JPH08506189A - 非線形光学的性質を有する多環式芳香族化合物 - Google Patents

非線形光学的性質を有する多環式芳香族化合物

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JPH08506189A
JPH08506189A JP6516297A JP51629794A JPH08506189A JP H08506189 A JPH08506189 A JP H08506189A JP 6516297 A JP6516297 A JP 6516297A JP 51629794 A JP51629794 A JP 51629794A JP H08506189 A JPH08506189 A JP H08506189A
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hydrogen
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ガリト,アンソニー・エフ
真治 山田
パナッカル,アンナ
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ザ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ペンシルバニア
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Abstract

(57)【要約】 ある一定の安定な多環式芳香族化合物を含むデバイス及び物質は、知覚できる二次非線形光学的効果を示す。一般に、有用な多環式芳香族化合物は電子供与性と電子吸引性の両方の化学官能基を有するが、分子又は結晶の単位セルレベルのいずれにおいても反転対称性の中心を有さない。

Description

【発明の詳細な説明】 非線形光学的性質を有する多環式芳香族化合物 政府の支援 この研究は高等防衛研究企画庁(Defense Advanced Research Projects Agenc y)(DARPA)と空軍科学研究局(Air Force Office of Scientific Resear ch)(AFOSR)によって契約番号F49620−85−C−0105の下に 援助されたものである。発明の分野 本発明は電気光学的デバイス、第2高調波発生デバイス、電気音響学的デバイ ス、導波管デバイス、ファイバーデバイス、半導体デバイス、その他の有用な光 子デバイスの製造に有用である物質に関する。特に、本発明は二次非線形光学的 性質と、このようなデバイスに関連した加工条件に耐えるために充分な、適切な 熱的、機械的、化学的及び光学的(photo)安定性を有する化合物に関する。発明の背景 非局在化π−電子分布を有する共役有機及びポリマー物質の非線形光学的性質 にこの10年間、ますます関心が持たれている。非線形光学的性質は、マイクロ エレクトロニクスによって伝統的に実施されてきた用途において光線が電子と共 同作用するか又は電子に代わりさえする、新たに発生したフォトニクス(Photon ics)技術の基礎をなす。有機分子の設計と合成はフレキシブルであり、結晶相 と薄フィルム相とは比較的製造が容易であるので、有機物質はフォトニクスにお いて有利である。非線形光学的応答は一般に、用いられる光線周波数が物質の自 然の吸収周波数にどの程度接近しているかに依存して、共鳴又は非共鳴として分 類される。応答が印加電界の平方に比例する非共鳴二次プロセスは、無心対称性 (noncentrosymmetric)であり、適当な非局在化π−電子系と大きい双極子モー メントの両方を有する物質中にのみ生ずる。この二次プロセスは第2高調波発生 を含み、この場合には物質が入射光線の2倍の周波数で光線を発生し、印加電界 が物質の屈折率を変化させ、それによって入射光線の伝播性を変化させる。 非線形光学的性質を有する化合物は典型的に、基板上に層を成す単結晶若しく はフィルムとして、ポリマーコアに付随した主鎖若しくは側鎖として、又は例え ばポリイミドのような“ホスト”ポリマー中に分散した“ゲスト”として用途を 見い出している。これらの構造を含む半導体その他のデバイスの製造は非線形光 学的化合物を−40℃〜約320℃のオーダーの温度への暴露させることがあり うる。大部分の既知の非線形光学的化合物によっては、これらの熱的必要条件を 満たすことができない。このような化合物によって形成される結晶及びフィルム の分子単位は典型的に、比較的弱いファンデルワース(Van der Waals)力によ って結合される。したがって、これらの結晶及びフィルムは熱的及び機械的強度 を有さず、化学的作用及び解離を非常に受け易い。例えば、かなりの非線形性( non-linearity)を有することが知られる2−メチル−4−ニトロアニリンの結 晶は、非常に弱く結合されているので、室温において実際に昇華する。 したがって、非線形光学的性質を有し、しかも半導体加工条件に耐えることが できる化合物が当該技術分野において必要とされている。特に、高温に対して安 定であり、それらの非線形光学係数(optical coefficient)を損なわない化合 物が必要とされる。発明の目的 非線形光学的性質を有する新規な物質を提供することが、本発明の1つの目的 である。 二次非線形光学的性質を有する物質を提供することが、本発明の他の目的であ る。 単結晶、結晶質フィルム、ポリマー側鎖として、又は半導体その他の有用な電 子若しくは光デバイスにおけるポリマーホスト若しくはゾル−ゲルガラスにおけ るゲストとして使用可能である非線形化合物を提供することが、本発明のさらに 他の目的である。 高温、高い光強度及び、このようなデバイスに関連した他の加工条件に耐えら れる非線形光学的化合物を提供することが、本発明のさらに他の目的である。 二次非線形光学的及び電気光学的性質を有するオリゴマー及び/又はポリマー に仕上げることができる非線形化合物を提供することが、本発明のさらに他の目 的である。発明の概要 上記の目的及びその他の目的は、非線形光学的性質と、優れた化学的、熱的及 び光学的安定性との両方を有する多環式芳香族化合物を提供する本発明によって 満たされる。ある一定の実施態様では、この多環式芳香族化合物は式(1)、( 2)、(3)又は(4)を有する: 式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R2〜R7は、独立的に、アルキル基又は芳香族基である。 好ましい実施態様では、R2とR6は、独立的に、水素を基準として電子供与性 であるアルキル基又は芳香族基であり、R3とR7は、独立的に、水素を基準とし て電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基である。好ましくは、R4とR5の一 方は水素を基準として電子供与性であるアルキル基又は芳香族基であり、他方は 水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基である。 さらに好ましい実施態様では、多環式芳香族化合物は式(5)、(6)、(7 )又は(8)を有する: 式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R2A〜R2Eの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R3A〜R3Eの少なくとも1つは、水素を基準として電子吸引性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R4A〜R4Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 若しくは非芳香族基であり、R5は水素を基準として電子吸引性であるアルキル 基若しくは芳香族基であるか、又はR4A〜R4Dの少なくとも1つは、水素を基準 として電子吸引性である芳香族基若しくは非芳香族基であり、R5は水素を基準 として電子供与性であるアルキル基若しくは芳香族基である; R6A〜R6Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R7A〜R7Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子吸引性である芳香族基 又は非芳香族基である。 好ましい実施態様では、R1は例えばベンゼン、ナフタレン又はプロピレンの ような芳香族基であり、Q1〜Q5はNである。この種類の化合物は二次非線形光 学的性質と、約360℃を越える分解温度とを有することが判明している。 本発明はさらに、知覚できる非線形光学的の圧電効果と焦電(pyroelectric) 効果とを示す非線形光学的物質及びデバイスを提供する。一般に、これらのデバ イスは、基板(substrate)上に配置された、少なくとも1種の本発明の多環式 芳香族化合物を包含する層を含む。この層は該化合物を純粋な若しくは実質的に 純粋な形(例えば、結晶、オリゴマー又はポリマー)で又は、例えば既知の合成 有機ポリマー若しくはゾル−ゲル方法によって製造されるガラスのような、他の 化学的化合物と組合せて含むことができる。例えば、クライン(L.C.Klein), “薄フィルム、ファイバー、プレフォーム、エレクトロニクス及び特殊な成形品 のためのゾル−ゲルテクノロジー”,Noyes Publications 1988を参照のこと。ある一定の実施態様では、例えば、層が本発明の化合物 との混合物として合成有機ポリマーを含む。他の実施態様では、合成ポリマーと 本発明の化合物とが共有結合する。図面の簡単な説明 本発明の多くの目的及び利点は、基板と、本発明の多環式芳香族化合物を包含 する層とを含む本発明によるデバイスを示す添付図1を参照するならば、当業者 によってよりよく理解されると考えられる。発明の詳細な説明 ある種の熱安定性の多環式芳香族化合物を含むデバイスと物質とが知覚できる 非線形光学的性質、特に二次非線形光学的及び電気光学的効果を示すことが本発 明によって判明した。一般に、有用な多環式芳香族化合物は電子供与性と電子吸 引性の両方の化学官能基を有するが、分子若しくは結晶単位セル(cell)レベル での反転対称性の中心を有さない。現実に、本発明の化合物内の電子供与性官能 基と電子吸引性官能基の適切な位置が化合物内の電子的非対称性に実際に寄与し 、 そのため、非線形光学的効果の増強に実際に寄与することが考えられる。 好ましい実施態様では、本発明の実施に用いられる多環式芳香族化合物は式( 1)、(2)、(3)又は(4)を有する。典型的に、R1は四価の芳香族ラジ カルである。好ましくは、R1は例えばベンゼン、ペリレン、フェナントレン、 アントラセン、ナフタレン、ピレン、クリセン、又はナフタセンのような芳香族 炭化水素から誘導された基であり、ベンゼン、ペリレン及びナフタレンから誘導 された芳香族基が特に好ましい。本発明によると、Q1〜Q4は、式(1)〜(4 )で示される化合物の本質的に全長に及ぶ非局在化π−電子系に関係しうる、独 立的に選択されるヘテロ原子である。N、O、S、Se及びTeを含めた、多く の適切なヘテロ原子が当業者に知られている。Q1−Q4の各々がNであることが 好ましい。 式(1)〜(4)で示される実施態様では、R2、R6、及びR4とR5の一方は 正味の電子供与効果を有するアルキル基又は芳香族基であり、直鎖及び分枝鎖の 脂肪族炭化水素、水素を基準として電子供与性である少なくとも1つの置換基に よって置換された直鎖及び分枝鎖の脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、芳香族複 素環、水素を基準として電子供与性である少なくとも1つの置換基によって置換 された芳香族炭化水素、又は水素を基準として電子供与性である少なくとも1つ の置換基によって置換された芳香族複素環を含む。これに反して、R3、R7、及 びR4とR5の一方は正味の電子吸引効果を有するアルキル基又は芳香族基であり 、水素を基準として電子吸引性である少なくとも1つの置換基によって置換され た直鎖及び分枝鎖の脂肪族炭化水素、芳香族複素環、水素を基準として電子吸引 性である少なくとも1つの置換基によって置換された芳香族炭化水素、又は水素 を基準として電子吸引性である少なくとも1つの置換基によって置換された芳香 族複素環を含む。 式(5)〜(8)で示される実施態様では、R2A〜R2E及びR6A〜R6Dは正味 の電子供与効果を有する置換基でよい。これに反して、R3A〜R3E及びR7A〜R7D は正味の電子吸引効果を有する置換基である。 電子供与性及び電子吸引性の芳香族官能基の多くの例が当業者に周知である。 さらに、電子供与性基と電子吸引性基とはルーチンの実験(例えば、分子中の水 素の置換と、生ずる誘導効果の試験)によって確認することができる。好ましい 実施態様では、電子供与性基はアルキル基、アルキルアミノ基、NH2、アルコ キシル基、OH、アルキルチオ基、SH及び/又は−OC(O)−(アルキル) によって置換された芳香族炭化水素であり、前記置換基におけるアルキル基は炭 素数約1〜10である。 電子吸引基は好ましくは、N−(アルキル)3 +、S−(アルキル)2 +、NH3 + 、NO2、SO2−(アルキル)、CN、SO2−(芳香族)、C(O)OH、F 、Cl、Br、I、C(O)O−(アルキル)、C(O)−(アルキル)及び/ 又はCHOから選択される1つ以上の基によって置換された芳香族炭化水素であ り、前記置換基におけるアルキル基は炭素数約1〜10であり、芳香族基は炭素 数約6〜24である。 知覚できる二次非線形光学的効果を有する多環式芳香族化合物をそれらのUV /可視スペクトルに基づいて同定(選別)することができることが、本発明によ って判明した。一般に、有用な化合物は少なくとも1つのUV/可視遷移(tran sition)、すなわち励起(excitation)を示し、標準試験によって測定して、約 1x1051モル-1cm-1より大きい吸光係数を有する。このような電子励起は 主として、特に非共鳴条件下では、二次非線形光学的効果の原因である。 本発明による好ましい多環式芳香族化合物は式(9)〜(20)を有する。 本発明の多環式芳香族化合物は電気光学的デバイス、第2高調波発生デバイス 、電気音響学的デバイス、導波管デバイス、半導体デバイス、及びその他の光子 又は電子デバイスを含めた、多様なデバイスに用いられる。 図1に示すように、本発明によるデバイスは一般に、誘電性又は他の基板10 と、少なくとも1種の本発明の多環式芳香族化合物を包含する、該基板上に配置 された層12とを含む。有用な基板には、例えばシリコン、ガリウム及びヒ化物 のような半導体又は、例えばガラス若しくはプラスチックのような、絶縁体があ る。層12は、例えば結晶、結晶質フィルム、オリゴマー又はポリマーとして、 純粋形又は実質的純粋形の本発明の多環式芳香族化合物を含むことができる。当 業者は、モノマー構成ブロックとして式(1)、(2)、(3)及び/又は(4 )を有する化合物を用いて、多様なポリマー及びオリゴマー構造体を本発明の方 法によって製造できることを理解するであろう。例えば、式(21)と(22) はR8がアルキル又は芳香族であり、R9がO又はNHであり、Q5が非局在化π −電子系に関係しうるヘテロ原子であり、nが2〜約2000である典型的な構 造を示す。 或いは、層12は本発明の多環式芳香族化合物を1種以上の合成有機ポリマー と組合せて含むことができる。ある一定の実施態様では、例えば、層は合成有機 ポリマー又はその前駆物質(例えば、モノマー、触媒及び増感剤)を式(1)、 (2)、(3)及び/又は(4)を有する化合物との混合物として含むことがで きる。以下でさらに詳述するように、このような実施態様はポリマー又はポリマ ー前駆物質系に本発明の化合物を混合した後に架橋する及び/又は現場で重合す る可能性を提供する。ポリマーが該層の主要な割合をなし、多環式化合物が該層 の少ない割合をなす場合には、多環式化合物が“ホスト”ポリマー中の“ゲスト ”であるということができる。 他の実施態様では、層12はポリマーのバックボーン又はコアに側鎖として共 有結合した本発明の化合物の1種以上を含む。R8がアルキル又は芳香族であり ;R9がO又はNHであり;R10が四価芳香族ラジカルであり;R11とR12が独 立的にアルキル又は芳香族であり;Q5が非局在化π−電子系に関係しうるヘテ ロ原子であり;nが2〜約2000である式(23)と(24)によって、例示 的なバックボーン/側鎖が示される。当業者は多様な他の構造が可能であること を認識するであろう。 本発明の多環式芳香族化合物は当該技術分野に知られた、実際に任意の合成有 機ポリマー又はポリマー前駆物質系と混合することができると考えられる。本発 明の化合物は同様に多様なポリマーと、恐らく例えばアルキル、アルコキシル及 び/又はアルキルアミノ基のような、結合部分(moiety)の使用を通して、共有 結合することができることも考えられる。典型的な合成有機ポリマーには、ポリ イミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリカーボネ ート、ポリスチレン、ポリオレフィン及びポリビニルエーテルを含む。ポリイミ ド、特にハリス(Harris)等のPolym.Prepr.,1990,31,3 42に開示されたポリイミドが好ましいポリマーである。 本発明の多環式芳香族化合物による基板の被覆は当該技術分野に知られた任意 の手段によって、好ましくはスピン塗装、ロール塗装又は物理的な蒸着によって 達成することができる。マイセル(L.I.Maissel)とグラング(R.Glang),Ha ndbook of Thin Film Technology,McGra w−Hill(1970);サタス(Satas),Coating Techno logy Handbook,Marcel Dekker(1991)。層1 2の形成に用いる物質はさらに、例えば、顔料、染料、フィルター(filter)及 びドーパントのような、他の部分を含むことができる。 基板に付着した後の層の重合及び/又は架橋は当業者に知られた方法のいずれ かによって達成することができる。例えば、適当な開始剤の存在下での簡単な加 熱によって、又は増感剤の存在下若しくは不存在下での光線若しくは他の形式の 電磁気エネルギーの入射によって、ある種の重合を行うことができる。後者の方 法は、当業者が例えば除去可能な遮蔽剤を用いて、選択的なパターン化重合を行 うことができるために好ましい。認められるように、超小型回路(microcircuit ry)その他の用途では、ポリマーの適当に配列したパターンを含むデバイスを用 いることができる。 例えば図1に示すような実施態様では、本発明のある一定のデバイスは層12 上に配置された導体上層(conductor superstrate)14、制御手段16及び、 基板と上層とに接合した接点18を含む。この配置は発生源22からの入力光線 シグ ナル20を、接点18と協力する制御手段16によって発生する層12内の変動 電界によって操作することを可能にする。変化した又は“操作された”光線シグ ナル24は該層から適当な検出器26に導かれる。この一般的な説明に該当する 多様なデバイスが当業者に周知である。典型的な例はガリト(Garito)等のMa t.Res.Soc.Symp.Proc.,1990,173によって開示さ れる。 本発明によるデバイスがそれらの設計と用途(use)とにおけるフレキシビリ ティという利点を提供することは、当業者によって認識されると思われる。例え ば、ガイドされる光線が電気光学的に操作されることができるように、本発明の 化合物の導波性を非線形光学的性質と結合させることができる。実際に、多様な 性質と用途のデバイスのアセンブリを得るために、導波系(waveguiding system )内に非線形光学的、半導体、その他の光子及び電子デバイスの大きな配列を形 成することができる。 本発明の他の目的、利益及び新規な特徴は、本発明の限定を意図しない、本発 明の下記実施例を検討するならば、当業者に明らかになるであろう。実施例1 3,4−ペリロイレン−ベンズイミダゾール−9,10−ジカルボキシ−N−( 2,5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミド N−(2,5−ジ−tert−ブチルフエニル)−3,4,9,10−ペリレ ンテトラカルボン酸−3,4−アンヒドリド−9,10−イミド(0.6ミリモ ル)と1,2−フェニレンジアミン(27ミリモル)とを溶媒なしに180℃に 4時間加熱した。冷却後に、得られた溶液を70%エタノール中に注入し、濾過 し、90%メタノールによって洗浄した。残渣を1%水酸化カリウム溶液と共に 沸騰させ、瀘過し、メタノールによって洗浄し、乾燥させた。収率=88%。 QスイッチNd:YAGレーザーからの刺激されたラマン散乱によって得られ る1.907μmの基礎波長を用いるDC誘導第2高調波発生(DCSHG)に よって、1,4−ジオキサン溶液中で分子二次光学的感受率(optical suscepti bility)(β)を測定した。βと基底状態−双極子モーメント(μ)との積を評 価した。1βμl<100x10-48esu;UV−Vis吸収(CHCl3)= 5 71、527、492nm;溶解度(ジオキサン)=0.5x10-3M;TG− DTA(−3%)=410℃。実施例2 3,4−ペリロイレン−ベンズイミダゾール−9,10−ジカルボキシ−N−( m−ペンチル)フェニルイミド N−(n−ペンチル)−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸−3, 4−アンヒドリド−9,10−イミド(2.6ミリモル)と1,2−フェニレン ジアミン(33.8ミリモル)とをキノリン5ml中で190℃に4時間加熱し た。冷却後に、得られた溶液を95%メタノール中に注入し、濾過し、メタノー ルによって洗浄した。残渣を1%水酸化カリウム溶液と共に沸騰させ、瀘過し、 メタノールによって洗浄し、乾燥させた。収率=80%。1βμl<100x1 0-48esu;UV−Vis吸収(CHCl3)=570、530nm;溶解度( ジオキサン)<0.1x10-3M;TG−DTA(−3%)=420℃。実施例3 3,4−ペリロイレン−(3’−ニトロ)ベンズイミダゾール−9,10−ジカ ルボキシ−N−(2,5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミド N−(2,5−ジ−tert−ブチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレ ンテトラカルボン酸−3,4−アンヒドリド−9,10−イミド(0.6ミリモ ル)と4−ニトロ−1,2−フェニレンジアミン(15.3ミリモル)とを溶媒 なしに220℃に2.5時間加熱した。冷却後に、得られた溶液を95%メタノ ール中に注入し、濾過した。残渣を1%水酸化カリウム溶液と共に沸騰させ、濾 過し、メタノールによって洗浄し、乾燥させた。収率=45%。1βμl<10 0x10-48esu;UV−Vis吸収(CHCl3)=566、528nm;溶 解度(ジオキサン)=TG−DTA(−3%)=370℃。実施例4 3,4−ペリロイレン−(3’,4’−ジメチル)ベンズイミダゾール−9,1 0−ジカルボキシ−N−(2,5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミド N−(2,5−ジ−tert−ブチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレ ンテトラカルボン酸ジイミド(1.21ミリモル)と4,5−ジメチル−1,2 −フェニレンジアミン(14.7ミリモル)とをキノリン2mlと酢酸亜鉛28 0ml中で235℃に4時間加熱した。冷却後に、得られた溶液を80%メタノ ール中に注入し、濾過した。残渣を10%炭酸カリウム溶液と共に沸騰させ、濾 過し、メタノールによって洗浄し、乾燥させた。収率=70%。UV−Vis吸 収(CHCl3)=581、551、523、488nm;TG−DTA(−3 %)=420℃。実施例5 1,8−ナフトイレン−ベンズイミダゾール−4,5−ジカルボキシ−N−(2 ,5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミド 1,8−ナフトイレン−ベンズイミダゾール−4,5−カルボン酸無水物(4 .4ミリモル)と2,5−ジ−tert−ブチルアニリン(13.2ミリモル) とをキノリン7.5mlと酢酸亜鉛530mg中で230℃に2.5時間加熱し た。冷却後に、得られた溶液を80%メタノール中に註入し、濾過し、塩化メチ レン−酢酸エチルを用いるシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーによって さらに精製した。収率=83%。UV−Vis吸収(CHCl3)=440、3 68、313nm;TG−DTA(溶融)=335℃。実施例6 1,8−ナフトイレン−(4’−メトキシ)ベンズイミダゾール−4,5−ジカ ルボキシ−N−(2,5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミド 1,8−ナフトイレン−(4’−メトキシ)ベンズイミダゾール−4,5−ジ カルボン酸無水物(1.62ミリモル)と2,5−ジ−tert−ブチルアニリ ン(4.86ミリモル)とをキノリン3mlと酢酸亜鉛210mg中で225℃ に4時間加熱した。冷却後に、得られた溶液を70%メタノール中に注入し、濾 過し、90%ンメタノールによって洗浄し、塩化メチレンを用いるシリカゲル上 でのカラムクロマトグラフィーによってさらに精製した。収率=76%。βμ= 40x10-48esu。UV−Vis吸収(CHCl3)=485、435、37 0、321nm;TG−DTA(溶融)=299℃。実施例7 1,8−ナフトイレン−(3’−ニトロ)ベンズイミダゾール−4,5−ジカル ボキシ−N−(2,5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミド 1,8−ナフトイレン−(3’−ニトロ)ベンズイミダゾール−4,5−ジカ ルボン酸無水物(2.60ミリモル)と2,5−ジ−tert−ブチルアニリン (7.79ミリモル)とをキノリン5mlと酢酸亜鉛350mg中で200℃に 2.5時間加熱した。冷却後に、得られた溶液を70%メタノール中に注入し、 濾過し、80%ンメタノールによって洗浄し、塩化メチレンを用いるシリカゲル 上でのカラムクロマトグラフィーによってさらに精製した。収率=60%。UV −Vis吸収(CHCl3)=425nm、360nm。実施例8 1,8−ナフトイレン−(3’−アミノ)ベンズイミダゾール−4,5−ジカル ボキシ−N−(2,5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミド 亜二チオン酸ナトリウム(0.274g)を20%水溶液として、N,N−ジ メチルアセトアミド10ml中の1,8−ナフトイレン−(3’−ニトロ)ベン ズイミダゾール−4,5−ジカルボキシ−N−(2,5−ジ−tert−ブチル )フェニルイミド0.524ミリモル中に、80℃において、加えた。これをク ロロホルムを用いるシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーによって精製し た。収率=25%。βμ=410x10-48esu;UV−Vis吸収(CHC l3)=550、343nm;TG−DTA(溶融)=360℃。実施例9 1,8−ナフトイレン−ナフトピリミジン−4,5−ジカルボキシ−N−(2, 5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミド 1,8−ナフトイレン−ナフトピリミジン−4,5−ジカルボン酸無水物(5 .12ミリモル)と2,5−ジ−tert−ブチルアニリン(15.4ミリモル )とをキノリン10mlと酢酸亜鉛700mg中で225℃に3時間加熱した。 冷却後に、得られた溶液を70%メタノール中に注入し、瀘過し、塩化メチレン を用いるシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーによってさらに精製した。 収 率=53%。UV−Vis吸収(CHCl3)=592、560、378nm; TG−DTA(溶融)=363℃。実施例10 3,4−ペリロイレン−(3’−ニトロ)ベンズイミダゾール−9,10−ジカ ルボキシ−N−(2,5−ジ−tert−ブチル)フェニルイミドの薄フィルム 0.2μmフィルターを装備した注射器を用いて、N−メチル−ピロリジノン (NMP)中のペリレン誘導体のほぼ飽和溶液をLQ2200ポリイミド樹脂( Hitachi Chemical)中に分配して、4%溶液(染料/ポリマー 重量比)を作成した。得られた溶液を軽度に撹拌し、次にガラス−スライド基板 上にスピン塗装し、これを真空炉中で110℃において1時間焼成し、200℃ において1/2時間硬化させ、最後に250℃以上において硬化させた。ペリレ ンに基づく(perylene-based)ゲスト分子を共面電極上のDC電界の印加によっ てホストのポリイミド中で配列させた。得られた透明な赤−紫フィルムは約2〜 4μm厚さであった。このフィルムの厚さはスピン速度を調節することによって 制御することができる。 本発明の上記の好ましい実施態様に対して多くの変化及び変更がなされうるこ と、及びこのような変化及び変更が本発明の要旨から逸脱せずになされうること は、当業者が理解するであろう。それ故、添付請求の範囲はこのような同等な変 化の全てを本発明の要旨及び範囲に入るものとして包括するように意図される。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年1月9日 【補正内容】 請求の範囲 (請求項7、8〜13、22、38、41及び43を削除し、請求項1、14〜 20、26〜29、33、39、40及び42を変更し、請求項44〜49を追 加する) 1.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有するデバイスで あって、 基板と;前記基板上の少なくとも1つの層とを含み、前記層が式(2)、(3 )又は(4): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R6は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基であり; R7は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基であり; R4とR5の一方は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基 であり、R4とR5の他方は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基である] で示される化合物を含む前記デバイス。 2.R1が芳香族炭化水素である請求項1記載のデバイス。 3.R1がベンゼン、ペリレン、フェナントレン、アントラセン、ナフタレ ン、ピレン、クリセン、又はナフタセンから誘導された基である請求項1記載の デバイス。 4.R1がベンゼン、ナフタレン又はペリレンから誘導された基である請求 項1記載のデバイス。 5.Q1、Q2、Q3及びQ4が、独立的に、N、O、S、Se又はTeである 請求項1記載のデバイス。 6.Q1、Q2、Q3及びQ4がNである請求項1記載のデバイス。 14.R4又はR5の少なくとも一方がアルキル基、アルキルアミノ基、NH2 、アルコキシル基、OH、アルキルチオ基、SH、又は−OC(O)−(アル キル)である請求項1記載のデバイス。 15.R4又はR5の少なくとも一方がアルキルアミノ基、NH2、アルコキ シル基、又はアルキルチオ基である請求項1記載のデバイス。 16.R4又はR5の少なくとも一方ががN−(アルキル)3 +、S−(アルキ ル)2 +、NH3 +、NO2、SO2−(アルキル)、CN、SO2−(芳香族)、C (O)OH、F、Cl、Br、I、C(O)O−(アルキル)、C(O)−(ア ルキル)又はCHOである請求項1記載のデバイス。 17.R4又はR5の少なくとも一方がNO2、CN、C(O)OH、又はC (O)O−(アルキル)である請求項1記載のデバイス。 18.R6の少なくとも1っがアルキル基、アルキルアミノ基、NH2、アル コキシル基、OH、アルキルチオ基、SH、又は−OC(O)−(アルキル)で ある請求項1記載のデバイス。 19.R7の少なくとも1つがN−(アルキル)3 +、S−(アルキル)2 +、 NH3 +、NO2、SO2−(アルキル)、CN、SO2−(芳香族)、C(O)O H、F、Cl、Br、I、C(O)O−(アルキル)、C(O)−(アルキル) 又はCHOである請求項1記載のデバイス。 20.R7の少なくとも1つがNO2、CN、C(O)OH、又はC(O)O −(アルキル)である請求項1記載のデバイス。 21.前記化合物が約1x105 1モル-1cm-1より大きい吸光係数を有す る少なくとも1つの転移点を示すUV/可視スペクトルを生ずる請求項1記載の デバイス。 23.前記化合物が式(2)を有する請求項1記載のデバイス。 24.前記化合物が式(3)を有する請求項1記載のデバイス。 25.前記化合物が式(4)を有する請求項1記載のデバイス。 26.