KR20220092123A - 센서를 제어하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20220092123A
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Abstract

본 개시(disclosure)는 LTE(Long Term Evolution)와 같은 4G(4th generation) 통신 시스템 이후 보다 높은 데이터 전송률을 지원하기 위한 5G(5th generation) 또는 pre-5G 통신 시스템에 관련된 것이다. 본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치의 그립 여부를 감지하는 과정, 상기 전자 장치가 그립되는 경우, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여 상기 신호의 상태를 식별하는 과정, 상기 신호의 식별된 상태가 제1 상태에서 제2 상태로 변경되는지 여부를 감지(monitoring)하는 과정 및 상기 신호의 상태가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 변경되는 경우, 상기 전자 장치의 IIR 필터의 응답 속도를 변경하는 과정을 포함할 수 있다.

Description

센서를 제어하기 위한 장치 및 방법 {APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING SENSOR}
본 개시(disclosure)는 일반적으로 무선 통신 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로 무선 통신 시스템에서 센서의 오동작(malfunction)을 제어하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
무선 통신 시스템에서 RF(radio frequency) 신호를 이용하는 전자 장치에 있어서, 전자 장치에서 발생되는 RF 신호의 전자파가 사용자들에게 흡수되어 인체에 유해한 영향을 끼치는 것이 문제될 수 있다. 이에 따라, 전자 장치를 설계 시, SAR(specific absorption rate) 허용 기준이 고려될 수 있다. SAR은 사용자가 전자 장치를 사용하는 과정에서 사용자의 인체에 흡수되는 단위 질량당 전자파의 전력을 의미한다. 따라서, 인체에 유해한 전자파를 최소화하기 위해 SAR을 고려하여 전자 장치를 제어하는 방법이 요구된다.
상술한 바와 같은 논의를 바탕으로, 본 개시(disclosure)는 무선 통신 시스템에서 ESR(equivalent series resistance)이 최소화되도록 설계함으로써 전자 장치의 오동작을 개선할 수 있는 방법 및 장치를 제공한다.
또한, 본 개시는 무선 통신 시스템에서 ESR의 변화를 고려하여 커패시턴스를 보상함으로써 전자 장치의 오동작을 개선할 수 있는 방법 및 장치를 제공한다.
또한, 본 개시는 무선 통신 시스템에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여 필터의 응답 속도를 제어함으로써 전자 장치의 오동작을 개선할 수 있는 방법 및 장치를 제공한다.
또한, 본 개시는 무선 통신 시스템에서 추가 제어 파라미터를 이용하여 전자 장치를 제어함으로써 전자 장치의 오동작을 개선할 수 있는 방법 및 장치를 제공한다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치의 그립 여부를 감지하는 과정, 상기 전자 장치가 그립되는 경우, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여 상기 신호의 상태를 식별하는 과정, 상기 신호의 식별된 상태가 제1 상태에서 제2 상태로 변경되는지 여부를 감지(monitoring)하는 과정 및 상기 신호의 상태가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 변경되는 경우, 상기 전자 장치의 IIR 필터의 응답 속도를 변경하는 과정을 포함할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치가 그립 여부를 감지하는 과정, 상기 전자 장치가 그립되지 않은 경우, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여 상기 신호의 상태를 식별하는 과정, 상기 신호의 식별된 상태가 제2 상태에서 제1 상태로 변경되는지 여부를 감지하는 과정 및 상기 신호의 상태가 상기 제2 상태에서 상기 제1 상태로 변경되는 경우, 상기 전자 장치의 해제 임계값(release threshold)을 변경하는 과정을 포함할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보를 감지(monitoring)하는 과정, 감지된 상기 송신되는 신호의 정보와 미리 저장된 정보의 매핑(mapping) 여부를 식별하는 과정 및 상기 전자 장치의 오프셋 커패시턴스(offset capacitance)를 업데이트하는 과정을 포함할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여, 제1 커패시턴스 및 제2 커패시턴스의 차이인 제3 커패시턴스를 감지(monitoring)하는 과정 및 상기 제3 커패시턴스와 적어도 하나의 임계값을 비교하는 것에 기반하여, 상기 제2 커패시턴스를 유지하거나 유지를 해제함으로써 상기 전자 장치의 센서를 제어하는 과정을 포함하고, 상기 제1 커패시턴스는 상기 전자 장치의 사용 상태에 따라 변경되는 커패시터의 커패시턴스를 의미하고, 상기 제2 커패시턴스는 상기 제1 커패시턴스의 특정 시간에 대한 평균을 의미할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 장치 및 방법은, 센서와 안테나 사이에 추가 인덕터를 배치하여 ESR을 최소화함으로써 전자 장치의 그립-온(grip-on) 오동작(malfunction)을 개선할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 장치 및 방법은, 송신되는 신호의 정보에 기반하여 오프셋 커패시턴스(offset capacitance)를 보상함으로써 전자 장치의 오동작을 개선할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 장치 및 방법은, 송신되는 신호의 정보에 기반하여 IIR(infinite impulse response) 필터의 응답 속도를 제어함으로써 전자 장치의 오동작을 개선할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 장치 및 방법은, 추가 제어 파라미터를 통해 전자 장치의 커패시턴스의 변화를 제어함으로써 전자 장치의 오동작을 개선할 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 기능적 구성의 예를 도시한다.
도 2a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 설명을 위한 전자 장치의 회로도의 예를 도시한다.
도 2b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 설명을 위한 전자 장치 내 구성요소들의 배치의 예를 도시한다.
도 3a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 회로도의 예를 도시한다.
도 3b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치 구성 요소들의 배치의 예를 도시한다.
도 3c는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스의 변화를 나타낸다.
도 4는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 전력 수준(level)에 따른 커패시턴스의 변화를 나타내는 그래프의 예이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 정보에 기반하여 커패시턴스를 보상하기 위한 전자 장치의 흐름도이다.
도 6a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 상태에 따라 IIR(infinite impulse response) 필터의 응답 속도를 조절하기 위한 전자 장치의 흐름도이다.
도 6b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 상태에 따라 임계값을 조절하기 위한 전자 장치의 흐름도이다.
도 7a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스를 나타내는 그래프의 예이다.
도 7b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스를 나타내는 그래프의 다른 예이다.
도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 기능적 구성의 다른 예를 도시한다.
도 9는 본 개시의 일 실시 예에 따른 추가 제어 파라미터에 기반하여 커패시턴스 측정을 제어하기 위한 전자 장치의 흐름도이다.
도 10은 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스를 나타내는 그래프의 또 다른 예이다.
도 11은 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
본 개시에서 사용되는 용어들은 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 다른 실시 예의 범위를 한정하려는 의도가 아닐 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 용어들은 본 개시에 기재된 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가질 수 있다. 본 개시에 사용된 용어들 중 일반적인 사전에 정의된 용어들은, 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 동일 또는 유사한 의미로 해석될 수 있으며, 본 개시에서 명백하게 정의되지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. 경우에 따라서, 본 개시에서 정의된 용어일지라도 본 개시의 실시 예들을 배제하도록 해석될 수 없다.
이하에서 설명되는 본 개시의 다양한 실시 예들에서는 하드웨어적인 접근 방법을 예시로서 설명한다. 하지만, 본 개시의 다양한 실시 예들에서는 하드웨어와 소프트웨어를 모두 사용하는 기술을 포함하고 있으므로, 본 개시의 다양한 실시 예들이 소프트웨어 기반의 접근 방법을 제외하는 것은 아니다.
전자파를 최소화하기 위하여 전자 장치를 제어하는 방법은 사용자가 전자 장치를 그립(grip)할 때 전자 장치 내 전체 커패시터의 커패시턴스(capacitance) 변화를 감지하고, 전자 장치에서 방사되는 신호의 최대 전력을 제한(max power limit)하여 SAR을 백-오프(back-off)하도록 제안될 수 있다. 이 때, 전자 장치의 커패시턴스 변화를 감지하기 위하여, 센서(sensor)는 전자 장치의 커패시턴스를 측정할 수 있다. 측정된 커패시턴스의 변화에 기반하여 사용자의 전차 장치 그립 여부를 판단하기 때문에, 사용자가 실제로 그립했는지 여부와 상관없이 외부 요인(예: 주파수 대역간 핸드오버, 송신 신호의 전력 수준(level) 변화)에 의해 커패시턴스의 변화가 발생되는 경우, 전자 장치는 사용자가 그립하지 않더라도 그립-온(grip-on)된 것으로 식별하는 오동작(malfunction)(이하, 그립-온 오동작)이 발생될 수 있다. 이에 따라, 그립-온 오동작에 의해 불필요하게 전자 장치의 송신 최대 전력의 세기가 제한함으로써, 전자 장치의 성능은 열화될 수 있다. 따라서, 전자 장치의 성능 열화를 방지하기 위해, 외부 요인에 의해 변화하는 커패시턴스를 고려하여 보다 효과적인 방법으로 센서를 제어하는 것이 요구된다.
이하, 본 개시에서는 상술된 오동작을 개선하기 위한 장치 및 방법을 제안한다. 이하, 본 개시의 실시 예들은 송신 신호의 주파수 대역 또는 송신 전력의 수준이 달라질 때의 커패시턴스의 변화를 고려하여 전자 장치의 오동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 본 개시의 실시 예들에 따른 전자 장치는, 커패시턴스의 변화에 영향을 미치는 요소(예: ESR(equivalent series resistance) 성분)를 최소화하거나, 해당 요소에 따른 커패시턴스를 보상하거나, 필터의 응답 속도의 제어를 통해 커패시턴스의 변화율을 제어하거나, 혹은 추가 제어 파라미터에 기반하여 전자 장치를 제어함으로써 그립-온 오동작을 개선할 수 있다.
이하, 본 개시는 송신 신호의 주파수가 변경되는 것을 주파수 대역의 변경이라고 서술하나 주파수 대역에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 송신 신호의 캐리어 주파수가 변경, 송신 신호의 주파수 영역상 셀의 변경 등을 의미할 수 있다. 다만 설명의 편의를 위하여 송신 신호의 주파수 대역이 핸드오버(handover)되는 경우를 예를 들어 설명한다. 또한, 본 개시는 송신 신호의 전력이 변경되는 것을 전력 수준의 변경이라고 서술하나 전력 수준에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 송신 신호의 전력에 따라 미리 단계를 구분한 전력 수준의 변경, 단순한 송신 신호의 전력의 변경 등을 의미할 수 있다. 다만 설명의 편의를 위하여 송신 신호의 전력 수준이 핸드오버(handover)되는 경우를 예를 들어 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 기능적 구성의 예를 도시한다. 도 1에서는 설명의 편의를 위하여, CP(communication processor), AP(application processor), grip sensor IC(integrated circuit)가 포함되는 전자 장치의 기능적 구성의 예를 도시한다. 다만 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 장치는 AP의 내부에 CP가 포함되는 구조로 형성될 수 있다.
도 1을 참고하면, 전자 장치(100)는 CP(communication processor)(110), AP(application processor)(120) 및 grip sensor IC(integrated circuit)(130)(이하, '센서'라 지칭)가 포함될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, CP(110)는 PCIe(peripheral component interconnect express)를 통해 AP(120)와 연결되어 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, CP(110)는 신호를 변조 또는 복조할 수 있다. 즉, CP(110)는 MODEM(modulation and demodulation)으로 지칭될 수도 있다. 따라서, CP(110)는 송신되거나 수신되는 신호에 대하여 변조 또는 복조를 통해 신호를 처리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, CP(110)는 AP(120)에서 전달되는 정보에 기반하여, 송신 신호를 처리함으로써 송신 신호의 최대 전력(max power)을 제한할 수 있다. 예를 들어, 사용자가 전자 장치를 그립하는 경우, 송신 신호의 최대 전력을 제한함으로써 SAR(specific absorption rate)을 최소화할 수 있다. 또한, CP(110)는 안테나와 연결되어 처리된 신호를 안테나에 전달할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, AP(120)는 CP(110)와 연결될 수 있다. AP(120)는 센서(130)에서 감지(monitoring)되는 커패시턴스(capacitance)의 변화를 고려하여, 송신 신호의 최대 전력을 제한하도록 하는 정보를 CP에 전달할 수 있고, 이에 따라서 송신 신호의 최대 전력을 제한하거나 제한을 해제할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, AP(120)는 센서(130)와 연결될 수 있다. 예를 들어, AP(120)는 센서(130)와 I2C(inter-integrated circuit)를 통하여 통신할 수 있다. 이 때, I2C는 AP(820)에서 센서(830)로 타이밍 동기화(timing synchronization)를 위한 클럭을 전송하는 SCL(serial clock line)와 AP(820)와 센서(830) 사이에서 데이터를 전송하고 수신하기 위한 SDA(serial data line)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, AP(120)는 센서(130)에서 감지되는 전자 장치(100)의 커패시턴스 변화에 대한 정보를 I2C를 통해 전달받을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 센서(130)는 전자 장치(100)의 그립 여부를 감지할 수 있다. 예를 들어, 센서(130)는 전자 장치(100) 내 커패시턴스의 변화에 기반하여 전자 장치의 그립 여부를 감지할 수 있다. 또한, 센서(130)는 감지된 그립 여부에 대한 정보를 AP(120)에 전달할 수 있다. 예를 들어, 센서(130)는 그립이 감지되는 경우 인터럽트(interrupt)를 AP(120)에 전달할 수 있다. 다른 예를 들어, 센서(130)는 그립 감지가 해제되는 경우 인터럽트를 AP(120)에 전달할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 센서(130)는 전자 장치(100)의 오프셋 커패시턴스(offset capacitance, Coffset)를 측정할 수 있다. 여기서, 오프셋 커패시턴스는 전자 장치(100)의 커패시턴스의 초기값을 의미할 수 있다. 예를 들어, 센서(130)는 전자 장치(100)가 부팅(booting)되는 경우, 센서(130)는 부팅시 전자 장치의 오프셋 커패시턴스를 측정할 수 있다. 다른 예를 들어, USB(universal series bus) 또는 USBOTG(USB on-the-go)를 전자 장치에 삽입하는 경우, 센서(130)는 USB 또는 USBOTG가 삽입된 전자 장치의 오프셋 커패시턴스를 측정할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 센서(130)는 커패시턴스 변화를 감지할 수 있다. 예를 들어, 센서(130)는 커패시턴스의 변화를 감지하기 위하여, 전체 커패시턴스를 측정할 수 있다. 이 때, 전체 커패시턴스는 오프셋 커패시턴스와 전자 장치의 사용 상태에 따른 커패시터의 커패시턴스(Cuseful)의 합을 의미할 수 있다. 여기서, 오프셋 커패시턴스는 고정될 수 있고, Cuseful는 외부 요인(예: 사용자의 그립 또는 신호의 특성 변경)에 의해 변경될 수 있다.
AP는 센서에 의해 측정된 Cuseful의 값을 통해 사용자의 그립 여부를 판단할 수 있다. 구체적으로, Cuseful, Cuseful의 특정 시간 동안의 평균값(Cavg) 및 Cuseful와 Cavg의 차이값(Cdiff)에 기반하여 전자 장치의 그립여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, Cdiff가 Thworking보다 높게 형성되는 경우, AP는 센서를 통해 전달된 정보를 통해 전자 장치가 그립-온(grip-on)되었다고 식별할 수 있다. 다른 예를 들어, Cdiff가 Thworking보다 높게 형성된 이후에 다시 Threlease보다 낮게 형성되는 경우, AP는 센서를 통해 전달된 정보를 통해 전자 장치가 그립 해제(grip-off)되었다고 식별할 수 있다.
다만, 상술된 바와 같이, 단순히 그립 센서에서 측정된 커패시턴스 변화에 기반하여 전자 장치의 그립 여부를 판단하는 경우, 신호의 특성 변경(예: 핸드오버로 인한 캐리어 주파수 변경, 전력 세기 변화)으로 인한 커패시턴스 변화를 고려하지 못하는 문제가 있다. 신호의 특성 변경에 의해서 커패시턴스가 변경될 수 있는 바, AP는 전자 장치가 실제로 사용자에 의해 그립되지 않은 경우라도 그립되었다고 식별할 수 있다. 이에 따라, AP는 CP에 송신 신호의 최대 전력을 제한하도록 명령할 수 있고, 제한된 전력은 전자 장치의 성능은 열화를 야기할 수 있다. 이하 도 2에서는, 신호의 특성이 변경되는 경우, 안테나의 커패시턴스 변화에 영향을 미치는 요인들을 설명한다.
도 2a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 설명을 위한 전자 장치의 회로도의 예를 도시한다. 설명의 편의를 위하여, 전자 장치(200)에서 안테나와 센서의 사이를 의미하는 제1 회로(210)는 제1 회로(210) 내 복수의 소자들을 하나의 등가 커패시터(CL)와 하나의 등가 직렬 저항(equivalent series resistance, ESR)(211)으로 대체한다.
도 2a를 참고하면, 전자 장치(200)는 하나의 전력 증폭기(power amplifier), Cf 및 Coffset을 포함하는 센서부, 센서부와 안테나 방사체 사이에 배치되는 제1 회로(210) 및 사용자가 전자 장치(200)를 그립하는 경우 형성되는 그립 커패시터(CG)가 포함될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서부의 Coffset은 오프셋 커패시턴스를 의미할 수 있다. 이 때, Coffset은 전자 장치(200)가 부팅(booting)되거나 USB/USBOTG가 전자 장치에 삽입될 때 측정되는 오프셋 커패시턴스일 수 있다. 오프셋 커패시턴스는 USB/USBOTG와 같은 외부 장치의 연결로 인한 변화를 교정(calibration)하기 위한 기준일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, Coffset은 측정 후, 제1 회로(210)의 CL과 동일한 값으로 설정(set)될 수 있다. 또한, 센서부의 Cf는 안테나의 커패시턴스 변화를 측정하기 위한 소자로서 Cf는 CG의 커패시턴스 변화량을 의미할 수 있다. Coffset이 교정(calibration) 이 후, CL과 동일한 값인 상태에서, CG가 외부 영향에 의해 변화하는 경우, CG에는 전류가 흘러 충전될 수 있다. 이에 따라, Cf는 CG에 충전되는 전압을 반영하기 위해 가변되는 전압의 양만큼 가변될 수 있다. 즉, Cf는 CG에 의해 발생되는 초기값(Coffset+CL)과의 변화를 측정하기 위한 소자로 CG값에 기반하여 Cf가 가변될 수 있고, 센서부는 이를 측정하여 커패시턴스의 변화량을 AP에 전달할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 신호의 특성(예: 주파수 대역, 전력 수준)의 변경이 되는 경우, 안테나의 커패시턴스에 영향을 미치는 요인들은 하기의 수학식에 의해 확인될 수 있다. 전체 커패시턴스는 전력 증폭기의 출력단의 전압(Vo)에 의해 정의될 수 있고, 출력단의 전압을 정리하면 이하의 <수학식 1>과 같다.
Figure pat00001
상기 Vo는 전력 증폭기 출력단의 출력 전압, 상기 Cf는 안테나 커패시턴스 변화를 측정하기 위한 센서의 내부 커패시턴스, 상기 i는 전력 증폭기 출력단에서 Cf를 지나 전력 증폭기의 입력단으로 흐르는 전류, 상기 Vi는 전력 증폭기의 +입력단에 인가되는 입력 전압을 의미할 수 있다.
이 때, 전력 증폭기의 +입력단에 인가되는 전압(Vi)을 정리하면 이하의 <수학식 2>와 같다.
Figure pat00002
상기 Vi는 전력 증폭기의 +입력단에 인가되는 입력 전압, 상기 Coffset은 오프셋 커패시턴스, 상기 CL은 전자 장치의 내부 소자들에 의한 등가 커패시턴스, 상기 CG는 사용자의 그립에 따라 변화하는 그립 커패시턴스, 상기 ESR은 전자 장치의 내부 소자들에 의한 직렬 등가 저항, 상기 i는 전력 증폭기 출력단에서 Cf를 지나 전력 증폭기의 입력단으로 흐르는 전류를 의미할 수 있다.
상술된 수학식들 사이의 관계를 정의하기 위하여, 출력 전압과 입력 전압의 비를 정리하면 이하의 <수학식 3>과 같다.
Figure pat00003
상기 Vo는 전력 증폭기 출력단의 출력 전압, 상기 Vi는 전력 증폭기의 +입력단에 인가되는 입력 전압, 상기 Coffset은 오프셋 커패시턴스, 상기 CL은 전자 장치의 내부 소자들에 의한 등가 커패시턴스, 상기 CG는 사용자의 그립에 따라 변화하는 그립 커패시턴스, 상기 Cf는 안테나 커패시턴스 변화를 측정하기 위한 센서의 내부 커패시턴스, 상기 ESR은 전자 장치의 내부 소자들에 의한 직렬 등가 저항, 상기 i는 전력 증폭기 출력단에서 Cf를 지나 입력단으로 흐르는 전류를 의미할 수 있다.
상술한 수학식 및 도 2a를 참고하면, 교정(calibration) 이후, CL과 Coffset의 커패시턴스 값이 동일하게 세팅(setting)될 수 있는 바, Vout의 레벨(level)은 일정하게 정해질 수 있다. 이 때, ESR(211)을 고려하지 않는다고 가정하면, 전자 장치는 CG의 형성에 따라 Cf의 Vout의 레벨이 올라가게 되어 그립 여부를 감지할 수 있다. 하지만, 실제의 경우, RF 신호의 특성이 변경되는 경우, ESR(211)이 형성될 수 있고, CG가 형성되지 않음에도 불구하고, CL과 ESR(211)에 흐르는 전류에 의해 Vout의 레벨이 변경됨에 따라 전자 장치의 오동작이 형성될 수 있다. 다시 말해서, 출력 전압(Vo)은 그립 커패시턴스(CG)와 비례하는 관계일 수 있고, ESR(211)과 반비례하는 관계일 수 있다. 또한, 전체 커패시턴스는 출력 전압과 비례하는 관계이므로, 전체 커패시턴스는 ESR(211) 및 그립 커패시턴스의 영향을 받을 수 있다. 여기서 그립 커패시턴스(CG)는 실제로 사용자의 그립에 의해 형성될 수 있고, 신호의 특성 변경에 따라서는 변경되지 않을 수 있다. 이와 달리, ESR(211)은 내부 소자들의 등가 직렬 저항을 의미하는 것으로서, 신호의 특성 변경에 따라 변경될 수 있다. 상술한 바를 고려하면, 신호의 특성 변경에 따라서 ESR(211)이 변경될 수 있고, 전체 커패시턴스는 ESR에 의해 변경될 수 있다. 전체 커패시턴스의 오프셋 커패시턴스는 고정된 값에 해당되는 바, 제1 커패시턴스는 ESR(211)에 의해 변경될 수 있다. 다시 말해서, 사용자의 그립이 아닌 신호의 특성에 따른 ESR(211)의 변경에 의해 제1 커패시턴스가 변경됨으로써, 전자 장치에는 의도하지 않은 그립-온(grip-on) 오동작(malfunction)이 발생될 수 있다.
이하 도 2b에서는, 도 2a의 제1 회로(210)의 CL과 ESR(211)을 형성하는 전자 장치의 내부 구성을 설명한다.
도 2b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 설명을 위한 전자 장치 구성의 예를 도시한다. 도 2b는 도 2a의 제1 회로(210)를 형성하는 전자 장치의 구성의 예를 도시한다. 이 때, 도 2b의 구성들은 도 1의 센서(130)와 안테나 사이에 배치되는 구성들을 의미할 수 있다.
도 2b를 참고하면, 제1 회로(210)에는 안테나의 방사 성능을 위하여, 센서와 안테나 방사체 사이에 제1 인덕터(L1), 제2 인덕터(L2), VAR(varistor), 메인 그라운드(main ground), 커패시터(C) 및 공통 그라운드(common ground, common GND)가 배치될 수 있다. 이 때, 공통 그라운드(common ground, common GND)는 필 컷(fill cut) 영역을 따라 길게 형성될 수 있고, 안테나의 기본 공진으로 활용될 수 있다. 또한, 전자 장치의 안테나에서 RF(radio frequency) 대역의 신호가 방사되는 경우, 공통 그라운드는 센서 측면에서 ESR(211)로 동작할 수 있다.
상술한 바를 고려하면, 공통 그라운드에 의해 ESR이 형성될 수 있고, ESR은 제1 커패시턴스의 변화에 영향을 미친다. 이 때, 송신되는 신호의 특성(예: 주파수 대역, 전력 수준(power level))이 변경에 됨에 따라 ESR이 변경될 수 있다. 결과적으로, 송신되는 신호의 특성이 변경되면 제1 커패시턴스가 변경될 수 있고, 전체 커패시턴스가 변경될 수 있다. 따라서, 센서에 의해 측정되는 전체 커패시터의 변경에 의해, 전자 장치가 사용자의 그립여부와 관계없이 전자 장치의 상태를 그립-온으로 식별하는 오동작이 발생될 수 있다.
이하에서는, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따라 그립-온 오동작을 개선하기 위한, ESR의 최소화되도록 설계, 오프셋 커패시턴스의 보상, IIR 필터의 응답 속도 제어 및 커패시턴스의 측정을 제어하기 위한 추가 제어 파라미터를 운용하는 장치 및 방법에 대하여 설명한다.
[ESR 최소화 설계]
이하에서는, 본 개시의 일 실시 예에 따라 신호의 특성 변경에 대하여 병렬 인덕터를 추가함으로써 전자 장치의 그립-온 오동작을 개선하는 구조에 대하여 설명한다.
도 3a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 회로도의 예를 도시한다. 설명의 편의를 위하여, 전자 장치(300)에서 안테나와 센서의 사이를 의미하는 제2 회로(310)는 제2 회로(310) 내 복수의 소자들을 하나의 등가 커패시터(CL)와 하나의 등가 직렬 저항(equivalent series resistance, ESR)(311)으로 가정하여 설명한다.
도 3a를 참고하면, 전자 장치(300)는 전력 증폭기, Cf 및 Coffset을 포함하는 센서부, 센서부와 안테나 방사체 사이에 배치되는 제2 회로(310) 및 사용자가 전자 장치(300)를 그립하는 경우 형성되는 그립 커패시터(CG)가 포함될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 센서부의 Coffset은 오프셋 커패시턴스를 의미할 수 있다. 이 때, Coffset은 전자 장치(300)가 부팅(booting)되거나 USB/USBOTG가 전자 장치에 삽입될 때 측정되는 오프셋 커패시턴스일 수 있다. 오프셋 커패시턴스는 USB/USBOTG와 같은 외부 장치의 연결로 인한 변화를 교정(calibration)하기 위한 기준일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, Coffset은 측정 후, 제2 회로(310)의 CL과 동일한 값으로 설정(set)될 수 있다. 또한, 센서부의 Cf는 안테나의 커패시턴스 변화를 측정하기 위한 소자로서 Cf는 CG의 커패시턴스 변화량을 의미할 수 있다. Coffset이 교정(calibration) 이 후, CL과 동일한 값인 상태에서, CG가 외부 영향에 의해 변화하는 경우, CG에는 전류가 흘러 충전될 수 있다. 이에 따라, Cf는 CG에 충전되는 전압을 반영하기 위해 가변되는 전압의 양만큼 가변될 수 있다. 즉, Cf는 CG에 의해 발생되는 초기값(Coffset+CL)과의 변화를 측정하기 위한 소자로 CG값에 기반하여 Cf가 가변될 수 있고, 센서부는 이를 측정하여 커패시턴스의 변화량을 AP에 전달할 수 있다.
일 실시 예에 따라, 제2 회로(310)는 도 2a의 제1 회로(210)와 달리, 하나의 등가 커패시터(CL), 하나의 ESR(311) 및 제3 인덕터(L3)(312)가 포함될 수 있다. 이 때, 제3 인덕터(312)는 ESR(311)와 병렬로 연결될 수 있다. 또한, 제3 인덕터(312)는 ESR(311)과는 다른 경로에 의해 그라운드(GND)와 연결될 수 있다.
이하 도 3b에서는, 전자 장치(300)에서 신호가 송신되는 경우, 제2 회로(310)에 의해 ESR(311)의 영향이 최소화되는 전자 장치의 내부 구성을 설명한다.
도 3b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치 구성의 예를 도시한다. 설명의 편의를 위하여, 도 3b는 도 3a의 제2 회로(310)를 형성하는 전자 장치의 구성의 예를 도시한다. 이 때, 도 3b의 구성들은 도 1의 센서(130)와 안테나 사이에 배치되는 구성들을 의미할 수 있다.
도 3b를 참고할 때, 제3 인덕터(312)는 ESR(311)와 연결될 수 있다. 도 3a를 참고하면 제3 인덕터(312)와 ESR(311)은 병렬로 연결될 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 제3 인덕터(312)는 ESR(311)을 형성하는 공통 그라운드가 아닌 다른 경로에 의해 그라운드(GND)와 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 인덕터(312)는 RF(radio frequency) 대역의 신호에 대하여 오픈(open) 상태로 동작될 수 있다. 예를 들어, 제3 인덕터(312)는 약 100nH이상의 인덕터로 형성될 수 있다. 제3 인덕터(312)는 RF 대역의 신호가 통과하는 경우 오픈 상태로 동작할 수 있고, 기존의 공통 그라운드가 아닌 다른 경로의 그라운드(GND)와 연결될 수 있다. 따라서, 기존의 공통 그라운드에 의해 형성되는 도 2b의 ESR(212)보다 낮은 저항값을 갖는 GND에 의해 형성되는 ESR이 형성될 수 있다.
이하 도 3c에서는, 송신 신호의 특성(예: 주파수 대역)의 변경되더라도, 전자 장치가 센서를 통해 사용자의 그립여부를 식별하는 동작에 있어서 낮은 저항 값을 갖는 ESR에 의해 오동작이 발생되지 않음을 설명한다.
도 3c는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스의 변화를 나타내는 그래프의 예이다. 도 3c의 제1 그래프(350)의 가로축은 시간을 의미하고, 제1 그래프(350)의 세로축은 일반화(normalized)된 커패시턴스를 의미한다. 다시 말해서, 제1 그래프(350)의 세로축의 커패시턴스의 수치는 상대적인 수치를 의미하는 것으로서 상대적으로 높고 낮음을 의미할 뿐, 절대적인 커패시턴스의 수치를 의미하는 것은 아니다. 설명의 편의를 위하여, 이하에서는 특정 주파수 대역(B28, B1)을 예시로 설명하나, 본 개시는 이에 한정되지 않는다.
도 3c를 참고하면, 제1 그래프(350)는 전자 장치의 사용 상태에 따라 변화하는 커패시터의 커패시턴스인 Cuseful를 나타내는 제1 라인(352), Cuseful의 특정 시간 동안의 평균값인 Cavg를 나타내는 제2 라인(354), Cuseful와 Cavg의 차이값인 Cdiff를 나타내는 제3 라인(356)이 도시된다. 제1 라인(352) 및 제2 라인(354)의 초기값은 약 1000으로, 제3 라인(356)의 초기값은 제1 라인(352)과 제2 라인(354)의 차이가 존재하지 않는 바 약 0으로 가정하여 설명한다.
제1 그래프(350)를 참고하면, 제1 지점(361)에서 송신 신호의 주파수 대역은 B28 대역(약 700MHz)으로 고정되고 신호의 전력 수준이 최대로 변경된다. 신호의 전력 수준이 증가함에 따라 ESR이 증가되고, Cuseful가 감소할 수 있다. 따라서, 제1 지점(361)과 제2 지점(363) 사이에서는 제1 라인(352)과 제2 라인(354)은 각각 약 -1000으로 형성될 수 있다. 다만, 이와 같은 경우에도 제1 라인(352)과 제2 라인(354)의 차이가 존재하지 않으므로 제3 라인(356)은 약 0 값을 유지할 수 있다.
제1 그래프(350)를 참고하면, 제2 지점(363)에서 송신 신호의 주파수 대역이 B28 대역에서 상대적으로 높은 B1(약 1800MHz) 대역으로 핸드오버된다. 신호의 주파수가 증가함에 따라 ESR이 감소되고, Cuseful가 증가할 수 있다. 따라서, 제2 지점(363) 이후에는 제1 라인(352)의 값이 높은 기울기로 증가할 수 있다. 또한, 제2 라인(354)의 값은 제1 라인(352)에 비하여 낮은 기울기로 증가할 수 있다. 제3 라인(356)은 제1 라인(352)과 제2 라인(354)의 차이값인 바 제3 라인(356)의 값은 일시적으로 증가할 수 있다. 다만, 제2 라인(354)이 제1 라인(352)을 따라 증가하고, 제1 라인(352)이 낮은 기울기로 증가하는 구간에서 제3 라인(356)의 값은 점차 감소할 수 있다.
기존에는 낮은 주파수에서 높은 주파수 대역으로 핸드오버하는 지점(예: 제2 지점)에서 ESR의 크기가 급격하게 감소되어, Cuseful는 급격하게 증가하고, Cavg는 Cuseful의 특정 시간 동안의 평균값으로서 Cuseful의 순간적인 변화를 따라가지 못해 Cuseful와 대비하여 낮은 기울기로 증가하고, Cdiff는 Cuseful와 유사하게 증가하였다. 따라서, Cdiff가 특정 임계값(이하, 'Thworking'이라 지칭)보다 높은 값을 갖는 경우, 전자 장치가 실제로 사용자에 의해 그립되지 않았음에도 불구하고 신호의 주파수 대역간 핸드오버에 그립-온 오동작이 발생될 수 있다. 이와 달리, 본 개시의 일 실시 예에 따른 병렬 인덕터를 포함하는 구조는 ESR의 영향을 최소화함으로써 신호의 특성이 변경되더라도 Cdiff의 값이 Thworking보다 높게 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 전자 장치에 추가적인 인덕터를 배치함으로써 그립-온 오동작을 방지할 수 있다.
제1 그래프(350)를 참고하면, 제3 지점(365)에서는 실제로 사용자가 전자 장치를 그립한다. 이에 따라, 제1 라인(352)의 값은 높은 기울기로 증가할 수 있다. 이 때, 제3 라인(356)의 값도 제1 라인(352)을 따라 높은 기울기로 증가할 수 있고, 제3 라인(356)의 값이 사용자의 그립-온을 감지하는 Thworking보다 높게 형성되는 경우, 그립-온을 식별하기 위하여 제2 라인(354)은 일정값으로 유지(fix)될 수 있다. 예를 들어, 제3 지점(365)을 지나는 순간, 제1 라인(352)은 약 2500으로 형성될 수 있고, 제3 라인(356)도 약 2500으로 형성될 수 있다. 예를 들어 Thworking이 약 2000이라 가정하면, 제3 라인(356)이 Thworking보다 높은 경우, 제2 라인(354)은 제3 라인(356)이 Thworking 보다 높아지는 순간의 제2 라인(354)의 값인 약 0으로 유지될 수 있다.
제1 그래프(350)를 참고하면, 제3 지점(365) 이후, 다시 제3 라인(356)의 값이 사용자의 그립-온이 해제되는 것을 감지하는 특정 임계값(이하, 'Threlease'이라 지칭)보다 낮게 형성되는 경우, 제2 라인(354)의 유지는 해제(release)될 수 있다. 예를 들어, 그래프(350)의 가로축으로 약 351 지점이후, 제2 라인(354)의 유지는 해제될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 개시의 일 실시 예에 따른 병렬 인덕터를 포함하는 구조는 ESR의 영향을 최소화할 수 있다. 전자 장치가 상대적으로 높은 주파수 대역으로 핸드오버(handover)하더라도, 커패시턴스(예: Cdiff)는 사용자의 그립-온이 감지되는 특정 임계값(Thworking)보다 낮게 형성될 수 있다. 따라서, 전자 장치는 송신 신호의 최대 전력 수준이 제한되지 않는 상태(즉, 백오프(back-off)되지 않은 상태)에서 신호를 송신할 수 있다. 이에 따라, 전자 장치의 성능은 신호의 주파수 대역이 변경되더라도 열화되지 않을 수 있다.
[오프셋 커패시턴스 보상]
이하에서는, 본 개시의 일 실시 예에 따라 신호의 특성 변경에 대하여 오프셋 커패시턴스를 보상함으로써 전자 장치의 그립-온 오동작을 개선하는 방법에 대하여 설명한다.
도 4는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 전력 수준 변경에 따른 커패시턴스의 변화를 나타내는 그래프의 예이다. 도 4의 제2 그래프(400)의 가로축은 시간을 의미하고, 제2 그래프(400)의 세로축은 일반화(normalized)된 커패시턴스를 의미한다. 다시 말해서, 제2 그래프(400)의 세로축의 커패시턴스의 수치는 상대적인 수치를 의미하는 것으로서 상대적으로 높고 낮음을 의미할 뿐, 절대적인 커패시턴스의 수치를 의미하는 것은 아니다.
도 4를 참고하면, 제2 그래프(400)는 오프셋 커패시턴스에 대한 보상이 수행된 전체 커패시턴스를 나타내는 제1 라인(410), 오프셋 커패시턴스에 대한 보상이 수행되지 않은 전체 커패시턴스를 나타내는 제2 라인(420)이 도시된다. 설명의 편의를 위하여 제2 그래프(400)의 제1 지점(432)은 송신 신호의 전력이 0dBm으로, 제2 지점(434)은 송신 신호의 전력이 23dBm으로 가정하여 설명한다. 다만, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니고, 송신 신호의 전력 수준이 변경되는 경우, 또는 송신 신호의 주파수 대역이 변경되는 경우에도 적용될 수 있다.
제1 라인(410)을 참고하면, 전체 커패시턴스의 초기값은 약 965500일 수 있고, 시간이 지남에 따라 소폭 감소할 수 있다. 예를 들어, 제2 그래프(400)의 가로축으로 약 761지점에서, 제1 라인(410)은 약 965000으로 형성될 수 있다. 이와 달리 제2 라인(420)을 참고하면, 전체 커패시턴스의 초기값은 약 965500일 수 있고, 시간이 지남에 따라 제1 라인(410)과 비교하여 큰 폭으로 감소할 수 있다. 예를 들어, 제2 그래프(400)의 가로축으로 약 761지점에서, 제2 라인(420)은 약 964000으로 형성될 수 있다. 다시 말해서, 제1 지점(432)까지는 제1 라인(410)과 제2 라인(420)이 비슷한 값을 유지하고, 이 후, 송신 신호의 전력이 점차 증가함에 따라 제2 지점(434)에서는 제1 라인(410)과 제2 라인(420)의 값이 약 1000만큼의 차이가 형성될 수 있다.
상술한 바를 참고하면, 전자 장치에서 송신되는 신호의 전력 수준이 변경됨에 따라, 전자 장치의 전체 커패시턴스의 값이 변경될 수 있다. Cuseful이 송신 신호의 전력이 변경됨에 따라 변경될 수 있고, 전체 커패시턴스는 고정값인 오프셋 커패시턴스와 가변값인 Cuseful의 합이기 때문이다. 또한, 송신되는 신호의 전력이 변화하는 것뿐만 아니라 송신 신호의 주파수가 변경되는 경우에도 이와 같이 전체 커패시턴스가 변경될 수 있다. 따라서, 제2 그래프(400)의 제1 라인(410)과 같이, 제1 커패시턴스 및 전체 커패시턴스의 변화를 최소화하기 위해 오프셋 커패시턴스를 보상할 필요가 있다. 송신 신호의 주파수 대역 및 전력 수준에 따른 오프셋 커패시턴스 보상값에 대한 예는 이하의 <표 1>과 같다.
Figure pat00004
상기 Tx는 송신 신호, 상기 Tx 기준 가로축은 송신 신호의 주파수 대역, 상기 Tx 기준 세로축은 전력 수준(단위: dBm), 상기 표 1의 Tx 기준 가로축 및 세로축을 제외한 부분은 오프셋 커패시턴스의 보상량을 의미한다. 예를 들어, Tx 기준 가로축상의 송신 신호의 주파수 대역들에서, B12는 약 700MHz 대역, B28은 약 725MHz 대역, B20은 약 850MHz 대역, B5는 약 840MHz 대역, B1은 약 1950MHz 대역, B3는 약 1750MHz 대역, B7은 약 2500MHz 대역을 의미할 수 있다. 상기 표 1은 설명의 편의를 위한 하나의 예에 불과할 뿐, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 송신 신호의 다른 주파수 대역 및 다른 전력 수준에 적용될 수 있다. 다른 예를 들어, 오프셋 커패시턴스는 음수의 값으로 보상될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 전자 장치는 송신 신호의 전력 수준 또는 송신 신호의 주파수 대역을 고려하여 오프셋 커패시턴스를 보상함으로써 Cuseful이 변경되더라도 전체 커패시턴스의 변화를 최소화할 수 있다. 송신 신호의 전력 또는 주파수를 고려하여 오프셋 커패시턴스를 보상함으로써 전자 장치는 신호의 특성이 변경되더라도 오동작이 발생되지 않을 수 있다. 이하 도 5에서는, 오프셋 커패시턴스를 보상하여 오동작을 방지하기 위한 전자 장치의 동작에 대하여 설명한다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 정보에 기반하여 커패시턴스를 보상하기 위한 전자 장치의 흐름도이다. 도 5에서 신호의 정보에 기반하여 보상되는 커패시턴스는 오프셋 커패시턴스(Coffset)를 의미할 수 있다. 여기서, 오프셋 커패시턴스는 변경되는 커패시턴스의 기준값을 의미할 수 있고, 특정 상황(부팅(booting), USB/USBOTG 등의 외부 장치가 삽입될 때)에서 측정될 수 있다.
도 5를 참고하면, 일 실시 예에 따를 때, 단계(510)에서, 전자 장치는 송신되는 신호의 정보를 모니터링(monitoring)할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치의 CP(communication processor)는 안테나에서 송신되는 신호의 정보를 AP(application processor)로 전달할 수 있다. 여기서, 송신되는 신호의 정보는 송신되는 신호의 주파수 및 송신되는 신호의 전력에 대한 정보를 의미할 수 있다. 예를 들어, 송신 신호의 주파수에 대한 정보는 주파수 대역의 범위, 중심 주파수, 최대 효율의 주파수 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 송신 신호의 전력에 대한 정보는 상대적인 전력 수준(예: dBm), 절대적인 전력 수준(예: dB)과 같은 정보를 의미할 수 있고, 상기 상대적인 전력 수준 또는 절대적인 전력 수준은 중심 주파수에서의 전력 수준을 의미하거나 주파수 대역의 범위에 대하여 평균적인 전력 수준을 의미할 수 있다. 다만, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니며, 설명의 편의를 위한 예시에 불과하다.
단계(520)에서, 전자 장치는 송신되는 신호의 정보가 미리 저장된 정보와 매핑(mapping)되는지 여부를 결정할 수 있다. 즉, 전자 장치는 송신되는 신호의 정보가 미리 저장된 송신 신호의 정보에 포함되는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치의 AP는 상기 <표 1>과 같이 미리 저장된 송신 신호에 대한 정보와 CP에서 전달된 송신 신호의 정보를 비교하여 CP에서 전달된 송신 신호가 미리 저장된 송신 신호에 대한 정보에 포함되는지 여부를 판단할 수 있다. 도 5에서 도시하지는 않았으나, 상기 <표 1> 과 같은 정보는 단계(510) 전에 측정을 통해 미리 저장될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 안테나 주변에 인접한 물체가 없는 조건에서 송신 신호의 주파수 대역 또는 전력 수준을 달리하여 측정(calibration)을 통해 결정되는 오프셋 커패시턴스 보상값을 AP의 저장장치(예: 메모리(memory))에 저장할 수 있다. 송신 신호의 정보가 미리 저장된 정보와 일치하지 않는 경우, 전자 장치는 단계(530)를 수행할 수 있다. 이와 달리, 송신 신호의 정보가 미리 저장된 정보와 일치하는 경우, 전자 장치는 단계(540)를 수행할 수 있다.
단계(530)에서, 전자 장치는 오프셋 커패시턴스를 유지할 수 있다. 이전 단계(520)에서, 송신되는 신호의 정보가 미리 저장된 정보와 일치하지 않으므로, 전자 장치는 별도의 업데이트 없이 현재의 오프셋 커패시턴스를 유지할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 단계(510)에서 전자 장치가 특정 주기에 따라 송신 신호의 정보를 모니터링 하는 경우, 다음 주기까지 오프셋 커패시턴스를 유지할 수 있다. 이전과 동일한 오프셋 커패시턴스 값을 유지하여, 그립 센서는 Cuseful 및 전체 커패시턴스를 측정할 수 있고, 전력 제한의 여부를 판단할 수 있다. 도 5에는 도시되지 않았으나, 미리 저장된 값과 매핑되지 않은 경우뿐만 아니라, 현재 전자 장치에서 송신되는 정보와 동일한 정보가 모니터링되는 경우, 오프셋 커패시턴스를 유지할 수 있다. 이후, 다시 단계(510)로 돌아가 전자 장치는 송신 신호의 주파수 대역 및 전력 수준이 변화되는지 여부를 감지할 수 있다.
단계(540)에서, 전자 장치는 오프셋 커패시턴스를 업데이트(update)할 수 있다. AP는 CP에서 전달된 송신 신호의 정보와 AP의 저장장치에 저장된 정보를 비교하여 매핑(mapping)되는 경우, AP는 I2C로 연결된 센서에 오프셋 커패시턴스 보상값에 대한 정보를 전달하여 업데이트할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 가변 커패시턴스를 이용하여 오프셋 커패시턴스를 업데이트할 수 있다. 예를 들어, AP 내부의 메모리에 저장된 임의의 테이블(look up table, LUT)에 기반하여, 대응되는 값을 식별하고, 식별된 값을 이용하여 가변 커패시턴스를 조절하여 전자 장치는 오프셋 커패시턴스를 업데이트할 수 있다. 다른 예를 들어, 전자 장치는, 송신 신호의 정보를 입력으로하고 오프셋 커패시턴스를 출력으로하는 함수에 기반하여, 출력된 오프셋 커패시턴스에 대응하도록 가변 커패시턴스를 조절하여 오프셋 커패시턴스를 업데이트할 수 있다. 업데이트 이후, 다시 단계(510)으로 돌아가 송신 신호의 주파수 대역 및 전력 수준이 변경되는지 여부를 감지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 전자 장치는 송신 신호의 주파수 정보 또는 전력 정보에 기반하여 오프셋 커패시턴스를 적응적으로 결정할 수 있다. 전자 장치는, 적응적으로 오프셋 커패시턴스를 결정함으로써, 송신 신호의 특성이 달라지더라도 그립 센서의 오동작이 발생하는 상황을 최소화할 수 있다. 전체 커패시턴스는 오프셋 커패시턴스와 Cuseful의 합으로 정의될 수 있고, Cuseful은 ESR과 그립 커패시턴스에 의해 변경될 수 있다. 송신 신호의 특성(예: 주파수 대역, 전력 수준)이 달라짐에 따라 ESR은 변경될 수 있고, ESR이 변경됨에 따라 Cuseful이 변화되어 전체 커패시턴스도 변경될 수 있기 때문이다.
기존에는, 오프셋 커패시턴스는 측정(calibration) 이후에는 고정된 값이므로 전체 커패시턴스의 변화량은 Cuseful의 변화량과 동일하게 이해될 수 있는 바, 전체 커패시턴스의 변화를 기반으로 Cuseful의 변화를 간접적으로 측정하였다. 또한, 전자 장치는 Cdiff와 특정 임계값(예: Thworking, Threlease)의 비교를 통해 전자 장치의 그립 여부를 판단하였다. 이와 달리, 본 개시의 일 실시 예에 따른 오프셋 커패시턴스 보상 방법은, 실제로 Cuseful의 변화가 존재하더라도 오프셋 커패시턴스를 보상함으로써 전체 커패시턴스의 변화를 최소화할 수 있다. 이에 따라, 전체 커패시턴스를 통해 Cuseful를 간접적으로 측정하는 경우, Cuseful의 변화가 최소화되어 Cdiff의 변화는 최소화될 수 있다. 결과적으로, 본 개시의 일 실시 예에 따른 오프셋 커패시턴스 보상 방법을 통해 Cdiff의 변화가 최소화되어 신호의 특성 변경으로 인한 그립-온 오동작이 발생되지 않을 수 있다.
상술한 바를 참고하면, 송신 신호의 주파수 또는 전력이 변동되더라도, 전자 장치는 그립-온으로 잘못 인식하는 상황이 발생하지 않기 때문에, 전력 수준의 제한 없이 신호를 송신할 수 있다. 다시 말해, 그립-온 오동작이 발생되지 않아 송신 신호의 최대 전력 수준이 백오프(back-off)되지 않은 상태로 신호를 송신할 수 있는 바, 전자 장치의 성능은 신호의 주파수 대역 및 전력 수준이 변경되더라도 열화 없이 전자 장치는 신호를 송신할 수 있다.
[신호의 상태에 따른 필터의 응답 속도 및 Th release 제어]
이하에서는, 본 개시의 일 실시 예에 따라 신호의 상태 변경에 따른 IIR(infinite impulse response) 필터의 응답 속도를 제어함으로써 전자 장치의 그립-온 오동작을 개선하고, Threlease 값을 제어함으로써 전자 장치의 그립-오프(grip-off) 오동작을 개선하는 방법에 대하여 설명한다. 상기 IIR 필터는 도 1의 센서(130)의 내부에 배치될 수 있고, AP(120)에 의해 제어될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 센서(130)는 AP(120)로부터 I2C(inter integrated circuit)를 통해 전달되는 정보에 의해 제어될 수 있고, 센서(130)의 내부에 배치되는 IIR 필터의 응답 속도는 AP(120)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, Cuseful에 대한 IIR 필터의 응답 속도가 제어될 수 있다. 다른 예를 들어, Cavg에 대한 IIR 필터의 응답 속도가 제어될 수 있다. 여기서, 응답 속도가 제어된다는 의미는 응답 속도를 빠르게 하거나 느리게 하는 것을 의미할 수 있다.
도 6a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 상태에 따라 IIR(infinite impulse response) 필터의 응답 속도를 조절하기 위한 전자 장치의 흐름도이다.
단계(610)에서, 전자 장치는 신호의 상태를 모니터링할 수 있다. 즉, 전자 장치는 송신되는 신호의 주파수 대역 및 전력 수준에 기반하여 전자 장치에서 송신되는 신호의 상태를 감지(monitoring)할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 상태는 신호의 주파수 대역이 낮거나 전력 수준이 높아 ESR(equivalent series resistance)이 특정 임계값(이하, '임계 저항값'이라 지칭)보다 높은 상태를 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 상태의 신호의 주파수 대역은 LB(low band)로서 B28(약 700MHz) 대역을 의미할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 상태는 신호의 주파수 대역이 높거나 전력 수준이 낮아 ESR이 임계 저항값보다 작거나 같은 상태를 의미할 수 있다. 예를 들어, 제2 상태의 신호의 주파수 대역은 MB(mid band) 또는 HB(high band)로서 B1(약 1800MHz) 대역을 의미할 수 있다. 상기 임계 저항값은 주파수 대역에 의해 ESR이 높은 상태 또는 작거나 같은 상태를 구분하기 위한 임계값일 수 있다. 또한, 전자 장치는 감지된 신호 상태의 변경을 식별할 수 있다. 도 1을 참고하면, 전자 장치는 CP(혹은, MODEM)에 의해 송신되는 신호의 주파수 대역 및 전력 수준에 대한 정보를 획득할 수 있고, 전자 장치는 센서에 의해 전체 커패시턴스 및 Cuseful의 변화량을 감지할 수 있다. 송신 신호에 대한 정보 및/또는 커패시턴스들의 변화량에 기반하여, 전자 장치는 ESR의 변화를 감지할 수 있다. 이에 따라, 전자 장치는 감지된 신호의 상태의 변경을 식별할 수 있다.
단계(620)에서, 전자 장치는 제1 상태에서 제2 상태로 변경되는지 여부를 결정할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치에서 송신되는 신호는 ESR이 높은 제1 상태에서 송신 신호의 주파수 핸드오버(handover)가 발생되어 ESR이 낮은 제2 상태로 변경될 수 있다. 또는, 전자 장치에서 송신되는 신호는 ESR이 높은 제1 상태에서 송신 신호의 전력 수준 핸드오버가 발생되어 ESR이 낮은 제2 상태로 변경될 수 있다. 그러나, ESR이 높은 상태에서 핸드오버에 의해 낮아지더라도, 임계 저항값보다 높은 경우, 전자 장치에서 송신되는 신호의 상태는 제1 상태를 유지할 수 있다. 이와 같이 송신 신호의 상태가 변경되지 않는 경우, 전자 장치는 단계(625)를 수행할 수 있다.
단계(625)에서, 전자 장치는 IIR 필터의 응답 속도를 유지할 수 있다. 즉, 전자 장치는 기존의 IIR 필터의 응답 속도를 유지할 수 있다. 예를 들어, 송신되는 신호의 특성이 변경되지 않는 경우, 송신되는 신호의 상태는 제1 상태로 유지될 수 있고, 전자 장치는 기존의 IIR 필터의 응답 속도를 유지할 수 있다. 다른 예를 들어, 송신되는 신호의 특성이 변경되더라도 이에 따른 ESR이 임계 저항값보다 높은 경우, 송신되는 신호의 상태가 제1 상태로 유지될 수 있고, 전자 장치는 기존의 IIR 필터의 응답 속도를 유지할 수 있다. 이후, 다시 단계(610)으로 돌아가 전자 장치는 신호의 상태가 변경되는지 여부를 모니터링할 수 있다.
단계(630)에서, 전자 장치는 IIR 필터의 응답 속도를 변경할 수 있다. 전자 장치에서 송신되는 신호의 상태가 제1 상태에서 제2 상태로 변경되는 경우에는 ESR(equivalent series resistance)이 높은 상태에서 낮은 상태로 변경되는 경우로써, 전자 장치는 Cuseful에 대한 IIR 필터의 응답 속도를 일정 시간동안 느리게 변경할 수 있고, 전자 장치는 Cavg에 대한 IIR 필터의 응답 속도를 일정 시간동안 빠르게 변경할 수 있다. 상기 일정 시간은 커패시턴스의 변화율, 신호의 주파수 대역 또는 전력 수준 핸드오버 구간의 기간(duration)에 기반하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 일정 시간은 수 초를 의미할 수 있다. Cuseful에 대한 IIR 필터의 응답 속도를 일정 시간동안 느리게 함으로써, 송신 신호의 상태 변화에 따른 Cuseful는 기존보다 낮은 기울기로 증가할 수 있다. 또한, Cavg에 대한 IIR 필터의 응답 속도를 일정 시간동안 빠르게 함으로써, 송신 신호의 상태 변화에 따른 Cavg는 기존보다 빠른 기울기로 증가할 수 있다. 따라서, IIR 필터의 응답 속도를 변경하지 않는 경우, Cdiff가 Thworking보다 높게 형성되어 전자 장치는 사용자가 전자 장치를 그립하지 않았음에도 신호의 특성이 변경됨에 따라 그립-온 오동작(malfunction)으로 식별할 수 있다. 이와 달리, 상술한 바와 같이 응답 속도를 각각 조절하는 경우, Cuseful이 천천히 증가할 수 있고, Cavg는 빠르게 증가할 수 있다. 따라서, Cdiff가 Thworking보다 높게 형성되지 않아 전자 장치는 신호의 특성이 변경되더라도 그립-온 오동작으로 식별하지 않을 수 있다.
단계(640)에서, 전자 장치는 IIR 필터를 복구(restore)할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 단계(630)에서 일정 시간동안 IIR 필터의 응답 속도를 변경한 이후, 단계(640)에 진입하여 기존의 IIR 필터의 응답 속도로 복구(restore)할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 CP에 의해 일정 시간 이후에 더 이상 송신되는 신호의 정보에 변경이 없음을 식별하는 경우, IIR 필터의 응답 속도를 복구할 수 있다. 여기서, 일정 시간은 예를 들어 2초를 의미할 수 있다.
도 6a에서는 도시되지 않았으나, 단계(610) 이전에 전자 장치는 그립 여부를 식별할 수 있다. 전자 장치는 센서에 의해 획득되는 전체 커패시턴스에 기반하여 계산되는 Cdiff에 의해 사용자에 의한 그립 여부를 감지할 수 있다. 예를 들어, Cdiff가 Thworking보다 큰 값을 갖는 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립된(grip-on) 것으로 식별할 수 있다. 다른 예를 들어, Cdiff가 Thworking보다 큰 값을 갖는 상태에서 사용자의 그립에 따라 커패시턴스 감소에 따라 Threlease보다 작거나 같은 값을 갖는 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립되지 않은(grip-off) 것으로 식별할 수 있다. 따라서, 단계(610) 전에 전자 장치는 그립 여부를 식별할 수 있고, 그립-오프로 식별되는 경우 도 6a의 동작들이 수행될 수 있다.
도 6b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 상태에 따라 임계값을 조절하기 위한 전자 장치의 흐름도이다.
단계(660)에서, 전자 장치는 신호의 상태를 모니터링할 수 있다. 즉, 전자 장치는 송신되는 신호의 주파수 대역 및 전력 수준에 기반하여 전자 장치에서 송신되는 신호의 상태를 감지(monitoring)할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 상태는 신호의 주파수 대역이 낮거나 전력 수준이 높아 ESR(equivalent series resistance)이 특정 임계값(이하, '임계 저항값'이라 지칭)보다 높은 상태를 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 상태의 신호의 주파수 대역은 LB(low band)로서 B28(약 700MHz) 대역을 의미할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 상태는 신호의 주파수 대역이 높거나 전력 수준이 낮아 ESR이 임계 저항값보다 작거나 같은 상태를 의미할 수 있다. 예를 들어, 제2 상태의 신호의 주파수 대역은 MB(mid band) 또는 HB(high band)로서 B1(약 1800MHz) 대역을 의미할 수 있다. 상기 임계 저항값은 주파수 대역에 의해 ESR이 높은 상태 또는 작거나 같은 상태를 구분하기 위한 임계값일 수 있다. 또한, 전자 장치는 감지된 신호 상태의 변경을 식별할 수 있다. 도 1을 참고하면, 전자 장치는 CP(MODEM)에 의해 송신되는 신호의 주파수 대역 및 전력 수준에 대한 정보를 획득할 수 있고, 전자 장치는 센서에 의해 전체 커패시턴스 및 Cuseful의 변화량을 감지할 수 있다. 송신 신호에 대한 정보 및/또는 커패시턴스들의 변화량에 기반하여, 전자 장치는 ESR의 변화를 감지할 수 있다. 이에 따라, 전자 장치는 감지된 신호의 상태의 변경을 식별할 수 있다.
단계(670)에서, 전자 장치는 제2 상태에서 제1 상태로 변경되는지 여부를 결정할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치에서 송신되는 신호는 ESR이 낮은 제2 상태에서 송신 신호의 주파수 핸드오버(handover)가 발생되어 ESR이 높은 제1 상태로 변경될 수 있다. 또는, 전자 장치에서 송신되는 신호는 ESR이 낮은 제2 상태에서 송신 신호의 전력 수준 핸드오버가 발생되어 ESR이 높은 제1 상태로 변경될 수 있다. 그러나, ESR이 낮은 상태에서 핸드오버에 의해 높아지더라도, 임계 저항값보다 낮은 경우, 전자 장치는 단계(675)를 수행할 수 있다.
단계(675)에서, 전자 장치는 Threlease의 값을 유지할 수 있다. 즉, 전자 장치는 Threlease 값을 이전과 동일하게 유지할 수 있다. 예를 들어, 송신된느 신호의 특성이 변경되지 않는 경우, 송신되는 신호의 상태는 제2 상태로 유지될 수 있고, 전자 장치는 기존의 TRrelease 값을 유지할 수 있다. 다른 예를 들어, 송신되는 신호의 특성이 변경되더라도 이에 따른 ESR이 임계 저항값보다 낮은 경우, 송신되는 신호의 상태가 제2 상태로 유지될 수 있고, 전자 장치는 기존의 Threlease 값을 유지할 수 있다. 상기 Threlease는 전자 장치의 센서에서 측정되는 커패시턴스가 Thworking값보다 높게 형성되어 그립-온 된 이후, 그립-오프를 식별하기 위한 임계값을 의미할 수 있다. 이후, 다시 단계(660)으로 돌아가 전자 장치는 신호의 상태가 변경되는지 여부를 모니터링할 수 있다.
단계(680)에서, 전자 장치는 Threlease의 값을 변경할 수 있다. 전자 장치에서 송신되는 신호의 상태가 제2 상태에서 제1 상태로 변경되는 경우에는 ESR(equivalent series resistance)이 낮은 상태에서 높은 상태로 변경되는 경우로써 전자 장치는 신호의 특성(예: 주파수 대역폭, 전력 수준)이 변경됨에 따라 변경되는 Cuseful의 변화량만큼 Threlease의 값을 일정 시간동안 낮게 변경할 수 있다. 상기 일정 시간은 커패시턴스의 변화율, 신호의 주파수 대역 또는 전력 수준 핸드오버 구간의 기간(duration)에 기반하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 일정 시간은 수 초를 의미할 수 있다. 전자 장치가 그립-온 된 경우, AP는 Cavg의 값을 고정(fix)할 수 있다. 이 후, 송신 신호의 상태 변화에 따라 Cuseful이 감소됨에 따라 Cdiff가 감소될 수 있다. 따라서, Threlease의 값을 변경하지 않는 경우, 송신 신호의 상태 변화에 따라 Cdiff가 Threlease의 값보다 낮게 형성될 수 있고, 이에 따라, 전자 장치는 사용자에 의해 그립된 상태임에도 불구하고 그립되지 않은 것으로 식별하는 그립-오프(grip-off) 오동작(malfunction)이 발생될 수 있다. 이와 달리, 감소된 Cuseful의 변화량만큼 Threlease의 값을 변경함으로써, 송신 신호의 상태 변화에 따른 Cdiff의 감소에도 불구하고, Cdiff가 Threlease보다 낮게 형성되지 않을 수 있어 전자 장치는 그립-오프 오동작이 발생되지 않을 수 있다.
단계(690)에서, 전자 장치는 Threlease의 값을 복구(restore)할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 단계(680)에서 일정 시간동안 Threkease값을 변경한 후, 단계(690)에 진입하여 기존의 Threlease로 복구(restore)할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 CP에 의해 일정 시간 이후에 더 이상 송신되는 신호의 정보에 변경이 없음을 식별하는 경우, Threlease값을 복구할 수 있다. 여기서, 일정 시간은 예를 들어 2초를 의미할 수 있다.
도 6b에서는 도시되지 않았으나, 단계(660) 이전에 전자 장치는 그립 여부를 식별할 수 있다. 전자 장치는 센서에 의해 획득되는 전체 커패시턴스에 기반하여 계산되는 Cdiff에 의해 사용자에 의한 그립 여부를 감지할 수 있다. 예를 들어, Cdiff가 Thworking보다 큰 값을 갖는 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립된(grip-on) 것으로 식별할 수 있다. 다른 예를 들어, Cdiff가 Thworking보다 큰 값을 갖는 상태에서 사용자의 그립에 따라 커패시턴스 감소에 따라 Threlease보다 작거나 같은 값을 갖는 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립되지 않은(grip-off) 것으로 식별할 수 있다. 따라서, 단계(660) 전에 전자 장치는 그립 여부를 식별할 수 있고, 그립-온으로 식별되는 경우 도 6b의 동작들이 수행될 수 있다.
이하 도 7a 및 도 7b에서는, 송신 신호의 특성(예: 주파수 대역 또는 전력 수준)이 변경되더라도, 전자 장치가 센서를 통해 사용자의 그립 여부를 식별하는 동작에 있어서 IIR 필터의 응답 속도 및 Threlease의 변경을 통해 오동작이 발생되지 않음을 설명한다.
도 7a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스를 나타내는 그래프의 예이다. 도 7a의 제3 그래프(700)의 가로축은 시간을 의미하고, 제3 그래프(700)의 세로축은 일반화(normalized)된 커패시턴스를 의미한다. 다시 말해서, 제3 그래프(700)의 세로축의 커패시턴스의 수치는 상대적인 수치를 의미하는 것으로서 상대적으로 높고 낮음을 의미할 뿐, 절대적인 커패시턴스의 수치를 의미하는 것은 아니다. 설명의 편의를 위하여, 이하에서는 특정 주파수 대역(B28, B1)을 예시로 설명하나, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니고 주파수 대역이 높은 대역에서 상대적으로 낮은 대역으로 또는 낮은 대역에서 상대적으로 높은 대역으로 핸드오버(handover)되는 경우에도 적용될 수 있다. 또한, 송신 신호의 전력 수준이 변경되어 커패시턴스가 변경되는 경우에도 적용될 수 있다.
도 7a를 참고하면, 제3 그래프(700)는 전자 장치의 사용 상태에 따라 변화하는 커패시터의 커패시턴스(Cuseful)를 나타내는 제1 라인(702), Cuseful의 특정 시간 동안의 평균값인 Cavg를 나타내는 제2 라인(704), Cuseful와 Cavg의 차이값인 Cdiff를 나타내는 제3 라인(706)이 도시된다. 제1 라인(702) 및 제2 라인(704)의 초기값은 약 1000으로, 제3 라인(706)의 초기값은 제1 라인(702)과 제2 라인(704)의 차이가 존재하지 않는 바 약 0으로 가정하여 설명한다.
제3 그래프(700)를 참고하면, 제1 지점(710)에서 송신 신호의 주파수 대역은 B28 대역(약 700MHz)으로 고정되고 신호의 전력 수준이 최대로 변경된다. 신호의 전력 수준이 증가함에 따라 ESR이 증가되고, Cuseful의 값이 감소할 수 있다. 따라서, 제1 지점(710)과 제2 지점(720)사이 구간에서 제1 라인(702)은 약 -6000까지 감소할 수 있고, 제2 라인(704)도 약 -6000까지 감소할 수 있다. 다만, 이와 같은 경우에도 제1 라인(702)과 제2 라인(704)의 차이가 존재하지 않으므로 제3 라인(706)은 약 0값을 유지할 수 있다.
제3 그래프(700)를 참고하면, 제2 지점(720)에서 송신 신호의 주파수 대역이 B28 대역에서 상대적으로 높은 B1(약 1800MHz) 대역으로 핸드오버된다. 이 때, 전자 장치는 송신 신호가 제1 상태에서 제2 상태로 변경되는 것을 감지할 수 있고, 제1 상태에서 제2 상태로 변경됨에 따라 IIR 필터의 응답 속도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 Cuseful에 대한 IIR 필터의 응답 속도를 일정 시간동안 느리게 조절할 수 있고, Cavg에 대한 IIR 필터의 응답 속도를 일정 시간동안 빠르게 조절할 수 있다. 여기서, 일정 시간은 커패시턴스의 변화율 또는 신호의 주파수 대역 핸드오버 구간에 기반하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 일정 시간은 수 초를 의미할 수 있다. 따라서, 제1 라인(702)의 값은 Cuseful에 대한 IIR 필터의 응답 속도가 느리게 조절되어 기존보다 낮은 기울기로 증가할 수 있다. 또한, 제2 라인(704)의 값은 Cavg에 대한 IIR 필터의 응답 속도가 빠르게 조절되어 기존보다 높은 기울기로 증가할 수 있다. 따라서, 제3 라인(706)의 값은 제1 라인(702)과 제2 라인(706)의 차이만큼 증가할 수 있으나 Thworking(예: 약 2000)보다 낮은 약 1800정도로 형성될 수 있고, 제1 라인(702)과 제2 라인(706)의 값이 점차 비슷하게 형성됨에 따라 제3 라인(706)의 값은 다시 감소되어 약 0으로 유지될 수 있다. 즉, 전자 장치는 송신 신호의 특성이 변경되더라도 여전히 그립-오프 상태를 유지할 수 있고, 그립-온 오동작이 발생되지 않을 수 있다.
도 7b는 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스의 변화를 나타내는 그래프의 다른 예이다. 도 7b의 제4 그래프(750)의 가로축은 시간을 의미하고, 제4 그래프(750)의 세로축은 일반화(normalized)된 커패시턴스를 의미한다. 다시 말해서, 제4 그래프(750)의 세로축의 커패시턴스의 수치는 상대적인 수치를 의미하는 것으로서 상대적으로 높고 낮음을 의미할 뿐, 절대적인 커패시턴스의 수치를 의미하는 것은 아니다. 설명의 편의를 위하여, 이하에서는 특정 주파수 대역(B28, B1)을 예시로 설명하나, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니고 주파수 대역이 높은 대역에서 상대적으로 낮은 대역으로 또는 낮은 대역에서 상대적으로 높은 대역으로 핸드오버(handover)되는 경우에도 적용될 수 있다. 또한, 송신 신호의 전력 수준이 변경되어 커패시턴스가 변경되는 경우에도 적용될 수 있다.
도 7b를 참고하면, 제4 그래프(750)는 전자 장치의 사용 상태에 따라 변화하는 커패시터의 커패시턴스(Cuseful)를 나타내는 제1 라인(752), Cuseful의 특정 시간 동안의 평균값인 Cavg를 나타내는 제2 라인(754), Cuseful와 Cavg의 차이값인 Cdiff를 나타내는 제3 라인(756)이 도시된다. 제1 라인(752) 및 제2 라인(754)의 초기값은 약 1000으로, 제3 라인(756)의 초기값은 제1 라인(752)과 제2 라인(754)의 차이가 존재하지 않는 바 약 0으로 가정하여 설명한다.
제4 그래프(750)를 참고하면, 제1 지점(760)에서 전자 장치는 사용자에 의해 그립된다. 전자 장치가 그립-온(grip-on)으로 식별함에 따라 AP는 Cavg를 고정(fix)할 수 있다. 센서에서 측정되는 전체 커패시턴스 및 Cuseful의 값이 증가될 수 있고, Cdiff도 증가될 수 있다. 따라서, 제1 지점(760) 이후 제1 라인(752)은 약 6000까지 증가될 수 있고, 제2 라인(754)은 그립-온이 식별되어 고정되기 때문에 약 1000값을 유지할 수 있다. 또한, 제3 라인(756)은 제1 라인(752)과 제2 라인(754)의 차이값인 약 5000까지 증가될 수 있다.
제4 그래프(750)를 참고하면, 제2 지점(770)에서 송신 신호의 주파수 대역이 B28 대역으로 고정되고 신호의 전력 수준이 최대로 변경된다. 신호의 전력 수준이 증가함에 따라 ESR이 증가되고, Cuseful의 값이 감소할 수 있다. 이 때, 전자 장치는 송신 신호가 제2 상태에서 제1 상태로 변경되는 것을 감지할 수 있고, 제2 상태에서 제1 상태로 변경됨에 따라 Threlease값을 조절할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 제1 커패시턴스의 변화량(즉, 감소량) 만큼을 고려하여 Threlease값을 더 낮게 형성할 수 있다. 따라서, 제3 라인(756)은 제1 라인(752)을 따라 약 -1000까지 감소될 수 있으나 조절된 Threlease보다 낮게 형성되지 않을 수 있다. 즉, 전자 장치는 송신 신호의 특성이 변경되더라도 여전히 그립-온 상태를 유지할 수 있고, 그립-오프 오동작이 발생되지 않을 수 있다.
제4 그래프(750)를 참고하면, 제3 지점(780)에서 전자 장치는 사용자에 의한 그립이 해제된다. 사용자에 의한 그립이 해제됨에 따라 센서에 의해 측정되는 Cuseful는 급격하게 감소할 수 있고, Cdiff도 급격하게 감소할 수 있다. 따라서, 제1 라인(752)은 약 -5000까지 감소될 수 있고, 제3 라인(756)은 약-4000까지 감소될 수 있다. 제3 라인(756)이 감소됨에 따라, 조절된 Threlease보다 낮거나 같게 형성되는 지점에서 전자 장치는 그립-온 해제 및 그립-오프 됨을 식별할 수 있다. 전자 장치가 그립-오프를 식별하는 경우, AP는 Cavg의 유지(fix)를 해제할 수 있다. 따라서, 제3 지점(780) 이후에 제2 라인(754)은 제1 라인(752)을 따라 약 -6000까지 감소될 수 있고, 제3 라인(756)은 제1 라인(752)과 제2 라인(754)의 차이값인 약 0으로 형성될 수 있다.
기존에는 낮은 주파수에서 높은 주파수 대역으로 핸드오버하는 지점(예: 제2 지점)에서 Cuseful는 급격하게 증가하고, Cavg는 Cuseful의 특정 시간 동안의 평균값으로서 Cuseful의 순간적인 변화를 따라가지 못해 Cuseful와 대비하여 낮은 기울기로 증가하고, Cdiff는 Cuseful와 유사하게 증가했다. 따라서, Cdiff가 사용자에 의해 그립-온 여부를 판단하는 특정 임계값(예: Thworking) 보다 높게 형성되는 경우, 전자 장치가 실제로 사용자에 의해 그립되지 않았음에도 불구하고 신호의 특성이 변경됨에 따라 전자 장치가 그립된 것으로 식별하는 오동작이 발생될 수 있다. 이와 달리, 본 개시의 일 실시 예에 따른 필터의 응답 속도를 조절하는 방법은 전자 장치에서 송신되는 신호의 상태 변화를 감지하는 것에 기반하여 커패시턴스의 IIR 필터의 응답 속도를 조절함으로써 사용자의 그립여부와 관계없이 그립-온(grip-on)되는 오동작이 발생되지 않을 수 있다. 따라서, 전자 장치는 송신 신호의 최대 전력 수준이 백오프(back-off)되지 않은 상태로 신호를 송신할 수 있는 바, 전자 장치의 성능은 신호의 주파수 대역이 변경되더라도 열화없이 전자 장치는 신호를 송신할 수 있다.
또한, 기존에는 높은 주파수에서 낮은 주파수 대역으로 핸드오버하거나 낮은 전력 수준에서 높은 전력 수준으로 핸드오버하는 지점(예: 제1 지점)에서 Cuseful는 급격하게 감소하고, Cavg는 전자 장치가 그립-온 된 상태에서 AP에 의해 고정(fix)되기 때문에 일정 값을 유지하고, Cdiff는 Cuseful와 유사하게 감소했다. 따라서, 제3 커패시턴스가 사용자에 의해 그립-오프 여부를 판단하는 특정 임계값(예: Threlease) 보다 낮거나 같게 형성되는 경우, 전자 장치가 실제로 사용자에 의해 그립되고 있음에도 불구하고 신호의 특성이 변경됨에 따라 전자 장치가 그립되지 않은 것으로 식별하는 오동작이 발생될 수 있다. 이와 달리, 본 개시의 일 실시 예에 따른 임계값을 조절하는 방법은 전자 장치에서 송신되는 신호의 상태 변화를 감지하는 것에 기반하여 AP에서 Cavg의 값을 유지(fix)하도록 함으로써 사용자의 그립여부와 관계없이 그립-오프(grip-off)되는 오동작이 발생되지 않을 수 있다.
[추가 제어 파라미터 운용]
이하에서는, 본 개시의 일 실시 예에 따라 신호의 특성 변경에 대하여 추가 제어 파라미터를 운용함으로써 전자 장치의 그립-온 오동작을 개선하는 방법에 대하여 설명한다.
도 8은 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 기능적 구성의 다른 예를 도시한다. 도 8에서는 설명의 편의를 위하여, CP, AP(application processor), grip sensor IC(integrated circuit)가 포함되는 전자 장치의 기능적 구성의 예를 도시한다. 다만 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 장치는 AP의 내부에 CP가 포함되는 구조로 형성될 수 있다.
도 8을 참고하면, 전자 장치(800)는 CP(communication processor)(810), AP(application processor)(820) 및 grip sensor IC(integrated circuit)(830)(이하, '센서'라 지칭)가 포함될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, CP(810)는 PCIe(peripheral component interconnect express)를 통해 AP(820)와 연결되어 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, CP(810)는 신호를 변조 또는 복조할 수 있다. 즉, CP(810)는 MODEM(modulation and demodulation)으로 지칭될 수도 있다. 따라서, CP(810)는 송신되거나 수신되는 신호에 대하여 변조 또는 복조를 통해 신호를 처리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, CP(810)는 AP(820)에서 전달되는 정보에 기반하여, 송신 신호를 처리함으로써 송신 신호의 최대 전력(max power)을 제한할 수 있다. 예를 들어, 사용자가 전자 장치를 그립하는 경우, 송신 신호의 최대 전력을 제한함으로써 SAR(specific absorption rate)을 최소화할 수 있다. 또한, CP(810)는 안테나와 연결되어 처리된 신호를 안테나에 전달할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, AP(820)는 CP(810)와 연결될 수 있다. AP(820)는 센서(830)에서 감지(monitoring)되는 커패시턴스(capacitance)의 변화를 고려하여, 송신 신호의 최대 전력을 제한하도록 하는 정보를 CP에 전달할 수 있고, 이에 따라서 송신 신호의 최대 전력을 제한하거나 제한을 해제할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, AP(820)는 센서(830)와 연결될 수 있다. 예를 들어, AP(820)는 센서(830)와 I2C(inter-integrated circuit)를 통하여 통신할 수 있다. 이 때, I2C는 AP(820)에서 센서(830)로 타이밍 동기화(timing synchronization)를 위한 클럭을 전송하는 SCL(serial clock line)와 AP(820)와 센서(830) 사이에서 데이터를 전송하고 수신하기 위한 SDA(serial data line)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, AP(820)는 센서(830)에서 감지되는 전자 장치(800)의 커패시턴스 변화에 대한 정보를 I2C를 통해 전달받을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 센서(830)는 전자 장치(800)의 그립 여부를 감지할 수 있다. 예를 들어, 센서(830)는 전자 장치(800) 내 커패시턴스의 변화에 기반하여 전자 장치의 그립 여부를 감지할 수 있다. 또한, 센서(830)는 감지된 그립 여부에 대한 정보를 AP(820)에 전달할 수 있다. 예를 들어, 센서(830)는 그립이 감지되는 경우 인터럽트(interrupt)를 AP(820)에 전달할 수 있다. 다른 예를 들어, 센서(830)는 그립 감지가 해제되는 경우 인터럽트를 AP(820)에 전달할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 센서(830)는 전자 장치(800)의 오프셋 커패시턴스(offset capacitance, Coffset)를 측정할 수 있다. 여기서, 오프셋 커패시턴스는 전자 장치(800)의 커패시턴스의 초기값을 의미할 수 있다. 예를 들어, 센서(830)는 전자 장치(800)가 부팅(booting)되는 경우, 센서(830)는 부팅시 전자 장치의 오프셋 커패시턴스를 측정할 수 있다. 다른 예를 들어, USB(universal series bus) 또는 USBOTG(USB on-the-go)를 전자 장치에 삽입하는 경우, 센서(830)는 USB 또는 USBOTG가 삽입된 전자 장치의 오프셋 커패시턴스를 측정할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 센서(830)는 커패시턴스 변화를 감지할 수 있다. 예를 들어, 센서(830)는 커패시턴스의 변화를 감지하기 위하여, 전체 커패시턴스를 측정할 수 있다. 이 때, 전체 커패시턴스는 오프셋 커패시턴스와 전자 장치의 사용 상태에 따른 커패시터의 커패시턴스(Cuseful)의 합을 의미할 수 있다. 여기서, 오프셋 커패시턴스는 고정될 수 있고, Cuseful는 외부 요인(예: 사용자의 그립 또는 신호의 특성 변경)에 의해 변경될 수 있다.
도 8을 참고하면, grip sensor IC(830)(이하, '센서'라고 지칭한다)는 전자 장치의 사용 상태에 따라 변화하는 커패시터의 커패시턴스(Cuseful), Cuseful의 특정 시간 동안의 평균값인 Cavg 및 Cuseful와 Cavg의 차이값인 Cdiff에 기반하여 전자 장치의 그립여부를 판단할 수 있다. Cdiff의 값이 사용자의 그립-온 여부를 판단하는 Thworking보다 높게 형성되는 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립-온 되었다고 판단할 수 있다. 또한, 그립-온 상태에서 Cdiff의 값이 사용자의 그립-온 해제 여부를 판단하는 Threlease보다 낮게 형성되는 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립-온이 해제되었다고 판단할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 추가 제어 파라미터를 운용하는 방법은 상기 Thworking 및 Threlease에 추가적인 제어 파라미터들인 Dunder 및 Dover를 이용하여 전자 장치의 오동작을 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, Cuseful가 절대값이 상대적으로 큰 음수이고, Cavg가 절대값이 상대적으로 낮은 음수인 경우에는 Cdiff는 음수의 값으로 형성될 수 있다. 이 때, Cdiff가 Dunder(즉, Dunder는 음수)보다 낮거나 같은 값으로 형성되면 Cavg는 Cdiff가 Dunder보다 낮거나 같아질 때의 값으로 고정(fix)될 수 있다. 또한, Cavg가 고정된 상황에서, Cdiff가 Dover(즉, Dover은 음수)보다 높은 값으로 형성되면 Cavg의 고정은 해제될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, AP(820)는 센서(830)와 I2C 및 INT(interrupt)(831)를 통해 연결될 수 있다. 이에 따라, AP(820)는 센서(830)로부터 INT(831)를 통해 송신 신호의 특성(예: 주파수 대역, 전력 수준)의 급격한 변화가 발생되었음을 수신할 수 있다. 예를 들어, 상기 급격한 변화는 Cdiff가 Dunder보다 낮거나 같은 값으로 형성되거나, Cdiff가 Dover보다 높은 값으로 형성되는 경우를 의미할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, AP(820)는 송신 신호의 특성의 급격한 변화가 발생되는 경우, 센서(830)를 통해 측정되는 Cavg를 제어할 수 있다. 예를 들어, Cdiff가 Dunder보다 낮거나 같은 값으로 형성되는 경우, 센서(830)는 측정되는 Cavg값을 고정(fix)하도록 제어될 수 있다. 다른 예를 들어, Cdiff가 Dover보다 높은 값으로 형성되는 경우, 센서(830)는 고정된 Cavg에 대하여 고정을 해제(release)하도록 제어될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 개시의 일 실시 예에 따른 추가 제어 파라미터를 운용하는 방법은 사용자의 그립 여부를 판단하는 Thworking 및 Threlease에 추가적인 제어 파라미터들인 D-under 및 Dover을 통해 전자 장치의 오동작(malfunction)을 개선할 수 있다. 이하, 도 9에서는 Thworking, Threlease, D-under 및 Dover의해 전자 장치를 제어하는 방법에 대하여 설명한다.
도 9는 본 개시의 일 실시 예에 따른 추가 제어 파라미터에 기반하여 전자 장치를 제어하는 과정을 나타내는 흐름도이다. 도 9의 동작들은 도 8의 전자 장치(800)에 의해 수행될 수 있다.
단계(910)에서, 전자 장치는 커패시턴스를 모니터링할 수 있다. 구체적으로, 전자 장치는 센서를 통해 측정되는 Cuseful 및 Cuseful에 기반하여 계산되는 Cavg에 기반하여, Cdiff를 감지(monitoring)할 수 있다. 다시 말해서, 단계(910)에서 전자 장치는 사용에 의해 변화되는 커패시터의 커패시턴스(Cuseful)에 기반하여, Cuseful과 Cavg의 차이인 Cdiff를 감지할 수 있다.
단계(920)에서, 전자 장치는 사용자에 의해 전자 장치가 그립되었는지 여부를 결정할 수 있다. 즉, 전자 장치는 단계(910)에서 감지된 Cdiff가 Thworking보다 큰 값을 갖는지 여부에 기반하여 사용자에 의하여 그립되었는지 여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, Cdiff가 Thworking보다 큰 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립된 것으로 판단될 수 있다. 또한, Cdiff가 Thworking보다 작거나 같은 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립되지 않은 것으로 판단할 수 있다. Cdiff가 Thworking보다 큰 경우, 전자 장치는 단계(970)를 수행할 수 있다. Cdiff가 Thworking보다 작거나 같은 경우, 전자 장치는 단계(930)를 수행할 수 있다.
단계(930)에서 전자 장치는 제1 추가 제어 파라미터의 조건이 만족되는지 여부를 결정할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 제1 추가 제어 파라미터의 조건인 Cdiff가 Dunder보다 큰 값을 갖는지 여부를 결정할 수 있다. 즉, 전자 장치는 단계(920)에서 Cdiff가 Thworking보다 작거나 같은 경우, 단계(930)에 진입하여 Cdiff가 Dunder보다 큰 값인지 판단할 수 있다. 예를 들어, Cdiff가 Thworking보다 작거나 같으면서 Dunder보다 큰 경우, 전자 장치는 단계(910)를 수행할 수 있다. 즉, 전자 장치는 송신 신호의 특성이 급격하게 변화되지 않았다고 판단할 수 있고 이에 따라 Cdiff를 다시 모니터링할 수 있다. 이와 달리, Cdiff가 Thworking보다 작거나 같으면서 Dunder보다 작거나 같은 경우, 전자 장치는 송신 신호의 특성이 급격하게 변화되었다고 판단할 수 있고, 단계(940)를 수행할 수 있다.
단계(940)에서, 전자 장치는 센서에 의해 측정되는 Cavg를 고정(fix)할 수 있다. 전자 장치는 송신 신호의 특성이 급격하게 변화됨에 따라 발생될 수 있는 오동작을 최소화하기 위하여 Cavg를 고정할 수 있다. 이에 따라, 송신 신호의 특성이 변경되더라도 전자 장치는 오동작이 발생되지 않을 수 있고, 전자 장치는 열화없이 신호를 송신할 수 있다. 이후, 전자 장치는 단계(950)를 수행할 수 있다.
단계(950)에서 전자 장치는 제2 추가 제어 파라미터의 조건이 만족되는지 여부를 결정할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 제2 추가 제어 파라미터의 조건인 Cdiff가 Dover보다 큰 값을 갖는지 여부를 결정할 수 있다. Cdiff가 Dunder보다 작거나 같은 경우, 신호의 특성이 변경됨에 따라 Cdiff가 Dover보다 큰 값인지 판단하여 Cavg에 대한 제어를 수행할 수 있다. 예를 들어, Cdiff가 Dover보다 작거나 같은 경우, 전자 장치는 단계(940)를 수행할 수 있다. 즉, 전자 장치는 Cavg의 고정을 유지할 수 있다. 이와 달리, Cdiff가 Dover보다 높은 경우, 전자 장치는 단계(960)를 수행할 수 있다.
단계(960)에서, 전자 장치는 Cavg의 고정을 해제할 수 있다. 전자 장치는 Cdiff가 Dover를 넘는 경우, 전자 장치를 사용자가 그립하지 않았음에도 그립된 것으로 식별하는 오동작이 발생되지 않는 바, Cavg의 고정을 해제할 수 있다. 이후, 전자 장치는 다시 단계(910)으로 돌아가 Cdiff의 변화를 감지할 수 있다.
단계(970)에서, 전자 장치는 Cavg의 값을 고정할 수 있다. 단계(920)에서 Cdiff가 Thworking보다 큰 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 그립되었다고 판단할 수 있고, 단계(970)를 수행하여 Cavg를 고정(fix)할 수 있다.
단계(980)에서 전자 장치는 사용자에 의한 그립이 해제되었는지 여부를 결정할 수 있다. 즉, 전자 장치는 Cdiff가 Threlease보다 큰 값인지 여부를 결정할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 Cdiff가 Thworking보다 큰 경우, 사용자에 의해 그립된 상태로 식별할 수 있다. 상기 그립된 상태에서, 신호의 특성 변경에 따라 Cdiff가 Threlease보다 큰 경우, 전자 장치는 사용자에 의해 여전히 그립된다고 판단할 수 있고, 반대로 Cdiff가 Threlease보다 작거나 같은 경우, 전자 장치는 사용자에 의한 그립이 해제되었다고 판단할 수 있다. 따라서, Cdiff가 Threlease보다 큰 경우, 전자 장치는 사용자에 의한 그립이 해제되지 않았다고 판단할 수 있고, 다시 단계(970)를 수행할 수 있다. 즉, 전자 장치는 Cavg를 고정할 수 있다. 이와 달리, Cdiff가 Threlease보다 작거나 같은 경우, 전자 장치는 사용자에 의한 그립이 해제되었다고 판단할 수 있고, 단계(960)를 수행할 수 있다. 즉, 전자 장치는 Cavg의 고정을 해제할 수 있고, 이후 다시 단계(910)으로 돌아가 Cdiff를 감지할 수 있다.
도 9에는 도시되지 않았으나, 도 9의 동작들을 수행하기 전에 전자 장치는 Cavg에 대한 IIR(infinite impulse response) 필터의 응답 속도를 느리게 조절할 수 있다. 구체적으로, 전자 장치는 Cavg에 대한 IIR 필터의 음의 응답 속도를 느리게 조절할 수 있다. 즉, 송신 신호의 전력 수준이 변경되거나 주파수 대역이 변경되어 감소되더라도 Cavg는 Cuseful가 감소되는 것보다 느리게 감소될 수 있다. 이에 따라, 전자 장치는 송신 신호의 특성이 변경되는 경우, Cuseful와 Cavg의 차이가 발생되어 추가 제어 파라미터에 기반한 제어를 수행할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 개시의 일 실시 예에 따른 추가 제어 파라미터를 운용하는 방법은 추가 제어 파라미터(Dunder 및 Dover)을 통해 전자 장치가 사용자에 의해 그립되지 않았음에도 불구하고 신호의 특성 변경에 의해 그립-온(grip-on)으로 오동작하지 않도록 제어할 수 있다.
이하 도 10에서는, 송신 신호의 특성(예: 주파수 대역, 전력 수준)이 변경되더라도, 전자 장치가 센서를 통해 사용자의 그립여부를 식별하는 동작에 있어서 추가 제어 파라미터에 기반하여 전자 장치를 제어함으로써 오동작이 발생되지 않음을 설명한다.
도 10은 본 개시의 일 실시 예에 따른 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스의 변화를 나타내는 그래프의 또 다른 예이다. 도 10의 제5 그래프(1000)의 가로축은 시간을 의미하고, 제5 그래프(1000)의 세로축은 일반화(normalized)된 커패시턴스를 의미한다. 다시 말해서, 제5 그래프(1000)의 세로축의 커패시턴스의 수치는 상대적인 수치를 의미하는 것으로서 상대적으로 높고 낮음을 의미할 뿐, 절대적인 커패시턴스의 수치를 의미하는 것은 아니다. 설명의 편의를 위하여, 이하에서는 특정 주파수 대역(B28, B1)을 예시로 설명하나, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니고 주파수 대역이 높은 대역에서 상대적으로 낮은 대역으로 또는 낮은 대역에서 상대적으로 높은 대역으로 핸드오버(handover)되는 경우에도 적용될 수 있다. 또한, 송신 신호의 전력 수준이 변경되어 커패시턴스가 변경되는 경우에도 적용될 수 있다.
도 10을 참고하면, 제5 그래프(1000)는 전자 장치의 사용 상태에 따라 변화하는 커패시터의 커패시턴스(Cuseful)를 나타내는 제1 라인(1002), Cuseful의 특정 시간 동안의 평균값인 Cavg를 나타내는 제2 라인(1004), Cuseful와 Cavg의 차이값인 Cdiff를 나타내는 제3 라인(1006)이 도시된다. 제1 라인(1002) 및 제2 라인(1004)의 초기값은 약 1000으로, 제3 라인(1006)의 초기값은 제1 라인(1002)과 제2 라인(1004)의 차이가 존재하지 않는 바 약 0으로 가정하여 설명한다.
제5 그래프(1000)를 참고하면, 제1 지점(1010)에서 송신 신호의 주파수 대역은 B28 대역(약 700MHz)으로 고정되고 신호의 전력 수준이 최대로 변경된다. 신호의 전력 수준이 증가함에 따라 ESR이 증가되고, Cuseful의 값이 감소할 수 있다. 따라서, 제1 라인(1002)은 약 -6000까지 감소될 수 있다. 이와 달리, 제2 라인(1004)은 도 9에서 서술한 바와 같이 Cavg에 대한 IIR 필터의 음의 응답 속도가 느리게 조절되어 제1 라인(1002)에 비해 느리게 감소될 수 있다. 또한, 제3 라인(1006)은 제2 라인(1004)에 비해 더 느리게 감소될 수 있다.
제2 지점(1020)에서 제3 라인(1006)이 Dunder보다 낮거나 같은 값으로 형성되는 경우, Cavg는 전자 장치의 제어에 의해 고정(fix)될 수 있다. 이에 따라 Cavg는 Cuseful보다 높은 값으로 유지될 수 있고, Cdiff는 Cavg보다 낮고 Cuseful보다 높은 값으로 유지될 수 있다. Cavg가 고정되기 때문에 제2 라인(1004)은 제3 라인(1006)이 Dunder보다 낮거나 같은 값으로 형성될 때의 값으로 고정될 수 있다.
제3 지점(1030)에서, 송신 신호의 주파수 대역이 B28에서 B1(약 1800MHz)으로 핸드오버(handover)될 수 있다. 송신 신호의 주파수 대역이 B1으로 핸드오버됨에 따라 제1 라인(1002)의 값은 급격하게 증가될 수 있다. 그러나, 제2 라인(1004)은 제2 지점(1020)에서 제2 라인(1004)이 고정되었기 때문에 제1 라인(1002)의 변화에도 불구하고 기존의 값을 유지할 수 있다. 제3 라인(1006)은 제1 라인(1002)의 증가에 따라 제3 라인(1006)의 값은 변경될 수 있다. 제1 라인(1002)이 증가됨에 따라 제4 지점(1040)에서 제3 라인(1006)의 값이 Dover보다 높게 형성되는 경우, 제2 라인(1004)의 고정이 해제될 수 있다. 제4 지점(1040) 이후, 핸드오버에 의한 Cuseful의 변화가 더 이상 존재하지 않는 경우 제1 라인(1002)은 약 0값으로 형성될 수 있고, 제2 라인(1004)은 제1 라인(1002)의 값과 수렴되어 약 0값으로 형성될 수 있다. 또한, 제3 라인(1006)도 제1 라인(1002)과 제2 라인(1004)의 차이값으로 약 0값으로 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 개시의 일 실시 예에 따른 추가 제어 파라미터를 운용하는 방법에 의해, 전자 장치는 신호의 주파수 대역의 핸드오버(B28에서 B1으로)가 발생되더라도 Cdiff의 값이 Thworking을 넘지 않을 수 있다. 이는, 전자 장치는 추가 제어 파라미터에 기반하여 Cavg를 고정하여 Cdiff의 값이 Thworking을 넘지 않도록 제어할 수 있다. 따라서, 추가 제어 파라미터를 운용함에 따라 신호의 특성 변경에 따른 커패시턴스의 변화에 의한 그립-온 오동작이 개선될 수 있다.
도 1, 도 3a 내지 도 10을 참고하면, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따라 센서를 제어하기 위한 장치 및 방법은 기존의 센싱(sensing) 방식에 따라 사용자의 그립 여부를 식별하는 방법과 비교하여 오동작을 개선할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따라 병렬 인덕터를 추가적으로 배치하여 ESR을 최소화하는 구조는 센서와 안테나 사이에 병렬 인덕터를 추가로 배치하고 다른 경로에 의해 그라운드와 연결함으로써 병렬 인덕터를 추가하지 않은 경우의 ESR보다 낮은 ESR값이 형성될 수 있다. 따라서, 본 개시의 일 실시 예에 따른 병렬 인덕터를 추가한 구조는 병렬 인덕터를 추가하지 않은 경우보다 ESR의 영향이 낮게 형성될 수 있어 전자 장치의 그립-온(grip-on) 오동작을 개선할 수 있고, 전자 장치는 열화없이 신호를 송신할 수 있다.
또한, 본 개시의 일 실시 예에 따른 오프셋 커패시턴스 보상을 통한 센서 제어 방법은 신호의 특성(예: 주파수 대역, 전력 수준) 변경에 따라 가변되는 커패시턴스를 고려하여 오프셋 커패시턴스 값을 보상함으로써, 전체 커패시턴스의 변화율을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 전체 커패시턴스의 변화율을 통해 간접적으로 사용자의 그립 여부를 판단하는 동작에 있어서, 전자 장치의 그립-온 오동작을 개선할 수 있고, 전자 장치는 열화없이 신호를 송신할 수 있다.
또한, 본 개시의 일 실시 예에 따른 IIR 필터의 응답 속도 제어를 통한 센서 제어 방법은 신호의 특성(예: 주파수 대역, 전력 수준)과 임계 저항값을 비교하여 전자 장치의 상태를 식별하고, 전자 장치의 상태가 변경되는 경우 IIR 필터의 응답 속도를 변경할 수 있다. 따라서, IIR 필터의 응답 속도를 변경함으로써 커패시턴스의 변화율을 조절하여 전자 장치의 그립-온 오동작을 개선할 수 있고, 전자 장치는 열화없이 신호를 송신할 수 있다.
또한, 본 개시의 일 실시 예에 따른 추가 제어 파라미터 운용을 통한 센서 제어 방법은 신호의 특성(예: 주파수 대역, 전력 수준)이 급격하게 변경되더라도 이를 제어할 수 있는 추가적인 파라미터를 통해 전자 장치를 제어함으로써 전자 장치의 커패시턴스가 급격하게 변경되는 것을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 전자 장치의 그립-온 오동작을 개선할 수 있고, 전자 장치는 열화없이 신호를 송신할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 센서를 제어하는 장치 및 방법은 기존의 커패시턴스에 기반하여 사용자의 그립 여부를 판단함에 있어서 발생될 수 있는 오동작을 개선할 수 있다. 즉, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 장치 및 방법은 이러한 전자 장치의 오동작을 개선함으로써 전자 장치에서 송신되는 신호의 최대 전력 수준을 제어하지 않는 바, 전자 장치의 성능이 열화되지 않을 수 있다.
또한, 기존에는 RF(radio frequency) 신호를 방사하는 과정에서, 신호의 손실을 최소화하기 위해 varistor가 배치될 수 있다. 이 때, varisotr의 종류에 따라 ESR 및 응답 속도가 상이할 수 있고, 특정 varistor를 이용하면 전자 장치의 그립-온 오동작을 개선할 수 있다. 다만, 특정 varistor로도 그립-온 이후, 그립-오프 될 때 발생되는 오동작을 개선할 수 없고, 다른 varistor에 비해 높은 단가로 전자 장치의 설계 시 높은 비용이 요구된다. 이와 달리, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 장치 및 방법은 전자 장치의 내부에 배치되는 varistor의 종류와 상관없이 전자 장치의 그립-온 뿐만 아니라 그립-온 이후 그립-오프에서 발생될 수 있는 오동작도 개선할 수 있고, 전자 장치의 생산 비용을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.
기존에는 사용자들이 운전을 하거나 라이브 스트리밍(live streaming)과 같이 거치대에 전자 장치(예: 단말)를 거치하여 이용하는 경우, 사용자가 전자 장치를 그립하지 않았음에도 불구하고, 신호의 특성 변경에 따라 전자 장치가 그립-온으로 식별하여 성능이 열화될 수 있다. 이와 달리, 본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 장치 및 방법을 통해 사용자의 그립 여부와 상관없이 발생되는 문제점들을 해결할 수 있다.
도 11은 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 11을 참조하면, 네트워크 환경(1100)에서 전자 장치(1101)는 제1 네트워크(1198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(1102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(1199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(1104) 또는 서버(1108)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(1101)는 서버(1108)를 통하여 전자 장치(1104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(1101)는 프로세서(1120), 메모리(1130), 입력 모듈(1150), 음향 출력 모듈(1155), 디스플레이 모듈(1160), 오디오 모듈(1170), 센서 모듈(1176), 인터페이스(1177), 연결 단자(1178), 햅틱 모듈(1179), 카메라 모듈(1180), 전력 관리 모듈(1188), 배터리(1189), 통신 모듈(1190), 가입자 식별 모듈(1196), 또는 안테나 모듈(1197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(1101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(1178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(1176), 카메라 모듈(1180), 또는 안테나 모듈(1197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(1160))로 통합될 수 있다.
프로세서(1120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(1140))를 실행하여 프로세서(1120)에 연결된 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(1120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(1176) 또는 통신 모듈(1190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(1132)에 저장하고, 휘발성 메모리(1132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(1134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(1120)는 메인 프로세서(1121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(1123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1101)가 메인 프로세서(1121) 및 보조 프로세서(1123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(1123)는 메인 프로세서(1121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(1123)는 메인 프로세서(1121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(1123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(1121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(1121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(1121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(1121)와 함께, 전자 장치(1101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(1160), 센서 모듈(1176), 또는 통신 모듈(1190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(1123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(1180) 또는 통신 모듈(1190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(1123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(1101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(1108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(1130)는, 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(1120) 또는 센서 모듈(1176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(1140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(1130)는, 휘발성 메모리(1132) 또는 비휘발성 메모리(1134)를 포함할 수 있다.
프로그램(1140)은 메모리(1130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(1142), 미들 웨어(1144) 또는 어플리케이션(1146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(1150)은, 전자 장치(1101)의 구성요소(예: 프로세서(1120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(1101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(1150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(1155)은 음향 신호를 전자 장치(1101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(1155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(1160)은 전자 장치(1101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(1160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(1160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(1170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(1170)은, 입력 모듈(1150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(1155), 또는 전자 장치(1101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(1176)은 전자 장치(1101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(1176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(1177)는 전자 장치(1101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(1177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(1178)는, 그를 통해서 전자 장치(1101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(1178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(1179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(1179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(1180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(1180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(1188)은 전자 장치(1101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(1188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(1189)는 전자 장치(1101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(1189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(1190)은 전자 장치(1101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1102), 전자 장치(1104), 또는 서버(1108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(1190)은 프로세서(1120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(1190)은 무선 통신 모듈(1192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(1194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(1198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(1199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(1104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 가입자 식별 모듈(1196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(1198) 또는 제 2 네트워크(1199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(1101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(1192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(1192)은 전자 장치(1101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(1104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(1199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(1192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(1197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(1198) 또는 제 2 네트워크(1199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(1190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(1190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(1197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 안테나 모듈(1197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(1199)에 연결된 서버(1108)를 통해서 전자 장치(1101)와 외부의 전자 장치(1104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(1102, 또는 1104) 각각은 전자 장치(1101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(1101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(1102, 1104, 또는 1108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(1101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(1101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(1101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(1101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(1101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(1104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(1108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(1104) 또는 서버(1108)는 제2 네트워크(1199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(1101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
상술된 바와 같은 본 개시의 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치의 그립 여부를 감지하는 과정, 상기 전자 장치가 그립되는 경우, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여 상기 신호의 상태를 식별하는 과정, 상기 신호의 식별된 상태가 제1 상태에서 제2 상태로 변경되는지 여부를 감지(monitoring)하는 과정 및 상기 신호의 상태가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 변경되는 경우, 상기 전자 장치의 IIR 필터의 응답 속도를 변경하는 과정을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 신호의 상태가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 변경되지 않는 경우, 상기 IIR 필터의 응답 속도를 유지하는 과정을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 IIR 필터의 응답 속도를 변경하는 과정은, 상기 신호의 상태가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 변경되는 경우, 제1 커패시턴스 및 제2 커패시턴스에 대한 상기 IIR 필터의 응답 속도를 변경하고,
상기 제1 커패시턴스는 상기 전자 장치의 사용에 따라 변경되는 커패시터의 커패시턴스, 상기 제2 커패시턴스는 상기 제1 커패시턴스의 특정 시간에 대한 평균일 수 있다.
일 실시 예에서, 미리 정해진(predetermined) 시간 이후에 상기 IIR 필터의 응답 속도를 복구(restore)하는 과정을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 신호의 정보는 상기 신호의 주파수 대역 또는 상기 신호의 전력 수준(power level)과 관련될 수 있다.
상술된 바와 같은 본 개시의 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치가 그립 여부를 감지하는 과정, 상기 전자 장치가 그립되지 않은 경우, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여 상기 신호의 상태를 식별하는 과정, 상기 신호의 식별된 상태가 제2 상태에서 제1 상태로 변경되는지 여부를 감지하는 과정 및 상기 신호의 상태가 상기 제2 상태에서 상기 제1 상태로 변경되는 경우, 상기 전자 장치의 해제 임계값(release threshold)을 변경하는 과정을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 신호의 상태가 상기 제2 상태에서 상기 제1 상태로 변경되지 않는 경우, 상기 전자 장치의 해제 임계값을 유지하는 과정을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 해제 임계값을 변경하는 과정은, 상기 신호의 상태가 상기 제2 상태에서 상기 제1 상태로 변경되는 경우 제1 커패시턴스의 변화량에 기반하여 변경하고, 상기 제1 커패시턴스는 상기 전자 장치의 사용에 따라 변경되는 커패시터의 커패시턴스일 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 변경된 해제 임계값을 복구(restore)하는 과정을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 신호의 정보는 상기 신호의 주파수 대역 또는 상기 신호의 전력 수준(power level)과 관련될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 신호의 상태를 식별하는 과정은 상기 전자 장치의 ESR(equivalent series resistance)과 임계 저항값을 비교하여 결정될 수 있다.
상술된 바와 같은 본 개시의 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보를 감지(monitoring)하는 과정, 감지된 상기 송신되는 신호의 정보와 미리 저장된 정보의 매핑(mapping) 여부를 식별하는 과정 및 상기 전자 장치의 오프셋 커패시턴스(offset capacitance)를 업데이트하는 과정을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 송신되는 신호의 정보는 상기 신호의 주파수 대역 및 전력 수준을 포함할 수 있다.
상술된 바와 같은 본 개시의 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여, 제1 커패시턴스 및 제2 커패시턴스의 차이인 제3 커패시턴스를 감지(monitoring)하는 과정 및 상기 제3 커패시턴스와 적어도 하나의 임계값을 비교하는 것에 기반하여, 상기 제2 커패시턴스를 유지하거나 유지를 해제함으로써 상기 전자 장치의 센서를 제어하는 과정을 포함하고, 상기 제1 커패시턴스는 상기 전자 장치의 사용 상태에 따라 변경되는 커패시터의 커패시턴스를 의미하고, 상기 제2 커패시턴스는 상기 제1 커패시턴스의 특정 시간에 대한 평균을 의미할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 전자 장치의 IIR(infinite impulse response) 필터의 응답 속도를 변경하는 과정을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 센서를 제어하는 과정은, 상기 제3 커패시턴스가 상기 적어도 하나의 임계값 중 제1 임계값보다 큰 경우, 상기 제2 커패시턴스를 유지하도록 상기 센서를 제어하고, 상기 제3 커패시턴스가 상기 제1 임계값보다 작거나 같고, 상기 적어도 하나의 임계값 중 제2 임계값보다 작거나 같은 경우, 상기 제2 커패시턴스를 유지하도록 상기 센서를 제어할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제3 커패시턴스가 상기 제1 임계값보다 작거나 같고, 상기 제2 임계값보다 큰 경우, 상기 제3 커패시턴스를 감지하도록 상기 센서를 제어할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제3 커패시턴스가 상기 제1 임계값보다 작거나 같고, 상기 제2 임계값보다 작거나 같은 경우, 상기 제3 커패시턴스와 상기 적어도 하나의 임계값 중 제3 임계값과 비교하는 과정을 더 포함하고, 상기 제3 커패시턴스가 상기 제3 임계값보다 작거나 같은 경우, 상기 제2 커패시턴스를 유지하도록 상기 센서를 제어하고, 상기 제3 커패시턴스가 상기 제3 임계값보다 큰 경우, 상기 제2 커패시턴스의 유지를 해제하도록 상기 센서를 제어할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제3 커패시턴스가 상기 제1 임계값보다 큰 경우, 상기 제3 커패시턴스와 상기 적어도 하나의 임계값 중 제4 임계값과 비교하는 과정을 더 포함하고, 상기 제3 커패시턴스가 상기 제4 임계값보다 큰 경우, 상기 제2 커패시턴스를 유지하도록 상기 센서를 제어하고, 상기 제3 커패시턴스가 상기 제4 임계값보다 작거나 같은 경우, 상기 제2 커패시턴스의 유지를 해제하도록 상기 센서를 제어할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 송신되는 신호의 정보는 상기 신호의 주파수 대역 또는 상기 신호의 전력 수준을 포함할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(1101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(1136) 또는 외장 메모리(1138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(1140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(1101))의 프로세서(예: 프로세서(1120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
본 개시의 청구항 또는 명세서에 기재된 실시 예들에 따른 방법들은 하드웨어, 소프트웨어, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합의 형태로 구현될(implemented) 수 있다.
소프트웨어로 구현하는 경우, 하나 이상의 프로그램(소프트웨어 모듈)을 저장하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체가 제공될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 저장되는 하나 이상의 프로그램은, 전자 장치(device) 내의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행 가능하도록 구성된다(configured for execution). 하나 이상의 프로그램은, 전자 장치로 하여금 본 개시의 청구항 또는 명세서에 기재된 실시 예들에 따른 방법들을 실행하게 하는 명령어(instructions)를 포함한다.
이러한 프로그램(소프트웨어 모듈, 소프트웨어)은 랜덤 액세스 메모리 (random access memory), 플래시(flash) 메모리를 포함하는 불휘발성(non-volatile) 메모리, 롬(read only memory, ROM), 전기적 삭제가능 프로그램가능 롬(electrically erasable programmable read only memory, EEPROM), 자기 디스크 저장 장치(magnetic disc storage device), 컴팩트 디스크 롬(compact disc-ROM, CD-ROM), 디지털 다목적 디스크(digital versatile discs, DVDs) 또는 다른 형태의 광학 저장 장치, 마그네틱 카세트(magnetic cassette)에 저장될 수 있다. 또는, 이들의 일부 또는 전부의 조합으로 구성된 메모리에 저장될 수 있다. 또한, 각각의 구성 메모리는 다수 개 포함될 수도 있다.
또한, 프로그램은 인터넷(Internet), 인트라넷(Intranet), LAN(local area network), WAN(wide area network), 또는 SAN(storage area network)과 같은 통신 네트워크, 또는 이들의 조합으로 구성된 통신 네트워크를 통하여 접근(access)할 수 있는 부착 가능한(attachable) 저장 장치(storage device)에 저장될 수 있다. 이러한 저장 장치는 외부 포트를 통하여 본 개시의 실시 예를 수행하는 장치에 접속할 수 있다. 또한, 통신 네트워크상의 별도의 저장장치가 본 개시의 실시 예를 수행하는 장치에 접속할 수도 있다.
상술한 본 개시의 구체적인 실시 예들에서, 개시에 포함되는 구성 요소는 제시된 구체적인 실시 예에 따라 단수 또는 복수로 표현되었다. 그러나, 단수 또는 복수의 표현은 설명의 편의를 위해 제시한 상황에 적합하게 선택된 것으로서, 본 개시가 단수 또는 복수의 구성 요소에 제한되는 것은 아니며, 복수로 표현된 구성 요소라 하더라도 단수로 구성되거나, 단수로 표현된 구성 요소라 하더라도 복수로 구성될 수 있다.
한편 본 개시의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 개시의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 개시의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (21)

  1. 전자 장치의 동작 방법에 있어서,
    상기 전자 장치의 그립 여부를 감지하는 과정;
    상기 전자 장치가 그립되는 경우, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여 상기 신호의 상태를 식별하는 과정;
    상기 신호의 식별된 상태가 제1 상태에서 제2 상태로 변경되는지 여부를 감지(monitoring)하는 과정; 및
    상기 신호의 상태가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 변경되는 경우, 상기 전자 장치의 IIR 필터의 응답 속도를 변경하는 과정을 포함하는, 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 신호의 상태가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 변경되지 않는 경우, 상기 IIR 필터의 응답 속도를 유지하는 과정을 더 포함하는, 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 IIR 필터의 응답 속도를 변경하는 과정은, 상기 신호의 상태가 상기 제1 상태에서 상기 제2 상태로 변경되는 경우, 제1 커패시턴스 및 제2 커패시턴스에 대한 상기 IIR 필터의 응답 속도를 변경하고,
    상기 제1 커패시턴스는 상기 전자 장치의 사용에 따라 변경되는 커패시터의 커패시턴스, 상기 제2 커패시턴스는 상기 제1 커패시턴스의 특정 시간에 대한 평균인, 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    미리 정해진(predetermined) 시간 이후에 상기 IIR 필터의 응답 속도를 복구(restore)하는 과정을 더 포함하는, 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 신호의 정보는 상기 신호의 주파수 대역 또는 상기 신호의 전력 수준(power level)과 관련되는, 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 신호의 상태를 식별하는 과정은 상기 전자 장치의 ESR(equivalent series resistance)과 임계 저항값을 비교하여 결정되는, 방법.
  7. 전자 장치의 동작 방법에 있어서,
    상기 전자 장치가 그립 여부를 감지하는 과정;
    상기 전자 장치가 그립되지 않은 경우, 상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여 상기 신호의 상태를 식별하는 과정;
    상기 신호의 식별된 상태가 제2 상태에서 제1 상태로 변경되는지 여부를 감지하는 과정; 및
    상기 신호의 상태가 상기 제2 상태에서 상기 제1 상태로 변경되는 경우, 상기 전자 장치의 해제 임계값(release threshold)을 변경하는 과정을 포함하는, 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 신호의 상태가 상기 제2 상태에서 상기 제1 상태로 변경되지 않는 경우, 상기 전자 장치의 해제 임계값을 유지하는 과정을 더 포함하는, 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 해제 임계값을 변경하는 과정은, 상기 신호의 상태가 상기 제2 상태에서 상기 제1 상태로 변경되는 경우 제1 커패시턴스의 변화량에 기반하여 변경하고,
    상기 제1 커패시턴스는 상기 전자 장치의 사용에 따라 변경되는 커패시터의 커패시턴스인, 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 변경된 해제 임계값을 복구(restore)하는 과정을 더 포함하는, 방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 신호의 정보는 상기 신호의 주파수 대역 또는 상기 신호의 전력 수준(power level)과 관련되는, 방법.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 신호의 상태를 식별하는 과정은 상기 전자 장치의 ESR(equivalent series resistance)과 임계 저항값을 비교하여 결정되는, 방법.
  13. 전자 장치의 동작 방법에 있어서,
    상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보를 감지(monitoring)하는 과정;
    감지된 상기 송신되는 신호의 정보와 미리 저장된 정보의 매핑(mapping) 여부를 식별하는 과정; 및
    상기 전자 장치의 오프셋 커패시턴스(offset capacitance)를 업데이트하는 과정을 포함하는, 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 송신되는 신호의 정보는 상기 신호의 주파수 대역 및 전력 수준을 포함하는, 방법.
  15. 전자 장치의 동작 방법에 있어서,
    상기 전자 장치에서 송신되는 신호의 정보에 기반하여, 제1 커패시턴스 및 제2 커패시턴스의 차이인 제3 커패시턴스를 감지(monitoring)하는 과정; 및
    상기 제3 커패시턴스와 적어도 하나의 임계값을 비교하는 것에 기반하여, 상기 제2 커패시턴스를 유지하거나 유지를 해제함으로써 상기 전자 장치의 센서를 제어하는 과정을 포함하고,
    상기 제1 커패시턴스는 상기 전자 장치의 사용 상태에 따라 변경되는 커패시터의 커패시턴스를 의미하고, 상기 제2 커패시턴스는 상기 제1 커패시턴스의 특정 시간에 대한 평균을 의미하고, 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 전자 장치의 IIR(infinite impulse response) 필터의 응답 속도를 변경하는 과정을 더 포함하는, 방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 센서를 제어하는 과정은:
    상기 제3 커패시턴스가 상기 적어도 하나의 임계값 중 제1 임계값보다 큰 경우, 상기 제2 커패시턴스를 유지하도록 상기 센서를 제어하고,
    상기 제3 커패시턴스가 상기 제1 임계값보다 작거나 같고, 상기 적어도 하나의 임계값 중 제2 임계값보다 작거나 같은 경우, 상기 제2 커패시턴스를 유지하도록 상기 센서를 제어하는, 방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 제3 커패시턴스가 상기 제1 임계값보다 작거나 같고, 상기 제2 임계값보다 큰 경우, 상기 제3 커패시턴스를 감지하도록 상기 센서를 제어하는, 방법.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 제3 커패시턴스가 상기 제1 임계값보다 작거나 같고, 상기 제2 임계값보다 작거나 같은 경우, 상기 제3 커패시턴스와 상기 적어도 하나의 임계값 중 제3 임계값과 비교하는 과정을 더 포함하고,
    상기 제3 커패시턴스가 상기 제3 임계값보다 작거나 같은 경우, 상기 제2 커패시턴스를 유지하도록 상기 센서를 제어하고,
    상기 제3 커패시턴스가 상기 제3 임계값보다 큰 경우, 상기 제2 커패시턴스의 유지를 해제하도록 상기 센서를 제어하는, 방법.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 제3 커패시턴스가 상기 제1 임계값보다 큰 경우, 상기 제3 커패시턴스와 상기 적어도 하나의 임계값 중 제4 임계값과 비교하는 과정을 더 포함하고,
    상기 제3 커패시턴스가 상기 제4 임계값보다 큰 경우, 상기 제2 커패시턴스를 유지하도록 상기 센서를 제어하고,
    상기 제3 커패시턴스가 상기 제4 임계값보다 작거나 같은 경우, 상기 제2 커패시턴스의 유지를 해제하도록 상기 센서를 제어하는, 방법.
  21. 청구항 15에 있어서,
    상기 송신되는 신호의 정보는 상기 신호의 주파수 대역 또는 상기 신호의 전력 수준을 포함하는, 방법.
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