KR102343984B1 - Semiconductor wafer transfer anti-slip pad removing popping problem and robot arm mounted with the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드는 베이스부, 베이스부의 상면으로부터 하면을 관통하며, 전도성을 갖는 소재로 채워지는 관통부, 베이스부의 상면에 형성되며, 전도성을 갖는 소재로 형성된 제1전도층, 및 베이스부의 하부에 형성되는 금속 패드를 포함하고, 관통부는 제1전도층 및 금속 패드를 전기적으로 연결하여, 이전 공정으로부터 특정 극성으로 대전된 웨이퍼가 로딩될 때 대전된 전하를 블레이드 외부로 접지시킴으로써 분극현상에 따른 과도한 정전기적 인력을 제거하여, 웨이퍼 언로딩 시 발생하는 파핑현상을 제거하여 공정 안정성을 향상시킬 수 있다.The anti-skid pad attached to the robot arm for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention penetrates through the base part, from the upper surface to the lower surface of the base part, and is formed in the penetrating part filled with a conductive material, the upper surface of the base part, and conductive A first conductive layer formed of a material having When the charged charges are grounded to the outside of the blade, excessive electrostatic attraction due to polarization is removed, thereby eliminating the popping phenomenon that occurs during wafer unloading, thereby improving process stability.

Description

파핑 현상을 방지하는 반도체 웨이퍼 이송용 미끄럼 방지 패드 및 이를 장착한 로봇암 블레이드{SEMICONDUCTOR WAFER TRANSFER ANTI-SLIP PAD REMOVING POPPING PROBLEM AND ROBOT ARM MOUNTED WITH THE SAME}Non-slip pad for semiconductor wafer transfer that prevents popping and robot arm blade equipped with it

본 발명은 반도체 소자 제조 공정 중 웨이퍼 이송용 로봇암에 로딩(loading)된 웨이퍼와 미끄럼 방지 패드 사이에서 발생하는 정전기적 인력으로 인해 언로딩(unloading) 과정에서 웨이퍼가 로봇암으로부터 용이하게 분리되지 않거나 무리한 힘을 가해 분리하는 과정에서 파손되는 문제를 해결하기 위한 미끄럼 방지 패드 및 이를 장착한 로봇암 블레이드에 관한 것이다. According to the present invention, the wafer is not easily separated from the robot arm during the unloading process due to the electrostatic attraction generated between the wafer and the non-slip pad loaded in the wafer transfer robot arm during the semiconductor device manufacturing process. It relates to a non-slip pad for solving the problem of damage in the process of separation by applying excessive force and a robot arm blade equipped with the same.

일반적으로 반도체 소자는 단결정의 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer) 상에 원하는 회로 패턴에 따라 다층막을 형성하여 제조된다. 이를 위해 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 산화 공정, 식각 공정, 이온주입 공정 및 금속배선 공정 등 다수의 단위 공정들이 단계에 따라 반복적으로 수행된다.In general, a semiconductor device is manufactured by forming a multilayer film according to a desired circuit pattern on a single crystal silicon wafer. To this end, a plurality of unit processes, such as a deposition process, a photolithography process, an oxidation process, an etching process, an ion implantation process, and a metal wiring process, are repeatedly performed according to the steps.

이러한 각 단위 공정들이 절차에 따라 진행되기 위해서는 각각의 공정이 완료된 후 후속공정이 행해질 장비로 웨이퍼가 이동된다. 이 때 웨이퍼는 각각 개별적으로 이송되거나, 카세트와 같은 장비에 복수 매의 웨이퍼가 적재되어 이송될 수 있다.In order for each of these unit processes to proceed according to the procedure, after each process is completed, the wafer is moved to the equipment to be subjected to the subsequent process. At this time, each wafer may be individually transferred, or a plurality of wafers may be loaded and transferred in equipment such as a cassette.

카세트에 적재된 복수 매의 웨이퍼를 하나씩 특정의 장비에 로딩하거나 이송하는 공정에 있어서는 일반적으로 웨이퍼 이송 로봇이 사용될 수 있다.In a process of loading or transferring a plurality of wafers loaded in a cassette to a specific equipment one by one, a wafer transfer robot may be generally used.

종래의 웨이퍼 이송 로봇은 웨이퍼를 직접적으로 다루는 블레이드(blade)를 구비하는데, 이러한 블레이드에는 웨이퍼의 미끄러짐을 방지하기 위한 미끄럼 방지 패드가 부착되어 있다. 이러한 미끄럼 방지 패드에 웨이퍼가 직접적으로 접촉하게 된다. 미끄럼 방지용 패드는 일반적으로 고무 재질로 형성되어 있고, 블레이드 또한 세라믹 등 절연체로 형성된 경우가 있다. 이러한 절연 특성의 미끄럼 방지 패드는 웨이퍼 이송 과정 중 표면에 한 극성의 전하가 응집될 수 있으며, 웨이퍼가 블레이드에 안착 시 표면 전하로 인해 정전기적 인력이 발생하고 이로 인해 과도한 장착력이 발생될 수 있다. 이 경우, 웨이퍼를 블레이드에서 분리하는 언로딩 과정에서 웨이퍼가 쉽게 분리되지 않거나, 무리한 힘을 가하여 분리하는 과정에서 웨이퍼가 장비에서 이탈되거나 파손되는 문제가 발생될 수 있다.A conventional wafer transfer robot has a blade that directly handles the wafer, and an anti-skid pad is attached to the blade to prevent the wafer from slipping. The wafer is in direct contact with these anti-skid pads. The anti-slip pad is generally formed of a rubber material, and the blade may also be formed of an insulator such as ceramic. In the non-slip pad with such insulating properties, charges of one polarity may be aggregated on the surface during the wafer transfer process, and when the wafer is seated on the blade, electrostatic attraction is generated due to the surface charge, which may cause excessive mounting force. . In this case, the wafer may not be easily separated in the unloading process of separating the wafer from the blade, or the wafer may be separated from the equipment or damaged in the process of separating by applying excessive force.

관련 선행기술로는, 대한민국특허 공개번호 10-2016-0055010호(발명의 명칭: 웨이퍼 이송 로봇 및 그 제어 방법) 등이 있다.As a related prior art, there is Republic of Korea Patent Publication No. 10-2016-0055010 (title of the invention: wafer transfer robot and its control method) and the like.

