KR20220075406A - 포토마스크 검사에서 초점 맵 생성을 위한 광대역 광 간섭법 - Google Patents
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Abstract
광대역 광 간섭법을 사용하여 포토마스크의 표면 상의 높이를 측정한다. 이러한 높이는 포토마스크의 패터닝된 구역의 높이를 포함한다. 포토마스크의 표면 상에서 측정된 높이로부터 초점 맵을 생성한다. 초점 맵을 생성하기 위해서는 패터닝된 구역에 대한 충전 계수에 기반하여 패터닝된 구역에 대해 측정된 높이를 조정한다. 초점 맵을 사용하여 포토마스크의 결함을 검사한다.
Description
본 출원은 2019년 10월 11일자로 출원된 미국 임시 특허 출원 번호 제62/914,350호에 대한 우선권을 주장하며, 이 미국 출원은 그 전체가 모든 목적을 위해 참고로 포함된다.
본 개시 내용은 포토마스크(즉, 레티클) 검사에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토마스크 검사를 위한 초점 매핑에 관한 것이다.
포토마스크 검사 중에 포토마스크와 이미징 광학계 사이의 초점 거리를 제어하는 것은 결함 검사 감도와 반복성을 위해 중요하다. 초점 거리 제어는 극자외선(EUV) 포토마스크 검사에 특히 중요하다. 또한, 서로 다른 결함은 서로 다른 스루 포커스(through-focus) 거동을 나타낼 수 있다.
초점 변동을 제어하기 위해, 검사 전에 포토마스크의 형상이 매핑된다. 초점 매핑이라고 지칭되는 이러한 프로세스는 초점 거리를 제어하기 위해 검사 중에 따라야 하는 궤적을 제공하는 초점 맵을 생성한다. 예를 들어, 서보 제어 시스템(servo control system)은 이미징 광학계가 검사 중에 궤적을 따르도록 조정하는 데 사용될 수 있다.
그러나, 최신 포토마스크(예컨대, EUV 포토마스크)의 초점 매핑은 심각한 문제를 야기한다. 기존의 초점 매핑 프로세스는 포토마스크 상의 패터닝되지 않은 구역에서의 후보 위치를 사용했다. 최신 포토마스크 상의 작은 패턴 피처와 높은 패턴 밀도로 인해, 패터닝되지 않은 적절한 후보 위치를 찾기가 어렵다. 또한 높은 패턴 밀도와 연관된 3차원 전자기 효과로 인해, 포토마스크 상의 패터닝된 구역에 대해 측정된 초점 오프셋이 정확하지 않아, 부정확한 초점 맵과 궤적을 발생시킨다.
따라서, 정확하고 신속한 초점 매핑 기법이 필요하다.
일부 실시예에서, 방법은 광대역 광 간섭법(broadband light interferometry)을 사용하여 포토마스크의 표면 상의 높이를 측정하는 단계를 포함한다. 이러한 높이는 포토마스크의 패터닝된 구역의 높이를 포함한다. 방법은 또한 포토마스크의 표면 상에서 측정된 높이로부터 초점 맵을 생성하는 단계를 포함한다. 초점 맵을 생성하는 단계는 패터닝된 구역에 대한 충전 계수(fill factor)에 기반하여 패터닝된 구역에 대해 측정된 높이를 조정하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 초점 맵을 사용하여 포토마스크의 결함을 검사하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예에서, 포토마스크 검사 시스템은 광대역 광 간섭계, 포토마스크 검사 광학계, 하나 이상의 프로세서, 및 하나 이상의 프로세서에 의한 실행을 위한 하나 이상의 프로그램을 저장하는 메모리를 포함한다. 하나 이상의 프로그램은 광대역 광 간섭계를 사용하여 포토마스크의 표면 상의 높이를 측정하기 위한 인스트럭션을 포함한다. 이러한 높이는 포토마스크의 패터닝된 구역의 높이를 포함한다. 하나 이상의 프로그램은 또한 포토마스크의 표면 상에서 측정된 높이로부터 초점 맵을 생성하기 위한 인스트럭션을 포함한다. 초점 맵을 생성하기 위한 인스트럭션은 패터닝된 구역에 대한 충전 계수에 기반하여 패터닝된 구역에 대해 측정된 높이를 조정하기 위한 인스트럭션을 포함한다. 하나 이상의 프로그램은 초점 맵을 사용하여 포토마스크 검사 광학계로 포토마스크의 결함을 검사하기 위한 인스트럭션을 더 포함한다.
일부 실시예에서, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체는 광대역 광 간섭계 및 포토마스크 검사 광학계를 더 포함하는 포토마스크 검사 시스템의 하나 이상의 프로세서에 의한 실행을 위한 하나 이상의 프로그램을 저장한다. 하나 이상의 프로그램은 광대역 광 간섭법을 사용하여 포토마스크의 표면 상의 높이를 측정하기 위한 인스트럭션을 포함한다. 이러한 높이는 포토마스크의 패터닝된 구역의 높이를 포함한다. 하나 이상의 프로그램은 또한 포토마스크의 표면 상에서 측정된 높이로부터 초점 맵을 생성하기 위한 인스트럭션을 포함한다. 초점 맵을 생성하기 위한 인스트럭션은 패터닝된 구역에 대한 충전 계수에 기반하여 패터닝된 구역에 대해 측정된 높이를 조정하기 위한 인스트럭션을 포함한다. 하나 이상의 프로그램은 초점 맵을 사용하여 포토마스크 검사 광학계로 포토마스크의 결함을 검사하기 위한 인스트럭션을 더 포함한다.
설명된 다양한 구현예에 대한 더 나은 이해를 위해, 다음의 도면과 함께 아래의 상세한 설명을 참조해야 한다.
도 1은 일부 실시예에 따라 포토마스크의 표면 상의 각각의 구역의 높이를 결정하기 위해 포토마스크를 이미징하는 데 사용되는 광대역 광 간섭계를 도시한 것이다.
도 2는 포토마스크의 표면 상의 패터닝된 구역의 측단면도이다.
도 3은 일부 실시예에 따라 광대역 광 간섭계로부터의 광 스폿에 의해 조명된, 포토마스크의 표면 상의 패턴의 평면도이다.
도 4는 포토마스크의 표면 상의 다층 재료 및 흡수체 재료에 대해 측정된 반사율 분산 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 5는 일부 실시예에 따라 계산된 높이 보정 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 6a는 일부 실시예에 따라 포토마스크의 높이 이미지의 평면도 및 포토마스크의 단면 프로파일의 높이를 나타내는 해당 곡선을 도시한 것이다.
도 6b는 일부 실시예에 따라 포토마스크의 패터닝된 구역의 단면에 대한 초점 맵 궤적과 함께, 도 6a의 높이 이미지 평면도 및 해당 단면 프로파일 곡선을 도시한 것이다.
도 7은 일부 실시예에 따라 서로 다른 파장 대역에 대한 평균 반사율 진폭 대 충전 계수의 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 8은 일부 실시예에 따라 포토마스크를 검사하기 위한 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 9는 일부 실시예에 따른 포토마스크 검사 시스템의 블록도이다.
도면 및 명세서 전체에 걸쳐 유사한 참조 부호는 대응하는 부분을 지칭한다.
도 1은 일부 실시예에 따라 포토마스크의 표면 상의 각각의 구역의 높이를 결정하기 위해 포토마스크를 이미징하는 데 사용되는 광대역 광 간섭계를 도시한 것이다.
도 2는 포토마스크의 표면 상의 패터닝된 구역의 측단면도이다.
도 3은 일부 실시예에 따라 광대역 광 간섭계로부터의 광 스폿에 의해 조명된, 포토마스크의 표면 상의 패턴의 평면도이다.
도 4는 포토마스크의 표면 상의 다층 재료 및 흡수체 재료에 대해 측정된 반사율 분산 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 5는 일부 실시예에 따라 계산된 높이 보정 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 6a는 일부 실시예에 따라 포토마스크의 높이 이미지의 평면도 및 포토마스크의 단면 프로파일의 높이를 나타내는 해당 곡선을 도시한 것이다.
도 6b는 일부 실시예에 따라 포토마스크의 패터닝된 구역의 단면에 대한 초점 맵 궤적과 함께, 도 6a의 높이 이미지 평면도 및 해당 단면 프로파일 곡선을 도시한 것이다.
도 7은 일부 실시예에 따라 서로 다른 파장 대역에 대한 평균 반사율 진폭 대 충전 계수의 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 8은 일부 실시예에 따라 포토마스크를 검사하기 위한 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 9는 일부 실시예에 따른 포토마스크 검사 시스템의 블록도이다.
도면 및 명세서 전체에 걸쳐 유사한 참조 부호는 대응하는 부분을 지칭한다.
이제 다양한 실시예에 대해 상세한 참조가 행해질 것이며, 그 예가 첨부 도면에 도시되어 있다. 이하의 상세한 설명에서는, 설명된 다양한 실시예의 완벽한 이해를 제공하기 위해 다양한 특정 세부 사항이 제시되고 있다. 그러나, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게는 이들 특정 세부 사항 없이도 설명된 다양한 실시예가 실시될 수 있음이 명백할 것이다. 다른 경우에서는, 널리 공지된 방법, 절차, 컴포넌트, 회로, 및 네트워크는 실시예의 양태를 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지는 않았다.
도 1은 일부 실시예에 따라 포토마스크(120)의 표면 상의 각각의 구역의 높이를 결정하기 위해 포토마스크(120)를 이미징하는 데(즉, 포토마스크(120)를 위한 인터페로그램을 생성하는 데) 사용되는 광대역 광 간섭계(100)를 도시한 것이다. 포토마스크(120)의 패터닝 및 휘어짐(bowing)으로 인해 포토마스크(120)의 표면 상의 서로 다른 구역은 서로 다른 높이를 갖게 된다. 광대역 광 간섭계(100)는 낮은 개구수(NA)를 갖는다. 예를 들어, 광대역 광 간섭계(100)에 대한 NA는 0.15 미만이다(예컨대, 0.10 또는 0.075와 동일하다). 광대역 광 간섭계(100)는 미라우 간섭법(Mirau interferometry)을 수행한다. 대안적으로, 다른 타입의 광대역 광 간섭계(예컨대, 마이컬슨(Michelson) 간섭계)가 포토마스크(120)를 이미징하는 데 사용될 수 있다.
광대역 광 간섭계(100)는 광대역 광원(102)을 포함한다. 광대역 광을 사용하면 프린지 널링(fringe-nulling)을 위해 광의 시간적 간섭성은 감소된다. 일부 실시예에서, 광대역 광원(102)은 가시광을 제공한다. 일부 실시예에서, 광대역 광원(102)에 의해 제공되는 광의 파장 대역(예컨대, 색상)은 조정 가능하다. 예를 들어, 광대역 광원(102) 내의 발광 다이오드(LED) 및/또는 필터는 파장 대역을 변경하도록 변경될 수 있다. 다른 예에서, 광대역 광 간섭계(100)는 광학 경로로 다중화될 수 있는 다수의 광대역 광원(102)을 가질 수 있으며, 이들 각각은 서로 다른 파장 대역을 제공한다.
집광 렌즈(104)는 광대역 광원(102)으로부터의 광을 도 1의 예에서 미라우(Mirau) 타입의 대물 렌즈인 대물 렌즈(112) 상으로 포커싱한다. 빔 스플리터(110)는 광대역 광원(102)으로부터의 광을 대물 렌즈(112) 상으로 반사시키기 위해 광학 경로에서의 집광 렌즈(104)와 대물 렌즈(112) 사이에 위치된다. 대물 렌즈(112)는 렌즈(114), 미러(116), 및 빔 스플리터(118)를 차례로 포함한다. 빔 스플리터(118)는 광대역 광원(102)으로부터의 광의 일부로 포토마스크(120)의 표면을 조명하는 한편, 미러(116)와 함께 광대역 광원(102)으로부터의 광의 다른 부분을 반사시킨다. 반사된 부분은 광대역 광간섭계(100)에 대한 기준 광의 역할을 한다. 대물 렌즈(112)는 포토마스크(120)로부터 광을 수집한다. 수집된 광 및 간섭하는 기준 광은 렌즈(114)에 의해 시준되어 빔 스플리터(110)를 통해 튜브 렌즈(108)로 전달되고, 튜브 렌즈(108)는 이들 광을 카메라(106)(예컨대, 디지털 카메라) 상으로 포커싱한다.
카메라(106)에서 생성되는 이미지(즉, 인터페로그램)는 포토마스크로부터 수집된 광과 기준 광 사이의 간섭으로 야기되는 간섭 효과를 포함한다. 간섭 효과는 포토마스크(120) 위의 대물 렌즈(112)의 높이의 함수로서 변화된다. 포토마스크(120) 위의 대물 렌즈(112)의 높이는 조정 가능하다. 예를 들어, 대물 렌즈(112)는 z 축을 따라 상하로 대물 렌즈(112)를 이동시킬 수 있는(즉, z 높이를 조정할 수 있는) z-스캐닝 스테이지(z-scanning stage) 상에 있을 수 있다. z 높이는 또한 z-스캐닝 스테이지를 이용하여 대물 렌즈 아래로 포토마스크를 이동시킴으로써 조정될 수 있다. 포토마스크(120) 위의 서로 다른 높이(즉, z 값)에서 대물 렌즈(112)를 이용하여 포토마스크(120)에 대한 다수의 이미지(즉, 인터페로그램)가 촬영될 수 있으며, 포토마스크(120)의 표면 상의 각 구역의 높이는 인터페로그램 분석(예컨대, 공지된 3단계, 4단계 또는 5단계 인터페로그램 기반 분석 알고리즘)을 사용하여 이미지들을 비교함으로써 결정될 수 있다.
그러나, 포토마스크의 표면 상의 패터닝된 구역에 대해 측정된 높이는 3차원 전자기 효과로 인해 부정확할 수 있으며, 따라서 결함 검사를 위한 초점 맵을 생성하는 데 직접 사용될 수는 없다. 예를 들어, NA=0.10이고 광대역 광원(102)(확장된 공간적 비간섭성 광원임)에 대한 중심 파장이 500㎚라고 가정하면, 광대역 광 간섭계(100)가 분해할 수 있는 최소 피치는 λ/(2*NA)=2.5㎛이다. 이 값은 현대의 딥 서브미크론 반도체 디바이스(deep-submicron semiconductor device)용 포토마스크 상의 패턴에 대한 피치보다 훨씬 높다. 이러한 피치 한계 아래에서, 광대역 광 간섭계(100)는 피처를 분해하지 않고 포토마스크(120)에 대한 조밀한 패턴의 평균 효과를 관찰하며, 그에 따라 포토마스크(120)로부터의 0차 회절광만이 기준 광과 간섭할 것이다. 이러한 효과로 인해, 높이 측정은 부정확하게 된다. 측정된 높이의 오차는 포토마스크(120) 상의 패터닝된 구역에 대한 충전 계수(예컨대, 흡수체 재료(204)(도 2)에 의해 피복되지 않은 구역 백분율로 정의됨)의 함수로서 변화된다. 이하의 논의에서는 부정확한 높이 측정에 적용할 보정치를 결정하여, 결함 검사의 초점 맵에 사용될 수 있는 높이 값을 생성하는 기법을 설명한다. 이들 보정치는 충전 계수에 기반하여 결정될 수 있다. 일부 실시예에서, 초점 맵에 대해 생성된 높이 값은 실질적으로 패턴 독립적이며, 즉, 패턴의 세부 사항이 아닌 충전 계수 보정치에 의존하고 있다.
도 2는 포토마스크(120)의 표면 상의 패터닝된 구역(200)의 측단면도이다. 패터닝된 구역(200)의 일부는 자외선 광(예컨대, 극자외선 광)을 흡수하는 흡수체 재료(Ab)(204)에 의해 피복된다. 흡수체 재료(204)는 다층 재료(ML)(202) 위에 배치된다. 패터닝된 구역(200)의 나머지는, 다층 재료(202)가 노출되도록 흡수체 재료(204)에 의해 피복되지 않는다. 다층 재료(202)는 광을 (불완전하게) 반사한다.
일부 실시예에서, 포토마스크(120)는 EUV(예컨대, 13.5㎚) 포토리소그래피용이다. 흡수체 재료(204)는 EUV(예컨대, 13.5㎚) 광을 흡수하고, 다층 재료(202)는 EUV(예컨대, 13.5㎚) 광을 부분적으로 반사한다. 다층 재료(202)는 기판(예컨대, 블랭크 포토마스크) 위에 몰리브덴(Mo) 및 실리콘(Si)의 교번 층을 포함하며, 캡핑 층은 Mo 및 Si의 교번 층을 피복한다. 캡핑 층은 루테늄(Ru) 또는 붕소(B)일 수 있다. 인접한 Mo 및 Si 층의 각 쌍은 MoSi 이중 층이라고 지칭된다. Mo 층의 두께는 2.8㎚, Si층의 두께는 4.2㎚, 그리고 캡핑 층의 두께는 2.5㎚일 수 있다. 다층 재료(202) 내의 MoSi 이중 층의 수는 40개 이상, 또는 35개 이상일 수 있다. 흡수체 재료(204)는 탄탈륨 붕소 질화물(TaBN) 층을 포함하며, TaBN 층 위에는 탄탈륨 붕소 산화물(TaBO) 캡핑 층이 배치된다. TaBO 캡핑 층의 두께는 2㎚이다. TaBN 층(310)의 두께는 70 내지 80㎚일 수 있다. 이들은 흡수체 재료 및 흡수체 재료 하부의 재료(즉, 흡수체 재료가 없는 곳에서 노출되는 하부의 재료)의 각각의 예일 뿐이다. 일부 실시예에 따라 다른 흡수체 재료 및/또는 하부의 재료가 또한 사용될 수 있다.
도 3은 일부 실시예에 따라 광대역 광 간섭계(100)(도 1)로부터의 광 스폿(300)에 의해 조명된, 포토마스크(120)의 표면 상의 패턴(300)의 평면도이다. 패턴(300)은 다층 재료(202)가 노출되는 영역 및 흡수체 재료(204)가 다층 재료(202)를 피복하는 영역을 포함한다. 패턴(300)은 주기적이다. 그러나, 본원에 기술된 초점 매핑 기법은 주기적 패터닝을 필요로 하지 않지만, 비주기적(예컨대, 랜덤) 패터닝을 갖는 포토마스크에도 사용될 수 있다.
패터닝된 구역(200)(도 2) 또는 패턴(300)(도 3)의 구역과 같은 패터닝된 구역은 흡수체 재료(204)에 의해 피복되지 않은 구역(200)의 부분과 동일한 충전 계수 a를 갖는다(즉, a는 노출된 다층 재료(202)에 대한 충전 계수이다). 도 2에 도시된 바와 같이, 
는 흡수체 재료(204)에서 반사된 전계이며(흡수체 재료(204)가 완전한 흡수체가 아니므로 
는 0이 아님), 
는 다층 재료(202)(다층 재료(202)는 완전한 반사기가 아님)에서 반사된 전계이다. 패터닝된 구역(200)의 0차 회절광은 다음과 같다:
수학식 3에서, 4π는 포토마스크(120)의 표면에 의해 반사된 광의 이중 통과(double-pass)를 설명하고 있다. 0차 회절광을 조작하면, 다음의 수학식이 획득된다:
여기서, t는 흡수체 재료(204)의 높이(즉, 두께)이고, 
는 다층 재료(202)로부터의 광의 반사와 흡수체 재료(204)로부터의 광의 반사 사이의 급격한 위상 변화 차이이다.
흡수체 재료(204) 및 다층 재료(202)는 적절한 포토리소그래피 파장(예컨대, EUV 포토리소그래피의 경우, 13.5㎚)에서 광을 각각 흡수 및 반사하도록 선택된다. 흡수체 재료(204) 및 다층 재료(202)는 분산성이지만, 그들의 반사율은 파장의 함수로서 변화된다. 도 4는 다층 재료(202) 및 흡수체 재료(204)에 대한 측정된 반사율 분산 곡선(402 및 404)(즉, 반사율 대 파장을 나타내는 곡선)을 나타내는 그래프(400)이다. 도 4의 예에서, 다층 재료(202) 및 흡수체 재료(204)는 13.5㎚ 포토리소그래피용이다. 다층 재료(202)는 전술한 바와 같은 MoSi 이중 층을 포함한다. 흡수체 재료(204)는 전술한 바와 같이, TaBO 캡핑 층을 갖는 TaBN을 포함한다.
도 5는 일부 실시예에 따라 계산된 높이 보정 곡선을 나타내는 그래프(500)이다. 높이 보정 곡선은, 광대역 광 간섭법 대 충전 계수 a(즉, ML(202) 충전 계수)를 사용하여 측정된 포토마스크 높이에 적용될 높이 보정치를 나타낸다. 높이 보정 곡선은 수학식 3 및 4에 따라 계산되고, 다층 재료(202)에 의한 반사 시에, 광의 위상 변화의 함수로서 변화된다. 도 5는 -20°의 위상 변화에 대한 제1 곡선(502), 0도 위상 변화에 대한 제2 곡선(504), 및 +20°의 위상 변화에 대한 제3 곡선(506)을 도시한 것이다. 실제 위상 변화는 (예컨대, 캘리브레이션 포토마스크를 사용하여) 오프라인으로 측정될 수 있고, 실제 위상 변화에 대한 높이 보정 곡선이 그에 따라 계산될 수 있다. 도 5의 예에서, 높이 보정치는 네거티브로 정의되고, 광대역 광 간섭법을 사용하여 측정된 포토마스크 높이로부터 감산되어, 흡수체 재료(204)의 상단 상에 검사 광학계(예컨대, 포토마스크 검사 광학계(934)(도 9))를 포커싱하기 위한 궤적을 제공하는 초점 맵을 제공할 수 있다. 높이 보정치는 대안적으로 포지티브로 정의되고, 측정된 포토마스크 높이에 가산될 수 있다. 또 다른 예에서, 높이 보정치는 측정된 포토마스크 높이에 대해 곱해지거나 나누어지는 보정 계수일 수 있다. 높이 보정치를 적용하게 되면 흡수체 재료(204)의 상단 상에, 다층 재료(202)의 상단 상에(즉, 흡수체 재료(204)의 하단에), 또는 이들 두 표면 사이의 미리 결정된 표면 상에 검사 광학계를 포커싱하기 위한 궤적을 제공하는 초점 맵을 생성할 수 있다.
도 6a는 일부 실시예에 따라 포토마스크(120)의 높이 이미지의 평면도 및 포토마스크(120)의 단면 프로파일(608)의 높이를 나타내는 해당 곡선을 도시한 것이다. 높이 이미지는 (예컨대, 광대역 광 간섭계(100)(도 1)를 사용하여) 광대역 광 간섭법을 수행함으로써 생성되어, 포토마스크(120) 위의 여러 개별 높이(즉, z 위치)에서 대물 렌즈(예컨대, 대물 렌즈(112)(도 1))와의 인터페로그램을 생성하고, 인터페로그램을 분석하여 측정된 높이를 결정한다. 도 6a의 예에서, 포토마스크(120)는 다층 재료(202)가 흡수체 재료(204)에 의해 피복되어 있는 패터닝되지 않은 구역(602), 흡수체 재료(204)가 존재하지 않고 다층 재료(202)가 노출되어 있는 구역(604)(예컨대, 타겟 구역), 및 다층 재료(202)의 일부가 흡수체 재료(202)에 의해 피복되어 있는 패터닝된 구역(606)을 포함한다. 패터닝을 무시하면, 포토마스크(120)에 걸친 높이 변화는 주로 포토마스크(120)의 휘어짐(bowing)에 기인한다. 예를 들어, 패터닝되지 않은 구역(602)의 높이 변화는 주로 휘어짐으로 인한 것이다. 구역(604)의 각 측면의 높이(즉, z 성분)는 흡수체 재료(204)의 높이(즉, 두께)에 대응한다. 패터닝된 구역(606) 내의 높이는 유사하게, 흡수체 재료(204)가 패터닝된 구역(606) 내의 각 지점에 존재하거나 존재하지 않기 때문에, 흡수체 재료(204)의 높이(즉, 두께)와 동일한 양만큼 계단식으로 증가 및 감소되어야 한다. 그러나, 광대역 광 간섭법은 (예컨대, 패터닝 피치가 분해능 한계보다 작기 때문에) 패터닝된 구역(606) 내의 피처를 분해할 수 없다. 결과적으로, 패터닝된 구역(606) 내에서 측정된 높이는 부정확한 중간 값을 포함한다. 따라서 광대역 광 간섭법을 통해 측정된 원시 높이는 초점 매핑에 사용될 수 없다. 높이 보정치(예컨대, 도 5의 높이 보정치)가 원시 높이에 적용되면, 보정된 높이는 초점 매핑에 사용될 수 있다. 도 6b에서, 프로파일(608)에 대해 패터닝된 구역(606)에서의 높이 보정치를 적용하면 초점 맵에서 패터닝된 구역(606)을 통해 프로파일(608)의 단면에 대해 사용될 수 있는 궤적(610)이 생성된다. 초점 맵을 통해 검사 광학계(예컨대, 포토마스크 검사 광학계(934)(도 9))는 결함 검사 동안 흡수체 재료(204)의 상단 상에 포커싱할 수 있다.
높이 보정 곡선(예컨대, 도 5의 곡선 중 하나)으로부터 높이 보정치를 획득하려면, 먼저 각 포토마스크 구역에 대한 충전 계수를 결정한다. (예컨대, 다이-대-데이터베이스 검사를 위한) 일부 실시예에서, 포토마스크에 대한 설계물의 데이터베이스가 이용 가능하고, 충전 계수가 (예컨대, 방법(800)(도 8)의 단계 806에서와 같이) 데이터베이스로부터 결정된다.
(예컨대, 다이-대-다이 검사를 위한) 다른 실시예에서(예컨대, 포토마스크에 대한 설계물의 데이터베이스가 이용 가능하지 않은 경우), 충전 계수는 평균 반사율에 기반하여 결정될 수 있다. 대물 렌즈(또는 포토마스크)에 대한 각 z 위치(즉, z 높이)는 고유한 위상 인덱스 i에 대응한다. 서로 다른 z 위치에서 대물 렌즈를 사용하여 인터페로그램을 측정하는 것은 위상 인덱스 i를 단계별로 실행하는 것에 해당하며, 여기서 인터페로그램 강도는 다음과 같다:
여기서, 
는 관심 샘플(즉, 포토마스크 구역)에 대한 위상(즉, 높이)이고, 계수 a 및 b는 광대역 광 간섭계의 기준 표면 및 샘플(즉, 포토마스크) 표면에서 반사된 광과 관련이 있다. 계수 a 및 b는 인터페로그램의 공지된 분석을 통해 획득될 수 있다. 계수 a 및 b를 획득하면, 기준 표면 반사율 
및 테스팅 표면 반사율 
(즉, 포토마스크 표면의 구역의 반사율인 샘플 표면 반사율)의 비율 
은 공지된 간섭계 분석을 통해 다시 추론된다. 기준 표면 반사율 
은 광대역 광 간섭계의 공지된 속성이고, 이에 따라 테스팅 표면 반사율 
의 진폭(즉, 크기)이 결정된다.
도 7은 일부 실시예에 따라 서로 다른 파장 대역(예컨대, 색상)에 대한 평균 반사율 진폭 대 충전 계수(즉, 다층 재료(202) 충전 계수)의 곡선을 나타내는 그래프(700)이다. 그래프(700)의 곡선은 계산되고 따라서 예측적이다. 곡선은, 흡수체 재료(204)의 반사율에 대한 다층 재료(202)의 반사율의 비율이 1.17(즉, 
)인 제1 파장 대역에 대한 제1 곡선(702)과, 흡수체 재료(204)의 반사율에 대한 다층 재료(202)의 반사율의 비율이 0.89(즉, 
)인 제2 파장 대역에 대한 제2 곡선(704)을 포함한다. 곡선(702 및 704)은 (예컨대, 도 5의 곡선(504)에 대한 것과 마찬가지로) 다층 재료(202)에 의한 반사 시, 0도 위상 변화를 가정하여 계산된다. 다른 위상 변화에 대해서도 유사한 곡선이 계산될 수 있다.
곡선(702 및 704)에서 볼 수 있듯이, 단일 파장 대역에 대한 반사율은 단일 충전 계수를 지정하지 않는다: 반사율과 충전 계수 사이의 상관 관계는 일대일 관계가 아니다. 곡선(702 및 704)에서, 반사율과 충전 계수 사이의 상관 관계는 1:2이다(즉, 각각의 반사율 값은 2개의 충전 계수에 대응한다). 그러나, 다수(예컨대, 2개)의 서로 다른 파장 대역(예컨대, 색상)을 함께 사용하여 측정된 반사율에 대한 고유한 충전 계수를 결정할 수 있다. 예를 들어, 광대역 광 간섭계(100)는 (예컨대, 광대역 광원(102) 내의 LED를 변경하거나, 광대역 광원(102) 내의 필터를 변경하거나, 다수의 광대역 광원(102)을 다중화함으로써) 2개의 서로 다른 파장 대역 각각을 사용하여 인터페로그램을 생성하도록 구성될 수 있다. 결과적인 반사율 데이터가 주어지면, 곡선(702 및 704)을 사용하여 각각의 포토마스크 구역에 대한 고유한 충전 계수를 식별할 수 있다.
도 8은 일부 실시예에 따라 포토마스크를 검사하기 위한 방법(800)을 나타내는 플로우차트이다. 방법(800)은 광대역 광 간섭계(예컨대, 광대역 광 간섭계(100)(도 1))를 포함하는 포토마스크 검사 도구(예컨대, 포토마스크 검사 시스템(900)(도 9))에 의해 수행될 수 있다. 방법(800)에서, 광대역 광 간섭법을 사용하여(예컨대, 미라우 간섭법 또는 마이컬슨 간섭법을 사용하여) 포토마스크(예컨대, 포토마스크(120)(도 1))의 표면 상의 높이를 측정한다(802). 이들 높이는 포토마스크의 패터닝된 구역(예컨대, 다층 재료(202)(도 2 및 도 3) 위에 위치된 흡수체 재료(204)로 패터닝된 구역)의 높이를 포함한다. 일부 실시예에서, 광대역 광 간섭법은 가시광을 사용한다. 일부 실시예에서, 광대역 광 간섭법을 사용하여 (예컨대, 도 6a 및 도 6b에 도시된 것과 같은) 포토마스크에 대한 높이 이미지를 생성한다(804). 높이 이미지는 전체 포토마스크 또는 그 일부에 대해 측정된 높이를 포함할 수 있다. 예를 들어, 높이 이미지는 포토마스크의 단면(예컨대, 프로파일(608)(도 6a 및 도 6b)에 대해 측정된 높이를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 포토마스크에 대한 설계물의 데이터베이스에 기반하여 패터닝된 구역에 대한 충전 계수(예컨대, 다층 재료(202)에 대한 충전 계수 a)를 계산한다(806). 예를 들어, 데이터베이스는 gds 파일이거나 gds 파일에 제공된 설계물 데이터를 포함한다. 데이터베이스 내의 설계물 데이터는 포토마스크 상에 흡수체 재료(예컨대, 흡수체 재료(204)(도 2))가 존재하고 존재하지 않는 위치를 지정하여, 충전 계수를 계산할 수 있도록 한다. 충전 계수의 이러한 계산은, 예를 들어, 다이-대-데이터베이스 검사를 위해 수행되며, 여기서 단계 820의 후속 결함 검사는 포토마스크 검사로부터의 결과를 데이터베이스 내의 설계물에 대한 시뮬레이션된 검사로부터의 결과와 비교하는 것을 포함한다.
충전 계수(예컨대, 다층 재료(202)에 대한 충전 계수 a)는 대안적으로 포토마스크 설계물의 데이터베이스를 사용하지 않고 결정될 수 있다. 일부 실시예에서, (예컨대, 수학식 5에 따라) 광대역 광 간섭법에 기반하여 패터닝된 구역의 반사율(예컨대, 평균 반사율)을 결정한다(808). 광대역 광 간섭법은 복수의 파장 대역(예컨대, 2개의 파장 대역)의 각각의 파장 대역(예컨대, 색상)을 사용하여 수행되는 광대역 광 간섭법의 각각의 인스턴스를 포함하며, 반사율은 각각의 개별 파장 대역에 대해 결정된다. 반사율에 기반하여, 복수의 파장 대역에 대한 충전 계수와 반사율 사이의 미리 결정된 대응 관계(예컨대, 일대일이 아닌 대응 관계)를 사용하여, 충전 계수를 결정한다(810). 예를 들어, 충전 계수는 도 7에 도시된 것과 같은 대응 관계를 사용하여 결정된다. 복수의 파장 대역은 제1 색상 및 제2 색상을 포함할 수 있다. 미리 결정된 대응 관계는 제1 색상에 대한 반사율과 충전 계수 간의 제1 대응 관계 및 제2 색상에 대한 반사율과 충전 계수 간의 제2 대응 관계를 포함할 수 있으며, 제1 대응 관계 또는 제2 대응 관계 어느 것도 일대일 대응 관계는 아니다. 반사율에 기반한 충전 계수의 이러한 결정은, 예를 들어, 다이-대-데이터베이스 검사를 위해 수행되며, 여기서 단계 820의 후속 결함 검사는 포토마스크 상의 다이 구역의 검사로부터의 결과를 기준 포토마스크 다이 구역의 검사로부터의 결과와 비교하는 것을 포함한다.
포토마스크의 표면 상에서 측정된 높이로부터 초점 맵을 생성한다(812). 초점 맵을 생성하는 단계는 패터닝된 구역에 대한 충전 계수에 기반하여 패터닝된 구역에 대해 측정된 높이를 조정하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 충전 계수에 기반하여, (예컨대, 프로파일(608)(도 6a 및 도 6a)에 대한 단면과 같은 포토마스크의 단면에서 측정된 높이를 포함하는) 패터닝된 구역에 대해 측정된 높이를 오프셋하도록 높이 이미지를 조정한다(814). 충전 계수에 기반하여, 측정된 높이와 충전 계수 사이의 미리 결정된 대응 관계를 사용하여(예컨대, 도 5에 도시된 것과 같은 대응 관계를 사용하여), 패터닝된 구역에 대해 각각의 측정된 높이에 대한 높이 보정치를 결정할 수 있다(816). (예컨대, 궤적(610)(도 6b)을 생성하기 위해) 높이 보정치를 각각의 측정된 높이에 적용할 수 있다(818). 결과적인 초점 맵은 (예컨대, 단계 820에서 포토마스크 검사에 사용된 광이 흡수체 재료(204)의 상단에, 또는 다층 재료(202)의 상단에, 또는 이들 2개의 표면 사이의 임의의 미리 결정된 표면 상에 포커싱되도록) 실질적으로 패턴 독립적일 수 있다.
초점 맵을 사용하여 포토마스크의 결함을 검사한다(820)(즉, 포토마스크 검사 광학계는 초점 맵에 따라 포토마스크를 검사하는 데 사용되는 광을 포커싱한다). 일부 실시예에서, 포토마스크를 검사하기 위해 자외선(UV) 광을 사용한다(822). 예를 들어, 극자외선(EUV)(예컨대, 13.5㎚) 광 또는 심자외선(DUV)(예컨대, 193㎚) 광을 사용한다. EUV는 124㎚ 내지 아래로 10㎚까지의 범위의 파장을 가진 광을 나타내는 일반적이고 널리 공지되어 있으며 널리 이해되고 있는 기술 용어이다. DUV는 280㎚ 내지 아래로 100㎚까지의 범위의 파장을 가진 광을 나타내는 일반적이고 널리 공지되어 있으며 널리 이해되고 있는 기술 용어이다.
도 9는 일부 실시예에 따른 포토마스크 검사 시스템(900)의 블록도이다. 포토마스크 검사 시스템(900)은, 포토마스크에 대한 높이를 측정하기 위한(예컨대, 높이 이미지, 예를 들어, 도 6a 및 도 6b의 높이 이미지를 생성하는 데 사용되는 인터페로그램을 생성하기 위한) 광대역 광 간섭계(broadband light interferometer)(BLI)(932)(예컨대, 광대역 광 간섭계(100)(도 1)) 및 포토마스크의 결함을 검사하기 위한 포토마스크 검사 광학계(934)를 포함하는 광학계(930)를 갖는다. 일부 실시예에서, 광대역 광 간섭계(932)는 가시광 파장 대역을 사용한다. 광대역 광 간섭계(932)에 의해 사용되는 파장 대역은 (예컨대, 서로 다른 광원을 다중화하거나, 필터를 사용하거나, LED를 변경함으로써) 가변적일 수 있다. 예를 들어, 광대역 광 간섭계(932)는 다수의 가시광 파장 대역을 사용하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 포토마스크 검사 광학계(934)는 자외선 광학계를 포함하며, 결함 검사에 해당 자외선 광이 사용된다. 예를 들어, 포토마스크 검사 광학계(934)는 (예컨대, 13.5㎚ 광 용의) EUV 광학계 또는 (예컨대, 193㎚ 광 용의) DUV 광학계를 포함할 수 있다.
포토마스크 검사 시스템(900)은 또한, 하나 이상의 프로세서(902)(예컨대, CPU), 선택적 사용자 인터페이스(906), 메모리(910), 및 이들 컴포넌트와 광학계(930)(및 포토마스크 핸들링 로봇과 같은 도시되지 않은 포토마스크 검사 시스템(900)의 다른 컴포넌트)를 상호 접속하는 하나 이상의 통신 버스(904)를 구비한 컴퓨터 시스템을 포함한다. 사용자 인터페이스(906)는 디스플레이(907) 및 하나 이상의 입력 디바이스(908)(예컨대, 키보드, 마우스, 디스플레이(907)의 터치 감지 표면 등)를 포함할 수 있다. 디스플레이는 높이 이미지, 초점 맵, 및 결함 검사 데이터를 보여줄 수 있고, 포토마스크 검사 시스템(900)의 상태(예컨대, 방법(800)(도 8)의 상태)를 보고할 수 있다.
메모리(910)는 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리를 포함한다. 메모리(910)(예컨대, 메모리(910) 내의 비휘발성 메모리)는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체를 포함한다. 메모리(910)는 프로세서(들)(902)로부터 원격에 위치한 하나 이상의 저장 디바이스 및/또는 포토마스크 검사 시스템(900)의 컴퓨터 시스템에 착탈 가능하게 삽입되는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체를 선택적으로 포함한다. 일부 실시예에서, 메모리(910)(예컨대, 메모리(910)의 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체)는 다음의 모듈 및 데이터, 또는 이들의 서브 세트 또는 슈퍼 세트를 저장한다: 다양한 기본 시스템 서비스를 처리하고 하드웨어 의존 작업을 수행하기 위한 절차를 포함하는 운영 체제(912), 광대역 광 간섭계(932)를 제어하기 위한 광대역 광 간섭법(BLI) 모듈(914), 초점 맵 생성 모듈(916), 포토마스크 검사 광학계(934)를 사용하여 포토마스크 결함 검사를 제어하기 위한 결함 검사 모듈(918), 및 모듈(914, 916, 및/또는 918)로부터의 결과를 보고하기 위한 보고 모듈(920). 메모리(910)(예컨대, 메모리(910)의 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체)는 방법(800)(도 8)의 전부 또는 일부를 수행하기 위한 인스트럭션을 포함한다. 메모리(910)에 저장된 각각의 모듈은 본원에서 설명되는 하나 이상의 기능을 수행하기 위한 인스트럭션 세트에 대응한다. 개별 모듈은 개별 소프트웨어 프로그램으로 구현될 필요는 없다. 모듈 및 모듈의 다양한 서브 세트는 결합되거나 다른 방식으로 재배열될 수 있다. 일부 실시예에서, 메모리(910)는 위에서 식별된 모듈 및/또는 데이터 구조의 서브 세트 또는 슈퍼 세트를 저장한다.
도 9는 구조적 개략도로서보다는 포토마스크 검사 시스템에 존재할 수 있는 다양한 특징의 기능적 설명으로서 더 의도된 것이다. 예를 들어, 포토마스크 검사 시스템(900)에 대한 컴퓨터 시스템의 기능은 다수의 디바이스 사이에 분할될 수 있다. 메모리(910)에 저장된 모듈의 일부는 대안적으로 하나 이상의 네트워크를 통해 포토마스크 검사 시스템(900)과 통신 가능하게 연결된 하나 이상의 다른 컴퓨터 시스템에 저장될 수 있다.
설명의 목적 상, 전술한 설명은 특정 실시예를 참조하여 기술되었다. 그러나, 위의 예시적인 논의는 모든 것을 망라한 것이거나 또는 청구항의 범위를 개시된 정확한 형태로 제한하려는 것이 아니다. 전술한 교시 내용에 비추어 많은 수정 및 변형이 가능하다. 실시예는 청구항 및 그 실제 적용의 기본 원리를 최상으로 설명하도록 선택되었으며, 이로써 본 기술 분야의 다른 기술자는 고려된 특정 용도에 적합한 다양한 수정을 가진 실시예를 최상으로 사용할 수 있다.
Claims (22)
- 방법에 있어서,
광대역 광 간섭법(broadband light interferometry)을 사용하여 포토마스크의 표면 상의 높이를 측정하는 단계 ― 상기 높이는 상기 포토마스크의 패터닝된 구역의 높이를 포함함 ―;
상기 패터닝된 구역에 대한 충전 계수(fill factor)에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 측정된 높이를 조정하는 단계를 포함하여, 상기 포토마스크의 표면 상에서 측정된 높이로부터 초점 맵을 생성하는 단계; 및
상기 초점 맵을 사용하여 상기 포토마스크의 결함을 검사하는 단계
를 포함하는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 측정하는 단계는 상기 광대역 광 간섭법을 사용하여 상기 포토마스크에 대한 높이 이미지를 생성하는 단계를 포함하고,
상기 조정하는 단계는 상기 충전 계수에 기반하여, 상기 패터닝된 구역의 상기 측정된 높이를 오프셋하도록 상기 높이 이미지를 조정하는 단계를 포함하는 것인, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 광대역 광 간섭법은 가시광을 사용하며,
상기 포토마스크의 결함을 검사하는 단계는 자외선 광을 사용하여 수행되는 것인, 방법. - 제3항에 있어서,
상기 자외선 광은 13.5㎚ 광인 것인, 방법. - 제3항에 있어서,
상기 자외선 광은 193㎚ 광인 것인, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 광대역 광 간섭법은 미라우(Mirau) 간섭법인 것인, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 광대역 광 간섭법은 마이컬슨(Michelson) 간섭법인 것인, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 포토마스크에 대한 설계의 데이터베이스에 기반하여 상기 충전 계수를 계산하는 단계를 더 포함하는, 방법. - 제8항에 있어서,
상기 측정된 높이를 조정하는 단계는:
측정된 높이와 충전 계수 사이의 미리 결정된 대응 관계를 사용하여, 상기 충전 계수에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 각자의 측정된 높이에 대한 높이 보정치를 결정하는 단계; 및
상기 높이 보정치를 상기 각자의 측정된 높이에 적용하는 단계
를 포함하는 것인, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 광대역 광 간섭법에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 반사율을 결정하는 단계 ― 상기 광대역 광 간섭법은 복수의 파장 대역의 각자의 파장 대역을 사용하여 수행되는 광대역 광 간섭법의 각자의 인스턴스를 포함함 ―; 및
상기 복수의 파장 대역에 대한 충전 계수와 반사율 사이의 미리 결정된 대응 관계를 사용하여, 상기 반사율에 기반하여 상기 충전 계수를 결정하는 단계
를 더 포함하고,
상기 측정된 높이를 조정하는 단계는:
측정된 높이와 충전 계수 사이의 미리 결정된 대응 관계를 사용하여, 상기 충전 계수에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 각자의 측정된 높이에 대한 높이 보정치를 결정하는 단계; 및
상기 높이 보정치를 상기 각자의 측정된 높이에 적용하는 단계
를 포함하는 것인, 방법. - 제10항에 있어서,
상기 복수의 파장 대역은 제1 색상 및 제2 색상을 포함하고,
상기 미리 결정된 대응 관계는 상기 제1 색상에 대한 반사율과 충전 계수 사이의 제1 대응 관계 및 상기 제2 색상에 대한 반사율과 충전 계수 사이의 제2 대응 관계를 포함하며,
상기 제1 대응 관계 또는 상기 제2 대응 관계 어느 것도 일대일이 아닌 것인, 방법. - 포토마스크 검사 시스템에 있어서,
광대역 광 간섭계;
포토마스크 검사 광학계;
하나 이상의 프로세서; 및
상기 하나 이상의 프로세서에 의한 실행을 위한 하나 이상의 프로그램을 저장한 메모리
를 포함하고,
상기 하나 이상의 프로그램은:
상기 광대역 광 간섭계를 사용하여 포토마스크의 표면 상의 높이를 측정하기 위한 인스트럭션 ― 상기 높이는 상기 포토마스크의 패터닝된 구역의 높이를 포함함 ―;
상기 패터닝된 구역에 대한 충전 계수에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 측정된 높이를 조정하기 위한 인스트럭션을 포함하여, 상기 포토마스크의 표면 상에서 측정된 높이로부터 초점 맵을 생성하기 위한 인스트럭션; 및
상기 초점 맵을 사용하여 상기 포토마스크 검사 광학계로 상기 포토마스크의 결함을 검사하기 위한 인스트럭션
을 포함하는 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제12항에 있어서,
상기 높이를 측정하기 위한 인스트럭션은 상기 광대역 광 간섭계를 사용하여 상기 포토마스크에 대한 높이 이미지를 생성하기 위한 인스트럭션을 포함하고,
상기 측정된 높이를 조정하기 위한 인스트럭션은 상기 충전 계수에 기반하여, 상기 패터닝된 구역의 상기 측정된 높이를 오프셋하도록 상기 높이 이미지를 조정하기 위한 인스트럭션을 포함하는 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제12항에 있어서,
상기 광대역 광 간섭계는 가시광 간섭계이며,
상기 포토마스크 검사 광학계는 13.5㎚ 광학계를 포함하는 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제12항에 있어서,
상기 광대역 광 간섭계는 가시광 간섭계이며,
상기 포토마스크 검사 광학계는 193㎚ 광학계를 포함하는 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제12항에 있어서,
상기 광대역 광 간섭계는 미라우 간섭계인 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제12항에 있어서,
상기 광대역 광 간섭계는 마이컬슨 간섭계인 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제12항에 있어서,
상기 하나 이상의 프로그램은 상기 포토마스크에 대한 설계의 데이터베이스에 기반하여 상기 충전 계수를 계산하기 위한 인스트럭션을 더 포함하는 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 측정된 높이를 조정하기 위한 인스트럭션은:
측정된 높이와 충전 계수 사이의 미리 결정된 대응 관계를 사용하여, 상기 충전 계수에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 각자의 측정된 높이에 대한 높이 보정치를 결정하기 위한 인스트럭션; 및
상기 높이 보정치를 상기 각자의 측정된 높이에 적용하기 위한 인스트럭션
을 포함하는 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제12항에 있어서,
상기 하나 이상의 프로그램은:
상기 광대역 광 간섭법에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 반사율을 결정하기 위한 인스트럭션 ― 상기 광대역 광 간섭법은 복수의 파장 대역의 각자의 파장 대역을 사용하여 수행되는 광대역 광 간섭법의 각자의 인스턴스를 포함함 ―; 및
상기 복수의 파장 대역에 대한 충전 계수와 반사율 사이의 미리 결정된 대응 관계를 사용하여, 상기 반사율에 기반하여 상기 충전 계수를 결정하기 위한 인스트럭션
을 더 포함하고,
상기 측정된 높이를 조정하기 위한 인스트럭션은:
측정된 높이와 충전 계수 사이의 미리 결정된 대응 관계를 사용하여, 상기 충전 계수에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 각자의 측정된 높이에 대한 높이 보정치를 결정하기 위한 인스트럭션; 및
상기 높이 보정치를 상기 각자의 측정된 높이에 적용하기 위한 인스트럭션
을 포함하는 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 제20항에 있어서,
상기 복수의 파장 대역은 제1 색상 및 제2 색상을 포함하고,
상기 미리 결정된 대응 관계는 상기 제1 색상에 대한 반사율과 충전 계수 사이의 제1 대응 관계 및 상기 제2 색상에 대한 반사율과 충전 계수 사이의 제2 대응 관계를 포함하며,
상기 제1 대응 관계 또는 상기 제2 대응 관계 어느 것도 일대일이 아닌 것인, 포토마스크 검사 시스템. - 광대역 광 간섭계 및 포토마스크 검사 광학계를 더 포함하는 포토마스크 검사 시스템의 하나 이상의 프로세서에 의한 실행을 위한 하나 이상의 프로그램을 저장한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 있어서,
상기 하나 이상의 프로그램은:
광대역 광 간섭법을 사용하여 포토마스크의 표면 상의 높이를 측정하기 위한 인스트럭션 ― 상기 높이는 상기 포토마스크의 패터닝된 구역의 높이를 포함함 ―;
상기 패터닝된 구역에 대한 충전 계수에 기반하여 상기 패터닝된 구역의 측정된 높이를 조정하기 위한 인스트럭션을 포함하여, 상기 포토마스크의 표면 상에서 측정된 높이로부터 초점 맵을 생성하기 위한 인스트럭션; 및
상기 초점 맵을 사용하여 상기 포토마스크 검사 광학계로 상기 포토마스크의 결함을 검사하기 위한 인스트럭션
을 포함하는 것인, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체.
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