KR20220005143A - 디스플레이 구동 장치 및 그의 전류 바이어스 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 구동 장치를 개시하며, 상기 디스플레이 장치는 저전압 바이어스 전류를 이용하여 데이터를 처리하고 고전압 바이어스 전류를 이용하여 소스 신호를 처리하며, 하나의 바이어스 코어를 이용하여 저전압 바이어스 전류와 고전압 바이어스 전류를 제공하도록 구성된다.

Description

디스플레이 구동 장치 및 그의 전류 바이어스 회로{DISPLAY DRIVING APPARATUS AND CCURRENT BIAS CIRCUIT THEREOF}
본 발명은 디스플레이 구동 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 바이어스 전류를 이용하여 데이터를 처리하고 디스플레이를 위한 소스 신호를 제공하는 디스플레이 구동 장치 및 상기 바이어스 전류를 제공하는 디스플레이 구동 장치의 전류 바이어스 회로에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 LCD 패널이나 LED 패널과 같은 화면을 표시하기 위한 디스플레이 패널과 디스플레이 패널을 구동하기 위한 디스플레이 구동 장치를 구비한다.
이 중, 디스플레이 구동 장치는 집적 회로로 제작되며, 외부로부터 제공된 디스플레이를 위한 데이터를 처리하고 데이터에 대응하는 소스 신호를 디스플레이 패널에 제공하도록 구성된다. 디스플레이 패널은 디스플레이 구동 장치의 소스 신호에 의해 화면을 표시할 수 있다.
상기한 디스플레이 구동 장치는 저전압 파워(Low Voltage Power)를 위한 저전압 바이어스 코어(Low Voltage Bias Core)와 고전압 파워(High Voltage Power)를 위한 고전압 바이어스 코어(High Voltage Bias Core)를 구비하도록 설계된다. 저전압 바이어스 코어는 저전압 바이어스 전류의 생성에 이용되며, 저전압 바이어스 전류는 디지털 신호인 데이터의 처리에 이용된다. 그리고, 고전압 바이어스 코어는 고전압 바이어스 전류의 생성에 이용되며, 고전압 바이어스 전류는 아날로그 신호인 소스 신호의 처리에 이용된다.
디스플레이 구동 장치는 상기와 같이 고전압 파워와 저전압 파워를 위한 두 개의 바이어스 코어를 필요로 한다. 그러므로, 디스플레이 구동 장치는 두 개의 바이어스 코어를 위한 면적과 부품의 추가가 요구되므로 칩 면적을 줄이는데 제약이 있다.
또한, 고전압 바이어스 전류를 생성하는 회로는 전류를 정밀하게 제어하도록 구현하는 것이 저전압 바이어스 전류를 생성하는 회로에 비하여 어렵다. 따라서, 일반적인 디스플레이 구동 장치는 고전압 바이어스 전류를 정밀하게 제어하는데 어려움이 있다.
그러므로, 디스플레이 구동 장치는 상술한 문제점을 해결할 수 있도록 개발이 요구된다.
본 발명은 하나의 바이어스 코어를 이용하여 저전압 바이어스 전류와 고전압 바이어스 전류를 제공함으로써 면적과 부품의 추가를 줄일 수 있는 디스플레이 구동 장치 및 그의 전류 바이어스 회로를 제공함을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 저전압 코어를 이용하여 저전압 바이어스 전류와 고전압 바이어스 전류를 제공하며 저전압 바이어스 전류에 제어에 의해 정밀하게 고전압 바이어스 전류를 제어할 수 있는 디스플레이 구동 장치 및 그의 전류 바이어스 회로를 제공함을 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 저전압 바이어스 전류를 이용하여 고전압 바이어스 전류를 생성하며, 저전압 바이어스 전류를 수신하는 저전압 소자에 대한 프로텍션을 파워 시퀀스에 따른 전압 환경 변화에도 안정적으로 유지하는 디스플레이 구동 장치 및 그의 전류 바이어스 회로를 제공함을 또다른 목적으로 한다.
본 발명의 디스플레이 구동 장치는, 저전압 파워에 의해 코어 전류를 제공하는 바이어스 코어; 상기 코어 전류에 대응하여 저전압 바이어스 전류를 생성하는 저전압 바이어스부; 상기 코어 전류에 대응하여 상기 저전압 파워의 동작 전압에 의한 저전압 바이어스 기준 전류를 생성하고, 상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 고전압 파워의 구동 전압에 의한 전달 전류를 생성하는 전류 변환 회로; 상기 전달 전류에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 고전압 바이어스 전류를 생성하는 고전압 바이어스부; 및 디스플레이를 위한 데이터에 대응하는 소스 신호를 출력하며, 상기 저전압 바이어스 전류를 이용하여 상기 데이터의 처리를 위한 제1 바이어스 제어를 수행하고, 상기 고전압 바이어스 전류를 이용하여 상기 소스 신호의 처리를 위한 제2 바이어스 제어를 수행하는 신호 구동 회로;를 구비함을 특징으로 한다.
본 발명의 디스플레이 구동 장치의 전류 바이어스 회로는, 저전압 파워에 의해 코어 전류를 제공하는 바이어스 코어; 상기 코어 전류에 대응하여 상기 저전압 파워의 동작 전압에 의한 저전압 바이어스 기준 전류를 생성하고, 상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 상기 상기 동작 전압보다 높은 레벨의 고전압 파워의 구동 전압에 의한 전달 전류를 생성하는 전류 변환 회로; 및 상기 전달 전류에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 고전압 바이어스 전류를 생성하는 고전압 바이어스부;를 포함하며, 상기 전류 변환 회로는 상기 고전압 파워의 상기 구동 전압과 상기 저전압 파워의 제1 접지 전압에 의해 구동됨을 특징으로 한다.
본 발명의 디스플레이 구동 장치는 하나의 바이어스 코어를 이용하여 데이터의 처리를 위한 저전압 바이어스 전류와 소스 신호의 처리를 위한 고전압 바이어스 전류를 제공할 수 있다. 그러므로, 디스플레이 구동 장치를 구성하기 위한 면적과 부품이 감소될 수 있다.
