KR20220102696A - 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 패널은 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판, 패드 영역 상에 배치되는 복수의 패드 전극들, 및 인접하는 패드 전극들 사이에 배치되고, 열 흡수입자를 포함하는 절연층을 포함한다.

Description

표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치{DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 본딩 시스템을 개선한 표시 장치에 관한 것이다.
컴퓨터의 모니터나 TV, 핸드폰 등에 사용되는 표시 장치에는 플라즈마 표시(plasma display) 장치, 유기 발광 표시(organic light emitting display; OLED) 장치, 액정 표시(liquid crystal display; LCD) 장치, 양자점(quantum dot; QD) 표시 장치 등이 있다.
한편, 상기 표시 장치에 포함된 표시 패널은 영상을 표시하기 위해 스캔 신호, 데이터 신호 등을 외부 장치로부터 제공받을 수 있다. 여기서, 상기 표시 패널과 상기 외부 장치는 연성을 갖는 회로 기판(예를 들면, 칩 온 필름(chip on film; COF) 방식의 연성 필름)을 통해 연결될 수 있다. 상기 표시 장치의 크기가 증가되고 상기 표시 장치의 해상도가 높아짐에 따라 상기 표시 장치에 입력되는 상기 신호의 개수가 증가될 수 있고, 상기 표시 장치는 상기 신호들을 상기 외부 장치로부터 제공받기 위해 상대적으로 많은 개수의 패드 전극들을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 장치의 상기 패드 전극들 상에 상기 연성 필름의 범프 전극들이 연결될 수 있다. 다만, 상기 표시 장치의 제한된 공간에서 상대적으로 많은 개수의 상기 패드 전극들이 배치됨에 따라 상기 패드 전극들 사이의 간격이 상대적으로 줄어들 수 있고, 상기 연성 필름의 상기 범프 전극들과 상기 표시 장치의 상기 패드 전극들을 본딩하는 공정에서 상대적으로 줄어든 상기 패드 전극들의 간격 때문에 공정 마진이 줄어들 수 있다. 즉, 상기 연성 필름의 상기 범프 전극들과 상기 표시 장치의 상기 패드 전극들 사이 접촉 불량이 발생될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 본딩 시스템을 개선한 표시 패널을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본딩 시스템을 개선한 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 패드 영역 상에 배치되는 복수의 패드 전극들, 및 인접하는 상기 패드 전극들 사이에 배치되고, 열 흡수입자를 포함하는 절연층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 열 흡수입자는 적외선 영역 파장의 광을 흡수할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 열 흡수입자는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 열 흡수입자는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 절연층은 상기 패드 전극들의 측면을 커버할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 패드 전극들 각각은 인듐-주석-산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 및 인듐-아연-주석-산화물(Indium Zinc Tin Oxide; IZTO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 패드 전극들의 피치는 26㎛ 이하일 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 패드 영역 상에 배치되는 복수의 패드 전극들, 상기 패드 전극들과 전기적으로 연결되는 복수의 범프 전극들, 및 상기 패드 전극들과 상기 범프 전극들 사이에 배치되어, 상기 패드 전극들과 상기 범프 전극들을 전기적으로 연결하는 이방전도성필름을 포함하고, 상기 이방전도성필름은 상기 패드 전극들과 상기 범프 전극들 사이에 배치되며 적어도 하나의 도전볼을 포함하는 도전층 및 인접하는 상기 범프 전극들 사이에 배치되며 제1 열 흡수입자를 포함하는 열 흡수층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 열 흡수입자는 적외선 영역 파장의 광을 흡수할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 열 흡수입자는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 열 흡수입자는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 범프 전극들 및 상기 범프 전극들 상에 배치되는 베이스 필름을 포함하는 연성 필름을 더 포함하고, 상기 베이스 필름은 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전층의 두께는 상기 도전볼의 직경의 2배 이하일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전층의 두께는 3.2㎛ 내지 6.4㎛일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전층은 제2 열 흡수입자를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 열 흡수입자는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 범프 전극들 각각은 구리(Cu) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 인접하는 상기 패드 전극들 사이에 배치되는 절연층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 절연층은 제3 열 흡수입자를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3 열 흡수입자는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따른 표시 장치는 절연층, 도전층, 및 열 흡수층 중 적어도 하나가 열 흡수입자를 포함함으로써, 연성 필름에 전달되는 열을 최소화할 수 있다. 이로 인해, 연성 필름의 연신량은 최소화될 수 있다. 다시 말하면, 상기 표시 장치는 패드 전극들의 피치를 감소하는 초미세 피치 본딩을 위한 개선안을 제공할 수 있다.
또한, 도전층의 두께는 도전볼의 직경의 2배 이하일 수 있다. 이로 인해, 본딩 시 발생하는 도전볼 플로우는 최소화될 수 있다. 다시 말하면, 상기 표시 장치의 쇼트 불량은 최소화될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 선을 따라 절단한 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 II-II' 선을 따라 절단한 다른 실시예에 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1의 II-II' 선을 따라 절단한 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1의 II-II' 선을 따라 절단한 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도전층의 두께를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기판(SUB), 복수의 화소들(PX), 연성 필름(FF), 이방전도성필름(ACF), 및 구동칩(DIC)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA)으로 구획될 수 있다. 다만 이는 예시적인 것으로, 표시 장치(10)는 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)으로 더 구획될 수 있다. 예를 들면, 패드 영역(PA)은 비표시 영역(NDA)에 포함될 수 있다. 또한, 기판(SUB) 및 연성 필름(FF)은 직사각형의 형상으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않는다. 기판(SUB) 및 연성 필름(FF)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 기판(SUB) 및 연성 필름(FF)은 하부에서 폭이 좁아지는 형상을 가질 수 있다.
복수의 화소들(PX)은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 화소들(PX)은 매트릭스 형태로 표시 영역(DA)에 전체적으로 배열될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 화소들(PX)은 표시 영역(DA)에서 다양한 형태로 배열될 수 있다. 표시 장치(10)는 화소들(PX)을 통해 표시 영역(DA)에 영상을 표시할 수 있다. 표시 장치(10)는 유기 발광 표시 장치일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 표시 장치(10)는 액정 표시 장치, 전기 영동 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 양자점 표시 장치 등일 수 있다.
일 실시예에서, 비표시 영역(NDA)에는 구동부들(예를 들어, 게이트 구동부 및/또는 데이터 구동부)이 배치될 수 있다.
연성 필름(FF)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 연성 필름(FF)의 일부는 기판(SUB)의 패드 영역(PA)과 중첩할 수 있다.
구동칩(DIC)은 화소들(PX)에 제공되는 신호들, 전압들 등을 제어할 수 있다. 구동칩(DIC)은 연성 필름(FF) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 구동칩(DIC)은 기판(SUB) 상에 배치된 연성 필름(FF) 상에 배치되는 칩 온 필름(chip on film; COF)의 구조일 수 있다. 다만 이는 예시적인 것으로, 도시된 것과 달리 구동칩(DIC)은 기판(SUB)이 글래스이고, 구동칩(DIC)은 기판(SUB) 상에 직접 배치된 칩 온 글래스(chip on glass; COG)의 구조 또는 기판(SUB)이 플렉서블 기판(예를 들어, 폴리이미드)이고, 구동칩(DIC)은 기판(SUB) 상에 직접 배치된 칩 온 플라스틱(chip on plastic; COP)의 구조일 수도 있다. 다시 말하면, 연성 필름(FF)은 생략될 수 있고, 구동칩(DIC)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 이 경우 구동칩(DIC) 및 기판(SUB) 사이에 후술할 이방전도성필름(ACF)이 배치될 수 있다.
이방전도성필름(anisotropic conductive film; ACF)은 기판(SUB) 및 연성 필름(FF) 사이에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 이방전도성필름(ACF)은 기판(SUB) 상에 배치되는 적어도 하나의 패드 전극과 연성 필름(FF)에 포함되는 적어도 하나의 범프 전극 사이에 배치될 수 있다. 일반적으로, 이방전도성필름(ACF)은 열에 의해 경화되는 접착제 및 상기 접착제 안에 분산된 미세한 도전볼을 혼합시킨 양면 테이프 상태의 재료일 수 있다. 이방전도성필름(ACF)에 압력을 가하면 기판(SUB) 상의 상기 패드 전극과 연성 필름(FF)의 상기 범프 전극이 맞닿는 부분의 상기 도전볼이 파괴되면서 파괴된 상기 도전볼이 상기 패드 전극과 상기 범프 전극을 전기적으로 연결할 수 있다. 이후에, 상기 도전볼이 고정되도록 이방전도성필름(ACF)에 고온의 열을 가하여 상기 접착제를 경화할 수 있다. 따라서, 이방전도성필름(ACF)은 기판(SUB) 및 연성 필름(FF)을 서로 접착할 수 있다. 이로 인해, 기판(SUB) 및 연성 필름(FF)은 전기적으로 연결될 수 있다. 다시 말하면, 기판(SUB), 상기 패드 전극, 이방전도성필름(ACF)에 포함되는 상기 도전볼, 연성 필름(FF), 및 구동칩(DIC)은 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 기판(SUB), 복수의 패드 전극들(PE), 이방전도성필름(ACF), 연성 필름(FF), 및 구동칩(DIC)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 투명한 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(SUB)은 유리 기판, 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 기판(SUB)은 연성을 갖는 투명 플라스틱 기판으로 이루어질 수도 있다. 예를 들면, 기판(SUB)은 폴리이미드(polyimide; PI) 기판일 수 있다. 따라서, 광은 기판(SUB)을 투과할 수 있다. 예를 들면, 기판(SUB)의 하부에서 제3 방향(D3)으로 기판(SUB)을 향해 광을 조사하면, 상기 광은 기판(SUB)에 의해 차단되지 않고 기판(SUB)을 통과할 수 있다.
패드 전극들(PE)은 기판(SUB)의 패드 영역(PA) 상에 배치될 수 있다. 패드 전극들(PE)은 1개인 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않는다. 즉 패드 전극들(PE)은 여러 개일 수 있다. 패드 전극들(PE) 각각은 인듐-주석-산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 및 인듐-아연-주석-산화물(Indium Zinc Tin Oxide; IZTO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 패드 전극들(PE) 각각은 도전성을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있다.
연성 필름(FF)은 베이스 필름(BF) 및 복수의 범프 전극들(BP)을 포함할 수 있다. 연성 필름(FF)은 플라스틱을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 연성 필름(FF)은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 보다 상세하게는, 베이스 필름(BF)은 플라스틱을 포함할 수 있다. 따라서, 연성 필름(FF)은 플렉서블(flexible), 벤더블(bendable), 또는 롤러블(rollable) 특성을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 범프 전극들(BP)은 베이스 필름(BF) 하부에 배치될 수 있다. 범프 전극들(BP) 각각은 구리(Cu) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 범프 전극들(BP) 각각은 다양한 금속을 포함할 수 있다.
구동칩(DIC)은 연성 필름(FF)의 하부에 배치될 수 있다. 다만 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 전술한대로 구동칩(DIC)은 연성 필름(FF) 상에 배치될 수도 있다.
이방전도성필름(ACF)은 본딩(bonding)할 두 매체 사이에 배치되어 상기 두 매체를 전기적으로 연결할 수 있다. 여기서, 본딩은 상기 두 매체를 전기적으로 연결하여 접속하는 것을 의미할 수 있다. 따라서, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP) 사이에 배치될 수 있고, 이방전도성필름(ACF)은 연성 필름(FF) 및 구동칩(DIC) 사이에 배치될 수 있다. 이로 인해, 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP)은 전기적으로 연결될 수 있고, 연성 필름(FF) 및 구동칩(DIC)은 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 전술한 칩 온 글래스(COG)의 구조 또는 칩 온 플라스틱(COP)의 구조인 경우에는 연성 필름(FF)이 생략될 수 있다. 이 경우, 이방전도성필름(ACF)은 기판(SUB) 상에 배치되는 패드 전극들(PE) 및 구동칩(DIC)이 포함하는 범프 전극들(BP) 사이에 배치될 수 있다. 이로 인해, 기판(SUB), 패드 전극들(PE), 이방전도성필름(ACF), 범프 전극들(BP), 및 구동칩(DIC)은 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 이방전도성필름(ACF)을 이용한 본딩 시스템에 대한 연구가 지속되고 있다. 이방전도성필름(ACF)은 레진 및 도전볼들을 포함할 수 있다. 상기 레진은 일반적으로 열경화성 수지를 포함할 수 있고, 상기 도전볼들은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 도전볼들은 본딩할 두 매체를 전기적으로 연결하는 역할을 수행할 수 있다. 상기 레진은 상기 도전볼들을 고정하는 역할과 상기 두 매체를 접착하는 역할을 수행할 수 있다. 상기 레진의 역할을 수행하기 위해 상기 레진은 가열되어 경화될 수 있다. 다시 말하면, 이방전도성필름(ACF)의 본딩 원리는 전기적으로 연결할 상기 두 매체 사이에 이방전도성필름(ACF)을 위치시킨 후, 이방전도성필름(ACF)을 가열 및 가압하여, 이방전도성필름(ACF) 내에 분산되어 있는 상기 도전볼들이 마주하는 전극들 사이를 연결하여 도전성을 얻고, 이방전도성필름(ACF)의 상기 레진이 용융되어 상기 마주하는 전극들 사이에 접착제가 충진되도록 하는 것일 수 있다.
종래에, 이방전도성필름(ACF)을 이용하여 두 매체를 본딩할 경우, 이방전도성필름(ACF)의 열경화성 수지를 포함하는 상기 레진의 특성상 일정한 온도, 가압, 시간을 주어야 하기 때문에 히터가 구비된 핫바(hot bar)가 부착된 장치를 이용하여, 접촉면에 상기 핫바로 가압을 하며 열 전달 시키는 방법을 이용하였다. 다시 말하면, 상기 핫바를 이용한 열 전달 공정은 접착시키고자 하는 두 면 사이에 이방전도성필름(ACF)을 붙이고 상면 부품의 표면에 상기 핫바를 일정한 압력으로 누르면서 열을 가하면 열경화성 수지가 시간이 지남에 따라 경화되어 두 접촉면이 붙는 효과를 가져오고, 이방전도성필름(ACF) 내부에 분산되어 존재하는 도전볼에 의해 한 방향으로만 전기가 흐르는 특성을 갖도록 하였다. 다만, 상기 핫바를 이용한 열 전달 공정은 상기 핫바 전체의 온도를 균일하게 하는 것이 어렵고, 본딩 부위 이외에 열소모성이 크므로 열 전환 효율이 떨어지며, 상기 핫바의 지속적인 사용시 상기 핫바 표면이 오염되어 재현성 확보가 어려운 문제점이 있다. 또한 운용자의 경험과 숙련도에 따라 품질이 좌우되는 문제점이 있다. 따라서, 이방전도성필름(ACF)을 이용한 본딩 기술은 상기 핫바에 의한 열 전달 기술을 대체하여 레이저를 이용한 이방전도성필름(ACF) 본딩 기술이 개발되고 있다.
상기 레이저를 이용한 이방전도성필름(ACF) 본딩 기술은 상기 레이저를 조사하여 이방전도성필름(ACF)을 경화하기 위한 열을 가할 수 있다. 상기 레이저는 적외선 영역 파장의 광일 수 있다. 이로 인해, 상기 레이저를 이용한 이방전도성필름(ACF) 본딩 기술은 균일한 온도를 갖는 열을 원하는 위치에 전달할 수 있다. 따라서, 상기 레이저를 이용한 이방전도성필름(ACF) 본딩 기술은 상기 핫바를 이용한 열 전달 공정의 상기 문제점들을 해결할 수 있었다.
도 3은 도 1의 II-II' 선을 따라 절단한 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(11)는 기판(SUB), 복수의 패드 전극들(PE), 절연층(IL), 이방전도성필름(ACF), 연성 필름(FF)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 투명한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판(SUB)은 유리 기판일 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 하부에서 제3 방향(D3)으로 기판(SUB)을 향해 광을 조사하면, 상기 광은 기판(SUB)에 의해 차단되지 않고 기판(SUB)을 통과할 수 있다. 다시 말하면, 상기 광은 기판(SUB)을 투과하여 패드 전극들(PE), 절연층(IL), 이방전도성필름(ACF), 및 연성 필름(FF)에 도달할 수 있다.
패드 전극들(PE)은 기판(SUB)의 패드 영역(도 1의 패드 영역(PA)) 상에 배치될 수 있다. 패드 전극들(PE)은 3개인 것으로 도시되었지만 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 패드 전극들(PE)은 수십 개일 수 있다. 패드 전극들(PE) 각각은 인듐-주석-산화물(Indium Tin Oxide; ITO)을 포함할 수 있다. 다만 이는 예시적인 것으로 패드 전극들(PE) 각각은 다양한 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 패드 전극들(PE)은 인듐-아연-산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 및 인듐-아연-주석-산화물(Indium Zinc Tin Oxide; IZTO) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 패드 전극들(PE)의 피치(d1)는 26㎛ 이하일 수 있다. 표시 장치(11)의 제한된 공간에서 상대적으로 많은 개수의 패드 전극들(PE)이 배치됨에 따라, 패드 전극들(PE)의 피치(d1)는 감소할 수 있다. 예를 들면, 패드 전극들(PE)의 피치(d1)는 20㎛, 18㎛, 15㎛ 등일 수 있다.
절연층(IL)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있고, 인접하는 패드 전극들(PE1,PE2,PE3) 사이에 배치될 수 있다. 절연층(IL)은 패드 전극들(PE)의 측면을 커버할 수 있다. 따라서, 절연층(IL)은 패드 전극들(PE1,PE2,PE3)간 절연하는 역할을 수행할 수 있다. 절연층(IL)은 열 흡수입자(HA1)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 열 흡수입자(HA1)는 절연층(IL) 내에 분산될 수 있다. 열 흡수입자(HA1)는 적외선 영역 파장의 광을 흡수할 수 있다. 일 실시예에서, 열 흡수입자(HA1)는 약 808nm 파장의 광을 흡수할 수 있다. 열 흡수입자(HA1)는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 열 흡수입자(HA1)는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 열 흡수입자(HA1)는 적외선 영역 파장의 광을 흡수하는 다양한 물질 또는 다양한 물질의 조합을 포함하는 입자일 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 하부에서 제3 방향(D3)을 향해 적외선 레이저를 조사하면, 상기 레이저의 대부분은 열 흡수입자(HA1)에 의해 흡수될 수 있다. 기판(SUB), 패드 전극들(PE), 및 절연층(IL)을 포함하여 표시 패널이라 정의할 수 있다.
이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 및 절연층(IL) 상에 배치될 수 있다. 이방전도성필름(ACF)은 적어도 하나의 도전볼(CB)을 포함할 수 있다. 이로 인해, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP)을 전기적으로 연결할 수 있다. 도전볼(CB)은 패드 전극들(PE)과 접촉하는 도전볼(CB1) 및 패드 전극들(PE)과 접촉하지 않는 도전볼(CB2)을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 7과 함께 설명하기 위해 후술한다.
연성 필름(FF)은 베이스 필름(BF) 및 패드 전극들(PE)과 전기적으로 연결되는 복수의 범프 전극들(BP)을 포함할 수 있다. 연성 필름(FF)은 이방전도성필름(ACF) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 연성 필름(FF) 사이에 배치될 수 있다.
범프 전극들(BP)은 패드 전극들(PE) 상에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 범프 전극들(BP1,BP2,BP3) 각각은 패드 전극들(PE1,PE2,PE3) 각각에 대응하도록 마주하여 배치될 수 있다. 범프 전극들(BP)은 3개인 것으로 도시되었지만 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 범프 전극들(BP)은 수십 개일 수 있다. 다시 말하면, 범프 전극들(BP)의 개수는 패드 전극들(PE)의 개수와 대응할 수 있다. 범프 전극들(BP) 각각은 구리(Cu) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 범프 전극들(BP) 각각은 다양한 금속을 포함할 수 있다. 또한, 범프 전극들(BP)은 연성 필름(FF)에 포함되는 것으로 도시되었으나, 전술한 칩 온 글래스(COG)의 구조 또는 칩 온 플라스틱(COP)의 구조인 경우에는 연성 필름(FF)이 생략될 수 있다. 이 경우 범프 전극들(BP)을 포함하는 연성 필름(FF)은 범프 전극들(BP)을 포함하는 구동칩(DIC)으로 대체될 수 있다. 다시 말하면, 구동칩(DIC)의 범프 전극들(BP)은 패드 전극들(PE) 상에 배치될 수 있다.
베이스 필름(BF)은 범프 전극들(BP) 및 이방전도성필름(ACF) 상에 배치될 수 있다. 베이스 필름(BF)은 플라스틱을 포함할 수 있다. 따라서, 베이스 필름(BF)은 플렉서블, 벤더블, 또는 롤러블 특성을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 베이스 필름(BF)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
한편, 표시 장치(11)의 제한된 공간 내에서 패드 전극들(PE)을 가능한 많이 배치하는 것이 요구되고 있다. 다시 말하면, 패드 전극들(PE)의 피치(d1)를 감소시키는 초미세 피치 본딩에 대한 연구가 지속되고 있다.
종래에, 기판(SUB) 및 연성 필름(FF)을 본딩하기 위해 레이저를 이방전도성필름(ACF)에 조사할 수 있고, 이방전도성필름(ACF)은 상기 레이저에 의해 발생한 열로 경화될 수 있다. 즉, 상기 레이저를 흡수하여 열을 발생시킬 수 있다. 다만, 이방전도성필름(ACF)은 직접 상기 레이저를 흡수하는 양이 적을 수 있다. 따라서, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE), 도전볼(CB), 범프 전극들(BP), 베이스 필름(BF) 등이 상기 레이저를 흡수하여 발생한 열을 전달받아 경화될 수 있다. 다만, 베이스 필름(BF)은 폴리이미드와 같은 고분자 수지를 포함하기 때문에, 베이스 필름(BF)은 열에 의해 팽창할 수 있다. 다시 말하면, 베이스 필름(BF)은 임계점 보다 많은 열을 흡수하면 연신될 수 있다. 베이스 필름(BF)이 연신됨으로써, 범프 전극들(BP1,BP2,BP3) 각각의 위치가 변경될 수 있다. 다시 말하면, 범프 전극들(BP1,BP2,BP3) 각각과 패드 전극들(PE1,PE2,PE3) 각각은 마주하여 대응하지 않고 어긋날 수 있다. 따라서, 초미세 피치 본딩에서 패드 전극들(PE)의 피치(d1)를 감소시킬수록 베이스 필름(BF)의 연신량에 의해 접촉 불량이 발생될 수 있다. 따라서, 초미세 피치 본딩을 개선하기 위해 베이스 필름(BF)의 연신량을 최소화할 방안이 요구되고 있다. 다시 말하면, 베이스 필름(BF)은 상기 레이저에 의해 발생한 열을 적게 흡수하고, 이방전도성필름(ACF)은 상기 레이저에 의해 발생한 열을 많이 흡수할 수 있는 방안이 요구될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(11)는 전술한대로 열 흡수입자(HA1)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 열 흡수입자(HA1)는 절연층(IL) 내에 분산될 수 있다. 열 흡수입자(HA1)는 적외선 영역 파장의 광을 흡수할 수 있다. 일 실시예에서, 열 흡수입자(HA1)는 약 808nm 파장의 광을 흡수할 수 있다. 열 흡수입자(HA1)는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 열 흡수입자(HA1)는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 열 흡수입자(HA1)는 적외선 영역 파장의 광을 흡수하는 다양한 물질 또는 다양한 물질의 조합을 포함하는 입자일 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 하부에서 제3 방향(D3)을 향해 적외선 레이저를 조사하면, 상기 레이저의 대부분은 열 흡수입자(HA1)에 의해 흡수될 수 있다. 이로 인해, 열 흡수입자(HA1)는 상기 레이저를 대부분 흡수하기 때문에, 열 흡수입자(HA1)를 포함하는 절연층(IL)이 가장 고온일 수 있고, 이방전도성필름(ACF)은 절연층(IL)으로부터 열을 전달받아 경화될 수 있다. 또한, 열 흡수입자(HA1)는 베이스 필름(BF)으로 도달하는 레이저의 양을 현저히 감소시킬 수 있다. 다시 말하면, 베이스 필름(BF)은 상대적으로 저온으로 유지되기 때문에, 베이스 필름(BF)의 연신량을 감소하여 초미세 피치 본딩에 대한 개선안을 제공할 수 있다.
도 4는 도 1의 II-II' 선을 따라 절단한 다른 실시예에 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(12)는 기판(SUB), 복수의 패드 전극들(PE), 이방전도성필름(ACF), 및 연성 필름(FF)을 포함할 수 있다.
이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 연성 필름(FF) 사이에 배치될 수 있다. 이방전도성필름(ACF)은 적어도 하나의 도전볼(CB)을 포함할 수 있다. 이로 인해, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP)을 전기적으로 연결할 수 있다. 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 범프 전극들(BP) 사이에 배치되며 적어도 하나의 도전볼(CB)을 포함하는 도전층(CF) 및 인접하는 범프 전극들(BP) 사이에 배치되며 제1 열 흡수입자(HA2)를 포함하는 열 흡수층(HAF)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 이방전도성필름(ACF)은 도전볼(CB)을 포함하는 도전층(CF)과 도전볼(CB)을 포함하지 않는 열 흡수층(HAF)을 포함하는 2층 구조를 가질 수 있다. 도전볼(CB)은 패드 전극들(PE)과 접촉하는 도전볼(CB1) 및 패드 전극들(PE)과 접촉하지 않는 도전볼(CB2)을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 7과 함께 설명하기 위해 후술한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(12)는 제1 열 흡수입자(HA2)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 이방전도성필름(ACF)이 포함하는 열 흡수층(HAF)은 제1 열 흡수입자(HA2)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제1 열 흡수입자(HA2)는 열 흡수층(HAF) 내에 분산될 수 있다. 제1 열 흡수입자(HA2)는 적외선 영역 파장의 광을 흡수할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 열 흡수입자(HA2)는 약 808nm 파장의 광을 흡수할 수 있다. 제1 열 흡수입자(HA2)는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 열 흡수입자(HA2)는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 열 흡수입자(HA2)는 적외선 영역 파장의 광을 흡수하는 다양한 물질 또는 다양한 물질의 조합을 포함하는 입자일 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 하부에서 제3 방향(D3)을 향해 적외선 레이저를 조사하면, 상기 레이저의 대부분은 제1 열 흡수입자(HA2)에 의해 흡수될 수 있다. 이로 인해, 열 흡수입자(HA2)는 레이저를 대부분 흡수하기 때문에, 제1 열 흡수입자(HA2)를 포함하는 열 흡수층(HAF)이 가장 고온일 수 있고, 이방전도성필름(ACF)은 열 흡수층(HAF)으로부터 열을 전달받아 경화될 수 있다. 또한, 제1 열 흡수입자(HA2)는 베이스 필름(BF)으로 도달하는 레이저의 양을 현저히 감소시킬 수 있다. 다시 말하면, 베이스 필름(BF)은 상대적으로 저온으로 유지되기 때문에, 베이스 필름(BF)의 연신량을 감소하여 초미세 피치 본딩에 대한 개선안을 제공할 수 있다.
다만, 범프 전극들(BP)은 연성 필름(FF)에 포함되는 것으로 도시되었으나, 전술한 칩 온 글래스(COG)의 구조 또는 칩 온 플라스틱(COP)의 구조인 경우에는 연성 필름(FF)이 생략될 수 있다. 이 경우 범프 전극들(BP)을 포함하는 연성 필름(FF)은 범프 전극들(BP)을 포함하는 구동칩(DIC)으로 대체될 수 있다. 즉, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 구동칩(DIC) 사이에 배치될 수 있다.
도 5는 도 1의 II-II' 선을 따라 절단한 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(13)는 기판(SUB), 복수의 패드 전극들(PE), 이방전도성필름(ACF), 및 연성 필름(FF)을 포함할 수 있다.
이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 연성 필름(FF) 사이에 배치될 수 있다. 이방전도성필름(ACF)은 적어도 하나의 도전볼(CB)을 포함할 수 있다. 이로 인해, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP)을 전기적으로 연결할 수 있다. 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 범프 전극들(BP) 사이에 배치되며 적어도 하나의 도전볼(CB)을 포함하는 도전층(CF) 및 인접하는 범프 전극들(BP) 사이에 배치되며 제1 열 흡수입자(HA2)를 포함하는 열 흡수층(HAF)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 이방전도성필름(ACF)은 도전볼(CB)을 포함하는 도전층(CF)과 도전볼(CB)을 포함하지 않는 열 흡수층(HAF)을 포함하는 2층 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(13)는 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 이방전도성필름(ACF)이 포함하는 열 흡수층(HAF)은 제1 열 흡수입자(HA2)를 포함할 수 있고, 이방전도성필름(ACF)이 포함하는 도전층(CF)은 제2 열 흡수입자(HA3)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제1 열 흡수입자(HA2)는 열 흡수층(HAF) 내에 분산될 수 있고, 제2 열 흡수입자(HA3)는 도전층(CF) 내에 분산될 수 있다. 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3) 각각은 적외선 영역 파장의 광을 흡수할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3) 각각은 약 808nm 파장의 광을 흡수할 수 있다. 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3) 각각은 금속 입자 또는 금속 산화물 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3) 각각은 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3) 각각은 적외선 영역 파장의 광을 흡수하는 다양한 물질 또는 다양한 물질의 조합을 포함하는 입자일 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 하부에서 제3 방향(D3)을 향해 적외선 레이저를 조사하면, 상기 레이저의 대부분은 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3) 각각에 의해 흡수될 수 있다. 이로 인해, 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3) 각각은 레이저를 대부분 흡수하기 때문에, 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3) 각각을 포함하는 열 흡수층(HAF) 및 도전층(CF)이 가장 고온일 수 있으므로, 이방전도성필름(ACF)은 경화될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 열 흡수입자들(HA2,HA3)은 베이스 필름(BF)으로 도달하는 레이저의 양을 현저히 감소시킬 수 있다. 다시 말하면, 베이스 필름(BF)은 상대적으로 저온으로 유지되기 때문에, 베이스 필름(BF)의 연신량을 감소하여 초미세 피치 본딩에 대한 개선안을 제공할 수 있다.
다만, 범프 전극들(BP)은 연성 필름(FF)에 포함되는 것으로 도시되었으나, 전술한 칩 온 글래스(COG)의 구조 또는 칩 온 플라스틱(COP)의 구조인 경우에는 연성 필름(FF)이 생략될 수 있다. 이 경우 범프 전극들(BP)을 포함하는 연성 필름(FF)은 범프 전극들(BP)을 포함하는 구동칩(DIC)으로 대체될 수 있다. 즉, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 구동칩(DIC) 사이에 배치될 수 있다.
도 6은 도 1의 II-II' 선을 따라 절단한 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(14)는 기판(SUB), 복수의 패드 전극들(PE), 절연층(IL), 이방전도성필름(ACF), 및 연성 필름(FF)을 포함할 수 있다.
절연층(IL)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있고, 인접하는 패드 전극들(PE1,PE2,PE3) 사이에 배치될 수 있다. 절연층(IL)은 패드 전극들(PE)의 측면을 커버할 수 있다. 따라서, 절연층(IL)은 패드 전극들(PE1,PE2,PE3)간 절연하는 역할을 수행할 수 있다.
이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 연성 필름(FF) 사이에 배치될 수 있다. 이방전도성필름(ACF)은 적어도 하나의 도전볼(CB)을 포함할 수 있다. 이로 인해, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP)을 전기적으로 연결할 수 있다. 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 범프 전극들(BP) 사이에 배치되며 적어도 하나의 도전볼(CB)을 포함하는 도전층(CF) 및 인접하는 범프 전극들(BP) 사이에 배치되며 제1 열 흡수입자(HA2)를 포함하는 열 흡수층(HAF)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 이방전도성필름(ACF)은 도전볼(CB)을 포함하는 도전층(CF)과 도전볼(CB)을 포함하지 않는 열 흡수층(HAF)을 포함하는 2층 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(14)는 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 이방전도성필름(ACF)이 포함하는 열 흡수층(HAF)은 제1 열 흡수입자(HA2)를 포함할 수 있고, 이방전도성필름(ACF)이 포함하는 도전층(CF)은 제2 열 흡수입자(HA3)를 포함할 수 있으며, 절연층(IL)은 제3 열 흡수입자(HA4)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제1 열 흡수입자(HA2)는 열 흡수층(HAF) 내에 분산될 수 있고, 제2 열 흡수입자(HA3)는 도전층(CF) 내에 분산될 수 있으며, 제3 열 흡수입자(HA4)는 절연층(IL) 내에 분산될 수 있다. 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4) 각각은 적외선 영역 파장의 광을 흡수할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4) 각각은 약 808nm 파장의 광을 흡수할 수 있다. 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4) 각각은 금속 입자 또는 금속 산화물 입자일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4) 각각은 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자일 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4) 각각은 적외선 영역 파장의 광을 흡수하는 다양한 물질 또는 다양한 물질의 조합을 포함하는 입자일 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 하부에서 제3 방향(D3)을 향해 적외선 레이저를 조사하면, 상기 레이저의 대부분은 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4) 각각에 의해 흡수될 수 있다. 이로 인해, 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4) 각각은 레이저를 대부분 흡수하기 때문에, 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4) 각각을 포함하는 열 흡수층(HAF), 도전층(CF), 절연층(IL)이 가장 고온일 수 있으므로, 이방전도성필름(ACF)은 경화될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 열 흡수입자들(HA2,HA3,HA4)은 베이스 필름(BF)으로 도달하는 레이저의 양을 현저히 감소시킬 수 있다. 다시 말하면, 베이스 필름(BF)은 상대적으로 저온으로 유지되기 때문에, 베이스 필름(BF)의 연신량을 감소하여 초미세 피치 본딩에 대한 개선안을 제공할 수 있다.
다만, 범프 전극들(BP)은 연성 필름(FF)에 포함되는 것으로 도시되었으나, 전술한 칩 온 글래스(COG)의 구조 또는 칩 온 플라스틱(COP)의 구조인 경우에는 연성 필름(FF)이 생략될 수 있다. 이 경우 범프 전극들(BP)을 포함하는 연성 필름(FF)은 범프 전극들(BP)을 포함하는 구동칩(DIC)으로 대체될 수 있다. 즉, 이방전도성필름(ACF)은 패드 전극들(PE)과 구동칩(DIC) 사이에 배치될 수 있다.
도 7은 도전층의 두께를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 도전층(CF)은 적어도 하나의 도전볼(CB)을 포함할 수 있다. 도전볼(CB)의 직경(t1)은 약 3.2㎛일 수 있다. 도전층(CF)의 두께(t2)는 도전볼(CB)의 직경(t1)의 약 2배 이하일 수 있다. 다시 말하면, 도전층(CF)의 두께(t2)는 약 3.2㎛ 내지 약 6.4㎛ 일 수 있다. 다만, 도전볼(CB)의 직경(t1)은 이에 제한되지 않고, 도전볼(CB)은 다양한 크기를 가질 수 있다. 따라서, 도전층(CF)의 두께(t2)는 이에 제한되지 않고, 도전층(CF)은 다양한 두께를 가질 수 있다. 다만, 도전층(CF)의 두께(t2)는 도전볼(CB)의 직경(t1)의 약 2배 이하이면 충분할 수 있다.
두 매체를 본딩하기 위해서는 도전볼(CB)이 상기 두 매체에 접촉해야만 전기적으로 연결되므로 가압을 해야할 수 있다.
도 3, 도 4, 및 도 7을 참조하면, 본딩 시 가압하는 과정에서 도전볼(CB)은 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP) 사이에 배치되는 도전볼(CB1)의 위치에 배치될 수 있고, 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP) 사이에 배치되지 않은 도전볼(CB2)의 위치에 배치될 수도 있다. 도전볼(CB)은 기판(SUB)과 연성 필름(FF)을 전기적으로 연결하기 위해, 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP) 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 패드 전극들(PE) 및 범프 전극들(BP) 사이에 배치되지 않은 도전볼(CB2)은 기판(SUB)과 연성 필름(FF)을 전기적으로 연결하는 역할을 수행하지 못할 수 있다.
패드 전극들(PE)과 범프 전극들(BP) 사이에 배치되는 도전볼(CB1)이 패드 전극들(PE)과 범프 전극들(BP) 사이에 배치되지 않은 도전볼(CB2)로의 이동을 도전볼 플로우(flow)라고 정의할 수 있다. 패드 전극들(PE)과 범프 전극들(BP) 사이에 배치되지 않은 도전볼(CB2)이 많으면, 패드 전극들(PE1,PE2,PE3) 간에 전기적으로 연결되거나 범프 전극들(BP1,BP2,BP3) 간에 전기적으로 연결되는 쇼트가 발생할 확률이 높을 수 있다. 한편, 도전층(CF)의 두께(t2)가 클 경우, 가압하는 과정에서 상기 도전볼 플로우가 발생할 확률이 높으므로 이로 인해, 상기 쇼트가 발생할 확률이 높아질 수 있다. 따라서, 도전층(CF)의 두께(t2)는 도전볼(CB)의 직경(t1)의 약 2배 이하인 경우, 상기 도전볼 플로우가 발생할 확률이 현저히 감소하므로 상기 쇼트가 발생할 확률이 현저히 감소할 수 있다.
한편, 본 발명의 기술적 사상은 이방전도성필름(ACF)을 이용한 두 매체를 본딩하는 시스템에 대한 것으로, 반드시 상기 두 매체가 기판(SUB) 및 연성 필름(FF)으로 한정되지 않음은 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다. 즉, 연성 필름(FF)은 생략될 수 있고, 상기 두 매체는 기판(SUB) 및 구동칩(DIC)일 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10,11,12,13,14 : 표시 장치 SUB : 기판
PE : 패드 전극들 IL : 절연층
BP : 범프 전극들 BF : 베이스 필름
FF : 연성 필름 ACF : 이방전도성필름
CF : 도전층 CB : 도전볼
HAF : 열 흡수층 HA : 열 흡수입자

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판;
    상기 패드 영역 상에 배치되는 복수의 패드 전극들; 및
    인접하는 상기 패드 전극들 사이에 배치되고, 열 흡수입자를 포함하는 절연층을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 열 흡수입자는 적외선 영역 파장의 광을 흡수하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 열 흡수입자는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 열 흡수입자는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 절연층은 상기 패드 전극들의 측면을 커버하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 패드 전극들 각각은 인듐-주석-산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 및 인듐-아연-주석-산화물(Indium Zinc Tin Oxide; IZTO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 패드 전극들의 피치는 26㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 표시 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판;
    상기 패드 영역 상에 배치되는 복수의 패드 전극들;
    상기 패드 전극들과 전기적으로 연결되는 복수의 범프 전극들; 및
    상기 패드 전극들과 상기 범프 전극들 사이에 배치되어, 상기 패드 전극들과 상기 범프 전극들을 전기적으로 연결하는 이방전도성필름을 포함하고,
    상기 이방전도성필름은 상기 패드 전극들과 상기 범프 전극들 사이에 배치되며 적어도 하나의 도전볼을 포함하는 도전층 및 인접하는 상기 범프 전극들 사이에 배치되며 제1 열 흡수입자를 포함하는 열 흡수층을 포함하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 제1 열 흡수입자는 적외선 영역 파장의 광을 흡수하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 제1 열 흡수입자는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제8 항에 있어서, 상기 제1 열 흡수입자는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 범프 전극들 및 상기 범프 전극들 상에 배치되는 베이스 필름을 포함하는 연성 필름을 더 포함하고,
    상기 베이스 필름은 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제8 항에 있어서, 상기 도전층의 두께는 상기 도전볼의 직경의 2배 이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제8 항에 있어서, 상기 도전층의 두께는 3.2㎛ 내지 6.4㎛인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제8 항에 있어서, 상기 도전층은 제2 열 흡수입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 제2 열 흡수입자는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제8 항에 있어서, 상기 범프 전극들 각각은 구리(Cu) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제8 항에 있어서,
    인접하는 상기 패드 전극들 사이에 배치되는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서, 상기 절연층은 제3 열 흡수입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서, 상기 제3 열 흡수입자는 텅스텐산화물(WO3), 바나듐산화물(V-2O5), 산화철(Fe2O5), 탄소나노튜브, 텔루륨산화물(TeO2), 아연산화물(ZnO), 바륨산화물(BaO), 나이오븀산화물(Nb2O5), 알루미늄산화물(Al2O3), 망간산화물(MnO2), 알루미늄(Al), 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하는 입자인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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US20010046021A1 (en) * 1997-08-28 2001-11-29 Takeshi Kozuka A conductive particle to conductively bond conductive members to each other, an anisotropic adhesive containing the conductive particle, a liquid crystal display device using the anisotropic conductive adhesive, a method for manufacturing the liquid crystal display device
JP2000311640A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Ise Electronics Corp 絶縁膜および蛍光表示装置
KR100559937B1 (ko) * 2003-01-08 2006-03-13 엘에스전선 주식회사 미세회로의 접속방법 및 그에 의한 접속 구조체
KR100549796B1 (ko) 2003-11-03 2006-02-08 주식회사 젯텍 레이저를 이용한 이방전도성필름 본딩 장치 및 방법
JP7185252B2 (ja) * 2018-01-31 2022-12-07 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法

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