TW202108529A - 含氧化釔的玻璃基板 - Google Patents

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Abstract

一種玻璃基板，包括：約45莫耳%至約70莫耳%的SiO2 、約15莫耳%至約30莫耳%的Al2 O3 、約7莫耳%至約20莫耳%的Y2 O3 及視情況0莫耳%至約9莫耳%的La2 O3 。所述玻璃基板具有高模數及破壞韌性。

Description

含氧化釔的玻璃基板
本申請案依專利法主張2019年6月19日提申之美國臨時專利申請案第62/863,550號之優先權，本申請案基於該美國臨時專利申請案，且該美國臨時專利申請案的全文以引用方式併入本文。
大體而言，本揭示內容與玻璃組成物有關。更具體而言，本案揭示之標的涉及具有高模數及破壞韌性之玻璃基板。
由諸如玻璃等光學透明材料製成的平坦或彎曲基板用於平坦面板顯示器、光伏裝置和其他合適的應用。薄膜電晶體(TFT)可建立於玻璃基板上用於顯示應用。為了滿足處理和性能要求，用於顯示應用的玻璃組成物需要具有光學清晰度、良好的熱和機械性能還有尺寸穩定性。此外，金屬離子擴散到薄膜電晶體內會損壞電晶體，因此需要避免。
硬玻璃還用於資訊記錄碟片，如磁碟片、光碟片和硬碟機（HDD）中的記憶碟片。對記憶碟片中更高的資料儲存容量和性能的需求也驅使了對具有改善的性能之玻璃組成物的需求。
玻璃是一種脆性材料，在使用過程中有時會破裂。市售玻璃的破壞韌性通常為接近0.8 MPa*m0.5 或低於0.8 MPa*m0.5 。仍然需要獲得具有高破壞韌性的玻璃以改善抗損傷性及/或掉落表現(drop performance)。
本揭示內容提供了玻璃組成物、玻璃基板、製造其之方法和使用其之方法。本揭示內容還提供了包含這種玻璃組成物或玻璃基板之製品，以及包含這種玻璃基板(其具有這種玻璃組成物)之裝置。
根據一些實施例，玻璃基板包含： 約45莫耳%至約70莫耳%的SiO2 ； 約15莫耳%至約30莫耳%的Al2 O3 ； 約7莫耳%至約20莫耳%的Y2 O3 ；以及 視情況0莫耳%至約9莫耳%的La2 O3 。
在一些實施例中，玻璃基板包含約27莫耳%至約43莫耳%的R2 O3 ，且其中R2 O3 總共包含Al2 O3 、Y2 O3 及La2 O3 。R2 O3 含量的適當範圍之實例包括，但不限於：約28莫耳%至約40莫耳%、約30莫耳%至約40莫耳%或約32莫耳%至約38莫耳%。在一些實施例中，玻璃基板的[(Y2 O3 +La2 O3 )/Al2 O3 ]莫耳比在從約0.3至約1.7的範圍內，例如，從約0.5至約1.7，或從約1至約1.5。
在玻璃基板中，存在任何適當範圍之SiO2 。適當範圍的實例包括，但不限於：約50莫耳%至約70莫耳%、約52莫耳%至約70莫耳%、約52莫耳%至約66莫耳%、約54莫耳%至約66莫耳%或約60莫耳%至約66莫耳%。
在一些實施例中，Al2 O3 的含量等於或高於15莫耳%。Al2 O3 之適當範圍的實例包括，但不限於：約16莫耳%至約30莫耳%、約17莫耳%至約30莫耳%、約18莫耳%至約30莫耳%、約18莫耳%至約28莫耳%或約18莫耳%至約25莫耳%。
在一些實施例中，Y2 O3 的含量等於或高於7莫耳%。Y2 O3 之適當範圍的實例包括，但不限於：約8莫耳%至約20莫耳%、約9莫耳%至約20莫耳%、約7莫耳%至約16莫耳%、約7莫耳%至約15莫耳%、約8莫耳%至約16莫耳%或約10莫耳%至約16莫耳%。
視情況存在La2 O3 。La2 O3 的適當範圍之實例包括，但不限於：約0.1莫耳%至約9莫耳%、約1莫耳%至約9莫耳%、約2莫耳%至約9莫耳%或約3莫耳%至約9莫耳%。當玻璃基板包含La2 O3 時，此類玻璃基板不含有B2 O3 。
在一些其他實施例中，玻璃基板進一步包含0莫耳%至約6莫耳%的B2 O3 ，例如，0.1莫耳%至約6莫耳%的B2 O3 ，或0.1莫耳%至約1莫耳%的B2 O3 。當加入B2 O3 時，玻璃基板實質上不含La2 O3 。
玻璃基板可進一步包含0莫耳%至約6莫耳%的MgO，例如，0至約5莫耳%、0至約4莫耳%、0至約3莫耳%、約0.1%至約5莫耳%、約0.1%至約4莫耳%、約0.1莫耳%至約3莫耳%。
玻璃基板還可進一步包含0莫耳%至約12莫耳%的鹼金屬氧化物，如Li2 O、Na2 O、K2 O或前述者之組合。
在一些實施例中，(Al2 O3 –R2 O–RO)的莫耳百分比差值在約7至約22的範圍內，例如，約7.1至約21.6、約10至約20或約15至約20。R2 O包含鹼金屬氧化物，其選自由Na2 O、K2 O及前述者之任何組合所組成之群組。RO包含鹼土族金屬氧化物，其選自由MgO、SrO、BaO及前述者之任何組合所組成之群組。玻璃基板實質上不含CaO。
在一些實施例中，除了CaO之外，玻璃基板實質上不含CaO、Eu2 O3 、Nb2 O3 、Si3 N4 、WO3 、ZrO4 及TiO2 。
根據一些實施例，本揭示內容提供了基本上由以下成分組成之玻璃基板： 約45莫耳%至約70莫耳%的SiO2 ； 約15莫耳%至約30莫耳%的Al2 O3 ； 約7莫耳%至約20莫耳%的Y2 O3 ； 0莫耳%至約9莫耳%的La2 O3 ； 0莫耳%至約6莫耳%的MgO；以及 0莫耳%至約12莫耳%的鹼金屬氧化物，其選自由Li2 O、Na2 O、K2 O及前述者之組合所組成之群組。
玻璃基板包含約27莫耳%至約43莫耳%的R2 O3 ，其中R2 O3 總共包含Al2 O3 、Y2 O3 及La2 O3 。玻璃基板具有之[(Y2 O3 +La2 O3 )/Al2 O3 ]的莫耳比在從約0.3至約1.7的範圍內。如本文所述，La2 O3 、B2 O3 、MgO及鹼金屬氧化物(如Na2 O及K2 O)為視情況存在的。在一些實施例中，當組成物包含La2 O3 時，這樣的組成物實質上不含B2 O3 。
本揭示內容中提供的玻璃基板具有易於處理等良好特性和包括高模數及高破壞韌性等的優異機械特性。在一些實施例中，玻璃基板具有之破壞韌性(KIC )在從約0.87至約2.0 MPa.m0.5 的範圍內。玻璃基板也具有在約100 GPa至約140 GPa的範圍內之楊氏模數，及在約30 GPa至約60 GPa的範圍內之剪切模數。
本揭示內容中提供之玻璃基板具有能提供這種破壞韌性及高模數之非晶結構。然而，在一些其他實施例中，玻璃基板可被製成晶體結構以具有進一步改善的模數和破壞韌性。
在其他態樣中，本揭示內容亦提供本文所述之玻璃基板的製造方法及使用方法、包含此類玻璃基板之玻璃製品(或組件)及包含玻璃基板或玻璃製品之裝置。
玻璃製品的實例包括，但不限於：面板、基板、資訊記錄碟片或記憶碟片、蓋體、背板及用於電子裝置中之任何其他組件。舉例而言，在一些實施例中，玻璃組成物或玻璃基板可用作記憶碟片之基板或用作顯示裝置中之蓋體或背板之基板。
欲結合附圖閱讀示例性實施例之此描述，這些附圖被認為是整個書面描述的一部分。為了在下文中描述之目的，應當理解，以下描述之實施例可以採取替代的變體和實施例。還應理解，本文所述的具體製品、組成物及/或方法是示例性的，不應視為限制性的。本揭示內容中引用的所有文獻均藉由引用併入本文。
諸如「包括(include、including)」、「含有(contain、containing)」之類的開放式術語意指「包含(comprising)」。這些開放式過渡短語用於引入元件、方法步驟等的開放式列表，其不排除額外、未記載的元件或方法步驟。應當理解，無論用語言「包含」來描述任何實施例，都還提供了以「由…組成(consisting of)」及/或「基本上由…組成(consisting essentially of)」來描述之類似實施例。
過渡短語「由…組成」及其變體排除了未記載的任何元件、步驟或成分，通常與之相關的雜質除外。
過渡短語「基本上由…組成(consists essentially of)」或諸如「基本上由…組成(consist essentially of、consisting essentially of)」等變體排除了未記載的任何元件、步驟或成分，除了那些不會實質性改變所指涉之方法、結構或組成物的基本或新穎特性的元件、步驟或成分以外。
在本揭示內容中，單數形式「一」及「該」包括複數參照，且對特定數值的參照至少包括該特定數值，除非上下文另有明確指示。當藉由使用先行詞「約」將值表示為近似值時，將理解到特定值形成另一個實施例。如本文所用，「約X」（其中X是數值）較佳地指稱所列舉的值的±10%（含）。例如，短語「約8」較佳地指稱7.2至8.8（含端點）的值。當存在時，所有範圍都是包含在內的且可組合的。例如，當記載範圍「1至5」時，所記載的範圍應解釋為包括範圍「1至4」、「1至3」、「1至2」、「1至2及4至5」、「1至3及5」、「2至5」等等。此外，當正面地提供替代者列表時，這種列表可解釋為意指可例如藉由申請專利範圍中之負面限制來排除任何替代者。例如，當記載「1至5」的範圍時，所記載之範圍可被解釋為包括其中1、2、3、4或5中的任何一個被負面排除的情況；因此，「1至5」的記載可被解釋為「1及3至5」但不包括「2」，或簡化為「其中不包括2。」換言之，在本文中明確陳述的任何部件、元素、屬性或步驟都可以在申請專利範圍中明確排除，無論這些部件、元素、屬性或步驟是作為替代者列出還是獨自記載。
如本文所使用的術語「實質上」、「實質上地」及其變體欲註解所描述的特徵等於或近似等於某值或描述。並且，「實質上相似」欲表示兩個值相等或約略相等。在一些實施例中，「實質上相似」可表示彼此之間約10%之內的值，例如彼此之間約5%之內或彼此之間約2%之內的值。
本揭示內容提供了玻璃組成物、製造其之方法和使用其之方法。本揭示內容還提供了包含這種玻璃組成物之玻璃基板或製品，以及包含這種玻璃組成物或玻璃基板之裝置，所述玻璃基板具有這種玻璃組成物。此類玻璃組成物包含本文所述之成分，包括高含量的Al2 O3 還有Y2 O3 。如本文所述，令人驚訝地發現，此類玻璃組成物除了具有本文所述的其他理想性質之外，還提供了高模數和高破壞韌性。
在一些實施例中，基板在光學上為透明的。基板的實例包括，但不限於：平坦或彎曲的玻璃面板。
除非另有明確說明，否則本文所用的術語「玻璃製品」或「玻璃」應理解為包括全部或部分由玻璃製成的物體。玻璃製品包括單塊基板，或玻璃和玻璃、玻璃和非玻璃材料、玻璃和結晶材料及玻璃和玻璃陶瓷(包括非晶相和晶相)的層疊。
諸如玻璃面板之玻璃製品可以是平坦的或彎曲的，並且是透明的或實質上透明的。如本文所用，術語「透明的」欲表示厚度約略1 mm的製品在光譜的可見光區域(400至700 nm)中具有大於約85%的透射率。舉例來說，範例透明玻璃面板在可見光範圍中可具有大於約85%的透射率，如大於約90%、大於約95%或大於約99%的透射率，包括其間的所有範圍及子範圍。根據多種實施例，玻璃製品在可見區域中可具有小於約50%的透射率，如小於約45%、小於約40%、小於約35%、小於約30%、小於約25%或小於約20%，包括其間的所有範圍及子範圍。在某些實施例中，範例玻璃面板在紫外光(UV)區域(100至400 nm)中可具有大於約50%的透射率，如大於約55%、大於約60%、大於約65%、大於約70%、大於約75%、大於約80%、大於約85%、大於約90%、大於約95%或大於約99%的透射率，包括其間的所有範圍及子範圍。
範例玻璃可包括，但不限於：鋁矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼金屬硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼金屬鋁硼矽酸鹽和其他合適的玻璃。在一些實施例中，可藉由以下方式來機械地強化玻璃製品：利用製品各部分之間的熱膨脹係數不匹配，以產生壓縮應力區域和表現拉伸應力之中央區域。在一些實施例中，可藉由以下方式熱強化玻璃製品：將玻璃加熱至玻璃轉變點(glass transition point)以上之溫度然後快速淬火。在一些其他實施例中，可藉由離子交換來化學強化玻璃製品。
如本文所用，術語「軟化點」意指玻璃組成物的黏度為1×107.6 泊的溫度。
如本文所用，術語「退火點」意指玻璃組成物的黏度為1×1013.18 泊之溫度。
如本文所用，術語「應變點」及「Tstrain 」意指玻璃組成物的黏度為3×1014.68 泊之溫度。
玻璃的液相溫度(Tliq )是指在該溫度(o C)以上，在平衡中沒有與玻璃共存之晶相。液相黏度為玻璃在液相溫度下之黏度。
如本文所用之術語「CTE」指的是在從約室溫(RT)至約300°C之溫度範圍裡之玻璃組成物的熱膨脹係數。
可以使用本案所屬技術領域中已知的方法來測量破壞韌性，例如，根據ASTM C1421-10，「用於確定高級陶瓷在環境溫度下的斷裂韌性的標準測試方法」，使用V形缺口(chevron notch)、短棒、缺口束(notched beam)等。此揭示內容記載之破壞韌性值(K1C )指的是由V形缺口短棒(chevron notched short bar；CNSB)法所測量的值，所述V形缺口短棒法揭示於Reddy, K. P. R等人之「使用V形缺口樣品之玻璃及陶瓷材料之破壞韌性測量(Fracture Toughness Measurement of Glass and Ceramic Materials Using Chevron-Notched Specimens)」，J. Am. Ceram. Soc.，71 [6]，C-310-C-313 (1988)中，不同之處在於使用Bubsey, R. T.等人之「基於實驗順應性測量之V型缺口短棒和短桿試樣的裂紋口位移和應力強度因子的閉式表達式(Closed-Form Expressions for Crack-Mouth Displacement and Stress Intensity Factors for Chevron-Notched Short Bar and Short Rod Specimens Based on Experimental Compliance Measurements)」，NASA Technical Memorandum 83796，pp. 1-30 (October 1992)的公式5來計算Y*m 。
本揭示內容記載之楊氏模數值、剪切模數及帕松比指的是由ASTM E2001-13中所描述，標題為「用於金屬和非金屬部件二者中之瑕疵偵測的共振超音頻譜之標準指南(Standard Guide for Resonant Ultrasound Spectroscopy for Defect Detection in Both Metallic and Non-metallic Parts)」之通用類型的共振超音頻譜技術測量之值(轉換為GPa)。
可以標題為「用於玻璃應力光學係數之量測的標準測試方法(Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient)」之ASTM標準C770-16中所描述的程序C (玻璃盤方法)來量測應力光學係數(stress optical coefficient；SOC)值。
在本文所述之玻璃組成物的實施例中，在本文所述之玻璃組成物的實施例中，除非另有指明，否則以氧化物的莫耳百分數(莫耳%)指定構成組分(例如SiO2 、Al2 O3 等)的濃度。
當用於描述玻璃組成物中特定構成組分的濃度及/或不存在時，術語「不含(free)」和「實質上不含」是指所述構成組分並非故意添加到玻璃組成物中。然而，作為污染物或雜質，玻璃組成物可含有小於0.01莫耳%的量之構成組分的痕量。
美國專利申請案第2014/0141226號揭示可離子交換的玻璃，其具有高硬度及高彈性模數，並描述含有大組成範圍的氧化釔之鋁矽酸鈉玻璃具有相分離(phase separation)或去玻作用。舉例而言，根據美國專利申請案第2014/0141226號的第1圖所示之三元相圖，當Al2 O3 的含量在約15莫耳%至約22莫耳%的範圍內，且氧化釔的含量在約7莫耳%以上時，會發生相分離；當氧化釔的含量在約22.5莫耳%以上時，會發生去玻作用。美國專利申請案第2014/0141226號提供具有至多7莫耳%的Y2 O3 之玻璃組成物，因此避免了這樣的去玻作用。
美國專利申請案第2018/0022635號揭示玻璃組成物及具有高破壞韌性之玻璃製品，其包含選自由La2 O3 、BaO、Ta2 O5 、Y2 O3 及HfO2 所組成之群組中的一或多種，特別是兩種或更多種金屬氧化物。在此類玻璃系製品中Al2 O3 的含量在從約1莫耳%至約15莫耳%的範圍內。
本揭示內容提供了包含如本文所述之成分的玻璃組成物或玻璃基板，包括高含量的Al2 O3 ，還有Y2 O3 。令人驚訝地發現，此類玻璃組成物提供了具有良好品質並具有期望性質(包括高模數和高破壞韌性)之玻璃係製品。
根據一些實施例，玻璃基板包含： 約45莫耳%至約70莫耳%的SiO2 ； 約15莫耳%至約30莫耳%的Al2 O3 ； 約7莫耳%至約20莫耳%的Y2 O3 ；以及 視情況0莫耳%至約9莫耳%的La2 O3 。
在一些實施例中，玻璃基板包含約27莫耳%至約43莫耳%的R2 O3 ，且其中R2 O3 總共包含Al2 O3 、Y2 O3 及La2 O3 。適當範圍的實例包括，但不限於：從約28莫耳%至約40莫耳%、約30莫耳%至約40莫耳%或約32莫耳%至約38莫耳%。在一些實施例中，玻璃基板具有之[(Y2 O3 +La2 O3 )/Al2 O3 ]的莫耳比在從約0.3至約1.7的範圍內，例如，從約0.5至約1.7或從約1至約1.5。
在本文所述之玻璃基板的實施例中，SiO2 是組成物之最大成分，且因此，是玻璃網絡之主要成分。可用SiO2 來獲得期望的液相黏度，同時補償(offset)添加至組成分之Al2 O3 的量。
在玻璃基板中，存在任何適當範圍之SiO2 。適當範圍的實例包括，但不限於：約50莫耳%至約70莫耳%、約52莫耳%至約70莫耳%、約52莫耳%至約66莫耳%、約54莫耳%至約66莫耳%或約60莫耳%至約66莫耳%。
本文描述之玻璃基板進一步包括相對高含量之Al2 O3 。在一些實施例中，Al2 O3 的含量等於或高於15莫耳%。Al2 O3 之適當範圍的實例包括，但不限於：約16莫耳%至約30莫耳%、約17莫耳%至約30莫耳%、約18莫耳%至約30莫耳%、約18莫耳%至約28莫耳%或約18莫耳%至約25莫耳%。
為了達到高模數和高破壞韌性，本文所述之實施例中的玻璃基板亦包含Y2 O3 、La2 O3 或前述者之組合。
在一些實施例中，Y2 O3 的含量等於或高於7莫耳%。Y2 O3 的適當範圍之實例包括，但不限於：約8莫耳%至約20莫耳%、約9莫耳%至約20莫耳%、約7莫耳%至約16莫耳%、約7莫耳%至約15莫耳%、約8莫耳%至約16莫耳%或約10莫耳%至約16莫耳%。
視情況存在La2 O3 。La2 O3 的適當範圍之實例包括，但不限於：約0.1莫耳%至約9莫耳%、約1莫耳%至約9莫耳%、約2莫耳%至約9莫耳%或約3莫耳%至約9莫耳%。當玻璃基板包含La2 O3 時，此類玻璃基板不含有B2 O3 。
在一些其他實施例中，玻璃基板進一步包含0莫耳%至約6莫耳%的B2 O3 ，例如，0.1莫耳%至約6莫耳%的B2 O3 或0.1莫耳%至約1莫耳%的B2 O3 。當加入B2 O3 時，玻璃基板實質上不含La2 O3 。B2 O3 及La2 O3 不會一起添加至相同配方中。
玻璃基板可進一步包含0莫耳%至約6莫耳%的MgO，例如，0至約5莫耳%、0至約4莫耳%、0至約3莫耳%、約0.1%至約5莫耳%、約0.1%至約4莫耳%、約0.1莫耳%至約3莫耳%。
玻璃基板還可進一步包含0莫耳%至約12莫耳%的鹼金屬氧化物，如Li2 O、Na2 O、K2 O或前述者之組合。Li2 O、Na2 O、K2 O或前述者之組合的適當範圍之實例包括，但不限於：0.1莫耳%至約12莫耳%、0.1莫耳%至約10莫耳%、0.1莫耳%至約8莫耳%、0.1莫耳%至約5莫耳%。在一些實施例中，Li2 O、Na2 O及K2 O的總含量小於13%。在一些實施例中，玻璃基板實質上不含鹼金屬氧化物。
在一些實施例中，(Al2 O3 –R2 O–RO)的莫耳百分比差值在約7至約22的範圍內，例如，約7.1至約21.6、約10至約20或約15至約20。R2 O包含鹼金屬氧化物，其選自由Na2 O、K2 O及前述者之任何組合所組成之群組。RO包含鹼土族金屬氧化物，其選自由MgO、SrO、BaO及前述者之任何組合所組成之群組。玻璃基板實質上不含CaO。
在一些實施例中，除了CaO之外，玻璃基板實質上不含CaO、Eu2 O3 、Nb2 O3 、Si3 N4 、 WO3 、ZrO4 及TiO2 。
根據一些實施例，本揭示內容提供了基本上由以下成分組成之玻璃基板： 約45莫耳%至約70莫耳%的SiO2 ； 約15莫耳%至約30莫耳%的Al2 O3 ； 約7莫耳%至約20莫耳%的Y2 O3 ； 0莫耳%至約9莫耳%的La2 O3 ； 0莫耳%至約6莫耳%的MgO；以及 0莫耳%至約12莫耳%的鹼金屬氧化物，其選自由Li2 O、Na2 O、K2 O及前述者之組合所組成之群組。
玻璃基板包含約27莫耳%至約43莫耳%的R2 O3 ，其中R2 O3 總共包含Al2 O3 、Y2 O3 及La2 O3 。玻璃基板具有之[(Y2 O3 +La2 O3 )/Al2 O3 ]的莫耳比在從約0.3至約1.7的範圍內。如本文所述，La2 O3 、B2 O3 、MgO及鹼金屬氧化物(如Na2 O及K2 O)為視情況存在的。La2 O3 及B2 O3 不會共同存在於玻璃基板中。
根據一些實施例，本揭示內容提供了基本上由以下成分組成之玻璃基板： 約45莫耳%至約70莫耳%的SiO2 ； 約15莫耳%至約30莫耳%的Al2 O3 ；以及 約7莫耳%至約20莫耳%的Y2 O3 。
本揭示內容中提供的玻璃基板具有易於處理等良好特性和包括高模數及高破壞韌性等的優異機械特性。在一些實施例中，玻璃基板的破壞韌性(KIC )在從約0.87 MPa.m0.5 至約2 MPa.m0.5 的範圍內，例如，約0.87 MPa.m0.5 至約1.5 MPa.m0.5 、約0.87 MPa.m0.5 至約1.2 MPa.m0.5 或0.87至約1.07 MPa.m0.5 。
