JP5361892B2 - 部品の誘電特性を測定するための装置及びシステム - Google Patents
部品の誘電特性を測定するための装置及びシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5361892B2 JP5361892B2 JP2010527967A JP2010527967A JP5361892B2 JP 5361892 B2 JP5361892 B2 JP 5361892B2 JP 2010527967 A JP2010527967 A JP 2010527967A JP 2010527967 A JP2010527967 A JP 2010527967A JP 5361892 B2 JP5361892 B2 JP 5361892B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- electrode
- upper electrode
- dielectric properties
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
- G01R27/2617—Measuring dielectric properties, e.g. constants
- G01R27/2623—Measuring-systems or electronic circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
図6は、本発明の一実施形態に従って、例示の部品111が、上側電極105および高温電極109の間に配置された時の、高温電極109/RFロッド113と、接地された上側電極105/チャンバ101との間の静電容量を示す図である。図6に示すように、上側電極105および高温電極109の間の静電容量は、部品111の静電容量(Cpart)、および、高温電極109と、部品111/上側電極105間の接触領域の外側の上側電極105の部分との間の静電容量(Cst1)によって規定される。また、静電容量(Cst2)が、RFロッド113とチャンバ101の底部との間に存在する。静電容量(Cst1)および(Cst2)は、上側電極105および高温電極109の間の分離距離(Y1)の関数であることを理解されたい。また、静電容量(Cpart)は、部品の誘電率(kpart)の関数である。静電容量(Cpart)、(Cst1)、および、(Cst2)は、並列静電容量であるため、高温電極109/RFロッド113と、接地された上側電極105/チャンバ101との間の全静電容量(Ctotal_with_part)は、式1に示すように、静電容量(Cpart)、(Cst1)、および、(Cst2)の合計として規定される。
(Ctotal_with_part)=(Cpart{kpart})+(Cst1{Y1})+(Cst2{Y1}) 式1
(Ctotal_without_part)=(Cst3{Y2})+(Cst2{Y2}) 式2
(Cpart{kpart})+(Cst1{Y1})+(Cst2{Y1})=(Ctotal_without_part) 式3
(Cpart{kpart})=(Ctotal_without_part)−(Cst1{Y1})−(Cst2{Y1}) 式4
図12は、本発明の一実施形態に従って、部品の損失正接を決定するための方法のフローチャートである。その方法は、チャンバ101内の高温電極109上に、測定される部品を配置し、部品の上部に載るように上側電極105を下げる動作1201を備える。動作1203において、RF信号発生器125が、RF電力を高温電極109に伝送するよう動作される。動作1205において、RF電力の共振周波数すなわちピーク周波数を実現するように、可変コンデンサ123が調整される。一実施形態において、共振周波数は、電気素子ハウジング103のコネクタ129および131の間のピーク利得に対応する。この実施形態では、RF電圧計127を監視することで、可変コンデンサ123の設定が、コネクタ129および131の間のピーク利得に対応し、それにより、装置100の共振周波数に対応した時点を特定することができる。
Claims (20)
- 部品の誘電特性を測定するための装置であって、
導電材料から形成され、接地電位に電気接続されたチャンバと、
前記チャンバ内で略水平方向に配置され、前記チャンバから物理的に分離され、導電材料から形成され、測定される部品を支持するよう規定された上面を備える高温電極と、
前記高温電極の底面に結合され、前記チャンバの底部の開口部を通して前記高温電極の前記底面から伸びると共に前記チャンバから物理的に分離するよう配置され、前記高温電極にRF電力を伝送するよう規定された高周波(RF)伝送ロッドと、
前記チャンバ内で前記高温電極の上方に略水平方向に配置され、導電材料から形成され、前記チャンバに電気接続され、前記チャンバ内で垂直方向に移動できるよう規定された上側電極と、
を備える、装置。 - 請求項1に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、さらに、
前記上側電極の周囲に沿って前記上側電極と前記チャンバとの間に電気接続され、前記上側電極の垂直移動の範囲にわたって前記上側電極の前記周囲と前記チャンバとの間に略一様な電気接続を提供するよう規定された柔軟な導電箔を備える、装置。 - 請求項1に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、さらに、
前記高温電極と前記チャンバの前記底部との間に配置され、前記チャンバ内で前記略水平方向に前記高温電極を支持するよう規定された絶縁支持プレートを備える、装置。 - 請求項1に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、さらに、
吊り上げロッドおよび前記吊り上げロッドの下端に取り付けられた円盤部分をそれぞれ有する複数の吊り上げ部材と、
前記上側電極の上面に結合された複数のガイド構造であって、各ガイド構造は、それぞれの前記吊り上げ部材を受け入れるよう規定されており、それぞれの前記吊り上げ部材の前記吊り上げロッドは、前記ガイド構造の上部にある通路を通って移動可能であり、それぞれの前記吊り上げ部材の前記円盤部分は、前記ガイド構造内で移動可能であるが前記ガイド構造の前記上部にある前記通路を通って移動することはできない、複数のガイド構造と、
前記上側電極の上方に配置され、それぞれの前記吊り上げ部材の垂直位置の制御を可能にするよう各々規定された複数の垂直位置決め装置と、
を備え、
前記吊り上げ部材の前記円盤部分と前記ガイド構造との間の係合により、前記吊り上げ部材の前記垂直位置の制御を通して、前記上側電極の垂直位置の制御を行うことができる、装置。 - 請求項1に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、3つの垂直位置決め装置が、前記上側電極の上方で三角形を形成する位置に配置されており、前記3つの垂直位置決め装置は独立して前記上側電極の水平化の制御が可能である、装置。
- 請求項1に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、前記チャンバは、上側チャンバ部および下側チャンバ部を有するよう規定され、
前記下側チャンバ部に対して前記上側チャンバ部を開くことができるように、ヒンジが配置されている、装置。 - 請求項1に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、
前記チャンバは、上側チャンバ部と下側チャンバ部を備え、
前記装置は、さらに、前記チャンバが閉状態の時に、前記上側および下側チャンバ部の間に一様な電気接続を提供するために、前記上側および下側チャンバ部の間に配置されたRFガスケットを備える、装置。 - 請求項1に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、前記チャンバは、前記チャンバの内部へのアクセスを提供するために取り外されるよう構成されたアクセスドアを有するよう規定され、
前記アクセスドアは、前記チャンバと同じ材料から形成され、前記チャンバを閉じるよう固定された時に前記チャンバと電気接続されることで、前記アクセスドアが前記チャンバの前記接地電位を有するよう規定されている、装置。 - 請求項1に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、前記チャンバ、前記高温電極、前記RF伝送ロッド、および、前記上側電極は各々、銅金属から形成される、装置。
- 部品の誘電特性を測定するための装置であって、
導電材料から形成され、接地電位に電気接続され、内部空洞を有するよう規定されたチャンバと、
導電材料から形成され、前記チャンバの前記内部空洞内に配置され、前記チャンバに電気接続された上側電極と、
導電材料から形成され、前記チャンバの前記内部空洞内で前記上側電極の下方の位置に配置され、前記チャンバから物理的に分離されている下側電極と、
導電材料から形成され、前記下側電極に結合され、前記下側電極から前記チャンバの底部の開口部を通るよう配置され、前記チャンバから物理的に分離されているロッドと、
導電材料から形成され、前記チャンバの下に配置され、前記チャンバの前記接地電位を有するように前記チャンバに電気接続され、前記ロッドを通して前記下側電極へ高周波(RF)電力を伝送するための複数の電気素子を収容するよう規定された電気素子ハウジングと、
を備える、装置。 - 請求項10に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、さらに、
前記電気素子ハウジング内に配置され、前記電気素子ハウジングから物理的に分離されている導電体プレートを備え、
前記導電体プレートは、前記導電体プレートを通して前記ロッドにRF電力を伝送できるよう、前記ロッドに結合されている、装置。 - 請求項10に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、さらに、
前記電気素子ハウジングから電気的に絶縁された状態で前記電気素子ハウジングを貫通し、第1のコンデンサを介して前記導電体プレートに電気接続される第1の導電路を提供するよう規定された第1のコネクタと、
前記電気素子ハウジングから電気的に絶縁された状態で前記電気素子ハウジングを貫通し、前記導電体プレートに電気接続される第2の導電路を提供するよう規定された第2のコネクタと、
を備える、装置。 - 請求項10に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、さらに、
前記電気素子ハウジング内で、前記導電体プレートと前記チャンバの前記底部との間に電気接続されたインダクタと、
前記電気素子ハウジング内で、前記導電体プレートと前記チャンバの前記底部との間に電気接続された複数の固定コンデンサと、
前記電気素子ハウジング内で、前記導電体プレートと前記チャンバの前記底部との間に電気接続された可変コンデンサと、
を備え、
前記可変コンデンサは、前記装置の共振周波数の調整を可能にするよう規定されている、装置。 - 請求項13に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、前記複数の固定コンデンサは2つである、装置。
- 請求項10に記載の部品の誘電特性を測定するための装置であって、前記導電体プレートは、銅金属から形成される、装置。
- 部品の誘電特性を測定するためのシステムであって、
導電材料から形成され、接地電位に電気接続され、内部空洞を有するチャンバと、
前記チャンバの前記内部空洞内に配置され、前記チャンバに電気接続され、制御された方法で垂直方向に移動されるよう構成された上側電極と、
前記チャンバの前記内部空洞内で前記上側電極の下方の位置に配置され、前記チャンバから物理的に分離されている下側電極と、
前記下側電極に結合され、前記下側電極から前記チャンバの底部の開口部を通るよう配置され、前記チャンバから物理的に分離されている高周波(RF)伝送ロッドと、
導電体プレートを通して前記RF伝送ロッドにRF電力を伝送できるよう、前記RF伝送ロッドに結合された導電体プレートと、
導電線を介して前記導電体プレートにRF電力を伝送するように接続されたRF信号発生器と、
前記導電線と前記導電体プレートとの間の電圧を測定するように接続されたRF電圧計と、
を備える、システム。 - 請求項16に記載の部品の誘電特性を測定するためのシステムであって、さらに、
前記チャンバの上部を通って前記上側電極に結合され、前記チャンバの前記内部空洞内で前記上側電極の垂直位置および水平レベルの制御を提供するよう規定された複数の垂直位置決め装置を備える、システム。 - 請求項17に記載の部品の誘電特性を測定するためのシステムであって、前記チャンバは、複数のガス入力ポートおよび複数のガス出力ポートを備え、
前記部品の誘電特性を測定するためのシステムは、さらに、前記複数のガス入力および出力ポートに結合された大気条件/温度支援システムを備え、
前記大気条件/温度支援システムは、前記チャンバの前記内部空洞内の大気条件および温度を確立して制御をするよう規定されている、システム。 - 請求項18に記載の部品の誘電特性を測定するためのシステムであって、さらに、
前記RF伝送ロッドと前記上側電極との間に接続された静電容量計を備える、システム。 - 請求項19に記載の部品の誘電特性を測定するためのシステムであって、さらに、
前記RF信号発生器、前記RF電圧計、前記複数の垂直位置決め装置、前記大気条件/温度支援システム、および、前記静電容量計を含む複数の構成要素に接続された通信インターフェースを有するコンピュータシステムを備え、前記コンピュータシステムは、前記通信インターフェースと接続した各構成要素を監視および制御することを可能にするグラフィカルユーザインターフェースを実行するよう規定されている、システム。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US97808707P | 2007-10-05 | 2007-10-05 | |
US97808207P | 2007-10-05 | 2007-10-05 | |
US97808907P | 2007-10-05 | 2007-10-05 | |
US97808507P | 2007-10-05 | 2007-10-05 | |
US60/978,087 | 2007-10-05 | ||
US60/978,089 | 2007-10-05 | ||
US60/978,082 | 2007-10-05 | ||
US60/978,085 | 2007-10-05 | ||
PCT/US2008/011319 WO2009048517A2 (en) | 2007-10-05 | 2008-09-30 | Apparatus for measuring dielectric properties of parts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010540961A JP2010540961A (ja) | 2010-12-24 |
JP5361892B2 true JP5361892B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=40522718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010527967A Active JP5361892B2 (ja) | 2007-10-05 | 2008-09-30 | 部品の誘電特性を測定するための装置及びシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7777500B2 (ja) |
JP (1) | JP5361892B2 (ja) |
KR (1) | KR101432867B1 (ja) |
CN (1) | CN101821844B (ja) |
TW (1) | TWI436070B (ja) |
WO (1) | WO2009048517A2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100872682B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2008-12-10 | 강방권 | 균일한 상압 플라즈마 발생장치 |
JP5782226B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US8354833B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-01-15 | Raytheon Company | Method for characterizing dielectric loss tangent |
US9064662B1 (en) * | 2011-06-02 | 2015-06-23 | The United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy | Variable gap tunnel junction switch |
KR101472001B1 (ko) | 2012-12-06 | 2014-12-15 | 이성호 | Ac 전원에 연동한 커패시턴스 검출 수단 및 방법 |
CN103353552B (zh) * | 2013-06-25 | 2015-10-07 | 中国人民解放军第四军医大学 | 一种用于测量离体骨介电特性的装置及测量方法 |
KR101817965B1 (ko) | 2013-12-09 | 2018-01-11 | 주식회사 지2터치 | Ac 전원에 연동한 커패시턴스 검출 수단 및 방법 |
US9846130B2 (en) | 2014-02-24 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic ring test device |
US10408776B2 (en) * | 2014-08-29 | 2019-09-10 | Kyocera Corporation | Sensor board, lead-bearing sensor board, and sensor device |
US9667303B2 (en) * | 2015-01-28 | 2017-05-30 | Lam Research Corporation | Dual push between a host computer system and an RF generator |
DE102015107306A1 (de) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Feldgerät zum Einsatz in der Prozessautomatisierung |
EP3391034A4 (en) * | 2015-12-18 | 2019-10-16 | Laitram, L.L.C. | FUNDING MEASURING SYSTEM |
US11467102B2 (en) * | 2018-07-18 | 2022-10-11 | Compass Technology Group Llc | Microwave dielectric analyzer |
KR102386547B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2022-04-15 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판지지부의 이상 측정 장치 |
KR102290911B1 (ko) * | 2019-07-02 | 2021-08-19 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2904751A (en) * | 1953-08-27 | 1959-09-15 | Phillips Petroleum Co | Electrical measuring apparatus |
US4246534A (en) * | 1978-08-31 | 1981-01-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Calibration method for lumped capacitance measurement of complex permittivity at HF, VHF and UHF frequencies |
US4448943A (en) * | 1982-05-03 | 1984-05-15 | General Electric Company | Method for measuring polymerization process variables |
US4686857A (en) | 1983-03-04 | 1987-08-18 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Method and apparatus for evaluating the performance of dielectric substances |
US5065106A (en) * | 1988-06-13 | 1991-11-12 | Ta Instruments, Inc. | Apparatus and method for analyzing dielectric properties using a single surface electrode and force monitoring and adjusting |
JPH0534388A (ja) * | 1991-08-05 | 1993-02-09 | Kyocera Corp | 誘電定数の測定方法 |
US5431737A (en) * | 1992-02-04 | 1995-07-11 | Genus, Inc. | Interchangeable CVD chuck surface |
US5309110A (en) * | 1992-03-04 | 1994-05-03 | The Perkin Elmer Corporation | Differential dielectric analyzer |
US5478429A (en) * | 1993-01-20 | 1995-12-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus |
US5396806A (en) * | 1993-11-12 | 1995-03-14 | Auburn International, Inc. | On-line mass flow measurement in flowing two component systems |
US5528153A (en) * | 1994-11-07 | 1996-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films |
US5874832A (en) * | 1996-12-20 | 1999-02-23 | Raytheon Company | Precise high resolution non-contact method to measure dielectric homogeneity |
WO1998033362A1 (fr) * | 1997-01-29 | 1998-07-30 | Tadahiro Ohmi | Dispositif a plasma |
US6081414A (en) * | 1998-05-01 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system |
JP3489728B2 (ja) * | 1999-10-18 | 2004-01-26 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、配線基板および高周波回路 |
JP2001127041A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
MY120869A (en) * | 2000-01-26 | 2005-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma treatment apparatus and method |
US7220937B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination |
US6857387B1 (en) * | 2000-05-03 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | Multiple frequency plasma chamber with grounding capacitor at cathode |
US6472885B1 (en) * | 2000-10-16 | 2002-10-29 | Christopher Charles Green | Method and apparatus for measuring and characterizing the frequency dependent electrical properties of dielectric materials |
JP3640609B2 (ja) * | 2000-10-16 | 2005-04-20 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置,プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム,検査方法 |
US6827092B1 (en) * | 2000-12-22 | 2004-12-07 | Lam Research Corporation | Wafer backside plate for use in a spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same |
US7096819B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-08-29 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor having coil with plural windings and method of controlling plasma density |
TWI279169B (en) * | 2002-01-24 | 2007-04-11 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus capable of performing uniform plasma treatment by preventing drift in plasma discharge current |
US20030231024A1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-18 | Luque Phillip R | Capacitive media resistivity, dialectic constant, and thickness sensor |
JP3929375B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2007-06-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体結晶基板の評価方法 |
JP3887291B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2007-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2007528585A (ja) * | 2003-06-13 | 2007-10-11 | 株式会社荏原製作所 | 測定装置 |
US20040251581A1 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-16 | Jang Bor Z. | Micro- and nano-fabrication using focused plasma assisted vapor deposition |
US20050106873A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-05-19 | Hoffman Daniel J. | Plasma chamber having multiple RF source frequencies |
US6989662B2 (en) * | 2004-04-29 | 2006-01-24 | Zircon Corporation | Sensor auto-recalibration |
US20050274324A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and mounting unit thereof |
US20060037704A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma Processing apparatus and method |
US7205779B2 (en) * | 2005-01-25 | 2007-04-17 | Jennings Thomas A | Apparatus and method for monitoring and determining the moisture content in elastomer materials |
US7309982B2 (en) * | 2005-11-28 | 2007-12-18 | Motorola, Inc. | Portable system for rapid characterization of electrical properties of a material |
US7758763B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma for resist removal and facet control of underlying features |
US7479790B2 (en) * | 2006-11-09 | 2009-01-20 | The Boeing Company | Capacitive plate dielectrometer method and system for measuring dielectric properties |
US7732728B2 (en) * | 2007-01-17 | 2010-06-08 | Lam Research Corporation | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
JP4989276B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定システム |
-
2008
- 2008-09-29 US US12/240,414 patent/US7777500B2/en active Active
- 2008-09-29 US US12/240,291 patent/US8269510B2/en active Active
- 2008-09-29 US US12/240,329 patent/US8519724B2/en active Active
- 2008-09-30 KR KR1020107009946A patent/KR101432867B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-30 CN CN2008801110942A patent/CN101821844B/zh active Active
- 2008-09-30 JP JP2010527967A patent/JP5361892B2/ja active Active
- 2008-09-30 WO PCT/US2008/011319 patent/WO2009048517A2/en active Application Filing
- 2008-10-03 TW TW097138148A patent/TWI436070B/zh active
-
2013
- 2013-04-22 US US13/867,961 patent/US9322795B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130241581A1 (en) | 2013-09-19 |
US20090091340A1 (en) | 2009-04-09 |
WO2009048517A3 (en) | 2009-06-18 |
CN101821844A (zh) | 2010-09-01 |
CN101821844B (zh) | 2011-12-28 |
US7777500B2 (en) | 2010-08-17 |
KR20100090682A (ko) | 2010-08-16 |
US9322795B2 (en) | 2016-04-26 |
KR101432867B1 (ko) | 2014-08-26 |
US20090091341A1 (en) | 2009-04-09 |
TWI436070B (zh) | 2014-05-01 |
WO2009048517A2 (en) | 2009-04-16 |
US8269510B2 (en) | 2012-09-18 |
US8519724B2 (en) | 2013-08-27 |
TW200931033A (en) | 2009-07-16 |
US20090091335A1 (en) | 2009-04-09 |
JP2010540961A (ja) | 2010-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5361892B2 (ja) | 部品の誘電特性を測定するための装置及びシステム | |
EP2795928B1 (en) | A microphone test stand for acoustic testing | |
KR100815877B1 (ko) | 크로스 커패시턴스를 이용한 발전기 고정자 권선 절연물의흡습 시험 장치 및 그 방법 | |
US6424141B1 (en) | Wafer probe station | |
US7973539B1 (en) | Methods for measuring dielectric properties of parts | |
KR20010015449A (ko) | 웨이퍼의 dc 바이어스 전압 측정용 용량성 프로브 | |
JP5722681B2 (ja) | 模擬負荷装置 | |
JP7353385B2 (ja) | 接地されたサンプル近接静電容量センサを有する検査システム | |
CN109521386B (zh) | 一种绝缘面板和低阻信号发生装置 | |
CN118150966A (zh) | 晶圆检测装置及方法 | |
Addington | Wideband electrical characterization of multilayer low-loss dielectric materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110831 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5361892 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |