JP7535577B2 - 構造化物体の表面にわたる測定光波長の測定光の光学的位相差を決定するための方法 - Google Patents
構造化物体の表面にわたる測定光波長の測定光の光学的位相差を決定するための方法 Download PDFInfo
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Description
I(x,y)=|Ecam|2
(5)
Δφ=φML-φabs=arg(rML)-arg(rabs) (12)
R1>R2,R1=R2
Claims (13)
- 構造化物体(8;20;25;27;30)の表面にわたる測定光波長(λ)の測定光(1)の光学的位相差(Δφ)を決定するための方法であって、
前記構造化物体(8;20;25;27;30)の頂部構造(9;21)によって反射された前記測定光(1)の頂部構造位相(φabs)と、
前記構造化物体(8;20;25;27;30)の底部反射体構造(10;22)によって反射された前記測定光(1)の底部反射体構造位相(φML)と
の間の前記位相差(Δφ)が、被測定物体構造全体にわたって適用可能な特性として決定される、方法であり、
投影光学ユニット(5)を用いて、前記構造化物体(8)の3D空間像を記録するために各場合において異なる焦点面において前記構造化物体(8;20;25;27;30)の一連の2D像を測定するステップ(16)と、
前記3D空間像の電界の振幅および位相を含む前記3D空間像から像側電界分布(frec)を再構成するステップ(17)と、
位相キャリブレーション(18)を用いて、前記再構成された電界分布(frec)から前記位相差(Δφ)を決定するステップと、
を含み、
前記位相キャリブレーション(18)において、以下のステップ、すなわち、
前記構造化物体(8;20;25;27;30)の物体構造周期(p)、および/または
前記構造化物体(8;20;25;27;30)の構造の限界寸法(CD)、および/または
前記頂部構造(9;21)の複素反射率(rr,i abs)、および/または
前記底部反射体構造(10;22)の複素反射率(rr,i ML)
に依存する物体電界分布(fobj)に基づくモデルを導入することによって像側電界分布(fim)を計算するステップであり、
前記像側電界分布(fim)が、前記物体電界分布(fobj)と前記投影光学ユニット(5)のコヒーレント点拡がり関数(PSF)との畳み込みの結果である、
計算するステップと、
前記計算された像側電界分布(fim)を前記再構成された像側電界分布(frec)と比較するステップと、
モデルパラメータの物体構造周期(p)および構造化物体の構造の限界寸法(CD)および複素反射率(rr,i abs,ML)を変化させることによるフィッティング方法によって、前記計算された像側電界分布(fim)と前記再構成された像側電界分布(frec)との間の差を最小化するステップと、
前記複素反射率(rr,i absおよびrr,i ML)について、前記モデルパラメータから前記位相差(Δφ)を計算し、前記最小化をもたらすステップと、が実行される、
方法。 - 前記計算された像側電界分布(fim)と前記再構成された像側電界分布(frec)との間の前記差が最小化される前記フィッティング方法において、前記複素反射率に対する係数の線形化により最初は非線形であった出力関数の線形化が行われ、ここで、前記出力関数は、デューティサイクルに依存し前記構造化物体の前記頂部構造及び前記底部反射体構造の複素反射率の実部及び虚部に対する係数を表す数学的関数であり、前記3D空間像の計算された像側電界分布と再構成された像側電界分布との間の差のパラメータ表示の一部であり、パラメータ表示することは、前記決定するための方法の一部であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記像側電界分布(fim)の計算において、実部(fr im)および虚部(fi im)が、互いに独立したパラメータでモデル化されることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記フィッティング方法を反復することを特徴とする、請求項2または3に記載の方法。
- 前記像側電界分布(fim)の実部(fr im)および虚部(fi im)が、互いに独立してフィッティングされることを特徴とする、請求項2~4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記フィッティング方法の構成部分として少なくとも1つのフーリエ変換を特徴とする、請求項2~5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記測定(16)中に、前記構造化物体(8;20;25;27;30)によって回折された測定光(1)の少なくとも2つの回折次数(j)が、前記投影光学ユニット(5)によって像側に導かれることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記構造化物体の前記頂部構造によって反射された前記測定光の複素反射率の位相と前記構造化物体の底部反射体構造によって反射された前記測定光の複素反射率の位相との間の位相差値の計算を特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記計算のための基礎としての前記構造化物体の物体構造のモデリングを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 特定の構造設計が像コントラストに関して最適な位相差であるかどうかのチェックを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 請求項1~10のいずれか1項に記載の方法を実行するための光学測定システムを有する計測システム(2)であって、
検査される前記構造化物体(8;20;25;27;30)を特定の照明設定で照明するための照明光学ユニット(4)を有し、
前記構造化物体(8;20;25;27;30)の一部を測定面(12)に結像(imaging)するための結像光学ユニット(5)を有し、
前記測定面(12)に配置された空間分解検出装置(14)を有する、
計測システム(2)。 - 前記測定(16)中に、前記構造化物体(8)によって回折された測定光(1)の少なくとも2つの回折次数(j)が前記結像光学ユニット(5)によって前記結像光学ユニット(5)の像側に導かれるように、前記結像光学ユニット(5)を設計することを特徴とする、請求項11に記載の計測システム。
- EUV光源(3)を特徴とする、請求項11または12に記載の計測システム。
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