KR20220059276A

KR20220059276A - 전자 장치 표면의 온도를 예측하는 방법 및 그 전자 장치

Info

Publication number: KR20220059276A
Application number: KR1020200144663A
Authority: KR
Inventors: 김영산; 최승철
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2020-11-02
Filing date: 2020-11-02
Publication date: 2022-05-10
Also published as: WO2022092580A1

Abstract

본 개시에 따른 전자 장치는 적어도 하나의 온도 센서, 및 적어도 하나의 프로세서를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 적어도 하나의 온도 센서 값을 이용해 상기 전자 장치의 제1 지점의 온도 값을 예측하고, 상기 전자 장치의 구조가 변경되는지 판단하고, 상기 전자 장치의 구조가 변경되면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 예측하고, 상기 전자 장치의 구조 변경 전 상기 제1 지점의 온도 값과 구조 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하는지 판단하고, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값을 이용해 상기 제1 지점의 온도 값을 결정할 수 있다.
그 외에도 다양한 실시예들이 가능하다.

Description

전자 장치 표면의 온도를 예측하는 방법 및 그 전자 장치{METHOD AND ELECTRONIC DEVICE FOR PREDICTING TEMPERATURE OF ELECTRONIC DEVICE SURFACE}

본 개시의 다양한 실시예들은 변형 가능한 다양한 구조를 가지는 전자 장치 표면의 온도를 예측하는 방법 및 그 전자 장치에 관한 것이다.

전자 장치는 소비자의 구매 욕구를 충족시키기 위하여 점차 슬림화되어가고 있으며, 전자 장치의 강성을 증가시키고, 디자인적 측면을 강화시킴과 동시에 그 기능적 요소를 차별화시키기 위하여 개발되고 있다. 이러한 전자 장치는 획일적인 장방형 형상에서 벗어나, 점차 다양한 형상으로 변모되어 가고 있다. 예를 들어, 전자 장치는 휴대가 편리하면서, 사용될 경우에는 대화면 디스플레이를 이용할 수 있는 변형 가능한 다양한 구조를 가질 수 있다.

전자 장치의 기능이 많아지고 사용자의 전자 장치 이용 시간이 늘어나다보니 전자 장치의 발열량 또한 증가하고 있다. 전자 장치의 발열은 전자 장치의 성능도 떨어뜨릴 뿐만 아니라 전자 장치의 사용자에게 화상을 입힐 수 있다. 전자 장치의 발열을 제어하기 위해 전자 장치 표면의 온도를 측정하고자 하는 노력이 계속되고 있다. 하지만 전자 장치의 내부에 포함된 구성 요소의 성능, 배치, 이용 시간 등에 따라 전자 장치 표면의 온도가 달라질 수 있어 전자 장치 표면의 발열을 예측하기는 쉽지 않을 수 있다. 특히 전자 장치의 구조가 변형 가능한 경우에는 전자 장치의 크기 및 형태, 발열원의 위치가 달라질 수 있어 전자 장치 표면의 발열을 예측하기가 더욱 쉽지 않을 수 있다.

본 문서에 개시되는 다양한 실시 예들은, 전자 장치의 구조가 변형되는(예: 폴더블, 롤러블, 또는 슬라이더블) 단말에서 제1 상태(예: 기본 구조, 축소 구조, 접힌 구조)에서 제2 상태(예: 확장 구조, 펼쳐진 구조), 또는 제2 상태에서 제1 상태로 변형 시, 표면의 발열 온도를 예측하고, 예측된 결과와 관련된 발열 이미지를 제공할 수 있다.

본 문서에 개시되는 실시 예들에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 개시에 따른 전자 장치는 적어도 하나의 온도 센서, 및 적어도 하나의 프로세서를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 적어도 하나의 온도 센서 값을 이용해 상기 전자 장치의 제1 지점의 온도 값을 예측하고, 상기 전자 장치의 구조가 변경되는지 판단하고, 상기 전자 장치의 구조가 변경되면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 예측하고, 상기 전자 장치의 구조 변경 전 상기 제1 지점의 온도 값과 구조 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하는지 판단하고, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값을 이용해 상기 제1 지점의 온도 값을 결정할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법은 적어도 하나의 온도 센서 값을 이용해 상기 전자 장치의 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작, 상기 전자 장치의 구조가 변경되는지 판단하는 동작, 상기 전자 장치의 구조가 변경되면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 예측하는 동작, 상기 전자 장치의 구조 변경 전 상기 제1 지점의 온도 값과 구조 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하는지 판단하는 동작, 및 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값을 이용해 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는 동작을 포함할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예들에 따르면, 변형 가능한 다양한 구조를 가지는 전자 장치의 표면 온도를 예측할 수 있다. 전자 장치는 구조가 변경되는 경우에도 표면 온도를 예측할 수 있어 예측한 표면 온도에 기초해 내부 구성의 성능을 제어할 수 있다.

이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.

도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2a와 도 2b는 다양한 실시예에 따른 슬라이더블 전자 장치의 형태를 나타낸 도면이다.
도 2c와 도 2d는 다양한 실시예에 따른 실린더형 롤러블 전자 장치의 형태를 나타낸 도면이다.
도 3a와 도 3b는 다양한 실시예에 따른 가로형 폴더블 전자 장치의 형태를 나타낸 도면이다.
도 4a와 도 4b는 다양한 실시예에 따른 세로형 폴더블 전자 장치의 형태를 나타낸 도면이다.
도 5a와 도 5b는 다양한 실시예에 따라 슬라이더블 전자 장치에 배치된 온도 센서와 온도 값을 측정할 위치를 표시한 도면이다.
도 6은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 흐름도이다.
도 7은 다양한 실시예에 따라 시간에 따라 변화하는 전자 장치의 표면 온도 값과 전자 장치 내부의 온도 센서의 온도 값을 나타낸 그래프이다.
도 8은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 열 포화 곡선을 나타낸 그래프이다.

이하, 본 문서의 다양한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 기재될 수 있다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

도 2a와 도 2b는 다양한 실시예에 따른 슬라이더블 전자 장치의 형태를 나타낸 도면이다.

구체적으로, 도 2a는 기본 구조를 도시한 슬라이더블(slidable) 전자 장치(210)의 사시도이고, 도 2b는 확장 구조를 도시한 슬라이더블 전자 장치(210)의 사시도이다.

