KR20220136270A - 라디오 주파수 스위치 바이어싱 토폴로지들 - Google Patents

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루이 레이 람
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스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
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Abstract

스위칭 회로는 제1 출력 포트에 커플링된 제1 직렬 스위치 - 제1 직렬 스위치는 제1 전계 효과 트랜지스터(FET), 제2 FET, 제3 FET, 제4 FET, 제5 FET, 및 제6 FET를 포함함 -, 제2 출력 포트에 커플링된 제2 직렬 스위치, 및 제5 FET의 게이트 및 제6 FET의 게이트를 제1 노드에, 제5 FET의 소스 및 제6 FET의 드레인을 제2 노드에, 제1 FET의 소스 및 제2 FET의 드레인을 제3 노드에, 제1 FET의 게이트 및 제5 FET의 드레인을 제4 노드에, 제2 FET의 게이트 및 제6 FET의 소스를 제5 노드에, 제4 노드 및 제5 노드를 제1 게이트 전압에, 그리고 제1 노드를 제1 게이트 전압과 상이한 제2 게이트 전압에 커플링하도록 구성된 커플링 회로부를 포함한다.

Description

라디오 주파수 스위치 바이어싱 토폴로지들{RADIO FREQUENCY SWITCH BIASING TOPOLOGIES}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2021년 3월 31일 출원되고, 발명의 명칭이 RADIO FREQUENCY SWITCH BIASING TOPOLOGIES인 미국 가출원 제63/169,053호에 대한 우선권을 주장하며, 그 개시는 각자의 전부가 본 명세서에 참고로 명백히 포함된다.
분야
본 개시는 라디오 주파수(RF) 애플리케이션들을 위한 스위칭 회로들, 관련 디바이스들, 및 관련 방법들에 관한 것이다.
RF 및/또는 SPDT(Single Pole Double Throw) 스위치들을 포함한 스위치들은, RF 및/또는 다른 회로 애플리케이션들의 중요한 컴포넌트들일 수 있다. 스위치가 턴 온될 때(즉, ON 상태), 스위치는 스위치의 온-저항(RON)을 최소화하기 위해 포지티브 게이트 소스 전압(VGS)을 필요로 한다. 스위치가 턴 오프될 때(즉, OFF 상태), 스위치는 오프 커패시턴스(COFF) 및/또는 비선형성을 최소화하기 위해 네거티브 VGS를 필요로 한다.
일부 구현들에 따라, 본 개시는 제1 출력 포트에 커플링된 제1 직렬 스위치를 포함하는 스위칭 회로에 관한 것이다. 제1 직렬 스위치는 제1 전계 효과 트랜지스터(FET), 제2 FET, 제3 FET, 제4 FET, 제5 FET, 및 제6 FET를 포함한다. 스위칭 회로는 제2 출력 포트에 커플링된 제2 직렬 스위치, 및 제5 FET의 게이트 및 제6 FET의 게이트를 제1 노드에, 제5 FET의 소스 및 제6 FET의 드레인을 제2 노드에, 제1 FET의 소스 및 제2 FET의 드레인을 제3 노드에, 제1 FET의 게이트 및 제5 FET의 드레인을 제4 노드에, 제2 FET의 게이트 및 제6 FET의 소스를 제5 노드에, 제4 노드 및 제5 노드를 제1 게이트 전압에, 그리고 제1 노드를 제1 게이트 전압과 상이한 제2 게이트 전압에 커플링하도록 구성된 커플링 회로부를 추가로 포함한다.
일부 실시예들에서, 스위칭 회로는 제1 션트(shunt) 스위치를 추가로 포함한다. 커플링 회로부는 제1 직렬 스위치와 제1 션트 스위치 사이에 제1 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성될 수도 있다.
스위칭 회로는 제2 션트 스위치를 추가로 포함할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 커플링 회로부는 제2 직렬 스위치와 제2 션트 스위치 사이에 제2 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 제1 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함한다. 제2 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함할 수도 있다.
제2 직렬 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 제1 직렬 스위치는 제7 FET 및 제8 FET를 추가로 포함한다.
일부 실시예들에서, 제1 게이트 전압은 제2 게이트 전압이 포지티브인 동안 대략 0 V이도록 구성된다. 제2 게이트 전압은 제1 게이트 전압이 포지티브인 동안 대략 0 V이도록 구성될 수도 있다.
본 개시의 일부 구현들은 제1 출력 포트에 커플링된 제1 직렬 스위치를 포함하는 무선 디바이스에 관한 것이다. 제1 직렬 스위치는 제1 전계 효과 트랜지스터(FET), 제2 FET, 제3 FET, 제4 FET, 제5 FET, 및 제6 FET를 포함한다. 무선 디바이스는 제2 출력 포트에 커플링된 제2 직렬 스위치, 및 제5 FET를 제1 FET에, 제5 FET를 제6 FET에, 제1 FET를 제2 FET에, 제1 FET 및 제2 FET를 제1 게이트 전압에, 그리고 제5 FET 및 제6 FET를 제1 게이트 전압과 상이한 제2 게이트 전압에 커플링하도록 구성된 커플링 회로부를 추가로 포함한다.
무선 디바이스는 제1 션트 스위치를 추가로 포함할 수도 있다. 커플링 회로부는 제1 직렬 스위치와 제1 션트 스위치 사이에 제1 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 무선 디바이스는 제2 션트 스위치를 추가로 포함한다. 커플링 회로부는 제2 직렬 스위치와 제2 션트 스위치 사이에 제2 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성될 수도 있다.
제1 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함할 수도 있다. 제2 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 제2 직렬 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함한다.
본 개시의 일부 구현들에 따라, 반도체 다이는 제1 출력 포트에 커플링된 제1 직렬 스위치를 포함한다. 제1 직렬 스위치는 제1 전계 효과 트랜지스터(FET), 제2 FET, 제3 FET, 제4 FET, 제5 FET, 및 제6 FET를 포함한다. 반도체 다이는 제2 출력 포트에 커플링된 제2 직렬 스위치, 및 제5 FET를 제1 FET에, 제5 FET를 제6 FET에, 제1 FET를 제2 FET에, 제1 FET 및 제2 FET를 제1 게이트 전압에, 그리고 제5 FET 및 제6 FET를 제1 게이트 전압과 상이한 제2 게이트 전압에 커플링하도록 구성된 커플링 회로부를 추가로 포함한다.
일부 실시예들에서, 반도체 다이는 제1 션트 스위치를 추가로 포함한다. 커플링 회로부는 제1 직렬 스위치와 제1 션트 스위치 사이에 제1 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성될 수도 있다.
반도체 다이는 제2 션트 스위치를 추가로 포함할 수도 있다. 커플링 회로부는 제2 직렬 스위치와 제2 션트 스위치 사이에 제2 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 제1 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함한다. 제2 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함할 수도 있다.
본 개시를 요약하기 위해, 본 발명들의 소정의 양태들, 이점들 및 신규 특징들이 본 명세서에 설명되어 있다. 이러한 모든 이점들이 반드시 본 발명의 임의의 특정 실시예들에 따라 달성될 수 있는 것은 아님을 이해해야 한다. 따라서, 본 발명은 본 명세서에 교시되거나 제안될 수 있는 바와 같이 다른 이점들을 반드시 달성하지 않으면서 본 명세서에 교시된 바와 같은 하나의 이점 또는 이점들의 그룹을 달성하거나 최적화하는 방식으로 구현되거나 수행될 수도 있다.
도 1은 NVG들을 활용하여 회로의 하나 이상의 스위치(예를 들어, 전계 효과 트랜지스터들(FET들))에 대해 네거티브 전압을 생성하는 일례의 회로를 도시한다.
도 2는 하나 이상의 커패시터를 사용하여 회로의 하나 이상의 스위치에서 교차 바이어스를 생성하는 다른 예의 회로를 도시한다.
도 3은 본 명세서에 설명된 회로들에서 활용될 수도 있는 다중 스위치들의 네트워크를 도시한다.
도 4는 하나 이상의 실시예에 따른 일례의 백-투-백 다이오드를 도시한다.
도 5는 본 명세서에 설명된 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 일례의 회로를 도시한다.
도 6은 본 명세서에 설명된 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 일례의 패키징 모듈을 도시한다.
도 7은 본 명세서에 설명된 하나 이상의 유리한 특징을 갖는 일례의 무선 디바이스를 도시한다.
본 명세서에 제공된 표제들은, 있는 경우, 단지 편의를 위한 것일 뿐이며 청구된 발명의 범위 또는 의미에 반드시 영향을 미치는 것은 아니다.
라디오 주파수(RF) 및/또는 SPDT(Single Pole Double Throw) 스위치들을 포함한 스위치들은, RF 및/또는 다른 회로 애플리케이션들의 중요한 컴포넌트들일 수 있다. 스위치가 턴 온될 때(즉, ON 상태), 스위치는 스위치의 온-저항(RON)을 최소화하기 위해 포지티브 게이트 소스 전압(VGS)을 필요로 한다. 스위치가 턴 오프될 때(즉, OFF 상태), 스위치는 오프 커패시턴스(COFF) 및/또는 비선형성을 최소화하기 위해 네거티브 VGS를 필요로 한다.
스위치들을 ON 및/또는 OFF 상태로 바이어스하기 위해 다양한 방법들이 사용될 수도 있다. 일부 애플리케이션들은 네거티브 전압 생성기들(NVG들)을 활용하여 OFF 상태의 스위치들에 네거티브 전압들을 제공할 수 있다. 도 1은 NVG들을 활용하여 회로(100)의 하나 이상의 스위치(예를 들어, 전계 효과 트랜지스터들(FET들))에 대해 네거티브 전압을 생성하는 일례의 회로(100)를 도시한다. 회로(100)는 제1 직렬 스위치(102), 제2 직렬 스위치(104), 제1 션트 스위치(103), 및/또는 제2 션트 스위치(105)를 포함할 수도 있다. 제1 직렬 스위치(102) 및/또는 제1 션트 스위치(103)는 커플링 회로부를 통해 제1 포트(즉, 출력)(106)에 커플링될 수도 있다. 제2 직렬 스위치(104) 및/또는 제2 션트 스위치(105)는 커플링 회로부를 통해 제2 포트(즉, 출력)(108)에 커플링될 수도 있다. 회로(100)는 커플링 회로부를 통해 제1 직렬 스위치(102) 및/또는 제2 직렬 스위치(104)에 커플링된 입력(101)(예를 들어, 단일 입력)을 포함할 수도 있다. 커플링 회로부는 도 1 및/또는 다른 도면들에 함께 설명된 다양한 컴포넌트들을 및/또는 본 명세서에 설명된 다양한 노드들에 커플링하도록 구성될 수도 있다.
입력(101)을 통해 회로(100)에서 수신된 신호들은 제1 포트(106) 또는 제2 포트(108)로 이동할 수 있다. 신호가 입력(101)에서 제1 포트(106)로 이동하기 위해, 제1 직렬 스위치(102)는 ON 상태에 있을 수도 있고, 제2 직렬 스위치(104)는 OFF 상태에 있을 수도 있으며, 제1 션트 스위치(103)는 OFF 상태에 있을 수도 있고, 및/또는 제2 션트 스위치(105)는 ON 상태에 있을 수도 있다. 유사하게, 신호가 입력(101)에서 제2 포트(108)로 이동하기 위해, 제1 직렬 스위치(102)는 OFF 상태에 있을 수도 있고, 제2 직렬 스위치(104)는 ON 상태에 있을 수도 있으며, 제1 션트 스위치(103)는 ON 상태에 있을 수도 있고, 및/또는 제2 션트 스위치(105)는 OFF 상태에 있을 수도 있다. 회로(100)가 동작하는데 션트 스위치들이 필요하지 않을 수도 있지만, 션트 스위치들(예를 들어, 제1 션트 스위치(103) 및/또는 제2 션트 스위치(105))은 회로(100)의 임피던스 매칭 및/또는 격리를 개선할 수 있다.
회로(100)의 스위치들 각각은 각 개개의 스위치를 턴 온 및/또는 턴 오프시키도록 바이어싱될 수도 있다. 스위치를 턴 온하기 위해, 스위치에 문턱 전압을 초과하는 포지티브 바이어싱 전압(예를 들어, 2.5 V)이 인가될 수도 있다. 유사하게, 네거티브 VGS(예를 들어, -2.5 V)가 스위치에 인가되어 스위치를 턴 오프할 수도 있다. 각각의 스위치는 게이트, 드레인 및 소스를 포함할 수도 있다.
네거티브 전압이 회로(100) 외부에서 이용가능하지 않은 경우, NVG는 회로(100)의 신호 경로를 제어하기 위해 회로(100)의 하나 이상의 스위치에서 네거티브 전압을 생성하는데 사용될 수도 있다. 네거티브 전압을 인가하면 회로(100)가 인가된 전압으로 인해 OFF 스위치가 턴 온하지 않으면서 더 큰 전압 스윙을 핸들링할 수 있도록 한다.
도 1에 나타낸 예에서, 네거티브 전압(예를 들어, 2.5 V)이 제2 직렬 스위치(104) 및/또는 제1 션트 스위치(103)에 인가되어 제1 포트(106)를 향한 신호 경로를 용이하게 할 수도 있다. 대안으로, 네거티브 전압(예를 들어, 2.5 V)이 제1 직렬 스위치(102) 및/또는 제2 션트 스위치(105)에 인가되어 제2 포트(108)를 향한 신호 경로를 용이하게 할 수도 있다.
회로(100)는 유리하게 블록킹 커패시터들을 필요로 하지 않으면서 양호한 RF 및/또는 정전기 방전 성능을 제공할 수도 있다. 그러나, 회로(100)는 NVG들을 필요로 할 수도 있으며, 이는 더 큰 제어기 다이 사이즈를 필요로 할 수도 있고 및/또는 비교적 높은 대기 전류를 야기할 수도 있다.
바이어싱 회로 스위치들의 다른 방법은 도 2에 도시되어 있다. 도 2는 하나 이상의 커패시터(210)를 사용하여 회로(200)의 하나 이상의 스위치에서 교차 바이어스를 생성하는 다른 예의 회로(200)를 도시한다. 하나 이상의 커패시터(210)는 NVG들 대신에 활용될 수도 있고 및/또는 그렇지 않으면 네거티브 전압들을 인가할 수도 있다. 신호가 회로(200)의 제1 포트(206)로 이동하게 하기 위해, 제2 직렬 스위치(204) 및/또는 제1 션트 스위치(203)의 게이트들은 0 V로 설정될 수도 있다. 하나 이상의 커패시터(210)는 스위치들의 게이트들이 스위치들의 드레인들 및/또는 소스들과 상이한 전압들을 가질 수 있도록 하기 위해 전압을 차단하도록 구성될 수도 있다. 따라서, 제2 직렬 스위치(204) 및/또는 제1 션트 스위치(203)의 게이트들에 0 V를 인가하면 제2 직렬 스위치(204) 및/또는 제1 션트 스위치(203)의 드레인들 및 소스들이 포지티브 전압(예를 들어, 2.5 V)을 갖게 할 수도 있다. 제2 직렬 스위치(204) 및/또는 제1 션트 스위치(203)의 드레인들 및/또는 소스들에서의 전압들은 제1 직렬 스위치(202) 및/또는 제2 션트 스위치(205)의 게이트들에 인가된 포지티브 전압들과 동일할 수도 있다. 제1 직렬 스위치(202) 및/또는 제2 직렬 스위치(204)는 안테나/입력 포트(201)에 커플링될 수도 있다. 제2 직렬 스위치(204)는, ON 상태에 있을 때, 제2 포트(208)를 향해 신호들을 인출하도록 구성될 수도 있다.
회로(200)는 유리하게 NVG들을 필요로 하지 않을 수도 있으며, 이는 비교적 작은 제어기 다이 사이즈를 허용할 수도 있고 및/또는 비교적 낮은 대기 전류를 야기할 수도 있다. 그러나, 회로(200)는 부가적인 정전기 방전 보호를 필요로 할 수도 있고 및/또는 저하된 RF 성능을 초래할 수도 있다.
본 명세서에서는 NVG들 및/또는 교차 바이어스 커패시터들을 필요로 하지 않는 스위치 토폴로지들이 설명되어 있다. 본 명세서에 설명된 일부 실시예들은 NVG들 및/또는 교차 바이어스 커패시터들을 활용하는 회로들과 유사한 RF 및/또는 정전기 방전 성능을 달성하도록 구성될 수도 있다. 일부 실시예들은 OFF 상태로 설정된 스위치들에서 OFF 상태를 유지하기 위해 백-투-백 다이오드 구성 성능을 효과적으로 생성하기 위해 하나 이상의 쇼트 아웃(short-out) 스위치(예를 들어, FET)의 사용을 수반할 수도 있다. 이러한 구성은 비교적 낮은 전압 클리핑 및/또는 비교적 낮은 압축을 제공할 수 있다.
일부 실시예들은 실리콘 온 절연체(Silicon-on-Insulator)(SOI) 프로세스들에서 활용될 수도 있다. 일부 경우들에서, 본 명세서에 설명된 실시예들은 다양한 프로세스들에 상당한 영향을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상보적 금속 산화물 반도체(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)(CMOS) 및/또는 바이폴라 CMOS 프로세스들이 접지된 기판들로 인해 네거티브 전압들과 호환가능하지 않을 수도 있다.
도 3은 본 명세서에 설명된 회로들에서 활용될 수도 있는 다중 스위치들의 네트워크를 도시한다. 스위치들의 네트워크는 제1 스위치(302), 제2 스위치(304), 제3 스위치(306), 및/또는 제4 스위치(308)를 포함한다. 제1 스위치(302)의 게이트는(커플링 회로부를 통해) 제3 스위치(306)의 드레인 또는 소스에 커플링될 수도 있고, 제2 스위치(304)의 게이트는 제4 스위치(308)의 드레인 또는 소스에 커플링될 수도 있다. 또한, 제3 스위치(306)의 게이트는 제4 스위치(308)의 게이트에 커플링될 수도 있고 및/또는 제3 스위치(306)의 드레인 또는 소스는 제4 스위치(308)의 드레인 또는 소스에 커플링될 수도 있다. 예를 들어, 제1 스위치(302)의 드레인 및 제2 스위치(304)의 소스는 제1 노드(310)에 커플링될 수도 있고, 제3 스위치(306)의 드레인 및 제4 스위치(308)의 소스는 제2 노드(312)에 커플링될 수도 있고, 제3 스위치(306)의 게이트 및 제4 스위치(308)의 게이트는 제3 노드(314)에 커플링될 수도 있고, 제4 스위치(308)의 드레인 및 제2 스위치(304)의 게이트는 제4 노드(316)에 커플링될 수도 있고, 및/또는 제3 스위치(306)의 소스 및 제1 스위치(302)의 게이트는 제5 노드(318)에 커플링될 수도 있다. 제1 노드(310) 및 제2 노드(312)는 함께 커플링될 수도 있다.
제1 스위치(302), 제2 스위치(304), 제3 스위치(306), 및/또는 제4 스위치(308)의 이러한 커플링은 백-투-백 다이오드와 유사하게 동작할 수도 있다. 도 4는 일례의 백-투-백 다이오드(400)를 도시한다. 본 명세서에 설명된 일부 회로들은 다이오드들 및/또는 백-투-백 다이오드들을 포함하지 않을 수도 있지만, 본 명세서에 설명된 일부 회로들에서 스위치들의 토폴로지는 백-투-백 다이오드(400)로서 동작하도록 구성될 수도 있다. 일례의 백-투-백 다이오드(400)는 제2 다이오드(404)와 백-투-백 커플링된 제1 다이오드(402)를 포함할 수도 있고 및/또는 제4 다이오드(408)와 백-투-백 커플링된 제3 다이오드(406)를 포함할 수도 있다. 백-투-백 다이오드(400)는 제1 다이오드(402)가 ON 상태에 있는 것이 제2 다이오드(404)가 OFF 상태에 있는 것을 보장할 수도 있는 상보적 방식으로 동작할 수도 있다. 이와 같이 백-투-백 다이오드(400)는 네거티브 전압을 요구하지 않으면서 OFF 상태 동안 신호들을 효과적으로 차단할 수 있다. 도 3에서 네트워크의 제3 스위치(306) 및 제4 스위치(308)는 유사하게 OFF 상태에서 신호들을 효과적으로 차단할 수 있다.
도 5는 일례의 회로(500)를 도시한다. 회로(500)는 제1 직렬 스위치(502), 제2 직렬 스위치(504), 제1 션트 스위치(503), 및/또는 제2 션트 스위치(505)를 포함할 수도 있다. 제1 직렬 스위치(502) 및/또는 제1 션트 스위치(503)는 커플링 회로부를 통해 제1 포트(즉, 출력)(506)에 커플링될 수도 있다. 제2 직렬 스위치(504) 및/또는 제2 션트 스위치(505)는 커플링 회로부를 통해 제2 포트(즉, 출력)(508)에 커플링될 수도 있다. 회로(500)는 커플링 회로부를 통해 제1 직렬 스위치(502) 및/또는 제2 직렬 스위치(504)에 커플링된 입력(501)(예를 들어, 단일 입력)을 포함할 수도 있다.
스위치들 중 하나 이상은 다중 스위치들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 직렬 스위치(502)는 4개의 스위치를 포함할 수도 있고, 4개의 스위치의 각각의 게이트들은 제1 게이트 전압(511)에 커플링된다. 4개의 스위치의 소스 및/또는 드레인은 유사하게 공통 소스 전압(513)에 커플링될 수도 있다. 제1 직렬 스위치(502)는 제1 스위치(512), 제2 스위치(514), 제3 스위치(516), 및/또는 제4 스위치(518)를 포함할 수도 있다. 제1 스위치(512), 제2 스위치(514), 제3 스위치(516), 및/또는 제4 스위치(518)의 게이트들은 제1 게이트 전압(511)에 커플링될 수도 있다. 제2 직렬 스위치(504), 제1 션트 스위치(503), 및/또는 제2 션트 스위치(505)는 유사하게 다중 스위치들을 포함할 수도 있다.
일부 실시예들에서, 제1 스위치(512)의 게이트는 제5 스위치에 커플링될 수도 있다(도 3의 제4 스위치(308)에 대응하는 제5 스위치를 포함하는 부가 스위치들의 더 가까운 뷰들에 대해서는 도 3을 참조한다). 제2 스위치(514)의 게이트는 제6 스위치에 커플링될 수도 있다. 제5 스위치의 소스 또는 드레인 및 제6 스위치의 소스 또는 드레인은 제1 노드에 커플링될 수도 있다. 제5 스위치의 게이트 및 제6 스위치의 게이트는 제2 노드에 커플링될 수도 있다. 제1 노드는 제2 게이트 전압(515)에 커플링될 수도 있다.
또한, 제3 스위치(516)의 게이트는 제7 스위치에 커플링될 수도 있다. 제4 스위치(518)의 게이트는 제8 스위치에 커플링될 수도 있다. 제7 스위치의 소스 또는 드레인 및 제8 스위치의 소스 또는 드레인은 제3 노드에 커플링될 수도 있다. 제7 스위치의 게이트 및 제8 스위치의 게이트는 제4 노드에 커플링될 수도 있다. 제3 노드는 제2 게이트 전압(515)에 커플링될 수도 있다.
제5 스위치 및 제6 스위치(그리고 제7 스위치 및 제8 스위치)는 백-투-백 다이오드와 유사하게, 전압 및/또는 신호들을 차단하도록 구성될 수도 있다. 이러한 방식으로, 제1 직렬 스위치(502)를 포함하는 다양한 스위치들이 0 V 소스 전압(513)을 유지하면서 포지티브(예를 들어, 2.5 V) 제2 게이트 전압(515)을 수신하도록 구성될 수도 있다.
제2 직렬 스위치(504)는 커플링 회로부를 통해 제2 포트(즉, 출력)(508)에 커플링될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 제2 직렬 스위치(504)는 4개의 스위치를 포함할 수도 있고, 4개의 스위치 각각의 게이트들은 제1 게이트 전압(517)에 커플링된다. 4개의 스위치의 소스 및/또는 드레인은 유사하게 공통 소스 전압(519)에 커플링될 수도 있다. 제2 직렬 스위치(504)는 제1 스위치(542), 제2 스위치(544), 제3 스위치(546), 및/또는 제4 스위치(548)를 포함할 수도 있다. 제1 스위치(542), 제2 스위치(544), 제3 스위치(546), 및/또는 제4 스위치(548)의 게이트들은 제1 게이트 전압(517)에 커플링될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 제1 스위치(542)의 게이트는 제5 스위치에 커플링될 수도 있다. 제2 스위치(544)의 게이트는 제6 스위치에 커플링될 수도 있다. 제5 스위치의 소스 또는 드레인 및 제6 스위치의 소스 또는 드레인은 제1 노드에 커플링될 수도 있다. 제5 스위치의 게이트 및 제6 스위치의 게이트는 제2 노드에 커플링될 수도 있다. 제1 노드는 제2 게이트 전압(521)에 커플링될 수도 있다.
또한, 제3 스위치의 게이트는 제7 스위치에 커플링될 수도 있다. 제4 스위치의 게이트는 제8 스위치에 커플링될 수도 있다. 제7 스위치의 소스 또는 드레인 및 제8 스위치의 소스 또는 드레인은 제3 노드에 커플링될 수도 있다. 제7 스위치의 게이트 및 제8 스위치의 게이트는 제4 노드에 커플링될 수도 있다. 제3 노드는 제2 게이트 전압(521)에 커플링될 수도 있다.
제5 스위치 및 제6 스위치(그리고 제7 스위치 및 제8 스위치)는 백-투-백 다이오드와 유사하게, 전압 및/또는 신호들을 차단하도록 구성될 수도 있다. 이러한 방식으로, 제1 직렬 스위치(502)를 포함하는 다양한 스위치들이 0 V 소스 전압(519)을 유지하면서 포지티브(예를 들어, 2.5 V) 제2 게이트 전압(521)을 수신하도록 구성될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 제1 직렬 스위치(502)는 제2 직렬 스위치(504)가 OFF 상태에 있을 때 ON 상태에 있도록 구성될 수도 있다. 유사하게, 제2 직렬 스위치(504)는 제1 직렬 스위치(502)가 OFF 상태에 있을 때 ON 상태에 있도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 직렬 스위치(502)에서의 제1 게이트 전압(511) 및/또는 제2 직렬 스위치(504)에서의 제2 게이트 전압(521)은 포지티브(예를 들어, 2.5 V)일 수도 있는 한편, 제1 직렬 스위치(502)에서의 제2 게이트 전압(515) 및/또는 제2 직렬 스위치(504)에서의 제1 게이트 전압(517)은 대략 0 V 일 수도 있다. 유사하게, 제1 직렬 스위치(502)에서의 제1 게이트 전압(511) 및/또는 제2 직렬 스위치(504)에서의 제2 게이트 전압(521)은 대략 0 V 일 수도 있는 한편, 제1 직렬 스위치(502)에서의 제2 게이트 전압(515) 및/또는 제2 직렬 스위치(504)에서의 제1 게이트 전압(517)은 포지티브(예를 들어, 2.5 V)일 수도 있다. 제1 직렬 스위치(502) 및/또는 제2 직렬 스위치(504)에서의 제1 소스 전압들(513, 519)은 ON 상태 및 OFF 상태 양자 모두에서 대략 0 V일 수도 있다.
제1 션트 스위치(503)는 제1 직렬 스위치들(502)과 유사한 스위치들의 네트워크 및/또는 전압 소스들을 포함할 수도 있다. 또한, 제2 션트 스위치(505)는 제2 직렬 스위치(502)와 유사한 스위치들의 네트워크 및/또는 전압 소스들을 포함할 수도 있다. 따라서, 제1 직렬 스위치(502)가 ON 상태에 있을 때 제1 션트 스위치(503)는 ON 상태에 있도록 구성될 수도 있고 및/또는 제1 직렬 스위치(502)가 OFF 상태에 있을 때 제1 션트 스위치(503)는 OFF 상태에 있도록 구성될 수도 있다. 유사하게, 제2 직렬 스위치(504)가 ON 상태에 있을 때 제2 션트 스위치(505)는 ON 상태에 있도록 구성될 수도 있고 및/또는 제2 직렬 스위치(504)가 OFF 상태에 있을 때 제2 션트 스위치(505)는 OFF 상태에 있도록 구성될 수도 있다.
도 6의 예에서, 도 5의 스위칭 회로(500)는 패키징 모듈(600)에 포함될 수 있다. 스위칭 회로(500)는 반도체 다이(602)를 포함할 수 있으며, 반도체 다이(602)는 도 5 및/또는 다른 도면들과 관련하여 본 명세서에 설명된 다양한 스위치들 및/또는 커플링 회로부를 포함할 수 있다.
패키징 모듈(600)은 제어기(610)를 추가로 포함할 수 있다. 이러한 제어기는 예를 들어, 스위칭 회로(500)의 다양한 스위치들을 선택적으로 바이어싱하기 위해 본 명세서에 설명된 바와 같이 로직 기능성을 제공하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이러한 제어기는 모바일 산업 프로세서 인터페이스(MIPI) 표준과 같은 제어 표준으로 동작하도록 구성될 수 있다.
일부 구현들에서, 본 명세서에 설명된 하나 이상의 특징을 갖는 아키텍처, 디바이스 및/또는 회로는 무선 디바이스와 같은 RF 디바이스에 포함될 수 있다. 이러한 아키텍처, 디바이스 및/또는 회로는 무선 디바이스에서 직접 구현될 수 있고, 본 명세서에 설명된 바와 같이 하나 이상의 모듈 형태로, 또는 이들의 일부 조합으로 구현될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이러한 무선 디바이스는 예를 들어, 셀룰러 폰, 스마트 폰, 전화 기능성이 있거나 없는 핸드-헬드 무선 디바이스, 무선 태블릿, 무선 라우터, 무선 액세스 포인트, 무선 기지국 등을 포함할 수 있다. 본 명세서에서는 무선 디바이스들의 맥락에서 설명되지만, 본 개시의 하나 이상의 특징은 또한 기지국들과 같은 다른 RF 시스템들에서 구현될 수 있음을 이해할 것이다.
도 7은 본 명세서에 설명된 하나 이상의 유리한 특징을 갖는 일례의 무선 디바이스(700)를 도시한다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, 본 명세서에 설명된 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 하나 이상의 스위칭 회로는 이러한 무선 디바이스의 다수의 장소에서 구현될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 본 명세서에 설명된 바와 같이 하나 이상의 특징을 갖는 스위칭 회로(500)는 하나 이상의 저잡음 증폭기(LNA)를 갖는 다이버시티 수신(DRx) 모듈(701)과 같은 모듈에서 구현될 수 있다.
일부 실시예들에서, 본 명세서에 설명된 바와 같이 하나 이상의 특징을 갖는 스위칭 회로(500)는 트랜시버에서 구현될 수 있다. 이러한 스위칭 회로는 트랜시버 내에서 별도의 모듈로서 또는 트랜시버 모듈의 일부로서 구현될 수 있다.
일부 실시예들에서, 본 명세서에 설명된 바와 같이 하나 이상의 특징을 갖는 스위칭 회로(500)는 프론트-엔드 모듈(예를 들어, DRx 모듈)과 트랜시버 사이에서 구현될 수 있다. 이러한 스위칭 회로(500)는 별도의 모듈, 회로 요소들의 어셈블리, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다.
도 7의 예에서, 전력 증폭기(PA) 모듈(712)에서의 PA들은 증폭 및 송신될 RF 신호들을 생성하고, 수신된 신호들을 프로세싱하도록 구성 및 동작될 수 있는 트랜시버(710)로부터 그 개개의 RF 신호들을 수신할 수 있다. 트랜시버(710)는 사용자에 적합한 데이터 및/또는 음성 신호들과 트랜시버(710)에 적합한 RF 신호들 사이의 변환을 제공하도록 구성되는 베이스대역 서브시스템(708)과 상호작용하는 것으로 나타낸다. 트랜시버(710)는 또한 무선 디바이스(700)의 동작을 위한 전력을 관리하도록 구성되는 전력 관리 컴포넌트(706)에 연결되는 것으로 나타낸다. 이러한 전력 관리는 또한 베이스대역 서브시스템(708) 및 무선 디바이스(700)의 다른 컴포넌트들의 동작들을 제어할 수 있다.
베이스대역 서브시스템(708)은 사용자에게 제공되고 사용자로부터 수신되는 음성 및/또는 데이터의 다양한 입력 및 출력을 용이하게 하기 위해 사용자 인터페이스(702)에 연결되는 것으로 나타낸다. 베이스대역 서브시스템(708)은 또한 무선 디바이스의 동작을 용이하게 하고, 및/또는 사용자를 위한 정보의 저장을 제공하기 위해 데이터 및/또는 명령들을 저장하도록 구성되는 메모리(704)에 연결될 수 있다.
도 7의 예에서, DRx 모듈(701)은 하나 이상의 다이버시티 안테나(예를 들어, 다이버시티 안테나(730))와 ASM(714) 사이에서 구현될 수 있다. 이러한 구성은 다이버시티 안테나(730)를 통해 수신된 RF 신호가 다이버시티 안테나(730)로부터의 RF 신호에 대한 잡음의 손실이 거의 또는 전혀 없이 및/또는 잡음의 부가가 거의 또는 전혀 없이 프로세싱될 수 있도록 할 수 있다(일부 실시예들에서, LNA에 의한 증폭을 포함함). 그 후 이러한 DRx 모듈(701)로부터 프로세싱된 신호는 하나 이상의 신호 경로를 통해 ASM 으로 라우팅될 수 있다.
도 7의 예에서, 메인 안테나(720)는 예를 들어, PA 모듈(712)로부터의 RF 신호들의 송신을 용이하게 하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 수신 동작들은 또한 메인 안테나를 통해 달성될 수 있다.
다수의 다른 무선 디바이스 구성들은 본 명세서에 설명된 하나 이상의 특징을 활용할 수 있다. 예를 들어, 무선 디바이스가 멀티 대역 디바이스일 필요는 없다. 다른 예에서, 무선 디바이스는 다이버시티 안테나와 같은 부가 안테나, 및 Wi-Fi, 블루투스 및 GPS 와 같은 부가 접속성 특징들을 포함할 수 있다.
본 개시의 하나 이상의 특징은 본 명세서에 설명된 바와 같이 다양한 셀룰러 주파수 대역들로 구현될 수 있다. 이러한 대역들의 예들은 표 1에 나열되어 있다. 대역들의 적어도 일부는 서브대역들로 분할될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 또한, 본 개시의 하나 이상의 특징은 표 1의 예들과 같은 지정들을 갖지 않는 주파수 범위들로 구현될 수 있음을 이해할 것이다.
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본 개시는 다양한 특징들을 설명하며, 이들 중 어느 것도 본 명세서에 설명된 이익들에 대해 단독으로 책임이 있지는 않다. 본 명세서에 설명된 다양한 특징들은 통상의 기술자에게 자명하게 될 바와 같이, 조합, 수정 또는 생략될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에 구체적으로 설명된 것들 이외의 다른 조합들 및 하위 조합들은 통상의 기술자에게 자명할 것이며, 본 개시의 일부를 형성하도록 의도된다. 다양한 방법들이 다양한 흐름도 단계들 및/또는 페이즈들과 관련하여 본 명세서에서 설명된다. 많은 경우들에서, 소정의 단계들 및/또는 페이즈들은 흐름도들에 나타낸 다중 단계들 및/또는 페이즈들이 단일 단계 및/또는 페이즈로서 수행될 수 있도록 함께 조합될 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 또한, 소정의 단계들 및/또는 페이즈들은 별도로 수행될 부가적인 하위 컴포넌트들로 나누어질 수 있다. 일부 경우들에서, 단계들 및/또는 페이즈들의 순서는 재배열될 수 있고 소정의 단계들 및/또는 페이즈들은 완전히 생략될 수도 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 방법들은 본 명세서에 나타내고 설명된 것들에 대한 부가 단계들 및/또는 페이즈들이 또한 수행될 수 있도록 오픈엔드로 이해되어야 한다.
본 명세서에 설명된 시스템들 및 방법들의 일부 양태들은 예를 들어, 컴퓨터 소프트웨어, 하드웨어, 펌웨어, 또는 컴퓨터 소프트웨어, 하드웨어, 및 펌웨어의 임의의 조합을 사용하여 유리하게 구현될 수 있다. 컴퓨터 소프트웨어는 실행될 때, 본 명세서에 설명된 기능들을 수행하는, 컴퓨터 판독가능 매체(예를 들어, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체)에 저장된 컴퓨터 실행가능 코드를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 컴퓨터 실행가능 코드는 하나 이상의 범용 컴퓨터 프로세서에 의해 실행된다. 본 개시를 고려하여, 숙련된 기술자는 범용 컴퓨터 상에서 실행될 소프트웨어를 사용하여 구현될 수 있는 임의의 특징 또는 기능이 하드웨어, 소프트웨어, 또는 펌웨어의 상이한 조합을 사용하여 또한 구현될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 이러한 모듈은 집적 회로들의 조합을 사용하여 하드웨어에서 완전히 구현될 수 있다. 대안으로 또는 부가적으로, 이러한 특징 또는 기능은 범용 컴퓨터들에 의해서 보다는 본 명세서에 설명된 특정 기능들을 수행하도록 설계된 특수 컴퓨터들을 사용하여 완전히 또는 부분적으로 구현될 수 있다.
다중 분산 컴퓨팅 디바이스들이 본 명세서에 설명된 임의의 하나의 컴퓨팅 디바이스에 대해 치환될 수 있다. 이러한 분산된 실시예들에서는, 일부 기능들이 분산된 컴퓨팅 디바이스들 각각에 대해 수행되도록(예를 들어, 네트워크를 통해) 하나의 컴퓨팅 디바이스의 기능들이 분산된다.
일부 실시예들은 방정식들, 알고리즘들 및/또는 흐름도 도시들을 참조하여 설명될 수도 있다. 이러한 방법들은 하나 이상의 컴퓨터 상에서 실행가능한 컴퓨터 프로그램 명령들을 사용하여 구현될 수도 있다. 이러한 방법들은 또한 장치 또는 시스템의 컴포넌트로서 또는 별도로 컴퓨터 프로그램 제품들로서 구현될 수도 있다. 이와 관련하여, 흐름도의 각각의 방정식, 알고리즘, 블록 또는 단계, 및 이들의 조합은 컴퓨터 판독가능 프로그램 코드 로직에서 구현된 하나 이상의 컴퓨터 프로그램 명령을 포함하는 하드웨어, 펌웨어, 및/또는 소프트웨어에 의해 구현될 수도 있다. 이해될 바와 같이, 임의의 그러한 컴퓨터 프로그램 명령들은 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터, 또는 머신을 생성하기 위한 다른 프로그램가능 프로세싱 장치를 제한없이 포함하는 하나 이상의 컴퓨터 상으로 로딩되어, 컴퓨터(들) 또는 다른 프로그램가능 프로세싱 디바이스(들) 상에서 실행되는 컴퓨터 프로그램 명령들이 방정식들, 알고리즘들 및/또는 흐름도들에 특정된 기능들을 구현하도록 할 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 흐름도 도시들에서 각각의 방정식, 알고리즘 및/또는 블록, 및 이들의 조합은, 특정된 기능들 또는 단계들을 수행하는 특수 목적 하드웨어 기반 컴퓨터 시스템들에 의해, 또는 특수 목적 하드웨어와 컴퓨터 판독가능 프로그램 코드 로직 수단의 조합들에 의해 구현될 수도 있음을 또한 이해할 것이다.
더욱이, 특정 방식으로 기능하도록 하나 이상의 컴퓨터 또는 다른 프로그램가능 프로세싱 디바이스들에 지시할 수 있는, 컴퓨터 판독가능 프로그램 코드 로직에서 구현되는 것과 같은 컴퓨터 프로그램 명령들은 또한 컴퓨터 판독가능 메모리(예를 들어, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체)에 저장되어, 컴퓨터 판독가능 메모리에 저장된 명령들이 흐름도(들)의 블록(들)에 특정된 기능(들)을 구현하도록 할 수도 있다. 컴퓨터 또는 다른 프로그램가능 프로세싱 장치 상에서 실행되는 명령들이 방정식(들), 알고리즘(들) 및/또는 흐름도(들)의 블록(들)에 특정된 기능들을 구현하기 위한 단계들을 제공하도록, 컴퓨터에 의해 구현된 프로세스를 생성하기 위해 하나 이상의 컴퓨터 또는 다른 프로그램가능 컴퓨팅 디바이스들 상에 일련의 동작 단계들이 수행되게끔 하기 위해, 컴퓨터 프로그램 명령들이 또한 하나 이상의 컴퓨터 또는 다른 프로그램가능 컴퓨팅 디바이스들 상으로 로딩될 수도 있다.
본 명세서에 설명된 방법들 및 태스크들의 일부 또는 전부는 컴퓨터 시스템에 의해 수행되고 완전히 자동화될 수도 있다. 컴퓨터 시스템은 일부 경우들에서, 설명된 기능들을 수행하기 위해 네트워크를 통해 통신하고 상호운용하는 다중의 별개 컴퓨터들 또는 컴퓨팅 디바이스들(예를 들어, 물리적 서버들, 워크스테이션들, 저장 어레이들 등)을 포함할 수도 있다. 각각의 이러한 컴퓨팅 디바이스는 통상적으로 메모리 또는 다른 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 또는 디바이스에 저장된 프로그램 명령들 또는 모듈들을 실행하는 프로세서(또는 다중 프로세서들)를 포함한다. 개시된 기능들의 일부 또는 전부가 대안으로 컴퓨터 시스템의 애플리케이션 특정 회로부(예를 들어, ASIC들 또는 FPGA들)에서 구현될 수도 있지만, 여기에 개시된 다양한 기능들은 이러한 프로그램 명령들로 구현될 수도 있다. 컴퓨터 시스템이 다중의 컴퓨팅 디바이스들을 포함하는 경우, 이들 디바이스들은 병치될 수도 있지만, 반드시 그럴 필요는 없다. 개시된 방법들 및 태스크들의 결과들은 고체 상태 메모리 칩들 및/또는 자기 디스크들과 같은 물리적 저장 디바이스들을 다른 상태로 변환함으로써 지속적으로 저장될 수도 있다.
문맥이 명백하게 달리 요구하지 않는 한, 설명 및 청구항들 전체에 걸쳐 단어 "포함하다", "포함하는" 등은 배타적이거나 완전한의미가 아니라 포괄적인 의미로; 즉, "포함하지만 이에 제한되지 않는"의 의미로 해석되어야 한다. 본 명세서에서 일반적으로 사용된 바와 같이, 단어 "커플링된"은 직접 연결되거나 하나 이상의 중간 요소를 통해 연결될 수도 있는 2 이상의 요소를 지칭한다. 또한, 단어 "본 명세서에서", "상기", "하기" 및 유사한 의미의 단어는, 본 출원에서 사용될 때, 본 출원의 임의의 특정 부분들이 아니라 전체적으로 본 출원을 지칭할 것이다. 문맥이 허용하는 경우, 단수 또는 복수를 사용하는 상기 상세한 설명의 단어는 각각 복수 또는 단수를 또한 포함할 수도 있다. 2 이상의 아이템들의 리스트에 관하여 단어 "또는"은 다음의 해석들 모두를 커버한다: 리스트에서의 아이템들 중 임의의 것, 리스트에서의 아이템들 모두, 및 리스트에서의 아이템들의 임의의 조합. 단어 "예시적인"은 "예, 실례, 또는 예시로서 작용하는 것"을 배타적으로 의미하는 것으로 본 명세서에서 사용된다. "예시적인"으로서 본 명세서에 설명된 임의의 구현이 반드시 다른 구현들보다 바람직하거나 또는 유리한 것으로 해석될 필요는 없다.
본 개시는 본 명세서에 나타낸 구현들로 제한되도록 의도되지 않는다. 본 개시에 설명된 구현들에 대한 다양한 수정들이 관련 기술 분야의 기술자에게 쉽게 명백할 것이며, 본 명세서에 정의된 일반적인 원리들은 본 개시의 사상 또는 범위를 벗어나지 않으면서 다른 구현들에 적용될 수도 있다. 본 명세서에 제공된 발명의 교시는 다른 방법들 및 시스템들에 적용될 수 있고, 상술한 방법들 및 시스템들에 제한되지 않으며, 상술한 다양한 실시예들의 요소들 및 행위들은 추가 실시예들을 제공하도록 조합될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 신규한 방법들 및 시스템들은 다양한 다른 형태들로 구현될 수도 있으며; 또한 본 개시의 사상을 벗어나지 않으면서 본 명세서에 설명된 방법들 및 시스템들의 형태로 다양한 생략들, 치환들 및 변경들이 이루어질 수도 있다. 첨부된 청구항들 및 그 등가물들은 본 개시의 범위 및 사상 내에 속하게 되는 그러한 형태들 또는 수정들을 커버하도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 스위칭 회로로서,
    제1 출력 포트에 커플링된 제1 직렬 스위치 - 상기 제1 직렬 스위치는 제1 전계 효과 트랜지스터(FET), 제2 FET, 제3 FET, 제4 FET, 제5 FET, 및 제6 FET를 포함함 -;
    제2 출력 포트에 커플링된 제2 직렬 스위치; 및
    상기 제5 FET의 게이트 및 상기 제6 FET의 게이트를 제1 노드에, 상기 제5 FET의 소스 및 상기 제6 FET의 드레인을 제2 노드에, 상기 제1 FET의 소스 및 상기 제2 FET의 드레인을 제3 노드에, 상기 제1 FET의 게이트 및 상기 제5 FET의 드레인을 제4 노드에, 상기 제2 FET의 게이트 및 상기 제6 FET의 소스를 제5 노드에, 상기 제4 노드 및 상기 제5 노드를 제1 게이트 전압에, 그리고 상기 제1 노드를 상기 제1 게이트 전압과 상이한 제2 게이트 전압에 커플링하도록 구성된 커플링 회로부
    를 포함하는, 스위칭 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    제1 션트 스위치를 추가로 포함하고, 상기 커플링 회로부는 상기 제1 직렬 스위치와 상기 제1 션트 스위치 사이에 상기 제1 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성되는, 스위칭 회로.
  3. 제2항에 있어서,
    제2 션트 스위치를 추가로 포함하고, 상기 커플링 회로부는 상기 제2 직렬 스위치와 상기 제2 션트 스위치 사이에 상기 제2 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성되는, 스위칭 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함하는, 스위칭 회로.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함하는, 스위칭 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 직렬 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함하는, 스위칭 회로.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 직렬 스위치는 제7 FET 및 제8 FET를 추가로 포함하는, 스위칭 회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 게이트 전압은 상기 제2 게이트 전압이 포지티브인 동안 대략 0 V이도록 구성되는, 스위칭 회로.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 게이트 전압은 상기 제1 게이트 전압이 포지티브인 동안 대략 0 V이도록 구성되는, 스위칭 회로.
  10. 무선 디바이스로서,
    제1 출력 포트에 커플링된 제1 직렬 스위치 - 상기 제1 직렬 스위치는 제1 전계 효과 트랜지스터(FET), 제2 FET, 제3 FET, 제4 FET, 제5 FET, 및 제6 FET를 포함함 -;
    제2 출력 포트에 커플링된 제2 직렬 스위치; 및
    상기 제5 FET를 상기 제1 FET에, 상기 제5 FET를 상기 제6 FET에, 상기 제1 FET를 상기 제2 FET에, 상기 제1 FET 및 상기 제2 FET를 제1 게이트 전압에, 그리고 상기 제5 FET 및 상기 제6 FET를 상기 제1 게이트 전압과 상이한 제2 게이트 전압에 커플링하도록 구성된 커플링 회로부
    를 포함하는, 무선 디바이스.
  11. 제10항에 있어서,
    제1 션트 스위치를 추가로 포함하고, 상기 커플링 회로부는 상기 제1 직렬 스위치와 상기 제1 션트 스위치 사이에 상기 제1 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성되는, 무선 디바이스.
  12. 제11항에 있어서,
    제2 션트 스위치를 추가로 포함하고, 상기 커플링 회로부는 상기 제2 직렬 스위치와 상기 제2 션트 스위치 사이에 상기 제2 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성되는, 무선 디바이스.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함하는, 무선 디바이스.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제2 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함하는, 무선 디바이스.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제2 직렬 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함하는, 무선 디바이스.
  16. 반도체 다이로서,
    제1 출력 포트에 커플링된 제1 직렬 스위치 - 상기 제1 직렬 스위치는 제1 전계 효과 트랜지스터(FET), 제2 FET, 제3 FET, 제4 FET, 제5 FET, 및 제6 FET를 포함함 -;
    제2 출력 포트에 커플링된 제2 직렬 스위치; 및
    상기 제5 FET를 상기 제1 FET에, 상기 제5 FET를 상기 제6 FET에, 상기 제1 FET를 상기 제2 FET에, 상기 제1 FET 및 상기 제2 FET를 제1 게이트 전압에, 그리고 상기 제5 FET 및 상기 제6 FET를 상기 제1 게이트 전압과 상이한 제2 게이트 전압에 커플링하도록 구성된 커플링 회로부
    를 포함하는, 반도체 다이.
  17. 제16항에 있어서,
    제1 션트 스위치를 추가로 포함하고, 상기 커플링 회로부는 상기 제1 직렬 스위치와 상기 제1 션트 스위치 사이에 상기 제1 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성되는, 반도체 다이.
  18. 제17항에 있어서,
    제2 션트 스위치를 추가로 포함하고, 상기 커플링 회로부는 상기 제2 직렬 스위치와 상기 제2 션트 스위치 사이에 상기 제2 출력 포트를 커플링하도록 추가로 구성되는, 반도체 다이.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함하는, 반도체 다이.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제2 션트 스위치는 4개의 직렬 연결된 FET를 포함하는, 반도체 다이.
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