KR20210097028A - Masking material - Google Patents

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šœ페이 다나카
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

An object is to provide a masking material that is less prone to produce cutting dust when used in a dicing step and can be easily peeled after dicing while it is hardly peeled in dicing. The masking material comprises: an adhesive layer formed of an activate energy ray-curable adhesive; and a base material. The activate energy ray-curable adhesive includes a base polymer which is a polymer obtained by polymerization of a monomer composition including 5-20 mol% of a (meth)acrylic monomer having at least one alkyl group selected from a group consisting of a methyl group and an ethyl group. The masking material and a silicon wafer are diced in a state in which the masking material is attached to the silicon wafer, and then the adhesive layer is cured by exposure to activate energy rays. After the dicing, the surface roughness Sa of a dicing cut section of the adhesive layer is equal to or smaller than 3 μm.

Description

마스킹재{MASKING MATERIAL}Masking material {MASKING MATERIAL}

본 발명은 마스킹재에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 소정의 제조 공정에 제공되는 전자 부품의 일부를 보호할 때에 이용하는 마스킹재에 관한 것이다.The present invention relates to a masking material. More specifically, it relates to a masking material used when protecting a part of an electronic component provided in a predetermined manufacturing process.

전자 부품을 소정의 제조 공정에 제공할 때에는, 취약한 부분, 처리를 필요로 하지 않는 부분 등을 보호할 목적으로, 당해 부분을 마스킹재에 의해 마스킹하는 일이 행해지고 있다. 이때, 피마스킹면이, 범프 등의 볼록부를 가져 요철 형상이 되어 있는 경우가 있어, 볼록부에 대해서 추종성 좋게 첩착(貼着)할 수 있는 마스킹재가 요구되고 있다.When providing an electronic component to a predetermined manufacturing process, in order to protect a weak part, a part which does not require a process, etc., masking the said part with a masking material is performed. At this time, the masking surface may have convex parts, such as a bump, and it may become an uneven|corrugated shape, and the masking material which can adhere with respect to a convex part with good followability|trackability is calculated|required.

한편, 전자 부품의 제조 공정으로서, 대면적으로 가공된 전자 부품의 전구체를 소편화하는 공정(다이싱 공정)이 알려져 있다. 이 다이싱 공정에 있어서도, 전자 부품(전자 부품의 전구체)이 상기와 같이 볼록부를 갖고, 해당 볼록부를 갖는 면이 마스킹되는 경우가 있다.On the other hand, as a manufacturing process of an electronic component, the process (dicing process) of miniaturizing the precursor of the electronic component processed in a large area is known. Also in this dicing process, an electronic component (precursor of an electronic component) has a convex part as mentioned above, and the surface which has this convex part may be masked.

그러나, 마스킹재를 구비한 전자 부품을 다이싱 공정에 제공한 경우, 절단면으로부터 절삭 부스러기가 생기고, 해당 절삭 부스러기가 전자 부품을 오염시키거나, 다이싱 후의 공정, 예를 들면, 스퍼터 처리 공정, 및 에칭 처리 공정에서의 불편이 생기는 등의 문제가 있다. 이와 같은 문제를 해결하는 기술로서, 자외선 조사에 의해 경화시킬 수 있는 점착제층을 구비하는 마스킹 테이프를 이용하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1, 2). 당해 기술에 있어서는, 마스킹 테이프를 전자 부품 전구체에 첩착한 후, 점착제층을 자외선 조사에 의해 경화시킨다. 이에 의해, 다이싱 시의 절삭 부스러기 발생을 억제할 수 있다. 그러나, 기재 필름에 생긴 절삭 부스러기(위스커)에 의해, 다이싱 공정 후의 스퍼터 처리 공정, 및 에칭 처리 공정에 있어서, 피착체에 대한 처리를 충분히 행할 수 없는 경우가 있다.However, when an electronic component provided with a masking material is subjected to a dicing process, chips are generated from the cut surface, and the chips contaminate the electronic part, or a process after dicing, such as a sputtering process, and There are problems such as inconvenience in the etching process. As a technique to solve such a problem, the technique using the masking tape provided with the adhesive layer which can be hardened by ultraviolet irradiation is proposed (patent documents 1, 2). In the said technique, after sticking a masking tape to an electronic component precursor, an adhesive layer is hardened by ultraviolet irradiation. Thereby, generation|occurrence|production of the chips at the time of dicing can be suppressed. However, the sputtering process after a dicing process, and an etching process process WHEREIN: The process with respect to a to-be-adhered body may not fully be able to be performed by the chips (whisker) which arose in the base film.

일본 특허공개 2013-123003호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2013-123003 일본 특허공개 2010-212310호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2010-212310

본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 피마스킹면의 요철 형상에 양호하게 추종할 수 있고, 다이싱 공정에 제공되었을 때에는 절삭 부스러기가 생기기 어렵고, 또한 다이싱 시에 박리되기 어려우면서도 다이싱 후에는 용이하게 박리될 수 있는, 마스킹재를 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in order to solve the above conventional problems, and the object thereof is that it can follow the concave-convex shape of the surface to be masked well, it is difficult to generate chips when subjected to a dicing process, and the die An object of the present invention is to provide a masking material that is difficult to peel off during dicing and can be easily peeled off after dicing.

본 발명의 마스킹재는, 활성 에너지선 경화형 점착제로 형성되는 점착제층과, 기재를 구비하고, 해당 활성 에너지선 경화형 점착제의 베이스 폴리머가, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머를 5몰%∼20몰% 포함하는 모노머 조성물을 중합하는 것에 의해 얻어지는 폴리머이다. 이 마스킹재를 실리콘 웨이퍼에 첩부하고, 활성 에너지선을 조사하여, 점착제층을 경화시킨 상태에서 마스킹재 및 실리콘 웨이퍼를 다이싱한 후의 점착제층의 다이싱 절단면의 표면 거칠기 Sa는 3μm 이하이다.The masking material of the present invention includes a pressure-sensitive adhesive layer formed of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive and a base material, and the base polymer of the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive has at least one alkyl group selected from the group consisting of a methyl group and an ethyl group. It is a polymer obtained by superposing|polymerizing the monomer composition containing 5 mol% - 20 mol% of a (meth)acrylic-type monomer. This masking material is affixed to a silicon wafer, and the surface roughness Sa of the dicing cut surface of the adhesive layer after dicing the masking material and the silicon wafer in the state which irradiates an active energy ray and hardened|cured the adhesive layer is 3 micrometers or less.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 모노머 조성물은, 수산기 함유 모노머를 추가로 포함한다. 이 수산기 함유 모노머의 모노머 조성물에 있어서의 함유 비율은 10몰%∼30몰%이다.In one embodiment, the said monomer composition further contains a hydroxyl-containing monomer. The content rate in the monomer composition of this hydroxyl-containing monomer is 10 mol% - 30 mol%.

하나의 실시형태에 있어서, 상기 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머이다.In one embodiment, the base polymer is a polymer having a carbon-carbon double bond.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착제층의, 활성 에너지선 조사 후의 22℃에서의 저장 탄성률은, 30MPa∼300MPa이다.In one embodiment, the storage elastic modulus in 22 degreeC after active energy ray irradiation of the said adhesive layer is 30 Mpa - 300 Mpa.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착제층의, 활성 에너지선 조사 후의 22℃에서의 파단 강도는, 7MPa∼15MPa이다.In one embodiment, the breaking strength in 22 degreeC after active energy ray irradiation of the said adhesive layer is 7 MPa - 15 MPa.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 마스킹재는, 반도체 제조 프로세스에 이용된다.In one embodiment, the said masking material is used for a semiconductor manufacturing process.

본 발명에 의하면, 피마스킹면의 요철 형상에 양호하게 추종할 수 있고, 다이싱 공정에 제공되었을 때에는 절삭 부스러기가 생기기 어렵고, 또한 다이싱 시에 박리되기 어려우면서도 다이싱 후에는 용이하게 박리될 수 있는, 마스킹재를 제공할 수 있다. 본 발명의 마스킹재는, 보다 플랫한 상태로 절단(다이싱)할 수 있다. 그 때문에, 절삭 부스러기에 의한 피착체의 오염을 보다 방지할 수 있다.According to the present invention, it is possible to follow the concave-convex shape of the surface to be masked well, it is difficult to generate chips when subjected to a dicing process, and it is difficult to peel off during dicing, but it can be easily peeled off after dicing. It is possible to provide a masking material. The masking material of this invention can be cut|disconnected (dicing) in a flatter state. Therefore, the contamination of the to-be-adhered body by cuttings can be prevented more.

도 1은 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 마스킹재의 개략 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing of the masking material by one Embodiment of this invention.

A. 마스킹재의 전체 구성A. Overall composition of masking material

도 1은 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 마스킹재의 개략 단면도이다. 마스킹재(100)는 점착제층(20)을 구비한다. 하나의 실시형태에 있어서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 마스킹재(100)는, 기재(10)와, 기재(10)의 적어도 편측에 배치된 점착제층(20)을 구비한다. 점착제층은 활성 에너지선 경화형 점착제를 포함하고, 점착제층은 활성 에너지선의 조사에 의해 경화 가능하다. 이 활성 에너지선 경화형 점착제의 베이스 폴리머는, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머를 5몰%∼20몰% 포함하는 모노머 조성물을 중합하는 것에 의해 얻어지는 폴리머이다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들면, 감마선, 자외선, 가시광선, 적외선(열선), 라디오파, 알파선, 베타선, 전자선, 플라즈마류, 전리선, 입자선 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 자외선이다. 도시하지 않지만, 마스킹재는, 사용에 제공할 때까지의 동안, 점착제층을 보호할 목적으로, 점착제층의 외측에 세퍼레이터가 마련되어 있어도 된다. 또한, 마스킹재는 임의의 적절한 그 밖의 층을 구비할 수 있다(도시하지 않음). 예를 들면, 기재와 점착제층 사이에, 임의의 적절한 층이 형성되어 있어도 된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing of the masking material by one Embodiment of this invention. The masking material 100 includes an adhesive layer 20 . In one embodiment, as shown in FIG. 1, the masking material 100 is equipped with the base material 10 and the adhesive layer 20 arrange|positioned at least on one side of the base material 10. The pressure-sensitive adhesive layer contains an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive layer is curable by irradiation with an active energy ray. The base polymer of this active energy ray-curable adhesive is obtained by polymerizing a monomer composition containing 5 mol% to 20 mol% of a (meth)acrylic monomer having at least one alkyl group selected from the group consisting of a methyl group and an ethyl group. It is a polymer. Examples of active energy rays include gamma rays, ultraviolet rays, visible rays, infrared rays (hot rays), radio waves, alpha rays, beta rays, electron rays, plasmas, ionizing rays, and particle rays. Preferably, it is ultraviolet light. Although not shown in figure, a separator may be provided in the outer side of an adhesive layer for the purpose of protecting an adhesive layer until it uses a masking material for use. In addition, the masking material may include any other suitable layer (not shown). For example, any appropriate layer may be formed between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer.

하나의 실시형태에 있어서, 상기 마스킹재는, 볼록부가 형성된 면(이하, 요철면 또는 피마스킹면이라고도 한다)을 갖고, 해당 면이 마스킹된 전자 부품을 다이싱 공정에 제공할 때에 이용될 수 있다. 당해 공정에 있어서는, 요철면이 상기 마스킹재에 의해 마스킹된 상태의 전자 부품이 소자 소편으로 절단 분리된다. 하나의 실시형태에 있어서, 상기 마스킹재는, 점착제층을 전자 부품의 요철면에 첩착하여 이용된다. 또한, 다이싱 공정 시에는, 마스킹재 부착 전자 부품의 마스킹되어 있지 않은 측에 임의의 적절한 다이싱 테이프가 배치될 수 있다. 또한, 상기 마스킹재를 이용할 때, 마스킹재를 피착체의 피마스킹면에 첩착한 후, 활성 에너지선을 조사하여, 점착제층을 경화시키고 나서, 마스킹된 전자 부품을 다이싱하는 것이 바람직하다. 점착제층의 경화는, 예를 들면, 적산 광량 500mJ/cm2(광원: 고압 수은등)의 자외선을 조사하여 행해진다. 상기 절단 분리 시에는, 예를 들면, 회전칼날이 이용된다. 하나의 실시형태에 있어서는, 다이싱 공정 후, 소편화된 전자 부품은, 본 발명의 마스킹재에 의해 마스킹된 상태에서 다음 공정(예를 들면, 스퍼터 처리 등의 금속막 형성 공정, 에칭 공정 등)에 제공된다.In one embodiment, the masking material may be used when an electronic component having a convex portion formed thereon (hereinafter also referred to as a concave-convex surface or a surface to be masked) is provided to a dicing process with the masked surface. In the said process, the electronic component in the state in which the uneven|corrugated surface was masked with the said masking material is cut and separated into element pieces. In one embodiment, the said masking material adheres an adhesive layer to the uneven|corrugated surface of an electronic component, and is used. In addition, at the time of a dicing process, any suitable dicing tape may be arrange|positioned on the unmasked side of the electronic component with a masking material. Further, when using the masking material, it is preferable to adhere the masking material to the masked surface of the adherend, then irradiate the active energy ray to cure the pressure-sensitive adhesive layer, and then dic the masked electronic component. Hardening of an adhesive layer is performed by irradiating the ultraviolet-ray of 500 mJ/cm<2> (light source: high-pressure mercury-vapor lamp) of accumulated light quantity, for example. At the time of the cutting and separation, for example, a rotary blade is used. In one embodiment, after the dicing process, the fragmented electronic component is masked with the masking material of the present invention in the next process (for example, a metal film forming process such as sputtering, etching process, etc.) is provided on

상기 마스킹재는, 실리콘 웨이퍼에 첩부하고, 활성 에너지선을 조사하여, 점착제층을 경화시킨 상태에서 마스킹재 및 실리콘 웨이퍼를 다이싱한 후의 점착제층의 다이싱 절단면의 표면 거칠기(산술 평균 높이) Sa가 3μm 이하이다. 다이싱 절단면의 표면 거칠기 Sa가 3μm 이하인 것에 의해, 피착체에 대한 절삭 부스러기에 의한 오염을 방지할 수 있다. 마스킹재의 다이싱 절단면의 표면 거칠기 Sa는 바람직하게는 2μm 이하이고, 보다 바람직하게는 1.5μm 이하이고, 더 바람직하게는 1μm 이하이며, 특히 바람직하게는 0.75μm 이하이다. 다이싱 절단면의 표면 거칠기 Sa는, 작을수록 바람직하고, 예를 들면, 0.05μm 이상이다. 본 명세서에 있어서, 마스킹재의 다이싱 절단면의 표면 거칠기 Sa는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 말한다.The masking material is adhered to the silicon wafer, irradiated with active energy rays, and the surface roughness (arithmetic mean height) Sa of the dicing cut surface of the pressure-sensitive adhesive layer after dicing the masking material and the silicon wafer in a cured state 3 μm or less. When the surface roughness Sa of the dicing cut surface is 3 µm or less, contamination of the adherend with chips can be prevented. The surface roughness Sa of the dicing cut surface of the masking material is preferably 2 µm or less, more preferably 1.5 µm or less, still more preferably 1 µm or less, and particularly preferably 0.75 µm or less. The surface roughness Sa of the dicing cut surface is preferably so small that it is, for example, 0.05 µm or more. In this specification, the surface roughness Sa of the dicing cut surface of a masking material means the value measured by the method described in the Example mentioned later.

본 발명의 마스킹재의 두께는, 바람직하게는 60μm∼800μm이고, 보다 바람직하게는 110μm∼600μm이며, 더 바람직하게는 150μm∼450μm이다. 마스킹재의 두께가 60μm보다 얇은 경우, 요철을 매립하지 못하여 피착체를 보호할 수 없을 우려가 있다. 또한, 800μm보다 두꺼운 경우, 마스킹재로서의 핸들링성이 나빠질 우려가 있다.The thickness of the masking material of this invention becomes like this. Preferably they are 60 micrometers - 800 micrometers, More preferably, they are 110 micrometers - 600 micrometers, More preferably, they are 150 micrometers - 450 micrometers. When the thickness of the masking material is thinner than 60 µm, the unevenness cannot be filled in and there is a fear that the adherend cannot be protected. Moreover, when it is thicker than 800 micrometers, there exists a possibility that the handling property as a masking material may worsen.

하나의 실시형태에 있어서는, 마스킹재의 두께는, 상기 전자 부품이 갖는 볼록부의 높이(예를 들면, 50μm∼250μm) 이상이다. 이와 같이 구성된 마스킹재를 이용하면, 요철면을 갖는 전자 부품을 양호하게 마스킹할 수 있다. 마스킹재의 두께와 전자 부품이 갖는 볼록부의 높이의 비(마스킹재의 두께/볼록부의 높이)는, 바람직하게는 1∼5이고, 보다 바람직하게는 1.5∼4이다.In one embodiment, the thickness of a masking material is more than the height (for example, 50 micrometers - 250 micrometers) of the convex part which the said electronic component has. If the masking material comprised in this way is used, the electronic component which has an uneven surface can be masked favorably. Ratio of the thickness of a masking material and the height of the convex part which an electronic component has (thickness of a masking material/height of a convex part) becomes like this. Preferably it is 1-5, More preferably, it is 1.5-4.

B. 점착제층B. Adhesive layer

하나의 실시형태에 있어서는, 점착제층은 활성 에너지선 경화형 점착제로 형성된다. 활성 에너지선 경화형 점착제는, 대표적으로는, 베이스 폴리머, 및 임의의 적절한 광중합 개시제를 포함한다. 활성 에너지선 경화형 점착제를 이용하는 것에 의해, 첩부 시에는 저탄성이고 유연성이 높아 취급성이 우수하고, 또한 반도체 패키지의 범프에 의한 요철을 양호하게 메울 수 있다. 한편, 박리를 필요로 하는 장면에 있어서는, 활성 에너지선을 조사하는 것에 의해 점착력을 저하시킬 수 있는 마스킹재를 얻을 수 있다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들면, 감마선, 자외선, 가시광선, 적외선(열선), 라디오파, 알파선, 베타선, 전자선, 플라즈마류, 전리선, 입자선 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 자외선이다.In one embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer is formed from an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. The active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive contains, typically, a base polymer and any appropriate photopolymerization initiator. By using an active energy ray-curable adhesive, it is low elasticity and high flexibility at the time of sticking, and it is excellent in handling property, and can fill the unevenness|corrugation by the bump of a semiconductor package favorably. On the other hand, in the scene requiring peeling, the masking material which can reduce adhesive force can be obtained by irradiating an active energy ray. Examples of active energy rays include gamma rays, ultraviolet rays, visible rays, infrared rays (hot rays), radio waves, alpha rays, beta rays, electron rays, plasmas, ionizing rays, and particle rays. Preferably, it is ultraviolet light.

점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 저장 탄성률은, 바람직하게는 30MPa∼300MPa이고, 보다 바람직하게는 40MPa∼280MPa이며, 더 바람직하게는 50MPa∼250MPa이다. 활성 에너지선 조사 후의 저장 탄성률이 상기 범위인 것에 의해, 절단 공정에 있어서의 피착체의 오염을 양호하게 방지할 수 있다. 또한, 활성 에너지선 조사 후에 마스킹재를 피착체로부터 용이하게 박리할 수 있다. 점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 저장 탄성률은, 고체 점탄성 측정 장치를 이용하여 측정할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 고체 점탄성 측정 장치(레오메트릭 사이언티픽(주)사제, 상품명 「RSAIII」)를 이용하여, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/분의 조건에서 측정한 22℃에서의 저장 탄성률을 점착제층의 저장 탄성률로 한다. 한편, 활성 에너지선(자외선)의 조사 조건은 이하와 같다.The storage elastic modulus after active energy ray irradiation of an adhesive layer becomes like this. Preferably they are 30 Mpa - 300 Mpa, More preferably, they are 40 Mpa - 280 Mpa, More preferably, they are 50 Mpa - 250 Mpa. When the storage elastic modulus after active energy ray irradiation is the said range, the contamination of the to-be-adhered body in a cutting process can be prevented favorably. Moreover, the masking material can be easily peeled from a to-be-adhered body after active energy ray irradiation. The storage elastic modulus after active energy ray irradiation of an adhesive layer can be measured using a solid-state viscoelasticity measuring apparatus. In the present specification, the storage elastic modulus at 22° C. measured at a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 10° C./min using a solid viscoelasticity measuring device (Rheometric Scientific Co., Ltd., trade name “RSAIII”) is measured as an adhesive. Let it be the storage modulus of the layer. In addition, irradiation conditions of an active energy ray (ultraviolet ray) are as follows.

<자외선 조사 조건><Ultraviolet irradiation conditions>

자외선 조사 장치: 닛토 세이키사제, 상품명: UM810Ultraviolet irradiator: Nitto Seiki Co., Ltd., brand name: UM810

광원: 고압 수은등Light source: high pressure mercury lamp

조사 강도: 50mW/cm2(측정 기기: 우시오사제 「자외선 조도계 UT-101」)Irradiation intensity: 50 mW/cm 2 (Measuring device: “Ultraviolet illuminometer UT-101” manufactured by Ushio Corporation)

조사 시간: 10초Irradiation Time: 10 seconds

적산 광량: 500mJ/cm2 Integrated light intensity: 500 mJ/cm 2

점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 파단 강도는, 바람직하게는 7MPa∼15MPa이고, 보다 바람직하게는 8MPa∼13MPa이다. 활성 에너지선 조사 후의 파단 강도가 상기 범위인 것에 의해, 마스킹재의 박리 시의 피착체에 대한 풀 잔류를 방지할 수 있다. 활성 에너지선 조사 후의 파단 강도는, 인장 시험기를 이용하여 측정할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 인장 시험기(ORIENTEC사제, 상품명 「RTG-1210」)를 이용하여, 측정 온도 22℃, 척간 거리 10mm, 속도 10mm/분의 조건하에서 SS 커브를 측정하고, 해당 SS 커브의 파단점에 있어서의 시험력으로부터 파단 강도(MPa)를 산출하고, 이 값을 활성 에너지선 조사 후의 점착제층의 파단 강도로 한다. 한편, 활성 에너지선(자외선)의 조사 조건은 이하와 같다.The breaking strength after active energy ray irradiation of an adhesive layer becomes like this. Preferably they are 7 MPa - 15 MPa, More preferably, they are 8 MPa - 13 MPa. When the breaking strength after active energy ray irradiation is the said range, the glue residue with respect to the to-be-adhered body at the time of peeling of a masking material can be prevented. The breaking strength after active energy ray irradiation can be measured using a tensile tester. In the present specification, using a tensile tester (manufactured by ORIENTEC, trade name "RTG-1210"), the SS curve is measured under the conditions of a measurement temperature of 22°C, a distance between chucks of 10 mm, and a speed of 10 mm/min, and the breaking point of the SS curve Breaking strength (MPa) is computed from the test force in , and let this value be the breaking strength of the adhesive layer after active energy ray irradiation. In addition, irradiation conditions of an active energy ray (ultraviolet ray) are as follows.

<자외선 조사 조건><Ultraviolet irradiation conditions>

자외선 조사 장치: 닛토 세이키사제, 상품명: UM810Ultraviolet irradiator: Nitto Seiki Co., Ltd., brand name: UM810

광원: 고압 수은등Light source: high pressure mercury lamp

조사 강도: 50mW/cm2(측정 기기: 우시오사제 「자외선 조도계 UT-101」)Irradiation intensity: 50 mW/cm 2 (Measuring device: “Ultraviolet illuminometer UT-101” manufactured by Ushio Corporation)

조사 시간: 10초Irradiation Time: 10 seconds

적산 광량: 500mJ/cm2 Integrated light intensity: 500 mJ/cm 2

점착제층의 두께는, 바람직하게는 10μm∼500μm이고, 보다 바람직하게는 30μm∼300μm이며, 더 바람직하게는 50μm∼250μm이다. 점착제층의 두께가 10μm보다 얇은 경우, 요철을 매립하지 못하여 피착체를 보호할 수 없을 우려가 있다. 또한, 500μm보다 두꺼운 경우, 마스킹재로서의 핸들링성이 나빠질 우려가 있다.The thickness of an adhesive layer becomes like this. Preferably they are 10 micrometers - 500 micrometers, More preferably, they are 30 micrometers - 300 micrometers, More preferably, they are 50 micrometers - 250 micrometers. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is thinner than 10 µm, the unevenness cannot be filled and there is a fear that the adherend cannot be protected. Moreover, when it is thicker than 500 micrometers, there exists a possibility that the handling property as a masking material may worsen.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착제층의 두께는, 상기 전자 부품이 갖는 볼록부의 높이(예를 들면, 50μm∼250μm) 이상이다. 이와 같이 구성된 마스킹재를 이용하면, 요철면을 갖는 전자 부품을 양호하게 마스킹할 수 있다. 점착제층의 두께와 전자 부품이 갖는 볼록부의 높이의 비(점착제층의 두께/볼록부의 높이)는, 바람직하게는 1∼3이고, 보다 바람직하게는 1.2∼2이다.In one embodiment, the thickness of the said adhesive layer is more than the height (for example, 50 micrometers - 250 micrometers) of the convex part which the said electronic component has. If the masking material comprised in this way is used, the electronic component which has an uneven surface can be masked favorably. Ratio (thickness of an adhesive layer/height of a convex part) of the thickness of an adhesive layer and the height of the convex part which an electronic component has becomes like this. Preferably it is 1-3, More preferably, it is 1.2-2.

B-1. 베이스 폴리머B-1. base polymer

베이스 폴리머는 임의의 적절한 모노머 조성물을 중합하는 것에 의해 얻어진다. 모노머 조성물이 포함하는 모노머 성분으로서는, 임의의 적절한 모노머가 이용된다. 바람직하게는, (메트)아크릴계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 이용된다. 하나의 실시형태에 있어서, 활성 에너지선 경화형 점착제의 베이스 폴리머는, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머(이하, 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머라고도 한다)를 5몰%∼20몰% 포함하는 모노머 조성물을 중합하는 것에 의해 얻어지는 폴리머이다. 상기 모노머 조성물을 중합하는 것에 의해 얻어지는 폴리머를 이용하는 것에 의해, 피착체에 대한 오염(예를 들면, 풀 잔류)을 방지할 수 있다. 모노머 조성물에 있어서의 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머의 함유 비율이 5몰% 미만인 경우, 다이싱 시의 부스러기의 발생이 생기기 쉬워질 우려가 있다. 모노머 조성물에 있어서의 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머의 함유 비율이 20몰%를 초과하는 경우, 마스킹재의 박리가 곤란해질 우려가 있다. 모노머 조성물에 있어서의 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머의 함유 비율은, 바람직하게는 8몰%∼17몰%이고, 보다 바람직하게는 8몰%∼15몰%이다. 한편, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 아크릴 및/또는 메타크릴을 말한다.The base polymer is obtained by polymerizing any suitable monomer composition. As the monomer component contained in the monomer composition, any appropriate monomer is used. Preferably, a monomer composition containing a (meth)acrylic monomer is used. In one embodiment, the base polymer of the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is a (meth)acrylic monomer having at least one alkyl group selected from the group consisting of a methyl group and an ethyl group (hereinafter referred to as a (meth)acrylic monomer having a methyl group and/or an ethyl group (meth) ) It is a polymer obtained by superposing|polymerizing the monomer composition containing 5 mol% - 20 mol% of acrylic monomer). By using the polymer obtained by polymerizing the monomer composition, it is possible to prevent contamination (eg, glue residue) on the adherend. When the content rate of the (meth)acrylic-type monomer which has a methyl group and/or an ethyl group in a monomer composition is less than 5 mol%, there exists a possibility that generation|occurrence|production of the waste at the time of dicing may become easy to produce. When the content rate of the (meth)acrylic-type monomer which has a methyl group and/or an ethyl group in a monomer composition exceeds 20 mol%, there exists a possibility that peeling of a masking material may become difficult. The content rate of the (meth)acrylic-type monomer which has a methyl group and/or an ethyl group in a monomer composition becomes like this. Preferably it is 8 mol% - 17 mol%, More preferably, it is 8 mol% - 15 mol%. In addition, in this specification, "(meth)acryl" means acryl and/or methacryl.

메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머로서는, 임의의 적절한 (메트)아크릴계 모노머를 이용할 수 있다. 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머는, 메틸기 또는 에틸기를 1개 갖고 있어도 되고, 2개 이상 갖고 있어도 된다. 2개 이상의 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 경우, 메틸기 또는 에틸기의 어느 한쪽만을 갖고 있어도 되고, 메틸기 및 에틸기를 갖고 있어도 된다. 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머로서는, 구체적으로는, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트가 이용된다. 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.As a (meth)acrylic-type monomer which has a methyl group and/or an ethyl group, arbitrary suitable (meth)acrylic-type monomers can be used. The (meth)acrylic-type monomer which has a methyl group and/or an ethyl group may have one methyl group or an ethyl group, and may have it two or more. When it has two or more methyl groups and/or an ethyl group, you may have either a methyl group or an ethyl group, and may have a methyl group and an ethyl group. Specific examples of the (meth)acrylic monomer having a methyl group and/or an ethyl group include methyl acrylate, ethyl acrylate, methyl methacrylate, and ethyl methacrylate. Preferably, methyl acrylate, ethyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate are used. Only 1 type may be used for the (meth)acrylic-type monomer which has a methyl group and/or an ethyl group, and may be used in combination of 2 or more type.

메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머 이외의 (메트)아크릴계 모노머(이하, 다른 (메트)아크릴계 모노머라고도 한다)로서는, 임의의 적절한 모노머를 이용할 수 있다. 대표적으로는, 알킬 (메트)아크릴레이트를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 프로필 (메트)아크릴레이트, 아이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-뷰틸 (메트)아크릴레이트, 아이소뷰틸 (메트)아크릴레이트, s-뷰틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 아이소펜틸 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, 헵틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 옥틸 (메트)아크릴레이트, 아이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 노닐 (메트)아크릴레이트, 아이소노닐 (메트)아크릴레이트, 데실 (메트)아크릴레이트, 아이소데실 (메트)아크릴레이트, 운데실 (메트)아크릴레이트, 도데실 (메트)아크릴레이트, 트라이데실 (메트)아크릴레이트, 테트라데실 (메트)아크릴레이트, 펜타데실 (메트)아크릴레이트, 헥사데실 (메트)아크릴레이트, 헵타데실 (메트)아크릴레이트, 옥타데실 (메트)아크릴레이트, 노나데실 (메트)아크릴레이트, 에이코실 (메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 C3-C20 알킬 에스터를 들 수 있다. (메트)아크릴계 모노머는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.Any suitable monomer can be used as the (meth)acrylic monomer (hereinafter also referred to as another (meth)acrylic monomer) other than the (meth)acrylic monomer having a methyl group and/or an ethyl group. Typically, an alkyl (meth)acrylate can be used. Specifically, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, s-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylic rate, isopentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, Nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl ( Meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, nonadecyl (meth) and (meth)acrylic acid C3-C20 alkyl esters such as acrylate and eicosyl (meth)acrylate. As a (meth)acrylic-type monomer, only 1 type may be used and may be used in combination of 2 or more type.

모노머 조성물에 있어서의 다른 (메트)아크릴계 모노머의 함유 비율은 임의의 적절한 양으로 할 수 있다. 구체적으로는, 다른 (메트)아크릴계 모노머는, 상기 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머와, 임의의 수산기 함유 모노머와, 임의의 공중합 가능한 단량체 성분의 합계가 100몰%가 되도록 이용된다.The content rate of the other (meth)acrylic-type monomer in a monomer composition can be made into arbitrary appropriate quantities. Specifically, the other (meth)acrylic monomer is used so that the sum of the above-mentioned (meth)acrylic monomer having a methyl group and/or an ethyl group, an optional hydroxyl group-containing monomer, and an optional copolymerizable monomer component is 100 mol%. .

또한, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 해서, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산 알킬 에스터와 공중합 가능한 다른 단량체 성분을 추가로 이용해도 된다. 이와 같은 단량체 성분으로서, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이코탄산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산 하이드록시에틸, (메트)아크릴산 하이드록시프로필 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드 등의 (N-치환) 아마이드계 모노머; (메트)아크릴산 아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산 메톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 모노머; N-사이클로헥실 말레이미드, N-아이소프로필 말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸 이타콘이미드, N-에틸 이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; 석신이미드계 모노머; 아세트산 바이닐, 프로피온산 바이닐, N-바이닐 피롤리돈, 메틸바이닐 피롤리돈 등의 바이닐계 모노머; 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴 등의 사이아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산 글라이시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산 폴리에틸렌 글라이콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌 글라이콜 등의 글라이콜계 아크릴 에스터 모노머; (메트)아크릴산 테트라하이드로퍼퓨릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 헤테로환, 할로젠 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스터계 모노머; 아이소프렌, 뷰타다이엔, 아이소뷰틸렌 등의 올레핀계 모노머; 바이닐 에터 등의 바이닐 에터계 모노머 등을 들 수 있다. 이들 단량체 성분은, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.In addition, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance, crosslinkability, etc., if necessary, other monomer components copolymerizable with the (meth)acrylic acid alkyl ester may be further used. As such a monomer component, For example, carboxyl group containing monomers, such as acrylic acid and methacrylic acid; acid anhydride monomers such as maleic anhydride and icotanic anhydride; Hydroxyl group-containing monomers, such as (meth)acrylic-acid hydroxyethyl and (meth)acrylic-acid hydroxypropyl; sulfonic acid group-containing monomers such as styrenesulfonic acid and allylsulfonic acid; (N-substituted) amide-based monomers such as (meth)acrylamide and N,N-dimethyl (meth)acrylamide; (meth)acrylic acid aminoalkyl-based monomers such as (meth)acrylic acid aminoethyl; (meth)acrylic acid alkoxyalkyl monomers such as methoxyethyl (meth)acrylate; maleimide-based monomers such as N-cyclohexyl maleimide and N-isopropyl maleimide; itaconimide-based monomers such as N-methyl itaconimide and N-ethyl itaconimide; succinimide-based monomers; vinyl-based monomers such as vinyl acetate, vinyl propionate, N-vinyl pyrrolidone, and methyl vinyl pyrrolidone; cyanoacrylate monomers such as acrylonitrile and methacrylonitrile; Epoxy group-containing acrylic monomers, such as (meth)acrylic-acid glycidyl; glycol-based acrylic ester monomers such as (meth)acrylic acid polyethylene glycol and (meth)acrylic acid polypropylene glycol; an acrylic acid ester-based monomer having a heterocyclic ring such as (meth)acrylic acid tetrahydrofurfuryl, fluorine (meth)acrylate, or silicone (meth)acrylate, a halogen atom, or a silicon atom; olefinic monomers such as isoprene, butadiene, and isobutylene; Vinyl ether type monomers, such as vinyl ether, etc. are mentioned. Only 1 type may be used for these monomer components, and may be used in combination of 2 or more type.

하나의 실시형태에 있어서, 모노머 조성물은 바람직하게는 수산기 함유 모노머를 추가로 포함한다. 모노머 조성물에 있어서의 수산기 함유 모노머의 함유 비율은 바람직하게는 10몰%∼30몰%이고, 보다 바람직하게는 15몰%∼25몰%이다. 수산기 함유 모노머를 포함하는 모노머 조성물을 이용하는 것에 의해, 수산기를 갖는 베이스 폴리머가 얻어지고, 이 수산기가 임의의 적절한 치환기의 도입점이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 모노머 조성물을 반응시켜 얻어지는 폴리머(프리폴리머)와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시키는 것에 의해, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머가 얻어진다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머를 이용하는 것에 의해, 보다 플랫한 상태로 절단 가능한 마스킹재가 얻어질 수 있다.In one embodiment, the monomer composition preferably further comprises a hydroxyl group-containing monomer. The content ratio of the hydroxyl group-containing monomer in the monomer composition is preferably 10 mol% to 30 mol%, and more preferably 15 mol% to 25 mol%. By using a monomer composition containing a hydroxyl group-containing monomer, a base polymer having a hydroxyl group is obtained, and this hydroxyl group can serve as an introduction point for any suitable substituent. For example, a base polymer having a carbon-carbon double bond is obtained by reacting a polymer (prepolymer) obtained by reacting the monomer composition with a compound having a polymerizable carbon-carbon double bond. By using a base polymer having a carbon-carbon double bond, a masking material that can be cut in a flatter state can be obtained.

수산기 함유 모노머로서는, 임의의 적절한 모노머를 이용할 수 있다. 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 2-하이드록시메틸 아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 아크릴레이트, 3-하이드록시프로필 아크릴레이트, 4-하이드록시뷰틸 아크릴레이트, 2-하이드록시메틸 메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트, N-(2-하이드록시에틸) 아크릴아마이드 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 아크릴산, 메타크릴산, 2-하이드록시메틸 아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, 2-하이드록시메틸 메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트가 이용된다. 이들 모노머는, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.Any suitable monomer can be used as a hydroxyl-containing monomer. For example, acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxymethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 2-hydroxymethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, N-(2-hydroxyethyl) acrylamide, and the like. Preferably, acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxymethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxymethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate are used. Only 1 type may be used for these monomers, and may be used in combination of 2 or more type.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 베이스 폴리머는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머이다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머를 포함하는 활성 에너지선 경화형 점착제를 이용하는 것에 의해, 보다 플랫한 상태로 절단 가능한 마스킹재가 얻어질 수 있다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 예를 들면, 상기 모노머 조성물을 중합하는 것에 의해 얻어지는 프리폴리머와, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시키는 것에 의해 얻어질 수 있다.In one embodiment, the base polymer is a polymer having a carbon-carbon double bond. By using an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive containing a base polymer having a carbon-carbon double bond, a masking material that can be cut in a flatter state can be obtained. The base polymer having a carbon-carbon double bond can be obtained, for example, by reacting a prepolymer obtained by polymerizing the monomer composition with a compound having a polymerizable carbon-carbon double bond.

탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은, 바람직하게는 아이소사이아네이트기를 갖는다. 아이소사이아네이트기를 갖는 것에 의해, 상기 프리폴리머가 갖는 수산기와 반응하여, 탄소-탄소 이중 결합을 베이스 폴리머에 도입할 수 있다.The compound having a carbon-carbon double bond preferably has an isocyanate group. By having an isocyanate group, it reacts with the hydroxyl group which the said prepolymer has, and a carbon-carbon double bond can be introduce|transduced into a base polymer.

중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 임의의 적절한 화합물을 이용할 수 있다. 예를 들면, 메타크릴로아이소사이아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트), m-아이소프로펜일-α,α-다이메틸벤질 아이소사이아네이트 등을 들 수 있다.As the compound having a polymerizable carbon-carbon double bond, any suitable compound can be used. For example, methacryloisocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (2-isocyanatoethyl methacrylate), m-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl Isocyanate etc. are mentioned.

중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은 임의의 적절한 양으로 이용된다. 예를 들면, 모노머 조성물에 있어서의 상기 수산기 함유 모노머의 함유 비율에 맞추어 함유량을 조정할 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서는, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은, 바람직하게는 수산기 함유 모노머의 수산기의 몰수의 40몰%∼95%가 되도록 이용된다. 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물이 수산기 함유 모노머의 수산기의 몰수의 40몰% 미만인 경우, 활성 에너지선 조사 시에 충분히 경화되지 않을 우려가 있다. 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물이 수산기 함유 모노머의 수산기의 몰수의 95몰%를 초과하는 경우, 가교제와의 반응점이 적어져, 충분한 가교 효과가 얻어지지 않게 될 우려가 있다.The compound having a polymerizable carbon-carbon double bond is used in any suitable amount. For example, content can be adjusted according to the content rate of the said hydroxyl-containing monomer in a monomer composition. In one embodiment, the compound which has a polymerizable carbon-carbon double bond is preferably used so that it may become 40 mol% - 95% of moles of the hydroxyl group of a hydroxyl-containing monomer. When the compound having a polymerizable carbon-carbon double bond is less than 40 mol% of the number of moles of hydroxyl groups in the hydroxyl group-containing monomer, there is a possibility that the compound may not be sufficiently cured upon irradiation with active energy rays. When the compound having a polymerizable carbon-carbon double bond exceeds 95 mol% of the number of moles of hydroxyl groups in the hydroxyl group-containing monomer, the reaction points with the crosslinking agent decrease, and there is a fear that a sufficient crosslinking effect may not be obtained.

베이스 폴리머는 임의의 적절한 방법에 의해 얻을 수 있다. 예를 들면, 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머, 다른 (메트)아크릴계 모노머, 및 임의의 수산기 함유 모노머를 포함하는 모노머 조성물을, 임의의 적절한 중합 방법에 의해 중합하는 것에 의해 얻어질 수 있다. 베이스 폴리머가 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 경우, 예를 들면, 메틸기 및/또는 에틸기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머, 상기 (메트)아크릴계 모노머, 및 임의의 수산기 함유 모노머를 포함하는 모노머 조성물을, 임의의 적절한 중합 방법에 의해 중합하여 프리폴리머를 얻은 후, 이 프리폴리머와 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시키는 것에 의해 베이스 폴리머가 얻어진다.The base polymer may be obtained by any suitable method. For example, a monomer composition comprising a (meth)acrylic monomer having a methyl group and/or an ethyl group, another (meth)acrylic monomer, and an optional hydroxyl group-containing monomer may be obtained by polymerizing by any suitable polymerization method. can When the base polymer has a carbon-carbon double bond, for example, a (meth)acrylic monomer having a methyl group and/or an ethyl group, a monomer composition comprising the (meth)acrylic monomer, and an optional hydroxyl group-containing monomer, optionally After obtaining a prepolymer by polymerization by an appropriate polymerization method, the base polymer is obtained by reacting the prepolymer with a compound having a polymerizable carbon-carbon double bond.

B-2. 첨가제B-2. additive

상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 필요에 따라서, 임의의 적절한 첨가제를 포함할 수 있다. 해당 첨가제로서는, 예를 들면, 광중합 개시제, 가교제, 촉매(예를 들면, 백금 촉매), 점착 부여제, 가소제, 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면활성제, 난연제, 용제 등을 들 수 있다.The said active-energy-ray-curable adhesive can contain arbitrary appropriate additives as needed. Examples of the additive include a photopolymerization initiator, a crosslinking agent, a catalyst (eg, a platinum catalyst), a tackifier, a plasticizer, a pigment, a dye, a filler, an antioxidant, a conductive material, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, a peeling regulator, A softener, surfactant, a flame retardant, a solvent, etc. are mentioned.

하나의 실시형태에 있어서, 활성 에너지선 경화형 점착제는 바람직하게는 광중합 개시제를 포함한다. 광중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 이용할 수 있다.In one embodiment, the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator. As a photoinitiator, arbitrary appropriate initiators can be used.

광중합 개시제는 임의의 적절한 양으로 이용될 수 있다. 광중합 개시제의 함유량은, 상기 자외선 경화형 점착제 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.1중량부∼10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부∼7중량부이다. 광중합 개시제의 함유량이 0.1중량부 미만인 경우, 활성 에너지선 조사 시에 충분히 경화되지 않을 우려가 있다. 광중합 개시제의 함유량이 10중량부를 초과하는 경우, 점착제의 보존 안정성이 저하될 우려가 있다.The photopolymerization initiator may be used in any suitable amount. To [ content of a photoinitiator / 100 weight part of said ultraviolet curing adhesives ], Preferably they are 0.1 weight part - 10 weight part, More preferably, they are 0.5 weight part - 7 weight part. When content of a photoinitiator is less than 0.1 weight part, there exists a possibility that it may not fully harden|cure at the time of active energy ray irradiation. When content of a photoinitiator exceeds 10 weight part, there exists a possibility that the storage stability of an adhesive may fall.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 가교제를 추가로 포함한다. 가교제로서는, 예를 들면, 아이소사이아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제의 함유량은, 활성 에너지선 경화형 점착제에 포함되는 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.01중량부∼10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.02중량부∼5중량부이며, 더 바람직하게는 0.025중량부∼0.5중량부이다. 가교제의 함유 비율에 의해, 점착제층의 유연성을 제어할 수 있다. 가교제의 함유량이 0.01중량부 미만인 경우, 점착제가 졸(sol)상이 되어, 점착제층을 형성할 수 없을 우려가 있다. 가교제의 함유량이 10중량부를 초과하는 경우, 피착체에 대한 밀착성이 저하되어, 피착체를 충분히 보호할 수 없을 우려가 있다.In one embodiment, the said active energy ray hardening-type adhesive further contains a crosslinking agent. As a crosslinking agent, an isocyanate type crosslinking agent, an epoxy type crosslinking agent, an aziridine type crosslinking agent, a chelate type crosslinking agent, etc. are mentioned, for example. To [ content of a crosslinking agent / 100 weight part of base polymers contained in an active energy ray-curable adhesive ], Preferably it is 0.01 weight part - 10 weight part, More preferably, they are 0.02 weight part - 5 weight part, More preferably 0.025 parts by weight to 0.5 parts by weight. The softness|flexibility of an adhesive layer is controllable by the content rate of a crosslinking agent. When content of a crosslinking agent is less than 0.01 weight part, an adhesive becomes a sol phase, and there exists a possibility that an adhesive layer cannot be formed. When content of a crosslinking agent exceeds 10 weight part, the adhesiveness to a to-be-adhered body may fall, and there exists a possibility that a to-be-adhered body cannot be fully protected.

하나의 실시형태에 있어서는, 아이소사이아네이트계 가교제가 바람직하게 이용된다. 아이소사이아네이트계 가교제는, 다종의 작용기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 특히 바람직하게는, 아이소사이아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 이용된다. 가교제로서, 아이소사이아네이트계 가교제를 이용하고, 또한 가교제의 함유량을 상기 범위로 하는 것에 의해, 가열 후에 있어서도, 박리성이 우수하고, 풀 잔류가 현저히 적은 점착제층을 형성할 수 있다.In one embodiment, an isocyanate type crosslinking agent is used preferably. The isocyanate-based crosslinking agent is preferable in that it can react with a variety of functional groups. Particularly preferably, a crosslinking agent having three or more isocyanate groups is used. By using an isocyanate type crosslinking agent as a crosslinking agent and making content of a crosslinking agent into the said range, even after heating, it is excellent in peelability and can form the adhesive layer with remarkably little glue residue.

하나의 실시형태에 있어서는, 활성 에너지선 경화형 점착제는, 바람직하게는 라디칼 포착제를 추가로 포함한다. 본 명세서에 있어서, 라디칼 포착제란, 가열하(예를 들면, 100℃∼200℃)에 있어서, 라디칼과 반응할 수 있는 화합물을 말한다. 이와 같은 라디칼 포착제로서는, 예를 들면, 과산화 벤조일 등의 과산화물, 아조비스아이소뷰티로나이트릴 등의 아조계 화합물 등을 들 수 있다. 라디칼 포착제를 이용하는 것에 의해, 베이스 폴리머(예를 들면, 아크릴계 폴리머) 중의 이중 결합의 잔존율을 높일 수 있다.In one embodiment, the active energy ray hardening-type adhesive, Preferably a radical scavenger is further included. In this specification, a radical scavenger means a compound which can react with a radical under heating (for example, 100 degreeC - 200 degreeC). As such a radical scavenger, azo compounds, such as peroxides, such as a benzoyl peroxide, and azobisisobutyronitrile, etc. are mentioned, for example. By using a radical scavenger, the residual ratio of the double bond in a base polymer (for example, acryl-type polymer) can be raised.

라디칼 포착제의 함유량은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 1중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 0.04중량부∼0.08중량부이다. 이와 같은 범위이면, 탄소-탄소 이중 결합의 상기 잔존율을 높인다는 효과가 현저해진다. 라디칼 포착제의 함유량이 1중량부를 초과하는 경우, 광중합 개시제로부터의 라디칼도 포착되어 버려, 활성 에너지선 조사에 의해 점착제를 충분히 경화시킬 수 없을 우려가 있다.To [ content of a radical scavenger / 100 weight part of base polymers of an adhesive ], Preferably it is 1 weight part or less, More preferably, they are 0.04 weight part - 0.08 weight part. If it is such a range, the effect of increasing the said residual ratio of a carbon-carbon double bond becomes remarkable. When content of a radical scavenger exceeds 1 weight part, the radical from a photoinitiator is also acquired and there exists a possibility that an adhesive may not fully be hardened by active energy ray irradiation.

C. 기재C. Subscription

기재는 임의의 적절한 수지로 구성될 수 있다. 해당 수지로서는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리뷰텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터 (랜덤, 교호) 공중합체, 에틸렌-뷰텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리유레테인, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스터, 폴리이미드, 폴리에터 케톤, 폴리스타이렌, 폴리염화 바이닐, 폴리염화 바이닐리덴, 불소 수지, 실리콘 수지, 셀룰로스계 수지, 및 이들의 가교체 등을 들 수 있다.The substrate may be composed of any suitable resin. Examples of the resin include polyolefins such as low-density polyethylene, linear polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymerized polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolypropylene, polybutene, and polymethylpentene. , ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, poly oil polyester such as lethane and polyethylene naphthalate, polyimide, polyether ketone, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, fluororesin, silicone resin, cellulose resin, and crosslinked products thereof. there is.

상기 기재의 두께는, 바람직하게는 5μm∼125μm이고, 보다 바람직하게는 10μm∼75μm이며, 더 바람직하게는 12μm∼50μm이다. 이와 같은 범위이면, 적절한 강성을 갖고, 첩부 작업이 용이하며, 또한 핸들링성이 우수한 마스킹재를 얻을 수 있다. 기재의 두께가 5μm 미만인 경우, 지지체로서 충분히 기능하지 않아, 마스킹재의 취급이 곤란해질 수 있다. 기재의 두께가 125μm를 초과하는 경우, 다이싱 시에 기재로부터의 위스커의 발생이 현저해져, 피착체를 오염시키기 쉬워질 우려가 있다.The thickness of the substrate is preferably 5 µm to 125 µm, more preferably 10 µm to 75 µm, and still more preferably 12 µm to 50 µm. In such a range, it is possible to obtain a masking material that has appropriate rigidity, facilitates the pasting operation, and is excellent in handling properties. When the thickness of the substrate is less than 5 μm, it may not function sufficiently as a support, and handling of the masking material may become difficult. When the thickness of the base material exceeds 125 µm, the whiskers are remarkably generated from the base material during dicing, and there is a risk of contaminating the adherend.

상기 기재의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 및 유지성 등을 향상시키기 위해, 임의의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 상기 표면 처리로서는, 예를 들면, 크로뮴산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 코팅 처리를 들 수 있다.The surface of the said base material may be arbitrary surface-treated in order to improve adhesiveness with an adjacent layer, holdability, etc. Examples of the surface treatment include chemical or physical treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-pressure electric shock exposure, and ionizing radiation treatment, and coating treatment.

D. 마스킹재의 제조 방법D. Manufacturing method of masking material

상기 마스킹재는 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 예를 들면, 세퍼레이터에 점착제 용액(활성 에너지선 경화형 점착제)을 도포하고, 건조하여, 세퍼레이터 상에 점착제층을 형성한 후, 그것을 기재에 첩합(貼合)하는 방법에 의해 얻어질 수 있다. 또한, 기재 상에, 상기 점착제 용액을 도포하고, 건조하여, 마스킹재를 얻어도 된다. 점착제 용액의 도포 방법으로서는, 바 코터 도포, 에어 나이프 도포, 그라비어 도포, 그라비어 리버스 도포, 리버스 롤 도포, 립 도포, 다이 도포, 딥 도포, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 여러 가지의 방법을 채용할 수 있다. 건조 방법으로서는, 임의의 적절한 방법이 채용될 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착제층은 임의의 적절한 경화 처리를 거쳐, 형성될 수 있다.The masking material may be prepared by any suitable method. For example, after apply|coating an adhesive solution (active energy ray hardening-type adhesive) to a separator, drying and forming an adhesive layer on a separator, it can obtain by the method of bonding it to a base material. Moreover, on a base material, the said adhesive solution may be apply|coated, and it may dry and obtain a masking material. As a method of applying the pressure-sensitive adhesive solution, various methods such as bar coater application, air knife application, gravure application, gravure reverse application, reverse roll application, lip application, die application, dip application, offset printing, flexographic printing, screen printing, etc. can be hired As the drying method, any suitable method may be employed. In one embodiment, the said pressure-sensitive adhesive layer may be formed through any appropriate curing treatment.

E. 마스킹재의 용도E. Use of masking material

상기 마스킹재는 반도체 제조 프로세스에 적합하게 이용할 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서, 상기 마스킹재는 마스킹재에 의해 마스킹된 전자 부품을 다이싱 공정에 제공할 때에 이용될 수 있다. 당해 공정에 있어서는, 마스킹재에 의해 마스킹된 상태의 전자 부품이 소자 소편으로 절단 분리된다. 하나의 실시형태에 있어서, 상기 마스킹재는 점착제층을 전자 부품의 요철면에 첩착하여 이용된다. 또한, 다이싱 공정 시에는, 마스킹재 부착 전자 부품의 마스킹되어 있지 않은 측에 임의의 적절한 다이싱 테이프가 배치될 수 있다. 또한, 상기 마스킹재를 이용할 때, 마스킹재를 피착체의 피마스킹면에 첩착한 후, 활성 에너지선을 조사하여, 점착제층을 경화시키고 나서, 마스킹된 전자 부품을 다이싱하는 것이 바람직하다. 상기 절단 분리 시에는, 예를 들면, 회전 칼날이 이용된다. 하나의 실시형태에 있어서는, 다이싱 공정 후, 소편화된 전자 부품은 본 발명의 마스킹재에 의해 마스킹된 상태로 다음 공정(예를 들면, 스퍼터 처리 등의 금속막 형성 공정, 에칭 공정 등)에 제공된다.The masking material can be suitably used in a semiconductor manufacturing process. In one embodiment, the masking material may be used when providing an electronic component masked by the masking material to a dicing process. In the said process, the electronic component in the state masked by the masking material is cut and separated into element small pieces. In one embodiment, the said masking material is used by sticking an adhesive layer to the uneven|corrugated surface of an electronic component. In addition, at the time of a dicing process, any suitable dicing tape may be arrange|positioned on the unmasked side of the electronic component with a masking material. Further, when using the masking material, it is preferable to adhere the masking material to the masking surface of the adherend, then irradiate the active energy ray to cure the pressure-sensitive adhesive layer, and then dic the masked electronic component. In the case of the said cutting|disconnection, a rotating blade is used, for example. In one embodiment, after the dicing process, the fragmented electronic component is masked with the masking material of the present invention in the next process (for example, a metal film forming process such as sputtering, etching process, etc.) is provided

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예에 있어서, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「%」는 중량 기준이다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited by these Examples. In addition, in the Example, unless otherwise specified, "part" and "%" are based on weight.

[실시예 1][Example 1]

표 1에 기재된 모노머 성분, 용매(메틸 에틸 케톤), 및 아조비스아이소뷰티로나이트릴을 혼합하여, 모노머 조성물을 얻었다. 얻어진 모노머 조성물을, 1L 환저 세퍼러블 플라스크에, 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 진공 실(seal), 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고, 교반하면서, 상온에서 6시간, 질소 치환했다. 그 후, 질소를 유입하, 교반하면서, 65℃에서 4시간, 이어서 75℃에서 2시간 유지해서 중합하여, 수지 용액(프리폴리머)을 얻었다.The monomer components described in Table 1, the solvent (methyl ethyl ketone), and azobisisobutyronitrile were mixed to obtain a monomer composition. The obtained monomer composition was put into a 1L round-bottom separable flask, a separable cover, a separatory funnel, a thermometer, a nitrogen inlet tube, a Liebig cooler, a vacuum seal, a stirring rod, and a stirring blade equipped with a polymerization experiment apparatus equipped with, While stirring, nitrogen substitution was carried out at room temperature for 6 hours. Thereafter, while nitrogen was introduced and stirred, the polymerization was carried out by holding at 65°C for 4 hours and then at 75°C for 2 hours to obtain a resin solution (prepolymer).

이어서, 얻어진 수지 용액을 실온까지 냉각했다. 그 후, 해당 수지 용액에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트(쇼와 덴코사제, 상품명 「카렌즈 MOI」) 77.19중량부를 가했다. 추가로, 다이라우르산 다이뷰틸주석 IV(와코 순약 공업제) 0.39중량부를 첨가하고, 공기 분위기하, 50℃에서 24시간 교반하여, 베이스 폴리머를 얻었다.Next, the obtained resin solution was cooled to room temperature. Thereafter, 77.19 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate (manufactured by Showa Denko Corporation, trade name “Carenz MOI”) was added to the resin solution as a compound having a polymerizable carbon-carbon double bond. Furthermore, 0.39 weight part of dibutyltin dilaurate IV (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added, it stirred at 50 degreeC in air atmosphere for 24 hours, and obtained the base polymer.

얻어진 베이스 폴리머의 고형분 100중량부에 대해서, 폴리아이소사이아네이트 가교제(닛폰 폴리우레탄 공업사제, 상품명 「코로네이트 L」) 0.1중량부, 및 광중합 개시제(IGM Resins B.V.사제, 상품명 「Omnirad 369E」) 0.5중량부를 혼합하고 조정했다. 톨루엔을 희석 용제로서 이용하여, 고형분율 45%가 되도록 조정하여, 점착제 용액을 얻었다.With respect to 100 parts by weight of the solid content of the obtained base polymer, 0.1 parts by weight of a polyisocyanate crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Kogyo Co., Ltd., trade name "Coronate L"), and a photopolymerization initiator (manufactured by IGM Resins BV, trade name "Omnirad 369E") 0.5 parts by weight was mixed and adjusted. Using toluene as a dilution solvent, it adjusted so that it might become 45% of solid content, and the adhesive solution was obtained.

폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아포일 MRF38」)의 이형 처리면에 점착제 용액을 도포하고, 건조기를 이용하여 120℃에서 3분간 건조시켜, 두께 200μm의 점착제층을 형성했다. 이어서, 점착제층의 PET 세퍼레이터와는 접해 있지 않은 면을, 코로나 처리된 기재 필름(도레이사제, 상품명 「루미러(등록상표) #38-S105」)의 코로나 처리면에 기포를 포함하지 않도록 첩합하고, 차광 실온하에서 168시간 방치하여, 점착 테이프(마스킹재)를 얻었다.A pressure-sensitive adhesive solution was applied to the release-treated surface of a polyethylene terephthalate (PET) separator (manufactured by Mitsubishi Chemical, trade name “Diafoil MRF38”), and dried at 120° C. for 3 minutes using a dryer to form an adhesive layer with a thickness of 200 μm. . Next, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, which is not in contact with the PET separator, is bonded to the corona-treated surface of the corona-treated base film (manufactured by Toray Corporation, trade name "Lumiror (registered trademark) #38-S105") so as not to contain air bubbles. , light-shielding It was left to stand under room temperature for 168 hours, and the adhesive tape (masking material) was obtained.

[실시예 2][Example 2]

모노머 조성물의 조성을 표 1에 기재된 대로 변경한 것, 및 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트의 첨가량을 78.25중량부로 해서 점착제 용액을 조제한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(마스킹재)를 얻었다.Adhesive tape (masking material) in the same manner as in Example 1, except that the composition of the monomer composition was changed as described in Table 1, and the amount of 2-isocyanatoethyl methacrylate added was 78.25 parts by weight to prepare an adhesive solution. got

[실시예 3][Example 3]

모노머 조성물의 조성을 표 1에 기재된 대로 변경한 것, 및 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트의 첨가량을 77.20중량부로 해서 점착제 용액을 조제한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(마스킹재)를 얻었다.Adhesive tape (masking material) in the same manner as in Example 1 except that the composition of the monomer composition was changed as described in Table 1, and the addition amount of 2-isocyanatoethyl methacrylate was 77.20 parts by weight to prepare an adhesive solution. got

[실시예 4][Example 4]

모노머 조성물의 조성을 표 1에 기재된 대로 변경한 것, 및 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트의 첨가량을 56.00중량부, 아조비스아이소뷰티로나이트릴의 첨가량을 0.28중량부로 해서 점착제 용액을 조제한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(마스킹재)를 얻었다.The composition of the monomer composition was changed as described in Table 1, and the amount of 2-isocyanatoethyl methacrylate added was 56.00 parts by weight, and the amount of azobisisobutyronitrile was 0.28 parts by weight, and the pressure-sensitive adhesive solution was prepared. Except it, it carried out similarly to Example 1, and obtained the adhesive tape (masking material).

[실시예 5][Example 5]

모노머 조성물의 조성을 표 1에 기재된 대로 변경한 것, 및 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트의 첨가량을 29.25중량부, 아조비스아이소뷰티로나이트릴의 첨가량을 0.15중량부로 해서 점착제 용액을 조제한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(마스킹재)를 얻었다.The composition of the monomer composition was changed as shown in Table 1, and the amount of 2-isocyanatoethyl methacrylate added was 29.25 parts by weight, and the amount of azobisisobutyronitrile was 0.15 parts by weight, and the pressure-sensitive adhesive solution was prepared. Except it, it carried out similarly to Example 1, and obtained the adhesive tape (masking material).

(비교예 1)(Comparative Example 1)

모노머 조성물의 조성을 표 1에 기재된 대로 변경한 것, 및 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트의 첨가량을 25.86중량부, 아조비스아이소뷰티로나이트릴의 첨가량을 0.13중량부로 해서 점착제 용액을 조제한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(마스킹재)를 얻었다.The composition of the monomer composition was changed as described in Table 1, and the amount of 2-isocyanatoethyl methacrylate added was 25.86 parts by weight, and the amount of azobisisobutyronitrile was 0.13 parts by weight, and an adhesive solution was prepared. Except it, it carried out similarly to Example 1, and obtained the adhesive tape (masking material).

(비교예 2)(Comparative Example 2)

모노머 조성물의 조성을 표 1에 기재된 대로 변경한 것, 및 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트의 첨가량을 71.41중량부, 아조비스아이소뷰티로나이트릴의 첨가량을 0.36중량부로 해서 점착제 용액을 조제한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(마스킹재)를 얻었다.The composition of the monomer composition was changed as described in Table 1, and the amount of 2-isocyanatoethyl methacrylate added was 71.41 parts by weight, and the amount of azobisisobutyronitrile was 0.36 parts by weight, and the pressure-sensitive adhesive solution was prepared. Except it, it carried out similarly to Example 1, and obtained the adhesive tape (masking material).

(비교예 3)(Comparative Example 3)

모노머 조성물의 조성을 표 1에 기재된 대로 변경한 것, 및 2-아이소사이아네이토에틸 메타크릴레이트의 첨가량을 84.44중량부, 아조비스아이소뷰티로나이트릴의 첨가량을 0.42중량부로 해서 점착제 용액을 조제한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서, 점착 테이프(마스킹재)를 얻었다.The composition of the monomer composition was changed as described in Table 1, and the amount of 2-isocyanatoethyl methacrylate added was 84.44 parts by weight, and the amount of azobisisobutyronitrile was 0.42 parts by weight, and the pressure-sensitive adhesive solution was prepared. Except it, it carried out similarly to Example 1, and obtained the adhesive tape (masking material).

<평가><Evaluation>

실시예 및 비교예에서 얻어진 마스킹재 또는 각 실시예 및 비교예에서 이용한 점착제 용액을 이용하여 하기 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The following evaluation was performed using the masking material obtained by the Example and the comparative example, or the adhesive solution used by each Example and the comparative example. A result is shown in Table 1.

1. 점착제층의 평가1. Evaluation of the pressure-sensitive adhesive layer

PET 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아포일 MRA38」)의 이형 처리면에 실시예 1∼5 및 비교예 1∼3에서 이용한 점착제 용액을 도포하고, 건조기를 이용하여 120℃에서 3분간 건조시켜, 두께 200μm의 점착제층을 형성했다. 이어서, 점착제층의 PET 세퍼레이터와는 접해 있지 않은 면을 다른 PET 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 상품명 「다이아포일 MRA38」)와 첩합하고, 차광 실온하에서 168시간 방치했다. 이어서, 이하의 자외선 조사 조건으로, 점착제층에 자외선을 조사했다. 자외선 조사 후의 점착제층을 10mm×30mm의 사이즈로 커팅하고, 이것을 평가 샘플로 했다. 이 평가 샘플을 이용하여, 파단 강도 및 저장 탄성률 E'를 측정했다.The adhesive solution used in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 was applied to the release-treated surface of a PET separator (manufactured by Mitsubishi Chemical, trade name "Diafoil MRA38"), and dried at 120° C. for 3 minutes using a dryer, A pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 200 μm was formed. Next, the surface of the adhesive layer not in contact with the PET separator was bonded to another PET separator (manufactured by Mitsubishi Chemical, trade name "Diafoil MRA38"), and left to stand at light-shielding room temperature for 168 hours. Then, the ultraviolet-ray was irradiated to the adhesive layer on the following ultraviolet irradiation conditions. The adhesive layer after ultraviolet irradiation was cut to the size of 10 mm x 30 mm, and this was made into the evaluation sample. Breaking strength and storage modulus E' were measured using this evaluation sample.

<자외선 조사 조건><Ultraviolet irradiation conditions>

자외선 조사 장치: 닛토 세이키사제, 상품명: UM810Ultraviolet irradiator: Nitto Seiki Co., Ltd., brand name: UM810

광원: 고압 수은등Light source: high pressure mercury lamp

조사 강도: 50mW/cm2(측정 기기: 우시오사제 「자외선 조도계 UT-101」)Irradiation intensity: 50 mW/cm 2 (Measuring device: “Ultraviolet illuminometer UT-101” manufactured by Ushio Corporation)

조사 시간: 10초Irradiation Time: 10 seconds

적산 광량: 500mJ/cm2 Integrated light intensity: 500 mJ/cm 2

(1) 파단 강도(1) Breaking strength

인장 시험기(ORIENTEC사제, 상품명 「RTG-1210」)를 이용하여, 측정 온도 22℃, 척간 거리 10mm, 속도 10mm/분의 조건하에서 SS 커브를 측정하고, 파단점에 있어서의 시험력으로부터 파단 강도(MPa)를 산출하고, 이것을 자외선 조사 후의 점착제층의 파단 강도로 했다. 측정은 5회 행하고, 그 평균치를 측정치로 했다.Using a tensile tester (manufactured by ORIENTEC, trade name "RTG-1210"), the SS curve was measured under the conditions of a measurement temperature of 22°C, a distance between chucks of 10 mm, and a speed of 10 mm/min, and the breaking strength ( MPa) was computed, and this was made into the breaking strength of the adhesive layer after ultraviolet irradiation. The measurement was performed 5 times, and the average value was made into the measured value.

(2) 저장 탄성률 E'(2) storage modulus E'

평가 샘플을 두께 200μm, 길이 25mm(측정 길이), 폭 10mm의 단책(短冊)상으로 커터 나이프로 잘라내고, 고체 점탄성 측정 장치(레오메트릭 사이언티픽(주)사제, 상품명 「RSAIII」)를 이용하여, -50℃∼300℃에서의 저장 탄성률 E'를 측정했다. 측정 조건은, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/분으로 하고, 22℃에서의 저장 탄성률 E'를 각 샘플의 저장 탄성률 E'로 했다.The evaluation sample was cut into strips with a thickness of 200 μm, a length of 25 mm (measured length), and a width of 10 mm with a cutter knife, and using a solid viscoelasticity measuring device (Rheometric Scientific Co., Ltd., trade name “RSAIII”) , the storage modulus E' in -50°C to 300°C was measured. The measurement conditions were a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 10°C/min, and the storage elastic modulus E' in 22°C was defined as the storage elastic modulus E' of each sample.

2. 마스킹재의 평가2. Evaluation of masking material

실시예 1∼5 및 비교예 1∼3에서 얻어진 마스킹재를 온도 22℃, 습도 50%의 환경에서, Si 배어 웨이퍼(제법; CZ, 전도형; P, 불순물; B, 두께; 750μm, 저항률; 1Ωcm∼50Ωcm, 표면; 미러, 이면; 미러, 결정 방위(100), 표면 불순물 Fe, Ni, Cu, Zn, Cr, Al, Na<1.0(×1010atoms/cm2))의 표면에 핸드 롤러를 이용하여 기포를 물리게 하는 일 없이 첩부했다. 한편, Si 웨이퍼의 전체를 마스킹재로 덮는 형태로 첩부를 행했다.The masking materials obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 were subjected to a temperature of 22°C and a humidity of 50% in an environment of a Si-bare wafer (method; CZ, conductivity type; P, impurity; B, thickness; 750 µm, resistivity; Hand roller on the surface of 1Ωcm∼50Ωcm, surface; mirror, back surface; mirror, crystal orientation (100), surface impurities Fe, Ni, Cu, Zn, Cr, Al, Na<1.0 (×10 10 atoms/cm 2 )) was applied without causing air bubbles to bite. On the other hand, it affixed in the form which covered the whole Si wafer with a masking material.

이어서, 마스킹재의 기재측으로부터 상기 자외선 조사 조건에서 자외선을 조사하여, 마스킹재의 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 웨이퍼 이면측에 다이싱 테이프로서 상품명 「NBD-7163K」(닛토 덴코사제)를 첩부했다. 다이싱 테이프의 점착제 면에는 다이싱하기 위한 다이싱 링을 첩부했다. 첩부 후, 차광 22℃에서 30분 방치했다. 그 후, 이하의 조건에서, 마스킹재, Si 배어 웨이퍼, 및 다이싱 테이프의 블레이드 다이싱을 행했다.Next, ultraviolet ray was irradiated from the base material side of the masking material under the said ultraviolet irradiation conditions, and the adhesive layer of the masking material was hardened. Then, the brand name "NBD-7163K" (made by Nitto Denko Corporation) was affixed as a dicing tape on the wafer back surface side. A dicing ring for dicing was affixed to the pressure-sensitive adhesive surface of the dicing tape. After sticking, it was left to stand at light-shielding 22 degreeC for 30 minutes. Thereafter, blade dicing of the masking material, the Si bare wafer, and the dicing tape was performed under the following conditions.

<다이싱 조건><Dicing conditions>

다이싱 장치: 디스코사제, 제품명 「DFD-6450」Dicing device: Disco Corporation, product name "DFD-6450"

커트 방식: 싱글 커트Cut method: single cut

다이싱 속도: 55mm/초Dicing speed: 55mm/sec

다이싱 블레이드: 디스코사제, 상품명 「P1A861 SDC400N75BR597」(이하의 드레스 다이싱을 행한 것)Dicing blade: manufactured by Disco, trade name "P1A861 SDC400N75BR597" (the following dress diced)

다이싱 블레이드 회전수: 35,000rpmDicing blade rotation speed: 35,000rpm

블레이드 높이: 75μmBlade height: 75μm

수량: 1.5L/분Quantity: 1.5L/min

웨이퍼 칩 사이즈: 5.0mm각Wafer chip size: 5.0mm each

한편, 다이싱에 이용한 블레이드는, 이하의 조건에서 드레스 다이싱을 행한 것을 이용했다.On the other hand, as the blade used for dicing, a blade subjected to dress dicing under the following conditions was used.

다이싱 테이프(닛토 덴코사제, 상품명 「NBD-7163K」)의 점착제층에, 다이싱링과, 보드(Disco사제, 상품명 DRESSER BOARD BGCA0172)를 첩부하여, 처리용의 워크를 제작했다. 이어서, 얻어진 워크를 이하의 조건에서 다이싱하여, 상기 다이싱 공정용의 블레이드를 얻었다.A dicing ring and a board (made by Disco, trade name: DRESSER BOARD BGCA0172) were affixed to the adhesive layer of a dicing tape (The Nitto Denko company make, brand name "NBD-7163K"), and the work for a process was produced. Next, the obtained workpiece|work was diced under the following conditions, and the blade for the said dicing process was obtained.

<드레스 다이싱 조건><Dress Dicing Conditions>

다이싱 장치: 디스코사제, 제품명 「DFD-6450」Dicing device: Disco Corporation, product name "DFD-6450"

커트 방식: 싱글 커트Cut method: single cut

다이싱 속도: 55mm/초Dicing speed: 55mm/sec

다이싱 블레이드: 디스코사제, 상품명 「P1A861 SDC400N75BR597」 신품Dicing blade: Brand new "P1A861 SDC400N75BR597" made by Disco Corporation

다이싱 블레이드 회전수: 35,000rpmDicing blade rotation speed: 35,000rpm

블레이드 높이: 500μmBlade height: 500μm

수량: 1.5L/분Quantity: 1.5L/min

1회의 다이싱의 거리: 보드의 전체 길이Distance of one dicing: overall length of the board

다이싱 간격: 1mm 간격Dicing Thickness: 1mm Thickness

다이싱 횟수: 100회Number of dicing: 100 times

다이싱 후, 다이싱 테이프의 기재측으로부터 Si 배어 웨이퍼를 향해서 이하의 조건에서 자외선을 조사했다.After dicing, ultraviolet rays were irradiated from the base material side of the dicing tape toward the Si-bare wafer under the following conditions.

<자외선 조사 조건><Ultraviolet irradiation conditions>

자외선 조사 장치: 닛토 세이키사제, 상품명: UM810Ultraviolet irradiator: Nitto Seiki Co., Ltd., brand name: UM810

광원: 고압 수은등Light source: high pressure mercury lamp

조사 강도: 50mW/cm2(측정 기기: 우시오사제, 제품명 「자외선 조도계 UT-101」)Irradiation intensity: 50 mW/cm 2 (Measuring device: Ushio Corporation, product name “Ultraviolet illuminometer UT-101”)

조사 시간: 6초Irradiation Time: 6 seconds

적산 광량: 300mJ/cm2 Accumulated light intensity: 300mJ/cm 2

그 후, 5mm×5mm로 소편화된 마스킹재 및 Si 배어 웨이퍼를 다이싱 테이프로부터 핀셋을 이용하여 회수했다. 한편, 핀셋을 이용할 때, 핀셋이 다이싱 절단면에 닿지 않도록 주의했다.Thereafter, the masking material and the Si-bare wafer fragmented into 5 mm x 5 mm were recovered from the dicing tape using tweezers. On the other hand, when using tweezers, care was taken so that the tweezers did not touch the dicing cut surface.

소편화된 마스킹재 및 Si 배어 웨이퍼를 이용하여 이하의 평가를 행했다.The following evaluation was performed using the fragmented masking material and Si bare wafer.

(3) 점착제층의 표면 거칠기 Sa(3) Surface roughness Sa of the pressure-sensitive adhesive layer

미연삭된 Si 미러 웨이퍼의 표면에 양면 테이프(닛토 덴코사제, 상품명 「No. 5000NS」)를 첩부했다. 이어서, 양면 테이프의 Si 미러 웨이퍼와 접해 있지 않은 면 상에 소편화된 마스킹재 및 Si 배어 웨이퍼의 적층체를 핀셋으로 첩부했다. 한편, 첩부는, 다이싱 절단면과 양면 테이프를 첩합하도록 행하고, 양면 테이프로부터 가장 떨어진 곳(최표면)이, 마지막으로 다이싱된 다이싱 절단면이 되도록 행했다.A double-sided tape (manufactured by Nitto Denko Corporation, trade name "No. 5000NS") was affixed to the surface of the unground Si mirror wafer. Next, on the surface of the double-sided tape not in contact with the Si mirror wafer, a layered product of the fragmented masking material and the Si bare wafer was affixed with tweezers. On the other hand, pasting was performed so that a dicing cut surface and a double-sided tape might be bonded together, and the place (most surface) farthest from the double-sided tape was performed so that it might become the dicing cut surface finally diced.

마지막으로 다이싱된 다이싱 절단면에 대해서, 레이저 현미경(기엔스사제, 제품명 「VK-X150」)을 이용하여 관찰·측정을 행했다. PC 소프트웨어는 기엔스사제 「관찰 어플리케이션 VK-H1XV2 버전 2.5.0.0」을 이용했다. 대물 렌즈는 「20X/0.46 OFN25 WD 3.1」(Nikon사제)을 이용했다. PC 소프트웨어의 「형상 측정」으로, 마스킹재 점착층의 다이싱 절단면의 거칠기 측정을 행했다. 측정 설정은 이하의 조건에서 행했다.Finally, about the dicing cut surface diced, observation and measurement were performed using the laser microscope (The Kiens Corporation make, product name "VK-X150"). As the PC software, "Observation application VK-H1XV2 version 2.5.0.0" manufactured by Giens Corporation was used. As the objective lens, "20X/0.46 OFN25 WD 3.1" (manufactured by Nikon) was used. By "shape measurement" of PC software, the roughness measurement of the dicing cut surface of the masking material adhesive layer was performed. Measurement settings were performed under the following conditions.

<측정 설정><Measurement Settings>

측정 모드: 투명체(최표면)Measurement mode: transparent body (most surface)

측정 사이즈: 표준(1024X768)Measurement size: standard (1024X768)

측정 품질: 고정밀도Measurement quality: high precision

피치: 0.75μmPitch: 0.75μm

이어서, 측정에 의해 얻어진 3차원 데이터를 보존했다. 한편, 화면의 좌단으로부터 우단까지 모두에 점착제층 단면이 비치고 있는 상태로 했다. 두께 200μm의 점착제층의 단면은 화면 내에 들어갔다. 그 후, PC 소프트웨어의 「화상 처리」 중에 있는 「기울기 보정」을 행했다. 보정 방법으로서는, 면 기울기 보정(프로파일)을 선택하고, 얻어진 관찰상의 점착제층 중심에 2개의 선의 중심을 맞춘 상태에서, 절단면이 수평이 되도록 기울기 보정을 실시했다. 기울기 보정 후, 보정 후의 3차원 데이터를 보존했다. 이어서, 해석용 PC 소프트웨어 「멀티 파일 해석 어플리케이션 VK-H1XM 버전 1.1.22.87」(기엔스사제)을 이용하여 3차원 데이터의 해석을 행했다. 해석용 PC 소프트웨어의 「표면 거칠기」를 선택하고, 상으로서 비치고 있는 점착제층 단면 전체를 선택하고, 표면 거칠기 Sa(μm)를 계측했다.Next, the three-dimensional data obtained by the measurement was saved. On the other hand, it was set as the state in which the adhesive layer cross section is reflected in all from the left edge to the right edge of a screen. A cross-section of the pressure-sensitive adhesive layer with a thickness of 200 μm entered the screen. After that, "tilt correction" in "image processing" of the PC software was performed. As a correction|amendment method, in the state which matched the center of two lines with the center of the adhesive layer of the observation image obtained by selecting surface inclination correction (profile), inclination correction was implemented so that a cut surface might become horizontal. After the inclination correction, the three-dimensional data after correction was saved. Next, three-dimensional data was analyzed using PC software for analysis "multi-file analysis application VK-H1XM version 1.1.22.87" (manufactured by Kiens Corporation). "Surface roughness" of PC software for analysis was selected, the whole adhesive layer cross section reflected as an image was selected, and surface roughness Sa (micrometer) was measured.

(4) 피마스킹체의 부스러기 잔류(4) Residual debris on the object to be masked

미연삭된 Si 미러 웨이퍼의 표면에 양면 테이프(닛토 덴코사제, 상품명 「No. 5000NS」)를 첩부했다. 이어서, 양면 테이프의 Si 미러 웨이퍼와 접해 있지 않은 면 상에 소편화된 마스킹재 및 Si 배어 웨이퍼의 적층체를 핀셋으로 첩부했다. 한편, 첩부는, 다이싱 절단면과 양면 테이프를 첩합하도록 행하고, 양면 테이프로부터 가장 떨어진 곳(최표면)이, 마지막으로 다이싱된 다이싱 절단면이 되도록 행했다.A double-sided tape (manufactured by Nitto Denko Corporation, trade name "No. 5000NS") was affixed to the surface of the unground Si mirror wafer. Next, on the surface of the double-sided tape not in contact with the Si mirror wafer, a layered product of the fragmented masking material and the Si bare wafer was affixed with tweezers. On the other hand, pasting was performed so that a dicing cut surface and a double-sided tape might be bonded together, and the place (most surface) farthest from the double-sided tape was performed so that it might become the dicing cut surface finally diced.

마지막으로 다이싱된 다이싱 절단면에 대해서, 레이저 현미경(기엔스사제, 제품명 「VK-X150」)을 이용하여 관찰·측정을 행했다. PC 소프트웨어는 기엔스사제 「관찰 어플리케이션 VK-H1XV2 버전 2.5.0.0」을 이용했다. 대물 렌즈는 「20X/0.46 OFN25 WD 3.1」(Nikon사제)을 이용했다. 피마스킹체(Si 배어 웨이퍼)에 점착제층 유래의 부스러기가 붙어 있지 않은 것을 「없음」, 부스러기가 붙어 있었던 것을 「있음」으로 해서 평가했다.Finally, about the dicing cut surface diced, observation and measurement were performed using the laser microscope (The Kiens Corporation make, product name "VK-X150"). As the PC software, "Observation application VK-H1XV2 version 2.5.0.0" manufactured by Giens Corporation was used. As the objective lens, "20X/0.46 OFN25 WD 3.1" (manufactured by Nikon) was used. What "absence" and the thing to which the debris had adhered to the body to be masked (Si bare wafer) to which the debris derived from an adhesive layer did not adhere was evaluated as "presence".

(5) 피마스킹체로부터의 박리성 및 피마스킹체에 대한 풀 잔류(5) Peelability from the object to be masked and residual glue to the object to be masked

소편화된 마스킹재 및 Si 배어 웨이퍼를 이용하여, 핀셋에 의해 Si 배어 웨이퍼로부터의 마스킹재의 박리를 시도했다. 용이하게 박리할 수 있었던 것을 「용이」, 용이하게 박리할 수 없었던 것을 「불가」로 해서 평가했다.Using the fragmented masking material and Si bare wafer, peeling of the masking material from the Si bare wafer was attempted with tweezers. The thing which could peel easily was evaluated as "easy", and the thing which could not peel easily was evaluated as "impossible".

또한, 박리 후의 Si 배어 웨이퍼의 마스킹재 첩부면을 현미경으로 관찰하여, 풀 잔류의 유무를 확인했다. 현미경으로 풀 잔류가 보이지 않았던 것을 「없음」, 풀 잔류가 보였던 것을 「있음」으로 했다.Moreover, the masking material affixing surface of the Si bare wafer after peeling was observed with the microscope, and the presence or absence of a glue residue was confirmed. What "absence" and the thing in which the grass residue was seen was made into "presence" what was not seen by the microscope with the paste|pool residue.

Figure pat00001
Figure pat00001

본 발명의 마스킹재는, 다이싱 공정에 제공되는 전자 부품의 마스킹에 적합하게 이용될 수 있다.The masking material of the present invention can be suitably used for masking of electronic components used in a dicing process.

10 기재
20 점착제층
100 마스킹재
10 entries
20 Adhesive layer
100 masking material

Claims (6)

활성 에너지선 경화형 점착제로 형성되는 점착제층과, 기재를 구비하고,
해당 활성 에너지선 경화형 점착제의 베이스 폴리머가, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴계 모노머를 5몰%∼20몰% 포함하는 모노머 조성물을 중합하는 것에 의해 얻어지는 폴리머인, 마스킹재로서,
해당 마스킹재를 실리콘 웨이퍼에 첩부하고, 활성 에너지선을 조사하여, 점착제층을 경화시킨 상태에서 마스킹재 및 실리콘 웨이퍼를 다이싱한 후의 점착제층의 다이싱 절단면의 표면 거칠기 Sa가 3μm 이하인, 마스킹재.
A pressure-sensitive adhesive layer formed of an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, and a substrate,
Obtained by polymerizing a monomer composition in which the base polymer of the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive contains 5 mol% to 20 mol% of a (meth)acrylic monomer having at least one alkyl group selected from the group consisting of a methyl group and an ethyl group. As a polymer masking material,
The masking material is affixed to a silicon wafer, irradiated with active energy rays, and the surface roughness Sa of the dicing cut surface of the pressure-sensitive adhesive layer after dicing the masking material and the silicon wafer in a cured state of the pressure-sensitive adhesive layer is 3 µm or less, the masking material .
제 1 항에 있어서,
상기 모노머 조성물이, 수산기 함유 모노머를 추가로 포함하고,
해당 수산기 함유 모노머의 모노머 조성물에 있어서의 함유 비율이 10몰%∼30몰%인, 마스킹재.
The method of claim 1,
The monomer composition further comprises a hydroxyl group-containing monomer,
The masking material whose content rate in the monomer composition of this hydroxyl-containing monomer is 10 mol% - 30 mol%.
제 1 항에 있어서,
상기 베이스 폴리머가, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 폴리머인, 마스킹재.
The method of claim 1,
The said base polymer is a polymer which has a carbon-carbon double bond, The masking material.
제 1 항에 있어서,
상기 점착제층의, 활성 에너지선 조사 후의 22℃에서의 저장 탄성률이, 30MPa∼300MPa인, 마스킹재.
The method of claim 1,
The storage elastic modulus in 22 degreeC after active energy ray irradiation of the said adhesive layer is 30 Mpa - 300 Mpa, The masking material.
제 1 항에 있어서,
상기 점착제층의, 활성 에너지선 조사 후의 22℃에서의 파단 강도가, 7MPa∼15MPa인, 마스킹재.
The method of claim 1,
The masking material whose breaking strength in 22 degreeC after active energy ray irradiation of the said adhesive layer is 7 MPa - 15 MPa.
제 1 항에 있어서,
반도체 제조 프로세스에 이용되는, 마스킹재.
The method of claim 1,
A masking material used in a semiconductor manufacturing process.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212310A (en) 2009-03-06 2010-09-24 Nitto Denko Corp Method of dicing element
JP2013123003A (en) 2011-12-12 2013-06-20 Nitto Denko Corp Laminated sheet and method for manufacturing semiconductor device using laminated sheet

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005208607A (en) * 2003-12-25 2005-08-04 Nitto Denko Corp Manufacturing method for laminated polarizing plate, laminated polarizing plate obtained by the method, and image display apparatus using the laminated polarizing plate
JP2006215488A (en) * 2005-02-07 2006-08-17 Nitto Denko Corp Lamination type polarizing plate, manufacturing method of the same and image display device using the same
JP6561114B2 (en) * 2015-03-26 2019-08-14 リンテック株式会社 Dicing sheet, dicing sheet manufacturing method, and mold chip manufacturing method
KR102394516B1 (en) * 2015-03-26 2022-05-04 린텍 가부시키가이샤 Dicing sheet, method for producing dicing sheet, and method for producing molded chip
CN108148516A (en) * 2016-12-02 2018-06-12 日东电工株式会社 Masking Material
JP2019145575A (en) * 2018-02-16 2019-08-29 日東電工株式会社 Masking material

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212310A (en) 2009-03-06 2010-09-24 Nitto Denko Corp Method of dicing element
JP2013123003A (en) 2011-12-12 2013-06-20 Nitto Denko Corp Laminated sheet and method for manufacturing semiconductor device using laminated sheet

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