다양한 실시예에 따르면, 슬라이더블 전자 장치(210)(예: 도 1의 전자 장치(101))는 롤러블 디스플레이(220)를 포함할 수 있다. 롤러블 디스플레이(220)는 도 2a와 같이 일부 하우징과 결합하여 롤러블 디스플레이(220)의 일부가 슬라이더블 전자 장치(210)의 내부로 말려 들어갈 수 있다. 롤러블 디스플레이(220)가 슬라이더블 전자 장치(210)의 내부로 말려 들어간 상태를 슬라이더블 전자 장치(210)의 기본 구조로 칭할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 롤러블 디스플레이(220)가 도 2b와 같이 슬라이더블 전자 장치(210)의 외부로 밀려 나온 상태를 슬라이더블 전자 장치(210)의 확장 구조로 칭할 수 있다. 본 개시에서 기본 구조와 확장 구조는 구조가 변경 가능한 전자 장치를 나타내기 위해 지칭하는 상대적인 개념일 수 있다.

도 2a와 도 2b를 참조하면, 슬라이더블 전자 장치(210)는 구조에 따라 크기가 달라질 수 있다. 또한, 슬라이더블 전자 장치(210)는 구조에 따라 구성 요소의 배치가 달라질 수 있다. 예를 들어, 롤러블 디스플레이(220)에 배치된 온도 센서 및/또는 안테나(미도시)는 기본 구조일 때의 위치(예: 슬라이더블 전자 장치(210)의 후면)와 확장 구조일 때의 위치(예: 슬라이더블 전자 장치(210)의 전면)가 다를 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 슬라이더블 전자 장치(210)를 구성하는 구성 요소는 일정하나 슬라이더블 전자 장치(210)의 구조가 달라지면 그 크기가 달라져 단위 면적당 포함하는 구성 요소의 개수가 달라질 수 있다. 예를 들면, 단위 면적당 슬라이더블 전자 장치(210)의 기본 구조에서의 구성 요소 개수는 확장 구조에서의 구성 요소 개수보다 많을 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 단위 면적당 구성 요소의 개수가 많아지면 발열이 많아질 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 단위 면적당 구성 요소의 개수가 많아지면 표면 온도 값이 빠르게 높아질 수 있으나 천천히 낮아질 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 슬라이더블 전자 장치(210)는 구조에 따라 구성 요소의 위치가 변경될 수 있어 표면 온도 값도 구조에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 발열원인 통신 모듈과 프로세서가 기본 구조에서는 근처에 위치하나 확장 구조에서는 서로 떨어져 위치할 수 있다. 이 경우, 슬라이더블 전자 장치(210)의 특정 지점은 기본 구조에서 표면 온도 값이 확장 구조에서 표면 온도 값보다 높을 수 있다.

도 2c와 도 2d는 다양한 실시예에 따른 실린더형 롤러블 전자 장치의 형태를 나타낸 도면이다.

구체적으로, 도 2c는 기본 구조를 도시한 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 사시도이고, 도 2d는 확장 구조를 도시한 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 사시도이다.

다양한 실시예에 따르면, 실린더형 롤러블 전자 장치(230)(예: 도 1의 전자 장치(101))는 롤러블 디스플레이(240)를 포함할 수 있다. 롤러블 디스플레이(240)는 도 2c와 같이 일부 하우징과 결합하여 롤러블 디스플레이(240)가 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 내부로 말려 들어갈 수 있다. 롤러블 디스플레이(240)가 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 내부로 말려 들어간 상태를 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 기본 구조로 칭할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 롤러블 디스플레이(240)가 도 2d와 같이 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 외부로 밀려 나온 상태를 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 확장 구조로 칭할 수 있다. 본 개시에서 기본 구조와 확장 구조는 구조가 변경 가능한 전자 장치를 나타내기 위해 지칭하는 상대적인 개념일 수 있다.

도 2c와 도 2d를 참조하면, 실린더형 롤러블 전자 장치(230)는 구조에 따라 크기가 달라질 수 있다. 또한, 실린더형 롤러블 전자 장치(230)는 구조에 따라 구성 요소의 배치가 달라질 수 있다. 예를 들어, 롤러블 디스플레이(240)에 배치된 온도 센서 및/또는 안테나(미도시)는 기본 구조일 때의 위치와 확장 구조일 때의 위치가 다를 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 실린더형 롤러블 전자 장치(230)를 구성하는 구성 요소는 일정하나 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 구조가 달라지면 그 크기가 달라져 단위 면적당 포함하는 구성 요소의 개수가 달라질 수 있다. 예를 들면, 단위 면적당 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 기본 구조에서의 구성 요소 개수는 확장 구조에서의 구성 요소 개수보다 많을 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 단위 면적당 구성 요소의 개수가 많아지면 발열이 많아질 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 단위 면적당 구성 요소의 개수가 많아지면 표면 온도 값이 빠르게 높아질 수 있으나 천천히 낮아질 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 실린더형 롤러블 전자 장치(230)는 구조에 따라 구성 요소의 위치가 변경될 수 있어 표면 온도 값도 구조에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 발열원인 통신 모듈과 프로세서가 기본 구조에서는 근처에 위치하나 확장 구조에서는 서로 떨어져 위치할 수 있다. 이 경우, 실린더형 롤러블 전자 장치(230)의 특정 지점은 기본 구조에서 표면 온도 값이 확장 구조에서 표면 온도 값보다 높을 수 있다.

이하에서는 주로 도 2a와 도 2b의 슬라이더블 전자 장치를 예로 설명하나 실린더형 롤러블 전자 장치에도 적용될 수 있음을 통상의 기술자는 쉽게 알 수 있다.

도 3a와 도 3b는 다양한 실시예에 따른 가로형 폴더블 전자 장치의 형태를 나타낸 도면이다.

구체적으로, 도 3a는 접힌 구조를 도시한 가로형 폴더블(folderable) 전자 장치(310)의 사시도이고, 도 3b는 펼쳐진 구조를 도시한 가로형 폴더블 전자 장치(310)의 사시도이다.

다양한 실시예에 따르면, 가로형 폴더블 전자 장치(310)(예: 도 1의 전자 장치(101))는 접힘 가능한 폴더블 하우징(320)과 폴더블 디스플레이(330)를 포함할 수 있다. 폴더블 하우징(320)는 두 개의 하우징이 힌지 구조에 연결되어 접힘이 가능할 수 있다. 폴더블 디스플레이(330)는 디스플레이 자체가 접힘이 가능할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 폴더블 하우징(320)의 접힘 구조가 정해진 각도(예: 약 170도) 이상인 경우 펼쳐진 구조로 정의될 수 있다. 본 개시에서 접힌 구조와 펼쳐진 구조는 구조가 변경 가능한 전자 장치를 나타내기 위해 지칭하는 상대적인 개념일 수 있다.

도 3a와 도 3b를 참조하면, 가로형 폴더블 전자 장치(310)는 구조에 따라 크기가 달라질 수 있다. 가로형 폴더블 전자 장치(310)도 구조에 따라 표면 온도 값이 달라질 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 가로형 폴더블 전자 장치(310)는 슬라이더블 전자 장치와는 달리 구조에 따라 구성 요소의 배치가 달라지는 것은 아니다.

도 4a와 도 4b는 다양한 실시예에 따른 세로형 폴더블 전자 장치의 형태를 나타낸 도면이다.

구체적으로, 도 4a는 접힌 구조를 도시한 세로형 폴더블 전자 장치의 사시도이고, 도 4b는 펼쳐진 구조를 도시한 세로형 폴더블 전자 장치의 사시도이다.

다양한 실시예에 따르면, 세로형 폴더블 전자 장치(410)(예: 도 1의 전자 장치(101))는 접힘 가능한 폴더블 하우징(420)과 폴더블 디스플레이(430)를 포함할 수 있다. 폴더블 하우징(420)는 두 개의 하우징이 힌지 구조에 연결되어 접힘이 가능할 수 있다. 폴더블 디스플레이(430)는 디스플레이 자체가 접힘이 가능할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 폴더블 하우징(420)의 접힘 구조가 정해진 각도(예: 약 10도) 이하인 경우 접힌 구조로 정의될 수 있다. 본 개시에서 접힌 구조와 펼쳐진 구조는 구조가 변경 가능한 전자 장치를 나타내기 위해 지칭하는 상대적인 개념일 수 있다.

도 4a와 도 4b를 참조하면, 세로형 폴더블 전자 장치(410)는 구조에 따라 크기가 달라질 수 있다. 세로형 폴더블 전자 장치(410)도 구조에 따라 표면 온도 값이 달라질 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 세로형 폴더블 전자 장치(410)는 슬라이더블 전자 장치와는 달리 구조에 따라 구성 요소의 배치가 달라지는 것은 아니다.

본 개시에서는 다양한 형태의 전자 장치로 슬라이더블 전자 장치, 가로형 폴더블 전자 장치, 세로형 폴더블 전자 장치를 예로 설명하고 있으나, 그 외에 다양한 형태의 전자 장치가 제조될 수 있음을 당업자는 이해할 수 있다.

이하에서는, 다양한 실시예에 따라 슬라이더블 전자 장치를 예로 표면 온도 값을 예측하는 방법에 대해 설명하나, 당업자는 다양한 형태의 전자 장치의 표면 온도 값도 예측할 수 있다.

도 5a와 도 5b는 다양한 실시예에 따라 슬라이더블 전자 장치에 배치된 온도 센서와 온도 값을 측정할 위치를 표시한 도면이다.

도 5a를 참고하면, 기본 구조의 슬라이더블 전자 장치(210)(예: 도 2의 슬라이더블 전자 장치(210))에는 복수의 온도 센서(510, 520, 530)들이 배치될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 복수의 온도 센서(510, 520, 530)들은 열원 주변에 배치될 수 있다. 예를 들어, 열원에는 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120)), 전력관리모듈(예: 도 1의 전력관리모듈(188)), 배터리(예: 도 1의 배터리(189)), 또는 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))이 포함될 수 있다. 예를 들면, 온도 센서(510, 520, 530)은 서미스터(thermistor)로 구성될 수 있으며, 온도가 올라갈수록 저항이 감소하는 전기적 성질을 나타낼 수 있다. 전자 장치(210)는, 열원(발열원)에서 발생되는 열적 신호를 서미서터를 이용하여 전기적 신호로 바꾸어 줄 수 있다.

도 5b는 도 5a의 슬라이더블 전자 장치(210)의 확장 구조를 나타낸 것이다. 다양한 실시예에 따르면, 복수의 온도 센서(510, 520, 530)들 중 일부(510, 520)는 전자 장치(210)의 기본 구조 또는 확장 구조 관계없이 동일한 위치일 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 복수의 온도 센서(510, 520, 530)들 중 일부(530)는 전자 장치(210)의 구조가 변경됨에 따라 위치도 변경될 수 있다. 도 5a와 도 5b에서는 온도 센서의 위치가 전자 장치(210)의 구조가 변경됨에 따라 변경되는 것을 나타내고 있지만 열원인 프로세서(120)의 위치도 전자 장치(210)의 구조가 변경됨에 따라 변경될 수도 있다.

다양한 실시예에 따르면, 슬라이더블 전자 장치(210)는 기본 구조에서 제1 지점(540)의 표면 온도 값을 측정할 수 있다. 슬라이더블 전자 장치(210)가 확장 구조로 변경되면, 기본 구조에서의 제1 지점(540)은, 확장 구조에서 제1 지점(550)과 제2 지점(560)로 표시될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 제1 지점은 슬라이더블 전자 장치(210)의 표면 온도 값을 대표하는 지점일 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 제1 지점은 슬라이더블 전자 장치(210)의 임의의 지점일 수 있다.

이하에서는 도 5를 참조하여 전자 장치가 기본 구조에서 확장 구조로 변경되는 경우, 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 방법에 대해 설명할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 전자 장치의 기본 구조에서 제1 지점(540)의 온도 값은 A로, 확장 구조에서 제1 지점(550)의 온도 값은 A'로, 확장 구조에서 제2 지점(560)의 온도 값은 B로 나타낼 수 있다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치가 확장 구조에서 기본 구조로 변경되는 경우에도 도 6의 적용이 가능할 수 있다. 전자 장치가 확장 구조에서 기본 구조로 변경되는 경우, 도 6에서 설명하는 기본 구조에서 제1 지점(540)의 온도 값은 확장 구조에서 제1 지점(550)의 온도 값 A로, 확장 구조에서 제1 지점(550)의 온도 값은 기본 구조에서 제1 지점(540)의 온도 값 A'로, 확장 구조에서 제2 지점(560)의 온도 값은 B로 나타낼 수 있다.

도 6은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 표면 온도를 예측하는 흐름도이다.

도 6을 참조하면, 동작 610에서, 전자 장치(210)(예: 도 2의 전자 장치(210))는 기본 구조 및/또는 확장 구조에서의 표면 온도 값 모델을 생성할 수 있다. 표면 온도 값 모델은 기계 학습(예: 온도 예측 모델링)을 통해 생성될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 표면 온도 값 모델을 생성하기 위해, 전자 장치의 내부에 포함된 적어도 하나의 온도 센서를 이용해 측정한 온도값과 열화상 카메라를 이용해 측정한 열화상 이미지를 이용해 학습할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 열화상 이미지의 경우, 전자 장치(210)에 포함된 디스플레이(예: 도 1의 디스플레이 모듈(160), 도 2a 내지 도 2b의 롤러블 디스플레이(220), 도 2c 내지 도 2d의 롤러블 디스플레이(240), 도 3a 내지 도 3b의 폴더블 디스플레이(330), 또는 도 4a 내지 도 4b의 폴더블 디스플레이(430))의 픽셀 단위로 온도가 결정될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(210)의 디스플레이 특성(예: 픽셀 크기, 개수, 해상도)에 기초하여 디스플레이에 제공되는 열화상 이미지가 변경될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(210)는, 디스플레이의 특성에 따라 열화상 이미지의 크기, 등치선의 온도, 또는 등치선의 간격을 변경할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 표면 온도 값 모델을 생성하기 위해, 전자 장치의 내부에 포함된 적어도 하나의 온도 센서를 이용해 측정한 온도값과 온도 센서에 의해 측정된 온도값에 맵핑된 온도 값을 이용해 학습할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 표면 온도 값 모델을 생성하기 위해, 전자 장치의 내부에 포함된 적어도 하나의 온도 센서를 이용해 측정한 온도값과 선형 회귀 방식(linear regression)에 의해 구한 온도 값을 이용해 학습(예: 모델링)할 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(210)는, 선형 회귀 방식의 학습을 통하여, 전자 장치(210)의 구성 요소(예: 도 1의 배터리(189), 안테나 모듈(197), 프로세서(120), 또는 통신 모듈(190)) 또는 특정 영역(예: 도 5a 내지 도 5b의 제1 지점(540, 550), 또는 제2 지점(560))에 대한 정보(예: 온도, 평균, 또는 편차)를 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 전자 장치(210)는, 선형 회귀 방식의 학습을 수행함에 있어서, 발열원의 온도 상수(임의의 상수)를, 실제 측정된 온도 값과 선형 회귀 방식의 학습을 통해 획득된 온도 값의 차이가 최소가 되도록 설정할 수 있다. 예를 들어, 임의의 상수는 오차 값의 제곱 합을 최소화 하는 방법(예: 최소 제곱법, 최소 자승법)을 이용해 구해질 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 앞서 설명한 온도 값을 모두 또는 일부를 이용해 학습할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 표면 온도 값 모델의 학습 알고리즘으로 지도형 학습 알고리즘, 비지도형 학습 알고리즘, 준지도형 학습 알고리즘 또는 강화 학습 알고리즘을 이용할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 표면 온도 값 모델은 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있고, 인공 신경망은 심층 신경망(DNN), CNN, RNN, RBM, DBN, BRDNN, 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)를 구성하는 면(예: 상, 하, 좌, 우, 앞, 뒤) 중 적어도 하나의 면에 대한 전체 영역의 온도는, 특정 영역(예: 도 5a 내지 도 5b의 제1 지점(540, 550), 또는 제2 지점(560))의 온도로부터 K 평균 군집법(K-means clusters), 최소 제곱법(least square approximation), 중간 값을 이용한 보간법(interpolation), 뉴턴(newton) 보간법, 또는/및 큐빅 스플라인(cubic spline) 보간법을 이용해 구해질 수 있다.다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 직접 표면 온도 값 모델을 생성하지 않고 외부(예: 외부 장치)로부터 수신할 수 있다.

동작 620에서, 전자 장치(210)는 적어도 하나의 온도 센서를 이용해 전자 장치(210)의 제1 지점의 온도 값(A)을 예측할 수 있다. 전자 장치(210)는 적어도 하나의 온도 센서를 이용해 온도 값을 측정하고, 측정된 온도 값과 표면 온도 값 모델을 이용해 제1 지점의 표면 온도 값(A)을 예측할 수 있다. 이하에서는 동작 620에서 예측한 제1 지점의 온도 값을 A로 나타낼 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 동작 620에서, 전자 장치(210)는 기본 구조 또는 확장 구조일 수 있다. 전자 장치(210)는 제1 지점의 표면 온도 값(A)을 예측시, 전자 장치(210)의 구조를 고려해 표면 온도 값 모델을 이용할 수 있다. 예를 들면, 적어도 하나의 온도 센서가, 발열원 주변에 배치되는 경우, 전자 장치(210)는 열화상 이미지를 통해 획득된 표면 온도와 적어도 하나의 온도 센서를 이용해 획득된 온도를 이용하여, 제1 지점의 표면 온도 값(A)를 예측할 수 있다. 예를 들면, 열화상 이미지를 통해 획득된 표면 온도가 약 40도 이고, 적어도 하나의 온도 센서를 이용해 획득된 온도가 약 45도 인 경우, 확인된 두 온도차(예: 약 5도)를 이용하여, 제1 지점의 표면 온도 값(A)를 예측 할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 온도 센서가 전자 장치의 고정된 구성에 배치되는 경우, 확장 구조에서의 온도 값은 직접 측정되지 않을 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 온도 센서가 전자 장치의 움직이는 구성에 배치되는 경우, 확장 구조에서의 온도 값은 직접 측정될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 온도 센서는 열원(또는 발열원) 주변에 배치될 수 있다. 발열원은 예를 들어, 프로세서, 안테나, 통신 모듈, 또는 배터리가 될 수 있으며, 이 중 적어도 일부는 전자 장치의 움직이는 구성에 배치될 수 있다. 발열원이 전자 장치의 움직이는 구성에 배치되어 전자 장치의 구조가 변경되는 경우, 발열원의 위치도 변경될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 발열원은 고정된 구성에 배치되어 움직이는 구성에 배치되지 않을 수 있다.

동작 630에서, 전자 장치(210)는 구조가 변경되는지 판단할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)의 구조는 앞서 도 2 내지 도 4에서 설명한 바와 같이 기본 구조와 확장 구조로 구별될 수 있다. 전자 장치(210)는 기본 구조에서 확장 구조로 되거나 또는 확장 구조에서 기본 구조로 되는 경우 구조가 변경된 것으로 판단할 수 있다.

동작 635에서, 전자 장치(210)는 구조가 변경되지 않으면 동작 620에서 예측한 제1 지점의 온도 값을 전자 장치(210)의 제1 지점의 표면 온도 값으로 결정할 수 있다. 전자 장치(210)는 전자 장치의 다른 지점에 대해서도 동작 620과 같이 표면 온도 값을 예측할 수 있다. 전자 장치(210)는 동작 620과 같은 방식을 이용해 전자 장치(210) 전체의 표면 온도 값을 예측할 수 있다.

동작 640에서, 전자 장치(210)는 구조가 변경되면 전자 장치(210)의 제1 지점의 온도 값(A')을 예측할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)의 구조가 변경됨에 따라 제1 지점의 온도 값(A')이 변경될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 적어도 하나의 온도 센서를 이용해 온도 값을 측정하고, 측정된 온도값과 표면 온도 값 모델을 이용해 제1 지점의 표면 온도 값(A')을 예측할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 동작 620에서 측정한 온도 값과 표면 온도 값 모델을 이용해 제1 지점의 표면 온도 값(A')을 예측할 수 있다. 이하에서는 동작 620에서 예측한 제1 지점의 온도 값(A)과 구조가 변경된 후 예측한 제1 지점의 온도 값(A')을 구별하기 위해 구조가 변경된 후 예측한 제1 지점의 온도 값을 A'로 나타낼 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 동작 620에서 전자 장치(210)는 기본 구조일 수 있고, 동작 640에서 전자 장치(210)는 확장 구조일 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 동작 620에서 전자 장치(210)는 확장 구조일 수 있고, 동작 640에서 전자 장치(210)는 기본 구조일 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 제1 지점은 전자 장치의 구조가 변경되더라도 실질적으로 동일한 위치를 나타낼 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)가 확장 구조로 변경되면 제1 지점 외에 제2 지점의 온도 값(B)도 예측할 수 있다. 제2 지점의 온도 값(B)은 제1 지점의 온도 값(A')과 같은 방식으로 예측될 수 있다.

동작 650에서, 전자 장치(210)는 구조가 변경되기 전 제1 지점의 온도 값(A)과 구조가 변경된 후 제1 지점의 온도 값(A')의 차이가 허용 오차(δ)(tolerance)를 초과하는지 판단할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 구조가 변경되기 전후 제1 지점의 온도 값의 차이(|A'-A|)는 절대값으로 판단될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 허용 오차(δ)는 온도 스케일(scale)일 수 있다. 예를 들어, 온도를 1도 단위로 측정할 수 있는 경우, 온도 스케일은 1이 될 수 있어 허용 오차(δ)도 1이 될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 구조가 변경되기 전 제1 지점의 온도 값(A)과 구조가 변경된 후 제1 지점의 온도 값(A')의 비율(A/A')이 허용 오차(δ)를 초과하는지 판단할 수 있다. 다양한 실시예에 따라, 허용 오차는 기본 구조에서 제1 지점의 온도 값과 확장 구조에서 제1 지점의 온도 값의 비(ratio)일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 구조가 변경되기 전 제1 지점의 온도 값(A)과 구조가 변경된 후 제1 지점의 온도 값(A')의 차이가 허용 오차(δ) 이내이면, 동작 680에서 제1 지점의 표면 온도 값을 결정할 수 있다. 전자 장치(210)는 동작 640에서 예측한 제1 지점의 온도 값(A')을 구조가 변경된 후의 제1 지점의 표면 온도 값으로 결정할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 구조가 변경되어 확장 구조로 된 경우에는 확장된 부분에 대해서도 표면 온도 값을 예측할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(210)의 기본 구조에서 제1 지점의 온도 값이 약 36.5도이고, 전자 장치(210)의 확장 구조에서 제1 지점의 온도 값이 약 36도이고, 허용오차가 1이면 전자 장치(210)의 구조가 변경되기 전후 제1 지점의 온도 값의 차이는 약 0.5도이기 때문에, 허용 오차(δ)보다 작아, 전자 장치(210)가 확장 구조가 된 후 제1 지점의 온도 값은 약 36도가 될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 구조가 변경되기 전 제1 지점의 온도 값(A)과 구조가 변경된 후 제1 지점의 온도 값(A')의 차이가 허용 오차(δ)를 초과하는 것으로 판단되면, 동작 660에서, 제1 지점의 온도 값(A")을 다시 예측할 수 있다.

전자 장치(210)는, 동작 660에서, 시간을 고려하여 다시 제1 지점의 온도 값(A")을 예측할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 다시 예측하는 제1 지점의 온도 값(A")은 시간을 고려하는 함수(이하 '시간 함수')로 표현될 수 있다. 예를 들어, 시간 함수는 이전에 예측한 제1 지점의 온도 값들의 시간 누적 함수일 수 있다. 시간 누적 함수는 [수학식 1]과 같이 표현될 수 있다.

[수학식 1]

예를 들어, 전자 장치(210)가 기본 구조에서 예측한 제1 지점의 온도 값(A)이 약 40도이고, 확장 구조에서 예측한 제1 지점의 온도 값(A')이 약 35도 이며 제1 지점의 온도값이 10초 단위로 예측된 것이면 다시 예측한 제1 지점의 온도 값(A")은 (40+35)/2= 약 37.5도가 될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)가 기본 구조에서 확장 구조로 변경된 경우 제2 지점(B')의 온도 값은 다시 예측한 제1 지점의 온도 값(A")을 고려해 예측할 수 있다. [수학식 2]는 예를 들어, 전자 장치(210)가 확장 구조의 제2 지점의 온도 값(B')을 구하는 식일 수 있다.

[수학식 2]

여기서, B는 전자 장치(210)가 이전에 예측한 제2 지점의 온도 값일 수 있다.

동작 670에서, 전자 장치(210)는 구조가 변경된 후 예측한 제1 지점의 온도 값(A')과 시간 함수를 고려해 다시 예측한 제1 지점의 온도 값(A")의 차이가 허용 오차(δ)를 초과하는지 판단할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 시간 함수를 고려하기 전후 예측된 제1 지점의 온도 값의 차이(|A'-A"|)는 절대값으로 판단될 수 있다. 허용 오차(δ)는 동작 650에서 설명한 것과 동일할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 구조가 변경된 후 예측한 제1 지점의 온도 값(A')과 시간 함수를 고려해 다시 예측한 제1 지점의 온도 값(A")의 차이가 허용 오차(δ)이내이면, 동작 680에서 제1 지점의 표면 온도 값을 결정할 수 있다. 전자 장치(210)는 시간 함수를 고려해 다시 예측한 제1 지점의 온도 값(A")을 제1 지점의 표면 온도 값으로 결정할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 구조가 변경된 후 예측한 제1 지점의 온도 값(A')과 시간 함수를 고려해 다시 예측한 제1 지점의 온도 값(A")의 차이가 허용 오차(δ)를 초과하면, 동작 660과 같이 시간을 고려하여 다시 제1 지점의 온도 값(A")을 예측할 수 있다.

동작 680에서, 전자 장치(210)는 구조가 변경된 후 제1 지점의 온도 값을 결정할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 구조가 변경되지 않으면 동작 620에서 예측한 제1 지점의 온도 값을 전자 장치(210)의 제1 지점의 표면 온도 값으로 결정할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 구조가 변경되기 전 제1 지점의 온도 값(A)과 구조가 변경된 후 제1 지점의 온도 값(A')의 차이가 허용 오차(δ) 이내이면, 구조가 변경된 후 제1 지점의 온도 값(A')을 제1 지점의 표면 온도 값으로 결정할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 시간 함수를 고려해 예측한 제1 지점의 온도 값(A")이 이전에 예측한 제1 지점의 온도 값(A')과의 차이가 허용오차 이내이면 예측한 제1 지점의 온도 값(A")을 최종 제1 지점의 온도 값으로 결정할 수 있다.

도 6에 따르면, 일 예로, 사용자가 전자 장치(210)를 기본 구조로 이용하다가 확장 구조로 변경하는 경우, 전자 장치(210)의 기본 구조에서 제1 지점의 온도 값(A)이 약 38도, 확장 구조에서 제1 지점의 온도 값(A")이 약 36.5도이고, 확장 구조에서 제2 지점의 온도 값(B)이 약 35도 예측될 수 있다. 이때 허용 오차로 판단할 수 있는 온도 스케일이 1도이고 온도 값이 10초 주기로 예측된다고 가정하면, 전자 장치(210)의 구조 변경 전후 제1 지점의 온도 값의 차이는 38-36.5= 약 1.5도로 허용 오차보다 클 수 있다. 전자 장치(210)는 전자 장치(210)의 구조 변경 전후 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용 오차보다 크면, 시간 함수를 고려하여 제1 지점의 온도 값(A")을 다시 예측할 수 있다. 예를 들면, 시간 함수는 시간 누적 함수일 수 있고, 이 경우 다시 예측한 제1 지점의 온도 값(A")은 (38+36.5)/2= 약 37.25도로 결정될 수 있다. 또한, 확장 구조에서 제2 지점의 온도 값(B')는 35+(38-37.25)= 약 35.75도로 결정될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 동작 690과 동작 695를 더 수행할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는, 동작 690에서, 동작 680에서 결정된 또는 동작 635에서 예측된 온도 값이 임계값보다 높은지 판단할 수 있다. 임계값은 사용자에 의해 설정되거나 시스템에 의해 설정된 값일 수 있다. 임계값은 상황에 따라 달리 설정된 값일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 동작 690에서 결정된 또는 예측된 온도 값이 임계값보다 높으면, 동작 695에서 전자 장치(210)의 발열을 제어하기 위한 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(210)는 발열을 제어하기 위한 동작으로 프로세서의 클럭의 속도를 줄일 수 있다. 전자 장치(210)는 발열을 제어하기 위한 동작으로 전력 관리 모듈의 충전 전력을 줄이거나 충전 시간을 줄일 수 있다. 전자 장치(210)는 발열을 제어하기 위한 동작으로 통신 모듈의 쓰루풋을 줄이거나 통신 방식을 변경할 수 있다. 전자 장치(210)는 발열을 제어하기 위한 동작으로 디스플레이의 밝기를 줄이거나, 소리의 볼륨을 줄일 수 있다. 전자 장치(210)는 발열을 제어하기 위해 두 가지 이상의 동작을 동시에 수행할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(210)는 동작 690에서 결정된 또는 예측된 온도 값이 임계값보다 높지 않으면, 전자 장치(210)의 발열을 제어하기 위한 동작을 별도로 수행하지 않을 수 있다. 전자 장치(210)는 동작 690에서 결정된 또는 예측된 온도 값이 임계값보다 낮거나 같으면, 수행하던 동작을 계속 수행할 수 있다.

이하에서는 시간 함수로 고려할 수 있는 다양한 실시예를 나타낼 수 있다.

도 7은 다양한 실시예에 따라 시간에 따라 변화하는 전자 장치의 표면 온도 값과 전자 장치 내부의 온도 센서의 온도 값을 나타낸 그래프이다.

다양한 실시예에 따라, 전자 장치 내부의 온도 센서는 예를 들어 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120)), 배터리(예: 도 1의 배터리(189)), 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190))의 주변에 각각 위치할 수 있다. 도 7에서는 어플리케이션 프로세서(121)의 주변에 위치한 온도 센서의 값(730), 커뮤니케이션 프로세서(123)의 주변에 위치한 온도 센서의 값(750), 배터리(189)의 주변에 위치한 온도 센서의 값(720), 통신 모듈(190) 중 PA(power amplifier) 주변에 위치한 온도 센서의 값(740)과 전자 장치의 표면 온도 값(710)을 시간에 따라 일 예로 나타낸 것이다.

도 7을 참조하면, 어플리케이션 프로세서(121)의 주변에 위치한 온도 센서의 값(730)이 가장 높을 수 있고, 배터리 주변에 위치한 온도 센서의 값(720)이 가장 낮을 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치의 각 구성의 온도 센서의 값은 전자 장치에 의해 수행되는 동작에 따라 달라질 수 있다. 전자 장치의 각 구성의 온도 센서의 값은 주변에 위치하는 발열하는 구성의 영향을 받을 수 있다.

도 7을 참조하면, 각각의 온도 센서 값은 처음에는 온도 값의 변화가 크지만 일정 시간이 경과하게 되면 각각의 온도 센서의 값은 특정 온도 값으로 포화되는 것을 알 수 있다. 도 7을 참조하면, 복수의 온도 센서 값들 중에서 전자 장치의 표면 온도 값(710)과 유사한 양상을 보이는 온도 센서 값은 배터리 주변에 위치한 온도 센서 값(BAT_PST)(720)임을 확인할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 표면 온도 값(710)을 결정하는데 배터리 주변에 위치한 온도 센서 값(BAT_PST)(720)이 변하는 정도를 이용할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 배터리 주변에 위치한 온도 센서 값(BAT_PST)(720)을 모니터링해, 온도 값의 변화가 작다면 시간 함수에 적용할 누적할 시간의 구간을 늘리고, 온도 값의 변화가 크다면 시간 함수에 적용할 누적할 시간의 구간을 줄일 수 있다. 전자 장치(101)는 배터리 주변에 위치한 온도 센서 값(BAT_PST)(720)이 크게 변하면 누적할 시간의 구간을 줄여 표면 온도 값(710)을 결정하고, 배터리 주변에 위치한 온도 센서 값(BAT_PST)(720)이 작게 변하면 누적할 시간의 구간을 늘여 표면 온도 값(710)을 결정할 수 있다.

도 8은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 열 포화 곡선을 나타낸 그래프이다.

다양한 실시예에 따르면, 누적할 시간의 구간을 결정하기 위해 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101), 도 2a 내지 도 2b의 전자 장치(210), 도 2c 내지 도 2d의 전자 장치(230), 도 3a 내지 도 3b의 전자 장치(310), 도 4a 내지 도 4b의 전자 장치(410), 또는 도 5a 내지 도 5b의 전자 장치(210))의 표면 온도 값과 유사한 양상을 보이는 온도 센서의 값을 이용하거나 또는 전자 장치(101)의 열 저항을 나타내는 시정수를 이용할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 전원을 공급하여 표면 온도 값이 포화 상태에 가까이 도달하는 시정수를 구할 수 있다. 도 8을 참조하면, 전자 장치(101)는 처음 전원 공급시 표면 온도 값은 약 27도였으나 15분 뒤 포화 상태에 도달하였고 포화된 상태에서의 표면 온도 값은 약 35도임을 확인할 수 있다. 전자 장치(101)의 온도 값이 1도 올라가는데 걸리는 시간은 (15*60)/(35-27)= 약 112.5초가 될 수 있다. 이 경우 전자 장치(101)는 0.5도 주기로 온도 값을 확인하기 위해서는 약 60초 간격으로 확인할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 누적할 시간의 구간은 전자 장치(101)의 사용 시나리오에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 사용자가 전자 장치(101)를 이용해 게임을 이용하는 경우, 동영상을 재생하는 경우, 및 인터넷 서핑을 하는 경우와 같은 다양한 시나리오 별, 전자 장치(101)의 기본 구조, 및 확장 구조 별로 샘플링 주기를 변경하여 표면 온도 값을 구하는데 적절한 누적할 시간의 구간을 결정할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치는 적어도 하나의 온도 센서(510, 520, 530), 및 적어도 하나의 프로세서(120)를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 적어도 하나의 온도 센서(510, 520, 530) 값을 이용해 상기 전자 장치의 제1 지점(540)의 온도 값을 예측하고, 상기 전자 장치의 구조가 변경되는지 판단하고, 상기 전자 장치의 구조가 변경되면, 상기 제1 지점(550)의 온도 값을 다시 예측하고, 상기 전자 장치의 구조 변경 전 상기 제1 지점(540)의 온도 값과 구조 변경 후 상기 제1 지점(550)의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하는지 판단하고, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값을 이용해 상기 제1 지점(550)의 온도 값을 결정할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점(540, 550)의 온도 값의 차이가 허용오차 이내이면, 상기 제1 지점의 온도 값은 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값으로 결정할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 허용오차는 예측하는 온도 값의 스케일에 따라 결정될 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 일정 시간 동안 누적된 상기 제1 지점의 온도 값의 평균값으로 상기 제1 지점의 온도 값을 결정할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 결정된 제1 지점(540)의 온도 값과 상기 전자 장치의 구조가 변경된 후 예측된 상기 제1 지점(550, 560)의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 결정할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 표면 온도 값 모델을 이용하여 상기 제1 지점의 온도 값을 예측할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치에서 상기 표면 온도 값 모델은 학습 알고리즘을 이용해 상기 전자 장치의 구조가 변경되기 전과 후 열화상 이미지 상의 상기 제1 지점의 온도 값을 학습해 생성된 것일 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 적어도 하나의 온도 센서(510, 520, 530)의 값에 맵핑된 온도 값을 상기 제1 지점의 온도 값으로 예측할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 적어도 하나의 온도 센서(510, 520, 530)의 값을 기초로 선형 회귀 방식을 이용해 상기 제1 지점의 온도 값을 예측할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치에서 상기 적어도 하나의 온도 센서(510, 520, 530)는 온도 센서 값과 상기 전자 장치의 표면 온도 값의 차이가 일정 범위 내인 곳에 위치하도록 결정될 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 결정된 제1 지점의 온도 값이 임계 값보다 높으면 상기 전자 장치의 발열을 제어할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 전자 장치의 발열을 제어하기 위해 상기 적어도 하나의 프로세서(120)의 클럭의 속도 감소, 전력 관리 모듈(168)의 충전 전력 감소, 통신 모듈(190)의 전체 쓰루풋 감소, 또는 디스플레이(160)의 밝기 감소 중 적어도 하나를 수행할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법은 적어도 하나의 온도 센서 값을 이용해 상기 전자 장치의 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작(620), 상기 전자 장치의 구조가 변경되는지 판단하는 동작(630), 상기 전자 장치의 구조가 변경되면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 예측하는 동작(640), 상기 전자 장치의 구조 변경 전 상기 제1 지점의 온도 값과 구조 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하는지 판단하는 동작(650), 및 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값을 이용해 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는 동작(660)을 포함할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법에서 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차 이내이면, 상기 제1 지점의 온도 값은 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값으로 결정할 수 있다(680).

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법에서 상기 허용오차는 예측하는 온도 값의 스케일에 따라 결정될 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법에서 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는 동작은, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 일정 시간 동안 누적된 상기 제1 지점의 온도 값의 평균값으로 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는 동작일 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법은 상기 결정된 제1 지점의 온도 값과 상기 전자 장치의 구조가 변경된 후 예측된 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 결정하는 동작(660)을 더 포함할 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법에서 상기 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작은, 표면 온도 값 모델을 이용하여 상기 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작일 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법에서 상기 표면 온도 값 모델은 학습 알고리즘을 이용해 상기 전자 장치의 구조가 변경되기 전과 후 열화상 이미지 상의 상기 제1 지점의 온도 값을 학습해 생성된 것일 수 있다.

본 개시에 따른 전자 장치의 동작 방법에서 상기 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작은, 상기 적어도 하나의 온도 센서(510, 520, 530)의 값에 맵핑된 온도 값을 상기 제1 지점(540, 550)의 온도 값으로 예측하는 동작일 수 있다.

그 외에도 다양한 실시예들이 가능하다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어^TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims

전자 장치에 있어서,
적어도 하나의 온도 센서; 및
적어도 하나의 프로세서를 포함하고,
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 적어도 하나의 온도 센서 값을 이용해 상기 전자 장치의 제1 지점의 온도 값을 예측하고, 상기 전자 장치의 구조가 변경되는지 판단하고, 상기 전자 장치의 구조가 변경되면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 예측하고, 상기 전자 장치의 구조 변경 전 상기 제1 지점의 온도 값과 구조 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하는지 판단하고, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값을 이용해 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차 이내이면, 상기 제1 지점의 온도 값은 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값으로 결정하는, 전자 장치.
제1항에 있어서,
상기 허용오차는 예측하는 온도 값의 스케일에 따라 결정되는 것인, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 전자 장치의 구조 변경 전후 일정 시간 동안 누적된 상기 제1 지점의 온도 값의 평균값으로 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 결정된 제1 지점의 온도 값과 상기 전자 장치의 구조가 변경된 후 예측된 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 결정하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 프로세서는,
표면 온도 값 모델을 이용하여 상기 제1 지점의 온도 값을 예측하는, 전자 장치.
제6항에 있어서,
상기 표면 온도 값 모델은 학습 알고리즘을 이용해 상기 전자 장치의 구조가 변경되기 전과 후 열화상 이미지 상의 상기 제1 지점의 온도 값을 학습해 생성된 것인, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 적어도 하나의 온도 센서 값에 맵핑된 온도 값을 상기 제1 지점의 온도 값으로 예측하는, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 적어도 하나의 온도 센서 값을 기초로 선형 회귀 방식을 이용해 상기 제1 지점의 온도 값을 예측하는, 전자 장치.
제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 온도 센서는 온도 센서 값과 상기 전자 장치의 표면 온도 값의 차이가 일정 범위 내인 곳에 위치하도록 결정된, 전자 장치.
제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 결정된 제1 지점의 온도 값이 임계 값보다 높으면 상기 전자 장치의 발열을 제어하는, 전자 장치.
제11항에 있어서, 상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 전자 장치의 발열을 제어하기 위해 상기 적어도 하나의 프로세서의 클럭의 속도 감소, 전력 관리 모듈의 충전 전력 감소, 통신 모듈의 전체 쓰루풋 감소, 또는 디스플레이의 밝기 감소 중 적어도 하나를 수행하는, 전자 장치.
전자 장치의 동작 방법에 있어서,
적어도 하나의 온도 센서 값을 이용해 상기 전자 장치의 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작;
상기 전자 장치의 구조가 변경되는지 판단하는 동작;
상기 전자 장치의 구조가 변경되면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 예측하는 동작;
상기 전자 장치의 구조 변경 전 상기 제1 지점의 온도 값과 구조 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하는지 판단하는 동작; 및
상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값을 이용해 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는 동작을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.
제13항에 있어서,
상기 전자 장치의 구조 변경 전후 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차 이내이면, 상기 제1 지점의 온도 값은 변경 후 상기 제1 지점의 온도 값으로 결정하는, 전자 장치의 동작 방법.
제13항에 있어서,
상기 허용오차는 예측하는 온도 값의 스케일에 따라 결정되는, 전자 장치의 동작 방법.
제13항에 있어서, 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는 동작은,
상기 전자 장치의 구조 변경 전후 일정 시간 동안 누적된 상기 제1 지점의 온도 값의 평균값으로 상기 제1 지점의 온도 값을 결정하는 동작인, 전자 장치의 동작 방법.
제13항에 있어서,
상기 결정된 제1 지점의 온도 값과 상기 전자 장치의 구조가 변경된 후 예측된 상기 제1 지점의 온도 값의 차이가 허용오차를 초과하면, 상기 제1 지점의 온도 값을 다시 결정하는 동작을 더 포함하는, 전자 장치의 동작 방법.
제13항에 있어서, 상기 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작은,
표면 온도 값 모델을 이용하여 상기 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작인, 전자 장치의 동작 방법.
제18항에 있어서,
상기 표면 온도 값 모델은 학습 알고리즘을 이용해 상기 전자 장치의 구조가 변경되기 전과 후 열화상 이미지 상의 상기 제1 지점의 온도 값을 학습해 생성된 것인, 전자 장치의 동작 방법.
제13항에 있어서, 상기 제1 지점의 온도 값을 예측하는 동작은,
상기 적어도 하나의 온도 센서 값에 맵핑된 온도 값을 상기 제1 지점의 온도 값으로 예측하는 동작인, 전자 장치의 동작 방법.