KR20210127093A - Dicing die-bonding film - Google Patents

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아키히로 후쿠이
겐지 오니시
유타 기무라
슘페이 다나카
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

A dicing die-bonding film according to the present invention is provided with a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material layer, and a die bonding layer laminated in the adhesive layer of the dicing tape, wherein the adhesive layer comprises a photopolymerization initiator. A molecular weight distribution curve obtained by GPC measuring the adhesive layer before curing has a polydispersion Mw/Mn of 1.3 or higher which is a ratio of a mass average molecular weight Mw of a peak appearing on the highest molecular weight side to a number average molecular weight Mn of the peak appearing on the highest molecular weight side.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE-BONDING FILM}Dicing die-bonding film {DICING DIE-BONDING FILM}

본 발명은 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die bond film.

종래, 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이 본딩용 반도체 칩을 얻기 위해, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1).DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, in manufacture of a semiconductor device, in order to obtain the semiconductor chip for die bonding, it is known to use a dicing die-bonding film (for example, patent document 1).

상기 다이싱 다이 본드 필름은, 기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프의 점착제층 상에 박리 가능하게 적층된 다이 본드층을 구비하고 있다.The said dicing die-bonding film is equipped with the dicing tape by which the adhesive layer was laminated|stacked on the base material layer, and the die-bonding layer laminated|stacked so that peeling was possible on the adhesive layer of this dicing tape.

그리고, 상기 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본딩용 반도체 칩(다이)을 얻는 방법으로서, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층에 첩부하여, 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층과 점착제층 사이를 박리하여 다이 본드층이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정을 갖는 방법을 채용한다는 것이 알려져 있다.And, as a method of obtaining a semiconductor chip (die) for die bonding using the dicing die bonding film, a half-cut process of forming a groove in the semiconductor wafer to process the semiconductor wafer into a chip (die) by cutting process; , a backgrind process of grinding the semiconductor wafer after the half-cut process to make the thickness thin, and one surface (for example, the surface opposite to the circuit surface) of the semiconductor wafer after the backgrind process is attached to the die bond layer, and dicing A mounting process of fixing the semiconductor wafer to the tape, an expanding process of widening the gap between the half-cut semiconductor chips, a cuff holding process of maintaining the distance between the semiconductor chips, and peeling between the die bond layer and the adhesive layer It is known that a method having a pick-up process of taking out a semiconductor chip in a state where the die-bonding layer is affixed is employed.

그리고, 상기 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층에 첩부된 상태에서 취출된 반도체 칩(이하, 다이 본드층 구비 반도체 칩이라고도 함)은, 피착체인 배선 기판에 접착된다.And in the said pick-up process, the semiconductor chip (henceforth a die-bonding layer-equipped semiconductor chip) taken out in the state adhered to the die-bonding layer is adhere|attached to the wiring board which is a to-be-adhered body.

상기 점착제층은, 통상 (메트)아크릴계 수지 등의 수지와, 해당 수지와 반응하여 상기 수지끼리를 중합시키는 가교제와, 자외선 등의 방사선을 조사함으로써, 상기 수지끼리의 연쇄 중합을 가능하게 하는 활성종을 발생시키는 광중합 개시제를 포함하고 있다(예를 들어, 특허 문헌 2). 이러한 점착제층에서는, 자외선 등의 방사선을 조사하면 경화 반응이 진행되어, 상기 다이 본드층 사이의 박리력이 저하되므로, 상기 다이 본드층으로부터의 해당 점착제층의 박리를 비교적 용이하게 행할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer is usually a resin such as a (meth)acrylic resin, a crosslinking agent that reacts with the resin to polymerize the resins, and an active species that enables chain polymerization of the resins by irradiating radiation such as ultraviolet rays. contains a photopolymerization initiator that generates In such an adhesive layer, when irradiated with radiation, such as an ultraviolet-ray, a hardening reaction advances, and since the peeling force between the said die-bonding layers falls, peeling of the said adhesive layer from the said die-bonding layer can be performed comparatively easily.

일본 특허 공개 제2019-9203호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2019-9203 일본 특허 공개 제2019-67996호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2019-67996

그런데, 상기한 바와 같이, 상기 다이 본드층은, 상기 픽업 공정에 있어서 상기 점착제층으로부터 박리되기는(떼어지기는) 하지만, 상기 픽업 공정보다도 전에 있어서는, 상기 다이 본드층 및 상기 점착제층은 접촉한 상태에 있다.By the way, as mentioned above, although the said die-bonding layer peels (removes) from the said adhesive layer in the said pick-up process, before the said pick-up process, the said die-bonding layer and the said adhesive layer are in contact. is in

그 때문에, 상기와 같이 상기 점착제층 중에 상기 광중합 개시제가 포함되어 있으면, 상기 광중합 개시제가 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층으로 이행하는 경우가 있다.Therefore, when the said photoinitiator is contained in the said adhesive layer as mentioned above, the said photoinitiator may transfer to the said die-bonding layer from the said adhesive layer.

이와 같이, 상기 광중합 개시제가, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층으로 이행하면, 상기 점착제층이 요구되는 특성을 충족하지 않게 되거나, 상기 다이 본드층이 요구되는 특성을 충족하지 않게 되는 일이 있기 때문에 바람직하지 않다.As described above, when the photopolymerization initiator transfers from the pressure-sensitive adhesive layer to the die-bonding layer, the pressure-sensitive adhesive layer may not satisfy the required properties or the die-bonding layer may not meet the required properties. Not desirable.

그러나, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 억제하는 것에 대해, 아직 충분한 검토가 이루어지고 있다고 하기 어렵다.However, it is hard to say that sufficient examination is still made about suppressing the migration of the said photoinitiator from the said adhesive layer to the said die-bonding layer.

그래서, 본 발명은 점착제층으로부터 다이 본드층으로의 광중합 개시제의 이행을 비교적 억제할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.Then, this invention makes it a subject to provide the dicing die-bonding film which can comparatively suppress the migration of the photoinitiator from an adhesive layer to a die-bonding layer.

본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은,The dicing die-bonding film according to the present invention comprises:

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material layer;

상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,A die-bonding layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape,

상기 점착제층은, 점착제 및 광중합 개시제를 포함하고,The pressure-sensitive adhesive layer includes a pressure-sensitive adhesive and a photopolymerization initiator,

경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 수 평균 분자량 Mn에 대한 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 질량 평균 분자량 Mw의 비인 다분산도 Mw/Mn이, 1.3 이상이다.In the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the pressure-sensitive adhesive layer before curing, polydispersity Mw/Mn, which is the ratio of the mass average molecular weight Mw of the peak appearing on the highest molecular weight side to the number average molecular weight Mn of the peak appearing on the highest molecular weight side This is 1.3 or more.

상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,In the dicing die bond film,

경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값이, 33,000 이하인 것이 바람직하다.In the molecular weight distribution curve obtained by performing GPC measurement of the said adhesive layer before hardening, it is preferable that the value of the peak top molecular weight of the peak appearing most on the high molecular weight side is 33,000 or less.

상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,In the dicing die bond film,

경화 전의 상기 점착제층은, 졸 성분을 32질량% 미만 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said adhesive layer before hardening contains less than 32 mass % of sol components.

상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,In the dicing die bond film,

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이, 상기 점착제층의 경화 후에 있어서, 0.18N/20㎜ 미만인 것이 바람직하다.It is preferable that the peeling force of the said die-bonding layer with respect to the said adhesive layer is less than 0.18N/20mm after hardening of the said adhesive layer.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 구성을 나타내는 단면도.
도 2a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 6는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 커프 유지 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 7는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 양태를 모식적으로 나타내는 단면도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows the structure of the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention.
Fig. 2A is a cross-sectional view schematically showing a mode of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
It is sectional drawing which shows typically the aspect of the half-cut process in the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit.
Fig. 2C is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a backgrind process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
It is sectional drawing which shows typically the aspect of the back-grind process in the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit.
Fig. 3A is a cross-sectional view schematically showing an aspect of a mounting step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 3B is a cross-sectional view schematically showing a mode of a mounting step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 4A is a cross-sectional view schematically showing an aspect of an expand step at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 4B is a cross-sectional view schematically showing an aspect of an expand step at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 4C is a cross-sectional view schematically showing an aspect of an expand step at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 5A is a cross-sectional view schematically showing a mode of an expand step at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 5B is a cross-sectional view schematically showing a mode of an expand step at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 6 is a cross-sectional view schematically showing a mode of a cuff holding step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
It is sectional drawing which shows typically the aspect of the pick-up process in the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit.

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described.

[다이싱 다이 본드 필름][Dicing Die Bond Film]

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 기재층(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 적층된 다이 본드층(3)을 구비한다.As shown in FIG. 1 , the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment includes a dicing tape 10 in which an adhesive layer 2 is laminated on a base material layer 1 , and a dicing tape 10 . ) and a die-bonding layer (3) laminated on the pressure-sensitive adhesive layer (2).

다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 다이 본드층(3) 상에 반도체 웨이퍼가 첩부된다.In the dicing die-bonding film 20 , a semiconductor wafer is affixed on the die-bonding layer 3 .

다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 반도체 웨이퍼의 할단에 있어서는, 반도체 웨이퍼와 함께 다이 본드층(3)도 할단된다. 다이 본드층(3)은, 개편화된 복수의 반도체 칩 사이즈에 상당하는 크기로 할단된다. 이에 의해, 다이 본드층(3)구비의 반도체 칩을 얻을 수 있다.In cutting the semiconductor wafer using the dicing die-bonding film 20, the die-bonding layer 3 is also cut together with the semiconductor wafer. The die-bonding layer 3 is cut into a size corresponding to the size of a plurality of individualized semiconductor chips. Thereby, the semiconductor chip provided with the die-bonding layer 3 can be obtained.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서, 점착제층(2)은, 점착제 및 광중합 개시제를 포함한다. 점착제층(2)은, 반도체 칩으로 개편화하기 위한 반도체 웨이퍼를 점착함으로써 보유 지지한다.In the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 2 contains an pressure-sensitive adhesive and a photopolymerization initiator. The adhesive layer 2 is hold|maintained by sticking the semiconductor wafer for segmentation into a semiconductor chip.

상기 점착제로서는, 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 점착력을 저감 가능한 것(이하, 점착 저감형 점착제라고 함)을 들 수 있다.As said adhesive, what can reduce adhesive force by the action|action from the outside in the use process of the dicing tape 10 (henceforth an adhesive reduction type adhesive) is mentioned.

점착제로서 점착 저감형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서, 점착제층(2)이 비교적 높은 점착력을 나타내는 상태(이하, 고점착 상태라고 함)와, 비교적 낮은 점착력을 나타내는 상태(이하, 저점착 상태라고 함)를 구분지어 사용할 수 있다.When a pressure-sensitive adhesive is used as the pressure-sensitive adhesive, in the process of using the dicing tape 10, the pressure-sensitive adhesive layer 2 exhibits a relatively high adhesive strength (hereinafter referred to as a high-adhesion state) and a relatively low adhesive strength. The indicated state (hereinafter, referred to as a low-adhesion state) can be used separately.

예를 들어, 다이싱 테이프(10)에 첩부된 반도체 웨이퍼가 할단에 제공될 때에는, 반도체 웨이퍼의 할단에 의해 개편화된 복수의 반도체 칩이, 점착제층(2)으로부터 들뜨거나 박리되거나 하는 것을 억제하기 위해, 고점착 상태를 이용한다.For example, when the semiconductor wafer affixed to the dicing tape 10 is provided for cleavage, it is suppressed that a plurality of semiconductor chips separated into pieces by cleavage of the semiconductor wafer are lifted or peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 2 . To do this, a high-adhesion state is used.

이에 반해, 반도체 웨이퍼의 할단 후에, 개편화된 복수의 반도체 칩을 픽업하기 위해서는, 점착제층(2)으로부터 복수의 반도체 칩을 픽업하기 쉽게 하기 위해, 저점착 상태를 이용한다.On the other hand, in order to pick up a some semiconductor chip separated into pieces after cutting|disconnection of a semiconductor wafer, in order to make it easy to pick up a some semiconductor chip from the adhesive layer 2, the low adhesive state is used.

상기 점착 저감형 점착제로서는, 예를 들어 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서 방사선에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(이하, 방사선 경화 점착제라고 함)를 들 수 있다.As said adhesive reduction type adhesive, the adhesive (henceforth radiation hardening adhesive) which can be hardened by radiation in the use process of the dicing tape 10 is mentioned, for example.

상기 방사선 경화 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 들 수 있다. 이들 중에서도 자외선 조사에 의해 경화되는 점착제(자외선 경화 점착제)를 사용하는 것이 바람직하다.As said radiation hardening adhesive, the adhesive of the type hardened|cured by irradiation of an electron beam, an ultraviolet-ray, alpha ray, beta ray, gamma ray, or X-ray is mentioned, for example. Among these, it is preferable to use the adhesive (ultraviolet hardening adhesive) hardened|cured by ultraviolet irradiation.

상기 방사선 경화 점착제로서는, 예를 들어 주성분으로서의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성 모노머 성분이나 방사선 중합성 올리고머 성분을 포함하는, 첨가형 방사선 경화 점착제를 들 수 있다.Examples of the radiation-curing pressure-sensitive adhesive include a base polymer as a main component, and a radiation-polymerizable monomer component or radiation-polymerizable oligomer component having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond. have.

상기 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use an acryl-type polymer as said base polymer.

상기 아크릴계 폴리머로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르 및 (메트)아크릴산 아릴에스테르 등을 들 수 있다.As said acrylic polymer, the thing containing the monomer unit derived from (meth)acrylic acid ester is mentioned. As (meth)acrylic acid ester, meth)acrylic acid alkylester, (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, (meth)acrylic acid aryl ester, etc. are mentioned, for example.

상기 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA), 에틸아크릴레이트(EA), 부틸아크릴레이트(BA), 2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA), 이소노닐아크릴레이트(INA), 라우릴아크릴레이트(LA), 4-아크릴로일모르폴린(AMCO), 2-이소시아나토에틸=메타크릴레이트(MOI) 등을 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the acrylic polymer include 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), ethyl acrylate (EA), butyl acrylate (BA), 2-ethylhexyl acrylate (2EHA), and isononyl acrylate (INA). , lauryl acrylate (LA), 4-acryloylmorpholine (AMCO), 2-isocyanatoethyl = methacrylate (MOI), etc. are preferably used.

이들 아크릴계 폴리머는, 1종만으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.These acrylic polymers may be used only by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

상기 방사선 중합성 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the radiation polymerizable monomer component include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipenta and erythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate.

상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있다.As said radiation polymerizable oligomer component, various oligomers, such as a urethane type, a polyether type, a polyester type, a polycarbonate type, a polybutadiene type, are mentioned, for example.

상기 방사선 경화 점착제 중에 있어서의 상기 방사선 중합성 모노머 성분이나 상기 방사선 중합성 올리고머 성분의 함유 비율은, 점착제층(2)의 점착성을 적절하게 저하시키는 범위에서 선택된다.The content rate of the said radiation-polymerizable monomer component and the said radiation-polymerizable oligomer component in the said radiation-curing adhesive is selected from the range which reduces the adhesiveness of the adhesive layer 2 suitably.

점착제층(2)에 포함되는 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐 클로라이드 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive layer 2 include α-ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, and benzophenes. Non-type compounds, thioxanthone-type compounds, camphorquinone, halogenated ketones, acylphosphine oxides, acyl phosphonates, etc. are mentioned.

상기 광중합 개시제로서는, 광 라디칼 발생제를 사용하는 것이 바람직하다. 광 라디칼 발생제는, 활성 에너지선(예를 들어, 전자선, 자외선, α선, β선, γ선 또는 X선)이 조사됨으로써, 라디칼을 발생한다.It is preferable to use an optical radical generator as said photoinitiator. A photoradical generating agent generate|occur|produces a radical by irradiating an active energy ray (For example, an electron beam, an ultraviolet-ray, alpha-ray, a beta-ray, a gamma-ray, or X-ray).

광 라디칼 발생제로서는, 2-히드록시-1-(4-(4-(2-히드록시-2메틸프로피오닐)벤조일)페닐)-2-메틸프로판-1-온(시판품으로서는, IGM Resins사제의 Omnirad 127), 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(시판품으로서는, IGM Resins사제의 Omnirad 651), 1-히드록시-시클로헥실페닐케톤(시판품으로서는, IGM Resins사제의 Omnirad 184), 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온(시판품으로서는, IGM Resins사제의 Omnirad 2959), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1(시판품으로서는, IGM Resins사제의 Omnirad 369E), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(시판품으로서는, IGM Resins사제의 Omnirad 819), 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)(시판품으로서는, Irgacure사제의 OXE02) 등을 들 수 있다.As an optical radical generator, 2-hydroxy-1-(4-(4-(2-hydroxy-2methylpropionyl)benzoyl)phenyl)-2-methylpropan-1-one (as a commercial item, IGM Resins make of Omnirad 127), 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one (as a commercially available product, Omnirad 651 manufactured by IGM Resins), 1-hydroxy-cyclohexylphenyl ketone (as a commercially available product, IGM Resins) Omnirad 184 manufactured by the company), 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one (as a commercial product, Omnirad 2959 manufactured by IGM Resins) , 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1 (as a commercial item, Omnirad 369E manufactured by IGM Resins), bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenyl Phosphine oxide (as a commercial item, Omnirad 819 manufactured by IGM Resins), ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyl) oxime) (as a commercial item, OXE02 by Irgacure company) etc. are mentioned.

이들 중에서도 2-히드록시-1-(4-(4-(2-히드록시-2메틸프로피오닐)벤조일)페닐)-2-메틸프로판-1온(시판품으로서는, IGM Resins사제의 Omnirad 127)을 사용하는 것이 바람직하다.Among these, 2-hydroxy-1-(4-(4-(2-hydroxy-2methylpropionyl)benzoyl)phenyl)-2-methylpropan-1-one (as a commercial product, Omnirad 127 manufactured by IGM Resins) was used. It is preferable to use

점착제층(2)은, 상기 광중합 개시제를 0.1질량부 이상 10질량부 이하 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive layer 2 contains 0.1 mass part or more and 10 mass parts or less of the said photoinitiator.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 경화 전의 점착제층(2)을 GPC(겔 침투 크로마토그래피) 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 수 평균 분자량 Mn에 대한 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 질량 평균 분자량 Mw의 비인 다분산도 Mw/Mn이, 1.3 이상이다.In the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment, in the molecular weight distribution curve obtained by measuring the pressure-sensitive adhesive layer 2 before curing by GPC (gel permeation chromatography), the number average molecular weight of the peak appearing on the highest molecular weight side The polydispersity Mw/Mn, which is the ratio of the mass average molecular weight Mw of the peak appearing on the highest molecular weight side to Mn, is 1.3 or more.

다분산도 Mw/Mn이 1.3 이상인 것에 의해, 점착제층(2) 중의 고분자 성분 사이에 저분자 성분이 적절하게 배치되게 되므로, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 비교적 억제할 수 있다.When the polydispersity Mw/Mn is 1.3 or more, the low-molecular component is appropriately arranged between the polymer components in the pressure-sensitive adhesive layer 2 , so the photopolymerization initiator is transferred from the pressure-sensitive adhesive layer 2 to the die-bonding layer 3 . can be relatively suppressed.

또한, 상기 다분산도 Mw/Mn은, 2.0 이상인 것이 바람직하다. 상기 다분산도 Mw/Mn이 2.0 이상인 것에 의해, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 비교적 억제할 수 있는 것 외에도, 후술하는, 다이 본드층(3)과 점착제층(2) 사이를 박리하여, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정에 있어서, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)을 한층 더 용이하게 박리시킬 수 있다.Moreover, it is preferable that the said polydispersity Mw/Mn is 2.0 or more. When the polydispersity Mw/Mn is 2.0 or more, the transfer of the photopolymerization initiator from the pressure-sensitive adhesive layer 2 to the die-bonding layer 3 can be relatively suppressed, and the die-bonding layer 3 described later. In the pick-up process of peeling between and the adhesive layer 2 and taking out a semiconductor chip in the state which the die-bonding layer 3 was affixed WHEREIN: Peeling the die-bonding layer 3 from the adhesive layer 2 more easily can do it

또한, 상기 다분산도 Mw/Mn은, 10 이하인 것이 바람직하고, 5 이하인 것이 바람직하고, 3 이하인 것이 더 바람직하다.Further, the polydispersity Mw/Mn is preferably 10 or less, preferably 5 or less, and more preferably 3 or less.

또한, 본 명세서에서, 분자량 분포 곡선이란 미분 분자량 분포 곡선을 의미한다.In addition, in this specification, the molecular weight distribution curve means a differential molecular weight distribution curve.

경화 전의 점착제층(2)의 GPC 측정은, 이하의 수순에 따라서 조제한 측정 시료에 대하여, 분석 장치로서 도소사제의 HLC-8220GPC를 사용하여, 이하의 측정 조건을 채용함으로써 행할 수 있다.The GPC measurement of the adhesive layer 2 before hardening can be performed by employ|adopting the following measurement conditions with respect to the measurement sample prepared according to the following procedure, using HLC-8220GPC by Tosoh Corporation as an analysis apparatus.

[측정 시료의 조제][Preparation of measurement samples]

(1) 경화 전의 점착제층(2)으로부터 약0.2g의 샘플을 취득한다.(1) About 0.2 g of a sample is acquired from the adhesive layer 2 before hardening.

(2) 상기 샘플을 메쉬상 시트로 감싼 후, 실온(23±2℃)에서, 약30mL의 톨루엔 중에 1주간 침지시킨다.(2) After the sample is wrapped in a mesh-like sheet, it is immersed in about 30 mL of toluene at room temperature (23±2° C.) for 1 week.

(3) 톨루엔 내에서 메쉬상 시트를 취출하고, 메쉬상 시트 중에 포함되는 톨루엔 불용분을 제거하고, 톨루엔 용해 성분을 포함하는 톨루엔 용액을 얻는다.(3) The mesh-like sheet is taken out from the toluene, the toluene-insoluble content contained in the mesh-like sheet is removed, and a toluene solution containing a toluene-dissolving component is obtained.

(4) 상기 톨루엔 용액을, 감압하면서 45℃ 이하의 온도에서 처리하고, 상기 톨루엔 용액으로부터 톨루엔을 제거하고, 톨루엔 용해 성분의 고형물을 얻는다.(4) The toluene solution is treated at a temperature of 45° C. or lower under reduced pressure, toluene is removed from the toluene solution, and a solid substance of a toluene-dissolving component is obtained.

(5) 상기 고형물을 농도가 0.2질량%가 되도록, 테트라히드로푸란(THF)에 용해시켜 THF 용액으로 한 후, 하룻밤 방치한다.(5) After dissolving the said solid material in tetrahydrofuran (THF) so that a density|concentration may be 0.2 mass % and setting it as a THF solution, it is left to stand overnight.

(6) 하룻밤 방치한 THF 용액을, 0.45㎛의 멤브레인 필터로 여과하고, 얻어진 여액을 측정 시료로 한다.(6) The THF solution left overnight is filtered through a 0.45 µm membrane filter, and the resulting filtrate is used as a measurement sample.

[측정 조건][Measuring conditions]

ㆍ칼럼: 도소사제의 TSKgel quaudcolumn SuperHZ-L(이하, 제1 칼럼이라고 함) 1개, 및,ㆍColumn: One TSKgel quaudcolumn SuperHZ-L (hereinafter referred to as the first column) manufactured by Tosoh Corporation, and;

도소사제의 TSKgel SuperHZM-M(이하, 제2 칼럼이라고 함) 2개Two TSKgel SuperHZM-M (hereinafter referred to as the second column) manufactured by Tosoh Corporation

상기 각 칼럼은, 상기 제1 칼럼의 하류측으로 2개의 상기 제2 칼럼을 직렬로 연결시키고, 후술하는 용리액이 상기 제1 칼럼측으로부터 유입되도록, 상기 분석 장치에 배치한다.Each of the columns is arranged in the analysis device such that two of the second columns are connected in series to the downstream side of the first column, and the eluent described later flows from the side of the first column.

ㆍ칼럼 온도: 40℃ㆍColumn temperature: 40℃

ㆍ용리액: 테트라히드로푸란(THF)ㆍEluent: tetrahydrofuran (THF)

ㆍ유량: 샘플 펌프 유량 0.3mL/minㆍFlow: Sample pump flow rate 0.3mL/min

레퍼런스 펌프 유량 1.0mL/min Reference pump flow rate 1.0 mL/min

ㆍ주입량: 10μLㆍInjection amount: 10μL

ㆍ검출기: 시차 굴절률 검출기(RI)ㆍDetector: Differential refractive index detector (RI)

또한, 상기 측정 시료에 대하여 측정한 결과를 기초로 하여, 분자량 분포 곡선(미분 분자량 분포 곡선)을 얻기 위해, 도소사제의 각 표준 폴리스티렌을 이하의 표 1에 나타낸 배합 질량이 되도록 계량하고, 계량한 각 표준 폴리스티렌을, 100mL의 THF에 용해시켜, 표준 폴리스티렌 용액 STD1 및 표준 폴리스티렌 용액 STD2를 얻고, 이들에 대해서도 상기 측정 장치를 사용하여, 상기 측정 조건에 의해 GPC 측정을 행한다.In addition, in order to obtain a molecular weight distribution curve (differential molecular weight distribution curve) based on the measurement result of the measurement sample, each standard polystyrene manufactured by Tosoh Corporation was weighed so as to have a compounding mass shown in Table 1 below, and weighed. Each standard polystyrene is dissolved in 100 mL of THF to obtain a standard polystyrene solution STD1 and a standard polystyrene solution STD2, and also for these, GPC measurement is performed under the above measurement conditions using the above measuring apparatus.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 측정 시료, 상기 STD1 및 상기 STD2를 GPC 측정한 결과를, 도소사제의 해석 소프트웨어 GPC-8020 Model II(데이터 관리 Version 5.10)를 사용하여 데이터 해석한다.The result of GPC measurement of the said measurement sample, the said STD1, and the said STD2 is data-analyzed using the analysis software GPC-8020 Model II (data management Version 5.10) manufactured by Tosoh Corporation.

상기 해석 소프트웨어를 사용한 데이터 해석에서는, 우선, 상기 STD1 및 상기 STD2에 관한 교정 곡선(횡축을 시간(min)으로 하고, 종축을 질량 평균 분자량의 대수로 한 교정 곡선)을 작성하고, 이들 교정 곡선을 기초로, 상기 측정 시료의 분자량에 관한 데이터 해석을 행한다. 상기 측정 시료의 분자량에 관한 데이터 해석은, 크로마토그램 상에서 가장 빨리 검출되는 피크 P1(가장 고분자량 측의 피크)에 관한 분자량 분포 곡선을 얻고나서 행한다. 피크 P1에 관한 분자량 분포 곡선에 대하여, 데이터 해석을 행함으로써, 피크 P1에 관한 수 평균 분자량 Mn 및 질량 평균 분자량 Mw를 얻을 수 있다.In data analysis using the above analysis software, first, calibration curves for STD1 and STD2 (a calibration curve with the horizontal axis as time (min) and the vertical axis as the logarithm of the mass average molecular weight) are created, and these calibration curves are Based on the data analysis on the molecular weight of the measurement sample. The data analysis on the molecular weight of the measurement sample is performed after obtaining a molecular weight distribution curve for the peak P1 (the peak on the highest molecular weight side) detected earliest on the chromatogram. The number average molecular weight Mn and the mass average molecular weight Mw regarding the peak P1 can be obtained by performing data analysis about the molecular weight distribution curve concerning the peak P1.

또한, 가장 빨리 검출되는 피크 P1의 하강 부분과 피크 P1의 다음에 검출되는 피크 P2의 상승 부분에 겹침이 확인되는 경우에는, 피크 P1의 상승 개시 부분을 기점으로 하여 수평 방향으로 연장되도록 베이스 라인을 긋고, 피크 P1의 하강 부분과 피크 P2의 상승 부분과의 사이에 생기는 골 부분(가장 오목해진 부분)을 향하여 상기 베이스 라인으로부터 수직으로 선을 긋고, 피크 P1의 상승 개시 부분으로부터 상기 골 부분까지와, 상기 베이스 라인과, 상기 베이스 라인으로부터 상기 골 부분을 향하여 수직으로 그은 선으로 구획된 영역을 해석함으로써, 피크 P1에 대하여, 수 평균 분자량 Mn 및 질량 평균 분자량 Mw를 얻을 수 있다.In addition, when an overlap is confirmed between the falling portion of the peak P1 detected earliest and the rising portion of the peak P2 detected next to the peak P1, the baseline is drawn so as to extend in the horizontal direction from the rising start portion of the peak P1 as a starting point. A line is drawn vertically from the baseline toward the valley (the most concave part) that occurs between the falling part of the peak P1 and the rising part of the peak P2, and from the rising start part of the peak P1 to the valley part and , The number average molecular weight Mn and the mass average molecular weight Mw can be obtained for the peak P1 by analyzing the base line and the region demarcated by a line drawn perpendicularly from the baseline to the valley portion.

경화 전의 점착제층(2)을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값은 33,000 이하인 것이 바람직하고, 25,000 이하인 것이 더 바람직하다. 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값이 상기 수치 범위 내에 있는 것에 의해, 점착제층(2) 중에 포함되는 고분자 성분의 분자쇄 근방의 공간을 비교적 작게 할 수 있으므로, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 한층 더 억제할 수 있다.In the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the pressure-sensitive adhesive layer 2 before curing, the value of the peak top molecular weight of the peak appearing on the highest molecular weight side is preferably 33,000 or less, and more preferably 25,000 or less. When the value of the peak top molecular weight of the peak appearing on the highest molecular weight side is within the above numerical range, since the space in the vicinity of the molecular chain of the polymer component contained in the pressure-sensitive adhesive layer 2 can be made relatively small, the pressure-sensitive adhesive layer (2) It is possible to further suppress the migration of the photopolymerization initiator from the to the die bond layer 3 .

또한, 경화 전의 점착제층(2)을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값은, 4,000 이상인 것이 바람직하고, 8,000 이상인 것이 더 바람직하다. 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값이 상기 수치 범위 내에 있는 것에 의해, 점착제층(2) 중에 포함되는 고분자 성분끼리 사이에 생기는 공간을 비교적 작게 할 수 있다. 이에 의해, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 한층 더 억제할 수 있다.Moreover, in the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the adhesive layer 2 before hardening, it is preferable that it is 4,000 or more, and, as for the value of the peak top molecular weight of the peak which appears on the highest molecular weight side, it is more preferable that it is 8,000 or more. When the value of the peak top molecular weight of the peak appearing on the highest molecular weight side exists in the said numerical range, the space which arises between the polymer components contained in the adhesive layer 2 can be made comparatively small. Thereby, migration of the said photoinitiator from the adhesive layer 2 to the die-bonding layer 3 can be suppressed further.

경화 전의 점착제층(2)은, 졸 성분을 32질량% 미만 포함하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive layer 2 before hardening contains less than 32 mass % of sol components.

상기 광중합 개시제는, 졸 성분을 통하여 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)으로 이행한다고 생각되기는 하지만, 졸 성분을 상기 수치 범위로 함으로써, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 한층 더 억제할 수 있다.Although it is thought that the said photoinitiator transfers from the adhesive layer 2 to the die-bonding layer 3 through a sol component, by making a sol component into the said numerical range, from the adhesive layer 2 to the die-bonding layer 3 migration of the photoinitiator can be further suppressed.

또한, 상기 경화 전의 점착제층(2)은, 졸 성분을 23질량% 이하 포함하고 있는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the adhesive layer 2 before the said hardening contains 23 mass % or less of sol components.

졸 성분의 상기 수치 범위로 함으로써, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 한층 더 억제할 수 있는 것 외에도, 다이 본드층(3)과 점착제층(2) 사이를 박리하고, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정에 있어서, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)을 한층 더 용이하게 박리시킬 수 있다.By setting it as the said numerical range of a sol component, the transfer of the said photoinitiator from the adhesive layer 2 to the die-bonding layer 3 can be suppressed further, and the die-bonding layer 3 and the adhesive layer 2 The pick-up process of peeling between and taking out a semiconductor chip in the state in which the die-bonding layer 3 was stuck WHEREIN: The die-bonding layer 3 can be peeled further easily from the adhesive layer 2 .

또한, 본 명세서에서, 졸 성분이란 하기의 졸 성분의 질량 비율의 측정에 있어서 설명하고 있는 바와 같이, 경화 전의 점착제층(2)으로부터 약0.2g의 샘플을 취득하고, 해당 샘플을 약30mL의 톨루엔 중에 1주간 침지시킨 후에, 상기 톨루엔 중에 용해하는 성분을 의미한다.In addition, as described in the measurement of the mass ratio of a sol component with a sol component in this specification, about 0.2 g of a sample is acquired from the adhesive layer 2 before hardening, and the sample is mixed with about 30 mL of toluene. It means the component which melt|dissolves in the said toluene after being immersed in the said toluene for 1 week.

경화 전의 점착제층(2)에 있어서의 졸 성분의 질량 비율은, 이하와 같이 하여 구할 수 있다.The mass ratio of the sol component in the adhesive layer 2 before hardening can be calculated|required as follows.

[졸 성분의 질량 비율의 측정][Measurement of mass ratio of sol components]

(1) 경화 전의 점착제층(2)으로부터 약0.2g의 샘플을 취득한다.(1) About 0.2 g of a sample is acquired from the adhesive layer 2 before hardening.

(2) 상기 샘플을 메쉬상 시트로 감싼 후, 실온에서, 약30mL의 톨루엔 중에 1주간 침지시킨다.(2) The sample is wrapped in a mesh-like sheet and then immersed in about 30 mL of toluene at room temperature for 1 week.

(3) 톨루엔 내에서 메쉬상 시트를 취출하고, 메쉬상 시트 중에 포함되는 톨루엔 불용분을 제거한다.(3) The mesh-like sheet is taken out from the toluene, and the toluene-insoluble content contained in the mesh-like sheet is removed.

(4) 상기 톨루엔 불용분을, 상압에서 130℃에서 약2시간 건조시킨 후, 상기 톨루엔 불용분을 칭량한다.(4) After drying the toluene-insoluble content at 130° C. under normal pressure for about 2 hours, the toluene-insoluble content is weighed.

(5) 하기 식 (1)에 따라 겔 성분의 질량 비율을 산출하고, 겔분율의 질량 비율의 산출값을 기초로, 하기 식 (2)에 따라 졸 성분의 질량 비율을 산출한다.(5) The mass ratio of the gel component is calculated according to the following formula (1), and the mass ratio of the sol component is calculated according to the following formula (2) based on the calculated value of the mass ratio of the gel fraction.

겔 성분의 질량 비율(질량%)=[(톨루엔 불용분의 칭량값)/취득 샘플의 질량]×100…(1)Mass ratio (mass %) of gel component = [(weight value of toluene-insoluble content)/mass of acquisition sample] x 100... (One)

졸 성분의 질량 비율(질량%)=100-상기 식 (1)에서 구한 겔 성분의 질량 비율…(2)Mass ratio of the sol component (mass %) = 100 - The mass ratio of the gel component calculated by the above formula (1)... (2)

점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력은, 점착제층(2)의 경화 후에 있어서, 0.18N/20㎜ 미만인 것이 바람직하고, 0.15N/20㎜ 이하인 것이 더 바람직하고, 0.07N/20㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.After curing of the pressure-sensitive adhesive layer 2, the peel force of the die-bonding layer 3 to the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably less than 0.18 N/20 mm, more preferably 0.15 N/20 mm or less, and 0.07 It is more preferable that it is N/20 mm or less.

점착제층(2)의 경화 후에 있어서의, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력을 상기 수치 범위로 함으로써, 상기한 픽업 공정에 있어서, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)을 한층 더 용이하게 박리시킬 수 있다.By making the peeling force of the die-bonding layer 3 with respect to the adhesive layer 2 after hardening of the adhesive layer 2 into the said numerical range, said pick-up process WHEREIN: From the adhesive layer 2 to the die-bonding layer. (3) can be peeled off more easily.

또한, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력은, 점착제층(2)의 경화 후에 있어서, 0.01N/20㎜ 이상인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the peeling force of the die-bonding layer 3 with respect to the adhesive layer 2 is 0.01 N/20mm or more after hardening of the adhesive layer 2 .

또한, 점착제층(2)의 경화 후에 있어서의, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력을 0.07N/20㎜ 이하로 함으로써, 상기한 픽업 공정에 있어서, 점착제층(2)으로부터 다이 본드층(3)을 특히 용이하게 박리시킬 수 있다.Moreover, by making the peeling force of the die-bonding layer 3 with respect to the adhesive layer 2 after hardening of the adhesive layer 2 into 0.07 N/20 mm or less, an above-mentioned pick-up process WHEREIN: The adhesive layer 2 ), the die bond layer 3 can be particularly easily peeled off.

경화된 점착제층(2)은, 배접 테이프가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)으로부터 방사선을 소정 강도의 방사선(예를 들어, 150J/㎠의 자외선)을 조사함으로써 얻을 수 있다.The cured pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed by irradiating radiation with a predetermined intensity (for example, ultraviolet rays of 150 J/cm 2 ) from the dicing tape 10 of the dicing die-bonding film 20 to which the backing tape is bonded. can be obtained

점착제층(2)의 경화 후에 있어서의, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력은, T형 박리 시험에 의해 측정할 수 있다. T형 박리 시험은, 다이 본드층(3)의 노출면에 배접 테이프(예를 들어, 닛토 덴코사제의 상품명 「ELP BT315」)를 접합한 다이싱 다이 본드 필름(20)에 소정 강도의 방사선을 조사하여 점착제층(2)을 경화시킨 후, 경화시킨 점착제층(2)으로부터, 폭 50㎜×길이 120㎜의 치수로 잘라낸 것을 측정용 샘플로 하여 인장 시험기(예를 들어, 상품명 「TG-1kN」, 미네베아 미쓰미사제)를 사용하여, 온도 25℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건으로 행할 수 있다.The peeling force of the die-bonding layer 3 with respect to the adhesive layer 2 after hardening of the adhesive layer 2 can be measured by a T-type peeling test. In the T-type peeling test, a radiation of a predetermined intensity is applied to a dicing die-bonding film 20 in which a backing tape (for example, “ELP BT315” manufactured by Nitto Denko Corporation) is bonded to the exposed surface of the die-bonding layer 3 . After curing the pressure-sensitive adhesive layer 2 by irradiation, a tensile tester (for example, a trade name “TG-1kN” ", Minebea Mitsumi Co., Ltd.), temperature 25 degreeC, it can carry out under the conditions of 300 mm/min of tensile speed|rate.

점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력은, 점착제층(2)의 경화 전에 있어서, 0.3N/20㎜ 이상인 것이 바람직하다.Before hardening of the adhesive layer 2, it is preferable that the peeling force of the die-bonding layer 3 with respect to the adhesive layer 2 is 0.3 N/20 mm or more.

경화 전의 점착제층(2)에 있어서, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력을 상기와 같은 수치 범위로 함으로써, 점착제층(2)에서 다이 본드층(3)을 적절하게 보유 지지할 수 있게 된다. 이에 의해, 다이 본드층(3)이 개편화된 후에 생기는 칩 들뜸을 한층 더 억제할 수 있다.In the pressure-sensitive adhesive layer 2 before curing, by making the peeling force of the die-bonding layer 3 with respect to the pressure-sensitive adhesive layer 2 in the numerical range as described above, the die-bonding layer 3 from the pressure-sensitive adhesive layer 2 is properly applied. can hold and support. Thereby, it is possible to further suppress the floating of the chip that occurs after the die-bonding layer 3 is separated into pieces.

또한, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력은, 점착제층(2)의 경화 전에 있어서, 5.0N/20㎜ 이하인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the peeling force of the die-bonding layer 3 with respect to the adhesive layer 2 is 5.0 N/20mm or less before hardening of the adhesive layer 2 .

점착제층(2)의 경화 전에 있어서의, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력은, T형 박리 시험에 의해 측정할 수 있다. T형 박리 시험은, 다이 본드층(3)의 노출면에 배접 테이프(예를 들어, 닛토덴코사제의 상품명 「ELP BT315」)를 접합한 다이싱 다이 본드 필름(20)으로부터, 폭 20㎜×길이 120㎜의 치수로 잘라낸 것을 측정용 샘플로 하여, 인장 시험기(예를 들어, 상품명 「TG-1kN」, 미네베아 미쓰미사제)를 사용하여, 온도 25℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건으로 행할 수 있다.The peeling force of the die-bonding layer 3 with respect to the adhesive layer 2 before hardening of the adhesive layer 2 can be measured by a T-type peeling test. In the T-type peeling test, from the dicing die-bonding film 20 in which a backing tape (for example, "ELP BT315" manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) was bonded to the exposed surface of the die-bonding layer 3, a width of 20 mm × Using a tensile tester (for example, trade name "TG-1kN", manufactured by Minebea Mitsumi Co., Ltd.), using a tensile tester (for example, trade name "TG-1kN", manufactured by Minebea Mitsumi), using a sample cut out to a dimension of 120 mm in length, under conditions of a temperature of 25°C and a tensile rate of 300 mm/min. can be done with

점착제층(2)은, 외부 가교제를 포함하고 있어도 된다. 외부 가교제로서는, 베이스 폴리머(예를 들어, 아크릴계 폴리머)와 반응하여 가교 구조를 형성할 수 있는 것이면, 어떤 것이라도 사용할 수 있다. 이러한 외부 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물 및 멜라민계 가교제 등을 들 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain an external crosslinking agent. Any external crosslinking agent can be used as long as it can react with a base polymer (eg, an acrylic polymer) to form a crosslinked structure. As such an external crosslinking agent, a polyisocyanate compound, an epoxy compound, a polyol compound, an aziridine compound, a melamine type crosslinking agent, etc. are mentioned, for example.

점착제층(2)이 외부 가교제를 포함하는 경우, 점착제층(2)은, 상기 외부 가교제를 0.1질량부 이상 3질량부 이하 포함하는 것이 바람직하다.When the adhesive layer 2 contains an external crosslinking agent, it is preferable that the adhesive layer 2 contains 0.1 mass part or more and 3 mass parts or less of the said external crosslinking agent.

점착제층(2)은, 상기와 같이 성분 이외에도, 점착 부여제(택키파이어), 산화 방지제, 가교 촉진제, 노화 방지제, 안료, 또는 염료 등의 착색제 등을 포함하고 있어도 된다.As mentioned above, the adhesive layer 2 may contain coloring agents, such as a tackifier (tackifier), antioxidant, a crosslinking promoter, an antioxidant, a pigment, or dye other than a component as mentioned above.

점착제층(2)의 두께는, 1㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 더 바람직하고, 5㎛ 이상 25㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that they are 1 micrometer or more and 50 micrometers or less, as for the thickness of the adhesive layer 2, it is more preferable that they are 2 micrometers or more and 30 micrometers or less, It is more preferable that they are 5 micrometers or more and 25 micrometers or less.

점착제층(2)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사제, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균하는 것에 의해 구할 수 있다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 can be obtained by, for example, measuring the thickness of five randomly selected points using a dial gauge (manufactured by PEACOCK, model R-205), and arithmetic average of these thicknesses. have.

기재층(1)은, 점착제층(2)을 지지한다. 기재층(1)은 수지 필름을 사용하여 제작된다. 수지 필름에 포함되는 수지로서는, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐 술피드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지 및 실리콘 수지 등을 들 수 있다.The base material layer 1 supports the adhesive layer 2 . The base material layer 1 is produced using a resin film. Examples of the resin contained in the resin film include polyolefin, polyester, polyurethane, polycarbonate, polyether ether ketone, polyimide, polyether imide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, Polyphenyl sulfide, a fluororesin, a cellulose resin, a silicone resin, etc. are mentioned.

폴리올레핀으로서는, 예를 들어 α-올레핀의 호모 폴리머, 2종 이상의 α-올레핀의 공중합체, 블록 폴리프로필렌, 랜덤 폴리프로필렌, 1종 또는 2종 이상의 α-올레핀과 다른 비닐 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.Examples of the polyolefin include α-olefin homopolymers, copolymers of two or more α-olefins, block polypropylene, random polypropylene, and copolymers of one or two or more α-olefins with other vinyl monomers. can

α-올레핀의 호모 폴리머로서는, 탄소수 2 이상 12 이하의 α-올레핀의 호모 폴리머인 것이 바람직하다. 이러한 호모 폴리머로서는 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐 등을 들 수 있다.The homopolymer of α-olefin is preferably a homopolymer of α-olefin having 2 or more and 12 or less carbon atoms. Examples of such a homopolymer include ethylene, propylene, 1-butene, and 4-methyl-1-pentene.

2종 이상의 α-올레핀의 공중합체로서는, 에틸렌/프로필렌 공중합체, 에틸렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/프로필렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/탄소수 5 이상 12 이하의 α-올레핀 공중합체, 프로필렌/에틸렌 공중합체, 프로필렌/1-부텐 공중합체, 프로필렌/탄소수 5 이상 12 이하의 α-올레핀 공중합체 등을 들 수 있다.As the copolymer of two or more α-olefins, ethylene/propylene copolymer, ethylene/1-butene copolymer, ethylene/propylene/1-butene copolymer, ethylene/C5 or more and α-olefin copolymer with 12 or less carbon atoms, propylene /ethylene copolymer, propylene/1-butene copolymer, propylene/C5 or more and α-olefin copolymer with 12 or less, etc. are mentioned.

1종 또는 2종 이상의 α-올레핀과 다른 비닐 모노머의 공중합체로서는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 등을 들 수 있다.An ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) etc. are mentioned as a copolymer of 1 type, or 2 or more types of alpha-olefin, and another vinyl monomer.

폴리올레핀은, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머라고 불리는 것이어도 된다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는, 프로필렌ㆍ에틸렌 공중합체와 프로필렌 호모 폴리머를 조합한 것 또는 프로필렌ㆍ에틸렌ㆍ탄소수 4 이상의 α-올레핀 3원 공중합체를 들 수 있다.The polyolefin may be what is called an α-olefin thermoplastic elastomer. Examples of the α-olefin thermoplastic elastomer include a combination of a propylene/ethylene copolymer and a propylene homopolymer, or a propylene/ethylene/C4 or more α-olefin terpolymer.

α-올레핀계 열가소성 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들어 프로필렌계 엘라스토머 수지인 비스타맥스 3980(엑손모빌 케미컬사제)을 들 수 있다.As a commercial item of (alpha)-olefin type thermoplastic elastomer, Vistamax 3980 (made by ExxonMobil Chemicals) which is a propylene type elastomer resin is mentioned, for example.

수지 필름은 상기한 수지를 1종 포함하는 것이어도 되고, 상기한 수지를 2종 이상 포함하는 것이어도 된다.The resin film may contain 1 type of said resin, and may contain 2 or more types of above-mentioned resin.

또한, 점착제층(2)이 후술하는 자외선 경화 점착제를 포함하는 경우, 기재층(1)을 제작하는 수지 필름은, 자외선 투과성을 갖도록 구성되는 것이 바람직하다.Moreover, when the adhesive layer 2 contains the ultraviolet curing adhesive mentioned later, it is preferable that the resin film which produces the base material layer 1 is comprised so that it may have ultraviolet transmission.

기재층(1)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 기재층(1)은, 무연신 성형에 의해 얻어져도 되고, 연신 성형에 의해 얻어져도 되지만, 연신 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 기재층(1)이 적층 구조인 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머를 포함하는 층(이하, 엘라스토머층이라고 함)과 비엘라스토머를 포함하는 층(이하, 비엘라스토머층이라고 함)을 갖는 것이 바람직하다.A single layer structure may be sufficient as the base material layer 1, and a laminated structure may be sufficient as it. Although the base material layer 1 may be obtained by non-stretch molding and may be obtained by stretch molding, it is preferable that it is obtained by stretch molding. When the substrate layer 1 has a laminated structure, the substrate layer 1 has a layer containing an elastomer (hereinafter referred to as an elastomer layer) and a layer containing a non-elastomer (hereinafter referred to as a non-elastomeric layer). desirable.

기재층(1)을 엘라스토머층과 비엘라스토머층을 갖는 것으로 함으로써, 엘라스토머층을, 인장 응력을 완화하는 응력 완화층으로서 기능시킬 수 있다. 즉, 기재층(1)에 생기는 인장 응력을 비교적 작게 할 수 있으므로, 기재층(1)을 적당한 경도를 가지면서, 비교적 연신되기 쉬운 것으로 할 수 있다.When the base material layer 1 has an elastomer layer and a non-elastomeric layer, the elastomer layer can function as a stress relieving layer for relieving tensile stress. That is, since the tensile stress which arises in the base material layer 1 can be made comparatively small, it can be made comparatively easy to extend|stretch the base material layer 1, having moderate hardness.

이에 의해, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단성을 향상시킬 수 있다.Thereby, the cleavability from a semiconductor wafer to a some semiconductor chip can be improved.

또한, 익스팬드 공정에서의 할단 시에, 기재층(1)이 찢어져 파손되는 것을 억제할 수 있다.Moreover, it can suppress that the base material layer 1 is torn and damaged at the time of cutting in an expand process.

또한, 본 명세서에서는, 엘라스토머층과는, 비엘라스토머층에 비하여 실온에서의 인장 저장 탄성률이 낮은 저탄성률층을 의미한다. 엘라스토머층으로서는, 실온에서의 인장 저장 탄성률이 10Mpa 이상 200MPa 이하인 것을 들 수 있고, 비엘라스토머층으로서는, 실온에서의 인장 저장 탄성률이 200Mpa 이상 500MPa 이하인 것을 들 수 있다.In addition, in this specification, an elastomer layer means the low elastic modulus layer whose tensile storage elastic modulus at room temperature is low compared with a non-elastomeric layer. Examples of the elastomer layer include those having a tensile storage elastic modulus of 10 Mpa or more and 200 MPa or less at room temperature, and examples of the non-elastomeric layer include those having a tensile storage elastic modulus of 200 Mpa or more and 500 MPa or less at room temperature.

엘라스토머층은, 1종의 엘라스토머를 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 엘라스토머를 포함하는 것이어도 되지만, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머나, EVA(에틸렌-아세트산비닐 공중합체)를 포함하는 것이 바람직하다.The elastomer layer may contain one elastomer or two or more elastomers, but preferably contains an α-olefin thermoplastic elastomer or EVA (ethylene-vinyl acetate copolymer).

비엘라스토머층은, 1종의 비엘라스토머를 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 비엘라스토머를 포함하는 것이어도 되지만, 후술하는 메탈로센 PP를 포함하는 것이 바람직하다.The non-elastomer layer may contain one type of non-elastomer or may contain two or more types of non-elastomer, but preferably contains the metallocene PP described later.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층을 갖는 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머층을 중심층으로 하여, 해당 중심층의 서로 대향하는 양면에 비엘라스토머층을 갖는 3층 구조(비엘라스토머층/엘라스토머층/비엘라스토머층)로 형성되는 것이 바람직하다.When the base layer 1 has an elastomeric layer and a non-elastomeric layer, the base layer 1 has an elastomer layer as a central layer, and has a three-layer structure (ratio) It is preferably formed of an elastomer layer/elastomer layer/non-elastomeric layer).

또한, 상기한 바와 같이, 커프 유지 공정에 있어서는, 실온(예를 들어 23℃)에서 익스팬드 상태를 유지한 상기 다이싱 다이 본드 필름에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쏘이고 상기 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시킨 후, 냉각 고화시키기 때문에, 기재층(1)의 최외층은, 다이싱 테이프에 쏘이는 열풍의 온도에 가까운 융점을 갖는 수지를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 열풍을 쏘이는 것에 의해 용융된 최외층을 보다 신속하게 고화시킬 수 있다.In addition, as described above, in the cuff holding step, hot air (eg, 100 to 130° C.) is blown to the dicing die-bonding film maintained in an expanded state at room temperature (eg, 23° C.), and the die In order to solidify by cooling after heat-shrinking a shing die-bonding film, it is preferable that the outermost layer of the base material layer 1 contains resin which has a melting|fusing point close to the temperature of the hot air shot by the dicing tape. Thereby, the outermost layer melt|dissolved by shooting hot air can be solidified more rapidly.

그 결과, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 보다 충분히 유지할 수 있다.As a result, in the cuff holding step, it is possible to more fully hold the cuff.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조이며, 엘라스토머층이 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하고, 또한, 비엘라스토머층이 후술하는 메탈로센 PP 등의 폴리올레핀을 포함하는 경우, 엘라스토머층은, 해당 엘라스토머층을 형성하는 엘라스토머의 총 질량에 대하여, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50질량% 이상 100질량% 이하 포함하고 있는 것이 바람직하고, 70질량% 이상 100질량% 이하 포함하고 있는 것이 더 바람직하고, 80질량% 이상 100질량% 이하 포함하고 있는 것이 더욱 바람직하고, 90질량% 이상 100질량% 이하 포함하고 있는 것이 특히 바람직하고, 95질량% 이상 100질량% 이하 포함하고 있는 것이 최적이다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머가 상기 범위에서 포함되어 있음으로써, 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 친화성이 높아지기 때문에, 기재층(1)을 비교적 용이하게 압출 성형할 수 있다. 또한, 엘라스토머층을 응력 완화층으로서 작용시킬 수 있으므로, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.When the base layer 1 has a laminated structure of an elastomer layer and a non-elastomeric layer, the elastomer layer contains an α-olefin-based thermoplastic elastomer, and the non-elastomeric layer contains a polyolefin such as metallocene PP, which will be described later, The elastomer layer preferably contains 50 mass% or more and 100 mass% or less of α-olefin thermoplastic elastomer with respect to the total mass of the elastomer forming the elastomer layer, and contains 70 mass% or more and 100 mass% or less It is more preferable that it contains 80 mass % or more and 100 mass % or less, more preferably contains 90 mass % or more and 100 mass % or less, especially preferably contains 95 mass % or more and 100 mass % or less. am. When the α-olefin thermoplastic elastomer is included in the above range, the affinity between the elastomer layer and the non-elastomer layer is increased, so that the base layer 1 can be extrusion-molded relatively easily. Moreover, since the elastomer layer can act as a stress relaxation layer, the semiconductor wafer affixed to the dicing tape can be cut|disconnected efficiently.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조인 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머와 비엘라스토머를 공압출하여, 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조로 하는 공압출 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 공압출 성형으로서는, 필름이나 시트 등의 제조에 있어서 일반적으로 행해지는 임의의 적절한 공압출 성형을 채용할 수 있다. 공압출 성형 중에서도 기재층(1)을 효율적으로 저렴하게 얻을 수 있는 점에서, 인플레이션법이나 공압출 T 다이법을 채용하는 것이 바람직하다.When the base layer 1 has a laminated structure of an elastomer layer and a non-elastomer layer, the base layer 1 is formed by coextrusion of the elastomer and the non-elastomer to form a laminated structure of the elastomer layer and the non-elastomer layer. It is preferable to obtain As co-extrusion molding, any suitable co-extrusion molding generally performed in the manufacture of a film, a sheet, etc. can be employ|adopted. It is preferable to employ|adopt the inflation method and the coextrusion T-die method from a point which can obtain the base material layer 1 efficiently and inexpensively among co-extrusion molding.

적층 구조를 이루는 기재층(1)을 공압출 성형으로 얻는 경우, 상기 엘라스토머층 및 상기 비엘라스토머층은 가열되어 용융된 상태에서 접하기 때문에, 상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점차는 작은 편이 바람직하다. 융점차가 작은 것에 의해, 저융점으로 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머의 어느 것에 과도한 열을 가하는 것이 억제되는 점에서, 저융점으로 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머의 어느 것이 열 열화함으로써 부생성물이 생성되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 저융점으로 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머의 어느 것의 점도가 과도하게 저하됨으로써 상기 엘라스토머층과 상기 비엘라스토머층 사이에 적층 불량이 생기는 것도 억제할 수 있다. 상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점차는, 0℃ 이상 70℃ 이하인 것이 바람직하고, 0℃ 이상 55℃ 이하인 것이 더 바람직하다.When the base layer 1 constituting the laminate structure is obtained by co-extrusion molding, the elastomer layer and the non-elastomer layer are in contact with each other in a heated and molten state. Since the application of excessive heat to either the elastomer or the non-elastomer having a low melting point is suppressed by the small melting point difference, a by-product is generated by thermal deterioration of the elastomer or the non-elastomer having a low melting point. can be restrained In addition, it is also possible to suppress the occurrence of lamination failure between the elastomer layer and the non-elastomer layer due to excessive decrease in the viscosity of either the elastomer or the non-elastomer having a low melting point. It is preferable that they are 0 degreeC or more and 70 degrees C or less, and, as for the melting|fusing point difference of the said elastomer and the said non-elastomer, it is more preferable that they are 0 degreeC or more and 55 degrees C or less.

상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점은, 시차 주사 열량(DSC) 분석에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 시차 주사 열량계 장치(TA인스트루먼츠사제, 형식 DSC Q2000)를 사용하고, 질소 가스 기류 하에서, 승온 속도 5℃/min에서 200℃까지 승온시켜, 흡열 피크의 피크 온도를 구하는 것에 의해 측정할 수 있다.The melting points of the elastomer and the non-elastomer may be measured by differential scanning calorimetry (DSC) analysis. For example, using a differential scanning calorimeter device (manufactured by TA Instruments, model DSC Q2000), the temperature is raised to 200° C. at a temperature increase rate of 5° C./min under a nitrogen gas stream, and the peak temperature of the endothermic peak is measured. can

기재층(1)의 두께는, 55㎛ 이상 195㎛ 이하인 것이 바람직하고, 55㎛ 이상 190㎛ 이하인 것이 더 바람직하고, 55㎛ 이상 170㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 60㎛ 이상 160㎛ 이하인 것이 최적이다. 기재층(1)의 두께를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프를 효율적으로 제조할 수 있고, 또한, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.The thickness of the base layer 1 is preferably 55 µm or more and 195 µm or less, more preferably 55 µm or more and 190 µm or less, still more preferably 55 µm or more and 170 µm or less, and it is optimal that it is 60 µm or more and 160 µm or less. . By making the thickness of the base material layer 1 into the said range, a dicing tape can be manufactured efficiently and the semiconductor wafer affixed to the dicing tape can be cut|disconnected efficiently.

기재층(1)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사제, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균하는 것에 의해 구할 수 있다.The thickness of the base material layer 1 can be obtained by, for example, measuring the thickness of five randomly selected points using a dial gauge (manufactured by PEACOCK, Model R-205), and arithmetic average of these thicknesses. have.

엘라스토머층과 비엘라스토머층을 적층시킨 기재층(1)에 있어서, 엘라스토머층의 두께에 대한 비엘라스토머층의 두께의 비는, 1/25 이상 1/3 이하인 것이 바람직하고, 1/25 이상 1/3.5 이하인 것이 더 바람직하고, 1/25 이상 1/4인 것이 더욱 바람직하고, 1/22 이상 1/4 이하인 것이 특히 바람직하고, 1/20 이상 1/4 이하인 것이 최적이다. 엘라스토머층의 두께에 대한 비엘라스토머층의 두께의 비를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 보다 효율적으로 할단할 수 있다.In the base material layer (1) in which the elastomer layer and the non-elastomeric layer are laminated, the ratio of the thickness of the non-elastomeric layer to the thickness of the elastomer layer is preferably 1/25 or more and 1/3 or less, and 1/25 or more and 1/ It is more preferably 3.5 or less, more preferably 1/25 or more and 1/4, particularly preferably 1/22 or more and 1/4 or less, and optimally 1/20 or more and 1/4 or less. By making ratio of the thickness of the non-elastomeric layer with respect to the thickness of an elastomer layer into the said range, the semiconductor wafer affixed to the dicing tape can be cut|disconnected more efficiently.

엘라스토머층은, 단층(1층) 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 엘라스토머층은, 1층 내지 5층 구조인 것이 바람직하고, 1층 내지 3층 구조인 것이 더 바람직하고, 1층 내지 2층 구조인 것이 더욱 바람직하고, 1층 구조인 것이 최적이다. 엘라스토머층이 적층 구조인 경우, 모든 층이 동일한 엘라스토머를 포함하고 있어도 되고, 적어도 2층이 다른 엘라스토머를 포함하고 있어도 된다.A single-layer (one-layer) structure may be sufficient as an elastomer layer, and a laminated structure may be sufficient as it. It is preferable that an elastomer layer has a 1 - 5 layer structure, It is more preferable that it is a 1 - 3 layer structure, It is still more preferable that it is a 1 layer - 2 layer structure, It is optimal that it is a 1 layer structure. When an elastomer layer has a laminated structure, all the layers may contain the same elastomer, and at least two layers may contain the different elastomer.

비엘라스토머층은, 단층(1층) 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 비엘라스토머층은, 1층 내지 5층 구조인 것이 바람직하고, 1층 내지 3층 구조인 것이 더 바람직하고, 1층 내지 2층 구조인 것이 더욱 바람직하고, 1층 구조인 것이 최적이다. 비엘라스토머층이 적층 구조인 경우, 모든 층이 동일한 비엘라스토머를 포함하고 있어도 되고, 적어도 2층이 다른 비엘라스토머를 포함하고 있어도 된다.A single-layer (one-layer) structure may be sufficient as a non-elastomeric layer, and a laminated structure may be sufficient as it. It is preferable that a non-elastomeric layer has a 1-layer thru|or 5 layer structure, It is more preferable that it is a 1-layer thru|or 3 layer structure, It is still more preferable that it has a 1 layer thru|or 2-layer structure, It is optimal that it is a 1-layer structure. When the non-elastomer layer has a laminated structure, all the layers may contain the same non-elastomer, or at least two layers may contain the different non-elastomer.

비엘라스토머층은, 비엘라스토머로서 메탈로센 촉매에 의한 중합품인 폴리프로필렌 수지(이하, 메탈로센 PP라고 함)를 포함하는 것이 바람직하다. 메탈로센 PP로서는, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 공중합체를 들 수 있다. 비엘라스토머층이 메탈로센 PP를 포함함으로써, 다이싱 테이프를 효율적으로 제조할 수 있고, 또한, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.The non-elastomer layer preferably contains a polypropylene resin (hereinafter referred to as metallocene PP) which is a polymerization product by a metallocene catalyst as a non-elastomer. Examples of the metallocene PP include a propylene/α-olefin copolymer that is a polymerization product of a metallocene catalyst. When the non-elastomeric layer contains metallocene PP, a dicing tape can be efficiently manufactured and the semiconductor wafer affixed to the dicing tape can be cut efficiently.

또한, 시판되고 있는 메탈로센 PP로서는, 윈테크 WFX4M(일본 폴리프로사제)을 들 수 있다.Moreover, as metallocene PP marketed, Wintech WFX4M (made by a Japanese polypro company) is mentioned.

여기서, 메탈로센 촉매란, 시클로펜타디에닐 골격을 갖는 배위자를 포함하는 주기율표 제4족의 전이 금속 화합물(소위, 메탈로센 화합물)과, 메탈로센 화합물과 반응하여 해당 메탈로센 화합물을 안정된 이온 상태로 활성화할 수 있는 조촉매로 이루어지는 촉매이며, 필요에 따라, 유기 알루미늄 화합물을 포함한다. 메탈로센 화합물은, 프로필렌의 입체 규칙성 중합을 가능하게 하는 가교형 메탈로센 화합물이다.Here, the metallocene catalyst refers to a transition metal compound (so-called metallocene compound) of Group 4 of the Periodic Table containing a ligand having a cyclopentadienyl skeleton, and the metallocene compound by reacting with the metallocene compound. It is a catalyst which consists of a cocatalyst which can be activated in a stable ionic state, and contains an organoaluminum compound as needed. The metallocene compound is a cross-linked metallocene compound that enables stereoregular polymerization of propylene.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 공중합체 중에서도 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체가 바람직하고, 상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체 중에서도 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 2의 α-올레핀 랜덤 공중합체, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 4의 α-올레핀 랜덤 공중합체 및 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 5의 α-올레핀 랜덤 공중합체 중에서 선택되는 것이 바람직하고, 이들 중에서도 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/에틸렌 랜덤 공중합체가 최적이다.Among the propylene/α-olefin copolymers that are polymerized products of the metallocene catalyst, propylene/α-olefin random copolymers that are polymerized products of metallocene catalysts are preferable, and propylene/α-olefin copolymers that are polymerized products of the metallocene catalyst are preferred. Among the olefin random copolymers, propylene/carbon 2 α-olefin random copolymers that are metallocene catalyst polymerization products, propylene/carbon 4 α-olefin random copolymers that are metallocene catalyst polymerization products, and metallocene catalysts It is preferable to select from random copolymers of propylene/C5 ?-olefins, which are polymerized products, and among these, propylene/ethylene random copolymers, which are polymerized products of a metallocene catalyst, are most suitable.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체로서는, 상기 엘라스토머층의 공압출 성막성 및 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼의 할단성의 관점에서 융점이 80℃ 이상 140℃ 이하, 특히, 100℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하다.The propylene/α-olefin random copolymer, which is a polymerization product of the metallocene catalyst, has a melting point of 80°C or more and 140°C or less, In particular, it is preferable that it is 100 degreeC or more and 130 degrees C or less.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체의 융점은 상기 방법에 의해 측정할 수 있다.The melting point of the propylene/α-olefin random copolymer, which is a polymerization product of the metallocene catalyst, can be measured by the above method.

여기서, 상기 엘라스토머층이 기재층(1)의 최외층에 배치되어 있으면, 기재층(1)을 롤체로 한 경우에, 최외층에 배치된 상기 엘라스토머층끼리가 블로킹하기 쉬워진다(달라 붙기 쉬워진다). 그 때문에, 기재층(1)을 롤체로부터 되감기 어려워진다. 이에 반해, 상기한 적층 구조의 기재층(1)의 바람직한 형태에서는, 비엘라스토머층/엘라스토머층/비엘라스토머층, 즉 최외층에 비엘라스토머층이 배치되어 있으므로, 이와 같은 양태의 기재층(1)은, 내블로킹성이 우수한 것이 된다. 이에 의해, 블로킹에 의해 다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체 장치의 제조가 지연되는 것을 억제할 수 있다.Here, when the said elastomer layer is arrange|positioned in the outermost layer of the base material layer 1, when the base material layer 1 is made into a roll body, the said elastomer layers arrange|positioned in the outermost layer become easy to block (it becomes easy to stick). ). Therefore, it becomes difficult to rewind the base material layer 1 from a roll body. On the other hand, in the preferred embodiment of the substrate layer 1 having the above-described laminated structure, the non-elastomeric layer/elastomer layer/non-elastomeric layer, that is, the non-elastomeric layer is disposed on the outermost layer, so that the substrate layer 1 of such an aspect Silver becomes a thing excellent in blocking resistance. Thereby, it can suppress that manufacture of the semiconductor device using the dicing tape 10 is delayed by blocking.

상기 비엘라스토머층은, 100℃ 이상 130℃ 이하의 융점을 가지며, 또한, 분자량 분산도(질량 평균 분자량/수 평균 분자량)가 5 이하인 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 수지로서는, 메탈로센 PP를 들 수 있다.It is preferable that the said non-elastomeric layer contains resin which has melting|fusing point of 100 degreeC or more and 130 degrees C or less, and whose molecular weight dispersion degree (mass average molecular weight/number average molecular weight) is 5 or less. Metallocene PP is mentioned as such resin.

상기 비엘라스토머층이 상기와 같이 수지를 포함함으로써, 커프 유지 공정에 있어서, 비엘라스토머층을 보다 신속하게 냉각 고화할 수 있다. 그 때문에, 다이싱 테이프를 열수축시킨 후에, 기재층(1)이 수축되는 것을 보다 충분히 억제할 수 있다.When the non-elastomeric layer contains the resin as described above, the non-elastomeric layer can be cooled and solidified more rapidly in the cuff holding step. Therefore, after heat-shrinking a dicing tape, it can suppress more fully that the base material layer 1 shrink|contracts.

이에 의해, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 보다 충분히 유지할 수 있다.Thereby, in the cuff holding step, it is possible to more fully hold the cuff.

다이 본드층(3)은, 열경화성을 갖는 것이 바람직하다. 다이 본드층(3)에 열경화성 수지 및 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함시킴으로써, 다이 본드층(3)에 열경화성을 부여할 수 있다.It is preferable that the die-bonding layer 3 has thermosetting. Thermosetting can be imparted to the die-bonding layer 3 by including at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin having a thermosetting functional group in the die-bonding layer 3 .

다이 본드층(3)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열경화성 수지 로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 및 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.When the die bond layer 3 contains a thermosetting resin, examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. can be heard Among these, it is preferable to use an epoxy resin.

에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스 히드록시페닐메탄형, 테트라 페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜 이소시아누레이트형 및 글리시딜아민형 에폭시 수지를 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, orthocresol novolak type, tris hydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resin.

에폭시 수지의 경화제로서의 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지 및 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다.As a phenol resin as a hardening|curing agent of an epoxy resin, polyoxystyrene, such as a novolak-type phenol resin, a resol-type phenol resin, and polyparaoxystyrene, is mentioned, for example.

다이 본드층(3)이, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 아크릴 수지로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.When the die bonding layer 3 contains the thermoplastic resin which has a thermosetting functional group, as such a thermoplastic resin, a thermosetting functional group containing acrylic resin is mentioned, for example. As an acrylic resin in a thermosetting functional group containing acrylic resin, the thing containing the monomer unit derived from (meth)acrylic acid ester is mentioned.

열경화성 관능기를 갖는 열경화성 수지에 있어서는, 열경화성 관능기의 종류에 따라, 경화제가 선택된다.In the thermosetting resin which has a thermosetting functional group, a hardening|curing agent is selected according to the kind of thermosetting functional group.

다이 본드층(3)은, 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이거나 하는 관점에서, 열경화 촉매(경화 촉진제)를 함유하고 있어도 된다. 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다.The die-bonding layer 3 may contain the thermosetting catalyst (hardening accelerator) from a viewpoint of fully advancing the hardening reaction of a resin component, or raising a hardening reaction rate. Examples of the thermosetting catalyst include an imidazole-based compound, a triphenylphosphine-based compound, an amine-based compound, and a trihalogenborane-based compound.

다이 본드층(3)은, 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 열가소성 수지는 바인더로서 기능한다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리아미드6이나 폴리아미드6,6 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 조합되어 사용되어도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고, 또한, 내열성이 높기 때문에, 다이 본드층에 의한 접속 신뢰성이 확보하기 쉬워진다고 하는 관점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.The die-bonding layer 3 may contain a thermoplastic resin. The thermoplastic resin functions as a binder. Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplasticity. polyimide resins, polyamide resins such as polyamide 6 and polyamide 6 and 6, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluororesins. As for the said thermoplastic resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be combined and used for it. As said thermoplastic resin, since there are few ionic impurities and heat resistance is high, from a viewpoint that the connection reliability by a die-bonding layer becomes easy to ensure, an acrylic resin is preferable.

상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 질량 비율로 가장 많은 모노머 단위로서 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르 및 (메트)아크릴산 아릴에스테르 등을 들 수 있다. 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 성분에서 유래되는 모노머 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴니트릴 등의 관능기 함유 모노머나, 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 다이 본드층에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서, 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르(특히, 알킬기의 탄소수가 4 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히, 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체인 것이 바람직하고, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체인 것이 더 바람직하다.It is preferable that the said acrylic resin is a polymer which contains the monomer unit derived from (meth)acrylic acid ester as a monomer unit with most by mass ratio. As (meth)acrylic acid ester, meth)acrylic acid alkylester, (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, (meth)acrylic acid aryl ester, etc. are mentioned, for example. The said acrylic resin may contain the monomer unit derived from the other component copolymerizable with (meth)acrylic acid ester. Examples of the other components include a carboxyl group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxyl group-containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphoric acid group-containing monomer, acrylamide, a functional group-containing monomer such as acrylnitrile, and various polyfunctionalities. A monomer etc. are mentioned. From the viewpoint of realizing high cohesive force in the die-bonding layer, the acrylic resin is a (meth)acrylic acid ester (especially (meth)acrylic acid alkylester having 4 or less carbon atoms in the alkyl group), a carboxyl group-containing monomer, and a nitrogen atom-containing monomer It is preferable that it is a copolymer of polyfunctional monomer (especially polyglycidyl polyfunctional monomer), and copolymerization of ethyl acrylate, butyl acrylate, acrylic acid, acrylonitrile, and polyglycidyl (meth) acrylate Chain is more preferable.

다이 본드층(3)은, 필요에 따라, 1종 또는 2종 이상의 다른 성분을 함유해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 및 이온 트랩제를 들 수 있다.The die-bonding layer 3 may contain 1 type, or 2 or more types of other components as needed. As another component, a flame retardant, a silane coupling agent, and an ion trap agent are mentioned, for example.

다이 본드층(3)의 두께는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께는, 3㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되고, 5㎛ 이상 100㎛ 이하여도 된다.Although the thickness of the die-bonding layer 3 is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer or more and 200 micrometers or less. 3 micrometers or more and 150 micrometers or less may be sufficient as such a thickness, and 5 micrometers or more and 100 micrometers or less may be sufficient as them.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 사용의 구체예에 대하여 설명한다.The dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment is used, for example, as an auxiliary tool for manufacturing a semiconductor integrated circuit. Hereinafter, the specific example of use of the dicing die-bonding film 20 is demonstrated.

이하에서는, 기재층(1)이 1층인 다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 예에 대하여 설명한다.Below, the example in which the dicing die-bonding film 20 of which the base material layer 1 is one layer is used is demonstrated.

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층(3)에 첩부하여, 다이싱 테이프(10)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층(3)과 점착제층(2) 사이를 박리하여 다이 본드층(3)이 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit includes a half-cut process of forming a groove in a semiconductor wafer in order to process the semiconductor wafer into a chip (die) by a cutting process, and a bag of grinding the semiconductor wafer after the half-cut process to reduce the thickness A grinding process and a mounting process of attaching one surface (for example, the surface opposite to the circuit surface) of the semiconductor wafer after the backgrinding process to the die bond layer 3 and fixing the semiconductor wafer to the dicing tape 10 . and an expand step of widening the gap between the half-cut semiconductor chips, a cuff holding step of maintaining the gap between the semiconductor chips, and a die-bonding layer by peeling the die-bonding layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 2 from each other It has a pick-up process of taking out the semiconductor chip (die) in the state in which (3) was stuck, and a die-bonding process of adhering the semiconductor chip (die) in the state to which the die-bonding layer 3 was affixed to a to-be-adhered body. When implementing these processes, the dicing tape (dicing die-bonding film) of this embodiment is used as a manufacturing auxiliary tool.

하프컷 공정에서는, 도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 반도체 집적 회로를 소편(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼 W의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한다(도 2a 참조). 또한, 웨이퍼 가공용 테이프 T에 다이싱 링 R을 장착한다(도 2a 참조). 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한 상태에서, 분할용 홈을 형성한다(도 2b 참조). 백그라인드 공정에서는, 도 2c 및 도 2d에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 한다. 상세하게는, 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프 G를 첩부하는 한편, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프 T를 박리한다(도 2c 참조). 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께로 될 때까지 연삭 가공을 실시한다(도 2d 참조).In the half-cut process, as shown to FIG. 2A and FIG. 2B, the half-cut process for cutting a semiconductor integrated circuit into small pieces (die) is implemented. In detail, the tape T for a wafer process is affixed on the surface on the opposite side to the circuit surface of the semiconductor wafer W (refer FIG. 2A). Furthermore, a dicing ring R is attached to the tape T for wafer processing (refer FIG. 2A). In the state in which the tape T for a wafer process was affixed, the groove|channel for division|segmentation is formed (refer FIG. 2B). In the backgrind process, as shown to FIG. 2C and FIG. 2D, a semiconductor wafer is grinded and thickness is made thin. In detail, while affixing the backgrind tape G on the surface in which the groove|channel was formed, the tape T for wafer processing affixed initially is peeled (refer FIG. 2C). With the backgrind tape G stuck, grinding is performed until the semiconductor wafer W has a predetermined thickness (refer to Fig. 2D).

또한, 백그라인드 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 두께가 20㎛ 이상 30㎛ 이하로 특히 얇은 경우에는, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 핀 부재 P를 사용하여 반도체 칩을 밀어올렸을 때, 해당 반도체 칩으로 변형이나 균열이 생기기 쉬워지기는 하지만, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 상기처럼 구성되어 있으므로, 픽업 공정에 있어서, 반도체 칩으로 변형이나 균열이 생기는 것을 비교적 억제할 수 있다.In addition, in the backgrind process, when the thickness of a semiconductor wafer is especially thin 20 micrometers or more and 30 micrometers or less, in the pick-up process mentioned later, when a semiconductor chip is pushed up using the pin member P, it deforms into the said semiconductor chip. Although the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment is constituted as described above, it is possible to relatively suppress the occurrence of deformation or cracks in the semiconductor chip in the pick-up process.

마운트 공정에서는, 도 3a 내지 도 3b에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)에 다이싱 링 R을 장착한 후, 노출된 다이 본드층(3)의 면에, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 첩부한다(도 3a 참조). 그 후, 반도체 웨이퍼 W로부터 백그라인드 테이프 G를 박리한다(도 3b 참조).In a mounting process, as shown to FIG. 3A - FIG. 3B, after attaching the dicing ring R to the adhesive layer 2 of the dicing tape 10, it is half-cut to the surface of the die-bonding layer 3 exposed. The processed semiconductor wafer W is affixed (refer FIG. 3A). Then, the backgrind tape G is peeled from the semiconductor wafer W (refer FIG. 3B).

익스팬드 공정에서는, 도 4a 내지 도 4c에 나타내는 바와 같이, 다이싱 링 R을 익스팬드 장치의 유지구 H에 고정한다. 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 면 방향으로 넓히도록 잡아늘인다(도 4b 참조). 이에 의해, 특정 온도 조건에 있어서, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 5℃이고, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재 U를 하강시킴으로써 익스팬드 상태를 해제한다(도 4c 참조).In the expand step, as shown in Figs. 4A to 4C, the dicing ring R is fixed to the holder H of the expand device. By pushing up the dicing die-bonding film 20 from the lower side using the pushing-up member U with which the expand apparatus is equipped, the dicing die-bonding film 20 is stretched so that it may spread in the planar direction (refer FIG. 4B). . Thereby, the semiconductor wafer W by which the half-cut process was carried out is cut|disconnected in a specific temperature condition. The temperature condition is, for example, -20 to 5°C, preferably -15 to 0°C, more preferably -10 to -5°C. The expanded state is released by lowering the push-up member U (see Fig. 4C).

또한, 익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5b에 나타내는 바와 같이, 더 높은 온도 조건 하(예를 들어, 실온(23±2℃))에 있어서, 면적을 넓히도록 다이싱 테이프(10)를 잡아 늘인다. 이에 의해, 할단된 인접하는 반도체 칩을 필름면의 면 방향으로 떼어 놓아, 간격을 더욱 넓힌다.In the expand step, as shown in Figs. 5A to 5B, under a higher temperature condition (for example, room temperature (23±2° C.)), the dicing tape 10 is held to widen the area. stretch Thereby, the cut|disconnected adjacent semiconductor chips are set apart in the surface direction of a film surface, and the space|interval is further widened.

커프 유지 공정에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쏘이고 다이싱 테이프(10)를 열수축시킨 후 냉각 고화시켜, 할단된 인접하는 반도체 칩간의 거리(커프)를 유지한다.In the cuff holding step, as shown in FIG. 6 , hot air (for example, 100 to 130° C.) is blown to the dicing tape 10, the dicing tape 10 is heat-shrinked, then cooled and solidified, and the cut adjacent adjacent The distance (kerf) between semiconductor chips is maintained.

픽업 공정에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜, 픽업 대상의 반도체 칩을, 다이싱 테이프(10)를 개재하여 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩을 흡착 지그 J에 의해 유지한다.At a pick-up process, as shown in FIG. 7, the semiconductor chip of the state to which the die-bonding layer 3 was affixed is peeled from the adhesive layer 2 of the dicing tape 10. As shown in FIG. In detail, the pin member P is raised, and the semiconductor chip to be picked up is pushed up through the dicing tape 10. The pushed up semiconductor chip is held by the suction jig J.

다이 본드 공정에서는, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체에 접착시킨다.In a die bonding process, the semiconductor chip in the state to which the die bonding layer 3 was affixed is adhere|attached to a to-be-adhered body.

본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.Matters disclosed by this specification include the following.

(1)(One)

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material layer;

상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,A die-bonding layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape,

상기 점착제층은, 점착제 및 광중합 개시제를 포함하고,The pressure-sensitive adhesive layer includes a pressure-sensitive adhesive and a photopolymerization initiator,

경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 수 평균 분자량 Mn에 대한 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 질량 평균 분자량 Mw의 비인 다분산도 Mw/Mn이, 1.3 이상인 다이싱 다이 본드 필름.In the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the pressure-sensitive adhesive layer before curing, polydispersity Mw/Mn, which is the ratio of the mass average molecular weight Mw of the peak appearing on the highest molecular weight side to the number average molecular weight Mn of the peak appearing on the highest molecular weight side This, a dicing die bond film of 1.3 or more.

이러한 구성에 의하면, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 비교적 억제할 수 있다.According to such a structure, migration of the said photoinitiator from the said adhesive layer to the said die-bonding layer can be suppressed comparatively.

(2)(2)

상기 다분산도 Mw/Mn이, 2.0 이상인The polydispersity Mw/Mn is 2.0 or more

상기 (1)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (1) above.

이러한 구성에 의하면, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 비교적 억제할 수 있는 것 외에도, 상기 다이 본드층과 상기 점착제층 사이를 박리하고, 상기 다이 본드층이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정에 있어서, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층을 한층 더 용이하게 박리할 수 있다.According to this structure, in addition to being able to relatively suppress the migration of the photoinitiator from the pressure-sensitive adhesive layer to the die-bonding layer, the die-bonding layer is peeled off between the die-bonding layer and the pressure-sensitive adhesive layer, and the die-bonding layer is stuck. The pick-up process of taking out a semiconductor chip WHEREIN: The said die-bonding layer can be peeled further easily from the said adhesive layer.

(3)(3)

상기 다분산도 Mw/Mn이, 10 이하인The polydispersity Mw/Mn is 10 or less

상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (1) or (2) above.

(4)(4)

상기 다분산도 Mw/Mn이, 5 이하인The polydispersity Mw/Mn is 5 or less

상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (1) or (2) above.

(5)(5)

상기 다분산도 Mw/Mn이, 3 이하인The polydispersity Mw/Mn is 3 or less

상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (1) or (2) above.

(6)(6)

경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값이, 33,000 이하인In the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the said adhesive layer before hardening, the value of the peak top molecular weight of the peak appearing on the highest molecular weight side is 33,000 or less

상기 (1) 내지 (5) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (1) to (5) above.

(7)(7)

경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값이, 25,000 이하인In the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the said adhesive layer before hardening, the value of the peak top molecular weight of the peak appearing at the highest molecular weight side is 25,000 or less

상기 (1) 내지 (6) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (1) to (6).

이러한 구성에 의하면, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 한층 더 억제할 수 있다.According to this structure, migration of the said photoinitiator from the said adhesive layer to the said die-bonding layer can be suppressed further.

(8)(8)

경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값이, 4,000 이상인In the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the said adhesive layer before hardening, the value of the peak top molecular weight of the peak appearing at the highest molecular weight side is 4,000 or more

상기 (6) 또는 (7)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (6) or (7) above.

(9)(9)

경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값이, 8,000 이상인In the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the said adhesive layer before hardening, the value of the peak top molecular weight of the peak which appears on the highest molecular weight side is 8,000 or more

상기 (6) 또는 (7)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (6) or (7) above.

(10)(10)

경화 전의 상기 점착제층은, 졸 성분을 32질량% 미만 포함하는The said adhesive layer before hardening contains less than 32 mass % of sol components

상기 (1) 내지 (9) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (1) to (9) above.

이러한 구성에 의하면, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 한층 더 억제할 수 있다.According to this structure, migration of the said photoinitiator from the said adhesive layer to the said die-bonding layer can be suppressed further.

(11)(11)

경화 전의 상기 점착제층은, 졸 성분을 23질량% 이하 포함하는The said adhesive layer before hardening contains 23 mass % or less of sol components

상기 (1) 내지 (10) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (1) to (10).

이러한 구성에 의하면, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층으로의 상기 광중합 개시제의 이행을 한층 더 억제할 수 있는 것 외에도, 상기 다이 본드층과 상기 점착제층 사이를 박리하고, 상기 다이 본드층이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정에 있어서, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층을 한층 더 용이하게 박리시킬 수 있다.According to this configuration, in addition to being able to further suppress the migration of the photopolymerization initiator from the pressure-sensitive adhesive layer to the die-bonding layer, the die-bonding layer is peeled off between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding layer is affixed. The pick-up process of taking out a semiconductor chip in a state WHEREIN: The said die-bonding layer can be peeled further easily from the said adhesive layer.

(12)(12)

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이, 상기 점착제층의 경화 후에 있어서, 0.18N/20㎜ 미만인The peeling force of the said die-bonding layer with respect to the said adhesive layer is less than 0.18N/20mm after hardening of the said adhesive layer.

상기 (1) 내지 (11) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (1) to (11) above.

(13)(13)

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이, 상기 점착제층의 경화 후에 있어서, 0.15N/20㎜ 이하인The peeling force of the said die-bonding layer with respect to the said adhesive layer is 0.15N/20mm or less after hardening of the said adhesive layer.

상기 (1) 내지 (12) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (1) to (12) above.

(14)(14)

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이, 상기 점착제층의 경화 후에 있어서, 0.07N/20㎜ 이하인The peeling force of the said die-bonding layer with respect to the said adhesive layer is after hardening of the said adhesive layer, WHEREIN: 0.07N/20mm or less

상기 (1) 내지 (13) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (1) to (13) above.

이러한 구성에 의하면, 상기 다이 본드층과 상기 점착제층 사이를 박리하고, 상기 다이 본드층이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정에 있어서, 상기 점착제층으로부터 상기 다이 본드층을, 한층 더 용이하게 박리시킬 수 있다.According to such a structure, in the pick-up process of peeling between the said die-bonding layer and the said adhesive layer, and taking out a semiconductor chip in the state which the said die-bonding layer was stuck, WHEREIN: can be peeled off.

(15)(15)

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이, 상기 점착제층의 경화 후에 있어서, 0.01N/20㎜ 이상인Peeling force of the said die-bonding layer with respect to the said adhesive layer after hardening of the said adhesive layer WHEREIN: 0.01 N/20 mm or more

상기 (12) 내지 (14) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (12) to (14) above.

(16)(16)

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이, 상기 점착제층의 경화 전에 있어서, 0.3N/20㎜ 이상인Peeling force of the said die-bonding layer with respect to the said adhesive layer before hardening of the said adhesive layer WHEREIN: 0.3N/20mm or more

상기 (1) 내지 (15) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to any one of (1) to (15).

이러한 구성에 의하면, 상기 점착제층에서 상기 다이 본드층을 적절하게 보유 지지할 수 있게 된다. 이에 의해, 상기 다이 본드층이 개편화된 후에 생기는 칩 들뜸을 한층 더 억제할 수 있다.According to this structure, it becomes possible to hold|maintain the said die-bonding layer suitably in the said adhesive layer. Thereby, it is possible to further suppress the floating of the chip that occurs after the die-bonding layer is separated into pieces.

(17)(17)

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이, 상기 점착제층의 경화 전에 있어서, 5.0N/20㎜ 이하인The peeling force of the said die-bonding layer with respect to the said adhesive layer is 5.0N/20mm or less before hardening of the said adhesive layer.

상기 (16)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (16) above.

또한, 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 상기한 작용 효과에 의해 한정되는 것도 아니다. 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.In addition, the dicing die-bonding film which concerns on this invention is not limited to the said embodiment. In addition, the dicing die-bonding film which concerns on this invention is not limited by the above-mentioned effect, either. The dicing die-bonding film which concerns on this invention can be variously changed in the range which does not deviate from the summary of this invention.

[실시예][Example]

다음에, 실시예를 들어서 본 발명에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위한 것이고, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.Next, an Example is given and this invention is demonstrated more concretely. The following examples are provided to illustrate the present invention in more detail, and do not limit the scope of the present invention.

[실시예 1][Example 1]

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기 내에, 모노머로서 2-히드록시에틸아크릴레이트(이하, HEA라고 함) 11질량부, 이소노닐아크릴레이트(이하, INA라고 함) 89질량부, 열중합 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(이하, AIBN이라고 함) 0.2질량부를 첨가하고,In a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device, 11 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter referred to as HEA) as a monomer, isononyl acrylate (hereinafter referred to as INA) 89 0.2 parts by mass of azobisisobutyronitrile (hereinafter referred to as AIBN) is added as a mass part and thermal polymerization initiator;

또한, 상기 모노머의 농도가 38%가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 A를 얻었다.Furthermore, after adding butyl acetate as a reaction solvent so that the density|concentration of the said monomer might be 38 %, polymerization process was performed at 62 degreeC for 4 hours and 75 degreeC polymerization treatment at 75 degreeC under nitrogen stream, and the acrylic polymer A was obtained.

이 아크릴계 폴리머 A에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, MOI라고 함) 12질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.06질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A'를 얻었다.To this acrylic polymer A, 12 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter referred to as MOI) and 0.06 parts by mass of dibutyltin dilaurate were added, and an addition reaction treatment was carried out at 50° C. for 12 hours under an air stream. Thus, acrylic polymer A' was obtained.

다음에, 아크릴계 폴리머 A' 100질량부에 대하여, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄사제) 0.8질량부 및 광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」, IGM Resins사제) 2질량부를 첨가하고, 산화 방지제(상품명 「Irganox1010」, BASF 재팬사제) 0.01질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 A라고 하는 경우도 있음)을 제작하였다.Next, with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer A', 0.8 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as an external crosslinking agent and a photopolymerization initiator (trade name "Omnirad 127", manufactured by IGM Resins) 2 A mass part was added, 0.01 mass part of antioxidant (trade name "Irganox1010", the BASF Japan company make) was added, and the adhesive solution (henceforth adhesive solution A may be called) was produced.

다음에, 점착제 용액 A를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리 면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펀크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하고, 다이싱 테이프 A를 얻었다.Next, the pressure-sensitive adhesive solution A was applied using an applicator on the silicone release-treated side of a PET separator (50 μm thick) having a silicone release-treated side, dried at 120° C. for 2 minutes, and had a thickness of 10 μm. An adhesive layer was formed. Then, on the said adhesive layer, Gunze made polyolefin film (brand name "Funcle NED#125", thickness 125 micrometers) as a base material layer was bonded, and it preserve|saved at 50 degreeC for 24 hours, and obtained the dicing tape A. .

<다이 본드층의 제작><Production of die bond layer>

아크릴 수지(상품명 「테이산 레진 SG-70L」, 나가세 켐텍스사제, 질량 평균 분자량 90만) 100질량부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 도토 가세이 고교사제) 200질량부, 페놀 수지(상품명 「MEHC-7851SS」, 메이와 가세이사제) 200질량부, 실리카 필러(상품명 「SE2050-MCV」, 아드마텍스사제, 평균 입자경 500㎚ 350질량부(실리카 필러 환산) 및 경화 촉진제(상품명 「큐어졸 2PHZ-PW」, 시코쿠 가세이 고교사제) 2질량부를 메틸에틸케톤 이외에도, 고형분 농도가 30질량%이 되는 접착제 조성물 A를 조제하였다.200 parts by mass of epoxy resin (trade name "KI-3000-4", manufactured by Toto Kasei Kogyo Co., Ltd.) per 100 parts by mass of acrylic resin (trade name "Teisan Resin SG-70L", manufactured by Nagase Chemtex Corporation, mass average molecular weight 900,000) , 200 parts by mass of phenolic resin (trade name "MEHC-7851SS", manufactured by Meiwa Chemicals Co., Ltd.), silica filler (trade name "SE2050-MCV", manufactured by Admatex, Inc., average particle diameter of 500 nm, 350 parts by mass (in terms of silica filler) and curing Adhesive composition A used as 30 mass % of solid content concentration was prepared other than methyl ethyl ketone in 2 mass parts of accelerators (trade name "Curesol 2PHZ-PW", the Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. make).

다음에, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리 면 상에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물 A를 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대하여 120℃에서 2분간의 탈용매 처리를 행하였다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 10㎛의 다이 본드층을 PET 세퍼레이터 상에 제작하였다.Next, on the silicone release-treated surface of a PET separator (thickness 50 µm) having a silicone release-treated surface, the adhesive composition A is applied using an applicator to form a coating film, and a coating film is formed on this coating film at 120° C. for 2 minutes was subjected to solvent removal treatment. Thereby, a die-bonding layer having a thickness (average thickness) of 10 µm was produced on the PET separator.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

다이 본드층이 제작된 PET 세퍼레이터(이하, 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터라고 함)를 330㎜φ의 원형으로 펀칭함으로써, 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻었다.A PET separator with a die-bonding layer of 330 mm phi was obtained by punching a PET separator with a die-bonding layer produced therein (hereinafter referred to as a PET separator with a die-bonding layer) into a circular shape of 330 mm phi.

다음에, 다이싱 테이프 A로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시킨 후, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온(23±2℃)에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 A에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 A를 얻었다.Next, the PET separator is removed from the dicing tape A to expose one side of the pressure-sensitive adhesive layer, and then, using a laminator, the exposed surface of the die-bonding layer is brought into contact with the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer at room temperature (23±2° C.) ), the dicing die-bonding film A was obtained by bonding the PET separator with a die-bonding layer to the dicing tape A.

즉, 실시예 1에 관한 다이싱 테이프 A는, 폴리올레핀 필름, 점착제층, 다이 본드층 및 PET 세퍼레이터가, 이 순으로 적층되어 구성된 것이었다.That is, as for the dicing tape A which concerns on Example 1, the polyolefin film, an adhesive layer, a die-bonding layer, and a PET separator were laminated|stacked in this order, and was comprised.

[실시예 2][Example 2]

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 16질량부, 부틸아크릴레이트(이하, BA라고 함) 84질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 32%가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 B를 얻었다.In Example 1, 16 parts by mass of HEA as a monomer, 84 parts by mass of butyl acrylate (hereinafter referred to as BA), and 0.2 parts by mass of AIBN as a thermal polymerization initiator were added in the same reaction vessel as described in Example 1, and the concentration of the monomer After butyl acetate as a reaction solvent was added so that the content of the reaction solvent was 32%, polymerization was performed at 62°C for 4 hours and polymerization at 75°C for 2 hours under a nitrogen stream to obtain an acrylic polymer B.

이 아크릴계 폴리머 B에 MOI 17질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.09질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 B'를 얻었다.17 mass parts of MOI and 0.09 mass parts of dibutyltin dilaurylate were added to this acrylic polymer B, the addition reaction process was performed at 50 degreeC in air stream for 12 hours, and acrylic polymer B' was obtained.

다음에, 아크릴계 폴리머 B' 100질량부에 대하여, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄사제) 0.8질량부 및 광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」, IGM Resins사제) 2질량부를 첨가하고, 산화 방지제(상품명 「Irganox1010」, BASF 재팬사제) 0.01질량부를 첨가하고, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 B라고 하는 경우도 있음)을 제작하였다.Next, with respect to 100 parts by mass of acrylic polymer B', 0.8 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as an external crosslinking agent and a photopolymerization initiator (trade name "Omnirad 127", manufactured by IGM Resins) 2 A mass part was added, 0.01 mass part of antioxidant (trade name "Irganox1010", the BASF Japan company make) was added, and the adhesive solution (henceforth adhesive solution B may be mentioned) was produced.

다음에, 점착제 용액 B를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리 면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펀크레어NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하고, 다이싱 테이프 B를 얻었다.Next, the pressure-sensitive adhesive solution B was applied using an applicator on the silicone release-treated side of a PET separator (50 μm thick) having a silicone release-treated side, dried at 120° C. for 2 minutes, and had a thickness of 10 μm. An adhesive layer was formed. Then, on the said adhesive layer, the Gunze polyolefin film (brand name "Funcle NED#125", thickness 125 micrometers) was bonded as a base material layer, and it preserve|saved at 50 degreeC for 24 hours, and obtained the dicing tape B. .

<다이 본드층의 제작><Production of die bond layer>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.It carried out similarly to Example 1, and produced it.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 B로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 B에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 B를 얻었다.After carrying out similarly to Example 1 and obtaining the PET separator with a die-bonding layer of 330 mmphi, the PET separator was removed from the dicing tape B, one side of an adhesive layer was exposed, using a laminator, the exposed surface of a die-bonding layer The dicing die-bonding film B was obtained by bonding PET separator with a die-bonding layer to the dicing tape B at room temperature so that it may contact|contact with the exposed surface of this adhesive layer.

[실시예 3][Example 3]

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 11질량부, 2-에틸헥실아크릴레이트(이하, 2EHA라고 함) 89질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 36%가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 C를 얻었다.In Example 1, 11 parts by mass of HEA, 89 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter referred to as 2EHA) as a monomer, and 0.2 parts by mass of AIBN as a thermal polymerization initiator were added in the same reaction vessel as described in Example 1, and further, After adding butyl acetate as a reaction solvent so that the density|concentration of a monomer might be 36 %, the polymerization process was performed at 62 degreeC for 4 hours and 75 degreeC polymerization treatment for 2 hours under nitrogen stream, and the acrylic polymer C was obtained.

이 아크릴계 폴리머 C에 MOI 13질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.07질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 C'를 얻었다.13 mass parts of MOI and 0.07 mass parts of dibutyltin dilaurate were added to this acrylic polymer C, the addition reaction process was carried out at 50 degreeC in air stream for 12 hours, and the acrylic polymer C' was obtained.

다음에, 아크릴계 폴리머 C'100질량부에 대하여, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄사제) 0.8질량부 및 광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」, IGM Resins사제) 2질량부를 첨가하고, 산화 방지제(상품명 「Irganox1010」, BASF 재팬사제) 0.01질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 C라고 하는 경우도 있음)을 제작하였다.Next, with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer C', 0.8 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as an external crosslinking agent and a photopolymerization initiator (trade name "Omnirad 127", manufactured by IGM Resins) 2 A mass part was added, 0.01 mass part of antioxidant (trade name "Irganox1010", the BASF Japan company make) was added, and the adhesive solution (henceforth adhesive solution C may be mentioned) was produced.

다음에, 점착제 용액 C를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리 면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펀크레어NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하고, 다이싱 테이프 C를 얻었다.Next, the pressure-sensitive adhesive solution C was applied using an applicator on the silicone release-treated side of a PET separator (50 μm thick) having a silicone release-treated side, dried at 120° C. for 2 minutes, and had a thickness of 10 μm. An adhesive layer was formed. Then, on the said adhesive layer, Gunze made polyolefin film (brand name "Funcle NED#125", thickness 125 micrometers) as a base material layer was bonded, and it preserve|saved at 50 degreeC for 24 hours, and obtained the dicing tape C. .

<다이 본드층의 제작><Production of die bond layer>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.It carried out similarly to Example 1, and produced it.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 C로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록게, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 C에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 C를 얻었다.After carrying out similarly to Example 1 and obtaining the PET separator with a die-bonding layer of 330 mmphi, the PET separator was removed from the dicing tape C, one side of an adhesive layer was exposed, using a laminator, the exposed surface of a die-bonding layer The dicing die-bonding film C was obtained by bonding PET separator with a die-bonding layer to the dicing tape C at room temperature so that it might contact|abut with the exposed surface of this adhesive layer.

[실시예 4][Example 4]

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 16질량부, INA 84질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 32%가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 D를 얻었다.In Example 1, in the same reaction vessel as described above, 16 parts by mass of HEA, 84 parts by mass of INA, and 0.2 parts by mass of AIBN as a thermal polymerization initiator were added as a monomer, and acetic acid as a reaction solvent so that the concentration of the monomer was 32%. After butyl was added, polymerization was performed at 62°C for 4 hours and at 75°C for 2 hours under a nitrogen stream to obtain acrylic polymer D.

이 아크릴계 폴리머 D에 MOI 17질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.12질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 D'을 얻었다.17 mass parts of MOI and 0.12 mass parts of dibutyltin dilaurate were added to this acrylic polymer D, the addition reaction process was carried out at 50 degreeC in air stream for 12 hours, and the acrylic polymer D' was obtained.

다음에, 아크릴계 폴리머 D'100질량부에 대하여, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄사제) 0.8질량부 및 광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」, IGM Resins사제) 2질량부를 첨가하고, 산화 방지제(상품명 「Irganox1010」, BASF 재팬사제) 0.01질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 D라고 하는 경우도 있음)을 제작하였다.Next, with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer D', 0.8 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as an external crosslinking agent and a photopolymerization initiator (trade name "Omnirad 127", manufactured by IGM Resins) 2 A mass part was added, 0.01 mass part of antioxidant (trade name "Irganox1010", BASF Japan company make) was added, and the adhesive solution (henceforth adhesive solution D may be mentioned) was produced.

다음에, 점착제 용액 D를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리 면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펀크레어NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하고, 다이싱 테이프 D를 얻었다.Next, the pressure-sensitive adhesive solution D was applied using an applicator on the silicone release-treated side of a PET separator (50 μm thick) having a silicone release-treated side, dried at 120° C. for 2 minutes, and had a thickness of 10 μm. An adhesive layer was formed. Then, on the said adhesive layer, Gunze made polyolefin film (brand name "Funcle NED#125", thickness 125 micrometers) as a base material layer was bonded, and it preserve|saved at 50 degreeC for 24 hours, and obtained the dicing tape D. .

<다이 본드층의 제작><Production of die bond layer>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.It carried out similarly to Example 1, and produced it.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 D로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 D에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 D를 얻었다.After carrying out similarly to Example 1 and obtaining the PET separator with a die-bonding layer of 330 mmphi, the PET separator was removed from the dicing tape D, one side of an adhesive layer was exposed, using a laminator, the exposed surface of a die-bonding layer The dicing die-bonding film D was obtained by bonding PET separator with a die-bonding layer to the dicing tape D at room temperature so that it may contact|contact with the exposed surface of this adhesive layer.

[실시예 5][Example 5]

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 9질량부, 라우릴아크릴레이트(이하, LA라고 함) 91질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 30%가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 E를 얻었다.9 parts by mass of HEA as a monomer, 91 parts by mass of lauryl acrylate (hereinafter referred to as LA), and 0.2 parts by mass of AIBN as a thermal polymerization initiator were added in the same reaction vessel as described in Example 1, and further, the monomer After adding butyl acetate as a reaction solvent so that a density|concentration might be 30 %, the polymerization process was performed at 62 degreeC for 4 hours and 75 degreeC polymerization treatment for 2 hours under nitrogen stream, and the acrylic polymer E was obtained.

이 아크릴계 폴리머 E에 MOI 10질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.21질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 E'를 얻었다.10 parts by mass of MOI and 0.21 parts by mass of dibutyltin dilaurylate were added to this acrylic polymer E, and addition reaction treatment was carried out at 50°C for 12 hours under an air stream to obtain acrylic polymer E'.

다음에, 아크릴계 폴리머 E' 100질량부에 대하여, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄사제) 0.8질량부 및 광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」, IGM Resins사제) 2질량부를 첨가하고, 산화 방지제(상품명 「Irganox1010」, BASF 재팬사제) 0.01질량부와 점착 부여제로서의 테르펜페놀 수지(상품명 「YS폴리스타 S145」, 야스하라 케미컬사제) 5질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 E라고 하는 경우도 있음)을 제작하였다.Next, with respect to 100 parts by mass of acrylic polymer E', 0.8 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as an external crosslinking agent and a photopolymerization initiator (trade name "Omnirad 127", manufactured by IGM Resins) 2 Add mass parts, add 0.01 mass parts of antioxidant (trade name "Irganox1010", BASF Japan company make) and 5 mass parts of terpene phenol resins (brand name "YS Polystar S145", Yasuhara Chemicals make) as tackifiers are added, and adhesive solution (Hereinafter, it may be called adhesive solution E) was produced.

다음에, 점착제 용액 E를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리 면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펀크레어NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하고, 다이싱 테이프 E를 얻었다.Next, the pressure-sensitive adhesive solution E was applied using an applicator on the silicone release-treated side of a PET separator (50 μm thick) having a silicone release-treated side, dried at 120° C. for 2 minutes, and had a thickness of 10 μm. An adhesive layer was formed. Then, on the said adhesive layer, Gunze's polyolefin film (brand name "Funcle NED#125", thickness 125 micrometers) was bonded as a base material layer, and it preserve|saved at 50 degreeC for 24 hours, and obtained the dicing tape E. .

<다이 본드층의 제작><Production of die bond layer>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.It carried out similarly to Example 1, and produced it.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 E로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 E에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 E를 얻었다.After carrying out similarly to Example 1 and obtaining the PET separator with a die-bonding layer of 330 mmphi, the PET separator was removed from the dicing tape E, one side of an adhesive layer was exposed, using a laminator, the exposed surface of a die-bonding layer The dicing die-bonding film E was obtained by bonding PET separator with a die-bonding layer to the dicing tape E at room temperature so that it might contact|contact with the exposed surface of this adhesive layer.

[실시예 6][Example 6]

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 9질량부, LA 91질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 34%가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 F를 얻었다.In the same reaction vessel as described in Example 1, 9 parts by mass of HEA, 91 parts by mass of LA, and 0.2 parts by mass of AIBN as a thermal polymerization initiator were added as a monomer, and acetic acid as a reaction solvent so that the concentration of the monomer was 34%. After butyl was added, polymerization was performed at 62°C for 4 hours and at 75°C for 2 hours under a nitrogen stream to obtain an acrylic polymer F.

이 아크릴계 폴리머 F에 MOI 10질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.08질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 F'를 얻었다.10 parts by mass of MOI and 0.08 parts by mass of dibutyltin dilaurylate were added to the acrylic polymer F, and an addition reaction treatment was performed at 50° C. for 12 hours under an air stream to obtain an acrylic polymer F'.

다음에, 아크릴계 폴리머 F' 100질량부에 대하여, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄사제) 0.8질량부 및 광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」IGM Resins사제) 2질량부를 첨가하고, 산화 방지제(상품명 「Irganox1010」, BASF 재팬사제) 0.01질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 F라고 하는 경우도 있음)을 제작하였다.Next, with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer F', 0.8 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as an external crosslinking agent and 2 mass parts of a photoinitiator (trade name "Omnirad 127" manufactured by IGM Resins) The part was added, 0.01 mass part of antioxidant (trade name "Irganox1010", the BASF Japan company make) was added, and the adhesive solution (henceforth adhesive solution F may be mentioned) was produced.

다음에, 점착제 용액 F를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리 면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펀크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하고, 다이싱 테이프 F를 얻었다.Next, the pressure-sensitive adhesive solution F was applied using an applicator on the silicone release-treated side of a PET separator (50 μm thick) having a silicone release-treated side, dried at 120° C. for 2 minutes, and had a thickness of 10 μm. An adhesive layer was formed. Then, on the said adhesive layer, Gunze made polyolefin film (brand name "Funcle NED#125", thickness 125 micrometers) as a base material layer was bonded, and it preserve|saved at 50 degreeC for 24 hours, and obtained the dicing tape F. .

<다이 본드층의 제작><Production of die bond layer>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.It carried out similarly to Example 1, and produced it.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 F로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 F에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 F를 얻었다.After carrying out similarly to Example 1 and obtaining the PET separator with a die-bonding layer of 330 mmφ, the PET separator was removed from the dicing tape F to expose one side of the pressure-sensitive adhesive layer, and using a laminator, the exposed surface of the die-bonding layer The dicing die-bonding film F was obtained by bonding PET separator with a die-bonding layer to the dicing tape F at room temperature so that it might contact|abut the exposed surface of this adhesive layer.

[비교예 1][Comparative Example 1]

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 19질량부, 에틸아크릴레이트(이하, EA라고 함) 81질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 42%가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 G를 얻었다.In Example 1, 19 parts by mass of HEA as a monomer, 81 parts by mass of ethyl acrylate (hereinafter referred to as EA), and 0.2 parts by mass of AIBN as a thermal polymerization initiator were added in the same reaction vessel as described in Example 1, and the concentration of the monomer After butyl acetate as a reaction solvent was added so that the content of the reaction solution became 42%, polymerization was performed at 62°C for 4 hours and polymerization at 75°C for 2 hours under a nitrogen stream to obtain an acrylic polymer G.

이 아크릴계 폴리머 G에 MOI 21질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.03질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 G'를 얻었다.21 mass parts of MOI and 0.03 mass parts of dibutyltin dilaurate were added to this acrylic polymer G, the addition reaction process was carried out at 50 degreeC in air stream for 12 hours, and the acrylic polymer G' was obtained.

다음에, 아크릴계 폴리머 G' 100질량부에 대하여, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄사제) 0.8질량부 및 광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」IGM Resins사제) 2질량부를 첨가하고, 산화 방지제(상품명 「Irganox1010」, BASF 재팬사제) 0.01질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 G라고 하는 경우도 있음)을 제작하였다.Next, with respect to 100 parts by mass of acrylic polymer G', 0.8 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) as an external crosslinking agent and 2 mass parts of a photoinitiator (trade name "Omnirad 127" manufactured by IGM Resins) The part was added, 0.01 mass part of antioxidant (trade name "Irganox1010", the BASF Japan company make) was added, and the adhesive solution (henceforth adhesive solution G may be mentioned) was produced.

다음에, 점착제 용액 G를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리 면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펀크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하고, 다이싱 테이프 G를 얻었다.Next, the pressure-sensitive adhesive solution G was applied using an applicator on the silicone release-treated side of a PET separator (50 μm thick) having a silicone release-treated side, dried at 120° C. for 2 minutes, and had a thickness of 10 μm. An adhesive layer was formed. Then, on the said adhesive layer, Gunze made polyolefin film (brand name "Funcle NED#125", thickness 125 micrometers) as a base material layer was bonded, and it preserve|saved at 50 degreeC for 24 hours, and obtained the dicing tape G. .

<다이 본드층의 제작><Production of die bond layer>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.It carried out similarly to Example 1, and produced it.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 G로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 G에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 G를 얻었다.After carrying out similarly to Example 1 and obtaining the PET separator with a die-bonding layer of 330 mmphi, the PET separator is removed from the dicing tape G, one side of an adhesive layer is exposed, using a laminator, the exposed surface of a die-bonding layer The dicing die-bonding film G was obtained by bonding PET separator with a die-bonding layer to the dicing tape G at room temperature so that it may contact|contact with the exposed surface of this adhesive layer.

(졸 성분의 질량 비율)(mass ratio of sol component)

각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 경화 전 점착제층에 대하여, 이하의 수순에 따라, 졸 성분의 질량 비율을 요구하였다.About the adhesive layer before hardening of the dicing die-bonding film which concerns on each example, according to the following procedure, the mass ratio of a sol component was calculated|required.

(1) 경화 전의 점착제층으로부터 약0.2g의 샘플을 취득한다.(1) A sample of about 0.2 g is obtained from the pressure-sensitive adhesive layer before curing.

(2) 상기 샘플을 메쉬상 시트에 감싼 후, 실온에서, 약30mL의 톨루엔 중에 1주간 침지시킨다.(2) After wrapping the sample in a mesh sheet, it is immersed in about 30 mL of toluene at room temperature for 1 week.

(3) 톨루엔 내에서 메쉬상 시트를 취출하고, 메쉬상 시트 중에 포함되는 톨루엔 불용분을 제거한다.(3) The mesh-like sheet is taken out from the toluene, and the toluene-insoluble content contained in the mesh-like sheet is removed.

(4) 상기 톨루엔 불용분을, 대기압에서 130℃에서 약2시간 건조시킨 후, 상기 톨루엔 불용분을 칭량한다.(4) After drying the toluene-insoluble content at 130°C at atmospheric pressure for about 2 hours, the toluene-insoluble content is weighed.

(5) 하기 식 (1)에 따라, 겔 성분의 질량 비율을 산출하고, 겔 성분의 질량 비율의 산출값을 기초로, 하기 식 (2)에 따라, 졸 성분의 질량 비율을 산출한다.(5) According to the following formula (1), the mass ratio of the gel component is calculated, and based on the calculated value of the mass ratio of the gel component, the mass ratio of the sol component is calculated according to the following formula (2).

그 결과를 이하의 표 2에 나타낸다.The results are shown in Table 2 below.

겔 성분의 질량 비율(질량%)=[(톨루엔 불용분의 칭량값)/취득 샘플의 질량]×100…(1)Mass ratio (mass %) of gel component = [(weight value of toluene-insoluble content)/mass of acquisition sample] x 100... (One)

졸 성분의 질량 비율(질량%)=100-상기 식 (1)에서 구한 겔 성분의 질량 비율…(2)Mass ratio of the sol component (mass %) = 100 - The mass ratio of the gel component calculated by the above formula (1)... (2)

(GPC 측정)(GPC measurement)

각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 경화 전 점착제층에 대하여, 분석 장치로서 도소사제의 HLC-8220GPC를 사용하고, 이하의 수순에 따라 GPC 측정을 행하고, 이하의 수순에 따라 얻어진 GPC 측정의 결과를 해석하여 분자량에 관한 정보를 얻었다.For the pressure-sensitive adhesive layer before curing of the dicing die-bonding film according to each example, using HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation as an analysis device, GPC measurement was performed according to the following procedure, and the result of GPC measurement obtained according to the following procedure was analyzed to obtain information on molecular weight.

[측정 시료의 조제][Preparation of measurement samples]

(1) 경화 전의 점착제층으로부터 약0.2g의 샘플을 취득한다.(1) A sample of about 0.2 g is obtained from the pressure-sensitive adhesive layer before curing.

(2) 상기 샘플을 메쉬상 시트로 감싼 후, 실온에서, 약30mL의 톨루엔 중에 1주간 침지시킨다.(2) The sample is wrapped in a mesh-like sheet and then immersed in about 30 mL of toluene at room temperature for 1 week.

(3) 톨루엔 내에서 메쉬상 시트를 취출하고, 메쉬상 시트 중에 포함되는 톨루엔 불용분을 제거하고, 톨루엔 용해 성분을 포함하는 톨루엔 용액을 얻는다.(3) The mesh-like sheet is taken out from the toluene, the toluene-insoluble content contained in the mesh-like sheet is removed, and a toluene solution containing a toluene-dissolving component is obtained.

(4) 상기 톨루엔 용액을, 감압하면서 45℃ 이하의 온도에서 처리하고, 상기 톨루엔 용액으로부터 톨루엔을 제거하고, 톨루엔 용해 성분의 고형물을 얻는다.(4) The toluene solution is treated at a temperature of 45° C. or lower under reduced pressure, toluene is removed from the toluene solution, and a solid substance of a toluene-dissolving component is obtained.

(5) 상기 고형물을, 농도가 0.2질량%가 되도록, 테트라히드로푸란(THF)에 용해시켜 THF 용액으로 한 후, 하룻밤 방치한다.(5) After dissolving the said solid material in tetrahydrofuran (THF) so that a density|concentration may become 0.2 mass % and setting it as a THF solution, it is left to stand overnight.

(6) 하룻밤 방치한 THF 용액을, 0.45㎛의 멤브레인 필터로 여과하고, 얻어진 여액을 측정 시료로 한다.(6) The THF solution left overnight is filtered through a 0.45 µm membrane filter, and the resulting filtrate is used as a measurement sample.

[측정 조건][Measuring conditions]

ㆍ칼럼: 도소사제의 TSKgel quaudcolumn SuperHZ-L(이하, 제1 칼럼이라고 함) 1개, 및,ㆍColumn: One TSKgel quaudcolumn SuperHZ-L (hereinafter referred to as the first column) manufactured by Tosoh Corporation, and;

도소사제의 TSKgel SuperHAM-M(이하, 제2 칼럼이라고 함) 2개Two TSKgel SuperHAM-M (hereinafter referred to as the second column) manufactured by Tosoh Corporation

상기 각 칼럼은, 상기 제1 칼럼의 하류측으로 2개의 상기 제2 칼럼을 직렬로서 연결시키고, 후술하는 용리액이 상기 제1 칼럼측으로부터 유입되도록, 상기 분석 장치에 배치하였다.Each of the columns was arranged in the analysis device such that two of the second columns were connected in series to the downstream side of the first column, and the eluent described later was introduced from the side of the first column.

ㆍ칼럼 온도: 40℃ㆍColumn temperature: 40℃

ㆍ용리액: 테트라히드로푸란(THF)ㆍEluent: tetrahydrofuran (THF)

ㆍ유량: 샘플 펌프 유량 0.3mL/minㆍFlow: Sample pump flow rate 0.3mL/min

레퍼런스 펌프 유량 1.0mL/min Reference pump flow rate 1.0 mL/min

ㆍ주입량: 10μLㆍInjection amount: 10μL

ㆍ검출기: 시차 굴절률 검출기(RI)ㆍDetector: Differential refractive index detector (RI)

또한, 상기 측정 시료에 대하여 측정한 결과를 기초로, 분자량 분포 곡선을 얻기 위해, 도소사제의 각 표준 폴리스티렌을, 상기한 표 1에 나타낸 배합 질량이 되도록 계량하고, 계량한 각 표준 폴리스티렌을, 100mL의 THF에 용해시켜, 표준 폴리스티렌 용액 STD1 및 표준 폴리스티렌 용액 STD2를 얻고, 이들에 대해서도, 상기한 측정 장치를 사용하여, 상기 측정 조건에서 GPC 측정을 행하였다.In addition, in order to obtain a molecular weight distribution curve based on the measurement result of the measurement sample, each standard polystyrene manufactured by Tosoh Corporation was weighed so as to have a compounding mass shown in Table 1 above, and each measured standard polystyrene was 100 mL was dissolved in THF to obtain a standard polystyrene solution STD1 and a standard polystyrene solution STD2, and GPC measurement was also performed on these under the above measurement conditions using the above measurement apparatus.

상기 측정 시료, 상기 STD1 및 상기 STD2를 GPC 측정한 결과를, 도소사제의 해석 소프트웨어 GPC-8020 Model II(데이터 관리 Version 5.10)를 사용하여 데이터 해석하였다.The results of GPC measurement of the measurement sample, the STD1, and the STD2 were analyzed using the analysis software GPC-8020 Model II (Data Management Version 5.10) manufactured by Tosoh Corporation.

상기 해석 소프트웨어를 사용한 데이터 해석에서는, 우선, 상기 STD1 및 상기 STD2에 관한 교정 곡선(횡축을 시간(min)으로 하고, 종축을 질량 평균 분자량의 대수로 한 교정 곡선)을 작성하고, 이들 교정 곡선을 기초로, 상기 측정 시료의 분자량에 관한 데이터 해석을 행하였다. 상기 측정 시료의 분자량에 관한 데이터 해석은, 크로마토그램 상에서 가장 빨리 검출되는 피크 P1(가장 고분자량 측의 피크)에 관한 분자량 분포 곡선을 얻고 나서 행하였다. 피크 P1에 관한 분자량 분포 곡선에 대하여, 데이터 해석을 행함으로써, 피크 P1에 관한 수 평균 분자량 Mn 및 질량 평균 분자량 Mw를 얻었다.In data analysis using the above analysis software, first, calibration curves for STD1 and STD2 (a calibration curve with the horizontal axis as time (min) and the vertical axis as the logarithm of the mass average molecular weight) are created, and these calibration curves are Based on this, data analysis was performed regarding the molecular weight of the measurement sample. Data analysis regarding the molecular weight of the measurement sample was performed after obtaining a molecular weight distribution curve relating to the peak P1 (the peak on the highest molecular weight side) detected earliest on the chromatogram. The number average molecular weight Mn and the mass average molecular weight Mw concerning the peak P1 were obtained by performing data analysis about the molecular weight distribution curve concerning the peak P1.

또한, 각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 점착제층으로부터 얻은 측정 시료는, 어느 것이나 모두, 가장 빨리 검출되는 피크 P1의 하강 부분과 피크 P1의 다음에 검출되는 피크 P2의 상승 부분에 겹침이 확인되고 있었기 때문에, 피크 P1의 상승 개시 부분을 기점으로 하여 수평 방향으로 연장되도록 베이스 라인을 긋고, 피크 P1의 하강 부분과 피크 P2의 상승 부분 사이에 생기는 골 부분(가장 오목해진 부분)을 향하여 상기 베이스 라인으로부터 수직으로 선을 긋고, 피크 P1의 상승 개시 부분으로부터 상기 골 부분까지와, 상기 베이스 라인과, 상기 베이스 라인으로부터 상기 골 부분을 향하여 수직으로 그린 선으로 구획된 영역을 해석함으로써, 피크 P1에 대하여, 수 평균 분자량 Mn 및 질량 평균 분자량 Mw를 얻었다.In addition, in any of the measurement samples obtained from the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing die-bonding film according to each example, overlap is confirmed between the falling portion of the peak P1 detected earliest and the rising portion of the peak P2 detected after the peak P1. Therefore, a baseline is drawn so as to extend in the horizontal direction from the starting point of the rising of the peak P1 as a starting point, and toward the trough (the most concave part) that occurs between the falling part of the peak P1 and the rising part of the peak P2. By drawing a line vertically from the line and interpreting the area demarcated by a line drawn vertically from the rising start portion of the peak P1 to the valley portion, the base line, and the valley portion from the baseline, to the peak P1 As a result, number average molecular weight Mn and mass average molecular weight Mw were obtained.

이하의 표 2에, 피크 P1의 수 평균 분자량 Mn, 피크 P1의 질량 평균 분자량 Mw 및 피크 P1의 수 평균 분자량 Mn에 대한 피크 P1의 질량 평균 분자량 Mw의 비를 나타낸다.In Table 2 below, the ratio of the mass average molecular weight Mw of the peak P1 to the number average molecular weight Mn of the peak P1, the mass average molecular weight Mw of the peak P1, and the number average molecular weight Mn of the peak P1 is shown.

또한, 이하의 표 2에, 피크 P1의 피크 톱 분자량의 값에 대해서도 나타낸다.In addition, in Table 2 below, the value of the peak top molecular weight of the peak P1 is also shown.

(광중합 개시제의 이행 비율)(Transition rate of photoinitiator)

각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 점착제층으로부터 다이 본드층으로의 광중합 개시제의 이행 비율을 측정하였다.About the dicing die-bonding film which concerns on each example, the transfer rate of the photoinitiator from an adhesive layer to a die-bonding layer was measured.

광중합 개시제의 이행 비율은, 다이 본드층과 겹치지 않는 점착제층 부분으로부터 채취한 샘플 중에 포함되는 광중합 개시제의 질량 비율(제1 질량 비율)과, 점착제층과 겹쳐 있는 다이 본드층 부분으로부터 채취한 샘플 중에 포함되는 광중합 개시제의 질량 비율(제2 질량 비율)로부터 산출하였다.The migration rate of the photoinitiator is the mass ratio (first mass ratio) of the photoinitiator contained in the sample collected from the portion of the pressure-sensitive adhesive layer that does not overlap the die-bonding layer, and in the sample collected from the portion of the die-bonding layer overlapping with the pressure-sensitive adhesive layer. It computed from the mass ratio (2nd mass ratio) of the photoinitiator contained.

상기 제1 질량 비율은, 이하의 수순에 따라 구하였다.The said 1st mass ratio was calculated|required according to the following procedure.

(1) 각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 다이 본드층이 적층되어 있지 않고, 또한, 다이 본드층으로부터 1㎝ 이상 이격된 점착제층 부분을 약0.1g 채취한다.(1) About the dicing die-bonding film which concerns on each example, the die-bonding layer is not laminated|stacked, and about 0.1 g of adhesive layer parts spaced apart 1 cm or more from the die-bonding layer are sample|collected.

(2) 채취한 점착제층을 4mL의 클로로포름 중에 첨가한 후, 냉암소에서 하룻밤(약16시간) 진탕함으로써, 점착제층 중의 광중합 개시제를 클로로포름 중에 추출시킨다.(2) After adding the extract|collected adhesive layer in 4 mL of chloroform, by shaking overnight (about 16 hours) in a cool and dark place, the photoinitiator in an adhesive layer is extracted in chloroform.

(3) 광중합 개시제 추출 후의 클로로포름 용액에 7mL의 메탄올을 첨가하고, 광중합 개시제 이외의 성분을 재침전시키고, 재침전시킨 성분을 멤브레인 필터로 여과 취출하고, 광중합 개시제의 용해액(클로로포름과 메탄올의 혼합 용액)을 얻는다. 이것을 측정 시료로 한다.(3) Add 7 mL of methanol to the chloroform solution after extraction of the photopolymerization initiator, reprecipitate components other than the photopolymerization initiator, filter the reprecipitated components through a membrane filter, and filter the photopolymerization initiator solution (mixture of chloroform and methanol) solution) is obtained. Let this be a measurement sample.

(4) 상기 측정 시료를 HPLC에서 분석하여, 상기 측정 시료 중의 상기 광중합 개시제의 농도(단위는, ㎍/mL)를 측정한다.(4) The measurement sample is analyzed by HPLC, and the concentration (unit: µg/mL) of the photopolymerization initiator in the measurement sample is measured.

(5) 상기 광중합 개시제의 농도에, 상기 광중합 개시제를 용해되어 있는 혼합 용매(클로로포름과 메탄올의 혼합 용매)의 용적인 11mL를 곱하여, 상기 측정 시료 중에 있어서의 상기 광중합 개시제의 질량(단위는, ㎍)을 산출한다.(5) The concentration of the photoinitiator is multiplied by 11 mL of the volume of a mixed solvent (a mixed solvent of chloroform and methanol) in which the photoinitiator is dissolved, and the mass of the photoinitiator in the measurement sample (unit is μg) ) is calculated.

(6) 상기 측정 시료 중에 있어서의 상기 광중합 개시제의 질량을 채취한 점착제층의 질량으로 나눔으로써, 점착제층 중에 있어서의 상기 광중합 개시제의 질량 비율을 산출하여, 이것을 제1 질량 비율로 한다.(6) By dividing the mass of the said photoinitiator in the said measurement sample by the mass of the extract|collected adhesive layer, the mass ratio of the said photoinitiator in an adhesive layer is computed, and let this be a 1st mass ratio.

상기 제2 질량 비율은, 이하의 수순에 따라 구하였다. 또한, 이하 (1) 내지 (4)는, 어느 것이나 모두 암소에서 행하였다.The said 2nd mass ratio was calculated|required according to the following procedure. In addition, all of the following (1)-(4) were performed in a dark cow.

(1) 점착제층 상에서 다이 본드층을 약0.1g 박리해 얻는다.(1) About 0.1g of a die-bonding layer is peeled and obtained on an adhesive layer.

(2) 박리해 얻은 다이 본드층을 4mL의 클로로포름 중에 첨가한 후, 냉암소에서 하룻밤(약16시간) 진탕함으로써, 광중합 개시제를 클로로포름 중에 추출시킨다.(2) After adding the die-bonding layer obtained by peeling in 4 mL of chloroform, a photoinitiator is extracted in chloroform by shaking in a cool and dark place overnight (about 16 hours).

(3) 광중합 개시제 추출 후의 클로로포름 용액에 7mL의 메탄올을 첨가하고, 광중합 개시제 이외의 성분을 재침전시키고, 재침전시킨 성분을 멤브레인 필터로 여과 취출하고, 광중합 개시제의 용해액(클로로포름과 메탄올의 혼합 용액)을 얻는다. 이것을 측정 시료로 한다.(3) Add 7 mL of methanol to the chloroform solution after extraction of the photopolymerization initiator, reprecipitate components other than the photopolymerization initiator, filter the reprecipitated components through a membrane filter, and filter the photopolymerization initiator solution (mixture of chloroform and methanol) solution) is obtained. Let this be a measurement sample.

(4) 상기 측정 시료를 HPLC에서 분석하여, 상기 측정 시료 중의 상기 광중합 개시제의 농도(단위는, ㎍/mL)를 측정한다.(4) The measurement sample is analyzed by HPLC, and the concentration (unit: µg/mL) of the photopolymerization initiator in the measurement sample is measured.

(5) 상기 광중합 개시제의 농도에, 상기 광중합 개시제를 용해되어 있는 혼합 용매(클로로포름과 메탄올의 혼합 용매)의 용적인 11mL를 곱하고, 상기 측정 시료 중에 있어서의 상기 광중합 개시제의 질량(단위는, ㎍)을 산출한다.(5) The concentration of the photoinitiator is multiplied by 11 mL of the volume of a mixed solvent (a mixed solvent of chloroform and methanol) in which the photoinitiator is dissolved, and the mass of the photoinitiator in the measurement sample (unit is μg) ) is calculated.

(6) 상기 측정 시료 중에 있어서의 상기 광중합 개시제의 질량을 채취한 다이 본드층의 질량으로 나눔으로써, 상기 다이 본드층 중에 있어서의 상기 광중합 개시제의 질량 비율을 산출하고, 이것을 제2 질량 비율로 한다.(6) By dividing the mass of the photoinitiator in the measurement sample by the mass of the sampled die bonding layer, the mass ratio of the photoinitiator in the die bonding layer is calculated, and this is used as the second mass ratio. .

또한, HPLC에서의 분석은, 이하의 조건에서 행하였다.In addition, the analysis by HPLC was performed on condition of the following.

분석 장치analysis device

Waters, Acquity HPLCWaters, Acquity HPLC

측정 조건Measuring conditions

ㆍ표준 용액: Omnirad를 클로로포름과 메탄올의 혼합 용액에, 농도 5.54㎍/mL로 용해시킨 용액(제1 표준 용액), 농도 55.4㎍/mL로 용해시킨 용액(제2 표준 용액) 및 농도 166.2㎍/mL로 용해시킨 용액(제3 표준 용액)의 3종ㆍStandard solution: A solution in which Omnirad was dissolved in a mixed solution of chloroform and methanol at a concentration of 5.54 μg/mL (first standard solution), a solution obtained by dissolving at a concentration of 55.4 μg/mL (second standard solution) and a concentration of 166.2 μg/mL 3 types of solutions (third standard solution) dissolved in mL

ㆍ칼럼: GL Science, Inertsil(등록 상표)(2.1㎜φ×10㎝, 담체의 평균 입자경 1.7㎛)ㆍColumn: GL Science, Inertsil (registered trademark) (2.1mmφ×10cm, average particle diameter of carrier 1.7㎛)

ㆍ칼럼 온도: 40℃ㆍColumn temperature: 40℃

ㆍ칼럼 유량: 0.8mL/minㆍColumn flow rate: 0.8mL/min

ㆍ용리액 조성: 초순수/아세토니트릴의 그래디언트 조건ㆍEluent composition: gradient conditions of ultrapure water/acetonitrile

ㆍ인젝션양: 10μLㆍInjection amount: 10μL

ㆍ검출기: PDA 검출기ㆍDetector: PDA detector

ㆍ검출 파장: 260㎚ㆍDetection wavelength: 260nm

상기 제1 질량 비율의 값과 상기 제2 질량 비율의 값을, 하기 식 (3)에 대입함으로써, 광중합 개시제의 이행 비율을 산출하였다. 그 결과를, 이하의 표 2에 나타낸다.The transfer ratio of the photoinitiator was computed by substituting the value of the said 1st mass ratio and the value of the said 2nd mass ratio into following formula (3). The results are shown in Table 2 below.

광중합 개시제의 이행 비율(질량%)=-제2 질량 비율/제1 질량 비율×100…(3)Transition ratio (mass %) of photoinitiator = - 2nd mass ratio / 1st mass ratio x 100... (3)

(박리력)(peel force)

각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 점착제층에 대한 다이 본드층의 박리력을 측정하였다. 점착제층에 대한 다이 본드층의 박리력은, 점착제층을 경화시킨 후에 측정하였다.About the dicing die-bonding film which concerns on each example, the peeling force of the die-bonding layer with respect to an adhesive layer was measured. The peeling force of the die-bonding layer with respect to an adhesive layer was measured, after hardening an adhesive layer.

점착제층에 대한 다이 본드층의 박리력은, T형 박리 시험에 의해 측정하였다.The peeling force of the die-bonding layer with respect to an adhesive layer was measured by the T-type peeling test.

T형 박리 시험은, 다이 본드층으로부터 PET 세퍼레이터를 박리하고, 다이 본드층에 노출면을 형성하고, 해당 노출면에 배접 테이프(상품명 「ELP BT315」, 닛토덴코사제)를 접합한 다이싱 다이 본드 필름에, 닛토 세이키제의 상품명 「UM-810」(고압 수은 램프, 60mW/㎠)을 사용하여, 다이싱 테이프측으로부터 강도 150J/㎠의 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시킨 후, 폭 50㎜×길이 120㎜의 치수로 잘라낸 것을 측정용 샘플로 하고, 인장 시험기(예를 들어, 상품명 「TG-1kN」, 미네베아 미쓰미사제)를 사용하여, 온도 25℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행하였다.In the T-type peeling test, a PET separator is peeled from the die-bonding layer, an exposed surface is formed on the die-bonding layer, and a dicing die-bonding tape (trade name "ELP BT315", manufactured by Nitto Denko Corporation) is bonded to the exposed surface. After curing the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating the film with ultraviolet rays having an intensity of 150 J/cm 2 from the dicing tape side using the trade name “UM-810” (high pressure mercury lamp, 60 mW/cm 2 ) manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd., a width of 50 mm A sample cut out to a dimension of x length 120 mm was used as a measurement sample, and a tensile tester (for example, trade name "TG-1kN", manufactured by Minebea Mitsumi Co., Ltd.) was used at a temperature of 25°C and a tensile rate of 300 mm/min. conditions were carried out.

상기와 같이 하여 측정한 박리력에 대하여, 이하의 표 2에 나타낸다.The peel force measured as described above is shown in Table 2 below.

(픽업성)(pick-up)

할단된 상태의 다이 본드층 구비 반도체 칩에 대하여, 픽업성을 평가하였다. 할단된 상태의 다이 본드층 구비 반도체 칩은, 하프컷에 의해 분할용 홈(10㎜×10㎜)이 형성된 12인치의 베어 웨이퍼(직경 300㎜, 두께 55㎛)에, 분할용 홈이 형성된 면에 백그라인드 테이프를 첩부한 후, 백 그라인더(DISCO사제, 형식 DGP8760)를 사용하여, 상기 12인치의 베어 웨이퍼를, 상기 백그라인드 테이프를 첩부한 측과 반대측의 면으로부터 두께 25㎛까지 연삭하여 백그라인드된 베어 웨이퍼를 얻고, 그 백그라인드된 베어 웨이퍼의 백그라인드 테이프의 첩부면과 반대측에, 각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드층을 첩부하고, 다이싱 다이 본드 필름 구비 베어 웨이퍼를 얻어, 해당 다이싱 다이 본드 필름 구비 베어 웨이퍼를, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS3200, 디스코사제」를 사용하여, 익스팬드하는 것에 의해 얻었다.The pick-up property was evaluated about the semiconductor chip with a die-bonding layer in a cleaved state. A semiconductor chip with a die-bonding layer in a cleaved state is a 12-inch bare wafer (300 mm in diameter, 55 µm thick) in which a dividing groove (10 mm x 10 mm) is formed by half-cut, on the side on which the dividing groove is formed. After affixing the backgrind tape to the substrate, using a back grinder (manufactured by DISCO, model DGP8760), the 12-inch bare wafer was ground to a thickness of 25 µm from the side opposite to the side on which the backgrind tape was pasted, and back A ground bare wafer is obtained, and the die bonding layer of the dicing die bonding film according to each example is attached on the opposite side to the pasting surface of the backgrind tape of the backgrinded bare wafer, and the bare wafer with a dicing die bonding film is affixed. It obtained and obtained this bare wafer with a dicing die-bonding film by expanding using the die-separator (brand name "die separator DDS3200, Disco Corporation make").

또한, 다이 세퍼레이트 장치를 사용한 익스팬드는, 상기 백그라인드 테이프를 베어 웨이퍼로부터 박리한 상태에서 행하였다.In addition, the expand using the die-separation apparatus was performed in the state which peeled the said backgrind tape from a bare wafer.

다이 세퍼레이트 장치를 사용한 익스팬드에서는, 쿨 익스팬드를 행한 후, 상온 익스팬드를 행하였다.In the expand using a die-separator apparatus, after performing cool expansion, room temperature expansion was performed.

쿨 익스팬드는, 베어 웨이퍼에 첩부된 다이싱 다이 본드 필름의 점착제층 상의 프레임 접착 영역에, 직경 12인치의 SUS제 링 프레임(디스코사제)을 실온에서 첩부한 후, SUS제 링 프레임이 첩부된 베어 웨이퍼를, 다이 세퍼레이트 장치에 장착하고, 해당 다이 세퍼레이트 장치의 쿨 익스팬드 유닛에서, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드하는 것에 의해 행하였다. 쿨 익스팬드는, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 100㎜/초, 익스팬드양 7㎜의 조건에서 행하였다.In the cool expand, a ring frame made of SUS (manufactured by Disco Corporation) having a diameter of 12 inches is affixed at room temperature on the frame bonding area on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing die-bonding film affixed to the bare wafer, and then the ring frame made of SUS is affixed. It performed by mounting a bare wafer in a die-separating apparatus, and expanding the dicing tape of a dicing die-bonding film with the cool expand unit of this die-separating apparatus. The cool expand was performed under the conditions of an expand temperature of -15°C, an expand speed of 100 mm/sec, and an expand amount of 7 mm.

또한, 쿨 익스팬드 후에 있어서는, 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체 칩으로 개편화됨과 함께, 다이 본드층도 반도체 칩 상당 사이즈로 개편화되어 있고, 복수의 다이 본드층 구비 반도체 칩이 얻어지고 있었다.In addition, after the cool expand, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips, and the die bonding layer is also divided into pieces corresponding to the size of the semiconductor chip, thereby obtaining a semiconductor chip with a plurality of die bonding layers.

상온 익스팬드는, 쿨 익스팬드 후에, 상기 다이 세퍼레이트 장치의 상온 익스팬드 유닛을 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드하는 것에 의해 행하였다. 상온 익스팬드는, 익스팬드 온도 23±2℃, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 10㎜의 조건에서 행하였다.Normal temperature expand was performed by expanding the dicing tape of a dicing die-bonding film using the normal temperature expand unit of the said die-separating apparatus after cool expand. Normal temperature expansion was performed under the conditions of an expand temperature of 23±2°C, an expand speed of 1 mm/sec, and an expand amount of 10 mm.

상온 익스팬드 후의 다이싱 테이프에 대하여, 가열 수축 처리를 실시하였다. 가열 수축 처리는, 온도 200℃, 시간 20초의 조건에서 행하였다.The dicing tape after normal temperature expansion was subjected to heat shrinkage treatment. Heat shrinkage treatment was performed under conditions of a temperature of 200°C and a time of 20 seconds.

다이싱 테이프를 가열 수축시킨 후, 픽업 기구를 갖는 장치(상품명 「다이 본더 SPA-300」, 신카와제)를 사용하여, 개편화된 다이 본드층 구비 반도체 칩의 픽업 시험을 행하였다. 상기 픽업 기구를 갖는 장치에 있어서, 핀 부재에 의한 밀어올림 속도는 1㎜/초로 하고, 밀어올림양은 2000㎛로 하였다.After heating and shrinking the dicing tape, the pick-up test of the semiconductor chip with a die-bonding layer divided into pieces was done using the apparatus (brand name "die bonder SPA-300", Shinkawa make) which has a pick-up mechanism. The apparatus which has the said pick-up mechanism WHEREIN: The pushing-up speed by a pin member was 1 mm/sec, and the pushing-up amount was 2000 micrometers.

상기 픽업 시험은, 닛토 세이키제의 상품명 「UM-810」(고압 수은 램프, 60mW/㎠)을 사용하여, 다이싱 테이프측에서 강도 150J/㎠의 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시킨 후에 행하였다.The pick-up test was performed after curing the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating ultraviolet rays with an intensity of 150 J/cm 2 from the dicing tape side using a trade name "UM-810" (high pressure mercury lamp, 60 mW/cm 2 ) manufactured by Nitto Seiki. .

픽업 시험은, 5개의 다이 본드층 구비 반도체 칩에 대하여 행하고, 픽업성에 대해서는, 이하의 기준으로 판단하였다.The pick-up test was performed with respect to five die-bonding layer-equipped semiconductor chips, and the pick-up property was judged on the following reference|standard.

◎ 5개의 다이 본드층 구비 반도체 칩의 모두를 픽업할 수 있다.◎ All of the five die-bonding layer-equipped semiconductor chips can be picked up.

○ 5개의 다이 본드층 구비 반도체 칩 중 3개 또는 4개를 픽업할 수 있다.○ 3 or 4 of the 5 die-bond layer-equipped semiconductor chips can be picked up.

× 5개의 다이 본드층 구비 반도체 칩의 모두를 픽업할 수 없다.All of the x 5 die-bonding layer-equipped semiconductor chips cannot be picked up.

Figure pat00002
Figure pat00002

표 2에서 , 실시예 1 내지 6에 관한 다이싱 다이 본드 필름에서는, 비교예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름에 비하여, 점착제층으로부터 다이 본드층으로의 광중합 개시제의 이행 비율이 낮고, 또한, 방사선 조사 후의 점착력에 대해서도, 충분히 저하되어 있음을 알 수 있었다.In Table 2, in the dicing die-bonding film according to Examples 1 to 6, compared with the dicing die-bonding film according to Comparative Example 1, the transfer ratio of the photopolymerization initiator from the pressure-sensitive adhesive layer to the die-bonding layer was low, and the radiation It turned out that it is fully falling also about the adhesive force after irradiation.

또한, 픽업성에 대해서도, 실시예 1 내지 6에 관한 다이싱 다이 본드 필름에서는, ○ 또는 ◎으로 양호한 것에 대하여, 비교예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름에서는, ×로 불량임을 알 수 있다.Moreover, also with respect to the pick-up property, it turns out that in the dicing die-bonding film concerning Examples 1-6, what was favorable as (circle) or (double-circle), in the dicing die-bonding film which concerns on the comparative example 1, it turns out that it is bad as x.

1: 기재층
2: 점착제층
3: 다이 본드층
10: 다이싱 테이프
20: 다이싱 다이 본드 필름
G: 백그라인드 테이프
H: 유지구
J: 흡착 지그
P: 핀 부재
R: 다이싱 링
T: 웨이퍼 가공용 테이프
U: 밀어올림 부재
W: 반도체 웨이퍼
1: base layer
2: adhesive layer
3: die bond layer
10: dicing tape
20: dicing die bond film
G: Backgrind tape
H: maintenance
J: adsorption jig
P: no pin
R: dicing ring
T: Tape for wafer processing
U: Push-up member
W: semiconductor wafer

Claims (4)

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
상기 점착제층은, 점착제 및 광중합 개시제를 포함하고,
경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 수 평균 분자량 Mn에 대한 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 질량 평균 분자량 Mw의 비인 다분산도 Mw/Mn이, 1.3 이상인
다이싱 다이 본드 필름.
A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material layer;
A die-bonding layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape,
The pressure-sensitive adhesive layer includes a pressure-sensitive adhesive and a photopolymerization initiator,
In the molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the pressure-sensitive adhesive layer before curing, polydispersity Mw/Mn, which is the ratio of the mass average molecular weight Mw of the peak appearing on the highest molecular weight side to the number average molecular weight Mn of the peak appearing on the highest molecular weight side This, 1.3 or higher
Dicing die bond film.
제1항에 있어서, 경화 전의 상기 점착제층을 GPC 측정하여 얻어지는 분자량 분포 곡선에 있어서, 가장 고분자량 측에 나타나는 피크의 피크 톱 분자량의 값이, 33,000 이하인
다이싱 다이 본드 필름.
The molecular weight distribution curve obtained by GPC measurement of the said adhesive layer before hardening WHEREIN: The value of the peak top molecular weight of the peak which appears on the highest molecular weight side is 33,000 or less.
Dicing die bond film.
제1항 또는 제2항에 있어서, 경화 전의 상기 점착제층은, 졸 성분을 32질량% 미만 포함하는
다이싱 다이 본드 필름.
The said adhesive layer before hardening contains less than 32 mass % of sol components according to claim 1 or 2
Dicing die bond film.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이, 상기 점착제층의 경화 후에 있어서, 0.18N/20㎜ 미만인
다이싱 다이 본드 필름.
The peeling force of the said die-bonding layer with respect to the said adhesive layer is less than 0.18N/20mm after hardening of the said adhesive layer.
Dicing die bond film.
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