본 발명의 실시예는 반도체 제조 공정 중 미끄럼 방지 패드의 표면 전하에 의해 웨이퍼가 블레이드로부터 분리가 용이하지 않거나 분리 과정에서 웨이퍼가 장비에서 이탈되거나 파손되는 문제점을 해결하기 위한 웨이퍼 이송용 로봇암에 부착되는 미끄럼 방지 패드 및 이를 장착한 로봇암 블레이드를 제공한다. An embodiment of the present invention is attached to a wafer transfer robot arm to solve the problem that the wafer is not easily separated from the blade due to the surface charge of the anti-skid pad during the semiconductor manufacturing process, or the wafer is separated from the equipment or damaged during the separation process It provides an anti-skid pad and a robot arm blade equipped with the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problem(s) mentioned above, and another problem(s) not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 베이스부; 상기 베이스부의 상면으로부터 하면을 관통하며, 전도성을 갖는 소재로 채워지는 관통부; 상기 베이스부의 상면에 형성되며, 전도성을 갖는 소재로 형성된 제1전도층; 및 상기 베이스부의 하부에 형성되는 금속 패드;를 포함하고, 상기 관통부는 제1전도층 및 상기 금속 패드를 전기적으로 연결할 수 있다.In the non-slip pad according to an embodiment of the present invention, the base portion; a penetrating portion passing through the lower surface from the upper surface of the base portion and filled with a conductive material; a first conductive layer formed on an upper surface of the base part and made of a material having conductivity; and a metal pad formed under the base portion, wherein the through portion may electrically connect the first conductive layer and the metal pad.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 제1전도층의 상면에 형성되며 상기 웨이퍼의 하면과 접촉하는 장착부;를 포함할 수 있다.In the anti-skid pad according to an embodiment of the present invention, a mounting portion formed on the upper surface of the first conductive layer and in contact with the lower surface of the wafer; may include.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 장착부는 상기 베이스부 및 제1전도층의 측면을 둘러싸며 형성될 수 있다.In the anti-slip pad according to the embodiment of the present invention, the mounting portion may be formed to surround the side surfaces of the base portion and the first conductive layer.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 베이스부의 하면과 상기 금속 패드 사이에 형성되며, 전도성을 갖는 소재로 형성된 제2전도층;을 포함할 수 있다.In the non-slip pad according to an embodiment of the present invention, the second conductive layer is formed between the lower surface of the base part and the metal pad, and formed of a material having conductivity; may include.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 제1전도층의 상면에 형성되며 상기 웨이퍼의 하면과 접촉하는 장착부;를 포함하고, 상기 장착부는 상기 베이스부, 제1전도층 및 제2전도층의 측면을 둘러싸며 형성될 수 있다.In the anti-slip pad according to an embodiment of the present invention, a mounting portion is formed on the upper surface of the first conductive layer and is in contact with the lower surface of the wafer, wherein the mounting portion includes the base portion, the first conductive layer and the second conductive layer. It may be formed surrounding the side of the layer.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 베이스부는 상부에 하나 이상의 미세패턴을 포함하고, 제1전도층은 상기 베이스부의 미세패턴의 굴곡을 따라서 형성될 수 있다.In the non-slip pad according to an embodiment of the present invention, the base portion may include one or more fine patterns thereon, and the first conductive layer may be formed along the curvature of the fine patterns of the base portion.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 베이스부는 상부에 하나 이상의 미세패턴을 포함하고, 제1전도층 및 상기 장착부는 상기 베이스부의 미세패턴의 굴곡을 따라서 형성In the anti-slip pad according to the embodiment of the present invention, the base portion includes one or more fine patterns on the upper portion, and the first conductive layer and the mounting portion are formed along the curves of the fine patterns of the base portion.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 베이스부의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며, 상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 기둥의 높이는 10㎚ 내지 1000㎛이고, 상기 기둥의 직경은 10㎚ 내지 1000㎛일 수 있다.In the anti-skid pad according to an embodiment of the present invention, the fine pattern of the base part is formed in a columnar shape, the cross-sectional shape of the column is a polygon, a circle, or an ellipse, and the height of the column is 10 nm to 1000 µm, and the The diameter of the pillar may be 10 nm to 1000 μm.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 베이스부의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며, 상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며, 상기 홈의 깊이는 10㎚ 내지 1000㎛이고, 상기 홈의 너비는 10㎚ 내지 1000㎛일 수 있다.In the anti-skid pad according to an embodiment of the present invention, the fine pattern of the base part is formed in a groove shape, the cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle, or an ellipse, and the depth of the groove is 10 nm to 1000 μm, The width of the groove may be 10 nm to 1000 μm.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 관통부, 제1전도층 및 제2전도층은 금속, 그래핀, CNT(carbon nano tube), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.In the anti-skid pad according to the embodiment of the present invention, the through portion, the first conductive layer, and the second conductive layer are metal, graphene, carbon nano tube (CNT), C60, C540, C70, amorphous carbon (amorphous carbon). ), graphite, polyacetylene, polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polyparaphenylene, polyphenylene vinylene ), one of poly p phenylene sulphide, poly p phenylene vinylene, poly iso thianaphthene, or poly thienylene vinylene may include more than one.

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 장착부는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함할 수 있다.In the anti-skid pad according to the embodiment of the present invention, the mounting portion is a flexible elastomer (elastomer), a silicone-based elastomer (Si based elastomer), a fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), a perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer) Or it may include polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene).

본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드에 있어서, 상기 베이스부는 Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnO, 폴리이미드(PI), 폴리페닐렌 옥사이드(polyphenylene oxide: PPO), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PETE), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephthalate: PBT), 폴리디히드록시메틸사이클로헥실 테레프탈레이트(polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), 셀룰로오스 에스테르(cellulose esters), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC) 또는 폴리아미드(polyamide: PA)를 포함할 수 있다.In the anti-skid pad according to the embodiment of the present invention, the base portion is Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnO, polyimide (PI), polyphenylene oxide (PPO), polyethylene terephthalate (PETE), polybutylene terephthalate: PBT), polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate, cellulose esters, polycarbonate (PC) or polyamide (PA).

본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드는 상기 블레이드의 상면으로부터 하면을 관통하여 형성되는 하나 이상의 관통홀; 상기 관통홀에 탈착되는 하나 이상의 미끄럼 방지 패드; 및 상기 블레이드의 하면에 형성되며, 상기 하나 이상의 미끄럼 방지 패드들을 전기적으로 연결하여 상기 블레이드의 외부로 접지시키는 통전부;를 포함하고, 상기 미끄럼 방지 패드는, 베이스부; 상기 베이스부의 상면으로부터 하면을 관통하며, 전도성을 갖는 소재로 채워지는 관통부; 상기 베이스부의 상면에 형성되며, 전도성을 갖는 소재로 형성된 제1전도층; 및 상기 베이스부의 하부에 형성되는 금속 패드;를 포함하고, 상기 관통부는 제1전도층 및 상기 금속 패드를 전기적으로 연결하고, 상기 통전부 및 상기 금속 패드는 전기적으로 연결할 수 있다.A robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention includes one or more through-holes formed through the lower surface from the upper surface of the blade; at least one anti-slip pad detachable from the through hole; and a conductive part formed on a lower surface of the blade and electrically connecting the one or more anti-skid pads to ground them to the outside of the blade, wherein the anti-skid pad includes: a base; a penetrating portion passing through the lower surface from the upper surface of the base portion and filled with a conductive material; a first conductive layer formed on an upper surface of the base part and made of a material having conductivity; and a metal pad formed under the base part, wherein the through part may electrically connect the first conductive layer and the metal pad, and the conductive part and the metal pad may be electrically connected.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서, 상기 미끄럼 방지 패드는 제1전도층의 상면에 형성되며 상기 웨이퍼의 하면과 접촉하는 장착부;를 포함할 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the anti-slip pad is formed on the upper surface of the first conductive layer and the mounting part is in contact with the lower surface of the wafer; may include.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에서, 상기 베이스부는 상부에 하나 이상의 미세패턴을 포함하고, 제1전도층 및 상기 장착부는 상기 베이스부의 미세패턴의 굴곡을 따라서 형성될 수 있다.In the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention, the base portion may include one or more fine patterns on the upper portion, and the first conductive layer and the mounting portion may be formed along the curvature of the micropatterns of the base portion. .

