KR20220066313A - 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛용 파셋 미러 - Google Patents

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KR20220066313A
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빌리 안데를
크리스티안 쾨르너
후베르트 홀데러
마르쿠스 홀츠
마누엘 슈톰페
슈테판 자이츠
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칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Abstract

투영 인쇄 시스템의 조명 광학계를 위한 멀티 파셋 미러는 메인 파셋 본체(35) 및 그 위에 제공된 반사면(36)을 갖는 복수의 변위 가능한 개별 파셋(8i)을 갖고, 개별 파셋(8i)의 적어도 하나의 서브그룹은 하나 이상의 변위 위치에서, 서브그룹이 맞접면(38)과 접촉하게 되도록 변위 영역을 갖는다.

Description

투영 노광 장치의 조명 광학 유닛용 파셋 미러
본 특허 출원은 그 내용이 본 명세서에 참조로서 합체되어 있는 독일 특허 출원 DE 10 2019 214 269.9호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛용 파셋 미러(facet mirror)에 관한 것이다. 본 발명은 또한 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 파셋 미러용 개별 파셋에 관한 것이다. 본 발명은 또한 조명 광학 유닛, 조명 시스템, 광학 시스템 및 대응 파셋 미러를 갖는 투영 노광 장치에 관한 것이다. 마지막으로, 본 발명은 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소를 제조하기 위한 방법, 및 또한 방법에 따라 제조된 구성요소에 관한 것이다.
다수의 변위 가능한 개별 파셋을 갖는 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛용 파셋 미러는 종래 기술로부터 알려져 있다. 이 경우, 개별 파셋은 제어된 변위의 경우 이들이 서로 방해하지 않는 이러한 방식으로 형성된다. 특히, 파셋은 변위 중에 서로 접촉하게 되지 않는 이러한 방식으로 형성된다.
특히, 운송될 때, 바람직하지 않은 이동에 대해 파셋 미러의 파셋을 보호하기 위한 메커니즘이 종래 기술로부터 알려져 있다. 그러나, 메커니즘은 파셋 미러의 정상 동작 중에 파셋을 보호하지 않는다.
본 발명의 목적은 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛용 파셋 미러를 개선하는 것이다.
이 목적은 청구항 1의 특징에 의해 달성된다.
본 발명의 본질은 하나 이상의 변위 위치에서 정지면과 접촉하게 되는 이러한 방식으로 파셋 미러의 개별 파셋을 형성하는 것이다. 파셋 미러의 개별 파셋은 특히 가역적으로 조정 가능한 변위 위치에서 정지면과 접촉하게 되는 이러한 방식으로 형성될 수도 있다. 이러한 가역적으로 조정 가능한 변위 위치는 또한 활성 또는 작동 가능한 변위 위치라고도 칭한다. 특히, 개별 파셋은 하나 이상의 별개의 능동 변위 위치를 가질 수도 있다. 이들은 또한 바람직하지 않은 편향의 경우, 특히 기생 운동의 경우, 특히 운송 및/또는 지진의 경우에만, 정지면과 접촉하게 되는 이러한 방식으로 형성될 수도 있다. 이러한 편향은 또한 수동 변위 위치라고도 칭한다. 불확실한 경우, 변위 위치는 능동적으로 가능한 변위 위치와 수동적으로 가능한 변위 위치의 모두를 포함한다.
이 경우, 파셋은 정지면과, 각각의 경우에 본체 또는 그 상에 또는 내에 배열된 정지 요소와 함께 정지 요소와 접촉하게 된다. 이 경우, 개별 파셋의 반사면은 바람직하게는 비접촉으로 유지된다.
정지면은 특히 규정된, 특히 미리 결정된 정지면이다. 정지면은 특히 2개의 인접 파셋이 서로 근접하게 하기 위한 정지면이다. 정지면은 특히 각각의 개별 파셋의 반사면으로부터 소정 거리에 있다. 특히, 개별 파셋의 정지면과 반사면은 분리된 영역을 형성한다.
정지면은 특히 각각의 경우에 파셋 본체 내에 또는 상에 형성된다. 정지면은 특히, 개별 파셋의 반사면에 대한 표면 법선의 방향에서의 투영에서, 특히 개별 파셋의 반사면의 도심(centroid)을 통한 표면 법선의 방향에서의 투영에서, 정지면이 파셋 본체의 투영의 외부 경계를 형성하거나 표면 법선에 수직으로 적어도 하나의 방향으로 이러한 경계를 넘어 돌출하는 이러한 방식으로 파셋 본체 내에 또는 상에 형성되거나 배열될 수도 있다.
투영은 특히 평행 투영, 특히 직교 투영이다.
투영은 특히 표면 법선에 특히 수직인 투영 평면 내로의 투영이다.
본 발명에 따르면, 이는 파셋이 미제어된 방식으로 서로 부딪치는 것을 방지할 수 있다는 것이 인식되었다. 미제어된 방식으로 서로 부딪치는 것은 여기서 파셋이 미제어된, 특히 바람직하지 않는 영역에서 서로 부딪치는 것을 의미하는 것으로서 이해된다. 특히, 개별 파셋의 반사면이 서로 부딪치는 것을 방지하는 것이 가능하다. 이는 반사면의 손상을 방지할 수 있다.
개별 파셋은 특히 작동 및 설정될 수 있는 변위 위치에서 단지 정지면과 접촉하게 되는 이러한 방식으로 형성될 수도 있다. 특히, 개별 파셋에 대한 바람직하지 않거나 예측할 수 없는 외부 효과는 정지면과 접촉하기 위한 전제 조건이 아니다.
개별 파셋은 또한 바람직하지 않거나 예측할 수 없는 외부 영향의 경우, 특히 바람직하지 않거나 예측할 수 없는 외부 영향의 경우에만 정지면과 접촉하게 되는 이러한 방식으로 형성될 수도 있다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 개별 파셋의 적어도 일부, 특히 모든 개별 파셋은 인접 개별 파셋이 하나 이상의 변위 위치에서 접촉하게 되도록 변위 범위를 가질 수도 있다. 개별 파셋은 특히 수동 변위 위치에서 서로 접촉하게 될 수도 있다.
개별 파셋은 바람직하게는 기본 또는 중립 위치에서 접촉 없이 배열되고, 특히 서로로부터 소정 거리에 배열된다. 특히, 이들은 적어도 하나의 능동 변위 위치, 특히 모든 능동 변위 위치에서 모든 정지면으로부터 소정 거리에 배열될 수도 있다.
일반적으로, 본 발명에 따른 개념은 복수의 변위 가능한 광학 요소를 갖는 광학 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 인접 개별 파셋은 각각의 경우에 기본 또는 중립 위치에서 간극에 의해 서로로부터 소정 거리에 배열된다. 대응 간극이 또한 미리 결정된 전환 위치, 특히 임의의 원하는 전환 위치에 존재할 수도 있다. 특히, 개별 파셋의 반사면은 바람직하게는 각각의 경우에 기본 또는 중립 위치에서 서로로부터 소정 거리에 배열된다.
기본 또는 중립 위치에서, 개별 파셋은 특히 또한 간극에 의해 모든 정지면으로부터 소정 거리에 배열된다.
간극은 변위 범위에서 개별 파셋의 변위를 허용할만큼 충분히 크다. 다른 한편으로, 간극은 개별 파셋의 조밀한 패킹을 허용하기 위해 가능한 한 좁다. 인접 개별 파셋 사이의 간극의 폭은 특히 1 mm 미만, 특히 0.5 mm 미만일 수도 있다. 간극의 폭은 대응 방향에서 개별 파셋, 특히 그 본체 또는 그 반사면의 범위의 특히 최대 50%, 특히 최대 30%, 특히 최대 20%, 특히 최대 15%, 특히 최대 10%, 특히 최대 5%, 특히 최대 3%, 특히 최대 2%, 특히 최대 1%이다.
특히, 파셋이 실제로 변위될 수 있는 범위는 개별 파셋의 변위 범위라 칭한다. 이 범위는 또한 능동 변위 범위라고도 칭한다. 게다가, 특히 파셋 미러가 운송될 때, 예를 들어 진동과 같은 외부 효과의 결과로서 개별 파셋이 변위되는 것이 가능할 수도 있다. 여기서 가능한 범위는 수동 변위 범위라 칭한다. 특히, 이는 능동 변위 범위보다 클 수도 있다. 달리 명시되지 않으면, 파셋의 변위 범위는 각각의 경우에 최대 변위 범위, 특히 능동 변위 범위 및 수동 변위 범위의 각각의 경우에 더 큰 것을 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 인접 개별 파셋 사이의 간극의 총 면적은 파셋 미러의 총 면적 또는 파셋 미러의 모든 개별 파셋의 반사면의 합의 최대 특히 최대 50%, 특히 최대 30%, 특히 최대 20%, 특히 최대 15%, 특히 최대 10%, 특히 최대 5%, 특히 최대 3%, 특히 최대 2%, 특히 최대 1%이다.
특히, 개별 파셋은 1개, 2개 이상의 변위 자유도를 갖는다. 특히, 이들은 2개의 경사 자유도를 갖는다. 특히, 이들은 특히 서로 수직으로 연장하는 2개의 경사축 주위로 경사 가능할 수도 있다. 이들은 또한 표면 법선에 평행한 방향, 특히 반사면의 중심점에서 선형으로 변위 가능할 수도 있다.
개별 파셋, 특히 그 파셋 본체는 각각의 경우에 단일체로 형성될 수도 있다.
이 경우, 반사면이 제공되는 개별 파셋의 구성 부분은 파셋 본체라 칭한다. 특히, 파셋 본체는 본질적으로 반사면에 대응하는 단면을 갖는다. 파셋 본체의 단면은 각각의 파셋의 반사면의 치수로부터 특히 최대 30%, 특히 최대 20%, 특히 최대 10%만큼 벗어난다.
특히, 투영의 경우, 특히 평행 투영의 경우, 특히 직교 투영의 경우, 파셋 본체는 반사면에 대한 표면 법선의 방향에서, 특히 각각의 개별 파셋의 반사면에 대한 표면 법선에 수직인 방향에서 정지면 중 하나의 영역에서 및/또는 정지 요소 중 하나의 영역에서, 각각의 파셋의 반사면의 치수로부터 최대 30%, 특히 최대 20%, 특히 최대 10%만큼 벗어난 단면을 갖는다. 이는 특히 사각형, 특히 세장형 단면일 수도 있다. 단면은 직선 또는 곡선 경계를 가질 수도 있다. 파셋 본체의 이 단면의 형상비는 특히 명시된 최대 편차 내에서, 각각의 개별 파셋의 반사면의 형상비에 대응한다. 이와 관련하여, 이하의 설명을 참조한다.
개별 파셋은 또한 다른 구성 부분, 예를 들어 각각의 파셋을 변위하기 위한 액추에이터 디바이스의 요소 및/또는 파셋을 지지하기 위한 요소를 가질 수도 있다. 그 단면이 반사면으로부터 특히 적어도 50%만큼 상당히 벗어난 대응 요소는 파셋 본체의 구성 부분으로서 간주되지 않는다.
개별 파셋, 특히 그 반사면은 바람직하게는 세장형이다. 이들은 바람직하게는 적어도 3:1, 특히 적어도 5:1, 특히 적어도 8:1, 특히 적어도 10:1, 특히 적어도 12:1의 형상비(종방향에서의 최대 범위 : 그에 수직인, 즉 횡방향에서의 최대 범위). 형상비는 바람직하게는 최대 100:1, 특히 최대 50:1, 특히 최대 30:1, 특히 최대 20:1이다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 개별 파셋이 특정 변위 위치에서 접촉하게 되는 정지면은 다른 개별 파셋, 특히 그 본체, 특히 본체의 미리 결정된 영역에 의해 또는 별개의 정지 요소에 의해 형성된다.
파셋 미러는 특히 2개의 인접 개별 파셋이 비작동 가능 자유도가 여기될 때만 접촉하게 될 수 있는 이러한 방식으로 형성될 수도 있다. 개별 파셋의 이러한 편향은 예를 들어, 지진 또는 운송 하중의 경우에 발생할 수도 있다.
별개의 정지 요소와 접촉하게 되는 것은 또한 특히 지진 또는 운송 하중의 경우 작동될 수 없는 자유도의 여기로 제한될 수도 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 개별 파셋의 파셋 본체는 각각의 경우에 인접 개별 파셋이 파셋 본체의 미리 결정된 영역에서 특정 편향 또는 변위 위치에서 접촉하게 되는 이러한 방식으로 형성된다.
특히, 개별 파셋의 의도된 변위 범위 및 파셋 본체의 기하학적 형태에 기초하여 인접 개별 파셋과의 접촉이 발생할 수도 있는 영역을 미리 결정하는 것이 가능하다. 이는 이 영역을 가능한 충돌에 특별히 적응시키는 것을 가능하게 한다.
접촉이 발생할 수도 있는 파셋 본체의 영역은 바람직하게는 각각의 개별 파셋의 반사면으로부터, 특히 그 에지로부터 소정 거리에 있다. 이는 인접한 개별 파셋 사이의 충돌로 인한, 반사면, 특히 그 에지의 손상의 위험을 감소시킨다. 이는 또한 예를 들어 파셋 미러를 운반할 때 및/또는 지진의 경우에 발생할 수 있는 것과 같은, 특히 계획되지 않은, 특히 예측할 수 없는 충돌에 적용된다.
파셋 본체의 미리 결정된 영역은 특히 정지면을 형성한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 파셋 본체는 2개의 인접 개별 파셋의 파셋 본체 사이의 거리가 그 반사면 사이의 거리보다 작은 이러한 방식으로 형성된다.
이 특성은 개별 파셋의 기본 위치에서 특히 사실이다. 이는 바람직하게는 일반적으로 개별 파셋의 변위 위치에 무관하게 적용 가능하다. 파셋 본체의 대응 형태가 이하에서 더 상세히 설명된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 하나 이상의 정지 요소가 각각의 경우에 파셋 본체 상에 또는 내에 제공된다.
정지 요소는 버퍼로서 역할을 한다. 어느 정도까지는, 이들은 범퍼로서 역할을 한다. 이들은 인접 개별 파셋이 서로 접촉하게 될 수 있는 영역이 타겟화된 방식으로 지정될 수 있게 하는데; 특히, 이들은 정지면이 타겟화된 방식으로 지정될 수 있게 한다.
정지 요소는 별개의 요소로서 형성되고 각각의 경우에 파셋 본체에 연결될 수 있다. 특히, 이들은 파셋 본체에 형상 끼워맞춤 방식으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 정지 요소는 접착, 납땜, 용접, 나사 결합, 클립핑, 수축 또는 끼워맞춤에 의해 파셋 본체에 연결된다. 원리적으로, 정지 요소를 파셋 본체에 연결하기 위해 모든 고려 가능한 연결 기술이 가능하다.
특히, 정지 요소는 교환 가능할 수도 있다. 정지 요소는 또한 파셋 본체와 단일편으로 형성될 수도 있다. 이는 특히 간단하고 안정한 제조를 허용한다. 정지 요소는 바람직하게는 미리 결정된 위치에서, 특히 파셋 본체의 마루부, 코너, 에지 또는 다른 미리 결정된 위치의 영역에 배열된다.
정지 요소는 파셋 본체의 전체 폭 및/또는 전체 길이에 걸쳐 연장될 수도 있다. 특히, 이들은 파셋 본체의 전체 원주에 걸쳐 연장될 수도 있다. 이에 대한 대안으로서, 각각의 경우에 더 작은 범위를 갖는 복수의 정지 요소를 제공하는 것이 가능하다. 이는 중량을 절감할 수 있게 한다. 이는 개별 파셋의 기계적 특성에 긍정적인 효과를 갖는다.
특히, 각각의 경우에 파셋 본체의 단부, 특히 종방향에서 그 단부의 영역에 하나 이상의 정지 요소를 배열하는 것이 고려될 수도 있다. 중앙 영역, 특히 종방향과 관련하여 중앙 영역에서 파셋 본체 상에 하나 이상의 정지 요소를 배열하는 것도 또한 가능하다. 이는 만곡된 파셋의 경우에 특히 유리할 수 있다.
정지 요소는 특히 각각의 경우에 충돌이 발생할 가능성이 가장 높은 영역에 제공될 수도 있다. 특히, 이들 정지 요소는 각각의 파셋 본체와 인접 파셋 본체 사이의 거리가 최소인 영역에 배열될 수도 있다. 이 진술은 중립, 즉, 비편향된 기본 상태에서의 파셋 본체의 위치 및/또는 그 거리가 최소인 인접 파셋 본체의 변위 위치와 관련될 수도 있다.
정지 요소는 파셋 본체와 동일한 재료로부터 형성될 수도 있다. 특히, 이들 정지 요소는 구리 또는 구리 합금으로부터 형성될 수도 있다. 이들은 또한 다른 재료로부터 제조되거나 구성될 수도 있다. 정지 요소에 대해 고려될 수도 있는 다른 재료는 예를 들어 Zerodur, ULE, 알루미늄, 세라믹, 석영 및 실리콘이다.
정지 요소는 코팅, 특히 내마모성 코팅이 제공될 수도 있다. 그 결과, 입자 마모가 감소될 수 있고, 특히 방지될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 정지 요소는 반사면을 넘어 측방향으로 돌출한다. 이들은 특히 위에서 볼 때 반사면을 넘어 측방향으로 돌출한다. 이들은 특히 횡방향으로 반사면을 넘어 측방향으로 돌출한다.
정지 요소는 특히 이 방향에서 반사면의 범위보다 큰 반사면에 평행한 방향에서의 범위를 갖는다. 정지 요소는 특히 반사면의 폭보다 큰 반사면의 폭에 평행한 방향에서의 범위를 갖는다.
이 방식으로, 충돌의 경우에 반사면의 손상이 효과적이고 신뢰적으로 방지될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 정지 요소는 반사면의 표면 법선에 반대 방향으로 파셋 본체를 넘어 돌출한다. 이들 정지 요소는 특히 반사면에 대향하는 파셋 본체의 측면에서 파셋 본체를 넘어 돌출한다.
정지 요소는 또한 이 방향에서 파셋 본체의 범위보다 작은 반사면의 표면 법선에 평행한 방향에서의 범위를 가질 수도 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 파셋 미러의 모든 개별 파셋은 각각의 경우에 본질적으로 동일한 위치에서 동일한 정지 요소 및/또는 정지 요소들을 갖는다.
이는 개별 파셋의 제조 및 파셋 윤곽의 프로그래밍을 단순화한다.
이에 대한 대안으로서, 상이한 개별 파셋은 상이한 위치에 상이한 정지 요소 및/또는 정지 요소들을 가질 수도 있다. 특히, 개별 파셋의 각각에 하나 이상의 정지 요소를 개별적으로 제공하는 것이 가능하다. 이는 파셋을 계획할 때 더 큰 유연성을 허용한다.
정지 요소의 유사점 및/또는 차이점은 여기서 각각의 경우에 각각의 개별 파셋에서의 그 형상 및/또는 그 배열과 관련될 수도 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 정지 요소는 개별 파셋의 전체 길이에 걸쳐 연장하는 범위를 갖는다. 정지 요소는 특히 개별 파셋의 전체 원주에 걸쳐 연장될 수도 있다.
그 결과, 개별 파셋은 특히 신뢰적인 방식으로 보호된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 개별 파셋, 특히 그 본체는 중량을 감소시키기 위한 수단 및/또는 중량 감소 형태를 갖는다.
특히, 보어, 틈새, 포켓, 얇아진 부분 또는 사면이 중량을 감소시키기 위한 수단으로서 역할을 할 수도 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 파셋 미러는 개별 파셋의 변위 범위를 제한하기 위한 하나 이상의 수단을 갖는다. 파셋 미러는 특히 바람직하지 않는 편향을 제한하기 위한, 특히 개별 파셋의 기생 운동을 제한하기 위한 하나 이상의 수단을 가질 수도 있다.
이 경우, 변위 범위를 제한하기 위한 수단, 특히 개별 파셋의 바람직하지 않은 기생 운동을 제한하기 위한 수단이 정지면을 형성할 수도 있다.
개별 파셋의 변위 범위를 제한하기 위한 수단은 또한 특히 스너버(snubbers), 포크, 포켓 또는 U-프로파일이라고도 칭하는 핀으로서 형성될 수도 있다.
각각의 정지면의 유극은 바람직하게는 인접 개별 파셋에 관한 파셋 간극보다 작다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 개별 파셋의 변위 범위를 제한하기 위한 수단의 자유 단부는 회전축의 영역에 배열된다. 그 결과, 그 변위 범위를 제한하기 위한 수단 주위의 개별 파셋의 유극이 감소될 수 있다. 특히, 이는 회전축 주위의 그 작동의 결과로서 개별 파셋의 이용 가능한 유극을 감소시키지 않는다.
유극을 더 감소시키기 위해, 개별 파셋의 변위 범위를 제한하기 위한 수단을 조정하는 것이 고려될 수도 있다.
특히, 개별 파셋 사이의 간극을 측정하고 그리고/또는 특수 스페이서를 결정하고 이들을 파셋 상에 배열하고 그리고/또는 정지부를 조정 가능하거나 설정 가능하게 하는 것이 고려될 수도 있다.
본 발명의 다른 목적은 특히 상기 설명에 따른 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 파셋 미러용 개별 파셋을 개선하는 것이다.
이 목적은 파셋 본체 및 그 위에 배열된 반사면 및 파셋 본체 상에 또는 내에 제공된 하나 이상의 정지 요소를 갖는 개별 파셋에 의해 달성된다.
장점은 이미 설명한 것들로부터 자명하다.
일 양태에 따르면, 반사면에 대한 표면 법선의 방향에서의 투영에서, 표면 법선에 수직인 적어도 하나의 방향에서 반사면을 넘어 돌출하는 하나 이상의 정지면 및/또는 정지 요소가 파셋 본체 상에 또는 내에 제공된다.
여기서, 표면 법선은 특히 반사면의 도심을 통한 표면 법선이다.
일 양태에 따르면, 개별 파셋은 반사면에 대한 표면 법선의 방향에서의 투영에서, 표면 법선에 수직인 적어도 하나의 방향 및 반대 방향의 모두에서 반사면을 넘어 돌출하는 하나 이상의 정지면 및/또는 정지 요소를 갖는다.
일 양태에 따르면, 개별 파셋은 반사면에 대한 표면 법선의 방향에서의 투영에서, 반사면의 전체 원주방향 영역에 걸쳐 반사면을 넘어 돌출하는 하나 이상의 정지면 및/또는 정지 요소를 갖는다.
정지 요소는 파셋 본체의 특수 형태, 특히 그 두꺼워진 부분일 수도 있다. 본체는 바람직하게는 개별 파셋의 반사면보다 적어도 부분적으로 더 넓다.
정지 요소는 또한 파셋 본체에 연결된 별개의 구성요소일 수도 있다.
개별 파셋의 반사면은 평탄할 수도 있다. 이들은 또한 양 또는 음의 굴절력을 가질 수도 있다. 이들 반사면은 또한 원환체일 수도 있다.
개별 파셋의 반사면은 특히 직사각형, 사다리꼴 또는 특히 원형 링의 세그먼트 형태의 곡선형일 수도 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 파셋 본체는 적어도 하나의 자유 단부, 특히 2개의 자유 단부를 갖고, 그 단면이 자유 단부를 향해 또는 자유 단부들을 향해 감소하는 이러한 방식으로 형성된다.
파셋 본체의 단면은 부착 영역으로부터 자유 단부 또는 단부들을 향해 특히 적어도 섹션에서 감소한다.
단면은 특히 자유 단부를 향해 연속적으로, 특히 단조롭게 감소할 수도 있다. 이는 질량 관성 모멘트가 감소될 수 있게 한다. 파셋 본체의 단면은 또한 파셋 본체의 강성을 증가시키는 데 기여할 수도 있다.
단면은 또한 자유 단부의 영역에서, 바로 외부에서도 다시 증가할 수도 있다. 자유 단부의 영역에서, 파셋 본체는 특히 정지 요소를 가질 수도 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 파셋 본체는 그 질량 관성 모멘트를 감소시키기 위한 수단 및/또는 그 강성을 증가시키기 위한 수단을 갖는다.
틈새, 보어 또는 일반적으로 파셋 본체의 중량 감소 형태는 파셋 본체의 질량 관성 모멘트를 감소시키기 위한 수단으로서 역할을 할 수도 있다.
그 프로파일링된 형태는 파셋 본체의 강성을 증가시키기 위한 수단으로서 역할을 할 수도 있다. 파셋 본체는 특히 적어도 섹션에서, T-형, U-형 또는 H-형 단면을 가질 수도 있다. 파셋 본체는 또한 적층 제조될 수도 있다. 특히, 이는 중공 구조를 가질 수도 있다. 이는 파셋 본체의 질량 관성 모멘트가 특히 효과적으로 감소될 수 있게 한다.
본 발명의 다른 목적은 투영 노광 장치용 조명 광학 유닛, 투영 노광 장치용 조명 시스템, 투영 노광 장치용 광학 시스템 및 투영 노광 장치를 개선하는 것이다.
이들 목적은 상기 설명에 따른 파셋 미러를 갖는 조명 광학 유닛, 조명 시스템, 광학 시스템 및 투영 노광 장치에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 실시예는 운송 중에 및 지진 하중의 경우에 특히 광학면의, 특히 개선된 보호를 제공한다.
장점은 파셋 미러의 장점들로부터 발생한다.
본 발명의 다른 목적은 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소를 제조하기 위한 방법, 및 또한 대응적으로 제조된 구성요소를 개선하는 것이다.
이들 목적은 상기 설명에 따른 투영 노광 장치를 제공함으로써 달성된다.
장점은 참조되는 이어서 파셋 미러의 장점들로부터 발생한다.
본 발명의 추가의 장점 및 상세는 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 투영 노광 장치의 구성 부분 및 빔 경로를 개략적으로 도시하고 있다.
도 2는 필드 파셋 미러 상의 필드 파셋의 예시적인 배열을 개략적으로 도시하고 있다.
도 3 및 도 4는 2개의 독립적인 경사축 주위에 필드 파셋을 변위시키기 위한 액추에이터 디바이스를 개략적으로 도시하고 있다.
도 5는 그 반사면에 대한 필드 파셋의 경사축의 상대 위치를 명백하게 하기 위한 추가 상세를 개략적으로 도시하고 있다.
도 6은 이들의 표면 법선에 평행한 축 주위로 회전 중에 2개의 인접한 파셋의 충돌을 예로서 개략적으로 도시하고 있다.
도 7은 개별 파셋의 사시도를 예로서 도시하고 있다.
도 8은 파셋을 보호하기 위한 정지 요소의 단면을 예로서 도시하고 있다.
도 9는 단부에 배열된 2개의 정지 요소를 갖는 도 7에 따른 파셋을 통한 측면도를 예로서 도시하고 있다.
도 10은 파셋이 정지 요소에 의해 보호되는, 도 6에 따른 표현을 개략적으로 도시하고 있다.
도 11 내지 도 13은 2개의 인접한 파셋의 상이한 경사 상황을 예시하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 14 및 도 15는 파셋 상의 정지 요소의 2개의 상이한 배열을 개략적으로 도시하고 있다.
도 16은 구조적으로 최적화된 파셋의 사시도를 예로서 도시하고 있다.
도 17은 그 본체가 질량 관성 모멘트를 감소시키기 위한 수단 및 강성을 증가시키기 위한 수단을 갖는 파셋의 부분 사시도를 개략적으로 도시하고 있다.
도 18은 밸런싱 요소를 갖는 파셋의 사시도를 개략적으로 도시하고 있다.
도 19는 예로서 제공된, 파셋의 본체 상의 정지 요소의 배열의 상세도를 예로서 도시하고 있다.
도 20 내지 도 22는 정지 요소 경계의 상이한 형태를 예로서 도시하고 있다.
도 23은 그 변위 범위를 제한하기 위한 별개의 정지 요소를 갖는 파셋의 도면을 개략적으로 도시하고 있다.
도 24는 도 23에 따른 정지 요소를 갖는 인접 파셋을 통한 단면을 개략적으로 도시하고 있다.
도 25는 파셋의 경사축에 대한 도 23에 따른 정지 요소의 바람직한 배열을 예시하기 위해 파셋을 통한 종방향 섹션을 개략적으로 도시하고 있다.
도 26은 정지 요소가 별개의 측방향 정지로 형성되는 변형예를 예로서 개략적으로 도시하고 있다.
도 27은 파셋을 보호하기 위한 정지 요소의 다른 단면을 예로서 도시하고 있다.
도 28은 3개의 정지 요소를 갖는 파셋의 사시도를 예로서 도시하고 있다.
이하, 먼저 도 1을 참조하여 투영 노광 장치(1)의 일반적인 구조 및 빔 경로가 설명된다.
투영 노광 장치(1)는 조명 방사선(4)으로 대물 평면(3)의 대물 필드(2)를 조명하기 위한 조명 광학 유닛(1a)을 포함한다. 투영 노광 장치(1)는 레티클을 이미징하기 위한 투영 광학 유닛(1b)을 또한 포함하는데, 레티클은 도 1에는 도시되어 있지 않고 대물 평면(3)의 영역 내에 배열되며, 마찬가지로 도 1에는 도시되어 있지 않고 이미지 평면(31) 내에 배열되어 있는 웨이퍼 상에 이미징될 구조를 갖는다. 상세는 종래 기술로부터 널리 알려져 있다.
조명 방사선(4)은 특히 EUV 방사선, 특히 최대 30 nm, 특히 13.5 nm 이하의 파장을 갖는 조명 방사선일 수도 있다.
조명 방사선(4)은 방사선 소스(5)에 의해 생성된다. 플라즈마 소스 또는 자유 전극 레이저(FEL)가 방사선 소스(5)로서 역할을 할 수도 있다. 상세를 위해, 종래 기술을 다시 참조한다.
조명 광학 유닛(1a)과 방사선 소스(5)의 조합은 또한 조명 시스템(1c)이라 칭한다.
방사선 소스(5)에 의해 방출된 조명 방사선(4)은 집광기(6)에 의해 수집된다. 집광기(6)는 조명 방사선(4)을 반사하여 리를 조명 광학 유닛(1a)의 다음 구성요소로 안내한다.
집광기(6) 이후의 빔 경로에서, 조명 방사선(4)은 또한 필드 파셋 미러라고도 칭하는 제1 파셋 미러(7)의 형태의 제1 광학 요소 상에 충돌한다. 제1 파셋 미러(7)는 조명 시스템(1c)에서 2차 광원을 생성하는 역할을 한다.
조명 방사선(4)에 의해 작용되는 제1 파셋 미러(7)의 총 반사면은 또한 필드 파셋이라고도 칭하는 복수의 제1 파셋(8i)으로 분할된다. 도 1 및 도 2에서, 4개의 제1 파셋(81 내지 84)이 개략적으로 표시되어 있다.
조명 방사선(4)의 서브다발(12i)은 마찬가지로 도 1에 개략적으로 그리고 예로서 표시되어 있는데, 특히 4개의 제1 파셋(81 내지 84)에 할당된 조명 방사선(4)의 서브다발(121 내지 124)이 도시되어 있다.
제1 파셋은 일반적으로 세장형 형태이다. 이들은 직사각형일 수도 있다. 이들은 또한 특히 원형 링의 세그먼트의 형태로 만곡될 수도 있다.
제1 파셋은 모두 동일한 치수를 가질 수도 있다. 상이한 치수의 제1 파셋을 갖는 제1 파셋 미러(7)를 형성하는 것이 또한 가능하다.
제1 파셋은 특히 적어도 5:1, 특히 적어도 8:1, 특히 적어도 12:1, 특히 적어도 13:1의 형상비를 가질 수도 있다. 제1 파셋의 형상비는 특히 최대 100:1, 특히 최대 50:1이다.
제1 파셋의 형상은 특히 대물 필드(2)의 형상에 적응될 수도 있다. 이는 특히 대물 필드(2)의 형상과 기하학적으로 유사할 수도 있다. 제1 파셋의 형상은 특히 이들에 의해 반사된 조명 방사선(4)이 투영 노광 장치(1)의 동작 동안 대물 필드(2) 또는 그 미리 결정된 부분 영역을 가능한 한 정확하게 조명하도록 이루어진다.
각각의 제1 파셋은 상이한 조명 세팅을 설정하기 위해 변위될 수 있는데, 특히 경사질 수 있다. 제1 파셋은 특히 서로 수직인 2개의 축 주위로 경사질 수 있다.
직교(x, y, z) 좌표계가 위치 관계를 설명하기 위해 이하에 사용된다. 이 좌표계에서, 제1 파셋은 각각의 경우에 x 방향으로 연장하는 경사축 주위로 그리고 y 방향으로 연장하는 경사축 주위로 경사질 수 있다. z축은 특히 각각의 파셋의 표면 법선에 평행하거나 거의 평행하다.
액추에이터가 제1 파셋을 변위시키기 위해 각각 제공되는데, 그 중 하나인 액추에이터(16)가 도 1에 대표적으로 표시되어 있다. 액추에이터(16)는 제어 라인(18)을 통해 중앙 제어 디바이스(19)에 연결된다. 제어 디바이스(19)는 도 1에 도시되어 있지 않은 대응 제어 라인을 통해 제1 파셋에 할당된 모든 다른 액추에이터에 연결된다.
제1 파셋의 추가 상세를 위해, 여기에 완전히 참조되는 US 2003/0086524 A1, 특히 도 7 내지 도 14를 참조한다.
제2 파셋 미러(20)의 형태의 제2 광학 요소가 제1 파셋 미러에 의해 생성된 2차 광원의 장소, 즉, 방사선 소스(5)에 관하여 이미지 평면에 배열된다. 제2 파셋 미러(20)는 또한 동공 파셋 미러라고도 칭한다. 동공 파셋 미러는 제1 파셋 미러(7)를 통해 조명 방사선(4)에 의해 충돌된다.
충돌될 수 있는 제2 파셋 미러(20)의 표면은 복수의 제2 파셋(21i)으로 분할되고, 그 중 4개의 제2 파셋(211 내지 214)이 도 1에 예로서 도시되어 있다. 제2 파셋(211 내지 214)은 각각의 경우에 제1 파셋(8 내지 11) 중 하나에 할당되어, 각각의 경우에 각각의 충돌된 제2 파셋(211 내지 214)의 장소에서 2차 광원이 생성되게 된다.
도 1에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 제2 파셋은 또한 액추에이터에 의해 경사 가능할 수도 있다. 이것의 예로서, 제2 파셋(21)에 할당된 액추에이터(25)가 도 1에 도시되어 있다. 액추에이터(25)는 빔 라인(18)을 통해 제어 디바이스(19)와 신호 연결 상태에 있다.
추가 미러(28, 29)를 갖는 투과 광학 유닛(27)이 제2 파셋 미러(20) 이후에 빔 경로에 배열된다. 이 경우에, 미러(28)는 작은 입사각, 예를 들어 30° 미만의 입사각으로 조명 방사선(4)에 의해 충돌될 수 있다. 미러(29)는 예를 들어 60° 초과의 입사각으로 스침각 입사로 충돌될 수도 있다.
투영 노광 장치(1)의 상기 설명은 예로서 이해되어야 한다. 종래 기술로부터 알려진 바와 같이, 조명 시스템(1c)의 다른 실시예가 또한 가능하다.
파셋의 추가의 상세가 이하에 설명된다. 이하의 설명 및 도면이 제1 파셋 미러(7)의 파셋에 관한 것일지라도, 설명된 양태는 제2 파셋 미러(20)의 파셋에 대해 동등하게 가능하고 유리하다.
도 2에서, 제1 파셋 미러(7)의 표면으로부터의 상세의 평면도가 예로서 도시되어 있다.
도 2에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 파셋 미러(7) 상에 서로의 옆에 배열된 다수의 파셋(8i)이 존재한다. 여기서, 인접한 파셋(8i, 8i+1)은 각각의 경우에 간극(32)에 의해 서로로부터 분리된다. 도 2에 도시되어 있는 변형예에서, 간극(32)은 x 또는 y 방향에 평행하게 연장된다.
반사 손실을 가능한 한 낮게 유지하기 위해, 간극(32)은 가능한 한 좁다. 간극 폭은 특히 최대 1 mm이다. 간극 폭은 대응 방향에서 파셋(8i)의 범위의 특히 최대 50%, 특히 최대 30%, 특히 최대 20%, 특히 최대 15%, 특히 최대 10%, 특히 최대 5%, 특히 최대 3%, 특히 최대 2%, 특히 최대 1%이다.
전체적으로, 제1 파셋 미러(7)의 총 면적의 바람직하게는 최대 50%, 특히 최대 30%, 특히 최대 20%, 특히 최대 15%, 특히 최대 10%, 특히 최대 5%, 특히 최대 3%, 특히 최대 2%, 특히 최대 1%가 간극(32)에 의해 커버된다. 조명 방사선(4)은 간극(32)에서 반사될 수 없다. 따라서, 간극(32)은 투과 손실을 유도한다.
다른 한편으로, 파셋(8i)의 특정 작동 범위를 허용하기 위해 간극(32)이 필요하다.
도 3 및 도 4는 파셋(8i)을 변위시키기 위한 액추에이터(16)의 상세를 개략적으로 예로서 도시하고 있다. 작동은 레버(33)를 통해 발생한다. 이는 자력에 의해 발생할 수 있다. 자석은 특히 레버(33)의 이면에 위치된다. 여기된 코일이 그 아래에 제공되는데, 이는 레버(33)가 편향되고 결과적으로 파셋(8i)이 경사지게 할 수 있다. 액추에이터(16)는 또한 예를 들어 판 스프링(34)의 형태의 하나 이상의 복원 요소를 가질 수도 있다.
파셋(8i)은 각각의 경우에 파셋 본체(35) 및 반사면(36)을 갖는다. 반사면(36)은 주연부에 에지(40)를 갖는다.
파셋(8i)은 공통 프레임 또는 공통 플레이트에 부착될 수도 있다. 모듈식 플레이트에 파셋(8i)을 그룹으로 부착하는 것도 또한 가능하다.
또한 일반적으로 광학면이라고도 칭하는 반사면(36)은 평탄할 수도 있다. 그러나, 이는 또한 만곡될 수도 있다. 이는 특히 오목하게 또는 볼록하게 특히 형성될 수도 있다. 이는 또한 원환체이거나 임의의 다른 형상을 가질 수도 있다.
도 5에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 경사축(37)은 반사면(36)의 영역(도 5의 좌측)에 놓일 수도 있다. 경사축(37)은 또한 반사면(36) 아래에, 즉, 후방에 놓일 수도 있다(도 5의 중간). 경사축(37)은 또한 반사면(36) 위에, 즉, 전방에 놓일 수도 있다(도 5의 우측). 반사면(36)에 관한 경사축(37)의 위치는 인접한 파셋(8i, 8i+1)이 지정된 경사각 범위(경사 범위)에 걸쳐 충돌을 면하는 것을 보장하기 위해 간극(32)의 요구 폭에 영향을 미친다.
파셋 본체(35)는 바람직하게는 적어도 섹션에서, 반사면(36)에 수직인 방향으로 감소하는 단면, 예를 들어 사다리꼴 단면을 가질 수도 있다. 측면 각도(b)는 특히 설정될 최대 경사각만큼 클 수도 있다. 이는 또한 더 클 수도 있다. 파셋 본체(35)의 치수, 특히 그 질량 관성 모멘트는 파셋 본체(35)의 더 큰 측면 각도(b), 특히 더 큰 빗각만큼 감소될 수 있다.
부착 방법에 따라, 개별 파셋(8i)은 낮은 고유 주파수를 가질 수도 있는데, 이는 예를 들어 운송 중 또는 지진과 같은 예기치 않은 충격의 경우에 여기된다. 이는 인접한 파셋(8i, 8i+1) 사이의 충돌을 유도할 수 있다.
도 6은 반사면(36)의 중심점 상의 표면 법선에 평행하게 연장하는 z축 주위로 그 회전 중에 2개의 인접한 파셋 사이의 충돌을 예로서 도시하고 있다. 이러한 충돌은 광학 에지에, 즉, 반사면(36)의 주연 영역에서 만입을 유도할 수 있다.
파셋(8i, 8i+1), 제어기는 x 및 y축 주위로 경사질 수 있지만, z축 주위의 회전은 투영 노광 장치(1)의 정상 동작에서 바람직하지 않다. 그러나, z축 주위의 이러한 회전은 운송 및 지진의 경우에 여기될 수 있다. 이는 파셋(8i, 8i+1)의 손상을 유도할 수도 있는데, 이는 바람직하게는 회피되어야 한다.
인접 파셋(8i, 8i+1)의 충돌을 회피, 특히 방지하기 위한 상이한 개념이 종래 기술로부터 알려져 있다. 이러한 개념은 일반적으로 복잡하다. 이는 또한 그 효율성이 종종 불충분한 것으로 판명되었다.
본 발명에 따르면, 이들 문제는 광학 구성요소, 특히 파셋(8i)의 제어된 충돌이 허용됨으로써 해결된다. 여기서 반사면(36)이 충돌의 경우에 손상되지 않는 이러한 방식으로 각각의 경우에 파셋 본체(35) 및 반사면(36)을 형성하는 것이 본 발명에 따라 고려된다. 이는 특히 각각의 파셋(8i)의 반사면(36)으로부터 소정 거리에 배열되고 그 영역에서 접촉이 발생할 수 있는 규정된 정지면을 파셋 본체(35)에 제공함으로써 달성될 수 있다. 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 파셋 본체(35)가 타격할 수 있는 별개의 정지 요소가 또한 정지면으로서 역할을 할 수 있다.
정지면은 특히 인접한 파셋의 미리 결정된 영역에 의해 또는 부가의 기계적 구성요소에 의해 형성될 수도 있다.
파셋 본체와 각각 연관된 정지면 사이의 거리는 특히 대응 방향에서의 간극(32)의 폭보다 작다. 파셋 본체(35)와 연관 정지면 사이의 거리는 특히 반사면(36)과 정지면 또는 인접한 파셋의 반사면(36) 사이의 거리보다 작다. 이는 충돌의 경우에, 광학 에지, 즉 반사면(36)의 에지가 충돌하는 것이 아니라, 오히려 원하는 정지 영역이 충돌하는 것을 보장한다.
도 7은 파셋(8i)의 사시도를 예로서 도시하고 있다.
도 7에 도시되어 있는 변형예에서, 정지 요소(38)는 단부에서 파셋 본체(35) 상에 제공된다. 도 7에 따른 파셋을 통한 측면도가 도 9에 예로서 도시되어 있다.
도 8은 정지 요소(38)의 단면을 상세히 도시하고 있다. 정지 요소(38)는 특히 정지 에지(39)를 갖는다. 정지 에지(39)는 반사면(36)의 에지(40)에 관하여 경사축(37)에 수직인 방향으로 외향으로 오프셋된다.
정지 요소(38)의 변형예의 단면이 도 27에 도시되어 있다. 도 27에 따른 정지 요소(38)는 반사면(36)의 양 측면에 숄더(48)를 갖는다. 숄더(48)는 특히 파셋의 폭에 평행한 방향으로 연장된다. 이는 반사면(36), 특히 그 에지(40)의 개선된 보호를 유도한다.
도 27에 따른 정지 요소(38)의 형태와 도 8에 따른 실시예 사이의 중간 스테이지가 유사하게 가능하다. 숄더(48)는 특히 수직 방향(49)에 관하여, 90° 내지 150° 범위, 특히 90° 내지 135° 범위, 바람직하게는 적어도 100°의 각도(c)로 배향될 수도 있다. 여기서, 수직 방향(49)은 특히 반사면(36)의 중심점(51)을 통해 표면 법선(50)에 평행하게 연장한다.
정지 에지(39)는 라운딩거나 모따기될 수도 있다.
도 9에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 정지 요소(38)는 파셋 본체(35)를 넘어 하향으로, 즉, 반사면(36)으로부터 이격하여 지향하는 파셋 본체(35)의 측면으로 돌출한다. 수직 돌출량은 파셋(8i)의 원하는 경사 범위에 기초하여 결정될 수도 있다. 파셋(8i)의 경사 범위는 예를 들어 최대 100 mrad일 수도 있다.
정지 요소(38)는 플레이트형일 수도 있다. 이들은 또한 파셋 본체(35) 상에 끼워지는 것을 가능하게 하도록 슬리브의 방식으로 형성될 수도 있다.
정지 요소(38)는 각각의 경우에 종방향으로 파셋 본체(35)의 자유 단부 상에 배열될 수도 있다.
이들은 또한 종방향으로 자유로운 파셋 본체(35)의 단부를 3개의 측면 상에서 둘러쌀 수도 있다. 대응 형태가 도 10에 예로서 도시되어 있다. 정지 요소(38)의 이러한 형태는, 특히 z축 주위의 회전으로 인한 충돌의 경우에도 파셋(8i, 8i+1), 특히 이들의 반사면(36)을 보호한다.
정지 요소(38)는 바람직하게는 파셋(8i)의 임의의 경사진 위치에서, 특히 임의의 동작 전환 위치에서, 예를 들어 또한 z축 주위의 임의의, 특히 또한 예기치 않은 여기가 반사면(36)의 에지(40)의 영역에서가 아니라, 정지 요소(38)의 영역에서 충돌을 최대로 유도하는 이러한 방식으로 파셋 본체(36) 상에 형성되고 그리고/또는 배열된다.
도 28에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 정지 요소(38)는 또한 파셋 본체(35) 상의 중앙 영역에 배열될 수도 있다. 이는 특히 만곡된 파셋(8i)의 경우에 유리할 수 있다.
정지 요소(38)는 바람직하게는 각각의 파셋 본체(35)와 인접 파셋 본체(35) 또는 인접 정지 요소(38) 사이의 거리가 그 최소값에 있는 영역 또는 영역들에 배열된다. 정지 요소(38)는 특히 충돌이 발생할 가능성이 가장 높은 파셋 본체(35)의 이들 영역에 배열된다.
도 28에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 파셋 본체(35)의 자유 단부의 영역에 배열된 정지 요소(38)는 또한 단부에서 파셋 본체(35) 상에 완전히 배열될 필요는 없다.
도 28에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 상이한 정지 요소(38)는 상이한 기하학적 형태를 가질 수도 있다. 특히, 파셋 본체(35)의 중앙 영역에 배열된 정지 요소(38)를 단부를 향해 더 멀리 배열된 정지 요소(38)와 상이하게 형성하는 것이 가능하다. 특히, 이들 정지 요소가 이 방향에서 파셋 본체(35)의 범위보다 작은 반사면(36)에 수직인 방향에서의 범위를 갖는 이러한 방식으로 파셋 본체(35)의 중앙 영역에 배열된 정지 요소(38)를 형성하는 것이 가능하다.
특히, 파셋 본체(35)의 중앙 영역에 배열된 정지 요소(38)는 파셋 본체(35)의 두꺼워진 부분으로서 형성될 수도 있다.
파셋 본체(35)의 중앙 영역에 배열된 정지 요소(38)는 파셋 본체(35)의 단일 측면 상에만 배열될 수도 있다. 2개의 측면 상에, 즉, 파셋 본체(35)의 대향 측면들 상에 대응 정지 요소(38)를 배열하는 것도 또한 가능하다.
간극(32)의 폭이 특히 작은, 특히 최소인 영역에서의 정지 요소(38)의 배열은 정지 요소(38)를 특히 얇고, 따라서 특히 경량인 것으로서 형성하는 것을 가능하게 한다.
정지 요소(38)는 특히, 정지면과의 접촉이 파셋(8i)이 변위될 때 및/또는 파셋(8i)의 예기치 않은 여기로 인해 발생할 수 있는 이러한 방식으로 형성되고, 이에 의해 파셋(8i)은 반사면(36)으로부터 소정 거리에 배열된 미리 결정된 영역에서 정지면과 접촉하게 된다.
도 11 내지 도 13은 인접 파셋(81, 8i+1)이 경사질 때 상이한 셋업의 예를 도시하고 있다.
파셋(81, 8i+1)이 서로로부터 이격하여 경사지면(도 11), 인접 에지(40)는 위험에 빠지지 않거나 적어도 덜 위험에 빠진다.
반대의 경우, 즉, 인접 파셋(81, 8i+1)이 서로를 향해 경사지면, 원리적으로 충돌이 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명에 따르면, 하나의 정지 요소(38)의 정지 에지(39)가 다른 정지 요소(38)와 접촉하게 되는 이러한 방식으로 정지 요소(38)를 형성하는 것이 고려된다. 원리적으로, 정지 요소(38), 특히 그 정지 에지(39)는 또한 인접 파셋(8i)의 파셋 본체(35)의 다른 영역을 타격할 수도 있다.
그러나, 파셋(8i)의 접촉(충돌)이 발생할 수 있는 영역이 각각의 파셋(8i)의 반사면(36)으로부터 소정 거리에 배열되는 것이 보장되어야 한다.
정지 요소(38)의 도시되어 있는 형태에 의해, 정지 에지(39)가 반사면(36)을 넘어 측방향으로 돌출하는 돌출량(e)과 정지 에지(39)를 통한 평면 위의 반사면(36)의 높이(h)에 대한 비는 측면 각도(b)의 탄젠트의 적어도 3배만큼 커야 한다: e:h≥tan(3b)는 것이 기하학적 조건으로부터 쉽게 추론될 수 있다. 40 mrad의 측면 각도(b)의 경우, 특히 이하의 관계가 적용된다: e:h≥120 ㎛/mm. 이러한 형태의 정지 요소(38)에 의해, 반사면(36)의 에지(40)는 파셋(8i)의 모든 가능한 경사 위치에 대한 충돌에 대해 보호된다.
도 13에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 이는 또한 제2 경사축 주위의 부가의 작동의 경우에도 적용된다. 본 경우에, 이는 주로 z 방향으로 2개의 파셋(8i, 8i+1)의 상대 변위를 유도한다. 이는 각각 다른 파셋(8i)을 위험에 빠지게 할 수 있다. 그러나, 정지 요소(38)의 도시되어 있는 형태에 의해, 이는 특히 그 반사면(36)의 에지(40)가 충돌할 수 없는 이러한 방식으로 정지 요소에 의해 또한 보호된다.
도 13으로부터 예로서 또한 자명한 바와 같이, z 방향에서 정지 요소(38)의 범위는 y축 주위의 최대 경사 범위에 의존한다. y축 주위의 경사 위치에 무관하게, 정지 요소(38)가 반사면(36)의 에지(40)를 충돌에 대해 보호하기 위해 정지면을 제공하는 것이 z 방향에서 정지 요소(38)의 충분한 범위에 의해 보장될 수 있다.
특히, 반사면(36)에 평행하거나 각각의 경사축에 수직인 방향에서, 반사면(36)을 넘어 정지 에지(39)의 돌출량(e)의 바람직한 값에 대해, 이하의 인자가 바람직하게 고려될 수 있다:
파셋 본체(35)의 제조에서 제조 공차는 일반적으로 10 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위에 있다.
정지 요소(35)는 파셋(8i)의 수명에 걸쳐 마모될 수도 있다. 충돌의 경우, 최대 수 ㎛ 범위에서 정지 에지(39)의 최대 만입이 존재할 수 있다. 이는 무엇보다도, 정지 요소(38)의 재료 및/또는 충돌의 경우에 충격 각도에 의존한다. 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 라운딩된 방식으로 정지 에지(39)를 형성하는 것이 고려될 수도 있다. 이는 충돌의 경우에 헤르츠(Hertzian) 압력을 감소시킬 수 있다.
돌출량(e)은 특히 파셋(8i)의 변위 범위(작동 범위)에 의존한다. 게다가, 돌출량(e)의 절대값은 정지 에지(39)와 보호될 반사면(36)의 에지(40) 사이의 거리, 특히 높이(h)에 의존한다. 이 거리 또는 높이(h)가 작을수록, 선택될 수 있는 돌출량(e)이 더 작다.
20 ㎛ 내지 100 ㎛의 범위의 돌출량(e)이 특히 유용한 것으로 입증되었다.
인접 반사면(36) 사이의 거리를 가능한 한 작게 유지하기 위해, 더 작은 돌출량(e)이 유리하다. 파셋(8i, 8i+1)의 중립 위치에서 인접 파셋 본체(35) 사이의 거리, 특히 서로 가장 가까운 인접 파셋(8i, 8i+1)의 정지 에지(39) 사이의 거리는 바람직하게는 < 100 ㎛, 특히 최대 50 ㎛이다. 이들 진술은 바람직하게는, 특히 파셋(8i, 8i+1)의 중립 위치에서, 또는 특히 그 표면 법선이 서로 평행하게 연장하는 위치에서, 2개의 인접 반사면(36) 사이의 거리에 적용된다.
본 발명의 다른 양태가 도 14 및 도 15를 참조하여 이하에 설명된다.
이 양태는 파셋 본체(35) 상의 정지 요소(38)의 배열에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 협착부, 즉 2개의 인접 파셋(8i, 8i+1) 사이의 최소 거리의 지점이 항상 그 자유 단부의 영역에 있는 것은 아니라는 것이 인식되었다. 게다가, 인접 파셋(8i, 8i+1) 사이의 간극(32)의 공칭 폭은 파셋(8i, 8i+1)의 길이에 걸쳐 변할 수도 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 협착부의 위치에 따라 파셋 본체(35) 상에 정지 요소(38)를 배열하는 것이 고려될 수도 있다. 정지 요소(38)는 특히 파셋 본체(35)의 단부에 배열될 수도 있다. 이는 파셋(81, 82)에 대해 도 14에 예로서 도시되어 있다. 그러나, 정지 요소(38)는 또한 파셋 본체(35) 상에 중앙에 배열될 수도 있다. 이는 파셋(82, 83)에 대해 도 14에 예로서 도시되어 있다.
이에 대한 대안으로서, 돌출량(e)의 양은 상이하게 선택될 수도 있다. 이는 도 15에 예로서 도시되어 있다. 여기서, 파셋(82, 83) 사이의 정지 요소(38)의 돌출량(e)은 파셋(81, 82) 사이의 돌출량(e)의 양보다 크도록 선택된다. 이는 또한 파셋(82, 83)의 중앙 영역에서 작은 간극 폭이 고려될 수 있다는 것을 의미한다.
달리 말하면, 정지 요소(38)의 배열의 위치를 요구에 따라 유연하게 선택하는 것이 가능하다. 이에 대한 대안으로서, 각각의 경우에 정지 요소(38)를 파셋 본체(35) 상의 미리 결정된 위치에 배열하는 것이 가능하다. 특히, 이 경우, 돌출량(e)의 양은 간극 폭에 유연하게 적응될 수 있다.
모든 파셋(8i)에 대해 동일한, 파셋 본체(35) 상의 정지 요소(38)의 배열의 미리 결정된 위치는 파셋 특징의 변형성이 감소되는 장점을 갖는다. 이는 파셋 윤곽의 프로그래밍을 더 쉽게 한다.
다른 변형예에 따르면, 파셋(8i)의 전체 길이에 걸쳐 정지 에지(39)를 형성하는 것이 고려된다. 정지 에지(39)는 특히 파셋 본체(35)의 전체 원주방향 영역에 걸쳐 형성될 수도 있다. 정지 에지(39)는 여기서 연속적 형태로서 형성될 수도 있다. 이는 또한 중단된 형태로서 형성될 수도 있다. 이는 중량을 절감할 수 있게 한다.
특히, 중량 절감의 이유로, 파셋 본체(35) 상의 임계 영역에만 정지 요소(38)를 배열하는 것이 유리할 수도 있다. 특히, 비교적 큰 경사 범위, 예를 들어 40 mrad 초과의 경사 범위의 경우, 파셋(8i)의 자유 단부의 영역에만 정지 요소(38)를 배열하는 것이 유리할 수도 있다.
정지 요소(38)는 특히 파셋 본체(35)의 종방향으로 별개의 장소에만 배열될 수도 있다. 특히, 최대 10개, 특히 최대 8개, 특히 최대 6개, 특히 최대 4개, 특히 2개의 정지 요소(38)가 파셋 본체(35) 상에 배열될 수도 있다. 정지 요소(38)는 각각의 경우에 파셋 본체(35)의 길이의 최대 10%, 특히 최대 5%, 특히 최대 3%, 특히 최대 2%인 파셋 본체(35)의 종방향에서의 범위를 가질 수도 있다.
전체적으로, 정지 요소(38)는 파셋 본체(35)의 질량 관성 모멘트가 최대 10%, 특히 최대 5%, 특히 최대 3%만큼 정지 요소(38)의 배열에 의해 증가되는 이러한 방식으로 파셋 본체(35) 상에 형성 및 배열될 수도 있다.
본 발명의 다른 양태는 파셋 본체(35)의 유리한 구성에 관한 것이다. 가능한 한 경량인 파셋이 동적 이유로 유리하다는 것이 인식되어 왔다. 한편으로, 이는 여기의 경우 진폭을 낮게 유지하고, 다른 한편으로, 충돌의 경우 충돌 에너지가 감소된다. 본 발명에 따르면, 파셋(8i)과 정지면의 접촉이 허용되더라도, 그럼에도 불구하고 이러한 충돌이 부정적인 결과, 특히 파셋(8i)에 손상을 유발하거나 입자 형성을 유도하지 않는 것을 보장하기 위해 주의가 기울어져야 한다.
특히, 동적 임계축, 특히 경사축과 관련하여 최저 가능한 중량, 특히 최저 가능한 질량 관성 모멘트를 갖는 파셋(8i)을 형성하기 위해, 파셋 본체(35)는 구조적으로 최적화된 방식으로 형성될 수도 있다.
파셋 본체(35)는 특히 중량을 감소시키기 위한 수단, 특히 질량 관성 모멘트를 감소시키기 위한 수단을 가질 수도 있다. 파셋 본체(35)의 중량을 감소시키고 그 질량 관성 모멘트를 감소시키기 위한 수단으로서, 예를 들어 자유 단부를 향해 감소하는 단면을 갖는 파셋 본체(35)를 형성하는 것이 고려될 수도 있다. 특히, 파셋의 단부를 향해 파셋 본체(35)의 높이를 감소시키는 것이 가능하다. 대응 형태가 도 16에 예로서 도시되어 있다. 파셋 본체(35)의 이면과 그 정면 사이의 설정 각도(w)는 특히 2° 내지 10°의 범위, 특히 4° 내지 6°의 범위에 있다. 그 단부에서 파셋 본체(35)의 더 얇은 형태로 인해, 그 질량 관성 모멘트는 구조적으로 최적화되지 않은 형태에 비교하여 대략 10%만큼 감소될 수도 있다. 동시에, 파셋 본체(35)의 강성이 증가될 수 있다. 파셋 본체(35)의 강성은 특히 파셋의 지지점을 향한 단면적을 증가시킴으로써 증가될 수 있다. 파셋 본체(35)의 총 질량은 증가하지만, 단면이 자유 단부를 향해 감소되기 때문에, 질량 관성 모멘트가 감소한다. 따라서, 질량 관성 모멘트는 파셋 본체(35)의 전체 길이에 걸쳐 전체적으로 감소되고 강성이 증가된다. 예를 들어, 그 단부를 향한 파셋 본체(35)의 단면적을 감소시킴으로써, 파셋 본체(35)의 사하중(dead weight)으로 인한 처짐은 2배 초과, 특히 3배 초과만큼 개선될 수 있다. 이들 진술은 120 mm의 길이, 6.6 mm의 폭, 및 14 mm의 평균 높이를 갖는 파셋에 예로서 관련된다.
게다가, 필요한 강성이 액추에이터 축을 향해 변위될 수도 있다.
중량을 감소시키기 위한, 특히 파셋 본체(35)의 질량 관성 모멘트를 감소시키기 위한 다른 수단이 도 17에 예로서 도시되어 있다. 이 변형예에 따르면, 보어가 파셋 본체(35) 내에 제공된다. 보어는 마찬가지로 중량 절감을 유도한다. 대안으로서 또는 이에 추가하여, 특히 파셋 본체(35)의 이면으로부터 또는 그 측면으로부터 포켓이 또한 제공될 수도 있다. 게다가, 단면의 테이퍼링이 예를 들어, 측면 상의 사면과 같은 다른 방식으로 또한 가능하다.
파셋 본체(35)를 최적화하는 다른 수단이 도 18에 도시되어 있다. 이 변형예에 따르면, 파셋 본체(35)는 고도로 비대칭적인 방식으로 장착된다. 밸런싱 요소(41)가 여기서 더 짧은 자유 단부의 영역에 제공된다.
특히 Rx 주위의 파셋 본체(35)의 질량 관성 모멘트는 전술된 수단에 의해 최대 30%만큼 감소될 수 있다.
정지 요소(38)는 바람직하게는 x 방향, 즉 파셋 본체(35)의 종방향으로 작은 범위를 갖는다. 정지 요소(38)는 특히 1 mm 내지 3 mm의 범위의 x 방향의 범위를 가질 수도 있다. 예를 들어, 예로서 전술된 파셋(8i)은 특히 조작기의 다른 이동하는 질량체와 함께 약 180000 g·mm2의 총 관성 모멘트(Iyy)를 갖는다. 정지 요소(38)로 인한 부가의 총 관성 모멘트(Iyy)는 5000 m·mm2 미만, 즉, 총 관성 모멘트(Iyy)의 3% 미만이다.
다른 변형예에 따르면, 중량, 및 결과적으로 정지 요소(38)에 의해 추가로 야기되는 관성 모멘트는, 예를 들어 보어 또는 포켓과 같은 틈새에 의해 더 감소될 수 있다. 이러한 중량 절감은 특히 x 방향에서 단부면 상의 정지 요소(38) 내로 도입될 수 있다. 그 결과, 파셋(8i)의 총 관성 모멘트(Iyy)에서 정지 요소(38)의 질량 관성 모멘트의 상대 비율은 2% 미만으로 감소될 수 있다.
정지 요소(38)는 특히 예기치 않은 여기 및/또는 충격의 경우에, 특히 파셋(8i)을 보호하는 역할을 하고, 그 반사면(36)을 보호하는 역할을 한다. 이들은 또한 특히 여기된 진동 진폭이 제공된 간극(32) 폭의 배수일 수 있는 지진 하중 경우에 대해 파셋을 보호한다.
본 발명의 다른 양태가 이하에 설명된다.
정지 요소(38)는 별개의 구성요소로서 형성될 수도 있다. 특히, 이들은 파셋 본체(35) 상에 배치될 수도 있다. 이들은 일반적으로 파셋 본체(35)에 연결된다. 본질적으로 모든 고려 가능한 연결 기술이 여기서 가능하다. 정지 요소(38)는 특히 파셋 본체(35) 상에 접착, 납땜, 용접, 나사 결합, 클립핑 또는 수축되거나 끼워질 수도 있다.
별개의 구성요소로서의 정지 요소(38)의 형태는 정지 요소(38)가 파셋 본체(35)와는 상이한 재료로부터 제조될 수 있는 장점을 갖는다. 이들은 또한 동일한 재료로부터 제조될 수도 있다. 특히, 이들은 구리 또는 구리 합금으로부터 제조될 수도 있다. 이는 특히 입자 형성과 관련하여 유리하다. 게다가, 정지 요소(38)를 제조하기 위해 구리 또는 구리 합금을 사용하는 것은, 구리의 비교적 낮은 경도의 결과로서, 충돌의 경우에 방해가 되지 않는 지점에서 약간의 만입이 존재한다는 장점을 갖는다. 입자의 형성이 크게 방지된다.
정지 요소를 파셋 본체(35)에 단일체로 일체화하는 것도 또한 가능하다. 특히, 이들은 파셋 본체(35)와 단일편으로 형성될 수도 있다. 이 경우에, 정지 요소(38)는 특히 기하학적 상세, 특히 파셋 본체(35)의 형상에 의해 형성될 수도 있다. 이는 특히 간단하고 견고한 제조를 허용한다.
도 20 내지 도 22에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 정지 요소(38), 특히 그 정지 에지(39)의 형태는 날카로운 에지(도 20), 날카롭지 않은 에지, 특히 평탄하게 테이퍼링(도 21) 또는 라운딩될 수도 있다(도 22). 라운딩된, 바람직하게는 모따기된 형태는 헤르츠 압력을 감소시키는 것을 가능하게 한다. 이는 바람직한 실시예를 나타낸다.
충돌 테스트는, 통상적인 충격 에너지로 수백 번 충돌 후에, 단지 매우 적은 마모, 특히 최대 2 ㎛의 접촉 영역에서의 만입만이 존재했다는 것을 나타내고 있다.
다른 변형예에 따르면, 반사면(36)이 정지 요소(38)의 정지 에지(39)를 통한 평면에 대해 그 표면 법선의 방향으로 오프셋되는 높이(h)는 또한 0에 접근할 수도 있다. 이는 파셋(8i)의 사용된 광학면이 그 기하학적 주연부까지 진행하지 않는, 특히 파셋 본체(35)의 주연부까지 진행하지 않는 경우에 대응한다. 이러한 형태는 또한 반사면(36)이 충돌의 경우에 충돌하지 않는 효과를 갖는다. 그러나, 이 경우에, 반사면(36)은 조명 방사선(4)을 반사하는 데 사용되지 않는 주연 영역에 의해 둘러싸여 있다. 그 결과, 파셋 미러(7)의 충전 정도 및 결과적으로 투과에 관련한 효율이 감소된다.
다른 예시적인 실시예가 도 23 내지 도 25를 참조하여 이하에 설명된다. 일반적인 상세를 위해, 이전 실시예를 참조한다.
본 예시적인 실시예에서, 정지면은 파셋(8i)의 변위 범위를 제한하기 위한 수단에 의해 형성된다. 도면에 도시되어 있는 변형예에 따르면, 또한 스너버라고도 칭하는 핀(42)이 이러한 수단으로서 역할을 한다. 핀(42)은 파셋 본체(35)의 이면 상의 포켓(43)으로 진입한다. 진입 깊이는 전체 경사 범위를 커버할만큼 충분히 크다. 원리적으로, 핀(42)은 또한 파셋 본체(35)와 함께 경사질 수도 있다.
핀(42) 및 도 23에만 도시되어 있는 파셋(8i)의 장착부(46)는 공통 베이스 플레이트(47) 상에 배열된다.
핀(42), 특히 포켓(43)에 진입하는 그 자유 단부의 정확한 위치설정은 유리하게는 조정 가능할 수도 있다.
핀(42)과 포켓(43) 내부의 정지 측면(44) 사이의 유극은 2개의 인접 파셋(8i, 8i+1) 사이의 거리보다 작고, 특히 2개의 인접 파셋(8i, 8i+1) 사이의 간극(32)의 폭보다 작다. 핀(42)과 정지 측면(44) 사이의 유극은 특히 T0 공차에 대해 이용 가능한 간극(32)의 부분보다 작다. 이는 반사면(36)의 에지(40)에 대한 보호 효과가 또한 본 변형예에서 보장되는 것을 보장한다.
핀(42) 주위의 유극을 감소시키기 위해, 그 자유 단부가 경사축(37)(도시되어 있는 경우에서 x축)의 영역에서 연장하는 이러한 방식으로 핀(42)을 형성 및/또는 배열하는 것이 유리하다.
유극을 더 감소시키기 위해, 핀(42)은 조정될 수 있다. 핀(42)은 특히 조정 가능한 것으로서 형성될 수도 있다.
핀(24)은 특히 그 자유 단부에서 구형으로서 구성될 수도 있다. 이는 파셋의 경사를 방해하는 것을 회피한다.
예로서 도시되어 있는 실시예에서, 스너버는 핀(42)으로서 도시되어 있다. 스너버를 포크로서, 즉 파셋을 포위하는 다수의 자유 단부를 갖고 형성하는 것이 또한 고려 가능하다.
도 25에 예로서 도시되어 있는 다른 변형예에 따르면, 측방향 정지부(45)가 핀(42) 대신에 제공된다.
일반적으로, 파셋(8i), 특히 이들의 파셋 본체(35)는 특정 변위 위치에서 정지면과 접촉하게 되도록 변위 범위를 갖는다는 것이 주목되어야 한다. 변위 위치는 가역적으로 작동 가능한 변위 위치일 수도 있다. 이들은 또한 운송의 경우 또는 지진의 경우, 특히 운송 또는 지진의 경우에만 발생할 수 있지만 제어된 부설의 경우에는 발생할 수 없는 바람직하지 않은 편향 위치일 수도 있다.
정지면은 여기서 추가 광학 요소, 특히 추가 파셋 본체(35) 또는 그 위에 배열된 정지 요소(38) 상의 표면에 의해 형성될 수도 있다. 이는 또한 예를 들어, 핀(42) 또는 측방향 정지부(45)와 같은 별개의 기계적 상세에 의해 형성될 수도 있다.
모든 정지면은 바람직하게는 내마모성 재료로 제조된다. 이들은 또한 내마모성 코팅을 가질 수도 있다. 이는 충돌의 경우에 입자의 발생을 방지할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 발생되는 모든 입자는 수집 용기 또는 인접 구성요소에 의해 형성된 포켓 내에 수집될 수 있다.

Claims (28)

  1. 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(1a)용 파셋 미러(7, 20)이며,
    1.1. 다수의 변위 가능한 개별 파셋(8i, 21i)을 갖고, 개별 파셋은
    1.1.1. 파셋 본체(35) 및
    1.1.2. 그 위에 배열된 반사면(36)을 갖는, 파셋 미러(7, 20)에 있어서,
    1.2. 개별 파셋(8i, 21i)은 인접 개별 파셋(8i, 21i)이, 단지 파셋 본체(35) 내에 또는 상에 형성된 정지면의 영역 및/또는 파셋 본체(35) 내에 또는 상에 배열되거나 형성된 정지 요소(38)의 영역에서만, 서로 접촉하게 하는 것이 가능한 이러한 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  2. 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(1a)용 파셋 미러(7, 20)이며,
    2.1. 다수의 변위 가능한 개별 파셋(8i, 21i)을 갖고, 개별 파셋은
    2.1.1. 파셋 본체(35) 및
    2.1.2. 그 위에 배열된 반사면(36)을 갖는, 파셋 미러(7, 20)에 있어서,
    2.2. 개별 파셋(8i, 21i) 중 적어도 일부는 하나 이상의 변위 위치에서 정지면과 접촉하게 되도록 변위 범위를 갖는, 파셋 미러(7, 20).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 모든 개별 파셋(8i, 21i)은 각각의 홈 위치 및/또는 능동 변위 위치에서 모든 정지면으로부터 소정 거리에 배열되는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 개별 파셋(8i, 21i) 중 일부는 인접 개별 파셋(8i, 8i+1, 20i, 20i+1)이 하나 이상의 변위 위치에서 접촉하게 되도록 변위 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 개별 파셋(8i, 21i)의 적어도 일부는 인접 개별 파셋(8i, 8i+1, 20i, 20i+1)이 미리 결정된 정지면의 영역에서 접촉하게 될 수 있는 이러한 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 정지면이 개별 파셋(8i, 21i)의 파셋 본체(35) 내에 또는 상에 형성되거나 별개의 정지 요소(38)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 파셋 본체(35)는 2개의 인접 개별 파셋(8i, 8i+1, 20i, 20i+1)의 파셋 본체(35) 사이의 거리가 그 반사면(36) 사이의 거리보다 작은 이러한 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 정지 요소(38)가 각각의 경우에 파셋 본체(35) 상에 또는 내에 제공되는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 정지 요소(38)는 반사면(36)에 평행한 방향에서, 이 방향에서 반사면(36)의 범위보다 큰 범위를 갖고 그리고/또는 반사면(36)으로부터 이격하여 지향하는 그 측면으로 파셋 본체(35)를 넘어 돌출하는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 정지 요소(38)는 그 외부 인벨로프가 인벨로프에 의해 에워싸인 반사면(36)의 부분 영역에 대한 수직 투영에서 적어도 하나의 방향으로 반사면(36)을 넘어 돌출하는 이러한 방식으로 파셋 본체(35)에 쌍으로 배열되는 것을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 개별 파셋(8i, 21i)의 변위 범위를 제한하기 위한 하나 이상의 수단을 특징으로 하는 파셋 미러(7, 20).
  12. 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(1a)의 파셋 미러(7, 20)용 개별 파셋(8, 21)이며,
    12.1. 파셋 본체(35) 및
    12.2. 그 위에 배열된 반사면(36)을 갖는, 개별 파셋(8, 21)에 있어서,
    12.3. 반사면에 대한 표면 법선의 방향에서의 투영에서, 상기 표면 법선에 수직인 적어도 하나의 방향에서 반사면(36)을 넘어 돌출하는 하나 이상의 정지면 및/또는 정지 요소(38)가 파셋 본체(35) 상에 또는 내에 제공되는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  13. 제12항에 있어서, 반사면에 대한 표면 법선의 방향에서의 투영에서, 상기 표면 법선에 수직인 적어도 하나의 방향 및 반대 방향의 모두에서 반사면(36)을 넘어 돌출하는 하나 이상의 정지면 및/또는 정지 요소(38)를 갖는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 반사면에 대한 표면 법선의 방향에서의 투영에서, 반사면(36)의 전체 원주방향 영역에 걸쳐 반사면(36)을 넘어 돌출하는 하나 이상의 정지면 및/또는 정지 요소(38)를 갖는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 투영은 평행 투영인 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 투영은 직교 투영인 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  17. 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 파셋 본체(35) 및/또는 정지 요소(38)의 적어도 일부는 반사면(36)에 평행한 방향에서, 이 방향에서 반사면(36)의 범위보다 큰 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  18. 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 정지 요소(38) 중 적어도 일부는 반사면(36)으로부터 이격하여 지향하는 그 측면에서 적어도 하나의 방향으로 파셋 본체(35)를 넘어 돌출하는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  19. 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 정지 요소(38) 중 적어도 일부는 그 외부 인벨로프가 인벨로프에 의해 에워싸인 반사면(36)의 부분 영역에 대한 수직 투영에서 적어도 하나의 방향으로 반사면(36)을 넘어 돌출하는 이러한 방식으로 파셋 본체(35)에 쌍으로 배열되는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  20. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 파셋 본체(35)는 적어도 하나의 자유 단부를 갖고, 파셋 본체(35)의 단면은 자유 단부를 향해 감소하는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  21. 제12항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 파셋 본체(35)는 질량 관성 모멘트(I)를 감소시키기 위한 수단 및/또는 강성을 증가시키기 위한 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  22. 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(1a)의 파셋 미러(7, 20)용 개별 파셋(8, 21)이며,
    22.1. 파셋 본체(35) 및
    22.2. 그 위에 배열된 반사면(36)을 갖는, 개별 파셋(8, 21)에 있어서,
    22.3. 파셋 본체(35)는 질량 관성 모멘트(I)를 감소시키기 위한 수단 및/또는 강성을 증가시키기 위한 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 개별 파셋(8, 21).
  23. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 파셋 미러(7, 20)를 갖는 조명 광학 유닛(1a).
  24. 조명 시스템(1c)이며,
    24.1. 제23항에 따른 조명 광학 유닛(1a) 및
    24.2. 조명 방사선(4)을 생성하기 위한 방사선 소스(5)를 갖는, 조명 시스템(1c).
  25. 광학 시스템이며,
    25.1. 제23항에 따른 조명 광학 유닛(1a) 및
    25.2. 대물 필드(2)를 이미지 필드로 투영하기 위한 투영 광학 유닛(1b)을 갖는, 광학 시스템.
  26. 투영 노광 장치(1)이며,
    26.1. 조명 방사선(4)을 생성하기 위한 방사선 소스(5),
    26.2. 제23항에 따른 조명 광학 유닛(1a) 및
    26.3. 대물 필드(2)를 이미지 필드로 투영하기 위한 투영 광학 유닛(1b)을 갖는, 투영 노광 장치(1).
  27. 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소를 제조하기 위한 방법이며,
    - 제26항에 따른 투영 노광 장치를 제공하는 단계,
    - 이미징될 구조를 갖는 레티클을 제공하는 단계,
    - 방사선 민감성 코팅을 갖는 웨이퍼를 제공하는 단계,
    - 투영 노광 장치(1)를 사용하여 웨이퍼 상에 레티클의 이미징될 구조를 이미징하는 단계를 포함하는, 방법.
  28. 제27항에 따른 방법에 의해 제조된 구성요소.
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