KR102246656B1 - 노즐 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

노즐 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

노즐 유닛이 개시된다. 노즐 유닛은 액상의 제1유체를 토출하는 제1노즐;상기 제1유체와 상이한 제2유체를 토출하는 제2노즐; 상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 지지하는 지지 로드; 및 상기 제2노즐의 둘레를 에워싸며, 상기 제2노즐과의 사이에 가스가 토출되는 토출 유로를 형성하는 제3노즐을 포함한다.

Description

노즐 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 기판 처리 방법{NOZZLE UNIT, APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE, AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE AND USING THE APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노즐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중 포토리소그래피(Photo lithography) 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시키기 위한 공정으로서, 먼저 세척 및 건조를 마친 기판의 표면에 포토 레지스트(Photo resist)와 같은 감광막을 균일하게 도포시키고, 그 위에 소정의 레이아웃으로 형성된 포토 마스크 상의 특정 패턴에 따라 노광공정을 수행하며, 이렇게 노광된 감광막의 불필요한 부위를 현상액으로 제거함으로써 요구되는 패턴으로 형성하는 공정을 말한다.
상술한 공정들 중 현상 공정은 노광 공정이 수행된 기판을 스핀 헤드에 장착한 후, 스핀 헤드를 회전시키거나 정지한 상태에서 기판으로 현상액을 토출한다. 현상액이 기판 전면에 고르게 분산되도록 소정 시간 방치한 후, 탈이온수(DI water)와 건조 가스를 순차적으로 공급하여 기판에 잔존하는 감광막과 현상액을 세정한다.
현상액이 기판으로 토출되는 과정에서, 그리고 현상액이 도포된 기판이 방치되는 동안, 현상액에서 흄(fume)이 발생된다. 이러한 흄 분위기는 탈이온수 또는 건조 가스를 분사하는 노즐을 오염시키고, 탈이온수 또는 건조가스의 토출과 함께 기판으로 공급되어 공정 불량을 야기한다.
한국특허공개공보 제10-2010-0059437호
본 발명의 실시예는 공정 불량 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예는 노즐의 오염 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 노즐 유닛은 액상의 제1유체를 토출하는 제1노즐;상기 제1유체와 상이한 제2유체를 토출하는 제2노즐; 상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 지지하는 지지 로드; 및 상기 제2노즐의 둘레를 에워싸며, 상기 제2노즐과의 사이에 가스가 토출되는 토출 유로를 형성하는 제3노즐을 포함한다.
또한, 상기 제2노즐에 상기 제2유체를 공급하며, 유체조절밸브가 설치된 유체공급라인; 상기 제3노즐에 상기 가스를 공급하며, 가스조절밸브가 설치된 가스공급라인; 및 상기 제2노즐에서 토출되는 상기 제2유체의 유압이 상기 토출 유로에서 토출되는 상기 가스의 유압보다 크도록 상기 유체조절밸브와 상기 가스조절밸브를 조절하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 토출 유로는 상기 제2노즐의 토출구를 에워싸며, 링 형상을 가질 수 있다.
또한, 상기 제2노즐과 유체 저장부를 연결하는 유체공급라인; 및 일단이 상기 토출 유로와 연결되고, 타단이 상기 유체급라인과 연결되는 가스공급라인을 더 포함하며, 상기 제2유체와 상기 가스는 동일한 유체일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스핀 헤드; 상기 스핀 헤드를 감싸면, 상기 기판으로 공급된 유체를 회수하는 용기; 상기 스핀 헤드에 지지된 기판으로 유체를 공급하는 노즐 유닛을 포함하되, 상기 노즐 유닛은
액상의 제1유체를 상기 기판으로 토출하는 제1노즐; 상기 제1유체와 상이한 제2유체를 상기 기판으로 토출하는 제2노즐; 상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 지지하는 지지 로드; 및 상기 제2노즐의 토출구를 에워싸는 링 형상의 토출 유로를 형성하며, 상기 토출 유로를 통해 가스를 상기 기판으로 토출하는 제3노즐을 포함한다.
또한, 상기 노즐 유닛은 상기 제2노즐과 연결되며, 유체조절밸브가 설치된 유체공급노즐; 상기 제3노즐과 연결되며, 가스조절밸브가 설치된 가스공급노즐; 및 상기 제2노즐에서 토출되는 상기 제2유체의 유압이 상기 제3노즐에서 토출되는 상기 가스의 유압보다 크도록 상기 유체조절밸브와 상기 가스조절밸브를 조절하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 노즐 유닛은 유체 저장부; 상기 제2노즐과 상기 유체 저장부를 연결하는 유체공급노즐; 및 일단이 상기 제3노즐과 연결되고, 타단이 상기 유체공급노즐과 연결하는 가스공급노즐을 더 포함하며, 상기 제2유체와 상기 가스는 동일한 유체일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 제1노즐과 제2노즐을 지지하는 지지로드를 이동시켜, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 기판 상부에 위치시키는 단계; 상기 제1노즐을 통해 액상의 제1유체를 상기 기판으로 공급하는 단계; 및 상기 제2노즐을 통해 상기 제1유체가 도포된 상기 기판의 상면으로 상기 제1유체와 상이한 제2유체를 공급하는 단계를 포함하되, 상기 제1유체를 공급하는 단계와 상기 제2유체를 공급하는 단계 중 적어도 어느 하나의 단계에서는 상기 제2노즐의 둘레를 에워싸는 토출유로를 통해 가스가 상기 기판을 향해 분사된다.
또한, 상기 가스는 상기 제1유체가 공급되는 동안 상기 기판으로 분사될 수 있다.
또한, 상기 가스는 상기 제2유체가 공급되는 동안 상기 기판으로 분사될 수 있다.
또한, 상기 제2유체는 상기 가스와 동일한 유체이며, 상기 제2노즐에서 공급되는 제2유체의 유압은 상기 토출 유로에서 토출되는 가스의 유압보다 클 수 있다.
또한, 상기 토출 유로는 상기 제2노즐의 둘레를 에워싸는 링 형상을 가지며,상기 토출 유로에서 분사되는 가스는 상기 제2노즐의 토출구 주변에 가스 커튼을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판으로 오염물 공급이 최소화되므로 공정 불량 발생이 예방될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 노즐이 흄 분위기에 노출되는 것이 차단되므로 노즐의 오염 발생이 예방될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐들과 유체 공급부를 나타내는 도면이다.
도 4는 제1노즐을 통해 현상액을 기판으로 공급하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 5는 제2노즐을 통해 현상액이 도포된 기판 상면으로 가스를 공급하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐 유닛을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 부재(200), 용기(300), 그리고 노즐 유닛(400)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 공간이 형성되며, 공정 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(110)가 형성된다. 개구(110)는 기판(W)이 출입하는 통로로 제공된다. 개구(110)는 도어(120)에 의해 개폐된다.
기판 지지 부재(200)는 공정 챔버(100) 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(200)는 스핀 헤드(210), 지지축(220), 그리고 구동기(230)를 포함한다.
스핀 헤드(210)는 소정 두께를 갖는 원형 판으로 제공되며, 상면에 기판이 놓인다. 실시예에 의하면, 스핀 헤드(210)의 상면과 내부에는 진공 라인(미도시)이 형성되며, 인가된 진공압에 의해 기판(W)이 스핀 헤드(210)의 상면에 흡착된다. 스핀 헤드(210)는 구동기(230)의 구동으로 회전한다. 진공압은 스핀 헤드(210)의 원심력에 의해 회전하는 기판(W)이 이탈되지 않도록 기판(W)을 진공 흡착한다. 이와 달리, 스핀 헤드(210)의 상면에는 지지핀(미도시)들과 척킹핀(미도시)들이 제공될 수 있으다. 지지핀들은 기판(W)의 저면을 지지하고, 척킹핀들은 기판(W)의 가장자리를 기계적으로 척킹하며, 원심력에 의해 기판(W)이 이탈되지 않도록 고정한다.
지지축(220)은 스핀 헤드(210)의 하부에서, 스핀 헤드(210)를 지지한다. 지지축(220)은 구동기(230)의 구동으로 회전가능한다. 구동기(230)는 지지축(220)으로 회전력을 전달하기 위해, 모터, 벨트, 그리고 풀리 등으로 제공될 수 있다.
용기(300)는 상부가 개방된 원통 형상을 가지며, 스핀 헤드(210)의 주위를 둘러싸도록 제공된다. 스핀 헤드(210)는 용기(300)의 내부에 위치한다. 용기(300)는 회전하는 기판(W)으로부터 비산되는 유체를 회수한다. 용기(300)에 회수된 유체는 배출 라인(310)을 통해 외부로 유출된다. 용기(300)는 승강 유닛(320)에 의해 승강될 수 있다. 승강 유닛(320)은 스핀 헤드(210)에 대한 용기(300)의 상대 높이가 변경되도록 용기(300)를 승강시킨다. 스핀 헤드(210)에 기판(W)이 놓이거나 스핀 헤드(210)에서 기판(W)이 언로딩되는 경우, 용기(300)가 하강하여 스핀 헤드(210)가 용기(300)의 상부에 위치한다. 그리고 공정 처리를 수행하는 경우, 스핀 헤드(210)가 용기(300) 내에 위치하도록 용기(300)가 상승한다.
노즐 유닛(400)은 스핀 헤드(210)에 지지된 기판(W)으로 공정 유체를 공급한다. 노즐 유닛(400)은 대기 포트(410), 지지 로드(420), 지지 로드 이동부(430), 복수의 노즐들(450, 460, 470), 그리고 유체 공급부(480)를 포함한다.
대기 포트(410)는 용기(300)의 외측에 위치한다. 대기 포트(410)는 상부가 개방된 통으로, 노즐들(450, 460, 470)이 대기하는 공간을 제공한다. 대기 포트(410)에서는 노즐들(450, 460, 470)의 세정 공정이 수행될 수 있다.
지지 로드(420)는 소정 길이를 갖는 로드(rod)로 제공되며, 노즐들(450, 460, 470)을 지지한다.
지지 로드 이동부(430)는 지지 로드(420)를 일 방향으로 이동시킨다. 지지 로드 이동부(430)는 가이드 레일(431)과 구동부(435)를 포함한다.
가이드 레일(431)은 용기(300)의 외측에 위치하며, 소정 길이로 일 방향으로 제공된다. 가이드 레일(431)은 지지 로드(420)의 후단에서, 지지 로드(420)에 수직하게 배치된다. 가이드 레일(431)은 용기(300)의 일측에서부터 타측으로 제공된다.
구동부(435)는 가이드 레일(431)에 설치되며, 가이드 레일(431)을 따라 이동가능하다. 구동부(435)는 지지 로드(420)의 후단을 지지한다. 구동부(435)의 이동으로, 노즐들(450, 460, 470)은 대기 포트(410)와 스핀 헤드(210) 상부 사이구간을 이동할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐들과 유체 공급부를 나타내는 도면이다.
노즐들(450, 460, 470)은 지지 로드(420)의 선단에 지지되며, 유체를 기판(W)으로 공급한다. 실시예에 의하면, 지지 로드(420)의 선단에는 3개의 노즐(450, 460, 470)이 제공된다.
제1노즐(450)은 기판(W) 상면에 경사진 방향으로 액상의 제1유체를 토출한다. 제1노즐(450)의 토출구(451)에서 토출되는 제1유체는 기판(W) 영역에 직선의 공급 영역을 형성할 수 있다. 토출 영역은 기판(W)의 중심으로부터 가장자리영역으로 형성될 수 있다. 실시예에 의하면, 제1유체는 현상액으로 제공될 수 있다. 현상액은 기판(W)의 회전력에 의해 기판(W) 전면으로 확산되며, 기판(W)의 상면을 도포한다.
제2노즐(460)은 제1노즐(450)에 인접하여 배치된다. 제2노즐(460)은 기판(W)으로 제2유체를 공급하다. 제2유체는 제1유체와 상이한 종류의 유체이다. 실시예에 의하면, 제2유체는 불활성 가스가 제공될 수 있다. 제2유체는 질소 가스로 제공될 수 있다.
제3노즐(470)은 원통 형상으로 제공되며, 제2노즐(460)의 둘레를 감싸도록 배치된다. 제3노즐(470)과 제2노즐(460) 사이에는 토출 유로(471)가 형성된다. 토출 유로(471)는 링 형상을 가지며, 제2노즐(460)의 토출구(461)를 에워싼다. 토출 유로를 통해 가스가 배출된다. 가스는 질소가스가 제공될 수 있다.
유체 공급부(480)는 제1 내지 제3노즐(450, 460, 470) 각각으로 유체를 공급한다. 유체 공급부(480)는 유체공급라인(481), 제1가스공급라인(483), 제2가스공급라인(485), 유체 저장부(487), 가스 저장부(489), 그리고 제어부(491)를 포함한다.
유체공급라인(481)은 일단이 유체 저장부(487)와 연결되고, 타단이 제1노즐(450)의 토출유로와 연결된다. 유체 저장부(487)에 저장된 현상액은 유체공급라인(481)을 통해 제1노즐(450)에 공급된다. 유체공급라인(481)에는 유체조절밸브(482)가 설치된다. 유체조절밸브(482)는 유체공급라인(481)을 개폐하며, 유체공급라인(482)을 통해 공급되는 현상액의 유량을 조절한다.
제1가스공급라인(483)은 일단이 가스 저장부(489)와 연결되고, 타단이 제2노즐(483)의 토출유로와 연결된다. 가스 저장부(489)에 저장된 가스는 제1가스공급라인(483)을 통해 제2노즐(483)에 공급된다. 제1가스공급라인(483)에는 제1가스조절밸브(484)가 설치된다. 제1가스조절밸브(484)는 제1가스공급라인(483)을 개폐하며, 제1가스공급라인(483)을 통해 공급되는 가스의 유량을 조절한다.
제2가스공급라인(485)은 일단이 제1가스공급라인(483)과 연결되며, 타단이 제3노즐(470)의 토출유로(471)와 연결된다. 제2가스공급라인(485)의 일단은 가스 저장부(489)와 제1가스조절밸브(484) 사이 구간에서 제1가스공급라인(483)에 연결된다. 제1가스공급라인(483)을 흐르는 가스는 제2가스공급라인(485)을 통해 제3노즐(470)에 공급된다. 제2가스공급라인(485)에는 제2가스조절밸브(486)가 설치된다. 제2가스조절밸(486)브는 제2가스공급라인(485)을 개폐하며, 제2가스공급라인(485)을 통해 공급되는 가스의 유량을 조절한다.
제어부(491)는 제1가스조절밸브(484)와 제2가스조절밸브(486)를 제어한다. 실시예에 의하면, 제어부(491)는 제1가스공급라인(483)으로 가스가 공급되는 동안, 제2가스공급라인(485)으로 가스가 공급되도록 제1 및 제2가스조절밸브(484, 486)를 함께 개방한다. 이 경우, 제어부(491)는 제1가스공급라인(483)을 통해 공급되는 가스의 유압이 제2가스공급라인(485)을 통해 공급되는 가스의 유압보다 크도록 제1 및 제2가스조절밸브(484, 486)의 개방 정도를 달리할 수 있다. 그리고, 제어부(491)는 제1노즐(450)에서 현상액이 토출되는 동안, 제2가스조절밸브(486)를 개방하여 가스를 제3노즐(470)에 공급할 수 있다.
이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대해 설명한다.
기판 처리 방법은 지지 로드(420)를 이동시켜, 제1 내지 제3노즐(450, 460, 470)을 기판(W) 상부에 위치시키는 단계, 제1노즐(450)을 통해 현상액을 기판(W)으로 공급하는 단계, 그리고 제2노즐(460)을 통해 현상액이 도포된 기판(W) 상면으로 가스를 공급하는 단계를 포함한다.
도 4는 제1노즐을 통해 현상액을 기판으로 공급하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 지지 로드(420)의 이동으로 제1 내지 제3노즐(450, 460, 470)은 기판(W) 상부에 위치한다. 제1노즐(450)은 회전하는 기판으(W)로 현상액(d1)을 토출한다. 현상액(d1)은 기판(W) 상면에 대해 비스듬히 경사진 방향으로 토출된다. 현상액(d1)은 기판(W)의 회전력에 의해, 기판(W) 전면에 도포된다.
현상액(d1)이 토출되는 동안, 제3노즐(470)의 토출 유로(471)를 통해 가스(g)가 기판(W)을 향해 토출된다. 가스(g)는 제2노즐(460)의 토출구(461)를 에워싸는 가스 커튼(gas curtain)으로 기판(W)으로 공급된다.
제1노즐(450)에서 토출되는 현상액(d1), 그리고 기판(W)상에 도포된 현상액(d2)으로부터 흄(fume)이 발생한다. 발생한 흄은 제2노즐(460)의 토출구(461)를 오염시키며, 제2노즐(460)에서 가스가 공급되는 경우 오염물이 기판(W)으로 함께 공급될 수 있다. 오염물은 공정 불량을 야기할 수 있다.
제3노즐(470)에서 토출되는 가스 커튼(g)은 현상액(d1, d2)에서 발생하는 흄이 제2노즐(460)의 토출구(461)로 유입되는 것을 방어하는 방어막 역할을 수행한다. 이로 인해 제2노즐(460)의 토출구(461)가 오염되는 것이 방지된다.
도 5는 제2노즐을 통해 현상액이 도포된 기판 상면으로 가스를 공급하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 기판(W)에 현상액(d2)이 도포된 후, 제2노즐(460)과 제3노즐(470)에서 가스(g1, g2)가 기판(W)으로 토출된다. 제2노즐(460)에서 토출되는 가스(g1)의 유압은 제3노즐(470)에서 토출되는 가스(g2)의 유압보다 크다. 제2노즐(460)에서 분사되는 가스(g1)는 기판(W)의 공정 처리에 제공된다. 제3노즐(470)에서 토출되는 가스 커튼(g2)은 현상액(d2)에서 발생된 흄이 제2노즐(460)의 토출구(461)로 유입되는 것을 차단한다. 가스 커튼(g2)은 흄의 유입 차단이 목적이므로, 제2노즐(460)보다 낮은 분사압력으로도 충분할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐 유닛을 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 제1유체공급라인(511)은 제2노즐(460)과 제1유체 저장부(512)를 연결한다. 제1유체 저장부(512)에는 액상의 유체가 저장될 수 있다. 유체는 탈이온수(DI water)가 제공될 수 있다. 제2노즐(460)은 탈이온수를 기판(W)으로 토출한다.
제2유체공급라인(513)은 제3노즐(470)과 가스 저장부(514)를 연결한다. 가스 저장부(514)에는 질소 가스가 제공될 수 있다. 제3노즐(470)의 토출 유로(471)는 기판(W)으로 가스를 토출한다.
제1노즐(450)에서 기판(W)으로 현상액이 토출되는 동안, 제3노즐(470)은 기판(W)을 향해 가스를 토출한다. 제3노즐(470)에서 토출되는 가스는 제2노즐(460)의 토출구(461) 주변에 가스 커튼을 형성하며, 현상액에서 발생된 흄이 제2노즐(460)의 토출구(461)로 유입되는 것을 차단한다.
기판(W)에 현상액이 도포된 후, 제2노즐(460)에서 탈이온수를 기판(W)으로 토출한다. 제2노즐(460)에서 탈이온수가 토출되는 동안, 제3노즐(470)은 가스를 토출하여 제2노즐(460)의 토출구(461) 주변에 가스 커튼을 형성한다. 가스 커튼은 현상액에서 발생된 흄이 제2노즐(460)의 토출구(461)로 유입되는 것을 차단한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판 처리 장치 100: 공정 챔버
200: 기판 지지 부재 210: 스핀 헤드
220: 지지축 230: 구동기
300: 용기 400: 노즐 유닛
410: 대기 포트 420: 지지 로드
430: 지지 로드 이동부 450: 제1노즐
460: 제2노즐 470: 제3노즐
480: 유체 공급부

Claims (12)

  1. 액상의 제1유체를 토출하는 제1노즐;
    상기 제1유체와 상이한 제2유체를 토출하는 제2노즐;
    상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 지지하는 지지 로드; 및
    상기 제2노즐의 둘레를 에워싸며, 상기 제2노즐과의 사이에 가스가 토출되는 토출 유로를 형성하는 제3노즐을 포함하며,
    상기 제2노즐에 상기 제2유체를 공급하며, 제1 가스조절밸브가 설치된 제1 가스공급라인;
    상기 제3노즐에 상기 가스를 공급하며, 제2 가스조절밸브가 설치된 제2 가스공급라인; 및
    상기 제2노즐에서 토출되는 상기 제2유체의 유압이 상기 토출 유로에서 토출되는 상기 가스의 유압보다 크도록 상기 제1 가스조절밸브와 상기 제2 가스조절밸브를 조절하는 제어부를 더 포함하는 노즐 유닛.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 토출 유로는 상기 제2노즐의 토출구를 에워싸며, 링 형상을 갖는 노즐 유닛.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1노즐과 유체 저장부를 연결하는 유체공급라인; 및
    일단이 상기 토출 유로와 연결되는 제2 가스공급라인을 더 포함하며,
    상기 제2유체와 상기 가스는 동일한 유체인 노즐 유닛.
  5. 기판을 지지하는 스핀 헤드;
    상기 스핀 헤드를 감싸면, 상기 기판으로 공급된 유체를 회수하는 용기;
    상기 스핀 헤드에 지지된 기판으로 유체를 공급하는 노즐 유닛을 포함하되,
    상기 노즐 유닛은
    액상의 제1유체를 상기 기판으로 토출하는 제1노즐;
    상기 제1유체와 상이한 제2유체를 상기 기판으로 토출하는 제2노즐;
    상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 지지하는 지지 로드; 및
    상기 제2노즐의 토출구를 에워싸는 링 형상의 토출 유로를 형성하며, 상기 토출 유로를 통해 가스를 상기 기판으로 토출하는 제3노즐을 포함하며,
    상기 노즐 유닛은
    상기 제2노즐과 연결되며, 제1 가스조절밸브가 설치된 제1 가스공급라인;
    상기 제3노즐과 연결되며, 제2 가스조절밸브가 설치된 제2 가스공급라인; 및
    상기 제2노즐에서 토출되는 상기 제2유체의 유압이 상기 제3노즐에서 토출되는 상기 가스의 유압보다 크도록 상기 제1 가스조절밸브와 상기 제2 가스조절밸브를 조절하는 제어부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 노즐 유닛은
    유체 저장부;
    상기 제1노즐과 상기 유체 저장부를 연결하는 유체공급라인; 및
    일단이 상기 제3노즐과 연결되는 제2 가스공급라인;을 더 포함하며,
    상기 제2유체와 상기 가스는 동일한 유체인 기판 처리 장치.
  8. 제1노즐과 제2노즐을 지지하는 지지로드를 이동시켜, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 기판 상부에 위치시키는 단계;
    상기 제1노즐을 통해 액상의 제1유체를 상기 기판으로 공급하는 단계; 및
    상기 제2노즐을 통해 상기 제1유체가 도포된 상기 기판의 상면으로 상기 제1유체와 상이한 제2유체를 공급하는 단계를 포함하되,
    상기 제1유체를 공급하는 단계와 상기 제2유체를 공급하는 단계 중 적어도 어느 하나의 단계에서는 상기 제2노즐의 둘레를 에워싸는 토출유로를 통해 가스가 상기 기판을 향해 분사되며,
    상기 제2유체는 상기 가스와 동일한 유체이며,
    상기 제2노즐에서 공급되는 제2유체의 유압은 상기 토출 유로에서 토출되는 가스의 유압보다 큰 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 가스는 상기 제1유체가 공급되는 동안 상기 기판으로 분사되는 기판 처리 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 가스는 상기 제2유체가 공급되는 동안 상기 기판으로 분사되는 기판 처리 방법.
  11. 삭제
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 토출 유로는 상기 제2노즐의 둘레를 에워싸는 링 형상을 가지며,
    상기 토출 유로에서 분사되는 가스는 상기 제2노즐의 토출구 주변에 가스 커튼을 형성하는 기판 처리 방법.
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