본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼가 장착되는 미끄럼 방지 패드의 상부를 전도층으로 형성하고, 미끄럼 방지 패드의 중심인 베이스부에 전도성을 갖는 관통부를 형성하며, 베이스부 하면에 금속 패드를 형성하여 상부 전도층으로부터 관통부를 거쳐 하부의 금속 패드까지 전기적으로 연결하여 대전된 전하를 접지시킬 수 있도록 함으로써 표면 전하의 정전기적 인력에 의해 웨이퍼가 미끄럼 방지 패드에 과도한 장착력으로 장착되지 않도록 하여 웨이퍼가 파손되는 것을 방지함으로써 공정 안정성을 향상시킬 수 있도록 한다.According to an embodiment of the present invention, the upper portion of the anti-skid pad on which the wafer is mounted is formed as a conductive layer, a conductive penetrating portion is formed in the base portion, which is the center of the anti-slip pad, and a metal pad is formed on the lower surface of the base portion. The wafer is damaged by preventing the wafer from being mounted on the anti-slip pad with excessive mounting force due to the electrostatic attraction of the surface charge by electrically connecting the upper conductive layer through the penetrating portion to the lower metal pad to ground the charged charge. It is possible to improve process stability by preventing

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 로봇암 블레이드를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 내지 도7은 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 8및 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드의 베이스부 상부에 형성된 미세패턴 및 관통부를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드가 장착된 로봇암 블레이드의 하면 구성을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic diagram of a wafer transfer robot according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view for explaining the robot arm blade shown in FIG. 1 .
3 to 7 are views for explaining the configuration of the anti-slip pad according to the embodiment of the present invention.
8 and 9 are views for explaining the fine pattern and the penetrating portion formed on the base portion of the anti-slip pad according to an embodiment of the present invention.
10 is a view for explaining the configuration of the lower surface of the robot arm blade equipped with an anti-skid pad according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and/or features of the present invention, and methods for achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇(100)의 개략적인 도면이다.1 is a schematic diagram of a wafer transfer robot 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇은, 예를 들면 해당 공정이 완료된 웨이퍼를 다음의 공정으로 옮기거나 카세트와 같은 적재 공간으로 이송시키기 위한 것으로서, 개략적으로는, 로봇몸체(110)와, 로봇몸체(110)의 상부에 장착되는 다관절 타입의 로봇암(robot arm, 120)을 포함할 수 있다.Referring to Figure 1, the wafer transfer robot according to an embodiment of the present invention, for example, for transferring a wafer on which the corresponding process is completed to the next process or to a loading space such as a cassette, schematically, the robot It may include a body 110 and a multi-joint type robot arm 120 mounted on the upper portion of the robot body 110 .

로봇몸체(110)의 하단부에는 휠(미도시) 등이 구비되어 로봇몸체(110)의 이동이 가능하다. 로봇암(120)은, 도 1에 도시된 것처럼, 복수 개의 암(121, 123, 125)들을 포함할 수 있는데, 본 실시예의 경우, 제1 암(121), 제2 암(123) 및 제3 암(125)을 포함할 수 있다.A wheel (not shown) is provided at the lower end of the robot body 110 , so that the robot body 110 can move. As shown in FIG. 1 , the robot arm 120 may include a plurality of arms 121 , 123 , and 125 . In this embodiment, the first arm 121 , the second arm 123 and the second arm 120 . It may include three arms 125 .

제1 암(121)과 로봇몸체(110)는 샤프트(111)에 의해 결합되어 샤프트(111)를 중심으로 제1 암(121)을 회전할 수 있으며, 아울러 제1 암(121)과 제2 암(123), 그리고 제2 암(123)과 제3 암(125)도 샤프트에 의해 결합되어 각각의 암(121, 123, 125)들이 원하는 방향으로 회전될 수 있다. The first arm 121 and the robot body 110 are coupled by a shaft 111 to rotate the first arm 121 about the shaft 111 , and also the first arm 121 and the second arm 121 . The arm 123 and the second arm 123 and the third arm 125 are also coupled by a shaft so that each of the arms 121 , 123 , and 125 can be rotated in a desired direction.

따라서, 암(121, 123, 125)들의 각각의 동작에 의해 제3 암(125)에 장착된 로봇암 블레이드(blade, 130)는 원하는 위치로 이동할 수 있다. 특히, 로봇몸체(110)와 제1 암(121)을 연결하는 샤프트(111)의 경우는 승강이 가능하며, 이로 인해 블레이드(130)에 웨이퍼를 로딩시키거나 또는 언로딩시키는 동작을 수행할 수도 있다.Accordingly, the robot arm blade 130 mounted on the third arm 125 may move to a desired position by the respective operations of the arms 121 , 123 , and 125 . In particular, in the case of the shaft 111 connecting the robot body 110 and the first arm 121 , the shaft 111 can be raised and lowered, and thus the operation of loading or unloading the wafer on the blade 130 may be performed. .

블레이드(130)는 제3 암(125)에 회전 동작이 가능하도록 결합된 암 장착부재(127)에 결합될 수 있다. 도 2에 도시된 것처럼, 블레이드(130)에는 나사홀(133)이 형성되어 있고 이에 대응되게 암 장착부재(127)에도 나사가 결합될 수 있는 홀(미도시)이 형성되어 블레이드(130)는 암 장착부재(127)에 결합됨은 물론 필요에 따라 용이하게 분리될 수도 있다.The blade 130 may be coupled to the arm mounting member 127 coupled to the third arm 125 to enable rotation. As shown in FIG. 2 , a screw hole 133 is formed in the blade 130 , and a hole (not shown) to which a screw can be coupled is also formed in the arm mounting member 127 correspondingly to the blade 130 . It is coupled to the arm mounting member 127 and may be easily separated as needed.

도 2는 도 1에 도시된 로봇암 블레이드(130)를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining the robot arm blade 130 shown in FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 블레이드(130)는 웨이퍼를 장착하기 위한 블레이드 몸체(131)와, 블레이드 몸체(131)에 장착되어 웨이퍼의 일면이 지지되는 복수 개의 미끄럼 방지 패드(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the blade 130 according to the present embodiment includes a blade body 131 for mounting a wafer, and a plurality of anti-skid pads 140 mounted on the blade body 131 to support one surface of the wafer. may include

본 실시예에 따른 블레이드 몸체(131)는, 2개의 블레이드 팁(135)을 포함할 수 있다. 2개의 블레이드 팁(135)은 전체적으로 호 형상으로 마련되어 그 상부에 웨이퍼가 지지될 수 있다. 블레이드 몸체(131)는 또한 원형의 블레이드 팁(미도시)으로 마련될 수 있다.The blade body 131 according to the present embodiment may include two blade tips 135 . The two blade tips 135 are provided in an arc shape as a whole so that a wafer can be supported thereon. The blade body 131 may also be provided with a circular blade tip (not shown).

이러한 블레이드 팁(135)에 미끄럼 방지 패드(140)가 장착될 수 있는데, 도 2에 도시된 것처럼, 블레이드 팁(135)들의 각 단부와 블레이드 팁(135)을 연결하는 영역에 장착되며, 따라서 웨이퍼를 균일하게 지지할 수 있다. 다만, 미끄럼 방지 패드(140)의 배치 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 웨이퍼를 지지하기에 적당하다면 다른 위치에 장착될 수 있음은 자명하다. 미끄럼 방지 패드(140)는 하면에 접착층을 포함할 수 있으며, 접착층을 통해 블레이드 몸체(131)에 장착될 수 있다.An anti-skid pad 140 may be mounted on the blade tip 135 , and as shown in FIG. 2 , it is mounted in a region connecting each end of the blade tip 135 and the blade tip 135 , and thus the wafer can be uniformly supported. However, the arrangement structure of the anti-slip pad 140 is not limited thereto, and it is obvious that it may be mounted at another position if it is suitable to support the wafer. The anti-slip pad 140 may include an adhesive layer on its lower surface, and may be mounted on the blade body 131 through the adhesive layer.

도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드(140)의 구성을 설명하기 위한 도면이다.3 to 7 are views for explaining the configuration of the anti-slip pad 140 according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드(140)는 베이스부(141), 베이스부(141)의 상면으로부터 하면을 관통하며 형성되는 관통부(143), 베이스부(141)의 상면에 형성되는 제1전도층(1451), 베이스부(141)의 하부에 형성되는 금속 패드(147)를 포함한다. 제1전도층(1451)은 전도성을 갖는 소재로 형성될 수 있으며, 관통부(143)는 전도성 소재로 채워질 수 있다. 제1전도층(1451), 관통부(143) 및 금속 패드(147)는 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the anti-slip pad 140 according to the embodiment of the present invention includes a base portion 141 , a penetrating portion 143 formed by penetrating the lower surface from the upper surface of the base portion 141 , and the base portion 141 . ) includes a first conductive layer 1451 formed on the upper surface and a metal pad 147 formed under the base portion 141 . The first conductive layer 1451 may be formed of a conductive material, and the through portion 143 may be filled with a conductive material. The first conductive layer 1451 , the through portion 143 , and the metal pad 147 may be electrically connected to each other.

제1전도층(1451) 및 관통부(143)는 금속 소재로 스퍼터링 공정을 통해 형성할 수도 있고, 전도성 폴리머나 이에 전도성 소재를 혼합하여 용액 공정을 통해 형성할 수도 있다. 구체적으로 제1전도층(1451) 및 관통부(143)는 금속, 그래핀, CNT(carbon nano tube), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene) 중 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있다.The first conductive layer 1451 and the penetrating portion 143 may be formed of a metal material through a sputtering process, or may be formed through a solution process by mixing a conductive polymer or a conductive material therewith. Specifically, the first conductive layer 1451 and the through portion 143 are metal, graphene, carbon nano tube (CNT), C60, C540, C70, amorphous carbon, graphite, polyacetylene, Polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polypphenylene, polyphenylene vinylene, polyparaphenylenesulfide sulphide), poly p phenylene vinylene, poly iso thianaphthene, or poly thienylene vinylene.

제작된 미끄럼 방지 패드(140)는 블레이드(135)의 관통홀(135)에 끼워지는 방식으로 장착될 수 있고, 금속 패드(147)는 블레이드(135) 하면으로 돌출되도록 장착될 수 있다.The manufactured anti-slip pad 140 may be mounted in such a way that it is fitted into the through hole 135 of the blade 135 , and the metal pad 147 may be mounted to protrude from the lower surface of the blade 135 .

도4를 참조하면, 미끄럼 방지 패드(140)는 제1전도층(1451)의 상면에 장착부(149)를 포함할 수 있다. 웨이퍼가 블레이드에 로딩 시, 장착부(149)의 상면에 웨이퍼의 하면이 접촉하면서 로딩된다. 장착부(149)는 웨이퍼 하면과의 마찰계수를 증가시킬 수 있는 소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 장착부(149)는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함하여 형성될 수 있다. 장착부(149)의 두께는 10㎚ 내지 1000㎛로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the anti-slip pad 140 may include a mounting part 149 on the upper surface of the first conductive layer 1451 . When the wafer is loaded onto the blade, the lower surface of the wafer is in contact with the upper surface of the mounting unit 149 . The mounting part 149 may be formed of a material capable of increasing a friction coefficient with the lower surface of the wafer. For example, the mounting part 149 may include a flexible elastomer (elastomer), a silicone-based elastomer (Si based elastomer), a fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), a perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer), or polytetrafluoroethylene (PTFE). , polytetrafluoroethylene). The mounting portion 149 may have a thickness of 10 nm to 1000 μm.

도 5를 참조하면, 미끄럼 방지 패드(140)는 베이스부(141)의 하면과 금속 패드(147) 사이에 전도성을 갖는 제2전도층(1453)을 포함할 수 있다. 제1전도층(1451) 및 관통부(143)로 이어지는 전기적인 경로가 공정상 금속 패드(147)까지 끊김 없이 형성되도록, 제2전도층(1453)은 금속 패드(147)와의 사이에서 넓은 접촉 면적으로 형성될 수 있다. 제1전도층(1451), 관통부(143) 및 제2전도층(1453)은 단계적으로 형성될 수도 있고, 단일 공정을 통해 일체로 형성될 수도 있다. Referring to FIG. 5 , the non-slip pad 140 may include a second conductive layer 1453 having conductivity between the lower surface of the base part 141 and the metal pad 147 . The second conductive layer 1453 is in wide contact with the metal pad 147 so that the electrical path leading to the first conductive layer 1451 and the penetrating portion 143 is seamlessly formed up to the metal pad 147 in the process. area can be formed. The first conductive layer 1451 , the penetrating portion 143 , and the second conductive layer 1453 may be formed in stages or may be integrally formed through a single process.

제2전도층(1453)은 전도성을 갖기 위한 소재 예를 들어, 금속, 그래핀, CNT(carbon nano tube), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene) 중 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있다. The second conductive layer 1453 is a material for having conductivity, for example, metal, graphene, carbon nano tube (CNT), C60, C540, C70, amorphous carbon, graphite, polyacetylene. , polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polyparaphenylene, polyphenylene vinylene, polyparaphenylenesulfide (polyp) phenylene sulphide), poly p phenylene vinylene, poly iso thianaphthene, or poly thienylene vinylene.

도 6을 참조하면, 장착부(149)는 제1전도층(1451) 및 베이스부(141)의 측면을 둘러싸며 형성될 수 있다. 도 7을 참조하면, 장착부(149)는 또한 제1전도층(1451), 베이스부(141) 및 제2전도층(1453)의 측면을 둘러싸며 형성될 수 있다. 이렇게 형성된 장착부(149)는 미끄럼 방지 패드(140)가 블레이드의 관통홀에 보다 견고하게 끼워져 장착될 수 있도록 한다.Referring to FIG. 6 , the mounting part 149 may be formed to surround the side surfaces of the first conductive layer 1451 and the base part 141 . Referring to FIG. 7 , the mounting part 149 may also be formed to surround side surfaces of the first conductive layer 1451 , the base part 141 , and the second conductive layer 1453 . The mounting portion 149 formed in this way allows the anti-slip pad 140 to be more firmly fitted into the through hole of the blade.