그리고, 본 발명의 디스플레이 구동 장치는 저전압 코어를 이용하여 저전압 바이어스 전류와 고전압 바이어스 전류를 제공한다. 그러므로, 디스플레이 구동 장치는 저전압 바이어스 전류에 제어에 의해 정밀하게 고전압 바이어스 전류를 제어할 수 있는 이점이 있다.
그리고, 본 발명의 디스플레이 구동 장치는 저전압 바이어스 전류를 이용하여 고전압 바이어스 전류를 생성하기 위하여 저전압 소자가 이용되며, 저전압 바이어스 전류를 수신하는 상기한 저전압 소자가 고전압인 구동 전압의 영향에 의해 손상되는 것이 프로텍션될 수 있다. 그러므로, 본 발명의 디스플레이 구동 장치는 안전성과 신뢰성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 디스플레이 구동 장치의 바람직한 실시예를 나타내는 블록도.
도 2는 전류 변환 회로의 일 예를 예시한 회로도.
도 3은 전류 변환 회로의 다른 예를 예시한 회로도.
도 4는 도 3의 전류 변환 회로의 코어 프로텍션 동작을 설명하기 위한 회로도.
도 5는 도 3의 전류 변환 회로의 서브 프로텍션 동작을 설명하기 위한 회로도.
본 발명의 디스플레이 구동 장치는 도 1을 참조하여 설명될 수 있다.
디스플레이 구동 장치는 신호 구동 회로(100)와 전류 바이어스 회로(200)를 포함한다.
먼저, 신호 구동 회로(100)는 타이밍 컨트롤러(도시되지 않음)와 같은 외부의 소스로부터 화면의 디스플레이를 위한 데이터 DATA를 수신하고, 데이터 DATA에 대응하는 소스 신호 Sout를 생성하며, 소스 신호 Sout를 출력하도록 구성된다.
이를 위하여, 신호 구동 회로(100)는 수신부(110), 복원부(120), 직병렬 변환부(130), 레벨 시프터(140), 디지털 아날로그 컨버터(150), 감마 버퍼(160) 및 채널 버퍼(170)를 포함할 수 있다.
여기에서, 수신부(110)는 외부의 전송선(도시되지 않음)과 인터페이스되며 데이터 DATA를 수신하고, 수신된 데이터 DATA를 복원을 위하여 복원부(120)로 제공하도록 구성된다. 수신부(110)는 전송선의 데이터 DATA를 수신하고 복원부(120)로 전달하는 인터페이스부를 형성하는 것으로 이해될 수 있다.
그리고, 복원부(120)는 데이터 DATA에 포함된 디스플레이 데이터, 클럭 신호 및 제어 데이터를 분리 및 복원한다. 복원부(120)에서 복원된 클럭 신호 및 제어 데이터는 데이터 DATA의 처리 및 소스 신호의 처리에 이용될 수 있으나, 이에 대한 구체적인 도시 및 설명은 생략한다. 복원부(120)는 복원된 채널 별 디스플레이 데이터를 직병렬 변환부(130)에 직렬로 제공하도록 구성된다.
직병렬 변환부(130)는 직렬의 디스플레이 데이터를 래치들에 순차적으로 래치함으로써 병렬로 정렬하며, 병렬로 래치된 디스플레이 데이터를 레벨 시프터(140)로 제공하도록 구성된다.
레벨 시프터(140)는 저전압 파워 도메인의 디스플레이 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(150)에 입력하기 위한 적절한 고전압 파워 도메인으로 레벨을 시프트하고, 레벨이 시프트된 디스플레이 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(150)에 제공하도록 구성된다.
상기한 저전압 파워 도메인은 동작 전압 VCC과 제1 접지 전압 VSS 사이의 도메인으로 정의될 수 있으며, 저전압 파워는 동작 전압 VCC와 제1 접지 전압 VSS를 제공하는 것으로 이해될 수 있다. 그리고, 상기한 고전압 파워 도메인은 구동 전압 VDDH와 제2 접지 전압 VSSH 사이의 도메인으로 정의될 수 있으며, 고전압 파워는 구동 전압 VDDH와 제2 접지 전압 VSSH를 제공하는 것으로 이해될 수 있다. 여기에서, 고전압 파워 도메인은 저전압 파워 도메인보다 넓은 전압 폭을 갖도록 설정되며, 구동 전압 VDDH는 동작 전압 VCC 보다 고전압이고, 제2 접지 전압 VSSH은 제1 접지 전압 VSS와 같거나 다를 수 있다.
디지털 아날로그 컨버터(150)는 감마 버퍼(160)로부터 감마 전압들을 제공받으며, 디스플레이 데이터에 대응하는 계조의 감마 전압을 선택하고, 선택된 감마 전압을 소스 신호 Sout로서 채널 버퍼(170)에 출력하도록 구성된다.
채널 버퍼(170)는 디지털 아날로그 컨버터(150)에서 출력되는 소스 신호 Sout를 디스플레이 패널(도시되지 않음)에 제공하기 위한 적절한 레벨을 갖도록 증폭하며, 증폭된 소스 신호 Sout를 디스플레이 패널에 출력하도록 구성된다.
상기한 수신부(110), 복원부(120), 직병렬 변환부(130) 및 레벨 시프터(140)는 디스플레이 데이터 즉 디지털 신호를 처리하기 위한 것이고, 디지털 아날로그 컨버터(150), 감마 버퍼(160) 및 채널 버퍼(170)는 소스 신호를 처리하기 위한 것이다.
이 중, 수신부(110), 복원부(120) 및 직병렬 변환부(130) 그리고 레벨 시프터(140)의 입력측은 저전압 파워 도메인에서 동작되며, 레벨 시프터(140)의 출력측, 디지털 아날로그 컨버터(150), 감마 버퍼(160) 및 채널 버퍼(170)는 고전압 파워 도메인에서 동작된다.
또한, 수신부(110)와 복원부(120)는 데이터의 처리를 위한 바이어스 제어를 수행하며, 이를 위하여 저전압 바이어스 전류를 필요로 한다. 그리고, 레벨 시프터(140), 감마 버퍼(160) 및 채널 버퍼(170)는 소스 신호의 처리를 위한 바이어스 제어를 수행하며 이를 위하여 고전압 바이어스 전류를 필요로 한다.
상술한 바와 같이, 신호 구동 회로(100)는 디스플레이를 위한 데이터 DATA에 대응하는 소스 신호 Sout를 출력하며, 저전압 바이어스 전류를 이용하여 데이터 DATA의 처리를 위한 제1 바이어스 제어를 수행하고, 고전압 바이어스 전류를 이용하여 소스 신호 Sout의 처리를 위한 제2 바이어스 제어를 수행하도록 구성된다.
한편, 전류 바이어스 회로(200)는 하나의 바이어스 코어(210)를 이용하여 저전압 바이어스 전류와 고전압 바이어스 전류를 생성하며, 저전압 바이어스 전류와 고전압 바이어스 전류를 신호 구동 회로(100)의 필요한 부품들에 제공하도록 구성된다.
이를 위하여, 전류 바이어스 회로(200)는 바이어스 코어(210), 저전압 바이어스부(220), 전류 변환 회로(230) 및 고전압 바이어스부(240)를 포함할 수 있다.
바이어스 코어(210)는 저전압 파워에 의해 코어 전류를 생성하며 코어 전류를 저전압 바이어스부(220) 및 전류 변환 회로(230)에 제공하도록 구성된다.
저전압 바이어스부(220)는 코어 전류에 대응하여 저전압 바이어스 전류를 생성하며, 저전압 바이어스 전류를 수신부(110)와 복원부(120)에 제공하도록 구성될 수 있다.
전류 변환 회로(230)는 바이어스 코어(210)의 코어 전류에 대응하여 저전압 파워의 동작 전압에 의한 저전압 바이어스 기준 전류를 생성하고, 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 고전압 파워의 구동 전압에 의한 전달 전류를 생성하도록 구성된다.
그리고, 고전압 바이어스부(240)는 전류 변환 회로(230)의 전달 전류에 대응하여 구동 전압에 의한 고전압 바이어스 전류를 생성하며, 고전압 바이어스 전류를 레벨 시프터(140), 감마 버퍼(160) 및 채널 버퍼(170)에 제공하도록 구성된다.
이들 중, 바이어스 코어(210) 및 저전압 바이어스부(220)는 저전압 파워 도메인에서 동작되며, 고전압 바이어스부(240)는 고전압 파워 도메인에서 동작된다. 즉, 바이어스 코어(210) 및 저전압 바이어스부(220)는 저전압 파워의 동작 전압 VCC와 제1 접지 전압 VSS를 이용하여 구동되는 것으로 이해될 수 있으며, 고전압 바이어스부(240)는 고전압 파워의 구동 전압 VDDH와 제2 접지 전압 VSSH를 이용하여 구동되는 것으로 이해될 수 있다. 그리고, 전류 변환 회로(230)는 실시예에서 구동 전압 VDDH과 제1 접지 전압 VSS를 이용하여 구동되는 것으로 구성된다.
상기한 바이어스 코어(210), 전류 변환 회로(230) 및 고전압 바이어스부(240)의 일예는 도 2를 참조하여 설명한다.
바이어스 코어(210)는 동작 전압 VCC와 제1 접지 전압 VSS를 제공하는 저전압 파워에 의해 구동되며, 저전압 코어(212)와 구동 소자(ML1)를 포함한다.
저전압 코어(212)는 저전압 파워에 대응하여 소스 전류를 제공하는 소스로 작용하는 회로로 이해될 수 있다.
구동 소자(ML1)는 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구성되며 저전압 파워의 동작 전압 VCC와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 저전압 소자이다. 보다 구체적으로, 구동 소자(ML1)는 드레인에 저전압 코어(212)가 연결되고, 드레인과 게이트가 공통으로 연결되며, 소스에 동작 전압 VCC이 인가되도록 구성된다. 구동 소자(ML1)는 저전압 코어(212)의 소스 전류에 의해 게이트의 전위가 로우 레벨로 낮아지므로 턴온되며 코어 전류를 생성한다.
바이어스 코어(210)는 구동 소자(ML1)의 드레인과 게이트가 공통으로 연결된 노드를 통하여 전류 변환 회로(230)의 제1 저전압 소자(ML2)에 코어 전류를 제공하도록 구성된다.
그리고, 전류 변환 회로(230)는 기준 전류 생성부(232) 및 전달 전류 생성부(234)를 포함한다.
여기에서, 기준 전류 생성부(232)는 바이어스 코어(210)의 코어 전류에 대응하여 동작 전압 VCC에 의한 저전압 바이어스 기준 전류 ILV를 생성하도록 구성된다.
보다 구체적으로, 기준 전류 생성부(232)는 직렬로 연결된 저전압 소자들(ML2, ML3)을 포함한다. 저전압 소자들(ML2, ML3)은 저전압 파워의 동작 전압 VCC와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 소자이며, 저전압 소자(ML2)는 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 저전압 소자(ML3)는 NMOS 트랜지스터를 이용하여 구성된다.
이 중, 저전압 소자(ML2)는 게이트가 바이어스 코어(210)의 코어 전류를 제공받으며, 코어 전류에 대응하여 동작 전압 VCC에 의한 저전압 바이어스 기준 전류 ILV를 생성하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 저전압 소자(ML2)는 코어 전류에 의해 게이트의 전위가 로우 레벨로 낮아지므로 턴온되며 소스에 인가되는 동작 전압 VCC에 의해 저전압 바이어스 기준 전류 ILV를 생성한다.
그리고, 저전압 소자(ML3)는 저전압 바이어스 기준 전류 ILV에 의해 턴온되며, 저전압 바이어스 기준 전류 ILV에 대응하는 턴온 전압을 전달 전류 생성부(234)에 제공하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 저전압 소자(ML3)는 드레인으로 저전압 바이어스 기준 전류 ILV를 전달받으며, 드레인과 게이트가 공통으로 연결되고, 소스에 제1 접지 전압 VSS가 인가되도록 구성된다. 저전압 소자(ML3)는 저전압 소자(ML2)의 저전압 바이어스 기준 전류 ILV에 대응하는 턴온 전압을 전달 전류 생성부(234)의 저전압 소자(MLC)에 제공한다.