前記化合物が式(6)、(7)又は(8): [式中、 R4A−R4Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 若しくは非芳香族基であるか、又は水素を基準として電子吸引性である芳香族基 若しくは非芳香族基であり; R6A−R6Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R7A〜R7Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子吸引性である芳香族基 又は非芳香族基である] で示される請求項1記載のデバイス。 27.前記化合物が式(10)、(11)又は(12)を有する請求項1記 載のデバイス。 28.前記化合物が式(14)、(15)又は(16)を有する請求項1記 載のデバイス。 29.前記化合物が式(18)、(19)又は(20)を有する請求項1記 載のデバイス。 30.前記層上に上層をさらに含む請求項1記載のデバイス。 31.前記層の全体にわたる電界を確立するための手段をさらに含む請求項 1記載のデバイス。 32.前記層によって透過される光線を検出するための感知手段をさらに含 む請求項1記載のデバイス。 33.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有する組成物で あって、合成有機ポリマーと、式(2)、(3)又は(4): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R6は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基であり; R7は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基であり; R4とR5の一方は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基 であり、R4とR5の他方は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基である] で示される少なくとも1種の化合物とを含む前記組成物。 34.前記ポリマーが前記化合物との混合物である請求項33記載の組成物 。 35.前記ポリマーが前記化台物と共有結合する請求項33記載の組成物。 39.前記化合物が式(6)、(7)、(8): [式中、 R4A〜R4Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 若しくは非芳香族基であるか、又は水素を基準として電子吸引性である芳香族基 若しくは非芳香族基であり; R6A〜R6Dの少なくとも1つは水素又は水素を基準として電子供与性である芳 香族基若しくは非芳香族基であり; R7A〜R7Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子吸引性である芳香族基 又は非芳香族基である] で示される請求項33記載の組成物。 40.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有するデバイス の製造方法であって、 基板を用意する工程と;前記基板上に、式(2)、(3)又は(4): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R6は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基であり; R7は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基であり; R4とR5の一方は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基 であり、R4とR5の他方は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基である] で示される化合物を含む少なくとも1つの層を配置する工程とを含む前記方法。 42.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有する組成物の 製造方法であって、合成有機ポリマーを式(2)、(3)又は(4); [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R6は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基であり; R7は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基であり; R4とR5の一方は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基 であり、R4とR5の他方は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基である] で示される少なくとも1種の化合物と混合する工程を含む前記方法。 44.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有するデバイス であって、 基板と;前記基板上の少なくとも1つの層とを含み、前記層が式(1): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1とQ2は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原子であり; R2は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基であり; R3は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基である]で 示される化台物を含む前記デバイス。 45.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有する組成物で あって、 合成有機ポリマーと、式(1): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1とQ2は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原子であり; R2は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基であり; R3は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基である]で 示される少なくとも1種の化合物とを含む前記組成物。 46.R2がアルキルアミノ基、NH2、アルコキシル基、又はアルキルチオ 基である請求項44記載の方法。 47.化合物が式(9)、(13)又は(17): [式中、 R2は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基又は芳香族基であり; R3は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基である] で示される請求項44記載の組成物。 48.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有する組成物の 製造方法であって、合成有機ポリマーを式(1): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1とQ2は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原子であり; R2は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基であり; R3は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基である] で示される少なくとも1種の化合物と混合する工程を含む前記方法。 49 少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有する組成物の 製造方法であって、合成有機ポリマーを式(1) [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1とQ2は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原子であり; R2は水素を基準にして電子供与性であるアルキル基であり; R3は水素を基準にして電子吸引性であるアルキル基又は芳香族基である] で示される少なくとも1種の化合物と混台する工程を含む前記方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI // C07D 471/14 102 7602−4C 471/22 7602−4C (72)発明者 山田 真治 アメリカ合衆国ペンシルバニア州19026, ドレクセル・ヒル,ドレクセルブルック・ ドライヴ 73―3 (72)発明者 パナッカル,アンナ アメリカ合衆国ペンシルバニア州19115, フィラデルフィア,パイン・ロード 9203

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有するデバイスで あって、 基板と;前記基板上の少なくとも1つの層とを含み、前記層が式(1)、(2 )、(3)又は(4): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R2〜R7は、独立的に、アルキル基又は芳香族基である] で示される化合物を含む前記デバイス。 2.R1が芳香族炭化水素である請求項1記載のデバイス。 3.R1がベンゼン、ペリレン、フェナントレン、アントラセン、ナフタレ ン、ピレン、クリセン、又はナフタセンから誘導された基である請求項1記載の デバイス。 4.R1がベンゼン、ナフタレン又はペリレンから誘導された基である請求 項1記載のデバイス。 5.Q1、Q2、Q3及びQ4が、独立的に、N、O、S、Se又はTeである 請求項1記載のデバイス。 6.Q1、Q2、Q3及びQ4がNである請求項1記載のデバイス。 7.R2とR6が、独立的に、水素を基準として電子供与性であるアルキル基 又は芳香族基であり; R3とR7が、独立的に、水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基であり; R4とR5の一方が水素を基準として電子供与性であるアルキル基又は芳香族基 であり、R4とR5の他方が水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基である請求項1記載のデバイス。 8.R2が芳香族複素環、水素を基準として電子供与性である少なくとも1 つの置換基によって置換された芳香族炭化水素、又は水素を基準として電子供与 性である少なくとも1つの置換基によって置換された芳香族複素環である請求項 1記載のデバイス。 9.前記電子供与性置換基がアルキル基、アルキルアミノ基、NH2、アル コキシル基、OH、アルキルチオ基、SH、又は−OC(O)−(アルキル)で ある請求項8記載のデバイス。 10.R2がアルキルアミノ基、NH2、アルコキシル基、又はアルキルチオ 基である請求項8記載のデバイス。 11.R2が芳香族複素環、水素を基準として電子吸引性である少なくとも 1つの置換基によって置換された芳香族炭化水素、又は水素を基準として電子吸 引性である少なくとも1つの置換基によって置換された芳香族複素環である請求 項1記載のデバイス。 12.電子吸引性置換基がN−(アルキル)3 +、S−(アルキル)2 +、NH3 + 、NO2、SO2−(アルキル)、CN、SO2−(芳香族)、C(O)OH、 F、Cl、Br、I、C(O)O−(アルキル)、C(O)−(アルキル)又は CHOである請求項11記載のデバイス。 13.R3がNO2、CN、C(O)OH、又はC(O)O−(アルキル)で ある請求項11記載のデバイス。 14.R4A〜R4D又はR5の少なくとも1つがアルキル基、アルキルアミノ 基、NH2、アルコキシル基、OH、アルキルチオ基、SH、又は−OC(O) −(アルキル)である請求項1記載のデバイス。 15.R4A〜R4D又はR5の少なくとも1つがアルキルアミノ基、NH2、ア ルコキシル基、又はアルキルチオ基である請求項1記載のデバイス。 16.R4A〜R4D又はR5の少なくとも1つがN−(アルキル)3 +、S−( アルキル)2 +、NH3 +、NO2、SO2−(アルキル)、CN、SO2−(芳香族 )、C(O)OH、F、Cl、Br、I、C(O)O−(アルキル)、C(O) −(アルキル)又はCHOである請求項1記載のデバイス。 17.R4A〜R4D又はR5の少なくとも1つがNO2、CN、C(O)OH、 又はC(O)O−(アルキル)である請求項1記載のデバイス。 18.R6A〜R6Dの少なくとも1つがアルキル基、アルキルアミノ基、NH2 、アルコキシル基、OH、アルキルチオ基、SH、又は−OC(O)−(アル キル)である請求項1記載のデバイス。 19.R7A〜R7Dの少なくとも1つがN−(アルキル)3 +、S−(アルキル )2 + 、NH3 +、NO2、SO2−(アルキル)、CN、SO2−(芳香族)、C(O )OH、F、Cl、Br、I、C(O)O−(アルキル)、C(O)−(アルキ ル)又はCHOである請求項1記載のデバイス。 20.R7A〜R7Dの少なくとも1つがNO2、CN、C(O)OH、又はC (O)O−(アルキル)である請求項1記載のデバイス。 21.前記化合物が約1x105 1モル-1cm-1より大きい吸光係数を有 する、少なくとも1つの遷移を示すUV/可視スペクトルを生ずる請求項1記載 のデバイス。 22.前記化合物が式(1)を有する請求項1記載のデバイス。 23.前記化合物が式(2)を有する請求項1記載のデバイス。 24.前記化合物が式(3)を有する請求項1記載のデバイス。 25.前記化合物が式(4)を有する請求項1記載のデバイス。 26.前記化合物が式(5)、(6)、(7)又は(8): [式中、 R2A〜R2Eの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R3A〜R3Eの少なくとも1つは、水素を基準として電子吸引性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R4A〜R4Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 若しくは非芳香族基であるか、又は水素を基準として電子吸引性である芳香族基 若しくは非芳香族基であり; R6A〜R6Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R7A〜R7Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子吸引性である芳香族基 又は非芳香族基である] で示される請求項1記載のデバイス。 27.前記化合物が式(9)、(10)、(11)又は(12)を有する請 求項1記載のデバイス。 28.前記化合物が式(13)、(14)、(15)又は(16)を有する 請求項1記載のデバイス。 29.前記化合物が式(17)、(18)、(19)又は(20)を有する 請求項1記載のデバイス。 30.前記層上に上層をさらに含む請求項1記載のデバイス。 31.前記層の全体にわたる電界を確立するための手段をさらに含む請求項 1記載のデバイス。 32.前記層によって透過される光線を検出するための感知手段をさらに含 む請求項1記載のデバイス。 33.合成有機ポリマーと、式(1)、(2)、(3)又は(4): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R2〜R7は、独立的に、アルキル基又は芳香族基である] で示される少なくとも1種の化合物とを含み、少なくとも1つの知覚できる二次 非線形光学的効果を有する組成物。 34.前記ポリマーが前記化合物との混合物である請求項33記載の組成物 。 35.前記ポリマーが前記化合物と共有結合する請求項33記載の組成物。 36.前記ポリマーが前記組成物の主要な割合を成し、前記化合物が前記組 成物の少ない割合を成す請求項33記載の組成物。 37.前記ポリマーがポリイミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート 、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリオレフィン、ポリビニ ルエーテル、又はこれらの混合物である請求項33記載の組成物。 38.R2とR6が、独立的に、水素を基準として電子供与性であるアルキル 基又は芳香族基であり; R3とR7が、独立的に、水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基であり; R4とR5の一方が水素を基準として電子供与性であるアルキル基又は芳香族基 であり、R4とR5の他方が水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基である請求項33記載の組成物。 39.前記化合物が式(5)、(6)、(7)又は(8): [式中、 R2A〜R2Eの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R3A〜R3Eの少なくとも1つは、水素を基準として電子吸引性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R4A〜R4Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 若しくは非芳香族基であるか、又は水素を基準として電子吸引性である芳香族基 若しくは非芳香族基であり; R6A〜R6Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子供与性である芳香族基 又は非芳香族基であり; R7A〜R7Dの少なくとも1つは、水素を基準として電子吸引性である芳香族基 又は非芳香族基である] で示される請求項33記載の組成物。 40.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有するデバイス の製造方法であって、 基板を用意する工程と;前記基板上に、式(1)、(2)、(3)又は(4) : [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R2〜R7は、独立的に、アルキル基又は芳香族基である] で示される化合物を含む少なくとも1つの層を配置する工程とを含む前記方法。 41.R2とR6が、独立的に、水素を基準として電子供与性であるアルキル 基又は芳香族基であり; R3とR7が、独立的に、水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基であり; R4とR5の一方が水素を基準として電子供与性であるアルキル基又は芳香族基 であり、R4とR5の他方が水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基である請求項40記載の方法。 42.少なくとも1つの知覚できる二次非線形光学的効果を有する組成物の 製造方法であって、合成有機ポリマーを式(1)、(2)、(3)又は(4): [式中、 R1は四価芳香族ラジカルであり; Q1、Q2、Q3及びQ4は、独立的に、非局在化π−電子系に関係するヘテロ原 子であり; R2〜R7は、独立的に、アルキル基又は芳香族基である] で示される少なくとも1種の化合物を混合する工程を含む前記方法。 43.R2とR6が、独立的に、水素を基準として電子供与性であるアルキル 基又は芳香族基であり; R3とR7が、独立的に、水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基であり; R4とR5の一方が水素を基準として電子供与性であるアルキル基又は芳香族基 であり、R4とR5の他方が水素を基準として電子吸引性であるアルキル基又は芳 香族基である請求項42記載の方法。
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