도 3, 도 4 및 도 6에 도시된 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드(140)는 제1전도층(1451)으로부터, 관통부(143) 및 금속 패드(147)를 통해 미끄럼 방지 패드(140)가 블레이드 외부로 접지될 수 있다. 또한, 도 5 및 도 7에 도시된 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드(140)는 제1전도층(1451)으로부터, 관통부(143), 제2전도층(1453) 및 금속 패드(147)를 통해 미끄럼 방지 패드(140)가 블레이드 외부로 접지될 수 있다. 이로써, 대전된 웨이퍼가 로딩되어도 미끄럼 방지 패드(140)에 분극 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 웨이퍼와 블레이드 사이의 과도한 정전기적 인력 발생을 제거하여, 웨이퍼 언로딩 시 발생할 수 있는 파핑현상을 방지함으로써 공정 안정성을 향상시킬 수 있다.The anti-skid pad 140 according to the embodiment shown in FIGS. 3, 4 and 6 is formed from the first conductive layer 1451 through the through portion 143 and the metal pad 147 through the anti-skid pad 140 . may be grounded to the outside of the blade. In addition, the non-slip pad 140 according to the embodiment shown in FIGS. 5 and 7 includes the through portion 143 , the second conductive layer 1453 and the metal pad 147 from the first conductive layer 1451 . Through the anti-slip pad 140 may be grounded to the outside of the blade. Thus, even when a charged wafer is loaded, it is possible to prevent the occurrence of polarization in the anti-skid pad 140 , and to eliminate excessive electrostatic attraction between the wafer and the blade, thereby reducing the popping phenomenon that may occur during wafer unloading. By avoiding this, process stability can be improved.

도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드(140)의 베이스부(141) 상부에 형성된 미세패턴(1411, 1431) 및 관통부(143)를 설명하기 위한 도면이다.8 and 9 are views for explaining the fine patterns 1411 and 1431 and the penetrating portion 143 formed on the base portion 141 of the anti-slip pad 140 according to an embodiment of the present invention.

도 8(a) 및 도 9(a)는 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드(140)의 평면도이고, 도 8(b) 및 도 9(b)는 본 발명의 실시예에 따른 미끄럼 방지 패드(140)의 측면도이다.8 (a) and 9 (a) are plan views of the anti-skid pad 140 according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 8 (b) and 9 (b) are anti-slip according to an embodiment of the present invention. It is a side view of the pad 140 .

도 8을 참조하면, 베이스부(141)는 상부에 하나 이상의 기둥 또는 돌기(1411)를 포함하는 미세패턴을 포함할 수 있다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(1411)는 베이스부(141)의 상면에 대해 수직으로 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 수직이 아닌 소정의 각도를 이루며 형성될 수도 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기(1411)들이 베이스부(141)의 상면과 이루는 각도는 동일하지 않을 수 있다. Referring to FIG. 8 , the base part 141 may include a fine pattern including one or more pillars or protrusions 1411 thereon. One or more pillars or protrusions 1411 may be formed to extend vertically with respect to the upper surface of the base portion 141, but is not limited thereto and may be formed at a predetermined angle rather than vertical, and each pillar or projection ( The angles between the 1411 and the upper surface of the base 141 may not be the same.

하나 이상의 기둥 또는 돌기(1411)들이 일직선으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 한정되지 않고 휘어진 형태로 형성될 수도 있다.Although one or more pillars or protrusions 1411 are described as an example in which they are formed in a straight line, the present invention is not limited thereto and may be formed in a curved shape.

하나 이상의 기둥 또는 돌기(1411)들은 이격되게 배치되며, 이격 거리는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(1411)들은 원기둥 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 단면이 삼각형, 사각형 또는 오각형 등의 다각형이거나 타원형 등 다양한 단면 형상으로 형성될 수도 있다. 하나 이상의 기둥 또는 돌기(1411)들의 상부 끝단은 평평할 수도 있지만, 라운딩 형상으로 형성될 수도 있다.One or more pillars or protrusions 1411 are disposed to be spaced apart, and the distance may be the same or different. One or more pillars or protrusions 1411 may be formed in a cylindrical shape, but the cross-section is not limited thereto and may be formed in various cross-sectional shapes such as a polygonal shape such as a triangle, a quadrangle, or a pentagon, or an ellipse. The upper ends of the one or more pillars or protrusions 1411 may be flat, but may also be formed in a rounded shape.

하나 이상의 기둥 또는 돌기(1411)들은 10㎚ 내지 1000㎛의 높이로 형성될 수 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기들은 동일한 높이로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 높이로 형성될 수도 있다.One or more pillars or protrusions 1411 may be formed to have a height of 10 nm to 1000 μm, and each of the pillars or protrusions may be formed to have the same height, but is not limited thereto and may be formed to have different heights.

하나 이상의 기둥 또는 돌기(1411)들은 10㎚ 내지 1000㎛의 직경 또는 두께로 형성될 수 있으며, 각각의 기둥 또는 돌기들은 동일한 직경 또는 두께로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 직경 또는 두께로 형성될 수도 있다.One or more pillars or protrusions 1411 may be formed with a diameter or thickness of 10 nm to 1000 μm, and each of the pillars or projections may be formed with the same diameter or thickness, but is not limited thereto and may be formed with different diameters or thicknesses. may be

도 9를 참조하면, 베이스부(141)는 상부에 하나 이상의 홈 또는 홀(1413)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(1413)은 베이스부(141)의 하면을 향해 수직으로 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 수직이 아닌 소정의 각도를 이루며 형성될 수도 있으며, 각각의 홈 또는 홀(1413)들이 베이스부(141)의 하면과 이루는 각도는 동일하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 9 , the base part 141 may include one or more grooves or holes 1413 thereon. One or more grooves or holes 1413 may be formed to extend vertically toward the lower surface of the base portion 141, but the present invention is not limited thereto and may be formed at a predetermined angle rather than vertical, and each groove or hole ( The angles between the 1413 and the lower surface of the base 141 may not be the same.

하나 이상의 홈 또는 홀(1413)들이 일직선으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 한정되지 않고 휘어진 형태로 형성될 수도 있다.Although one or more grooves or holes 1413 are described as an example in which they are formed in a straight line, the present invention is not limited thereto and may be formed in a curved shape.

하나 이상의 홈 또는 홀(1413)들은 이격되게 배치되며, 이격 거리는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(1413)들은 단면이 원형의 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 단면이 삼각형, 사각형 또는 오각형 등의 다각형이거나 타원형 등 다양한 단면 형상으로 형성될 수도 있다. 하나 이상의 홈 또는 홀(1413)들의 바닥은 평평할 수도 있지만, 라운딩 형상으로 형성될 수도 있다.The one or more grooves or holes 1413 are spaced apart from each other, and the spacing distance may be the same or different. The one or more grooves or holes 1413 may be formed in a circular cross-section, but the cross-section is not limited thereto, and the cross-section may be formed in various cross-sectional shapes, such as a polygonal shape such as a triangle, a square, or a pentagon, or an ellipse. The bottom of the one or more grooves or holes 1413 may be flat or may be formed in a rounded shape.

하나 이상의 홈 또는 홀(1413)들은 10㎚ 내지 1000㎛의 깊이로 형성될 수 있으며, 각각의 홈 또는 홀(1413)들은 동일한 깊이로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 깊이로 형성될 수도 있다. The one or more grooves or holes 1413 may be formed to a depth of 10 nm to 1000 μm, and each of the grooves or holes 1413 may be formed to have the same depth, but is not limited thereto and may be formed to have different depths.

하나 이상의 홈 또는 홀(1413)들은 10㎚ 내지 1000㎛의 너비로 형성될 수 있으며, 각각의 홈 또는 홀(1413)들은 동일한 너비로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 너비로 형성될 수도 있다. The one or more grooves or holes 1413 may be formed to have a width of 10 nm to 1000 μm, and each of the grooves or holes 1413 may be formed to have the same width, but is not limited thereto, and may be formed to have different widths.

도 8 및 도 9에 도시된 실시예에 따른 베이스부(141) 상부에 형성된 미세패턴의 굴곡에 따라 제1전도층(1451) 또는 장착층이 형성될 수 있다. 따라서 미끄럼 방지 패드(140)의 상면은 최상층이 제1전도층(1451) 또는 장착층이 되는 경우 모두 미세패턴을 포함할 수 있다. 이렇게 형성된 미세패턴은 웨이퍼의 로딩 시 웨이퍼의 하면과의 사이에서 반데르발스 힘(Van der Waals)을 발생시킬 수 있다.The first conductive layer 1451 or the mounting layer may be formed according to the curvature of the fine pattern formed on the base portion 141 according to the embodiment shown in FIGS. 8 and 9 . Accordingly, when the uppermost layer of the anti-slip pad 140 becomes the first conductive layer 1451 or the mounting layer, all of the micropatterns may be included. The micropattern thus formed may generate a Van der Waals force between the wafer and the lower surface of the wafer during loading.

도 8 및 도 9를 참조하면, 관통부(143)는 베이스부(141)의 상면으로부터 하면까지 관통되도록 형성되고, 상면에 형성된 미세패턴의 최상 또는 최하 어느 부위에도 형성될 수 있다. 관통부(143)는 베이스부(141)의 상면 또는 하면에 수직하는 방향으로 형성될 수도 있지만 이에 한정되지 않고 수직하지 않는 방향으로도 형성될 수 있다. 관통부(143)의 단면은 원형의 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 삼각형, 사각형 또는 오각형 등의 다각형이거나 타원형 등 다양한 단면 형상으로 형성될 수도 있다. 관통부는 10㎚ 내지 1000㎛의 너비로 형성될 수 있으며, 각각 동일한 너비로 형성될 수 있지만 이에 한정되지 않고 상이한 너비로 형성될 수도 있다.8 and 9 , the penetrating portion 143 is formed to penetrate from the upper surface to the lower surface of the base portion 141 , and may be formed in any portion of the uppermost or lowermost portion of the micropattern formed on the upper surface. The penetrating portion 143 may be formed in a direction perpendicular to the upper surface or the lower surface of the base portion 141 , but is not limited thereto and may be formed in a non-vertical direction. The cross-section of the penetrating portion 143 may be formed in a circular shape, but is not limited thereto, and may be formed in various cross-sectional shapes such as a polygonal shape such as a triangle, a square or a pentagon, or an oval. The penetrating portion may be formed in a width of 10 nm to 1000 μm, and may be formed in the same width, respectively, but is not limited thereto and may be formed in different widths.

베이스부(141)는 무기물 기반으로 Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnS 또는 ZnO을 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 베이스부(141)는 유기물 기반으로 폴리이미드(PI), 폴리페닐렌 옥사이드(polyphenylene oxide: PPO), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PETE), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephthalate: PBT), 폴리디히드록시메틸사이클로헥실 테레프탈레이트(polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), 셀룰로오스 에스테르(cellulose esters), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC) 또는 폴리아미드(polyamide: PA)를 포함하여 형성될 수 있다.The base portion 141 is inorganic based on Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs , GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe , ZnTe, ZnS or ZnO. In addition, the base part 141 is an organic material-based polyimide (PI), polyphenylene oxide (PPO), polyethylene terephthalate (PETE), polybutylene terephthalate (polybutylene terephthalate: PBT), It may be formed including polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate (polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), cellulose esters, polycarbonate (PC) or polyamide (PA).

도 10은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드의 하면 구성을 설명하기 위한 도면이다.10 is a view for explaining the configuration of the lower surface of the robot arm blade for wafer transfer according to an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드는 상면으로부터 하면을 관통하여 형성되는 하나 이상의 관통홀, 관통홀에 탈착되는 하나 이상의 미끄럼 방지 패드(140), 블레이드의 하면에 형성되어 하나 이상의 미끄럼 방지 패드(140)를 전기적으로 연결하여 블레이드의 외부로 접지시키는 통전부(150)를 포함할 수 있다. 블레이드에 탈착되는 미끄럼 방지 패드(140)는 베이스부, 베이스부의 상면으로부터 하면을 관통하여 형성되는 관통부, 베이스부의 상면에 형성되는 전도성을 갖는 소재로 형성되는 제1전도층, 및 베이스부의 하부에 형성되는 금속 패드를 포함할 수 있다. 관통부는 제1전도층 및 금속 패드를 전기적으로 연결하고, 통전부(150)는 블레이드의 하면으로 돌출된 금속 패드와 전기적으로 연결될 수 있다. 도 10에는 복수의 미끄럼 방지 패드(140)를 전기적으로 일체로 연결한 후 블레이드 외부로 하나의 경로를 통해 접지시키는 예를 도시하였지만 이에 한정되지 않고, 각각의 미끄럼 방지 패드를 개별적으로 접지시키거나 그룹을 나눠 그룹별로 전기적으로 연결 후 접지시킬 수도 있다.Referring to FIG. 10 , the robot arm blade for transferring semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention includes one or more through-holes formed through the lower surface from the upper surface, one or more anti-skid pads 140 detachable from the through-holes, and the blades. It may include a conductive part 150 formed on the lower surface to electrically connect one or more anti-skid pads 140 to ground the blade to the outside. The non-slip pad 140 detachable from the blade includes a base portion, a penetrating portion formed through the upper surface of the base portion through a lower surface, a first conductive layer formed of a conductive material formed on the upper surface of the base portion, and a lower portion of the base portion. It may include a metal pad formed. The penetrating portion may electrically connect the first conductive layer and the metal pad, and the conducting portion 150 may be electrically connected to the metal pad protruding from the lower surface of the blade. Although FIG. 10 shows an example of electrically connecting a plurality of anti-skid pads 140 and grounding them through a single path to the outside of the blade, the present invention is not limited thereto, and each anti-skid pad is individually grounded or grouped. It is also possible to divide and connect them electrically for each group and then ground them.

제1전도층으로터, 관통부, 금속패드 및 통전부(150)를 통해 미끄럼 방지 패드(140)가 블레이드 외부로 접지되기 때문에, 대전된 웨이퍼가 로딩되어도 미끄럼 방지 패드(140)에 분극 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 웨이퍼와 블레이드 사이에 발생하는 과도한 정전기적 인력을 제거하여, 웨이퍼 언로딩 시 발생하는 파핑현상을 방지함으로써 공정안정성을 향상시킬 수 있다.Since the anti-skid pad 140 is grounded to the outside of the blade through the first conductive layer, the penetrating part, the metal pad, and the conducting part 150, polarization occurs in the anti-skid pad 140 even when a charged wafer is loaded. can be prevented from occurring. Thereby, excessive electrostatic attraction generated between the wafer and the blade is removed, thereby preventing the popping phenomenon occurring during wafer unloading, thereby improving process stability.

블레이드에 탈착되는 미끄럼 방지 패드(140)는 제1전도층의 상면에 형성되며 웨이퍼의 하면과 접촉하는 장착부를 포함할 수 있다. 블레이드에 탈착되는 미끄럼 방지 패드(140)는 관통부와 금속 패드 사이의 전기적인 연결을 향상시키기 위해 그들 사이에 제2전도층을 포함할 수 있다. The anti-skid pad 140 detachable from the blade is formed on the upper surface of the first conductive layer and may include a mounting part in contact with the lower surface of the wafer. The anti-skid pad 140 detachable from the blade may include a second conductive layer therebetween to improve the electrical connection between the penetrating portion and the metal pad.

베이스부는 상부에 하나 이상의 미세패턴을 포함하고, 제1전도층 또는 장착부는 베이스부의 미세패턴의 굴곡을 따라서 형성될 수 있다. 미세패턴의 세부 구성에 대해서는 전술한 바 있으므로 자세한 설명은 생략하도록 한다.The base part may include one or more fine patterns thereon, and the first conductive layer or the mounting part may be formed along the curvature of the micropatterns of the base part. Since the detailed configuration of the fine pattern has been described above, a detailed description thereof will be omitted.

지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐만 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although specific embodiments according to the present invention have been described so far, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims described below as well as the claims and equivalents.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above-described embodiments, which are various modifications and variations from these descriptions by those skilled in the art to which the present invention pertains. Transformation is possible. Accordingly, the spirit of the present invention should be understood only by the claims described below, and all equivalents or equivalent modifications thereof will fall within the scope of the spirit of the present invention.

100: 웨이퍼 이송 로봇
110: 로봇몸체
111: 샤프트
120: 로봇암
121: 제1 암
123: 제2 암
125: 제3 암
127: 암 장착부재
130: 블레이드
131: 블레이드 몸체
133: 나사홀
135: 블레이드 팁
140: 미끄럼 방지 패드
141: 베이스부
1411: 기둥 또는 돌기
1413: 홈 또는 홀
1451: 제1전도층
1453: 제2전도층
143: 관통부
147: 금속 패드
149: 장착부
150: 통전부100: wafer transfer robot
110: robot body
111: shaft
120: robot arm
121: first arm
123: second arm
125: third arm
127: arm mounting member
130: blade
131: blade body
133: screw hole
135: blade tip
140: non-slip pad
141: base part
1411: pillar or protuberance
1413: home or hole
1451: first conductive layer
1453: second conductive layer
143: penetrating portion
147: metal pad
149: mounting part
150: current unit

Claims (16)

반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에 형성된 관통홀에 탈부착되는 미끄럼 방지 패드에 있어서,
베이스부;
상기 베이스부의 상면으로부터 하면을 관통하며, 전도성을 갖는 소재로 채워지는 관통부;
상기 베이스부의 상면에 형성되며, 전도성을 갖는 소재로 형성된 제1전도층; 및
상기 베이스부의 하부에 형성되는 금속 패드;를 포함하고,
상기 관통부는 제1전도층 및 상기 금속 패드를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
In the non-slip pad detachable from the through hole formed in the robot arm blade for semiconductor wafer transfer,
base part;
a penetrating portion passing through the lower surface from the upper surface of the base portion and filled with a conductive material;
a first conductive layer formed on an upper surface of the base part and made of a material having conductivity; and
Including; a metal pad formed under the base portion;
The anti-skid pad, characterized in that the penetrating portion electrically connects the first conductive layer and the metal pad.
 제1항에 있어서,
제1전도층의 상면에 형성되며 상기 웨이퍼의 하면과 접촉하는 장착부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
and a mounting part formed on the upper surface of the first conductive layer and in contact with the lower surface of the wafer.
 제2항에 있어서,
상기 장착부는 상기 베이스부 및 제1전도층의 측면을 둘러싸며 형성되는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
3. The method of claim 2,
The anti-slip pad, characterized in that the mounting portion is formed surrounding the side of the base portion and the first conductive layer.
 제1항에 있어서,
상기 베이스부의 하면과 상기 금속 패드 사이에 형성되며, 전도성을 갖는 소재로 형성된 제2전도층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
and a second conductive layer formed between the lower surface of the base part and the metal pad and formed of a conductive material.
 제4항에 있어서,
제1전도층의 상면에 형성되며 상기 웨이퍼의 하면과 접촉하는 장착부;를 포함하고,
상기 장착부는 상기 베이스부, 제1전도층 및 제2전도층의 측면을 둘러싸며 형성되는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
5. The method of claim 4,
a mounting part formed on the upper surface of the first conductive layer and in contact with the lower surface of the wafer;
The anti-slip pad, characterized in that the mounting portion is formed surrounding the side of the base portion, the first conductive layer and the second conductive layer.
 제1항에 있어서,
상기 베이스부는 상부에 하나 이상의 미세패턴을 포함하고, 제1전도층은 상기 베이스부의 미세패턴의 굴곡을 따라서 형성되는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
The anti-slip pad, characterized in that the base portion includes one or more fine patterns on the upper portion, and the first conductive layer is formed along the curvature of the fine pattern of the base portion.
 제2항에 있어서,
상기 베이스부는 상부에 하나 이상의 미세패턴을 포함하고, 제1전도층 및 상기 장착부는 상기 베이스부의 미세패턴의 굴곡을 따라서 형성되는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
3. The method of claim 2,
The anti-slip pad, characterized in that the base portion includes one or more fine patterns on the upper portion, and the first conductive layer and the mounting portion are formed along the curvature of the fine pattern of the base portion.
 제5항에 있어서,
상기 베이스부는 상부에 하나 이상의 미세패턴을 포함하고, 제1전도층 및 상기 장착부는 상기 베이스부의 미세패턴의 굴곡을 따라서 형성되는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
6. The method of claim 5,
The anti-slip pad, characterized in that the base portion includes one or more fine patterns on the upper portion, and the first conductive layer and the mounting portion are formed along the curvature of the fine pattern of the base portion.
 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스부의 미세패턴은 기둥 형상으로 형성되며,
상기 기둥의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 기둥의 높이는 10㎚ 내지 1000㎛이고,
상기 기둥의 직경 또는 두께는 10㎚ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
9. The method according to any one of claims 6 to 8,
The fine pattern of the base part is formed in a columnar shape,
The cross-sectional shape of the pillar is a polygon, a circle or an ellipse,
The height of the pillar is 10 nm to 1000 μm,
The non-slip pad, characterized in that the diameter or thickness of the pillar is 10㎚ to 1000㎛.
 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스부의 미세패턴은 홈 형상으로 형성되며,
상기 홈의 단면 형상은 다각형, 원 또는 타원이며,
상기 홈의 깊이는 10㎚ 내지 1000㎛이고,
상기 홈의 너비는 10㎚ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
9. The method according to any one of claims 6 to 8,
The fine pattern of the base part is formed in a groove shape,
The cross-sectional shape of the groove is a polygon, a circle or an ellipse,
The depth of the groove is 10 nm to 1000 μm,
The non-slip pad, characterized in that the width of the groove is 10㎚ to 1000㎛.
 제4항에 있어서,
상기 관통부, 제1전도층 및 제2전도층은 금속, 그래핀, CNT(carbon nano tube), C60, C540, C70, 비정질카본(amorphous carbon), 흑연, 폴리아세틸렌(poly acetylene), 폴리티오펜(poly thiophene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(poly pyrrole), 폴리파라페닐렌(poly p phenylene), 폴리페닐렌비닐렌(poly phenylene vinylene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly p phenylene sulphide), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly p phenylene vinylene), 폴리이소티아나프텐(poly iso thianaphthene) 또는 폴리티에닐렌비닐렌(poly thienylene vinylene) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
5. The method of claim 4,
The penetrating portion, the first conductive layer and the second conductive layer may include metal, graphene, carbon nano tube (CNT), C60, C540, C70, amorphous carbon, graphite, polyacetylene, polyt. Offene (poly thiophene), polyaniline (poly aniline), polypyrrole (polypyrrole), polyparaphenylene (poly p phenylene), polyphenylene vinylene (poly phenylene vinylene), polyparaphenylene sulfide (poly p phenylene sulphide) , poly p phenylene vinylene, poly iso thianaphthene, or poly thienylene vinylene.
 제2항에 있어서,
상기 장착부는 신축성이 있는 탄성중합체(elastomer), 실리콘계 탄성중합체(Si based elastomer), 플루오르엘라스토머(FKM, fluoroelastomer), 퍼플루오르엘라스토머(FFKM, perfluoroelastomer) 또는 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
3. The method of claim 2,
The mounting portion includes a flexible elastomer (elastomer), a silicone-based elastomer (Si based elastomer), a fluoroelastomer (FKM, fluoroelastomer), a perfluoroelastomer (FFKM, perfluoroelastomer) or polytetrafluoroethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene) Non-slip pad, characterized in that.
 제1항에 있어서,
상기 베이스부는 Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe, GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnO, 폴리이미드(PI), 폴리페닐렌 옥사이드(polyphenylene oxide: PPO), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PETE), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephthalate: PBT), 폴리디히드록시메틸사이클로헥실 테레프탈레이트(polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), 셀룰로오스 에스테르(cellulose esters), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC) 또는 폴리아미드(polyamide: PA)를 포함하는 것을 특징으로 하는 미끄럼 방지 패드.
According to claim 1,
The base portion is Si, Quartz, SiC, SiGe, Ge, AlSb, Al2O3, AlGaAs, AlN, BeTe, BeSe, CdS, CdSe, CdTe, CdS, CuInSe2, CuInS2, CuInGaS2, CuInGaSe2, GaN, GaAs, GaP, GaS, GaSe , GaSb, GaTe, HgCdTe, HgS, InS, InAs, InSe, InSb, InTe, InP, InN, InGaAs, InGaP, InGaN, InGaAlSbAs, InAlP, InAlSb, LiNbO3, PbS, PbTe, TiO2, ZnSe, ZnTe, ZnSe, Zn , polyimide (PI), polyphenylene oxide (PPO), polyethylene terephthalate (PETE), polybutylene terephthalate (PBT), polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate ( An anti-skid pad comprising polydihydroxymethylcyclohexyl terephthalate), cellulose esters, polycarbonate (PC) or polyamide (PA).
 미끄럼 방지 패드가 장착된 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드에 있어서,
상기 블레이드의 상면으로부터 하면을 관통하여 형성되는 하나 이상의 관통홀;
상기 관통홀에 탈착되는 하나 이상의 미끄럼 방지 패드; 및
상기 블레이드의 하면에 형성되며, 상기 하나 이상의 미끄럼 방지 패드들을 전기적으로 연결하여 상기 블레이드의 외부로 접지시키는 통전부;를 포함하고,
상기 미끄럼 방지 패드는,
베이스부;
상기 베이스부의 상면으로부터 하면을 관통하며, 전도성을 갖는 소재로 채워지는 관통부;
상기 베이스부의 상면에 형성되며, 전도성을 갖는 소재로 형성된 제1전도층; 및
상기 베이스부의 하부에 형성되는 금속 패드;를 포함하고,
상기 관통부는 제1전도층 및 상기 금속 패드를 전기적으로 연결하고,
상기 통전부 및 상기 금속 패드는 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
In the robot arm blade for semiconductor wafer transfer equipped with an anti-skid pad,
one or more through-holes formed through the lower surface from the upper surface of the blade;
at least one anti-slip pad detachable from the through hole; and
Including; is formed on the lower surface of the blade and electrically connects the one or more anti-skid pads to ground the blade to the outside;
The anti-slip pad,
base part;
a penetrating portion passing through the lower surface from the upper surface of the base portion and filled with a conductive material;
a first conductive layer formed on an upper surface of the base part and made of a material having conductivity; and
Including; a metal pad formed under the base portion;
The through portion electrically connects the first conductive layer and the metal pad,
The current conducting part and the metal pad are electrically connected to the robot arm blade for transferring semiconductor wafers.
 제14항에 있어서,
상기 미끄럼 방지 패드는,
제1전도층의 상면에 형성되며 상기 웨이퍼의 하면과 접촉하는 장착부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.
15. The method of claim 14,
The anti-slip pad,
A robot arm blade for transferring semiconductor wafers, comprising: a mounting part formed on the upper surface of the first conductive layer and in contact with the lower surface of the wafer.
 제15항에 있어서,
상기 베이스부는 상부에 하나 이상의 미세패턴을 포함하고, 제1전도층 및 상기 장착부는 상기 베이스부의 미세패턴의 굴곡을 따라서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 이송용 로봇암 블레이드.16. The method of claim 15,
The base portion includes one or more micro-patterns on the upper portion, and the first conductive layer and the mounting portion are formed along the curves of the micro-patterns of the base portion.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014138022A (en) * 2013-01-15 2014-07-28 Ngk Spark Plug Co Ltd Transportation device and transportation member
KR102078309B1 (en) * 2018-09-20 2020-02-19 (주)아이솔루션 A Non-Slip Chuck for a Substrate Transferring Module

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140122861A (en) * 2013-04-11 2014-10-21 (주)엠프리시젼 Adhesion pad and method of manufacturing the same
KR101553826B1 (en) * 2014-01-17 2015-09-17 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 transfer device and transfer method using the same
KR101784380B1 (en) * 2015-07-22 2017-10-11 김병현 Substrate Transferring Apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014138022A (en) * 2013-01-15 2014-07-28 Ngk Spark Plug Co Ltd Transportation device and transportation member
KR102078309B1 (en) * 2018-09-20 2020-02-19 (주)아이솔루션 A Non-Slip Chuck for a Substrate Transferring Module

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