KR20210147514A - Direct contact heat sink - Google Patents

Direct contact heat sink Download PDF

Info

Publication number
KR20210147514A
KR20210147514A KR1020200064874A KR20200064874A KR20210147514A KR 20210147514 A KR20210147514 A KR 20210147514A KR 1020200064874 A KR1020200064874 A KR 1020200064874A KR 20200064874 A KR20200064874 A KR 20200064874A KR 20210147514 A KR20210147514 A KR 20210147514A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat sink
opening
direct contact
refrigerant
heat dissipation
Prior art date
Application number
KR1020200064874A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102346767B1 (en
Inventor
김영주
김용수
정승붕
최종윤
Original Assignee
효성중공업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 효성중공업 주식회사 filed Critical 효성중공업 주식회사
Priority to KR1020200064874A priority Critical patent/KR102346767B1/en
Publication of KR20210147514A publication Critical patent/KR20210147514A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102346767B1 publication Critical patent/KR102346767B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

A direct contact type heat dissipation device according to an embodiment includes a plurality of semiconductor devices; a plurality of heat sinks stacked so that at least one surface thereof is in contact with the semiconductor device; a refrigerant flowing inside the heat sink. At least one surface of the heat sink is open so that the refrigerant is direct contact with the semiconductor device to dissipate heat generated from the semiconductor device.

Description

직접 접촉식 방열 장치{Direct contact heat sink}Direct contact heat sink

직접 접촉식 방열 장치가 개시된다. 구체적으로, 반도체 소자에 냉매가 직접 접촉하여 방열하는 직접 접촉식 방열 장치가 개시된다. A direct contact heat dissipation device is disclosed. Specifically, a direct contact type heat dissipation device in which a refrigerant directly contacts a semiconductor element to dissipate heat is disclosed.

최근, 전자 기기에 흔히 탑재되는 전자 부품인 반도체의 집적도가 점점 높아지면서 반도체의 발열량이 급속히 증가하였다. 이로 인해 전자 기기의 내부 온도가 상승하여 오작동을 일으키거나 부품의 수명이 저하되는 문제점이 발생하고 있으며, 이는 반도체 산업 분야에서 해결해야 할 중요한 문제점으로 화두되고 있다. 이를 해결하기 위한 방열대책으로 전자 기기에 방열판을 설치하는 방법이 있다. Recently, as the degree of integration of semiconductors, which are electronic components commonly mounted in electronic devices, has gradually increased, the amount of heat generated by the semiconductors has rapidly increased. As a result, the internal temperature of the electronic device rises, causing malfunctions or reducing the lifespan of components, which is becoming a hot topic in the semiconductor industry as an important problem to be solved. As a heat dissipation measure to solve this problem, there is a method of installing a heat sink in an electronic device.

방열판은 일반적으로 각종 열원에서 발생하는 열을 전도, 대류, 복사 현상을 이용하여 방출하는 판이다. 이러한 방열판(heat sink)은 열원(heat source)에서 발생되는 열을 잘 전달하기 위해서 열전도율이 높은 구리, 알루미늄 등의 금속 재질로 만들어지며, 방열판의 냉각 성능을 높이기 위해 방열판에는 휜(Fin) 구조가 형성될 수 있다. 뿐만 아니라, 방열판은 팬을 장착하여 열을 원활하게 전달하는 공랭식 방열판 또는 내부에 냉매가 흐르게 하여 크기 대비 방열 성능이 우수한 수냉식 방열판 등의 다양한 형태로 발전되어 왔다. A heat sink is a plate that generally dissipates heat generated from various heat sources using conduction, convection, and radiation phenomena. Such a heat sink is made of a metal material such as copper or aluminum with high thermal conductivity in order to transfer heat generated from the heat source well. To improve the cooling performance of the heat sink, the heat sink has a fin structure. can be formed. In addition, the heat sink has been developed in various forms, such as an air-cooled heat sink that smoothly transfers heat by mounting a fan, or a water-cooled heat sink that has excellent heat dissipation performance compared to its size by allowing a refrigerant to flow therein.

추가적으로, 방열판을 설치하였을 경우 열원 및 방열판 사이에서 발생하는 열저항을 낮추기 위하여 열원과 방열판 사이에 열전도성 그리스, 열전도성 접착제 또는 열전도 시트 등과 같은 열전달 물질을 삽입하는 방법도 사용되고 있다.Additionally, when a heat sink is installed, a method of inserting a heat transfer material such as a heat conductive grease, a heat conductive adhesive or a heat conductive sheet between the heat source and the heat sink to lower the thermal resistance generated between the heat source and the heat sink is also used.

그러나, 지속적인 전자 기기의 고성능화 및 소형화 등으로 인해 전자 부품의 발열량은 더욱 증가할 것이며 발열하는 반도체의 열을 보다 효과적으로 외부로 발산시키기 위하여, 장착될 방열판의 성능을 더욱 향상시킬 필요가 있다.However, due to continuous performance improvement and miniaturization of electronic devices, the amount of heat generated by electronic components will further increase.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지 기술이라고 할 수는 없다.The above-mentioned background art is possessed or acquired by the inventor during the derivation of the present invention, and cannot necessarily be said to be a known technology disclosed to the general public prior to the filing of the present invention.

일본 등록특허 제6582718호Japanese Registered Patent No. 6582718

일 실시예에 따른 목적은 냉매가 반도체 소자에 직접 접촉하여 방열하는 방열판을 제공하는 것이다.An object according to an embodiment is to provide a heat sink in which a refrigerant directly contacts a semiconductor device to radiate heat.

일 실시예에 따른 목적은 열원(Heat source) 및 방열판(Heat sink) 사이의 불필요한 열저항을 제거하여 방열판의 냉각 성능을 향상시키는 것이다.An object according to an exemplary embodiment is to improve the cooling performance of the heat sink by removing unnecessary thermal resistance between the heat source and the heat sink.

일 실시예에 따른 목적은 구성되는 재질에 제한이 없는 방열판을 제공하는 것이다.An object according to an embodiment is to provide a heat sink having no limitation on the material of which it is constructed.

일 실시예에 따른 목적은 제작 공정이 간단한 방열판을 제공하는 것이다.An object according to an embodiment is to provide a heat sink having a simple manufacturing process.

일 실시예에 따른 목적은 간단한 구조로 냉매의 누수를 방지하는 방열판을 제공하는 것이다.An object according to an embodiment is to provide a heat sink for preventing leakage of a refrigerant with a simple structure.

실시 예들에서 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved in the embodiments are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치는 복수 개의 반도체 소자; 적어도 일면이 상기 반도체 소자와 접촉하도록 적층되는 복수 개의 방열판; 상기 방열판 내부를 흐르는 냉매;를 포함하고, 상기 방열판은 적어도 일면이 개방되어서, 상기 냉매가 상기 반도체 소자와 직접 접촉시킴으로써 상기 반도체 소자로부터 발생한 열을 방열할 수 있다.A direct contact type heat dissipation device according to an embodiment for achieving the above object includes a plurality of semiconductor elements; a plurality of heat sinks stacked so that at least one surface thereof is in contact with the semiconductor device; and a coolant flowing inside the heat sink, wherein at least one surface of the heat sink is open, so that the coolant is in direct contact with the semiconductor device to dissipate heat generated from the semiconductor device.

일 측에 의하면, 상기 방열판은 본체부; 상기 본체부의 적어도 일면에 형성되는 개방부; 상기 본체부의 일측에서 개방부로 관통되는 입구부; 상기 개방부에서 상기 본체부의 타측으로 관통되는 출구부; 상기 개방부 상에 형성된 복수 개의 휜;을 포함하고, 상기 개방부는 상기 본체부가 상기 반도체 소자와 비접촉하는 부분일 수 있다.According to one side, the heat sink includes a body portion; an opening formed on at least one surface of the main body; an inlet penetrating through the opening from one side of the main body; an outlet portion penetrating through the other side of the body portion from the open portion; and a plurality of fins formed on the opening portion, wherein the opening portion may be a portion in which the body portion does not contact the semiconductor device.

일 측에 의하면, 상기 방열판은 상기 본체부의 적어도 일면에 배치된 밀봉 부재를 더 포함하고, 상기 밀봉 부재에 의해 냉매가 상기 반도체 소자와 상기 방열판 사이에서 누수되는 것이 방지될 수 있다.According to one side, the heat sink may further include a sealing member disposed on at least one surface of the main body, and the coolant may be prevented from leaking between the semiconductor element and the heat sink by the sealing member.

일 측에 의하면, 상기 밀봉 부재는 금속 가스킷일 수 있다.According to one side, the sealing member may be a metal gasket.

일 측에 의하면, 상기 개방부는, 상기 본체부의 일면에 형성된 제1 개방부; 및 상기 본체부의 타면에 형성된 제2 개방부;를 포함하고, 상기 냉매는 상기 제1 개방부로 유입되어서 상기 복수 개의 반도체 소자 중 상기 본체부의 일면과 접촉하도록 적층된 반도체 소자와 직접 접촉하고, 상기 냉매는 동시에 상기 제2 개방부로 유입되어서 상기 복수 개의 반도체 소자 중 상기 본체부의 타면과 접촉하도록 적층된 반도체 소자와 직접 접촉할 수 있다.According to one side, the opening portion, the first opening portion formed on one surface of the body portion; and a second opening formed on the other surface of the main body, wherein the refrigerant flows into the first opening to directly contact the semiconductor elements stacked so as to come into contact with one surface of the main body among the plurality of semiconductor elements, and the refrigerant may be introduced into the second opening at the same time to directly contact the stacked semiconductor device so as to come into contact with the other surface of the body part among the plurality of semiconductor devices.

일 측에 의하면, 상기 복수 개의 휜은 상기 개방부를 지나는 상기 냉매의 난류를 발생시킬 수 있다.According to one side, the plurality of fins may generate turbulence of the refrigerant passing through the opening.

일 측에 의하면, 적층된 복수 개의 상기 반도체 소자 또는 방열판은 클램핑 결합될 수 있다.According to one side, the plurality of stacked semiconductor devices or heat sinks may be clamped.

일 측에 의하면, 적층된 복수 개의 상기 반도체 소자 또는 방열판의 최상단에 배치되는 가압 부재를 더 포함하고, 상기 가압 부재는 적층된 복수 개의 상기 반도체 소자 및 방열판에 압력을 가하여 체결력을 증가시킬 수 있다.According to one side, it may further include a pressing member disposed on the uppermost end of the plurality of stacked semiconductor devices or heat sinks, and the pressing member may increase the fastening force by applying pressure to the stacked plurality of semiconductor devices and heat sinks.

일 측에 의하면, 상기 복수 개의 반도체 소자는 IGBT 모듈일 수 있다.According to one side, the plurality of semiconductor devices may be an IGBT module.

일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치에 의하면, 냉매가 반도체 소자에 직접 접촉하여 방열하는 효과가 있다.According to the direct contact type heat dissipation device according to an embodiment, there is an effect that the refrigerant directly contacts the semiconductor element to dissipate heat.

일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치에 의하면, 열원(Heat source) 및 방열판(Heat sink) 사이의 불필요한 열저항을 제거하여 방열판의 냉각 성능을 향상시키는 효과가 있다.According to the direct contact type heat dissipation device according to an embodiment, there is an effect of improving the cooling performance of the heat sink by removing unnecessary thermal resistance between the heat source and the heat sink.

일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치에 의하면 방열판을 구성하는 재질에 제한이 없는 효과가 있다.According to the direct contact type heat dissipation device according to an embodiment, there is no limitation on materials constituting the heat dissipation plate.

일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치에 의하면, 제작 공정이 간단한 방열판을 제공하는 것이다.According to the direct contact type heat dissipation device according to an embodiment, it is to provide a heat sink with a simple manufacturing process.

일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치에 의하면, 간단한 구조로 냉매의 누수를 방지하는 효과가 있다.According to the direct contact type heat dissipation device according to an embodiment, there is an effect of preventing leakage of the refrigerant with a simple structure.

일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the direct contact heat dissipation device according to an embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 2는 도 1의 직접 접촉식 방열 장치를 구성하는 방열판의 사시도이다.
도 3은 도 2의 방열판의 평면도이다.
도 4는 도 2의 방열판의 단면도이다.
도 5는 도 1의 직접 접촉식 방열 장치를 구성하는 방열판 중 하나인 단방향 방열판을 개략적으로 나타낸다.
도 6은 도 1의 직접 접촉식 방열 장치를 구성하는 방열판 중 다른 하나인 다방향 방열판을 개략적으로 나타낸다.
도 7은 도 1의 직접 접촉식 방열 장치가 병렬 연결 및 수직 적층된 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리를 개략적으로 나타낸다.
도 8은 도 7의 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리의 확대도이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.1 schematically shows a direct contact type heat dissipation device according to an embodiment.
FIG. 2 is a perspective view of a heat sink constituting the direct contact heat dissipation device of FIG. 1 .
3 is a plan view of the heat sink of FIG. 2 .
4 is a cross-sectional view of the heat sink of FIG. 2 .
5 schematically shows a unidirectional heat sink, which is one of the heat sinks constituting the direct contact heat dissipation device of FIG. 1 .
6 schematically shows a multidirectional heat sink, which is another one of the heat sinks constituting the direct contact heat sink of FIG. 1 .
7 schematically shows a direct contact heat sink assembly in which the direct contact heat sink of FIG. 1 is connected in parallel and vertically stacked.
8 is an enlarged view of the direct contact heat dissipation device assembly of FIG. 7 ;
The following drawings attached to the present specification illustrate a preferred embodiment of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention together with the detailed description of the present invention, so the present invention is limited to the matters described in those drawings It should not be construed as being limited.

이하, 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in the description of the embodiment, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function interferes with the understanding of the embodiment, the detailed description thereof will be omitted.

또한, 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, or order of the elements are not limited by the terms. When it is described that a component is "connected", "coupled" or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component is between each component. It will be understood that may also be "connected", "coupled" or "connected".

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다. Components included in one embodiment and components having a common function will be described using the same names in other embodiments. Unless otherwise stated, descriptions described in one embodiment may be applied to other embodiments as well, and detailed descriptions within the overlapping range will be omitted.

도 1은 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)를 개략적으로 나타낸다.1 schematically shows a direct contact heat dissipation device 10 according to an embodiment.

도 1을 참조하여, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 반도체 소자(100), 방열판(200), 냉매(300)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a direct contact heat dissipation device 10 according to an exemplary embodiment may include a semiconductor device 100 , a heat sink 200 , and a refrigerant 300 .

구체적으로, 반도체 소자(100)는 복수 개로 마련될 수 있으며, 상기 방열판(200)과 교차하여 적층될 수 있다. 이러한 복수 개의 반도체 소자(100)는 IGBT 모듈일 수 있다.Specifically, a plurality of semiconductor devices 100 may be provided, and may be stacked to cross the heat sink 200 . The plurality of semiconductor devices 100 may be IGBT modules.

방열판(200)은 적어도 일면이 상기 반도체 소자(100)와 접촉하도록 배치될 수 있다. 또한, 방열판(200)은 복수 개로 마련될 수 있으며, 상기 반도체 소자(100)와 교차하여 적층될 수 있다. 이러한 방열판(200)은 적어도 일면이 개방된 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자(100)와 방열판(200) 사이에 서로 비접촉하는 부분이 형성될 수 있다.The heat sink 200 may be disposed so that at least one surface is in contact with the semiconductor device 100 . In addition, a plurality of heat sinks 200 may be provided, and may be stacked to cross the semiconductor device 100 . The heat sink 200 may have a structure in which at least one surface is open. Accordingly, a non-contact portion may be formed between the semiconductor device 100 and the heat sink 200 .

냉매(300)는 상기 방열판(200)의 내부를 유동할 수 있다. 또한, 방열판(200)의 내부로 흘러들어온 냉매(300)는 전술한 방열판(200)의 개방 구조에 의해 반도체 소자(100) 및 방열판(200) 사이에 형성된 공간을 유동할 수 있다. 이에 따라, 냉매(300)는 방열판(200) 내부를 통과하면서 반도체 소자(100)와 직접 접촉할 수 있다.The refrigerant 300 may flow inside the heat sink 200 . In addition, the refrigerant 300 flowing into the heat sink 200 may flow in the space formed between the semiconductor device 100 and the heat sink 200 by the open structure of the heat sink 200 described above. Accordingly, the refrigerant 300 may directly contact the semiconductor device 100 while passing through the inside of the heat sink 200 .

추가적으로, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 가압 부재(미 도시)를 더 포함할 수 있다. 기존의 방열판이 나사 또는 볼트 조립되는 것과 달리 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 가압 부재에 의해 반도체 소자(100) 및 방열판(200)이 함께 클램핑 결합될 수 있다. 따라서, 반도체 소자(100)와 방열판(200)의 클램핑이 제대로 되지 않을 경우에 냉매(300)의 누수가 발생할 수 있다.Additionally, the direct contact heat dissipation device 10 according to an embodiment may further include a pressing member (not shown). Unlike a conventional heat sink assembled with screws or bolts, in the direct contact heat sink 10 according to an exemplary embodiment, the semiconductor device 100 and the heat sink 200 may be clamped and coupled together by a pressing member. Accordingly, when the semiconductor device 100 and the heat sink 200 are not properly clamped, the coolant 300 may leak.

구체적으로, 가압 부재(미 도시)는 교차 적층된 복수 개의 반도체 소자(100) 또는 방열판(200)의 최상단에 배치될 수 있다. 예를 들어, 가압 부재는 판 스프링일 수 있다. 예를 들어 가압 부재는 복수 개의 반도체 소자(100) 및 방열판(200)에 약 98kN의 힘을 가할 수 있다. Specifically, the pressing member (not shown) may be disposed on the uppermost end of the plurality of cross-stacked semiconductor devices 100 or the heat sink 200 . For example, the pressing member may be a leaf spring. For example, the pressing member may apply a force of about 98 kN to the plurality of semiconductor devices 100 and the heat sink 200 .

상기 가압 부재는 이하에서 도 7 및 도 8을 참조하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.The pressing member will be described in more detail below with reference to FIGS. 7 and 8 .

전술한 바와 같이, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 방열판(200) 내부에서 유동하는 냉매(300)가 반도체 소자(100)와 직접 접촉하여 반도체 소자(100)로부터 발생하는 열을 방열할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 종래의 방열판과는 달리 방열판의 상판 또는 하판을 구비하지 않으므로, 상판 또는 하판의 두께로 인한 열원 및 방열판(200) 사이의 열저항이 없다. 따라서, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)를 구성하는 재료는 열전도율이 높은 재질에만 제한되지 않으며 반도체 소자(100)의 방열에 적합한 재료라면 어떠한 것이라도 자유롭게 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 나사 조임 또는 브레이징 기법으로 제작할 필요가 없기 때문에, 제작 방식이 간단하고 적층 및 조립이 용이할 수 있다. As described above, in the direct contact heat dissipation device 10 according to an exemplary embodiment, the refrigerant 300 flowing inside the heat sink 200 directly contacts the semiconductor device 100 to generate heat generated from the semiconductor device 100 . can radiate heat. In addition, since the direct contact heat dissipation device 10 according to an embodiment does not include an upper plate or a lower plate of the heat sink unlike a conventional heat sink, the heat resistance between the heat source and the heat sink 200 due to the thickness of the upper or lower plate is none. Therefore, the material constituting the direct contact heat dissipation device 10 according to the embodiment is not limited to a material having high thermal conductivity, and any material suitable for heat dissipation of the semiconductor device 100 may be freely used. In addition, since the direct contact type heat dissipation device 10 according to an embodiment does not need to be manufactured by screwing or brazing, a manufacturing method is simple, and lamination and assembly may be easy.

즉, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 종래의 방열판에 비해 우수한 냉각성능을 발휘할 수 있으며, 제작 공정이 간단하고 비용 또한 절감할 수 있다.That is, the direct contact type heat dissipation device 10 according to an embodiment may exhibit superior cooling performance compared to a conventional heat dissipation plate, and the manufacturing process may be simple and cost may also be reduced.

전술한 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)의 효과는 이하에서 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명할 방열판(200)의 구조에 의해 실현될 수 있다.The effect of the direct contact heat dissipation device 10 according to the above-described embodiment may be realized by the structure of the heat sink 200, which will be described below with reference to FIGS. 2 to 4 .

도 2는 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)를 구성하는 방열판(200)의 사시도이고, 도 3은 도 2의 방열판(200)의 평면도이고, 도 4는 도 2의 방열판(200)의 단면도이다.2 is a perspective view of the heat sink 200 constituting the direct contact type heat dissipation device 10 according to an embodiment, FIG. 3 is a plan view of the heat sink 200 of FIG. 2 , and FIG. 4 is the heat sink 200 of FIG. ) is a cross-sectional view.

도 2 내지 도 4를 참조하여, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)의 방열판(200)은 본체부(210), 개방부(220), 입구부(230), 출구부(240), 휜(250) 및 밀봉부(260)를 포함할 수 있다.2 to 4 , the heat sink 200 of the direct contact type heat dissipation device 10 according to an embodiment has a body 210 , an opening 220 , an inlet 230 , and an outlet 240 . ), a fin 250 and a sealing part 260 may be included.

구체적으로, 본체부(210)는 방열판(200)의 몸체를 구성하는 부분일 수 있다. 본체부(210)는 반도체 소자(100)와 교차 적층될 때 반도체 소자(100)에 직접 접촉하는 부분일 수 있다. Specifically, the body part 210 may be a part constituting the body of the heat sink 200 . The body part 210 may be a part that directly contacts the semiconductor device 100 when it is cross-stacked with the semiconductor device 100 .

개방부(220)는 본체부(210)의 적어도 일면에 형성될 수 있다. 도 2를 참조하여, 개방부(220)는 본체부(210)의 일면으로부터 함몰된 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 본체부(210)가 반도체 소자(100)와 맞닿아 있더라도, 개방부(220)에서는 방열판(200)과 반도체 소자(100)가 접촉하지 않을 수 있다. 즉, 개방부(220)는 방열판(200) 중 본체부(210)가 반도체 소자(100)와 비접촉하는 일부분일 수 있다. 이러한 개방부(220)는 방열판(200) 내부에 빈 공간을 형성하므로, 방열판 내부로 유입된 냉매(300)가 채워질 수 있으며, 냉매(300)는 개방부(220)에서 반도체 소자(100)와 직접 접촉할 수 있다.The opening 220 may be formed on at least one surface of the main body 210 . Referring to FIG. 2 , the opening 220 may be formed in a shape recessed from one surface of the body 210 . Accordingly, even when the body portion 210 is in contact with the semiconductor device 100 , the heat sink 200 and the semiconductor device 100 may not contact each other in the open portion 220 . That is, the opening 220 may be a portion of the heat sink 200 in which the body 210 does not contact the semiconductor device 100 . Since the opening 220 forms an empty space inside the heat sink 200 , the refrigerant 300 introduced into the heat sink may be filled, and the refrigerant 300 is formed in the opening 220 with the semiconductor device 100 and can be contacted directly.

도 4를 참조하여, 전술한 개방부(220)는 본체부(210)의 양면에 형성될 수도 있다. Referring to FIG. 4 , the aforementioned opening 220 may be formed on both surfaces of the main body 210 .

이때, 개방부(220)는 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)를 포함할 수 있다.In this case, the opening 220 may include a first opening 221 and a second opening 222 .

구체적으로, 제1 개방부(221)는 본체부(210)의 일면에 형성될 수 있다. 제1 개방부(221)는 본체부(210)의 일면으로부터 함몰된 형상일 수 있다.Specifically, the first opening 221 may be formed on one surface of the main body 210 . The first opening 221 may be recessed from one surface of the main body 210 .

제2 개방부(222)는 본체부(210)의 타면에 형성될 수 있다. 제2 개방부(222)는 본체부(210)의 타면으로부터 함몰된 형상일 수 있다.The second opening 222 may be formed on the other surface of the main body 210 . The second opening 222 may be recessed from the other surface of the main body 210 .

전술한 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)에서 각각 냉매(300)가 서로 다른 반도체 소자(100)에 직접 접촉할 수 있다.In the first opening 221 and the second opening 222 , the refrigerant 300 may directly contact different semiconductor devices 100 , respectively.

냉매(300)는 제1 개방부(221)로 유입되어서 복수 개의 반도체 소자(100) 중 본체부(210)의 일면과 접촉하도록 적층된 반도체 소자(100)와 직접 접촉할 수 있다. The refrigerant 300 may flow into the first opening 221 and may directly contact the semiconductor devices 100 stacked so as to come into contact with one surface of the main body 210 among the plurality of semiconductor devices 100 .

동시에, 냉매(300)는 제2 개방부(222)로 유입되어서 복수 개의 반도체 소자(100) 중 본체부(210)의 타면과 접촉하도록 적층된 반도체 소자(100)와 직접 접촉할 수 있다.At the same time, the refrigerant 300 may flow into the second opening 222 to directly contact the stacked semiconductor device 100 so as to come into contact with the other surface of the main body 210 among the plurality of semiconductor devices 100 .

일 실시예에 따른 방열판(200)의 개방부(220)는 본체부(210)의 한쪽 면에만 형성될 수 있으며, 이때, 개방부(220)는 제1 개방부(221) 또는 제2 개방부(222) 중 하나를 포함할 수 있음은 당연하다.The opening 220 of the heat sink 200 according to an embodiment may be formed only on one side of the body 210, and in this case, the opening 220 is the first opening 221 or the second opening. It goes without saying that one of (222) may be included.

도 3 및 도 4를 참조하여, 입구부(230)는 본체부(210)의 일측에 형성될 수 있다. 입구부(230)는 본체부(210)의 일측에서 개방부(220)까지 연결되는 관통홀일 수 있다. 이러한 입구부(230)를 통해 냉매(300)가 방열판(200)의 내부, 즉 개방부(220)로 유입될 수 있다. 3 and 4 , the inlet 230 may be formed on one side of the main body 210 . The inlet 230 may be a through hole connected from one side of the main body 210 to the opening 220 . The refrigerant 300 may flow into the inside of the heat sink 200 , that is, into the opening 220 through the inlet 230 .

또한, 상기 개방부(220)가 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)를 모두 포함하는 경우, 입구부(230)는 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)와 동시에 연결될 수 있다. 즉, 입구부(230)를 통해 방열판(200) 내부로 유입된 냉매(300)는 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)로 동시에 공급될 수 있다.In addition, when the opening 220 includes both the first opening 221 and the second opening 222 , the inlet 230 includes the first opening 221 and the second opening 222 . ) can be connected at the same time. That is, the refrigerant 300 introduced into the heat sink 200 through the inlet 230 may be simultaneously supplied to the first opening 221 and the second opening 222 .

출구부(240)는 본체부(210)의 타측에 형성될 수 있다. 출구부(240)는 상기 개방부(220)에서 본체부(210)의 타측까지 연결되는 관통홀일 수 있다. 이러한 출구부(240)를 통해 개방부(220)에서 반도체 소자(100)의 열을 흡수한 냉매(300)가 방열판(200)의 외부로 유출될 수 있다.The outlet 240 may be formed on the other side of the main body 210 . The outlet part 240 may be a through hole connected from the opening part 220 to the other side of the body part 210 . The refrigerant 300 , which has absorbed the heat of the semiconductor device 100 in the opening 220 through the outlet 240 , may flow out of the heat sink 200 .

또한, 상기 개방부(220)가 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)를 모두 포함하는 경우, 출구부(240)는 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)와 동시에 연결될 수 있다. 즉, 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)에서 서로 다른 반도체 소자(100)의 열을 흡수한 냉매(300)는 모두 출구부(240)를 통해 방열판(200) 외부로 유출될 수 있다.In addition, when the opening part 220 includes both the first opening part 221 and the second opening part 222 , the outlet part 240 has the first opening part 221 and the second opening part 222 . ) can be connected at the same time. That is, the refrigerant 300 that has absorbed the heat of the semiconductor device 100 different from each other in the first opening 221 and the second opening 222 flows out to the outside of the heat sink 200 through the outlet 240 . can be

도 2 내지 도 4를 참조하여, 휜(250)은 개방부(220) 상에 형성될 수 있다. 휜(250)은 복수 개로 마련되어 각각 일정한 간격으로 이격 배치될 수 있다. 휜(250)의 길이는 개방부(220)가 본체부(210)의 일면으로부터 함몰된 깊이보다 더 길지 않거나 더 짧을 수 있다. 즉, 휜(250)은 개방부(220)의 바닥면으로부터 돌출되지만 그 길이가 본체부(210)의 일면을 벗어날 정도로 돌출되지 않거나 본체부(210)의 일면까지 도달하지 않을 수 있다. 2 to 4 , the fin 250 may be formed on the opening 220 . A plurality of fins 250 may be provided to be spaced apart from each other at regular intervals. The length of the fin 250 may not be longer or shorter than the depth at which the opening 220 is recessed from one surface of the main body 210 . That is, the fin 250 protrudes from the bottom surface of the opening 220 , but the length may not protrude enough to deviate from one surface of the main body 210 or may not reach one surface of the main body 210 .

이러한 복수 개의 휜(250)은 개방부(220)를 통과하는 냉매(300)에 난류를 발생시켜 대류 열전달량을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 냉매(300)와 직접 접촉한 반도체 소자(100) 및 냉매(300) 사이의 열 전달 효율이 증가할 수 있다.The plurality of fins 250 may generate turbulence in the refrigerant 300 passing through the opening 220 to improve the amount of convective heat transfer. Accordingly, heat transfer efficiency between the semiconductor device 100 and the refrigerant 300 in direct contact with the refrigerant 300 may increase.

또한, 도 2에 도시된 휜(250)은 원기둥 형상의 핀형 휜으로 도시되어 있지만, 휜(250)의 형상은 반드시 이에 제한되는 것은 아니며 도 2와는 다른 배열로 배치될 수도 있다. 이에 따라, 방열판(200) 내부에서의 냉매(300) 유동 및 반도체 소자(100) 냉각 성능은 휜(250)의 형상 및 배열에 따라 달라질 수 있다. 즉, 복수 개의 휜(250)은 냉매(300)의 난류 효과를 증가시켜 대류 열전달량을 향상시키는 것에 목적이 있으므로 이를 위한 다양한 형상 또는 배열을 가질 수 있다.In addition, although the fin 250 shown in FIG. 2 is illustrated as a fin-type fin having a cylindrical shape, the shape of the fin 250 is not necessarily limited thereto and may be arranged in an arrangement different from that of FIG. 2 . Accordingly, the flow of the refrigerant 300 and the cooling performance of the semiconductor device 100 in the heat sink 200 may vary depending on the shape and arrangement of the fins 250 . That is, the plurality of fins 250 may have various shapes or arrangements for the purpose of increasing the turbulence effect of the refrigerant 300 to improve the amount of convective heat transfer.

또한, 상기 개방부(220)가 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)를 모두 포함하는 경우, 복수 개의 휜(250)은 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222) 각각의 바닥면으로부터 돌출되도록 형성될 수 있다. In addition, when the opening 220 includes both the first opening 221 and the second opening 222 , the plurality of fins 250 includes the first opening 221 and the second opening ( 222) may be formed to protrude from each bottom surface.

도 4를 참조하여, 제1 개방부(221)에는 복수 개의 제1 휜(251)이 형성될 수 있고, 제2 개방부(222)에는 복수 개의 제2 휜(252)이 형성될 수 있다. 즉, 복수 개의 제1 휜(251)은 제1 개방부(221)를 통과하는 냉매(300)에 난류를 발생시킬 수 있다. 또한, 복수 개의 제2 휜(252)은 제2 개방부(222)를 통과하는 냉매(300)에 난류를 발생시킬 수 있다. 따라서, 방열판(200)의 상부 및 하부에 배치된 반도체 소자(100)들 모두에 대한 냉각 효과가 향상될 수 있다.Referring to FIG. 4 , a plurality of first fins 251 may be formed in the first opening 221 , and a plurality of second fins 252 may be formed in the second opening 222 . That is, the plurality of first fins 251 may generate turbulence in the refrigerant 300 passing through the first opening 221 . In addition, the plurality of second fins 252 may generate turbulence in the refrigerant 300 passing through the second opening 222 . Accordingly, a cooling effect on all of the semiconductor devices 100 disposed above and below the heat sink 200 may be improved.

밀봉부(260)는 본체부(210)의 적어도 일면에 배치될 수 있다. 밀봉부(260)는 개방부(220)로부터 이격 배치될 수 있으며, 밀봉부(260)의 둘레는 개방부(220)보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 밀봉부(260)는 금속 가스킷일 수 있다.The sealing part 260 may be disposed on at least one surface of the body part 210 . The sealing part 260 may be spaced apart from the opening part 220 , and the circumference of the sealing part 260 may be larger than the opening part 220 . For example, the sealing part 260 may be a metal gasket.

이러한 밀봉부(260)에 의해 반도체 소자(100) 및 방열판(200) 사이에서 냉매(300)가 외부로 누수되는 것이 방지될 수 있다. 이에 따라, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)의 내구성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.The refrigerant 300 may be prevented from leaking to the outside between the semiconductor device 100 and the heat sink 200 by the sealing part 260 . Accordingly, durability and reliability of the direct contact type heat dissipation device 10 according to an embodiment may be improved.

또한, 상기 개방부(220)가 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)를 모두 포함하는 경우, 밀봉부(260)는 본체부(210)의 일면 및 타면에 각각 배치될 수 있다. In addition, when the opening 220 includes both the first opening 221 and the second opening 222 , the sealing part 260 may be disposed on one surface and the other surface of the body part 210 , respectively. have.

도 4를 참조하여, 제1 개방부(221)가 형성된 본체부(210)의 일면에는 제1 밀봉부(261)가 형성될 수 있고, 제2 개방부(222)가 형성된 본체부(210)의 타면에는 제2 밀봉부(262)가 형성될 수 있다. 즉, 제1 밀봉부(261)는 제1 개방부(221)를 통과하는 냉매(300)의 누수를 방지할 수 있다. 또한, 제2 밀봉부(262)는 제2 개방부(222)를 통과하는 냉매(300)의 누수를 방지할 수 있다. Referring to FIG. 4 , a first sealing part 261 may be formed on one surface of the body part 210 in which the first opening part 221 is formed, and the body part 210 in which the second opening part 222 is formed. A second sealing portion 262 may be formed on the other surface of the . That is, the first sealing part 261 may prevent leakage of the refrigerant 300 passing through the first opening part 221 . In addition, the second sealing part 262 may prevent leakage of the refrigerant 300 passing through the second opening part 222 .

따라서, 밀봉부(260)는 방열판(200)의 상부에 배치된 반도체 소자(100)와 제1 개방부(221) 사이의 냉매(300) 누수를 방지함과 동시에, 방열판(200)의 하부에 배치된 반도체 소자(100)와 제2 개방부(222) 사이의 냉매(300) 누수 또한 방지할 수 있다.Accordingly, the sealing part 260 prevents leakage of the refrigerant 300 between the semiconductor device 100 disposed on the upper portion of the heat sink 200 and the first opening 221 , and at the same time, is disposed on the lower portion of the heat sink 200 . Leakage of the refrigerant 300 between the disposed semiconductor device 100 and the second opening 222 may also be prevented.

전술한 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)의 복수 개의 방열판(200)은 각각 본체부(210)에 마련된 입구부(230)를 통해 냉매(300)가 개방부(220) 내부로 유입될 수 있다. 냉매(300)는 개방부(220)에서 출구부(240)를 향해 유동함과 동시에 본체부(210)에 적층된 반도체 소자(100)와 직접 접촉하여 반도체 소자(100)를 냉각시킬 수 있다. 이때, 개방부(220) 내부를 통과하는 냉매(300)는 휜(250)에 의해 난류가 발생될 수 있고, 밀봉부(260)에 의해 개방부(220)로부터 누수가 방지될 수 있다. 최종적으로, 반도체 소자(100)의 열을 흡수한 냉매(300)는 출구부(240)를 통해 방열판(200)의 외부로 배출될 수 있다.In each of the plurality of heat sinks 200 of the direct contact type heat dissipation device 10 according to the above-described embodiment, the refrigerant 300 is introduced into the opening 220 through the inlet 230 provided in the main body 210 . can be imported. The refrigerant 300 may flow from the open part 220 toward the outlet part 240 , and may come into direct contact with the semiconductor device 100 stacked on the body part 210 to cool the semiconductor device 100 . At this time, the refrigerant 300 passing through the inside of the opening 220 may generate turbulence by the fin 250 , and leakage from the opening 220 may be prevented by the sealing part 260 . Finally, the refrigerant 300 , which has absorbed the heat of the semiconductor device 100 , may be discharged to the outside of the heat sink 200 through the outlet 240 .

또한, 전술한 바와 같이, 방열판(200)은 개방부(220)의 배치에 따라 단방향 또는 다방향으로 반도체 소자(100)와 접촉할 수 있다.Also, as described above, the heat sink 200 may contact the semiconductor device 100 in one direction or multiple directions depending on the arrangement of the opening 220 .

도 5는 도 1의 직접 접촉식 방열 장치(10)를 구성하는 방열판(200) 중 하나인 단방향 방열판(200)을 개략적으로 나타낸다.5 schematically shows a unidirectional heat sink 200 that is one of the heat sinks 200 constituting the direct contact heat dissipation device 10 of FIG. 1 .

도 6은 도 1의 직접 접촉식 방열 장치(10)를 구성하는 방열판(200) 중 하나인 다방향 방열판(200)을 개략적으로 나타낸다.6 schematically shows a multidirectional heat sink 200 that is one of the heat sinks 200 constituting the direct contact heat dissipation device 10 of FIG. 1 .

도 5를 참조하여, 단방향 방열판(200)은 개방부(220)가 본체부(210)의 일면에 형성될 수 있다. 즉, 단방향 방열판(200)의 개방부(220)는 전술한 바와 같이 제1 개방부(221) 또는 제2 개방부(222) 중 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , in the unidirectional heat sink 200 , an opening 220 may be formed on one surface of the main body 210 . That is, the opening 220 of the unidirectional heat sink 200 may include either the first opening 221 or the second opening 222 as described above.

이러한 단방향 방열판(200)은 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)의 최상단 또는 최하단에 배치되도록 적층될 수 있다. 이때, 단방향 방열판(200)은 방열판(200)의 하부 또는 상부에 배치된 반도체 소자(100)와 개방부(220)가 형성된 면이 접촉하도록 배치될 수 있다.The unidirectional heat sink 200 may be stacked to be disposed at the top or bottom of the direct contact heat dissipation device 10 according to an embodiment. In this case, the unidirectional heat sink 200 may be disposed such that the semiconductor device 100 disposed below or above the heat sink 200 and the surface on which the open portion 220 is formed contact each other.

따라서, 단방향 방열판(200)을 통과하는 냉매(300)는 화살표 방향과 같이 입구부(230), 개방부(220) 및 출구부(240)의 방향으로 유동하고 단방향 방열판(200) 상부 또는 하부에 배치된 반도체 소자(100)와 직접 접촉하면서 반도체 소자(100)를 냉각할 수 있다.Accordingly, the refrigerant 300 passing through the unidirectional heat sink 200 flows in the direction of the inlet 230, the opening 220, and the outlet 240 as shown in the arrow direction, and the unidirectional heat sink 200 is located above or below the The semiconductor device 100 may be cooled while in direct contact with the disposed semiconductor device 100 .

도 6을 참조하여, 다방향 방열판(200)은 개방부(220)가 본체부(210)의 양면에 형성될 수 있다. 즉, 다방향 방열판(200)의 개방부(220)는 전술한 바와 같이 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , in the multidirectional heat sink 200 , the opening 220 may be formed on both surfaces of the main body 210 . That is, the opening 220 of the multidirectional heat sink 200 may include the first opening 221 and the second opening 222 as described above.

이러한 다방향 방열판(200)은 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)의 중간 부분에 배치되도록 적층될 수 있다. 이때, 다방향 방열판(200)은 방열판(200)의 상부 및 하부에 배치된 반도체 소자(100)들과 제1 개방부(221) 및 제2 개방부(222)가 형성된 면이 각각 접촉하도록 배치될 수 있다.The multidirectional heat sink 200 may be stacked to be disposed in the middle portion of the direct contact type heat dissipation device 10 according to an exemplary embodiment. In this case, the multidirectional heat sink 200 is disposed so that the semiconductor devices 100 disposed on the upper and lower portions of the heat sink 200 and the surfaces on which the first opening 221 and the second opening 222 are formed respectively contact each other. can be

따라서, 다방향 방열판(200)을 통과하는 냉매(300)는 화살표 방향과 같이 입구부(230), 개방부(220) 및 출구부(240)의 방향으로 유동하지만, 냉매(300)의 일부는 입구부(230)에서 제1 개방부(221)로 유입되고 냉매(300)의 다른 일부는 입구부(230)에서 제2 개방부(222)로 유입될 수 있다. 제1 개방부(221)로 유입된 냉매(300)의 일부는 다방향 방열판(200)의 상부에 배치된 반도체 소자(100)와 직접 접촉하여 이를 냉각할 수 있다. 반면에, 제2 개방부(222)로 유입된 냉매(300)의 다른 일부는 다방향 방열판(200)의 하부에 배치된 반도체 소자(100)와 직접 접촉하여 이를 냉각할 수 있다. 이와 같이 상이한 반도체 소자(100)를 냉각한 냉매(300)의 일부 및 다른 일부는 다방향 방열판(200)의 출구부(240)에서 다시 합류하여 방열판(200)의 외부로 배출될 수 있다.Accordingly, the refrigerant 300 passing through the multidirectional heat sink 200 flows in the direction of the inlet 230 , the opening 220 and the outlet 240 as shown in the arrow direction, but a portion of the refrigerant 300 is The inlet 230 may flow into the first opening 221 , and another portion of the refrigerant 300 may flow into the second opening 222 through the inlet 230 . A portion of the refrigerant 300 introduced into the first opening 221 may come into direct contact with the semiconductor device 100 disposed on the multidirectional heat sink 200 to cool it. On the other hand, the other portion of the refrigerant 300 introduced into the second opening 222 may directly contact the semiconductor device 100 disposed under the multidirectional heat sink 200 to cool it. As such, a part and another part of the refrigerant 300 that has cooled the different semiconductor devices 100 may rejoin at the outlet portion 240 of the multidirectional heat sink 200 to be discharged to the outside of the heat sink 200 .

또한, 단방향 또는 다방향으로 개방부(220)가 형성된 방열판(200)은 기존의 방열판의 상판 또는 하판이 별도로 필요하지 않기 때문에, 상판 또는 하판의 두께로 인해 발생하는 열저항이 없다. 즉, 종래의 방열판에 비해 열원 및 방열판(200) 사이의 불필요한 열저항을 발생시키는 요소가 제거된 구조를 가질 수 있다. 따라서, 기존의 방열판에 비해 향상된 냉각 성능을 가질 수 있다. 이뿐만 아니라, 전술한 바와 같이 방열판(200)은 열저항이 제거된 구조를 갖기 때문에, 방열판(200)을 구성하는 재료는 열전도율이 높은 재질에만 제한되지 않고 다양한 재료가 선택될 수 있다. 또한, 별도의 상판 또는 하판이 없는 방열판(200)은 나사 조임 또는 브레이징 기법이 반드시 사용될 필요가 없으며, 적층 등과 같이 보다 간단한 제작 방식으로 제작될 수 있다. In addition, since the heat sink 200 in which the opening 220 is formed in one direction or multiple directions does not require a separate upper or lower plate of the existing heat sink, there is no thermal resistance generated due to the thickness of the upper or lower plate. That is, compared to the conventional heat sink, an element generating unnecessary thermal resistance between the heat source and the heat sink 200 may be removed. Therefore, it can have improved cooling performance compared to the conventional heat sink. In addition to this, as described above, since the heat sink 200 has a structure in which thermal resistance is removed, the material constituting the heat sink 200 is not limited to a material having high thermal conductivity, and various materials may be selected. In addition, the heat sink 200 without a separate upper plate or lower plate does not necessarily need to use a screw tightening or brazing technique, and may be manufactured by a simpler manufacturing method such as lamination.

전술한 복수 개의 단방향 및 다방향 방열판(200)과 복수 개의 반도체 소자(100)는 교차 적층되어서 도 1에 도시된 바와 같이 직접 접촉식 방열 장치(10)를 형성할 수 있다.The plurality of unidirectional and multidirectional heat sinks 200 and the plurality of semiconductor devices 100 described above may be cross-stacked to form a direct contact type heat dissipation device 10 as shown in FIG. 1 .

또한, 도 1에 도시된 직접 접촉식 방열 장치(10)는 복수 개로 마련되어 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리(1)를 구성할 수 있다.In addition, the direct contact type heat dissipation device 10 shown in FIG. 1 may be provided in plurality to constitute the direct contact type heat dissipation device assembly 1 .

도 7은 복수 개로 마련되어 도 1의 직접 접촉식 방열 장치(10)가 서로 병렬 연결 및 수직 적층된 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리(1)를 개략적으로 나타낸다.7 schematically shows a direct contact heat dissipation device assembly 1 in which a plurality of direct contact heat dissipating devices 10 of FIG. 1 are connected in parallel to each other and vertically stacked.

도 8은 도 7의 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리(1)의 일부를 나타내는 확대도이다.FIG. 8 is an enlarged view showing a part of the direct contact heat dissipation device assembly 1 of FIG. 7 .

도 7 및 도 8을 참조하여, 도 1의 직접 접촉식 방열 장치(10)는 복수 개로 마련되어서 도 8과 같이 병렬 연결될 수 있다. 또한, 도 8의 직접 접촉식 방열 장치(10)는 수직 적층되어서 도 7의 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리(1)를 형성할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8 , a plurality of direct contact type heat dissipating devices 10 of FIG. 1 may be provided and connected in parallel as shown in FIG. 8 . Further, the direct contact heat dissipation device 10 of FIG. 8 may be vertically stacked to form the direct contact heat dissipation device assembly 1 of FIG. 7 .

도 7을 참조하여, 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리(1)는 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10), 냉매 공급 배관(P1), 냉매 배출 배관(P2) 및 서브 배관(P3)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the direct contact heat dissipation device assembly 1 includes a plurality of direct contact heat dissipation devices 10 , a refrigerant supply pipe (P 1 ), a refrigerant discharge pipe (P 2 ), and a sub pipe (P 3 ). may include

구체적으로, 냉매 공급 배관(P1)은 수직으로 연장된 관이며, 서브 배관(P3)을 통해 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10)와 연결될 수 있다. 냉매 공급 배관(P1)을 통과하는 냉매(300)는 동시에 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10) 각각에 분배될 수 있다.Specifically, the refrigerant supply pipe (P 1 ) is a vertically extended pipe, and may be connected to the plurality of direct contact type heat dissipation devices (10) through the sub pipe (P 3 ). The refrigerant 300 passing through the refrigerant supply pipe (P 1 ) may be simultaneously distributed to each of the plurality of direct contact type heat dissipation devices (10).

냉매 공급 배관(P1)과 유사하게, 냉매 배출 배관(P2)은 수직으로 연장된 관이며, 서브 배관(P3)을 통해 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10)와 연결될 수 있다. 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10)를 통과한 냉매(300)는 냉매 배출 배관(P2)에서 합류하여 배출될 수 있다.Similar to the refrigerant supply pipe (P 1 ), the refrigerant discharge pipe (P 2 ) is a vertically extended pipe, and may be connected to the plurality of direct contact type heat dissipation devices (10) through the sub pipe (P 3 ). The refrigerant 300 passing through the plurality of direct contact heat dissipation devices 10 may be discharged by being merged in the refrigerant discharge pipe P 2 .

서브 배관(P3)은 복수 개로 마련된 관일 수 있다. 서브 배관(P3)은 냉매 공급 배관(P1)과 직접 접촉식 방열 장치(10), 서로 다른 직접 접촉식 방열 장치(10) 또는 직접 접촉식 방열 장치(10)와 냉매 배출 배관(P2) 사이에 배치되어 이들 사이에 냉매 유동을 원활하게 할 수 있다.The sub pipe (P 3 ) may be a pipe provided in plurality. The sub pipe (P 3 ) is a refrigerant supply pipe (P 1 ) and a direct contact heat dissipation device (10), a different direct contact type heat dissipation device (10) or a direct contact type heat dissipation device (10) and a refrigerant discharge pipe (P 2) ) to facilitate the refrigerant flow between them.

구체적으로, 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10)는 각각 서브 배관(P3)을 통해 냉매 공급 배관(P1), 냉매 배출 배관(P2) 및 다른 직접 접촉식 방열 장치(10)와 연결될 수 있다.Specifically, the plurality of direct contact heat dissipation devices 10 are each connected to the refrigerant supply pipe (P 1 ), the refrigerant discharge pipe (P 2 ) and the other direct contact type heat dissipation device 10 through the sub pipe (P 3 ). can

도 8을 참조하여, 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10) 중 하나는 입구부(230)가 서브 배관(P3)을 통해 냉매 공급 배관(P1)과 연결될 수 있고, 출구부(240)가 서브 배관(P3)을 통해 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10) 중 다른 하나와 연결될 수 있다. 이때, 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10) 중 하나의 출구부(240)는 다른 하나의 입구부(230)와 연결될 수 있다. 또한, 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10) 중 다른 하나는 출구부(240)가 서브 배관(P3)을 통해 냉매 배출 배관(P2)과 연결될 수 있다.Referring to FIG. 8 , in one of the plurality of direct contact heat dissipation devices 10 , the inlet 230 may be connected to the refrigerant supply pipe P 1 through the sub pipe P 3 , and the outlet 240 may be connected to the refrigerant supply pipe P 1 . The sub-pipe (P 3 ) may be connected to the other one of the plurality of direct contact type heat dissipation devices (10). In this case, one outlet 240 of the plurality of direct contact heat dissipation devices 10 may be connected to the other inlet 230 . In addition, the outlet 240 of the other one of the plurality of direct contact type heat dissipation devices 10 may be connected to the refrigerant discharge pipe P 2 through the sub pipe P 3 .

결국, 냉매 공급 배관(P1)으로부터 공급된 냉매(300)는 하나의 직접 접촉식 방열 장치(10)를 통과하면서 복수 개의 반도체 소자(100)들을 냉각시키고 서브 배관(P3)을 따라 다른 하나의 직접 접촉식 방열 장치(10)를 통과하면서 또 다른 복수 개의 반도체 소자(100)들을 냉각시킬 수 있다. 최종적으로, 냉매(300) 다른 하나의 직접 접촉식 방열 장치(10)으로부터 냉매 배출 배관(P2)으로 배출될 수 있다.As a result, the refrigerant 300 supplied from the refrigerant supply pipe (P 1 ) passes through one direct contact type heat dissipation device (10) to cool the plurality of semiconductor devices (100), and the other one along the sub pipe (P 3 ) Another plurality of semiconductor devices 100 may be cooled while passing through the direct contact heat dissipation device 10 of the . Finally, the refrigerant 300 may be discharged from the other direct contact type heat dissipation device 10 to the refrigerant discharge pipe (P 2 ).

이와 같이 병렬 연결된 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10)들은 도 7에 도시된 바와 같이 서로 병렬 연결됨과 동시에 냉매 공급 배관(P1) 또는 냉매 배출 배관(P2)의 길이 방향을 따라 수직으로 배치될 수 있다. A plurality of direct contact type heat dissipation devices 10 connected in parallel as shown in FIG. 7 are connected in parallel to each other and at the same time vertically disposed along the longitudinal direction of the refrigerant supply pipe (P 1 ) or the refrigerant discharge pipe (P 2 ) can be

결국, 냉매 공급 배관(P1)을 통과하는 냉매(300)는 수직 배치된 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10) 각각에 분배되고, 각 층에서 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10)를 통과한 냉매(300)는 다시 냉매 배출 배관(P2)에서 합류하여 배출될 수 있다.As a result, the refrigerant 300 passing through the refrigerant supply pipe (P 1 ) is distributed to each of a plurality of direct contact heat dissipation devices 10 disposed vertically, and passes through a plurality of direct contact heat dissipation devices 10 in each layer One refrigerant 300 may be discharged by joining again in the refrigerant discharge pipe (P 2 ).

이때, 병렬 연결될 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10) 중 하나의 층에 배치된 직접 접촉식 방열 장치(10)와 다른 층에 배치된 직접 접촉식 방열 장치(10) 사이에는 가압 부재(미 도시)가 배치될 수 있다. 또는, 가압 부재는 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리(1)의 최상단에 배치될 수도 있다. 가압 부재는 수직 배치된 복수 개의 직접 접촉식 방열 장치(10) 사이에 힘을 가하여 직접 접촉식 방열 장치 어셈블리(1)의 체결력을 증가시킬 수 있다.At this time, between the direct contact heat dissipation device 10 disposed on one layer of the plurality of direct contact heat dissipation devices 10 to be connected in parallel and the direct contact heat dissipation device 10 disposed on the other layer, a pressing member (not shown) ) can be placed. Alternatively, the pressing member may be disposed at the top of the direct contact type heat dissipation device assembly 1 . The pressing member may increase the fastening force of the direct contact type heat dissipation device assembly 1 by applying a force between the plurality of vertically disposed direct contact type heat dissipation devices 10 .

이때, 가압 부재에 의한 체결압은 전술한 방열판(200)의 본체부(210)에 가해질 수 있다. At this time, the fastening pressure by the pressing member may be applied to the main body 210 of the heat sink 200 described above.

또한, 반도체 소자(100) 및 방열판(200) 사이의 체결압은 반도체 소자(100) 및 방열판(200)의 접촉 면적에 따라 증가 또는 감소할 수 있다. 예를 들어, 직접 접촉식 방열 장치(10)의 상부에서 약 0.137m2 면적에 대해 약 98kN의 힘을 가할 때, 그 압력은 대략 7.17MPa이지만, 반도체 소자(100) 및 방열판(200)의 접촉 면적에 의해 반도체 소자(100)의 표면적의 10%에만 힘이 작용된다면 반도체 소자(100) 및 방열판(200) 사이의 체결압은 71.7MPa일 수 있다. 따라서, 방열판(200)의 구조를 변형하여 반도체 소자(100) 및 방열판(200)의 접촉 면적을 확대 또는 축소시키면, 직접 접촉식 방열 장치(10)에 동일한 크기의 힘을 가하더라도 반도체 소자(100) 및 방열판(200) 사이에 실제 작용하는 체결압이 감소 또는 증가할 수 있다.In addition, the fastening pressure between the semiconductor device 100 and the heat sink 200 may increase or decrease depending on the contact area between the semiconductor device 100 and the heat sink 200 . For example, when a force of about 98 kN is applied over an area of about 0.137 m 2 on the top of the direct contact heat dissipation device 10 , the pressure is approximately 7.17 MPa, but the contact between the semiconductor element 100 and the heat sink 200 If a force is applied to only 10% of the surface area of the semiconductor device 100 due to the area, the fastening pressure between the semiconductor device 100 and the heat sink 200 may be 71.7 MPa. Accordingly, if the contact area between the semiconductor element 100 and the heat sink 200 is enlarged or reduced by modifying the structure of the heat sink 200 , even if a force of the same magnitude is applied to the direct contact type heat sink 10 , the semiconductor element 100 ) and the fastening pressure actually acting between the heat sink 200 may decrease or increase.

또한, 이러한 조절에 따라 냉매(300)는 수냉식 외에 상변화 냉각 방식에도 적용될 수 있다.In addition, according to this adjustment, the refrigerant 300 may be applied to a phase change cooling method in addition to the water cooling type.

따라서, 전술한 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 복수 개의 반도체 소자(100)에 냉매(300)가 직접 접촉하여 냉각할 수 있다.Accordingly, in the direct contact heat dissipation device 10 according to the above-described exemplary embodiment, the refrigerant 300 may directly contact the plurality of semiconductor devices 100 to cool them.

또한, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 열원 및 방열판(200) 사이의 열저항을 발생시키는 요소가 제거된 구조를 가지므로, 기존의 방열판에 비해 향상된 냉각 성능을 가질 수 있다. In addition, since the direct contact heat dissipation device 10 according to an embodiment has a structure in which an element generating thermal resistance between the heat source and the heat sink 200 is removed, it can have improved cooling performance compared to the conventional heat sink. .

또한, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 방열판(200)을 구성하는 재질을 자유롭게 선택할 수 있다. In addition, in the direct contact heat dissipation device 10 according to an exemplary embodiment, a material constituting the heat dissipation plate 200 may be freely selected.

또한, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 나사 조임 또는 브레이징 기법이 반드시 사용될 필요가 없으며, 비교적 간단하고 용이한 방식으로 제작될 수 있다. 또한, 반도체 소자(100) 및 방열판(200)은 판 스프링과 같은 가압 부재의 압력에 의해 결합되고, 그 사이에서 냉매(300)가 유동하는 개방부(220)는 금속 가스킷과 같은 밀봉부(260)에 의해 밀폐되므로, 냉매(300)가 직접 접촉식 방열 장치(10)으로부터 누수되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the direct contact type heat dissipation device 10 according to an embodiment does not necessarily need to use a screw tightening or brazing technique, and may be manufactured in a relatively simple and easy manner. In addition, the semiconductor device 100 and the heat sink 200 are coupled by the pressure of a pressing member such as a leaf spring, and the opening 220 through which the refrigerant 300 flows is a sealing portion 260 such as a metal gasket. ), it is possible to prevent the refrigerant 300 from leaking from the direct contact type heat dissipation device 10 .

다시 말해서, 일 실시예에 따른 직접 접촉식 방열 장치(10)는 반도체 소자(100)와 적어도 일면이 개방된 단방향 및 다방향 방열판(200)을 교차 적층하여 냉매(300)가 반도체 소자(100)와 직접 접촉할 수 있고, 적층된 반도체 소자(100) 및 방열판(200)은 가압 부재에 의한 압력으로 서로 결합되기 때문에 방열판(200)의 상판 또는 하판과 같은 구성이 별도로 필요하지 않다. 이에 따라, 상판 또는 하판의 두께에 의한 열저항이 제거되므로 반도체 소자(100)에 대한 방열 효과가 더욱 향상될 수 있다.In other words, in the direct contact heat dissipation device 10 according to an embodiment, the semiconductor device 100 and the unidirectional and multidirectional heat sink 200 having at least one surface are cross-stacked so that the refrigerant 300 is the semiconductor device 100 . can be in direct contact with, and since the stacked semiconductor device 100 and the heat sink 200 are coupled to each other by pressure by a pressing member, a separate configuration such as an upper plate or a lower plate of the heat sink 200 is not required. Accordingly, since thermal resistance due to the thickness of the upper plate or the lower plate is removed, the heat dissipation effect of the semiconductor device 100 may be further improved.

이상과 같이 본 발명의 실시예에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, in the embodiment of the present invention, specific matters such as specific components, etc., and limited embodiments and drawings have been described, but these are only provided to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is limited to the above embodiments Various modifications and variations are possible from these descriptions by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. For example, the described techniques are performed in an order different from the described method, and/or the described components of structures, devices, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components or equivalents. An appropriate result can be achieved even if it is substituted or substituted by Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and not only the claims to be described later, but also all of the claims and equivalents or equivalent modifications will be said to belong to the scope of the spirit of the present invention. .

10: 직접 접촉식 방열 장치
100: 반도체 소자
200: 방열판
210: 본체부
220: 개방부
221: 제1 개방부
222: 제2 개방부
230: 입구부
240: 출구부
250: 휜
260: 밀봉부
300: 냉매10: direct contact heat sink
100: semiconductor device
200: heat sink
210: body part
220: opening
221: first opening
222: second opening
230: inlet
240: exit
250: bent
260: seal
300: refrigerant

Claims (9)

복수 개의 반도체 소자;
적어도 일면이 상기 반도체 소자와 접촉하도록 적층되는 복수 개의 방열판;
상기 방열판 내부를 흐르는 냉매;
를 포함하고,
상기 방열판은 적어도 일면이 개방되어서, 상기 냉매가 상기 반도체 소자와 직접 접촉시킴으로써 상기 반도체 소자로부터 발생한 열을 방열하는, 직접 접촉식 방열 장치.
a plurality of semiconductor devices;
a plurality of heat sinks stacked so that at least one surface thereof is in contact with the semiconductor device;
a refrigerant flowing inside the heat sink;
including,
At least one surface of the heat sink is open, and the coolant is in direct contact with the semiconductor element to dissipate heat generated from the semiconductor element.
 제1항에 있어서,
상기 방열판은,
본체부;
상기 본체부의 적어도 일면에 형성되는 개방부;
상기 본체부의 일측에서 개방부로 관통되는 입구부;
상기 개방부에서 상기 본체부의 타측으로 관통되는 출구부;
상기 개방부 상에 형성된 복수 개의 휜;
을 포함하고,
상기 개방부는 상기 본체부가 상기 반도체 소자와 비접촉하는 부분인, 직접 접촉식 방열 장치.
According to claim 1,
The heat sink is
body part;
an opening formed on at least one surface of the main body;
an inlet penetrating through the opening from one side of the main body;
an outlet portion penetrating through the other side of the body portion from the open portion;
a plurality of fins formed on the opening;
including,
The open portion is a portion in which the body portion does not contact the semiconductor element, the direct contact type heat dissipation device.
 제2항에 있어서,
상기 방열판은 상기 본체부의 적어도 일면에 배치된 밀봉부를 더 포함하고,
상기 밀봉부에 의해 냉매가 상기 반도체 소자와 상기 방열판 사이에서 누수되는 것이 방지되는, 직접 접촉식 방열 장치.
3. The method of claim 2,
The heat sink further includes a sealing portion disposed on at least one surface of the body portion,
The direct contact type heat dissipation device, wherein the sealing portion prevents refrigerant from leaking between the semiconductor element and the heat sink.
 제3항에 있어서,
상기 밀봉부는 금속 가스킷인, 직접 접촉식 방열 장치.
4. The method of claim 3,
wherein the seal is a metal gasket.
 제2항에 있어서,
상기 개방부는,
상기 본체부의 일면에 형성된 제1 개방부; 및
상기 본체부의 타면에 형성된 제2 개방부;
를 포함하고,
상기 냉매는 상기 제1 개방부로 유입되어서 상기 복수 개의 반도체 소자 중 상기 본체부의 일면과 접촉하도록 적층된 반도체 소자와 직접 접촉하고,
상기 냉매는 동시에 상기 제2 개방부로 유입되어서 상기 복수 개의 반도체 소자 중 상기 본체부의 타면과 접촉하도록 적층된 반도체 소자와 직접 접촉하는, 직접 접촉식 방열 장치.
3. The method of claim 2,
The opening is
a first opening formed on one surface of the main body; and
a second opening formed on the other surface of the main body;
including,
The refrigerant flows into the first opening and directly contacts the semiconductor elements stacked so as to come into contact with one surface of the body part among the plurality of semiconductor elements,
The refrigerant flows into the second opening at the same time to directly contact the semiconductor elements stacked so as to come into contact with the other surface of the main body among the plurality of semiconductor elements.
 제2항에 있어서,
상기 복수 개의 휜은 상기 개방부를 지나는 상기 냉매의 난류를 발생시키는, 직접 접촉식 방열 장치.
3. The method of claim 2,
The plurality of fins generate a turbulent flow of the refrigerant passing through the opening, a direct contact type heat dissipation device.
 제1항에 있어서,
적층된 복수 개의 상기 반도체 소자 또는 방열판은 클램핑 결합되는, 직접 접촉식 방열 장치.
According to claim 1,
A plurality of stacked semiconductor elements or heat sinks are clamped and coupled, direct contact type heat dissipation device.
 제1항에 있어서,
적층된 복수 개의 상기 반도체 소자 또는 방열판의 최상단에 배치되는 가압 부재를 더 포함하고,
상기 가압 부재는 적층된 복수 개의 상기 반도체 소자 및 방열판에 압력을 가하여 체결력을 증가시키는, 직접 접촉식 방열 장치.
According to claim 1,
Further comprising a pressing member disposed on the top of the plurality of stacked semiconductor elements or heat sink,
The pressure member applies pressure to the stacked plurality of semiconductor elements and the heat sink to increase the fastening force, a direct contact type heat dissipation device.
 제1항에 있어서,
상기 복수 개의 반도체 소자는 IGBT 모듈인, 직접 접촉식 방열 장치.
According to claim 1,
The plurality of semiconductor elements is an IGBT module, a direct contact type heat dissipation device.
KR1020200064874A 2020-05-29 2020-05-29 Direct contact heat sink KR102346767B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200064874A KR102346767B1 (en) 2020-05-29 2020-05-29 Direct contact heat sink

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200064874A KR102346767B1 (en) 2020-05-29 2020-05-29 Direct contact heat sink

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210147514A true KR20210147514A (en) 2021-12-07
KR102346767B1 KR102346767B1 (en) 2022-01-04

Family

ID=78868278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200064874A KR102346767B1 (en) 2020-05-29 2020-05-29 Direct contact heat sink

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102346767B1 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0595064A (en) * 1991-10-01 1993-04-16 Hitachi Ltd Semiconductor cooling device
JPH0680912A (en) * 1992-09-04 1994-03-22 Nissan Motor Co Ltd Automobile coating composition and substrate coated therewith
JPH08204079A (en) * 1995-01-27 1996-08-09 Toshiba Corp Flat semiconductor device heat sink
JP2004119667A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device for electric power
JP2004316955A (en) * 2003-04-11 2004-11-11 Sumitomo Electric Ind Ltd Thin flow passage forming body, heat exchanger, electronic equipment and method of manufacturing of thin flow passage forming body
JP2005302882A (en) * 2004-04-08 2005-10-27 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor device
JP2006166604A (en) * 2004-12-08 2006-06-22 Mitsubishi Electric Corp Power conversion apparatus
JP2012033862A (en) * 2010-07-09 2012-02-16 Denso Corp Semiconductor device
JP2017224651A (en) * 2016-06-13 2017-12-21 トヨタ自動車株式会社 Cooler

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0595064A (en) * 1991-10-01 1993-04-16 Hitachi Ltd Semiconductor cooling device
JPH0680912A (en) * 1992-09-04 1994-03-22 Nissan Motor Co Ltd Automobile coating composition and substrate coated therewith
JPH08204079A (en) * 1995-01-27 1996-08-09 Toshiba Corp Flat semiconductor device heat sink
JP2004119667A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device for electric power
JP2004316955A (en) * 2003-04-11 2004-11-11 Sumitomo Electric Ind Ltd Thin flow passage forming body, heat exchanger, electronic equipment and method of manufacturing of thin flow passage forming body
JP2005302882A (en) * 2004-04-08 2005-10-27 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor device
JP2006166604A (en) * 2004-12-08 2006-06-22 Mitsubishi Electric Corp Power conversion apparatus
JP2012033862A (en) * 2010-07-09 2012-02-16 Denso Corp Semiconductor device
JP2017224651A (en) * 2016-06-13 2017-12-21 トヨタ自動車株式会社 Cooler

Also Published As

Publication number Publication date
KR102346767B1 (en) 2022-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8472193B2 (en) Semiconductor device
US6915844B2 (en) Cooling device
US7106589B2 (en) Heat sink, assembly, and method of making
TWI458927B (en) Heat sink
US20170314870A1 (en) Heat dissipating structure and water-cooling heat dissipating apparatus including the structure
US7448438B2 (en) Heat pipe type heat dissipation device
US20170268828A1 (en) Liquid-cooling heat dissipating apparatus and heat dissipating structure thereof
BR102012015581A2 (en) COOLING DEVICE, ENERGY MODULE AND METHOD
US9713284B2 (en) Locally enhanced direct liquid cooling system for high power applications
JP2016540371A (en) Heat dissipation device
US20150000886A1 (en) Apparatus for Heat Dissipation and a Method for Fabricating the Apparatus
US20080142192A1 (en) Heat dissipation device with a heat pipe
US7661465B2 (en) Integrated cooling system with multiple condensing passages for cooling electronic components
KR102346767B1 (en) Direct contact heat sink
US7757750B2 (en) Integrated cooling system for electronic components
TWI450680B (en) Heat dissipation device and heat dissipation method thereof
US20220246493A1 (en) Water-cooling device with composite heat-dissipating structure
CN211481765U (en) Heat dissipation device and base station
US7040389B2 (en) Integrated heat dissipation apparatus
WO2022227620A1 (en) Heat sink and electronic device
WO2021027454A1 (en) Heat dissipation device, and base station
US20210007245A1 (en) Heat dissipation device
KR102580054B1 (en) Heat sink that can respond flexibly to heat dissipation efficiency and curved surfaces
JP2019102677A (en) Semiconductor cooling device
TW201835520A (en) Heat dissipation fin set

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant