KR20220012329A - 다층 디스플레이 구조 - Google Patents

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KR20220012329A
KR20220012329A KR1020217042178A KR20217042178A KR20220012329A KR 20220012329 A KR20220012329 A KR 20220012329A KR 1020217042178 A KR1020217042178 A KR 1020217042178A KR 20217042178 A KR20217042178 A KR 20217042178A KR 20220012329 A KR20220012329 A KR 20220012329A
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플로리안 프셰니츠카
마이클 모스
테레사 라모스
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카티바, 인크.
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Abstract

하나 이상의 광 결합 층을 사용하는 디스플레이 장치가 그러한 장치의 제조 방법과 함께 본 명세서에 설명되어 있다. 하나의 장치는 기판 상에 형성된 청색 발광 소자들의 어레이, 청색 발광 소자들의 어레이 위에 형성된 광 결합 재료, 및 청색 발광 소자들의 어레이 위에 형성된 픽셀 구조의 일부분에 배치된 양자점 광 변환 재료를 포함한다. 광 결합 재료는 높은 굴절률을 가지며 폴리머 재료일 수 있거나 이를 포함할 수 있다.

Description

다층 디스플레이 구조
본 발명의 실시예들은 일반적으로 디스플레이 장치들에 관한 것이다. 구체적으로, 디스플레이 장치들 및 고굴절률 재료들을 갖는 다층 구조를 갖는 디스플레이 장치들을 제조하는 방법이 설명된다.
비디오 디스플레이 장치들은 어디에나 있다. 비디오 디스플레이 기술의 향상은 일반적으로 세 가지 경향들, 1) 디스플레이 크기 증가; 2) 디스플레이의 광 출력 증가; 및 3) 디스플레이에 의해 방출되는 광의 품질 개선,을 따른다. 세 가지 경향들은 모두 도전과제를 안겨준다. 디스플레이의 크기를 증가시키는 것은 일반적으로 크기가 커짐에 따라 품질과 기능이 저하되지 않는 것을 요구한다. 디스플레이의 광 출력을 증가시키는 것은 품질 손실 없이 각 디스플레이 요소 또는 픽셀에서 더 많은 광자를 얻는 것이 포함한다. 디스플레이에서 방출되는 빛의 품질을 개선하는 것은 일반적으로 전체 밝기나 전력 효율성을 잃지 않으면서 대비, 색상 선명도, 스펙트럼 광도, 방출 각도 최적화 및 초점을 포함한다. 비디오 디스플레이는 일반적으로 여러 재료 층들로 구성된다. 발광 소자와 출구층 사이에서 광자를 잃을 기회가 많다. 광자 손실을 최소화하면서 디스플레이 및 디스플레이를 제조하는 방법이 필요하다.
본 명세서에 기술된 실시예들은 픽셀 구조로 형성된 청색 발광 소자들의 어레이, 청색 발광 소자들의 어레이 위에 형성된 광 결합 재료, 및 청색 발광 소자들의 어레이와 광 결합 재료 사이의 픽셀 구조의 일부에 배치된 양자점 광 변환 재료를 포함하는 디스플레이를 제공한다.
본 명세서에 기술된 다른 실시예들은 청색 발광 소자들의 픽셀화된 어레이, 픽셀화된 어레이에 정의된 서브픽셀 어레이, 서브픽셀들의 일부에 배치된 양자점 광 변환 재료, 상단부, 그리고, 양자점 광 변환 재료와 상단부 사이에 배치된 광 결합 재료를 포함하는 디스플레이를 제공한다.
본 명세서에 기술된 다른 실시예들은 기판 상에 픽셀화된 청색 발광 구조를 형성하는 단계, 픽셀화된 청색 발광 구조의 제1 부분 위에 양자점 재료를 증착하는 단계, 픽셀화된 청색 발광 구조의 제2 부분 위에 광 조절 재료를 증착하는 단계, 및 양자점 재료 및 광 조절 재료 위에 광 결합 재료를 증착하는 단계를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법을 제공한다.
본 명세서에 기술된 다른 실시예들은 제1 기판 상에 픽셀화된 청색 발광 구조를 형성하는 단계, 제2 기판의 제1 부분 위에 픽셀화된 양자점 재료를 잉크젯 인쇄하는 단계, 제2 기판의 제2 부분 위에 픽셀화된 광 조절 재료를 잉크젯 인쇄하는 단계, 방향족 성분들 또는 헤테로 원자들을 포함하는 광 조절 재료 및 양자점 재료 위에 광 결합 재료를 잉크젯 인쇄하는 단계, 및 제2 기판의 광 결합 재료를 제1 기판의 픽셀화된 청색 발광 구조에 부착하는 단계를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 상기 인용된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어지며, 그 중 일부는 첨부된 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 도시하며, 따라서 그 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 되며, 다른 동등하게 효과적인 실시예들도 인정할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 방법을 요약한 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 방법에 따라 제조되는 디스플레이 장치 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 방법을 요약한 흐름도이다.
도 4a 내지 도 4e는 도 3의 방법에 따라 제조되는 디스플레이 장치 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 한 동일한 도면 부호를 사용하여 도면에 공통인 동일한 요소들을 지정하였다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 더 이상의 언급 없이도 다른 실시예들에 유리하게 통합될 수 있음이 고려된다.
디스플레이 장치의 광 출력을 증가시키기 위해, 광 결합층들은 재료 계면들에서의 광자 손실을 최소화하기 위해 사용된다. 광 결합층들은 일반적으로 얇은 층의 액체로 증착된 다음 건조 또는 경화와 같은 편리한 공정을 사용하여 고화될 수 있는 폴리머 재료 또는 폴리머 매트릭스 내의 입자 분산이다. 특정 실시예들에서, 광 결합층은 하나 이상의 발광층과 하나 이상의 색상 조절 층(color conditioning layer) 사이에, 또는 하나 이상의 색상 조절층과 디스플레이 장치의 하나 이상의 상단 층(top layer) 사이에 배치된다. 광 결합층은 계면을 가로지르는 광자 전이를 촉진하기 위해 약 20㎛ 미만의 두께를 갖는 층일 수 있거나, 광 결합층은 약 1.5 초과의 굴절률을 갖는 재료일 수 있다. 유기 폴리머에서 고굴절률을 달성하기 위해, 방향족 성분들이나 황, 인과 같은 헤테로 원자를 갖는 전구체가 사용된다.
도 1은 일 실시예에 따른 방법(100)을 요약한 흐름도이다. 방법(100)은 디스플레이 장치를 제조하는 방법이다. 디스플레이 장치의 층들은 일반적으로 기판 상에 재료를 증착 또는 적층함으로써 기판 상에 형성된다. 도 2a 내지 도 2c는 공정의 다양한 단계에서 방법(100)에 따라 제조된 디스플레이 장치(200)(도 2c)의 개략도이다.
102에서, 픽셀화된(pixelated) 발광 구조가 기판 상에 형성된다. 발광 구조는 기판 상의 층으로서 형성되고, 픽셀들은 기판 내의 전원 컨택(power contact)과 같은 전압을 가하는(energizing) 구조의 패턴에 의해 또는 패턴화된 픽셀 층과 같은 기판 상에 형성된 물리적 경계들에 의해 정의될 수 있다.
픽셀화된 발광 구조는 유기 발광 재료, 양자 우물 재료 등과 같은 전계발광 재료로부터 형성된 발광 소자를 갖는다. 일 예에서, 픽셀화된 발광 구조는 예를 들어 플루오렌계 화합물, 트리페닐아민계 화합물 및/또는 네트워크로 조립될 수 있는 다른 고공액(highly conjugated) 화합물과 같은 형광 재료를 사용하는 청색광을 방출하는 유기 발광 다이오드의 층이다. 도 2a의 장치는 기판(202) 상에 형성된 발광층(204)을 갖는다. 기판은 디스플레이 장치를 지지할 수 있는 임의의 구조적으로 적합한 재료, 예를 들어 유리 또는 플라스틱일 수 있다.
발광 재료 자체에 더하여, 발광층(204)은 일반적으로 2개의 전극들 사이에 위치된 전하 주입 및 수송 층들을 또한 포함한다. 전극들 중 적어도 하나는 광자가 광 발생 구조 밖으로 이동할 수 있도록 실질적으로 투명하다. ITO와 같은 투명 전극이 자주 사용된다. ITO는 재료의 정확한 구성과 구조에 따라 1.8~2.0의 굴절률을 가지며, 이는 광자가 ITO에서 재료 계면을 가로질러 낮은 굴절률을 갖는 층들로 이동할 때 광자 손실을 유발할 수 있다.
발광층(204)은 서브픽셀들로 더 분할되는 픽셀들로 분할된다. 3개의 서브픽셀들(206)은 각 픽셀에 대해 정의된다. 하나의 픽셀이 도 2a에 나타나 있다.
서브픽셀(206)은 물리적 장벽에 의해 정의될 수 있지만, 이 경우에는 서브픽셀(206) 사이에 물리적 장벽이 없다. 여기서 서브픽셀 정의는 서브픽셀(206) 사이의 점선으로 표시된다. 서브픽셀 정의는 물리적 장벽이거나 서브픽셀 표면의 표면 에너지가 낮은 영역이다. 물리적 장벽의 예는 포토 패턴화된 폴리머 층이다. 낮은 표면 에너지 영역의 예는 서브픽셀의 표면에 부착된 플루오르화 화합물이다. 두 경우 모두에서, 이 요소의 기능은 발광 재료, 예를 들어 아래에서 추가로 설명되는 양자점 광 변환 재료 또는 광 조절 재료에 후속적으로 증착되는 층들을 포함하는 것이다.
104에서, 양자점 광 변환 재료가 픽셀들의 적어도 일부에 배치된다. 도 2b는 서브픽셀(206)의 일부에 배치된 양자점 광 변환 재료(210)를 도시한다. 여기서, 2개의 양자점 광 변환 재료들(210)이 2개의 서브픽셀들(206)에 형성되지만, 일반적인 경우에는 복수의 양자점 광 변환 재료들(210)이 형성된다. 모든 서브픽셀들(206)의 적어도 일부에 또는 그 위에 형성된다. 양자점 광 변환 재료는 발광 구조의 빛을 흡수하고 흡수된 것과 다른 파장의 빛을 방출한다. 적색 픽셀들은 발광 구조로부터 청색광과 같은 빛을 흡수하여 적색광을 방출하는 양자점들을 포함하여 이루어진다. 녹색 픽셀들은 녹색광을 방출하는 양자점들을 포함하여 이루어진다. 양자점 광 변환 재료는 실질적으로 균일한 분포로 전체에 걸쳐 분포된 양자점들을 갖는 폴리머 재료다. 양자점 광 변환 재료는 양자점 및 중합 전구체를 포함하는 전구체 재료를 증착한 후, 전구체 재료를 응고시켜 양자점 광 변환 재료를 형성함으로써 형성된다. 전구체 재료를 응고시키는 것은 전구체 재료를 경화시키거나 전구체 재료를 건조시키는 것을 포함할 수 있다. 경화 공정에서, 전구체 재료는 경화 공정 동안 중합하여 고체 양자점 광 변환 재료를 형성하는 단량체 및 예비 폴리머(pre-polymer)를 포함한다. 경화 공정은 예를 들어 UV 복사에 의한 열 또는 복사 에너지 입력에 기반할 수 있다. 건조 과정에서 전구체 재료는 용매를 사용하여 팽창되고 연화되는 폴리머를 포함한다. 건조는 예를 들어 진공 하에서 용매를 증발시켜 고체 양자점 광 변환 재료를 생성한다.
일부 경우에, 양자점 광 변환 재료가 형성되는 픽셀들의 부분은 제1 부분이고, 광 조절 재료는 106에서 픽셀들의 제2 부분에 배치된다. 도 2b는 픽셀(206) 중 하나에 형성된 광 조절 재료(212)를 도시한다. 광 조절 재료는 양자점이 없기 때문에 광 조절 재료를 통과하는 청색광은 다른 파장으로 변환되지 않는다. 발광 구조가 다른 종류의 빛, 예를 들어 백색광을 방출하는 경우, 모든 픽셀들은 내부에 배치된 양자점 광 변환 재료를 가질 수 있다. 여기서, 방출된 빛이 청색인 경우 빛의 변환 없이 청색 픽셀이 형성될 수 있다.
양자점 광 변환 재료(210) 및 광 조절 재료(212) 각각은 티타니아, 알루미나 또는 지르코니아와 같은 세라믹 입자들일 수 있거나 은 나노입자들와 같은 금속 입자들일 수 있는 산란 입자들을 포함할 수 있다. 산란 입자들은 전형적으로 50 nm 내지 500 nm, 예를 들어 130 nm의 치수를 갖는다. 산란 입자들은 양자점과 광자 사이의 상호 작용 기회를 증가시켜 양자점에 의한 광자의 흡수를 증가시킨다. 산란 입자들은 또한 원하는 시야각을 제공하기 위해 양자점 및 광 조절 재료를 빠져나가는 빛의 분산을 증가시킨다.
