KR20220027464A - Robot arm blade for transfering semiconductor wafer and anti-slip pad mounted thereon - Google Patents
Robot arm blade for transfering semiconductor wafer and anti-slip pad mounted thereon Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220027464A KR20220027464A KR1020200108352A KR20200108352A KR20220027464A KR 20220027464 A KR20220027464 A KR 20220027464A KR 1020200108352 A KR1020200108352 A KR 1020200108352A KR 20200108352 A KR20200108352 A KR 20200108352A KR 20220027464 A KR20220027464 A KR 20220027464A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- poly
- blade
- robot arm
- base part
- slip pad
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/009—Gripping heads and other end effectors with pins for accurately positioning the object on the gripping head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 제조 공정 중 웨이퍼가 이송용 로봇에 안정적으로 장착되도록 하는 로봇암 블레이드 및 이에 장착된 미끄럼 방지 패드에 관한 것이다.The present invention relates to a robot arm blade that allows a wafer to be stably mounted on a transfer robot during a semiconductor device manufacturing process, and an anti-skid pad mounted thereon.
일반적으로 반도체 소자는 단결정의 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer) 상에 원하는 회로 패턴에 따라 다층막을 형성하여 제조된다. 이를 위해 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 산화 공정, 식각 공정, 이온주입 공정 및 금속배선 공정 등 다수의 단위 공정들이 단계에 따라 반복적으로 수행된다.In general, a semiconductor device is manufactured by forming a multilayer film according to a desired circuit pattern on a single crystal silicon wafer. To this end, a plurality of unit processes, such as a deposition process, a photolithography process, an oxidation process, an etching process, an ion implantation process, and a metal wiring process, are repeatedly performed according to steps.
이러한 각 단위 공정들이 절차에 따라 진행되기 위해서는 각각의 공정이 완료된 후 후속공정이 행해질 장비로 웨이퍼가 이동된다. 이 때 웨이퍼는 각각 개별적으로 이송되거나, 카세트와 같은 장비에 복수 매의 웨이퍼가 적재되어 이송될 수 있다. In order for each of these unit processes to proceed according to the procedure, after each process is completed, the wafer is moved to the equipment to be subjected to the subsequent process. At this time, each wafer may be individually transferred, or a plurality of wafers may be loaded and transferred in equipment such as a cassette.
카세트에 적재된 복수 매의 웨이퍼를 하나씩 특정의 장비에 로딩하거나 이송하는 공정에 있어서는 일반적으로 웨이퍼 이송 로봇이 사용될 수 있다.In a process of loading or transferring a plurality of wafers loaded in a cassette to a specific equipment one by one, a wafer transfer robot may be generally used.
종래의 웨이퍼 이송 로봇은 웨이퍼를 직접적으로 다루는 블레이드(blade)를 구비하는데, 이러한 블레이드에는 웨이퍼의 미끄러짐을 방지하기 위한 미끄럼 방지 패드가 부착되어 있다. 이러한 미끄럼 방지 패드에 웨이퍼가 직접적으로 접촉하게 된다. 일반적으로 미끄럼 방지 패드의 재질은 고무로 형성되어 있으며, 반복적인 사용으로 인한 마모가 불가피하다. 미끄럼 방지 패드가 마모되는 경우, 웨이퍼가 블레이드에 안정적으로 장착되기가 어렵게 되며, 이송 과정에서 이동 및 회전 관성에 의해 블레이드로부터 웨이퍼가 이탈될 위험성이 있다.A conventional wafer transfer robot has a blade that directly handles the wafer, and an anti-skid pad is attached to the blade to prevent the wafer from slipping. The wafer is in direct contact with these anti-skid pads. In general, the material of the anti-slip pad is formed of rubber, and wear due to repeated use is inevitable. When the non-slip pad is worn, it is difficult for the wafer to be stably mounted on the blade, and there is a risk of the wafer being separated from the blade due to movement and rotational inertia during the transfer process.
관련 선행기술로는, 대한민국특허 공개번호 10-2016-0055010호(발명의 명칭: 웨이퍼 이송 로봇 및 그 제어 방법) 등이 있다.As a related prior art, there is Republic of Korea Patent Publication No. 10-2016-0055010 (title of the invention: wafer transfer robot and its control method) and the like.
본 발명의 실시예는 반도체 소자 제조 공정 중 반도체 웨이퍼를 안정적으로 로봇암에 장착되도록 하며, 반복 사용에 따른 마모로 인해 교체가 필요할 경우 용이하게 교체가 가능하도록 하는 반도체 웨이퍼 이송용 미끄럼 방지 패드 및 미끄럼 방지 패드가 장착된 로봇암 블레이드를 제공한다.An embodiment of the present invention enables a semiconductor wafer to be stably mounted on a robot arm during a semiconductor device manufacturing process, and an anti-skid pad and slip for transferring a semiconductor wafer that can be easily replaced when replacement is required due to abrasion due to repeated use We provide a robot arm blade equipped with an anti-pad.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problem(s) mentioned above, and another problem(s) not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드는 상기 블레이드의 상면에 장착되는 베이스부; 상기 베이스부의 상면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 패턴부; 및 상기 베이스부의 하면에 형성되어 상기 미끄럼 방지 패드를 상기 블레이드의 상면에 고정시키는 고정부;를 포함할 수 있다.An anti-skid pad attached to a robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention includes a base portion mounted on an upper surface of the blade; a pattern part formed on the upper surface of the base part and including one or more fine patterns; and a fixing part formed on a lower surface of the base part to fix the anti-slip pad to the upper surface of the blade.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드에서 상기 고정부는 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 폴리이미드 (PI) 계열 또는 내열성 에폭시 계열 소재를 포함할 수 있다.In the anti-skid pad attached to the robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the fixing part may include an adhesive layer, and the adhesive layer may include a polyimide (PI)-based or heat-resistant epoxy-based material.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드에서 상기 패턴부, 상기 베이스부 및 상기 고정부는 각각 중앙에 관통홀을 포함하며, 상기 관통홀들을 통해 상기 미끄럼 방지 패드가 상기 블레이드의 상면과 볼트로 고정되며, 상기 패턴부 및 상기 베이스부에 포함된 관통홀의 직경은 상기 고정부에 포함된 관통홀의 직경보다 클 수 있다.In the anti-skid pad attached to the semiconductor wafer transfer robot arm according to an embodiment of the present invention, the pattern part, the base part, and the fixing part each include a through hole in the center, and the anti-skid pad is installed through the through holes. It is fixed to the upper surface of the blade with a bolt, and diameters of the through-holes included in the pattern part and the base part may be larger than diameters of the through-holes included in the fixing part.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드에서 상기 베이스부 및 상기 패턴부는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함할 수 있다.In the anti-slip pad attached to the robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the base portion and the pattern portion are elastic elastomers, silicon-based elastomers, fluoroelastomers (FKM, fluoroelastomer), perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer), or polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene).
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드에서 상기 베이스부 및 상기 패턴부는 내열성 소재인 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그래핀(Graphene), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리이미드(poly imide), 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene), 폴리헤드럴올리고머릭실세스퀴옥산(polyhedral oligomeric silsesquioxanes), 퓸드실리카(fumed silica) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene)을 포함할 수 있다.In the anti-skid pad attached to the robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the base part and the pattern part are heat-resistant materials such as carbon nano tube, graphene, C60, C540, C70. , amorphous carbon, graphite, polyimide, polyacetylene, polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polyparaphenylene p phenylene), polyphenylene vinylene, poly p phenylene sulphide, poly p phenylene vinylene, poly iso thianaphthene , polyhedral oligomeric silsesquioxanes, fumed silica, or poly thienylene vinylene.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드에서 상기 하나 이상의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며, 상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 기둥의 높이는 0.3㎛ 내지 100㎛이고, 상기 기둥의 직경은 0.3㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In the anti-skid pad attached to the robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the one or more fine patterns are formed in a columnar shape, the cross-sectional shape of the column is a polygon, a circle, or an ellipse, and the height of the column is 0.3 ㎛ to 100㎛, and the diameter of the pillar may be 0.3㎛ to 100㎛.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드에서 상기 하나 이상의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며, 상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 홈의 깊이는 0.3㎛ 내지 100㎛이고, 상기 홈의 직경은 0.3㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In the anti-skid pad attached to the robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the one or more fine patterns are formed in a groove shape, and the cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle, or an ellipse, and the depth of the groove is 0.3 μm to 100 μm, and the diameter of the groove may be 0.3 μm to 100 μm.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드에서 상기 하나 이상의 미세패턴은 라인 형상으로 형성되며, 상기 라인의 폭은 0.3㎛ 내지 100㎛이고, 상기 라인의 높이는 0.3㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In the anti-skid pad attached to the robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the one or more fine patterns are formed in a line shape, the width of the line is 0.3 μm to 100 μm, and the height of the line is 0.3 μm to 100 μm.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드에서 상기 웨이퍼의 하면과 상기 패턴부의 상면 사이에는 반데르발스 힘(Van der Waals)에 의한 장착력이 발생될 수 있다.In the anti-skid pad attached to the robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, a mounting force by a Van der Waals force may be generated between the lower surface of the wafer and the upper surface of the pattern part.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드는 로딩된 상기 반도체 웨이퍼를 하부에서 지지하는 블레이드 팁; 및 상기 반도체 웨이퍼와 상기 블레이드 팁 사이에 위치하며 상기 반도체 웨이퍼의 미끄러짐을 방지하는 미끄럼 방지 패드;를 포함하고, 상기 미끄럼 방지 패드는 베이스부; 상기 베이스부의 상면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 패턴부; 및 상기 베이스부의 하면에 형성되며, 상기 미끄럼 방지 패드를 상기 블레이드 팁의 상부에 고정시키는 고정부;를 포함할 수 있다.A robot arm blade for transferring a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention includes: a blade tip supporting the loaded semiconductor wafer from a lower portion; and an anti-slip pad positioned between the semiconductor wafer and the blade tip to prevent slipping of the semiconductor wafer, wherein the anti-slip pad includes: a base; a pattern part formed on the upper surface of the base part and including one or more fine patterns; and a fixing part formed on a lower surface of the base part and fixing the anti-slip pad to an upper part of the blade tip.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서 상기 고정부는 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 폴리이미드 (PI) 계열 또는 내열성 에폭시 계열 소재를 포함할 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the fixing part may include an adhesive layer, and the adhesive layer may include a polyimide (PI)-based or heat-resistant epoxy-based material.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서 상기 패턴부, 상기 베이스부 및 상기 고정부는 각각 중앙에 관통홀을 포함하며, 상기 관통홀들을 통해 상기 미끄럼 방지 패드가 상기 블레이드의 상면과 볼트로 고정되며, 상기 패턴부 및 상기 베이스부에 포함된 관통홀의 직경은 상기 고정부에 형성된 관통홀의 직경보다 클 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the pattern part, the base part, and the fixing part each include a through hole in the center, and the anti-skid pad is connected to the upper surface of the blade through the through holes. It is fixed with a bolt, and diameters of the through-holes included in the pattern part and the base part may be larger than diameters of the through-holes formed in the fixing part.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서 상기 베이스부 및 상기 패턴부는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함할 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the base portion and the pattern portion include a flexible elastomer, a silicone-based elastomer, a fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), and a perfluoroelastomer. It may include an elastomer (FFKM, perfluoroelastomer) or polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene).
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서 상기 베이스부 및 상기 패턴부는 내열성 소재인 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그래핀(Graphene), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리이미드(poly imide), 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene), 폴리헤드럴올리고머릭실세스퀴옥산(polyhedral oligomeric silsesquioxanes), 퓸드실리카(fumed silica) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene)을 포함할 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the base part and the pattern part are heat-resistant materials such as carbon nano tube, graphene, C60, C540, C70, amorphous carbon. carbon), graphite, polyimide, polyacetylene, polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polyparaphenylene, poly phenylene vinylene, poly p phenylene sulphide, poly p phenylene vinylene, poly iso thianaphthene, polyhedral oligomer It may include polyhedral oligomeric silsesquioxanes, fumed silica, or poly thienylene vinylene.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서 상기 하나 이상의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며, 상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 기둥의 높이는 0.3㎛ 내지 100㎛이고, 상기 기둥의 직경은 0.3㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the one or more fine patterns are formed in a columnar shape, the cross-sectional shape of the column is a polygon, a circle, or an ellipse, and the height of the column is 0.3㎛ to 100㎛ , the diameter of the pillar may be 0.3㎛ to 100㎛.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서 상기 하나 이상의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며, 상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 홈의 깊이는 0.3㎛ 내지 100㎛이고, 상기 홈의 직경은 0.3㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the one or more fine patterns are formed in the shape of a groove, the cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle, or an ellipse, and the depth of the groove is 0.3 μm to 100 μm and a diameter of the groove may be 0.3 μm to 100 μm.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서 상기 하나 이상의 미세패턴은 라인 형상으로 형성되며, 상기 라인의 폭은 0.3㎛ 내지 100㎛이고, 상기 라인의 높이는 0.3㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the one or more fine patterns are formed in a line shape, the width of the line may be 0.3 μm to 100 μm, and the height of the line may be 0.3 μm to 100 μm. there is.
본 발명의 실시예에 따르면, 미끄럼 방지 패드를 로봇암 블레이드의 상면에 탈부착이 가능하도록 하는 고정부를 포함하여, 반복된 사용으로 인해 미끄럼 방지 패드가 마모되는 경우 신품으로 교체가 용이하도록 함으로써 반도체 소자 제조 공정 안정성을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the semiconductor device includes a fixing part that enables the anti-slip pad to be detachably attached to the upper surface of the robot arm blade, and to facilitate replacement with a new one when the anti-slip pad is worn due to repeated use. Manufacturing process stability can be improved.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 로봇암 블레이드를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 내지 도5는 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드의 고정부를 설명하기 위한 측면도 및 측단면도이다.1 is a schematic diagram of a wafer transfer robot according to an embodiment of the present invention.
2 is a view for explaining the robot arm blade shown in FIG.
3 to 5 are views for explaining the configuration of the anti-slip pad according to the embodiment of the present invention.
6 and 7 are a side view and a side cross-sectional view for explaining a fixing part of an anti-slip pad according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and/or features of the present invention, and methods of achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 개략적인 도면이다.1 is a schematic diagram of a wafer transfer robot according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇(100)은, 예를 들면 해당 공정이 완료된 웨이퍼를 다음의 공정으로 옮기거나 카세트와 같은 적재 공간으로 이송시키기 위한 것으로서, 개략적으로는 로봇몸체(110)와, 로봇몸체(110)의 상부에 장착되는 다관절 타입의 로봇암(robot arm, 120)을 포함할 수 있다.Referring to Figure 1, the
로봇몸체(110)의 하단부에는 휠(미도시) 등이 구비되어 로봇몸체(110)의 이동이 가능하다. 로봇암(120)은, 도 1에 도시된 것처럼, 복수 개의 암(121, 123, 125)들을 포함할 수 있는데, 본 실시예의 경우, 제1 암(121), 제2 암(123) 및 제3 암(125)을 포함할 수 있다.A wheel (not shown) is provided at the lower end of the
제1 암(121)과 로봇몸체(110)는 샤프트(111)에 의해 결합되어 샤프트(111)를 중심으로 제1 암(121)을 회전할 수 있으며, 아울러 제1 암(121)과 제2 암(123), 그리고 제2 암(123)과 제3 암(125)도 샤프트에 의해 결합되어 각각의 암(121, 123, 125)들이 원하는 방향으로 회전될 수 있다. The
따라서, 암(121, 123, 125)들의 각각의 동작에 의해 제3 암(125)에 장착된 블레이드(blade, 130)는 원하는 위치로 이동할 수 있다. 특히, 로봇몸체(110)와 제1 암(121)을 연결하는 샤프트(111)의 경우는 승강이 가능하며, 이로 인해 블레이드(130)에 웨이퍼를 로딩시키거나 또는 언로딩시키는 동작을 수행할 수도 있다.Accordingly, the
블레이드(130)는 제3 암(125)에 회전 동작이 가능하도록 결합된 암 장착부재(127)에 결합될 수 있다. 도 2에 도시된 것처럼, 블레이드(130)에는 나사홀(133)이 형성되어 있고 이에 대응되게 암 장착부재(127)에도 나사가 결합될 수 있는 홀(미도시)이 형성되어 블레이드(130)는 암 장착부재(127)에 결합됨은 물론 필요에 따라 용이하게 분리될 수도 있다.The
도 2는 도 1에 도시된 블레이드를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining the blade shown in FIG. 1 .
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 블레이드(130)는 웨이퍼를 장착하기 위한 블레이드 몸체(131)와, 블레이드 몸체(131)의 상면에 장착되어 웨이퍼의 일면이 지지되는 복수 개의 미끄럼 방지 패드(140)를 포함할 수 있다.2, the
본 실시예에 따른 블레이드 몸체(131)는, 2개의 블레이드 팁(135)을 포함할 수 있으며, 2개의 블레이드 팁(135)은 전체적으로 호 형상으로 마련되어 그 상부에 웨이퍼가 지지될 수 있다. 블레이드 몸체(131)는 또한 원형의 블레이드 팁(미도시)으로 마련될 수 있다.The
이러한 블레이드 팁(135)에 미끄럼 방지 패드(140)가 장착될 수 있는데, 도 2에 도시된 것처럼, 블레이드 팁(135)들의 각 단부와 블레이드 팁(135)을 연결하는 영역에 장착되며, 따라서 웨이퍼를 균일하게 지지할 수 있다. 다만, 미끄럼 방지 패드(140)의 배치 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 웨이퍼를 지지하기에 적당하다면 다른 위치에 장착될 수 있음은 자명하다. 미끄럼 방지 패드(140)는 하면에 접착층(미도시)을 포함할 수 있으며, 접착층을 통해 블레이드 몸체(131)에 장착될 수 있다.An
도 3 내지 도 5는 도 2에 도시된 미끄럼 방지 패드(140)의 구성을 설명하기 위한 도면이다.3 to 5 are views for explaining the configuration of the
도 3을 참조하면, 미끄럼 방지 패드(140)는 베이스부(141), 패턴부(143) 및 고정부(145)를 포함할 수 있다. 베이스부(141)는 패턴부(143)를 지지하도록 형성되며, 패턴부(143)는 하나 이상의 기둥 또는 돌기(1431)를 포함할 수 있다. 고정부(145)는 베이스부(141)의 하면에 형성되며, 미끄럼 방지 패드(140)를 블레이드의 상면 즉 블레이드 팁(135)의 상면에 고정시킨다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(1431)는 베이스부(141)의 상면에 대해 수직으로 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 수직이 아닌 소정의 각도를 이루며 형성될 수도 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기(1431)들이 베이스부(141)의 상면과 이루는 각도는 동일하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 3 , the
하나 이상의 기둥 또는 돌기(1431)들이 일직선으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 한정되지 않고 휘어진 형태로 형성될 수도 있다.Although one or more pillars or
하나 이상의 기둥 또는 돌기(1431)들은 상호 이격되게 배치되며, 이격 거리는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(1431)들은 단면이 원형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 단면이 삼각형, 사각형 또는 오각형 등의 다각형이거나 타원형 등 다양한 단면 형상으로 형성될 수도 있다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(1431)들의 상부 끝단은 평평할 수도 있지만, 라운딩 형상으로 형성될 수도 있다.One or more pillars or
하나 이상의 기둥 또는 돌기(1431)들은 0.3㎛ 내지 100㎛의 높이로 형성될 수 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기(1431)들은 동일한 높이로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 높이로 형성될 수도 있다. One or more pillars or
하나 이상의 기둥 또는 돌기(1431)들은 0.3㎛ 내지 100㎛의 직경 또는 두께로 형성될 수 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기(1431)들은 동일한 직경 또는 두께로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 직경 또는 두께로 형성될 수도 있다.One or more pillars or
