KR20120139028A - 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 - Google Patents

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120139028A
KR20120139028A KR1020110058544A KR20110058544A KR20120139028A KR 20120139028 A KR20120139028 A KR 20120139028A KR 1020110058544 A KR1020110058544 A KR 1020110058544A KR 20110058544 A KR20110058544 A KR 20110058544A KR 20120139028 A KR20120139028 A KR 20120139028A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
chamber
chemical vapor
vapor deposition
deposition apparatus
Prior art date
Application number
KR1020110058544A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101341422B1 (ko
Inventor
박상태
한경록
손준영
장상래
김영민
Original Assignee
주식회사 에스에프에이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스에프에이 filed Critical 주식회사 에스에프에이
Priority to KR1020110058544A priority Critical patent/KR101341422B1/ko
Publication of KR20120139028A publication Critical patent/KR20120139028A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101341422B1 publication Critical patent/KR101341422B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; 챔버의 내부에 승강가능하게 설치되고 상면으로 유리기판이 로딩(Loading)되는 서셉터; 및 서셉터를 지지하여 서셉터의 처짐을 방지하는 복수의 처짐방지 유닛을 포함 포함한다.

Description

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display}
본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 대면적 서셉터의 처짐을 방지할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.
평면디스플레이는 개인 휴대단말기를 비롯하여 TV나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 채용된다.
이러한 평면디스플레이는 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등으로 그 종류가 다양하다.
이들 중에서도 특히, LCD(Liquid Crystal Display)는 2장의 얇은 상하 유리기판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.
LCD는 현재, 전자시계를 비롯하여, 전자계산기, TV, 노트북 PC 등 전자제품에서 자동차, 항공기의 속도표시판 및 운행시스템 등에 이르기까지 폭넓게 사용되고 있다.
최근에 들어서 대형 TV와 대형 모니터에 대한 선호도가 높아지면서 그에 따른 유리기판의 대형화가 가속되고 있는 추세이다.
현재 가로/세로의 폭이 2850 × 3050 ㎜인 10세대 유리기판의 제작을 넘어 3000 × 3320 ㎜인 11세대까지 유리기판의 크기를 증가시키는 연구가 진행되고 있다.
이러한 유리기판을 이용한 LCD는, 증착(Deposition), 사진식각(Photo lithography), 식각(Etching), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합착하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 Module 공정을 통해 제품으로 출시된다.
한편, 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 가스 분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다. 이러한 공정은, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다.
자세히 후술하겠지만, 화학 기상 증착공정을 수행하는 챔버 내의 하부 영역에는 증착 대상의 유리기판이 로딩되는 서셉터가 마련되어 있고, 그 상부 영역에 전극과 가스 분배판이 배치되어 있다.
전극을 통해 전원이 인가되고, 오리피스가 형성된 가스 분배판을 통해 가스가 주입되며, 서셉터와 가스 분배판이 일정 간격을 유지하며 공정을 진행하게 된다.
그런데 최근 유리기판의 대형화에 따라 서셉터도 대면적 서셉터로 크기가 증가하고 있고, 대면적 서셉터일수록 중심부에서 외곽으로 갈수록 처짐이 발생하게 된다.
특히, 서셉터는 플라즈마에 의한 화학 기상 증착 공정의 특성상 화학적 반응에 안정된 알루미늄 재질을 사용하게 되고, 증착 공정을 촉진할 수 있도록 유리기판을 가열하기 위해 서셉터 내부에 내장된 히터에 의해 가열되므로 처짐현상이 심하게 발생할 수 있다.
가스 분배판과 서셉터와의 간격은 공정의 균일도에 지대한 영향을 미치기 때문에, 서셉터의 처짐현상으로 서셉터와 가스 분배판 사이의 간격이 균일하지 않게 되면 공정 결과값에 악영향을 미치게 된다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 대면적 서셉터를 안정적으로 지지하여 처짐을 방지할 수 있는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; 상기 챔버의 내부에 승강가능하게 설치되고 상면으로 상기 유리기판이 로딩(Loading)되는 서셉터; 및 상기 서셉터 하부에 배치되어 상기 서셉터의 처짐을 방지하는 복수의 처짐방지 유닛을 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치가 제공될 수 있다.
상기 복수의 처짐방지 유닛은, 가스압에 의해 상기 서셉터를 지지할 수 있다.
상기 복수의 처짐방지 유닛이 상기 서셉터를 지지하는 힘의 합은 상기 서셉터의 하중보다 작도록 설정될 수 있다.
상기 복수의 처짐방지 유닛은, 상기 서셉터의 하부를 접촉 지지하고, 상기 챔버의 바닥을 관통하여 상기 챔버의 외부로 연장되는 받침 샤프트; 상기 받침 샤프트를 가스압에 의해 지지하는 실린더; 및 상기 실린더에 정압의 가스를 공급하는 레귤레이터를 포함할 수 있다.
상기 정압 레귤레이터는, 상기 서셉터 하강 시 상기 가스 실린더 내의 압축 가스가 배출되는 배출장치를 포함할 수 있다.
상기 받침 샤프트는, 상기 서셉터를 접촉 지지하는 세라믹 지지부재를 포함할 수 있다.
상기 복수의 처짐 방지 유닛은, 상기 챔버와 상기 받침용 샤프트 사이에 개재되어 상기 받침용 샤프트가 관통되는 상기 챔버 영역을 밀봉하는 벨로우즈관를 더 포함할 수 있다.
상기 서셉터는, 상기 유리기판이 로딩되는 기판로딩부; 상기 기판로딩부의 중앙부를 지지하며 상기 챔버 외부로 연장되는 칼럼; 상기 칼럼의 외부를 감싸는 세라믹 샤프트; 및 상기 세라믹 샤프트의 상부와 상기 기판로딩부 사이에 삽입되어 상기 기판로딩부를 지지하는 세라믹 플레이트를 포함할 수 있다.
상기 서셉터를 승하강 시키는 서셉터 승하강 유닛을 더 포함하되, 상기 서셉터 승하강 유닛은, 상기 칼럼의 하부에 결합되어 상기 서셉터를 승하강 시키는 구동부; 및 상기 서셉터의 수평도를 조절하는 미세 조절부를 포함할 수 있다.
상기 구동부는, 상기 칼럼의 하부에 결합되는 무빙블럭; 상기 무빙블럭의 일측에 나사결합되는 회전축; 및 상기 회전축의 일단에 결합되는 구동모터를 포함할 수 있다.
상기 미세 조절부는, 상기 회전축의 타단이 회전 가능하게 결합하는 조절 플레이트; 및 상기 조절 플레이트의 일측에 나사결합되어 상기 조절 플레이트의 높이를 조절하는 조절 나사를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 대면적 서셉터를 안정적으로 지지하여 처짐을 방지할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.
도 2는, 처짐방지 유닛의 개략적인 구조도이다.
도 3은, 처짐방지 유닛에 의해 지지되는 서셉터의 저면도이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부도면 및 첨부도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이고, 도 2는 처짐방지 유닛의 개략적인 구조도이며, 도 3은 처짐방지 유닛에 의해 지지되는 서셉터의 저면도이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)는, 챔버(10)와, 챔버(10) 내의 상부 영역에 마련되어 증착 대상의 유리기판(G)을 향해 소정의 실리콘계 화합물 이온(ion)을 방출하는 전극(20)과, 전극(20)의 하부에 배치되어 유리기판(G)이 로딩(Loading)되는 서셉터(30)와, 서셉터(30) 하부에 연결되어 서셉터(30)를 승하강시키는 승강 유닛(40)과, 서셉터(30)의 처짐을 방지하는 처짐방지 유닛(50)을 포함한다.
챔버(10)는 내부의 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 외벽이 외부와 차폐되어 있다. 챔버(10)의 증착공간(S)에는 전극(20)으로부터 방출된 증착물질인 실리콘계 화합물 이온에 영향을 주지 않도록 불활성 기체(He, Ar)가 충전되어 있다.
챔버(10)의 외벽에는 소정의 작업 로봇에 의해 유리기판(G)이 챔버(10)의 내외로 유출입되는 통로인 개구부(11)가 형성되어 있다. 도시하고 있지는 않지만, 개구부(11)는 도어(미도시)에 의해 선택적으로 개폐된다.
전극(20)은 챔버(10) 내의 상부 영역에 마련되어 있다. 전극(20)의 하부에는 다수의 오리피스(미도시)가 형성되어 증착물질인 실리콘계 화합물 이온을 분배하는 가스 분배판(22)이 마련되어 있다. 가스 분배판(22)은 증착 공정이 진행될 때 서셉터(30)와 대략 수십 밀리미터(mm) 정도로 이격되어 나란하게 배치된다.
전극(20)은 챔버(10)의 상부 영역, 보다 구체적으로는 챔버(10) 상벽에 결합되어 있다. 이때, 챔버(10) 상벽과 전극(20) 사이에는 전극(20)이 챔버(10) 상벽에 직접 접촉하여 통전되는 것을 저지하는 절연체(21)가 더 구비되어 있다. 절연체(21)는 테프론 등으로 제작될 수 있다.
이러한 전극(20)은, 인가된 소정의 고주파(RF, Radio Frequency) 전력에 기초한 중공 캐소드 방전(Hollow Cathode Discharge)에 의해 챔버(10)의 내부로 주입되는 공정가스를 플라즈마로 변화시키는 역할을 한다.
이때, 전극(20)으로 인가되는 고주파 전력은 챔버(10) 상벽의 상부 영역에 설치된 고주파 전원부(60)에서 담당한다. 즉, 고주파 전원부(60)는 연결라인(61)에 의해 전극(20)의 상면에 연결되어 증착 공정 시, 소정의 고주파 전력을 전극(20)으로 직접 인가한다.
한편, 서셉터(30)는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에서 횡방향으로 배치되어 로딩되는 유리기판(G)을 지지하는 기판로딩부(31)와, 상단은 기판로딩부(31)의 중앙부에 고정되고 하단은 챔버(10)의 바닥을 관통하여 승강유닛(40)에 연결되는 컬럼(32)을 포함한다.
기판로딩부(31)의 상면은 유리기판(G)이 정밀하게 수평상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반으로 제조된다. 기판로딩부(31)의 내부에는 도시 않은 히터가 장착되어 기판로딩부(31)를 소정의 증착온도인 대략 400 ℃로 가열한다.
서셉터(30)의 기판로딩부(31)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하여 기판로딩부(31)의 상면으로 안내하는 복수의 리프트 핀(34)이 마련되어 있다. 리프트 핀(34)은 기판로딩부(31)를 관통하도록 설치되어 있다.
리프트 핀(34)은 승강유닛(40)에 의해 서셉터(30)가 하강할 때, 그 하단이 챔버(10)의 바닥면에 가압되어 상단이 기판로딩부(31)의 상면으로 돌출된다. 이에, 유리기판(G)을 기판로딩부(31)로부터 이격시킨다. 반대로, 서셉터(30)가 부상하면, 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 기판로딩부(31)의 상면에 밀착되도록 한다.
이러한 리프트 핀(34)은 도시 않은 로봇아암이 서셉터(30)의 기판로딩부(31)에 로딩된 유리기판(G)을 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 기판로딩부(31) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다.
칼럼(32)은 기판로딩부(31)의 중앙부에 연결되고 대체로 봉 형상이며, 기판로딩부(31)와 일체로 형성되거나, 혹은, 별개로 제작되어 기판로딩부(31)에 결합될 수도 있다.
칼럼(32)의 외벽에는 서셉터(30)의 기판로딩부(31)를 지지하는 세라믹 샤프트(32a)가 더 마련되어 있다. 세라믹 샤프트(32a)는 처짐방지 유닛(50)과 함께 서셉터(30)의 기판로딩부(31)를 지지하는 역할을 한다.
세라믹 샤프트(32a)의 상부에는 세라믹 샤프트(32a)가 절곡되어 수평방향으로 연장된 연장부(32b)가 형성되어 있다. 이러한 연장부(32b)를 기판로딩부(31)에 직접 부착시켜 기판로딩부(31)를 지지할 수도 있으나, 도 2에서 도시하는 바와 같이, 연장부(32b)와 기판로딩부(31) 사이에 세라믹 플레이트(33)를 삽입하여 기판로딩부(31)를 지지하도록 할 수 있다.
연장부(32b)는 깨짐에 취약한 세라믹 재질의 특성상 세라믹 샤프트(32a)로부터 수평방향으로 연장하는데 한계가 있으므로, 연장부(32b)와 기판로딩부(31) 사이에 별도의 세라믹 플레이트(33)를 삽입하고, 세라믹 플레이트(33)에 의해 기판로딩부(31)가 지지될 수 있도록 하는 것이다.
한편, 서셉터(30)는 챔버(10) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 챔버(10) 내의 바닥면 영역에 배치되어 있다가 유리기판(G)이 로딩되고 공정이 진행될 때는 유리기판(G)이 가스 분배판(22)에 인접할 수 있도록 부상한다. 이를 위해, 서셉터(30)의 컬럼(32) 하단부에는 서셉터(30)를 승강시키는 승강유닛(40)이 결합된다.
승강유닛(40)은, 서셉터(30)를 승하강시키는 구동부(41)와, 서셉터(30)의 수평도를 조절하는 미세 조정부(42)를 포함한다.
구동부(41)는 칼럼(32)의 하단에 연결된 무빙블럭(41a)에 모터(41b)의 회전축(41c)이 나사결합되고, 모터(41b)의 구동에 의해 무빙블럭(41a)이 회전축(41c)을 따라 이동함에 따라 서셉터(30)가 승하강된다.
미세 조정부(42)는 서셉터(30)의 승하강이 끝나고 서셉터(30)의 수평도를 조절할 필요가 있는 경우에 사용하는 것으로, 구동부(41)의 회전축(41c)이 연결되는 조절 플레이트(42a)와, 조절 플레이트(42a)의 높이를 조정하는 조절나사(42b)를 포함한다. 조절나사(42b)를 돌려 조절 플레이트(42a)의 일측을 상승시키거나 하강시키면, 조절 플레이트(42a)와 회전축(41c)에 의해 연결된 무빙블럭(41a)의 일측이 상승하거나 하강함으로써 서셉터(30)의 수평도가 조절된다.
전술한 바와 같이, 11세대 하에서의 서셉터(30)는 그 무게가 무겁고 크기가 상대적으로 커서 처짐이 발생할 수 있는데, 이럴 경우, 유리기판(G)에도 처짐이 발생할 수 있다.
이에, 도시된 바와 같이, 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 하부에는 복수개의 처짐방지 유닛(50)이 마련되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31)를 떠받치고 있다. 기판로딩부(31)는 대형 유리기판(G)의 크기보다 좀 더 크게 형성되므로, 중심의 컬럼(32)에서부터 반경방향 외측으로 갈수록 처짐이 심하게 발생한다.
따라서 처짐방지 유닛(50)은, 도 3에서 도시하는 바와 같이, 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 외측 영역에 상호 이격되게 복수개로 마련되어 서셉터(30)의 기판로딩부(31)가 처지는 것을 저지하게 된다. 다만, 처짐방지 유닛(50)의 배치간격이나 개수는 기판로딩부(31)의 면적 크기에 따라 달라질 수 있는 것이므로, 도 3에 도시된 예에 한정되는 것은 아니다.
이러한 처짐방지 유닛(50)은, 가스압에 의한 지지력을 제공하는 실린더(51)와, 일단이 기판로딩부(31)에 연결되고 타단이 실린더(51)에 연결되는 받침 샤프트(52)와, 실린더(51)에 정압의 가스를 제공하는 레귤레이터(53)를 포함한다.
실린더(51)는 레귤레이터(53)로부터 공급되는 가스에 의해 받침 샤프트(52)를 지지하는 제1 실(51a)과, 실린더(51) 내에 위치하는 피스톤에 의해 제1 실(10)과 구분되는 제2 실(51b)로 구성된다. 제2 실(51b)에는 제1 실(51a)내로 가스가 유입되어 피스톤이 상승할 때 제2 실(51b) 내의 가스가 배출될 수 있도록 배기구(51c)가 마련된다. 여기서 가스는 공기, 질소 가스 등이 사용될 수 있다.
받침 샤프트(52)는 일단이 실린더(51)의 피스톤에 연결되고, 타단이 기판로딩부(31)에 연결됨으로써 실린더(51)의 가스압에 의해 기판로딩부(31)를 지지한다. 받침 샤프트(52)의 상부에는 기판로딩부(31)를 접촉 지지하는 세라믹 지지부재(52a)가 마련될 수 있다.
한편, 이러한 받침 샤프트(52)는 챔버(10)의 바닥(10a)을 관통하므로, 받침 샤프트(52)가 관통하는 부분의 실링이 필요하다. 이를 위해 받침 샤프트(52)의 외부를 감싸고 챔버(10) 바닥(10a)에 연결되는 벨로우즈관(52b)이 마련된다. 벨로우즈관(52b)은 서셉터(30)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(30)가 부상할 때 압착되면서 받침 샤프트(52)가 관통하는 챔버(10) 바닥(10a)에 외부와 연통하는 공간이 발생하는 것을 방지한다.
레귤레이터(53)는 실린더(51)의 제1 실(51a)에 정압의 가스를 공급하기 위한 것이다. 레귤레이터(53)는 가스 공급원(미도시)과 연결되며, 공급되는 가스압을 체크할 수 있는 게이지(53a)가 설치된다. 또한, 서셉터(30) 하강 시 제1 실(51a)의 가스가 배기되는 배기장치(53b)가 연결된다.
이러한 레귤레이터(53)는 실린더(51)에 필요한 압력 범위로, 공급되는 가스의 압력을 조절할 수 있는 것이면 현재 공지되어 있는 다양한 형태의 레귤레이터(53)가 사용될 수 있다.
한편, 처짐방지 유닛(50)이 기판로딩부(31)를 지지하는 힘은 서셉터(30)가 하강하는데 문제가 되지 않도록 조절된다.
단일의 처짐방지 유닛(50)이 서셉터(30)를 지지하는 힘을 fu라 할 때, 복수개의 처짐방지 유닛(50)이 서셉터(30)를 지지하는 힘의 합 Fu는 서셉터(30)의 자중보다 작도록 설계된다. 즉, 서셉터(30)의 자중을 W라 하면, W>Fu 관계가 성립하도록 조절된다.
만약 W<Fu이면, 서셉터(30)가 하강하도록 모터(41b)를 구동하여도 처짐방지 유닛(50)의 지지력에 의해 서셉터(30)가 하강하지 않게 되기 때문이다.
이러한 구성을 갖는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)의 동작과 그에 따른 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.
우선, 승강유닛(40)에 의해 서셉터(30)와 처짐방지 유닛(50)이 챔버(10)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇아암에 의해 이송된 증착 대상의 유리기판(G)이 서셉터(30)의 기판로딩부(31) 상부에 배치된다.
이때, 리프트 핀(34)의 상단은 기판로딩부(31)의 상면으로 소정 높이 돌출된 상태이므로, 로봇아암은 리프트 핀(34)들에 유리기판(G)을 올려둔 후, 취출된다. 로봇아암이 취출되면, 챔버(10)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 증착에 필요한 불활성 기체(He, Ar)가 충전된다.
다음, 증착공정의 진행을 위해, 승강유닛(40)이 동작하여 서셉터(30)를 부상시킨다. 그러면 리프트 핀(34)이 기판로딩부(31)에 대하여 상대적으로 하강되며, 이를 통해 유리기판(G)은 기판로딩부(31)의 상면으로 밀착하면서 로딩된다. 대략 도 1과 같은 위치로 서셉터(30)가 부상하면 승강유닛(40)의 동작이 정지되고 유리기판(G)은 전극(20)의 직하방에 위치하게 된다. 이때, 서셉터(30)는 대략 400 ℃ 정도로 가열된다.
승강유닛(40)의 구동과 함께 처짐방지 유닛(50)의 실린더(51)에 레귤레이터(53)를 통해 정압의 가스가 유입된다. 실린더(51)에 유입되는 가스압은 전술한 바와 같이 복수개의 처짐방지 유닛(50)의 지지력이 서셉터(30)의 자중보다 작은 범위 내에서 서셉터(30)를 지지할 수 있도록 유지된다.
실린더(51) 내로 가스가 유입되어 피스톤이 상승함에 따라 피스톤 상부의 제2 실(52b) 내의 가스는 피스톤의 상승에 방해가 되지 않도록 배기구(53b)를 통해 배출된다.
그런 다음, 절연체(21)로 인해 절연된 전극(20)을 통해 전원이 인가된다. 이어 수많은 오리피스가 형성된 가스 분배판(22)을 통해 실리콘계 화합물 이온이 분출되면서 유리기판(G) 상으로 도달함으로써 유리기판(G) 상에 증착이 이루어진다.
증착이 완료된 후, 모터(41b)의 구동에 의해 서셉터(30)가 하강하면, 서셉터(30)의 자중에 의해 실린더(51)의 제2 실(10) 내의 가스는 레귤레이터(53)의 배기장치(53b)를 통해 배출된다.
이상에서 설명한 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
10 : 챔버 11 : 개구부
20 : 전극 21 : 절연체
22 : 가스 분배판 30 : 서셉터
31 : 기판로딩부 32 : 칼럼
32a : 세라믹 샤프트 32b : 연장부
33 : 세라믹 플레이트 40 : 승강유닛
41 : 구동부 42 : 미세 조정부
50 : 처짐방지 유닛 51 : 실린더
52 : 받침 샤프트 53 : 레귤레이터

Claims (11)

  1. 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 승강가능하게 설치되고 상면으로 상기 유리기판이 로딩(Loading)되는 서셉터; 및
    상기 서셉터를 지지하여 상기 서셉터의 처짐을 방지하는 복수의 처짐방지 유닛을 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 처짐방지 유닛은,
    기체의 압력에 의해 상기 서셉터를 지지하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 처짐방지 유닛이 상기 서셉터를 지지하는 힘의 합은 상기 서셉터의 자중보다 작도록 설정되는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 처짐방지 유닛은,
    상기 서셉터의 하부를 접촉 지지하고, 상기 챔버의 바닥을 관통하여 상기 챔버의 외부로 연장되는 받침 샤프트;
    상기 받침 샤프트를 가스압에 의해 지지하는 실린더; 및
    상기 실린더에 정압의 가스를 공급하는 레귤레이터를 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 정압 레귤레이터는, 상기 서셉터 하강 시 상기 가스 실린더 내의 압축 가스가 배출되는 배출장치를 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 받침 샤프트는, 상기 서셉터를 접촉 지지하는 세라믹 지지부재를 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 처짐 방지 유닛은,
    상기 받침 샤프트의 일부를 감싸도록 상기 챔버에 결합되어 상기 받침 샤프트가 관통되는 상기 챔버 영역을 밀봉하는 벨로우즈관를 더 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터는,
    상기 유리기판이 로딩되는 기판로딩부;
    상기 기판로딩부의 중앙부를 지지하며 상기 챔버 외부로 연장되는 칼럼;
    상기 칼럼의 외부를 감싸는 세라믹 샤프트; 및
    상기 세라믹 샤프트의 상부와 상기 기판로딩부 사이에 삽입되어 상기 기판로딩부를 지지하는 세라믹 플레이트를 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 서셉터를 승하강 시키는 서셉터 승하강 유닛을 더 포함하되,
    상기 서셉터 승하강 유닛은,
    상기 칼럼의 하부에 결합되어 상기 서셉터를 승하강 시키는 구동부; 및
    상기 서셉터의 수평도를 조절하는 미세 조절부를 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 칼럼의 하부에 결합되는 무빙블럭;
    상기 무빙블럭을 관통하면서 나사결합되는 회전축; 및
    상기 회전축의 일단부에 결합되는 구동모터를 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 미세 조절부는,
    상기 회전축의 타단부가 회전 가능하게 결합하는 조절 플레이트; 및
    상기 조절 플레이트를 관통하면서 나사결합되되 상기 챔버에 결합되어 상기 조절 플레이트의 높이를 조절하는 조절 나사를 포함하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.
KR1020110058544A 2011-06-16 2011-06-16 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 KR101341422B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110058544A KR101341422B1 (ko) 2011-06-16 2011-06-16 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110058544A KR101341422B1 (ko) 2011-06-16 2011-06-16 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120139028A true KR20120139028A (ko) 2012-12-27
KR101341422B1 KR101341422B1 (ko) 2013-12-13

Family

ID=47905582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110058544A KR101341422B1 (ko) 2011-06-16 2011-06-16 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101341422B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220108499A (ko) * 2021-01-27 2022-08-03 김경민 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100773072B1 (ko) * 2006-02-07 2007-11-02 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100904038B1 (ko) * 2007-06-05 2009-06-22 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR101117188B1 (ko) * 2009-10-26 2012-03-09 주식회사 테스 기판 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220108499A (ko) * 2021-01-27 2022-08-03 김경민 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101341422B1 (ko) 2013-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4951536B2 (ja) 基板載置台及び基板処理装置
KR102002216B1 (ko) 기판 승강 기구, 기판 탑재대 및 기판 처리 장치
KR100773072B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100938874B1 (ko) 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치
KR20140104112A (ko) 평면 디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR20080097832A (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100904038B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100764628B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR101341422B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100738877B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100738874B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100701512B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR20150053593A (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100714882B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100877822B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100738873B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR101419346B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100891614B1 (ko) 평면디스플레이용 화학기상 증착장치
KR100896067B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100857807B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100877823B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR101800915B1 (ko) 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치
KR100786275B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
KR100866803B1 (ko) 화학 기상 증착장치의 상부 챔버 회전 지그
KR100764627B1 (ko) 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161117

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee