KR20220015946A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20220015946A
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isopropyl alcohol
processing
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KR1020210096052A
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시게루 야마모토
다이키 후지이
겐지 에다미츠
게이지 이와타
유야 가와이
겐이치 이토
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

The present invention provides a substrate processing method and a substrate processing device. The substrate processing method includes: a process (S14) of storing diluted isopropyl alcohol (dIPA), which is the diluted isopropyl alcohol, in a treatment tank (3); and an immersion process (S15) of immersing a water-repellent treated substrate (W) in the dIPA in the treatment tank (3).

Description

기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing method, and substrate processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하여, 반도체 장치와 같은 제품을 제조하는 공정에는, 약액에 의해 기판을 처리하는 약액 처리 공정과, 린스액에 의해 기판의 표면으로부터 약액을 제거하는 린스 공정과, 기판을 건조시키는 건조 공정이 포함된다.In the process of processing a substrate such as a semiconductor wafer and manufacturing a product such as a semiconductor device, a chemical treatment step of treating the substrate with a chemical solution, a rinsing step of removing the chemical solution from the surface of the substrate with a rinse solution, and the substrate A drying process of drying is included.

그러나, 건조 공정에 있어서, 기판의 표면에 형성되어 있는 패턴이 도괴하는 경우가 있다. 패턴의 도괴는, 패턴 내에 침입한 린스액의 표면 장력에서 기인한다.However, in the drying step, the pattern formed on the surface of the substrate may collapse. The collapse of the pattern originates from the surface tension of the rinse liquid penetrating into the pattern.

그래서, 패턴의 도괴를 회피하기 위해서, 기판에 발수화제를 공급하여 패턴을 발수성 보호막으로 덮는 경우가 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 약액 처리, 순수 린스 처리, 알코올 린스 처리, 발수성 처리, 알코올 린스 처리, 순수 린스 처리, 및 건조 처리를 기판에 대하여 순차적으로 실행하는 기판 처리 방법이 개시되어 있다. 발수성 처리 후의 알코올 린스 처리는, 기판의 표면에 잔류하고 있는 발수화제를 IPA (이소프로필알코올) 로 치환하여 제거하는 처리이다.Therefore, in order to avoid collapsing of the pattern, a water repellent agent is supplied to the substrate to cover the pattern with a water repellent protective film in some cases. For example, Patent Document 1 discloses a substrate processing method in which a chemical treatment, a pure water rinse treatment, an alcohol rinse treatment, a water repellency treatment, an alcohol rinse treatment, a pure water rinse treatment, and a drying treatment are sequentially performed on a substrate. The alcohol rinse treatment after the water repellency treatment is a treatment for removing the water repellent agent remaining on the surface of the substrate by replacing it with IPA (isopropyl alcohol).

일본 공개특허공보 2010-114414호Japanese Patent Laid-Open No. 2010-114414

그러나, 발수성 처리 후에 알코올 린스 처리를 실시하면, 기판의 표면에 잔류하고 있는 발수화제가 IPA 와 반응하여 파티클이 발생하는 경우가 있다. 이 결과, 기판의 청정도가 저하할 가능성이 있다.However, when an alcohol rinse treatment is performed after the water repellency treatment, the water repellent agent remaining on the surface of the substrate may react with the IPA to generate particles. As a result, there is a possibility that the cleanliness of the substrate may decrease.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판의 청정도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.This invention was made in view of the said subject, The objective is to provide the substrate processing method which can improve the cleanliness of a board|substrate, and a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 국면에 의하면, 기판 처리 방법은, 기판을 처리하는 방법이다. 당해 기판 처리 방법은, 희석화된 이소프로필알코올인 희석 이소프로필알코올을 처리조에 저장하는 공정과, 상기 처리조 내의 상기 희석 이소프로필알코올에, 발수화 처리된 상기 기판을 침지시키는 침지 공정을 포함한다.According to one aspect of the present invention, a substrate processing method is a method of processing a substrate. The substrate treatment method includes a step of storing diluted isopropyl alcohol, which is diluted isopropyl alcohol, in a treatment tank, and an immersion step of immersing the water-repellent treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 처리조 내의 상기 희석 이소프로필알코올에, 발수화 처리된 상기 기판을 침지시키기 전에, 상기 기판을 건조시키는 공정을 추가로 포함한다.In any embodiment, the said substrate processing method further includes the process of drying the said board|substrate before immersing the said board|substrate subjected to a water repellency treatment in the said diluted isopropyl alcohol in the said processing tank.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 처리조를 수용하는 밀폐 공간 내에, 증기화된 발수화제를 공급하여, 상기 기판을 발수화 처리하는 공정을 추가로 포함한다.In any embodiment, the method for treating the substrate further includes a step of supplying a vaporized water repellent agent into a closed space accommodating the treatment tank to water repellent treatment of the substrate.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 처리조 내에 저장된 린스액에 상기 기판을 침지시키는 공정과, 상기 린스액으로부터 상기 기판을 인상하는 공정과, 상기 처리조로부터 상기 린스액을 배액하는 공정을 추가로 포함한다. 상기 린스액의 배액 후에 상기 발수화 처리를 실시한다.In an embodiment, the substrate processing method includes: immersing the substrate in a rinse solution stored in the treatment tank; pulling up the substrate from the rinse solution; and draining the rinse solution from the treatment tank It further includes a process. After draining the rinse liquid, the water repellent treatment is performed.

어느 실시형태에서는, 상기 발수화 처리 후에, 상기 밀폐 공간 내에 증기화된 유기 용매를 공급한다.In one embodiment, after the water-repellent treatment, a vaporized organic solvent is supplied into the sealed space.

어느 실시형태에서는, 상기 밀폐 공간 내를 감압하여, 상기 발수화 처리를 실시한다.In a certain embodiment, the inside of the said sealed space is pressure-reduced, and the said water-repellent treatment is implemented.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 희석 이소프로필알코올을 상기 처리조에 저장하기 전에, 상기 밀폐 공간 내의 압력을 대기압으로 되돌리는 공정을 추가로 포함한다.In any embodiment, the method for treating the substrate further includes a step of returning the pressure in the sealed space to atmospheric pressure before storing the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 희석 이소프로필알코올로부터 상기 기판을 인상하는 인상 공정과, 상기 희석 이소프로필알코올로부터 인상된 상기 기판을 건조시키는 건조 공정을 추가로 포함한다.In any embodiment, the substrate processing method further includes a pulling step of pulling up the substrate from the diluted isopropyl alcohol, and a drying step of drying the substrate pulled up from the diluted isopropyl alcohol.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 인상 공정 전에, 상기 처리조를 수용하는 밀폐 공간 내에, 증기화된 유기 용매를 공급하는 공정을 추가로 포함한다. 상기 건조 공정은, 상기 밀폐 공간 내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함한다.In any embodiment, the said substrate processing method further includes the process of supplying the vaporized organic solvent in the sealed space which accommodates the said processing tank before the said pulling-up process. The drying step includes a step of supplying an inert gas into the sealed space.

어느 실시형태에서는, 상기 처리조를 수용하는 밀폐 공간 내를 감압하여, 상기 건조 공정을 실시한다.In certain embodiment, the inside of the sealed space which accommodates the said processing tank is pressure-reduced, and the said drying process is implemented.

어느 실시형태에서는, 상기 침지 공정에 있어서, 상기 처리조에 상기 희석 이소프로필알코올을 공급한다.In a certain embodiment, the said immersion process WHEREIN: The said diluted isopropyl alcohol is supplied to the said processing tank.

어느 실시형태에서는, 상기 침지 공정에 있어서, 상기 기판을 진동시킨다.In any embodiment, in the said immersion process, the said board|substrate is vibrated.

어느 실시형태에서는, 상기 희석 이소프로필알코올에 있어서, 이소프로필알코올의 농도는 0.3 ％ 이상 5 ％ 미만이다.In a certain embodiment, in the said diluted isopropyl alcohol, the density|concentration of isopropyl alcohol is 0.3 % or more and less than 5 %.

본 발명의 다른 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판을 처리한다. 당해 기판 처리 장치는, 처리조와, 챔버와, 이동부와, 제어부를 구비한다. 상기 처리조는, 희석화된 이소프로필알코올인 희석 이소프로필알코올을 저류한다. 상기 챔버는, 상기 처리조를 수용한다. 상기 이동부는, 상기 챔버 내에 있어서, 상기 처리조 내의 제 1 처리 위치와, 상기 처리조 밖의 제 2 처리 위치 사이에서 상기 기판을 이동시킨다. 상기 제어부는, 상기 이동부를 제어하여, 상기 처리조 내의 상기 희석 이소프로필알코올에, 발수화 처리된 상기 기판을 침지시킨다.According to another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus processes a substrate. The said substrate processing apparatus is equipped with a processing tank, a chamber, a moving part, and a control part. The said treatment tank stores diluted isopropyl alcohol which is diluted isopropyl alcohol. The chamber accommodates the treatment tank. The moving unit moves the substrate between a first processing position in the processing tank and a second processing position outside the processing tank in the chamber. The control unit controls the moving unit to immerse the substrate subjected to water repellency treatment in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank.

본 발명에 관련된 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치에 의하면, 기판의 청정도를 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing method and substrate processing apparatus which concern on this invention, the cleanliness of a board|substrate can be improved.

도 1 은, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치의 내부의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치의 내부의 구성을 나타내는 다른 모식도이다.
도 3 은, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 4 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 5 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 6 은, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 7 은, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 8 은, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 9 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 10 은, 본 발명의 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 11 은, 본 발명의 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 12 는, 본 발명의 실시형태 3 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 13 은, 본 발명의 실시형태 3 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 14 는, 본 발명의 실시형태 3 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 15 는, 본 발명의 실시형태 3 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 16 은, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the internal structure of the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention.
2 is another schematic diagram showing the internal configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention.
4 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention.
5 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention.
6 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention.
7 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention.
8 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention.
9 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention.
10 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 2 of the present invention.
11 is a flowchart showing a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention.
12 is a flowchart showing a substrate processing method according to a third embodiment of the present invention.
13 is a flowchart showing a substrate processing method according to a third embodiment of the present invention.
14 is a flowchart showing a substrate processing method according to a third embodiment of the present invention.
15 is a flowchart showing a substrate processing method according to a third embodiment of the present invention.
16 is a flowchart showing a substrate processing method according to another embodiment of the present invention.

이하, 도면 (도 1 ∼ 도 16) 을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치에 관련된 실시형태를 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태로 한정되지 않는다. 또한, 설명이 중복되는 지점에 대해서는, 적절히 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고 설명을 반복하지 않는다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment concerning the substrate processing method of this invention and a substrate processing apparatus is described with reference to drawings (FIG. 1-16). However, this invention is not limited to the following embodiment. In addition, about the point where description overlaps, description may be abbreviate|omitted suitably. In the drawings, the same reference numerals are assigned to the same or equivalent parts, and descriptions are not repeated.

본 명세서에서는, 이해를 용이하게 하기 위해서, 서로 직교하는 X 방향, Y 방향 및 Z 방향을 기재하는 경우가 있다. 전형적으로는, X 방향 및 Y 방향은 수평 방향에 평행이고, Z 방향은 연직 방향에 평행이다. 단, 이들 방향의 정의에 의해, 본 발명에 관련된 기판 처리 방법의 실행시의 방향, 및 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 사용시의 방향을 한정하는 의도는 없다.In this specification, in order to facilitate understanding, the X direction, the Y direction, and the Z direction orthogonal to each other may be described in some cases. Typically, the X and Y directions are parallel to the horizontal direction, and the Z direction is parallel to the vertical direction. However, there is no intention to limit the direction at the time of execution of the substrate processing method which concerns on this invention by the definition of these directions, and the direction at the time of use of the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

본 실시형태에 있어서의 「기판」 에는, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라즈마 표시용 유리 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 및 광 자기 디스크용 기판 등의 각종 기판을 적용 가능하다. 이하에서는 주로, 원반상의 반도체 웨이퍼의 처리에 사용되는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 예로 들어 본 실시형태를 설명하지만, 위에 예시한 각종 기판의 처리에도 동일하게 적용 가능하다. 또한, 기판의 형상에 대해서도 각종의 것을 적용 가능하다."Substrate" in this embodiment includes semiconductor wafer, photomask glass substrate, liquid crystal display glass substrate, plasma display glass substrate, FED (Field Emission Display) substrate, optical disk substrate, magnetic disk substrate , and various substrates such as substrates for magneto-optical disks are applicable. Hereinafter, although this embodiment is mainly demonstrated taking the substrate processing method and substrate processing apparatus used for the processing of a disk-shaped semiconductor wafer as an example, it is similarly applicable to the processing of the various board|substrates illustrated above. Moreover, various things are applicable also about the shape of a board|substrate.

[실시형태 1][Embodiment 1]

이하, 도 1 ∼ 도 9 를 참조하여 본 발명의 실시형태 1 을 설명한다. 먼저, 도 1 및 도 2 를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 1 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 내부의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 2 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 내부의 구성을 나타내는 다른 모식도이다. 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 는 배치식이다. 따라서, 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 처리한다. 구체적으로는, 기판 처리 장치 (100) 는, 로트 단위로 복수의 기판 (W) 을 처리한다. 1 로트는, 예를 들어 25 장의 기판 (W) 으로 이루어진다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Embodiment 1 of this invention is described with reference to FIGS. First, with reference to FIG. 1 and FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 1 : is a schematic diagram which shows the internal structure of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. 2 : is another schematic diagram which shows the structure inside the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. The substrate processing apparatus 100 of this embodiment is a batch type. Therefore, the substrate processing apparatus 100 processes the some board|substrate W collectively. Specifically, the substrate processing apparatus 100 processes the plurality of substrates W in a lot unit. One lot consists of the board|substrates W of 25 sheets, for example.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 처리 유닛 (101) 을 구비한다. 처리 유닛 (101) 은, 기판 (W) 을 건조시킨다. 구체적으로는, 처리 유닛 (101) 은, 챔버 (2) 와, 처리조 (3) 와, 기체 공급부 (4) 와, 액 공급부 (5) 와, 유지부 (50) 와, 개폐부 (102) 와, 승강부 (103) 를 구비한다. 이하, 처리 유닛 (101) 을, 「건조 처리 유닛 (101)」 이라고 기재한다.1 , the substrate processing apparatus 100 includes a processing unit 101 . The processing unit 101 dries the substrate W. Specifically, the processing unit 101 includes a chamber 2 , a processing tank 3 , a gas supply unit 4 , a liquid supply unit 5 , a holding unit 50 , and an opening/closing unit 102 , , and a lifting unit 103 . Hereinafter, the processing unit 101 is described as "dry processing unit 101".

기판 (W) 은, 패턴이 형성된 패턴 형성면을 갖는다. 패턴은, 웨트 에칭 처리에 의해 기판 (W) 의 표면에 형성된다. 구체적으로는, 기판 처리 장치 (100) 는, 건조 처리 유닛 (101) 이외에, 기판 (W) 을 에칭하는 처리 유닛을 구비한다. 이 처리 유닛에 의해 에칭된 기판 (W) 이, 건조 처리 유닛 (101) 에 반송 (반입) 된다.The board|substrate W has the pattern formation surface in which the pattern was formed. A pattern is formed in the surface of the board|substrate W by a wet etching process. Specifically, the substrate processing apparatus 100 includes a processing unit that etches the substrate W in addition to the drying processing unit 101 . The substrate W etched by this processing unit is conveyed (carried in) to the drying processing unit 101 .

챔버 (2) 에는, 처리조 (3) 와, 기체 공급부 (4) 와, 액 공급부 (5) 가 수용된다. 또한, 챔버 (2) 에는, 기판 (W) 의 처리시에 유지부 (50) 가 수용된다. 챔버 (2) 는, 커버 (2a) 를 갖는다. 커버 (2a) 는, 챔버 (2) 의 상부의 개구에 장착되어 있다. 커버 (2a) 는 개폐 가능하다.In the chamber 2 , the processing tank 3 , the gas supply unit 4 , and the liquid supply unit 5 are accommodated. Moreover, the holding part 50 is accommodated in the chamber 2 at the time of processing of the board|substrate W. As shown in FIG. The chamber 2 has a cover 2a. The cover 2a is attached to the upper opening of the chamber 2 . The cover 2a is openable and openable.

처리조 (3) 는, 처리액을 저류한다. 처리액은, 린스액과, 희석 IPA (이소프로필알코올) 를 포함한다. 따라서, 처리조 (3) 는, 린스액과, 희석 IPA 를 저류한다. 희석 IPA 는, 희석화된 IPA 를 나타낸다. 본 실시형태에 있어서, 린스액은, DIW (Deionized Water : 탈이온수) 이다. 또한, 희석 IPA 는, DIW 에 의해 희석화된 IPA 이다. 다시 말하면, 희석 IPA 는, IPA 와 DIW 의 혼합액이다. 이하, 희석 IPA 를 「dIPA 」 라고 기재하는 경우가 있다.The processing tank 3 stores the processing liquid. The treatment liquid contains a rinse liquid and diluted IPA (isopropyl alcohol). Accordingly, the treatment tank 3 stores the rinse liquid and the diluted IPA. Diluted IPA represents diluted IPA. In the present embodiment, the rinse liquid is DIW (Deionized Water: deionized water). In addition, diluted IPA is IPA diluted with DIW. In other words, the diluted IPA is a mixture of IPA and DIW. Hereinafter, diluted IPA may be described as "dIPA".

기체 공급부 (4) 는, 챔버 (2) 내에 기체를 공급한다. 구체적으로는, 기체 공급부 (4) 는, 챔버 (2) 내에, 불활성 가스와, 유기 용제의 증기와, 발수화제 (SMT) 의 증기를 공급한다. 본 실시형태에 있어서, 유기 용제의 증기는, IPA 의 증기이다.The gas supply unit 4 supplies gas into the chamber 2 . Specifically, the gas supply unit 4 supplies an inert gas, an organic solvent vapor, and a water repellent agent (SMT) vapor into the chamber 2 . In the present embodiment, the vapor of the organic solvent is the vapor of IPA.

상세하게는, 기체 공급부 (4) 는, 제 1 노즐 (11) ∼ 제 8 노즐 (18) 을 갖는다. 제 1 노즐 (11) ∼ 제 8 노즐 (18) 은, 챔버 (2) 의 내부이고, 처리조 (3) 의 외부에 배치된다. 구체적으로는, 제 1 노즐 (11) ∼ 제 8 노즐 (18) 은, 처리조 (3) 의 상방에 배치된다. 도 2 를 참조하여 설명하는 바와 같이, 제 1 노즐 (11) ∼ 제 6 노즐 (16) 은, 불활성 가스를 토출한다. 또한, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 은, IPA 의 증기를 추가로 토출한다. 제 7 노즐 (17) 및 제 8 노즐 (18) 은, 발수화제 (SMT) 의 증기를 토출한다.In detail, the gas supply part 4 has the 1st nozzle 11 - the 8th nozzle 18. The 1st nozzle 11 - the 8th nozzle 18 are the inside of the chamber 2, and are arrange|positioned outside the processing tank 3 . Specifically, the 1st nozzle 11 - the 8th nozzle 18 are arrange|positioned above the processing tank 3 . As demonstrated with reference to FIG. 2, the 1st nozzle 11 - the 6th nozzle 16 discharge an inert gas. Moreover, the 3rd nozzle 13 and the 4th nozzle 14 further discharge the vapor|steam of IPA. The seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 discharge the vapor of the water repellent agent SMT.

발수화제 (SMT) 는, 예를 들어, 실리콘계 발수화제, 또는 메탈계 발수화제이다. 실리콘계 발수화제는, 실리콘 또는 실리콘을 포함하는 화합물을 발수화 (소수화) 시킨다. 메탈계 발수화제는, 금속 또는 금속을 포함하는 화합물을 발수화 (소수화) 시킨다.The water repellent agent (SMT) is, for example, a silicone type water repellent agent or a metal type water repellent agent. The silicone-based water repellent agent makes silicone or a compound containing silicone water repellent (hydrophobic). A metal-based water repellent agent makes a metal or a compound containing a metal water repellent (hydrophobic).

실리콘계 발수화제는, 예를 들어, 실란 커플링제이다. 실란 커플링제는, 예를 들어, HMDS (헥사메틸디실라잔), TMS (테트라메틸실란), 불소화알킬클로로실란, 알킬디실라잔, 및 비클로로계 소수화제의 적어도 1 개를 포함한다. 비클로로계 소수화제는, 예를 들어, 디메틸실릴디메틸아민, 디메틸실릴디에틸아민, 헥사메틸디실라잔, 테트라메틸디실라잔, 비스(디메틸아미노)디메틸실란, N,N-디메틸아미노트리메틸실란, N-(트리메틸실릴)디메틸아민, 및 오르가노실란 화합물의 적어도 1 개를 포함한다.The silicone-based water repellent agent is, for example, a silane coupling agent. The silane coupling agent includes, for example, at least one of HMDS (hexamethyldisilazane), TMS (tetramethylsilane), fluorinated alkylchlorosilane, alkyldisilazane, and a non-chloro-based hydrophobizing agent. The non-chloro-based hydrophobizing agent is, for example, dimethylsilyldimethylamine, dimethylsilyldiethylamine, hexamethyldisilazane, tetramethyldisilazane, bis(dimethylamino)dimethylsilane, N,N-dimethylaminotrimethylsilane , N-(trimethylsilyl)dimethylamine, and at least one organosilane compound.

메탈계 발수화제는, 예를 들어, 소수기를 갖는 아민, 및 유기 실리콘 화합물 중의 적어도 일방을 포함한다.The metal-based water repellent agent contains, for example, at least one of an amine having a hydrophobic group and an organosilicon compound.

발수화제 (SMT) 는, 친수성 유기 용매에 대하여 상용해성이 있는 용매로 희석되어 있어도 된다. 용매는, 예를 들어, IPA, 또는 PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 이다.The water repellent agent (SMT) may be diluted with a solvent having solubility with respect to the hydrophilic organic solvent. The solvent is, for example, IPA or PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate).

액 공급부 (5) 는, 처리조 (3) 에 처리액을 공급한다. 구체적으로는, 액 공급부 (5) 는, 린스액 (DIW) 과, dIPA 를 처리조 (3) 에 공급한다. 상세하게는, 액 공급부 (5) 는, 제 9 노즐 (19) 과, 제 10 노즐 (20) 을 갖는다. 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 은, 처리조 (3) 내에 배치된다. 도 2 를 참조하여 설명하는 바와 같이, 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 은, 린스액 (DIW) 과, dIPA 를 토출한다.The liquid supply unit 5 supplies the processing liquid to the processing tank 3 . Specifically, the liquid supply unit 5 supplies the rinse liquid DIW and dIPA to the treatment tank 3 . Specifically, the liquid supply unit 5 includes a ninth nozzle 19 and a tenth nozzle 20 . The 9th nozzle 19 and the 10th nozzle 20 are arrange|positioned in the processing tank 3 . As will be described with reference to FIG. 2 , the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 discharge the rinse liquid DIW and dIPA.

유지부 (50) 는, 복수의 기판 (W) 을 유지한다. 구체적으로는, 유지부 (50) 는, 복수의 유지봉 (51) 과, 본체판 (52) 을 갖는다. 본 실시형태에서는, 유지부 (50) 는, 3 개의 유지봉 (51) 을 갖는다. 본체판 (52) 은, 연직 방향 (Z 방향) 으로 연장되는 판상의 부재이다. 유지봉 (51) 은 각각, 본체판 (52) 의 일방의 주면으로부터 수평 방향 (X 방향) 으로 연장된다. 복수의 기판 (W) 의 각각의 하측 가장자리는, 복수 (여기서는, 3 개) 의 유지봉 (51) 에 맞닿는다. 복수의 기판 (W) 은, X 방향으로 간격을 두고 정렬한 상태에서, 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다.The holding part 50 holds the some board|substrate W. Specifically, the holding unit 50 includes a plurality of holding rods 51 and a main body plate 52 . In the present embodiment, the holding portion 50 has three holding rods 51 . The main body plate 52 is a plate-shaped member extending in the vertical direction (Z direction). The holding rods 51 each extend from one main surface of the main body plate 52 in the horizontal direction (X direction). Each lower edge of the plurality of substrates W abuts against the plurality of (here, three) holding rods 51 . The plurality of substrates W are maintained in a standing posture (vertical posture) in a state in which they are aligned at intervals in the X direction.

개폐부 (102) 는, 커버 (2a) 를 개폐시킨다. 즉, 개폐부 (102) 는, 커버 (2a) 를 열림 상태와 닫힘 상태 사이에서 천이시킨다. 커버 (2a) 가 개폐함으로써, 챔버 (2) 의 상부의 개구가 폐색 상태와 개방 상태의 사이에서 천이한다. 개폐부 (102) 는, 구동원과, 개폐 기구를 가지고 있고, 구동원에 의해 개폐 기구를 구동하여, 커버 (2a) 를 개폐시킨다. 구동원은, 예를 들어, 모터를 포함한다. 개폐 기구는, 예를 들어, 랙·피니언 기구를 포함한다.The opening and closing part 102 opens and closes the cover 2a. That is, the opening/closing portion 102 makes the cover 2a transition between the open state and the closed state. When the cover 2a is opened and closed, the opening of the upper part of the chamber 2 transitions between the closed state and the open state. The opening/closing unit 102 has a driving source and an opening/closing mechanism, and the driving source drives the opening/closing mechanism to open and close the cover 2a. The drive source includes, for example, a motor. The opening/closing mechanism includes, for example, a rack-and-pinion mechanism.

승강부 (103) 는, 유지부 (50) 를 승강시킨다. 승강부 (103) 가 유지부 (50) 를 승강시킴으로써, 유지부 (50) 에 유지되어 있는 기판 (W) 이 승강한다. 승강부 (103) 는, 구동원 및 승강 기구를 가지고 있고, 구동원에 의해 승강 기구를 구동하여, 유지부 (50) 를 상승 및 하강시킨다. 구동원은, 예를 들어, 모터를 포함한다. 승강 기구는, 예를 들어, 랙·피니언 기구 또는 볼 나사를 포함한다.The lifting unit 103 raises and lowers the holding unit 50 . When the lifting unit 103 raises and lowers the holding unit 50 , the substrate W held by the holding unit 50 moves up and down. The lifting unit 103 has a driving source and a lifting mechanism, and the driving source drives the lifting mechanism to raise and lower the holding unit 50 . The drive source includes, for example, a motor. The lifting mechanism includes, for example, a rack-and-pinion mechanism or a ball screw.

상세하게는, 승강부 (103) 는, 챔버 (2) 의 상부의 개구를 통하여, 챔버 (2) 의 외부와 내부 사이에서 유지부 (50) (기판 (W)) 를 이동 (승강) 시킨다. 즉, 승강부 (103) 는, 챔버 (2) 내로의 기판 (W) 의 반입과, 챔버 (2) 밖으로의 기판 (W) 의 반출을 실시한다.Specifically, the lifting unit 103 moves (lifts) the holding unit 50 (substrate W) between the outside and the inside of the chamber 2 through an opening in the upper portion of the chamber 2 . That is, the lifting unit 103 carries in the substrate W into the chamber 2 and carries out the substrate W out of the chamber 2 .

또한, 승강부 (103) 는, 챔버 (2) 내에 있어서, 처리조 (3) 내의 제 1 처리 위치와 처리조 (3) 밖의 제 2 처리 위치 사이에서 유지부 (50) (기판 (W)) 를 이동 (승강) 시킨다. 유지부 (50) 가 제 1 처리 위치로 이동함으로써, 기판 (W) 이 처리조 (3) 내로 이동한다. 유지부 (50) 가 제 2 처리 위치로 이동함으로써, 기판 (W) 이 처리조 (3) 밖으로 이동한다. 구체적으로는, 제 2 처리 위치는, 제 1 처리 위치의 상방의 위치이다. 유지부 (50) 가 제 2 처리 위치로 이동함으로써, 기판 (W) 이 처리조 (3) 의 상방의 공간으로 이동한다. 승강부 (103) 는, 이동부의 일례이다. 또한, 도 1 은, 제 1 처리 위치로 이동한 유지부 (50) 및 기판 (W) 을 실선으로 나타내고, 제 2 처리 위치로 이동한 유지부 (50) 및 기판 (W) 을 파선으로 나타내고 있다.Further, in the chamber 2 , the lifting unit 103 is disposed between the holding unit 50 (substrate W) between the first processing position inside the processing tank 3 and the second processing position outside the processing tank 3 . to move (elevate). When the holding part 50 moves to the first processing position, the substrate W moves into the processing tank 3 . When the holding part 50 moves to the second processing position, the substrate W moves out of the processing tank 3 . Specifically, the second processing position is a position above the first processing position. When the holding part 50 moves to the second processing position, the substrate W moves to the space above the processing tank 3 . The lifting unit 103 is an example of a moving unit. 1 shows the holding unit 50 and the substrate W moved to the first processing position by solid lines, and the holding unit 50 and the substrate W moving to the second processing position by broken lines. .

계속해서, 도 1 을 참조하여 기판 처리 장치 (100) 를 추가로 설명한다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 제어 장치 (110) 를 추가로 구비한다. 제어 장치 (110) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 각 부의 동작을 제어한다. 구체적으로는, 제어 장치 (110) 는, 제어부 (111) 와, 기억부 (112) 를 포함한다.Then, with reference to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 is demonstrated further. 1 , the substrate processing apparatus 100 further includes a control apparatus 110 . The control apparatus 110 controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus 100 . Specifically, the control device 110 includes a control unit 111 and a storage unit 112 .

제어부 (111) 는, 프로세서를 갖는다. 제어부 (111) 는, 예를 들어, CPU (Central Processing Unit), 또는, MPU (Micro Processing Unit) 를 갖는다. 혹은, 제어부 (111) 는, 범용 연산기를 가져도 된다.The control unit 111 has a processor. The control unit 111 includes, for example, a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Micro Processing Unit). Alternatively, the control unit 111 may have a general-purpose calculator.

기억부 (112) 는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 데이터는, 레시피 데이터를 포함한다. 레시피 데이터는, 복수의 레시피를 나타내는 정보를 포함한다. 복수의 레시피의 각각은, 기판 (W) 의 처리 내용 및 처리 순서를 규정한다.The storage unit 112 stores data and computer programs. The data includes recipe data. Recipe data contains information indicating a plurality of recipes. Each of the plurality of recipes prescribes the processing content and processing order of the substrate W. As shown in FIG.

기억부 (112) 는, 주기억 장치를 갖는다. 주기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리이다. 기억부 (112) 는, 보조 기억 장치를 추가로 가져도 된다. 보조 기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리 및 하드 디스크 드라이브의 적어도 일방을 포함한다. 기억부 (112) 는 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다. 제어부 (111) 는, 기억부 (112) 에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램 및 데이터에 기초하여, 기판 처리 장치 (100) 의 각 부의 동작을 제어한다.The storage unit 112 has a main storage device. The main memory device is, for example, a semiconductor memory. The storage unit 112 may further include an auxiliary storage device. The auxiliary storage device includes, for example, at least one of a semiconductor memory and a hard disk drive. The storage unit 112 may contain a removable medium. The control unit 111 controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus 100 based on the computer program and data stored in the storage unit 112 .

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 개폐부 (102) 를 제어하여, 커버 (2a) 를 열림 상태와 닫힘 상태 사이에서 천이시킨다. 상세하게는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 챔버 (2) 내로의 기판 (W) 의 반입시, 및 챔버 (2) 밖으로의 기판 (W) 의 반출시에, 커버 (2a) 를 열림 상태로 한다. 커버 (2a) 가 열림 상태가 됨으로써, 챔버 (2) 의 상부의 개구가 개방 상태가 되고, 챔버 (2) 내로의 기판 (W) 의 반입, 및 챔버 (2) 밖으로의 기판 (W) 의 반출이 가능해진다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 (W) 의 처리시에, 커버 (2a) 를 닫힘 상태로 한다. 커버 (2a) 가 닫힘 상태가 됨으로써, 챔버 (2) 의 상부의 개구가 폐색 상태가 된다. 이 결과, 챔버 (2) 의 내부가 밀폐 공간이 된다. 기판 (W) 은, 밀폐 공간 내에서 처리된다.The control device 110 (control unit 111 ) controls the opening/closing unit 102 to make the cover 2a transition between the open state and the closed state. In detail, the control device 110 (control unit 111 ) controls the cover 2a when the substrate W is loaded into the chamber 2 and when the substrate W is taken out of the chamber 2 . ) to the open state. When the cover 2a is in the open state, the opening at the upper part of the chamber 2 is in an open state, and the substrate W is loaded into the chamber 2 and the substrate W is taken out of the chamber 2 . this becomes possible The control device 110 (control unit 111 ) puts the cover 2a into a closed state at the time of processing the substrate W . When the cover 2a is in the closed state, the upper opening of the chamber 2 is in the closed state. As a result, the inside of the chamber 2 becomes a sealed space. The board|substrate W is processed in a sealed space.

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 승강부 (103) 를 제어하여, 유지부 (50) (기판 (W)) 를 승강시킨다. 상세하게는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 챔버 (2) 내로의 기판 (W) 의 반입시에, 챔버 (2) 의 상부의 개구를 통하여, 챔버 (2) 의 외부로부터 내부로 유지부 (50) 를 이동시켜, 기판 (W) 을 챔버 (2) 내로 반입한다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 챔버 (2) 밖으로의 기판 (W) 의 반출시에, 챔버 (2) 의 상부의 개구를 통하여, 챔버 (2) 의 내부로부터 외부로 유지부 (50) 를 이동시켜, 기판 (W) 을 챔버 (2) 로부터 반출한다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 (W) 의 처리시에, 챔버 (2) 내에서, 유지부 (50) 를 제 1 처리 위치와 제 2 처리 위치 사이에서 이동 (승강) 시킨다.The control device 110 (control unit 111 ) controls the lifting unit 103 to raise and lower the holding unit 50 (substrate W). In detail, the control device 110 (control unit 111 ) is configured to, when carrying in the substrate W into the chamber 2 , from the outside of the chamber 2 through an opening in the upper part of the chamber 2 . The holding part 50 is moved to the inside, and the board|substrate W is carried in into the chamber 2 . The control device 110 (control unit 111 ) is a holding unit from the inside of the chamber 2 to the outside through an opening at the top of the chamber 2 when the substrate W is taken out of the chamber 2 . (50) is moved, and the board|substrate W is carried out from the chamber (2). The control device 110 (control unit 111 ) moves (lifts) the holding unit 50 between the first processing position and the second processing position within the chamber 2 during processing of the substrate W make it

계속해서, 도 2 를 참조하여 기판 처리 장치 (100) 를 추가로 설명한다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 불활성 가스 공급원 (21) 과, IPA 공급원 (22) 과, 발수화제 공급원 (23) 과, DIW 공급원 (24) 과, 감압부 (25) 와, 제 1 배관 (31) ∼ 제 7 배관 (37) 과, 배액 라인 (41) 과, 배기 라인 (42) 과, 제 1 밸브 (V1) ∼ 제 8 밸브 (V8) 와, 제 1 히터 (H1) 와, 제 2 히터 (H2) 를 추가로 구비한다.Then, with reference to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 is demonstrated further. As shown in FIG. 2 , the substrate processing apparatus 100 includes an inert gas supply source 21 , an IPA supply source 22 , a water repellent supply source 23 , a DIW supply source 24 , and a pressure reducing unit 25 . and a first pipe (31) to a seventh pipe (37), a drain line (41), an exhaust line (42), a first valve (V1) to an eighth valve (V8), and a first heater ( H1) and a second heater H2 are further provided.

불활성 가스 공급원 (21) 은, 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스는, 예를 들어, 질소 가스이다. IPA 공급원 (22) 은, IPA 를 공급한다. 발수화제 공급원 (23) 은, 발수화제 (SMT) 를 공급한다. DIW 공급원 (24) 은, DIW 를 공급한다.The inert gas supply source 21 supplies an inert gas. The inert gas is, for example, nitrogen gas. The IPA supply source 22 supplies IPA. The water repellent supply source 23 supplies a water repellent agent (SMT). The DIW supply source 24 supplies DIW.

제 1 배관 (31) 에는, 불활성 가스 공급원 (21) 으로부터 불활성 가스가 공급된다. 제 1 배관 (31) 은, 불활성 가스 공급원 (21) 으로부터 공급되는 불활성 가스를, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 까지 유통시킨다.An inert gas is supplied to the first pipe 31 from an inert gas supply source 21 . The first pipe 31 distributes the inert gas supplied from the inert gas supply source 21 to the first nozzle 11 and the second nozzle 12 .

제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 은, 중공의 관상 부재이다. 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 에는 각각, 복수의 토출공이 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 은 X 방향으로 연장된다. 제 1 노즐 (11) 의 복수의 토출공은, X 방향으로 등간격으로 형성되어 있다. 마찬가지로, 제 2 노즐 (12) 의 복수의 토출공은, X 방향으로 등간격으로 형성되어 있다.The first nozzle 11 and the second nozzle 12 are hollow tubular members. A plurality of discharge holes are formed in the first nozzle 11 and the second nozzle 12, respectively. In the present embodiment, the first nozzle 11 and the second nozzle 12 extend in the X direction. The plurality of discharge holes of the first nozzle 11 are formed at equal intervals in the X direction. Similarly, the plurality of discharge holes of the second nozzle 12 are formed at equal intervals in the X direction.

제 1 배관 (31) 을 통하여 제 1 노즐 (11) 에 불활성 가스가 공급되면, 제 1 노즐 (11) 의 복수의 토출공으로부터 챔버 (2) 의 내부로 불활성 가스가 토출된다. 마찬가지로, 제 1 배관 (31) 을 통하여 제 2 노즐 (12) 에 불활성 가스가 공급되면, 제 2 노즐 (12) 의 복수의 토출공으로부터 챔버 (2) 의 내부로 불활성 가스가 토출된다.When the inert gas is supplied to the first nozzle 11 through the first pipe 31 , the inert gas is discharged into the chamber 2 from the plurality of discharge holes of the first nozzle 11 . Similarly, when the inert gas is supplied to the second nozzle 12 through the first pipe 31 , the inert gas is discharged into the chamber 2 from the plurality of discharge holes of the second nozzle 12 .

제 1 배관 (31) 에는, 제 1 밸브 (V1) 가 개장 (介裝) 되어 있다. 제 1 밸브 (V1) 는, 제 1 배관 (31) 의 유로를 개폐하는 개폐 밸브이다. 제 1 밸브 (V1) 는, 제 1 배관 (31) 을 흐르는 불활성 가스의 유통을 제어한다. 상세하게는, 제 1 밸브 (V1) 가 열리면, 불활성 가스가 제 1 배관 (31) 을 통하여 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 까지 흐른다. 이 결과, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 로부터 불활성 가스가 토출된다. 제 1 밸브 (V1) 가 닫히면, 불활성 가스의 유통이 차단되어, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 에 의한 불활성 가스의 토출이 정지된다.A first valve V1 is retrofitted to the first pipe 31 . The first valve V1 is an on/off valve that opens and closes the flow path of the first pipe 31 . The first valve V1 controls the flow of the inert gas flowing through the first pipe 31 . Specifically, when the first valve V1 is opened, the inert gas flows to the first nozzle 11 and the second nozzle 12 through the first pipe 31 . As a result, the inert gas is discharged from the first nozzle 11 and the second nozzle 12 . When the first valve V1 is closed, the flow of the inert gas is cut off, and the discharge of the inert gas by the first nozzle 11 and the second nozzle 12 is stopped.

제 1 밸브 (V1) 는, 제 1 배관 (31) 을 흐르는 불활성 가스의 유량을 조정하는 조정 밸브로서도 기능한다. 제 1 밸브 (V1) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 1 밸브 (V1) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.The 1st valve V1 functions also as a control valve which adjusts the flow volume of the inert gas which flows through the 1st piping 31. The first valve V1 is, for example, a solenoid valve. The first valve V1 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ).

제 2 배관 (32) 에는, IPA 공급원 (22) 으로부터 IPA 가 공급된다. 제 2 배관 (32) 에는, 제 1 히터 (H1) 가 개장되어 있다. 제 1 히터 (H1) 는, IPA 를 가열하여, IPA 를 기화시킨다. 요컨대, 제 1 히터 (H1) 는, IPA 의 증기를 생성한다. 제 2 배관 (32) 은, IPA 의 증기를 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 까지 유통시킨다.IPA is supplied to the second pipe 32 from the IPA supply source 22 . A first heater H1 is retrofitted to the second pipe 32 . The first heater H1 heats the IPA to vaporize the IPA. In other words, the first heater H1 generates the vapor of IPA. The second pipe 32 distributes the vapor of IPA to the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 .

제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 은, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 의 하방에 배치된다. 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 의 구성은, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 과 동일하다. 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 은, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 과 마찬가지로, 챔버 (2) 의 내부로 IPA 의 증기를 토출한다.The third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 are disposed below the first nozzle 11 and the second nozzle 12 . The configuration of the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 is the same as that of the first nozzle 11 and the second nozzle 12 . The third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 discharge the vapor of the IPA into the chamber 2 , similarly to the first nozzle 11 and the second nozzle 12 .

제 2 배관 (32) 에는, 제 2 밸브 (V2) 가 개장되어 있다. 제 2 밸브 (V2) 는, 제 2 배관 (32) 의 유로를 개폐하는 개폐 밸브이다. 제 2 밸브 (V2) 는, 제 2 배관 (32) 에 대하여, 제 1 히터 (H1) 보다 하류에 형성되어 있다. 제 2 밸브 (V2) 는, 제 1 밸브 (V1) 와 마찬가지로, 제 2 배관 (32) 을 흐르는 IPA 의 증기의 유통을 제어한다. 제 2 밸브 (V2) 는, 제 2 배관 (32) 을 흐르는 IPA 의 증기의 유량을 조정하는 조정 밸브로서도 기능한다. 제 2 밸브 (V2) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 2 밸브 (V2) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.A second valve V2 is retrofitted to the second pipe 32 . The second valve V2 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the second pipe 32 . The second valve V2 is provided downstream of the first heater H1 with respect to the second pipe 32 . Like the first valve V1 , the second valve V2 controls the flow of the IPA vapor flowing through the second pipe 32 . The second valve V2 also functions as a regulating valve that adjusts the flow rate of the IPA steam flowing through the second pipe 32 . The second valve V2 is, for example, a solenoid valve. The second valve V2 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ).

제 3 배관 (33) 에는, 불활성 가스 공급원 (21) 으로부터 불활성 가스가 공급된다. 제 3 배관 (33) 은, 제 2 배관 (32) 에 접속하고 있다. 요컨대, 제 3 배관 (33) 은, 불활성 가스를 제 2 배관 (32) 까지 유통시킨다.An inert gas is supplied to the third pipe 33 from the inert gas supply source 21 . The third pipe 33 is connected to the second pipe 32 . In other words, the third pipe 33 circulates the inert gas to the second pipe 32 .

제 3 배관 (33) 에는, 제 3 밸브 (V3) 가 개장되어 있다. 제 3 밸브 (V3) 는, 제 3 배관 (33) 의 유로를 개폐하는 개폐 밸브이다. 제 3 밸브 (V3) 는, 제 1 밸브 (V1) 와 마찬가지로, 제 3 배관 (33) 을 흐르는 불활성 가스의 유통을 제어한다. 제 3 밸브 (V3) 는, 제 3 배관 (33) 을 흐르는 불활성 가스의 유량을 조정하는 조정 밸브로서도 기능한다. 제 3 밸브 (V3) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 3 밸브 (V3) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.A third valve V3 is retrofitted to the third pipe 33 . The third valve V3 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the third pipe 33 . The third valve V3 controls the flow of the inert gas flowing through the third pipe 33 , similarly to the first valve V1 . The third valve V3 functions also as a regulating valve that adjusts the flow rate of the inert gas flowing through the third pipe 33 . The third valve V3 is, for example, a solenoid valve. The third valve V3 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ).

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 IPA 의 증기를 토출시킬 때에, 제 2 밸브 (V2) 를 열고, 제 3 밸브 (V3) 를 닫는다. 한편, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 불활성 가스를 토출시킬 때에, 제 2 밸브 (V2) 를 닫고, 제 3 밸브 (V3) 를 연다. 제 3 밸브 (V3) 가 열림으로써, 불활성 가스가 제 3 배관 (33) 으로부터 제 2 배관 (32) 에 유입되고, 제 2 배관 (32) 을 통하여 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 에 불활성 가스가 공급된다. 그 결과, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 챔버 (2) 의 내부로 불활성 가스가 토출된다.The control device 110 (control unit 111 ) opens the second valve V2 and the third valve V3 when discharging the vapor of the IPA from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 . close the On the other hand, the control device 110 (control unit 111 ) closes the second valve V2 and the third valve V3 when discharging the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 . ) is opened. When the third valve V3 is opened, the inert gas flows into the second pipe 32 from the third pipe 33 , and the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 through the second pipe 32 . ) is supplied with an inert gas. As a result, the inert gas is discharged from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 into the chamber 2 .

제 4 배관 (34) 에는, 불활성 가스 공급원 (21) 으로부터 불활성 가스가 공급된다. 제 4 배관 (34) 은, 불활성 가스 공급원 (21) 으로부터 공급되는 불활성 가스를, 제 5 노즐 (15) 및 제 6 노즐 (16) 까지 유통시킨다.An inert gas is supplied to the fourth pipe 34 from the inert gas supply source 21 . The fourth pipe 34 flows the inert gas supplied from the inert gas supply source 21 to the fifth nozzle 15 and the sixth nozzle 16 .

제 5 노즐 (15) 및 제 6 노즐 (16) 은, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 의 하방에 배치된다. 제 5 노즐 (15) 및 제 6 노즐 (16) 의 구성은, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 과 동일하다. 제 5 노즐 (15) 및 제 6 노즐 (16) 은, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 과 마찬가지로, 챔버 (2) 의 내부로 불활성 가스를 토출한다.The 5th nozzle 15 and the 6th nozzle 16 are arrange|positioned below the 3rd nozzle 13 and the 4th nozzle 14. As shown in FIG. The configuration of the fifth nozzle 15 and the sixth nozzle 16 is the same as that of the first nozzle 11 and the second nozzle 12 . The 5th nozzle 15 and the 6th nozzle 16 discharge an inert gas into the inside of the chamber 2 similarly to the 1st nozzle 11 and the 2nd nozzle 12.

제 4 배관 (34) 에는, 제 4 밸브 (V4) 가 개장되어 있다. 제 4 밸브 (V4) 는, 제 4 배관 (34) 의 유로를 개폐하는 개폐 밸브이다. 제 4 밸브 (V4) 는, 제 1 밸브 (V1) 와 마찬가지로, 제 4 배관 (34) 을 흐르는 불활성 가스의 유통을 제어한다. 제 4 밸브 (V4) 는, 제 4 배관 (34) 을 흐르는 불활성 가스의 유량을 조정하는 조정 밸브로서도 기능한다. 제 4 밸브 (V4) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 4 밸브 (V4) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.A fourth valve V4 is retrofitted to the fourth pipe 34 . The fourth valve V4 is an on/off valve that opens and closes the flow path of the fourth pipe 34 . The fourth valve V4 controls the circulation of the inert gas flowing through the fourth pipe 34 , similarly to the first valve V1 . The fourth valve V4 also functions as a regulating valve that adjusts the flow rate of the inert gas flowing through the fourth pipe 34 . The fourth valve V4 is, for example, a solenoid valve. The fourth valve V4 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ).

제 5 배관 (35) 에는, 발수화제 공급원 (23) 으로부터 발수화제 (SMT) 가 공급된다. 제 5 배관 (35) 에는, 제 2 히터 (H2) 가 개장되어 있다. 제 2 히터 (H2) 는, 발수화제 (SMT) 를 가열하여, 발수화제 (SMT) 를 기화시킨다. 요컨대, 제 2 히터 (H2) 는, 발수화제 (SMT) 의 증기를 생성한다. 제 5 배관 (35) 은, 발수화제 (SMT) 의 증기를 제 7 노즐 (17) 및 제 8 노즐 (18) 까지 유통시킨다.To the fifth pipe 35 , a water repellent agent SMT is supplied from a water repellent agent supply source 23 . A second heater H2 is retrofitted to the fifth pipe 35 . The second heater H2 heats the water repellent agent SMT to vaporize the water repellent agent SMT. In other words, the second heater H2 generates vapor of the water repellent agent SMT. The fifth pipe 35 distributes the vapor of the water repellent agent SMT to the seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 .

제 7 노즐 (17) 및 제 8 노즐 (18) 은, 제 5 노즐 (15) 및 제 6 노즐 (16) 의 하방에 배치된다. 제 7 노즐 (17) 및 제 8 노즐 (18) 의 구성은, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 과 동일하다. 제 7 노즐 (17) 및 제 8 노즐 (18) 은, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 과 마찬가지로, 챔버 (2) 의 내부로 발수화제 (SMT) 의 증기를 토출한다.The seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 are disposed below the fifth nozzle 15 and the sixth nozzle 16 . The configuration of the seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 is the same as that of the first nozzle 11 and the second nozzle 12 . The seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 discharge the vapor of the water repellent agent SMT into the chamber 2 , similarly to the first nozzle 11 and the second nozzle 12 .

제 5 배관 (35) 에는, 제 5 밸브 (V5) 가 개장되어 있다. 제 5 밸브 (V5) 는, 제 5 배관 (35) 의 유로를 개폐하는 개폐 밸브이다. 제 5 밸브 (V5) 는, 제 5 배관 (35) 에 대하여, 제 2 히터 (H2) 보다 하류에 형성되어 있다. 제 5 밸브 (V5) 는, 제 1 밸브 (V1) 와 마찬가지로, 제 5 배관 (35) 을 흐르는 발수화제 (SMT) 의 증기의 유통을 제어한다. 제 5 밸브 (V5) 는, 제 5 배관 (35) 을 흐르는 발수화제 (SMT) 의 증기의 유량을 조정하는 조정 밸브로서도 기능한다. 제 5 밸브 (V5) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 5 밸브 (V5) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.A fifth valve V5 is retrofitted to the fifth pipe 35 . The fifth valve V5 is an on/off valve that opens and closes the flow path of the fifth pipe 35 . The fifth valve V5 is provided downstream of the second heater H2 with respect to the fifth pipe 35 . The fifth valve V5 controls the flow of the vapor of the water repellent agent SMT flowing through the fifth pipe 35 , similarly to the first valve V1 . The fifth valve V5 also functions as a regulating valve that adjusts the flow rate of the steam of the water repellent agent SMT flowing through the fifth pipe 35 . The fifth valve V5 is, for example, a solenoid valve. The fifth valve V5 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ).

제 6 배관 (36) 에는, DIW 공급원 (24) 으로부터 DIW 가 공급된다. 제 6 배관 (36) 은, DIW 공급원 (24) 으로부터 공급되는 DIW 를 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 까지 유통시킨다.DIW is supplied to the sixth pipe 36 from the DIW supply source 24 . The sixth pipe 36 distributes DIW supplied from the DIW supply source 24 to the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 .

제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 의 구성은, 제 1 노즐 (11) 및 제 2 노즐 (12) 과 동일하다. 제 6 배관 (36) 을 통하여 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 에 DIW 가 공급됨으로써, 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 로부터 처리조 (3) 내로 DIW 가 토출된다.The configuration of the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 is the same as that of the first nozzle 11 and the second nozzle 12 . DIW is supplied to the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 through the sixth pipe 36 , so that DIW is discharged from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 into the treatment tank 3 . do.

제 6 배관 (36) 에는, 제 6 밸브 (V6) 가 개장되어 있다. 제 6 밸브 (V6) 는, 제 6 배관 (36) 의 유로를 개폐하는 개폐 밸브이다. 제 6 밸브 (V6) 는, 제 1 밸브 (V1) 와 마찬가지로, 제 6 배관 (36) 을 흐르는 DIW 의 유통을 제어한다. 제 6 밸브 (V6) 는, 제 6 배관 (36) 을 흐르는 DIW 의 유량을 조정하는 조정 밸브로서도 기능한다. 제 6 밸브 (V6) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 6 밸브 (V6) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.A sixth valve V6 is retrofitted to the sixth pipe 36 . The sixth valve V6 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the sixth pipe 36 . The sixth valve V6 controls the flow of DIW flowing through the sixth pipe 36, similarly to the first valve V1. The sixth valve V6 also functions as a regulating valve that adjusts the flow rate of DIW flowing through the sixth pipe 36 . The sixth valve V6 is, for example, a solenoid valve. The sixth valve V6 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ).

제 7 배관 (37) 에는, IPA 공급원 (22) 으로부터 IPA 가 공급된다. 제 7 배관 (37) 은, 제 6 배관 (36) 에 접속하고 있다. 요컨대, 제 7 배관 (37) 은, IPA 를 제 6 배관 (36) 까지 유통시킨다.IPA is supplied to the seventh pipe 37 from the IPA supply source 22 . The seventh pipe 37 is connected to the sixth pipe 36 . In other words, the seventh pipe 37 circulates the IPA up to the sixth pipe 36 .

제 7 배관 (37) 에는, 제 7 밸브 (V7) 가 개장되어 있다. 제 7 밸브 (V7) 는, 제 7 배관 (37) 의 유로를 개폐하는 개폐 밸브이다. 제 7 밸브 (V7) 는, 제 1 밸브 (V1) 와 마찬가지로, 제 7 배관 (37) 을 흐르는 IPA 의 유통을 제어한다. 제 7 밸브 (V7) 는, 제 7 배관 (37) 을 흐르는 IPA 의 유량을 조정하는 조정 밸브로서도 기능한다. 제 7 밸브 (V7) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 7 밸브 (V7) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.A seventh valve V7 is retrofitted to the seventh pipe 37 . The seventh valve V7 is an on-off valve that opens and closes the flow path of the seventh pipe 37 . The seventh valve V7 controls the flow of IPA flowing through the seventh pipe 37, similarly to the first valve V1. The seventh valve V7 also functions as a regulating valve that adjusts the flow rate of the IPA flowing through the seventh pipe 37 . The seventh valve V7 is, for example, a solenoid valve. The seventh valve V7 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ).

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 처리조 (3) 에 DIW 를 저장할 때에, 제 6 밸브 (V6) 를 열고, 제 7 밸브 (V7) 를 닫는다. 이로써, 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 로부터 처리조 (3) 내로 DIW 가 토출된다.The control device 110 (control unit 111 ) opens the sixth valve V6 and closes the seventh valve V7 when storing DIW in the processing tank 3 . Thereby, DIW is discharged into the treatment tank 3 from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 .

한편, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 처리조 (3) 에 dIPA 를 저장할 때에, 제 6 밸브 (V6) 및 제 7 밸브 (V7) 를 연다. 제 6 밸브 (V6) 및 제 7 밸브 (V7) 가 열림으로써, IPA 가 제 7 배관 (37) 으로부터 제 6 배관 (36) 에 유입되고, 제 6 배관 (36) 을 유통하고 있는 DIW 에 IPA 가 합류하여, 제 6 배관 (36) 내에서 dIPA 가 생성된다. dIPA 는, 제 6 배관 (36) 을 통하여 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 에 공급된다. 그 결과, 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 로부터 처리조 (3) 내로 dIPA 가 토출된다.On the other hand, the control device 110 (control unit 111 ) opens the sixth valve V6 and the seventh valve V7 when storing dIPA in the processing tank 3 . When the sixth valve (V6) and the seventh valve (V7) are opened, IPA flows into the sixth pipe (36) from the seventh pipe (37), and the IPA flows into the DIW flowing through the sixth pipe (36). Joining, dIPA is produced in the sixth pipe (36). dIPA is supplied to the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 through the sixth pipe 36 . As a result, dIPA is discharged into the treatment tank 3 from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 .

또한, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, dIPA 에 있어서, IPA 의 농도가 소정 농도가 되도록, 제 6 밸브 (V6) 및 제 7 밸브 (V7) 의 개도를 조정한다. 소정 농도는, 0.3 ％ 이상 5 ％ 미만이다.In addition, the control device 110 (control unit 111 ) adjusts the opening degrees of the sixth valve V6 and the seventh valve V7 so that the concentration of IPA becomes a predetermined concentration in dIPA. The predetermined concentration is 0.3% or more and less than 5%.

배액 라인 (41) 은, 처리조 (3) 의 저부에 접속하고 있다. 배액 라인 (41) 에는, 제 8 밸브 (V8) 가 개장되어 있다. 제 8 밸브 (V8) 는, 배액 라인 (41) 의 유로를 개폐하는 개폐 밸브이다. 제 8 밸브 (V8) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 8 밸브 (V8) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 처리조 (3) 내에 처리액을 저장할 때에, 제 8 밸브 (V8) 를 닫는다. 한편, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 처리조 (3) 로부터 처리액을 배출시킬 때에, 제 8 밸브 (V8) 를 연다. 제 8 밸브 (V8) 가 열리면, 처리조 (3) 에 저장되어 있던 처리액이, 배액 라인 (41) 을 통하여, 처리조 (3) 로부터 챔버 (2) 의 외부로 배출된다.The drain line 41 is connected to the bottom of the treatment tank 3 . An eighth valve V8 is retrofitted to the drain line 41 . The eighth valve V8 is an on/off valve that opens and closes the flow path of the drain line 41 . The eighth valve V8 is, for example, a solenoid valve. The eighth valve V8 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ). The control device 110 (control unit 111 ) closes the eighth valve V8 when storing the processing liquid in the processing tank 3 . On the other hand, the control device 110 (control unit 111 ) opens the eighth valve V8 when discharging the processing liquid from the processing tank 3 . When the eighth valve V8 is opened, the treatment liquid stored in the treatment tank 3 is discharged from the treatment tank 3 to the outside of the chamber 2 through the drain line 41 .

감압부 (25) 는, 챔버 (2) 내의 압력을 감소시킨다. 요컨대, 감압부 (25) 는, 챔버 (2) 내를 감압한다. 감압부 (25) 는, 예를 들어, 배기 펌프를 포함한다. 배기 펌프는, 예를 들어, 진공 펌프이다. 감압부 (25) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 상세하게는, 감압부 (25) 는, 배기 라인 (42) 을 개재하여 챔버 (2) 에 접속하고 있다. 감압부 (25) 는, 커버 (2a) 가 닫힘 상태일 때에 챔버 (2) 내의 기체를 배기하여, 챔버 (2) 내를 대기압 미만으로 감압한다.The pressure reducing unit 25 reduces the pressure in the chamber 2 . In other words, the pressure reducing unit 25 depressurizes the inside of the chamber 2 . The pressure reducing unit 25 includes, for example, an exhaust pump. The exhaust pump is, for example, a vacuum pump. The pressure reduction unit 25 is controlled by the control device 110 (control unit 111 ). In detail, the pressure reduction unit 25 is connected to the chamber 2 via an exhaust line 42 . The decompression unit 25 exhausts the gas in the chamber 2 when the cover 2a is in the closed state, and depressurizes the inside of the chamber 2 to less than atmospheric pressure.

계속해서, 도 1 ∼ 도 9 를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 및 기판 처리 방법을 설명한다. 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 도 1 및 도 2 를 참조하여 설명한 기판 처리 장치 (100) 에 의해 실행된다. 도 3 ∼ 도 9 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다. 상세하게는, 도 3 ∼ 도 9 는, 기판 처리 장치 (100) 가 실행하는 처리 시퀀스를 나타낸다. 도 3 ∼ 도 9 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 기판 처리 방법 (처리 시퀀스) 은, 스텝 S1 ∼ 스텝 S21 을 포함한다.Then, with reference to FIGS. 1-9, the substrate processing apparatus 100 and the substrate processing method of this embodiment are demonstrated. The substrate processing method of the present embodiment is executed by the substrate processing apparatus 100 described with reference to FIGS. 1 and 2 . 3 to 9 are flowcharts showing the substrate processing method of the present embodiment. In detail, FIGS. 3 to 9 show a processing sequence executed by the substrate processing apparatus 100 . 3 to 9 , the substrate processing method (process sequence) of the present embodiment includes steps S1 to S21.

먼저, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S1 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 1 처리 위치로 이동시켜, 챔버 (2) 내에 반입된 기판 (W) 을, 처리조 (3) 에 저류되어 있는 DIW 에 침지시킨다.First, as shown in FIG. 3 , in step S1 , the control device 110 (control unit 111 ) moves the holding unit 50 to the first processing position, and the substrate ( W) is immersed in DIW stored in the treatment tank 3 .

챔버 (2) 내에는, 에칭 처리 후 (웨트 에칭 처리 후) 의 기판 (W) 이 반입된다. 에칭 처리 후의 기판 (W) 을 DIW 에 침지시킴으로써, 기판 (W) 의 표면에 부착되어 있는 에칭액이, DIW 에 의해 수세된다.In the chamber 2, the board|substrate W after an etching process (after a wet etching process) is carried in. By immersing the substrate W after the etching process in DIW, the etchant adhering to the surface of the substrate W is washed with water by DIW.

본 실시형태에서는, 스텝 S1 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) (액 공급부 (5)) 로부터 DIW 를 토출시킨다. 이로써, 에칭액이, 더욱 수세된다.In the present embodiment, in step S1 , the control device 110 (control unit 111 ) discharges DIW from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 (liquid supply unit 5 ). Thereby, the etching liquid is further washed with water.

또한, 스텝 S1 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 불활성 가스를 토출시킨다. 예를 들어, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 (W) 을 DIW 에 침지시킨 후에 불활성 가스의 토출을 개시한다. 또한, 이 때, 감압부 (25) 는 구동하고 있지 않다. 따라서, 챔버 (2) 의 내압은 대기압이 되어 있다.Moreover, in step S1, the control apparatus 110 (control part 111) discharges an inert gas from the 3rd nozzle 13 and the 4th nozzle 14. As shown in FIG. For example, after immersing the board|substrate W in DIW, the control apparatus 110 (control part 111) starts discharge of an inert gas. In addition, at this time, the pressure-reducing part 25 is not driven. Therefore, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure.

다음으로, 스텝 S2 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 불활성 가스의 토출을 계속시킨다. 또한, 스텝 S2 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) (액 공급부 (5)) 로부터의 DIW 의 토출을 정지시킨다. 또한, 이 때, 감압부 (25) 는 구동하고 있지 않다. 따라서, 챔버 (2) 의 내압은 대기압이 되어 있다.Next, in step S2, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas. Further, in step S2 , the control device 110 (control unit 111 ) stops discharge of DIW from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20 (liquid supply unit 5 ). In addition, at this time, the pressure-reducing part 25 is not driven. Therefore, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure.

다음으로, 스텝 S3 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 불활성 가스의 토출을 계속시킨다. 또한, 스텝 S3 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 감압부 (25) 를 구동시킴으로써, 배기 라인 (42) 을 통하여 챔버 (2) 내의 기체를 배기시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 내가 대기압 미만으로 감압된다. 또한, 이 때, 기판 (W) 은 DIW 에 침지되어 있다. 따라서, 기판 (W) 이 건조하여 패턴이 도괴하는 것을 회피할 수 있다.Next, in step S3, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the inert gas. In addition, in step S3 , the control device 110 (control unit 111 ) exhausts the gas in the chamber 2 through the exhaust line 42 by driving the pressure reduction unit 25 . As a result, the inside of the chamber 2 is pressure-reduced below atmospheric pressure. In addition, at this time, the board|substrate W is immersed in DIW. Accordingly, it is possible to avoid the substrate W from drying out and collapsing of the pattern.

다음으로, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S4 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 챔버 (2) 내의 감압을 계속시킨다. 챔버 (2) 내의 감압은, 스텝 S12 (도 6) 까지 계속된다. 또한, 스텝 S4 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 IPA 의 증기를 토출시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 내에 IPA 의 증기를 포함하는 분위기가 형성된다. 또한, IPA 의 증기의 토출은, 스텝 S7 (도 7) 까지 계속된다.Next, as shown in FIG. 4 , in step S4 , the control device 110 (control unit 111 ) continues the pressure reduction in the chamber 2 . The pressure reduction in the chamber 2 continues until step S12 (FIG. 6). Moreover, in step S4, the control apparatus 110 (control part 111) discharges the vapor|steam of IPA from the 3rd nozzle 13 and the 4th nozzle 14. As shown in FIG. As a result, an atmosphere containing the vapor of IPA is formed in the chamber 2 . In addition, discharge of the vapor|steam of IPA continues until step S7 (FIG. 7).

다음으로, 스텝 S5 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 2 처리 위치로 이동시켜, 기판 (W) 을 DIW 로부터 인상한다. 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 물방울 (DIW 의 액적) 이 IPA 의 증기에 의해 제거된다. 보다 상세하게는, 기판 (W) 에 부착되어 있는 물방울이 IPA 의 액적으로 치환된다.Next, in step S5, the control apparatus 110 (control part 111) moves the holding|maintenance part 50 to a 2nd process position, and pulls up the board|substrate W from DIW. As a result, water droplets (droplets of DIW) adhering to the substrate W are removed by the vapor of IPA. More specifically, water droplets adhering to the substrate W are replaced with droplets of IPA.

또한, 스텝 S5 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 8 밸브 (V8) 를 열어, 배액 라인 (41) 을 통하여 처리조 (3) 로부터 DIW 를 배출시킨다. 또한, 제 8 밸브 (V8) 의 열림 상태는, 스텝 S13 (도 7) 까지 유지된다.Further, in step S5 , the control device 110 (control unit 111 ) opens the eighth valve V8 to discharge DIW from the treatment tank 3 through the drain line 41 . In addition, the open state of the eighth valve V8 is maintained until step S13 (FIG. 7).

본 실시형태에 의하면, 스텝 S5 에 있어서, 감압하에서, 물방울로부터 IPA 의 액적으로의 치환을 실시할 수 있다. 따라서, 대기압하에서 실시하는 경우와 비교하여, 물방울로부터 IPA 의 액적으로의 치환을 단시간에 실시할 수 있다.According to the present embodiment, in step S5, the IPA can be replaced from the water droplet to the droplet under reduced pressure. Therefore, as compared with the case where it is carried out under atmospheric pressure, the replacement of IPA from water droplets into droplets can be carried out in a shorter time.

다음으로, 스텝 S6 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 1 처리 위치로 이동시켜, 기판 (W) 을 처리조 (3) 내로 이동시킨다. 이 때, 처리조 (3) 내에 DIW 는 남아 있지 않다.Next, in step S6 , the control device 110 (the control unit 111 ) moves the holding unit 50 to the first processing position to move the substrate W into the processing tank 3 . At this time, DIW does not remain in the treatment tank 3 .

다음으로, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S7 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 2 처리 위치로 이동시켜, 처리조 (3) 로부터 기판 (W) 을 인상한다. 또한, 스텝 S7 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 7 노즐 (17) 및 제 8 노즐 (18) 로부터 발수화제 (SMT) 의 증기를 토출시킨다. 또한, 스텝 S7 에 있어서 IPA 의 증기 및 발수화제 (SMT) 의 증기를 토출시키고 있는 것은, 챔버 (2) 내의 압력의 변동을 억제하기 위함이다.Next, as shown in FIG. 5 , in step S7 , the control device 110 (control unit 111 ) moves the holding unit 50 to the second processing position, and from the processing tank 3 to the substrate ( W) is raised. Further, in step S7 , the control device 110 (control unit 111 ) discharges the vapor of the water repellent agent SMT from the seventh nozzle 17 and the eighth nozzle 18 . In addition, the reason why the vapor of the IPA and the vapor of the water repellent agent (SMT) are discharged in step S7 is to suppress fluctuations in the pressure in the chamber 2 .

다음으로, 스텝 S8 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 발수화제 (SMT) 의 증기의 토출을 계속시킨다. 또한, 스텝 S8 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, IPA 의 증기의 토출을 정지시킨다. 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 IPA 의 액적이 발수화제 (SMT) 의 액적으로 치환되어, 발수성 보호막이 기판 (W) 의 표면에 형성된다. 따라서, 기판 (W) 에 형성되어 있는 패턴이 발수성 보호막에 의해 덮인다 (발수화 처리). 패턴을 발수성 보호막으로 덮음으로써, 패턴의 도괴를 회피할 수 있다.Next, in step S8, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the vapor of the water repellent agent SMT. Further, in step S8 , the control device 110 (control unit 111 ) stops the discharge of the IPA vapor. As a result, droplets of IPA adhering to the substrate W are replaced with droplets of the water repellent agent SMT, and a water repellent protective film is formed on the surface of the substrate W. Accordingly, the pattern formed on the substrate W is covered with the water-repellent protective film (water-repellent treatment). By covering the pattern with a water-repellent protective film, collapse of the pattern can be avoided.

다음으로, 스텝 S9 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 IPA 의 증기를 토출시킨다. 또한, 스텝 S9 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 발수화제 (SMT) 의 증기의 토출을 계속시킨다. 스텝 S9 에 있어서 IPA 의 증기 및 발수화제 (SMT) 의 증기를 토출시키고 있는 것은, 챔버 (2) 내의 압력의 변동을 억제하기 위함이다.Next, in step S9 , the control device 110 (control unit 111 ) discharges the vapor of the IPA from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 . Further, in step S9 , the control device 110 (control unit 111 ) continues to discharge the vapor of the water repellent agent SMT. The reason that the vapor of the IPA and the vapor of the water repellent agent (SMT) are discharged in step S9 is to suppress fluctuations in the pressure in the chamber 2 .

다음으로, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S10 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 발수화제 (SMT) 의 증기의 토출을 정지시킨다. 또한, 스텝 S10 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, IPA 의 증기의 토출을 계속시킨다. 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 발수화제 (SMT) 의 잔류물이 IPA 의 증기에 의해 제거된다. 보다 상세하게는, 기판 (W) 에 부착되어 있는 발수화제 (SMT) 의 잔류물이 IPA 의 액적으로 치환된다.Next, as shown in FIG. 6 , in step S10 , the control device 110 (control unit 111 ) stops discharge of the vapor of the water repellent agent SMT. Further, in step S10 , the control device 110 (control unit 111 ) continues to discharge the IPA vapor. As a result, the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W is removed by the vapor of the IPA. More specifically, the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W is replaced with droplets of IPA.

다음으로, 스텝 S11 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 불활성 가스를 토출시킨다.Next, in step S11 , the control device 110 (control unit 111 ) discharges the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 .

다음으로, 스텝 S12 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터의 불활성 가스의 토출을 계속시킴과 함께, 제 1 노즐 (11), 제 2 노즐 (12), 제 5 노즐 (15), 및 제 6 노즐 (16) 로부터도 불활성 가스를 토출시킨다. 이 결과, 기판 (W) 이 건조된다. 본 실시형태에서는, 감압하에서 기판 (W) 을 건조시킨다. 감압하에서 기판 (W) 을 건조시킴으로써, 대기압하에서 기판 (W) 을 건조시키는 경우와 비교하여, 건조 효율을 높일 수 있다. 즉, 기판 (W) 의 건조에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.Next, in step S12 , the control device 110 (control unit 111 ) continues discharging the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 , and the first nozzle ( 11), the inert gas is also discharged from the second nozzle 12 , the fifth nozzle 15 , and the sixth nozzle 16 . As a result, the substrate W is dried. In this embodiment, the board|substrate W is dried under reduced pressure. By drying the board|substrate W under reduced pressure, compared with the case where the board|substrate W is dried under atmospheric pressure, drying efficiency can be raised. That is, the time required for drying of the board|substrate W can be shortened.

다음으로, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S13 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 1 노즐 (11) ∼ 제 6 노즐 (16) 로부터의 불활성 가스의 토출을 계속시킴과 함께, 감압부 (25) 의 구동을 정지시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 의 내압이 대기압으로 돌아간다.Next, as shown in FIG. 7 , in step S13 , the control device 110 (control unit 111 ) continues to discharge the inert gas from the first nozzles 11 to the sixth nozzles 16 . Together with this, the driving of the decompression unit 25 is stopped. As a result, the internal pressure of the chamber 2 returns to atmospheric pressure.

다음으로, 스텝 S14 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 1 노즐 (11), 제 2 노즐 (12), 제 5 노즐 (15), 및 제 6 노즐 (16) 로부터의 불활성 가스의 토출을 정지시키는 한편으로, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터의 불활성 가스의 토출을 계속시킨다.Next, in step S14 , the control device 110 (control unit 111 ) controls the first nozzle 11 , the second nozzle 12 , the fifth nozzle 15 , and the sixth nozzle 16 . while stopping the discharge of the inert gas, the discharge of the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 is continued.

또한, 스텝 S14 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 8 밸브 (V8) 를 닫은 후, 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 로부터 dIPA 를 토출시켜, 처리조 (3) 내에 dIPA 를 저류시킨다. 이 때, 챔버 (2) 의 내압은 대기압이 되어 있다. 따라서, 처리조 (3) 내에 dIPA 를 용이하게 저류시킬 수 있다.Moreover, in step S14, after the control apparatus 110 (control part 111) closes the eighth valve V8, dIPA is discharged from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20, and it processes Store dIPA in tank (3). At this time, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure. Therefore, dIPA can be easily stored in the treatment tank 3 .

다음으로, 스텝 S15 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, dIPA 의 토출을 정지시킨다. 또한, 스텝 S15 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 1 처리 위치로 이동시켜, 처리조 (3) 에 저류되어 있는 dIPA 에 기판 (W) 을 침지시킨다 (침지 공정). 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 발수화제 (SMT) 의 잔류물과 IPA 의 반응에서 기인하여 발생한 파티클이, dIPA 에 의해 제거된다. 구체적으로는, 발수화제 (SMT) 와 IPA 의 반응에서 기인하여 발생하는 파티클은, dIPA 에 포함되는 물에 용해된다.Next, in step S15 , the control device 110 (control unit 111 ) stops the discharge of dIPA. Further, in step S15 , the control device 110 (control unit 111 ) moves the holding unit 50 to the first processing position, and transfers the substrate W to the dIPA stored in the processing tank 3 . Immerse (immersion process). As a result, dIPA removes the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W and the particles generated due to the reaction between IPA and IPA. Specifically, particles generated from the reaction between the water repellent agent (SMT) and IPA are dissolved in the water contained in dIPA.

또한, 스텝 S15 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 불활성 가스의 토출을 계속시키는 한편으로, 감압부 (25) 를 구동함으로써, 배기 라인 (42) 을 통하여 챔버 (2) 내의 기체를 배기시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 내가 대기압 미만으로 감압된다. 챔버 (2) 내의 감압은, 스텝 S19 (도 9) 까지 계속된다.Further, in step S15 , the control device 110 (control unit 111 ) drives the decompression unit 25 while continuing to discharge the inert gas, thereby driving the chamber 2 through the exhaust line 42 . exhaust the gas inside. As a result, the inside of the chamber 2 is pressure-reduced below atmospheric pressure. The pressure reduction in the chamber 2 continues until step S19 (FIG. 9).

또한, 스텝 S15 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, dIPA 의 토출을 계속시켜도 된다. dIPA 의 토출을 계속시킴으로써, 발수화제 (SMT) 와 IPA 의 반응에서 기인하여 발생한 파티클을, 더욱 제거할 수 있다.In addition, in step S15, the control apparatus 110 (control part 111) may continue the discharge of dIPA. By continuing the discharging of dIPA, particles generated due to the reaction between the water repellent agent (SMT) and IPA can be further removed.

또한, 스텝 S15 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 (W) 이 dIPA 에 침지되어 있는 상태를 유지하면서, 유지부 (50) 를 상하 방향으로 요동 (진동) 시켜도 된다. 이로써, 발수화제 (SMT) 와 IPA 의 반응에서 기인하여 발생한 파티클을, 더욱 제거할 수 있다.In addition, in step S15, the control apparatus 110 (control part 111) may make the holding|maintenance part 50 rock|fluctuate (vibrate) in an up-down direction, maintaining the state in which the board|substrate W is immersed in dIPA. . Thereby, particles generated due to the reaction between the water repellent agent (SMT) and IPA can be further removed.

다음으로, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S16 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 IPA 의 증기를 토출시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 내에 IPA 의 증기를 포함하는 분위기가 형성된다.Next, as shown in FIG. 8 , in step S16 , the control device 110 (control unit 111 ) discharges the vapor of the IPA from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 . As a result, an atmosphere containing the vapor of IPA is formed in the chamber 2 .

다음으로, 스텝 S17 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 2 처리 위치로 이동시켜, dIPA 로부터 기판 (W) 을 인상한다 (인상 공정). 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 dIPA 의 액적이 IPA 의 증기에 의해 제거된다. 보다 상세하게는, 기판 (W) 에 부착되어 있는 dIPA 의 액적이 IPA 의 액적으로 치환된다.Next, in step S17 , the control device 110 (control unit 111 ) moves the holding unit 50 to the second processing position to lift the substrate W from the dIPA (pulling step). As a result, the droplets of dIPA adhering to the substrate W are removed by the vapor of IPA. More specifically, droplets of dIPA adhering to the substrate W are replaced with droplets of IPA.

또한, 스텝 S17 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 8 밸브 (V8) 를 열어, 처리조 (3) 로부터 배액 라인 (41) 을 통하여 dIPA 를 배출시킨다. 또한, 제 8 밸브 (V8) 의 열림 상태는, 스텝 S21 (도 9) 까지 유지된다.Further, in step S17 , the control device 110 (control unit 111 ) opens the eighth valve V8 to discharge dIPA from the treatment tank 3 through the drain line 41 . In addition, the open state of the eighth valve V8 is maintained until step S21 (FIG. 9).

본 실시형태에 의하면, 스텝 S17 에 있어서, 감압하에서, dIPA 의 액적으로부터 IPA 의 액적으로의 치환을 실시할 수 있다. 따라서, 대기압하에서 실시하는 경우와 비교하여, dIPA 의 액적으로부터 IPA 의 액적으로의 치환을 단시간에 실시할 수 있다.According to the present embodiment, in step S17, the droplet of dIPA to the droplet of IPA can be replaced under reduced pressure. Therefore, as compared with the case where it is carried out under atmospheric pressure, the replacement of dIPA droplets into IPA droplets can be carried out in a shorter time.

다음으로, 스텝 S18 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 불활성 가스를 토출시킨다.Next, in step S18 , the control device 110 (control unit 111 ) discharges the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 .

다음으로, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S19 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터의 불활성 가스의 토출을 계속시킴과 함께, 제 1 노즐 (11), 제 2 노즐 (12), 제 5 노즐 (15), 및 제 6 노즐 (16) 로부터도 불활성 가스를 토출시킨다 (건조 공정). 이 결과, 기판 (W) 이 건조된다.Next, as shown in FIG. 9 , in step S19 , the control device 110 (control unit 111 ) continues discharging the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 . At the same time, the inert gas is also discharged from the first nozzle 11 , the second nozzle 12 , the fifth nozzle 15 , and the sixth nozzle 16 (drying process). As a result, the substrate W is dried.

본 실시형태에서는, 감압하에서 기판 (W) 을 건조시킨다. 감압하에서 기판 (W) 을 건조시킴으로써, 대기압하에서 기판 (W) 을 건조시키는 경우와 비교하여, 건조 효율을 높일 수 있다.In this embodiment, the board|substrate W is dried under reduced pressure. By drying the board|substrate W under reduced pressure, compared with the case where the board|substrate W is dried under atmospheric pressure, drying efficiency can be raised.

다음으로, 스텝 S20 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 1 노즐 (11) ∼ 제 6 노즐 (16) 로부터의 불활성 가스의 토출을 계속시킴과 함께, 감압부 (25) 의 구동을 정지시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 의 내압이 대기압으로 돌아간다.Next, in step S20, the control device 110 (control unit 111) continues the discharge of the inert gas from the first nozzles 11 to the sixth nozzles 16, and the pressure reduction unit 25 ) to stop the operation. As a result, the internal pressure of the chamber 2 returns to atmospheric pressure.

다음으로, 스텝 S21 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 1 노즐 (11), 제 2 노즐 (12), 제 5 노즐 (15), 및 제 6 노즐 (16) 로부터의 불활성 가스의 토출을 정지시키는 한편으로, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터의 불활성 가스의 토출을 계속시킨다. 이 때, 챔버 (2) 의 내압은 대기압이 되어 있다.Next, in step S21 , the control device 110 (control unit 111 ) controls the first nozzle 11 , the second nozzle 12 , the fifth nozzle 15 , and the sixth nozzle 16 . while stopping the discharge of the inert gas, the discharge of the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 is continued. At this time, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure.

이상, 도 1 ∼ 도 9 를 참조하여 본 발명의 실시형태 1 을 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 기판 (W) 에 부착되어 있는 발수화제 (SMT) 의 잔류물과 IPA 의 반응에서 기인하여 발생한 파티클을, dIPA 에 의해 제거할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 의 청정도를 향상시킬 수 있다.As mentioned above, Embodiment 1 of this invention was demonstrated with reference to FIGS. According to the present embodiment, the particles generated due to the reaction between the residue of the water repellent agent (SMT) adhering to the substrate W and IPA can be removed by dIPA. Therefore, the cleanliness of the board|substrate W can be improved.

또한, 본 실시형태에 의하면, 발수화제 (SMT) 의 증기를 토출하기 전에, 기판 (W) 의 표면에 부착되어 있는 물방울을 IPA 의 액적으로 치환할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 의 표면에 물방울이 부착되어 있는 경우에 비하여, 기판 (W) 의 표면에 발수화제 (SMT) 의 액적을 용이하게 부착시킬 수 있다.In addition, according to this embodiment, before discharging the vapor of the water repellent agent SMT, water droplets adhering to the surface of the substrate W can be replaced with droplets of IPA. Therefore, compared to the case where the water droplets adhere to the surface of the substrate W, the droplets of the water repellent agent SMT can be easily attached to the surface of the substrate W.

또한, 본 실시형태에 의하면, 건조 처리 (스텝 S19) 전에, 기판 (W) 의 표면에 부착되어 있는 dIPA 의 액적을 IPA 의 액적으로 치환할 수 있다. IPA 는, dIPA 와 비교하여 표면 장력이 작기 때문에, 건조 처리시에 패턴에 작용하는 액체의 표면 장력이 보다 작아져, 패턴의 도괴를 더욱 회피할 수 있다.Moreover, according to this embodiment, before the drying process (step S19), the droplet of dIPA adhering to the surface of the board|substrate W can be replaced with the droplet of IPA. Since the surface tension of IPA is smaller than that of dIPA, the surface tension of the liquid acting on the pattern during the drying treatment becomes smaller, and the collapse of the pattern can be further avoided.

또한, 본 실시형태에 의하면, 감압하에서 발수화제 (SMT) 의 증기를 토출하여 기판 (W) 의 표면에 발수화막을 형성할 수 있다. 따라서, 대기압하에서 발수화제 (SMT) 의 증기를 토출하여 기판 (W) 의 표면에 발수화막을 형성하는 경우와 비교하여, 발수화막을 보다 용이하게 형성할 수 있다.Further, according to the present embodiment, it is possible to form a water repellent film on the surface of the substrate W by discharging the vapor of the water repellent agent SMT under reduced pressure. Therefore, compared to the case where the water repellent film is formed on the surface of the substrate W by discharging the vapor of the water repellent agent SMT under atmospheric pressure, the water repellent film can be formed more easily.

[실시형태 2][Embodiment 2]

계속해서 도 1, 도 2 ∼ 도 7, 도 10 및 도 11 을 참조하여 본 발명의 실시형태 2 에 대하여 설명한다. 단, 실시형태 1 과 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1 과 동일한 사항에 대한 설명은 할애한다. 실시형태 2 는, 실시형태 1 과 달리, dIPA 에 의한 린스 처리 이후의 처리를 대기압하에서 실시한다.Next, with reference to FIG. 1, FIG. 2 - FIG. 7, FIG. 10, and FIG. 11, Embodiment 2 of this invention is demonstrated. However, different matters from the first embodiment will be described, and the description of the same matters as those of the first embodiment will be spared. In Embodiment 2, unlike Embodiment 1, the treatment after the rinsing treatment with dIPA is performed under atmospheric pressure.

도 10 및 도 11 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다. 상세하게는, 도 10 및 도 11 은, 기판 처리 장치 (100) 가 실행하는 처리 시퀀스를 나타낸다. 본 실시형태의 기판 처리 방법 (처리 시퀀스) 은, 도 3 ∼ 도 7 을 참조하여 설명한 스텝 S1 ∼ 스텝 S14 를 포함한다. 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 도 10 및 도 11 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S31 ∼ 스텝 S36 을 추가로 포함한다.10 and 11 are flowcharts showing the substrate processing method of the present embodiment. In detail, FIGS. 10 and 11 show a processing sequence executed by the substrate processing apparatus 100 . The substrate processing method (process sequence) of the present embodiment includes steps S1 to S14 described with reference to FIGS. 3 to 7 . The substrate processing method of the present embodiment further includes steps S31 to S36 as shown in FIGS. 10 and 11 .

본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 먼저, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S1 ∼ 스텝 S14 의 처리를 실행한다. 그 후, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S31 에 있어서, dIPA 의 토출을 정지시킨다. 또한, 스텝 S31 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 1 처리 위치로 이동시켜, 처리조 (3) 에 저류되어 있는 dIPA 에 기판 (W) 을 침지시킨다 (침지 공정). 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 발수화제 (SMT) 의 잔류물과 IPA 의 반응에서 기인하여 발생한 파티클이, dIPA 에 의해 제거된다.In the present embodiment, the control device 110 (control unit 111 ) first executes the processing of steps S1 to S14 described in the first embodiment. Then, as shown in FIG. 10 , the control device 110 (control unit 111 ) stops discharging of dIPA in step S31 . Further, in step S31 , the control device 110 (control unit 111 ) moves the holding unit 50 to the first processing position to transfer the substrate W to the dIPA stored in the processing tank 3 . Immerse (immersion process). As a result, dIPA removes the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W and the particles generated due to the reaction between IPA and IPA.

또한, 스텝 S31 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 스텝 S15 와 마찬가지로, 불활성 가스의 토출을 계속시킨다. 그 한편으로, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 스텝 S15 와 달리, 감압부 (25) 를 구동시키지 않는다. 따라서, 챔버 (2) 의 내압은 대기압으로 유지된다. 챔버 (2) 의 내압은, 스텝 S34 (도 11) 까지 대기압으로 유지된다.In addition, in step S31, the control apparatus 110 (control part 111) continues the discharge of an inert gas similarly to step S15. On the other hand, the control device 110 (control unit 111 ) does not drive the decompression unit 25 , unlike step S15 . Accordingly, the internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure. The internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure until step S34 (FIG. 11).

또한, 스텝 S31 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 스텝 S15 와 마찬가지로, dIPA 의 토출을 계속시켜도 된다. 또한, 스텝 S31 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 스텝 S15 와 마찬가지로, 기판 (W) 이 dIPA 에 침지되어 있는 상태를 유지하면서, 유지부 (50) 를 상하 방향으로 요동 (진동) 시켜도 된다.In addition, in step S31, the control apparatus 110 (control part 111) may continue the discharge of dIPA similarly to step S15. Moreover, in step S31, the control apparatus 110 (control part 111) rock|fluctuates the holding|maintenance part 50 in an up-down direction, maintaining the state in which the board|substrate W is immersed in dIPA similarly to step S15. You can make it vibrate.

다음으로, 스텝 S32 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 IPA 의 증기를 토출시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 내에 IPA 의 증기를 포함하는 분위기가 형성된다.Next, in step S32 , the control device 110 (control unit 111 ) discharges the vapor of the IPA from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 . As a result, an atmosphere containing the vapor of IPA is formed in the chamber 2 .

다음으로, 스텝 S33 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 2 처리 위치로 이동시켜, dIPA 로부터 기판 (W) 을 인상한다 (인상 공정). 또한, 스텝 S33 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 8 밸브 (V8) 를 열어, 처리조 (3) 로부터 배액 라인 (41) 을 통하여 dIPA 를 배출시킨다. 또한, 제 8 밸브 (V8) 의 열림 상태는, 스텝 S36 (도 11) 까지 유지된다.Next, in step S33 , the control device 110 (the control unit 111 ) moves the holding unit 50 to the second processing position to lift the substrate W from the dIPA (pulling step). Further, in step S33 , the control device 110 (control unit 111 ) opens the eighth valve V8 to discharge dIPA from the treatment tank 3 through the drain line 41 . In addition, the open state of the eighth valve V8 is maintained until step S36 (FIG. 11).

다음으로, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S34 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, IPA 의 증기의 토출을 계속시킨다. 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 dIPA 의 액적이 IPA 의 증기에 의해 제거된다.Next, as shown in FIG. 11 , in step S34 , the control device 110 (control unit 111 ) continues to discharge the IPA vapor. As a result, the droplets of dIPA adhering to the substrate W are removed by the vapor of IPA.

다음으로, 스텝 S35 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 감압부 (25) 를 구동시킴으로써, 배기 라인 (42) 을 통하여 챔버 (2) 내의 기체를 배기시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 내가 대기압 미만으로 감압된다. 또한, 스텝 S35 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터 불활성 가스를 토출시킴으로써, 기판 (W) 을 건조시킨다 (건조 공정).Next, in step S35 , the control device 110 (control unit 111 ) exhausts the gas in the chamber 2 through the exhaust line 42 by driving the pressure reduction unit 25 . As a result, the inside of the chamber 2 is pressure-reduced below atmospheric pressure. Moreover, in step S35, the control apparatus 110 (control part 111) dries the board|substrate W by discharging an inert gas from the 3rd nozzle 13 and the 4th nozzle 14 (drying process). ).

본 실시형태에서는, 감압하에서 기판 (W) 을 건조시킨다. 감압하에서 기판 (W) 을 건조시킴으로써, 대기압하에서 기판 (W) 을 건조시키는 경우와 비교하여, 건조 효율을 높일 수 있다.In the present embodiment, the substrate W is dried under reduced pressure. By drying the board|substrate W under reduced pressure, compared with the case where the board|substrate W is dried under atmospheric pressure, drying efficiency can be raised.

다음으로, 스텝 S36 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터의 불활성 가스의 토출을 계속시킴과 함께, 제 1 노즐 (11), 제 2 노즐 (12), 제 5 노즐 (15), 및 제 6 노즐 (16) 로부터도 불활성 가스를 토출시킨다. 또한, 스텝 S36 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 감압부 (25) 의 구동을 정지시킨다. 이 결과, 챔버 (2) 의 내압이 대기압으로 돌아간다.Next, in step S36, the control device 110 (control unit 111) continues the discharge of the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14, and the first nozzle ( 11), the inert gas is also discharged from the second nozzle 12 , the fifth nozzle 15 , and the sixth nozzle 16 . Further, in step S36 , the control device 110 (control unit 111 ) stops the driving of the pressure-reducing unit 25 . As a result, the internal pressure of the chamber 2 returns to atmospheric pressure.

본 실시형태에 의하면, 제 1 노즐 (11) ∼ 제 6 노즐 (16) 로부터 불활성 가스를 토출시킴으로써, 챔버 (2) 의 내압을 대기압으로 효율적으로 되돌릴 수 있다.According to this embodiment, by discharging an inert gas from the 1st nozzle 11 - the 6th nozzle 16, the internal pressure of the chamber 2 can be returned efficiently to atmospheric pressure.

이상, 도 1, 도 2 ∼ 도 7, 도 10 및 도 11 을 참조하여 본 발명의 실시형태 2 에 대하여 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 기판 (W) 에 부착되어 있는 발수화제 (SMT) 의 잔류물과 IPA 의 반응에서 기인하여 발생한 파티클을, dIPA 에 의해 제거할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 의 청정도를 향상시킬 수 있다.As mentioned above, with reference to FIG. 1, FIG. 2 - FIG. 7, FIG. 10, and FIG. 11, Embodiment 2 of this invention was demonstrated. According to the present embodiment, the particles generated due to the reaction between the residue of the water repellent agent (SMT) adhering to the substrate W and IPA can be removed by dIPA. Therefore, the cleanliness of the board|substrate W can be improved.

[실시형태 3][Embodiment 3]

계속해서 도 1, 도 2, 및 도 10 ∼ 도 15 를 참조하여 본 발명의 실시형태 3 에 대하여 설명한다. 단, 실시형태 1, 2 와 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1, 2 와 동일한 사항에 대한 설명은 할애한다. 실시형태 3 은, 실시형태 1, 2 와 달리, 대기압하에서 처리를 실시한다.Next, with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIGS. 10-15, Embodiment 3 of this invention is demonstrated. However, the matters different from the first and second embodiments will be described, and the description of the same matters as those of the first and second embodiments will be spared. In Embodiment 3, unlike Embodiments 1 and 2, the process is performed under atmospheric pressure.

도 12 ∼ 도 15 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다. 상세하게는, 도 12 ∼ 도 15 는, 기판 처리 장치 (100) 가 실행하는 처리 시퀀스를 나타낸다. 도 12 ∼ 도 15 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 기판 처리 방법 (처리 시퀀스) 은, 스텝 S41 ∼ 스텝 S52 를 포함한다. 또한, 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 도 10 및 도 11 을 참조하여 설명하고 스텝 S33 ∼ 스텝 S36 을 추가로 포함한다.12 to 15 are flowcharts showing the substrate processing method of the present embodiment. In detail, FIGS. 12-15 show the process sequence performed by the substrate processing apparatus 100. As shown in FIG. 12 to 15 , the substrate processing method (process sequence) of the present embodiment includes steps S41 to S52. In addition, the substrate processing method of this embodiment is demonstrated with reference to FIGS. 10 and 11, and also includes step S33 - step S36.

먼저, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S41 및 스텝 S42 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S1 및 스텝 S2 와 동일한 처리를 실시한다. 스텝 S41 및 스텝 S42 의 처리는, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S1 및 스텝 S2 와 동일하기 때문에, 그 설명은 할애한다.First, as shown in FIG. 12, in step S41 and step S42, the control apparatus 110 (control part 111) performs the same process as step S1 and step S2 demonstrated in Embodiment 1. Since the processing of step S41 and step S42 is the same as that of step S1 and step S2 demonstrated in Embodiment 1, the description is spared.

다음으로, 스텝 S43 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S3 와 마찬가지로, 제 3 노즐 (13) 및 제 4 노즐 (14) 로부터의 불활성 가스의 토출을 계속시킨다. 한편, 스텝 S43 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S3 과 달리, 감압부 (25) 를 구동시키지 않는다. 따라서, 챔버 (2) 의 내압은 대기압으로 유지된다. 챔버 (2) 의 내압은, 스텝 S52 (도 15) 까지 대기압으로 유지된다.Next, in step S43 , the control device 110 (control unit 111 ) discharges the inert gas from the third nozzle 13 and the fourth nozzle 14 , similarly to step S3 described in the first embodiment. to continue On the other hand, in step S43, the control device 110 (control unit 111) does not drive the pressure reduction unit 25, unlike step S3 described in the first embodiment. Accordingly, the internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure. The internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure until step S52 (FIG. 15).

다음으로, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S44 및 스텝 S45 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S4 및 스텝 S5 와 동일한 처리를 실시한다. 스텝 S44 및 스텝 S45 의 처리는, 대기압하에서 실시되는 것을 제외하고, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S4 및 스텝 S5 와 동일하기 때문에, 그 설명은 할애한다. 또한, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 스텝 S45 에 있어서, 제 8 밸브 (V8) 를 열고, 배액 라인 (41) 을 통하여 처리조 (3) 로부터 DIW 를 배출시킨다. 제 8 밸브 (V8) 의 열림 상태는, 스텝 S50 (도 15) 까지 유지된다.Next, as shown in FIG. 13, in step S44 and step S45, the control apparatus 110 (control part 111) performs the same process as step S4 and step S5 demonstrated in Embodiment 1. Since the processing of step S44 and step S45 is the same as step S4 and step S5 demonstrated in Embodiment 1 except being implemented under atmospheric pressure, the description is spared. In addition, the control device 110 (control unit 111 ) opens the eighth valve V8 in step S45 to discharge DIW from the treatment tank 3 through the drain line 41 . The open state of the eighth valve V8 is maintained until step S50 ( FIG. 15 ).

다음으로, 스텝 S46 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, IPA 의 증기의 토출을 계속시킴과 함께, 유지부 (50) 의 위치를 제 2 처리 위치에서 유지한다. 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 물방울 (DIW 의 액적) 이 IPA 의 증기에 의해 제거된다. 보다 상세하게는, 기판 (W) 에 부착되어 있는 물방울이 IPA 의 액적으로 치환된다.Next, in step S46 , the control device 110 (control unit 111 ) continues to discharge the IPA vapor and maintains the position of the holding unit 50 at the second processing position. As a result, water droplets (droplets of DIW) adhering to the substrate W are removed by the vapor of IPA. More specifically, water droplets adhering to the substrate W are replaced with droplets of IPA.

다음으로, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S47 ∼ 스텝 S49 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S7 ∼ 스텝 S9 와 동일한 처리를 실시한다. 스텝 S47 ∼ 스텝 S49 의 처리는, 대기압하에서 실시되는 것을 제외하고, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S7 ∼ 스텝 S9 와 동일하기 때문에, 그 설명은 할애한다.Next, as shown in FIG. 14, in step S47 - step S49, the control apparatus 110 (control part 111) performs the same process as step S7 - step S9 demonstrated in Embodiment 1. Since the process of step S47 - step S49 is the same as that of step S7 - step S9 demonstrated in Embodiment 1 except being implemented under atmospheric pressure, the description is spared.

다음으로, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S50 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S10 과 동일한 처리를 실시한다. 스텝 S50 의 처리는, 대기압하에서 실시되는 것을 제외하고, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S10 과 동일하기 때문에, 그 설명은 할애한다.Next, as shown in FIG. 15 , in step S50 , the control device 110 (control unit 111 ) performs the same processing as in step S10 described in the first embodiment. Since the processing of step S50 is the same as that of step S10 described in the first embodiment except that it is carried out under atmospheric pressure, the description thereof is omitted.

다음으로, 스텝 S51 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, IPA 의 증기의 토출을 계속시킨다. 또한, 스텝 S51 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 8 밸브 (V8) 를 닫은 후, 제 9 노즐 (19) 및 제 10 노즐 (20) 로부터 dIPA 를 토출시켜, 처리조 (3) 내에 dIPA 를 저류시킨다. 이 때, 챔버 (2) 의 내압은 대기압이 되어 있다. 따라서, 처리조 (3) 내에 dIPA 를 용이하게 저류시킬 수 있다.Next, in step S51, the control device 110 (control unit 111) continues to discharge the IPA vapor. Moreover, in step S51, after the control apparatus 110 (control part 111) closes the eighth valve V8, it discharges dIPA from the ninth nozzle 19 and the tenth nozzle 20, and processes it Store dIPA in tank (3). At this time, the internal pressure of the chamber 2 is atmospheric pressure. Therefore, dIPA can be easily stored in the treatment tank 3 .

다음으로, 스텝 S52 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, dIPA 의 토출을 정지시킨다. 또한, 스텝 S52 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 유지부 (50) 를 제 1 처리 위치로 이동시켜, 처리조 (3) 에 저류되어 있는 dIPA 에 기판 (W) 을 침지시킨다 (침지 공정). 이 결과, 기판 (W) 에 부착되어 있는 발수화제 (SMT) 의 잔류물과 IPA 의 반응에서 기인하여 발생한 파티클이, dIPA 에 의해 제거된다. 또한, 스텝 S52 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, IPA 의 증기의 토출을 계속시킨다.Next, in step S52 , the control device 110 (control unit 111 ) stops the discharge of dIPA. Further, in step S52 , the control device 110 (control unit 111 ) moves the holding unit 50 to the first processing position to transfer the substrate W to the dIPA stored in the processing tank 3 . Immerse (immersion process). As a result, dIPA removes the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W and the particles generated due to the reaction between IPA and IPA. Further, in step S52 , the control device 110 (control unit 111 ) continues to discharge the IPA vapor.

그 후, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 실시형태 2 에서 설명한 스텝 S33 ∼ 스텝 S36 의 처리를 실행한다.Thereafter, the control device 110 (control unit 111 ) executes the processing of steps S33 to S36 described in the second embodiment.

또한, 스텝 S52 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 스텝 S15 와 마찬가지로, dIPA 의 토출을 계속시켜도 된다. 또한, 스텝 S52 에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 스텝 S15 와 마찬가지로, 기판 (W) 이 dIPA 에 침지되어 있는 상태를 유지하면서, 유지부 (50) 를 상하 방향으로 요동 (진동) 시켜도 된다.In addition, in step S52, the control apparatus 110 (control part 111) may continue the discharge of dIPA similarly to step S15. Moreover, in step S52, the control apparatus 110 (control part 111) rock|fluctuates the holding|maintenance part 50 in an up-down direction, maintaining the state in which the board|substrate W is immersed in dIPA similarly to step S15. You can make it vibrate.

이상, 도 1, 도 2, 및 도 10 ∼ 도 15 를 참조하여 본 발명의 실시형태 3 에 대하여 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 실시형태 1, 2 와 마찬가지로, 기판 (W) 의 청정도를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 실시형태에 의하면, 챔버 (2) 의 내압을 대기압으로 유지하기 때문에, 기판 (W) 에 부착되어 있는 발수화제 (SMT) 의 잔류물을 IPA 의 증기에 의해 제거한 후 (스텝 S50 후), 건조 처리 (실시형태 1 에서 설명한 스텝 S11 ∼ S13) 를 실시하지 않고, 처리조 (3) 내에 dIPA 를 공급할 수 있다.As mentioned above, with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIGS. 10-15, Embodiment 3 of this invention was demonstrated. According to this embodiment, similarly to Embodiments 1 and 2, the cleanliness of the board|substrate W can be improved. In addition, according to this embodiment, since the internal pressure of the chamber 2 is maintained at atmospheric pressure, after removing the residue of the water repellent agent SMT adhering to the substrate W with the vapor of IPA (after step S50) , dIPA can be supplied into the treatment tank 3 without performing the drying treatment (steps S11 to S13 described in Embodiment 1).

이상, 도면 (도 1 ∼ 도 15) 을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기의 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 양태에 있어서 실시할 수 있다. 또한, 상기의 실시형태에 개시되는 복수의 구성 요소는 적절히 개변 가능하다. 예를 들어, 어느 실시형태에 나타나는 전체 구성 요소 중 어느 구성 요소를 다른 실시형태의 구성 요소에 추가해도 되고, 또는, 어느 실시형태에 나타나는 전체 구성 요소 중 몇 개의 구성 요소를 실시형태로부터 삭제해도 된다.As mentioned above, embodiment of this invention was described with reference to drawings (FIG. 1-15). However, this invention is not limited to said embodiment, In the range which does not deviate from the summary, it can implement in various aspects. In addition, the some component disclosed by said embodiment can be modified suitably. For example, any component among all the components shown in one embodiment may be added to the component of another embodiment, or some components among all the components shown in any embodiment may be deleted from the embodiment. .

도면은, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있고, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 형편상으로부터 실제와는 상이한 경우도 있다. 또한, 상기의 실시형태에서 나타내는 각 구성 요소의 구성은 일례로서, 특별히 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능한 것은 말할 필요도 없다.In order to facilitate understanding of the invention, each component is schematically shown in the drawings, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each component shown are different from reality for the convenience of drawing creation. There are different cases. In addition, the structure of each component shown in said embodiment is an example, It is not specifically limited, It cannot be overemphasized that various changes are possible in the range which does not deviate substantially from the effect of this invention.

예를 들어, 도 1 ∼ 도 15 를 참조하여 설명한 실시형태에서는, DIW 에 의한 에칭액의 린스 처리가 건조 처리 유닛 (101) 의 처리조 (3) 내에서 실시되었지만, DIW 에 의한 에칭액의 린스 처리는, 건조 처리 유닛 (101) 과는 상이한 처리 유닛의 처리조 내에서 실시되어도 된다. 예를 들어, DIW 에 의한 에칭액의 린스 처리는, 기판 (W) 을 에칭하는 처리 유닛의 처리조 내에서 실시되어도 된다.For example, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 , the rinse treatment of the etching solution by DIW was performed in the treatment tank 3 of the drying processing unit 101 , but the rinse treatment of the etching solution by DIW is , may be carried out in a processing tank of a processing unit different from the drying processing unit 101 . For example, the rinsing process of the etching liquid by DIW may be performed in the processing tank of the processing unit which etches the board|substrate W.

또한, 도 1 ∼ 도 15 를 참조하여 설명한 실시형태에서는, 발수화 처리가 건조 처리 유닛 (101) 의 챔버 (2) 내에서 실시되었지만, 발수화 처리는, 건조 처리 유닛 (101) 과는 상이한 처리 유닛의 챔버 내에서 실시되어도 된다.In addition, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 , the water repelling treatment was performed in the chamber 2 of the drying processing unit 101 , but the water repelling treatment is a process different from that of the drying processing unit 101 . It may be carried out within the chamber of the unit.

또한, 도 1 ∼ 도 15 를 참조하여 설명한 실시형태에서는, 기판 (W) 을 dIPA 에 침지시키고 있을 때에, 기판 (W) 을 상하 방향으로 요동 (진동) 시켰지만, 기판 (W) 을 요동 (진동) 시키는 방향은 상하 방향에 한정되지 않는다. 어느 방향으로 기판 (W) 을 요동 (진동) 시켜도, 파티클의 제거를 촉진시킬 수 있다. 예를 들어, 기판 (W) 을 dIPA 에 침지시키고 있을 때에, 기판 (W) 을 가로 방향으로 요동 (진동) 시켜도 된다.In addition, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 , when the substrate W is immersed in dIPA, the substrate W is oscillated in the vertical direction (vibration), but the substrate W is oscillated (vibration) The direction to make is not limited to the up-down direction. Even if the board|substrate W is rock|fluctuated (vibrating) in any direction, the removal of a particle can be accelerated|stimulated. For example, when the board|substrate W is immersed in dIPA, you may make it rock|fluctuate (vibrate) the board|substrate W horizontally.

또한, 도 1 ∼ 도 15 를 참조하여 설명한 실시형태에서는, 증기화된 발수화제 (SMT) 를 사용하여 기판 (W) 을 발수화시켰지만, 액상의 발수화제 (SMT) 를 처리조 (3) 에 저류시켜, 처리조 (3) 내의 발수화제 (SMT) 에 기판 (W) 을 침지시켜도 된다.In the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 15 , the substrate W was made water repellent using the vaporized water repellent agent (SMT), but the liquid water repellent agent (SMT) is stored in the treatment tank 3 . The substrate W may be immersed in the water repellent agent SMT in the treatment tank 3 .

또한, 도 1, 도 2, 및 도 10 ∼ 도 15 를 참조하여 설명한 실시형태 (실시형태 3) 에서는, 스텝 S52 후, 실시형태 2 에서 설명한 스텝 S33 ∼ 스텝 S36 의 처리가 실행되었지만, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S52 후의 처리를 감압하에서 실시해도 된다. 이하, 도 16 을 참조하여, 본 발명의 다른 실시형태를 설명한다.In addition, in the embodiment (Embodiment 3) described with reference to Figs. 1, 2, and Figs. 10 to 15, after step S52, the processes of steps S33 to S36 described in the second embodiment were executed, but in Fig. 16 As shown, you may implement the process after step S52 under reduced pressure. Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 16 .

도 16 은, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다. 본 실시형태의 기판 처리 방법 (처리 시퀀스) 은, 도 12 ∼ 도 15 를 참조하여 설명한 스텝 S41 ∼ 스텝 S52 를 포함한다. 또한, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 스텝 S52 후에, 스텝 S61 을 추가로 포함한다. 또한, 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 도 8 및 도 9 를 참조하여 설명한 스텝 S17 ∼ 스텝 S21 을 추가로 포함한다.16 is a flowchart showing a substrate processing method according to another embodiment of the present invention. The substrate processing method (process sequence) of the present embodiment includes steps S41 to S52 described with reference to FIGS. 12 to 15 . Moreover, as shown in FIG. 16, the substrate processing method of this embodiment further includes step S61 after step S52. In addition, the substrate processing method of this embodiment further includes step S17 - step S21 demonstrated with reference to FIGS. 8 and 9 .

도 16 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 실시형태 3 에서 설명한 스텝 S41 ∼ 스텝 S52 처리의 실행 후, 스텝 S61 에 있어서, IPA 의 증기의 토출을 계속시키는 한편으로, 감압부 (25) 를 구동함으로써, 배기 라인 (42) 을 통하여 챔버 (2) 내의 기체를 배기시켜도 된다. 이 결과, 챔버 (2) 내가 대기압 미만으로 감압된다. 다른 실시형태에서는, 스텝 S61 후, 실시형태 1 에서 설명한 스텝 S17 ∼ 스텝 S21 의 처리가 실행된다.As shown in FIG. 16 , the control device 110 (control unit 111 ) continues discharging the IPA vapor in step S61 after the processing of steps S41 to S52 described in the third embodiment is executed. , by driving the decompression unit 25 , the gas in the chamber 2 may be exhausted through the exhaust line 42 . As a result, the inside of the chamber 2 is pressure-reduced below atmospheric pressure. In another embodiment, after step S61, the processes of steps S17 to S21 described in the first embodiment are executed.

산업상 이용가능성Industrial Applicability

본 발명은, 기판을 처리하는 방법 및 장치에 유용하다.The present invention is useful in methods and apparatus for processing substrates.

2 : 챔버
3 : 처리조
4 : 기체 공급부
5 : 액 공급부
21 : 불활성 가스 공급원
22 : IPA 공급원
23 : 발수화제 공급원
24 : DIW 공급원
25 : 감압부
100 : 기판 처리 장치
101 : 처리 유닛 (건조 처리 유닛)
103 : 승강부
110 : 제어 장치
111 : 제어부
112 : 기억부
W : 기판2: chamber
3: treatment tank
4: gas supply unit
5: liquid supply part
21: inert gas source
22: IPA Source
23: supply of water repellent agent
24: DIW source
25: decompression unit
100: substrate processing device
101 processing unit (dry processing unit)
103: elevator
110: control device
111: control unit
112: memory
W: substrate

Claims (14)

기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
희석화된 이소프로필알코올인 희석 이소프로필알코올을 처리조에 저장하는 공정과,
상기 처리조 내의 상기 희석 이소프로필알코올에, 발수화 처리된 상기 기판을 침지시키는 침지 공정
을 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate, comprising:
A process of storing diluted isopropyl alcohol, which is diluted isopropyl alcohol, in a treatment tank;
Immersion step of immersing the water-repellent treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank
A substrate processing method comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 처리조 내의 상기 희석 이소프로필알코올에, 발수화 처리된 상기 기판을 침지시키기 전에, 상기 기판을 건조시키는 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The substrate processing method further comprising the step of drying the substrate before immersing the substrate subjected to a water repellency treatment in the diluted isopropyl alcohol in the processing tank. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리조를 수용하는 밀폐 공간 내에, 증기화된 발수화제를 공급하여, 상기 기판을 발수화 처리하는 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The method of claim 1, further comprising: supplying a vaporized water repellent agent into a closed space accommodating the treatment tank to water repellent treatment for the substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 처리조 내에 저장된 린스액에 상기 기판을 침지시키는 공정과,
상기 린스액으로부터 상기 기판을 인상하는 공정과,
상기 처리조로부터 상기 린스액을 배액하는 공정
을 추가로 포함하고,
상기 린스액의 배액 후에 상기 발수화 처리를 실시하는, 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
immersing the substrate in the rinse solution stored in the treatment tank;
pulling up the substrate from the rinse solution;
Step of draining the rinse liquid from the treatment tank
further comprising,
The substrate processing method, wherein the water repellent treatment is performed after draining the rinse liquid. 제 3 항에 있어서,
상기 발수화 처리 후에, 상기 밀폐 공간 내에 증기화된 유기 용매를 공급하는, 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
After the water-repellent treatment, the substrate processing method of supplying a vaporized organic solvent in the sealed space. 제 3 항에 있어서,
상기 밀폐 공간 내를 감압하여, 상기 발수화 처리를 실시하는, 기판 처리 방법.4. The method of claim 3,
The substrate processing method which pressure-reduces the inside of the said sealed space, and performs the said water-repellent treatment. 제 6 항에 있어서,
상기 희석 이소프로필알코올을 상기 처리조에 저장하기 전에, 상기 밀폐 공간 내의 압력을 대기압으로 되돌리는 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.7. The method of claim 6,
Before storing the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank, the method further comprising the step of returning the pressure in the sealed space to atmospheric pressure. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 희석 이소프로필알코올로부터 상기 기판을 인상하는 인상 공정과,
상기 희석 이소프로필알코올로부터 인상된 상기 기판을 건조시키는 건조 공정
을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
a pulling step of pulling up the substrate from the diluted isopropyl alcohol;
A drying process of drying the substrate pulled up from the diluted isopropyl alcohol
Further comprising a, substrate processing method. 제 8 항에 있어서,
상기 인상 공정 전에, 상기 처리조를 수용하는 밀폐 공간 내에, 증기화된 유기 용매를 공급하는 공정을 추가로 포함하고,
상기 건조 공정은, 상기 밀폐 공간 내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
Before the pulling process, further comprising a process of supplying a vaporized organic solvent in a closed space accommodating the treatment tank,
The drying step includes a step of supplying an inert gas into the sealed space. 제 8 항에 있어서,
상기 처리조를 수용하는 밀폐 공간 내를 감압하여, 상기 건조 공정을 실시하는, 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
The substrate processing method of performing the said drying process by pressure-reducing the inside of the sealed space which accommodates the said processing tank. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 침지 공정에 있어서, 상기 처리조에 상기 희석 이소프로필알코올을 공급하는, 기판 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The said immersion process WHEREIN: The substrate processing method which supplies the said dilution isopropyl alcohol to the said processing tank. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 침지 공정에 있어서, 상기 기판을 진동시키는, 기판 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The said immersion process WHEREIN: The substrate processing method which vibrates the said board|substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 희석 이소프로필알코올에 있어서, 이소프로필알코올의 농도는 0.3 ％ 이상 5 ％ 미만인, 기판 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The said diluted isopropyl alcohol WHEREIN: The density|concentration of isopropyl alcohol is 0.3 % or more and less than 5 %, The substrate processing method. 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
희석화된 이소프로필알코올인 희석 이소프로필알코올을 저류하는 처리조와,
상기 처리조를 수용하는 챔버와,
상기 챔버 내에 있어서, 상기 처리조 내의 제 1 처리 위치와, 상기 처리조 밖의 제 2 처리 위치 사이에서 상기 기판을 이동시키는 이동부와,
상기 이동부를 제어하여, 상기 처리조 내의 상기 희석 이소프로필알코올에, 발수화 처리된 상기 기판을 침지시키는 제어부
를 구비하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising:
A treatment tank for storing diluted isopropyl alcohol, which is diluted isopropyl alcohol;
a chamber accommodating the treatment tank;
a moving unit configured to move the substrate in the chamber between a first processing position in the processing tank and a second processing position outside the processing bath;
A control unit for controlling the moving unit to immerse the water-repellent treated substrate in the diluted isopropyl alcohol in the treatment tank
A substrate processing apparatus comprising a.
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