도 4를 참조하면, 미끄럼 방지 패드에서 패턴부(143)는 하나 이상의 홈 또는 홀(1433)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(1433)은 베이스부(141)의 상면을 향해 하방으로 수직 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 수직이 아닌 소정의 각도를 이루며 형성될 수도 있으며, 각각의 홈 또는 홀(1433)들이 베이스부(141)의 상면과 이루는 각도는 동일하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 4 , in the anti-slip pad, the
하나 이상의 홈 또는 홀(1433)들이 일직선으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 한정되지 않고 휘어진 형태로 형성될 수도 있다.Although one or more grooves or
하나 이상의 홈 또는 홀(1433)들은 상호 이격되게 배치되며, 이격 거리는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(1433)들은 단면이 원형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 단면이 삼각형, 사각형 또는 오각형 등의 다각형이거나 타원형 등 다양한 단면 형상으로 형성될 수도 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(1433)들의 바닥은 평평할 수도 있지만, 라운딩 형상으로 형성될 수도 있다.The one or more grooves or
하나 이상의 홈 또는 홀(1433)들은 0.3㎛ 내지 100㎛의 깊이로 형성될 수 있으며, 각각의 홈 또는 홀(1433)들은 동일한 깊이로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 깊이로 형성될 수도 있다. One or more grooves or
하나 이상의 홈 또는 홀(1433)들은 0.3㎛ 내지 100㎛의 너비로 형성될 수 있으며, 각각의 홈 또는 홀(1433)들은 동일한 너비로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 너비로 형성될 수도 있다.The one or more grooves or
도 5를 참조하면, 미끄럼 방지 패드에서 패턴부(143)는 하나 이상의 라인(1435)을 포함할 수 있다. 라인(1435)은 벽과 유사한 형상으로 형성되며, 베이스부(141)의 상면에 대해 수직으로 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 수직이 아닌 소정의 각도를 이루며 형성될 수도 있다. 각각의 라인(1435)들이 베이스부(141)의 상면과 이루는 각도는 동일하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 5 , in the non-slip pad, the
도 5를 참조하면 하나 이상의 라인(1435)들이 평면도 상에서 일직선으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 한정되지 않고 꺽이거나 휘어진 형태로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 5 , one or
하나 이상의 라인(1435)들은 상호 이격되게 배치되며, 이격 거리는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 하나 이상의 라인(1435)들의 상부 끝단은 평평할 수도 있지만, 라운딩 형상으로 형성될 수도 있다.One or
하나 이상의 라인(1435)들은 0.3㎛ 내지 100㎛의 높이로 형성될 수 있으며, 각각의 라인(1435)들은 동일한 높이로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 높이로 형성될 수도 있다. One or
하나 이상의 라인(1435)들은 0.3㎛ 내지 100㎛의 폭으로 형성될 수 있으며, 각각의 라인(1435)들은 동일한 폭으로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 폭으로 형성될 수도 있다.One or
패턴부(143)는 웨이퍼의 중력에 의한 수직항력에 대응하여 고마찰력을 제공함으로써 웨이퍼가 블레이드 팁(135)에 장착되는 장착력을 강화시킬 수 있다. 또한, 패턴부(143)의 상면과 웨이퍼의 하면 사이에는 반데르발스 힘(Van der Waals force)에 의한 인력이 발생될 수 있다.The
베이스부(141), 패턴부(143) 및 고정부(145)는 일체로 동시에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 순차적으로 형성되거나 별도로 형성된 후 결합될 수도 있다. 베이스부(141) 및 패턴부(143)가 일체로 형성되는 경우 미리 제작된 몰드를 이용해 일체로 형성될 수 있다.The
베이스부(141) 및 패턴부(143)는 동일한 소재로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 상이한 소재로 형성될 수 있다. 베이스부(141), 패턴부(143) 및 고정부(145)는 신축성이 있는 베이스 소재를 포함하여 형성될 수 있다.The
신축성이 있는 베이스 소재는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)를 포함할 수 있다.The elastic base material may contain elastomer, silicone-based elastomer, fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer) or polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene). can
또한, 고온으로 가열된 웨이퍼의 안정적인 안착을 위해 베이스부(141), 패턴부(143) 및 장착부(145)는 내열성 소재를 포함할 수 있다. 내열성 소재는 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그래핀(Graphene), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리이미드(poly imide), 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene), 폴리헤드럴올리고머릭실세스퀴옥산(polyhedral oligomeric silsesquioxanes), 퓸드실리카(fumed silica) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene)을 포함할 수 있다.In addition, the
도 3 및 도 4를 참조하면, 고정부(145)는 접착층을 포함할 수 있다. 접착층을 통해 미끄럼 방지 패드(140)는 블레이드 팁(135) 상부에 고정되어 장착될 수 있다. 접착층은 폴리이미드 (PI) 계열 또는 내열성 에폭시 계열 소재를 포함할 수 있다. 반복적인 사용으로 미끄럼 방지 패드의 패턴부(143)가 마모되는 경우, 접착층을 포함한 미끄럼 방지 패드(140)를 블레이드 팁(135)으로부터 제거하고 새로운 미끄럼 방지 패드를 부착함으로써 교체를 용이하게 할 수 있다.3 and 4 , the fixing
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드의 고정부를 설명하기 위한 측면도 및 측단면도이다.6 and 7 are a side view and a side cross-sectional view for explaining a fixing part of an anti-slip pad according to an embodiment of the present invention.
도 6및 도 7을 참조하면, 패턴부(143), 베이스부(141) 및 고정부(145)는 중앙에 관통홀(147)을 포함할 수 있다. 관통홀(147)을 통해 볼트와 같은 연결기구가 미끄럼 방지 패드(140) 내부를 관통하여 블레이드 상면에 고정될 수 있다. 볼트의 머리가 미끄럼 방지 패드(140)를 붙잡아서 고정하기 위해, 패턴부(143) 및 베이스부(141)에 포함된 관통홀의 직경은 고정부(145)에 포함된 관통홀의 직경보다 클 수 있다. 반도체 제조 공정에서의 반복적인 사용으로 미끄럼 방지 패드의 패턴부(143)가 마모되는 경우, 관통홀을 통해 결합되어 있는 볼트를 분리하여 미끄럼 방지 패드(140)를 신품으로 교체 후 볼트를 다시 체결함으로써 소모품의 교체를 용이하게 할 수 있다.6 and 7 , the
지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허 청구의 범위 뿐만 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although specific embodiments according to the present invention have been described so far, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims described below as well as the claims and equivalents.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the limited examples and drawings, the present invention is not limited to the above-described examples, which are various modifications and variations from these descriptions by those skilled in the art to which the present invention belongs. Transformation is possible. Accordingly, the spirit of the present invention should be understood only by the claims described below, and all equivalents or equivalent modifications thereof will fall within the scope of the spirit of the present invention.
100: 웨이퍼 이송 로봇
110: 로봇몸체
111: 샤프트
120: 로봇암
121: 제1 암
123: 제2 암
125: 제3 암
127: 암 장착부재
130: 블레이드
131: 블레이드 몸체
133: 나사홀
135: 블레이드 팁
140: 미끄럼 방지 패드
141: 베이스부
143: 패턴부
1431: 기둥 또는 돌기
1433: 홈 또는 홀
1435: 라인
145: 고정부
147: 관통부100: wafer transfer robot
110: robot body
111: shaft
120: robot arm
121: first arm
123: second arm
125: third arm
127: arm mounting member
130: blade
131: blade body
133: screw hole
135: blade tip
140: non-slip pad
141: base part
143: pattern part
1431: pillar or protuberance
1433: home or hole
1435: line
145: fixed part
147: penetrating part
Claims (17)
상기 블레이드의 상면에 장착되는 베이스부;
상기 베이스부의 상면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 패턴부; 및
상기 베이스부의 하면에 형성되어 상기 미끄럼 방지 패드를 상기 블레이드의 상면에 고정시키는 고정부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
In the non-slip pad attached to the robot arm blade for semiconductor wafer transfer,
a base portion mounted on the upper surface of the blade;
a pattern part formed on the upper surface of the base part and including one or more fine patterns; and
and a fixing part formed on a lower surface of the base part to fix the anti-skid pad to the upper surface of the blade.
상기 고정부는 접착층을 포함하고,
상기 접착층은 폴리이미드 (PI) 계열 또는 내열성 에폭시 계열 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
The method of claim 1,
The fixing part includes an adhesive layer,
The adhesive layer is an anti-slip pad, characterized in that it comprises a polyimide (PI)-based or heat-resistant epoxy-based material.
상기 패턴부, 상기 베이스부 및 상기 고정부는 각각 중앙에 관통홀을 포함하며, 상기 관통홀들을 통해 상기 미끄럼 방지 패드가 상기 블레이드의 상면과 볼트로 고정되며, 상기 패턴부 및 상기 베이스부에 포함된 관통홀의 직경은 상기 고정부에 포함된 관통홀의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
The method of claim 1,
The pattern part, the base part, and the fixing part each include a through hole in the center, and the anti-skid pad is fixed to the upper surface of the blade with a bolt through the through holes, and the pattern part and the base part are included The anti-skid pad, characterized in that the diameter of the through hole is larger than the diameter of the through hole included in the fixing part.
상기 베이스부 및 상기 패턴부는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
The method of claim 1,
The base part and the pattern part are elastic polymer (elastomer), silicone-based elastomer (Si based elastomer), fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer) or polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene) ) Anti-slip pad comprising a.
상기 베이스부 및 상기 패턴부는 내열성 소재인 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그래핀(Graphene), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리이미드(poly imide), 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene), 폴리헤드럴올리고머릭실세스퀴옥산(polyhedral oligomeric silsesquioxanes), 퓸드실리카(fumed silica) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
The method of claim 1,
The base part and the pattern part are heat-resistant materials such as carbon nanotube, graphene, C60, C540, C70, amorphous carbon, graphite, polyimide, polyacetylene ( poly acetylene, poly thiophene, poly aniline, poly pyrrole, poly p phenylene, poly phenylene vinylene, poly para phenylene sulfide (poly p phenylene sulphide), poly p phenylene vinylene, poly iso thianaphthene, polyhedral oligomeric silsesquioxanes, fumed silica An anti-slip pad comprising silica) or poly thienylene vinylene.
상기 하나 이상의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며,
상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 기둥의 높이는 0.3㎛ 내지 100㎛이고,
상기 기둥의 직경은 0.3㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
The method of claim 1,
The one or more fine patterns are formed in a columnar shape,
The cross-sectional shape of the pillar is a polygon, a circle or an ellipse,
The height of the pillar is 0.3㎛ to 100㎛,
The non-slip pad, characterized in that the diameter of the pillar is 0.3㎛ to 100㎛.
상기 하나 이상의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며,
상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 홈의 깊이는 0.3㎛ 내지 100㎛이고,
상기 홈의 직경은 0.3㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
The method of claim 1,
The one or more fine patterns are formed in a groove shape,
The cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle or an ellipse,
The depth of the groove is 0.3㎛ to 100㎛,
The non-slip pad, characterized in that the diameter of the groove is 0.3㎛ to 100㎛.
상기 하나 이상의 미세패턴은 라인 형상으로 형성되며,
상기 라인의 폭은 0.3㎛ 내지 100㎛이고,
상기 라인의 높이는 0.3㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
The method of claim 1,
The one or more fine patterns are formed in a line shape,
The width of the line is 0.3 μm to 100 μm,
The non-slip pad, characterized in that the height of the line is 0.3㎛ to 100㎛.
상기 웨이퍼의 하면과 상기 패턴부의 상면 사이에는 반데르발스 힘(Van der Waals)에 의한 장착력이 발생되는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
The method of claim 1,
An anti-skid pad, characterized in that a mounting force by a Van der Waals force is generated between the lower surface of the wafer and the upper surface of the pattern part.
로딩된 상기 반도체 웨이퍼를 하부에서 지지하는 블레이드 팁; 및
상기 반도체 웨이퍼와 상기 블레이드 팁 사이에 위치하며 상기 반도체 웨이퍼의 미끄러짐을 방지하는 미끄럼 방지 패드;를 포함하고,
상기 미끄럼 방지 패드는,
베이스부;
상기 베이스부의 상면에 형성되며 하나 이상의 미세패턴을 포함하는 패턴부; 및
상기 베이스부의 하면에 형성되며, 상기 미끄럼 방지 패드를 상기 블레이드 팁의 상부에 고정시키는 고정부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
In the robot arm blade for semiconductor wafer transfer,
a blade tip supporting the loaded semiconductor wafer from the bottom; and
An anti-skid pad positioned between the semiconductor wafer and the blade tip to prevent slipping of the semiconductor wafer;
The anti-slip pad,
base part;
a pattern part formed on the upper surface of the base part and including one or more fine patterns; and
and a fixing part formed on a lower surface of the base part and fixing the anti-skid pad to an upper part of the blade tip.
상기 고정부는 접착층을 포함하고,
상기 접착층은 폴리이미드 (PI) 계열 또는 내열성 에폭시 계열 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
11. The method of claim 10,
The fixing part includes an adhesive layer,
The adhesive layer is a robot arm blade for transferring a semiconductor wafer, characterized in that it comprises a polyimide (PI)-based or heat-resistant epoxy-based material.
상기 패턴부, 상기 베이스부 및 상기 고정부는 각각 중앙에 관통홀을 포함하며, 상기 관통홀들을 통해 상기 미끄럼 방지 패드가 상기 블레이드의 상면과 볼트로 고정되며, 상기 패턴부 및 상기 베이스부에 포함된 관통홀의 직경은 상기 고정부에 포함된 관통홀의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
11. The method of claim 10,
The pattern part, the base part, and the fixing part each include a through hole in the center, and the anti-slip pad is fixed to the upper surface of the blade with a bolt through the through hole, and the pattern part and the base part are included A robot arm blade for transferring semiconductor wafers, characterized in that the diameter of the through hole is larger than the diameter of the through hole included in the fixing part.
상기 베이스부 및 상기 패턴부는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
11. The method of claim 10,
The base part and the pattern part are elastic polymer (elastomer), silicone-based elastomer (Si based elastomer), fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer) or polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene) ) Robot arm blade for semiconductor wafer transfer, characterized in that it comprises a.
상기 베이스부 및 상기 패턴부는 내열성 소재인 탄소나노튜브(carbon nano tube), 그래핀(Graphene), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리이미드(poly imide), 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene), 폴리헤드럴올리고머릭실세스퀴옥산(polyhedral oligomeric silsesquioxanes), 퓸드실리카(fumed silica) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
11. The method of claim 10,
The base part and the pattern part are heat-resistant materials such as carbon nanotube, graphene, C60, C540, C70, amorphous carbon, graphite, polyimide, polyacetylene ( poly acetylene, poly thiophene, poly aniline, poly pyrrole, poly p phenylene, poly phenylene vinylene, poly para phenylene sulfide (poly p phenylene sulphide), poly p phenylene vinylene, poly iso thianaphthene, polyhedral oligomeric silsesquioxanes, fumed silica A robot arm blade for transferring semiconductor wafers, characterized in that it contains silica) or poly thienylene vinylene.
상기 하나 이상의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며,
상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 기둥의 높이는 0.3㎛ 내지 100㎛이고,
상기 기둥의 직경은 0.3㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
11. The method of claim 10,
The one or more fine patterns are formed in a columnar shape,
The cross-sectional shape of the pillar is a polygon, a circle or an ellipse,
The height of the pillar is 0.3㎛ to 100㎛,
A robot arm blade for transferring semiconductor wafers, characterized in that the column has a diameter of 0.3 µm to 100 µm.
상기 하나 이상의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며,
상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 홈의 깊이는 0.3㎛ 내지 100㎛이고,
상기 홈의 직경은 0.3㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
11. The method of claim 10,
The one or more fine patterns are formed in a groove shape,
The cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle or an ellipse,
The depth of the groove is 0.3㎛ to 100㎛,
A robot arm blade for transferring a semiconductor wafer, characterized in that the groove has a diameter of 0.3 μm to 100 μm.
상기 하나 이상의 미세패턴은 라인 형상으로 형성되며,
상기 라인의 폭은 0.3㎛ 내지 100㎛이고,
상기 라인의 높이는 0.3㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.11. The method of claim 10,
The one or more fine patterns are formed in a line shape,
The width of the line is 0.3 μm to 100 μm,
The height of the line is a robot arm blade for transferring a semiconductor wafer, characterized in that 0.3㎛ to 100㎛.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200108352A KR20220027464A (en) | 2020-08-27 | 2020-08-27 | Robot arm blade for transfering semiconductor wafer and anti-slip pad mounted thereon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200108352A KR20220027464A (en) | 2020-08-27 | 2020-08-27 | Robot arm blade for transfering semiconductor wafer and anti-slip pad mounted thereon |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220027464A true KR20220027464A (en) | 2022-03-08 |
Family
ID=80813430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200108352A KR20220027464A (en) | 2020-08-27 | 2020-08-27 | Robot arm blade for transfering semiconductor wafer and anti-slip pad mounted thereon |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220027464A (en) |
-
2020
- 2020-08-27 KR KR1020200108352A patent/KR20220027464A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9698035B2 (en) | Microstructures for improved wafer handling | |
US6831017B1 (en) | Catalyst patterning for nanowire devices | |
US20190038892A1 (en) | Methods for Forming an Electrode Device with Reduced Impedance | |
TWI740278B (en) | Electrostatic chuck with charge dissipation coating | |
US6117246A (en) | Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck | |
KR101817703B1 (en) | Fine ciliary structure, manufacturing method of the same, and transfer device including the same | |
KR20120083864A (en) | Transfering method of graphene using hot press | |
KR20220027475A (en) | Robot arm blade including through hole for transfering semiconductor wafer and anti-slip pad mounted thereon | |
JPWO2008152940A1 (en) | Substrate support mechanism | |
KR20220027464A (en) | Robot arm blade for transfering semiconductor wafer and anti-slip pad mounted thereon | |
CN107403744B (en) | Substrate conveying device | |
US20180113152A1 (en) | Anisotropic conductive sheet, electrical inspection head, electrical inspection device, and method for manufacturing an anisotropic conductive sheet | |
KR102342156B1 (en) | Semiconductor wafer transfer carrier comprising anti-slip pad | |
JP2013043415A (en) | Imprint mold, and method for manufacturing printed circuit board | |
KR102382452B1 (en) | Anti-slip pad for convex, concave and flat wafer transfer robot arm | |
KR20210100784A (en) | Variable shaped anti-slip pad comprising fluid filler for convex, concave and flat wafer transfer robot arm | |
JP2020053627A (en) | Vapor phase growth apparatus and manufacturing method for epitaxial wafer | |
KR102508091B1 (en) | Micro patterned anti-slip pad comprising double sided bonding mounted on robot arm for transfering semiconductor wafer | |
JP2012145582A (en) | Acceleration and voltage measurement devices and methods of fabricating acceleration and voltage measurement devices | |
KR20210117444A (en) | Anti-slip pad removing surface charge and wafer popping problem for semiconductor wafer transfer robot arm | |
KR20230092205A (en) | Anti-slip pad comprising double sided bonding mounted on robot arm for transfering semiconductor wafer | |
KR20210117435A (en) | Heat resistant anti-slip pad mounted wafer transfer robot arm | |
KR20220081216A (en) | Heat resistant and conductive anti-slip pad for transfering semiconductor wafer | |
JP5465516B2 (en) | Probe and probe manufacturing method | |
KR102343984B1 (en) | Semiconductor wafer transfer anti-slip pad removing popping problem and robot arm mounted with the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |