KR20220110050A - 반복 굴곡 디바이스용 점착제, 점착 시트, 반복 굴곡 적층 부재 및 반복 굴곡 디바이스 - Google Patents

Abstract

(과제) 반복 굴곡 디바이스에 적용했을 경우에, 들뜸이나 벗겨짐의 발생이 억제되는 반복 굴곡 디바이스용 점착제 및 점착 시트, 그리고 들뜸이나 벗겨짐의 발생이 억제되는 반복 굴곡 적층 부재 및 반복 굴곡 디바이스를 제공한다.
(해결 수단) -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)가, 0.20㎫ 이하이며, 또한, 4500㎩의 응력을 인가했을 때에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(㎫^-1)로 하고, 상기 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고 나서 1200초 후까지 4500㎩의 응력을 계속 인가하여, 그 사이에 측정되는 최대의 크리프 컴플라이언스치를 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(㎫^-1)로 하고, 이하의 식(Ⅰ)으로부터 산출되는 크리프 컴플라이언스 변동치 ΔlogJ(t)가, 2.60 이하인 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
ΔlogJ(t)＝logJ(t)_max―logJ(t)_min … (Ⅰ)

Description

반복 굴곡 디바이스용 점착제, 점착 시트, 반복 굴곡 적층 부재 및 반복 굴곡 디바이스{ADHESIVE FOR REPEATEDLY FOLDABLE DEVICE, ADHESIVE SHEET, REPEATEDLY FOLDABLE LAMINATE MEMBER AND REPEATEDLY FOLDABLE DEVICE}

본 발명은, 반복 굴곡되는 디바이스용의 점착제 및 점착 시트, 그리고 반복 굴곡 적층 부재 및 반복 굴곡 디바이스에 관한 것이다.

근년, 디바이스의 일종인, 전자 기기의 표시체(디스플레이)로서, 굴곡 가능한 굴곡성 디스플레이가 제안되고 있다. 굴곡성 디스플레이로서는, 1회만 곡면 성형하는 것 외에, 반복 굴곡시키는(접어 구부리는) 용도인 반복 굴곡 디스플레이가 제안되고 있다.

상기와 같은 반복 굴곡 디스플레이에 있어서는, 상기 굴곡성 디스플레이를 구성하는 하나의 굴곡 가능한 부재(굴곡성 부재)와, 다른 굴곡성 부재를 점착제층에 의해 첩합하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 반복 굴곡 디스플레이에 종래의 점착제를 사용하면, 점착제층과 피착체와의 계면에 들뜸이나 벗겨짐이 발생한다는 문제가 생긴다.

특허문헌 1은, 반복 굴곡시켜도 점착제층의 들뜸이나 벗겨짐의 발생을 억제하는 것을 과제로 한 점착제를 개시하고 있다.

일본 특허공개공보 2016-108555호

그러나, 상기와 같은 점착제를 사용했을 경우에도, 반복적인 굴곡에 의한 들뜸이나 벗겨짐의 발생을 충분히 억제할 수는 없었다.

본 발명은, 상기와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것이며, 반복 굴곡 디바이스에 적용했을 경우에, 들뜸이나 벗겨짐의 발생이 억제되는 반복 굴곡 디바이스용 점착제 및 점착 시트, 그리고 들뜸이나 벗겨짐의 발생이 억제되는 반복 굴곡 적층 부재 및 반복 굴곡 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해, 첫째로 본 발명은, 반복 굴곡되는 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재와 다른 굴곡성 부재를 첩합하기 위한 반복 굴곡 디바이스용 점착제로서, 상기 점착제의 -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)가, 0.20㎫ 이하이며, 상기 점착제에 4500㎩의 응력을 인가했을 때에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(㎫^-1)로 하고, 상기 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고 나서 1200초 후까지 4500㎩의 응력을 계속 인가하여, 그 사이에 측정되는 최대의 크리프 컴플라이언스치를 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(㎫^-1)로 하고, 이하의 식(Ⅰ)으로부터 산출되는 크리프 컴플라이언스 변동치 ΔlogJ(t)가, 2.60 이하인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제를 제공한다(발명 1).

ΔlogJ(t)＝logJ(t)_max―logJ(t)_min … (Ⅰ)

상기 발명(발명 1)에 있어서는, -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)가 상기와 같이 작음으로써, 저온 환경 하(예를 들면 -30℃)에서의 반복 굴곡에 수반하여 발생하는 응력을 적게 할 수 있다. 한편, 크리프 컴플라이언스 변동치가 상기와 같이 작음으로써, 반복 굴곡했을 때 또는 장시간 굴곡했을 때에, 온도 환경에 상관없이 점착제가 지나치게 스트레인되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 반복 굴곡 디바이스에 적용했을 경우에, 저온∼고온의 환경 하에서 점착제층과 피착체와의 계면에 들뜸이나 벗겨짐이 발생하기 어렵고, 우수한 내굴곡성이 얻어진다.

상기 발명(발명 1)에 있어서는, 상기 점착제에 4500㎩의 응력을 계속 인가하여 1200초 후에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1200)(㎫^-1)로 하고, 그 후, 상기 점착제에 인가하는 응력을 0㎩로 하고 나서 100초 후에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1300)(㎫^-1)로 하고, 이하의 식(Ⅱ)으로부터 산출되는 크리프 회복률이, 90％ 이상인 것이 바람직하다(발명 2).

크리프 회복률(％)＝(1―J(t)(s＝1300)／J(t)(s＝1200))×100 … (Ⅱ)

상기 발명(발명 1, 2)에 있어서는, 85℃에서의 저장 탄성률 G'(85)가, 0.005㎫ 이상인 것이 바람직하다(발명 3).

상기 발명(발명 1∼3)에 있어서는, -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)를 25℃에서의 저장 탄성률 G'(25)로 나눈 값인 저장 탄성률 변화도(-30／25)가, 5.0 이하인 것이 바람직하다(발명 4).

상기 발명(발명 1∼4)에 있어서는, -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)를 85℃에서의 저장 탄성률 G'(85)로 나눈 값인 저장 탄성률 변화도(-30／85)가, 10.0 이하인 것이 바람직하다(발명 5).

상기 발명(발명 1∼5)에 있어서는, 겔분율이, 40％ 이상, 95％ 이하인 것이 바람직하다(발명 6).

상기 발명(발명 1∼6)에 있어서는, 상기 점착제가, 점착 주제(主劑) 및 저분자량 성분을 함유하고, 상기 저분자량 성분의 중량 평균 분자량이, 400 이상, 100000 이하이며, 상기 저분자량 성분의 유리 전이 온도(Tg)가, -40℃ 이하인 것이 바람직하다(발명 7).

상기 발명(발명 1∼7)에 있어서는, 상기 점착제가, 아크릴계 점착제인 것이 바람직하다(발명 8).

둘째로 본 발명은, 반복 굴곡되는 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재와 다른 굴곡성 부재를 첩합하기 위한 점착제층을 가지는 점착 시트로서, 상기 점착제층이, 상기 반복 굴곡 디바이스용 점착제(발명 1∼8)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 점착 시트를 제공한다(발명 9).

상기 발명(발명 9)에 있어서는, 상기 점착 시트가, 2매의 박리 시트를 구비하고 있고, 상기 점착제층이, 상기 2매의 박리 시트의 박리면과 접하도록 상기 박리 시트에 협지되어 있는 것이 바람직하다(발명 10).

셋째로 본 발명은, 반복 굴곡되는 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재 및 다른 굴곡성 부재와, 상기 하나의 굴곡성 부재와 상기 다른 굴곡성 부재를 서로 첩합하는 점착제층을 구비한 반복 굴곡 적층 부재로서, 상기 점착제층이, 상기 반복 굴곡 디바이스용 점착제(발명 1∼8)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 적층 부재를 제공한다(발명 11).

넷째로 본 발명은, 상기 반복 굴곡 적층 부재(발명 11)를 구비한 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스를 제공한다(발명 12).

본 발명에 따른 반복 굴곡 디바이스용 점착제 및 점착 시트는, 반복 굴곡 디바이스에 적용했을 경우에, 점착제층과 피착체와의 계면에 들뜸이나 벗겨짐이 발생하기 어렵다. 또한, 본 발명에 따른 반복 굴곡 적층 부재 및 반복 굴곡 디바이스는, 점착제층과 피착체와의 계면에 들뜸이나 벗겨짐이 발생하기 어렵다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 점착 시트의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반복 굴곡 적층 부재의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스의 단면도이다.
도 4는 동적 굴곡 시험을 설명하는 설명도(측면도)이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.

〔반복 굴곡 디바이스용 점착제〕

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스용 점착제(이하, 단순히 「점착제」라고 하는 경우가 있음)는, 반복 굴곡 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재와 다른 굴곡성 부재를 첩합하기 위한 점착제이다. 반복 굴곡 디바이스 및 굴곡성 부재에 대해서는, 후술한다.

본 실시형태에 따른 점착제는, -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)가 0.20㎫ 이하인 것이 바람직하고, 상기 점착제에 4500㎩의 응력을 인가했을 때에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(㎫^-1)로 하고, 상기 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고 나서 1200초 후까지 4500㎩의 응력을 계속 인가하여, 그 사이에 측정되는 최대의 크리프 컴플라이언스치를 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(㎫^-1)로 하고, 이하의 식(Ⅰ)으로부터 산출되는 크리프 컴플라이언스 변동치 ΔlogJ(t)가, 2.60 이하인 것이 바람직하다.

ΔlogJ(t)＝logJ(t)_max―logJ(t)_min … (Ⅰ)

또, 저장 탄성률 G'의 측정 방법 및 크리프 컴플라이언스 J(t)의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다. 또한, 「점착제에 4500㎩의 응력을 인가했을 때」란, 점착제에 응력을 인가하여, 그 응력이 4500㎩에 달한 시점을 말한다.

본 실시형태에 따른 점착제는, -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)가 상기와 같이 작음으로써, 저온 환경 하(예를 들면 -30℃)에서의 반복 굴곡에 수반하여 발생하는 응력을 적게 할 수 있다. 한편, 크리프 컴플라이언스 변동치가 상기와 같이 작음으로써, 반복 굴곡했을 때 또는 장시간 굴곡했을 때에, 온도 환경에 상관없이 점착제가 지나치게 스트레인되지 않도록 할 수 있다. 지나치게 스트레인되는 점착제는, 굴곡에 의한 변형에 수반하여 점착제의 내부 구조도 변화해 버려, 굴곡을 풀었을 경우에도 점착제가 원래의 상태로 돌아오지 않게 되어 버리지만, 본 실시형태에 따른 점착제에서는, 이러한 지나친 스트레인을 억제할 수 있다. 상기 2개의 물성치는 일반적으로는 상반되는 것이지만, 본 실시형태에 따른 점착제에서는, 상기 2개의 물성치를 양립시키고 있으며, -30℃와 같은 매우 낮은 온도에서도 변형에 대한 응력이 작으며, 또한, 변형에 의한 스트레인이 적은 것으로 이루어져 있다. 그 결과, 반복 굴곡 디바이스에 적용했을 경우에, 저온∼고온의 환경 하에서 점착제층과 피착체와의 계면에 들뜸이나 벗겨짐이 발생하기 어렵고, 우수한 내굴곡성이 얻어진다.

상기 내굴곡성의 관점에서, 본 실시형태에 따른 점착제의 -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)는, 0.20㎫ 이하인 것이 바람직하고, 0.15㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.11㎫ 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.10㎫ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 응집력의 관점에서, 상기 점착제층을 구성하는 점착제의 -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)는, 0.01㎫ 이상인 것이 바람직하고, 0.02㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.04㎫ 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.08㎫ 이상인 것이 바람직하다.

또한, 상기 내굴곡성의 관점에서, 상기 크리프 컴플라이언스 변동치 ΔlogJ(t)는, 2.60 이하인 것이 바람직하고, 2.58 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 2.56 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 2.54 이하인 것이 바람직하다. 또, 크리프 컴플라이언스 변동치의 하한치는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 1.50 이상인 것이 바람직하고, 특히 2.00 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 2.20 이상인 것이 바람직하다.

본 실시형태에 따른 점착제의 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min는, 하한치로서, 1㎫^-1 이상인 것이 바람직하고, 5㎫^-1 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 10㎫^-1 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 15㎫^-1 이상인 것이 바람직하다. 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min의 하한치가 상기임으로써, 상기 크리프 컴플라이언스 변동치 ΔlogJ(t)가 상기의 값을 충족시키기 쉬운 것이 된다. 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min의 상한치는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 1000㎫^-1 이하인 것이 바람직하고, 특히 100㎫^-1 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 20㎫^-1 이하인 것이 바람직하다.

또한, 본 실시형태에 따른 점착제의 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max는, 상한치로서, 10000㎫^-1 이하인 것이 바람직하고, 8000㎫^-1 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 6000㎫^-1 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 5500㎫^-1 이하인 것이 바람직하다. 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max의 상한치가 상기임으로써, 상기 크리프 컴플라이언스 변동치 ΔlogJ(t)가 상기의 값을 충족시키기 쉬운 것이 된다. 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max의 하한치는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 1100㎫^-1 이상인 것이 바람직하고, 특히 2000㎫^-1 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 4000㎫^-1 이상인 것이 바람직하다.

본 실시형태에 따른 점착제는, 상기 점착제에 4500㎩의 응력을 계속 인가하여 1200초 후에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1200)(㎫^-1)로 하고, 그 후, 상기 점착제에 인가하는 응력을 0㎩로 하고 나서 100초 후에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1300)(㎫^-1)로 하고, 이하의 식(Ⅱ)으로부터 산출되는 크리프 회복률이, 90％ 이상인 것이 바람직하고, 92％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 94％ 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 96％ 이상인 것이 바람직하다.

크리프 회복률(％)＝(1―J(t)(s＝1300)／J(t)(s＝1200))×100 … (Ⅱ)

본 실시형태에 따른 점착제가 상기의 크리프 회복률을 나타냄으로써, 상기 점착제를 적용한 반복 굴곡 디바이스가 장기간 굴곡 상태에 놓였을 경우에 있어서도, 굴곡 상태로부터의 복원성이 우수하여, 점착제층에 굴곡 흔적이 생기기 어려워진다.

크리프 회복률의 상한치는 특별히 한정되지 않지만, 통상은, 100％ 이하인 것이 바람직하고, 특히 99％ 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 98％ 이하인 것이 바람직하다.

본 실시형태에 따른 점착제의 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1200)는, 하한치로서, 1100㎫^-1 이상인 것이 바람직하고, 2000㎫^-1 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 4000㎫^-1 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 4600㎫^-1 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 보다 적절한 응력 완화성을 가지는 점착제가 된다. 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1200)의 상한치는, 점착제의 응집력의 관점에서, 통상은 10000㎫^-1 이하인 것이 바람직하고, 특히 8000㎫^-1 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 6000㎫^-1 이하인 것이 바람직하다.

또한, 본 실시형태에 따른 점착제의 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1300)는, 상한치로서, 800㎫^-1 이하인 것이 바람직하고, 400㎫^-1 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 200㎫^-1 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 180㎫^-1 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 복원성이 보다 우수한 점착제가 된다. 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1300)의 하한치는, 특별히 한정되지 않지만, 통상은 1㎫^-1 이상인 것이 바람직하고, 특히 10㎫^-1 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 100㎫^-1 이상인 것이 바람직하다.

본 실시형태에 따른 점착제의 85℃에서의 저장 탄성률 G'(85)는, 0.005㎫ 이상인 것이 바람직하고, 0.010㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.020㎫ 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.022㎫ 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 고온에서도 점착제층이 너무 유연해지지 않아 응집력이 유지된다. 또한, 본 실시형태에 따른 점착제의 85℃에서의 저장 탄성률 G'(85)는, 0.10㎫ 이하인 것이 바람직하고, 0.08㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.06㎫ 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.04㎫ 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 저온에서의 저장 탄성률 G'가 낮은 것을 얻기 쉬어진다.

본 실시형태에 따른 점착제의 25℃에서의 저장 탄성률 G'(25)는, 0.15㎫ 이하인 것이 바람직하고, 0.10㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.07㎫ 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.04㎫ 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 호적(好適)한 점착성을 발휘하기 쉬워진다. 한편, 25℃에서의 저장 탄성률 G'(25)는, 0.010㎫ 이상인 것이 바람직하고, 0.015㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.020㎫ 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.026㎫ 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 표준 환경 온도 영역에서의 반복 굴곡성이 우수한 것 외, 따내기 가공 등의 가공성이 양호해진다.

본 실시형태에 따른 점착제는, -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)를 25℃에서의 저장 탄성률 G'(25)로 나눈 값인 저장 탄성률 변화도(-30／25)가, 5.0 이하인 것이 바람직하고, 4.0 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 3.5 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 3.3 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 상온에서 적절한 점착력을 가지면서, 저온에서의 고탄성률화를 방지하기 쉬워진다.

또한, 상기 저장 탄성률 변화도(-30／25)는, 1.50 이상인 것이 바람직하고, 2.00 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 2.50 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 3.00 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 응집력이 우수한 점착제를 얻기 쉬어진다.

본 실시형태에 따른 점착제는, -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)를 85℃에서의 저장 탄성률 G'(85)로 나눈 값인 저장 탄성률 변화도(-30／85)가, 10.0 이하인 것이 바람직하고, 7.0 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 5.0 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 4.5 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 저온에서의 저탄성률화와, 고온에서의 고탄성률화를 양립하기 쉬워진다.

또한, 상기 저장 탄성률 변화도(-30／85)는, 1.20 이상인 것이 바람직하고, 2.00 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 2.50 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 3.00 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 응집력이 우수한 점착제를 얻기 쉬어진다.

본 실시형태에 따른 점착제의 겔분율은, 40％ 이상인 것이 바람직하고, 50％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 60％ 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 70％ 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 점착제는, 반복 굴곡에 견딜 수 있는 호적한 응집력을 발휘한다. 그 결과, 상술한 내굴곡성이 보다 우수한 것이 된다. 한편, 본 실시형태에 따른 점착제의 겔분율은, 95％ 이하인 것이 바람직하고, 90％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 85％ 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 80％ 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 반복 굴곡에 의한 점착제 중에 있어서의 가교 구조의 파괴가 억제되는 것으로 추정되고, 점착제층 자체가 백탁되는 것이 억제된다. 또, 본 명세서에 있어서의 겔분율의 측정 방법은, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.

본 실시형태에 따른 점착제는, 상기의 물성이 충족되는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 점착 주제와 함께, 저분자량 성분을 함유하는 것임이 바람직하다. 저분자량 성분으로서는, 중량 평균 분자량이, 400 이상, 100000 이하이며, 유리 전이 온도(Tg)가, -40℃ 이하인 것이 바람직하다. 이러한 물성을 가지는 저분자량 성분을 점착 주제와 함께 함유하는 점착제는, 상술한 물성, 특히 -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)를 충족시키기 쉬운 것이 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다. 또한, 본 명세서에 있어서의 유리 전이 온도(Tg)는, 시차 주사 열량 측정 장치에 의한 승온·강온 속도 20℃／분에서의 측정치이다.

상기 저분자량 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은, 얻어지는 점착제의 저장 탄성률 G'(85)를 높게 하는 관점, 혹은 크리프 컴플라이언스 변동치를 낮게 하는 관점에서, 400 이상인 것이 바람직하고, 1000 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 2500 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 3500 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 저분자량 성분의 중량 평균 분자량은, 얻어지는 점착제의 헤이즈치를 낮은 것으로 하는 관점에서, 100000 이하인 것이 바람직하고, 50000 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 20000 이하인 것이 보다 바람직하고, 더욱이는 14000 이하인 것이 바람직하다.

상기 저분자량 성분의 유리 전이 온도(Tg)는, -40℃ 이하인 것이 바람직하고, -45℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 -50℃ 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 -52℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 저분자량 성분의 유리 전이 온도(Tg)는, -80℃ 이상인 것이 바람직하고, -70℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 -65℃ 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 -60℃ 이상인 것이 바람직하다.

상기 저분자량 성분의 구체예에 대해서는, 후술한다.

본 실시형태에 따른 점착제의 종류는, 상술한 물성이 충족되면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리우레탄계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등 중 어느 것이어도 된다. 또한, 상기 점착제는, 에멀젼형, 용제형 또는 무용제형 중 어느 것이어도 되고, 가교 타입 또는 비가교 타입 중 어느 것이어도 된다. 그들 중에서도, 상술한 물성을 충족시키기 쉽고, 점착 물성, 광학 특성 등도 우수한 아크릴계 점착제가 바람직하고, 특히, 용제형의 아크릴계 점착제가 바람직하다.

본 실시형태에 따른 점착제는, 구체적으로는, 점착 주제로서의 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와, 저분자량 성분(B)과, 원하는 바에 따라 가교제(C)를 더 함유하는 점착성 조성물(이하 「점착성 조성물 P」라고 하는 경우가 있음)로부터 얻어지는 점착제인 것이 바람직하다. 이러한 점착제이면, 상술한 물성을 충족시키기 쉽고, 또한, 양호한 점착력이 얻어지기 쉽다. 또, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴산이란, 아크릴산 및 메타크릴산의 양방을 의미한다. 다른 유사 용어도 마찬가지이다. 또한, 「중합체」에는 「공중합체」의 개념도 포함되는 것으로 한다.

(1) 점착성 조성물 P의 성분

(1-1) (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, (메타)아크릴산알킬에스테르와, 분자 내에 반응성 관능기를 가지는 모노머(반응성 관능기 함유 모노머)를 함유하는 것이 바람직하다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, (메타)아크릴산알킬에스테르를 함유함으로써, 바람직한 점착성을 발현할 수 있다. (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르가 바람직하다. 알킬기는, 직쇄상 또는 분기쇄상이어도 되고, 환상 구조를 가지는 것이어도 된다.

알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산n-펜틸, (메타)아크릴산n-헥실, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-데실, (메타)아크릴산n-도데실, (메타)아크릴산미리스틸, (메타)아크릴산팔미틸, (메타)아크릴산스테아릴 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 유리 전이 온도(Tg)를 저하시켜, 얻어지는 점착제를 저탄성화하는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4∼12인 (메타)아크릴산에스테르가 바람직하고, 알킬기의 탄소수가 5∼10인 (메타)아크릴산에스테르가 특히 바람직하다. 구체적으로는, (메타)아크릴산n-부틸 및 (메타)아크릴산2-에틸헥실이 바람직하고, 특히 아크릴산2-에틸헥실이 바람직하다. 또, 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 60질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 80질량％ 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, 특히 90질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이는 95질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 98질량％ 이상 함유하는 것이 가장 바람직하다. 이에 따라, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)에 호적한 점착성을 부여시킬 수 있음과 함께, 얻어지는 점착제의 저탄성률화를 도모하는 것이 용이해진다. 또한, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 99.9질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 특히 99.5질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이는 99.0질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하다. 이에 따라, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 중에 다른 모노머 성분을 원하는 양 도입할 수 있다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 반응성 관능기 함유 모노머를 함유함으로써, 상기 반응성 관능기 함유 모노머 유래의 반응성 관능기를 개재하여, 후술하는 가교제(C), 또는 가교제(C) 및 저분자량 성분(B)과 반응하고, 이에 따라 가교 구조(삼차원 망목(網目) 구조)가 형성되어, 원하는 응집력을 가지는 점착제가 얻어진다. 상기 점착제는, 상술한 크리프 컴플라이언스 변동치 및 크리프 회복률을 충족시키기 쉬운 것이 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 함유하는 반응성 관능기 함유 모노머로서는, 분자 내에 수산기를 가지는 모노머(수산기 함유 모노머), 분자 내에 카르복시기를 가지는 모노머(카르복시기 함유 모노머), 분자 내에 아미노기를 가지는 모노머(아미노기 함유 모노머) 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 반응성 관능기 함유 모노머는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

상기 반응성 관능기 함유 모노머 중에서도, 수산기 함유 모노머 및／또는 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 특히, 수산기 함유 모노머 및 카르복시기 함유 모노머를 병용하는 것이 바람직하다. 수산기 함유 모노머는, 가교 밀도를 조정하기 쉽고, 상술한 크리프 컴플라이언스 변동치 및 크리프 회복률을 충족시키기 쉽다. 또한, 카르복시기 함유 모노머는, 얻어지는 점착제의 점착력을 향상시켜, 피착체와의 밀착성을 높일 수 있다.

수산기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬에스테르 등을 들 수 있다. 상기 중에서도, 상술한 물성의 충족 용이성의 관점에서, 탄소수가 1∼4인 히드록시알킬기를 가지는 (메타)아크릴산히드록시알킬에스테르가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등을 바람직하게 들 수 있고, 특히, 아크릴산2-히드록시에틸 또는 아크릴산4-히드록시부틸을 바람직하게 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복시산을 들 수 있다. 그 중에서도, 얻어지는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 점착력의 점에서 아크릴산이 바람직하다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 반응성 관능기 함유 모노머를, 합계로 0.1질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 특히 0.5질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이는 1.0질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 반응성 관능기 함유 모노머를, 합계로 10질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 7질량％ 이하 함유하는 것이 보다 바람직하고, 특히 5질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이는 2질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하다. 반응성 관능기 함유 모노머에 유래하는 성분은, 저온 하에서 물의 응고를 초래하여 탄성률을 높게 하는 경향이 있지만, 반응성 관능기 함유 모노머의 함유량의 상한치가 상기이면, 이러한 경향을 억제하여, 저온 하에서의 저장 탄성률 G'를 낮게 할 수 있다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 모노머 단위로서 상기의 양으로 반응성 관능기 함유 모노머를 함유하면, 상술한 저장 탄성률 G'를 호적한 범위로 할 수 있다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 모노머 단위로서 상기의 양으로 반응성 관능기 함유 모노머를 함유하면, 가교의 정도를 비교적 강하게 할 수 있으며, 크리프 컴플라이언스 변동치를 저하시킴과 함께, 크리프 회복률을 크게 할 수 있다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 수산기 함유 모노머를, 하한치로서 0.01질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 0.1질량％ 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, 특히 0.4질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이는 0.8질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 수산기 함유 모노머를, 상한치로서 10질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 7질량％ 이하 함유하는 것이 보다 바람직하고, 특히 4.8질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이는 1.8질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하다. (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 모노머 단위로서 상기의 양으로 수산기 함유 모노머를 함유하면, 상술한 저장 탄성률 G', 크리프 컴플라이언스 변동치 및 크리프 회복률을 충족시키기 쉬운 것이 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 카르복시기 함유 모노머를 함유하지 않아도 되지만, 카르복시기 함유 모노머를 함유할 경우에는, 0.005질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 0.01질량％ 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, 특히 0.1질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이는 0.2질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 카르복시기 함유 모노머를 함유할 경우, 상한치로서 7질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 4질량％ 이하 함유하는 것이 보다 바람직하고, 특히 1.5질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 더욱이는 0.8질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하다. (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 모노머 단위로서 상기의 양으로 카르복시기 함유 모노머를 함유하면, 얻어지는 점착제를 반복 굴곡 디바이스에 적용했을 경우에, 내굴곡성이 보다 우수한 것이 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 원하는 바에 따라, 상기 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 다른 모노머를 함유해도 된다. 다른 모노머로서는, 반응성 관능기 함유 모노머의 상술한 작용을 저해하지 않기 위해서라도, 반응성 관능기를 함유하지 않는 모노머가 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들면, N-아크릴로일모르폴린, N-비닐-2-피롤리돈 등의 비반응성의 질소 원자 함유 모노머, (메타)아크릴산메톡시에틸, (메타)아크릴산에톡시에틸 등의 (메타)아크릴산알콕시알킬에스테르, 아세트산비닐, 스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중합 태양은, 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중량 평균 분자량은, 40만 이상인 것이 바람직하고, 70만 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 90만 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 110만 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 고온에서의 저장 탄성률 G'의 저하를 방지할 수 있음과 함께, 크리프 컴플라이언스 변동치의 저하에 기여할 수 있다. 한편, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중량 평균 분자량은, 300만 이하인 것이 바람직하고, 200만 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 170만 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 140만 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 저온에서의 저장 탄성률 G'가 지나치게 높아지는 것을 방지할 수 있다. 또, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.

점착성 조성물 P에 있어서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

(1-2) 저분자량 성분(B)

저분자량 성분(B)으로서는, 상술한 중량 평균 분자량 및 유리 전이 온도(Tg)를 가지는 것이면 되고, 예를 들면, 아크릴계 올리고머, 실리콘계 올리고머, 올레핀계 올리고머 등을 사용하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 따른 점착제가 아크릴계 점착제이며, 점착 주제로서 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 사용할 경우에는, 상기 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와의 상용성의 관점에서, 아크릴계 올리고머를 사용하는 것이 바람직하다. 아크릴계 올리고머를 사용함으로써, 상술한 물성이 보다 충족되기 쉬워진다.

또한, 저분자량 성분(B)은, 반응성 관능기를 가지는 것임이 바람직하다. 저분자량 성분(B)이 반응성 관능기를 가짐으로써, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 가지는 관능기나, 후술하는 가교제(C)와 반응하여 가교 구조의 일부를 형성해, 소정의 응집력이 얻어진다. 그 결과, 상술한 크리프 컴플라이언스 변동치 및 크리프 회복률이 보다 충족되기 쉬워진다. 또한, 저분자량 성분(B)이 가교 구조의 일부를 형성해, 점착제 중에 도입됨으로써, 점착제로부터의 브리드 아웃을 억제하여, 점착력이 저하하는 것을 방지할 수 있다.

저분자량 성분(B)이 가지는 반응성 관능기의 종류로서는, 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 에폭시기, 티올기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 후술하는 가교제(C), 특히 이소시아네이트계 가교제와의 반응성이 우수한 수산기, 또는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 가지는 카르복시기와의 반응성이 우수한 에폭시기가 바람직하다.

반응성 관능기가 수산기인 경우, 저분자량 성분(B) 중에 있어서의 수산기의 양은, 1∼1000㎎KOH／g이 바람직하고, 5∼100㎎KOH／g이 보다 바람직하고, 10∼70㎎KOH／g이 특히 바람직하고, 15∼30㎎KOH／g이 더 바람직하다. 또한, 반응성 관능기가 에폭시기인 경우, 저분자량 성분(B) 중에 있어서의 에폭시기의 양은, 0.01∼100meq／g이 바람직하고, 0.1∼10meq／g이 보다 바람직하고, 0.7∼7meq／g이 특히 바람직하고, 1.2∼3meq／g이 더 바람직하다.

아크릴계 올리고머는, 아크릴계 모노머의 1종 또는 2종 이상, 그리고 원하는 바에 따라 다른 모노머를 중합한 것이다. 아크릴계 올리고머는, 상기 올리고머를 구성하는 모노머 단위로서, (메타)아크릴산알킬에스테르와, 반응성 관능기 함유 모노머를 함유하는 것이 바람직하다.

점착성 조성물 P 중에 있어서의 저분자량 성분(B)의 함유량은, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상인 것이 바람직하고, 1질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 5질량부 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 10질량부 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 얻어지는 점착제의 저장 탄성률 G', 특히 -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)를 낮게 하는데 기여할 수 있다. 또한, 상기 함유량은, 80질량부 이하인 것이 바람직하고, 50질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 30질량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 20질량부 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 크리프 컴플라이언스 변동치의 상승이나, 브리드 아웃에 의한 점착력의 저하 등을 억제할 수 있다.

(1-3) 가교제(C)

가교제(C)는, 상기 가교제(C)를 함유하는 점착성 조성물 P의 가열 등을 트리거로 하여, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A), 또는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 및 저분자량 성분(B)을 가교해, 삼차원 망목 구조를 형성한다. 이에 따라, 얻어지는 점착제의 응집력이 향상해, 상술한 크리프 컴플라이언스 변동치 및 크리프 회복률이 충족되기 쉬워진다.

상기 가교제(C)로서는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A), 또는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 및 저분자량 성분(B)이 가지는 반응성 관능기와 반응하는 것이면 되고, 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아민계 가교제, 멜라민계 가교제, 아지리딘계 가교제, 히드라진계 가교제, 알데히드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 암모늄염계 가교제 등을 들 수 있다. 또, 가교제(C)는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

상기 중에서도, 이소시아네이트계 가교제는, 특히 수산기와의 반응성이 우수하고, 에폭시계 가교제는, 특히 카르복시기와의 반응성이 우수하다. 따라서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 및／또는 저분자량 성분(B)이 수산기를 가질 경우에는, 이소시아네이트계 가교제를 사용하는 것이 바람직하고, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 및／또는 저분자량 성분(B)이 카르복시기를 가질 경우에는, 에폭시계 가교제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 수산기 및 카르복시기를 가질 경우에는, 이소시아네이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 병용하는 것이 바람직하다.

이소시아네이트계 가교제는, 적어도 폴리이소시아네이트 화합물을 포함하는 것이다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트 등, 및 그들의 뷰렛체, 이소시아누레이트체, 더욱이는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물인 어덕트체 등을 들 수 있다. 그 중에서도 수산기와의 반응성의 관점에서, 트리메틸올프로판 변성의 방향족 폴리이소시아네이트, 특히 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트 또는 트리메틸올프로판 변성 자일릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.

에폭시계 가교제로서는, 예를 들면, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜아민 등을 들 수 있다. 그 중에서도 카르복시기와의 반응성의 관점에서, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민이 바람직하다.

점착성 조성물 P 중에 있어서의 가교제(C)의 함유량은, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대하여, 0.001질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.01질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.05질량부 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.1질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 함유량은, 30질량부 이하인 것이 바람직하고, 10질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 5질량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 1질량부 이하인 것이 바람직하다. 가교제(C)의 함유량이 상기의 범위 내에 있으면, 상술한 크리프 컴플라이언스 변동치 및 크리프 회복률이 충족되기 쉬워진다.

이소시아네이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 병용할 경우, 점착성 조성물 P 중에 있어서의 이소시아네이트계 가교제의 함유량은, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대하여, 0.0009질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.009질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.09질량부 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.1질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 함유량은, 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 9질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 4질량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.8질량부 이하인 것이 바람직하다.

이소시아네이트계 가교제 및 에폭시계 가교제를 병용할 경우, 점착성 조성물 P 중에 있어서의 에폭시계 가교제의 함유량은, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대하여, 0.0001질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.001질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.01질량부 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.1질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 함유량은, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.8질량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.4질량부 이하인 것이 바람직하다.

(1-4) 각종 첨가제

점착성 조성물 P에는, 원하는 바에 따라, 아크릴계 점착제에 통상 사용되고 있는 각종 첨가제, 예를 들면, 실란커플링제, 자외선 흡수제, 대전 방지제, 점착 부여제, 산화 방지제, 광안정제, 연화제, 충전제, 굴절률 조정제 등을 첨가할 수 있다. 또, 후술하는 중합 용매나 희석 용매는, 점착성 조성물 P를 구성하는 첨가제에 포함되지 않는 것으로 한다.

점착성 조성물 P는, 상기의 실란커플링제를 함유하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 얻어지는 점착제층에 있어서, 피착체인 굴곡성 부재와의 밀착성이 향상해, 점착력이 보다 바람직한 것이 된다.

실란커플링제로서는, 분자 내에 알콕시실릴기를 적어도 1개 가지는 유기 규소 화합물로서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와의 상용성이 좋고, 광투과성을 가지는 것이 바람직하다.

이러한 실란커플링제로서는, 예를 들면, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 중합성 불포화기 함유 규소 화합물, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시 구조를 가지는 규소 화합물, 3-멜캅토프로필트리메톡시실란, 3-멜캅토프로필트리에톡시실란, 3-멜캅토프로필디메톡시메틸실란 등의 멜캅토기 함유 규소 화합물, 3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란 등의 아미노기 함유 규소 화합물, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 혹은 이들 중 적어도 1개와, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란 등의 알킬기 함유 규소 화합물과의 축합물 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

점착성 조성물 P 중에 있어서의 실란커플링제의 함유량은, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상인 것이 바람직하고, 특히 0.05질량부 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.1질량부 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 함유량은, 1질량부 이하인 것이 바람직하고, 특히 0.5질량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.3질량부 이하인 것이 바람직하다. 실란커플링제의 함유량이 상기의 범위에 있음으로써, 얻어지는 점착제층은, 피착체인 굴곡성 부재와의 밀착성이 향상해, 점착력이 보다 큰 것이 된다.

(2) 점착성 조성물 P의 제조

점착성 조성물 P는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 제조하여, 얻어진 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와, 저분자량 성분(B)과, 원하는 바에 따라 가교제(C)를 혼합함과 함께, 원하는 바에 따라 첨가제를 더 더함으로써 제조할 수 있다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 중합체를 구성하는 모노머의 혼합물을 통상의 라디칼 중합법으로 중합함으로써 제조할 수 있다. (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중합은, 원하는 바에 따라 중합개시제를 사용하여, 용액 중합법에 의해 행하는 것이 바람직하다. 용액 중합법에 의해 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 중합함으로써, 얻어지는 중합체의 고분자량화와, 분자량 분포의 조정이 용이해진다. 이 때문에, 장기간의 굴곡에 수반하는 점착제의 치우침이 생기기 어려워, 굴곡 상태로부터의 복원성이 보다 우수한 것이 된다.

용액 중합법에서 사용하는 중합 용매로서는, 예를 들면, 아세트산에틸, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 톨루엔, 아세톤, 헥산, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있고, 2종류 이상을 병용해도 된다.

중합개시제로서는, 아조계 화합물, 유기 과산화물 등을 들 수 있고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 아조계 화합물로서는, 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산1-카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸-4-메톡시발레로니트릴), 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 2,2'-아조비스(2-히드록시메틸프로피오니트릴), 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판] 등을 들 수 있다.

유기 과산화물로서는, 예를 들면, 과산화벤조일, t-부틸퍼벤조에이트, 쿠멘히드로퍼옥사이드, 디이소프로필퍼옥시디카보네이트, 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트, 디(2-에톡시에틸)퍼옥시디카보네이트, t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, (3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드, 디프로피오닐퍼옥사이드, 디아세틸퍼옥사이드 등을 들 수 있다.

또, 상기 중합 공정에 있어서, 2-멜캅토에탄올 등의 연쇄 이동제를 배합함으로써, 얻어지는 중합체의 중량 평균 분자량을 조절할 수 있다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 얻어지면, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 용액에, 저분자량 성분(B), 그리고 원하는 바에 따라 가교제(C), 첨가제 및 희석 용제를 첨가하여, 충분히 혼합함으로써, 용제에서 희석된 점착성 조성물 P(도포 용액)를 얻는다.

또, 상기 각 성분 중 어느 것에 있어서, 고체상인 것을 이용할 경우, 혹은, 희석되어 있지 않은 상태에서 다른 성분과 혼합했을 때에 석출을 일으킬 경우에는, 그 성분을 단독으로 미리 희석 용매에 용해 혹은 희석하고 나서, 그 외의 성분과 혼합해도 된다.

상기 희석 용제로서는, 예를 들면, 헥산, 헵탄, 시클로헥산 등의 지방족 탄화수소, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 염화메틸렌, 염화에틸렌 등의 할로겐화 탄화수소, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 1-메톡시-2-프로판올 등의 알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜탄온, 이소포론, 시클로헥산온 등의 케톤, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르, 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브계 용제 등이 이용된다.

이와 같이 하여 조제된 도포 용액의 농도·점도로서는, 코팅 가능한 범위이면 되고, 특별히 제한되지 않고, 상황에 따라 적절히 선정할 수 있다. 예를 들면, 점착성 조성물 P의 농도가 10∼60질량％가 되도록 희석한다. 또, 도포 용액을 얻는데 있어서, 희석 용제 등의 첨가는 필요 조건이 아니고, 점착성 조성물 P가 코팅 가능한 점도 등이면, 희석 용제를 첨가하지 않아도 된다. 이 경우, 점착성 조성물 P는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중합 용매를 그대로 희석 용제로 하는 도포 용액이 된다.

(3) 점착제의 제조

본 실시형태에 따른 점착제는, 바람직하게는 점착성 조성물 P로부터 얻어지는 것이며, 보다 바람직하게는 점착성 조성물 P를 가교하여 이루어지는 것이다. 점착성 조성물 P의 가교는, 통상은 가열 처리에 의해 행할 수 있다. 또, 이 가열 처리는, 원하는 대상물에 도포한 점착성 조성물 P의 도막으로부터 희석 용제 등을 휘발시킬 때의 건조 처리로 겸할 수도 있다.

가열 처리의 가열 온도는, 50∼150℃인 것이 바람직하고, 특히 70∼120℃인 것이 바람직하다. 또한, 가열 시간은, 10초∼10분인 것이 바람직하고, 특히 50초∼2분인 것이 바람직하다.

가열 처리 후, 필요에 따라, 상온(예를 들면, 23℃, 50％RH)에서 1∼2주간 정도의 양생 기간을 마련해도 된다. 이 양생 기간이 필요한 경우는, 양생 기간 경과 후, 양생 기간이 불필요한 경우에는, 가열 처리 종료 후, 점착제가 형성된다.

상기의 가열 처리(및 양생)에 의해, 가교제(C)를 통해, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A), 또는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 및 저분자량 성분(B)이 충분히 가교되어 가교 구조가 형성되고, 점착제가 얻어진다.

또, 본 실시형태에 따른 점착제에서는, 특히 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 유리 전이 온도(Tg)를 낮게 함과 함께, 저분자량 성분(B)을 첨가함으로써, 저장 탄성률 G', 특히 저온에서의 저장 탄성률 G'를 저하시키고, 한편으로, 가교를 제대로 행함으로써, 크리프 컴플라이언스 변동치를 저하시키는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상술한 -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30) 및 크리프 컴플라이언스 변동치의 2개의 물성치의 양립을 실현하기 쉬워진다.

〔점착 시트〕

본 실시형태에 따른 점착 시트는, 반복 굴곡 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재와 다른 굴곡성 부재를 첩합하기 위한 점착제층을 가지고, 상기 점착제층이, 상술한 점착제로 이루어지는 것이다.

본 실시형태에 따른 점착 시트의 일례로서의 구체적 구성을 도 1에 나타낸다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에 따른 점착 시트(1)는, 2매의 박리 시트(12a, 12b)와, 그들 2매의 박리 시트(12a, 12b)의 박리면과 접하도록 상기 2매의 박리 시트(12a, 12b)에 협지된 점착제층(11)으로 구성된다. 또, 본 명세서에 있어서의 박리 시트의 박리면이란, 박리 시트에 있어서 박리성을 가지는 면을 말하며, 박리 처리를 실시한 면 및 박리 처리를 실시하지 않아도 박리성을 나타내는 면 어느 것이나 포함하는 것이다.

(1) 구성 요소

(1-1) 점착제층

점착제층(11)은, 상술한 실시형태에 따른 점착제로 구성되고, 바람직하게는, 점착성 조성물 P를 가교하여 이루어지는 점착제로 구성된다.

본 실시형태에 따른 점착 시트(1)에 있어서의 점착제층(11)의 두께(JIS K7130에 준하여 측정한 값)는, 하한치로서 1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 5㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 10㎛ 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 15㎛ 이상인 것이 바람직하다. 점착제층(11)의 두께의 하한치가 상기이면, 원하는 점착력을 발휘하기 쉽고, 점착제층과 피착체와의 계면에 들뜸이나 벗겨짐이 보다 발생하기 어려운 것이 된다. 또한, 점착제층(11)의 두께는, 상한치로서 300㎛ 이하인 것이 바람직하고, 150㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 90㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 얇은 반복 굴곡 디바이스를 얻을 수 있는 관점에서, 더욱이는 40㎛ 이하인 것이 바람직하다. 점착제층(11)의 두께의 상한치가 상기이면, 점착제층과 피착체와의 밀착성이 유지되기 쉬워지기 때문에, 내굴곡성이 보다 우수한 것이 되며, 또한, 점착제층에 걸리는 응력이 비교적 작아져, 굴곡 상태로부터 복원하기 쉬워진다. 또, 점착제층(11)은 단층으로 형성해도 되고, 복수층을 적층하여 형성할 수도 있다.

(1-2) 박리 시트

박리 시트(12a, 12b)는, 점착 시트(1)의 사용 시까지 점착제층(11)을 보호하는 것이며, 점착 시트(1)(점착제층(11))를 사용할 때에 박리된다. 본 실시형태에 따른 점착 시트(1)에 있어서, 박리 시트(12a, 12b)의 일방 또는 양방은 반드시 필요한 것은 아니다.

박리 시트(12a, 12b)로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등이 이용된다. 또한, 이들의 가교 필름도 이용된다. 또한, 이들의 적층 필름이어도 된다.

상기 박리 시트(12a, 12b)의 박리면(특히 점착제층(11)과 접하는 면)에는, 박리 처리가 실시되고 있는 것이 바람직하다. 박리 처리에 사용되는 박리제로서는, 예를 들면, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계의 박리제를 들 수 있다. 또, 박리 시트(12a, 12b) 중, 일방의 박리 시트를 박리력이 큰 중박리형 박리 시트로 하고, 타방의 박리 시트를 박리력이 작은 경박리형 박리 시트로 하는 것이 바람직하다.

박리 시트(12a, 12b)의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 통상 20∼150㎛ 정도이다.

(2) 물성

(2-1) 헤이즈치

본 실시형태에 따른 점착 시트(1)에 있어서의 점착제층(11)의 헤이즈치는, 30％ 이하인 것이 바람직하고, 10％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 특히 1％ 이하인 것이 바람직하고, 더욱이는 0.8％ 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 굴곡에 의한 점착제층(11)의 외관 변화를 억제할 수 있다. 또한, 상기 헤이즈치의 하한치는 특별히 제약되지 않지만, 0％ 이상인 것이 바람직하고, 0.01％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.03％ 이상인 것이 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서의 헤이즈치는, JIS K7136:2000에 준하여 측정한 값이다.

