KR20220138205A - Circuit board and package substrate including the same - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 382
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 claims description 50
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 38
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 34
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 34
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 60
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 description 45
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 43
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 22
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- VDUVBBMAXXHEQP-SLINCCQESA-M oxacillin sodium Chemical group [Na+].N([C@@H]1C(N2[C@H](C(C)(C)S[C@@H]21)C([O-])=O)=O)C(=O)C1=C(C)ON=C1C1=CC=CC=C1 VDUVBBMAXXHEQP-SLINCCQESA-M 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000011805 ball Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 2
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- -1 and the like Chemical compound 0.000 description 1
- 150000003934 aromatic aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000011806 microball Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
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Abstract
Description
실시 예는 회로 기판에 관한 것으로, 특히 이웃하는 복수의 패드 사이의 피치를 최소화할 수 있는 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판에 관한 것이다.The embodiment relates to a circuit board, and more particularly, to a circuit board capable of minimizing a pitch between a plurality of adjacent pads, and a package board including the same.
전기/전자 제품의 고성능화가 진행됨에 따라, 한정된 크기의 기판에 더 많은 수의 패키지를 부착하기 위한 기술들이 제안 및 연구되고 있다. 다만, 일반적인 패키지는 하나의 반도체 칩이 탑재되는 것을 기본으로 하기 때문에, 원하는 성능을 얻는데 한계가 있다.As the performance of electric/electronic products progresses, techniques for attaching a larger number of packages to a substrate having a limited size are being proposed and studied. However, since a general package is based on mounting one semiconductor chip, there is a limit in obtaining desired performance.
일반적인 패키지 기판은 프로세서 칩이 배치된 프로세서 패키지와, 메모리 칩이 부착된 메모리 패키지가 하나로 연결된 형태를 가진다. 이러한 패키지 기판은 프로세서 칩과 메모리 칩을 하나의 통합 패키지로 제조함으로써, 칩의 실장 면적을 줄이고, 짧은 패스를 통해 고속 신호이 가능한 장점이 있다.A typical package substrate has a form in which a processor package in which a processor chip is disposed and a memory package to which a memory chip is attached are connected as one. Such a package substrate has the advantage of reducing a chip mounting area and enabling high-speed signals through a short pass by manufacturing the processor chip and the memory chip as one integrated package.
이러한 장점으로 인해, 상기와 같은 패키지 기판은 모바일 기기 등에 많이 적용되고 있다. Due to these advantages, the package substrate as described above is widely applied to mobile devices and the like.
한편, 최근 들어 모바일 기기와 같은 전자기기의 고사양화, HBM(High Bandwidth Memory) 채용 등으로, 하나의 패키지 기판에 복수의 칩을 실장할 수 있는 회로 기판이 요구되고 있다.On the other hand, in recent years, due to the high specification of electronic devices such as mobile devices and the adoption of high bandwidth memory (HBM), a circuit board capable of mounting a plurality of chips on one package board is required.
그러나, 종래의 패키지용 회로 기판은, 칩이 실장되는 패드의 디자인 한계로 인해 사이즈에 제약이 있다. 예를 들어, 종래의 패키지용 회로 기판은 최소 비아의 사이즈, 상기 비아의 사이즈에 의한 패드의 사이즈, 그리고 복수의 패드 사이에 배치되는 트레이스의 사이즈, 나아가 상기 패드의 표면을 오픈하는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region) 사이즈에 제약이 있다. 예를 들어, 종래의 패키지용 회로 기판에서, 칩 실장용 패드의 피치(pitch)는 100㎛를 초과하고 있다. 이에 따라, 종래의 패키지용 회로기판을 이용하면, 제한된 공간 내에 실장될 수 있는 칩의 수가 감소할 수 있다. 예를 들어, 종래에서는 상기와 같은 패드의 피치 한계로 인해 다수의 칩을 모두 실장하기 위해 회로 기판의 부피가 커지는 문제가 있다.However, the conventional circuit board for a package has a size limitation due to a design limitation of a pad on which a chip is mounted. For example, in a conventional circuit board for a package, the size of a minimum via, a size of a pad according to the size of the via, a size of a trace disposed between a plurality of pads, and an opening of a solder resist for opening the surface of the pad The size of the Solder resist open region (SOR) is limited. For example, in the conventional circuit board for package, the pitch of the pad for chip mounting exceeds 100 micrometers. Accordingly, when the conventional circuit board for a package is used, the number of chips that can be mounted in a limited space can be reduced. For example, in the related art, there is a problem in that the volume of the circuit board increases in order to mount all of the plurality of chips due to the limitation of the pitch of the pads.
또한, 최근에는 감광성 물질(예를 들어, PID)을 사용하여 미세 피치를 구현한 회로 기판이 개발되고 있다. 그러나, 상기 감광성 물질로 제조된 회로 기판은 휨(warpage)에 취약하고, 프리프레그를 사용하여 제조된 회로 기판 대비 제조 단가가 높은 문제가 있다.In addition, recently, a circuit board having a fine pitch using a photosensitive material (eg, PID) has been developed. However, the circuit board made of the photosensitive material is vulnerable to warpage, and there is a problem in that the manufacturing cost is high compared to the circuit board manufactured using the prepreg.
실시 예에서는 실장 패드의 피치를 최소화할 수 있는 새로운 구조의 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판을 제공하고자 한다.In the embodiment, an object of the present invention is to provide a circuit board having a novel structure capable of minimizing the pitch of mounting pads and a package board including the same.
또한, 실시 예에서는 프리프레그로 구성된 회로 기판에서, 최외측의 칩 실장 패드가 100㎛ 이하의 미세 피치를 가질 수 있도록 한 새로운 구조의 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment is to provide a circuit board having a new structure such that the outermost chip mounting pad has a fine pitch of 100 μm or less in a circuit board made of a prepreg, and a package board including the same.
또한, 실시 예에서는 회로 기판의 최외층에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하여, 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 의한 패드의 사이즈 제약을 해결할 수 있는 새로운 구조의 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판을 제공하고자 한다.In addition, in the embodiment, by removing the solder resist disposed on the outermost layer of the circuit board, the circuit board of a new structure capable of solving the size restriction of the pad due to the solder resist open region (SOR), and including the same An object of the present invention is to provide a package substrate for
제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical tasks to be achieved in the proposed embodiment are not limited to the technical tasks mentioned above, and other technical tasks not mentioned are clear to those of ordinary skill in the art to which the proposed embodiment belongs from the description below. will be able to understand
실시 예에 따른 회로 기판은 제1 절연층; 상기 제1 절연층을 관통하는 복수의 제1 비아; 상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 복수의 제1 비아의 상면과 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제1 회로 패턴; 및 상기 제1 절연층의 하면에 배치되고, 상기 복수의 제1 비아의 하면과 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제2 회로 패턴을 포함하고, 상기 제1 절연층은 회로 기판의 제1 최외측에 배치된 제1 최외측 절연층이고, 상기 제1 절연층의 상기 상면은, 상기 제1 최외측으로 노출되어, 상기 회로 기판의 제1 최외측 표면을 구성하고, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드의 중심 사이의 거리에 대응하는 피치는, 100㎛ 이하이다.A circuit board according to an embodiment includes a first insulating layer; a plurality of first vias passing through the first insulating layer; a first circuit pattern disposed on an upper surface of the first insulating layer and including a plurality of pads connected to upper surfaces of the plurality of first vias; and a second circuit pattern disposed on a lower surface of the first insulating layer and including a plurality of pads connected to lower surfaces of the plurality of first vias, wherein the first insulating layer is a first outermost side of the circuit board. a first outermost insulating layer disposed on The pitch corresponding to the distance between the centers of the plurality of pads is 100 µm or less.
또한, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드는, 상기 제1 절연층의 상면 위로 돌출되어 배치된다.In addition, the plurality of pads of the first circuit pattern are disposed to protrude above the upper surface of the first insulating layer.
또한, 상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 크고, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭의 101% 내지 130%의 범위의 폭을 가진다.In addition, the width of the upper surface of the first via is greater than the width of the lower surface, and the pad of the first circuit pattern has a width in the range of 101% to 130% of the width of the upper surface of the first via.
또한, 상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 크고, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭보다 작은 폭을 가진다.In addition, the width of the upper surface of the first via is greater than the width of the lower surface, and the pad of the first circuit pattern has a width smaller than the width of the upper surface of the first via.
또한, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제2 회로 패턴의 패드의 폭보다 작고, 상기 제1 비아의 하면의 폭보다 크다.In addition, the pad of the first circuit pattern is smaller than the width of the pad of the second circuit pattern and is larger than the width of the lower surface of the first via.
또한, 상기 제1 회로 패턴은 상기 제1 회로 패턴의 패드와 연결되는 트레이스를 포함하고, 상기 트레이스는 상기 제1 회로 패턴의 패드 및 상기 제1 비아의 상면과 직접 접촉하는 부분을 포함한다.In addition, the first circuit pattern includes a trace connected to a pad of the first circuit pattern, and the trace includes a portion in direct contact with the pad of the first circuit pattern and an upper surface of the first via.
또한, 상기 제1 회로 패턴은, 상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드 사이에 배치되는 트레이스를 포함한다.In addition, the first circuit pattern may include a trace disposed on an upper surface of the first insulating layer and disposed between the plurality of pads of the first circuit pattern.
또한, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드는, 상기 제1 절연층의 상면에 매립되어 배치된다.In addition, the plurality of pads of the first circuit pattern are disposed to be embedded in the upper surface of the first insulating layer.
또한, 상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 작고, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭의 101% 내지 130%의 범위의 폭을 가진다.In addition, the width of the upper surface of the first via is smaller than the width of the lower surface, and the pad of the first circuit pattern has a width in the range of 101% to 130% of the width of the upper surface of the first via.
또한, 상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 작고, 상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭보다 작은 폭을 가지며, 상기 제1 비아는 상기 제1 회로 패턴의 패드의 측면을 둘러싸며 배치된다.In addition, the width of the upper surface of the first via is smaller than the width of the lower surface, the pad of the first circuit pattern has a width smaller than the width of the upper surface of the first via, and the first via has a width of the first circuit pattern is placed around the side of the pad.
또한, 상기 제1 회로 패턴은 트레이스를 포함하고, 상기 트레이스는 상기 제1 비아의 측면과 직접 접촉한다.In addition, the first circuit pattern includes a trace, and the trace is in direct contact with a side surface of the first via.
또한, 상기 회로 기판은 상기 제1 회로 패턴의 상기 패드의 상면에 배치되는 제1 표면 처리층을 포함한다.In addition, the circuit board may include a first surface treatment layer disposed on an upper surface of the pad of the first circuit pattern.
또한, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드의 중심 사이의 거리에 대응하는 피치는 90㎛ 이하이다.In addition, a pitch corresponding to a distance between the centers of the plurality of pads of the first circuit pattern is 90 μm or less.
또한, 상기 제1 절연층 아래에 배치되는 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층의 하면에 배치되는 보호층을 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 회로 기판의 상기 제1 최외측과 반대되는 제2 최외측에 배치된 제2 최외측 절연층이고, 상기 보호층의 하면은 상기 제2 최외측으로 노출되어, 상기 회로 기판의 제2 최외측 표면을 구성한다.In addition, a second insulating layer disposed under the first insulating layer; and a protective layer disposed on a lower surface of the second insulating layer, wherein the second insulating layer is a second outermost insulating layer disposed on a second outermost side opposite to the first outermost side of the circuit board, A lower surface of the protective layer is exposed as the second outermost surface to constitute a second outermost surface of the circuit board.
한편, 실시 예에 따른 패키지 기판은 제1 절연층; 상기 제1 절연층을 관통하며, 폭 방향으로 상호 이격되는 제1-1 비아 및 제1-2 비아를 포함하는 제1 비아; 상기 제1-1 비아의 상면에 배치되는 제1 패드, 상기 제1-2 비아의 상면에 배치되는 제2 패드 및 상기 제1 절연층의 상면에서 상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이에 배치되는 제1 트레이스를 포함하는 제1 회로 패턴; 상기 제1 절연층의 하면에 배치되고, 상기 제2 비아의 하면과 연결되는 제2 회로 패턴; 상기 제1 패드 및 상기 제2 패드에 배치되는 제1 표면 처리층; 상기 제1 표면 처리층에 배치되는 제1 접착부; 상기 제1 접착부에 부착되는 칩; 및 상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 칩을 몰딩하는 몰딩층을 포함하고, 상기 몰딩층은 상기 제1 절연층의 상면과 직접 접촉하면서, 상기 제1 회로 패턴을 덮으며 배치되고, 상기 제1 회로 패턴의 상기 제1 패드의 중심에서 상기 제1 회로 패턴의 상기 제2 패드의 중심까지의 거리에 대응하는 피치는 100㎛ 이하이다.On the other hand, the package substrate according to the embodiment includes a first insulating layer; a first via passing through the first insulating layer and including 1-1 vias and 1-2 vias spaced apart from each other in a width direction; A first pad disposed on an upper surface of the 1-1 via, a second pad disposed on an upper surface of the first-2 via, and an upper surface of the first insulating layer between the first pad and the second pad a first circuit pattern including a first trace to be formed; a second circuit pattern disposed on a lower surface of the first insulating layer and connected to a lower surface of the second via; a first surface treatment layer disposed on the first pad and the second pad; a first adhesive portion disposed on the first surface treatment layer; a chip attached to the first adhesive part; and a molding layer disposed on an upper surface of the first insulating layer and molding the chip, wherein the molding layer is in direct contact with the upper surface of the first insulating layer and is disposed to cover the first circuit pattern, A pitch corresponding to a distance from a center of the first pad of the first circuit pattern to a center of the second pad of the first circuit pattern is 100 μm or less.
또한, 상기 제1 접착부의 폭은 상기 제1 패드의 폭 및 상기 제2 패드의 폭보다 작다.In addition, a width of the first adhesive portion is smaller than a width of the first pad and a width of the second pad.
또한, 상기 칩은 폭 방향으로 상호 이격되어 배치되는 제1 칩 및 제2 칩을 포함하고, 상기 제1 칩은 센트랄 프로세서(CPU)에 대응하고, 상기 제2 칩은 그래픽 프로세서(GPU)에 대응한다.In addition, the chip includes a first chip and a second chip disposed to be spaced apart from each other in a width direction, the first chip corresponding to a central processor (CPU), the second chip to the graphic processor (GPU) respond
실시 예에 따른 회로 기판은 칩이 실장되는 영역에 배치된 실장 패드를 포함한다. 이때, 비교 예에서의 실장 패드는 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)보다 큰 폭을 가지며, 이에 따른 상기 실장 패드는 110㎛보다 큰 피치를 가지게 된다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서의 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 사이즈에 영향을 받지 않으며, 이에 따른 비교 예 대비 상기 실장 패드의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있음에 따라, 제한된 공간 내에 더 많은 칩을 실장시킬 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 부피, 나아가 패키지 기판의 부피를 감소시킬 수 있다.A circuit board according to an embodiment includes a mounting pad disposed in an area on which a chip is mounted. In this case, the mounting pad in the comparative example has a larger width than a solder resist open region (SOR) disposed on the outermost side of the circuit board, and thus the mounting pad has a pitch larger than 110 μm. do. On the contrary, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist disposed on the outermost side of the circuit board is removed. Accordingly, the width of the mounting pad in the embodiment is not affected by the size of the solder resist open region (SOR), and thus the width of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example. Accordingly, in the embodiment, since the pitch of the mounting pad can be reduced compared to the comparative example, more chips can be mounted in a limited space, and thus the volume of the circuit board and further the volume of the package board can be reduced.
또한, 실시 예에서는 상기와 같이 피치가 감소함에 따라, 상기 회로 기판에 실장되는 칩의 단자 사이를 연결하는 전송 라인의 길이를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신호 전송 손실을 최소화하여 통신 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, as the pitch decreases as described above, the length of the transmission line connecting between the terminals of the chip mounted on the circuit board can be reduced, and thus the communication performance can be improved by minimizing the signal transmission loss. have.
도 1a는 비교 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 1b는 도 1a의 회로기판에서 A영역의 확대도이다.
도 1c는 비교 예에 따른 회로 기판에서 실장 패드의 피치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 3a는 도 2의 T1 영역의 확대도이다.
도 3b는 도 2의 B1 영역의 확대도이다.
도 4는 제1 실시 예에 따른 실장 패드의 피치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a는 제1 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 5b는 제2 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 5c는 제3 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 5d는 제4 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 5e는 제5 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 6은 제2 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6의 최외측의 확대도이다.
도 8a는 제1 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 8b는 제2 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 8c는 제3 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 9a 내지 도 9f는 도 2에 도시된 회로 기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.
도 10a 내지 도 10h는 도 6에 도시된 회로 기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 제1 실시 예에 따른 패키지 기판을 나타낸 도면이다.
도 12는 제2 실시 예에 따른 패키지 기판을 나타낸 도면이다.1A is a diagram illustrating a circuit board according to a comparative example.
1B is an enlarged view of area A in the circuit board of FIG. 1A.
1C is a view for explaining a pitch of mounting pads in a circuit board according to a comparative example.
2 is a view showing a circuit board according to the first embodiment.
FIG. 3A is an enlarged view of a region T1 of FIG. 2 .
FIG. 3B is an enlarged view of area B1 of FIG. 2 .
4 is a view for explaining a pitch of a mounting pad according to the first embodiment.
5A is a diagram illustrating a circuit board according to a first modified example.
5B is a diagram illustrating a circuit board according to a second modified example.
5C is a diagram illustrating a circuit board according to a third modified example.
5D is a diagram illustrating a circuit board according to a fourth modified example.
5E is a diagram illustrating a circuit board according to a fifth modified example.
6 is a diagram illustrating a circuit board according to a second embodiment.
FIG. 7 is an enlarged view of the outermost side of FIG. 6 .
8A is a diagram illustrating a circuit board according to a first modified example.
8B is a diagram illustrating a circuit board according to a second modified example.
8C is a diagram illustrating a circuit board according to a third modified example.
9A to 9F are views for explaining the manufacturing method of the circuit board shown in FIG. 2 in order of process.
10A to 10H are views for explaining the manufacturing method of the circuit board shown in FIG. 6 in order of process.
11 is a view showing a package substrate according to the first embodiment.
12 is a view showing a package substrate according to a second embodiment.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are assigned the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "part" for components used in the following description are given or mixed in consideration of only the ease of writing the specification, and do not have distinct meanings or roles by themselves. In addition, in describing the embodiments disclosed in the present specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in the present specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed herein is not limited by the accompanying drawings, and all changes included in the spirit and scope of the present invention , should be understood to include equivalents or substitutes.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, terms such as “comprises” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
- 비교 예 -- Comparative Example -
실시 예의 설명에 앞서, 본원의 실시 예의 회로 기판과 비교되는 비교 예에 대해 설명하기로 한다.Prior to the description of the embodiment, a comparative example compared with the circuit board of the embodiment of the present application will be described.
도 1a는 비교 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이고, 도 1b는 도 1a의 회로기판에서 A영역의 확대도이고, 도 1c는 비교 예에 따른 회로 기판에서 실장 패드의 피치를 설명하기 위한 도면이다. 1A is a view showing a circuit board according to a comparative example, FIG. 1B is an enlarged view of area A in the circuit board of FIG. 1A, and FIG. 1C is a view for explaining the pitch of mounting pads in the circuit board according to the comparative example .
도 1a를 참조하면, 비교 예에 따른 회로 기판에서는 비아 및 패드의 디자인 한계로 인해, 이웃하는 패드(명확하게는, 칩이 실장되는 실장 패드) 사이의 피치가 110㎛를 초과한다. 비교 예에서의 회로 기판은 코어 타입의 구조를 가진다.Referring to FIG. 1A , in a circuit board according to a comparative example, a pitch between adjacent pads (specifically, a mounting pad on which a chip is mounted) exceeds 110 μm due to design limitations of vias and pads. The circuit board in the comparative example has a core type structure.
비교 예에 따른 회로 기판은, 절연층, 회로 패턴, 비아, 및 보호층을 포함한다.The circuit board according to the comparative example includes an insulating layer, a circuit pattern, a via, and a protective layer.
절연층은 코어층(1), 제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)을 포함한다. 비교 예의 회로 기판은 코어층(1)을 중심으로, 이의 상부 및 하부에 제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)이 대칭 구조를 가지고 배치된다. 코어층(1)은 프리프레그를 포함하는 CCL(Clad Copper Laminate)이거나, 인터포져에서 사용되는 실리콘, 글라스, 및 세라믹과 같은 재료를 포함한다.The insulating layer includes a
제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)은 상기 코어층(1)의 상면 및 하면에 각각 배치된다. 상기 제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)은 프리프레그를 포함한다. 예를 들어, 제1 절연층(5) 및 제2 절연층(8)은 수지 및 상기 수지 내에 강화 섬유를 포함한다.The first insulating
제1 회로 패턴(2)은 제1 절연층(5)의 하면에 배치된다. 또한, 상기 제1 회로 패턴(2)은 코어층(1)의 상면에 배치된다. The
제2 회로 패턴(7)은 제1 절연층(5)의 상면에 배치된다. 상기 제2 회로 패턴(7)은 상기 제1 절연층(5)의 상면 위로 돌출되어 배치된다. The
제3 회로 패턴(3)은 제2 절연층(8)의 상면에 배치된다. 또한, 상기 제3 회로 패턴(3)은 제2 절연층(8)의 하면에 배치된다.The
제4 회로 패턴(10)은 제2 절연층(8)의 하면에 배치된다. 상기 제4 회로 패턴(10)은 제2 절연층(8)의 하면 아래로 돌출되어 배치된다.The
이때, 비교 예의 회로 기판에서, 제1 절연층(5)은 다층 구조에서, 제1 최외측 또는 최상측에 배치된 절연층이고, 제2 절연층(8)은 제2 최외측 또는 최하측에 배치된 절연층이다.At this time, in the circuit board of the comparative example, the first insulating
상기 제1 회로 패턴(2), 제2 회로 패턴(7), 제3 회로 패턴(3) 및 제4 회로 패턴(10)은 각각 패드 및 트레이스를 포함한다. 상기 패드는 비아와 연결되거나, 칩이 실장되거나, 외부기판의 메인보드와 연결되는 접착부(미도시)가 배치되는 부분이다. 상기 트레이스는 상기 패드로부터 길게 연장되는 신호 라인이다. The
비아는 각각의 절연층을 관통하며 배치된다. 예를 들어, 제1 비아(6)는 제1 절연층(5)을 관통하며 배치된다. 제1 비아(6)는 일단이 제1 회로 패턴(2)과 연결되고, 타단이 제2 회로 패턴(7)과 연결된다. 예를 들어, 제2 비아(4)는 코어층(1)을 관통하며 배치된다. 예를 들어, 제3 비아(9)는 제2 절연층(8)을 관통하며 배치된다. 예를 들어, 제3 비아(9)는 일단이 제3 회로 패턴(3)과 연결되고, 타단이 제4 회로 패턴(10)과 연결된다. A via is disposed through each insulating layer. For example, the first via 6 is disposed through the first insulating
제1 보호층(11) 및 제2 보호층(12)은 상기 제1 절연층(5)의 상면 및 상기 제2 절연층(8)의 하면에 각각 배치된다. 상기 제1 보호층(11) 및 제2 보호층(12)은 각각 제2 회로 패턴(7) 및 제4 회로 패턴(10)의 표면을 노출하는 개구부를 가진다. The first
이때, 비교 예의 회로 기판에서, 제1 및 제2 최외측에 배치된 회로 패턴 중 하나는 칩이 실장되는 실장부를 포함하고, 다른 하나는 외부 기판의 메인 보드와 연결되는 단자부를 포함한다. In this case, in the circuit board of the comparative example, one of the first and second outermost circuit patterns includes a mounting part on which a chip is mounted, and the other includes a terminal part connected to the main board of the external board.
예를 들어, 비교 예에서, 제1 최외측에 배치된 제2 회로 패턴(7)은 칩이 실장되는 실장 패드를 포함하고, 제2 최외측에 배치된 제4 회로 패턴(10)은 외부 기판의 메인 보드가 연결되는 단자 패드를 포함한다.For example, in the comparative example, the
구체적으로, 도 1a의 비교 예의 회로 기판에서, 제2 회로 패턴(7)은 실장 패드를 포함하고, 제4 회로 패턴(10)은 단자 패드를 포함한다. Specifically, in the circuit board of the comparative example of FIG. 1A , the
이때, 비교 예에서의 회로 기판은 비아의 디자인에 따른 사이즈, 및 실장 패드의 디자인에 따른 사이즈에 한계가 있으며, 이로 인해 이웃하는 실장 패드의 중심 사이의 거리인 피치가 110㎛를 초과하고 있다. In this case, the circuit board in the comparative example has limitations in the size according to the design of the via and the size according to the design of the mounting pad, so that the pitch, which is the distance between the centers of the neighboring mounting pads, exceeds 110 μm.
즉, 비교 예에서의 제1 절연층(5)은 프리프레그를 포함한다. 이때, 상기 제1 절연층(5)에 비아 홀을 형성하기 위해서는 레이저 가공을 진행해야 한다. 이때, 일반적인 레이저 가공의 특성 상, 상기 제1 비아(6)는 일정 수준 이상의 사이즈를 가지게 된다.That is, the first insulating
예를 들어, 상기 제1 비아(6)는 레이저 가공에 의해 형성된 비아 홀 내부를 채우는 것에 의해, 제1면의 폭과 제2면의 폭이 다르다. 예를 들어, 상기 제1 비아(6)의 제1면 또는 상면의 폭(w1)은 제2면 또는 하면의 폭(w2)보다 크다. 그리고, 코어층을 포함하는 회로 기판에서, 제1 최외측에 배치되는 실장 패드는 상기 제1 비아(6)의 넓은 폭 부분인 제1면 또는 상면과 연결된다. For example, the width of the first surface and the width of the second surface are different from the width of the first via 6 by filling the inside of the via hole formed by laser processing. For example, the width w1 of the first surface or the upper surface of the first via 6 is greater than the width w2 of the second surface or the lower surface of the first via 6 . In addition, in the circuit board including the core layer, the first outermost mounting pad is connected to the first surface or the upper surface that is the wide portion of the first via 6 .
이때, 상기 제1 비아(6)의 제1면의 폭(w1)은 레이저 공정의 한계로 인해, 최소 45㎛ 이상을 가진다. 또한, 상기 제1 비아(6)의 제2면의 폭(w2)은 상기 제1면의 폭(w1)의 80% 수준인 40㎛ 이상을 가진다. In this case, the width w1 of the first surface of the first via 6 has a minimum of 45 μm or more due to the limitation of the laser process. In addition, the width w2 of the second surface of the first via 6 has a width of 40 µm or more, which is 80% of the width w1 of the first surface.
또한, 비교 예에서, 상기 제1 비아(6)의 제1면과 직접 접촉하는 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 폭(w3)은 최소 70㎛ 이상을 가진다. 즉, 비교 예에서, 제1 비아(6)의 상면과 연결되는 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)는, 상기 제1 비아(6)의 제1면의 폭(w1)보다 일정 수준 이상의 폭을 가진다. 또한, 상기 제1 절연층(5)의 제2면 또는 하면과 직접 접촉하는 제1 회로 패턴(2)의 패드의 폭(w4)은 최소 67㎛ 이상을 가진다. 즉, 상기 제1 회로 패턴(2)의 패드는 상기 제1 비아(6)의 제2면의 폭(w2)보다 일정 수준 이상의 폭을 가진다.In addition, in the comparative example, the width w3 of the mounting pads 7-2a and 7-2b of the
이에 따라, 상기 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b), 이웃하는 패드와의 피치에 영향을 주는 부분의 폭(w5=(w3-w1)/2)은 최소 12.5㎛ 수준이다. 즉, 상기 비아(40)의 제1면의 일단에서, 상기 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 일단까지의 폭 방향으로의 수평 직선 거리(w5)는 최소 12.5㎛ 수준이다. 또한, 상기 제1 회로 패턴(2)의 패드에서, 이웃하는 패드와의 피치에 영향을 주는 부분의 폭(w6=(w4-w2)/2)은 최소 13.5㎛ 수준이다. 즉, 상기 제1 절연층(5)의 제2면의 일단에서, 상기 제1 회로 패턴(2)의 패드의 일단까지의 폭 방향으로의 수평 직선 거리(w5)는 최소 12.5㎛ 수준이다. 또한, 상기 제1 비아(6)의 제1면의 일단에서, 상기 제1 회로 패턴(2)의 패드의 일단까지의 폭 방향으로의 수평 직선 거리(w7=(w4-w1)/2)는 최소 11㎛ 수준이다. Accordingly, the width (w5=(w3-w1)/2) of the portion affecting the pitch of the mounting pads 7-2a and 7-2b of the
이에 따라, 비교 예에서는, 상기와 같은 디자인 및 사이즈를 가지는 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)를 이용하여 칩을 실장하는 경우, 상기 제1 패드(7-2a)의 중심과 제2 패드(7-2b)의 중심 사이의 거리인 피치는 최소 78㎛ 이상을 가진다. 즉, 비교 예에서의 상기 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b) 사이는 8㎛ 이상의 이격 간격을 가진다. 이에 따라, 단순히 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b)의 디자인 및 사이즈만을 고려하는 경우, 상기 제1 패드(7-2a)의 중심과 제2 패드(7-2b)의 중심 사이의 거리인 피치는 78㎛ 정도를 가지게 된다.Accordingly, in the comparative example, when the chip is mounted using the mounting pads 7-2a and 7-2b of the
그러나, 최근 전자 제품의 고사양화에 따라, 칩의 단자의 수가 증가하고, 이에 따라 상기 칩의 단자와 단자 사이를 연결하는 트레이스의 수도 증가하고 있다. 따라서, 도 1c의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 칩이 실장되는 회로 기판에서, 상기 칩이 실장될 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b) 사이에는 적어도 1개의 트레이스가 배치되어야 한다. 예를 들어, 상기 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b) 사이에 적어도 1개의 트레이스가 배치되지 않는 경우, 회로 기판의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. 또한, 상기 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b) 사이에 적어도 1개의 트레이스가 배치되지 않는 경우, 상기 칩의 단자와 단자 사이를 연결하는 트레이스의 길이가 증가하게 되고, 상기 트레이스의 길이 증가에 따른 신호 전송 손실이 증가하는 문제가 있다.However, with the recent high-spec electronic products, the number of terminals of the chip increases, and accordingly, the number of traces connecting the terminals of the chip and the terminals also increases. Accordingly, as shown in (a) of FIG. 1C, in the circuit board on which the chip is mounted, at least between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b on which the chip is to be mounted. One trace should be placed. For example, when at least one trace is not disposed between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b, the overall volume of the circuit board may increase. In addition, when at least one trace is not disposed between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b, the length of the trace connecting the terminal and the terminal of the chip increases, There is a problem in that signal transmission loss increases as the length of the trace increases.
이에 따라, 칩이 실장될 수 있는 회로 기판에서, 상기 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b) 사이에는 적어도 1개의 트레이스(7-2)가 존재해야 한다. 상기 트레이스(7-2)는 상기 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b) 사이를 연결하는 신호 라인일 수 있고, 이와 다르게, 상기 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b) 중 어느 하나 또는 이를 제외한 다른 패드 사이를 연결하는 신호 라인일 수 있다. Accordingly, in the circuit board on which the chip can be mounted, at least one trace 7-2 should exist between the first pad 7-2a and the second pad 7-2b. The trace 7-2 may be a signal line connecting the first pad 7-2a and the second pad 7-2b. Alternatively, the first pad 7-2a and the second pad 7-2b It may be a signal line connecting any one of the two pads 7 - 2b or other pads except the same.
이때, 상기 트레이스(7-2)는 7㎛ 이상의 선폭(w8)을 가지고, 최소 8㎛의 이격 간격(w9)을 가진다. 상기 이격 간격(w9)은 복수의 트레이스들 사이의 이격 간격을 의미할 수 있고, 상기 트레이스(7-2)와 상기 제1 패드(7-2a) 또는 제2 패드(7-2b) 사이의 이격 간격을 의미할 수 있다. In this case, the trace 7-2 has a line width w8 of 7 μm or more, and a spacing w9 of at least 8 μm. The spacing w9 may mean a spacing between a plurality of traces, and a spacing between the trace 7-2 and the first pad 7-2a or the second pad 7-2b. It could mean an interval.
또한, 비교 예에서의 제1 보호층(11)의 개구부의 폭(w10)은 최소 45㎛ 이상의 폭을 가진다. 이는, 상기 제1 보호층(11)의 개구부는 노광 및 현상 공정을 거쳐 형성되는데, 상기 노광 및 현상 진행 시의 공정 능력 한계에 따라 최소 45㎛의 폭을 가지게 된다. In addition, the width w10 of the opening of the
이때, 실시 예에서의 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 폭(w3)은 상기 설명한 바와 같이, 상기 제1 보호층(11)의 개구부의 폭(w10)보다는 커야 한다. 이는, 상기 제1 보호층(11)의 개구부를 통해 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 표면의 전체가 노출되어야 하기 때문이다. 이때, 상기 제1 보호층(11)의 개구부를 정확한 위치에 형성하는데 한계가 있다. 이에 따라, 비교 예에서는 상기 개구부가 형성되는 위치의 편차를 고려하여, 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)는 상기 개구부보다 큰 70㎛ 정도의 폭(w3)을 가지게 된다.In this case, as described above, the width w3 of the mounting pads 7-2a and 7-2b in the embodiment should be greater than the width w10 of the opening of the first
이에 따라, 도 1c의 (b)에서와 같이, 비교 예의 회로 기판에서, 상기 제2 회로 패턴(7)을 실장 패드로 이용하는 경우, 상기 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b)의 중심들 사이의 거리인 피치는 상기 제1 패드(7-2a)의 폭, 제2 패드(7-2b)의 폭, 상기 트레이스(7-2)의 폭, 상기 트레이스(7-2)의 이격 간격에 의해 결정된다. 예를 들어, 상기 설명한 바와 같이 비교 예에서는 상기 제1 패드(7-2a)의 폭, 제2 패드(7-2b)의 폭, 상기 트레이스(7-2)의 폭, 상기 트레이스(7-2)의 이격 간격이 결정되며, 이로 인해 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b) 사이의 피치(p1)는 110㎛를 초과하게 된다. 즉, 비교 예에서는 상기 비아(6)의 사이즈 및 상기 제1 보호층(11)의 SOR의 사이즈의 한계에 의해, 상기 제1 패드(7-2a) 및 제2 패드(7-2b)의 폭이 증가하고, 이에 따른 이들 사이의 피치(p1)가 110㎛를 초과한다.Accordingly, as shown in (b) of FIG. 1C , in the circuit board of the comparative example, when the
상기와 같이, 비교 예에서는 제1 패드(7-2a)와 제2 패드(7-2b)의 중심 사이의 피치가 최소 110㎛를 초과하게 되며, 이에 따른 제한된 공간 내에서 다수의 칩을 실장하기가 어려울 수 있다. 예를 들어, 상기 피치가 증가함에 따라 상기 칩을 실장하는데 필요한 회로 기판의 폭 방향으로의 폭이 증가하는 문제가 있다. 또한, 상기 피치가 증가한다는 것은 이웃하는 패드 사이의 신호 전송 라인이 증가한다는 것을 의미하며, 상기 신호 전송 라인이 증가함에 따른 신호 전송 손실이 증가하는 문제가 있다. As described above, in the comparative example, the pitch between the centers of the first pad 7-2a and the second pad 7-2b exceeds at least 110 μm, and accordingly, it is difficult to mount a plurality of chips within a limited space. can be difficult For example, as the pitch increases, there is a problem in that the width in the width direction of the circuit board required to mount the chip increases. In addition, an increase in the pitch means an increase in signal transmission lines between adjacent pads, and there is a problem in that a signal transmission loss increases as the signal transmission lines increase.
또한, 최근 전기/전자 제품의 고성능화가 진행됨에 따라, 한정된 크기의 기판에 더 많은 수의 패키지를 부착하기 위한 기술들이 연구되고 있으며, 이에 따라 회로 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 그러나, 비교 예의 회로 기판을 이용한 패키지 기판의 경우, 패드의 피치의 미세화에 한계가 있다. 또한, 최근 들어 애플리케이션 프로세서(AP: Application Processor)에서 처리되는 기능들의 증가에 따라, 이를 하나의 칩으로 구현하기 어려워지고 있다. 그러나, 비교 예에서 제공되는 회로 기판을 이용해서는 제한된 공간 내에, 서로 다른 기능을 하는 2개의 애플리케이션 프로세서(AP)를 실장하는데 어려움이 있다.In addition, as the performance of electric/electronic products is progressing recently, techniques for attaching a larger number of packages to a substrate having a limited size are being studied, and accordingly, miniaturization of circuit patterns is required. However, in the case of the package substrate using the circuit board of the comparative example, there is a limit to the miniaturization of the pad pitch. In addition, as functions processed by an application processor (AP) increase in recent years, it is becoming difficult to implement them in a single chip. However, it is difficult to mount two application processors (APs) having different functions in a limited space using the circuit board provided in the comparative example.
실시 예는 이러한 비교 예의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 실장 패드가 배치되는 회로 기판의 최외측의 솔더 레지스트를 제거함에 의해, 상기 실장 패드의 피치를 100㎛이하, 바람직하게 90㎛ 이하, 더욱 바람직하게 80㎛ 이하로 축소할 수 있도록 한다. 나아가, 실시 예에서는 상기 피치의 축소에 따라 하나의 회로 기판에 복수의 칩의 실장이 가능하도록 한다. 예를 들어, 실시 예에서는 하나의 회로 기판에 서로 다른 기능을 하는 복수의 프로세서 칩이나, 메모리 칩을 모두 실장할 수 있는 새로운 구조의 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판을 제공할 수 있도록 한다.The embodiment is to solve the problems of the comparative example, and by removing the solder resist of the outermost side of the circuit board on which the mounting pad is disposed, the pitch of the mounting pad is 100 μm or less, preferably 90 μm or less, more preferably It should be reduced to less than 80㎛. Furthermore, in the embodiment, it is possible to mount a plurality of chips on one circuit board according to the reduction of the pitch. For example, in the embodiment, it is possible to provide a circuit board having a new structure on which a plurality of processor chips or memory chips having different functions can be mounted on a single circuit board, and a package board including the same.
-전자 디바이스--Electronic device-
실시 예의 설명에 앞서, 실시 예의 패키지 기판을 포함하는 전자 디바이스에 대해 간략하게 설명하기로 한다. 전자 디바이스는 메인 보드(미도시)를 포함한다. 상기 메인 보드는 다양한 부품들과 물리적 및/또는 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 메인 보드는 실시 예의 패키지 기판과 연결될 수 있다. 상기 패키지 기판에는 다양한 칩이 실장될 수 있다. 크게, 상기 패키지 기판에는, 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리 칩과, 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 어플리케이션 프로세서 칩과, 아날로그-디지털 컨버터, ASIC(application-specific IC) 등의 로직 칩 등이 실장될 수 있다. Prior to the description of the embodiment, an electronic device including the package substrate of the embodiment will be briefly described. The electronic device includes a main board (not shown). The main board may be physically and/or electrically connected to various components. For example, the main board may be connected to the package substrate of the embodiment. Various chips may be mounted on the package substrate. Broadly, the package substrate includes a volatile memory (eg, DRAM), a non-volatile memory (eg, ROM), a memory chip such as a flash memory, a central processor (eg, CPU), a graphics processor (eg, GPU), An application processor chip such as a digital signal processor, an encryption processor, a microprocessor, and a microcontroller, and a logic chip such as an analog-to-digital converter and an ASIC (application-specific IC) may be mounted.
그리고, 실시 예에서는 패드의 피치를 미세화할 수 있도록 하고, 상기 피치의 미세화에 따라 하나의 기판에 서로 다른 종류의 적어도 2개의 칩을 실장할 수 있는 회로 기판 및 패키지 기판을 제공한다. 나아가, 실시 예에서는 비교 예보다 작은 피치를 가지는 실장 패드 사이에 비교 예보다 더 많은 트레이스를 배치할 수 있도록 한 회로 기판 및 패키지 기판을 제공한다.In addition, the embodiment provides a circuit board and a package board capable of refining the pitch of the pads and capable of mounting at least two different types of chips on a single board according to the miniaturization of the pitch. Furthermore, the embodiment provides a circuit board and a package substrate in which more traces than in the comparative example can be disposed between mounting pads having a smaller pitch than in the comparative example.
이때, 상기 전자 디바이스는 스마트 폰(smart phone), 개인용 정보 단말기(personal digital assistant), 디지털 비디오 카메라(digital video camera), 디지털 스틸 카메라(digital still camera), 네트워크 시스템(network system), 컴퓨터(computer), 모니터(monitor), 태블릿(tablet), 랩탑(laptop), 넷북(netbook), 텔레비전(television), 비디오 게임(video game), 스마트 워치(smart watch), 오토모티브(Automotive) 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 외에도 데이터를 처리하는 임의의 다른 전자기기일 수 있음은 물론이다.In this case, the electronic device includes a smart phone, a personal digital assistant, a digital video camera, a digital still camera, a network system, and a computer. ), a monitor, a tablet, a laptop, a netbook, a television, a video game, a smart watch, an automotive, and the like. However, the present invention is not limited thereto, and may be any other electronic device that processes data in addition to these.
-제1 실시 예--First embodiment-
이하에서는 실시 예에 따른 회로 기판 및 이를 포함하는 패키지 기판에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a circuit board according to an embodiment and a package board including the same will be described.
도 2는 제1 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이고, 도 3a는 도 2의 T1 영역의 확대도이고, 도 3b는 도 2의 B1 영역의 확대도이며, 도 4는 제1 실시 예에 따른 실장 패드의 피치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2 내지 도 4를 참조하여, 제1 실시 예에 따른 회로 기판에 대해 설명하기로 한다.2 is a view showing a circuit board according to the first embodiment, FIG. 3A is an enlarged view of area T1 of FIG. 2 , FIG. 3B is an enlarged view of area B1 of FIG. 2 , and FIG. 4 is an enlarged view of area B1 of FIG. It is a diagram for explaining the pitch of the mounting pad according to the present invention. A circuit board according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 4 .
도 2를 참조하면, 회로 기판(100)은 적어도 1개의 칩이 실장될 수 있도록 하는 실장 공간을 제공한다. 상기 회로 기판(100)에 실장되는 칩은, 1개일 수 있으며, 이와 다르게 2개일 수 있으며, 이와 다르게 3개 이상일 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(100)에는 1개의 프로세서 칩이 실장될 수 있고, 이와 다르게 서로 다른 기능을 하는 적어도 2개의 프로세서 칩이 실장될 수 있으며, 이와 다르게 1개의 프로세서 칩과 함께 1개의 메모리 칩이 실장될 수 있고, 이와 다르게 서로 다른 기능을 하는 적어도 2개의 프로세서 칩과 적어도 1개의 메모리 칩이 실장될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the
회로 기판(100)은 절연층(110)을 포함한다.The
이때, 실시 예의 회로 기판(100)은 코어 기판일 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(100)은 코어층(111)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(100)은 코어층(111)을 중심으로, 이의 상부 및 하부에 대칭적으로 복수의 절연층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 이때, 실시 예에서, 상기 회로 기판(100)이 코어 기판일 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 다른 실시 예에서 회로 기판은 코어층이 제거된 코어리그 기판일 수 있다. 이때, 실시 예에서는 칩의 실장을 위한 실장 패드에 그 특징이 있다. 이에 따라, 실시 예에서, 상기 회로 기판(100)이 코어층을 포함하는지 여부는 크게 중요하지 않으며, 회로 기판의 다층 구조에서, 최외측에 배치된 절연층, 비아 및 회로 패턴에 그 특징이 있다. 그리고, 이하에서 설명되는 최외측에 배치된 절연층, 비아 및 회로 패턴에 특징은 코어 기판뿐 아니라, 코어리스 기판에도 동일하게 적용될 수 있을 것이다. 다만, 실시 예에서는 회로 기판의 휨 특성을 최대화하기 위해, 상기 회로 기판(100)이 코어층을 포함하는 코어 기판인 것으로 하여 설명한다.In this case, the
이에 따라, 회로 기판(100)의 절연층(110)은 코어층(111), 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)을 포함할 수 있다.Accordingly, the insulating
코어층(111)은 프리프레그를 포함하는 CCL(Clad Copper Laminate)이거나, 인터포져에서 사용되는 실리콘, 글라스, 및 세라믹과 같은 재료를 포함한다.The
제1 절연층(112)은 상기 코어층(111)의 제1면 상에 적층될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(112)은 상기 코어층(111)의 상면에 적층될 수 있다. 이때, 도 2에서, 상기 제1 절연층(112)이 1층으로 구성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 절연층(112)은 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제1 절연층(112)이 다층 구조를 가지는 경우, 이에 대응하게 제2 절연층(113)도 다층 구조를 가질 것이다. 또한, 회로 기판(100)에서, 코어층(111)의 제1면 또는 상면에 적어도 2개 이상의 제1 절연층이 적층되는 경우, 도 2에 도시된 제1 절연층(112)은 상기 2개 이상의 제1 절연층 중 제1 최외측(또는 최상측)에 배치된 제1 절연층을 나타낸 것일 수 있다. 이때, 상기 제1 최외측은 칩이 실장되는 칩 실장 영역에 대응할 수 있다.The first insulating
또한, 제2 절연층(113)은 상기 코어층(111)의 제2면 상에 적층될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(113)은 상기 코어층(111)의 하면에 적층될 수 있다. 이때, 도 2에서 상기 제2 절연층(113)이 1층으로 구성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(113)은 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제2 절연층(113)이 다층 구조를 가지는 경우, 이에 대응하여 제1 절연층(112)도 동일한 층수의 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 실시 예의 회로 기판(100)에서 코어층(111)의 제2면 또는 하면에 적어도 2개 이상의 제2 절연층이 적층되는 경우, 도 2에 도시된 제2 절연층(113)은 상기 2개 이상의 제2 절연층 중 제2 최외측(또는 최하측)에 배치된 제2 절연층을 나타낸 것일 수 있다.In addition, the second insulating
상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 프리프레그(PPG, prepreg)를 포함할 수 있다. 상기 프리프레그는 유리 섬유 실(glass yarn)으로 직조된 글라스 패브릭(glass fabric)과 같은 직물 시트(fabric sheet) 형태의 섬유층에 에폭시 수지 등을 함침한 후 열 압착을 진행함으로써 형성될 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)을 구성하는 프리프레그는 탄소 섬유 실로 직조된 직물 시트 형태의 섬유층을 포함할 수 있을 것이다.The first insulating
상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 수지 및 상기 수지 내에 배치되는 강화 섬유를 포함할 수 있다. 상기 수지는 에폭시 수지일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 수지는 에폭시 수지에 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 분자 내에 에폭시기가 1개 이상 포함될 수 있고, 이와 다르게 에폭시계가 2개 이상 포함될 수 있으며, 이와 다르게 에폭시계가 4개 이상 포함될 수 있을 것이다. 또한, 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)의 수지는 나프탈렌(naphthalene)기를 포함될 수 있으며, 예를 들어, 방향족 아민형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 아르알킬형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 페놀류와 페놀성 히드록실기를 갖는 방향족 알데히드와의 축합물의 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 크산텐형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, 고무 변성형 에폭시 수지 및 인(phosphorous)계 에폭시 수지 등을 들 수 있으며, 나프탈렌계 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 고무 변성형 에폭시 수지, 및 인(phosphorous)계 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 또한, 상기 강화 섬유는 유리 섬유, 탄소 섬유, 아라미드 섬유(예를 들어, 아라미드 계열의 유기 재료), 나일론(nylon), 실리카(silica) 계열의 무기 재료 또는 티타니아(titania) 계열의 무기 재료가 사용될 수 있다. 상기 강화 섬유는 상기 수지 내에서, 평면 방향으로 서로 교차하는 형태로 배열될 수 있다.The first insulating
한편, 상기 유리 섬유, 탄소 섬유, 아라미드 섬유(예를 들어, 아라미드 계열의 유기 재료), 나일론(nylon), 실리카(silica) 계열의 무기 재료 또는 티타니아(titania) 계열의 무기 재료가 사용될 수 있다.Meanwhile, the glass fiber, carbon fiber, aramid fiber (eg, aramid-based organic material), nylon, silica-based inorganic material or titania-based inorganic material may be used.
상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 10㎛ 내지 60㎛의 범위의 두께(도 3a의 T1, 도 3b의 T3)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 15㎛ 내지 55㎛의 범위의 두께(T1, T3)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)은 20㎛ 내지 50㎛의 범위의 두께(T1, T3)를 가질 수 있다. 상기 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)의 두께(T1, T3)는 이의 표면에 각각 배치되는 회로 패턴들 사이의 거리를 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(112)의 두께(T1)는 이하에서 설명되는 제1 회로 패턴(140)의 제2면 또는 하면과 및 제2 회로 패턴(120)의 제1면 또는 상면 사이의 거리를 의미할 수 있다. 또한, 제2 절연층(113)의 두께(T2)는 이하에서 설명되는 제3 회로 패턴(125)의 하면과 제4 회로 패턴(160)의 상면 사이의 거리를 의미할 수 있다.The first insulating
실시 예의 절연층(110)의 표면에는 회로 패턴이 각각 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(112)의 제1면 또는 상면에는 제1 회로 패턴(140)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(112)의 제2면 또는 하면에는 제2 회로 패턴(120)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(113)의 제1면 또는 상면에는 제3 회로 패턴(125)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(113)의 제2면 또는 하면에는 제4 회로 패턴(160)이 배치될 수 있다. Circuit patterns may be respectively disposed on the surface of the insulating
상기 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125) 및 제4 회로 패턴(160)은 통상적인 인쇄회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다. The
상기 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125) 및 제4 회로 패턴(160) 각각은, 코어층(111)을 중심으로, 각각의 절연층의 표면 상으로 돌출되어 형성될 수 있다. Each of the
제1 회로 패턴(140)은 제1 절연층(112)의 제1면에 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(112)의 상기 제1면은 상기 제1 절연층(112)의 상면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)은 상기 제1 절연층(112)의 제1면 또는 상면 위로 돌출된 구조를 가질 수 있다.The
상기 제1 회로 패턴(140)은 트레이스(141) 및 패드(142)를 포함할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 상기 회로 기판(100)에서, 칩이 실장될 칩 실장 영역(미도시)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 칩 실장 패드를 의미할 수 있다. The
상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)는 제1 절연층(112)의 제1면 또는 상면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 하면은 상기 제1 절연층(112)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)은 시드층(미도시) 및 상기 시드층 상의 전해 도금층을 포함할 수 있고, 상기 제1 회로 패턴(140)의 시드층의 하면은 상기 제1 절연층(112)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(112)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)와의 접합력 향상을 위한 프라이머층(미도시)을 포함할 수 있고, 이와 같은 경우, 상기 제1 회로 패턴(140)의 하면은 상기 프라이머층의 상면과 직접 접촉할 수 있다.The
상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 상기 제1 절연층(112)을 관통하는 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면 위에 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 상기 제1 비아(150)의 제1면 위에 배치되고, 상기 트레이스(141)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141) 및 패드(142)는 기능적인 구분을 위한 것일 뿐, 실질적으로 이들은 서로 일체로 형성된 하나의 패턴일 수 있다.The
상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 하면은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 하면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 상면은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이때, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제1 절연층(112)의 상면에 배치된다. 또한, 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 적어도 일부는 제1 절연층(112)의 상면에 배치될 수 있다.A lower surface of the
이와 같은 상기 제1 회로 패턴(140)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 회로 패턴(140)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 회로 패턴(140)은 전기전도성이 높으면서 가격이 비교적 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다. The
상기 제1 회로 패턴(140)은 5㎛ 내지 20㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)은 6㎛ 내지 17㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(140)은 7㎛ 내지 13㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(140)의 두께가 5㎛ 미만인 경우에는 상기 제1 회로 패턴(140)의 저항이 증가할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(140)의 두께가 20㎛를 초과하는 경우에는 상기 제1 회로 패턴(140)을 구성하는 트레이스(141)의 선폭이 증가하고, 이에 따른 회로 기판(100)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. The
상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)는 특정 선폭(W5)과 특정 간격(W6)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 선폭(W5)은 6㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 선폭(W5)은 7㎛ 내지 15㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 선폭(W5)은 8㎛ 내지 12㎛의 범위를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스들의 간격(W6)은 6㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스들의 간격(W6)은 7㎛ 내지 15㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스들의 간격(W6)은 8㎛ 내지 12㎛의 범위를 가질 수 있다. 여기에서, 상기 간격(W6)은 제1 회로 패턴(140)을 구성하는 복수의 트레이스들 사이의 이격 간격을 의미할 수 있다. 또한, 상기 간격(W6)은 상기 제1 회로 패턴(140)을 구성하는 트레이스(141)와, 상기 패드(142) 사이의 간격을 의미할 수 있다. The
실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)는 실장 패드로 이용되는, 상기 제1 회로 패턴(140)의 복수의 패드(142) 사이에 적어도 1개가 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 폭 방향으로 상호 이격되는 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 절연층(112)의 상면에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 사이에는 상기 제1 회로 패턴(140)의 적어도 1개의 트레이스(141)가 배치될 수 있다. 상기 패드들 사이에 배치된 트레이스(141)는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 중 적어도 어느 하나와 직접 연결되거나, 이를 제외한 제1 절연층(112)의 다른 패드와 직접 연결될 수 있다.In an embodiment, at least one
즉, 실시 예에서, 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)는 칩이 실장되는 실장 패드이다. 이때, 상기 실장 패드 사이들 사이는 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 1b에서와 같이, 트레이스는 이웃하는 패드들 사이에 적어도 1개가 배치될 수 있다. 그리고, 실시 예에서는 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 사이에 적어도 하나의 트레이스(141)에 배치되면서, 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)의 중심들 사이의 피치가 100㎛ 이하가 되도록 한다.That is, in the embodiment, the first pad 142-1 and the second pad 142-2 are mounting pads on which chips are mounted. In this case, the mounting pads may be electrically connected to each other. For example, as shown in FIG. 1B , at least one trace may be disposed between neighboring pads. And, in the embodiment, while being disposed on at least one
한편, 일반적으로 비아의 폭 및 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈에 의해 실장 패드의 폭이 결정되고, 상기 실장 패드의 폭에 의해 복수의 실장 패드들 사이의 피치가 결정된다. 또한, 상기 실장 패드들 사이에는 적어도 1개의 트레이스가 배치되어야 하며, 이에 따라 상기 실장 패드의 폭 및 상기 트레이스의 폭에 의해 비교 예에서는 상기 실장 패드의 피치가 110㎛를 초과하였다. 이와 다르게, 실시 예에서는 솔더 레지스트를 제거하도록 하고, 이에 따라 상기 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않고 형성될 수 있도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 실장 패드의 폭을 비교 예 대비 감소할 수 있다. 그리고, 실시 예에서는 상기 실장 패드의 폭이 감소하는 것만큼 상기 비아들 사이의 간격을 줄일 수 있다. 즉, 실시 예에서의 상기 실장 패드의 피치는 상기 비아의 폭 및 이들 사이의 간격만을 고려하면 되며, 이에 따라 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있다. Meanwhile, in general, the width of the mounting pad is determined by the width of the via and the size of the open area of the solder resist, and the pitch between the plurality of mounting pads is determined by the width of the mounting pad. In addition, at least one trace should be disposed between the mounting pads. Accordingly, in the comparative example, the pitch of the mounting pads exceeds 110 μm due to the width of the mounting pad and the width of the trace. Alternatively, in the embodiment, the solder resist is removed, and accordingly, the width of the mounting pad can be formed without considering the size of the open area of the solder resist. Accordingly, in the embodiment, the width of the mounting pad may be reduced compared to that of the comparative example. Also, in an embodiment, the spacing between the vias may be reduced as much as the width of the mounting pad is reduced. That is, the pitch of the mounting pad in the embodiment only needs to consider the width of the via and the distance therebetween, and accordingly, the pitch of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example.
