KR20210111760A

KR20210111760A - 유기 화합물, 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

Info

Publication number: KR20210111760A
Application number: KR1020217020088A
Authority: KR
Inventors: 도모카 하라; 히데코 요시즈미; 다케요시 와타베; 아이리 우에다; 사토시 세오
Original assignee: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date: 2018-12-28
Filing date: 2019-12-16
Publication date: 2021-09-13
Also published as: JPWO2020136496A1; US20220041635A1; JP7478670B2; CN113227109A; WO2020136496A1

Abstract

장파장 영역(700nm 이상의 가시 영역 또는 근적외 영역)에 발광 피크를 가지는 유기 금속 착체를 제공한다. 중심 금속에 퀴녹살린 골격을 가지는 배위자가 배위되고, 이 배위자의 퀴녹살린 골격에 축환되는 벤젠 고리의 치환 가능한 위치 중 적어도 하나에 전자 흡인성기(예를 들어, 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 등)를 치환기로서 가지는, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

Description

유기 화합물, 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

본 발명의 일 형태는 유기 화합물, 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치에 관한 것이다. 다만, 본 발명의 일 형태는 이들에 한정되지 않는다. 즉 본 발명의 일 형태는 물건, 방법, 제조 방법, 또는 구동 방법에 관한 것이다. 또는 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 또한 구체적으로는 반도체 장치, 표시 장치, 액정 표시 장치 등을 일례로 들 수 있다.

한 쌍의 전극 사이에 EL층을 끼운 발광 디바이스(발광 소자 또는 유기 EL 소자라고도 함)는 박형 경량, 입력 신호에 대한 고속 응답성, 저소비 전력 등의 특성을 가지기 때문에, 이를 적용한 디스플레이는 차세대의 플랫 패널 디스플레이로서 주목되고 있다.

발광 디바이스는 한 쌍의 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 각 전극으로부터 주입된 전자 및 정공이 EL층에서 재결합하여, EL층에 포함되는 발광 물질(유기 화합물)이 여기 상태가 되고, 그 여기 상태가 바닥 상태로 되돌아갈 때 발광한다. 또한 여기 상태의 종류로서는 단일항 여기 상태(S^*)와 삼중항 여기 상태(T^*)가 있고, 단일항 여기 상태로부터의 발광이 형광, 그리고 삼중항 여기 상태로부터의 발광이 인광이라고 불리고 있다. 또한 발광 디바이스에서의 그들의 통계적인 생성 비율은 S^*:T^*=1:3인 것으로 생각된다.

또한 상기 발광 물질 중, 단일항 여기 상태에서의 에너지를 발광으로 변환할 수 있는 화합물은 형광성 화합물(형광 재료)이라고 불리고, 삼중항 여기 상태에서의 에너지를 발광으로 변환할 수 있는 화합물은 인광성 화합물(인광 재료)이라고 불린다.

따라서, 상기 생성 비율을 근거로 하였을 때, 상기 각 발광 물질을 사용한 발광 디바이스에서의 내부 양자 효율(주입된 캐리어에 대하여 발생되는 광자의 비율)의 이론적 한계는 형광 재료를 사용한 경우에는 25%이고, 인광 재료를 사용한 경우에는 75%이다.

즉, 형광 재료를 사용한 발광 디바이스에 비하여, 인광 재료를 사용한 발광 디바이스에서는, 더 높은 효율을 얻을 수 있게 된다. 그러므로 근년에서는 여러 종류의 인광 재료의 개발이 활발히 진행되고 있다. 특히, 이리듐 등 인광 양자 수율이 높은 금속을 중심 금속으로서 가지는 유기 금속 착체가 주목을 받고 있다(예를 들어, 특허문헌 1).

일본 공개특허공보 특개2009-23938호

상술한 특허문헌 1에서 보고되어 있는 바와 같이, 우수한 특성을 나타내는 인광 재료의 개발이 진행되고 있지만, 인광 재료는 발광 영역에 따라 그 용도가 넓어지기 때문에, 가시광 영역뿐만 아니라, 개인 인증이나 의료 진단 등에 유효한 장파장 영역에서도 발광을 나타내는 신규 재료의 개발이 기대되고 있다.

그러므로, 본 발명의 일 형태에서는 신규 유기 화합물(유기 금속 착체를 포함함)을 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태는 장파장 영역(700nm 이상의 파장의 가시 영역 또는 근적외 영역)에 발광 피크를 가지는 유기 금속 착체를 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는 LUMO 준위가 3.5eV 이하인 신규 유기 금속 착체를 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는 발광 디바이스에 사용할 수 있는 신규 유기 금속 착체를 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는 발광 디바이스의 EL층에 사용할 수 있는 신규 유기 금속 착체를 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는 신규 유기 금속 착체를 사용한, 효율 및 신뢰성이 높은 신규 발광 디바이스를 제공한다. 또한 신규 발광 장치, 신규 전자 기기, 또는 신규 조명 장치를 제공한다.

본 명세서 중에서, 가시 영역의 광(가시광이라고도 함)은 400nm 이상 750nm 미만의 파장의 광을 나타내고, 근적외 영역의 광(근적외광이라고도 함)은 750nm 이상 1000nm 이하의 파장의 광을 나타낸다.

또한 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 과제 모두를 반드시 해결할 필요는 없다. 또한 이들 이외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해질 것이고, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 이외의 과제를 추출할 수 있다.

본 발명의 일 형태는 중심 금속에 퀴녹살린 골격을 가지는 배위자가 배위되고, 이 배위자의 퀴녹살린 골격에 축환되는 벤젠 고리의 치환 가능한 위치 중 적어도 하나에 전자 흡인성기(예를 들어, 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 등)를 치환기로서 가지는, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다. 또한, 배위자가 전자 흡인성기를 치환기로서 가지는 것으로 인한 전자 상태의 변화에 따라, LUMO 준위를 낮출 수 있다.

[화학식 1]

다만, 일반식(G1) 중에서 M은 9족 원소 또는 10족 원소를 나타내고, Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다. 또한, M이 9족 원소인 경우, m+n=3(다만, m=0, 1, 또는 2, 그리고 n=1, 2, 또는 3 중 어느 것)이고, M이 10족 원소인 경우, m+n=2(다만, m=0 또는 1, 그리고 n=1 또는 2 중 어느 것)이다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G2)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 2]

다만, 일반식(G2) 중에서 M은 9족 원소 또는 10족 원소를 나타낸다. 또한, R¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹ 및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다. 또한, M이 9족 원소인 경우, m+n=3(다만, m=0, 1, 또는 2, 그리고 n=1, 2, 또는 3 중 어느 것)이고, M이 10족 원소인 경우, m+n=2(다만, m=0 또는 1, 그리고 n=1 또는 2 중 어느 것)이다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G3)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 3]

다만, 일반식(G3) 중에서 Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹ 내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G4)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 4]

다만, 일반식(G4) 중에서 R¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G5)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 5]

다만, 일반식(G5) 중에서 R¹내지 R⁸및 R¹¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.

또한, 상기 각 구성에 있어서, 1가 음이온성의 배위자는 β-다이케톤 구조를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 카복실기를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 페놀성 수산기를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 2개의 배위 원소가 모두 질소인 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 및 사이클로 메탈화에 의하여 이리듐과 금속-탄소 결합을 형성하는 2좌 배위자 중 어느 하나인 것이 바람직하다.

또한, 상기 각 구성에 있어서, 1가 음이온성의 배위자는 하기 일반식(L1) 내지 하기 일반식(L7) 중 어느 하나인 것이 바람직하다.

[화학식 6]

다만, 상기 일반식(L1) 내지 상기 일반식(L7) 중에서 R⁵¹내지 R⁸⁹는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 할로제노기, 바이닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기를 나타낸다. 또한, A¹내지 A¹³은 각각 독립적으로 질소, 수소와 결합하는 sp²혼성 탄소, 또는 치환기를 가지는 sp²혼성 탄소를 나타내고, 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 할로제노기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 및 페닐기 중 어느 것을 나타낸다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G6)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 7]

다만, 일반식(G6) 중에서 R¹내지 R¹⁶은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G7)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 8]

다만, 일반식(G7) 중에서 R¹내지 R⁸및 R¹¹내지 R¹⁶은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태는 구조식(100), 구조식(101), 또는 구조식(116)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 9]

본 발명의 다른 일 형태는 중심 금속에 퀴녹살린 골격을 가지는 배위자가 배위되고, 이 배위자의 퀴녹살린 골격에 축환되는 벤젠 고리의 치환 가능한 위치 중 적어도 하나에 전자 흡인성기(예를 들어, 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 등)를 치환기로서 가지는, 유기 금속 착체를 사용한 발광 디바이스이다. 또한, 상기 유기 금속 착체에 더하여 다른 유기 화합물을 가지는 발광 디바이스도 본 발명의 일 형태에 포함된다.

본 발명의 다른 일 형태는 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체를 사용한 발광 디바이스이다. 또한, 한 쌍의 전극 사이에 가지는 EL층이나, EL층에 포함되는 발광층에 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체를 사용하여 형성된 발광 디바이스도 본 발명의 일 형태에 포함되는 것으로 한다. 또한 발광 디바이스에 더하여, 트랜지스터, 기판 등을 가지는 발광 장치도 발명의 범주에 포함된다. 또한 이들 발광 장치에 더하여, 마이크로폰, 카메라, 조작용 버튼, 외부 접속부, 하우징, 커버, 지지대, 또는 스피커 등을 가지는 전자 기기나 조명 장치도 발명의 범주에 포함된다.

본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체는 다른 유기 화합물과 조합하여 발광 디바이스의 발광층에 사용할 수 있다. 즉, 발광층으로부터 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 얻을 수 있기 때문에, 발광 디바이스를 고효율화할 수 있으므로 매우 유효하다. 따라서, 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체와 다른 유기 화합물을 조합하여 발광층에 사용한 발광 디바이스는 본 발명의 일 형태에 포함되는 것으로 한다. 또한 상기 발광층에 제 3 물질을 더한 구성으로 하여도 좋다.

또한 본 발명의 일 형태는 발광 디바이스를 가지는 발광 장치를 포함하고, 또한 발광 장치를 가지는 조명 장치도 범주에 포함한다. 따라서 본 명세서에서 발광 장치란, 화상 표시 디바이스 또는 광원(조명 장치를 포함함)을 가리킨다. 또한, 발광 장치에 커넥터, 예를 들어 FPC(Flexible Printed Circuit) 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 장착된 모듈, TCP 끝에 인쇄 배선판이 제공된 모듈, 또는 발광 디바이스에 COG(Chip On Glass) 방식으로 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 발광 장치에 포함되는 것으로 한다.

본 발명의 일 형태는 신규 유기 금속 착체를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태는 장파장(700nm 이상)의 범위에 발광 피크를 가지는 유기 금속 착체를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태는 LUMO 준위가 3.5eV 이하인 신규 유기 금속 착체를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태는 발광 디바이스에 사용할 수 있는 신규 유기 금속 착체를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태는 발광 디바이스의 EL층에 사용할 수 있는 신규 유기 금속 착체를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태인 신규 유기 금속 착체를 사용한, 효율 및 신뢰성이 높은 신규 발광 디바이스를 제공할 수 있다. 또한 신규 발광 장치, 신규 전자 기기, 또는 신규 조명 장치를 제공할 수 있다.

또한 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 효과 모두를 반드시 가질 필요는 없다. 또한 이들 이외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해질 것이고, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 이외의 효과를 추출할 수 있다. 또한, 디바이스의 효율 및 신뢰성을 높일 수 있는 신규 발광 디바이스를 제공할 수 있다.

도 1의 (A), (B)는 발광 디바이스의 구조에 대하여 설명하는 도면이다.
도 2의 (A), (B), (C)는 발광 장치에 대하여 설명하는 도면이다.
도 3의 (A), (B)는 발광 장치에 대하여 설명하는 도면이다.
도 4의 (A), (B), (C), (D), (E), (F), (G)는 전자 기기에 대하여 설명하는 도면이다.
도 5의 (A), (B), (C)는 전자 기기에 대하여 설명하는 도면이다.
도 6의 (A), (B)는 자동차에 대하여 설명하는 도면이다.
도 7의 (A), (B)는 조명 장치에 대하여 설명하는 도면이다.
도 8은 구조식(100)으로 나타낸 유기 금속 착체의 ¹H-NMR 차트이다.
도 9는 구조식(100)으로 나타낸 유기 금속 착체의 용액 중의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼이다.
도 10은 구조식(101)으로 나타낸 유기 금속 착체의 ¹H-NMR 차트이다.
도 11은 구조식(101)으로 나타낸 유기 금속 착체의 용액 중의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼이다.
도 12의 (A), (B)는 증착 방법에 대하여 설명하는 도면이다.
도 13은 발광 디바이스에 대하여 설명하는 도면이다.
도 14는 발광 디바이스 1의 전류 밀도-방사속 특성을 나타낸 도면이다.
도 15는 발광 디바이스 1의 전압-방사 휘도 특성을 나타낸 도면이다.
도 16은 발광 디바이스 1의 전압-전류 특성을 나타낸 도면이다.
도 17은 발광 디바이스 1의 전류 밀도-외부 양자 효율 특성을 나타낸 도면이다.
도 18은 발광 디바이스 1의 전압-외부 에너지 효율 특성을 나타낸 도면이다.
도 19는 발광 디바이스 1의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 20은 발광 디바이스 1의 신뢰성을 나타낸 도면이다.
도 21은 구조식(116)으로 나타낸 유기 금속 착체의 용액 중의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼이다.

이하, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스용 조성물에 대하여 자세히 설명한다. 다만 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어나지 않고 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다. 따라서 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.

또한 도면 등에 나타낸 각 구성의 위치, 크기, 범위 등은 이해하기 쉽게 하기 위하여 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내지 않은 경우가 있다. 따라서 개시(開示)하는 발명은 도면 등에 나타낸 위치, 크기, 범위 등에 반드시 한정되는 것은 아니다.

또한 본 명세서 등에서 도면을 사용하여 발명의 구성을 설명하는 데 있어서, 같은 것을 가리키는 부호는 상이한 도면 간에서도 공통적으로 사용한다.

(실시형태 1)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 유기 금속 착체에 대하여 설명한다.

본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체는 중심 금속에 퀴녹살린 골격을 가지는 배위자가 배위되고, 이 배위자의 퀴녹살린 골격에 축환되는 벤젠 고리의 치환 가능한 위치 중 적어도 하나에 전자 흡인성기(예를 들어, 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 등)를 치환기로서 가지는, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 구조를 가진다.

[화학식 10]

일반식(G1)에서, M은 9족 원소 또는 10족 원소를 나타내고, Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹ 및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다. 또한, M이 9족 원소인 경우, m+n=3(다만, m=0, 1, 또는 2, 그리고 n=1, 2, 또는 3 중 어느 것)이고, M이 10족 원소인 경우, m+n=2(다만, m=0 또는 1, 그리고 n=1 또는 2 중 어느 것)이다.

본 발명의 다른 일 형태인 유기 금속 착체는 하기 일반식(G2)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 11]

일반식(G2)에서, M은 9족 원소 또는 10족 원소를 나타낸다. 또한, R¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다. 또한, M이 9족 원소인 경우, m+n=3(다만, m=0, 1, 또는 2, 그리고 n=1, 2, 또는 3 중 어느 것)이고, M이 10족 원소인 경우, m+n=2(다만, m=0 또는 1, 그리고 n=1 또는 2 중 어느 것)이다.

본 발명의 다른 일 형태인 유기 금속 착체는 하기 일반식(G3)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 12]

일반식(G3)에서, Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.

본 발명의 다른 일 형태인 유기 금속 착체는 하기 일반식(G4)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 13]

일반식(G4)에서, R¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.

본 발명의 다른 일 형태인 유기 금속 착체는 하기 일반식(G5)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 14]

일반식(G5)에서, R¹내지 R⁸및 R¹¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.

또한, 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G5) 중의 1가 음이온성의 배위자는 β-다이케톤 구조를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 카복실기를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 페놀성 수산기를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 2개의 배위 원소가 모두 질소인 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 및 사이클로 메탈화에 의하여 이리듐과 금속-탄소 결합을 형성하는 2좌 배위자 중 어느 하나이다.

또한, 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G5) 중의 1가 음이온성의 배위자는 구체적으로는 하기 일반식(L1) 내지 하기 일반식(L7) 중 어느 하나이다.

[화학식 15]

또한, 상기 일반식(L1) 내지 상기 일반식(L7) 중에서 R⁵¹내지 R⁸⁹는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 할로제노기, 바이닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, A¹내지 A¹³은 각각 독립적으로 질소, 수소와 결합하는 sp²혼성 탄소, 및 치환기를 가지는 sp²혼성 탄소 중 어느 것을 나타내고, 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 할로제노기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 및 페닐기 중 어느 것을 나타낸다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태인 유기 금속 착체는 하기 일반식(G6)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 16]

일반식(G6)에서, R¹내지 R¹⁶은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸ 및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다.

또한, 본 발명의 다른 일 형태인 유기 금속 착체는 하기 일반식(G7)으로 나타내어지는 유기 금속 착체이다.

[화학식 17]

일반식(G7)에서, R¹내지 R⁸및 R¹¹내지 R¹⁶은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다.

또한, 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G7)으로 나타내어지는 유기 금속 착체에 있어서, 치환이란 바람직하게는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기와 같은 탄소수 1 내지 6의 알킬기나, 페닐기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 2-바이페닐기, 3-바이페닐기, 4-바이페닐기와 같은 탄소수 6 내지 12의 아릴기와 같은 치환기에 의한 치환을 나타낸다. 또한 이들 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 예를 들어, 상기 아릴기가, 치환기로서 9위치에 2개의 페닐기를 가지는 2-플루오렌일기인 경우, 상기 페닐기가 서로 결합되어, 스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일기가 되어도 좋다. 더 구체적으로는, 예를 들어 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 바이페닐기, 인덴일기, 나프틸기, 플루오렌일기 등을 들 수 있다.

또한, 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G7)으로 나타내어지는 유기 금속 착체에 있어서, 식 중의 R¹내지 R¹⁶에서의 탄소수 1 내지 6의 알킬기의 구체적인 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, sec-뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 아이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 아이소헥실기, sec-헥실기, tert-헥실기, 네오헥실기, 3-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 2-에틸뷰틸기, 1,2-다이메틸뷰틸기, 2,3-다이메틸뷰틸기 등을 들 수 있다.

또한, 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G7)으로 나타내어지는 유기 금속 착체에 있어서, 식 중의 R¹내지 R¹⁶에서의 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12(즉, 고리를 형성하는 탄소수가 6 내지 12)의 아릴기의 구체적인 예로서는, 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 또는 인덴일기 등을 들 수 있다.

또한, 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G7)으로 나타내어지는 유기 금속 착체에 있어서, 식 중의 R¹내지 R¹⁶에서의 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12(즉, 고리를 형성하는 탄소수가 3 내지 12)의 헤테로아릴기의 구체적인 예로서는, 트라이아진일기, 피라진일기, 피리미딘일기, 피리딜기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 벤조싸이엔일기, 벤조퓨란일기, 인돌릴기, 다이벤조싸이엔일기, 다이벤조퓨란일기, 또는 카바졸릴기 등을 들 수 있다.

또한, 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G7)으로 나타내어지는 유기 금속 착체에 있어서, 식 중의 R¹내지 R¹⁶에서의 치환 또는 비치환된 1 내지 6의 알콕시기의 구체적인 예로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 아이소프로폭시기, n-뷰톡시기, 아이소뷰톡시기, tert-뷰톡시기 등을 들 수 있다.

또한, 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G7)으로 나타내어지는 유기 금속 착체에 있어서, 식 중의 R¹내지 R¹⁶에서의 치환 또는 비치환된 1 내지 6의 알킬설판일기의 구체적인 예로서는, 메틸설판일기, 에틸설판일기, n-프로필설판일기, 아이소프로필설판일기, n-뷰틸설판일기, 아이소뷰틸설판일기, tert-뷰틸설판일기 등을 들 수 있다.

이어서, 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체의 구체적인 구조식을 이하에 나타낸다.

[화학식 18]

[화학식 19]

[화학식 20]

또한, 상기 구조식(100) 내지 구조식(118)으로 나타내어지는 유기 금속 착체는 상기 일반식(G1) 내지 상기 일반식(G7) 중 어느 것으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체의 일례이다. 다만, 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체는 이에 한정되지 않는다.

다음으로, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체의 합성 방법의 일례에 대하여 설명한다.

[화학식 21]

<<일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체의 합성 방법>>

하기 일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체는 이하와 같은 합성 방법으로 합성할 수 있다.

[화학식 22]

일반식(G0)에서, Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다.

일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체는 하기 합성 스킴(A)에 나타낸 바와 같이, 다이케톤 화합물(a1)과 다이아민 화합물(a2)을 반응시킴으로써 얻어진다.

[화학식 23]

또한, 하기 합성 스킴(B)에 나타낸 바와 같이, 다이케톤 화합물(b1)과 다이아민 화합물(b2)을 반응시켜도 좋다.

[화학식 24]

또한, 일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체는 하기 합성 스킴(C)에 나타낸 바와 같이, 다이아민 화합물(c1)과 할라이드 옥살릴(c2)을 반응시켜, 다이할라이드 퀴녹살린 유도체(c3)를 얻은 후, 아릴보론산 화합물(c4), 아릴보론산 화합물(c5)과 반응시킴으로써 얻을 수도 있다.

[화학식 25]

또한, 상기 합성 스킴(A), (B), 및 (C)에서, Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다. 식 중에서, X는 할로젠을 나타내고, 염소 또는 브로민이 바람직하다. Y¹, Y²는 보론산, 보론산 에스터, 또는 고리형 트라이올보레이트염 등을 나타낸다. 고리형 트라이올보레이트염으로서는 리튬염 외에 포타슘염, 소듐염을 사용하여도 좋다.

<<일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 금속 착체의 합성 방법>>

다음으로, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 금속 착체의 합성 방법에 대하여 설명한다. 우선, 하기 합성 스킴(D)에 나타낸 바와 같이, 일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체 또는 1가 음이온성 배위자 L과, 할로젠을 포함하는 9족 또는 10족의 금속 화합물을 무용매로, 알코올계 용매(글리세롤, 에틸렌글라이콜, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올 등) 단독으로, 또는 알코올계 용매 1종류 이상과 물의 혼합 용매를 사용하여, 불활성 가스 분위기에서 가열함으로써, 할로젠으로 가교된 구조를 가지는 유기 금속 착체의 1종류인 복핵(複核) 착체(d1) 또는 1가 음이온성의 배위자를 포함하는 복핵 착체(d2)를 얻을 수 있다. 가열 수단으로서 특별한 한정은 없고, 오일 배스, 샌드 배스, 또는 알루미늄 블록 등을 사용할 수 있다. 또한 마이크로파를 가열 수단으로서 사용할 수도 있다.

[화학식 26]

또한, 합성 스킴(E)에 나타낸 바와 같이, 상기 합성 스킴(D)으로 얻어지는 복핵 착체(d1) 또는 복핵 착체(d2)와 일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체 또는 1가 음이온성 배위자 L을 불활성 가스 분위기하에서 반응시킴으로써, 일반식(G1)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체를 얻을 수 있다.

[화학식 27]

다른 방법으로서, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 금속 착체는, 하기 합성 스킴(F)에 나타낸 바와 같이 할로젠을 포함하는 9족 또는 10족의 금속 화합물과 상기 일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체 또는 1가 음이온성 배위자 L을 불활성 가스 분위기하에서 가열한 후, 1가 음이온성 배위자 L 또는 상기 일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체를 더하여 가열함으로써 얻을 수 있다.

[화학식 28]

또 다른 방법으로서는, 하기 스킴(G)에 나타낸 바와 같이, 1가 음이온성 배위자 L을 포함하는 유기 금속 화합물(g1)과 일반식(G0)으로 나타내어지는 퀴녹살린 유도체를 불활성 가스 분위기하에서 가열하여도 좋다.

[화학식 29]

또한, 상기 합성 스킴(D), (E), (F), 및 (G)에서, M은 9족 원소 또는 10족 원소를 나타내고, Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다. 또한, M이 9족 원소인 경우, m+n=3(다만, m=0, 1, 또는 2, 그리고 n=1, 2, 또는 3 중 어느 것)이고, M이 10족 원소인 경우, m+n=2(다만, m=0 또는 1, 그리고 n=1 또는 2 중 어느 것)이다.

이상, 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체로서, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 금속 착체의 합성 방법에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 다른 합성 방법으로 합성하여도 좋다.

또한, 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체는 중심 금속에 퀴녹살린 골격을 가지는 배위자가 배위되고, 이 배위자의 퀴녹살린 골격에 축환되는 벤젠 고리의 치환 가능한 위치 중 적어도 하나에 전자 흡인성기(예를 들어, 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 등)를 치환기로서 가진다. 배위자에 전자 흡인성기를 도입함으로써, 배위자 중의 LUMO(최저 비점유 분자 궤도: Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 준위를 낮출 수 있어, LUMO 준위와 HOMO(최고 점유 분자 궤도: Highest Occupied Molecular Orbital) 준위의 차이로 나타내어지는 밴드 갭이 작아지기 때문에, 이와 같은 치환기를 가지지 않는 것에 비하여 장파장 영역(700nm 이상의 가시 영역 또는 근적외 영역)에 발광 피크를 가지는 유기 금속 착체를 제공할 수 있다. 또한, 이와 같이 LUMO 준위가 낮은 유기 금속 착체를 발광 디바이스의 발광층에 사용함으로써, 발광층에서의 캐리어의 거동이 제어되기 때문에, 발광 디바이스의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 명세서 중에서, HOMO 준위 또는 LUMO 준위가 높다고 하는 것은 이의 에너지 레벨이 크다는 것을 의미하고, HOMO 준위 또는 LUMO 준위가 낮다고 하는 것은 이의 에너지 레벨이 작다는 것을 의미한다.

또한, 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체를 사용함으로써, 효율 및 신뢰성이 높은 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 실현할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 있어서, 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 즉, 다른 실시형태에 나타내는 다양한 발명의 형태와 조합할 수 있다.

(실시형태 2)

본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스의 일례에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에서 설명하는 발광 디바이스에는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체를 사용할 수 있다.

<<발광 디바이스의 구조>>

도 1의 (A)는 한 쌍의 전극 사이에 발광층을 포함하는 EL층을 가지는 발광 디바이스의 일례를 나타낸 것이다. 구체적으로는 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102) 사이에 EL층(103)이 끼워진 구조를 가진다. 또한 EL층(103)은 예를 들어 제 1 전극(101)을 양극으로 한 경우, 기능층으로서, 정공(홀) 주입층(111), 정공(홀) 수송층(112), 발광층(113), 전자 수송층(114), 전자 주입층(115)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 또한, 그 외의 발광 디바이스의 구조로서, 도 1의 (B)에 도시된 바와 같이 한 쌍의 전극 사이에 전하 발생층(104)을 끼워 형성되는 복수의 EL층(103a, 103b)을 가지는 구성(탠덤 구조)으로 함으로써 저전압 구동을 할 수 있는 발광 디바이스나, 한 쌍의 전극 사이에 미소광 공진기(마이크로캐비티) 구조를 형성함으로써 광학 특성을 향상시킨 발광 디바이스 등도 본 발명의 일 형태에 포함되는 것으로 한다. 또한, 전하 발생층(104)은 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)에 전압을 인가하였을 때, 인접된 한쪽의 EL층에 전자를 주입하고, 다른 쪽의 EL층에 정공을 주입하는 기능을 가진다.

상기 발광 디바이스의 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)의 적어도 한쪽은 투광성을 가지는 전극(투명 전극, 반투과·반반사 전극 등)으로 한다. 따라서, 발광 디바이스의 발광 방향에 대해서는 도 1의 (A)의 제 2 전극(102) 측으로부터 광이 사출되는 톱 이미션 구조이어도 좋고, 제 1 전극(101) 측으로부터 광이 사출되는 보텀 이미션 구조이어도 좋다. 투광성을 가지는 전극이 투명 전극의 경우, 투명 전극의 가시광(400nm 이상 750nm 미만의 파장의 광) 또는 근적외광(750nm 이상 1000nm 이하의 파장의 광)의 투과율은 40% 이상으로 한다. 또한, 반투과·반반사 전극의 경우, 반투과·반반사 전극의 가시광 또는 근적외광에 대한 반사율은 10% 이상 100% 미만, 바람직하게는 30% 이상 100% 미만으로 한다. 또한 이들 전극은 저항률을 1×10^-2Ωcm이하로 하는 것이 바람직하다.

또한 상술한 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스에서, 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102) 중 한쪽이 반사성을 가지는 전극(반사 전극)인 경우, 반사성을 가지는 전극의 가시광의 반사율은 40% 이상 100% 이하, 바람직하게는 70% 이상 100% 이하로 한다. 또한 이 전극은 저항률을 1×10^-2Ωcm이하로 하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스에서, 상기 미소광 공진기(마이크로캐비티) 구조를 형성하는 경우에는, 예를 들어 도 1의 (A)에서 제 1 전극(101)을 반사 전극으로 하고, 제 2 전극(102)을 반투과·반반사 전극으로 함으로써, EL층(103)에서 얻어진 발광을 양쪽 전극 간에서 공진시켜, 얻어지는 발광을 강하게 하는 구성으로 할 수 있다. 또한, 제 1 전극(101)이 반사성을 가지는 도전성 재료와 투광성을 가지는 도전성 재료(투명 도전막)의 적층 구조로 이루어지는 반사 전극인 경우, 투명 도전막의 막 두께를 제어함으로써 광학 조정을 수행할 수 있다. 구체적으로는 발광층(113)으로부터 얻어지는 광의 파장 λ에 대하여 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)의 전극 간 거리가 mλ/2(다만 m은 자연수) 근방이 되도록 조정하는 것이 바람직하다.

또한 발광층(113)으로부터 얻어지는 원하는 광(파장: λ)을 증폭시키기 위하여 제 1 전극(101)으로부터 발광층(113)의 원하는 광이 얻어지는 영역(발광 영역)까지의 광학 거리와, 제 2 전극(102)으로부터 발광층(113)의 원하는 광이 얻어지는 영역(발광 영역)까지의 광학 거리를 각각 (2m'+1)λ/4(다만 m'은 자연수) 근방이 되도록 조절하는 것이 바람직하다. 또한 여기서 발광 영역이란 발광층(113)에서의 정공(홀)과 전자의 재결합 영역을 말한다.

이와 같은 광학 조정을 함으로써, 발광층(113)으로부터 얻어지는 특정한 단색광의 스펙트럼을 협선화(狹線化)하여 색 순도가 좋은 발광을 얻을 수 있다.

다만, 상기의 경우, 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)의 광학 거리는 엄밀하게는 제 1 전극(101)에서의 반사면으로부터 제 2 전극(102)에서의 반사면까지의 거리와 굴절률의 곱에, 반사로 생기는 위상 시프트를 더한 값으로 나타내어진다. 그러나, 제 1 전극(101)이나 제 2 전극(102)에서의 반사면 및 위상 시프트를 엄밀하게 결정하는 것은 어렵기 때문에 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)의 임의의 위치를 반사면으로 가정하고, 임의의 위상 시프트를 가정함으로써 충분히 상술한 효과를 얻을 수 있는 것으로 한다. 또한, 제 1 전극(101)과, 원하는 광이 얻어지는 발광층의 광학 거리는 엄밀하게는 제 1 전극(101)에서의 반사면과 원하는 광이 얻어지는 발광층에서의 발광 영역의 거리와 굴절률의 곱에, 반사로 생기는 위상 시프트를 더한 값이라고 할 수 있다. 그러나, 제 1 전극(101)에서의 반사면 및 위상 시프트, 원하는 광이 얻어지는 발광층에서의 발광 영역을 엄밀하게 결정하는 것은 어렵기 때문에 제 1 전극(101)의 임의의 위치를 반사면으로 가정하고, 임의의 위상 시프트를 가정하고, 원하는 광이 얻어지는 발광층의 임의의 위치를 발광 영역으로 가정함으로써 충분히 상술한 효과를 얻을 수 있는 것으로 한다.

또한, 발광 디바이스가 마이크로캐비티 구조를 가지는 경우, EL층이 공통이어도 상이한 파장의 광(단색광)을 추출할 수 있다. 따라서 다른 발광색을 얻기 위한 구분 착색(예를 들어 RGB)이 불필요하고, 고정세(高精細)화를 할 수 있다. 또한 착색층(컬러 필터)과 조합할 수도 있다. 또한 정면 방향에서의 특정 파장의 발광 강도를 높일 수 있기 때문에, 저소비 전력화를 도모할 수 있다.

다음으로, 발광 디바이스의 구성이나, 발광 디바이스를 구성하는 전극이나 기능층에 대하여 도 1의 (A)에 도시된 구조를 바탕으로 구체적으로 설명한다. 다만, 도 1의 (B)에 도시된 탠덤 구조에서도, 도 1의 (A)와 마찬가지로 발광 디바이스를 구성하는 제 1 전극(101), 제 2 전극(102), 및 EL층(103a, 103b), 그리고 EL층(103a, 103b)을 구성하는 각 기능층인 정공 주입층(111a, 111b), 정공 수송층(112a, 112b), 발광층(113a, 113b), 전자 수송층(114a, 114b), 전자 주입층(115a, 115b)은 같은 재료가 사용되고 같은 기능을 가지는 것으로 한다.

<제 1 전극 및 제 2 전극>

제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102)을 형성하는 재료로서는 상술한 양쪽 전극의 기능을 만족시킬 수 있다면 이하에 제시하는 재료를 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들어 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 적절히 사용할 수 있다. 구체적으로는 In-Sn 산화물(ITO라고도 함), In-Si-Sn 산화물(ITSO라고도 함), In-Zn 산화물, In-W-Zn 산화물을 들 수 있다. 그 외에, 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 망가니즈(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 몰리브데넘(Mo), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 이트륨(Y), 네오디뮴(Nd) 등의 금속, 및 이들을 적절히 조합하여 포함하는 합금을 사용할 수도 있다. 그 외에, 위에서 예시하지 않은 원소 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소(예를 들어 리튬(Li), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr)), 유로퓸(Eu), 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 적절히 조합하여 포함하는 합금, 그리고 그래핀 등을 사용할 수 있다.

또한 이들 전극의 제작에는 스퍼터링법이나 진공 증착법을 사용할 수 있다.

<정공 주입층>

정공 주입층(111)은 양극인 제 1 전극(101)으로부터 EL층(103)에 정공(홀)을 주입하는 층이고, 유기 억셉터 재료나 정공 주입성이 높은 재료를 포함한 층이다.

유기 억셉터 재료는 그 LUMO 준위의 값과 HOMO 준위의 값이 가까운 다른 유기 화합물과의 사이에서 전하 분리시킴으로써 상기 유기 화합물에 정공(홀)을 발생시킬 수 있는 재료이다. 따라서 유기 억셉터 재료로서는, 퀴노다이메테인 유도체, 클로라닐 유도체, 헥사아자트라이페닐렌 유도체 등의 전자 흡인기(할로젠기나 사이아노기)를 가지는 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들어 7,7,8,8-테트라사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노다이메테인(약칭: F₄-TCNQ),3,6-다이플루오로-2,5,7,7,8,8-헥사사이아노퀴노다이메테인, 클로라닐, 2,3,6,7,10,11-헥사사이아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트라이페닐렌(약칭: HAT-CN), 1,3,4,5,7,8-헥사플루오로테트라사이아노-나프토퀴노다이메테인(약칭: F6-TCNNQ) 등을 사용할 수 있다. 또한 유기 억셉터 재료 중에서도 특히 HAT-CN은 억셉터성이 높고, 열에 대하여 막질이 안정적이기 때문에 바람직하다. 그 외에도, [3]라디알렌 유도체는 전자 수용성이 매우 높기 때문에 바람직하고, 구체적으로는 α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[4-사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로벤젠아세토나이트릴], α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[2,6-다이클로로-3,5-다이플루오로-4-(트라이플루오로메틸)벤젠아세토나이트릴], α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[2,3,4,5,6-펜타플루오로벤젠아세토나이트릴] 등을 사용할 수 있다.

또한, 정공 주입성이 높은 재료로서는 몰리브데넘 산화물이나 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 텅스텐 산화물, 망가니즈 산화물 등의 전이 금속 산화물을 들 수 있다. 그 외에, 프탈로사이아닌(약칭: H₂Pc)이나 구리 프탈로사이아닌(약칭: CuPc) 등의 프탈로사이아닌계 화합물 등을 사용할 수 있다.

또한, 상기 재료 이외에, 저분자 화합물인 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)바이페닐(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1) 등의 방향족 아민 화합물 등을 사용할 수 있다.

또한 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)인 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등을 사용할 수 있다. 또는 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)(약칭: PEDOT/PSS), 폴리아닐린/폴리(스타이렌설폰산)(PAni/PSS) 등의 산을 첨가한 고분자계 화합물 등을 사용할 수도 있다.

또한 정공 주입성이 높은 재료로서는 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 복합 재료를 사용할 수도 있다. 이 경우 억셉터성 재료에 의하여 정공 수송성 재료로부터 전자가 추출되어 정공 주입층(111)에서 정공이 발생되고, 정공 수송층(112)을 통하여 발광층(113)에 정공이 주입된다. 또한 정공 주입층(111)은 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 복합 재료로 이루어지는 단층으로 형성하여도 좋지만, 정공 수송성 재료를 포함하는 층과 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 층을 적층하여 형성하여도 좋다.

또한, 정공 수송성 재료로서는, 1×10^-6cm²/Vs이상의 정공 이동도를 가지는 물질이 바람직하다. 또한 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면 이들 외의 물질을 사용할 수 있다.

정공 수송성 재료로서는, π전자 과잉형 헤테로 방향족 화합물 등의 정공 수송성이 높은 재료가 바람직하다. 또한, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스용 조성물에 사용하는 제 2 유기 화합물로서는, 정공 수송성 재료에 포함되는 재료 중 π전자 과잉형 헤테로 방향족 화합물 등의 재료가 바람직하다. 또한, π전자 과잉형 헤테로 방향족 화합물로서는, 방향족 아민 골격을 가지는 방향족 아민 화합물(트라이아릴아민 골격을 가짐), 카바졸 골격을 가지는 카바졸 화합물(트라이아릴아민 골격을 가지지 않음), 싸이오펜 화합물(싸이오펜 골격을 가지는 화합물), 또는 퓨란 화합물(퓨란 골격을 가지는 화합물) 등을 들 수 있다.

또한, 상기 방향족 아민 화합물로서는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BPAFLP), 4-페닐-3'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: mBPAFLP), N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-N-{9,9-다이메틸-2-[N'-페닐-N'-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노]-9H-플루오렌-7-일}페닐아민(약칭: DFLADFL), N-(9,9-다이메틸-2-다이페닐아미노-9H-플루오렌-7-일)다이페닐아민(약칭: DPNF), 2-[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: DPASF), 2,7-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: DPA2SF), 4,4',4''-트리스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: 1'-TNATA), 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: m-MTDATA), N,N'-다이(p-톨릴)-N,N'-다이페닐-p-페닐렌다이아민(약칭: DTDPPA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), N,N'-비스{4-[비스(3-메틸페닐)아미노]페닐}-N,N'-다이페닐-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B) 등을 들 수 있다.

또한, 카바졸릴기를 가지는 방향족 아민 화합물로서는, 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBA1BP), N-(4-바이페닐)-N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCBiF), N-(1,1'-바이페닐-4-일)-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF), 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP), 4-(1-나프틸)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBANB), 4,4'-다이(1-나프틸)-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBNBB), 4-페닐다이페닐-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)아민(약칭: PCA1BP), N,N'-비스(9-페닐카바졸-3-일)-N,N'-다이페닐벤젠-1,3-다이아민(약칭: PCA2B), N,N',N''-트라이페닐-N,N',N''-트리스(9-페닐카바졸-3-일)벤젠-1,3,5-트라이아민(약칭: PCA3B), 9,9-다이메틸-N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]플루오렌-2-아민(약칭: PCBAF), N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-비스(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)아민(약칭: PCBFF), N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-N-[4-(1-나프틸)페닐]-9,9'-스파이로바이(9H-플루오렌)-2-아민(약칭: PCBNBSF), N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-N-[4-(1-나프틸)페닐]-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBNBF), N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-아민(약칭: PCBASF), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1), 3-[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzDPA1), 3,6-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzDPA2), 3,6-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-(1-나프틸)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzTPN2), 2-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: PCASF), N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-(4-페닐)페닐아닐린(약칭: YGA1BP), N,N'-비스[4-(카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐-9,9-다이메틸플루오렌-2,7-다이아민(약칭: YGA2F), 4,4',4''-트리스(카바졸-9-일)트라이페닐아민(약칭: TCTA) 등을 들 수 있다.

또한, 상기 카바졸 화합물(트라이아릴아민 골격을 가지지 않음)로서는 3-[4-(9-페난트릴)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPPn), 3-[4-(1-나프틸)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPN), 1,3-비스(N-카바졸릴)벤젠(약칭: mCP), 4,4'-다이(N-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 3,6-비스(3,5-다이페닐페닐)-9-페닐카바졸(약칭: CzTP), 1,3,5-트리스[4-(N-카바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA) 등을 들 수 있다. 또한, 바이카바졸 유도체(예를 들어, 3,3'-바이카바졸 유도체)인 3,3'-비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCCP), 9-(1,1'-바이페닐-3-일)-9'-(1,1'-바이페닐-4-일)-9H,9'H-3,3'-바이카바졸(약칭: mBPCCBP), 9-(2-나프틸)-9'-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸(약칭: βNCCP) 등을 들 수 있다.

또한, 상기 싸이오펜 화합물(싸이오펜 골격을 가지는 화합물)로서는 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조싸이오펜)(약칭: DBT3P-II), 2,8-다이페닐-4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-III), 4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-6-페닐다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-IV) 등을 들 수 있다.

또한, 상기 퓨란 화합물(퓨란 골격을 가지는 화합물)로서는 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조퓨란)(약칭: DBF3P-II), 4-{3-[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]페닐}다이벤조퓨란(약칭: mmDBFFLBi-II) 등을 들 수 있다.

그 외에도, 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 정공 수송성 재료로서 사용할 수 있다.

다만 정공 수송성 재료는 상술한 것에 한정되지 않고, 공지의 다양한 재료 중 1종류 또는 복수 종류의 조합을 정공 수송성 재료로서 사용하여도 좋다.

정공 주입층(111)에 사용되는 억셉터성 재료로서는, 원소 주기율표의 4족 내지 8족에 속하는 금속의 산화물을 사용할 수 있다. 구체적으로는 산화 몰리브데넘, 산화 바나듐, 산화 나이오븀, 산화 탄탈럼, 산화 크로뮴, 산화 텅스텐, 산화 망가니즈, 산화 레늄을 들 수 있다. 이 중에서도 특히, 산화 몰리브데넘은 대기 중에서도 안정적이고, 흡습성이 낮아 취급하기 쉽기 때문에 바람직하다. 그 외에, 상술한 유기 억셉터를 사용할 수도 있다.

또한 정공 주입층(111)은 공지의 다양한 성막 방법을 사용하여 형성할 수 있고, 예를 들어 진공 증착법을 사용하여 형성할 수 있다.

<정공 수송층>

정공 수송층(112)은 정공 주입층(111)에 의하여 제 1 전극(101)으로부터 주입된 정공을 발광층(113)으로 수송하는 층이다. 또한 정공 수송층(112)은 정공 수송성 재료를 포함하는 층이다. 따라서 정공 수송층(112)에는 정공 주입층(111)에 사용할 수 있는 정공 수송성 재료를 사용할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스에서, 정공 수송층(112)과 같은 유기 화합물을 발광층(113)에 사용하는 것이 바람직하다. 정공 수송층(112)과 발광층(113)에 같은 유기 화합물을 사용함으로써, 홀이 정공 수송층(112)으로부터 발광층(113)으로 효율적으로 수송되기 때문이다.

<발광층>

발광층(113)은 발광 물질(유기 화합물)을 포함하는 층이다. 또한, 발광층(113)에 사용할 수 있는 발광 물질은 특별히 한정되지 않고, 단일항 여기 에너지를 가시광 영역의 발광으로 변환하는 발광 물질(예를 들어, 형광 발광 물질), 또는 삼중항 여기 에너지를 가시광 영역의 발광으로 변환하는 발광 물질(예를 들어, 인광 발광 물질이나 TADF 재료 등)을 사용할 수 있다. 또한 청색, 자색, 청자색, 녹색, 황록색, 황색, 주황색, 적색 등의 발광색을 나타내는 물질을 적절히 사용할 수 있다.

발광층(113)은 발광 물질(게스트 재료) 및 1종류 또는 복수 종류의 유기 화합물(호스트 재료 등)을 가진다. 다만, 여기서 사용하는 유기 화합물(호스트 재료 등)에는 발광 물질(게스트 재료)의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 가지는 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 1종류 또는 복수 종류의 유기 화합물(호스트 재료 등)로서는 상술한 정공 수송층(112)에 사용할 수 있는 정공 수송성 재료나 후술하는 전자 수송층(114)에 사용할 수 있는 전자 수송성 재료 등의 유기 화합물을 들 수 있다.

또한, 발광층(113)에서, 제 1 유기 화합물, 제 2 유기 화합물, 및 발광 물질을 가지는 구성으로 하는 경우에서, 제 1 유기 화합물과 제 2 유기 화합물을 혼합하여 이루어지는, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스용 조성물을 사용할 수 있다. 또한, 이와 같은 구성의 경우, 제 1 유기 화합물로서 전자 수송성 재료를 사용하고, 제 2 유기 화합물로서 정공 수송성 재료를 사용하고, 발광 물질로서 인광 발광 물질, 형광 발광 물질, 또는 TADF 재료 등을 사용할 수 있다. 또한, 이와 같은 구성의 경우, 제 1 유기 화합물과 제 2 유기 화합물이 들뜬 복합체를 형성하는 조합인 것이 바람직하다.

또한, 발광층(113)의 구성으로서는, 상이한 발광 물질을 포함하는 복수의 발광층을 가짐으로써, 상이한 발광색을 나타내는 구성(예를 들어, 보색의 관계에 있는 발광색을 조합하여 얻어지는 백색 발광)으로 하여도 좋다. 그 외에, 하나의 발광층이 상이한 발광 물질을 복수로 가지는 구성으로 하여도 좋다.

또한, 발광층(113)에 사용할 수 있는 발광 물질로서는, 예를 들어 이하와 같은 것을 들 수 있다.

우선, 단일항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질로서는, 형광을 발하는 물질(형광 발광 물질)을 들 수 있다.

단일항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질인 형광 발광 물질로서는, 예를 들어 피렌 유도체, 안트라센 유도체, 트라이페닐렌 유도체, 플루오렌 유도체, 카바졸 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 페난트렌 유도체, 나프탈렌 유도체 등을 들 수 있다. 특히 피렌 유도체는 발광 양자 수율이 높아 바람직하다. 피렌 유도체의 구체적인 예로서는, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6mMemFLPAPrn), N,N'-다이페닐-N,N'-비스[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6FLPAPrn), N,N'-비스(다이벤조퓨란-2-일)-N,N'-다이페닐피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6FrAPrn), N,N'-비스(다이벤조싸이오펜-2-일)-N,N'-다이페닐피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6ThAPrn), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(N-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-6-아민](약칭: 1,6BnfAPrn), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(N-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-8-아민](약칭: 1,6BnfAPrn-02), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(6,N-다이페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-8-아민](약칭: 1,6BnfAPrn-03) 등을 들 수 있다.

그 외에도, 5,6-비스[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAP2BPy), 5,6-비스[4'-(10-페닐-9-안트릴)바이페닐-4-일]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAPP2BPy), N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(9,10-다이페닐-2-안트릴)트라이페닐아민(약칭: 2YGAPPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA), 4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPBA), 페릴렌, 2,5,8,11-테트라-tert-뷰틸페릴렌(약칭: TBP), N,N''-(2-tert-뷰틸안트라센-9,10-다이일다이-4,1-페닐렌)비스[N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민](약칭: DPABPA), N,9-다이페닐-N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPPA) 등을 사용할 수 있다.

또한, 발광층(113)에 사용할 수 있는 단일항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질(형광 발광 물질)로서는, 상술한 가시광 영역에 발광색(발광 피크)을 나타내는 형광 발광 물질에 한정되지 않고, 근적외광 영역의 일부에 발광색(발광 피크)을 나타내는 형광 발광 물질(예를 들어, 적색의 발광을 나타내는 800nm 이상 950nm 이하의 재료)을 사용할 수도 있다.

다음으로, 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질로서는, 예를 들어 인광을 발하는 물질(인광 발광 물질)이나 열 활성화 지연 형광을 나타내는 열 활성화 지연 형광(Thermally activated delayed fluorescence: TADF) 재료를 들 수 있다.

우선, 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질인 인광 발광 물질로서는, 예를 들어 유기 금속 착체, 금속 착체(백금 착체), 희토류 금속 착체 등을 들 수 있다. 이들은 물질마다 다른 발광색(발광 피크)을 나타내기 때문에 필요에 따라 적절히 선택하여 사용한다. 또한, 인광 발광 물질 중, 가시광 영역에 발광색(발광 피크)을 나타내는 재료로서는 이하에 나타내는 재료를 들 수 있다.

청색 또는 녹색을 나타내고 발광 스펙트럼의 피크 파장이 450nm 이상 570nm 이하(예를 들어, 청색의 경우에는 450nm 이상 495nm 이하, 녹색의 경우에는 495nm 이상 570nm 이하가 바람직함)인 인광 발광 물질로서는 이하와 같은 물질을 들 수 있다.

예를 들어, 트리스{2-[5-(2-메틸페닐)-4-(2,6-다이메틸페닐)-4H-1,2,4-트라이아졸-3-일-κN2]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: [Ir(mpptz-dmp)₃]),트리스(5-메틸-3,4-다이페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(Mptz)₃]),트리스[4-(3-바이페닐)-5-아이소프로필-3-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPrptz-3b)₃]),트리스[3-(5-바이페닐)-5-아이소프로필-4-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPr5btz)₃])과 같은 4H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 착체, 트리스[3-메틸-1-(2-메틸페닐)-5-페닐-1H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(Mptz1-mp)₃]),트리스(1-메틸-5-페닐-3-프로필-1H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(Prptz1-Me)₃])과 같은 1H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 착체, fac-트리스[1-(2,6-다이아이소프로필페닐)-2-페닐-1H-이미다졸]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPrpmi)₃]),트리스[3-(2,6-다이메틸페닐)-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(dmpimpt-Me)₃])과 같은 이미다졸 골격을 가지는 유기 금속 착체, 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C^2']이리듐(III)테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C^2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스{2-[3',5'-비스(트라이플루오로메틸)페닐]피리디네이토-N,C^2'}이리듐(III)피콜리네이트(약칭: [Ir(CF₃ppy)₂(pic)]),비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C^2']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIr(acac))와 같이 전자 흡인기를 가지는 페닐피리딘 유도체를 배위자로 하는 유기 금속 착체 등을 들 수 있다.

녹색, 황록색, 또는 황색을 나타내고 발광 스펙트럼의 피크 파장이 495nm 이상 590nm 이하인 인광 발광 물질로서는 이하와 같은 물질을 들 수 있다(예를 들어, 녹색의 경우에는 495nm 이상 570nm 이하, 황록색의 경우에는 530nm 이상 570nm 이하, 황색의 경우에는 570nm 이상 590nm 이하가 바람직하다).

예를 들어, 트리스(4-메틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppm)₃]),트리스(4-t-뷰틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tBuppm)₃]),(아세틸아세토네이토)비스(6-메틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppm)₂(acac)]),(아세틸아세토네이토)비스(6-tert-뷰틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tBuppm)₂(acac)]),(아세틸아세토네이토)비스[6-(2-노보닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(nbppm)₂(acac)]),(아세틸아세토네이토)비스[5-메틸-6-(2-메틸페닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(mpmppm)₂(acac)]),(아세틸아세토네이토)비스{4,6-다이메틸-2-[6-(2,6-다이메틸페닐)-4-피리미딘일-κN3]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: [Ir(dmppm-dmp)₂(acac)]),(아세틸아세토네이토)비스(4,6-다이페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(dppm)₂(acac)])과 같은 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, (아세틸아세토네이토)비스(3,5-다이메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppr-Me)₂(acac)]),(아세틸아세토네이토)비스(5-아이소프로필-3-메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppr-iPr)₂(acac)])과 같은 피라진 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C^2')이리듐(III)(약칭: [Ir(ppy)₃]),비스(2-페닐피리디네이토-N,C^2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(ppy)₂(acac)]),비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(bzq)₂(acac)]),트리스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(bzq)₃]),트리스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C^2')이리듐(III)(약칭: [Ir(pq)₃]),비스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C^2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(pq)₂(acac)]),비스[2-(2-피리딘일-κN)페닐-κC][2-(4-페닐-2-피리딘일-κN)페닐-κC]이리듐(III)(약칭: [Ir(ppy)₂(4dppy)]),비스[2-(2-피리딘일-κN)페닐-κC][2-(4-메틸-5-페닐-2-피리딘일-κN)페닐-κC], [2-(4-메틸-5-페닐-2-피리딘일-κN)페닐-κC]비스[2-(2-피리딘일-κN)페닐-κC]이리듐(약칭: [Ir(ppy)₂(mdppy)])과 같은 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 비스(2,4-다이페닐-1,3-옥사졸레이토-N,C^2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(dpo)₂(acac)]),비스{2-[4'-(퍼플루오로페닐)페닐]피리디네이토-N,C^2'}이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(p-PF-ph)₂(acac)]),비스(2-페닐벤조싸이아졸레이토-N,C^2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(bt)₂(acac)])등의 유기 금속 착체 외에, 트리스(아세틸아세토네이토)(모노페난트롤린)터븀(III)(약칭: [Tb(acac)₃(Phen)])과 같은 희토류 금속 착체를 들 수 있다.

황색, 주황색, 또는 적색을 나타내고 발광 스펙트럼의 피크 파장이 570nm 이상 750nm 이하인 인광 발광 물질로서는, 이하와 같은 물질을 들 수 있다(예를 들어, 황색의 경우에는 570nm 이상 590nm 이하, 주황색의 경우에는 590nm 이상 620nm 이하, 적색의 경우에는 600nm 이상 750nm 이하가 바람직하다).

예를 들어, (다이아이소뷰티릴메타네이토)비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(5mdppm)₂(dibm)]),비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토](다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(5mdppm)₂(dpm)]),(다이피발로일메타네이토)비스[4,6-다이(나프탈렌-1-일)피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(d1npm)₂(dpm)])과 같은 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 착체, (아세틸아세토네이토)비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tppr)₂(acac)]),비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)(다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tppr)₂(dpm)]),비스{4,6-다이메틸-2-[3-(3,5-다이메틸페닐)-5-페닐-2-피라진일-κN]페닐-κC}(2,6-다이메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ²O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdppr-P)₂(dibm)]),비스{4,6-다이메틸-2-[5-(4-사이아노-2,6-다이메틸페닐)-3-(3,5-다이메틸페닐)-2-피라진일-κN]페닐-κC}(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ²O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdppr-dmCP)₂(dpm)]),비스{4,6-다이메틸-2-[5-(5-사이아노-2-메틸페닐)-3-(3,5-다이메틸페닐)-2-피라진일-κN]페닐-κC}(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ²O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdppr-m5CP)₂(dpm)]),(아세틸아세토네이토)비스[2-메틸-3-페닐퀴녹살리네이토-N,C^2']이리듐(III)(약칭: [Ir(mpq)₂(acac)]),(아세틸아세토네이토)비스(2,3-다이페닐퀴녹살리네이토-N,C^2')이리듐(III)(약칭: [Ir(dpq)₂(acac)]),(아세틸아세토네이토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(Fdpq)₂(acac)])과 같은 피라진 골격을 가지는 유기 금속 착체나, 트리스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C^2')이리듐(III)(약칭: [Ir(piq)₃]),비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C^2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(piq)₂(acac)]),비스[4,6-다이메틸-2-(2-퀴놀린일-κN)페닐-κC](2,4-펜테인다이오네이토-κ²O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmpqn)₂(acac)])과 같은 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 착체, 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린백금(II)(약칭: [PtOEP])과 같은 백금 착체, 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: [Eu(DBM)₃(Phen)]),트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: [Eu(TTA)₃(Phen)])과 같은 희토류 금속 착체를 들 수 있다.

또한, 발광층(113)에 사용할 수 있는 재료로서는, 상술한 가시광 영역에 발광색(발광 피크)을 나타내는 인광 발광 물질에 한정되지 않고, 근적외광 영역의 일부에 발광색(발광 피크)을 나타내는 인광 발광 물질(예를 들어, 적색의 발광을 나타내는 800nm 이상 950nm 이하의 재료), 예를 들어 프탈로사이아닌 화합물(중심 금속: 알루미늄, 아연 등), 나프탈로사이아닌 화합물, 다이싸이올렌 화합물(중심 금속: 니켈), 퀴논계 화합물, 다이이모늄계 화합물, 아조계 화합물 등을 사용할 수도 있다.

다음으로, 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질인 TADF 재료로서는, 이하에 나타내는 재료를 사용할 수 있다. 또한, TADF 재료란, 삼중항 여기 상태를 미량의 열 에너지에 의하여 단일항 여기 상태로 업 컨버트(역 항간 교차)할 수 있고, 단일항 여기 상태로부터의 발광(형광)을 효율적으로 나타내는 재료를 말한다. 또한 열 활성화 지연 형광이 효율적으로 얻어지는 조건으로서는 삼중항 여기 준위와 단일항 여기 준위의 에너지 차이가 0eV 이상 0.2eV 이하, 바람직하게는 0eV 이상 0.1eV 이하인 것을 들 수 있다. 또한 TADF 재료에서의 지연 형광이란, 통상의 형광과 같은 스펙트럼을 가지면서도 수명이 현저히 긴 발광을 말한다. 이의 수명은 1×10^-6초 이상, 바람직하게는 1×10^-3초 이상이다.

TADF 재료의 구체적인 예로서는, 풀러렌이나 그 유도체, 프로플라빈 등의 아크리딘 유도체, 에오신 등을 들 수 있다. 또한 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 주석(Sn), 백금(Pt), 인듐(In), 또는 팔라듐(Pd) 등을 포함하는 금속 함유 포르피린을 들 수 있다. 금속 함유 포르피린으로서는, 예를 들어 프로토포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF₂(ProtoIX)),메소포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF₂(MesoIX)),헤마토포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF₂(HematoIX)),코프로포르피린테트라메틸에스터-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF₂(CoproIII-4Me)),옥타에틸포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF₂(OEP)),에티오포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF₂(EtioI)),옥타에틸포르피린-염화 백금 착체(약칭: PtCl₂OEP)등을 들 수 있다.

그 외에도, 2-(바이페닐-4-일)-4,6-비스(12-페닐인돌로[2,3-a]카바졸-11-일)-1,3,5-트라이아진(약칭: PIC-TRZ), 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn), 2-[4-(10H-페녹사진-10-일)페닐]-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PXZ-TRZ), 3-[4-(5-페닐-5,10-다이하이드로페나진-10-일)페닐]-4,5-다이페닐-1,2,4-트라이아졸(약칭: PPZ-3TPT), 3-(9,9-다이메틸-9H-아크리딘-10-일)-9H-크산텐-9-온(약칭: ACRXTN), 비스[4-(9,9-다이메틸-9,10-다이하이드로아크리딘)페닐]설폰(약칭: DMAC-DPS), 10-페닐-10H,10'H-스파이로[아크리딘-9,9'-안트라센]-10'-온(약칭: ACRSA) 등의 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리 및 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리 중 한쪽 또는 양쪽을 가지는 헤테로 고리 화합물을 사용할 수도 있다.

또한 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리와 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리가 직접 결합된 물질은 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리의 도너성과 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리의 억셉터성이 모두 강해져, 단일항 여기 상태와 삼중항 여기 상태의 에너지 차이가 작아지기 때문에 특히 바람직하다.

발광층(113)에서, 상술한 바와 같은 발광 물질(단일항 여기 에너지를 가시광 영역의 발광으로 변환하는 발광 물질(예를 들어, 형광 발광 물질) 또는 삼중항 여기 에너지를 가시광 영역의 발광으로 변환하는 발광 물질(예를 들어, 인광 발광 물질이나 TADF 재료 등))을 사용한 경우, 이들 발광 물질(유기 화합물)과의 조합이 바람직하다는 관점에서, 이하에 나타내는 유기 화합물(상술한 것과 일부 중폭될 수 있음)을 사용하는 것이 바람직하다.

우선, 발광 물질로서 형광 발광 물질을 사용하는 경우, 안트라센 유도체, 테트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 크리센 유도체, 다이벤조[g,p]크리센 유도체 등의 축합 다환 방향족 화합물 등의 유기 화합물을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.

구체적인 예로서는 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: PCzPA), 3,6-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: DPCzPA), 3-[4-(1-나프틸)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPN), 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth), N,N-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: DPhPA), YGAPA, PCAPA, N,9-다이페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), 6,12-다이메톡시-5,11-다이페닐크리센, N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-옥타페닐다이벤조[g,p]크리센-2,7,10,15-테트라아민(약칭: DBC1), 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 7-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-7H-다이벤조[c,g]카바졸(약칭: cgDBCzPA), 6-[3-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란(약칭: 2mBnfPPA), 9-페닐-10-{4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)-바이페닐-4'-일}-안트라센(약칭: FLPPA), 9,10-비스(3,5-다이페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-바이안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS2), 1,3,5-트라이(1-피렌일)벤젠(약칭: TPB3), 5,12-다이페닐테트라센, 5,12-비스(바이페닐-2-일)테트라센 등을 들 수 있다.

또한, 발광 물질로서 인광 발광 물질을 사용하는 경우, 발광 물질의 삼중항 여기 에너지(바닥 상태와 삼중항 여기 상태의 에너지 차이)보다 삼중항 여기 에너지가 큰 유기 화합물과 조합하는 것이 바람직하다. 또한, 이와 같은 유기 화합물 외에, 상술한 정공 수송성이 높은 유기 화합물(제 2 유기 화합물)과, 전자 수송성이 높은 유기 화합물(제 1 유기 화합물)을 조합하여 사용하여도 좋다.

또한, 이와 같은 유기 화합물 외에도, 들뜬 복합체를 형성할 수 있는 복수의 유기 화합물(예를 들어, 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물, 제 1 호스트 재료 및 제 2 호스트 재료, 또는 호스트 재료 및 어시스트 재료 등)을 사용하여도 좋다. 또한, 복수의 유기 화합물을 사용하여 들뜬 복합체를 형성하는 경우에는, 정공을 받기 쉬운 화합물(정공 수송성 재료)과 전자를 받기 쉬운 화합물(전자 수송성 재료)을 조합함으로써 들뜬 복합체를 효율적으로 형성할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 인광 발광 물질과 들뜬 복합체가 발광층에 포함되는 구성으로 함으로써, 들뜬 복합체로부터 발광 물질로의 에너지 이동인 ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer)를 효율적으로 수행할 수 있기 때문에 발광 효율을 높일 수 있다. 또한, 형광 발광 물질과 들뜬 복합체가 발광층에 포함되는 구성으로 하여도 좋다.

또한, 발광 물질로서 인광 발광 물질(상술한 바와 같이 형광 발광 물질의 경우도 일부 포함함)을 사용하는 경우이며, 상기 인광 발광 물질에 복수의 유기 화합물(예를 들어, 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물, 제 1 호스트 재료 및 제 2 호스트 재료, 또는 호스트 재료 및 어시스트 재료 등)을 사용하는 경우, 이들 복수의 유기 화합물을 필요한 중량비로 미리 혼합하고, 혼합물을 증착법에 의하여 증착시켜도 좋다.

예를 들어, 발광층(113)의 형성에 3종류의 재료(발광 물질, 제 1 유기 화합물, 제 2 유기 화합물)를 사용하는 경우, 도 12의 (A)에 도시된 바와 같이 증착하는 재료와 같은 수(이 경우에는 3개)의 증착원을 사용하고, 각각의 증착원에 제 1 유기 화합물(401), 제 2 유기 화합물(402), 및 발광 물질(403)을 넣고 공증착을 수행함으로써, 기판(400) 표면에 3종류의 증착 재료의 혼합막인 발광층(113)이 형성되지만, 상기 3종류의 재료 중 제 1 유기 화합물과 제 2 유기 화합물을 혼합하여 이루어지는 조성물을 사용하는 경우에는, 도 12의 (B)에 도시된 바와 같이 발광층(113)의 형성에 사용하는 재료가 3종류이어도 2종류의 증착원을 사용하고, 각각의 증착원에 조성물(404) 및 발광 물질(405)을 넣고 공증착을 수행함으로써, 3종류의 증착원을 사용하여 형성된 혼합막과 같은 혼합막인 발광층(113)을 형성할 수 있다. 이와 같이 조성물을 사용한 증착을 수행함으로써, 양산 공정에 있어서도 장치의 사양이 복잡해지거나 유지 보수 작업이 복잡해지는 등의 문제를 경감할 수 있기 때문에, 높은 생산성으로 발광 디바이스를 제작할 수 있다.

또한 상기 재료는 저분자 재료나 고분자 재료와 조합하여 사용하여도 좋다. 고분자 재료로서, 구체적으로는 폴리(2,5-피리딘다이일)(약칭: PPy), 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy) 등을 들 수 있다. 또한 성막에는 공지의 방법(진공 증착법이나 도포법이나 인쇄법 등)을 적절히 사용할 수 있다.

<전자 수송층>

전자 수송층(114)은 후술하는 전자 주입층(115)에 의하여 제 2 전극(102)으로부터 주입된 전자를 발광층(113)에 수송하는 층이다. 또한 전자 수송층(114)은 전자 수송성 재료를 포함한 층이다. 전자 수송층(114)에 사용되는 전자 수송성 재료는 1×10^-6cm²/Vs이상의 전자 이동도를 가지는 물질이 바람직하다. 또한 정공보다 전자의 수송성이 높은 물질이면, 이들 외의 물질을 사용할 수 있다. 또한, 전자 수송층(114)은 단층으로도 기능하지만, 필요에 따라 2층 이상의 적층 구조로 함으로써, 디바이스 특성을 향상시킬 수도 있다.

전자 수송층(114)에 사용할 수 있는 유기 화합물로서는, π전자 부족형 헤테로 방향족 화합물 등의 전자 수송성이 높은 재료가 바람직하다. 또한, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스용 조성물에 사용하는 제 1 유기 화합물로서는 전자 수송성 재료에 포함되는 재료 중 π전자 부족형 헤테로 방향족 화합물 등의 재료가 바람직하다. 또한, π전자 부족형 헤테로 방향족 화합물로서는 퓨로다이아진 골격의 퓨란 고리에 방향족 고리로서 벤젠 고리가 축합된 벤조퓨로다이아진 골격을 가지는 화합물, 퓨로다이아진 골격의 퓨란 고리에 방향족 고리로서 나프틸 고리가 축합된 나프토퓨로다이아진 골격을 가지는 화합물, 퓨로다이아진 골격의 퓨란 고리에 방향족 고리로서 페난트로 고리가 축합된 페난트로퓨로다이아진 골격을 가지는 화합물, 티에노다이아진 골격의 티에노 고리에 방향족 고리로서 벤젠 고리가 축합된 벤조티에노다이아진 골격을 가지는 화합물, 티에노다이아진 골격의 티에노 고리에 방향족 고리로서 나프틸 고리가 축합된 나프토티에노다이아진 골격을 가지는 화합물, 티에노다이아진 골격의 티에노 고리에 방향족 고리로서 페난트로 고리가 축합된 페난트로티에노다이아진 골격을 가지는 화합물 등을 들 수 있다. 이 외에도, 퀴놀린 골격을 가지는 금속 착체, 벤조퀴놀린 골격을 가지는 금속 착체, 옥사졸 골격을 가지는 금속 착체, 싸이아졸 골격을 가지는 금속 착체 등 외에, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 옥사졸 유도체, 싸이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 퀴놀린 배위자를 가지는 퀴놀린 유도체, 벤조퀴놀린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 질소 함유 헤테로 방향족 화합물 등을 들 수 있다.

또한, 전자 수송성 재료로서는, 9-[(3'-다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mDBtBPNfpr), 9-(9'-페닐-3,3'-바이-9H-카바졸-9-일)나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9PCCzNfpr), 9-[3-(9'-페닐-3,3'-바이-9H-카바졸-9-일)페닐]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mPCCzPNfpr), 9-[3-(9'-페닐-2,3'-바이-9H-카바졸-9-일)페닐]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mPCCzPNfpr-02), 10-[(3'-다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 10mDBtBPNfpr), 10-(9'-페닐-3,3'-바이-9H-카바졸-9-일)나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 10PCCzNfpr), 12-[(3'-다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]페난트로[9',10':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 12mDBtBPPnfpr), 9-[4-(9'-페닐-3,3'-바이-9H-카바졸-9-일)페닐]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9pPCCzPNfpr), 9-[4-(9'-페닐-2,3'-바이-9H-카바졸-9-일)페닐]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9pPCCzPNfpr-02), 9-[3'-(6-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-일)바이페닐-3-일]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mBnfBPNfpr), 9-[3'-(6-페닐다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mDBtBPNfpr-02), 9-{3-[6-(9,9-다이메틸플루오렌-2-일)다이벤조싸이오펜-4-일]페닐}나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mFDBtPNfpr), 11-(3-나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진-9-일-페닐)-12-페닐인돌로[2,3-a]카바졸(약칭: 9mIcz(II)PNfpr), 3-나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진-9-일-N,N-다이페닐벤젠아민(약칭: 9mTPANfpr), 10-[4-(9'-페닐-3,3'-바이-9H-카바졸-9-일)페닐]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 10mPCCzPNfpr), 11-[(3'-다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]페난트로[9',10':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 11mDBtBPPnfpr), 10-[3-(9'-페닐-3,3'-바이-9H-카바졸-9-일)페닐]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 10pPCCzPNfpr), 9-[3-(7H-다이벤조[c,g]카바졸-7-일)페닐]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mcgDBCzPNfpr), 9-{3'-[6-(바이페닐-3-일)다이벤조싸이오펜-4-일]바이페닐-3-일}나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mDBtBPNfpr-03), 9-{3'-[6-(바이페닐-4-일)다이벤조싸이오펜-4-일]바이페닐-3-일}나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mDBtBPNfpr-04), 11-[3'-(6-페닐다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]페난트로[9',10':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 11mDBtBPPnfpr-02) 등을 들 수 있다.

또한, 4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-8-(나프탈렌-2-일)-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8βN-4mDBtPBfpm), 8-(1,1'-바이페닐-4-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8BP-4mDBtPBfpm), 4,8-비스[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 4,8mDBtP2Bfpm), 8-[(2,2'-바이나프탈렌)-6-일]-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8(βN2)-4mDBtPBfpm), 3,8-비스[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]벤조퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 3,8mDBtP2Bfpr), 8-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)(1,1'-바이페닐-3-일)]나프토[1',2':4,5]퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8mDBtBPNfpm) 등을 사용할 수도 있다.

또한, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq₃),트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Almq₃),비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq₂),비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq) 등의 퀴놀린 골격 또는 벤조퀴놀린 골격을 가지는 금속 착체, 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ), 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조싸이아졸레이토]아연(II)(약칭: Zn(BTZ)₂)등의 옥사졸 골격 또는 싸이아졸 골격을 가지는 금속 착체 등을 사용할 수도 있다.

또한, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사다이아졸-2-일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CO11) 등의 옥사다이아졸 유도체, 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: p-EtTAZ) 등의 트라이아졸 유도체, 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: mDBTBIm-II) 등의 이미다졸 유도체(벤즈이미다졸 유도체를 포함함)나, 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs) 등의 옥사졸 유도체, 바소페난트롤린(약칭: Bphen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: NBphen) 등의 페난트롤린 유도체, 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-카바졸-9-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mCzBPDBq), 2-[4-(3,6-다이페닐-9H-카바졸-9-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2CzPDBq-III), 7-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 7mDBTPDBq-II), 및 6-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 6mDBTPDBq-II) 등의 퀴녹살린 유도체 또는 다이벤조퀴녹살린 유도체, 3,5-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리딘(약칭: 35DCzPPy), 1,3,5-트라이[3-(3-피리딜)페닐]벤젠(약칭: TmPyPB) 등의 피리딘 유도체, 4,6-비스[3-(페난트렌-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mPnP2Pm), 4,6-비스[3-(4-다이벤조싸이엔일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mDBTP2Pm-II), 4,6-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mCzP2Pm) 등의 피리미딘 유도체, 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn), mPCCzPTzn-02, 9-[3-(4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일)페닐]-9'-페닐-2,3'-바이-9H-카바졸(약칭: mPCCzPTzn-02), 5-[3-(4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일)페닐]-7,7-다이메틸-5H,7H-인데노[2,1-b]카바졸(약칭: mINc(II)PTzn), 2-{3-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: mDBtBPTzn) 등의 트라이아진 유도체를 사용할 수 있다.

또한 PPy, PF-Py, PF-BPy 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.

<전자 주입층>

전자 주입층(115)은 음극(102)으로부터의 전자의 주입 효율을 높이기 위한 층이며, 음극(102)의 재료의 일함수의 값과 전자 주입층(115)에 사용하는 재료의 LUMO 준위의 값을 비교하였을 때, 그 차이가 작은(0.5eV 이하) 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 따라서, 전자 주입층(115)에는 리튬, 세슘, 플루오린화 리튬(LiF), 플루오린화 세슘(CsF), 플루오린화 칼슘(CaF₂),8-(퀴놀리놀레이토)리튬(약칭: Liq), 2-(2-피리딜)페놀레이토 리튬(약칭: LiPP), 2-(2-피리딜)-3-피리디놀레이토 리튬(약칭: LiPPy), 4-페닐-2-(2-피리딜)페놀레이토 리튬(약칭: LiPPP), 리튬 산화물(LiO_x),탄산 세슘 등과 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 또한 플루오린화 어븀(ErF₃)등의 희토류 금속 화합물을 사용할 수 있다.

<전하 발생층>

또한, 도 1의 (B)의 발광 디바이스에서의 전하 발생층(104)은 제 1 전극(양극(101))과 제 2 전극(음극(102)) 사이에 전압을 인가하였을 때, EL층(103a)에 전자를 주입하고, EL층(103b)에 정공을 주입하는 기능을 가진다. 또한 전하 발생층(104)은 정공 수송성 재료에 전자 수용체(억셉터)가 첨가된 구성이어도 좋고, 전자 수송성 재료에 전자 공여체(도너)가 첨가된 구성이어도 좋다. 또한 이들 양쪽 구성이 적층되어도 좋다. 또한 상술한 재료를 사용하여 전하 발생층(104)을 형성함으로써, EL층이 적층된 경우의 구동 전압의 상승을 억제할 수 있다.

전하 발생층(104)에서 정공 수송성 재료에 전자 수용체가 첨가된 구성으로 하는 경우, 정공 수송성 재료로서는 본 실시형태에서 설명한 재료를 사용할 수 있다. 또한 전자 수용체로서는 7,7,8,8-테트라사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노다이메테인(약칭: F₄-TCNQ),클로라닐 등을 들 수 있다. 또한 원소 주기율표의 4족 내지 8족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는 산화 바나듐, 산화 나이오븀, 산화 탄탈럼, 산화 크로뮴, 산화 몰리브데넘, 산화 텅스텐, 산화 망가니즈, 산화 레늄 등을 들 수 있다.

또한, 전하 발생층(104)에서 전자 수송성 재료에 전자 공여체가 첨가된 구성으로 하는 경우, 전자 수송성 재료로서는 본 실시형태에서 설명한 재료를 사용할 수 있다. 또한 전자 공여체로서는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 또는 원소 주기율표의 2족, 13족에 속하는 금속 및 그 산화물, 탄산염을 사용할 수 있다. 구체적으로는 리튬(Li), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이터븀(Yb), 인듐(In), 산화 리튬, 탄산 세슘 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 테트라싸이아나프타센 등의 유기 화합물을 전자 공여체로서 사용하여도 좋다.

또한 도 1의 (B)에서는, EL층(103)이 2층 적층된 구성을 나타내었지만, 상이한 EL층들 사이에 전하 발생층을 제공함으로써 3층 이상의 EL층의 적층 구조로 하여도 좋다. 또한, EL층(103, 103a, 103b)에 포함되는 발광층(113)(113a, 113b)은 각각 발광 물질이나 복수의 물질을 적절히 조합하여 가지고, 원하는 발광색을 나타내는 형광 발광이나 인광 발광이 얻어지는 구성으로 할 수 있다. 또한, 발광층(113)(113a, 113b)을 복수로 가지는 경우에는, 각 발광층의 발광색이 상이한 구성으로 하여도 좋다. 또한 이 경우, 적층된 각 발광층에 사용되는 발광 물질이나 기타 물질에는 각각 다른 재료를 사용하면 좋다. 예를 들어, 발광층(113a)을 청색으로, 발광층(113b)을 적색, 녹색, 및 황색 중 어느 것으로 할 수 있지만, 발광층(113a)을 적색으로, 발광층(113b)을 청색, 녹색, 및 황색 중 어느 것으로 할 수도 있다. 또한, EL층이 3층 이상 적층된 구조를 가지는 경우에는, 첫 번째 EL층의 발광층(113a)을 청색으로, 2번째 EL층의 발광층(113b)을 적색, 녹색, 및 황색 중 어느 것으로, 3번째 EL층의 발광층을 청색으로 할 수 있고, 그 외에, 첫 번째 EL층의 발광층(113a)을 적색으로, 2번째 EL층의 발광층(113b)을 청색, 녹색, 및 황색 중 어느 것으로, 3번째 EL층의 발광층을 적색으로 할 수도 있다. 또한, 복수의 발광색의 휘도나 특성을 고려하여, 적절히 이 외의 발광색의 조합을 사용할 수 있다.

<기판>

본 실시형태에서 설명하는 발광 디바이스는 다양한 기판 위에 형성할 수 있다. 또한 기판의 종류는 특정한 것에 한정되지 않는다. 기판의 일례로서는 반도체 기판(예를 들어 단결정 기판 또는 실리콘 기판), SOI 기판, 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판, 스테인리스강 기판, 스테인리스강 포일을 가지는 기판, 텅스텐 기판, 텅스텐 포일을 가지는 기판, 가요성 기판, 접합 필름, 섬유상의 재료를 포함하는 종이, 또는 기재 필름 등을 들 수 있다.

또한 유리 기판의 일례로서는 바륨보로실리케이트 유리, 알루미노보로실리케이트 유리, 또는 소다석회 유리 등을 들 수 있다. 또한 가요성 기판, 접합 필름, 기재 필름 등의 일례로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에터설폰(PES)으로 대표되는 플라스틱, 아크릴 수지 등의 합성 수지, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리플루오린화바이닐, 또는 폴리염화바이닐, 폴리아마이드, 폴리이미드, 아라미드 수지, 에폭시 수지, 무기 증착 필름, 또는 종이류 등을 들 수 있다.

본 실시형태에 나타내는 발광 디바이스의 제작에는, 증착법 등의 진공 프로세스나, 스핀 코팅법이나 잉크젯법 등의 용액 프로세스를 사용할 수 있다. 증착법을 사용하는 경우에는 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 이온 빔 증착법, 분자선 증착법, 진공 증착법 등의 물리 증착법(PVD법)이나, 화학 증착법(CVD법) 등을 사용할 수 있다. 특히 발광 디바이스의 EL층에 포함되는 기능층(정공 주입층(111, 111a, 111b), 정공 수송층(112, 112a, 112b), 발광층(113, 113a, 113b), 전자 수송층(114, 114a, 114b), 전자 주입층(115, 115a, 115b)), 및 전하 발생층(104)에 대해서는 증착법(진공 증착법 등), 도포법(딥 코팅법, 다이 코팅법, 바 코팅법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법 등), 인쇄법(잉크젯법, 스크린(공판 인쇄)법, 오프셋(평판 인쇄)법, 플렉소(철판 인쇄)법, 그라비어법, 마이크로 콘택트법, 나노임프린트법 등) 등의 방법으로 형성할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 나타내는 발광 디바이스의 EL층(103, 103a, 103b)을 구성하는 각 기능층(정공 주입층(111, 111a, 111b), 정공 수송층(112, 112a, 112b), 발광층(113, 113a, 113b), 전자 수송층(114, 114a, 114b), 전자 주입층(115, 115a, 115b))이나 전하 발생층(104)은 상술한 재료에 한정되지 않고, 각 층의 기능을 충족시킬 수 있으면, 이들 외의 재료를 조합하여 사용할 수 있다. 일례로서는 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등), 중분자 화합물(저분자와 고분자의 중간 영역의 화합물: 분자량 400 내지 4000, 무기 화합물(퀀텀닷(quantum dot) 재료 등) 등을 사용할 수 있다. 또한 퀀텀닷 재료로서는 콜로이드상 퀀텀닷 재료, 합금형 퀀텀닷 재료, 코어·셸형 퀀텀닷 재료, 코어형 퀀텀닷 재료 등을 사용할 수 있다.

본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.

(실시형태 3)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 장치에 대하여 설명한다. 또한 도 2의 (A)에 도시된 발광 장치는 제 1 기판(201) 위의 트랜지스터(FET(202))와 발광 디바이스(203R, 203G, 203B, 203W)가 전기적으로 접속되는 액티브 매트릭스형 발광 장치이고, 복수의 발광 디바이스(203R, 203G, 203B, 203W)는 공통의 EL층(204)을 가지고, 또한 각 발광 디바이스의 발광색에 따라 각 발광 디바이스의 전극 사이의 광학 거리가 조정된 마이크로캐비티 구조를 가진다. 또한 EL층(204)으로부터 얻어진 발광이 제 2 기판(205)에 형성된 컬러 필터(206R, 206G, 206B)를 통하여 사출되는 톱 이미션형 발광 장치이다.

도 2의 (A)에 도시된 발광 장치에서, 제 1 전극(207)은 반사 전극으로서 기능하도록 형성한다. 또한, 제 2 전극(208)은 광(가시광 또는 근적외광)에 대한 투과성 및 반사성의 양쪽 기능을 가지는 반투과·반반사 전극으로서 기능하도록 형성한다. 또한, 제 1 전극(207) 및 제 2 전극(208)을 형성하는 전극 재료로서는, 다른 실시형태의 기재를 참조하여 적절히 사용할 수 있다.

또한, 도 2의 (A)에서, 예를 들어 발광 디바이스(203R)를 적색 발광 디바이스로, 발광 디바이스(203G)를 녹색 발광 디바이스로, 발광 디바이스(203B)를 청색 발광 디바이스로, 발광 디바이스(203W)를 백색 발광 디바이스로 하는 경우, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이 발광 디바이스(203R)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200R)가 되도록 조정되고, 발광 디바이스(203G)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200G)가 되도록 조정되고, 발광 디바이스(203B)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200B)가 되도록 조정된다. 또한 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 발광 디바이스(203R)에서 도전층(210R)을 제 1 전극(207)에 적층하고, 발광 디바이스(203G)에서 도전층(210G)을 제 1 전극(207)에 적층함으로써 광학 조정을 할 수 있다.

제 2 기판(205)에는 컬러 필터(206R, 206G, 206B)가 형성되어 있다. 또한 컬러 필터는 가시광 중 특정 파장 영역의 광을 투과시키고 특정 파장 영역의 광을 차단하는 필터이다. 따라서 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 발광 디바이스(203R)와 중첩되는 위치에 적색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206R)를 제공함으로써, 발광 디바이스(203R)로부터 적색 발광을 얻을 수 있다. 또한 발광 디바이스(203G)와 중첩되는 위치에 녹색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206G)를 제공함으로써, 발광 디바이스(203G)로부터 녹색 발광을 얻을 수 있다. 또한 발광 디바이스(203B)와 중첩되는 위치에 청색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206B)를 제공함으로써, 발광 디바이스(203B)로부터 청색 발광을 얻을 수 있다. 다만 발광 디바이스(203W)는 컬러 필터를 제공하지 않아도 백색 발광을 얻을 수 있다. 또한 한 종류의 컬러 필터의 단부에는 흑색층(블랙 매트릭스)(209)이 제공되어도 좋다. 또한 컬러 필터(206R, 206G, 206B)나 흑색층(209)은 투명한 재료를 사용한 오버코트층으로 덮여 있어도 좋다.

도 2의 (A)에는 제 2 기판(205) 측으로 발광을 추출하는 구조(톱 이미션형)의 발광 장치를 나타내었지만, 도 2의 (C)에 도시된 바와 같이 FET(202)가 형성된 제 1 기판(201) 측으로 광을 추출하는 구조(보텀 이미션형)의 발광 장치로 하여도 좋다. 또한 보텀 이미션형 발광 장치의 경우에는 제 1 전극(207)이 반투과·반반사 전극으로서 기능하도록 형성되고, 제 2 전극(208)이 반사 전극으로서 기능하도록 형성된다. 또한 제 1 기판(201)으로서는 적어도 투광성의 기판을 사용한다. 또한 컬러 필터(206R', 206G', 206B')는 도 2의 (C)에 도시된 바와 같이 발광 디바이스(203R, 203G, 203B)보다 제 1 기판(201) 측에 제공하면 좋다.

또한 도 2의 (A)에는 발광 디바이스가 적색 발광 디바이스, 녹색 발광 디바이스, 청색 발광 디바이스, 백색 발광 디바이스인 경우를 나타내었지만, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스는 그 구성에 한정되지 않고, 황색의 발광 디바이스나 주황색의 발광 디바이스를 가지는 구성이어도 좋다. 또한 이들 발광 디바이스를 제작하기 위하여 EL층(발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층 등)에 사용하는 재료로서는 다른 실시형태의 기재를 참조하여 적절히 사용하면 좋다. 또한 그 경우에는 발광 디바이스의 발광색에 따라 컬러 필터를 적절히 선택할 필요가 있다.

상술한 구성으로 함으로써, 복수의 발광색을 나타내는 발광 디바이스를 가지는 발광 장치를 얻을 수 있다.

또한 본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.

(실시형태 4)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 장치에 대하여 설명한다.

본 발명의 일 형태인 발광 디바이스의 디바이스 구성을 적용함으로써, 액티브 매트릭스형 발광 장치나 패시브 매트릭스형 발광 장치를 제작할 수 있다. 또한 액티브 매트릭스형 발광 장치는 발광 디바이스와 트랜지스터(FET)를 조합한 구성을 가진다. 따라서 패시브 매트릭스형 발광 장치, 액티브 매트릭스형 발광 장치는 양쪽 모두 본 발명의 일 형태에 포함된다. 또한 본 실시형태에서 설명하는 발광 장치에는, 다른 실시형태에서 설명한 발광 디바이스를 적용할 수 있다.

본 실시형태에서는 액티브 매트릭스형 발광 장치에 대하여 도 3을 사용하여 설명한다.

또한 도 3의 (A)는 발광 장치를 나타낸 상면도이고, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)를 쇄선 A-A'를 따라 자른 단면도이다. 액티브 매트릭스형 발광 장치는 제 1 기판(301) 위에 제공된 화소부(302), 구동 회로부(소스선 구동 회로)(303), 및 구동 회로부(게이트선 구동 회로)(304a, 304b)를 가진다. 화소부(302) 및 구동 회로부(303, 304a, 304b)는 실재(305)에 의하여 제 1 기판(301)과 제 2 기판(306) 사이에 밀봉된다.

또한 제 1 기판(301) 위에는 리드 배선(307)이 제공된다. 리드 배선(307)은 외부 입력 단자인 FPC(308)에 전기적으로 접속된다. 또한 FPC(308)는 구동 회로부(303, 304a, 304b)에 외부로부터의 신호(예를 들어 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 리셋 신호 등)나 전위를 전달한다. 또한 FPC(308)에는 인쇄 배선 기판(PWB)이 제공되어도 좋다. 또한 이들 FPC나 PWB가 제공된 상태는 발광 장치의 범주에 포함된다.

다음으로, 도 3의 (B)에 발광 장치의 단면 구조를 도시하였다.

화소부(302)는 FET(스위칭용 FET(311)), FET(전류 제어용 FET(312)), 및 FET(312)에 전기적으로 접속된 제 1 전극(313)을 가지는 복수의 화소로 형성된다. 또한 각 화소가 가지는 FET의 개수는 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절히 제공할 수 있다.

FET(309, 310, 311, 312)는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 스태거형이나 역 스태거형 등의 트랜지스터를 적용할 수 있다. 또한 톱 게이트형이나 보텀 게이트형 등의 트랜지스터 구조이어도 좋다.

또한 이들 FET(309, 310, 311, 312)에 사용할 수 있는 반도체의 결정성에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 비정질 반도체, 결정성을 가지는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 가지는 반도체) 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 또한, 결정성을 가지는 반도체를 사용함으로써, 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.

또한 이들 반도체로서는 예를 들어 14족 원소, 화합물 반도체, 산화물 반도체, 유기 반도체 등을 사용할 수 있다. 대표적으로는, 실리콘을 포함하는 반도체, 갈륨 비소를 포함하는 반도체, 인듐을 포함하는 산화물 반도체 등을 적용할 수 있다.

구동 회로부(303)는 FET(309)와 FET(310)를 가진다. 또한 FET(309)와 FET(310)는 단극성(N형 및 P형 중 어느 한쪽만)의 트랜지스터를 포함하는 회로로 형성되어도 좋고, N형 트랜지스터와 P형 트랜지스터를 포함하는 CMOS 회로로 형성되어도 좋다. 또한 외부에 구동 회로를 가지는 구성으로 하여도 좋다.

제 1 전극(313)의 단부는 절연물(314)로 덮여 있다. 또한 절연물(314)에는 네거티브형 감광성 수지나 포지티브형 감광성 수지(아크릴 수지) 등의 유기 화합물이나, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화 실리콘 등의 무기 화합물을 사용할 수 있다. 절연물(314)의 상단부 또는 하단부에는 곡률을 가지는 곡면을 가지는 것이 바람직하다. 이로써 절연물(314) 위에 형성되는 막의 피복성을 양호한 것으로 할 수 있다.

제 1 전극(313) 위에는 EL층(315) 및 제 2 전극(316)이 적층 형성된다. EL층(315)은 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층 등을 가진다.

또한 본 실시형태에서 설명하는 발광 디바이스(317)의 구성에는, 다른 실시형태에서 설명한 구성이나 재료를 적용할 수 있다. 또한 여기서는 도시하지 않았지만, 제 2 전극(316)은 외부 입력 단자인 FPC(308)에 전기적으로 접속되어 있다.

또한 도 3의 (B)에 도시된 단면도에서는 발광 디바이스(317)를 하나만 도시하였지만, 화소부(302)에서는 복수의 발광 디바이스가 매트릭스상으로 배치되어 있는 것으로 한다. 화소부(302)에 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 디바이스를 각각 선택적으로 형성함으로써, 풀 컬러 표시가 가능한 발광 장치를 형성할 수 있다. 또한 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 디바이스 외에, 예를 들어 백색(W), 황색(Y), 마젠타(M), 시안(C) 등의 발광이 얻어지는 발광 디바이스를 형성하여도 좋다. 예를 들어 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 디바이스에 상술한 여러 종류의 발광이 얻어지는 발광 디바이스를 추가함으로써, 색 순도의 향상, 소비 전력의 저감 등의 효과를 얻을 수 있다. 또한 컬러 필터와 조합함으로써 풀 컬러 표시가 가능한 발광 장치로 하여도 좋다. 또한 컬러 필터의 종류로서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 시안(C), 마젠타(M), 황색(Y) 등을 사용할 수 있다.

제 1 기판(301) 위의 FET(309, 310, 311, 312)나 발광 디바이스(317)는, 제 2 기판(306)과 제 1 기판(301)을 실재(305)에 의하여 접합함으로써, 제 1 기판(301), 제 2 기판(306), 및 실재(305)로 둘러싸인 공간(318)에 제공된다. 또한 공간(318)에는 불활성 가스(질소나 아르곤 등)나 유기물(실재(305)를 포함함)이 충전되어 있어도 좋다.

실재(305)에는 에폭시 수지나 유리 프릿(glass frit)을 사용할 수 있다. 또한 실재(305)에는 수분이나 산소를 가능한 한 투과시키지 않는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 제 2 기판(306)에는 제 1 기판(301)에 사용할 수 있는 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 따라서 다른 실시형태에서 설명한 다양한 기판을 적절히 사용할 수 있는 것으로 한다. 기판으로서는 유리 기판이나 석영 기판 외에, FRP(Fiber-Reinforced Plastics), PVF(Polyvinyl Fluoride), 폴리에스터, 또는 아크릴 수지 등으로 이루어지는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 실재로서 유리 프릿을 사용하는 경우에는 접착성의 관점에서 제 1 기판(301) 및 제 2 기판(306)은 유리 기판인 것이 바람직하다.

이러한 식으로, 액티브 매트릭스형 발광 장치를 얻을 수 있다.

또한 액티브 매트릭스형 발광 장치를 가요성 기판에 형성하는 경우, 가요성 기판 위에 FET와 발광 디바이스를 직접 형성하여도 좋지만, 박리층을 가지는 다른 기판에 FET와 발광 디바이스를 형성한 후에, 열, 힘을 가하거나 레이저 조사 등을 수행함으로써 FET와 발광 디바이스를 박리층에서 박리하고 가요성 기판으로 전재(轉載)하여 형성하여도 좋다. 또한 박리층으로서는 예를 들어 텅스텐막과 산화 실리콘막의 무기막 적층이나, 폴리이미드 등의 유기 수지막 등을 사용할 수 있다. 또한 가요성 기판으로서는 트랜지스터를 형성할 수 있는 기판 외에, 종이 기판, 셀로판 기판, 아라미드 필름 기판, 폴리이미드 필름 기판, 직물 기판(천연 섬유(비단, 솜, 삼), 합성 섬유(나일론, 폴리우레탄, 폴리에스터), 또는 재생 섬유(아세테이트, 큐프라, 레이온, 재생 폴리에스터) 등을 포함함), 피혁 기판, 또는 고무 기판 등을 들 수 있다. 이들 기판을 사용함으로써, 내구성이나 내열성이 우수해지고, 경량화 및 박형화를 도모할 수 있다.

또한, 액티브 매트릭스형 발광 장치가 가지는 발광 디바이스의 구동은 발광 디바이스를 펄스상(예를 들어, kHz, MHz 등의 주파수를 사용함)으로 발광시켜, 표시로 사용하는 구성으로 하여도 좋다. 상기 유기 화합물을 사용하여 형성되는 발광 디바이스는 우수한 주파수 특성을 가지기 때문에, 발광 디바이스를 구동하는 시간을 단축하여, 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, 구동 시간의 단축에 따라 발열이 억제되기 때문에, 발광 디바이스의 열화를 경감할 수도 있다.

또한 본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.

(실시형태 5)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스를 가지는 발광 장치를 적용하여 완성시킨 다양한 전자 기기나 자동차의 일례에 대하여 설명한다. 또한 발광 장치는 본 실시형태에서 설명하는 전자 기기에서 주로 표시부에 적용될 수 있다.

도 4의 (A) 내지 (C)에 도시된 전자 기기는 하우징(7000), 표시부(7001), 스피커(7003), LED 램프(7004), 조작 키(7005)(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자(7006), 센서(7007)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도(硬度), 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(7008) 등을 가질 수 있다.

도 4의 (A)는 모바일 컴퓨터를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 스위치(7009), 적외선 포트(7010) 등을 가질 수 있다.

도 4의 (B)는 기록 매체를 가지는 휴대형 화상 재생 장치(예를 들어 DVD 재생 장치)를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 제 2 표시부(7002), 기록 매체 판독부(7011) 등을 가질 수 있다.

도 4의 (C)는 텔레비전 수상 기능을 가지는 디지털 카메라를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 안테나(7014), 셔터 버튼(7015), 수상부(7016) 등을 가질 수 있다.

도 4의 (D)는 휴대 정보 단말기를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말기는 표시부(7001)의 3개 이상의 면에 정보를 표시하는 기능을 가진다. 여기서는 정보(7052), 정보(7053), 정보(7054)가 각각 상이한 면에 표시되는 예를 나타내었다. 예를 들어 사용자는 옷의 가슴 포켓에 휴대 정보 단말기를 넣은 채 휴대 정보 단말기 위쪽으로부터 관찰할 수 있는 위치에 표시된 정보(7053)를 확인할 수도 있다. 사용자는 휴대 정보 단말기를 포켓으로부터 꺼내지 않고 표시를 확인하고, 예를 들어 전화를 받을지 여부를 판단할 수 있다.

도 4의 (E)는 휴대 정보 단말기(스마트폰을 포함함)를 도시한 것이며, 하우징(7000)에 표시부(7001), 조작 키(7005) 등을 가질 수 있다. 또한 휴대 정보 단말기에는 스피커, 접속 단자, 센서 등을 제공하여도 좋다. 또한 휴대 정보 단말기는 문자나 화상 정보를 그 복수의 면에 표시할 수 있다. 여기서는 3개의 아이콘(7050)을 표시한 예를 나타내었다. 또한 파선의 직사각형으로 나타낸 정보(7051)를 표시부(7001)의 다른 면에 표시할 수도 있다. 정보(7051)의 일례로서는 전자 메일, SNS, 전화 등의 착신의 알림, 전자 메일이나 SNS 등의 제목, 송신자명, 일시, 시각, 배터리 잔량, 안테나의 수신 강도 등이 있다. 또는 정보(7051)가 표시되는 위치에는 아이콘(7050) 등을 표시하여도 좋다.

도 4의 (F)는 대형 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함)를 도시한 것이며, 하우징(7000), 표시부(7001) 등을 가질 수 있다. 또한 여기서는 스탠드(7018)에 의하여 하우징(7000)을 지지한 구성을 나타내었다. 또한 텔레비전 장치의 조작은 별체의 리모트 컨트롤러(7111) 등에 의하여 수행할 수 있다. 또한 표시부(7001)에 터치 센서를 가져도 좋고, 손가락 등으로 표시부(7001)를 터치함으로써 조작하여도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)는 상기 리모트 컨트롤러(7111)로부터 출력되는 정보를 표시하는 표시부를 가져도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)가 가지는 조작 키 또는 터치 패널에 의하여 채널 및 음량을 조작할 수 있고, 표시부(7001)에 표시되는 화상을 조작할 수 있다.

도 4의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 데이터의 송신 또는 수신을 수행하는 기능, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한 복수의 표시부를 가지는 전자 기기에서는 하나의 표시부에 주로 화상 정보를 표시하고, 다른 하나의 표시부에 주로 문자 정보를 표시하는 기능, 또는 복수의 표시부에 시차(視差)를 고려한 화상을 표시함으로써 입체적인 화상을 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한 수상부를 가지는 전자 기기에서는 정지 화상을 촬영하는 기능, 동영상을 촬영하는 기능, 촬영한 화상을 자동 또는 수동으로 보정하는 기능, 촬영한 화상을 기록 매체(외부 또는 카메라에 내장)에 저장하는 기능, 촬영한 화상을 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한 도 4의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기가 가질 수 있는 기능은 이들에 한정되지 않고, 다양한 기능을 가질 수 있다.

도 4의 (G)는 손목시계형 휴대 정보 단말기를 도시한 것이며, 예를 들어 스마트워치로서 사용할 수 있다. 이 손목시계형 휴대 정보 단말기는 하우징(7000), 표시부(7001), 조작용 버튼(7022, 7023), 접속 단자(7024), 밴드(7025), 마이크로폰(7026), 센서(7029), 스피커(7030) 등을 가진다. 표시부(7001)는 표시면이 만곡되어 있고, 만곡된 표시면을 따라 표시를 할 수 있다. 또한 이 휴대 정보 단말기는 예를 들어 무선 통신이 가능한 헤드세트와 상호 통신함으로써 핸즈프리로 통화할 수 있다. 또한 접속 단자(7024)에 의하여 다른 정보 단말기와 상호로 데이터를 주고받거나 충전을 할 수도 있다. 충전 동작은 무선 급전에 의하여 수행할 수도 있다.

베젤 부분을 겸하는 하우징(7000)에 탑재된 표시부(7001)는 비직사각형 표시 영역을 가진다. 표시부(7001)는 시각을 나타내는 아이콘(7027), 기타 아이콘(7028) 등을 표시할 수 있다. 또한 표시부(7001)는 터치 센서(입력 장치)를 탑재한 터치 패널(입출력 장치)이어도 좋다.

또한, 도 4의 (G)에 도시된 스마트워치는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 데이터의 송신 또는 수신을 수행하는 기능, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다.

또한 하우징(7000) 내부에 스피커, 센서(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 가지는 것), 마이크로폰 등을 가질 수 있다.

또한 본 실시형태에 기재된 전자 기기의 각 표시부에는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 사용할 수 있어 장수명의 전자 기기를 실현할 수 있다.

또한 발광 장치를 적용한 전자 기기로서, 도 5의 (A) 내지 (C)에 도시된 접을 수 있는 휴대 정보 단말기를 들 수 있다. 도 5의 (A)에는 펼친 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 나타내었다. 또한 도 5의 (B)에는 펼친 상태 및 접은 상태 중 한쪽으로부터 다른 쪽으로 변화되는 도중의 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 나타내었다. 또한 도 5의 (C)에는 접은 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 나타내었다. 휴대 정보 단말기(9310)는 접은 상태에서는 가반성(可搬性)이 우수하고, 펼친 상태에서는 이음매가 없고 넓은 표시 영역에 의하여 표시의 일람성이 우수하다.

표시부(9311)는 힌지(9313)로 연결된 3개의 하우징(9315)에 의하여 지지되어 있다. 또한 표시부(9311)는 터치 센서(입력 장치)가 탑재된 터치 패널(입출력 장치)이어도 좋다. 또한 표시부(9311)는 힌지(9313)를 이용하여 2개의 하우징(9315) 사이를 굴곡시킴으로써, 휴대 정보 단말기(9310)를 펼친 상태로부터 접은 상태로 가역적으로 변형시킬 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 표시부(9311)에 사용할 수 있다. 또한 장수명의 전자 기기를 실현할 수 있다. 표시부(9311)의 표시 영역(9312)은, 접은 상태의 휴대 정보 단말기(9310)의 측면에 위치하는 표시 영역이다. 표시 영역(9312)에는 정보 아이콘이나, 사용 빈도가 높은 애플리케이션이나 프로그램의 바로가기 등을 표시할 수 있어, 정보의 확인이나 애플리케이션 등의 기동을 원활하게 수행할 수 있다.

또한 발광 장치를 적용한 자동차를 도 6의 (A), (B)에 나타내었다. 즉 발광 장치를 자동차와 일체로 하여 제공할 수 있다. 구체적으로는 도 6의 (A)에 도시된 자동차 외측의 라이트(5101)(차체 뒷부분도 포함함), 타이어의 휠(5102), 도어(5103)의 일부 또는 전체 등에 적용할 수 있다. 또한 도 6의 (B)에 도시된 자동차 내측의 표시부(5104), 핸들(5105), 시프트 레버(5106), 좌석 시트(5107), 백미러(inner rearview mirror)(5108), 앞유리(5109) 등에 적용할 수 있다. 그 외의 유리창의 일부에 적용하여도 좋다.

이로써, 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 적용한 전자 기기나 자동차를 얻을 수 있다. 또한 그 경우에는 장수명의 전자 기기를 실현할 수 있다. 또한 적용할 수 있는 전자 기기나 자동차는 본 실시형태에 기재된 것에 한정되지 않고, 다양한 분야에서 적용할 수 있다.

(실시형태 6)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 또는 그 일부인 발광 디바이스를 적용하여 제작되는 조명 장치의 구성에 대하여 도 7을 사용하여 설명한다.

도 7의 (A), (B)는 조명 장치의 단면도의 일례이다. 또한 도 7의 (A)는 기판 측으로 광을 추출하는 보텀 이미션형 조명 장치를 도시한 것이고, 도 7의 (B)는 밀봉 기판 측으로 광을 추출하는 톱 이미션형 조명 장치를 도시한 것이다.

도 7의 (A)에 도시된 조명 장치(4000)는 기판(4001) 위에 발광 디바이스(4002)를 가진다. 또한 기판(4001) 외측에, 요철을 가지는 기판(4003)을 가진다. 발광 디바이스(4002)는 제 1 전극(4004)과, EL층(4005)과, 제 2 전극(4006)을 가진다.

제 1 전극(4004)은 전극(4007)에 전기적으로 접속되고, 제 2 전극(4006)은 전극(4008)에 전기적으로 접속된다. 또한 제 1 전극(4004)에 전기적으로 접속되는 보조 배선(4009)을 제공하여도 좋다. 또한 보조 배선(4009) 위에는 절연층(4010)이 형성된다.

또한 기판(4001)과 밀봉 기판(4011)은 실재(4012)로 접착되어 있다. 또한 밀봉 기판(4011)과 발광 디바이스(4002) 사이에는 건조제(4013)가 제공되는 것이 바람직하다. 또한 기판(4003)은 도 7의 (A)와 같은 요철을 가지기 때문에, 발광 디바이스(4002)에서 발생한 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.

도 7의 (B)의 조명 장치(4200)는 기판(4201) 위에 발광 디바이스(4202)를 가진다. 발광 디바이스(4202)는 제 1 전극(4204)과, EL층(4205)과, 제 2 전극(4206)을 가진다.

제 1 전극(4204)은 전극(4207)에 전기적으로 접속되고, 제 2 전극(4206)은 전극(4208)에 전기적으로 접속된다. 또한 제 2 전극(4206)에 전기적으로 접속되는 보조 배선(4209)을 제공하여도 좋다. 또한 보조 배선(4209) 하부에 절연층(4210)을 제공하여도 좋다.

기판(4201)과, 요철을 가지는 밀봉 기판(4211)은 실재(4212)로 접착되어 있다. 또한 밀봉 기판(4211)과 발광 디바이스(4202) 사이에 배리어막(4213) 및 평탄화막(4214)을 제공하여도 좋다. 또한 밀봉 기판(4211)은 도 7의 (B)와 같은 요철을 가지기 때문에, 발광 디바이스(4202)에서 발생한 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.

또한 이들 조명 장치의 응용예로서는 실내의 조명용 천장등을 들 수 있다. 천장등에는 천장 직부형이나 천장 매립형 등이 있다. 또한 이와 같은 조명 장치는 발광 장치를 하우징이나 커버와 조합함으로써 구성된다.

그 외에도, 바닥에 빛을 조사하여 발밑의 안전성을 높일 수 있는 풋라이트 등으로의 응용도 가능하다. 풋라이트는, 예를 들어 침실, 계단, 또는 통로 등에 사용하는 것이 효과적이다. 그 경우, 방의 크기나 구조에 따라 크기나 형상을 적절히 변경할 수 있다. 또한 발광 장치와 지지대를 조합하여 구성되는 거치형 조명 장치로 할 수도 있다.

또한 시트형 조명 장치(시트형 조명)로서 응용할 수도 있다. 시트형 조명은 벽면에 붙여서 사용하기 때문에, 장소를 크게 차지하지 않고 폭넓은 용도에 사용할 수 있다. 또한 대면적화도 용이하다. 또한 곡면을 가지는 벽면이나 하우징에 사용할 수도 있다.

또한 상기 외에도 실내에 설치된 가구의 일부에 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 또는 그 일부인 발광 디바이스를 적용하여, 가구로서의 기능을 가지는 조명 장치로 할 수 있다.

이러한 식으로, 발광 장치를 적용한 다양한 조명 장치를 얻을 수 있다. 또한 이들 조명 장치는 본 발명의 일 형태에 포함되는 것으로 한다.

(실시예 1)

<<합성예 1>>

본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(100)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, 비스(13,14-다이사이아노벤조[a]나프토[2,1-c]페나진-10-일-κC¹⁰,κN¹¹)(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ²O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(bnphz-dCN)₂(dpm)])의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, [Ir(bnphz-dCN)₂(dpm)]의 구조를 이하에 나타낸다.

[화학식 30]

<단계 1: 벤조[a]나프토[2,1-c]페나진-13,14-다이카보나이트릴(약칭: Hdbnphz)의 합성>

우선, 크리센-5,6-다이온 1.0g(4.0mmol), 4,5-다이아미노프탈로나이트릴 0.69g(4.4mmol), 에탄올 20mL를 반응 용기에 넣고, 63시간 가열 환류하였다. 소정의 시간이 경과한 후, 얻어진 혼합물을 흡인 여과하고, 고체를 에탄올로 세정하였다. 이 고체를 가열 톨루엔으로 세정하여 목적물을 얻었다(1.1g, 수율 70%). 단계 1의 합성 스킴을 아래의 식(a-1)에 나타낸다.

[화학식 31]

<단계 2: [Ir(bnphz-dCN)₂(dpm)]의 합성>

다음으로, 상기 단계 2에서 얻은 배위자 Hbnphz-dCN 1.0g(2.6mmol), 염화 이리듐 수화물 0.37g(1.3mmol), 다이메틸폼아마이드(DMF) 26mL를 반응 용기에 첨가하고, 용기 내를 질소 치환하고, 160℃에서 7시간 가열 교반하였다. 소정 시간 경과 후, 탄산 소듐 0.70g(6.6mmol)과 다이피발로일메테인 0.70g(3.8mmol)을 첨가하고 140℃에서 8시간 가열 교반하였다. 얻어진 반응 혼합물을 흡인 여과하고, 물, 에탄올로 세정하였다. 얻어진 고체를 다이클로로메테인으로 세정하고, 얻어진 여과액을 농축하여 고체를 얻었다. 이 고체를 플래시 칼럼 크로마토그래피에 의하여 정제하였다. 전개 용매에는 다이클로로메테인:톨루엔=3:7의 혼합 용매를 사용하고, 서서히 다이클로로메테인의 양을 늘려 극성을 올리면서 수행하였다. 얻어진 프랙션을 농축하여 얻어진 고체를 헥세인으로 세정하여, 목적물을 얻었다(흑색 고체 5mg, 수율 0.4%). 단계 2의 합성 스킴을 아래의 식(a-2)에 나타낸다.

[화학식 32]

상기 단계 2에서 얻어진 흑색 고체의 프로톤(¹H)을 핵자기 공명법(NMR)에 의하여 측정하였다. 얻어진 값을 이하에 나타낸다. 또한 ¹H-NMR 차트를 도 8에 나타내었다. 이들로부터, 본 합성예에서, 상술한 구조식(100)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, [Ir(bnphz-dCN)₂(dpm)]이 얻어진 것을 알 수 있었다.

¹H-NMRδ(CDCl₃):0.56(s,18H),5.33(s,1H),6.68(d,2H),7.19(t,2H),7.78(t,2H),7.97(t,2H),8.13(d,2H),8.23(d,2H),8.38(d,2H),8.67(d,2H),8.93(s,2H),9.06(s,2H),10.87(d,2H).

이어서, [Ir(bnphz-dCN)₂(dpm)]의 다이클로로메테인 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 '흡수 스펙트럼'이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.

흡수 스펙트럼의 측정에는 자외 가시 분광 광도계(JASCO Corporation 제조, V550형)를 사용하고, 다이클로로메테인 용액(0.010mmol/L)을 석영 셀에 넣고, 실온에서 측정하였다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는 절대 PL 양자 수율 측정 장치(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, C11347-01)를 사용하고, 탈기한 다이클로로메테인 용액(0.010mmol/L)을 석영 셀에 넣고, 실온에서 측정하였다.

얻어진 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 9에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한, 도 9에 나타낸 흡수 스펙트럼은 다이클로로메테인 용액을 석영 셀에 넣고 측정한 흡수 스펙트럼으로부터, 다이클로로메테인만을 석영 셀에 넣고 측정한 흡수 스펙트럼을 뺀 결과를 나타낸 것이다.

도 9에 나타낸 바와 같이, [Ir(bnphz-dCN)₂(dpm)]의 다이클로로메테인 용액으로부터는 882nm에 발광 피크를 가지는 근적외광의 발광이 관측되었다.

(실시예 2)

<<합성예 2>>

본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(101)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, 비스{4,6-다이메틸-[5,7-비스(트라이플루오로메틸)-3-(3,5-다이메틸페닐)-2-퀴녹살린일-κN¹]페닐-κC}(2,4-펜테인다이오네이토-κ²O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)])의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 구조를 이하에 나타낸다.

[화학식 33]

<단계 1: 5,7-비스(트라이플루오로메틸)-2,3-비스(3,5-다이메틸페닐)퀴녹살린(약칭: Hdmdpq-dCF₃)의 합성>

우선, 3,3',5,5'-테트라메틸벤질 4.1g(15mmol), 3,5-비스(트라이플루오로메틸)-1,2-페닐렌다이아민 4.1g(17mmol), 에탄올 80mL를 반응 용기에 넣고 23시간 가열 환류하였다. 여기에, 아세트산 0.098g(1.6mmol)을 첨가하고, 18시간 가열 환류하였다. 소정 시간 경과 후, 얻어진 혼합물을 흡인 여과하고, 고체를 에탄올로 세정하여 목적물을 얻었다(담황색 고체 6.8g, 수율 93%). 단계 1의 합성 스킴을 아래의 식(b-1)으로 나타낸다.

[화학식 34]

<단계 2: [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 합성>

다음으로, 상기 단계 2에서 얻은 배위자 Hdmdpq-dCF₃2.0g(4.2mmol),트리스(아세틸아세토네이토)이리듐(III) 0.42g(0.84mmol)을 반응 용기에 넣고, 용기 내를 아르곤 치환한 후, 250℃에서 44시간 가열 교반하였다. 소정 시간 경과 후, 반응물을 다이클로로메테인에 용해시키고 실리카 겔에 흡착시켜 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의한 정제를 수행하였다. 전개 용매에는 톨루엔:헥세인=3:1을 사용하였다. 얻어진 프랙션을 농축하여 고체를 얻었다. 이 고체를 다이클로로메테인과 메탄올의 혼합 용매에 의하여 정제하여 목적물을 얻었다(흑색 고체 174mg, 수율 17%). 단계 2의 합성 스킴을 아래의 식(b-2)으로 나타낸다.

[화학식 35]

상기 단계 2에서 얻어진 흑색 고체의 프로톤(¹H)을 핵자기 공명법(NMR)에 의하여 측정하였다. 얻어진 값을 이하에 나타낸다. 또한 ¹H-NMR 차트를 도 10에 나타내었다. 이로부터, 본 합성예에서, 상술한 구조식(101)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]가 얻어진 것을 알 수 있었다.

¹H-NMRδ(CD₂Cl₂):1.05(s,6H),1.56(s,6H),2.05(s,6H),2.45(br,12H),4.64(s,1H),6.55(s,2H),7.13(s,2H),7.29(s,2H),7.85(s,4H),8.07(s,2H),8.27(s,2H).

이어서, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 다이클로로메테인 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 '흡수 스펙트럼'이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.

흡수 스펙트럼의 측정에는 자외 가시 분광 광도계(JASCO Corporation 제조, V550형)를 사용하고, 다이클로로메테인 용액(0.010mmol/L)을 석영 셀에 넣고, 실온에서 측정하였다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하고, 탈기한 다이클로로메테인 용액(0.010mmol/L)을 석영 셀에 넣고, 실온에서 측정하였다.

얻어진 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 11에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한, 도 11에 나타낸 흡수 스펙트럼은 다이클로로메테인 용액을 석영 셀에 넣고 측정한 흡수 스펙트럼으로부터 다이클로로메테인만을 석영 셀에 넣고 측정한 흡수 스펙트럼을 뺀 결과를 나타낸 것이다.

도 11에 나타낸 바와 같이, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 다이클로로메테인 용액으로부터는 807nm에 발광 피크를 가지는 근적외광의 발광이 관측되었다.

다음으로, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]에 대하여, 사이클릭 볼타메트리(CV) 측정을 수행하였다. CV 측정에는 전기 화학 애널라이저(BAS Inc. 제조, 형식 번호: ALS 모델 600A 또는 600C)를 사용하였다.

또한, CV 측정에서의 용액은 용매로서 탈수 다이메틸폼아마이드(DMF)(Sigma-Aldrich Inc. 제조, 99.8%, 카탈로그 번호; 227056-12)를 사용하고, 지지 전해질인 과염소산 테트라-n-뷰틸 암모늄(electrochemical grade, Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 제조처 코드: 043999, CAS.NO: 1923-70-2)을 100mmol/L의 농도가 되도록 용해시키고, 또한 측정 대상을 2mmol/L의 농도가 되도록 용해시켜 조제하고, 전기 화학용 셀에 첨가하고, 각 전극을 세팅한 후, 아르곤 버블링으로 약 30분 탈기하였다. 또한, 작용 전극으로서는 백금 전극(BAS Inc. 제조, PTE 백금 전극)을, 보조 전극으로서는 백금 전극(BAS Inc. 제조, Pt 카운터 전극)을, 참조 전극으로서는 비수용매계 참조 전극(BAS Inc. 제조, RE-7 비수용매계 참조 전극(Ag/Ag+)을 각각 사용하였다. 또한, 측정은 실온(20 내지 25℃)에서 수행하고, 측정 시의 스캔 속도는 0.1V/sec로 통일하였다. 또한, 본 실시예에서는, 참조 전극의 진공 준위에 대한 퍼텐셜 에너지를 -4.94eV로 가정하였다.

CV 측정의 결과로부터 [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 LUMO 준위(환원 전위)를 산출하였다. 산화 피크 전위(환원 측으로부터 중성까지) Epc[V]와, 환원 피크 전위(중성 측으로부터 환원까지) Epa[V]로부터 반파 전위(Epa와 Epc의 중간 전위)는 (Epa+Epc)/2[V](=-1.17eV)로 산출되었다. 또한, 참조 전극의 진공 준위에 대한 퍼텐셜 에너지(-4.94eV)로부터 이 반파 전위(-1.17)를 뺌으로써, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 LUMO 준위(환원 전위)를 -3.77eV로 하였다. 일반적인 인광 재료인 유기 금속 착체의 LUMO 준위는 -3eV 내지 -2eV 정도이기 때문에, 이 값은 매우 낮다는 것을 알 수 있다.

다음으로, 하기 구조식(200)으로 나타내어지는 유기 금속 착체, 비스{4,6-다이메틸-2-[4-(3,5-다이메틸페닐)-2-퀴녹살린일-κN]페닐-κC}(2,2',6,6'-테트라메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ20,0')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdpq)₂(dpm)])에 대하여 마찬가지로 LUMO 값을 측정하였다.

[화학식 36]

또한, 본 실시예에서 합성한 [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 배위자는, 퀴녹살린 골격에 축환되는 벤젠 고리가 전자 흡인기(구체적으로는, 트라이플루오로메틸기)로 치환된 구조를 가지는 반면, [Ir(dmdpq)₂(dpm)]은 전자 흡인기로 치환되지 않은 구조를 가진다. CV 측정은 [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 측정과 같은 방법으로 수행하였다.

그 결과, [Ir(dmdpq)₂(dpm)]의 LUMO 값은 -3.22eV로 추산되었다. 따라서, [Ir(dmdpq)₂(dpm)]과 [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 LUMO 값의 차이는 0.55eV가 된다. 즉, 전자 흡인기를 가짐으로써 LUMO 값이 현저히 작아진다는 것을 알 수 있었다.

(실시예 3)

본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 디바이스로서 실시예 1에서 설명한 비스{4,6-다이메틸-2-[3-(3,5-다이메틸페닐)-5,7-비스(트라이플루오로메틸)퀴녹살린-2-일-κN)페닐-κC}(2,4-펜테인다이오네이토-κ20,0')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)])(구조식(101))을 발광층에 사용한 발광 디바이스 1에 대하여, 그 소자 구조, 제작 방법, 및 그 특성을 설명한다. 또한, 본 실시예에서 사용하는 발광 디바이스의 소자 구조를 도 13에 도시하고, 구체적인 구성에 대하여 표 1에 나타내었다. 또한 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다.

[표 1]

[화학식 37]

<<발광 디바이스의 제작>>

본 실시예에 나타내는 발광 디바이스는 도 13에 도시된 바와 같이 기판(900) 위에 형성된 제 1 전극(901) 위에 정공 주입층(911), 정공 수송층(912), 발광층(913), 전자 수송층(914), 전자 주입층(915)이 순차적으로 적층되고, 전자 주입층(915) 위에 제 2 전극(903)이 적층된 구조를 가진다.

우선, 기판(900) 위에 제 1 전극(901)을 형성하였다. 전극 면적은 4mm²(2mm×2mm)로 하였다. 또한 기판(900)으로서는 유리 기판을 사용하였다. 또한 제 1 전극(901)은 산화 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법으로 70nm의 막 두께로 성막하여 형성하였다.

여기서 전처리로서 기판의 표면을 물로 세정하고, 200℃에서 1시간 동안 소성한 후, UV 오존 처리를 370초 동안 수행하였다. 그 후, 10^-4Pa정도까지 내부가 감압된 진공 증착 장치에 기판을 도입하고, 진공 증착 장치 내의 가열실에서 170℃에서 30분 동안 진공 소성을 수행한 후, 기판을 약 30분 동안 방랭하였다.

다음으로 제 1 전극(901) 위에 정공 주입층(911)을 형성하였다. 정공 주입층(911)은 진공 증착 장치 내를 10^-4Pa까지 감압한 후, 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)벤젠(약칭: DBT3P-II)과 산화 몰리브데넘을 DBT3P-II:산화 몰리브데넘=2:1(질량비)로 하고, 막 두께가 120nm가 되도록 공증착하여 형성하였다.

다음으로 정공 주입층(911) 위에 정공 수송층(912)을 형성하였다. 정공 수송층(912)은 N-(1,1'-바이페닐-4-일)-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF)을 사용하고, 막 두께가 20nm가 되도록 증착하여 형성하였다.

다음으로 정공 수송층(912) 위에 발광층(913)을 형성하였다.

발광층(913)은 호스트 재료로서 2mDBTBPDBq-II를 사용하고, 어시스트 재료로서 PCBBiF를 사용하고, 게스트 재료(인광 재료)로서 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]를 사용하고, 중량비가 2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]=0.7:0.3:0.1이 되도록 공증착하였다. 또한 막 두께는 40nm로 하였다.

다음으로 발광층(913) 위에 전자 수송층(914)을 형성하였다. 전자 수송층(914)은 2mDBTBPDBq-II의 막 두께가 20nm, 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: NBphen)의 막 두께가 70nm가 되도록 순차적으로 증착하여 형성하였다.

다음으로 전자 수송층(914) 위에 전자 주입층(915)을 형성하였다. 전자 주입층(915)은 플루오린화 리튬(LiF)을 사용하고, 막 두께가 1nm가 되도록 증착하여 형성하였다.

다음으로 전자 주입층(915) 위에 제 2 전극(903)을 형성하였다. 제 2 전극(903)은, 알루미늄을 사용하여 증착법에 의하여 막 두께가 200nm가 되도록 형성하였다. 또한 본 실시예에서 제 2 전극(903)은 음극으로서 기능한다.

이상의 공정에 의하여 한 쌍의 전극 사이에 EL층을 끼운 발광 디바이스를 기판(900) 위에 형성하였다. 또한 상기 공정에서 설명한 정공 주입층(911), 정공 수송층(912), 발광층(913), 전자 수송층(914), 전자 주입층(915)은 본 발명의 일 형태의 EL층을 구성하는 기능층이다. 또한 상술한 제작 방법에서의 증착 공정에서는 모두 저항 가열법에 의한 증착법을 사용하였다.

또한 상술한 바와 같이 제작한 발광 디바이스는 다른 기판(도시하지 않았음)으로 밀봉된다. 또한 다른 기판(도시하지 않았음)을 사용하여 밀봉할 때는, 질소 분위기의 글러브 박스 내에서 자외광에 의하여 고체화되는 실재가 도포된 다른 기판(도시하지 않았음)을 기판(900) 위에 고정하고, 기판(900) 위에 형성된 발광 디바이스의 주위에 실재가 부착되도록 기판들을 접착시켰다. 밀봉 시에는 365nm의 자외광을 6J/cm²조사하여 실재를 고체화시키고, 80℃에서 1시간 동안 열처리함으로써 실재를 안정화시켰다.

<<발광 디바이스 1의 동작 특성>>

제작한 발광 디바이스 1의 동작 특성에 대하여 측정하였다. 또한 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 수행하였다. 또한, 발광 디바이스 1의 전류 밀도-방사속 특성을 도 14에, 전압-방사 휘도 특성을 도 15에, 전압-전류 특성을 도 16에, 전류 밀도-외부 양자 효율 특성을 도 17에, 전류 밀도-외부 에너지 효율 특성을 도 18에 각각 나타내었다. 또한, 방사속, 외부 양자 효율은 디바이스의 배광 특성이 램버시안형인 것으로 가정하여, 방사 휘도를 사용하여 산출하였다.

다음으로, 방사 휘도 1.1W/sr/m²부근에서의 발광 디바이스 1의 주된 초기 특성값에 대하여 이하의 표 2에 나타내었다.

[표 2]

동작 특성의 결과로부터, 발광 디바이스 1은 근적외광의 발광을 나타내는 발광 디바이스로서는 높은 신뢰성을 나타낸다는 것을 알 수 있었다. 이는, 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]를 발광 디바이스 1의 발광층에 사용한 것에 의한 효과가 원인 중 하나라고 할 수 있다. [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]는 배위자의 퀴녹살린 골격에 축환되는 벤젠 고리에 전자 흡인성기인 트라이플루오로메틸기가 치환된 구조를 가진다. 이 구조에 의하여, LUMO 준위를 낮게(-3.5eV 이하) 할 수 있기 때문에, 발광층에서의 전자의 거동이 제어되어 발광 영역이 좁아지기 때문에 발광 디바이스 1의 효율을 높일 수 있다.

또한, 발광 디바이스 1에 0.9mA/cm²의 전류 밀도로 전류를 흘렸을 때의 EL 발광 스펙트럼을 도 19에 나타내었다. EL 발광 스펙트럼의 측정에는, 근적외선 분광 방사계(SR-NIR, Topcon Technohouse Corporation 제조)를 사용하였다. 도 19에 있어서, 발광 디바이스 1은 발광층(913)에 포함되는 유기 금속 착체 [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]의 발광에서 유래하는, 791nm 부근에 피크를 가지는 발광 스펙트럼을 나타낸다. 또한, 스펙트럼의 반치 폭은 100nm이다. 이 반치 폭을 에너지로 환산하면 대략 0.19eV이고, 유기 금속 착체에서 유래하는 발광으로서는 매우 좁다.

다음으로 발광 디바이스 1에 대하여 신뢰성 시험을 수행하였다. 신뢰성 시험의 결과를 도 20에 나타내었다. 도 20에서, 세로축은 초기 휘도를 100%로 하였을 때의 정규화 휘도(%)를 나타내고, 가로축은 발광 디바이스 1의 구동 시간(h)을 나타낸다. 또한, 신뢰성 시험에서는 전류 밀도를 75mA/cm²로 설정하고 발광 디바이스를 구동시켰다.

신뢰성 시험의 결과로부터, 발광 디바이스 1은 높은 신뢰성을 나타낸다는 것을 알 수 있었다. 이는, 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)](구조식(101))를 발광 디바이스 1의 발광층에 사용한 것에 의한 효과라고 할 수 있다. [Ir(dmdpq-dCF₃)₂(acac)]는 배위자의 퀴녹살린 골격에 축환되는 벤젠 고리에 전자 흡인성기인 트라이플루오로메틸기가 치환된 구조를 가진다. 이 구조에 의하여, 장파장 영역(700nm 이상의 가시 영역 또는 근적외 영역)에 발광 피크를 가질뿐더러, 낮은 LUMO 준위(-3.5eV 이하)도 가진다. LUMO 준위의 값이 낮아지는 것에 의하여, 발광층에서의 전자의 거동이 제어되기 때문에, 발광 디바이스 1의 신뢰성이 높아진다고 할 수 있다.

(실시예 4)

<<합성예 3>>

본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(116)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, 비스{3-[5,7-비스(트라이플루오로메틸)-3-(2-나프틸)-2―퀴녹살린일-κN¹]-2-나프틸-κC}(2,4-펜테인다이오네이토-κ²O,O')이리듐(III)((약칭: [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)])의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한, [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)]의 구조를 이하에 나타낸다.

[화학식 38]

<단계 1: 1,2-다이-2-나프틸-1,2-에테인다이온의 합성>

우선, 2-브로모나프탈렌 25g(122mmol), 탄산 바이닐렌 3.6g(40mmol), 트라이페닐포스핀 2.1g(8mmol), 탄산 세슘 28g(88mmol), 다이메틸폼아마이드 180mL를 3구 플라스크에 넣고, 플라스크 내를 탈기, 질소 치환하였다. 여기에 아세트산 팔라듐(II) 0.90g(4.0mmol)을 첨가하고 120℃에서 4.5시간 가열 교반하였다. 얻어진 반응 혼합물에 물을 첨가하고, 수성층을 톨루엔으로 추출하였다. 추출 용액을 물, 포화 식염수로 세정하고, 무수 황산 마그네슘을 첨가하여 건조시켰다. 얻어진 혼합물을 자연 여과하고, 여과액을 농축하여 고체를 얻었다. 이 고체를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의하여 정제하였다. 전개 용매에는 톨루엔:헥세인=4:1의 혼합 용매를 사용하였다. 얻어진 프랙션을 농축하여 목적물인 백색 고체를 3.2g, 수율 26%로 얻었다. 단계 1의 합성 스킴을 아래의 식(c-1)에 나타낸다.

[화학식 39]

<단계 2: 5,7-비스(트라이플루오로메틸)-2,3-다이-(2-나프틸)퀴녹살린(약칭: Hd2nq-dCF₃)의 합성>

다음으로, 상기 단계 2에서 얻은 1,2-다이-2-나프틸-1,2-에테인다이온 1.6g(4.8mmol), 3,5-비스(트라이플루오로메틸)-1,2-페닐렌다이아민 1.3g(5.3mmol), 에탄올 25mL, 아세트산 30mg(0.48mmol)을 반응 용기에 넣고 22시간 가열 환류하였다. 여기에, 아세트산을 파스퇴르 피펫으로 2방울 첨가하고, 41시간 더 가열 환류하였다. 소정 시간 경과 후, 얻어진 혼합물을 흡인 여과하고, 고체를 물, 에탄올로 세정하여 목적물을 얻었다(담황색 고체 2.4g, 수율 96%). 단계 2의 합성 스킴을 아래의 식(c-2)에 나타낸다.

[화학식 40]

<단계 3; 비스{3-[5,7-비스(트라이플루오로메틸)-3-(2-나프틸)-2―퀴녹살린일-κN¹]-2-나프틸-κC}(2,4-펜테인다이오네이토-κ²O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)])의 합성>

다음으로, 상기 단계 2에서 얻은 배위자 Hd2nq-dCF₃2.0g(3.8mmol),트리스(아세틸아세토네이토)이리듐(III) 0.38g(0.77mmol)을 반응 용기에 넣고, 용기 내를 아르곤 치환한 후, 250℃에서 48시간 가열 교반하였다. 소정 시간 경과 후, 반응물을 톨루엔에 용해시키고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의한 정제를 수행하였다. 전개 용매에는 톨루엔을 사용하였다. 얻어진 프랙션을 농축하여 고체를 얻었다. 이 고체를 다이클로로메테인과 에탄올의 혼합 용매에 의하여 정제하여 목적물을 얻었다(흑색 고체 76mg, 수율 7.5%). 단계 3의 합성 스킴을 아래의 식(c-3)에 나타낸다.

[화학식 41]

실시예 3에서 얻어진 [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)]를 액체 크로마토그래피 질량 분석(Liquid Chromatography Mass Spectrometry, 약칭: LC/MS 분석)에 의하여 분석하였다.

LC/MS 분석에서는 LC(액체 크로마토그래피) 분리를 Waters Corporation 제조, Acquity UPLC에 의하여 수행하고, MS 분석(질량 분석)을 Waters Corporation 제조, Xevo G2 Tof MS에 의하여 수행하였다. LC 분리에서 사용한 칼럼은 Acquity UPLC BEH C8(2.1×100mm, 1.7μm)이고, 칼럼 온도는 40℃로 하였다. 이동상은 이동상 A를 0.1% 폼산 수용액, 이동상 B를 아세토나이트릴로 하였다. 또한, 샘플은 임의의 농도의 [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)]를 클로로폼에 용해시켜 조정하고, 주입량은 5.0μL로 하였다.

LC 분리에는 이동상의 조성을 변화시키는 경사법을 사용하고, 측정 시작 후 0분부터 1분까지 이동상 A:이동상 B=10:90으로 하고, 그 후 1분부터 5분까지 조성을 변화시켜, 5분에서의 이동상 A와 이동상 B의 비율이 이동상 A:이동상 B=5:95가 되도록 하였다. 그 후, 측정 시작 후 5분부터 10분까지를 이동상 A:이동상 B=5:95로 수행하였다. 조성은 선형으로 변화시켰다.

MS 분석에서는 일렉트로스프레이 이온화법(ElectroSpray Ionization, 약칭: ESI)으로 이온화를 수행하고, 캐필러리 전압(capillary voltage)은 3.0kV, 샘플 콘 전압(sample cone voltage)은 30V로 하고, 검출은 포지티브 모드로 수행하였다.

이상의 조건으로 분리, 이온화를 수행한 결과, [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)]유래의 이온인 m/z=1327.2의 성분이 검출되었기 때문에, 본 합성예에서, 상술한 구조식(116)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 금속 착체, [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)]가 얻어진 것을 알 수 있었다.

이어서, [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)]의 다이클로로메테인 용액의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 '흡수 스펙트럼'이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.

얻어진 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 21에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한, 도 21에 나타낸 흡수 스펙트럼은 다이클로로메테인 용액을 석영 셀에 넣고 측정한 흡수 스펙트럼으로부터 다이클로로메테인만을 석영 셀에 넣고 측정한 흡수 스펙트럼을 뺀 결과를 나타낸 것이다.

도 21에 나타낸 바와 같이, [Ir(d2nq-dCF₃)₂(acac)]의 다이클로로메테인 용액으로부터는 797nm에 발광 피크를 가지는 근적외광의 발광이 관측되었다.

101: 제 1 전극, 102: 제 2 전극, 103: EL층, 103a, 103b: EL층, 104: 전하 발생층, 111, 111a, 111b: 정공 주입층, 112, 112a, 112b: 정공 수송층, 113, 113a, 113b: 발광층, 114, 114a, 114b: 전자 수송층, 115, 115a, 115b: 전자 주입층, 200R, 200G, 200B: 광학 거리, 201: 제 1 기판, 202: 트랜지스터(FET), 203R, 203G, 203B, 203W: 발광 디바이스, 204: EL층, 205: 제 2 기판, 206R, 206G, 206B: 컬러 필터, 206R', 206G', 206B': 컬러 필터, 207: 제 1 전극, 208: 제 2 전극, 209: 흑색층(블랙 매트릭스), 210R, 210G: 도전층, 301: 제 1 기판, 302: 화소부, 303: 구동 회로부(소스선 구동 회로), 304a, 304b: 구동 회로부(게이트선 구동 회로), 305: 실재, 306: 제 2 기판, 307: 리드 배선, 308: FPC, 309: FET, 310: FET, 311: FET, 312: FET, 313: 제 1 전극, 314: 절연물, 315: EL층, 316: 제 2 전극, 317: 발광 디바이스, 318: 공간, 400: 기판, 401: 제 1 유기 화합물, 402: 제 2 유기 화합물, 403: 발광 물질, 404: 조성물, 405: 발광 물질, 900: 기판, 901: 제 1 전극, 902: EL층, 903: 제 2 전극, 911: 정공 주입층, 912: 정공 수송층, 913: 발광층, 914: 전자 수송층, 915: 전자 주입층, 4000: 조명 장치, 4001: 기판, 4002: 발광 디바이스, 4003: 기판, 4004: 제 1 전극, 4005: EL층, 4006: 제 2 전극, 4007: 전극, 4008: 전극, 4009: 보조 배선, 4010: 절연층, 4011: 밀봉 기판, 4012: 실재, 4013: 건조제, 4015: 확산판, 4200: 조명 장치, 4201: 기판, 4202: 발광 디바이스, 4204: 제 1 전극, 4205: EL층, 4206: 제 2 전극, 4207: 전극, 4208: 전극, 4209: 보조 배선, 4210: 절연층, 4211: 밀봉 기판, 4212: 실재, 4213: 배리어막, 4214: 평탄화막, 4215: 확산판, 5101: 라이트, 5102: 휠, 5103: 도어, 5104: 표시부, 5105: 핸들, 5106: 시프트 레버, 5107: 좌석 시트, 5108: 백미러, 5109: 앞유리, 7000: 하우징, 7001: 표시부, 7002: 제 2 표시부, 7003: 스피커, 7004: LED 램프, 7005: 조작 키, 7006: 접속 단자, 7007: 센서, 7008: 마이크로폰, 7009: 스위치, 7010: 적외선 포트, 7011: 기록 매체 판독부, 7012: 지지부, 7013: 이어폰, 7014: 안테나, 7015: 셔터 버튼, 7016: 수상부, 7018: 스탠드, 7020: 카메라, 7021: 외부 접속부, 7022, 7023: 조작용 버튼, 7024: 접속 단자, 7025: 밴드, 7026: 마이크로폰, 7027: 시각을 나타내는 아이콘, 7028: 그 외의 아이콘, 7029: 센서, 7030: 스피커, 7052, 7053, 7054: 정보, 9310: 휴대 정보 단말기, 9311: 표시부, 9312: 표시 영역, 9313: 힌지, 9315: 하우징

Claims

유기 금속 착체로서,
일반식(G1)으로 나타내어지는, 유기 금속 착체.
[화학식 1]

(식 중에서, M은 9족 원소 또는 10족 원소를 나타내고, Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다. 또한, 상기 M이 9족 원소인 경우, m+n=3(다만, m=0, 1, 또는 2, 그리고 n=1, 2, 또는 3 중 어느 것)이고, 상기 M이 10족 원소인 경우, m+n=2(다만, m=0 또는 1, 그리고 n=1 또는 2 중 어느 것)이다.)
유기 금속 착체로서,
일반식(G2)으로 나타내어지는, 유기 금속 착체.
[화학식 2]

(식 중에서, M은 9족 원소 또는 10족 원소를 나타낸다. 또한, R¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다. 또한, 상기 M이 9족 원소인 경우, m+n=3(다만, m=0, 1, 또는 2, 그리고 n=1, 2, 또는 3 중 어느 것)이고, 상기 M이 10족 원소인 경우, m+n=2(다만, m=0 또는 1, 그리고 n=1 또는 2 중 어느 것)이다.)
유기 금속 착체로서,
일반식(G3)으로 나타내어지는, 유기 금속 착체.
[화학식 3]

(식 중에서, Ar¹및 Ar²는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 플루오렌일기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한, R¹내지 R⁴는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, Ar¹및 Ar²가 각각 가지는 치환기 중 어느 것이 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, Ar¹및 Ar²가 직접 결합되어도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.)
유기 금속 착체로서,
일반식(G4)으로 나타내어지는, 유기 금속 착체.
[화학식 4]

(식 중에서, R¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.)
유기 금속 착체로서,
일반식(G5)으로 나타내어지는, 유기 금속 착체.
[화학식 5]

(식 중에서, R¹내지 R⁸및 R¹¹내지 R¹³은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷ 및 R⁸, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다. 또한 L은 1가 음이온성의 배위자를 나타낸다.)
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1가 음이온성의 배위자는 β-다이케톤 구조를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 카복실기를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 페놀성 수산기를 가지는 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 2개의 배위 원소가 모두 질소인 1가 음이온성의 2좌 킬레이트 배위자, 또는 사이클로 메탈화에 의하여 이리듐과 금속-탄소 결합을 형성하는 2좌 배위자인, 유기 금속 착체.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1가 음이온성의 배위자는 하기 일반식(L1) 내지 하기 일반식(L7) 중 어느 하나인, 유기 금속 착체.
[화학식 6]

(식 중에서, R⁵¹내지 R⁸⁹는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 할로제노기, 바이닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬설판일기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, A¹내지 A¹³은 각각 독립적으로 질소, 수소와 결합하는 sp²혼성 탄소, 및 치환기를 가지는 sp²혼성 탄소 중 어느 것을 나타내고, 상기 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 할로제노기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 및 페닐기 중 어느 것을 나타낸다.)
유기 금속 착체로서,
일반식(G6)으로 나타내어지는, 유기 금속 착체.
[화학식 7]

(식 중에서, R¹내지 R¹⁶은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁹및 R¹⁰은 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷및 R⁸, R⁸및 R⁹, R¹⁰및 R¹¹, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다)
유기 금속 착체로서,
일반식(G7)으로 나타내어지는, 유기 금속 착체.
[화학식 8]

(식 중에서, R¹내지 R⁸및 R¹¹내지 R¹⁶은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기 중 어느 것을 나타내고, 또한 R¹내지 R⁴중 적어도 하나는 플루오린, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸설폰일기, 펜타플루오로설판일기 중 어느 것을 나타낸다. 또한, R⁵및 R⁶, R⁶및 R⁷, R⁷ 및 R⁸, R¹¹및 R¹², 그리고 R¹²및 R¹³중 어느 하나 또는 복수가 서로 결합되어, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 24의 포화 고리 또는 불포화 고리를 형성하여도 좋다.)
유기 금속 착체로서,
구조식(100), 구조식(101), 또는 구조식(116)으로 나타내어지는, 유기 금속 착체.
[화학식 9]
발광 디바이스로서,
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 금속 착체를 사용한, 발광 디바이스.
발광 디바이스로서,
한 쌍의 전극 사이에 EL층을 가지고,
상기 EL층은 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 금속 착체를 가지는, 발광 디바이스.
발광 디바이스로서,
한 쌍의 전극 사이에 EL층을 가지고,
상기 EL층은 발광층을 가지고,
상기 발광층은 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 금속 착체를 가지는, 발광 디바이스.
발광 장치로서,
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 디바이스와,
트랜지스터 및 기판 중 어느 하나를 가지는, 발광 장치.
전자 기기로서,
제 14 항에 기재된 발광 장치와,
마이크로폰, 카메라, 조작용 버튼, 외부 접속부, 및 스피커 중 어느 하나를 가지는, 전자 기기.
조명 장치로서,
제 14 항에 기재된 발광 장치와,
하우징, 커버, 및 지지대 중 어느 하나를 가지는, 조명 장치.