한편, 전달 전류 생성부(234)는 저전압 바이어스 기준 전류 ILV를 수신하는 저전압 소자(MLC)를 포함하며, 저전압 소자(MLC)의 턴온에 대응하여 구동 전압 VDDH에 의한 전달 전류 It를 생성하고, 저전압 소자(MLC)에 인가되는 구동 전압 VDDH를 강하하는 프로텍션을 수행하도록 구성된다.
이를 위하여, 전달 전류 생성부(234)는 저전압 소자(MLC), 고전압 소자(MH1) 및 프로텍션 소자(MHD)를 포함한다.
저전압 소자(MLC)는 저전압 파워의 동작 전압 VCC와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 소자이며, NMOS 트랜지스터를 이용하여 구성된다. 보다 구체적으로, 저전압 소자(MLC)는 소스에 제1 접지 전압 VSS가 인가되고, 드레인은 프로텍션 소자(MHD)에 연결되며, 게이트는 저전압 소자(ML3)의 턴온 전압을 제공받도록 구성된다. 저전압 소자(MLC)에 인가되는 저전압 소자(ML3)의 턴온 전압에 의해 턴온되며 고전압 소자(MH1)를 턴온시켜 전달 전류 It의 생성을 제어한다.
프로텍션 소자(MHD)는 구동 전압 VDDH와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 소자이며, NMOS 트랜지스터를 이용하여 구성된다. 보다 구체적으로, 프로텍션 소자(MHD)는 소스가 저전압 소자(MLC)의 드레인에 연결되며, 게이트에 동작 전압 VCC가 인가되고, 드레인이 고전압 소자(MH1)에 연결되도록 구성된다. 프로텍션 소자(MHD)는 저전압 소자(MLC)를 통하여 인가되는 제1 접지 전압 VSS이 백바이어스 전압으로 이용되도록 구성된다. 프로텍션 소자(MHD)는 동작 전압 VCC에 의해 턴온되며 저전압 소자(MLC)와 고전압 소자(MH1) 사이를 연결하고, 구동 전압 VDDH를 강하하여 저전압 소자(MLC)에 전달한다.
그리고, 고전압 소자(MH1)는 구동 전압 VDDH와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 소자이며, PMOS 트랜지스터를 이용하여 구성된다. 보다 구체적으로, 고전압 소자(MH1)는 드레인이 프로텍션 소자(MHD)의 드레인에 연결되고, 드레인과 게이트가 공통으로 연결되며, 소스에 구동 전압 VDDH가 인가되도록 구성된다. 고전압 소자(MH1)는 저전압 소자(MLC)이 저전압 바이어스 기준 전류 ILV에 의해 턴온되면 게이트의 전위가 로우 레벨로 낮아지므로 턴온되며 소스에 인가되는 구동 전압 VDDH에 의해 전달 전류 It를 생성한다. 그리고, 고전압 소자(MH1)는 전달 전류 It에 대응하는 턴온 전압을 고전압 바이어스부(240)로 전달한다.
고전압 바이어스부(240)는 직렬로 연결된 고전압 소자들(MH9, MH10)을 포함한다. 고전압 소자들(MH9, MH10)은 고전압 파워의 구동 전압 VDDH와 제2 접지 전압 VSSH의 범위에서 동작되는 소자이며, 고압 소자(MH9)는 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구성되고, 고전압 소자(MH10)는 NMOS 트랜지스터를 이용하여 구성된다.
이 중, 고전압 소자(MH9)는 게이트가 전달 전류 생성부(234)의 턴온 전압을 제공받으며, 턴온에 의해 구동 전압 VDDH에 의한 고전압 바이어스 전류 IHV를 생성하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 고전압 소자(MH9)는 전달 전류 생성부(234)의 턴온 전압이 로우 레벨이면 턴온되며 소스에 인가되는 구동 전압 VDDH에 의해 고전압 바이어스 전류 IHV를 생성한다.
그리고, 고전압 소자(MH10)는 고전압 바이어스 전류 IHV에 의해 턴온되며, 고전압 바이어스 전류 IHV를 구동하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 고전압 소자(MH10)는 드레인으로 고압 바이어스 전류 IHV를 전달받으며, 드레인과 게이트가 공통으로 연결되고, 소스에 제2 접지 전압 VSSH가 인가되도록 구성된다. 고전압 소자(MH10)는 고전압 소자(MH9)의 고전압 바이어스 전류 IHV에 의해 턴온된다.
도 2의 실시예는 상술한 바와 같이 구성됨에 의해 바이어스 코어(210)의 코어 전류에 대응하여 전류 변환 회로(230)에서 저전압 바이어스 기준 전류 ILV를 생성하고, 전류 변환 회로(230)에서 저전압 바이어스 기준 전류 ILV에 대응한 전달 전류 It를 생성하며, 전달 전류 It에 대응하여 고전압 바이어스부(240)에서 고전압 바이어스 전류 IHV를 생성할 수 있다.
상술한 도 2의 실시예는 하나의 바이어스 코어를 이용하여 저전압 바이어스 전류와 고전압 바이어스 전류를 제공할 수 있다.
또한, 상술한 도 2의 실시예는 정밀하게 제어 가능한 저전압 바이어스 기준 전류를 이용하여 고전압 바이어스 전류를 생성한다. 그러므로, 저전압 바이어스 기준 전류의 정밀한 제어에 따라 고전압 바이어스 전류가 효과적으로 제어될 수 있다.
또한, 상술한 도 2의 실시예는 고전압 바이어스 전류를 생성하는 과정에서 턴온된 프로텍션 소자(MHD)에 의해 고전압인 구동 전압 VDDH이 강하되어 저전압 소자(ML3)에 인가된다. 그러므로, 저전압 소자(ML3)는 소자에 영향을 미지치 않는 안전한 전압 환경에서 구동될 수 있다.
한편, 동작 전압 VCC가 낮게 형성될 수 있으며, 이 경우 도 2의 실시예에서 프로텍션 소자(MHD)는 정상적인 턴온을 유지하기 어렵다. 이를 위하여, 도 3의 실시예가 구현될 수 있다. 도 3에서, 바이어스 코어(210), 고전압 바이어스부(240) 및 기준 전류 생성부(232)는 도 2와 동일하게 구성되므로 이들에 대한 구성 및 동작에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 3에서 전달 전류 생성부(234)는 저전압 소자(MLC), 고전압 소자(MH1), 프로텍션 소자(MHD) 및 프로텍션 제어 회로(236)를 포함하도록 구성된다.