구체적으로, 제1 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)보다 클 수 있다. Specifically, in the first embodiment, the width W3 of the
예를 들어, 상기 패드(142)의 폭(W3)은 26㎛ 내지 65㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 패드(142)의 폭(W3)은 30㎛ 내지 60㎛일 수 있다. 상기 패드(142)의 폭(W3)은 35㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 상기 패드(142)의 폭(W3)이 65㎛보다 크면, 상기 패드(142)의 폭 증가에 따른 복수의 패드들 사이의 피치가 증가할 수 있다. For example, the width W3 of the
제1 실시 예에서, 상기 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)과 유사할 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)의 101% 내지 130% 사이의 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)의 102% 내지 125% 사이의 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 실시 예에서 상기 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)의 105% 내지 120% 사이의 값을 가질 수 있다. 즉, 비교 예에서, 상기 패드의 폭은 제1 비아의 제1면의 폭 및 제1 보호층의 개구부의 폭에 의해 결정되었다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 회로 기판의 제1 최외측에 배치되는 보호층인 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 패드(142)의 폭(W3)을 결정하는데 있어, 상기 솔더 레지스의 오픈 영역(SOR)의 사이즈를 고려하지 않아도 된다. 따라서, 실시 예에서는 비교 예 대비 패드(142)의 폭(W3)을 줄일 수 있으며, 나아가 이웃하는 패드들 사이의 피치를 100㎛ 이하로 줄일 수 있다.In the first embodiment, the width W3 of the
또한, 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)은 제2 회로 패턴(120)의 패드의 폭(W4)보다 작을 수 있다. 즉, 비교 예에서는 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려해야 함에 따라, 상기 제1 회로 패턴의 패드의 폭이 제2 회로 패턴의 패드의 폭보다 크다. 이와 다르게, 제1 실시 예에서 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않아도 됨에 따라, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)을 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 폭(W4)보다 작게 형성할 수 있다.Also, in an embodiment, the width W3 of the
제2 회로 패턴(120)은 제1 절연층(112)의 제2면 또는 하면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)은 상기 제1 절연층(112)의 표면에서, 상기 제1 회로 패턴(140)이 배치되는 면의 반대면에 배치될 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(140)은 상기 제1 절연층(112)의 제2면 또는 하면에 매립될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 상면 및 측면은 상기 제1 절연층(112)에 의해 덮일 수 있다. 명확하게, 상기 제2 회로 패턴(120)은 상기 제1 절연층(112) 아래에 배치된 절연층의 상면에 돌출되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2에서와 같이, 상기 제1 절연층(112) 아래에 코어층(111)이 배치되는 경우, 상기 제2 회로 패턴(120)은 상기 코어층(111)의 상면 또는 제1면에 돌출되어 배치될 수 있다. 다만, 상기 설명한 바와 같이, 상기 코어층(111) 위에 상기 제1 절연층(112)이 복수 개의 층 구조를 가지며 배치될 수 있다. 그리고, 이와 같은 경우 상기 제2 회로 패턴(120)은 최외측의 제1 절연층의 아래에 배치된 절연층의 상면에 배치될 수 있다.The
상기 제2 회로 패턴(120)은 제1 비아(150)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 회로 패턴(120)은 패드(121, 122) 및 트레이스를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)는 상기 제1 비아(150)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 회로 패턴(120)은 상기 패드(121, 122)와 연결되는 트레이스(미도시)를 포함할 수 있다. The
상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)는 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면과 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 제1면 또는 상면은 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(120)의 트레이스는 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 사이에 배치되지 않을 수 있다. 즉, 실시 예에서, 상기 제2 회로 패턴(120)은 패드(121, 122) 및 트레이스를 포함하기는 하나, 상기 제2 회로 패턴(120)의 트레이스는 상기 제1 절연층(112)의 제2면 또는 하면에서, 상기 패드(121, 122)의 사이 영역을 회피하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격을 최소화할 수 있고, 나아가, 복수의 제1 비아 사이의 간격을 최소화할 수 있으며, 더 나아가 제1 회로 패턴(140)의 복수의 패드(142) 사이의 피치를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기와 같은 구조적 특징에 의해, 실시 예에서는 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142) 사이의 피치를 100㎛ 이하, 나아가 90㎛ 이하, 더 나아가 80㎛ 이하로 할 수 있다. The
상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 20㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 10㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 7㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 2㎛ 이상일 수 있다.The interval W7 between the
구체적으로, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 2㎛ 내지 30㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 2.5㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격(W7)은 2.5㎛ 내지 7㎛의 범위를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 간격(W7)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141) 또는 제2 회로 패턴(120)의 트레이스의 선폭 또는 간격보다 작을 수 있다. Specifically, the interval W7 between the
상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 간격(W7)이 2㎛ 미만이면, 상기 패드(121, 122) 사이가 서로 연결되는 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 132)의 간격(W7)이 2㎛ 미만이면, 상기 패드(121, 122) 사이의 신호 간섭에 따른 통신 성능에 문제가 발생할 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(120)의 간격(W7)이 30㎛보다 크면, 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)에 의한 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)들 사이의 피치를 100㎛ 이하로 맞추기 어려울 수 있다. 즉, 상기 제2 회로 패턴(120)의 간격(W7)이 30㎛보다 크면, 상기 피치 증가에 따른 전체적인 회로 기판(100)의 부피가 증가할 수 있다.If the interval W7 between the
상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)는 두께 방향(또는 수직 방향 또는 3차원 좌표계에서 z축 방향)으로 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)와 오버랩될 수 있다. The
즉, 상기 제2 회로 패턴(120)은 폭 방향(또는 수평 방향 또는 3차원 좌표계에서 x축, y축 및 이들 사이의 대각축 방향)으로 이격되는 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)를 포함한다. That is, the
그리고, 실시 예에서, 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 제2 패드(122) 사이에는 제2 회로 패턴(120)의 트레이스가 배치되지 않는다. 그리고, 실시 예에서, 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 제2 패드(122) 사이의 간격을 최소화하여, 이에 따른 폭 방향으로 이격되는 복수의 제1 비아들 사이의 피치가 100㎛ 이하가 되도록 하고, 이에 대응하게 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 피치가 100㎛ 이하가 되도록 한다. And, in an embodiment, the trace of the
이때, 상기와 같이 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 제2 패드(122) 사이의 간격이 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 선폭 또는 간격보다 작도록 하며, 이에 따라 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 또는 제2 패드(122)와 두께 방향으로 오버랩될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 두께 방향으로 오버랩될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제2 패드(142)와 두께 방향으로 오버랩될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)의 적어도 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121)와 두께 방향으로 오버랩되고, 다른 일부는 상기 제2 회로 패턴(120)의 제2 패드(122)와 두께 방향으로 오버랩될 수 있다.At this time, as described above, the interval between the
상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)의 폭(W4)은 서로 대응될 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)의 폭(W4)은 30㎛ 내지 70㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)의 폭(W4)은 32㎛ 내지 65㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(120)의 제1 패드(121) 및 제2 패드(122)의 폭(W4)은 35㎛ 내지 60㎛일 수 있다.The width W4 of the
실시 예에서의 회로 기판(100)은 제1 절연층(112)을 관통하는 제1 비아(150)를 포함한다. 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면은 상기 제1 회로 패턴(140)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 하면과 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면은 상기 제2 회로 패턴(120)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면은 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)와 접촉할 수 있다. The
상기 제1 비아(150)는 상기 제1 절연층(112)을 관통하는 비아 홀(미도시)을 형성하고, 상기 형성된 비아 홀 내부를 전도성 물질로 충진하여 형성할 수 있다.The first via 150 may be formed by forming a via hole (not shown) penetrating the first insulating
상기 비아 홀은 기계, 레이저 및 화학 가공 중 어느 하나의 가공 방식에 의해 형성될 수 있다. 상기 비아 홀이 기계 가공에 의해 형성되는 경우에는 밀링(Milling), 드릴(Drill) 및 라우팅(Routing) 등의 방식을 사용할 수 있고, 레이저 가공에 의해 형성되는 경우에는 UV나 CO2 레이저 방식을 사용할 수 있으며, 화학 가공에 의해 형성되는 경우에는 아미노실란, 케톤류 등을 포함하는 약품을 이용하여 상기 복수의 절연층 중 적어도 하나의 절연층을 개방할 수 있다.The via hole may be formed by any one of mechanical, laser, and chemical processing. When the via hole is formed by machining, methods such as milling, drilling, and routing can be used, and when formed by laser processing, UV or CO 2 laser method is used. In the case of being formed by chemical processing, at least one insulating layer among the plurality of insulating layers may be opened by using a chemical containing aminosilane, ketones, or the like.
한편, 상기 레이저에 의한 가공은 광학 에너지를 표면에 집중시켜 재료의 일부를 녹이고 증발시켜, 원하는 형태를 취하는 절단 방법으로, 컴퓨터 프로그램에 의한 복잡한 형성도 쉽게 가공할 수 있고, 다른 방법으로는 절단하기 어려운 복합 재료도 가공할 수 있다. On the other hand, the processing by the laser is a cutting method that melts and evaporates a part of the material by concentrating optical energy on the surface to take a desired shape, and complex formation by a computer program can be easily processed. Even difficult composite materials can be machined.
또한, 상기 레이저에 의한 가공은 절단 직경이 최소 0.005mm까지 가능하며, 가공 가능한 두께 범위로 넓은 장점이 있다.In addition, the processing by the laser can have a cutting diameter of at least 0.005 mm, and has a wide advantage in a range of possible thicknesses.
상기 레이저 가공 드릴로, YAG(Yttrium Aluminum Garnet)레이저나 CO2 레이저나 자외선(UV) 레이저를 이용하는 것이 바람직하다. YAG 레이저는 동박층 및 절연층 모두를 가공할 수 있는 레이저이고, CO2 레이저는 절연층만 가공할 수 있는 레이저이다.As the laser processing drill, it is preferable to use a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser, a CO 2 laser, or an ultraviolet (UV) laser. The YAG laser is a laser that can process both the copper foil layer and the insulating layer, and the CO 2 laser is a laser that can process only the insulating layer.
상기 비아 홀이 형성되면, 상기 비아 홀 내부를 전도성 물질로 충진하여 상기 제1 비아(150)를 형성할 수 있다. 상기 제1 비아(150)를 형성하는 금속 물질은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있으며, 상기 전도성 물질 충진은 무전해 도금, 전해 도금, 스크린 인쇄(Screen Printing), 스퍼터링(Sputtering), 증발법(Evaporation), 잉크젯팅 및 디스펜싱 중 어느 하나 또는 이들의 조합된 방식을 이용할 수 있다. When the via hole is formed, the first via 150 may be formed by filling an inside of the via hole with a conductive material. The metal material forming the first via 150 may be one selected from copper (Cu), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), nickel (Ni), and palladium (Pd). For the conductive material filling, any one or a combination of electroless plating, electrolytic plating, screen printing, sputtering, evaporation, inkjetting and dispensing may be used. have.
상기 제1 비아(150)의 두께는 상기 제1 절연층(112)의 두께와 동일 수 있다. 예를 들어, 도 2에서의 T1은 상기 제1 비아(150)의 두께를 의미할 수 있고, 이와 다르게 제1 절연층(112)의 두께를 의미할 수도 있다.The thickness of the first via 150 may be the same as the thickness of the first insulating
상기 제1 비아(150)는 제1면 및 제2면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제1면은 상면일 수 있고, 제1 비아(150)의 제2면은 하면일 수 있다.The first via 150 may include a first surface and a second surface. For example, a first surface of the first via 150 may be an upper surface, and a second surface of the first via 150 may be a lower surface.
상기 제1 비아(150)는 제1면 또는 상면의 폭(W1)이 제2면 또는 하면의 폭(W2)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(150)는 제1면 및 제2면의 폭이 서로 다른 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 그리고, 실시 예에서의 상기 제1 비아(150)는 상대적으로 폭이 큰 제1면 또는 상면이 회로 기판의 제1 최외측에 배치된 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)와 연결될 수 있다. The width W1 of the first surface or the upper surface of the first via 150 may be greater than the width W2 of the second surface or the lower surface of the first via 150 . For example, the first via 150 may have a trapezoidal shape in which the width of the first surface and the second surface are different from each other. In addition, in the embodiment, the first via 150 may be connected to the
구체적으로, 상기 제1 비아(150)는 폭 방향으로 상호 이격되는 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)를 포함할 수 있다.Specifically, the first via 150 may include a 1-1 via 151 and a 1-2 via 152 that are spaced apart from each other in the width direction.
그리고, 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)이 25㎛보다 작으면, 레이저 공정에 의해 프리프레그를 포함하는 제1 절연층(112)을 관통하는 비아 홀을 용이하게 형성하기 어려울 수 있다. 구체적으로, 레이저 공정의 한계로 인해, 상기 제1 절연층(112)에 25㎛보다 작은 사이즈의 비아 홀을 형성하기가 어려울 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)이 50㎛보다 크면, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152) 사이의 피치가 증가할 수 있고, 이에 따라 칩을 실장하기 위한 회로 기판의 부피가 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제1면의 폭(W1)이 50㎛보다 크면, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142) 사이의 피치가 증가하고, 이에 따라 상기 패드(142) 상에 배치된 칩의 신호 전송 거리가 증가에 따른 신호 전송 손실이 증가할 수 있다. In addition, the width W1 of the first surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W1 of the first surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W1 of the first surfaces of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 30 μm to 47 μm. For example, when the width W1 of the first surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 is less than 25 μm, the first insulation including the prepreg is performed by a laser process. It may be difficult to easily form a via hole through the
상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제2면의 폭(W2)은 20㎛ 내지 40㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제2면의 폭(W2)은 22㎛ 내지 37㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)의 제2면의 폭(W2)은 25㎛ 내지 35㎛일 수 있다.A width W2 of the second surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 20 μm to 40 μm. For example, the width W2 of the second surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 22 μm to 37 μm. For example, the width W2 of the second surface of the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be 25 μm to 35 μm.
다시 말해서, 제1 실시 예의 회로 기판의 제1 최외측의 구조를 설명하면 다음과 같다. 회로 기판의 제1 최외측에는 제1 절연층(112)이 배치된다. 그리고, 상기 제1 절연층(112)의 상면에는 제1 회로 패턴(140)이 배치되고, 하면에는 제2 회로 패턴(120)이 배치된다. 또한, 상기 제1 절연층(112) 내에는 상기 제1 회로 패턴(140) 및 제2 회로 패턴(120)과 연결되는 제1 비아(150)를 포함한다.In other words, the first outermost structure of the circuit board of the first embodiment will be described as follows. A first insulating
이때, 상기 제1 회로 패턴(140)은 상기 제1 비아(150)와 연결되는 패드(142) 및 상기 패드(142)와 연결되는 트레이스(141)를 포함한다. 그리고, 제1 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)은 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)과 유사하도록 한다. 즉, 실시 예에서는 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않은 상태에서 상기 패드(142)의 폭(W3)을 결정할 수 있으며, 상기 패드(142)의 폭(W3)의 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)과 최대한 유사하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 패드(142)의 폭을 줄일 수 있음에 따라, 제1 회로 패턴(140)의 복수의 패드 사이의 피치를 줄일 수 있다.In this case, the
한편, 회로 기판(100)은 제2 절연층(113)의 제1면 또는 상면에 배치되는 제3 회로 패턴(125)과, 상기 제2 절연층(113)의 제2면 또는 하면에 배치되는 제4 회로 패턴(160)을 포함한다. 또한, 회로 패턴(140)은 제2 절연층(113)을 관통하며, 상기 제3 회로 패턴(125)과 제4 회로 패턴(160)을 연결하는 제2 비아(170)를 포함한다.Meanwhile, the
상기 제2 비아(170)는 제1면 또는 상면의 폭(W11)이 제2면 또는 하면의 폭(W12)보다 작은 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)는 상기 제1 비아(150)와 대칭 형상을 가질 수 있다.The second via 170 may have a trapezoidal shape in which the width W11 of the first surface or the upper surface is smaller than the width W12 of the second surface or the lower surface. For example, the second via 170 may have a symmetrical shape with the first via 150 .
상기 제2 비아(170)의 제1 면 또는 상면의 폭(W11)은 상기 제1 비아(150)의 제2면 또는 하면의 폭(W2)에 대응할 수 있다. 상기 제2 비아(170)의 제1 면 또는 상면의 폭(W11)은 20㎛ 내지 40㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)의 제1 면 또는 상면의 폭(W11)은 22㎛ 내지 37㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)의 제1 면 또는 상면의 폭(W11)은 25㎛ 내지 35㎛일 수 있다.The width W11 of the first surface or the upper surface of the second via 170 may correspond to the width W2 of the second surface or the lower surface of the first via 150 . The width W11 of the first surface or the upper surface of the second via 170 may be 20 μm to 40 μm. For example, the width W11 of the first surface or the upper surface of the second via 170 may be 22 μm to 37 μm. For example, the width W11 of the first surface or the upper surface of the second via 170 may be 25 μm to 35 μm.
상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)은 상기 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭(W1)에 대응할 수 있다. 상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다. The width W12 of the second surface or the lower surface of the second via 170 may correspond to the width W1 of the first surface or the upper surface of the first via 150 . The width W12 of the second surface or the lower surface of the second via 170 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W12 of the second surface or the lower surface of the second via 170 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W12 of the second surface or the lower surface of the second via 170 may be 30 μm to 47 μm.
상기 제3 회로 패턴(125)은 상기 제2 비아(170)와 연결되는 패드를 포함한다. 상기 제3 회로 패턴(125)의 패드의 폭(W13)은 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)의 폭(W4)에 대응할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 회로 패턴(125)의 패드의 폭(W13)은 20㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 회로 패턴(125)의 패드의 폭(W13)은 22㎛ 내지 47㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 회로 패턴(125)의 패드의 폭(W13)은 25㎛ 내지 40㎛일 수 있다.The
상기 제4 회로 패턴(160)은 제2 비아(170)와 연결되는 패드를 포함한다. 이때, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드는 단자 패드일 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드는 전자 디바이스의 메인보드와 연결되는 단자부로 기능할 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드는 전자 디바이스의 메인 보드와 연결되기 위해 솔더 볼이 배치되는 패드일 수 있다.The
이때, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 피치는 상기 메인 보드의 패드에 대응하는 피치를 가지면 된다. 이때, 상대적으로 상기 메인 보드의 패드의 피치는 100㎛를 초과하며, 이에 따라 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 피치는 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 피치 대비 커도 무방하다. 이에 따라, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3) 및 상기 제2 비아(170)의 제2면 또는 하면의 폭(W12)보다 클 수 있다.In this case, the pitch of the pads of the
예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)은 30㎛ 내지 80㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)은 35㎛ 내지 70㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)은 40㎛ 내지 60㎛일 수 있다.For example, the width W14 of the pad of the
한편, 실시 예에서, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드들 사이의 간격(W16)은 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122)들 사이의 간격(W7)보다 클 수 있다.Meanwhile, in an embodiment, the spacing W16 between the pads of the
이에 따라, 실시 예에서의 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 중심 사이의 거리인 피치는, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 중심 사이의 거리인 피치보다 클 수 있다.Accordingly, in the embodiment, the pitch that is the distance between the centers of the pads of the
실시 예의 회로 기판(100)은 보호층(185)을 포함한다. 상기 보호층(185)은 제2 절연층(113)의 제2면 또는 하면에 배치된다. The
이때, 실시 예의 회로 기판(100)에서 제1 및 제2 최외측의 층 구조가 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서의 회로 기판(100)의 제1 최외측에는 제1 절연층(112)이 배치되고, 제2 최외측에는 제2 절연층(113)이 배치된다. 이때, 실시 예에서, 상기 제1 최외측에 배치되는 제1 절연층(112)의 제1면에는 보호층인 솔더 레지스트를 배치하지 않는다. 이에 따라, 실시 예에서, 회로 기판의 제1 최외측의 표면은 제1 절연층(112)의 제1면 또는 상면으로 구성될 수 있다. 이와 다르게, 실시 예에서 상기 제2 최외측에 배치되는 제2 절연층(113)의 제2면에는 보호층(185)이 배치된다. 이에 따라, 실시 예에서 회로 기판의 제2 최외측의 표면은 상기 보호층(185)의 제2면 또는 하면으로 구성될 수 있다. In this case, in the
상기 보호층(185)은 적어도 1개의 개구부(미도시)를 포함할 수 있다.The
상기 보호층(185)의 개구부의 폭(W15)은 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭(W14)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 보호층(185)은 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 보호층(185)은 개구부를 통해 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 하면의 중앙을 노출하면서, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 하면의 가장자리 영역을 덮으며 배치될 수 있다.The width W15 of the opening of the
한편, 상기 보호층(185)는 일정 두께(T4)를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 보호층(185)의 두께(T4)는 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 하면에서 상기 제2 보호층(185)의 하면까지의 두께를 의미할 수 있다. 상기 보호층(185)의 두께(T4)는 2㎛ 내지 20㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. 상기 보호층(185)의 두께(T4)는 4㎛ 내지 15㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. 상기 보호층(185)의 두께(T4)는 7㎛ 내지 12㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. Meanwhile, the
실시 예에서, 회로 기판(100)은 표면 처리층을 포함한다. 상기 표면 처리층은 패드의 부식 및 산화를 방지하면서, 솔더성을 높이기 위해 형성될 수 있다. 이때, 상기 표면 처리층은 회로 기판의 최외측에 배치된 패드의 표면 상에 배치될 수 있다. In an embodiment, the
예를 들어, 회로 기판(100)은 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)에 배치된 제1 표면 처리층(190)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1 표면 처리층(190)은 OSP(Organic Solderability Preservative) 층일 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142) 상에 코팅된 벤지미다졸(Benzimidazole)과 같은 유기물로 형성된 유기층일 수 있다.The first
이와 다르게, 상기 제1 표면 처리층(190)은 도금층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 제1면에 무전해 도금된 금(Au) 도금층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 제1면에 무전해 도금된 니켈(Ni) 도금층과, 상기 니켈 도금층에 무전해 도금된 금(Au) 도금층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 제1면에 무전해 도금된 니켈(Ni) 도금층과, 상기 니켈 도금층에 무전해 도금된 팔라듐(Pd) 도금층과, 상기 팔라듐 도금층에 무전해 도금된 금(Au) 도금층을 포함할 수 있다.Alternatively, the first
일 실시 예에서, 상기 제1 표면 처리층(190)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭(W3)에 대응하는 폭을 가질 수 있다.In an embodiment, the first
이에 대응하게, 제2 표면 처리층(195)은 제4 회로 패턴(160)의 패드의 제2면 또는 하면에 배치된다. 상기 제2 표면 처리층(195)은 OSP(Organic Solderability Preservative) 층일 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 표면 처리층(195)은 상기 제1 표면 처리층(190)에 대응하게, 유기층일 수 있고, 이와 다르게 니켈(Ni) 도금층, 팔라듐(Pd) 도금층, 및 금(Au) 도금층 중 적어도 하나를 포함하는 금 도금층일 수 있다.Correspondingly, the second
상기 제2 표면 처리층(195)의 폭은 상기 보호층(185)의 개구부의 폭(W15)에 대응할 수 있다.A width of the second
도 4를 참조하면, 실시 예에서는 폭 방향으로 이격되는 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152)를 포함한다. 그리고, 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152) 상에는, 이보다 큰 폭을 가지는 제1 회로 패턴(140)의 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)가 각각 배치된다. 또한, 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 사이에는 적어도 하나의 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141)가 가로질러 배치될 수 있다. 이때, 실시 예에서는 상기와 같이 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)가 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭보다 큰 폭을 가지도록 한다. 또한, 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)가 배치되는 제1 절연층(112) 위에는 솔더 레지스트인 보호층이 배치되지 않도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않고, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)를 형성할 수 있음에 따라, 상기 패드(142)의 폭을 줄일 수 있다.Referring to FIG. 4 , the embodiment includes a 1-1 via 151 and a 1-2 via 152 that are spaced apart from each other in the width direction. In addition, on the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 , the first pad 142-1 and the second pad 142- of the
이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1-1 비아(151) 및 제1-2 비아(152) 사이의 간격을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)의 중심들 사이의 거리에 대응하는 피치(P1)를 100㎛ 이하로 할 수 있다. 나아가, 실시 예에서는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)의 중심들 사이의 거리에 대응하는 피치(P1)를 90㎛ 이하로 할 수 있다. 더 나아가, 실시 예에서는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2)의 중심들 사이의 거리에 대응하는 피치(P1)를 80㎛ 이하로 할 수 있다. Accordingly, in the embodiment, the gap between the 1-1 via 151 and the 1-2 via 152 may be minimized. Accordingly, in the embodiment, the pitch P1 corresponding to the distance between the centers of the first pad 142-1 and the second pad 142-2 may be 100 μm or less. Furthermore, in the embodiment, the pitch P1 corresponding to the distance between the centers of the first pad 142-1 and the second pad 142-2 may be set to 90 μm or less. Furthermore, in the embodiment, the pitch P1 corresponding to the distance between the centers of the first pad 142-1 and the second pad 142-2 may be 80 μm or less.
예를 들어, 실시 예에서는 상기 제1 패드(142-1) 및 제2 패드(142-2) 사이에 1개의 트레이스(141), 나아가 적어도 2개 이상의 트레이스들을 배치하더라도, 비교 예 대비 상기 피치(P1)를 감소시킬 수 있다.For example, in the embodiment, even if one
즉, 실시 예에서는 제1 비아(150)에 배치되는 실장 패드인 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭이 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭과 유사하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 복수의 제1 비아들 사이의 간격을 최소화한다. 이때, 도 1b에서와 같은 비교 예에서도, 제2 회로 패턴(7)의 실장 패드(7-2a, 7-2b)사이의 간격을 최소화함에 따라 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)의 피치를 줄일 수 있는 것처럼 보이나, 실질적으로 비교 예에서는 실장 패드의 피치를 100㎛ 이하로 줄이기 어렵다. 이는, 실장 패드(7-2a, 7-2b)가 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려한 폭을 가지도록 하면서, 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)들 사이에 적어도 1개의 트레이스(7-1)를 배치해야 하기 때문이다. 이에 따라, 비교 예에서는 상기 제2 회로 패턴(7)으로 구성되는 실장 패드들의 폭, 그리고 이들 사이에 배치되는 트레이스의 선폭 및 간격에 의해 상기 실장 패드(7-2a, 7-2b)들 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이지 못한다. 즉, 비교 예에서는 실장 패드(7-2a, 7-2b) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이지 못하였으며, 이에 따라 실장 패드(7-2a, 7-2b)들 사이의 피치는 100㎛를 초과하였다.That is, in the embodiment, the width of the
이에 반하여, 실시 예에서는, 비교 예 대비 제1 회로 패턴(140)의 패드의 폭을 줄일 수 있고, 이에 의해, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이더라도(나아가, 2㎛까지 줄이더라도), 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142) 사이의 공간에 적어도 1개의 트레이스(141)를 배치할 공간이 충분히 나오게 된다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(120)의 패드(121, 122) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이고, 이에 따라 제1 비아(150)들의 중심 사이의 간격 또는 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 중심 사이의 간격인 피치(P1)를 100㎛ 이하, 나아가 90㎛ 이하, 더 나아가, 80㎛이하까지 낮출 수 있다.On the other hand, in the embodiment, the width of the pad of the
이하에서는, 도 2에 도시된 제1 실시 예에 따른 회로 기판의 변형 예에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a modified example of the circuit board according to the first embodiment shown in FIG. 2 will be described.
-변형 예--Variation example-
도 5a는 제1 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5A is a diagram illustrating a circuit board according to a first modified example.
도 5a는 도 2 대비, 제1 표면 처리층(190a)의 배치 위치가 상이할 수 있다. In FIG. 5A , the arrangement position of the first
제1 변형 예에 따른 회로 기판(100a)은 도 2의 회로 기판에 대응하게, 제1 절연층(112), 코어층(111), 제2 절연층(113), 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125), 제4 회로 패턴(160), 제1 비아(150), 제2 비아(170), 제2 표면 처리층(195) 및 보호층(185)을 포함한다.The
제1 변형 예에서의 회로 기판은 제1 표면 처리층(190a)을 포함한다. 이때, 제1 실시 예에서의 제1 표면 처리층(190)은 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 상면에만 배치되었다. 이와 다르게, 제1 변형 예에서의 제1 표면 처리층(190a)은 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 상면 및 측면에 배치될 수 잇다. 이에 따라, 상기 제1 표면 처리층(190a)의 적어도 일부는 상기 제1 절연층(112)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. The circuit board in the first modified example includes the first
도 5b는 제2 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5B is a diagram illustrating a circuit board according to a second modified example.
도 5b 도 2 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 폭에 차이가 있다. 5B , there is a difference in the width of the pad of the first circuit pattern compared to FIG. 2 .
제2 변형 예에 따른 회로 기판은 도 2의 회로 기판에 대응하게, 제1 절연층(112), 코어층(111), 제2 절연층(113), 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125), 제4 회로 패턴(160), 제1 비아(150), 제2 비아(170), 제1 표면 처리층(190), 제2 표면 처리층(195) 및 제2 보호층(185)을 포함한다.The circuit board according to the second modified example corresponds to the circuit board of FIG. 2 , the first insulating
제2 변형 예에서의 회로 기판(100b)은 제1 회로 패턴(140)의 패드를 포함한다.The
상기 제1 회로 패턴(140)의 패드는 제1 패드(142-1b) 및 제2 패드(142-2b)를 포함한다. 이때, 제1 패드(142-1b) 및 제2 패드(142-2b)의 폭은 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭과 동일할 수 있다. The pad of the
예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1b)은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1b)은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1b)은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다For example, the width W1b of the first surface of the first via 150 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W1b of the first surface of the first via 150 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W1b of the first surface of the first via 150 may be 30 μm to 47 μm.
그리고, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1b) 및 제2 패드(142-2b)는 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1b)과 동일할 수 있다. 이에 따라, 제2 변형 예에 따르면, 도 2에 도시된 실시 예 대비, 제1 패드(142-1b) 및 제2 패드(142-2b) 사이의 피치를 더욱 줄일 수 있다.In addition, the first pad 142-1b and the second pad 142-2b of the first circuit pattern may be the same as the width W1b of the first surface of the first via 150 . Accordingly, according to the second modification, the pitch between the first pad 142-1b and the second pad 142-2b may be further reduced compared to the embodiment illustrated in FIG. 2 .
도 5c는 제3 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5C is a diagram illustrating a circuit board according to a third modified example.
도 5c 도 2 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 폭에 차이가 있다. 5C , there is a difference in the width of the pad of the first circuit pattern compared to FIG. 2 .
제3 변형 예에 따른 회로 기판(100c)은 도 2의 회로 기판에 대응하게, 제1 절연층(112), 코어층(111), 제2 절연층(113), 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125), 제4 회로 패턴(160), 제1 비아(150), 제2 비아(170), 제1 표면 처리층(190), 제2 표면 처리층(195) 및 보호층(185)을 포함한다.The
제3 변형 예에서의 회로 기판(100c)은 제1 회로 패턴(140)의 패드를 포함한다.The
상기 제1 회로 패턴(140)의 패드는 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)를 포함한다. 이때, 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭은 제1 비아(150)의 제1면 또는 상면의 폭보다 작을 수 있다. The pad of the
예를 들어, 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다.For example, the width W1 of the first surface of the first via 150 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W1 of the first surface of the first via 150 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W1 of the first surface of the first via 150 may be 30 μm to 47 μm.
그리고, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)는 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭(W1)보다 작은 폭(W3c)을 가질 수 있다. In addition, the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may have a width W3c smaller than the width W1 of the first surface of the first via 150 . can
예를 들어, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)은 5㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)은 10㎛ 내지 40㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)은 15㎛ 내지 35㎛일 수 있다.For example, the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may be 5 μm to 50 μm. For example, the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may be 10 μm to 40 μm. For example, the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern may be 15 μm to 35 μm.
상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)이 5㎛보다 작으면, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 저항이 증가하고, 이에 따른 신호 전송 손실이 증가할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)이 50㎛보다 크면, 상기 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 중심 사이의 피치가 증가할 수 있다. When the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern is less than 5 μm, the first pad 142-1c of the first circuit pattern and The resistance of the second pad 142 - 2c may increase, and thus signal transmission loss may increase. When the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern is greater than 50 μm, the first pad 142-1c of the first circuit pattern and A pitch between the centers of the second pads 142 - 2c may increase.
이때, 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)은 상기 비아(150)의 제1면의 폭(W1)보다 작고, 제2면의 폭(W2)보다 크도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭과, 상기 제1 비아(150) 사이의 폭의 차이를 최소화할 수 있고, 상기 폭 차이에 의해 발생하는 신호 전송 손실을 최소화할 수 있다.In this case, in the embodiment, the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern is greater than the width W1 of the first surface of the
또한, 상기 제1 표면 처리층(190c)는 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 상면에만 배치될 수 있다.Also, the first
한편, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)의 폭(W3c)이 상기 제1 비아(151, 152)의 제1면의 폭보다 작음에 따라, 상기 제1 회로 패턴의 트레이스 중 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)와 연결되는 트레이스는 상기 제1 비아(151, 152)와 직접 접촉할 수 있다.Meanwhile, as the width W3c of the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern is smaller than the width of the first surface of the
예를 들어, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)가 상기 제1 비아(151, 152)의 제1면의 폭보다 큰 경우, 상기 제1 회로 패턴의 트레이스는 상기 제1 비아(151, 152)와 직접 접촉할 수 없다. 이와 다르게, 실시 예에서는 상기와 같이 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)가 상기 제1 비아(151, 152)의 제1면의 폭보다 작게 형성됨에 따라, 상기 제1 회로 패턴의 트레이스 중 적어도 하나는, 상기 제1 회로 패턴의 제1 패드(142-1c) 및 제2 패드(142-2c)로부터 연장되어, 상기 제1 비아(151, 152)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. For example, when the first pad 142-1c and the second pad 142-2c of the first circuit pattern are larger than the widths of the first surfaces of the
도 5d는 제4 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5D is a diagram illustrating a circuit board according to a fourth modified example.
도 5d 도 5c 대비, 제1 표면 처리층의 배치 위치에 차이가 있다. 5D and 5C, there is a difference in the arrangement position of the first surface treatment layer.
제4 변형 예에 따른 회로 기판(100d)은 도 5c 회로 기판에 대응하*, 제1 절연층(112), 코어층(111), 제2 절연층(113), 제1 회로 패턴(140), 제2 회로 패턴(120), 제3 회로 패턴(125), 제4 회로 패턴(160), 제1 비아(150), 제2 비아(170), 제2 표면 처리층(195) 및 보호층(185)을 포함한다.The
이때, 상기 회로 기판(100d)의 제1 표면 처리층(190d)은 상기 제3 변형 예와는 다르게, 상기 제1 회로 패턴의 패드(142-1d, 142-2d)의 측면에도 배치될 수 있다.In this case, the first
또한, 상기 회로 기판(100d)의 제1 표면 처리층(190d)은 상기 제3 변형 예와는 다르게, 상기 제1 비아(150)의 상면에도 배치될 수 있다.Also, unlike the third modified example, the first
즉, 상기 회로 기판(100d)의 제1 표면 처리층(190d)은 패드의 상면에 배치되는 제1 부분과, 패드의 측면에 배치되는 제2 부분과, 상기 제1 비아의 상면에 배치되는 제3 부분을 포함할 수 있다. That is, the first
도 5e는 제5 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5E is a diagram illustrating a circuit board according to a fifth modified example.
도 5e를 참조하면, 회로 기판은 도 2 대비 절연층의 층수에 차이가 있다.Referring to FIG. 5E , the circuit board has a difference in the number of insulating layers compared to FIG. 2 .
예를 들어, 도 2에서는 코어층(111)을 중심으로 이의 상부 및 하부에 각각 1층의 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)이 배치되었다.For example, in FIG. 2 , a first insulating
이와 다르게, 도 5e에서와 같이 제5 변형 예에 따른 회로 기판은 코어층(111)의 상부 및 하부에 각각 다층의 절연층이 배치될 수 있다. 예를 들어, 절연층은 절연층의 층수를 기준으로 7층 이상의 층수를 가질 수도 있을 것이다.Alternatively, as shown in FIG. 5E , in the circuit board according to the fifth modified example, multi-layered insulating layers may be respectively disposed above and below the
회로 기판은 코어층(111)과 제1 절연층(112) 사이에 배치되는 제1 내측 절연층(114)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내측 절연층(114)은 코어층(111) 위에 배치되는 제1-1 내측 절연층(114a)과, 상기 제1-1 내측 절연층(114a) 위에 배치되는 제1-2 내측 절연층(114b)을 포함할 수 있다. The circuit board may include a first inner insulating
또한, 회로 기판은 코어층(111)와 제2 절연층(113) 사이에 배치되는 제2 내측 절연층(115)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 내측 절연층(115)은 코어층(111) 아래에 배치되는 제2-1 내측 절연층(115a)과, 제2-1 내측 절연층(115a) 아래에 배치되는 제2-2 내측 절연층(115b)을 포함할 수 있다. Also, the circuit board may include a second inner insulating
그리고, 상기 제1 절연층(112)은 회로 기판의 제1 최외측에 배치되는 절연층이고, 제2 절연층(113)은 회로 기판의 제2 최외측에 배치되는 절연층이다. In addition, the first insulating
또한, 실시 예는 코어층(111), 제1 내측 절연층(114) 및 제2 내측 절연층(115)에 배치되는 회로 패턴 및 비아를 포함할 수 있다. In addition, the embodiment may include circuit patterns and vias disposed on the
실시 예에 따른 회로 기판은 칩이 실장되는 영역에 배치된 실장 패드를 포함한다. 이때, 비교 예에서의 실장 패드는 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)보다 큰 폭을 가지며, 이에 따른 상기 실장 패드는 110㎛보다 큰 피치를 가지게 된다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서의 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 사이즈에 영향을 받지 않으며, 이에 따른 비교 예 대비 상기 실장 패드의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있음에 따라, 제한된 공간 내에 더 많은 칩을 실장시킬 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 부피, 나아가 패키지 기판의 부피를 감소시킬 수 있다.A circuit board according to an embodiment includes a mounting pad disposed in an area on which a chip is mounted. In this case, the mounting pad in the comparative example has a larger width than a solder resist open region (SOR) disposed on the outermost side of the circuit board, and thus the mounting pad has a pitch larger than 110 μm. do. On the contrary, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist disposed on the outermost side of the circuit board is removed. Accordingly, the width of the mounting pad in the embodiment is not affected by the size of the solder resist open region (SOR), and thus the width of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example. Accordingly, in the embodiment, since the pitch of the mounting pad can be reduced compared to the comparative example, more chips can be mounted in a limited space, and thus the volume of the circuit board and further the volume of the package board can be reduced.
또한, 실시 예에서는 상기와 같이 피치가 감소함에 따라, 상기 회로 기판에 실장되는 칩의 단자 사이를 연결하는 전송 라인의 길이를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신호 전송 손실을 최소화하여 통신 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, as the pitch decreases as described above, the length of the transmission line connecting between the terminals of the chip mounted on the circuit board can be reduced, and thus the communication performance can be improved by minimizing the signal transmission loss. have.
-제2 실시 예--Second embodiment-
도 6은 제2 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6의 최외측의 확대도이다.6 is a view showing a circuit board according to the second embodiment, and FIG. 7 is an enlarged view of the outermost side of FIG. 6 .
도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 실시 예에 따른 회로 기판은 ETS 구조를 가질 수 있다. 즉, 도 2에서의 제1 실시 예에 따른 회로 기판은 SAP 구조를 가졌다. 이와 다르게, 도 6 및 도 7에서의 제2 실시 예에 따른 회로 기판은 ETS 구조를 가질 수 있다.6 and 7 , the circuit board according to the second embodiment may have an ETS structure. That is, the circuit board according to the first embodiment in FIG. 2 has an SAP structure. Alternatively, the circuit board according to the second embodiment of FIGS. 6 and 7 may have an ETS structure.
도 6를 참조하면, 회로 기판(200)은 적어도 1개의 칩이 실장될 수 있도록 하는 실장 공간을 제공한다. Referring to FIG. 6 , the
회로 기판(200)은 절연층(210), 제1 회로 패턴(240), 제2 회로 패턴(220), 제3 회로 패턴(225), 제4 회로 패턴(260), 제1 비아(250), 제2 비아(230), 제3 비아(270), 제1 표면 처리층(290), 제2 표면 처리층(295) 및 보호층(285)을 포함한다. 이때, 상기 제2 실시 예의 구성 중 제1 실시 예와 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 이에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다.The
제2 실시 예의 회로 기판(200)은 절연층(210)을 포함한다. 상기 절연층(210)은 적어도 1층 이상의 구조를 가진다. 이때, 도 6에서는 상기 회로 기판(200)이 절연층(210)의 층수를 기준으로 3층 구조를 가지는 것으로 도시하였으나 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 회로 기판(200)은 절연층(210)의 층수를 기준으로 1층 또는 2층의 구조를 가질 수 있고, 이와 다르게 4층 이상의 구조를 가질 수 있을 것이다. 다만, 이하에서는 상기 회로 기판(200)이 절연층(210)의 층수를 기준으로 1층 구조를 가지는 것으로 하여 설명하기로 한다.The
상기 절연층(210)은 프리프레그(PPG, prepreg)를 포함할 수 있다. 상기 프리프레그는 유리 섬유 실(glass yarn)으로 직조된 글라스 패브릭(glass fabric)과 같은 직물 시트(fabric sheet) 형태의 섬유층에 에폭시 수지 등을 함침한 후 열 압착을 진행함으로써 형성될 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 절연층(210)을 구성하는 프리프레그는 탄소 섬유 실로 직조된 직물 시트 형태의 섬유층을 포함할 수 있을 것이다.The insulating
상기 절연층(210)은 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)을 포함할 수 있다. The insulating
내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)은 각각 10㎛ 내지 60㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213) 각각은 15㎛ 내지 55㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213) 각각은 20㎛ 내지 50㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)의 각각의 두께는 이의 표면에 각각 배치되는 회로 패턴들 사이의 거리를 의미할 수 있다. Each of the inner insulating
예를 들어, 제1 절연층(212)의 두께는 제1 회로 패턴(240)의 하면과 제2 회로 패턴(220)의 상면 사이의 거리를 의미할 수 있다. 내측 절연층(211)의 두께는 제2 회로 패턴(220)의 하면과 제3 회로 패턴(225)의 상면 사이의 거리를 의미할 수 있다. 제2 절연층(213)의 두께는 제3 회로 패턴(225)의 하면과 제4 회로 패턴(260)의 상면 사이의 두께를 의미할 수 있다.For example, the thickness of the first insulating
내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)의 표면에는 각각 회로 패턴이 배치된다.Circuit patterns are respectively disposed on the surfaces of the inner insulating
예를 들어, 제1 절연층(212)의 제1면 또는 상면에는 제1 회로 패턴(240)이 배치된다. 또한, 상기 제1 절연층(212)의 제2면 또는 하면에는 제2 회로 패턴(220)이 배치된다. 또한, 내측 절연층(211)의 제2면 또는 하면에는 제3 회로 패턴(225)이 배치된다. 또한, 제2 절연층(213)의 제2면 또는 하면에는 제4 회로 패턴(260)이 배치된다. 상기 제2 실시 예의 회로 기판(200)은 ETS(Embedded Trace Substrate) 공법을 이용하여 제조될 수 있다. 이에 따라, 상기 회로 기판(200)에 포함된 회로 패턴들 중 적어도 하나는 ETS 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(200)에 포함된 회로 패턴들 중 제1 최외측에 배치된 제1 회로 패턴(240)은 ETS를 구조를 가지며, 이에 따라 제1 절연층(212)의 제1면 또는 상면에 매립된 구조를 가질 수 있다.For example, the
실시 예의 제1 회로 패턴(240)은 트레이스(241) 및 패드(242)를 포함할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드2142)는 상기 회로 기판(200)에서, 칩이 실장될 칩 실장 영역(미도시)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 칩 실장 패드를 의미할 수 있다. The
상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 상기 제1 절연층(212)을 관통하는 제1 비아(250)의 제1면 또는 상면 위에 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 상기 제1 비아(250)의 제1면 위에 배치되고, 상기 트레이스(241)와 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 제1 회로 패턴(240)은 5㎛ 내지 20㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)은 6㎛ 내지 17㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(240)은 7㎛ 내지 13㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(240)의 두께가 5㎛ 미만인 경우에는 상기 제1 회로 패턴(240)의 저항이 증가할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴(240)의 두께가 20㎛를 초과하는 경우에는 상기 제1 회로 패턴(240)을 구성하는 트레이스(241)의 선폭이 증가하고, 이에 따른 회로 기판(200)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. The
상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)는 특정 선폭(W5')과 특정 간격(W6')을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)의 선폭(W5')은 6㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)의 선폭(W5')은 7㎛ 내지 15㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)의 선폭(W5')은 8㎛ 내지 12㎛의 범위를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스들의 간격(W6')은 6㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스들의 간격(W6')은 7㎛ 내지 15㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스들의 간격(W6')은 8㎛ 내지 12㎛의 범위를 가질 수 있다. The
실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241)는 실장 패드로 이용되는, 제1 회로 패턴(240)의 복수의 패드(242) 사이에 적어도 1개가 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 폭 방향으로 상호 이격되는 제1 패드(242-1) 및 제2 패드(242-2)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 절연층(212)의 상면에서, 상기 제1 회로 패턴(240)의 상기 제1 패드(242-1) 및 제2 패드(242-2) 사이에는 상기 제1 회로 패턴(240)의 적어도 1개의 트레이스(241)가 배치될 수 있다. 상기 패드들 사이에 배치된 트레이스(241)는 상기 제1 패드(242-1) 및 제2 패드(242-2) 중 적어도 어느 하나와 직접 연결되거나, 이를 제외한 제1 절연층(212)의 다른 패드와 직접 연결될 수 있다.In an embodiment, at least one
한편, 일반적으로 비아의 폭 및 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈에 의해 실장 패드의 폭이 결정되고, 상기 실장 패드의 폭에 의해 복수의 실장 패드들 사이의 피치가 결정된다. 또한, 상기 실장 패드들 사이에는 적어도 1개의 트레이스가 배치되어야 하며, 이에 따라 상기 실장 패드의 폭 및 상기 트레이스의 폭에 의해 비교 예에서는 상기 실장 패드의 피치가 110㎛를 초과하였다. 이와 다르게, 실시 예에서는 솔더 레지스트를 제거하도록 하고, 이에 따라 상기 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않고 형성될 수 있도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 실장 패드의 폭을 비교 예 대비 감소할 수 있다. 그리고, 실시 예에서는 상기 실장 패드의 폭이 감소하는 것만큼 상기 비아들 사이의 간격을 줄일 수 있다. 즉, 실시 예에서의 상기 실장 패드의 피치는 상기 비아의 폭 및 이들 사이의 간격만을 고려하면 되며, 이에 따라 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있다.Meanwhile, in general, the width of the mounting pad is determined by the width of the via and the size of the open area of the solder resist, and the pitch between the plurality of mounting pads is determined by the width of the mounting pad. In addition, at least one trace should be disposed between the mounting pads. Accordingly, in the comparative example, the pitch of the mounting pads exceeds 110 μm due to the width of the mounting pad and the width of the trace. Alternatively, in the embodiment, the solder resist is removed, and accordingly, the width of the mounting pad can be formed without considering the size of the open area of the solder resist. Accordingly, in the embodiment, the width of the mounting pad may be reduced compared to that of the comparative example. Also, in an embodiment, the spacing between the vias may be reduced as much as the width of the mounting pad is reduced. That is, the pitch of the mounting pad in the embodiment only needs to consider the width of the via and the distance therebetween, and accordingly, the pitch of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example.
구체적으로, 제1 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 상기 제1 비아(250)의 제1면 또는 상면의 폭(W1')보다 클 수 있다. Specifically, in the first embodiment, the width W3 ′ of the
예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 22㎛ 내지 42㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 25㎛ 내지 40㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 27㎛ 내지 37㎛일 수 있다. 즉 비교 예에서는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈에 대응하게, 70㎛ 이상으로 형성되었다. 이와 다르게, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않고 형성됨에 따라, 상기 제1 비아(250)의 제1면의 폭(W1')과 유사한 폭(W3')을 가질 수 있을 것이다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 상기 패드(242)의 폭은 상기 제1 비아의 제1면의 폭의 101% 내지 130%의 범위를 만족할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 상기 패드(242)의 폭은 상기 제1 비아의 제1면의 폭의 102% 내지 125%의 범위를 만족할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 상기 패드(242)의 폭은 상기 제1 비아의 제1면의 폭의 105% 내지 120%의 범위를 만족할 수 있다.For example, the width W3 ′ of the
상기와 같이, 실시 예에서의 회로 기판은 회로 기판의 제1 최외측에 배치되는 보호층인 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 패드(242)의 폭(W3')을 결정하는데 있어, 상기 솔더 레지스의 오픈 영역(SOR)의 사이즈를 고려하지 않아도 된다. 따라서, 실시 예에서는 비교 예 대비 패드(242)의 폭(W3')을 줄일 수 있으며, 나아가 이웃하는 패드들 사이의 피치를 100㎛ 이하로 줄일 수 있다.As described above, in the circuit board in the embodiment, the solder resist, which is a protective layer disposed on the first outermost side of the circuit board, is removed. Accordingly, in the embodiment, when determining the width W3 ′ of the
또한, 실시 예에서, 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭(W3')은 제2 회로 패턴(220)의 패드의 폭(W4')보다 작을 수 있다. Also, in an embodiment, the width W3 ′ of the
제2 회로 패턴(220)은 제1 절연층(212)의 제2면 또는 하면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(220)은 상기 제1 절연층(212)의 표면에서, 상기 제1 회로 패턴(240)이 배치되는 면의 반대면에 배치될 수 있다. The
상기 제2 회로 패턴(220)은 제1 비아(250)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 회로 패턴(220)은 패드(221, 222) 및 트레이스를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)는 상기 제1 비아(250)와 연결될 수 있다. The
상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)는 제1 비아(250)의 제2면 또는 하면과 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 제1면 또는 상면은 제1 비아(250)의 제2면 또는 하면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제2 회로 패턴(220)의 트레이스는 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 사이에 배치되지 않을 수 있다. The
상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 20㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 10㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 7㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 제 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 2㎛ 이상일 수 있다.The gap W7 ′ between the
구체적으로, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 2㎛ 내지 30㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 2.5㎛ 내지 20㎛의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 2.5㎛ 내지 7㎛의 범위를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격(W7')은 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241) 또는 제2 회로 패턴(220)의 트레이스의 선폭 또는 간격보다 작을 수 있다. Specifically, the interval W7 ′ between the
상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 폭(W4')은 30㎛ 내지 75㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 폭(W4')은 32㎛ 내지 70㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222)의 폭(W4')은 35㎛ 내지 65㎛일 수 있다.The width W4' of the
실시 예에서, 내측 절연층(211), 제1 절연층(212) 및 제2 절연층(213)에는 각각 비아가 형성될 수 있다.In an embodiment, vias may be formed in each of the inner insulating
예를 들어, 제1 절연층(212)에는 제1 비아(250)가 형성될 수 있다. 또한, 내측 절연층(211)에는 제2 비아(230)가 형성될 수 있다. 또한, 제2 절연층(213)에는 제3 비아(270)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 비아(250), 제2 비아(230) 및 제3 비아(270)는 동일 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 비아(250), 제2 비아(230) 및 제3 비아(270)는 각각 제1면의 폭이 제2 면의 폭보다 작은 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(250), 제2 비아(230) 및 제3 비아(270) 각각은 상면의 폭이 하면의 폭보다 작을 수 있다. For example, a first via 250 may be formed in the first insulating
상기 제1 비아(250)의 제1면 또는 상면은 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 하면과 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제1 비아(250)의 제2면 또는 하면은 상기 제2 회로 패턴(220)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아(250)의 제2면 또는 하면은 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 122)와 접촉할 수 있다. A first surface or an upper surface of the first via 250 may contact a lower surface of the
상기 제1 비아(250)는 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)를 포함할 수 있다.The first via 250 may include a 1-1 via 251 and a 1-2 via 252 .
상기 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제1면의 폭(W1')은 20㎛ 내지 40㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제1면의 폭(W1')은 22㎛ 내지 37㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제1면의 폭(W1')은 25㎛ 내지 35㎛일 수 있다.A width W1 ′ of the first surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 20 μm to 40 μm. For example, the width W1 ′ of the first surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 22 μm to 37 μm. For example, the width W1 ′ of the first surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 25 μm to 35 μm.
그리고, 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제2면의 폭(W2')은 25㎛ 내지 55㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제2면의 폭(W2')은 27㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 제1-1 비아(251) 및 제1-2 비아(252)의 제2면의 폭(W2')은 30㎛ 내지 47㎛일 수 있다. In addition, the width W2 ′ of the second surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 25 μm to 55 μm. For example, the width W2 ′ of the second surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 27 μm to 50 μm. For example, the width W2 ′ of the second surface of the 1-1 via 251 and the 1-2 via 252 may be 30 μm to 47 μm.
상기와 같이 제2 실시 예에서는 제1 실시 예 대비 회로 기판(200)이 ETS 구조를 가지는 것에 차이가 있으며, 이에 따라 최외측에 배치된 회로 패턴의 패드 및 트레이스가 최외측의 절연층의 제1면 또는 상면에 매립된 구조를 가지는 것에 차이가 있다. As described above, in the second embodiment, there is a difference in that the
제2 실시 예에서는 솔더 레지스트의 제거에 의해, 비교 예 대비 제1 회로 패턴(240)의 패드의 폭을 줄일 수 있고, 이에 의해, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이더라도(나아가, 2㎛까지 줄이더라도), 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242) 사이의 공간에 적어도 1개의 트레이스(241)를 배치할 공간이 충분히 나오게 된다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 제2 회로 패턴(220)의 패드(221, 222) 사이의 간격을 30㎛ 이하로 줄이고, 이에 따라 제1 비아(250)들의 중심 사이의 간격 또는 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 중심 사이의 간격인 피치를 100㎛ 이하, 나아가 90㎛ 이하, 더 나아가, 80㎛이하까지 낮출 수 있다.In the second embodiment, the width of the pad of the
나아가, 제2 실시 예에서는 실장 패드로 사용되는 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)가 제1 비아(250)의 제1면 상에 배치된다. 이때, 상기 제1 비아(250)는 제1면의 폭이 제2 면의 폭보다 좁다. 이에 따라, 실시 예에서는 제1 실시 예 대비, 제1 회로 패턴(240)의 패드(242) 사이의 공간을 더욱 넓게 확보할 수 있으며, 이에 따라 해당 공간에 더 많은 트레이스를 배치할 수 있다.Furthermore, in the second embodiment, the
이하에서는, 도 6에 도시된 제2 실시 예에 따른 회로 기판의 변형 예에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a modified example of the circuit board according to the second embodiment shown in FIG. 6 will be described.
-변형 예--Variation example-
도 8a는 제1 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.8A is a diagram illustrating a circuit board according to a first modified example.
도 8a의 제1 변형 예의 회로 기판(200a)은 도 6의 회로 기판 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 폭에 차이가 있다. The
예를 들어, 도 6의 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 제1 비아(250)의 제1 면의 폭보다 큰 폭을 가졌다.For example, the
이에 반하여, 제1 변형 예와 같이, 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1a, 242-2a)는 제1 비아(251, 252)의 제1면의 폭(W1'a)과 동일한 폭을 가질 수 있다. 따라서, 제1 변형 예에 의하면, 제2 실시 예의 회로 기판 대비, 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1a, 242-2a) 사이의 공간을 더욱 넓게 확보할 수 있다.On the other hand, as in the first modified example, the pads 242-1a and 242-2a of the
도 8b는 제2 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.8B is a diagram illustrating a circuit board according to a second modified example.
도 8b의 제2 변형 예의 회로 기판(200b)은 도 6의 회로 기판 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 폭에 차이가 있다. The
예를 들어, 도 6의 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)는 제1 비아(250)의 제1 면의 폭보다 큰 폭을 가졌다.For example, the
이에 반하여, 제1 변형 예와 같이, 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)는 제1 비아(251b, 252b)의 제1면의 폭(W1'b)보다 작은 폭(W3'b)을 가질 수 있다.On the contrary, as in the first modified example, the pads 242-1b and 242-2b of the
이에 따라, 제2 변형 예에 따르면, 제1 비아(251b, 252b)의 제1면은 상기 제1 절연층(212)의 제1면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다.Accordingly, according to the second modification, the first surface of the
나아가, 상기 제1 비아(251b, 252b)는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)의 주위를 둘러싸며 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241b)는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)와 직접 연결되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 패턴(240)의 트레이스(241b)는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)와 직접 연결되지 않고, 상기 제1 비아(251b, 252b)의 측면과 직접 연결될 수 있다. Furthermore, the
이에 따라, 제2 변형 예에서의 실장 패드는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242-1b, 242-2b)로 형성되는 제1 부분과, 상기 제1 비아(251b, 252b)로 형성되는 제2 부분을 포함할 수 있다.Accordingly, the mounting pad in the second modified example is formed of the first portion formed of the pads 242-1b and 242-2b of the
도 8c는 제3 변형 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.8C is a diagram illustrating a circuit board according to a third modified example.
도 8c의 제3 변형 예의 회로 기판(200c)은 도 6의 회로 기판 대비, 제1 회로 패턴의 패드의 구성에 있어 차이가 있다.The
제3 변형 예에 따른 회로 기판은 (200c)은 제1 비아(251c, 252c)의 제1면에 배치되는 제1 회로 패턴의 패드를 제거할 수 있다. In the
즉, 제3 변형 예에 따르면, 제1 회로 패턴은 트레이스(241b)를 포함할 수 있다. 상기 트레이스(241b)는 실장 패드로 사용되는 제1 비아(251c, 252c)의 측면과 직접 연결될 수 있다.That is, according to the third modified example, the first circuit pattern may include the
상기 제1 비아는 폭 방향으로 이격되는 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)를 포함한다. 이때, 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c) 각각은 제1 절연층(212)의 두께보다 큰 두께를 가진다. 예를 들어, 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c) 각각은 제1 절연층(212)의 두께에 제1 회로 패턴의 트레이스(241b)의 두께를 합한 두께를 가질 수 있다. 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)의 제1면 또는 상면은 제1 회로 패턴의 제1면 또는 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)는 측면을 통해 제1 회로 패턴과 직접 연결될 수 있다. 즉, 상기 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)의 측면은 제1 회로 패턴의 측면과 연결될 수 있다. The first via includes a 1-1 via 251c and a second via 252c that are spaced apart from each other in the width direction. In this case, each of the 1-1 via 251c and the second via 252c has a thickness greater than that of the first insulating
상기와 같이, 제3 변형 예에 따르면, 제1-1 비아(251c) 및 제2 비아(252c)의 제1면을 실장패드로 활용하고, 이에 따라 실장 패드의 폭을 더욱 줄일 수 있다.As described above, according to the third modification, the first surfaces of the 1-1 via 251c and the second via 252c are used as the mounting pad, and thus the width of the mounting pad can be further reduced.
실시 예에 따른 회로 기판은 칩이 실장되는 영역에 배치된 실장 패드를 포함한다. 이때, 비교 예에서의 실장 패드는 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)보다 큰 폭을 가지며, 이에 따른 상기 실장 패드는 110㎛보다 큰 피치를 가지게 된다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서의 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 사이즈에 영향을 받지 않으며, 이에 따른 비교 예 대비 상기 실장 패드의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있음에 따라, 제한된 공간 내에 더 많은 칩을 실장시킬 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 부피, 나아가 패키지 기판의 부피를 감소시킬 수 있다.A circuit board according to an embodiment includes a mounting pad disposed in an area on which a chip is mounted. In this case, the mounting pad in the comparative example has a larger width than a solder resist open region (SOR) disposed on the outermost side of the circuit board, and thus the mounting pad has a pitch larger than 110 μm. do. On the contrary, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist disposed on the outermost side of the circuit board is removed. Accordingly, the width of the mounting pad in the embodiment is not affected by the size of the solder resist open region (SOR), and thus the width of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example. Accordingly, in the embodiment, since the pitch of the mounting pad can be reduced compared to the comparative example, more chips can be mounted in a limited space, and thus the volume of the circuit board and further the volume of the package board can be reduced.
또한, 실시 예에서는 상기와 같이 피치가 감소함에 따라, 상기 회로 기판에 실장되는 칩의 단자 사이를 연결하는 전송 라인의 길이를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신호 전송 손실을 최소화하여 통신 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, as the pitch decreases as described above, the length of the transmission line connecting between the terminals of the chip mounted on the circuit board can be reduced, and thus the communication performance can be improved by minimizing the signal transmission loss. have.
-제1 실시 예의 제조 방법--Manufacturing method of the first embodiment-
도 9a 내지 도 9f는 도 2에 도시된 회로 기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.9A to 9F are views for explaining the manufacturing method of the circuit board shown in FIG. 2 in order of process.
도 9a를 참조하면, 실시 예에서는 회로 기판을 제조하기 위한 기초 자재를 준비할 수 있다. 예를 들어, 실시 예의 회로 기판은 코어 기판일 수 있다. 이를 위해, 실시 예에서는 중앙의 코어층을 위한 기초 자재를 준비할 수 있다. 일 예로, CCL(Copper Clad Laminate)을 준비할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.Referring to FIG. 9A , in the embodiment, a basic material for manufacturing a circuit board may be prepared. For example, the circuit board of the embodiment may be a core board. To this end, in the embodiment, a base material for the central core layer may be prepared. As an example, CCL (Copper Clad Laminate) may be prepared, but is not limited thereto.
실시 예에서는, 코어층(111)이 준비되면, 상기 코어층(111)을 가공하여 비아 홀(VH)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 비아 홀(VH)은 상기 코어층(111)을 레이저 가공하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 코어층(111)은 일정 두께 이상을 가지며, 한번의 레이저 가공을 통해 이를 완전히 관통하는 비아 홀을 용이하게 형성하기 어려울 수 있다. 이에 따라, 실시 에에서는 상기 코어층(111)의 제1면 및 제2면에 대해서 각각 비아 홀(VH)을 가공하는 공정을 진행할 수 있다. 그리고, 상기와 같이 코어층(111)의 양면에서 비아 홀 가공 공정이 진행됨에 따라, 상기 코어층(111)에는 모래시계 형상의 비아 홀(VH)이 형성될 수 있다.In an embodiment, when the
다음으로, 도 9b를 참조하면, 실시 예에서는 코어층(111)의 제1면 및 제2면에 각각 드라이 필름을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Next, referring to FIG. 9B , in the embodiment, a process of forming a dry film on each of the first and second surfaces of the
구체적으로, 실시 예에서는 코어층(111)의 제1면에 제1 드라이 필름(DF1)을 형성하고, 코어층(111)의 제2면에 제2 드라이 필름(DF2)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Specifically, in the embodiment, the process of forming the first dry film DF1 on the first surface of the
이때, 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 제2 드라이 필름(DF2)은 상기 코어층(111)의 제1면 및 제2면의 전체를 덮으며 배치될 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 제2 드라이 필름(DF2)을 각각 노광 및 현상하여 개구부(미도시)를 형성할 수 있다.In this case, the first dry film DF1 and the second dry film DF2 may be disposed to cover the entire first surface and the second surface of the
예를 들어, 실시 예에서는 제1 드라이 필름(DF1)에 상기 비아 홀(VH) 및 제2 회로 패턴(120)이 형성될 영역을 노출하는 개구부(미도시)를 형성할 수 있다.For example, in the embodiment, an opening (not shown) exposing a region in which the via hole VH and the
예를 들어, 실시 예에서는 제2 드라이 필름(DF2)에 상기 비아 홀(VH) 및 상기 제3 회로 패턴(125)이 형성될 영역을 노출하는 개구부(미도시)를 형성할 수 있다.For example, in an embodiment, an opening (not shown) exposing a region in which the via hole VH and the
다음으로, 도 9c에 도시된 바와 같이, 실시 예에서는 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 제2 드라이 필름(DF2)의 개구부를 채우는 도금 공정을 진행할 수 있다. 이를 위해, 실시 예에서는 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 상기 제2 드라이 필름(DF2)이 형성되기 전에, 상기 코어층(111)의 제1면 및 제2면에 각각 시드층(미도시)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 형성된 시드층을 이용하여 전해 도금을 진행하여, 상기 비아 홀(VH), 상기 제1 드라이 필름(DF1)의 개구부 및 상기 제2 드라이 필름(DF2)의 개구부를 채우는 도금 공정을 진행할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 상기 전해 도금 공정이 완료되면, 상기 제1 드라이 필름(DF1) 및 제2 드라이 필름(DF2)을 제거하는 공정을 진행할 수 있다.Next, as shown in FIG. 9C , in the embodiment, a plating process for filling the openings of the first dry film DF1 and the second dry film DF2 may be performed. To this end, in the embodiment, before the first dry film DF1 and the second dry film DF2 are formed, a seed layer (not shown) on the first and second surfaces of the
다음으로, 도 9d에 도시된 바와 같이, 실시 예에서는 상기 코어층(111)의 제1면 및 제2면에 각각 제1 절연층(112) 및 제2 절연층(113)을 적층하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 제1 절연층(112) 및 상기 제2 절연층(113)은 각각 프리프레그를 포함할 수 있다. Next, as shown in FIG. 9D , in the embodiment, a process of laminating the first insulating
다음으로, 도 9e에 도시된 바와 같이, 실시 예에서는 상기 제1 절연층(112)에 제1 비아(150) 및 제1 회로 패턴(140)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 이때, 상기 설명한 바와 같이, 상기 제1 회로 패턴(140)은 트레이스(141) 및 패드(142)를 포함한다. 그리고, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)는 상기 제1 절연층(112)을 관통하는 제1 비아(150)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다. 다만, 실시 예에서는 솔더 레지스트의 오픈 영역의 사이즈를 고려하지 않으면서 상기 패드(142)의 폭을 결정할 수 있다. 이에 따라 실시 예에서는 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭과 실질적으로 유사 또는 동일한 폭으로 상기 패드(142)를 형성할 수 있을 것이다. 다만, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 회로 패턴의 패드(142)의 폭은 상기 제1 비아(150)의 제1면의 폭과 동일한 폭을 가지도록 할 수 있고, 이와 다르게 제1 비아(150)의 제1면의 폭보다 작은 폭을 가지도록 할 수 있다. Next, as shown in FIG. 9E , in the embodiment, a process of forming the first via 150 and the
또한, 실시 예에서는 상기 제2 절연층(113)에 제2 비아(170) 및 제4 회로 패턴(160)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 제4 회로 패턴(160)은 패드 및 트레이스를 포함하며, 이때, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드는 상기 제2 비아(170)보다 큰 폭을 가질 수 있다. Also, in an embodiment, a process of forming the second via 170 and the
다음으로, 도 9f에 도시된 바와 같이, 실시 예에서는 상기 제2 절연층(113)의 제2면 또는 하면에 보호층(185)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 보호층(185)은 상기 제2 절연층(113)의 제2면에 배치된 제4 회로 패턴(160)의 패드를 노출하는 개구부(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 보호층(185)의 개구부는 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭보다 작은 폭을 가질 수 있다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 보호층(185)의 개구부는 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드의 폭보다 크게 또는 같게 형성될 수도 있을 것이다. 상기 보호층(185)은 제2절연층(113)의 하면에만 형성되며, 상기 제1 절연층(112)의 상면에는 형성되지 않는다. Next, as shown in FIG. 9F , in the embodiment, a process of forming the
다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 제2 절연층(113)의 하면에 배치되는 보호층(185)도 제거할 수 있을 것이다. 이에 의하면, 실시 예의 회로 기판은 최외측의 표면이 제1 절연층(112)의 상면 및 제2 절연층(113)의 하면으로 구성될 수 있다. 즉, 다른 실시 예에서는 회로 기판의 제1 및 제2 최외측에 솔더 레지스트가 배치되지 않을 수 있다. However, the embodiment is not limited thereto, and the
다음으로, 실시 예에서는 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)에 제1 표면 처리층(190)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 상기 보호층(185)의 개구부를 통해 노출된 제4 회로 패턴(160)의 패드에 제2 표면 처리층(195)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Next, in the embodiment, a process of forming the first
- 제2 실시 예의 제조 방법 -- Manufacturing method of the second embodiment -
도 10a 내지 도 10h는 도 6에 도시된 회로 기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.10A to 10H are views for explaining the manufacturing method of the circuit board shown in FIG. 6 in order of process.
도 10a를 참조하면, 실시 예에서는 ETS 공법으로 회로 기판을 제조하기 위한 기초 자재를 준비할 수 있다.Referring to FIG. 10A , in the embodiment, a basic material for manufacturing a circuit board may be prepared by the ETS method.
예를 들어, 실시 예에서는 캐리어 절연층(CB1) 및 상기 캐리어 절연층(CB1)의 적어도 일면에 금속층(CB2)이 배치된 캐리어 보드(CB)를 준비할 수 있다. 이때, 상기 금속층(CB2)은 상기 캐리어 절연층(CB1)의 제1면 및 제2면 중 어느 하나의 면에만 배치될 수 있고, 이와 다르게 양면에 모두 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(CB2)은 캐리어 절연층(CB1)의 일면에만 배치되고, 그에 따라 상기 일면에서만 회로 기판의 제조를 위한 ETS 공정을 진행할 수 있다. 이와 다르게, 상기 금속층(CB2)은 상기 캐리어 절연층(CB1)의 양면에 모두 배치될 수 있고, 그에 따라 상기 캐리어 보드(CB)의 양면에서 회로 기판의 제조를 위한 ETS 공정을 동시에 진행할 수 있다. 이와 같은 경우, 한번에 2개의 회로 기판을 제조할 수 있다. For example, in the embodiment, the carrier board CB in which the carrier insulating layer CB1 and the metal layer CB2 are disposed on at least one surface of the carrier insulating layer CB1 may be prepared. In this case, the metal layer CB2 may be disposed on only one of the first and second surfaces of the carrier insulating layer CB1 , or alternatively, it may be disposed on both surfaces of the carrier insulating layer CB1 . For example, the metal layer CB2 is disposed on only one surface of the carrier insulating layer CB1 , and accordingly, the ETS process for manufacturing the circuit board may be performed only on the one surface. Alternatively, the metal layer CB2 may be disposed on both surfaces of the carrier insulating layer CB1, and accordingly, the ETS process for manufacturing the circuit board may be simultaneously performed on both surfaces of the carrier board CB. In this case, two circuit boards can be manufactured at once.
상기 금속층(CB2)은 상기 캐리어 절연층(CB1)에 무전해 도금을 하여 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 캐리어 절연층(CB1) 및 금속층(CB2)은 CCL(Copper Clad Laminate)일 수 있다.The metal layer CB2 may be formed by electroless plating on the carrier insulating layer CB1 . Alternatively, the carrier insulating layer CB1 and the metal layer CB2 may be copper clad laminate (CCL).
다음으로, 실시 예에서는 상기 금속층(CB2) 상에 드라이 필름(DF3)을 형성한다. 이때, 상기 드라이 필름(DF3)은 상기 금속층(CB2)의 전체를 덮으며 배치될 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 드라이 필름(DF3)을 노광 및 현상하여 개구부(미도시)를 형성할 수 있다. 이때, 상기 드라이 필름(DF3)의 개구부는 제1 회로 패턴(240)이 형성될 영역을 노출할 수 있다.Next, in the embodiment, a dry film DF3 is formed on the metal layer CB2 . In this case, the dry film DF3 may be disposed to cover the entirety of the metal layer CB2 . Thereafter, in an embodiment, the dry film DF3 may be exposed and developed to form an opening (not shown). In this case, the opening of the dry film DF3 may expose a region where the
이때, 도 10a에서와 같이, 상기 제1 회로 패턴(240)은 트레이스(241) 및 패드(242)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 패드(242)의 폭은 이후 공정에서 형성된 제1 비아(250)의 폭보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 드라이 필름(DF3)의 개구부에서, 상기 패드(242)에 대응하는 영역은 상기 제1 비아(250)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다.In this case, as shown in FIG. 10A , the
이후, 실시 예에서는 상기 금속층(CB2)을 시드층으로 전해 도금을 진행하여, 상기 드라이 필름(DF3)의 개구부를 채우는 제1 회로 패턴(240)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Thereafter, in the embodiment, the process of forming the
다음으로, 도 10b를 참조하면, 실시 예에서는 상기 금속층(CB2) 상에 제1 절연층(212)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. 상기 제1 절연층(212)은 상기 설명한 바와 같이 프리프레그를 포함할 수 있다. Next, referring to FIG. 10B , in the embodiment, a process of forming the first insulating
다음으로, 실시 예에서는 상기 제1 절연층(212) 상에 레이저 마스크(미도시)를 형성하고, 상기 레이저 마스크(미도시)를 이용하여 비아 홀(VH)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 레이저 마스크(미도시)는 비아 홀(VH)이 형성될 영역을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 레이저 마스크의 개구부 내에 레이저 빔을 조사하여, 상기 제1 절연층(212)을 관통하는 비아 홀(VH)을 형성할 수 있다.Next, in the embodiment, a laser mask (not shown) may be formed on the first insulating
이때, 상기와 같이, 금속층(CB2) 상에 형성된 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 폭은 상기 비아 홀(VH)의 폭보다 크며, 이에 따라, 상기 비아 홀(VH)을 통해 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242)의 상면의 일부가 노출될 수 있다.At this time, as described above, the width of the
이와 다르게, 도 10c참조하면, 상기 제1 회로 패턴의 패드(242a)는 상기 비아 홀(VHa)의 폭과 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 비아 홀(VHa)이 형성됨에 따라, 상기 패드(242a)의 표면의 전체가 상기 비아 홀(VHa)을 통해 노출될 수 있다. 이는, 도 8a에 도시된 회로 기판을 제조하기 위한 방법일 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 10C , the
이와 다르게, 도 10d를 참조하면, 제1 회로 패턴의 패드(242b)는 상기 비아 홀(VHb)의 폭보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 비아 홀(VHb)은 상기 패드(242b)의 주위를 둘러싸며 형성될 수 있다. 이에 의해, 상기 비아 홀(VHb)은 상기 금속층(CB2)의 표면의 일부를 노출할 수 있다. 이는, 도 8b에 도시된 회로 기판을 제조하기 위한 방법일 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 10D , the
이와 다르게, 도 10e를 참조하면, 상기 제1 회로 패턴은 트레이스(241c)만을 포함할 수 있다. 즉, 상기 제1 회로 패턴은 비아 홀(VHc)이 형성될 영역에 배치된 패드를 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 비아 홀(VHc)은 상기 금속층(CB2)을 스토퍼로 하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 비아 홀(VHc)이 형성됨에 따라, 상기 비아 홀(VHc)을 통해 상기 금속층(CB2)이 노출될 수 있다. 이는 도 8c에 도시된 회로 기판을 제조하기 위한 방법일 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 10E , the first circuit pattern may include only the
다음으로, 도 10f에서와 같이, 도 10b, 도 10c, 도 10d 및 도 10e 중 어느 하나의 회로 기판을 이용하여 다음 공정을 진행할 수 있다. Next, as in FIG. 10F , the following process may be performed using any one of the circuit boards of FIGS. 10B, 10C, 10D, and 10E.
예를 들어, 실시 예에서는 상기 비아 홀(VH)을 채우는 제1 비아(250)을 형성할 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 제1 절연층(212)의 제2면에 상기 제1 비아(250)와 연결되는 제2 회로 패턴(220)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.For example, in an embodiment, the first via 250 filling the via hole VH may be formed. Thereafter, in an embodiment, a process of forming the
다음으로, 실시 예에서는 도 10g에 도시된 바와 같이, 절연층 적층 공정, 비아 홀 형성 공정, 및 비아 및 회로 패턴의 형성 공정을 순차적으로 진행하여 다층 회로 기판을 제조할 수 있다. Next, in the embodiment, as shown in FIG. 10G , a multilayer circuit board may be manufactured by sequentially performing an insulating layer lamination process, a via hole forming process, and a via and circuit pattern forming process.
이후, 실시 예에서는 상기 다층 회로 기판이 제조됨에 따라, 상기 캐리어 절연층(CB1)을 중심으로, 이의 상부 및 하부에서 형성된 2개의 회로 기판을 서로 분리시킬 수 있다.Thereafter, in the embodiment, as the multilayer circuit board is manufactured, the two circuit boards formed on the upper and lower portions of the carrier insulating layer CB1 may be separated from each other.
다음으로, 실시 예에서는 도 10h에 도시된 바와 같이, 상기 금속층(CB2)을 에칭하여 제거하는 공정을 진행할 수 있다. 이후, 실시 예에서는 상기 제1 회로 패턴(240)의 패드(242) 상에 제1 표면 처리층(290)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.Next, in the embodiment, as shown in FIG. 10H , a process of removing the metal layer CB2 by etching may be performed. Thereafter, in the embodiment, a process of forming the first
또한, 실시 예에서는 상기 제2 절연층(213)의 제2면 또는 하면에 보호층(285)을 형성하고, 상기 보호층(285)의 개구부를 통해 노출된 제4 회로 패턴(260)의 제2면 또는 하면에 제2 표면 처리층(295)을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.In addition, in the embodiment, the
- 패키지 기판 -- Package board -
도 11은 제1 실시 예에 따른 패키지 기판을 나타낸 도면이다.11 is a view showing a package substrate according to the first embodiment.
도 11을 참조하면, 패키지 기판은 도 2, 도 5a, 도 5b, 도 5c, 도 5d 및 도 5e 중 어느 하나에 도시된 회로 기판을 포함할 수 있다. 다만, 패키지 기판은 다층 기판을 이용하여 칩을 실장하도록 하며, 이에 따라 도 5e에 도시된 회로 기판을 포함하는 패키지 기판에 대해 설명하기로 한다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 상기 회로 기판은 다른 도면에 포함된 회로 기판을 포함할 수 있을 것이다.Referring to FIG. 11 , the package substrate may include the circuit board shown in any one of FIGS. 2, 5A, 5B, 5C, 5D, and 5E. However, as the package substrate, a chip is mounted using a multilayer substrate, and accordingly, the package substrate including the circuit substrate shown in FIG. 5E will be described. However, the embodiment is not limited thereto, and the circuit board may include a circuit board included in other drawings.
패키지 기판(300)은 회로 기판(100)을 포함한다.The
또한, 패키지 기판(300)은 회로 기판의 실장 패드 상에 배치된 제1 접착부(310)를 포함한다. 바람직하게, 실시 예에서, 회로 기판은 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)에 제1 접착부(310)를 형성할 수 있다. 이때, 상기 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)에는 제1 표면 처리층(190)이 형성될 수 있고, 이에 따라 상기 제1 접착부(310)는 상기 제1 표면 처리층(190) 상에 형성될 수 있을 것이다.In addition, the
상기 제1 접착부(310)는 일 예로 육면체 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 접착부(310)의 단면은 사각형 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 접착부(310)의 단면은 직사각형 또는 정사각형 형상을 포함할 수 있다. 다른 일 예로, 상기 제1 접착부(310)는 구형 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 접착부(310)의 단면은 원형 형상 또는 반원 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 접착부(310)의 단면은 부분적으로 또는 전체적으로 라운드진 형상을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제1 접착부(310)의 단면 형상은 일 측면에서 평면이고, 상기 일 측면과 반대되는 타 측면에서 곡면일 것을 포함할 수 있다. 한편, 상기 제1 접착부(310)는 마이크로 볼일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first adhesive part 310 may have a hexahedral shape, for example. For example, the cross-section of the first adhesive part 310 may include a rectangular shape. For example, a cross-section of the first adhesive part 310 may have a rectangular or square shape. As another example, the first adhesive part 310 may have a spherical shape. For example, the cross-section of the first adhesive part 310 may include a circular shape or a semicircular shape. For example, the cross-section of the first adhesive part 310 may include a partially or entirely rounded shape. For example, the cross-sectional shape of the first adhesive part 310 may include a flat surface on one side and a curved surface on the other side opposite to the one side. Meanwhile, the first adhesive part 310 may be a micro ball, but is not limited thereto.
상기 제1 접착부(310) 상에는 칩(320)이 실장될 수 있다. 상기 제1 접착부(310) 상에는 단자(330)가 연결되는 칩(320)이 실장될 수 있다. A
한편, 상기 제1 접착부(310)의 폭은 상기 회로 기판의 최상측에 배치된 제1 회로 패턴(140)의 패드(142)의 폭보다 작을 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서의 상기 제1 접착부(310)의 폭은 15㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 접착부(310)의 폭은 17㎛ 내지 40㎛일 수 있다. 상기 제1 접착부(310)의 폭은 20㎛ 내지 30㎛일 수 있다. Meanwhile, the width of the first adhesive part 310 may be smaller than the width of the
이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1 접착부(310)의 폭이 상기 제1 회로 패턴의 패드의 폭보다 작도록 하여, 상기 제1 접착부(310)가 상기 제1 회로 패턴의 패드의 피치에 영향을 주지 않도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서, 복수의 제1 접착부 사이의 피치는 상기 제1 회로 패턴의 패드의 피치에 대응할 수 있다.Accordingly, in the embodiment, the width of the first adhesive part 310 is smaller than the width of the pad of the first circuit pattern, so that the first adhesive part 310 affects the pitch of the pad of the first circuit pattern. do not give Accordingly, in an embodiment, a pitch between the plurality of first adhesive portions may correspond to a pitch of the pads of the first circuit pattern.
예를 들어, 상기 칩(320)은 구동 IC 칩(Drive IC chip)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 구동 IC 칩(Drive IC chip) 이외의 소켓 또는 소자를 포함하는 다양한 칩을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 다이오드 칩, 전원 IC 칩, 터치센서 IC 칩, MLCC 칩, BGA 칩, 칩 콘덴서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 전력관리 집적회로(PMIC: Power Management IC)일 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리 칩일 수 있다. 예를 들어, 상기 칩(320)은 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 어플리케이션 프로세서(AP) 칩이나, 아날로그-디지털 컨버터, ASIC(application-specific IC) 등의 로직 칩일 수 있다. 여기에서, 도면 상에는 패키지 기판에 1개의 칩만이 실장되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 회로 기판에는 상호 이격되며 복수의 칩이 실장될 수 있다. 상기 복수의 칩은 센트랄 프로세서(CPU)에 대응하는 제1 AP 칩과, 그래픽 프로세서(GPU)에 대응하는 제2 AP 칩을 포함할 수 있다. For example, the
상기 회로 기판 상에는 몰딩층(330)이 형성될 수 있다. 상기 몰딩층(330)은 상기 실장된 칩(320)을 덮으며 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩층(330)은 상기 실장된 칩(320)을 보호하기 위해 형성되는 EMC(Epoxy Mold Compound)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A
이때, 실시 예에서, 상기 회로 기판의 제1 최외측에는 솔더 레지스트가 배치되지 않는다. 이에 따라, 상기 몰딩층(330)은 회로 기판의 최외측에 배치된 회로 패턴을 덮으며 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩층(330)은 회로 기판의 최외측에 배치된 제1 회로 패턴(140)의 트레이스(141) 및 패드(142)를 덮으며 배치될 수 있다.At this time, in the embodiment, the solder resist is not disposed on the first outermost side of the circuit board. Accordingly, the
한편, 회로 기판이 다층 구조를 가지는 경우, 각각의 절연층에 배치된 회로 패턴의 선폭이나 간격은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 칩과 가장 인접하게 배치된 회로 패턴이 가장 작은 선폭 및 간격을 가질 수 있고, 칩과 가장 멀리 배치된 회로 패턴이 가장 큰 선폭 및 간격을 가질 수 있다.Meanwhile, when the circuit board has a multilayer structure, the line widths or intervals of circuit patterns disposed on each insulating layer may be different from each other. For example, a circuit pattern disposed closest to the chip may have the smallest line width and spacing, and a circuit pattern disposed furthest from the chip may have the largest line width and spacing.
이에 따라, 실시 예에서의 상기 회로 기판의 서로 다른 층에 배치된 각각의 비아 들은 서로 다른 폭을 가질 수 있다.Accordingly, the respective vias disposed on different layers of the circuit board in the embodiment may have different widths.
예를 들어, 칩과 인접하게 배치된 절연층에 배치된 비아는 이상에서 설명한 제1 비아(150)에 대응하는 폭을 가질 수 있다. 그리고, 다른 절연층에 배치된 비아는 상기 제1 비아(150)와 멀어질수록 폭이 점차 증가할 수 있다. 예를 들어, 회로 기판에서 최하측에 배치된 비아가 가장 큰 폭을 가질 수 있다. For example, the via disposed in the insulating layer disposed adjacent to the chip may have a width corresponding to the first via 150 described above. In addition, the width of the via disposed in another insulating layer may gradually increase as the distance from the first via 150 increases. For example, a via disposed on the lowermost side of the circuit board may have the largest width.
한편, 실시 예에서, 회로 기판의 최하측에 배치되고, 보호층(185)의 개구부를 통해 노출된 회로 패턴 상에는 제2 접착부(350)가 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 보호층(185)의 개구부를 통해 노출된 제4 회로 패턴(160)의 패드에는 제2 접착부(350)가 배치될 수 있다. 이때, 상기 제4 회로 패턴(160)의 패드에는 제2 표면 처리층(195)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 접착부(350)는 상기 제4 회로 패턴(160)의 표면 처리층인 제2 표면 처리층(195)에 배치될 수 있다.Meanwhile, in an embodiment, the second
상기 제2 접착부(350)는 솔더 볼일 수 있다. 상기 제2 접착부(350)는 외부기판의 메인 보드와 연결될 수 있다. The second
도 12는 제2 실시 예에 따른 패키지 기판을 나타낸 도면이다.12 is a view showing a package substrate according to a second embodiment.
도 12를 참조하면, 패키지 기판은 도 6, 도 8a, 및 도 8b에 도시된 회로 기판을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12 , the package substrate may include the circuit boards illustrated in FIGS. 6 , 8A, and 8B .
패키지 기판(400)은 회로 기판(200)을 포함한다.The
그리고, 상기 패키지 기판(400)은 도 11의 패키지 기판 대비 회로 기판의 구조만이 상이할 뿐, 그 이외의 구성은 실질적으로 동일할 수 있다.In addition, the
예를 들어, 패키지 기판(400)은 제1 접착부(410), 단자(430)를 포함하는 칩(420), 몰딩층(440), 및 제2 접착부(450)를 포함할 수 있다. For example, the
실시 예에 따른 회로 기판은 칩이 실장되는 영역에 배치된 실장 패드를 포함한다. 이때, 비교 예에서의 실장 패드는 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)보다 큰 폭을 가지며, 이에 따른 상기 실장 패드는 110㎛보다 큰 피치를 가지게 된다. 이에 반하여, 실시 예에서의 회로 기판은 상기 회로 기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트를 제거하도록 한다. 이에 따라, 실시 예에서의 실장 패드의 폭은 상기 솔더 레지스트의 오픈 영역(SOR: Solder resist open region)의 사이즈에 영향을 받지 않으며, 이에 따른 비교 예 대비 상기 실장 패드의 폭을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 비교 예 대비 실장 패드의 피치를 줄일 수 있음에 따라, 제한된 공간 내에 더 많은 칩을 실장시킬 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 부피, 나아가 패키지 기판의 부피를 감소시킬 수 있다.A circuit board according to an embodiment includes a mounting pad disposed in an area on which a chip is mounted. In this case, the mounting pad in the comparative example has a width greater than a solder resist open region (SOR) disposed on the outermost side of the circuit board, and thus the mounting pad has a pitch greater than 110 μm. do. On the contrary, in the circuit board according to the embodiment, the solder resist disposed on the outermost side of the circuit board is removed. Accordingly, the width of the mounting pad in the embodiment is not affected by the size of the solder resist open region (SOR), and thus the width of the mounting pad may be reduced compared to the comparative example. Accordingly, in the embodiment, since the pitch of the mounting pads can be reduced compared to the comparative example, more chips can be mounted in a limited space, and thus the volume of the circuit board and thus the volume of the package board can be reduced.
또한, 실시 예에서는 상기와 같이 피치가 감소함에 따라, 상기 회로 기판에 실장되는 칩의 단자 사이를 연결하는 전송 라인의 길이를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신호 전송 손실을 최소화하여 통신 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, as the pitch decreases as described above, the length of the transmission line connecting between the terminals of the chip mounted on the circuit board can be reduced, and thus the communication performance can be improved by minimizing the signal transmission loss. have.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment pertains are provided with several examples not illustrated above within a range that does not depart from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.
Claims (17)
상기 제1 절연층을 관통하는 복수의 제1 비아;
상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 복수의 제1 비아의 상면과 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제1 회로 패턴; 및
상기 제1 절연층의 하면에 배치되고, 상기 복수의 제1 비아의 하면과 연결되는 복수의 패드를 포함하는 제2 회로 패턴을 포함하고,
상기 제1 절연층은 회로 기판의 제1 최외측에 배치된 제1 최외측 절연층이고,
상기 제1 절연층의 상기 상면은, 상기 제1 최외측으로 노출되어, 상기 회로 기판의 제1 최외측 표면을 구성하고,
상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드의 중심 사이의 거리에 대응하는 피치는, 100㎛ 이하인,
회로 기판.a first insulating layer;
a plurality of first vias passing through the first insulating layer;
a first circuit pattern disposed on an upper surface of the first insulating layer and including a plurality of pads connected to upper surfaces of the plurality of first vias; and
a second circuit pattern disposed on a lower surface of the first insulating layer and including a plurality of pads connected to lower surfaces of the plurality of first vias;
The first insulating layer is a first outermost insulating layer disposed on the first outermost side of the circuit board,
The upper surface of the first insulating layer is exposed to the first outermost side to constitute a first outermost surface of the circuit board,
A pitch corresponding to a distance between the centers of the plurality of pads of the first circuit pattern is 100 μm or less,
circuit board.
상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드는,
상기 제1 절연층의 상면 위로 돌출되어 배치되는,
회로 기판.The method of claim 1,
The plurality of pads of the first circuit pattern,
disposed to protrude above the upper surface of the first insulating layer,
circuit board.
상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 크고,
상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭의 101% 내지 130%의 범위의 폭을 가지는,
회로 기판.3. The method of claim 2,
The width of the upper surface of the first via is greater than the width of the lower surface,
The pad of the first circuit pattern has a width in the range of 101% to 130% of the width of the upper surface of the first via,
circuit board.
상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 크고,
상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭보다 작은 폭을 가지는,
회로 기판.3. The method of claim 2,
The width of the upper surface of the first via is greater than the width of the lower surface,
The pad of the first circuit pattern has a width smaller than a width of an upper surface of the first via,
circuit board.
상기 제1 회로 패턴의 패드는,
상기 제2 회로 패턴의 패드의 폭보다 작고,
상기 제1 비아의 하면의 폭보다 큰,
회로 기판.5. The method of claim 4,
The pad of the first circuit pattern,
smaller than the width of the pad of the second circuit pattern,
greater than the width of the lower surface of the first via;
circuit board.
상기 제1 회로 패턴은 상기 제1 회로 패턴의 패드와 연결되는 트레이스를 포함하고,
상기 트레이스는 상기 제1 회로 패턴의 패드 및 상기 제1 비아의 상면과 직접 접촉하는 부분을 포함하는,
회로 기판.6. The method of claim 5,
The first circuit pattern includes a trace connected to a pad of the first circuit pattern,
The trace includes a portion in direct contact with the pad of the first circuit pattern and the upper surface of the first via,
circuit board.
상기 제1 회로 패턴은,
상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드 사이에 배치되는 트레이스를 포함하는,
회로 기판.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first circuit pattern is
and a trace disposed on an upper surface of the first insulating layer and disposed between the plurality of pads of the first circuit pattern,
circuit board.
상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드는,
상기 제1 절연층의 상면에 매립되어 배치되는,
회로 기판.According to claim 1,
The plurality of pads of the first circuit pattern,
disposed to be buried in the upper surface of the first insulating layer,
circuit board.
상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 작고,
상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭의 101% 내지 130%의 범위의 폭을 가지는,
회로 기판.9. The method of claim 8,
The width of the upper surface of the first via is smaller than the width of the lower surface,
The pad of the first circuit pattern has a width in the range of 101% to 130% of the width of the upper surface of the first via,
circuit board.
상기 제1 비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 작고,
상기 제1 회로 패턴의 패드는, 상기 제1 비아의 상면의 폭보다 작은 폭을 가지며,
상기 제1 비아는 상기 제1 회로 패턴의 패드의 측면을 둘러싸며 배치되는,
회로 기판.9. The method of claim 8,
The width of the upper surface of the first via is smaller than the width of the lower surface,
The pad of the first circuit pattern has a width smaller than a width of an upper surface of the first via,
The first via is disposed to surround a side surface of the pad of the first circuit pattern,
circuit board.
상기 제1 회로 패턴은 트레이스를 포함하고,
상기 트레이스는 상기 제1 비아의 측면과 직접 접촉하는,
회로 기판.11. The method of claim 10,
the first circuit pattern includes a trace,
wherein the trace is in direct contact with a side of the first via;
circuit board.
상기 제1 회로 패턴의 상기 패드의 상면에 배치되는 제1 표면 처리층을 포함하는,
회로 기판.According to claim 1,
including a first surface treatment layer disposed on an upper surface of the pad of the first circuit pattern;
circuit board.
상기 제1 회로 패턴의 상기 복수의 패드의 중심 사이의 거리에 대응하는 피치는 90㎛ 이하인,
회로 기판.According to claim 1,
A pitch corresponding to a distance between the centers of the plurality of pads of the first circuit pattern is 90 μm or less,
circuit board.
상기 제1 절연층 아래에 배치되는 제2 절연층; 및
상기 제2 절연층의 하면에 배치되는 보호층을 포함하고,
상기 제2 절연층은 상기 회로 기판의 상기 제1 최외측과 반대되는 제2 최외측에 배치된 제2 최외측 절연층이고,
상기 보호층의 하면은 상기 제2 최외측으로 노출되어, 상기 회로 기판의 제2 최외측 표면을 구성하는,
회로 기판.According to claim 1,
a second insulating layer disposed under the first insulating layer; and
a protective layer disposed on a lower surface of the second insulating layer;
The second insulating layer is a second outermost insulating layer disposed on the second outermost side opposite to the first outermost side of the circuit board,
A lower surface of the protective layer is exposed to the second outermost side, constituting a second outermost surface of the circuit board,
circuit board.
상기 제1 절연층을 관통하며, 폭 방향으로 상호 이격되는 제1-1 비아 및 제1-2 비아를 포함하는 제1 비아;
상기 제1-1 비아의 상면에 배치되는 제1 패드, 상기 제1-2 비아의 상면에 배치되는 제2 패드 및 상기 제1 절연층의 상면에서 상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이에 배치되는 제1 트레이스를 포함하는 제1 회로 패턴;
상기 제1 절연층의 하면에 배치되고, 상기 제2 비아의 하면과 연결되는 제2 회로 패턴;
상기 제1 패드 및 상기 제2 패드에 배치되는 제1 표면 처리층;
상기 제1 표면 처리층에 배치되는 제1 접착부;
상기 제1 접착부에 부착되는 칩; 및
상기 제1 절연층의 상면에 배치되고, 상기 칩을 몰딩하는 몰딩층을 포함하고,
상기 몰딩층은 상기 제1 절연층의 상면과 직접 접촉하면서, 상기 제1 회로 패턴을 덮으며 배치되고,
상기 제1 회로 패턴의 상기 제1 패드의 중심에서 상기 제1 회로 패턴의 상기 제2 패드의 중심까지의 거리에 대응하는 피치는 100㎛ 이하인,
패키지 기판.a first insulating layer;
a first via passing through the first insulating layer and including 1-1 vias and 1-2 vias spaced apart from each other in a width direction;
A first pad disposed on an upper surface of the 1-1 via, a second pad disposed on an upper surface of the first-2 via, and an upper surface of the first insulating layer between the first pad and the second pad a first circuit pattern including a first trace to be formed;
a second circuit pattern disposed on a lower surface of the first insulating layer and connected to a lower surface of the second via;
a first surface treatment layer disposed on the first pad and the second pad;
a first adhesive portion disposed on the first surface treatment layer;
a chip attached to the first adhesive part; and
a molding layer disposed on the upper surface of the first insulating layer and molding the chip;
The molding layer is disposed to cover the first circuit pattern while in direct contact with the upper surface of the first insulating layer,
A pitch corresponding to a distance from the center of the first pad of the first circuit pattern to the center of the second pad of the first circuit pattern is 100 μm or less,
package board.
상기 제1 접착부의 폭은 상기 제1 패드의 폭 및 상기 제2 패드의 폭보다 작은,
패키지 기판.16. The method of claim 15,
a width of the first adhesive portion is smaller than a width of the first pad and a width of the second pad;
package board.
상기 칩은 폭 방향으로 상호 이격되어 배치되는 제1 칩 및 제2 칩을 포함하고,
상기 제1 칩은 센트랄 프로세서(CPU)에 대응하고,
상기 제2 칩은 그래픽 프로세서(GPU)에 대응하는,
패키지 기판.16. The method of claim 15,
The chip includes a first chip and a second chip disposed to be spaced apart from each other in the width direction,
The first chip corresponds to a central processor (CPU),
The second chip corresponds to a graphics processor (GPU),
package board.
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