KR20220135171A - 실리콘막의 형성 방법 및 처리 장치 - Google Patents

실리콘막의 형성 방법 및 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220135171A
KR20220135171A KR1020220032476A KR20220032476A KR20220135171A KR 20220135171 A KR20220135171 A KR 20220135171A KR 1020220032476 A KR1020220032476 A KR 1020220032476A KR 20220032476 A KR20220032476 A KR 20220032476A KR 20220135171 A KR20220135171 A KR 20220135171A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon film
gas
film
silicon
processing
Prior art date
Application number
KR1020220032476A
Other languages
English (en)
Inventor
아카리 마츠나가
유타카 모토야마
사토시 다카기
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20220135171A publication Critical patent/KR20220135171A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

실리콘막의 막 특성의 면내 분포를 제어할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 실리콘막의 형성 방법은, 실리콘 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 기판에 공급하여 실리콘막을 퇴적시키는 복수의 공정을 갖고, 상기 복수의 공정은, 상기 실리콘막이 퇴적될 때의 막 특성의 면내 분포가 상이한 처리 조건에서 행해지는 2개 이상의 공정을 포함한다.

Description

실리콘막의 형성 방법 및 처리 장치{SILICON FILM FORMING METHOD AND TREATMENT APPARATUS}
본 개시는, 실리콘막의 형성 방법 및 처리 장치에 관한 것이다.
웨이퍼의 측방으로부터 디실란(Si2H6)을 공급하여 웨이퍼 위에 실리콘막을 형성하는 기술이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2016-192528호 공보
본 개시는, 실리콘막의 막 특성의 면내 분포를 제어할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 실리콘막의 형성 방법은, 실리콘 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 기판에 공급하여 실리콘막을 퇴적시키는 복수의 공정을 갖고, 상기 복수의 공정은, 상기 실리콘막이 퇴적될 때의 막 특성의 면내 분포가 상이한 처리 조건에서 행해지는 2개 이상의 공정을 포함한다.
본 개시에 의하면, 실리콘막의 막 특성의 면내 분포를 제어할 수 있다.
도 1은 실시 형태의 처리 장치의 전체 구성의 일례를 도시하는 개략도이다.
도 2는 도 1의 처리 장치에서의 처리 용기를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 처리 장치에서의 가스 공급부를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 실시 형태의 실리콘막의 형성 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 실시 형태의 실리콘막의 형성 방법의 일례를 도시하는 공정 단면도이다.
도 6은 실리콘막의 막 두께의 면내 분포를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 실시예에 있어서의 실리콘막의 막 두께의 면내 분포를 도시하는 도면이다.
도 8은 Si2H6 유량 및 처리 압력과 실리콘막의 막 두께 분포의 관계를 도시하는 도면이다.
도 9는 Si2H6 유량 및 처리 압력과 실리콘막의 막 두께 분포의 관계를 도시하는 도면이다.
도 10은 Si2H6 유량 및 처리 압력과 실리콘막의 막 두께 분포의 관계를 도시하는 도면이다.
이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이지 않은 예시의 실시 형태에 대하여 설명한다. 첨부의 모든 도면 중, 동일하거나 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일하거나 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
〔처리 장치〕
도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시 형태의 처리 장치의 일례에 대하여 설명한다. 도 1은, 실시 형태의 처리 장치의 전체 구성의 일례를 도시하는 개략도이다. 도 2는, 도 1의 처리 장치에서의 처리 용기를 설명하기 위한 도면이다. 도 3은, 도 1의 처리 장치에서의 가스 공급부를 설명하기 위한 도면이다.
처리 장치(1)는, 처리 용기(20), 가스 공급부(40), 배기부(60), 가열부(80) 및 제어부(90)를 구비한다.
처리 용기(20)는, 보트 WB를 수용한다. 보트 WB는, 복수의 기판 W를 높이 방향으로 소정 간격을 가지고 보유 지지한다. 기판 W는, 예를 들어 반도체 웨이퍼여도 된다. 처리 용기(20)는, 내관(21) 및 외관(22)을 갖는다. 내관(21)은, 하단이 개방된 천장이 있는 원통 형상으로 형성되어 있다. 내관(21)의 천장부는, 예를 들어 평탄하게 형성되어 있다. 외관(22)은, 하단이 개방되고 내관(21)의 외측을 덮는 천장이 있는 원통 형상으로 형성되어 있다. 즉, 외관(22)의 상부는 폐색되어 있다. 내관(21) 및 외관(22)은, 동축형으로 배치되어 이중관 구조로 되어 있다. 내관(21) 및 외관(22)은, 예를 들어 석영 등의 내열 재료에 의해 형성되어 있다.
내관(21)의 일측에는, 그 길이 방향(상하 방향)을 따라 가스 노즐을 수용하는 노즐 수용부(23)가 형성되어 있다. 노즐 수용부(23)는, 예를 들어 도 2에 도시되는 바와 같이, 내관(21)의 측벽의 일부를 외측을 향하여 돌출시켜 볼록부(24)를 형성하고, 볼록부(24) 내를 노즐 수용부(23)로서 형성하고 있다. 노즐 수용부(23)에 대향시켜 내관(21)의 반대측의 측벽에는, 그 길이 방향(상하 방향)을 따라 직사각 형상의 개구부(25)가 형성되어 있다.
개구부(25)는, 내관(21) 내의 가스를 배기할 수 있도록 형성된 가스 배기구이다. 개구부(25)의 상하 방향의 길이는, 보트 WB의 상하 방향의 길이와 동일하거나, 또는 보트 WB의 길이보다도 길게 상하 방향으로 각각 연장되도록 하여 형성되어 있다. 즉, 개구부(25)의 상단은 보트 WB의 상단에 대응하는 위치 이상의 높이로 연장되어 위치하고, 개구부(25)의 하단은 보트 WB의 하단에 대응하는 위치 이하의 높이로 연장되어 위치한다.
외관(22)의 하부의 내벽에는, 원환 형상의 지지부(26)가 마련되어 있다. 지지부(26)는, 내관(21)의 하단을 지지한다. 외관(22)의 측벽으로서, 지지부(26)의 상방에는, 가스 출구(27)가 형성되어 있다. 외관(22)의 하단의 개구부에는, 덮개(28)가 O링 등의 시일 부재(29)를 통해 기밀하게 설치되어 있고, 처리 용기(20)의 하단의 개구부를 기밀하게 막아 밀폐하도록 되어 있다. 덮개(28)는, 개구부를 개폐 가능하게 구성되어 있다. 덮개(28)는, 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성되어 있다.
덮개(28)의 중심부에는, 자성 유체 시일(30)을 통해 회전축(31)이 관통하여 마련되어 있다. 회전축(31)의 하부는, 보트 엘리베이터로 이루어지는 승강 수단(32)의 암(32A)에 회전 가능하게 지지되어 있다.
회전축(31)의 상단에는 회전 플레이트(33)가 마련되어 있다. 회전 플레이트(33) 상에는, 석영에 의해 형성된 보온대(34)를 통해 보트 WB가 적재된다. 따라서, 승강 수단(32)을 승강시킴으로써 덮개(28)와 보트 WB는 일체로서 상하 이동하고, 보트 WB를 처리 용기(20) 내에 대하여 삽입 이탈시킬 수 있도록 되어 있다.
가스 공급부(40)는, 처리 용기(20) 내에 소정의 가스를 도입한다. 가스 공급부(40)는, 외관(22)의 하부에 마련되어 있고, 내관(21) 내에 소정의 가스를 도입한다. 가스 공급부(40)는, 복수(예를 들어 3개)의 가스 노즐(41, 42, 43)을 갖는다.
가스 노즐(41, 42, 43)은, 예를 들어 단면이 원형인 석영관에 의해 형성되어 있다. 가스 노즐(41, 42, 43)은, 내관(21)의 노즐 수용부(23) 내에 둘레 방향을 따라 일렬로 설치되어 있다. 가스 노즐(41, 42, 43)의 기단측은, 예를 들어 외관(22)의 내벽부에 각각 접속되고, 그 선단측은 닫혀 있다. 가스 노즐(41, 42, 43)은, 외관(22)의 내벽부로부터 내부로 뻗어 나와 내관(21)의 내벽을 따라 상방으로 수직으로 직립하도록 L자형으로 굴곡되어 마련됨과 함께, 상방으로 직립한 선단부가 하방을 향하여 U자형으로 굴곡되어, 수직으로 연장되도록 형성되어 있다. 또한, 도시의 예에서는, 가스 노즐(41, 42, 43)은, 내관(21)의 내측을 향하여 굴곡되도록 형성되어 있지만, 예를 들어 내관(21)의 둘레 방향을 따라 굴곡되도록 형성되어 있어도 된다. 또한, 가스 노즐(41, 42, 43)은, 선단부가 굴곡되지 않고, 내관(21)의 내벽을 따라 상방으로 수직으로 상승하도록 마련되어도 된다.
가스 노즐(41, 42, 43)의 각각은, 굴곡되어 있는 부위인 굴곡 부위(41B, 42B, 43B)의 높이 위치가 각각 상이하도록 형성되어 있다. 가스 노즐(41)은, 예를 들어 보트 WB의 천장부보다도 상방측에 있어서 굴곡되어 있다. 가스 노즐(43)은, 예를 들어 가스 노즐(41)의 선단부보다도 상방측에서 굴곡됨과 함께, 그 선단부가 웨이퍼 보트의 하방측에 위치하도록 마련되어 있다. 가스 노즐(42)은, 예를 들어 가스 노즐(41, 43)의 각각의 굴곡 부위(41B, 43B)의 사이의 높이 위치에서 굴곡되고, 그 선단부는 가스 노즐(41, 43)의 각각의 선단부의 사이의 높이 위치에 마련되어 있다. 가스 노즐(41, 42, 43)은, 예를 들어 각각의 굴곡 부위(41B, 42B, 43B)의 형상이 서로 가지런하게 되어 있다. 또한, 가스 노즐(41, 42, 43)은, 예를 들어 각각의 굴곡 부위(41B, 42B, 43B)의 하류측의 가스 공급관과 보트 WB에 보유 지지된 기판 W의 외연 간의 거리가 동등해지도록 배치되어 있다.
가스 노즐(41, 42, 43)에는, 각각 굴곡 부위(41B, 42B, 43B)보다 선단측에 가스 토출 구멍(41A, 42A, 43A)이 형성되어 있다. 가스 토출 구멍(41A, 42A, 43A)은, 예를 들어 동일한 크기의 원 형상이며, 가스 노즐(41, 42, 43)의 길이 방향을 따라서 예를 들어 등간격으로 형성되어 있다. 가스 토출 구멍(41A, 42A, 43A)은, 보트 WB를 향하여 수평 방향으로 가스를 토출한다. 즉, 보트 WB에 탑재된 복수의 기판 W의 측방으로부터 가스가 공급된다. 또한, 굴곡 부위(41B, 42B, 43B)의 높이 위치가 각각 상이하기 때문에, 가스 토출 구멍(41A, 42A, 43A)의 높이 위치는 가스 노즐(41, 42, 43) 간에 서로 다르다. 이렇게 가스 토출 구멍(41A, 42A, 43A)은, 기판 W가 배열되어 있는 처리 용기(20)의 높이 방향으로 복수로 분할된 각 영역에 대하여 가스를 공급한다. 도시의 예에서는, 가스 토출 구멍(41A)은 보트 WB의 상방의 영역에 가스를 공급하고, 가스 토출 구멍(42A)은 보트 WB의 중앙의 영역에 가스를 공급하고, 가스 토출 구멍(43A)은 보트 WB의 하방의 영역에 가스를 공급한다.
소정의 가스는, 예를 들어 성막 가스, 에칭 가스, 클리닝 가스 등의 처리 가스를 포함한다. 성막 가스는, 예를 들어 모노실란(SiH4), 디실란(Si2H6) 등의 실리콘 함유 가스나, 실리콘 함유 가스에 첨가되는 수소(H2), 질소(N2) 등의 첨가 가스를 포함한다. 또한, 소정의 가스는, 예를 들어 처리 가스를 퍼지하기 위한 퍼지 가스를 포함한다. 소정의 가스는, 유량 제어 되어 가스 노즐(41, 42, 43)로부터 처리 용기(20) 내에 도입된다.
배기부(60)는, 처리 용기(20) 내의 가스를 배기한다. 배기부(60)는, 가스 출구(27)에 접속된 배기 통로(61)를 갖는다. 배기 통로(61)에는, 압력 조정 밸브(62) 및 진공 펌프(63)가 차례로 개재 설치되어, 처리 용기(20) 내를 진공화할 수 있도록 되어 있다. 배기부(60)는, 예를 들어 내관(21)과 외관(22) 사이의 공간부(35)를 통해 개구부(25)로부터 배출되는 내관(21) 내의 가스를 배기한다.
가열부(80)는, 처리 용기(20) 내에 수용되는 기판 W를 가열한다. 가열부(80)는, 예를 들어 외관(22)의 외주측에, 외관(22)을 덮도록 원통 형상으로 형성되어 있다. 가열부(80)는, 예를 들어 상측으로부터 하측을 향하여 배치된 히터(81A 내지 81F)를 갖는다. 가열부(80)가 분할된 복수의 히터(81A 내지 81F)를 가지므로, 상하 방향에 있어서 독립적으로 온도를 제어할 수 있다. 단, 가열부(80)는, 분할되어 있지 않은 1개의 히터를 갖고 있어도 된다.
제어부(90)는, 장치 전체의 동작을 제어한다. 제어부(90)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 갖는다. CPU는, RAM 등의 기억 영역에 저장된 레시피에 따라, 원하는 열처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보가 설정되어 있다. 제어 정보는, 예를 들어 가스 유량, 압력, 온도, 프로세스 시간이어도 된다. 또한, 레시피 및 제어부(90)가 사용하는 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 반도체 메모리에 기억되어도 된다. 또한, 레시피 등은, CD-ROM, DVD 등의 가반성의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 소정 위치에 세트되어, 판독되도록 해도 된다. 또한, 제어부(90)는, 처리 장치(1)와는 별도로 마련되어 있어도 된다.
〔실리콘막의 형성 방법〕
도 4 내지 도 6을 참조하여, 실시 형태의 실리콘막의 형성 방법에 대해서, 전술한 처리 장치(1)에서 실시되는 경우를 예로 들어 설명한다. 단, 실시 형태의 실리콘막의 형성 방법은, 전술한 처리 장치(1)와는 다른 장치에서도 실시할 수 있다.
도 4에 도시되는 바와 같이, 실시 형태의 실리콘막의 형성 방법은, 기판을 준비하는 공정 S1과, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2와, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 갖는다.
기판을 준비하는 공정 S1에서는, 기판을 준비한다. 본 실시 형태에 있어서, 도 5의 (a)에 도시되는 바와 같이, 하지(101)를 포함하는 복수매(예를 들어 50매 내지 150매)의 기판 W를 보트 WB에 탑재하고, 보트 WB를 처리 용기(20) 내에 하방으로부터 삽입함으로써, 복수매의 기판 W를 처리 용기(20) 내에 반입한다. 계속해서, 덮개(28)로 외관(22)의 하단의 개구부를 닫음으로써 처리 용기(20) 내를 밀폐 공간으로 한다. 이 상태에서 처리 용기(20) 내를 진공화하여 소정의 감압 분위기로 유지함과 함께, 가열부(80)의 복수의 히터(81A 내지 81F)에 대한 공급 전력을 제어하여, 기판 온도를 상승시켜 프로세스 온도로 유지하고, 보트 WB를 회전시킨 상태로 한다. 또한, 하지(101)는, 예를 들어 SiO2막이어도 된다.
볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2에서는, 도 6의 (a)에 도시되는 바와 같이, 하지 위에 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘(Si)막을 형성한다. 볼록형의 막 두께 분포란, 기판의 주연부에 대한 중심부의 막 두께가 두꺼워지는 분포이다. 본 실시 형태에 있어서, 가스 토출 구멍(41A, 42A, 43A)으로부터 Si2H6을 포함하고, H2를 포함하지 않는 처리 가스를 공급하여, 보트 WB에 탑재된 복수매의 기판 W의 각각의 하지(101) 위에 실리콘막(102)을 형성한다. 이에 의해, 도 5의 (b)에 도시되는 바와 같이, 하지(101) 위에 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막(102)을 형성할 수 있다.
오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3에서는, 도 6의 (b)에 도시되는 바와 같이, 하지 위에 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘(Si)막을 형성한다. 오목형의 막 두께 분포란, 기판의 주연부에 대한 중심부의 막 두께가 얇아지는 분포이다. 본 실시 형태에 있어서, 가스 토출 구멍(41A, 42A, 43A)으로부터 Si2H6 및 H2(첨가 가스의 일례)를 포함하는 처리 가스를 공급하여, 보트 WB에 탑재된 복수매의 기판 W의 각각의 실리콘막(102) 위에 실리콘막(103)을 형성한다. 이에 의해, 도 5의 (c)에 도시되는 바와 같이, 실리콘막(102)의 막 두께가 두꺼운 기판 W의 중심부일수록 상대적으로 얇은 막 두께의 실리콘막(103)이 형성되고, 실리콘막(102)의 막 두께가 얇은 기판 W의 주연부일수록 상대적으로 두꺼운 막 두께의 실리콘막(103)이 형성된다. 그 결과, 막 두께의 면내 균일성이 높은(균일한) 실리콘막(실리콘막(102) 및 실리콘막(103))을 형성할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 실시 형태에 따르면, 하지(101) 위에 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막(102)을 형성하고, 이어서, 실리콘막(102) 위에 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막(103)을 형성한다. 이에 의해, 실리콘막(102)의 막 두께가 두꺼운 중심부일수록 상대적으로 얇은 막 두께의 실리콘막(103)이 형성되고, 실리콘막(102)의 막 두께가 얇은 주연부일수록 상대적으로 두꺼운 막 두께의 실리콘막(103)이 형성된다. 그 결과, 막 두께의 면내 균일성이 높은 실리콘막(실리콘막(102) 및 실리콘막(103))을 형성할 수 있다.
또한, 실시 형태에 따르면, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2를 행하는 시간과, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 행하는 시간의 비율을 제어함으로써, 기판 W의 중심부의 막 두께와 주연부의 막 두께의 비율을 조정할 수 있다. 예를 들어, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2를 행하는 시간을 상대적으로 길게 할수록, 기판 W의 주연부에 대한 중심부의 실리콘막의 막 두께를 두껍게 할 수 있다. 또한 예를 들어, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 행하는 시간을 상대적으로 길게 할수록, 기판 W의 주연부에 대한 중심부의 실리콘막의 막 두께를 얇게 할 수 있다. 이와 같이, 실시 형태에 따르면, 실리콘막의 막 두께의 면내 분포를 제어할 수 있다.
또한, 상기의 실시 형태에서는, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2의 후에 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 행하는 경우를 설명했지만, 공정 S2와 공정 S3의 순서는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3의 후에 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2를 행해도 된다. 또한 예를 들어, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2와 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 반복하여 행해도 된다.
또한, 상기의 실시 형태에서는, 실리콘막의 형성 방법이 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2와, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 포함하는 경우를 설명했지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 실시 형태의 실리콘 질화막의 형성 방법은, 적어도 실리콘막이 퇴적될 때의 막 두께의 면내 분포가 상이한 처리 조건에서 행해지는 2개 이상의 공정을 포함하고 있으면 된다. 예를 들어, 실시 형태의 실리콘막의 형성 방법은, 처리 가스의 종류가 동일하고, 처리 가스의 유량이 상이한 조건에서 행해지는 2개 이상의 공정을 포함하고 있어도 된다. 또한 예를 들어, 실시 형태의 실리콘막의 형성 방법은, 처리 가스의 종류가 동일하고, 처리 압력이 상이한 조건에서 행해지는 2개 이상의 공정을 포함하고 있어도 된다. 또한 예를 들어, 실시 형태의 실리콘막의 형성 방법은, 처리 가스의 종류, 처리 가스의 유량 및 처리 압력의 2개 이상이 상이한 조건에서 행해지는 2개 이상의 공정을 포함하고 있어도 된다.
〔실시예〕
먼저, 처리 가스의 종류가 상이한 2개의 공정을 갖는 실리콘막의 형성 방법에 의해 형성한 실리콘막의 막 두께의 면내 균일성을 평가한 실시예에 대해서, 비교예와 함께 설명한다.
실시예 1에서는, 표면에 SiO2막이 형성된, 직경이 300mm인 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 이어서, 전술한 처리 장치(1)에서, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2 및 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 이 순서대로 행함으로써, SiO2막 위에 실리콘막을 형성하였다. 그리고, SiO2막 위에 형성된 실리콘막의 막 두께를 실리콘 웨이퍼의 면내에 있어서의 복수의 위치에서 측정하고, 측정값에 기초하여 실리콘막의 막 두께의 면내 레인지를 산출하였다. 또한, 면내 레인지는, 실리콘 웨이퍼의 면내에서 측정된 실리콘막의 복수의 막 두께 중 최댓값으로부터 최솟값을 감산한 값이며, 그 값이 작을수록 면내 균일성이 높은 것을 의미한다.
볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2의 조건(제1 처리 조건)은 이하이다.
처리 가스: Si2H6(가스 노즐(41, 42, 43)의 각각으로부터 300sccm)
처리 온도: 380℃
처리 압력: 360Pa(2.7Torr)
처리 시간: 39.6분
오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3의 조건(제2 처리 조건)은 이하이다.
처리 가스
: Si2H6(가스 노즐(41, 42, 43)의 각각으로부터 300sccm)
: H2(가스 노즐(41, 42, 43)의 각각으로부터 1000sccm)
처리 온도: 380℃
처리 압력: 360Pa(2.7Torr)
처리 시간: 19.0분
실시예 2에서는, 표면에 SiO2막이 형성된, 직경이 300mm인 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 이어서, 전술한 처리 장치(1)에서, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3 및 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2를 이 순서대로 행함으로써, SiO2막 위에 실리콘막을 형성하였다. 그리고, SiO2막 위에 형성된 실리콘막의 막 두께를 실리콘 웨이퍼의 면내에 있어서의 복수의 위치에서 측정하고, 측정값에 기초하여 실리콘막의 막 두께의 면내 레인지를 산출하였다. 또한, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2의 조건(제1 처리 조건) 및 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3의 조건(제2 처리 조건)은, 처리 시간을 제외하고 각각 실시예 1의 제1 처리 조건 및 제2 처리 조건과 동일하다. 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3의 처리 시간은 33.0분이며, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2의 처리 시간은 33.5분이다.
비교예 1에서는, 표면에 SiO2막이 형성된, 직경이 300mm인 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 이어서, 전술한 처리 장치(1)에서, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2만을 행함으로써, SiO2막 위에 실리콘막을 형성하였다. 그리고, SiO2막 위에 형성된 실리콘막의 막 두께를 실리콘 웨이퍼의 면내에 있어서의 복수의 위치에서 측정하고, 측정값에 기초하여 실리콘막의 막 두께의 면내 레인지를 산출하였다. 또한, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2의 조건(제1 처리 조건)은, 처리 시간을 제외하고 실시예 1의 제1 처리 조건과 동일하다. 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2의 처리 시간은 50.0분이다.
비교예 2에서는, 표면에 SiO2막이 형성된, 직경이 300mm인 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 이어서, 전술한 처리 장치(1)에서, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3만을 행함으로써, SiO2막 위에 실리콘막을 형성하였다. 그리고, SiO2막 위에 형성된 실리콘막의 막 두께를 실리콘 웨이퍼의 면내에 있어서의 복수의 위치에서 측정하고, 측정값에 기초하여 실리콘막의 막 두께의 면내 레인지를 산출하였다. 또한, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3의 조건(제2 처리 조건)은, 처리 시간을 제외하고 실시예 1의 제2 처리 조건과 동일하다. 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3의 처리 시간은 120.0분이다.
도 7은, 실시예에 있어서의 실리콘막의 막 두께의 면내 분포를 도시하는 도면이며, 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2의 결과를 나타낸다. 도 7 중, 횡축은 위치[mm]를 나타내고, 종축은 실리콘막의 막 두께[nm]를 나타낸다. 또한, 위치는, 웨이퍼의 중심이 0mm이며, 웨이퍼의 외단이 -150mm 및 150mm이다.
도 7에 도시되는 바와 같이, 비교예 1에서는, 웨이퍼의 주연부에 대한 중심부의 막 두께가 두꺼워지는 볼록형 분포가 되어 있고, 비교예 2에서는, 웨이퍼의 주연부에 대한 중심부의 막 두께가 얇아지는 오목형 분포가 되어 있다. 이에 비해, 실시예 1 및 실시예 2에서는, 비교예 1과 비교하여 웨이퍼의 중심부의 막 두께가 얇게 되고, 비교예 2와 비교하여 웨이퍼의 주연부의 막 두께가 얇게 되어 있다. 또한, 실시예 1 및 실시예 2에서는, 면내 레인지가 각각 2.05Å및 1.64Å이었다. 한편, 비교예 1 및 비교예 2에서는, 면내 레인지가 각각 2.85Å및 2.19Å이었다.
이상의 결과로부터, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2 및 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 행함으로써, 면내 레인지가 작은 실리콘막을 형성할 수 있음을 보여 준다. 즉, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S2 및 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성하는 공정 S3을 행함으로써, 면내 균일성이 높은 실리콘막을 형성할 수 있음을 보여 준다.
이어서, Si2H6의 유량 및 처리 압력을 변경했을 때의 실리콘막의 막 두께 분포를 평가한 결과에 대하여 설명한다.
먼저, 표면에 SiO2막이 형성된, 직경이 300mm인 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 이어서, 전술한 처리 장치(1)에서, 다른 복수의 처리 조건에 의해, 준비한 실리콘 웨이퍼의 SiO2막 위에 실리콘막을 형성하였다. 처리 조건은 이하이다.
처리 가스: Si2H6
Si2H6 유량: 350sccm, 600sccm, 900sccm
처리 온도: 380℃
처리 압력: 133Pa(1.0Torr), 200Pa(1.5Torr), 267Pa(2.0Torr)
또한, Si2H6 유량이 350sccm이란, 가스 노즐(41, 42, 43)의 각각으로부터 공급하는 Si2H6의 유량을 116sccm으로 설정한 조건을 의미한다. 또한, Si2H6 유량이 600sccm이란, 가스 노즐(41, 42, 43)의 각각으로부터 공급하는 Si2H6의 유량을 200sccm으로 설정한 조건을 의미한다. 또한, Si2H6 유량이 900sccm이란, 가스 노즐(41, 42, 43)의 각각으로부터 공급하는 Si2H6의 유량을 300sccm으로 설정한 조건을 의미한다.
도 8 내지 도 10은, Si2H6 유량 및 처리 압력과 실리콘막의 막 두께 분포의 관계를 도시하는 도면이다. 도 8, 도 9 및 도 10은, 각각 Si2H6 유량을 350sccm, 600sccm 및 900sccm으로 설정했을 때의 막 두께 분포의 처리 압력 의존성을 나타낸다. 도 8 내지 도 10 중, 횡축은 위치[mm]를 나타내고, 종축은 실리콘막의 막 두께[nm]를 나타낸다. 또한, 위치는, 웨이퍼의 중심이 0mm이며, 웨이퍼의 외단이 -150mm 및 150mm이다.
도 8에 도시되는 바와 같이, Si2H6 유량 및 처리 압력을 변경함으로써, 실리콘막의 막 두께의 면내 분포를 제어할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, Si2H6 유량을 크게 하고(예를 들어 900sccm), 또한 처리 압력을 높게 하는(예를 들어 2.0Torr) 것에 의해, 볼록형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성할 수 있음을 알 수 있다. 또한 예를 들어, Si2H6 유량을 작게 하는(예를 들어 350sccm) 것에 의해, 처리 압력에 관계없이, 오목형의 막 두께 분포를 갖는 실리콘막을 형성할 수 있음을 알 수 있다.
이 결과로부터, Si2H6 유량 및 처리 압력을 변경함으로써, 실리콘막의 막 두께의 면내 분포를 제어할 수 있음을 보여 준다.
이번에 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
상기의 실시 형태에서는, 실리콘막의 막 두께의 면내 분포를 제어하는 경우를 설명했지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 실리콘막의 막중 수소 농도 등, 막 두께 이외의 막 특성의 면내 분포를 제어하는 경우에도 적용할 수 있다.
상기의 실시 형태에서는, 처리 장치가 복수의 기판에 대하여 한번에 처리를 행하는 뱃치식의 장치인 경우를 설명했지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 처리 장치는 기판을 1매씩 처리하는 매엽식의 장치이어도 된다. 또한, 예를 들어 처리 장치는 처리 용기 내의 회전 테이블 위에 배치한 복수의 기판을 회전 테이블에 의해 공전시켜, 제1 가스가 공급되는 영역과 제2 가스가 공급되는 영역을 순번으로 통과시켜 기판에 대하여 처리를 행하는 세미 뱃치식의 장치이어도 된다.

Claims (10)

  1. 실리콘 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 기판에 공급하여 실리콘막을 퇴적시키는 복수의 공정을 갖고,
    상기 복수의 공정은, 상기 실리콘막이 퇴적될 때의 막 특성의 면내 분포가 상이한 처리 조건에서 행해지는 2개 이상의 공정을 포함하는,
    실리콘막의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 처리 가스는, 기판의 측방으로부터 공급되는,
    실리콘막의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 처리 조건은, 상기 실리콘 함유 가스에 첨가되는 첨가 가스의 유무를 포함하는,
    실리콘막의 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 첨가 가스는, H2 가스인,
    실리콘막의 형성 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 조건은, 상기 실리콘 함유 가스의 유량을 포함하는,
    실리콘막의 형성 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은, 처리 용기 내에 수용되어 있고,
    상기 처리 조건은, 상기 실리콘 함유 가스를 공급할 때의 상기 처리 용기 내의 압력을 포함하는,
    실리콘막의 형성 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막 특성은 막 두께이며,
    상기 처리 조건은, 상기 기판의 주연부에 대한 중심부의 막 두께가 두꺼워지는 조건과, 상기 기판의 주연부에 대한 중심부의 막 두께가 얇아지는 조건을 포함하는,
    실리콘막의 형성 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 가스는, SiH4 가스 또는 Si2H6 가스인,
    실리콘막의 형성 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 공정을 반복하는,
    실리콘막의 형성 방법.
  10. 기판을 수용하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 실리콘 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 처리 가스를 상기 처리 용기 내에 수용된 상기 기판에 공급하여 실리콘막을 퇴적시키는 복수의 공정을 실행하도록 상기 가스 공급부를 제어하도록 구성되고,
    상기 복수의 공정은, 상기 실리콘막이 퇴적될 때의 막 특성의 면내 분포가 상이한 처리 조건에서 행해지는 2개 이상의 공정을 포함하는,
    처리 장치.
KR1020220032476A 2021-03-29 2022-03-16 실리콘막의 형성 방법 및 처리 장치 KR20220135171A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021055962A JP2022152978A (ja) 2021-03-29 2021-03-29 シリコン膜の形成方法及び処理装置
JPJP-P-2021-055962 2021-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220135171A true KR20220135171A (ko) 2022-10-06

Family

ID=83363084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220032476A KR20220135171A (ko) 2021-03-29 2022-03-16 실리콘막의 형성 방법 및 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11851752B2 (ko)
JP (1) JP2022152978A (ko)
KR (1) KR20220135171A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016192528A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3899933B2 (ja) * 2002-01-15 2007-03-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
KR102268959B1 (ko) * 2014-03-31 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법
CN107293545B (zh) * 2016-03-30 2020-04-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体存储器件及其制造方法
US10450655B2 (en) * 2017-10-27 2019-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CVD apparatus with multi-zone thickness control

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016192528A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022152978A (ja) 2022-10-12
US11851752B2 (en) 2023-12-26
US20220307128A1 (en) 2022-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI819348B (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式
JP6568508B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
US11591694B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium
US20220277952A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-transitory Computer-readable Recording Medium
JP2018087370A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
KR102630574B1 (ko) 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR102308807B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램
WO2021024385A1 (ja) 基板処理装置、基板支持具、半導体装置の製造方法およびプログラム
WO2019188037A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR20220135171A (ko) 실리콘막의 형성 방법 및 처리 장치
JP7273079B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理方法
US20200411330A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP7186909B2 (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7471972B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP7408772B2 (ja) 基板処理装置、排気装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びプログラム
US11859285B2 (en) Processing apparatus and processing method
JP7486388B2 (ja) ガス導入構造及び処理装置
JP7305013B2 (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
WO2023175740A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム及びガス供給ユニット
JPWO2018163399A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2020077890A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
KR20230136556A (ko) 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치
KR20230002048A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2002289615A (ja) 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP2019195106A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム