KR20210139470A - 접지된 용량성 샘플 근접 센서를 갖는 검사 시스템 - Google Patents

접지된 용량성 샘플 근접 센서를 갖는 검사 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20210139470A
KR20210139470A KR1020217035860A KR20217035860A KR20210139470A KR 20210139470 A KR20210139470 A KR 20210139470A KR 1020217035860 A KR1020217035860 A KR 1020217035860A KR 20217035860 A KR20217035860 A KR 20217035860A KR 20210139470 A KR20210139470 A KR 20210139470A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
measurement
sensor electrode
conductive plate
capacitive proximity
conductive
Prior art date
Application number
KR1020217035860A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102581621B1 (ko
Inventor
양 시에
페이롱 린
러쉬포드 에이. 오그덴
Original Assignee
케이엘에이 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이엘에이 코포레이션 filed Critical 케이엘에이 코포레이션
Publication of KR20210139470A publication Critical patent/KR20210139470A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102581621B1 publication Critical patent/KR102581621B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/24—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance
    • G01D5/241—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes
    • G01D5/2417—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes by varying separation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/003—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring position, not involving coordinate determination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/023—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring distance between sensor and object
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/14—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945—Proximity switches
    • H03K17/955—Proximity switches using a capacitive detector
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/96—Touch switches
    • H03K17/962—Capacitive touch switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/96—Touch switches
    • H03K2017/9602—Touch switches characterised by the type or shape of the sensing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/94—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00 characterised by the way in which the control signal is generated
    • H03K2217/96—Touch switches
    • H03K2217/9607—Capacitive touch switches
    • H03K2217/960755—Constructional details of capacitive touch and proximity switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

용량성 근접 측정 시스템은 샘플의 테스트 표면 상의 전도성 측정 영역에 근접하게 배치되도록 구성된 센서 전극, 시스템 접지와 테스트 표면에 평행한 전도성 플레이트 사이의 전기적 연결을 제공하도록 구성된 플레이트 커넥터, 및 제어기를 포함할 수 있다. 측정 회로가 센서 전극과 전도성 플레이트 사이에 형성될 수 있고, 테스트 표면은 센서 전극과 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동이다. 제어기는 또한 전도성 플레이트에 대해 센서 전극의 전압을 조정하고, 측정 회로와 연관된 커패시턴스를 결정하며, 측정 회로와 연관된 커패시턴스에 기초하여 센서 전극과 측정 영역 사이의 거리를 결정할 수 있다.

Description

접지된 용량성 샘플 근접 센서를 갖는 검사 시스템
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 시에 양(Yang Xie), 린 페이롱(Feilong Lin) 및 오그던 러시포드 에이.(Rushford A. Ogden)를 발명자로 명명하고 2019년 4월 12일자에 출원된 발명의 명칭이 "EUV 레티클 전자빔 검사 시스템에서 레티클 높이 측정을 위한 EUV 레티클 후면 접지(EUV RETICLE BACKSIDE GROUNDING FOR RETICLE HEIGHT MEASUREMENT IN EUV RETICLE EBEAM INSPECTION SYSTEM)"인 미국 가출원 제 62/833,043 호에 대한 우선권을 35 U.S.C.§119(e) 규정하에서 주장하며, 이는 그 전체가 본 명세서에 참조로 포함된다.
기술분야
본 개시는 일반적으로 검사 시스템에서의 샘플 근접 검출에 관한 것으로, 보다 구체적으로 검사 시스템에서 공간 가변 저항을 갖는 샘플의 근접 검출에 관한 것이다.
검사 시스템은 일반적으로 시스템의 하나 이상의 구성 요소로부터 특정 작동 거리(예를 들어, 샘플 높이)에 위치한 샘플을 검사하도록 설계된다. 따라서, 샘플은 적절한 작동 거리에 있을 때 시스템에서 적절하게 정렬될 수 있다. 또한, 샘플 높이의 오정렬은 검출기 오정렬 또는 샘플 상의 소스 빔의 스폿 크기 증가와 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 다양한 방식으로 시스템 성능 및 시스템 해상도에 부정적인 영향을 미칠 수 있다.
검사 시스템은 일반적으로 시스템 내에서 샘플 위치를 검출하고 제어하기 위한 하나 이상의 근접 센서를 포함한다. 또한, 검사 시스템은 일반적으로 리소그래피에 사용되는 레티클과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 전기 전도성 상부 층을 갖는 샘플과 함께 용량성 근접 센서를 사용한다. 이와 관련하여, 전기 전도성 상부 층은 검출 회로에 연결되고, 전극과 전기 전도성 상부 층 사이의 측정된 커패시턴스는 전극과 샘플 사이의 거리와 직접적인 관련이 있다. 그러나, EUV 리소그래피에 적합한 레티클과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 많은 관심 샘플은 공간적 가변 저항을 가지고 있다. 결과적으로, 이러한 샘플을 일반적인 커패시턴스 근접 센서로 측정하면 전극의 공간적 위치에 따라 달라지는 근접 오차를 초래할 수 있다. 따라서, 공간적 가변 저항을 갖는 샘플의 근접 검출을 위한 시스템 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 개시의 하나 이상의 예시적인 실시예들에 따라 용량성 근접 측정 시스템이 개시된다. 하나의 예시적인 실시예에서, 시스템은 샘플의 테스트 표면 상의 전도성 측정 영역에 근접하게 배치될 수 있는 센서 전극을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 시스템 접지와 테스트 표면에 평행한 전도성 플레이트 사이의 전기적 연결을 제공할 수 있는 플레이트 커넥터를 포함하며, 여기서 측정 회로가 센서 전극과 전도성 플레이트 사이에 형성되고 테스트 표면은 센서 전극과 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동이다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 센서 전극 및 플레이트 커넥터에 통신 가능하게 결합된 제어기를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 제어기는 전도성 플레이트에 대해 센서 전극의 전압을 조정한다. 다른 예시적인 실시예에서, 제어기는 측정 회로와 연관된 커패시턴스를 결정한다. 다른 예시적인 실시예에서, 제어기는 측정 회로와 연관된 커패시턴스에 기초하여 센서 전극과 측정 영역 사이의 거리를 결정한다.
본 개시의 하나 이상의 예시적인 실시예들에 따라 검사 시스템이 개시된다. 하나의 예시적인 실시예에서, 시스템은 전자빔을 샘플에 지향시키기 위한 전자빔 컬럼을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 시스템은 전자빔 컬럼에 인접하게 위치된 용량성 근접 측정 시스템을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 용량성 근접 측정 시스템은 샘플의 테스트 표면 상의 전도성 측정 영역에 근접하게 배치될 수 있는 센서 전극을 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 용량성 근접 측정 시스템은 시스템 접지와 테스트 표면에 평행한 전도성 플레이트 사이의 전기적 연결을 제공할 수 있는 플레이트 커넥터를 포함하며, 여기서 측정 회로가 센서 전극과 전도성 플레이트 사이에 형성되고 테스트 표면은 센서 전극과 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동이다. 다른 예시적인 실시예에서, 용량성 근접 측정 시스템은 센서 전극 및 플레이트 커넥터에 통신 가능하게 결합된 제어기를 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 제어기는 전도성 플레이트에 대해 센서 전극의 전압을 조정한다. 다른 예시적인 실시예에서, 제어기는 측정 회로와 연관된 커패시턴스를 결정한다. 다른 예시적인 실시예에서, 제어기는 측정 회로와 연관된 커패시턴스에 기초하여 센서 전극과 측정 영역 사이의 거리를 결정한다.
