KR20210110592A - gas barrier laminate - Google Patents

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KR20210110592A
KR20210110592A KR1020217019728A KR20217019728A KR20210110592A KR 20210110592 A KR20210110592 A KR 20210110592A KR 1020217019728 A KR1020217019728 A KR 1020217019728A KR 20217019728 A KR20217019728 A KR 20217019728A KR 20210110592 A KR20210110592 A KR 20210110592A
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히로키 기노시타
사토시 나가나와
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

높은 파단 신도와 우수한 가스 배리어성을 구비하는 가스 배리어성 적층체로서, 공정 필름과, 하지층과, 가스 배리어층을 이 순서로 구비하는 가스 배리어성 적층체로서, 상기 하지층은, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이고, 상기 가스 배리어성 적층체가, 이하의 요건 [1] 및 [2] 를 만족하는, 가스 배리어성 적층체.
[1] 가스 배리어성 적층체의 열 수축률의 절대값이 0.5 % 이하이다.
[2] 가스 배리어성 적층체의 파단 신도가 1.9 % 이상이다.
A gas barrier laminate having high elongation at break and excellent gas barrier properties, a gas barrier laminate comprising a process film, a base layer, and a gas barrier layer in this order, wherein the base layer comprises a polymer component ( A layer comprising a cured product of a curable resin composition containing A) and a curable component (B), wherein the gas barrier laminate satisfies the following requirements [1] and [2].
[1] The absolute value of the thermal contraction rate of the gas barrier laminate is 0.5% or less.
[2] The elongation at break of the gas barrier laminate is 1.9% or more.

Description

가스 배리어성 적층체gas barrier laminate

본 발명은, 액정 디스플레이나 일렉트로루미네선스 (EL) 디스플레이 등의 전자 디바이스용 부재 등으로서 바람직하게 사용되는 가스 배리어성 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a gas-barrier laminate that is preferably used as a member for electronic devices such as liquid crystal displays and electroluminescence (EL) displays.

액정 디스플레이나 일렉트로루미네선스 (EL) 디스플레이 등의 디스플레이에는, 박형화, 경량화, 플렉시블화 등을 실현하기 위해, 유리판 대신에 투명 플라스틱 필름을 사용하는 것이 검토되고 있다.In displays, such as a liquid crystal display and an electroluminescence (EL) display, in order to implement|achieve thickness reduction, weight reduction, flexibility, etc., using a transparent plastic film instead of a glass plate is examined.

그러나, 일반적으로 플라스틱 필름은, 유리판에 비해 수증기나 산소 등을 투과시키기 쉬워, 투명 플라스틱 필름을 디스플레이의 기판으로서 사용하면, 기판을 투과한 수증기나 산소 등이, 디스플레이 디바이스 내부의 소자 등에 작용하여, 디바이스의 성능이 저하되거나 수명이 짧아지거나 한다는 문제가 있었다.However, in general, a plastic film is easier to transmit water vapor or oxygen than a glass plate, and when a transparent plastic film is used as a substrate for a display, the water vapor or oxygen that has passed through the substrate acts on the elements inside the display device, etc. There is a problem that the performance of the device is lowered or the lifespan is shortened.

이 문제를 해결하기 위해, 수증기나 산소의 투과를 억제하는 특성을 갖는 필름을 디스플레이의 기판으로서 사용하는 것이 제안되어 있다. 이하, 수증기나 산소의 투과를 억제하는 특성을「가스 배리어성」, 가스 배리어성을 갖는 필름을「가스 배리어 필름」, 가스 배리어성을 갖는 적층체를「가스 배리어성 적층체」라고 한다.In order to solve this problem, it has been proposed to use a film having a property of suppressing permeation of water vapor or oxygen as a substrate of a display. Hereinafter, the property of suppressing the permeation of water vapor or oxygen is referred to as "gas barrier property", the film having gas barrier property is referred to as "gas barrier film", and the laminate having gas barrier property is referred to as "gas barrier layered body".

최근에 있어서는, 보다 고성능인 디스플레이 등이 요구되고 있어, 전자 디바이스용 부재 등으로서 사용되는 가스 배리어 필름에도, 우수한 가스 배리어성에 더하여, 내열성, 내용제성, 층간 밀착성이 우수하고, 복굴절률이 낮고 광학 등방성이 우수한 것 등, 여러 가지 특성이 우수한 것이 요구되게 되어 오고 있다.In recent years, higher performance displays and the like have been demanded, and in addition to the gas barrier film used as a member for electronic devices, etc., in addition to excellent gas barrier properties, heat resistance, solvent resistance, and interlayer adhesion are excellent, the birefringence is low, and optical isotropy is It has come to be calculated|required that it was excellent in various characteristics, such as this excellent thing.

예를 들어, 특허문헌 1 에는, 경화 수지층의 편면에 가스 배리어층을 갖는 가스 배리어 필름으로서, 상기 경화 수지층이, 유리 전이 온도가 140 ℃ 이상인 열 가소성 수지, 및 경화성 단량체를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층인 가스 배리어 필름이 제안되어 있다.For example, in Patent Document 1, a gas barrier film having a gas barrier layer on one side of a cured resin layer, the cured resin layer having a glass transition temperature of 140°C or higher, a thermoplastic resin, and a curable resin containing a curable monomer A gas barrier film, which is a layer made of a cured product of a composition, has been proposed.

국제 공개 제2013/065812호International Publication No. 2013/065812

그러나, 종래의 가스 배리어성 적층체에는 아직 개선의 여지가 있고, 전자 디바이스의 진화에 수반하여, 보다 높은 굴곡 내성을 구비하는 것, 및 가스 배리어성을 한층 더 높이는 것이 요구되고 있다.However, there is still room for improvement in the conventional gas-barrier laminate, and with the evolution of electronic devices, it is calculated|required to be equipped with higher bending resistance and to further improve gas-barrier property.

본 발명은, 상기 문제를 감안하여, 높은 굴곡 내성과 우수한 가스 배리어성을 구비하는, 전자 디바이스용 부재로서 바람직하게 사용되는 가스 배리어성 적층체를 제공하는 것을 과제로 한다.In view of the above problem, an object of the present invention is to provide a gas barrier laminate, which is preferably used as a member for electronic devices, which has high bending resistance and excellent gas barrier properties.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 공정 필름과, 하지층과, 가스 배리어층을 이 순서로 구비하는 가스 배리어성 적층체로서, 상기 하지층을, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층으로 하고, 추가로 상기 가스 배리어성 적층체의 열 수축률의 절대값과 하지층의 파단 신도를 소정값으로 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.The inventors of the present invention, as a result of repeated studies in order to solve the above problems, a gas barrier laminate comprising a process film, a base layer, and a gas barrier layer in this order, wherein the base layer is a polymer component (A ) and a layer made of a cured product of a curable resin composition containing the curable component (B), and further setting the absolute value of the thermal shrinkage rate of the gas barrier laminate and the elongation at break of the underlying layer to predetermined values. To find out what can be solved, the present invention was completed.

즉, 본 발명은, 이하의 [1] ∼ [6] 을 제공하는 것이다.That is, the present invention provides the following [1] to [6].

[1] 공정 필름과, 하지층과, 가스 배리어층을 이 순서로 구비하는 가스 배리어성 적층체로서, [1] A gas barrier laminate comprising a process film, a base layer, and a gas barrier layer in this order, comprising:

상기 하지층은, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이고,The said base layer is a layer which consists of a hardened|cured material of curable resin composition containing a polymer component (A) and a curable component (B),

상기 가스 배리어성 적층체가, 이하의 요건 (1) 및 (2) 를 만족하는, 가스 배리어성 적층체. A gas barrier laminate, wherein the gas barrier laminate satisfies the following requirements (1) and (2).

(1) 가스 배리어성 적층체의 열 수축률의 절대값이 0.5 % 이하이다.(1) The absolute value of the thermal contraction rate of the gas barrier laminate is 0.5% or less.

(2) 가스 배리어성 적층체의 파단 신도가 1.9 % 이상이다.(2) The elongation at break of the gas barrier laminate is 1.9% or more.

[2] 상기 하지층의 두께는, 0.1 ∼ 10 ㎛ 인, 상기 [1] 에 기재된 가스 배리어성 적층체.[2] The gas barrier laminate according to the above [1], wherein the thickness of the base layer is 0.1 to 10 µm.

[3] 상기 가스 배리어층은, 도막인, 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 가스 배리어성 적층체.[3] The gas barrier laminate according to [1] or [2], wherein the gas barrier layer is a coating film.

[4] 상기 경화성 성분 (B) 는, 고리화 중합성 모노머를 함유하는, 상기 [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 가스 배리어성 적층체.[4] The gas barrier laminate according to any one of [1] to [3], wherein the curable component (B) contains a cyclization polymerizable monomer.

[5] 상기 경화성 성분 (B) 성분은, 추가로 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 함유하고, 상기 고리화 중합성 모노머와 상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 질량비가 95 : 5 ∼ 30 : 70 인, 상기 [4] 에 기재된 가스 배리어성 적층체.[5] The curable component (B) component further contains a polyfunctional (meth)acrylate compound, and the mass ratio of the cyclization polymerizable monomer to the polyfunctional (meth)acrylate compound is 95:5-30 : 70, the gas barrier laminate according to the above [4].

[6] 상기 중합체 성분 (A) 의 유리 전이 온도는, 250 ℃ 이상인, 상기 [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 가스 배리어성 적층체.[6] The gas barrier laminate according to any one of [1] to [5], wherein the polymer component (A) has a glass transition temperature of 250°C or higher.

본 발명에 의하면, 높은 굴곡 내성과 우수한 가스 배리어성을 구비하는 가스 배리어성 적층체를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the gas-barrier laminated body provided with high bending resistance and excellent gas-barrier property can be provided.

도 1 은, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체의 구성을 나타내는 단면 모식도이다.
도 2 는, 가스 배리어성 적층체의 제조 방법의 일례를 나타내는 공정도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the gas-barrier laminated body which concerns on embodiment of this invention.
2 is a process diagram showing an example of a method for producing a gas barrier laminate.

본 명세서에 있어서, 바람직하다고 하는 규정은 임의로 선택할 수 있고, 바람직하다고 하는 규정끼리의 조합은 보다 바람직하다고 말할 수 있다.In this specification, it can be said that the prescription|regulation to be preferable can be selected arbitrarily, and it can be said that the combination of the prescription|regulations said to be preferable is more preferable.

본 명세서에 있어서,「XX ∼ YY」라는 기재는,「XX 이상 YY 이하」를 의미한다.In this specification, the description "XX to YY" means "XX or more and YY or less".

본 명세서에 있어서, 바람직한 수치 범위 (예를 들어, 함유량 등의 범위) 에 대하여, 단계적으로 기재된 하한값 및 상한값은, 각각 독립적으로 조합할 수 있다. 예를 들어,「바람직하게는 10 ∼ 90, 보다 바람직하게는 30 ∼ 60」이라는 기재로부터,「바람직한 하한값 (10)」과「보다 바람직한 상한값 (60)」을 조합하여,「10 ∼ 60」이라고 할 수도 있다.In this specification, with respect to a preferable numerical range (for example, a range, such as content), the lower limit and upper limit described in stages can be combined independently, respectively. For example, from the description of "preferably 10 to 90, more preferably 30 to 60", combining "preferred lower limit (10)" and "more preferable upper limit (60)" to say "10 to 60" You may.

본 명세서에 있어서, 예를 들어,「(메트)아크릴산」이란,「아크릴산」과「메타크릴산」의 쌍방을 나타내고, 다른 유사 용어도 동일하다.In this specification, for example, "(meth)acrylic acid" represents both "acrylic acid" and "methacrylic acid", and other similar terms are also the same.

이하, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체에 대해 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the gas-barrier laminated body which concerns on embodiment of this invention is demonstrated.

1. 가스 배리어성 적층체1. Gas barrier laminate

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 공정 필름과, 하지층과, 가스 배리어층을 이 순서로 구비하고 있다. 그리고, 상기 하지층은, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이고, 가스 배리어성 적층체는, 이하의 요건 [1] 및 [2] 를 만족한다.A gas barrier laminate according to an embodiment of the present invention includes a process film, a base layer, and a gas barrier layer in this order. The base layer is a layer made of a cured product of a curable resin composition containing the polymer component (A) and the curable component (B), and the gas barrier laminate meets the following requirements [1] and [2] Satisfies.

[1] 가스 배리어성 적층체의 열 수축률의 절대값이 0.5 % 이하이다.[1] The absolute value of the thermal contraction rate of the gas barrier laminate is 0.5% or less.

[2] 가스 배리어성 적층체의 파단 신도가 1.9 % 이상이다.[2] The elongation at break of the gas barrier laminate is 1.9% or more.

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체에 있어서는, 하지층을 경화성 수지 조성물의 경화물로 함으로써, 하지층이 내용제성이 우수한 것이 된다. 이 때문에, 예를 들어, 가스 배리어층을 도막으로서 형성하는 경우, 도공시에 하지층이 용매에 의해 침식되기 어려워진다. 그 결과, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성을 저하하기 어렵게 할 수 있다. 또한, 도막이란, 도포 재료를 기재나 대상물 상에 도포하고, 필요에 따라 건조나 가열 등에 의한 경화 등의 처리를 실시하여 얻어지는 피막이다. 가스 배리어층을 도막으로 하는 경우에는, 후술하는 가스 배리어층을 형성하는 성분을 포함하는 도포 재료를 하지층 상에 도포하고, 건조나 가열 등에 의한 경화 등을 실시하여 얻어지는 피막이다. 또, 하지층을 도막으로 하는 경우에는, 경화성 수지 조성물을 공정 필름 등의 피도포체에 도포하고, 건조 및 가열이나 활성 에너지선의 조사 등에 의한 경화 처리의 어느 일방만 또는 양방을 실시하여 얻어지는 피막이다.In the gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention, when the underlying layer is a cured product of the curable resin composition, the underlying layer is excellent in solvent resistance. For this reason, for example, when forming a gas barrier layer as a coating film, it becomes difficult for a base layer to be eroded by a solvent at the time of coating. As a result, it can be made difficult to reduce the gas barrier property of a gas barrier laminated body. In addition, a coating film is a film obtained by apply|coating a coating material on a base material or a target object, and performing processing, such as hardening by drying, heating, etc. as needed. When a gas barrier layer is used as a coating film, it is a film obtained by apply|coating the coating material containing the component which forms the gas barrier layer mentioned later on a base layer, and hardening by drying, heating, etc. are performed. In addition, when the base layer is a coating film, the curable resin composition is applied to an object to be coated such as a process film, and only one or both of drying and curing treatment by heating or irradiation with active energy rays is performed. .

또, 상기 요건 [1] 을 만족함으로써, 가열시에 있어서의 가스 배리어성 적층체의 수축이 억제된다. 이 때문에, 예를 들어, 가스 배리어층을 구성하는 재료를 도공하여 가열 건조시킴으로써 가스 배리어층을 하지층 상에 형성하는 경우에, 하지층과 가스 배리어층의 전구체가 수축됨으로써 가스 배리어층이 변형되어 결과적으로 가스 배리어성이 저하되는 것을 회피할 수 있다.Moreover, by satisfying the above requirement [1], shrinkage of the gas barrier laminate during heating is suppressed. For this reason, for example, when the gas barrier layer is formed on the base layer by coating the material constituting the gas barrier layer and drying by heating, the gas barrier layer is deformed by shrinkage of the precursor of the base layer and the gas barrier layer. As a result, it is possible to avoid a decrease in gas barrier properties.

또한, 상기 요건 [2] 를 만족함으로써, 가스 배리어성 적층체의 플렉시블성이 높아져, 가스 배리어성 적층체는 굴곡 내성이 우수하고, 플렉시블 디바이스 용도에 적절한 것이 된다.In addition, by satisfying the above requirement [2], the flexibility of the gas barrier laminate is increased, and the gas barrier laminate is excellent in bending resistance and is suitable for flexible device applications.

본원 명세서에 있어서, 가스 배리어성 적층체의 열 수축률은, 가스 배리어성 적층체를 열 기계 분석 장치에 세팅하고, 5 ℃/분으로 130 ℃ 까지 승온시킨 후에 5 ℃/분으로 상온까지 냉각시키고, 하지층의 가열 전후의 장척 방향의 변위의 변화율을 측정한 값이고, 상세하게는 실시예에 나타내는 순서로 측정된다.In the present specification, the thermal contraction rate of the gas barrier laminate is set in a thermomechanical analysis apparatus, the gas barrier laminate is heated to 130 ° C at 5 ° C / min, and then cooled to room temperature at 5 ° C / min, It is the value which measured the change rate of the displacement of the elongate direction before and behind the heating of a base layer, It is measured in the procedure shown in an Example in detail.

또, 본원 명세서에 있어서, 하지층의 파단 신도는, JIS K7127 : 1999 에 따라 측정되는 값이고, 상세하게는 실시예에 나타내는 순서로 측정된다.In addition, in this specification, the fracture|rupture elongation of a base layer is a value measured according to JISK7127:1999, and is measured in the procedure shown to an Example in detail.

1-1. 하지층 1-1. lower layer

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체가 갖는 하지층은, 중합체 성분 (A), 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어진다. 하지층은 단층이어도 되고, 적층된 복수의 층을 포함하고 있어도 된다.The base layer which the gas-barrier laminated body which concerns on embodiment of this invention has consists of a hardened|cured material of curable resin composition containing a polymer component (A) and a curable component (B). A single layer may be sufficient as a base layer, and may contain the several layer laminated|stacked.

〔중합체 성분 (A)〕[Polymer component (A)]

중합체 성분 (A) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 바람직하게는 250 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 290 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 320 ℃ 이상이다. Tg 가 250 ℃ 이상임으로써 하지층의 열 수축을 억제하여, 결과적으로, 가스 배리어성 적층체의 열 수축률을 상기 서술한 범위로 조정하는 것이 용이해진다 (요컨대, 상기 요건 [1] 을 만족하기 쉬워진다).The glass transition temperature (Tg) of the polymer component (A) is preferably 250°C or higher, more preferably 290°C or higher, still more preferably 320°C or higher. When Tg is 250°C or higher, the thermal shrinkage of the underlayer is suppressed, and as a result, it becomes easy to adjust the thermal shrinkage rate of the gas barrier laminate to the above-mentioned range (in other words, it becomes easy to satisfy the above requirement [1]) ).

여기서 Tg 는, 점탄성 측정 (주파수 11 Hz, 승온 속도 3 ℃/분으로 0 ∼ 250 ℃ 의 범위에서 인장 모드에 의한 측정) 에 의해 얻어진 tanδ (손실 탄성률/저장 탄성률) 의 최대점의 온도를 말한다.Here, Tg means the temperature of the maximum point of tanδ (loss elastic modulus/storage elastic modulus) obtained by viscoelasticity measurement (measured by tensile mode in the range of 0 to 250°C at a frequency of 11 Hz and a temperature increase rate of 3°C/min).

중합체 성분 (A) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 통상적으로 100,000 ∼ 3,000,000, 바람직하게는 200,000 ∼ 2,000,000, 보다 바람직하게는 250,000 ∼ 2,000,000, 특히 바람직하게는 500,000 ∼ 1,000,000 의 범위이다. 또, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는, 바람직하게는 1.0 ∼ 5.0, 보다 바람직하게는 2.0 ∼ 4.5 의 범위이다. 중량 평균 분자량 (Mw) 및 분자량 분포 (Mw/Mn) 는, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 값이다. Mw 를 100,000 이상으로 함으로써, 하지층의 파단 신도를 크게 하기 쉬워진다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymer component (A) is usually in the range of 100,000 to 3,000,000, preferably 200,000 to 2,000,000, more preferably 250,000 to 2,000,000, particularly preferably 500,000 to 1,000,000. Moreover, molecular weight distribution (Mw/Mn) becomes like this. Preferably it is 1.0-5.0, More preferably, it is the range of 2.0-4.5. A weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw/Mn) are polystyrene conversion values measured by the gel permeation chromatography (GPC) method. By making Mw into 100,000 or more, it becomes easy to enlarge the breaking elongation of an underlayer.

중합체 성분 (A) 로는, 열 가소성 수지가 바람직하고, 비정성 열 가소성 수지가 보다 바람직하다. 비정성 열 가소성 수지를 사용함으로써, 광학 등방성이 우수한 하지층을 얻기 쉬워지고, 또, 투명성이 우수한 가스 배리어성 적층체가 얻기 쉬워진다. 또, 비정성 열 가소성 수지는 대개 유기 용제에 녹기 쉽기 때문에, 후술하는 바와 같이, 용액 캐스트법을 이용하여, 효율적으로 하지층을 형성할 수 있다.As the polymer component (A), a thermoplastic resin is preferable, and an amorphous thermoplastic resin is more preferable. By using an amorphous thermoplastic resin, it becomes easy to obtain the base layer excellent in optical isotropy, and it becomes easy to obtain the gas barrier laminated body excellent in transparency. Moreover, since an amorphous thermoplastic resin is usually easy to melt|dissolve in an organic solvent, as mentioned later, a base layer can be efficiently formed using the solution casting method.

여기서, 비정성 열 가소성 수지란, 시차 주사 열량 측정에 있어서, 융점이 관측되지 않는 열 가소성 수지를 말한다.Here, the amorphous thermoplastic resin refers to a thermoplastic resin whose melting point is not observed in differential scanning calorimetry.

중합체 성분 (A) 는, 특히, 벤젠이나 메틸에틸케톤 (MEK) 등의 저비점의 범용의 유기 용제에 가용인 것이 바람직하다. 범용의 유기 용매에 가용이면, 도공에 의해 하지층을 형성하는 것이 용이해진다.It is preferable that a polymer component (A) is especially soluble in low boiling point general-purpose organic solvents, such as benzene and methyl ethyl ketone (MEK). If it is soluble in a general-purpose organic solvent, it will become easy to form a base layer by coating.

중합체 성분 (A) 로서, 특히 바람직한 것은, Tg 가 250 ℃ 이상인 비정질 열 가소성 수지로서, 벤젠이나 MEK 등의 저비점의 범용의 유기 용제에 가용인 것이다.As the polymer component (A), particularly preferred is an amorphous thermoplastic resin having a Tg of 250°C or higher, which is soluble in a low-boiling point general-purpose organic solvent such as benzene and MEK.

또 중합체 성분 (A) 로는, 내열성의 관점에서, 방향족 고리 구조 또는 지환식 구조 등의 고리 구조를 갖는 열 가소성 수지가 바람직하고, 방향족 고리 구조를 갖는 열 가소성 수지가 보다 바람직하다.Moreover, as a polymer component (A), from a heat resistant viewpoint, the thermoplastic resin which has ring structures, such as an aromatic ring structure or an alicyclic structure, is preferable, and the thermoplastic resin which has an aromatic ring structure is more preferable.

중합체 성분 (A) 의 구체예로는, 폴리이미드 수지, 및 폴리아릴레이트 수지 등을 들 수 있다. 이들의 수지는 대개 Tg 가 높고 내열성이 우수하고, 또, 비정질 열 가소성 수지이기 때문에, 용액 캐스트법에 의한 도막 형성이 가능하다. 이들 중에서도, Tg 가 높고 내열성이 우수하고, 또, 양호한 내열성을 나타내면서도 범용의 유기 용매에 가용인 것을 얻기 쉽다는 점에서 폴리이미드 수지가 바람직하다.As a specific example of a polymer component (A), a polyimide resin, polyarylate resin, etc. are mentioned. Since these resins are usually high in Tg and excellent in heat resistance, and are amorphous thermoplastic resins, coating film formation by a solution casting method is possible. Among these, polyimide resin is preferable at the point that it is easy to obtain a thing soluble in a general-purpose organic solvent, having high Tg and excellent heat resistance, and exhibiting favorable heat resistance.

폴리이미드 수지로는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 방향족 폴리이미드 수지, 방향족 (카르복실산 성분)-고리형 지방족 (디아민 성분) 폴리이미드 수지, 고리형 지방족 (카르복실산 성분)-방향족 (디아민 성분) 폴리이미드 수지, 고리형 지방족 폴리이미드 수지, 및 불소화 방향족 폴리이미드 수지 등을 사용할 수 있다. 특히, 분자 내에 플루오로기를 갖는 폴리이미드 수지가 바람직하다. 일반적으로, 폴리이미드 수지의 Tg 는 250 ℃ 이상이다.The polyimide resin is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention, and for example, aromatic polyimide resin, aromatic (carboxylic acid component)-cyclic aliphatic (diamine component) polyimide resin, ring Type aliphatic (carboxylic acid component)-aromatic (diamine component) polyimide resins, cyclic aliphatic polyimide resins, fluorinated aromatic polyimide resins, and the like can be used. In particular, a polyimide resin having a fluoro group in the molecule is preferable. Generally, Tg of a polyimide resin is 250 degreeC or more.

구체적으로는, 방향족 디아민 화합물과 테트라카르복실산 2 무수물을 사용하여, 폴리아미드산에 대한 중합, 화학 이미드화 반응을 거쳐 얻어지는 폴리이미드 수지가 바람직하다.Specifically, the polyimide resin obtained through polymerization with respect to a polyamic acid and chemical imidation reaction using an aromatic diamine compound and tetracarboxylic dianhydride is preferable.

방향족 디아민 화합물로는, 함께 사용되는 테트라카르복실산 2 무수물과의 반응에 의해, 공통의 용매 (예를 들어, N,N-디메틸아세트아미드 (DMAC)) 에 가용이고, 소정의 투명성을 갖는 폴리이미드를 부여하는 방향족 디아민 화합물이면, 임의의 방향족 디아민 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2-(3-아미노페닐)-2-(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노페닐)-2-(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 3,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕술파이드, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕술파이드, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕술파이드, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕술파이드, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕술파이드, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕술폰, 비스〔4-(4-아미노페닐)〕술폰, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕술폰, 비스〔4-(3-아미노페닐)〕술폰, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕에테르, 비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕메탄, 비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕메탄, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 1,3-비스〔4-(4-아미노-6-트리플루오로메틸페녹시)-α,α-디메틸벤질〕벤젠, 1,3-비스〔4-(4-아미노-6-플루오로메틸페녹시)-α,α-디메틸벤질〕벤젠, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐 등을 들 수 있다.As an aromatic diamine compound, it is soluble in a common solvent (for example, N,N- dimethylacetamide (DMAC)) by reaction with tetracarboxylic dianhydride used together, and it is poly(i) which has predetermined|prescribed transparency. Arbitrary aromatic diamine compounds can be used as long as it is an aromatic diamine compound which gives a mid. Specifically, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4' -diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(3-aminophenyl)propane, 2-(3-aminophenyl)-2-(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis (4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(3-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoro Ropropane, 2-(3-aminophenyl)-2-(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis(3-aminophenoxy) Benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4,4'-bis (4-aminophenoxy)biphenyl, 3,3'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 3,4'-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-amino) Phenoxy)phenyl]sulfide, bis[3-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfide, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfide, bis[3-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfide )phenyl]sulfide, bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfide, bis[3-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(4-aminophenyl)]sulfone; Bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenyl)]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(4- aminophenoxy)phenyl]ether, bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl ]methane, bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, bis[3-(4-aminophenoxy)phenyl]methane, 2,2-bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl] Propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl ]propane, 2,2-bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-amino) Phenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3 ,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis [4 -(4-amino-6-trifluoromethylphenoxy)-α,α-dimethylbenzyl]benzene, 1,3-bis[4-(4-amino-6-fluoromethylphenoxy)-α,α -Dimethylbenzyl]benzene, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-bis(trifluoro methyl)-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, etc. are mentioned.

이들의 방향족 디아민 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상의 방향족 디아민 화합물을 사용해도 된다. 그리고, 투명성이나 내열성의 관점에서, 바람직한 방향족 디아민 화합물로는, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노페닐)-2-(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔4-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔4-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔3-(3-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스〔3-(4-아미노페녹시)페닐〕-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 1,3-비스〔4-(4-아미노-6-트리플루오로메틸페녹시)-α,α-디메틸벤질〕벤젠, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐 등의 플루오로기를 갖는 방향족 디아민 화합물을 들 수 있고, 사용하는 방향족 디아민 화합물의 적어도 1 종류는 플루오로기를 갖는 방향족 디아민 화합물인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐이다. 플루오로기를 갖는 방향족 디아민 화합물을 사용함으로써, 투명성, 내열성, 용제에 대한 가용성을 얻는 것이 용이해진다.These aromatic diamine compounds may be used independently and may use 2 or more types of aromatic diamine compounds. From the viewpoint of transparency and heat resistance, preferred aromatic diamine compounds include 2,2-bis(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (3-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2-(3-aminophenyl)-2-(4-aminophenyl)-1,1,1,3, 3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [ 4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis[3-(3-aminophenoxy)phenyl]-1,1 , 1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1 ,3-bis[4-(4-amino-6-trifluoromethylphenoxy)-α,α-dimethylbenzyl]benzene, 3,3′-bis(trifluoromethyl)-4,4′-dia and aromatic diamine compounds having a fluoro group, such as minobiphenyl and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, and at least one kind of aromatic diamine compound to be used is It is preferable that it is an aromatic diamine compound which has a fluoro group, Especially preferably, it is 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'- diaminobiphenyl. By using the aromatic diamine compound which has a fluoro group, it becomes easy to obtain transparency, heat resistance, and the solubility with respect to a solvent.

테트라카르복실산 2 무수물로는, 상기 방향족 디아민 화합물과 마찬가지로, 공통의 용매 (예를 들어, N,N-디메틸아세트아미드 (DMAC)) 에 가용이고 소정의 투명성을 갖는 폴리이미드를 부여하는 테트라카르복실산 2 무수물이면, 임의의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 4,4'-(1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판-2,2-디일)디프탈산 2 무수물, 피로멜리트산 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 1,4-하이드로퀴논디벤조에이트-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 2 무수물 등이 예시된다. 이들의 테트라카르복실산 2 무수물은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상의 테트라카르복실산 2 무수물을 사용해도 된다. 그리고, 투명성, 내열성 및 용제에 대한 가용성의 관점에서, 4,4'-(1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판-2,2-디일)디프탈산 2 무수물 등, 적어도 1 종류의 플루오로기를 갖는 테트라카르복실산 2 무수물을 사용하는 것이 바람직하다.As tetracarboxylic dianhydride, it is soluble in a common solvent (for example, N,N- dimethylacetamide (DMAC)) similarly to the said aromatic diamine compound, The tetracarboxylic which gives the polyimide which has predetermined|prescribed transparency. If it is acid dianhydride, any thing can be used, Specifically, 4,4'-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane-2,2-diyl) diphthalic dianhydride , pyromellitic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 1,4-hydroquinonedibenzoate-3,3',4,4'-tetracarboxylic acid dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, etc. are illustrated. These tetracarboxylic dianhydride may be used independently and may use 2 or more types of tetracarboxylic dianhydride. And from the viewpoint of transparency, heat resistance, and solubility to a solvent, 4,4'-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane-2,2-diyl)diphthalic dianhydride, etc., at least It is preferable to use tetracarboxylic dianhydride which has one type of fluoro group.

폴리아미드산에 대한 중합은, 생성되는 폴리아미드산이 가용인 용제에 대한 용해하에서, 상기 방향족 디아민 화합물 및 테트라카르복실산 2 무수물을 반응시킴으로써 실시할 수 있다. 폴리아미드산에 대한 중합에 사용하는 용제로는, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디메틸술폭사이드 등의 용제를 사용할 수 있다.Superposition|polymerization with respect to a polyamic acid can be performed by making the said aromatic diamine compound and tetracarboxylic dianhydride react under melt|dissolution with respect to the solvent in which the polyamic acid produced|generated is soluble. Examples of the solvent used for polymerization of polyamic acid include N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazoli. Solvents, such as dinon and dimethyl sulfoxide, can be used.

폴리아미드산에 대한 중합 반응은, 교반 장치를 구비한 반응 용기에서 교반하면서 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 용제에 소정량의 방향족 디아민 화합물을 용해시키고, 교반하면서 테트라카르복실산 2 무수물을 투입하고 반응을 실시하여 폴리아미드산을 얻는 방법, 테트라카르복실산 2 무수물을 용제에 용해시키고, 교반하면서 방향족 디아민 화합물을 투입하고 반응시켜 폴리아미드산을 얻는 방법, 방향족 디아민 화합물과 테트라카르복실산 2 무수물을 교대로 투입하고 반응시켜 폴리아미드산을 얻는 방법 등을 들 수 있다.It is preferable to carry out the polymerization reaction with respect to a polyamic acid, stirring in the reaction container provided with the stirring device. For example, a method in which a predetermined amount of an aromatic diamine compound is dissolved in the solvent, tetracarboxylic dianhydride is added while stirring, and reacted to obtain polyamic acid, tetracarboxylic dianhydride is dissolved in a solvent, , a method in which an aromatic diamine compound is introduced and reacted while stirring to obtain a polyamic acid, and a method in which an aromatic diamine compound and tetracarboxylic dianhydride are alternately added and reacted to obtain a polyamic acid.

폴리아미드산에 대한 중합 반응의 온도에 대해서는 특별히 제약은 없지만, 0 ∼ 70 ℃ 의 온도에서 실시하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 60 ℃ 이고, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 50 ℃ 이다. 중합 반응을 상기 범위 내에서 실시함으로써, 착색이 적고 투명성이 우수한 고분자량의 폴리아미드산을 얻는 것이 가능해진다.Although there is no restriction|limiting in particular about the temperature of the polymerization reaction with respect to polyamic acid, It is preferable to carry out at the temperature of 0-70 degreeC, More preferably, it is 10-60 degreeC, More preferably, it is 20-50 degreeC. By carrying out the polymerization reaction within the above range, it becomes possible to obtain a high molecular weight polyamic acid with little coloration and excellent transparency.

또, 폴리아미드산에 대한 중합에 사용하는 방향족 디아민 화합물과 테트라카르복실산 2 무수물은 대개 당몰량을 사용하지만, 얻어지는 폴리아미드산의 중합도를 컨트롤하기 위해, 테트라카르복실산 2 무수물의 몰량/방향족 디아민 화합물의 몰량 (몰 비율) 을 0.95 ∼ 1.05 의 범위에서 변화시키는 것도 가능하다. 그리고, 테트라카르복실산 2 무수물과 방향족 디아민 화합물의 몰 비율은, 1.001 ∼ 1.02 의 범위인 것이 바람직하고, 1.001 ∼ 1.01 인 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 테트라카르복실산 2 무수물을 방향족 디아민 화합물에 대해 약간 과잉으로 함으로써, 얻어지는 폴리아미드산의 중합도를 안정시킬 수 있음과 함께, 테트라카르복실산 2 무수물 유래의 유닛을 폴리머의 말단에 배치할 수 있고, 그 결과, 착색이 적고 투명성이 우수한 폴리이미드를 부여하는 것이 가능해진다.Moreover, although the aromatic diamine compound and tetracarboxylic dianhydride used for superposition|polymerization with respect to polyamic acid usually use an equivalent molar amount, in order to control the polymerization degree of the polyamic acid obtained, molar amount/aromatic of tetracarboxylic dianhydride It is also possible to change the molar amount (molar ratio) of a diamine compound in the range of 0.95-1.05. And it is preferable that it is the range of 1.001-1.02, and, as for the molar ratio of tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine compound, it is more preferable that it is 1.001-1.01. Thus, by making tetracarboxylic dianhydride slightly excess with respect to an aromatic diamine compound, while being able to stabilize the polymerization degree of the polyamic acid obtained, the unit derived from tetracarboxylic dianhydride can be arrange|positioned at the terminal of a polymer As a result, there is little coloring and it becomes possible to provide the polyimide excellent in transparency.

생성하는 폴리아미드산 용액의 농도는, 용액의 점도를 적정하게 유지하고, 그 후의 공정에서의 취급이 용이해지도록, 적절한 농도 (예를 들어, 10 ∼ 30 질량% 정도) 로 조정하는 것이 바람직하다.The concentration of the polyamic acid solution to be produced is preferably adjusted to an appropriate concentration (eg, about 10 to 30 mass%) so as to maintain the viscosity of the solution appropriately and to facilitate handling in subsequent steps. .

얻어진 폴리아미드산 용액에 이미드화제를 첨가하여 화학 이미드화 반응을 실시한다. 이미드화제로는, 무수 아세트산, 무수 프로피온산, 무수 숙신산, 무수 프탈산, 무수 벤조산 등의 카르복실산 무수물을 사용할 수 있고, 비용이나 반응 후의 제거 용이성의 관점에서 무수 아세트산을 사용하는 것이 바람직하다. 사용하는 이미드화제의 당량은 화학 이미드화 반응을 실시하는 폴리아미드산의 아미드 결합의 당량 이상이고, 아미드 결합의 당량의 1.1 ∼ 5 배인 것이 바람직하고, 1.5 ∼ 4 배인 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 아미드 결합에 대해 약간 과잉의 이미드화제를 사용함으로써, 비교적 저온에서도 효율적으로 이미드화 반응을 실시할 수 있다.An imidation agent is added to the obtained polyamic acid solution, and chemical imidation reaction is performed. As the imidizing agent, carboxylic acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, succinic anhydride, phthalic anhydride, and benzoic anhydride can be used, and acetic anhydride is preferably used from the viewpoint of cost and ease of removal after the reaction. The equivalent of the imidating agent to be used is not less than the equivalent of the amide bond of the polyamic acid subjected to the chemical imidization reaction, preferably 1.1 to 5 times the equivalent of the amide bond, and more preferably 1.5 to 4 times the equivalent of the amide bond. Thus, by using a slightly excess imidation agent with respect to an amide bond, the imidation reaction can be performed efficiently even at comparatively low temperature.

화학 이미드화 반응에는, 이미드화 촉진제로서, 피리딘, 피콜린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 트리메틸아민, 트리에틸아민 등의 지방족, 방향족 또는 복소 고리형 제 3 급 아민류를 사용할 수 있다. 이와 같은 아민류를 사용함으로써, 저온에서 효율적으로 이미드화 반응을 실시할 수 있고, 그 결과 이미드화 반응시의 착색을 억제하는 것이 가능해져, 보다 투명한 폴리이미드를 얻기 쉬워진다.In the chemical imidation reaction, aliphatic, aromatic or heterocyclic tertiary amines such as pyridine, picoline, quinoline, isoquinoline, trimethylamine and triethylamine can be used as the imidization accelerator. By using such amines, imidation reaction can be performed efficiently at low temperature, As a result, it becomes possible to suppress coloring at the time of imidation reaction, and it becomes easy to obtain a more transparent polyimide.

화학 이미드화 반응 온도에 대해서는 특별히 제약은 없지만, 10 ℃ 이상 50 ℃ 미만에서 실시하는 것이 바람직하고, 15 ℃ 이상 45 ℃ 미만에서 실시하는 것이 보다 바람직하다. 10 ℃ 이상 50 ℃ 미만의 온도에서 화학 이미드화 반응을 실시함으로써, 이미드화 반응시의 착색이 억제되어, 투명성이 우수한 폴리이미드를 얻기 쉬워진다.Although there is no restriction|limiting in particular about the chemical imidation reaction temperature, It is preferable to carry out at 10 degreeC or more and less than 50 degreeC, It is more preferable to carry out at 15 degreeC or more and less than 45 degreeC. By performing a chemical imidation reaction at the temperature of 10 degreeC or more and less than 50 degreeC, coloring at the time of imidation reaction is suppressed and it becomes easy to obtain the polyimide excellent in transparency.

이 후, 필요에 따라, 화학 이미드화 반응에 의해 얻어진 폴리이미드 용액에, 폴리이미드의 빈용매를 첨가하여 폴리이미드를 석출시켜 분체를 형성시키는 분체화, 건조를 실시한다.After that, if necessary, the poor solvent of the polyimide is added to the polyimide solution obtained by the chemical imidization reaction, the polyimide is precipitated, and the powder is formed and dried to form powder.

폴리이미드 수지로는, 벤젠이나 MEK 등의 저비점의 유기 용제에 가용인 것이 바람직하고, MEK 에 가용인 것이 보다 바람직하다. MEK 에 가용이면, 도포·건조에 의해 용이하게 경화성 수지 조성물의 층을 형성할 수 있다.As polyimide resin, it is preferable that it is soluble in organic solvents of low boiling points, such as benzene and MEK, and it is more preferable that it is soluble in MEK. If it is soluble in MEK, the layer of curable resin composition can be formed easily by application|coating and drying.

플루오로기를 포함하는 폴리이미드 수지는, MEK 등의 비점이 낮은 범용의 유기 용제에 용해되기 쉬워져, 도포법으로 하지층을 형성하기 쉬워진다는 관점에서 바람직하다.Polyimide resin containing a fluoro group is preferable from a viewpoint that it becomes easy to melt|dissolve in general-purpose organic solvents with low boiling points, such as MEK, and it becomes easy to form a base layer by the application|coating method.

플루오로기를 갖는 폴리이미드 수지로는, 분자 내에 플루오로기를 갖는 방향족 폴리이미드 수지가 바람직하고, 분자 내에 이하의 화학식으로 나타내는 골격을 갖는 것이 바람직하다.As a polyimide resin which has a fluoro group, the aromatic polyimide resin which has a fluoro group in a molecule|numerator is preferable, and what has skeleton shown in the molecule|numerator by the following general formula is preferable.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 화학식으로 나타내는 골격을 갖는 폴리이미드 수지는, 상기 골격의 강직성이 높음으로써, 300 ℃ 를 초과하는 매우 높은 Tg 를 갖고 있다. 이 때문에, 하지층의 내열성을 크게 향상시킬 수 있다. 또, 상기 골격은 직선적이고 비교적 유연성이 높아, 하지층의 파단 신도를 높게 하기 쉬워진다. 또한, 상기 골격을 갖는 폴리이미드 수지는, 플루오로기를 가짐으로써, MEK 등의 저비점의 범용 유기 용제에 용해할 수 있다. 따라서, 용액 캐스트법을 사용하여 도공을 실시하여, 도막으로서 하지층을 형성할 수 있고, 또, 건조에 의한 용제 제거도 용이하다. 상기 화학식으로 나타내는 골격을 갖는 폴리이미드 수지는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐과, 4,4'-(1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판-2,2-디일)디프탈산 2 무수물을 사용하여, 상기 서술한 폴리아미드산의 중합 및 이미드화 반응에 의해 얻을 수 있다.Polyimide resin which has frame|skeleton represented by the said Formula has high rigidity of the said frame|skeleton, and has very high Tg exceeding 300 degreeC. For this reason, the heat resistance of a base layer can be improved significantly. Moreover, the said skeleton is linear and comparatively high softness|flexibility, and it becomes easy to increase the breaking elongation of an underlayer. Moreover, the polyimide resin which has the said frame|skeleton can melt|dissolve in low boiling point general-purpose organic solvents, such as MEK, by having a fluoro group. Therefore, it can coat using the solution casting method, can form a base layer as a coating film, and the solvent removal by drying is also easy. The polyimide resin having a skeleton represented by the above formula is 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-(1,1,1,3, It can obtain by the polymerization and imidation reaction of the polyamic acid mentioned above using 3, 3- hexafluoro propane-2,2-diyl) diphthalic dianhydride.

폴리아릴레이트 수지는, 방향족 디올과 방향족 디카르복실산 또는 그 클로라이드의 반응에 의해 얻어지는 고분자 화합물로 이루어지는 수지이다. 폴리아릴레이트 수지도, 비교적 높은 Tg 를 갖고 있어, 신장 특성도 비교적 양호하다. 폴리아릴레이트 수지의 Tg 는, 170 ∼ 300 ℃ 정도의 범위 내이고, 그 구조에 따라 상이한데, Tg 가 250 ℃ 이상인 것도 있다. 폴리아릴레이트 수지로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다.Polyarylate resin is resin which consists of a high molecular compound obtained by reaction of aromatic diol, aromatic dicarboxylic acid, or its chloride. Polyarylate resin also has comparatively high Tg, and also has comparatively favorable elongation characteristic. Tg of polyarylate resin exists in the range of about 170-300 degreeC, and although it changes with the structure, Tg may be 250 degreeC or more. It does not specifically limit as polyarylate resin, A well-known thing can be used.

방향족 디올로는, 예를 들어, 비스(4-하이드록시페닐)메탄〔비스페놀 F〕, 비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)메탄, 1,1-비스(4'-하이드록시페닐)에탄, 1,1-비스(3'-메틸-4'-하이드록시페닐)에탄, 2,2-비스(4'-하이드록시페닐)프로판〔비스페놀 A〕, 2,2-비스(3'-메틸-4'-하이드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4'-하이드록시페닐)부탄, 2,2-비스(4'-하이드록시페닐)옥탄 등의 비스(하이드록시페닐)알칸류 ; 1,1-비스(4'-하이드록시페닐)시클로펜탄, 1,1-비스(4'-하이드록시페닐)시클로헥산〔비스페놀 Z〕, 1,1-비스(4'-하이드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산 등의 비스(하이드록시페닐)시클로알칸류 ; 비스(4-하이드록시페닐)페닐메탄, 비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)페닐메탄, 비스(2,6-디메틸-4-하이드록시페닐)페닐메탄, 비스(2,3,6-트리메틸-4-하이드록시페닐)페닐메탄, 비스(3-t-부틸-4-하이드록시페닐)페닐메탄, 비스(3-페닐-4-하이드록시페닐)페닐메탄, 비스(3-플루오로-4-하이드록시페닐)페닐메탄, 비스(3-브로모-4-하이드록시페닐)페닐메탄, 비스(4-하이드록시페닐)-4-플루오로페닐메탄, 비스(3-플루오로-4-하이드록시페닐)-4-플루오로페닐메탄, 비스(4-하이드록시페닐)-4-클로로페닐메탄, 비스(4-하이드록시페닐)-4-브로모페닐메탄, 비스(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-4-플루오로페닐메탄, 1,1-비스(4'-하이드록시페닐)-1-페닐에탄〔비스페놀 P〕, 1,1-비스(3'-메틸-4'-하이드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,1-비스(3'-t-부틸-4'-하이드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,1-비스(3'-페닐-4'-하이드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,1-비스(4'-하이드록시페닐)-1-(4'-니트로페닐)에탄, 1,1-비스(3'-브로모-4'-하이드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,1-비스(4'-하이드록시페닐)-1-페닐프로판, 비스(4-하이드록시페닐)디페닐메탄, 비스(4-하이드록시페닐)디벤질메탄 등의 비스(하이드록시페닐)페닐알칸류 ; 비스(4-하이드록시페닐)에테르, 비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)에테르 등의 비스(하이드록시페닐)에테르류 ; 비스(4-하이드록시페닐)케톤, 비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)케톤 등의 비스(하이드록시페닐)케톤류 ; 비스(4-하이드록시페닐)술파이드, 비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)술파이드 등의 비스(하이드록시페닐)술파이드류 ; 비스(4-하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)술폭사이드 등의 비스(하이드록시페닐)술폭사이드류 ; 비스(4-하이드록시페닐)술폰〔비스페놀 S〕, 비스(3-메틸-4-하이드록시페닐)술폰 등의 비스(하이드록시페닐)술폰류 ; 9,9-비스(4'-하이드록시페닐)플루오렌, 9,9-비스(3'-메틸-4'-하이드록시페닐)플루오렌 등의 비스(하이드록시페닐)플루오렌류 ; 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic diol include bis(4-hydroxyphenyl)methane [bisphenol F], bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)methane, 1,1-bis(4'-hydroxyphenyl) Ethane, 1,1-bis(3'-methyl-4'-hydroxyphenyl)ethane, 2,2-bis(4'-hydroxyphenyl)propane [bisphenol A], 2,2-bis(3'- Bis(hydroxyphenyl)alkanes such as methyl-4'-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(4'-hydroxyphenyl)butane, and 2,2-bis(4'-hydroxyphenyl)octane ; 1,1-bis(4'-hydroxyphenyl)cyclopentane, 1,1-bis(4'-hydroxyphenyl)cyclohexane [bisphenol Z], 1,1-bis(4'-hydroxyphenyl)- bis(hydroxyphenyl)cycloalkanes such as 3,3,5-trimethylcyclohexane; Bis(4-hydroxyphenyl)phenylmethane, bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)phenylmethane, bis(2,6-dimethyl-4-hydroxyphenyl)phenylmethane, bis(2,3,6 -trimethyl-4-hydroxyphenyl)phenylmethane, bis(3-t-butyl-4-hydroxyphenyl)phenylmethane, bis(3-phenyl-4-hydroxyphenyl)phenylmethane, bis(3-fluoro -4-hydroxyphenyl)phenylmethane, bis(3-bromo-4-hydroxyphenyl)phenylmethane, bis(4-hydroxyphenyl)-4-fluorophenylmethane, bis(3-fluoro-4 -Hydroxyphenyl)-4-fluorophenylmethane, bis(4-hydroxyphenyl)-4-chlorophenylmethane, bis(4-hydroxyphenyl)-4-bromophenylmethane, bis(3,5- Dimethyl-4-hydroxyphenyl)-4-fluorophenylmethane, 1,1-bis(4'-hydroxyphenyl)-1-phenylethane [bisphenol P], 1,1-bis(3'-methyl- 4'-hydroxyphenyl)-1-phenylethane, 1,1-bis(3'-t-butyl-4'-hydroxyphenyl)-1-phenylethane, 1,1-bis(3'-phenyl- 4'-hydroxyphenyl)-1-phenylethane, 1,1-bis(4'-hydroxyphenyl)-1-(4'-nitrophenyl)ethane, 1,1-bis(3'-bromo- 4'-hydroxyphenyl)-1-phenylethane, 1,1-bis(4'-hydroxyphenyl)-1-phenylpropane, bis(4-hydroxyphenyl)diphenylmethane, bis(4-hydroxyl bis(hydroxyphenyl)phenylalkanes such as phenyl)dibenzylmethane; bis(hydroxyphenyl)ethers such as bis(4-hydroxyphenyl)ether and bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)ether; bis(hydroxyphenyl)ketones such as bis(4-hydroxyphenyl)ketone and bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)ketone; bis(hydroxyphenyl)sulfides such as bis(4-hydroxyphenyl)sulfide and bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)sulfide; bis(hydroxyphenyl)sulfoxides such as bis(4-hydroxyphenyl)sulfoxide and bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)sulfoxide; bis(hydroxyphenyl)sulfones such as bis(4-hydroxyphenyl)sulfone [bisphenol S] and bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)sulfone; bis(hydroxyphenyl)fluorenes such as 9,9-bis(4'-hydroxyphenyl)fluorene and 9,9-bis(3'-methyl-4'-hydroxyphenyl)fluorene; and the like.

