KR20210099517A - 가공 장치 - Google Patents

가공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210099517A
KR20210099517A KR1020210008616A KR20210008616A KR20210099517A KR 20210099517 A KR20210099517 A KR 20210099517A KR 1020210008616 A KR1020210008616 A KR 1020210008616A KR 20210008616 A KR20210008616 A KR 20210008616A KR 20210099517 A KR20210099517 A KR 20210099517A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
imaging unit
workpiece
chuck table
processing
Prior art date
Application number
KR1020210008616A
Other languages
English (en)
Inventor
요시마사 고지마
아츠시 구보
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20210099517A publication Critical patent/KR20210099517A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823Devices involving rotation of the workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702Auxiliary equipment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0029Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rotating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052Means for supporting or holding work during breaking
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/023Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00865Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
    • B81C1/00888Multistep processes involving only mechanical separation, e.g. grooving followed by cleaving
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0035Testing
    • B81C99/004Testing during manufacturing
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/30Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/90Arrangement of cameras or camera modules, e.g. multiple cameras in TV studios or sports stadiums
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/222Studio circuitry; Studio devices; Studio equipment
    • H04N5/262Studio circuits, e.g. for mixing, switching-over, change of character of image, other special effects ; Cameras specially adapted for the electronic generation of special effects
    • H04N5/2628Alteration of picture size, shape, position or orientation, e.g. zooming, rotation, rolling, perspective, translation
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N7/00Television systems
    • H04N7/18Closed-circuit television [CCTV] systems, i.e. systems in which the video signal is not broadcast
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/222Studio circuitry; Studio devices; Studio equipment
    • H04N5/262Studio circuits, e.g. for mixing, switching-over, change of character of image, other special effects ; Cameras specially adapted for the electronic generation of special effects
    • H04N5/2624Studio circuits, e.g. for mixing, switching-over, change of character of image, other special effects ; Cameras specially adapted for the electronic generation of special effects for obtaining an image which is composed of whole input images, e.g. splitscreen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

[과제] 척 테이블의 하측에서 피가공물을 촬상한 화상을 표시 장치에 표시하여, 작업자가 표시된 상기 화상을 보면서 작업을 하는 경우에, 작업자의 부담을 줄일 수 있는 가공 장치를 제공한다.
[해결수단] 일면에서부터 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과, 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 척 테이블의 상측에 마련되며, 이면 측의 정상을 취득하는 제1 촬상 유닛과, 척 테이블의 하측에 마련되며, 표면 측의 정상을 취득하는 제2 촬상 유닛과, 제1 촬상 유닛으로 촬상된 이면 측의 화상과 제2 촬상 유닛으로 촬상된 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치와, 이면 측의 정상과 표면 측의 정상의 방향이 일치하도록 이면 측의 정상 및 표면 측의 정상 중 어느 하나를 화상 처리하여 소정 방향에서 반전시킨 상태로 표시 장치에 표시하게 하는 제어부를 구비하는 가공 장치를 제공한다.

Description

가공 장치{MACHINING APPARATUS}
본 발명은, 표면 측에 소정의 패턴이 형성된 피가공물의 상기 표면 측을 유지한 상태에서 피가공물의 이면 측을 가공하는 가공 장치에 관한 것이다.
휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기기기에 이용되는 반도체 디바이스 칩은, 예컨대 실리콘 등의 반도체 재료로 형성된 원반형의 웨이퍼(피가공물)를 가공함으로써 제조된다. 피가공물의 표면 측에는 복수의 분할 예정 라인이 설정되어 있고, 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에는 IC(Integrated Circuit), LSI(Large Scale Integration), MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 등의 디바이스가 형성되어 있다.
피가공물로 디바이스 칩을 제조하기 위해서는, 예컨대 피가공물의 이면 측을 연삭함으로써 피가공물을 소정의 두께로 얇게 한 후, 피가공물을 각 분할 예정 라인을 따라 절삭함으로써, 피가공물을 디바이스 단위로 분할하여 디바이스 칩을 제조한다.
피가공물을 절삭하는 절삭 공정에서는, 스핀들의 일단에 절삭 블레이드가 장착된 절삭 유닛과, 피가공물을 흡인하여 유지하는 척 테이블을 구비하는 절삭 장치가 사용된다. 통상의 절삭 공정에서는, 우선 피가공물의 표면 측을 상향으로 하고, 피가공물의 이면 측을 척 테이블로 흡인하여 유지한다.
이면 측을 유지한 후, 척 테이블의 상측에 마련되어 있는 제1 카메라로 피가공물의 표면 측을 촬상함으로써 얼라인먼트를 행한다. 제1 카메라는, 피사체를 가시광으로 촬상하기 위한 CCD(Charge-Coupled Device) 이미지 센서 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서 등의 촬상 소자를 갖는다.
제1 카메라로 얼라인먼트 마크 등이 형성되어 있는 피가공물의 표면 측을 촬상한 결과에 기초하여, 피가공물의 위치 보정 등의 얼라인먼트를 행한다. 얼라인먼트 후에, 각 분할 예정 라인을 따라 절삭 블레이드로 피가공물을 절삭한다.
그러나, 최근 디바이스의 다양화에 따라, 피가공물의 이면 측에서 피가공물을 절삭하는 경우가 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 이 경우, 피가공물의 표면 측은 하향으로 배치되어 척 테이블로 유지되기 때문에, 척 테이블의 상측에 마련되어 있는 제1 카메라로 피가공물의 이면 측을 촬상하더라도 얼라인먼트 마크 등은 촬상할 수 없다.
그래서, 가시광에 대하여 투명한 재료로 형성된 척 테이블과, 척 테이블의 하측에 배치된 가시광용의 제2 카메라를 구비하는 절삭 장치가 개발되었다(예컨대 특허문헌 2 참조).
제2 카메라를 이용하면, 피가공물의 표면 측을 척 테이블로 유지한 상태에서, 척 테이블 하측에서 피가공물의 표면 측을 촬상할 수 있다. 그러므로, 피가공물의 이면 측을 상향으로 하고, 피가공물의 표면 측을 척 테이블로 유지한 경우라도 표면 측을 관찰할 수 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허공개 2006-140341호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허공개 2010-87141호 공보
그러나, 제2 카메라로 취득된 표면 측의 화상과, 제1 카메라로 취득된 이면 측의 화상을 액정 디스플레이 등의 표시 장치에 그대로 표시하게 하는 경우, 표면 측의 화상은 이면 측의 화상과 비교하여 좌우 또는 상하로 반전한 상태로 표시된다.
그 결과, 예컨대 표면 측의 화상에 있어서의 좌측 방향이 이면 측의 화상에 있어서의 우측 방향에 대응하게 된다. 그러므로, 작업자에게 있어서는 표면 측과 이면 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하지 않아, 이것이 작업자의 부담이 된다.
본 발명은 이러한 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 척 테이블 하측에서 피가공물을 촬상한 화상을 표시 장치에 표시하여, 작업자가 표시된 상기 화상을 보면서 작업을 하는 경우에, 작업자의 부담을 저감할 수 있는 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 일면과 이 일면과는 반대쪽에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면에서부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과, 표면 측에 소정의 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면 측이 상기 척 테이블의 상기 일면에서 유지되며 또한 상기 피가공물의 이면 측이 상측으로 노출된 상태에서 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 제1 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 상측에 마련되며, 상기 이면 측의 정상(正像)을 취득하는 제1 촬상 유닛과, 제2 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 하측에 마련되며, 상기 제1 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 상기 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 상기 표면 측의 정상을 취득하는 제2 촬상 유닛과, 상기 제1 촬상 유닛으로 취득된 상기 이면 측의 화상과 상기 제2 촬상 유닛으로 취득된 상기 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치와, 화상 처리를 실행하는 프로그램이 기억된 기억 장치와, 상기 프로그램에 따라서 화상을 처리하는 프로세서를 가지고, 상기 이면 측의 정상과 상기 표면 측의 정상의 방향이 일치하도록 상기 이면 측의 정상 및 상기 표면 측의 정상 중 어느 하나를 화상 처리하여 소정 방향에서 반전시킨 상태로 상기 표시 장치에 표시하게 하는 제어부를 구비하는 가공 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 일면과 이 일면과는 반대쪽에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면에서부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과, 표면 측에 소정의 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면 측이 상기 척 테이블의 상기 일면에서 유지되며 또한 상기 피가공물의 이면 측이 상측으로 노출된 상태에서 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 제1 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 상측에 마련되며, 상기 이면 측의 정상을 취득하는 제1 촬상 유닛과, 제3 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 하측에 마련되며, 상기 제1 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 상기 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 상기 표면 측의 경상(鏡像)을 취득하는 제3 촬상 유닛과, 상기 제1 촬상 유닛으로 취득된 상기 이면 측의 화상과 상기 제3 촬상 유닛으로 취득된 상기 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치를 구비하는 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 가공 장치는, 화상 처리를 실행하는 프로그램이 기억된 기억 장치와, 상기 프로그램에 따라서 화상을 처리하는 프로세서를 갖는 제어부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 이면 측의 정상과 상기 표면 측의 경상의 방향이 일치하도록 상기 이면 측의 정상 및 상기 표면 측의 경상 양쪽을 화상 처리하여 소정 방향에서 반전시킨 상태로 상기 표시 장치에 표시하게 한다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 일면과 이 일면과는 반대쪽에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면에서부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과, 표면 측에 소정의 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면 측이 상기 척 테이블의 상기 일면에서 유지되며 또한 상기 피가공물의 이면 측이 상측으로 노출된 상태에서 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 제4 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 상측에 마련되며, 상기 이면 측의 경상을 취득하는 제4 촬상 유닛과, 제2 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 하측에 마련되며, 상기 제4 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 상기 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 상기 표면 측의 정상을 취득하는 제2 촬상 유닛과, 상기 제4 촬상 유닛으로 취득된 상기 이면 측의 화상과 상기 제2 촬상 유닛으로 취득된 상기 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치를 구비하는 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 가공 장치는, 화상 처리를 실행하는 프로그램이 기억된 기억 장치와, 상기 프로그램에 따라서 화상을 처리하는 프로세서를 갖는 제어부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 이면 측의 경상과 상기 표면 측의 정상의 방향이 일치하도록 상기 이면 측의 경상 및 상기 표면 측의 정상 양쪽을 화상 처리하여 소정 방향에서 반전시킨 상태로 상기 표시 장치에 표시하게 한다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 일면과 이 일면과는 반대쪽에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면에서부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과, 표면 측에 소정의 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면 측이 상기 척 테이블의 상기 일면에서 유지되며 또한 상기 피가공물의 이면 측이 상측으로 노출된 상태에서 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 제4 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 상측에 마련되며, 상기 이면 측의 경상을 취득하는 제4 촬상 유닛과, 제3 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 하측에 마련되며, 상기 제4 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 상기 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 상기 표면 측의 경상을 취득하는 제3 촬상 유닛과, 상기 제4 촬상 유닛으로 취득된 상기 이면 측의 화상과 상기 제3 촬상 유닛으로 취득된 상기 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치와, 화상 처리를 실행하는 프로그램이 기억된 기억 장치와, 상기 프로그램에 따라서 화상을 처리하는 프로세서를 가지고, 상기 이면 측의 경상과 상기 표면 측의 경상의 방향이 일치하도록 상기 이면 측의 경상 및 상기 표면 측의 경상 중 어느 하나를 화상 처리하여 소정 방향에서 반전시킨 상태로 상기 표시 장치에 표시하게 하는 제어부를 구비하는 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는 상기 표시 장치에는 상기 이면 측의 화상와 함께 상기 표면 측의 화상이 표시된다.
또한, 바람직하게는, 상기 가공 유닛은, 스핀들을 가지며 또한 상기 스핀들의 일단에 절삭 블레이드가 장착되는 절삭 유닛이거나, 또는 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발진기와, 이 레이저 발진기로부터 출사된 상기 레이저 빔을 집광시키는 집광 렌즈를 갖는 레이저 조사 유닛이다.
본 발명의 일 양태에 따른 가공 장치의 척 테이블은, 일면에서부터 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는다. 척 테이블 상측에는 이면 측의 정상을 취득하는 제1 촬상 유닛이 마련되어 있다. 또한, 척 테이블 하측에는 제1 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 표면 측의 정상을 취득하는 제2 촬상 유닛이 마련되어 있다.
가공 장치는 표시 장치와 제어부를 더 구비한다. 표시 장치는, 제1 촬상 유닛으로 취득된 이면 측의 화상과 제2 촬상 유닛으로 취득된 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시한다.
제어부는, 이면 측의 정상과 표면 측의 정상의 방향이 일치하도록 이면 측의 정상 및 표면 측의 정상 중 어느 하나를 화상 처리하여 소정 방향에서 반전시킨 상태로 표시 장치에 표시하게 한다. 이에 따라, 작업자는 표면 측과 이면 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 되기 때문에, 작업자의 부담이 줄어든다.
도 1은 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 피가공물 유닛의 사시도이다.
도 3은 척 테이블 등의 사시도이다.
도 4는 척 테이블 등의 일부 단면 측면도이다.
도 5는 도 4의 영역 A의 확대도이다.
도 6은 Z축 이동 기구 등의 확대 사시도이다.
도 7의 (a)는 표면 측의 화상의 일례이고, 도 7의 (b)는 소정 방향에서 반전된 표면 측의 화상의 일례이다.
도 8의 (a)는 표면 측의 화상과 이면 측의 화상의 표시 방법의 일례이고, 도 8의 (b)는 표면 측의 화상과 이면 측의 화상의 표시 방법의 다른 예이다.
도 9는 절삭 공정을 도시하는 도면이다.
도 10은 커프 체크(kerf check) 공정을 도시하는 도면이다.
도 11은 제1 변형예에 따른 하측 촬상 유닛 등을 도시하는 도면이다.
도 12는 제2 변형예에 따른 상측 촬상 유닛 등을 도시하는 도면이다.
도 13은 제3 변형예에 따른 하측 촬상 유닛, 상측 촬상 유닛 등을 도시하는 도면이다.
도 14는 레이저 가공 장치의 사시도이다.
첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 양태에 따른 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 절삭 장치(2)의 사시도이다. 또한, 도 1에서는 구성 요소의 일부를 기능 블록도로 도시한다. 또한, 이하의 설명에 이용되는 X축 방향(가공 이송 방향), Y축 방향(인덱싱 이송 방향) 및 Z축 방향(연직 방향, 절입 이송 방향)은 서로 수직이다.
절삭 장치(가공 장치)(2)는 각 구성 요소를 지지하는 베이스(4)를 구비한다. 베이스(4)의 전방(+Y 방향)의 코너부에는 개구(4a)가 형성되어 있고, 이 개구(4a) 내에는 카세트 엘리베이터(미도시)가 마련되어 있다. 카세트 엘리베이터의 상면에는, 복수의 피가공물(11)(도 2 참조)을 수용하기 위한 카세트(6)가 실린다.
피가공물(11)은 예컨대 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 원반형의 웨이퍼이다. 단, 피가공물(11)의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예컨대 다른 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어지는 기판 등을 피가공물(11)로서 이용할 수도 있다.
도 2에 도시하는 것과 같이, 피가공물(11)의 표면(11a) 측은, 상호 교차하는 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)에 의해서 복수의 영역으로 구획되어 있다. 표면(11a) 측의 각 영역에는, IC(Integrated Circuit) 등의 디바이스(15), 얼라인먼트 마크(도 7(a)의 마크(98)) 등이 형성되어 있다. 단, 디바이스(15)의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에 제한은 없다. 피가공물(11)에는 디바이스(15)가 형성되어 있지 않아도 좋다.
피가공물(11)의 표면(11a) 측에는 피가공물(11)보다도 대직경의 테이프(다이싱 테이프)(17)가 접착되어 있다. 테이프(17)는 가시광을 투과하는 투명재로 형성되어 있다. 테이프(17)는 예컨대 기재층과 점착층(풀층)의 적층 구조를 갖는다.
기재층은 예컨대 폴리오레핀(PO) 등으로 형성되어 있다. 점착층은 예컨대 자외선(UV) 경화형 아크릴 수지 등의 점착성 수지로 형성되어 있다. 이 테이프(17)의 점착층 측이 피가공물(11)의 표면(11a) 측에 접착된다.
테이프(17)의 외주 부분에는 금속으로 형성된 환상의 프레임(19)이 고정된다. 이와 같이, 피가공물(11)은 테이프(17)를 통해 프레임(19)으로 지지된 피가공물 유닛(21)의 상태로 카세트(6)에 수용된다. 도 2는 피가공물 유닛(21)의 사시도이다.
도 1에 도시하는 것과 같이, 개구(4a)의 후방(-Y 방향)에는 X축 방향으로 긴 개구(4b)가 형성되어 있다. 개구(4b)에는 원반형의 척 테이블(10)이 배치되어 있다. 또한, 척 테이블(10)의 외주부에는, 원주 방향을 따라 이산적으로 흡인구가 형성된 원환형의 프레임 흡인판(미도시)이 마련된다.
여기서, 도 3부터 도 5를 참조하여 척 테이블(10) 등에 관해서 더욱 자세히 설명한다. 도 3은 척 테이블(10) 등의 사시도이고, 도 4는 척 테이블(10) 등의 일부 단면 측면도이다. 단, 도 4에서는 편의상 해칭을 생략하고 있다. 도 5는 도 4의 영역 A의 확대도이다. 도 5에서는 구성 요소의 일부를 기능 블록도로 도시한다.
척 테이블(10)은 원반형(판형)의 유지 부재(12)를 갖는다. 유지 부재(12)는 대략 평탄한 일면(12a)과 이 일면(12a)과는 반대쪽에 위치하는 타면(12b)(도 5 참조)을 포함한다. 유지 부재(12)는 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 가시광이 투과하는 투명재로 형성되어 있다.
유지 부재(12)의 내부에는 복수의 유로가 형성되어 있다. 본 실시형태의 유지 부재(12)의 내부에는, 유지 부재(12)를 Z축 방향에서 본 경우에, 원반의 중심축을 가로지르도록 직선형의 제1 흡인로(12c1)가 형성되어 있다. 또한, XY 평면 방향에 있어서 제1 흡인로(12c1)와 직교하는 양태로 직선형의 제2 흡인로(12c2)가 형성되어 있다.
제1 흡인로(12c1) 및 제2 흡인로(12c2)는, 원반의 중심축에 위치하는 교점(12c3)에서 교차하고 있으며, 상호 접속되어 있다. 일면(12a)의 외주부에는, 원주 방향에 있어서 상호 떨어지도록 복수의 개구부(12d)가 형성되어 있다. 각 개구부(12d)는, 타면(12b)에는 달하지 않는 일면(12a)에서부터 소정의 깊이까지 형성되어 있다.
제1 흡인로(12c1)의 양단부와 제2 흡인로(12c2)의 양단부에는 각각 개구부(12d)가 형성되어 있다. 각 개구부(12d)는, 유지 부재(12)의 외주부의 소정의 깊이에 형성되어 있는 외주 흡인로(12e)에 의해 원주 방향에서 접속되어 있다.
개구부(12d)의 외주 측에는 직경 방향으로 연장되는 흡인로(12f)가 형성되어 있고, 흡인로(12f)에는 이젝터 등의 흡인원(14)이 접속되어 있다(도 5 참조). 흡인원(14)을 동작시켜 부압을 발생시키면, 개구부(12d)에는 부압이 발생한다. 그러므로, 일면(12a)은 피가공물 유닛(21)(피가공물(11))을 흡인하여 유지하는 유지면으로서 기능한다.
그런데 제1 흡인로(12c1), 제2 흡인로(12c2), 개구부(12d), 외주 흡인로(12e), 흡인로(12f) 등의 유지 부재(12)의 유로에서는, 입사한 빛의 일부가 산란 또는 반사된다. 그러므로, 유지 부재(12)의 유로는, 일면(12a) 또는 타면(12b)에서 본 경우에, 가시광에 대하여 완전히 투명이 아니라, 투광성을 갖는 경우나 불투명한 경우가 있다.
그러나, 유지 부재(12)의 유로를 제외한 소정의 영역은 일면(12a)에서부터 타면(12b)까지 투명하다. 구체적으로는, 제1 흡인로(12c1) 및 제2 흡인로(12c2)에 의해 4분할되며 또한 유지 부재(12)의 직경 방향에 있어서 외주 흡인로(12e)보다도 내측에 위치하는 영역은 일면(12a)에서부터 타면(12b)까지 투명하다.
유지 부재(12)의 외주에는, 스테인리스 등의 금속 재료로 형성된 원통형의 테두리(16)가 마련되어 있다. 테두리(16)의 상부에는 개구부(16a)가 형성되어 있고(도 5 참조), 유지 부재(12)는 이 개구부(16a)를 막도록 배치되어 있다.
테두리(16)는, 도 3 및 도 4에 도시하는 것과 같이 X축 이동 테이블(18)에 지지되어 있다. X축 이동 테이블(18)은 Z축 방향에서 본 형상이 장방형인 바닥판(18a)을 포함한다. 바닥판(18a)의 전방(+Y 방향)의 일단에는, Y축 방향에서 본 형상이 장방형인 측판(18b)의 하단이 접속되어 있다.
측판(18b)의 상단에는, Z축 방향에서 본 형상이 바닥판(18a)과 동일한 장방형인 상부판(18c)의 전방의 일단이 접속되어 있다. 바닥판(18a)과 상부판(18c)의 사이에는, 후방(-Y 방향)의 일단 및 X축 방향의 양단이 개방된 공간(18d)이 형성되어 있다.
바닥판(18a)의 하측(-Z 방향)에는, 바닥판(18a)이 슬라이드 가능한 양태로, X축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 X축 가이드 레일(20)이 마련되어 있다. 한 쌍의 X축 가이드 레일(20)은 정지 베이스(미도시)의 상면에 고정되어 있다.
X축 가이드 레일(20)에 인접하는 위치에는, X축 이동 테이블(18)의 X축 방향의 위치를 검출할 때에 사용되는 X축 리니어 스케일(20a)이 마련되어 있다. 또한, X축 이동 테이블(18)의 하면 측에는 판독 헤드(미도시)가 마련되어 있다.
X축 이동 테이블(18)의 이동 시에는, X축 리니어 스케일(20a)의 눈금을 판독 헤드로 검출함으로써, X축 이동 테이블(18)의 X축 방향의 위치(좌표)나 X축 방향의 이동량이 산출된다.
X축 이동 테이블(18)의 바닥판(18a)의 하면 측에는 너트부(미도시)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, X축 가이드 레일(20)에 대략 평행한 X축 볼나사(22)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
X축 볼나사(22)의 일단부에는 X축 펄스 모터(24)가 연결되어 있다. X축 펄스 모터(24)로 X축 볼나사(22)를 회전시키면, X축 이동 테이블(18)은 X축 가이드 레일(20)을 따라 X축 방향으로 이동한다. X축 가이드 레일(20), X축 볼나사(22), X축 펄스 모터(24) 등은, X축 이동 테이블(18)을 이동시키는 X축 이동 기구(26)를 구성한다.
X축 이동 테이블(18)의 상부판(18c)의 상면 측에는, 테두리(16)가, Z축 방향에 대략 평행한 회전축 둘레로 회전할 수 있는 양태로 상부판(18c)에 지지되어 있다. 테두리(16)는 원통형의 측면인 풀리부(16b)를 포함한다. 풀리부(16b)는, 테두리(16)가 X축 이동 테이블(18)로 지지된 경우에, 상부판(18c)보다도 상측에 위치한다.
X축 이동 테이블(18)의 측판(18b)에는, 모터 등의 회전 구동원(30)이 마련되어 있다. 회전 구동원(30)의 회전축에는 풀리(30a)가 마련되어 있다. 풀리(30a) 및 풀리부(16b)에는 하나의 회전 무단 벨트(벨트(28))가 걸쳐져 있다.
회전 구동원(30)을 동작시켜 풀리(30a)를 회전시키면, 벨트(28)를 통해 전달되는 힘에 의해서, 테두리(16)는 Z축 방향에 대략 평행한 회전축 둘레로 회전한다. 풀리(30a)의 회전을 제어함으로써, 회전축의 둘레에서 임의의 각도만큼 척 테이블(10)을 회전할 수 있다.
X축 이동 기구(26)의 X축 방향의 연장선상에는 Y축 이동 기구(32)가 마련되어 있다. Y축 이동 기구(32)는 Y축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 Y축 가이드 레일(34)을 구비한다. 한 쌍의 Y축 가이드 레일(34)은 정지 베이스(미도시)의 상면에 고정되어 있다.
Y축 가이드 레일(34) 상에는 Y축 이동 테이블(36)이 슬라이드 가능하게 부착되어 있다. Y축 이동 테이블(36)의 하면 측에는 너트부(미도시)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(34)에 대략 평행한 Y축 볼나사(38)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
Y축 볼나사(38)의 일단부에는 Y축 펄스 모터(40)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터(40)로 Y축 볼나사(38)를 회전시키면, Y축 이동 테이블(36)은 Y축 가이드 레일(34)을 따라 Y축 방향으로 이동한다.
Y축 가이드 레일(34)에 인접하는 위치에는, Y축 이동 테이블(36)의 Y축 방향의 위치를 검출할 때에 사용되는 Y축 리니어 스케일(미도시)이 마련되어 있다. 또한, Y축 이동 테이블(36)의 하면 측에는 판독 헤드(미도시)가 마련되어 있다.
Y축 이동 테이블(36)의 이동 시에는, Y축 리니어 스케일의 눈금을 판독 헤드로 검출함으로써, Y축 이동 테이블(36)의 Y축 방향의 위치(좌표)나 Y축 방향의 이동량이 산출된다.
Y축 이동 테이블(36)의 상면에는 Z축 이동 기구(42)가 마련되어 있다. 도 6은 Z축 이동 기구(42) 등의 확대 사시도이다. Z축 이동 기구(42)는 Y축 이동 테이블(36)의 상면에 고정된 지지 구조(42a)를 갖는다.
지지 구조(42a)의 X축 이동 테이블(18) 측의 측면에는, Z축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 Z축 가이드 레일(44)이 고정되어 있다. Z축 가이드 레일(44)에는, Z축 이동 플레이트(46)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(46)의 이면 측(측면의 Z축 가이드 레일(44) 측)에는 너트부(미도시)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, Z축 가이드 레일(44)에 대략 평행한 Z축 볼나사(48)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
Z축 볼나사(48)의 일단부에는 Z축 펄스 모터(50)가 연결되어 있다. Z축 펄스 모터(50)로 Z축 볼나사(48)를 회전시키면, Z축 이동 플레이트(46)는 Z축 가이드 레일(44)을 따라 Z축 방향으로 이동한다.
Z축 가이드 레일(44)에 인접하는 위치에는 Z축 리니어 스케일(미도시)이 마련되어 있고, Z축 이동 플레이트(46)의 Z축 가이드 레일(44) 측에는 판독 헤드(미도시)가 마련되어 있다. Z축 이동 플레이트(46)의 이동 시에는, Z축 리니어 스케일의 눈금을 판독 헤드로 검출함으로써, Z축 이동 플레이트(46)의 Z축 방향의 위치(좌표) 등이 산출된다.
