KR20220101833A

KR20220101833A - 전자 장치 및 그 제어 방법

Info

Publication number: KR20220101833A
Application number: KR1020210003804A
Authority: KR
Inventors: 이상민; 방성용; 김종우; 김학열; 김무영
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2021-01-12
Filing date: 2021-01-12
Publication date: 2022-07-19
Also published as: WO2022154150A1; US20230325293A1

Abstract

적어도 하나 이상의 센서, 통신 회로, 메모리, 및 상기 적어도 하나 이상의 센서, 상기 통신 회로, 및 상기 메모리와 작동적으로 연결된 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 적어도 하나 이상의 센서를 통해 상기 전자 장치의 내부 온도들을 확인하고, 상기 전자 장치의 상기 내부 온도와 관련된 내부 온도 데이터를 외부 장치로 제공하고, 상기 외부 장치로부터 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 표면 온도 예측 모델을 수신하고, 상기 표면 온도 예측 모델 및 상기 전자 장치의 메모리에 저장된 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하고, 및 상기 예측된 표면 온도에 기반하여 상기 전자 장치의 복수의 모듈들 중 발열 제어에 진입하는 적어도 하나의 발열원을 선택하도록 설정된 전자 장치가 개시된다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.

Description

전자 장치 및 그 제어 방법{An electronic device and a method controlling the same}

본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은, 전자 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다.

전자 장치는 내부의 구성 요소들을 이용하여 동작할 수 있다. 전자 장치를 구성하는 모듈(module)들은 일반적인 성능으로 동작하는 일반 모드 및 모듈에서 발생하는 열이 감소하도록 일반적인 성능보다 낮은 성능으로 동작하는 발열 제어 모드 중 어느 하나의 모드로 동작할 수 있다. 전자 장치는 전자 장치의 내부 온도를 측정하는 온도 센서를 포함할 수 있다. 전자 장치는 온도 센서에서 측정한 전자 장치의 내부 온도가 지정된 발열 제어 진입 온도 이상인 경우 발열 제어 모드로 진입할 수 있다.

전자 장치는 온도 센서에서 측정한 전자 장치의 내부 온도에 기반하여 발열 제어 모드로 진입할 수 있다. 전자 장치는 전자 장치의 내부 온도가 발열 제어 진입 온도 이상인 경우 일괄적으로 발열 제어 모드로 동작할 수 있다.

전자 장치가 동작하는 경우 전자 장치에 포함된 모듈들 중 주된 동작을 수행하는 모듈에서 열이 순간적으로 발생할 수 있다. 주된 동작을 수행하는 모듈은 발열원(heat source)일 수 있다. 발열원에 의한 온도의 변화 량은 전자 장치의 표면 온도의 변화 량보다 클 수 있다. 전자 장치의 내부 온도에 기반하여 발열 제어 모드에 진입하는 경우 모듈에서 열이 순간적으로 발생하는 경우 전자 장치의 표면 온도가 발열 제어 진입 온도 이하인 경우에도 전자 장치가 발열 제어 모드로 진입할 수 있다. 이에 따라 전자 장치가 불필요하게 발열 제어 모드로 진입할 수 있다.

또한 전자 장치가 동작하는 경우 발열원이 배치된 부분의 온도가 상승하고 나머지 부분의 온도는 유지될 수 있다. 전자 장치의 내부 중 특정 부분의 온도가 발열 제어 진입 온도 이상이 되는 경우 전자 장치 전체가 발열 제어 모드로 진입할 수 있다. 이에 따라 발열 제어 진입 온도 이하인 부분에 배치된 모듈까지 불필요하게 발열 제어 모드로 진입할 수 있다.

본 문서에 개시되는 다양한 실시 예들은, 전자 장치의 표면 온도를 예측하고 예측된 표면 온도에 기반하여 표면 온도가 발열 제어 진입 온도 이상인 부분이 발열 제어 모드에 진입하도록 전자 장치를 제어하는 방법 및 그 방법을 적용한 전자 장치를 제공하고자 한다.

본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 적어도 하나 이상의 센서, 통신 회로, 메모리, 및 상기 적어도 하나 이상의 센서, 상기 통신 회로, 및 상기 메모리와 작동적으로 연결된 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 적어도 하나 이상의 센서를 통해 상기 전자 장치의 내부 온도들을 확인하고, 상기 전자 장치의 상기 내부 온도와 관련된 내부 온도 데이터를 외부 장치로 제공하고, 상기 외부 장치로부터 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 표면 온도 예측 모델을 수신하고, 상기 표면 온도 예측 모델 및 상기 전자 장치의 메모리에 저장된 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하고, 및 상기 예측된 표면 온도에 기반하여 상기 전자 장치의 복수의 모듈들 중 발열 제어에 진입하는 적어도 하나의 발열원을 선택하도록 설정될 수 있다.

또한, 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법은, 상기 전자 장치의 사용에 따른 상기 전자 장치의 내부 온도를 측정하는 동작, 상기 전자 장치의 상기 내부 온도와 관련된 내부 온도 데이터를 외부 장치로 제공하는 동작, 상기 외부 장치로부터 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 표면 온도 예측 모델을 수신하는 동작, 상기 표면 온도 예측 모델 및 상기 전자 장치의 메모리에 저장된 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 동작, 및 상기 예측된 표면 온도에 기반하여 상기 전자 장치의 복수의 모듈들 중 발열 제어에 진입하는 적어도 하나의 발열원을 선택하는 동작을 포함할 수 있다.

또한, 본 문서에 개시되는 컴퓨터로 판독 가능한 비일시적 기록 매체는, 복수의 인스트럭션들을 저장하고, 상기 복수의 인스트럭션들은, 전자 장치의 사용에 따른 상기 전자 장치의 내부 온도를 측정하는 동작, 상기 전자 장치의 상기 내부 온도와 관련된 내부 온도 데이터를 외부 장치로 제공하는 동작, 상기 외부 장치로부터 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 표면 온도 예측 모델을 수신하는 동작, 상기 표면 온도 예측 모델 및 상기 전자 장치의 메모리에 저장된 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 동작, 및 상기 예측된 표면 온도에 기반하여 상기 전자 장치의 복수의 모듈들 중 발열 제어에 진입하는 적어도 하나의 발열원을 선택하는 동작을 수행하도록 설정될 수 있다.

본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 내부 온도를 이용하여 전자 장치의 표면 전체에 대한 온도를 2차원적으로 예측하여 발열 지도를 생성할 수 있다. 이에 따라 전자 장치의 표면 온도가 발열 제어 진입 온도 이상으로 예측되는 경우 발열 제어 모드에 진입할 수 있어 전자 장치가 불필요하게 발열 제어 모드로 진입하는 경우를 감소시킬 수 있다.

또한, 본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 표면 온도를 예측하고 예측된 표면 온도가 발열 제어 진입 온도 이상인 부분에 배치된 모듈을 발열 제어 모드로 진입시킬 수 있다. 이에 따라 발열 제어 진입 온도 이상인 부분에 배치된 모듈에 대해서만 발열 제어를 하고 나머지 부분에 배치된 모듈들은 최적의 성능으로 동작을 수행하도록 할 수 있다.

또한, 본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 예측된 전자 장치의 표면 온도에 따라 전자 장치의 표면의 특정 부분과 인접한 발열원에 의하여 특정 부분에서 발열 제어 진입 온도 이상의 온도가 예측되는 경우 특정 부분과 인접한 발열원을 발열 제어 모드로 진입시켜 특정 부분의 과열을 예방할 수 있다.

이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.

도 1은 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치 및 서버를 나타낸 블록도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 것을 나타낸 도면이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 예측된 표면 온도를 측정된 표면 온도와 비교하는 것을 나타낸 도면이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 시간에 따라 저온 화상 온도가 발생하는 온도를 나타낸 그래프이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 발열 지도 상의 발열원의 위치를 나타낸 도면이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.

이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101)) 및 서버(108)를 나타낸 블록도(200)이다.

일 실시 예에서, 전자 장치(101)는 발열 제어를 수행할 수 있다. 전자 장치(101)를 구성하는 모듈(module)들은 일반적인 성능으로 동작하는 일반 모드 및 모듈에서 발생하는 열이 감소하도록 일반적인 성능보다 낮은 성능으로 동작하는 발열 제어 모드 중 어느 하나의 모드로 동작할 수 있다. 모듈은 프로세서(120), 충전 회로(212), 통신 회로(213), 디스플레이(예: 도 1의 디스플레이 모듈(160)), 카메라(예: 도 1의 카메라 모듈(180)), 또는 다른 종류의 전자 부품(component)일 수 있다. 동작 중인 모듈은 발열원(heat source)일 수 있다. 전자 장치(101)는 전자 장치(101)가 동작함에 따라 발생하는 열을 감소시키고자 하는 경우 발열 제어 모드로 동작할 수 있다.

일 실시 예에서, 전자 장치(101)는 커널(kernel)(210) 및 프레임워크(framework)(220)를 포함할 수 있다. 커널(210)은 전자 장치(101)를 동작시키기 위한 자원(resource)을 할당할 수 있다. 커널(210)은 전자 장치(101)의 모듈들을 일반 모드 또는 발열 제어 모드로 동작시킬 수 있다. 프레임워크(220)는 전자 장치(101)를 동작시키기 위한 소프트워어(software, SW)를 정의할 수 있다. 프레임워크(220)는 전자 장치(101)가 일반 모드 또는 발열 제어 모드로 동작하기 위한 기능들을 제어할 수 있다. 커널(210) 및 프레임워크(220)는 프로세서(120)가 메모리(130)에 저장된 인스트럭션(instruction)들을 실행함으로써 수행하는 적어도 하나의 동작으로 표현될 수 있다.

일 실시 예에서, 커널(210)은 충전 회로(212)(예: 도 1의 전력 관리 모듈(188)) 및 통신 회로(213)(예: 도 1의 무선 통신 모듈(192))를 제어할 수 있다. 커널(210)은 프로세서(120)에 의해 동작되는 추상적인 모듈일 수 있다. 커널(210)은 충전 회로(212) 및 통신 회로(213)를 제어할 수 있는 소프트웨어일 수 있다. 커널(210), 온도 센서(211), 프로세서(120), 충전 회로(212), 및 통신 회로(213)는 서로 작동적으로 연결될(operationally connected) 수 있다. 커널(210), 온도 센서(211), 프로세서(120), 충전 회로(212), 및 통신 회로(213)는 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 센서(211)는 전자 장치(101)의 내부에 배치될 수 있다. 온도 센서(211)는 적어도 하나 이상 배치될 수 있다. 온도 센서(211)는 모듈에 인접하도록 배치될 수 있다. 온도 센서(211)는 전자 장치(101)의 내부 온도들을 측정할 수 있다. 온도 센서(211)는 써미스터(thermistor)일 수 있다. 온도 센서(211)는 전자 장치(101) 내부의 온도를 주기적으로 또는 실시간으로 측정할 수 있다. 커널(210)은 주기적으로 온도 센서(211)에서 측정한 내부 온도의 값을 확인할 수 있다. 커널(210)은 확인한 내부 온도의 값을 갱신할 수 있다. 프레임워크(220)는 갱신된 내부 온도의 값을 주기적으로 확인할 수 있다. 이에 따라 프로세서(120)는 적어도 하나의 센서(예: 온도 센서(211))를 통해 전자 장치(101)의 내부 온도들을 확인할 수 있다.

일 실시 예에서, 프로세서(120)는 전자 장치(101)의 동작을 전체적으로 제어할 수 있다. 프로세서(120)는 프레임워크(220)에 의해 동작의 성능이 제한될 수 있다. 프로세서(120)는 프로세서(120)가 배치된 부분의 표면 온도가 발열 제어 진입 모드 이상인 경우 발열 제어 모드로 동작할 수 있다.

일 실시 예에서, 충전 회로(212)는 전자 장치(101)의 배터리(예: 도 1의 배터리(189))로 충전 전류를 공급할 수 있다. 충전 회로(212)는 프레임워크(220)에 의해 동작의 성능이 제한될 수 있다. 충전 회로(212)는 충전 회로(212)가 배치된 부분의 표면 온도가 발열 제어 진입 모드 이상인 경우 발열 제어 모드로 동작할 수 있다.

일 실시 예에서, 통신 회로(213)는 전자 장치(101) 및 기지국 사이의 무선 통신 연결을 수립할 수 있다. 통신 회로(213)는 프레임워크(220)에 의해 동작의 성능이 제한될 수 있다. 통신 회로(213)는 통신 회로(213)가 배치된 부분의 표면 온도가 발열 제어 진입 모드 이상인 경우 발열 제어 모드로 동작할 수 있다.

일 실시 예에서, 프레임워크(220)는 프로세서(120)에 의해 동작되는 소프트웨어 기능일 수 있다. 프레임워크(220)는 온도 관리부(221), 2차원 온도 예측부(222), 온도 확산 확인부(223), 온도 정책 관리부(224), 및 모듈 제한부(225)를 포함할 수 있다. 프레임워크(220)의 동작에 의해 생성된 데이터는 메모리(130)에 저장될 수 있다. 메모리(130)는 프로세서(120)와 전기적으로 연결될 수 있다. 메모리(130)는 프로세서(120)와 작동적으로 연결될 수 있다.

일 실시 예에서, 서버(108)는 전자 장치(101)의 외부에 있는 별도의 장치일 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 관리부(221)는 온도 센서(221)에서 측정한 전자 장치(101)의 내부 온도를 수신 또는 확인할 수 있다. 온도 관리부(221)는 메모리(130)에 저장된 전자 장치(101)의 내부 온도 값을 확인할 수 있다. 온도 관리부(221)는 전자 장치(101)의 내부 온도와 관련된 정보를 수집할 수 있다. 온도 관리부(221)는 전자 장치(101)의 내부 온도를 2차원 온도 예측부(222)로 전송할 수 있다. 온도 관리부(221)는 온도 매니저(temperature manager)로 통칭될 수 있다.

일 실시 예에서, 2차원 온도 예측부(222)는 온도 관리부(221)로부터 전자 장치(101)의 내부 온도를 수신할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 전자 장치(101)의 표면과 관련된 정보를 수집할 수 있다. 예를 들어, 2차원 온도 예측부(222)는 전자 장치(101)의 전면(front side)으로 노출된 디스플레이(160)의 표면과 관련된 정보를 수집할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 전자 장치(101)의 표면 전체를 2차원으로 나타낼 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 전자 장치(101)의 내부 온도에 기반하여 2차원으로 나타낸 전자 장치(101)의 표면 온도를 예측할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 전자 장치(101)의 표면 전체의 온도를 예측할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 표면 온도에 기반하여 발열 지도(heat map)를 생성할 수 있다. 발열 지도는 전자 장치(101)의 표면 온도를 예측하여 평면적으로 표시한 지도 형태의 데이터일 수 있다. 발열 지도는 2차원 정수 배열의 형태로 전자 장치(101)의 표면 온도 값을 수치화 할 수 있다. 발열 지도는 시각화된 자료로 표현될 수 있다. 예를 들어, 발열 지도는 전자 장치(101)의 표면 중 표면 온도가 높은 영역을 적색으로 표시하고 표면 온도가 낮은 영역을 청색으로 표시한 그래픽 타입 지도일 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 생성한 발열 지도를 온도 확산 확인부(223)로 전송할 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 확산 확인부(223)는 2차원 온도 예측부(222)로부터 발열 지도를 수신할 수 있다. 온도 확산 확인부(223)는 메모리(130)에 저장된 모듈 위치와 관련된 정보를 확인할 수 있다. 온도 확산 확인부(223)는 발열 지도를 분석할 수 있다. 온도 확산 확인부(223)는 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 발열 지도를 분석할 수 있다. 온도 확산 확인부(223)는 발열 지도의 분석에 기반하여 전자 장치(101)의 표면에서의 열 확산과 관련된 정보를 수집할 수 있다. 온도 확산 확인부(223)는 발열 지도의 분석 결과를 온도 정책 관리부(224)로 전송할 수 있다.

일 실시 예에서, 메모리(130)는 모듈 위치와 관련된 정보를 저장할 수 있다. 메모리(130)는 온도 확산 확인부(223)의 확인에 응답하여 저장된 모듈 위치와 관련된 정보를 로드(load)할 수 있다.

일 실시 예에서, 프로세서(120)는 서버(108)로부터 정책을 수신할 수 있다. 정책은 전자 장치(101)의 동작과 관련된 규칙들을 포함할 수 있다. 정책은 전자 장치(101)의 온도에 대한 규칙들을 포함하는 온도 정책을 포함할 수 있다. 프로세서(120)는 프로세서(120)를 통해 동작하는 소프트웨어 모듈을 이용하여 정책을 수신할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 프레임워크(220)를 이용하여 정책을 수신할 수 있다. 프로세서(120)는 서버(108)로 정책에 대한 피드백을 전송할 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 정책 관리부(224)는 온도 확산 확인부(223)로부터 분석 결과를 수신할 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 메모리(130)로부터 온도 정책을 확인할 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 분석 결과 및 온도 정책에 기반하여 전자 장치(101)의 동작 성능을 제한하는 제한 정책을 생성할 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 생성한 제한 정책을 모듈 제한부(225)로 전송할 수 있다.

일 실시 예에서, 모듈 제한부(225)는 온도 정책 관리부(224)로부터 제한 정책을 수신할 수 있다. 모듈 제한부(225)는 제한 정책에 기반하여 적어도 하나의 모듈의 성능을 제한할 수 있다. 예를 들어, 모듈 제한부(225)는 프로세서(120), 충전 회로(212), 및 통신 회로(213) 중 적어도 하나의 성능을 제한할 수 있다. 모듈 제한부(225)는 프로세서(120), 충전 회로(212), 및 통신 회로(213) 중 적어도 하나를 발열 제어 모드로 진입시킬 수 있다.

도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 제어 방법을 나타낸 흐름도(300)이다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 온도 수집 동작(310), 분석 동작(320), 및 제어 동작(330)을 수행할 수 있다. 온도 수집 동작(310)은 하드웨어(hardward, HW)적으로 지원되는 전자 장치(101)의 내부의 온도 센서(예: 도 2의 온도 센서(211))에서 온도를 측정하는 동작 및 온도 예측 회로(예: 도 2의 2차원 온도 예측부(222))에서 전자 장치(101)의 표면 전체의 온도를 예측하는 동작을 포함할 수 있다. 분석 동작(320)은 온도 확산 확인부(예: 도 2의 온도 확산 확인부(223))에서 예측된 표면 온도를 기반으로 열 확산을 분석하는 동작을 포함할 수 있다. 제어 동작(330)은 모듈 제한부(예: 도 2의 모듈 제한부(225))에서 분석된 데이터로 제어를 결정하는 동작을 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 수집 동작(310)은 온도 측정 동작(311) 및 발열 지도 생성 동작(312)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 온도 센서(211)는 동작 311에서 온도를 측정할 수 있다. 온도 센서(211)는 전자 장치(101)의 내부 온도를 측정할 수 있다. 온도 센서(211)는 측정한 온도를 2차원 온도 예측부(222)로 전송할 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 2차원 온도 예측부(222)는 동작 312에서 발열 지도를 생성할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 전자 장치(101)의 내부 온도 및 전자 장치(101)의 표면에 관련된 정보에 기반하여 전자 장치(101)의 표면 온도를 예측할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 전자 장치(101)의 표면 온도를 전자 장치(101)의 표면에 나타낸 발열 지도를 생성할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 생성한 발열 지도를 열 확신 확인부(223)로 전송할 수 있다.

일 실시 예에서, 분석 동작(320)은 발열 부분 확인 동작(321 및 322), 발열원 확인 동작(323 및 324), 피드백 업데이트 동작(325), 및 인접 모듈 확인 동작(326, 327, 328, 및 329)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 321에서 발열 부분을 확인할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열 지도에서 전자 장치(101)의 표면 중 표면 온도가 다른 부분보다 높은 부분이 존재하는지 여부를 확인할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열 지도에서 표면 온도가 발열 제어 진입 온도 이상인 부분이 존재하는지 여부를 확인할 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 322에서 발열 부분이 확인 되었는지 여부를 결정할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열 부분이 확인된 경우(동작 322 - YES) 동작 323 및 동작 326으로 진행할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열 부분이 확인되지 않은 경우(동작 322 - NO) 동작 311로 돌아갈 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 323에서 발열원을 확인할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 발열 부분에 배치된 모듈을 확인할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열 부분에 배치된 모듈을 발열원으로 확인할 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 324에서 발열원이 확인 되었는지 여부를 결정할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열원이 확인된 경우(동작 324 - YES) 동작 331로 진행할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열원이 확인되지 않은 경우(동작 324 - NO) 동작 325로 돌아갈 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 325에서 피드백을 업데이트할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 온도 센서(221)에 측정된 내부 온도와 관련된 정보를 피드백 할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열 지도에서 발열 부분을 확인하는 것과 관련된 정보를 피드백 할 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 326에서 인접 모듈을 확인할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 발열 부분과 인접하도록 배치된 모듈을 확인할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 발열 부분과 인접하도록 배치된 모듈을 인접 모듈로 확인할 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 327에서 인접 모듈이 확인 되었는지 여부를 결정할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 인접 모듈이 확인된 경우(동작 327 - YES) 동작 328로 진행할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 인접 모듈이 확인되지 않은 경우(동작 327 - NO) 동작 311로 돌아갈 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 328에서 인접 모듈이 지정된 온도 이상인지 여부를 결정할 수 있다. 지정된 온도는 인접 모듈이 배치된 부분의 온도가 주변 온도보다 상승하기 시작하는 온도일 수 있다. 지정된 온도는 발열 부분의 온도와 동일한 온도일 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 인접 모듈이 지정된 온도 이상인 경우(동작 328 - YES) 동작 329로 진행할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 인접 모듈이 지정된 온도 미만인 경우(동작 328 - NO) 동작 311로 돌아갈 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 열 확신 확인부(223)는 동작 329에서 인접 모듈이 발열원에 의한 영향을 받는지 여부를 결정할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 인접 모듈이 발열원으로부터 확산된 열의 영향으로 온도가 상승하는지 여부를 결정할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 인접 모듈이 발열원에 의한 영향을 받는 경우(동작 329 - YES) 동작 331로 진행할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 인접 모듈이 발열원에 의한 영향을 받지 않는 경우(동작 329 - NO) 동작 311로 돌아갈 수 있다.

일 실시 예에서, 제어 동작(330)은 발열원 및 인접 모듈 중 적어도 하나를 제어하는 동작(331)을 포함할 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)의 모듈 제한부(225)는 동작 331에서 발열원 및 인접 모듈 중 적어도 하나를 제어할 수 있다. 열 확신 확인부(223)는 온도 정책 관리부(예: 도 2의 온도 정책 관리부(224))로 분석 결과를 제공할 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 분석 결과에 기반하여 제한 정책을 생성할 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 제한 정책을 모듈 제한부(225)로 제공할 수 있다. 모듈 제한부(225)는 제한 정책에 기반하여 발열원 및 인접 모듈 중 적어도 하나를 제어할 수 있다. 모듈 제한부(225)는 발열원이 확인된 경우(동작 324 - YES) 발열원을 발열 제어 모드로 동작시킬 수 있다. 모듈 제한부(225)는 인접 모듈이 발열원에 의한 영향을 받는 경우(동작 329 - YES) 인접 모듈을 발열 제어 모드로 동작시킬 수 있다.

일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 발열 부분 및 발열원이 확인되기 전까지 일반 모드로 동작할 수 있다. 이에 따라 전자 장치(101)는 모듈들을 불필요하게 발열 제어 모드로 진입하는 경우를 감소시킬 수 있다.

또한, 일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 확인된 발열원을 발열 제어 모드로 동작시킬 수 있다. 이에 따라 전자 장치(101)는 발열원으로 확인된 모듈을 제외한 나머지 모듈들은 최적의 성능으로 동작을 수행하도록 할 수 있다.

또한, 일 실시 예에 따른 전자 장치(101)는 인접 모듈이 발열원에 의한 영향을 받는 경우 인접 모듈을 발열 제어 모드로 동작시킬 수 있다. 이에 따라 전자 장치(101)는 인접 모듈에 대한 예방적 제어를 수행하여 인접 모듈의 과열을 감소시킬 수 있다.

도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 표면 온도를 예측하는 것을 나타낸 도면(400)이다.

일 실시 예에서, 외부 장치는 전자 장치(101)를 촬영(410)할 수 있다. 외부 장치는 적외선 촬영 장치일 수 있다. 외부 장치는 전자 장치(101)의 내부 온도 및/또는 표면 온도를 알 수 있는 적외선 사진을 촬영할 수 있다. 외부 장치는 전자 장치(101)의 제조 과정에서 전자 장치(101)의 내부 온도 및/또는 표면 온도와 관련된 이미지 데이터를 획득할 수 있다. 외부 장치는 전자 장치(101)의 내부 온도 및/또는 표면 온도와 관련된 이미지 데이터를 서버(예: 도 1의 서버(108))로 전송할 수 있다.

일 실시 예에서, 외부 장치는 전자 장치(101)의 영역을 추출할 수 있다. 외부 장치는 전자 장치(101)의 표면 영역을 추출(420)할 수 있다. 예를 들어, 외부 장치는 전자 장치(101)의 전면 중 디스플레이(예: 도 1의 디스플레이 모듈(160))이 배치된 부분의 표면을 추출할 수 있다.

일 실시 예에서, 외부 장치는 추출된 전자 장치(101)의 표면 영역에서 데이터를 추출할 수 있다. 외부 장치는 데이터 테이블을 추출(430)할 수 있다. 데이터 테이블은 표면 영역을 복수의 서브 단위 부분들로 분할할 수 있다. 데이터 테이블은 복수의 서브 단위 부분들 각각의 온도 데이터를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 외부 장치는 추출된 데이터 테이블을 스케일링(scaling) 할 수 있다. 외부 장치는 스케일링 된 데이터 테이블을 서버(108)로 전송할 수 있다.

일 실시 예에서, 서버(108)는 회귀 모델링(regression modelling)(450)을 적용하여 스케일링 된 데이터 테이블을 학습할 수 있다. 서버(108)는 선형 회귀(451) 방식으로 스케일링 된 데이터 테이블을 학습할 수 있다. 서버(108)는 전자 장치(101)에 배치된 프로세서(120), 배터리(189), 충전 회로(212), 통신 회로(213), 및 카메라(180)가 배치된 부분의 온도를 학습할 수 있다. 예를 들어, 서버(108)는 스케일링 된 데이터 테이블을 대상(target) 데이터(y)로 설정할 수 있다. 서버(108)는 온도 센서(예: 도 2의 온도 센서(211))에서 측정한 각 모듈의 온도들, 전자 장치(101)의 소모 전류, 전자 장치(101)의 스피커(예: 도 1의 음향 출력 장치(155))의 음량(volume), 및/또는 전자 장치(101)의 디스플레이(예: 도 1의 디스플레이 모듈(160))의 화면의 밝기를 포함하는 정보를 학습 데이터(x)로 설정할 수 있다. 서버(108)는 대상 데이터(y) 및 학습 데이터(x)에 기반하여 선형 회귀(451) 모델링을 수행할 수 있다. 서버(108)는 선형 회귀(451) 모델링을 수행한 학습 결과를 제조 중인 전자 장치(101)로 전송할 수 있다. 학습 결과는 모델링되어 나온 수학식들을 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 프로세서(120)는 학습한 결과에 기반하여 예측을 수행할 수 있다. 프로세서(120)는 전자 장치(101)의 표면 온도를 예측(460)할 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 관리부(예: 도 2의 온도 관리부(221))에서는 전자 장치(101)에 실장되어 있는 온도 센서(예: 도 2의 온도 센서(211))를 통해 주기적으로 전자 장치(101) 내부의 온도를 측정할 수 있다. 전자 장치(101)에 배치된 온도 센서(211)를 활용하여 전자 장치(101)의 내부 온도를 계산할 수 있다.

일 실시 예에서, 2차원 온도 예측부(222)는 측정된 내부 온도를 이용하여 전자 장치(101)의 전면 및 후면을 포함하는 전자 장치(101)의 표면 온도를 예측하여 발열 지도을 생성할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 서버(108)에서 획득한 관계식을 입력 받을 수 있다. 서버(108)는 지도 학습(supervised learning) 중 회귀 모델링(450)을 이용하여 관계식을 획득할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)를 포함하는 전자 장치(101)는 전자 장치(101)의 내부 온도 및 표면 온도 사이의 관계식을 개발 단계에서 서버(108)로부터 입력 받을 수 있다.

일 실시 예에서, 외부 장치는 촬영된 전자 장치(101)의 열화상 이미지에서 화소(pixel)들 각각에 대한 온도를 추출할 수 있다. 예를 들어, 외부 장치가 열화상 카메라인 경우 전자 장치(101)의 전면 및 후면의 온도를 측정할 수 있다. 측정할 때에는 전자 장치(101) 내부의 여러 모듈들이 동작하여 발열원으로 기능하여 온도가 상승하는 시나리오를 선정하여 자동으로 시나리오가 진행되도록 할 수 있다. 외부 장치는 전자 장치(101) 내부의 온도 정보 및 전자 장치(101)의 소모 전류 및 화면의 밝기와 같은 전자 장치(101)의 상태 정보를 주기적으로 저장할 수 있다. 외부 장치에서는 전자 장치(101)의 사용 시나리오를 자동으로 진행되도록 하여 사용자의 체온에 의해 오차가 생기는 경우를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 외부 장치는 추출한 화소들 각각에 대한 온도를 이용하여 전자 장치(101)의 표면 온도 예측을 위한 모델링을 진행할 수 있다. 다른 예로, 외부 장치는 추출한 화소들 각각에 대한 온도를 서버(108)로 전송할 수 있다. 이 경우, 서버(108)는 전자 장치(101)의 표면 온도 예측을 위한 모델링을 진행할 수 있다.

일 실시 예에서, 2차원 온도 예측부(222)는 외부 장치 또는 서버(108)에서 모델링 된 적어도 하나의 수식, 온도 센서(221)에서 측정된 내부 온도, 및 전자 장치(101)의 동작 클럭, 소모 전류, 스피커 볼륨, 화면 밝기와 같은 전자 장치(101)의 상태 정보를 이용하여 전자 장치(101)의 표면 온도를 예측할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 표면 온도 예측 시 모든 화소에 대해 예측한 이후 복수의 화소들을 의도한 면적을 갖는 단위 부분으로 묶어(grouping) 해당 면적 내의 화소들의 온도의 평균 값을 사용할 수 있다. 2차원 온도 예측부(222)는 전자 장치(101)의 표면을 어떤 정도로 분할하여 예측할 지 여부를 선택할 수 있다.

도 5는 일 실시 예에 따른 예측된 표면 온도를 측정된 표면 온도와 비교하는 것을 나타낸 도면(500)이다.

일 실시 예에서, 외부 장치 또는 서버(예: 도 1의 서버(108))는 표면 온도를 원시 데이터(raw data)(510)로 생성할 수 있다. 외부 장치 또는 서버(108)는 원시 데이터(510)를 스케일링 하여 스케일링 데이터(520)를 생성할 수 있다. 외부 장치 또는 서버(108)는 스케일링 데이터(520)를 가공하여 예측 데이터(530)로 생성할 수 있다. 외부 장치 또는 서버(108)는 예측 데이터(530) 및 스케일링 데이터(520)의 차이에 기반하여 오차 데이터(540)를 생성할 수 있다. 외부 장치 또는 서버(108)는 오차들(541, 542, 543, 544, 545, 546)을 확인하여 발열 지도를 업데이트 할 수 있다. 일 실시 예에서, 열화상 카메라와 같은 외부 장치에 의해 시간 순으로 측정된 온도 이미지들을 화소 단위로 실제 온도 값으로 변환할 수 있다. 실제 온도 값을 이용하여 시간, X축, Y축을 갖는 3차원 온도 배열 갖도록 원시 데이터(510)를 생성할 수 있다.

일 실시 예에서, 발열 지도를 생성하여 발열을 제어하기 위해 화소 단위로 모델링을 해도 되지만, 발열을 제어하기 위해 화소 단위만큼 세세한 영역 별 온도까지는 필요하지 않을 수 있다. 전자 장치(101)에서 열화상 카메라의 화소 단위로 온도를 계산하는 경우 계산량이 증가할 수 있다. 외부 장치 또는 서버(108)는 계산량을 감소시키기 위해 X측 및 Y축을 화소 단위보다 큰 크기를 갖는 단위 부분으로 스케일링하여 스케일링 데이터(520)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 외부 장치 또는 서버(108)는 화소를 평균내어 묶은 세그먼트 단위로 모델링을 진행할 수 있다.

일 실시 예에서, X축 및 Y축 상의 한 지점의 시간 순 배열을 대상(target) 데이터로 설정할 수 있다. 전자 장치(101)의 내부 온도의 시간 순 배열을 훈련(training) 데이터로 설정할 수 있다. 훈련 데이터를 이용하여 대상 데이터를 도출하도록 회귀 모델링을 실행할 수 있다. 선형(linear), 릿지(ridge), 지지 벡터 기계(support vector machine, SVM)와 같은 방식의 회귀 방법을 사용할 수 있다. 전자 장치(101)의 전면 및 후면에 대한 학습 과정을 거치는 경우 전자 장치(101)의 X축 및 Y축 상의 표면 상의 지점들마다 표면 온도 계산식이 정해질 수 있다.

도 6은 일 실시 예에 따른 시간에 따라 저온 화상 온도가 발생하는 온도를 나타낸 그래프(600)이다.

일 실시 예에서, 제1 기간(P1)이 경과하는 경우 제4 온도(T4) 이상일 때 저온 화상이 발생할 수 있다. 제1 기간(P1)보다 긴 제2 기간(P2)이 경과하는 경우 제4 온도(T4)보다 낮은 제3 온도(T3) 이상일 때 저온 화상이 발생할 수 있다. 제2 기간(P2)보다 긴 제3 기간(P3)이 경과하는 경우 제3 온도(T3)보다 낮은 제2 온도(T2) 이상일 때 저온 화상이 발생할 수 있다. 제3 기간(P3)보다 긴 제4 기간(P4)이 경과하는 경우 제2 온도(T2)보다 낮은 제1 온도(T1) 이상일 때 저온 화상이 발생할 수 있다. 예를 들어, 제1 기간(P1)은 약 1분, 제2 기간(P2)은 약 10분, 제3 기간(P3)은 약 2시간, 제4 기간(P4)은 약 8시간인 경우, 제4 온도(T4)는 약 섭씨 51도, 제3 온도(T3)는 약 섭씨 48도, 제2 온도(T2)는 약 섭씨 45도, 제1 온도(T1)는 약 섭씨 43도일 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 확산 확인부(예: 도 2의 온도 확산 확인부(223))는 계산된 발열 지도에 기반하여 전자 장치(101)의 표면의 발열의 확산 형티를 분석할 수 있다. 온도 확산 확인부(223)는 메모리(예: 도 1의 메모리(130))로부터 수신한 모듈 위치와 관련된 데이터를 이용해 현재 표면 발열에 영향을 주는 모듈인 발열원 및 발열원에서 확산된 열이 다른 모듈에 얼마나 영향을 주고 있는지 여부를 판단할 수 있다. 온도 확산 확인부(223)는 발열원이 표면에 미치는 영향의 정도를 등급으로 나누어 해당 모듈에 대한 제어 강도를 세분화 할 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 확산 확인부(223)는 분석한 내용을 온도 정책 관리부(예: 도 2의 온도 정책 관리부(224))에 보고(report)할 수 있다. 온도 확산 확인부(223)는 발열 부분 또는 발열 부분의 주변에 모듈이 있는지 여부, 발열 부분 또는 발열 부분의 주변의 모듈이 제어 가능한 모듈인지, 및 현재 모듈 제어 방식에 따라서 발열이 얼마나 감소하는지를 온도 정책 관리부(224)에 보고할 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 발열 제어를 어떻게 개선해야할지 제한 정책을 설정할 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 확산 확인부(223)는 발열원이 아닌 특정 하드웨어 부분의 온도 자체가 발열 제어 진입 온도에 도달하기 전에 열이 확산되어 해당 부분까지 도달하는 상황을 알 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 사전에 해당 하드웨어의 성능을 최소한으로 미리 제어하도록 제한 정책을 설정할 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 발열 제어 진입 온도에 도달하기까지 걸리는 시간을 증가시키도록 제한 정책을 설정할 수 있다. 온도 정책 관리부(224)는 모듈이 일정 수준 이상으로 동작하는 성능 보장 시간을 증가시키도록 제한 정책을 설정할 수 있다.

일 실시 예에서, 온도 확산 확인부(223)는 메모리(130)에 보고 결과를 저장할 수 있다. 메모리(130)에 저장된 보고 결과는 서버(예: 도 1의 서버(108))로 업로드 될 수 있다. 개발자는 서버(108)에 업로드 된 보고 결과를 검토하여 발열 제어 정책을 업데이트 할 수 있다. 서버(108)에서 업데이트 된 제어 정책은 메모리(130)로 다운로드 될 수 있다. 예를 들어, 서버(108)에서 이벤트를 주거나 전자 장치(101)를 풀 리셋(full reset) 하여 프로세서(120)가 초기화될 때 업데이트 된 새로운 제어 정책이 적용될 수 있다.

도 7은 일 실시 예에 따른 발열 지도 상의 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)의 위치를 나타낸 도면(700)이다.

일 실시 예에서, 발열 지도 상의 표면 온도를 분석하여 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)의 위치를 파악할 수 있다. 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780) 및 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)의 주변 부분은 온도가 증가할 수 있다. 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)을 제어하여 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)이 방출하는 열을 감소시켜 온도를 감소시킬 수 있다.

일 실시 예에서, 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)은 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 다양한 부분에 위치할 수 있다. 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780) 중 발열 제어 진입 온도 이상인 발열원만 선택적으로 발열 제어 진입 모드로 진입시킬 수 있다.

일 실시 예에서, 인접 모듈들(711, 712, 713)이 하나의 발열원(710)으로 시인될 수 있다. 발열원(710)의 온도가 발열 제어 진입 온도 이상으로 진입하고 인접 모듈들(711, 712, 713)이 동작하는 상태인 경우, 인접 모듈들(711, 712, 713)을 발열 제어 진입 모드로 진입시킬 수 있다. 이에 따라 인접 모듈들(711, 712, 713)에 대한 예방적 제어를 수행할 수 있다.

일 실시 예에서, 모듈 제한부(예: 도 2의 모듈 제한부(225))에서는 온도 정책 관리부(224)에서 받은 정보 및 모듈 별 발열 정책에 기반하여 모듈을 제어할 수 있다. 모듈 제한부(225)는 중앙 처리 장치(central processing unit, CPU), 그래픽 처리 장치(graphics processing unit, GPU), 통신 프로세서(communication processor, CP) 및/또는 Wifi(예: 도 2의 통신 회로(213)), 충전기(charger)(예: 도 2의 충전 회로(212)), 및/또는 카메라(예: 도 1의 카메라 모듈(180))를 제어할 수 있다.

일 실시 예에서, 전자 장치(101)의 사용 시나리오에 따라 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)(예: 어플리케이션 프로세서(application processor(AP), Wifi, 및/또는 5G 모뎀(modem)) 중 발열 제어 진입 온도 이상으로 온도가 상승하는 주된 발열원이 달라질 수 있다. 발열 지도에서 온도가 가장 높은 부분은 주된 발열원 근처로 나타날 수 있다.

일 실시 예에서, 모듈에 대한 제어는 표면 발열에 영향이 큰 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)에 대한 직접 제어 및 발열원(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)에서 확산된 열에 영향을 받아 온도가 급격히 오를 수 있는 다른 모듈들에 대한 예방적 제어를 포함할 수 있다.

일 실시 예에서, 모듈 제한부(225)는 전자 장치(101)의 표면에서 발열 제어 진입 온도 이상의 온도를 갖는 부분에 배치된 모듈을 직접 제어가 필요한 발열원으로 판단할 수 있다. 모듈 제한부(225)는 발열 제어 진입 온도 이상의 온도를 갖는 부분에 인접하도록 배치된 모듈을 인접 모듈로 판단할 수 있다.

일 실시 예에서, 모듈 제한부(225)는 발열원을 발열 제어 모드로 제어할 수 있다. 모듈 제한부(225)는 발열원을 제외한 나머지 모듈들은 일반 모드로 제어할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 WiFi를 사용하여 데이터를 업로드하는 경우 Wifi 모듈이 가장 빠르게 온도가 상승할 수 있다. 전자 장치(101)의 표면에서도 Wifi 모듈이 있는 부분이 온도가 가장 빠르게 상승할 수 있다. Wifi 주변의 온도가 발열 제어 진입 온도에 도달하는 경우 되면 발열 관리가 필요하다고 판단하여 처리량(throughput)을 제한하는 방식과 같이 Wifi 모듈을 제어할 수 있다. 이 때, 어플리케이션 프로세서 및/또는 5G 모뎀의 주변 온도는 아직 발열 제어 진입 온도에 도달하지 않았을 것이므로 어플리케이션 프로세서 및/또는 5G 모뎀의 성능은 제한하지 않고 최대 성능으로 계속 동작하도록 제어할 수 있다.

일 실시 예에서, 모듈 제한부(225)는 인접 모듈에 대하여 인접 모듈의 발열로 인하여 인접 모듈 주변의 표면 온도가 나머지 부분의 온도보다 높고, 발열원으로부터 확신되어 인접 모듈로 도달하는 온도에 의하여 인접 모듈이 발열 제어 진입 온도 이상의 온도로 상승할 것이 예상되는 경우 예방적 제어를 적용할 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims

전자 장치에 있어서,
적어도 하나 이상의 센서;
통신 회로;
메모리; 및
상기 적어도 하나 이상의 센서, 상기 통신 회로, 및 상기 메모리와 작동적으로 연결된 프로세서를 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 적어도 하나 이상의 센서를 통해 상기 전자 장치의 내부 온도들을 확인하고,
상기 전자 장치의 상기 내부 온도와 관련된 내부 온도 데이터를 외부 장치로 제공하고,
상기 외부 장치로부터 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 표면 온도 예측 모델을 수신하고,
상기 표면 온도 예측 모델 및 상기 전자 장치의 메모리에 저장된 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하고, 및
상기 예측된 표면 온도에 기반하여 상기 전자 장치의 복수의 모듈들 중 발열 제어에 진입하는 적어도 하나의 발열원을 선택하도록 설정된 전자 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 전자 장치의 상기 내부 온도에 기반하여 2차원으로 나타낸 상기 전자 장치의 상기 표면 온도를 예측하고,
상기 표면 온도에 기반하여 발열 지도(heat map)를 생성하도록 설정된 전자 장치.
청구항 2에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 모듈 위치와 관련된 상기 정보에 기반하여 상기 발열 지도를 분석하고,
상기 발열 지도의 분석에 기반하여 상기 전자 장치의 표면에서의 열 확산과 관련된 정보를 수집하도록 설정된 전자 장치.
청구항 3에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 분석 결과 및 온도 정책에 기반하여 상기 전자 장치의 동작 성능을 제한하는 제한 정책을 생성하도록 설정된 전자 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 예측된 표면 온도가 발열 제어 진입 온도 이상인 부분에 배치된 모듈을 상기 발열 제어에 진입하는 상기 적어도 하나의 발열원으로 선택하도록 설정된 전자 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 프로세서는,
모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 발열 부분과 인접하도록 배치된 모듈을 인접 모듈로 확인하도록 설정된 전자 장치.
청구항 6에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 인접 모듈의 온도가 상승하고 상기 인접 모듈이 상기 적어도 하나의 발열원에 의한 영향을 받는 경우 상기 인접 모듈을 제어하도록 설정된 전자 장치.
청구항 1에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 외부 장치 또는 서버에서 표면 온도를 스케일링(scaling)하여 분석한 결과를 수신하여 상기 적어도 하나의 발열원을 선택하도록 설정된 전자 장치
전자 장치의 제어 방법에 있어서,
적어도 하나 이상의 센서를 통해 상기 전자 장치의 내부 온도들을 확인하는 동작;
상기 전자 장치의 상기 내부 온도와 관련된 내부 온도 데이터를 외부 장치로 제공하는 동작;
상기 외부 장치로부터 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 표면 온도 예측 모델을 수신하는 동작;
상기 표면 온도 예측 모델 및 상기 전자 장치의 메모리에 저장된 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 동작; 및
상기 예측된 표면 온도에 기반하여 상기 전자 장치의 복수의 모듈들 중 발열 제어에 진입하는 적어도 하나의 발열원을 선택하는 동작을 포함하는 방법.
청구항 9에 있어서, 상기 표면 온도를 예측하는 동작은,
상기 전자 장치의 상기 내부 온도에 기반하여 2차원으로 나타낸 상기 전자 장치의 상기 표면 온도를 예측하는 동작; 및
상기 표면 온도에 기반하여 발열 지도를 생성하는 동작을 포함하는 방법.
청구항 10에 있어서, 상기 표면 온도를 예측하는 동작은,
상기 모듈 위치와 관련된 상기 정보에 기반하여 상기 발열 지도를 분석하는 동작; 및
상기 발열 지도의 분석에 기반하여 상기 전자 장치의 표면에서의 열 확산과 관련된 정보를 수집하는 동작을 더 포함하는 방법.
청구항 11에 있어서, 상기 표면 온도를 예측하는 동작은,
상기 분석 결과 및 온도 정책에 기반하여 상기 전자 장치의 동작 성능을 제한하는 제한 정책을 생성하는 동작을 더 포함하는 방법.
청구항 9에 있어서, 상기 적어도 하나의 발열원을 선택하는 동작은,
상기 예측된 표면 온도가 발열 제어 진입 온도 이상인 부분에 배치된 모듈을 상기 발열 제어에 진입하는 상기 적어도 하나의 발열원으로 선택하는 방법.
청구항 9에 있어서, 상기 표면 온도를 예측하는 동작은,
모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 발열 부분과 인접하도록 배치된 모듈을 인접 모듈로 확인하는 동작을 포함하는 방법.
청구항 14에 있어서, 상기 적어도 하나의 발열원을 선택하는 동작은,
상기 인접 모듈의 온도가 상승하고 상기 인접 모듈이 상기 적어도 하나의 발열원에 의한 영향을 받는 경우 상기 인접 모듈을 제어하는 동작을 포함하는 방법.
컴퓨터로 판독 가능한 비일시적 기록 매체에 있어서,
상기 기록 매체는 복수의 인스트럭션들을 저장하고,
상기 복수의 인스트럭션들은,
적어도 하나 이상의 센서를 통해 상기 전자 장치의 내부 온도들을 확인하는 동작;
상기 전자 장치의 상기 내부 온도와 관련된 내부 온도 데이터를 외부 장치로 제공하는 동작;
상기 외부 장치로부터 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 표면 온도 예측 모델을 수신하는 동작;
상기 표면 온도 예측 모델 및 상기 전자 장치의 메모리에 저장된 모듈 위치와 관련된 정보에 기반하여 상기 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 동작; 및
상기 예측된 표면 온도에 기반하여 상기 전자 장치의 복수의 모듈들 중 발열 제어에 진입하는 적어도 하나의 발열원을 선택하는 동작을 수행하도록 설정된 기록 매체.
청구항 16에 있어서, 상기 표면 온도를 예측하는 동작은,
상기 전자 장치의 상기 내부 온도에 기반하여 2차원으로 나타낸 상기 전자 장치의 상기 표면 온도를 예측하는 동작; 및
상기 표면 온도에 기반하여 발열 지도를 생성하는 동작을 포함하도록 설정된 기록 매체.
청구항 17에 있어서, 상기 표면 온도를 예측하는 동작은,
상기 모듈 위치와 관련된 상기 정보에 기반하여 상기 발열 지도를 분석하는 동작; 및
상기 발열 지도의 분석에 기반하여 상기 전자 장치의 표면에서의 열 확산과 관련된 정보를 수집하는 동작을 더 포함하도록 설정된 기록 매체.
청구항 18에 있어서, 상기 표면 온도를 예측하는 동작은,
상기 분석 결과 및 온도 정책에 기반하여 상기 전자 장치의 동작 성능을 제한하는 제한 정책을 생성하는 동작을 더 포함하도록 설정된 기록 매체.
청구항 16에 있어서, 상기 적어도 하나의 발열원을 선택하는 동작은,
상기 예측된 표면 온도가 발열 제어 진입 온도 이상인 부분에 배치된 모듈을 상기 발열 제어에 진입하는 상기 적어도 하나의 발열원으로 선택하도록 설정된 기록 매체.