KR20220034178A - 감광성 조성물의 제조 방법, 페이스트상의 감광성 조성물, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품, 및 감광성 조성물 중의 유기 성분의 배합비 결정 장치, 컴퓨터 프로그램 - Google Patents

Abstract

본 발명에 의해, 사용하는 도전성 분말의 입경을 측정하여, 실측치를 얻는 공정(스텝 S1); 상기 실측치를, 상기 도전성 분말의 입경과, 상기 입경의 변위에 상관하여 변동하는 어느 하나의 인자와의 제1 상관식과 대비하여, 미리 정해진 목표 레벨에 대한 상기 인자의 예상 어긋남값을 확인하는 공정(스텝 S2); 상기 제1 상관식에 있어서의 인자와, 감광성 조성물에 포함되는 유기 성분으로서 배합비의 변동이 상기 인자의 변동에 상관하는 어느 하나의 유기 성분과의 제2 상관식에 근거하여, 상기 예상 어긋남값을 없애도록 상기 유기 성분의 배합비를 결정하는 공정(스텝 S3);을 포함하는 감광성 조성물의 제조 방법이 제공된다.

Description

감광성 조성물의 제조 방법, 페이스트상의 감광성 조성물, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품, 및 감광성 조성물 중의 유기 성분의 배합비 결정 장치, 컴퓨터 프로그램

본 발명은, 감광성 조성물의 제조 방법, 페이스트상의 감광성 조성물, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품, 및 감광성 조성물 중의 유기 성분의 배합비 결정 장치, 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다.

덧붙여, 본 출원은, 2019년 7월 10일에 출원된 일본 특허 출원 2019-128628호에 근거하는 우선권을 주장하고 있고, 그 출원의 전체 내용은 본 명세서 중에 참조로서 편입되어 있다.

인덕터 등의 전자 부품의 제조에서는, 도전성 분말과 광중합성 수지와 광중합 개시제를 포함하는 감광성 조성물을 이용하고, 포토리소그래피법에 의해 기재 상에 도전층을 형성하는 수법이 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1, 2 참조). 이러한 방법에서는, 우선, 기재 상에 감광성 조성물을 부여하고, 건조시켜, 도전막을 성형한다(도전막의 성형 공정). 다음에, 상기 성형한 도전막에 소정의 개구 패턴을 가지는 포토마스크를 씌우고, 포토마스크를 통해서 도전막을 노광한다(노광 공정). 이것에 의해서, 도전막의 노광 부분을 광 경화시킨다. 다음에, 포토마스크로 차광되고 있던 미노광 부분을, 현상액으로 부식하여 제거한다(현상 공정). 그리고, 원하는 패턴이 된 도전막을 소성함으로써 기재에 인화한다(소성 공정). 이상과 같은 공정을 포함하는 포토리소그래피법에 의하면, 종래의 각종 인쇄법에 비하여 세밀한 도전층을 형성할 수 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 제5163687호 특허문헌 2: 국제 공개 2015/122345호

그런데 근래, 각종 전자기기의 소형화나 고성능화가 급속히 진행되어, 전자기기에 실장되는 전자 부품에 대해서도 한층 더 소형화나 고밀도화가 요구되고 있다. 이것에 수반해, 적층칩 인덕터 등의 전자 부품의 제조에 있어서는, 도전층의 저-저항화와 함께, 세선화(협소화)가 요구되고 있다. 보다 구체적으로는, 도전층을 구성하는 배선의 선폭과 이웃하는 배선 간의 스페이스(라인 앤드 스페이스: L/S)를, 30μm/30μm 이하, 추가로는 20μm/20μm 이하로까지 미세화하는 것이 요구되고 있다. 도전층의 L/S가 작으면, 배선의 선폭이 약간 굵어진 것만으로 이웃하는 배선끼리가 연결되어 쇼트 불량을 일으키거나, 반대로 배선의 선폭이 약간 가늘어진 것만으로 박리나 단선을 일으키거나 하기 쉬워진다. 이 때문에, 예를 들면 적층칩 인덕터 등의 전자 부품에서는, 선폭의 불균일이 크면 제품 특성에 악영향이 나오거나 수율이 낮아지거나 할 수 있다. 따라서, 양산화의 관점에서는, 현상 후의 도전막의 선폭의 불균일을 낮게 억제함으로써, 소성 후의 도전층의 선폭의 불균일을 억제하여, 전자 부품에 있어서의 세선상의 배선을 재현성 좋게 형성하는 것이 필요하다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 원하는 선폭으로 세선상의 배선을 재현성 좋게 형성할 수 있는 감광성 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 관련하는 다른 목적은, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품을 제공하는 것이다. 또한, 관련하는 다른 목적은, 감광성 조성물 중의 유기 성분의 배합비 결정 장치 및 컴퓨터 프로그램을 제공하는 것이다.

본 발명자들이 감광성 조성물의 각 성분에 대하여 열심히 검토를 거듭했는데, 새롭게, 도전성 분말의 입경이 현상 후의 선폭을 결정하는 1개의 중요한 팩터가 되고 있는 것을 판명했다. 즉, 도 1 (A)는, 입경이 상대적으로 큰 도전성 분말(1A)을 이용했을 경우의 노광 공정의 모습을 나타내는 모식적인 측면도이다. 도 1 (A)에 나타내는 바와 같이, 도전성 분말(1A)의 입경이 크면, 포토마스크의 개구로부터 도전막의 내부에 침입한 광이 도전성 분말(1A)의 표면에서 반사하여, 광 산란하기 쉽다. 이 때문에, 광이 도전막의 수평 방향으로 퍼지기 쉬워진다. 그 결과, 포토마스크의 개구의 주변(포토마스크로 차광 한 부분)에도 광이 닿아 버려, 선폭이 포토마스크의 개구의 폭 보다도 굵어지게 되기 쉽다. 이에 비하여, 도 1 (B)는, 입경이 상대적으로 작은 도전성 분말(1B)을 이용했을 경우의 노광 공정의 모습을 나타내는 모식적인 측면도이다. 도 1 (B)에 나타내는 바와 같이, 도전성 분말(1B)의 입경이 작으면, 포토마스크의 개구로부터 도전막의 내부로 침입한 광이 도전성 분말(1B)의 표면에서 반사되기 어려워, 광의 산란이 억제된다. 이 때문에, 광이 도전막의 수평 방향으로 퍼지기 어렵고, 도 1 (A)에 비하여 선폭이 상대적으로 가늘어지기 쉽다. 이것으로부터, 선폭을 안정시키기 위해서는, 사용하는 도전성 분말의 입경을 고도로 관리하는 것이 바람직하다고 말할 수 있다.

그렇지만, 본 발명자들의 조사에 의하면, 도전성 분말은, 제조 로트(제품 단위)가 상이하면 다소라도 입경이 변동한다. 예를 들면 본 발명자들이 평균 입경(공칭치) 2.9μm의 몇 개의 제조 로트의 도전성 분말을 구입하여 실제로 평균 입경을 측정했는데, 평균 입경(실측치)이 공칭치로부터 ±0.4μm 정도 변동하고 있었다. 이 변동은, 제조 공정에서의 불균일 등에 기인하는 것이라고 생각할 수 있다. 따라서, 이대로는 도전성 분말의 평균 입경(실측치)의 변동에 의해, 선폭에 불균일이 생기는 것이 예상되었다. 여기서 본 발명자들은, 도전성 분말의 제조 로트 간의 변동에 의해서 생길 수 있는 선폭의 불균일을, 감광성 조성물의 제조시에 완충할 수 없을까라고 생각했다. 그리고, 한층 더 검토를 거듭한 결과, 본 발명을 창출하기에 이르렀다.

본 발명에 의해, 미리 정해진 배합비로 도전성 분말을 포함하는 감광성 조성물을 제조하는 방법이 제공된다. 이 제조 방법은, 사용하는 도전성 분말의 입경을 측정하여, 실측치를 얻는 공정; 상기 실측치를, 미리 준비된 제1 상관식으로서, 상기 도전성 분말의 입경과, 도전막의 광 흡수 또는 광 경화에 기인하여 변동하는 인자로서 상기 입경의 변위에 상관하여 변동하는 어느 하나의 인자와의 제1 상관식과 대비하여, 미리 정해진 목표 레벨에 대한 상기 인자의 예상 어긋남값을 확인하는 공정; 미리 준비된 제2 상관식으로서, 상기 제1 상관식에 있어서의 인자와, 상기 감광성 조성물에 포함되는 유기 성분으로서 배합비의 변동이 상기 인자의 변동에 상관하는 어느 하나의 유기 성분과의 제2 상관식에 근거하여, 상기 예상 어긋남값을 없애도록 상기 유기 성분의 배합비를 결정하는 공정; 을 포함한다.

상기 제조 방법에서는, 감광성 조성물의 제조에 사용하는 도전성 분말의 입경을 사전에 측정하고, 목표 레벨에 대한 예상 어긋남값을 시뮬레이션한다. 그리고, 시뮬레이션의 결과에 근거하여 예상 어긋남값을 없애도록 유기 성분의 배합비를 결정한다. 이것에 의해, 도전성 분말의 제조 로트간의 변동에 의한 영향이 작아져, 도전성 분말의 제조 로트의 차이에 따라 생기는 선폭의 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 도전성 분말의 입경을 그만큼 고도로 관리할 필요도 없고, 예를 들면 구입하는 도전성 분말의 생산 로트가 도중에 바뀌어도, 원하는 선폭을 안정적으로 형성하는 것이 가능한 감광성 조성물을 제공할 수 있다. 이것에 의해, 수율을 향상하여 양산성이나 생산성을 향상할 수 있다.

여기서 개시되는 바람직한 일 태양에서는, 상기 유기 성분이, 상기 감광성 조성물의 광 흡수성 및 광중합성 중의 적어도 1개를 조정하는 유기 성분이다. 상기 유기 성분은, 광중합 개시제계, 광 흡수제, 및 중합 금지제 중의 적어도 1개이어도 된다. 상기 유기 성분은, 광중합 개시제계이어도 된다. 이것에 의해, 예를 들면 감광성 조성물 중의 광 경화 성분(중합 반응하여 경화하는 성분. 예를 들면 광 경화성 화합물.)의 배합비를 안정시킬 수 있고, 도전막의 제(諸)특성, 예를 들면 기재에 대한 태크성 등을 대체로 높게 유지한 채로, 여기에 개시되는 기술의 효과를 이룰 수 있다.

여기서 개시되는 바람직한 일 태양에서는, 상기 제1 상관식에 있어서의 인자가, 도전막의 선폭, 막 두께, 전극 단면적, 경화 수축율, 또는 저항값이다. 상기 제1 상관식에 있어서의 인자는, 선폭이어도 된다.

여기서 개시되는 바람직한 일 태양에서는, 상기 제2 상관식이, 1차 함수로 나타난다. 1차 함수에서는 2개의 변수가 비례 관계에 있으므로, 배합비의 산출을 심플하게 또한 용이하게 수행할 수 있다.

여기서 개시되는 바람직한 일 태양에서는, 상기 도전성 분말이, 은계 입자를 포함한다. 이것에 의해, 코스트와 저-저항과의 밸런스가 뛰어난 도전층을 실현할 수 있다.

여기서 개시되는 바람직한 일 태양에서는, 상기 제1 도전성 분말이, 코어가 되는 금속 재료와 상기 코어의 표면이 적어도 일부를 피복하는 세라믹 재료를 포함하는 코어 쉘 입자이다. 이것에 의해, 감광성 조성물 중에서의 도전성 분말의 안정성을 보다 좋게 향상하면서, 고내구성인 도전층을 실현할 수 있다. 또한, 예를 들면 세라믹제의 기재(세라믹 기재) 상에 도전층을 형성하여 세라믹 전자 부품을 제조하는 용도에서는, 세라믹 기재와의 일체성을 높일 수 있다.

또한, 본 발명에 의해, 상기 감광성 조성물을 기재 상에 부여하고, 광 경화 및 에칭을 수행한 후, 소성하고, 상기 감광성 조성물의 소성체로 이루어지는 도전층을 형성하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법이 제공된다. 이러한 제조 방법에 의하면, 소형 및/또는 고밀도인 도전층을 구비한 전자 부품을 적합하게 제조할 수 있다.

또한, 본 발명에 의해, 미리 정해진 배합비로 도전성 분말을 포함하는 감광성 조성물에 대한 유기 성분의 배합비를 결정하는 배합비 결정 장치가 제공된다. 이 배합비 결정 장치는, 이용자의 입력을 받아들여, 사용하는 도전성 분말의 종류와 입경의 실측치가 입력되는 입력부와, 미리 준비된 제1 상관식으로서, 상기 도전성 분말의 입경과, 도전막의 광 흡수 또는 광 경화에 기인하여 변동하는 인자로서 상기 입경의 변위에 상관하여 변동하는 어느 하나의 인자와의 제1 상관식, 및, 미리 준비된 제2 상관식으로서, 상기 제1 상관식에 있어서의 인자와, 상기 감광성 조성물에 포함되는 유기 성분으로서 배합비의 변동이 상기 인자의 변동에 상관하는 어느 하나의 유기 성분과의 제2 상관식을 기억하는 기억부와, 상기 제1 상관식에 근거하여, 상기 입력부에 입력된 상기 실측치로부터, 미리 정해진 목표 레벨에 대한 상기 제1 상관식에 있어서의 인자의 예상 어긋남값을 산출하는 제1 산출부와, 상기 제2 상관식에 근거하여, 상기 예상 어긋남값을 없애는 상기 제2 상관식에 있어서의 유기 성분의 배합비를 산출하는 제2 산출부를 포함한다. 이것에 의해, 계산 미스를 방지하고, 예를 들면 작업에 숙련되어 있지 않은 작업자이어도, 용이하게 유기 성분의 배합비를 결정할 수 있다.

또한, 본 발명에 의해, 컴퓨터를, 상기 배합비 결정 장치로서 동작시키도록 구성되어 있는, 컴퓨터 프로그램이 제공된다. 이것에 의해, 계산 미스를 방지하고, 예를 들면 작업에 숙련되어 있지 않은 작업자이어도, 용이하게 유기 성분의 배합비를 결정할 수 있다.

또한, 본 발명에 의해, 상기 감광성 조성물의 소성체로 이루어지는 도전층을 구비하는, 전자 부품이 제공된다. 상기 감광성 조성물에 의하면, 세선상의 배선을 구비한 도전층이어도 안정하게 실현할 수 있다. 이 때문에, 상기 감광성 조성물에 의하면, 소형 및/또는 고밀도인 도전층을 구비한 전자 부품을 적합하게 실현할 수 있다.

또한, 본 발명에 의해, 상기 감광성 조성물이 유기계 분산매를 포함하는, 페이스트상의 감광성 조성물이 제공된다. 페이스트상에 조제함으로써, 예를 들면 도포나 인쇄 등의 수단에 의해, 기재의 원하는 위치에 원하는 형태로 상기 감광성 조성물을 간편하게 공급할 수 있다.

[도 1] 도 1은, 도전막의 모식적인 측면도이며, (A)는, 평균 입경이 큰 도전성 분말을 이용했을 경우, (B)는, 평균 입경이 작은 도전성 분말을 이용했을 경우의 측면도이다.
[도 2] 도 2는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 제조 방법의 플로우차트이다.
[도 3] 도 3은, 적층칩 인덕터의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 4] 도 4는, 배합비 결정 장치의 기능 블록도이다.
[도 5] 도 5는, 실시예 1에 따른 제1 상관식의 일례이다.
[도 6] 도 6은, 광중합 개시제계에 따른 제2 상관식의 일례이다.
[도 7] 도 7은, 실선폭을 비교한 그래프이다.
[도 8] 도 8은, 실시예 2에 따른 제1 상관식의 일례이다.
[도 9] 도 9는, 실시예 2에 따른 제1 상관식의 일례이다.
[도 10] 도 10은, 자외선 흡수제에 따른 제2 상관식의 일례이다.
[도 11] 도 11은, 광중합 금지제에 따른 제2 상관식의 일례이다.

이하, 본 발명의 적합한 실시 형태를 설명한다. 덧붙여, 본 명세서에 있어서 특별히 언급하고 있는 사항 이외의 사항으로서 본 발명의 실시에 필요한 사항(예를 들면, 도전막이나 도전층의 형성 방법, 전자 부품의 제조 방법 등)은, 본 명세서에 의해 교시되고 있는 기술 내용과, 당해 분야에 있어서의 당업자의 일반적인 기술 상식에 근거하여 이해할 수 있다. 본 발명은, 본 명세서에 개시되어 있는 내용과 당해 분야에 있어서의 기술 상식에 근거하여 실시할 수 있다.

덧붙여, 본 명세서에 있어서 「도전막」이란, 감광성 조성물을 유기 성분의 비점 이하의 온도(대략 200℃ 이하, 예를 들면 100℃ 이하)에서 건조시킨 막상체(건조물)를 말한다. 도전막은, 미소성(소성 전)의 막상체 전반을 포함한다. 도전막은, 광 경화 전의 미경화물이어도 되고, 광 경화 후의 경화물이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 「도전층」이란, 감광성 조성물을 도전성 분말의 소결 온도 이상에서 소성한 소결체(소성물)를 말한다. 도전층은, 배선(선상체), 배선 패턴, 솔리드 패턴을 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서 범위를 나타내는 「A~B」의 표기는, A 이상 B 이하의 뜻과 함께, 「바람직하게는 A보다 크다」 및 「바람직하게는 B보다 작다」의 뜻을 포함하는 것으로 한다.

≪감광성 조성물의 제조 방법≫

본 실시 형태에서는, 특히 요구 특성으로서 선폭이 중요하다라고 말하는 배경으로부터, 목표 레벨의 인자를 선폭으로 한 (선폭을 대상으로 한) 제조 방법을 설명한다. 즉, 본 실시 형태에 있어서, 미리 정해진 목표 레벨은 「목표 선폭」으로 나타내고, 예상 어긋남값은 「예상 어긋남폭」으로 나타낸다. 다만, 후술하는 바와 같이, 목표 레벨의 인자는, 도전막의 광 흡수도나 광 경화도에 기인하는 것이면 되고, 선폭으로 한정되는 것은 아니다.

도 2는, 본 실시 형태에 따른 제조 방법의 플로우 차트이다. 여기에 개시되는 제조 방법은, 미리 정해진 배합비로 도전성 분말을 포함하는 감광성 조성물을 제조하는 방법이다. 본 실시 형태에 있어서, 이러한 제조 방법은, 다음의 스텝: (스텝 S1) 평균 입경의 측정 공정; (스텝 S2) 예상 어긋남폭의 확인 공정; (스텝 S3) 유기 성분의 배합비 결정 공정; (스텝 S4) 감광성 조성물의 조제 공정;을 포함한다. 이하, 각 공정에 대하여 순서대로 설명한다.

<(스텝 S1) 평균 입경의 측정 공정>

본 공정에서는, 우선, 감광성 조성물의 제조에 사용하는 도전성 분말을 준비한다. 도전성 분말은, 도전층에 전기 전도성을 부여하는 성분이다. 도전성 분말은, 시판품을 구입해도 되고, 종래 공지의 방법으로 스스로 제작해도 된다. 도전성 분말의 종류는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것 중에서, 예를 들면 용도 등에 따라서, 1 종류를 단독으로, 또는 2 종류 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다.

도전성 분말로서는, 예를 들면, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os) 등의 금속의 단체(單體), 및 이들의 혼합물이나 합금 등을 들 수 있다. 합금으로서는, 예를 들면, 은-팔라듐(Ag-Pd), 은-백금(Ag-Pt), 은-구리(Ag-Cu) 등의 은합금을 들 수 있다. 적합한 일 태양에서는, 도전성 분말이 은계 입자를 포함하고 있다. 은은 비교적 코스트가 싸고, 또한 전기 전도도가 높다. 이 때문에, 도전성 분말이 은계 입자를 포함함으로써 코스트와 저-저항의 밸런스가 뛰어난 도전층을 실현할 수 있다. 덧붙여, 본 명세서에 있어서 「은계 입자」란, 은성분을 포함하는 것 전반을 포함한다. 은계 입자의 일례로서, 은의 단체, 상기한 은합금, 은계 입자를 코어로 하는 코어 쉘 입자, 예를 들면 은-세라믹의 코어 쉘 입자 등을 들 수 있다.

도전성 분말은, 그 표면에 유기 표면 처리제가 부착하고 있어도 된다. 유기 표면 처리제는, 예를 들면, 감광성 조성물 중에 있어서의 도전성 분말의 분산성을 향상하는 것, 도전성 분말과 다른 함유 성분의 친화성을 높이는 것, 도전성 분말을 구성하는 금속의 표면 산화를 방지하는 것, 중의 적어도 1개의 목적으로 사용될 수 있다. 유기 표면 처리제로서는, 예를 들면, 카르복시산 등의 지방산, 벤조트리아졸계 화합물 등을 들 수 있다.

적합한 일 태양에서는, 도전성 분말이, 금속-세라믹의 코어 쉘 입자를 포함하고 있다. 금속-세라믹의 코어 쉘 입자는, 금속 재료를 포함하는 코어부와, 세라믹 재료를 포함하고, 코어부의 표면이 적어도 일부를 피복하는 피복부를 가진다. 피복부는, 전형적으로는 복수의 미세한 세라믹 입자를 포함하여 구성되어 있다. 피복부를 구성하는 세라믹 입자의 평균 입경은, 전형적으로는 코어부를 구성하는 금속 재료의 평균 입경 보다도 작고, 예를 들면 금속 재료의 평균 입경의 1/1000~1/2, 추가로는 1/100~1/10 정도이어도 된다. 세라믹 재료는, 화학적 안정성이나 내열성, 내구성이 뛰어나다. 이 때문에, 금속-세라믹의 코어 쉘 입자의 형태를 채용하는 것에 의해, 감광성 조성물 중에서의 도전성 분말의 안정성을 보다 좋게 향상하면서, 고내구성인 도전층을 실현할 수 있다. 또한, 예를 들면 세라믹제의 기재 상에 도전층을 형성하여 세라믹 전자 부품을 제조하는 용도에서는, 세라믹 기재와의 일체성을 높일 수 있어, 소성 후의 도전층의 박리나 단선을 적합하게 억제할 수 있다.

특별히 한정되는 것은 아니지만, 코어 쉘 입자의 피복부를 구성하는 세라믹 재료로서는, 예를 들면, 산화 지르코늄(지르코니아), 산화 마그네슘(마그네시아), 산화 알루미늄(알루미나), 산화 규소(실리카), 산화 티탄(티타니아), 산화 세륨(세리아), 산화 이트륨(이트리아), 티탄산 바륨 등의 산화물계 재료; 코디에라이트, 물라이트, 포르스테라이트, 스테어타이트, 사이알론, 지르콘, 페라이트 등의 복합 산화물계 재료; 질화 규소(실리콘나이트라이트), 질화 알루미늄(알루미나나이트라이트) 등의 질화물계 재료; 탄화 규소(실리콘카바이드) 등의 탄화물계 재료; 하이드록시아파타이트 등의 수산화물계 재료; 등을 들 수 있다. 예를 들면 세라믹제의 기재 상에 도전층을 형성하여, 세라믹 전자 부품을 제조하는 용도에서는, 세라믹 기재와 같은 혹은 친화성이 뛰어난 세라믹 재료가 바람직하다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 코어 쉘 입자에 있어서의 세라믹 재료의 함유 비율은, 예를 들면 코어부의 금속 재료 100 질량부에 대해서 0.01~5.0 질량부이어도 된다.

특별히 한정되는 것은 아니지만, 시판의 도전성 분말을 사용하는 경우는, 노광 성능(예를 들면 광 흡수도나 광 경화도)과의 균형으로부터, 도전성 분말의 평균 입경(공칭치)이, 대략 0.1~10μm이어도 된다. 평균 입경(공칭치)을 상기 범위로 함으로써, 세선상의 배선을 한층 안정적으로 형성할 수 있다. 감광성 조성물 중에서의 응집을 억제하여 감광성 조성물의 보존 안정성을 향상하는 관점에서는, 도전성 분말의 평균 입경(공칭치, 예를 들면, 레이저 회절·산란법의 측정이나 SEM 관찰 등에 근거하는 값)이, 예를 들면, 0.5μm 이상, 1μm 이상, 1.5μm 이상, 2μm 이상이어도 된다. 또한, 세선 형성성을 향상하거나, 도전층의 치밀화나 저-저항화를 진행시키거나 하는 관점에서는, 도전성 분말의 평균 입경(공칭치)이, 예를 들면, 5μm 이하, 4.5μm 이하, 4μm 이하이어도 된다.

특별히 한정되는 것은 아니지만, 도전성 분말은, 전형적으로는, 평균 어스펙트비가 대략 1~2의 거의 구상, 바람직하게는 1~1.5, 예를 들면 1~1.3의 구상이다. 이것에 의해, 노광 성능을 보다 안정적으로 실현할 수 있다. 덧붙여, 본 명세서에 있어서 「평균 어스펙트비」란, 도전성 분말을 구성하는 복수의 도전성 입자를 전자현미경으로 관찰하여, 얻어진 관찰 화상으로부터 산출되는 어스펙트비의 산술 평균치(장경/단경 비)를 말한다. 또한, 본 명세서에 있어서 「구상」이란, 전체적으로 대략 구체(볼)라고 볼 수 있는 형태인 것을 나타내고, 타원상, 다각체상, 원반 구상 등도 포함할 수 있다.

특별히 한정되는 것은 아니지만, 도전성 분말은, JIS Z 8781: 2013년에 근거하는 L^*a^*b^*표 색계에 있어서, 명도 L^*가 50 이상이어도 된다. 이것에 의해, 노광시에 미경화의 도전막의 심부에까지 안정하게 광이 닿게 되어, 예를 들면, 막 두께가 5μm 이상, 추가로는 10μm 이상과 같이 두꺼운 도전층도 안정적으로 형성할 수 있다. 상기 관점에서는, 도전성 분말의 명도 L^*가, 대략 55 이상, 예를 들면 60 이상이어도 된다. 덧붙여, 명도 L^*의 측정은, 예를 들면 JIS Z 8722: 2009년에 준거하는 분광 측색계로 수행할 수 있다.

본 공정에서는, 다음으로, 사용하는 도전성 분말의 평균 입경을 실측한다. 평균 입경의 측정 방법, 측정 장치 및 측정 조건 및 측정 결과의 해석 조건은, 후술하는 제1 상관식의 산출시와 통일하면 된다. 이것에 의해, 후의 예상 어긋남폭의 확인 공정(스텝 S2)에 있어서의 예상 정밀도를 향상할 수 있다. 일례에서는, 레이저 회절·산란법에 근거하는 입도 분포 측정 장치를 이용하여 입도 분포 측정을 수행한다. 예를 들면, 마이크로 트랙·벨 주식회사제의 마이크로 트랙 MT-3000II 시리즈를 이용하는 것에 의해, 대략 0.02~2800μm의 입경 범위를 측정할 수 있다. 입도 분포 측정에 의해, 도전성 분말의 체적 기준의 입도 분포를 얻을 수 있다. 그리고, 입도 분포에 있어서, 입경의 작은 값으로부터 적산치 50%에 상당하는 입경(D50 입경)을 「평균 입경(실측치)」이라고 한다. 이상과 같이 하여, 감광성 조성물의 제조에 사용하는 도전성 분말의 평균 입경(실측치)을 취득한다.

<(스텝 S2) 예상 어긋남폭의 확인 공정>

본 공정에서는, 우선, 제1 상관식을 준비한다. 제1 상관식은, 예를 들면 도전성 분말의 종류별(예를 들면 제품명별)로 미리 준비되어 있다. 제1 상관식은, 상관 계수 R²가 대략 0.85 이상, 바람직하게는 0.9 이상, 예를 들면 0.92 이상이어도 된다. 제1 상관식은, 예를 들면 다음과 같이 하여 준비할 수 있다.

즉, 우선 제조 로트 및/또는 평균 입경(공칭치)이 상이한 복수의 도전성 분말을 준비한다. 이 때, 복수의 도전성 분말의 입경 이외의 물성, 예를 들면, 노광 성능(예를 들면 광 흡수도나 광 경화도)에 비교적 큰 영향을 줄 수 있는 도전성 분말의 금속종, 평균 어스펙트비, 명도 L^* 등에 대해서는 조건을 통일(거의 동일하게) 함으로써, 입경 이외의 바이어스를 없애고, 입경 그 자체의 영향을 클리어하게 평가할 수 있다. 다음에, 준비한 복수의 도전성 분말의 평균 입경을 각각 개별로 실측한다. 평균 입경의 측정은, 종래 공지의 측정 방법으로 수행할 수 있다. 예를 들면, 레이저 회절·산란법에 근거하는 입도 분포 측정 장치를 이용하여 수행할 수 있다.

다음에, 평균 입경을 실측한 복수의 도전성 분말을 이용하여, 각각 감광성 조성물을 조제한다. 예를 들면, 우선 유기 성분을 포함하는 소정의 비히클을 조제하고, 거기에 도전성 분말을 분산시켜, 감광성 조성물을 조제한다. 이에 의해, 도전성 분말 이외의 성분과 그 배합비가 통일되고, 도전성 분말의 종류만이 상이한 복수의 감광성 조성물을 조제한다. 다음에, 조제한 감광성 조성물을 각각 기재 상에 부여하고, 광 경화 및 에칭을 수행한다. 이것에 의해, 세선상의 배선을 형성한다.

다음에, 기재 상의 배선을 관찰하고, 얻어진 관찰 화상으로부터 배선의 선폭을 계측한다. 배선의 관찰에는, 예를 들면 레이저 현미경을 이용할 수 있다. 이 때, 선폭의 계측은 복수 시야에 대하여 수행하고, 그의 산술 평균치를 실선폭(실제의 선폭)으로 한다. 그리고, 예를 들면, 가로축(X)에 도전성 분말의 평균 입경(실측값)을 취하고 세로축(Y)에 실선폭을 취한 「평균 입경(실측치) X-실선폭 Y」의 그래프로 데이터를 플롯한다. 이 그래프로부터, 평균 입경(실측치)과 실선폭의 상관식을 산출한다. 이와 같이 하여, 제1 상관식을 준비한다.

본 공정에서는, 다음으로, 스텝 S1에서 얻어진 실측치를, 같은 종류의 도전성 분말에 따른 제1 상관식과 대비한다. 그리고, 미리 정해진 목표 선폭에 대해서 상정되는 어긋남폭(예상 어긋남폭)을 확인한다. 예를 들면 우선, 스텝 S1에서 얻어진 실측치를, 평균 입경(실측치)과 실선폭의 상관식에 내삽하여, 예상되는 선폭을 산출한다. 그리고, 예상되는 선폭과 원하는 목표 선폭과의 차이분을 예상 어긋남폭으로서 산출한다. 덧붙여, 목표 선폭은 임의로 설정할 수 있다. 이와 같이 하여, 예상 어긋남폭을 확인한다.

<(스텝 S3) 유기 성분의 배합비 결정 공정>

본 공정에서는, 우선, 제2 상관식을 준비한다. 제2 상관식은, 예를 들면 도전성 분말의 종류별(예를 들면 제품명별)로 미리 준비되어 있다. 제2 상관식은, 상관 계수 R²가 대략 0.85 이상, 바람직하게는 0.9 이상, 예를 들면 0.92 이상이어도 된다. 제2 상관식은, 1차 함수로 나타나고 있으면 된다. 1차 함수에서는 2개의 변수가 비례 관계에 있다. 이 때문에, 배합비의 산출을 심플하게 또한 용이하게 수행할 수 있다. 제2 상관식은, 예를 들면 다음과 같이 하여 준비할 수 있다. 즉, 우선 감광성 조성물의 제조에 사용하는 유기 성분 중의 적어도 1개를 준비한다. 예를 들면, 제1 상관식의 산출시에 이용한 비히클에 포함되는 유기 성분 중의 적어도 1개를 준비한다. 준비하는 유기 성분은, 1 종류이어도 되고, 예를 들면 2 종류 이상이어도 된다.

특별히 한정되는 것은 아니지만, 이 때 준비하는 유기 성분은, 감광성 조성물의 경화 속도에 영향을 주는 성분, 예를 들면 유기 바인더 및 광 경화성 화합물 이외의, 감광성 조성물의 광 흡수성 및 광 중합성 중의 적어도 1개를 조정하는 유기 성분(경화 속도 조정제)을 포함하면 된다. 준비하는 유기 성분은, 예를 들면, (A) 광 중합 개시제, (B) 증감제, (C) 광 흡수제, 및(D) 중합 금지제 중의 적어도 1개를 포함하면 된다. 그 중에서도, 중합 개시제계, 즉 (A) 광 중합 개시제 및 (B) 증감제 중의 적어도 1개를 포함하면 된다. 준비하는 유기 성분은, 예를 들면 (A)~(D)의 성분 중의, 비히클 중에서 가장 배합비가 높은 제1 성분이어도 되고, 2번째로 배합비가 높은 제2 성분을 추가로 포함해도 된다.

(A) 광 중합 개시제는, 광 조사에 의해서 분해하여, 라디칼이나 양이온 등의 활성종을 발생시켜 광 경화 성분의 중합 반응을 진행시키는 성분이다. 광 중합 개시제는, 감광성 조성물의 광 중합성을 조정하는(자세히는 중합 반응을 가속하는) 성분이다. 광 중합 개시제로서는, 종래 공지의 것 중에서, 예를 들면 광 경화 성분의 종류 등에 따라서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 광 중합 개시제는, 광 라디칼 중합 개시제이어도 되고, 광 양이온 중합 개시제이어도 되고, 광 음이온 중합 개시제이어도 된다. 특히, 반응 속도가 빠른 것이나 열에 의한 경화가 불필요한 것으로부터, 광 라디칼 중합 개시제가 바람직하다. 전형예로서, 벤조인계 광 중합 개시제, α-히드록시아세토페논계 광 중합 개시제, α-아미노알킬페논계 광 중합 개시제, 벤질 케탈계 광 중합 개시제, α-히드록시아세토페논계 광 중합 개시제, α-아미노아세토페논계 광 중합 개시제, 아실 포스핀옥시드계 광 중합 개시제, 티타노센계 광 중합 개시제, 0-아실 옥심계 광 중합 개시제, 옥심 에스테르계 광 중합 개시제, 벤조페논계 광 중합 개시제, 아크리딘계 광 중합 개시제 등을 들 수 있다.

(B) 증감제(촉진제, 반응 촉진제 등이라고도 한다.)는, 광을 흡수하여 얻은 에너지를 광 경화 성분에게 전하여, 광 경화 성분의 중합 반응을 촉진시키는 성분이다. 증감제는, 감광성 조성물의 광 중합성을 조정하는(자세히는 중합 반응을 가속하는) 성분이다. 증감제로서는, 종래 공지의 것 중에서, 예를 들면 조사하는 광의 파장 등에 따라서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 전형예로서, 안트라센계 증감제, 방향족 케톤계 증감제, 비페닐계 증감제, 안트라퀴논계 증감제 등을 들 수 있다.

(C) 광 흡수제(착색제, 유기 안료 등이라고도 한다.)는, 감광성 조성물의 광 흡수성을 조정하는 성분이다. 광 흡수제는, 전형적으로는 감광성 조성물의 색채를 변화시켜, 광의 침입율을 조정하는 성분이다. 광 흡수제는, 자외선의 파장의 광을 일부 또는 전부 흡수하는 자외선 흡수제이어도 되고, 적외선의 파장의 광을 일부 또는 전부 흡수하는 적외선 흡수제이어도 되고, 가시광의 파장의 광을 일부 또는 전부 흡수하는 가시광 흡수제(예를 들면 흑색제)이어도 된다. 광 흡수제로서는, 종래 공지의 것 중에서, 예를 들면 조사하는 광의 파장 범위 등에 따라서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 전형예로서, 벤조트리아졸계 광 흡수제, 트리아진계 광 흡수제, 벤조페논계 광 흡수제, 벤조에이트계 광 흡수제, 살리실산 에스테르계 광 흡수제, 시아노아크릴레이트계 광 흡수제, 레조르시놀계 광 흡수제, 힌더드아민계 광 흡수제 등을 들 수 있다.

특히 자외선 흡수제는, 자외선 노광을 수행하는 데 있어서, 포토마스크의 개구로부터 도전막의 내부로 침입한 광이 산란하여, 포토마스크의 차광 부분을 경화시켜, 선폭이 포토마스크의 개구 폭보다 굵어지게 되는 현상을 저감시키는 효과가 있다.

자외선 흡수제로서는 250~520 nm의 파장 범위에서 높은 흡수 계수를 가지는 것이 바람직하고, 그 중에서도 350~450 nm의 파장 범위에서 높은 흡수 계수를 가지는 유기 염료가 바람직하다. 유기 염료로서 아조계, 벤조페논계, 아미노케톤계, 크산텐계, 퀴놀린계, 아미노케톤계, 안트라퀴논계, 디페닐시아노아크릴레이트계, 트리아진계, p-아미노벤조산계 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아조계 및 벤조페논계의 유기 염료가 바람직하다.

아조계 유기 염료로서는, 예를 들면, 수단 블루, 수단 R, 수단 II, 수단 III, 수단 IV, 오일 오렌지 SS, 오일 바이올렛, 오일 옐로우 OB 등을 들 수 있다. 벤조페논계 유기 염료로서는, 예를 들면, BASF사 제의 유비널(등록상표) D-50(2,2＇,4,4＇-테트라하이드록시벤조페논), 유비널(등록상표) MS40(2-히드록시-4-메톡시벤조페논-5-설폰산), 유비널(등록상표) DS49(2,2-디히드록시-4,4＇-디메톡시벤조페논-5,5＇-디설폰산 나트륨) 등을 들 수 있다.

(D) 중합 금지제(금지제, 광 안정제, 안정화제, 라디칼 포착제, 산소 포착제 등이라고도 한다.)는, 광 경화 성분의 중합 반응을 저해하여, 감광성 조성물의 내후성, 내열성 및 보존 안정성 중의 적어도 1개를 향상하는 성분이다. 중합 금지제는, 감광성 조성물의 광 중합성을 조정하는(자세히는 중합 반응을 감속하는) 성분이다. 중합 금지제로서는, 종래 공지의 것 중에서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 전형예로서, 히드로퀴논 및 그의 유도체나, 페놀 유도체를 들 수 있다.

다음에, 소정의 도전성 분말을 이용하여, 준비한 유기 성분의 배합비를 단계적으로 변경하여, 복수의 감광성 조성물을 조제한다. 다음에, 제1 상관식의 산출시와 동일하게, 조제한 감광성 조성물을 각각 기재 상에 부여하고, 광 경화 및 에칭을 수행한다. 이에 의해, 세선상의 배선을 형성한다. 다음에, 기재 상의 배선을 레이저 현미경으로 관찰하고, 얻어진 관찰 화상으로부터 배선의 선폭을 계측한다. 이 때, 선폭의 계측은 복수 시야에 대하여 수행하고, 그의 산술 평균치를 실선폭(실제의 선폭)으로 한다. 그리고, 예를 들면, 가로축(X)에 감광성 조성물 중의 유기 성분의 배합비를 취하고 세로축(Y)에 실선폭을 취한 「유기 성분의 배합비 X-실선폭 Y」의 그래프로 데이터를 플롯한다. 이 그래프로부터, 유기 성분의 배합비와 실선폭의 상관식을 산출한다. 이와 같이 하여, 제2 상관식을 준비한다.

본 공정에서는, 다음으로, 제2 상관식을 이용하여, 스텝 S2에서 확인된 예상 어긋남폭을 없애도록 감광성 조성물에 있어서의 유기 성분의 배합비를 결정한다. 바꾸어 말하면, 목표 선폭으로 유도하도록, 감광성 조성물에 있어서의 유기 성분의 배합비를 결정한다. 일례에서는, 제1 상관식의 산출시에 이용한 비히클의 배합을 베이스로 한다. 그리고, 제2 상관식을 산출 완료의 유기 성분 중의 적어도 1개에 대해서, 베이스가 되는 비히클로부터 배합비를 변경한다. 이것에 의해, 스텝 S2에서 확인된 예상 어긋남폭이 캔슬될 수 있다. 덧붙여, 배합비를 변경하지 않은 유기 성분에 대해서는, 베이스가 되는 비히클과 동일하여도 된다. 배합비를 변경하는 유기 성분은, 1 종류이어도 되고, 예를 들면 예상 어긋남폭이 큰 경우 등에는, 2 종류 이상의 유기 성분의 배합비를 각각 조금씩 변경함으로써, 전체적으로 예상 어긋남폭을 없애도록 해도 된다.

예를 들면 중합 개시제계를 이용하여 예상 어긋남폭을 없애는 경우는, 우선 제2 상관식으로서, 중합 개시제계의 배합비와 실선폭의 상관식을 준비한다. 예를 들면, 광 중합 개시제의 배합비와 실선폭의 상관식, 및, 증감제의 배합비와 실선폭의 상관식의 2개를 준비한다. 이 상관식에 있어서, 중합 개시제계의 배합비와 실선폭이 정(正)의 상관을 갖는다고 가정한다. 이 경우, 예상되는 선폭이 목표 선폭보다도 크면, 상관식에 근거하여, 베이스가 되는 비히클의 배합으로부터, 예상 어긋남폭을 없애도록 중합 개시제계의 배합비를 줄인다. 한편, 예상되는 선폭이 목표 선폭보다도 작으면, 상관식에 근거하여, 베이스가 되는 비히클의 배합으로부터, 예상 어긋남폭을 없애도록 중합 개시제계의 배합비를 늘린다.

또한, 예를 들면 중합 금지제를 이용하여 예상 어긋남폭을 없애는 경우는, 우선 제2 상관식으로서, 중합 금지제의 배합비와 실선폭의 상관식을 준비한다. 이 상관식에 있어서, 중합 금지제의 배합비와 실선폭이 부(負)의 상관을 갖는다고 가정한다. 이 경우, 예상되는 선폭이 목표 선폭보다도 크면, 상관식에 근거하여, 베이스가 되는 비히클의 배합으로부터 예상 어긋남폭을 없애도록 중합 금지제의 배합비를 늘린다. 또한, 예상되는 선폭이 목표 선폭보다도 작으면, 상관식에 근거하여, 베이스가 되는 비히클의 배합으로부터 예상 어긋남폭을 없애도록 중합 금지제의 배합비를 줄인다. 이상과 같이 하여, 감광성 조성물에 있어서의 유기 성분의 배합비를 결정한다.

덧붙여, 본 공정에서 배합비를 조정하는 유기 성분은, 상기한 (A)~(D)의 성분으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 다른 성능(예를 들면 기재에 대한 도전막의 태크성 등)이 현저하게 저하하지 않는 한에 있어서, 후술하는 광 경화성 수지 및 광 경화성 화합물 중의 적어도 1개의 배합비를 조정해도 된다. 또한, 예를 들면 후술하는 그 외 첨가 성분의 배합비를 조정해도 된다.

<(스텝 S4) 감광성 조성물의 조제 공정>

본 공정에서는, 스텝 S1에서 평균 입경을 실측한 도전성 분말을 이용하여, 감광성 조성물을 조제한다. 예를 들면 우선, 유기 바인더와, 광 경화성 화합물과, 광 중합 개시제와, 증감제와, 광 흡수제와, 중합 금지제와, 필요에 따라서 이용되는 그 외 첨가 성분을, 유기계 분산매 중에서 혼합하여, 액상의 비히클을 조제한다. 이 때, 감광성 조성물이 스텝 S3에서 결정된 배합비가 되도록, 각 성분을 첨가한다. 다음에, 도전성 분말과 비히클을 미리 정해진 배합비로 혼합한다. 이것에 의해, 감광성 조성물을 조제한다. 본 실시 형태에서는, 유기계 분산매를 포함하고, 페이스트상(슬러리상, 잉크상을 포함한다.)으로 조제된 감광성 조성물(페이스트상의 감광성 조성물)을 얻을 수 있다.

유기 바인더(폴리머 성분)는, 기재와 미경화의 도전막과의 접착성을 높이는 성분이다. 유기 바인더는, 감광성(광에 의해서 화학적 또는 구조적인 변화를 일으키는 성질을 말한다. 예를 들면 광 경화성.)을 가지고 있어도 되고, 가지지 않아도 된다. 유기 바인더는, 중량 평균 분자량이 2000 이상 5000 미만인 광 중합성 올리고머(프리폴리머)와, 중량 평균 분자량이 5000 이상인 광 중합성 폴리머를 포함한다. 유기 바인더로서는, 종래 공지의 것 중에서, 예를 들면 기재나 광 중합성 화합물, 광 중합 개시제의 종류 등에 따라서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 유기 바인더로서는, 현상 공정에 있어서 현상액으로 용이하게 제거 가능한 것이 바람직하다. 예를 들면, 현상 공정에 있어서 알칼리성의 현상액을 사용하는 경우에는, 히드록실기(-OH), 카르복실기(-C(=O)OH), 에스테르 결합(-C(=O)O-), 설포기(-SO₃H) 등의, 산성을 나타내는 구조 부분을 가지는 화합물이 바람직하다. 이것에 의해, 미노광 부분에 잔사가 잔존하기 어려워지고, 예를 들면 파인 라인의 사이의 스페이스를 안정하게 확보할 수 있다.

유기 바인더의 일 적합예로서, 메틸 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스, 히드록시메틸 셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 고분자, 아크릴 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 현상 공정에 있어서 제거하기 쉬운 관점으로부터, 친수성의 유기 바인더, 예를 들면, 셀룰로오스계 고분자나 아크릴 수지 등이 바람직하다.

또한, 유기 바인더로서 광 경화성 수지를 이용해도 된다. 광 경화성 수지는, 광 중합 개시제로부터 발생한 활성종에 의해서 중합하고, 경화하는 광 경화 성분이다. 광 경화성 수지는, 전형적으로는 불포화 결합 및 환상 구조 중의 적어도 한쪽을 1개 이상 가진다. 광 경화성 수지로서는, 종래 공지의 것 중에서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 전형예로서, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등의 에틸렌성 이중 결합을 가지는 수지, 예를 들면, 아크릴 수지, 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 덧붙여, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴로일」이란, 「메타크릴로일」 및 「아크릴로일」을 포함하는 용어이다.

아크릴 수지의 구체예로서, 폴리 메틸 (메타)아크릴레이트, 폴리 에틸 (메타)아크릴레이트, 폴리 부틸 (메타)아크릴레이트 등의 알킬 (메타)아크릴레이트의 단독 중합체나, 알킬 (메타)아크릴레이트를 주모노머(가장 큰 질량비를 차지하는 모노머)로서, 당해 주모노머에 공중합성을 가지는 부모노머를 포함하는 공중합체를 들 수 있다.

광 경화성 화합물(모노머 성분)은, 광 중합 개시제로부터 발생한 활성종에 의해서 중합하고, 경화하는 광 경화 성분이다. 중합 반응은, 예를 들면 부가 중합이어도 되고 개환 중합이어도 된다. 광 경화성 화합물은, 라디칼 중합성이어도 되고, 양이온 중합성이어도 된다. 광 경화성 화합물은, 중량 평균 분자량이 2000 미만인 모노머이다. 광 경화성 화합물로서는, 종래 공지의 것 중에서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 전형예로서, (메타)아크릴로일기를 가지는 (메타)아크릴레이트 모노머를 들 수 있다. (메타)아크릴레이트 모노머는, 1 분자 당 1개의 관능기를 가지는 단관능 (메타)아크릴레이트와, 1 분자 당 2개 이상의 관능기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트와, 그들의 변성물을 포함한다. (메타)아크릴레이트 모노머의 구체예로서, 다관능 (메타)아크릴레이트나, 우레탄 결합을 가지는 우레탄 변성 (메타)아크릴레이트, 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트, 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 덧붙여, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴레이트」란, 「메타크릴레이트」 및 「아크릴레이트」를 포함하는 용어이다.

유기계 분산매는, 감광성 조성물에 적당한 점성이나 유동성을 부여하여, 감광성 조성물의 취급성이나 도전막을 성형할 때의 작업성을 향상하는 성분이다. 유기계 분산매로서는, 종래 공지의 것 중에서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 전형예로서, 알코올계 용제, 글리콜계 용제, 에테르계 용제, 에스테르계 용제, 탄화수소계 용제, 미네랄 스피릿 등의 유기 용제를 들 수 있다. 그 중에서도, 감광성 조성물의 보존 안정성이나 도전막 성형시의 취급성을 향상하는 관점에서는, 비점이 150℃ 이상인 유기 용제, 추가로는 170℃ 이상인 유기 용제가 바람직하다. 또한, 다른 일 적합예로서, 도전막을 인쇄한 후의 건조 온도를 낮게 억제하는 관점에서는, 비점이 250℃ 이하인 유기 용제, 추가로는 비점이 220℃ 이하인 유기 용제가 바람직하다.

그 외 첨가 성분으로서는, 종래 공지의 것 중에서, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 적절히 조합하여 이용할 수 있다. 일례로서, 산화 방지제, 가소제, 계면활성제, 레벨링제, 증점제, 습윤제, 분산제, 소포제, 대전 방지제, 겔화 방지제, 방부제, 충전제(유기 또는 무기 필러), 유리 분말, 세라믹 분말(Al₂O₃, ZrO₂, SiO₂ 등), 유기 금속 화합물(금속 레지네이트) 등을 들 수 있다.

본 실시 형태에 있어서, 감광성 조성물 중의 도전성 분말의 배합비는 미리 정해져 있다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도전성 분말의 배합비는, 대략 50 질량% 이상, 전형적으로는 60~95 질량%, 예를 들면 70~90 질량%로 해도 된다. 상기 범위를 만족시킴으로써, 치밀성이나 전기 전도성이 높은 도전층을 형성할 수 있다. 또한, 감광성 조성물의 취급성이나 도전막을 성형할 때의 작업성을 향상할 수 있다.

특별히 한정되는 것은 아니지만, 감광성 조성물 전체에서 차지하는 중합 개시제계의 비율은, 대략 5 질량% 이하, 전형적으로는 0.01~1 질량%, 예를 들면 0.02~0.5 질량%, 0.05~0.2 질량%로 해도 된다. 또한, 광 흡수제의 비율은, 대략 0.5 질량% 이하, 전형적으로는 0.1 질량% 이하, 예를 들면 0.01 질량% 이하, 추가로는 0.001 질량% 이하로 해도 된다. 또한, 중합 금지제의 비율은, 대략 0.5 질량% 이하, 전형적으로는 0.1 질량% 이하, 예를 들면 0.001 질량% 이하로 해도 된다. 또한, 감광성 조성물 전체에서 차지하는 광 경화성 수지의 비율은, 대략 5 질량% 이하, 전형적으로는 0.01~1 질량%, 예를 들면 0.02~0.5 질량%, 0.03~0.2 질량%로 해도 된다. 또한, 감광성 조성물 전체에서 차지하는 광 경화성 화합물의 비율은, 대략 5 질량% 이하, 전형적으로는 0.01~1 질량%, 예를 들면 0.02~0.5 질량%, 0.03~0.2 질량%로 해도 된다. 또한, 광 경화성 수지와 광 경화성 화합물의 배합비는, 대략 1:10~10:1, 예를 들면 1:3~3:1, 추가로는 1:2~2:1로 해도 된다. 또한, 유기계 분산매의 비율은, 대략 1~50 질량%, 전형적으로는 3~30 질량%, 예를 들면 5~20 질량%로 해도 된다. 또한, 그 외 첨가 성분의 비율은, 대략 5 질량% 이하, 예를 들면 3 질량% 이하로 해도 된다.

≪감광성 조성물의 용도≫

여기에 개시되는 감광성 조성물에 의하면, L/S가 30μm/30μm 보다도 미세한, 추가로는 L/S가 20μm/20μm 보다도 미세한 도전층을 안정하게 형성할 수 있다. 그 때문에, 여기에 개시되는 감광성 조성물은, 예를 들면, 인덕턴스 부품이나 콘덴서 부품, 다층 회로 기판 등의 여러가지 전자 부품에 있어서의 도전층의 형성에 적합하게 이용할 수 있다. 전자 부품은, 표면 실장 타입이나 스루홀 실장 타입 등, 각종의 실장 형태의 것이어도 된다. 전자 부품은, 적층형이어도 되고, 권선형이어도 되고, 박막형이어도 된다. 인덕턴스 부품의 전형예로서는, 고주파 필터, 커먼 모드 필터, 고주파 회로용 인덕터(코일), 일반 회로용 인덕터(코일), 고주파 필터, 초크 코일, 트랜스 등을 들 수 있다.

또한, 도전성 분말이 금속-세라믹의 코어 쉘 입자를 포함하는 감광성 조성물은, 세라믹 전자 부품의 도전층의 형성에 적합하게 이용할 수 있다. 덧붙여, 본 명세서에 있어서, 「세라믹 전자 부품」이란, 비정질의 세라믹 기재(유리 세라믹 기재) 혹은 결정질(즉 비유리)의 세라믹 기재를 가지는 전자 부품 전반을 포함한다. 전형예로서, 세라믹제의 기재를 가지는 고주파 필터, 세라믹 인덕터(코일), 세라믹 콘덴서, 저온 소성 적층 세라믹 기재(Low Temperature Co-fired Ceramics Substrate: LTCC 기재), 고온 소성 적층 세라믹 기재(High Temperature Co-fired Ceramics Substrate: HTCC 기재) 등을 들 수 있다.

도 3은, 적층칩 인덕터(10)의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 덧붙여, 도 3에 있어서의 치수 관계(길이, 폭, 두께 등)는 반드시 실제의 치수 관계를 반영하는 것은 아니다. 또한, 도면 중의 부호 X, Y는, 각각 좌우 방향, 상하 방향을 나타낸다. 다만, 이것은 설명의 편의상의 방향에 지나지 않는다.

적층 칩 인덕터(10)는, 본체부(11)와, 본체부(11)의 좌우 방향(X)의 양측면 부분에 설치된 외부 전극(20)을 갖추고 있다. 적층 칩 인덕터(10)의 형상은, 예를 들면, 1608 형상(1.6mmХ0.8 mm), 2520 형상(2.5mmХ2.0 mm) 등의 사이즈이다. 본체부(11)는, 세라믹층(유전체층)(12)과 내부 전극층(14)이 일체화된 구조를 가진다. 세라믹층(12)은, 예를 들면 도전성 분말의 피복부를 구성할 수 있는 것으로 하여 상술한 것 같은 세라믹 재료로 구성되어 있다. 상하 방향(Y)에 있어서, 세라믹층(12)의 사이에는, 내부 전극층(14)이 배치되어 있다. 내부 전극층(14)은, 상술의 감광성 조성물을 이용하여 형성되어 있다. 세라믹층(12)를 사이에 두고 상하 방향(Y)으로 서로 이웃하는 내부 전극층(14)은, 세라믹층(12)에 설치된 비아(16)를 통해서 도통되어 있다. 이것에 의해, 내부 전극층(14)은, 3차원적인 소용돌이형상(나선상)으로 구성되어 있다. 내부 전극층(14)의 양단은 각각 외부 전극(20)으로 접속되어 있다.

적층 칩 인덕터(10)는, 예를 들면, 이하의 절차로 제조할 수 있다. 즉, 우선, 원료가 되는 세라믹 재료와 바인더 수지와 유기용제를 포함하는 페이스트를 조제하고, 이것을 캐리어 시트 상에 공급하고, 세라믹 그린 시트를 형성한다. 그 다음에, 이 세라믹 그린 시트를 압연 후, 원하는 사이즈로 컷 하고, 복수의 세라믹층 형성용 그린 시트를 얻는다. 그 다음에, 복수의 세라믹층 형성용 그린 시트의 소정의 위치에, 천공기 등을 이용하여 적절히 비아홀을 형성한다. 그 다음에, 상술의 감광성 조성물을 이용하여, 복수의 세라믹층 형성용 그린 시트의 소정의 위치에, 소정의 코일 패턴의 도전막을 형성한다. 일례로서 이하의 공정: (스텝 A) 감광성 조성물을 세라믹층 형성용 그린 시트 상에 부여하고 건조함으로써, 감광성 조성물의 건조체로 이루어지는 도전막을 성형하는 공정; (스텝 B) 도전막에 소정의 개구 패턴의 포토마스크를 씌우고, 포토마스크를 통해서 노광하여, 도전막을 부분적으로 광경화시키는 공정; (스텝 C) 광경화 후의 도전막을 에칭하여 미경화의 부분을 제거하는 공정; 을 포함하는 제조방법에 의해서, 미소성의 상태의 도전막을 형성할 수 있다.

덧붙여, 상기 감광성 조성물을 이용하여 도전막을 형성할 때에는, 종래 공지의 수법을 적절히 이용할 수 있다. 예를 들면, (스텝 A)에 있어서, 감광성 조성물의 부여는, 스크린 인쇄 등의 각종 인쇄법이나, 바코터 등을 이용하여 실시할 수 있다. 감광성 조성물의 건조는, 전형적으로는 50~100℃에서 수행하면 된다. (스텝 B)에 있어서, 노광에는, 가시광선, 자외선, X선, 전자선, α선, β선, γ선과 같은 방사선을 발하는 노광기를 이용할 수 있다. 일례로서 10~400 nm의 파장 범위의 광선을 발하는 노광기, 예를 들면 고압 수은등, 메탈할라이드 램프, 크세논 램프 등의 자외선 조사등을 이용할 수 있다. (스텝 C)에 있어서, 에칭에는, 예를 들면 수산화 나트륨이나 탄산나트륨 등의 알칼리 성분을 포함하는 수용액을 이용할 수 있다.

그 다음에, 미소성의 상태의 도전막이 형성되어 있는 세라믹층 형성용 그린 시트를 복수매 적층하고, 압착한다. 이것에 의해서, 미소성의 세라믹 그린 시트의 적층체를 제작한다. 그 다음에, 세라믹 그린 시트의 적층체를, 예를 들면 600~1000℃에서 소성한다. 이것에 의해서, 세라믹 그린 시트가 일체적으로 소결되어, 세라믹층(12)과, 감광성 조성물의 소성체로 이루어지는 내부 전극층(14)를 구비한 본체부(11)이 형성된다. 그리고, 본체부(11)의 양단부에 적절한 외부 전극 형성용 페이스트를 부여하고, 소성하는 것에 의해서, 외부 전극(20)을 형성한다. 이와 같이 하여, 적층 칩 인덕터(10)를 제조할 수 있다.

≪배합비 결정 장치≫

도 4는, 배합비 결정 장치(30)의 기능 블록도이다. 여기에 개시되는 배합비 결정 장치(30)는, 입력부(31)와, 기억부(32)와, 제1 산출부(33)와, 제2 산출부(34)와, 표시부(35)를 구비하고 있다. 배합비 결정 장치(30)의 각 부는, 서로 통신 가능하게 구성되어 있다. 배합비 결정 장치(30)의 각 부는, 소프트 웨어에 의해서 구성되어 있어도 되고, 하드웨어에 의해서 구성되어 있어도 된다. 배합비 결정 장치(30)의 각 부는, 프로세서에 의해서 수행되는 것이어도 되고, 회로에 편입한 것이어도 된다.

입력부(31)는, 이용자(예를 들면 감광성 조성물을 조제하는 작업자)의 조작 입력을 받아들여, 사용하는 도전성 분말의 종류 및 평균 입경(실측치), 및 목표 선폭을 입력 가능하도록 구성되어 있다. 복수의 도전성 분말을 병용하는 경우에는, 추가로 그러한 혼합 비율을 입력 가능하도록 구성되어 있다. 도전성 분말의 종류는, 예를 들면, 구입처, 품목명(제품명), 품번 등으로 나타내지는 정보이다. 도전성 분말의 종류는, 예를 들면, 도전성 분말의 구조(코어 쉘 구조인지 아닌지)나, 평균 입경(공칭치), 평균 어스펙트비, 명도 L^* 등의 물성치로 나타내지는 정보이어도 된다. 입력부(31)는, 예를 들면, 커서키나 숫자 입력키 등을 구비한 키보드, 마우스 등의 포인팅 디바이스, 버튼 등의 입력 장치(도시하지 않음)를 갖추고 있다. 입력부(31)는, 예를 들면 표시부(35)에 표시된 풀다운 메뉴 중에서, 도전성 분말의 종류를 선택 가능하도록 구성되어 있어도 된다. 입력부(31)는, 예를 들면, 호스트 컴퓨터 등의 외부 기기나 유선 또는 무선으로 접속된 네트워크로부터, 상기한 바와 같은 정보를 취입 가능하도록 구성되어 있어도 된다. 덧붙여, 본 실시 형태에 있어서, 「목표 선폭」은, 미리 정해진 목표 레벨의 일례이다.

기억부(32)는, 제1 상관식 및 제2 상관식을 기억하고 있다. 제1 상관식 및 제2 상관식은, 도전성 분말의 종류별(예를 들면 제품명별)로 미리 기억부(32)에 기억되어 있다. 이 때문에, 기억부(32)에 기억되어 있는 제1 상관식 및 제2 상관식은, 전형적으로는 각각 복수이다. 제1 상관식은, 1차 함수로 나타나고 있어도 된다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 제1 상관식은, 예를 들면 상기한 도전성 분말의 평균 입경(실측치)과 실선폭의 상관식이다. 제2 상관식은, 소정의 기울기(변화의 비율)를 가지고 있다. 제2 상관식은, 1차 함수로 나타나고 있어도 된다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 제2 상관식은, 예를 들면, 상기한 유기 성분(예를 들면 중합 개시제계)의 배합비와 실선폭의 상관식이다. 기억부(32)는, 추가로 베이스가 되는 비히클의 조성, 즉 비히클에 포함되는 각 유기 성분의 종류와 배합비를 기억하고 있어도 된다.

제1 산출부(33)는, 이용자에 의해서, 입력부(31)로부터, 사용하는 도전성 분말의 종류 및 평균 입경(실측치)의 입력 조작이 이루어지면, 기억부(32)에 기억되어 있는 제1 상관식 중에서, 입력된 도전성 분말과 같은 종류의 도전성 분말에 따른 제1 상관식을 참조한다. 그리고, 입력부(31)에 입력된 평균 입경(실측치)으로부터, 목표 선폭에 대한 예상 어긋남폭을 산출한다. 예를 들면, 제1 상관식이 도전성 분말의 평균 입경(실측치)과 실선폭의 상관식으로 나타나고 있는 경우는, 우선 입력부(31)에 입력된 평균 입경(실측치)을 대응하는 제1 상관식에 내삽하여, 예상되는 선폭을 산출한다. 그리고, 예상되는 선폭과, 이용자에 의해서 입력부(31)로부터 입력된 목표 선폭의 차이분을 예상 어긋남폭으로서 산출한다. 덧붙여, 본 실시 형태에 있어서, 「예상 어긋남폭」은, 예상 어긋남값의 일례이다.

제2 산출부(34)는, 제1 산출부(33)에서 예상 어긋남폭이 산출되면, 기억부(32)에 기억되어 있는 제2 상관식 중에서, 입력된 도전성 분말과 같은 종류의 도전성 분말에 따른 제2 상관식을 참조한다. 그리고, 제1 산출부(33)에서 산출된 예상 어긋남폭에 근거하여, 유기 성분의 배합비를 산출한다. 예를 들면, 제2 상관식이 중합 개시제계의 배합비와 실선폭의 상관식으로 나타나고 있는 경우는, 예상 어긋남폭을 제2 상관식의 기울기로 나누어, 예상 어긋남폭을 없애기 위한 중합 개시제계의 배합비를 산출한다. 그리고, 비히클에 포함되는 광 중합 개시제계의 배합비로부터, 상기 예상 어긋남폭을 없애기 위한 배합비를 증감하여 최종적인 배합비로 한다.

배합비 결정 장치(30)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 이용자에 대한 인터페이스(I/F)와, 제어 프로그램의 명령을 실행하는 중앙 연산 처리 장치(CPU: central processing unit)와, CPU가 실행하는 프로그램을 격납한 ROM(read only memory)과, 프로그램을 전개하는 워킹 에어리어로서 사용되는 RAM(random access memory)과, 상기 프로그램이나 각종 데이터를 격납하는 메모리 등의 기억 장치를 구비하고 있다. 배합비 결정 장치(30)는, 컴퓨터의 CPU를, 배합비 결정 장치(30)의 각 부로서 동작시키도록 구성된 컴퓨터 프로그램이어도 된다. 이러한 컴퓨터 프로그램은, 배합비 결정 장치(30)의 동작이 기입되고, 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체이어도 된다.

기록 매체로서는, 예를 들면, 반도체 기록 매체(예를 들면, ROM, 불휘발성 메모리 카드), 광 기록 매체(예를 들면, DVD, MO, MD, CD, BD), 자기 기록 매체(예를 들면, 자기테이프, 플렉서블 디스크) 등이 예시된다. 또한, 상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 기록 매체 혹은 인터넷이나 인트라넷 등의 네트워크를 통해서, 서버 컴퓨터에 송신할 수 있다. 이 경우, 서버 컴퓨터도 또한, 배합비 결정 장치(30)의 일 형태이다.

이하, 본 발명에 관한 몇 개의 실시예를 설명하지만, 본 발명을 이러한 실시예에 나타내는 것으로 한정하는 것을 의도한 것은 아니다.

<실시예 1: 1 종류의 도전성 분말을 단독으로 이용하는 경우>

이하, 1 종류의 도전성 분말을 단독으로 이용하여 감광성 조성물을 제조하는 경우를 설명한다. 여기에서는 사전 준비로서, 우선 사용하는 도전성 분말에 대응한 제1 상관식 및 제2 상관식을 준비했다. 구체적으로는, 도 5에 나타내는 제1 상관식과, 도 6의 제2 상관식을 준비했다. 도 6은, 광 중합 개시제계의 배합비를 조정하기 위한 제2 상관식이다.

도 5에 나타내는 제1 상관식은, 다음과 같이 하여 준비된 것이다. 즉, 우선 도전성 분말로서, 평균 입경(공칭치)이 대략 3μm 전후인 시판의 은분말을 복수(여기에서는 15 종류) 준비했다. 다음에, 레이저 회절·산란법에 근거하는 입도 분포 측정 장치(마이크로 트랙·벨 주식회사제의 형식 「MT-3000II」, 측정 범위: 0.02~2800μm)를 이용하여, 분산 용매 중에서의 습식 측정에 의해서 15 종류의 은분말의 평균 입경을 각각 실측했다. 분산 용매로서는, 은분말의 응집을 억제하여, 개개의 입자를 분산 용매 중에 분산시키는 관점으로부터, 알코올계 용매(구체적으로는, 에탄올)를 이용했다. 그리고, 체적 기준의 입도 분포를 얻었다. 덧붙여, 입도 분포는, 전형적으로는 모드 지름(최빈(最頻) 입자 지름)이 1개뿐인 단봉성이었다. 입도 분포로부터, 15 종류의 은분말의 평균 입경(실측치)을 각각 읽어들였다.

다음에, 유기 바인더와, 광 경화성 화합물과, 광 중합 개시제와, 증감제와, 광 흡수제로서의 자외선 흡수제와, 중합 금지제를, 표 1의 조성으로 유기계 분산매에 용해시켜, 비히클을 준비했다. 다음에, 상기 준비한 15 종류의 은분말과, 비히클을, 77:23의 질량비로 혼합함으로써, 각각 감광성 조성물을 조제했다.

다음에, 스크린 인쇄에 의해, 상기 조제한 감광성 조성물을 시판의 세라믹 그린 시트 상에 각각 도포했다. 다음에, 이것을 60℃에서 15분간 건조시켜, 그린 시트 상에 도전막(솔리드막)을 성형했다(도전막의 성형 공정). 다음에, 도전막 상에 포토마스크를 씌웠다. 포토마스크로서는, L/S=25μm/25μm의 것을 사용했다. 이 포토마스크를 도전막 상에 씌운 상태에서, 자외선 노광기에 의해, 2500 mJ/cm²의 강도로 광을 조사하여, 도전막을 부분적으로 경화시켰다(노광 공정). 노광 후, 세라믹 그린 시트에 0.4 질량%의 Na₂CO₃ 수용액을 분사하고, 미경화의 도전막 부분을 에칭 제거한 후, 순수로 세정하고, 실온에서 건조시켰다(현상 공정). 이렇게 하여, 세라믹 그린 시트 상에 배선 패턴을 형성했다.

다음에, 배선 패턴을 레이저 현미경으로 관찰하고, 얻어진 관찰 화상으로부터 배선의 선폭을 계측했다. 덧붙여, 선폭의 계측은 복수 시야에 대하여 수행하고, 그 산술 평균치를 실선폭(실제의 선폭)으로 했다. 그리고, 도 5에 나타내는 바와 같이, 15 종류의 은분말의 평균 입경(실측치)과 실선폭의 상관을 그래프로 나타내면서, 상관식(Y = 5.593X+11.192)를 산출했다. 도 5에 나타내는 제1 상관식에서는, 은분말의 평균 입경(실측치)과, 당해 은분말을 포함하는 감광성 조성물을 이용하여 이루어지는 실선폭이 비례(상관계수: 0.92) 하고 있다. 도 5에 나타내는 제1 상관식은, 1차 함수로 나타나고 있다. 도 5에 있어서, 평균 입경(실측치)과 실선폭은 정(正)의 상관을 가지고 있다. 즉, 은분말의 평균 입경(실측치)이 커짐에 따라서, 선폭은 리니어로 굵어지고 있다.

도 6의 제2 상관식은, 다음과 같이 하여 준비된 것이다. 즉, 우선, 도전성 분말로서 소정의 은분말을 준비했다. 또한, 유기 바인더와, 광 경화성 화합물과, 광 중합 개시제와, 증감제와, 자외선 흡수제와, 중합 금지제와, 유기계 분산매를, 상기한 표 1의 배합비로 혼합하여, 베이스가 되는 비히클을 준비했다. 다음에, 은분말과 비히클을 77:23의 질량비로 혼합함으로써, 베이스가 되는 감광성 조성물을 조제했다.

다음에, 베이스가 되는 감광성 조성물 중에서, 표 2와 같이 광 중합 개시제계(광 중합 개시제 및 증감제)의 배합비를 변화시켰다. 이 때 광 중합 개시제계의 배합비를 증감한 분(分)은, 유기계 분산매의 양을 증감함으로써 조정했다. 예를 들면, 광 중합 개시제계의 배합비를 0.550에서 0.515로 줄였을 경우는, 그 만큼(0.035)만 유기계 분산매의 양을 늘렸다. 이러한 감광성 조성물을 복수(여기에서는 5 패턴) 조제했다. 덧붙여, 광 중합 개시제계의 배합비를 변화시켰을 때에, 광 중합 개시제와 증감제의 비율은 일정하게 했다. 다음에, 상기 조제한 복수의 감광성 조성물을 이용하여, 상술한 제1 상관식의 산출시와 동일하게 배선 패턴을 형성하고, 실선폭을 구했다. 그리고, 5 패턴의 감광성 조성물 중의 광 중합 개시제의 배합비와 실선폭의 상관을 그래프로 나타내면서, 상관식(Y = 74.927X+19.762)을 산출했다.

도 6의 제2 상관식에서는, 감광성 조성물 중의 중합 개시제계의 배합비와 실선폭이 비례(상관계수: 0.96) 하고 있다. 도 6의 제2 상관식은, 1차 함수로 나타나고 있다. 도 6에 있어서, 중합 개시제계의 배합비와 실선폭은, 정의 상관을 가지고 있다. 즉, 중합 개시제계의 배합비가 커짐에 따라서, 선폭은 리니어로 굵어지고 있는 것을 알 수 있다.

실시예 1에서는, 이상과 같이 제1 상관식과 제2 상관식을 갖춘 후, 스텝 S1로서, 감광성 조성물에 사용하는 은분말(평균 입경(공칭치): 3μm)을 준비했다. 다음에, 제1 상관식의 산출시와 동일한 입도 분포 측정 장치를 이용하여, 같은 측정 해석 조건으로, 은분말의 평균 입경을 실측했다. 그리고, 체적 기준의 입도 분포로부터 은분말의 평균 입경(실측치)을 읽어들였다. 여기에서는, 실측치가 3.17μm였다.

다음에, 스텝 S2로서, 스텝 S1에서 얻어진 실측치를, 도 5의 제1 상관식과 대비했다. 그리고, 미리 정해진 목표 선폭에 대한 예상 어긋남폭을 확인했다. 여기에서는, 실측치가 3.17μm를, 도 5의 제1 상관식(Y = 5.593X+11.192)에 내삽하면, 예상되는 선폭이 28.92μm로 산출된다. 이 때문에, 목표 선폭이 27.3μm인 경우, 예상 어긋남폭은, (예상되는 선폭 28.92μm)-(목표 선폭 27.3μm)로, +1.62μm로 산출된다. 즉, 이대로 베이스 그대로의 비히클의 조성으로 감광성 조성물을 조제하면, 목표 선폭으로부터 1.62μm의 선폭의 굵어짐이 생길 가능성이 높은 것을 알 수 있다.

여기서, 다음에, 스텝 S3으로서, 예상 어긋남폭을 없애서 목표 선폭에 근접하도록, 유기 성분의 배합비를 변경했다. 여기에서는, 도 6의 제2 상관식(Y = 74.927X+19.762)에 근거하여, 중합 개시제계의 배합비를 조정했다. 즉, 예상 어긋남폭+1.62μm를 제2 상관식의 기울기 74.927로 나눈 값(=1.62/74.927)=+0.022가, 예상 어긋남폭 +1.62μm 만큼을 조정하는 중합 개시제계의 양이 된다. 따라서, 예상 어긋남폭을 없애기 위해서, 베이스의 감광성 조성물로부터 중합 개시제계의 비율을 0.022 질량% 감소시켰다. 표 3은, 예상 어긋남폭을 고려하여 결정된 중합 개시제계의 배합비의 일례이다.

다음에, 스텝 S4로서, 표 3과 같이 중합 개시제계의 배합비를 변경한 비히클을 조제했다. 덧붙여, 표 3에 기재가 없는 유기 성분, 예를 들면, 유기 바인더, 광 경화성 화합물, 자외선 흡수제, 중합 금지제로 대해서는, 베이스가 되는 감광성 조성물의 배합과 같다. 다음에, 스텝 S1에서 평균 입경을 실측한 은분말과 비히클을 혼합하여, 감광성 조성물을 조제했다. 그리고, 배선 패턴을 형성하고, 실선폭을 계측했다. 그 결과, 실선폭은, 27.4μm였다. 즉, 스텝 S2로 예상된 선폭(29.0μm)보다도, 목표 선폭(27.3μm)에 크게 가까워지는 결과가 되었다.

추가로 복수종의 도전성 분말에 대해서, 상기와 동일하게, 여기서 개시되는 기술을 적용하여, 감광성 조성물을 조제하고, 실선폭을 계측했다. 즉, 스텝 S1에서 은분말의 평균 입경의 실측치를 취득하고, 스텝 S2에서 예상 어긋남폭을 확인하고, 스텝 S3에서 중합 개시제계의 배합비를 결정하여, 비히클의 배합을 조정한 후, 감광성 조성물을 조제하고, 실선폭을 계측했다. 결과를 표 4에 나타내다. 덧붙여, 표 4의 우단(右端)은, 상기한 실시예 1의 결과이다. 또한, 참고예로서, 여기서 개시되는 기술을 적용하지 않고, 베이스의 비히클을 그대로 사용한(즉, 중합 개시제계의 배합비를 조정하지 않고 일정하게 한) 경우의 실선폭(μm)을 최하단에 기재하고 있다.

도 7은, 표 4의 결과를 정리하여, 여기서 개시되는 기술의 적용 유무에 있어서의 실선폭을 비교한 그래프이다. 도 7 및 표 4로부터 분명한 바와 같이, 여기에 개시되는 기술을 적용하는 것에 의해서, 여기에 개시되는 기술을 적용하지 않는 경우(참고예)와 비교해서, 상대적으로 도전성 분말의 제조 로트간의 변동을 완충하여, 선폭의 불균일을 억제할 수 있었다. 여기에서는, 선폭의 변동을 ±1μm 이하, 추가로는 ±0.5μm 이하로 억제할 수 있었다. 바꾸어 말하면, 세선상의 배선을 목표 선폭의 부근에서 안정적으로 형성할 수 있었다. 이러한 결과는, 여기에 개시되는 기술의 의의를 나타내고 있다.

<실시예 2: 2 종류의 도전성 분말을 혼합하여 이용하는 경우>

이하, 2 종류의 도전성 분말을 혼합한 혼합 분(粉)을 이용하여 감광성 조성물을 제조하는 경우를 설명한다. 여기에서는 사전 준비로서, 우선 사용하는 2개의 도전성 분말에 대응한 2개의 제1 상관식을 준비했다. 구체적으로는, 도 8, 9에 실선으로 나타내는 제1 상관식을 준비했다. 또한, 아울러 제2 상관식을 준비했다. 덧붙여, 제2 상관식에 대해서는 도 6에 나타낸 것과 같은 것을 준비했다.

도 8에 실선으로 나타내는 제1 상관식은, 다음과 같이 하여 준비된 것이다. 즉, 우선 제1의 도전성 분말로서, 평균 입경(공칭치)이 대략 2.9μm 전후인 제1 은분말을 복수(여기에서는 7 종류) 준비했다. 그리고, 상기한 실시예 1의 도 5의 제1 상관식의 산출시와 동일하게, 7 종류의 제1 은분말의 평균 입경(실측치)을 각각 실측했다. 또한, 제2의 도전성 분말로서, 평균 입경(실측치)이 2.56μm인 제2 은분말을 준비했다. 다음에, 제1 은분말과 제2 은분말을, 소정의 비율(여기에서는 40:60)의 질량비로 혼합함으로써, 혼합 분을 조정했다. 이 혼합 분과 표 1에 나타낸 비히클을 77:23의 질량비로 혼합함으로써, 감광성 조성물을 조제했다. 다음에, 이 감광성 조성물을 이용하여, 상기한 실시예 1과 동일하게 배선 패턴을 형성하고, 평균 입경(실측치)과 실선폭의 상관식(Y = 1.89X+24.85)를 산출했다.

도 9에 실선으로 나타내는 제1 상관식은, 다음과 같이 하여 준비된 것이다. 즉, 우선 제2의 도전성 분말로서, 평균 입경(공칭치)이 대략 2.4μm 전후인 제2 은분말을 복수(여기에서는 5 종류) 준비했다. 그리고, 상기한 실시예 1의 도 5의 제1 상관식의 산출시와 동일하게, 5 종류의 제2 은분말의 평균 입경(실측치)을 각각 실측했다. 또한, 제1의 도전성 분말로서, 평균 입경(실측치)이 3.06μm인 제1 은분말을 준비했다. 다음에, 제1 은분말과 제2 은분말을, 40:60의 질량비로 혼합함으로써, 혼합 분을 조정했다. 그리고, 상기한 도 8의 제1 상관식의 산출시와 동일하게, 평균 입경(실측치)과 실선폭의 상관식(Y = 2.12X+24.72)를 산출했다.

도 8, 9에 실선으로 나타내는 제1 상관식은, 실시예 1의 도 5의 제1 상관식과 동일하게, 변화시킨 은분말의 평균 입경(실측치)과, 실선폭이, 비례(상관계수: 0.92 이상) 하고 있다. 도 8, 9에 실선으로 나타내는 제1 상관식은, 1차 함수로 나타나고 있다. 도 8, 9에 있어서, 평균 입경(실측치)과 실선폭은, 정의 상관을 가지고 있다.

실시예 2에서는, 이상과 같이 2개의 제1 상관식을 갖춘 후, 스텝 S1로서, 감광성 조성물에 사용하는 제1 은분말(평균 입경(공칭치): 2.9μm)과 제2 은분말(평균 입경(공칭치): 2.4μm)의 2 종류의 도전성 분말을 준비했다. 다음에, 도 8, 9의 제1 상관식의 산출시와 동일하게, 제1 은분말 및 제2 은분말의 평균 입경을 각각 실측했다. 다음에, 스텝 S2로서, 스텝 S1에서 얻어진 제1 은분말의 실측치를, 도 8의 제1 상관식(Y = 1.89X+24.85)과 대비했다. 또한, 제2 은분말의 실측치를, 도 9의 제1 상관식(Y = 2.12X+24.72)과 대비했다. 다음에, 2 종류의 은분말의 각각에 대하여, 목표 선폭(여기에서는, 30.0μm로 설정했다.)에 대한 예상 어긋남폭 α1, α2를 산출했다. 즉, 제1 은분말 및 제2 은분말의 실측치를 x1, x2로 하고, 예상 선폭을 y1, y2로 하면, 예상 어긋남폭 α1, α2는, 하기의 식으로부터 구했다.

α1 = y1-30.0 = 1.89Хx1+24.85-30.0

α2 = y2-30.0 = 2.12Хx2+24.72-30.0

그리고, 2 종류의 도전성 분말을 혼합하여 이용하는 경우의 예상 어긋남폭을 β(μm)는, 상기의 예상 어긋남폭 α1, α2를 이용하여, 이하의 식으로부터 구했다.

β = α1+α2

다음에, 스텝 S3으로서, 상기한 실시예 1과 동일하게, 비히클에 포함되는 중합 개시제계의 배합비를 표 5, 6과 같이 조정했다. 다음에, 스텝 S4로서, 상기한 실시예 1과 동일하게, 감광성 조성물을 조제했다. 그리고, 배선 패턴을 형성하고, 실선폭을 계측했다.

표 5, 6으로부터 분명한 바와 같이, 여기에 개시되는 기술을 적용하는 것에 의해서, 2 종류의 도전성 분말을 혼합하여 이용하는 경우에 있어서도, 도전성 분말의 제조 로트간의 변동을 완충하여, 선폭의 불균일을 억제할 수 있었다. 여기에서는, 선폭의 변동을 ±1μm 이하, 추가로는 ±0.5μm 이하로 억제할 수 있었다.

덧붙여, 도 8, 9에 파선(破線)으로 나타내는 제1 상관식은, 각각 제1 은분말과 제2 은분말을 70:30의 질량비로 혼합했을 경우의 것이다. 이와 같이 혼합비를 변화시켰을 경우이어도, 실선으로 나타내는 제1 상관식과 동일하게, 변화시킨 은분말의 평균 입경(실측치)과, 실선폭이, 1차 함수로 비례(상관계수: 0.95 이상)하고 있다. 평균 입경(실측치)과 실선폭은, 정의 상관을 가지고 있다. 이것으로부터, 혼합비에 의존하지 않고, 여러 가지의 혼합 분에 대하여 여기에 개시되는 기술이 적용 가능하다라고 생각할 수 있다.

이상, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명했다. 그러나, 상술의 실시 형태는 예시에 지나지 않고, 본 발명은 다른 여러 가지의 형태로 실시할 수 있다. 본 발명은, 본 명세서에 개시되어 있는 내용과 당해 분야에 있어서의 기술 상식에 근거하여 실시할 수 있다. 청구의 범위에 기재된 기술에는, 상기에 예시한 실시 형태를 여러가지로 변형, 변경한 것이 포함된다. 예를 들면, 상기한 실시 형태의 일부를 조합하거나, 다른 변형 태양으로 치환하거나 하는 것도 가능하다. 또한, 그 기술적 특징이 필수적인 것으로 하여 설명되어 있지 않으면, 적절히 삭제하는 것도 가능하다.

상기한 실시 형태에서는, 목표 레벨의 인자가 「선폭」으로 정해져 있었지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 목표 레벨의 인자는, 도전막의 광 흡수도나 광 경화도에 기인하는 것이면 되고, 예를 들면, 도전막의 막 두께, 전극 단면적, 경화 수축율, 저항값 등이어도 된다. 즉, 도 1 (A), (B)로부터, 도전성 분말의 입경의 차이에 따라서, 광의 산란이 변화하고, 그 결과, 도전막의 광 흡수성이 변화함으로써, 광 경화도가 변화하는 것을 알 수 있다. 이 관점으로부터는, 도전성 분말의 입경의 차이에 따라서, 상기한 선폭 뿐만이 아니라, 막 두께, 단면적, 경화 수축율 등도 이와 같이 변화할 수 있는 것이, 당업자에게는 분명하다. 또한, 그에 따라, 저항값도 이와 같이 변화할 수 있는 것이, 당업자에게는 분명하다.

이것은, 예를 들면, 이하와 같은 참고 문헌 1~3:

·참고 문헌 1: 우카지 타카시 저, CMC 테크니컬 라이브러리 206, 플라스틱 표면 처리 기술과 재료, P.67, 도막의 광 투과율(%)과 입자 지름(μm)과의 상관도;

·참고 문헌 2: 야마모토키킨조쿠지킨 가부시키가이샤, 고분자 기술 리포트, Vol. 5(2011년), P.20, 도 15(조사 광의 강도를 바꾸었을 경우의 헥산디올 디아크릴레이트의 반응율과 경화 시간의 관계);

·참고 문헌 3: 조호기주츄쿄카이 발행, UV경화 수지의 배합 설계, 특성 평가와 새로운 응용, P.470, 도 16(UV 레지스트의 경화 수축에 있어서의 막 두께의 변화);

등으로부터도 뒷받침되고 있다고 생각할 수 있다.

상기 문헌의 기재를 고려하면, 예를 들면 0.1~10μm의 범위에서는, 도전성 분말의 입경의 변화에 따라서, 광 흡수도나 광 경화도의 인자가 단조 증가 또는 단조 감소하는 것은 분명하다고 추인된다. 즉, 입경의 변위에 수반하는 선폭의 변동과 그러한 변위는, 비례, 또는 일정한 함수로 상관의 높은 추이가 된다고 생각할 수 있다. 이상으로부터, 선폭의 불균일을 완충하는 것은, 광 흡수도나 광 경화도에 관한 인자의 불균일을 억제하는 것과 동의이라고 말할 수 있다. 즉, 여기에 개시되는 기술에 있어서, 「목표 레벨」은, 목표 선폭으로 해도 되고, 목표 막 두께로 해도 되고, 목표 단면적으로 해도 되고, 목표 경화 수축율로 해도 되고, 목표 저항값으로 해도 된다고 생각할 수 있다. 또한, 「예상 어긋남값」은, 목표 레벨에 대응하고, 어긋남폭으로 해도 되고, 어긋난 두께로 해도 되고, 어긋난 단면적으로 해도 되고, 어긋난 경화 수축율로 해도 되고, 어긋난 저항값으로 해도 된다고 생각할 수 있다.

상기한 실시 형태에서는, 스텝 S2의 후에 이어 스텝 S3을 실시하고 있었지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 예를 들면, 스텝 S2의 후에, 예상 어긋남폭과, 미리 설정된 역치를 대비하는 판정 공정을 포함해도 된다. 그리고, 판정 공정에 있어서 예상 어긋남폭이 역치보다도 작다고 판정되었을 때에, 스텝 S3를 생략하고 스텝 S4를 수행해도 된다.

덧붙여, 상기한 실시 형태에서는, 제1 상관식으로서, 평균 입경(실측치)과 실선폭의 상관식을 예시했지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 평균 입경(실측치)과 대비하는 변수로서는, 예를 들면 실선폭으로부터 목표 선폭을 뺀 예상 어긋남폭으로 해도 된다. 즉, 제1 상관식은, 평균 입경(실측치)과 예상 어긋남폭의 상관식으로 나타내도 된다. 이 경우, 스텝 S1에서 얻어진 실측치를, 상관식에 내삽하여, 예상 어긋남폭을 직접 확인해도 된다.

덧붙여, 상기한 실시 형태에서는, 제2 상관식으로서, 감광성 조성물 중의 유기 성분의 배합비와 실선폭의 상관식을 예시했지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 유기 성분의 배합비와 대비하는 변수로서는, 제1 상관식의 경우와 동일하게, 예를 들면 예상 어긋남폭으로 해도 된다. 또한, 유기 성분의 배합비는, 감광성 조성물 중의 것이 아니고, 예를 들면 비히클 중의 배합비 등으로 나타내도 된다.

상기한 실시 형태에서는, 배합비 결정 장치(30)는, 입력부(31)와, 기억부(32)와, 제1 산출부(33)와, 제2 산출부(34)를 구비하고 있었지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 배합비 결정 장치(30)는, 상기한 각 부에 더하여, 이하의 적어도 1개: 소정의 종류의 도전성 분말에 대해서 제1 상관식을 설정하고, 기억부(32)에 기억시키는 제1 설정부; 소정의 종류의 도전성 분말에 대해서 제2 상관식을 설정하고, 기억부(32)에 기억시키는 제2 설정부; 입력된 도전성 분말과 같은 종류의 제1 상관식 또는 제2 상관식이 기억부(32)에 기억되어 있지 않은 경우에, 이용자에게 에러를 통지하는 통지부; 등을 구비하고 있어도 된다.

상기한 실시예 1, 2에서는, 도전성 분말로서 은분말을 이용하고 있었지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 평균 입경이 큰 도전성 분말을 이용하면, 노광 공정에 있어서 도전막의 수평 방향으로 조사 광이 퍼지기 쉬워 배선의 선폭이 굵어지기 쉽다고 하는 기구(機構)는, 다른 금속종에 대해서도 마찬가지이다. 여기에 개시되는 기술은, 은 분말 뿐만 아니라, 상술한 각종 금속, 예를 들면, 구리, 백금, 팔라듐, 알루미늄, 니켈 등을 포함하는 분말에 대해서도 물론 적용 가능하다.

상기한 실시예 1, 2에서는, 스텝 S1에 있어서, 도전성 분말의 평균 입경(D50 입경), 구체적으로는, 체적 기준의 입도 분포에 있어서 입경의 작은 측으로부터 적산치 50%에 상당하는 입경을 측정했지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 스텝 S1에서는, 체적 기준의 입도 분포에 대신하여 개수 기준의 입도 분포 등을 이용해도 된다. 또한, 입경 팩터는, 평균 입경(D50 입경)에 대신하여, 예를 들면, D40 입경(입도 분포에 있어서 입경의 작은 측으로부터 적산치 40%에 상당하는 입경), D60 입경(입도 분포에 있어서 입경의 작은 측으로부터 적산치 60%에 상당하는 입경) 등이어도 된다. 이 경우, 제1 상관식은, 「D40 입경(실측치) X-실선폭 Y」, 「D60 입경(실측치) X-실선폭 Y」 등으로 나타나고 있어도 된다. 추가로, 예를 들면 도전성 분말의 입도 분포가 단봉성일 때 등에, 입경 팩터는, 평균 입경으로부터 추가로 떨어진 입경, 예를 들면, D5입경(입도 분포에 있어서 입경의 작은 측으로부터 적산치 5%에 상당하는 입경), D90 입경(입도 분포에 있어서 입경의 작은 측으로부터 적산치 90%에 상당하는 입경), D95 입경(입도 분포에 있어서 입경의 작은 측으로부터 적산치 90%에 상당하는 입경) 등이어도 된다.

상기한 실시예 1, 2에서는, 스텝 S3에 있어서, 중합 개시제계에 따른 제2 상관식을 준비하고, 광 중합 개시제계의 배합비를 조정함으로써, 선폭의 불균일을 억제하고 있었지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 배합비를 조정하는 유기 성분은, 예를 들면 광 중합 개시제 및 증감제 중의 어느 하나이어도 된다.

또한, 상기한 실시예 1, 2에서는, 스텝 S3에 있어서, 중합 개시제계에 따른 제2 상관식을 준비했지만, 이것에 대신하여, 혹은 이것에 더하여, 예를 들면 광 흡수제에 따른 제2 상관식(도 10 참조)을 준비하고, 광 흡수제의 배합비를 조정함으로써, 선폭의 불균일을 억제할 수도 있다. 도 10에 나타내는 제2 상관식에서는, 감광성 조성물 중의 자외선 흡수제의 배합비와, 실선폭이, 로그 곡선으로 나타나고 있다. 로그 곡선은 변화가 급격하기 때문에, 예를 들면 예상 어긋남폭이 큰 경우에는, 배합비를 약간으로 변경하는 것만으로 해결되는 이점이 있다. 또한, 예를 들면 중합 금지제에 관한 제2 상관식(도 11 참조)을 준비하고, 중합 금지제의 배합비를 조정함으로써, 선폭의 불균일을 억제할 수도 있다. 도 11에 나타내는 제2 상관식에서는, 감광성 조성물 중의 광 중합 금지제의 배합비와, 실선폭이, 비례(상관계수: 0.99)하고 있다. 도 11에 나타내는 제2 상관식은, 1차 함수로 나타나고 있다. 중합 금지제의 배합비와 실선폭은, 부의 상관을 가지고 있다. 즉, 중합 금지제계의 배합비가 커짐에 따라, 선폭이 리니어로 가늘어지고 있는 것을 알 수 있다. 이러한 제2 상관식도 또한, 상기한 도 6, 7의 제2 상관식과 동일하게, 여기에 개시되는 기술에 적합하게 이용할 수 있다.

10 적층 칩 인덕터
11 본체부
12 세라믹층
14 내부 전극층
20 외부 전극
30 배합비 결정 장치
31 입력부
32 기억부
33 제1 산출부
34 제2 산출부
35 표시부

Claims (16)

1. 미리 정해진 배합비로 도전성 분말을 포함하는 감광성 조성물을 제조하는 방법으로서,
   사용하는 도전성 분말의 입경을 측정하여, 실측치를 얻는 공정;
   상기 실측치를, 미리 준비된 제1 상관식으로서, 상기 도전성 분말의 입경과, 도전막의 광 흡수 또는 광 경화에 기인하여 변동하는 인자로서 상기 입경의 변위에 상관하여 변동하는 어느 하나의 인자와의 제1 상관식과 대비하여, 미리 정해진 목표 레벨에 대한 상기 인자의 예상 어긋남값을 확인하는 공정;
   미리 준비된 제2 상관식으로서, 상기 제1 상관식에 있어서의 인자와, 상기 감광성 조성물에 포함되는 유기 성분으로서 배합비의 변동이 상기 인자의 변동에 상관하는 어느 하나의 유기 성분과의 제2 상관식에 근거하여, 상기 예상 어긋남값을 없애도록 상기 유기 성분의 배합비를 결정하는 공정;
   을 포함하는, 감광성 조성물의 제조 방법.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 유기 성분이, 상기 감광성 조성물의 광 흡수성 및 광 중합성 중의 적어도 1개를 조정하는 유기 성분인, 감광성 조성물의 제조 방법.
3. 청구항 1에 있어서,
   상기 유기 성분이, 광 중합 개시제계, 광 흡수제, 및 중합 금지제 중의 적어도 1개인, 감광성 조성물의 제조 방법.
4. 청구항 1에 있어서,
   상기 유기 성분이, 광 중합 개시제계인, 감광성 조성물의 제조 방법.
5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 상관식에 있어서의 인자가, 도전막의 선폭, 막 두께, 전극 단면적, 경화 수축율, 또는 저항값인, 감광성 조성물의 제조 방법.
6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 상관식에 있어서의 인자가, 선폭인, 감광성 조성물의 제조 방법.
7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제2 상관식이, 1차 함수로 나타나는, 감광성 조성물의 제조 방법.
8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 도전성 분말이, 은계 입자를 포함하는, 감광성 조성물의 제조 방법.
9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 도전성 분말이, 코어가 되는 금속 재료와 상기 코어의 표면의 적어도 일부를 피복하는 세라믹 재료를 포함하는 코어 쉘 입자를 포함하는, 감광성 조성물의 제조 방법.
10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광성 조성물은, 전극을 형성하는 용도에 이용되는, 감광성 조성물의 제조 방법.
11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해서 얻어진 감광성 조성물을 기재 상에 부여하고, 광 경화 및 에칭을 수행한 후, 소성하여, 상기 감광성 조성물의 소성체로 이루어지는 도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는, 전자 부품의 제조 방법.
12. 미리 정해진 배합비로 도전성 분말을 포함하는 감광성 조성물에 대한 유기 성분의 배합비를 결정하는 배합비 결정 장치로서,
    이용자의 입력을 받아들이고, 사용하는 도전성 분말의 종류와 입경의 실측치가 입력되는 입력부와,
    미리 준비된 제1 상관식으로서, 상기 도전성 분말의 입경과, 도전막의 광 흡수 또는 광 경화에 기인하여 변동하는 인자로서 상기 입경의 변위에 상관하여 변동하는 어느 하나의 인자와의 제1 상관식, 및, 미리 준비된 제2 상관식으로서, 상기 제1 상관식에 있어서의 인자와, 상기 감광성 조성물에 포함되는 유기 성분으로서 배합비의 변동이 상기 인자의 변동에 상관하는 어느 하나의 유기 성분과의 제2 상관식을 기억하는 기억부와,
    상기 제1 상관식에 근거하여, 상기 입력부에 입력된 상기 실측치로부터, 미리 정해진 목표 레벨에 대한 상기 제1 상관식에 있어서의 인자의 예상 어긋남값을 산출하는 제1 산출부와,
    상기 제2 상관식에 근거하여, 상기 예상 어긋남값을 없애는 상기 제2 상관식에 있어서의 유기 성분의 배합비를 산출하는 제2 산출부
    를 포함하는, 배합비 결정 장치.
13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 상관식에 있어서의 인자가, 도전막의 선폭, 막 두께, 전극 단면적, 경화 수축율, 또는 저항값인, 배합비 결정 장치.
14. 컴퓨터를, 청구항 12 또는 청구항 13의 배합비 결정 장치로 하여 동작시키도록 구성되어 있는, 컴퓨터 프로그램.
15. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해서 얻어진 감광성 조성물의 소성체로 이루어지는 도전층을 구비하는, 전자 부품.
16. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해서 얻어진 감광성 조성물이 유기계 분산매를 포함하는, 페이스트상의 감광성 조성물.

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