KR20210088002A - 마이크로 발광 다이오드, 디스플레이 패널 및 그 전사 방법 - Google Patents

마이크로 발광 다이오드, 디스플레이 패널 및 그 전사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210088002A
KR20210088002A KR1020217019453A KR20217019453A KR20210088002A KR 20210088002 A KR20210088002 A KR 20210088002A KR 1020217019453 A KR1020217019453 A KR 1020217019453A KR 20217019453 A KR20217019453 A KR 20217019453A KR 20210088002 A KR20210088002 A KR 20210088002A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
bonding assembly
sheet
electrode
micro light
Prior art date
Application number
KR1020217019453A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102551062B1 (ko
Inventor
쉬안 차오
청궁 왕
즈성 리
셴루이 첸
치 이 헝
위춘 류
Original Assignee
청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디. filed Critical 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Publication of KR20210088002A publication Critical patent/KR20210088002A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102551062B1 publication Critical patent/KR102551062B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로 발광 다이오드, 그 디스플레이 패널 및 그 전사 방법을 개시하였고, 여기서 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 여기서 상기 본딩 조립 시트의 표면에는 친수성 필름층 또는 소수성 필름층이 형성된다. 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드에 있어서, 유체 자체 조립 기술에 의해 대량 전사를 구현할 수 있어 전사 효율을 대폭 향상시킨다.

Description

마이크로 발광 다이오드, 디스플레이 패널 및 그 전사 방법
본 발명은 디스플레이 기술분야에 관한 것으로, 특히 마이크로 발광 다이오드, 디스플레이 패널 및 그 전사 방법에 관한 것이다.
디스플레이 기술은 사람들의 일상 생활에서 이미 널리 응용되어 왔고 이제는 점차 고효율, 고휘도, 박형화 등 방향으로 발전하고 있으며, 유기 발광 다이오드 (OLED, Organic Light-Emitting Diode)에 비해 마이크로 발광 다이오드는 마이크로 사이즈 내에 고밀도의 발광 다이오드(LED, Liquid Emitting Diode)를 집적할 수 있고, 매우 높은 발광효율 및 수명을 구비하고, 확실한 기술적 우세를 갖고 있다.
그러나, 실제 패널 제조공정에는 여전히 많은 문제점이 존재하며, 그 중에서도 수천 수만개에 달하는 마이크로 발광 다이오드 전사를 구현하는 것은 현재 가장 관심있는 문제점 중 하나이다.
본 발명은 종래기술에 있어 마이크로 발광 다이오드의 대량 전사를 구현하지 못하는 문제점을 해결하기 위해, 마이크로 발광 다이오드, 그 디스플레이 패널 및 그 전사 방법을 제공한다.
상술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 마이크로 발광 다이오드의 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되고, 본딩 조립 시트의 표면에는 친수성 필름층 또는 소수성 필름층이 형성되는 마이크로 발광 다이오드를 제시한다.
상술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 구동 기판 및 구동 기판 상에 설치된 복수의 마이크로 발광 다이오드를 포함하고, 여기서 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하며, 마이크로 발광 다이오드의 후면이 구동 기판에 연결되고, 마이크로 발광 다이오드의 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 구동 기판과 마이크로 발광 다이오드가 연결되는 표면에는 제1 전극 블록, 제2 전극 블록 및 본딩 조립 블록이 설치되고, 제1 전극 시트와 제1 전극 블록이 연결되며, 제2 전극 시트와 제2 전극 블록이 연결되고, 본딩 조립 시트와 본딩 조립 블록이 연결되는 마이크로 발광 다이오드를 제시한다.
상기 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 여기서 상기 본딩 조립 시트의 표면에는 친수성 필름층 또는 소수성 필름층이 형성된다.
상기 본딩 조립 시트는 회전 대칭되는 도형이다.
상기 제1 전극 시트의 개수는 두 개이고, 상기 제2 전극 시트의 개수는 한 개이며, 두 개의 상기 제1 전극 시트는 각각 상기 본딩 조립 시트의 양측에 위치하고, 상기 본딩 조립 시트의 회전중심을 상대로 대칭되게 설치된다.
상기 본딩 조립 시트의 회전중심 부위에 할로우 아웃 영역을 형성하고, 상기 제2 전극 시트는 상기 할로우 아웃 영역에 위치하며, 상기 본딩 조립 시트의 회전중심을 상대로 중심 대칭된다.
상기 제1 전극 시트, 상기 제2 전극 시트 및 상기 본딩 조립 시트의 재질은 동일하다.
상기 제1 전극 시트와 상기 제2 전극 시트의 표면에는 친수성 필름층이 형성된다.
상기 디스플레이 패널은 구동 기판 및 상기 구동 기판 상에 설치된 복수의 마이크로 발광 다이오드를 포함하고, 여기서, 상기 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 상기 마이크로 발광의 후면이 상기 구동 기판과 연결되고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 상기 구동 기판과 상기 마이크로 발광 다이오드가 연결되는 표면에는 제1 전극 블록, 제2 전극 블록 및 본딩 조립 블록이 설치되고, 상기 제1 전극 시트와 상기 제1 전극 블록이 연결되고, 상기 제2 전극 시트와 상기 제2 전극 블록이 연결되며, 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록이 연결된다.
상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록이 서로 연결되는 두 표면에는 모두 친수성 필름층이 형성된다.
상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록이 서로 연결되는 일 표면에는 소수성 필름층이 형성되고, 다른 일 표면에는 친수성 필름층 또는 소수성 필름층이 형성된다.
상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이에는 접착제가 배치되고, 상기 접착체의 친소수성과 상기 본딩 조립 블록 표면의 필름층의 친소수성은 동일하다.
상기 본딩 조립 블록과 상기 본딩 조립 시트는 회전 대칭되는 도형으로서 형태가 동일하다.
상기 제1 전극 시트의 개수는 두 개이고, 상기 제2 전극 시트의 개수는 한 개이며, 상기 본딩 조립 시트의 회전중심 부위에는 제1 할로우 아웃 영역을 형성하고, 상기 제2 전극 시트는 상기 제1 할로우 아웃 영역에 위치하고, 두 개의 상기 제1 전극 시트는 각각 상기 본딩 조립 시트의 양측에 위치하며, 상기 본딩 조립 시트의 회전중심을 상대로 대칭되게 설치된다.
상기 제1 전극 블록의 개수는 두 개이고, 상기 제2 전극 블록의 개수는 한 개이며, 상기 본딩 조립 블록의 회전중심 부위에는 제2 할로우 아웃 영역을 형성하고, 두 개의 상기 제1 전극 시트는 각각 상기 본딩 조립 블록의 양측에 위치하며, 상기 본딩 조립 블록의 회전중심을 상대로 대칭되게 설치된다.
상기 제1 할로우 아웃 영역과 상기 제2 할로우 아웃 영역은 대응되게 마련되고, 상기 제2 전극 시트는 상기 제2 전극 블록에 연결되고, 상기 제1 전극 시트와 상기 제1 전극 블록은 일일이 대응되게 연결된다.
상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록이 서로 연결되는 두 표면에 모두 친수성 필름층이 형성되는 경우, 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이에는 접착제가 배치되는 것을 더 포함한다.
상기 제1 전극 블록은 제1 도전층과 제1 용접층을 포함하고, 상기 제1 전극 블록과 상기 제1 전극 시트는 상기 제1 용접층에 의해 연결되며,
상기 제2 전극 블록은 제2 도전층과 제2 용접층을 포함하고, 상기 제2 전극 블록과 상기 제2 전극 시트는 상기 제2 용접층에 의해 연결된다.
상기 제1 전극 시트, 상기 제2 전극 시트 및 상기 본딩 조립 시트의 재질은 동일하다.
상기 제1 전극 시트와 상기 제2 전극 시트의 표면에는 친수성 필름층이 형성된다.
상기 본딩 조립 블록과 상기 본딩 조립 시트가 연결되는 표면은 친수성 필름층을 구비하며, 상기 제1 전극 블록과 상기 제1 전극 시트가 연결되는 표면은 소수성을 구비하고, 상기 제2 전극 블록과 상기 제2 전극 시트가 연결되는 표면은 소수성을 구비한다.
상기 본딩 조립 블록의 표면의 필름층은 친수성 필름층이고, 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이에 배치된 상기 접착제는 친수성 접착제이며, 상기 친수성 접착제는 아크릴 수지, 에폭시 수지를 포함하고, 상기 본딩 조립 블록의 표면의 필름층은 소수성 필름층이고, 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이에 배치된 상기 접착제는 소수성 접착제이며, 상기 소수성 접착제는 페녹시에틸 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트를 포함한다.
상술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법을 제시하였고, 상기 전사 방법은 아래와 같은 단계를 포함하며, 즉 복수의 마이크로 발광 다이오드 및 하나의 구동 기판을 제공하되, 여기서 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 구동 기판의 연결 표면에는 제1 전극 블록, 제2 전극 블록 및 본딩 조립 블록이 설치된다. 본딩 조립 시트와 본딩 조립 블록에 대해 친수 처리를 수행하며, 복수의 마이크로 발광 다이오드를 극성 용액 중에 놓아두되, 마이크로 발광 다이오드의 후면이 극성 용액의 표면을 향하도록 한다. 극성 용액에 삽입된 구동 기판을 극성 용액으로부터 분리시키되, 마이크로 발광 다이오드가 본딩 조립 시트와 본딩 조립 블록 사이의 친수성에 의해 구동 기판 상에 연결 및 접착되도록 하며, 구동 기판의 연결 표면과 극성 용액의 액면은 직각 혹은 둔각을 형성하는 단계를 포함한다.
상술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법을 제시하였고, 상기 전사 방법은 아래와 같은 단계를 포함한다. 즉 복수의 마이크로 발광 다이오드 및 하나의 구동 기판을 제공하되, 여기서 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 구동 기판의 연결 표면에는 제1 전극 블록, 제2 전극 블록 및 본딩 조립 블록이 설치된다. 본딩 조립 시트와 본딩 조립 블록 중의 하나에 대해 소수 처리를 수행하고, 다른 하나에 대해 친수 처리 또는 소수 처리를 수행한다. 본딩 조립 블록에 접착제를 배치하되, 접착제의 친소수성은 본딩 조립 블록의 친소수성과 동일하다. 복수의 마이크로 발광 다이오드를 용액 중에 놓아두되, 마이크로 발광 다이오드의 후면이 용액의 액면을 향하도록 용액의 극성과 본딩 조립 시트의 친소수성은 대응된다. 상기 극성 용액에 삽입된 상기 구동 기판을 상기 극성 용액으로부터 분리시키되, 상기 마이크로 발광 다이오드 상의 상기 본딩 조립 시트가 상기 본딩 조립 블록 상의 접착제에 의해 상기 구동 기판 상에 연결 및 접착되도록 하며, 상기 구동 기판의 연결 표면과 상기 용액의 액면은 직각 또는 둔각을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에서 개시된 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 그 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 여기서 본딩 조립 시트의 표면에는 친수성 필름층 또는 소수성 필름층이 형성된다. 마이크로 발광 다이오드의 후면은 친수성 또는 소수성을 구비하므로, 후면이 액면을 향하도록 극성 용액 또는 비극성 용액 중에 마련될 수 있으며, 나아가 유체 자체 조립 기술을 이용하여 마이크로 발광 다이오드의 대량 전사를 실현함으로써 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 본 발명에서 개시된 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법에 있어서, 마이크로 발광 다이오드를 용액 중에 평평하게 부설한 후, 구동 기판을 용액으로부터 끌어올리며, 이때 용액에 의해 생성된 유동은 마이크로 발광 다이오드를 밀어 마이크로 발광 다이오드가 구동 기판에 접착될 수 있도록 하며, 나아가 마이크로 발광 다이오드의 고효율적인 전사를 구현한다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 3은 도 2에 도시된 디스플레이 패널 중 구동 기판의 구조 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 다른 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 5는 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법의 일 실시예의 흐름 개략도이다.
도 6은 도 5에 도시된 전사 방법에 따른 실시예의 일 공정과정 개략도이다.
도 7은 도 5에 도시된 전사 방법에 따른 실시예의 다른 일 공정과정 개략도이다.
도 8은 도 5에 도시된 전사 방법에 따른 실시예에서 마이크로 발광 다이오드와 구동 기판이 자체 정렬(self-aligning)되는 과정 개략도이다.
도 9는 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법의 다른 일 실시예의 흐름 개략도이다.
도 10은 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 장치의 일 실시예의 구조 개략도이다.
당해 분야의 기술자들이 본 발명의 기술 방안을 더 잘 이해하도록 하기 위해, 아래에서는 첨부된 도면 및 구체적인 실시 형태를 결합하여 발명이 제공하는 마이크로 발광 다이오드, 그 디스플레이 패널 및 그 전사 방법 대해 더 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드는 디스플레이 패널에서 픽셀의 자체 발광을 구현하며, 한 개의 마이크로 발광 다이오드는 한 개의 픽셀 포인트로 사용되며, 현재의 디스플레이 패널에서 픽셀 포인트의 개수는 일반적으로 수천 수만개이므로, 디스플레이 패널에 대응되게 설치된 마이크로 발광 다이오드도 수천 수만개이다. 일반적으로, 마이크로 발광 다이오드는 우선 성장 기판에서 성장된 후, 이를 구동 기판에 전사하여 디스플레이 패널을 구성하며, 해당 과정에 있어서, 본 발명에서 제시되는 마이크로 발광 다이오드에 대해 일차적으로 대량 전사를 구현할 수 있어 디스플레이 패널의 생산 효율을 향상시킨다.
구체적으로 도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드의 일 실시예의 구조 개략도이다.
본 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드(100)는 서로 등지는 발광면과 후면(11)을 포함하되, 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판에 설치될 때, 발광면은 밖을 향하며, 즉 후면(11)이 구동 기판에 연결된다. 후면(11)에는 제1 전극 시트(111), 제2 전극 시트(112) 및 본딩 조립 시트(113)가 설치된다.
여기서 제1 전극 시트(111) 및 제2 전극 시트(112)는 구동 기판의 양, 음극에 연결되어 발광구동을 구현하기 위한 것이다. 본딩 조립 시트(113)는 구동 기판과의 본딩 연결을 구현하기 위한 것으로, 표면에는 친수성 또는 소수성 필름층이 형성되며, 따라서 유체 자체 조립(self-assembly) 기술을 이용하여 구동 기판에 본딩될 수 있다.
본 발명에 응용되는 유체 자체 조립 기술에 있어서, 이는 구체적으로 마이크로 발광 다이오드(100)와 구동 기판의 접촉 표면에 모두 친수성 필름층을 형성하거나, 혹은 소수성 필름층을 형성하고 접착제를 배치한 후, 마이크로 발광 다이오드를 용액 액면에 평평하게 부설하고, 구동 기판을 용액으로부터 끌어올리면 유체의 작용에 의해 양자가 서로 접근하며, 나아가 양자는 친수성 또는 접착제에 의해 접착 자체 조립을 구현할 수 있는 것이다.
마이크로 발광 다이오드(100)를 제조할 때, 본딩 조립 시트(113)에 친수성 또는 소수성 필름층을 형성하기 위해, 마이크로 발광 다이오드(100)를 SAM용액에 담근다. 제1 전극 시트(111) 및 제2 전극 시트(112)는 전도성 금속을 사용하여야 하므로, 금속재료를 사용하는 제1 전극 시트(111) 및 제2 전극 시트(112) 역시 친수성 필름층 또는 소수성 필름층을 형성한다.
이밖에, 구동 기판에서의 마이크로 발광 다이오드(100)의 정밀한 정렬을 보장하기 위해, 본딩 연결을 위한 본딩 조립 시트(113)는 직사각형, 삼각형, 타원형, 회전 대칭되는 도형 또는 불규칙적인 형태이며, 이로써 본딩 조립 시트(113)가 본딩 정렬된 후, 마이크로 발광 다이오드가 구동 기판 상의 유일하고 정확한 위치에 본딩될 수 있도록 보장한다. 반대의 예를 들면, 본딩 조립 시트(113)로는 원형을 선택하지 않는 바, 원형의 본딩 조립 시트(113)가 본딩 정렬된 후 마이크로 발광 다이오드(100)는 다양한 방식으로 구동 기판에 본딩될 수 있으며, 이때 정확한 정렬을 구현할 수 없다.
본딩 조립 시트(113)는 180도 회전 대칭되는 도형이 바람직하고, 기타 형태에 비해 더 정밀한 정렬을 구현할 수 있으며, 구체적으로, 정밀한 정렬을 구현하기 위해서는 구동 기판에 동일한 형태의 본딩 조립 시트를 대응되게 설치하여야 하고, 본딩 조립 시트(113)가 구동 기판에 본딩 연결된 후, 유체 운동의 유연성으로 인해 본딩 조립 시트(113)는 일반적으로 완전히 정밀한 정렬을 구현할 수 없으며, 마이크로 발광 다이오드(100)를 본딩 연결한 구동 기판을 일정한 시간동안 가만히 놓아두면, 마이크로 발광 다이오드(100)의 본딩 조립 시트(113)는 양자 사이의 액체의 모세 작용에 의해 이동할 수 있으며, 따라서 구동 기판 상의 대응하는 본딩 조립 시트와 완전히 결합된다. 그러나 회전 대칭되는 형태를 적용하면 신속하고 완전한 정렬을 구현할 수 있다. 가만히 놓아두어 정렬하는 과정에서 마이크로 발광 다이오드(100)를 본딩 연결한 구동 기판에 대해 가열처리를 수행함으로써, 정렬 속도를 높이고 정렬 정밀도를 향상시킨다.
본딩 조립 시트(113)에 180도 회전 대칭되는 형태를 적용할 경우, 마이크로 발광 다이오드(100) 전체가 대칭되게 마련되고, 제1 전극 시트(111)와 제2 전극 시트(112)는 각각 본딩 조립 시트(113)의 양측에 대칭되게 설치되면, 구동 기판 상의 양, 음극과 반대로 연결되기 쉬우며, 따라서 본 실시예에서는 제1 전극 시트(111)의 개수를 두 개로 마련하고, 제2 전극 시트(112)의 개수를 한 개로 마련하며, 본딩 조립 시트(113)의 회전중심 부위에 하나의 할로우 아웃 영역(hollow-out area)(114)을 형성하고, 제2 전극 시트(112)는 할로우 아웃 영역(114)에 위치하며, 두 개의 제1 전극 시트(111)는 본딩 조립 시트(113)의 양측에 위치하고, 본딩 조립 시트(113)의 회전중심을 상대로 대칭되게 설치된다. 따라서 마이크로 발광 다이오드(100)가 조립 정렬될 때, 제1 전극 시트(111)와 제2 전극 시트(112)에 양, 음극 정렬 오류 문제가 발생하지 않도록 보장할 수 있다.
본 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드(100)의 후면(11)의 본딩 조립 시트(113)에 친수성 필름층 또는 소수성 필름층을 마련함으로써 후면이 액면을 향하도록 극성 용액 또는 비극성 용액에 평평하게 부설할 수 있고, 나아가 유체 자체 조립 기술을 이용하여 전사를 구현할 수 있다.
상술한 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드(100)의 설명에 있어서, 모두 구동 기판과의 본딩 관계를 언급하였고, 본 발명을 더 명확하게 이해하기 위해, 이하, 상술한 마이크로 발광 다이오드(100)가 설치된 디스플레이 패널에 대하여 더 구체적으로 설명한다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 도 2는 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 일 실시예의 구조 개략도이고, 도 3은 도 2에 도시된 디스플레이 패널 중 구동 기판의 구조 개략도이며, 도 4는 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 다른 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 2에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 패널(300)은 구동 기판(200) 및 복수의 상술한 마이크로 발광 다이오드(100)를 포함하고, 복수의 마이크로 발광 다이오드(100)는 구동 기판(200)에 어레이 배치되고, 각각의 마이크로 발광 다이오드(100)는 하나의 픽셀 포인트와 대응되며, 픽셀 포인트의 자체 발광을 구현한다. 마이크로 발광 다이오드(100)의 구조에 대하여 더이상 설명하지 않기로 한다.
구동 기판(200)의 구조는 도 3을 참조할 수 있고, 마이크로 발광 다이오드(100)를 연결한 표면(21)에는 제1 전극 블록(211), 제2 전극 블록(212) 및 본딩 조립 블록(213)이 설치되며, 제1 전극 시트(111)와 제1 전극 블록(211)이 연결되고, 제2 전극 시트(112)와 제2 전극 블록(212)이 연결되며, 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213)이 연결되고, 여기서 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213)이 서로 연결되는 두 표면에는 모두 친수성 필름층이 형성된다.
도 4에 도시된 실시예에 따른 디스플레이 패널(400)에서 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213)이 서로 연결되는 일 표면에는 소수성 필름층이 형성되고, 다른 일 표면에는 친수성 필름층 또는 소수성 필름층이 형성되며, 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213) 사이에는 반드시 접착제(215)를 배치하여야 하고, 접착제(215)의 친소수성과 본딩 조립 블록(213)의 표면 필름층의 친소수성은 동일하다.
마이크로 발광 다이오드(100)와 구동 기판(200)의 본딩 연결은 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법을 결합하여 이해할 수 있다. 구체적으로 도 5를 참조하면, 도 5는 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법의 일 실시예의 흐름 개략도이다. 본 실시예에 따른 전사 방법은 이하 단계를 포함한다.
S101: 복수의 마이크로 발광 다이오드 및 하나의 구동 기판을 제공한다.
본 실시예에 따른 전사 방법은 본 단계에서 제공되는 마이크로 발광 다이오드(100)를 구동 기판(200)에 전사하기 위한 것으로, 양자의 구조는 도 1과 도 3을 참조할 수 있다.
제공되는 마이크로 발광 다이오드(100)는 서로 등지는 발광면과 후면(11)을 포함한다. 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200) 상에 설치될 때, 발광면은 밖을 향하고, 즉 후면(11)이 구동 기판(200)에 연결된다. 마이크로 발광 다이오드(100)의 후면(11)에는 제1 전극 시트(111), 제2 전극 시트(112) 및 본딩 조립 시트(113)가 설치된다. 구체적으로, 마이크로 발광 다이오드(100)는 성장 기판에서 외연 성장을 완성한 후, 이를 성장 기판으로부터 박리할 수 있다.
제공되는 구동 기판(200)과 마이크로 발광 다이오드(100)가 연결되는 연결 표면(21) 측에는 제1 전극 블록(211), 제2 전극 블록(212) 및 본딩 조립 블록(213)이 설치된다. 해당 구동 기판(200)은 마스크 공정에 의해 제조된 TFT 기판 등일 수 있다.
마이크로 발광 다이오드(100)를 구동 기판(200)에 전사시킨 다음, 제1 전극 시트(111)는 제1 전극 블록(211)에 연결되고, 제2 전극 시트(112)는 제2 전극 블록(212)에 연결되며, 본딩 조립 시트(113)는 본딩 조립 블록(213)에 연결된다. 여기서, 전극 시트와 전극 블록 사이의 연결은 마이크로 발광 다이오드의 양, 음극의 전기적 구동을 구현하여 마이크로 발광 다이오드(100)의 발광을 구현하기 위한 것으로, 제1 전극 시트(111)는 P 단자 컨택트 시트일 수 있고, 제2 전극 시트(112)는 N단자 컨택트 시트일 수 있으며, 전극 블록도 동일한 원리로 마련되고, 여기서 사용되는 단어 "블록"과 "시트"는 구분의 편의를 위한 것일 뿐, 각자의 사이즈 또는 형태를 한정하는 것은 아니다. 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213) 사이의 연결은 후속 단계에서 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200)에 접착되는 것을 구현하기 위한 것이다.
S102: 마이크로 발광 다이오드의 본딩 조립 시트와 구동 기판의 본딩 조립 블록에 대해 친수 처리를 수행한다.
본 실시예에서 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213)에 대해 친수 처리를 수행함으로써 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213)이 친수성을 이용하여 서로 연결되도록 할 수 있다.
마이크로 발광 다이오드(100)의 본딩 조립 시트(113)에 대해 친수 처리를 수행하는데 있어서, 이는 마이크로 발광 다이오드(100) 전체를 친수성기가 함유된 용액에 담그고, 일정한 시간이 경과된 후, 친수성기는 본딩 조립 시트(113) 상에 배열이 치밀하고 질서있는 친수성 필름층을 형성하는 것이다.
금속재료 중에서 금(Au)과 황화수소기(-SH)가 반응한 후 얻게 되는 친수성이 가장 양호하며, 따라서 본 실시예에서는 친수성기가 함유된 용액으로 유기 황화물류 SAM(self assembled monolayer) 용액을 선택하여 사용하고, 본딩 조립 시트로는 금을 선택하여 사용하며, 구체적으로, SAM 분자의 일단은 -SH기와 금이 결합되고, 타단은 친수성기이다. 즉 금 표면에 밀집하게 배열된 SAM 분자를 형성하고, 즉 금 표면에 친수성 필름층을 형성한다. 금 표면에는 자연산화막이 존재하지 않으므로 안정성이 양호하며, 따라서 형성된 친수성 필름층은 양호한 안정성을 갖는다.
여기서, 친수성 필름층 형성 시간은 담금(soak) 용액 중에 함유된 표면 활성물질의 농도와 관련되고, 마이크로 발광 다이오드(100)의 크기와도 관련되며, 일반적으로 담금 시간은 5~30 시간일 수 있고, 담금 용액의 농도는 10-3mol/L~10mol/L일 수 있다.
이밖에, 마이크로 발광 다이오드(100)를 담글 때, 금속재료를 이용하여 제조된 제1 전극 시트(111)와 제2 전극 시트(112)도 동시에 친수성 필름층을 형성하며, 마이크로 발광 다이오드(100)의 사이즈가 작으므로 제1 전극 시트(111)와 제2 전극 시트(112)에도 친수성 필름층을 형성하여, 마이크로 발광 다이오드(100)의 후면이 발광면에 비해 더 선명한 친수성을 구비하도록 하며, 마이크로 발광 다이오드(100)가 용액 중에 놓이고 구동 기판(200)에 전사될 때 후면의 친수성에 의해 안정적이고 견고한 연결을 구현할 수 있다. 공정의 간소화를 위해, 제1 전극 시트(111), 제2 전극 시트(112) 및 본딩 조립 시트(113)는 금과 같은 동일한 종류의 금속재료를 선택하여 사용하여, 삼자가 동시에 성형될 수 있도록 한다.
동일한 원리로, 구동 기판(200) 상의 본딩 조립 블록(213)에 대해 친수 처리를 수행하고, 마이크로 발광 다이오드(100)의 친수 처리 방식만 적용하면, 구동 기판(200) 중의 제1 전극 블록(211)과 제2 전극 블록(212)도 친수성을 구비하게 된다. 그러나 후속 단계에서 본딩 조립 블록(113)이 친수 작용에 의해 구동 기판(200) 상에 본딩될 때, 제1 전극 블록(211) 또는 제2 전극 블록(212)에 연결될 수 있으므로, 이를 회피하기 위해, 구동 기판(200) 상의 제1 전극 블록(211)과 제2 전극 블록(212)에 대해 소수 처리를 수행하여 친수성을 구비하지 못하도록 함으로써 본딩 연결을 방해하지 못하게 한다.
S103: 복수의 마이크로 발광 다이오드를 극성 용액 중에 놓아둔다.
마이크로 발광 다이오드(100)를 극성 용액에 놓아둘 때, 제공되는 극성 용액은 물, 수유, 에탄올, 글리세린, 프로필렌글리콜 등일 수 있다. 마이크로 발광 다이오드(100)의 후면은 친수성을 구비하고, 따라서 친수 작용에 의해 상기 마이크로 발광 다이오드의 후면은 극성 용액의 표면을 향하며, 복수의 마이크로 발광 다이오드(100)는 극성 용액의 표면에 밀집하게 배열될 수 있다.
S104: 극성 용액에 삽입된 구동 기판을 극성 용액으로부터 분리시킨다.
해당 단계는 도 6과 도 7을 결합하여 이해할 수 있는 바, 도 6은 도 5에 도시된 전사 방법에 따른 실시예의 일 공정과정 개략도이고, 도 7은 도 5에 도시된 전사 방법에 따른 실시예의 다른 일 공정 과정 개략도이다
전사 과정에서 구동 기판(200)은 먼저 극성 용액에 삽입되고, 그 연결 표면(21)과 극성 용액의 액면은 도 6에서와 같은 직각 또는 도 7에서와 같은 둔각을 형성한다. 도 6에 도시된 직각을 적용하면, 생산적 측면에서 보면, 구동 기판(200)을 끌어올릴 때, 용액에 의해 마이크로 발광 다이오드(100)에 대한 견인력이 더 강해지며, 마이크로 발광 다이오드(100)를 구동 기판(200)에 효과적으로 접근시킨다. 그러나 도 7에서의 둔각을 적용하면, 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200)에 부착되는 경로가 더 평탄하고, 더 용이하게 구동 기판(200)에 부착되며, 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200) 상에 부착된 후 쉽게 떨어지지 않도록 보장한다.
마이크로 발광 다이오드(100) 구동 기판(200)에 접근할 수 있도록 보장하기 위해, 끌어올리는 동시에 밀음부재를 사용하여 용액 중의 마이크로 발광 다이오드(100)를 밀어 양자가 더 용이하게 접착되도록 할 수 있다.
구동 기판(200)을 X방향을 향해 끌어올려 극성 용액으로부터 분리시키고, 이때 용액 중의 마이크로 발광 다이오드(100)의 본딩 조립 시트(113)는 용액 표면의 장력으로 인해 구동 기판(200)의 본딩 조립 블록(213)에 접착되며, 즉 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200)에 접착되는 것을 구현하고, 마이크로 발광 다이오드(100)가 극성 용액 중에 밀집하게 배열되므로 한번 끌어올림으로써 복수의 마이크로 발광 다이오드(100)의 접착을 구현할 수 있다.
끌어올리는 과정에서 마이크로 발광 다이오드(100)와 구동 기판(200)의 안정적이고 견고한 본딩을 구현하기 위해, 본딩 조립 블록(213)의 표면에는 접착제(215)가 더 배치되고, 도 7에 도시된 바와 같이, 본딩 조립 시트(113)는 친수 작용에 의해 본딩 조립 블록(213)에 본딩된 후, 나아가 접착제(215)의 작용에 의해 본딩 조립 블록(213)에 안정적이고 견고하게 본딩된다. 본 실시예에서는 친수성을 구비하고 극성 용액에 용해되지 않는 접착제(215)를 선택하여 사용하며, 구체적으로 유기 탄수화물 등일 수 있다.
상술한 끌어올리는 과정에서 용액 유동의 불안정성으로 인해 마이크로 발광 다이오드(100)는 단지 구동 기판(200)에만 접착되어 양자가 정밀한 정렬을 구현하지 못할 가능성이 있다. 따라서, 본 실시예에서 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록 (213)은 일정한 형태를 적용하여 설계하고, 구동 기판(200)이 끌어올려진 후 양자 사이의 친수성이 남긴 극성 용액의 모세 작용을 이용하여 양자가 자체 정렬을 구현할 수 있도록 한다.
구체적으로, 본딩 조립 시트(113)는 회전 대칭되는 도형, 직사각형, 삼각형, 타원형 또는 불규칙적인 형태 등으로 형성되고, 본딩 조립 블록(213)은 본딩 조립 시트(113)와 동일한 형태를 적용한다. 이렇게 형태를 설정함으로써 양자가 본딩 정렬된 후, 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200) 상의 유일하고 정확한 위치에 본딩될 수 있다. 반대의 예를 들면, 본딩 조립 시트(113)로는 원형을 선택하지 않는다. 원형의 본딩 조립 시트(113)가 본딩 정렬된 후 마이크로 발광 다이오드(100)는 다양한 방식으로 구동 기판(200) 상에 본딩될 수 있으며, 이때 정확한 정렬을 구현할 수 없다.
본 실시예에서는 180도 회전 대칭되는 도형이 바람직하고, 180도 회전 대칭되는 도형은 기타 형태에 비해 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213) 사이의 더 정밀하고 더 신속한 자체 회전 정렬을 구현할 수 있다. 구체적으로, 본딩 조립 시트(113)가 친수 작용에 의해 구동 기판(200)에 본딩 연결된 후, 유체 운동의 불확실성으로 인해 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213)은 완전히 정밀한 정렬을 구현할 수 없으며, 친수 작용에 의해 마이크로 발광 다이오드(100)를 본딩 연결한 구동 기판(200)을 일정한 시간동안 가만히 놓아두면, 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213)은 양자 사이의 액체의 모세 작용에 의해 이동할 수 있으며, 따라서 신속한 자체 회전 정렬을 구현한다. 가만히 놓아두어 정렬하는 과정에서 마이크로 발광 다이오드(100)를 본딩 연결한 구동 기판(200)에 대해 가열처리를 수행함으로써 정렬 속도를 높이고 정렬 정밀도를 향상시킨다.
본 실시예에서의 마이크로 발광 다이오드(100)는 사각형이고, 그 후면(11)에 설치된 본딩 조립 시트(113)는 180도 회전 대칭되는 도형으로, 사각형의 후면(11)의 중심위치에 위치하며, 즉 회전중심(O1)과 사각형의 후면의 중심(O)은 겹치고, 마이크로 발광 다이오드(100) 전체는 대칭되는 구조이다. 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200)에 연결될 때 양, 음극의 정확한 연결을 보장하기 위해, 제1 전극 시트(111)와 제2 전극 시트(112)는 서로 대칭될 수 없으며, 즉 양자는 모두 자체적으로 대칭되는 구조를 적용한다.
구체적으로 본 실시예에서, 제1 전극 시트(111)는 두 개로 마련되고, 각각 본딩 조립 시트(113)의 양측에 위치하며 회전중심(O1)을 상대로 대칭되게 설치된다. 그러나 제2 전극 시트(112)는 하나로 마련되고, 본딩 조립 시트(113)의 회전중심 부위에 제1 할로우 아웃 영역(hollow-out area)(114)을 형성하고, 제2 전극 시트(112)를 제1 할로우 아웃 영역(114)에 설치한다.
상응하게 구동 기판(200)에도 동일하게 설치하며, 즉 본딩 조립 블록(213)은 회전 대칭되는 도형이고, 제1 전극 블록(211)은 두 개로 마련되고, 각각 본딩 조립 블록(213)의 양측에 위치하며 회전중심(O2)을 상대로 대칭되게 설치된다. 그러나 제2 전극 블록(212)은 하나로 마련되고, 본딩 조립 블록(213)의 회전중심(O2) 부위에 제2 할로우 아웃 영역(214)을 형성하고, 제2 전극 블록(212)을 제2 할로우 아웃 영역(214)에 설치한다.
마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200)에 본딩된 후, 제1 할로우 아웃 영역(114)과 제2 할로우 아웃 영역(214)은 대응되고 두 제1 전극 시트(111)와 두 제1 전극 블록(211)은 일일이 대응되게 연결되는 바, 제2 전극 시트(112)와 제2 전극 블록(212) 역시 대응되게 연결되므로, 양, 음극의 정렬을 보장한다.
단계(S104)를 수행한 다음 단계(S105)를 수행한다.
S105: 마이크로 발광 다이오드를 본딩 연결한 구동 기판을 가만히 놓아두고 가열 경화시킨다.
단계(S104)를 완성한 구동 기판(200)을 일정한 시간동안 가만히 놓아두어 수분이 증발하기를 기다리는 바, 상술한 바와 같이, 이 과정에서 제1 본딩 조립 시트(113)와 제2 본딩 조립 시트(213)는 물의 모세 작용에 의해 더 정밀하게 정렬되며, 최종적으로 마이크로 발광 다이오드와 구동 기판의 정밀한 정렬을 구현한다. 구체적인 과정은 도 8을 참조할 수 있고, 도8은 도5에 도시된 전사 방법 실시예에서 마이크로 발광 다이오드와 구동 기판이 자체 정렬(self-aligning)되는 과정 개략도이다.
이밖에, 해당 단계(S105)에서 가열을 통해 전극 시트와 전극 블록 사이의 안정적이고 견고한 연결을 구현한다. 제1 전극 블록(211)에 있어서, 제1 도전층과 제2 용접층을 포함하고, 제1 용접층은 단계(S105)의 가열 경화 과정에서 제1 전극 시트(111)와 제1 전극 블록(211)의 안정적이고 견고한 연결을 구현하고, 제1 용접층은 저용접 금속을 적용하여 가열 경화 과정에서 저용점 금속이 용해되어 용접을 구현한다. 동일한 원리로, 제2 전극 블록(212) 역시 제2 도전층과 제2 용접층을 포함한다. 여기서 도전층은 금속을 사용할 수 있고, 용접층은 인듐 등과 같은 저용점 금속을 적용할 수 있다.
도 5에 도시된 전사 방법의 실시예에서, 마이크로 발광 다이오드(100)에 대해 친수 처리를 수행하여 상기 마이크로 발광 다이오드가 극성 용액 중에 평평하게 부설되도록 하고, 상응하게 구동 기판(200)에 대해서도 친수 처리를 수행하여 구동 기판(200)을 용액으로부터 끌어올릴 때, 마이크로 발광 다이오드(100)가 친수 작용에 의해 구동 기판(200)에 접착될 수 있도록 하며, 나아가 마이크로 발광 다이오드(100)의 전사를 구현한다.
해당 전사 방법의 설계 사상에 기초하여 본 발명은 나아가 기타 방안을 제시한다. 예를 들어 아래와 같다.
방안 1: 마이크로 발광 다이오드(100)에 대해 친수 처리를 수행하여 극성 용액 중에 평평하게 부설되도록 하되, 구동 기판(200)에 대해서는 소수 처리를 수행하고 구동 기판(200)에 소수성 접착제를 배치하여 마이크로 발광 다이오드(100)가 접착제에 의해 구동 기판(200)에 접착되도록 한다.
방안 2: 마이크로 발광 다이오드(100)에 대해 소수 처리를 수행하여 비극성 용액 중에 평평하게 부설되도록 하되, 구동 기판(200)에 대해서는 소수 처리를 수행하고 친수성 접착제를 배치하여 마이크로 발광 다이오드(100)가 접착제에 의해 구동 기판(200)에 접착되도록 한다.
방안 3: 마이크로 발광 다이오드(100)에 대해 소수 처리를 수행하여 비극성 용액 중에 평평하게 부설되도록 하되, 구동 기판(200)에 대해서는 소수 처리를 수행하고 소수성 접착제를 배치하여 마이크로 발광 다이오드(100)가 접착제에 의해 구동 기판(200) 상에 접착되도록 한다.
구체적으로, 상술한 세개의 기타 방안에 따른 전사 방법은 도 9를 참조할 수 있고, 도 9는 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법의 다른 일 실시예의 흐름 개략도이다. 본 실시예는 이하 단계를 포함한다.
S201: 복수의 마이크로 발광 다이오드 및 구동 기판을 제공한다.
본 단계에서 제공되는 마이크로 발광 다이오드(100) 및 구동 기판(200)은 도 5에 도시된 실시예의 단계(S101)에서 제공되는 것과 유사하며, 구체적인 설명은 더 이상 하지 않도록 한다.
S202: 본딩 조립 시트와 본딩 조립 블록 중의 하나에 대해 소수 처리를 수행하고, 다른 하나에 대해 친수 처리 또는 소수 처리를 수행한다.
여기서, 친수 처리는 도 5에 도시된 실시예의 단계(S102)와 유사하며, 구체적인 설명은 더 이상 하지 않도록 한다. 그러나 소수 처리 역시 소수성 필름층을 형성할 수 있도록 소수기가 함유된 SAM 용액을 사용하여 담근다.
S203: 본딩 조립 블록에 접착제를 배치한다.
실시예에서 본딩 조립 시트(113) 또는 본딩 조립 블록(213)에서 소수 처리를 수행하였으므로, 후속 단계에서 구동 기판을 끌어올릴 때 접착제를 이용하여 양자의 접착을 구현하여야 하며, 양자 사이에 용액이 잔류하지 않으므로 용액의 모세 작용을 이용하여 자체 정렬을 구현할 수 없고, 따라서 본 실시예에서 액상 또는 반액상 상태의 접착제를 적용하는 것은 나아가 자체 정렬을 구현하는데 이용될 수 있다.
구동 기판(200)이 용액에 삽입될 때, 액상 또는 반액상 상태의 접착제가 구동 기판(200)에 접착될 수 있도록 하기 위해, 본딩 조립 블록(213)에 배치된 접착제의 친소수성과 본딩 조립 블록(213)의 친소수성은 동일하다. 구체적으로, 친수성 접착제로는 아크릴 수지, 에폭시 수지 등일 수 있고, 소수성 접착제는 페녹시에틸 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트 등일 수 있다.
S204: 상기 복수의 마이크로 발광 다이오드를 용액 중에 놓아둔다.
본 실시예에서 마이크로 발광 다이오드(100)는 친소수성이 모두 적용되며, 단지 극성 용액 또는 비극성 용액과 매칭되어 마이크로 발광 다이오드(100)가 후면이 용액의 표면을 향하도록 부설될 수 있도록 한다. 즉 용액의 극성과 본딩 조립 시트(113)의 친소수성은 대응되고, 본딩 조립 시트(113)가 친수성이면 용액은 극성 용액이고, 본딩 조립 시트(113)가 소수성이면 용액은 비극성 용액이다.
S205: 상기 용액에 삽입된 상기 구동 기판을 용액으로부터 분리시킨다.
본 단계(S205)의 과정은 도 5에 도시된 실시예의 단계(S104)와 유사하다. 해당 단계를 수행한 다음, 본 실시예에서 마이크로 발광 다이오드(100)는 본딩 조립 시트(113)와 본딩 조립 블록(213) 사이의 접착제에 의해 구동 기판(200)에 연결 및 접착된다.
해당 과정에서 마이크로 발광 다이오드(100)가 구동 기판(200)과 정확하고 안정적이며 견고한 접착을 구현할 수 있도록 보장하기 위해, 본 실시예에서도 도 1에 도시된 실시예에서의 마이크로 발광 다이오드(100)와 구동 기판(200)의 관련 구조 설계를 이용한다. 구체적인 설명은 생략한다.
마찬가지로, 본 실시예에서 단계(S205)를 수행한 다음, 마이크로 발광 다이오드를 본딩 연결한 구동 기판을 가만히 놓아두고 가열 경화시키는 단계(S206)를 더 수행할 수 있다. 해당 단계(S206)는 도 5에 도시된 단계(S105)와 유사하며, 구체적인 설명은 생략한다.
결론적으로, 도 5에 도시된 전사 방법의 실시예 및 도 9에 도시된 전사 방법의 실시예에 있어서, 마이크로 발광 다이오드(100)에 대해 친수 처리 또는 소수 처리를 수행하여 극성 용액 또는 비극성 용액에 평평하게 부설될 수 있도록 한 다음, 구동 기판(200)에 대해 친수 처리 또는 접착제를 배치하여 구동 기판(200)을 용액으로부터 끌어올릴 때, 마이크로 발광 다이오드(100)가 친수 작용 또는 접착제에 의해 구동 기판(200)에 접착되며, 나아가 마이크로 발광 다이오드(100)의 전사를 구현할 수 있도록 한다.
상술한 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제조는 마이크로 발광 다이오드의 대량 전사를 구현할 수 있어, 높은 제조 효율을 갖고 상응한 생성비용도 낮다.
구체적으로, 상술한 디스플레이 패널은 디스플레이 장치에 적용될 수 있고, 도 10을 참조하면 본 실시예서는 하나의 디스플레이 장치를 제시하며, 도 10은 본 발명에 따른 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 장치의 일 실시예의 구조 개략도이다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치(500)는 디스플레이 패널(51)을 포함하고, 해당 디스플레이 패널(51)은 상술한 디스플레이 패널(300, 400)과 유사하며, 구체적인 설명은 더 이상 하지 않기로 한다. 디스플레이 장치(500)는 휴대폰, 컴퓨터, 태블릿 PC, 텔레비전 등 디스플레이를 구현할 수 있는 전자기기일 수 있다.
상기한 바는 단지 본 발명의 실시예일 뿐, 본 발명의 특허범위를 한정하는 것이 아니고, 본 발명의 명세서 및 도면 내용을 이용하여 진행한 등가적 구조 또는 등가적 흐름에 대한 변환, 혹은 기타 관련된 기술분야에 직접적 또는 간접적으로 응용되는 것은 동일한 원리로 모두 본 발명의 특허청구범위에 속한다.

Claims (20)

  1. 마이크로 발광 다이오드에 있어서,
    서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 여기서 상기 본딩 조립 시트의 표면에는 친수성 필름층 또는 소수성 필름층이 형성되는 마이크로 발광 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 본딩 조립 시트는 회전 대칭되는 도형인 마이크로 발광 다이오드.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극 시트의 개수는 두 개이고, 상기 제2 전극 시트의 개수는 한 개이며, 두 개의 상기 제1 전극 시트는 각각 상기 본딩 조립 시트의 양측에 위치하고, 상기 본딩 조립 시트의 회전중심을 상대로 대칭되게 설치되는 마이크로 발광 다이오드.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 본딩 조립 시트의 회전중심 부위에 할로우 아웃 영역을 형성하고, 상기 제2 전극 시트는 상기 할로우 아웃 영역에 위치하며, 상기 본딩 조립 시트의 회전중심을 상대로 중심 대칭인 마이크로 발광 다이오드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 시트, 상기 제2 전극 시트 및 상기 본딩 조립 시트의 재질은 동일한 마이크로 발광 다이오드.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 시트와 상기 제2 전극 시트의 표면에는 친수성 필름층이 형성되는 마이크로 발광 다이오드.
  7. 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 디스플레이 패널은 구동 기판 및 상기 구동 기판 상에 설치된 복수의 마이크로 발광 다이오드를 포함하고,
    여기서 상기 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 상기 마이크로 발광의 후면이 상기 구동 기판과 연결되고, 상기 마이크로 발광 다이오드의 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며,
    상기 구동 기판과 상기 마이크로 발광 다이오드가 연결되는 표면에는 제1 전극 블록, 제2 전극 블록 및 본딩 조립 블록이 설치되고,
    상기 제1 전극 시트와 상기 제1 전극 블록이 연결되고, 상기 제2 전극 시트와 상기 제2 전극 블록이 연결되며, 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록이 연결되는 디스플레이 패널.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록이 서로 연결되는 두 표면에는 모두 친수성 필름층이 형성되는 디스플레이 패널.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록이 서로 연결되는 일 표면에는 소수성 필름층이 형성되고, 다른 일 표면에는 친수성 필름층 또는 소수성 필름층이 형성되는 디스플레이 패널.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이에는 접착제가 배치되고, 상기 접착체의 친소수성과 상기 본딩 조립 블록 표면의 필름층의 친소수성은 동일한 디스플레이 패널.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 본딩 조립 블록과 상기 본딩 조립 시트는 회전 대칭되는 도형으로서 형태가 동일한 디스플레이 패널.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극 시트의 개수는 두 개이고, 상기 제2 전극 시트의 개수는 한 개이며, 상기 본딩 조립 시트의 회전중심 부위에는 제1 할로우 아웃 영역을 형성하고, 상기 제2 전극 시트는 상기 제1 할로우 아웃 영역에 위치하고, 두 개의 상기 제1 전극 시트는 각각 상기 본딩 조립 시트의 양측에 위치하며, 상기 본딩 조립 시트의 회전중심을 상대로 대칭되게 설치되고,
    상기 제1 전극 블록의 개수는 두 개이고, 상기 제2 전극 블록의 개수는 한 개이며, 상기 본딩 조립 블록의 회전중심 부위에는 제2 할로우 아웃 영역을 형성하고, 두 개의 상기 제1 전극 시트는 각각 상기 본딩 조립 블록의 양측에 위치하며, 상기 본딩 조립 블록의 회전중심을 상대로 대칭되게 설치되고,
    상기 제1 할로우 아웃 영역과 상기 제2 할로우 아웃 영역은 대응되게 마련되고, 상기 제2 전극 시트는 상기 제2 전극 블록에 연결되고, 상기 제1 전극 시트와 상기 제1 전극 블록은 일일이 대응되게 연결되는 디스플레이 패널.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록이 서로 연결되는 두 표면에 모두 친수성 필름층이 형성되는 경우, 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이에는 접착제가 배치되는 것을 더 포함하는 디스플레이 패널.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 제1 전극 블록은 제1 도전층과 제1 용접층을 포함하고, 상기 제1 전극 블록과 상기 제1 전극 시트는 상기 제1 용접층에 의해 연결되며,
    상기 제2 전극 블록은 제2 도전층과 제2 용접층을 포함하고, 상기 제2 전극 블록과 상기 제2 전극 시트는 상기 제2 용접층에 의해 연결되는 디스플레이 패널.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 제1 전극 시트, 상기 제2 전극 시트 및 상기 본딩 조립 시트의 재질은 동일한 디스플레이 패널.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 제1 전극 시트와 상기 제2 전극 시트의 표면에는 친수성 필름층이 형성되는 디스플레이 패널.
  17. 제8항에 있어서,
    상기 본딩 조립 블록과 상기 본딩 조립 시트가 연결되는 표면은 친수성 필름층을 구비하며, 상기 제1 전극 블록과 상기 제1 전극 시트가 연결되는 표면은 소수성을 구비하고, 상기 제2 전극 블록과 상기 제2 전극 시트가 연결되는 표면은 소수성을 구비하는 디스플레이 패널.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 본딩 조립 블록의 표면의 필름층은 친수성 필름층이고, 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이에 배치된 상기 접착제는 친수성 접착제이며, 상기 친수성 접착제는 아크릴 수지, 에폭시 수지를 포함하고, 상기 본딩 조립 블록의 표면의 필름층은 소수성 필름층이고, 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이에 배치된 상기 접착제는 소수성 접착제이며, 상기 소수성 접착제는 페녹시에틸 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트를 포함하는 디스플레이 패널.
  19. 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법에 있어서, 상기 전사 방법은 아래와 같은 단계를 포함하며, 즉
    복수의 마이크로 발광 다이오드 및 하나의 구동 기판을 제공하되, 여기서 상기 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 상기 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 상기 구동 기판의 연결 표면에는 제1 전극 블록, 제2 전극 블록 및 본딩 조립 블록이 설치되고;
    상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록에 대해 친수 처리를 수행하며;
    상기 복수의 마이크로 발광 다이오드를 극성 용액 중에 놓아두되, 상기 마이크로 발광 다이오드의 후면이 상기 극성 용액의 표면을 향하도록 하고;
    상기 극성 용액에 삽입된 상기 구동 기판을 상기 극성 용액으로부터 분리시키되, 상기 마이크로 발광 다이오드가 상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 사이의 친수성에 의해 상기 구동 기판 상에 연결 및 접착되도록 하며, 상기 구동 기판의 연결 표면과 상기 극성 용액의 액면은 직각 혹은 둔각을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법.
  20. 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법에 있어서, 상기 전사 방법은 아래와 같은 단계를 포함하며, 즉
    복수의 마이크로 발광 다이오드 및 하나의 구동 기판을 제공하되, 여기서 상기 마이크로 발광 다이오드는 서로 등지는 발광면과 후면을 포함하고, 상기 후면에는 제1 전극 시트, 제2 전극 시트 및 본딩 조립 시트가 설치되며, 상기 구동 기판의 연결 표면에는 제1 전극 블록, 제2 전극 블록 및 본딩 조립 블록이 설치되고;
    상기 본딩 조립 시트와 상기 본딩 조립 블록 중의 하나에 대해 소수 처리를 수행하고, 다른 하나에 대해 친수 처리 또는 소수 처리를 수행하며;
    상기 본딩 조립 블록에 접착제를 배치하되, 상기 접착제의 친소수성은 상기 본딩 조립 블록의 친소수성과 동일하고;
    상기 복수의 마이크로 발광 다이오드를 용액 중에 놓아두되, 상기 마이크로 발광 다이오드의 후면이 상기 용액의 액면을 향하도록 상기 용액의 극성과 상기 본딩 조립 시트의 친소수성은 대응되며;
    상기 극성 용액에 삽입된 상기 구동 기판을 상기 극성 용액으로부터 분리시키되, 상기 마이크로 발광 다이오드 상의 상기 본딩 조립 시트가 상기 본딩 조립 블록 상의 접착제에 의해 상기 구동 기판 상에 연결 및 접착되도록 하며, 상기 구동 기판의 연결 표면과 상기 용액의 액면은 직각 또는 둔각을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 발광 다이오드의 전사 방법.
KR1020217019453A 2018-11-30 2019-05-09 마이크로 발광 다이오드, 디스플레이 패널 및 그 전사 방법 KR102551062B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811455075.3 2018-11-30
CN201811455075.3A CN111261653B (zh) 2018-11-30 2018-11-30 微型发光二极管、显示面板及其转移方法
PCT/CN2019/086256 WO2020107811A1 (zh) 2018-11-30 2019-05-09 微型发光二极管、显示面板及其转移方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210088002A true KR20210088002A (ko) 2021-07-13
KR102551062B1 KR102551062B1 (ko) 2023-07-05

Family

ID=70854706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217019453A KR102551062B1 (ko) 2018-11-30 2019-05-09 마이크로 발광 다이오드, 디스플레이 패널 및 그 전사 방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102551062B1 (ko)
CN (1) CN111261653B (ko)
WO (1) WO2020107811A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023171833A1 (ko) * 2022-03-10 2023-09-14 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111370541A (zh) * 2020-04-20 2020-07-03 武汉华星光电技术有限公司 Micro-LED芯片坏点修复方法
CN112993136B (zh) * 2020-08-05 2022-07-22 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光二极管芯片、显示背板及显示背板组装方法
CN114765118A (zh) * 2021-01-15 2022-07-19 华为技术有限公司 芯片的转移方法、晶圆以及用于抓取芯片的转移头
CN118156398B (zh) * 2024-05-10 2024-07-12 汕头超声显示器技术有限公司 一种led阵列装置的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873765B1 (ko) * 2005-09-29 2008-12-15 파나소닉 주식회사 전자 회로 구성 부재의 마운트 방법 및 마운트 장치
KR20130108575A (ko) * 2010-09-01 2013-10-04 엔티에이치 디그리 테크놀로지스 월드와이드 인코포레이티드 발광, 발전 또는 기타 전자 장치 및 이의 제조 방법
JP2018041876A (ja) * 2016-09-08 2018-03-15 スタンレー電気株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2018531405A (ja) * 2015-08-11 2018-10-25 オラクル・インターナショナル・コーポレイション 自己組立てられ且つ縦方向に整列されるマルチチップモジュール

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI250594B (en) * 2005-03-11 2006-03-01 Univ Nat Taiwan Method for self-assembling microstructure
TWI408098B (zh) * 2008-10-09 2013-09-11 Nat Univ Tsing Hua 微小元件及其對位組裝裝置
CN103633222B (zh) * 2010-09-01 2017-08-11 无限科技全球公司 二极体、二极体或其他二端积体电路的液体或胶体悬浮液的可印组成物及其制备方法
CN107170771B (zh) * 2017-05-23 2019-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法
CN107170772A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列基板的封装结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873765B1 (ko) * 2005-09-29 2008-12-15 파나소닉 주식회사 전자 회로 구성 부재의 마운트 방법 및 마운트 장치
KR20130108575A (ko) * 2010-09-01 2013-10-04 엔티에이치 디그리 테크놀로지스 월드와이드 인코포레이티드 발광, 발전 또는 기타 전자 장치 및 이의 제조 방법
JP2018531405A (ja) * 2015-08-11 2018-10-25 オラクル・インターナショナル・コーポレイション 自己組立てられ且つ縦方向に整列されるマルチチップモジュール
JP2018041876A (ja) * 2016-09-08 2018-03-15 スタンレー電気株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023171833A1 (ko) * 2022-03-10 2023-09-14 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN111261653A (zh) 2020-06-09
KR102551062B1 (ko) 2023-07-05
WO2020107811A1 (zh) 2020-06-04
CN111261653B (zh) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102551062B1 (ko) 마이크로 발광 다이오드, 디스플레이 패널 및 그 전사 방법
US10505084B2 (en) Micro light-emitting-diode display panel and manufacturing method thereof
CN108493154B (zh) Micro LED显示面板的制作方法及Micro LED显示面板
US11894353B2 (en) Driving substrate and manufacturing method thereof, and micro LED bonding method
TWI234415B (en) Light emitting display panel and method of manufacturing the same
CN107887331B (zh) 一种Micro-LED发光显示器件的制备方法
KR102659865B1 (ko) 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법
US11130313B2 (en) Attachment apparatus and method for curved display panel
US20060134822A1 (en) Vertical interconnect for organic electronic devices
WO2020215856A1 (zh) 芯片转移方法、显示装置、芯片及目标基板
CN109637966B (zh) 一种Micro-LED的转移方法
CN109920814B (zh) 显示基板及制造方法、显示装置
CN111199907A (zh) 微发光器件的转移方法及转移设备
CN110299393B (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置及其制作方法
US11552058B2 (en) Method of transferring micro light emitting diodes and display panel
CN109285455A (zh) 柔性显示基板的制造方法及制造组件
CN211350693U (zh) 显示面板及显示装置
CN111199908A (zh) 微发光器件的转移方法及转移设备
CN105702686A (zh) 导电元件基板、导电元件基板的制造方法以及显示面板
CN108767127A (zh) 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
KR100922354B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN115832119A (zh) 一种显示装置的制作方法及显示装置
CN113517215A (zh) 一种转移基板及其制作方法、转移方法
CN114141804B (zh) 发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板
CN211087198U (zh) 显示面板以及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right