방향족 디카르복실산 또는 그 클로라이드로는, 예를 들어, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 4,4'-비페닐디카르복실산, 디페녹시에탄디카르복실산, 디페닐에테르4,4'-디카르복실산, 4,4'-디페닐술폰디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 및 그들의 클로라이드 등을 들 수 있다. 또, 사용하는 폴리아릴레이트계 수지는, 변성 폴리아릴레이트계 수지여도 된다. 이들 중에서도, 폴리아릴레이트계 수지로는, 2,2-비스(4'-하이드록시페닐)프로판과 이소프탈산의 반응에 의해 얻어지는 고분자 화합물로 이루어지는 수지가 바람직하다.Examples of the aromatic dicarboxylic acid or its chloride include phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, diphenoxyethanedicarboxylic acid, and diphenylether 4,4' -dicarboxylic acid, 4,4'-diphenylsulfonedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, and their chlorides, etc. are mentioned. Moreover, the polyarylate-type resin to be used may be modified|denatured polyarylate-type resin. Among these, as polyarylate-type resin, resin which consists of a high molecular compound obtained by reaction of 2, 2-bis (4'-hydroxyphenyl) propane and isophthalic acid is preferable.

중합체 성분 (A) 는 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있지만, 단일 종류의 폴리이미드 수지를 사용한 것, 종류가 상이한 폴리이미드 수지를 복수 사용한 것, 및 폴리이미드 수지에 폴리아미드 수지 및 폴리아릴레이트 수지 중 적어도 일방을 첨가한 것이, 신장 특성을 조정할 수 있는 관점, 및 내용제성의 관점에서 바람직하다.Although the polymer component (A) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types, A thing using a single type of polyimide resin, A thing using two or more polyimide resins with different types, and polyamide to a polyimide resin What added at least one of resin and polyarylate resin is preferable from a viewpoint of being able to adjust an extending|stretching characteristic, and a viewpoint of solvent resistance.

폴리아미드 수지로는, 유기 용매에 가용인 것이 바람직하고, 고무 변성 폴리아미드 수지가 바람직하다. 고무 변성 폴리아미드 수지로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2004-035638호에 기재된 것을 사용할 수 있다.As a polyamide resin, a thing soluble in an organic solvent is preferable, and rubber-modified polyamide resin is preferable. As a rubber-modified polyamide resin, the thing of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-035638 can be used, for example.

폴리이미드 수지에 폴리아미드 수지나 폴리아릴레이트 수지를 첨가하는 경우, 첨가하는 수지의 양은, Tg 를 높게 유지하면서, 적당히 유연성을 부여하는 관점에서, 폴리이미드 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 100 질량부 이하, 보다 바람직하게는 70 질량부 이하, 더욱 바람직하게는 50 질량부 이하, 보다 더욱 바람직하게는 30 질량부 이하이고, 또, 바람직하게는 1 질량부 이상, 보다 바람직하게는 3 질량부 이상이다.When adding a polyamide resin or polyarylate resin to the polyimide resin, the amount of the added resin is preferably 100 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polyimide resin from the viewpoint of providing moderate flexibility while maintaining Tg high. Part by mass or less, more preferably 70 parts by mass or less, still more preferably 50 parts by mass or less, still more preferably 30 parts by mass or less, and preferably 1 part by mass or more, more preferably 3 parts by mass or less. More than that.

〔경화성 성분 (B)〕[Curable component (B)]

경화성 성분 (B) 는, 중합 반응, 또는 중합 반응 및 가교 반응에 관여할 수 있는 성분이고, 예를 들어, 중합성 불포화 결합을 갖고, 중합 반응, 또는 중합 반응 및 가교 반응에 관여할 수 있는 단량체이다. 또한, 본 명세서에 있어서,「경화」란, 이「단량체의 중합 반응」, 또는,「단량체의 중합 반응 및 이어지는 중합체의 가교 반응」을 포함한 넓은 개념을 의미한다. 경화성 성분 (B) 를 사용함으로써, 내용제성이 우수한 가스 배리어성 적층체를 얻을 수 있다.The curable component (B) is a component capable of participating in a polymerization reaction, or a polymerization reaction and a crosslinking reaction, for example, a monomer having a polymerizable unsaturated bond and capable of participating in a polymerization reaction, or a polymerization reaction and a crosslinking reaction am. In addition, in this specification, "curing" means a broad concept including this "polymerization reaction of a monomer" or "a polymerization reaction of a monomer and a subsequent crosslinking reaction of a polymer". By using a sclerosing|hardenable component (B), the gas-barrier laminated body excellent in solvent resistance can be obtained.

경화성 성분 (B) 의 분자량은, 통상적으로 3,000 이하, 바람직하게는 200 ∼ 2,000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 1,000 이다.The molecular weight of a sclerosing|hardenable component (B) is 3,000 or less normally, Preferably it is 200-2,000, More preferably, it is 200-1,000.

경화성 성분 (B) 중의 중합성 불포화 결합의 수는 특별히 제한되지 않는다. 경화성 성분 (B) 는, 중합성 불포화 결합을 1 개 갖는 단관능형의 단량체여도 되고, 복수 갖는 2 관능형이나 3 관능형 등의 다관능형의 단량체여도 된다.The number of polymerizable unsaturated bonds in the curable component (B) is not particularly limited. A sclerosing|hardenable component (B) may be a monofunctional monomer which has one polymerizable unsaturated bond, and polyfunctional monomers, such as a bifunctional type and trifunctional type which have two or more, may be sufficient as it.

상기 단관능형의 단량체로는, 단관능의 (메트)아크릴산 유도체를 들 수 있다.Monofunctional (meth)acrylic acid derivatives are mentioned as said monofunctional monomer.

단관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 질소 원자를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체, 지환식 구조를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체, 폴리에테르 구조를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as a monofunctional (meth)acrylic acid derivative, A well-known compound can be used. For example, a monofunctional (meth)acrylic acid derivative having a nitrogen atom, a monofunctional (meth)acrylic acid derivative having an alicyclic structure, and a monofunctional (meth)acrylic acid derivative having a polyether structure may be mentioned.

질소 원자를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 하기 식으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a monofunctional (meth)acrylic acid derivative which has a nitrogen atom, the compound represented by a following formula is mentioned.

[화학식 2] [Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

식 중, R1 은, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타내고, R2 및 R3 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 유기기를 나타내고, R2 와 R3 은, 결합하여 고리 구조를 형성해도 되고, R4 는, 2 가의 유기기를 나타낸다.In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom or an organic group having 1 to 12 carbon atoms, R 2 and R 3 are bonded to each other Ring structure may be formed, and R 4 represents a divalent organic group.

R1 로 나타내는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등을 들 수 있고, 메틸기가 바람직하다.A methyl group, an ethyl group, a propyl group, etc. are mentioned as a C1-C6 alkyl group represented by R<1>, A methyl group is preferable.

R2 및 R3 으로 나타내는 탄소수 1 ∼ 12 의 유기기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기 ; 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 탄소수 3 ∼ 12 의 시클로알킬기 ; 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6 ∼ 12 의 방향족기 ; 를 들 수 있다. 이들의 기는, 임의의 위치에 치환기를 갖고 있어도 된다. 또, R2 와 R3 이 하나가 되어 고리를 형성해도 되고, 그 고리는, 골격 중에 추가로 질소 원자나 산소 원자를 갖고 있어도 된다.As a C1-C12 organic group represented by R<2> and R<3> , C1-C12 alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group; C3-C12 cycloalkyl groups, such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group; C6-C12 aromatic groups, such as a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group; can be heard These groups may have a substituent at arbitrary positions. Moreover, R<2> and R<3> may become one and may form a ring, and the ring may have a nitrogen atom or an oxygen atom further in frame|skeleton.

R4 로 나타내는 2 가의 유기기로는, -(CH2)m-, -NH-(CH2)m- 로 나타내는 기를 들 수 있다. 여기서, m 은, 1 ∼ 10 의 정수이다.Examples of the divalent organic group represented by R 4 include groups represented by -(CH 2 ) m - and -NH-(CH 2 ) m -. Here, m is an integer of 1-10.

이들 중에서도, 질소 원자를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 하기 식으로 나타내는 (메트)아크릴로일모르폴린을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Among these, as a monofunctional (meth)acrylic acid derivative which has a nitrogen atom, the (meth)acryloylmorpholine represented by a following formula is mentioned as a preferable thing.

[화학식 3] [Formula 3]

Figure pct00003
Figure pct00003

질소 원자를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체를, 경화성 성분 (B) 로서 사용함으로써, 보다 내열성이 우수한 하지층을 형성할 수 있다.By using the monofunctional (meth)acrylic acid derivative which has a nitrogen atom as a sclerosing|hardenable component (B), the base layer more excellent in heat resistance can be formed.

지환식 구조를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 하기 식으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a monofunctional (meth)acrylic acid derivative which has an alicyclic structure, the compound represented by a following formula is mentioned.

[화학식 4] [Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

식 중, R1 은 상기와 동일한 의미를 나타내고, R5 는 지환식 구조를 갖는 기이다.In the formula, R 1 has the same meaning as above, and R 5 is a group having an alicyclic structure.

R5 로 나타내는 지환식 구조를 갖는 기로는, 시클로헥실기, 이소보르닐기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 트리시클로데카닐기 등을 들 수 있다.Examples of the group having an alicyclic structure represented by R 5 include a cyclohexyl group, an isobornyl group, a 1-adamantyl group, a 2-adamantyl group, and a tricyclodecanyl group.

지환식 구조를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체의 구체예로는, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-아다만틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the monofunctional (meth)acrylic acid derivative having an alicyclic structure include isobornyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, 1-adamantyl (meth)acrylate, and 2-a Dantyl (meth)acrylate, etc. are mentioned.

지환식 구조를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체를, 경화성 성분 (B) 로서 사용함으로써, 보다 광학 특성이 우수한 하지층을 형성할 수 있다.By using the monofunctional (meth)acrylic acid derivative which has an alicyclic structure as a sclerosing|hardenable component (B), the base layer which was more excellent in optical characteristics can be formed.

폴리에테르 구조를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 하기 식으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a monofunctional (meth)acrylic acid derivative which has a polyether structure, the compound represented by a following formula is mentioned.

[화학식 5] [Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

식 중, R1 은 상기와 동일한 의미를 나타내고, R6 은 탄소수 1 ∼ 12 의 유기기를 나타낸다. R6 으로 나타내는 탄소수 1 ∼ 12 의 유기기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기 ; 시클로헥실기 등의 탄소수 3 ∼ 12 의 시클로알킬기 ; 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6 ∼ 12 의 방향족기 ; 등을 들 수 있다. j 는, 2 ∼ 20 의 정수를 나타낸다.In formula, R<1> represents the same meaning as the above, and R<6> represents a C1-C12 organic group. As a C1-C12 organic group represented by R<6> , C1-C12 alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group; C3-C12 cycloalkyl groups, such as a cyclohexyl group; C6-C12 aromatic groups, such as a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group; and the like. j represents the integer of 2-20.

폴리에테르 구조를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체의 구체예로는, 에톡시화o-페닐페놀(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the monofunctional (meth)acrylic acid derivative having a polyether structure include ethoxylated o-phenylphenol (meth)acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, and phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate. and the like.

폴리에테르 구조를 갖는 단관능의 (메트)아크릴산 유도체를, 경화성 성분 (B) 로서 사용함으로써, 인성이 우수한 하지층을 형성할 수 있다.By using the monofunctional (meth)acrylic acid derivative which has a polyether structure as a sclerosing|hardenable component (B), the base layer excellent in toughness can be formed.

상기 다관능형의 단량체로는, 다관능의 (메트)아크릴산 유도체를 들 수 있다.Examples of the polyfunctional monomer include polyfunctional (meth)acrylic acid derivatives.

다관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 2 ∼ 6 관능의 (메트)아크릴산 유도체를 들 수 있다.It does not specifically limit as a polyfunctional (meth)acrylic acid derivative, A well-known compound can be used. For example, a 2-6 functional (meth)acrylic acid derivative is mentioned.

2 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 하기 식으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a bifunctional (meth)acrylic acid derivative, the compound represented by a following formula is mentioned.

[화학식 6] [Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

식 중, R1 은, 상기의 것과 동일한 의미를 나타내고, R7 은, 2 가의 유기기를 나타낸다. R7 로 나타내는 2 가의 유기기로는, 하기 식으로 나타내는 기를 들 수 있다.In formula, R<1> represents the same meaning as the above, and R<7> represents a divalent organic group. As a divalent organic group represented by R<7> , group represented by a following formula is mentioned.

[화학식 7] [Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

(식 중, s 는 1 ∼ 20 의 정수를 나타내고, t 는, 1 ∼ 30 의 정수를 나타내고, u 와 v 는, 각각 독립적으로 1 ∼ 30 의 정수를 나타내고, 양 말단의「-」은, 결합손을 나타낸다)(Wherein, s represents an integer from 1 to 20, t represents an integer from 1 to 30, u and v each independently represent an integer from 1 to 30, and "-" at both ends represents a bond shows hand)

상기 식으로 나타내는 2 관능의 (메트)아크릴산 유도체의 구체예로는, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로폭시화에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 내열성 및 인성의 관점에서, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트 등의, 상기 식에 있어서, R7 로 나타내는 2 가의 유기기가 트리시클로데칸 골격을 갖는 것, 프로폭시화에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트 등의, 상기 식에 있어서, R7 로 나타내는 2 가의 유기기가 비스페놀 골격을 갖는 것, 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌 등의, 상기 식에 있어서, R7 로 나타내는 2 가의 유기기가 9,9-비스페닐플루오렌 골격을 갖는 것이 바람직하다.Specific examples of the bifunctional (meth)acrylic acid derivative represented by the above formula include tricyclodecanedimethanol di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, propoxylated ethoxylated bisphenol A di(meth) ) acrylate, ethoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, 1,10-decanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, 9,9-bis[4-( 2-acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene etc. are mentioned. Among these, from the viewpoint of heat resistance and toughness, a divalent organic group represented by R 7 in the above formula, such as tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, has a tricyclodecane skeleton, propoxylated ethoxy In the above formula, such as oxidized bisphenol A di(meth)acrylate and ethoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, the divalent organic group represented by R 7 has a bisphenol skeleton, 9,9-bis[4- It is preferable that the divalent organic group represented by R<7> in said formula, such as (2-acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, has 9,9-bisphenyl fluorene skeleton.

또, 이들 이외의 2 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메트)아크릴레이트, 하이드록시피발산네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메트)아크릴레이트, 디(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 알릴화시클로헥실디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.In addition, as bifunctional (meth)acrylic acid derivatives other than these, neopentylglycol adipate di(meth)acrylate, hydroxypivalate neopentylglycoldi(meth)acrylate, caprolactone-modified dicyclopentenyldi( and meth)acrylate, ethylene oxide-modified phosphoric acid di(meth)acrylate, di(acryloxyethyl)isocyanurate, and allylated cyclohexyldi(meth)acrylate.

3 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.Examples of the trifunctional (meth)acrylic acid derivative include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, and propylene oxide-modified trimethylolpropane. tri(meth)acrylate, tris(acryloxyethyl)isocyanurate, etc. are mentioned.

4 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a tetrafunctional (meth)acrylic acid derivative, pentaerythritol tetra(meth)acrylate etc. are mentioned.

5 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the pentafunctional (meth)acrylic acid derivative include propionic acid-modified dipentaerythritol penta(meth)acrylate.

6 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a 6-functional (meth)acrylic acid derivative, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, etc. are mentioned.

경화성 성분 (B) 는 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.A sclerosing|hardenable component (B) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

이들 중에서도, 경화성 성분 (B) 는, 내열성 및 내용제성이 보다 우수한 하지층이 얻어지는 점에서, 다관능형의 단량체가 바람직하다. 다관능의 단량체로는, 중합체 성분 (A) 와 섞이기 쉽고, 또한, 중합물의 경화 수축이 일어나기 어려워 경화물의 컬을 억제할 수 있다는 관점에서, 2 관능 (메트)아크릴산 유도체가 바람직하다. 경화성 성분 (B) 가 다관능형의 단량체를 포함하는 경우, 그 함유량은, 경화성 성분 (B) 의 전체량 중, 40 질량% 이상이 바람직하고, 50 ∼ 100 질량% 가 보다 바람직하고, 80 ∼ 100 질량% 가 더욱 바람직하다.Among these, a polyfunctional monomer is preferable at the point from which the base layer excellent in heat resistance and solvent resistance is obtained as for a sclerosing|hardenable component (B). As a polyfunctional monomer, a bifunctional (meth)acrylic acid derivative is preferable from a viewpoint that it is easy to mix with a polymer component (A), and cure shrinkage of a polymer is hard to occur and the curl of a hardened|cured material can be suppressed. When a sclerosing|hardenable component (B) contains a polyfunctional monomer, 40 mass % or more is preferable in the whole amount of a sclerosing|hardenable component (B), as for the content, 50-100 mass % is more preferable, 80-100 Mass % is more preferable.

경화성 성분 (B) 는, 고리화 중합성 모노머를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 고리화 중합성 모노머란, 고리화하면서 라디칼 중합하는 성질을 가지는 모노머이다.It is preferable that sclerosing|hardenable component (B) contains the cyclization polymerizable monomer. A cyclization polymerizable monomer is a monomer which has the property of radical polymerization while cyclizing.

고리화 중합성 모노머는, 중합에 의해 분자 내에 고리 구조를 형성하면서 선형의 고분자로 성장해 가지만, 일반적인 단관능의 경화성 단량체를 사용하는 것보다 하지층의 내용제성, 내열성을 향상시킬 수 있다. 그 이유로서 하나는, 고리화 중합성 모노머의 중합체에서는, 고분자 사슬 중에 고리 구조가 형성되기 때문에, 일반적인 선형의 고분자보다 강직한 분자가 되고, 이로써 하지층의 내열성이 향상된다고 생각된다. 또, 고리화 중합성 모노머에서는, 분자 내의 고리화 반응이 선택적으로 일어나도록 분자 설계되어 있지만, 일부의 모노머에서는 분자간 반응이 일어나, 그 모노머에서 유래하는 구성 단위에는 반응성의 관능기가 잔존한다. 이 반응성의 관능기가 다른 모노머와 반응함으로써, 고분자 사슬의 분기가 발생하여, 고리화 중합성 모노머의 중합체에 가교 구조가 형성된다. 이로써, 하지층의 내열성이 더욱 향상되고, 또, 내용제성도 향상되는 것이라고 생각된다. 한편으로, 고리화 중합성 모노머의 중합체는, 대부분은 선형 구조를 취하고 있고, 또, 고리화 중합에 의해 얻어지는 고리 구조는, 방향 고리와 비교하면 유연하기 때문에, 하지층의 유연성도 양립할 수 있어, 하지층은 높은 파단 신도를 나타낸다 (요컨대, 상기 요건 [2] 를 만족하기 쉬워진다).Although the cyclization polymerizable monomer grows into a linear polymer while forming a ring structure in the molecule by polymerization, the solvent resistance and heat resistance of the underlying layer can be improved compared to using a general monofunctional curable monomer. One of the reasons for this is that, in the polymer of the cyclopolymerizable monomer, since a ring structure is formed in the polymer chain, it becomes a stiffer molecule than a general linear polymer, which is thought to improve the heat resistance of the underlayer. Moreover, in a cyclization polymerizable monomer, although molecular design is carried out so that the cyclization reaction in a molecule|numerator may occur selectively, an intermolecular reaction occurs in some monomers, and a reactive functional group remains in the structural unit derived from the monomer. When this reactive functional group reacts with another monomer, branching of a polymer chain arises, and a crosslinked structure is formed in the polymer of a cyclization polymerizable monomer. It is thought that the heat resistance of a base layer further improves by this, and solvent resistance also improves. On the other hand, most of the polymers of the cyclopolymerizable monomers have a linear structure, and since the cyclic structure obtained by cyclization polymerization is flexible compared to an aromatic ring, the flexibility of the underlying layer is also compatible. , the underlying layer exhibits high elongation at break (in other words, it becomes easy to satisfy the above requirement [2]).

구체적인 고리화 중합성 모노머로는, 비공액 디엔류를 들 수 있고, 예를 들어, 이하의 식 (1) 로 나타내는 α-알릴옥시메틸아크릴산계 모노머를 사용할 수 있다.Non-conjugated dienes are mentioned as a specific cyclization polymerizable monomer, For example, the (alpha)- allyloxymethyl acrylic acid type monomer represented by the following formula (1) can be used.

[화학식 8] [Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

(식 (1) 에 있어서, R8 은, 수소 원자 또는 1 가의 유기기를 나타낸다. 유기기는, 탄화수소로 구성되고, 에테르기를 갖고 있어도 된다. 탄화수소의 수소 원자는, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다.)(In the formula (1), R 8 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. The organic group is composed of a hydrocarbon and may have an ether group. The hydrogen atom of the hydrocarbon may be substituted with a halogen atom.)

유기기는, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 되고, 고리형 구조를 포함하고 있어도 된다. 유기기에 포함되는 탄화수소기는 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 탄화수소기는, 탄소수 1 이상의 사슬형 포화 탄화수소기, 탄소수 3 이상의 사슬형 불포화 탄화수소기, 탄소수 3 이상의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6 이상의 방향족 탄화수소기 등이다. 이들 중에서도, 탄화수소기는, 탄소수 1 ∼ 30 의 사슬형 포화 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 30 의 사슬형 불포화 탄화수소기, 탄소수 4 ∼ 30 의 지환식 탄화수소기 및 탄소수 6 ∼ 30 의 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 치환기는 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 치환기는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 시아노기, 트리메틸실릴기 등이다.The organic group may be linear, branched, or may contain a cyclic structure. The hydrocarbon group contained in an organic group is not specifically limited. For example, the hydrocarbon group is a chain saturated hydrocarbon group having 1 or more carbon atoms, a chain unsaturated hydrocarbon group having 3 or more carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 or more carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 or more carbon atoms. Among these, the hydrocarbon group is preferably a linear saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, a chain unsaturated hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 30 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms. The substituent is not particularly limited. For example, a substituent is a halogen atom, such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, a cyano group, a trimethylsilyl group, etc.

사슬형 포화 탄화수소기는 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 사슬형 포화 탄화수소기는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-아밀기, sec-아밀기, tert-아밀기, 네오펜틸기, n-헥실기, sec-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, 2-에틸헥실기, 카프릴기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 미리스틸기, 펜타데실기, 세틸기, 헵타데실기, 스테아릴기, 노나데실기, 에이코실기, 세릴기, 멜리실기 등이다.The chain saturated hydrocarbon group is not particularly limited. For example, the chain saturated hydrocarbon group includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-amyl group, a sec-amyl group, tert- amyl group, neopentyl group, n-hexyl group, sec-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, sec-octyl group, tert-octyl group, 2-ethylhexyl group, capryl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, myristyl group, pentadecyl group, cetyl group, heptadecyl group, stearyl group, nonadecyl group, eicosyl group, seryl group, melicyl group, and the like.

사슬형 불포화 탄화수소기는 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 사슬형 불포화 탄화수소기는, 크로틸기, 1,1-디메틸-2-프로페닐기, 2-메틸-부테닐기, 3-메틸-2-부테닐기, 3-메틸-3-부테닐기, 2-메틸-3-부테닐기, 올레일기, 리놀기, 리놀렌기 등이다.The chain unsaturated hydrocarbon group is not particularly limited. For example, the chain unsaturated hydrocarbon group includes a crotyl group, a 1,1-dimethyl-2-propenyl group, a 2-methyl-butenyl group, a 3-methyl-2-butenyl group, a 3-methyl-3-butenyl group, 2 -Methyl-3-butenyl group, oleyl group, linol group, linolene group, and the like.

지환식 탄화수소기는 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 지환식 탄화수소기는, 시클로펜틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실기, 시클로헥실메틸기, 4-메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 트리시클로데카닐기, 이소보르닐기, 아다만틸기, 디시클로펜타닐기, 디시클로펜테닐기 등이다.The alicyclic hydrocarbon group is not particularly limited. For example, the alicyclic hydrocarbon group includes a cyclopentyl group, a cyclopentylmethyl group, a cyclohexyl group, a cyclohexylmethyl group, a 4-methylcyclohexyl group, a 4-tert-butylcyclohexyl group, a tricyclodecanyl group, an isobornyl group, an adamantyl group, a dicyclopentanyl group, a dicyclopentenyl group, and the like.

방향족 탄화수소기는 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 방향족 탄화수소기는, 페닐기, 메틸페닐기, 디메틸페닐기, 트리메틸페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 벤질기, 디페닐메틸기, 디페닐에틸기, 트리페닐메틸기, 신나밀기, 나프틸기, 안트라닐기 등이다.The aromatic hydrocarbon group is not particularly limited. For example, the aromatic hydrocarbon group includes a phenyl group, a methylphenyl group, a dimethylphenyl group, a trimethylphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, a benzyl group, a diphenylmethyl group, a diphenylethyl group, a triphenylmethyl group, a cinnamyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, etc. am.

에테르 결합을 갖는 탄화수소기는 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 에테르 결합을 갖는 탄화수소기는, 메톡시에틸기, 메톡시에톡시에틸기, 메톡시에톡시에톡시에틸기, 3-메톡시부틸기, 에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기 등의 사슬형 에테르기 ; 시클로펜톡시에틸기, 시클로헥실옥시에틸기, 시클로펜톡시에톡시에틸기, 시클로헥실옥시에톡시에틸기, 디시클로펜테닐옥시에틸기 등의 지환식 탄화수소기와 사슬형 에테르기를 겸비하는 기 ; 페녹시에틸기, 페녹시에톡시에틸기 등의 방향족 탄화수소기와 사슬형 에테르기를 겸비하는 기 ; 글리시딜기, β-메틸글리시딜기, β-에틸글리시딜기, 3,4-에폭시시클로헥실메틸기, 2-옥세탄메틸기, 3-메틸-3-옥세탄메틸기, 3-에틸-3-옥세탄메틸기, 테트라하이드로푸라닐기, 테트라하이드로푸르푸릴기, 테트라하이드로피라닐기, 디옥사졸라닐기, 디옥사닐기 등의 고리형 에테르기 등이다.The hydrocarbon group having an ether bond is not particularly limited. For example, the hydrocarbon group having an ether bond is a chain ether such as a methoxyethyl group, a methoxyethoxyethyl group, a methoxyethoxyethoxyethyl group, a 3-methoxybutyl group, an ethoxyethyl group, and an ethoxyethoxyethyl group. energy ; a group having both an alicyclic hydrocarbon group and a chain ether group, such as a cyclopentoxyethyl group, a cyclohexyloxyethyl group, a cyclopentoxyethoxyethyl group, a cyclohexyloxyethoxyethyl group, and a dicyclopentenyloxyethyl group; a group having both an aromatic hydrocarbon group and a chain ether group, such as a phenoxyethyl group and a phenoxyethoxyethyl group; Glycidyl group, β-methylglycidyl group, β-ethylglycidyl group, 3,4-epoxycyclohexylmethyl group, 2-oxetanemethyl group, 3-methyl-3-oxetanemethyl group, 3-ethyl-3-ox cyclic ether groups such as cetanemethyl group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydrofurfuryl group, tetrahydropyranyl group, dioxazolanyl group, and dioxanyl group.

본 실시형태에 있어서, 식 (1) 중의 R8 은, 수소 원자이거나, 탄소수가 1 ∼ 6 인 탄화수소기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 보다 바람직하다.In this embodiment, it is preferable that it is a C1-C6 hydrocarbon group, and, as for R<8> in Formula (1), it is more preferable that it is a methyl group.

그 중에서도, 2-알릴옥시메틸아크릴산의 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬에스테르, 2-(알릴옥시메틸)아크릴산시클로헥실이 바람직하고, 2-알릴옥시메틸아크릴산의 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬에스테르가 보다 바람직하고, 2-(알릴옥시메틸)아크릴산메틸이 더욱 바람직하다.Especially, a C1-C4 alkylester of 2-allyloxymethylacrylic acid and 2-(allyloxymethyl) cyclohexyl acrylic acid are preferable, and a C1-C4 alkylester of 2-allyloxymethylacrylic acid is more preferable. , 2-(allyloxymethyl)methyl acrylate is more preferable.

다른 구체적인 고리화 중합성 모노머로는, 예를 들어, 이하의 식 (2) 로 나타내는 모노머를 들 수 있다.As another specific cyclization polymerizable monomer, the monomer represented by the following formula (2) is mentioned, for example.

[화학식 9] [Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

(식 (2) 중, X 는 산소 원자 혹은 메틸렌기이고, a 는 0 또는 1, b 는 1 또는 2, c 는 1 또는 2 의 정수를 나타낸다. R9 는 탄소수 6 이하의 알킬기를 나타낸다)(In formula (2), X is an oxygen atom or a methylene group, a is 0 or 1, b is 1 or 2, c is an integer of 1 or 2. R 9 represents an alkyl group having 6 or less carbon atoms)

식 (2) 로 나타내는 고리화 중합성 단량체로는, 디메틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디에틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디(n-프로필)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디(i-프로필)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디(n-부틸)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디(n-헥실)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디시클로헥실-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트 등을 들 수 있다.Examples of the cyclization polymerizable monomer represented by the formula (2) include dimethyl-2,2'-[oxybis(methylene)]bis-2-propenoate, diethyl-2,2'-[oxybis(methylene) ]bis-2-propenoate, di(n-propyl)-2,2'-[oxybis(methylene)]bis-2-propenoate, di(i-propyl)-2,2'-[oxy Bis(methylene)]bis-2-propenoate, di(n-butyl)-2,2'-[oxybis(methylene)]bis-2-propenoate, di(n-hexyl)-2,2 '-[oxybis(methylene)]bis-2-propenoate, dicyclohexyl-2,2'-[oxybis(methylene)]bis-2-propenoate, etc. are mentioned.

경화성 성분 (B) 는, 상기 서술한 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과 고리화 중합성 모노머가 포함되는 것이 보다 바람직하다. 이들을 병용함으로써, 하지층의 파단 신도를 상기 서술한 범위로 조정하면서, 하지층의 열 수축을 억제하여, 결과적으로, 가스 배리어성 적층체의 열 수축률을 상기 서술한 범위로 조정하기 쉬워진다.As for sclerosing|hardenable component (B), it is more preferable that the above-mentioned polyfunctional (meth)acrylate compound and a cyclization polymerizable monomer are contained. By using these together, the thermal contraction of the base layer is suppressed while adjusting the breaking elongation of the base layer to the above-mentioned range, and as a result, it becomes easy to adjust the thermal contraction rate of a gas barrier laminated body to the above-mentioned range.

경화성 성분 (B) 에 있어서, 고리화 중합성 모노머와 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 질량비는, 바람직하게는 95 : 5 ∼ 30 : 70, 보다 바람직하게는 90 : 10 ∼ 35 : 65, 더욱 바람직하게는 90 : 10 ∼ 40 : 60 이다. 고리화 중합성 모노머와 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 질량비가 상기 범위에 있음으로써, 하지층의 파단 신도를 상기 서술한 범위로 조정하면서, 가스 배리어성 적층체의 열 수축률을 상기 서술한 범위로 조정하는 것이 더욱 용이해진다.In the curable component (B), the mass ratio of the cyclization polymerizable monomer to the polyfunctional (meth)acrylate compound is preferably 95:5 to 30:70, more preferably 90:10 to 35:65, further Preferably it is 90:10-40:60. When the mass ratio of the cyclization polymerizable monomer and the polyfunctional (meth)acrylate compound is in the above range, the thermal contraction rate of the gas barrier laminate is adjusted to the above-mentioned range while adjusting the elongation at break of the underlayer to the above-mentioned range. It is easier to adjust with

〔경화성 수지 조성물〕 [Curable resin composition]

본 발명의 실시형태에 관련된 하지층을 형성하는 데에 사용하는 경화성 수지 조성물은, 중합체 성분 (A), 경화성 성분 (B), 및 원하는 바에 따라 후술하는 중합 개시제나 그 밖의 성분을 혼합하고, 적당한 용매에 용해 또는 분산시킴으로써 조제할 수 있다.The curable resin composition used for forming the underlayer according to the embodiment of the present invention is mixed with a polymer component (A), a curable component (B), and a polymerization initiator or other components described later as desired, and suitable It can be prepared by dissolving or dispersing in a solvent.

경화성 수지 조성물 중의, 중합체 성분 (A) 와 경화성 성분 (B) 의 합계 함유량은, 용매를 제외한 경화성 수지 조성물 전체의 질량에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 99.5 질량%, 보다 바람직하게는 60 ∼ 99 질량%, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 98 질량% 이다.The total content of the polymer component (A) and the curable component (B) in the curable resin composition is preferably 40 to 99.5 mass%, more preferably 60 to 99 mass%, based on the mass of the entire curable resin composition excluding the solvent. %, more preferably 80 to 98 mass%.

경화성 수지 조성물 중의, 중합체 성분 (A) 와 경화성 성분 (B) 의 함유량은, 중합체 성분 (A) 와 경화성 성분 (B) 의 질량비로, 바람직하게는 중합체 성분 (A) : 경화성 성분 (B) = 30 : 70 ∼ 90 : 10, 보다 바람직하게는 35 : 65 ∼ 80 : 20 이다.Content of polymer component (A) and curable component (B) in curable resin composition is mass ratio of polymer component (A) and curable component (B), Preferably, polymer component (A): sclerosing|hardenable component (B) = 30:70 to 90:10, more preferably 35:65 to 80:20.

경화성 수지 조성물에 있어서, 중합체 성분 (A) : 경화성 성분 (B) 의 질량비가 이와 같은 범위에 있음으로써, 얻어지는 하지층의 유연성이 보다 향상되기 쉽고, 하지층의 내용제성도 유지되기 쉬운 경향이 있다.In the curable resin composition, when the mass ratio of the polymer component (A): the curable component (B) is in such a range, the flexibility of the obtained base layer is more likely to be improved, and the solvent resistance of the base layer tends to be easily maintained. .

또, 경화성 수지 조성물 중의 경화성 성분 (B) 의 함유량이 상기 범위이면, 예를 들어, 하지층을 용액 캐스트법 등에 의해 얻는 경우, 효율적으로 용매를 제거할 수 있기 때문에, 건조 공정의 장시간화에 의한 컬이나 굴곡 등의 변형의 문제가 해소된다.In addition, if the content of the curable component (B) in the curable resin composition is within the above range, for example, when the underlying layer is obtained by a solution casting method or the like, the solvent can be efficiently removed. The problem of deformation, such as curl and bending, is eliminated.

경화성 수지 조성물에는, 원하는 바에 따라 중합 개시제를 함유시킬 수 있다. 중합 개시제는, 경화 반응을 개시시키는 것이면, 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들어, 열중합 개시제나 광중합 개시제를 들 수 있다.Curable resin composition can be made to contain a polymerization initiator as needed. A polymerization initiator can be used without a restriction|limiting in particular as long as it starts hardening reaction, For example, a thermal-polymerization initiator and a photoinitiator are mentioned.

열중합 개시제로는, 유기 과산화물이나 아조계 화합물을 들 수 있다.Examples of the thermal polymerization initiator include organic peroxides and azo compounds.

유기 과산화물로는, 디-t-부틸퍼옥사이드, t-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드 등의 디알킬퍼옥사이드류 ; 아세틸퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드 등의 디아실퍼옥사이드류 ; 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 시클로헥사논퍼옥사이드, 3,3,5-트리메틸시클로헥사논퍼옥사이드, 메틸시클로헥사논퍼옥사이드 등의 케톤퍼옥사이드류 ; 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산 등의 퍼옥시케탈류 ; t-부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, p-멘탄하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸헥산-2,5-디하이드로퍼옥사이드 등의 하이드로퍼옥사이드류 ; t-부틸퍼옥시아세테이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시이소프로필카보네이트 등의 퍼옥시에스테르류 ; 등을 들 수 있다.Examples of the organic peroxide include dialkyl peroxides such as di-t-butyl peroxide, t-butylcumyl peroxide and dicumyl peroxide; diacyl peroxides such as acetyl peroxide, lauroyl peroxide and benzoyl peroxide; ketone peroxides such as methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, 3,3,5-trimethylcyclohexanone peroxide, and methylcyclohexanone peroxide; peroxyketals such as 1,1-bis(t-butylperoxy)cyclohexane; t-Butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, p-mentane hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, 2,5-dimethylhexane-2 Hydroperoxides, such as 5-dihydroperoxide; peroxyesters such as t-butylperoxyacetate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxybenzoate, and t-butylperoxyisopropyl carbonate; and the like.

아조계 화합물로는, 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-시클로프로필프로피오니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 2-(카르바모일아조)이소부티로니트릴, 2-페닐아조-4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴 등을 들 수 있다.Examples of the azo compound include 2,2'-azobis(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis(2-cyclopropylpropionitrile), 2,2' -Azobis(2,4-dimethylvaleronitrile), azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis(2-methylbutyronitrile), 1,1'-azobis(cyclohexane-1- carbonitrile), 2-(carbamoylazo)isobutyronitrile, 2-phenylazo-4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile, etc. are mentioned.

광중합 개시제로는, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-하이드록시-시클로헥실-페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2-하이드록시-1-[4-[4-(2-하이드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐]-2-메틸-프로판-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등의 알킬페논계 광중합 개시제 ; 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스피네이트, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드 등의 인계 광중합 개시제 ; 비스(η5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)-비스[2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)-페닐]티타늄 등의 티타노센계 광중합 개시제 ; 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르계 광중합 개시제 ; 벤조페논, p-클로로벤조페논, 벤조일벤조산, o-벤조일벤조산메틸, 4-메틸벤조페논, 4-페닐벤조페논, 하이드록시벤조페논, 아크릴화벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸-디페닐술파이드, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논, 4-(13-아크릴로일-1,4,7,10,13-펜타옥사트리데실)-벤조페논 등의 벤조페논계 광중합 개시제 ; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 3-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 4-이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 광중합 개시제 ; 등을 들 수 있다.As the photopolymerization initiator, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenylketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane- 1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-1-[4-[4 -(2-Hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]phenyl]-2-methyl-propan-1-one, 2-methyl-1-(4-methylthiophenyl)-2-morpholinopropane -1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1- Alkylphenone-type photoinitiators, such as [4-(4-morpholinyl)phenyl]-1-butanone; 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, ethyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphinate, bis (2,6-dimethoxybenzoyl)-2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide, such as phosphorus-type photoinitiators; titanocene-based photopolymerization initiators such as bis(η 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl)-bis[2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)-phenyl]titanium; 1,2-Octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazole oxime ester photoinitiators such as -3-yl]-1-(O-acetyloxime); Benzophenone, p-chlorobenzophenone, benzoylbenzoic acid, o-benzoylbenzoate methyl, 4-methylbenzophenone, 4-phenylbenzophenone, hydroxybenzophenone, acrylated benzophenone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenyl Sulfide, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, 2,4,6-trimethylbenzophenone, 4-(13-acryloyl-1,4,7,10,13-pentaoxatridecyl )-benzophenone-based photoinitiators such as benzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 3-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 1-chloro thioxanthone-based photopolymerization initiators such as -4-propoxythioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, and 4-isopropylthioxanthone; and the like.

상기의 광중합 개시제 중에서도, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스피네이트, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드 등의 인계 광중합 개시제가 바람직하다.Among the above photoinitiators, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, ethyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)- Phosphorus-type photoinitiators, such as phenylphosphinate and bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-2,4,4-trimethyl- pentyl phosphine oxide, are preferable.

중합체 성분 (A) 가 방향족 고리를 갖는 열 가소성 수지인 경우, 중합체 성분 (A) 가 자외선을 흡수하는 결과, 경화 반응이 일어나기 어려운 경우가 있다. 그러나, 상기의 인계 광중합 개시제를 사용함으로써, 상기 중합체 성분 (A) 에 흡수되지 않는 파장의 광을 이용하여 경화 반응을 효율적으로 진행시킬 수 있다.When a polymer component (A) is a thermoplastic resin which has an aromatic ring, as a result of a polymer component (A) absorbing an ultraviolet-ray, a hardening reaction may hardly occur. However, by using said phosphorus type photoinitiator, hardening reaction can be advanced efficiently using the light of the wavelength which is not absorbed by the said polymer component (A).

중합 개시제는 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.A polymerization initiator can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

중합 개시제의 함유량은, 경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 0.05 ∼ 15 질량% 가 바람직하고, 0.05 ∼ 10 질량% 가 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 5 질량% 가 더욱 바람직하다.0.05-15 mass % is preferable with respect to the whole curable resin composition, as for content of a polymerization initiator, 0.05-10 mass % is more preferable, 0.05-5 mass % is still more preferable.

또, 상기 경화성 수지 조성물은, 중합체 성분 (A), 경화성 성분 (B), 및 중합 개시제에 더하여, 트리이소프로판올아민이나, 4,4'-디에틸아미노벤조페논 등의 광중합 개시 보조제를 함유하고 있어도 된다.In addition to the polymer component (A), the curable component (B), and the polymerization initiator, the curable resin composition may contain a photopolymerization initiation auxiliary such as triisopropanolamine or 4,4'-diethylaminobenzophenone. do.

상기 경화성 수지 조성물의 조제에 사용하는 용매로는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, n-헥산, n-헵탄 등의 지방족 탄화수소계 용매 ; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용매 ; 디클로로메탄, 염화에틸렌, 클로로포름, 사염화탄소, 1,2-디클로로에탄, 모노클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소계 용매 ; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알코올계 용매 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜타논, 이소포론, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매 ; 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르계 용매 ; 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브계 용제 ; 1,3-디옥솔란 등의 에테르계 용매 ; 등을 들 수 있다.It does not restrict|limit especially as a solvent used for preparation of the said curable resin composition, For example, Aliphatic hydrocarbon-type solvents, such as n-hexane and n-heptane; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; halogenated hydrocarbon solvents such as dichloromethane, ethylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane, and monochlorobenzene; alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, butanol, and propylene glycol monomethyl ether; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, 2-pentanone, isophorone, and cyclohexanone; ester solvents such as ethyl acetate and butyl acetate; cellosolve solvents such as ethyl cellosolve; ether solvents such as 1,3-dioxolane; and the like.

상기 경화성 수지 조성물 중의 용매의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 중합체 성분 (A) 1 g 에 대하여, 통상적으로 0.1 ∼ 1,000 g, 바람직하게는 1 ∼ 100 g 이다. 용매의 양을 적절히 조절함으로써, 경화성 수지 조성물의 점도를 적절한 것으로 조절할 수 있다.Although content of the solvent in the said curable resin composition is not specifically limited, It is 0.1-1,000g normally with respect to 1g of polymer component (A), Preferably it is 1-100g. By appropriately adjusting the amount of the solvent, the viscosity of the curable resin composition can be appropriately adjusted.

또, 상기 경화성 수지 조성물은, 본 발명의 목적, 효과를 저해하지 않는 범위 내에서, 가소제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의, 공지된 첨가제를 추가로 함유하고 있어도 된다.Moreover, the said curable resin composition may further contain well-known additives, such as a plasticizer, antioxidant, and a ultraviolet absorber, within the range which does not impair the objective and effect of this invention.

상기 경화성 수지 조성물을 경화시키는 방법은, 사용하는 중합 개시제나 경화성 단량체의 종류에 따라 적절히 결정할 수 있다. 자세한 것은, 후술하는 본 발명의 가스 배리어성 적층체의 제조 방법의 항에서 설명한다.The method of hardening the said curable resin composition can be suitably determined according to the kind of polymerization initiator and curable monomer to be used. The details are explained in the section of the method for manufacturing the gas barrier laminate of the present invention, which will be described later.

〔하지층의 성상 등〕 [The properties of the underlying layer, etc.]

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 이하의 요건 [2'] 를 만족하는 것이 바람직하다.The gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention preferably satisfies the following requirements [2'].

[2'] 하지층의 파단 신도가 2.5 % 이상이다.[2'] The elongation at break of the underlayer is 2.5% or more.

요건 [2'] 를 만족함과 함께, 상기 서술한 요건 [1] 에 적절한 하지층으로 함으로써, 가열에 의해 하지층이 변형되는 것이 억제되어, 결과적으로 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성을 향상시킬 수 있고, 가스 배리어성 적층체의 플렉시블성을 높게 할 수 있다. 하지층의 파단 신도의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 20 % 이하, 바람직하게는 15 % 이하이다.By satisfying the requirement [2'] and making the underlayer suitable for the above-mentioned requirement [1], deformation of the underlayer by heating is suppressed, and consequently, the gas barrier properties of the gas barrier laminate are improved. and the flexibility of the gas barrier laminate can be increased. Although the upper limit of the breaking elongation of a base layer is not specifically limited, Usually, it is 20 % or less, Preferably it is 15 % or less.

여기서, 고리화 중합성 모노머를 사용하면, 고온시의 탄성률을 비교적 높게 유지한 채로, 파단 신도를 향상시킬 수 있어, 요건 [2'] 를 만족하기 쉬워진다. 한편, 경화성 성분 (B) 를 모두 고리화 중합성 모노머로 해버리면, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성이 저하되는 경향이 있다. 본 발명자들이 여러 가지 검토한 결과, 열 수축률의 절대값을 일정 범위 내로 억제함으로써, 가스 배리어성의 저하가 억제되는 것이 판명되었다. 이것은, 열에 의해 하지층이 영향을 받기 때문에, 예를 들어, 가스 배리어층을 도공에 의해 형성할 때의 가열에 의해, 하지층이 평면 방향으로 변형을 일으키는 바, 열 수축률이 소정 범위 내가 되도록, 재료 등을 선택함으로써, 위의 현상이 억제될 것이라고 생각된다.Here, when a cyclization polymerizable monomer is used, the elongation at break can be improved, maintaining the elastic modulus at the time of high temperature comparatively high, and it becomes easy to satisfy|fill the requirement [2']. On the other hand, when all sclerosing|hardenable component (B) is made into a cyclization polymerizable monomer, there exists a tendency for the gas barrier property of a gas barrier laminated body to fall. As a result of various examinations by the present inventors, it became clear that the fall of gas barrier property was suppressed by suppressing the absolute value of thermal contraction rate within a fixed range. Since the underlying layer is affected by heat, for example, when the gas barrier layer is formed by coating, heating causes the underlayer to deform in the planar direction, so that the thermal shrinkage rate is within a predetermined range. It is thought that by selecting the material or the like, the above phenomenon will be suppressed.

요건 [2'] 를 만족하기 위해서는, 예를 들어, 중합체 성분 (A) 로서, 폴리이미드 수지를 사용하거나, 추가로 폴리아미드 수지 등을 첨가함으로써 유연한 골격을 도입하거나, 중합체 성분 (A) 의 분자량을 증가시키거나, 경화성 성분 (B) 로서, 고리화 중합성 모노머를 사용함으로써, 방향 고리의 존재 비율을 감소시키고, 하지층의 신장 특성을 높이거나 하는 것이 유효하다.In order to satisfy the requirement [2'], for example, as the polymer component (A), a polyimide resin is used, or a flexible skeleton is introduced by further adding a polyamide resin or the like, or the molecular weight of the polymer component (A) is It is effective to reduce the abundance ratio of an aromatic ring and to improve the extending|stretching property of a base layer by increasing the , or using a cyclopolymerizable monomer as the curable component (B).

또, 예를 들어, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과 고리화 중합성 모노머를 병용함으로써, 망목 구조를 늘리도록 하거나, 중합성 성분 (A) 로서, 폴리이미드 수지로 대표되는 강직하고, 유리 전이 온도가 높은 것을 선택하거나 하여, 상기 요건 [1] 에 적절한 하지층으로 할 수 있다.Moreover, for example, by using a polyfunctional (meth)acrylate compound and a cyclization polymerizable monomer together, a network structure may be extended, or as a polymeric component (A), the rigid and glass transition typified by polyimide resin. It can be set as the base layer suitable for the said requirement [1] by selecting a thing with a high temperature.

하지층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 가스 배리어성 적층체의 목적에 맞춰 결정하면 된다. 하지층의 두께는, 통상적으로 0.1 ∼ 300 ㎛, 바람직하게는 0.1 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 10 ㎛, 더욱더 바람직하게는 0.2 ∼ 10 ㎛ 이다.The thickness of the base layer is not particularly limited, and may be determined according to the purpose of the gas barrier laminate. The thickness of the underlayer is usually 0.1 to 300 µm, preferably 0.1 to 100 µm, more preferably 0.1 to 50 µm, still more preferably 0.1 to 10 µm, still more preferably 0.2 to 10 µm.

하지층을 예를 들어, 0.1 ∼ 10 ㎛ 정도의 두께로 하면, 가스 배리어성 적층체의 두께가 커지는 것을 방지할 수 있어, 박형의 가스 배리어성 적층체로 할 수 있다. 박형의 가스 배리어성 적층체이면, 박형화가 요구되는 유기 EL 디스플레이 등의 용도에 있어서, 가스 배리어성 적층체가 적용 디바이스 전체의 두께의 증대 요인이 되지 않기 때문에 바람직하다. 또, 박형의 가스 배리어성 적층체이면, 가스 배리어성 적층체의 실장 후의 플렉시블성 및 굴곡 내성을 향상시킬 수 있다.When the underlayer is, for example, about 0.1 to 10 µm thick, it is possible to prevent the thickness of the gas barrier laminate from increasing, and a thin gas barrier laminate can be obtained. If it is a thin gas barrier laminated body, in uses, such as an organic electroluminescent display which thickness reduction is requested|required, since a gas barrier laminated body does not become a factor of increase in the thickness of the whole application device, it is preferable. Moreover, if it is a thin gas barrier laminated body, the flexibility and bending resistance after mounting of a gas barrier laminated body can be improved.