본 개시의 하나 이상의 예시적인 실시예들에 따라 용량성 근접 측정을 위한 방법이 개시된다. 일 예시적인 실시예에서, 방법은 테스트 표면 상에 전도성 측정 영역을 갖는 샘플을 수용하는 단계를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 방법은 측정 영역에 근접하게 센서 전극을 배치하는 단계를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 방법은 테스트 표면에 평행하게 전도성 플레이트를 배치하는 단계를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 방법은 센서 전극과 전도성 플레이트 사이에 측정 회로를 형성하는 단계를 포함하고, 여기서 테스트 표면은 센서 전극 및 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동이다. 다른 예시적인 실시예에서, 방법은 전도성 플레이트에 대해 센서 전극의 전압을 조정하는 단계를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 방법은 측정 회로와 연관된 커패시턴스를 측정하는 단계를 포함한다. 다른 예시적인 실시예에서, 방법은 측정 회로와 연관된 커패시턴스에 기초하여 센서 전극과 측정 영역 사이의 거리를 결정하는 단계를 포함한다.
전술한 일반적인 설명과 다음의 상세한 설명은 모두 단지 예시적이고 설명적인 것이며, 청구된 바와 같이 본 발명을 반드시 제한하는 것은 아님을 이해해야 한다. 본 명세서에 통합되어 그 일부를 구성하는 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들을 도시하고, 일반적인 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.
본 개시의 수많은 장점들은 첨부 도면들을 참조함으로써 본 기술 분야의 당업자에 의해 보다 잘 이해될 수 있다:
도 1은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 용량성 근접 측정 시스템을 도시하는 블록도이다.
도 2는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 전도성 샘플의 근접 측정을 위해 구성된 용량성 근접 측정 시스템의 개념도이다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 공간적 가변 저항(RS)을 갖는 샘플의 테스트 표면의 평면도이다.
도 4는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 3에 도시된 바와 같이 구성된 샘플의 테스트 표면의 근접 측정을 위해 구성된 용량성 근접 측정 시스템의 개념도로서, 여기서 테스트 표면은 테스트 표면에 전기적으로 연결된다.
도 5는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 전기적 부동 샘플에서 센서 전극과 반대 측면 상에 전도성 플레이트를 포함하는 측정 회로를 형성하기 위한 용량성 근접 측정 시스템의 개념도이다.
도 6은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 5의 용량성 근접 측정에 대응하는 측정 회로와 연관된 회로도이다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 전기적 부동 샘플에서 센서 전극과 동일한 측면 상에 전도성 플레이트를 갖는 측정 회로를 형성하기 위한 용량성 근접 측정 시스템의 개념도이다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 2개의 전도성 플레이트 및 전기적 부동 샘플을 갖는 측정 회로를 형성하기 위한 용량성 근접 측정 시스템의 개념도이다.
도 9는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 용량성 근접 측정 시스템을 포함하는 검사 도구의 개념도이다.
도 10은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 절연 경계 저항의 함수로서 도 5, 도 7 및 도 8에 도시된 상이한 구성의 용량성 근접 측정 시스템의 성능의 시뮬레이션을 도시하는 플롯이다.
도 11은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 용량성 근접 측정을 수행하기 위한 방법에서 수행되는 단계들을 도시하는 흐름도이다.
이제 첨부 도면들에 도시되는 개시된 주제를 상세히 참조할 것이다. 본 개시는 특정 실시예들 및 이의 구체적인 특징과 관련하여 특별히 도시되고 설명되었다. 본 명세서에 제시된 실시예들은 제한적이기 보다는 예시적인 것으로 간주된다. 본 개시의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 형태 및 세부 사항에서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있다는 것은 당업자에게 용이하게 명백해야 한다.
본 개시의 실시예들은 근접 측정이 전극과 테스트 표면 사이의 커패시턴스 뿐만 아니라 테스트 표면과 테스트 표면에 평행하게 배향된 전도성 플레이트 사이의 커패시턴스에 기초하는 용량성 근접 측정 시스템에 관한 것이다. 이와 관련하여, 용량성 근접 측정 시스템은 공간적 가변 저항을 갖는 테스트 표면의 위치를 결정하는 데 적합할 수 있다.
용량성 근접 검출은 일반적으로 전극(예를 들어, 플레이트 전극)을 포함하는 제어기 회로에 전도성 테스트 표면을 연결하고, 전극과 테스트 표면 사이의 커패시턴스를 측정하며, 측정된 커패시턴스에 기초하여 전극과 테스트 표면 사이의 거리를 결정함으로써 수행될 수 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 또한, 테스트 표면은 일반적으로 테스트 표면과 기계적 및 전기적으로 접촉하는 리드를 통해 제어기 회로에 연결될 수 있다. 그러나, 테스트 표면에 공간적 가변 저항이 있는 경우, 측정된 커패시턴스는 테스트 표면 상의 리드의 접촉점의 상대적 위치와 테스트 표면을 따른 전극의 공간적 위치에 따라 달라질 수 있다. 결과적으로, 시스템은 테스트 표면 상의 리드의 접촉점의 상대적 위치와 테스트 표면을 따른 전극의 공간적 위치에 기초하여 측정 오차가 발생하기 쉽다. 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 리소그래피를 위한 레티클과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 많은 관심 샘플이 공간적 가변 저항을 나타낼 수 있어 근접 측정이 이러한 측정 오차를 겪을 수 있다는 것이 본 명세서에서 추가로 인식된다.
본 개시의 실시예들은 전극과 테스트 표면 사이의 커패시턴스 및 테스트 표면과 테스트 표면에 평행한 추가 전도성 플레이트 사이의 커패시턴스인 적어도 2개의 커패시턴스 값에 기초하여 전극과 테스트 표면 사이의 거리 측정을 제공한다. 또한, 소스 회로 및 측정 회로를 포함하는 제어기가 측정 회로를 완성하기 위해 전극 및 전도성 플레이트에 연결될 수 있다. 이와 관련하여, 테스트 표면은 리드와 직접 전기적으로 접촉하지 않으므로 전극 및 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동(float)일 수 있다. 결과적으로, 거리 측정에 대한 테스트 표면의 표면에 걸친 공간적 가변 저항의 영향은 실질적으로 감소되거나 제거될 수 있다.
전도성 플레이트는 임의의 방향을 따라 테스트 표면으로부터 분리될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전도성 플레이트는 테스트 표면에서 전극과 반대 측면 상에 있다. 또한, 전도성 플레이트는 테스트 표면을 포함하는 샘플과 통합되거나 이로부터 분리될 수 있다. 비제한적인 예로서, EUV 리소그래피와 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 반사 리소그래피에 사용되는 레티클은 절연 기판 상에 반사 요소의 패턴을 포함할 수 있다. 이에 따라, 전도성 플레이트는 절연 기판의 후면 상에 성막된 전도성 층으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 용량성 근접 측정 시스템은 별도의 전도성 플레이트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 샘플은 측정 중에 별도의 전도성 플레이트에 놓일 수 있다.
일부 실시예들에서, 전도성 플레이트는 테스트 표면에서 전극과 동일한 측면 상에 있다. 예를 들어, 전도성 플레이트는 전극과 테스트 표면 사이에 방해받지 않는 가시선을 포함할 수 있다. 또한, 전극 또는 관련 하우징의 일부가 개구를 통해 돌출될 수 있지만 반드시 개구를 통해 돌출될 필요는 없다.
일부 실시예들에서, 용량성 근접 측정 시스템은 2개 이상의 전도성 플레이트를 포함한다. 예를 들어, 용량성 근접 측정 시스템은 테스트 표면의 양쪽 측면 상에 전도성 플레이트를 포함할 수 있다.
본 개시의 추가 실시예들은 본 명세서에 개시된 바와 같은 용량성 근접 측정 시스템을 포함하는 검사 시스템에 관한 것이다. 이와 관련하여, 용량성 근접 측정 시스템은 검사 시스템 내에서 샘플의 위치(예를 들어, 측정 시스템에서의 샘플 높이)를 검출 및/또는 제어할 수 있다. 따라서, 용량성 근접 측정 시스템은 테스트 표면에 걸쳐 공간적 가변 저항을 포함하는 샘플을 포함하지만, 이에 제한되지 않는, 광범위한 샘플의 정확한 정렬을 검사 시스템에서 용이하게 할 수 있다.
이제 일반적으로 도 1 내지 도 11을 참조하면, 테스트 표면에 걸쳐 공간적 가변 저항을 갖는 샘플에 대한 용량성 근접 측정을 위한 시스템 및 방법이 더 상세히 설명된다.
도 1은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 용량성 근접 측정 시스템(100)을 도시하는 블록도이다. 일 실시예에서, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 센서 전극(102) 및 플레이트 커넥터(104)를 포함한다. 그런 다음, 플레이트 커넥터(104)는 전도성 플레이트(106)에 전기적으로 연결될 수 있다. 다른 실시예에서, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 센서 전극(102) 및 플레이트 커넥터(104)에 결합된 센서 제어기(108)를 포함한다. 이와 관련하여, 측정 회로는 센서 전극(102)과 전도성 테스트 표면 사이에 형성되는 커패시터뿐만 아니라 전도성 테스트 표면과 전도성 플레이트(106)로부터 형성되는 커패시터를 포함할 수 있다. 또한, 센서 제어기(108)와 센서 전극(102) 및 플레이트 커넥터(104) 사이의 전기적 연결은 측정 회로를 완성할 수 있다.
일 실시예에서, 전도성 플레이트(106)는 용량성 근접 측정 시스템(100)의 구성 요소이다. 예를 들어, 전도성 플레이트(106)는 금속과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 전기 전도성 물질로 형성된 플레이트를 포함할 수 있다. 또한, 전도성 플레이트(106)는 테스트되는 샘플과 독립적으로 제공될 수 있다. 다른 실시예에서, 전도성 플레이트(106)는 테스트되는 샘플의 구성 요소이다. 예를 들어, 샘플은 절연 기판의 한 측면 상에 관심 테스트 표면을 포함하고, 절연 기판의 반대 측면 상에 전도성 층을 포함할 수 있다. 따라서, 전도성 층은 용량성 근접 측정 시스템(100)의 전도성 플레이트(106) 및 플레이트 커넥터(104)로서 작동할 수 있고, 측정 동안 전도성 층에 전기적으로 연결될 수 있다.
센서 제어기(108)는 용량성 근접 측정을 제공 및/또는 분석하기 위한 다양한 구성 요소를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 센서 제어기(108)는 커패시턴스 측정을 위해 센서 전극(102) 및/또는 전도성 플레이트(106) 상에 전하를 유도하기 위한 소스 회로(110)를 포함한다. 예를 들어, 소스 회로(110)는 전압 소스 및/또는 전류 소스를 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 또한, 소스 회로(110)는 직류(DC) 소스 또는 교류(AC) 소스를 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 용량성 근접 측정은 센서 전극(102)에 일정한 및/또는 교류 전압을 제공함으로써 수행될 수 있다.
다른 실시예에서, 센서 제어기(108)는 센서 전극(102)과 테스트 표면 사이의 커패시턴스를 측정하기 위한 측정 회로(112)를 포함한다. 또한, 측정 회로(112)는 측정된 커패시턴스에 기초하여 센서 전극(102)과 테스트 표면 사이의 거리를 결정할 수 있다.
다른 실시예에서, 센서 제어기(108)는 하나 이상의 프로세서(114) 및/또는 메모리 매체(116)(예를 들어, 메모리)를 포함한다. 예를 들어, 센서 제어기(108)는 측정 데이터(예를 들어, 커패시턴스 값, 거리 값 등)를 메모리 매체(116)에 저장할 수 있다. 이와 관련하여, 측정 데이터는 나중에 사용하기 위해 저장되고/되거나 외부 시스템에 전송될 수 있다. 다른 예로서, 프로세서(114)는 메모리 매체(116) 상에 유지되는 프로그램 명령어를 실행하도록 구성될 수 있다. 이와 관련하여, 센서 제어기(108)의 하나 이상의 프로세서(114)는 본 개시 전체에 걸쳐 설명된 다양한 프로세스 단계들 중 임의의 단계를 실행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(114)는 측정된 커패시턴스에 기초하여 센서 전극(102)과 테스트 표면 사이의 거리를 결정할 수 있다. 다른 예에서, 프로세서(114)는 선택된 전압 및/또는 전류를 측정 회로에 제공하도록 소스 회로(110)를 (예를 들어, 제어 신호를 통해) 제어할 수 있다.
센서 제어기(108)의 하나 이상의 프로세서(114)는 당 업계에 공지된 임의의 처리 요소를 포함할 수 있다. 이러한 의미에서, 하나 이상의 프로세서(114)는 알고리즘 및/또는 명령어를 실행하도록 구성된 임의의 마이크로프로세서 유형 디바이스를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 프로세서(114)는 하나 이상의 필드 프로그램 가능 게이트 어레이(field-programmable gate arrays; FPGA) 등을 포함한다.
추가적으로, 센서 제어기(108) 및 임의의 연관된 구성 요소(예를 들어, 프로세서(114), 메모리 매체(116) 등)는 공통 하우징 또는 다수의 하우징 내에(예를 들어, 분산 구성으로) 수용된 하나 이상의 제어기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서(114)는 본 개시 전체에 걸쳐 설명된 바와 같이, 데스크탑 컴퓨터, 메인 프레임 컴퓨터 시스템, 워크 스테이션, 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서, 또는 용량성 근접 측정 시스템(100)을 동작시키도록 구성된 프로그램을 실행하도록 구성된 임의의 다른 컴퓨터 시스템(예를 들어, 네트워크로 연결된 컴퓨터)을 포함할 수 있다. 일반적으로, "프로세서"라는 용어는 비일시적 메모리 매체(116)로부터의 프로그램 명령어를 실행하는 하나 이상의 처리 요소를 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다는 것이 또한 인식된다.
메모리 매체(116)는 연관된 하나 이상의 프로세서(114)에 의해 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하기에 적합한 당 업계에 공지된 임의의 저장 매체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 매체(116)는 비일시적 메모리 매체를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 메모리 매체(116)는 읽기 전용 메모리, 랜덤 액세스 메모리, 자기 또는 광학 메모리 디바이스(예를 들어, 디스크), 자기 테이프, 솔리드 스테이트 드라이브 등을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 또한, 메모리 매체(116)는 하나 이상의 프로세서(114)를 수용하는 공통 제어기에 수용될 수 있음을 유념한다. 일 실시예에서, 메모리 매체(116)는 하나 이상의 프로세서(114) 및 센서 제어기(108)의 물리적 위치에 대해 원격으로 위치될 수 있다. 예를 들어, 센서 제어기(108)의 하나 이상의 프로세서(114)는 네트워크(예를 들어, 인터넷, 인트라넷 등)를 통해 액세스 가능한 원격 메모리(예를 들어, 서버)에 액세스할 수 있다. 그러므로, 상기 설명은 본 개시에 대한 제한으로 해석되어서는 안 되고, 단지 예시로서 해석되어야 한다.
또한, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 상이한 유형의 샘플의 측정을 용이하게 하기 위해 다양한 구성으로 제공될 수 있음을 이해해야 한다. 이와 관련하여, 다양한 실시예들은 도 1의 블록도에 도시된 구성 요소의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 또한, 각각의 실시예는 도 1의 블록도에 도시된 모든 구성 요소를 포함할 필요는 없다.
도 2는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 전도성 샘플(202)의 근접 측정을 위해 구성된 용량성 근접 측정 시스템(100)의 개념도이다. 일 실시예에서, 센서 전극(102)이 전도성 샘플(202)에 평행하게(또는 실질적으로 평행하게) 배향된다. 예를 들어, 용량성 센서(204)는 센서 전극(102) 및 하우징(206)을 포함할 수 있으며, 하우징은 센서 전극(102)을 구조적으로 지지할 수 있고/있거나 추가적인 감지 회로를 포함할 수 있다. 또한, 센서 제어기(108)는 측정 회로를 생성하기 위해 센서 전극(102) 및 전도성 샘플(202) 모두에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 전도성 샘플(202)은 측정 회로의 접지(208)에 전기적으로 연결되어 측정 회로의 접지 경로를 폐쇄할 수 있다. 도 2에 도시된 용량성 근접 측정 시스템(100)의 구성에서, 센서 전극(102)과 샘플(202) 사이의 거리(d)는 센서 전극(102)과 샘플(202) 사이의 커패시턴스(Cd)에 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 센서 전극(102)과 샘플(202) 사이의 거리(d)는 아래 수학식 1에 의해 센서 전극(102)과 샘플(202) 사이의 커패시턴스(Cd)와 관련될 수 있다:
Figure pct00001
여기서
Figure pct00002
는 진공 유전율이고,
Figure pct00003
는 센서 전극(102)과 샘플(202) 사이의 물질의 유전율이며, A는 센서 전극(102)의 면적이다.
임의의 특정 측정과 관련된 측정 회로는 측정 회로를 통한 임의의 전기 경로를 광범위하게 포함할 수 있다는 것이 본 명세서에서 인식된다. 예를 들어, 측정 회로는 샘플(202) 상의 리드 연결점(210)과 센서 전극(102) 근처의 검출 영역(212)(예를 들어, 샘플(202)의 평면을 따른 센서 전극(102)의 배치와 연관됨) 사이의 저항과 관련된 샘플 저항(RS)을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 이것은 리드 연결점(210)과 검출 영역(212)의 상대적 위치가 완전한 측정 회로와 연관된 측정된 커패시턴스(CM)의 값에 영향을 미칠 수 있고, 따라서 센서 전극(102)과 샘플(202) 사이의 거리(d)와 관련된 Cd 값에 대한 측정 오차의 소스를 나타낼 수 있는 경우일 수 있다.
또한, 이 측정 오차의 크기는 다양한 샘플 형상에 따라 달라질 수 있다는 것이 인식된다. 예를 들어, 고전도성 샘플(202)의 경우, 샘플 저항(RS)은 무시할 수 있을 정도로 충분히 작을 수 있다. 그러나, 샘플(202)이 샘플(202)의 표면에 걸쳐 달라지는 샘플 저항(RS)을 갖는 경우에 측정 오차는 중요해질 수 있다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 공간적 가변 저항(RS)을 갖는 샘플(202)의 테스트 표면(302)(예를 들어, 상부 표면)의 평면도이다. 예를 들어, 도 3에 도시된 테스트 표면(302)은 EUV 리소그래피에 적합한 레티클과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 반사 레티클의 표면에 대응할 수 있다.
일 실시예에서, 테스트 표면(302)은 근접 검출을 위한 샘플(202)의 관심 부분에 대응하는 측정 영역(304)을 포함한다. 예를 들어, 센서 전극(102)의 위치에 대응하는 검출 영역(212)은 테스트 표면(302)의 측정 영역(304) 내에 놓일 수 있다.
다른 실시예에서, 테스트 표면(302)은 측정 영역(304)을 적어도 부분적으로 둘러싸는 절연 경계(306)(예를 들어, 흑색 경계)를 포함한다. 예를 들어, 절연 경계(306)는 적어도 하나의 전도성 외부 영역(308)(예를 들어, 절연 경계(306) 외부의 테스트 표면(302)의 추가 전도성 부분)으로부터 측정 영역(304)을 적어도 부분적으로 격리할 수 있다. 예를 들어, 절연 경계(306)는 샘플(202) 상의 다양한 다이 사이의 절연을 제공할 수 있다. 다른 실시예에서, 테스트 표면(302)은 절연 경계(306)에 걸쳐 있는 하나 이상의 전도성 브리지(310)(예를 들어, 하나 이상의 흑색 경계 브리지)를 포함한다. 따라서, 이것은 리드 연결점(210)과 검출 영역(212) 사이의 저항(RS)이 리드 연결점(210)과 검출 영역(212)의 상대적 위치에 따라 달라질 수 있는 경우일 수 있다.
예를 들어, 도 3의 점선(312)은 전도성 브리지(310)를 통해 리드 연결점(210)과 검출 영역(212) 사이의 비교적 낮은 저항 경로를 개념적으로 나타낼 수 있다. 따라서, 리드 연결점(210)과 검출 영역(212)의 상대적 위치의 변화(예를 들어, 특정 측정을 위한 센서 전극(102)에 대한 샘플(202)의 배치의 변화로 인함)는 리드 연결점(210)과 검출 영역(212) 사이의 저항(RS)의 상이한 값을 초래할 수 있다. 리드 연결점(210)과 검출 영역(212) 사이의 저항(RS)의 변화가 상당한 경우, 이러한 변화는 근접 측정에서 무시할 수 없는 측정 오차로 이어질 수 있다.
그러나, 도 3의 샘플(202)은 단지 예시적인 목적으로 제공되고 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다는 것을 이해해야 한다. 오히려, 본 명세서에 설명된 시스템 및 방법은 일반적으로 공간적 가변 저항(RS)을 제공하는 매우 다양한 레이아웃을 갖는 샘플(202)에 적용될 수 있다.
도 4는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 3에 도시된 바와 같이 구성된 샘플(202)의 테스트 표면(302)의 근접 측정을 위해 구성된 용량성 근접 측정 시스템(100)의 개념도로서, 여기서 테스트 표면(302)은 테스트 표면(302)에 전기적으로 연결된다.
일 실시예에서, 전기 리드가 테스트 표면(302)의 외부 영역(308)에 배치될 수 있다. 이와 관련하여, 측정 회로는 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 커패시턴스(Cd)뿐만 아니라 리드 연결점(210)과 검출 영역(212) 사이의 저항(RS)을 포함할 수 있으며, 이는 본 명세서에서 이전에 설명된 바와 같이 리드 연결점(210)과 검출 영역(212)의 상대적 위치에 기초하여 달라질 수 있다.
이제, 도 5 내지 도 11을 참조하면, 샘플(202) 상의 관심 있는 전기적 부동 테스트 표면(302)에 평행한 전도성 플레이트(106)를 포함하는 측정 회로에 기초한 용량성 근접 검출이 더 상세히 설명된다.
도 5는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 전기적 부동 샘플(202)에서 센서 전극(102)과 반대 측면 상에 전도성 플레이트를 포함하는 측정 회로를 형성하기 위한 용량성 근접 측정 시스템(100)의 개념도이다. 또한, 도 5에 도시된 테스트 표면(302)은 도 3에 도시된 테스트 표면(302)에 대응한다.
일 실시예에서, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 전도성 플레이트(106)에 연결하기 위한 플레이트 커넥터(104)를 포함한다. 플레이트 커넥터(104)는 전도성 플레이트(106)와 용량성 근접 측정 시스템(100)의 추가 요소 사이에 전기적 연결을 제공하기에 적합한 임의의 유형의 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 플레이트 커넥터(104)는 하나 이상의 와이어 또는 하나 이상의 전기적 콘택(예를 들어, 스프링 장착 콘택, 클립 콘택, 솔더 콘택 등)을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
전도성 플레이트(106)는 용량성 근접 측정 시스템(100)에 통합될 수 있거나 측정될 샘플(202)과 통합될 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 용량성 근접 검출은 임의의 수의 전도성 플레이트(106)로 수행될 수 있으며, 이들의 임의의 조합은 측정될 샘플(202) 또는 용량성 근접 측정 시스템(100)과 연관될 수 있다. 일 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 전도성 플레이트(106)는 샘플(202)의 후면(502) 상에 성막된 전도성 층으로서 형성될 수 있다. 예를 들어, 샘플(202)은 기판(504)의 한 면 상에 관심 있는 테스트 표면(302)이 있고 기판(504)의 반대쪽 면 상에 전도성 층(예를 들어, 전도성 플레이트(106))이 있는 절연 기판(504)을 포함할 수 있지만 반드시 포함할 필요는 없다. 본 명세서에서, 일부 샘플(202)은 전도성 플레이트(106)로 사용하기에 적합할 수 있는 전도성 후면층을 가질 수 있다는 것이 인식된다. 예를 들어, EUV 리소그래피에 적합한 일부 EUV 레티클은 근접 측정과 무관한 하나 이상의 공정 단계와 연관된 전도성 후면층을 포함한다. 그러나, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 본 명세서에 설명된 바와 같은 근접 측정을 위해 그러한 전도성 후면층을 사용할 수 있지만 반드시 그럴 필요는 없다.
도 6은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 5의 용량성 근접 측정에 대응하는 측정 회로(600)와 연관된 회로도이다. 일 실시예에서, 측정 회로(600)는 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 커패시턴스(Cd), 측정 영역(304)과 전도성 플레이트(106) 사이의 커패시턴스(CMA), 외부 영역(308)과 전도성 플레이트(106) 사이의 커패시턴스(COA), 및 표면 저항(Rs)으로 형성된, 센서 제어기(108)로부터의 전기 경로를 포함한다. 또한, 표면 저항(RS)은 절연 경계(306)(예를 들어, 임의의 전도성 브리지(310)를 포함함)의 저항(RB) 및 표면의 경로 저항(RPATH) 및 검출 영역(212)의 위치에 기초하여 달라질 수 있는 가변 층 저항(RLYR)을 포함하는 다양한 저항의 조합으로 형성될 수 있다.
따라서, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 측정 회로(600)에 의해 측정된 총 커패시턴스(CM)는 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 커패시턴스(Cd)뿐만 아니라 테스트 표면(302)과 연관된 표면 저항(RS) 및 전도성 플레이트(106)와 테스트 표면(302)의 다양한 부분 사이의 추가 커패시턴스 값(CMA 및 COA)을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 측정된 커패시턴스(CM)에 기초한 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 거리(dM)의 측정 값은 다음과 같이 특징지어질 수 있다:
Figure pct00004
이는 Cd 값이 측정 회로(600)의 측정된 커패시턴스(CM)로 대치된 수학식 1에 해당한다. 또한, 이것은 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 커패시턴스(Cd)의 직접적인 측정과 상이할 수 있다(예를 들어, 표현된 바와 같은 수학식 1을 사용함). 따라서, 측정 회로(600)에 기초한 측정과 연관된 오차(dErr)는 다음과 같이 특징지어질 수 있다:
Figure pct00005
일 실시예에서, 측정 영역(304)에 비해 큰 영역을 갖는 전도성 플레이트(106)를 제공함으로써 오차(dErr)는 완화될 수 있다. 예를 들어, 전도성 플레이트(106)의 영역은 측정 영역(304)보다 클 수 있지만 반드시 그럴 필요는 없다. 이와 관련하여, 테스트 표면(302)과 전도성 플레이트(106) 사이의 커패시턴스(예를 들어, CMA 및 COA의 조합)는 비교적 클 수 있다. 또한, 테스트 표면(302)과 전도성 플레이트(106) 사이의 커패시턴스가 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 커패시턴스 값(Cd)에 비해 충분히 큰 경우, 오차는 선택된 정확도 메트릭 내에서 무시할 수 있다. 유사하게, 전도성 플레이트(106)의 영역이 충분히 크다면 표면 저항(RS)의 임의의 변화도 무시할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전도성 플레이트(106)의 영역은 오차(dErr)를 완화하기 위해 적어도 측정 영역(304)만큼 크도록 선택된다.
다른 실시예에서, 오차(dErr)는 테스트 표면(302)과 전도성 플레이트(106) 사이의 커패시턴스 값(예를 들어, CMA 및 COA의 조합)을 추정 및/또는 측정함으로써 보상될 수 있다. 따라서, 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 커패시턴스 값(Cd)은 측정된 커패시턴스(CM)로부터 결정될 수 있어 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 거리(d)는 커패시턴스(Cd)로부터 결정될 수 있다.
일부 실시예들에서, 도시되지는 않았지만 전도성 플레이트(106)는 측정 동안 샘플(202)을 지지하기에 적합한 전도성 플레이트(예를 들어, 금속 플레이트 등)로서 형성된다. 이와 관련하여, 전도성 플레이트(106)는 용량성 근접 측정 시스템(100)에 통합될 수 있고 임의의 샘플(202)과 독립적일 수 있다.
일부 실시예들에서, 전도성 플레이트(106) 및 센서 전극(102)은 테스트 표면(302)의 동일한 측면 상에 위치된다. 예를 들어, 도 7은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 전기적 부동 샘플(202)에서 센서 전극(102)과 동일한 측면 상에 전도성 플레이트(106)를 갖는 측정 회로를 형성하기 위한 용량성 근접 측정 시스템(100)의 개념도이다. 또한, 도 7에 도시된 테스트 표면(302)은 도 3에 도시된 테스트 표면(302)에 대응한다.
일 실시예에서, 전도성 플레이트(106)는 개구(702)를 포함한다. 이와 관련하여, 센서 전극(102)과 테스트 표면(302) 사이의 공간은 방해받지 않을 수 있어 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 거리는 본 명세서에서 이전에 설명된 바와 같이 센서 전극(102)과 측정 영역(304) 사이의 커패시턴스(Cd)와 관련될 수 있다. 다른 실시예에서, 전도성 플레이트(106)의 적어도 일부는 개구(702)를 통해 돌출될 수 있다.
또한, 도시되지는 않았지만, 도 7에 도시된 용량성 근접 측정 시스템(100)과 연관된 대응하는 측정 회로(예를 들어, 도 6에 도시된 측정 회로(600)와 유사함)가 생성될 수 있다. 예를 들어, 용량성 근접 측정 시스템(100)과 연관된 측정 회로는 도 6의 측정 회로(600)와 동일한 형태를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 용량성 근접 측정 시스템(100)과 연관된 측정 회로는 센서 전극(102)과 전도성 플레이트(106) 사이의 커패시턴스와 연관된 추가 항을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 용량성 근접 검출은 다수의 전도성 플레이트(106)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 8은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 2개의 전도성 플레이트(106) 및 전기적 부동 샘플(202)을 갖는 측정 회로를 형성하기 위한 용량성 근접 측정 시스템(100)의 개념도이다. 또한, 도 8에 도시된 테스트 표면(302)은 도 3에 도시된 테스트 표면(302)에 대응한다. 도 8에서, 제 1 전도성 플레이트(106a)는 샘플(202)의 후면 상에 전도성 층으로서 형성되고(예를 들어, 도 5와 관련하여 본 명세서에서 이전에 설명된 바와 같음), 제 2 전도성 플레이트(106b)는 테스트 표면(302)에서 센서 전극(102)과 동일한 측면 상에 위치한다(예를 들어, 도 7과 관련하여 본 명세서에서 이전에 설명된 바와 같음).
일부 실시예들에서, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 외부 시스템에 통합된다. 예를 들어, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 계측 시스템, 검사 시스템, 리소그래피 시스템 등과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 반도체 처리 도구에 통합될 수 있다. 이와 관련하여, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 작동 이전 또는 작동 중에 도구 내에서 샘플(202) 위치(예를 들어, 렌즈, 검출기 등과 같은 도구의 구성 요소에 대한 샘플 높이)의 결정을 용이하게 할 수 있다. 또한, 근접 측정은 도구에서 샘플(202) 위치를 동적으로 제어하거나 조정하기 위해 사용될 수 있다. 다른 예로서, 근접 측정은 피드백 및/또는 피드포워드 데이터로서 추가 프로세스 도구에 제공될 수 있다.
도 9는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 용량성 근접 측정 시스템(100)을 포함하는 검사 도구(900)의 개념도이다. 일 실시예에서, 하나 이상의 센서 전극(102)은 검사 도구(900)의 전자 소스 컬럼(902)에 근접하게 배치된다. 예를 들어, 소스 컬럼(902)은 검사를 위해 샘플(202)(예를 들어, 측정 영역(304))을 조명하기에 적합한 하나 이상의 전극(904)을 포함할 수 있다. 또한, 하나 이상의 센서 전극(102)은 절연체(906)에 의해 소스 컬럼(902)으로부터 전기적으로 격리될 수 있지만 반드시 그럴 필요는 없다.
다른 실시예에서, 용량성 근접 측정 시스템(100)은 시스템의 일부가 본 명세서에 설명된 바와 같이 전도성 플레이트(106)를 형성할 수 있도록 외부 시스템에 통합될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 전도성 플레이트(106)는 소스 컬럼(902)의 바닥으로부터 형성될 수 있다.
도 10은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 절연 경계(306) 저항의 함수로서 도 5, 도 7 및 도 8에 도시된 상이한 구성의 용량성 근접 측정 시스템(100)의 성능의 시뮬레이션을 도시하는 플롯이다. 특히, 도 10은 절연 경계(306)(예를 들어, 임의의 전도성 브리지(310)를 포함함) 저항(RB)의 함수로서 거리 오차를 제공하며, 여기서 거리 오차는 리드 연결점(210)과 검출 영역(212)(예를 들어, 도 3 참조) 사이의 실제 거리와 측정된 거리 사이의 차이를 나타낸다. 도 10에 도시된 바와 같이, 도 5, 도 7 및 도 8에 도시된 상이한 구성의 용량성 근접 측정 시스템(100) 각각은 모든 경우에 가변 표면 저항의 영향을 실질적으로 제한한다. 또한, 전도성 플레이트(106)가 테스트 표면(302)에서 센서 전극(102)과 반대 측면 상에 위치하는 도 5의 구성은 0 내지 10,000 Ohms 범위의 저항 값에 대해 비교적 낮은 오차(예를 들어, 거리 오차)를 나타내었다.
도 11은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 용량성 근접 측정을 수행하기 위한 방법(100)에서 수행되는 단계들을 도시하는 흐름도이다. 출원인은 용량성 근접 측정 시스템(100)의 맥락에서 본 명세서에서 이전에 설명된 실시예들 및 실행 기술이 방법(1100)으로 확장되도록 해석되어야 한다는 점을 유념한다. 그러나, 방법(1100)은 용량성 근접 측정 시스템(100)의 아키텍처로 제한되지 않는다는 점을 추가로 유념한다.
일 실시예에서, 방법(1100)은 테스트 표면 상에 전도성 측정 영역을 갖는 샘플을 수용하는 단계(1102)를 포함한다. 또한, 테스트 표면의 표면 저항은 공간적 가변 저항을 가질 수 있지만 반드시 그럴 필요는 없다. 예를 들어, 샘플은 전도성이 있을 수도 있는 샘플 외부 부분으로부터 측정 영역을 적어도 부분적으로 격리하기 위해 절연 경계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 방법(1100)은 측정 영역에 근접하게 센서 전극을 배치하는 단계(1104)를 포함한다. 다른 실시예에서, 방법(1100)은 테스트 표면에 평행하게 전도성 플레이트를 배치하는 단계(1106)를 포함한다. 예를 들어, 전도성 플레이트는 샘플의 테스트 표면에서 센서 전극과 동일한 측면 또는 반대 측면 상에 위치할 수 있다. 또한, 전도성 플레이트는 샘플의 측정 영역보다 클 수 있지만 반드시 그럴 필요는 없다. 다른 실시예에서, 방법(1100)은 센서 전극과 전도성 플레이트 사이에 측정 회로를 형성하는 단계(1108)를 포함하고, 여기서 샘플(예를 들어, 테스트 표면)은 센서 전극 및 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동이다. 이와 관련하여, 측정 회로는 적어도 센서 전극과 측정 영역 사이의 커패시턴스 및 측정 영역과 전도성 플레이트 사이의 커패시턴스를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 방법(1100)은 전도성 플레이트에 대해 센서 전극의 전압을 조정하는 단계(1110)를 포함한다. 예를 들어, 단계(1110)는 정적 전압 또는 교류 전압의 임의의 조합을 센서 전극(102)에 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 방법(1100)은 (예를 들어, 인가된 전압에 기초하여) 측정 회로와 연관된 커패시턴스를 측정하는 단계(1112)를 포함한다. 다른 실시예에서, 방법(1100)은 측정 회로와 연관된 커패시턴스에 기초하여 센서 전극과 측정 영역 사이의 거리를 결정하는 단계(1114)를 포함한다.
본 명세서에 설명된 주제는 때때로 다른 구성 요소 내에 포함되거나 다른 구성 요소와 연결된 상이한 구성 요소를 나타낸다. 이와 같이 도시된 아키텍처는 단지 예시일 뿐이며 실제로 동일한 기능을 달성하는 많은 다른 아키텍처가 구현될 수 있음을 이해해야 한다. 개념적 의미에서, 동일한 기능을 달성하기 위한 구성 요소의 임의의 배열은 원하는 기능이 달성되도록 효과적으로 "연관"된다. 따라서, 특정 기능을 달성하기 위해 본 명세서에서 결합된 임의의 2개의 구성 요소는 아키텍처 또는 중간 구성 요소에 관계없이 원하는 기능이 달성되도록 서로 "연관"된 것으로 볼 수 있다. 마찬가지로, 이와 같이 연관된 임의의 2개의 구성 요소는 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 "연결" 또는 "결합"된 것으로 볼 수 있으며, 이와 같이 연관될 수 있는 임의의 2개의 구성 요소는 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 "결합 가능"한 것으로 볼 수도 있다. 결합 가능의 구체적인 예는, 물리적으로 상호 작용할 수 있고/있거나 물리적으로 상호 작용하는 구성 요소 및/또는 무선으로 상호 작용할 수 있고/있거나 무선으로 상호 작용하는 구성 요소 및/또는 논리적으로 상호 작용할 수 있고/있거나 논리적으로 상호 작용하는 구성 요소를 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
본 개시 및 본 개시의 많은 부수적인 장점들이 전술한 설명에 의해 이해될 것으로 믿어지며, 다양한 변경들이 개시된 주제를 벗어나지 않거나 또는 본 개시의 모든 물질적 장점들을 희생시키지 않는 구성 요소의 형태, 구성, 및 배열로 이루어질 수 있다는 것이 명백할 것이다. 설명된 형태는 단지 설명적인 것이며, 이러한 변경을 아우르고 포함하는 것은 다음의 청구 범위의 의도이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구 범위에 의해 정의되는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (32)

  1. 용량성 근접 측정 시스템에 있어서,
    샘플의 테스트 표면 상의 전도성 측정 영역에 근접하게 배치되도록 구성된 센서 전극;
    시스템 접지와 상기 테스트 표면에 평행한 전도성 플레이트 사이의 전기적 연결을 제공하도록 구성된 플레이트 커넥터 - 측정 회로가 상기 센서 전극과 상기 전도성 플레이트 사이에 형성되고, 상기 테스트 표면은 상기 센서 전극과 상기 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동임 - ; 및
    상기 센서 전극 및 상기 플레이트 커넥터에 통신 가능하게 결합된 제어기
    를 포함하고, 상기 제어기는 하나 이상의 프로세서가:
    상기 전도성 플레이트에 대해 상기 센서 전극의 전압을 조정하고;
    상기 측정 회로와 연관된 커패시턴스를 결정하며;
    상기 측정 회로와 연관된 커패시턴스에 기초하여 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 거리를 결정하게 하는
    프로그램 명령어를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는 상기 측정 영역보다 큰 영역을 갖는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는:
    상기 표면 반대편인 상기 샘플의 후면 상에 전도성 코팅
    을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트와 상기 센서 전극은 상기 테스트 표면의 공통 측면 상에 있는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는 개구를 포함하고, 상기 센서 전극은 상기 개구와 정렬되는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 센서 전극의 적어도 일부가 상기 개구를 통해 돌출되는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는:
    전자빔 컬럼의 바닥면
    을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 측정 회로는 적어도 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 커패시턴스 및 상기 측정 영역과 상기 전도성 플레이트 사이의 커패시턴스를 포함하는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 측정 영역과 상기 전도성 플레이트 사이의 커패시턴스를 측정하고;
    상기 측정 영역과 상기 전도성 플레이트 사이의 측정된 커패시턴스에 기초하여 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 커패시턴스를 결정하며;
    상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 커패시턴스에 기초하여 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 거리를 결정하는 것
    을 더 포함하는 용량성 근접 측정 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 샘플의 테스트 표면은 공간적 가변 저항을 갖는 경계에 의해 추가 전도성 영역으로부터 분리된 전도성 측정 영역을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 경계는:
    상기 측정 영역을 상기 추가 전도성 영역과 연결하는 하나 이상의 전도성 브리지를 갖는 절연 경계
    를 포함하는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 샘플은:
    반사 레티클
    을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 샘플은:
    극자외선을 사용하는 리소그래피에 적합한 레티클
    을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정 시스템.
  14. 검사 시스템에 있어서,
    전자빔을 샘플에 지향시키기 위한 전자빔 컬럼; 및
    상기 전자빔 컬럼에 인접하게 위치된 용량성 근접 측정 시스템
    을 포함하고, 상기 용량성 근접 측정 시스템은:
    샘플의 테스트 표면 상의 전도성 측정 영역에 근접하게 배치되도록 구성된 센서 전극;
    시스템 접지와 상기 테스트 표면에 평행한 전도성 플레이트 사이의 전기적 연결을 제공하도록 구성된 플레이트 커넥터 - 측정 회로가 상기 센서 전극과 상기 전도성 플레이트 사이에 형성되고, 상기 테스트 표면은 상기 센서 전극과 상기 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동임 - ;
    상기 센서 전극 및 상기 플레이트 커넥터에 통신 가능하게 결합된 제어기
    를 포함하고, 상기 제어기는 하나 이상의 프로세서가:
    상기 전도성 플레이트에 대해 상기 센서 전극의 전압을 조정하고;
    상기 측정 회로와 연관된 커패시턴스를 결정하며;
    상기 측정 회로와 연관된 커패시턴스에 기초하여 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 거리를 결정하게 하는
    프로그램 명령어를 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서를 포함하는 것인, 검사 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는:
    상기 전자빔 컬럼의 바닥면
    을 포함하는 것인, 검사 시스템.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는:
    상기 표면 반대편인 상기 샘플의 후면 상에 전도성 코팅
    을 포함하는 것인, 검사 시스템.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트와 상기 센서 전극은 상기 테스트 표면의 공통 측면 상에 있는 것인, 검사 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는 개구를 포함하고, 상기 센서 전극은 상기 개구와 정렬되는 것인, 검사 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 센서 전극의 적어도 일부가 상기 개구를 통해 돌출되는 것인, 검사 시스템.
  20. 용량성 근접 측정을 위한 방법에 있어서,
    테스트 표면 상에 전도성 측정 영역을 갖는 샘플을 수용하는 단계;
    상기 측정 영역에 근접하게 센서 전극을 배치하는 단계;
    상기 테스트 표면에 평행하게 전도성 플레이트를 배치하는 단계;
    상기 센서 전극과 상기 전도성 플레이트 사이에 측정 회로를 형성하는 단계 - 상기 테스트 표면은 상기 센서 전극 및 상기 전도성 플레이트에 대해 전기적으로 부동임 - ;
    상기 전도성 플레이트에 대해 상기 센서 전극의 전압을 조정하는 단계;
    상기 측정 회로와 연관된 커패시턴스를 측정하는 단계; 및
    상기 측정 회로와 연관된 커패시턴스에 기초하여 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 거리를 결정하는 단계
    를 포함하는 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는 상기 측정 영역보다 큰 영역을 갖는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는:
    상기 표면 반대편인 상기 샘플의 후면 상에 전도성 코팅
    을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  23. 제 20 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트 및 상기 센서 전극은 상기 테스트 표면의 공통 측면 상에 있는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는 개구를 포함하고, 상기 센서 전극은 상기 개구와 정렬되는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 센서 전극의 적어도 일부가 상기 개구를 통해 돌출되는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  26. 제 20 항에 있어서, 상기 전도성 플레이트는:
    전자빔 컬럼의 바닥면
    을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  27. 제 20 항에 있어서, 상기 측정 회로는 적어도 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 커패시턴스 및 상기 측정 영역과 상기 전도성 플레이트 사이의 커패시턴스를 포함하는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 측정 영역과 상기 전도성 플레이트 사이의 커패시턴스를 측정하는 단계;
    상기 측정 영역과 상기 전도성 플레이트 사이의 측정된 커패시턴스에 기초하여 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 커패시턴스를 결정하는 단계; 및
    상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 커패시턴스에 기초하여 상기 센서 전극과 상기 측정 영역 사이의 거리를 결정하는 단계
    를 더 포함하는 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  29. 제 20 항에 있어서, 상기 샘플의 테스트 표면은 공간적 가변 저항을 갖는 경계에 의해 추가 전도성 영역으로부터 분리된 전도성 측정 영역을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 경계는:
    상기 측정 영역을 상기 추가 전도성 영역과 연결하는 하나 이상의 전도성 브리지를 갖는 절연 경계
    를 포함하는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  31. 제 20 항에 있어서, 상기 샘플은:
    반사 레티클
    을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
  32. 제 20 항에 있어서, 상기 샘플은:
    극자외선을 사용하는 리소그래피에 적합한 레티클
    을 포함하는 것인, 용량성 근접 측정을 위한 방법.
KR1020217035860A 2019-04-12 2020-04-10 접지된 용량성 샘플 근접 센서를 갖는 검사 시스템 KR102581621B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962833043P 2019-04-12 2019-04-12
US62/833,043 2019-04-12
US16/401,324 2019-05-02
US16/401,324 US10837803B2 (en) 2019-04-12 2019-05-02 Inspection system with grounded capacitive sample proximity sensor
PCT/US2020/027565 WO2020210560A1 (en) 2019-04-12 2020-04-10 Inspection system with grounded capacitive sample proximity sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210139470A true KR20210139470A (ko) 2021-11-22
KR102581621B1 KR102581621B1 (ko) 2023-09-21

Family

ID=72747811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217035860A KR102581621B1 (ko) 2019-04-12 2020-04-10 접지된 용량성 샘플 근접 센서를 갖는 검사 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10837803B2 (ko)
JP (1) JP7353385B2 (ko)
KR (1) KR102581621B1 (ko)
TW (1) TWI819209B (ko)
WO (1) WO2020210560A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220115707A (ko) * 2021-02-09 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 전자 장치 검사 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180009735A (ko) * 2016-06-15 2018-01-29 선전 구딕스 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 압력 검출 장치, 방법, 터치 제어 기기 및 전자 단말기

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004059343A1 (ja) * 2002-12-25 2004-07-15 Act Elsi Inc. 静電容量検出型近接センサ
CA2606474C (en) * 2005-04-27 2014-10-28 Roho, Inc Proximity sensor
JP2009527764A (ja) * 2006-02-21 2009-07-30 サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド 半導体加工ツールにおける静電容量距離検出
TW201008118A (en) * 2008-04-10 2010-02-16 Atmel Corp Capacitive touch screen with noise suppression
US8513959B2 (en) 2009-12-31 2013-08-20 Mapper Lithography Ip B.V. Integrated sensor system
US9245786B2 (en) 2011-06-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for positioning a substrate using capacitive sensors
US9644995B2 (en) * 2011-06-30 2017-05-09 Mapper Lithography Ip B.V. Current measurement system
DE102011081666A1 (de) 2011-08-26 2013-02-28 Siemens Aktiengesellschaft Kontaktloser kapazitiver Abstandssensor
US9164137B2 (en) * 2013-12-05 2015-10-20 Parade Technologies, Ltd. Tunable baseline compensation scheme for touchscreen controllers
WO2016130690A1 (en) 2015-02-10 2016-08-18 Revera, Incorporated Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry
DE102015209219A1 (de) 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung einer Oberfläche einer Maske
US10288658B2 (en) * 2017-02-02 2019-05-14 Texas Instruments Incorporated Enhancing sensitivity and robustness of mechanical rotation and position detection with capacitive sensors
JP2019060667A (ja) 2017-09-26 2019-04-18 孝士 三原 三次元容量式タッチセンサ
US10976147B2 (en) * 2018-02-02 2021-04-13 American University Of Beirut Thickness measurement device and methods of use

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180009735A (ko) * 2016-06-15 2018-01-29 선전 구딕스 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 압력 검출 장치, 방법, 터치 제어 기기 및 전자 단말기

Also Published As

Publication number Publication date
US20200326211A1 (en) 2020-10-15
TWI819209B (zh) 2023-10-21
US10837803B2 (en) 2020-11-17
JP2022527217A (ja) 2022-05-31
KR102581621B1 (ko) 2023-09-21
WO2020210560A1 (en) 2020-10-15
TW202104828A (zh) 2021-02-01
JP7353385B2 (ja) 2023-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5917665B2 (ja) 静電容量感知システム
KR100883994B1 (ko) 패턴 검사장치
JP5361892B2 (ja) 部品の誘電特性を測定するための装置及びシステム
CN100459089C (zh) 检测加工图像诱发缺陷的方法
US6549006B2 (en) Eddy current measurements of thin-film metal coatings using a selectable calibration standard
JP7280956B2 (ja) 容量性高さセンシング測定値を較正するプローブシステム及び方法
KR102581621B1 (ko) 접지된 용량성 샘플 근접 센서를 갖는 검사 시스템
CN107076983B (zh) 包括压阻式位置传感器的系统
JP2004286742A (ja) 形状目標物計測用形状化非接触型容量性変位センサ
KR100329359B1 (ko) 미소용량측정 시스템 및 프로빙 시스템
JP4873689B2 (ja) 表面電位計および表面電位測定方法
US20060028215A1 (en) System and method for measurement of small-angle or small-displacement
US20040207395A1 (en) Eddy current-capacitance sensor for conducting film characterization
US7242185B1 (en) Method and apparatus for measuring a conductive film at the edge of a substrate
JP2018173347A (ja) 表面電位センサ、表面電位測定方法及び画像形成装置
JP5290672B2 (ja) 回路基板検査装置
JP2004319721A (ja) 半導体検査用標準ウエハ、半導体の検査方法および半導体検査装置
US6850050B2 (en) Reticle inspection
JP2005516225A (ja) 接続状態が不良である測定対象物の高精度で非接触型の静電容量変位測定方法
NL2004055C2 (en) Method for measuring target surface topology and lithography system.
JP4644809B2 (ja) 対象物測定装置
JP3847290B2 (ja) ギャップ調節装置及び調節方法
NL2004051C2 (en) Capacitive sensor.
JP2003107120A (ja) 導通検査シート、それを用いた導通検査方法および導通検査装置
JPH05188111A (ja) トランジスタ検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant