KR20220014891A - 광 필터 - Google Patents
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Abstract
대역 통과 필터는 층의 세트를 포함할 수도 있다. 층의 세트는 층의 제1 하위세트를 포함할 수도 있다. 층의 제1 하위세트는 제1 굴절률을 가진 수소화된 게르마늄(Ge:H)을 포함할 수도 있다. 층의 세트는 층의 제2 하위세트를 포함할 수도 있다. 층의 제2 하위세트는 제2 굴절률을 가진 재료를 포함할 수도 있다. 제2 굴절률은 제1 굴절률 미만일 수도 있다.
Description
본 발명은 광 필터에 관한 것이다.
광 센서 디바이스는 정보를 캡처(capture)하도록 활용될 수도 있다. 예를 들어, 광 센서 디바이스는 전자기 주파수의 세트와 관련된 정보를 캡처할 수도 있다. 광 센서 디바이스는 정보를 캡처하는 센서 구성요소(예를 들어, 광 센서, 스펙트럼 센서 및/또는 이미지 센서)의 세트를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 다수의 센서 구성요소는 다중 주파수와 관련된 정보를 캡처하도록 활용될 수도 있다. 하나의 실시예에서, 다수의 센서 구성요소는 특정한 스펙트럼 범위, 예컨대, 대략 1100㎚(나노미터) 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 중심 파장을 가진 또 다른 스펙트럼 범위 등에 관한 정보를 캡처하도록 활용될 수도 있다. 센서 구성요소 어레이의 센서 구성요소는 필터와 연관될 수도 있다. 필터는 센서 구성요소를 통과하는 제1 스펙트럼 범위의 광과 연관된 통과 대역을 포함할 수도 있다. 필터는 제2 스펙트럼 범위의 광이 센서 구성요소를 통과하는 것을 차단하는 것과 연관될 수도 있다.
일부의 가능한 구현예에 따르면, 대역 통과 필터는 층의 세트를 포함할 수도 있다. 층의 세트는 층의 제1 하위세트를 포함할 수도 있다. 층의 제1 하위세트는 제1 굴절률을 가진 수소화된 게르마늄(Ge:H)을 포함할 수도 있다. 층의 세트는 층의 제2 하위세트를 포함할 수도 있다. 층의 제2 하위세트는 제2 굴절률을 가진 재료를 포함할 수도 있다. 제2 굴절률은 제1 굴절률 미만일 수도 있다.
일부의 가능한 구현예에 따르면, 광 필터는 기판을 포함할 수도 있다. 광 필터는 입사광을 필터링하도록 기판 상에 배치된 교번하는 고 굴절률 층과 저 굴절률 층의 세트를 포함할 수도 있다. 광 필터는 대략 1550㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위 내의 입사광의 제1 부분을 통과시키고 그리고 스펙트럼 범위 내에 없는 입사광의 제2 부분을 반사시키도록 구성될 수도 있다. 고 굴절률 층은 수소화된 게르마늄(Ge:H)일 수도 있다. 저 굴절률 층은 이산화규소(SiO2)일 수도 있다.
일부의 가능한 구현예에 따르면, 광 시스템은 입력된 광 신호를 필터링하여 필터링된 입력된 광 신호를 제공하도록 구성된 광 필터를 포함할 수도 있다. 입력된 광 신호는 제1 광원으로부터의 광 및 제2 광원으로부터의 광을 포함할 수도 있다. 광 필터는 유전체 박막층의 세트를 포함할 수도 있다. 유전체 박막층의 세트는 제1 굴절률을 가진 수소화된 게르마늄의 층의 제1 하위세트를 포함할 수도 있다. 유전체 박막층의 세트는 제1 굴절률 미만인 제2 굴절률을 가진 재료의 층의 제2 하위세트를 포함할 수도 있다. 필터링된 입력된 광 신호는 입력된 광 신호에 비해 제2 광원으로부터의 광의 감소된 강도를 포함할 수도 있다. 광 시스템은 필터링된 입력된 광 신호를 수신하고 출력 전기 신호를 제공하도록 구성된 광 센서를 포함할 수도 있다.
하나의 구체예의 광 필터는,
하나 이상의 제1 층; 및
하나 이상의 제2 층;
을 포함하고,
상기 하나 이상의 제1 층 및 상기 하나 이상의 제2 층은,
대략 1550 nm 의 파장이 중심인 통과대역에 대해 45도의 입사각으로 대략 100 nm 미만 또는 30도의 입사각으로 대략 30 nm 미만의 각 시프트를 제공하는, 광 필터이다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 수소화된 게르마늄의 층을 하나 이상 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 어닐링된 수소화된 게르마늄의 층을 하나 이상 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제2 층은, 이산화규소의 층을 하나 이상 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 대략 1550㎚가 중심인 통과 대역에 대해 대략 40% 초과의 투과율을 제공할 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 대략 1550㎚가 중심인 통과 대역에 대해 대략 80% 초과의 투과율을 제공할 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 대략 1550㎚가 중심인 통과 대역에 대해 대략 85% 초과의 투과율을 제공할 수 있다.
다른 구체예의 광 필터는 제1 굴절률을 갖는 하나 이상의 제1 층; 및
제2 굴절률을 갖는 하나 이상의 제2 층; 을 포함하고,
상기 하나 이상의 제1 층은 대략 1550 ㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서 0.0001 미만의 흡광 계수를 갖는 막을 포함한다.
구체예에서, 상기 제2 굴절률은 상기 제1 굴절률 보다 작다.
구체예에서, 상기 흡광 계수는 대략 0.0006일 수 있다.
구체예에서, 상기 막은 어닐링된 수소화된 게르마늄 막일 수 있다.
구체예에서, 상기 막은 대략 4.3 의 굴절률을 가질 수 있다.
구체예에서, 상기 막은 대략 2.5 ㎛의 단일 층 막일 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제1 층은 비-수소화된 게르미늄 막을 더 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 비-수소화된 게르미늄 막은 대략 1550 ㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서 대략 0.07의 흡광 계수 및 4.6의 굴절률을 가질 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제1 층은 하나 이상의 수소화된 게르마늄 막을 더 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 수소화된 게르마늄 막은 대략 1550 ㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서 0.07 미만의 흡광 계수 및 4.6 미만의 굴절률을 가질 수 있다.
구체예에서, 상기 하나 이상의 제2 층은, 이산화규소(SiO2) 재료, 산화알루미늄(Al2O3) 재료, 이산화티타늄(TiO2) 재료, 오산화니오븀(Nb2O5) 재료, 오산화탄탈륨(Ta2O5) 재료, 또는 불화마그네슘(MgF2) 재료 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또 다른 구체예의 광 필터는 층의 제1 세트와 층의 제2 세트를 포함하고, 상기 층의 제1 세트는,
비-수소화된 게르미늄 막;
하나 이상의 수소화된 게르마늄 막; 및
어닐링된 수소화된 게르마늄 막;
을 포함한다.
구체예에서, 상기 어닐링된 수소화된 게르마늄 막은 대략 1550 ㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서 0.0001 미만의 흡광 계수를 가질 수 있다.
본 발명은 증가된 굴절률, 감소된 흡광 계수, 감소된 각 시프트 및 투과율이 개선된 광 필터를 제공하는 발명의 효과를 갖는다.
도 1a 내지 도 1c는 본 명세서에 설명된 예시적인 구현예의 개략도;
도 2는 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터의 도면;
도 3은 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터를 제작하기 위한 시스템의 도면;
도 4a 내지 도 4d는 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터와 관련된 특성의 도면; 및
도 5a 내지 도 5c는 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터와 관련된 특성의 도면.
도 2는 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터의 도면;
도 3은 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터를 제작하기 위한 시스템의 도면;
도 4a 내지 도 4d는 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터와 관련된 특성의 도면; 및
도 5a 내지 도 5c는 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터와 관련된 특성의 도면.
예시적인 구현예의 다음의 상세한 설명은 첨부된 도면과 관련된다. 상이한 도면에서 동일한 참조 부호는 동일하거나 유사한 구성요소를 식별할 수도 있다.
광 센서 디바이스는 광원, 예컨대, 광 송신기, 광 전구, 주변 광원 등으로부터 발생된 광을 수광하도록 센서 구성요소의 센서 구성요소 어레이를 포함할 수도 있다. 광 센서 디바이스는 하나 이상의 센서 기술, 예컨대, 상보형 금속-산화물-반도체(CMOS) 기술, 전하-결합 디바이스(CCD) 기술 등을 활용할 수도 있다. 광 센서 디바이스의 센서 구성요소(예를 들어, 광 센서)는 전자기 주파수의 세트에 관한 정보(예를 들어, 스펙트럼 데이터)를 획득할 수도 있다. 센서 구성요소는 인듐-갈륨-비화물(InGaAs) 기반 센서 구성요소, 실리콘 게르마늄(SiGe) 기반 센서 구성요소 등일 수도 있다.
센서 구성요소는 센서 구성요소가 전자기 주파수의 특정한 스펙트럼 범위에 관한 정보를 획득하게 하도록 센서 구성요소로의 광을 필터링하는 필터와 연관될 수도 있다. 예를 들어, 센서 구성요소는, 센서 구성요소를 향하여 지향되는 광의 부분이 필터링되게 하도록 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1500㎚ 내지 대략 1600㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위 등 내의 통과 대역을 가진 필터와 정렬될 수도 있다. 필터는 광의 부분을 필터링하도록 유전체 층의 세트를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 필터는 교번하는 고 굴절률 층과 저 굴절률 층, 예컨대, 고 굴절률 재료로서 수소화된 실리콘(Si:H 또는 SiH) 또는 게르마늄(Ge)과 저 굴절률 재료로서 이산화규소(SiO2)의 교번층의 유전체 필터 스택을 포함할 수도 있다. 그러나, 대략 1550㎚가 중심인 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위와 연관된 필터를 위해 고 굴절률 재료로서 수소화된 실리콘의 사용은 과도한 각 시프트(angle shift)(예를 들어, 각 시프트는 문턱값보다 큼)를 발생시킬 수도 있다. 또한, 고 굴절률 재료로서 게르마늄의 사용은 대략 1550㎚의 파장에서 대략 20% 미만의 투과율과 같은, 대략 1550㎚가 중심인 통과 대역에 대한 문턱값 투과율 미만의 투과율을 발생시킬 수도 있다.
본 명세서에 설명된 일부 구현예는 고 굴절률 재료로서 수소화된 게르마늄(Ge:H 또는 GeH)을 가진 광 필터를 제공하여, 문턱값 미만인 각 시프트를 발생시킨다. 예를 들어, 광 필터는 대략 1550㎚의 파장이 중심인 통과 대역에 대해, 45도의 입사각으로 대략 100㎚ 미만, 30도의 입사각으로 대략 30㎚ 미만, 15도의 입사각으로 대략 10㎚ 미만 등의 각 시프트를 제공하도록 수소화된 게르마늄 또는 어닐링된 수소화된 게르마늄의 하나 이상의 층 및 이산화규소의 하나 이상의 층을 포함할 수도 있다. 또한, 수소화된 게르마늄 및/또는 어닐링된 수소화된 게르마늄을 사용하는 광 필터는 대략 40% 초과, 대략 80% 초과, 대략 85% 초과 등의 투과율과 같은, 대략 1550㎚가 중심인 통과 대역에 대한 투과율의 문턱값 레벨보다 큰 투과율을 제공할 수도 있다. 이 방식으로, 본 명세서에 설명된 일부 구현예는 문턱값 각 시프트 미만이고 그리고 투과의 문턱값 레벨 초과인 광을 필터링한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 명세서에 설명된 예시적인 구현예(100/100'/100'')의 개략도이다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 예시적인 구현예(100)는 센서 시스템(110)을 포함한다. 센서 시스템(110)은 광 시스템의 부분일 수도 있고, 그리고 센서 결정에 대응하는 전기 출력을 제공할 수도 있다. 센서 시스템(110)은 광 필터(130)를 포함하는 광 필터 구조체(120) 및 광 센서(140)를 포함한다. 예를 들어, 광 필터 구조체(120)는 통과 대역 필터링 기능을 수행하는 광 필터(130)를 포함할 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 광 필터(130)는 광 센서(140)의 다수의 센서 구성요소와 정렬될 수도 있다.
본 명세서에 설명된 일부 구현예가 센서 시스템 내의 광 필터에 관하여 설명될 수도 있지만, 본 명세서에 설명된 구현예는 또 다른 유형의 시스템에서 사용될 수도 있고, 센서 시스템의 외부에서 사용될 수도 있는 등이다.
도 1a에 또한 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(150)에서, 입력된 광 신호는 광 필터 구조체(120)를 향하여 지향된다. 입력된 광 신호는 특정한 스펙트럼 범위(예를 들어, 대략 1550㎚가 중심인 스펙트럼 범위), 예컨대, 1500㎚ 내지 1600㎚의 스펙트럼 범위, 1100㎚ 내지 2000㎚의 스펙트럼 범위 등과 연관된 광을 포함할 수도 있지만 이로 제한되지 않는다. 예를 들어, 광 송신기는 광 센서(140)가 광의 측정을 수행하게 하도록 광을 광 센서(140)를 향하여 지향시킬 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 광 송신기는 또 다른 스펙트럼 범위의 광을 또 다른 기능, 예컨대, 검사 기능, 감지 기능, 통신 기능 등을 위해 지향시킬 수도 있다.
도 1a에 또한 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(160)에서, 제1 스펙트럼 범위를 가진 광 신호의 제1 부분은 광 필터(130) 및 광 필터 구조체(120)을 통과하지 못한다. 예를 들어, 광 필터(130)의 고 굴절률 재료 층 및 저 굴절률 재료 층을 포함할 수도 있는 유전체 박막층의 유전체 필터 스택은 광의 제1 부분이 제1 방향으로 반사, 흡수 등이 되게 할 수도 있다. 이 경우에, 광의 제1 부분은 광 필터(130)의 대역 통과부에 포함되지 않는 광 필터(130)에 입사하는 광의 문턱값 부분, 예컨대, 대략 1550㎚가 중심인 특정한 스펙트럼 범위 내에 없는 95% 초과의 광일 수도 있다. 참조 부호(170)로 도시된 바와 같이, 광 신호의 제2 부분은 광 필터(130) 및 광 필터 구조체(120)를 통과한다. 예를 들어, 광 필터(130)는 제2 스펙트럼 범위를 가진 광의 제2 부분을 제2 방향으로 광 센서(140)를 향하여 통과시킬 수도 있다. 이 경우에, 광의 제2 부분은 광 필터(130)의 대역 통과부 내에서 광 필터(130)에 입사하는 광의 문턱값 부분, 예컨대, 대략 1550㎚가 중심인 스펙트럼 범위 내의 50% 초과의 입사광일 수도 있다.
도 1a에 또한 도시된 바와 같이, 광 센서(140)를 통과하는 광 신호의 제2 부분에 기초하여, 광 센서(140)는 출력 전기 신호(180)를 센서 시스템(110), 예컨대, 이미징의 사용, 주변 광 감지, 물체의 존재 검출, 측정 수행, 통신 촉진 등을 위해 제공할 수도 있다. 일부 구현예에서, 광 필터(130) 및 광 센서(140)의 또 다른 배열이 활용될 수도 있다. 예를 들어, 광 신호의 제2 부분을 입력된 광 신호와 동일 선상으로 통과시키기보다는, 광 필터(130)는 광 신호의 제2 부분을 또 다른 방향으로 상이하게 위치된 광 센서(140)을 향하여 지향시킬 수도 있다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 또 다른 예시적인 구현예(100')는 광 센서(140)를 형성하고 그리고 광 필터 구조체(120)의 기판에 통합된 센서 구성요소 어레이의 센서 구성요소의 세트를 포함한다. 이 경우에, 광 필터(130)는 기판 바로 위에 배치된다. 입력된 광 신호(150-1 및 150-2)는 다수의 상이한 각으로 수신되고 그리고 입력된 광 신호(150-1 및 150-2)의 제1 부분(160-1 및 160-2)은 다수의 상이한 각으로 반사된다. 이 경우에, 입력된 광 신호(150-1 및 150-2)의 제2 부분은 광 필터(130)를 통해, 출력 전기 신호(180)를 제공하는, 광 센서(140)를 형성하는 센서 구성요소 어레이로 통과된다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 또 다른 예시적인 구현예(100'')는 광 센서(140)를 형성하고 그리고 광 필터 구조체(120)로부터 (예를 들어, 자유 공간 광 유형의 광 시스템에서 자유 공간만큼) 분리되는 센서 구성요소 어레이의 센서 구성요소의 세트를 포함한다. 이 경우에, 광 필터(130)는 광 필터 구조체(120) 상에 배치된다. 입력된 광 신호(150-1 및 150-2)는 다수의 상이한 각으로 광 필터(130)에 수신된다. 입력된 광 신호(150-1 및 150-2)의 제1 부분(160-1 및 160-2)은 반사되고 그리고 입력된 광 신호(150-1 및 150-2)의 제2 부분(170-1 및 170-2)은 광 필터(130) 및 광 필터 구조체(120)를 통과한다. 제2 부분(170-1 및 170-2)을 수신한 것에 기초하여, 센서 구성요소 어레이는 출력 전기 신호(180)를 제공한다.
상기에 나타낸 바와 같이, 도 1a 내지 도 1c는 단지 실시예로서 제공된다. 다른 실시예가 가능하고 그리고 도 1a 내지 도 1c에 관하여 설명된 것과는 상이할 수도 있다.
도 2는 예시적인 광 필터(200)의 도면이다. 도 2는 고 굴절률 재료로서 수소화된 게르마늄을 사용하는 광 필터의 예시적인 스택업(stackup)을 도시한다. 도 2에 또한 도시된 바와 같이, 광 필터(200)는 광 필터 코팅부(210) 및 기판(220)을 포함한다.
광 필터 코팅부(210)는 광 필터층의 세트를 포함한다. 예를 들어, 광 필터 코팅부(210)는 층(230-1 내지 230-N)(N = 1)(예를 들어, 고 굴절률 층(H 층))의 제1 세트 및 층(240-1 내지 240-(N+1))(예를 들어, 저 굴절률 층(L 층))의 제2 세트를 포함한다. 일부 구현예에서, 층(230 및 240)은 특정한 순서, 예컨대, (H-L) m( m ≥ 1) 순서, (H-L) m -H 순서, (L-H)m 순서, L-(H-L) m 순서 등으로 배열될 수도 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 층(230 및 240)은 H 층이 광 필터(200)의 표면에 배치되고 그리고 H 층이 기판(220)의 표면과 인접하는, (H-L) n -H 순서로 배치된다. 일부 구현예에서, 하나 이상의 다른 층, 예컨대, 하나 이상의 보호층, 하나 이상의 다른 필터링 기능(예를 들어, 차단기, 반사 방지 코팅 등) 등을 제공하기 위한 하나 이상의 층이 광 필터(200)에 포함될 수도 있다.
층(230)은 수소화된 게르마늄층의 세트를 포함할 수도 있다. 일부 구현예에서, 또 다른 재료, 예컨대, 특정한 스펙트럼 범위(예를 들어, 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1400㎚ 내지 대략 1600㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 파장 등)에 걸쳐, L 층의 굴절률보다 큰 굴절률, 2.0보다 큰 굴절률, 3.0보다 큰 굴절률, 4.0보다 큰 굴절률, 4.5보다 큰 굴절률, 4.6보다 큰 굴절률 등을 가진 또 다른 재료가 H 층을 위해 활용될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 층(230)은 대략 1550㎚의 파장에서 대략 4.2의 굴절률을 포함하도록 선택될 수도 있다.
일부 구현예에서, 특정한 수소화된 게르마늄 기반 재료, 예컨대, 수소화된 게르마늄, 어닐링된 수소화된 게르마늄 등이 H 층(230)을 위해 선택될 수도 있다. 일부 구현예에서, 층(230 및/또는 240)은 특정한 스펙트럼 범위(예를 들어, 대략 800㎚ 내지 대략 2300㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 파장 등)에 걸쳐 특정한 흡광 계수, 예컨대, 대략 1550㎚에서, 대략 0.1 미만, 대략 0.05 미만, 대략 0.01 미만, 대략 0.005 미만의 흡광 계수, 대략 0.001 미만의 흡광 계수, 대략 0.0008 미만의 흡광 계수 등과 연관될 수도 있다.
층(240)은 층, 이산화규소(SiO2) 층의 세트를 포함할 수도 있다. 일부 구현예에서, 또 다른 재료가 L 층을 위해 활용될 수도 있다. 일부 구현예에서, 특정한 재료가 L 층(240)을 위해 선택될 수도 있다. 예를 들어, 층(240)은 이산화규소(SiO2) 층의 세트, 산화알루미늄(Al2O3) 층의 세트, 이산화티타늄(TiO2) 층의 세트, 오산화니오븀(Nb2O5) 층의 세트, 오산화탄탈륨(Ta2O5) 층의 세트, 불화마그네슘(MgF2) 층의 세트 등을 포함할 수도 있다. 이 경우에, 층(240)은 예를 들어, 특정한 스펙트럼 범위(예를 들어, 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1400㎚ 내지 대략 1600㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 파장 등)에 걸쳐 층(230)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 포함하도록 선택될 수도 있다. 예를 들어, 층(240)은 특정한 스펙트럼 범위(예를 들어, 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1400㎚ 내지 대략 1600㎚의 스펙트럼 범위, 대략 800㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 파장 등)에 걸쳐 3 미만의 굴절률과 연관되도록 선택될 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 층(240)은 특정한 스펙트럼 범위(예를 들어, 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1400㎚ 내지 대략 1600㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 파장 등)에 걸쳐 2.5 미만의 굴절률과 연관되도록 선택될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 층(240)은 특정한 스펙트럼 범위(예를 들어, 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1400㎚ 내지 대략 1600㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 파장 등)에 걸쳐 2 미만의 굴절률과 연관되도록 선택될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 층(240)은 특정한 스펙트럼 범위(예를 들어, 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1400㎚ 내지 대략 1600㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 파장 등)에 걸쳐 1.5 미만의 굴절률과 연관되도록 선택될 수도 있다. 일부 구현예에서, 특정한 재료는 대역외 차단 스펙트럼 범위의 원하는 폭, 입사각의 변화와 연관된 목적하는 중심-파장 이동 등에 기초하여 층(240)을 위해 선택될 수도 있다.
일부 구현예에서, 광 필터 코팅부(210)는 특정한 수량, m개의 층과 연관될 수도 있다. 예를 들어, 수소화된 게르마늄 기반 광 필터는 교번하는 H 층과 L 층의 대략 20개의 층을 포함할 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 광 필터(200)는 또 다른 수량의 층, 예컨대, 2개의 층 내지 1000개의 층의 범위, 4개의 층 내지 50개의 층의 범위 등과 연관될 수도 있다. 일부 구현예에서, 광 필터 코팅부(210)의 각각의 층은 특정한 두께와 연관될 수도 있다. 예를 들어, 층(230 및 240)은 각각 대략 5㎚ 내지 대략 2000㎚의 두께와 연관될 수도 있어서, 대략 0.2㎛ 내지 100㎛의 두께, 대략 0.5㎛ 내지 20㎛의 두께 등과 연관되는 광 필터 코팅부(210)를 발생시킨다.
일부 구현예에서, 층(230 및 240)은 다수의 두께, 예컨대, 층(230)에 대한 제1 두께 및 층(240)에 대한 제2 두께, 층(230)의 제1 하위세트에 대한 제1 두께 및 층(230)의 제2 하위세트에 대한 제2 두께, 층(240)의 제1 하위세트에 대한 제1 두께 및 층(240)의 제2 하위세트에 대한 제2 두께 등과 연관될 수도 있다. 이 경우에, 층 두께 및/또는 층의 수량은 광학 특성, 예컨대, 목표로 된 통과 대역, 목표로 된 투과율 등의 목표로 된 세트에 기초하여 선택될 수도 있다. 예를 들어, 층 두께 및/또는 층의 수량은 광 필터(200)가 대략 1100㎚ 내지 대략 2000㎚의 스펙트럼 범위, 대략 1550㎚의 중심 파장 등에 대해 활용되게 하도록 선택될 수도 있다.
일부 구현예에서, 광 필터 코팅부(210)는 스퍼터링 방법을 사용하여 제조될 수도 있다. 예를 들어, 광 필터 코팅부(210)는 유리 기판 상의 교번층(230 및 240)을 스퍼터링하도록 펄스-마그네트론 기반 스퍼터링 방법을 사용하여 제조될 수도 있다. 일부 구현예에서, 광 필터 코팅부(210)는 입사각의 변화와 함께 상대적으로 적은 중심-파장 이동과 연관될 수도 있다. 예를 들어, 광 필터 코팅부(210)는 0도 내지 15도의 입사각의 크기 변화와 함께 대략 20㎚ 미만, 대략 15㎚ 미만, 대략 10㎚ 미만 등의 크기의 중심-파장 이동; 0도 내지 30도의 입사각의 변화와 함께 대략 100㎚ 미만, 대략 50㎚ 미만, 대략 30㎚ 미만 등의 중심-파장 이동; 0도 내지 45도의 입사각의 변화와 함께 대략 200㎚ 미만, 대략 150㎚ 미만, 대략 125㎚ 미만, 대략 100㎚ 미만 등의 중심-파장 이동; 등을 유발할 수도 있다.
일부 구현예에서, 광 필터 코팅부(210)는 기판, 예컨대, 기판(220)에 부착된다. 예를 들어, 광 필터 코팅부(210)는 유리 기판에 부착될 수도 있다. 일부 구현예에서, 광 필터 코팅부(210)는 투사 매체, 예컨대, 공기 매체 또는 유리 매체와 연관될 수도 있다. 일부 구현예에서, 광 필터(200)는 프리즘의 세트 간에 배치될 수도 있다.
일부 구현예에서, 어닐링 방법이 광 필터 코팅부(210)를 제조하도록 활용될 수도 있다. 예를 들어, 기판 상의 층(230 및 240)의 스퍼터 증착 후, 광 필터(200)는, 어닐링 방법이 수행되지 않은 또 다른 광 필터에 비해 광 필터(200)의 흡수 계수를 감소시키는 것과 같이, 광 필터(200)의 하나 이상의 광학 특성을 개선하도록 어닐링될 수도 있다.
상기에 나타낸 바와 같이, 도 2는 단지 실시예로서 제공된다. 다른 실시예가 가능하고 그리고 도 2에 관하여 설명된 것과는 상이할 수도 있다.
도 3은 본 명세서에 설명된 수소화된 게르마늄 기반 광 필터를 제작하기 위한 스퍼터 증착 시스템의 실시예(300)의 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 실시예(300)는 진공 챔버(310), 기판(320), 음극(330), 타깃(331), 음극 전력 공급부(340), 양극(350), 플라즈마 활성화 공급원(plasma activation source: PAS)(360) 및 PAS 전력 공급부(370)를 포함한다. 타깃(331)은 게르마늄 재료를 포함할 수도 있다. PAS 전력 공급부(370)는 PAS(360)에 전력을 공급하도록 활용될 수도 있고 그리고 무선 주파수(radio frequency: RF) 전력 공급부를 포함할 수도 있다. 음극 전력 공급부(340)는 음극(330)에 전력을 공급하도록 활용될 수도 있고 그리고 펄스 직류(direct current: DC) 전력 공급부를 포함할 수도 있다.
도 3에 관하여, 타깃(331)은 기판(320) 상의 층으로서 수소화된 게르마늄 재료를 증착하도록, 수소(H2)뿐만 아니라 불활성 기체, 예컨대, 아르곤이 있을 때 스퍼터링된다. 불활성 기체는 챔버 내로 양극(350) 및/또는 PAS(360)를 통해 제공될 수도 있다. 수소는 진공 챔버(310) 내로 수소를 활성화시키도록 기능하는 PAS(360)를 통해 도입된다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 음극(330)이 수소 활성화(예를 들어, 이 경우에, 수소는 진공 챔버(310)의 또 다른 부분으로부터 도입될 수도 있음)를 유발할 수도 있거나 또는 양극(350)이 수소 활성화(예를 들어, 이 경우에, 수소는 양극(350) 옆에서 진공 챔버(310) 내로 도입될 수도 있음)를 유발할 수도 있다. 일부 구현예에서, 수소는 수소 기체, 수소 기체와 희가스(예를 들어, 아르곤 기체)의 혼합물 등의 형태를 취할 수도 있다. PAS(360)는 음극(330)에 매우 근접하게 위치될 수도 있어서, PAS(360)로부터의 플라즈마와 음극(330)으로부터의 플라즈마가 중첩되게 한다. PAS(360)의 사용은 수소화된 게르마늄층이 비교적 높은 증착 속도로 증착되게 한다. 일부 구현예에서, 수소화된 게르마늄층은 대략 0.05㎚/s 내지 대략 2.0㎚/s의 증착 속도로, 대략 0.5㎚/s 내지 대략 1.2㎚/s의 증착 속도로, 대략 0.8㎚/s의 증착 속도 등으로 증착된다.
스퍼터링 방법이 본 명세서에 설명되지만, 특정한 기하학적 구조 및 특정한 구현예에 관하여, 다른 기하학적 구조 및 다른 구현예가 가능하다. 예를 들어, 수소는 또 다른 방향으로부터, 음극(330)에 매우 가까운 기체 매니폴드 등으로부터 주입될 수도 있다. 본 명세서에 컴포넌트의 상이한 구성에 관하여 설명되지만, 게르마늄의 상이한 상대 농도가 또한 상이한 재료, 상이한 제작 과정 등을 사용하여 달성될 수도 있다.
상기에 나타낸 바와 같이, 도 3은 단지 실시예로서 제공된다. 다른 실시예가 가능하고 그리고 도 3에 관하여 설명된 것과는 상이할 수도 있다.
도 4a 내지 도 4d는 고 굴절률 재료로서 수소화된 게르마늄을 사용하는 광 필터에 관한 실시예를 도시한다. 도 4a 내지 도 4d는 수소화된 게르마늄 기반 단일 층 막에 관한 특성을 나타낸다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 그리고 차트(400)에서, 막(410-1 내지 410-5)의 세트에 대한 투과율을 나타내는 필터 응답이 제공된다. 각각의 막(410)은 대략 2.5㎛의 단일 층 막일 수도 있다. 막(410-1)은 0SCCM(standard cubic centimeters per minute)의 흐름 속도와 연관된 수소의 농도와 연관된다. 즉, 막(410-1)은 비-수소화된 게르마늄을 사용한다. 막(410-2, 410-3, 410-4 및 410-5)은 20SCCM, 100SCCM, 160SCCM 및 200SCCM의 흐름 속도와 연관된 수소의 농도와 연관된다. 즉, 막(410-2 내지 410-5)은 증가하는 수소 농도를 가진 수소화된 게르마늄을 사용한다. 이 경우에, 수소화된 게르마늄 막, 예컨대, 막(410-2 내지 410-5)은 비-수소화된 게르마늄 막(410-1)에 비해 증가된 투과율과 연관된다. 이 방식으로, 광 필터에 수소화된 게르마늄을 활용하는 것은 개선된 투과율을 제공할 수 있다. 예를 들어, 수소화된 게르마늄 막 내의 수소의 농도에 기초하여, 수소화된 게르마늄 막은 1100㎚ 내지 2000㎚의 스펙트럼 범위, 1400㎚ 내지 1600㎚의 스펙트럼 범위, 1550㎚의 파장을 가진 스펙트럼 범위 등에 대해, 20% 초과, 40% 초과, 60% 초과, 80% 초과, 85% 초과, 90% 초과 등의 투과율과 연관될 수도 있다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 그리고 차트(420)에서, 막(410)에 대한 굴절률 및 흡광 계수가 제공된다. 1400㎚의 파장에서, 비-수소화된 게르마늄 막(410-1)은, 각각 대략 0.05, 대략 0.005 및 대략 0.002인 수소화된 게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)에 대한 흡광 계수보다 큰, 대략 0.1의 흡광 계수와 연관된다. 유사하게, 1400㎚의 파장에서, 비-수소화된 게르마늄 막(410-1)은, 각각 4.6, 4.4 및 4.3과 연관되는 수소화된 게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)과 비교되는, 4.7의 굴절률과 연관된다. 이 경우에, 수소화된-게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)은 문턱값 굴절률(예를 들어, 4.0 초과, 4.2 초과, 4.4 초과, 4.5 초과 등)을 유지하면서 감소된 흡광 계수와 연관된다.
1550㎚의 파장에서, 비-수소화된 게르마늄 막(410-1)은, 각각 대략 0.03, 대략 0.003, 및 대략 0.001인 수소화된 게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)에 대한 흡광 계수보다 큰, 대략 0.07의 흡광 계수와 연관된다. 유사하게, 1550㎚의 파장에서, 비-수소화된 게르마늄 막(410-1)은, 각각 4.4, 4.3 및 4.2의 굴절률과 연관되는 수소화된 게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)과 비교되는, 4.6의 굴절률과 연관된다. 이 경우에, 수소화된-게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)은 문턱값 굴절률(예를 들어, 4.0 초과, 4.2 초과, 4.4 초과 등)을 유지하면서 감소된 흡광 계수와 연관된다.
2000㎚의 파장에서, 비-수소화된 게르마늄 막(410-1)은, 각각 대략 0.005, 대략 0.0005, 및 대략 0.000001인 수소화된 게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)에 대한 흡광 계수보다 큰, 대략 0.05의 흡광 계수와 연관된다. 유사하게, 1550㎚의 파장에서, 비-수소화된 게르마늄 막(410-1)은, 각각 4.4, 4.2 및 4.1의 굴절률과 연관되는 수소화된 게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)과 비교되는, 4.5의 굴절률과 연관된다. 이 경우에, 수소화된-게르마늄 막(410-2, 410-3 및 410-5)은 문턱값 굴절률(예를 들어, 3.5 초과, 3.75 초과, 4.0 초과)을 유지하면서 감소된 흡광 계수와 연관된다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 그리고 차트(430)에서, 수소화된 게르마늄 막(410-5) 및 수소화된 실리콘 막(410-6)에 대한 굴절률이 제공된다. 이 경우에, 수소화된 게르마늄 막(410-5)에 대한 굴절률은 수소화된 실리콘 막(410-6)에 대한 굴절률보다 각각 크다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 그리고 차트(440)에서, 굴절률 및 흡광 계수가 수소화된 게르마늄 막(410-5) 및 어닐링된 수소화된 게르마늄 막(410-5')에 대해 제공된다. 이 경우에, 예를 들어, 대략 300℃에서 60분 동안 어닐링 방법을 적용하는 것은, 대략 1550㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서, 어닐링된 수소화된 게르마늄 막(410-5')을 형성하는 것을 발생시키고, 수소화된 게르마늄 막(410-5)에 비해, 증가된 굴절률(예를 들어, 대략 4.3으로 증가됨) 및 감소된 흡광 계수(예를 들어, 대략 0.0006로 감소됨)를 발생시키며, 각 시프트를 감소시키고 그리고 투과율을 개선한다.
상기에 나타낸 바와 같이, 도 4a 내지 도 4d는 단지 실시예로서 제공된다. 다른 실시예가 가능하고 그리고 도 4a 내지 도 4d에 관하여 설명된 것과는 상이할 수도 있다.
도 5a 내지 도 5c는 광 필터에 관한 특성의 도면이다. 도 5a 내지 도 5c는 대역 통과 필터에 관한 특성을 나타낸다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 그리고 차트(500)에서, 필터 응답이 수소화된 게르마늄 광 필터(510)에 대해 제공된다. 광 필터(510)는 수소화된 게르마늄과 이산화규소의 교번층을 포함할 수도 있다. 일부 구현예에서, 광 필터(510)는 대략 5.6㎛의 두께와 연관될 수도 있고 그리고 0도의 입사각을 위한 대략 1550㎚가 중심인 대역 통과부와 연관될 수도 있다. 또한, 광 필터(510)는 0도 내지 40도의 입사각을 위한 문턱값 양보다 큰(예를 들어, 대략 90%보다 큰) 투과율과 연관된다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 그리고 차트(520)에서, 필터 응답이 수소화된 실리콘 기반 광 필터(530)에 대해 제공된다. 광 필터(530)는 수소화된 실리콘과 이산화규소의 교번층을 포함할 수도 있다. 일부 구현예에서, 광 필터(530)는 대략 5.9㎛의 두께와 연관될 수도 있고 그리고 0도의 입사각을 위한 대략 1550㎚가 중심인 대역 통과부와 연관될 수도 있다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 그리고 차트(540)에서, 광 필터(510)(Si:Ge)에 비해, 광 필터(530)(Si:H)는 0도 내지 대략 40도의 입사각의 변화에 대한 감소된 각 시프트와 연관된다. 예를 들어, 광 필터(510)는 예를 들어, 대략 0 내지 10도의 입사각으로 대략 5㎚ 미만, 대략 0 내지 10도의 입사각으로 대략 4㎚ 미만, 대략 0 내지 10도의 입사각으로 대략 3㎚ 미만, 대략 0 내지 10도의 입사각으로 대략 2㎚ 미만 등의 중심 파장의 변화와 연관된다. 유사하게, 광 필터(510)는 예를 들어, 10 내지 20도의 입사각으로 대략 15㎚ 미만, 10 내지 20도의 입사각으로 대략 10㎚ 미만, 10 내지 20도의 입사각으로 대략 9㎚ 미만, 10 내지 20도의 입사각으로 대략 8㎚ 미만 등의 중심 파장의 변화와 연관된다.
유사하게, 광 필터(510)는 예를 들어, 20도의 입사각으로 대략 8㎚ 미만, 20도의 입사각으로 대략 9㎚ 미만, 20 내지 30도의 입사각으로 대략 30㎚ 미만, 20 내지 30도의 입사각으로 대략 20㎚ 미만, 20 내지 30도의 입사각으로 대략 15㎚ 미만, 20 내지 30도의 입사각으로 대략 10㎚ 미만 등의 중심 파장의 변화와 연관된다. 유사하게, 광 필터(510)는 예를 들어, 대략 30 내지 40도의 입사각으로 대략 40㎚ 미만, 대략 30 내지 40도의 입사각으로 대략 35㎚ 미만, 대략 30 내지 40도의 입사각으로 대략 30㎚ 미만, 대략 30 내지 40도의 입사각으로 대략 25㎚ 미만, 대략 30 내지 40도의 입사각으로 대략 20㎚ 미만 등의 중심 파장의 변화와 연관된다.
상기에 나타낸 바와 같이, 도 5a 내지 도 5c는 단지 실시예로서 제공된다. 다른 실시예가 가능하고 그리고 도 5a 내지 도 5c에 관하여 설명된 것과는 상이할 수도 있다.
이 방식으로, 수소화된 게르마늄 광 필터, 예컨대, 고 굴절률 층으로서 수소화된 게르마늄 그리고 저 굴절률 층으로서 또 다른 재료를 가진 광 필터는, 대략 1550㎚에서 중심 파장을 갖는 스펙트럼 범위와 연관된 광 필터를 위한 다른 재료에 비해 개선된 각 시프트, 개선된 투과율 및 감소된 물리적 두께를 제공할 수도 있다.
앞서 말한 개시 내용은 예시 및 설명을 제공하지만, 구현예를 개시된 정확한 형태로 제한하거나 또는 총망라하는 것으로 의도되지 않는다. 수정 및 변형이 상기 개시 내용을 고려하여 가능하거나 또는 구현예의 실행으로부터 획득될 수도 있다.
일부 구현예는 문턱값과 관련되어 본 명세서에 설명된다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 문턱값을 충족시키는 것은 값이 문턱값보다 크고, 문턱값보다 많고, 문턱값보다 높고, 문턱값 이상이고, 문턱값보다 작고, 문턱값보다 적고, 문턱값보다 낮고, 문턱값 이하이고, 문턱값과 같은 등임을 지칭할 수도 있다.
피처의 특정한 조합이 청구항에 나열되고/되거나 명세서에 개시될지라도, 이 조합은 가능한 구현예의 개시 내용을 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 사실상, 이 피처 중 대다수가 특히 청구항에 나열되고/되거나 명세서에 개시되지 않는 방식으로 조합될 수도 있다. 아래에 나열된 각각의 종속항이 단 하나의 청구항에 전적으로 의존할 수도 있지만, 가능한 구현예의 개시 내용은 청구항 세트의 모든 다른 청구항과 조합하여 각각의 종속항을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 구성요소, 행위 또는 명령은 이와 같이 명확히 설명되지 않는 한, 중요하거나 본질적인 것으로서 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 단수 표현은 하나 이상의 항목을 포함하는 것으로 의도되고 그리고 "하나 이상"과 교환 가능하게 사용될 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "세트"는 하나 이상의 항목(예를 들어, 관련된 항목, 관련 없는 항목, 관련된 항목과 관련 없는 항목의 조합 등)을 포함하는 것으로 의도되고 그리고 "하나 이상"과 교환 가능하게 사용될 수도 있다. 단 하나의 항목을 의미하는 경우에, 용어 "하나" 또는 유사한 언어가 사용된다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 갖는, 구비하는 등은 개방형 용어인 것으로 의도된다. 또한, 어구 "에 기초한"은 달리 명확히 언급되지 않는 한, "적어도 부분적으로 기초한"을 의미하는 것으로 의도된다.
Claims (20)
- 광 필터로서,
하나 이상의 제1 층; 및
하나 이상의 제2 층;
을 포함하고,
상기 하나 이상의 제1 층 및 상기 하나 이상의 제2 층은,
대략 1550 nm 의 파장이 중심인 통과대역에 대해 45도의 입사각으로 대략 100 nm 미만 또는 30도의 입사각으로 대략 30 nm 미만의 각 시프트를 제공하는, 광 필터.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 수소화된 게르마늄의 층을 하나 이상 포함하는 광 필터.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 어닐링된 수소화된 게르마늄의 층을 하나 이상 포함하는 광 필터.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 제2 층은, 이산화규소의 층을 하나 이상 포함하는 광 필터.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 대략 1550㎚가 중심인 통과 대역에 대해 대략 40% 초과의 투과율을 제공하는, 광 필터.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 대략 1550㎚가 중심인 통과 대역에 대해 대략 80% 초과의 투과율을 제공하는, 광 필터.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 층은, 대략 1550㎚가 중심인 통과 대역에 대해 대략 85% 초과의 투과율을 제공하는, 광 필터.
- 광 필터로서,
제1 굴절률을 갖는 하나 이상의 제1 층; 및
제2 굴절률을 갖는 하나 이상의 제2 층;
을 포함하고,
상기 하나 이상의 제1 층은 대략 1550 ㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서 0.0001 미만의 흡광 계수를 갖는 막을 포함하는 광 필터.
- 제8항에 있어서, 상기 제2 굴절률은 상기 제1 굴절률 보다 작은, 광 필터.
- 제8항에 있어서, 상기 흡광 계수는 대략 0.0006인 광 필터.
- 제8항에 있어서, 상기 막은 어닐링된 수소화된 게르마늄 막인 광 필터.
- 제8항에 있어서, 상기 막은 대략 4.3 의 굴절률을 갖는, 광 필터.
- 제8항에 있어서, 상기 막은 대략 2.5 ㎛의 단일 층 막인, 광 필터.
- 제8항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 층은 비-수소화된 게르미늄 막을 더 포함하는 광 필터.
- 제14항에 있어서, 상기 비-수소화된 게르미늄 막은 대략 1550 ㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서 대략 0.07의 흡광 계수 및 4.6의 굴절률을 갖는, 광 필터.
- 제8항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 층은 하나 이상의 수소화된 게르마늄 막을 더 포함하는 광 필터.
- 제14항에 있어서, 상기 하나 이상의 수소화된 게르마늄 막은 대략 1550 ㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서 0.07 미만의 흡광 계수 및 4.6 미만의 굴절률을 갖는 광 필터.
- 제8항에 있어서, 상기 하나 이상의 제2 층은,
이산화규소(SiO2) 재료,
산화알루미늄(Al2O3) 재료,
이산화티타늄(TiO2) 재료,
오산화니오븀(Nb2O5) 재료,
오산화탄탈륨(Ta2O5) 재료, 또는
불화마그네슘(MgF2) 재료
중 하나 이상을 포함하는, 광 필터.
- 광 필터로서,
층의 제1 세트와 층의 제2 세트를 포함하고,
상기 층의 제1 세트는,
비-수소화된 게르미늄 막;
하나 이상의 수소화된 게르마늄 막; 및
어닐링된 수소화된 게르마늄 막;
을 포함하는 광 필터.
- 제19항에 있어서, 상기 어닐링된 수소화된 게르마늄 막은 대략 1550 ㎚의 중심 파장을 가진 스펙트럼 범위에서 0.0001 미만의 흡광 계수를 갖는, 광 필터.
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