KR20220004834A - 알칼리 금속-함유 디스플레이 유리들 - Google Patents

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KR20220004834A
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티모시 마이클 그로스
알렉산드라 라이 칭 카오 앤드류스 미첼
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코닝 인코포레이티드
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Abstract

유리 조성물은 약 50 몰% 내지 약 75 몰%의 SiO2, 11.1 몰% 내지 약 25 몰%의 Al2O3, 약 1.5 몰% 내지 약 10 몰%의 B2O3, 및 약 0.5 몰% 내지 약 20 몰%의 R2O를 포함하고, R2O는 K2O, Rb2O, Cs2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 알칼리 금속 산화물이다. 상기 유리 조성물은 0 몰% 내지 약 12 몰%의 MgO, 0 몰% 내지 약 10 몰%의 CaO, 0 몰% 내지 약 1.5 몰%의 SrO, 및 0 몰% 내지 약 5 몰%의 BaO를 더 포함할 수 있다. 상기 유리 조성물은 총 약 1 몰% 내지 약 20 몰%의 R'O를 포함하고, R'O는 MgO, CaO, SrO, BaO, 및 이들의 임의의 조합을 포함한다. 상기 유리 조성물은 낮은 CTE, 낮은 액상선 온도, 및 높은 액상선 점도를 가지며, 디스플레이 응용을 위해 사용된다.

Description

알칼리 금속-함유 디스플레이 유리들
본 개시는 대체로 유리 조성물에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 개시된 발명 주제는 알칼리 금속을 포함하고 디스플레이 응용 분야에 사용되기에 적합한 유리 조성물들에 관한 것이다.
우선권 주장 및 상호-참조
본 출원은 2020년 4월 15일에 출원된 미국 임시 출원 제63/010,251호 및 2019년 6월 3일에 출원된 미국 임시 출원 제62/856,170호 및 2019년 8월 14일에 출원된 미국 임시 출원 제62/886,687호의 이익을 주장하며, 이 출원들은 그 전체가 여기에 인용되어 명시적으로 포함된다.
유리와 같이 광학적으로 투명한 물질로 제조된 평탄하거나 굴곡진 기판들이 평판 디스플레이, 광전 소자들, 및 다른 적절한 응용들에 사용된다. 광학적 투명성을 위한 요구에 더하여, 유리 조성물들은 제조 공정 및 응용에 의존하는 상이한 어려움들을 만족시킬 것을 필요로 한다.
예를 들면, 능동 매트릭스 액정 디스플레이 장치들(active matrix liquid crystal display devices, AMLCDs)과 같은 액정 디스플레이들의 제조는 복잡하며, 기판 유리의 성질들이 중요하다. AMLCD 장치들의 제조에 사용되는 유리 기판들은 물리적 치수들을 엄격하게 통제할 필요가 있다. 다운드로우 시트 드로잉 공정들과, 특히 퓨전 공정은 기판들로서 사용될 수 있는 유리 시트들을 래핑과 폴리싱과 같은 값비싼 후-형성(post-forming) 마감 조작들을 요하지 않으면서 제조할 수 있다. 그러나, 상기 퓨전 공정은 비교적 높은 액상선 점도들을 요하는 유리 특성들에 다소 가혹한 제한들을 부과한다.
액정 디스플레이 분야에서, 박막 트랜지스터(thin film transistors, TFTs)는 다결정질 실리콘(p-Si) 또는 비정질 실리콘(a-Si) 기반일 수 있다. 비정질 실리콘은 더 낮은 공정 온도와 같은 장점들을 제공한다. 때때로 다결정질 실리콘이 선호되어 사용되는데 이는 더욱 효율적으로 전자를 수송하는 그들의 능력 때문이다. 다결정질 기반의 실리콘 트랜지스터는 비정질-실리콘계의 트랜지스터에 기반한 것들보다 더 높은 이동도를 갖는 것으로 특성화된다. 이는 더 작고 더 빠른 트랜지스터를 제조할 수 있게 하고, 궁극적으로는 더 밝고 더 빠른 디스플레이를 생성한다. p-Si계 트랜지스터들이 갖는 문제의 하나는 a-Si 트랜지스터를 제조할 때 채용되는 온도보다 더 높은 공정 온도들이 제조에서 요구된다는 것이다. 이들 온도들은 a-Si 트랜지스터의 제조에서 채용되는 350℃ 피크 온도와 대비하여 450℃ 내지 600℃의 범위를 갖는다.
디스플레이 응용을 위해 사용되는 유리 조성물들은 우수한 열적 및 기계적 성질들을 갖고 공정 및 성능 요건들을 만족시키는 치수 안정성을 가질 필요가 있다. 또한, 박막 트랜지스터들 내부로의 금속 이온들의 확산은 트랜지스터를 손상시킬 수 있다. 이러한 확산이 최소화되거나 방지될 필요가 있다.
본 개시는 유리 조성물, 그의 제조 방법, 및 그를 사용한 방법을 제공한다. 본 개시는 그러한 유리 조성물을 포함하는 유리 기판, 및 그러한 유리 조성물을 포함하는 디스플레이 장치, 또는 그러한 유리 조성물을 갖는 유리 기판도 제공한다.
일부 실시예들에 따르면, 유리 조성물은:
약 50 몰% 내지 약 75 몰%의 SiO2;
11.1 몰% 내지 약 25 몰%의 Al2O3;
약 1.5 몰% 내지 약 10 몰%의 B2O3;
약 0.5 몰% 내지 약 20 몰%의 R2O;
0 몰% 내지 약 12 몰%의 MgO;
0 몰% 내지 약 10 몰%의 CaO;
0 몰% 내지 약 1.5 몰%의 SrO; 및
0 몰% 내지 약 5 몰%의 BaO;
를 포함하고, R2O는 K2O, Rb2O, Cs2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 알칼리 금속 산화물이다.
상기 유리 조성물은 총 약 1 몰% 내지 약 20 몰%의 R'O를 포함하고, R'O는 MgO, CaO, SrO, BaO, 선택적으로 ZnO, 및 이들의 임의의 조합을 포함한다.
유리 조성물에서, SiO2는 적합한 임의의 범위로 존재한다. 적합한 범위의 예들은 약 50 몰% 내지 약 60 몰%, 약 54 몰% 내지 약 68 몰%, 약 60 몰% 내지 약 75 몰%, 또는 약 60 몰% 내지 약 70 몰%의 범위를 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2의 함량은 60 몰% 이하, 예컨대 약 50 몰% 내지 약 60 몰%의 범위이다.
일부 실시예들에 있어서, Al2O3는 11 몰% 이상의 함량을 갖는다. Al2O3의 적합한 범위의 예들은 약 11.5 몰% 내지 약 25 몰%, 약 12 몰% 내지 약 25 몰%, 약 13 몰% 내지 약 25 몰%, 약 14 몰% 내지 약 25 몰%, 약 15 몰% 내지 약 25 몰%, 약 11.5 몰% 내지 약 25 몰%, 약 11.5 몰% 내지 약 18 몰%, 약 12 몰% 내지 약 20 몰%, 또는 약 12 몰% 내지 약 18 몰%의 범위를 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 알칼리 금속 산화물(R2O)은 K2O이다. 상기 알칼리 금속 산화물(R2O)은 적합한 임의의 범위의 함량을 갖는다. R2O의 적합한 범위의 예들은 약 0.5 몰% 내지 약 10 몰%, 약 1 몰% 내지 약 10 몰%, 약 0.9 몰% 내지 약 7.1 몰%, 약 0.5 몰% 내지 약 8 몰%, 약 2 몰% 내지 약 8 몰%, 또는 약 3 몰% 내지 약 8 몰%의 범위를 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 유리 조성물은 Li2O, Na2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 0 몰% 내지 약 2 몰%의 추가적인 알칼리 금속 산화물을 더 포함할 수 있다. Li2O 또는 Na2O는 선택적이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 조성물 내에서 Li2O 및 Na2O의 함량은 0 몰% 내지 약 1 몰%, 또는 0.1 몰% 내지 약 2 몰%이다. Li2O 또는 Na2O가 존재할 때, 알칼리 금속 산화물 K2O, Rb2O, Cs2O 및 Li2O 또는 Na2O의 전체 함량은 약 0.5 몰% 내지 약 22 몰%이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 조성물은 Li2O, Na2O, 및 Li 및 Na을 포함하는 임의의 다른 성분들을 실질적으로 불포함한다.
R'O는 임의의 적합한 범위로 MgO, CaO, SrO, 및 BaO와 같은 알칼리 토금속 산화물들을 포함할 수 있으며, 선택적으로 ZnO를 포함한다.
MgO의 적합한 범위의 예들은 약 0 몰% 내지 약 12 몰%, 약 1 몰% 내지 약 12 몰%, 약 2 몰% 내지 약 12 몰%, 약 1 몰% 내지 약 10 몰%, 또는 약 2 몰% 내지 약 10 몰%을 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 있어서, MgO는 7 몰% 이상, 예컨대 약 7 몰% 내지 약 12 몰%, 또는 약 7 몰% 내지 약 10 몰%의 범위의 함량을 갖는다.
일부 실시예들에 있어서, SrO는 1.5 몰% 이하, 또는 1 몰% 이하, 예를 들면, 약 0.1 몰% 내지 약 1 몰%, 또는 약 0.1 몰% 내지 약 1.5 몰%의 함량을 가질 수 있다.
CaO의 적합한 범위의 예들은 약 0 몰% 내지 약 10 몰%, 약 1 몰% 내지 약 10 몰%, 약 2 몰% 내지 약 10 몰%, 약 3 몰% 내지 약 8 몰%, 약 5 몰% 내지 약 8 몰%, 또는 약 6 몰% 내지 약 8 몰%을 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
일부 실시예들에 있어서, R'O/Al2O3의 몰비는 약 0.8 내지 약 1.5, 예컨대 약 0.8 내지 약 1.0, 약 0.9 내지 약 1.1, 또는 약 1 내지 약 1.25의 범위이다. 일부 실시예들에 있어서, R'O/Al2O3의 비는 1 이하이다.
상기 조성물은 SnO2와 같이 임의의 다른 적합한 성분들을 포함할 수 있다. 본 개시는 여기에 설명된 바와 같은 성분들의 상이한 조합들 및 함량 범위들을 갖는 임의의 적합한 조성물을 제공한다.
일부 실시예들에 있어서, 예시적인 유리 조성물은:
약 54 몰% 내지 약 68 몰%의 SiO2;
11.1 몰% 내지 약 18 몰%의 Al2O3;
약 2 몰% 내지 약 9 몰%의 B2O3;
약 8 몰% 내지 약 16 몰%의 R2O;
0 몰% 내지 약 12 몰%의 MgO;
0 몰% 내지 약 10 몰%의 CaO;
0 몰% 내지 약 1.5 몰%의 SrO;
0 몰% 내지 약 5 몰%의 BaO;
를 포함하고, R2O는 K2O, Rb2O, Cs2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 알칼리 금속 산화물이고, 상기 유리 조성물은 총 약 1 몰% 내지 약 15 몰%의 R'O를 포함하고, R'O는 MgO, CaO, SrO, BaO, 및 이들의 임의의 조합을 포함한다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 알칼리 금속 산화물(R2O)은 K2O이다. 그러한 조성물은 Rb2O 또는 Cs2O를 포함할 수 있다. 상기 조성물은 Li2O 또는 Na2O를 선택적으로 포함할 수 있으며, 또는 Li2O 또는 Na2O를 실질적으로 불포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, MgO는 약 7 몰% 내주 약 12 몰%의 범위일 수 있고, SrO는 약 0.1 몰% 내지 약 1 몰%의 범위이다. R'O/Al2O3의 몰비는 약 0.8 내지 약 1의 범위일 수 있다.
상기 유리 조성물은 공정 및 성능 모두에 장점들을 제공한다. 예를 들면, 상기 유리 조성물은 낮은 액상선 온도 및 높은 액상선 점도를 갖는다. 상기 액상선 온도는 1,200℃ 이하, 예를 들면, 약 900℃ 내지 1,200℃, 또는 약 1,000℃ 내지 1,200℃, 약 900℃ 내지 1,185 ℃, 또는 약 1,000℃ 내지 1,185℃, 약 900℃ 내지 1,150℃, 또는 약 1,000℃ 내지 1,150℃의 범위이다. 상기 유리 조성물은 100 kPoise 이상의, 예컨대 약 200 kPoise 내지 약 400 kPoise, 약 200 kPoise 내지 약 600 kPoise, 또는 약 200 kPoise 내지 약 800 kPoise의 범위의 액상선 점도를 갖는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 액상선 점도는 100 kPoise 내지 800 kPoise, 예컨대, 약 100 kPoise 내지 약 550 kPoise, 또는 약 200 kPoise 내지 약 450 kPoise 범위에 있을 수 있다.
상기 유리 조성물은, 예컨대, 20 ℃ 내지 300 ℃ 온도에서 약 10x10-7/℃ 내지 약 62x10-7/℃의 범위에 있는 낮은 열팽창 계수를 갖는다. 일부 실시예들에 있어서, CTE는 약 20x10-7/℃ 내지 약 55x10-7/℃, 약 30x10-7/℃ 내지 약 55x10-7/℃, 약 30x10-7/℃ 내지 약 40x10-7/℃, 또는 약 30x10-7/℃ 내지 약 50x10-7/℃의 범위에 있다.
다른 태양에서, 본 개시는 여기에 설명된 상기 유리 조성물의 제조 방법 및 사용 방법, 그러한 유리 조성물을 포함하는 유리 물품(또는 성분), 및 상기 유리 조성물을 포함하는 디스플레이 장치 또는 상기 유리 조성물을 갖는 유리 물품도 제공한다.
유리 물품의 예들은 패널, 기판, 커버, 백플레인, 또는 디스플레이 응용을 위한 전자 장치에 사용되는 임의의 다른 부품들을 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 조성물 또는 상기 유리 기판은 전자 장치의 커버 또는 백플레인이다. 일부 실시예들에 있어서, 박막 저항체들(thin film resistors)이 상기 유리 조성물과 접촉하거나 상기 유리 조성물 위에 부설된다. 상기 전자 장치들의 예들은 액정 디스플레이(liquid crystal display, LCD), 발광 다이오드(light emitting diode, LED) 디스플레이, 컴퓨터 모니터류, 현금 자동 입출금기(automated teller machines, ATMs), 터치 스크린, 및 광전 장치들을 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 개시는 첨부 도면들과 함께 독해되었을 때 다음의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 일반적인 실무에 따라 이 도면들은 오직 일부 실시예들의 예시를 위한 것임이 강조된다.
도 1은 일부 실시예들에 따른 비교예와 본 발명의 유리 조성물들의 알칼리 산화물(예컨대 K2O)의 함량과 액상선 온도 사이의 관계를 그래프로 나타낸다.
도 2는 일부 실시예들에 따른 비교예와 본 발명의 유리 조성물들의 알칼리 산화물(예컨대 K2O)의 함량과 액상선 점도 사이의 관계를 그래프로 나타낸다.
도 3a 및 도 3b는 상이한 열처리들 이후의 5 몰% K2O를 포함하는 예시적 유리 기판 상에 증착된 A) SiO 필름 및 B) SiN 필름 내의 K의 평균 몰%를 나타낸다.
예시적인 실시예들의 설명은 전체 기재 설명의 일부로서 간주되어야 할 첨부 도면들과 결부되어 읽히는 것이 의도된다. 상기 설명에서, "하부의", "상부의", "수평의", "수직의", "위에", "아래에", "위로", "아래로", "최상부", 및 "바닥"과 같은 상대적인 용어들과 이들의 파생어(예컨대, "수평적으로", "하향하여", "상향하여" 등)는 거기서 설명된 대로의 또는 논의 중인 도면에 도시된 대로의 방향을 가리키는 것으로서 해석되어야 한다. 이들 상대적인 용어들은 설명의 편의를 위한 것이며 특정한 방향으로 장치가 구성되거나 동작될 것을 요하는 것은 아니다. "연결된" 및 "상호 연결된"과 같이 부착, 결합 등과 관련된 용어들은, 명시적으로 달리 설명되지 않는다면, 움직일 수 있거나 또는 고정된 부착이나 관계뿐만 아니라 구조물들이 개재 구조물들을 통해 직접적으로 또는 간접적으로 서로 부착되거나 고정된 관계를 지칭한다.
이하에서의 설명의 목적상, 이하에 설명된 실시예들은 대안적인 변형들 및 실시예들을 가정할 수 있음이 이해되어야 한다. 또한 여기에 설명된 특정한 물품들, 구성들, 및/또는 프로세스들은 예시적인 것이며 한정적으로 고려되어서는 안되는 것임이 이해되어야 한다.
본 개시 내용에서 단수 형태의 "하나의" 및 "상기"는 복수의 지칭을 포함하며, 특정한 수치 값의 언급은 문맥상 명백히 달리 표시되지 않는다면 적어도 그 특정한 값을 포함한다. 값들이 그 앞에 "약"을 써서 근사값으로서 표현되는 경우, 그 특정값이 또 다른 실시예를 형성하는 것임이 이해될 것이다. 여기서 사용될 때, "약 X"(여기서 X는 수치값)는 언급된 값의 ㅁ10%를 바람직하게 지칭하며, 경계도 포함된다. 예를 들면, "약 8"의 어구는 7.2 내지 8.8의 값을 바람직하게 지칭하며, 경계도 포함된다. 모든 범위들은, 있는 경우, 포괄적이며 결합 가능하다. 예를 들면, "1 내지 5"의 범위가 언급되는 경우, 언급된 상기 범위는 "1 내지 4", "1 내지 3", "1-2", "1-2 및 4-5", "1-3 및 5", "2-5" 등의 범위들을 포함하는 것으로서 해석되어야 한다. 또한 대안들의 목록이 적극적으로(positively) 제공되는 경우, 그러한 목록은 상기 대안들의 어느 것이든 예컨대 청구항의 부정적인 한정에 의하여 제외될 수 있음을 의미하는 것으로 해석될 수 있다. 예를 들면 "1 내지 5"의 범위가 언급되는 경우, 언급된 상기 범위는 1, 2, 3, 4, 또는 5 중의 어느 것이 부정적으로 배제되는 상황도 포함하는 것으로 해석될 수 있다. 따라서, "1 내지 5"의 언급은 "1 및 3-5이나 2는 제외" 또는 단순히 "여기서 2는 포함되지 않음"을 포함하는 것으로 해석될 수 있다. 여기서 적극적으로 언급된 임의의 구성부, 부재, 속성, 또는 단계는 그러한 구성부들, 부재들, 속성들, 또는 단계들이 선택적인 것으로서 열거되든 또는 개별적으로 언급되든 청구항에서 명시적으로 제외될 수 있음이 의도된다.
용어 "실질적인", "실질적으로", 및 이들의 변형들은 여기서 사용될 때 설명된 특징부가 값 또는 설명과 동일하거나 또는 근사적으로 동일한 것을 언급하는 것이 의도된다. 나아가, "실질적으로 유사하다"는 두 값들이 동일하거나 또는 근사적으로 동일한 것을 언급하는 것이 의도된다. 일부 실시예들에 있어서, "실질적으로 유사하다"는 서로의 약 5% 이내, 또는 서로의 약 2% 이내와 같이 서로의 약 10%이내의 값들을 가리킬 수 있다.
본 개시는 유리 조성물, 그의 제조 방법 및 그를 이용하는 방법을 제공한다. 또한 본 개시는 그러한 유리 조성을 포함하는 유리 기판 또는 물품, 및 그러한 유리 조성을 포함하는 디스플레이 장치 또는 그러한 유리 조성을 갖는 유리 기판을 제공한다. 그러한 유리 조성은 여기에 설명된 바와 같은, 높은 Al2O3 함량 및 K2O, Rb2O, Cs2O, 또는 이들의 조합과 같은 알칼리 금속 산화물을 포함하는 성분들을 포함한다. 여기에 설명되는 바와 같이, 놀랍게도 이러한 알칼리 금속 산화물과 높은 Al2O3 함량을 포함하는 유리 조성물은 낮은 액상선 온도, 높은 액상선 점도, 낮은 열팽창 계수, 및 우수한 기계적 성질들을 제공함을 본 발명자들이 발견하였다. 또한 본 발명자들은 상기 조성물이 전자 장치들에 사용되었을 때 놀랍게도 상기 유리 조성물로부터 유래하는 알칼리 금속 이온들과 같은 금속 이온들의 확산이 존재하지 않는 것을 발견하였다. 알칼리 금속들의 확산에 의해 야기되는 임의의 가능한 오염도 최소화되거나 방지될 수 있다.
명시적으로 달리 지시되지 않는다면, 여기서 사용된 용어 "유리 물품" 또는 "유리"는 전체가 또는 부분이 유리로 만들어진 임의의 물체를 포괄하는 것으로 이해된다. 유리 물품들은 단일 기판들, 또는 유리와 유리, 유리와 비-유리 물질들, 유리와 결정질 물질들, 및 유리와 (비정질상 및 결정질상을 포함하는) 유리-세라믹류의 적층체들을 포함한다.
유리 패널과 같은 유리 물품은 평탄하거나 굴곡질 수 있으며, 투명하거나 실질적으로 투명하다. 여기서 사용될 때, 용어 "투명한"은 대략 1 mm의 두께에서 상기 물품이 스펙트럼의 가시광 영역(400-700 nm)에서 약 85%보다 높은 투과도를 갖는 것을 가리키는 것이 의도된다. 예를 들면, 예시적인 투명 유리 패널은 가시광 영역에서 약 90% 초과, 약 95% 초과, 또는 약 99% 초과의 투과도와 같은 약 85%보다 높은 투과도를 가질 수 있으며, 이들 사이의 모든 범위들 및 서브범위들을 포함한다. 다양한 실시예들을 따르면, 상기 유리 물품은 가시광 영역에서 약 45% 미만, 약 40% 미만, 약 35% 미만, 약 30% 미만, 약 25% 미만, 또는 약 20% 미만과 같은 약 50% 미만의 투과도를 가질 수 있으며, 이들 사이의 모든 범위들 및 서브범위들을 포함한다. 특정 실시예들에서, 예시적인 유리 패널은 자외선(ultraviolet, UV) 영역(100-400 nm)에서 약 55% 초과, 약 60% 초과, 약 65% 초과, 약 70% 초과, 약 75% 초과, 약 80% 초과, 약 85% 초과, 약 90% 초과, 약 95% 초과, 또는 약 99% 초과와 같이 약 50%보다 높은 투과도를 가질 수 있으며, 이들 사이의 모든 범위들 및 서브범위들을 포함한다.
예시적인 유리들은 알루미노실리케이트, 알칼리-알루미노실리케이트, 보로실리케이트, 알칼리-보로실리케이트, 알루미노보로실리케이트, 알칼리-알루미노보로실리케이트, 및 다른 적합한 유리들을 포함할 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 물품은 인장 응력을 보이는 중앙 영역과 압축 응력 영역을 생성하도록 상기 물품의 부분들 사이의 열팽창계수의 부정합성을 이용함으로써 기계적으로 강화될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 물품은 상기 유리를 유리 전이 온도보다 높은 온도로 가열하고 이후 급속 냉각함으로써 열적으로 강화될 수 있다. 다른 일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 물품은 이온 교환에 의하여 화학적으로 강화될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 여기에 설명된 상기 유리 조성물들은 알칼리 토류 알루미노-실리케이트 유리 조성물들이며, 이들은 대체로 SiO2, Al2O3, 적어도 하나의 알칼리 토류 산화물, 및 K2O, Rb2O, 및 Cs2O 중의 적어도 하나를 포함하는 알칼리 금속 산화물을 포함한다. 여기에 설명된 상기 유리 조성물들은 비정질 구조를 갖는다. 결정질 또는 다결정질 구조들도 상기 조성물들을 이용하여 제조될 수 있다.
용어 "연화점"(softening point)은 여기서 사용될 때 상기 유리 조성물의 점도가 1x107.6 쁘와즈가 되는 온도를 가리킨다. 상기 연화점은 평행판 점도(parallel plate viscosity, PPV) 방법을 이용하여 측정된다.
용어 "어닐링 점"(annealing point)은 여기서 사용될 때 상기 유리 조성물의 점도가 1x1013.18 쁘와즈가 되는 온도를 가리킨다.
용어 "변형점"(strain point)과 "Tstrain"은 여기서 사용될 때 상기 유리 조성물의 점도가 1x1014.68 쁘와즈가 되는 온도를 가리킨다.
유리의 액상선 온도(T liq )는 그 온도 위에서는 상기 유리와 평형을 이루는 결정질 상이 공존할 수 없는 온도(℃)이다. 액상선 점도는 상기 액상선 온도에서의 유리의 점도이다.
용어 "CTE"는 여기서 사용될 때 실온(room temperature, RT) 내지 약 300℃의 온도 범위에 대한 상기 유리 조성물의 열팽창 계수를 가리킨다.
여기에 설명된 유리 조성물들의 실시예들에서, 구성 성분들(예컨대 SiO2, Al2O3 등)의 농도는 달리 특정되지 않는다면 산화물 베이시스의 몰 퍼센트(몰%)로 특정된다.
유리 조성물 내의 특정 구성 성분의 농도 및/또는 존부를 설명하기 위하여 용어 "없는" 및 "실질적으로 없는"이 사용될 때, 그 구성 성분이 상기 유리 조성물에 의도적으로 첨가되지 않음을 의미한다. 그러나, 상기 유리 조성물은 그 구성 성분을 오염물로서 또는 트램프(tramp)로서 0.01 몰% 미만의 함량으로 미량 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 따라, 유리 조성물은:
약 50 몰% 내지 약 75 몰%의 SiO2;
11.1 몰% 내지 약 25 몰%의 Al2O3;
약 1.5 몰% 내지 약 10 몰%의 B2O3;
약 0.5 몰% 내지 약 20 몰%의 R2O;
0 몰% 내지 약 12 몰%의 MgO;
0 몰% 내지 약 10 몰%의 CaO;
0 몰% 내지 약 1.5 몰%의 SrO; 및
0 몰% 내지 약 5 몰%의 BaO;
를 포함한다. 여기서, R2O는 K2O, Rb2O, Cs2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 알칼리 금속 산화물이다.
상기 유리 조성물은 총 약 1 몰% 내지 약 20 몰%의 R'O를 포함하고, R'O는 MgO, CaO, SrO, BaO, 선택적으로 ZnO 및 이들의 임의의 조합을 포함한다.
여기에 설명된 상기 유리 조성물들의 실시예들에서, SiO2는 최대 구성 성분이고, 따라서 상기 유리 네트워크의 주된 구성부이다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2는 상기 조성물에 첨가되는 Al2O3의 양을 오프셋(offset)하면서 동시에 원하는 액상선 점도를 얻기 위하여 사용될 수 있다.
상기 유리 조성물에서, SiO2는 임의의 적합한 범위로 존재한다. 적합한 범위의 예들은 약 50 몰% 내지 약 60 몰%, 약 54 몰% 내지 약 68 몰%, 약 60 몰% 내지 약 75 몰%, 또는 약 60 몰% 내지 약 70 몰%를 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2의 함량은 60 몰% 이하이며, 예를 들면 약 50 몰% 내지 약 60 몰%의 범위이다.
여기에 설명된 상기 유리 조성물들은 비교적 높은 함량으로 Al2O3를 더 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, Al2O3는 11 몰%보다 높은 함량을 갖는다. Al2O3의 적합한 범위의 예들은 약 11.5 몰% 내지 약 25 몰%, 약 12 몰% 내지 약 25 몰%, 약 13 몰% 내지 약 25 몰%, 약 14 몰% 내지 약 25 몰%, 약 15 몰% 내지 약 25 몰%, 약 11.5 몰% 내지 약 25 몰%, 약 11.5 몰% 내지 약 18 몰%, 약 12 몰% 내지 약 20 몰%, 또는 약 12 몰% 내지 약 18 몰%을 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
여기에 설명된 실시예들에서 상기 유리 조성물들은 알칼리 산화물들도 포함한다. 바람직하게, 여기에 설명된 상기 유리 조성물들은 K2O, Rb2O, Cs2O, 또는 이들의 조합 중의 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 알칼리 금속 산화물(R2O)은 K2O이다. 상기 알칼리 금속 산화물(R2O)은 임의의 적합한 범위의 함량을 갖는다. R2O의 적합한 범위의 예들은 약 0.5 몰% 내지 약 10 몰%, 약 1 몰% 내지 약 10 몰%, 약 0.9 몰% 내지 약 7.1 몰%, 약 0.5 몰% 내지 약 8 몰%, 약 2 몰% 내지 약 8 몰%, 또는 약 3 몰% 내지 약 8 몰%을 포함하나 이들에 한정되는 것은 아니다.
Al2O3는, 존재하는 경우, SiO2와 유사한 방식으로 작용할 수 있으며, 상기 유리 조성물로부터 형성된 유리 용융물 내에 사면체 배위(tetrahedral coordination)로 있는 경우 상기 유리 조성물의 점도를 증가시킬 수 있다. 그러나, 미국특허등록 제10,112,865호에 설명된 바와 같이, 상기 유리 조성물들 내의 Al2O3의 존재는 상기 유리 조성물들 내의 알칼리 성분들의 이동도를 증가시키는 것으로 생각되며 상기 유리 조성물들 내의 Al2O3의 함량은 신중하게 고려될 필요가 있다.
본 개시의 발명자들은 놀랍게도 Al2O3의 높은 함량이, 상기 유리 조성물들 내에 존재하는 알칼리 산화물들과 함께, 알칼리 성분들이 유리 밖으로 침출되거나 확산되는 성향을 감소시키거나 또는 상기 유리 조성물을 포함하는 기판 내에 또는 기판 상에 박막 트랜지스터들이 형성되는 공정 조건들 하에서 상기 조성물 내의 상기 알칼리 성분들을 유지하는 것을 발견하였다.
또한 미국특허등록 제10,112,865호에 설명된 바와 같이, 상기 유리 조성물에 K2O와 같은 알칼리 산화물들을 첨가하는 것은 귀결되는 유리의 평균 열팽창 계수를 증가시킬 것으로도 생각되었다. 그러나, 본 개시의 발명자들은 놀랍게도 높은 함량의 Al2O3와 결합된 알칼리 산화물들을 갖는 상기 유리 조성물이 비교적 낮은 열팽창을 갖는 것을 발견하였다. 한편 그러한 조합은 상기 유리 조성물의 액상선 온도를 감소시키고 또한 상기 유리 조성물의 액상선 점도도 증가시킨다. 감소된 액상선 온도 및 증가된 액상선 점도의 조합은 상기 유리 조성물들의 가공성을 개선한다.
상기 유리 조성물은 Li2O, Na2O, 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 추가적인 알칼리 금속 산화물을 0 몰% 내지 약 2 몰% 더 포함할 수 있다. Li2O 또는 Na2O는 선택적이다. 일부 실시예들에서 상기 유리 조성물 내의 Li2O 및 Na2O의 함량은 0 몰% 내지 약 1 몰%, 또는 0.1 몰% 내지 약 2 몰%이다. Li2O 또는 Na2O가 존재할 때, 알칼리 금속 산화물 K2O, Rb2O, Cs2O 및 Li2O 또는 Na2O의 총 함량은 약 0.5 몰% 내지 약 22 몰%이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 조성물은 Li2O, Na2O 및 Li과 Na을 함유하는 임의의 다른 성분들을 실질적으로 불포함한다.
Na 또는 Li에 비하여 비교적 큰 이온 반경을 갖는 K, Rb 또는 Cs이 유리 내에서 알칼리 금속의 확산계수(diffusivity)를 감소시키기 때문에 K2O, Rb2O, Cs2O 또는 그의 조합이 1차(primary) 알칼리 산화물 성분으로서 사용된다. 상기 유리 조성물이 디스플레이용 백플레인(backplane)을 형성하기 위해 사용되는 경우 낮은 확산계수가 매우 중요한데, 상기 유리로부터 상기 유리 위에 배치된 박막 트랜지스터로 알칼리 금속이 확산되는 것이 트랜지스터를 손상시키기 때문이다.
여기에 설명된 실시예들에서 상기 유리 조성물들은 B2O3를 더 포함한다. SiO2 및 Al2O3와 같이, B2O3는 유리 네트워크의 형성에 기여한다. 통상적으로, B2O3는 유리 조성물의 점도를 감소시키기 위하여 상기 유리 조성물에 첨가될 수 있다. 또한, 일부 실시예들에 있어서, B2O3를 포함하는 유리 조성물은 높은 또는 바람직한 액상선 점도를 갖는다. 여기에 설명된 실시예들에서, 상기 유리 조성물들 내에 B2O3는 일반적으로 약 1.5 몰% 내지 약 10 몰%의 함량으로, 예를 들면, 약 2 몰% 내지 약 9 몰%, 또는 약 1.6 몰% 내지 약 9.1 몰%의 함량으로 존재한다.
R'O는 MgO, CaO, SrO 및 BaO와 같은 알칼리 토금속 산화물들을 포함할 수 있으며, 선택적으로, ZnO를 임의의 적합한 범위로 포함할 수 있다.
상기 유리 형성체들(SiO2, Al2O3, 및 B2O3)에 더하여, 여기에 설명된 유리들은 알칼리 토류 산화물들을 포함할 수도 있다. 일부 실시예들에 있어서, 적어도 1종, 2종, 또는 3종의 알칼리 토류 산화물들이, 예컨대 MgO, CaO, 및 BaO, 그리고 선택적으로 SrO이 상기 유리 조성물의 일부이다. 상기 알칼리 토류 산화물들은 용융, 청징, 성형, 및 최종 사용에 중요한 다양한 성질들을 유리에 제공한다. 따라서, 이러한 관점들에서, 일 실시예에서, 유리 성능을 개선하기 위하여 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비의 비율은 약 1.5 이하 또는 약 1 이하이다. 일부 실시예들에 있어서, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3의 비율은 1 미만, 예컨대 0.8 내지 1의 범위이다. 일부 실시예들에 있어서, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3의 비율은 1 근방, 예컨대 0.9 내지 1.1의 범위이다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 유리 조성물에 적은 양의 MgO가 선택적으로 첨가될 수 있다. MgO의 적합한 범위의 예들은 약 0 몰% 내지 약 12 몰%, 약 1 몰% 내지 약 12 몰%, 약 2 몰% 내지 약 12 몰%, 약 1 몰% 내지 약 10 몰%, 및 약 2 몰% 내지 약 10 몰%를 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 있어서, MgO는 7 몰% 이상의 함량, 예컨대 약 7 몰% 내지 약 12 몰%, 또는 약 7 몰% 내지 약 10 몰%의 범위를 갖는다.
일부 실시예들에 있어서, SrO는 1.5 몰% 이하 또는 1 몰% 이하의 함량을 가질 수 있으며, 예컨대 약 0.1 몰% 내지 약 1 몰%, 또는 약 0.1 몰% 내지 약 1.5 몰%의 범위를 갖는다.
CaO의 적합한 범위의 예들은 약 0 몰% 내지 약 10 몰%, 약 1 몰% 내지 약 10 몰%, 약 2 몰% 내지 약 10 몰%, 약 3 몰% 내지 약 8 몰%, 약 5 몰% 내지 약 8 몰%, 또는 약 6 몰% 내지 약 8 몰%을 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
일부 실시예들에 있어서, R'O/Al2O3의 몰비가 약 0.8 내지 약 1.5의 범위, 예컨대 약 0.8 내지 약 1.0, 약 0.9 내지 약 1.1, 또는 약 1 내지 약 1.25의 범위에 있다. 일부 실시예들에 있어서, R'O/Al2O3의 비율은 1 이하이다.
상기 조성물은 SnO2와 같은 임의의 다른 적합한 성분들을 포함할 수 있다. SnO2는, 예컨대, 0 몰% 내지 약 1 몰%의 적합한 범위에 있을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, SnO2는 0.01 몰% 내지 0.5 몰%, 예컨대 0.05 몰% 내지 0.15 몰%의 함량으로 존재한다.
본 개시 내용은 여기에 설명된 바와 같은 성분들의 상이한 조합들 및 함량 범위들을 갖는 임의의 적합한 조성물을 제공한다.
일부 실시예들에 있어서, 예시적인 유리 조성물은:
약 54 몰% 내지 약 68 몰%의 SiO2;
11.1 몰% 내지 약 18 몰%의 Al2O3;
약 2 몰% 내지 약 9 몰%의 B2O3;
약 8 몰% 내지 약 16 몰%의 R2O;
0 몰% 내지 약 12 몰%의 MgO;
0 몰% 내지 약 10 몰%의 CaO;
0 몰% 내지 약 1.5 몰%의 SrO; 및
0 몰% 내지 약 5 몰%의 BaO;
를 포함하고,
R2O는 K2O, Rb2O, Cs2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 알칼리 금속 산화물이고, 상기 유리 조성물은 총 약 1 몰% 내지 약 15 몰%의 R'O를 포함하고, R'O는 MgO, CaO, SrO, BaO, 및 이들의 임의의 조합을 포함한다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 알칼리 금속 산화물(R2O)은 K2O이다. 이러한 조성물은 Rb2O 또는 Cs2O, 또는 K2O, Rb2O, 및 Cs2O의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 조성물은 Li2O 또는 Na2O를 선택적으로 포함할 수 있다. 더욱 바람직하게, 상기 조성물은 Li2O 또는 Na2O, 또는 이들 둘 모두를 실질적으로 불포함한다.
일부 실시예들에 있어서, MgO는 약 7 몰% 내지 약 12 몰%의 범위를 갖고, SrO는 약 0.1 몰% 내지 약 1 몰%의 범위를 갖는다. R'O/Al2O3의 몰비는 약 0.8 내지 약 1의 범위를 가질 수 있다.
상기 유리 조성물은 가공 및 성능 모두에 있어서 장점들을 제공한다. 예를 들면, 상기 유리 조성물은 낮은 액상선 온도(Tliq) 및 높은 액상선 점도를 갖는다. 상기 액상선 온도는 1200℃ 이하일 수 있으며, 예를 들면, 약 900 ℃ 내지 1,200 ℃, 또는 약 1,000 ℃ 내지 1,200 ℃, 약 900 ℃ 내지 1,185 ℃, 또는 약 1,000 ℃ 내지 1,185 ℃, 약 900 ℃ 내지 1,150 ℃, 또는 약 1,000 ℃ 내지 1,150 ℃의 범위일 수 있다.
상기 유리 조성물은 100 킬로쁘와즈(kPoise) 이상의 액상선 점도, 예컨대 약 200 kPoise 내지 약 400 kPoise, 약 200 kPoise 내지 약 600 kPoise, 또는 약 200 kPoise 내지 약 800 kPoise의 범위의 액상선 점도를 갖는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 액상선 점도는 100 kPoise 내지 800 kPoise의 범위, 예를 들면, 약 100 kPoise 내지 약 550 kPoise, 또는 약 200 kPoise 내지 약 450 kPoise의 범위에 있을 수 있다.
상기 유리 조성물은 예를 들면 약 10x10-7/℃. 내지 약 62x10-7/℃의 범위의 낮은 열팽창 계수를 갖는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 CTE는 약 20x10-7/℃ 내지 약 55x10-7/℃, 약 30x10-7/℃ 내지 약 55x10-7/℃, 약 30x10-7/℃ 내지 약 40x10-7/℃, 또는 약 30x10-7/℃ 내지 약 50x10-7/℃의 범위에 있다.
다른 태양에서, 본 개시 내용은 여기에 설명된 상기 유리 조성물의 제조 방법 및 그의 이용 방법, 이러한 유리 조성물을 포함하는 유리 물품(또는 부품), 그리고 상기 유리 조성물을 포함하는 디스플레이 장치 또는 상기 유리 조성물을 갖는 유리 물품도 제공한다.
유리 물품의 예들은 패널, 기판, 커버, 백플레인, 또는 디스플레이 응용을 위한 전자 장치에 사용되는 임의의 다른 구성 부품들을 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 있어서, 기판 또는 패널과 같은 유리 물품은 광학적으로 투명하다. 상기 유리 물품의 예들은 평탄한 또는 굴곡진 유리 패널을 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
일부 실시예들에 있어서, 예를 들면, 상기 유리 조성물 또는 상기 유리 기판은 전자 장치의 커버 또는 백플레인이다. 일부 실시예들에 있어서, 박막 저항체들(thin film resistors)이 상기 유리 조성물과 접촉하거나 상기 유리 조성물 위에 부설된다. 상기 박막 저항체들은 비결정질 실리콘계 또는 다결정질 실리콘계일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 본 개시에 제공된 상기 유리 조성물은, 그 위에 또는 그 안에 비정질 실리콘계 트랜지스터들이 배치되는 기판 또는 층으로서 사용된다. 상기 전자 장치들의 예들은 액정 디스플레이(liquid crystal display, LCD), 발광 다이오드(light emitting diode, LED) 디스플레이, 컴퓨터 모니터류, 현금 자동 입출금기(automated teller machines, ATMs), 터치 스크린, 및 광전 장치들을 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
실시예들
개시된 발명 주제에 따른 방법들 및 결과들을 보이기 위하여 다음의 실시예들이 아래에 제시된다. 이 실시예들은 여기에 개시된 발명 주제의 모든 구현예들을 포함하는 것이 의도되지 않으며, 오히려 대표적인 방법들 및 결과들을 보이는 것이 의도된다. 이 실시예들은 본 개시의 통상의 기술자에게 명백한 변형예들 및 균등물을을 제외하는 것이 의도되지 않는다.
수치(예컨대 양, 온도 등)의 정확성을 보장하기 위한 노력이 기울여졌지만, 일부 오차 및 편차가 설명되어야 한다. 달리 표시되지 않는다면, 온도는 단위가 ℃이거나 또는 실온이고, 압력은 대기압 또는 그 근방이다. 조성물들 그 자체는 산화물을 베이시스로 한 백분율로 주어지며 100%로 정규화되었다. 예컨대 성분들의 농도, 온도, 압력, 및 다른 반응 범위들과 같은 반응 조건들 및 생성물 순도와 설명된 공정에서 얻어지는 수율을 최적화하기 위해 사용될 수 있는 조건들의 수많은 변형들 및 조합들이 있다. 그러한 공정 조건들을 최적화하기 위해서는 오직 합리적이고 통상적인 실험만이 필요할 것이다.
표에 제시된 유리 성질들은 유리 기술 분야에서 통상적인 기술들에 따라 결정되었다. 따라서, 25 내지 300℃의 온도 범위에서의 선형 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion, CTE)는 x 10-7/℃로 표현되었으며, 어닐링 점은 ℃로 표현되었다. 상기 CTE는 ASTM 표준 E228에 의거하여 결정되었다. 상기 어닐링 점은, 명시적으로 달리 표시되지 않는다면, ASTM 표준 C598에 따라 빔 벤딩 점도(beam bending viscosity, BBV) 측정 기술로 결정되었다. 그램/cm3로 나타낸 밀도는 아르키메데스법(ASTM C693)을 통해 측정되었다. (유리 용융물이 200 쁘와즈의 점도를 보이는 온도로서 정의된) ℃ 단위의 용융 온도는 회전 실린더 점도계(ASTM C965-81)를 통해 측정된 고온 점도 데이터에 풀처식(Fulcher equation) 피팅을 채용하여 계산되었다.
℃로 된 유리의 액상선 온도는 ASTM C829-81의 표준 구배 보우트 액상선 방법을 이용하여 측정되었다. 이것은 백금 보우트에 분쇄된 유리 입자들을 넣는 단계, 구배 온도의 영역을 갖는 퍼니스에 상기 보우트를 넣는 단계, 24시간 동안 적절한 온도 영역으로 상기 보우트를 가열하는 단계, 및 유리 내부에 결정이 나타나는 최고 온도를 현미경 검사법을 이용하여 결정하는 단계를 수반한다. 더욱 구체적으로, Pt 보우트로부터 상기 유리 샘플을 그대로(in one piece) 제거하여, Pt와 공기의 계면들에 대하여 형성된 그리고 샘플의 내부에 형성된 결정들의 위치 및 성질을 식별하기 위하여 편광 현미경을 이용하여 검사하였다. 퍼니스의 구배가 매우 잘 알려져 있기 때문에, 위치에 따른 온도는 5℃ 내지 10℃ 이내로 잘 추정될 수 있다. 샘플의 내부 부분에서 결정들이 관찰되는 온도가 (대응되는 시험 시기에 대한) 유리의 액상선을 대표하는 것으로 취해졌다. 때때로 더 느린 성장 상들을 관찰하기 위하여 더 긴 시간(예컨대 72 시간)으로 시험이 수행된다. 상기 액상선 온도 및 풀처식의 계수들로부터 쁘와즈 단위의 액상선 점도가 결정되었다.
ASTM E1875-00e1에 제시된 일반적인 유형의 공명 초음파 분광(resonant ultrasonic spectroscopy, RUS) 기술을 이용하여 GPa 단위의 영 모듈러스 및 전단 모듈러스, 그리고 푸아송 비(Poisson's ratio)가 결정되었다.
응력 광학적 계수(stress optical coefficient, SOC) 값들은 "유리 응력-광학적 계수의 측정을 위한 표준 시험 방법" (Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient) 제하의 ASTM 표준 C770-16의 절차 C(유리 디스크 방법)에 제시된 바에 따라 측정될 수 있다.
표 1의 예시적 유리들은 실리카 소스로서 90 중량%가 표준 U.S. 100 메쉬의 체를 통과하도록 밀링된 상용의 모래를 이용하여 제조되었다. 알루미나가 알루미나 소스였고, 페리클레이스(periclase)가 MgO 소스였고, 석회석이 CaO 소스였고, 스트론튬 카보네이트, 스트론튬 나이트레이트, 또는 이들의 혼합물이 SrO의 소스였고, 바륨 카보네이트가 BaO의 소스였고, 산화주석(IV)이 SnO2의 소스였다. 원료 물질들을 완전히 혼합한 후 도가니에서 이중 용융시켰다. 상기 원료 물질들은 혼합된 후, 실리콘 카바이드 글로우바(glowbar)로 가열되는 퍼니스 내에 매달린 백금 용기 내에 장입되고, 1,600℃와 1,650℃ 사이의 온도에서 수 시간 동안 용융 및 교반되고, 상기 백금 용기 바닥의 오리피스를 통해 운반될 수도 있다. 혼합 및 이중 용융 절차들은 균일성을 보장하였다. 그 결과로서 얻어진 유리의 패티(patty)들은 어닐링 점 또는 그 근방에서 어닐링되었으며, 이후 다양한 실험적 방법들을 통해 물리적인 점성 및 액상선 속성들이 결정되었다.
이 방법들은 고유한 것이 아니며, 유리 조성물들은 통상의 기술자들에게 잘 알려진 표준적인 방법들을 이용하여 제조될 수 있다. 이러한 방법들은 연속 용융 공정에서 사용되는 용융기가 가스에 의해, 전력에 의해, 또는 이들의 조합들에 의해 가열되는 상기 연속 용융 공정에서 수행되는 것과 같은, 연속 용융 공정을 포함한다.
예시적인 유리들을 제조하기에 적합한 원료 물질들은 SiO2를 위한 소스로서 상용으로 입수 가능한 모래들; Al2O3를 위한 소스로서 알루미나, 수산화알루미늄, 알루미나의 수화된 형태들, 및 다양한 알루미노실리케이트류, 나이트레이트류, 및 할로겐화물들; B2O3를 위한 소스로서 붕산, 붕산 무수물, 및 붕소 산화물; MgO를 위한 소스로서 페리클레이스, 돌로마이트(CaO의 소스이기도 함), 마그네시아, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 및 다양한 형태의 마그네슘 실리케이트들, 알루미노실리케이트들, 나이트레이트들, 및 할로겐화물들; CaO를 위한 소스로서 석회석, 아라고나이트, 돌로마이트(MgO의 소스이기도 함), 월레스토나이트, 및 다양한 형태의 칼슘 실리케이트들, 알루미노실리케이트들, 나이트레이트들, 및 할로겐화물들; 및 스트론튬 및 바륨의 산화물들, 카보네이트들, 나이트레이트들, 및 할로겐화물들을 포함한다. 화학적 청징제를 필요로 하는 경우, 주석은 SnO2로서 다른 주요 유리 성분과의 혼합된 산화물로서(예컨대, CaSnO3), 또는 산화 조건들에서 SnO, 주석 옥살산염, 주석 할로겐화물, 또는 통상의 기술자들에게 알려진 주석의 다른 화합물들로서 첨가될 수 있다.
예시적인 유리 조성물들은 청징제로서 SnO2를 함유하지만 다른 화학적 청징제들도 TFT 기판 응용들을 위해 충분한 품질의 유리를 얻기 위하여 채용될 수 있다. 예를 들면, 예시적인 유리들은 청징을 용이하게 하기 위한 계획적인 첨가로서 As2O3, Sb2O3, CeO2, Fe2O3, 및 할로겐화물들 중 임의의 하나 또는 조합들을 채용할 수 있을 것이다. 이들 중 어느 것이든 실시예들에 보인 SnO2 화학적 청징제와 함께 사용될 수 있을 것이다. 물론 As2O3와 Sb2O3는 유리 제조의 과정에서 또는 TFT 패널의 처리에서 생성될 수도 있는 것과 같은 폐기 흐름에서 통제되어야 하는 위해 물질로서 일반적으로 인식된다. 따라서 As2O3와 Sb2O3의 농도를 개별적으로 또는 합하여 0.005 몰% 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
예시적인 유리들에 의도적으로 첨가된 원소들에 더하여, 상기 원료 물질들 내의 낮은 수준의 오염을 통해, 제조 공정에서의 내화물들 및 귀금속들의 고온 침식을 통해, 또는 최종 유리의 속성들을 미세 조정하기 위해 낮은 수준으로 의도적으로 도입하는 것을 통해 주기율표의 거의 모든 안정적인 원소들이 일정 수준으로 유리들 내에 존재한다. 예를 들면, 지르코늄이 풍부한 내화물들과의 상호작용을 통해 지르코늄이 오염물로서 도입될 수 있다. 추가적인 예로서, 귀금속류와의 상호작용을 통해 백금과 로듐이 도입될 수 있다. 추가적인 예로서, 원료 물질 내의 트램프(tramp)로서 철이 도입되거나, 또는 기체의 포함물들(inclusions)에 대한 제어를 향상시키기 위해 철이 의도적으로 첨가될 수 있다. 추가적인 예로서, 색상을 제어하기 위해 또는 기체의 포함물들에 대한 제어를 향상시키기 위해 망간이 도입될 수 있다.
수소는 히드록시 음이온, OH-의 형태로 불가피하게 존재하며, 그의 존재는 표준 적외선 분광 기술들을 통해 확인될 수 있다. 용해된 히드록시 이온들은 예시적인 유리들의 어닐링 점에 상당히 그리고 비선형적으로 영향을 미치며, 따라서 원하는 어닐링 점을 얻기 위해서는 보상하도록 주요 산화물 성분들의 농도를 조절하는 것이 필요할 수 있다. 히드록시 이온 농도는 용융 시스템의 선택 또는 원료 물질들의 선택을 통해 어느 정도 제어될 수 있다. 예를 들면, 붕산은 히드록시기들의 주된 소스이며 붕산을 붕소 산화물로 대체하는 것은 최종 유리 내의 히드록시 농도를 제거하기 위한 유용한 수단일 수 있다. 동일한 논리가 히드록시 이온들, 수화물들, 또는 물리흡착되거나 화학흡착된 물 분자들을 포함하는 화합물들을 포함하는 다른 잠재적인 원료 물질들에 적용된다. 만일 용융 공정에서 버너들이 사용된다면, 천연 가스 및 관련 탄화수소류의 연소로부터 연소 생성물들을 통해 히드록시 이온들이 도입될 수도 있다. 따라서 용융에 사용되는 에너지를 버너로부터 보상을 위한 전극으로 전이하는 것이 바람직할 수 있다. 대안적으로, 용존된 히드록시 이온들의 유해한 영향을 보상하도록 주요 산화물 성분들을 조정하는 반복적 공정을 대신하여 채용할 수 있다.
대개는 천연 가스에 황이 존재하며, 마찬가지로, 많은 카보네이트, 나이트레이트, 할로겐화물, 및 산화물 원료 물질들에서 트램프 성분이다. SiO2 형태의 황은 기체의 포함물들 중 고질 원인일 수 있다. SiO2가 풍부한 결함들을 형성하는 경향은 상기 원료 물질 내의 황의 수준을 제어함으로써 그리고 유리 매트릭스 내에 비교적 환원된 다원자가물(reduced multivalent)의 양이온들을 낮은 수준으로 함유시킴으로써 상당한 정도로 관리 가능하다. 이론에 의하여 구속되는 것을 의도하지 않지만, SiO2가 풍부한 기체의 포함물들은 유리 내에 용존된 설페이트(SO4 2-)의 환원을 통해 주로 발생하는 것으로 보인다.
예시적 유리들의 높아진 바륨 농도는 용융의 초기 단계들에서 유리 내의 황의 잔류를 증가시키는 것으로 보이지만, 앞서 언급한 바와 같이, 바륨은 낮은 액상선 온도를 얻기 위하여, 따라서 높은 액상선 점도를 얻기 위하여 필요하다. 원료 물질들 내의 황의 수준을 낮은 수준으로 계획적으로 통제하는 것은 유리 내에 (추정컨대 설페이트로서) 용존된 황을 감소시키기 위한 유용한 수단이다. 특히, 황은 뱃치(batch) 물질 내에 200 중량ppm 미만인 것이 바람직하고, 상기 뱃치 물질 내에 100 중량ppm 미만인 것이 더욱 바람직하다.
환원된 다원자가는 예시적인 유리들이 SO2 블리스터를 형성하는 경향을 통제하기 위하여 사용될 수도 있다. 이론에 의하여 구속되는 것을 의도하지 않지만, 이 원소들은 설페이트의 환원을 위한 기전력을 억제하는 잠재적인 전자 주개로서 거동한다. 설페이트 환원은 다음의 반쪽 반응식으로 서술될 수 있다.
SO4 2- → SO2 + O2 + 2e-
여기서 e-는 전자를 나타낸다. 상기 반쪽 반응식의 "평형 상수"는 다음과 같다.
Keq = [SO2][O2][e-]2/[SO4 2-]
여기서 꺾쇠괄호는 화학적 활동도(chemical activity)를 나타낸다. 이상적으로는 SO2, O2 및 2e-로부터 설페이트를 형성하도록 반응을 강제하고 싶을 것이다. 나이트레이트, 퍼옥사이드, 또는 다른 산소-풍부한 원료 물질들을 첨가하는 것이 도움이 될 수 있지만, 또한 용융의 초기 단계들에서 설페이트 환원에 반하여 작용할 수도 있는데, 이는 우선 이들을 첨가하는 이득에 방해될 수 있다. SO2는 대부분의 유리 내에서 매우 낮은 용해도를 갖고, 따라서 유리 용융 공정에 첨가하는 것은 실용적이지 않다. 전자는 환원된 다원자가물(multivalent)들을 통해 "첨가"될 수 있다. 예컨대 페러스 철(ferrous iron)(Fe2+)에 대한 적절한 전자-공여 반쪽 반응식은 다음과 같이 표현된다.
2Fe2+ → 2Fe3+ + 2e-
전자들의 "활동도"는 설페이트 환원 반응이 왼쪽으로 가도록 하여 유리 내의 SO4 2-를 안정화시킬 수 있다. 적절한 환원된 다원자가물은 Fe2+, Mn2+, Sn2+, Sb3+, As3+, V3+, Ti3+, 및 통상의 기술자들에게 익숙한 다른 것들을 포함하지만 이들에 한정되는 것은 아니다. 각 경우들에서, 유리의 색상에 미치는 유해한 영향을 피하도록 이러한 성분들의 농도를 최소화하는 것이 또는 As와 Sb의 경우에는 그러한 성분들을 최종 사용자의 공정에서 폐기물 관리의 문제를 일으키기에 충분히 높은 수준으로 첨가하는 것을 피하는 것이 중요할 수 있다.
예시적인 유리들의 주요 산화물 성분들, 그리고 위에서 언급된 마이너하거나 트램프 성분들에 더하여, 할로겐화물들이 원료 물질들의 선택을 통해 도입된 오염물로서든지, 또는 유리 내의 기체의 포함물들을 제거하기 위해 의도적으로 사용된 성분들로서든지 다양한 수준으로 존재할 수 있다. 청징제로서, 오프-가스 취급 장치의 부식을 피하기 위하여 가능하다면 더 낮은 함량을 이용하는 것이 대체로 바람직하지만 할로겐화물들은 약 0.4 몰% 이하의 수준으로 포함될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 개별 할로겐 원소들의 농도는 각 개별 할로겐화물에 대하여 약 200 중량ppm 미만 또는 모든 할로겐 원소들의 합에 대하여 약 800 중량ppm 미만이다.
이들 주요 산화물 성분들, 마이너 성분들 및 트램프 성분들, 다원자가물들 및 할로겐화물 청징제들에 더하여, 원하는 물리적, 광학적, 또는 점탄성 성질들을 달성하기 위하여 다른 무색상(colorless) 산화물 성분들을 저농도로 포함하는 것이 유용할 수 있다. 그러한 산화물들은 TiO2, ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, MoO3, WO3, ZnO, In2O3, Ga2O3, Bi2O3, GeO2, PbO, SeO3, TeO2, Y2O3, La2O3, Gd2O3, 및 통상의 기술자들에게 알려진 다른 것들을 포함하지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 예시적인 유리들의 상기 주요 산화물 성분들의 상대적인 비율을 조절하기 위한 반복적인 과정을 통하여, 그러한 무색상 산화물들은 어닐링 점 또는 액상선 점도에 수용 불가능한 영향을 미치지 않으면서 약 2 몰% 이하의 수준으로, 예컨대 0.5 몰% 미만으로 첨가될 수 있다.
표 1은 실험예 1-6("Ex. 1-6")의 조성들을 나타낸다. 표 2는 실험예 7-12("Ex. 7-12")의 조성들을 나타낸다. 표 3은 실험예 13-18("Ex. 13-18")의 조성들을 나타낸다. 표 4는 실험예 19-24("Ex. 19-24")의 조성들을 나타낸다. 예들 1-24는 순서대로 "A" 내지 "X"로도 표시된다. 예들 1-24의 연화점, 어닐링점, 영 모듈러스, 전단 모듈러스, 푸아송 비, 및 경도를 포함하는 물성 데이터도 표 1 내지 표 4에 열거된다. 표 5는 예들 1-6의 액상선 온도 및 액상선 점도를 나타낸다. 표 5는 예들 13-18의 액상선 온도 및 액상선 점도를 나타낸다. 표에서, 표준편차는 "st dev"로 약어화되고, 변동계수(coefficient of variation)는 "COV," 또는 "covar."로 약어화된다.
표 1
Figure pct00001
표 2
Figure pct00002
표 3
Figure pct00003
표 4
Figure pct00004
표 5
Figure pct00005
표 6
Figure pct00006
도 1은 예들 1-3("A" 내지 "C")의 K2O 함량과 액상선 온도 사이의 관계를 나타낸다. 도 2는 예들 1-3("A" 내지 "C")의 K2O 함량과 액상선 점도 사이의 관계를 나타낸다. 도 1 및 도 2에서, 예들 1-3은 EAGLE XG ("EXG")의 상표명으로 코닝 사(Corning Inc.)로부터 상용으로 입수 가능하고 K2O를 포함하지 않는 비교 제품과 비교된다. 제품 EXG는 1140℃의 액상선 온도 및 228,527 쁘와즈의 액상선 점도를 갖는다. 표 5 및 표 6, 그리고 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 개시에서 제공된 유리 조성물은 더 낮은 액상선 온도 및 더 높은 액상선 점도를 갖는다. 상기 액상선 온도는 1,200℃ 이하이다. 예를 들면, 상기 액상선 온도는 약 900℃ 내지 1,185℃, 또는 약 1,000℃ 내지 1,185℃, 900℃ 내지 1,150℃, 또는 약 1,000℃ 내지 1,150℃의 범위에 있도록 조절될 수 있다.
상기 유리 조성물은 100 kPoise 이상의 액상선 점도를 갖는다. 예를 들면, 상기 액상선 점도는 약 200 kPoise 내지 약 400 kPoise, 약 200 kPoise 내지 약 600 kPoise, 약 100 kPoise 내지 약 550 kPoise, 또는 약 200 kPoise 내지 약 450 kPoise, 또는 약 200 kPoise 내지 약 800 kPoise의 범위에 있도록 조절될 수 있다. 액상선 점도에 있어서의 이러한 상승 및 액상선 온도에 있어서의 이러한 감소는 공정에 있어서 상당한 장점을 제공하고 제조 비용도 감소시킨다.
표 1을 참조하면, 상기 유리 조성물은 낮은 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion, CTE)를 갖는다. 예를 들면, 예들 1-6은 20 ℃ 내지 300 ℃의 온도에서 약 30x10-7/℃ 내지 약 62x10-7/℃의 범위, 주로 약 30x10-7/℃ 내지 약 55x10-7/℃의 범위의 CTE를 갖는다.
표 1 내지 표 4에서 알 수 있는 바와 같이, 예시적인 유리들은 AMLCD 기판 응용과 같은 디스플레이 응용에 적합한, 더욱 구체적으로는 저온 폴리실리콘 및 산화물 박막 트랜지스터 응용을 위한 유리를 제조하는 어닐링 점 및 영 모듈러스와 같은 우수한 성질들을 갖는다. 상기 유리들은 산 및 염기 매질 내에서 상용의 AMLCD 기판들로부터 얻어지는 것과 유사한 내구성들을 가지며, 따라서 AMLCD 응용들에 적합한다. 상기 예시적인 유리들은 다운드로(downdraw) 기술을 이용하여 형성될 수 있으며, 특히 퓨전 공정과 양립 가능하다.
또한, 알칼리 금속 산화물이 상당한 수준으로 사용되었음에도 불구하고, 상기 조성물이 전자 장치에 사용될 때 알칼리 금속 이온들과 같은 금속 이온들이 상기 유리 조성물로부터 밖으로 침출되거나 확산되지 않는다.
도 3a 및 도 3b는 상이한 열처리들 후에 있어서의 약 5 몰%의 K2O를 함유하는 예시적인 유리 기판 위에 증착된 A) SiO 필름 및 B) SiN 필름 내의 K의 평균 몰%를 나타낸다. 예시적인 유리 기판은 60.7 몰% SiO2, 17.3 몰% Al2O3, 9.9 몰% SrO, 7.4 몰% P2O5, 4.6 몰% K2O, 및 0.02 몰% SnO2를 포함한다. 이러한 예시적인 조성물은 B2O3가 아닌 P2O5를 포함한다. 이 예시적인 유리 조성물의 결과들은 오직 예시를 위하여 사용된다. 본 개시에 제공된 상기 유리 조성물들은 유사하거나 동일한 결과들을 제공한다.
도 3a 및 도 3b에서, 다음의 열처리 조건들 이후에 필름 내의 K 함량을 측정하였다: 열처리 없음(대조군), 450℃에서 60분간, 550℃에서 40분간, 및 650℃에서 20분간. 이 열처리 조건들은 고객 공정들을 위하여 현실적인 시간 및 온도로 선택되었다. 고순도 용융 실리카(high purity fused silica, HPFS)도 흡착된 표면 K에 대한 기준선을 제공하기 위한 환경에서 고유(endemic) K 오염을 결정하기 위하여 3번 측정하였다. SIMS 측정의 감지 한계는 0.002 몰% K이다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 예시적인 유리 기판 상에 증착된 SiO 필름 및 SiN 필름 내의 K 함량은 열처리 없이도 또는 상이한 열처리들 후에도 감지 한계 미만이었다. 상기 결과들은 상기 유리 조성물로부터 그 위에 증착된 필름 속으로의 칼륨의 상당한 확산이 없음을 나타낸다.
본 발명 주제가 예시적인 실시예들을 통해 설명되었지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 첨부된 청구항들은 통상의 기술자들에 의하여 이루어질 수 있는 다른 변형들 및 실시예들을 포함하도록 넓게 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 약 50 몰% 내지 약 75 몰%의 SiO2;
    11.1 몰% 내지 약 25 몰%의 Al2O3;
    약 1.5 몰% 내지 약 10 몰%의 B2O3;
    약 0.5 몰% 내지 약 20 몰%의 R2O;
    0 몰% 내지 약 12 몰%의 MgO;
    0 몰% 내지 약 10 몰%의 CaO;
    0 몰% 내지 약 1.5 몰%의 SrO; 및
    0 몰% 내지 약 5 몰%의 BaO;
    를 포함하는 유리 조성물로서,
    R2O는 K2O, Rb2O, Cs2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 알칼리 금속 산화물이고,
    상기 유리 조성물은 총 약 1 몰% 내지 약 20 몰%의 R'O를 포함하고,
    R'O는 MgO, CaO, SrO, BaO, 및 이들의 임의의 조합을 포함하는 유리 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    Al2O3의 함량은 약 11.5 몰% 내지 약 25 몰%, 약 12 몰% 내지 약 25 몰%, 약 13 몰% 내지 약 25 몰%, 약 14 몰% 내지 약 25 몰%, 약 15 몰% 내지 약 25 몰%, 약 11.5 몰% 내지 약 25 몰%, 약 11.5 몰% 내지 약 18 몰%, 약 12 몰% 내지 약 20 몰%, 또는 약 12 몰% 내지 약 18 몰%의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 알칼리 금속 산화물(R2O)이 K2O인 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 알칼리 금속 산화물(R2O)의 함량이 약 0.5 몰% 내지 약 10 몰%, 약 1 몰% 내지 약 10 몰%, 약 0.9 몰% 내지 약 7.1 몰%, 약 0.5 몰% 내지 약 8 몰%, 약 2 몰% 내지 약 8 몰%, 또는 약 3 몰% 내지 약 8 몰%의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    Li2O, Na2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 0 몰% 내지 약 2 몰%의 추가적인 알칼리 금속 산화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    SiO2의 함량이 약 50 몰% 내지 약 60 몰%, 약 54 몰% 내지 약 68 몰%, 약 60 몰% 내지 약 75 몰%, 또는 약 60 몰% 내지 약 70 몰%의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    MgO의 함량이 약 7 몰% 내지 약 12 몰%의 범위를 갖고, SrO의 함량이 약 0.1 몰% 내지 약 1 몰%의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    R'O/Al2O3의 몰비는 약 0.8 내지 약 1.5의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서,
    R'O/Al2O3의 몰비는 약 0.9 내지 약 1.1, 약 0.8 내지 약 1, 또는 약 1 내지 약 1.25의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  10. 제 1 항에 있어서,
    20℃ 내지 300℃의 온도에서 약 10x10-7/℃ 내지 약 55x10-7/℃ 범위의 열팽창 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    1200℃ 이하의 액상선 온도(liquidus temperature)를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  12. 제 1 항에 있어서,
    100 킬로쁘와즈(kPoise) 이상의 액상선 점도(liquidus viscosity)를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  13. 약 54 몰% 내지 약 68 몰%의 SiO2;
    11.1 몰% 내지 약 18 몰%의 Al2O3;
    약 2 몰% 내지 약 9 몰%의 B2O3;
    약 8 몰% 내지 약 16 몰%의 R2O;
    0 몰% 내지 약 12 몰%의 MgO;
    0 몰% 내지 약 10 몰%의 CaO;
    0 몰% 내지 약 1.5 몰%의 SrO; 및
    0 몰% 내지 약 5 몰%의 BaO;
    를 포함하는 유리 조성물로서,
    R2O는 K2O, Rb2O, Cs2O, 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 알칼리 금속 산화물이고,
    상기 유리 조성물은 총 약 1 몰% 내지 약 15 몰%의 R'O를 포함하고,
    R'O는 MgO, CaO, SrO, BaO, 및 이들의 임의의 조합을 포함하는 유리 조성물.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 알칼리 금속 산화물(R2O)이 K2O인 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  15. 제 13 항에 있어서,
    MgO의 함량이 약 7 몰% 내지 약 12 몰%의 범위를 갖고, SrO의 함량이 약 0.1 몰% 내지 약 1 몰%의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  16. 제 13 항에 있어서,
    R'O/Al2O3의 몰비는 약 0.8 내지 약 1의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유리 조성물.
  17. 제 1 항의 유리 조성물을 포함하는 유리 물품.
  18. 제 1 항의 유리 조성물을 포함하는 유리 기판을 포함하거나, 또는 제 1 항의 유리 조성물을 포함하는 디스플레이 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 유리 조성물 또는 상기 유리 기판은 디스플레이 응용을 위한 전자 장치의 커버 또는 백플레인(backplane)인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  20. 제 13 항의 유리 조성물을 포함하는 유리 물품을 포함하거나, 또는 제 13 항의 유리 조성물을 포함하는 디스플레이 장치.

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