저전압 소자(MLC)와 고전압 소자(MH1)는 도 2와 동일하게 구성 및 동작되므로 중복 설명은 생략한다.
도 3에서 프로텍션 소자(MHD)는 저전압 소자(MLC)와 고전압 소자(MH1) 사이에 구성되며 고전압 소자(MH3)를 통하여 제공되는 프로텍션 전압에 의해 턴온을 유지하도록 구성되며, 도 2와 같이 구동 전압 VDDH를 강하하여 저전압 소자(MLC)에 전달하도록 구성된다.
프로텍션 소자(MHD)는 도 2와 같이 구동 전압 VDDH와 제1 접지 전압 VSSH의 범위에서 동작되는 소자이며, NMOS 트랜지스터를 이용하여 구성된다. 보다 구체적으로, 프로텍션 소자(MHD)는 소스가 저전압 소자(MLC)의 드레인에 연결되며, 게이트에 프로텍션 제어 회로(236)의 프로텍션 전류가 수신되고, 드레인이 고전압 소자(MH1)에 연결되도록 구성된다. 프로텍션 소자(MHD)는 저전압 소자(MLC)를 통하여 인가되는 제1 접지 전압 VSS이 백바이어스 전압으로 이용되도록 구성된다. 프로텍션 소자(MHD)는 고전압 소자(MH3)를 통하여 제공되는 프로텍션 전압에 의해 턴온되며 저전압 소자(MLC)와 고전압 소자(MH1) 사이를 연결하고, 구동 전압 VDDH를 강하하여 저전압 소자(MLC)에 전달한다.
동작 전압 VCC가 형성되지 않는 경우, 저전압 소자(MLC)가 턴오프되며, 전달 전류 It가 형성되지 않는다. 그리고, 상기한 초기를 경과하면, 구동 전압 VDDH와 동작 전압 VCC가 정상적인 레벨을 가질 수 있다. 이 경우에는 저전압 소자(MLC)가 턴온되며, 전달 전류 It가 형성된다.
프로텍션 제어 회로(236)는 상기와 같은 전달 전류 It의 형성 여부에 따라 전달 전류 It 또는 구동 전압 VDDH에 의한 프로텍션 전압을 생성하고, 프로텍션 전압을 프로텍션 소자(MHD)의 게이트에 제공하도록 구성된다.
이를 위하여 프로텍션 제어 회로(236)는 코어 프로텍션 회로(237) 및 서브 프로텍션 회로(239)를 포함한다.
코어 프로텍션 회로(237)는 동작 전압 VCC가 정상적인 레벨을 가져서 저전압 소자(MLC)가 턴온되고 그 결과 전달 전류 It가 흐르는 경우, 전달 전류 It에 대응하여 구동 전압 VDDH에 의한 코어 프로텍션 전류를 생성한다. 이를 위하여, 코어 프로텍션 회로(237)는 고전압 소자(MH2) 및 고전압 소자(MH3)를 포함한다. 고전압 소자(MH2)는 구동 전압 VDDH와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 PMOS 트랜지스터로 구성되고, 고전압 소자(MH3)는 구동 전압 VDDH와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 NMOS 트랜지스터로 구성된다.
보다 구체적으로, 고전압 소자(MH2)는 드레인이 고전압 소자(MH3)의 드레인에 연결되고, 게이트가 고전압 소자(MH1)의 게이트와 연결되며, 소스에 구동 전압 VDDH가 인가되도록 구성된다. 고전압 소자(MH2)는 전달 전류 It에 의해 게이트의 전위가 로우 레벨로 낮아지면 턴온되며 소스에 인가되는 구동 전압 VDDH에 의해 코어 프로텍션 전류를 생성하며, 코어 프로텍션 전류를 고전압 소자(MH3)에 제공한다.
고전압 소자(MH3)는 드레인과 게이트가 공통으로 연결되며, 드레인을 통하여 고전압 소자(MH2)의 드레인에 연결되고,, 소스에 제1 접지 전압 VSS가 인가되도록 구성된다. 고전압 소자(MH3)는 고전압 소자(MH2)의 코어 프로텍션 전류에 대응하는 프로텍션 전압을 프로텍션 소자(MHD)에 제공한다.
한편, 서브 프로텍션 회로(239)는 구동 전압 VDDH에 의한 프로텍션 전압을 생성한다. 이를 위하여, 서브 프로텍션 회로(239)는 제1 스위칭 소자(MH6), 제2 스위칭 소자(MH7), 서브 프로텍션 소자(MH5) 및 제2 서브 프로텍션 소자(MH8)를 포함한다.
제1 스위칭 소자(MH6) 및 제2 스위칭 소자(MH7)는 구동 전압 VDDH와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 PMOS 트랜지스터로 구성된다. 이들 제1 스위칭 소자(MH6) 및 제2 스위칭 소자(MH7)는 병렬로 구동 전압 VDDH를 수신하며 저전압 파워의 제1 접지 전압 VSS가 게이트에 인가됨에 의해 턴온되어서 저항으로 작용하도록 구성된다.
제1 서브 프로텍션 소자(MH5)는 구동 전압 VDDH와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 NMOS 트랜지스터로 구성된다. 제1 서브 프로텍션 소자(MH5)는 드레인이 제1 스위칭 소자(MH6)의 드레인과 연결되고 게이트가 제2 스위칭 소자(MH7)와 제2 서브 프로텍션 소자(MH8)의 공통 드레인과 연결되며, 소스가 고전압 소자(MH3)와 공통으로 프로텍션 소자(MHD)의 게이트에 연결되도록 구성된다.
제2 서브 프로텍션 소자(MH8)는 구동 전압 VDDH와 제1 접지 전압 VSS의 범위에서 동작되는 NMOS 트랜지스터로 구성된다. 제2 서브 프로텍션 소자(MH8)는 드레인이 제2 스위칭 소자(MH7)의 드레인과 연결되고 게이트가 제1 서브 프로텍션 소자(MH8)의 소스 및 프로텍션 소자(MHD)의 게이트에 연결되며, 소스에 제1 접지 전압 VSS이 인가되도록 구성된다.
제2 서브 프로텍션 소자(MH8)는 동작 전압 VCC가 정상 레벨인 경우에 대응하여 전달 전류 It가 흘러서 프로텍션 소자(MHD)의 게이트 전위가 높으면 턴온된다. 이와 반대로 제2 서브 프로텍션 소자(MH8)는 동작 전압 VCC가 형성되지 않음에 의해서 전달 전류 It가 흐르지 않아서 프로텍션 소자(MHD)의 게이트 전위가 낮으면 턴오프된다.
제1 서브 프로텍션 소자(MH5)는 제2 서브 프로텍션 소자(MH8)가 턴온인 경우, 오프 상태를 유지하고 프로텍션 소자(MHD)의 게이트에 프로텍션 전압을 제공하지 않는다. 이와 반대로, 제1 서브 프로텍션 소자(MH5)는 제2 서브 프로텍션 소자(MH8)가 턴오프인 경우, 제2 스위칭 소자(MH7)를 통하여 인가되는 구동 전압 VDDH에 의해 턴온되며 구동 전압 VHHD에 의한 프로텍션 전압을 프로텍션 소자(MHD)의 게이트에 인가한다. 이 경우, 제1 서브 프로텍션 소자(MH5)의 프로텍션 전압에 의해 프로텍션 소자(MHD)는 턴온을 유지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 구동 전압 VDDH와 동작 전압 VCC가 모두 정상적인 하이 레벨을 갖는 경우, 도 3의 실시예는 전달 전류 It를 형성함으로써 고전압 바이어스 전류를 제공한다. 이때, 프로텍션 소자(MHD)는 전달 전류 It에 의한 프로텍션 전압에 의해 턴온을 유지하며 구동 전압 VDDH이 저전압 소자(MLC)에 직접 인가되는 것을 프로텍션할 수 있다. 그리고, 구동 전압 VDDH이 정상적인 하이 레벨이고 동작 전압 VCC이 형성되지 않은 경우, 도 3의 실시예에서 프로텍션 소자(MHD)는 구동 전압 VDDH에 의한 프로텍션 전압에 의해 턴온을 유지하며 구동 전압 VDDH이 저전압 소자(MLC)에 직접 인가되는 것을 프로텍션할 수 있다.
이에 대해, 도 4와 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4는 구동 전압 VDDH와 동작 전압 VCC가 모두 정상적인 하이 레벨을 가지며 저전압 바이어스 기준 전류(ILV)에 의해 저전압 소자(MLC)가 턴온되는 경우에 해당한다. 그리고, 도 5는 구동 전압 VDDH가 하이 레벨로 제공되고 동작 전압 VCC가 형성되지 않은 경우에 해당한다. 도 4 및 도 5에서 도 3과 동일 부품은 동일 부호로 표시하며 이들에 대한 중복 설명은 생략한다.
구동 전압 VDDH와 동작 전압 VCC가 모두 정상적인 하이 레벨을 갖는 경우, 도 3의 실시예의 동작은 도 4를 참조하여 설명될 수 있다.
전류 변환 회로(230)는 저전압 파워의 동작 전압 VCC이 정상적인 하이 레벨을 가지므로 코어 전류에 대응한 저전압 바이어스 기준 전류 ILV의 생성과 저전압 바이어스 기준 전류 ILV에 대응한 전달 전류 It의 생성을 정상적으로 수행한다.
즉, 전달 전류 생성부(234)는 저전압 바이어스 기준 전류 ILV에 대응한 전달 전류 It의 생성을 정상적으로 수행한다. 이 경우, 프로텍션 제어 회로(236)는 전달 전류 It가 형성됨에 따라 고전압 소자(MH2)에 의한 코어 프로텍션 전류를 생성하고, 코어 프로텍션 전류에 대응하는 고전압 소자(MH3)의 프로텍션 전압을 제공한다. 그러므로, 프로텍션 소자(MHD)는 고전압 소자(MH3)의 프로텍션 전압에 의해 턴온을 유지하며 고전압인 구동 전압 VDDH을 강하하여 저전압 소자(MLC)에 전달할 수 있다. 결과적으로, 구동 전압 VDDH에 의한 저전압 소자(MLC)의 손상이 프로텍션될 수 있다.
도 4에서, 서브 프로텍션 회로(239)는 프로텍션 전압을 제공하지 않아서 프로텍션 소자(MHD)의 동작에 영향을 미치지 않으므로 도시가 생략되었다.
한편, 구동 전압 VDDH가 하이 레벨로 제공되고 동작 전압 VCC가 형성되지 않은 경우, 도 3의 실시예의 동작은 도 5를 참조하여 설명될 수 있다. 도 5에서, 동작 전압 VCC은 0V로 가정할 수 있다.
전류 변환 회로(230)는 저전압 파워의 동작 전압 VCC이 0V이기 때문에 저전압 바이어스 기준 전류 ILV를 생성하지 않으며, 저전압 바이어스 기준 전류 ILV에 대응한 전달 전류 It를 생성하지 않는다.
이 경우, 전달 전류 생성부(234)의 고전압 소자(MH1)과 코어 프로텍션 회로(237)의 고전압 소자(MH2)는 전달 전류 It가 생성되지 않으므로 턴온되지 않는다. 즉, 코어 프로텍션 회로(237)는 프로텍션 전압을 제공하지 않는다. 도 5에서, 고전압 소자(MH1)와 고전압 소자(MH2)는 프로텍션 제어 회로(236)의 동작에 영향을 미치지 않으므로 도시가 생략되었다.
프로텍션 제어 회로(236)는 전달 전류 It를 생성하지 않는다. 그러므로 서브 프로텍션 회로(239)는 구동 전압 VHDD에 의한 프로텍션 전압을 생성한다.
보다 구체적으로, 서브 프로텍션 회로(239)에서, 제1 스위칭 소자(MH6) 및 제2 스위칭 소자(MH7)는 저전압 파워의 제1 접지 전압 VSS에 의해 턴온되어서 저항으로 작용한다. 그리고, 제2 서브 프로텍션 소자(MH8)는 전달 전류 It가 생성되지 않음에 의해 프로텍션 소자(MHD)의 게이트 전위가 낮아지는 것에 대응하여 턴오프된다. 이때, 제2 서브 프로텍션 소자(MH8)의 턴오프에 의해, 제1 서브 프로텍션 소자(MH5)의 게이트에는 제2 스위칭 소자(MH7)를 통하여 구동 전압 VDDH가 인가된다.
서브 프로텍션 회로(239)의 제1 서브 프로텍션 소자(MH5)는 구동 전압 VDDH 인가에 의해 턴온되며 구동 전압 VDDH에 의한 프로텍션 전압을 프로텍션 소자(MHD)의 게이트에 제공할 수 있다.
그러므로, 프로텍션 소자(MHD)는 제1 서브 프로텍션 소자(MH5)에 의해 제공되는 프로텍션 전압에 의해 턴온을 유지할 수 있다.
도 5와 같이, 구동 전압 VDDH가 하이 레벨로 제공되고 동작 전압 VCC가 형성되지 않은 경우에도, 프로텍션 소자(MHD)는 턴온되며 구동 전압 VDDH이 저전압 소자(MLC)에 인가되는 것을 프로텍션할 수 있다.
그러므로, 본 발명의 디스플레이 구동 장치는 저전압 코어를 이용하여 저전압 바이어스 전류와 고전압 바이어스 전류를 제공하며, 저전압 바이어스 전류를 이용하여 고전압 바이어스 전류를 생성하기 위한 저전압 소자가 고전압의 영향에 의해 손상되는 것을 프로텍션할 수 있다.
또한, 본 발명의 디스플레이 구동 장치는 저전압 바이어스 전류를 이용하여 고전압 바이어스 전류를 생성하며, 동작 전압 VCC의 레벨의 정상 여부에 관계없이 저전압 바이어스 전류를 수신하는 저전압 소자에 대한 프로텍션을 유지할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 디스플레이 구동 장치는 안전성과 신뢰성을 확보할 수 있는 효과가 있다.

Claims (15)

  1. 저전압 파워에 의해 코어 전류를 제공하는 바이어스 코어;
    상기 코어 전류에 대응하여 저전압 바이어스 전류를 생성하는 저전압 바이어스부;
    상기 코어 전류에 대응하여 상기 저전압 파워의 동작 전압에 의한 저전압 바이어스 기준 전류를 생성하고, 상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 고전압 파워의 구동 전압에 의한 전달 전류를 생성하는 전류 변환 회로;
    상기 전달 전류에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 고전압 바이어스 전류를 생성하는 고전압 바이어스부; 및
    디스플레이를 위한 데이터에 대응하는 소스 신호를 출력하며, 상기 저전압 바이어스 전류를 이용하여 상기 데이터의 처리를 위한 제1 바이어스 제어를 수행하고, 상기 고전압 바이어스 전류를 이용하여 상기 소스 신호의 처리를 위한 제2 바이어스 제어를 수행하는 신호 구동 회로;를 구비함을 특징으로 하는 디스플레이 구동 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 전류 변환 회로는,
    상기 코어 전류에 대응하여 상기 동작 전압에 의한 상기 저전압 바이어스 기준 전류를 생성하는 기준 전류 생성부; 및
    상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 턴온되는 제1 저전압 소자를 포함하며, 상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 상기 전달 전류를 생성하고, 상기 제1 저전압 소자에 인가되는 상기 구동 전압을 강하하는 프로텍션을 수행하는 전달 전류 생성부;를 포함하는 디스플레이 구동 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 기준 전류 생성부는,
    상기 코어 전류에 대응하여 상기 동작 전압에 의한 상기 저전압 바이어스 기준 전류를 생성하는 제2 저전압 소자; 및
    상기 저전압 바이어스 기준 전류에 의해 턴온되며 상기 저전압 바이어스 기준 전류를 상기 전달 전류 생성부에 제공하는 제3 저전압 소자;를 구비하는 디스플레이 구동 장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 전달 전류 생성부는,
    상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 턴온되는 상기 제1 저전압 소자;
    상기 제1 저전압 소자의 턴온에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 상기 전달 전류를 생성하는 제1 고전압 소자; 및
    상기 제1 저전압 소자와 상기 제1 고전압 소자 사이에 턴온을 유지하며, 상기 제1 저전압 소자에 인가되는 상기 구동 전압을 강하하는 프로텍션을 수행하는 프로텍션 소자;를 구비하는 디스플레이 구동 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 프로텍션 소자는 상기 구동 전압보다 낮은 상기 동작 전압에 의해 턴온되는 디스플레이 구동 장치.
  6. 제2 항에 있어서, 상기 전달 전류 생성부는,
    상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 턴온되는 상기 제1 저전압 소자;
    상기 제1 저전압 소자의 턴온에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 상기 전달 전류를 생성하는 제1 고전압 소자; 및
    상기 제1 저전압 소자와 상기 제1 고전압 소자 사이에 구성되며 프로텍션 전압에 의해 턴온을 유지하며, 상기 제1 저전압 소자에 인가되는 상기 구동 전압을 강하하는 프로텍션을 수행하는 프로텍션 소자; 및
    상기 전달 전류의 형성 여부에 따라 상기 전달 전류 또는 상기 구동 전압에 의한 상기 프로텍션 전압을 제공하는 프로텍션 제어 회로;를 포함하는 디스플레이 구동 장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 프로텍션 제어 회로는,
    상기 전달 전류에 대응하여 상기 프로텍션 전압을 생성 및 제공하는 코어 프로텍션 회로; 및
    상기 전달 전류가 형성되지 않은 경우 상기 구동 전압에 대응하여 상기 프로텍션 전압을 생성 및 제공하는 서브 프로텍션 회로;를 포함하는 디스플레이 구동 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 코어 프로텍션 회로는,
    상기 전달 전류에 대응하여 코어 프로텍션 전류를 생성하는 제2 고전압 소자; 및
    상기 코어 프로텍션 전류에 대응하여 상기 프로텍션 전압을 생성하는 제3 고전압 소자;를 포함하는 디스플레이 구동 장치.
  9. 제7 항에 있어서, 상기 서브 프로텍션 제어 회로는,
    병렬로 상기 구동 전압을 수신하도록 구성되고, 상기 저전압 파워의 제1 접지 전압에 의해 턴온되어서 저항으로 작용하는 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자;
    드레인에 상기 제1 스위칭 소자가 연결되고 게이트에 상기 제2 스위칭 소자가 연결되며, 상기 제2 스위칭 소자에 상기 구동 전압이 인가되면 턴온에 의해 상기 구동 전압에 대응하는 상기 프로텍션 전압을 생성하는 제1 서브 프로텍션 소자; 및
    드레인에 상기 제2 스위칭 소자가 연결되고 게이트를 통해 상기 프로텍션 소자와 상기 프로텍션 전압을 공유하며, 상기 프로텍션 전압의 레벨에 따라 상기 제2 스위칭 소자의 상기 구동 전압 인가와 상기 서브 프로텍션 소자의 상기 프로텍션 전압 생성을 제어하는 제2 서브 프로텍션 구동 소자;를 구비하는 디스플레이 구동 장치.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 저전압 소자는 상기 저전압 파워의 상기 동작 전압과 제1 접지 전압의 범위에서 동작하며,
    상기 전달 전류 생성부는 상기 고전압 파워의 상기 구동 전압과 상기 저전압 파워의 상기 제1 접지 전압에 의해 구동되는 디스플레이 구동 장치.
  11. 저전압 파워에 의해 코어 전류를 제공하는 바이어스 코어;
    상기 코어 전류에 대응하여 상기 저전압 파워의 동작 전압에 의한 저전압 바이어스 기준 전류를 생성하고, 상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 상기 상기 동작 전압보다 높은 레벨의 고전압 파워의 구동 전압에 의한 전달 전류를 생성하는 전류 변환 회로; 및
    상기 전달 전류에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 고전압 바이어스 전류를 생성하는 고전압 바이어스부;를 포함하며,
    상기 전류 변환 회로는 상기 고전압 파워의 상기 구동 전압과 상기 저전압 파워의 제1 접지 전압에 의해 구동됨을 특징으로 하는 디스플레이 구동 장치의 전류 바이어스 회로.
  12. 제11 항에 있어서, 상기 전류 변환 회로는,
    상기 코어 전류에 대응하여 상기 동작 전압에 의한 상기 저전압 바이어스 기준 전류를 생성하는 기준 전류 생성부; 및
    상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 턴온되며 상기 저전압 파워의 상기 동작 전압과 상기 제1 접지 전압의 범위에서 동작하는 제1 저전압 소자를 포함하며, 상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 상기 전달 전류를 생성하고, 상기 제1 저전압 소자에 인가되는 상기 구동 전압을 강하하는 프로텍션을 수행하는 전달 전류 생성부;를 포함하는 디스플레이 구동 장치의 전류 바이어스 회로.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 전달 전류 생성부는,
    상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 턴온되는 상기 제1 저전압 소자;
    상기 제1 저전압 소자의 턴온에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 상기 전달 전류를 생성하는 제1 고전압 소자; 및
    상기 제1 저전압 소자와 상기 제1 고전압 소자 사이에 구성되고 상기 구동 전압보다 낮은 상기 동작 전압에 의해 턴온을 유지하며, 상기 제1 저전압 소자에 인가되는 상기 구동 전압을 강하하는 프로텍션을 수행하는 프로텍션 소자;를 구비하는 디스플레이 구동 장치의 전류 바이어스 회로.
  14. 제12 항에 있어서, 상기 전달 전류 생성부는,
    상기 저전압 바이어스 기준 전류에 대응하여 턴온되는 상기 제1 저전압 소자;
    상기 제1 저전압 소자의 턴온에 대응하여 상기 구동 전압에 의한 상기 전달 전류를 생성하는 제1 고전압 소자; 및
    상기 제1 저전압 소자와 상기 제1 고전압 소자 사이에 구성되며 프로텍션 전압에 의해 턴온을 유지하며, 상기 제1 저전압 소자에 인가되는 상기 구동 전압을 강하하는 프로텍션을 수행하는 프로텍션 소자; 및
    상기 전달 전류의 형성 여부에 따라 상기 전달 전류 또는 상기 구동 전압에 의한 상기 프로텍션 전압을 제공하는 프로텍션 제어 회로;를 포함하는 디스플레이 구동 장치의 전류 바이어스 회로.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 프로텍션 제어 회로는,
    상기 전달 전류에 대응하여 상기 프로텍션 전압을 생성 및 제공하는 코어 프로텍션 회로; 및
    상기 전달 전류가 형성되지 않은 경우 상기 구동 전압에 대응하여 상기 프로텍션 전압을 생성 및 제공하는 서브 프로텍션 회로;를 포함하며,
    상기 코어 프로텍션 회로는,
    상기 전달 전류에 대응하여 코어 프로텍션 전류를 생성하는 제2 고전압 소자; 및
    상기 코어 프로텍션 전류에 대응하여 상기 프로텍션 전압을 생성하는 제3 고전압 소자;를 포함하고; 그리고,
    상기 서브 프로텍션 회로는,
    병렬로 상기 구동 전압을 수신하도록 구성되고, 상기 제1 접지 전압에 의해 턴온되어서 저항으로 작용하는 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자;
    드레인에 상기 제1 스위칭 소자가 연결되고 게이트에 상기 제2 스위칭 소자가 연결되며, 상기 제2 스위칭 소자에 상기 구동 전압이 인가되면 턴온에 의해 상기 구동 전압에 대응하는 상기 프로텍션 전압을 생성하는 제1 서브 프로텍션 소자; 및
    드레인에 상기 제2 스위칭 소자가 연결되고 게이트를 통해 상기 프로텍션 소자와 상기 프로텍션 전압을 공유하며, 상기 프로텍션 전압의 레벨에 따라 상기 제2 스위칭 소자의 상기 구동 전압 인가와 상기 서브 프로텍션 소자으 ㅣ상기 프로텍션 전압 생성을 제어하는 제2 서브 프로텍션 구동 소자;를 구비하는 디스플레이 구동 장치의 전류 바이어스 회로.
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