KR20220136764A - 히트 챔퍼링 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

히트챔퍼링장치는, 글라스패널을 지지하는 지지부와, 상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 상기 에지를 히트 챔퍼링하는 히트챔퍼링부를 포함할 수 있다. 상기 지지부는 상기 글라스 패널과 접촉된 상태로 상기 글라스 패널을 지지하고 제1물질로 이루어지는 접촉지지부와, 상기 접촉지지부를 지지하고 제2물질로 이루어지는 베이스부를 포함할 수 있다. 상기 제1물질은 상기 제2물질에 비하여 열전도도가 작아 열에 의한 온도 변화가 작고, 열팽창계수가 작아 고온에 의한 사이즈 변화가 작으며, 경도가 작아 연성일 수 있다. 히트챔퍼링방법은, 지지부에 글라스패널을 위치시키는 것과, 상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 상기 글라스 패널의 상기 에지를 히트 챔퍼링하는 것을 포함할 수 있다.

Description

히트 챔퍼링 장치 및 방법{HEAT CHAMFERING DEVICE AND METHOD}
본 개시물은 히트 챔퍼링 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 글라스패널을 지지하는 지지부가 글라스패널과 직접 접촉하는 접촉지지부와 이를 지지하는 베이스부의 이중 구조로 형성된 히트 챔퍼링 장치 및 이를 이용한 히트 챔퍼링 방법에 관한 것이다.
글라스 패널의 에지 결함은 글라스 패널의 파손의 주원인이고, 이는 글라스 패널의 신뢰성을 저하시킨다. 특히 박판 글라스 패널을 갖는 플렉서블 장치는 안정적인 벤딩 퍼포먼스를 위하여 우수한 에지 품질을 필요로 하고, 이러한 플렉서블 장치에서 에지 결함 제거는 더욱 중요하다.
글라스 패널의 에지 강도를 향상시키기 위하여 에지 피니싱을 수행할 수 있다. 이러한 에지 피니싱 기술 중에, 히트 챔퍼링 기술이 알려져 있다. 히트 챔퍼링은 파티클이 발생하지 않고 박판 글라스 패널에 사용하기에 적합한 기술이다. 또한, 우수한 에지 강도를 보장하여, 만족할만한 벤딩 퍼포먼스를 얻을 수 있게 한다.
본 개시물은 안정적이고 정밀한 히트 챔퍼링 프로세스를 가능하게 하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 개시물은, 글라스패널을 지지하는 지지부와, 상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 상기 에지를 히트 챔퍼링하는 히트챔퍼링부를 포함하는 히트챔퍼링장치를 제공할 수 있다.
어떠한 실시예들에서, 상기 지지부는 상기 글라스 패널과 접촉된 상태로 상기 글라스 패널을 지지하고 제1물질로 이루어지는 접촉지지부와, 상기 접촉지지부를 지지하고 제2물질로 이루어지는 베이스부를 포함할 수 있다.
어떠한 실시예들에서, 상기 제1물질은 상기 제2물질에 비하여 열전도도가 작아 열에 의한 온도 변화가 작고, 열팽창계수가 작아 고온에 의한 사이즈 변화가 작으며, 경도가 작아 연성일 수 있다.
또한, 본 개시물은, 지지부에 글라스패널을 위치시키는 것과, 상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 상기 글라스 패널의 상기 에지를 히트 챔퍼링하는 것을 포함하는 히트챔퍼링방법을 제공할 수 있다.
상기한 구성에 따르면, 본 개시물은 안정적이고 정밀한 히트 챔퍼링 프로세스를 가능하게 하는 효과가 있다.
이를 통하여 공정 효율을 향상시키고 공정 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 개시물의 어떠한 실시예에 따른 글라스 패널 히트 챔퍼링 방법을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 개시물의 어떠한 실시예들에 따른 글라스 패널 히트 챔퍼링 장치의 히트챔퍼링부를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 개시물의 어떠한 실시예들에 따른 히트 챔퍼링 장치의 지지부를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 히트 챔퍼링 장치의 지지부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3의 지지부의 베이스부를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6는 도 3의 지지부의 접촉지지부를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 본 개시물의 어떠한 실시예들에 따른 히트 챔퍼링 장치의 지지부 및 정렬부를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 히트 챔퍼링 장치의 지지부 및 정렬부를 보여주는 평면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 개시물의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 개시물의 어떠한 실시예에 따른 글라스 패널 히트 챔퍼링 방법을 보여주는 도면이다.
