KR20220108499A - 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220108499A
KR20220108499A KR1020210011568A KR20210011568A KR20220108499A KR 20220108499 A KR20220108499 A KR 20220108499A KR 1020210011568 A KR1020210011568 A KR 1020210011568A KR 20210011568 A KR20210011568 A KR 20210011568A KR 20220108499 A KR20220108499 A KR 20220108499A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
substrate
substrate support
chamber
raw material
Prior art date
Application number
KR1020210011568A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102503632B1 (ko
Inventor
김경민
Original Assignee
김경민
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김경민 filed Critical 김경민
Priority to KR1020210011568A priority Critical patent/KR102503632B1/ko
Publication of KR20220108499A publication Critical patent/KR20220108499A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102503632B1 publication Critical patent/KR102503632B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

본 발명은 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 기판을 지지하는 기판지지장치로서, 상부에 기판 안착면을 가지는 기판지지대; 상하방향으로 연장되고, 상기 기판지지대의 하부에 연결되는 지지체; 및 상기 기판지지대에 가해지는 외력에 의해 상기 기판지지대의 수평을 조절하도록 상기 기판지지대와 상기 지지체 중 적어도 하나에 연결되는 수평 조절부;를 포함하여, 기판을 처리하는 과정에서 기판지지대의 수평을 자동으로 조절할 수 있다.

Description

기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법{Substrate supporting device, substrate processing apparatus and substrate processing method}
본 발명은 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 안정적으로 처리할 수 있는 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자, 평판 표시 소자, 솔라셀 및 발광 다이오드와 같은 전자 소자들은 기판 상에 박막을 증착하고, 이러한 박막을 원하는 패턴으로 식각하여 제작된다. 이때, 전자 소자 제작을 위한 기판은 고온의 진공분위기에서 처리된다. 이를 위해 기판이 처리되는 챔버 내부에는 상부에 기판을 지지하는 기판지지장치가 구비되며, 기판지지장치는 기판을 소정 온도로 가열할 수 있는 발열체를 포함할 수 있다.
이러한 기판지지장치는 원료공급기에서 분사되는 공정 가스를 기판 전체에 걸쳐 균일하게 접촉시키기 위해 기판을 원료공급기와 나란하게 지지할 수 있도록 형성되어 있다. 그런데 발열체에서 발생하는 열에 의해 변형되어 기판지지대의 일부가 비틀어지거나, 챔버 내부의 다른 구조체와의 접촉으로 인해, 기판지지대 또는 기판지지대의 상부면이 수평을 이루지 못하는 경우가 발생하고 있다. 이 경우, 원료공급기에서 분사되는 원료가 기판에 균일하게 분사되지 않아 기판에 증착되는 박막의 두께가 불균일해지거나 박막의 특성이 변화되는 등 박막의 품질이 저하되는 문제가 있다.
1)KR10-2004-0092350 A
본 발명은 기판지지대의 수평을 조절할 수 있는 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명은 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 지지 장치는, 기판을 지지하는 기판지지장치로서, 상부에 기판 안착면을 가지는 기판지지대; 상하방향으로 연장되고, 상기 기판지지대의 하부에 연결되는 지지체; 및 상기 기판지지대에 가해지는 외력에 의해 상기 기판지지대의 수평을 조절하도록 상기 기판지지대와 상기 지지체 중 적어도 하나에 연결되는 수평 조절부;를 포함할 수 있다.
상기 수평 조절부는, 기판 처리 설비에 상기 지지체를 연결시키기 위해 상기 지지체의 하부에 배치되는 연결부재; 상기 지지체의 연장방향으로 신축 가능하고, 상기 지지체와 상기 연결부재에 연결되는 적어도 하나의 탄성체; 상기 지지체가 상기 탄성체의 신축 방향으로 이동 가능하도록 상기 지지체와 상기 연결부재에 연결되는 적어도 세 개의 가이드부재; 및 상기 지지체의 이동 방향으로 신축 가능하고, 상기 탄성체와 상기 가이드부재를 둘러싸도록 상기 지지체와 상기 연결부재에 연결되는 밀폐부재;를 포함할 수 있다.
상기 수평 조절부는, 상기 지지체의 연장방향으로 신축 가능하고, 상기 기판지지대와 상기 지지체에 연결되는 적어도 하나의 탄성체; 상기 기판지지대가 상기 탄성체의 신축 방향으로 이동 가능하도록 상기 기판지지대와 상기 지지체에 연결되는 적어도 세 개의 가이드부재; 및 상기 기판지지대의 이동 방향으로 신축 가능하고, 상기 탄성체와 상기 가이드부재를 둘러싸도록 상기 기판지지대와 상기 지지체에 연결되는 밀폐부재;를 포함할 수 있다.
상기 가이드부재의 상부는 움직이지 않는 고정측이 되고, 상기 가이드부재의 하부는 이동하는 자유측이 될 수 있다.
상기 수평 조절부는, 상기 기판지지대를 상기 지지체에 회전 가능하게 연결하도록 상기 지지체의 상부에 연결되는 회전체를 포함하고, 상기 회전체는 상기 기판지지대와 접촉하는 면에 곡면을 포함할 수 있다.
상기 수평 조절부는 챔버에 상기 지지체를 회전 가능하게 연결하도록 상기 지지체의 하부에 연결되는 회전체;를 포함하고, 상기 회전체는 기판 처리 설비와 접촉하는 면에 곡면을 포함할 수 있다.
상기 수평 조절부는 상기 회전체를 둘러싸도록 상기 기판지지대, 상기 지지체 및 상기 기판 처리 설비 중 적어도 두 개에 연결되는 밀폐부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 설비는, 기판의 처리 공간을 형성하는 챔버; 기판지지대의 수평을 조절하기 위한 수평 조절부를 포함하는 적어도 하나의 기판지지장치; 및 일부가 상기 기판지지장치에 접촉 가능하고, 상기 기판지지장치의 상부에 상하방향으로 이동 가능하도록 설치되는 적어도 하나의 원료 공급장치;를 포함할 수 있다.
상기 원료 공급장치는, 상기 기판지지대의 상부에 접촉 가능하고, 하부가 개방되도록 형성되는 내부 챔버; 상기 내부 챔버의 내부에 연결되는 원료분사기; 및 상기 내부 챔버를 상하방향으로 이동 가능하게 설치되는 승강기;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판지지대의 상부에 기판을 안착하는 과정; 상기 기판지지대의 상부에 설치되는 원료 공급장치를 하강시키는 과정; 상기 원료 공급장치로 상기 기판지지대를 가압하여 상기 기판지지대의 수평을 조절하는 과정; 및 상기 기판을 처리하는 과정;을 포함할 수 있다.
상기 수평을 조절하는 과정은, 상기 원료 공급장치의 내부 챔버를 상기 기판지지대의 상부면에 밀착시키는 과정을 포함할 수 있다.
상기 수평을 조절하는 과정은, 상기 원료 공급장치가 가하는 힘을 이용하여 상기 기판지지대의 상부면 중 상대적으로 높은 쪽을 가압하는 과정; 가압된 쪽의 기판지지대를 하강시켜 상기 기판지지대의 상부면이 수평이 되도록 하는 과정; 및 상기 원료 공급장치의 내부 챔버의 하단 전체를 상기 기판지지대의 상부면에 접촉시키는 과정;을 포함할 수 있다.
상기 수평을 조절하는 과정은, 상기 원료 공급장치가 가하는 힘을 이용하여 상기 기판지지대의 상부면 중 상대적으로 높은 쪽을 가압하는 과정; 가압된 쪽의 기판지지대와, 상기 기판지지대의 하부에 연결되는 지지체의 적어도 일부를 하강시켜 상기 기판지지대의 상부면이 수평이 되도록 하는 과정; 및 상기 원료 공급장치의 내부 챔버의 하단 전체를 상기 기판지지대의 상부면에 접촉시키는 과정;을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 기판지지대의 수평을 용이하게 조절할 수 있다. 즉, 기판지지대와 기판지지대의 하부에 연결되는 지지체 중 적어도 하나에 기판지지대의 수평을 조절할 수 있는 수평 조절부를 설치하고, 기판을 처리하는 과정에서 기판지지대에 가해지는 힘을 이용하여 기판지지대의 수평을 자동을 조절할 수 있다. 원료공급기에서 분사되는 공정 가스가 기판에 균일하게 접촉할 수 있어, 기판에 박막을 균일하게 증착시킬 수 있고, 박막의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 기판을 처리하는 과정에서 기판지지대의 수평이 조절되기 때문에, 기판지지대의 수평을 조절을 위한 작업자의 업무 부담을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 단면도.
도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 기판지지장치의 사시도.
도 4는 본 발명의 제1실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 단면도.
도 5는 본 발명의 제2실시 예에 따른 기판지지장치의 단면도.
도 6은 본 발명의 제2실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 단면도.
도 7은 본 발명의 제1실시 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 보여주는 단면도.
도 8은 본 발명의 제1실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 보여주는 단면도.
도 9는 본 발명의 제2실시 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 보여주는 단면도.
도 10은 본 발명의 제2실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 보여주는 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 단면도이고, 도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 기판지지장치의 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 선A-A'에 따른 단면도이고, 도 3은 기판지지장치를 구성하는 수평 조절부를 절단한 상태를 보여주는 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비는, 기판의 처리 공간을 형성하는 챔버(100)와, 챔버(100)에 설치되고 기판을 지지하기 위한 적어도 하나의 기판지지장치 및 일부가 기판지지장치에 접촉 가능하고, 기판지지장치의 상부에 상하방향으로 이동 가능하도록 설치되는 적어도 하나의 원료 공급장치(140)를 포함할 수 있다.
챔버(100)는 내부공간을 가지는 챔버(100), 챔버(100)의 내부공간에 진공 분위기를 형성하도록 챔버(100)에 설치되는 진공유닛(160), 및 챔버(100)의 내부공간에서 기판(S)을 지지하는 기판 지지 장치(120)를 포함한다. 또한, 기판 처리 장치(100)는 기판 지지 장치(120)를 승하강 및 회전시키도록 기판 지지 장치(120)와 연결되는 구동유닛(140), 및 챔버(100)의 내부로 원료를 공급하는 원료 공급유닛(150)을 포함할 수 있다.
챔버(100)는 기판을 처리할 수 있는 내부공간을 갖는 통 형상으로 제작된다. 챔버(100)의 일측에는 기판(S)이 출입하는 출입구(미도시)와 출입구를 개폐하기 위한 개폐밸브(미도시)가 마련될 수 있다. 또한, 챔버(100)는 챔버 몸체(미도시)와 챔버 리드(미도시)로 분리되도록 제작될 수 있으며, 챔버 몸체와 챔버 리드는 내부공간을 밀폐시킬 수 있도록 연결될 수 있다. 이에, 챔버(100)와 챔버(100) 내부에 설치된 장치들을 용이하게 유지보수할 수 있다. 그러나 챔버(100)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양하게 형성될 수 있다.
챔버(100)에는 배기구(104)가 형성될 수 있으며, 배기구(104)를 통해 챔버(100)의 내부공간과 연통되는 진공 라인(132) 및 진공 라인(132)에 연결되는 진공 펌프(134)가 마련될 수 있다. 이에, 진공 펌프(134)가 진공 라인(132)을 통해 챔버(100) 내부의 가스를 흡입하여 챔버(100) 내부의 부산물을 배출하거나 챔버(100) 내부에 진공 분위기를 형성할 수 있다.
또한, 챔버(100)에는 기판지지장치에 마련되는 발열체(116)에 전원을 공급하기 위해 챔버(100)의 바닥을 관통하는 배관 연결구(102)가 마련될 수 있다.
기판지지장치는 상부에 기판 안착면을 가지는 기판지지대(112)와, 상하방향으로 연장되고 기판지지대의 하부에 연결되는 지지체(114) 및 기판지지대(112)에 가해지는 외력에 의해 기판지지대(112)의 수평을 조절하도록 기판지지대(112)와 지지체(114) 중 적어도 하나에 연결되는 수평 조절부(210)를 포함할 수 있다. 이러한 기판지지장치는 챔버(100) 내부에 한 개 또는 복수 개로 마련될 수 있다. 기판지지장치의 구체적인 구조는 나중에 다시 설명하기로 한다.
원료 공급장치(140)는 기판지지대(112)의 상부에 접촉 가능하고, 하부가 개방되도록 형성되는 내부 챔버(142)와, 내부 챔버(142)의 내부에 연결되는 원료 분사기(144) 및 내부 챔버(142)를 상하방향으로 이동 가능하게 챔버(100)에 연결하도록 내부 챔버(142)와 챔버(100)에 연결되는 승강기(147)를 포함할 수 있다.
내부 챔버(142)는 하부가 개방되는 중공형으로 형성될 수 있다. 이때, 내부 챔버(142)의 횡방향 단면 형상은 기판지지대(112)의 평면 형상과 동일하거나 유사한 형상을 갖도록 마련될 수 있고, 내부 챔버(142)의 횡방향 단면적은 기판지지대(112)의 면적보다 작은 면적을 갖도록 마련될 수 있다. 이러한 구성을 통해 내부 챔버(142)는 기판지지대(112)의 상부면, 즉 기판 안착면에 접촉하여 기판 처리 공간을 형성할 수 있다.
원료 분사기(144)는 기판지지대(112)를 향해 공정 가스 등의 원료를 분사하도록 내부 챔버(142)의 내부에 연결될 수 있다. 원료 분사기(144)에는 내부 챔버(142)와 챔버(100)를 관통하는 원료 공급관(145)이 연결될 수 있고, 원료 공급관(145)을 통해 공급되는 원료를 기판지지대(112)를 향해 분사할 수 있다. 이러한 원료 분사기(144)는 노즐이나 샤워헤드 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 이외에도 원료 분사기(144)는 기판지지대(112)를 향해 원료를 균일하게 분사할 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
승강기(147)는 내부 챔버(142)를 상하방향으로 이동시키도록 마련될 수 있다. 승강기(147)는 챔버(100)의 외부에 마련되어, 챔버(100)를 관통하며 내부 챔버(142)에 연결될 수 있다. 또는 승강기(147)는 내부 챔버(142)의 내부에 마련될 수도 있고, 내부 챔버(142)를 상하방향으로 이동시키도록 다양한 구조를 갖도록 마련될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시 예에 따른 기판지지장치는 상부에 기판 안착면을 가지는 기판지지대(112)와, 상하방향으로 연장되고, 기판지지대(112)의 하부에 연결되는 지지체(114) 및 기판지지대(112)에 가해지는 외력에 의해 기판지지대(112)의 수평을 조절하도록 지지체(114)에 연결되는 수평 조절부(210)를 포함할 수 있다.
기판지지대(112)는 챔버(100) 내부에서 기판(S)을 지지할 수 있다. 기판지지대(112)는 기판(S)이 안착되는 기판 안착면과, 기판 안착면의 가장자리를 따라 하부로 연장되는 측면 및 기판 안착면의 하부에 이격되어 구비되어 측면을 상호 연결하는 하부면을 포함할 수 있다. 이러한 구성을 통해 기판지지대(112)는 면적을 가지면서 두께를 갖는 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 기판지지대(112)의 기판 안착면은 기판(S)의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있는데, 예컨대 기판(S)이 원형인 경우 기판지지대(112)의 기판 안착면은 원형으로 형성될 수 있고, 기판(S)이 사각형인 경우 기판지지대(112)의 상부면은 사각형으로 형성될 수 있다. 기판지지대(112)는 전체가 일체형으로 형성될 수도 있고, 복수의 조각이 상호 결합되어 형성될 수도 있다. 기판지지대(112)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양하게 형성될 수 있다.
기판지지대(112)의 내부에는 기판(S)을 목표 온도, 예컨대 공정 온도로 가열하기 위한 발열체(116)가 마련될 수 있다. 발열체(116)는 기판지지대(112)의 전 영역을 최대한 균일하게 가열할 수 있도록 설계되어 기판지지대(112) 내부에 매설되어 있다. 발열체(116)는 외부에 마련되는 전원공급기(120)로부터 전원을 인가받아 열을 발생시키는 저항체일 수 있다. 또는 발열체(116)는 외부에서 가열된 열전달 물질과 외부에서 냉각된 열흡수 물질 중 적어도 어느 하나를 이동시킬 수 있는 유로일 수도 있다. 발열체(116)로부터 발생하는 열은 기판지지대(112)를 통해 기판(S)으로 전달되며, 이에 기판(S)의 온도가 목표하는 온도가 되도록 조절할 수 있다.
지지체(114)는 기판지지대(112)의 하부에 연결될 수 있다. 지지체(114)는 내부에 공간이 형성되고, 양단부가 개방되는 관형상으로 형성될 수 있고, 내부에 발열체(116)(122)에 전원을 인가하기 위한 전원선(118)이 마련될 수 있다. 이때, 발열체(116)가 열전달 물질이나 열흡수 물질을 이동시킬 수 있는 유로로 형성되는 경우, 지지체(114)에는 유로에 열전달 물질과 열흡수 물질을 공급 및 회수하기 위한 배관이 마련될 수 있다. 지지체(114)는 기판지지대(112)를 챔버(100)에 연결하기 위해 역할을 하며, 상단부와 하단부 중 적어도 하나에 고정부재(119)를 연결하기 위한 플랜지가 형성될 수 있다. 지지체(114)의 상단에 형성되는 플랜지는 상부 플랜지(114b)라 하고, 하단에 형성되는 플랜지는 하부 플랜지(114a)라 한다. 여기에서는 기판지지대(112)에 발열체(116)가 형성되어 발열체(116)에 전원을 공급하도록 지지체(114)를 중공형으로 형성되는 것으로 설명하지만, 기판지지대(112)에 발열체(116)가 형성되지 않은 경우에는 지지체(114)는 내부가 충진된 통 형상으로 형성될 수도 있다.
수평 조절부(210)는 지지체(114)의 하부에 연결될 수 있다. 수평 조절부(210)는 기판지지대(112)에 가해지는 외력을 이용하여 기판지지대(112)와 지지체(114)를 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 수평 조절부(210)는 챔버(100)에 지지체(114)를 연결시키기 위해 지지체(114)의 하부에 배치되는 연결부재(212)와, 지지체(114)의 연장방향으로 신축 가능하고, 지지체(114)와 연결부재(212)에 연결되는 적어도 하나의 탄성체(214)와, 지지체(114)가 탄성체(214)의 신축 방향으로 이동 가능하도록 지지체(114)와 연결부재(212)에 연결되는 적어도 세 개의 가이드부재(216) 및 지지체(114)의 이동 방향으로 신축 가능하고, 탄성체(214)와 가이드부재(216)를 둘러싸도록 지지체(114)와 연결부재(212)에 연결되는 밀폐부재(218)를 포함할 수 있다.
연결부재(212)는 지지체(114)와 이격되도록 배치되고, 지지체(114)와의 사이에 탄성체(214), 가이드부재(216) 및 밀폐부재(218)를 지지시킬 수 있다. 연결부재(212)는 내부에 공간이 형성되는 링형상, 관형상 등으로 형성될 수 있다. 이때, 연결부재(212)에 형성되는 공간은 지지체(114)의 내부에 형성되는 공간과 유사하거나 동일한 크기로 형성될 수 있다. 이에 연결부재(212)의 내부에 발열체(116)에 전원을 공급하기 위한 전원선(118)이나 배관이 마련될 수 있다.
탄성체(214)는 지지체(114)가 연장되는 방향, 예컨대 상하방향으로 신축 가능하도록 형성될 수 있다. 탄성체(214)는 지지체(114)와 연결부재(212) 사이에 배치되어, 기판지지대(112)에 외력이 가해지면 수축하여 지지체(114)와 기판지지대(112)를 하강시킬 수 있다. 이때, 기판지지대(112)에 외력이 가해지는 위치에 따라 탄성체(214)는 지지체(114)를 수직방향으로 유지한 상태로 하강시킬 수도 있고, 지지체(114)를 기울어지게 한 상태로 하강시킬 수도 있다. 이러한 탄성체(214)는 내열성을 가지는 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 스프링으로 마련될 수 있다.
가이드부재(216)는 탄성체(214)의 신축을 가이드할 수 있다. 가이드부재(216)는 지지체(114)와 연결부재(212) 사이에서 탄성체(214)의 외측에 마련될 수 있다. 가이드부재(216)는 일방향으로 연장되는 로드와, 로드(216a)의 하부에 연결되는 스토퍼(216b)를 포함할 수 있다. 이때, 로드(216a)는 지지체(114)가 연장되는 방향으로 배치되어, 한 쪽, 예컨대 상부는 지지체(114)의 하부 플랜지(114a)에 연결되고, 다른 한 쪽, 예컨대 하부는 연결부재(212)에 연결될 수 있다. 로드(216a)의 상부는 지지체(114)의 하부 플랜지(114a)에 고정되도록 연결되고, 로드(216a)의 하부는 연결부재(212)에 이동 가능하도록 연결될 수 있다. 이때, 로드(216a)의 하부는 연결부재(212)를 관통하도록 배치되며, 연결부재(212)의 하부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 스토퍼(216b)는 연결부재(212)의 하부에서 로드(216a)에 연결되며, 로드(216a)가 연결부재(212)에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 이에 로드(216a)의 상부는 움직이지 않는 고정측이 되고, 로드(216a)의 하부는 이동하는 자유측이 되어 탄성체(214)의 신축 방향을 따라 연결부재(212)에서 이동할 수 있다. 이러한 가이드부재(216)는 탄성체(214)의 둘레 방향으로 적어도 세 개 마련되어, 탄성체(214)의 신축을 안정적으로 가이드할 수 있다.
밀폐부재(218)는 가이드부재(216)를 둘러싸도록 지지체(114)와 연결부재(212)에 연결될 수 있다. 지지체(114)와 연결부재(212) 사이에는 탄성체(214)가 배치되어 있어, 지지체(114)의 내부 공간과 연결부재(212)의 내부 공간은 배선 연결구(102)에 의해 챔버(100)의 외부와 연통된다. 이 경우, 챔버(100) 내부에 진공을 형성하기 위해 진공 펌프(134)가 진공 라인(132)을 통해 챔버(100) 내부의 가스를 흡입하면, 배선 연결구(102)를 통해 챔버(100) 내부로 외기가 유입되기 때문에 할 수 없다. 따라서 지지체(114)와 연결부재(212) 사이에 가이드부재(216) 및 탄성체(214)를 둘러싸도록 밀폐부재(218)를 형성하여, 지지체(114)의 내부공간 및 연결부재(212)의 내부공간을 챔버(100)의 내부공간과 차단시킬 수 있다. 지지체(114)는 탄성체(214)에 의해 상하방향으로 이동하기 때문에 밀폐부재(218)는 신축 가능한 벨로우즈로 마련될 수 있다.
이러한 기판지지장치는 고정부재(119)를 이용하여 챔버(100)에 고정될 수 있다. 연결부재(212)의 내부 공간이 배관 연결구(102) 상부에 배치되도록 기판지지장치를 배치시키고, 고정부재(119)로 연결부재(212)와 챔버(100)를 연결함으로써 기판지지장치를 챔버(100)에 고정시킬 수 있다. 이때, 가이드부재(216)는 배관 연결구(102) 내에 배치시켜, 탄성체(214)의 신축에 따라 상하방향으로 이동 가능하도록 할 수 있다.
여기에서는 수평 조절부(210)가 지지체(114)의 하부에 마련되는 것으로 설명하였으나, 수평 조절부(220)는 지지체(114)의 상부, 즉 지지체(114)와 기판지지대(112) 사이에 마련될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제1실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 단면도이다. 제1실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치는 수평 조절부(220)가 형성되는 위치를 제외하고, 앞서 설명한 제1실시 예에 따른 기판지지장치와 유사한 구성을 갖는다. 이하에서는 제1실시 예에 따른 기판지지장치와 중복되는 구성의 설명을 생략한다.
도 4를 참조하면, 수평 조절부(220)는 지지체(114)의 상부에 연결될 수 있다. 수평 조절부(220)는 기판지지대(112)에 가해지는 외력을 이용하여 기판지지대(112)를 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 수평 조절부(220)는 지지체(114)의 연장방향으로 신축 가능하고, 지지체(114)와 기판지지대(112)에 연결되는 적어도 하나의 탄성체(224)와, 기판지지대(112)가 탄성체(224)의 신축 방향으로 이동 가능하도록 지지체(114)와 기판지지대(112)에 연결되는 적어도 세 개의 가이드부재(226) 및 기판지지대(112)의 이동 방향으로 신축 가능하고, 탄성체(224)와 가이드부재(226)를 둘러싸도록 지지체(114)와 기판지지대(112)에 연결되는 밀폐부재(228)를 포함할 수 있다.
탄성체(224)는 지지체(114)가 연장되는 방향, 예컨대 상하방향으로 신축 가능하도록 형성될 수 있다. 탄성체(224)는 지지체(114)와 기판지지대(112) 사이에 배치되어, 기판지지대(112)에 외력이 가해지면 수축하여 기판지지대(112)를 하강시킬 수 있다. 이때, 기판지지대(112)에 외력이 가해지는 위치에 따라 탄성체(224)는 수직방향으로 신축할 수도 있고, 어느 한 쪽으로 기울어지게 신축할 수도 있다.
가이드부재(226)는 탄성체(224)의 신축을 가이드할 수 있다. 가이드부재(226)는 기판지지대(112)와 지지체(114) 사이에서 탄성체(224)의 외측에 마련될 수 있다. 가이드부재(226)는 일방향으로 연장되는 로드(미도시)와, 로드의 하부에 연결되는 스토퍼(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 로드는 지지체(114)가 연장되는 방향으로 배치되어, 한 쪽, 예컨대 상부는 기판지지대(112)의 하부에 연결되고, 다른 한 쪽은 지지체(114)의 상부에 형성되는 상부 플랜지(114b)에 연결될 수 있다. 로드의 상부는 기판지지대(112)의 하부에 고정되도록 연결되고, 로드의 하부는 지지체(114)의 상부 플랜지(114b)에 이동 가능하도록 연결될 수 있다. 이때, 로드의 하부는 상부 플랜지(114b)를 관통하도록 배치되며, 상부 플랜지(114b)의 하부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 상부 플랜지(114b)의 하부에서 로드에 연결되며, 로드가 상부 플랜지(114b)에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 이에 로드의 상부는 움직이지 않는 고정측이 되고, 로드의 하부는 이동하는 자유측이 되어 탄성체(224)의 신축 방향을 따라 상부 플랜지(114b)에서 이동할 수 있다. 로드의 하부는 챔버(100) 내부 공간에 배치되므로 탄성체(224)의 신축에 따라 상하방향으로 이동 가능하도록 할 수 있다.이러한 가이드부재(226)는 탄성체(224)의 둘레 방향으로 적어도 세 개 마련되어, 탄성체(224)의 신축을 안정적으로 가이드할 수 있다.
밀폐부재(228)는 가이드부재(226)를 둘러싸도록 기판지지대(112)와 지지체(114)에 연결될 수 있다. 기판지지대(112)와 지지체(114) 사이에는 탄성체(224)가 배치되어 있어, 챔버(100)의 외부와 연통되는 지지체(114)의 내부 공간이 챔버(100)의 내부 공간과 연통된다. 따라서 기판지지대(112)와 지지체(114) 사이에 가이드부재(226) 및 탄성체(224)를 둘러싸도록 밀폐부재(228)를 형성하여, 지지체(114)의 내부공간을 챔버(100)의 내부공간과 차단시킬 수 있다. 기판지지대(112)는 탄성체(224)에 의해 상하방향으로 이동하기 때문에 밀폐부재(228)는 신축 가능한 벨로우즈로 마련될 수 있다.
이러한 기판지지장치는 고정부재(119)를 이용하여 챔버(100)에 고정될 수 있다. 이 경우, 지지체(114)의 내부 공간이 배관 연결구(102) 상부에 배치되도록 기판지지장치를 배치시키고, 고정부재(119)로 지지체(114)의 하부에 형성되는 하부 플랜지(114a)와 챔버(100)를 연결함으로써 기판지지장치를 챔버(100)에 고정시킬 수 있다.
이상에서는 탄성체를 이용하여 기판지지대(112)와 지지체(114) 중 적어도 하나를 상하방향으로 이동시키는 것으로 설명하였으나, 회전체를 이용하여 기판지지대(112)와 지지체(114) 중 적어도 하나를 상하방향으로 이동시킬 수도 있다.
도 5는 본 발명의 제2실시 예에 따른 기판지지장치의 단면도이다. 제2실시 예에 따른 기판지지장치는 수평 조절부(230)를 제외하고, 앞서 설명한 제1실시 예에 따른 기판지지장치와 유사한 구성을 갖는다. 이하에서는 제1실시 예에 따른 기판지지장치와 중복되는 구성의 설명을 생략한다.
도 5를 참조하면, 수평 조절부(230)는 기판지지대(112)를 지지체(114)에 회전 가능하게 연결하도록 지지체(114)의 상부에 연결되는 회전체를 포함할 수 있다. 회전체는 표면에 곡면을 포함하고, 내부를 관통하는 통로가 형성될 수 있다. 회전체는 구 형상으로 형성될 수도 있고, 구에서 통로의 양쪽을 절단한 형상을 갖도록 형성될 수도 있다. 회전체는 통로에 지지체(114)를 삽입시켜, 지지체(114)를 둘러싸도록 마련될 수 있다. 이때, 회전체는 하나의 구조체로 마련될 수도 있고, 지지체(114)와의 결합을 용이하게 하도록 적어도 두 개의 구조체가 조립된 상태로 마련될 수도 있다.
기판지지대(112)에는 회전체를 수용할 수 있는 삽입홈(113)이 형성될 수 있다. 삽입홈(113)은 기판지지대(112)의 하부에 형성될 수 있다. 이때, 회전체가 삽입홈(113) 내에서 회전할 수 있도록 회전체와 접촉하는 삽입홈(113)의 표면에는 곡면이 형성될 수 있다. 삽입홈(113)의 표면에 형성되는 곡면은 회전체의 표면에 형성되는 곡면과 동일한 곡률을 갖도록 형성될 수 있다. 삽입홈(113)은 회전체의 적어도 일부를 수용할 수 있는 형상으로 마련될 수 있다. 예컨대 구 형상의 회전체 전체를 삽입홈(113)에 삽입하는 경우, 삽입홈(113)은 구 형상으로 마련될 수 있다. 또는 구 형상의 회전체의 일부를 삽입홈(113)에 삽입하는 경우, 삽입홈(113)은 적어도 반구 형상으로 마련될 수 있다. 또는 앞에서 설명한 바와 같이 구를 절단한 형상의 회전체를 삽입홈(113)에 삽입하는 경우, 삽입홈(113)은 회전체의 절단된 쪽의 상부로 회전체의 회전 공간을 형성할 수 있도록 마련될 수 있다.
수평 조절부(230)는 회전체를 둘러싸도록 기판지지대(112)와 지지체(114)에 연결되는 밀폐부재(미도시)를 포함할 수 있다. 회전체는 기판지지대(112)의 삽입홈(113)에 삽입되어 회전하기 때문에 기판지지대(112)와 회전체 사이에 틈이 형성될 수 있다. 이 경우, 틈을 통해 지지체(114)의 내부 공간이 챔버(100)의 내부 공간과 연통될 수 있다. 따라서 기판지지대(112)와 지지체(114)에 밀폐부재를 연결하여 틈을 통해 지지체(114)의 내부 공간과 챔버(100)의 내부 공간이 연통되는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 수평 조절부(230)는 지지체(114)를 챔버(100)에 회전 가능하게 연결하도록 지지체(114)의 하부에 연결되는 회전체를 포함할 수 있다. 회전체는 표면에 곡면을 포함하고, 내부를 관통하는 통로가 형성될 수 있다. 회전체는 구 형상으로 형성될 수도 있고, 구에서 통로의 양쪽을 절단한 형상을 갖도록 형성될 수도 있다. 회전체는 통로에 지지체(114)를 삽입시켜, 지지체(114)를 둘러싸도록 마련될 수 있다. 이때, 회전체는 하나의 구조체로 마련될 수도 있고, 지지체(114)와의 결합을 용이하게 하도록 적어도 두 개의 구조체가 조립된 상태로 마련될 수도 있다. 회전체는 하부 플랜지(114a)의 상부에 마련될 수 있으며, 별도의 부재를 이용하여 하부 플랜지(114a)에 고정될 수도 있다.
회전체는 챔버(100)의 바닥에 형성된 배관 연결구(102)에 회전 가능하도록 삽입될 수 있다. 이때, 회전체가 배관 연결구(102) 내에서 회전할 수 있도록 회전체와 접촉하는 배관 연결구(102)의 표면에는 곡면이 형성될 수 있다. 배관 연결구(102)의 표면에 형성되는 곡면은 회전체의 표면에 형성되는 곡면과 동일한 곡률을 갖도록 형성될 수 있다. 여기에서는 회전체가 배관 연결구(102)에 직접 삽입되는 것으로 설명하였지만, 회전체의 외측에 별도의 체결부재(미도시)를 마련하고, 체결부재를 챔버(100)에 연결할 수도 있다. 이 경우, 회전체는 체결부재 내에서 회전 가능하며, 배관 연결구(102)에는 곡면을 형성하지 않아도 된다.
수평 조절부(230)는 회전체를 둘러싸도록 지지체(114)와 챔버(100)에 연결되는 밀폐부재(미도시)를 포함할 수 있다. 회전체는 배관 연결구(102)에 삽입되어 회전하기 때문에 챔버(100)와 회전체 사이에 틈이 형성될 수 있다. 이 경우, 틈을 통해 챔버(100)의 내부 공간이 챔버(100)의 외부와 연통될 수 있다. 따라서 지지체(114)와 챔버(100)에 밀폐부재를 연결하여 틈을 통해 챔버(100)의 내부 공간이 챔버(100)의 외부와 연통되는 것을 방지할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대해서 설명한다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 기판지지대(112)의 상부에 기판(S)을 안착하는 과정과, 기판지지대(112)의 상부에 설치되는 원료 공급장치(140)를 하강시키는 과정과, 원료 공급장치(140)로 기판지지대(112)를 가압하여 기판지지대(112)의 수평을 조절하는 과정 및 기판을 처리하는 과정을 포함할 수 있다.
먼저, 기판(S)을 챔버(100) 내부로 인입하여 기판지지대(112)의 상부에 안착시킨다. 기판지지대(112)에 기판(S)이 안착되면, 챔버(100) 내부공간 내 가스를 배출시켜 진공 상태를 만든다.
다음, 승강기(147)를 이용하여 내부 챔버(142)를 하강시켜 내부 챔버(142)의 하단부를 기판지지대(112)의 기판 안착면에 접촉시킨다. 이때, 기판지지대(112)가 정상인 경우, 내부 챔버(142)의 하단 전체가 기판지지대(112)의 상부면에 접촉된다. 그러나 기판지지대(112)가 변형된 경우, 기판지지대(112)의 상부면 또는 기판 안착면이 수평을 이루지 못하기 때문에 내부 챔버(142)의 하단 일부가 기판지지대(112)의 상부면으로부터 이격될 수 있다. 이 경우, 기판지지대(112)의 상부면에 상대적으로 높은 부분과 낮은 부분이 형성되고, 내부 챔버(142)는 기판지지대(112)에서 상대적으로 높은 부분에 접촉하고, 이보다 낮은 부분에서는 이격된다.
이에 내부 챔버(142)를 하강시켜 기판지지대(112)를 가압하면, 기판지지대(112)에서 내부 챔버(142)에 접촉된 부분, 즉 상대적으로 높은 부분이 내부 챔버(142)로부터 가해지는 힘을 받게 된다. 이렇게 기판지지대(112)에 힘이 가해지면, 기판지지대(112)와 지지체(114) 중 적어도 하나에 설치된 수평 조절부(210, 230)가 작동하여, 기판지지대(112)와 지지체(114) 중 적어도 하나가 하강한다. 그리고 내부 챔버(142)의 하단 전체가 기판지지대(112)의 상부면에 접촉하게 되면, 기판지지대(112)의 상부면이 수평을 이룰 수 있다.
도 7은 본 발명의 제1실시 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 보여주는 단면도이고, 도 8은 본 발명의 제1실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 보여주는 단면도이고, 도 9는 본 발명의 제2실시 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 보여주는 단면도이고, 도 10은 본 발명의 제2실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 보여주는 단면도이다.
도면을 참조하여 기판지지장치의 작동 상태를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명의 제1실시 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 설명한다.
도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판지지대(112)가 변형되어 기판지지대(112)의 왼쪽이 오른쪽보다 낮을 수 있다. 이 경우, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 승강기(147)를 이용하여 내부 챔버(142)를 하강시키면, 내부 챔버(142)의 하단은 상대적으로 높은 기판지지대(112)의 오른쪽을 가압하게 된다. 이렇게 기판지지대(112)가 가압되면, 기판지지대(112)에 가해지는 힘에 의해 지지체(114)에 연결된 탄성체(214)가 수축하면서, 기판지지대(112)와 지지체(114)가 하강하게 된다. 그리고 내부 챔버(142)를 지속적으로 하강시키면 내부 챔버(142)의 하단 전체가 기판지지대(112)의 상부면에 접촉하면서 기판지지대(112)의 상부면이 수평을 이루게 된다. 이 경우, 지지체(114)는 어느 한쪽으로 기울어져 수직 상태를 이루지 않을 수도 있다.
다음, 본 발명의 제1실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 설명한다.
도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판지지대(112)가 변형되어 기판지지대(112)의 왼쪽이 오른쪽보다 낮을 수 있다. 이 경우, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 승강기(147)를 이용하여 내부 챔버(142)를 하강시키면, 내부 챔버(142)의 하단은 상대적으로 높은 기판지지대(112)의 오른쪽을 가압하게 된다. 이렇게 기판지지대(112)가 가압되면, 기판지지대(112)과 지지체(114) 사이에 설치된 탄성체(224)가 수축하면서, 기판지지대(112)가 하강하게 된다. 그리고 내부 챔버(142)를 지속적으로 하강시키면, 내부 챔버(142)의 하단 전체가 기판지지대(112)의 상부면에 접촉하면서 기판지지대(112)의 상부면이 수평을 이루게 된다.
다음, 본 발명의 제2실시 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 설명한다.
도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판지지대(112)가 변형되어 기판지지대(112)의 왼쪽이 오른쪽보다 낮을 수 있다. 이 경우, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 승강기(147)를 이용하여 내부 챔버(142)를 하강시키면, 내부 챔버(142)의 하단은 상대적으로 높은 기판지지대(112)의 오른쪽을 가압하게 된다. 이렇게 기판지지대(112)가 가압되면, 기판지지대(112)는 회전체의 표면을 따라 회전하면서 가압된 쪽은 하강하고, 그 반대쪽은 상승하게 된다. 이에 기판지지대(112)의 상부면은 수평을 이룰 수 있고, 내부 챔버(142)의 하단 전체는 기판지지대(112)의 상부면에 접촉된다.
본 발명의 제2실시 예의 변형 예에 따른 기판지지장치의 작동 상태를 설명한다.
도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판지지대(112)가 변형되어 기판지지대(112)의 왼쪽이 오른쪽보다 낮을 수 있다. 이 경우, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이 승강기(147)를 이용하여 내부 챔버(142)를 하강시키면, 내부 챔버(142)의 하단은 상대적으로 높은 기판지지대(112)의 오른쪽을 가압하게 된다. 이렇게 기판지지대(112)가 가압되면, 지지체(114)가 회전체의 표면을 따라 회전하고, 지지체(114)에 연결된 기판지지대(112)도 회전하게 된다. 이때, 기판지지대(112)는 회전하면서 가압된 쪽이 하강하고, 그 반대쪽은 상승하게 된다. 이에 기판지지대(112)의 상부면은 수평을 이루고, 내부 챔버(142)의 하단 전체는 기판지지대(112)의 상부면에 접촉된다.
이와 같이 기판지지대(112)의 수평이 이루어져 내부 챔버(142)의 하단 전체가 기판지지대(112)의 상부면에 접촉되면, 원료분사기(144)를 통해 기판(S)에 공정 가스를 분사하면서 기판(S)을 처리할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 챔버 112: 기판지지대
114: 지지체 140: 원료 공급장치
142: 내부 챔버 144: 원료 분사기
210, 220, 230: 수평 조절부

Claims (13)

  1. 기판을 지지하는 기판지지장치로서,
    상부에 기판 안착면을 가지는 기판지지대;
    상하방향으로 연장되고, 상기 기판지지대의 하부에 연결되는 지지체; 및
    상기 기판지지대에 가해지는 외력에 의해 상기 기판지지대의 수평을 조절하도록 상기 기판지지대와 상기 지지체 중 적어도 하나에 연결되는 수평 조절부;를 포함하는 기판지지장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 수평 조절부는,
    기판 처리 설비에 상기 지지체를 연결시키기 위해 상기 지지체의 하부에 배치되는 연결부재;
    상기 지지체의 연장방향으로 신축 가능하고, 상기 지지체와 상기 연결부재에 연결되는 적어도 하나의 탄성체;
    상기 지지체가 상기 탄성체의 신축 방향으로 이동 가능하도록 상기 지지체와 상기 연결부재에 연결되는 적어도 세 개의 가이드부재; 및
    상기 지지체의 이동 방향으로 신축 가능하고, 상기 탄성체와 상기 가이드부재를 둘러싸도록 상기 지지체와 상기 연결부재에 연결되는 밀폐부재;를 포함하는 기판지지장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 수평 조절부는,
    상기 지지체의 연장방향으로 신축 가능하고, 상기 기판지지대와 상기 지지체에 연결되는 적어도 하나의 탄성체;
    상기 기판지지대가 상기 탄성체의 신축 방향으로 이동 가능하도록 상기 기판지지대와 상기 지지체에 연결되는 적어도 세 개의 가이드부재; 및
    상기 기판지지대의 이동 방향으로 신축 가능하고, 상기 탄성체와 상기 가이드부재를 둘러싸도록 상기 기판지지대와 상기 지지체에 연결되는 밀폐부재;를 포함하는 기판지지장치.
  4. 청구항 2 또는 3에 있어서,
    상기 가이드부재의 상부는 움직이지 않는 고정측이 되고, 상기 가이드부재의 하부는 이동하는 자유측이 되는 기판지지장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 수평 조절부는,
    상기 기판지지대를 상기 지지체에 회전 가능하게 연결하도록 상기 지지체의 상부에 연결되는 회전체를 포함하고,
    상기 회전체는 상기 기판지지대와 접촉하는 면에 곡면을 포함하는 기판지지장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 수평 조절부는 챔버에 상기 지지체를 회전 가능하게 연결하도록 상기 지지체의 하부에 연결되는 회전체;를 포함하고,
    상기 회전체는 기판 처리 설비와 접촉하는 면에 곡면을 포함하는 기판지지장치.
  7. 청구항 5 또는 6에 있어서,
    상기 수평 조절부는 상기 회전체를 둘러싸도록 상기 기판지지대, 상기 지지체 및 상기 기판 처리 설비 중 적어도 두 개에 연결되는 밀폐부재를 더 포함하는 기판지지장치.
  8. 기판의 처리 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버에 설치되고 청구항 1 내지 3, 5 및 6 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 기판지지장치; 및
    일부가 상기 기판지지장치에 접촉 가능하고, 상기 기판지지장치의 상부에 상하방향으로 이동 가능하도록 설치되는 적어도 하나의 원료 공급장치;를 포함하는 기판 처리 설비.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 원료 공급장치는,
    상기 기판지지대의 상부에 접촉 가능하고, 하부가 개방되도록 형성되는 내부 챔버;
    상기 내부 챔버의 내부에 연결되는 원료분사기; 및
    상기 내부 챔버를 상하방향으로 이동 가능하게 설치되는 승강기;를 포함하는 기판 처리 설비.
  10. 기판지지대의 상부에 기판을 안착하는 과정;
    상기 기판지지대의 상부에 설치되는 원료 공급장치를 하강시키는 과정;
    상기 원료 공급장치로 상기 기판지지대를 가압하여 상기 기판지지대의 수평을 조절하는 과정; 및
    상기 기판을 처리하는 과정;을 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 수평을 조절하는 과정은,
    상기 원료 공급장치의 내부 챔버를 상기 기판지지대의 상부면에 밀착시키는 과정을 포함하는 기판 처리 방법.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 수평을 조절하는 과정은,
    상기 원료 공급장치가 가하는 힘을 이용하여 상기 기판지지대의 상부면 중 상대적으로 높은 쪽을 가압하는 과정;
    가압된 쪽의 기판지지대를 하강시켜 상기 기판지지대의 상부면이 수평이 되도록 하는 과정; 및
    상기 원료 공급장치의 내부 챔버의 하단 전체를 상기 기판지지대의 상부면에 접촉시키는 과정;을 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 수평을 조절하는 과정은,
    상기 원료 공급장치가 가하는 힘을 이용하여 상기 기판지지대의 상부면 중 상대적으로 높은 쪽을 가압하는 과정;
    가압된 쪽의 기판지지대와, 상기 기판지지대의 하부에 연결되는 지지체의 적어도 일부를 하강시켜 상기 기판지지대의 상부면이 수평이 되도록 하는 과정; 및
    상기 원료 공급장치의 내부 챔버의 하단 전체를 상기 기판지지대의 상부면에 접촉시키는 과정;을 포함하는 기판 처리 방법.
KR1020210011568A 2021-01-27 2021-01-27 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 KR102503632B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210011568A KR102503632B1 (ko) 2021-01-27 2021-01-27 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210011568A KR102503632B1 (ko) 2021-01-27 2021-01-27 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220108499A true KR20220108499A (ko) 2022-08-03
KR102503632B1 KR102503632B1 (ko) 2023-02-24

Family

ID=82847458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210011568A KR102503632B1 (ko) 2021-01-27 2021-01-27 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102503632B1 (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040092350A (ko) 2003-05-07 2004-11-03 최용석 가솔린 엔진용 블루 바이가스 (Blowe Bye gas)의 오일여과기 및 가스 냉각기
KR20070080536A (ko) * 2006-02-07 2007-08-10 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR20110116591A (ko) * 2010-04-19 2011-10-26 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치
KR20120038675A (ko) * 2010-10-14 2012-04-24 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR20120139028A (ko) * 2011-06-16 2012-12-27 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR20150012587A (ko) * 2013-07-25 2015-02-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040092350A (ko) 2003-05-07 2004-11-03 최용석 가솔린 엔진용 블루 바이가스 (Blowe Bye gas)의 오일여과기 및 가스 냉각기
KR20070080536A (ko) * 2006-02-07 2007-08-10 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR20110116591A (ko) * 2010-04-19 2011-10-26 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치
KR20120038675A (ko) * 2010-10-14 2012-04-24 주식회사 케이씨텍 원자층 증착 장치
KR20120139028A (ko) * 2011-06-16 2012-12-27 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR20150012587A (ko) * 2013-07-25 2015-02-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102503632B1 (ko) 2023-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006049867A (ja) 独立して移動する基板支持体
CN101276777B (zh) 基板载置台以及基板处理装置
US7718925B2 (en) Substrate heat treatment apparatus
KR102354975B1 (ko) 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
US8459923B2 (en) Apparatus for substrate alignment, apparatus for substrate processing having the same, and substrate alignment method
US8720873B2 (en) Substrate holding device
CN101985745B (zh) 化学气相沉积装置以及基板处理装置
KR102017744B1 (ko) 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US20060005771A1 (en) Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes
KR101405346B1 (ko) 기판 지지대, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 정렬방법
KR102069346B1 (ko) 유기 박막 증착 장치
KR20210055088A (ko) 동적 레벨링을 갖는 동축 리프트 디바이스
KR102503632B1 (ko) 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
KR101027325B1 (ko) 기판처리장치
KR102594542B1 (ko) 다이 이젝팅 장치
KR20220026754A (ko) 기판 처리 설비에서 기판의 얼라인 장치 및 얼라인 방법
CN201442977U (zh) 用于放置在pecvd腔中的背板的夹钳机械装置
KR20140020016A (ko) 증착 장치
KR101990854B1 (ko) 디스플레이장치용 합착장치 및 합착기판 제조방법
KR102444873B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR20180038216A (ko) 기판처리장치
KR101256485B1 (ko) 기판처리장치의 공정챔버
KR20110049988A (ko) 기판처리장치
KR102102922B1 (ko) 기판처리장치
US20230144827A1 (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant