KR20240051778A - 반사 계수에 기반하여 백 오프 동작을 수행하는 전자 장치 및 그 동작 방법 - Google Patents

반사 계수에 기반하여 백 오프 동작을 수행하는 전자 장치 및 그 동작 방법 Download PDF

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KR20240051778A
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Abstract

본 개시의 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는, 적어도 하나의 안테나(240), 상기 적어도 하나의 안테나에 연결된 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(230)를 포함하는 무선 주파수(radio frequency: RF) 회로(250), 및 상기 RF 회로와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서(120)를 포함한다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 설정된 송신 전력의 최대값이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인하도록 구성된다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 설정된 송신 전력의 최대값이 상기 임계 송신 전력 이상임에 기반하여, 제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 상기 적어도 하나의 안테나를 향한 상기 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로의 제1 반사 계수 및 제2 반사 계수를 측정하도록 더 구성된다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 제1 설정 값이 적용된 경우의 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 설정 값이 적용된 경우의 상기 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프(back off)를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인하도록 더 구성된다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 설정 조건이 만족됨에 기반하여, 상기 설정된 송신 전력의 최대값을 백 오프하도록 더 구성된다.
다른 실시 예가 가능하다.

Description

반사 계수에 기반하여 백 오프 동작을 수행하는 전자 장치 및 그 동작 방법{ELECTRONIC DEVICE PERFORMING BACK OFF OPERATION BASED ON REFLECTION COEFFICIENT AND OPERATING METHOD THEREOF}
본 개시는 반사 계수(reflection coefficient)에 기반하여 백 오프 동작을 수행하는 전자 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다.
최근, 이동 통신 기술의 발전으로 다양한 기능들을 제공하는 휴대 단말기들의 사용이 보편화됨에 따라, 증가 추세에 있는 무선 데이터 트래픽 수요를 충족시키기 위해 5세대(5th generation: 5G) 통신 시스템을 개발하기 위한 노력이 이루어지고 있다. 5G 통신 시스템은 높은 데이터 레이트를 달성하기 위해, 보다 빠른 데이터 전송 속도를 제공할 수 있도록, 3세대(5rd generation: 3G) 통신 시스템과 롱 텀 에볼루션(long term evolution: LTE) 통신 시스템에서 사용되는 주파수 대역에 추가하여, 더 높은 주파수 대역(예를 들어, 25~60GHz 대역)에서의 구현이 고려되고 있다.
예를 들어, 밀리미터파(millimeter wave: mmWave) 대역에서 전파의 경로 손실 완화 및 전파의 전달 거리를 증가시키기 위해, 5G 통신 시스템에서는 빔포밍(beamforming) 기술, 매시브(massive) 다중 입력 다중 출력(multiple-input multiple-output: MIMO) 기술, 전차원 MIMO(full dimensional MIMO: FD-MIMO) 기술, 어레이 안테나(array antenna) 기술, 아날로그 빔형성(analog beamforming) 기술, 및 대규모 안테나(large scale antenna) 기술이 논의되고 있다.
전자 장치는 시스템의 효율적인 사용을 위하여 간소화되며, 안테나 역시 고 이득 특성을 만족하면서도 간소화되도록 요구되고 있다. 전자 장치는 전자파를 발생시키며, 안테나의 송신 성능을 향상시키기 위해 안테나의 송신 전력이 증가될 수 있다. 이렇게 발생된 전자파가 인체에 흡수되는 정도를 나타내는 수치가 전자파 흡수율(specific absorption rate: SAR)이며, SAR는 KW/g(또는, mW/g)의 단위를 이용하며, 이는 인체 1g 당 흡수되는 전력량(KW, W 또는 mW)을 의미할 수 있다. 전자기파의 인체 유해 문제가 대두됨에 따라서, 이동 통신 단말기에 대한 SAR 제한 기준이 정립되었다.
전자 장치는, 예를 들어 송신 전력에 의하여 예상되는 SAR가 임계값을 초과할 것으로 예상될 경우, 송신 전력(또는, 송신 전력의 최대값, 또는 최대 송신 전력 한계(maximum transmission power limit: MTPL))을 백 오프할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는, 특정 이벤트(예: 그립(grip), 핫 스팟(hot-spot), 및/또는 근접(proxy))가 발생함이 확인될 경우, 특정 이벤트에 상응하는 백 오프된 송신 전력을 사용하여 통신 신호를 송신하거나, 또는 백 오프된 MTPL에 기반하여 설정된 송신 전력을 사용하여 통신 신호를 송신할 수 있다.
아울러, 설정 시간 동안 누적된 SAR 값의 총량(또는, 설정 시간 동안 발생된 SAR의 평균 값)에 기반하여 송신 전력(또는, MTPL)을 백 오프하는 기술 또한 이용되고 있다. 순간적으로 인체에 영향을 미치는 SAR만큼이나, 평균적으로 인체에 영향을 미치는 SAR 역시 고려될 필요가 있으며, 이에 따라 누적된 SAR들의 총량(또는, 설정 시간 발생된 SAR들의 평균 값)이 설정된 조건을 만족할 경우 송신 전력(또는, MTPL)에 대한 백 오프 동작이 수행될 수 있다.
전자 장치는 그립 센서(grip sensor)를 포함할 수 있으며, 그립 센서는 안테나의 금속 부분의 전하 변화를 센싱하기 위해 사용될 수 있으며, 인체와 같은 유전체의 접근을 인식할 수 있다. 그립 센서를 통해 Limb SAR와 Body SAR가 검출될 수 있으며, Body SAR의 경우 제1 거리(예: 5mm)의 이격 거리에 상응하고, Limb SAR의 경우 제2 거리(예: 0mm)의 이격 거리에 상응할 수 있다.
전자 장치는 그립 센서를 통해 캐패시턴스(capacitance)의 변화량을 확인할 수 있고, 확인된 캐패시턴스의 변화량에 기반하여 송신 전력(또는, MTPL)에 대한 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 하지만, 그립 센서는 턴 온(turn on) 될 경우 전류를 소모하기 때문에, 그립 센서에 기반하는 백 오프 동작의 경우 전자 장치의 전류 소모를 증가시킬 수 있다.
전자 장치의 안테나에 대한 초기 캐패시턴스를 가지기 위해 그립 센서에 대해서는 캘리브레이션(calibration) 동작이 수행될 수 있는데, 캘리브레이션 동작이 수행될 때 사용자에 의한 파지가 발생할 경우, 그립 센서의 상태가 자유 공간(free space) 상태인 "그립 해제(grip release) 상태"로 인식될 수 있고, 따라서 백 오프 동작이 수행될 수 없다.
무선 주파수(radio frequency: RF) 표면 전류(surface current)로 인한 기생 저항이 발생하거나, 또는 핸드오버와 같은 특수 상황에서 캐피시턴스의 급격한 변화가 발생할 경우, 그립 센서의 상태가 그립 상태를 나타내는 "그립 터치(grip touch) 상태"로 잘못 검출될 수 있고, 따라서 잘못된 백 오프 동작이 수행될 수 있다.
전자 장치는 반사 계수(reflection coefficient)(예: 반사 계수의 I(in-phase) 성분 및 Q(quadrature-phase) 성분)에 기반하여 송신 전력(또는, MTPL)에 대한 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 하지만, 반사 계수에 기반하는 백 오프 동작의 경우 채널 상태, 자원 블록(resource block: RB), 시료들 간의 편차와 같은 다양한 파라미터들로 인해, 반사 계수의 I 성분 및 Q 성분에 대한 정확한 위상 보상이 필요로 될 수 있고, 따라서 반사 계수의 I 성분 및 Q 성분에 대한 정확한 위상 보상을 위한 별도의 절차들이 필요로 될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 적어도 하나의 안테나, 상기 적어도 하나의 안테나에 연결된 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로를 포함하는 무선 주파수(radio frequency: RF) 회로, 및 상기 RF 회로와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 설정된 송신 전력의 최대값이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 설정된 송신 전력의 최대값이 상기 임계 송신 전력 이상임에 기반하여, 제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 상기 적어도 하나의 안테나를 향한 상기 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로의 제1 반사 계수 및 제2 반사 계수를 측정하도록 더 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 제1 설정 값이 적용된 경우의 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 설정 값이 적용된 경우의 상기 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프(back off)를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인하도록 더 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 설정 조건이 만족됨에 기반하여, 상기 설정된 송신 전력의 최대값을 백 오프하도록 더 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 동작 방법은, 설정된 송신 전력의 최대값이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인하는 동작을 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 설정된 송신 전력의 최대값이 상기 임계 송신 전력 이상임에 기반하여, 제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 상기 전자 장치의 적어도 하나의 안테나를 향한 상기 전자 장치에 포함되는 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로의 제1 반사 계수 및 제2 반사 계수를 측정하는 동작을 더 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 제1 설정 값이 적용된 경우의 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 설정 값이 적용된 경우의 상기 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프(back off)를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 설정 조건이 만족됨에 기반하여, 상기 설정된 송신 전력의 최대값을 백 오프하는 동작을 더 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 비-일시적 컴퓨터 리드 가능 저장 매체는, 전자 장치의 적어도 하나의 프로세서에 의해 실행되며, 상기 전자 장치가, 설정된 송신 전력의 최대값이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인하도록 구성되는 인스트럭션(instruction)들을 포함하는 하나 또는 그 이상의 프로그램들을 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가, 상기 설정된 송신 전력의 최대값이 상기 임계 송신 전력 이상임에 기반하여, 제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 상기 전자 장치의 적어도 하나의 안테나를 향한 상기 전자 장치에 포함되는 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로의 제1 반사 계수 및 제2 반사 계수를 측정하도록 더 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가, 상기 제1 설정 값이 적용된 경우의 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 설정 값이 적용된 경우의 상기 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프(back off)를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인하도록 더 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가, 상기 설정 조건이 만족됨에 기반하여, 상기 설정된 송신 전력의 최대값을 백 오프하도록 더 구성될 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 2b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 시료들간 편차를 보상하는 캘리브레이션(calibration) 동작에 따른 반사 계수 보상 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 온도에 따른 편차를 보상하는 반사 계수 보상 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 자유 공간 상태 및 0mm 상태에 따른 반사 계수를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 자유 공간 상태 및 0mm 상태에 따른 반사 계수를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 자유 공간 상태 및 0mm 상태에 따른 반사 계수를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 도시한 순서도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치가 반사 계수를 측정하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 일 실시 예에 따른 자유 공간 상태와 0mm 상태에 따른 반사 계수의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 일 실시 예에 따른 반사 계수에 따른 인식 거리의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 일 실시 예에 따른 반사 계수에 기반하는 백 오프 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 일 실시 예에 따른 송신 안테나에 대한 부분 접촉에 따른 반사 계수를 설명하기 위한 도면이다.
이하 본 개시의 일 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고, 본 개시의 일 실시 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 일 실시 예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 그리고 후술되는 용어들은 본 개시의 일 실시 예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시의 일 실시 예를 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또는, 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 본 명세서에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또는, 본 명세서에서 사용되는 기술적인 용어가 본 개시의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또는, 본 개시의 일 실시 예에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.
또는, 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 동작들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 동작들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 동작들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
또는, 본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 개시의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 따른 일 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또는, 본 개시의 일 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또는, 첨부된 도면은 본 개시의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 개시의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨에 유의하여야만 한다. 본 개시의 사상은 첨부된 도면들 외에 모든 변경들, 균등물들 내지 대체물들에 까지도 확장되는 것으로 해석되어야 한다.
이하, 본 개시의 일 실시 예에서는 전자 장치(electronic device)를 일 예로 하여 설명할 것이나, 전자 장치는 단말(terminal), 이동국(mobile station), 이동 장비(mobile equipment: ME), 사용자 장비(user equipment: UE), 사용자 단말(user terminal: UT), 가입자국(subscriber station: SS), 무선 장치(wireless device), 휴대 장치(handheld device), 액세스 단말(access terminal: AT)로 칭해질 수 있다. 또는, 본 개시의 일 실시 예에서, 전자 장치는 예를 들어 휴대폰, 개인용 디지털 기기(personal digital assistant: PDA), 스마트 폰(smart phone), 무선 모뎀(wireless MODEM), 노트북과 같이 통신 기능을 갖춘 장치가 될 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비 휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비 휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, 와이파이(Wi-Fi: wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술에 기반하여 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
본 문서에 개시된 일 실시 예에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 일 실시 예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 일 실시 예에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 두 개 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 일 실시 예는 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 일 실시 예에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 일 실시 예에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
도 2a를 참조하면, 전자 장치(101)(예: 도 1의 전자 장치(101))는 프로세서(120)(예: 도 1의 프로세서(120)), 무선 주파수 집적 회로(radio frequency integrated circuit: RFIC)(210), 무선 주파수 프론트 엔드(radio frequency front end: RFFE)(220), 안테나 튜닝(antenna tuning) 회로(230), 및 안테나(240)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 무선 주파수(radio frequency: RF) 회로(250)는 RFIC(210), RFFE(220), 및/또는 안테나 튜닝 회로(230)를 포함할 수 있다. 도 2a에서는 전자 장치(101)가 하나의 안테나(예: 안테나(240))를 포함하는 경우를 일 예로 설명하지만, 전자 장치(101)는 하나 또는 그 이상의 안테나들을 포함할 수도 있다.
프로세서(120)는 반사 계수(reflection coefficient)에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 반사 계수의 진폭(amplitude) 성분(예: I(in-phase) 성분) 및 위상(phase) 성분(예: Q(quadrature-phase) 성분)에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 송신 전력에 의하여 예상되는 전자파 흡수율(specific absorption rate: SAR)이 임계값을 초과할 것으로 예상될 경우, 반사 계수에 기반하여 송신 전력(또는, 송신 전력의 최대 값, 또는 최대 송신 전력 한계(maximum transmission power limit: MTPL))을 백 오프할 수 있다.
프로세서(120)는 RF 회로(250)의 동작을 제어할 수 있다. 일 실시 예에서, 프로세서(120)는 안테나 튜닝 회로(240)의 설정 값(예: 튜닝 코드)을 제어할 수 있으며, 안테나 튜닝 회로(240)는 프로세서(120)에 의해 설정되는 설정 값에 기반하여 안테나 튜닝 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(120)는 안테나(240)의 임피던스(impedance)에 상응하는 튜닝 코드를 적용하여 안테나 임피던스의 매칭(matching)을 수행할 수 있다. 예를 들어, 안테나(240)의 임피던스에 상응하는 복수의(예: 65개) 튜닝 코드들이 존재할 수 있으며, 각 튜닝 코드는 반사 계수 룩업 테이블(lookup table)의 각 인덱스에 매핑될 수 있다. 프로세서(120)는 룩업 테이블에 기반하여 안테나(240)의 반사 계수와 가장 인접하는 인덱스에 상응하는 튜닝 코드를 확인할 수 있다.
도 2b는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 2b를 참조하면, 전자 장치(101)(예: 도 1 또는 도 2a의 전자 장치(101))는 송수신기(transceiver: TRCV)(261)(예: 도 2a의 RFIC(210)), 전력 증폭기(power amplifier: PA)(263), 저잡음 증폭기(low noise amplifier: LNA)(265), 듀플렉서(duplexer: DPX)(267), 적응적 스위치 모듈(adaptive switch module: ASM)(269), 커플러(coupler)(271), RF 스위치(RF switch: RF SW)(273), 안테나 튜너(274), 접지 회로(275), 및/또는 안테나(240)(예: 도 2a의 안테나(240))를 포함할 수 있다. 안테나 튜너(274) 및 접지 회로(275)는 안테나 튜닝 회로(예: 도 2a의 안테나 튜닝 회로(230))에 포함될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서(도 2b에 도시되어 있지 않음)(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는 다른 컴포넌트(component)들(예: 송수신기(261), PA(263), LNA(265), DPX(267), ASM(269), 커플러(271), RF SW(273), 안테나 튜너(274), 접지 회로(275), 및/또는 안테나(240))과 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있으며, 그 동작을 제어하거나 각종 데이터의 처리 및/또는 연산을 수행할 수 있다. 프로세서는 반사 계수에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서는 반사 계수의 진폭 성분 및 위상 성분에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서는 송신 전력에 의하여 예상되는 SAR가 임계값을 초과할 것으로 예상될 경우, 반사 계수에 기반하여 송신 전력(또는, MTPL)을 백 오프할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서는 커뮤니케이션 프로세서(CP: communication processor) 및/또는 어플리케이션 프로세서(AP: application processor)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, TRCV(261)는 프로세서로부터 입력되는 신호를 RF 신호(예: 송신 신호)로 변환하여 PA(263)으로 출력할 수 있다. 예를 들어, 프로세서로부터 입력되는 신호는 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102) 또는 전자 장치(104), 또는 도 1의 서버(108))로 송신될 송신 신호일 수 있다. 또한, TRCV(261)는 LNA(265)로부터 수신된 RF 신호(예: 수신 신호)를 프로세서에서 처리 가능한 디지털 데이터로 변환하여 프로세서로 전달할 수 있다.
TRCV(261)에서 출력된 신호는 PA(263)로 입력될 수 있고, PA(263)는 TRCV(261)로부터 입력된 신호를 설정된 증폭 이득에 기반하여 증폭한 후, 증폭된 신호를 DPX(267)로 출력할 수 있다. PA(263)에서 출력된 신호는 DPX(267)로 입력될 수 있고, DPX(267)는 PA(263)로부터 입력된 신호에 대해 듀플렉스(duplex) 동작을 수행하여 ASM(269)으로 출력할 수 있다.
DPX(267)에서 출력된 신호는 ASM(269)으로 입력될 수 있고, ASM(269)는 DPX(267)로부터 입력된 신호에 대해 스위칭 동작을 수행하여 커플러(271)로 출력할 수 있다.
ASM(269)에서 출력된 신호는 커플러(271)로 입력될 수 있고, 커플러(271)는 ASM(269)에서 출력된 신호에 대해 커플링(coupling) 동작을 수행하여, RF SW(273)를 통해 안테나 튜너(274)로 출력할 수 있다.
안테나 튜너(274)는 설정 값(예: 튜닝 코드)에 기반하여 튜닝 동작을 수행할 수 있고, RF SW(273)를 통해 입력되는 신호는 접지 회로(275)를 통해 접지된 후 안테나(240)를 통해 출력될 수 있다.
안테나 튜너(274)는 프로세서에 의해 설정된 설정 값(예: 튜닝 코드)에 기반하여 안테나(240)의 임피던스를 적어도 하나의 기준 임피던스에 근접하게 조정할 수 있다. 일 실시 예에서, 안테나 튜너(274)는 스위치(switch), 저항(register), 인덕터(inductor), 또는 커패시터(capacitor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 안테나 튜너(274)는 튜닝 코드에 기반하여 안테나(240)와 송수신기(261) 사이의 전기적인 길이(electrical length)(예: 커패시터, 인덕터, 또는 저항)를 조정하여 안테나(240)와 송수신기(261) 사이의 임피던스 차로 인한 반사를 조정할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 접지 회로(275)는 프로세서에 의해 설정된 설정 값(예: 접지 코드)에 기반하여 안테나(240)와 접지(ground) 간의 전기적인 길이를 조정함으로써 공진 주파수를 조정할 수 있다. 접지 회로(275)는 공진 주파수를 조정함으로써 안테나(240)와 송수신기(261) 사이의 임피던스 차로 인해 발생되는 반사를 줄일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 전자 장치(101)에서 사용되는 통신 주파수에 기반하여 접지 회로(275)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 프로세서는 접지 제어기(XGND)를 제어하여 안테나(240)의 길이를 조절할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 전자 장치(101)에서 사용되는 통신 주파수에 기반하여 안테나(240)의 임피던스를 매칭하기 위해 안테나 튜너(274)를 제어할 수 있다. 프로세서는 커플러(271)로부터 피드백(feedback) 신호(예: 포워드(forward) 커플링 신호 또는 리버스(reverse) 커플링 신호)를 수신하여 현재 안테나 로드(또는 안테나 임피던스)를 확인할 수 있다. 커플러(271)는 PA(263)와 안테나 튜너(274) 사이의 신호 선로에 커플링되어 통신 신호에 상응하는 피드백 신호를 출력하여 프로세서로 전달할 수 있다. 프로세서는 피드백 신호의 리버스 및 포워드 전압 비를 통해 안테나 튜너(274)의 입력에서 안테나(240)를 향하는 반사 계수(Γi)를 확인할 수 있다. 이하, 설명의 편의상 안테나 튜너(274)(또는 안테나 튜닝 회로(230))의 입력에서 안테나(240)를 향한 반사 계수(Γi)를 "입력 반사 계수"라 칭하기로 한다.
일 실시 예에 따르면 안테나 튜너(274)의 출력에서 안테나(240)를 향하는 반사 계수(ΓL)를 확인하기 위해, 반사 계수(ΓL)가 최적의 임피던스(예: 약 50 Ω)로 매칭되는 값을 기준 반사 계수로 설정하고, 기준 반사 계수에 상응하는 안테나 접지 코드를 기준 접지 코드로 설정하고, 안테나 튜너(274)의 입력 반사 계수(Γi)가 최소화되도록 설정되는 안테나 튜너(274)의 튜닝 코드를 기준 튜닝 코드로 설정할 수 있다. 이하, 설명의 편의상 안테나 튜너(274)의 출력에서 안테나(240)를 향하는 반사 계수(ΓL)를 "출력 반사 계수"라 칭하기로 한다.
일 실시 예에 따르면, 입력 반사 계수(Γi)의 I 성분 및 Q 성분을 복수 개(예: 65개)의 인덱스들(index[0], index[1], ... ,index[64])에 매핑하여 저장될 수 있으며, 각 인덱스에 대해 매핑된 입력 반사 계수와 안테나 튜너(274)의 에스 파라미터를 적용하여 출력 반사 계수(ΓL)를 확인하고, 이득이 최대인 값을 각각 최적의 튜닝 코드로 확인하고, 이 값을 룩업 테이블로서 메모리(예: 도 1의 130)에 저장할 수 있다.
프로세서는 안테나 튜너(274)에 대한 튜닝 코드를 제어할 수 있고, 튜닝 코드에 상응하는 임피던스는 통신을 위한 최적의 임피던스(예: 약 50Ω)로 변경될 수 있다. 예를 들어, 50Ω 의 임피던스는 반사 계수의 I 성분 및 Q 성분 둘 다가 0인(예를 들어, 반사 계수에 상응하는 IQ 좌표의 원점인) 임피던스일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 커플러(271)를 통해 측정된 입력 반사 계수(Γi)로부터 도출된 출력 반사 계수(ΓL)와 가장 인접한 인덱스를 룩업 테이블로부터 선택하고, 선택된 인덱스의 접지 코드를 적용하여 출력 반사 계수(ΓL)가 최적의 임피던스(예: 약 50 Ω)에 상응하게 변경될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 전자 장치(101)에서 사용되는 통신 주파수에 기반하여 접지 회로(275)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 프로세서는 접지 회로(275)를 제어하여 안테나(240)의 길이를 조정할 수 있다. 프로세서(211)는 튜닝 코드를 기준 튜닝 코드로 설정하고, 접지 회로(275)에 의한 입력 반사 계수(Γi)를 측정하여 측정되는 입력 반사 계수(Γi)가 기준 인덱스(예: 인덱스[0]) 또는 최적의 임피던스(예: 약 50Ω)에 가까운 값을 기준 접지 코드로 설정할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 기준 접지 코드에 대해 특정 사용 상황(예: 이어잭 삽입, 손에 파지, 케이스 장착)에서 기준 튜닝 코드를 적용하고, 측정되는 입력 반사 계수(Γi)와 가장 가까운 인덱스를 정하여 각 특정 사용 상황에 대한 최적의 접지 코드를 확인하고 해당 인덱스에 대응하여 룩업 테이블에 저장할 수 있다. 예를 들면, 특정 사용 상황에서 튜닝 코드를 기준 튜닝 코드로 설정하고, 접지 코드를 변화시켜 가면서 입력 반사 계수(Γi)를 측정하여, 입력 반사 계수(Γi)가 기준 인덱스 또는 최적의 임피던스에 가까운 값을 최적의 접지 코드로 확인할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 인덱스들을 임피던스 도표(impedance diagram)(예: 스미스 차트(Smith chart))로 표현할 수 있다. 임피던스 도표는 룩업 테이블 형태로 저장될 수 있다. 예를 들면, 프로세서는 임피던스 도표 상에서 인덱스들 중 현재 출력 반사 계수와 인접한 인덱스를 결정하고, 결정된 인덱스에 따라 룩업 테이블을 참조하여 현재 출력 반사 계수를 최적의 임피던스로 변경하도록 인덱스에 저장된 접지 코드를 선택하여 현재 출력 반사 계수를 변경할 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 시료들간 편차를 보상하는 캘리브레이션(calibration) 동작에 따른 반사 계수 보상 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 참조 번호 300은 캘리브레이션 동작(예: 제조 공정 단계에서의 캘리브레이션 동작)이 적용되기 전의 시료들 간의 편차를 나타내는 임피던스 도표(예: 스미스 차트))를 나타내며, 참조 번호 310은 캘리브레이션 동작이 적용된 후의 스미스 차트를 나타낼 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 시료는 PA, LNA, DPX, ASM, 커플러, 또는 RF SW 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
스미스 차트(300)에 나타내져 있는 바와 같이, 제1 채널(예: 대역 1에서 높은 채널(band1-high-channel)), 제2 채널(예: 대역 1에서 중간 채널(band1-mid-channel)), 및 제3 채널(예: 대역 1에서 낮은 채널(band1-low-channel)) 각각에 상응하는 시료들의 경우 캘리브레이션 동작이 적용되기 전에는 그 자유 IQ(free IQ, 이하 "free IQ"라 칭하기로 함) 성분들이 스미스 차트(300)의 원점 (0,0)으로부터 이격되어 위치됨을 알 수 있다. free IQ 성분은 자유 공간(free space) 상태에서의 IQ 성분을 나타낼 수 있다. 자유 공간 상태는 송신 안테나에 대한 인접 물체가 존재하지 않는 상태를 나타낼 수 있다. 스미스 차트(300)는 특성 임피던스(characteristic impedance)가 50 Ω로 설정된 경우의 스미스 차트일 수 있고, 가로축은 Q 성분을 나타낼 수 있고, 세로축은 I 성분을 나타낼 수 있다.
스미스 차트(300)에 나타내져 있는 바와 같이, 시료들 간의 편차가 존재함을 알 수 있으며, 따라서 시료들에 대한 캘리브레이션 동작이 적용될 수 있다. 스미스 차트(310)에 나타내져 있는 바와 같이, 캘리브레이션 동작이 적용됨에 따라 제1 채널, 제2 채널, 및 제3 채널 각각에 상응하는 시료들의 free IQ 성분들은 스미스 차트(310)의 원점 (0,0)에 위치하도록 보상될 수 있다. 즉, 스미스 차트(310)에 나타내져 있는 바와 같이, 캘리브레이션 동작이 적용됨에 따라, 1 채널, 제2 채널, 및 제3 채널 각각에 상응하는 시료들의 반사 계수들이 보상될 수 있다.
하지만, 캘리브레이션 동작이 별도로 수행될 경우에만 시료들 간의 편차에 따른 반사 계수들에 대한 보상이 이루어질 수 있다.
도 4는 일 실시 예에 따른 온도에 따른 편차를 보상하는 반사 계수 보상 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 참조 번호 400은 시간에 따른 PAMID(power amplifier module with integrated duplexers)의 온도 변화를 나타내는 그래프이고, 참조 번호 410은 시간에 따른 PAMID의 온도 변화에 따른 IQ 성분의 변화를 나타내는 그래프일 수 있다. PAMID는 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 또는 도 2b의 전자 장치(101))의 RFFE(예: 도 2a의 RFFE(220))에 포함될 수 있으며, 표면 탄성파(surface acoustic wave: SAW) 필터 및 DPX(예: 도 2b의 DPX(267))을 포함할 수 있다.
그래프(400)에 나타내져 있는 바와 같이, PAMID의 온도는 시간에 따라 변함을 알 수 있다.
그래프(400)에 나타내져 있는 바와 같이 PAMID의 온도가 시간에 따라 변함에 따라, 그래프(410)에 나타내져 있는 바와 같이 PAMID의 IQ 성분 역시 변함을 알 수 있다. 예를 들어, PAMID의 위상 성분(예: Q 성분)은, 그래프(410)에 나타내져 있는 바와 같이, PAMID의 온도가 높아짐에 따라 시계 방향으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 그래프(410)에 나타내져 있는 바와 같이, 제1 채널(예: 대역 N3에서 낮은 채널(N3-low-channel)), 제2 채널(예: 대역 N3에서 중간 채널(N3-mid-channel)), 및 제3 채널(예: N3에서 높은 채널(N3-high-channel)) 각각에 대한 IQ 성분은 PAMID의 온도가 높아짐에 따라(예를 들어, PAMID의 온도가 제1 온도(예: 임계 온도 미만의 낮은 온도(low temperature: Low Temp))(예: -20도)에서 제2 온도(예: 임계 온도 이상의 높은 온도(high temperature: High Temp))(예: 70도)로 변화됨에 따라) 시계 방향으로 이동할 수 있다.
이렇게, PAMID의 IQ 성분은 PAMID가 포함하고 있는 내부 컴포넌트들(예: SAW 필터, 및/또는 DPX) 특성에 따라 PMAID의 온도가 증가함에 따라 변할 수 있다. 따라서, 온도에 따른 편차를 보상하는 반사 계수 보상 동작이 필요로 될 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 자유 공간 상태 및 0mm 상태에 따른 반사 계수를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 자유 공간 상태(500)는 송신 안테나(예: 도 2a 또는 도 2b의 안테나(240))에 대한 인접 물체가 존재하지 않는 상태를 나타낼 수 있고, 0mm 상태(510)는 인접 물체가 송신 안테나 전체에 접촉하는 상태를 나타낼 수 있다.
도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 자유 공간 상태(500)에서 측정되는 반사 계수(예: 입력 반사 계수(Γi))의 값이 50Ω 의 임피던스(예: 반사 계수의 I 성분 및 Q 성분 둘 다가 0인(예를 들어, 반사 계수에 상응하는 IQ 좌표의 원점인) 임피던스)에 가까워질 수록 인식 거리가 짧아질 수 있다. 이와는 반대로 자유 공간 상태(500)에서 측정되는 반사 계수의 값이 50Ω 의 임피던스에서 멀어질 수록 인식 거리가 길어질 수 있다. 인식 거리는 송신 안테나와 인접 물체간의 인식 가능한 거리를 포함할 수 있다.
전자 장치 세트(set)들(예: 스마트폰들) 간에는 편차가 존재할 수 있으며, 이런 전자 장치 세트들 간의 편차를 고려하여 자유 공간 상태(500)에서의 반사 계수들이 보상되어야만 할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치 세트의 자유 공간 상태(500)에서의 반사 계수의 값을 스마트 차트의 원점에 위치하도록 캘리브레이션 동작이 수행될 수 있다. 이렇게, 캘리브레이션 동작이 수행된 후의 자유 공간 상태(500)에서의 반사 계수들은 스마트 차트 상의 원점에 위치될 수 있다(520).
도 5에서 "L"은 캘리브레이션 동작이 수행되기 전의, 특정 대역에서 제1 채널(예: 낮은 채널)에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다. 도 5에서 "M"은 캘리브레이션 동작이 수행되기 전의, 특정 대역에서 제1 채널(예: 중간 채널)에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다. 도 5에서 "H"는 캘리브레이션 동작이 수행되기 전의, 특정 대역에서 제1 채널(예: 높은 채널)에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다.
도 6은 일 실시 예에 따른 자유 공간 상태 및 0mm 상태에 따른 반사 계수를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 도 5에서 설명한 바와 같이, 자유 공간 상태(예: 도 5의 자유 공간 상태(500))에서 전자 장치 세트들(예: 스마트폰들) 간에는 편차가 존재할 수 있으며, 이런 전자 장치 세트들 간의 편차를 고려하여 자유 공간 상태에서의 반사 계수들이 보상되어야만 할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치 세트의 자유 공간 상태에서의 반사 계수의 값을 스마트 차트의 원점에 위치하도록 캘리브레이션 동작이 수행될 수 있다. 이렇게, 캘리브레이션 동작이 수행된 후의 자유 공간 상태에서의 반사 계수들은 스마트 차트 상의 원점에 위치될 수 있다.
도 6에는 캘리브레이션 동작이 수행되기 전의, 거리에 따른 대역 별로 복수의 채널들 각각에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들이 도시되어 있다. 도 6에서 "L-ch"는 캘리브레이션 동작이 수행되기 전의, 특정 대역에서 제1 채널(예: 낮은 채널)에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다. 도 6에서 "M-ch"는 캘리브레이션 동작이 수행되기 전의, 특정 대역에서 제1 채널(예: 중간 채널)에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다. 도 6에서 "H-ch"는 캘리브레이션 동작이 수행되기 전의, 특정 대역에서 제1 채널(예: 높은 채널)에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다.
참조 번호 600은 대역 N1에서 제1 채널, 제2 채널, 제3 채널 각각에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다.
참조 번호 610은 대역 N3에서 제1 채널, 제2 채널, 제3 채널 각각에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다.
참조 번호 620은 대역 N7에서 제1 채널, 제2 채널, 제3 채널 각각에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들을 나타낼 수 있다.
도 7은 일 실시 예에 따른 자유 공간 상태 및 0mm 상태에 따른 반사 계수를 설명하기 위한 도면이다.
도 5에서 설명한 바와 같이, 자유 공간 상태(예: 도 5의 자유 공간 상태(500))에서 전자 장치 세트들(예: 스마트폰들) 간에는 편차가 존재할 수 있으며, 이런 전자 장치 세트들 간의 편차를 고려하여 자유 공간 상태에서의 반사 계수들이 보상되어야만 할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치 세트의 자유 공간 상태에서의 반사 계수의 값을 스마트 차트의 원점에 위치하도록 캘리브레이션 동작이 수행될 수 있다. 이렇게, 캘리브레이션 동작이 수행된 후의 자유 공간 상태에서의 반사 계수들은 스마트 차트 상의 원점에 위치될 수 있다.
도 7에는 캘리브레이션 동작이 수행된 후의, 거리에 따른 대역 별로 복수의 채널들 각각에 상응하는 전자 장치 세트들에서 측정된 반사 계수들이 도시되어 있다.
참조 번호 700은 도 6의 참조 번호 600에서 설명한 바와 같은 대역 N1에서 제1 채널, 제2 채널, 제3 채널 각각에 상응하는 전자 장치 세트들에 대한 캘리브레이션 동작이 수행된 후의 반사 계수들을 나타낼 수 있다.
참조 번호 710은 도 6의 참조 번호 610에서 설명한 바와 같은 대역 N3에서 제1 채널, 제2 채널, 제3 채널 각각에 상응하는 전자 장치 세트들에 대한 캘리브레이션 동작이 수행된 후의 반사 계수들을 나타낼 수 있다.
참조 번호 720은 도 6의 참조 번호 620에서 설명한 바와 같은 대역 N7에서 제1 채널, 제2 채널, 제3 채널 각각에 상응하는 전자 장치 세트들에 대한 캘리브레이션 동작이 수행된 후의 반사 계수들을 나타낼 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 8을 참조하면, 전자 장치(101)(예: 도 1, 도 2a, 또는 도 2b의 전자 장치(101))는 TRCV(261)(예: 도 2a의 RFIC(210) 또는 도 2b의 TRCV(261)), PA(263)(예: 도 2b의 PA(263)), LNA(265)(예: 도 2b의 LNA(265)), DPX(267)(예: 도 2b의 DPX(267)), ASM(269)(예: 도 2b의 ASM(269)), 커플러(271)(예: 도 2b의 커플러(271)), RF SW(273)(예: 도 2b의 RF SW(273)), 안테나 튜너(274), 접지 회로(275)(예: 도 2b의 접지 회로(275)), 및/또는 안테나(240)(예: 도 2a 또는 도 2b의 안테나(240))를 포함할 수 있다. 안테나 튜너(274) 및 접지 회로(275)는 안테나 튜닝 회로(예: 도 2a의 안테나 튜닝 회로(230))에 포함될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서(도 8에 도시되어 있지 않음)(예: 도 1, 도 2a, 또는 도 2b의 프로세서(120))는 다른 컴포넌트들(예: 송수신기(261), PA(263), LNA(265), DPX(267), ASM(269), 커플러(271), RF SW(273), 안테나 튜너(274), 접지 회로(275), 및/또는 안테나(240))과 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있으며, 그 동작을 제어하거나 각종 데이터의 처리 및/또는 연산을 수행할 수 있다. 프로세서는 반사 계수에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서는 반사 계수의 진폭 성분 및 위상 성분에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서는 송신 전력에 의하여 예상되는 SAR가 임계값을 초과할 것으로 예상될 경우, 반사 계수에 기반하여 송신 전력(또는, 송신 전력의 최대 값, 또는 MTPL)을 백 오프할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서는 커뮤니케이션 프로세서(CP: communication processor) 및/또는 어플리케이션 프로세서(AP: application processor)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서는 안테나 튜닝 회로를 통해 액티브 매칭(active matching) 동작을 수행함으로써, 별도의 캘리브레이션 절차와 같은 보상 절차 없이도 반사 계수에 기반하는 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서는 2개의 설정 값들(예: 2개의 바이패스 코드(bypass code)들)을 적용하여 반사 계수에 기반하는 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 바이패스 코드는 안테나 튜너(274)에 적용되는 설정 값(예: 튜닝 코드) 및 접지 회로(275)에 적용되는 설정 값(예: 접지 코드)의 조합에 의해 생성될 수 있거나, 또는 별도의 코드로 생성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 바이패스 코드는 안테나 튜너(274) 및/또는 접지 회로(275) 중 적어도 하나에 대한 특성을 변경할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, TRCV(261)는 프로세서로부터 입력되는 신호를 RF 신호(예: 송신 신호)로 변환하여 PA(263)으로 출력할 수 있다. 예를 들어, 프로세서로부터 입력되는 신호는 외부 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(102) 또는 전자 장치(104), 또는 도 1의 서버(108))로 송신될 송신 신호일 수 있다. 또한, TRCV(261)는 LNA(265)로부터 수신된 RF 신호(예: 수신 신호)를 프로세서에서 처리 가능한 디지털 데이터로 변환하여 프로세서로 전달할 수 있다.
TRCV(261)에서 출력된 신호는 PA(263)로 입력될 수 있고, PA(263)는 TRCV(261)로부터 입력된 신호를 설정된 증폭 이득에 기반하여 증폭한 후, 증폭된 신호를 DPX(267)로 출력할 수 있다. PA(263)에서 출력된 신호는 DPX(267)로 입력될 수 있고, DPX(267)는 PA(263)로부터 입력된 신호에 대해 듀플렉스(duplex) 동작을 수행하여 ASM(269)으로 출력할 수 있다.
DPX(267)에서 출력된 신호는 ASM(269)으로 입력될 수 있고, ASM(269)는 DPX(267)로부터 입력된 신호에 대해 스위칭 동작을 수행하여 커플러(271)로 출력할 수 있다.
ASM(269)에서 출력된 신호는 커플러(271)로 입력될 수 있고, 커플러(271)는 ASM(269)에서 출력된 신호에 대해 커플링(coupling) 동작을 수행하여, RF SW(273)를 통해 안테나 튜너(274)로 출력할 수 있다.
안테나 튜너(274)는 설정 값(예: 튜닝 코드)에 기반하여 튜닝 동작을 수행할 수 있고, RF SW(273)를 통해 입력되는 신호는 접지 회로(275)를 통해 접지된 후 안테나(240)를 통해 출력될 수 있다.
안테나 튜너(274)는 프로세서에 의해 설정된 설정 값(예: 튜닝 코드 또는 바이패스 코드)에 기반하여 안테나(240)의 임피던스를 적어도 하나의 기준 임피던스에 근접하게 조정할 수 있다. 일 실시 예에서, 안테나 튜너(274)는 스위치(switch), 저항(register), 인덕터(inductor), 또는 커패시터(capacitor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 안테나 튜너(274)는 튜닝 코드에 기반하여 안테나(240)와 송수신기(261) 사이의 전기적인 길이(electrical length)(예: 커패시터, 인덕터, 또는 저항)를 조정하여 안테나(240)와 송수신기(261) 사이의 임피던스 차로 인한 반사를 조정할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 접지 회로(275)는 프로세서에 의해 설정된 설정 값(예: 접지 코드 또는 바이패스 코드)에 기반하여 안테나(240)와 접지(ground) 간의 전기적인 길이를 조정함으로써 공진 주파수를 조정할 수 있다. 접지 회로(275)는 공진 주파수를 조정함으로써 안테나(240)와 송수신기(261) 사이의 임피던스 차로 인해 발생되는 반사를 줄일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 전자 장치(101)에서 사용되는 통신 주파수에 기반하여 접지 회로(275)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 프로세서는 접지 제어기(XGND)를 제어하여 안테나(240)의 길이를 조절할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 전자 장치(101)에서 사용되는 통신 주파수에 기반하여 안테나(240)의 임피던스를 매칭하기 위해 안테나 튜너(274)를 제어할 수 있다. 프로세서는 커플러(271)로부터 피드백(feedback) 신호(예: 포워드(forward) 커플링 신호 또는 리버스(reverse) 커플링 신호)를 수신하여 현재 안테나 로드(또는 안테나 임피던스)를 확인할 수 있다. 커플러(271)는 PA(263)와 안테나 튜너(274) 사이의 신호 선로에 커플링되어 통신 신호에 상응하는 피드백 신호를 출력하여 프로세서로 전달할 수 있다. 프로세서는 피드백 신호의 리버스 및 포워드 전압 비를 통해 안테나 튜너(274)의 입력에서 안테나(240)를 향하는 반사 계수(Γi)를 확인할 수 있다. 이하, 설명의 편의상 안테나 튜너(274)(또는 안테나 튜닝 회로(230))의 입력에서 안테나(240)를 향한 반사 계수(Γi)를 "입력 반사 계수"라 칭하기로 한다.
일 실시 예에 따르면 안테나 튜너(274)의 출력에서 안테나(240)를 향하는 반사 계수(ΓL)를 확인하기 위해, 반사 계수(ΓL)가 최적의 임피던스(예: 약 50 Ω)로 매칭되는 값을 기준 반사 계수로 설정하고, 기준 반사 계수에 상응하는 안테나 접지 코드를 기준 접지 코드로 설정하고, 안테나 튜너(274)의 입력 반사 계수(Γi)가 최소화되도록 설정되는 안테나 튜너(274)의 튜닝 코드를 기준 튜닝 코드로 설정할 수 있다. 이하, 설명의 편의상 안테나 튜너(274)의 출력에서 안테나(240)를 향하는 반사 계수(ΓL)를 "출력 반사 계수"라 칭하기로 한다.
일 실시 예에 따르면, 입력 반사 계수(Γi)의 I 성분 및 Q 성분을 복수 개(예: 65개)의 인덱스들(index[0], index[1], ... ,index[64])에 매핑하여 저장될 수 있으며, 각 인덱스에 대해 매핑된 입력 반사 계수와 안테나 튜너(274)의 에스 파라미터를 적용하여 출력 반사 계수(ΓL)를 확인하고, 이득이 최대인 값을 각각 최적의 튜닝 코드로 확인하고, 이 값을 룩업 테이블로서 메모리(예: 도 1의 130)에 저장할 수 있다.
프로세서는 안테나 튜너(274)에 대한 튜닝 코드를 제어할 수 있고, 튜닝 코드에 상응하는 임피던스는 통신을 위한 최적의 임피던스(예: 약 50Ω)로 변경될 수 있다. 예를 들어, 50Ω 의 임피던스는 반사 계수의 I 성분 및 Q 성분 둘 다가 0인(예를 들어, 반사 계수에 상응하는 IQ 좌표의 원점인) 임피던스일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 커플러(271)를 통해 측정된 입력 반사 계수(Γi)로부터 도출된 출력 반사 계수(ΓL)와 가장 인접한 인덱스를 룩업 테이블로부터 선택하고, 선택된 인덱스의 접지 코드를 적용하여 출력 반사 계수(ΓL)가 최적의 임피던스(예: 약 50 Ω)에 상응하게 변경될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 전자 장치(101)에서 사용되는 통신 주파수에 기반하여 접지 회로(275)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 프로세서는 접지 회로(275)를 제어하여 안테나(240)의 길이를 조정할 수 있다. 프로세서(211)는 튜닝 코드를 기준 튜닝 코드로 설정하고, 접지 회로(275)에 의한 입력 반사 계수(Γi)를 측정하여 측정되는 입력 반사 계수(Γi)가 기준 인덱스(예: 인덱스[0]) 또는 최적의 임피던스(예: 약 50Ω)에 가까운 값을 기준 접지 코드로 설정할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 기준 접지 코드에 대해 특정 사용 상황(예: 이어잭 삽입, 손에 파지, 케이스 장착)에서 기준 튜닝 코드를 적용하고, 측정되는 입력 반사 계수(Γi)와 가장 가까운 인덱스를 정하여 각 특정 사용 상황에 대한 최적의 접지 코드를 확인하고 해당 인덱스에 대응하여 룩업 테이블에 저장할 수 있다. 예를 들면, 특정 사용 상황에서 튜닝 코드를 기준 튜닝 코드로 설정하고, 접지 코드를 변화시켜 가면서 입력 반사 계수(Γi)를 측정하여, 입력 반사 계수(Γi)가 기준 인덱스 또는 최적의 임피던스에 가까운 값을 최적의 접지 코드로 확인할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 프로세서는 인덱스들을 임피던스 도표(예: 스미스 차트)로 표현할 수 있다. 임피던스 도표는 룩업 테이블 형태로 저장될 수 있다. 예를 들면, 프로세서는 임피던스 도표 상에서 인덱스들 중 현재 출력 반사 계수와 인접한 인덱스를 결정하고, 결정된 인덱스에 따라 룩업 테이블을 참조하여 현재 출력 반사 계수를 최적의 임피던스로 변경하도록 인덱스에 저장된 접지 코드를 선택하여 현재 출력 반사 계수를 변경할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))는 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240)), 상기 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 연결된 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(예: 도 2a의 안테나 튜닝 회로(230))를 포함하는 무선 주파수(radio frequency: RF) 회로(예: 도 2의 RF 회로(250)), 및 상기 RF 회로(예: 도 2의 RF 회로(250))와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는, 설정된 송신 전력의 최대값이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인하도록 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는, 상기 설정된 송신 전력의 최대값이 상기 임계 송신 전력 이상임에 기반하여, 제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 상기 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))를 향한 상기 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(예: 도 2a의 안테나 튜닝 회로(230))의 제1 반사 계수 및 제2 반사 계수를 측정하도록 더 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는, 상기 제1 설정 값이 적용된 경우의 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 설정 값이 적용된 경우의 상기 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프(back off)를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인하도록 더 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는, 상기 설정 조건이 만족됨에 기반하여, 상기 설정된 송신 전력의 최대값을 백 오프하도록 더 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 설정 조건은, 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수의 중간 값인 제3 반사 계수가 스미스 차트(Smith chart) 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재하는 조건을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값은 상기 스미스 차트 상에서 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수 간의 거리가 제1 설정 거리 이상이 되도록 설정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 설정 조건은, 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수 간의 스미스 차트(Smith chart) 상의 거리가 제2 임계 거리 미만인 조건을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제3 설정 거리 미만이 되도록 설정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는, 상기 제1 반사 계수 또는 상기 제2 반사 계수 중 적어도 하나가 스미스 차트(Smith chart) 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재할 경우, 상기 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 대한 인접 물체가 존재함을 확인하도록 더 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는, 상기 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 대한 인접 물체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 제1 반사 계수 및 상기 제2 반사 계수 각각의 전압 정재파비(voltage standing wave ratio: VSWR)가 임계 VSWR 이상이 되도록 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값을 설정하도록 더 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는, 설정된 시간 주기에 도달하였는지 여부를 확인하도록 더 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는, 상기 설정된 시간 주기에 도달하였음에 기반하여, 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값을 적용하여 상기 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))를 향한 상기 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(예: 도 2a의 안테나 튜닝 회로(230))의 반사 계수들을 측정하도록 더 구성될 수 있다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 동작 방법을 도시한 순서도이다.
도 9를 참조하면, 동작 911에서, 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))(예: 프로세서(예: 도 1 또는 도 2a의 프로세서(120))는 설정된 송신 전력(또는 설정된 송신 전력의 최대값, 또는 설정된 MTPL)이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시 예에서, 임계 송신 전력은, 전자 장치 에서 설정된 송신 전력(또는 설정된 송신 전력의 최대값, 또는 설정된 MTPL)에 의해 예상되는 SAR가 임계값을 초과하지 않도록 설정될 수 있다. 일 실시 예에서, 임계 송신 전력은, 설정 시간 동안 누적된 SAR 값의 총량(또는, 설정 시간 동안 발생된 SAR의 평균 값)에 기반하여, 전자 장치 에서 설정된 송신 전력(또는 설정된 송신 전력의 최대값, 또는 설정된 MTPL)에 의해 예상되는 SAR가 임계값을 초과하지 않도록 설정될 수 있다. 본 개시의 일 실시 예에서는, 임계 송신 전력이 전자 장치 에서 설정된 송신 전력(또는 설정된 송신 전력의 최대값, 또는 설정된 MTPL)에 의해 예상되는 SAR가 임계값을 초과하지 않는 조건, 또는 설정 시간 동안 누적된 SAR 값의 총량(또는, 설정 시간 동안 발생된 SAR의 평균 값)에 기반하여, 전자 장치 에서 설정된 송신 전력(또는 설정된 송신 전력의 최대값, 또는 설정된 MTPL)에 의해 예상되는 SAR가 임계값을 초과하지 않는 조건 중 적어도 하나에 기반하여 임계 송신 전력이 송신되는 경우를 일 예로 설명하지만, 임계 송신 전력은 이런 조건들에 기반하여 결정되는 것으로만 제한되는 것은 아니며, 전자 장치의 필요에 따라 다양한 파라미터들에 기반하여 결정될 수 있다.
동작 911에서 확인 결과, 설정된 송신 전력(또는 설정된 송신 전력의 최대값, 또는 설정된 MTPL)이 임계 송신 전력 이상일 경우(동작 911-예), 전자 장치는, 동작 913에서, 제1 설정 값(예: 제1 바이패스 코드) 및 제2 설정 값(예: 제2 바이패스 코드)을 적용하여 전자 장치의 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))를 향한 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(예: 도 2a 안테나 튜닝 회로(230))의 반사 계수들을 측정할 수 있다.
제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 반사 계수들을 측정한 전자 장치는, 동작 915에서, 제1 설정 값이 적용된 경우의 제1 반사 계수와 제2 설정 값이 적용된 경우의 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 설정 조건은 제1 반사 계수와 제2 반사 계수의 중간 값인 제3 반사 계수가 스미스 차트 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재하는 조건을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 반사 계수와 제2 반사 계수 간의 스미스 차트 상의 거리가 제2 임계 거리 미만인 조건을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 설정 값 및 제2 설정 값은 스미스 차트 상에서 제1 반사 계수와 제2 반사 계수 간의 거리가 제1 설정 거리 이상이 되도록 설정될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 임계 거리는 스미스 차트 상에서 제3 설정 거리 미만이 되도록 설정될 수 있다.
동작 915에서 확인 결과, 설정 조건이 만족될 경우(동작 915-예), 전자 장치는, 동작 917에서, 설정된 송신 전력(또는 설정된 송신 전력의 최대값, 또는 설정된 MTPL)을 백 오프할 수 있다.
동작 915에서 확인 결과, 설정 조건이 만족되지 않을 경우(동작 915-아니오), 전자 장치는 동작 911로 되돌아갈 수 있다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치가 반사 계수를 측정하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))는 설정된 시간 주기(time period)(예: 1000ms)에 기반하여 반사 계수 측정 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 반사 계수 측정 동작을 수행하는 시간 주기는 다양한 파라미터들에 기반하여 변경될 수 있으며, 어느 한 값으로 제한되는 것은 아닐 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 복수 개(예: 2개)의 설정 값들(예: 바이패스 코드들)에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있고, 따라서 설정된 시간 주기 마다 2개의 바이패스 코드들 각각에 상응하는 반사 계수 측정 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 바이패스 코드는 튜닝 코드 및 접지 코드를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 하나의 시간 주기 내에서 먼저 2개의 바이패스 코드들 중 제1 바이패스 코드를 적용하고(1011), 다음으로 2개의 바이패스 코드들 중 제2 바이패스 코드를 적용할 수 있다(1013). 제1 바이패스 코드를 적용하는 시점과 제2 바이패스 코드를 적용하는 시점 간의 시간 간격이 미리 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 바이패스 코드를 적용하는 시점과 제2 바이패스 코드를 적용하는 시점 간의 시간 간격은 100ms일 수 있다.
제1 바이패스 코드 및 제2 바이패스 코드를 적용한 후(1011, 1013), 제1 바이패스를 적용할 경우의 입력 반사 계수(Γi)를 측정하고(1015, 1019), 제2 바이패스 코드를 적용할 경우의 입력 반사 계수(Γi)를 측정할 수 있다(1017, 1021). 일 실시 예에 따르면, 제1 바이패스를 적용할 경우의 입력 반사 계수(Γi) 및 제2 바이패스 코드를 적용할 경우의 입력 반사 계수(Γi) 각각은 이동 평균(moving average) 방식으로 검출될 수 있다.
도 11은 일 실시 예에 따른 자유 공간 상태와 0mm 상태에 따른 반사 계수의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 참조하면, 자유 공간 상태는 송신 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 대한 인접 물체가 존재하지 않는 상태(예: 도 5의 자유 공간 상태(500))를 나타낼 수 있고, 0mm 상태는 인접 물체가 송신 안테나 전체에 접촉하는 상태(예: 도 5의 0mm 상태(510))를 나타낼 수 있다.
도 11에 도시되어 있는 바와 같이, 자유 공간 상태에서 디폴트(default) 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수(예: 입력 반사 계수(Γi))의 진폭 성분(예: I 성분) 대비 0mm 상태에서 디폴트 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수의 진폭 성분 대비 작아짐을 알 수 있다. 도 11에서는, 자유 공간 상태에서 디폴트 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수가 "FREE_IQ by Default-Code"로 마킹되어 있고, 0mm 상태에서 디폴트 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수가 "0mm_IQ by Default-Code"로 마킹되어 있다.
일 실시 예에 따르면, 자유 공간 상태에서 디폴트 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수의 진폭 성분 대비 0mm 상태에서 디폴트 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수의 진폭 성분 대비 작아지는 특성은 송신 안테나에 대한 인접 물체의 존재 유무를 확인하는 기준으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 디폴트 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수의 진폭 성분이 증가할 수록 송신 안테나로 인접 물체가 접근하고 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 송신 안테나에 대해 물체가 접근할 경우 커플러(예: 도 2b 또는 도 8의 커플러(271))의 RVS의 진폭 성분이 작아질 수 있으며, 반사 계수의 에스 파라미터 S11의 절대값(|S11|) 역시 작아질 수 있다.
자유 공간 상태에서 디폴트 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수의 진폭 성분 대비 0mm 상태에서 디폴트 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수의 진폭 성분 대비 작아지는 특성에 기반하여, 측정되는 반사 계수가 스미스 차트의 원점 (0,0)으로부터 제1 임계 거리(예: Threshold_A) 이하에 존재할 경우 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 측정되는 반사 계수가 스미스 차트의 원점 (0,0)으로부터 제1 임계 거리 이하에 존재한 다는 것은 송신 안테나에 대한 인접 물체가 존재하는 것을 의미할 수 있고, 송신 안테나에 대한 인접 물체가 존재할 경우 송신 전력에 의하여 예상되는 SAR가 임계 값을 초과할 것으로 예상될 수 있다. 이렇게, 송신 전력에 의하여 예상되는 SAR가 임계 값을 초과할 것으로 예상될 경우, 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8)는 송신 전력(또는, MTPL)을 백 오프할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 임계 거리는 다양한 파라미터들에 기반하여 설정될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 임계 거리가 짧아질 수록 인식 거리가 짧아질 수 있다. 이와는 반대로, 제1 임계 거리가 길어질 수록 인식 거리가 길어질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인식 거리는 송신 안테나와 인접 물체간의 인식 가능한 거리를 포함할 수 있다.
도 3에서 설명한 바와 같이, 시료들 간에는 자유 공간 상태에서 측정되는 반사 계수들에 대한 편차가 존재할 수 있다. 이렇게, 시료들 간의 반사 계수들에 대해 별도의 캘리브레이션 동작(예: 제조 공정 단계에서의 캘리브레이션 동작)을 수행하지 않을 지라도, 일 실시 예에서는 측정되는 반사 계수의 진폭 성분에 기반하여 인식 거리에 대한 변별력(discrimination)을 증가시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 자유 공간 상태에서 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수가 임계 전압 정재파비(voltage standing wave ratio: VSWR) 이상의 VSWR을 가지도록(또는 임계 리턴 손실(return loss) 미만의 리턴 손실을 가지도록) 설정하여 인식 거리에 대한 변별력을 증가시킬 수 있다. 도 11에서는 인식 거리에 대한 변별력을 증가시키기 위해 디폴트 바이패스 코드에 비해 그 반사 계수가 임계 VSWR 이상의 VSWR을 가지도록(또는 임계 리턴 손실 미만의 리턴 손실을 가지도록) 설정된 바이패스 코드를 "바이패스 코드"로 칭함에 유의하여야만 할 것이다. 도 11에서는, 자유 공간 상태에서 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수가 "FREE_IQ' by Bypass-Code"로 마킹되어 있고, 0mm 상태에서 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수가 "0mm_IQ' by Bypass-Code"로 마킹되어 있다. 도 11에서는, 일 예로, 디폴트 바이패스 코드에 대해서는 2:1의 VSWR이 적용되고, 바이패스 코드에 대해서는 3.5:1의 VSWR이 적용될 수 있다.
이렇게, 자유 공간 상태에서 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수가 임계 VSWR 이상의 VSWR을 가지도록(또는 임계 리턴 손실 미만의 리턴 손실을 가지도록) 설정할 경우, 인접 물체로 인한 반사 계수의 진폭 성분의 변동폭이 증가될 수 있으며, 따라서 인식 거리에 대한 변별력이 증가될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 자유 공간 상태에서 바이패스 코드를 적용하여 측정되는 반사 계수가 커플러의 RVS 전력이 임계 RVS 전력 이상이 되도록 설정할 경우, 인접 물체로 인한 반사 계수의 진폭 성분의 변동폭이 증가될 수 있으며, 따라서 인식 거리에 대한 변별력이 증가될 수 있다. 인식 거리에 대한 변별력이 증가됨에 따라, 전자 장치는 측정되는 반사 계수가 스미스 차트의 원점 (0,0)으로부터 제2 임계 거리(예: Threshold_A') 이하에 존재할 경우 백 오프 동작을 수행할 수 있다.
전자 장치는 바이패스 코드를 조정하여 반사 계수를 조정함으로써 증가된 인식 거리를 획득할 수 있고, 증가된 인식 거리는 송신 안테나에 대한 인접 물체의 접근으로 인한 백 오프 동작의 정확성을 증가시킬 수 있다.
도 12는 일 실시 예에 따른 반사 계수에 따른 인식 거리의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 12를 참조하면, 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))는 2개의 바이패스 코드들(예: 제1 바이패스 코드, 제2 바이패스 코드)을 적용하여 측정되는 반사 계수(예: 입력 반사 계수(Γi))들에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있다.
도 12에는 자유 상태에서 제1 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수가 "Gamma-1st"로 마킹되어 있고, 자유 상태에서 제2 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수가 "Gamma-2nd"로 마킹되어 있다.
자유 상태가 아닌, 송신 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 대한 인접 물체가 존재하는 상태에서, 제1 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수 및 제2 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수는 각각 "Gamma-1'st" 및 "Gamma-2'nd"로 마킹되어 있다. 송신 안테나에 대한 인접 물체가 존재하는 상태에서 측정된 반사 계수들인 "Gamma-1'st" 및 "Gamma-2'nd" 각각은 그 에스 파라미터 S11의 절대값(|S11|)이 감소됨을 알 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 "Gamma-1st"와 "Gamma-2nd" 간의 거리가 임계 거리 이상이 되도록(예를 들어, "Gamma-1st"와 "Gamma-2nd" 간의 거리가 최대 거리가 되도록) 제1 바이패스 코드 및 제2 바이패스 코드를 설정할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 측정되는 반사 계수가 스미스 차트의 원점 (0,0)으로부터 제1 임계 거리(예: Threshold_A) 이하에 존재할 경우 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 측정되는 반사 계수가 스미스 차트의 원점 (0,0)으로부터 제1 임계 거리 이하에 존재할 경우, 송신 전력(또는 MTPL)에 대한 백 오프를 수행할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 2개의 바이패스 코드들에 의해 측정되는 반사 계수들의 중간 값에 상응하는 반사 계수가 스미스 차트의 원점 (0,0)으로부터 제1 임계 거리 이하에 존재할 경우, 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 도 12에서, 2개의 바이패스 코드들에 의해 측정되는 반사 계수들의 중간 값에 상응하는 반사 계수는 "Gamma-mid" 또는 "Gamma-mid'"로 마킹되어 있다. "Gamma-mid"는 자유 상태에서 측정된 "Gamma-1st"와 "Gamma-2nd"의 중간 값이고, "Gamma-mid'"는 송신 안테나에 대한 인접 물체가 존재하는 상태에서 측정된 "Gamma-1'st"와 "Gamma-2'nd"의 중간 값일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 시료들 간에는 자유 공간 상태에서 측정되는 반사 계수들의 진폭 성분들에 대한 편차가 존재할 수 있다. 일 실시 예에서는, 시료들 간의 반사 계수들의 진폭 성분들에 대한 편차를 고려하여 제1 임계 거리를 설정 거리(예: 제2 설정 거리) 미만으로(예를 들어, 최대한 짧게) 설정할 수 있다.
도 13은 일 실시 예에 따른 반사 계수에 기반하는 백 오프 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 13을 참조하면, 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))는 2개의 바이패스 코드들(예: 제1 바이패스 코드, 제2 바이패스 코드)을 적용하여 측정되는 반사 계수(예: 입력 반사 계수(Γi))들에 기반하여 백 오프 동작을 수행할 수 있다.
도 13에는 자유 상태에서 제1 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수가 "Gamma-1st"로 마킹되어 있고, 자유 상태에서 제2 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수가 "Gamma-2nd"로 마킹되어 있다.
자유 상태가 아닌, 송신 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 대한 인접 물체가 존재하는 상태에서, 제1 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수 및 제2 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수는 각각 "Gamma-1'st" 및 "Gamma-2'nd"로 마킹되어 있다. 송신 안테나에 대한 인접 물체가 존재하는 상태에서 측정된 반사 계수들인 "Gamma-1'st" 및 "Gamma-2'nd" 각각은 그 에스 파라미터 S11의 절대값(|S11|)이 감소됨을 알 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 2개의 바이패스 코드들에 의해 측정되는 반사 계수들 사이의 거리가 제2 임계 거리(예: Threshold_B) 이하일 경우 백 오프 동작을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 2개의 바이패스 코드들에 의해 측정되는 반사 계수들 사이의 거리에 기반하여 백 오프 동작을 수행하므로, 도 3에서 설명한 바와 같은, 시료들 간에는 자유 공간 상태에서 측정되는 반사 계수들에 대한 편차, 또는 도 4에서 설명한 바와 같은, 온도에 따른 편차를 보상할 필요가 없다.
일 실시 예에 따르면, 시료들 간에는 자유 공간 상태에서 측정되는 반사 계수들의 진폭 성분들에 대한 편차가 존재할 수 있다. 일 실시 예에서는, 시료들 간의 반사 계수들의 진폭 성분들에 대한 편차를 고려하여 제2 임계 거리를 설정 거리(예: 제3 설정 거리) 미만으로(예를 들어, 최대한 짧게) 설정할 수 있다.
도 14는 일 실시 예에 따른 송신 안테나에 대한 부분 접촉에 따른 반사 계수를 설명하기 위한 도면이다.
도 14를 설명하면, 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))의 송신 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 대한 부분 접촉이 발생할 경우(예를 들어, 송신 안테나 분절 접촉이 발생할 경우)(1400), 반사 계수의 진폭 성분(예: I 성분)의 변화 양은 제1 임계 변화 양 미만이고, 반사 계수의 위상 성분(예: Q 성분)의 변화 양은 제2 임계 변화 양 이상일 수 있다. 이 경우, 송신 안테나에 대한 에스 파라미터 S11의 특성이 변화될 수 있고, 이로 인해 제1 바이패스 코드가 적용될 경우의 제1 반사 계수와 제2 바이패스 코드가 적용될 경우의 제2 반사 계수 간의 스미트 차트 상의 거리가 짧아질 수 있다(1410).
도 14에는 자유 상태에서 제1 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수가 "Gamma-1st"로 마킹되어 있고, 자유 상태에서 제2 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수가 "Gamma-2nd"로 마킹되어 있다.
자유 상태가 아닌, 송신 안테나에 대한 부분 접속이 발생하는 상태에서, 제1 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수 및 제2 바이패스 코드가 적용됨에 따라 측정되는 반사 계수는 각각 "Gamma-1'st" 및 "Gamma-2'nd"로 마킹되어 있다. 송신 안테나에 대한 부분 접촉이 발생한 상태에서 측정된 반사 계수들인 "Gamma-1'st" 및 "Gamma-2'nd" 각각은 그 에스 파라미터 S11의 절대값(|S11|)이 감소됨을 알 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 2개의 바이패스 코드들에 의해 측정되는 반사 계수들 사이의 거리가 제2 임계 거리(예: Threshold_B) 이하일 경우 백 오프 동작을 수행할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치는 2개의 바이패스 코드들에 의해 측정되는 반사 계수들 사이의 거리에 기반하여 백 오프 동작을 수행하므로, 도 3에서 설명한 바와 같은, 시료들 간에는 자유 공간 상태에서 측정되는 반사 계수들에 대한 편차, 또는 도 4에서 설명한 바와 같은, 온도에 따른 편차를 보상할 필요가 없다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))의 동작 방법은, 설정된 송신 전력의 최대값이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인하는 동작(911)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 설정된 송신 전력의 최대값이 상기 임계 송신 전력 이상임에 기반하여, 제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 상기 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))의 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))를 향한 상기 전자 장치(예: 도 1, 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 전자 장치(101))에 포함되는 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(예: 도 2a의 안테나 튜닝 회로(230))의 제1 반사 계수 및 제2 반사 계수를 측정하는 동작(913)을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 제1 설정 값이 적용된 경우의 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 설정 값이 적용된 경우의 상기 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프(back off)를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인하는 동작(915)을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 설정 조건이 만족됨에 기반하여, 상기 설정된 송신 전력의 최대값을 백 오프하는 동작(917)을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수의 중간 값인 제3 반사 계수가 스미스 차트(Smith chart) 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재하는 조건을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값은 상기 스미스 차트 상에서 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수 간의 거리가 제1 설정 거리 이상이 되도록 설정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 설정 조건은, 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수 간의 스미스 차트(Smith chart) 상의 거리가 제2 임계 거리 미만인 조건을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제3 설정 거리 미만이 되도록 설정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 제1 반사 계수 또는 상기 제2 반사 계수 중 적어도 하나가 스미스 차트(Smith chart) 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재할 경우, 상기 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 대한 인접 물체가 존재함을 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))에 대한 인접 물체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 제1 반사 계수 및 상기 제2 반사 계수 각각의 전압 정재파비(voltage standing wave ratio: VSWR)가 임계 VSWR 이상이 되도록 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값을 설정하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 설정된 시간 주기에 도달하였는지 여부를 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 동작 방법은, 상기 설정된 시간 주기에 도달하였음에 기반하여, 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값을 적용하여 상기 적어도 하나의 안테나(예: 도 2a, 도 2b, 또는 도 8의 안테나(240))를 향한 상기 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(예: 도 2a의 안테나 튜닝 회로(230))의 반사 계수들을 측정하는 동작을 더 포함할 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치(101)에 있어서,
    적어도 하나의 안테나(240);
    상기 적어도 하나의 안테나에 연결된 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(230)를 포함하는 무선 주파수(radio frequency: RF) 회로(250); 및
    상기 RF 회로와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서(120)를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 프로세서는:
    설정된 송신 전력의 최대값이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인하고,
    상기 설정된 송신 전력의 최대값이 상기 임계 송신 전력 이상임에 기반하여, 제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 상기 적어도 하나의 안테나를 향한 상기 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로의 제1 반사 계수 및 제2 반사 계수를 측정하고,
    상기 제1 설정 값이 적용된 경우의 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 설정 값이 적용된 경우의 상기 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프(back off)를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인하고, 및
    상기 설정 조건이 만족됨에 기반하여, 상기 설정된 송신 전력의 최대값을 백 오프하도록 구성되는 상기 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 설정 조건은:
    상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수의 중간 값인 제3 반사 계수가 스미스 차트(Smith chart) 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재하는 조건을 포함하는 상기 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값은 상기 스미스 차트 상에서 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수 간의 거리가 제1 설정 거리 이상이 되도록 설정되는 상기 전자 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정되는 상기 전자 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 설정 조건은:
    상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수 간의 스미스 차트(Smith chart) 상의 거리가 제2 임계 거리 미만인 조건을 포함하는 상기 전자 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제3 설정 거리 미만이 되도록 설정되는 상기 전자 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는:
    상기 제1 반사 계수 또는 상기 제2 반사 계수 중 적어도 하나가 스미스 차트(Smith chart) 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재할 경우, 상기 적어도 하나의 안테나에 대한 인접 물체가 존재함을 확인하도록 더 구성되는 상기 전자 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정되는 상기 전자 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는:
    상기 적어도 하나의 안테나에 대한 인접 물체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 제1 반사 계수 및 상기 제2 반사 계수 각각의 전압 정재파비(voltage standing wave ratio: VSWR)가 임계 VSWR 이상이 되도록 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값을 설정하도록 더 구성되는 상기 전자 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는:
    설정된 시간 주기에 도달하였는지 여부를 확인하고, 및
    상기 설정된 시간 주기에 도달하였음에 기반하여, 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값을 적용하여 상기 적어도 하나의 안테나를 향한 상기 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로의 반사 계수들을 측정하도록 더 구성되는 상기 전자 장치.
  11. 전자 장치(101)의 동작 방법에 있어서,
    설정된 송신 전력의 최대값이 임계 송신 전력 이상인지 여부를 확인하는 동작(911);
    상기 설정된 송신 전력의 최대값이 상기 임계 송신 전력 이상임에 기반하여, 제1 설정 값 및 제2 설정 값을 적용하여 상기 전자 장치의 적어도 하나의 안테나(240)를 향한 상기 전자 장치에 포함되는 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로(230)의 제1 반사 계수 및 제2 반사 계수를 측정하는 동작(913);
    상기 제1 설정 값이 적용된 경우의 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 설정 값이 적용된 경우의 상기 제2 반사 계수에 기반하여, 백 오프(back off)를 위한 설정 조건이 만족되는지 여부를 확인하는 동작(915); 및,
    상기 설정 조건이 만족됨에 기반하여, 상기 설정된 송신 전력의 최대값을 백 오프하는 동작(917)을 포함하는 상기 동작 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 설정 조건은:
    상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수의 중간 값인 제3 반사 계수가 스미스 차트(Smith chart) 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재하는 조건을 포함하는 상기 동작 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값은 상기 스미스 차트 상에서 상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수 간의 거리가 제1 설정 거리 이상이 되도록 설정되는 상기 동작 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정되는 상기 동작 방법.
  15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 설정 조건은:
    상기 제1 반사 계수와 상기 제2 반사 계수 간의 스미스 차트(Smith chart) 상의 거리가 제2 임계 거리 미만인 조건을 포함하는 상기 동작 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제3 설정 거리 미만이 되도록 설정되는 상기 동작 방법.
  17. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반사 계수 또는 상기 제2 반사 계수 중 적어도 하나가 스미스 차트(Smith chart) 상의 원점으로부터 제1 임계 거리 미만의 거리에 존재할 경우, 상기 적어도 하나의 안테나에 대한 인접 물체가 존재함을 확인하는 동작을 더 포함하는 상기 동작 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 임계 거리는 상기 스미스 차트 상에서 제2 설정 거리 미만이 되도록 설정되는 상기 동작 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 안테나에 대한 인접 물체가 존재하지 않는 상태에서, 상기 제1 반사 계수 및 상기 제2 반사 계수 각각의 전압 정재파비(voltage standing wave ratio: VSWR)가 임계 VSWR 이상이 되도록 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값을 설정하는 동작을 더 포함하는 상기 동작 방법.
  20. 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    설정된 시간 주기에 도달하였는지 여부를 확인하는 동작; 및
    상기 설정된 시간 주기에 도달하였음에 기반하여, 상기 제1 설정 값 및 상기 제2 설정 값을 적용하여 상기 적어도 하나의 안테나를 향한 상기 적어도 하나의 안테나 튜닝 회로의 반사 계수들을 측정하는 동작을 더 포함하는 상기 동작 방법.

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