상기 하지층은, 내용제성이 우수하다. 내용제성이 우수한 점에서, 예를 들어, 하지층 표면에 다른 층을 형성할 때에 유기 용제를 사용하는 경우라도, 하지층 표면이 거의 용해되지 않는다. 따라서, 예를 들어, 하지층 표면에, 유기 용제를 포함하는 수지 용액을 사용하여 가스 배리어층을 형성하는 경우라도, 하지층의 성분이 가스 배리어층에 혼입되기 어렵기 때문에, 가스 배리어성이 저하되기 어렵다.The said base layer is excellent in solvent resistance. Since it is excellent in solvent resistance, for example, when forming another layer on the surface of a base layer, even if it is a case where an organic solvent is used, the surface of a base layer hardly melt|dissolves. Therefore, for example, even when the gas barrier layer is formed on the surface of the base layer using a resin solution containing an organic solvent, the gas barrier property is lowered because the components of the base layer are difficult to mix with the gas barrier layer. hard to be

이 관점에서, 상기 하지층의 겔 분율은 90 % 이상이 바람직하고, 94 % 이상이 보다 바람직하다. 겔 분율이 90 % 이상인 하지층은, 내용제성이 우수한 것이기 때문에, 하지층 표면에 다른 층을 코팅에 의해 형성할 때에 유기 용제를 사용하는 경우라도, 하지층 표면이 거의 용해되지 않아, 내용제성이 우수한 가스 배리어성 적층체를 얻기 쉽게 할 수 있다.From this viewpoint, the gel fraction of the base layer is preferably 90% or more, and more preferably 94% or more. Since the base layer having a gel fraction of 90% or more has excellent solvent resistance, the surface of the base layer hardly dissolves and solvent resistance is An excellent gas barrier laminate can be easily obtained.

여기서, 겔 분율이란, 100 ㎜ × 100 ㎜ 로 컷한 하지층을, 미리 질량을 측정한 150 ㎜ × 150 ㎜ 의 나일론 메시 (#120) 로 싸고, 톨루엔 (100 ㎖) 중에 3 일간 침지시키고, 취출하여 120 ℃ 에서 1 시간 건조시키고, 이어서, 23 ℃ 상대 습도 50 % 의 조건하에 3 시간 방치하여 조습을 실시한 후, 그 질량을 측정하여, 이하의 식에 의해 얻어지는 것이다.Here, the gel fraction refers to a base layer cut to 100 mm × 100 mm, wrapped with a 150 mm × 150 mm nylon mesh (#120) having a mass previously measured, immersed in toluene (100 ml) for 3 days, and taken out. After drying at 120 degreeC for 1 hour and then leaving it to stand on the conditions of 23 degreeC 50% of relative humidity for 3 hours and performing humidity control, the mass is measured and it is obtained by the following formula|equation.

겔 분율 (%) = [(침지 후의 잔존 수지의 질량)/(침지 전의 수지의 질량)] × 100Gel fraction (%) = [(mass of residual resin after immersion)/(mass of resin before immersion)] x 100

하지층은, 가스 배리어층과의 층간 밀착성이 우수하다. 즉, 상기 하지층 상에 앵커코트층을 형성하지 않고 가스 배리어층을 형성할 수 있다.The base layer is excellent in interlayer adhesiveness with a gas barrier layer. That is, the gas barrier layer may be formed on the base layer without forming the anchor coat layer.

하지층은, 무색 투명한 것이 바람직하다. 하지층이 무색 투명함으로써, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체를 광학 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.The underlayer is preferably colorless and transparent. Since the underlayer is colorless and transparent, the gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention can be suitably used for optical applications.

하지층은, 복굴절률이 낮고 광학 등방성이 우수하다. 상기 하지층의 면내의 위상차는, 통상적으로 20 ㎚ 이하이고, 15 ㎚ 이하가 바람직하다. 두께 방향의 위상차는, 통상적으로 -500 ㎚ 이하이고, -450 ㎚ 이하가 바람직하다. 또, 면내의 위상차를 하지층의 두께로 나눈 값 (복굴절률) 은, 통상적으로 100 × 10-5 이하이고, 바람직하게는 20 × 10-5 이하이다.The underlayer has a low birefringence and excellent optical isotropy. The in-plane retardation of the underlayer is usually 20 nm or less, and preferably 15 nm or less. The retardation in the thickness direction is usually -500 nm or less, and preferably -450 nm or less. The value (birefringence) obtained by dividing the in-plane retardation by the thickness of the underlying layer is usually 100 × 10 -5 or less, and preferably 20 × 10 -5 or less.

하지층의 면내의 위상차, 두께 방향의 위상차, 복굴절률이 상기의 범위 내이면, 복굴절률이 낮고 광학 등방성이 우수한 가스 배리어성 적층체가 얻어져, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체를 광학 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.When the in-plane retardation, the retardation in the thickness direction, and the birefringence of the underlying layer are within the above ranges, a gas barrier laminate having a low birefringence and excellent optical isotropy is obtained, and a gas barrier laminate according to an embodiment of the present invention It can be used suitably for an optical use.

하지층의 열 수축률의 절대값은, 0.5 % 이하이고, 바람직하게는 0.3 % 이하, 더욱 바람직하게는 0.2 % 이하이다.The absolute value of the thermal contraction rate of the underlayer is 0.5% or less, preferably 0.3% or less, and more preferably 0.2% or less.

하지층의 파단 신도는, 바람직하게는 2.5 % 이상, 보다 바람직하게는 2.6 % 이상, 더욱 바람직하게는 2.7 % 이상, 특히 바람직하게는 3.0 % 이상이다. 하지층의 파단 신도가 2.5 % 이상이면, 가스 배리어성 적층체의 파단 신도를 2 % 이상 정도로 조정하기 쉬워져, 결과적으로, 굴곡 내성이 우수하고, 유연성이 우수한 가스 배리어성 적층체가 얻어지기 쉽다.The elongation at break of the underlayer is preferably 2.5% or more, more preferably 2.6% or more, still more preferably 2.7% or more, and particularly preferably 3.0% or more. When the elongation at break of the underlying layer is 2.5% or more, it is easy to adjust the elongation at break of the gas barrier laminate to about 2% or more, and as a result, it is easy to obtain a gas barrier laminate having excellent bending resistance and excellent flexibility.

하지층의 130 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 1.0 × 103 ㎫ 이상, 1.3 × 103 ㎫ 이상, 보다 바람직하게는 1.5 × 103 ㎫ 이상, 더욱 바람직하게는 2.0 × 103 ㎫ 이상이다. 하지층의 130 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 1.3 × 103 ㎫ 이상이면, 하지층의 내열성을 높게 할 수 있고, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성의 수증기 투과율을 낮게, 구체적으로는, 1 × 10-2 (g·m-2·day-1) 이하로 하는 것이 용이해진다.The tensile modulus of elasticity of the underlayer at 130°C is preferably 1.0 × 10 3 MPa or more, 1.3 × 10 3 MPa or more, more preferably 1.5 × 10 3 MPa or more, still more preferably 2.0 × 10 3 MPa or more. am. When the tensile modulus of elasticity of the underlayer at 130°C is 1.3×10 3 MPa or more, the heat resistance of the underlayer can be made high, and the gas-barrier water vapor transmission rate of the gas barrier laminate is low, specifically, 1×10 It becomes easy to set it as -2 (g*m -2 *day -1) or less.

하지층은, 상기 서술한 바와 같이, 내열성, 내용제성, 층간 밀착성, 투명성이 우수하고, 또한, 복굴절률이 낮고 광학 등방성이 우수하다. 따라서, 후술하는 바와 같이, 이와 같은 특성을 갖는 하지층 상에, 예를 들어, 용액 캐스트법에 의해 가스 배리어층을 형성함으로써, 당해 가스 배리어층은, 우수한 가스 배리어성을 발현하고, 게다가, 하지층의 내열성 및 내용제성의 적어도 일방에서 기인하여, 열 및 용매의 적어도 일방에 의해 가스 배리어성이 저해되는 것도 방지된다. 또, 얻어지는 가스 배리어성 적층체의 내열성, 층간 밀착성, 투명성이 우수한 것이 된다. 또한, 복굴절률이 낮고 광학 등방성이 우수한 가스 배리어성 적층체를 얻을 수 있다.As mentioned above, the base layer is excellent in heat resistance, solvent resistance, interlayer adhesiveness, and transparency, and also has a low birefringence and is excellent in optical isotropy. Therefore, as will be described later, by forming a gas barrier layer by, for example, a solution casting method on a base layer having such characteristics, the gas barrier layer exhibits excellent gas barrier properties, and furthermore, It originates in at least one of the heat resistance and solvent resistance of a layer, and it is also prevented that gas-barrier property is inhibited by at least one of a heat|fever and a solvent. Moreover, it becomes the thing excellent in the heat resistance, interlayer adhesiveness, and transparency of the gas-barrier laminated body obtained. In addition, a gas barrier laminate having a low birefringence and excellent optical isotropy can be obtained.

1-2. 가스 배리어층1-2. gas barrier layer

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어층은, 가스 배리어성을 갖는 한, 재질 등은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 무기막으로 이루어지는 가스 배리어층, 가스 배리어성 수지를 포함하는 가스 배리어층, 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 가스 배리어층 등을 들 수 있다.The material of the gas barrier layer of the gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention is not particularly limited as long as it has gas barrier properties. For example, the gas barrier layer which consists of an inorganic membrane, the gas barrier layer containing gas barrier resin, the gas barrier layer obtained by modifying|reforming the layer containing a high molecular compound, etc. are mentioned.

이들 중에서도, 얇고, 가스 배리어성 및 내용제성이 우수한 층을 효율적으로 형성할 수 있는 점에서, 가스 배리어층은, 무기막으로 이루어지는 가스 배리어층, 및 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 가스 배리어층이 바람직하다.Among these, since a thin layer excellent in gas barrier properties and solvent resistance can be efficiently formed, the gas barrier layer is a gas barrier layer made of an inorganic film, and a layer containing a high molecular compound is subjected to a modification treatment, The resulting gas barrier layer is preferred.

무기막으로는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 무기 증착막을 들 수 있다.It does not restrict|limit especially as an inorganic film, For example, an inorganic vapor deposition film is mentioned.

무기 증착막으로는, 무기 화합물이나 금속의 증착막을 들 수 있다.As an inorganic vapor deposition film, the vapor deposition film of an inorganic compound and a metal is mentioned.

무기 화합물의 증착막의 원료로는, 산화규소, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화인듐, 산화주석 등의 무기 산화물 ; 질화규소, 질화알루미늄, 질화티탄 등의 무기 질화물 ; 무기 탄화물 ; 무기 황화물 ; 산화질화규소 등의 무기 산화질화물 ; 무기 산화탄화물 ; 무기 질화탄화물 ; 무기 산화질화탄화물 등을 들 수 있다.As a raw material of the vapor deposition film of an inorganic compound, Inorganic oxides, such as a silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, a zinc oxide, indium oxide, a tin oxide; inorganic nitrides such as silicon nitride, aluminum nitride, and titanium nitride; inorganic carbides; inorganic sulfides; inorganic oxynitrides such as silicon oxynitride; inorganic oxide carbide; inorganic nitride carbide; Inorganic oxynitride carbide etc. are mentioned.

금속의 증착막의 원료로는, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 및 주석 등을 들 수 있다.As a raw material of a metal vapor deposition film, aluminum, magnesium, zinc, tin, etc. are mentioned.

이들은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

이것들 중에서는, 가스 배리어성의 관점에서, 무기 산화물, 무기 질화물 또는 금속을 원료로 하는 무기 증착막이 바람직하고, 또한, 투명성의 관점에서, 무기 산화물 또는 무기 질화물을 원료로 하는 무기 증착막이 바람직하다. 또, 무기 증착막은, 단층이어도 되고, 다층이어도 된다.Among these, from the viewpoint of gas barrier properties, inorganic oxide, inorganic nitride or metal as a raw material is preferable, and from the viewpoint of transparency, inorganic oxide or inorganic nitride is preferable. Moreover, a single layer may be sufficient as an inorganic vapor deposition film, and a multilayer may be sufficient as it.

무기 증착막의 두께는, 가스 배리어성과 취급성의 관점에서, 바람직하게는 10 ∼ 2,000 ㎚, 보다 바람직하게는 20 ∼ 1,000 ㎚, 보다 바람직하게는 30 ∼ 500 ㎚, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 200 ㎚ 의 범위이다.The thickness of the inorganic vapor deposition film is preferably in the range of 10 to 2,000 nm, more preferably 20 to 1,000 nm, more preferably 30 to 500 nm, still more preferably 40 to 200 nm from the viewpoint of gas barrier properties and handling properties. am.

무기 증착막을 형성하는 방법으로는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 PVD (물리적 증착) 법이나, 열 CVD (화학적 증착) 법, 플라즈마 CVD 법, 광 CVD 법 등의 CVD 법을 들 수 있다.As a method of forming an inorganic vapor deposition film, a PVD (physical vapor deposition) method such as a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a CVD method such as a thermal CVD (chemical vapor deposition) method, plasma CVD method, or optical CVD method can be mentioned. have.

가스 배리어성 수지를 포함하는 가스 배리어층에 있어서, 사용하는 가스 배리어성 수지로는, 폴리비닐알코올, 또는 그 부분 비누화물, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리클로로트리플루오로에틸렌 등의 산소 등을 투과하기 어려운 수지를 들 수 있다.Gas barrier layer containing gas barrier resin WHEREIN: As gas barrier resin used, polyvinyl alcohol or its partial saponification product, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polyacrylonitrile, polyvinyl chloride, polychloride and resins that do not easily permeate oxygen, such as vinylidene and polychlorotrifluoroethylene.

가스 배리어성 수지를 포함하는 가스 배리어층의 두께는, 가스 배리어성의 관점에서, 바람직하게는 10 ∼ 2,000 ㎚, 보다 바람직하게는 20 ∼ 1,000 ㎚, 보다 바람직하게는 30 ∼ 500 ㎚, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 200 ㎚ 의 범위이다.The thickness of the gas barrier layer containing the gas barrier resin is, from the viewpoint of gas barrier properties, preferably 10 to 2,000 nm, more preferably 20 to 1,000 nm, more preferably 30 to 500 nm, still more preferably It is in the range of 40-200 nm.

가스 배리어성 수지를 포함하는 가스 배리어층을 형성하는 방법으로는, 가스 배리어성 수지를 포함하는 용액을, 하지층 상에 도포하고, 얻어진 도막을 적절히 건조시키는 방법을 들 수 있다.As a method of forming the gas barrier layer containing gas barrier resin, the method of apply|coating the solution containing gas barrier resin on a base layer, and drying the obtained coating film suitably is mentioned.

고분자 화합물을 포함하는 층 (이하,「고분자층」이라고 하는 경우가 있다) 에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 가스 배리어층에 있어서, 사용하는 고분자 화합물로는, 규소 함유 고분자 화합물, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리아릴레이트, 아크릴계 수지, 시클로올레핀계 폴리머, 방향족계 중합체 등을 들 수 있다. 이들의 고분자 화합물은 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.In a gas barrier layer obtained by subjecting a layer containing a high molecular compound (hereinafter, sometimes referred to as "polymer layer") to a reforming treatment, examples of the high molecular compound used include a silicon-containing high molecular compound, polyimide, polyamide, Polyamideimide, polyphenylene ether, polyether ketone, polyether ether ketone, polyolefin, polyester, polycarbonate, polysulfone, polyethersulfone, polyphenylenesulfide, polyarylate, acrylic resin, cycloolefin-based polymer, Aromatic polymer etc. are mentioned. These high molecular compounds can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

이들 중에서도, 고분자 화합물은 규소 함유 고분자 화합물이 바람직하다. 규소 함유 고분자 화합물로는, 폴리실라잔계 화합물 (일본 특허공보 소63-16325호, 일본 공개특허공보 소62-195024호, 일본 공개특허공보 소63-81122호, 일본 공개특허공보 평1-138108호, 일본 공개특허공보 평2-84437호, 일본 공개특허공보 평2-175726호, 일본 공개특허공보 평4-63833호, 일본 공개특허공보 평5-238827호, 일본 공개특허공보 평5-345826호, 일본 공개특허공보 2005-36089호, 일본 공개특허공보 평6-122852호, 일본 공개특허공보 평6-299118호, 일본 공개특허공보 평6-306329호, 일본 공개특허공보 평9-31333호, 일본 공개특허공보 평10-245436호, 일본 공표특허공보 2003-514822호, 국제 공개 WO2011/107018호 등 참조), 폴리카르보실란계 화합물 (Journal of Materials Science, 2569-2576, Vol. 13, 1978, Organometallics, 1336-1344, Vol. 10, 1991, Journal of Organometallic Chemistry, 1-10, Vol. 521, 1996, 일본 공개특허공보 소51-126300호, 일본 공개특허공보 2001-328991호, 일본 공개특허공보 2006-117917호, 일본 공개특허공보 2009-286891호, 일본 공개특허공보 2010-106100호 등 참조), 폴리실란계 화합물 (R. D. Miller, J. Michl ; Chemical Review, 제89권, 1359페이지 (1989), N. Matsumoto ; Japanese Journal of Physics, 제37권, 5425페이지 (1998), 일본 공개특허공보 2008-63586호, 일본 공개특허공보 2009-235358호 등 참조), 및 폴리오르가노실록산계 화합물 (일본 공개특허공보 2010-229445호, 일본 공개특허공보 2010-232569호, 일본 공개특허공보 2010-238736호 등 참조) 등을 들 수 있다.Among these, as for the high molecular compound, a silicon-containing high molecular compound is preferable. As the silicon-containing high molecular compound, polysilazane-based compounds (Japanese Patent Publication No. 63-16325, Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-195024, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-81122, and Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-138108). , Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-84437, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 2-175726, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 4-63833, Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-238827, Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-345826 , Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-36089, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-122852, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-299118, Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-306329, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 9-31333, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-245436, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-514822, International Publication No. WO2011/107018, etc.), polycarbosilane-based compounds (Journal of Materials Science, 2569-2576, Vol. 13, 1978, Organometallics, 1336-1344, Vol. 10, 1991, Journal of Organometallic Chemistry, 1-10, Vol. 521, 1996, Japanese Unexamined Patent Publication No. 51-126300, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-328991, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-117917, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-286891, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-106100, etc.), polysilane-based compounds (RD Miller, J. Michl; Chemical Review, vol. 89, page 1359 (1989)) , N. Matsumoto; Japanese Journal of Physics, Vol. 37, page 5425 (1998), see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-63586, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-235358, etc.), and polyorganosiloxane-based compounds (Japan) See Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-229445, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-232569, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-238736, etc.) can

이들 중에서도, 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 형성할 수 있는 관점에서, 폴리실라잔계 화합물이 바람직하다. 폴리실라잔계 화합물로는, 무기 폴리실라잔이나 유기 폴리실라잔을 들 수 있다. 무기 폴리실라잔으로는 퍼하이드로폴리실라잔 등을 들 수 있고, 유기 폴리실라잔으로는 퍼하이드로폴리실라잔의 수소의 일부 또는 전부가 알킬기 등의 유기기로 치환된 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수 용이성, 및 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 형성할 수 있는 관점에서, 무기 폴리실라잔이 보다 바람직하다.Among these, a polysilazane-type compound is preferable from a viewpoint of being able to form the gas barrier layer which has the outstanding gas barrier property. Examples of the polysilazane-based compound include inorganic polysilazane and organic polysilazane. Examples of the inorganic polysilazane include perhydropolysilazane, and examples of the organic polysilazane include a compound in which part or all of hydrogen in the perhydropolysilazane is substituted with an organic group such as an alkyl group. Among these, an inorganic polysilazane is more preferable from a viewpoint of being able to form the gas barrier layer which has easy availability and the outstanding gas barrier property.

또, 폴리실라잔계 화합물은, 유리 코팅재 등으로서 시판되고 있는 시판품을 그대로 사용할 수도 있다.In addition, as the polysilazane-based compound, a commercially available product such as a glass coating material may be used as it is.

폴리실라잔계 화합물은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.A polysilazane-type compound can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

상기 고분자층은, 상기 서술한 고분자 화합물 외에, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 다른 성분으로는, 경화제, 다른 고분자, 노화 방지제, 광안정제, 난연제 등을 들 수 있다.The said polymer layer may contain other components other than the high molecular compound mentioned above in the range which does not impair the objective of this invention. As other components, a hardening|curing agent, another polymer|macromolecule, antioxidant, a light stabilizer, a flame retardant, etc. are mentioned.

고분자층 중의, 고분자 화합물의 함유량은, 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 형성할 수 있는 관점에서, 50 질량% 이상인 것이 바람직하고, 70 질량% 이상인 것이 보다 바람직하다.The content of the polymer compound in the polymer layer is preferably 50 mass% or more, and more preferably 70 mass% or more, from the viewpoint of forming a gas barrier layer having excellent gas barrier properties.

고분자층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 고분자 화합물의 적어도 1 종, 원하는 바에 따라 다른 성분, 및 용제 등을 함유하는 층 형성용 용액을, 공지된 방법에 의해 하지층 또는 원하는 바에 따라 하지층 상에 형성된 프라이머층 상에 도포하고, 얻어진 도막을 적당히 건조시켜 형성하는 방법을 들 수 있다.As a method of forming a polymer layer, for example, a solution for layer formation containing at least one kind of a polymer compound, other components as desired, and a solvent, etc. The method of apply|coating on the primer layer formed on the layer, drying the obtained coating film suitably, and forming it is mentioned.

층 형성용 용액을 도포할 때에는, 스핀 코터, 나이프 코터, 그라비아 코터 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다.When apply|coating the solution for layer formation, well-known apparatuses, such as a spin coater, a knife coater, and a gravure coater, can be used.

얻어진 도막을 건조시키거나 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성을 향상시키기 위해, 도막을 가열하거나 하는 것이 바람직하다. 가열, 건조 방법으로는, 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등, 종래 공지된 건조 방법을 채용할 수 있다. 가열 온도는, 통상적으로 80 ∼ 150 ℃ 이고, 가열 시간은, 통상적으로 수십초 내지 수십분이다.In order to dry the obtained coating film or to improve the gas-barrier property of a gas-barrier laminated body, it is preferable to heat a coating film. As a heating and drying method, a conventionally well-known drying method, such as hot air drying, hot roll drying, and infrared irradiation, can be employ|adopted. Heating temperature is 80-150 degreeC normally, and heating time is several tens of seconds - several tens of minutes normally.

가스 배리어성 적층체의 가스 배리어층을 형성할 때에, 예를 들어, 상기 서술한 바와 같은 폴리실라잔계 화합물을 사용하는 경우에는, 도공 후의 가열에 의해 폴리실라잔의 전화 반응이 발생하여, 가스 배리어성이 우수한 도막이 된다.When forming the gas barrier layer of a gas barrier laminate, for example, when using the above-mentioned polysilazane-type compound, the conversion reaction of polysilazane arises by heating after coating, and a gas barrier It becomes a coating film with excellent properties.

한편, 이와 같은 도막을 형성할 때의 가열에 의해, 내열성이 낮은 하지층을 사용하고 있는 경우에는, 하지층에 변형을 일으킬 우려가 있다. 하지층의 변형은, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어층의 가스 배리어성에 악영향을 줄 가능성이 있다. 그러나, 본 발명의 실시형태에 관련된 하지층은, 내열성이 우수하기 때문에, 도공시 및 도공 후의 가열에 의해서도 변형을 일으키기 어렵다. 따라서, 하지층의 변형에서 기인하는 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성의 저하도 회피할 수 있다.On the other hand, when a base layer with low heat resistance is used by heating at the time of forming such a coating film, there exists a possibility that a deformation|transformation may arise in a base layer. The deformation of the base layer may adversely affect the gas barrier properties of the gas barrier layer of the gas barrier laminate. However, since the base layer according to the embodiment of the present invention is excellent in heat resistance, it is difficult to deform even by heating at the time of coating and after coating. Accordingly, a decrease in the gas barrier properties of the gas barrier laminate resulting from the deformation of the underlying layer can also be avoided.

고분자층의 두께는, 통상적으로 20 ∼ 1,000 ㎚, 바람직하게는 30 ∼ 800 ㎚, 보다 바람직하게는 40 ∼ 400 ㎚ 이다.The thickness of a polymer layer is 20-1,000 nm normally, Preferably it is 30-800 nm, More preferably, it is 40-400 nm.

고분자층의 두께가 나노오더라도, 후술하는 바와 같이 개질 처리를 실시함으로써, 충분한 가스 배리어 성능을 갖는 가스 배리어성 적층체를 얻을 수 있다.Even if the thickness of the polymer layer is nanometers, it is possible to obtain a gas barrier laminate having sufficient gas barrier performance by performing a modification treatment as described later.

또, 상기 고분자층은, 규소 화합물을 포함하는 조성물의 도막에 개질 처리를 실시한 것임이 바람직하다. 고분자층이, 규소 화합물을 포함하는 조성물의 도막에 개질 처리를 실시한 것이면, 예를 들어, 증착이나 스퍼터링에 의해 형성한 무기막보다 유연성이 풍부한 것으로 할 수 있다.Moreover, it is preferable that the said polymer layer is what modified|reformed the coating film of the composition containing a silicon compound. A polymer layer can be made into a thing richer in flexibility than the inorganic film formed by vapor deposition or sputtering, for example, if it modified|reformed the coating film of the composition containing a silicon compound.

개질 처리로는, 이온 주입, 진공 자외광 조사 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 높은 가스 배리어 성능이 얻어지는 점에서, 이온 주입이 바람직하다. 이온 주입에 있어서, 고분자층에 주입되는 이온의 주입량은, 형성하는 가스 배리어성 적층체의 사용 목적 (필요한 가스 배리어성, 투명성 등) 등에 맞춰 적절히 결정하면 된다.Examples of the modification treatment include ion implantation and vacuum ultraviolet light irradiation. Among these, ion implantation is preferable at the point from which high gas barrier performance is acquired. In the ion implantation, the amount of ions implanted into the polymer layer may be appropriately determined according to the purpose of use of the gas barrier laminate to be formed (necessary gas barrier properties, transparency, etc.).

주입되는 이온으로는, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논 등의 희가스의 이온 ; 플루오로 카본, 수소, 질소, 산소, 이산화탄소, 염소, 불소, 황 등의 이온 ; Examples of the ions to be implanted include ions of rare gases such as argon, helium, neon, krypton, and xenon; ions such as fluorocarbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, carbon dioxide, chlorine, fluorine, and sulfur;

메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 펜탄, 헥산 등의 알칸계 가스류의 이온 ; 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 펜텐 등의 알켄계 가스류의 이온 ; 펜타디엔, 부타디엔 등의 알카디엔계 가스류의 이온 ; 아세틸렌, 메틸아세틸렌 등의 알킨계 가스류의 이온 ; 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 인덴, 나프탈렌, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소계 가스류의 이온 ; 시클로프로판, 시클로헥산 등의 시클로알칸계 가스류의 이온 ; 시클로펜텐, 시클로헥센 등의 시클로알켄계 가스류의 이온 ; ions of alkane-based gases such as methane, ethane, propane, butane, pentane, and hexane; ions of alkene-based gases such as ethylene, propylene, butene, and pentene; ions of alkadiene-based gases such as pentadiene and butadiene; ions of alkyne-based gases such as acetylene and methylacetylene; ions of aromatic hydrocarbon-based gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene, and phenanthrene; ions of cycloalkane-based gases such as cyclopropane and cyclohexane; ions of cycloalkene-based gases such as cyclopentene and cyclohexene;

금, 은, 구리, 백금, 니켈, 팔라듐, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 니오브, 탄탈, 텅스텐, 알루미늄 등의 도전성의 금속의 이온 ; ions of conductive metals such as gold, silver, copper, platinum, nickel, palladium, chromium, titanium, molybdenum, niobium, tantalum, tungsten, and aluminum;

실란 (SiH4) 또는 유기 규소 화합물의 이온 ; 등을 들 수 있다.ions of silane (SiH 4 ) or organosilicon compounds; and the like.

유기 규소 화합물로는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라n-부톡시실란, 테트라t-부톡시실란 등의 테트라알콕시실란 ;Examples of the organosilicon compound include tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetran-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetran-butoxysilane, and tetrat-butoxysilane;

디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시실란 등의 무치환 혹은 치환기를 갖는 알킬알콕시실란 ; Unsubstituted or substituted groups such as dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and (3,3,3-trifluoropropyl)trimethoxysilane alkylalkoxysilane having;

디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 아릴알콕시실란 ; arylalkoxysilanes such as diphenyldimethoxysilane and phenyltriethoxysilane;

헥사메틸디실록산 (HMDSO) 등의 디실록산 ; disiloxanes such as hexamethyldisiloxane (HMDSO);

비스(디메틸아미노)디메틸실란, 비스(디메틸아미노)메틸비닐실란, 비스(에틸아미노)디메틸실란, 디에틸아미노트리메틸실란, 디메틸아미노디메틸실란, 테트라키스디메틸아미노실란, 트리스(디메틸아미노)실란 등의 아미노실란 ; Bis(dimethylamino)dimethylsilane, bis(dimethylamino)methylvinylsilane, bis(ethylamino)dimethylsilane, diethylaminotrimethylsilane, dimethylaminodimethylsilane, tetrakisdimethylaminosilane, tris(dimethylamino)silane, etc. aminosilane;

헥사메틸디실라잔, 헥사메틸시클로트리실라잔, 헵타메틸디실라잔, 노나메틸트리실라잔, 옥타메틸시클로테트라실라잔, 테트라메틸디실라잔 등의 실라잔 ; Silazanes, such as hexamethyldisilazane, hexamethylcyclotrisilazane, heptamethyldisilazane, nonamethyltrisilazane, octamethylcyclotetrasilazane, and tetramethyldisilazane;

테트라이소시아네이트실란 등의 시아네이트실란 ; cyanate silanes such as tetraisocyanate silane;

트리에톡시플루오로실란 등의 할로게노실란 ; halogenosilanes such as triethoxyfluorosilane;

디알릴디메틸실란, 알릴트리메틸실란 등의 알케닐실란 ; alkenyl silanes such as diallyl dimethyl silane and allyl trimethyl silane;

디-t-부틸실란, 1,3-디실라부탄, 비스(트리메틸실릴)메탄, 테트라메틸실란, 트리스(트리메틸실릴)메탄, 트리스(트리메틸실릴)실란, 벤질트리메틸실란 등의 무치환 혹은 치환기를 갖는 알킬실란 ; Unsubstituted or substituted groups such as di-t-butylsilane, 1,3-disilabutane, bis(trimethylsilyl)methane, tetramethylsilane, tris(trimethylsilyl)methane, tris(trimethylsilyl)silane, benzyltrimethylsilane alkylsilane having;

비스(트리메틸실릴)아세틸렌, 트리메틸실릴아세틸렌, 1-(트리메틸실릴)-1-프로핀 등의 실릴알킨 ;silyl alkynes such as bis(trimethylsilyl)acetylene, trimethylsilylacetylene, and 1-(trimethylsilyl)-1-propyne;

1,4-비스트리메틸실릴-1,3-부타디인, 시클로펜타디에닐트리메틸실란 등의 실릴알켄 ; silylalkenes such as 1,4-bistrimethylsilyl-1,3-butadiine and cyclopentadienyltrimethylsilane;

페닐디메틸실란, 페닐트리메틸실란 등의 아릴알킬실란 ; arylalkylsilanes such as phenyldimethylsilane and phenyltrimethylsilane;

프로파르길트리메틸실란 등의 알키닐알킬실란 ; alkynylalkylsilanes such as propargyltrimethylsilane;

비닐트리메틸실란 등의 알케닐알킬실란 ; alkenylalkylsilanes such as vinyltrimethylsilane;

헥사메틸디실란 등의 디실란 ; disilane such as hexamethyldisilane;

옥타메틸시클로테트라실록산, 테트라메틸시클로테트라실록산, 헥사메틸시클로테트라실록산 등의 실록산 ; siloxanes such as octamethylcyclotetrasiloxane, tetramethylcyclotetrasiloxane, and hexamethylcyclotetrasiloxane;

N,O-비스(트리메틸실릴)아세트아미드 ; N,O-bis(trimethylsilyl)acetamide;

비스(트리메틸실릴)카르보디이미드 ; bis(trimethylsilyl)carbodiimide;

등을 들 수 있다.and the like.

이들의 이온은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these ions individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

그 중에서도, 보다 간편하게 주입할 수 있고, 특히 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층이 얻어지는 점에서, 수소, 질소, 산소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논, 및 크립톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 이온이 바람직하다.Among them, at least one selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen, oxygen, argon, helium, neon, xenon, and krypton, since a gas barrier layer that can be injected more easily and has particularly excellent gas barrier properties is obtained. ions are preferred.

이온을 주입하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 전계에 의해 가속된 이온 (이온빔) 을 조사하는 방법, 플라즈마 중의 이온을 주입하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 간편하게 가스 배리어성의 필름이 얻어지는 점에서, 후자의 플라즈마 이온을 주입하는 방법이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a method of implanting ions, A method of irradiating ions (ion beam) accelerated by an electric field, a method of implanting ions in plasma, etc. are mentioned. Among them, the latter method of implanting plasma ions is preferable from the viewpoint of simply obtaining a gas barrier film.

플라즈마 이온 주입법으로는, (α) 외부 전계를 사용하여 발생시킨 플라즈마 중에 존재하는 이온을, 고분자층에 주입하는 방법, 또는 (β) 외부 전계를 사용하지 않고, 상기 층에 인가하는 부 (負) 의 고전압 펄스에 의한 전계만으로 발생시킨 플라즈마 중에 존재하는 이온을, 고분자층에 주입하는 방법이 바람직하다.As the plasma ion implantation method, (α) a method in which ions present in plasma generated using an external electric field are implanted into the polymer layer, or (β) a negative applied to the layer without using an external electric field. A method of implanting ions present in plasma generated only by an electric field by a high voltage pulse of

상기 (α) 의 방법에 있어서는, 이온 주입할 때의 압력 (플라즈마 이온 주입시의 압력) 을 0.01 ∼ 1 Pa 로 하는 것이 바람직하다. 플라즈마 이온 주입시의 압력이 이와 같은 범위에 있을 때, 간편하게 또한 효율적으로 균일하게 이온을 주입할 수 있고, 목적으로 하는 가스 배리어층을 효율적으로 형성할 수 있다.In the method (α), the pressure at the time of ion implantation (pressure at the time of plasma ion implantation) is preferably 0.01 to 1 Pa. When the pressure at the time of plasma ion implantation is in such a range, ions can be uniformly implanted simply and efficiently, and a target gas barrier layer can be efficiently formed.

상기 (β) 의 방법은, 감압도를 높게 할 필요가 없고, 처리 조작이 간편하고, 처리 시간도 대폭 단축시킬 수 있다. 또, 상기 층 전체에 걸쳐서 균일하게 처리할 수 있고, 부의 고전압 펄스 인가시에 플라즈마 중의 이온을 고에너지로 고분자층에 연속적으로 주입할 수 있다. 또한, radio frequency (고주파, 이하,「RF」라고 약기한다) 나, 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 특별한 다른 수단을 필요로 하지 않고, 층에 부의 고전압 펄스를 인가하는 것만으로, 고분자층에 양질의 이온을 균일하게 주입할 수 있다.In the method (β), it is not necessary to increase the pressure reduction degree, the treatment operation is simple, and the treatment time can be significantly shortened. In addition, the entire layer can be treated uniformly, and ions in the plasma can be continuously implanted into the polymer layer with high energy when a negative high voltage pulse is applied. In addition, it does not require special other means such as radio frequency (high frequency, hereinafter abbreviated as "RF") or a high frequency power source such as microwave, just applying a negative high voltage pulse to the layer, of ions can be uniformly implanted.

상기 (α) 및 (β) 의 어느 방법에 있어서도, 부의 고전압 펄스를 인가할 때, 즉 이온 주입할 때의 펄스폭은, 1 ∼ 15 μsec 인 것이 바람직하다. 펄스폭이 이와 같은 범위에 있을 때, 보다 간편하게 또한 효율적으로, 균일하게 이온을 주입할 수 있다.In any of the methods (α) and (β), it is preferable that the pulse width when applying the negative high voltage pulse, that is, when ion implantation is performed, is 1 to 15 µsec. When the pulse width is in such a range, ions can be implanted more simply and efficiently and uniformly.

또, 플라즈마를 발생시킬 때의 인가 전압은, 바람직하게는 -1 ∼ -50 ㎸, 보다 바람직하게는 -1 ∼ -30 ㎸, 특히 바람직하게는 -5 ∼ -20 ㎸ 이다. 인가 전압이 -1 ㎸ 보다 작은 값으로 이온 주입을 실시하면, 이온 주입량 (도스량) 이 불충분해져, 원하는 성능이 얻어지기 어려워진다. 한편, -50 ㎸ 보다 큰 값으로 이온 주입을 실시하면, 이온 주입시에 필름이 대전하고, 또 필름에 대한 착색 등의 문제가 발생하기 쉬워져, 바람직하지 않다.Moreover, the applied voltage at the time of generating a plasma becomes like this. Preferably it is -1 to -50 kV, More preferably, it is -1 to -30 kV, Especially preferably, it is -5 to -20 kV. When the applied voltage is less than -1 kV, when ion implantation is performed, the ion implantation amount (dose amount) becomes insufficient, and desired performance becomes difficult to obtain. On the other hand, when ion implantation is performed at a value larger than -50 kV, the film is charged during ion implantation, and problems such as coloring of the film tend to occur, which is not preferable.

플라즈마 이온 주입하는 이온종으로는, 상기 주입되는 이온으로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the ion species to be implanted with plasma ions include those exemplified above as ions to be implanted.

고분자층에 플라즈마 중의 이온을 주입할 때에는, 플라즈마 이온 주입 장치를 사용한다.When implanting ions in plasma into the polymer layer, a plasma ion implantation device is used.

플라즈마 이온 주입 장치로는, 구체적으로는, (i) 고분자층 (이하,「이온 주입하는 층」이라고 하는 경우가 있다) 에 부의 고전압 펄스를 인가하는 피드스루에 고주파 전력을 중첩하여 이온 주입하는 층의 주위를 균등하게 플라즈마로 둘러싸고, 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입, 충돌, 퇴적시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001-26887호), (ii) 챔버 내에 안테나를 형성하고, 고주파 전력을 부여하여 플라즈마를 발생시켜 이온 주입하는 층 주위에 플라즈마가 도달 후, 이온 주입하는 층에 정과 부의 펄스를 교대로 인가함으로써, 정의 펄스로 플라즈마 중의 전자를 유인 충돌시켜 이온 주입하는 층을 가열하고, 펄스 정수를 제어하여 온도 제어를 실시하면서, 부의 펄스를 인가하여 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001-156013호), (iii) 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 외부 전계를 사용하여 플라즈마를 발생시키고, 전압 펄스를 인가하여 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입시키는 플라즈마 이온 주입 장치, (iv) 외부 전계를 사용하지 않고 고전압 펄스의 인가에 의해 발생하는 전계만으로 발생하는 플라즈마 중의 이온을 주입하는 플라즈마 이온 주입 장치 등을 들 수 있다.Specifically, as a plasma ion implantation device, (i) a layer in which high-frequency power is superimposed on a feed-through for applying a negative high-voltage pulse to the polymer layer (hereinafter, sometimes referred to as "ion-implanting layer"), followed by ion implantation. A device that evenly surrounds with plasma and attracts, implants, collides, and deposits ions in plasma (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-26887), (ii) an antenna is formed in the chamber, and high-frequency power is applied to generate plasma After the plasma reaches the periphery of the ion-implanted layer, positive and negative pulses are alternately applied to the ion-implanted layer to induce and collide electrons in the plasma with a positive pulse to heat the ion-implanted layer and control the pulse constant. A device for attracting and implanting ions in plasma by applying a negative pulse while controlling temperature (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-156013), (iii) generating plasma using an external electric field such as a high-frequency power source such as microwave a plasma ion implantation device that attracts and implants ions in plasma by applying a voltage pulse; apparatus and the like.

이들 중에서도, 처리 조작이 간편하고, 처리 시간도 대폭 단축할 수 있고, 연속 사용에 적절한 점에서, (iii) 또는 (iv) 의 플라즈마 이온 주입 장치를 사용하는 것이 바람직하다.Among these, it is preferable to use the plasma ion implantation apparatus of (iii) or (iv) from the point which a process operation is simple, a process time can also be shortened significantly, and is suitable for continuous use.

상기 (iii) 및 (iv) 의 플라즈마 이온 주입 장치를 사용하는 방법에 대해서는, 국제 공개 WO2010/021326호에 기재된 것을 들 수 있다.As for the method of using the plasma ion implantation apparatus of said (iii) and (iv), what was described in international publication WO2010/021326 is mentioned.

상기 (iii) 및 (iv) 의 플라즈마 이온 주입 장치에서는, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 고전압 펄스 전원에 의해 겸용하고 있기 때문에, RF 나 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 특별한 다른 수단을 필요로 하지 않고, 부의 고전압 펄스를 인가하는 것만으로, 플라즈마를 발생시켜, 고분자층에 연속적으로 플라즈마 중의 이온을 주입하고, 표면부에 이온 주입에 의해 개질된 부분을 갖는 고분자층, 즉 가스 배리어층이 형성된 가스 배리어성 적층체를 양산할 수 있다.In the plasma ion implantation apparatus of (iii) and (iv) above, since the plasma generating means for generating plasma is also used by a high voltage pulse power supply, special other means such as a high frequency power source such as RF or microwave are not required. By simply applying a negative high voltage pulse, plasma is generated, ions in the plasma are continuously implanted into the polymer layer, and a polymer layer having a portion modified by ion implantation on the surface, that is, a gas barrier layer is formed. A barrier laminate can be mass-produced.

이온이 주입되는 부분의 두께는, 이온의 종류나 인가 전압, 처리 시간 등의 주입 조건에 따라 제어할 수 있고, 고분자층의 두께, 가스 배리어성 적층체의 사용 목적 등에 따라 결정하면 되는데, 통상적으로 5 ∼ 1,000 ㎚ 이다.The thickness of the portion into which the ions are implanted can be controlled according to implantation conditions such as the type of ion, applied voltage, and treatment time, and may be determined according to the thickness of the polymer layer, the purpose of use of the gas barrier laminate, and the like. 5 to 1,000 nm.

이온이 주입된 것은, X 선 광전자 분광 분석 (XPS) 을 사용하여 고분자층의 표면으로부터 10 ㎚ 부근의 원소 분석 측정을 실시하는 것에 의해 확인할 수 있다.The implantation of ions can be confirmed by performing elemental analysis measurement in the vicinity of 10 nm from the surface of the polymer layer using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).

가스 배리어층이 가스 배리어성을 갖고 있는 것은, 가스 배리어층의 수증기 투과율이 작은 것으로부터 확인할 수 있다.It can be confirmed that the gas barrier layer has gas barrier properties from the fact that the water vapor transmission rate of the gas barrier layer is small.

가스 배리어층의, 40 ℃, 상대 습도 90 % 분위기하에 있어서의 수증기 투과율은, 통상 1.0 g/㎡/day 이하이고, 바람직하게는 0.8 g/㎡/day 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5 g/㎡/day 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.1 g/㎡/day 이하이다. 수증기 투과율은, 공지된 방법으로 측정할 수 있다.The gas barrier layer has a water vapor transmission rate of usually 1.0 g/m 2 /day or less, preferably 0.8 g/m 2 /day or less, and more preferably 0.5 g/m 2 in an atmosphere of 40° C. and 90% relative humidity. /day or less, more preferably 0.1 g/m 2 /day or less. The water vapor transmission rate can be measured by a well-known method.

1-3. 공정 필름 1-3. process film

공정 필름은, 가스 배리어성 적층체를 보존, 운반 등을 할 때에, 하지층이나, 가스 배리어층, 또 상기 서술한 그 밖의 층을 보호하는 역할을 갖고, 소정의 공정에 있어서 박리되는 것이다.A process film has a role of protecting a base layer, a gas barrier layer, and the other layer mentioned above when storing, conveying, etc. a gas barrier laminated body, and it peels in a predetermined process.

가스 배리어성 적층체가 공정 필름을 갖는 경우, 가스 배리어성 적층체는 편면에 공정 필름을 갖고 있어도 되고, 양면에 공정 필름을 갖고 있어도 된다. 후자의 경우에는, 2 종류의 공정 필름을 사용하여, 먼저 박리하는 공정 필름을 보다 박리하기 쉬운 것으로 하는 것이 바람직하다. 하지층측에 공정 필름을 갖는 경우, 공정 필름을 갖고 있지 않은 가스 배리어성 적층체에 비하여, 하지층을 보호하면서 핸들링성이 높은 가스 배리어성 적층체로 할 수 있다.When a gas-barrier laminated body has a process film, the gas-barrier laminated body may have a process film on one side, and may have a process film on both surfaces. In the latter case, it is preferable to use two types of process films and to make the process film peeled earlier into the thing which peels more easily. When it has a process film on the underlayer side, compared with the gas-barrier laminated body which does not have a process film, it can be set as the gas-barrier laminated body with high handling property, protecting a base layer.

공정 필름은, 시트상 또는 필름상인 것이 바람직하다. 시트상 또는 필름상이란, 장척인 것에 한정되지 않고, 단척의 평판상인 것도 포함된다.It is preferable that a process film is a sheet form or a film form. A sheet-like or film-like thing is not limited to a long thing, The thing of a short flat plate shape is also included.

공정 필름으로는, 글라신지, 코트지, 상질지 등의 종이 기재 ; 이들의 종이 기재에 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 열 가소성 수지를 라미네이트한 라미네이트지 ; 상기 종이 기재에, 셀룰로오스, 전분, 폴리비닐알코올, 아크릴-스티렌 수지 등으로 필링 처리를 실시한 것 ; 혹은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름이나 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 필름 등의 플라스틱 필름 ; 유리 등을 들 수 있다.As a process film, Paper base materials, such as glassine paper, coated paper, and high quality paper; laminated paper in which a thermoplastic resin such as polyethylene or polypropylene is laminated on these paper substrates; What gave the peeling process to the said paper base material with cellulose, starch, polyvinyl alcohol, an acryl- styrene resin, etc.; Or plastic films, such as polyester films, such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, and polyolefin films, such as polyethylene and polypropylene; Glass etc. are mentioned.

또, 공정 필름은, 취급 용이성의 점에서, 종이 기재나, 플라스틱 필름 상에 박리제층을 형성한 것이어도 된다. 박리층은, 실리콘계 박리제, 불소계 박리제, 알키드계 박리제, 올레핀계 박리제 등, 종래 공지된 박리제를 사용하여 형성할 수 있다.Moreover, what formed the release agent layer on a paper base material or a plastic film may be sufficient as a process film from the point of handling easiness. A release layer can be formed using conventionally well-known release agents, such as a silicone type release agent, a fluorine type release agent, an alkyd type release agent, and an olefin type release agent.

박리제층의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로 0.02 ∼ 2.0 ㎛, 보다 바람직하게는 0.05 ∼ 1.5 ㎛ 이다.Although the thickness in particular of a release agent layer is not restrict|limited, Usually, it is 0.02-2.0 micrometers, More preferably, it is 0.05-1.5 micrometers.

공정 필름의 두께는, 취급 용이성의 점에서, 1 ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 5 ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하다.From the point of handling easiness, 1-500 micrometers is preferable and, as for the thickness of a process film, 5-300 micrometers is more preferable.

공정 필름의 표면 조도 Ra (산술 평균 조도) 는, 10.0 ㎚ 이하가 바람직하고, 8.0 ㎚ 이하가 보다 바람직하다. 또, 표면 조도 Rt (최대 단면 높이) 는, 100 ㎚ 이하가 바람직하고, 50 ㎚ 이하가 보다 바람직하다.10.0 nm or less is preferable and, as for surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of a eutectic film, 8.0 nm or less is more preferable. Moreover, 100 nm or less is preferable and, as for surface roughness Rt (maximum cross-sectional height), 50 nm or less is more preferable.

표면 조도 Ra 및 Rt 가, 각각, 10.0 ㎚, 100 ㎚ 를 초과하면, 공정 필름과 접하는 층의 표면 조도가 커져, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성이 저하될 우려가 있다.When the surface roughness Ra and Rt exceed 10.0 nm and 100 nm, respectively, the surface roughness of the layer in contact with the eutectic film becomes large, and there is a possibility that the gas barrier property of the gas barrier laminate may be lowered.

또한, 표면 조도 Ra 및 Rt 는, 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 측정 면적에서, 광간섭법에 의해 얻어진 값이다.In addition, surface roughness Ra and Rt are the values obtained by the optical interference method in the measurement area of 100 micrometers x 100 micrometers.

1-4. 가스 배리어성 적층체1-4. gas barrier laminate

상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 공정 필름과, 하지층과, 가스 배리어층을 이 순서로 구비하고 있다. 가스 배리어성 적층체를 실제로 사용할 때, 가스 배리어성 적층체로부터 공정 필름을 박리하고, 디스플레이나 전자 디바이스에 첩부하여 사용한다.As mentioned above, the gas barrier laminated body which concerns on embodiment of this invention is equipped with a process film, a base layer, and a gas barrier layer in this order. When actually using a gas-barrier laminated body, a process film is peeled from a gas-barrier laminated body, and it sticks to a display or an electronic device, and uses it.

상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 이하의 요건 [1] 을 만족한다.As described above, the gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention satisfies the following requirement [1].

[1] 가스 배리어성 적층체의 열 수축률의 절대값이 0.5 % 이하이다.[1] The absolute value of the thermal contraction rate of the gas barrier laminate is 0.5% or less.

요건 [1] 을 만족하기 위해서는, 예를 들어, 상기 서술한 바와 같이, 하지층을 형성하기 위한 경화성 수지 조성물에 포함되는 경화성 성분 (B) 로서, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과 고리화 중합성 모노머를 병용함으로써, 망목 구조를 늘리도록 하거나, 중합성 성분 (A) 로서, 폴리이미드 수지로 대표되는 강직하면서도 유연한 구조를 구비하는 것을 선택하거나 하면 된다.In order to satisfy the requirement [1], for example, as described above, as the curable component (B) contained in the curable resin composition for forming the underlayer, a polyfunctional (meth)acrylate compound and cyclization polymerization What is necessary is just to make a network structure increase by using a sex monomer together, or to select what is equipped with the rigid and flexible structure typified by polyimide resin as a polymeric component (A).

또, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 이하의 요건 [2] 를 만족한다.Moreover, as mentioned above, the gas barrier laminated body which concerns on embodiment of this invention satisfy|fills the following requirements [2].

[2] 가스 배리어성 적층체의 파단 신도가 1.9 % 이상이다.[2] The elongation at break of the gas barrier laminate is 1.9% or more.

가스 배리어성 적층체의 파단 신도는, 2.0 % 이상인 것이 바람직하다. 가스 배리어성 적층체의 파단 신도가 이와 같은 범위에 있음으로써, 가스 배리어성 적층체의 플렉시블성을 높게 할 수 있다. 하지층의 파단 신도의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 17 % 이하, 바람직하게는 13 % 이하이다.It is preferable that the breaking elongation of a gas barrier laminated body is 2.0 % or more. When the breaking elongation of the gas barrier laminate exists in such a range, the flexibility of a gas barrier laminate can be made high. Although the upper limit of the breaking elongation of a base layer is not specifically limited, Usually, it is 17 % or less, Preferably it is 13 % or less.

가스 배리어층의 두께는, 통상적으로 하지층과 비교하여 현저히 얇기 때문에, 가스 배리어성 적층체의 파단 신도는 하지층의 영향을 크게 받아, 하지층의 파단 신도와 가까운 값이 되는 경향이 있다. 그 때문에, 하지층이 상기 서술한 요건 [2'] 를 만족하고 있으면, 가스 배리어층 등의 영향에 의해 가스 배리어성 적층체의 파단 신도가 하지층의 파단 신도보다 약간 작아졌다고 해도, 요건 [2] 를 만족하는 가스 배리어성 적층체를 얻는 것이 용이하다.Since the thickness of the gas barrier layer is usually significantly thinner than that of the underlayer, the elongation at break of the gas barrier laminate is greatly affected by the underlayer, and tends to be close to the elongation at break of the underlayer. Therefore, if the underlying layer satisfies the above-mentioned requirement [2'], even if the breaking elongation of the gas barrier laminate is slightly smaller than the breaking elongation of the underlayer due to the influence of the gas barrier layer or the like, the requirement [2] ], it is easy to obtain a gas barrier laminate satisfying

가스 배리어성 적층체의 두께는, 목적으로 하는 전자 디바이스의 용도 등에 따라 적절히 결정할 수 있다. 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체의 실질적인 두께는, 취급성의 관점에서, 바람직하게는 0.3 ∼ 50 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 25 ㎛, 보다 바람직하게는 0.7 ∼ 12 ㎛ 이다.The thickness of the gas-barrier laminate can be appropriately determined according to the intended use of the electronic device or the like. The substantial thickness of the gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention is preferably 0.3 to 50 µm, more preferably 0.5 to 25 µm, and still more preferably 0.7 to 12 µm from the viewpoint of handling properties.

또한,「실질적인 두께」란, 사용 상태에 있어서의 두께를 말한다. 즉, 상기 가스 배리어성 적층체는, 공정 시트 등을 갖고 있어도 되는데, 사용시에 제거되는 부분 (공정 시트 등) 의 두께는,「실질적인 두께」에는 포함되지 않는다.In addition, "substantial thickness" means the thickness in a use state. That is, the gas-barrier laminate may have a process sheet or the like, but the thickness of the portion (eg, process sheet) to be removed during use is not included in the “substantial thickness”.

본 발명의 실시형태에 관련된 하지층은, 유연성이 우수한 것으로 할 수 있고, 또한 가스 배리어성 적층체의 두께를 작게 하면, 가스 배리어성 적층체의 실장 후의 굴곡 내성을 보다 향상시킬 수도 있다.The base layer according to the embodiment of the present invention can be made excellent in flexibility, and when the thickness of the gas barrier laminate is made small, the bending resistance after mounting of the gas barrier laminate can be further improved.

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 상기 서술한 하지층 및 가스 배리어층을 갖기 때문에, 내열성, 내용제성, 층간 밀착성 및 가스 배리어성이 우수하고, 게다가 복굴절률이 낮고 광학 등방성이 우수하다. 가스 배리어성 적층체의 면내의 위상차는, 통상적으로 20 ㎚ 이하이고, 15 ㎚ 이하가 바람직하다. 두께 방향의 위상차는, 통상적으로 -500 ㎚ 이하이고, -450 ㎚ 이하가 바람직하다. 또, 면내의 위상차를 가스 배리어성 적층체의 두께로 나눈 값 (복굴절률) 은, 통상적으로 100 × 10-5 이하이고, 바람직하게는 20 × 10-5 이하이다.Since the gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention has the above-described base layer and gas barrier layer, it is excellent in heat resistance, solvent resistance, interlayer adhesion and gas barrier properties, and has low birefringence and optical isotropy. great. The in-plane retardation of the gas barrier laminate is usually 20 nm or less, and preferably 15 nm or less. The retardation in the thickness direction is usually -500 nm or less, and preferably -450 nm or less. The value (birefringence) obtained by dividing the in-plane retardation by the thickness of the gas barrier laminate is usually 100 × 10 -5 or less, preferably 20 × 10 -5 or less.

가스 배리어성 적층체의 면내의 위상차, 두께 방향의 위상차, 복굴절률이 상기의 범위 내이면, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는 광학 등방성이 우수하여, 광학 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.If the in-plane retardation, the retardation in the thickness direction, and the birefringence of the gas barrier laminate are within the above ranges, the gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention has excellent optical isotropy and can be preferably used for optical applications. have.

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체의, 40 ℃, 상대 습도 90 % 분위기하에서의 수증기 투과율은, 통상적으로 1.0 × 10-2 g/㎡/day 이하, 바람직하게는 8.0 × 10-3 g/㎡/day 이하, 보다 바람직하게는 6.0 × 10-3 g/㎡/day 이하이다.The gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention has a water vapor transmission rate at 40°C and an atmosphere of 90% relative humidity, usually 1.0 × 10 -2 g/m 2 /day or less, preferably 8.0 × 10 -3 g /m 2 /day or less, more preferably 6.0 x 10 -3 g/m 2 /day or less.

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 하지층과, 그 하지층의 적어도 편면에 가스 배리어층을 갖는다. 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 하지층과 가스 배리어층을, 각각 1 층씩 갖는 것이어도 되고, 하지층 및/또는 가스 배리어층을 2 층 이상 갖는 것이어도 된다.A gas barrier laminate according to an embodiment of the present invention has a base layer and a gas barrier layer on at least one side of the base layer. The gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention may have a base layer and a gas barrier layer one layer each, or may have two or more base layers and/or gas barrier layers.

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체의 구체적인 구성예를, 도 1 에 나타낸다.The specific structural example of the gas barrier laminated body which concerns on embodiment of this invention is shown in FIG.

도 1 에 나타내는 가스 배리어성 적층체 (10) 는, 하지층 (2) 의 편면에, 가스 배리어층 (3) 을 갖고, 하지층 (2) 의, 가스 배리어층 (3) 과는 반대측의 면에 공정 필름 (1) 을 갖는 것이다. 공정 필름 (1) 을 박리 제거하면, 하지층 (2) 과 가스 배리어층 (3) 을 포함하는 부호 10a 로 나타내는 부분이, 공정 필름 제거 후의 가스 배리어성 적층체가 된다.The gas barrier laminate 10 shown in FIG. 1 has a gas barrier layer 3 on the single side|surface of the base layer 2, The surface on the opposite side to the gas barrier layer 3 of the base layer 2 to have the eutectic film (1). When the eutectic film 1 is peeled off, the portion indicated by the reference numeral 10a including the base layer 2 and the gas barrier layer 3 turns into a gas barrier laminate after the eutectic film is removed.

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는, 도 1 에 나타내는 것에 한정되지 않고, 하지층의 양면에 가스 배리어층을 갖고 있어도 되고, 하지층 및 가스 배리어층을 1 세트로 하여, 복수 세트가 적층된 것이어도 된다. 또, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 또 다른 층을 1 층 또는 2 층 이상 함유하는 것이어도 된다.The gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention is not limited to that shown in FIG. 1, and may have a gas barrier layer on both surfaces of the base layer, and a plurality of sets of the base layer and the gas barrier layer as one set. may be laminated. Moreover, in the range which does not impair the objective of this invention, you may contain another layer in one layer or two or more layers.

다른 층으로는, 예를 들어, 도전체층, 충격 흡수층, 접착제층, 접합층, 공정 시트 등을 들 수 있다. 또, 다른 층의 배치 위치는 특별히 한정되지 않는다.As another layer, a conductor layer, an impact-absorbing layer, an adhesive bond layer, a bonding layer, a process sheet|seat etc. are mentioned, for example. In addition, the arrangement position of another layer is not specifically limited.

도전체층을 구성하는 재료로는, 금속, 합금, 금속 산화물, 전기 전도성 화합물, 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 안티몬을 도프한 산화주석 (ATO) ; 불소를 도프한 산화주석 (FTO) ; 산화주석, 게르마늄을 도프한 산화아연 (GZO), 산화아연, 산화인듐, 산화인듐주석 (ITO), 산화아연인듐 (IZO) 등의 반도전성 금속 산화물 ; 금, 은, 크롬, 니켈 등의 금속 ; 이들 금속과 도전성 금속 산화물의 혼합물 ; 요오드화구리, 황화구리 등의 무기 도전성 물질 ; 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 유기 도전성 재료 ; 등을 들 수 있다.Examples of the material constituting the conductor layer include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specifically, tin oxide (ATO) doped with antimony; tin oxide (FTO) doped with fluorine; Semiconducting metal oxides, such as tin oxide, the zinc oxide (GZO) doped with germanium, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and zinc indium oxide (IZO); metals such as gold, silver, chromium, and nickel; a mixture of these metals and conductive metal oxides; inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide; organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole; and the like.

도전체층의 형성 방법에는 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 열 CVD 법, 플라즈마 CVD 법 등을 들 수 있다.There is no restriction|limiting in particular in the formation method of a conductor layer. For example, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a thermal CVD method, a plasma CVD method, etc. are mentioned.

도전체층의 두께는 그 용도 등에 따라 적절히 선택하면 된다. 통상 10 ㎚ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 20 ㎚ 내지 20 ㎛ 이다.What is necessary is just to select the thickness of a conductor layer suitably according to the use etc. It is usually 10 nm to 50 μm, preferably 20 nm to 20 μm.

충격 흡수층은, 가스 배리어층에 충격이 가해졌을 때에, 가스 배리어층을 보호하기 위한 것이다. 충격 흡수층을 형성하는 소재로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 고무계 재료 등을 들 수 있다.The impact absorbing layer is for protecting the gas barrier layer when an impact is applied to the gas barrier layer. Although it does not specifically limit as a material which forms an impact-absorbing layer, For example, an acrylic resin, a urethane resin, a silicone resin, an olefin resin, a rubber-type material, etc. are mentioned.

충격 흡수층의 형성 방법으로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 상기 충격 흡수층을 형성하는 소재, 및 원하는 바에 따라 용제 등의 다른 성분을 포함하는 충격 흡수층 형성 용액을, 적층해야 할 층 상에 도포하고, 얻어진 도막을 건조시키고, 필요에 따라 가열 등을 하여 형성하는 방법을 들 수 있다.There is no particular limitation on the method for forming the shock absorbing layer, for example, a shock absorbing layer forming solution containing the material for forming the shock absorbing layer and other components such as a solvent if desired is applied on the layer to be laminated, , the method of drying the obtained coating film, heating etc. as needed, and forming it is mentioned.

또, 별도, 박리 기재 상에 충격 흡수층을 성막하고, 얻어진 막을, 적층해야 할 층 상에 전사하여 적층해도 된다.Moreover, you may transfer and laminate|stack the film obtained by separately forming a shock-absorbing layer into a film on the peeling base material on the layer to be laminated|stacked.

충격 흡수층의 두께는, 통상 1 ∼ 100 ㎛, 바람직하게는 5 ∼ 50 ㎛ 이다.The thickness of the impact-absorbing layer is usually 1 to 100 µm, preferably 5 to 50 µm.

접착제층은, 가스 배리어성 적층체를 피착체에 첩부하는 경우에 사용되는 층이다. 접착제층을 형성하는 재료로는, 특별히 한정되지 않고, 아크릴계, 실리콘계, 고무계 등의 공지된 접착제 또는 점착제, 히트시일재 등을 사용할 수도 있다.An adhesive bond layer is a layer used when affixing a gas-barrier laminated body to a to-be-adhered body. It does not specifically limit as a material which forms an adhesive bond layer, Well-known adhesives, such as an acrylic type, silicone type, rubber type, adhesive, a heat sealing material, etc. can also be used.

접합층은, 하지층 및 가스 배리어층을 1 세트로 하여, 복수의 세트를 첩합 (貼合) 하여 가스 배리어성 적층체를 제조하는 경우 등에 사용되는 층이다. 접합층은, 이웃하는 각 세트 중 일방에 포함되는 하지층과 타방에 포함되는 가스 배리어층을 접합하여 적층 구조를 유지하기 위한 층이다. 접합층은, 단층이어도 되고, 복수 층이어도 된다. 접합층으로는, 접착제를 사용하여 형성된 단층 구조의 층으로 이루어지는 것이나, 지지층의 양면에 접착제를 사용하여 형성된 층이 형성되어 이루어지는 것을 들 수 있다.A bonding layer is a layer used when making a base layer and a gas barrier layer into one set, bonding several sets together, and manufacturing a gas barrier laminated body, etc. The bonding layer is a layer for maintaining the laminated structure by bonding the underlying layer included in one of the adjacent sets and the gas barrier layer included in the other. A single layer may be sufficient as a bonding layer, and multiple layers may be sufficient as it. As a bonding layer, what consists of a layer of the single-layer structure formed using the adhesive agent, and what consists of the layer formed using the adhesive agent on both surfaces of a support layer is mentioned.

접합층을 형성할 때에 사용하는 재료는, 하지층 및 가스 배리어층의 세트끼리를 접합하고, 적층 구조를 유지할 수 있는 것인 한, 특별히 제한되지 않고, 공지된 접착제를 사용할 수 있지만, 상온에서 하지층 및 가스 배리어층의 세트끼리를 접합할 수 있다는 점에서, 점착제인 것이 바람직하다.The material used when forming the bonding layer is not particularly limited as long as it can bond sets of the underlying layer and the gas barrier layer to each other and maintain the laminated structure, and a known adhesive can be used. It is preferable that it is an adhesive at the point which can bond sets of a layer and a gas barrier layer together.

접합층에 사용하는 점착제로는, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 점착력, 투명성 및 취급성의 점에서, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제가 바람직하다. 또, 후술하는 바와 같은 가교 구조를 형성할 수 있는 점착제가 바람직하다.As an adhesive used for a bonding layer, an acrylic adhesive, a urethane adhesive, a silicone adhesive, a rubber adhesive, etc. are mentioned. Among these, an acrylic adhesive and a urethane-type adhesive are preferable from the point of adhesive force, transparency, and handleability. Moreover, the adhesive which can form the crosslinked structure as mentioned later is preferable.

또, 점착제는, 용제형 점착제, 에멀션형 점착제, 핫멜트형 점착제 등 중 어느 형태의 것이어도 된다.Moreover, the thing of any form of a solvent type adhesive, an emulsion type adhesive, a hot-melt type adhesive, etc. may be sufficient as an adhesive.

2. 가스 배리어성 적층체의 제조 방법2. Manufacturing method of gas barrier laminate

본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체는 공정 필름을 사용하여 제조된다. 공정 필름을 사용함으로써, 가스 배리어성 적층체를 효율적으로, 또한, 용이하게 제조할 수 있다. 특히, 이하의 공정 1 ∼ 3 을 갖는 방법이 바람직하다.The gas barrier laminate according to the embodiment of the present invention is manufactured using a process film. By using a process film, a gas-barrier laminated body can be manufactured efficiently and easily. In particular, the method which has the following steps 1-3 is preferable.

공정 1 : 공정 필름 상에, Tg 가 250 ℃ 이상인 중합체 성분 (A), 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 경화성 수지층을 형성하는 공정Step 1: Step of forming a curable resin layer on a process film using a curable resin composition containing a polymer component (A) having a Tg of 250°C or higher and a curable component (B)

공정 2 : 공정 1 에서 얻어진 경화성 수지층을 경화시켜, 경화 수지층으로 이루어지는 하지층을 형성하는 공정 Step 2: Step of curing the curable resin layer obtained in Step 1 to form a base layer comprising a cured resin layer

공정 3 : 공정 2 에서 얻어진 하지층 상에, 가스 배리어층을 형성하는 공정Step 3: Step of forming a gas barrier layer on the base layer obtained in Step 2

도 2 에, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체의 제조 공정의 일례를 나타낸다. 도 2(a) 가 상기 공정 1 에, 도 2(b) 가 상기 공정 2 에, 도 2(c) 가 상기 공정 3 에, 각각 대응한다.An example of the manufacturing process of the gas-barrier laminated body which concerns on embodiment of this invention in FIG. 2 is shown. Fig. 2(a) corresponds to step 1, Fig. 2(b) corresponds to step 2, and Fig. 2(c) corresponds to step 3, respectively.

(공정 1)(Process 1)

먼저, 공정 필름 상에, Tg 가 250 ℃ 이상인 중합체 성분 (A), 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 경화성 수지층 (도 2(a) 의 부호 2a) 을 형성한다.First, a curable resin layer (symbol 2a in Fig. 2(a)) is formed on a process film using a curable resin composition containing a polymer component (A) having a Tg of 250°C or higher and a curable component (B).

사용하는 공정 필름, 경화성 수지 조성물로는, 상기 서술한 것과 동일한 것을 들 수 있다.As a process film and curable resin composition to be used, the thing similar to what was mentioned above is mentioned.

경화성 수지 조성물을 공정 필름 상에 도공하는 방법은, 특별히 제한되지 않고, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등의 공지된 도포 방법을 이용할 수 있다.The method of coating the curable resin composition on the eutectic film is not particularly limited, and a spin coat method, a spray coat method, a bar coat method, a knife coat method, a roll coat method, a blade coat method, a die coat method, a gravure coat method, etc. of known coating methods can be used.

얻어진 도막을 건조시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등, 종래 공지된 건조 방법을 이용할 수 있다. 상기와 같이, 본 발명의 실시형태에 관련된 하지층을 형성하기 위해 사용하는 경화성 수지 조성물은, 매우 높은 Tg 를 갖는 중합체 성분 (A) 를 함유하는 것이지만, 경화성 성분 (B) 를 함유함으로써, 용액 캐스트법을 사용하여 얻어진 도막을 건조시키는 경우, 용제를 효율적으로 제거할 수 있다.The method in particular of drying the obtained coating film is not restrict|limited, Conventionally well-known drying methods, such as hot air drying, hot roll drying, infrared irradiation, can be used. As mentioned above, although curable resin composition used in order to form the base layer which concerns on embodiment of this invention contains the polymer component (A) which has very high Tg, By containing the curable component (B), a solution cast When drying the coating film obtained using the method, a solvent can be efficiently removed.

도막의 건조 온도는, 통상적으로 30 ∼ 150 ℃, 바람직하게는 50 ∼ 100 ℃ 이다.The drying temperature of a coating film is 30-150 degreeC normally, Preferably it is 50-100 degreeC.

건조 도막 (경화성 수지층) 의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 경화시킨 후의 두께와 거의 차는 없는 점에서, 상기 서술한 하지층의 두께와 동일하게 하면 된다.Although the thickness in particular of a dry coating film (curable resin layer) is not restrict|limited, What is necessary is just to make it similar to the thickness of the base layer mentioned above since there is little difference from the thickness after hardening.

(공정 2) (Process 2)

이어서, 공정 1 에서 얻어진 경화성 수지층을 경화시켜 경화 수지층을 형성한다. 이 경화 수지층이 하지층 (도 2(b) 의 부호 2) 가 된다.Next, the curable resin layer obtained in step 1 is hardened|cured, and the cured resin layer is formed. This cured resin layer becomes a base layer (symbol 2 in FIG.2(b)).

경화성 수지층을 경화하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 경화성 수지층이, 열중합 개시제를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 것인 경우, 경화성 수지층을 가열함으로써 경화성 수지층을 경화시킬 수 있다. 가열 온도는, 통상적으로 30 ∼ 150 ℃, 바람직하게는 50 ∼ 100 ℃ 이다.It does not specifically limit as a method of hardening|curing curable resin layer, A well-known method is employable. For example, when curable resin layer is a thing formed using curable resin composition containing a thermal-polymerization initiator, curable resin layer can be hardened by heating curable resin layer. Heating temperature is 30-150 degreeC normally, Preferably it is 50-100 degreeC.

또, 경화성 수지층이, 광중합 개시제를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 것인 경우, 경화성 수지층에 활성 에너지선을 조사함으로써 경화성 수지층을 경화시킬 수 있다. 활성 에너지선은, 고압 수은 램프, 무전극 램프, 크세논 램프 등을 사용하여 조사할 수 있다.Moreover, when curable resin layer is a thing formed using curable resin composition containing a photoinitiator, curable resin layer can be hardened by irradiating an active energy ray to curable resin layer. The active energy ray can be irradiated using a high-pressure mercury lamp, an electrodeless lamp, a xenon lamp, or the like.

활성 에너지선의 파장은, 200 ∼ 400 ㎚ 가 바람직하고, 350 ∼ 400 ㎚ 가 보다 바람직하다. 조사량은, 통상적으로 조도 50 ∼ 1,000 ㎽/㎠, 광량 50 ∼ 5,000 mJ/㎠, 바람직하게는 1,000 ∼ 5,000 mJ/㎠ 의 범위이다. 조사 시간은, 통상적으로 0.1 ∼ 1,000 초, 바람직하게는 1 ∼ 500 초, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 100 초이다. 광 조사 공정의 열부하를 고려하여 전술한 광량을 만족하기 위해, 복수 회 조사해도 상관없다.200-400 nm is preferable and, as for the wavelength of an active energy ray, 350-400 nm is more preferable. Irradiation dose is 50-1,000 mW/cm<2> of illumination intensity normally, 50-5,000 mJ/cm<2> of light quantity, Preferably it is the range of 1,000-5,000 mJ/cm<2>. Irradiation time is 0.1 to 1,000 second normally, Preferably it is 1-500 second, More preferably, it is 10 to 100 second. In order to satisfy the above-mentioned light quantity in consideration of the thermal load of the light irradiation process, you may irradiate multiple times.

이 경우, 활성 에너지선 조사에 의한 중합체 성분 (A) 의 열화나, 하지층의 착색을 방지하기 위해, 경화 반응에 불필요한 파장의 광을 흡수하는 필터를 통하여, 활성 에너지선을 경화성 수지 조성물에 조사해도 된다. 이 방법에 의하면, 경화 반응에 불필요하고, 또한, 중합체 성분 (A) 를 열화시키는 파장의 광이 필터에 흡수되기 때문에, 중합체 성분 (A) 의 열화가 억제되어, 무색 투명의 하지층이 얻어지기 쉬워진다.In this case, in order to prevent deterioration of the polymer component (A) by irradiation with active energy rays and coloration of the underlying layer, the curable resin composition is irradiated with active energy rays through a filter that absorbs light of a wavelength unnecessary for the curing reaction. also be According to this method, since light having a wavelength that is unnecessary for curing reaction and deteriorates the polymer component (A) is absorbed by the filter, deterioration of the polymer component (A) is suppressed, and a colorless and transparent base layer is obtained. it gets easier

필터로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 수지 필름을 이용할 수 있다. 수지 필름을 이용하는 경우, 공정 1 과 공정 2 사이에, 경화성 수지층 상에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 수지 필름을 적층시키는 공정을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 수지 필름은, 통상적으로는 공정 2 의 후에 박리된다.As a filter, resin films, such as a polyethylene terephthalate film, can be used. When using a resin film, it is preferable to provide the process of laminating|stacking resin films, such as a polyethylene terephthalate film, on curable resin layer between process 1 and process 2. In addition, a resin film peels after process 2 normally.

또, 경화성 수지층에 전자선을 조사함으로써, 경화성 수지층을 경화시킬 수도 있다. 전자선을 조사하는 경우에는, 통상적으로 광중합 개시제를 이용하지 않아도, 경화성 수지층을 경화시킬 수 있다. 전자선을 조사하는 경우에는, 전자선 가속기 등을 사용할 수 있다. 조사량은, 통상적으로 10 ∼ 1,000 krad 의 범위이다. 조사 시간은, 통상적으로 0.1 ∼ 1,000 초, 바람직하게는 1 ∼ 500 초, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 100 초이다.Moreover, curable resin layer can also be hardened by irradiating an electron beam to curable resin layer. When irradiating an electron beam, curable resin layer can be hardened, even if it does not use a photoinitiator normally. When irradiating an electron beam, an electron beam accelerator etc. can be used. The dose is usually in the range of 10 to 1,000 krad. Irradiation time is 0.1 to 1,000 second normally, Preferably it is 1-500 second, More preferably, it is 10 to 100 second.

경화성 수지층의 경화는, 필요에 따라 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기하에서 실시해도 된다. 불활성 가스 분위기하에서 경화를 실시함으로써, 산소나 수분 등이 경화를 방해하는 것을 회피하기 쉬워진다.You may perform hardening of curable resin layer in inert gas atmosphere, such as nitrogen gas, as needed. By hardening in an inert gas atmosphere, it becomes easy to avoid that oxygen, water|moisture content, etc. interfere with hardening.

(공정 3) (Process 3)

그 후, 공정 2 에서 얻어진 하지층 상에, 가스 배리어층 (도 2(c) 의 부호 3) 을 형성한다.Thereafter, a gas barrier layer (symbol 3 in Fig. 2(c)) is formed on the base layer obtained in step 2.

가스 배리어층을 형성하는 방법으로는, 먼저 설명한 방법을 적절히 채용할 수 있다.As a method of forming a gas barrier layer, the method demonstrated previously can be employ|adopted suitably.

예를 들어, 가스 배리어층이, 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 층인 경우, 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층을 하지층 상에 형성하는 공정과, 그 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층에, 개질 처리를 실시하는 공정에 의해 가스 배리어층을 형성할 수 있다.For example, when the gas barrier layer is a layer obtained by performing a modification treatment on a layer containing a silicon-containing polymer compound, a step of forming a layer containing a silicon-containing polymer compound on an underlying layer, and the silicon-containing polymer compound A gas barrier layer can be formed by the process of performing a reforming process in the layer containing.

가스 배리어성 적층체에 포함되는 가스 배리어층은, 압출 성형법이나 도포법 등 여러 가지 방법으로 형성될 수 있지만, 가스 배리어층의 형성 방법에 의해서는, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어 성능이 저하되는 경우가 있다. 특히, 가열을 수반하는 형성 방법, 예를 들어, 도포·건조에 의해 가스 배리어층을 형성하는 경우, 하지층이 물리적 또는 화학적으로 영향을 받아, 가스 배리어성 등의 특성이 저하되어 버릴 우려가 있었다.The gas barrier layer included in the gas barrier laminate can be formed by various methods such as extrusion molding and coating methods, but depending on the method of forming the gas barrier layer, the gas barrier performance of the gas barrier laminate is reduced. There are cases. In particular, when a gas barrier layer is formed by a formation method involving heating, for example, coating/drying, the underlying layer is physically or chemically affected, and there is a fear that properties such as gas barrier properties may be deteriorated. .

그러나, 본 발명의 실시형태에 관련된 하지층은, 상기 서술한 바와 같이, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이고, 중합체 성분 (A) 의 Tg 가 250 ℃ 이상이기 때문에, 가스 배리어층을 형성할 때의 가열에 의해, 하지층이 영향을 받기 어렵다. 이 때문에, 형성되는 가스 배리어층이, 제조 공정 중에 하지층의 변형 등에 의한 영향을 받기 어려워져, 가스 배리어층에, 예를 들어, 마이크로크랙 등이 발생하여 가스 배리어성을 저하시킨다는 문제를 발생시키기 어려워진다.However, as mentioned above, the base layer which concerns on embodiment of this invention is a layer which consists of hardened|cured material of curable resin composition containing a polymer component (A) and a curable component (B), The polymer component (A) Since Tg is 250 degreeC or more, an underlayer is hard to be affected by the heating at the time of forming a gas barrier layer. For this reason, the gas barrier layer to be formed is less likely to be affected by the deformation of the underlying layer during the manufacturing process, resulting in, for example, microcracks in the gas barrier layer, thereby reducing the gas barrier properties. it gets difficult

규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층을 형성하는 방법이나 개질 처리를 실시하는 방법으로는, 먼저 설명한 것을 채용할 수 있다.As a method of forming a layer containing a silicon-containing high molecular compound or a method of performing a modification treatment, those described above can be employed.

또, 개질 처리를 실시하는 방법으로는, 공정 2 에서 얻어진 하지층 상에, 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층이 형성된 장척상의 필름을 일정 방향으로 반송하면서, 상기 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층에, 개질 처리를 실시하여 가스 배리어성 적층체를 제조하는 것이 바람직하다.Further, as a method of performing the modification treatment, a long film in which a layer containing a silicon-containing polymer compound is formed on the base layer obtained in step 2 is conveyed in a fixed direction to the layer containing the silicon-containing polymer compound. , it is preferable to perform a reforming treatment to produce a gas barrier laminate.

이 제조 방법에 의하면, 예를 들어, 장척상의 가스 배리어성 적층체를 연속적으로 제조할 수 있다.According to this manufacturing method, a long gas-barrier laminated body can be manufactured continuously, for example.

또한, 공정 필름은, 통상적으로는, 가스 배리어성 적층체의 용도 등에 따라, 소정의 공정에 있어서 박리되고, 도 2(c) 에 나타내는 바와 같이, 공정 필름 (3) 제거 후의 가스 배리어성 적층체 (10a) 가 된다. 예를 들어, 공정 3 의 후에 다른 층 등을 형성하고, 그 후, 공정 필름을 박리해도 되고, 공정 3 의 후에 공정 필름을 박리해도 된다. 또, 공정 2 와 공정 3 사이에 공정 필름을 박리해도 된다.In addition, the process film is normally peeled in a predetermined process depending on the use of a gas barrier laminated body etc., and, as shown in FIG.2(c), the gas barrier laminated body after the process film 3 removal. (10a) becomes For example, another layer etc. are formed after process 3, and a process film may be peeled after that, and a process film may be peeled after process 3. Moreover, you may peel a process film between process 2 and process 3.

이와 같이, 상기 공정 1 ∼ 3 을 갖는 제조 방법은, 공정 필름을 이용하여 경화성 수지층을 형성하는 것이지만, 이 방법에 의해 얻어지는 가스 배리어성 적층체는, 공정 필름을 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다.Thus, although the manufacturing method which has the said process 1-3 forms a curable resin layer using a process film, the gas barrier laminated body obtained by this method may have a process film, and does not need to have it. .

상기 서술한 가스 배리어성 적층체의 제조 방법에 의하면, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체를 효율적으로, 연속적으로, 또한 용이하게 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of the gas barrier laminated body mentioned above, the gas barrier laminated body which concerns on embodiment of this invention can be manufactured efficiently, continuously and easily.

실시예Example

다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들의 예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by these examples.

각 실시예 및 비교예의, 하지층 및 가스 배리어성 적층체의 물성값의 측정과 평가는 이하의 순서로 실시하였다.Measurement and evaluation of the physical property values of the base layer and the gas barrier laminate of each Example and Comparative Example were performed in the following procedure.

<하지층의 내용제성> <Solvent resistance of the underlayer>

하지층을 25 ㎜ × 25 ㎜ 의 시험편으로 재단하고, 시험편을 자일렌 용매 중에 2 분간 침지시키고, 침지 전후의 시험편의 변화를 육안으로 관찰하여, 하기의 기준에 따라 내용제성을 평가하였다.The base layer was cut into a 25 mm × 25 mm test piece, the test piece was immersed in a xylene solvent for 2 minutes, the change in the test piece before and after immersion was visually observed, and solvent resistance was evaluated according to the following criteria.

A : 변화 없음. A: No change.

B : 약간 외형 변화가 보여지지만, 실용상 문제 없다. B: A slight change in appearance is seen, but there is no problem practically.

C : 백화나 팽윤·컬·굴곡 등의 외형 변화를 일으켜, 실용에 지장이 있다.C: Appearance changes such as whitening, swelling, curling, and curvature are caused, which impairs practical use.

<가스 배리어성 적층체의 열 수축률><Thermal shrinkage of gas barrier laminate>

가스 배리어성 적층체를 5 ㎜ × 30 ㎜ 의 시험편으로 재단하고, 공정 필름에 상당하는 하지층측의 제 1 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름을 박리 제거하고, 열 기계 분석 장치 TMA4000SE (네취·재팬 주식회사) 를 사용하여, 척 사이 거리 20 ㎜ 로 설정한 후, 5 ℃/분으로 130 ℃ 까지 승온시킨 후에 5 ℃/분으로 상온까지 냉각시켰다. 또한, 가열 전후의 장척 방향의 변위의 변화율 (척 사이 거리 20 ㎜ 에 대한 변위량의 비율을 백분율로 나타낸 값) 을 열 수축률로 하였다. 또한, 가스 배리어성 적층체가 수축된 경우를 부의 값, 신장된 경우를 정의 값으로 하였다.The gas barrier laminate was cut into a 5 mm x 30 mm test piece, and the first polyethylene terephthalate (PET) film on the underlayer side corresponding to the eutectic film was peeled off and removed, and a thermomechanical analyzer TMA4000SE (Nech Japan Co., Ltd.) After setting the distance between the chucks to 20 mm using In addition, the rate of change of the displacement in the elongate direction before and after heating (the value in which the ratio of the amount of displacement with respect to the distance between chucks of 20 mm was expressed as a percentage) was taken as the thermal shrinkage ratio. In addition, the case where the gas-barrier laminate was contracted was made into a negative value, and the case where it extended was made into a positive value.

<가스 배리어성 적층체의 수증기 투과율 (WVTR)><Water Vapor Transmission Rate (WVTR) of Gas Barrier Laminate>

가스 배리어성 적층체를 50 ㎠ 의 면적의 원형상의 시험편으로 재단하고, 수증기 투과율 측정 장치 (MOCON 사 제조, 장치명 : AQUATRAN) 를 사용하여, 40 ℃ 90 %RH 조건하에서 가스 유량 20 sccm 으로 수증기 투과율 (g/㎡/day) 을 측정하였다. 또한, 측정 장치의 검출 하한은 0.0005 g/㎡/day 이다. 가스 배리어성 적층체는, 하지층을 형성하는 데에 사용한 PET 필름을 박리하면 자립성이 떨어지기 때문에, 당해 PET 필름이 적층된 상태로 측정을 실시하였다. 가스 배리어층의 수증기 투과율은 PET 필름보다 훨씬 작기 때문에, PET 필름의 적층에 의한 WVTR 에 대한 영향은 무시할 수 있을 정도로 작다.The gas barrier laminate was cut into a circular test piece having an area of 50 cm 2 , and using a water vapor transmission rate measuring apparatus (manufactured by MOCON, equipment name: AQUATRAN), the water vapor transmission rate ( g/m 2 /day) was measured. In addition, the detection lower limit of a measuring apparatus is 0.0005 g/m<2>/day. Since the gas-barrier laminate is inferior in self-reliance when the PET film used for forming the base layer is peeled off, it measured in the state in which the said PET film was laminated|stacked. Since the water vapor transmission rate of the gas barrier layer is much smaller than that of the PET film, the effect on the WVTR by lamination of the PET film is negligible.

<하지층 및 가스 배리어성 적층체의 파단 신도><Elongation at break of underlayer and gas barrier laminate>

하지층을 15 ㎜ × 150 ㎜ 의 시험편으로 재단하고, JIS K7127 : 1999 에 따라 파단 신도를 측정하였다. 구체적으로는, 상기 시험편을, 인장 시험기 (시마즈 제작소사 제조, 오토그래프) 에서, 척 사이 거리 100 ㎜ 로 설정한 후, 200 ㎜/분의 속도로 인장 시험을 실시하여, 파단 신도 [%] 를 측정하였다. 또한, 시험편이 항복점을 갖지 않는 경우에는 인장 파단 변형을, 항복점을 갖는 경우에는 인장 파단 공칭 변형을 파단 신도로 하였다. 또, 가스 배리어층을 형성한 가스 배리어성 적층체 (공정 필름 없음) 에 대해서도 동일한 시험을 실시하였다.The underlayer was cut into a 15 mm x 150 mm test piece, and the breaking elongation was measured according to JIS K7127: 1999. Specifically, the test piece is subjected to a tensile test at a rate of 200 mm/min after setting the chuck distance to 100 mm in a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, Autograph) to determine the elongation at break [%]. measured. In addition, when a test piece does not have a yield point, tensile rupture strain was made into rupture elongation, when it had a yield point, tensile rupture nominal strain. Moreover, the same test was implemented also about the gas barrier laminated body (without a process film) in which the gas barrier layer was formed.

[실시예 1][Example 1]

하지층이 되는 경화성 수지 조성물 1 을 이하의 순서로 조제하였다.Curable resin composition 1 used as a base layer was prepared in the following procedure.

<경화성 수지 조성물 1> <Curable resin composition 1>

중합체 성분으로서, 폴리이미드 수지 (PI) 의 펠릿 (카와무라 산업 주식회사 제조, 제품명 KPI-MX300F, Tg = 354 ℃, 중량 평균 분자량 28 만) 100 질량부를 메틸에틸케톤 (MEK) 에 용해하고, PI 의 15 질량% 용액을 조제하였다. 이어서, 이 용액에, 경화성 단량체로서, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업사 제조, A-DCP) 122 질량부, 및 중합 개시제로서, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 (BASF 사 제조, Irgacure819) 5 질량부를 첨가, 혼합하여, 경화성 수지 조성물 1 을 조제하였다. 또한, 본 실시예 및 다른 실험예에 있어서 사용한 경화성 단량체 및 중합 개시제는 용매를 포함하지 않고, 모두 고형분 100 % 의 원료이다.As a polymer component, 100 parts by mass of pellets of polyimide resin (PI) (manufactured by Kawamura Industrial Co., Ltd., product name KPI-MX300F, Tg = 354°C, weight average molecular weight 280,000) are dissolved in methyl ethyl ketone (MEK), and PI 15 A mass % solution was prepared. Then, to this solution, 122 parts by mass of tricyclodecanedimethanol diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., A-DCP) as a curable monomer, and bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)- as a polymerization initiator 5 parts by mass of phenylphosphine oxide (manufactured by BASF, Irgacure819) was added and mixed to prepare curable resin composition 1. In addition, the sclerosing|hardenable monomer and polymerization initiator used in this Example and other experimental examples do not contain a solvent, and all are raw materials of 100% of solid content.

다음으로, 공정 필름으로서, 편면에 접착 용이층을 갖는 제 1 PET 필름 (토요보사 제조, PET100A-4100, 두께 100 ㎛) 을 사용하고, 이 PET 필름의 접착 용이층면과는 반대의 면에, 경화성 수지 조성물을 도포하고, 도막을 90 ℃ 에서 3 분간 가열하여 건조하였다.Next, as a process film, the 1st PET film (made by Toyobo Co., Ltd., PET100A-4100, thickness 100 micrometers) which has an easily bonding layer on one side is used, and on the surface opposite to the easily bonding layer surface of this PET film, curability The resin composition was apply|coated, and the coating film was dried by heating at 90 degreeC for 3 minute(s).

또한, 이 건조시킨 도막 상에, 편면에 접착 용이층을 갖는 제 2 PET 필름 (토요보사 제조, 코스모샤인 A4100, 두께 50 ㎛) 을, 접착 용이면과는 반대의 면이 대향하도록 적층하고, 벨트 컨베이어식 자외선 조사 장치 (아이 그래픽스사 제조, 제품명 : ECS-401GX) 를 사용하여, 고압 수은 램프 (아이 그래픽스사 제조, 제품명 : H04-L41) 로, 자외선 램프 높이 100 ㎜, 자외선 램프 출력 3 kw, 광선 파장 365 ㎚ 의 조도가 400 ㎽/㎠, 광량이 800 mJ/㎠ (오크 제작소사 제조, 자외선 광량계 UV-351 로 측정) 의 조건으로, 제 2 PET 필름을 개재하여 자외선 조사하여 경화 반응을 실시하고, 두께 5 ㎛ 의 하지층을 형성하였다.Further, on this dried coating film, a second PET film (manufactured by Toyobo Co., Ltd., Cosmoshine A4100, thickness 50 µm) having an easily bonding layer on one side is laminated so that the opposite side to the easily bonding surface faces the belt, Using a conveyor-type UV irradiation device (manufactured by Eye Graphics, product name: ECS-401GX), a high-pressure mercury lamp (manufactured by Eye Graphics, product name: H04-L41), UV lamp height 100 mm, UV lamp output 3 kw, Under the conditions of an illuminance of 365 nm of light wavelength of 400 mW/cm 2 and a light quantity of 800 mJ/cm 2 (manufactured by Oak Corporation, measured with a UV photometer UV-351), UV irradiation through the second PET film to cure the curing reaction It carried out and formed the base layer with a thickness of 5 micrometers.

이어서, 제 2 PET 필름을 박리하여 하지층을 노출시키고, 이 하지층 상에 폴리실라잔 화합물 (퍼하이드로폴리실라잔 (PHPS) 을 주성분으로 하는 코팅제 (머크 퍼포먼스 머티리얼즈사 제조, 아미아크카 NL-110-20, 용매 : 자일렌)) 을 스핀 코트법에 의해 도포하고, 130 ℃ 에서 2 분간 가열 건조시킴으로써, 퍼하이드로폴리실라잔을 포함하는, 두께 200 ㎚ 의 고분자 화합물층 (폴리실라잔층) 을 형성하였다.Next, the second PET film is peeled to expose the underlying layer, and a coating agent containing a polysilazane compound (perhydropolysilazane (PHPS) as a main component (manufactured by Merck Performance Materials, Ami Arkka NL-) on the underlayer 110-20, solvent: xylene)) by spin coating and drying by heating at 130° C. for 2 minutes to form a 200 nm thick polymer compound layer (polysilazane layer) containing perhydropolysilazane. did.

다음으로, 플라즈마 이온 주입 장치 (니혼 전자사 제조, RF 전원 :「RF」56000 ; 쿠리타 제작소사 제조, 고전압 펄스 전원 : PV-3-HSHV-0835) 를 사용하여, 가스 유량 100 sccm, Duty 비 0.5 %, 인가 DC 전압 -6 ㎸, 주파수 1,000 Hz, 인가 RF 전력 1,000 W, 챔버 내압 0.2 Pa, DC 펄스폭 5 μsec, 처리 시간 200 초의 조건으로, 아르곤 가스 유래의 이온을 고분자 화합물층 (폴리실라잔층) 의 표면에 주입하고, 가스 배리어층을 형성하였다. 이와 같이, 하지층 상에 가스 배리어층을 적층함으로써, 가스 배리어성 적층체를 제작하였다.Next, using a plasma ion implanter (manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd., RF power supply: "RF" 56000; Kurita Seisakusho Co., Ltd., high voltage pulse power supply: PV-3-HSHV-0835), gas flow rate 100 sccm, Duty ratio Under the conditions of 0.5%, applied DC voltage -6 kV, frequency 1,000 Hz, applied RF power 1,000 W, chamber internal pressure 0.2 Pa, DC pulse width 5 μsec, and processing time 200 seconds, ions derived from argon gas were added to the polymer compound layer (polysilazane layer). ) to form a gas barrier layer. Thus, by laminating|stacking a gas barrier layer on the base layer, the gas barrier laminated body was produced.

[실시예 2] [Example 2]

경화성 단량체로서, 디시클로펜타디엔디아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업사 제조, A-DCP) 61 질량부, 고리화 중합성 모노머인 알릴에테르형 아크릴레이트 (주식회사 닛폰 촉매 제조, FX-AO-MA) 61 질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어성 적층체를 제작하였다.As the curable monomer, dicyclopentadiene diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., A-DCP) 61 parts by mass, allyl ether type acrylate (Nippon Catalyst Co., Ltd., FX-AO-MA) 61 mass parts as a cyclization polymerizable monomer A gas-barrier laminate was produced in the same manner as in Example 1 except that the negative was used.

[비교예 1] [Comparative Example 1]

경화성 단량체로서, 고리화 중합성 모노머인 알릴에테르형 아크릴레이트 (주식회사 닛폰 촉매 제조, FX-AO-MA) 122 질량부만을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어성 적층체를 제작하였다.A gas barrier laminate was produced in the same manner as in Example 1 except that only 122 parts by mass of an allyl ether type acrylate (produced by Nippon Catalyst, FX-AO-MA), which is a cyclization polymerizable monomer, was used as the curable monomer.

[비교예 2] [Comparative Example 2]

중합체 성분으로서, 폴리이미드 수지 대신에 폴리술폰 수지 (PSF) 의 펠릿 (BASF 사 제조, ULTRASON S6010, Tg = 187 ℃, 중량 평균 분자량 6 만) 100 질량부를 사용한 것 이외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어성 적층체를 제작하였다.In the same manner as in Comparative Example 1, except that 100 parts by mass of pellets of polysulfone resin (PSF) (manufactured by BASF, ULTRASON S6010, Tg = 187°C, weight average molecular weight 60,000) were used as the polymer component instead of the polyimide resin as the polymer component, A gas barrier laminate was produced.

[비교예 3] [Comparative Example 3]

펠릿의 용해 용매로서, MEK 대신에 톨루엔, 중합체 성분으로서, 폴리이미드 수지 대신에 폴리카보네이트 수지 (PC) 의 펠릿 (Tg ≤ 190 ℃, 중량 평균 분자량 10 만 미만) 100 질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어성 적층체를 제작하였다.As a dissolution solvent of the pellets, toluene instead of MEK, as a polymer component, instead of polyimide resin, polycarbonate resin (PC) pellets (Tg ≤ 190 ° C., weight average molecular weight less than 100,000) 100 parts by mass) except that 100 parts by mass were used It carried out similarly to 1, and produced the gas-barrier laminated body.

각 실시예 및 비교예의 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.Table 1 shows the measurement results of each Example and Comparative Example.

Figure pct00010
Figure pct00010

표 1 로부터 명확한 바와 같이, 실시예 1, 2 에 대해서는, 하지층이 내용제성 및 파단 신도가 우수하고, 또, 공정 필름 제거 후의 가스 배리어성 적층체가 파단 신도 및 열 수축률이 우수하고, 가스 배리어성 적층체의 수증기 투과율도 우수하다.As is clear from Table 1, in Examples 1 and 2, the underlayer is excellent in solvent resistance and elongation at break, and the gas barrier laminate after removal of the eutectic film is excellent in elongation at break and thermal shrinkage, and gas barrier property The water vapor transmission rate of the laminate is also excellent.

한편, 비교예 1 ∼ 3 에 대해서는, 하지층의 내용제성은 양호하지만, 공정 필름 제거 후의 가스 배리어성 적층체의 열 수축률의 절대값이 실시예 1 보다 크고, 가스 배리어성 적층체의 수증기 투과율도 실시예 1 에 비해 1 자릿수 이상 저하되어 있다. 또, 하지층 및 가스 배리어성 적층체의 어느 파단 신도도, 실시예보다 떨어지는 결과로 되어 있다.On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3, although the solvent resistance of the underlying layer was good, the absolute value of the thermal shrinkage rate of the gas barrier laminate after removal of the eutectic film was larger than in Example 1, and the water vapor transmission rate of the gas barrier laminate was also Compared with Example 1, it is falling by 1 digit or more. Moreover, any breaking elongation of a base layer and a gas-barrier laminated body is a result inferior to an Example.

산업상 이용가능성Industrial Applicability

본 발명의 가스 배리어성 적층체에 의하면, 높은 파단 신도를 가지면서, 게다가 가스 배리어성을 한층 더 높일 수 있는 점에서, 가스 배리어성과, 플렉시블성이나 내굴곡성을 동시에 요구하는 전자 디바이스, 예를 들어, 플렉시블 유기 EL 소자 등, 또, 플렉시블 열전 변환 소자 등, 대기 열화되기 쉬운 각종 전자 디바이스를 구성하는 소자용의 부재에 적용될 수 있다.According to the gas barrier laminate of the present invention, while having a high elongation at break, the gas barrier property can be further improved, so that an electronic device requiring gas barrier property, flexibility, and bending resistance at the same time, for example, , flexible organic EL elements, and the like, and flexible thermoelectric conversion elements, etc., can be applied to members for elements constituting various electronic devices that are susceptible to atmospheric deterioration.

1 : 공정 필름
2 : 하지층
2a : 경화 전의 하지층
3 : 가스 배리어층
10 : 가스 배리어성 적층체
10a : 공정 필름 제거 후의 가스 배리어성 적층체
1: Process film
2: lower layer
2a: underlying layer before curing
3: gas barrier layer
10: gas barrier laminate
10a: gas barrier laminate after process film removal

Claims (6)

공정 필름과, 하지층과, 가스 배리어층을 이 순서로 구비하는 가스 배리어성 적층체로서,
상기 하지층은, 중합체 성분 (A) 및 경화성 성분 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층이고,
상기 가스 배리어성 적층체가, 이하의 요건 [1] 및 [2] 를 만족하는, 가스 배리어성 적층체.
[1] 가스 배리어성 적층체의 열 수축률의 절대값이 0.5 % 이하이다.
[2] 가스 배리어성 적층체의 파단 신도가 1.9 % 이상이다.
A gas barrier laminate comprising a process film, a base layer, and a gas barrier layer in this order, comprising:
The said base layer is a layer which consists of a hardened|cured material of curable resin composition containing a polymer component (A) and a curable component (B),
A gas barrier laminate, wherein the gas barrier laminate satisfies the following requirements [1] and [2].
[1] The absolute value of the thermal contraction rate of the gas barrier laminate is 0.5% or less.
[2] The elongation at break of the gas barrier laminate is 1.9% or more.
제 1 항에 있어서,
상기 하지층의 두께는, 0.1 ∼ 10 ㎛ 인, 가스 배리어성 적층체.
The method of claim 1,
The thickness of the said base layer is 0.1-10 micrometers, The gas barrier laminated body.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 가스 배리어층은, 도막인, 가스 배리어성 적층체.
3. The method according to claim 1 or 2,
The gas barrier layer is a coating film, a gas barrier laminate.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 경화성 성분 (B) 는, 고리화 중합성 모노머를 함유하는, 가스 배리어성 적층체.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The said curable component (B) contains a cyclization polymerizable monomer, The gas barrier laminated body.
제 4 항에 있어서,
상기 경화성 성분 (B) 는, 추가로 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물을 함유하고, 상기 고리화 중합성 모노머와 상기 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물의 질량비가 95 : 5 ∼ 30 : 70 인, 가스 배리어성 적층체.
5. The method of claim 4,
The said curable component (B) contains a polyfunctional (meth)acrylate compound further, and the mass ratio of the said cyclization polymerizable monomer and the said polyfunctional (meth)acrylate compound is 95:5-30:70, Gas barrier laminate.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합체 성분 (A) 의 유리 전이 온도는, 250 ℃ 이상인, 가스 배리어성 적층체.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The glass transition temperature of the said polymer component (A) is 250 degreeC or more, The gas barrier laminated body.
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