KR20220135887A - Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same - Google Patents

Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20220135887A
KR20220135887A KR1020210042141A KR20210042141A KR20220135887A KR 20220135887 A KR20220135887 A KR 20220135887A KR 1020210042141 A KR1020210042141 A KR 1020210042141A KR 20210042141 A KR20210042141 A KR 20210042141A KR 20220135887 A KR20220135887 A KR 20220135887A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
less
photosensitive
photosensitive resin
resin layer
laminate
Prior art date
Application number
KR1020210042141A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
석상훈
Original Assignee
코오롱인더스트리 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코오롱인더스트리 주식회사 filed Critical 코오롱인더스트리 주식회사
Priority to KR1020210042141A priority Critical patent/KR20220135887A/en
Priority to CN202280018617.9A priority patent/CN116964527A/en
Priority to PCT/KR2022/004423 priority patent/WO2022211457A1/en
Priority to TW111112289A priority patent/TWI808703B/en
Publication of KR20220135887A publication Critical patent/KR20220135887A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04Interconnection of layers
    • B32B7/06Interconnection of layers permitting easy separation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/12Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10Esters
    • C08F222/12Esters of phenols or saturated alcohols
    • C08F222/20Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061Etching masks
    • H05K3/064Photoresists
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

The present invention relates to: a photosensitive laminate which includes a barrier layer having a haze of 2 % or less, and a photosensitive resin layer including a photopolymerizable compound containing a phthalate derivative, and a binder resin, wherein the photosensitive resin layer contains 5 cells/mm^2 or less of cells having a diameter of less than 1 μm; and a method for manufacturing a circuit board using the photosensitive laminate.

Description

감광성 적층체, 및 회로 기판 제조방법{PHOTOSENSITIVE LAMINATE, AND METHOD OF MANUFACTURING A CIRCUIT BOARD USING THE SAME}A photosensitive laminate, and a method for manufacturing a circuit board

본 발명은 감광성 적층체, 및 회로 기판 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a photosensitive laminate and a method for manufacturing a circuit board.

감광성 수지 조성물은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)이나 리드 프레임(Lead Frame)에 사용되고 있는 드라이 필름 포토레지스트(Dry Film Photoresist, DFR), 액상 포토 레지스트(Liquid Photoresist Ink) 등의 형태로 사용되고 있다.The photosensitive resin composition is used in the form of Dry Film Photoresist (DFR), Liquid Photoresist Ink, etc. used in Printed Circuit Board (PCB) or Lead Frame. .

최근 반도체 소자의 경박단소화 경향이나 다단 패키징에 따라서 회로 기판의 고밀도화가 요구되고 있으며, 초고압 수은 등이나 레이저 다이렉트(Laser Direct) 노광 등이 적용되는 공정이나 지지 필름과 감광성 수지층을 포함한 감광성 적층체를 이용한 회로 기판의 제조 공정 등도 널리 사용되고 있다. Recently, high-density circuit boards are required in accordance with the trend toward light, thin, compact, and multi-stage packaging of semiconductor devices. A manufacturing process of a circuit board using

이에 따라, 보다 높은 신뢰성을 확보하면서도 높은 밀도 및 감도를 구현하고 보다 미세한 배선의 형성을 가능하게 하는 방법 및 공정의 개발에 대한 요구가 계속 이어지고 있다. Accordingly, there is a continuous demand for the development of a method and process that realizes high density and sensitivity while securing higher reliability, and enables the formation of finer wiring.

일본공개특허공보 제2006-106287호(공개일: 2006.04.20.)Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-106287 (published on: April 20, 2006)

본 발명은 미세한 배선의 형성에서 결손을 저감할 수 있으며, 현상시 높은 신뢰성을 확보하여 고밀도의 회로 형성이 가능한 감광성 적층체를 제공하기 위한 것이다. An object of the present invention is to provide a photosensitive laminate capable of reducing defects in the formation of fine wiring, and ensuring high reliability during development, and capable of forming high-density circuits.

또한 본 발명은, 상기 감광성 적층체를 이용하는 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the circuit board using the said photosensitive laminated body.

본 명세서에서는, 2% 이하의 헤이즈를 갖는 베리어층; 및 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물 및 바인더 수지를 포함한 감광성 수지층;을 포함하고, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하로 존재하는, 감광성 적층체가 제공될 수 있다. In the present specification, a barrier layer having a haze of 2% or less; and a photosensitive resin layer including a photopolymerizable compound and a binder resin including a phthalate derivative; wherein 5 cells/mm 2 or less are present in the photosensitive resin layer having a diameter of less than 1 μm. can be

또한, 본 명세서에서는, 상기 감광성 적층체를 이용하는, 회로 기판의 제조 방법이 제공될 수 있다. Also, in the present specification, a method for manufacturing a circuit board using the photosensitive laminate may be provided.

이하 발명의 구체적인 구현예의 따른 감광성 적층체, 및 회로 기판 제조방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, a photosensitive laminate and a circuit board manufacturing method according to specific embodiments of the present invention will be described in more detail.

본 명세서에서, 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하는 과정에서는, 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기(Refractive Index Detector) 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며, 통상적으로 적용되는 온도 조건, 용매, flow rate를 적용할 수 있다. In this specification, the weight average molecular weight means the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by the GPC method. In the process of measuring the polystyrene equivalent weight average molecular weight measured by the GPC method, a commonly known analyzer and a detector such as a differential refraction detector and a column for analysis may be used, and the temperature at which it is normally applied Conditions, solvents, and flow rates can be applied.

상기 측정 조건의 구체적인 예로, 알칼리 현상성 바인더 수지는 1.0 (w/w)% in THF (고형분 기준 약 0.5 (w/w)%)의 농도가 되도록 테트라히드로푸란에 용해시켜 0.45㎛ Pore Size의 Syringe Filter를 이용하여 여과 후 GPC에 20㎕를 주입하고, GPC의 이동상은 테트라히드로푸란(Tetrahydrofuran, THF)을 사용하고, 1.0mL/분의 유속으로 유입하였으며, 컬럼은 Agilent PLgel 5㎛ Guard (7.5 x 50 mm) 1개와 Agilent PLgel 5㎛ Mixed D (7.5 x 300 mm) 2개를 직렬로 연결하고, 검출기로는 Agilent 1260 Infinity Ⅱ System, RI Detector를 이용하여 40℃에서 측정하였다.As a specific example of the measurement conditions, the alkali developable binder resin is dissolved in tetrahydrofuran so as to have a concentration of 1.0 (w/w)% in THF (about 0.5 (w/w)% based on solid content), and a syringe of 0.45㎛ Pore Size After filtration using a filter, 20 μl was injected into GPC, tetrahydrofuran (THF) was used as the mobile phase of GPC, and it was introduced at a flow rate of 1.0 mL/min, and the column was Agilent PLgel 5㎛ Guard (7.5 x 50 mm) and Agilent PLgel 5㎛ Mixed D (7.5 x 300 mm) were connected in series, and the Agilent 1260 Infinity Ⅱ System, RI Detector was used as a detector for measurement at 40°C.

이를, 테트라히드로푸란에 0.1 (w/w)% 농도로 아래와 같이 다양한 분자량을 갖는 폴리스티렌을 용해시킨 폴리스티렌 표준품 시료(STD A, B, C, D)를 0.45㎛ Pore Size의 Syringe Filter로 여과 후 GPC에 주입하여 형성된 검정 곡선을 이용하여 알칼리 현상성 바인더 수지의 중량평균분자량(Mw)의 값을 구하였다. For this, polystyrene standard samples (STD A, B, C, D) obtained by dissolving polystyrene having various molecular weights as follows at a concentration of 0.1 (w/w)% in tetrahydrofuran were filtered with a 0.45㎛ pore size Syringe Filter and then GPC The value of the weight average molecular weight (Mw) of the alkali developable binder resin was calculated using a calibration curve formed by injecting into the .

STD A (Mp) : 791,000 / 27,810 / 945STD A (Mp): 791,000 / 27,810 / 945

STD B (Mp) : 282,000 / 10,700 / 580STD B (Mp): 282,000 / 10,700 / 580

STD C (Mp) : 126,000 / 4,430 / 370STD C (Mp): 126,000 / 4,430 / 370

STD D (Mp) : 51,200 / 1,920 / 162STD D (Mp): 51,200 / 1,920 / 162

본 명세서에서, "(광)경화물" 또는 "(광)경화"되었다 함은, 화학 구조 중에 경화 또는 가교 가능한 불포화기를 갖는 구성 성분이 전부 경화, 가교 또는 중합된 경우뿐만 아니라, 이의 일부가 경화, 가교 또는 중합된 경우까지 포괄할 수 있다.In this specification, "(photo)cured product" or "(photo)cured" means not only when all of the components having an unsaturated group that can be cured or crosslinked in the chemical structure are cured, crosslinked or polymerized, but also a part of it is cured , cross-linked or polymerized.

발명의 일 구현예에 따르면, 2% 이하의 헤이즈를 갖는 베리어층; 및 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물 및 바인더 수지를 포함한 감광성 수지층;을 포함하고, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하로 존재하는, 감광성 적층체가 제공될 수 있다. According to one embodiment of the invention, a barrier layer having a haze of 2% or less; and a photosensitive resin layer including a photopolymerizable compound and a binder resin including a phthalate derivative; wherein 5 cells/mm 2 or less are present in the photosensitive resin layer having a diameter of less than 1 μm. can be

본 발명자들은, 2% 이하의 헤이즈를 갖는 베리어층 및 1㎛ 미만, 또는 0.001 ㎛ 이상 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하로 존재하는 감광성 수지층을 포함한 감광성 적층체를 새로이 개발하였고, 이러한 감광성 적층체를 이용하면 회로 기판의 제조 과정에서 노광에 대한 높은 감도를 구현할 수 있으며, 현상시 신뢰성이 높아져서, 높은 신뢰성을 확보하면서도 높은 밀도 및 감도를 구현하고 보다 미세한 배선의 형성을 가능하는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다. The present inventors have newly developed a photosensitive laminate comprising a barrier layer having a haze of 2% or less and a photosensitive resin layer having 5 cells/mm 2 or less of bubbles having a diameter of less than 1 μm, or 0.001 μm or more and less than 1 μm. By using this photosensitive laminate, it is possible to realize high sensitivity to exposure during the manufacturing process of circuit boards, and the reliability during development is increased, so that high density and sensitivity are realized while ensuring high reliability, and the formation of finer wiring is achieved. Possible points were confirmed through experiments and the invention was completed.

본 발명자들은, 2% 이하의 헤이즈를 갖는 광학 특성이 우수한 베리어층을 포함함에 따라, 감광성 적층체를 이용한 드라이 필름 포토레지스트 제조 공정에서 우수한 회로 패턴 해상도를 구현할 수 있음을 확인하였다. 구체적으로, 2% 이하의 헤이즈를 갖는 베리어층을 포함함에 따라 베리어층이 산소 라디칼 반응을 차단하는 산소 배리어 막으로 작용하여 감광성 수지층 내에 이물 또는 기포 등의 형성을 최소화 하여 최종 제조되는 드라이 필름 포토레지스트의 해상도 및 신뢰도가 향상될 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하였다. The present inventors have confirmed that excellent circuit pattern resolution can be realized in a dry film photoresist manufacturing process using a photosensitive laminate by including a barrier layer having excellent optical properties having a haze of 2% or less. Specifically, as a barrier layer having a haze of 2% or less is included, the barrier layer acts as an oxygen barrier film that blocks oxygen radical reaction, minimizing the formation of foreign substances or bubbles in the photosensitive resin layer. It was confirmed that the resolution and reliability of the resist could be improved, and the present invention was completed.

상기 헤이즈의 측정 방법은 크게 제한되지 않으나, 예를 들어 HAZE METER(모델명: NDH7000, Nippon denshoku 社)를 이용하여 ASTM D1003의 측정법에 따라 측정할 수 있다. The haze measurement method is not particularly limited, but may be measured according to the measurement method of ASTM D1003 using, for example, a HAZE METER (model name: NDH7000, Nippon Denshoku Corporation).

상기 베리어층의 헤이즈가 2% 를 초과하는 경우 회로물성 해상도가 저해되는 문제가 발생할 수 있다. When the haze of the barrier layer exceeds 2%, there may be a problem in that the resolution of circuit properties is impaired.

상기 일 구현예의 감광성 적층체에서 상기 베리어 층은 10cc/m2/day 이하, 또는 4cc/m2/day 이하, 또는 0.1cc/m2/day 이상 4cc/m2/day 이하의 산소 투과도를 가질 수 있다. 상기 산소 투과도의 측정 방법은 크게 제한되지 않으나, 예를 들어 OX-Tran (Model 2/61, Mocon社) 를 이용하여 ASTM F1927 의 측정법에 따라 측정할 수 있다. In the photosensitive laminate of the embodiment, the barrier layer has an oxygen permeability of 10 cc/m 2 /day or less, or 4 cc/m 2 /day or less, or 0.1 cc/m 2 /day or more and 4 cc/m 2 /day or less. can The method for measuring the oxygen permeability is not particularly limited, but, for example, it may be measured according to the measurement method of ASTM F1927 using OX-Tran (Model 2/61, Mocon Corporation).

상기 베리어 층은 10cc/m2/day 이하의 산소 투과도를 가짐에 따라, 상기 베리어층이 산소 라디칼 반응을 차단하는 산소 배리어 막으로 작용할 수 있으며, 이에 따라 감광성 수지층 내에 이물 또는 기포 등의 형성을 최소화 하여 최종 제조되는 드라이 필름 포토레지스트의 해상도 및 신뢰도가 향상될 수 있다. As the barrier layer has an oxygen permeability of 10 cc/m 2 /day or less, the barrier layer may act as an oxygen barrier film that blocks oxygen radical reaction, and thus formation of foreign substances or bubbles in the photosensitive resin layer is prevented. By minimizing it, the resolution and reliability of the final manufactured dry film photoresist can be improved.

상기 베리어층은 베리어층 형성용 조성물로부터 형성될 수 있으며, 상기 베리어층 형성용 조성물은 폴리비닐알콜 수지를 포함할 수 있다. The barrier layer may be formed from a composition for forming a barrier layer, and the composition for forming the barrier layer may include a polyvinyl alcohol resin.

즉, 상기 베리어층은 5,000 g/mol 내지 1,000,000 g/mol, 7,000 g/mol 내지 50,000 g/mol, 또는 10,000 g/mol 내지 30,000 g/mol 의 중량평균분자량을 갖는 폴리비닐알콜 수지를 포함할 수 있다. 상기 베리어층이 10,000 g/mol 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 폴리비닐알콜 수지를 포함함에 따라, 상기 베리어층의 헤이즈가 2 % 이하를 만족할 수 있다. That is, the barrier layer may include a polyvinyl alcohol resin having a weight average molecular weight of 5,000 g/mol to 1,000,000 g/mol, 7,000 g/mol to 50,000 g/mol, or 10,000 g/mol to 30,000 g/mol. have. As the barrier layer includes a polyvinyl alcohol resin having a weight average molecular weight of 10,000 g/mol to 1,000,000 g/mol, a haze of the barrier layer may satisfy 2% or less.

보다 구체적으로, 상기 폴리비닐알콜 수지는, 1.0 cP 내지 10.0 cP, 3.0 cP 내지 5.0 cP의 점도를 가질 수 있다. 상기 폴리비닐알콜 수지의 점도가 1.0 cP 내지 10.0 cP 를 만족함에 따라 상기 베리어층의 헤이즈가 2 % 이하를 만족할 수 있다.More specifically, the polyvinyl alcohol resin may have a viscosity of 1.0 cP to 10.0 cP, 3.0 cP to 5.0 cP. As the viscosity of the polyvinyl alcohol resin satisfies 1.0 cP to 10.0 cP, the haze of the barrier layer may satisfy 2% or less.

또한, 상기 베리어층 형성용 조성물은 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매를 포함할 수 있다. In addition, the composition for forming a barrier layer may include a high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher.

상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매의 예로는 부탄올, 디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 감마부티로락톤, 부틸카피톨, 부틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르 프로피오네이트, 디프로피렌글리콜 디메틸에테르, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 및 이들의 1 이상의 혼합 용매를 들 수 있다. Examples of the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher include butanol, dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, gamma butyrolactone, butyl capitol, butyl cellosolve, methyl cellosolve, butyl acetate , Diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, methyl 3-methoxy propionate, ethyl 3-ethoxy propionate, propylene glycol methyl ether pro cionate, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and one or more mixed solvents thereof.

구체적으로, 상기 베리어층 형성용 조성물은 상기 폴리비닐알콜 수지 100 중량부에 대하여 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매를 60 중량부 이상, 60 중량부 이상 200 중량부 이하, 70 중량부 이상 200 중량부 이하, 80 중량부 이상 200 중량부 이하, 80 중량부 이상 100 중량부 이하, 또는 90 중량부 이상 100 중량부 이하로 포함할 수 있다. Specifically, the composition for forming the barrier layer contains 60 parts by weight or more, 60 parts by weight or more and 200 parts by weight or less, 70 parts by weight or more and 200 parts by weight of the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or more with respect to 100 parts by weight of the polyvinyl alcohol resin. It may be included in an amount of 80 parts by weight or more and 200 parts by weight or less, 80 parts by weight or more and 100 parts by weight or less, or 90 parts by weight or more and 100 parts by weight or less.

상기 베리어층 형성용 조성물은 상기 폴리비닐알콜 수지 100 중량부에 대하여 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매를 60 중량부 이상으로 포함함에 따라, 상기 베리어층의 헤이즈가 2 % 이하를 만족할 수 있으며, 상기 베리어층 형성용 조성물은 상기 폴리비닐알콜 수지 100 중량부에 대하여 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매를 60 중량부 미만으로 포함하는 경우 상기 베리어층의 헤이즈가 급격하게 증가하는 기술적 문제점이 발생할 수 있다. As the composition for forming the barrier layer contains 60 parts by weight or more of the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher based on 100 parts by weight of the polyvinyl alcohol resin, the haze of the barrier layer may satisfy 2% or less, , When the composition for forming the barrier layer contains less than 60 parts by weight of the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher with respect to 100 parts by weight of the polyvinyl alcohol resin, the haze of the barrier layer rapidly increases. can occur

상기 감광성 적층체에서 상기 베리어층 및 감광성 수지층의 두께는 크게 한정되지 않지만, 구체적인 예로 상기 베리어층의 두께는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 3 ㎛일 수 있고, 상기 감광성 수지층의 두께는 1 ㎛ 내지 100㎛, 또는 5 ㎛ 내지 50㎛일 수 있다. The thickness of the barrier layer and the photosensitive resin layer in the photosensitive laminate is not particularly limited, but as a specific example, the thickness of the barrier layer may be 0.1 μm to 10 μm, or 1 μm to 3 μm, and the thickness of the photosensitive resin layer may be 1 μm to 100 μm, or 5 μm to 50 μm.

상기 일 구현예의 감광성 적층체는 상기 베리어층 상에 형성되고 1 ㎛ 내지 100㎛ 의 두께를 갖는 지지 기재를 더 포함할 수 있다. 구체적인 예로 상기 지지 기재의 두께는 1 ㎛ 내지 100㎛, 또는 5 ㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 즉, 상기 일 구현예의 감광성 적층체는 지지 기재, 베리어층, 및 감광성 수지층이 차례로 적층된 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 지지 기재는 상기 감광성 적층체의 제조 과정에서 일종의 캐리어 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 지지 기재는 상기 감광성 적층체가 적용되는 반도체 제조 공정이나 최종 제조되는 제품에 따라서, 상기 감광성 적층체에 선택적으로 포함되거나 포함되지 않을 수 있다. The photosensitive laminate of the embodiment may further include a support substrate formed on the barrier layer and having a thickness of 1 μm to 100 μm. As a specific example, the thickness of the supporting substrate may be 1 μm to 100 μm, or 5 μm to 50 μm. That is, the photosensitive laminate of the embodiment may have a laminate structure in which a supporting substrate, a barrier layer, and a photosensitive resin layer are sequentially laminated. The supporting substrate may serve as a kind of carrier in the manufacturing process of the photosensitive laminate. In addition, the supporting substrate may or may not be selectively included in the photosensitive laminate according to a semiconductor manufacturing process to which the photosensitive laminate is applied or a final manufactured product.

또한, 상기 일 구현예의 감광성 적층체는 상기 감광성 수지층 상에 형성되고 0.01 ㎛ 내지 1 m 의 두께를 갖는 이형층을 더 포함할 수 있다. 구체적인 예로 상기 이형층의 두께는 0.01 ㎛ 내지 1 m, 1 ㎛ 내지 100㎛, 또는 5 ㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 즉, 상기 일 구현예의 감광성 적층체는 지지 기재, 베리어층, 감광성 수지층 및 이형층이 차례로 적층된 적층 구조를 가질 수 있다. In addition, the photosensitive laminate of the embodiment may further include a release layer formed on the photosensitive resin layer and having a thickness of 0.01 μm to 1 m. As a specific example, the thickness of the release layer may be 0.01 μm to 1 m, 1 μm to 100 μm, or 5 μm to 50 μm. That is, the photosensitive laminate of the embodiment may have a laminate structure in which a support substrate, a barrier layer, a photosensitive resin layer, and a release layer are sequentially stacked.

상술한 바와 같이, 상기 감광성 적층체를 이용한 드라이 필름 포토레지스트 제조 공정에서, 상기 지지 기재와 이형층은 제거될 수 있다. 상기 감광성 적층체가 2% 이하의 헤이즈를 갖는 베리어층을 포함함에 따라, 지지 기재가 제거되더라도 최종 제조되는 드라이 필름 포토레지스트가 우수한 신뢰성 및 해상도를 구현할 수 있다. As described above, in the dry film photoresist manufacturing process using the photosensitive laminate, the supporting substrate and the release layer may be removed. As the photosensitive laminate includes a barrier layer having a haze of 2% or less, even if the supporting substrate is removed, the finally manufactured dry film photoresist may implement excellent reliability and resolution.

구체적으로, 상기 일 구현예의 감광성 적층체는 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하로 존재하거나 실질적으로 상기 기포가 존재하지 않음에 따라, 2% 이하의 헤이즈를 갖는 베리어층만이 형성된 상태로로 반도체 제조 공정에 적용 가능하며, 이에 따라 보다 얇은 두께로도 기존에 알려진 감광성 적층체 대비 동등 수준 이상의 신뢰성 및 감도 등을 구현할 수 있다. Specifically, in the photosensitive laminate of one embodiment, the number of bubbles having a diameter of less than 1 μm in the photosensitive resin layer is 5/mm 2 or less, or as substantially no bubbles exist, haze of 2% or less It can be applied to the semiconductor manufacturing process in a state in which only the barrier layer having a barrier layer is formed, and thus, even with a thinner thickness, reliability and sensitivity equal to or higher than that of the conventionally known photosensitive laminate can be realized.

또한, 상기 일 구현예의 감광성 적층체는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 등의 지지 기재를 박리한 상태에서 반도체 제조 공정에 적용 가능함에 따라서, 반도체 제조 공정 상에서 상기 지재 기재의 박리 공정을 별도로 수행하는 것을 생략할 수 있으며, 또한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 등의 지지 기재 등이 합지 또는 적층된 구조에서 지지 기재로 인하여 광학 특성이나 노광, 현상, 감도 구현 등에서 제한이 있었던 점을 개선할 수 있다. In addition, since the photosensitive laminate of the embodiment can be applied to a semiconductor manufacturing process in a state in which a supporting substrate such as a polyethylene terephthalate (PET) film is peeled off, separately performing the peeling process of the supporting substrate in the semiconductor manufacturing process It can be omitted, and it is possible to improve the limitations in optical properties, exposure, development, and sensitivity implementation due to the support substrate in a structure in which a supporting substrate such as a polyethylene terephthalate (PET) film is laminated or laminated.

한편, 본 발명자들은, 제조 공정에서 다양한 이유로 발생할 수 있는 미세 기포 또는 미세 부산물의 흔적 등을 제거하기 위한 연구 개발을 계속 진행하였으며, 후술하는 감광성 적층체의 제조 방법에서 상술하는 바와 같이 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매 및 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 포함한 혼합 용매; 바인더 수지; 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물; 및 광개시제;를 포함한 수지 조성물을 이용하여, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하, 또는 3개/mm2 이하로 존재할 수 있도록 하였다. On the other hand, the present inventors continued research and development to remove traces of fine bubbles or fine by-products that may occur for various reasons in the manufacturing process, and have a boiling point of 115° C. or higher, as described in detail in the method for manufacturing a photosensitive laminate to be described later. a mixed solvent including a high boiling point solvent having a and a low boiling point solvent having a boiling point of 100°C or less; binder resin; photopolymerizable compounds including phthalate derivatives; and a photoinitiator; using a resin composition including, 5/mm 2 or less, or 3/mm 2 or less of bubbles having a diameter of less than 1 μm in the photosensitive resin layer.

또한, 상기 감광성 적층체의 제조 방법에서, 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매 및 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 포함한 혼합 용매를 사용하는 것 이외로도, 건조 속도 및/또는 건조 온도의 조정을 통하여 상기 감광성 수지층 내에 형성되는 미세 기포의 양을 크게 줄이거나 실질적으로 존재하지 않게 할 수 있다.Further, in the method for producing the photosensitive laminate, in addition to using a mixed solvent including a high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher and a low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or lower, a drying rate and/or a drying temperature The amount of microbubbles formed in the photosensitive resin layer can be greatly reduced or substantially absent through adjustment of the .

한편, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하, 또는 3개/mm2 이하로 존재할 수 있는데, 특히 상기 지지 기재과 상기 감광성 수지층 간의 계면의 반대면, 또는 감광성 수지층이 외부면 쪽으로 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 미량으로 존재하거나 실질적으로 존재하지 않을 수 있으며, 보다 구체적으로 상기 베리어층과 상기 감광성 수지층 간의 계면의 반대면으로부터 상기 감광성 수지층의 전체 두께의 50% 이내에, 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 3개/mm2 이하로 존재할 수 있다. On the other hand, the number of bubbles having a diameter of less than 1 μm in the photosensitive resin layer may be 5 / mm 2 or less, or 3 / mm 2 or less, in particular the opposite surface of the interface between the support substrate and the photosensitive resin layer, or Bubbles having a diameter of less than 1 μm toward the outer surface of the photosensitive resin layer may or may not be present in a trace amount, more specifically, from the opposite surface of the interface between the barrier layer and the photosensitive resin layer of the photosensitive resin layer. Within 50% of the total thickness, 3 cells/mm 2 or less of cells having a diameter of less than 1 μm may be present.

상기 베리어층과 상기 감광성 수지층 간의 계면의 반대면, 또는 감광성 수지층이 외부면 쪽으로 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 미량으로 존재하거나 실질적으로 존재하지 않음에 따라서, 현상시 신뢰성이 높아져서 고밀도의 회로 형성이 가능 하고 미세한 배선의 형성에서 결손을 저감 할 수 있으며, 이에 따라 상기 감광성 적층체를 이용하는 경우 노광에 대한 높은 감도를 구현할 수 있으며, 고밀도의 인쇄회로기판의 제조 수율을 향상 할 수 있다. As a small amount or substantially no air bubbles having a diameter of less than 1 μm are present on the opposite surface of the interface between the barrier layer and the photosensitive resin layer, or toward the outer surface of the photosensitive resin layer, It is possible to form high-density circuits due to increased reliability during development and to reduce defects in the formation of fine wiring. Accordingly, when using the photosensitive laminate, high sensitivity to exposure can be realized, and high-density printed circuit boards can be manufactured. yield can be improved.

또한, 상기 감광성 적층체는 상술한 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포를 극미량 포함하거나 실질적으로 포함하지 않을 뿐만 아니라, 1㎛ 이상 5 ㎛이하의 직경을 갖는 기포를 포함하지 않을 수 있다. In addition, the photosensitive laminate may not only contain a very small amount or substantially not contain the above-mentioned bubbles having a diameter of less than 1 μm, and may not include bubbles having a diameter of 1 μm or more and 5 μm or less.

이와 같이, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 미량으로 존재하는 상기 감광성 적층체를 이용하여 회로 기판 제조시 높은 신뢰성을 확보하면서도 높은 밀도 및 감도를 구현하고 보다 미세한 배선의 형성을 할 수 있다.As described above, using the photosensitive laminate in which bubbles having a diameter of less than 1 μm are present in a trace amount in the photosensitive resin layer, high reliability and high density and sensitivity are achieved while manufacturing circuit boards, and finer wiring is formed. can do.

보다 구체적으로, 상기 감광성 수지층을 자외선으로 노광하고 알카리 용액으로 현상하여도 전체 영역에 걸쳐 결함 (Defect)가 발생하지 않거나 발생하여 극미량 발생할 수 있으며, 특히 감광성 수지층의 상면에는 결함 (Defect)이 실질적으로 존재하지 않고 현상 이후 감광성 수지층의 하면이나 내측에 미세 크기의 결함 (Defect)이 극미량 존재할 수 있다. More specifically, even when the photosensitive resin layer is exposed to ultraviolet light and developed with an alkali solution, defects do not occur or occur over the entire area, and a very small amount may occur. It is not substantially present, and after development, micro-sized defects may be present in a very small amount on the lower surface or inside of the photosensitive resin layer.

구체적으로, 상기 감광성 수지층을 자외선으로 노광하고 알카리 용액으로 현상한 이후에 0.3㎛ 내지 4㎛, 또는 0.5㎛ 이상 3㎛ 이하의 단면 직경을 갖는 결함 (Defect)이 3개/mm2 이하, 또는 1개/mm2 이하로 관찰될 수 있으며, 실질적으로 존재하지 않을 수도 있다. 상기 결함의 단면 직경은 상기 감광성 수지층 상의 일방향으로의 단면에서 정의되는 상기 결합의 직경 중 가장 큰 직경으로 정의할 수 있다. Specifically, after exposing the photosensitive resin layer to ultraviolet light and developing with an alkali solution, 3 defects/mm 2 or less, or 1/mm 2 or less may be observed, and may be substantially absent. The cross-sectional diameter of the defect may be defined as the largest diameter among diameters of the bond defined in a cross-section in one direction on the photosensitive resin layer.

상기 노광 및 현상의 조건이 크게 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 노광은 상기 감광성 적층체에 대하여 조사하는 광선의 파장이 340nm 내지 420nm의 범위에서 Stouffer Graphic Arts Equipment 사의 41단 스텝 tablet을 사용하여 측정한 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 에너지량으로 1분 내지 60분 진행할 수 있다. 또한, 상기 현상은 0.1 내지 3.0wt%의 농도를 갖는 Na2CO3 등의 알카리 수용액으로 스프레이 분사방식 등의 방법을 통하여 수행할 수 있다. The conditions of the exposure and development are not particularly limited. For example, in the exposure, the wavelength of the light irradiated to the photosensitive laminate is in the range of 340 nm to 420 nm, and the remaining number of steps measured using a 41-step step tablet manufactured by Stouffer Graphic Arts Equipment is 15 steps. It may proceed from 1 minute to 60 minutes. In addition, the development may be carried out by a method such as a spray spray method with an aqueous alkali solution such as Na 2 CO 3 having a concentration of 0.1 to 3.0 wt%.

또한, 상기 감광성 적층체를 이용하면 보다 낮은 에너지를 사용하면서도 보다 높은 밀도 및 감도를 구현할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 감광성 적층체에 대하여 조사하는 광선의 파장이 340nm 내지 420nm의 범위에서 Stouffer Graphic Arts Equipment 사의 41단 스텝 tablet을 사용하여 측정한 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 에너지량이 300 mJ/㎠ 이하, 또는 100 mJ/㎠ 이하일 수 있으며, 현상 후 해상도가 15㎛이하, 또는 10㎛이하, 7㎛이하 또는 5㎛이하 로 구현 될 수 있다. In addition, when the photosensitive laminate is used, higher density and sensitivity can be realized while using lower energy. More specifically, the amount of energy at which the remaining number of steps is 15 steps measured using a 41-step step tablet manufactured by Stouffer Graphic Arts Equipment in a wavelength range of 340 nm to 420 nm of the light irradiated to the photosensitive laminate is 300 mJ/cm 2 It may be less than or equal to 100 mJ/cm 2 , and the resolution after development may be realized to be 15 μm or less, or 10 μm or less, 7 μm or less, or 5 μm or less.

한편, 상기 감광성 적층체의 특징이나 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하로 존재하는 구성 상의 특징은 상술한 제조 방법에 기인할 것일 수 있으며, 상기 감광성 수지층의 특징에 따른 것일 수도 있다. On the other hand, the characteristics of the photosensitive laminate or the constitutional characteristics in which 5 cells/mm 2 or less of bubbles having a diameter of less than 1 μm are present in the photosensitive resin layer may be attributed to the above-described manufacturing method, and the photosensitive number It may be due to the characteristics of the strata.

구체적으로, 상기 감광성 수지층은 카르복실기를 포함한 알칼리 현상성 바인더 수지를 포함할 수 있다. 상기 알카리 현상성 바인더는 분자 내에 카르복실기를 적어도 1개 이상 포함하여 현상 과정에서 알카리와 반응할 수 있다. Specifically, the photosensitive resin layer may include an alkali developable binder resin including a carboxyl group. The alkali developable binder may include at least one carboxyl group in a molecule to react with alkali during the development process.

상기 알카리 현상성 바인더의 구체적인 예가 한정되는 것은 아니지만, 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위, 하기 화학식 4로 표시되는 반복단위, 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위, 및 하기 화학식 6로 표시되는 반복단위로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 반복 단위를 포함한 중합체이거나 공중합체일 수 있다. Specific examples of the alkali developable binder are not limited, but a repeating unit represented by the following Chemical Formula 3, a repeating unit represented by the following Chemical Formula 4, a repeating unit represented by the following Chemical Formula 5, and a repeating unit represented by the following Chemical Formula 6 It may be a polymer or a copolymer including one or more repeating units selected from the group consisting of.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 4에서, R3는 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고,In Formula 4, R 3 is hydrogen or an alkyl having 1 to 10 carbon atoms,

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 5에서, R4는 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고, R5는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고,In Formula 5, R 4 is hydrogen or alkyl having 1 to 10 carbon atoms, R 5 is alkyl having 1 to 10 carbon atoms,

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 6에서, Ar은 탄소수 6 내지 20의 아릴이다.In Formula 6, Ar is aryl having 6 to 20 carbon atoms.

상기 화학식4 내지 6에서, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고, R5는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고, Ar은 탄소수 6 내지 20의 아릴이다.In Formulas 4 to 6, R 3 and R 4 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen or alkyl having 1 to 10 carbon atoms, R 5 is alkyl having 1 to 10 carbon atoms, and Ar is 6 to 20 carbon atoms. is the aryl of

상기 화학식2 내지 4에서, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬 중 어느 하나일 수 있으며, 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬의 구체적인 예로는 메틸을 들 수 있다.In Formulas 2 to 4, R 3 and R 4 are the same as or different from each other, and each independently may be any one of hydrogen or alkyl having 1 to 10 carbon atoms, and specific examples of the alkyl having 1 to 10 carbon atoms include methyl can be heard

R5는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고, 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬의 구체적인 예로는 메틸을 들 수 있다.R 5 is alkyl having 1 to 10 carbon atoms, and specific examples of the alkyl having 1 to 10 carbon atoms include methyl.

Ar은 탄소수 6 내지 20의 아릴이고, 상기 탄소수 6 내지 20의 아릴의 구체적인 예로는 페닐을 들 수 있다.Ar is an aryl having 6 to 20 carbon atoms, and specific examples of the aryl having 6 to 20 carbon atoms include phenyl.

상기 화학식4로 표시되는 반복단위는 하기 화학식4-1로 표시되는 단량체로부터 유래된 반복단위일 수 있다.The repeating unit represented by Chemical Formula 4 may be a repeating unit derived from a monomer represented by the following Chemical Formula 4-1.

[화학식4-1][Formula 4-1]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식4-1에서, R3은 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬이다. 상기 화학식4-1에서, R3 에 관한 내용은 상기 화학식4에서 상술한 내용과 같다. 상기 화학식4-1로 표시되는 단량체의 구체적인 예로, 아크릴산(Acrylic acid, AA), 메타크릴산(Methacrylic acid, MAA)을 들 수 있다.In Formula 4-1, R 3 is hydrogen or alkyl having 1 to 10 carbon atoms. In Formula 4-1, the contents of R 3 are the same as those described above in Formula 4 above. Specific examples of the monomer represented by Formula 4-1 include acrylic acid (AA) and methacrylic acid (MAA).

상기 화학식5로 표시되는 반복단위는 하기 화학식5-1로 표시되는 단량체로부터 유래된 반복단위일 수 있다.The repeating unit represented by the formula (5) may be a repeating unit derived from a monomer represented by the following formula (5-1).

[화학식5-1][Formula 5-1]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식5-1에서, R4는 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬이고, R5는 탄소수 1 내지 10의 알킬이다. 상기 화학식3-1에서, R4 및 R5에 관한 내용은 상기 화학식3에서 상술한 내용과 같다. 상기 화학식3-1로 표시되는 단량체의 구체적인 예로, 메틸메타크릴레이트(Methylmethacrylate, MMA), 부틸아크릴레이트(Butyl acrylate, BA)를 들 수 있다.In Formula 5-1, R 4 is hydrogen or alkyl having 1 to 10 carbon atoms, and R 5 is alkyl having 1 to 10 carbon atoms. In Formula 3-1, R 4 and R 5 are the same as described above in Formula 3 above. Specific examples of the monomer represented by Formula 3-1 include methyl methacrylate (MMA) and butyl acrylate (BA).

상기 화학식 6으로 표시되는 반복단위는 하기 화학식6-1로 표시되는 단량체로부터 유래된 반복단위일 수 있다.The repeating unit represented by Chemical Formula 6 may be a repeating unit derived from a monomer represented by Chemical Formula 6-1.

[화학식6-1][Formula 6-1]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식6-1에서, Ar은 탄소수 6 내지 20의 아릴이다. 상기 화학식6-1에서, Ar에 관한 내용은 상기 화학식4에서 상술한 내용과 같다. 상기 화학식6-1로 표시되는 단량체의 구체적인 예로, 스티렌(Styrene, SM)을 들 수 있다.In Formula 6-1, Ar is aryl having 6 to 20 carbon atoms. In Formula 6-1, the content of Ar is the same as described above in Formula 4 above. Specific examples of the monomer represented by Formula 6-1 include styrene (Styrene, SM).

한편, 상기 바인더 수지는 상기 감광성 수지층의 기재 역할을 할 수 있으며, 이에 따라 최소한의 분자량을 가져야 하며, 예를 들어 20,000 g/mol 내지 300,000 g/mol, 또는 30,000 g/mol 내지 150,000 g/mol 의 중량평균분자량을 가질 수 있다. On the other hand, the binder resin may serve as a base material for the photosensitive resin layer, and thus should have a minimum molecular weight, for example, 20,000 g/mol to 300,000 g/mol, or 30,000 g/mol to 150,000 g/mol may have a weight average molecular weight of

또한, 상기 바인더 수지는 일정 수준 이상의 내열성을 가져야 하는데, 이에 따라 20 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 유리전이온도를 가질 수 있다. In addition, the binder resin should have heat resistance of at least a certain level, and thus may have a glass transition temperature of 20 °C or more and 150 °C or less.

또한, 상기 바인더 수지는 상기 감광성 수지층의 현상성 등을 고려하여, 100 mgKOH/g 이상 300 mgKOH/g 의 산가를 가질 수 있다. In addition, the binder resin may have an acid value of 100 mgKOH/g or more and 300 mgKOH/g in consideration of the developability of the photosensitive resin layer.

한편, 상기 바인더 수지는 상이한 종류 또는 상이한 특성을 갖는 2 이상의 알카리 형산성 바인더를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 바인더 수지는 제1 알칼리 현상성 바인더 수지 및 제2 알칼리 현상성 바인더 수지를 포함할 수 있다. Meanwhile, the binder resin may include two or more alkali-forming binders having different types or different properties. Specifically, the binder resin may include a first alkali developable binder resin and a second alkali developable binder resin.

상기 제1 알칼리 현상성 바인더 수지 및 제2 알칼리 현상성 바인더 수지는 중량평균분자량이 30000 g/mol 이상 150000 g/mol 이하이며, 유리전이온도는 20 ℃ 이상 150 ℃ 이하일 수 있으며, 각각 상이한 중량평균분자량, 유리전이온도, 또는 산가를 가질 수 있다. The first alkali-developable binder resin and the second alkali-developable binder resin have a weight average molecular weight of 30000 g/mol or more and 150000 g/mol or less, and a glass transition temperature may be 20° C. or more and 150° C. or less, and each different weight average It may have a molecular weight, a glass transition temperature, or an acid value.

예를 들어, 상기 제1 알칼리 현상성 바인더 수지는 산가가 140 mgKOH/g 이상 160 mgKOH/g 이하일 수 있다. 또한 상기 제2 알칼리 현상성 바인더 수지는 산가가 160 mgKOH/g 이상 200 mgKOH/g 이하일 수 있다.For example, the first alkali developable binder resin may have an acid value of 140 mgKOH/g or more and 160 mgKOH/g or less. In addition, the second alkali developable binder resin may have an acid value of 160 mgKOH/g or more and 200 mgKOH/g or less.

또한, 상기 제1 알칼리 현상성 바인더 수지와 제2 알칼리 현상성 바인더 수지의 유리전이온도 비율이 1:1.5 이상 1:5 이하, 1:1.5 이상 1:3 이하, 1:1.5 이상 1:2 이하, 1:1.5 이상 1:1.8 이하, 1:1.5 이상 1:75 이하, 또는 1:1.6 이상 1:7 이하일 수 있다. In addition, the glass transition temperature ratio of the first alkali developable binder resin and the second alkali developable binder resin is 1:1.5 or more and 1:5 or less, 1:1.5 or more and 1:3 or less, 1:1.5 or more and 1:2 or less , 1:1.5 or more and 1:1.8 or less, 1:1.5 or more and 1:75 or less, or 1:1.6 or more and 1:7 or less.

또한, 상기 제1 알칼리 현상성 바인더 수지와 제2 알칼리 현상성 바인더 수지의 산가 비율이 1:1.01 이상 1:1.5 이하, 1:1.1 이상 1:1.5 이하, 1:1.25 이상 1:1.5 이하, 또는 1:1.4 이상 1:1.5 이하일 수 있다.In addition, the acid value ratio of the first alkali developable binder resin and the second alkali developable binder resin is 1:1.01 or more and 1:1.5 or less, 1:1.1 or more and 1:1.5 or less, 1:1.25 or more and 1:1.5 or less, or It may be 1:1.4 or more and 1:1.5 or less.

한편, 상기 감광성 수지층은 바인더 수지와 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물 간의 가교 공중합체를 포함할 수도 있다. Meanwhile, the photosensitive resin layer may include a crosslinked copolymer between a binder resin and a photopolymerizable compound including a phthalate derivative.

보다 구체적으로, 상기 감광성 수지층은 알칼리 현상성 바인더 수지와 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물 간의 가교 공중합체를 포함할 수도 있다. More specifically, the photosensitive resin layer may include a crosslinked copolymer between an alkali developable binder resin and a photopolymerizable compound including a phthalate derivative.

상기 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물은 상기 감광성 수지층의 기계적 강도 등을 높여주는 가교제 역할이나 현상액에 대한 내성을 높여주고 경화막의 유연성을 부여하는 역할을 할 수 있다. The photopolymerizable compound including the phthalate derivative may serve as a crosslinking agent to increase mechanical strength of the photosensitive resin layer, or to increase resistance to a developer and to provide flexibility of the cured film.

상기 프탈레이트 유도체는 프탈레이트에서 유래한 중심 그룹과 이에 결합된 반응성 작용기를 포함할 수 있다. 상기 프탈레이트 유도체는 반응성 작용기를 1이상, 또는 2이상, 또는 3이상, 또는 10 이하로 포함할 수 있다. 상기 반응성 작용기의 구체적인 예로는, 할로겐, 히드록시기, 에테르 결합(-O-), 에스테르 결합(-COO- 또는 O-CO-), 아미드 결합(-NHCO- 또는 CONH-), 비닐기, (메트)아크릴레이트기 또는 아릴기를 들 수 있다. 상기 프탈레이트 유도체가 상술한 구조를 갖음에 따라서, 도금액이나 에칭액에 대한 내성을 높여서 미세패턴을 보다 용이하게 구현 할 수 있다.The phthalate derivative may include a central group derived from phthalate and a reactive functional group bonded thereto. The phthalate derivative may include 1 or more, or 2 or more, or 3 or more, or 10 or less reactive functional groups. Specific examples of the reactive functional group include halogen, hydroxyl group, ether bond (-O-), ester bond (-COO- or O-CO-), amide bond (-NHCO- or CONH-), vinyl group, (meth) An acrylate group or an aryl group is mentioned. As the phthalate derivative has the above-described structure, it is possible to more easily implement a fine pattern by increasing resistance to a plating solution or an etching solution.

상기 프탈레이트 유도체의 중량평균분자량이 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 50 g/mol 내지 10,000 g/mol, 또는 70 g/mol 내지 5,000 g/mol, 또는 80 g/mol 내지 1,200 g/mol, 또는 100 g/mol 내지 1,000 g/mol, 150 g/mol 내지 500 g/mol 의 중량평균분자량을 가질 수 있다. The weight average molecular weight of the phthalate derivative is not particularly limited, but for example, 50 g/mol to 10,000 g/mol, or 70 g/mol to 5,000 g/mol, or 80 g/mol to 1,200 g/mol, or It may have a weight average molecular weight of 100 g/mol to 1,000 g/mol, or 150 g/mol to 500 g/mol.

한편, 상기 프탈레이트 유도체의 구체적인 예로는 하기 화학식1의 화합물을 들 수 있다. On the other hand, specific examples of the phthalate derivative may include a compound of Formula 1 below.

[화학식1] [Formula 1]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기이며, 상기 지방족 탄화수소기는 선택적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 에테르 결합(-O-), 에스테르 결합(-COO- 또는 O-CO-), 아미드 결합(-NHCO- 또는 CONH-), (메트)아크릴레이트기 또는 아릴기를 포함할 수 있다. In Formula 1, R1 and R2 are each independently hydrogen or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and the aliphatic hydrocarbon group is optionally a halogen atom, a hydroxyl group, an ether bond (-O-), an ester bond (-COO- or O-CO-), an amide bond (-NHCO- or CONH-), a (meth)acrylate group or an aryl group.

또한, 상기 프탈레이트 유도체 또는 상기 화학식1의 화합물의 보다 구체적인 예로는 하기 화학식2의 화합물 또는 화학식3의 화합물을 들 수 있다. In addition, more specific examples of the phthalate derivative or the compound of Formula 1 may include a compound of Formula 2 or a compound of Formula 3 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00009
.
Figure pat00009
.

한편, 상기 감광성 수지층의 구체적인 용도나 특성에 따라서, 상기 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물의 함량을 조절할 수 있으며, 예를 들어 상기 알칼리 현상성 바인더 수지 100중량부 대비 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물 1 내지 80중량부를 포함할 수 있다. On the other hand, according to the specific use or characteristics of the photosensitive resin layer, the content of the photopolymerizable compound including the phthalate derivative can be adjusted, for example, photopolymerizable including the phthalate derivative relative to 100 parts by weight of the alkali developable binder resin. 1 to 80 parts by weight of the compound may be included.

즉, 상기 구현예의 감광성 적층체는 후술하는 제조 방법에서 설명하는 바와 같이 비점을 달리하는 2종 이상의 용매를 혼합하여 사용하고, 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물을 선택함에 따라서, 감광성 수지층 내부에 미세 기포가 미량으로 존재하거나 실질적으로 존재하지 않을 수 있다. That is, in the photosensitive laminate of the embodiment, two or more solvents having different boiling points are mixed and used as described in the manufacturing method to be described later, and a photopolymerizable compound containing a phthalate derivative is selected. The microbubbles may be present in trace amounts or may be substantially absent.

구체적으로, 상기 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물의 구조 및 특성으로 인하여, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 이하의 직경을 갖는 기포가 미량으로 존재하게 할 수 있으며, 이에 따라 미세한 배선의 형성에서 결손을 저감할 수 있으며, 현상시 높은 신뢰성을 확보하여 고밀도의 회로 형성이 가능한 감광성 적층체가 제공될 수 있다. Specifically, due to the structure and characteristics of the photopolymerizable compound containing the phthalate derivative, it is possible to cause a small amount of air bubbles having a diameter of 1 μm or less to exist in the photosensitive resin layer, thereby reducing defects in the formation of fine wiring. A photosensitive laminate capable of forming high-density circuits by securing high reliability during development can be provided.

한편, 상기 광중합성 화합물은 단관능 또는 다관능의 (메트)아크릴레이트 단량체 또는 올리고머를 더 포함할 수 있다. 상기 광중합성 화합물은 통상적으로 알려진 단관능 또는 다관능의 (메트)아크릴레이트 단량체 또는 올리고머를 사용할 수 있다. Meanwhile, the photopolymerizable compound may further include a monofunctional or polyfunctional (meth)acrylate monomer or oligomer. As the photopolymerizable compound, a commonly known monofunctional or polyfunctional (meth)acrylate monomer or oligomer may be used.

추가적으로 사용 가능한 광중합성 화합물의 예가 크게 한정되는 것은 아니지만, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트(ethylene glycol di(meth)acrylate), 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트(diethylene glycol di(meth)acrylate), 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트(tetraethylene glycol di(meth)acrylate), 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트(propylene glycol di(meth)acrylate), 폴리에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트(polypropylene glycol di(meth)acrylate), 부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트(butylene glycol di(meth)acrylate), 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트(neopentyl glycol di(meth)acrylate), 1,6-헥산글리콜디(메트)아크릴레이트(1,6-hexane glycol di(meth)acrylate), 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트(trimethyolpropane tri(meth)acrylate), 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(trimethyolpropane triacrylate), 글리세린 디(메트)아크릴레이트(glycerin di(meth)acrylate), 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트(pentaerythritol di(meth)acrylate), 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트(pentaerythritol tri(meth)acrylate), 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트(dipentaerythritol penta(meth)acrylate), 2,2-비스(4-메타크릴옥시디에톡시페닐)프로판(2,2-bis(4-methacryloxydiethoxyphenyl)propane), 2,2-비스(4-메타크릴옥시폴리에톡시페닐)프로판(2,2-bis(4-methacryloxypolyethoxyphenyl)propane), 2-히드록시-3-메타크릴로일옥시프로필 (메트)아크릴레이트(2-hydroxy-3-methacryloyloxypropyl (meth)acrylate), 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르 디(메트)아크릴레이트(ethylene glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate), 디에틸렌글리콜 디글리시딜에테르 디(메트)아크릴레이트(diethylene glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate), 프탈산 디글리시딜에스테르 디(메트)아크릴레이트(phthalic acid diglycidyl ester di(meth)acrylate), 글리세린 폴리글리시딜에테르 폴리(메트)아크릴레이트(glycerin polyglycidyl ether poly(meth)acrylate) 및 우레탄기를 함유한 다관능 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of additionally usable photopolymerizable compounds are not particularly limited, but ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate) , tetraethylene glycol di(meth)acrylate, propylene glycol di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol Di (meth) acrylate (polypropylene glycol di (meth) acrylate), butylene glycol di (meth) acrylate (butylene glycol di (meth) acrylate), neopentyl glycol di (meth) acrylate (neopentyl glycol di (meth) )acrylate), 1,6-hexane glycol di(meth)acrylate (1,6-hexane glycol di(meth)acrylate), trimethylolpropane tri(meth)acrylate, trimethylol Propane triacrylate (trimethyolpropane triacrylate), glycerin di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate acrylate (pentaerythritol tri(meth)acrylate), dipentaerythritol penta(meth)acrylate, 2,2-bis(4-methacryloxydiethoxyphenyl)propane (2,2 -bis(4-methacryloxydiethoxyphenyl)propane), 2,2-bis(4-methacryloxypolyethoxyphenyl)propane (2,2-bis(4-methacryloxypolyethoxyphenyl)propane), 2-hydro Roxy-3-methacryloyloxypropyl (meth)acrylate (2-hydroxy-3-methacryloyloxypropyl (meth)acrylate), ethylene glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate (ethylene glycol diglycidyl ether di(meth) )acrylate), diethylene glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate, phthalic acid diglycidyl ester di(meth)acrylate ) acrylate), glycerin polyglycidyl ether poly(meth)acrylate, and polyfunctional (meth)acrylate containing a urethane group.

상기 감광성 수지층의 구체적인 용도나 특성에 따라서, 상기 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물 또는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 함량을 조절할 수 있으며, 예를 들어 상기 광중합성 화합물은 상기 프탈레이트 유도체 100 중량부에 대하여 상기 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물 또는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 50 중량부 내지 500 중량부로 포함할 수 있다. According to the specific use or characteristics of the photosensitive resin layer, the content of the monofunctional (meth) acrylate compound or the polyfunctional (meth) acrylate compound can be adjusted, for example, the photopolymerizable compound is 100 weight of the phthalate derivative. Based on parts, the monofunctional (meth)acrylate compound or polyfunctional (meth)acrylate compound may be included in an amount of 50 to 500 parts by weight.

한편, 상기 지지 기재는 각종 플라스틱 필름이 사용가능하며, 예를 들어, 아크릴계 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 필름, 폴리노르보넨(PNB) 필름, 싸이클로올레핀폴리머(COP) 필름, 및 폴리카보네이트(PC) 필름으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. On the other hand, various plastic films can be used as the supporting substrate, for example, an acrylic film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a triacetyl cellulose (TAC) film, a polynorbornene (PNB) film, a cycloolefin polymer (COP) ) film, and at least one plastic film selected from the group consisting of a polycarbonate (PC) film.

한편, 상기 이형층은 보호필름을 포함할 수 있다. Meanwhile, the release layer may include a protective film.

즉, 상기 감광성 적층체는 상기 감광성 수지층을 중심으로 지지 기재와 대향하도록 형성되는 보호 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기 보호 필름은 취급시 레지스트의 손상을 방지해 주고, 먼지와 같은 이물질로부터 감광성 수지층을 보호하는 보호 덮게 역할을 하는 것으로서, 감광성 수지층의 베리어층이 형성되지 않은 이면에 적층될 수 있다. That is, the photosensitive laminate may further include a protective film formed to face the supporting substrate with the photosensitive resin layer as a center. The protective film prevents damage to the resist during handling and serves as a protective cover for protecting the photosensitive resin layer from foreign substances such as dust, and may be laminated on the back surface of the photosensitive resin layer on which the barrier layer is not formed.

상기 보호 필름은 감광성 수지층을 외부로부터 보호하는 역할을 하는 것으로서, 드라이 필름 포토레지스트를 후공정에 적용할 때는 용이하게 이탈되면서, 보관 및 유통할 때에는 이형되지 않도록 적당한 이형성과 점착성을 필요로 한다.The protective film serves to protect the photosensitive resin layer from the outside, and it is easily detached when the dry film photoresist is applied in a post-process, and requires proper releasability and adhesion so that it does not release when stored and distributed.

상기 보호필름은 각종 플라스틱 필름이 사용가능하며, 예를 들어, 아크릴계 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 필름, 폴리노르보넨(PNB) 필름, 싸이클로올레핀폴리머(COP) 필름, 및 폴리카보네이트(PC) 필름으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 상기 보호필름의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 0.01 ㎛ 내지 1 m 범위 내에서 자유롭게 조절 가능하다.Various plastic films can be used as the protective film, for example, an acrylic film, a polyethylene (PE) film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a triacetyl cellulose (TAC) film, a polynorbornene (PNB) film, a cyclo It may include at least one plastic film selected from the group consisting of an olefin polymer (COP) film, and a polycarbonate (PC) film. The thickness of the protective film is not particularly limited, but can be freely adjusted within the range of, for example, 0.01 μm to 1 m.

발명의 또 다른 구현예에 따르면, 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매 및 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 포함한 혼합 용매; 바인더 수지; 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물; 및 광개시제;를 포함한 수지 조성물을 베리어층 상에 도포 및 건조하는 단계를 포함하는, 감광성 적층체의 제조 방법이 제공될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, a mixed solvent comprising a high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher and a low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less; binder resin; photopolymerizable compounds including phthalate derivatives; And a photoinitiator; and coating and drying the resin composition containing the barrier layer on the barrier layer, a method of manufacturing a photosensitive laminate may be provided.

상기 제조 방법에 따라서 상기 일 구현예에서 상술한 감광성 적층체가 제공될 수 있다. According to the manufacturing method, the photosensitive laminate described above in the embodiment may be provided.

상술한 바와 같이, 상기 감광성 적층체는, 2% 이하의 헤이즈를 갖는 베리어층; 및 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물 및 바인더 수지를 포함한 감광성 수지층;을 포함하고, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하로 존재할 수 있다. As described above, the photosensitive laminate may include a barrier layer having a haze of 2% or less; and a photosensitive resin layer including a photopolymerizable compound including a phthalate derivative and a binder resin; 5 cells/mm 2 or less may be present in the photosensitive resin layer having a diameter of less than 1 μm.

상기 감광성 수지층의 형성 과정에서, 감광성 수지 조성물의 용액 제조 과정이나 상기 조성물의 용액 건조 공정 중에 발생하는 기포 등의 이유로 1㎛ 미만의 직경이 감광성 수지층 내에 형성될 수 있는데, 상기 감광성 적층체의 제조 방법에서는, 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매 및 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 포함한 혼합 용매를 사용함에 따라서, 감광성 수지 조성물의 용액의 증발되는 시간을 늦춰서 기포가 수치층에 갇히지 않게 할 수 있으며, 이에 따라 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하로 존재할 수 있다. In the process of forming the photosensitive resin layer, a diameter of less than 1 μm may be formed in the photosensitive resin layer for reasons such as bubbles generated during the solution preparation process of the photosensitive resin composition or the solution drying process of the composition. In the manufacturing method, by using a mixed solvent including a high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher and a low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less, the evaporation time of the solution of the photosensitive resin composition is delayed so that bubbles are not trapped in the numerical layer Accordingly, the number of bubbles having a diameter of less than 1 μm in the photosensitive resin layer may be 5/mm 2 or less.

보다 구체적으로, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하, 또는 3개/mm2 이하로 존재할 수 있다. More specifically, the number of bubbles having a diameter of less than 1 μm in the photosensitive resin layer may be 5/mm 2 or less, or 3/mm 2 or less.

또한, 상기 베리어층과 상기 감광성 수지층 간의 계면의 반대면으로부터 상기 감광성 수지층의 전체 두께의 50% 이내에, 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 3개/mm2 이하로 존재할 수 있다. In addition, within 50% of the total thickness of the photosensitive resin layer from the opposite surface of the interface between the barrier layer and the photosensitive resin layer, 3 bubbles/mm 2 or less having a diameter of less than 1 μm may exist.

상기 베리어층과 상기 감광성 수지층 간의 계면의 반대면, 또는 감광성 수지층이 외부면 쪽으로 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 미량으로 존재하거나 실질적으로 존재하지 않음에 따라서, 현상시 신뢰성이 높아져서 고밀도의 회로 형성이 가능 하고 미세한 배선의 형성에서 결손을 저감 할 수 있으며, 이에 따라 상기 감광성 적층체를 이용하는 경우 노광에 대한 높은 감도를 구현할 수 있으며, 고밀도의 인쇄회로기판의 제조 수율을 향상 할 수 있다.As bubbles having a diameter of less than 1 μm on the opposite surface of the interface between the barrier layer and the photosensitive resin layer or on the outer surface of the photosensitive resin layer are present in a trace amount or substantially absent, reliability during development is increased, so that high-density It is possible to form a circuit and reduce defects in the formation of fine wiring. Accordingly, when the photosensitive laminate is used, high sensitivity to exposure can be realized, and the manufacturing yield of a high-density printed circuit board can be improved.

상술한 바와 같이, 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매는 감광성 수지 조성물의 액상 성분이 증발되는 시간을 늦춰서 기포가 수치층에 갇히지 않게 하는 역할을 할 수 있다. 이에 따라 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/㎟ 이하로 존재할 수 있다.As described above, the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher may serve to slow the evaporation time of the liquid component of the photosensitive resin composition, thereby preventing air bubbles from being trapped in the numerical layer. Accordingly, 5 bubbles/mm 2 or less may exist in the photosensitive resin layer having a diameter of less than 1 μm.

상기 혼합 용매는 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매를 일정 이상의 함량으로 포함할 수 있으며, 예를 들어 상기 혼합 용매 100중량부 대비 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점의 함량이 3중량부 이상, 또는 5중량부 이상, 또는 3 내지 50중량부, 또는 5 내지 40중량부 일수 있다. The mixed solvent may include the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher in an amount of at least a certain amount, for example, the content of the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher relative to 100 parts by weight of the mixed solvent is 3 parts by weight or more. , or 5 parts by weight or more, or 3 to 50 parts by weight, or 5 to 40 parts by weight.

상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매에 함께 상기 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 사용함에 따라서, 상기 감광성 수지 조성물의 용해력을 높일 수 있다. By using the low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less together with the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher, the dissolving power of the photosensitive resin composition can be increased.

상기 혼합 용매는 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매 대비 상기 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 보다 높은 함량으로 포함할수 있다. The mixed solvent may contain a higher content of the low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less than the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher.

보다 구체적으로, 상기 혼합 용매는 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 : 상기 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 1:2 내지 1:18, 또는 1:3 내지 1:15, 또는 1:5 내지 1:10, 또는 1:6 내지 1:8의 중량비로 포함할 수 있다. 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매 : 상기 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 상술한 함량으로 포함함에 따라서, 감광성 수지 조성물의 용해력을 크게 할 수 있다.More specifically, the mixed solvent has a high boiling point having a boiling point of 115° C. or higher: 1:2 to 1:18, or 1:3 to 1:15, or 1:5 for a low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less. to 1:10, or 1:6 to 1:8 by weight. The high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher: By including the low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less in the above content, the dissolving power of the photosensitive resin composition can be increased.

상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매의 예로는 부탄올, 디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 감마부티로락톤, 부틸카피톨, 부틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르 프로피오네이트, 디프로피렌글리콜 디메틸에테르, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 및 이들의 1 이상의 혼합 용매를 들 수 있다. Examples of the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher include butanol, dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, gamma butyrolactone, butyl capitol, butyl cellosolve, methyl cellosolve, butyl acetate , Diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, methyl 3-methoxy propionate, ethyl 3-ethoxy propionate, propylene glycol methyl ether pro cionate, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and one or more mixed solvents thereof.

상기 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매 의 예로는 메틸에틸케톤, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 에틸아세테이트, 이소프로필알콜 및 이들의 1 이상의 혼합 용매를 들 수 있다. Examples of the low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less include methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, acetone, tetrahydrofuran, ethyl acetate, isopropyl alcohol, and one or more mixed solvents thereof.

상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매 및 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 포함한 혼합 용매; 바인더 수지; 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물; 및 광개시제;를 포함한 수지 조성물은 구체적인 용도나 적용 분야 등을 고려하여 고형분 함량을 조절할 수 있으며, 예를 들어 상기 수지 조성물은 상기 혼합 용매 10 내지 99중량%를 포함할 수 있다. a mixed solvent including the high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher and a low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less; binder resin; photopolymerizable compounds including phthalate derivatives; and a photoinitiator; the resin composition may control the solid content in consideration of specific uses or fields of application, and for example, the resin composition may include 10 to 99% by weight of the mixed solvent.

한편, 상기 수지 조성물을 베리어층 상에 도포 및 건조하는 단계에서 사용 가능한 방법이나 장치가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 베리어층 위에 통상의 코팅 방법을 이용하여 상기 감광성 수지 조성물을 코팅시킨 다음, 건조시켜서 드라이 필름으로 제조할 수 있다. On the other hand, the method or apparatus that can be used in the step of applying and drying the resin composition on the barrier layer is not greatly limited, For example, the photosensitive resin composition may be coated on the barrier layer using a conventional coating method, and then dried to prepare a dry film.

상기 수지 조성물을 코팅하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 코팅 바 등의 방법이 이용될 수 있다.A method of coating the resin composition is not particularly limited, and for example, a method such as a coating bar may be used.

상기 감광성 적층체의 제조 방법에서, 상기 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매 및 100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매를 포함한 혼합 용매를 사용하는 것 이외로도, 건조 속도 및/또는 건조 온도의 조정을 통하여 상기 감광성 수지층 내에 형성되는 미세 기포의 양을 크게 줄이거나 실질적으로 존재하지 않게 할 수 있다.In the method for producing the photosensitive laminate, in addition to using a mixed solvent containing a high boiling point solvent having a boiling point of 115° C. or higher and a low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or lower, the drying rate and/or drying temperature are adjusted. Through this, the amount of microbubbles formed in the photosensitive resin layer can be greatly reduced or substantially absent.

보다 구체적으로, 상기 코팅된 수지 조성물을 건조시키는 단계는 열풍오븐, 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 50 ℃ 내지 100 ℃의 온도, 또는 60 ℃ 내지 90 ℃의 온도, 70 ℃ 내지 85 ℃의 온도로 수행할 수 있다.More specifically, the drying of the coated resin composition may be carried out by heating means such as a hot air oven, a hot plate, a hot air circulation furnace, an infrared furnace, and a temperature of 50 ° C. to 100 ° C., or 60 ° C. to 90 ° C. temperature, it can be carried out at a temperature of 70 ℃ to 85 ℃.

상기 건조가 수행되는 시간은 상기 건조 온도에 따라 달리질 수 있으며, 예를 들어 30초 내지 20분일 수 있고, 보다 구체적으로 1분 내지 10분, 도는 3분 내지 7분일 수 있다. The drying time may vary depending on the drying temperature, for example, may be 30 seconds to 20 minutes, more specifically 1 minute to 10 minutes, or 3 minutes to 7 minutes.

상기 수지 조성물에 포함되는 바인더 수지에 관한 내용은 상기 일 구현예의 감광성 적층체에서 상술한 내용을 포함한다. The content regarding the binder resin included in the resin composition includes the content described above in the photosensitive laminate of the embodiment.

상기 바인더 수지는 20,000 g/mol 내지 300,000 g/mol, 또는 30,000 g/mol 내지 150,000 g/mol 의 중량평균분자량 및 20 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 유리전이온도를 가질 수 있다. The binder resin may have a weight average molecular weight of 20,000 g/mol to 300,000 g/mol, or 30,000 g/mol to 150,000 g/mol, and a glass transition temperature of 20°C or more and 150°C or less.

상기 바인더 수지는 100 mgKOH/g 이상 300 mgKOH/g 의 산가를 가질 수 있다. The binder resin may have an acid value of 100 mgKOH/g or more and 300 mgKOH/g.

상기 수지 조성물은 알칼리 현상성 바인더 수지와 함께 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물을 포함할 수 있다. The resin composition may include a photopolymerizable compound including a phthalate derivative together with an alkali developable binder resin.

상기 수지 조성물은 상기 알칼리 현상성 바인더 수지 100중량부 대비 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물 1 내지 80중량부를 포함할 수 있다. The resin composition may include 1 to 80 parts by weight of a photopolymerizable compound including a phthalate derivative based on 100 parts by weight of the alkali developable binder resin.

상기 광중합성 화합물에 관한 내용은 상기 일 구현예의 감광성 적층체에서 상술한 내용을 포함한다. The content of the photopolymerizable compound includes the content described above in the photosensitive laminate of the embodiment.

구체적으로, 상기 프탈레이트 유도체의 구체적인 예로는 상기 화학식1의 화합물을 들 수 있다. 그리고, 상기 화학식1의 화합물의 보다 구체적인 예로는 하기 화학식2의 화합물 또는 화학식3의 화합물을 을 들 수 있다. Specifically, specific examples of the phthalate derivative include the compound of Formula 1 above. In addition, a more specific example of the compound of Formula 1 may include a compound of Formula 2 or a compound of Formula 3 below.

상기 프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물은 상기 감광성 수지층의 기계적 강도 등을 높여주는 가교제 역할이나 현상액에 대한 내성을 높여주고 경화막의 유연성을 부여하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 프탈레이트 유도체가 갖는 특정한 화학 구조에 따라서, 도금액이나 에칭액에 대한 내성을 높여서 미세패턴을 보다 용이하게 구현 할 수 있다.The photopolymerizable compound including the phthalate derivative may serve as a crosslinking agent to increase mechanical strength of the photosensitive resin layer, or to increase resistance to a developer and to provide flexibility of the cured film. In addition, according to the specific chemical structure of the phthalate derivative, it is possible to more easily implement a fine pattern by increasing resistance to a plating solution or an etching solution.

보다 구체적으로, 이러한 프탈레이트 유도체의 구조 및 특성으로 인하여, 상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 이하의 직경을 갖는 기포가 미량으로 존재하게 할 수 있으며, 이에 따라 미세한 배선의 형성에서 결손을 저감할 수 있으며, 현상시 높은 신뢰성을 확보하여 고밀도의 회로 형성이 가능한 감광성 적층체가 제공될 수 있다. More specifically, due to the structure and characteristics of these phthalate derivatives, it is possible to cause bubbles having a diameter of 1 μm or less to exist in a trace amount in the photosensitive resin layer, thereby reducing defects in the formation of fine wiring, A photosensitive laminate capable of forming high-density circuits by securing high reliability during development may be provided.

한편, 상기 광중합성 화합물은 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물 또는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 더 포함할 수 있다. Meanwhile, the photopolymerizable compound may further include a monofunctional (meth)acrylate compound or a polyfunctional (meth)acrylate compound.

상기 감광성 수지층의 구체적인 용도나 특성에 따라서, 상기 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물 또는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 함량을 조절할 수 있으며, 예를 들어 상기 광중합성 화합물은 상기 프탈레이트 유도체 100 중량부에 대하여 상기 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물 또는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 50 중량부 내지 500 중량부로 포함할 수 있다. According to the specific use or characteristics of the photosensitive resin layer, the content of the monofunctional (meth) acrylate compound or the polyfunctional (meth) acrylate compound can be adjusted, for example, the photopolymerizable compound is 100 weight of the phthalate derivative. Based on parts, the monofunctional (meth)acrylate compound or polyfunctional (meth)acrylate compound may be included in an amount of 50 to 500 parts by weight.

상기 광개시제는 UV 및 기타 radiation에 의해서 광중합성 모노머의 연쇄반응을 개시시키는 물질로서, 상기 수지 조성물 및 상기 감광성 적층체의 감광성 수지층의 경화에 중요한 역할을 한다.The photoinitiator is a material that initiates a chain reaction of photopolymerizable monomers by UV and other radiation, and plays an important role in curing the photosensitive resin layer of the resin composition and the photosensitive laminate.

상기 광개시제로 사용할 수 있는 화합물로는 2-메틸 안트라퀴논, 2-에틸 안트라퀴논 등의 안트라퀴논 유도체; 벤조인 메틸 에테르, 벤조페논, 페난트렌 퀴논, 4,4'-비스-(디메틸아미노)벤조페논 등의 벤조인 유도체를 들 수 있다.Examples of the compound that can be used as the photoinitiator include anthraquinone derivatives such as 2-methyl anthraquinone and 2-ethyl anthraquinone; and benzoin derivatives such as benzoin methyl ether, benzophenone, phenanthrene quinone, and 4,4'-bis-(dimethylamino)benzophenone.

이외에도 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4'-5,5'-테트라페닐비스이미다졸, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-[4-모르폴리노페닐] 부탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 1-[4-(2-히드록시메톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤조페논, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 1-(4-이소프로필페닐)2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-벤조일-4'-메틸디메틸설파이드, 4-디메틸아미노벤조산, 메틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 에틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 부틸 4-디메틸아미노벤조에이트, 2-에틸헥실 4-디메틸아미노벤조에이트, 2-이소아밀 4-디메틸아미노벤조에이트, 2,2-디에톡시아세토페논, 벤질케톤 디메틸아세탈, 벤질케톤 β-메톡시 디에틸아세탈, 1-페닐-1,2-프로필디옥심-o,o'-(2-카르보닐)에톡시에테르, 메틸 o-벤조일벤조에이트, 비스[4-디메틸아미노페닐)케톤, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 벤질, 벤조인, 메톡시벤조인, 에톡시벤조인, 이소프로폭시벤조인, n-부톡시벤조인, 이소부톡시벤조인, tert-부톡시벤조인, p-디메틸아미노아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, p-tert-부틸디클로로아세토페논, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디벤조수베론, α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논, 펜틸 4-디메틸아미노벤조에이트 중에서 선택된 화합물을 광개시제로 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4'-5,5'-tetraphenylbisimidazole, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2,2-dimethoxy-1,2- Diphenylethan-1-one, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-[4-morph Polynophenyl] butan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 1-[4-(2- Hydroxymethoxy)phenyl]-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 3, 3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzophenone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, 1- (4-isopropylphenyl) 2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1 -(4-Dodecylphenyl)-2hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4-benzoyl-4'-methyldimethylsulfide, 4-dimethylaminobenzoic acid, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4- Dimethylaminobenzoate, Butyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-isoamyl 4-dimethylaminobenzoate, 2,2-diethoxyacetophenone, benzylketone dimethylacetal, benzyl Ketone β-methoxy diethylacetal, 1-phenyl-1,2-propyldioxime-o,o'-(2-carbonyl)ethoxyether, methyl o-benzoylbenzoate, bis[4-dimethylaminophenyl ) ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 4,4'-dichlorobenzophenone, benzyl, benzoin, methoxybenzoin, ethoxybenzoin, isopropoxybenzoin, n-part Toxybenzoin, isobutoxybenzoin, tert-butoxybenzoin, p-dimethylaminoacetophenone, p-tert-butyltrichloroacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthi A compound selected from oxanthone, 2-isopropylthioxanthone, dibenzosuberone, α,α-dichloro-4-phenoxyacetophenone, and pentyl 4-dimethylaminobenzoate may be used as a photoinitiator, but is limited thereto not.

상기 광개시제의 함량은 고형분 기준으로, 상기 수지 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 20중량% 또는 1 중량% 이상 10 중량% 이하로 포함된다. 상기 광개시제의 함량이 상기 범위 내에 있는 경우 충분한 감도를 얻을 수 있다.The content of the photoinitiator is included in an amount of 0.1 to 20% by weight or 1% by weight or more and 10% by weight or less, based on the solid content, based on the total weight of the resin composition. When the content of the photoinitiator is within the above range, sufficient sensitivity can be obtained.

상기 광개시제의 함량이 너무 낮은 경우, 광효율이 낮아 노광량이 많이 들어가야 하기 때문에 생산효율성이 극히 저하될 수 있다. 상기 광개시제의 함량이 너무 높은 경우 필름이 부서지기 쉬운(brittle) 단점과 현상액 오염성이 높아져 단락 등의 불량을 초래할 수 있다. When the content of the photoinitiator is too low, the production efficiency may be extremely reduced because the light efficiency is low and a large amount of exposure is required. If the content of the photoinitiator is too high, the film may be brittle, and the contamination of the developer may be increased, which may lead to defects such as short circuit.

또한, 상기 수지 조성물은 필요에 따라 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. 기타 첨가제로는 가소제로서 프탈산 에스테르 형태의 디부틸 프탈레이트, 디헵틸 프탈레이트, 디옥틸 프탈레이트, 디알릴 프탈레이트; 글리콜 에스테르 형태인 트리에틸렌 글리콜 디아세테이트, 테트라에틸렌 글리콜 디아세테이트; 산 아미드 형태인 p-톨루엔 설폰아미드, 벤젠설폰아미드, n-부틸벤젠설폰아미드; 트리페닐 포스페이트 등을 사용할 수 있다.In addition, the resin composition may further include other additives as necessary. Other additives include dibutyl phthalate, diheptyl phthalate, dioctyl phthalate, diallyl phthalate in the form of phthalic acid esters as plasticizers; triethylene glycol diacetate in the form of glycol esters, tetraethylene glycol diacetate; p-toluene sulfonamide, benzenesulfonamide, n-butylbenzenesulfonamide in acid amide form; triphenyl phosphate and the like can be used.

상기 수지 조성물의 취급성을 향상시키기 위해서 루이코 염료나 착색 물질을 넣을 수도 있다. 상기 루이코 염료로는, 트리스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)메탄, 트리스(4-디메틸아미노-2메틸페닐)메탄, 플루오란 염료 등을 들 수 있다. 그중에서도, 루이코 크리스탈 바이올렛을 사용한 경우, 콘트라스트가 양호하여 바람직하다. 루이코 염료를 함유하는 경우의 함유량은 감광성 수지 조성물 중에 0.1 중량% 이상 10 중량% 이하 일 수 있다. 콘트라스트의 발현이라는 관점에서, 0.1중량% 이상이 바람직하고, 보존 안정성을 유지한다는 관점에서는 10 중량% 이하가 바람직하다.In order to improve the handleability of the said resin composition, you may put a leuco dye or a coloring substance. Examples of the leuco dye include tris(4-dimethylamino-2-methylphenyl)methane, tris(4-dimethylamino-2methylphenyl)methane, and fluoran dye. Especially, when leuco crystal violet is used, the contrast is favorable and it is preferable. In the case of containing the leuco dye, the content may be 0.1% by weight or more and 10% by weight or less in the photosensitive resin composition. From a viewpoint of expression of contrast, 0.1 weight% or more is preferable, and 10 weight% or less is preferable from a viewpoint of maintaining storage stability.

착색 물질로는, 예를 들어 톨루엔술폰산1수화물, 푸크신, 프탈로시아닌 그린, 오라민 염기, 파라마젠타, 크리스탈 바이올렛, 메틸 오렌지, 나일 블루 2B, 빅토리아 블루, 말라카이트 그린, 다이아몬드 그린, 베이직 블루 20 등을 들 수 있다. 상기 착색 물질을 함유하는 경우의 첨가량은 감광성 수지 조성물 중에 0.001 중량% 이상 1중량% 이하일 수 있다. 0.001중량% 이상의 함량에서는 취급성 향상이라는 효과가 있고, 1중량% 이하의 함량에서는 보존 안정성을 유지한다는 효과가 있다.As the coloring material, for example, toluenesulfonic acid monohydrate, fuchsine, phthalocyanine green, auramine base, paramagenta, crystal violet, methyl orange, Nile Blue 2B, Victoria Blue, Malachite Green, Diamond Green, Basic Blue 20, etc. can be heard In the case of containing the coloring material, the added amount may be 0.001% by weight or more and 1% by weight or less in the photosensitive resin composition. At a content of 0.001% by weight or more, there is an effect of improving handling, and at a content of 1% by weight or less, there is an effect of maintaining storage stability.

그 외에 기타 첨가제로는 열중합 방지제, 염료, 변색제(discoloring agent), 밀착력 촉진제 등을 더 포함할 수 있다.Other additives may further include a thermal polymerization inhibitor, a dye, a discoloring agent, an adhesion promoter, and the like.

한편, 발명의 또 다른 구현에 따르면, 상기 일 구현예의 감광성 적층체를 이용하는, 회로 기판의 제조 방법이 제공될 수 있다. Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, a method of manufacturing a circuit board using the photosensitive laminate of the embodiment may be provided.

상기 일 구현예의 감광성 적층체는 동장적층판(Copper Clad Laminates) 상에 적층되는 용도로 사용될 수 있다. The photosensitive laminate of the embodiment may be used for lamination on copper clad laminates.

회로 기판 또는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)의 제조과정의 일 예로는, PCB의 원판소재인 동장적층판을 라미네이션하기 위해 먼저 전처리 공정을 거친다. 전처리공정은 외층공정에서는 드릴링, 디버링(deburing), 정면 등의 순이며, 내층공정에서는 정면 또는 산세를 거친다. 정면공정에서는 bristle brush 및 jet pumice 공정이 주로 사용되며, 산세는 soft etching 및 황산 산세를 거칠 수 있다.As an example of a manufacturing process of a circuit board or a printed circuit board (PCB), a pretreatment process is first performed in order to laminate a copper-clad laminate, which is a raw material of the PCB. The pretreatment process is in the order of drilling, deburing, and front face in the outer layer process, and undergoes face or pickling in the inner layer process. In the face process, bristle brush and jet pumice processes are mainly used, and soft etching and sulfuric acid pickling can be used for pickling.

전처리 공정을 거친 동장적층판에 회로를 형성시키기 위해서는 일반적으로 동장적층판의 구리층 위에 상기 감광성 적층체 또는 드라이 필름 포토레지스트(이하, DFR이라 함)을 라미네이션 할 수 있다. 이 공정에서는 라미네이터를 이용하여 DFR의 보호 필름을 벗겨내면서 DFR의 포토레지스트층을 구리 표면 위에 라미네이션시킨다. 일반적으로 라미네이션 속도 0.5 내지 3.5m/min, 온도 100 내지 130℃, 로울러 압력 가열롤압력 10 내지 90psi에서 진행할 수 있다. In order to form a circuit on a copper-clad laminate that has undergone a pre-treatment process, in general, the photosensitive laminate or dry film photoresist (hereinafter referred to as DFR) may be laminated on the copper layer of the copper-clad laminate. In this process, a photoresist layer of DFR is laminated on the copper surface while peeling off the protective film of DFR using a laminator. In general, it can proceed at a lamination speed of 0.5 to 3.5 m/min, a temperature of 100 to 130° C., and a roller pressure heating roll pressure of 10 to 90 psi.

라미네이션 공정을 거친 인쇄회로기판은 기판의 안정화를 위하여 15분 이상 방치한 후 원하는 회로패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 DFR의 포토레지스트에 대해 노광을 진행할 수 있다. 이 과정에서 포토마스크에 자외선을 조사하면 자외선이 조사된 포토레지스트는 조사된 부위에서 함유된 광개지제에 의해 중합이 개시될 수 있다. 먼저 초기에는 포토레지스트내의 산소가 소모되고, 다음 활성화된 모노머가 중합되어 가교반응이 일어나고 그 후 많은 양의 모노머가 소모되면서 중합반응이 진행될 수 있고, 미노광부위는 가교 반응이 진행되지 않은 상태로 존재할 수 있다. The printed circuit board that has undergone the lamination process may be left for at least 15 minutes for stabilization of the substrate and then exposed to the photoresist of the DFR using a photomask having a desired circuit pattern formed thereon. In this process, when the photomask is irradiated with ultraviolet rays, polymerization of the photoresist irradiated with ultraviolet rays may be initiated by the photoinitiator contained in the irradiated area. First, oxygen in the photoresist is consumed, and then the activated monomer is polymerized to cause a crosslinking reaction. After that, a large amount of monomer is consumed and the polymerization reaction can proceed. may exist.

다음 포토레지스트의 미노광 부분을 제거하는 현상공정을 진행하는데, 알카리 현상성 DFR인 경우 현상액으로 0.8 내지 1.2wt%의 포타슘카보네이트 및 소듐카보네이트 수용액이 사용될 수 있다. 이 공정에서 미노광 부분의 포토레지스트는 현상액내에서 결합제 고분자의 카르복시산과 현상액의 비누화 반응에 의해서 씻겨나가고, 경화된 포토레지스트는 구리표면 위에 잔류할 수 있다. Next, a developing process of removing the unexposed portion of the photoresist is performed. In the case of alkali developable DFR, 0.8 to 1.2 wt% of potassium carbonate and sodium carbonate aqueous solution may be used as a developer. In this process, the photoresist of the unexposed part is washed away by the saponification reaction of the carboxylic acid of the binder polymer and the developer in the developer, and the cured photoresist may remain on the copper surface.

다음 내층 및 외층 공정에 따라 다른 공정을 거쳐 회로가 형성될 수 있다. 내층공정에서는 부식과 박리공정을 통하여 기판상에 회로가 형성될 수 있고, 외층공정에서는 도금 및 텐팅공정을 거친 후 에칭과 솔더 박리를 진행하고 소정의 회로를 형성시킬 수 있다. A circuit may be formed through different processes according to the next inner layer and outer layer processes. In the inner layer process, a circuit may be formed on the substrate through corrosion and peeling processes, and in the outer layer process, after plating and tenting processes, etching and solder peeling may be performed to form a predetermined circuit.

상기 노광에는 통상적으로 알려진 광원, 보다 구체적으로 초고압 수은등이나 레이저 다이렉트(Laser Direct) 노광 장비 등을 사용할 수도 있다. For the exposure, a commonly known light source, more specifically, an ultra-high pressure mercury lamp or laser direct exposure equipment, may be used.

본 발명에 따르면, 미세한 배선의 형성에서 결손을 저감할 수 있으며, 현상시 신뢰성이 높아져서 고밀도의 회로 형성이 가능한 감광성 적층체와, 상기 감광성 적층체의 제조 방법과, 상기 감광성 적층체를 이용하는 회로 기판의 제조 방법이 제공될 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photosensitive laminated body which can reduce defects in the formation of fine wiring, and can form high-density circuits with increased reliability during development, a manufacturing method of the photosensitive laminate, and a circuit board using the photosensitive laminate A method of manufacturing may be provided.

도1는 편광 현미경을 이용하여 실시예 1의 감광성 수지층의 표면 및 단면을 전계방출형 주사전자현미경(FE-SEM, 800배)로 확인한 사진이다.
도2는 편광 현미경을 이용하여 비교예 1의 감광성 수지층의 표면 및 단면을 전계방출형 주사전자현미경(FE-SEM, 800배)로 확인한 사진이다.
도3은 편광 현미경을 이용하여 비교예 2의 감광성 수지층의 표면 및 단면을 전계방출형 주사전자현미경(FE-SEM, 800배)로 확인한 사진이다.
도4은 편광 현미경을 이용하여 비교예 3의 감광성 수지층의 표면 및 단면을 전계방출형 주사전자현미경(FE-SEM, 800배)로 확인한 사진이다.
1 is a photograph confirming the surface and cross-section of the photosensitive resin layer of Example 1 with a field emission scanning electron microscope (FE-SEM, 800×) using a polarizing microscope.
2 is a photograph obtained by confirming the surface and cross-section of the photosensitive resin layer of Comparative Example 1 with a field emission scanning electron microscope (FE-SEM, 800×) using a polarizing microscope.
3 is a photograph obtained by confirming the surface and cross-section of the photosensitive resin layer of Comparative Example 2 with a field emission scanning electron microscope (FE-SEM, 800×) using a polarizing microscope.
4 is a photograph obtained by confirming the surface and cross-section of the photosensitive resin layer of Comparative Example 3 with a field emission scanning electron microscope (FE-SEM, 800×) using a polarizing microscope.

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.The invention is described in more detail in the following examples. However, the following examples only illustrate the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.

<제조예 ><Production Example>

제조예1: 알칼리 현상성 바인더 수지의 제조Preparation Example 1: Preparation of alkali developable binder resin

4구 둥근바닥 플라스크에 기계식 교반기(mechanical stirrer)와 환류장치를 장착한 다음, 질소로 플라스크 내부를 퍼지하였다. 상기 질소로 퍼지된 플라스크에 메틸에틸케톤(Methyl Ethyl Ketone, MEK) 170g 및 메탄올(Methanol, MeOH) 12.5g를 투입한 다음, 아조비스이소부티로니트릴(azobisisobutyronitrile, AIBN) 2.25g을 투입하여 완전히 용해시켰다. 여기에 단량체로 메타크릴산(Methacrylic acid, MAA) 60g, 벤질메타크릴산(Benzyl methacylrate, BzMA) 100g, 메틸메타크릴레이트(Methyl methacrylate, MMA) 15g, 및 스티렌(Styrene, SM) 75g의 단량체 혼합물을 투입하고, 80 ℃까지 승온한 다음 6시간 동안 중합하여 알칼리 현상성 바인더 수지(중량평균분자량 40,000 g/mol, 유리전이온도 102 ℃, 고형분함량 50 중량%, 산가 156 mgKOH/g)를 제조하였다.A mechanical stirrer and a reflux device were installed in a four-necked round-bottom flask, and then the inside of the flask was purged with nitrogen. In the flask purged with nitrogen, 170 g of methyl ethyl ketone (Methyl Ethyl Ketone, MEK) and 12.5 g of methanol (Methanol, MeOH) were added, and then 2.25 g of azobisisobutyronitrile (AIBN) was added and completely dissolved. did it Here, a monomer mixture of 60 g of methacrylic acid (MAA), 100 g of benzyl methacylrate (BzMA), 15 g of methyl methacrylate (MMA), and 75 g of styrene (Styrene, SM) as a monomer was added, and the temperature was raised to 80 ° C. and then polymerized for 6 hours to prepare an alkali developable binder resin (weight average molecular weight 40,000 g/mol, glass transition temperature 102 ° C., solid content 50 wt%, acid value 156 mgKOH/g). .

상기 제조예 1 에서 제조된 알칼리 현상성 바인더 수지는 1.0 (w/w)% in THF (고형분 기준 약 0.5 (w/w)%)의 농도가 되도록 테트라히드로푸란에 용해시켜 0.45㎛ Pore Size의 Syringe Filter를 이용하여 여과 후 GPC에 20㎕를 주입하였다. GPC의 이동상은 테트라히드로푸란(Tetrahydrofuran, THF)을 사용하고, 1.0mL/분의 유속으로 유입하였으며, 분석은 40℃에서 수행하였다. 컬럼은 Agilent PLgel 5㎛ Guard (7.5 x 50 mm) 1개와 Agilent PLgel 5㎛ Mixed D (7.5 x 300 mm) 2개를 직렬로 연결하였다. 검출기로는 Agilent 1260 Infinity Ⅱ System, RI Detector를 이용하여 40℃에서 측정하였다.The alkali developable binder resin prepared in Preparation Example 1 was dissolved in tetrahydrofuran so as to have a concentration of 1.0 (w/w)% in THF (about 0.5 (w/w)% based on solid content) to have a 0.45㎛ pore size Syringe. After filtration using a filter, 20 μl was injected into GPC. As the mobile phase of GPC, tetrahydrofuran (THF) was used, and it was introduced at a flow rate of 1.0 mL/min, and the analysis was performed at 40°C. For the column, one Agilent PLgel 5㎛ Guard (7.5 x 50 mm) and two Agilent PLgel 5㎛ Mixed D (7.5 x 300 mm) were connected in series. As a detector, the Agilent 1260 Infinity Ⅱ System, RI Detector was used for measurement at 40°C.

이를, 테트라히드로푸란에 0.1 (w/w)% 농도로 아래와 같이 다양한 분자량을 갖는 폴리스티렌을 용해시킨 폴리스티렌 표준품 시료(STD A, B, C, D)를 0.45㎛ Pore Size의 Syringe Filter로 여과 후 GPC에 주입하여 형성된 검정 곡선을 이용하여 알칼리 현상성 바인더 수지의 중량평균분자량(Mw)의 값을 구하였다. For this, polystyrene standard samples (STD A, B, C, D) obtained by dissolving polystyrene having various molecular weights as follows at a concentration of 0.1 (w/w)% in tetrahydrofuran were filtered with a 0.45㎛ pore size Syringe Filter and then GPC The value of the weight average molecular weight (Mw) of the alkali developable binder resin was calculated using a calibration curve formed by injecting into the .

STD A (Mp) : 791,000 / 27,810 / 945STD A (Mp): 791,000 / 27,810 / 945

STD B (Mp) : 282,000 / 10,700 / 580STD B (Mp): 282,000 / 10,700 / 580

STD C (Mp) : 126,000 / 4,430 / 370STD C (Mp): 126,000 / 4,430 / 370

STD D (Mp) : 51,200 / 1,920 / 162STD D (Mp): 51,200 / 1,920 / 162

제조예2: 베리어층 형성용 조성물의 제조Preparation Example 2: Preparation of a composition for forming a barrier layer

4구 둥근바닥 플라스크에 기계식 교반기(mechanical stirrer)와 환류장치를 장착한 다음, 질소로 플라스크 내부를 퍼지하였다. 상기 질소로 퍼지된 플라스크에 증류수 200 g 및 부틸셀로솔브 (Butyl cellosolve, BC) 20 g 를 투입하여 완전히 용해시켰다. 여기에 PVA-205 (KURARAY 社, 폴리비닐알콜, 점도: 3.5 cP, 중량평균분자량: 22,000 g/mol) 20 g, BYK-349 (BYK 社) 1.5 g 을 투입하여 베리어층 형성용 조성물을 제조하였다. A mechanical stirrer and a reflux device were installed in a four-necked round-bottom flask, and then the inside of the flask was purged with nitrogen. In the flask purged with nitrogen, 200 g of distilled water and 20 g of butyl cellosolve (BC) were added and completely dissolved. Here, 20 g of PVA-205 (KURARAY, polyvinyl alcohol, viscosity: 3.5 cP, weight average molecular weight: 22,000 g/mol) and 1.5 g of BYK-349 (BYK) were added to prepare a composition for forming a barrier layer. .

제조예3: 베리어층 형성용 조성물의 제조Preparation Example 3: Preparation of a composition for forming a barrier layer

4구 둥근바닥 플라스크에 기계식 교반기(mechanical stirrer)와 환류장치를 장착한 다음, 질소로 플라스크 내부를 퍼지하였다. 상기 질소로 퍼지된 플라스크에 증류수 200 g 및 부틸셀로솔브 (Butyl cellosolve, BC) 10 g 를 투입하여 완전히 용해시켰다. 여기에 PVA-205 (KURARAY 社, 폴리비닐알콜, 점도: 3.5 cP, 중량평균분자량: 22,000 g/mol) 20 g, BYK-349 (BYK 社) 1.5 g 을 투입하여 베리어층 형성용 조성물을 제조하였다. A mechanical stirrer and a reflux device were installed in a four-necked round-bottom flask, and then the inside of the flask was purged with nitrogen. Into the flask purged with nitrogen, 200 g of distilled water and 10 g of butyl cellosolve (BC) were added and completely dissolved. Here, 20 g of PVA-205 (KURARAY, polyvinyl alcohol, viscosity: 3.5 cP, weight average molecular weight: 22,000 g/mol) and 1.5 g of BYK-349 (BYK) were added to prepare a composition for forming a barrier layer. .

<실시예 및 비교예: 감광성 수지 조성물 및 드라이 필름 포토레지스트 제조><Examples and Comparative Examples: Preparation of photosensitive resin composition and dry film photoresist>

실시예 1-3Examples 1-3

상기 제조예 2에서 수득된 베리어층 형성용 조성물을 25 ㎛의 PET 필름 위에 코팅 바(bar)를 이용하여 코팅시켰다. 코팅된 베리어층은 열풍오븐을 이용하여 건조시키는데, 이때 건조 온도는 80 ℃이고, 건조 시간은 10분이며, 건조 후 베리어층의 두께는 2~3 ㎛, 베리어층의 헤이즈 값은 1 %, 산소 투과도는 3.5 cc/m2/day 이였다. The composition for forming a barrier layer obtained in Preparation Example 2 was coated on a 25 μm PET film using a coating bar. The coated barrier layer is dried using a hot air oven, where the drying temperature is 80 ℃, the drying time is 10 minutes, the thickness of the barrier layer after drying is 2-3 μm, the haze value of the barrier layer is 1%, and oxygen The transmittance was 3.5 cc/m 2 /day.

이후, 하기 표1에 기재된 조성에 따라, 광개시제를 유기 용매에 녹인 후, 광중합성 화합물과 알칼리 현상성 바인더 수지를 첨가하여 기계적 교반기를 이용하여 약 1시간 정도 혼합하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다. Then, according to the composition shown in Table 1, after dissolving the photoinitiator in an organic solvent, the photopolymerizable compound and the alkali developable binder resin were added and mixed using a mechanical stirrer for about 1 hour to prepare a photosensitive resin composition.

상기 수득된 감광성 수지 조성물을 상기 베리어층 위에 코팅 바(bar)를 이용하여 코팅시켰다. 코팅된 감광성 수지 조성물층은 열풍오븐을 이용하여 건조시키는데, 이때 건조 온도는 80 ℃ 이고, 건조 시간은 5 분이며, 건조 후 감광성 수지층의 두께는 25 ㎛이였다. The obtained photosensitive resin composition was coated on the barrier layer using a coating bar. The coated photosensitive resin composition layer was dried using a hot air oven, wherein the drying temperature was 80° C., the drying time was 5 minutes, and the thickness of the photosensitive resin layer after drying was 25 μm.

건조가 완료된 감광성 수지 조성물층 위에 보호필름(폴리에틸렌)를 이용하여 라미네이션하여 감광성 적층체(드라이 필름 포토레지스트)를 제조하였다.A photosensitive laminate (dry film photoresist) was prepared by lamination using a protective film (polyethylene) on the dried photosensitive resin composition layer.

상기 베리어 층의 헤이즈는 PET 필름을 박리하고 HAZE METER(모델명: NDH7000, Nippon denshoku 社)를 이용하여 ASTM D1003의 측정법에 따라 측정한 값이다. The haze of the barrier layer is a value measured according to the measurement method of ASTM D1003 by peeling the PET film and using a HAZE METER (model name: NDH7000, Nippon Denshoku Co.).

상기 베리어 층의 산소 투과도는 3.5 cc/m2/day이였고, OX-Tran (Model 2/61, Mocon社) 기기를 이용하여 ASTM F1927 의 측정법에 따라 측정한 값이다. The oxygen permeability of the barrier layer was 3.5 cc/m 2 /day, and was measured according to ASTM F1927 using an OX-Tran (Model 2/61, Mocon) instrument.

비교예 1Comparative Example 1

하기 표1의 실시예 1에 기재된 조성에 따라, 광개시제를 유기 용매에 녹인 후, 광중합성 화합물과 알칼리 현상성 바인더 수지를 첨가하여 기계적 교반기를 이용하여 약 1시간 정도 혼합하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다. According to the composition described in Example 1 of Table 1 below, a photoinitiator was dissolved in an organic solvent, a photopolymerizable compound and an alkali developable binder resin were added, and mixed using a mechanical stirrer for about 1 hour to prepare a photosensitive resin composition. .

상기 수득된 감광성 수지 조성물을 25 ㎛의 PET 필름 위에 코팅 바(bar)를 이용하여 코팅시켰다. 코팅된 감광성 수지 조성물층은 열풍오븐을 이용하여 건조시키는데, 이때 건조 온도는 80 ℃ 이고, 건조 시간은 5 분이며, 건조 후 감광성 수지층의 두께는 25 ㎛이였다. The obtained photosensitive resin composition was coated on a 25 μm PET film using a coating bar. The coated photosensitive resin composition layer was dried using a hot air oven, wherein the drying temperature was 80° C., the drying time was 5 minutes, and the thickness of the photosensitive resin layer after drying was 25 μm.

건조가 완료된 감광성 수지 조성물층 위에 보호필름(폴리에틸렌)를 이용하여 라미네이션하여 감광성 적층체(드라이 필름 포토레지스트)를 제조하였다.A photosensitive laminate (dry film photoresist) was prepared by lamination using a protective film (polyethylene) on the dried photosensitive resin composition layer.

비교예 2Comparative Example 2

상기 제조예 2에서 수득된 베리어층 형성용 조성물 대신 상기 제조예 3에서 수득된 베리어층 형성용 조성물을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 적층체(드라이 필름 포토레지스트)를 제조하였다.A photosensitive laminate (dry film photoresist) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the composition for forming a barrier layer obtained in Preparation Example 3 was used instead of the composition for forming a barrier layer obtained in Preparation Example 2 .

제조된 베리어층의 헤이즈는 5 % 이였고, 상기 베리어 층의 헤이즈는 감광성 수지 조성물을 도포하기 전 PET 필름을 박리하고 HAZE METER(모델명: NDH7000, Nippon denshoku 社)를 이용하여 ASTM D1003의 측정법에 따라 측정한 값이다. The haze of the prepared barrier layer was 5%, and the haze of the barrier layer was peeled off the PET film before the photosensitive resin composition was applied, and according to the measurement method of ASTM D1003 using a HAZE METER (model name: NDH7000, Nippon denshoku Corporation). is the measured value.

제조된 베리어층의 산소 투과도는 4.0 cc/m2/day이였고, OX-Tran (Model 2/61, Mocon社) 기기를 이용하여 ASTM F1927 의 측정법에 따라 측정한 값이다. The oxygen permeability of the prepared barrier layer was 4.0 cc/m 2 /day, and was measured according to the measurement method of ASTM F1927 using an OX-Tran (Model 2/61, Mocon Company) instrument.

비교예 3Comparative Example 3

하기 표 1에 기재된 조성에 따라, 감광성 수지 조성물을 제조한 것을 제외하고, 상기 실시예와 동일한 방법으로 감광성 적층체(드라이 필름 포토레지스트)를 제조하였다.According to the composition shown in Table 1, except that the photosensitive resin composition was prepared, a photosensitive laminate (dry film photoresist) was prepared in the same manner as in the above Example.

성 분ingredient 상품명
(또는 성분명)
product name
(or ingredient name)
함량(중량%)Content (wt%)
실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 비교예3Comparative Example 3 알칼리 현상성 바인더 수지Alkali developable binder resin 제조예1Preparation Example 1 5555 5555 5555 5555 광중합성 화합물photopolymerizable compound 프탈레이트 유도체 phthalate derivatives 22 33 33 M-2101M-2101 1414 1414 1212 1414 M-241M-241 33 1One 33 33 T063T063 1One 1One A040A040 1One 1One 1One 33 광중합 개시제photopolymerization initiator BCIMBCIM 3.53.5 3.53.5 3.53.5 3.53.5 9,10-디부톡시안트라센9,10-dibutoxyanthracene 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 첨가제additive N,N-DiethylbutylamineN,N-Diethylbutylamine 0.20.2 0.20.2 0.20.2 0.20.2 루이코 크리스탈 바이올렛
(일본 Hodogaya Co.)
Ruiko Crystal Violet
(Japan Hodogaya Co.)
0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5
다이아몬드 그린 GH(일본 Hodogaya Co.)Diamond Green GH (Japan Hodogaya Co.) 0.30.3 0.30.3 0.30.3 0.30.3 용 제solvent MEK(Methyl Ethyl Ketone, 비점 약 80 ℃)MEK (Methyl Ethyl Ketone, boiling point about 80 ℃) 1515 1515 1515 1818 메탄올(Methanol, 약 64.7 ℃)Methanol (about 64.7 ℃) 22 22 22 22 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA, 비점 약 146.4℃)Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA, boiling point about 146.4°C) 33 33 33 * 프탈레이트계 유도체: (2-[(2-methyl-1-oxoallyl)oxy]ethyl hydrogen 3-chloro-2-hydroxypropylphthalate)
(1) M2101 : Bisphenol A (EO)10 di(meth)acrylate (미원스페셜티케미칼)
(2) M241 : 비스페놀 A (에톡시레이트)4 디(메트)아크릴레이트 (미원스페셜티케미칼)
(3) T063 : Trimethylolpropane [EO]6 triacrylate

Figure pat00010


(4) A040 : Methoxy propylene glycol [400] acrylate
Figure pat00011
(n=9)

(5) BCIM : 2,2'-Bis-(2-chlorophenyl-4,5,4',5'-tetraphenylbisimidazole, Aldrich Chemical* Phthalate derivatives: (2-[(2-methyl-1-oxoallyl)oxy]ethyl hydrogen 3-chloro-2-hydroxypropylphthalate)
(1) M2101: Bisphenol A (EO) 10 di(meth)acrylate (Miwon Specialty Chemical)
(2) M241: bisphenol A (ethoxylate) 4 di (meth) acrylate (Miwon Specialty Chemical)
(3) T063: Trimethylolpropane [EO] 6 triacrylate
Figure pat00010


(4) A040: Methoxy propylene glycol [400] acrylate
Figure pat00011
(n=9)

(5) BCIM: 2,2'-Bis-(2-chlorophenyl-4,5,4',5'-tetraphenylbisimidazole, Aldrich Chemical

비교예 4Comparative Example 4

특허문헌 1 의 실시예 4 의 기재 사항을 기초로, 본원의 명세서의 제조예 1 에서 얻어진 “알칼리 현상성 바인더 수지” 300 중량부 대비, 하기 성분을 기계적 교반기를 이용하여 약 1 시간 정도 혼합하여 감광성 수지 조성물을 제조한 것을 제외하고, 상기 실시예와 동일한 방법으로 감광성 적층체(드라이 필름 포토레지스트)를 제조하였다.Based on the description of Example 4 of Patent Document 1, based on 300 parts by weight of the "alkali developable binder resin" obtained in Preparation Example 1 of the present specification, the following components were mixed using a mechanical stirrer for about 1 hour to obtain photosensitivity Except for preparing the resin composition, a photosensitive laminate (dry film photoresist) was prepared in the same manner as in the above example.

<감광성 수지 조성물의 성분><Component of the photosensitive resin composition>

(1) 2,2-비스(4-(메타크릴옥시 펜타에톡시) 페닐) 프로판 100 중량부(1) 2,2-bis(4-(methacryloxy pentaethoxy)phenyl)propane 100 parts by weight

(2) EO,PO 변성 우레탄 디 메타크릴레이트 50 중량부 (2) 50 parts by weight of EO, PO modified urethane dimethacrylate

(3) 폴리프로필렌글리콜디 아크릴레이트(프로필렌 글리콜쇄의 수: 7) 50 질량부 (3) polypropylene glycol diacrylate (the number of propylene glycol chains: 7) 50 parts by mass

(4) 광중합 개시제: 벤조페논 25 질량부, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐 이미다졸 이량체 1.0 질량부 및 디에틸 아미노벤조페논 1.0 질량부 (4) photoinitiator: 25 parts by mass of benzophenone, 1.0 parts by mass of 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenyl imidazole dimer, and 1.0 part by mass of diethylaminobenzophenone

(5) 광 발색제 5.0 질량부 (5) 5.0 parts by mass of photochromic agent

(6) 염료 0.15 질량부 (6) 0.15 parts by mass of dye

(7) 혼합용매: (7) Mixed solvents:

아세톤(비점 56℃) 477 질량부, 톨루엔(비점 110℃) 26.5 질량부 및 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르(비점 146.4℃) 26.5 질량부 [100℃이하의 비점을 갖는 저비점 용매: 115℃ 이상의 비점을 갖는 고비점 용매의 중량비 = 19: 1]477 parts by mass of acetone (boiling point 56° C.), 26.5 parts by mass of toluene (boiling point 110° C.) and 26.5 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether (boiling point 146.4° C.) [low boiling point solvent having a boiling point of 100° C. or less: having a boiling point of 115° C. or higher Weight ratio of high boiling point solvent = 19: 1]

<실험예><Experimental example>

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 드라이 필름 포토레지스트에 대하여, 하기 방법으로 물성을 측정하였으며, 그 결과를 표 2에 나타내었다.For the dry film photoresists prepared in Examples and Comparative Examples, physical properties were measured in the following manner, and the results are shown in Table 2.

1. 노광량 (단위: mJ/cm1. Exposure dose (unit: mJ/cm 22 )의 측정) of the measurement

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 드라이필름 포토레지스트를 브러시(Brush) 연마처리된 1.6mm 두께의 동장적층판에 라미네이션 하였다. 이때 상기 라미네이션은 HAKUTO MACH 610i를 이용하여, 기판 예열 롤 온도 120 ℃, 라미네이터 롤 온도 115 ℃, 롤 압력 4.0kgf/㎠ 및 롤 속도 2.0min/m를 적용하였다. The dry film photoresist prepared in Examples and Comparative Examples was laminated on a 1.6 mm thick copper-clad laminate that had been brush-polished. At this time, the lamination was performed using a HAKUTO MACH 610i, at a substrate preheating roll temperature of 120 °C, a laminator roll temperature of 115 °C, and a roll pressure of 4.0 kgf/cm2. and a roll speed of 2.0 min/m was applied.

동장적층판에 라미네이션한 드라이 필름 포토레지스트의 PET필름을 제거하고 베리어층 위에 ORC사의 FDi-3을 이용하여 Stouffer Graphic Arts Equipment 사의 41단 스텝 tablet을 사용하여 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 노광량으로 405nm파장의 자외선을 조사한 후 15분 방치하였다. 그 후 Na2CO3 1.0wt% 수용액으로 스프레이 분사방식의 현상조건으로 현상을 실시하였다. 이때, 정한 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 에너지량을 측정하였다.Remove the PET film of the dry film photoresist laminated on the copper clad laminate and use ORC's FDi-3 on the barrier layer using the Stouffer Graphic Arts Equipment's 41-step step tablet. After irradiating with UV light, it was left for 15 minutes. After that, Na 2 CO 3 1.0wt% aqueous solution was developed under the development conditions of the spray injection method. At this time, the amount of energy at which the determined number of remaining step steps becomes 15 steps was measured.

비교예1은 동장적층판에 라미네이션한 드라이 필름 포토레지스트의 PET필름 위에 ORC사의 FDi-3을 이용하여 Stouffer Graphic Arts Equipment 사의 41단 스텝 tablet을 사용하여 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 노광량으로 405nm파장의 자외선을 조사한 후 15분 방치하였다. 그 후 Na2CO3 1.0wt% 수용액으로 스프레이 분사방식의 현상조건으로 현상을 실시하였다. 이때, 정한 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 에너지량을 측정하였다.Comparative Example 1 uses a 41-layer step tablet from Stouffer Graphic Arts Equipment using ORC's FDi-3 on a PET film of dry film photoresist laminated on a copper clad laminate, and has a 405 nm wavelength with an exposure amount such that the remaining number of steps is 15. After irradiation with ultraviolet light, it was left for 15 minutes. After that, Na 2 CO 3 1.0wt% aqueous solution was developed under the development conditions of the spray injection method. At this time, the amount of energy at which the determined number of remaining step steps becomes 15 steps was measured.

2. 1:1 해상도(단위: ㎛)의 측정2. Measurement of 1:1 resolution (unit: μm)

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 드라이필름 포토레지스트를 브러시(Brush) 연마처리된 1.6mm 두께의 동장적층판에 라미네이션 하였다. 이때 상기 라미네이션은 HAKUTO MACH 610i를 이용하여, 기판 예열 롤 온도 120 ℃, 라미네이터 롤 온도 115 ℃, 롤 압력 4.0kgf/㎠ 및 롤 속도 2.0min/m를 적용하였다. The dry film photoresist prepared in Examples and Comparative Examples was laminated on a 1.6 mm thick copper-clad laminate that had been brush-polished. At this time, the lamination was performed using a HAKUTO MACH 610i, at a substrate preheating roll temperature of 120 °C, a laminator roll temperature of 115 °C, and a roll pressure of 4.0 kgf/cm2. and a roll speed of 2.0 min/m was applied.

상기 적층체의 PET필름을 제거하고 베리어층 위에 현상이후 회로라인(line) 폭과 회로라인 사이의 공간(space) 간격이 1:1이 될 수 있도록 4 내지 20㎛까지 0.5㎛의 간격으로 형성되어 있는 data를 사용하여, ORC사의 FDi-3을 통해 Stouffer Graphic Arts Equipment 사의 41단 스텝 tablet을 사용하여 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 노광량으로 405nm파장의 자외선을 조사한 후 15분 방치하였다. 그 후 Na2CO3 1.0wt% 수용액으로 스프레이 분사방식의 현상조건으로 현상을 실시하였다.After removing the PET film of the laminate and developing on the barrier layer, it is formed with an interval of 0.5 μm from 4 to 20 μm so that the spacing between the circuit line width and the circuit line can be 1:1. Using the existing data, using the 41-step step tablet of Stouffer Graphic Arts Equipment through ORC's FDi-3, the remaining step number was 15 steps, irradiated with ultraviolet light of a wavelength of 405 nm, and left for 15 minutes. After that, Na 2 CO 3 1.0wt% aqueous solution was developed under the development conditions of the spray injection method.

이후, ZEISS AXIOPHOT Microscope이용하여 회로라인과 비회로라인 사이의 공간을 1:1로 하여 측정한 값으로 해상도를 결정하였다. Thereafter, the resolution was determined with the measured value using the ZEISS AXIOPHOT Microscope with the space between the circuit line and the non-circuit line being 1:1.

비교예1은 동장적층판에 라미네이션한 드라이 필름 포토레지스트의 PET필름 위에 ORC사의 FDi-3을 이용하여 Stouffer Graphic Arts Equipment 사의 41단 스텝 tablet을 사용하여 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 노광량으로 405nm파장의 자외선을 조사한 후 15분 방치하였다. 그 후 Na2CO3 1.0wt% 수용액으로 스프레이 분사방식의 현상조건으로 현상을 실시하였다. 이때, 정한 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 에너지량을 측정하였다.Comparative Example 1 uses a 41-layer step tablet from Stouffer Graphic Arts Equipment using ORC's FDi-3 on a PET film of dry film photoresist laminated on a copper clad laminate, and has a 405 nm wavelength with an exposure amount such that the remaining number of steps is 15. After irradiation with ultraviolet light, it was left for 15 minutes. After that, Na 2 CO 3 1.0wt% aqueous solution was developed under the development conditions of the spray injection method. At this time, the amount of energy at which the determined number of remaining step steps becomes 15 steps was measured.

3. 기포(단위 : 개수/mm3. Bubbles (unit: number/mm) 22 ) 확인) Confirm

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 드라이 필름 포토레지스트에 대하여, PET필름과 PE 필름을 제거하고 난 후, 편광 현미경을 이용하여 감광성 수지층(단위 면적(1mm*1mm)) 에서 내에 존재하는 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포의 개수(개수/mm2)를 확인하였다. For the dry film photoresists prepared in Examples and Comparative Examples, after removing the PET film and the PE film, using a polarizing microscope, 1 μm present in the photosensitive resin layer (unit area (1 mm * 1 mm)) The number of bubbles having a diameter of less than (number/mm 2 ) was confirmed.

4. 노광/현상후 하지 Defect (단위 : 개수/mm4. Defect after exposure/development (unit: number/mm 22 ) 확인) Confirm

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 드라이필름 포토레지스트를 브러시(Brush) 연마처리된 1.6mm 두께의 동장적층판에 라미네이션 하였다. 이때 상기 라미네이션은 HAKUTO MACH 610i를 이용하여, 기판 예열 롤 온도 120 ℃, 라미네이터 롤 온도 115 ℃, 롤 압력 4.0kgf/㎠ 및 롤 속도 2.0min/m를 적용하였다. The dry film photoresist prepared in Examples and Comparative Examples was laminated on a 1.6 mm thick copper-clad laminate that had been brush-polished. At this time, the lamination was performed using a HAKUTO MACH 610i, at a substrate preheating roll temperature of 120 °C, laminator roll temperature of 115 °C, and a roll pressure of 4.0 kgf/cm2. and a roll speed of 2.0 min/m was applied.

상기 적층체의 PET필름을 제거하고 베리어층 위에 현상이후 회로라인(line) 폭과 회로라인 사이의 공간(space) 간격이 14㎛:14㎛이 될 수 있도록 ORC사의 FDi-3을 통해 Stouffer Graphic Arts Equipment 사의 41단 스텝 tablet을 사용하여 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 노광량으로 405nm파장의 자외선을 조사한 후 15분 방치하였다. 그 후 Na2CO3 1.0wt% 수용액으로 스프레이 분사방식의 현상조건으로 현상을 실시하였다.After removing the PET film of the laminate and developing on the barrier layer, Stouffer Graphic Arts through ORC's FDi-3 so that the distance between the circuit line width and the circuit line becomes 14㎛: 14㎛ Using a 41-step step tablet of Equipment Co., Ltd., irradiated with ultraviolet light of a wavelength of 405 nm at an exposure dose at which the number of remaining step steps became 15 steps, and left for 15 minutes. After that, Na 2 CO 3 1.0wt% aqueous solution was developed under the development conditions of the spray injection method.

상기 현상된 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 드라이필름 포토레지스트 각각에 대하여 전자 현미경을 이용하여 단위 면적(1mm*1mm) 내에 레지스트의 상면 및 하면을 관찰하여 0.5㎛이상 3㎛이하의 결함 (Defect)가 존재하는 개수(개수/㎟)를 확인하였고, 실시예 및 비교예 각각에서 얻어진 감광성 수지층의 표면 및 단면을 전계방출형 주사전자현미경 (FE-SEM, Hitachi사 제품, 확대 배율 3000배)을 이용하여 관찰하였다. For each of the developed dry film photoresists prepared in Examples and Comparative Examples, the upper and lower surfaces of the resist were observed within a unit area (1 mm * 1 mm) using an electron microscope, and defects of 0.5 μm or more and 3 μm or less (Defect) ) was confirmed, and the surface and cross-section of the photosensitive resin layer obtained in each of Examples and Comparative Examples were examined using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM, manufactured by Hitachi, magnification 3000 times). was observed using

비교예1은 동장적층판에 라미네이션한 드라이 필름 포토레지스트의 PET필름 위에 ORC사의 FDi-3을 이용하여 Stouffer Graphic Arts Equipment 사의 41단 스텝 tablet을 사용하여 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 노광량으로 405nm파장의 자외선을 조사한 후 15분 방치하였다. 그 후 Na2CO3 1.0wt% 수용액으로 스프레이 분사방식의 현상조건으로 현상을 실시하였다. 이때, 정한 잔존 스텝 단수가 15 단으로 되는 에너지량을 측정하였다.Comparative Example 1 is a 41-layer step tablet from Stouffer Graphic Arts Equipment using ORC's FDi-3 on a PET film of dry film photoresist laminated on a copper-clad laminate, with an exposure amount of 405 nm wavelength with 15 steps remaining. After irradiation with UV light, it was left for 15 minutes. After that, Na 2 CO 3 1.0wt% aqueous solution was developed under the development conditions of the spray injection method. At this time, the amount of energy at which the determined number of remaining step steps becomes 15 steps was measured.

구분division 노광량
[mJ/cm2]
exposure
[mJ/cm 2 ]
1:1해상도
[㎛]
1:1 resolution
[μm]
1㎛ 미만
직경의 기포
[개수/㎟]
less than 1 μm
diameter bubble
[Number/㎟]
노광/현상후 하지 Defect
[개수/㎟]
Lower extremity defect after exposure/development
[Number/㎟]
실시예 1Example 1 5050 55 00 00 실시예 2Example 2 5050 55 00 00 실시예 3Example 3 5050 55 00 00 비교예 1Comparative Example 1 5050 66 1One 00 비교예 2Comparative Example 2 5050 88 1111 77 비교예 3Comparative Example 3 5050 1111 2828 1212 비교예 4Comparative Example 4 350350 1414 1717 77

상기 표2 및 도1에서 확인되는 바와 같이, 실시예들의 감광성 적층체의 감광성 수지층 내에는 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 1개/mm2 이하로 존재함이 확인되었다. 또한, 상기 실시예들의 감광성 수지층은 자외선으로 노광하고 알카리 용액으로 현상한 이후에도 상기 0.5㎛이상 3㎛이하의 직경을 갖는 결함 (Defect)이 실질적으로 발생하지 않거나, 또는 1개/mm2 이하로 발생한다는 점이 확인되었다. As can be seen in Table 2 and FIG. 1, it was confirmed that the number of bubbles having a diameter of less than 1 μm was present in the photosensitive resin layer of the photosensitive laminates of Examples 1/mm 2 or less. In addition, the photosensitive resin layer of the above embodiments does not substantially generate defects having a diameter of 0.5 μm or more and 3 μm or less, or 1 piece/mm 2 or less after exposure to ultraviolet light and development with an alkaline solution. has been confirmed to occur.

즉, 상기 실시예들의 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 미량으로 존재하고, 헤이즈가 2 % 이하인 베리어층을 포함함에 따라서, 상기 감광성 적층체를 이용하여 회로 기판 제조시 높은 신뢰성을 확보하면서도 높은 밀도 및 감도를 구현하고 보다 미세한 배선의 형성을 할 수 있다는 점 또한 관찰 되었다. That is, in the photosensitive resin layer of the above embodiments, bubbles having a diameter of less than 1 μm are present in a trace amount and include a barrier layer having a haze of 2% or less. It was also observed that it was possible to realize high density and sensitivity while securing and form finer wiring.

이에 반하여, 비교예들의 감광성 수지 적층체에서는 실시예와 동등 수준의 에너지를 이용하여도 실시예 수준의 해상도 구현이 어려울 뿐만 아니라, 감광성 수지층 내에는 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 10개/mm2 이상 존재하였다. On the other hand, in the photosensitive resin laminate of Comparative Examples, it is difficult to realize the resolution of the Example level even using the same level of energy as the Example, and in the photosensitive resin layer, 10 cells/ mm 2 or more.

또한, 도 2 내지 도4에서 확인되는 바와 같이, 비교예에서 각각 얻어진 감광성 수지층을 노광하고 알카리 용액으로 현상한 이후에 0.5㎛이상 3㎛이하의 직경을 갖는 결함 (Defect)이 다수 나타난다는 점이 확인되었다.In addition, as confirmed in FIGS. 2 to 4 , after the photosensitive resin layer obtained in Comparative Example was exposed and developed with an alkaline solution, a large number of defects having a diameter of 0.5 μm or more and 3 μm or less appeared. Confirmed.

Claims (17)

2% 이하의 헤이즈를 갖는 베리어층; 및
프탈레이트 유도체를 포함하는 광중합성 화합물 및 바인더 수지를 포함한 감광성 수지층;을 포함하고,
상기 감광성 수지층 내에 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 5개/mm2 이하로 존재하는, 감광성 적층체.
a barrier layer having a haze of 2% or less; and
A photosensitive resin layer comprising a photopolymerizable compound comprising a phthalate derivative and a binder resin;
The photosensitive laminate, wherein the number of bubbles having a diameter of less than 1 μm is present in the photosensitive resin layer at 5/mm 2 or less.
제1항에 있어서,
상기 베리어층은 10 cc/m2/day 이하의 산소 투과도를 갖는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
The barrier layer has an oxygen permeability of 10 cc/m 2 /day or less, the photosensitive laminate.
제1항에 있어서,
상기 베리어층은 5,000 g/mol 내지 1,000,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 폴리비닐알콜 수지를 포함하는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
The barrier layer comprises a polyvinyl alcohol resin having a weight average molecular weight of 5,000 g / mol to 1,000,000 g / mol, the photosensitive laminate.
제3항에 있어서,
상기 폴리비닐알콜 수지는, 1.0 cP 내지 10.0 cP의 점도를 갖는, 감광성 적층체.
4. The method of claim 3,
The polyvinyl alcohol resin has a viscosity of 1.0 cP to 10.0 cP, the photosensitive laminate.
제1항에 있어서,
상기 베리어층의 두께는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛ 이고,
상기 감광성 수지층의 두께는 1 ㎛ 내지 100㎛인, 감광성 적층체.
According to claim 1,
The barrier layer has a thickness of 0.1 μm to 10 μm,
The thickness of the photosensitive resin layer is 1 μm to 100 μm, the photosensitive laminate.
제1항에 있어서,
상기 베리어층 상에 형성되고 1 ㎛ 내지 100㎛ 의 두께를 갖는 지지 기재를 더 포함하는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
The photosensitive laminate further comprising a supporting substrate formed on the barrier layer and having a thickness of 1 μm to 100 μm.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지층 상에 형성되고 0.01 ㎛ 내지 1 m 의 두께를 갖는 이형층을 더 포함하는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
The photosensitive laminate further comprising a release layer formed on the photosensitive resin layer and having a thickness of 0.01 μm to 1 m.
제1항에 있어서,
상기 베리어층과 상기 감광성 수지층 간의 계면의 반대면으로부터 상기 감광성 수지층의 전체 두께의 50% 이내에, 1㎛ 미만의 직경을 갖는 기포가 3개/mm2 이하로 존재하는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
Within 50% of the total thickness of the photosensitive resin layer from the opposite surface of the interface between the barrier layer and the photosensitive resin layer, 3 cells/mm 2 or less of bubbles having a diameter of less than 1 μm are present.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지층은 1 ㎛ 이상 5 ㎛이하의 직경을 갖는 기포를 포함하지 않는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
wherein the photosensitive resin layer does not contain bubbles having a diameter of 1 μm or more and 5 μm or less.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지층은 자외선 노광 및 알카리 현상 이후, 0.3㎛ 내지 4㎛의 단면 직경을 갖는 결함 (Defect)이 3개/mm2 이하로 존재하는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
In the photosensitive resin layer, after UV exposure and alkali development, defects having a cross-sectional diameter of 0.3 μm to 4 μm are present in 3/mm 2 or less.
제1항에 있어서,
상기 프탈레이트 유도체는 반응성 작용기를 1이상 포함하고,
상기 반응성 작용기는 할로겐, 히드록시기, 에테르 결합(-O-), 에스테르 결합(-COO- 또는 O-CO-), 아미드 결합(-NHCO- 또는 CONH-), 비닐기, (메트)아크릴레이트기 또는 아릴기를 포함하는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
The phthalate derivative contains at least one reactive functional group,
The reactive functional group is a halogen, a hydroxyl group, an ether bond (-O-), an ester bond (-COO- or O-CO-), an amide bond (-NHCO- or CONH-), a vinyl group, a (meth) acrylate group, or A photosensitive laminate comprising an aryl group.
제1항에 있어서,
상기 프탈레이트 유도체는 하기 화학식1의 화합물을 포함하는 감광성 적층체:
[화학식1]
Figure pat00012

상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 또는 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기이며,
상기 지방족 탄화수소기는 선택적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 에테르 결합(-O-), 에스테르 결합(-COO- 또는 O-CO-), 아미드 결합(-NHCO- 또는 CONH-), (메트)아크릴레이트기 또는 아릴기를 포함할 수 있다.
According to claim 1,
The phthalate derivative is a photosensitive laminate comprising a compound of Formula 1:
[Formula 1]
Figure pat00012

In Formula 1,
R1 and R2 are each independently hydrogen or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms,
The aliphatic hydrocarbon group is optionally a halogen atom, a hydroxyl group, an ether bond (-O-), an ester bond (-COO- or O-CO-), an amide bond (-NHCO- or CONH-), a (meth) acrylate group or It may contain an aryl group.
제1항에 있어서,
상기 프탈레이트 유도체는 하기 화학식2의 화합물 또는 화학식 3의 화합물을 포함하는, 감광성 적층체:
[화학식 2]
Figure pat00013

[화학식 3]
Figure pat00014
.
According to claim 1,
The phthalate derivative is a photosensitive laminate comprising a compound of Formula 2 or a compound of Formula 3:
[Formula 2]
Figure pat00013

[Formula 3]
Figure pat00014
.
제1항에 있어서,
상기 광중합성 화합물은 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물 또는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 더 포함하는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
The photopolymerizable compound further comprises a monofunctional (meth) acrylate compound or a polyfunctional (meth) acrylate compound, the photosensitive laminate.
제14항에 있어서,
상기 광중합성 화합물은 상기 프탈레이트 유도체 100 중량부에 대하여 상기 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물 또는 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 50 중량부 내지 500 중량부로 포함하는, 감광성 적층체.
15. The method of claim 14,
The photopolymerizable compound is a photosensitive laminate comprising 50 parts by weight to 500 parts by weight of the monofunctional (meth) acrylate compound or the polyfunctional (meth) acrylate compound based on 100 parts by weight of the phthalate derivative.
제1항에 있어서,
상기 바인더 수지는 20,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균분자량 및 20 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 유리전이온도를 갖는, 감광성 적층체.
According to claim 1,
The binder resin has a weight average molecular weight of 20,000 g / mol to 300,000 g / mol and a glass transition temperature of 20 ℃ or more and 150 ℃ or less, the photosensitive laminate.
제1항의 감광성 적층체를 이용하는, 회로 기판의 제조 방법.The manufacturing method of a circuit board using the photosensitive laminated body of Claim 1.
KR1020210042141A 2021-03-31 2021-03-31 Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same KR20220135887A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210042141A KR20220135887A (en) 2021-03-31 2021-03-31 Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same
CN202280018617.9A CN116964527A (en) 2021-03-31 2022-03-29 Photosensitive laminate and method for manufacturing circuit board using the same
PCT/KR2022/004423 WO2022211457A1 (en) 2021-03-31 2022-03-29 Photosensitive laminate and method of manufacturing circuit board
TW111112289A TWI808703B (en) 2021-03-31 2022-03-30 Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210042141A KR20220135887A (en) 2021-03-31 2021-03-31 Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220135887A true KR20220135887A (en) 2022-10-07

Family

ID=83459502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210042141A KR20220135887A (en) 2021-03-31 2021-03-31 Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20220135887A (en)
CN (1) CN116964527A (en)
TW (1) TWI808703B (en)
WO (1) WO2022211457A1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006106287A (en) 2004-10-04 2006-04-20 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, photosensitive element and method for manufacturing photosensitive element

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4699482B2 (en) * 2005-02-02 2011-06-08 コーロン インダストリーズ インク Method for producing positive-type dry film photoresist
JP2007047771A (en) * 2005-07-14 2007-02-22 Fujifilm Corp Photosensitive film, method for producing the same and permanent pattern forming method
KR101335076B1 (en) * 2009-12-14 2013-12-03 코오롱인더스트리 주식회사 Dry film photoresist
KR20140040986A (en) * 2012-09-27 2014-04-04 코오롱인더스트리 주식회사 Photosensitive resin composition and dry film photoresist comprising the same
KR101548412B1 (en) * 2012-12-28 2015-08-28 코오롱인더스트리 주식회사 Photosensitive Resin Composition for Dry Film Photoresist
KR102572426B1 (en) * 2015-07-30 2023-08-30 가부시끼가이샤 레조낙 Photosensitive element, resin composition for forming barrier layer, method for forming resist pattern, and method for producing printed wiring board
JP2018155802A (en) * 2017-03-15 2018-10-04 日立化成株式会社 Method for producing positive type photosensitive resist dry film, and positive type photosensitive resist dry film

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006106287A (en) 2004-10-04 2006-04-20 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, photosensitive element and method for manufacturing photosensitive element

Also Published As

Publication number Publication date
CN116964527A (en) 2023-10-27
WO2022211457A1 (en) 2022-10-06
TW202244618A (en) 2022-11-16
TWI808703B (en) 2023-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102341768B1 (en) Photosensitive laminate, preparation method of photosensitive laminate, and preparation method of circuit board
KR102250827B1 (en) Photosensitive resin layer, and dry film photoresist, photosensitive element, circuit board, display device using the same
KR102177312B1 (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, circuit board, display device using the same
KR102177313B1 (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, circuit board, display device using the same
KR20220135887A (en) Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same
KR102250828B1 (en) Photosensitive laminate, preparation method of photosensitive laminate, and preparation method of circuit board
KR20220135885A (en) Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same
KR20220135886A (en) Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same
KR20220135884A (en) Photosensitive laminate, method of manufacturing a photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same
KR20220122319A (en) Photosensitive laminate, preparation method of photosensitive laminate, and preparation method of circuit board
KR102237567B1 (en) Photosensitive laminate, preparation method of photosensitive laminate, and preparation method of circuit board
KR20220122318A (en) Photosensitive laminate, preparation method of photosensitive laminate, and preparation method of circuit board
TWI837627B (en) Photosensitive laminate, and method of manufacturing a circuit board using the same
TWI778466B (en) Photosensitive laminate, preparation method of photosensitive laminate, and preparation method of circuit board
KR102253142B1 (en) Photosensitive resin layer, and dry film photoresist, photosensitive element, circuit board, display device using the same
KR102665837B1 (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, circuit board, display device using the same
KR20220140309A (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, circuit board, display device using the same
KR20220151084A (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, circuit board, display device using the same
KR20220142285A (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, circuit board, display device using the same
KR20230041893A (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, circuit board, display device using the same
KR20230082723A (en) Dry film photoresist, resist pattern, and circuit board, display device using the same
KR20220141962A (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, circuit board, display device using the same
KR20220102429A (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, circuit board, display device using the same
KR20220094986A (en) Photosensitive resin composition, and dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, circuit board, display device using the same
KR20230078903A (en) Dry film photoresist, photosensitive element, resist pattern, and circuit board, display device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal