JP2022164702A - レチクルを検査する装置および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、ルイ ファン シ(Rui-fang Shi)らが2017年11月3日に出願した米国特許出願第15/803628号の優先権の利益を主張する。本出願は、本出願は、2017年5月18日に出願した米国仮出願第62/508,369号の優先権の利益を主張する。これらの出願および特許は、あらゆる目的のために全体が参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (24)
- フォトリソグラフィのレチクルを評価する方法であって、
イメージングツールを使用して、テストレチクルの複数のパターンエリアの各々から異なる照明構成または異なるイメージング構成で複数の画像を取得するステップと、
前記テストレチクルを製造するのに使用された設計データベースを用いることなく、前記テストレチクルの各パターンエリアから前記取得した画像に基づいて前記テストレチクルの前記パターンエリアごとにレチクルの近距離場を回帰技法により計算して再現するステップと、
前記再現されたレチクルの近距離場を解析して、前記テストレチクルが、ウエハパターンの差が特定の閾値内にない不安定なウエハパターン、または欠陥ウエハを製造する可能性があるか決定するステップと、を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記複数の画像は、瞳平面で取得されることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記再現されたレチクルの近距離場を解析して、前記テストレチクル中の欠陥を検出するものであり、欠陥検出は、異なる時間での同じダイについて、隣接したダイについて、ダイおよびその対応するゴールデンダイについて、またはダイおよび前記テストレチクルと同一の設計を有するレチクルコピーからの対応するダイについて前記近距離場の強度および/または位相を比較することを含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記取得される画像は、同じレチクルの近距離場になるように選択される異なるイメージング構成で取得される少なくとも3つの反射画像を含み、前記異なるイメージング構成は、異なる焦点設定、異なる瞳の形状、および/または偏光状態の設定を含み、異なる照明構成は、異なる源の強度分布および/または偏光状態の設定を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記取得される画像は、同じレチクルの近距離場になるように選択される異なるイメージング構成で取得される少なくとも3つの透過画像を含み、前記異なるイメージング構成は、異なる焦点設定、異なる瞳の形状、または偏光状態の設定を含み、異なる照明構成は、異なる源の強度分布および/または偏光状態の設定を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
リソグラフィモデルを前記テストレチクルについての前記レチクルの近距離場に適用して、複数のテストウエハ画像をシミュレートするステップと、
シミュレートされた前記テストウエハ画像を解析して、前記テストレチクルが前記不安定なウエハパターン、または前記欠陥ウエハを製造する可能性があるかを決定するステップと、をさらに含み、
前記リソグラフィモデルは、フォトリソグラフィプロセスをシミュレートするように構成されていることを特徴とする方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記リソグラフィモデルは、前記テストレチクルまたは別のレチクルまたはウエハの画像を取得するための検査ツールの照明形状とは異なる形状を有する照明源を用いてシミュレートすることを特徴とする方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記リソグラフィモデルは、設計データベースから描画される画像で較正されることを特徴とする方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記リソグラフィモデルは、較正レチクルから取得される画像を用いて較正されることを特徴とする方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記リソグラフィモデルは、複数の異なるリソグラフィプロセス条件下で前記テストレチクルについて再現された前記レチクルの近距離場に適用され、シミュレートされた前記テストウエハ画像を解析するステップは、異なるプロセス条件および同じレチクルエリアに関連している前記シミュレートされたテスト画像の部分を比較することによって前記テストレチクルが異なるリソグラフィプロセス条件下で前記不安定なウエハパターンになる可能性があるかを決定するステップを含むことを特徴とする方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記イメージングツールは、前記テストレチクルがウエハの製造に使用されるフォトリソグラフィシステムと同じ波長範囲を利用することを特徴とする方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記イメージングツールは、前記テストレチクルがウエハの製造に使用されるフォトリソグラフィシステムとは異なる波長範囲を利用し、シミュレートされた前記テストウエハ画像を解析して、前記テストレチクルが、前記テストウエハ画像上で欠陥検出を行うことによって、前記欠陥ウエハになる可能性があるかを決定することを特徴とする方法。 - フォトリソグラフィのレチクルを評価するイメージングシステムであって、
入射ビームを生成する光源と、
前記入射ビームをレチクル上へ向ける照明光学系モジュールと、
前記レチクルの各パターンエリアからの出力ビームを少なくとも1つのセンサへ向ける集光光学モジュールと、
前記出力ビームを検出し、前記出力ビームに基づいて画像または信号を生成する少なくとも1つのセンサと、
以下の動作、すなわち、
テストレチクルの複数のパターンエリアの各々から異なる照明構成または異なるイメージング構成で複数の画像を取得させ、
前記テストレチクルを製造するのに使用された設計データベースを用いることなく、前記テストレチクルの各パターンエリアから前記取得した画像に基づいて前記テストレチクルの前記パターンエリアごとにレチクルの近距離場を回帰技法により計算して再現し、
前記再現されたレチクルの近距離場を解析して、前記テストレチクルが、ウエハパターンの差が特定の閾値内にない不安定なウエハパターン、または欠陥ウエハを製造する可能性があるかを決定させる
ことを実行するように構成されているコントローラと
を備えることを特徴とするイメージングシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、
前記複数の画像は、瞳平面で取得されることを特徴とするシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、
前記再現されたレチクルの近距離場を解析して、前記テストレチクル中の欠陥を検出するものであり、欠陥検出は、異なる時間での同じダイについて、隣接したダイについて、ダイおよびその対応するゴールデンダイについて、またはダイおよび前記テストレチクルと同一の設計を有するレチクルコピーからの対応するダイについて前記近距離場の強度および/または位相を比較することを含むことを特徴とするシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、
前記取得される画像は、同じレチクルの近距離場になるように選択される異なるイメージング構成で取得される少なくとも3つの反射画像を含み、前記異なるイメージング構成は、異なる焦点設定、異なる瞳の形状、および/または偏光状態の設定を含み、異なる照明構成は、異なる源の強度分布および/または偏光状態の設定を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、
前記取得される画像は、同じレチクルの近距離場になるように選択される異なるイメージング構成で取得される少なくとも3つの透過画像を含み、前記異なるイメージング構成は、異なる焦点設定、異なる瞳の形状、および/または偏光状態の設定を含み、異なる照明構成は、異なる源の強度分布および/または偏光状態の設定を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、
前記コントローラは、
リソグラフィモデルを前記テストレチクルについての前記レチクルの近距離場に適用して、複数のテストウエハ画像をシミュレートし、
シミュレートされた前記テストウエハ画像を解析して、前記テストレチクルが前記不安定なウエハパターン、または前記欠陥ウエハになる可能性があるかを決定するようにさらに構成され、
前記リソグラフィモデルは、フォトリソグラフィプロセスをシミュレートするように構成されていることを特徴とするシステム。 - 請求項18に記載のシステムであって、
前記リソグラフィモデルは、前記テストレチクルまたは別のレチクルまたはウエハの画像を取得するための検査システムの照明形状とは異なる形状を有する照明源を用いてシミュレートすることを特徴とするシステム。 - 請求項18に記載のシステムであって、
前記リソグラフィモデルは、較正レチクルについて設計データベースから描画される画像で較正されることを特徴とするシステム。 - 請求項18に記載のシステムであって、
前記リソグラフィモデルは、較正レチクルから取得される画像を用いて較正されることを特徴とするシステム。 - 請求項18に記載のシステムであって、
前記リソグラフィモデルは、複数の異なるリソグラフィプロセス条件下で前記テストレチクルについて再現された前記レチクルの近距離場に適用され、シミュレートされた前記テストウエハ画像を解析するステップは、異なるプロセス条件および同じレチクルエリアに関連している前記シミュレートされたテスト画像の部分を比較することによって異なるリソグラフィプロセス条件下で前記テストレチクルが前記不安定なウエハパターンになる可能性があるかを決定するステップを含むことを特徴とするシステム。 - 請求項18に記載のシステムであって、
前記イメージングシステムは、前記テストレチクルがウエハの製造に使用されるフォトリソグラフィシステムと同じ波長範囲を利用することを特徴とするシステム。 - 請求項18に記載のシステムであって、
前記イメージングシステムは、前記テストレチクルがウエハの製造に使用されるフォトリソグラフィシステムとは異なる波長範囲を利用し、シミュレートされた前記テストウエハ画像を解析して、前記テストレチクルが、前記テストウエハ画像上で欠陥検出を行うことによって、前記欠陥ウエハになる可能性があるかを決定することを特徴とするシステム。
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