KR20220121180A - 첩부 방법 - Google Patents

첩부 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220121180A
KR20220121180A KR1020220010897A KR20220010897A KR20220121180A KR 20220121180 A KR20220121180 A KR 20220121180A KR 1020220010897 A KR1020220010897 A KR 1020220010897A KR 20220010897 A KR20220010897 A KR 20220010897A KR 20220121180 A KR20220121180 A KR 20220121180A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tape
ring frame
region
attaching
opening
Prior art date
Application number
KR1020220010897A
Other languages
English (en)
Inventor
마사시 기무라
예 천
신이치 나미오카
신이치 후지사와
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20220121180A publication Critical patent/KR20220121180A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

(과제) 테이프가 링 프레임으로부터 잘 박리되지 않도록 테이프를 링 프레임에 첩부한다.
(해결 수단) 워크가 첩부된 테이프를 링 프레임에 첩부하는 첩부 방법으로서, 테이프를 사방으로 확장하는 확장 스텝과, 테이프를 확장한 상태에서, 링 프레임을 테이프에 배치하는 배치 스텝과, 개구부의 내주 원을 따라 링 프레임의 일면에 테이프를 가압함으로써, 일면의 제 1 환상 영역에 테이프를 첩부하는 제 1 첩부 스텝과, 확장된 테이프의 신장을 완화시키는 완화 스텝과, 일면 중 제 1 환상 영역의 외측에 위치하는 제 2 환상 영역에, 테이프를 첩부하는 제 2 첩부 스텝과, 제 1 환상 영역보다 외측에 위치하는 테이프의 소정 위치에 절삭 날을 절입시킨 상태에서 개구부의 내주 원을 따라 테이프를 원형으로 잘라냄으로써, 원형 영역과 외주 영역으로 테이프를 분리하는 분리 스텝, 을 구비하는 첩부 방법을 제공한다.

Description

첩부 방법{ADHERING METHOD}
본 발명은, 워크가 첩부된 테이프를 링 프레임에 첩부하는 첩부 방법에 관한 것이다.
표면측에 복수의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 워크에 대하여 레이저 빔을 조사함으로써 워크의 내부에 취약한 영역 (소위, 개질층) 을 형성한 후, 워크의 이면측에 첩부된 직사각형상의 점착 테이프 (이하, 테이프) 를 사방으로 확장함으로써, 워크를 복수의 디바이스 칩으로 분할하는 방법이 실용화되어 있다.
테이프를 확장할 때에는, 확장 장치가 사용된다. 예를 들어, 확장 장치는, 각각 가로세로의 길이가 상이한 복수의 디바이스 칩 사이에 동일한 정도의 간격을 형성할 때에, 테이프의 세로 방향과 가로 방향으로 확장량이 상이하도록 테이프를 확장한다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 테이프의 확장 후, 워크의 외측에 링 프레임을 첩부함으로써, 확장 장치에 의한 테이프의 확장을 해제한 후에도, 디바이스 칩 사이의 간격이 유지된다.
일본 공개특허공보 2014-22382호
그러나, 테이프를 확장했을 때에, 테이프의 기재층과 함께 테이프의 점착층도 사방으로 확장되기 때문에, 점착층의 두께가 얇아진다. 그 때문에, 시간의 경과와 함께 링 프레임에 대한 점착력이 저하하여, 최종적으로는, 테이프가 링 프레임으로부터 박리되게 된다는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 테이프가 링 프레임으로부터 잘 박리되지 않도록 테이프를 링 프레임에 첩부하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 워크가 첩부된 테이프를 링 프레임에 첩부하는 첩부 방법으로서, 그 테이프를 사방으로 확장하는 확장 스텝과, 그 테이프를 확장한 상태에서, 그 워크가 그 링 프레임의 개구부에 위치하도록, 그 링 프레임을 그 테이프에 배치하는 배치 스텝과, 그 배치 스텝 후, 그 개구부의 내주 원을 따라 그 링 프레임의 일면에 그 테이프를 가압함으로써, 그 일면의 제 1 환상 영역에 그 테이프를 첩부하는 제 1 첩부 스텝과, 그 제 1 첩부 스텝 후, 확장된 그 테이프의 신장을 완화시키는 완화 스텝과, 그 완화 스텝 후, 그 개구부의 내주 원을 따라 그 링 프레임의 그 일면에 그 테이프를 가압함으로써, 그 일면 중 그 제 1 환상 영역의 외측에 위치하는 제 2 환상 영역에, 그 테이프를 첩부하는 제 2 첩부 스텝과, 그 제 2 첩부 스텝 후, 그 제 1 환상 영역보다 외측에 위치하는 그 테이프의 소정 위치에 절삭 날을 절입시킨 상태에서 그 개구부의 내주 원을 따라 그 테이프를 원형으로 잘라냄으로써, 그 워크 및 그 링 프레임과 일체가 된 원형 영역과, 그 원형 영역의 외측에 위치하는 외주 영역으로, 그 테이프를 분리하는 분리 스텝, 을 구비하는 첩부 방법이 제공된다.
바람직하게는, 그 분리 스텝에서는, 그 제 2 환상 영역에 대응하는 그 테이프의 대응 영역의 외주 가장자리에 그 절삭 날을 절입시킨 상태에서, 그 테이프를 원형으로 잘라낸다.
본 발명의 일 양태에 관련된 첩부 방법에서는, 링 프레임의 일면의 제 1 환상 영역에 테이프를 첩부하는 제 1 첩부 스텝 후, 확장된 테이프의 신장을 완화하는 완화 스텝을 실시한다. 이로써, 제 1 환상 영역의 내측에서는 테이프의 신장이 유지된 채로, 제 1 환상 영역의 외측에서는 테이프의 신장이 완화된다.
그리고, 완화 스텝 후에, 제 1 환상 영역의 외측에 위치하는 제 2 환상 영역에 테이프를 첩부하는 제 2 첩부 스텝을 실시한다. 제 2 환상 영역에 첩부된 테이프의 점착층의 두께는, 제 1 환상 영역에 대응하는 영역에 비하여 점착층이 두껍기 때문에, 시간 경과적인 테이프의 점착력의 저하를 억제할 수 있다. 그 때문에, 점착력이 안정적으로 발휘되어, 테이프가 링 프레임으로부터 잘 박리되지 않는다.
도 1 은, 확장 장치의 사시도이다.
도 2 는, 첩부 방법의 플로도이다.
도 3 은, 확장 스텝을 나타내는 도면이다.
도 4 는, 배치 스텝을 나타내는 도면이다.
도 5(A) 는, 제 1 첩부 스텝을 나타내는 도면이고, 도 5(B) 는 워크 유닛의 상면도이다.
도 6 은, 완화 스텝을 나타내는 도면이다.
도 7(A) 는, 제 2 첩부 스텝을 나타내는 도면이고, 도 7(B) 는 워크 유닛의 상면도이다.
도 8 은, 분리 스텝을 나타내는 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대하여 설명한다. 먼저, 본 실시형태의 첩부 방법에서 사용하는 확장 장치 (2) 에 대하여 설명한다. 도 1 은, 확장 장치 (2) 의 사시도이다. 또한, 도 1 에 나타내는 X 축 방향, Y 축 방향, 및, Z 축 방향 (높이 방향) 은 서로 직교한다.
확장 장치 (2) 는, 복수의 구성 요소를 지지하는 기대 (4) 를 갖는다. 기대 (4) 의 중앙부에는 직사각형상의 개구 (4a) 가 형성되어 있다. 개구 (4a) 의 상방에는, 원판상의 척 테이블 (유지 테이블) (6) 이 배치된다. 척 테이블 (6) 은, 금속제의 프레임체를 갖는다.
프레임체에는, 원판상의 오목부가 형성되어 있고, 이 오목부에는 원판상의 다공질 세라믹스가 고정되어 있다. 프레임체에는 소정 유로 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 유로에는 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 이 접속되어 있다.
흡인원을 동작시키면, 다공질 세라믹스의 상면에는 부압이 전달된다. 다공질 세라믹스 및 프레임체의 각 상면은, 후술하는 테이프 (15) 를 흡인하여 유지하는 유지면으로서 기능한다.
척 테이블 (6) 의 측부에는, 4 개의 클램프 기구 (도시 생략) 가 형성되어 있다. 4 개의 클램프 기구는, 척 테이블 (6) 의 둘레 방향을 따라 대략 등간격으로 배치되어 있고, 테이프 (15) 의 느슨함을 해소할 정도로 테이프 (15) 의 네 모서리를 인장한다.
척 테이블 (6) 의 하부에는, 상하 방향으로 승강 가능한 원 기둥 형상의 승강 유닛 (8) 이 연결되어 있다. 승강 유닛 (8) 은, 개구 (4a) 를 통과하도록 척 테이블 (6) 을 승강시킨다.
승강 유닛 (8) 의 하부에는, 승강 유닛 (8) 보다 대직경의 원판상의 지지판 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 지지판은, 승강 유닛 (8) 과 동심원상으로 배치되어 있다. 이 지지판의 하부에는, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 형성되어 있다.
회전 구동원은, 기대 (4) 의 하방에 배치된 이동판 (도시 생략) 에 지지되어 있다. 이동판은, 소정 방향을 따라 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (도시 생략) 에 슬라이드 가능하게 장착되어 있다. 이동판의 하면측에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
너트부에는, 가이드 레일과 대략 평행하게 배치된 볼 나사 (도시 생략) 가 회전 가능하게 연결되어 있다. 볼 나사의 일단부에는, 모터 (도시 생략) 가 연결되어 있다. 이동판, 1 쌍의 가이드 레일, 볼 나사, 모터 등은, 척 테이블 (6) 을 수평 방향 (예를 들어, X 축 방향) 으로 이동시키는 이동 기구를 구성한다.
지지판에 지지되는 양태로, 척 테이블 (6) 의 측부에는, 제 1 롤러 (10) (도 5(A) 참조), 제 2 롤러 (12) (도 7(A) 참조), 및, 절삭 날 (14) (도 8 참조) 이 형성되어 있다.
제 1 롤러 (10) 는, 에어 실린더 (10a) 의 상단부에 형성되어 있다 (도 5(A) 참조). 제 1 롤러 (10) 는, 비교적 작은 폭 (원통의 길이) 을 갖는다. 제 1 롤러 (10) 는, 예를 들어, 후술하는 링 프레임 (17) 의 직경 방향의 폭 (즉, 외경과 내경의 차) 의 1/9 내지 1/7 정도에 대응하는 폭을 갖는다.
동일하게, 제 2 롤러 (12) 는, 에어 실린더 (12a) 의 상단부에 형성되어 있다 (도 7(A) 참조). 제 2 롤러 (12) 는, 비교적 큰 폭을 갖는다. 제 2 롤러 (12) 는, 예를 들어, 링 프레임 (17) 의 직경 방향의 폭의 6/7 내지 8/9 정도에 대응하는 폭을 갖는다. 또한, 절삭 날 (14) 은, 에어 실린더 (14a) 의 상단부에 형성되어 있다 (도 8 참조).
에어 실린더 (10a, 12a, 14a) 는, 지지판의 외주부에 배치되어 있다. 회전 구동원을 동작시키면, 제 1 롤러 (10), 제 2 롤러 (12) 및 절삭 날 (14) 은, 척 테이블 (6) 과 함께, 승강 유닛 (8) 의 주위로 회전한다.
기대 (4) 의 상방에 있어서, X 축 방향의 일단부에는, 제 1 협지 유닛 (20a) 이 형성되어 있다. 제 1 협지 유닛 (20a) 은, 이동 플레이트 (22) 를 갖는다. 이동 플레이트 (22) 는, 기대 (4) 에 형성된 안내 홈 (4b) 에 슬라이드 가능하게 끼워 맞춤되는 돌출부 (22a) 를 갖는다.
이동 플레이트 (22) 에는, 볼 나사 (24) 가 관통하는 관통공이 형성되어 있고, 이 볼 나사 (24) 는, 이동 플레이트 (22) 의 하면에 형성된 너트부 (도시 생략) 에 대하여 회전 가능하게 연결되어 있다.
볼 나사 (24) 의 일단부에는, 펄스 모터 (26) 가 형성되어 있다. 펄스 모터 (26) 를 소정 방향으로 회전시키면, 이동 플레이트 (22) 는 개구 (4a) 에 가까워지고, 펄스 모터 (26) 를 소정 방향의 반대 방향으로 회전시키면, 이동 플레이트 (22) 는 개구 (4a) 로부터 멀어진다.
이동 플레이트 (22) 의 일단부에는, Z 축 방향으로 연신하는 지지 기둥 (28) 이 형성되어 있다. 지지 기둥 (28) 의 개구 (4a) 측의 일측면에는, 볼록부 (30) 가 형성되어 있다. 볼록부 (30) 에는, 상측 아암 (32) 및 하측 아암 (42) 의 각 오목부가 슬라이드 가능하게 끼워 맞춤되어 있다.
상측 아암 (32) 의 기단부에는, 너트부 (34) 가 형성되어 있다. 너트부 (34) 는, 볼록부 (30) 에 형성된 개구를 통과하여, 지지 기둥 (28) 의 타면측에 위치하고 있다. 너트부 (34) 에는, Z 축 방향에 대략 평행하게 배치된 볼 나사 (36) 가 회전 가능하게 연결되어 있다.
볼 나사 (36) 의 상단부에는, 펄스 모터 (38) 가 연결되어 있다. 펄스 모터 (38) 를 소정 방향으로 회전시키면, 상측 아암 (32) 은 하방으로 이동하고, 펄스 모터 (38) 를 소정 방향의 반대 방향으로 회전시키면, 상측 아암 (32) 은 상방으로 이동한다.
상측 아암 (32) 의 선단부에는, 수평 방향에 있어서 상측 아암 (32) 의 길이 방향과 직교하는 방향으로 길이부를 갖는 직방체 형상의 상측 협지부 (32a) 가 형성되어 있다. 상측 협지부 (32a) 에는, 그 길이 방향을 따라 각각 원 기둥 형상의 복수의 롤러 (도시 생략) 가 형성되어 있다. 각 롤러의 회전축은, 상측 아암 (32) 의 길이 방향과 대략 평행하게 배치되어 있다.
하측 아암 (42) 의 기단부에는, 너트부 (44) 가 형성되어 있다. 너트부 (44) 는, 볼록부 (30) 에 형성된 개구를 통과하여, 지지 기둥 (28) 의 타면측에 위치하고 있다. 너트부 (34) 에는, Z 축 방향에 대략 평행하게 배치된 볼 나사 (46) 가 회전 가능하게 연결되어 있다.
볼 나사 (46) 의 하단부에는, 펄스 모터 (48) 가 연결되어 있다. 펄스 모터 (48) 를 소정 방향으로 회전시키면, 하측 아암 (42) 은 상방으로 이동하고, 펄스 모터 (48) 를 소정 방향의 반대 방향으로 회전시키면, 하측 아암 (42) 은 하방으로 이동한다.
하측 아암 (42) 의 선단부에는, 수평 방향에 있어서 하측 아암 (42) 의 길이 방향과 직교하는 방향으로 길이부를 갖는 직방체 형상의 하측 협지부 (42a) 가 형성되어 있다. 하측 협지부 (42a) 에는, 그 길이 방향을 따라 각각 원 기둥 형상의 복수의 롤러 (42b) 가 형성되어 있다. 각 롤러 (42b) 의 회전축은, 하측 아암 (42) 의 길이부와 대략 평행하게 배치되어 있다.
개구 (4a) 에 대하여 제 1 협지 유닛 (20a) 의 반대측에는, 제 2 협지 유닛 (20b) 이 형성되어 있다. 제 2 협지 유닛 (20b) 의 구조는, 제 1 협지 유닛 (20a) 과 대략 동일하다. 제 1 협지 유닛 (20a) 및 제 2 협지 유닛 (20b) 은, 테이프 (15) 를 X 축 방향으로 확장하는 기능을 갖는다.
동일하게, Y 축 방향에 있어서 개구 (4a) 를 사이에 끼우도록, 제 3 협지 유닛 (20c) 및 제 4 협지 유닛 (20d) 이 형성되어 있다. 제 3 협지 유닛 (20c) 및 제 4 협지 유닛 (20d) 은, 각각 제 1 협지 유닛 (20a) 과 대략 동일한 구조를 갖고, 테이프 (15) 를 Y 축 방향으로 확장하는 기능을 갖는다.
다음으로, 도 2 내지 도 8 을 참조하여, 워크 (11) 에 첩부된 테이프 (15) (도 3 등 참조) 를, 링 프레임 (17) (도 4 등 참조) 에 첩부하는 첩부 방법에 대하여 설명한다. 도 2 는, 첩부 방법의 플로도이다.
본 실시형태의 워크 (11) 는, IC (Integrated Circuit) 등의 디바이스가 표면측에 형성된 반도체 웨이퍼이다. 단, 워크 (11) 에는, 분할 예정 라인을 따라 개질층이 형성되고, 추가로 그 후, 이면측이 연삭되어 있다.
구체적으로는, 워크 (11) 의 표면측에 보호 테이프 (도시 생략) 를 첩부한 상태에서, 워크 (11) 에 대하여 개질층의 형성과, 이면측의 연삭을, 순차적으로 실시함으로써, 개질층을 기점으로 크랙이, 워크 (11) 의 표면 및 이면까지 도달해 있다.
연삭 후, 워크 (11) 의 표면측을 척 테이블 (6) 로 흡인 유지한 상태에서, 워크 (11) 의 이면측에, 수지제의 테이프 (15) 가 첩부된다. 테이프 (15) 는, 기재층과, 기재층의 일면에 형성된 점착층 (점착제층) 의, 적층 구조를 갖는다.
기재층은, 예를 들어, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 수지로 구성되고, 점착층은, 예를 들어, 아크릴계, 실리콘계, 고무계 또는 아크릴계의 점착제로 형성되어 있다.
테이프 (15) 의 첩부 후, 척 테이블 (6) 의 사방에 형성되어 있는 클램프 기구로 테이프 (15) 의 네 모서리를 협지하여 테이프 (15) 의 느슨함을 해소한 상태에서, 워크 (11) 의 표면측으로부터, 도시 생략의 박리 기구로 보호 테이프를 박리한다.
그 후, 이동 기구에 의해, 개구 (4a) 의 하방으로 척 테이블 (6) 을 이동시키고, 추가로, 승강 유닛 (8) 에 의해, 척 테이블 (6) 을 제 1 협지 유닛 (20a) 등의 대략 동일한 높이까지 상승시킨다.
이어서, 제 1 협지 유닛 (20a), 제 2 협지 유닛 (20b), 제 3 협지 유닛 (20c), 및, 제 4 협지 유닛 (20d) 에 의해 테이프 (15) 의 사방을 협지한 후, 클램프 기구를 해제한다. 이로써, 워크 (11) 및 테이프 (15) 의 적층체는, 확장 장치 (2) 에 전달된다.
이 상태에서, 먼저, 제 1 협지 유닛 (20a) 및 제 2 협지 유닛 (20b) 을, 개구 (4a) 로부터 멀어지도록, X 축 방향을 따라 소정 거리 (예를 들어, 10 ㎜) 만큼 이동시킨다. 이어서, 제 3 협지 유닛 (20c) 및 제 4 협지 유닛 (20d) 을, 개구 (4a) 로부터 멀어지도록, Y 축 방향을 따라 소정 거리 (예를 들어, 10 ㎜) 만큼 이동시킨다.
이와 같이 하여, 테이프 (15) 를 사방으로 확장한다 (확장 스텝 S10). 도 3 은, 확장 스텝 S10 을 나타내는 도면이다. 또한, 도 3 이후의 도면에서는, 제 3 협지 유닛 (20c) 및 제 4 협지 유닛 (20d) 을 생략하고 있다.
그런데, 확장 스텝 S10 에서는, Y 축 방향을 따라 테이프 (15) 를 확장한 후, X 축 방향을 따라 테이프 (15) 를 확장해도 된다. 또한, X 축 방향의 테이프 (15) 의 확장량과, Y 축 방향의 테이프 (15) 의 확장량은, 디바이스 칩 (13) 의 형상에 따라 적절히 조정할 수 있다.
확장 스텝 S10 후, 테이프 (15) 를 확장한 상태를 유지한 채로, 링 프레임 (17) 을 테이프 (15) 의 점착층측에 배치한다 (배치 스텝 S20). 도 4 는, 배치 스텝 S20 을 나타내는 도면이다.
본 실시형태에서는, 원판상의 흡착 유닛 (50) 으로 금속제의 링 프레임 (17) 의 상면 (17a) 측을 흡인 유지하여 반송하고, 링 프레임 (17) 의 개구부 (17b) 에 워크 (11) 가 위치하도록, 링 프레임 (17) 을 테이프 (15) 상에 배치한다.
단, 배치 스텝 S20 에서는, 링 프레임 (17) 을 테이프 (15) 로부터 미소 거리 (수 ㎜. 예를 들어, 1 ㎜ 내지 3 ㎜) 만큼 떨어트리는 것이 바람직하다. 이로써, 후술하는 완화 스텝 S40 에 있어서, 테이프 (15) 는, 그 점착층과 함께 스무스하게 수축할 수 있다.
배치 스텝 S20 후, 도 5(A) 에 나타내는 바와 같이, 계속해서 테이프 (15) 를 확장한 상태를 유지한 채로, 제 1 롤러 (10) 를 척 테이블 (6) 보다 상방으로 상승시킨다. 이 때, 제 1 롤러 (10) 는, 링 프레임 (17) 의 하면 (일면) (17c) 중 개구부 (17b) 의 내주 원 근방의 일부를 가압한다.
이 상태에서, 지주 (16) 를 회전시킴으로써, 개구부 (17b) 의 내주 원을 따라 제 1 롤러 (10) 로 테이프 (15) 를 가압하고, 하면 (17c) 중 개구부 (17b) 의 내주 원 근방에 위치하는 제 1 환상 영역 (17c1) 에 테이프 (15) 를 첩부한다 (제 1 첩부 스텝 S30).
도 5(A) 는, 제 1 첩부 스텝 S30 을 나타내는 도면이다. 제 1 환상 영역 (17c1) 은, 개구부 (17b) 의 내주 원으로부터, 링 프레임 (17) 의 폭의 1/9 내지 1/7 정도까지, 의 범위로 설정된다. 예를 들어, 제 1 환상 영역 (17c1) 은, 개구부 (17b) 의 내주 원으로부터 2 ㎜ 내지 3 ㎜ 정도의 폭을 갖는 영역이다.
제 1 첩부 스텝 S30 에 의해, 워크 (11), 테이프 (15) 및 링 프레임 (17) 이 일체화되고, 워크 유닛 (19) 이 형성된다. 도 5(B) 는, 워크 유닛 (19) 의 상면도이다. 또한, 도 5(B) 에서는, 제 1 환상 영역 (17c1) 의 외주 가장자리를 파선으로 나타낸다.
그러나, 제 1 환상 영역 (17c1) 에서는, 기재층과 함께 점착층도 확장된 테이프 (15) 가 첩부되어 있기 때문에, 시간의 경과와 함께, 링 프레임 (17) 에 대한 점착력이 저하하여, 테이프 (15) 가 링 프레임 (17) 으로부터 박리될 우려가 있다.
그래서, 본 실시형태에서는, 제 1 첩부 스텝 S30 후에, 테이프 (15) 의 신장 (즉, 텐션) 을 완화시킴으로써, 테이프 (15) 를 어느 정도 수축시킨다 (완화 스텝 S40). 도 6 은, 완화 스텝 S40 을 나타내는 도면이다.
완화 스텝 S40 에서는, 제 1 협지 유닛 (20a) 으로부터 제 4 협지 유닛 (20d) 의 각각을, 개구 (4a) 에 가까워지도록, 확장 스텝 S10 의 이동 거리의 대략 절반 정도 (예를 들어, 5 ㎜) 만큼 이동시킨다.
완화 스텝 S40 후, 제 2 롤러 (12) 를 사용하여, 신장이 완화된 영역을 링 프레임 (17) 의 하면 (17c) 에 첩부한다 (제 2 첩부 스텝 S50). 도 7(A) 는, 제 2 첩부 스텝 S50 을 나타내는 도면이다.
제 2 첩부 스텝 S50 에서는, 제 1 롤러 (10) 를 하강시키고, 대신에, 제 1 롤러 (10) 보다 폭이 큰 제 2 롤러 (12) 를 척 테이블 (6) 보다 상방으로 상승시키고, 제 1 환상 영역 (17c1) 보다 외측의 영역을 제 2 롤러 (12) 로 가압한다.
제 2 롤러 (12) 를 테이프 (15) 에 꽉 누른 상태에서 지주 (16) 를 회전시킴으로써, 개구부 (17b) 의 내주 원을 따라 제 2 롤러 (12) 로 테이프 (15) 를 가압한다. 이로써, 링 프레임 (17) 중 제 1 환상 영역 (17c1) 보다 외측에 위치하는 제 2 환상 영역 (17c2) 에 테이프 (15) 가 첩부된다.
또한, 제 2 첩부 스텝 S50 에서는, 제 2 롤러 (12) 로 하면 (17c) 전체를 가압해도 되고, 제 1 환상 영역 (17c1) 보다 외측만을 가압해도 된다. 도 7(B) 는, 제 2 첩부 스텝 S50 후의 워크 유닛 (19) 의 상면도이다. 도 7(B) 에서는, 제 2 환상 영역 (17c2) 의 외주 가장자리를 파선으로 나타낸다.
제 2 환상 영역 (17c2) 에 첩부된 테이프 (15) 의 대응 영역 (15a) (도 7(A) 참조) 에서는, 제 1 환상 영역 (17c1) 에 대응하는 테이프 (15) 의 영역에 비하여 점착층이 두껍기 때문에, 시간 경과적인 테이프 (15) 의 점착력의 저하를 억제할 수 있다. 그 때문에, 테이프 (15) 의 점착력이 안정적으로 발휘되어, 테이프 (15) 가 링 프레임 (17) 으로부터 잘 박리되지 않는다.
제 2 첩부 스텝 S50 후, 테이프 (15) 를 원형으로 잘라내어, 원형 영역 (15b) 과, 원형 영역 (15b) 의 외측에 위치하는 외주 영역 (15c) 으로 분리한다 (분리 스텝 S60). 도 8 은, 분리 스텝 S60 을 나타내는 도면이다.
분리 스텝 S60 에서는, 제 2 롤러 (12) 를 하강시키고, 대신에, 절삭 날 (14) 을 척 테이블 (6) 보다 상방으로 상승시킨다. 그리고, 제 1 환상 영역 (17c1) 보다 외측에 위치하는 테이프 (15) 의 소정 위치에 절삭 날 (14) 을 절입시켜, 지주 (16) 를 회전시킨다.
본 실시형태에서는, 테이프 (15) 의 대응 영역 (15a) 의 외주 가장자리에 절삭 날 (14) 을 절입한 상태에서 지주 (16) 를 회전시켜, 개구부 (17b) 의 내주 원을 따라 테이프 (15) 를 원형으로 잘라낸다. 이로써, 테이프 (15) 를 원형 영역 (15b) 과, 외주 영역 (15c) 으로 분리한다.
대응 영역 (15a) 의 외주 가장자리를 경계로 테이프 (15) 를 잘라냄으로써, 제 2 환상 영역 (17c2) 에 첩부된 테이프 (15) 의 대응 영역 (15a) 을 대략 전부 남길 수 있다. 그 때문에, 예를 들어, 제 2 환상 영역 (17c2) 의 폭 방향의 대략 절반의 위치에서 테이프 (15) 를 잘라내는 경우에 비하여, 테이프 (15) 가 링 프레임 (17) 으로부터 잘 박리되지 않게 된다.
분리 스텝 S60 후, 테이프 (15) 의 원형 영역 (15b) 을 통하여, 링 프레임 (17) 으로 워크 (11) 가 지지된 워크 유닛 (19) 은, 흡착 유닛 (50) 에 의해 다른 처리 영역에 반송되어, 다음 공정의 처리가 실시된다.
본 실시형태에서는, 제 2 환상 영역 (17c2) 에 대응하는 테이프 (15) 의 대응 영역 (15a) 의 점착층이, 제 1 환상 영역 (17c1) 에 대응하는 테이프 (15) 의 영역의 점착층에 비하여 두껍기 때문에, 시간 경과적인 테이프 (15) 의 점착력의 저하를 억제할 수 있다. 그 때문에, 테이프 (15) 의 점착력이 안정적으로 발휘되어, 테이프 (15) 가 링 프레임 (17) 으로부터 잘 박리되지 않게 된다.
그 외에, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 절삭 날 (14) 로서, 로터리 커터의 절삭 날을 사용할 수도 있다.
또한, 제 2 첩부 스텝 S50 에서 테이프 (15) 가 첩부되는 하면 (17c) 의 범위의 외경을, 링 프레임 (17) 의 외주부의 직선 부분에 대응하는 위치까지 확장할 수도 있다. 이와 같이, 제 2 환상 영역 (17c2) 의 직경을 크게 할수록, 테이프 (15) 의 점착력을 확보할 수 있다.
2 : 확장 장치
4 : 기대
4a : 개구
4b : 안내 홈
6 : 척 테이블 (유지 테이블)
8 : 승강 유닛
10 : 제 1 롤러
12 : 제 2 롤러
14 : 절삭 날
10a, 12a, 14a : 에어 실린더
16 : 지주
11 : 워크
13 : 디바이스 칩
15 : 테이프
15a : 대응 영역
15b : 원형 영역
15c : 외주 영역
17 : 링 프레임
17a : 상면
17b : 개구부
17c : 하면 (일면)
17c1 : 제 1 환상 영역
17c2 : 제 2 환상 영역
19 : 워크 유닛
20a : 제 1 협지 유닛
20b : 제 2 협지 유닛
20c : 제 3 협지 유닛
20d : 제 4 협지 유닛
22 : 이동 플레이트
22a : 돌출부
24 : 볼 나사
26 : 펄스 모터
28 : 지지 기둥
30 : 볼록부
32 : 상측 아암
32a : 상측 협지부
34 : 너트부
36 : 볼 나사
38 : 펄스 모터
42 : 하측 아암
42a : 하측 협지부
42b : 롤러
44 : 너트부
46 : 볼 나사
48 : 펄스 모터
50 : 흡착 유닛

Claims (2)

  1. 워크가 첩부된 테이프를 링 프레임에 첩부하는 첩부 방법으로서,
    그 테이프를 사방으로 확장하는 확장 스텝과,
    그 테이프를 확장한 상태에서, 그 워크가 그 링 프레임의 개구부에 위치하도록, 그 링 프레임을 그 테이프에 배치하는 배치 스텝과,
    그 배치 스텝 후, 그 개구부의 내주 원을 따라 그 링 프레임의 일면에 그 테이프를 가압함으로써, 그 일면의 제 1 환상 영역에 그 테이프를 첩부하는 제 1 첩부 스텝과,
    그 제 1 첩부 스텝 후, 확장된 그 테이프의 신장을 완화시키는 완화 스텝과,
    그 완화 스텝 후, 그 개구부의 내주 원을 따라 그 링 프레임의 그 일면에 그 테이프를 가압함으로써, 그 일면 중 그 제 1 환상 영역의 외측에 위치하는 제 2 환상 영역에, 그 테이프를 첩부하는 제 2 첩부 스텝과,
    그 제 2 첩부 스텝 후, 그 제 1 환상 영역보다 외측에 위치하는 그 테이프의 소정 위치에 절삭 날을 절입시킨 상태에서 그 개구부의 내주 원을 따라 그 테이프를 원형으로 잘라냄으로써, 그 워크 및 그 링 프레임과 일체가 된 원형 영역과, 그 원형 영역의 외측에 위치하는 외주 영역으로, 그 테이프를 분리하는 분리 스텝,
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 분리 스텝에서는, 그 제 2 환상 영역에 대응하는 그 테이프의 대응 영역의 외주 가장자리에 그 절삭 날을 절입시킨 상태에서, 그 테이프를 원형으로 잘라내는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
KR1020220010897A 2021-02-24 2022-01-25 첩부 방법 KR20220121180A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-027149 2021-02-24
JP2021027149A JP2022128756A (ja) 2021-02-24 2021-02-24 貼り付け方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220121180A true KR20220121180A (ko) 2022-08-31

Family

ID=82975897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220010897A KR20220121180A (ko) 2021-02-24 2022-01-25 첩부 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022128756A (ko)
KR (1) KR20220121180A (ko)
CN (1) CN114975215A (ko)
TW (1) TW202234494A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014022382A (ja) 2012-07-12 2014-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014022382A (ja) 2012-07-12 2014-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022128756A (ja) 2022-09-05
CN114975215A (zh) 2022-08-30
TW202234494A (zh) 2022-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6176966B1 (en) Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus thereof
KR101312908B1 (ko) 반도체 웨이퍼로의 점착 테이프 부착 방법 및 반도체웨이퍼로부터의 보호 테이프 박리 방법 및 이들을 이용한장치
JP4739900B2 (ja) 転着装置及び転着方法
KR101280670B1 (ko) 반도체 웨이퍼로의 점착 테이프 부착 방법 및 반도체웨이퍼로부터의 보호 테이프 박리 방법 및 이들을 이용한장치
US10879122B2 (en) Wafer processing method
US20070238264A1 (en) Method and apparatus for supporting wafer
JP5378780B2 (ja) テープ拡張方法およびテープ拡張装置
KR20170097557A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP6844992B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2008306119A (ja) 分離装置及び分離方法
KR20160099481A (ko) 가공 장치의 척 테이블
JP4684569B2 (ja) テープ拡張装置
US7931766B2 (en) Film adhesion device and film adhesion method
KR20170127370A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
WO2017154304A1 (ja) 基板転写方法および基板転写装置
JP2017103406A (ja) ウエーハの加工方法
JP4637692B2 (ja) 粘着フィルム貼着装置
KR20220121180A (ko) 첩부 방법
JP2010147316A (ja) テープ拡張方法およびテープ拡張装置
CN110620076A (zh) 带扩展装置
JP2010192510A (ja) ワークの移載方法および移載装置
TWI718326B (zh) 晶片間隔維持方法
JP2002353296A (ja) ウェハの保護テープ剥離装置およびウェハのマウント装置
KR20210003139A (ko) 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 부착장치 및 부착방법
JP2023032665A (ja) 基板の分割方法