양자점 광 변환 재료(210) 및 광 조절 재료(212)는 패턴화된 방식으로 증착된다. 이러한 재료들은 잉크젯 인쇄를 사용하여 패턴화된 방식으로 증착될 수 있으며, 잉크젯 인쇄에서는 선택된 양의 재료가 패턴화된 필름을 형성하기 위해 선택된 위치에만 증착된다. 사용될 수 있는 다른 증착 방법들은 포토 패터닝 또는 레이저 패터닝과 같은 패터닝이 뒤따르는 스핀 코팅 또는 슬롯-다이(slot-die) 코팅과 같은 연속 필름 증착 방법을 포함한다.
108에서, 인캡슐레이션 층이 양자점 광 변환 재료 위에, 그리고 그러한 재료가 사용되는 경우, 선택적으로 광 조절 재료 위에 형성된다. 인캡슐레이션 층은 하위(subjacent) 층들의 민감한 재료들이 후속 공정에 의해 부정적인 영향을 받지 않도록 보호한다. 인캡슐레이션 층은 전형적으로 실리콘 질화물이고, 그 층의 하부 및 상부 표면 중 하나 이상 상에 실리콘 산화물의 코팅을 가질 수 있다. 도 2c는 양자점 광 변환 재료(210) 및 광 조절 재료(212) 둘 다 위에 형성된 인캡슐레이션 층(213)을 도시한다. 실리콘 질화물 및 선택적인 실리콘 산화물 코팅은 PECVD에 의해 형성될 수 있다.
양자점 광 변환 재료(210) 및 광 조절 재료(212) 위에 선택적인 광 필터(211)가 또한 도 2c에 도시되어 있다. 광 필터(211)는 픽셀(206) 및 서브픽셀을 통한 발광 구조(204)의 광 출력량을 제어하여 상이한 픽셀들 및 서브픽셀들 사이의 컬러 출력의 균형을 맞추는 데 사용될 수 있다. 광 필터(211)는 또한 주변광에 의한 양자점의 여기를 방지하기 위해 사용될 수 있다. 광 필터(211)는 도 2c에 도시된 바와 같이 블랭킷 층으로서 증착될 수 있거나, 픽셀화된 구조(여기서는, 상이한 필터링 특성들을 달성하기 위해, 예를 들어 필터를 적색, 녹색 또는 청색 픽셀에 맞춤화하기 위해 상이한 픽셀들에 대해 상이한 재료들 및/또는 두께들이 사용될 수 있음)로서 증착될 수 있다. 이러한 방식으로 디스플레이의 광 방출을 미세 조정할 수 있다.
광 필터(211)는 청색 컬러 필터 또는 UV 필터, 또는 둘 모두일 수 있다. 광 필터(211)는 잉크젯 인쇄를 포함하는 임의의 블랭킷 증착 공정을 사용하여 블랭킷 층으로 형성될 수 있다. 광 필터(211)가 픽셀화된 구조로 형성된다면 잉크젯 인쇄가 이러한 구조를 형성하는 유리한 방법이 될 수 있다. 더 많거나 더 적은 광 필터링을 제공하기 위해 다른 두께를 사용할 수 있다. 예를 들어, 적색 픽셀 위에 형성된 제1 광 필터 픽셀은 청색광 필터 재료를 포함할 수 있고, 적색 픽셀을 통과할 수 있는 본질적으로 모든 청색광을 필터링하도록 선택된 제1 두께로 형성될 수 있다. 동일한 청색광 필터 재료를 포함하는 제2 광 필터 픽셀은 제1 두께와 다르고, 녹색 픽셀을 통과할 수 있는 본질적으로 모든 청색광을 필터링하도록 선택된 제2 두께로 녹색 픽셀 위에 형성될 수 있다. 녹색 픽셀은 청색광에 대해 적색 픽셀과 다른 흡수 특성을 가질 수 있으므로 제2 두께가 상이할 필요가 있다. 청색 픽셀의 경우, 청색 픽셀로부터의 청색광을 적색 픽셀로부터의 적색광 및 녹색으로부터의 녹색광과 균형을 이루도록 선택된 제3 두께로 동일한 필터 재료를 사용하여 제3 광 필터 픽셀이 형성될 수 있다. 청색 픽셀이 청색광을 방출하도록 의도되기 때문에 제3 두께는 일반적으로 제1 및 제2 두께보다 실질적으로 더 낮다. 이 예에서 3개의 광 필터들은 모두 동일한 재료로 형성되지만 3개의 광 필터들에 다른 재료들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 3개의 재료는 동일한 경화성 전구체 재료와 청색 필터 재료를 가질 수 있지만, 3개의 광 필터들에 있는 청색 필터 재료의 농도는 다를 수 있으며 3개의 광 필터들에 사용할 수 있는 두께를 허용하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 청색광 출력을 조정하기 위해 선택된 낮은 레벨의 청색광 필터링 기능으로 사용 가능한 두께를 허용하도록 더 낮은 농도의 청색 필터 재료가 제3 광 필터의 전구체에 사용될 수 있다.
광 필터(211)는 전형적으로 청색광 및/또는 UV광을 흡수하거나 반사하는 재료를 함유하는 폴리머 재료다. 흡수를 위해, 청색 또는 UV 흡수 염료는 중합 전에 전구체 재료에 이러한 염료를 도입함으로써 폴리머 재료에 포함될 수 있다. 염료 기능이 폴리머로의 공유 결합을 위해 중합 가능한 올레핀 결합에 부착될 수 있거나, 염료가 공유 결합 없이 폴리머에 분산될 수 있다. 대안적으로, 동일한 목적을 위해 양자점 광 변환 재료(210) 및/또는 광 조절 재료(212)에 상술한 청색 컬러 필터 재료 또는 UV 필터 재료와 같은 광 필터 성분이 포함될 수 있다. 반사는 청색광이나 UV광, 또는 둘 다를 반사하도록 선택된 교호의 굴절률들을 갖는 브래그 구조를 사용하여 달성할 수 있다. 한 방법에서, 이러한 구조들은 구조에 적층함으로써 본 명세서에서 설명된 장치에 포함될 수 있다.
110에서, 광 결합 재료가 발광 구조 위에 형성되고, 발광 소자들의 어레이와 광 결합 재료 사이에 양자점 광 변환 재료가 있다. 도 2c는 양자점 광 변환 재료(210) 위에 형성된 광 결합 재료(214)를 도시한다. 광 결합 재료(214)는 또한 이 경우에 광 조절 재료(212) 위에 형성된다. 광 결합 재료는 양자점 광 변환 재료(210) 및 광 조절 재료(212)에서 내부 전반사에 의한 광학 손실을 최소화하는 재료다. 장치(200)는 일반적으로 도 2c에 도시된 바와 같이 환경 영향으로부터 장치(200)를 밀봉하는 상단부(top)(216)를 포함한다. 이 상단부(216)는 다중 층들, 예를 들어 유리 기판 및 컬러 필터를 포함할 수 있다.
광 결합 재료(214)는 양자점 광 변환 재료(210) 및 광 조절 재료(212)의 표면에 액체 형태의 전구체를 도포한 후 전구체를 응고시켜 형성되는 폴리머 재료다. 광 결합 재료(214)는 광학적으로 투명하고 하위 재료, 이 경우 양자점 광 변환 재료(210) 및 광 조절 재료(212)보다 낮은 굴절률을 갖는 얇은 층일 수 있다. 그러한 경우에, 광 결합 재료(214)는 약 100nm 이하의 두께를 갖는다.
광 결합 재료(214)의 더 두꺼운 층의 경우, 고굴절률 재료가 광 결합에 유용하다. 광학적으로 투명하고 굴절률이 높은 폴리머 재료는 방향족 성분들 및/또는 헤테로 원자들을 갖는 재료를 중합하여 만들 수 있다. 광학적 선명도는 빛의 흡수 또는 투과 및 헤이즈의 관점에서 표현될 수 있다. 이러한 각각의 파라미터들은 재료를 통과하는 경로 길이의 함수이므로 광 결합 재료의 두께는 광학 선명도를 고려한다. 광 결합 재료(214)의 층은 대부분의 경우에 두께가 약 20㎛ 미만이다. 이러한 층에서, 광 결합 재료(214)는 450nm 내지 850nm의 파장을 갖는 광자의 85% 이상을 투과시키는 재료로 이루어진다. 추가로, 이러한 실시예들에 대한 광 결합 재료의 이러한 층은 약 3% 미만의 투과 헤이즈를 갖는다.
광 결합 재료(214)는 또한 직접 패턴화된 증착을 위한 잉크젯 인쇄에 의해, 또는 후속 패터닝이 뒤따르는 슬롯-다이-코팅 또는 스핀-코팅에 의해 증착될 수 있다. 직접 패턴화된 증착은 광 결합 재료(214)가 예를 들어, 상이한 서브픽셀들에서 상이한 투과 스펙트럼을 가질 수 있도록 개별 서브픽셀의 광학 특성이 선택되는 것을 허용한다. 잉크젯 인쇄는 이러한 증착을 제공할 수 있다.
광 결합 재료에 사용될 수 있는 폴리머 재료는 헤테로 원자들로서 황, 인, 질소, 규소, 게르마늄, 브롬, 불소, 및 염소를 포함할 수 있다. 광 결합 재료는 아크릴 폴리머, 스티렌계 폴리머, 폴리올레핀(폴리인덴 및 폴리노르보르넨과 같은 공액 폴리올레핀 포함), 니트릴 폴리머, 실리콘, 폴리게르목산, 폴리게르마노실록산, 폴리오르가노실록산, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리설폰, 에폭시 수지, 폴리티오펜 또는 폴리에스테르이거나 포함할 수 있다. 상기 재료의 코폴리머 및 다중 폴리머도 사용할 수 있다. 위에서 고려되는 다양한 폴리머는 조성, 포화 및 입체 규칙성과 같은 분자 구조의 임의의 측면에서 블록(block), 랜덤(random), 의사-블록(pseudo-block) 및/또는 의사-랜덤(pseudo-random) 일 수 있다. 상기 고려된 폴리머는 또한 임의의 원하는 정도로 가교될 수 있다. 이들 재료는 일반적으로 적어도 약 1.5, 일부는 적어도 약 1.6의 굴절률을 갖는다. 광 결합 재료를 형성하기 위해 단독으로 또는 혼합물로 중합될 수 있는 모노머들의 예는 다음을 포함한다:
Figure pct00001
트리시클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트(tricyclodecane dimethanol diacrylate), 폴리머 굴절률 1.51;
Figure pct00002
벤질 메타크릴레이트(benzyl methacrylate), 폴리머 굴절률 1.51;
Figure pct00003
비스페놀-A 에폭시 디아크릴레이트(bis-phenol-A epoxydiacrylate), 폴리머 굴절률 1.55;
Figure pct00004
페닐티올에틸 아크릴레이트(phenylthiolethyl acrylate), 폴리머 굴절률 1.56;
Figure pct00005
비스(메타크릴롤티오페닐) 설파이드(bis(methacrylolthiophenyl) sulfide), 폴리머 굴절률 1.66;
Figure pct00006
트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트)(Trimethylolpropane tris(3-mercaptopropionate)), 폴리머 굴절률 1.52;
Figure pct00007
펜타에리트리톨 테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트)(Pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate)), 폴리머 굴절률 1.53; 그리고
Figure pct00008
에톡실화 페닐페놀 아크릴레이트(Ethoxylated phenylphenol acrylate), 폴리머 굴절률 1.577.
상기 예시 재료들의 모노머들 또는 예비-폴리머들, 또는 상기 열거된 임의의 재료들은 기판에 적용하기 위해 액체 혼합물에서 중합 개시제와 혼합될 수 있다. 기능화된 고굴절률 세라믹 입자들은 또한 본 명세서에 기재된 재료와 함께 사용될 수 있다. 용매는 용이한 적용을 위해 액체 혼합물의 적용을 위한 밀도 및 점도를 목표로 하는 데 사용될 수 있다. 그러한 재료들은 임의의 편리한 방법을 사용하여 기판에 적용될 수 있다. 이러한 방법들에는 스핀 코팅, 리본 코팅, 스프레이 및 잉크젯 인쇄가 포함되며, 각각은 기판에 재료를 쉽게 적용할 수 있는 최적의 액체 특성을 갖는다.
전구체 재료는 액체로서 기판에 도포되고, 그 다음 응고되어 광 결합 재료를 형성한다. 도 2c의 실시예에서, 광 결합 재료 위의 층들은 액체 재료로서 도포되어 응고될 수 있거나, 광 결합 재료 위에 적층될 수 있다. 광 결합 재료 위의 층들이 액체 형태로 적용된 후 응고되는 경우, 전구체 재료는 후속 층들을 형성하기 전에 응고되거나 부분적으로 응고될 수 있다. 광 결합 재료 위의 층들이 광 결합 재료 위에 적층되는 경우, 후속 층들을 적용하기 전에 전구체 재료가 약간 응고되거나 두꺼워질 수 있거나, 또는 후속 층들은 전구체 재료를 응고시키기 전에 전구체 재료 위에 적층될 수 있다.
광 결합 재료를 형성하기 위해 전구체 재료를 응고시키는 것은 전구체 재료를 건조 또는 경화함으로써 수행된다. 건조 작업 동안 기판은 건조를 촉진하기 위해 최대 약 40℃까지 예열될 수 있다. 대안적으로, 어떤 경우에는 과도한 온도가 기판의 열에 민감한 구성요소에 부정적인 영향을 미치는 것을 방지하기 위해 건조 동안 또는 건조 전에 기판을 냉각할 수 있다. 이러한 경우에, 증발 건조 동안 기판 온도를 약 40℃ 미만, 또는 심지어 실온 미만, 예를 들어 약 15℃ 미만으로 감소시키기 위해 기판에 냉각이 적용될 수 있다.
전구체 재료가 액체 전구체를 형성하기 위해 용매 중에서 팽창된 최소 반응성 또는 비반응성 폴리머를 포함하는 경우, 용매는 전구체를 응고시키기 위해 증발될 수 있다. 용매 증발은 선택적으로 전구체 재료를 가열 또는 냉각하면서 진공 또는 감압 하에 수행될 수 있다. 용매 중의 폴리머를 액상으로 도포한 후, 전구체 위에 상단부를 적층하는 경우, 전구체는 부분적으로 건조될 수 있고, 예를 들어 라미네이트 층을 수용하기 위한 두꺼운 점착성 표면 재료를 제공하기 위해 라미네이트 층을 적용하기 전에 용매의 25-50%가 증발될 수 있다. 그 다음, 전구체 재료는 광 결합 재료에 대한 라미네이트 층의 접착을 완료하기 위해 완전히 건조될 수 있다. 후속 층이 적용된 후 응고될 때, 광 결합 재료의 전구체 재료는 실질적으로 응고되고, 예를 들어 새로운 액체 전구체의 후속 적용 전에 용매의 적어도 80%가 증발된다.
경화 공정에서, 전구체 재료는 일반적으로 중합 개시제 또는 촉진제를 포함한다. 자유 라디칼 개시제들이 일반적으로 사용되며, 열 또는 복사 에너지 또는 둘 다를 사용하여 활성화될 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 방법(300)을 요약한 흐름도이다. 방법(300)은 또한 디스플레이 장치를 제조하는 방법이다. 방법(300)에서, 장치의 발광 부분과 장치의 광 변환 부분은 별도로 만들어지고 함께 적층된다. 도 4a 내지 도 4e는 방법(300)에 따른, 도 4e에 완전히 조립된 것으로 도시된, 디스플레이 장치(400)의 조립 단계를 도시한다. 광 결합 층들은 장치를 통한 광자 투과를 용이하게 하기 위해 장치(400)에서 사용된다.
302에서, 픽셀화된 발광 구조는 도 1의 작업 102에서와 같이 제1 기판 상에 형성된다. 도 4a는 도 2a에서와 같이 발광 구조(204) 및 정의된 서브픽셀들(206)을 갖는 제1 기판(402)을 도시한다. 제1 기판(402) 및 발광 구조(204)는 방법(300)에 의해 형성된 장치의 제1 부분(410)을 형성하며, 이는 도 4e에 완전히 조립된 것으로 도시된다. 광 결합 재료는 디스플레이 장치의 최종 조립을 용이하게 하기 위해 평탄화 층으로서 발광 구조 상에 선택적으로 형성될 수 있다.
304에서, 픽셀화된 양자점 광 변환 재료가 제2 기판의 제1 부분 상에 형성된다. 도 4b는 파티션(208)에 의해 제공된 픽셀 정의를 갖는 제2 기판(412)을 도시한다. 픽셀화된 양자점 광 변환 재료(210)는 위의 작업 104와 유사한 프로세스에서 여기서 형성된다.
306에서, 픽셀화된 광 조절 재료가 선택적으로 제2 기판의 제2 부분 상에 형성된다. 도 4b는 또한 픽셀 정의로서 파티션(208)을 사용하여 제2 기판(412) 상에 형성된 광 조절 재료(212)를 도시한다. 위에서 언급한 바와 같이, 어떤 경우에는 모든 픽셀들에 대해 색 변환이 필요한 경우 양자점 광 변환 재료가 모든 픽셀들에 형성될 수 있다.
308에서, 양자점 광 변환 재료(210) 및 광 조절 재료(212) 위에 선택적 인캡슐레이션 층(213)이 형성된다. 인캡슐레이션 층(213)은 전술한 바와 같으며, 후속 공정에서 양자점 및 광 변환 재료의 민감한 성분에 대한 부정적인 영향을 방지하는 역할을 한다.
310에서, 광 결합 재료가 발광 구조 상에 또는 제2 기판 상의 상부 층으로서 형성된다. 광 결합 재료는 인캡슐레이션 층(213) 상에 형성된다. 도 4d는 인캡슐레이션 층(213) 상에 형성된 광 결합 재료(414)을 도시한다. 광 결합 재료(414)는 방법(100)과 관련하여 위에서 설명된 바와 같이 형성될 수 있고, 위에서 설명된 선택적인 광 결합 재료와 동일한 재료일 수 있거나 상이한 재료일 수 있다.
양자점 재료(210), 광 조절 재료(212), 및 광 결합 재료(414)를 갖는 제2 기판(412)은 도 4d에 도시된 바와 같이 제2 부분(420)을 형성한다. 312에서, 제2 부분(420)의 최상층이 제1 부분(410)의 최상층에 부착된다. 제1 부분(410)에 광 결합 재료를 사용하는 경우, 제1 부분(410)의 광 결합 재료가 제2 부분(420)의 인캡슐레이션 층(213)에 적층될 수 있다. 제1 부분(410)에 광 결합 재료가 사용되지 않는 경우, 제2 부분(420)의 광 결합 재료는 제1 부분(410)의 픽셀화된 발광 구조에 부착된다. 도 4e는 제2 부분(420)에 부착된 제1 부분(410)을 도시한다. 이 경우, 제2 부분(420)의 광 결합 재료(414)는 제1 부분(410)의 광 결합 재료(404)에 직접 부착되어, 광 결합 재료(414)가 발광 구조(204)와 양자점 광 변환 재료(210) 사이, 그리고 발광 구조(204)와 광 조절 재료(212) 사이에 있다. 제2 부분(420)에 대한 제1 부분(410)의 적층은 제2 부분(420)의 광 결합 재료(414) 및 제1 부분(410)의 발광 구조(204)의 매끄러운 표면에 의해 촉진된다. 광 결합 재료(204)는 적층을 용이하게 하기 위해 제2 부분(420)의 평탄화 층의 역할을 한다.
두 부분들(410, 420)은 라미네이팅 공정에 의해 부착된다. 여기서, 제2 부분(420)의 광 결합 재료(414)의 표면은 제1 부분(410)의 발광 구조(204)의 표면에 접착된다. 대안적으로, 제1 부분(410)에 광 결합 재료가 사용되지 않는 경우, 광 결합 재료가 제1 부분(410)의 발광 구조(204)의 표면에 형성될 수 있고, 광 결합 재료가 제2 부분(420)의 인캡슐레이션 층(213)에 적층되는 데 사용될 수 있다. 어느 경우든, 제1 부분(410)의 발광 구조(204)와 양자점 광 변환 재료(210) 사이, 그리고 제1 부분(410)의 발광 구조(204)와 광 조절 재료(212) 사이에 광 결합 재료가 제공된다. 접착은 광 결합 재료(414)의 표면을 광 결합 재료(414)에 적층될 재료(발광 구조(204) 또는 인캡슐레이션 층(213) 중 하나)의 표면과 접촉하게 함으로써 달성된다. 한가지 경우에, 광 결합 재료(414)의 응고는 두 부분들을 함께 적층하기 전에 부분적으로만 완료되고, 광 결합 재료(414)의 응고가 접촉 후에 완료된다. 다른 경우에, 미리 응고된 광 결합 재료(414)는 제1 부분(410)과 접촉하기 전에 가열하거나 용매를 사용하여 연화된다. 세번째 경우에, 접촉 전에 광 결합 재료(414)의 표면 또는 광 결합 재료(414)에 적층될 표면에 접착제가 도포된다. 여하튼, 두 부분들(410, 420)을 함께 적층하면 도 4e에 도시된 최종 디스플레이 장치(400)가 생성된다. 광 결합 재료가 부분들(410 및 420) 모두에 사용되는 경우, 두 광 결합 재료들은 가열, 용매에서의 연화 또는 접착제 도포에 의해 적층을 위해 준비될 수 있으며 두 부분들은 서로 다른 방법(즉, 한 부분에 접착제 도포, 다른 부분에 가열 등)을 사용하여 준비될 수 있다. 2개의 광 결합 재료들을 사용하여 적층된 장치를 형성하는 경우, 2개의 광 결합 재료들은 상이한 특성 및 상이한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 광 결합 재료는 제1 굴절률을 가질 수 있고, 제1 두께로 적용될 수 있고, 제2 광 결합 재료는 제2 굴절률을 가질 수 있고, 제2 두께로 적용될 수 있다.
도 4e의 장치에 사용된 광 결합 재료는 복굴절성일 수 있다. 예를 들어, 블록 SBS 코폴리머는 복굴절성을 갖도록 배향될 수 있다. 그러한 경우에, 복굴절성 광 결합 재료는 광 투과 방향(즉, 일반적으로 발광 구조의 발광 표면에 수직임)에서의 광 결합 재료의 투과 굴절률이 투과 방향과 교차하는 방향에서의 횡방향 굴절률보다 높도록 배향될 것이다.
몇몇 경우에 광 결합 재료의 다중 층들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 4e의 실시예에서, 3개의 광 결합 층들이 발광 구조(204)와 인캡슐레이션 층(213) 사이에 개재될 수 있다. 광 결합 층들은 각각의 연속적인 층에 따라 상향 또는 하향으로 진행되는 굴절률들을 가질 수 있다. 원하는 경우 그 층의 한 표면에서 다른 표면으로 굴절률 경사를 갖는 재료 층을 생성하기 위해 임의의 수의 그러한 재료가 사용될 수 있다. 도 4e의 실시예에서, 그 층은 발광 구조(204)에 인접한 제1 표면 및 인캡슐레이션 층(213)에 인접한 제2 표면을 가질 수 있다. 이 경우, 그 층은 제1 표면에 인접한 제1 굴절률 및 제2 표면에 인접한 제2 굴절률을 갖도록 구성될 수 있고, 여기서 제1 굴절률은 제2 굴절률보다 낮고, 여기서 그 층의 굴절률은 연속, 준연속(quasi-continuous), 선형 또는 준선형(quasi-linear) 방식으로 제1 표면에서 제2 표면까지 변한다.
다수의 광 결합 재료들이 또한 장치 구조의 상이한 위치들에서 사용될 수 있다. 도 4e의 장치에서, 발광 구조(204)와 기판 사이의 광 결합을 개선하기 위해 기판(402)과 발광 구조(204) 사이에 광 결합 층이 포함될 수 있다. 그러한 광 결합 층은 도 4e의 장치의 효율을 증가시킬 수 있다. 도 5는 다른 실시예에 따른 장치(500)의 개략적인 단면도이다. 장치(500)는 기판(202), 발광 구조(204), 복수의 양자점 광 변환 영역들(210) 및 광 조절 영역(212)(하나의 광 조절 영역(212)만 도시됨)을 포함하는 광 구성 층(502)을 갖는다. 제1 광 결합 층(504)은 발광 구조(204)와 광 구성 층(502) 사이에 배치된다. 제1 광 결합 층(504)은 광 구성 층(502)으로의 광 입력을 최적화한다. 인캡슐레이션 층(213)은 광 구성 층(502) 위에 배치된다. 제2 광 결합 층(506)은 광 인캡슐레이션 층(213) 위에 배치되고, 광 투과성 상단부(508)는 제2 광 결합 층(506) 위에 배치된다. 제1 및 제2 광 결합 층들(504, 506)은 장치(500)의 다양한 기능 층에서 내부 전반사로 인한 광학 손실을 최소화한다. 제1 및 제2 광 결합 층(504, 506) 각각은 인접 층으로의 광 결합을 최대화하기 위해 적어도 1.5, 일부 경우에는 적어도 1.6의 굴절률을 갖는다. 광 결합 층에 대해 위에 나열된 재료를 여기에서 사용할 수 있다. 제1 및 제2 광 결합 층들(504, 506)의 재료는 동일하거나 상이할 수 있다. 제1 광 결합층(504)은 제1 굴절률을 갖고, 제2 광 결합층(506)은 제2 굴절률을 갖는다. 일부 경우에, 제2 굴절률은 제1 굴절률보다 높지만, 2개의 굴절률은 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 굴절률(504) 또는 제2 굴절률(506) 중 어느 하나, 또는 둘 모두는 복굴절성일 수 있다.
본 명세서에 언급된 다양한 디스플레이 장치에 대해 설명된 다양한 기판들 및 층들은 다수의 기능 층들을 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다. 발광 구조와 관련하여 상술한 기능층들 외에, 편광층, 필터층, 보호층, 반사방지층, 밀봉층, 버퍼층, 배리어층 등은 디스플레이 장치의 어느 위치에나 사용될 수 있다. 어떤 경우에는 광 필터 층을 사용하여 장치 전체의 광 강도를 균일화할 수 있다. 예를 들어, 청색 발광 구조를 광자 소스로 사용하는 경우, 양자점 광 변환 층과 광 결합 재료 또는 양자점 광 변환 층의 출력측 다른 층 사이에 청색 컬러 필터가 사용될 수 있다. 청색 컬러 필터는 또한 광 조절 층과 관련하여 사용될 수 있다. 청색 컬러 필터는 일반적으로 장치를 통해 빠져나가는 청색광의 강도를 줄여 청색 강도를 적색 및 녹색 강도와 동일하게 하고 적색 및 녹색 픽셀의 색 충실도를 최대화한다. 청색 컬러 필터 재료, 예를 들어 청색 컬러 필터링에 사용되는 청색 염료도 양자점 재료들에 포함될 수 있다.
다른 경우에, UV 필터가 주변광에 의한 양자점의 여기를 최소화하기 위해 기판과 양자점 층 사이에 포함될 수 있다.
기판과 양자점 층 사이의 광 결합 층은 청색 필터 특성과 UV 필터 특성을 모두 포함할 수 있다. 또한, 광 결합 층은 광 결합 층의 광학 특성 및 필터 특성이 광 결합 층에 인접한 서브픽셀의 유형에 맞춰지도록 픽셀화될 수 있다. 잉크젯 인쇄는 이러한 구조를 형성하는 유리한 방법이다.
앞서 언급한 바와 같이, 전술한 광 결합층은 일반적으로 이웃하는 층들 사이에 중간 굴절률을 갖는다. 앞서 언급한 바와 같이 많은 디스플레이 장치에서 ITO 재료가 투명 전극으로 사용된다. 유리 또는 폴리머 상단 층도 자주 사용된다. 재료의 굴절률은 일반적으로 ITO 재료에서 최상층으로 감소하며, 이는 재료 계면들에서 잠재적인 광자 손실을 일으킨다. 고굴절률 광 결합 재료를 사용하면 계면을 가로질러 고굴절률에서 저굴절률로의 급격한 전환을 줄여 계면에서 광자 손실을 줄일 수 있다.
전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가 실시예들은 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 그 범위는 다음 청구범위에 의해 결정된다.

Claims (45)

  1. 서브픽셀들을 갖는 픽셀 구조로 형성된 청색 발광 소자들의 어레이;
    상기 서브픽셀들의 일부분 위에 배치된 복수의 양자점 광 변환 재료들;
    상기 양자점 광 변환 재료들의 상단에 형성된 광 결합 재료를 포함하는, 디스플레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광 결합 재료는 적어도 약 1.5의 굴절률을 갖는, 디스플레이.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광 결합 재료는 방향족 성분들 또는 헤테로 원자들을 포함하는 폴리머인, 디스플레이.
  4. 제3항에 있어서, 상기 폴리머는 아크릴계 폴리머, 스티렌계 폴리머, 폴리올레핀, 니트릴계 폴리머, 실리콘, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리설폰, 에폭시 수지, 폴리티오펜 또는 폴리에스테르인, 디스플레이.
  5. 제4항에 있어서, 상기 폴리머는 방향족 성분들 및 헤테로 원자들을 포함하는, 디스플레이.
  6. 제3항에 있어서, 상기 폴리머의 적어도 하나의 방향족 성분은 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는, 디스플레이.
  7. 제1항에 있어서, 상기 양자점 광 변환 재료와 상기 광 결합 재료 사이에 UV 또는 청색광을 흡수 또는 반사시키는 광 필터를 더 포함하는, 디스플레이.
  8. 제7항에 있어서, 상기 광 필터는 제1 서브픽셀과 연관된 제1 광 필터 및 제2 서브픽셀과 연관되고 제1 광 필터와 상이한 제2 광 필터를 포함하고, 상기 제1 광 필터 및 제2 광 필터는 서로 다른 광 필터링 특성을 갖는, 디스플레이.
  9. 제1항에 있어서, 상기 양자점 광 변환 재료는 광 필터 재료를 포함하는, 디스플레이.
  10. 제1항에 있어서, 상기 서브픽셀들 중 상기 양자점 광 변환 재료가 증착된 상기 서브픽셀들의 일부분은 제1 부분이고, 청색 발광 소자들의 상기 어레이와 상기 광 결합 재료 사이의 서브픽셀들의 제2 부분에 배치된 광 조절 재료를 더 포함하는, 디스플레이.
  11. 제8항에 있어서, 상기 광 결합 재료, 상기 광 조절 재료, 또는 상기 양자점 광 변환 재료는 세라믹 입자들, 금속 입자들, 또는 금속 산화물 입자들을 포함하는, 디스플레이.
  12. 제1항에 있어서, 상기 양자점 광 변환 재료와 상기 광 결합 재료 사이에 형성된 인캡슐레이션 층을 더 포함하는, 디스플레이.
  13. 제1항에 있어서, 상기 광 결합 재료는 제1 광 결합 재료이고, 상기 양자점 광 변환 재료와 상기 발광 소자 사이에 제2 광 결합 재료를 더 포함하는, 디스플레이.
  14. 서브픽셀들을 갖는 픽셀 구조로 형성된 청색 발광 소자들의 어레이;
    청색 발광 소자들의 상기 어레이 위에 배치된 광 결합 재료;
    상기 서브픽셀들의 일부분에 배치된 복수의 양자점 광 변환 재료들; 및
    상기 양자점 광 변환 재료들 위에 형성된 광 투과성 상단부를 포함하는, 디스플레이.
  15. 제14항에 있어서, 상기 광 결합 재료는 적어도 약 1.5의 굴절률을 갖는, 디스플레이.
  16. 제15항에 있어서, 상기 광 결합 재료는 방향족 성분들 또는 헤테로 원자들을 포함하는 폴리머인, 디스플레이.
  17. 제16항에 있어서, 상기 광 결합 재료는 방향족 성분들 또는 헤테로 원자들을 포함하는 아크릴계 폴리머, 스티렌계 폴리머, 폴리올레핀, 니트릴 폴리머, 실리콘, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리설폰, 에폭시 수지, 폴리티오펜 또는 폴리에스터인, 디스플레이.
  18. 제17항에 있어서, 상기 폴리머는 방향족 성분들 및 헤테로 원자들을 포함하는, 디스플레이.
  19. 제18항에 있어서, 상기 폴리머의 적어도 하나의 방향족 성분은 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는, 디스플레이.
  20. 제14항에 있어서, 상기 양자점 광 변환 재료와 상기 상단부 사이에 UV 또는 청색광을 흡수 또는 반사시키는 광 필터를 더 포함하는, 디스플레이.
  21. 제14항에 있어서, 상기 광 결합 재료는 제1 광 결합 재료이고, 상기 양자점 광 변환 재료와 상기 상단부 사이에 제2 광 결합 재료를 더 포함하는, 디스플레이.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제2 광 결합 재료는 UV 또는 청색광을 흡수 또는 반사하는 광 필터 재료를 포함하는, 디스플레이.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제2 광 결합 재료는 복수의 광 결합 요소들이고, 각각의 광 결합 요소는 서브픽셀의 색상과 연관된 필터 특성을 갖는, 디스플레이.
  24. 제14항에 있어서, 상기 양자점 광 변환 재료가 배치된 상기 서브픽셀의 상기 일부분은 제1 부분이고, 상기 서브픽셀들의 제2 부분에 배치된 광 조절 재료를 더 포함하고, 상기 광 결합 재료는 또한 상기 광 조절 재료와 청색 발광 소자들의 상기 픽셀화된 어레이 사이에 배치되는, 디스플레이.
  25. 제14항에 있어서, 상기 광 결합 재료, 상기 광 조절 재료, 또는 상기 양자점 광 변환 재료는 세라믹 입자들, 금속 입자들, 또는 금속 산화물 입자들을 포함하는, 디스플레이.
  26. 제14항에서, 상기 양자점 광 변환 재료와 상기 광 결합 재료 사이에 인캡슐레이션 층을 더 포함하는, 디스플레이.
  27. 기판 상에 픽셀화된 청색 발광 구조를 형성하는 단계;
    상기 픽셀화된 청색 발광 구조의 제1 부분 상에 양자점 재료들의 패턴화된 층을 형성하는 단계;
    상기 픽셀화된 청색 발광 구조의 제2 부분 상에 광 조절 재료의 층을 형성하는 단계; 및
    상기 양자점 재료들의 층 및 상기 광 조절 재료의 층 위에 광 결합 재료를 형성하는 단계를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 광 결합 재료를 형성하는 단계는 방향족 성분들 또는 헤테로 원자들을 포함하는 중합 전구체를 상기 양자점 재료의 층 및 상기 광 조절 재료의 층 위에 증착한 후 상기 전구체를 중합하는 단계를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  29. 제27항에 있어서, 상기 중합 전구체가 황 또는 인 원자들을 포함하는 성분들을 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  30. 제28항에 있어서, 상기 양자점 재료, 상기 광 조절 재료, 및 상기 광 결합 재료는 잉크젯 인쇄를 이용하여 형성되는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  31. 제27항에 있어서, 상기 양자점 재료는 청색광을 흡수 또는 반사하는 재료를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  32. 제27항에 있어서, 상기 양자점 재료와 상기 광 결합 재료 사이, 그리고 상기 광 조절 재료와 상기 광 결합 재료 사이에 청색 또는 UV 광을 흡수하거나 반사하는 필터 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 필터 재료는 하위의 서브픽셀의 발광 특성과 연관된 필터 특성을 가지며 픽셀들에 증착되는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  34. 제32항에 있어서, 상기 필터 재료가 잉크젯 인쇄를 사용하여 증착되는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  35. 제1 기판 상에 픽셀화된 청색 발광 구조를 형성하는 단계;
    제2 기판의 제1 부분 상에 양자점 재료의 패턴화된 층을 형성하는 단계;
    상기 제2 기판의 제2 부분 상에 광 조절 재료의 패턴화된 층을 형성하는 단계;
    상기 양자점 재료 및 상기 광 조절 재료 위에 광 결합 재료를 형성하는 단계; 및
    상기 제2 기판의 상기 광 결합 재료를 상기 제1 기판의 픽셀화된 청색 발광 구조에 부착하는 단계를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 양자점 재료, 상기 광 조절 재료 및 상기 광 결합 재료는 잉크젯 인쇄를 이용하여 형성되는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  37. 제35항에 있어서, 상기 광 결합 재료를 형성하는 단계는 방향족 성분들 또는 헤테로 원자들을 포함하는 중합 전구체를 상기 양자점 재료 및 상기 광 조절 재료 위에 증착한 후 상기 전구체를 중합하는 단계를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 중합 전구체가 황 원자들 또는 인 원자들을 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  39. 제37항에 있어서, 상기 전구체를 중합하는 단계는 상기 픽셀화된 청색 발광 구조에 상기 광 결합 재료를 부착한 후에 수행되는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  40. 제35항에 있어서, 상기 양자점 재료는 청색광을 흡수 또는 반사하는 재료를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  41. 제35항에 있어서, 상기 양자점 재료와 상기 제2 기판 사이 및 상기 광 조절 재료와 상기 제2 기판 사이에 청색 또는 UV 광을 흡수하거나 반사하는 필터 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 필터 재료는 하위의 서브픽셀의 발광 특성과 관련된 필터 특성을 가지며 픽셀들에 형성되는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 필터 재료가 잉크젯 인쇄를 사용하여 형성되는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  44. 제27항에 있어서, 상기 광 결합 재료를 형성하는 단계는 방향족 성분들 또는 헤테로 원자들을 포함하는 중합 전구체를 상기 양자점 재료의 층 및 상기 광 조절 재료의 층 위에 증착하는 단계 및 상기 전구체를 중합하는 단계를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
  45. 제35항에 있어서, 상기 광 결합 재료를 형성하는 단계는 방향족 성분들 또는 헤테로 원자들을 포함하는 중합 전구체를 상기 양자점 재료 및 상기 광 조절 재료 위에 증착하는 단계 및 상기 전구체를 중합하는 단계를 포함하는, 디스플레이를 제조하는 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210137810A (ko) * 2020-05-11 2021-11-18 삼성전자주식회사 전자 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치
CN112952024A (zh) * 2021-03-17 2021-06-11 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及显示面板
US20230335693A1 (en) * 2022-04-19 2023-10-19 Applied Materials, Inc. Micro-led structures and photoluminescent materials having uv light filters

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08506189A (ja) * 1993-01-11 1996-07-02 ザ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ペンシルバニア 非線形光学的性質を有する多環式芳香族化合物
WO2009014707A2 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
KR101475520B1 (ko) * 2008-01-14 2014-12-23 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트용 양자점 잉크 조성물 및 그를 이용한전자소자
KR101860935B1 (ko) * 2012-03-15 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6506392B2 (ja) * 2015-05-29 2019-04-24 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
WO2017078402A1 (ko) * 2015-11-04 2017-05-11 엘지이노텍 주식회사 광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈
EP3244442B1 (en) * 2016-05-09 2022-08-03 Emberion Oy A method of forming a device comprising quantum dots
CN115421329A (zh) * 2016-10-12 2022-12-02 科迪华公司 利用量子点的显示器件及其喷墨印刷技术
US20180284531A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR102342052B1 (ko) * 2017-08-17 2021-12-22 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 상기 디스플레이 패널을 이용하는 디스플레이 장치
KR101958721B1 (ko) * 2017-11-28 2019-03-15 한국생산기술연구원 색변환 패널, 그를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조방법

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