글라스 패널(100)의 에지에 열충격을 줌으로써 글라스 패널(100)의 에지를 히트 챔퍼링할 수 있다. 이러한 열충격은, 피가열체(210)에 의하여 히팅되는 글라스 패널(100)의 에지와 글라스 패널(100)의 나머지 부위의 온도 차에 의하여 야기될 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 가열부(220)에 의하여 가열된 피가열체(210)를 글라스 패널(100)의 에지에 접촉시키면서 글라스 패널(100)의 에지를 따라 상대 이동시켜 글라스 패널(100)의 에지를 필링할 수 있다. 히트 챔퍼링 중에 피가열체(210)에 의하여 글라스 패널(100)의 에지에 가해지는 압력은 일정한 것이 바람직할 수 있다. 상대 이동을 위하여, 도 1에 도시한 바와 같이 글라스 패널(100)을 이동시킬 수도 있고 (도 1에 도시한 화살표는 글라스 패널의 이동 방향을 나타냄), 피가열체(210)를 이동시킬 수도 있으며, 글라스 패널(100) 및 피가열체(210)를 모두 이동시킬 수도 있을 것이다.
본 개시물의 글라스 패널(100)은 모든 글라스 재질(예컨대, borosilicate 계열의 유리 등)의 패널들을 포함할 수 있다.
글라스 패널(100)은 그 주평면이 사각형 형상을 가질 수 있으나, 다각형, 원형, 타원형 등, 어떠한 특정 형상에 한정되지 않는다. 본 개시물에서 글라스 패널(100)은, 주평면의 가로 길이 (예컨대, X 축 방향 길이) 및 세로 길이 (예컨대, Y축 방향 길이)에 비하여 두께(예컨대, Z축 방향 길이)가 상대적으로 얇은 시트일 수 있으나, 본 개시물이 이에 한정되는 것은 아니고, 두께가 두꺼운 블록을 포함하는 등, 글라스 패널(100)의 형상은 다양할 수 있다.
예컨대, 글라스 패널(100)의 주평면이 사각형 형상을 갖고, 글라스 패널의 주평면을 XY 평면이라 할 때, 피가열체(210)는 글라스 패널(100)의 네 개의 에지와 접촉하면서, X 방향 및 Y 방향을 따라 상대 이동하면서 챔퍼링을 수행할 수 있다. 상대 이동 속도는, 글라스의 조성, 온도 조건, 챔퍼링 할 글라스 패널(100)의 형태에 따라 달라질 수 있다. 이러한 챔퍼링에 의하여 글라스 패널(100)의 에지로부터 스트립(100a)이 벗겨져 나오게 된다. 어떠한 실시예들에서, 피가열체(210)는 중단 없이 글라스 패널(100)의 네 에지를 연속적으로 접촉하면서 챔퍼링을 수행할 수 있다. 예컨대, 글라스 패널(100)의 4개의 에지를 시계방향으로 제1 에지, 제2 에지, 제3 에지 및 제4 에지라고 할 때, 피가열체(210)는 제1 에지와 접촉하면서 X 방향을 따라 상대 이동하면서 제1 에지와 제2 에지 사이의 코너로 이동하고, 계속하여 제2 에지와 접촉하면서 Y 방향을 따라 상대 이동하면서 제2 에지와 제3 에지 사이의 코너로 이동하고, 계속하여 제3 에지와 접촉하면서 X 방향의 역방향을 따라 상대 이동하면서 제3 에지와 제4 에지 사이의 코너로 이동하고, 계속하여 제4 에지와 접촉하면서 Y 방향의 역방향을 따라 상대 이동하면서 제4 에지와 제1 에지 사이의 코너로 이동함으로써 글라스 패널(100)의 4개의 에지를 모두 챔퍼링할 수 있다.
이러한 챔퍼링을 통하여, 파티클 발생 없이 글라스 패널(100)으로부터 스트립(100a)을 얇게 벗겨 내어 글라스 패널(100)의 에지의 결함을 제거하고 글라스 패널(100)의 강도를 높일 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 글라스 패널(100)이 후술하는 지지부의 상면에 고정 위치된 상태에서 챔퍼링을 수행할 수 있다.
도 2는 본 개시물의 어떠한 실시예들에 따른 글라스 패널 히트 챔퍼링 장치의 히트챔퍼링부를 개략적으로 보여주는 도면이다.
히트 챔퍼링 장치는, 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 글라스 패널의 에지를 히트 챔퍼링하는 히트챔퍼링부를 포함할 수 있다.
히트 챔퍼링부는, 글라스 패널의 에지와 접촉되어 글라스 패널에 열충격을 줌으로써 글라스 패널의 에지를 필링하기 위한 피가열체(210)와 피가열체를 가열하는 가열부(220)를 포함할 수 있다.
어떠한 실시예들에서, 피가열체(210)는 가열봉을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 글라스 패널(100)과 접촉하는 피가열체(210)의 접촉부위는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 피가열체(210)는 금속봉일 수 있다. 예컨대, MoSi2 재질의 금속봉이 피가열체(210)로 사용될 수 있다. 그러나, 본 개시물의 피가열체(210)가 이에 한정되는 것은 아니다.
피가열체(210)는 그 길이 방향을 따라, 가열부(220)에 의하여 가열되는 피가열부위와 글라스 패널과 접촉되는 접촉부위를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, (글라스 패널의 주평면과 평행한 평면 상에서) 접촉부위의 단면적은 피가열부위의 단면적보다 작을 수 있다. 피가열부위에 인가된 열은 접촉부위에 전도될 수 있다. 접촉부위는 피가열체(210)의 일측 끝단에 위치할 수 있다. 피가열체(210)의 반대쪽 끝단은 홀더(미도시)에 의하여 고정될 수 있다.
어떠한 특정 시점에, 피가열체(210)는 글라스 패널(100)과 점접촉 또는 선접촉(예컨대, 피가열체(210)의 원기둥 형상 부위가 글라스 패널(100)과 접촉하는 경우)을 할 수도 있으나, 면접촉(예컨대, 소정의 면적의 가열면을 갖는 피가열체(210)가 글라스 패널(100)과 접촉하는 경우)을 할 수도 있다. 어떠한 실시예들에서, 상기 선접촉 선 및 면접촉 면은 글라스 패널(100)의 측면(두께면)과 평행할 수 있다. 그러나, 본 개시물이 이에 한정되는 것은 아니고, 소정의 각도를 이룰 수도 있다.
가열부(220)는 피가열체(210)를 고주파 유도 가열할 수 있다. 가열부(220)는 피가열체(210)를 둘러싼 상태로 피가열체(210)를 가열할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 가열부(220)는 인덕션 코일일 수 있다. 피가열체(210)는 이러한 인덕션 코일의 중심을 지나도록 위치될 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 인덕션코일로 구리 코일이 사용될 수 있다. 또한, 전기 안전을 위하여 인덕션 코일의 외표면에는 세라믹 물질이 코팅될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 인덕션 코일의 내부에는 냉각수가 흐를 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 인덕션 코일은 파워를 피가열체(210)에 전달함으로써 피가열체(210)를 대략 1200~1300℃의 온도로 가열할 수 있다.
도 3은 본 개시물의 어떠한 실시예들에 따른 히트 챔퍼링 장치를 보여주는 도면이고, 도 4는 도 3의 히트 챔퍼링 장치의 지지부를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 5는 도 3의 히트 챔퍼링 장치의 지지부를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 6는 도 3의 히트 챔퍼링 장치의 지지부의 베이스부를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 7은 도 3의 히트 챔퍼링 장치의 도 3의 지지부의 접촉지지부를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 8은 도 7의 히트 챔퍼링 장치의 지지부 및 정렬부를 보여주는 평면도이다.
히트 챔퍼링 장치는, 글라스 패널(100)을 지지하는 지지부를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 지지부는 글라스 패널(100)과 접촉된 상태로 글라스 패널(100)을 지지하는 접촉지지부(310)와, 글라스 패널(100)과 접촉되지 않고 이격된 상태로 접촉지지부(310)를 지지하는 베이스부(320)를 포함할 수 있다.
접촉지지부(310)는 베이스부(320)보다 가열부(220)에 더 가까이 위치될 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 글라스 패널(100)을 기준으로 가열부(220)는 글라스 패널(100)의 상부에, 접촉지지부(310)는 글라스 패널(100)의 하부에, 그리고 베이스부(320)는 접촉지지부(310)의 하부에 위치될 수 있다.
접촉지지부(310)는 글라스 패널(100)과 직접 접하여 공정 중 글라스 패널(100)이 일정한 압력으로 피가열체(210)와 접하며 공정이 진행되도록 글라스 패널(100)을 지지해 주는 역할을 하는 부분이다. 접촉지지부(310)는 열전도도가 작아 피가열체(210)의 복사열에 의한 온도변화가 적고, 열팽창계수가 작아 고온에 의한 size 변화가 적으며, 경도가 작아 글라스 패널(100)의 표면에 마찰에 의한 defect 발생을 최소화할 수 있는 연성의 제1물질로 이루어질 수 있다. 열전도도는 ASTM E1530을 기반으로 측정하며 예를 들어 TA instrument사의 DTC300을 이용할 수 있다. (https://www.tainstruments.com/dtc-300/?lang=ko). 열팽창계수 측정은 ASTM E831, E1545, D696, D3386, ISO 11359: 파트 1-3 TA instruments사의 TMA450을 이용할 수 있다 (https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwjrusOEhNrvAhUizIsBHercAp0QFjABegQIAxAD&url=http%3A%2F%2Fwww.jbcc.or.kr%2Findex.php%2Ffile%2Fdownload%2Ffile_no%2F1228%2Fmod%2Fattach&usg=AOvVaw02luroc290U_Wis3wP-ffB) 경도는 로크웰 또는 브리넬 또는 쇼와 경도를 측정할 수 있다.
또한 접촉지지부(310)는, 글라스 패널(100)을 고정할 때, suction 등에 의한 warpage 발생이나 edge부의 distortion이 발생하지 않도록 형성되어야 한다.
베이스부(320)는 접촉지지부(310)를 지지하는 부분으로, 접촉지지부(310)를 이격 없이 잘 지지하며, 접촉지지부(310) 전면 (전체 suction hole)에 균일하게 suction이 가해지도록 형성 되어야 한다.
어떠한 실시예들에서, 제1물질로 IBIDEN사의 isotropic graphite 등과 같은 카본이 사용될 수 있다. 낮은 열전도도를 갖는 카본 재질의 접촉 지지부는 글라스 패널(100)의 온도 상승을 방지하여 글라스 패널(100)의 열 손상을 방지할 수 있다. 낮은 열팽창계수는 히트 챔퍼링 중에 사이즈 변형이 야기되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 카본 재질의 소프트 특성은 글라스 패널(100)의 표면에 스크래치 등이 발생되지 않도록 하는데 도움을 준다. 이를 통하여 안정적인 프로세스를 가능하게 한다. 어떠한 실시예들에 따른 카본 접촉지지부(310)의 스펙은 아래 표 1에 나타내었다.
Figure pat00001
어떠한 실시예들에서는, 제2물질로 알루미늄 또는 Al 6061 (Mg 및 Si를 포함한 합금) 등과 같은 알루미늄 합금이 사용될 수 있다. 알루미늄은 가공이 용이하고, 높은 강도와 가벼운 무게를 가진다. 또한, 열전도도가 높아서 높은 피가열체(210)의 발열 온도 하에서도 냉각이 빠른 속도로 일어날 수 있도록 한다.
종래에 사용되었던 쉘 형태의 지지부는 글라스 패널(100)을 클램핑하여 고정하였다. 그러나, 이러한 종래의 지지부는 로딩 타임이 상대적으로 길고 불편한 단점을 가졌다. 또한, 글라스 패널(100)의 양 표면이 지지부와 접촉하게 되어, 후술하는 바와 같은 오버행을 정밀하게 조절하는 것이 어려운 단점이 있었다.
어떠한 실시예들에서, 접촉지지부(310)의 표면에는 글라스 패널(100)을 흡착 고정할 수 있는 복수의 석션홀(311)이 형성될 수 있다. 이 석션홀(311)은 진공을 걸어주는 진공 펌프와 연결될 수 있다. 글라스 패널(100)의 표면을 진공 흡착하는 경우, 글라스 패널(100)을 고정하기 위해서 글라스 패널(100)의 측부에 고정구를 둘 필요가 없어, 글라스 패널(100)의 네 에지를 따라 피가열체(210)와의 접촉을 원활하게 진행할 수 있다.
처짐 및 벤딩 특성을 갖는 박판 글라스 패널(100)을 위하여, 지지부의 디자인은 글라스 패널(100)을 지지부에 고정할 때, 특히 흡착 고정할 때, 글라스 패널(100)이 변형되지 않도록 설계되어야 한다. 흡착력이 너무 크면, 석션홀(311) 주위의 글라스 패널(100)의 부위에는 주름이 생겨나며, 반대로 흡착력이 너무 작으면, 글라스 패널(100)을 제대로 고정할 수 없게 된다. 글라스 패널(100)의 변형은 균일한 히트 챔퍼링을 저해한다.
석션홀(311)의 개수 및 사이즈는 글라스 패널(100)의 뒤틀림(warpage)를 방지하기 위하여 최소화되는 것이 바람직할 수 있다. 예컨대, 100 ㎛ 두께의 박판 글라스 패널(100)의 히트 챔퍼링에 있어, 석션홀(311)의 반경은 0.5 mm일 수 있다. 또한, 어떠한 실시예들에서, 석션홀(311)들은 접촉지지부(310)의 에지로부터 내측으로 1~5 mm 이격되어 위치될 수 있다. 이러한 실시예들 중 어떠한 실시예들에서, 석션홀(311)들은 접촉지지부(310)의 에지로부터 내측으로 2 mm 이격되어 위치될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 석션홀들(311) 사이의 피치는 2 mm일 수 있다. 이러한 수치의 석션홀(311)들은 글라스 패널(100)을 안정적으로 홀딩하고 글라스 패널(100)의 변형(distortion)을 방지하는데 도움을 줄 수 있다. 석션홀(311)들은 접촉지지부(310)의 가장자리를 따라 위치되며, 접촉지지부(310)의 중앙 부위에는 위치되지 않을 수 있다. 어떠한 실시예들에 따른 석션홀(311)들의 사이즈는 아래의 표 2에 나타내었다.
Figure pat00002
접촉지지부(310)는 상기 글라스 패널(100)을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함할 수 있고, 베이스부(320)는 접촉지지부(310)의 제2면과 대향하는 제3면을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 베이스부(320)의 상기 제3면에는 접촉지지부(310)에 형성되는 복수의 석션홀(311)들과 소통되는 채널(321)이 베이스부(320)의 가장자리를 따라 형성될 수 있다. 또한, 베이스부(320)의 상면에는 진공홀(325)과 채널(321)을 연결하는 적어도 하나의 그루브(323)가 형성될 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 접촉지지부(310)와 베이스부(320)는 그들의 가장자리를 따라 서로 반대되는 단턱들(317, 327)이 형성되어 서로 맞물림 결합될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 채널(321)은 단턱들보다 안쪽에 위치할 수 있다. 이러한 실시예들은, 진공이 누설되는 것을 최소화할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 단턱(317, 327)의 높이는 500 ㎛ 일 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 글라스 패널(100)의 에지가 지지부의 바깥쪽으로 오버행될 필요가 있다. 오버행은 충분한 폭의 스트립(100a)이 히트 챔퍼링 프로세스 중에 필링되어 제거될 수 있도록 보장한다. 어떠한 실시예들에서, 챔퍼링에 의하여 제거되는 스트립(100a)의 두께는 200 ㎛ 이하일 수 있고, 이를 위하여 접촉지지부(310)의 사이즈는 오버행의 크기가 대략 500 ㎛가 되도록 설계될 수 있다. 오버행의 크기가 너무 크면, 글라스 패널(100)의 가장자리 부위에서 처짐이 발생되고, 글라스 패널(100)의 두께면과 피가열체(210)의 중심축이 평행하지 않게 되어 히트 챔퍼링 정밀도를 저해한다. 오버행 크기가 너무 작으면, 원하는 사이즈로 스트립(100a)을 필링할 수 없게 된다. 따라서, 글라스 패널(100)의 에지의 전 둘레에 걸쳐 균일한 챔퍼링을 수행하기 위해서는, 일정한 오버행 크기로 글라스 패널(100)을 정위치에 정렬하는 것이 중요한다. 오버행의 크기에 의하여 챔퍼링 위치가 영향을 받게 되므로, 오버행은 정밀하게 제어되어야 하고, 글라스 패널(100)의 전 둘레에 걸쳐 동일한 것이 바람직할 수 있다. 히트 챔퍼링 중에 피가열체(210)로부터 글라스 패널(100)로 일정한 압력이 가해지도록 글라스 패널(100)을 정밀하게 정렬하고 홀딩 할 것이 요구된다. 정확한 오버행을 주도록 정렬하는 것은 안정적이고 정밀한 프로세스 제어를 위하여 매우 중요하다.
이를 위하여, 본 개시물의 어떠한 실시예들에 따른 히트 챔퍼링 장치는, 글라스 패널(100)을 정위치에 정렬하기 위한 정렬부(400)를 포함할 수 있다. 정렬부(400)는 글라스 패널(100)의 에지가 접촉지지부(310)의 바깥으로 오버행되도록 정렬할 수 있다.
어떠한 실시예들에서, 정렬부(400)는, 지지부와 접촉되는 제1가이드부(410)와, 글라스 패널(100)의 에지에 접촉되는 제2가이드부(420)를 포함할 수 있다. 지지부의 위치를 기준으로, 지지부는 지지부와 제1가이드부(410)의 접촉에 의하여 정렬부(400)를 정위치에 정렬시킬 수 있다. 또한, 정렬부(400)는 제2가이드부(420)와 글라스 패널(100)의 접촉에 의하여 글라스 패널(100)을 정위치에 정렬시킬 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1가이드부(410) 및 제2가이드부(420)는 일체로 이동될 수 있다. 예컨대, 제1가이드부(410)와 제2가이드부(420)는 일체로 형성될 수 있다.
어떠한 실시예들에서, 제1가이드부(410)는 글라스 패널(100)의 두께 방향과 수직한 제1방향을 따라 지지부(예컨대, 접촉지지부(310))를 향하여 돌출되게 형성되는 적어도 하나의 돌출부와 글라스 패널(100)의 두께 방향 및 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 지지부를 향하여 돌출되게 형성되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2가이드부(420)는 제1방향을 따라 글라스 패널(100)을 향하여 돌출되게 형성되는 적어도 하나의 돌출부와, 제2방향을 따라 글라스 패널(100)을 향하여 돌출되게 형성되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 제1가이드부(410)와 제2가이드부(420)는 글라스 패널(100)의 적어도 2 변과 접촉될 수 있으나, 본 개시물이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7을 참조할 때, 예컨대, 글라스 패널(100)은 500 ㎛ 오버행되고, 제1가이드부(410)의 돌출부는 1000 ㎛ 돌출되고, 제2가이드부(420)의 돌출부는 500 ㎛ 돌출될 수 있다.
글라스 패널(100)을 접촉지지부(310)에 올려 놓은 뒤, 제1가이드부(410)가 지지부에 접촉될 때까지 정렬부(400)를 이동시켜 글라스 패널(100)을 물리적 정렬한다. 이를 통하여, 본 개시물의 히트 챔퍼링 장치는 신속하고 쉽게 글라스 패널(100)을 정렬할 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 정렬부(400)를 통한 물리적 1차 정렬 후에 비전 시스템을 이용하여 글라스 패널(100)의 위치를 정밀하게 알아낸 뒤, 그 결과에 따라 글라스 패널(100)을 미세 이동시키는 2차 정렬을 수행할 수 있다.
본 발명은 전술되고 도면에 도시된 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 그보다는 당업자라면, 첨부 특허청구범위의 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 이루어질 수 있음을 알 것이다. 각 특허청구범위에 기재된 특징들은 허용하는 한 서로 조합될 수 있다. 예컨대, 두 종속 청구항이 독립 청구항만을 인용하더라도, 본 개시물의 어떠한 실시예들에 따른 히트 챔퍼링 장치 및 히트 챔퍼링 방법은, 허용하는 한, 이들 두 종속 청구항에 기재된 특징들을 모두 가질 수 있다.

Claims (14)

  1. 글라스패널을 지지하는 지지부와;
    상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 상기 에지를 히트 챔퍼링하는 히트챔퍼링부를 포함하고,
    상기 지지부는 상기 글라스 패널과 접촉된 상태로 상기 글라스 패널을 지지하고 제1물질로 이루어지는 접촉지지부와, 상기 접촉지지부를 지지하고 제2물질로 이루어지는 베이스부를 포함하고,
    상기 제1물질은 상기 제2물질에 비하여 열전도도, 열팽창계수 및 경도가 작은,
    히트챔퍼링장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1물질은 카본인,
    히트챔퍼링장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2물질은 알루미늄 또는 알루미늄 합금인,
    히트챔퍼링장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접촉지지부는 상기 글라스패널을 흡착하여 고정하기 위한 복수의 석션홀들이 형성되는,
    히트챔퍼링장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 석션홀들은 상기 접촉지지부의 에지로부터 1~5 mm 이격되어 상기 접촉지지부의 가장자리를 따라 형성되는,
    히트챔퍼링장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 접촉지지부는 상기 글라스패널을 대향하는 제1면과 상기 제1면과 반대되는 제2면을 포함하고,
    상기 베이스부는 상기 접촉지지부의 상기 제2면과 대향하는 제3면을 포함하고,
    상기 베이스부의 상기 제3면에는 상기 복수의 석션홀들과 소통되는 채널이 상기 베이스부의 가장자리를 따라 형성되는,
    히트챔퍼링장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 접촉지지부와 상기 베이스는 그들의 가장자리를 따라 서로 반대되는 단턱들이 형성되어 서로 맞물림 결합되고,
    상기 채널은 상기 단턱들보다 안쪽에 위치하는,
    히트챔퍼링장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 히트챔퍼링장치는, 상기 글라스패널을 정위치에 정렬하기 위한 정렬부를 포함하고,
    상기 정렬부는 상기 글라스패널의 상기 에지가 상기 접촉지지부의 바깥으로 오버행되도록 정렬하는,
    히트챔퍼링장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 정렬부는,
    상기 지지부와 접촉되는 제1가이드부와,
    상기 글라스패널의 상기 에지에 접촉되는 제2가이드부를 포함하고,
    상기 지지부의 위치를 기준으로, 상기 지지부는 상기 지지부와 상기 제1가이드부의 접촉에 의하여 상기 정렬부를 정위치에 정렬시키고, 상기 정렬부는 상기 제2가이드부와 상기 글라스패널의 접촉에 의하여 상기 글라스패널을 정위치에 정렬시키는,
    히트챔퍼링장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1가이드부 및 상기 제2가이드부는 일체로 이동되는,
    히트챔퍼링장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1가이드부는 각각 상기 글라스패널의 두께 방향과 수직한 제1방향과 상기 글라스패널의 상기 두께 방향 및 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 상기 지지부를 향하여 돌출되게 형성되는 제1돌출부들을 포함하고,
    상기 제2가이드부는 각각 상기 제1방향 및 상기 제2방향을 따라 상기 글라스패널을 향하여 돌출되게 형성되는 제2돌출부들을 포함하는,
    히트챔퍼링장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 히트챔퍼링부는 상기 글라스 패널의 에지와 접촉하여 상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하는 피가열체와 상기 피가열체를 가열하는 가열부를 포함하고,
    상기 접촉지지부는 상기 베이스부보다 상기 가열부에 더 가까이 위치되는,
    히트챔퍼링장치.
  13. 지지부에 글라스패널을 위치시키는 것과,
    상기 글라스 패널의 에지에 열충격을 가하여 상기 글라스 패널의 상기 에지를 히트 챔퍼링하는 것을 포함하고,
    상기 지지부는 상기 글라스 패널과 접촉된 상태로 상기 글라스 패널을 지지하고 제1물질로 이루어지는 접촉지지부와, 상기 접촉지지부를 지지하고 제2물질로 이루어지는 베이스부를 포함하고,
    상기 제1물질은 상기 제2물질에 비하여 열전도도, 열팽창계수 및 경도가 작은,
    히트챔퍼링방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 히트 챔퍼링하는 것은 피가열체를 상기 글라스 패널의 상기 에지에 접촉시키면서 상기 에지를 따라 상대 이동시키는 것을 포함하는,
    히트챔퍼링방법
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