KR20210108697A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 하우징과; 하우징 내에 제공되며 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기 유닛과; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐 유닛과; 하우징 내에 제공된 부품에 광을 조사하는 광조사 부재를 포함하되, 기판 처리 장치에 사용되는 유닛들 중 전부 또는 일부의 표면은, 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공될 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus And Method For Treating A Substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판에 액 처리를 하되, 액 처리 이후에 별도의 세정 공정이 요구되지 않는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 공정을 수행한다.
이 중 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다.
감광액은 점성을 가지는 액으로, 기판 상에 감광액을 공급하는 과정에서 다량이 회수 경로에 부착된다. 처리 용기의 회수 경로에 부착된 감광액들은 주변 장치를 오염시킬 수 있으며, 작업자에게 악영향을 끼칠 수 있다.
이에 따라 감광액들이 잔류되는 처리 용기는 주기적인 세정을 필요로 한다. 이에 종래에는, 처리 용기를 세정하는 세정 공정을 별도로 수행하였다. 일반적으로, 기판의 액 도포가 완료되기 전 또는 후에 기판과 유사한 형상의 지그에 세정액을 공급하고, 지그를 회전시킴에 따라 세정액을 처리 용기로 비산시켜 처리 용기를 세정하였다.
그러나, 회수 경로를 형성하는 처리 용기의 영역들 중 일부 영역에는 세정액이 도달되지 못한다. 이에 따라 세정 공정이 완료되었음에도, 처리 용기에는 여전히 감광액이 잔류되어 있는 문제가 있다. 또한, 세정 공정을 별도로 수행함에 따라 기판의 생산 효율이 떨어지고 비용이 증가하는 문제가 있다.
본 발명은 반도체 공정을 수행하는 부품의 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시 예에 의하면, 하우징과; 하우징 내에 제공되며 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기 유닛과; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐 유닛과; 하우징 내에 제공된 부품에 광을 조사하는 광조사 부재를 포함하되, 기판 처리 장치에 사용되는 유닛들 중 전부 또는 일부의 표면은, 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 부품의 표면에 친수성 액을 분사하는 액 분사 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 광조사 부재와 액 분사 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 제어기는 광조사 부재가 표면에 빛을 조사한 이후에 액 분사 부재가 부품의 표면에 친수성 액을 분사하도록 광조사 부재와 액 분사 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 광조사 부재를 이동시키는 구동 부재를 더 포함하고, 제어기는, 기판이 처리되는 도중에 광조사 부재가 유닛의 표면에 인접하게 이동되도록 구동 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 표면이 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공되는 유닛은 지지 유닛일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 표면이 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공되는 유닛은 처리 용기 유닛일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 표면이 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공되는 유닛은 노즐 유닛일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 광은 자외선으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 표면의 재질은, 이산화티타늄을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 방법은, 포함된 유닛들 중 전부 또는 일부는 그 표면이 광촉매 반응에 의해 친수성으로 변하는 재질로 제공되고, 표면에 광을 조사하여 표면을 친수화시킬 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 광의 조사는 기판에 액을 공급하는 도중에 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 표면에 친수성 액이 공급되어 표면에서 처리액과 오염 물질을 표면으로부터 제거할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 친수성 액은, 표면에 광을 조사한 이후에 표면으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 친수성 액은, 표면에 광을 조사하는 동안에 표면으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 친수성 액은, 표면에 광을 조사하기 이전에 표면으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 처리액은 감광액을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 광은 자외선으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 표면의 재질은, 이산화티타늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 공정을 수행하는 부품의 오염을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 보여주는 도면이다.
도 8 내지 도 9는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 1에 도시된 기판 처리 장치는, 액 처리가 수행되는 기판 처리 장치이다. 예컨대, 기판 처리 장치는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성하는 액 도포 공정을 수행한다. 일 예에서, 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다.
기판 처리 장치는 하우징(110), 지지 유닛(140), 액 공급 유닛(180), 처리 용기 유닛(120), 승강 유닛(160), 광조사 부재(130), 액 분사 부재(150), 그리고 제어기(190)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 공간을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(110)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐한다.
처리 용기 유닛(120)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기 유닛(120)는 하부 컵(124) 및 상부 컵(122) 및 가이드 컵(126)을 가진다. 일 예에서, 하부 컵(124) 상부 컵(122) 및 가이드 컵(126)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수할 수 있다. 하부 컵(124)은 지지 유닛(140)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 상부 컵(122)은 하부 컵(124)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 가이드 컵(126)은 상부 컵(122)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다.
상부 컵(122)의 내측공간(122a) 및 상부 컵(122)은 상부 컵(122)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(122a)로서 기능한다. 상부 컵(122)과 가이드 컵(126)의 사이 공간(126a)은 가이드 컵(126)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(126a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(122a,126a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 처리 용기 유닛(120)의 저면 아래에는 회수라인(122b,126b)이 연결된다. 처리 용기 유닛(120)에 유입된 처리액들은 회수라인(122b,126b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
지지 유닛(140)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(140)은 몸체(142), 지지핀(144), 척핀(146), 그리고 지지축(148)을 가진다. 몸체(142)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(142)의 저면에는 구동부(149)에 의해 회전 가능한 지지축(148)이 고정 결합된다.
지지핀(144)은 복수 개 제공된다. 지지핀(144)은 몸체(142)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(142)에서 상부로 돌출된다. 지지핀(144)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(144)은 몸체(142)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(146)은 복수 개 제공된다. 척핀(146)은 몸체(142)의 중심에서 지지핀(144)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(146)은 몸체(142)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(146)은 지지 유닛(140)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(146)은 몸체(142)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(142)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(140)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(146)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척핀(146)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(146)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(160)은 처리 용기 유닛(120)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기 유닛(120)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(140)에 대한 처리 용기 유닛(120)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(160)은 브라켓(162), 이동축(164), 그리고 구동기(161)를 가진다. 브라켓(162)은 처리 용기 유닛(120)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(162)에는 구동기(161)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(164)이 고정 결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(140)에 놓이거나, 지지 유닛(140)로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(140)이 처리 용기 유닛(120)의 상부로 돌출되도록 처리 용기 유닛(120)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 처리 용기 유닛(120)로 유입될 수 있도록 처리 용기 유닛(120)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강 유닛(160)은 지지 유닛(140)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(180)은 기판(W) 상으로 다양한 종류의 유체들을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(180)은 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 일 예에서, 액 공급 유닛(180)은 기판(W) 상에 감광액을 공급한다.
액 공급 유닛(180)은 노즐 유닛(189)과 노즐 이동 부재(181)를 포함한다. 노즐 유닛(189)은 지지 유닛(180)에 지지된 기판(W)의 처리 위치에 감광액을 공급한다. 여기서 처리 위치는 기판(W)의 중심을 포함하는 위치일 수 있다. 노즐 유닛(189)은 노즐 이동 부재(181)에 의해 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 각 노즐이 지지 유닛(180)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐 유닛(189)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 노즐 유닛(189)이 기판(W)의 중심으로 액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다.
노즐 이동 부재(181)는 지지축(186), 지지 아암(182), 그리고 구동 부재(188)를 포함한다. 지지축(186)은 처리 용기 유닛(120)의 일측에 위치된다. 지지축(186)은 구동 부재(188)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지 아암(182)은 지지축(186)의 상단에 결합된다. 지지 아암(182)은 지지축(186)으로부터 수직하게 연장된다. 지지 아암(182)의 끝단에는 각 노즐이 고정 결합된다. 지지축(186)이 회전됨에 따라 노즐 유닛(189)은 지지 아암(182)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐 유닛(189)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐 유닛(189)은 공정 위치에서 토출구가 기판(W)의 중심과 일치되도록 위치될 수 있다.
선택적으로, 지지축(186)은 승강 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 또한 지지 아암(182)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다.
광조사 부재(130)는, 하우징(110) 내에 제공된 부품에 광을 조사한다. 일 예에서, 광조사 부재(130)는 하우징(110)의 내부에서 구동기(미도시)에 의해 이동 가능하도록 제공된다. 예컨대, 광조사 부재(130)는 하우징(110)의 내부를 상하 방향으로 이동할 수 있도록 제공된다. 광조사 부재(130)는, 광원(133) 및 광원(133)을 지지하는 지지부(134)로 구성된다. 일 예에서, 광원(133)은 긴 막대 형상의 팁에 제공된다. 광원(133)은 그 크기에 따라 팁 내부에 다수 개 제공될 수 있다. 팁은 지지부(134)에 힌지 결합된다. 일 예에서, 팁은 지지부(134)에 회전 가능하도록 장착된다. 일 예에서, 광은 자외선으로 제공된다.
액 분사 부재(150)는, 하우징(110) 내벽 또는 하우징(110) 내부에 제공된 부품의 표면에 친수성 액을 분사한다. 일 예에서, 액 분사 부재(150)는 하우징(110)의 상부에 고정되어 스프링클러와 같은 형태로 액을 분사하도록 제공된다. 선택적으로, 액 분사 부재(150)는 광조사 부재(130)와 마찬가지로 이동 가능하게 제공될 수 있다.
제어기(미도시)는, 이하 서술하는 기판 처리 방법을 수행하기 위해 광조사 부재(130)와 액 분사 부재(150)를 제어하도록 제공된다.
기판 처리 장치(100)에 내부에 제공되는 유닛들 중 전부 또는 일부의 표면은 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공된다. 예컨대, 표면이 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공되는 유닛은 지지 유닛(140)이거나, 처리 용기 유닛(120)이거나, 노즐 유닛(189)일 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 2 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 보여주는 도면이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이 회전하는 기판(W) 상으로 처리액이 공급된다. 일 예에서, 처리액은 감광액이다. 기판(W) 상으로 감광액이 공급되는 동안 회전하는 기판(W)에 의해 감광액이 기판(W)의 주변으로 비산된다. 이에, 처리 용기 유닛(120)의 내측면, 노즐 유닛(189)의 표면 또는 지지 유닛(140)의 표면 등 반도체 부품의 표면에는 감광액이 묻게 된다. 반도체 부품의 표면에는 감광액뿐만이 아니라 오염물질이 함께 묻게 된다.
종래의 반도체 부품은 표면이 소수성을 띈다. 소수성을 띄는 표면은 표면 에너지가 낮다. 이에, 감광액과 같이 소수성 액체 또는 유기 오염 물질이 표면에 묻게 되는 경우 액적이 잘 맺히게 된다. 표면 상에 형성된 액적은 표면의 낮은 표면 에너지 때문에 제거가 어렵다.
이에, 본 발명의 반도체 부품의 표면은 광촉매 작용에 의해 친수성을 띄도록 제공된다. 일 예에서, 처리액이나 오염물질이 묻기 쉬운 처리 용기 유닛(120)의 내측면, 노즐 유닛(189)이나 지지 유닛(140) 등의 반도체 부품의 표면은 광촉매 작용을 일으키는 물질로 제공된다. 일 예에서, 반도체 부품의 표면은 이산화티타늄으로 제공될 수 있다.
일 예에서, 도 3에 도시된 바와 같이 노즐 유닛(189)의 표면에 오염 물질이 비산된 경우, 광조사 부재(130)는 노즐 유닛(189)의 부근에 인접하게 이동하여 노즐 유닛(189)의 표면에 자외선을 조사한다.
자외선이 조사된 반도체 부품(500)의 표면(510)은 광촉매 작용을 일으킨다. 반도체 부품(500)의 표면(510)이 빛을 받아 광촉매 작용을 일으키면, 부품(500)의 표면(510)은 친수화된다. 반도체 부품(500)의 표면(510)이 친수화 되면 반도체 부품(500)의 표면(510) 에너지는 상승한다. 이에, 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 부품(500)의 표면(510)에 비산된 액체 또는 고체의 오염 물질(P)는 표면(510)에 부착되지 않고 퍼지게 된다. 또한, 광촉매 작용에 의해, 반도체 부품(500)의 표면(510)은 공기 중의 산소 또는 물과 반응하여 활성 산소를 생성한다. 활성 산소는 반도체 부품(500)의 표면(510)에 비산된 오염 물질(P)을 분해시킨다.
본 발명은, 반도체 부품의 표면에 광을 조사하는 이외에, 도 6에 도시된 바와 같이 반도체 부품의 표면에 친수성 액을 공급하는 과정을 더 포함할 수 있다. 일 예에서, 반도체 부품의 표면에 광을 조사하고, 광이 조사된 반도체 부품의 표면 상으로 친수성 액을 공급할 수 있다. 일 예에서, 친수성 액은 물이다. 도 7에 도시된 바와 같이 반도체 부품(500)의 표면(510)에 물이 공급되면 물이 반도체 부품(500)의 표면(510)과 오염 물질 사이의 계면에 침투한다. 이에, 처리액과 오염 물질이 반도체 부품(500)의 표면(510)으로부터 제거된다. 반도체 부품(500)으로부터 제거된 오염 물질 또는 처리액은 친수성 액을 따라 하방으로 흐르게 된다. 또한, 상술한 바와 같이, 광촉매 작용을 일으키는 재질을 가지는 반도체 부품(500)의 표면(510)에 자외선을 조사하는 경우, 반도체 부품(500)의 표면(510)은 물과 반응하여 활성 산소를 생성한다. 이에, 반도체 부품(500)의 표면(510)에 비산된 오염 물질(P)을 분해하는 효과가 있다.
상술한 예에서는, 광조사 부재(130)는 상하 방향으로 이동되도록 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 도 7에 도시된 바와 같이 광조사 부재(130)는 처리 용기 유닛(120)의 내측면 부근에 인접하게 이동한 후, 광원(133)이 장착된 탭(132)이 지지부(134)와의 연결 영역을 중심으로 회전되어 처리 용기 유닛(120)의 내측면에 자외선을 조사할 수 있다.
상술한 예에서는, 광촉매 작용을 일으키는 반도체 부품은 지지 유닛(140)이거나, 처리 용기 유닛(120)이거나, 노즐 유닛(189)인 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 광촉매 작용을 일으키는 반도체 부품은 하우징(110)의 내벽일 수 있다.
상술한 예에서는, 광조사 부재(130)는 하우징(110) 내부의 상부에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 광조사 부재(130)는 하우징(110) 내부의 측면에 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 반도체 부품의 표면에 친수성 액을 공급하는 과정은, 반도체 부품의 표면에 자외선을 조사한 이후인 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 반도체 부품의 표면에 친수성 액을 공급하는 과정은 반도체 부품의 표면에 자외선을 조사하는 과정과 동시에 수행될 수 있다.
상술한 예에서는, 광조사 부재(130)는 막대 형상으로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 도 9에 도시된 바와 같이, 광조사 부재(130)는 구 형상의 광원(133)만을 포함하도록 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 반도체 부품의 표면을 구성하는 물질로 이산화티타늄이 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 이와 같은 물질은 SiO2, TiO2, Al2O3, ZnO, SnO2, SrTiO3, WO3, Bi2O3 및 Fe2O3, CdSe, CdS 등으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 이와 같은 물질은 나노입자 또는 콜로이드 입자를 함유하는 물질로 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 기판의 처리는 기판 상에 감광막을 형성하는 처리이고, 기판 상에 공급되는 처리액이 감광액인 것으로 설명하였다. 그러나, 기판의 처리는 액을 이용하여 기판을 처리하는 공정이면 무관하게 본 발명이 적용 가능하다. 또한, 기판 상에 공급되는 처리액은 감광액에 한정하지 않고, 소수성을 띈 액체이면 무관하게 본 발명이 적용 가능하다. 예컨대, 처리액은 휘발성 솔벤트를 포함한 폴리머 기반의 약액일 수 있다.
상술한 예에서는, 반도체 부품의 표면에 광을 조사한 이후에 반도체 부품의 표면으로 친수성 액이 공급되는 것으로 설명하였다. 그러나, 반도체 부품의 표면에 광을 조사하는 동안에 반도체 부품의 표면으로 친수성 액이 공급될 수 있다. 선택적으로, 반도체 부품의 표면에 광을 조사하기 이전에 반도체 부품의 표면으로 공급될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 부품에 대한 광의 조사는 기판에 처리액을 공급하는 도중에 이루어질 수 있다. 이에, 기판에 액처리를 하는 동시에 반도체 부품이 자외선에 의해 세정되도록하여 액처리 공정 이후에 별도의 세정 공정을 수행할 필요가 없는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 액 분사 부재(150) 없이, 광조사 부재(130) 만으로 건식 세정 가능한 이점이 있다. 또한, 광조사 부재(130)에 더해 액 분사 부재(150)를 이용하여 습식 세정 역시 가능한 이점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 부품을 초친수화시켜, 반도체 부품의 표면에 오염 물질이 부착되는 것을 방지하여 별도로 반도체 부품을 세정하는 공정이 요구되지 않는 이점이 있다. 이에, 공정 시간 단축에 따른 기판 생산 수율이 상승되는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 광촉매 작용에 의해 반도체 표면을 친수화하여, 액적이 맺히기 전에 반도체 부품에 비산된 감광액이나 오염 물질이 흘러내려 오염 제거가 용이한 이점이 있다. 또한, 중력에 영향이 없더라도 높은 표면 에너지에 의해 미세 액적이 맺히지 않고 흘러내리게 하는 이점이 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
120: 처리 용기 유닛
130: 광조사 부재
150: 액 분사 부재
140: 지지 유닛

Claims (18)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    하우징과;
    상기 하우징 내에 제공되며 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기 유닛과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐 유닛과;
    상기 하우징 내에 제공된 부품에 광을 조사하는 광조사 부재를 포함하되,
    상기 기판 처리 장치에 사용되는 유닛들 중 전부 또는 일부의 표면은,
    상기 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 부품의 표면에 친수성 액을 분사하는 액 분사 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광조사 부재와 상기 액 분사 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는 상기 광조사 부재가 표면에 빛을 조사한 이후에 상기 액 분사 부재가 상기 부품의 표면에 상기 친수성 액을 분사하도록 상기 광조사 부재와 상기 액 분사 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광조사 부재를 이동시키는 구동 부재를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 기판이 처리되는 도중에 상기 광조사 부재가 상기 유닛의 표면에 인접하게 이동되도록 상기 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표면이 상기 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공되는 유닛은 상기 지지 유닛인 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 표면이 상기 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공되는 유닛은 상기 처리 용기 유닛인 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 표면이 상기 광에 의해 광촉매 반응을 일으키는 물질로 제공되는 유닛은 상기 노즐 유닛인 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광은 자외선으로 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면의 재질은,
    이산화티타늄을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 기판을 액 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하되, 상기 액 처리를 수행하는 장치에 포함된 유닛들 중 전부 또는 일부는 그 표면이 광촉매 반응에 의해 친수성으로 변하는 재질로 제공되고, 상기 표면에 광을 조사하여 상기 표면을 친수화시키는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광의 조사는 상기 기판에 상기 액을 공급하는 도중에 이루어지는 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 표면에 친수성 액이 공급되어 상기 표면에서 상기 처리액과 오염 물질을 상기 표면으로부터 제거하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 친수성 액은,
    상기 표면에 상기 광을 조사한 이후에 상기 표면으로 공급되는 기판 처리 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 친수성 액은,
    상기 표면에 상기 광을 조사하는 동안에 상기 표면으로 공급되는 기판 처리 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 친수성 액은,
    상기 표면에 상기 광을 조사하기 이전에 상기 표면으로 공급되는 기판 처리 방법.
  16. 제12 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액은 감광액을 포함하는 기판 처리 방법.
  17. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광은 자외선으로 제공되는 기판 처리 방법.
  18. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면의 재질은,
    이산화티타늄을 포함하는 기판 처리 방법.
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