be formed in each of the inner insulating layer 211 , the first insulating layer 212 , and the second insulating layer 213 .

예를 들어, 제1 절연층(212)에는 제1 비아(250)가 형성될 수 있다. 또한, 내측 절연층(211)에는 제2 비아(230)가 형성될 수 있다. 또한, 제2 절연층(213)에는 제3 비아(270)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 비아(250), 제2 비아(230) 및 제3 비아(270)는 동일 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 비아(250), 제2 비아(230) 및 제3 비아(270)는 각각 제1면의 폭이 제2 면의 폭보다 작은 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(250), 제2 비아(230) 및 제3 비아(270) 각각은 상면의 폭이 하면의 폭보다 작을 수 있다. For example, a first via 250 may be formed in the first insulating layer 212 . Also, a second via 230 may be formed in the inner insulating layer 211 . Also, a third via 270 may be formed in the second insulating layer 213 . In this case, the first via 250 , the second via 230 , and the third via 270 may have the same shape. That is, each of the first via 250 , the second via 230 , and the third via 270 may have a trapezoidal shape in which the width of the first surface is smaller than the width of the second surface. For example, the width of the upper surface of each of the first via 250 , the second via 230 , and the third via 270 may be smaller than the width of the lower surface.

상기 제1 비아(250)의 제1면 또는 상면은 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 하면과 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제1 비아(250)의 제2면 또는 하면은 상기 제2 회로 패턴(220)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(250)의 제2면 또는 하면은 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 122)와 접촉할 수 있다. A first surface or an upper surface of the first via 250 may contact a lower surface of the pad 242 of the first circuit pattern 240 . Also, a second surface or a lower surface of the first via 250 may contact the second circuit pattern 220 . For example, the second surface or lower surface of the first via 250 may contact the pads 221 and 122 of the second circuit pattern 220 .

상기 제1 비아(250)는 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)를 포함할 수 있다.The first via 250 may include a 1-1 via 251 and a 1-2 via 252 .

상기 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제1면의 폭(W1')은 20㎛ 내지 40㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제1면의 폭(W1')은 22㎛ 내지 37㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제1면의 폭(W1')은 25㎛ 내지 35㎛일 수 있다.A width W1 ′ of the first surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 20 μm to 40 μm. For example, the width W1 ′ of the first surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 22 μm to 37 μm. For example, the width W1 ′ of the first surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 25 μm to 35 μm.

그리고, 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제2면의 폭(W2')은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제2면의 폭(W2')은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제2면의 폭(W2')은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다. In addition, the width W2 ′ of the second surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W2 ′ of the second surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W2 ′ of the second surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 30 μm to 47 μm.

상기와 같이 제2 실시 예에서는 제1 실시 예 대비 회로 기판(200)이 ETS 구조를 가지는 것에 차이가 있으며, 이에 따라 최외측에 배치된 회로 패턴의 패드 및 트레이스가 최외측의 절연층의 제1면 또는 상면에 매립된 구조를 가지는 것에 차이가 있다. As described above, in the second embodiment, there is a difference in that the circuit board 200 has an ETS structure compared to the first embodiment, and accordingly, the pads and traces of the circuit pattern disposed on the outermost side are the first ones of the outermost insulating layer. There is a difference in having a structure embedded in a surface or an upper surface.

제2 실시 예에서는 솔더 레지스트의 제거에 의해, 비교 예 대비 제1 회로 패턴(240)의 패드의 폭을 줄일 수 있고, 이에 의해, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이더라도(나아가, 2㎛까지 줄이더라도), 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242) 사이의 공간에 적어도 1개의 트레이스(241)를 배치할 공간이 충분히 나오게 된다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이고, 이에 따라 제1 비아(250)들의 중심 사이의 간격 또는 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 중심 사이의 간격인 피치를 100㎛ 이하, 나아가 90㎛ 이하, 더 나아가, 80㎛이하까지 낮출 수 있다.In the second embodiment, the width of the pad of the first circuit pattern 240 can be reduced compared to the comparative example by removing the solder resist, and thereby, in the embodiment, the pads 221 of the second circuit pattern 220, 222), a space for arranging at least one trace 241 in the space between the pads 242 of the first circuit pattern 240 even if the interval between them is reduced to 30 μm or less (and further reduced to 2 μm). This will come out enough. Accordingly, in the embodiment, the distance between the pads 221 and 222 of the second circuit pattern 220 is reduced to 30 μm or less, and accordingly, the distance between the centers of the first vias 250 or the first circuit pattern ( The pitch, which is an interval between the centers of the pads 242 of 240 , may be lowered to 100 μm or less, further to 90 μm or less, and further to 80 μm or less.

나아가, 제2 실시 예에서는 실장 패드로 사용되는 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)가 제1 비아(250)의 제1면 상에 배치된다. 이때, 상기 제1 비아(250)는 제1면의 폭이 제2 면의 폭보다 좁다. 이에 따라, 실시 예에서는 제1 실시 예 대비, 제1 회로 패턴(240)의 패드(242) 사이의 공간을 더욱 넓게 확보할 수 있으며, 이에 따라 해당 공간에 더 많은 트레이스를 배치할 수 있다.Furthermore, in the second embodiment, the pad 242 of the first circuit pattern 240 used as a mounting pad is disposed on the first surface of the first via 250 . In this case, the width of the first surface of the first via 250 is narrower than the width of the second surface. Accordingly, in the embodiment, compared to the first embodiment, the space between the pads 242 of the first circuit pattern 240 can be secured more widely, and thus more traces can be arranged in the corresponding space.

이하에서는, 도 6에 도시된 제2 실시 예에 따른 회로 기판의 변형 예에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a modified example of the circuit board according to the second embodiment shown in FIG. 6 will be described.

-변형 예--Variation example-

도 8a는 제1 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.8A is a diagram illustrating a circuit board according to a first modified example.

도 8a의 제1 변형 예의 회로 기판(200a)은 도 6의 회로 기판 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 폭에 차이가 있다. The circuit board 200a of the first modified example of FIG. 8A has a difference in the width of the pad of the first circuit pattern compared to the circuit board of FIG. 6 .

예를 들어, 도 6의 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 제1 비아(250)의 제1 면의 폭보다 큰 폭을 가졌다.For example, the pad 242 of the first circuit pattern 240 of FIG. 6 has a width greater than the width of the first surface of the first via 250 .

이에 반하여, 제1 변형 예와 같이, 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1a, 242-2a)는 제1 비아(251, 252)의 제1면의 폭(W1'a)과 동일한 폭을 가질 수 있다. 따라서, 제1 변형 예에 의하면, 제2 실시 예의 회로 기판 대비, 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1a, 242-2a) 사이의 공간을 더욱 넓게 확보할 수 있다.On the other hand, as in the first modified example, the pads 242-1a and 242-2a of the first circuit pattern 240 are equal to the width W1'a of the first surfaces of the first vias 251 and 252. can have a width. Accordingly, according to the first modified example, a space between the pads 242-1a and 242-2a of the first circuit pattern 240 can be secured more widely compared to the circuit board of the second embodiment.

도 8b는 제2 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.8B is a diagram illustrating a circuit board according to a second modified example.

도 8b의 제2 변형 예의 회로 기판(200b)은 도 6의 회로 기판 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 폭에 차이가 있다. The circuit board 200b of the second modified example of FIG. 8B has a difference in the width of the pad of the first circuit pattern compared to the circuit board of FIG. 6 .

예를 들어, 도 6의 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 제1 비아(250)의 제1 면의 폭보다 큰 폭을 가졌다.For example, the pad 242 of the first circuit pattern 240 of FIG. 6 has a width greater than the width of the first surface of the first via 250 .

이에 반하여, 제1 변형 예와 같이, 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)는 제1 비아(251b, 252b)의 제1면의 폭(W1'b)보다 작은 폭(W3'b)을 가질 수 있다.On the contrary, as in the first modified example, the pads 242-1b and 242-2b of the first circuit pattern 240 are smaller than the width W1'b of the first surface of the first vias 251b and 252b. It may have a width W3'b.

이에 따라, 제2 변형 예에 따르면, 제1 비아(251b, 252b)의 제1면은 상기 제1 절연층(212)의 제1면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다.Accordingly, according to the second modification, the first surface of the first vias 251b and 252b may be positioned on the same plane as the first surface of the first insulating layer 212 .

나아가, 상기 제1 비아(251b, 252b)는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)의 주위를 둘러싸며 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241b)는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)와 직접 연결되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241b)는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)와 직접 연결되지 않고, 상기 제1 비아(251b, 252b)의 측면과 직접 연결될 수 있다. Furthermore, the first vias 251b and 252b may be formed to surround the pads 242-1b and 242-2b of the first circuit pattern 240 . Accordingly, the trace 241b of the first circuit pattern 240 may not be directly connected to the pads 242-1b and 242-2b of the first circuit pattern 240 . For example, the trace 241b of the first circuit pattern 240 is not directly connected to the pads 242-1b and 242-2b of the first circuit pattern 240, but the first via 251b, 252b) can be directly connected.

이에 따라, 제2 변형 예에서의 실장 패드는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)로 형성되는 제1 부분과, 상기 제1 비아(251b, 252b)로 형성되는 제2 부분을 포함할 수 있다.Accordingly, the mounting pad in the second modified example is formed of the first portion formed of the pads 242-1b and 242-2b of the first circuit pattern 240 and the first vias 251b and 252b. It may include a second part that becomes

도 8c는 제3 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.8C is a diagram illustrating a circuit board according to a third modified example.

도 8c의 제3 변형 예의 회로 기판(200c)은 도 6의 회로 기판 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 구성에 있어 차이가 있다.The circuit board 200c of the third modified example of FIG. 8C is different from the circuit board of FIG. 6 in the configuration of the pad of the first circuit pattern.

제3 변형 예에 따른 회로 기판은 (200c)은 제1 비아(251c, 252c)의 제1면에 배치되는 제1 회로 패턴의 패드를 제거할 수 있다. In the circuit board 200c according to the third modification, the pad of the first circuit pattern disposed on the first surface of the first vias 251c and 252c may be removed.

즉, 제3 변형 예에 따르면, 제1 회로 패턴은 트레이스(241b)를 포함할 수 있다. 상기 트레이스(241b)는 실장 패드로 사용되는 제1 비아(251c, 252c)의 측면과 직접 연결될 수 있다.That is, according to the third modified example, the first circuit pattern may include the trace 241b. The trace 241b may be directly connected to side surfaces of the first vias 251c and 252c used as mounting pads.

상기 제1 비아는 폭 방향으로 이격되는 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)를 포함한다. 이때, 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c) 각각은 제1 절연층(212)의 두께보다 큰 두께를 가진다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c) 각각은 제1 절연층(212)의 두께에 제1 회로 패턴의 트레이스(241b)의 두께를 합한 두께를 가질 수 있다. 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)의 제1면 또는 상면은 제1 회로 패턴의 제1면 또는 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)는 측면을 통해 제1 회로 패턴과 직접 연결될 수 있다. 즉, 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)의 측면은 제1 회로 패턴의 측면과 연결될 수 있다. The first via includes a 1-1 via 251c and a second via 252c that are spaced apart from each other in the width direction. In this case, each of the 1-1 via 251c and the second via 252c has a thickness greater than that of the first insulating layer 212 . For example, each of the 1-1 via 251c and the second via 252c may have a thickness obtained by adding the thickness of the first insulating layer 212 to the thickness of the trace 241b of the first circuit pattern. . The first surface or top surface of the 1-1 via 251c and the second via 252c may be located on the same plane as the first surface or top surface of the first circuit pattern. The 1-1 via 251c and the second via 252c may be directly connected to the first circuit pattern through side surfaces. That is, side surfaces of the 1-1 via 251c and the second via 252c may be connected to the side surface of the first circuit pattern.

상기와 같이, 제3 변형 예에 따르면, 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)의 제1면을 실장패드로 활용하고, 이에 따라 실장 패드의 폭을 더욱 줄일 수 있다.As described above, according to the third modification, the first surfaces of the 1-1 via 251c and the second via 252c are used as the mounting pad, and thus the width of the mounting pad can be further reduced.

실시 예에 따른 회로 기판은 칩이 실장되는 영역에 배치된 실장 패드를 포함한다. 이때, 비교 예에서의 실장 패드는 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)보다 큰 폭을 가지며, 이에 따른 상기 실장 패드는 110㎛보다 큰 피치를 가지게 된다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서의 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 사이즈에 영향을 받지 않으며, 이에 따른 비교 예 대비 상기 실장 패드의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있음에 따라, 제한된 공간 내에 더 많은 칩을 실장시킬 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 부피, 나아가 패키지 기판의 부피를 감소시킬 수 있다.A circuit board according to an embodiment includes a mounting pad disposed in an area on which a chip is mounted. In this case, the mounting pad in the comparative example has a larger width than a solder resist open region (SOR) disposed on the outermost side of the circuit board, and thus the mounting pad has a pitch larger than 110 μm. do. On the contrary, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist disposed on the outermost side of the circuit board is removed. Accordingly, the width of the mounting pad in the embodiment is not affected by the size of the solder resist open region (SOR), and thus the width of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example. Accordingly, in the embodiment, since the pitch of the mounting pad can be reduced compared to the comparative example, more chips can be mounted in a limited space, and thus the volume of the circuit board and further the volume of the package board can be reduced.

또한, 실시 예에서는 상기와 같이 피치가 감소함에 따라, 상기 회로 기판에 실장되는 칩의 단자 사이를 연결하는 전송 라인의 길이를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신호 전송 손실을 최소화하여 통신 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, as the pitch decreases as described above, the length of the transmission line connecting between the terminals of the chip mounted on the circuit board can be reduced, and thus the communication performance can be improved by minimizing the signal transmission loss. have.

-제1 실시 예의 제조 방법--Manufacturing method of the first embodiment-

도 9a 내지 도 9f는 도 2에 도시된 회로 기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.9A to 9F are views for explaining the manufacturing method of the circuit board shown in FIG. 2 in order of process.

도 9a를 참조하면, 실시 예에서는 회로 기판을 제조하기 위한 기초 자재를 준비할 수 있다. 예를 들어, 실시 예의 회로 기판은 코어 기판일 수 있다. 이를 위해, 실시 예에서는 중앙의 코어층을 위한 기초 자재를 준비할 수 있다. 일 예로, CCL(Copper Clad Laminate)을 준비할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.Referring to FIG. 9A , in the embodiment, a basic material for manufacturing a circuit board may be prepared. For example, the circuit board of the embodiment may be a core board. To this end, in the embodiment, a base material for the central core layer may be prepared. As an example, CCL (Copper Clad Laminate) may be prepared, but is not limited thereto.

실시 예에서는, 코어층(111)이 준비되면, 상기 코어층(111)을 가공하여 비아 홀(VH)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 비아 홀(VH)은 상기 코어층(111)을 레이저 가공하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 코어층(111)은 일정 두께 이상을 가지며, 한번의 레이저 가공을 통해 이를 완전히 관통하는 비아 홀을 용이하게 형성하기 어려울 수 있다. 이에 따라, 실시 에에서는 상기 코어층(111)의 제1면 및 제2면에 대해서 각각 비아 홀(VH)을 가공하는 공정을 진행할 수 있다. 그리고, 상기와 같이 코어층(111)의 양면에서 비아 홀 가공 공정이 진행됨에 따라, 상기 코어층(111)에는 모래시계 형상의 비아 홀(VH)이 형성될 수 있다.In an embodiment, when the core layer 111 is prepared, a process of forming the via hole VH by processing the core layer 111 may be performed. The via hole VH may be formed by laser processing the core layer 111 . In this case, the core layer 111 has a predetermined thickness or more, and it may be difficult to easily form a via hole completely penetrating it through one laser processing. Accordingly, in the embodiment, a process of processing the via holes VH on the first and second surfaces of the core layer 111 may be performed, respectively. In addition, as the via hole processing process is performed on both surfaces of the core layer 111 as described above, an hourglass-shaped via hole VH may be formed in the core layer 111 .

다음으로, 도 9b를 참조하면, 실시 예에서는 코어층(111)의 제1면 및 제2면에 각각 드라이 필름을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Next, referring to FIG. 9B , in the embodiment, a process of forming a dry film on each of the first and second surfaces of the core layer 111 may be performed.

구체적으로, 실시 예에서는 코어층(111)의 제1면에 제1 드라이 필름(DF1)을 형성하고, 코어층(111)의 제2면에 제2 드라이 필름(DF2)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Specifically, in the embodiment, the process of forming the first dry film DF1 on the first surface of the core layer 111 and forming the second dry film DF2 on the second surface of the core layer 111 is performed. can

이때, 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 제2 드라이 필름(DF2)은 상기 코어층(111)의 제1면 및 제2면의 전체를 덮으며 배치될 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 제2 드라이 필름(DF2)을 각각 노광 및 현상하여 개구부(미도시)를 형성할 수 있다.In this case, the first dry film DF1 and the second dry film DF2 may be disposed to cover the entire first surface and the second surface of the core layer 111 . Thereafter, in an embodiment, the first dry film DF1 and the second dry film DF2 may be exposed and developed, respectively, to form an opening (not shown).

예를 들어, 실시 예에서는 제1 드라이 필름(DF1)에 상기 비아 홀(VH) 및 제2 회로 패턴(120)이 형성될 영역을 노출하는 개구부(미도시)를 형성할 수 있다.For example, in the embodiment, an opening (not shown) exposing a region in which the via hole VH and the second circuit pattern 120 are to be formed may be formed in the first dry film DF1 .

예를 들어, 실시 예에서는 제2 드라이 필름(DF2)에 상기 비아 홀(VH) 및 상기 제3 회로 패턴(125)이 형성될 영역을 노출하는 개구부(미도시)를 형성할 수 있다.For example, in an embodiment, an opening (not shown) exposing a region in which the via hole VH and the third circuit pattern 125 are to be formed may be formed in the second dry film DF2 .

다음으로, 도 9c에 도시된 바와 같이, 실시 예에서는 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 제2 드라이 필름(DF2)의 개구부를 채우는 도금 공정을 진행할 수 있다. 이를 위해, 실시 예에서는 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 상기 제2 드라이 필름(DF2)이 형성되기 전에, 상기 코어층(111)의 제1면 및 제2면에 각각 시드층(미도시)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 형성된 시드층을 이용하여 전해 도금을 진행하여, 상기 비아 홀(VH), 상기 제1 드라이 필름(DF1)의 개구부 및 상기 제2 드라이 필름(DF2)의 개구부를 채우는 도금 공정을 진행할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 상기 전해 도금 공정이 완료되면, 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 제2 드라이 필름(DF2)을 제거하는 공정을 진행할 수 있다.Next, as shown in FIG. 9C , in the embodiment, a plating process for filling the openings of the first dry film DF1 and the second dry film DF2 may be performed. To this end, in the embodiment, before the first dry film DF1 and the second dry film DF2 are formed, a seed layer (not shown) on the first and second surfaces of the core layer 111, respectively. The process of forming can be carried out. Thereafter, in the embodiment, electrolytic plating is performed using the formed seed layer to fill the via hole VH, the opening of the first dry film DF1, and the opening of the second dry film DF2. can proceed. In addition, in an embodiment, when the electrolytic plating process is completed, a process of removing the first dry film DF1 and the second dry film DF2 may be performed.

다음으로, 도 9d에 도시된 바와 같이, 실시 예에서는 상기 코어층(111)의 제1면 및 제2면에 각각 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)을 적층하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 제1 절연층(112) 및 상기 제2 절연층(113)은 각각 프리프레그를 포함할 수 있다. Next, as shown in FIG. 9D , in the embodiment, a process of laminating the first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 on the first and second surfaces of the core layer 111 is performed, respectively. can proceed. Each of the first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 may include a prepreg.

다음으로, 도 9e에 도시된 바와 같이, 실시 예에서는 상기 제1 절연층(112)에 제1 비아(150) 및 제1 회로 패턴(140)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 이때, 상기 설명한 바와 같이, 상기 제1 회로 패턴(140)은 트레이스(141) 및 패드(142)를 포함한다. 그리고, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 상기 제1 절연층(112)을 관통하는 제1 비아(150)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다. 다만, 실시 예에서는 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않으면서 상기 패드(142)의 폭을 결정할 수 있다. 이에 따라 실시 예에서는 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭과 실질적으로 유사 또는 동일한 폭으로 상기 패드(142)를 형성할 수 있을 것이다. 다만, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 회로 패턴의 패드(142)의 폭은 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭과 동일한 폭을 가지도록 할 수 있고, 이와 다르게 제1 비아(150)의 제1면의 폭보다 작은 폭을 가지도록 할 수 있다. Next, as shown in FIG. 9E , in the embodiment, a process of forming the first via 150 and the first circuit pattern 140 in the first insulating layer 112 may be performed. In this case, as described above, the first circuit pattern 140 includes the trace 141 and the pad 142 . In addition, the pad 142 of the first circuit pattern 140 may have a width greater than the width of the first via 150 penetrating the first insulating layer 112 . However, in an embodiment, the width of the pad 142 may be determined without considering the size of the open area of the solder resist. Accordingly, in an embodiment, the pad 142 may be formed to have a width substantially similar to or equal to the width of the first surface of the first via 150 . However, as shown in FIGS. 5A to 5C , the width of the pad 142 of the first circuit pattern may be the same as the width of the first surface of the first via 150 , and Alternatively, the width of the first via 150 may be smaller than the width of the first surface.

또한, 실시 예에서는 상기 제2 절연층(113)에 제2 비아(170) 및 제4 회로 패턴(160)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 제4 회로 패턴(160)은 패드 및 트레이스를 포함하며, 이때, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드는 상기 제2 비아(170)보다 큰 폭을 가질 수 있다. Also, in an embodiment, a process of forming the second via 170 and the fourth circuit pattern 160 in the second insulating layer 113 may be performed. The fourth circuit pattern 160 includes a pad and a trace, and in this case, the pad of the fourth circuit pattern 160 may have a greater width than the second via 170 .

다음으로, 도 9f에 도시된 바와 같이, 실시 예에서는 상기 제2 절연층(113)의 제2면 또는 하면에 보호층(185)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 보호층(185)은 상기 제2 절연층(113)의 제2면에 배치된 제4 회로 패턴(160)의 패드를 노출하는 개구부(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 보호층(185)의 개구부는 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭보다 작은 폭을 가질 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 보호층(185)의 개구부는 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭보다 크게 또는 같게 형성될 수도 있을 것이다. 상기 보호층(185)은 제2절연층(113)의 하면에만 형성되며, 상기 제1 절연층(112)의 상면에는 형성되지 않는다. Next, as shown in FIG. 9F , in the embodiment, a process of forming the protective layer 185 on the second surface or the lower surface of the second insulating layer 113 may be performed. The protective layer 185 may include an opening (not shown) exposing the pad of the fourth circuit pattern 160 disposed on the second surface of the second insulating layer 113 . In this case, the opening of the protective layer 185 may have a width smaller than the width of the pad of the fourth circuit pattern 160 . However, the embodiment is not limited thereto, and the opening of the protective layer 185 may be formed to be greater than or equal to the width of the pad of the fourth circuit pattern 160 . The protective layer 185 is formed only on the lower surface of the second insulating layer 113 and is not formed on the upper surface of the first insulating layer 112 .

다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 제2 절연층(113)의 하면에 배치되는 보호층(185)도 제거할 수 있을 것이다. 이에 의하면, 실시 예의 회로 기판은 최외측의 표면이 제1 절연층(112)의 상면 및 제2 절연층(113)의 하면으로 구성될 수 있다. 즉, 다른 실시 예에서는 회로 기판의 제1 및 제2 최외측에 솔더 레지스트가 배치되지 않을 수 있다. However, the embodiment is not limited thereto, and the protective layer 185 disposed on the lower surface of the second insulating layer 113 may also be removed. Accordingly, in the circuit board of the embodiment, the outermost surface may be composed of an upper surface of the first insulating layer 112 and a lower surface of the second insulating layer 113 . That is, in another embodiment, the solder resist may not be disposed on the first and second outermost sides of the circuit board.

다음으로, 실시 예에서는 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)에 제1 표면 처리층(190)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 상기 보호층(185)의 개구부를 통해 노출된 제4 회로 패턴(160)의 패드에 제2 표면 처리층(195)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Next, in the embodiment, a process of forming the first surface treatment layer 190 on the pad 142 of the first circuit pattern 140 may be performed. Also, in an embodiment, a process of forming the second surface treatment layer 195 on the pad of the fourth circuit pattern 160 exposed through the opening of the protective layer 185 may be performed.

- 제2 실시 예의 제조 방법 -- Manufacturing method of the second embodiment -

도 10a 내지 도 10h는 도 6에 도시된 회로 기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.10A to 10H are views for explaining the manufacturing method of the circuit board shown in FIG. 6 in order of process.

도 10a를 참조하면, 실시 예에서는 ETS 공법으로 회로 기판을 제조하기 위한 기초 자재를 준비할 수 있다.Referring to FIG. 10A , in the embodiment, a basic material for manufacturing a circuit board may be prepared by the ETS method.

예를 들어, 실시 예에서는 캐리어 절연층(CB1) 및 상기 캐리어 절연층(CB1)의 적어도 일면에 금속층(CB2)이 배치된 캐리어 보드(CB)를 준비할 수 있다. 이때, 상기 금속층(CB2)은 상기 캐리어 절연층(CB1)의 제1면 및 제2면 중 어느 하나의 면에만 배치될 수 있고, 이와 다르게 양면에 모두 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(CB2)은 캐리어 절연층(CB1)의 일면에만 배치되고, 그에 따라 상기 일면에서만 회로 기판의 제조를 위한 ETS 공정을 진행할 수 있다. 이와 다르게, 상기 금속층(CB2)은 상기 캐리어 절연층(CB1)의 양면에 모두 배치될 수 있고, 그에 따라 상기 캐리어 보드(CB)의 양면에서 회로 기판의 제조를 위한 ETS 공정을 동시에 진행할 수 있다. 이와 같은 경우, 한번에 2개의 회로 기판을 제조할 수 있다. For example, in the embodiment, the carrier board CB in which the carrier insulating layer CB1 and the metal layer CB2 are disposed on at least one surface of the carrier insulating layer CB1 may be prepared. In this case, the metal layer CB2 may be disposed on only one of the first and second surfaces of the carrier insulating layer CB1 , or alternatively, it may be disposed on both surfaces of the carrier insulating layer CB1 . For example, the metal layer CB2 is disposed on only one surface of the carrier insulating layer CB1 , and accordingly, the ETS process for manufacturing the circuit board may be performed only on the one surface. Alternatively, the metal layer CB2 may be disposed on both surfaces of the carrier insulating layer CB1, and accordingly, the ETS process for manufacturing the circuit board may be simultaneously performed on both surfaces of the carrier board CB. In this case, two circuit boards can be manufactured at once.

상기 금속층(CB2)은 상기 캐리어 절연층(CB1)에 무전해 도금을 하여 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 캐리어 절연층(CB1) 및 금속층(CB2)은 CCL(Copper Clad Laminate)일 수 있다.The metal layer CB2 may be formed by electroless plating on the carrier insulating layer CB1 . Alternatively, the carrier insulating layer CB1 and the metal layer CB2 may be copper clad laminate (CCL).

다음으로, 실시 예에서는 상기 금속층(CB2) 상에 드라이 필름(DF3)을 형성한다. 이때, 상기 드라이 필름(DF3)은 상기 금속층(CB2)의 전체를 덮으며 배치될 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 드라이 필름(DF3)을 노광 및 현상하여 개구부(미도시)를 형성할 수 있다. 이때, 상기 드라이 필름(DF3)의 개구부는 제1 회로 패턴(240)이 형성될 영역을 노출할 수 있다.Next, in the embodiment, a dry film DF3 is formed on the metal layer CB2 . In this case, the dry film DF3 may be disposed to cover the entirety of the metal layer CB2 . Thereafter, in an embodiment, the dry film DF3 may be exposed and developed to form an opening (not shown). In this case, the opening of the dry film DF3 may expose a region where the first circuit pattern 240 is to be formed.

이때, 도 10a에서와 같이, 상기 제1 회로 패턴(240)은 트레이스(241) 및 패드(242)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 패드(242)의 폭은 이후 공정에서 형성된 제1 비아(250)의 폭보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 드라이 필름(DF3)의 개구부에서, 상기 패드(242)에 대응하는 영역은 상기 제1 비아(250)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다.In this case, as shown in FIG. 10A , the first circuit pattern 240 may include a trace 241 and a pad 242 . In addition, the width of the pad 242 may be greater than the width of the first via 250 formed in a subsequent process. Accordingly, in the opening of the dry film DF3 , a region corresponding to the pad 242 may have a width greater than a width of the first via 250 .

이후, 실시 예에서는 상기 금속층(CB2)을 시드층으로 전해 도금을 진행하여, 상기 드라이 필름(DF3)의 개구부를 채우는 제1 회로 패턴(240)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Thereafter, in the embodiment, the process of forming the first circuit pattern 240 filling the opening of the dry film DF3 may be performed by electroplating the metal layer CB2 as a seed layer.

다음으로, 도 10b를 참조하면, 실시 예에서는 상기 금속층(CB2) 상에 제1 절연층(212)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 제1 절연층(212)은 상기 설명한 바와 같이 프리프레그를 포함할 수 있다. Next, referring to FIG. 10B , in the embodiment, a process of forming the first insulating layer 212 on the metal layer CB2 may be performed. The first insulating layer 212 may include a prepreg as described above.

다음으로, 실시 예에서는 상기 제1 절연층(212) 상에 레이저 마스크(미도시)를 형성하고, 상기 레이저 마스크(미도시)를 이용하여 비아 홀(VH)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 레이저 마스크(미도시)는 비아 홀(VH)이 형성될 영역을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 레이저 마스크의 개구부 내에 레이저 빔을 조사하여, 상기 제1 절연층(212)을 관통하는 비아 홀(VH)을 형성할 수 있다.Next, in the embodiment, a laser mask (not shown) may be formed on the first insulating layer 212 , and a via hole VH may be formed using the laser mask (not shown). In this case, the laser mask (not shown) may include an opening exposing a region where the via hole VH is to be formed. Thereafter, in an embodiment, a via hole VH passing through the first insulating layer 212 may be formed by irradiating a laser beam into the opening of the laser mask.

이때, 상기와 같이, 금속층(CB2) 상에 형성된 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭은 상기 비아 홀(VH)의 폭보다 크며, 이에 따라, 상기 비아 홀(VH)을 통해 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 상면의 일부가 노출될 수 있다.At this time, as described above, the width of the pad 242 of the first circuit pattern 240 formed on the metal layer CB2 is greater than the width of the via hole VH, and thus, through the via hole VH A portion of the upper surface of the pad 242 of the first circuit pattern 240 may be exposed.

이와 다르게, 도 10c참조하면, 상기 제1 회로 패턴의 패드(242a)는 상기 비아 홀(VHa)의 폭과 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 비아 홀(VHa)이 형성됨에 따라, 상기 패드(242a)의 표면의 전체가 상기 비아 홀(VHa)을 통해 노출될 수 있다. 이는, 도 8a에 도시된 회로 기판을 제조하기 위한 방법일 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 10C , the pad 242a of the first circuit pattern may have the same width as the via hole VHa. Accordingly, as the via hole VHa is formed, the entire surface of the pad 242a may be exposed through the via hole VHa. This may be a method for manufacturing the circuit board shown in FIG. 8A .

이와 다르게, 도 10d를 참조하면, 제1 회로 패턴의 패드(242b)는 상기 비아 홀(VHb)의 폭보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 비아 홀(VHb)은 상기 패드(242b)의 주위를 둘러싸며 형성될 수 있다. 이에 의해, 상기 비아 홀(VHb)은 상기 금속층(CB2)의 표면의 일부를 노출할 수 있다. 이는, 도 8b에 도시된 회로 기판을 제조하기 위한 방법일 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 10D , the pad 242b of the first circuit pattern may be smaller than the width of the via hole VHb. Accordingly, the via hole VHb may be formed to surround the pad 242b. Accordingly, the via hole VHb may expose a portion of the surface of the metal layer CB2 . This may be a method for manufacturing the circuit board shown in FIG. 8B .

이와 다르게, 도 10e를 참조하면, 상기 제1 회로 패턴은 트레이스(241c)만을 포함할 수 있다. 즉, 상기 제1 회로 패턴은 비아 홀(VHc)이 형성될 영역에 배치된 패드를 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 비아 홀(VHc)은 상기 금속층(CB2)을 스토퍼로 하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 비아 홀(VHc)이 형성됨에 따라, 상기 비아 홀(VHc)을 통해 상기 금속층(CB2)이 노출될 수 있다. 이는 도 8c에 도시된 회로 기판을 제조하기 위한 방법일 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 10E , the first circuit pattern may include only the trace 241c. That is, the first circuit pattern may not include a pad disposed in a region where the via hole VHc is to be formed. Accordingly, the via hole VHc may be formed using the metal layer CB2 as a stopper. Accordingly, as the via hole VHc is formed, the metal layer CB2 may be exposed through the via hole VHc. This may be a method for manufacturing the circuit board shown in FIG. 8C .

다음으로, 도 10f에서와 같이, 도 10b, 도 10c, 도 10d 및 도 10e 중 어느 하나의 회로 기판을 이용하여 다음 공정을 진행할 수 있다. Next, as in FIG. 10F , the following process may be performed using any one of the circuit boards of FIGS. 10B, 10C, 10D, and 10E.

예를 들어, 실시 예에서는 상기 비아 홀(VH)을 채우는 제1 비아(250)을 형성할 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 제1 절연층(212)의 제2면에 상기 제1 비아(250)와 연결되는 제2 회로 패턴(220)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.For example, in an embodiment, the first via 250 filling the via hole VH may be formed. Thereafter, in an embodiment, a process of forming the second circuit pattern 220 connected to the first via 250 on the second surface of the first insulating layer 212 may be performed.

다음으로, 실시 예에서는 도 10g에 도시된 바와 같이, 절연층 적층 공정, 비아 홀 형성 공정, 및 비아 및 회로 패턴의 형성 공정을 순차적으로 진행하여 다층 회로 기판을 제조할 수 있다. Next, in the embodiment, as shown in FIG. 10G , a multilayer circuit board may be manufactured by sequentially performing an insulating layer lamination process, a via hole forming process, and a via and circuit pattern forming process.

이후, 실시 예에서는 상기 다층 회로 기판이 제조됨에 따라, 상기 캐리어 절연층(CB1)을 중심으로, 이의 상부 및 하부에서 형성된 2개의 회로 기판을 서로 분리시킬 수 있다.Thereafter, in the embodiment, as the multilayer circuit board is manufactured, the two circuit boards formed on the upper and lower portions of the carrier insulating layer CB1 may be separated from each other.

다음으로, 실시 예에서는 도 10h에 도시된 바와 같이, 상기 금속층(CB2)을 에칭하여 제거하는 공정을 진행할 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242) 상에 제1 표면 처리층(290)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Next, in the embodiment, as shown in FIG. 10H , a process of removing the metal layer CB2 by etching may be performed. Thereafter, in the embodiment, a process of forming the first surface treatment layer 290 on the pad 242 of the first circuit pattern 240 may be performed.

또한, 실시 예에서는 상기 제2 절연층(213)의 제2면 또는 하면에 보호층(285)을 형성하고, 상기 보호층(285)의 개구부를 통해 노출된 제4 회로 패턴(260)의 제2면 또는 하면에 제2 표면 처리층(295)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.In addition, in the embodiment, the protective layer 285 is formed on the second surface or the lower surface of the second insulating layer 213 , and the fourth circuit pattern 260 exposed through the opening of the protective layer 285 is formed. A process of forming the second surface treatment layer 295 on the two surfaces or the lower surface may be performed.

- 패키지 기판 -- Package board -

도 11은 제1 실시 예에 따른 패키지 기판을 나타낸 도면이다.11 is a view showing a package substrate according to the first embodiment.

도 11을 참조하면, 패키지 기판은 도 2, 도 5a, 도 5b, 도 5c, 도 5d 및 도 5e 중 어느 하나에 도시된 회로 기판을 포함할 수 있다. 다만, 패키지 기판은 다층 기판을 이용하여 칩을 실장하도록 하며, 이에 따라 도 5e에 도시된 회로 기판을 포함하는 패키지 기판에 대해 설명하기로 한다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 회로 기판은 다른 도면에 포함된 회로 기판을 포함할 수 있을 것이다.Referring to FIG. 11 , the package substrate may include the circuit board shown in any one of FIGS. 2, 5A, 5B, 5C, 5D, and 5E. However, as the package substrate, a chip is mounted using a multilayer substrate, and accordingly, the package substrate including the circuit substrate shown in FIG. 5E will be described. However, the embodiment is not limited thereto, and the circuit board may include a circuit board included in other drawings.

패키지 기판(300)은 회로 기판(100)을 포함한다.The package substrate 300 includes a circuit board 100 .

또한, 패키지 기판(300)은 회로 기판의 실장 패드 상에 배치된 제1 접착부(310)를 포함한다. 바람직하게, 실시 예에서, 회로 기판은 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)에 제1 접착부(310)를 형성할 수 있다. 이때, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)에는 제1 표면 처리층(190)이 형성될 수 있고, 이에 따라 상기 제1 접착부(310)는 상기 제1 표면 처리층(190) 상에 형성될 수 있을 것이다.In addition, the package substrate 300 includes the first adhesive portion 310 disposed on the mounting pad of the circuit board. Preferably, in an embodiment, the circuit board may form the first adhesive part 310 on the pad 142 of the first circuit pattern 140 . In this case, a first surface treatment layer 190 may be formed on the pad 142 of the first circuit pattern 140 , and accordingly, the first adhesive part 310 is formed on the first surface treatment layer 190 . may be formed in

상기 제1 접착부(310)는 일 예로 육면체 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 접착부(310)의 단면은 사각형 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 접착부(310)의 단면은 직사각형 또는 정사각형 형상을 포함할 수 있다. 다른 일 예로, 상기 제1 접착부(310)는 구형 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 접착부(310)의 단면은 원형 형상 또는 반원 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 접착부(310)의 단면은 부분적으로 또는 전체적으로 라운드진 형상을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제1 접착부(310)의 단면 형상은 일 측면에서 평면이고, 상기 일 측면과 반대되는 타 측면에서 곡면일 것을 포함할 수 있다. 한편, 상기 제1 접착부(310)는 마이크로 볼일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first adhesive part 310 may have a hexahedral shape, for example. For example, the cross-section of the first adhesive part 310 may include a rectangular shape. For example, a cross-section of the first adhesive part 310 may have a rectangular or square shape. As another example, the first adhesive part 310 may have a spherical shape. For example, the cross-section of the first adhesive part 310 may include a circular shape or a semicircular shape. For example, the cross-section of the first adhesive part 310 may include a partially or entirely rounded shape. For example, the cross-sectional shape of the first adhesive part 310 may include a flat surface on one side and a curved surface on the other side opposite to the one side. Meanwhile, the first adhesive part 310 may be a micro ball, but is not limited thereto.

상기 제1 접착부(310) 상에는 칩(320)이 실장될 수 있다. 상기 제1 접착부(310) 상에는 단자(330)가 연결되는 칩(320)이 실장될 수 있다. A chip 320 may be mounted on the first adhesive part 310 . The chip 320 to which the terminal 330 is connected may be mounted on the first adhesive part 310 .

한편, 상기 제1 접착부(310)의 폭은 상기 회로 기판의 최상측에 배치된 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭보다 작을 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서의 상기 제1 접착부(310)의 폭은 15㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 접착부(310)의 폭은 17㎛ 내지 40㎛일 수 있다. 상기 제1 접착부(310)의 폭은 20㎛ 내지 30㎛일 수 있다. Meanwhile, the width of the first adhesive part 310 may be smaller than the width of the pad 142 of the first circuit pattern 140 disposed on the uppermost side of the circuit board. For example, in the embodiment, the width of the first adhesive part 310 may be 15 μm to 50 μm. For example, the width of the first adhesive part 310 may be 17 μm to 40 μm. The width of the first adhesive part 310 may be 20 μm to 30 μm.

이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1 접착부(310)의 폭이 상기 제1 회로 패턴의 패드의 폭보다 작도록 하여, 상기 제1 접착부(310)가 상기 제1 회로 패턴의 패드의 피치에 영향을 주지 않도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서, 복수의 제1 접착부 사이의 피치는 상기 제1 회로 패턴의 패드의 피치에 대응할 수 있다.Accordingly, in the embodiment, the width of the first adhesive part 310 is smaller than the width of the pad of the first circuit pattern, so that the first adhesive part 310 affects the pitch of the pad of the first circuit pattern. do not give Accordingly, in an embodiment, a pitch between the plurality of first adhesive portions may correspond to a pitch of the pads of the first circuit pattern.

예를 들어, 상기 칩(320)은 구동 IC 칩(Drive IC chip)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 구동 IC 칩(Drive IC chip) 이외의 소켓 또는 소자를 포함하는 다양한 칩을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 다이오드 칩, 전원 IC 칩, 터치센서 IC 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 전력관리 집적회로(PMIC: Power Management IC)일 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리 칩일 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 어플리케이션 프로세서(AP) 칩이나, 아날로그-디지털 컨버터, ASIC(application-specific IC) 등의 로직 칩일 수 있다. 여기에서, 도면 상에는 패키지 기판에 1개의 칩만이 실장되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 회로 기판에는 상호 이격되며 복수의 칩이 실장될 수 있다. 상기 복수의 칩은 센트랄 프로세서(CPU)에 대응하는 제1 AP 칩과, 그래픽 프로세서(GPU)에 대응하는 제2 AP 칩을 포함할 수 있다. For example, the chip 320 may include a drive IC chip. For example, the chip 320 may refer to various chips including sockets or devices other than a drive IC chip. For example, the chip 320 may include at least one of a diode chip, a power IC chip, a touch sensor IC chip, an MLCC chip, a BGA chip, and a chip capacitor. For example, the chip 320 may be a power management integrated circuit (PMIC). For example, the chip 320 may be a memory chip such as a volatile memory (eg, DRAM), a non-volatile memory (eg, ROM), a flash memory, or the like. For example, the chip 320 is an application processor (AP) chip such as a central processor (eg, CPU), a graphic processor (eg, GPU), a digital signal processor, an encryption processor, a microprocessor, a microcontroller, or an analog It may be a logic chip such as a digital converter or an application-specific IC (ASIC). Here, although it is illustrated that only one chip is mounted on the package substrate in the drawings, the present invention is not limited thereto. For example, a plurality of chips may be mounted on the circuit board spaced apart from each other. The plurality of chips may include a first AP chip corresponding to a central processor (CPU) and a second AP chip corresponding to a graphics processor (GPU).

상기 회로 기판 상에는 몰딩층(330)이 형성될 수 있다. 상기 몰딩층(330)은 상기 실장된 칩(320)을 덮으며 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩층(330)은 상기 실장된 칩(320)을 보호하기 위해 형성되는 EMC(Epoxy Mold Compound)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A molding layer 330 may be formed on the circuit board. The molding layer 330 may be disposed to cover the mounted chip 320 . For example, the molding layer 330 may be an epoxy mold compound (EMC) formed to protect the mounted chip 320 , but is not limited thereto.

이때, 실시 예에서, 상기 회로 기판의 제1 최외측에는 솔더 레지스트가 배치되지 않는다. 이에 따라, 상기 몰딩층(330)은 회로 기판의 최외측에 배치된 회로 패턴을 덮으며 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩층(330)은 회로 기판의 최외측에 배치된 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141) 및 패드(142)를 덮으며 배치될 수 있다.At this time, in the embodiment, the solder resist is not disposed on the first outermost side of the circuit board. Accordingly, the molding layer 330 may be disposed to cover the circuit pattern disposed on the outermost side of the circuit board. For example, the molding layer 330 may be disposed to cover the traces 141 and the pads 142 of the first circuit pattern 140 disposed on the outermost side of the circuit board.

한편, 회로 기판이 다층 구조를 가지는 경우, 각각의 절연층에 배치된 회로 패턴의 선폭이나 간격은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 칩과 가장 인접하게 배치된 회로 패턴이 가장 작은 선폭 및 간격을 가질 수 있고, 칩과 가장 멀리 배치된 회로 패턴이 가장 큰 선폭 및 간격을 가질 수 있다.Meanwhile, when the circuit board has a multilayer structure, the line widths or intervals of circuit patterns disposed on each insulating layer may be different from each other. For example, a circuit pattern disposed closest to the chip may have the smallest line width and spacing, and a circuit pattern disposed furthest from the chip may have the largest line width and spacing.

이에 따라, 실시 예에서의 상기 회로 기판의 서로 다른 층에 배치된 각각의 비아 들은 서로 다른 폭을 가질 수 있다.Accordingly, the respective vias disposed on different layers of the circuit board in the embodiment may have different widths.

예를 들어, 칩과 인접하게 배치된 절연층에 배치된 비아는 이상에서 설명한 제1 비아(150)에 대응하는 폭을 가질 수 있다. 그리고, 다른 절연층에 배치된 비아는 상기 제1 비아(150)와 멀어질수록 폭이 점차 증가할 수 있다. 예를 들어, 회로 기판에서 최하측에 배치된 비아가 가장 큰 폭을 가질 수 있다. For example, the via disposed in the insulating layer disposed adjacent to the chip may have a width corresponding to the first via 150 described above. In addition, the width of the via disposed in another insulating layer may gradually increase as the distance from the first via 150 increases. For example, a via disposed on the lowermost side of the circuit board may have the largest width.

한편, 실시 예에서, 회로 기판의 최하측에 배치되고, 보호층(185)의 개구부를 통해 노출된 회로 패턴 상에는 제2 접착부(350)가 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 보호층(185)의 개구부를 통해 노출된 제4 회로 패턴(160)의 패드에는 제2 접착부(350)가 배치될 수 있다. 이때, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드에는 제2 표면 처리층(195)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착부(350)는 상기 제4 회로 패턴(160)의 표면 처리층인 제2 표면 처리층(195)에 배치될 수 있다.Meanwhile, in an embodiment, the second adhesive part 350 may be disposed on the lowermost side of the circuit board and on the circuit pattern exposed through the opening of the protective layer 185 . Preferably, the second adhesive part 350 may be disposed on the pad of the fourth circuit pattern 160 exposed through the opening of the protective layer 185 . In this case, a second surface treatment layer 195 may be formed on the pad of the fourth circuit pattern 160 . Accordingly, the second adhesive part 350 may be disposed on the second surface treatment layer 195 which is the surface treatment layer of the fourth circuit pattern 160 .

상기 제2 접착부(350)는 솔더 볼일 수 있다. 상기 제2 접착부(350)는 외부기판의 메인 보드와 연결될 수 있다. The second adhesive part 350 may be a solder ball. The second adhesive part 350 may be connected to the main board of the external substrate.

도 12는 제2 실시 예에 따른 패키지 기판을 나타낸 도면이다.12 is a view showing a package substrate according to a second embodiment.

도 12를 참조하면, 패키지 기판은 도 6, 도 8a, 및 도 8b에 도시된 회로 기판을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12 , the package substrate may include the circuit boards illustrated in FIGS. 6 , 8A, and 8B .

패키지 기판(400)은 회로 기판(200)을 포함한다.The package substrate 400 includes a circuit board 200 .

그리고, 상기 패키지 기판(400)은 도 11의 패키지 기판 대비 회로 기판의 구조만이 상이할 뿐, 그 이외의 구성은 실질적으로 동일할 수 있다.In addition, the package substrate 400 may be substantially the same as that of the package substrate of FIG. 11 , except that only the structure of the circuit board is different from that of the package substrate of FIG. 11 .

예를 들어, 패키지 기판(400)은 제1 접착부(410), 단자(430)를 포함하는 칩(420), 몰딩층(440), 및 제2 접착부(450)를 포함할 수 있다. For example, the package substrate 400 may include a first adhesive part 410 , a chip 420 including a terminal 430 , a molding layer 440 , and a second adhesive part 450 .

실시 예에 따른 회로 기판은 칩이 실장되는 영역에 배치된 실장 패드를 포함한다. 이때, 비교 예에서의 실장 패드는 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)보다 큰 폭을 가지며, 이에 따른 상기 실장 패드는 110㎛보다 큰 피치를 가지게 된다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서의 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 사이즈에 영향을 받지 않으며, 이에 따른 비교 예 대비 상기 실장 패드의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있음에 따라, 제한된 공간 내에 더 많은 칩을 실장시킬 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 부피, 나아가 패키지 기판의 부피를 감소시킬 수 있다.A circuit board according to an embodiment includes a mounting pad disposed in an area on which a chip is mounted. In this case, the mounting pad in the comparative example has a width greater than a solder resist open region (SOR) disposed on the outermost side of the circuit board, and thus the mounting pad has a pitch greater than 110 μm. do. On the contrary, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist disposed on the outermost side of the circuit board is removed. Accordingly, the width of the mounting pad in the embodiment is not affected by the size of the solder resist open region (SOR), and thus the width of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example. Accordingly, in the embodiment, since the pitch of the mounting pads can be reduced compared to the comparative example, more chips can be mounted in a limited space, and thus the volume of the circuit board and thus the volume of the package board can be reduced.

또한, 실시 예에서는 상기와 같이 피치가 감소함에 따라, 상기 회로 기판에 실장되는 칩의 단자 사이를 연결하는 전송 라인의 길이를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신호 전송 손실을 최소화하여 통신 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, as the pitch decreases as described above, the length of the transmission line connecting between the terminals of the chip mounted on the circuit board can be reduced, and thus the communication performance can be improved by minimizing the signal transmission loss. have.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment pertains are provided with several examples not illustrated above within a range that does not depart from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

Claims (17)

제1 절연층;
상기 제1 절연층을 관통하는 복수의 제1 비아;
상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 복수의 제1 비아의 상면과 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제1 회로 패턴; 및
상기 제1 절연층의 하면에 배치되고, 상기 복수의 제1 비아의 하면과 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제2 회로 패턴을 포함하고,
상기 제1 절연층은 회로 기판의 제1 최외측에 배치된 제1 최외측 절연층이고,
상기 제1 절연층의 상기 상면은, 상기 제1 최외측으로 노출되어, 상기 회로 기판의 제1 최외측 표면을 구성하고,
상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드의 중심 사이의 거리에 대응하는 피치는, 100㎛ 이하인,
회로 기판.
a first insulating layer;
a plurality of first vias passing through the first insulating layer;
a first circuit pattern disposed on an upper surface of the first insulating layer and including a plurality of pads connected to upper surfaces of the plurality of first vias; and
a second circuit pattern disposed on a lower surface of the first insulating layer and including a plurality of pads connected to lower surfaces of the plurality of first vias;
The first insulating layer is a first outermost insulating layer disposed on the first outermost side of the circuit board,
The upper surface of the first insulating layer is exposed to the first outermost side to constitute a first outermost surface of the circuit board,
A pitch corresponding to a distance between the centers of the plurality of pads of the first circuit pattern is 100 μm or less,
circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드는,
상기 제1 절연층의 상면 위로 돌출되어 배치되는,
회로 기판.
The method of claim 1,
The plurality of pads of the first circuit pattern,
disposed to protrude above the upper surface of the first insulating layer,
circuit board.
제2항에 있어서,
상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 크고,
상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭의 101% 내지 130%의 범위의 폭을 가지는,
회로 기판.
3. The method of claim 2,
The width of the upper surface of the first via is greater than the width of the lower surface,
The pad of the first circuit pattern has a width in the range of 101% to 130% of the width of the upper surface of the first via,
circuit board.
제2항에 있어서,
상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 크고,
상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭보다 작은 폭을 가지는,
회로 기판.
3. The method of claim 2,
The width of the upper surface of the first via is greater than the width of the lower surface,
The pad of the first circuit pattern has a width smaller than a width of an upper surface of the first via,
circuit board.
제4항에 있어서,
상기 제1 회로 패턴의 패드는,
상기 제2 회로 패턴의 패드의 폭보다 작고,
상기 제1 비아의 하면의 폭보다 큰,
회로 기판.
5. The method of claim 4,
The pad of the first circuit pattern,
smaller than the width of the pad of the second circuit pattern,
greater than the width of the lower surface of the first via;
circuit board.
제5항에 있어서,
상기 제1 회로 패턴은 상기 제1 회로 패턴의 패드와 연결되는 트레이스를 포함하고,
상기 트레이스는 상기 제1 회로 패턴의 패드 및 상기 제1 비아의 상면과 직접 접촉하는 부분을 포함하는,
회로 기판.
6. The method of claim 5,
The first circuit pattern includes a trace connected to a pad of the first circuit pattern,
The trace includes a portion in direct contact with the pad of the first circuit pattern and the upper surface of the first via,
circuit board.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 회로 패턴은,
상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드 사이에 배치되는 트레이스를 포함하는,
회로 기판.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first circuit pattern is
and a trace disposed on an upper surface of the first insulating layer and disposed between the plurality of pads of the first circuit pattern,
circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드는,
상기 제1 절연층의 상면에 매립되어 배치되는,
회로 기판.
According to claim 1,
The plurality of pads of the first circuit pattern,
disposed to be buried in the upper surface of the first insulating layer,
circuit board.
제8항에 있어서,
상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 작고,
상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭의 101% 내지 130%의 범위의 폭을 가지는,
회로 기판.
9. The method of claim 8,
The width of the upper surface of the first via is smaller than the width of the lower surface,
The pad of the first circuit pattern has a width in the range of 101% to 130% of the width of the upper surface of the first via,
circuit board.
제8항에 있어서,
상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 작고,
상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭보다 작은 폭을 가지며,
상기 제1 비아는 상기 제1 회로 패턴의 패드의 측면을 둘러싸며 배치되는,
회로 기판.
9. The method of claim 8,
The width of the upper surface of the first via is smaller than the width of the lower surface,
The pad of the first circuit pattern has a width smaller than a width of an upper surface of the first via,
The first via is disposed to surround a side surface of the pad of the first circuit pattern,
circuit board.
제10항에 있어서,
상기 제1 회로 패턴은 트레이스를 포함하고,
상기 트레이스는 상기 제1 비아의 측면과 직접 접촉하는,
회로 기판.
11. The method of claim 10,
the first circuit pattern includes a trace,
wherein the trace is in direct contact with a side of the first via;
circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제1 회로 패턴의 상기 패드의 상면에 배치되는 제1 표면 처리층을 포함하는,
회로 기판.
According to claim 1,
including a first surface treatment layer disposed on an upper surface of the pad of the first circuit pattern;
circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드의 중심 사이의 거리에 대응하는 피치는 90㎛ 이하인,
회로 기판.
According to claim 1,
A pitch corresponding to a distance between the centers of the plurality of pads of the first circuit pattern is 90 μm or less,
circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제1 절연층 아래에 배치되는 제2 절연층; 및
상기 제2 절연층의 하면에 배치되는 보호층을 포함하고,
상기 제2 절연층은 상기 회로 기판의 상기 제1 최외측과 반대되는 제2 최외측에 배치된 제2 최외측 절연층이고,
상기 보호층의 하면은 상기 제2 최외측으로 노출되어, 상기 회로 기판의 제2 최외측 표면을 구성하는,
회로 기판.
According to claim 1,
a second insulating layer disposed under the first insulating layer; and
a protective layer disposed on a lower surface of the second insulating layer;
The second insulating layer is a second outermost insulating layer disposed on the second outermost side opposite to the first outermost side of the circuit board,
A lower surface of the protective layer is exposed to the second outermost side, constituting a second outermost surface of the circuit board,
circuit board.
제1 절연층;
상기 제1 절연층을 관통하며, 폭 방향으로 상호 이격되는 제1-1 비아 및 제1-2 비아를 포함하는 제1 비아;
상기 제1-1 비아의 상면에 배치되는 제1 패드, 상기 제1-2 비아의 상면에 배치되는 제2 패드 및 상기 제1 절연층의 상면에서 상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이에 배치되는 제1 트레이스를 포함하는 제1 회로 패턴;
상기 제1 절연층의 하면에 배치되고, 상기 제2 비아의 하면과 연결되는 제2 회로 패턴;
상기 제1 패드 및 상기 제2 패드에 배치되는 제1 표면 처리층;
상기 제1 표면 처리층에 배치되는 제1 접착부;
상기 제1 접착부에 부착되는 칩; 및
상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 칩을 몰딩하는 몰딩층을 포함하고,
상기 몰딩층은 상기 제1 절연층의 상면과 직접 접촉하면서, 상기 제1 회로 패턴을 덮으며 배치되고,
상기 제1 회로 패턴의 상기 제1 패드의 중심에서 상기 제1 회로 패턴의 상기 제2 패드의 중심까지의 거리에 대응하는 피치는 100㎛ 이하인,
패키지 기판.
a first insulating layer;
a first via passing through the first insulating layer and including 1-1 vias and 1-2 vias spaced apart from each other in a width direction;
A first pad disposed on an upper surface of the 1-1 via, a second pad disposed on an upper surface of the first-2 via, and an upper surface of the first insulating layer between the first pad and the second pad a first circuit pattern including a first trace to be formed;
a second circuit pattern disposed on a lower surface of the first insulating layer and connected to a lower surface of the second via;
a first surface treatment layer disposed on the first pad and the second pad;
a first adhesive portion disposed on the first surface treatment layer;
a chip attached to the first adhesive part; and
a molding layer disposed on the upper surface of the first insulating layer and molding the chip;
The molding layer is disposed to cover the first circuit pattern while in direct contact with the upper surface of the first insulating layer,
A pitch corresponding to a distance from the center of the first pad of the first circuit pattern to the center of the second pad of the first circuit pattern is 100 μm or less,
package board.
제15항에 있어서,
상기 제1 접착부의 폭은 상기 제1 패드의 폭 및 상기 제2 패드의 폭보다 작은,
패키지 기판.
16. The method of claim 15,
a width of the first adhesive portion is smaller than a width of the first pad and a width of the second pad;
package board.
제15항에 있어서,
상기 칩은 폭 방향으로 상호 이격되어 배치되는 제1 칩 및 제2 칩을 포함하고,
상기 제1 칩은 센트랄 프로세서(CPU)에 대응하고,
상기 제2 칩은 그래픽 프로세서(GPU)에 대응하는,
패키지 기판.
16. The method of claim 15,
The chip includes a first chip and a second chip disposed to be spaced apart from each other in the width direction,
The first chip corresponds to a central processor (CPU),
The second chip corresponds to a graphics processor (GPU),
package board.
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