Z축 이동 플레이트(46)에는, X축 방향으로 긴 지지 아암(52)을 통해 하측 촬상 유닛(제2 촬상 유닛)(54)이 고정되어 있다. 본 실시형태의 하측 촬상 유닛(54)은 저배율 카메라(56)와 고배율 카메라(58)를 포함한다.
저배율 카메라(56) 및 고배율 카메라(58) 각각은, 렌즈 등의 소정의 광학계와 CCD(Charge-Coupled Device) 이미지 센서 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서 등의 촬상 소자(제2 촬상 소자)를 갖는다.
하측 촬상 유닛(54)은 척 테이블(10)보다도 하측에 배치되어 있고, 각 렌즈의 광축이 유지 부재(12)의 타면(12b)에 대략 수직이 되는 양태로 타면(12b)에 대향하여 마련되어 있다.
저배율 카메라(56)의 측방에는, 상측에 위치하는 피사체(예컨대 피가공물(11))에 대하여 가시광을 조사하는 조명 장치(56a)가 마련되어 있다. 마찬가지로 고배율 카메라(58)의 측방에도 조명 장치(58a)가 마련되어 있다.
하측 촬상 유닛(54)으로 피가공물(11)을 촬상하는 경우에는, X축 이동 테이블(18)을 Y축 이동 테이블(36) 측으로 이동시켜, 공간(18d)에 하측 촬상 유닛(54)을 배치한다. 그리고, 유지 부재(12)의 일면(12a) 측에 배치되는 피가공물(11)을 하측에서 촬상한다.
이와 같이 하여, 표면(11a) 측의 정상(즉, 실제로 본 그대로의 화상)을 취득할 수 있다. 또한, 하측 촬상 유닛(54)은, 반드시 저배율 카메라(56) 및 고배율 카메라(58)의 2개의 카메라를 갖지 않아도 좋다. 하측 촬상 유닛(54)은 소정 배율의 카메라를 하나만 갖더라도 좋다.
여기서, 도 1로 되돌아가 절삭 장치(2)의 다른 구성 요소에 관해서 설명한다. X축 이동 테이블(18)의 상부판(18c)보다도 +X 방향 및-X 방향에는, 개구(4b)를 덮는 양태로 신축이 자유로운 주름상자형의 방진방적(防塵防滴) 커버가 부착되어 있다.
개구(4b)의 상측에는, 개구(4b)를 걸치는 식으로 도어 형태의 지지 구조(4c)가 마련되어 있다. 지지 구조(4c)의 측면 중 개구(4a) 측에 위치하는 한 측면에는 2개의 가공 유닛 이동 기구(인덱싱 이송 유닛, 절입 이송 유닛)(60)이 마련되어 있다.
각 가공 유닛 이동 기구(60)는, 지지 구조(4c)의 한 측면에 고정되며 또한 Y축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 Y축 가이드 레일(62)을 공유하고 있다. Y축 가이드 레일(62)에는, 2개의 Y축 이동 플레이트(64)가 상호 독립적으로 슬라이드 가능한 양태로 부착되어 있다.
Y축 이동 플레이트(64)의 지지 구조(4c) 측에 위치하는 일면에는 너트부(미도시)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(62)에 대략 평행한 Y축 볼나사(66)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다. 또한, 각 Y축 이동 플레이트(64)의 너트부는 다른 Y축 볼나사(66)에 연결되어 있다.
각 Y축 볼나사(66)의 일단부에는 Y축 펄스 모터(68)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터(68)로 Y축 볼나사(66)를 회전시키면, Y축 이동 플레이트(64)는 Y축 가이드 레일(62)을 따라 Y축 방향으로 이동한다.
각 Y축 이동 플레이트(64)의 지지 구조(4c)와는 반대쪽에 위치하는 타면에는, Z축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 Z축 가이드 레일(72)이 각각 마련되어 있다. Z축 가이드 레일(72)에는 Z축 이동 플레이트(70)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(70)의 지지 구조(4c) 측에 위치하는 일면에는 너트부(미도시)가 마련되어 있고, 이 너트부에는 Z축 가이드 레일(72)에 평행한 Z축 볼나사(74)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
Z축 볼나사(74)의 일단부에는 Z축 펄스 모터(76)가 연결되어 있다. Z축 펄스 모터(76)로 Z축 볼나사(74)를 회전시키면, Z축 이동 플레이트(70)는 Z축 가이드 레일(72)을 따라 Z축 방향으로 이동한다.
Z축 이동 플레이트(70)의 하부에는 절삭 유닛(가공 유닛)(78)이 마련되어 있다. 절삭 유닛(78)은 통형의 스핀들 하우징(80)을 구비하고 있다. 스핀들 하우징(80) 내에는, 원주형의 스핀들(82a)(도 9 참조)의 일부가 회전 가능한 양태로 수용되어 있다.
스핀들(82a)의 일단에는, 스핀들(82a)을 회전시키는 서보 모터 등의 회전 구동 기구(미도시)가 연결되어 있다. 또한, 스핀들(82a)의 타단에는, 원환형의 절단날을 갖는 절삭 블레이드(82b)가 장착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(70)의 하부에는, 절삭 유닛(78)에 인접하는 양태로 상측 촬상 유닛(제1 촬상 유닛)(84)이 연결되어 있다. 상측 촬상 유닛(84)은 렌즈 등의 소정의 광학계와 촬상 소자(제1 촬상 소자)를 갖는다.
상측 촬상 유닛(84)은, 척 테이블(10)의 상측에 위치하고 있고, 렌즈의 광축이 유지 부재(12)의 일면(12a)에 대략 수직이 되는 양태로 일면(12a)에 대향하여 마련되어 있다. 상측 촬상 유닛(84)은, 일면(12a)에서 표면(11a) 측이 유지된 피가공물(11)의 이면(11b)을 촬상한다. 이와 같이 하여 이면(11b) 측의 정상을 취득할 수 있다.
개구(4b)에 대하여 개구(4a)와 반대쪽의 위치에는 개구(4d)가 형성되어 있다. 개구(4d) 내에는, 절삭 후의 피가공물(11) 등을 세정하기 위한 세정 유닛(86)이 마련되어 있다. 세정 유닛(86)은, 피가공물(11)을 흡인 유지하는 세정 테이블(88)과, 세정 테이블(88)에 대향하도록 분사구가 배치된 노즐(90)을 포함한다.
베이스(4) 상에는 미도시의 하우징이 마련되어 있고, 하우징 전방의 측면에는, 입력부와 표시부를 겸하는 터치 패널(표시 장치)(92)이 마련되어 있다. 터치 패널(92)에는, 하측 촬상 유닛(54) 및 상측 촬상 유닛(84) 중 적어도 어느 하나로 촬상된 화상, 가공 조건, GUI(Graphical User Interface) 등이 표시된다.
여기서, 입력부와 표시부는 분리되어도 좋다. 이 경우, 터치 패널(92) 대신에, 비디오 모니터, 컴퓨터 스크린 등의 표시 장치와, 사용자 인터페이스가 되는 키보드, 마우스 등의 입력 장치가, 예컨대 하우징 전방의 측면에 마련된다.
절삭 장치(2)는, 흡인원(14), X축 이동 기구(26), 회전 구동원(30), Y축 이동 기구(32), Z축 이동 기구(42), 하측 촬상 유닛(54), 가공 유닛 이동 기구(60), 상측 촬상 유닛(84), 절삭 유닛(78), 터치 패널(92) 등을 제어하는 제어부(94)를 구비한다.
제어부(94)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)로 대표되는 프로세서 등의 처리 장치와, DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), ROM(Read Only Memory) 등의 주기억 장치와, 플래시 메모리, 하드디스크 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브 등의 보조 기억 장치를 포함하는 컴퓨터에 의해서 구성되어 있다.
보조 기억 장치에는 소정의 프로그램을 포함하는 소프트웨어가 기억되어 있다. 이 소프트웨어에 따라서 처리 장치 등을 동작시킴으로써 제어부(94)의 기능이 실현된다. 또한, 보조 기억 장치의 일부는, 제어부(94)에 소정의 화상 처리를 실행시키는 프로그램을 기억한 기억 장치(96)로서 기능한다.
기억 장치(96)에는, 화상을 소정 방향에서 반전시키는 화상 처리를 행하는 프로그램이 기억되어 있다. 화상 처리에 의해, 표면(11a) 측의 화상은 예컨대 X축 방향으로 반전(좌우 반전)한다. 화상을 X축 방향에서 반전시키는 알고리즘의 일례를 간단히 설명한다.
화상의 네 코너의 좌표가 (x1,y1), (x1,y2), (x2,y1), (x2,y2)인 경우를 생각한다. 이 경우, (x1,y1) 화소에 있어서의 화소치와 (x2,y1) 화소에 있어서의 화소치를, ((x1+x2)/2,y1)에 대하여 교체한다.
(x1+x2)/2를 지나는 Y축에 평행한 직선에 대하여, 같은 식의 작업을 다른 좌표의 화소에 대하여도 행함으로써, 화상을 X축 방향에서 반전시킬 수 있다. 또한, 이 예에 한정되지 않고, 화상을 소정 방향에서 반전시키는 다른 알고리즘이 채용되어도 좋다.
또한, 기억 장치(96)에는, 패턴 매칭 등의 화상 처리를 행하는 프로그램이 기억되어 있다. 이 프로그램은 기지(旣知)이며, 상기 프로그램을 이용하여, 표면(11a) 측의 화상으로부터 표면(11a) 측에 형성되어 있는 소정의 패턴이 추출된다.
소정의 패턴은, 예컨대 분할 예정 라인(13), 디바이스(15), 마크(98) 및 회로(100)(도 7(a) 등 참조)의 윤곽이다. 또한, 마크(98)는 얼라인먼트 마크, 키 패턴, 타겟 패턴 등이라고 불리는 경우도 있다.
도 7(a)은 표면(11a) 측 화상의 일례이다. 하측 촬상 유닛(54)으로 취득된 표면(11a) 측의 정상과, 상측 촬상 유닛(84)으로 취득된 이면(11b) 측의 정상을 터치 패널(92)에 그대로 표시하게 하는 경우, 도 7(a)에 도시하는 표면(11a) 측의 정상은 이면(11b) 측의 정상과 비교하여 X축 방향에서 반전되어 있다.
그 결과, 예컨대 표면(11a) 측 화상에 있어서의 좌측 방향이 이면(11b) 측 화상에 있어서의 우측 방향에 대응하기 때문에, 작업자에게 있어서는 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하지 않다. 이것이 절삭 장치(2)를 조작하는 작업자의 부담이 된다.
본 실시형태에서는, 이면(11b) 측의 정상과 표면(11a) 측의 정상의 방향이 일치하도록 제어부(94)가 표면(11a) 측의 정상을 화상 처리하고, 상기 정상을 X축 방향(소정 방향)에 대하여 반전시킨 상태(즉, 경상 상태)로 터치 패널(92)에 표시하게 한다.
도 7(b)은 이면(11b) 측 화상의 방향과 일치하도록 소정 방향에서 반전된 표면(11a) 측 화상의 일례이다. 도 7(b)은 도 7(a)의 경상이다. 표면(11a) 측의 정상은, 도 7(b)에 도시하는 것과 같이 경상 상태로 터치 패널(92)에 표시된다.
이에 따라, 작업자는, 이면(11b)(상면)으로부터 피가공물(11) 틈 사이로 표면(11a)(하면)을 비쳐 보고 있는 것처럼 표면(11a) 측을 볼 수 있다. 따라서, 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 되어, 작업자의 부담이 줄어든다.
표면(11a) 측의 화상과 이면(11b) 측의 화상은 선택적으로 터치 패널(92)에 표시되어도 좋고, 표면(11a) 측의 화상은 이면(11b) 측의 화상과 함께 터치 패널(92)에 표시되어도 좋다.
예컨대 이면(11b) 측에 형성된 절삭 홈(커프)을 포함하는 영역의 화상(23b)과, 피가공물(11)의 두께 방향에서 이면(11b) 측의 상기 영역에 대응하는 표면(11a) 측 영역의 화상(23a)이, 동시에 터치 패널(92)에 표시된다(도 8(a) 참조).
또한, 척 테이블(10)에 대한 상측 촬상 유닛(84)과 하측 촬상 유닛(54)의 각 위치는 제어부(94)에 의해 파악되고 있다. 그러므로, 척 테이블(10)의 일면(12a)에서 유지된 피가공물(11)에 있어서, 이면(11b) 측의 소정의 영역과 이 영역에 대응하는 표면(11a) 측의 영역은 특정될 수 있다.
도 8(a)은 터치 패널(92)에 각각 표시되는 표면(11a) 측의 경상의 화상(23a)과 이면(11b) 측의 정상의 화상(23b)의 표시 방법의 일례이다. 화상(23a) 및 화상(23b)을 함께 표시하게 함으로써, 화상(23a)과 화상(23b)이 택일적으로 표시되는 경우와 비교하여, 커프 체크를 하기 쉽게 된다.
또한, 화상(23a) 및 화상(23b)은 반드시 도 8(a)과 같이 늘어서 표시되지 않아도 좋다. 도 8(b)은 표면(11a) 측의 화상(23a)과 이면(11b) 측의 화상(23b)의 표시 방법의 다른 예이다.
도 8(b)에 도시하는 것과 같이, 표면(11a) 측의 화상(23a)의 일부에 이면(11b) 측의 화상(23b)을 표시하여도 좋다. 물론 화상(23a) 및 화상(23b)을 작업자가 동시에 관찰할 수 있으면 다른 표시 방법이 채용되어도 좋다.
또한, 표면(11a) 측의 경상의 화상을 화상(23a)으로 하고, 표면(11a) 측의 정상의 화상을 화상(23b)으로 하여, 화상(23a) 및 화상(23b)을 도 8(a)과 같이 터치 패널(92)에 표시하게 하여도 좋다. 또한 이 대신에, 표면(11a) 측의 정상의 화상을 화상(23a)으로 하고, 표면(11a) 측의 경상의 화상을 화상(23b)으로 하여도 좋다.
이어서, 도 9, 도 10 등을 이용하여 피가공물(11)의 가공 방법에 관해서 설명한다. 우선, 이면(11b) 측이 상측에 노출되는 양태로 피가공물 유닛(21)을 척 테이블(10)의 일면(12a)에 배치한다(배치 공정(S10)).
배치 공정(S10) 후, 흡인원(14)을 동작시켜, 테이프(17)를 통해 피가공물(11)의 표면(11a) 측을 일면(12a)에서 유지하고, 프레임(19)을 프레임 흡인판(미도시)으로 유지한다(유지 공정(S20)). 유지 공정(S20) 후, 티치 공정(S30)을 행한다.
티치 공정(S30)에서는, 예컨대 하측 촬상 유닛(54)을 이용하여 표면(11a) 측의 정상을 촬상하고, 이 정상을 경상으로 변환한 화상을 터치 패널(92)에 실시간으로 표시하게 한 상태에서, 작업자가 표면(11a) 측의 마크(98)를 탐색한다.
원하는 마크(98)가 발견된 후, 그 마크(98)를 포함하는 표면(11a) 측의 화상을 하측 촬상 유닛(54)으로 취득한다. 마크(98)의 형상, 좌표 등은, 패턴 매칭의 템플릿으로서, 예컨대 기억 장치(96)에 기억된다.
또한, 마크(98)와 분할 예정 라인(13)의 중심선과의 거리 및 Y축 방향에 있어서 인접하는 2개의 분할 예정 라인(13)의 거리(스트리트 피치)가 기억 장치(96)에 기억된다. 여기서, 기억되는 각 좌표는 상술한 교점(12c3)을 원점으로 하는 XY 좌표이다.
티치 공정(S30) 후, 피가공물(11)의 얼라인먼트를 행한다(얼라인먼트 공정(S40)). 얼라인먼트 공정(S40)에서도, 작업자는 하측 촬상 유닛(54)으로 취득된 표면(11a) 측의 정상이 경상으로 변환된 화상을 터치 패널(92)에 실시간으로 표시하게 한 상태에서 작업을 행한다.
얼라인먼트 공정(S40)에서는, 우선 X축 방향을 따르는 하나의 분할 예정 라인(13)에 있어서의 상호 떨어진 복수 부위에서, 하측 촬상 유닛(54)(예컨대 저배율 카메라(56))을 이용하여 표면(11a) 측의 화상을 취득한다.
그리고, 복수 부위에서 취득된 표면(11a) 측의 화상에 있어서, 패턴 매칭 등의 소정의 처리에 의해 템플릿으로서 기억된 마크(98)와 동일한 패턴을 검출한다. 검출된 마크(98)와 동일한 패턴에 기초하여, 유지 부재(12)의 중심축 둘레에 있어서의 분할 예정 라인(13)의 θ 방향의 어긋남을 특정한다.
그 후, 회전 구동원(30)을 동작시켜 벨트(28)를 소정량만큼 회전시킴으로써, 분할 예정 라인(13)의 θ 방향의 어긋남을 보정한다. 이에 따라, 분할 예정 라인(13)을 X축 방향과 대략 평행하게 위치시킨다. 또한, 얼라인먼트 공정(S40)에서는, θ 방향의 보정 이외의 소정의 처리, 조작 등이 이루어지더라도 좋다.
얼라인먼트 공정(S40) 후, 피가공물(11)을 절삭(가공)한다(절삭 공정(S50)). 도 9는 절삭 공정(S50)을 도시하는 도면이다. 절삭 공정(S50)에서는, 우선 고속으로 회전하고 있는 절삭 블레이드(82b)를 분할 예정 라인(13)의 연장선상에 위치시킨다.
이때, 절삭 블레이드(82b)의 하단을, 피가공물(11)의 표면(11a)과 이면(11b)의 사이에 위치시킨다. 그리고, X축 이동 기구(26)로 척 테이블(10)과 절삭 블레이드(82b)를 X축 방향을 따라 상대적으로 이동시킨다.
이에 따라, 피가공물(11)의 두께 방향에 있어서 이면(11b) 측에서부터 표면(11a)에 달하지 않는 소정의 깊이까지, 피가공물(11)은 절삭 블레이드(82b)에 의해 부분적으로 절삭(가공)되어(즉, 하프 컷트되어), 분할 예정 라인(13)을 따라 절삭 홈(11c)이 형성된다.
또한, 절삭 공정(S50)에서의 절삭은 하프 컷트에 한정되지 않는다. 절삭 공정(S50)에서는, 이면(11b)에서부터 표면(11a)까지 절단하도록 피가공물(11)을 절삭(즉, 풀 컷트)하여도 좋다.
X축 방향에 평행한 하나의 분할 예정 라인(13)을 따라 피가공물(11)을 절삭한 후, 절삭 유닛(78)을 인덱싱 이송함으로써, Y축 방향에 인접하는 분할 예정 라인(13)의 연장선상에 절삭 블레이드(82b)를 위치시킨다. 그리고, 마찬가지로 분할 예정 라인(13)을 따라 피가공물(11)을 절삭한다.
이와 같이 하여, 제1 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 피가공물(11)을 절삭한 후, 회전 구동원(30)을 동작시켜, 척 테이블(10)을 90도 회전시킨다. 그리고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 X축 방향과 평행하게 위치시켜, 제2 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 피가공물(11)을 절삭한다.
절삭 공정(S50) 후, 커프 체크 공정(S60)을 행한다. 도 10은 커프 체크 공정(S60)을 도시하는 도면이다. 커프 체크 공정(S60)에서는, 절삭 홈(11c)을 포함하는 이면(11b) 측의 영역과, 이 영역에 대하여 피가공물(11)의 두께 방향에서 상호 대응하는 표면(11a) 측의 영역을 촬상한다.
그리고, 이면(11b) 측의 정상을 화상(23b)으로서, 표면(11a) 측의 경상을 화상(23a)으로서 터치 패널(92)에 표시하게 한다. 이에 따라, 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 되기 때문에, 커프 체크 시의 작업자의 부담이 줄어든다.
그런데, 본 실시형태에서는 표면(11a) 측의 정상을 화상 처리하여 경상을 작성했지만, 이면(11b) 측의 정상을 화상 처리하여 경상을 작성하여도 좋다. 이 경우, 표면(11a) 측의 정상이 화상(23a)으로서, 이면(11b) 측의 경상이 화상(23b)으로서 터치 패널(92)에 표시된다.
이어서, 제1 변형예에 관해서 설명한다. 제1 변형예에서는, 상측 촬상 유닛(84)이 이면(11b) 측의 정상을 취득하고, 하측 촬상 유닛(54)(제3 촬상 유닛)이 표면(11a) 측의 경상을 취득한다.
그리고, 제어부(94)는, 이면(11b) 측 및 표면(11a) 측의 화상에 대하여 반전처리를 실시하는 일 없이 양자를 터치 패널(92)에 표시하게 한다. 도 11은 제1 변형예에 따른 하측 촬상 유닛(54) 등을 도시하는 도면이다.
또한, 도 11에서는 편의상 측판(18b)을 생략하고 있다. 제1 변형예에 따른 하측 촬상 유닛(54)에서는, 지지 아암(52)의 길이 방향의 양단 사이에, 렌즈, 촬상 소자(제3 촬상 소자) 등을 각각 갖는 저배율 카메라(56) 및 고배율 카메라(58)가 배치되어 있다.
저배율 카메라(56) 및 고배율 카메라(58) 각각의 렌즈의 광축은, X축 방향에 대략 평행하게 배치되어 있다. 또한, 각 카메라에는 조명 장치(56a, 58a)가 설치되어 있지만, 도시를 생략한다.
지지 아암(52)의 선단부에는, XZ 평면에서 X축에 대하여 45도 경사진 경면(54a)을 가지고, 표면(11a) 측으로부터의 반사광을 저배율 카메라(56) 및 고배율 카메라(58)로 유도하는 미러 유닛(54b)이 배치되어 있다.
미러 유닛(54b)에 의해서 거울에 비춰진 표면(11a) 측을 각 카메라가 촬상함으로써, 하측 촬상 유닛(54)은 X축 방향에서 반전된 표면(11a) 측의 화상(즉, 경상)을 취득할 수 있다. 그리고, 표면(11a) 측의 경상과 이면(11b) 측의 정상이 그대로 터치 패널(92)에 표시된다.
이에 따라, 작업자는 이면(11b)으로부터 피가공물(11) 틈 사이로 표면(11a)을 비쳐 보고 있는 것처럼 표면(11a) 측을 볼 수 있기 때문에, 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 된다. 그러므로, 작업자의 부담이 줄어든다.
또한, 미러 유닛(54b)은 저배율 카메라(56) 및 고배율 카메라(58) 각각에 있어서 렌즈와 촬상 소자 사이에 설치되어도 좋다. 이 경우, 각 렌즈는 렌즈의 광축이 Z축 방향을 따르도록 배치된다.
그런데, 제1 변형예에 있어서, 제어부(94)를 이용하여 화상 처리를 실행하여도 좋다. 예컨대 제어부(94)는, 이면(11b) 측의 정상과 표면(11a) 측의 경상의 방향이 일치하도록 이면(11b) 측의 정상 및 표면(11a) 측의 경상 양쪽을 화상 처리하여 소정 방향에서 반전시킨 상태로 터치 패널(92)에 표시하게 한다.
이에 따라, 작업자는 표면(11a)으로부터 피가공물(11) 틈 사이로 이면(11b)를 비쳐 보고 있는 것과 같이 이면(11b) 측을 볼 수 있기 때문에, 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 된다. 그러므로, 작업자의 부담이 줄어든다.
이어서, 제2 변형예에 관해서 설명한다. 제2 변형예에서는, 상측 촬상 유닛(84)(제4 촬상 유닛)이 이면(11b) 측의 경상을 취득하고, 하측 촬상 유닛(54)(제2 촬상 유닛)이 표면(11a) 측의 정상을 취득한다.
그리고, 제어부(94)는, 이면(11b) 측 및 표면(11a) 측의 화상에 대하여 반전처리를 실시하는 일 없이 양자를 터치 패널(92)에 표시하게 한다. 도 12는 제2 변형예에 따른 상측 촬상 유닛(84) 등을 도시하는 도면이다. 또한, 도 12에서는 편의상 측판(18b)을 생략하고 있다.
제2 변형예에 따른 상측 촬상 유닛(84)에서는, 지지 아암(84a)의 길이 방향 양단 사이에, 렌즈, 촬상 소자(제4 촬상 소자) 등을 갖는 카메라(84b)가 배치되어 있다. 카메라(84b) 렌즈의 광축은 X축 방향에 대략 평행하게 배치되어 있다.
지지 아암(84a)의 선단부에는, XZ 평면에서 X축에 대하여 45도 경사진 경면(84c)을 가지고, 이면(11b) 측으로부터의 반사광을 카메라(84b)로 유도하는 미러 유닛(84d)이 배치되어 있다.
카메라(84b)가 미러 유닛(84d)에 의해서 거울에 비춰진 이면(11b) 측을 촬상함으로써, 상측 촬상 유닛(84)은 X축 방향에서 반전된 이면(11b) 측의 화상(즉, 경상)을 취득할 수 있다.
그리고, 이면(11b) 측의 경상과 표면(11a) 측의 정상이 그대로 터치 패널(92)에 표시된다. 작업자는, 표면(11a)으로부터 피가공물(11) 틈 사이로 이면(11b)을 비쳐 보고 있는 것처럼 이면(11b) 측을 볼 수 있기 때문에, 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 된다. 그러므로, 작업자의 부담이 줄어든다.
또한, 미러 유닛(84d)은 카메라(84b)의 렌즈와 촬상 소자의 사이에 설치되어도 좋다. 이 경우, 렌즈는 렌즈의 광축이 Z축 방향을 따르도록 배치된다.
제2 변형예에서도 제어부(94)를 이용하여 화상 처리를 실행하여도 좋다. 예컨대 제어부(94)는, 이면(11b) 측의 경상과 표면(11a) 측의 정상의 방향이 일치하도록 이면(11b) 측의 경상 및 표면(11a) 측의 정상 양쪽을 화상 처리하여 소정 방향에서 반전시킨 상태로 터치 패널(92)에 표시하게 한다.
이에 따라, 작업자는 이면(11b)으로부터 피가공물(11) 틈 사이로 표면(11a)을 비쳐 보고 있는 것처럼 표면(11a) 측을 볼 수 있기 때문에, 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 된다. 그러므로, 작업자의 부담이 줄어든다.
이어서, 제3 변형예에 관해서 설명한다. 제3 변형예에서는, 상측 촬상 유닛(84)(제4 촬상 유닛)이 이면(11b) 측의 경상을 취득하고, 하측 촬상 유닛(54)(제3 촬상 유닛)도 표면(11a) 측의 경상을 취득한다.
그리고, 제어부(94)는, 이면(11b) 측 화상 및 표면(11a) 측 화상 중 어느 하나에 대하여 반전 처리를 실시한 다음에 양자를 터치 패널(92)에 표시하게 한다. 도 13은 제3 변형예에 따른 하측 촬상 유닛(54), 상측 촬상 유닛(84) 등을 도시하는 도면이다. 또한, 도 13에서는 편의상 측판(18b)을 생략하고 있다.
제3 변형예에 따른 하측 촬상 유닛(54)은 제1 변형예와 같고, 제3 변형예에 따른 상측 촬상 유닛(84)은 제2 변형예와 같다. 이면(11b) 측의 경상 및 표면(11a) 측의 경상 중 어느 하나는, 화상 처리되어 소정 방향에서 반전된 상태로 터치 패널(92)에 표시된다.
예컨대 하측 촬상 유닛(54)으로 취득된 표면(11a) 측의 경상과, 상측 촬상 유닛(84)으로 취득된 이면(11b) 측의 경상을 화상 처리에 의해 X축 방향에서 반전시킨 이면(11b) 측의 정상이 터치 패널(92)에 표시된다.
또한, 예컨대 하측 촬상 유닛(54)으로 취득된 표면(11a) 측의 경상을 화상 처리에 의해 X축 방향에서 반전시킨 표면(11a) 측의 정상과, 상측 촬상 유닛(84)으로 취득된 이면(11b) 측의 경상이 터치 패널(92)에 표시된다.
즉, 이면(11b) 측의 화상과 표면(11a) 측의 화상은 방향이 일치하도록 터치 패널(92)에 표시된다. 이에 따라, 작업자는 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 된다. 그러므로, 작업자의 부담이 줄어든다.
또한, 제1 및 제2 변형예와 마찬가지로, 미러 유닛(54b, 84d)은 렌즈와 촬상 소자의 사이에 설치되어도 좋다. 이 경우, 각 렌즈는 렌즈의 광축이 Z축 방향을 따르도록 배치된다.
이어서, 제2 실시형태에 관해서 설명한다. 제2 실시형태에서는, 절삭 장치(2) 대신에 레이저 가공 장치(가공 장치)(104)를 이용하여 피가공물(11)을 가공한다. 단, 상술한 배치 공정(S10)에서부터 얼라인먼트 공정(S40)은 제1 실시형태와 같은 식으로 이루어진다.
도 14는 제2 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(104)의 사시도이다. 여기서, 제1 실시형태에 따른 절삭 장치(2)와 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 부여한다. 이하에서는 절삭 장치(2)와의 차이를 주로 설명한다.
레이저 가공 장치(104)에서는, 정지 베이스(106)에 하측 촬상 유닛(54)이 고정되어 있다. 또한, 하측 촬상 유닛(54)은 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이동 가능한 양태로 마련되어도 좋다.
정지 베이스(106) 상에는 X축 이동 테이블(18)이 배치되어 있다. X축 이동 테이블(18)은, X축 이동 테이블(18)의 측판(18b)과는 반대쪽에 위치하는 영역으로부터 하측 촬상 유닛(54)이 공간(18d) 내에 진입할 수 있도록 배치되어 있다.
X축 이동 테이블(18)은 한 쌍의 X축 가이드 레일(20) 상에 슬라이드 가능한 양태로 마련되어 있다. 한 쌍의 X축 가이드 레일(20)은 Y축 이동 테이블(108) 상에 고정되어 있다.
X축 이동 테이블(18)의 바닥판(18a)의 하면 측에는 너트부(미도시)가 마련되어 있고, 이 너트부에는, X축 가이드 레일(20)에 대략 평행한 X축 볼나사(22)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
X축 볼나사(22)의 일단부에는 X축 펄스 모터(24)가 연결되어 있다. X축 펄스 모터(24)로 X축 볼나사(22)를 회전시키면, X축 이동 테이블(18)은 X축 가이드 레일(20)을 따라 X축 방향으로 이동한다.
X축 이동 테이블(18)을 지지하는 Y축 이동 테이블(108)은, 정지 베이스(106)의 상면에 고정된 한 쌍의 Y축 가이드 레일(110) 상에 슬라이드 가능하게 부착되어 있다. Y축 가이드 레일(110)에 인접하는 위치에는, Y축 이동 테이블(108)의 Y축 방향의 위치를 검출할 때에 사용되는 Y축 스케일(110a)이 마련되어 있다.
Y축 이동 테이블(108)의 하면 측에는 너트부(미도시)가 마련되어 있고, 이 너트부에는 Y축 가이드 레일(110)에 대략 평행한 Y축 볼나사(112)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다. Y축 볼나사(112)의 일단부에는 Y축 펄스 모터(114)가 연결되어 있다.
Y축 펄스 모터(114)로 Y축 볼나사(112)를 회전시키면, Y축 이동 테이블(108)은 Y축 가이드 레일(110)을 따라 Y축 방향으로 이동한다. Y축 가이드 레일(110), Y축 볼나사(112), Y축 펄스 모터(114) 등은 Y축 이동 테이블(108)을 이동시키는 Y축 이동 기구(116)를 구성한다.
하측 촬상 유닛(54)에 인접하는 위치에는, 정지 베이스(106)의 상면으로부터 상측으로 돌출하는 양태로 칼럼(118)이 마련되어 있다. 칼럼(118)에는, X축 방향에 대략 평행한 길이부를 갖는 케이싱(120)이 마련되어 있다.
케이싱(120)에는 레이저 조사 유닛(122)의 적어도 일부가 마련되어 있다. 레이저 조사 유닛(122)은, 피가공물(11)에 흡수되는 파장, 또는 피가공물(11)을 투과하는 파장을 갖는 펄스형의 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발진기(122a) 등을 갖는다.
레이저 조사 유닛(122)의 X축 방향의 선단부에는, 집광 렌즈(124a)를 포함하는 조사 헤드(124)가 마련되어 있다. 레이저 발진기(122a)로부터 출사된 레이저 빔은 집광 렌즈(124a)에 의해 집광되어, 조사 헤드(124)로부터 하측으로 조사된다.
도 14에서는 조사 헤드(124)로부터 하측으로 조사되는 레이저 빔(L)을 파선의 화살표로 나타낸다. 또한, 케이싱(120)의 선단부에 있어서, 조사 헤드(124)에 인접하는 위치에는 상술한 상측 촬상 유닛(84)이 마련되어 있다.
제2 실시형태의 제어부(94)는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 표면(11a) 측의 정상이 X축 방향에서 반전된 경상과 이면(11b) 측의 정상을 터치 패널(92)에 표시하게 한다. 이에 따라, 표면(11a) 측과 이면(11b) 측의 대응 관계를 파악하기가 용이하게 되기 때문에, 작업자의 부담이 줄어든다.
그 밖에, 상기 실시형태에 따른 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적으로 하는 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다. 예컨대 레이저 가공 장치(104)에 있어서도 제1 내지 제3 변형예를 적용할 수 있다.
그런데, 상술한 실시형태 및 변형예에서는 표면(11a) 측의 화상을 X축 방향에서 반전시키는 경우를 설명했지만, XZ 평면에서 X축에 대하여 45도 경사진 경면을 포함하는 가공 장치의 구성대로라면, Y축 방향(소정 방향)으로 반전시키더라도 좋다. 또한, 미러 유닛(54b, 84d)은, 경면(54a, 84c) 대신에, 카메라와는 별도로 설치되어 경상을 생성할 수 있는 렌즈 등의 다른 대체물을 갖더라도 좋다.
2: 절삭 장치, 4: 베이스, 4a, 4b, 4d: 개구, 4c: 지지 구조, 6: 카세트, 10: 척 테이블, 11: 피가공물, 11a: 표면, 11b: 이면, 11c: 절삭 홈, 12: 유지 부재, 12a: 일면, 12b: 타면, 12c1: 제1 흡인로, 12c2: 제2 흡인로, 12c3: 교점, 12d: 개구부, 12e: 외주 흡인로, 12f: 흡인로, 13: 분할 예정 라인, 14: 흡인원, 15: 디바이스, 16: 테두리, 16a: 개구부, 16b: 풀리부, 17: 테이프, 18: X축 이동 테이블, 18a: 바닥판, 18b: 측판, 18c: 상부판, 18d: 공간, 19: 프레임, 20: X축 가이드 레일, 20a: X축 리니어 스케일, 21: 피가공물 유닛, 22: X축 볼나사, 23a, 23b: 화상, 24: X축 펄스 모터, 26: X축 이동 기구, 28: 벨트, 30: 회전 구동원, 30a: 풀리, 32: Y축 이동 기구, 34: Y축 가이드 레일, 36: Y축 이동 테이블, 38: Y축 볼나사, 40: Y축 펄스 모터, 42: Z축 이동 기구, 42a: 지지 구조, 44: Z축 가이드 레일, 46: Z축 이동 플레이트, 48: Z축 볼나사, 50: Z축 펄스 모터, 52: 지지 아암, 54: 하측 촬상 유닛, 54a: 경면, 54b: 미러 유닛, 56: 저배율 카메라, 56a: 조명 장치, 58: 고배율 카메라, 58a: 조명 장치, 60: 가공 유닛 이동 기구, 62: Y축 가이드 레일, 64: Y축 이동 플레이트, 66: Y축 볼나사, 68: Y축 펄스 모터, 70: Z축 이동 플레이트, 72: Z축 가이드 레일, 74: Z축 볼나사, 76: Z축 펄스 모터, 78: 절삭 유닛, 80: 스핀들 하우징, 82a: 스핀들, 82b: 절삭 블레이드, 84: 상측 촬상 유닛, 84a: 지지 아암, 84b: 카메라, 84c: 경면, 84d: 미러 유닛, 86: 세정 유닛, 88: 세정 테이블, 90: 노즐, 92: 터치 패널, 94: 제어부, 96: 기억 장치, 98: 마크, 100: 회로, 104: 레이저 가공 장치, 106: 정지 베이스, 108: Y축 이동 테이블, 110: Y축 가이드 레일, 110a: Y축 스케일, 112: Y축 볼나사. 114: Y축 펄스 모터, 116: Y축 이동 기구, 118: 칼럼, 120: 케이싱, 122: 레이저 조사 유닛, 122a: 레이저 발진기, 124: 조사 헤드, 124a: 집광 렌즈, A: 영역, L: 레이저 빔

Claims (8)

  1. 일면과 이 일면과는 반대쪽에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면에서부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 사전에 정해진 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과,
    표면 측에 사전에 정해진 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면 측이 상기 척 테이블의 상기 일면에서 유지되며 또한 상기 피가공물의 이면 측이 상측으로 노출된 상태에서 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과,
    제1 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 상측에 마련되며, 상기 이면 측의 정상(正像)을 취득하는 제1 촬상 유닛과,
    제2 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 하측에 마련되며, 상기 제1 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 상기 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 상기 표면 측의 정상을 취득하는 제2 촬상 유닛과,
    상기 제1 촬상 유닛으로 취득된 상기 이면 측의 화상과 상기 제2 촬상 유닛으로 취득된 상기 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치와,
    화상 처리를 실행하는 프로그램이 기억된 기억 장치와, 상기 프로그램에 따라서 화상을 처리하는 프로세서를 가지고, 상기 이면 측의 정상과 상기 표면 측의 정상의 방향이 일치하도록 상기 이면 측의 정상 및 상기 표면 측의 정상 중 어느 하나를 화상 처리하여 사전에 정해진 방향에서 반전시킨 상태로 상기 표시 장치에 표시하게 하는 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  2. 일면과 이 일면과는 반대쪽에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면에서부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 사전에 정해진 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과,
    표면 측에 사전에 정해진 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면 측이 상기 척 테이블의 상기 일면에서 유지되며 또한 상기 피가공물의 이면 측이 상측으로 노출된 상태에서 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과,
    제1 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 상측에 마련되며, 상기 이면 측의 정상을 취득하는 제1 촬상 유닛과,
    제3 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 하측에 마련되며, 상기 제1 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 상기 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 상기 표면 측의 경상(鏡像)을 취득하는 제3 촬상 유닛과,
    상기 제1 촬상 유닛으로 취득된 상기 이면 측의 화상과 상기 제3 촬상 유닛으로 취득된 상기 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    화상 처리를 실행하는 프로그램이 기억된 기억 장치와, 상기 프로그램에 따라서 화상을 처리하는 프로세서를 갖는 제어부
    를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 이면 측의 정상과 상기 표면 측의 경상의 방향이 일치하도록 상기 이면 측의 정상 및 상기 표면 측의 경상 양쪽을 화상 처리하여 사전에 정해진 방향에서 반전시킨 상태로 상기 표시 장치에 표시하게 하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  4. 일면과 이 일면과는 반대쪽에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면에서부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 사전에 정해진 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과,
    표면 측에 사전에 정해진 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면 측이 상기 척 테이블의 상기 일면에서 유지되며 또한 상기 피가공물의 이면 측이 상측으로 노출된 상태에서 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과,
    제4 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 상측에 마련되며, 상기 이면 측의 경상을 취득하는 제4 촬상 유닛과,
    제2 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 하측에 마련되며, 상기 제4 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 상기 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 상기 표면 측의 정상을 취득하는 제2 촬상 유닛과,
    상기 제4 촬상 유닛으로 취득된 상기 이면 측의 화상과 상기 제2 촬상 유닛으로 취득된 상기 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    화상 처리를 실행하는 프로그램이 기억된 기억 장치와, 상기 프로그램에 따라서 화상을 처리하는 프로세서를 갖는 제어부
    를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 이면 측의 경상과 상기 표면 측의 정상의 방향이 일치하도록 상기 이면 측의 경상 및 상기 표면 측의 정상 양쪽을 화상 처리하여 사전에 정해진 방향에서 반전시킨 상태로 상기 표시 장치에 표시하게 하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  6. 일면과 이 일면과는 반대쪽에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면에서부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 사전에 정해진 영역을 갖는 판형의 유지 부재를 포함하는 척 테이블과,
    표면 측에 사전에 정해진 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면 측이 상기 척 테이블의 상기 일면에서 유지되며 또한 상기 피가공물의 이면 측이 상측으로 노출된 상태에서 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과,
    제4 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 상측에 마련되며, 상기 이면 측의 경상을 취득하는 제4 촬상 유닛과,
    제3 촬상 소자를 가지고, 상기 척 테이블의 하측에 마련되며, 상기 제4 촬상 유닛으로 촬상하는 영역과 상기 피가공물의 두께 방향에서 대응하는 영역에 있어서 상기 표면 측의 경상을 취득하는 제3 촬상 유닛과,
    상기 제4 촬상 유닛으로 취득된 상기 이면 측의 화상과 상기 제3 촬상 유닛으로 취득된 상기 표면 측의 화상 중 적어도 어느 하나를 표시하는 표시 장치와,
    화상 처리를 실행하는 프로그램이 기억된 기억 장치와, 상기 프로그램에 따라서 화상을 처리하는 프로세서를 가지고, 상기 이면 측의 경상과 상기 표면 측의 경상의 방향이 일치하도록 상기 이면 측의 경상 및 상기 표면 측의 경상 중 어느 하나를 화상 처리하여 사전에 정해진 방향에서 반전시킨 상태로 상기 표시 장치에 표시하게 하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표시 장치에는 상기 이면 측의 화상과 함께 상기 표면 측의 화상이 표시되는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가공 유닛은,
    스핀들을 가지며 또한 상기 스핀들의 일단에 절삭 블레이드가 장착되는 절삭 유닛이거나, 또는
    레이저 빔을 발생시키는 레이저 발진기와 이 레이저발진기로부터 출사된 상기 레이저 빔을 집광시키는 집광 렌즈를 갖는 레이저 조사 유닛인 것을 특징으로 하는 가공 장치.
KR1020210008616A 2020-02-04 2021-01-21 가공 장치 KR20210099517A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-016992 2020-02-04
JP2020016992A JP7430449B2 (ja) 2020-02-04 2020-02-04 加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210099517A true KR20210099517A (ko) 2021-08-12

Family

ID=76853698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210008616A KR20210099517A (ko) 2020-02-04 2021-01-21 가공 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11626307B2 (ko)
JP (1) JP7430449B2 (ko)
KR (1) KR20210099517A (ko)
CN (1) CN113211660A (ko)
DE (1) DE102021200934A1 (ko)
SG (1) SG10202100523QA (ko)
TW (1) TW202130459A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7475781B2 (ja) 2020-06-29 2024-04-30 株式会社ディスコ 加工装置
CN114986349A (zh) * 2022-06-01 2022-09-02 成都迈锐捷激光技术有限公司 一种激光辅助磨削加工装置
WO2024082015A1 (en) * 2022-10-18 2024-04-25 Maxce Australia Pty Ltd A table and a marking system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140341A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
KR20100087141A (ko) 2007-10-31 2010-08-03 가부시키가이샤 니콘 레이저 여기 형광 현미경

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4381755B2 (ja) 2003-09-09 2009-12-09 株式会社ディスコ 切削装置
JP2009088304A (ja) 2007-10-01 2009-04-23 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5274966B2 (ja) 2008-09-30 2013-08-28 株式会社ディスコ 加工装置
JP6004761B2 (ja) 2012-06-12 2016-10-12 株式会社ディスコ ダイシング方法
JP6935168B2 (ja) * 2016-02-12 2021-09-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP6979296B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-08 株式会社ディスコ 切削方法
JP7126849B2 (ja) * 2018-04-13 2022-08-29 株式会社ディスコ 加工装置
JP7217165B2 (ja) * 2019-02-14 2023-02-02 株式会社ディスコ チャックテーブル及び検査装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140341A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
KR20100087141A (ko) 2007-10-31 2010-08-03 가부시키가이샤 니콘 레이저 여기 형광 현미경

Also Published As

Publication number Publication date
US11626307B2 (en) 2023-04-11
US20210242061A1 (en) 2021-08-05
JP2021125519A (ja) 2021-08-30
TW202130459A (zh) 2021-08-16
SG10202100523QA (en) 2021-09-29
JP7430449B2 (ja) 2024-02-13
CN113211660A (zh) 2021-08-06
DE102021200934A1 (de) 2021-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210099517A (ko) 가공 장치
US11633872B2 (en) Processing apparatus
US11654509B2 (en) Processing apparatus
KR20210069574A (ko) 가공 장치
JP2019054096A (ja) 加工装置及び加工装置の使用方法
US11699606B2 (en) Cutting apparatus
EP4254471A1 (en) Processing method for workpiece
KR20230174716A (ko) 위치 맞춤 방법 및 기준 위치의 갱신 방법
KR20220117136A (ko) 피가공물의 가공 방법
JP2021133430A (ja) 被加工物の撮像方法、及び、加工装置
CN116779472A (zh) 被加工物的处理方法
JP2022035062A (ja) 加工装置
KR20220161173A (ko) 레이저 가공 장치
JP2009237382A (ja) 液晶パネル製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination