JP2013043415A

JP2013043415A - Imprint mold, and method for manufacturing printed circuit board

Info

Publication number: JP2013043415A
Application number: JP2011184363A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Hirano; 裕之平野
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2011-08-26
Filing date: 2011-08-26
Publication date: 2013-03-04

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imprint mold capable of forming a through hole with high accuracy.SOLUTION: The imprint mold 10 is a meatl mold for heat imprinting constituted of, for example, silicon (Si). The imprint mold includes a supporting part 11, a projection 12 which is projected from the supporting part 11 and corresponds to a via hole, a lipophilic film 16 formed on a fore end surface 141 of the projection 12, and a release film 17 formed on all other surfaces than the fore end surface 141. The lipophilic film 16 is formed of, for example, hexamethyldisilazane (HMDS, C6H19NSi2), and octadecyl trichlorosilane (OTS, SiCl3C18H37). On the other hand, a fluorine monomolecular film can be illustrated as the release film 17.

Description

本発明は、熱ナノインプリント法に用いられるインプリントモールド、及びそのインプリントモールドを用いたプリント配線板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to an imprint mold used in a thermal nanoimprint method and a method for manufacturing a printed wiring board using the imprint mold.

熱インプリント法において、熱可塑性樹脂と下型との間に保護シート（犠牲層）を介在させて、突起を有する金型で熱可塑性樹脂をスタンピングすることで、突起が下型と接触するのを防止しつつ、熱可塑性樹脂に貫通孔を形成する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。 In the thermal imprint method, a protrusion is brought into contact with the lower mold by stamping the thermoplastic resin with a mold having protrusions by interposing a protective sheet (sacrificial layer) between the thermoplastic resin and the lower mold. A technique for forming a through hole in a thermoplastic resin while preventing the above is known (see, for example, Patent Document 1).

特開２００６−７７１２号公報JP 2006-7712 A

しかしながら、上記の技術では、突起の押圧に伴って保護シートが引き寄せられて比較的広い範囲で変形するので、熱可塑性樹脂もこの保護シートの変形に追従することで伸長したり破損したりする場合がある。このため、貫通孔を高精度に形成することが困難であるという問題がある。 However, in the above technique, the protective sheet is attracted and deformed in a relatively wide range as the protrusions are pressed, so that the thermoplastic resin also stretches or breaks by following the deformation of the protective sheet. There is. For this reason, there exists a problem that it is difficult to form a through-hole with high precision.

本発明が解決しようとする課題は、貫通孔を高精度に形成することが可能なインプリントモールド、及びプリント配線板の製造方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide an imprint mold capable of forming a through-hole with high accuracy and a method for manufacturing a printed wiring board.

［１］本発明に係るインプリントモールドは、支持部と、前記支持部から突出した突起部と、前記突起部の先端面に形成された親油性膜と、を備えたことを特徴とする。 [1] An imprint mold according to the present invention includes a support portion, a protrusion protruding from the support portion, and an oleophilic film formed on a front end surface of the protrusion.

［２］上記発明において、前記親油性膜は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、又はオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）から構成されていてもよい。 [2] In the above invention, the lipophilic film may be composed of hexamethyldisilazane (HMDS) or octadecyltrichlorosilane (OTS).

［３］また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、インプリントモールドの突起部の先端面に親油性膜を形成する第１の工程と、前記インプリントモールドを被成形体に押し付けて、貫通孔を有する基材を形成する第２の工程と、前記貫通孔に導体を充填する第３の工程と、を備えたことを特徴とする。 [3] Moreover, the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes a first step of forming an oleophilic film on the tip surface of the protrusion of the imprint mold, and pressing the imprint mold against the object to be molded. A second step of forming a base material having a through hole and a third step of filling the through hole with a conductor are provided.

［４］上記発明において、前記親油性膜は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、又はオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）から構成されていてもよい。 [4] In the above invention, the lipophilic film may be composed of hexamethyldisilazane (HMDS) or octadecyltrichlorosilane (OTS).

本発明によれば、インプリントモールドの突起部の先端面に親油性膜が形成されているので、貫通孔の底部に残った残膜が突起部に密着する。そのため、離型の際に突起部と共に当該残膜を絶縁性基材から引き剥がすことができ、貫通孔を高精度に形成することができる。 According to the present invention, since the lipophilic film is formed on the tip surface of the protrusion of the imprint mold, the remaining film remaining on the bottom of the through hole is in close contact with the protrusion. Therefore, the residual film can be peeled off from the insulating base material together with the protrusions at the time of mold release, and the through hole can be formed with high accuracy.

図１は、本発明の実施形態におけるインプリントモールドを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an imprint mold in an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の実施形態におけるインプリントモールドの製造方法を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a method for manufacturing an imprint mold in the embodiment of the present invention. 図３（ａ）〜図３（ｄ）は、図２の各ステップを示す図である（その１）。FIG. 3A to FIG. 3D are diagrams showing each step of FIG. 2 (part 1). 図４（ａ）〜図４（ｄ）は、図２の各ステップを示す図である（その２）。FIG. 4A to FIG. 4D are diagrams showing each step of FIG. 2 (part 2). 図５（ａ）〜図５（ｄ）は、図２の各ステップを示す図である（その３）。Fig.5 (a)-FIG.5 (d) are figures which show each step of FIG. 2 (the 3). 図６は、本発明の実施形態におけるプリント配線板を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a printed wiring board according to the embodiment of the present invention. 図７は、本発明の実施形態におけるプリント配線板の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a method for manufacturing a printed wiring board according to the embodiment of the present invention. 図８（ａ）〜図８（ｃ）は、図７の各ステップを示す図である（その１）。Fig.8 (a)-FIG.8 (c) are figures which show each step of FIG. 7 (the 1). 図９（ａ）〜図９（ｃ）は、図７の各ステップを示す図である（その２）。Fig.9 (a)-FIG.9 (c) are figures which show each step of FIG. 7 (the 2). 図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、図７の各ステップを示す図である（その３）。Fig.10 (a)-FIG.10 (c) are figures which show each step of FIG. 7 (the 3). 図１１は、図８（ｃ）のXI部の拡大図である。FIG. 11 is an enlarged view of a portion XI in FIG.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

先ず、本実施形態においてプリント配線板の製造に使用されるインプリントモールド１０の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は本実施形態におけるインプリントモールドの断面図である。 First, a configuration of an imprint mold 10 used for manufacturing a printed wiring board in the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of an imprint mold in the present embodiment.

本実施形態におけるインプリントモールド１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）から構成される熱インプリント用の金型である。このインプリントモールド１０は、図１に示すように、ベース１１と、突起部１２と、凸部１５と、を備えている。 The imprint mold 10 in the present embodiment is a thermal imprint mold made of silicon (Si), for example. As shown in FIG. 1, the imprint mold 10 includes a base 11, a protrusion 12, and a protrusion 15.

なお、インプリントモールド１０を、シリコン（Ｓｉ）に代えて、石英（ＳｉＯ_２）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、グラッシーカーボン（ＧＣ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）等で構成してもよい。 The imprint mold 10 is replaced with silicon (Si), quartz (SiO ₂ ), silicon carbide (SiC), glassy carbon (GC), nickel (Ni), copper (Cu), tantalum (Ta), etc. You may comprise.

突起部１２は、ベース１１の上面１１１から上方に向かって突出しており、台座部１３と柱部１４とを有している。台座部１３は、ベース１１の上面１１１に設けられている。そして、柱部１４は、この台座部１３の上面１３１から上方に向かって突出している。 The protruding portion 12 protrudes upward from the upper surface 111 of the base 11, and includes a pedestal portion 13 and a column portion 14. The pedestal portion 13 is provided on the upper surface 111 of the base 11. The column portion 14 protrudes upward from the upper surface 131 of the pedestal portion 13.

この突起部１２は、プリント配線板４０のバイアホール４２（図６参照）に対応するように配置されており、この突起部１２によってバイアホール４２を形成するための貫通孔４１１（図６参照）が形成される。この突起部１２の台座部１３によって、バイアホール４２のランド部４３に対応する貫通孔４１１の大径部４１２（図６参照）が絶縁性基材４１に形成される。また、突起部１２の柱部１４によって、バイアホール４２の貫通部４４に対応する貫通孔４１１の小径部４１３（図６参照）が絶縁性基材４１に形成される。 The protrusion 12 is arranged to correspond to the via hole 42 (see FIG. 6) of the printed wiring board 40, and the through hole 411 (see FIG. 6) for forming the via hole 42 by the protrusion 12. Is formed. A large-diameter portion 412 (see FIG. 6) of the through hole 411 corresponding to the land portion 43 of the via hole 42 is formed in the insulating base 41 by the pedestal portion 13 of the protruding portion 12. Further, a small-diameter portion 413 (see FIG. 6) of the through hole 411 corresponding to the through portion 44 of the via hole 42 is formed in the insulating base material 41 by the column portion 14 of the projection portion 12.

この突起部１２の高さｈ_１は、凸部１５の高さｈ_２よりも高くなっており（ｈ_１＞ｈ_２）、突起部１２の柱部１４の先端面１４１がインプリントモールド１０において最も高くなっている。特に限定されないが、一例を挙げれば、突起部１２の高さｈ_１が２４［μｍ］（＝台座部１３の高さ：６［μｍ］＋柱部１４の高さ：１８［μｍ］）であるのに対し、凸部１５の高さｈ_２は６［μｍ］となっている。 The height h ₁ of the protruding portion 12 is higher than the height h ₂ of the convex portion 15 (h ₁ > h ₂ ), and the tip surface 141 of the column portion 14 of the protruding portion 12 is in the imprint mold 10. It is the highest. Although not particularly limited, for example, the height h ₁ of the protrusion 12 is 24 [μm] (= the height of the pedestal 13: 6 [μm] + the height of the column 14: 18 [μm]). On the other hand, the height h ₂ of the convex portion 15 is 6 [μm].

また、インプリントモールド１０を用いて熱インプリント法によって絶縁性基材４１に貫通孔４１１を形成した際に、当該貫通孔４１１の底部に残膜４１１ａ（図８（ｂ）参照）が残るように、突起部１２の高さｈ_１は、絶縁性基材４１の厚さｔ_０（図６参照）よりも若干低くなっている（ｈ_１＜ｔ_０）。特に限定されないが、一例を挙げれば、上記のように突起部１２の高さｈ_１が２４［μｍ］であるのに対し、絶縁性基材４１の厚さｔ_０は２５［μｍ］となっている。 Moreover, when the through-hole 411 is formed in the insulating base material 41 by the thermal imprint method using the imprint mold 10, the residual film 411a (see FIG. 8B) remains on the bottom of the through-hole 411. Moreover, the height h ₁ of the protrusion 12 is slightly lower than the thickness t ₀ (see FIG. 6) of the insulating base material 41 (h ₁ <t ₀ ). Although not particularly limited, for example, the height h ₁ of the protrusion 12 is 24 [μm] as described above, whereas the thickness t ₀ of the insulating base material 41 is 25 [μm]. ing.

凸部１５は、上述の突起部１２とは独立して、ベース１１の上面１１１上に設けられている。この凸部１５も、突起部１２と同様に、ベース１１の上面１１から上方に向かって突出している。この凸部１５は、プリント配線板４０の配線パターン４５（図６参照）に対応するように配置されており、この凸部１５によって、配線パターン４５を形成するための溝部４１４（図６参照）が、絶縁性基材４１に形成される。 The convex portion 15 is provided on the upper surface 111 of the base 11 independently of the above-described protruding portion 12. Similar to the protrusion 12, the protrusion 15 also protrudes upward from the upper surface 11 of the base 11. The convex portion 15 is arranged so as to correspond to the wiring pattern 45 (see FIG. 6) of the printed wiring board 40, and the groove portion 414 (see FIG. 6) for forming the wiring pattern 45 by the convex portion 15. Is formed on the insulating base material 41.

なお、バイアホール４２に対応する突起部１２は、平面視において円形、矩形、或いは多角形等となっているのに対し、配線パターン４５に対応する凸部１５は、平面視においてベース１１上に線状に延在している。また、図１に示すインプリントモールド１０における突起部１２や凸部１５の配置は一例に過ぎず、後述するプリント配線板４０のバイアホール４２や配線パターン４５の配置に応じて決定される。 The protrusion 12 corresponding to the via hole 42 is circular, rectangular, or polygonal in plan view, whereas the protrusion 15 corresponding to the wiring pattern 45 is on the base 11 in plan view. It extends linearly. Further, the arrangement of the protrusions 12 and the protrusions 15 in the imprint mold 10 shown in FIG. 1 is merely an example, and is determined according to the arrangement of via holes 42 and wiring patterns 45 of the printed wiring board 40 described later.

さらに、本実施形態では、この突起部１２の柱部１４の先端面１４１に親油性膜１６が形成されていると共に、インプリントモールド１０においてこの先端面１４１を除く全ての表面に離型膜１７が形成されている。この親油性膜１６は、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ，C₆H₁₉NSi₂）、又はオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ，SiCl₃C₁₈H₃₇）等から構成されている。一方、離型膜１７としては、例えば、フッ素系単分子膜等を例示することができる。 Furthermore, in the present embodiment, the lipophilic film 16 is formed on the tip surface 141 of the column portion 14 of the protrusion 12, and the release film 17 is formed on all surfaces of the imprint mold 10 except for the tip surface 141. Is formed. The lipophilic film 16 is made of, for example, hexamethyldisilazane (HMDS, C ₆ H ₁₉ NSi ₂ ), octadecyltrichlorosilane (OTS, SiCl ₃ C ₁₈ H ₃₇ ), or the like. On the other hand, examples of the release film 17 include a fluorine-based monomolecular film.

このように、本実施形態では、インプリントモールド１０において、絶縁性基材４１に貫通孔４１１を形成する突起部１２の先端面１４１に、親油性膜１６を形成する。これにより、後述するように、親油性膜１６を介して、突起部１２の先端面１４１と貫通孔４１１の残膜４１１ａとの密着性が向上し、離型の際に突起部１２と共に当該残膜４１１ａを絶縁性基材４１から引き剥がすことができるので、貫通孔４１１を高精度に形成することができる。 Thus, in the present embodiment, in the imprint mold 10, the lipophilic film 16 is formed on the tip surface 141 of the protrusion 12 that forms the through hole 411 in the insulating base material 41. As a result, as will be described later, the adhesion between the tip surface 141 of the protrusion 12 and the remaining film 411a of the through-hole 411 is improved through the lipophilic film 16, and the remaining portion together with the protrusion 12 is released during mold release. Since the film 411a can be peeled off from the insulating substrate 41, the through hole 411 can be formed with high accuracy.

なお、本実施形態におけるベース１１が本発明における支持部の一例に相当し、本実施形態における突起部１２が本発明における突起部の一例に相当し、本実施形態における親油性膜１６が本発明における親油性膜の一例に相当する。 The base 11 in the present embodiment corresponds to an example of the support portion in the present invention, the protrusion 12 in the present embodiment corresponds to an example of the protrusion in the present invention, and the lipophilic film 16 in the present embodiment corresponds to the present invention. This corresponds to an example of a lipophilic film.

次に、以上に説明したインプリントモールド１０の製造方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。 Next, the manufacturing method of the imprint mold 10 demonstrated above is demonstrated, referring FIGS.

図２は本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法を示すフローチャート、図３（ａ）〜図５（ｄ）は図２の各ステップを示す図である。 FIG. 2 is a flowchart showing a method for manufacturing an imprint mold in the present embodiment, and FIGS. 3A to 5D are diagrams showing each step of FIG.

先ず、図２のステップＳ１１において、図３（ａ）に示すように、シリコン基板２１上に第１のマスク層２２を形成する。本実施形態における第１のマスク層２２は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）から構成されており、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、或いはパイロジェニック酸化によって形成される。 First, in step S11 of FIG. 2, a first mask layer 22 is formed on the silicon substrate 21, as shown in FIG. The first mask layer 22 in the present embodiment is composed of a silicon oxide film (SiO ₂ ) and is formed by, for example, wet oxidation, dry oxidation, or pyrogenic oxidation.

なお、第１のマスク層２２は、シリコン基板２１をエッチングする際（後述のステップＳ１３）に選択比を確保できる材料で構成されていれば特に限定されない。例えば、シリコン酸化膜に代えて、シリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）、金属膜、レジスト層等を、第１のマスク層２２として用いてもよい。また、シリコン基板２１に代えて、石英（ＳｉＯ_２）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、グラッシーカーボン（ＧＣ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）等で構成される基板を用いてもよい。 The first mask layer 22 is not particularly limited as long as it is made of a material that can ensure a selection ratio when the silicon substrate 21 is etched (step S13 described later). For example, instead of the silicon oxide film, a silicon nitride film (Si ₃ N ₄ ), a metal film, a resist layer, or the like may be used as the first mask layer 22. Further, instead of the silicon substrate 21, a substrate made of quartz (SiO ₂ ), silicon carbide (SiC), glassy carbon (GC), nickel (Ni), copper (Cu), tantalum (Ta) or the like is used. May be.

次いで、ステップＳ１２において、図３（ｂ）に示すように、この第１のマスク層２２に対してパターニングを行う。具体的には、先ず、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィによって第１のマスク層２２上にレジスト層（不図示）を形成し、次いで、バッファードフッ酸（ＢＨＦ：Buffered Hydrogen Fluoride）を用いて、第１のマスク層２２をウェットエッチングした後に、硫酸過水等を用いて当該レジスト層を除去する。なお、フォトリソグラフィに代えて、電子線描画装置やレーザ描画装置を用いてパターニングを行ってもよい。 Next, in step S12, the first mask layer 22 is patterned as shown in FIG. Specifically, first, a resist layer (not shown) is formed on the first mask layer 22 by photolithography using a photosensitive resin, and then using buffered hydrofluoric acid (BHF). After the first mask layer 22 is wet-etched, the resist layer is removed using sulfuric acid / hydrogen peroxide. Note that patterning may be performed using an electron beam drawing apparatus or a laser drawing apparatus instead of photolithography.

次いで、ステップＳ１３において、図３（ｃ）に示すように、フッ素含有ガスを用いて、シリコン基板２１に対してドライエッチング（Ｄ−ＲＩＥ）を行い、次いで、ステップＳ１４において、図３（ｄ）に示すように、ＢＨＦを用いたウェットエッチングによって第１のマスク層２２をシリコン基板２１上から除去する。これにより、インプリントモールド１０の突起部１２の柱部１４が形成される。 Next, in step S13, as shown in FIG. 3C, dry etching (D-RIE) is performed on the silicon substrate 21 using a fluorine-containing gas. Next, in step S14, FIG. As shown in FIG. 2, the first mask layer 22 is removed from the silicon substrate 21 by wet etching using BHF. Thereby, the column part 14 of the projection part 12 of the imprint mold 10 is formed.

次いで、ステップＳ１５において、図４（ａ）に示すように、シリコン基板２１の表面に第２のマスク層２３を形成する。この第２のマスク層２３は、上述の第１のマスク層２２と同様に、本実施形態では、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）から構成されている。 Next, in step S15, a second mask layer 23 is formed on the surface of the silicon substrate 21, as shown in FIG. In the present embodiment, the second mask layer 23 is composed of a silicon oxide film (SiO ₂ ), like the first mask layer 22 described above.

次いで、ステップＳ１６において、図４（ｂ）に示すように、第２のマスク層２３に対してパターニングを行う。具体的には、上述のステップＳ１２と同様に、第２のマスク層２３上にレジスト層を形成し、次いで、第２のマスク層２３をウェットエッチングした後に、当該レジスト層を除去する。 Next, in step S16, the second mask layer 23 is patterned as shown in FIG. Specifically, as in step S12 described above, a resist layer is formed on the second mask layer 23, and then the second mask layer 23 is wet-etched, and then the resist layer is removed.

次いで、ステップＳ１７において、図４（ｃ）に示すように、上述のステップＳ１３と同様の要領で、シリコン基板２１に対してドライエッチングを行う。次いで、ステップＳ１８において、図４（ｄ）に示すように、上述のステップＳ１４と同様の要領で、第２のマスク層２３をエッチングによって除去する。これにより、インプリントモールド１０の突起部１２の台座部１３と凸部１５とが形成される。 Next, in step S17, as shown in FIG. 4C, dry etching is performed on the silicon substrate 21 in the same manner as in step S13 described above. Next, in step S18, as shown in FIG. 4D, the second mask layer 23 is removed by etching in the same manner as in step S14 described above. Thereby, the base part 13 and the convex part 15 of the projection part 12 of the imprint mold 10 are formed.

なお、図２のステップＳ１１〜Ｓ１４や同図のステップＳ１５〜Ｓ１８のようなマスク層形成、フォトリソグラフィ、及びエッチングのステップを複数回繰り返すことで、任意の段数の突起部を形成することができる。 By repeating the mask layer formation, photolithography, and etching steps in steps S11 to S14 in FIG. 2 and steps S15 to S18 in FIG. 2 a plurality of times, protrusions having an arbitrary number of steps can be formed. .

次いで、ステップＳ１９において、図５（ａ）に示すように、突起部１２の柱部１４の先端面１４１に、例えば、樹脂材料等から構成される保護フィルム２４を貼り付けて、保護フィルム２４によって先端面１４１を覆う。次いで、ステップＳ２０において、図５（ｂ）に示すように、インプリントモールド１０の全面に離型剤をディッピングや蒸気によって付着させることで、離型膜１７を形成する。 Next, in step S19, as shown in FIG. 5A, a protective film 24 made of, for example, a resin material is attached to the distal end surface 141 of the column portion 14 of the protruding portion 12, and the protective film 24 The front end surface 141 is covered. Next, in step S20, as shown in FIG. 5B, the release film 17 is formed by attaching a release agent to the entire surface of the imprint mold 10 by dipping or steam.

次いで、ステップＳ２１において、図５（ｃ）に示すように、突起部１２の先端面１４１を覆っていた保護フィルム２４を剥離する。次いで、ステップＳ２２において、インプリントモールド１０の全面に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ，C₆H₁₉NSi₂）をディッピングや蒸気によって付着させる。 Subsequently, in step S21, as shown in FIG.5 (c), the protective film 24 which has covered the front end surface 141 of the projection part 12 is peeled. Next, in step S22, hexamethyldisilazane (HMDS, C ₆ H ₁₉ NSi ₂ ) is attached to the entire surface of the imprint mold 10 by dipping or steam.

この際、インプリントモールド１０の表面には、保護フィルム２４を剥離した領域を除いて、フッ素系単分子膜からなる離型膜１７が形成されているため、ＨＭＤＳが付着せず、インプリントモールド１０の表面において保護フィルム２４を剥離した領域（すなわち、インプリントモールド１０の突起部１２の先端面１４１）のみに親油性膜１６が形成され、インプリントモールド１０が完成する。 At this time, since the release film 17 made of a fluorine-based monomolecular film is formed on the surface of the imprint mold 10 except for the region where the protective film 24 is peeled off, HMDS does not adhere to the imprint mold. The lipophilic film 16 is formed only on the surface of the surface 10 where the protective film 24 is peeled off (that is, the tip surface 141 of the protrusion 12 of the imprint mold 10), and the imprint mold 10 is completed.

なお、ステップＳ２２において、ＨＭＤＳに代えて、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ，SiCl₃C₁₈H₃₇）をインプリントモールド１０の表面に付着させてもよい。 In step S22, octadecyltrichlorosilane (OTS, SiCl ₃ C ₁₈ H ₃₇ ) may be attached to the surface of the imprint mold 10 instead of HMDS.

また、インプリントモールド１０において突起部１２の先端面１４１のみ離型膜１７を除去する方法としては、以下のような方法であってもよい。 In addition, as a method for removing the release film 17 only at the front end surface 141 of the protrusion 12 in the imprint mold 10, the following method may be used.

すなわち、ステップＳ１９を省略して、ステップＳ２０においてインプリントモールド１０の全面に離型膜１７を形成した後、当該突起部１２の先端面１４１のみに、例えば１０［Ｐａ］以下の減圧下で、波長１７２［ｎｍ］のキセノンエキシマランプを３［Ｊ／ｃｍ^２］以上照射することで、突起部１２の先端面１４１から離型膜１７を除去することができる。 That is, step S19 is omitted, and after forming the release film 17 on the entire surface of the imprint mold 10 in step S20, only the front end surface 141 of the projection 12 is under a reduced pressure of 10 [Pa] or less, for example. By irradiating a xenon excimer lamp with a wavelength of 172 [nm] for 3 [J / cm ² ] or more, the release film 17 can be removed from the tip surface 141 of the protrusion 12.

或いは、ステップＳ１４及びＳ１９を省略して、ステップＳ２０において離型膜１７を形成した後に、ＢＨＦを用いたウェットエッチングによって、第１のマスク層２２と共に離型膜１７を除去してもよい。 Alternatively, steps S14 and S19 may be omitted, and the release film 17 may be removed together with the first mask layer 22 by wet etching using BHF after the release film 17 is formed in step S20.

また、上述の製法では、離型膜１７を形成した後に親油性膜１６を形成したが、特にこれに限定されず、親油性膜１６を形成した後に離型膜１７を形成してもよい。具体的には、インプリントモールド１０の全面にＨＤＭＳを付着させ、突起部１２の先端面１４１を除いて紫外線照射して変性させた後に、インプリントモールド１０の全面に離型処理を行ってもよい。 In the above-described manufacturing method, the lipophilic film 16 is formed after the release film 17 is formed. However, the present invention is not particularly limited thereto, and the release film 17 may be formed after the lipophilic film 16 is formed. Specifically, HDMS may be attached to the entire surface of the imprint mold 10, and after removing the tip surface 141 of the protrusion 12 and being modified by irradiating with ultraviolet rays, a release treatment may be performed on the entire surface of the imprint mold 10. Good.

次に、上記のインプリントモールド１０を用いて製造されるプリント配線板３０の構成について、図６を参照しながら説明する。図６は本実施形態における多層プリント配線板３０を示す断面図である。 Next, the structure of the printed wiring board 30 manufactured using said imprint mold 10 is demonstrated, referring FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the multilayer printed wiring board 30 in the present embodiment.

本実施形態におけるプリント配線板３０は、図６に示すように、複数の（本例では２枚）のプリント配線板４０，５０を積層することで構成される多層フレキシブルプリント配線板である。なお、以下に説明する多層プリント配線板３０は一例に過ぎず、例えば、多層プリント配線板を構成するプリント配線板の枚数、配線パターンやバイアホールの配置等は、特にこれに限定されない。 As shown in FIG. 6, the printed wiring board 30 in the present embodiment is a multilayer flexible printed wiring board configured by stacking a plurality of (two in this example) printed wiring boards 40 and 50. In addition, the multilayer printed wiring board 30 demonstrated below is only an example, for example, the number of the printed wiring boards which comprise a multilayer printed wiring board, a wiring pattern, arrangement | positioning of a via hole, etc. are not specifically limited to this.

第１のプリント配線板４０は、絶縁性基材４１と、バイアホール４２と、配線パターン４５，４６と、を有している。第２のプリント配線板５０も、絶縁性基材５１と、バイアホール５２と、配線パターン５５と、を有しており、下側配線パターン４６が形成されていない点を除いて、第１のプリント配線板４０と同様の構成である。なお、図６に示す例では、プリント配線板４０，５０におけるバイアホールや配線パターンの配置が同一となっているが、特にこれに限定されず、プリント配線板４０，５０の間でバイアホールや配線パターンの配置を異ならせてもよい。 The first printed wiring board 40 includes an insulating substrate 41, a via hole 42, and wiring patterns 45 and 46. The second printed wiring board 50 also has an insulating substrate 51, a via hole 52, and a wiring pattern 55, except that the lower wiring pattern 46 is not formed. The configuration is the same as that of the printed wiring board 40. In the example shown in FIG. 6, the layout of via holes and wiring patterns in the printed wiring boards 40 and 50 is the same. However, the arrangement is not particularly limited to this, and via holes and wiring patterns between the printed wiring boards 40 and 50 are not limited. The arrangement of the wiring patterns may be different.

以下に、第１のプリント配線板４０を例にとって、多層プリント配線板３０の各層の構成について説明する。 The configuration of each layer of the multilayer printed wiring board 30 will be described below by taking the first printed wiring board 40 as an example.

絶縁性基材４１は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の熱可塑性樹脂材料から構成されており、電気絶縁性を有している。図６に示すように、この絶縁性基材４１には、後述する熱インプリント法によって、バイアホール４２に対応する貫通孔４１１や、配線パターン４５に対応する溝部４１４が一体的に形成されている。この貫通孔４１１は、比較的大きな内径を有する大径部４１２を上部に有していると共に、大径部４１２よりも小さな内径を有する小径部４１３を下部に有している。 The insulating base 41 is made of a thermoplastic resin material such as polyimide (PI), liquid crystal polymer (LCP), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and has electrical insulation. ing. As shown in FIG. 6, the insulating base 41 is integrally formed with a through hole 411 corresponding to the via hole 42 and a groove 414 corresponding to the wiring pattern 45 by a thermal imprint method to be described later. Yes. The through-hole 411 has a large-diameter portion 412 having a relatively large inner diameter in the upper portion and a small-diameter portion 413 having an inner diameter smaller than the large-diameter portion 412 in the lower portion.

本実施形態におけるバイアホール４２は、ランド部４３を上部に有すると共に、貫通部４４を下部に有している。ランド部４３は、絶縁性基材４１の大径部４１２内に充填された銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。このランド部４３は、絶縁性基材４１の上面４１５に埋設されていると共に、ランド部４３の上面が絶縁性基材４１から露出している。 The via hole 42 in the present embodiment has a land portion 43 at the top and a through portion 44 at the bottom. The land portion 43 is made of a metal material such as copper (Cu) filled in the large diameter portion 412 of the insulating base material 41. The land portion 43 is embedded in the upper surface 415 of the insulating base material 41, and the upper surface of the land portion 43 is exposed from the insulating base material 41.

貫通部４４も、絶縁性基材４１の小径部４１３内に充填された銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されており、ランド部４３と貫通部４４とは一体的に形成されている。この貫通部４４は、ランド部４３から絶縁性基材４１の下面４１６まで絶縁性基材４１を貫通している。 The through portion 44 is also made of a metal material such as copper (Cu) filled in the small diameter portion 413 of the insulating base material 41, and the land portion 43 and the through portion 44 are integrally formed. The penetrating portion 44 penetrates the insulating base material 41 from the land portion 43 to the lower surface 416 of the insulating base material 41.

上側配線パターン４５も、絶縁性基材４１の線状の溝部４１４内に充填された銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。この配線パターン４５は、ランド部４３と同様に、絶縁性基材４１の上面４１５に埋設されていると共に、その上面が絶縁性基材４１の上面４１５から露出している。特に図示しないが、この配線パターン４５は、バイアホール４２のランド部４３と繋がっている。 The upper wiring pattern 45 is also made of a metal material such as copper (Cu) filled in the linear groove 414 of the insulating base material 41. Similar to the land portion 43, the wiring pattern 45 is embedded in the upper surface 415 of the insulating base material 41 and the upper surface is exposed from the upper surface 415 of the insulating base material 41. Although not particularly illustrated, the wiring pattern 45 is connected to the land portion 43 of the via hole 42.

一方、下側配線パターン４６は、サブトラクティブ法やセミアディティブ法によって、第１の絶縁性基板４１の下面４１６上に形成されている。 On the other hand, the lower wiring pattern 46 is formed on the lower surface 416 of the first insulating substrate 41 by a subtractive method or a semi-additive method.

第１のプリント配線板４０と第２のプリント配線板５０とは相互に積層されており、第１のプリント配線板４０の上側配線パターン４５と、第２のプリント配線板５０の配線パターン５５とは、第２のプリント配線板５０のバイアホール５２を介して電気的に接続されている。また、第１のプリント配線板４０において、上側配線パターン４５は、バイアホール４２を介して下側配線パターン４６に電気的に接続されている。 The first printed wiring board 40 and the second printed wiring board 50 are stacked on each other, and the upper wiring pattern 45 of the first printed wiring board 40 and the wiring pattern 55 of the second printed wiring board 50 are Are electrically connected via via holes 52 of the second printed wiring board 50. In the first printed wiring board 40, the upper wiring pattern 45 is electrically connected to the lower wiring pattern 46 via the via hole 42.

次に、以上に説明した多層プリント配線板３０の製造方法について、図７〜図１１を参照しながら説明する。 Next, the manufacturing method of the multilayer printed wiring board 30 demonstrated above is demonstrated, referring FIGS.

図７は本実施形態におけるプリント配線板の製造方法を示すフローチャート、図８（ａ）〜図１０（ｂ）は図７の各ステップを示す図、図１１は図８（ｃ）のXI部の拡大図である。 FIG. 7 is a flowchart showing a method of manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment, FIGS. 8A to 10B are diagrams showing the steps of FIG. 7, and FIG. 11 is a diagram of the XI section of FIG. It is an enlarged view.

本実施形態では、図７に示すように、ステップＳ１００，Ｓ２００において第１及び第２のプリント配線板４０，５０を個別に形成した後に、ステップＳ３００で第１のプリント配線板４０と第２のプリント配線板５０を相互に貼り合わせることで、多層プリント配線板３０を製造する。 In the present embodiment, as shown in FIG. 7, after the first and second printed wiring boards 40 and 50 are individually formed in Steps S100 and S200, the first printed wiring board 40 and the second printed wiring board 40 and the second printed wiring board 40 in Step S300. The multilayer printed wiring board 30 is manufactured by bonding the printed wiring boards 50 together.

第１のプリント配線板４０を形成する工程Ｓ１００では、先ず、ステップＳ１１０において、熱インプリント法によって、第１のプリント配線板４０の絶縁性基材４１を形成する。このステップＳ１１０は、同図に示すように、３つの工程Ｓ１１１〜Ｓ１１３から構成されている。 In step S100 for forming the first printed wiring board 40, first, in step S110, the insulating base material 41 of the first printed wiring board 40 is formed by a thermal imprint method. This step S110 is composed of three steps S111 to S113 as shown in FIG.

図７のステップＳ１１１において、図８（ａ）に示すように、インプリント装置のステージ（下型）７１の上に、絶縁性基材４１を形成することとなる樹脂フィルム６１を載置する。同図に示すように、インプリント装置のプレスヘッド７２には、上述したインプリントモールド１０が固定されている。なお、絶縁性基材４１とステージ７１との間に、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）や離型処理されたガラス等のシートを介在させてもよい。 In step S111 of FIG. 7, as shown in FIG. 8A, a resin film 61 that will form the insulating base material 41 is placed on the stage (lower mold) 71 of the imprint apparatus. As shown in the figure, the above-described imprint mold 10 is fixed to a press head 72 of the imprint apparatus. Note that, for example, a sheet of polytetrafluoroethylene (PTFE) or glass that has been subjected to a release treatment may be interposed between the insulating base 41 and the stage 71.

次いで、ステージ７１やプレスヘッド７２に埋設されたヒータ（不図示）によって樹脂フィルム６１やインプリントモールド１０を加熱した後、図７のステップＳ１１２において、減圧下でプレスヘッド７２をステージ７１に向かって下降させることで、図８（ｂ）に示すように、インプリントモールド１０を樹脂フィルム６１に押し付ける。なお、本実施形態では、樹脂フィルム６１及びインプリントモールド１０の双方を加熱しているが、特にこれに限定されず、少なくとも一方を加熱すればよい。 Next, after the resin film 61 and the imprint mold 10 are heated by a heater (not shown) embedded in the stage 71 and the press head 72, the press head 72 is moved toward the stage 71 under reduced pressure in step S112 of FIG. By lowering, the imprint mold 10 is pressed against the resin film 61 as shown in FIG. In addition, in this embodiment, although both the resin film 61 and the imprint mold 10 are heated, it is not limited to this in particular, What is necessary is just to heat at least one.

インプリントモールド１０を樹脂フィルム６１に押し付けると、同図に示すように、インプリントモールド１０の表面形状（突起部１２及び凸部１５の形状）が樹脂フィルム６１に転写されて、絶縁性基材４１が形成される。この絶縁性基材４１は、上述のように、インプリントモールド１０の突起部１２及び凸部１５に対応する貫通孔４１１及び溝部４１４を有している。 When the imprint mold 10 is pressed against the resin film 61, the surface shape of the imprint mold 10 (the shape of the protrusions 12 and the protrusions 15) is transferred to the resin film 61 as shown in FIG. 41 is formed. As described above, the insulating base 41 has the through holes 411 and the grooves 414 corresponding to the protrusions 12 and the protrusions 15 of the imprint mold 10.

上述のように、突起部１２の高さｈ_１は、絶縁性基材４１の厚さｔ_０よりも若干低く設定されているので（ｈ_１＜ｔ_０）、図８（ｂ）に示すように、このステップＳ１１２においてインプリントモールド１０を樹脂フィルム６１に押し付けた状態において、貫通孔４１１は絶縁性基材４１を完全には貫通しておらず、当該貫通孔４１１の底部に残膜４１１ａが残っている。 As described above, since the height h ₁ of the protrusion 12 is set slightly lower than the thickness t ₀ of the insulating base material 41 (h ₁ <t ₀ ), as shown in FIG. In addition, in the state where the imprint mold 10 is pressed against the resin film 61 in this step S112, the through hole 411 does not completely penetrate the insulating base material 41, and the remaining film 411a is formed at the bottom of the through hole 411. Remaining.

例えば、厚さ２５［μｍ］の液晶ポリマ（ＬＣＰ）を樹脂フィルム６１として用い、インプリントモールド１０の突起部１２の高さｈ_１を２４［μｍ］とし、ステージ７１及びプレスヘッド７２を２９０［℃］まで加熱して、０．２５［ＭＰａ］の圧力でインプリントモールド１０を樹脂フィルム６１に押し当てた場合、最大で０．３［μｍ］程度の残膜４１１ａが貫通孔４１１の底部に残る。 For example, a liquid crystal polymer (LCP) having a thickness of 25 [μm] is used as the resin film 61, the height h ₁ of the protrusion 12 of the imprint mold 10 is 24 [μm], and the stage 71 and the press head 72 are 290 [ When the imprint mold 10 is pressed against the resin film 61 at a pressure of 0.25 [MPa], the remaining film 411a of about 0.3 [μm] at the maximum is formed at the bottom of the through-hole 411. Remain.

次いで、図７のステップＳ１１３において、図８（ｃ）に示すように、絶縁性基材４１を所定温度（例えば６０℃程度）まで冷却した後に、プレスヘッド７２をステージ７１から上昇させることで、絶縁性基材４１をインプリントモールド１０から取り外す。 Next, in step S113 of FIG. 7, as shown in FIG. 8C, after the insulating base material 41 is cooled to a predetermined temperature (for example, about 60 ° C.), the press head 72 is raised from the stage 71, The insulating base material 41 is removed from the imprint mold 10.

この際、本実施形態では、インプリントモールドの突起部１２の先端面１４１に親油性膜１６が形成されているので、図１１に示すように、当該親油性膜１６を介して先端面１４１と残膜４１１ａとが密着し、絶縁性基材４１とステージ７１との密着力や残膜４１１ａの端裂強度よりも、突起部１２の先端面１４１と残膜４１１ａとの密着力の方が大きくなっている。このため、ステップＳ１１３において、インプリントモールド１０を離型する際に、突起部１２と共に当該残膜４１１ａを絶縁性基材４１から引き剥がすことができるので、貫通孔４１１を高精度に形成することができる。なお、端裂強度とは、フィルム等の端部に生じる欠損や破れに対する強度をいう。 At this time, in the present embodiment, since the lipophilic film 16 is formed on the front end surface 141 of the protrusion 12 of the imprint mold, as shown in FIG. The residual film 411a is in close contact, and the adhesive force between the distal end surface 141 of the protrusion 12 and the residual film 411a is greater than the adhesive strength between the insulating substrate 41 and the stage 71 and the tear strength of the residual film 411a. It has become. For this reason, when releasing the imprint mold 10 in step S113, the residual film 411a can be peeled off from the insulating base material 41 together with the protrusions 12, so that the through hole 411 is formed with high accuracy. Can do. The term “end tear strength” refers to the strength against breakage or breakage that occurs at the end of a film or the like.

一方、突起部１２の先端面１４１を除いてインプリントモールド１０の表面には離型膜１７が形成されているので、絶縁性基材４１とステージ７１とが密着したままで、インプリントモールド１０が絶縁性基材４１から離れる。 On the other hand, since the release film 17 is formed on the surface of the imprint mold 10 except for the front end surface 141 of the projecting portion 12, the insulating substrate 41 and the stage 71 remain in close contact with each other. Is separated from the insulating base material 41.

なお、特に限定されないが、インプリントモールド１０の突起部１２の先端面１４１に付着した残膜４１１ａは、離型の後に、例えば、エチレングリコール等によって除去される。 In addition, although it does not specifically limit, the residual film 411a adhering to the front end surface 141 of the projection part 12 of the imprint mold 10 is removed by, for example, ethylene glycol after the release.

次いで、図７のステップＳ１２０において、図９（ａ）に示すように、絶縁性基材４１の表面に、無電解めっきによって給電層６２を形成する。この給電層６２は、例えば、銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）等から構成されており、０．２［μｍ］程度の厚さを有している。なお、無電解めっきに代えて、ＤＰＰ（Direct Plating Process）、スパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ等によって給電層を形成してもよく、給電層６２を、例えばカーボンやパラジウム等で構成してもよい。 Next, in step S120 of FIG. 7, as shown in FIG. 9A, a power feeding layer 62 is formed on the surface of the insulating base material 41 by electroless plating. The power feeding layer 62 is made of, for example, copper (Cu), nickel (Ni), or the like, and has a thickness of about 0.2 [μm]. Instead of electroless plating, the power supply layer may be formed by DPP (Direct Plating Process), sputtering, vacuum deposition, CVD, or the like, and the power supply layer 62 may be made of, for example, carbon or palladium.

次いで、図７のステップＳ１３０において、図９（ｂ）に示すように、ステップＳ１２０で形成した給電層６２を利用して、絶縁性基材４１の貫通孔４１１及び溝部４１４内に、電解めっきによって銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）を充填してめっき層６３を形成する。 Next, in step S130 of FIG. 7, as shown in FIG. 9B, by using the power feeding layer 62 formed in step S <b> 120, electrolytic plating is applied to the through holes 411 and the grooves 414 of the insulating base material 41. The plating layer 63 is formed by filling copper (Cu) or nickel (Ni).

次いで、図７のステップＳ１４０において、図９（ｃ）に示すように、絶縁性基材４１の上面４１５が露出するまで、めっき層６３をＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)等によって研磨して平坦化する。これにより、第１のプリント配線板４０のバイアホール４２や上側配線パターン４５が形成される。なお、めっき層６３の上面をエッチングすることで平坦化してもよい。 Next, in step S140 of FIG. 7, as shown in FIG. 9C, the plating layer 63 is polished and planarized by CMP (Chemical Mechanical Polishing) or the like until the upper surface 415 of the insulating base material 41 is exposed. . Thereby, the via hole 42 and the upper wiring pattern 45 of the first printed wiring board 40 are formed. Note that the upper surface of the plating layer 63 may be planarized by etching.

次いで、図７のステップＳ１５０において、図１０（ａ）に示すように、サブトラクティブ法によって下側配線パターン４６を形成することで、第１のプリント配線板４０が完成する。具体的には、めっき層６３の下面に下側配線パターン４６に対応したレジストパターン６４を形成し、めっき層６３において当該レジストパターン６４から露出している部分をエッチングした後に、レジストパターン６４を除去することで、下側配線パターン４６が形成される。 Next, in step S150 of FIG. 7, as shown in FIG. 10A, the first printed wiring board 40 is completed by forming the lower wiring pattern 46 by the subtractive method. Specifically, a resist pattern 64 corresponding to the lower wiring pattern 46 is formed on the lower surface of the plating layer 63, and a portion of the plating layer 63 exposed from the resist pattern 64 is etched, and then the resist pattern 64 is removed. As a result, the lower wiring pattern 46 is formed.

なお、下側配線パターン４６をセミアディティブ法によって形成してもよい。具体的には、特に図示しないが、ステップＳ１２０で形成した給電層６２の上に下側配線パターン４６に対応したレジストパターンを形成し、ステップＳ１３０での電解めっきによって、下側配線パターン４６を形成し、当該レジストパターンを除去した後に、給電層６２の不要な部分をエッチングによって除去する。 The lower wiring pattern 46 may be formed by a semi-additive method. Specifically, although not particularly illustrated, a resist pattern corresponding to the lower wiring pattern 46 is formed on the power supply layer 62 formed in step S120, and the lower wiring pattern 46 is formed by electrolytic plating in step S130. Then, after removing the resist pattern, unnecessary portions of the power feeding layer 62 are removed by etching.

次いで、図７のステップＳ２００において、特に図示しないが、上述したステップＳ１００と同様の要領で、第２のプリント配線板５０を形成する。すなわち、絶縁性基材５１を熱インプリント法によって形成し、無電解めっきによって給電層を形成した後に、バイアホール５２と配線パターン５５を電解めっきによって形成し、めっき層を研磨して平坦化することで、第２のプリント配線板５０を形成する。なお、第２のプリント配線板５０の下面は、第１のプリント配線板４０の上に積層されるため、めっき層が除去されており、配線パターンが形成されていない。 Next, in step S200 of FIG. 7, although not particularly shown, the second printed wiring board 50 is formed in the same manner as in step S100 described above. That is, after forming the insulating substrate 51 by a thermal imprint method and forming a power feeding layer by electroless plating, the via hole 52 and the wiring pattern 55 are formed by electrolytic plating, and the plating layer is polished and flattened. Thus, the second printed wiring board 50 is formed. Since the lower surface of the second printed wiring board 50 is laminated on the first printed wiring board 40, the plating layer is removed and no wiring pattern is formed.

次いで、図７のステップＳ３００において、図１０（ｂ）に示すように、第１のプリント配線板４０の上に第２のプリント配線板５０を積層して、積層プレス装置８０によって一括してプレスすることで、多層プリント配線板３０が完成する。 Next, in step S300 of FIG. 7, as shown in FIG. 10B, the second printed wiring board 50 is laminated on the first printed wiring board 40 and pressed together by the laminating press apparatus 80. As a result, the multilayer printed wiring board 30 is completed.

以上のように、本実施形態では、インプリントモールド１０の突起部１２の先端面１４１に親油性膜１６が形成されているので、絶縁性基材４１の貫通孔４１１の底部に残った残膜４１１ａに突起部１２が密着する。このため、離型の際に、突起部１２と共に当該残膜４１１ａを絶縁性基材４１から引き剥がすことができるので、貫通孔４１１を高精度に形成することができる。 As described above, in this embodiment, since the lipophilic film 16 is formed on the distal end surface 141 of the protrusion 12 of the imprint mold 10, the remaining film remaining on the bottom of the through hole 411 of the insulating base material 41. The protrusion 12 is in close contact with 411a. For this reason, since the residual film 411a can be peeled off from the insulating base material 41 together with the protrusions 12 at the time of mold release, the through hole 411 can be formed with high accuracy.

また、本実施形態では、インプリントモールド１０を樹脂フィルム６１に押し当てた際に、突起部１２が樹脂フィルム６１を貫通せずステージ７１に当接しないので、突起部１２の損傷を防止することもできる。 Further, in this embodiment, when the imprint mold 10 is pressed against the resin film 61, the protrusion 12 does not penetrate the resin film 61 and does not contact the stage 71, thereby preventing damage to the protrusion 12. You can also.

なお、本実施形態における図２のステップＳ１９〜Ｓ２２が本発明における第１の工程の一例に相当し、本実施形態における図７のステップＳ１１０が本発明における第２の工程の一例に相当し、本実施形態における図７のステップＳ１２０及びＳ１３０が本発明における第３の工程の一例に相当する。 2 in this embodiment corresponds to an example of the first step in the present invention, and step S110 in FIG. 7 in the present embodiment corresponds to an example of the second step in the present invention. Steps S120 and S130 of FIG. 7 in this embodiment correspond to an example of the third step in the present invention.

また、本実施形態における樹脂フィルム６１が本発明における被成形体の一例に相当し、本実施形態における絶縁性基材４１が本発明における基材の一例に相当し、本実施形態における貫通孔４１１が本発明における貫通孔の一例に相当する。 Further, the resin film 61 in the present embodiment corresponds to an example of a molded body in the present invention, the insulating base material 41 in the present embodiment corresponds to an example of a base material in the present invention, and the through hole 411 in the present embodiment. Corresponds to an example of the through hole in the present invention.

なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating the understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

１０…インプリントモールド
１１…ベース
１２…突起部
１３…台座部
１４…柱部
１４１…先端面
１５…凸部
１６…親油性膜
１７…離型膜
３０…多層プリント配線板
４０…第１のプリント配線板
４１…絶縁性基材
４１１…貫通孔
４１１ａ…残膜
４１４…溝部
４２…バイアホール
４５，４６…配線パターン
５０…第２のプリント配線板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Imprint mold 11 ... Base 12 ... Protrusion part 13 ... Base part 14 ... Column part 141 ... Front end surface 15 ... Convex part 16 ... Lipophilic film 17 ... Release film 30 ... Multilayer printed wiring board 40 ... 1st print Wiring board 41 ... Insulating substrate 411 ... Through hole
411a ... Residual film 414 ... Groove part 42 ... Via hole 45, 46 ... Wiring pattern 50 ... Second printed wiring board

Claims

A support part;
A protrusion protruding from the support,
An imprint mold comprising: an oleophilic film formed on a tip surface of the protrusion.

The imprint mold according to claim 1,
The imprint mold, wherein the lipophilic film is composed of hexamethyldisilazane (HMDS) or octadecyltrichlorosilane (OTS).

A method of manufacturing a printed wiring board,
A first step of forming a lipophilic film on the tip surface of the protrusion of the imprint mold;
A second step of pressing the imprint mold against the molded body to form a substrate having a through hole;
And a third step of filling the through hole with a conductor.

It is a manufacturing method of the printed wiring board according to claim 3,
The method of manufacturing a printed wiring board, wherein the lipophilic film is composed of hexamethyldisilazane (HMDS) or octadecyltrichlorosilane (OTS).