在一些實施例中，玻璃系製品可具有以下破壞韌性值：約0.87 MPa*m0.5 、約0.9 MPa*m0.5 、約1 MPa*m0.5 、約1.1 MPa*m0.5 、約1.2 MPa*m0.5 、約1.3 MPa*m0.5 、約1.4 MPa*m0.5 、約1.5 MPa*m0.5 、約1.6 MPa*m0.5 、約1.8 MPa*m0.5 、約2 MPa*m0.5 ，或介於指定值之間的任何範圍。
玻璃基板亦提供在約100 GPa至約140 GPa的範圍內之楊氏模數，例如，約100 GPa至約130 GPa、約100 GPa至約120 GPa、約105 GPa至約120 GPa、約110 GPa至約120 GPa。
玻璃基板亦提供在以下範圍內之剪切模數：約30 GPa至約60 GPa、約35 GPa至約50 GPa、約39 GPa至約50 GPa或約40 GPa至約50 GPa。
在另一態樣中，本揭示內容亦提供本文所述之玻璃基板的製造方法及使用方法。可藉由涉及熔融和混合單獨的氧化物之方法來製備玻璃系製品。然而，在一些實施例中，可利用「混淆原理(confusion principle)」來最大化混合熵(mixing entropy)，例如，以抑制結晶。
本揭示內容中提供之玻璃基板具有能提供這種破壞韌性及高模數之非晶結構。然而，在一些其他實施例中，玻璃基板可被製成晶體結構以具有進一步改善的模數和破壞韌性。
本揭示內容亦提供了包含此類玻璃基板之玻璃製品(或組件)，以及包含玻璃基板或具有玻璃基板的玻璃製品之裝置。
玻璃製品的實例包括，但不限於：面板、基板、資訊記錄碟片或記憶碟片、蓋體、背板及用於電子裝置中之任何其他組件。舉例而言，在一些實施例中，玻璃組成物或玻璃基板可用作記憶碟片之基板或用作顯示裝置中之蓋體或背板之基板。
除了高楊氏模數及高破壞韌性以外，本揭示內容提供之玻璃基板還具有高硬度，且在相應的高應變/退火點處具有相對低的軟化點。維氏硬度(VHN，200 g荷載)可在從700至850的範圍內，例如，750至850，或767至818。在890至1050°C之軟化點處，相應的應變/退火點(Δ軟化-應變Pt)可在從190至300的範圍內，例如，190至270)。在相應的高應變/退火點處顯示出相對較低的軟化點。
從需要高楊氏模數（剛度）的記憶碟片到顯示應用等各種應用中都需要具有這些機械屬性的玻璃。對顯示器而言，高楊氏模數可最小化薄膜應力的影響，而高應變及退火點可最小化應力及低溫鬆弛(low temperature relaxation)，當玻璃在薄膜電晶體沉積期間進行後續處理時，這兩者都是關鍵。就這兩種應用而言，對於給定的缺陷尺寸群體(flaw size population)，玻璃的高破壞韌性導致強度提高。這些組成物解決的挑戰是長期的，並且過去已經利用有利的機械特性來解決。本揭示內容提供了獨特的玻璃基板，所述玻璃基板被設計為利用網絡修飾劑(network modifier)的高陽離子場強度(cationic field strength)來實現本文所述的高模數、高破壞韌性和高硬度。
玻璃基板的密度相對較高，例如，在從2.8 g/cm3 至3.9 g/cm3 的範圍內。玻璃基板具有相對較高的折射率(達1.708)。
本揭示內容提供之玻璃基板具有低應力光學係數(SOC)，其低於約4布魯斯特(Brewster)，例如，在從約1布魯斯特至約4布魯斯特的範圍內。如本案所屬技術領域中具通常知識者可理解的，SOC與玻璃的雙折射性有關。玻璃基板可具有約1布魯斯特至約3布魯斯特或約1.5布魯斯特至約2.5布魯斯特之SOC。在一些實施例中，SOC可低至約1.7。
在一些實施例中，玻璃基板具有以下範圍內之熱膨脹係數(CTE) (22至300o C)：約10 x10-7 /ºC至約60 x10-7 /ºC，例如，在約30 x10-7 /ºC至約56 x10-7 /ºC之範圍內，或在約35 x10-7 /ºC至約55 x10-7 /ºC之範圍內。
實例
闡述以下實例以說明根據所揭示之標的的方法和結果。這些實例並不欲包括本文所揭示之標的的所有實施例，而是用於說明代表性方法和結果。這些實例並不欲排除對本案所屬技術領域中具通常知識者而言顯而易見之本揭示內容的等效物和變體。
已經努力確保關於數字(如，含量、溫度等等)的準確性，但仍應考慮一些誤差和偏差。除非另有指明，否則溫度均以ºC計或為環境溫度，且壓力為大氣壓或接近大氣壓。組成物本身以基於氧化物的莫耳百分比給定，並已標準化至100%。反應條件有多種變化和組合，例如組分濃度、溫度、壓力和可用於優化從所述方法獲得之產物純度和產率之其他反應範圍及條件。僅需合理且常規的實驗即可優化此類製程條件。
根據玻璃領域中的常規技術來測定表1至7中列出的玻璃性質。因此，以x 10-7 /ºC來表示在25o C至300o C之溫度範圍內的線性熱膨脹係數(CTE)，並以ºC來表示退火點。根據ASTM標準E228來測定CTE。除非另有指明，否則依循ASTM標準C336，由纖維伸長技術(fiber elongation technique)測定退火點。藉由阿基米德法(ASTM C693)來測量以grams/cm3 表示之密度。利用Fulcher方程式計算以ºC表示之熔融溫度(界定為玻璃熔體呈現200泊黏度之溫度)，Fulcher方程式與由旋轉圓柱黏度測定法(rotating cylinders viscometry) (ASTM C965-81)所測量之高溫黏度數據相符。
使用ASTM C829-81的標準梯度舟液相線法(standard gradient boat liquidus method)來測量以ºC表示之玻璃的液相溫度。這涉及：將碎玻璃顆粒放在鉑舟(platinum boat)中、將舟安置在具有梯度溫度區域的爐中、在適當的溫度範圍內將舟加熱達24小時，並藉由顯微鏡檢驗方式測定晶體出現在玻璃內部時之最高溫度。更具體而言，自Pt舟整塊移出玻璃樣品，並使用偏光顯微術進行檢驗，以確定抵著鉑及空氣界面及在樣品內部形成之晶體的位置及性質。由於爐中梯度已廣為人知，因此可易於估算溫度與位置之對比，誤差在5至10o C內。取在樣品內部部分觀測到晶體時之溫度，以表示玻璃的液相線(就對應測試期間而言)。有時以更長時間執行測試(例如72小時)，以便觀測較慢生長的相。從液相溫度及Fulcher方程式之係數測定以泊計之液相黏度。
使用ASTM E1875-00e1中所述之通用類型的共振超音頻譜技術來測定以GPa表示之楊氏模數值。
範例玻璃顯示在表1至7中。使用商用沙(commercial sand)作為二氧化矽源來製備範例玻璃，經研磨以使90重量%的商用沙通過標準U.S. 100目篩。氧化鋁是氧化鋁的來源，且方鎂石是MgO的來源。根據配方，還可使用Y2 O3 、La2 O3 及B2 O3 。將原料充分混合，使其雙重熔融(double-melt)，並在1600至1650°C的溫度下攪拌數小時，以確保均勻度。在退火點或退火點附近對所得的玻璃餅進行退火，然後進行各種實驗方法以測定其物理、黏度和液相線屬性。
這些方法並不是唯一的，且可以使用本案所屬技術領域中具通常知識者熟知的標準方法來製備表1至7中之玻璃。這樣的方法包括連續熔化製程，例如將在連續熔化製程中執行者，其中在連續熔化製程中使用的熔化器被氣體、電力或其組合加熱。
適用於生產範例玻璃的原材料包括可商購的沙作為SiO2 的來源；氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鋁的水合形式以及各種鋁矽酸鹽、硝酸鹽和鹵化物作為Al2 O3 的來源；硼酸、無水硼酸和氧化硼作為B2 O3 的來源；方鎂石、氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂和各種形式的矽酸鎂、鋁矽酸鹽、硝酸鹽和鹵化物作為MgO的來源。若需要化學澄清劑，則可以SnO2 的形式添加錫、以與另一種主要玻璃成分（例如CaSnO3 ）的混合氧化物的形式添加錫，或在氧化條件下以SnO、草酸錫、錫鹵化物或其他本案所屬技術領域中具通常知識者已知的錫化合物等形式添加錫。
玻璃可能也含有SnO2 作為澄清劑。也可以利用其他化學澄清劑來獲得用於TFT基板應用的足夠質量的玻璃。舉例而言，範例玻璃可以採用As2 O3 、Sb2 O3 、CeO2 、Fe2 O3 及鹵化物中之任一者或組合作為酌量添加物以促進澄清，且任何這些物質可與實例所示之SnO2 化學澄清劑結合使用。其中，As2 O3 和Sb2 O3 通常被認為是有害物質，需要控制廢棄物流，例如在玻璃製造過程中或TFT面板處理過程中可能產生的廢棄物流。因此，無論單獨或組合，期望將As2 O3 和Sb2 O3 的濃度限制為不超過0.005莫耳%。
除了酌量摻入範例玻璃中的元素外，透過原料中的低量污染物、透過製造製程中之耐火材料和貴金屬的高溫腐蝕，或透過以低量酌量引入來微調最終玻璃的屬性，使得幾乎所有元素週期表中之穩定元素都以某種含量存在於玻璃中。例如，可以通過與富含鋯的耐火材料之交互作用而引入鋯成為污染物。作為另一個實例，可以通過與貴金屬的交互作用引入鉑和銠。作為另一個實例，可將鐵引入原料中成為雜質，或酌量添加鐵以增強對氣態夾雜物的控制。作為進一步的實例，可引入錳來控制顏色或增強對氣態夾雜物的控制。
作為進一步的實例，鹼金屬可作為雜質組分以至多約0.1莫耳%的水平之Li2 O、Na2 O及K2 O的組合濃度存在。
氫不可避免地以氫氧根陰離子，OH- ，的形式存在，可以透過標準紅外光譜技術確定氫的存在。溶解的氫氧根離子顯著且非線性地影響範例玻璃的退火點，且因此為了獲得期望的退火點，可能有必要調節主要氧化物組分的濃度以進行補償。可透過選擇原料或選擇熔化系統而在某種程度上控制氫氧根離子的濃度。舉例而言，硼酸是氫氧根的主要來源，且用氧化硼代替硼酸可為控制最終玻璃中之氫氧根濃度的有用手段。相同的理由適用於包含氫氧根離子、水合物或包含物理吸附或化學吸附的水分子之化合物等的其他潛在原料。若在熔化製程中使用燃燒器，那麼還可透過來自天然氣和相關碳氫化合物燃燒之燃燒產物引入氫氧根離子，且因此可能需要將熔化中所用的能量從燃燒器轉移到電極以進行補償。或者，可以替代地採用調整主要氧化物組分的疊代過程(iterative process)，以補償溶解的氫氧根離子的有害影響。
硫通常存在於天然氣中，且同樣在許多碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物和氧化物原料中是雜質組分。硫可能以SO2 的形式成為棘手的氣態夾雜物來源。可藉由控制原料中之硫含量，並藉由將低含量的相對較還原之多價陽離子摻入玻璃基質內，以顯著管控形成富含SO2 缺陷之趨勢。儘管不希望受到理論的束縛，但富含SO2 的氣態夾雜物似乎主要是透過將溶解在玻璃中的硫酸鹽(SO4 = )還原而產生。
範例玻璃之升高的鋇濃度似乎在熔化的早期增加了玻璃中的硫保留，但是如上所述，需要鋇以獲得低液相溫度，及由此獲得高T35k -Tliq 及高液相黏度。將原料中的硫含量酌量控制在較低水平是減少玻璃中溶解的硫(可能是硫酸鹽)的有用方法。具體而言，批料中之硫較佳為少於200 ppm (以重量計)，且批料中之硫更佳為少於100 ppm (以重量計)。
還原的多價離子也可用於控制範例玻璃形成SO2 氣泡(blister)的趨勢。儘管不希望受到理論的束縛，但是這些元素充當潛在的電子供體，其抑制了硫酸鹽還原的電動勢。硫酸鹽還原可以用半反應來表示，如 SO4 = à SO2 + O2 + 2e- 其中e- 表示電子。此半反應的「平衡常數」為： Keq = [SO2 ][O2 ][e- ]2 /[SO4 = ] 其中括號表示化學活性。理想情況下，希望強迫反應以便從SO2 、O2 和2e- 生成硫酸鹽。添加硝酸鹽、過氧化物或其他富含氧的原料可能會有所幫助，但也可能在熔化的早期階段阻止硫酸鹽的還原，這可能首先抵消添加它們的好處。SO2 在大多數玻璃中的溶解度非常低，因此添加到玻璃熔化製程中是不可行的。可透過還原的多價離子來「添加」電子。舉例而言，亞鐵(Fe2+ )之合適的電子供給半反應可表示為： 2Fe2+ à 2Fe3+ + 2e-
電子的這種「活性(activity)」可以迫使硫酸鹽還原反應向左移動，從而穩定玻璃中的SO4 = 。合適的還原性多價離子包括，但不限於：Fe2+ 、Mn2+ 、Sn2+ 、Sb3+ 、As3+ 、V3+ 、Ti3+ 及本案所屬技術領域中具通常知識者熟悉的其他者。在各情況下，使這些組分的濃度最小化可能是重要的，以避免對玻璃顏色的不利影響，或者在As和Sb的情況下，避免以足夠高的水平添加此類組分以致複雜化終端用戶流程中之廢棄物管理。
除了示例性玻璃的主要氧化物成分和上述次要成分或雜物之外，還可能存在各種含量的鹵化物，所述鹵化物可作為透過選擇原材料而引入的污染物，也可作為酌量添加的組分而用於消除玻璃中的氣態夾雜物。作為澄清劑，可以摻入約0.4莫耳%或更少量的鹵化物，儘管通常期望如果可能的話使用更低的量以避免廢氣處理設備的腐蝕。在一些實施例中，就各種單獨的鹵化物而言，單獨的鹵化物元素之濃度低於約200 ppm (以重量計)，或就所有鹵化物元素的總和而言，低於約800 ppm (以重量計)。
表1顯示實驗例1至實驗例5 (「實驗例1至5」)的組成物。表2顯示實驗例6至實驗例10 (「實驗例6至10」)的組成物。表3顯示實驗例11至實驗例16(「實驗例11至16」)的組成物。表4顯示實驗例17至實驗例22(「實驗例17至22」)的組成物。表5顯示實驗例23至實驗例28(「實驗例23至28」)的組成物。表6顯示實驗例29至實驗例34 (「實驗例29至34」)的組成物。表7顯示實驗例35至實驗例42 (「實驗例35至42」)的組成物。
實例1至42的性質數據(包括軟化點、退火點、楊氏模數、剪切模數、帕松比、破壞韌性及硬度)列示於表1至7。如可見於表1至7，範例玻璃具有諸如高模數和高破壞韌性等良好性質，這使得玻璃適合於多種應用，包括，但不限於：記憶碟片及顯示應用(如AMLCD基板應用)。
請參見第1圖，相對於這些玻璃的軟化點，它們的軟化點和應變點之間的溫度差較小。這些玻璃基板的數據也與普通硼矽酸鹽玻璃、熔融石英和鹼石灰組成物的數據進行比較。相較於普通玻璃，本揭示內容提供之玻璃組成物也提供了處理優勢。
表1
實驗例1 實驗例2 實驗例3 實驗例4 實驗例5
經分析的莫耳%          
SiO2 65.2 65.5 64.9 63.7 65.0
Al2 O3 20.0 19.6 20.0 19.7 17.0
B2 O3          
Li2 O          
Na2 O          
MgO          
Y2 O3 13.7 11.8 10.1 15.5 14.8
La2 O3 1.0 3.0 4.9 1.0 3.1
總和 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9
Al2 O3 - R2 O - RO 20.0 19.6 20.0 19.7 17.0
R2 O3 34.7 34.5 35.0 36.2 34.9
           
密度(g/cm3 ) 3.265 3.331 3.384 3.303 3.468
莫耳體積(cm3 /莫耳) 28.73 28.80 29.06 29.30 28.84
應變點(°C)，藉由BBV 841 836 830 845 839
退火點(°C)，藉由BBV 883 877 871 884 879
軟化點(°C)，藉由PPV 1051 1043 1037 1047 1041
Δ(軟化Pt-應變Pt) 209 207 206 202 202
           
液相線(°C): 測試期間(小時) 72 72 72 72 72
液相線(°C) - 空氣 1355 1320 1295 1400 1430
液相線(°C) - 內部 1355 1315 1290 1400 1430
液相線(°C) - 鉑 1360 1315 1290 1400 1430
液相相(Liquidus Phase) 未知 未知 未知 未知 未知
應力光學係數(nm/MPa/cm) 2.264 2.212 2.156 2.209 2.066
589.3下之折射率 1.644 1.644 1.649 1.648 1.654
           
E (楊氏模數, Mpsi) - RUS 15.9 15.7 15.2 16.1 16.0
G (剪切模數, Mpsi) - RUS 6.28 6.21 6.05 6.35 6.30
帕松值 - RUS 0.268 0.262 0.267 0.267 0.271
E (楊氏模數, GPa) - RUS 110 108 105 111 110
G (剪切模數, GPa) - RUS 43.3 42.8 41.7 43.8 43.4
表2
  實驗例6 實驗例7 實驗例8 實驗例9 實驗例10
經分析的莫耳%          
SiO2 63.6 63.2 63.5 63.6 63.6
Al2 O3 19.7 18.1 15.8 13.6 11.9
B2 O3          
Li2 O 1.0 2.0 3.0 4.0 4.8
Na2 O          
MgO          
Y2 O3 14.6 14.6 14.6 14.8 14.6
La2 O3 1.0 2.0 3.1 3.9 5.0
總和 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9
Al2 O3 - R2 O - RO 18.7 16.1 12.8 9.7 7.1
R2 O3 35.3 34.7 33.5 32.3 31.4
           
密度(g/cm3 ) 3.304 3.390 3.460 3.535 3.621
莫耳體積(cm3 /莫耳) 28.71 28.49 28.38 28.14 27.91
應變點(°C)，藉由BBV 817 796 778 759 746
退火點(°C)，藉由BBV 858 837 820 800 787
軟化點(°C)，藉由PPV 1032 1010 982 964 949
Δ(軟化Pt-應變Pt) 215 214 203 205 203
液相線(°C): 測試期間(小時) 72 72 72 72 72
液相線(°C) - 空氣 1395 1430 ＞1375 ＞1345 ＞1330
液相線(°C) - 內部 1395 1430 ＞1375 ＞1345 ＞1330
液相線(°C) - 鉑 1405 1430 ＞1375 ＞1345 ＞1330
液相相(Liquidus Phase)   未知 未知 未知 未知
           
應力光學係數(nm/MPa/cm) 2.170 2.114 2.060 1.987 1.896
589.3下之折射率 1.644 1.653 1.660 1.669 1.678
           
E (楊氏模數, Mpsi) - RUS 16.2 16.3 16.1 16.2 16.3
G (剪切模數, Mpsi) - RUS 6.41 6.43 6.38 6.40 6.38
帕松值 - RUS 0.264 0.266 0.262 0.267 0.275
E (楊氏模數, GPa) - RUS 112 112 111 112 112
G (剪切模數, GPa) - RUS 44.2 44.3 44.0 44.1 44.0
破壞韌性 (MPa * sqrt(m))       0.95 0.95
標準差       0.02 0.02
表3
  實驗例11 實驗例12 實驗例13 實驗例14 實驗例15 實驗例16
經分析的莫耳%            
SiO2 63.75 61.41 59.68 57.84 55.86 53.94
Al2 O3 19.69 19.7 19.69 19.8 19.69 19.7
B2 O3            
Li2 O 1.94 4.02 5.8 7.89 9.88 11.85
Na2 O            
MgO            
Y2 O3 14.43 14.68 14.64 14.27 14.39 14.33
La2 O3            
總和 99.81 99.81 99.81 99.8 99.82 99.82
Al2 O3 - R2 O - RO 17.8 15.7 13.9 11.9 9.8 7.9
R2 O3 34.1 34.4 34.3 34.1 34.1 34.0
             
密度(g/cm3 ) 3.258 3.265 3.231 3.232 3.231 3.233
莫耳體積(cm3 /莫耳) 28.14 28.01 28.12 27.74 27.61 27.38
膨脹(10-7 /°C) 48 50 45      
應變點(°C)，藉由BBV 801 773 751 730 710 695
退火點(°C)，藉由BBV 842 815 792 769 749 733
軟化點(°C)，藉由PPV 1011 983 953 935 911 892
Δ(軟化Pt-應變Pt) 210 210 202 205 201 197
液相線(°C): 測試期間(小時) 72 72 72 72 72 72
液相線(°C) - 空氣 1335 1405 1405 1410 1415 1415
液相線(°C) - 內部 1335 1410 1405 1410 1415 1420
液相線(°C) - 鉑 1335 1420 1405 1410 1415 1425
液相相(Liquidus Phase) 未知 未知 未知 未知   矽酸釔鋰
            氧化釔鋁
應力光學係數(nm/MPa/cm)   2.225 2.202 2.168 2.138 2.113
589.3下之折射率 1.633 1.637 1.639 1.641 1.643 1.644
E (楊氏模數, Mpsi) - RUS 16.1 16.3 16.3 16.4 16.3 16.4
G (剪切模數, Mpsi) - RUS 6.39 6.45 6.42 6.47 6.45 6.46
帕松值 - RUS 0.262 0.262 0.271 0.270 0.263 0.265
E (楊氏模數, GPa) - RUS 111 112 113 113 112 113
G (剪切模數, GPa) - RUS 44.1 44.5 44.3 44.6 44.5 44.5
破壞韌性 (MPa * sqrt(m)) 1.04 0.94 0.96 0.97 0.94 0.91
標準差 0.08 0.02 0.02 0.02 0.03 0.02
硬度- 維氏200 g荷載 807         818
硬度 - 標準差 15         22
表4
  實驗例17 實驗例18 實驗例19 實驗例20 實驗例21 實驗例22
經分析的莫耳%            
SiO2 61.49 57.49 54.39 59.4 58.6 57.7
Al2 O3 21.8 23.65 25.18 19.0 18.7 18.8
B2 O3            
Li2 O 1.92 3.92 5.79 5.9 6.9 7.9
Na2 O            
MgO            
Y2 O3 14.57 14.73 14.42 15.4 15.6 15.4
La2 O3            
總和 99.78 99.79 99.78 99.8 99.8 99.8
Al2 O3 - R2 O - RO 19.9 19.7 19.4 13.1 11.8 10.9
R2 O3 36.4 38.4 39.6 34.5 34.3 34.2
             
密度(g/cm3 ) 3.239 3.237 3.246 3.284 3.289 3.28
莫耳體積(cm3 /莫耳) 28.64 28.80 28.59 27.97 27.87 27.76
膨脹(10-7 /°C) 48 51 45      
應變點(°C)，藉由BBV 802 773 753 749 739 731
退火點(°C)，藉由BBV 843 814 793 789 779 770
軟化點(°C)，藉由PPV 1010 978 955 956 938 932
Δ(軟化Pt-應變Pt) 209 205 202 206 200 202
液相線(°C): 測試期間(小時) 72 72 72 72 72 72
液相線(°C) - 空氣 1410 1400 1380 1440 1430 1430
液相線(°C) - 內部 1410 1400 1380 1440 1430 1435
液相線(°C) - 鉑 1410 1400 1375 1440 1430 1440
液相相 未知 未知 未知 未知 未知 未知
應力光學係數(nm/MPa/cm) 2.231 2.174 2.147 2.160 2.145 2.131
589.3下之折射率 1.640 1.642 1.645 1.646 1.647 1.649
E (楊氏模數, Mpsi) - RUS 16.6 16.8 16.7 16.4 16.4 16.5
G (剪切模數, Mpsi) - RUS 6.55 6.60 6.62 6.49 6.47 6.48
帕松值 - RUS 0.264 0.269 0.261 0.265 0.267 0.274
E (楊氏模數, GPa) - RUS 114 115 115 113 113 114
G (剪切模數, GPa) - RUS 45.2 45.5 45.6 44.7 44.6 44.7
破壞韌性 (MPa * sqrt(m)) 0.97 0.95 0.96 0.94 0.95 0.95
標準差 0.02 0.03 0.03 0.02 0.02 0.03
硬度- 維氏200 g荷載 803          
硬度 - 標準差 21          
表5
  實驗例23 實驗例24 實驗例25 實驗例26 實驗例27 實驗例28
經分析的莫耳%            
SiO2 61.0 64.7 65.0 62.08 60.58 59.68
Al2 O3 19.9 20.1 20.0 20.38 20.2 19.7
B2 O3       2.01 4 5.94
Li2 O   2.0 4.0 2.01 2 1.98
Na2 O            
MgO 4.0 2.0 4.0 2.06 2.01 1.91
Y2 O3 14.9 11.1 6.9 11.3 11.06 10.64
La2 O3            
總和 99.8 99.8 99.9 99.84 99.85 99.85
Al2 O3 - R2 O - RO 16.0 16.0 12.0 16.3 16.2 15.8
R2 O3 34.8 31.1 26.9 31.7 31.3 30.3
             
密度(g/cm3 ) 3.28 3.033 2.837 3.042 3.039 3.008
莫耳體積(cm3 /莫耳) 28.16 28.30 27.44 28.45 28.39 28.45
膨脹(10-7 /°C)   45 38 41 41 42
應變點(°C)，藉由纖維伸長   788 745 770 828 786
退火點(°C)，藉由纖維伸長   831 790 813 869 828
軟化點(°C)，藉由纖維伸長   1006 976 1021 1034 996
應變點(°C)，藉由BBV 822 787 745 814 828 786
退火點(°C)，藉由BBV 864 831 789 856 869 828
軟化點(°C)，藉由PPV 1036 981 1010 1021 1034 996
Δ(軟化Pt-應變Pt) 214 195 266 207 206 210
液相線(°C): 測試期間(小時) 72 72 72 72 72 72
液相線(°C) - 空氣 1375 1340 1400 1365 1325 1360
液相線(°C) - 內部 1375 1345 1390 1350 1320 1330
液相線(°C) - 鉑 1375 1335 1390 1355 1325 1330
液相相(Liquidus Phase) 未知 原頑火輝石 原頑火輝石 富鋁紅柱石 富鋁紅柱石 富鋁紅柱石
應力光學係數(nm/MPa/cm)            
589.3下之折射率 2.173 2.399 2.559 2.251 2.282 2.277
E (楊氏模數, Mpsi) - RUS 1.645 1.608 1.580 1.641 1.633 1.632
G (剪切模數, Mpsi) - RUS 16.6 17.4 15.0 16.1 15.8 15.8
帕松值 - RUS 6.52 6.78 5.99 6.38 6.25 6.30
E (楊氏模數, GPa) - RUS 0.271 0.281 0.250 0.261 0.264 0.255
G (剪切模數, GPa) - RUS 114 120 103 111 109 109
破壞韌性 (MPa * sqrt(m)) 45.0 46.7 41.3 44.0 43.1 43.4
標準差 1.02 0.97 0.95 0.95 0.90 0.96
硬度- 維氏200 g荷載 0.03 0.03 0.03 0.02 0.03 0.03
硬度 - 標準差   767        
    34        
表6
  實驗例29 實驗例30 實驗例31 實驗例32 實驗例33 實驗例34
經分析的莫耳%            
SiO2 64.68 61.76 59.24 59.7 57.7 54.0
Al2 O3 19.31 19.9 19.98 19.9 20.0 20.0
B2 O3 1.97 3.96 5.98      
Li2 O            
Na2 O 1.7 1.71 1.77 5.6 7.5 11.2
MgO 1.85 1.89 1.97      
Y2 O3 10.36 10.65 10.94 14.7 14.7 14.7
La2 O3            
總和 99.87 99.87 99.88 99.9 99.9 99.8
Al2 O3 - R2 O - RO 15.8 16.3 16.2 14.4 12.5 8.8
R2 O3 29.7 30.6 30.9 34.6 34.6 34.6
             
密度(g/cm3 ) 3.057 3.008 3.012 3.216 3.219 3.195
莫耳體積(cm3 /莫耳) 27.88 28.63 28.82 28.90 28.87 29.11
膨脹(10-7 /°C) 43 42 42      
應變點(°C)，藉由纖維伸長 816 768 801      
退火點(°C)，藉由纖維伸長 858 808 842      
軟化點(°C)，藉由纖維伸長 1023 971 1003      
             
應變點(°C)，藉由BBV 816 768 801 802 793 784
退火點(°C)，藉由BBV 858 808 842 843 836 826
軟化點(°C)，藉由PPV 1023 971 1003 1022 1013 990
Δ(軟化Pt-應變Pt) 207 203 202 220 220 206
液相線(°C): 測試期間(小時) 72 72 72 72 72 72
液相線(°C) - 空氣 1350 1350 1330 1465 1470 1560
液相線(°C) - 內部 1345 1345 1330 1470 1470 1570
液相線(°C) - 鉑 1350 1350 1330 1470 1470 1570
液相相(Liquidus Phase) 富鋁紅柱石 富鋁紅柱石 富鋁紅柱石 未知 未知 未知
應力光學係數(nm/MPa/cm) 2.306 2.216 2.240 2.316 2.294 2.221
589.3下之折射率 1.628 1.642 1.631 1.622 1.619 1.624
             
E (楊氏模數, Mpsi) - RUS 15.4 16.4 15.7 15.2 15.0 14.5
G (剪切模數, Mpsi) - RUS 6.10 6.49 6.21 6.01 5.92 5.76
帕松值 - RUS 0.260 0.263 0.263 0.264 0.264 0.258
E (楊氏模數, GPa) - RUS 106 113 108 105 103 100
G (剪切模數, GPa) - RUS 42.1 44.7 42.8 41.4 40.8 39.7
             
破壞韌性 (MPa * sqrt(m)) 0.95 0.94 0.93 0.89 0.87 0.87
標準差 0.03 0.06 0.01 0.03 0.03 0.03
硬度- 維氏200 g荷載            
硬度 - 標準差            
表7
實驗例35 實驗例36 實驗例37 實驗例38 實驗例39 實驗例40 實驗例41 實驗例42
經分析的莫耳%                
SiO2 63.4 64.1 64.1 62.3 53.2 63.95 61.42 54.27
Al2 O3 19.9 15.6 19.6 19.6 26.8 19.59 20.11 25.51
B2 O3                
Li2 O           0.95 1.89 2.86
Na2 O 0.8 2.6 1.7 3.6 5.2 0.82 1.8 2.72
MgO                
Y2 O3 14.7 14.6 14.5 14.4 14.6 14.5 14.6 14.46
La2 O3 1.1 2.9            
總和 99.9 99.9 99.8 99.8 99.8 99.81 99.82 99.82
Al2 O3 - R2 O - RO 19.1 13.0 17.9 16.0 21.6 17.8 16.4 19.9
R2 O3 35.7 33.1 34.0 34.0 41.4 34.1 34.7 40.0
                 
密度(g/cm3 ) 3.301 3.435 3.211 3.218 3.241 3.224 3.235 3.243
莫耳體積(cm3 /莫耳) 28.95 28.72 28.76 28.66 29.51 28.56 28.50 28.96
膨脹(10-7 /°C) 46 53 46 51 53 46 50 52
應變點(°C)，藉由BBV 833 817 751 787 754 767 736 769
退火點(°C)，藉由BBV 874 859 796 833 800 811 780 815
軟化點(°C)，藉由PPV 1035 1014 977 1024 989 993 960 998
Δ(軟化Pt-應變Pt) 202 197 226 236 235 227 224 229
液相線(°C): 測試期間(小時) 72 72 72 72 72 72 72 72
液相線(°C) - 空氣 ＞1330 ＞1330 1440 ＞1465 ＞1445 1420 1445 1425
液相線(°C) - 內部 ＞1330 ＞1330 1445 1465 1445 1430 1445 1430
液相線(°C) - 鉑 ＞1330 ＞1370 ＞1445 ＞1465 ＞1445 1440 1445 ＞1450
液相相 未知 未知 未知 未知 未知 未知 未知 未知
應力光學係數(nm/MPa/cm) 2.197 2.114 2.453 2.495 2.539 2.442 2.492 2.484
589.3下之折射率 1.645 1.655 1.606 1.605 1.601 1.607 1.606 1.604
E (楊氏模數, Mpsi) - RUS 16.1 15.5 15.4 15.1 14.8 15.5 15.3 15.0
G (剪切模數, Mpsi) - RUS 6.33 6.13 6.10 6.00 5.88 6.15 6.07 5.96
帕松值 - RUS 0.270 0.266 0.259 0.258 0.259 0.257 0.258 0.258
E (楊氏模數, GPa) - RUS 111 107 106 104 102 107 105 103
G (剪切模數, GPa) - RUS 43.6 42.3 42.1 41.4 40.5 42.4 41.9 41.1
破壞韌性 (MPa * sqrt(m)) 0.97 0.95 0.92 0.95 0.96 0.94 1.07 1.03
標準差 0.02 0.05   0.03 0.01 0.02 0.06 0.00
儘管已經根據泛例實施例描述了本案所請之標的，但是本案所請之標的不限於此。相反，隨附申請專利範圍應被廣義地解釋為包括本案所屬技術領域中具通常知識者可完成之其他變體和實施例。
無
當結合附圖閱讀時，可從以下詳細描述最好地理解本揭示內容。要強調的是，根據慣例，這些附圖僅用於圖解一些實施例。
第1圖以圖形方式描繪根據一些實施例之範例玻璃組成物的軟化點與軟化點和應變點的差之間的關係。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (21)

  1. 一種玻璃基板，包含： 約45莫耳%至約70莫耳%的SiO2 ； 約15莫耳%至約30莫耳%的Al2 O3 ； 約7莫耳%至約20莫耳%的Y2 O3 ；以及 視情況0莫耳%至約9莫耳%的La2 O3 。
  2. 如請求項1所述之玻璃基板，其中該玻璃基板包含約27莫耳%至約43莫耳%的R2 O3 ，且其中R2 O3 包含Al2 O3 、Y2 O3 及La2 O3 。
  3. 如請求項2所述之玻璃基板，其中R2 O3 在從約28莫耳%至約40莫耳%、約30莫耳%至約40莫耳%或約32莫耳%至約38莫耳%之範圍內。
  4. 如請求項1所述之玻璃基板，其中該玻璃基板之[(Y2 O3 +La2 O3 )/Al2 O3 ]的莫耳比在從約0.3至約1.7的範圍內。
  5. 如請求項1所述之玻璃基板，其中SiO2 在以下範圍內：約50莫耳%至約70莫耳%、約52莫耳%至約70莫耳%、約52莫耳%至約66莫耳%、約54莫耳%至約66莫耳%或約60莫耳%至約66莫耳%。
  6. 如請求項1所述之玻璃基板，其中Al2 O3 在以下範圍內：約16莫耳%至約30莫耳%、約17莫耳%至約30莫耳%、約18莫耳%至約30莫耳%、約18莫耳%至約28莫耳%或約18莫耳%至約25莫耳%。
  7. 如請求項1所述之玻璃基板，其中Y2 O3 在以下範圍內：約8莫耳%至約20莫耳%、約9莫耳%至約20莫耳%、約7莫耳%至約16莫耳%、約7莫耳%至約15莫耳%、約8莫耳%至約16莫耳%或約10莫耳%至約16莫耳%。
  8. 如請求項1所述之玻璃基板，其中La2 O3 在以下範圍內：約0.1莫耳%至約9莫耳%、約1莫耳%至約9莫耳%、約2莫耳%至約9莫耳%或約3莫耳%至約9莫耳%。
  9. 如請求項1所述之玻璃基板，進一步包含：0莫耳%至約6莫耳%的B2 O3 ，其中該玻璃基板實質上不含La2 O3 。
  10. 如請求項1所述之玻璃基板，進一步包含：0莫耳%至約6莫耳%的MgO。
  11. 如請求項1所述之玻璃基板，進一步包含：0莫耳%至約12莫耳%的Li2 O、Na2 O、K2 O或前述者之組合。
  12. 如請求項1所述之玻璃基板，其中(Al2 O3 –R2 O–RO)之一莫耳百分比差值在約7至約22之範圍內，其中R2 O包含一鹼金屬氧化物，該鹼金屬氧化物選自由Li2 O、Na2 O、K2 O及前述者之組合所組成之群組，且RO包含一鹼土族金屬氧化物，該鹼土族金屬氧化物選自由MgO、SrO、BaO及前述者之組合所組成之群組。
  13. 如請求項1所述之玻璃基板，其中該玻璃基板實質上不含CaO、Eu2 O3 、Nb2 O3 、Si3 N4 、 WO3 、ZrO4 及TiO2 。
  14. 如請求項1所述之玻璃基板，其中該玻璃基板具有之破壞韌性(KIC )在以下範圍內：從約0.87至約2.0 MPa.m0.5 。
  15. 如請求項1所述之玻璃基板，其中該玻璃基板具有以下範圍內之楊氏模數：約100 GPa至約140 GPa，及以下範圍內之剪切模數：約30 GPa至約60 GPa。
  16. 一種玻璃基板，基本上由以下成分組成： 約45莫耳%至約70莫耳%的SiO2 ； 約15莫耳%至約30莫耳%的Al2 O3 ； 約7莫耳%至約20莫耳%的Y2 O3 ； 0莫耳%至約9莫耳%的La2 O3 ； 0莫耳%至約6莫耳%的MgO；以及 0莫耳%至約12莫耳%的一鹼金屬氧化物，該鹼金屬氧化物選自由Li2 O、Na2 O、K2 O及前述者之一組合所組成之群組。
  17. 如請求項16所述之玻璃基板，其中該玻璃基板包含約27莫耳%至約43莫耳%的R2 O3 ，其中R2 O3 包含Al2 O3 、Y2 O3 及La2 O3 ；且其中該玻璃基板之[(Y2 O3 +La2 O3 )/Al2 O3 ]的莫耳比在從約0.3至約1.7的範圍內。
  18. 一種玻璃製品，包含如請求項1或16所述之玻璃基板。
  19. 一種裝置，包含如請求項1或16所述之玻璃基板。
  20. 如請求項19所述之裝置，其中該裝置係用於顯示應用之一電子裝置。
  21. 如請求項19所述之裝置，其中該裝置係一資訊記錄碟片。
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