(2-2) 점착력

본 실시형태에 따른 점착 시트(1)의 소다 라임 유리에 대한 점착력은, 하한치로서 0.1N／25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 1.0N／25㎜ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 1.3N／25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 더욱이는 1.4N／25㎜ 이상인 것이 바람직하다. 점착 시트(1)의 점착력의 하한치가 상기이면, 점착제층과 피착체와의 계면에 굴곡에 의한 들뜸이나 벗겨짐이 보다 발생하기 어려운 것이 된다. 한편, 상기 점착력의 상한치는 특별히 한정되지 않지만, 통상은, 60N／25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 40N／25㎜ 이하인 것이 보다 바람직하고, 점착 시트의 첩합 미스를 했을 때, 점착 시트의 재첩합을 가능하게 하는 리워크성의 관점에 있어서는, 20N／25㎜ 이하인 것이 특히 바람직하고, 10N／25㎜ 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서의 점착력은, 기본적으로는 JIS Z0237:2009에 준한 180도 박리법에 의해 측정한 점착력을 말하며, 구체적인 시험 방법은, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.

(3) 점착 시트의 제조

점착 시트(1)의 일 제조예로서, 상기 점착성 조성물 P를 사용했을 경우에 대해서 설명한다. 일방의 박리 시트(12a)(또는 12b)의 박리면에, 점착성 조성물 P의 도포액을 도포하고, 가열 처리를 행하여 점착성 조성물 P를 열가교하고, 도포층을 형성한 후, 그 도포층에 타방의 박리 시트(12b)(또는 12a)의 박리면을 중첩한다. 양생 기간이 필요한 경우는 양생 기간을 둠으로써, 양생 기간이 불필요한 경우는 그대로, 상기 도포층이 점착제층(11)이 된다. 이에 따라, 상기 점착 시트(1)가 얻어진다. 가열 처리 및 양생의 조건에 대해서는, 상술한 바와 같다.

점착 시트(1)의 다른 제조예로서는, 일방의 박리 시트(12a)의 박리면에, 점착성 조성물 P의 도포액을 도포하고, 가열 처리를 행하여 점착성 조성물 P를 열가교하고, 도포층을 형성하여, 도포층 부착된 박리 시트(12a)를 얻는다. 또한, 타방의 박리 시트(12b)의 박리면에, 상기 점착성 조성물 P의 도포액을 도포하고, 가열 처리를 행하여 점착성 조성물 P를 열가교하고, 도포층을 형성하여, 도포층 부착된 박리 시트(12b)를 얻는다. 그리고, 도포층 부착된 박리 시트(12a)와 도포층 부착된 박리 시트(12b)를, 양(兩)도포층이 서로 접촉하도록 첩합한다. 양생 기간이 필요한 경우는 양생 기간을 둠으로써, 양생 기간이 불필요한 경우는 그대로, 상기의 적층된 도포층이 점착제층(11)이 된다. 이에 따라, 상기 점착 시트(1)가 얻어진다. 이 제조예에 의하면, 점착제층(11)이 비교적 두꺼운 경우에도, 안정적으로 제조하는 것이 가능해진다.

상기 점착성 조성물 P의 도포액을 도포하는 방법으로서는, 예를 들면 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비아 코팅법 등을 이용할 수 있다.

〔반복 굴곡 적층 부재〕

도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반복 굴곡 적층 부재(2)는, 제1 굴곡성 부재(21)(하나의 굴곡성 부재)와, 제2 굴곡성 부재(22)(다른 굴곡성 부재)와, 그들 사이에 위치해, 제1 굴곡성 부재(21) 및 제2 굴곡성 부재(22)를 서로 첩합하는 점착제층(11)을 구비하여 구성된다.

상기 반복 굴곡 적층 부재(2)에 있어서의 점착제층(11)은, 상술한 점착제로 구성되거나, 또는 상술한 점착 시트(1)의 점착제층(11)이다.

반복 굴곡 적층 부재(2)는, 반복 굴곡 디바이스 자체이거나, 또는 반복 굴곡 디바이스의 일부를 구성하는 부재이다. 반복 굴곡 디바이스는, 반복적인 굴곡(접어 구부림을 포함함)이 가능한 디스플레이인 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것이 아니다. 이러한 반복 굴곡 디바이스로서는, 예를 들면, 유기 일렉트로 루미네선스(유기 EL) 디스플레이, 전기 영동 방식의 디스플레이(전자 페이퍼), 기판으로서 플라스틱 기판(필름)을 이용한 액정 디스플레이, 폴더블 디스프레이 등을 들 수 있고, 터치 패널이어도 된다.

제1 굴곡성 부재(21) 및 제2 굴곡성 부재(22)는, 반복적인 굴곡(접어 구부림을 포함함)이 가능한 부재이며, 예를 들면, 커버 필름, 배리어 필름, 하드 코팅 필름, 편광 필름(편광판), 편광자, 위상차 필름(위상차판), 시야각 보상 필름, 휘도 향상 필름, 콘트라스트 향상 필름, 확산 필름, 반투과 반사 필름, 전극 필름, 투명 도전성 필름, 금속 메쉬 필름, 필름 센서(터치 센서 필름), 액정 폴리머 필름, 발광 폴리머 필름, 필름상 액정 모듈, 유기 EL 모듈(유기 EL 필름, 유기 EL 소자), 전자 페이퍼 모듈(필름상 전자 페이퍼), TFT(Thin Film Transistor) 기판 등을 들 수 있다.

제1 굴곡성 부재(21) 및 제2 굴곡성 부재(22)의 영률은, 각각 0.1∼10㎬인 것이 바람직하고, 특히 0.5∼7㎬인 것이 바람직하고, 더욱이는 1∼5㎬인 것이 바람직하다. 제1 굴곡성 부재(21) 및 제2 굴곡성 부재(22)의 영률이 이러한 범위에 있음으로써, 각 굴곡성 부재에 대해서 반복 굴곡시키는 것이 용이해진다.

제1 굴곡성 부재(21) 및 제2 굴곡성 부재(22)의 두께는, 각각 10∼3000㎛인 것이 바람직하고, 특히 25∼1000㎛인 것이 바람직하고, 더욱이는 50∼500㎛인 것이 바람직하다. 제1 굴곡성 부재(21) 및 제2 굴곡성 부재(22)의 두께가 이러한 범위에 있음으로써, 각 굴곡성 부재에 대해서 반복 굴곡시키는 것이 용이해진다.

상기 반복 굴곡 적층 부재(2)를 제조하려면, 일례로서, 점착 시트(1)의 일방의 박리 시트(12a)를 박리하여, 점착 시트(1)의 노출된 점착제층(11)을, 제1 굴곡성 부재(21)의 일방의 면에 첩합한다.

그 후, 점착 시트(1)의 점착제층(11)으로부터 타방의 박리 시트(12b)를 박리하여, 점착 시트(1)의 노출된 점착제층(11)과 제2 굴곡성 부재(22)를 첩합하여, 반복 굴곡 적층 부재(2)를 얻는다. 또한, 다른 예로서, 제1 굴곡성 부재(21) 및 제2 굴곡성 부재(22)의 첩합 순서를 교체해도 된다.

〔반복 굴곡 디바이스〕

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 상기의 반복 굴곡 적층 부재(2)를 구비한 것이며, 반복 굴곡 적층 부재(2)만으로 이루어져도 되고, 하나 또는 복수의 반복 굴곡 적층 부재(2)와, 다른 굴곡성 부재를 구비하여 구성되어도 된다. 하나의 반복 굴곡 적층 부재(2)와 다른 반복 굴곡 적층 부재(2)를 적층할 때, 또는 반복 굴곡 적층 부재(2)와 다른 굴곡성 부재를 적층할 때에는, 상술한 점착 시트(1)의 점착제층(11)을 개재하여 적층하는 것이 바람직하다.

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 점착제층이 상술한 점착제로 이루어지기 때문에, 반복 굴곡되었을 경우나, 장기간 굴곡 상태에 놓였을 경우에, 점착제층(11)과 피착체(제1 굴곡성 부재(21) 및 제2 굴곡성 부재(22))와의 계면에 들뜸이나 벗겨짐이 발생하기 어렵다. 또한, 점착제층(11)을 구성하는 점착제가 상술한 크리프 회복률을 충족시킬 경우에는, 굴곡 상태로부터의 복원성도 우수하다.

본 실시형태에 있어서의 일례로서의 반복 굴곡 디바이스를 도 3에 나타낸다. 또, 본 발명에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 상기 반복 굴곡 디바이스에 한정되는 것이 아니다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스(3)는, 위에서부터 순서대로, 커버 필름(31)과, 제1 점착제층(32)과, 편광 필름(33)과, 제2 점착제층(34)과, 터치 센서 필름(35)과, 제3 점착제층(36)과, 유기 EL 소자(37)와, 제4 점착제층(38)과, TFT 기판(39)을 적층하여 구성된다. 상기의 커버 필름(31), 편광 필름(33), 터치 센서 필름(35), 유기 EL 소자(37) 및 TFT 기판(39)은, 굴곡성 부재에 해당된다.

제1 점착제층(32), 제2 점착제층(34), 제3 점착제층(36) 및 제4 점착제층(38) 중 적어도 어느 1층은, 상술한 점착 시트(1)의 점착제층(11)이다. 제1 점착제층(32), 제2 점착제층(34), 제3 점착제층(36) 및 제4 점착제층(38) 중 어느 2층 이상이 상술한 점착 시트(1)의 점착제층(11)인 것이 바람직하고, 모든 점착제층(32, 34, 36, 38)이 점착 시트(1)의 점착제층(11)인 것이 가장 바람직하다.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 기재된 것으로, 본 발명을 한정하기 위해 기재된 것이 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.

예를 들면, 점착 시트(1)에 있어서의 박리 시트(12a, 12b) 중 어느 일방 또는 양방은 생략되어도 되고, 또한, 박리 시트(12a 및／또는 12b) 대신에 원하는 굴곡성 부재가 적층되어도 된다.

(실시예)

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등으로 한정되는 것이 아니다.

〔실시예 1〕

1. (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 조제

아크릴산2-에틸헥실 98.5질량부, 아크릴산4-히드록시부틸 1.0질량부, 및 아크릴산 0.5질량부를 용액 중합법에 의해 공중합시켜, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 조제했다. 이 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정한 바, 중량 평균 분자량(Mw)은 120만이었다.

2. 점착성 조성물의 조제

상기 공정 1에서 얻어진 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부(고형분 환산치; 이하 같음)와, 저분자량 성분(B)으로서의 수산기 함유 아크릴계 올리고머(B1; 도아고세이사제, 제품명 「ARUFON(등록상표) UH-2000」, 수산기 함유량: 20mgKOH／g, Mw: 11000, Tg: -55℃) 15질량부와, 이소시아네이트계 가교제(C1)로서의 트리메틸올프로판 변성 자일릴렌디이소시아네이트(XDI; 소켄가가쿠사제, 제품명 「TD-75」) 0.3질량부와, 에폭시계 가교제(C2)로서의 N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민 0.2질량부와, 실란커플링제로서의 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(SC1) 0.2질량부를 혼합하고, 충분히 교반하여, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써, 점착성 조성물의 도포 용액을 얻었다.

3. 점착 시트의 제조

얻어진 점착성 조성물의 도포 용액을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면을 실리콘계 박리제로 박리 처리한 중박리형 박리 시트(린텍사제, 제품명 「SP-PET752150」)의 박리 처리면에, 나이프 코터로 도포했다. 그리고, 도포층에 대해, 90℃에서 1분간 가열 처리하여 도포층을 형성했다.

그 다음에, 상기에서 얻어진 중박리형 박리 시트 상의 도포층과, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면을 실리콘계 박리제로 박리 처리한 경박리형 박리 시트(린텍사제, 제품명 「SP-PET381130」)를, 상기 경박리형 박리 시트의 박리 처리면이 도포층에 접촉하도록 첩합하고, 23℃, 50％RH의 조건 하에서 7일간 양생함으로써, 두께 25㎛의 점착제층을 가지는 점착 시트, 즉, 중박리형 박리 시트／점착제층(두께: 25㎛)／경박리형 박리 시트의 구성으로 이루어지는 점착 시트를 제작했다. 또, 점착제층의 두께는, JIS K7130에 준거해, 정압 두께 측정기(테크로크사제, 제품명 「PG-02」)를 사용하여 측정한 값이다.

여기에서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 100질량부(고형분 환산치)로 했을 경우의 점착성 조성물의 각 배합(고형분 환산치)을 표 1에 나타낸다. 또, 표 1에 기재된 약호 등의 상세는 이하와 같다.

[(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)]

2EHA: 아크릴산2-에틸헥실

4HBA: 아크릴산4-히드록시부틸

AAc: 아크릴산

[저분자량 성분(B)]

B1: 수산기 함유 아크릴계 올리고머(도아고세이사제, 제품명 「ARUFON(등록상표) UH-2000」, 수산기 함유량: 20mgKOH／g, Mw: 11000, Tg: -55℃)

B2: 에폭시기 함유 아크릴계 올리고머(도아고세이사제, 제품명 「ARUFON UG-4010」, 에폭시기 함유량: 1.4meq／g, Mw: 2900, Tg: -57℃)

B3: 무관능 아크릴계 올리고머 도아고세이사제, 제품명 「ARUFON UP-1000」, Mw: 3000, Tg: -77℃)

[이소시아네이트계 가교제(C1)]

XDI: 트리메틸올프로판 변성 자일릴렌디이소시아네이트(소켄가가쿠사제, 제품명 「TD-75」)

TDI: 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트(도요켐사제, 제품명 「BHS8515」)

[에폭시계 가교제(C2)]

N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민

[실란커플링제]

SC1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란

SC2: 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산

〔실시예 2∼4, 비교예 1∼4〕

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 구성하는 각 모노머의 종류 및 비율, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중량 평균 분자량(Mw), 저분자량 성분(B)의 종류 및 배합량, 이소시아네이트계 가교제(C1)의 종류, 에폭시계 가교제(C2)의 배합량, 그리고 실란커플링제의 종류를 표 1에 나타내는 바와 같이 변경하는 것 이외, 실시예 1과 마찬가지로 하여 점착 시트를 제조했다.

상술한 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)를 이용하여 이하의 조건으로 측정(GPC 측정)한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.

<측정 조건>

·GPC 측정 장치: 도소사제, HLC-8020

·GPC 칼럼(이하의 순으로 통과): 도소사제

TSK guard column HXL-H

TSK gel GMHXL(×2)

TSK gel G2000HXL

·측정 용매: 테트라히드로퓨란

·측정 온도: 40℃

〔시험예 1〕(겔분율의 측정)

실시예 및 비교예에서 제작한 점착 시트를 80㎜×80㎜의 사이즈로 재단하여, 그 점착제층을 폴리에스테르제 메쉬(품명: 테토론 메쉬 #200)로 감싸, 그 질량을 정밀 천칭으로 칭량하고, 상기 메쉬 단독의 질량을 뺌으로써, 점착제만의 질량을 산출했다. 이때의 질량을 M1로 한다.

다음으로, 상기 폴리에스테르제 메쉬로 감싸인 점착제를, 실온 하(23℃)에서 아세트산에틸에 24시간 침지시켰다. 그 후 점착제를 취출하여, 온도 23℃, 상대습도 50％의 환경 하에서, 24시간 풍건시키고, 80℃의 오븐 중에서 12시간 더 건조시켰다. 건조 후, 그 질량을 정밀 천칭으로 칭량하고, 상기 메쉬 단독의 질량을 뺌으로써, 점착제만의 질량을 산출했다. 이때의 질량을 M2로 한다. 겔분율(％)은, (M2／M1)×100으로 표시된다. 결과를 표 2에 나타낸다.

〔시험예 2〕(저장 탄성률 G'의 측정)

실시예 및 비교예에서 제작한 점착 시트의 점착제층을 복수층 적층하여, 두께 800㎛의 적층체로 했다. 얻어진 점착제층의 적층체로부터, 직경 8㎜의 원주체(높이 800㎛)를 펀칭하고, 이것을 샘플로 했다.

상기 샘플에 대해서, JIS K7244-6에 준거해, 점탄성 측정기(Anton paar사제, 제품명 「MCR302」)를 이용하여 비틀림 전단법에 의해, 이하의 조건으로 저장 탄성률 G'를 측정하고, -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30), 25℃에서의 저장 탄성률 G'(25) 및 85℃에서의 저장 탄성률 G'(85)(㎫)를 취득했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

측정 주파수: 1㎐

승온 속도: 5℃／min

스트레인: 1％

노멀 포스: 1.0N

측정 온도: -30℃∼140℃

또한, 취득한 결과에 의거하여, 저장 탄성률 G'(-30)를 저장 탄성률 G'(25)로 나눈 값인 저장 탄성률 변화도(-30／25), 및 저장 탄성률 G'(-30)를 저장 탄성률 G'(85)로 나눈 값인 저장 탄성률 변화도(-30／85)를 산출했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

〔시험예 3〕(크리프 컴플라이언스의 측정)

실시예 및 비교예에서 제작한 점착 시트의 점착제층을 복수층 적층하여, 두께 800㎛의 적층체로 했다. 얻어진 점착제층의 적층체로부터, 직경 8㎜의 원주체(높이 800㎛)를 펀칭하고, 이것을 샘플로 했다.

상기 샘플에 대해서, 점탄성 측정 장치(Anton paar사제, 제품명 「MCR302」)를 이용하여, 이하의 조건으로 4500㎩의 응력을 계속 인가해, 크리프 컴플라이언스 J(t)(㎫^-1)를 측정했다. 그 측정 결과로부터, 4500㎩의 응력이 인가되었을 때의 값을 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(㎫^-1)로 하고, 상기 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고 나서 1200초 후까지 측정된 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(㎫^-1)를 도출했다.

측정 온도: 25℃

측정점: 1000점(대수(對數) 플롯)

얻어진 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(㎫^-1) 및 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(㎫^-1)로부터, 이하의 식(Ⅰ)에 의거하여, 크리프 컴플라이언스 변동치 ΔlogJ(t)를 산출했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

ΔlogJ(t)＝logJ(t)_max―logJ(t)_min … (Ⅰ)

또한, 상기 샘플에 대해서, 점탄성 측정 장치(Anton paar사제, 제품명 「MCR302」)를 이용하여, 이하의 조건으로 4500㎩의 응력을 계속 인가한 후, 인가 응력을 0㎩로 하여, 잠시 그 상태를 유지했다. 그 사이, 크리프 컴플라이언스 J(t)(㎫^-1)를 측정했다. 4500㎩의 응력 인가 개시 시부터 1200초 후에 측정된 크리프 컴플라이언스치를 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1200)(㎫^-1)로 하고, 인가 응력을 0㎩로 했을 때부터 100초 후에 측정된 크리프 컴플라이언스치를 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1300)(㎫^-1)로 했다.

측정 온도: 25℃

응력 인가 시의 측정점: 1000점(대수 플롯)

응력 제하 시의 측정점: 1000점(대수 플롯)

얻어진 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1200)(㎫^-1) 및 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1300)(㎫^-1)로부터, 이하의 식(Ⅱ)에 의거하여, 크리프 회복률(％)을 산출했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

크리프 회복률(％)＝(1―J(t)(s＝1300)／J(t)(s＝1200))×100 … (Ⅱ)

〔시험예 4〕(헤이즈치의 측정)

실시예 및 비교예에서 제조한 점착 시트의 점착제층을 유리에 첩합하여, 이것을 측정용 샘플로 했다. 유리로 백그라운드 측정을 행한 다음, 상기 측정용 샘플에 대해서, JIS K7136:2000에 준하여, 헤이즈 미터(니혼덴쇼쿠고교사제, 제품명 「NDH5000」)를 이용하여 헤이즈치(％)를 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

〔시험예 5〕(점착력의 측정)

실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 시트로부터 경박리형 박리 시트를 박리하고, 노출된 점착제층을, 이(易)접착층을 가지는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(도요보사제, 제품명 「PET A4300」, 두께: 100㎛)의 이접착층에 첩합하고, 중박리형 박리 시트／점착제층／PET 필름의 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체를 25㎜ 폭, 110㎜ 길이로 재단했다.

23℃, 50％RH의 환경 하에서, 상기 적층체로부터 중박리형 박리 시트를 박리하고, 노출된 점착제층을 소다 라임 유리판(니혼이타가라스사제, 제품명 「소다 라임 유리」, 두께: 1.1㎜)에 첩부하여, 쿠리하라세이사쿠쇼사제 오토 클레이브로 0.5㎫, 50℃에서, 20분 가압했다. 그 후, 23℃, 50％RH의 조건 하에서 24시간 방치하고 나서, 인장 시험기(오리엔테크사제, 텐시론)를 이용하여, 박리 속도 300㎜／min, 박리 각도 180도의 조건으로, PET 필름과 점착제층과의 적층체를 피착체로부터 박리했을 때의 점착력(N／25㎜)을 측정했다. 여기에 기재한 것 이외의 조건은 JIS Z0237:2009에 준거하여, 측정을 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

〔시험예 6〕(내굴곡성의 평가)

23℃, 50％RH의 환경 하에서, 실시예 및 비교예에서 제작한 점착 시트로부터 경박리형 박리 시트를 박리하고, 노출된 점착제층을, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(도요보사제, 제품명 「PET50TA063」, 두께: 100㎛)의 일방의 면에 첩합했다. 그 다음에, 중박리형 박리 시트를 박리하고, 노출된 점착제층을, 폴리이미드 필름(두께: 50㎛)에 첩합했다. 그리고, 쿠리하라세이사쿠쇼사제 오토 클레이브로 0.5㎫, 50℃에서, 20분 가압한 후, 23℃, 50％RH의 조건 하에서 24시간 방치했다. 이와 같이 하여 얻은 PET 필름／점착제층／폴리이미드 필름으로 이루어지는 적층체를, 50㎜ 폭, 200㎜ 길이로 재단하고, 이것을 샘플로 했다.

얻어진 샘플의 양단부를, 도 4에 나타내는 바와 같이, 항온 항습조 부착 굴곡 시험(유아사시스템기기사제, 제품명 「CL09-typeD01-FSC90」)의 2개의 유지 플레이트에 고정했다. 이때, 샘플인 폴리이미드 필름측이 굴곡의 내측이 되도록 고정했다. 그리고, -30℃, 25℃ 및 80℃의 각 온도 환경 하, 굴곡경(직경) 3㎜φ, 스트로크 80㎜, 굴곡 속도 60rpm으로, 샘플을 20만회 굴곡시켰다.

상기의 동적 굴곡 시험을 행한 후, 샘플의 굴곡부에 있어서의 점착제층과 피착체와의 계면에 박리가 없는지의 여부를, 육안에 의해 확인했다. 그리고, 이하의 기준에 의해 내굴곡성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

◎: 굴곡부에 선 흔적이 존재하지 않았다.

○: 굴곡부에 선 흔적이 존재하지만, 바로 정면에서 보았을 경우, 상기 선 흔적은 거의 확인할 수 없었다.

△: 굴곡부에 선 흔적이 존재하고, 바로 정면에서 봐도 상기 선 흔적을 확인할 수 있었다. 또는, 굴곡부에 미소 기포가 발생했다.

×: 굴곡부에 들뜸, 벗겨짐이 발생했다.

[표 1]

[표 2]

표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예의 점착 시트의 점착제층은, 저온, 상온 및 고온 중 어느 환경 하에서도, 장시간의 굴곡에 의해 점착제층과 피착체와의 계면에 들뜸이나 벗겨짐이 발생하기 어렵고, 내굴곡성이 우수한 것이었다.

본 발명은, 반복 굴곡 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재와 다른 굴곡성 부재를 첩합하는데 호적하다.

1: 점착 시트
11: 점착제층
12a, 12b: 박리 시트
2: 반복 굴곡 적층 부재
21: 제1 굴곡성 부재
22: 제2 굴곡성 부재
3: 반복 굴곡 디바이스
31: 커버 필름
32: 제1 점착제층
33: 편광 필름
34: 제2 점착제층
35: 터치 센서 필름
36: 제3 점착제층
37: 유기 EL 소자
38: 제4 점착제층
39: TFT 기판
S: 시험편
P: 유지 플레이트

Claims (12)

1. 반복 굴곡되는 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재와 다른 굴곡성 부재를 첩합하기 위한 반복 굴곡 디바이스용 점착제로서,
   상기 점착제의 -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)가, 0.20㎫ 이하이며,
   상기 점착제에 4500㎩의 응력을 인가했을 때에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(㎫^-1)로 하고, 상기 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고 나서 1200초 후까지 4500㎩의 응력을 계속 인가하여, 그 사이에 측정되는 최대의 크리프 컴플라이언스치를 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(㎫^-1)로 하고, 이하의 식(Ⅰ)으로부터 산출되는 크리프 컴플라이언스 변동치 ΔlogJ(t)가, 2.60 이하인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
   ΔlogJ(t)＝logJ(t)_max―logJ(t)_min … (Ⅰ)
2. 제1항에 있어서,
   상기 점착제에 4500㎩의 응력을 계속 인가하여 1200초 후에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1200)(㎫^-1)로 하고, 그 후, 상기 점착제에 인가하는 응력을 0㎩로 하고 나서 100초 후에 측정되는 크리프 컴플라이언스치를 크리프 컴플라이언스 J(t)(s＝1300)(㎫^-1)로 하고, 이하의 식(Ⅱ)으로부터 산출되는 크리프 회복률이, 90％ 이상인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
   크리프 회복률(％)＝(1―J(t)(s＝1300)／J(t)(s＝1200))×100 … (Ⅱ)
3. 제1항에 있어서,
   85℃에서의 저장 탄성률 G'(85)가, 0.005㎫ 이상인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
4. 제1항에 있어서,
   -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)를 25℃에서의 저장 탄성률 G'(25)로 나눈 값인 저장 탄성률 변화도(-30／25)가, 5.0 이하인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
5. 제1항에 있어서,
   -30℃에서의 저장 탄성률 G'(-30)를 85℃에서의 저장 탄성률 G'(85)로 나눈 값인 저장 탄성률 변화도(-30／85)가, 10.0 이하인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
6. 제1항에 있어서,
   겔분율이, 40％ 이상, 95％ 이하인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
7. 제1항에 있어서,
   상기 점착제가, 점착 주제(主劑) 및 저분자량 성분을 함유하고,
   상기 저분자량 성분의 중량 평균 분자량이, 400 이상, 100000 이하이며,
   상기 저분자량 성분의 유리 전이 온도(Tg)가, -40℃ 이하인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
8. 제1항에 있어서,
   상기 점착제가, 아크릴계 점착제인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스용 점착제.
9. 반복 굴곡되는 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재와 다른 굴곡성 부재를 첩합하기 위한 점착제층을 가지는 점착 시트로서,
   상기 점착제층이, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 반복 굴곡 디바이스용 점착제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 점착 시트.
10. 제9항에 있어서,
    상기 점착 시트가, 2매의 박리 시트를 구비하고 있고,
    상기 점착제층이, 상기 2매의 박리 시트의 박리면과 접하도록 상기 박리 시트에 협지되어 있는 것을 특징으로 하는 점착 시트.
11. 반복 굴곡되는 디바이스를 구성하는 하나의 굴곡성 부재 및 다른 굴곡성 부재와,
    상기 하나의 굴곡성 부재와 상기 다른 굴곡성 부재를 서로 첩합하는 점착제층을 구비한 반복 굴곡 적층 부재로서,
    상기 점착제층이, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 반복 굴곡 디바이스용 점착제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 적층 부재.
12. 제11항에 기재된 반복 굴곡 적층 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스.

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