KR20220048432A - 광학 필름의 제조 방법 및 광학 필름 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
(과제) 롤 투 롤 방식의 프로세스에 있어서 플라즈마 처리실보다 하류에 배치되어 있는 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합한, 광학 필름의 제조 방법 및 제조 장치를 제공한다.
(해결 수단) 본 발명의 제조 방법은, 롤 투 롤 방식으로 워크 필름 (W) 을 반송하면서 광학 필름 (F) 을 제조하는 방법이며, 플라즈마 처리실 (C3) 에서의 공정과, 성막실 (C4) (제 2 성막실) 에서의 공정을 포함한다. 플라즈마 처리실 (C3) 은, 반송 방향 (D) 에 있어서 실내의 플라즈마원 (50) 보다 상류에 배치된 제 1 배기구 (70) 를 갖는다. 플라즈마 처리 공정에서는, 제 1 배기구 (70) 를 통하여 플라즈마 처리실 (C3) 을 배기하면서 워크 필름 (W) 을 플라즈마 처리한다. 성막 공정에서는, 성막실 (C4) 의 제 2 배기구 (303) 를 통하여 성막실 (C4) 을 배기함으로써, 플라즈마 처리실 (C3) 내보다 저압으로 성막실 (C4) 내를 유지하면서, 드라이 코팅법으로 워크 필름 (W) 상에 성막한다.
(해결 수단) 본 발명의 제조 방법은, 롤 투 롤 방식으로 워크 필름 (W) 을 반송하면서 광학 필름 (F) 을 제조하는 방법이며, 플라즈마 처리실 (C3) 에서의 공정과, 성막실 (C4) (제 2 성막실) 에서의 공정을 포함한다. 플라즈마 처리실 (C3) 은, 반송 방향 (D) 에 있어서 실내의 플라즈마원 (50) 보다 상류에 배치된 제 1 배기구 (70) 를 갖는다. 플라즈마 처리 공정에서는, 제 1 배기구 (70) 를 통하여 플라즈마 처리실 (C3) 을 배기하면서 워크 필름 (W) 을 플라즈마 처리한다. 성막 공정에서는, 성막실 (C4) 의 제 2 배기구 (303) 를 통하여 성막실 (C4) 을 배기함으로써, 플라즈마 처리실 (C3) 내보다 저압으로 성막실 (C4) 내를 유지하면서, 드라이 코팅법으로 워크 필름 (W) 상에 성막한다.
Description
본 발명은 광학 필름의 제조 방법 및 광학 필름 제조 장치에 관한 것이다.
반사 방지 필름, 투명 도전성 필름, 및 전자파 차폐 필름 등의 광학 필름은, 예를 들어, 기재 필름과, 당해 기재 필름 상의 다층막을 구비한다. 다층막은, 예를 들어, 소정의 광학적 기능을 갖는 층 (광학 기능층) 과, 당해 광학 기능층 상의 보호층을 포함한다. 이와 같은 광학 필름은, 예를 들어, 이른바 롤 투 롤 방식으로 제조된다. 광학 필름의 제조 방법에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 에 기재되어 있다.
롤 투 롤 방식에 의한 광학 필름의 제조 과정에 있어서는, 순차적으로 이어지는 일련의 공정실에 걸쳐서 장척상 (長尺狀) 의 기재 필름이 반송되고, 기재 필름 상에 각 층이 순차적으로 형성된다. 각 층은, 드라이 코팅법에 의한 재료의 성막에 의해 형성된다. 이와 같은 성막 공정은, 예를 들어, 재료가 퇴적되는 하지 (下地) 를 플라즈마 처리하는 공정의 후에 실시된다. 그 경우, 성막 공정 (드라이 코팅법) 은, 플라즈마 처리보다 저압의 조건으로 실시된다. 즉, 성막 공정 중의 공정실 (성막실) 내의 압력은, 플라즈마 처리 중의 공정실 (플라즈마 처리실) 내의 압력보다 낮고, 양실 (兩室) 사이에는 차압이 발생하고 있다. 그 때문에, 종래, 플라즈마 처리에서 사용되는 가스 (불활성 가스 및 반응성 가스 등) 의 일부가, 플라즈마 처리실로부터 성막실로 유입한다. 가스 유입량은 변동하고, 그에 따라 성막실 내의 압력도 변동한다.
본 발명은, 롤 투 롤 방식의 프로세스에 있어서 플라즈마 처리실보다 하류에 배치된 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합한, 광학 필름의 제조 방법 및 제조 장치를 제공한다.
본 발명 [1] 은, 순차적으로 이어지는 복수의 공정실에 걸쳐서 롤 투 롤 방식으로 워크 필름을 반송하면서, 광학 필름을 제조하는 방법으로서, 상기 복수의 공정실이, 플라즈마 처리실과, 상기 반송 방향에 있어서 상기 플라즈마 처리실의 하류측에 배치된 성막실을 포함하고, 상기 플라즈마 처리실이, 실내에 배치된 플라즈마원을 구비하고, 또한, 실내를 배기하기 위한 적어도 1 개의 제 1 배기구를 갖고, 당해 제 1 배기구는, 상기 반송 방향에 있어서 상기 플라즈마원보다 상류측에 배치되고, 상기 성막실이, 실내를 배기하기 위한 제 2 배기구를 갖고, 상기 제 1 배기구를 통하여 상기 플라즈마 처리실을 배기하면서, 당해 플라즈마 처리실에 있어서, 워크 필름에 대하여 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 공정과, 상기 제 2 배기구를 통하여 상기 성막실을 배기함으로써, 상기 플라즈마 처리 공정 실시 중의 상기 플라즈마 처리실 내의 압력보다 낮은 압력으로 상기 성막실 내를 유지하면서, 당해 성막실에 있어서, 드라이 코팅법에 의해 워크 필름 상에 성막하는 성막 공정, 을 포함하는, 광학 필름의 제조 방법을 포함한다.
광학 필름의 제조 방법의 플라즈마 처리 공정에서는, 플라즈마 처리실에 있어서, 플라즈마원보다 워크 필름 반송 방향 상류측에 배치된 제 1 배기구를 통하여 플라즈마 처리실을 배기하면서, 워크 필름을 플라즈마 처리한다 (제 1 배기구는, 플라즈마원에 대하여 성막실과는 반대의 측에 배치되어 있다). 이와 같은 구성은, 플라즈마 처리에 사용되고 있는 가스가 플라즈마원으로부터 성막실을 향해서 흐르는 것을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 플라즈마 처리실로부터 성막실로의 가스의 유입을 억제하는 데 적합하다. 이와 같은 가스 유입의 억제는, 성막 공정 중의 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명 [2] 는, 상기 적어도 1 개의 제 1 배기구가, 상기 반송 방향과 직교하는 방향에 있어서 대향하는 2 개의 제 1 배기구를 포함하고, 상기 플라즈마 처리 공정에서는, 상기 2 개의 제 1 배기구의 사이를 통과하도록 워크 필름은 반송되는, 상기 [1] 에 기재된 광학 필름의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 구성은, 플라즈마 처리 중의 플라즈마 처리실로부터 성막실로의 가스 유입을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 성막 공정 중의 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명 [3] 은, 상기 플라즈마 처리실이, 상기 플라즈마원을 포위하는 커버 하우징을 구비하고, 당해 커버 하우징은, 입구 개구부와, 상기 반송 방향에 있어서 상기 입구 개구부보다 하류에 배치된 출구 개구부를 갖고, 상기 플라즈마 처리 공정에서는, 워크 필름이 상기 입구 개구부로부터 상기 출구 개구부에 걸쳐 상기 커버 하우징을 통과하도록, 워크 필름은 반송되는, 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 광학 필름의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 커버 하우징은, 워크 필름에 대한 플라즈마 처리에 의해 발생하는 더스트의 비산을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 플라즈마 처리실로부터 성막실로의 더스트의 유입을 억제하는 데 적합하다.
본 발명 [4] 는, 상기 플라즈마 처리실과 상기 성막실은 이웃하는, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 광학 필름의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 구성은, 광학 필름의 제조 방법을 실시하는 장치를 소형화 하는 데 적합하다.
본 발명 [5] 는, 상기 플라즈마 처리실과 상기 성막실 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 반송 가능한 제 1 기밀 반송 기구를 통하여, 상기 플라즈마 처리실로부터 상기 성막실로 워크 필름을 반송하는, 상기 [4] 에 기재된 광학 필름의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 구성은, 플라즈마 처리실 (상대적으로 고압) 과 성막실 (상대적으로 저압) 의 차압을 확보하는 데 적합하고, 따라서, 성막 공정 중의 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명 [6] 은, 상기 복수의 공정실이, 상기 반송 방향에 있어서 상기 성막실의 하류측에 배치되어 당해 성막실과 이웃하는 후(後)공정실을 포함하고, 상기 성막 공정의 후에, 상기 후공정실에 있어서 워크 필름에 대하여 실시되는 후공정을 포함하고, 상기 후공정 실시 중의 상기 후공정실 내의 압력보다 낮은 압력으로 상기 성막실 내를 유지하면서, 당해 성막실에 있어서 상기 성막 공정을 실시하는, 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 광학 필름의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 구성은, 성막 공정 후에 후공정을 실시하는 경우에 있어서, 광학 필름의 제조 방법을 실시하는 장치를 소형화 하는 데 적합하다.
본 발명 [7] 은, 상기 성막실과 상기 후공정실 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 반송 가능한 제 2 기밀 반송 기구를 통하여, 상기 성막실로부터 상기 후공정실로 워크 필름을 반송하는, 상기 [6] 에 기재된 광학 필름의 제조 방법을 포함한다.
이와 같은 구성은, 후공정실 (상대적으로 고압) 과 성막실 (상대적으로 저압) 의 차압을 확보하는 데 적합하고, 따라서, 성막 공정 중의 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명 [8] 은, 상기 성막 공정에서의 상기 드라이 코팅법이 진공 증착법인, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 광학 필름의 제조 방법을 포함한다.
본 발명의 광학 필름 제조 방법은, 성막실 내에서 진공 증착법에 의한 성막 공정이 실시되는 경우에 당해 성막실에 요구되는 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명 [9] 는, 롤 투 롤 방식으로 워크 필름을 반송하면서 광학 필름을 제조하는 장치로서, 순차적으로 늘어서 있는 복수의 공정실과, 적어도 1 개의 제 1 배기 펌프와, 적어도 1 개의 제 2 배기 펌프와, 기밀 반송 기구를 구비하고, 상기 복수의 공정실이, 워크 필름에 대하여 플라즈마 처리를 실시하기 위한 플라즈마 처리실과, 상기 반송 방향에 있어서 상기 플라즈마 처리실의 하류측에 배치된 성막실로서, 드라이 코팅법에 의해 워크 필름 상에 성막하기 위한 성막실을 포함하고, 상기 플라즈마 처리실이, 실내에 배치된 플라즈마원을 구비하고, 또한, 실내를 배기하기 위한 적어도 1 개의 제 1 배기구를 갖고, 당해 제 1 배기구는, 상기 반송 방향에 있어서 상기 플라즈마원보다 상류측에 배치되고 또한 상기 제 1 배기 펌프에 연결되고, 상기 성막실이, 실내를 배기하기 위한 제 2 배기구를 갖고, 당해 제 2 배기구는, 상기 제 2 배기 펌프에 연결되어 있는, 광학 필름 제조 장치를 포함한다.
본 발명의 광학 필름 제조 장치에서는, 플라즈마 처리실의 제 1 배기구가, 플라즈마 처리실 내의 워크 필름 반송 방향에 있어서, 실내의 플라즈마원보다 상류측에 배치되어 있다. 즉, 워크 필름 반송 방향에 있어서, 제 1 배기구는, 플라즈마원에 대하여 성막실과는 반대의 측에 배치되어 있다. 이와 같은 구성은, 장치 가동 시에 있어서, 플라즈마 처리실에서의 플라즈마 처리에 사용되고 있는 가스가 플라즈마원으로부터 성막실을 향해서 흐르는 것을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 플라즈마 처리실로부터 성막실로의 가스의 유입을 억제하는 데 적합하다. 이와 같은 가스 유입의 억제는, 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명 [10] 은, 상기 적어도 1 개의 제 1 배기구가, 상기 반송 방향과 직교하는 방향에 있어서 대향하는 2 개의 제 1 배기구를 포함하고, 각 제 1 배기구는, 상기 제 1 배기 펌프에 연결되어 있고, 상기 플라즈마 처리실 내의 워크 필름 반송 경로는, 상기 2 개의 제 1 배기구의 사이를 연장되는, 상기 [9] 에 기재된 광학 필름 제조 장치를 포함한다.
이와 같은 구성은, 장치 가동 시에 있어서, 플라즈마 처리실로부터 성막실로의 가스 유입을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명 [11] 은, 상기 플라즈마 처리실이, 상기 플라즈마원을 포위하는 커버 하우징을 구비하고, 당해 커버 하우징은, 입구 개구부와, 상기 반송 방향에 있어서 상기 입구 개구부보다 하류에 배치된 출구 개구부를 갖고, 상기 플라즈마 처리실 내의 워크 필름 반송 경로는, 상기 입구 개구부로부터 상기 출구 개구부에 걸쳐 상기 커버 하우징을 통과하도록 연장되는, 상기 [9] 또는 [10] 에 기재된 광학 필름 제조 장치를 포함한다.
이와 같은 커버 하우징은, 워크 필름에 대한 플라즈마 처리에 의해 발생하는 더스트의 비산을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 플라즈마 처리실로부터 성막실로의 더스트의 유입을 억제하는 데 적합하다.
본 발명 [12] 는, 상기 플라즈마 처리실과 상기 성막실은 이웃하는, 상기 [9] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 광학 필름 제조 장치를 포함한다.
이와 같은 구성은, 광학 필름 제조 장치를 소형화 하는 데 적합하다.
본 발명 [13] 은, 상기 플라즈마 처리실과 상기 성막실 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 상기 플라즈마 처리실로부터 상기 성막실로 반송하도록 구성된 제 1 기밀 반송 기구를 추가로 구비하는, 상기 [12] 에 기재된 광학 필름 제조 장치를 포함한다.
이와 같은 구성은, 장치 가동 시에 있어서, 플라즈마 처리실 (상대적으로 고압) 과 성막실 (상대적으로 저압) 의 차압을 확보하는 데 적합하고, 따라서, 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명 [14] 는, 상기 복수의 공정실이, 상기 반송 방향에 있어서 상기 성막실의 하류측에 배치되어 당해 성막실과 이웃하는 후공정실을 추가로 포함하고, 상기 성막실과 상기 후공정실 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 상기 성막실로부터 상기 후공정실로 반송하도록 구성된 제 2 기밀 반송 기구를 추가로 포함하는, 상기 [9] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 광학 필름 제조 장치를 포함한다.
이와 같은 구성은, 후공정실 (상대적으로 고압) 과 성막실 (상대적으로 저압) 의 차압을 확보하는 데 적합하고, 따라서, 성막 공정 중의 성막실의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다. 또, 성막실과 후공정실이 이웃하는 구성은, 광학 필름 제조 장치를 소형화 하는 데 적합하다.
본 발명 [15] 는, 상기 성막실은, 상기 드라이 코팅법으로서 진공 증착법이 실시되는 진공 증착실인, 상기 [9] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 광학 필름 제조 장치를 포함한다.
본 발명의 광학 필름 제조 장치는, 성막실이 진공 증착실인 경우에 당해 성막실에 요구되는 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
도 1 은, 본 발명의 광학 필름 제조 장치의 일 실시형태의 개략 구성도이다.
도 2 는, 본 발명의 광학 필름의 제조 방법의 일 실시형태에 의해 제조되는 광학 필름의 일례의 단면 (斷面) 모식도이다.
도 3 은, 도 1 에 나타내는 플라즈마 처리실의 개략 평면도이다.
도 4 는, 도 1 에 나타내는 플라즈마 처리실의 개략 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 광학 필름의 제조 방법의 일 실시형태에 의해 제조되는 광학 필름의 일례의 단면 (斷面) 모식도이다.
도 3 은, 도 1 에 나타내는 플라즈마 처리실의 개략 평면도이다.
도 4 는, 도 1 에 나타내는 플라즈마 처리실의 개략 단면도이다.
본 발명의 광학 필름의 제조 방법은, 순차적으로 이어지는 복수의 공정실에 걸쳐서 롤 투 롤 방식으로 워크 필름을 반송하면서 광학 필름을 제조하는 방법이다. 도 1 에 나타내는 장치 (X) 는, 당해 제조 방법을 실시하는 광학 필름 제조 장치이며, 조출실 (R1) 과, 권취실 (R2) 과, 복수의 공정실 (C) 을 구비한다. 장치 (X) 는, 본 발명의 광학 필름 제조 장치의 일 실시형태에 상당한다.
도 2 는, 본 발명의 광학 필름의 제조 방법 및 제조 장치에 의해 제조되는 광학 필름의 일례로서의 광학 필름 (F) 의 단면 모식도이다.
광학 필름 (F) 은, 투명 기재 (S) 와, 밀착층 (10) 과, 광학 기능층 (20) 과, 방오층 (30) 을, 두께 방향으로 차례로 구비하는 투명한 복합 필름이며, 본 실시형태에서는 반사 방지 필름이다. 광학 필름 (F) 은, 바람직하게는, 투명 기재 (S) 와, 밀착층 (10) 과, 광학 기능층 (20) 과, 방오층 (30) 으로 이루어진다.
투명 기재 (S) 는, 예를 들어, 가요성을 갖는 투명한 수지제 기재 필름이다. 당해 수지 필름의 재료로는, 바람직하게는, 투명성과 강도를 겸비하는 열가소성 수지가 사용된다. 그러한 열가소성 수지로는, 예를 들어, 트리아세틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리술폰 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리올레핀 수지, 아크릴 수지, 노르보르넨 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리스티렌 수지, 및 폴리비닐알코올 수지를 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종류 이상이 병용되어도 된다.
수지 필름에는, 1 종류 또는 2 종류 이상의 첨가제가 함유되어 있어도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 활제 (滑劑), 가소제, 이형제, 착색 방지제, 난연제, 대전 방지제, 안료, 및 착색제를 들 수 있다.
투명 기재 (S) 는, 그 밀착층 (10) 측 표면에, 상기 서술한 수지 필름보다 고경도의 하드 코트층을 가져도 된다. 하드 코트층은, 예를 들어, 경화성 수지를 함유하는 용액을 상기 서술한 수지 필름 상에 도포하여 도막을 형성한 후, 당해 도막을 건조 및 경화시킴으로써, 형성할 수 있다. 또, 하드 코트층은, 미립자를 함유하여 방현성을 갖는 방현성 하드 코트층이어도 된다. 이 경우, 하드 코트층 형성용의 상기 용액에 미립자를 배합한다. 당해 미립자로는, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화칼슘, 산화주석, 산화인듐, 산화카드뮴, 및 산화안티몬을 들 수 있다.
투명 기재 (S) 의 두께는, 강도의 관점에서, 바람직하게는 5 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 20 ㎛ 이상이다. 투명 기재 (S) 의 두께는, 취급성의 관점에서, 바람직하게는 300 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 200 ㎛ 이하이다. 투명 기재 (S) 가 상기 서술한 하드 코트층을 갖는 경우, 당해 하드 코트층의 두께는, 동 (同) 층의 경도 확보의 관점에서는, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1 ㎛ 이상이다. 하드 코트층의 두께는, 예를 들어 10 ㎛ 이하이다.
투명 기재 (S) 의 가시광 투과율은, 투명성의 관점에서, 바람직하게는 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 투명 기재 (S) 의 가시광 투과율은, 예를 들어 100 ％ 이하이다.
투명 기재 (S) 에 있어서의 밀착층 (10) 측 표면은, 표면 개질 처리되어 있어도 된다. 표면 개질 처리로는, 예를 들어, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 오존 처리, 프라이머 처리, 글로 처리, 및 커플링제 처리를 들 수 있다.
밀착층 (10) 은, 투명 기재 (S) 와 광학 기능층 (20) 사이의 밀착력을 확보하기 위한 층이다. 밀착층 (10) 의 재료로는, 예를 들어, 실리콘, 니켈, 크롬, 알루미늄, 주석, 금, 은, 백금, 아연, 티탄, 텅스텐, 지르코늄, 팔라듐 등의 금속, 이들 금속의 2 종류 이상의 합금, 그리고, 이들 금속의 산화물을 들 수 있다. 유기층 (구체적으로는 투명 기재 (S)) 및 산화물층 (구체적으로는 제 1 고굴절률층 (21)) 의 양방에 대한 밀착성과, 밀착층 (10) 의 투명성의 양립의 관점에서는, 밀착층 (10) 의 재료로는, 바람직하게는 산화실리콘 (SiOx) 이 사용되고, 보다 바람직하게는, 화학량론 조성보다 산소량이 적은 SiOx 가 사용되며, 더욱 바람직하게는, x 가 1.2 이상 1.9 이하인 SiOx 가 사용된다.
밀착층 (10) 의 두께는, 투명 기재 (S) 와 광학 기능층 (20) 사이의 밀착력의 확보와, 밀착층 (10) 의 투명성의 양립의 관점에서, 예를 들어 1 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어 10 ㎚ 이하이다.
광학 기능층 (20) 은, 본 실시형태에서는, 외광의 반사 강도를 억제하기 위한 반사 방지층이며, 상대적으로 굴절률이 큰 고굴절률층과, 상대적으로 굴절률이 작은 저굴절률층을, 두께 방향으로 번갈아 갖는다. 반사 방지층에서는, 그것을 구성하는 복수의 박층 (薄層) (고굴절률층, 저굴절률층) 에 있어서의 복수의 계면에서의 반사광간의 간섭 작용을 이용하여, 정미 (正味) 의 반사광 강도를 감쇠시킨다. 또, 반사 방지층에서는, 각 박층의 광학 막두께 (굴절률과 두께의 곱) 의 조정에 의해, 반사광 강도를 감쇠시키는 간섭 작용을 발현시킬 수 있다. 이와 같은 반사 방지층으로서의 광학 기능층 (20) 은, 본 실시형태에 있어서 구체적으로는, 제 1 고굴절률층 (21) 과, 제 1 저굴절률층 (22) 과, 제 2 고굴절률층 (23) 과, 제 2 저굴절률층 (24) 을, 두께 방향 일방측을 향하여 차례로 갖는다.
제 1 고굴절률층 (21) 및 제 2 고굴절률층 (23) 은, 각각, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 바람직하게는 1.9 이상인 고굴절률 재료로 이루어진다. 고굴절률과 가시광의 저흡수성의 양립의 관점에서, 고굴절률 재료로는, 예를 들어, 산화니오브 (Nb2O5), 산화티탄, 산화지르코늄, 주석 도프 산화인듐 (ITO), 및 안티몬 도프 산화주석 (ATO) 을 들 수 있고, 바람직하게는 산화니오브가 사용된다.
제 1 저굴절률층 (22) 및 제 2 저굴절률층 (24) 은, 각각, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 바람직하게는 1.6 이하인 저굴절률 재료로 이루어진다. 저굴절률과 가시광의 저흡수성의 양립의 관점에서, 저굴절률 재료로는, 예를 들어, 이산화규소 (SiO2) 및 불화마그네슘을 들 수 있고, 바람직하게는 이산화규소가 사용된다. 제 2 저굴절률층 (24) 의 재료로는, 제 2 저굴절률층 (24) 과 방오층 (30) 의 밀착성 확보의 관점에서도, 바람직하게는 이산화규소가 사용된다.
방오층 (30) 은, 광학 필름 (F) 에 있어서의 방오 기능을 갖는 층이며, 광학 기능층 (20) 의 두께 방향 일방면 상에 배치되어 있다. 방오층 (30) 의 방오 기능에는, 광학 필름 (F) 의 노출면 (투명 기재 (S) 와는 반대측에 있어서의 표면) 에 대한 수지 등의 오염 물질의 부착 억제 기능, 및, 부착된 오염 물질을 쉽게 제거하는 기능이 포함된다.
방오층 (30) 의 재료로는, 예를 들어, 불소기 함유의 유기 화합물, 및, 불소기 함유의 실란계 화합물을 들 수 있고, 바람직하게는, 불소기 함유의 유기 화합물이 사용된다.
불소기 함유의 유기 화합물로는, 예를 들어, 퍼플루오로폴리에테르기를 갖는 알콕시실란 화합물을 들 수 있다. 퍼플루오로폴리에테르기를 갖는 알콕시실란 화합물로는, 예를 들어, 하기의 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.
R1-R2-O-(CH2)m-Si(OR3)3 (1)
일반식 (1) 에 있어서, R1 은, 알킬기에 있어서의 1 개 이상의 수소 원자가 불소 원자로 치환된, 직사슬형 또는 분기형의 불화알킬기 (탄소수는 예를 들어 1 이상 20 이하) 를 나타내고, 바람직하게는, 알킬기의 수소 원자 전부가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.
R2 는, 퍼플루오로폴리에테르 (PFPE) 기의 반복 구조를 적어도 1 개 포함하는 구조를 나타내고, 바람직하게는, PFPE 기의 반복 구조를 2 개 포함하는 구조를 나타낸다. PFPE 기의 반복 구조로는, 예를 들어, 직사슬형 PFPE 기의 반복 구조, 및, 분기형 PFPE 기의 반복 구조를 들 수 있다. 직사슬형 PFPE 기의 반복 구조로는, 예를 들어, -(OCnF2n)p- 로 나타내는 구조 (n 은, 1 이상 20 이하의 정수를 나타내고, p 는, 1 이상 50 이하의 정수를 나타낸다. 이하 동일) 를 들 수 있다. 분기형 PFPE 기의 반복 구조로는, 예를 들어, -(OC(CF3)2)p- 로 나타내는 구조, 및, -(OCF2CF(CF3)CF2)p- 로 나타내는 구조를 들 수 있다. PFPE 기의 반복 구조로는, 바람직하게는, 직사슬형 PFPE 기의 반복 구조를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, -(OCF2)p- 및 -(OC2F4)p- 를 들 수 있다.
R3 은, 탄소수 1 이상 4 이하 알킬기를 나타내고, 바람직하게는 메틸기를 나타낸다.
m 은, 1 이상의 정수를 나타낸다. 또, m 은, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 10 이하, 더욱 바람직하게는 5 이하의 정수를 나타낸다.
이와 같은 퍼플루오로폴리에테르기를 갖는 알콕시실란 화합물 중, 바람직하게는, 하기의 일반식 (2) 에 나타나는 화합물이 사용된다.
CF3-(OCF2)q-(OC2F4)r-O-(CH2)3-Si(OCH3)3 (2)
일반식 (2) 에 있어서, q 는, 1 이상 50 이하의 정수를 나타내고, r 은, 1 이상 50 이하의 정수를 나타낸다.
퍼플루오로폴리에테르기를 갖는 알콕시실란 화합물로는, 시판품을 사용해도 된다. 동 (同) 시판품으로는, 예를 들어, 옵툴 UD509 (상기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물, 다이킨 공업사 제조) 를 들 수 있다. 또, 퍼플루오로폴리에테르기를 갖는 알콕시실란 화합물은, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종류 이상이 병용되어도 된다.
방오층 (30) 의 두께는, 바람직하게는 1 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 2 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 3 ㎚ 이상이다. 방오층 (30) 의 두께는, 바람직하게는 100 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 50 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 30 ㎚ 이하이다.
방오층 (30) 에 있어서 높은 방오 기능을 발현시키는 관점에서, 방오층 (30) 의 순수 접촉각은, 바람직하게는 100 도 이상, 보다 바람직하게는 102 도 이상, 더욱 바람직하게는 105 도 이상이다. 순수 접촉각은, 예를 들어, 120 도 이하이다. 순수 접촉각은, 방오층 (30) 의 표면에 직경 2 ㎜ 이하의 수적 (水滴) 을 형성하여, 방오층 (30) 표면에 대한 당해 수적의 접촉각을 측정함으로써 구해진다.
도 1 에 나타내는 장치 (X) 는, 롤 투 롤 방식으로 워크 필름 (W) 을 반송하면서 본 발명의 광학 필름의 제조 방법을 실시하는 장치로서, 상기 서술한 바와 같이, 조출실 (R1) 과, 권취실 (R2) 과, 복수의 공정실 (C) 을 구비한다.
조출실 (R1) 은, 워크 필름 (W) 을 내보내기 위한 조출 롤러 (101) 를 구비한다. 조출 롤러 (101) 에는, 롤의 형태를 취하는 투명 기재 (S) 가, 워크 필름 (W) 으로서 설치된다. 또, 조출실 (R1) 내에는, 필요에 따라, 워크 필름 (W) 을 가이드하기 위한 소정 수의 가이드 롤러 (G) 가 형성된다.
권취실 (R2) 은, 워크 필름 (W) 을 권취하기 위한 권취 롤러 (102) 를 구비한다. 또, 권취실 (R2) 내에는, 필요에 따라, 워크 필름 (W) 을 가이드하기 위한 소정 수의 가이드 롤러 (G) 가 형성된다.
복수의 공정실 (C) 은, 조출실 (R1) 과 권취실 (R2) 의 사이에서 순차적으로 늘어서 있고, 제 1 성막실 (C1) 과, 접속실 (C2) 과, 플라즈마 처리실 (C3) 과, 제 2 성막실 (C4) 과, 검사실 (C5) 을 포함한다.
제 1 성막실 (C1) 은, 워크 필름 (W) 의 반송 방향 (D) (도 2 에 있어서 화살표로 나타낸다) 에 있어서 조출실 (R1) 다음에 배치되고, 상류측에 배치된 제 1 분실 (C1a) 과, 하류측에 배치된 제 2 분실 (C1b) 을 구비한다. 또, 제 1 성막실 (C1) 은, 도면 외의 진공 펌프와 접속되어 있고, 실내를 소정의 진공도로 조절 가능하게 구성되어 있다.
제 1 분실 (C1a) 은, 제 1 성막 롤러 (103) 와, 스퍼터실 (201 ∼ 205) 을 구비한다. 제 1 성막 롤러 (103) 는, 조출실 (R1) 로부터 내보내진 워크 필름 (W) 을 제 1 분실 (C1a) 내에서 반송하기 위한 메인 가이드 롤러이다. 스퍼터실 (201 ∼ 205) 은, 각각, 제 1 분실 (C1a) 내에서 구획된 공간이다. 스퍼터실 (201 ∼ 205) 은, 제 1 성막 롤러 (103) 의 둘레 방향을 따라 배치되고, 각각, 제 1 성막 롤러 (103) 를 향하여 개구되어 있다. 스퍼터실 (201 ∼ 205) 의 각각에는, 캐소드 (캐소드 211 ∼ 215) 가 형성되어 있다. 각 캐소드에는, 제 1 성막 롤러 (103) 에 대면하도록, 성막 재료 공급재로서의 타깃 (도시 생략) 이 배치되어 있다. 스퍼터실 (201 ∼ 205) 의 각각에는, 타깃으로 전압을 인가하여 글로 방전을 발생시키기 위한 전원이 형성되어 있다. 전원으로는, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원을 들 수 있다. 제 1 분실 (C1a) 내에는, 필요에 따라, 워크 필름 (W) 을 가이드하기 위한 소정 수의 가이드 롤러 (G) 가 형성된다. 또, 제 1 분실 (C1a) 에는, 실내에 불활성 가스를 도입하기 위한 유량 조절 밸브가 부착된 라인 (도시 생략) 과, 실내에 반응성 가스를 도입하기 위한 유량 조절 밸브가 부착된 라인 (도시 생략) 이, 접속되어 있다.
제 2 분실 (C1b) 은, 제 2 성막 롤러 (104) 와, 스퍼터실 (206 ∼ 210) 을 구비한다. 제 2 성막 롤러 (104) 는, 워크 필름 (W) 을 제 2 분실 (C1b) 내에서 반송하기 위한 메인 가이드 롤러이다. 스퍼터실 (206 ∼ 210) 은, 각각, 제 2 분실 (C2b) 내에서 구획된 공간이다. 스퍼터실 (206 ∼ 210) 은, 제 2 성막 롤러 (104) 의 둘레 방향을 따라 배치되고, 각각, 제 2 성막 롤러 (104) 를 향하여 개구되어 있다. 스퍼터실 (206 ∼ 210) 의 각각에는, 캐소드 (캐소드 216 ∼ 220) 가 형성되어 있다. 각 캐소드에는, 제 2 성막 롤러 (104) 에 대면하도록, 성막 재료 공급재로서의 타깃 (도시 생략) 이 배치되어 있다. 스퍼터실 (206 ∼ 210) 의 각각에는, 타깃에 전압을 인가하여 글로 방전을 발생시키기 위한 전원이 형성되어 있다. 전원으로는, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원을 들 수 있다. 제 2 분실 (C1b) 내에는, 필요에 따라, 워크 필름 (W) 을 가이드하기 위한 소정 수의 가이드 롤러 (G) 가 형성된다. 또, 제 2 분실 (C1b) 에는, 실내에 불활성 가스를 도입하기 위한 유량 조절 밸브가 부착된 라인 (도시 생략) 과, 실내에 반응성 가스를 도입하기 위한 유량 조절 밸브가 부착된 라인 (도시 생략) 이, 접속되어 있다.
제 2 분실 (C1b) 은, 본 실시형태에서는, 제 2 성막 롤러 (104) 를 거친 워크 필름 (W) 의 광학 특성을 모니터링하기 위한 제 1 광학 검사부 (301) 를 추가로 구비한다.
제 1 광학 검사부 (301) 는, 예를 들어, 적어도 1 개의 광학 검사 유닛과, 제어부를 구비한다. 광학 검사 유닛은, 예를 들어, 워크 필름 (W) 에 대한 광 조사 수단으로서의 광원과, 워크 필름 (W) 을 투과하는 광을 검출하여 전기 신호로 변환하는 제 1 광 검출부와, 워크 필름 (W) 에서 반사하는 광을 검출하여 전기 신호로 변환하는 제 2 광 검출부를 구비한다. 광원은, 조사 광의 파장을 소정 범위 내에서 변화시킬 수 있다. 제 1 및 제 2 광 검출부는, 각각, 변환한 전기 신호를 제어부에 출력한다. 제어부는, 연산부를 포함한다. 연산부에서는, 예를 들어, 특정 파장에 있어서의 워크 필름 (W) 의 투과율 및 반사율이 도출되고, 또, 반사율의 피크 파장이 도출된다.
제 1 광학 검사부 (301) 에 있어서는, 워크 필름 (W) 의 폭 방향에 있어서의 복수 지점에서 워크 필름 (W) 의 광학 특성을 측정할 수 있도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 제 1 광학 검사부 (301) 에서는, 워크 필름 (W) 의 폭 방향에 있어서의 복수 지점에 광학 검사 유닛이 형성된다. 혹은, 제 1 광학 검사부 (301) 는, 광학 검사 유닛을 구비하여 워크 필름 (W) 의 폭 방향으로 이동 가능한 가동 헤드를 구비한다.
접속실 (C2) 은, 워크 필름 (W) 의 반송 방향 (D) 에 있어서, 제 1 성막실 (C1) 다음에 배치되고, 또한 플라즈마 처리실 (C3) 앞에 배치되어 있다. 접속실 (C2) 은, 도면 외의 진공 펌프와 접속되어 있고, 실내 압력을 조절 가능하게 구성되어 있다. 장치 가동 시에는, 접속실 (C2) 내의 압력은, 제 1 성막실 (C1) 내의 압력과, 플라즈마 처리실 (C3) 내의 압력 사이의 소정의 압력으로 유지된다. 이에 따라, 제 1 성막실 (C1) 과 플라즈마 처리실 (C3) 사이의 차압이 확보된다. 또, 접속실 (C2) 내에는, 필요에 따라, 워크 필름 (W) 을 가이드하기 위한 소정 수의 가이드 롤러 (도시 생략) 가 형성되어 있어도 된다.
플라즈마 처리실 (C3) 은, 반송 방향 (D) 에 있어서 접속실 (C2) 다음에 배치되어 있다. 또, 플라즈마 처리실 (C3) 은, 반송 방향 (D) 에 있어서 제 2 성막실 (C4) 의 상류측 하나 앞에 배치되고, 플라즈마 처리실 (C3) 과 제 2 성막실 (C4) 은 이웃한다. 이와 같은 플라즈마 처리실 (C3) 은, 제 2 성막실 (C4) 에 대하여 전(前)공정실이다.
플라즈마 처리실 (C3) 은, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 챔버 (40) 와, 챔버 (40) 내에 배치된 플라즈마원 (50) 과, 실내에서 플라즈마원 (50) 을 포위하는 커버 하우징 (60) 과, 챔버 (40) 내 배기를 위한 적어도 1 개의 제 1 배기구 (70) 를 구비한다.
챔버 (40) 는, 제 1 벽부 (41) 와, 제 2 벽부 (42) 와, 제 3 벽부 (43) 와, 제 4 벽부 (44) 와, 제 5 벽부 (45) 와, 제 6 벽부 (46) 를 구비한다.
제 1 벽부 (41) 는, 챔버 (40) 의 저벽이다. 제 2 벽부 (42) 는, 챔버 (40) 의 천정벽이다. 제 1 벽부 (41) 와 제 2 벽부 (42) 는, 상하 방향으로 이격되어 있다.
제 3 벽부 (43) 는, 챔버 (40) 에 있어서의 접속실 (C2) 측에 위치하고, 워크 필름 (W) 이 통과 가능한 입구 개구부 (43a) 를 갖는다. 제 4 벽부 (44) 는, 챔버 (40) 에 있어서의 성막실 (C4) 측에 위치하고, 워크 필름 (W) 이 통과 가능한 출구 개구부 (도시 생략) 를 갖는다. 제 3 벽부 (43) 와 제 4 벽부 (44) 는, 반송 방향 (D) 으로 이격되어 있다.
제 5 벽부 (45) 및 제 6 벽부 (46) 는, 반송 방향 (D) 에 직교하는 방향으로 이격되고, 각각, 챔버 (40) 의 측벽이다.
플라즈마원 (50) 은, 예를 들어, 플라즈마 발생용의 한 쌍의 전극 (도시 생략) 을 구비한다. 1 쌍의 전극은, 워크 필름 (W) 이 그들 사이의 통과하도록 배치되어 있다.
커버 하우징 (60) 은, 입구 개구부 (61) 와, 반송 방향 (D) 에 있어서 입구 개구부 (61) 보다 하류에 배치된 출구 개구부 (62) 를 갖는다. 후술하는 플라즈마 처리 공정에서는, 워크 필름 (W) 이 입구 개구부 (61) 로부터 출구 개구부 (62) 에 걸쳐 커버 하우징 (60) 을 통과하도록, 워크 필름 (W) 은 반송된다.
제 1 배기구 (70) 는, 반송 방향 (D) 에 있어서, 플라즈마원 (50) 보다 상류측에 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 플라즈마 처리실 (C3) 은, 제 1 배기구 (70) 로서 2 개의 배기구 (71, 72) 를 구비한다.
배기구 (71) 는, 제 5 벽부 (45) 에 형성된 개구부이다. 배기구 (71) 에는, 제 1 배기 펌프로서의 배기 펌프 (81) 가 연결되어 있다. 배기구 (72) 는, 제 6 벽부 (46) 에 형성된 개구부이다. 배기구 (72) 에는, 제 1 배기 펌프로서의 배기 펌프 (82) 가 연결되어 있다. 이들 배기구 (71, 72) 는, 상하 방향에 있어서, 워크 필름 반송 경로와 중복하는 위치에 배치되어 있다. 또, 배기구 (71, 72) 는, 반송 방향 (D) 과 직교하는 방향에 있어서 서로 대향한다. 후술하는 플라즈마 처리 공정에서는, 2 개의 배기구 (71, 72) 사이를 통과하도록 워크 필름 (W) 은 플라즈마 처리실 (C3) 내를 반송된다.
제 2 성막실 (C4) 은, 반송 방향 (D) 에 있어서, 제 1 성막실 (C1) 보다 하류에 배치되고, 또한, 본 실시형태에서는 플라즈마 처리실 (C3) 다음에 배치되어 있다. 당해 제 2 성막실 (C4) 은, 본 발명에 있어서의 성막실에 상당한다.
제 2 성막실 (C4) 은, 실내에 배치된 재료 유지부 (302) 와, 적어도 1 개의 제 2 배기구 (303) 와, 제 2 배기 펌프 (304) (실내 감압 수단) 를 구비한다. 또, 제 2 성막실 (C4) 내에는, 필요에 따라, 워크 필름 (W) 을 가이드하기 위한 소정 수의 가이드 롤러 (G) 가 형성된다.
재료 유지부 (302) 에는, 제 2 성막실 (C4) 내를 반송되는 워크 필름 (W) 에 대면하도록, 성막 재료 공급재 (도시 생략) 가 배치되어 있다. 재료 유지부 (302) 에는, 성막 재료 공급재를 가열하는 수단으로서, 저항 가열 수단이 내장되어 있어도 되고, 고주파 유도 가열 수단이 내장되어 있어도 되며, 전자 빔 가열 수단이 형성되어 있어도 된다.
제 2 배기구 (303) 는, 제 2 성막실 (C4) 의 벽부에 형성되어 있다. 제 2 배기 펌프 (304) 는, 제 2 성막실 (C4) 내를 감압하기 위한 유닛이고, 제 2 배기구 (303) 에 연결되어 있다. 제 2 배기 펌프 (304) 로는, 예를 들어, 오일 회전 펌프, 드라이 펌프, 루트 펌프, 확산 펌프, 크라이오 펌프, 및, 이들의 조합을 들 수 있다.
검사실 (C5) 은, 반송 방향 (D) 에 있어서 제 2 성막실 (C4) 의 하류측 하나 뒤에 배치되고, 검사실 (C5) 과 제 2 성막실 (C4) 은 이웃한다. 이와 같은 검사실 (C5) 은, 제 2 성막실 (C4) 에 대하여 후공정실이다. 또, 검사실 (C5) 은, 반송 방향 (D) 에 있어서 권취실 (R2) 의 상류측 하나 앞에 배치되어 있다. 즉, 검사실 (C5) 은, 반송 방향 (D) 에 있어서의 제 2 성막실 (C4) 과 권취실 (R2) 의 사이에 배치되어 있다. 또, 검사실 (C5) 은, 제 2 성막실 (C4) 을 거친 워크 필름 (W) 의 광학 특성을 모니터링하기 위한 제 2 광학 검사부 (305) 를 구비한다.
제 2 광학 검사부 (305) 는, 예를 들어, 적어도 1 개의 광학 검사 유닛과, 제어부를 구비한다. 제 2 광학 검사부 (305) 에 있어서의 광학 검사 유닛 및 제어부의 각 구성은, 제 1 광학 검사부 (301) 에 있어서의 광학 검사 유닛 및 제어부의 상기 서술한 각 구성과 동일하다. 또, 제 2 광학 검사부 (305) 에 있어서는, 제 1 광학 검사부 (301) 에 있어서와 마찬가지로, 워크 필름 (W) 의 폭 방향에 있어서의 복수 지점에서 워크 필름 (W) 의 광학 특성을 측정할 수 있도록 구성되어 있다.
장치 (X) 는, 본 실시형태에서는, 제 2 성막실 (C4) 과, 그 전공정실 (제 2 성막실 (C4) 의 상류측 하나 앞에 배치된 공정실이고, 본 실시형태에서는 플라즈마 처리실 (C3)) 의 사이에, 당해 양실의 차압을 조정하는 제 1 기밀 반송 기구 (310) 를 구비한다. 제 1 기밀 반송 기구 (310) 는, 플라즈마 처리실 (C3) 과 제 2 성막실 (C4) 의 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름 (W) 을 플라즈마 처리실 (C3) 로부터 제 2 성막실 (C4) 로 반송하도록 구성되어 있다. 이와 같은 제 1 기밀 반송 기구 (310) 로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2000-225331호, 일본 공개특허공보 평3-31474호, 일본 공개특허공보 소63-72972호, 및 일본 공개특허공보 소62-70575호에 기재된 각 기밀 반송 기구가 사용된다 (후기하는 기밀 반송 기구에 대해서도 동일하다).
장치 (X) 는, 본 실시형태에서는, 제 2 성막실 (C4) 과, 그 후공정실 (제 2 성막실 (C4) 의 하류측 하나 뒤에 배치된 공정실이고, 본 실시형태에서는 검사실 (C5)) 의 사이에, 당해 양실의 차압을 조정하는 제 2 기밀 반송 기구 (320) 를 구비한다. 제 2 기밀 반송 기구 (320) 는, 제 2 성막실 (C4) 과 검사실 (C5) 의 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 제 2 성막실 (C4) 로부터 검사실 (C5) 로 반송하도록 구성되어 있다.
본 발명의 일 실시형태인 광학 필름의 제조 방법은, 이상과 같은 구성의 장치 (X) 를 사용하여 실시된다. 구체적으로는, 다음과 같다.
본 제조 방법은, 롤 투 롤 방식으로 워크 필름 (W) 을 반송하면서, 광학 필름을 제조하는 방법이며, 밀착층 형성 공정과, 광학 기능층 형성 공정과, 플라즈마 처리 공정과, 방오층 형성 공정을 이 순서로 포함한다.
본 방법에서는, 조출실 (R1) 로부터, 워크 필름 (W) 으로서 투명 기재 (S) 가 내보내진다. 워크 필름 (W) 은, 조출실 (R1) 로부터 내보내진 후, 제 1 성막실 (C1) 과 제 2 성막실 (C4) 을 포함하여 순차적으로 늘어서 있는 복수의 공정실 (C) 에 걸쳐서 반송되고, 권취실 (R2) 에서 권취된다. 그 반송 속도는, 예를 들어 0.4 m/분 이상이고, 또, 예를 들어 10 m/분 이하이다.
밀착층 형성 공정은, 제 1 성막실 (C1) 에 있어서의 스퍼터실 (201) 에서 실시된다. 본 공정에서는, 워크 필름 (W) 으로서의 투명 기재 (S) 의 두께 방향 일방면 상에, 드라이 코팅법으로서의 스퍼터링법에 의해 밀착층 (10) 이 형성된다. 스퍼터링법에서는, 스퍼터실 내에 진공 조건하에서 가스를 도입하면서, 캐소드 상에 배치된 타깃에 마이너스 전압을 인가한다. 이에 따라, 글로 방전을 발생시켜 가스 원자를 이온화 하고, 당해 가스 이온을 고속으로 타깃 표면에 충돌시켜, 타깃 표면으로부터 타깃 재료를 튀겨내고, 튀겨나온 타깃 재료를 소정 면 상 (본 실시형태에서는 워크 필름 (W) 상) 에 퇴적시킨다. 금속 산화물층을 형성하려면, 성막 속도의 관점에서, 반응성 스퍼터링이 바람직하다. 반응성 스퍼터링에서는, 상기 서술한 가스로서, 아르곤 등의 불활성 가스와 산소 (반응성 가스) 의 혼합 가스를 사용하고, 타깃으로서 금속 타깃을 사용한다.
밀착층 형성 공정에서는, 밀착층 (10) 으로서, 예를 들어 SiOx 층이 형성된다. 그 경우, 예를 들어, 캐소드 (211) 상에 배치되는 타깃으로서 Si 타깃을 사용하고, 스퍼터실 (201) 에 아르곤 및 산소를 도입하면서 반응성 스퍼터링을 실시한다. 아르곤과 산소의 유량비 (sccm) 의 조정에 의해, SiOx 에 포함되는 산소의 비율을 조정할 수 있다. 또, 본 공정 실시 중의 스퍼터실 (201) 내의 압력은, 예를 들어 0.1 ㎩ 이상이고, 또, 예를 들어 1.0 ㎩ 이하, 바람직하게는 0.7 ㎩ 이하이다 (후기하는 다른 스퍼터실 (202 ∼ 210) 내의 압력에 대해서도 동일하다).
광학 기능층 형성 공정은, 제 1 성막실 (C1) 에 있어서의 스퍼터실 (202 ∼ 210) 에서 실시된다. 본 공정에서는, 워크 필름 (W) 에 있어서 밀착층 형성 공정을 거친 지점의 위 (즉, 밀착층 (10) 위) 에, 드라이 코팅법으로서의 스퍼터링법에 의해 광학 기능층 (20) 이 형성된다. 본 실시형태에서는, 광학 기능층 형성 공정은, 이하의 제 1 고굴절률층 형성 공정, 제 1 저굴절률층 형성 공정, 제 2 고굴절률층 형성 공정, 및 제 2 저굴절률층 형성 공정을, 이 순서로 포함한다.
제 1 고굴절률층 형성 공정은, 스퍼터실 (202) 에서 실시된다. 본 공정에서는, 워크 필름 (W) 에 있어서의 밀착층 (10) 상에 제 1 고굴절률층 (21) 이 형성된다. 본 공정에서는, 제 1 고굴절률층 (21) 으로서, 예를 들어 Nb2O5 층이 형성된다. 그 경우, 예를 들어, 캐소드 (212) 상에 배치되는 타깃으로서 Nb 타깃을 사용하고, 스퍼터실 (202) 에 아르곤 및 산소를 도입하면서 반응성 스퍼터링을 실시한다. 본 공정에서 형성되는 제 1 고굴절률층 (21) 의 광학 막두께 (굴절률과 두께의 곱) 는, 예를 들어 20 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어 55 ㎚ 이하이다. 광학 막두께는, 예를 들어, 반응성 스퍼터링에 있어서의 도입 산소의 유량 조정에 의해 조정할 수 있다 (제 1 저굴절률층 (22), 제 2 고굴절률층 (23) 및 제 2 저굴절률층 (24) 의 각 광학 막두께에 대해서도 동일하다).
제 1 저굴절률층 형성 공정은, 스퍼터실 (203) 에서 실시된다. 본 공정에서는, 워크 필름 (W) 에 있어서의 제 1 고굴절률층 (21) 상에 제 1 저굴절률층 (22) 이 형성된다. 본 공정에서는, 제 1 저굴절률층 (22) 으로서, 예를 들어 SiO2 층이 형성된다. 그 경우, 예를 들어, 캐소드 (213) 상에 배치되는 타깃으로서 Si 타깃을 사용하고, 스퍼터실 (203) 에 아르곤 및 산소를 도입하면서 반응성 스퍼터링을 실시한다. 본 공정에서 형성되는 제 1 저굴절률층 (22) 의 광학 막두께는, 예를 들어 15 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어 70 ㎚ 이하이다.
제 2 고굴절률층 형성 공정은, 스퍼터실 (204 ∼ 207) 에서 실시된다. 본 공정에서는, 워크 필름 (W) 에 있어서의 제 1 저굴절률층 (22) 상에 제 2 고굴절률층 (23) 이 형성된다. 본 공정에서는, 제 2 고굴절률층 (23) 으로서, 예를 들어 Nb2O5 층이 형성된다. 그 경우, 예를 들어, 캐소드 (214 ∼ 217) 상에 배치되는 각 타깃으로서 Nb 타깃을 사용하고, 스퍼터실 (204 ∼ 207) 에 아르곤 및 산소를 도입하면서 반응성 스퍼터링을 실시한다. 스퍼터실 (204 ∼ 207) 의 각각에 있어서 Nb2O5 박막이 적층 형성되어, 제 2 고굴절률층 (23) 이 형성된다. 본 공정에서 형성되는 제 2 고굴절률층 (23) 의 광학 막두께는, 예를 들어 60 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어 330 ㎚ 이하이다.
제 2 저굴절률층 형성 공정은, 스퍼터실 (208 ∼ 210) 에서 실시된다. 본 공정에서는, 워크 필름 (W) 에 있어서의 제 2 고굴절률층 (23) 상에 제 2 저굴절률층 (24) 이 형성된다. 본 공정에서는, 제 2 저굴절률층 (24) 으로서, 예를 들어 SiO2 층이 형성된다. 그 경우, 예를 들어, 캐소드 (218 ∼ 220) 상에 배치되는 각 타깃으로서 Nb 타깃을 사용하고, 스퍼터실 (208 ∼ 210) 에 아르곤 및 산소를 도입하면서 반응성 스퍼터링을 실시한다. 스퍼터실 (208 ∼ 210) 의 각각에 있어서 SiO2 박막이 적층 형성되어, 제 2 저굴절률층 (24) 이 형성된다. 본 공정에서 형성되는 제 2 저굴절률층 (24) 의 광학 막두께는, 예를 들어 100 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어 160 ㎚ 이하이다.
제 1 성막실 (C1) 에서는, 광학 기능층 형성 공정을 거친 워크 필름 (W) 의 광학 특성이 제 1 광학 검사부 (301) 에 의해 모니터링 된다. 모니터링 결과에 기초하여, 필요에 따라, 밀착층 형성 공정 및 광학 기능층 형성 공정에 있어서의 각종 조건이 조정된다. 그 조건으로는, 예를 들어, 워크 필름 (W) 의 반송 속도, 및, 스퍼터실 (201 ∼ 210) 에 있어서의 각 스퍼터링 조건 (스퍼터실 내 압력, 사용 가스의 유량, 타깃에 대한 인가 전압 등) 을 들 수 있다.
플라즈마 처리 공정은, 플라즈마 처리실 (C3) 에서 실시된다. 플라즈마 처리 공정에서는, 제 1 배기구 (70) (배기구 (71, 72)) 를 통하여 플라즈마 처리실 (C3) 을 배기하면서, 워크 필름 (W) 에 대하여 플라즈마 처리한다. 본 공정에서는, 구체적으로는, 제 1 성막실 (C1) 을 거쳐 광학 기능층 (20) 이 형성되어 있는 워크 필름 (W) 의 광학 기능층 (20) 표면이, 플라즈마 처리된다. 플라즈마 처리 실시 중의 플라즈마 처리실 (C3) 내의 압력은, 제 2 성막실 (C4) 내의 후기하는 압력보다 높은 한에 있어서, 예를 들어 10 ㎩ 이하, 바람직하게는 5 ㎩ 이하이고, 또, 예를 들어 0.1 ㎩ 이상이다.
방오층 형성 공정은, 제 2 성막실 (C4) 에서 실시된다 (방오층 형성 공정은, 본 발명에 있어서의 성막 공정에 상당한다). 방오층 형성 공정에서는, 제 2 배기 펌프 (304) 의 가동에 의해, 제 2 배기구 (303) 를 통하여 제 2 성막실 (C4) 을 배기하고, 플라즈마 처리 공정 실시 중의 플라즈마 처리실 (C3) 내의 압력보다 낮은 압력으로 제 2 성막실 (C4) 내를 유지한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 제 2 성막실 (C4) 에 있어서, 드라이 코팅법으로서의 진공 증착법에 의해, 워크 필름 (W) 에 있어서의 광학 기능층 (20) 상에 방오층 (30) 이 형성된다.
본 공정에서는, 구체적으로는, 제 2 배기 펌프 (304) 의 가동에 의해 제 2 배기구 (303) 를 통하여 제 2 성막실 (C4) 내를 진공으로 감압한 상태로, 재료 유지부 (302) 에 배치된 성막 재료 공급재 (도시 생략) 를 소정 온도로 가열하고, 진공 증착법을 실시한다. 본 공정 실시 중의 제 2 성막실 (C4) 내의 압력 (제 1 압력) 은, 플라즈마 처리실 (C3) 내의 상기의 압력 (제 2 압력) 보다 낮다. 제 1 압력은, 제 2 압력보다 낮은 한에 있어서, 예를 들어 0.1 ㎩ 이하, 바람직하게는 0.05 ㎩ 이하이고, 또, 예를 들어 1 × 10-5 ㎩ 이상이다. 제 1 압력과 제 2 압력의 차이는, 바람직하게는 0.1 ㎩ 이상, 보다 바람직하게는 0.2 ㎩ 이상이다. 제 1 압력과 제 2 압력의 차이는, 예를 들어 10 ㎩ 이하이다. 또, 본 공정에서의 상기 가열의 온도는, 예를 들어 200 ℃ 이상이고, 또, 예를 들어 400 ℃ 이하이다.
검사실 (C5) 에서는, 방오층 형성 공정을 거친 워크 필름 (W) 의 광학 특성이 제 2 광학 검사부 (305) 에 의해 모니터링 된다. 모니터링 결과에 기초하여, 필요에 따라, 밀착층 형성, 광학 기능층 형성 공정, 및 방오층 형성 공정에 있어서의 각종 조건이 조정된다. 그 조건으로는, 예를 들어, 워크 필름 (W) 의 반송 속도, 스퍼터실 (201 ∼ 210) 에 있어서의 각 스퍼터링 조건 (스퍼터실 내 압력, 사용 가스의 유량, 타깃에 대한 인가 전압 등), 및, 제 2 성막실 (C4) 내의 압력을 들 수 있다.
복수의 공정실 (C) 은, 제 1 성막실 (C1) 의 앞 (즉, 조출실 (R1) 과 제 1 성막실 (C1) 사이) 에, 추가 플라즈마 처리실 (도시 생략) 을 포함해도 된다. 복수의 공정실 (C) 이 당해 플라즈마 처리실을 포함하는 경우, 이 플라즈마 처리실에서는, 제 1 성막실 (C1) 내로 반송되기 전의 워크 필름 (W) (투명 기재 (S)) 의 두께 방향 일방면 상에 플라즈마 처리를 실시하는 공정이 실시된다. 이와 같은 플라즈마 처리는, 투명 기재 (S) 에 대한 밀착층 (10) 의 밀착성, 및, 투명 기재 (S) 에 대한 밀착층 (10) 을 통한 광학 기능층 (20) 및 방오층 (30) 의 밀착성을 확보하는 데 적합하고, 나아가서는, 방오층 (30) 의 박리를 억제하는 데 적합하다.
복수의 공정실 (C) 은, 상기 서술한 접속실 (C2) 대신에, 제 1 성막실 (C1) 과 플라즈마 처리실 (C3) 사이에, 양실간의 기밀성을 유지하면서 워크 필름 (W) 을 제 1 성막실 (C1) 로부터 플라즈마 처리실 (C3) 로 반송하도록 구성된 기밀 반송 기구를 포함해도 된다. 혹은, 복수의 공정실 (C) 은, 상기 서술한 접속실 (C2) 에 더하여, 접속실 (C2) 과 플라즈마 처리실 (C3) 사이에, 양실간의 기밀성을 유지하면서 워크 필름 (W) 을 접속실 (C2) 로부터 플라즈마 처리실 (C3) 로 반송하도록 구성된 기밀 반송 기구를 포함해도 된다.
이상과 같이 하여, 장치 (X) 에 의해 광학 필름 (F) 이 제조된다.
플라즈마 처리 공정에서는, 상기 서술한 바와 같이, 플라즈마 처리실 (C3) 에 있어서, 플라즈마원 (50) 보다 워크 필름 (W) 의 반송 방향 (D) 상류측에 배치된 제 1 배기구 (70) 를 통하여 플라즈마 처리실 (C3) 을 배기하면서, 워크 필름 (W) 을 플라즈마 처리한다 (제 1 배기구 (70) 는, 플라즈마원 (50) 에 대하여 제 2 성막실 (C4) 과는 반대의 측에 배치되어 있다). 이와 같은 구성은, 플라즈마 처리에 사용되고 있는 가스가 플라즈마원 (50) 으로부터 제 2 성막실 (C4) 을 향하여 흐르는 것을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 플라즈마 처리실 (C3) 로부터 제 2 성막실 (C4) 로의 가스의 유입을 억제하는 데 적합하다. 이와 같은 가스 유입의 억제는, 성막 공정 중의 제 2 성막실 (C4) 의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다. 또, 상기 구성은, 워크 필름 (W) 에 대한 플라즈마 처리에 의해 발생하는 더스트가 플라즈마원 (50) 으로부터 제 2 성막실 (C4) 을 향하여 흐르는 것을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 플라즈마 처리실 (C3) 로부터 제 2 성막실 (C4) 로의 더스트의 유입을 억제하는 데 적합하다. 이와 같은 더스트 유입의 억제는, 제 2 성막실 (C4) 에 있어서, 청정한 환경에서 성막 공정을 실시하는 데 적합하다.
플라즈마 처리 공정에서는, 상기 서술한 바와 같이, 2 개의 제 1 배기구 (70) 의 사이를 통과하도록 워크 필름 (W) 은 반송된다. 이와 같은 구성은, 플라즈마 처리 중의 플라즈마 처리실 (C3) 로부터 제 2 성막실 (C4) 로의 가스 유입을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 성막 공정 중의 제 2 성막실 (C4) 의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
플라즈마 처리 공정에서는, 상기 서술한 바와 같이, 플라즈마원 (50) 을 포위하는 커버 하우징 (60) 을 통과하도록, 워크 필름 (W) 은 플라즈마 처리실 (C3) 내를 반송된다. 이와 같은 커버 하우징 (60) 은, 워크 필름 (W) 에 대한 플라즈마 처리에 의해 발생하는 더스트의 비산을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 플라즈마 처리실 (C3) 로부터 제 2 성막실 (C4) 로의 더스트의 유입을 억제하는데 도움이 된다.
플라즈마 처리실 (C3) 과 제 2 성막실 (C4) 은, 상기 서술한 바와 같이 이웃한다. 또, 제 2 성막실 (C4) 과 검사실 (C5) 은, 상기 서술한 바와 같이 이웃한다. 이들 구성은, 장치 (X) 를 소형화 하는 데 적합하다.
장치 (X) 에 있어서는, 플라즈마 처리실 (C3) 과 제 2 성막실 (C4) 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름 (W) 을 반송 가능한 제 1 기밀 반송 기구 (310) 를 통하여, 플라즈마 처리실 (C3) 로부터 제 2 성막실 (C4) 로 워크 필름 (W) 이 반송된다. 이와 같은 구성은, 플라즈마 처리실 (C3) (상대적으로 고압) 과 제 2 성막실 (C4) (상대적으로 저압) 의 차압을 확보하는 데 적합하고, 따라서, 성막 공정 중의 제 2 성막실 (C4) 의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
장치 (X) 에 있어서는, 제 2 성막실 (C4) 과 검사실 (C5) (후공정실) 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름 (W) 을 반송 가능한 제 2 기밀 반송 기구를 통하여, 제 2 성막실 (C4) 로부터 후공정실로 워크 필름 (W) 이 반송된다. 이와 같은 구성은, 제 2 성막실 (C4) (상대적으로 저압) 과 검사실 (C5) (상대적으로 고압) 의 차압을 확보하는 데 적합하고, 따라서, 성막 공정 중의 제 2 성막실 (C4) 의 안정된 저압 상태를 확보하는 데 적합하다.
본 발명의 광학 필름의 제조 방법에서는, 상기 서술한 광학 기능층 형성 공정에 있어서, 스퍼터링법 대신에, 드라이 코팅법에 속하는 다른 성막 방법에 의해 광학 기능층 (20) 을 형성해도 된다. 당해 다른 성막 방법으로는, 예를 들어, 진공 증착법 및 CVD 법을 들 수 있다. 광학 기능층 (20) 을 다른 성막 방법에 의해 형성하는 경우, 장치 (X) 는, 광학 기능층 (20) 의 당해 다른 성막 방법을 실시할 수 있는 소정의 성막실을 제 1 성막실 (C1) 대신에 구비한다.
본 발명의 광학 필름의 제조 방법에서는, 상기 서술한 방오층 형성 공정에 있어서, 진공 증착법 대신에, 드라이 코팅법에 속하는 다른 성막 방법에 의해 방오층 (30) 을 형성해도 된다. 당해 다른 성막 방법으로는, 예를 들어, 스퍼터링법 및 CVD 법을 들 수 있다. 방오층 (30) 을 다른 성막 방법에 의해 형성하는 경우, 장치 (X) 는, 방오층 (30) 의 당해 다른 성막 방법을 실시할 수 있는 소정의 성막실을 제 2 성막실 (C4) 대신에 구비한다.
상기 서술한 광학 필름 (F) 은, 반사 방지 필름 이외의 다른 광학 필름이어도 된다. 당해 다른 광학 필름으로는, 예를 들어, 투명 도전성 필름 및 전자파 차폐 필름을 들 수 있다.
광학 필름 (F) 이 투명 도전성 필름인 경우, 당해 광학 필름 (F) 의 광학 기능층 (20) 은, 예를 들어, 제 1 유전체 박막과, ITO 막 등의 투명 전극막과, 제 2 유전체막을 두께 방향으로 차례로 구비한다. 이와 같은 적층 구성을 갖는 광학 기능층 (20) 에 있어서, 가시광 투과성과 도전성이 양립된다.
광학 필름 (F) 이 전자파 차폐 필름인 경우, 당해 광학 필름 (F) 의 광학 기능층 (20) 은, 예를 들어, 전자파 반사능을 갖는 금속 박막과, 금속 산화물막을 두께 방향으로 번갈아 구비한다. 이와 같은 적층 구성을 갖는 광학 기능층 (20) 에 있어서, 특정 파장의 전자파에 대한 차폐성과 가시광 투과성이 양립된다.
X : 광학 필름
S : 기재
10 : 밀착층
20 : 광학 기능층
21 : 제 1 고굴절률층
22 : 제 1 저굴절률층
23 : 제 2 고굴절률층
24 : 제 2 저굴절률층
30 : 방오층
Y : 장치
R1 : 조출실
R2 : 권취실
C : 공정실
C1 : 제 1 성막실
C1a : 제 1 분실
C1b : 제 2 분실
C2 : 접속실
C3 : 플라즈마 처리실
C4 : 제 2 성막실
C5 : 검사실
50 : 플라즈마원
60 : 커버 하우징
70 : 제 1 배기구
303 : 제 2 배기구
S : 기재
10 : 밀착층
20 : 광학 기능층
21 : 제 1 고굴절률층
22 : 제 1 저굴절률층
23 : 제 2 고굴절률층
24 : 제 2 저굴절률층
30 : 방오층
Y : 장치
R1 : 조출실
R2 : 권취실
C : 공정실
C1 : 제 1 성막실
C1a : 제 1 분실
C1b : 제 2 분실
C2 : 접속실
C3 : 플라즈마 처리실
C4 : 제 2 성막실
C5 : 검사실
50 : 플라즈마원
60 : 커버 하우징
70 : 제 1 배기구
303 : 제 2 배기구
Claims (15)
- 순차적으로 이어지는 복수의 공정실에 걸쳐서 롤 투 롤 방식으로 워크 필름을 반송하면서, 광학 필름을 제조하는 방법으로서,
상기 복수의 공정실이, 플라즈마 처리실과, 상기 반송 방향에 있어서 상기 플라즈마 처리실의 하류측에 배치된 성막실을 포함하고,
상기 플라즈마 처리실이, 실내에 배치된 플라즈마원을 구비하고, 또한, 실내를 배기하기 위한 적어도 1 개의 제 1 배기구를 갖고, 당해 제 1 배기구는, 상기 반송 방향에 있어서 상기 플라즈마원보다 상류측에 배치되고,
상기 성막실이, 실내를 배기하기 위한 제 2 배기구를 갖고,
상기 제 1 배기구를 통하여 상기 플라즈마 처리실을 배기하면서, 당해 플라즈마 처리실에 있어서, 워크 필름에 대하여 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 공정과,
상기 제 2 배기구를 통하여 상기 성막실을 배기함으로써, 상기 플라즈마 처리 공정 실시 중의 상기 플라즈마 처리실 내의 압력보다 낮은 압력으로 상기 성막실 내를 유지하면서, 당해 성막실에 있어서, 드라이 코팅법에 의해 워크 필름 상에 성막하는 성막 공정을 포함하는, 광학 필름의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 1 개의 제 1 배기구가, 상기 반송 방향과 직교하는 방향에 있어서 대향하는 2 개의 제 1 배기구를 포함하고,
상기 플라즈마 처리 공정에서는, 상기 2 개의 제 1 배기구의 사이를 통과하도록 워크 필름은 반송되는, 광학 필름의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리실이, 상기 플라즈마원을 포위하는 커버 하우징을 구비하고, 당해 커버 하우징은, 입구 개구부와, 상기 반송 방향에 있어서 상기 입구 개구부보다 하류에 배치된 출구 개구부를 갖고,
상기 플라즈마 처리 공정에서는, 워크 필름이 상기 입구 개구부로부터 상기 출구 개구부에 걸쳐 상기 커버 하우징을 통과하도록, 워크 필름은 반송되는, 광학 필름의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리실과 상기 성막실은 이웃하는, 광학 필름의 제조 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리실과 상기 성막실 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 반송 가능한 제 1 기밀 반송 기구를 통하여, 상기 플라즈마 처리실로부터 상기 성막실로 워크 필름을 반송하는, 광학 필름의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 공정실이, 상기 반송 방향에 있어서 상기 성막실의 하류측에 배치되어 당해 성막실과 이웃하는 후공정실을 포함하고,
상기 성막 공정의 후에, 상기 후공정실에 있어서 워크 필름에 대하여 실시되는 후공정을 포함하고,
상기 후공정 실시 중의 상기 후공정실 내의 압력보다 낮은 압력으로 상기 성막실 내를 유지하면서, 당해 성막실에 있어서 상기 성막 공정을 실시하는, 광학 필름의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 성막실과 상기 후공정실 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 반송 가능한 제 2 기밀 반송 기구를 통하여, 상기 성막실로부터 상기 후공정실로 워크 필름을 반송하는, 광학 필름의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 성막 공정에서의 상기 드라이 코팅법이 진공 증착법인, 광학 필름의 제조 방법. - 롤 투 롤 방식으로 워크 필름을 반송하면서 광학 필름을 제조하는 장치로서,
순차적으로 늘어서 있는 복수의 공정실과, 적어도 1 개의 제 1 배기 펌프와, 적어도 1 개의 제 2 배기 펌프와, 기밀 반송 기구를 구비하고,
상기 복수의 공정실이, 워크 필름에 대하여 플라즈마 처리를 실시하기 위한 플라즈마 처리실과, 상기 반송 방향에 있어서 상기 플라즈마 처리실의 하류측에 배치된 성막실로서, 드라이 코팅법에 의해 워크 필름 상에 성막하기 위한 성막실을 포함하고,
상기 플라즈마 처리실이, 실내에 배치된 플라즈마원을 구비하고, 또한, 실내를 배기하기 위한 적어도 1 개의 제 1 배기구를 갖고, 당해 제 1 배기구는, 상기 반송 방향에 있어서 상기 플라즈마원보다 상류측에 배치되고 또한 상기 제 1 배기 펌프에 연결되고,
상기 성막실이, 실내를 배기하기 위한 제 2 배기구를 갖고, 당해 제 2 배기구는, 상기 제 2 배기 펌프에 연결되어 있는, 광학 필름 제조 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 적어도 1 개의 제 1 배기구가, 상기 반송 방향과 직교하는 방향에 있어서 대향하는 2 개의 제 1 배기구를 포함하고, 각 제 1 배기구는, 상기 제 1 배기 펌프에 연결되어 있고,
상기 플라즈마 처리실 내의 워크 필름 반송 경로는, 상기 2 개의 제 1 배기구의 사이를 연장되는, 광학 필름 제조 장치. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리실이, 상기 플라즈마원을 포위하는 커버 하우징을 구비하고, 당해 커버 하우징은, 입구 개구부와, 상기 반송 방향에 있어서 상기 입구 개구부보다 하류에 배치된 출구 개구부를 갖고,
상기 플라즈마 처리실 내의 워크 필름 반송 경로는, 상기 입구 개구부로부터 상기 출구 개구부에 걸쳐 상기 커버 하우징을 통과하도록 연장되는, 광학 필름 제조 장치. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리실과 상기 성막실은 이웃하는, 광학 필름 제조 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리실과 상기 성막실 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 상기 플라즈마 처리실로부터 상기 성막실로 반송하도록 구성된 제 1 기밀 반송 기구를 추가로 구비하는, 광학 필름 제조 장치. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 복수의 공정실이, 상기 반송 방향에 있어서 상기 성막실의 하류측에 배치되어 당해 성막실과 이웃하는 후공정실을 추가로 포함하고,
상기 성막실과 상기 후공정실 사이의 기밀성을 유지하면서 워크 필름을 상기 성막실로부터 상기 후공정실로 반송하도록 구성된 제 2 기밀 반송 기구를 추가로 포함하는, 광학 필름 제조 장치. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 성막실은, 상기 드라이 코팅법으로서 진공 증착법이 실시되는 진공 증착실인, 광학 필름 제조 장치.
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