JP4383077B2 - Gas barrier substrate - Google Patents

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【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、有機エレクトロルミネッセント(以下、有機ELと略す場合がある。)素子等のディスプレイ用基板等に用いることが可能な、ガスバリア性が高く、かつ平坦性を有するガスバリア性基板に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescent (hereinafter, may be abbreviated as organic EL.) That can be used to display substrate such as elements, high gas barrier properties, and to a gas-barrier substrate having flatness.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
従来より、例えば有機ELディスプレイ等のディスプレイ用素子の支持基板として、ガラス基板を用いたものが知られているが、ガラス基板は重くて硬く、そして割れやすいという欠点を有している。 Conventionally, for example, as a support substrate for a display device such as organic EL display, which uses a glass substrate is known, has the disadvantage that the glass substrate is hard and heavy, and fragile. そこで近年、これらガラス基板の問題を解決するためにプラスチック基板が提案されている。 In recent years, a plastic substrate in order to solve these glass substrates problem have been proposed.
【0003】 [0003]
しかしながら、プラスチック基板は軽く、フレキシブルで割れにくい反面、ガラス基板と比較してガスバリア性が悪く、長時間ディスプレイ素子の性能を維持させることは困難であった。 However, the plastic substrate is light, contrary not break easily flexible, poor gas barrier properties as compared to the glass substrate, it is difficult to long maintain the performance of the display device.
【0004】 [0004]
また、ディスプレイ用素子の支持基板として、例えば、有機EL素子に用いられる場合には、有機EL素子の発光層は、水分や酸素に触れると発光劣化が生じることから、支持基板にも酸素や水に対するガスバリア性が必要とされており、また有機EL素子を形成する際には高温下でのプロセス工程を経る必要があるため、支持基板に耐熱性も要求される。 Further, as the supporting substrate of the device for a display, for example, when used in the organic EL device, the light emitting layer of the organic EL device, since the light emission degradation when exposed to moisture and oxygen occurs, oxygen and water in the supporting substrate there is a need for gas barrier properties against, also because in forming the organic EL element is required to go through the process steps at high temperature, heat resistance is required to the support substrate. また、支持基板が平坦性を有しない場合には、ピンホールや突起等によってガスバリア性に欠陥が生じたり、発光層等の有機EL層は薄膜であるため、ピンホールや突起等により有機EL層が均一に形成されず、有機ELディスプレイにダークスポットが発生すると考えられている。 Further, when the supporting substrate having no flatness, or caused defects in gas barrier properties by the pinhole or protrusions or the like, since the organic EL layer such as the light emitting layer is a thin film, organic EL layer by pinholes or projections or the like It is not uniformly formed, believed to dark spots are generated in the organic EL display. またディスプレイ自体が長時間に渡り設置されて使用される場合には、支持基板に電位や温度上昇に安定であることが求められる。 Also when the display itself is used is installed for a long time, it is required to support the substrate is stable at the potential and temperature rise. これは、支持基板が電位や温度上昇に不安定である場合には、ディスプレイの発光や光の変調が起こるという問題が生じるからである。 This is because, when the support substrate is unstable in potential and temperature rise is because a problem that the modulation of the light emitting and light display occurs occurs. このようなことから、プラスチック基板に、上述したような性質を付与する方法が求められていた。 For this reason, a plastic substrate, a method of imparting properties such as described above has been demanded.
【0005】 [0005]
そこで従来、樹脂基板にガスバリア性を付与するために次のような提案がある。 Therefore, conventionally, there is proposed as follows in order to impart gas barrier properties to the resin substrate. 例えば、特許文献1においては、高分子樹脂組成物からなる基材上に無機蒸着層を第1層として設け、次いで1種類以上のアルコキシドおよび/またはその加水分解物、または塩化錫のいずれかを含む水溶液、或いは水/アルコール混合溶液を主剤とするコーティング剤を塗布し、加熱乾燥してなるガスバリア性被膜を第2層として積層することにより、高いガスバリア性を発現している。 For example, in Patent Document 1, provided as a first layer of an inorganic vapor deposition layer on a substrate made of a polymer resin composition and then one or more alkoxides and / or hydrolysates thereof, or any of the tin chloride aqueous solution, or water / alcohol mixture solution was applied a coating agent to base resin, and by laminating the gas barrier film formed by heating and drying a second layer comprising, expressing high gas barrier properties.
【0006】 [0006]
また、特許文献2においては、高分子樹脂組成物からなる基材上に無機蒸着層を第1層として設け、次いで1種類以上のアルコキシド或いはその加水分解物と、分子中に少なくとも2個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート化合物との混合溶液を主剤とするコーティング剤を塗布し、加熱乾燥してなるガスバリア性被膜を第2層として積層することにより、高いガスバリア性を発現している。 Further, in Patent Document 2, provided an inorganic vapor deposition layer as a first layer on a substrate made of a polymer resin composition, of one or more then the alkoxide or its hydrolyzate, at least two or more in a molecule by stacking a mixed solution of an isocyanate compound having an isocyanate group by applying a coating agent to a main agent and a gas barrier film formed by heating and drying the second layer, and exhibits high gas barrier properties.
【0007】 [0007]
また、特許文献3においては、脂環式炭化水素骨格ビス(メタ)アクリレート、メルカプト化合物、単官能(メタ)アクリレートを含有する成分を含有することにより耐熱性や機械的強度、特に耐衝撃性に優れた基材に、SiO からなる無機蒸着層を設けることによりガスバリア性を発現している。 Further, in Patent Document 3, an alicyclic hydrocarbon backbone bis (meth) acrylate, mercapto compounds, heat resistance and mechanical strength by containing the component containing a monofunctional (meth) acrylates, in particular impact resistance excellent substrate expressing a gas barrier property by providing an inorganic vapor deposition layer made of SiO 2.
【0008】 [0008]
しかしながら、特許文献1、特許文献2においては用途が食品、医薬品等の包装分野に限られており、ガスバリア性も水蒸気透過率(以下、WVTRともいう。)が0.1g/m 2 /day程度、酸素透過率(以下、OTRともいう。)が0.3cc/m 2 /day・atm程度であり、不十分であった。 However, Patent Document 1, use food in Patent Document 2, is limited to packaging fields such as pharmaceuticals, gas barrier properties even water vapor transmission rate (hereinafter, also referred to as WVTR.) Is 0.1 g / m 2 / day about oxygen permeability (hereinafter, also referred to as OTR.) is is 0.3cc / m 2 / day · atm or so, it was insufficient. また特許文献3においては、ディスプレイ分野、特に液晶表示パネルに用途分野を有するものであり、基材上にSiO 2からなる無機蒸着層を設けることによりガスバリア性を発現しているが、その酸素透過率が1ccにとどまり、例えば有機EL素子の発光層等の劣化を防ぐ防湿性としては十分とは言い難いといえる。 In Patent Document 3, the display field, and in particular those having a field of application to the liquid crystal display panel, but expressing a gas barrier property by providing an inorganic vapor deposition layer made of SiO 2 on a substrate, the oxygen permeability rate is remains in 1 cc, for example, it can be said that it is hard to say that sufficient as moisture resistance to prevent deterioration of the light emitting layer of the organic EL element.
【0009】 [0009]
また、表面の平坦性に関しては上記各特許文献のいずれにおいても検討されていない。 Further, with respect to flatness of the surface it is not even been considered in any of the above patent documents.
【0010】 [0010]
さらに、近年、ガラス基板を薄膜化して用いた場合であっても、有機ELディスプレイの高精細化に伴い、ガスの透過率の向上が求められている。 Furthermore, in recent years, even in the case of using the glass substrate is thinned, with the higher definition of the organic EL display, improve the permeability of gas is required.
【0011】 [0011]
【特許文献1】 [Patent Document 1]
特開平7−164591号公報【特許文献2】 JP 7-164591 [Patent Document 2]
特開平7−268115号公報【特許文献3】 JP 7-268115 [Patent Document 3]
特開平11−222508号公報【0012】 Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-222508 [0012]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
そこで、ガスバリア性が高く、また上記ガスバリア層に凹凸やピンホール等がなく、平坦性の良好なガスバリア性基板を提供することが望まれている。 Accordingly, high gas barrier properties, and without irregularities or pinholes in the gas barrier layer, it is desirable to provide a good gas-barrier substrate flatness.
【0013】 [0013]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明は、基材と、上記基材上に形成された平坦化層と、上記平坦化層上に形成された蒸着膜からなるガスバリア層とを有することを特徴とするガスバリア性基板を提供する。 The present invention provides a substrate, a planarizing layer formed on the substrate, a gas barrier substrate characterized by having a gas barrier layer composed of a deposited film formed on the planarization layer .
【0014】 [0014]
本発明によれば、ガスバリア層が上記平坦化層上の平坦化された表面に形成されることから、ガスバリア層を緻密で凹凸やピンホール等のない、ガスバリア性の高い層とすることができる。 According to the present invention may be from the gas barrier layer is formed on the planarized surface on the planarizing layer, no such dense unevenness and pinholes gas barrier layer, a high gas barrier property layer . また、上記ガスバリア層と透明基材との間に平坦化層が形成されていることから、透明基材とガスバリア層との密着性を高くすることができ、ガスバリア性の高いガスバリア性基板とすることができるのである。 Further, since the formed planarization layer between the gas barrier layer and the transparent substrate, it is possible to increase the adhesion between the transparent substrate and the gas barrier layer, a high gas barrier property barrier substrate it is the can. これにより、本発明のガスバリア性基板を、例えばディスプレイ用基板等に用いて、ダークスポット等のない高品質なディスプレイを形成することが可能となるのである。 Thus, a gas barrier substrate of the present invention, for example using the display board or the like, and the it is possible to form a high-quality display free from such as dark spots.
【0015】 [0015]
本発明においては、基材と、上記基材上に形成された蒸着膜からなるガスバリア層と、上記ガスバリア層上に形成され、かつカルドポリマーを有する平坦化層とを有することを特徴とするガスバリア性基板を提供する。 In the present invention, a gas barrier characterized in that it comprises a substrate, a gas barrier layer composed of a deposited film formed on the substrate, is formed on the gas barrier layer, and a flattening layer having a cardo polymer to provide a sex board.
【0016】 [0016]
本発明によれば、上記平坦化層はガスバリア層との密着性が高く、ガスバリア層が有するピンホールの充填等することができることから、ガスバリア性の高いガスバリア性基板とすることができるのである。 According to the present invention, the planarization layer has high adhesion to the gas barrier layer, since it is possible to fill such a pinhole gas barrier layer has, it is possible to highly gas barrier gas barrier substrate. また、ガスバリア性基板表面に上記平坦化層が形成されていることから、平坦な表面を有するガスバリア性基板とすることができ、例えば有機EL素子等の様々な用途に用いることが可能なガスバリア性基板とすることができるのである。 Further, since the planarization layer in gas barrier substrate surface is formed, may be a gas-barrier substrate having a flat surface, for example, gas barrier properties that can be used in various applications such as organic EL devices it is possible to the substrate.
【0017】 [0017]
上記発明においては、上記平坦化層上に上記ガスバリア層が積層されていることが好ましい。 In the above invention, it is preferable that the gas barrier layer is laminated on the planarizing layer. これにより、ガスバリア性基板のガスバリア性をさらに高いものとすることができるからである。 This is because it can be assumed even higher gas barrier properties of the gas barrier substrate.
【0018】 [0018]
また、本発明においては、上記基材が、室温から150℃までの範囲内における線膨張係数が80ppm以下であり、かつ全光線透過率が85%以上である耐熱性を有する透明樹脂からなるものであってもよい。 In the present invention, the substrate is made of a transparent resin having a linear expansion coefficient of not more than 80 ppm, and heat resistance total light transmittance of 85% or more in the range of up to 0.99 ° C. from room temperature it may be. これにより、本発明のガスバリア性基板が耐熱性を有するものとすることができ、例えば有機EL素子等の耐熱性が要求されるディスプレイ用基板等、様々な用途に用いることが可能となるからである。 In this way, the gas-barrier substrate of the present invention can be made to have a heat resistance, for example, display board heat resistance is required such as an organic EL element or the like, since it is possible to use in various applications is there.
【0019】 [0019]
また本発明においては、上記基材が、表面に、室温から150℃までの範囲内における線膨張係数が80ppm以下であり、かつ全光線透過率が85%以上である耐熱性を有する透明樹脂層を有するものであってもよい。 In the present invention, the substrate is, on the surface, and the linear expansion coefficient of 80ppm or less in the range of up to 0.99 ° C. from room temperature, and the transparent resin layer total light transmittance of a heat-resistant less than 85% it may have a. 上記透明樹脂層によって、上記基材を耐熱性を有するものとすることができることから、本発明のガスバリア性基板を様々な用途に用いることが可能となるからである。 By the transparent resin layer, because the base material because it can be assumed to have the heat resistance, it is possible to use a gas-barrier substrate of the present invention in a variety of applications.
【0020】 [0020]
また、上記のいずれの発明においても、上記平坦化層の表面平均粗さが3nm以下であり、最大高低差が50nmであることが好ましい。 In any aspect of the above, the surface roughness of the planarization layer is not less 3nm or less, it is preferable maximum height difference is 50nm. これにより、平坦性が高く、平坦化層上に形成される上記ガスバリア層や、本発明のガスバリア性基板上に形成される層等に、凹凸やピンホール等のない高品質なガスバリア性基板とすることができるからである。 Thus, high flatness, the gas barrier layer and which is formed on the planarization layer, the layer or the like formed on the gas barrier properties on the substrate of the present invention, a high-quality gas barrier substrates without such irregularities or pinholes This is because it is possible to be.
【0021】 [0021]
また、本発明においては、上記ガスバリア層が、透明無機酸化膜、透明無機酸化窒化膜、透明無機窒化膜、もしくは透明金属膜からなる蒸着膜であることが好ましい。 In the present invention, the gas barrier layer, a transparent inorganic oxide film, transparent inorganic oxynitride layer is preferably a vapor deposition film made from a transparent inorganic nitride film, or a transparent metal film. これにより、ガスバリア層のガスバリア性を高いものとすることができるからである。 This is because it is possible to heighten the gas barrier properties of the gas barrier layer.
【0022】 [0022]
さらに、本発明においては、上記ガスバリア性基板における酸素透過率が0.3cc/m /day以下であり、水蒸気透過率が0.1g/m /day以下であることが好ましい。 Further, in the present invention, the oxygen permeability of the gas barrier substrate is less 0.3cc / m 2 / day, is preferably a water vapor transmission rate is less than 0.1g / m 2 / day. 本発明のガスバリア性基板の酸素透過率および水蒸気透過率が、上記範囲内であることにより、酸素や水蒸気等に弱い部材を有する、例えば有機EL素子の支持基板等に用いることが可能となるからである。 Gas barrier substrate oxygen transmission rate and water vapor transmission rate of the present invention, by being in the above range, has a weak member to oxygen and water vapor and the like, for example, because it is possible to use the supporting substrate of the organic EL device it is.
【0023】 [0023]
また、本発明においては、上記ガスバリア性基板の表面平均粗さが6nm以下であり、最大高低差が60nm以下であることが好ましい。 In the present invention, is not less 6nm or less average surface roughness of the gas-barrier substrate, it is preferable maximum height difference is 60nm or less. このようにガスバリア性基板の表面が平坦性を有することにより、例えば有機EL素子のディスプレイ用基板等、様々な用途に用いることが可能となるからである。 By thus the surface of the gas barrier substrate having flatness, for example, display substrate of the organic EL device, since it becomes possible to use a variety of applications.
【0024】 [0024]
さらに、上記発明においては、上記基材における、上記ガスバリア層および上記平坦化層が形成された面と反対側の面に、上記基材にかかる応力を緩和する応力緩和層が形成されていてもよい。 Further, in the above invention, in the substrate, on the opposite side of the surface as the gas barrier layer and the planarization layer is formed surface, even if the stress relaxing layer to relax the stress applied to the substrate is formed good. これにより、上記ガスバリア層や平坦化層が形成された際に発生する応力を低減させることができ、ガスバリア性基板にそりが発生することを防止することができるからである。 This is because the gas barrier layer and can reduce the stress generated when the planarizing layer is formed, it is possible to prevent the warpage occurs in the gas barrier substrate.
【0025】 [0025]
また、本発明においては、上述したいずれかのガスバリア性基板上に透明電極層が形成されていることを特徴とするディスプレイ用基板を提供する。 In the present invention, it provides a display substrate, characterized in that the transparent electrode layer is formed on either the gas barrier property on a substrate as described above.
【0026】 [0026]
本発明によれば、上記ガスバリア性基板を用いることにより、ガスバリア性および平坦性が高いディスプレイ用基板とすることができ、様々な用途に用いることが可能なものとすることができる。 According to the present invention, the by using a gas-barrier substrate, can be gas barrier properties and flatness with high display board can be made that can be used in a variety of applications.
【0027】 [0027]
また、本発明は、上記ディスプレイ用基板と、上記透明電極層上に形成された少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセント層と、上記有機エレクトロルミネッセント層上に形成された対向電極とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子を提供する。 Further, the present invention includes a substrate for a display, an organic electroluminescent layer having at least an emission layer formed on the transparent electrode layer and a counter electrode formed on the organic electroluminescent layer an organic electroluminescent device characterized by having.
【0028】 [0028]
本発明によれば、上記ディスプレイ用基板を用いることにより、経時で酸素や水蒸気等の影響を受けることなく、またダークスポット等もない有機EL素子とすることができるのである。 According to the present invention, by using the substrate for the display, without being affected by such as oxygen and moisture over time, also it is possible to dark spots or the like nor an organic EL device.
【0029】 [0029]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
本発明は、例えばディスプレイ用基板等に用いることが可能な、ガスバリア性および平坦性の高いガスバリア性基板と、そのガスバリア性基板を用いたディスプレイ用基板および有機EL素子とに関するものである。 The present invention is, for example, that can be used for display board or the like, and to a high gas barrier substrate having gas barrier properties and flatness, a display substrate and an organic EL device using the gas barrier substrate.
【0030】 [0030]
以下、それぞれについてわけて説明する。 Hereinafter, it will be described separately for each.
【0031】 [0031]
A. A. ガスバリア性基板まず、本発明のガスバリア性基板について説明する。 Gas barrier substrate is explained first gas barrier substrate of the present invention.
【0032】 [0032]
本発明のガスバリア性基板には、2つの実施態様がある。 Gas barrier substrate of the present invention, there are two embodiments. まず、第1実施態様としては、基材と、上記基材上に形成された平坦化層と、上記平坦化層上に形成された蒸着膜からなるガスバリア層とを有することを特徴とするものであり、第2実施態様としては、基材と、上記基材上に形成された蒸着膜からなるガスバリア層と、上記ガスバリア層上に形成され、かつカルドポリマーを有する平坦化層とを有することを特徴とするものである。 First, as the first embodiment, which is characterized by having a substrate, a planarizing layer formed on the substrate and a gas barrier layer composed of a deposited film formed on the planarization layer , and the examples of the second embodiment, having a substrate, a gas barrier layer composed of a deposited film formed on the substrate, is formed on the gas barrier layer, and a flattening layer having a cardo polymer the one in which the features.
【0033】 [0033]
本発明によれば、どちらの態様においても、上記平坦化層を有することにより、ガスバリア性の高いガスバリア性基板とすることができ、また、本発明のガスバリア性基板の表面が平坦性を有するものとすることができるのである。 According to the present invention, in either embodiment, by having the planarization layer may be a high gas barrier substrate having gas barrier properties, also those surfaces of the gas barrier substrate of the present invention has a flatness it is possible to be.
【0034】 [0034]
以下、上記の各態様についてそれぞれ説明する。 Hereinafter will be described respectively for each aspect of the above.
【0035】 [0035]
1. 1. 第1実施態様まず、本発明のガスバリア性基板における第1実施態様について説明する。 The first embodiment will first be described first embodiment in the gas-barrier substrate of the present invention. 本発明のガスバリア性基板における第1実施態様は、基材と、上記基材上に形成された平坦化層と、上記平坦化層上に形成された蒸着膜からなるガスバリア層とを有することを特徴とするものである。 The first embodiment of the gas-barrier substrate of the present invention includes a substrate, a planarizing layer formed on the substrate, to have a gas barrier layer composed of a deposited film formed on the planarization layer it is an feature.
【0036】 [0036]
本実施態様のガスバリア性基板は、例えば図1に示すように、基材1と、その基材1上に形成された平坦化層2と、その平坦化層2上に形成されたガスバリア層3とを有するものである。 Gas barrier substrate of the present embodiment, for example as shown in FIG. 1, a substrate 1, a planarizing layer 2 formed on the substrate 1, the gas barrier layer 3 formed on the planarization layer 2 and it has a door.
【0037】 [0037]
本実施態様においては、上記平坦化層上にガスバリア層が形成されることから、上記ガスバリア層が、基材の凹凸や突起の影響を受けることなく、緻密かつ平坦なガスバリア層を形成することができるのである。 In the present embodiment, since the gas barrier layer on the planarizing layer is formed, the gas barrier layer, without being affected by the irregularities or protrusions of the base material, to form a dense and flat barrier layer than is possible. これにより、ガスバリア層のガスバリア性を高いものとすることができ、また本実施態様のガスバリア性基板が、例えばディスプレイ用基板に用いられた際にも、ガスバリア層のピンホールによって形成されるダークスポット等のない高品質なものとすることができるのである。 Thus, it is possible to heighten the gas barrier properties of the gas barrier layer, also the gas-barrier substrate of this embodiment is, even when used for example in a substrate for a display, a dark spot formed by the pinhole of the gas barrier layer it is possible that a high quality having no such.
【0038】 [0038]
またさらに、ガスバリア性基板表面の平坦性が高く、ガスバリア性基板上に、例えば有機EL素子の発光層等の薄膜を形成した場合であっても、均一に層を形成することができることから、様々な用途に用いることが可能なガスバリア性基板とすることができるのである。 Furthermore, high flatness of the gas barrier substrate surface, the gas barrier properties on the substrate, for example, even when a thin film is formed of a light-emitting layer of the organic EL element, since it is possible to form a uniform layer, various it is possible to be a gas-barrier substrate that can be used for such applications.
【0039】 [0039]
以下、本実施態様のガスバリア性基板の各構成についてわけて説明する。 Hereinafter, a description is divided for each component of the gas barrier substrate of the present embodiment.
【0040】 [0040]
a. a. 平坦化層まず、本実施態様のガスバリア性基板に用いられる平坦化層について説明する。 Planarization layer First, the planarization layer will be described for use in gas barrier substrate of the present embodiment. 本実施態様のガスバリア性基板に用いられる平坦化層は、後述する基材とガスバリア層との間に形成される層であり、かつ平坦性を有する層である。 Gas barrier substrate planarization layer used in the present embodiment is a layer formed between the later-described base material and the gas barrier layer, and a layer having a flatness.
【0041】 [0041]
本実施態様に用いられる平坦化層の平坦性としては、表面平均粗さ(Ra)が3nm以下、特に1nm以下であることが好ましく、また最大高低差(P−V)が50nm以下、特に10nm以下であることが好ましい。 As the flatness of the planarizing layer used in the present embodiment, the average surface roughness (Ra) of 3nm or less, particularly preferably at 1nm or less, and the maximum height difference (P-V) is 50nm or less, especially 10nm that it is preferably less. 表面粗さおよび上記最大高低差が、上記範囲内であることにより、後述するガスバリア層を上記平坦化層上に形成した場合に、緻密かつ平坦に形成することが可能となるからである。 Surface roughness and the maximum height difference, by in the above range, when forming a gas barrier layer described below on the planarization layer, since it is possible to dense and flat.
【0042】 [0042]
ここで、上記表面粗さおよび最大高低差は、スキャン範囲20μm、スキャン速度90sec/frameの条件下で、原子間顕微鏡(Nanopics:商品名、セイコーインスツルメンツ社製)を用いて測定した値である。 Here, the surface roughness and the maximum height difference, scan range 20 [mu] m, under the conditions of a scanning speed 90 sec / frame, atomic force microscope (Nanopics: trade name, manufactured by Seiko Instruments Inc.) is a value measured using a.
【0043】 [0043]
本実施態様においては、上述したような平坦性を有する層であれば、平坦化層の材料等は特に限定されるものではないが、本実施態様においては、有機物を用いることが好ましい。 In the present embodiment, if a layer having a flatness as described above is not particularly restricted materials of the planarizing layer, in the present embodiment, it is preferable to use an organic material. これにより、上記のような平坦性を有する層を形成することが容易であり、また後述する基材およびガスバリア層との密着性が良好な平坦化層とすることができるからである。 Thus, it is easy to form a layer having a flatness as mentioned above, and because the adhesion between the later-described base material and the gas barrier layer can be a good planarization layer.
【0044】 [0044]
また、本実施態様に用いられる平坦化層は、上記の中でもカルドポリマーを有するものであることが好ましい。 Further, planarization layer used in the present embodiment is preferably one having a cardo polymers among the above-mentioned. これにより、平坦化層とガスバリア層との密着性をより良好なものとすることができ、ガスバリア性がより緻密に形成されることから、ガスバリア層のガスバリア性を高いものとすることができるからである。 This makes it possible to be more favorable the adhesion between the flattening layer and the gas barrier layer, since the gas barrier properties can be more densely formed, because it is possible to heighten the gas barrier properties of the gas barrier layer it is.
【0045】 [0045]
このようなカルドポリマーとしては、例えば、フルオレン骨格を有するビスフェノール化合物とエピクロヒドリンとから誘導されるエポキシ樹脂、あるいはこのエポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸とから誘導されるエポキシ(メタ)アクリレート、更にはこのエポキシ(メタ)アクリレートと酸無水物から誘導されるエポキシ(メタ)アクリレート酸付加物等を挙げることができる。 Such cardo polymers, for example, epoxy (meth) acrylates derived from epoxy resins derived from bisphenol compound and epichlorohydrin, or the epoxy resin and (meth) acrylic acid having a fluorene skeleton, and further the epoxy derived from epoxy (meth) acrylate and an acid anhydride (meth) acrylate acid adduct and the like.
【0046】 [0046]
ここで、本実施態様に用いられるカルドポリマーは、下記一般式(1)で示されるビスフェノール化合物から誘導されるフルオレン骨格を有する樹脂を含有することが好ましい。 Here, cardo polymers used in this embodiment preferably contains a resin having a fluorene skeleton derived from bisphenol compound represented by the following general formula (1).
【0047】 [0047]
【化1】 [Formula 1]
【0048】 [0048]
(R およびR は水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、またはハロゲン原子であり、互いに同じであってもよく、異なるものであってもよい。) (R 1 and R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms or a halogen atom, and may be a well is also different from the same.)
このような一般式(1)で示されるビスフェノール化合物としては、具体的には、例えば、9,9-ビス(4-ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ−3-クロロフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ−3-ブロモフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ−3-フルオロフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ−3-メトキシフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ−3,5-ジメチルフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ−3,5-ジクロロフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ−3,5-ジブロモフェニル)フルオレン等を挙げることができ、これらはその1種のみを単独で用いることができるほか、2種以上を併用することもできる。 The bisphenol compounds represented by the general formula (1), specifically, for example, 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl ) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-chlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-bromophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-fluorophenyl ) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3 , 5-dichlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dibromophenyl) can be given fluorene, these addition it is possible to use only one kind thereof alone, two or more It can also be used in combination.
【0049】 [0049]
本実施態様において、上記カルドポリマーは、エポキシ基を1分子中に2つ以上もつエポキシ樹脂と不飽和モノカルボン酸とを反応させて得たエポキシ(メタ)アクリレート樹脂と多塩基酸無水物から誘導されるエポキシ(メタ)アクリレート酸付加物であることが好ましい。 In this embodiment, the cardo polymer is derived from epoxy groups of two or more with epoxy resin and an unsaturated monocarboxylic acid and an epoxy obtained by reacting (meth) acrylate resin with a polybasic acid anhydride in the molecule it is preferably an epoxy (meth) acrylate acid adducts.
【0050】 [0050]
このようなエポキシ(メタ)アクリレート酸付加物の形成に用いられるエポキシ樹脂として、具体的には、ビス(4-ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4-ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9-ビス(4-ヒドロキフェニル)フルオレン、ビス(4-ヒドロキシフェニル)ジメチルシラン、4,4'-ビフェノール、テトラメチル-4,4'-ビフェノール等のビスフェノール類、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ナフトールまたはナフタレンジオールと、1,4-ビスキシレノールとの縮合化合物等の多官能フェノール類や、これら芳香環水素の一部または全てがハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基 As the epoxy resin used to form such an epoxy (meth) acrylate acid adduct, specifically, bis (4-hydroxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (4 - hydroxyphenyl) propane, bis (4-hydroxyphenyl) ether, bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (4-hydroxy phenyl) fluorene, bis (4-hydroxyphenyl) dimethylsilane, 4 , 4'-biphenol, bisphenols such as tetramethyl-4,4'-biphenol, phenol novolac, cresol novolac, a naphthol or naphthalene diol, and polyfunctional phenols condensed compounds such as 1,4-bis-xylenol, some or all of these aromatic rings hydrogen halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms 置換した多官能フェノール類をエピクロロヒドリンと反応させて得られた1分子中にエポキシ基を2つ以上有するものが挙げられる。 Those having two or more epoxy groups substituted polyfunctional phenols per molecule obtained by reacting with epichlorohydrin. このエポキシ樹脂をエポキシ樹脂と等当量のアクリル酸、メタクリル酸等のアクリル酸類を公知の手法により反応させることにより、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂とすることができ、さらに、このエポキシ(メタ)アクリレート樹脂を多塩基酸無水物と反応させることにより、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂と多塩基酸無水物との付加生成物とすることができるのである。 The epoxy resin epoxy resin and finally the amount of acrylic acid, by reacting by known procedures acrylic acids such as methacrylic acid, can be an epoxy (meth) acrylate resin, further, the epoxy (meth) acrylate resin the by reacting with a polybasic acid anhydride, it is possible to addition products of epoxy (meth) acrylate resin with a polybasic acid anhydride.
【0051】 [0051]
このような付加生成物の形成に用いられる多塩基酸無水物として、具体的には、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などの脂環式酸無水物類、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビストリメリテート無水物、グリセロールトリストリメリテート無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物などの芳香族酸無水物類、無水ヘット酸、テトラブロモ無水フタル酸などのハロゲン系酸無水物類等が挙げられる。 As the polybasic acid anhydride to be used to form such addition products, specifically, methyl tetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylhymic Mick anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride acid, alicyclic acid anhydrides such as methyl cyclohexene dicarboxylic acid anhydride, phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, ethylene glycol bistrimellitate anhydride, glycerol tris trimellitate anhydride, aromatic acid anhydrides such as biphenyltetracarboxylic dianhydride, anhydride HET acid, halogenated acid anhydrides such as tetrabromophthalic anhydride, and the like. また、上記エポキシ樹脂、アクリレート、酸無水物類は1種であっても、2種以上の混合物であってもよい。 Further, the epoxy resin, acrylate, acid anhydrides also can be one, or may be a mixture of two or more.
【0052】 [0052]
このようにして得られるエポキシ(メタ)アクリレート酸付加物の中でも、本実施態様においては、特開昭60-152091号公報、特開平6-1938号公報、特開平8-146311号公報に見られるように同一分子内にカルボキシル基と光重合可能な不飽和基とを有する重量平均分子量1000以上の樹脂が平坦化層に含有されることが好ましい。 Among Thus epoxy obtained (meth) acrylate acid adduct, in the present embodiment, seen Sho 60-152091, JP-A No. 6-1938 and JP Hei 8-146311 it is preferably contained in a weight average molecular weight of 1000 or more resins planarization layer having a carboxyl group and photopolymerizable unsaturated group in the same molecule as. 具体的には、フルオレン骨格を持つエポキシアクリレートの酸付加体である新日鐵化学社製V259M, V301Mや日本化薬社製のクレゾールノボラック型エポキシアクリレートの酸付加体が挙げられる。 Specifically, an acid adduct of epoxy acrylate having a fluorene skeleton manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. V259M, V301M and Nippon Kayaku Co., Ltd. acid adduct of cresol novolak epoxy acrylate.
【0053】 [0053]
なお、上記フルオレン骨格を持つエポキシアクリレートは、9,9-ビス(4-ヒドロキフェニル)フルオレンから得られるエポキシ樹脂とアクリル酸類とを反応させて得られるものが好適に用いられる。 Incidentally, epoxy acrylate with the fluorene skeleton, those obtained by reacting an epoxy resin with acrylic acids obtained from 9,9 bis (4-hydroxy phenyl) fluorene is suitably used.
【0054】 [0054]
本実施態様において、平坦化層を形成する樹脂は、熱硬化型樹脂であってもよく、紫外線硬化型樹脂であってもよく、さらに熱紫外線硬化型樹脂であってもよい。 In this embodiment, the resin forming the flattening layer may be a thermosetting resin may be a UV-curable resin may be further heat-ultraviolet curable resin. ここで、上記樹脂が熱紫外線硬化型樹脂である場合には、軟化点を45℃以上とすることができる点から、平均分子量が3000以上であることが好ましい。 Here, if the resin is a heat-ultraviolet curable resin, a softening point from the point which may be a 45 ° C. or higher, and an average molecular weight of 3000 or more.
【0055】 [0055]
上記平坦化層は、上述したよう平坦性を有するものであれば、その組成は特に限定されるものではないが、本実施態様においては、例えば上記カルドポリマーを有する樹脂と、多官能アクリレートモノマー、光重合開始剤または熱重合開始剤、エポキシ基を1分子中に2つ以上有するエポキシ樹脂と、必要に応じて各種添加剤とを混合して、上記色変換層上に塗布し、紫外線や熱等により硬化させることにより形成することができる。 The planarization layer, as long as it has a flatness as described above, but not its composition is particularly limited, in the present embodiment, a resin having, for example, the cardo polymers, polyfunctional acrylate monomers, photopolymerization initiator or thermal polymerization initiator, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule, by mixing the various additives as necessary, applied to the color conversion layer, ultraviolet light or heat it can be formed by curing the like. 上記樹脂が紫外線硬化型樹脂である場合には、光重合開始剤が用いられ、また上記樹脂が熱硬化型樹脂である場合には、熱重合開始剤が用いられる。 If the resin is a UV-curable resin, photopolymerization initiator is used, and when the resin is a thermosetting resin, a thermal polymerization initiator is used.
【0056】 [0056]
ここで、本実施態様に用いられる上記多官能アクリレートとして、具体的には、常圧において100℃以上の沸点を有し、かつ、1分子中に少なくとも2つのエチレン性不飽和基を有する付加重合性化合物であるものが挙げられる。 Here, as the polyfunctional acrylate used in the present embodiment, specifically, has a boiling point above 100 ° C. under atmospheric pressure, and addition polymerization with at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule include those which sex compound. このような材料としては、多価アルコールとα,β−不飽和カルボン酸とを結合して得られるもの、例えばジエチレングリコール(メタ)アクリレート(ジアクリレート又はジメタアクリレートを意味する、以下同じ)、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、 13-プロパンジオール(メタ)アクリレート、 13-ブタンジオール(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート等の多官能 Such materials include the polyhydric alcohol alpha, those obtained by combining the β- unsaturated carboxylic acids, such as diethylene glycol (meth) acrylate (meaning diacrylate or dimethacrylate, hereinafter the same), tri ethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, 13-propanediol (meth ) acrylate, 13-butanediol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, polyfunctional, such as dipentaerythritol penta (meth) acrylate クリレートや相当の多官能メタクリレート、 2,2-ビス(4−アクリロキシジエトキシフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-メタクリロキシペンタエトキシフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-メタクリロキシポリエトキシフェニル)プロパンの混合物〔新中村化学(株)製商品名:BEP-500〕等や、グリシル基含有化合物にアクリル酸やメタクリル酸などのα,β−不飽和カルボン酸を付加して得られるもの、例えばトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジクリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、フルオレン環を有するジグリシジルエーテルのアクリル酸付加体〔新日鐵化学(株)製商品名:ASF400 〕等や、不飽和アミド類、例えばメチレンビスアクリロアミド、1,6-ヘキサメチレンビスアクリル Acrylate and corresponding polyfunctional methacrylates, 2,2-bis (4-acryloxydiethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-methacryloxy pentaethoxy phenyl) propane, 2,2-bis (4-methacryloxy mixtures of polyethoxy phenyl) propane [Shin-Nakamura chemical Co., Ltd. trade name: BEP-500] and the like or, alpha, such as acrylic acid or methacrylic acid glycyl group-containing compound, obtained by adding β- unsaturated carboxylic acid is intended, for example, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol a diglycidyl ether di (meth) acrylate, acrylic acid adduct of diglycidyl ether having a fluorene ring [Nippon Steel Chemical Co., Ltd. trade name : ASF400] and the like and, unsaturated amides such as methylene bis acryloxypropyl amide, 1,6-hexamethylene bis acrylic アミド等や、ビニルエステル類、例えばジビニルサクシネート、ジビニルアジベート、ジビニルフタレート、ジビニルテレフタレート、ジビニルベンゼン−1,3-ジスルホネート等が挙げられる。 Amides or vinyl esters such as divinyl succinate, divinyl adipate, divinyl phthalate, divinyl terephthalate, divinyl benzene-1,3-disulfonate, and the like.
【0057】 [0057]
また、本実施態様に用いられる光重合開始剤としては、公知のものを単独に又は数種併用することができ、例えば、2-メチル−1-〔4-(メチルチオ)フェニル〕-2- モルフォリノ−プロパン−1-オン(市販品チバスペシャリティケミカルズ社製イルガキュア907)、2ーベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)ブタノン-1(市販品チバスペシャリティケミカルズ社製イルガキュア369)、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド(チバスペシャリティケミカルズ社製商品名CGI819)、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド(BASF製Lucirin TPO)、2,4-トリクロロメチル-(ピプロロニル)-6-トリアジン(市販品日本シーベルヘグナー社製商品名トリアジンPP)等が使用できる。 As the photopolymerization initiator used in the present embodiment, it can be used in combination either alone or several known ones, for example, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino - propan-1-one (commercially available by Ciba Specialty Chemicals IRGACURE 907), 2 Benjiru 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1 (manufactured commercially by Ciba Specialty Chemicals Inc. Irgacure 369), bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (Ciba Specialty Chemicals Corporation, trade name CGI819), 2,4,6-trimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide (BASF Co. Lucirin TPO), 2,4 trichloromethyl - (Pipuroroniru) -6-triazine (commercially available Nippon Siebel Heguna trade name triazine PP) or the like can be used.
【0058】 [0058]
また、本実施態様に用いられる熱重合開始剤としては、加熱時にラジカルを発生し、上述したカルドポリマーを有する樹脂および多官能アクリレートモノマーの不飽和基を重合させて硬化膜を形成させることが可能であれば、公知のものを用いることができるが、10時間半減期温度が80℃以上から硬化温度以下であることが好ましく、100℃以上から硬化温度であることがより好ましい。 As the thermal polymerization initiator used in the present embodiment, the radicals generated during heating, it can form a cured film by polymerization of unsaturated groups of the resin and the polyfunctional acrylate monomer having a cardo polymers described above if, but may be a known, preferably 10-hour half-life temperature of the curing temperature less from 80 ° C. or higher, more preferably the curing temperature of from 100 ° C. or higher.
【0059】 [0059]
また、さらに上記エポキシ基を1分子中に2つ以上有するエポキシ樹脂としては、加水分解性塩素分が1000ppm未満と少ないエポキシ化合物が好ましく、例えば、油化シェル(株)製テトラメチルジフェニル型エポキシ樹脂YX4000、日本化薬(株)製EOCNシリーズ(EOCN1020, 4400, 102S, 103S, 104Sなど)のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、東都化成(株)製液状3官能エポキシ樹脂ZX−1542、エポキシ化合物中の2級ヒドロキシル基にグリシジル基を導入した多官能エポキシ化合物等が挙げられる。 As the further epoxy resins having two or more epoxy groups in one molecule, the content of hydrolyzable chlorine is preferably as small as epoxy compounds than 1000 ppm, for example, by Yuka Shell Co., Ltd. tetramethyl diphenyl epoxy resin YX4000, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. EOCN series (EOCN1020, 4400, 102S, 103S, 104S, etc.) cresol novolac type epoxy resins, phenol novolak type epoxy resin, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. liquid trifunctional epoxy resin ZX-1542 polyfunctional epoxy compounds obtained by introducing a glycidyl group into secondary hydroxyl groups of epoxy compounds may be mentioned. このようなエポキシ樹脂は、加熱等によりエポキシ基が、上述したカルドポリマーを含有する樹脂成分中のカルボキシル基と反応し、上記カルドポリマーを含有する樹脂および多官能アクリレートの不飽和基に加えて架橋構造を形成するものである。 Such epoxy resins include epoxy groups by heating or the like, it reacts with the carboxyl groups of the resin component containing the cardo polymer described above, in addition to the unsaturated groups of the resin and the polyfunctional acrylate containing the cardo polymer crosslinking and it forms a structure.
【0060】 [0060]
また、本実施態様においては、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の各種添加剤や、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒等を用いることができる。 In the present embodiment, if necessary, antioxidants, ultraviolet absorbers, and various additives such as a plasticizer, diethylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, ethanol, chloroform, tetrahydrofuran, be used a solvent such as dioxane, etc. it can.
【0061】 [0061]
また、上記平坦化層の材料の塗布は、スピンコーティング法、スプレー法、ブレードコーティング法、ディップ法、ローラーコーター機、ランドコーター機等によるウェットコーティング法を用いることができる。 The coating material of the planarization layer, a spin coating method, a spray method, a blade coating method, a dipping method, a roller coater machine, can be used wet coating method by the land coater machine.
【0062】 [0062]
また、材料として、ヘキサメチルジシロキサン、テトラメトキシシラン、オクタテトラメチルシラン、シクロペンタシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、2,2,5,5-テトラメチル-2,5-ジシラ-1-オキサシクロペンタン、[2-(3-シクロヘキセニル)エチル]トリエトキシシラン、[2-(3-シクロヘキセニル)エチル]トリメトキシシラン、(シクロヘキセニロキシ)トリメチルシラン、シクロヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、(3-シクロペンタジエニルプロピル)トリエトキシシラン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、シクロペンタメチレンジメチルシラン、(シクロペンテニロキシ)トリメチルシラン、シクロペンチルトリメトキシシラン、シクロテトラメ Further, as a material, hexamethyldisiloxane, tetramethoxysilane, octa tetramethylsilane, cyclopentasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, 2,2,5,5-tetramethyl-2,5-disila-1-Okisashikuro pentane, [2- (3-cyclohexenyl) ethyl] triethoxysilane, [2- (3-cyclohexenyl) ethyl] trimethoxysilane, (cyclohexenylene b carboxymethyl) trimethylsilane, cyclohexylethyl dimethoxysilane, cyclohexylmethyl dimethoxysilane, cyclohexyl trimethoxy silane, (3-cyclopentadienyl) triethoxysilane, cyclopentadienyl trimethyl silane, cycloalkyl pentamethylene dimethylsilane, (cyclopentenylene b carboxymethyl) trimethylsilane, cyclopentene trimethoxysilane, Shikurotetorame ルジメチルシラン、シクロトリメチレンジメチルシラン等を用いた場合には、蒸着法等のドライコーティング法により形成することも可能である。 Le dimethylsilane, when using cyclotrimethylene dimethylsilane, etc., can be formed by a dry coating method evaporation method.
【0063】 [0063]
本実施態様においては、上記平坦化層の膜厚は、0.005μm〜20μmの範囲内であることが好ましい。 In the present embodiment, the thickness of the planarization layer is preferably in the range of 0.005Myuemu~20myuemu. この際、上記平坦化層がウェットコーティング法により形成される場合には、0.5μm〜20μmの範囲内、中でも1μm〜5μmの範囲内であることが好ましい。 In this case, when the planarizing layer is formed by a wet coating method is in the range of 0.5Myuemu~20myuemu, preferably in the range of inter alia 1 m to 5 m. また、ドライコーティング法により形成される場合には、0.005μm〜5μmの範囲内、中でも0.01μm〜1μmの範囲内であることが好ましい。 Further, when formed by a dry coating method is in the range of 0.005Myuemu~5myuemu, preferably in the range of inter alia 0.01Myuemu~1myuemu. これにより、ガスバリア層との密着性を良好なものとすることが可能となるからである。 This is because it is possible to make the adhesion between the gas barrier layer is made favorable.
【0064】 [0064]
b. b. ガスバリア層次に、本実施態様のガスバリア性基板に用いられるガスバリア層について説明する。 Gas barrier layer next be described gas barrier layer used in the gas barrier substrate of the present embodiment.
【0065】 [0065]
本実施態様のガスバリア性基板に用いられるガスバリア層は、上記平坦化層上に形成され、かつガスバリア性を有する蒸着膜からなる層である。 Gas barrier layer used in the gas barrier substrate of the present embodiment is formed on the planarization layer, and a layer composed of a deposited film having a gas barrier property.
【0066】 [0066]
本実施態様に用いられるガスバリア層は、蒸着法により形成されたものであれば、その材料は特に限定されるものではないが、透明無機酸化膜、透明無機酸化窒化膜、透明無機窒化膜、または金属膜のいずれか1種または2種以上を組み合わせたものであることが好ましい。 Gas barrier layer used in the present embodiment, as long as it is formed by a vapor deposition method, but the material is not particularly limited, a transparent inorganic oxide film, transparent inorganic oxynitride film, a transparent inorganic nitride, or, it is preferable that a combination of one or two or more one of the metal film.
【0067】 [0067]
上記材料の中でも、透明無機酸化膜として、酸化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、酸化チタン膜、酸化スズ膜、酸化インジウム合金膜であることが好ましく、また透明無機窒化膜としては、窒化ケイ素膜、窒化アルミニウム膜、窒化チタン膜であることが好ましい。 Among the above materials, as a transparent inorganic oxide film, a silicon oxide film, a silicon oxide nitride film, an aluminum oxide film, magnesium oxide film, titanium oxide film, a tin film oxide is preferably indium oxide alloy films, also transparent inorganic nitride the film, a silicon nitride film, an aluminum nitride film is preferably a titanium nitride film. また、透明金属膜としては、アルミニウム膜、銀膜、錫膜、クロム膜、ニッケル膜、チタン膜であることが好ましい。 As the transparent metal film, an aluminum film, silver film, Suzumaku, chromium film, a nickel film is preferably a titanium film. また、上記の中でも、特に上述した平坦化層との密着性が良好であるという面から、酸化ケイ素膜、または酸化窒化ケイ素膜であることが特に好ましい。 Among the above, particularly from the viewpoint that the adhesion is good and planarization layer described above, it is particularly preferable that a silicon oxide film or a silicon oxynitride film.
【0068】 [0068]
また、本実施態様においては、ガスバリア性を向上させるために、上記の蒸着膜を複数層積層してもよく、その組み合わせは同種、異種を問わない。 In the present embodiment, in order to improve the gas barrier properties may be a plurality of layers stacked above deposited film, the combination is not limited homologous, heterologous.
【0069】 [0069]
本実施態様における上記ガスバリア層の形成は、蒸着法により行なわれるものであれば、特に限定されるものではなく、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物または金属等を加熱して基材上に蒸着させる真空蒸着法、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物、または金属を原料として用い、酸素ガスを導入することにより酸化させて、基材上に蒸着させる酸化反応蒸着法、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物、または金属をターゲット原料として用い、アルゴンガス、酸素ガスを導入して、スパッタリングすることにより基材に蒸着させるスパッタリング法、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物、または金属にプラズマガンで発生させたプラズマビームにより加熱させて、基材上に蒸着させるイオンプレーティング法、ま Formation of the gas barrier layer in the present embodiment, as long as it is performed by a vapor deposition method, is not particularly limited, inorganic oxide, inorganic nitride, inorganic oxynitride, or a metal such as heating to the substrate a vacuum deposition method for depositing on an inorganic oxide, inorganic nitride, using an inorganic oxynitride, or metal as a raw material, is oxidized by introducing oxygen gas, the oxidation reaction vapor deposition method of depositing on a substrate, inorganic oxides, inorganic nitrides, using an inorganic oxynitride, or a metal as a target material, an argon gas, by introducing oxygen gas, sputtering for depositing on a substrate by sputtering, an inorganic oxide, an inorganic nitride , inorganic oxynitride, or metal is heated by the plasma beam generated by a plasma gun, ion plating to deposit on the substrate, or 酸化ケイ素の蒸着膜を成膜させる場合は、有機ケイ素化合物を原料とするプラズマCVD法等が挙げられる。 Case of forming a deposited film of silicon oxide, plasma CVD method using an organic silicon compound as a raw material can be cited.
【0070】 [0070]
本実施態様においては、上述したように、ガスバリア層が酸化ケイ素膜または酸化窒化ケイ素膜であることが好ましく、このような酸化ケイ素の薄膜としては、有機ケイ素化合物を原料として、低温プラズマ化学気相成長法を用いて形成した蒸着膜を使用することができる。 In the present embodiment, as described above, it is preferable that the gas barrier layer is a silicon oxide film or a silicon oxynitride film, a thin film of such a silicon oxide, an organic silicon compound as a raw material, low-temperature plasma chemical vapor it can be used vapor-deposited film formed by using a deposition method. この有機ケイ素化合物として、具体的には、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。 As the organic silicon compounds include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, hexamethyldisiloxane, vinyl trimethylsilane, hexamethyldisilazane, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane , phenylsilane, vinyltriethoxysilane, tetramethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane and the like. 本実施態様においては、上記のような有機ケイ素化合物の中でも、テトラメトキシシラン(TMOS)、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を用いることが、取り扱い性や蒸着膜の特性などから特に好ましい。 In the present embodiment, among the organosilicon compounds as described above, tetramethoxysilane (TMOS), the use of hexamethyldisiloxane (HMDSO) is particularly preferred from the characteristics of handling and deposition film.
【0071】 [0071]
ここで、本実施態様においては、上述したようなガスバリア層の膜厚は、その材料により適宜選択されるものであるが、通常5nm〜5000nmの範囲内であることが好ましく、中でも5nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。 In the present embodiment, the thickness of the gas barrier layer as described above, but is appropriately selected by the material, is preferably in the range of usually 5Nm~5000nm, among others 5nm~500nm of preferably in the range. また、特に上記酸化アルミニウム膜、または酸化ケイ素膜の場合には、10nm〜300nmの範囲内であることが好ましい。 Further, particularly in the case of the aluminum oxide film or silicon oxide film, is preferably in the range of 10 nm to 300 nm. 上記の膜厚の範囲よりも薄いと、水蒸気や酸素等に対するガスバリア性の低下が見られるからである。 When thinner than the range of thickness described above, because the decrease in gas barrier properties against water vapor, oxygen or the like is observed. また、上記膜厚の範囲よりも厚い場合には、例えば本実施態様のガスバリア性基板を加工する際等に、クラック等が入る可能性があり、これにより水蒸気、酸素ガス等に対するガスバリア性の劣化が見られるからである。 Further, when the thickness is larger than the above range thickness, for example, such as when processing a gas barrier substrate of the present embodiment, there is a possibility that a crack or the like from entering, thereby steam, gas barrier property deterioration against oxygen gas, This is because seen.
【0072】 [0072]
c. c. 基材次に、本実施態様のガスバリア性基板に用いられる基材について説明する。 The substrate next be described base material used in the gas barrier substrate of the present embodiment. 本実施態様に用いられる基材は、基材上に上述した平坦化層が形成可能であれば、特に限定されるものではないが、本発明においては、可視光に対して透明である透明基材であることが好ましい。 The substrate used in the present embodiment, the planarization layer is formed if the above on a substrate is not particularly limited, in the present invention, the transparent base is transparent to visible light it is preferable that the wood. これにより、本実施態様のガスバリア性基板を、例えばディスプレイ用基板等に用いることも可能となるからである。 Thus, a gas barrier substrate of the present embodiment, for example, because it can be used for a display board or the like. 本実施態様において、このような透明基材として、例えばガラス板や、有機材料で形成されたフィルム状やシート状のもの等を用いることができる。 In this embodiment, as such a transparent substrate, it can be used, for example a glass plate or, formed of an organic material film-like or sheet-like ones, and the like.
【0073】 [0073]
本実施態様における透明基材としてガラス板が用いられる場合には、可視光に対して透過性の高いものであれば、特に限定されるものではなく、例えば未加工のガラス板であってもよく、また加工されたガラス板等であってもよい。 If the glass plate is used as the transparent base material in the present embodiment, as long as highly transparent to visible light, it is not particularly limited, for example may be a glass plate raw , or it may be a machined glass plate or the like. このようなガラス板として、アルカリガラスおよび無アルカリガラスのどちらも使用可能であるが、本実施態様のガスバリア性基板において、不純物が問題とされる場合には、例えば、パイレックス(登録商標)ガラス等の無アルカリガラスを用いることが好ましい。 As such a glass plate, although both alkali glass and non-alkali glass can be used, in the gas-barrier substrate of the present embodiment, when the impurity is a problem, for example, Pyrex (registered trademark) glass or the like it is preferable to use an alkali-free glass. また、加工されたガラス板の種類は、本実施態様のガスバリア性基板の用途に応じて適宜選択されるものであり、例えば透明ガラス基板に塗布加工をしたものや、段差加工を施したもの等が挙げられる。 The type of the processed glass plate, which is appropriately selected according to the gas barrier substrate of application of the present embodiment, for example, those coated processed into transparent glass substrate, or the like that has been subjected to step processing and the like.
【0074】 [0074]
このようなガラス板の膜厚は30μm〜2mmの範囲内であることが好ましく、中でもフレキシブル基板として使用する場合には、30μm〜60μmの範囲内であることが好ましく、リジッドな基板として使用する場合には60μm〜2mmの範囲内であることが好ましい。 Preferably the thickness of such a glass sheet is in the range of 30Myuemu~2mm, when used as a flexible substrate Among them is preferably in the range of 30Myuemu~60myuemu, when used as a rigid substrate it is preferably in the range of 60μm~2mm to.
【0075】 [0075]
また、本実施態様における透明基材として用いられる有機材料としては、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、結晶化ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、UV硬化型メタクリル樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。 The organic material used as the transparent substrate in the present embodiment, a polyarylate resin, a polycarbonate resin, a crystalline polyethylene terephthalate resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, UV curable methacrylic resins, polyether sulfone resins, polyether ether ketone resin, polyether imide resin, polyphenylene sulfide resin, and polyimide resins.
【0076】 [0076]
ここで、本実施態様においては、ガスバリア性基板が、例えば有機EL素子等に用いられる場合には、耐熱性を有することが好ましく、このような耐熱性を有する有機材料としては、例えばシクロアルキル骨格を有した極性高分子が挙げられる。 In the present embodiment, when the gas barrier substrate is used, for example, an organic EL element or the like preferably has a heat resistance, as the organic material having such heat resistance, for example, cycloalkyl skeleton It includes polar polymer having a. 具体的には、シクロアルキル骨格を有したアクリレ−ト化合物もしくはメタアクリレ−ト化合物およびその誘導体等を挙げることができる。 Specifically, acrylate having a cycloalkyl skeleton - DOO compound or Metaakurire - DOO compounds and can be exemplified derivatives thereof. 中でも、上述した特開平11−222508号公報に示されるようなシクロアルキル骨格を有した(メタ)アクリレート化合物(本実施態様において、アクリレ−ト化合物もしくはメタアクリレ−ト化合物を意味する。)およびその誘導体を含む樹脂組成のものを挙げることができる。 Among them, (in this embodiment, acrylate - DOO compound or Metaakurire -. Means the door compound) cycloalkyl skeleton having a (meth) acrylate compounds as shown in Japanese Unexamined 11-222508 discloses described above and derivatives thereof mention may be made of resin composition comprising a.
【0077】 [0077]
またこの際、耐熱性を有する有機材料においては、室温から150℃の範囲内において、線膨張係数が80ppm以下であり、かつ全光線透過率が85%以上であることが好ましい。 Also at this time, in the organic material having heat resistance, within the range of 0.99 ° C. from room temperature, linear expansion coefficient of not more than 80 ppm, and is preferably a total light transmittance of 85% or more. 上記線膨張係数が上記値を超えると、高温で基板寸法が安定せず、熱膨張および収縮に伴い、バリア性能が劣化する不都合や、あるいは、熱工程に耐えられないという不具合が生じやすくなるからである。 When the linear expansion coefficient exceeds the above value, the substrate size is not stable at high temperatures, due to thermal expansion and contraction, disadvantages and barrier performance deteriorates, or because inconvenience that not stand the heat process is likely to occur it is.
【0078】 [0078]
ここで本実施態様における線膨張係数とは、幅5mm、長さ20mmのサンプルを用い、長さ方向に一定荷重(2g)をかけ、25〜200℃までの温度範囲を昇温速度で5℃/分で測定される寸法変動量をいうこととする。 Here, the linear expansion coefficient in the present embodiment, using a sample with a width of 5 mm, length 20 mm, applying a constant load in the longitudinal direction (2 g), 5 ° C. The temperature range of up to 25 to 200 ° C. at a heating rate / and to say the amount of dimensional variation, which is measured in minutes. また、上記全光線透過率は、スガ試験株式会社製全光線透過率装置(COLOUR S&M COMPUTER MODEL SM−C:型番)を用いて測定した値である。 Further, the total light transmittance, Suga Test total light transmittance apparatus Co. (COLOUR S & M COMPUTER MODEL SM-C: model number) is a value measured using a.
【0079】 [0079]
本実施態様の透明基材の耐熱性は、130℃以上、中でも200℃以上、特には250℃以上を実現することが好ましい。 The heat resistance of the transparent substrate of the present embodiment, 130 ° C. or more and preferably 200 ° C. or more, and particularly preferably be realized over 250 ° C..
【0080】 [0080]
また、本実施態様の基材は、上述した有機材料と、例えば、環状ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、ポリ(メタ)アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、各種のナイロン等のポリアミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、フッ素系樹脂、アセタール系樹脂、セルロース系樹脂、ポリエーテルスルフォン系樹脂等と2種以上併せて用いることができる。 Further, the substrate of the present embodiment, the organic material described above, for example, cyclic polyolefin resin, polystyrene resin, acrylonitrile - styrene copolymer (AS resin), acrylonitrile - butadiene - styrene copolymer (ABS resin) , poly (meth) acrylic resins, polycarbonate resins, polyethylene terephthalate, polyester resins such as polyethylene naphthalate, polyamide resins such as various nylons, polyurethane resins, fluorine-based resin, acetal resin, cellulose resin, polyether sulfone-based resins and can be used in conjunction of two or more.
【0081】 [0081]
本実施態様において、複数層を積層して基材を形成する方法には、例えば上記の各種の樹脂の1種ないしはそれ以上を使用し、押し出し法、キャスト成形法、Tダイ法、切削法、インフレーション法、その他の製膜化法を用いて、上記の各種の樹脂を単独で製膜化する方法、あるいは、2種類以上の各種の樹脂を使用して、多層共押し出し製膜化する方法、さらには2種類以上の樹脂を使用し、製膜化する前に混合して製膜化する方法等により、各層の樹脂のフィルムないしシートを製造し、更に加えて、延伸を要する場合には、例えばテンター方式、あるいはチューブラー方式等を利用して、1軸ないし2軸方向に延伸してなる各種の樹脂のフィルム、ないしシートを使用することができる。 In this embodiment, a method of forming a plurality of layers are laminated substrate, for example using one or more of the above various resins, extrusion method, a cast molding method, T-die method, a cutting method, inflation method, using other film Act, a method for film formation of the above-mentioned various resins alone or using two or more kinds of various resins, a method of forming a film made of multi-layer co-extruded, further two or more types of resins, by a method in which a film of mixed prior to manufacturing form a film, to produce a film or a sheet of each layer of resin, in addition, in the case that requires stretching, for example a tenter method or by using a tubular method or the like, a film of uniaxial to various resins formed by stretching in two axial directions, or a sheet can be used. また上記の各種樹脂のフィルム、ないしシートを貼り合わせて使用することもできる。 It is also possible to use laminated films of the various resins, or sheets.
【0082】 [0082]
また、上記の各種の樹脂の1種ないしそれ以上を使用し、その成膜化に際して例えば、フィルムの加工性、耐熱性、耐候性、機械的性質、寸法安定性、抗酸化性、滑り性、離形性、難燃性、抗カビ性、電気的特性、強度等を改良、改質する目的で種々のプラスチック配合剤や、添加剤を添加することができ、その添加量としては微量から数10%まで、目的に応じて任意に添加できる。 Further, using one or more of the above various resins, for example, during the deposition of the processability of the film, heat resistance, weather resistance, mechanical properties, dimensional stability, oxidation resistance, slip properties, releasability, flame retardancy, antifungal, electrical properties, improved strength, etc., various plastic compounding agents or for the purpose of modifying, it is possible to add an additive, a few from trace amounts as the amount added up to 10%, it can be optionally added depending on the purpose. 上記において、一般的な添加剤としては、滑剤、架橋剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、充填剤、補強剤、帯電防止剤、顔料等を使用することができる。 In the above, as general additives, lubricants, crosslinking agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, light stabilizers, fillers, reinforcing agents, antistatic agents, pigments can be used, and the like. また改良用樹脂等も使用できる。 Further improvements resin or the like can be used.
【0083】 [0083]
本実施態様においては、上記のような有機材料を用いて基材とする場合には、10μm〜500μmの範囲内、中でも50〜400μmの範囲内、特に100〜300μmの範囲内であることが好ましい。 In the present embodiment, in the case of a substrate using an organic material as described above is in the range of 10 m to 500 m, in the range of inter alia 50 to 400 [mu] m, is preferably in particular in the range of 100~300μm . 上記範囲内より厚い場合は、本実施態様のガスバリア性基板を加工する際に耐衝撃性が劣ることや、巻き取り時に巻き取りが困難となり、水蒸気や酸素等のガスバリア性の劣化が見られること等があるからである。 If thicker than the above range, the impact resistance is inferior and, winding upon winding becomes difficult, the gas barrier properties of the deterioration of water vapor, oxygen or the like is observed when processing gas barrier substrate of this embodiment This is because there is an equal. また、上記範囲内より薄い場合には、機械適性が悪く、水蒸気や酸素等に対するガスバリア性の低下が見られるからである。 Further, if less than the above range is because machinability is poor, a decrease in gas barrier properties against water vapor, oxygen or the like is observed.
【0084】 [0084]
また、本実施態様においては、上述した耐熱性を有しない材料を基材として用いる場合や、ガラス板を用いる場合等には、その基材上に、耐熱性を有する透明樹脂層を形成することが好ましい。 In the present embodiment, and is used as a base material a material having no heat resistance as described above, when such a glass plate, on its substrate, forming a transparent resin layer having heat resistance It is preferred. このような耐熱性を有する透明樹脂層としては、室温から150℃までの範囲内における線膨張係数が80ppm以下であり、かつ全光線透過率が85%以上であることが好ましく、これにより、基材に耐熱性を付与することが可能となるからである。 The transparent resin layer having such heat resistance, it is preferable that the linear expansion coefficient in the range of up to 0.99 ° C. from room temperature is not more than 80 ppm, and the total light transmittance of 85% or more, thereby, group This is because it is possible to impart heat resistance to the wood.
【0085】 [0085]
このような透明樹脂層としては、上述した耐熱性を有する有機材料であるシクロアルキル骨格を有した極性高分子であることが好ましい。 Examples of such a transparent resin layer is preferably a polar polymer having a cycloalkyl skeleton is an organic material having the above-described heat resistance. このような材料として、具体的には、極性を有する(メタ)アクリレート化合物またはその誘導体であることが好ましく、例えば、(メタ)アクリル酸メチル単独重合体または、(メタ)アクリル酸メチルと他の共重合可能なビニル基を持つ単量体の混合物を重合して得られる共重合体が挙げられる(本実施態様において(メタ)アクリルとは、アクリルまたはメタアクリルを意味する。)。 Such materials, specifically, is preferably a (meth) acrylate compound or its derivative having a polar, for example, methyl (meth) homopolymer acrylic acid or (meth) methyl and other acrylic acid copolymer obtained by polymerizing a mixture of monomers having a copolymerizable vinyl group (in this embodiment the (meth) acrylic means acrylic or methacrylic.). 上記(メタ)アクリル酸メチルと共重合可能な単量体としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、2, 2, 2−トリフルオロエチルアクリレート等のアクリル酸エステル類、エチルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、フェニルメタクリレート、2, 2, 2−トリフルオロエチルメタクリレート等のメタクリル酸エステル類、アクリロニトリル、スチレン等のビニル化合物、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物、シクロヘキシルマレイミド、フェニルマレイミド等のマレイミド化合物等が挙げられる。 As the (meth) acrylate and copolymerizable monomers, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, isopropyl acrylate, butyl acrylate, cyclohexyl acrylate, phenyl acrylate, benzyl acrylate, 2, 2, 2-trifluoro acrylic acid esters such as ethyl acrylate, ethyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, phenyl methacrylate, 2, 2, 2-trifluoroethyl methacrylate methacrylic acid esters such as, acrylonitrile, vinyl compounds such as styrene, maleic anhydride, itaconic anhydride acid anhydride etc., cyclohexyl maleimide, and maleimide compounds such as phenyl maleimide.
【0086】 [0086]
本実施態様において、上記透明樹脂層は、上記樹脂と、必要に応じて重合開始剤や多官能アクリレートモノマー等の添加剤と混合し、上記透明基材またはガラス基板に塗布後、紫外線照射により硬化させて形成することができる。 Curing in this embodiment, the transparent resin layer, and the resin is mixed with additives such as polymerization initiator and a polyfunctional acrylate monomer as required, after application to the transparent substrate or a glass substrate, by UV irradiation is allowed can be formed.
【0087】 [0087]
このような透明樹脂層の膜厚は、5nm〜100μmであることが望ましく、上述した基材の膜厚を1とした場合に、透明樹脂層の膜厚が0.00001〜1の範囲内であることが好ましい。 The film thickness of such a transparent resin layer is preferably a 5Nm~100myuemu, when the 1 the thickness of the aforementioned substrate, the film thickness of the transparent resin layer is in the range of 0.00001 there it is preferable.
【0088】 [0088]
d. d. ガスバリア性基板次に、本実施態様のガスバリア性基板について説明する。 Gas barrier substrate will be described next gas barrier substrate of the present embodiment. 本実施態様のガスバリア性基板は、上述した基材と、その基材上に形成された平坦化層と、その平坦化層上に形成されたガスバリア層とを有するものであれば、特に限定されるものではない。 Gas barrier substrate of this embodiment comprises a substrate described above, a planarization layer formed on the base material, as long as it has a gas barrier layer formed on the planarization layer, limited not shall.
【0089】 [0089]
本実施態様においては、上記ガスバリア性基板における酸素透過率が0.3cc/m /day以下、中でも0.1cc/m /day以下であることが好ましく、水蒸気透過率が0.1g/m /day以下、中でも0.05g/m /day以下、であることが好ましい。 In this embodiment, the gas barrier properties Oxygen permeability in substrate 0.3cc / m 2 / day or less, preferably is preferably 0.1cc / m 2 / day or less, the water vapor transmission rate of 0.1 g / m 2 / day or less, preferably 0.05 g / m 2 / day or less, is preferably. 本発明のガスバリア性基板の酸素透過率および水蒸気透過率が、上記範囲内であることにより、ガスバリア性の高いものとすることができ、酸素や水蒸気等に弱い部材を有する、例えば有機EL素子等の支持基板等に用いることも可能とすることができるからである。 Gas barrier substrate oxygen transmission rate and water vapor transmission rate of the present invention, by in the above range, it is possible to have high gas barrier properties, has weak member to oxygen and water vapor and the like, for example, an organic EL element or the like it is used for the supporting substrate or the like because can also be possible.
【0090】 [0090]
ここで、上記酸素透過率は、測定温度23℃、湿度90%Rhの条件下で、酸素ガス透過率測定装置(MOCON社製、OX−TRAN 2/20:商品名)を用いて測定した値であり、上記水蒸気透過率は、測定温度37.8℃、湿度100%Rhの条件下で、水蒸気透過率測定装置(MOCON社製、PERMATRAN−W 3/31:商品名)を用いて測定した値である。 Here, the oxygen permeability, measurement temperature 23 ° C., at a humidity of 90% Rh, the oxygen gas permeability measurement apparatus (MOCON Co., OX-TRAN 2/20: trade name) value measured using and a, the water vapor transmission rate is measured temperature 37.8 ° C., at a humidity of 100% Rh, the water vapor permeability measuring apparatus (MOCON Co., Ltd., PERMATRAN-W 3/31: trade name) was measured using a is the value.
【0091】 [0091]
また、本発明においては、上記ガスバリア性基板の表面平均粗さが6nm以下、中でも3nm以下であり、最大高低差が60nm以下、中でも30nm以下であることが好ましい。 In the present invention, the average surface roughness of the gas-barrier substrate is 6nm or less, in among others 3nm or less, the maximum height difference 60nm or less, it is preferable that among them 30nm or less. これにより、本発明のガスバリア性基板上に形成される層に凹凸やピンホール等が形成されることを防止することができ、例えば有機EL素子のディスプレイ用基板等、様々な用途に用いることが可能となるからである。 Thus, it is possible to prevent the layer uneven and pinholes or the like formed on the gas barrier properties on the substrate of the present invention is formed, for example, a display substrate of the organic EL element, be used in various applications This is because it is possible.
【0092】 [0092]
また、本実施態様においては、上述したガスバリア層上にさらに平坦化層およびガスバリア層が、この順で複数層積層されているものであってもよい。 In the present embodiment, further planarizing layer and gas barrier layer on the gas barrier layer described above may be those which are a plurality of layers laminated in this order. 本実施態様においては、上記透明基材上に平坦化層およびガスバリア層がこの順で2層から4層の範囲内積層されたものであることが好ましく、中でも2層、すなわち平坦化層上にガスバリア層が積層されたものが最も好ましい。 In the present embodiment, it is preferable that the transparent base planarization layer on material and the gas barrier layer is one which is laminated in a range of four layers of two layers in this order, among them two layers, i.e. on the planarization layer that the gas barrier layer is laminated it is most preferred. なお、本実施態様のガスバリア性基板の表面に特に平坦性が必要とされる場合には、上記平坦化層が最表面に形成されることが好ましい。 In the case where particular flatness is required on the surface of the gas barrier substrate of the present embodiment, it is preferable that the planarization layer is formed on the outermost surface.
【0093】 [0093]
また、本実施態様のガスバリア性基板においては、上述した基材の、平坦化層が形成された面と反対側の面に、応力緩和層が形成されていることが好ましい。 In the gas-barrier substrate of the present embodiment, the above-mentioned substrate, on the surface opposite to the planarization layer is formed surface, it is preferable that the stress relaxation layer is formed. これにより、上述した基材上に平坦化層やガスバリア層を形成した際に発生する応力を緩和することができ、ガスバリア性基板にそりが発生することを抑えることができるからである。 Accordingly, stress generated when forming the planarization layer and a gas barrier layer on the substrate described above can be alleviated, because warping gas barrier substrate can be prevented from being generated.
【0094】 [0094]
このような応力緩和層としては、応力を緩和することが可能な層であれば、特に限定されるものではないが、本実施態様においては、ガスバリア層と同様の層を形成することが好ましい。 Such stress relieving layer, if a layer capable of relaxing the stress, but are not particularly limited, in the present embodiment, it is preferable to form a layer similar to the gas barrier layer. これにより、ガスバリア性基板の反対面にガスバリア性を付与することができるため、さらにガスバリア性の高いガスバリア性基板とすることができるからである。 This makes it possible to impart gas barrier properties on the opposite surface of the gas barrier substrate, it is because it is possible to even higher gas barrier substrate having gas barrier properties. また、この際応力緩和層は1層に限定されず、例えば上述したガスバリア層と平坦化層とを積層したもの等であってもよい。 At this time the stress relaxation layer is not limited to one layer, it may be, for example, such as those obtained by laminating the above gas barrier layer and planarization layer.
【0095】 [0095]
2. 2. 第2実施態様次に、本発明のガスバリア性基板における第2実施態様について説明する。 SECOND embodiment, a description of a second embodiment of the gas-barrier substrate of the present invention. 本発明のガスバリア性基板における第2実施態様は、基材と、上記基材上に形成された蒸着膜からなるガスバリア層と、上記ガスバリア層上に形成され、かつカルドポリマーを有する平坦化層とを有することを特徴とするものである。 The second embodiment of the gas-barrier substrate of the present invention includes a substrate, a gas barrier layer composed of a deposited film formed on the substrate, is formed on the gas barrier layer, and a flattening layer having a cardo polymer it is characterized in that it has a.
【0096】 [0096]
本実施態様のガスバリア性基板は、例えば図2に示すように、基材1と、その基材1上に形成されたガスバリア層3と、そのガスバリア層3上に形成された平坦化層2とを有するものである。 Gas barrier substrate of this embodiment, for example, as shown in FIG. 2, a substrate 1, a gas barrier layer 3 formed on the substrate 1, a planarizing layer 2 formed thereon a gas barrier layer 3 and it has a.
【0097】 [0097]
本実施態様によれば、上記平坦化層に用いられるカルドポリマーはガスバリア層との密着性が高く、ガスバリア層が有するピンホールの充填等することができることから、ガスバリア性の高いガスバリア性基板とすることができるのである。 According to this embodiment, cardo polymers used for the planarizing layer has high adhesion to the gas barrier layer, since it is possible to fill such a pinhole gas barrier layer has, with high gas barrier substrate gas barrier property it is the can. また、ガスバリア性基板表面に上記平坦化層が形成されていることから、平坦な表面を有しており、例えば有機EL素子の有機EL層等を形成した場合にも、均一な層とすることが可能であることから、様々な用途に用いることが可能なガスバリア性基板とすることができるのである。 Further, since the planarization layer in gas barrier substrate surface is formed, has a flat surface, for example, even in case of forming the organic EL layer of the organic EL element, it is a uniform layer since it is possible, it is possible to gas barrier substrate which can be used for a variety of applications.
【0098】 [0098]
以下、本実施態様のガスバリア性基板の各構成について説明する。 The following describes the structure of the gas-barrier substrate of the present embodiment. なお、本実施態様に用いられるガスバリア層および基材等については、上述した第1実施態様で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。 As for the gas barrier layer and the substrate or the like used in this embodiment are the same as those explained in the first embodiment described above, and description thereof is omitted here.
【0099】 [0099]
a. a. 平坦化層まず、本実施態様に用いられる平坦化層について説明する。 Planarization layer will be described first planarizing layer used in the present embodiment. 本実施態様に用いられる平坦化層は、上記ガスバリア層上に形成される層であり、かつカルドポリマーを有する層である。 Planarizing layer used in the present embodiment is a layer formed on the gas barrier layer, and a layer having a cardo polymer. 本実施態様に用いられるカルドポリマーは、通常上記ガスバリア層に用いられる材料と、密着性が良好である。 Cardo polymers used in the present embodiment, a material generally used for the gas barrier layer, the adhesion is good. これにより、上記ガスバリア層上に形成した際に、ガスバリア層と密着し、またガスバリア層が有する微細なピンホール等を埋めることができることから、ガスバリア性の高いガスバリア性基板を形成することが可能となるのである。 Thus, when formed on the gas barrier layer, in intimate contact with the gas barrier layer, also since it is possible to fill the fine pinholes gas barrier layer has, it is possible to form a high gas barrier property barrier substrate it is made of.
【0100】 [0100]
ここで、本実施態様に用いられるカルドポリマーを有する平坦化層については、上述した第1実施態様の平坦化層の項で説明したものと同様であるので、ここでの詳しい説明は省略する。 Here, the planarization layer having a cardo polymers used in this embodiment are the same as those described in the planarization layer in the first embodiment described above, detailed description thereof is omitted here.
【0101】 [0101]
b. b. ガスバリア性基板次に、本実施態様のガスバリア性基板について説明する。 Gas barrier substrate will be described next gas barrier substrate of the present embodiment.
【0102】 [0102]
本実施態様におけるガスバリア性基板は、上述した基材と、その基材上に形成されたガスバリア層と、そのガスバリア層上に形成された平坦化層とを有するものであれば、特に限定されるものではないが、本実施態様においては、上記平坦化層上に上記ガスバリア層がさらに積層されているものであることが好ましい。 Gas-barrier substrate in the present embodiment, a base material as described above, and the substrate on the formed gas barrier layer, as long as it has a flattening layer formed on the gas barrier layer, is particularly limited Although not, in the present embodiment, it is preferable that the gas barrier layer on the planarizing layer is further laminated. これにより、本実施態様のガスバリア性基板のガスバリア性を高いものとすることができるからである。 This is because it is possible to heighten the gas barrier properties of the gas barrier substrate of the present embodiment. また、必要に応じてガスバリア層または平坦化層がさらに積層されているものであってもよく、特にガスバリア性基板の表面に平坦性が必要とされる場合には、ガスバリア性基板の最表面に平坦化層が形成されていることが好ましい。 Further, it may be one that is optionally a gas barrier layer or a planarization layer is further stacked, especially in the case where the required flatness to the surface of the gas barrier substrate, the outermost surface of the gas barrier substrate preferably planarizing layer is formed.
【0103】 [0103]
また、本実施態様のガスバリア性基板においては、上記第1実施態様と同様に応力緩和層等が形成されたものであってもよい。 In the gas-barrier substrate of the present embodiment may be such that the stress absorbing layer, etc. as in the first embodiment is formed.
【0104】 [0104]
ここで、本実施態様のガスバリア性基板の水蒸気透過率や酸素透過率、表面粗さ、最大高低差等については、上述した第1実施態様で説明したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。 Here, the gas barrier water vapor permeability and oxygen permeability of the substrate of the present embodiment, the surface roughness, for the maximum height difference, etc., are the same as those explained in the first embodiment described above, explanation here It omitted.
【0105】 [0105]
B. B. ディスプレイ用基板次に、本発明のディスプレイ用基板について説明する。 The substrate following for display will be described for a display substrate of the present invention. 本発明のディスプレイ用基板は、上述したガスバリア性基板上に透明電極層が形成されたものである。 Display substrate of the present invention is a transparent electrode layer on the gas barrier properties on the substrate as described above is formed.
【0106】 [0106]
本発明によれば、上述したガスバリア性基板を用いることから、ガスバリア性が高く、平坦性の高いディスプレイ用基板とすることができ、電極の劣化や断線等の少ない高品質なディスプレイ用基板とすることができるのである。 According to the present invention, since the use of a gas-barrier substrates described above, gas barrier properties is high, it can be a substrate for highly flat display, a high-quality substrate for display little deterioration or breakage of the electrode it is the can.
【0107】 [0107]
本発明に用いられる透明電極層としては、可視光に対して透明な電極層であれば、陽極であっても陰極であってもよく、本発明のディスプレイ用基板の用途に応じて適宜選択されるものである。 The transparent electrode layer used in the present invention, if the transparent electrode layer to visible light may be a cathode even anode, is suitably selected according to the display board applications of the present invention is shall.
【0108】 [0108]
このような陽極として、具体的には、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)等が好適に用いられる。 As such an anode, specifically, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like is preferably used. また、これらの透明電極層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法等により形成することができる。 These transparent electrode layer, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, can be formed by a PVD method such as ion plating.
【0109】 [0109]
ここで、本発明に用いられる透明電極層の膜厚は50nm〜500nm位の範囲が好ましい。 Here, the film thickness of the transparent electrode layer used in the present invention is preferably in the range of position 50 nm~500 nm. また上記の透明電極層の膜厚よりも薄いと、導電性の低下が見られ、更に上記よりも透明電極層の膜厚が厚い場合には、後加工の工程が進むにつれ、導電膜のクラックなどにより導電性の劣化が見られるので好ましくないからである。 Further, if thinner than the transparent electrode layer, decrease in conductivity is observed, when further the film thickness of the transparent electrode layer than is thick above, as the post-processing step proceeds, cracks of the conductive film since the conductivity of degradation is observed due is not preferable.
【0110】 [0110]
C. C. 有機EL素子次に、本発明の有機EL素子について説明する。 The organic EL device will be described next organic EL device of the present invention. 本発明の有機EL素子は、上記ディスプレイ用基板の、上記透明電極層上に形成された有機EL層と、その有機EL層上に形成された対向電極とを有するものであれば、特に層構成等は限定されるものではなく、有機EL素子の用途等に応じて適宜選択されるものである。 The organic EL device of the present invention, as long as it has the substrate for a display, the transparent electrode layer on the formed organic EL layer, and a counter electrode formed on the organic EL layer, in particular a layer structure etc. is not intended to be limiting, but those selected appropriately depending on the application of the organic EL element.
【0111】 [0111]
本発明によれば、上述した平坦性が高く、かつガスバリア性の高いガスバリア性基板を用いたディスプレイ用基板上に有機EL層等が形成されることから、有機EL層等を均一に形成することができ、また経時でも酸素や水蒸気等の影響を受けることのない高品質な有機EL素子とすることができるのである。 According to the present invention, high flatness described above, and since the organic EL layer or the like is formed on the display for the substrate using the high gas barrier substrate having gas barrier property, to uniformly form the organic EL layer, etc. it can be, also it is possible to high-quality organic EL device without being affected by such as oxygen and water vapor over time.
【0112】 [0112]
本発明の有機EL素子は、上述したディスプレイ用基板上に形成された透明電極層と、その透明電極層と反対の電極を有し、かつ対向するように形成された対向電極との間に有機EL層が形成されたものである。 The organic EL device of the present invention, organic between a transparent electrode layer formed on a substrate for a display as described above, and its transparent electrode layer have opposite electrodes, and opposing so-formed counter electrode in which EL layers are formed. ここで、本発明でいう有機EL層とは、通常有機EL素子に用いられるものを用いることが可能であり、少なくとも発光層を含む1層もしくは複数層の有機層から形成されるものである。 Here, the organic EL layer in the present invention, it is possible to use those used in ordinary organic EL devices, are those formed from the organic layer of one layer or plural layers including at least a light emitting layer. すなわち、有機EL層とは、少なくとも発光層を含む層であり、その層構成が有機層1層以上の層をいう。 That is, the organic EL layer is a layer containing at least a light emitting layer, the layer configuration refers to an organic layer one or more layers. 通常、塗布による湿式法で有機EL層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、1層もしくは2層の有機層で形成される場合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。 Normally, in the case of forming the organic EL layer by a wet method by coating, since it is possible to stack multiple layers in relation to the solvent is difficult, is often formed in the organic layer of one layer or two layers but devising an organic material, by or combination of vacuum deposition method, it is possible to further multiple layers.
【0113】 [0113]
発光層以外に有機EL層内に形成される有機層としては、通常有機EL層に用いられる層を用いることが可能であり、例えば正孔注入層や電子注入層といった電荷注入層を挙げることができる。 The organic layer formed on the organic EL layer in addition to the light-emitting layer, it is possible to use a layer usually used for organic EL layer, for example, be mentioned hole injection layer or charge injection layer such as an electron injection layer it can. さらに、その他の有機層としては、発光層に正孔を輸送する正孔輸送層、発光層に電子を輸送する電子輸送層といった電荷輸送層を挙げることができるが、通常これらは上記電荷注入層に電荷輸送の機能を付与することにより、電荷注入層と一体化されて形成される場合が多い。 Further, other examples of the organic layer, a hole transport layer to transport holes to the light emitting layer, there may be mentioned a charge transport layer such as an electron-transporting layer for transporting electrons to the light-emitting layer, usually implanted layer which are the charge by imparting the function of charge transport in, they are often formed integrally with the charge injection layer. その他、EL層内に形成される有機層としては、キャリアブロック層のような正孔あるいは電子の突き抜けを防止し、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。 Examples of other organic layers formed in EL layers to prevent penetration of holes or electrons, such as the carrier block layer include a layer or the like for increasing the recombination efficiency.
【0114】 [0114]
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。 The present invention is not limited to the above embodiment. 上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The above embodiments are examples, have the technical idea substantially the same configuration described in the claims of the present invention, which achieves the same effects are present be any one It is included in the technical scope of the invention.
【0115】 [0115]
【実施例】 【Example】
以下、本発明のガスバリア性基板について、実施例を挙げて具体的に説明する。 DESCRIPTION gas barrier substrate of the present invention will be specifically described by way of examples.
【0116】 [0116]
[実施例1] [Example 1]
<基材/透明樹脂層/ガスバリア層/平坦化層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / transparent resin layer / gas barrier layer / planarization layer>
シート状(30cm×21cm)のポリカーボネート樹脂の基材上に、スピンコーティング法にて(メタ)アクリル系樹脂(含脂環式骨格ビス(メタ)アクリレート94重量部と含脂環式骨格モノ(メタ)アクリレート6重量部とからなる樹脂組成物)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、その後1J/cm 2の露光量でUVを照射し、引き続き160℃で60分間熱風乾燥して、透明樹脂層を形成した。 On the polycarbonate resin substrate sheet (30 cm × 21cm), a spin coating method (meth) acrylic resin (fat-containing cyclic skeleton bis (meth) acrylate 94 parts by weight of fat-containing cyclic skeleton mono (meth ) acrylate resin composition comprising 6 parts by weight) was applied in a film thickness of 1.0 .mu.m, 2 minutes at 120 ° C., dried on a hot plate, and then irradiated with UV light at an exposure amount of 1 J / cm 2, with continued for 60 minutes air drying at 160 ° C., to form a transparent resin layer. この透明樹脂層が形成された基材は、線膨張係数が63ppm、全光線透過率が89%であった。 Substrates The transparent resin layer is formed, the linear expansion coefficient of 63 ppm, a total light transmittance of 89%.
【0117】 [0117]
前記工程で得られた基材をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 It was placed and the resulting substrate with the process chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、基材上にガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, by the thickness of the silicon oxynitride can form a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer on the substrate.
【0118】 [0118]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
その後、上記ガスバリア層上に、スピンコーティング法にてカルドポリマーを主剤としたコーティング剤(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃、2分間、引き続き160℃、60分間熱風乾燥し、平坦化層を形成した。 Then, on the gas barrier layer, a coating agent obtained by a main agent a cardo polymers by spin coating method (V-259-EH: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was applied in a film thickness of 1.0 .mu.m, 120 ° C., 2 minutes, subsequently 160 ° C., 60 minutes air drying, to form a planarizing layer.
【0119】 [0119]
[実施例2] [Example 2]
<基材/ガスバリア層(イオンプレーティング法)/平坦化層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / gas barrier layer (ion plating) / planarization layer>
基材として、シート状(30cm×21cm)の(メタ)アクリル系樹脂(含脂環式骨格ビス(メタ)アクリレート94重量部と含脂環式骨格モノ(メタ)アクリレート6重量部とからなる樹脂組成物)フィルム(線膨張係数60ppm、全光線透過率86%)をイオンプレーティング装置のチャンバー内に配置した。 As the base material, sheet-like (30 cm × 21cm) of (meth) acrylic resin (fat-containing cyclic skeleton bis (meth) acrylate 94 parts by weight of fat-containing cyclic skeleton mono (meth) resin comprising acrylate 6 parts by weight composition) film (linear expansion coefficient 60 ppm, a total light transmittance of 86%) were placed in a chamber of the ion plating apparatus. 昇華材料には酸化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、基材上にガスバリア層を形成した。 The sublimation material using silicon oxide, under the following film forming conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer on the substrate.
【0120】 [0120]
成膜圧力:1.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 1.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:12sccm Argon gas flow rate: 12sccm
窒素ガス流量:20sccm Nitrogen gas flow rate: 20sccm
成膜電流値:100A Deposition current value: 100A
上記工程で形成されたガスバリア層上に、スピンコーティング法にてフルオレンを主剤としたコーティング剤(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き160℃で60分間熱風乾燥することにより、平坦化層を形成した。 On the gas barrier layer formed in the above step, a coating agent obtained by a main agent fluorene by spin coating method (V-259-EH: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was applied in a film thickness of 1.0 .mu.m, 120 ° C. in 2 minutes, by hot air drying continued for 60 minutes at 160 ° C., to form a planarizing layer.
【0121】 [0121]
[実施例3] [Example 3]
<基材/ガスバリア層(CVD法)/平坦化層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / gas barrier layer (CVD method) / planarization layer>
基材として、シート状(30cm×21cm)の(メタ)アクリル系樹脂(含脂環式骨格ビス(メタ)アクリレート94重量部と含脂環式骨格モノ(メタ)アクリレート6重量部とからなる樹脂組成物)フィルム(線膨張係数60ppm、全光線透過率86%)をプラズマ化学気相蒸着(CVD)装置内に配置した。 As the base material, sheet-like (30 cm × 21cm) of (meth) acrylic resin (fat-containing cyclic skeleton bis (meth) acrylate 94 parts by weight of fat-containing cyclic skeleton mono (meth) resin comprising acrylate 6 parts by weight composition) film (linear expansion coefficient 60 ppm, and the total light transmittance of 86%) was placed in a plasma chemical vapor deposition (CVD) in the apparatus. 原料としてヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を用い、以下の成膜条件で、膜厚が100nmになるまで成膜することにより金属酸化物膜からなるガスバリア層を形成した。 Hexamethyldisiloxane (HMDSO) is used as a raw material, under the following film forming conditions, the film thickness was formed a gas barrier layer made of a metal oxide film by forming until 100 nm.
【0122】 [0122]
成膜圧力:30Pa Film formation pressure: 30Pa
ヘキサメチルジシロキサンガス流量:4sccm Hexamethyldisiloxane gas flow rate: 4sccm
酸素ガス流量:12sccm Oxygen gas flow rate: 12sccm
ヘリウムガス流量:30sccm Helium gas flow rate: 30sccm
周波数:90kHz Frequency: 90kHz
電力:150W Power: 150W
上記工程で形成されたガスバリア層上に、スピンコーティング法にて、カルドポリマーを主剤としたコーティング剤(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き160℃で60分間熱風乾燥することにより、平坦化層を形成した。 On the gas barrier layer formed in the above step, a spin coating method, a coating agent obtained by a main agent a cardo polymer (V-259-EH: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was applied at a film thickness of 1.0 .mu.m, 2 minutes at 120 ° C., by hot air drying continued for 60 minutes at 160 ° C., to form a planarizing layer.
【0123】 [0123]
[実施例4] [Example 4]
<基材/ガスバリア層(スパッタリング法)/平坦化層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / gas barrier layer (sputtering) / planarization layer>
基材として、シート状(30cm×21cm)の(メタ)アクリル系樹脂(含脂環式骨格ビス(メタ)アクリレート94重量部と含脂環式骨格モノ(メタ)アクリレート6重量部とからなる樹脂組成物)フィルム(線膨張係数60ppm、全光線透過率86%)をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 As the base material, sheet-like (30 cm × 21cm) of (meth) acrylic resin (fat-containing cyclic skeleton bis (meth) acrylate 94 parts by weight of fat-containing cyclic skeleton mono (meth) resin comprising acrylate 6 parts by weight composition) film (linear expansion coefficient 60 ppm, and the total light transmittance of 86%) were placed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、基材上にガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, by the thickness of the silicon oxynitride can form a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer on the substrate.
【0124】 [0124]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
上記工程で形成されたガスバリア層上に、スピンコーティング法にて、カルドポリマーを主剤としたコーティング剤(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き160℃で60分間熱風乾燥することにより平坦化層を形成した。 On the gas barrier layer formed in the above step, a spin coating method, a coating agent obtained by a main agent a cardo polymer (V-259-EH: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was applied at a film thickness of 1.0 .mu.m, 2 minutes at 120 ° C., to form a planarizing layer by subsequently hot-air dried for 60 minutes at 160 ° C..
[実施例5] [Example 5]
<基材/ガスバリア層/平坦化層/ガスバリア層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / gas barrier layer / planarizing layer / gas barrier layer>
前記実施例4にて得られたガスバリア性基板を、マグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 The gas-barrier substrate obtained in Example 4, was placed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、さらにガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, by the thickness of the silicon oxynitride can form a film until the 100 nm, further forming a gas barrier layer.
【0125】 [0125]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
[実施例6] [Example 6]
<基材/平坦化層/ガスバリア層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / planarizing layer / gas barrier layer>
基材として、シート状(30cm×21cm)の(メタ)アクリル系樹脂(含脂環式骨格ビス(メタ)アクリレート94重量部と含脂環式骨格モノ(メタ)アクリレート6重量部とからなる樹脂組成物)フィルム(線膨張係数60ppm、全光線透過率86%)をスピンコーティング法にて、カルドポリマーを主剤としたコーティング剤(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き160℃で60分間熱風乾燥することにより平坦化層を形成した。 As the base material, sheet-like (30 cm × 21cm) of (meth) acrylic resin (fat-containing cyclic skeleton bis (meth) acrylate 94 parts by weight of fat-containing cyclic skeleton mono (meth) resin comprising acrylate 6 parts by weight composition) film (linear expansion coefficient 60 ppm, in total light transmittance of 86%) the spin coating method, a coating agent obtained by a main agent a cardo polymer (V-259-EH: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) 1.0μm It was applied in a film thickness, 2 minutes at 120 ° C., to form a planarizing layer by subsequently hot-air dried for 60 minutes at 160 ° C.. 上記の工程により平坦化層が形成された透明基板を、マグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 A transparent substrate formed with a planarization layer by the above process were placed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、平坦化層上にガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, by the thickness of the silicon oxynitride can form a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer on the planarizing layer.
【0126】 [0126]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
[実施例7] [Example 7]
<応力緩和層を成膜面と反対側に設けたガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate provided with stress relieving layer on the side opposite to the deposition surface>
基材として、成膜面と反対側(裏面)に応力緩和層として100nmの膜厚の酸化窒化珪素を設けたシート状(30cm×21cm)の(メタ)アクリル系樹脂(含脂環式骨格ビス(メタ)アクリレート94重量部と含脂環式骨格モノ(メタ)アクリレート6重量部とからなる樹脂組成物)フィルム(線膨張係数60ppm、全光線透過率86%)をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 As the substrate, the deposition surface opposite (back) to the stress relieving layer sheet having a 100nm thickness of silicon oxynitride as a (30 cm × 21cm) (meth) acrylic resin (fat-containing cyclic skeleton bis resin composition comprising a (meth) acrylate 94 parts by weight of fat-containing cyclic skeleton mono (meth) acrylate, 6 parts by weight) film (linear expansion coefficient 60 ppm, a total light transmittance of 86%) in a chamber of a magnetron sputtering apparatus It was placed. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer.
【0127】 [0127]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
次に、(メタ)アクリル系樹脂フィルム基材の成膜面側(表面)をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に準備した。 Was then prepared (meth) film-forming surface side of the acrylic resin film base (surface) in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer.
【0128】 [0128]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
前記工程で形成された、成膜面側(表面)のガスバリア層上に、スピンコーティング法にて、カルドポリマーを主剤としたコーティング剤(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き160℃で60分間熱風乾燥し、平坦化層を形成した。 It said step is formed, in the gas barrier layer on the deposition surface (the surface), a spin coating method, a coating agent obtained by a main agent a cardo polymer: the (V-259-EH manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) 1 It was coated in a thickness of .0μm, 2 minutes at 120 ° C., and subsequently 60 minutes air drying at 160 ° C., to form a planarizing layer.
【0129】 [0129]
更に、平坦化層が形成された基材をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 Furthermore, placing the substrate planarization layer is formed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer.
【0130】 [0130]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
[実施例8] [Example 8]
<ディスプレイ用基板の製造> <Production of the substrate for display>
基材として、シート状(30cm×21cm)の(メタ)アクリル系樹脂(含脂環式骨格ビス(メタ)アクリレート94重量部と含脂環式骨格モノ(メタ)アクリレート6重量部とからなる樹脂組成物)フィルム(線膨張係数60ppm、全光線透過率86%)をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 As the base material, sheet-like (30 cm × 21cm) of (meth) acrylic resin (fat-containing cyclic skeleton bis (meth) acrylate 94 parts by weight of fat-containing cyclic skeleton mono (meth) resin comprising acrylate 6 parts by weight composition) film (linear expansion coefficient 60 ppm, and the total light transmittance of 86%) were placed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer.
【0131】 [0131]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
上記工程で形成されたガスバリア層上に、スピンコーティング法にて、カルドポリマーを主剤としたコーティング剤(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き160℃で60分間熱風乾燥することにより平坦化層を形成した。 On the gas barrier layer formed in the above step, a spin coating method, a coating agent obtained by a main agent a cardo polymer (V-259-EH: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was applied at a film thickness of 1.0 .mu.m, 2 minutes at 120 ° C., to form a planarizing layer by subsequently hot-air dried for 60 minutes at 160 ° C..
【0132】 [0132]
上記工程で得られたガスバリア性基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 And the gas barrier substrate obtained in the above step was placed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer.
【0133】 [0133]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
上記工程で得られた積層物をイオンプレーティング装置のチャンバー内に配置した。 The laminate of the above step was placed in a chamber of the ion plating apparatus. 昇華材料にはインジウム錫酸化物(ITO)を使用し、以下の成膜条件で、インジウム錫酸化物(ITO)の膜厚が150nmになるまで成膜を行うことにより、透明電極層を形成した。 The sublimation material using indium tin oxide (ITO), under the following film forming conditions, the film thickness of the indium tin oxide (ITO) by performing the film deposition until the 150 nm, to form a transparent electrode layer .
【0134】 [0134]
成膜圧力:1.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 1.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:18sccm Argon gas flow rate: 18sccm
酸素ガス流量:28sccm Oxygen gas flow rate: 28sccm
成膜電流値:60A Deposition current value: 60A
[実施例9] [Example 9]
<有機EL素子の製造> <Production of the organic EL element>
基材として、6インチのガラスをマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 As a substrate, was placed glass 6 inches into the chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer.
【0135】 [0135]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
上記工程で形成されたガスバリア層上に、スピンコーティング法にて、カルドポリマー(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き160℃で60分間熱風乾燥することにより平坦化層を形成した。 The gas barrier layer formed in the above step, a spin coating method, cardo polymers (V-259-EH: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was applied in a film thickness of 1.0 .mu.m, 2 minutes at 120 ° C., forming a planarization layer by subsequently hot-air dried for 60 minutes at 160 ° C..
【0136】 [0136]
引き続き、前記工程で得られた平坦化層が形成された基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 Subsequently, and the substrate planarization layer obtained in the step is formed is placed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことによりガスバリア層が形成されてなるガスバリア性基板を得た。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions to obtain a gas-barrier substrate gas barrier layer is formed by the thickness of the silicon oxynitride can form a film until the 100 nm.
【0137】 [0137]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
前記工程で得られたガスバリア性基板をイオンプレーティング装置のチャンバー内に配置した。 The gas-barrier substrate obtained in the above step was placed in a chamber of the ion plating apparatus. 昇華性材料にはインジウム錫酸化物(ITO)を使用し、次の成膜条件、 The sublimation material using indium tin oxide (ITO), the following deposition conditions,
成膜圧力:1.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 1.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:18sccm Argon gas flow rate: 18sccm
酸素ガス流量:28sccm Oxygen gas flow rate: 28sccm
成膜電流値:60A Deposition current value: 60A
でインジウム錫酸化物の膜厚が150nmになるまで成膜を行うことにより、透明電極層が形成されたディスプレイ用基板を得た。 In by forming a film until a thickness of the indium tin oxide is 150 nm, to obtain a substrate for a transparent electrode layer is formed display.
【0138】 [0138]
上記のようにして製造したディスプレイ用基板上に、透明電極層/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極の6層構成となる有機EL発光素子を次のようにして形成した。 The above manner produced a display on the substrate for a transparent electrode layer / hole injection layer / hole transport layer / organic emission layer / electron injection layer / an organic EL device as a six-layer structure of the cathode as follows in was formed.
【0139】 [0139]
すなわち、前記工程で得られたインジウム亜鉛酸化物の透明電極層上に、レジスト剤「OFRP−800」(商品名、東京応化社製)を塗布した後、フォトリソグラフ法にてパターニングを行い、幅0.094mm、間隙0.016mm、および膜厚100nmのストライプパターンを形成してなる透明電極層を得た。 That is, on the transparent electrode layer of indium zinc oxide obtained in the previous step, resist agent "OFRP-800" (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was coated and patterned by photolithography method, the width to give 0.094 mm, gap 0.016 mm, and a transparent electrode layer formed by forming a stripe pattern having a thickness of 100 nm.
【0140】 [0140]
次いで、該透明電極層を有するディスプレイ用基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次全面成膜した。 Then, wearing the display substrate having a transparent electrode layer on the resistive heating deposition equipment, a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron injection layer were sequentially entirely deposited without breaking the vacuum . 成膜に際して、真空槽内圧を1×10 -4 Paまで減圧した。 Upon deposition, pressure in the vacuum tank was reduced internal pressure to 1 × 10 -4 Pa. 正孔注入層として、銅フタロシアニン(CuPc)を膜厚が100nmとなるように積層した。 As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) film thickness was sputtered to form a layer of 100 nm. 正孔輸送層として、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を膜厚が20nmとなるように積層した。 As a hole transporting layer, 4,4'-bis film thickness [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl (α-NPD) was laminated so as to be 20 nm. 有機発光層として、4,4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を膜厚が30nmとなるように積層した。 As organic light-emitting layer, 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) film thickness was sputtered to form a layer of 30 nm. 電子注入層として、アルミニウムキレート(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体、Alq)を膜厚が20nmとなるように積層した。 As an electron injection layer, an aluminum chelate (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex, Alq) of the film thickness was sputtered to form a layer of 20 nm.
【0141】 [0141]
次に、真空を破ることなしに、陽極(透明電極層)のストライプパターンと直交する幅0.30mm、間隔0.03mmのパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(質量比10/1)層からなる陰極を形成した。 Next, without breaking the vacuum, using a mask width perpendicular to the stripe pattern of the anode (transparent electrode layer) 0.30 mm, the pattern spacing 0.03mm obtained, having a thickness of 200 nm Mg / Ag (mass to form a cathode made of a ratio 10/1) layer. こうして得られた有機EL発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気下(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)において、前記実施例7で作製したガスバリア性基板とUV硬化接着剤を用いて封止して、カラー有機EL素子を得た。 In thus obtained organic EL device to a glove box in a dry nitrogen atmosphere (10 ppm or less oxygen and moisture concentration both), sealed with a gas barrier substrate and a UV curing adhesive produced in Example 7, to obtain a color organic EL element.
【0142】 [0142]
得られたカラー有機EL素子について100時間の連続駆動を行った後に、パネル内の単位面積あたりのダークスポット数を計測した。 After the resultant was subjected to continuous driving for 100 hours for the color organic EL device was measured dark number of spots per unit area in the panel.
【0143】 [0143]
[実施例10] [Example 10]
<有機EL素子の製造> <Production of the organic EL element>
支持基板として、6インチのガラス上にスピンコーティング法にて(メタ)アクリル系樹脂[含脂環式骨格ビス(メタ)アクリレート94重量部と含脂環式骨格モノ(メタ)アクリレート6重量部とからなる樹脂組成物]を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間ホットプレート上で乾燥させ、その後1J/cm 2の露光量でUVを照射し、引き続き160℃で60分間熱風乾燥して、支持基板とした。 As the supporting substrate, and a spin coating method on a glass of 6 inches (meth) acrylic resin [fat-containing cyclic skeleton bis (meth) acrylate 94 parts by weight of fat-containing cyclic skeleton mono (meth) acrylate, 6 parts by weight the resin composition] consisting of applying a film thickness of 1.0 .mu.m, and dried for 2 minutes on a hot plate at 120 ° C., then was irradiated with UV light at an exposure amount of 1 J / cm 2, continued 60 min of hot air at 160 ° C. dried to a supporting substrate.
【0144】 [0144]
前記工程で得られた支持基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 It was placed a support substrate obtained in the step in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことによりガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions to form a gas barrier layer by the thickness of the silicon oxynitride can form a film until the 100 nm.
【0145】 [0145]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
前記工程で形成されたガスバリア層上に、スピンコーティング法にて、カルドポリマー(V−259−EH:新日鐵化学社製)を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き160℃で60分間熱風乾燥することにより平坦化層を形成した。 On the gas barrier layer formed in the step, by a spin coating method, cardo polymers (V-259-EH: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was applied in a film thickness of 1.0 .mu.m, 2 minutes at 120 ° C., forming a planarization layer by subsequently hot-air dried for 60 minutes at 160 ° C..
【0146】 [0146]
前記工程で得られた平坦化層を有する基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 And placing a substrate having a planarization layer obtained in step in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer.
【0147】 [0147]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
その後、上記の基板をイオンプレーティング装置のチャンバー内に配置した。 Thereafter, the substrate was placed in a chamber of the ion plating apparatus. 昇華材料にはインジウム錫酸化物(ITO)を使用し、以下の成膜条件で、インジウム錫酸化物(ITO)の膜厚が150nmになるまで成膜を行うことにより透明電極層を形成した。 The sublimation material using indium tin oxide (ITO), under the following film forming conditions, the film thickness of the indium tin oxide (ITO) to form a transparent electrode layer by performing a film deposition until the 150 nm.
【0148】 [0148]
成膜圧力:1.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 1.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:18sccm Argon gas flow rate: 18sccm
酸素ガス流量:28sccm Oxygen gas flow rate: 28sccm
成膜電流値:60A Deposition current value: 60A
上記のようにして製造した透明電極層を有する基板の上に、以下に示すようにして、さらに正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層、陰極の順に形成することにより、ガラスの支持基板上に、透明電極層/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極の6層構成となる有機EL発光素子を形成した。 On a substrate having a transparent electrode layer was prepared as described above, as shown below, further a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron injection layer, by forming in the order of the cathode , a glass support substrate, thereby forming an organic EL light-emitting device comprising a transparent electrode layer / hole injection layer / hole transport layer / organic emission layer / electron injection layer / six layers of the cathode structure.
【0149】 [0149]
即ち、前記工程で得られたインジウム亜鉛酸化物の透明電極層上に、レジスト剤「OFRP−800」(商品名、東京応化社製)を塗布した後、フォトリソグラフ法にてパターニングを行い、幅0.094mm、間隙0.016mm、および膜厚100nmのストライプパターンを形成してなる透明電極層を得た。 That is, on the transparent electrode layer of indium zinc oxide obtained in the previous step, resist agent "OFRP-800" (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was coated and patterned by photolithography method, the width to give 0.094 mm, gap 0.016 mm, and a transparent electrode layer formed by forming a stripe pattern having a thickness of 100 nm.
【0150】 [0150]
透明電極層を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次全面成膜した。 The substrate with the transparent electrode layer attached to the resistive heating deposition equipment, a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron injection layer were sequentially entirely deposited without breaking the vacuum. 成膜に際して、真空槽内圧を1×10 -4 Paまで減圧した。 Upon deposition, pressure in the vacuum tank was reduced internal pressure to 1 × 10 -4 Pa. 正孔注入層として、銅フタロシアニン(CuPc)を膜厚が100nmとなるように積層した。 As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) film thickness was sputtered to form a layer of 100 nm. 正孔輸送層として、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を膜厚が20nmとなるように積層した。 As a hole transporting layer, 4,4'-bis film thickness [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl (α-NPD) was laminated so as to be 20 nm. 有機発光層として、4,4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を膜厚が30nmとなるように積層した。 As organic light-emitting layer, 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) film thickness was sputtered to form a layer of 30 nm. 電子注入層として、アルミニウムキレート(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体、Alq)を膜厚が20nmとなるように積層した。 As an electron injection layer, an aluminum chelate (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex, Alq) of the film thickness was sputtered to form a layer of 20 nm.
【0151】 [0151]
次に、真空を破ることなしに、陽極(透明電極層)のストライプパターンと直交する幅0.30mm、間隔0.03mmのパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(質量比10/1)層からなる陰極を形成した。 Next, without breaking the vacuum, using a mask width perpendicular to the stripe pattern of the anode (transparent electrode layer) 0.30 mm, the pattern spacing 0.03mm obtained, having a thickness of 200 nm Mg / Ag (mass to form a cathode made of a ratio 10/1) layer. こうして得られた有機EL発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気下(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)において、実施例7で作製したガスバリア性基板とUV硬化接着剤を用いて封止して、カラー有機EL素子を得た。 Thus obtained organic EL device to a glove box in a dry nitrogen atmosphere at (10 ppm or less in both oxygen and water concentration), sealed with a gas barrier substrate and a UV curable adhesive prepared in Example 7, the color to obtain an organic EL element.
【0152】 [0152]
得られたカラー有機EL素子について100時間の連続駆動を行った後に、パネル内の単位面積あたりのダークスポット数を計測した。 After the resultant was subjected to continuous driving for 100 hours for the color organic EL device was measured dark number of spots per unit area in the panel.
【0153】 [0153]
[比較例1] [Comparative Example 1]
<基材/透明樹脂層/ガスバリア層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / transparent resin layer / gas barrier layer>
前記実施例1のガスバリア性基板の製造において、平坦化層の形成を行わない以外は全て前記実施例1と同様にして比較例1のガスバリア性基板とした。 In the production of the gas barrier substrate of Example 1 was except that does not perform the formation of the planarizing layer Likewise all Example 1 and gas barrier substrate of Comparative Example 1.
【0154】 [0154]
[比較例2] [Comparative Example 2]
<基材/透明樹脂層/ガスバリア層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / transparent resin layer / gas barrier layer>
前記実施例2のガスバリア性基板の製造において、平坦化層の形成を行わない以外は全て前記実施例2と同様にして比較例2のガスバリア性基板とした。 In the production of the gas barrier substrate of Example 2, in the same manner as all but for the formation of the planarizing layer in Example 2 and the gas barrier substrate of Comparative Example 2.
【0155】 [0155]
[比較例3] [Comparative Example 3]
<基材/ガスバリア層(CVD法)からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / gas barrier layer (CVD method)>
前記実施例3のガスバリア性基板の製造において、平坦化層の形成を行わない以外は全て前記実施例3と同様にして比較例3のガスバリア性基板とした。 In the production of the gas barrier substrate of Example 3, in the same manner as all but for the formation of the planarizing layer in Example 3 and the gas barrier substrate of Comparative Example 3.
【0156】 [0156]
[比較例4] [Comparative Example 4]
<基材/ガスバリア層(スパッタリング法)からなるガスバリア性基板の製造>前記実施例4のガスバリア性基板の製造において、平坦化層の形成を行わない以外は全て前記実施例4と同様にして比較例4のガスバリア性基板とした。 In the production of the gas barrier substrate <substrate / gas barrier layer production of the gas barrier substrate made (sputtering)> Example 4 Using the same procedure as but for the formation of the planarizing layer in Example 4 Comparison and gas barrier substrate of example 4.
【0157】 [0157]
[比較例5] [Comparative Example 5]
<基材/ガスバリア層/ガスバリア層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / gas barrier layer / gas barrier layer>
前記実施例5のガスバリア性基板の製造において、平坦化層の形成を行わない以外は全て前記実施例5と同様にして比較例5のガスバリア性基板とした。 In the production of the gas barrier substrate of Example 5, in the same manner as all the Example 5 but for the formation of the planarization layer and the gas barrier substrate of Comparative Example 5. 即ち、比較例5のガスバリア性基板は、基材上に、酸化窒化珪素のガスバリア層を同じ条件で2層形成してなるガスバリア性基板である。 That is, the gas barrier substrate of Comparative Example 5, on a substrate, a gas barrier substrate obtained by forming two layers a gas barrier layer of silicon oxynitride in the same conditions.
【0158】 [0158]
[比較例6] [Comparative Example 6]
<応力緩和層を成膜面と反対側に設けたガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate provided with stress relieving layer on the side opposite to the deposition surface>
前記実施例6のガスバリア性基板の製造において、平坦化層の形成を行わない以外は全て前記実施例7と同様にして比較例6のガスバリア性基板とした。 In the production of the gas barrier substrate of Example 6 was except not performed in the formation of planarization layer similar manner with all the embodiments 7 and gas barrier substrate of Comparative Example 6. 即ち、比較例6で得られたガスバリア性基板の層構成は、ガスバリア層からなる応力緩和層/基材/ガスバリア層/ガスバリア層からなる。 That is, the layer structure of gas barrier substrate obtained in Comparative Example 6 is composed of the stress relaxation layer / substrate / gas barrier layer / gas barrier layer composed of a gas barrier layer.
【0159】 [0159]
[比較例7] [Comparative Example 7]
<ディスプレイ用基板> <Substrate for display>
前記実施例7のガスバリア性基板の製造において、平坦化層の形成を行わない以外は全て前記実施例8と同様にして比較例7のガスバリア性基板とした。 In the production of the gas barrier substrate of Example 7, in the same manner as all but for the formation of the planarizing layer in Example 8 and the gas barrier substrate of Comparative Example 7. 即ち、比較例7で得られたディスプレイ用基板の層構成は、基材/ガスバリア層/ガスバリア層/透明電極層からなる。 That is, the layer structure of a substrate for display obtained in Comparative Example 7 is composed of a substrate / gas barrier layer / gas barrier layer / transparent electrode layer.
【0160】 [0160]
[比較例8] [Comparative Example 8]
<基材/ガスバリア層/平坦化層からなるガスバリア性基板の製造> <Production of gas barrier substrate made of substrate / gas barrier layer / planarization layer>
前記実施例8と同様にして、基材上にガスバリア層を形成した。 In the same manner as in Example 8 to form a gas barrier layer on the substrate.
【0161】 [0161]
前記工程で得られたガスバリア層上に、スピンコーティング法にて、アミノアルキルジアルコキシシランを主剤としたコーティング剤を1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間、引き続き200℃で2 時間熱風乾燥し、平坦化層を形成した。 The resulting gas barrier layer in the step 2 by a spin coating method, a coating agent obtained by a main agent aminoalkyl dialkoxysilane applied in a film thickness of 1.0 .mu.m, 2 minutes at 120 ° C., at continued 200 ° C. and time hot air drying, to form a planarizing layer.
【0162】 [0162]
[比較例9] [Comparative Example 9]
<有機EL素子の製造> <Production of the organic EL element>
基材として、6 インチのガラスをマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 As a substrate, was placed glass 6 inches into the chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, the film thickness of the silicon oxynitride is by forming a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer.
【0163】 [0163]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:3sccm Nitrogen gas flow rate: 3sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
前記工程で得られたガスバリア層が形成された基材をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 It was placed and the resulting gas barrier layer base material is formed in the process chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層が形成されてなるガスバリア性基板を得た。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, by forming a film until the film thickness of the silicon oxynitride is 100 nm, to obtain a gas-barrier substrate gas barrier layer is formed.
【0164】 [0164]
成膜圧力:1.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 1.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
成膜電流値:100A Deposition current value: 100A
前記工程で得られたガスバリア性基板上に前記実施例9と同様にして透明電極層を形成することにより、ディスプレイ用基板を得た。 By forming a transparent electrode layer in the same manner as in Example 9 the resulting gas barrier properties on the substrate in the step to obtain a substrate for a display.
【0165】 [0165]
前記工程で得られたディスプレイ用基板上に、前記実施例9と同様にして透明電極層/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極の6層構成となる有機EL発光素子を形成し、さらに陰極を形成し、封止して、カラー有機EL素子を得た。 On the display board obtained in said step, organic made as in Example 9 and similar to the transparent electrode layer / hole injection layer / hole transport layer / organic emission layer / electron injection layer / six-layer cathode structure and forming an EL light-emitting device, further to form a cathode, and sealed, to obtain a color organic EL element.
【0166】 [0166]
得られたカラー有機EL素子について100時間の連続駆動を行った後に、パネル内の単位面積あたりのダークスポット数を計測した。 After the resultant was subjected to continuous driving for 100 hours for the color organic EL device was measured dark number of spots per unit area in the panel.
【0167】 [0167]
[比較例10] [Comparative Example 10]
<有機EL素子の製造> <Production of the organic EL element>
透明支持基板を次のようにして調製した。 Was prepared transparent support substrate in the following manner. 即ち、6 インチのガラス上にスピンコーティング法にて(メタ)アクリル系樹脂フィルムを1.0μmの膜厚で塗布し、120℃で2分間ホットプレート上で乾燥させ、その後1J/cm 2の露光量で紫外線(UV)を照射し、引き続き160℃で60分間熱風乾燥することにより、透明支持基板とした。 That is, by the spin coating method (meth) acrylic resin film was coated in a thickness of 1.0μm on the glass of 6 inches was dried for 2 minutes on a hot plate at 120 ° C., exposure then 1 J / cm 2 ultraviolet (UV) irradiation in an amount, subsequently by 60 minutes air drying at 160 ° C., and a transparent supporting substrate.
【0168】 [0168]
前記工程で得られた透明支持基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 Placing the transparent supporting substrate obtained in step in a chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、透明支持基板上にガスバリア層を形成した。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, by the thickness of the silicon oxynitride can form a film until the 100 nm, to form a gas barrier layer on the transparent supporting substrate.
【0169】 [0169]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
窒素ガス流量:9sccm Nitrogen gas flow rate: 9sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
前記工程で得られたガスバリア層が形成された基板をマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。 Was placed substrate obtained gas-barrier layer is formed in the process chamber of a magnetron sputtering apparatus. ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が100nmになるまで成膜を行うことにより、ガスバリア層が形成されたガスバリア性基板を得た。 The target uses the silicon nitride, in the following deposition conditions, by forming a film until the film thickness of the silicon oxynitride is 100 nm, to obtain a gas-barrier substrate gas barrier layer is formed.
【0170】 [0170]
成膜圧力:2.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 2.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:20sccm Argon gas flow rate: 20sccm
酸素ガス流量:3sccm Oxygen gas flow rate: 3sccm
周波数:13.56MHz Frequency: 13.56MHz
電力:1.2kW Power: 1.2kW
前記工程で得られたガスバリア性基板をイオンプレーティング装置のチャンバー内に配置した。 The gas-barrier substrate obtained in the above step was placed in a chamber of the ion plating apparatus. 昇華材料にはインジウム錫酸化物(ITO)を使用し、以下の成膜条件で、インジウム錫酸化物(ITO)の膜厚が150nmになるまで成膜を行うことにより、透明電極層を形成して、ディスプレイ用基板を得た。 The sublimation material using indium tin oxide (ITO), under the following film forming conditions, by forming a film until a thickness of the indium tin oxide (ITO) is 150 nm, to form a transparent electrode layer Te, to obtain a substrate for the display.
【0171】 [0171]
成膜圧力:1.5×10 -1 Pa Film formation pressure: 1.5 × 10 -1 Pa
アルゴンガス流量:18sccm Argon gas flow rate: 18sccm
酸素ガス流量:28sccm Oxygen gas flow rate: 28sccm
成膜電流値:60A Deposition current value: 60A
上記のようにして製造したディスプレイ用基板上に、透明電極層/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極の6層構成となる有機EL発光素子を次のようにして形成した。 The above manner produced a display on the substrate for a transparent electrode layer / hole injection layer / hole transport layer / organic emission layer / electron injection layer / an organic EL device as a six-layer structure of the cathode as follows in was formed.
【0172】 [0172]
即ち、前記工程で得られたインジウム錫酸化物の透明電極層上に、レジスト剤「OFRP−800」(商品名、東京応化社製)を塗布した後、フォトリソグラフ法にてパターニングを行い、幅0.094mm、間隙0.016mm、および膜厚100nmのストライプパターンを形成してなる透明電極層を得た。 That is, on the transparent electrode layer of indium tin oxide obtained in the step, resist agent "OFRP-800" (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was coated and patterned by photolithography method, the width to give 0.094 mm, gap 0.016 mm, and a transparent electrode layer formed by forming a stripe pattern having a thickness of 100 nm.
【0173】 [0173]
透明電極層を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次全面成膜した。 The substrate with the transparent electrode layer attached to the resistive heating deposition equipment, a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron injection layer were sequentially entirely deposited without breaking the vacuum. 成膜に際して、真空槽内圧を1×10 -4 Paまで減圧した。 Upon deposition, pressure in the vacuum tank was reduced internal pressure to 1 × 10 -4 Pa. 正孔注入層として、銅フタロシアニン(CuPc)を膜厚が100nmとなるように積層した。 As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) film thickness was sputtered to form a layer of 100 nm. 正孔輸送層として、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を膜厚が20nmとなるように積層した。 As a hole transporting layer, 4,4'-bis film thickness [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl (α-NPD) was laminated so as to be 20 nm. 有機発光層として、4,4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を膜厚が30nmとなるように積層した。 As organic light-emitting layer, 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) film thickness was sputtered to form a layer of 30 nm. 電子注入層として、アルミニウムキレート(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体、Alq)を膜厚が20nmとなるように積層した。 As an electron injection layer, an aluminum chelate (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex, Alq) of the film thickness was sputtered to form a layer of 20 nm.
【0174】 [0174]
次に、真空を破ることなしに、陽極(透明電極層)のストライプパターンと直交する幅0.30mm、間隔0.03mmのパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(質量比10/1)層からなる陰極を形成した。 Next, without breaking the vacuum, using a mask width perpendicular to the stripe pattern of the anode (transparent electrode layer) 0.30 mm, the pattern spacing 0.03mm obtained, having a thickness of 200 nm Mg / Ag (mass to form a cathode made of a ratio 10/1) layer. こうして得られた有機EL発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気下(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)において、前記実施例7で作製したガスバリア性基板とUV硬化接着剤を用いて封止して、カラー有機EL素子を得た。 In thus obtained organic EL device to a glove box in a dry nitrogen atmosphere (10 ppm or less oxygen and moisture concentration both), sealed with a gas barrier substrate and a UV curing adhesive produced in Example 7, to obtain a color organic EL element.
【0175】 [0175]
得られたカラー有機EL素子について100時間の連続駆動を行った後に、パネル内の単位面積あたりのダークスポット数を計測した。 After the resultant was subjected to continuous driving for 100 hours for the color organic EL device was measured dark number of spots per unit area in the panel.
【0176】 [0176]
[評価方法] [Evaluation method]
上記の実施例1〜8及び、比較例1〜9で作製した、ガスバリア性基板及び各ディスプレイ用基板について、下記に示す評価項目について試験を行い、そのデータを測定した。 The above Examples 1-8 and were prepared in Comparative Example 1-9, the substrate for the gas barrier substrate and the display was tested for evaluation items described below were measured data.
(1)水蒸気透過率の測定測定温度37.8℃、湿度100%Rhの条件下で、水蒸気透過率測定装置(MOCON社製、PERMATRAN−W 3/31:商品名)を用いて測定した。 (1) Measurement temperature 37.8 ° C. in water vapor transmission rate, at a humidity of 100% Rh, the water vapor permeability measuring apparatus (MOCON Co., Ltd., PERMATRAN-W 3/31: trade name) was used for the measurement.
(2)酸素透過率の測定測定温度23℃、湿度90%Rhの条件下で、酸素ガス透過率測定装置(MOCON社製、OX−TRAN 2/20:商品名)を用いて測定した。 (2) Measurement temperature 23 ° C. in oxygen permeability under conditions of humidity of 90% Rh, the oxygen gas permeability measurement apparatus (MOCON Co., OX-TRAN 2/20: trade name) was used for the measurement.
(3)表面粗さ(Ra)及び最大高低差(P−V)の測定スキャン範囲20μm、スキャン速度90sec/frameの条件下で、(Nanopics:商品名、セイコーインスツルメンツ社製)を用いて測定した。 (3) Surface roughness (Ra) and measurement scanning range 20μm in maximum height difference (P-V), under the conditions of a scanning speed 90 sec / frame, (Nanopics: trade name, manufactured by Seiko Instruments Inc.) was measured using a .
(4)抵抗値の測定表面電気抵抗率測定装置(ロレスタAP:商品名、三菱油化(株)製)の4探針法を用いて測定した。 (4) Measurement surface electrical resistivity measurement apparatus of the resistance value was measured using a four probe method of (Loresta AP trade name, Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd.).
(5)線膨張係数の測定理学電機(株)製 TMA8310(商品名)を使用して25〜200℃での線膨張係数を測定した。 (5) the linear expansion coefficient of at 25~200 ℃ using measurement Rigaku Co., Ltd. made TMA8310 (trade name) of the linear expansion coefficient was measured.
(6)全光線透過率の測定スガ試験株式会社製全光線透過率装置(COLOUR S&M COMPUTER MODEL SM−C:型番)を使用して全光線透過率を測定した。 (6) Total light transmittance measurement Suga Test total light transmittance apparatus Co. (COLOUR S & M COMPUTER MODEL SM-C: model number) was measured for total light transmittance using.
【0177】 [0177]
上記の評価結果(測定結果)を下記の表に示す。 The above evaluation results (measurement results) are shown in the table below.
【0178】 [0178]
【表1】 [Table 1]
【0179】 [0179]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明によれば、ガスバリア層が上記平坦化層上の平坦化された表面に形成されることから、ガスバリア層を緻密で凹凸やピンホール等のない、ガスバリア性の高い層とすることができる。 According to the present invention may be from the gas barrier layer is formed on the planarized surface on the planarizing layer, no such dense unevenness and pinholes gas barrier layer, a high gas barrier property layer . これにより、本発明のガスバリア性基板を、例えばディスプレイ用基板等に用いて、ダークスポット等のない高品質なディスプレイを形成することが可能となるのである。 Thus, a gas barrier substrate of the present invention, for example using the display board or the like, and the it is possible to form a high-quality display free from such as dark spots.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明のガスバリア性基板の一例を示す概略断面図である。 1 is a schematic sectional view showing an example of a gas barrier substrate of the present invention.
【図2】本発明のガスバリア性基板の他の例を示す概略断面図である。 2 is a schematic sectional view showing another example of the gas barrier substrate of the present invention.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1 … 基材2 … 平坦化層3 … ガスバリア層 1 ... substrate 2 ... planarization layer 3 ... gas barrier layer

Claims (12)

  1. 基材と、前記基材上に形成された蒸着膜からなるガスバリア層と、前記ガスバリア層上に形成され、かつカルドポリマーを有する平坦化層とを有し、 Possess a substrate, a gas barrier layer composed of a deposited film formed on the substrate, wherein formed on the gas barrier layer, and a flattening layer having a cardo polymer,
    前記ガスバリア層は、前記平坦化層を介さずに前記基材上に形成され、 The gas barrier layer, the formed on the substrate without using the flattening layer,
    前記カルドポリマーが、フルオレン骨格を有するビスフェノール化合物とエピクロヒドリンとから誘導されるエポキシ樹脂を少なくとも含有するポリマーであることを特徴とするガスバリア性基板。 Gas barrier substrate, wherein the cardo polymer is a polymer containing at least an epoxy resin derived from bisphenol compound and epichlorohydrin having a fluorene skeleton.
  2. 前記フルオレン骨格を有するビスフェノール化合物が、下記一般式(1)で示される化合物であることを特徴とする請求項1に記載のガスバリア性基板。 Gas-barrier substrate of claim 1, bisphenol compounds having the fluorene skeleton, characterized in that a compound represented by the following general formula (1).
    (R およびR は水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、またはハロゲン原子であり、互いに同じであってもよく、異なるものであってもよい。) (R 1 and R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms or a halogen atom, and may be a well is also different from the same.)
  3. 前記平坦化層上に前記ガスバリア層が積層されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガスバリア性基板。 Gas-barrier substrate of claim 1 or claim 2, wherein the gas barrier layer is laminated on the planarizing layer.
  4. 前記基材が、室温から150℃までの範囲内における線膨張係数が80ppm以下であり、かつ全光線透過率が85%以上である耐熱性を有する透明樹脂からなることを特徴とする請求項1から請求項までのいずれかの請求項に記載のガスバリア性基板。 It said substrate, according to claim 1, characterized in that it consists of a transparent resin having a linear expansion coefficient of not more than 80 ppm, and heat resistance total light transmittance of 85% or more in the range of up to 0.99 ° C. from room temperature gas barrier substrate according to any one of claims to claim 3.
  5. 前記基材が、表面に、室温から150℃までの範囲内における線膨張係数が80ppm以下であり、かつ全光線透過率が85%以上である耐熱性を有する透明樹脂層を有するものであることを特徴とする請求項1から請求項までのいずれかの請求項に記載のガスバリア性基板。 Said substrate, on the surface, and has a transparent resin layer having a coefficient of linear expansion is not more than 80 ppm, and heat resistance total light transmittance of 85% or more in the range of up to 0.99 ° C. from room temperature gas barrier substrate according to any one of claims of claims 1 to 3, characterized in.
  6. 前記平坦化層の表面平均粗さが3nm以下であり、最大高低差が50nm 以下であることを特徴とする請求項1から請求項までのいずれかの請求項に記載のガスバリア性基板。 The is not less 3nm or less average surface roughness of the planarization layer, gas-barrier substrate according to any one of claims of claims 1 to 5, wherein the maximum height difference is 50nm or less.
  7. 前記ガスバリア層が、透明無機酸化膜、透明無機酸化窒化膜、透明無機窒化膜、もしくは透明金属膜からなる蒸着膜であることを特徴とする請求項1から請求項までのいずれかの請求項に記載のガスバリア性基板。 The gas barrier layer is, transparent inorganic oxide film, transparent inorganic oxynitride, claim from claim 1, characterized in that a deposited film composed of a transparent inorganic nitride film, or a transparent metal film to Claim 6 gas barrier substrate according to.
  8. 前記ガスバリア性基板における酸素透過率が0.3cc/m /day以下であり、水蒸気透過率が0.1g/m /day以下であることを特徴とする請求項1から請求項までのいずれかの請求項に記載のガスバリア性基板。 The gas barrier properties Oxygen permeability in the substrate is not more than 0.3cc / m 2 / day, the water vapor permeability of the preceding claims, characterized in that not more than 0.1g / m 2 / day to claim 7 gas barrier substrate according to any one of claims.
  9. 前記ガスバリア性基板の最表面の表面平均粗さが6nm以下であり、最大高低差が60nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項までのいずれかの請求項に記載のガスバリア性基板。 The gas barrier surface roughness of the outermost surface of the substrate is at 6nm or less, the gas barrier properties according to any of claims from claim 1 to the maximum height difference is equal to or is 60nm or less to claim 8 substrate.
  10. 前記基材における、前記ガスバリア層および前記平坦化層が形成された面と反対側の面に、前記基材にかかる応力を緩和する応力緩和層が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項までのいずれかの請求項に記載のガスバリア性基板。 Claim 1, wherein the the base material, on the opposite side of the surface and the gas barrier layer and the planarization layer is formed surface, the stress relaxation layer to alleviate the stress applied to the substrate is formed gas barrier substrate according to any one of claims to claim 9.
  11. 請求項1から請求項10までのいずれかの請求項に記載のガスバリア性基板上に透明電極層が形成されていることを特徴とするディスプレイ用基板。 Display substrate, wherein the transparent electrode layer gas barrier properties on the substrate according to any one of claims of claims 1 to 10 is formed.
  12. 請求項11に記載のディスプレイ用基板と、前記透明電極層上に形成された少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセント層と、前記有機エレクトロルミネッセント層上に形成された対向電極とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 Has a display substrate according to claim 11, the organic electroluminescent layer having at least an emission layer formed on the transparent electrode layer and a counter electrode formed on the organic electroluminescent layer the organic electroluminescent device characterized by.
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