KR20210086878A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus of the present invention includes: a process chamber provided with a spin chuck for seating the substrate, and an edge bead removal (EBR) nozzle for removing edge beads on an edge of the substrate to which the chemical is applied; a transfer robot for loading/unloading the substrate to/from the process chamber; a measurement chamber for generating measurement data by measuring an EBR state of the substrate; a teaching control unit, based on the measurement data, for generating teaching data including a first position teaching value corresponding to an eccentric amount of the transfer robot, and a second position teaching value corresponding to the width of the edge bead removal nozzle; a process chamber control unit for teaching the position of the edge bead removal nozzle based on the teaching data; and a transfer robot control unit for teaching the position of the transfer robot based on the teaching data.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing equipment {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에지비드제거(EBR) 공정이 수행되는 기판처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus in which an edge bead removal (EBR) process is performed.

반도체 공정은 다수의 공정을 포함한다. 이 중 포토 공정에서는 기판에 포토레지스트(PR)액을 도포하고, 기판에 도포된 PR을 노광함으로써 기판 상에 PR 패턴을 형성한다. Semiconductor processing includes a number of processes. Among them, in the photo process, a photoresist (PR) solution is applied to a substrate, and a PR pattern is formed on the substrate by exposing the PR applied to the substrate.

공정챔버 내의 노즐에서 도포된 PR액은 회전하는 기판에 의해 기판의 전면적으로 확산된다. 한편 기판의 가장자리 부분에 확산되어 고형화된 PR액, 즉 에지비드는, 이후 공정에서 오염원으로 작용하기 때문에, 공정챔버 내의 에지비드제거(EBR, edge bead removal) 노즐을 이용하여 제거된다. 한편 공정챔버 내에 안착되는 기판의 센터링이 틀어지거나, EBR 노즐이 틀어지는 경우, EBR 상태가 공정 스펙을 만족하지 못할 수 있다. EBR 상태가 공정 스펙을 만족하지 못하는 경우, 기판의 센터링을 맞추기 위해 이송로봇을 티칭하거나, EBR폭을 조절하기 위해 EBR 노즐을 티칭한다. 이때 작업자는 공정처리가 완료된 기판을 계측기에서 계측한 후, 기판처리장치가 공정진행 중이 아닐 때, 수동으로 티칭값을 입력하여 EBR 상태를 조정해야 한다.The PR liquid applied from the nozzle in the process chamber is spread over the entire surface of the substrate by the rotating substrate. On the other hand, the PR liquid, that is, the edge bead, which is diffused and solidified at the edge of the substrate, acts as a contamination source in the subsequent process, so it is removed using an edge bead removal (EBR) nozzle in the process chamber. On the other hand, if the centering of the substrate seated in the process chamber is misaligned or the EBR nozzle is misaligned, the EBR state may not satisfy the process specification. If the EBR status does not satisfy the process specifications, teach the transfer robot to adjust the centering of the substrate, or teach the EBR nozzle to adjust the EBR width. At this time, after measuring the substrate on which the processing has been completed, the operator must manually input a teaching value to adjust the EBR status when the substrate processing apparatus is not in progress.

이 경우, EBR 계측은 공정이 완료된 후에 가능하고, 티칭작업은 기판처리장치가 공정 진행중이 않을 때에 가능하므로, EBR계측과 티칭작업 사이의 시간차이로 수율이 감소될 수 있다.In this case, since the EBR measurement is possible after the process is completed and the teaching operation is possible when the substrate processing apparatus is not in the process, the yield may be reduced due to the time difference between the EBR measurement and the teaching operation.

또한 EBR 계측 시, 특정 기판용기에 담긴 기판만을 계측하므로, 오계측 또는 해당 기판의 불량에 이해 티칭작업에 대한 신뢰성이 떨어질 수 있다. In addition, when measuring EBR, since only the substrates contained in a specific substrate container are measured, the reliability of the teaching operation may be lowered due to mis-measurement or defective substrates.

상기와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 EBR 티칭의 신뢰성을 향상시킨 기판처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having improved reliability of EBR teaching.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판을 안착하는 스핀척과, 약액이 도포되는 기판 가장자리 부분의 에지비드를 제거하는 에지비드제거(EBR) 노즐이 구비되는 공정챔버; 상기 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 노즐의 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭제어부; 상기 티칭데이터를 기반으로 에지비드제거 노즐의 위치를 티칭하는 공정챔버 제어부 및; 상기 티칭데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 위치를 티칭하는 이송로봇 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber provided with a spin chuck for seating a substrate, and an edge bead removal (EBR) nozzle for removing edge beads from an edge portion of a substrate to which a chemical solution is applied; a teaching control unit for generating teaching data including a first position teaching value corresponding to an eccentricity of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to a width of the edge bead removal nozzle based on the measurement data; a process chamber control unit for teaching the position of the edge bead removal nozzle based on the teaching data; and a transfer robot control unit for teaching the position of the transfer robot based on the teaching data.

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭제어부는, 상기 계측데이터를 누적하여 저장하는 계측데이터 저장부; 상기 계측데이터를 기반으로 상기 기판의 EBR상태가 정상인지 판단하는 계측데이터 판단부; 상기 기판의 EBR상태가 정상인 경우 상기 계측데이터 각각이 미리 설정된 범위 내인지 판단하고, 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 계측데이터를 제공하는 계측데이터 추출부; 상기 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭데이터 산출저장부; 미리 설정된 티칭주기의 도과 여부를 판단하는 티칭주기 판단부; 상기 티칭주기가 도과된 경우, 상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값 각각이 미리 설정된 티칭가능범위 내에 있는지 판단하는 티칭범위 판단부; 상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값 중 적어도 하나가 상기 티칭가능범위 내에 있는 경우, 상기 노즐제어부 및 상기 로봇제어부 중 적어도 하나에 티칭작업을 요청하는 티칭요청부를 포함한다.In addition, in an embodiment, the teaching control unit comprises: a measurement data storage unit for accumulating and storing the measurement data; a measurement data determination unit for determining whether the EBR state of the substrate is normal based on the measurement data; a measurement data extraction unit that determines whether each of the measurement data is within a preset range when the EBR state of the substrate is normal, and provides measurement data located within a preset measurement range; a teaching data calculation and storage unit for generating teaching data including a first position teaching value corresponding to the eccentricity of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to the edge bead removal width based on the measurement data; a teaching period determining unit for determining whether a preset teaching period has elapsed; a teaching range determining unit for determining whether each of the first position teaching value and the second position teaching value is within a preset teaching possible range when the teaching period has elapsed; and a teaching request unit for requesting a teaching operation from at least one of the nozzle control unit and the robot control unit when at least one of the first position teaching value and the second position teaching value is within the teachable range.

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭주기는 상기 공정챔버 내에서 공정처리가 완료된 기판의 총 매수를 기반으로 설정된다.Also in an embodiment, the teaching period is set based on the total number of substrates that have been processed in the process chamber.

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭요청부는, 상기 공정챔버 내에 기판이 공정처리 중이지 않은 경우 또는 상기 이송로봇이 기판을 이송 중이지 않은 경우, 상기 공정챔버 제어부 및 상기 이송로봇 제어부 중 적어도 하나에 티칭작업을 요청한다.In an embodiment, the teaching request unit teaches at least one of the process chamber controller and the transfer robot controller when the substrate is not being processed in the process chamber or when the transfer robot is not transferring the substrate. request work

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭데이터 산출저장부는, 상기 계측데이터에 대해 제1 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제1 사전 위치티칭값을 제1 합산 사전위치티칭값에 합산하여 상기 제1 합산 사전위치티칭값을 업데이트하고, 상기 제1 합산 사전위치티칭값을 계측데이터의 총계수로 나누어 상기 제1 위치티칭값을 산출하고, 상기 계측데이터에 대해 제2 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제2 사전 위치티칭값을 제2 합산 사전위치티칭값에 합산하여 상기 제2 합산 사전위치티칭값을 업데이트하고, 상기 제2 합산 사전위치티칭값을 계측데이터수로 나누어 상기 제2 위치티칭값을 산출한다.In addition, in an embodiment, the teaching data calculation and storage unit calculates a first prior position teaching value for the measurement data, and adds the calculated first prior position teaching value to the first summation prior position teaching value to obtain the first updating the summed prior position teaching value, dividing the first summed prior position teaching value by the total coefficient of measurement data to calculate the first position teaching value, and calculating a second prior position teaching value for the measurement data, The calculated second prior position teaching value is added to the second summed prior position teaching value to update the second summed prior position teaching value, and the second summed prior position teaching value is divided by the number of measurement data to teach the second position Calculate the value.

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭데이터 산출저장부는, 상기 추출된 계측데이터 각각에 대해 제1 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제1 사전 위치티칭값의 미디언(median)값을 이용하여 상기 제1 위치티칭값을 산출하고, 상기 추출된 계측데이터 각각에 대해 제2 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제2 사전 위치티칭값의 미디언값을 이용하여 상기 제2 위치티칭값을 산출한다.In addition, in an embodiment, the teaching data calculation and storage unit calculates a first pre-position teaching value for each of the extracted measurement data, and uses a median value of the calculated first pre-position teaching value. A first position teaching value is calculated, a second prior position teaching value is calculated for each of the extracted measurement data, and the second position teaching value is calculated using the median value of the calculated second position teaching value. .

본 발명에 따르면, 기판의 에지비드제거 상태에 대한 티칭작업이 미리 설정된 티칭기간 도과시에 이루어지며, 기판처리장치가 진행 중에 이루어지므로 기판의 에지비드제거 상태 불량을 사전에 예방할 수 있다. According to the present invention, since the teaching operation on the edge bead removal state of the substrate is performed when the preset teaching period elapses, and the substrate processing apparatus is in progress, it is possible to prevent a defect in the edge bead removal state of the substrate in advance.

또한 본 발명에 따르면, 계측데이터에 대해 사전 위치티칭값을 산출하여 저장하고, 복수의 사전 위치티칭값들의 평균값 또는 미디언값을 위치티칭값으로 산출하므로 EBR 상태 티칭작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since the pre-position teaching value is calculated for the measurement data and stored, and the average value or the median value of a plurality of pre-position teaching values is calculated as the position teaching value, the reliability of the EBR state teaching operation can be improved.

또한 본 발명에 따르면, 계측데이터 각각에 대해 일정 계측범위 내에 존재하는 계측데이터만를 추출하고, 추출된 계측데이터를 기반으로 위치티칭값을 산출하므로, EBR 상태 티칭작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since only the measurement data existing within a certain measurement range for each measurement data is extracted, and the position teaching value is calculated based on the extracted measurement data, the reliability of the EBR state teaching operation can be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 간략히 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 계측챔버에서 계측된 계측데이터를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 이송로봇 제어부의 티칭과정을 설명한 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 공정챔버 제어부의 티칭과정을 설명한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view for explaining measurement data measured in the measurement chamber shown in FIG. 1 .
3 is a view for explaining a teaching process of the transfer robot control unit shown in FIG.
4 is a view for explaining a teaching process of the process chamber control unit shown in FIG.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 간략히 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판처리장치(10)는 기판 상에 포토레지스트(PR)액을 도포하여 패턴을 형성하는 포토공정에 이용되는 설비이다. Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 10 is a facility used in a photo process for forming a pattern by applying a photoresist (PR) liquid on a substrate.

기판처리장치(10)는 공정챔버(100), 이송로봇(200), 계측챔버(300), 티칭제어부(400), 공정챔버 제어부(500), 이송로봇 제어부(600), 인터페이스 제어부(700)를 포함한다. The substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100 , a transfer robot 200 , a measurement chamber 300 , a teaching controller 400 , a process chamber controller 500 , a transfer robot controller 600 , and an interface controller 700 . includes

공정챔버(100)는 기판을 안착하는 스핀척(110)과, 약액이 도포되는 기판 가장자리 부분의 에지비드를 제거하는 에지비드제거(Edge Bead Removal, EBR) 노즐(120)과, 포토레지스트(Photo Resist)액 등의 약액을 도포하는 약액노즐(미도시)을 포함한다. The process chamber 100 includes a spin chuck 110 for seating a substrate, an Edge Bead Removal (EBR) nozzle 120 for removing an edge bead from an edge portion of a substrate to which a chemical is applied, and a photoresist (Photo). It includes a chemical liquid nozzle (not shown) that applies a chemical liquid such as a resist) liquid.

스핀척(110)은 기판을 흡착하여 지지하며, 공정 중에 기판을 회전시킨다. 약액노즐(미도시)은 회전하는 기판의 중심으로 이동하여, 기판의 상부 중심에 약액을 분사한다. 회전하는 기판에 의해, 약액은 기판 상부의 전면으로 확산된다. 이때 기판의 에지부분에 도포된 약액 즉, 에지비드(Edge Bead)는 이후 공정에서 오염원이 될 수 있다. 이에 에지비드의 제거를 위한 에지비드제거(Edge Bead Removal, EBR) 노즐(120)가 공정챔버(100) 내에 구비된다.The spin chuck 110 adsorbs and supports the substrate, and rotates the substrate during the process. The chemical liquid nozzle (not shown) moves to the center of the rotating substrate, and sprays the chemical liquid to the upper center of the substrate. By the rotating substrate, the chemical is diffused over the entire surface of the substrate. At this time, the chemical solution applied to the edge portion of the substrate, that is, the edge bead may become a source of contamination in a subsequent process. Accordingly, an edge bead removal (EBR) nozzle 120 for removing the edge bead is provided in the process chamber 100 .

EBR 노즐(120)은 기판의 가장자리에 신너와 같은 약액을 분사하여 PR액 성분의 에지비드를 제거할 수 있다. 에지비드제거 노즐(120)은 공정챔버 가장자리에 대기하며, 공정 진행 시 기판의 가장자리로 이동한다. EBR 노즐(120)은 공정챔버 제어부(500)에 의해 그 위치가 제어되며, 해당 기판의 공정스텝별로 다르게 구비될 수 있다.The EBR nozzle 120 may remove the edge bead of the PR liquid component by spraying a chemical liquid such as a thinner to the edge of the substrate. The edge bead removal nozzle 120 waits at the edge of the process chamber, and moves to the edge of the substrate during the process. The position of the EBR nozzle 120 is controlled by the process chamber controller 500 and may be provided differently for each process step of the substrate.

이송로봇(200)은 공정챔버(100)에 기판을 로딩하거나 또는 공정챔버(100)로부터 기판을 언로딩한다. 이때 공정챔버(100)의 스핀척(110)에 안착되는 기판의 센터링은 이송로봇(200)을 티칭하여 조절될 수 있다. 이송로봇(200)은 이송로봇 제어부(600)에 의해 제어된다. The transfer robot 200 loads a substrate into the process chamber 100 or unloads a substrate from the process chamber 100 . In this case, the centering of the substrate seated on the spin chuck 110 of the process chamber 100 may be adjusted by teaching the transfer robot 200 . The transfer robot 200 is controlled by the transfer robot controller 600 .

인터페이스 제어부(700)(IF_PMC)는 각 유닛 간 통신을 담당한다. 구체적으로 인터페이스 제어부(700)는 계측챔버(300), 티칭제어부(400), 공정챔버 제어부(500), 이송로봇 제어부(600) 및 그 외의 유닛 서로 간의 데이터 통신을 허용한다.The interface control unit 700 (IF_PMC) is in charge of communication between units. Specifically, the interface control unit 700 allows data communication between the measurement chamber 300 , the teaching control unit 400 , the process chamber control unit 500 , the transfer robot control unit 600 , and other units.

계측챔버(300)는 기판처리장치(10) 내부에 구비되어, 공정챔버(100)에서 공정처리된 기판의 에지비드제거(EBR) 상태를 계측하여 계측데이터를 생성하고, 생성된 계측데이터를 티칭제어부(400)에 제공한다.The measurement chamber 300 is provided inside the substrate processing apparatus 10 to measure the edge bead removal (EBR) state of the substrate processed in the process chamber 100 to generate measurement data, and teach the generated measurement data. provided to the control unit 400 .

도 2는 도 1에 도시된 계측챔버에서 계측된 계측데이터를 설명하기 위한 도면이다. FIG. 2 is a view for explaining measurement data measured in the measurement chamber shown in FIG. 1 .

계측챔버(300)는 기판의 노치 방향이 135도에 위치할 때, 0도, 90도, 180도, 270도 상에서 기판가장자리 단부와 EBR 경계 사이의 거리인 d0, d90, d180, d270를 계측하고, 계측결과를 티칭제어부(400)의 계측데이터 저장부(410)로 전송한다. The measurement chamber 300 measures the distances d0, d90, d180, and d270 between the edge of the substrate and the EBR boundary on 0 degrees, 90 degrees, 180 degrees, and 270 degrees when the notch direction of the substrate is located at 135 degrees, , and transmits the measurement result to the measurement data storage unit 410 of the teaching control unit 400 .

한편, 공정챔버(100)의 개수가 n개인 경우, 계측챔버(300)는 하나의 기판수용용기 내에 수용되는 복수매의 기판 들 중 적어도 n개의 기판에 대한 에지비드제거 상태를 계측함으로써 n개의 공정챔버(100) 각각에 대한 계측이 이루어지도록 한다. 또한 복수의 기판수용용기에 대해 일부의 기판수용용기에 대해서 계측할 수 있으며, 공정 스텝별로 계측될 수도 있다. On the other hand, when the number of process chambers 100 is n, the measurement chamber 300 measures the edge bead removal state for at least n substrates among a plurality of substrates accommodated in one substrate accommodating container, thereby n processing A measurement is made for each of the chambers 100 . In addition, for a plurality of substrate accommodating containers, it is possible to measure for some of the substrate accommodating containers, it may be measured for each process step.

다시 도 1을 참조하면, 티칭제어부(400)(EMAC)는 계측데이터를 저장하고, 계측데이터에 기반하여 기판의 EBR 상태를 판단한다. 그리고 티칭제어부(400)는, 기판의 EBR상태가 정상인 경우, 피드백 제어에 따른 EBR 상태 티칭을 위해 저장된 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 노즐의 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성한다. 그러나 기판의 EBR상태가 정상인 경우, 티칭제어부(400)(EMAC)은 설비 알람을 발생시킨다.Referring back to FIG. 1 , the teaching control unit 400 (EMAC) stores measurement data and determines the EBR state of the substrate based on the measurement data. And the teaching control unit 400, when the EBR state of the substrate is normal, based on the measurement data stored for EBR state teaching according to feedback control, the first position teaching value corresponding to the amount of eccentricity of the transfer robot and the edge bead removal nozzle The teaching data including the second position teaching value corresponding to the width of is generated. However, when the EBR state of the substrate is normal, the teaching control unit 400 (EMAC) generates a facility alarm.

구체적으로 티칭제어부(EMAC)(400)는 계측데이터 저장부(410), 계측데이터 판단부(420), 계측데이터 추출부(430), 티칭데이터 산출저장부(440), 티칭주기 판단부(450), 티칭범위 판단부(460), 티칭 요청부(470)를 포함한다. 티칭제어부(400)은 기판처리장치(10)의 메인 제어부일 수 있다.Specifically, the teaching control unit (EMAC) 400 includes a measurement data storage unit 410 , a measurement data determination unit 420 , a measurement data extraction unit 430 , a teaching data calculation storage unit 440 , and a teaching period determination unit 450 . ), a teaching range determining unit 460 , and a teaching requesting unit 470 . The teaching control unit 400 may be a main control unit of the substrate processing apparatus 10 .

계측데이터 저장부(410)는 계측챔버(300)로부터 제공되는 계측데이터를 누적하여 저장한다. 계측데이터 판단부(420)는 계측데이터 저장부(410)에 새로운 계측데이터가 저장되면, 새로운 계측데이터에 기반하여 기판의 에지비드제거(EBR) 상태의 이상유무를 판단한다. 기판의 EBR 상태의 이상유무는 공정상 설정된 EBR 스펙에 따른 범위 내인지 판단함으로써 결정된다. 계측데이터 판단부(420)는 EBR 상태가 비정상으로 판단되는 경우, 알람을 발생시켜 사용자에게 알린다. 이후 비정상적으로 판단된 경우, 사용자가 직접 EBR 상태 조정을 하거나, 사용자의 감독 하에 오토로 EBR상태가 조정될 수 있다. The measurement data storage unit 410 accumulates and stores measurement data provided from the measurement chamber 300 . When new measurement data is stored in the measurement data storage unit 410 , the measurement data determination unit 420 determines whether the edge bead removal (EBR) state of the substrate is abnormal based on the new measurement data. Whether the EBR state of the substrate is abnormal is determined by determining whether it is within the range according to the EBR specification set in the process. When it is determined that the EBR state is abnormal, the measurement data determination unit 420 generates an alarm and notifies the user. After that, when it is determined to be abnormal, the user may directly adjust the EBR state, or the EBR state may be automatically adjusted under the supervision of the user.

EBR 상태가 정상으로 판단되는 경우, 피드백 제어에 의해 티칭주기 도과 시 EBR상태가 자동 티칭되도록 한다. 피드백 제어 사용유무는 사용자에 의해 미리 선택될 수 있다. When the EBR state is judged to be normal, the EBR state is automatically taught by feedback control when the teaching period has elapsed. Whether or not to use the feedback control may be preselected by the user.

계측데이터 추출부(430)는, 기판의 EBR 상태가 정상인 경우, EBR상태가 정상인 계측데이터가 미리 설정된 계측범위 내에 있는지 판단하고, EBR상태가 정상인 계측데이터가 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 경우, 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 데이터를 추출하여 티칭데이터 산출저장부(440)에 제공한다. 이는 정상적으로 계측된 계측데이터를 활용하여 티칭데이터를 산출하기 위함이다.When the EBR state of the substrate is normal, the measurement data extraction unit 430 determines whether the measurement data having the normal EBR state is within a preset measurement range, and when the measurement data having the normal EBR state is located within the preset measurement range, in advance Data located within the set measurement range is extracted and provided to the teaching data calculation and storage unit 440 . This is to calculate the teaching data by using the normally measured measurement data.

구체적으로 계측데이터 추출부(430)는, 계측데이터 각각의 d0, d90, d180, d270 각각이 사용자에 의해 미리 설정된 계측범위인 하한값(rf1) 내지 상한값(rf2) 범위 내에 있는지 판단한다. 그리고 계측데이터에 포함된 d0, d90, d180, d270이 미리 설정된 계측범위 이내에 위치하는 경우, 계측데이터 추출부(430)는 해당 계측데이터를 티칭데이터 산출저장부(440)에 제공한다. Specifically, the measurement data extraction unit 430 determines whether each of the measurement data d0, d90, d180, and d270 is within a range of a lower limit value rf1 to an upper limit value rf2 that is a measurement range preset by the user. And when d0, d90, d180, and d270 included in the measurement data are located within a preset measurement range, the measurement data extraction unit 430 provides the measurement data to the teaching data calculation and storage unit 440 .

한편 계측데이터에 포함된 d0, d90, d180, d270 중 어느 하나라도 하한값(rf1) 내지 상한값(rf2) 범위 밖으로 벗어나는 경우, 해당 계측데이터는 티칭데이터 산출저장부(440)에 제공되지 않는다. 즉, 계측데이터의 신뢰도를 높이기 위해, 계측데이터 중 일정 계측 범위 내에 위치하는 계측데이터만을 이용하여 티칭데이터를 산출한다. Meanwhile, when any one of d0, d90, d180, and d270 included in the measurement data is out of the range of the lower limit value rf1 to the upper limit value rf2, the corresponding measurement data is not provided to the teaching data calculation and storage unit 440 . That is, in order to increase the reliability of the measurement data, the teaching data is calculated using only the measurement data located within a certain measurement range among the measurement data.

하한값(rf1) 내지 상한값(rf2) 사이 범위는 미리 설정된 값으로써, 계측데이터 판단부(420)에서 EBR 스펙에 따른 범위 내에 위치한다. 본 발명의 경우, EBR 스펙 범위 내에 위치하더라도 티칭 주기 도과시 보정되기 때문에 하한값(rf1) 내지 상한값(rf2) 사이 범위는 EBR 스펙 범위보다 작게 설정된다.The range between the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2 is a preset value and is located within a range according to the EBR specification in the measurement data determination unit 420 . In the case of the present invention, the range between the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2 is set smaller than the EBR specification range because it is corrected when the teaching period is elapsed even if it is located within the EBR specification range.

다른 예로써, 하한값(rf1), 상한값(rf2)은 어느 하나의 공정챔버에서 공정처리된 기판에 대한 계측데이터의 변화량값의 하한치, 상한치에 대응될 수 있다. 즉, 공정챔버에서 공정처리된 n번째 기판의 ebr계측값이 d0xn, d90xn, d180xn, d270xn이고, 공정챔버에서 공정처리된 n+1번째 기판의 계측값이 d0xn+1, d90xn+1, d180xn+1, d270xn+1라고 가정하면, d0xn과 d0xn+1 사이의 변화량값이 하한값 rf1 내지 상하값 rf2 사이에 위치하고, d90xn과 d90xn+1 사이의 변화량값이 하한값 rf1 내지 상하값 rf2 사이에 위치하고, d180xn과 d180xn+1 사이의 변화량값이 하한값 rf1 내지 상한값 rf2 사이에 위치하고, d270xn과 d270xn+1 사이의 변화량값이 하한값 rf1 내지 상한값 rf2 사이에 위치하는 경우, 계측데이터 추출부(430)는 해당 계측데이터를 티칭데이터 산출저장부(440)에 제공할 수 있다. As another example, the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2 may correspond to the lower limit value and the upper limit value of the variation value of the measurement data for the substrate processed in any one process chamber. That is, the ebr measured values of the n-th substrate processed in the process chamber are d0xn, d90xn, d180xn, and d270xn, and the measured values of the n+1-th substrate processed in the process chamber are d0xn+1, d90xn+1, d180xn+ Assuming that 1, d270xn+1, the change value between d0xn and d0xn+1 is located between the lower limit rf1 and the upper and lower values rf2, the change value between d90xn and d90xn+1 is located between the lower limit rf1 and the upper and lower values rf2, d180xn When the variation value between and d180xn+1 is located between the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2, and the change amount value between d270xn and d270xn+1 is located between the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2, the measurement data extraction unit 430 performs the measurement data may be provided to the teaching data calculation and storage unit 440 .

티칭데이터 산출저장부(440)는, 계측데이터 추출부(430)에서 제공되는 계측데이터를 기반으로 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값(dX1, dY1) 및 에지비드제거 폭에 대응되는 제2 위치티칭값(dW)을 포함하는 티칭데이터를 산출한다. 이때 티칭데이터 산출저장부(440)는 계측데이터 추출부(430)로부터 제공된 계측데이터에 대해 제1 및 제2 위치티칭값을 산출한다. 이때 제1 및 제2 위치티칭값은 복수의 계측데이터를 기반으로 산출됨으로써, 티칭의 신뢰성을 향상시킨다. 이하 티칭데이터 산출저장부(440)에 대해 상세히 설명한다.The teaching data calculation and storage unit 440 corresponds to the first position teaching values dX1 and dY1 corresponding to the amount of eccentricity of the transfer robot and the edge bead removal width based on the measurement data provided by the measurement data extraction unit 430 . Teaching data including the second position teaching value dW is calculated. At this time, the teaching data calculation and storage unit 440 calculates first and second position teaching values for the measurement data provided from the measurement data extraction unit 430 . In this case, the first and second position teaching values are calculated based on a plurality of measurement data, thereby improving the teaching reliability. Hereinafter, the teaching data calculation and storage unit 440 will be described in detail.

우선 티칭데이터 산출저장부(440)는, 계측데이터 추출부(430)에서 제공되는 계측데이터를 기반으로 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 사전 위치티칭값(dX', dY') 및 에지비드제거 노즐의 폭에 대응되는 제2 사전 위치티칭값(dW')을 산출한다.First, the teaching data calculation and storage unit 440 removes the first pre-position teaching values (dX', dY') and the edge bead corresponding to the amount of eccentricity of the transfer robot based on the measurement data provided by the measurement data extraction unit 430 . A second pre-position teaching value dW' corresponding to the width of the nozzle is calculated.

도 2를 참조하면, 0도, 90도, 180도, 270도 방향 각각에서 기판의 단부로부터 EBR 경계까지의 거리가 d0, d90, d180, d270이라고 가정하면, 제1 사전 위치티칭값(dX', dY') 및 제2 사전 위치티칭값(dW')은 다음과 같이 산출될 수 있다.Referring to FIG. 2 , assuming that the distances from the end of the substrate to the EBR boundary in each of the 0 degree, 90 degree, 180 degree, and 270 degree directions are d0, d90, d180, and d270, the first pre-position teaching value (dX' , dY') and the second pre-position teaching value dW' may be calculated as follows.

1. 제1 사전 위치티칭값(dX', dY') 산출1. Calculation of first pre-position teaching values (dX', dY')

(180도 방향이 양의 X축 방향이고, 90도 방향이 양의 Y축 방향)(180 degree direction is positive X-axis direction, 90 degree direction is positive Y-axis direction)

(1) d90 > (d90+d270)/2 인 경우, dY' = -|d90 - (d90+d270)/2| (1) If d90 > (d90+d270)/2, dY' = -|d90 - (d90+d270)/2|

(2) d90 < (d90+d270)/2 인 경우, dY' = +|d90 - (d90+d270)/2| (2) If d90 < (d90+d270)/2, then dY' = +|d90 - (d90+d270)/2|

(3) d180 > (d0+d180)/2 인 경우, dX' = -|d180 - (d0+d180)/2|(3) If d180 > (d0+d180)/2, dX' = -|d180 - (d0+d180)/2|

(4) d180 < (d0+d180)/2 인 경우, dX' = +|d180 - (d0+d180)/2|(4) If d180 < (d0+d180)/2, dX' = +|d180 - (d0+d180)/2|

2. 제2 사전 위치티칭값(dW') 산출2. Calculation of the second pre-position teaching value (dW')

(1) EBR 타겟폭 > (90°+270°)/2 인 경우, dW' = +|EBR Target-(d90+d270) / 2| 또는 dW' = -|EBR Target-(d90+d270) / 2|(1) If EBR target width > (90°+270°)/2, dW' = +|EBR Target-(d90+d270) / 2| or dW' = -|EBR Target-(d90+d270) / 2|

이후 티칭데이터 산출저장부(440)는, 산출된 제1 사전 위치티칭값(dX', dY')을 제1 합산 사전 위치티칭값(dXsum, dYsum)에 합산하여 제1 합산 사전 위치티칭값(dXsum, dYsum)을 업데이트한다. 제1, 제2 합산 사전 위치 티칭값 각각은 제1, 제2 사전 위치티칭값 각각이 누적 합산된 값이다. Thereafter, the teaching data calculation and storage unit 440 adds the calculated first pre-position teaching values (dX', dY') to the first summation pre-position teaching values (dXsum, dYsum) to obtain a first summation pre-position teaching value ( dXsum, dYsum). Each of the first and second summed pre-position teaching values is a cumulative sum of each of the first and second pre-position teaching values.

여기서 X축에 따른 제1 합산 사전 위치티칭값(dXsum)은, 최초 계측데이터에서 산출된 dx1'와, 두번째 계측 계측데이터에서 산출된 dx2'와,....현재 n번째 계측데이터에서 산출된 dXn'의 합으로 산출된다.Here, the first summation pre-position teaching value (dXsum) along the X-axis is dx1' calculated from the first measurement data, dx2' calculated from the second measurement measurement data, and .... Currently calculated from the n-th measurement data It is calculated as the sum of dXn'.

그리고 Y축에 따른 제1 합산 사전 위치티칭값(dYsum)은 최초 계측데이터에서 산출된 dY1'과, 이후 두번? 계측 계측데이터에서 산출된 dY2'와,....현재 n번째 계측데이터에서 산출된 dYn'의 합으로 산출된다.And the first summed pre-position teaching value (dYsum) along the Y-axis is dY1' calculated from the first measurement data, and then twice? It is calculated as the sum of dY2' calculated from the measurement measurement data and .... dYn' calculated from the current n-th measurement data.

그리고 제2 합산 사전 위치티칭값(dWsum)은 최초 계측데이터에서 산출된 dW1'과, 이후 두번? 계측 계측데이터에서 산출된 dW2'와,....현재 n번째 계측데이터에서 산출된 dWn'의 합으로 산출된다.And the second summed pre-position teaching value (dWsum) is dW1' calculated from the first measurement data, and twice? It is calculated as the sum of dW2' calculated from measurement data and .... dWn' calculated from current n-th measurement data.

이후 티칭데이터 산출저장부(440)는, 제1 합산 사전 위치티칭값(dXsum, dYsum)을 구성하는 dXsum, dYsum, 제2 합산 사전 위치티칭값(dWsum) 각각을 계측데이터의 총개수 n으로 나누어 제1 위치티칭값(dX, dY) 및 제2 위치티칭값(dW)를 산출한다. Thereafter, the teaching data calculation and storage unit 440 divides each of dXsum, dYsum, and the second summation dictionary position teaching value dWsum constituting the first summation prior position teaching values dXsum and dYsum by the total number n of measurement data. The first position teaching values dX and dY and the second position teaching values dW are calculated.

또는 이와는 달리, 티칭데이터 산출저장부(440)는, 계측데이터로부터 제1 사전 위치티칭값(dX', dY'), 제2 사전 위치티칭값(dW')를 산출한 후 누적하여 저장하고, 누적하여 저장된 제1 사전 위치티칭값(dX', dY1'), 제2 사전 위치티칭값(dW')에 미디언(median)값을 적용하여 제1 위치티칭값(dX, dY)을 산출할 수 있다. 이때 미디언 값은 복수 개의 값을 크기 순서대로 늘어놓았을 때, 가운데에 위치하는 값을 의미한다. 미디언 값을 이용하는 방법은, 평균값을 이용하는 방법에 비해, 오계측에 의한 영향을 덜 받을 수 있다. Alternatively, the teaching data calculation and storage unit 440 calculates and stores the first prior position teaching values (dX', dY') and the second prior position teaching value (dW') from the measurement data and then accumulates them, The first position teaching values (dX, dY) are calculated by applying a median value to the accumulated and stored first prior position teaching values (dX', dY1') and the second prior position teaching values (dW'). can In this case, the median value means a value located in the middle when a plurality of values are arranged in order of size. The method using the median value may be less affected by erroneous measurement than the method using the average value.

티칭주기 판단부(450)는 기판의 EBR 상태의 티칭을 위한 티칭주기의 도과 여부를 판단한다. 티칭주기가 미리 설정된 티칭주기를 도과한 경우, 티치요청부(470)의 요청에 의해 티칭과정이 수행된다. The teaching period determining unit 450 determines whether the teaching period for teaching the EBR state of the substrate has elapsed. When the teaching period exceeds the preset teaching period, the teaching process is performed at the request of the teach request unit 470 .

이때 미리 설정된 티칭주기는 공정챔버(100) 내에서 공정처리가 완료된 기판의 총 매수로 설정될 수 있다. 또는 이와는 달리 티칭주기는 시간으로 설정되거나, 계측챔버(300)에서 측정된 기판의 매수로 설정될 수도 있다.In this case, the preset teaching period may be set to the total number of substrates that have been processed in the process chamber 100 . Alternatively, the teaching period may be set as time or may be set as the number of substrates measured in the measurement chamber 300 .

티칭범위 판단부(460)는 티칭데이터 산출저장부(440)에서 산출된 제1 위치티칭값(dX, dY) 및 상기 제2 위치티칭값(dW)이 각각에 대해 미리 설정된 티칭가능범위 내에 있는지 판단한다. 이송로봇의 공정챔버(100)에 대한 티칭 가능 범위는 제한되어 있으며, 티칭가능범위는 이에 대응되도록 사전에 설정될 수 있다. The teaching range determining unit 460 determines whether the first position teaching values dX, dY and the second position teaching value dW calculated by the teaching data calculation and storage unit 440 are within the teaching available ranges set in advance for each. judge The teaching possible range for the process chamber 100 of the transfer robot is limited, and the teaching possible range may be set in advance to correspond thereto.

티칭범위 판단부(460)는 제1 위치티칭값 중 dX가 제1 위치티칭값 중 dx에 대한 제1 티칭상한값(dXmax)과 제1 티칭하한값(dXmin) 사이에 위치하는지 판단하고, 제1 위치티칭값 중 dY가 제1 위치티칭값 중 dy에 대한 제1 티칭상한값(dYmax)과 제1 티칭하한값(dYmin) 사이에 위치하는지 판단한다. 그리고 티칭범위 판단부(430)는 제2 위치티칭값(dW)이 제2 위치티칭값(dW) 중 dw에 대한 제2 티칭상한값(dWmax)과 제2 티칭하한값(dWmin) 사이에 위치하는지 판단한다. The teaching range determining unit 460 determines whether dX of the first position teaching values is located between the first upper teaching limit value dXmax and the first teaching lower limit value dXmin for dx among the first position teaching values, and the first position It is determined whether dY among the teaching values is located between the first upper limit value dYmax and the first lower limit value dYmin for dy among the first position teaching values. The teaching range determining unit 430 determines whether the second position teaching value dW is located between the second upper limit value dWmax for dw and the second lower limit value dWmin among the second position teaching values dW. do.

제1 위치티칭값(dX, dY) 및 제2 위치티칭값(dW) 각각이 티칭가능범위 내에 위치하는 경우, 티칭범위 판단부(430)는 티칭요청부(460)로 하여금 공정챔버 제어부(500) 또는 이송로봇 제어부(600)에 티칭을 위한 요청신호를 전송하도록 할 수 있다.When each of the first position teaching values dX and dY and the second position teaching value dW is within the teaching available range, the teaching range determining unit 430 causes the teaching requesting unit 460 to cause the process chamber control unit 500 ) or to transmit a request signal for teaching to the transfer robot control unit 600 .

제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값이 제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값 각각에 대한 티칭상한값을 초과하는 경우, 하드웨어 문제 발생 여지를 없애기 위해 EBR상태 조정이 이루어지지 않는다. 또한, 제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값이, 제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값에 대한 티칭하한값 미만인 경우 설비의 안정상태를 유지하기 위해 EBR상태 조정이 이루어지지 않는다. 제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값이 보정가능범위 내에 위치하지 않는 경우, 인터락을 발생시킬 수 있다.When the first position teaching value and the second position teaching value exceed the upper teaching limit values for the first position teaching value and the second position teaching value, respectively, the EBR state adjustment is not performed in order to eliminate the potential for hardware problems. In addition, when the first position teaching value and the second position teaching value are less than the lower teaching limit values for the first position teaching value and the second position teaching value, the EBR state adjustment is not performed to maintain the stable state of the equipment. When the first position teaching value and the second position teaching value are not located within the correctable range, an interlock may be generated.

제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값 각각에 대한 티칭상한값은 공정스텝별로 상이하게 존재할 수 있다. 이 경우 제2 위치티칭값은 공정스텝별로 산출되어 구분되어 저장되어 있을 수 있다. The teaching upper limit value for each of the first position teaching value and the second position teaching value may be different for each process step. In this case, the second position teaching value may be calculated for each process step and stored separately.

티칭요청부(470)는, 티칭주기가 도과되고, 제1 위치티칭값(dX, dY) 및 제2 위치티칭값(dW)이 미리 설정된 티칭가능범위 내에 있는 경우, 공정챔버 제어부(500) 및 로봇제어부(600) 중 적어도 하나가 티칭작업을 수행하도록 공정챔버 제어부(500) 및 로봇제어부(600) 중 적어도 하나에 티칭요청신호 및 티칭데이터를 전송한다. The teaching request unit 470, when the teaching period has elapsed and the first position teaching values dX, dY and the second position teaching value dW are within the preset teaching possible ranges, the process chamber control unit 500 and A teaching request signal and teaching data are transmitted to at least one of the process chamber control unit 500 and the robot control unit 600 so that at least one of the robot control unit 600 performs the teaching operation.

이때 티칭요청부(470)는 공정챔버 제어부(500) 및 로봇제어부(600)에 티칭요청신호 및 티칭데이터 외에 공정스텝에 관한 정보, 어떤 공정챔버에 관한 티칭요청인지에 대한 정보, 어떤 EBR노즐인지에 대한 정보를 함께 전송할 수 있다.At this time, the teaching request unit 470 sends the process chamber control unit 500 and the robot control unit 600, in addition to the teaching request signal and teaching data, information about the process step, information about which process chamber the teaching request is for, and which EBR nozzle is it? information can be transmitted together.

특히 티칭요청부(470)는 공정챔버(100) 내에 기판이 공정처리 중이지 않은 경우 또는 이송로봇(200)이 기판을 이송 중이지 않은 경우, 공정챔버 제어부(500) 및 로봇제어부(600) 중 적어도 하나에 티칭작업을 수행하도록 요청할 수 있다.In particular, the teaching request unit 470 may be configured among the process chamber control unit 500 and the robot control unit 600 when the substrate is not being processed in the process chamber 100 or when the transfer robot 200 is not transferring the substrate. At least one can be requested to perform a teaching operation.

공정챔버 제어부(500)는 티칭제어부(400)에서 제공되는 제2 위치티칭값(dW)을 포함하는 티칭데이터를 기반으로 에지비드제거 노즐의 위치를 오토로 티칭한다. 공정챔버 제어부(500)는 노즐 위치를 티칭 후 티칭이 완료되었다는 신호를 티칭제어부(400)에 전송한다. 티칭제어부(400)는 티칭시각을 저장하고, 티칭데이터를 초기화한다. 초기화되기 전 상태의 티칭데이터에 대한 정보는 인터페이스 제어부(700)를 포함하는 인터페이스부 또는 티칭제어부(400)에 별도로 저장될 수 있다. The process chamber control unit 500 automatically teaches the position of the edge bead removal nozzle based on the teaching data including the second position teaching value dW provided from the teaching control unit 400 . After teaching the nozzle position, the process chamber control unit 500 transmits a signal indicating that the teaching is completed to the teaching control unit 400 . The teaching control unit 400 stores the teaching time and initializes the teaching data. Information on the teaching data in the state before being initialized may be separately stored in the interface unit including the interface control unit 700 or the teaching control unit 400 .

이송로봇 제어부(600)은 티칭제어부(400)에서 제공되는 제1 위치티칭값(dX, dY)을 포함하는 티칭데이터를 기반으로 이송로봇의 위치를 사용자에 의하지 않고 오토로 티칭한다.The transfer robot control unit 600 automatically teaches the position of the transfer robot without the user based on the teaching data including the first position teaching values dX and dY provided by the teaching control unit 400 .

티칭이 완료되면, 티칭데이터 산출저장부(430)에 저장되어 있는 티칭데이터는 초기화될 수 있다.When the teaching is completed, the teaching data stored in the teaching data calculation and storage unit 430 may be initialized.

도 3은 도 1에 도시된 이송로봇 제어부의 티칭과정을 설명한 도면이고, 도 4는 도 1에 도시된 공정챔버 제어부의 티칭과정을 설명한 도면이다.FIG. 3 is a view for explaining the teaching process of the transfer robot controller shown in FIG. 1 , and FIG. 4 is a view for explaining the teaching process of the process chamber controller shown in FIG. 1 .

도 3을 참조하면, 계측챔버 내 제어부(PMC(DIM))는 기판의 EBR 상태 계측이 종료되면, 인터페이스 제어부(IF_PMC)를 통해 티칭제어부(EMAC)에 계측데이터를 제공한다. 그리고 도 4를 참조하면, 공정챔버 제어부(PMC(SCW))는 공정이 종료되면, 인터페이스 제어부(IF_PMC)를 통해 티칭제어부(EMAC)에 공정이 완료되었음을 알린다.Referring to FIG. 3 , when the measurement of the EBR state of the substrate is finished, the control unit PMC (DIM) in the measurement chamber provides measurement data to the teaching control unit EMAC through the interface control unit IF_PMC. And referring to FIG. 4 , when the process is finished, the process chamber controller PMC (SCW) notifies the teaching controller EMAC through the interface controller IF_PMC that the process has been completed.

도 3 및 도 4를 참조하면, 티칭제어부(EMAC)은 계측 데이터를 저장하고, 계측 데이터에 기반하여 EBR 상태를 판단한다. EBR 상태가 정상이 아닌 경우 알람을 발생시킨다. 한편 EBR 상태가 정상인 경우 피드백(feedback) 제어 사용여부, 즉 EBR 상태가 정상인 경우에 티칭주기 도과시 EBR 상태를 티칭할 지 여부를 판단한다. 피드백 제어가 사용되는 경우, 계측데이터를 기반으로 티칭데이터를 생성한다. 티칭제어부(EMAC)는 티칭주기의 도과여부를 판단하고, 티칭주기 도과 시 이송로봇 제어부(TS_MTR) 또는 공정챔버 제어부(PMC(SCW))에 티칭요청신호(actREQ)를 전송하여 티칭작업을 요청한다. 3 and 4 , the teaching control unit EMAC stores measurement data and determines the EBR state based on the measurement data. If the EBR status is not normal, an alarm is generated. On the other hand, it is determined whether to use feedback control when the EBR state is normal, that is, whether to teach the EBR state when the teaching period has elapsed when the EBR state is normal. When feedback control is used, it generates teaching data based on measurement data. The teaching control unit (EMAC) determines whether the teaching period has elapsed, and upon elapse of the teaching period, transmits a teaching request signal (actREQ) to the transfer robot control unit (TS_MTR) or the process chamber control unit (PMC(SCW)) to request the teaching operation .

이때 이송로봇 제어부에는 티칭요청신호(actREQ)와 함께, 티칭데이터 정보, 어떤 공정챔버에 관한 티칭요청인지에 대한 정보가 더 전송될 수 있다. 그리고 공정챔버 제어부(600)에는 티칭데이터 정보, 어떤 공정챔버에 관한 티칭요청인지에 대한 정보, 어떤 EBR 노즐에 관한 것인지에 대한 정보, 어떤 공정스텝에 해당되는 것인지에 대한 정보가 함께 전송될 수 있다. In this case, along with the teaching request signal actREQ, teaching data information and information on which process chamber the teaching request is related to may be further transmitted to the transfer robot control unit. In addition, teaching data information, information on which process chamber the teaching request is made, information on which EBR nozzle, and information on which process step corresponds to the process chamber control unit 600 may be transmitted together.

이송로봇제어부(TS_MTR) 또는 공정챔버 제어부(PMC(SCW))는 티칭요청신호(actREQ)을 수신하면, 티칭작업을 수행한다. 티칭작업이 완료되면, 이송로봇제어부(TS_MTR) 또는 공정챔버 제어부(PMC(SCW))는 티칭제어부(EMAC)에 티칭완료신호(actOK)를 전송한다. 티칭제어부(EMAC)은 티칭데이터를 초기화하고, 티칭시각을 기록한다. 이때 티칭데이터는 인터페이스 제어부를 포함하는 인터페이스부 또는 티칭제어부(400)에 별도로 저장된다. When the transfer robot control unit TS_MTR or the process chamber control unit PMC (SCW) receives the teaching request signal actREQ, the teaching operation is performed. When the teaching operation is completed, the transfer robot control unit TS_MTR or the process chamber control unit PMC (SCW) transmits a teaching completion signal actOK to the teaching control unit EMAC. The teaching control unit (EMAC) initializes the teaching data and records the teaching time. In this case, the teaching data is separately stored in the interface unit including the interface control unit or the teaching control unit 400 .

본 발명에 따르면, 기판의 에지비드제거 상태에 대한 티칭작업이 미리 설정된 티칭기간 도과시에 이루어지며, 기판처리장치가 진행 중에 이루어지므로 기판의 에지비드제거 상태 불량을 사전에 예방할 수 있다. According to the present invention, since the teaching operation on the edge bead removal state of the substrate is performed when the preset teaching period elapses, and the substrate processing apparatus is in progress, it is possible to prevent a defect in the edge bead removal state of the substrate in advance.

또한 본 발명에 따르면, 계측데이터에 대해 사전 위치티칭값을 산출하여 저장하고, 복수의 사전 위치티칭값들의 평균값 또는 미디언값을 위치티칭값으로 산출하므로 EBR 상태 티칭작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since the pre-position teaching value is calculated for the measurement data and stored, and the average value or the median value of a plurality of pre-position teaching values is calculated as the position teaching value, the reliability of the EBR state teaching operation can be improved.

또한 본 발명에 따르면, 계측데이터 각각에 대해 일정 계측범위 내에 존재하는 계측데이터만를 추출하고, 추출된 계측데이터를 기반으로 위치티칭값을 산출하므로, EBR 상태 티칭작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since only the measurement data existing within a certain measurement range for each measurement data is extracted, and the position teaching value is calculated based on the extracted measurement data, the reliability of the EBR state teaching operation can be improved.

10: 기판처리장치 100: 공정챔버
110: 스핀척 120: 에지비드제거 노즐
200: 이송로봇 300: 계측챔버
400: 티칭제어부 410: 계측데이터 저장부
420: 계측데이터 판단부 430: 계측데이터 추출부
440: 티칭데이터 산출저장부 450: 티칭주기 판단부
460: 티칭범위 판단부 470: 티칭요청부
500: 공정챔버 제어부 600: 이송로봇 제어부 10: substrate processing apparatus 100: process chamber
110: spin chuck 120: edge bead removal nozzle
200: transport robot 300: measurement chamber
400: teaching control unit 410: measurement data storage unit
420: measurement data determination unit 430: measurement data extraction unit
440: teaching data calculation and storage unit 450: teaching period determining unit
460: teaching range determination unit 470: teaching request unit
500: process chamber control unit 600: transfer robot control unit

Claims (6)

기판을 안착하는 스핀척과, 약액이 도포되는 기판 가장자리 부분의 에지비드를 제거하는 에지비드제거(EBR) 노즐이 구비되는 공정챔버;
상기 공정챔버에 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇;
상기 기판의 EBR 상태를 계측하여 계측데이터를 생성하는 계측챔버;
상기 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭제어부;
상기 티칭데이터를 기반으로 에지비드제거 노즐의 위치를 티칭하는 공정챔버 제어부 및;
상기 티칭데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 위치를 티칭하는 이송로봇 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.a process chamber including a spin chuck for seating the substrate, and an edge bead removal (EBR) nozzle for removing edge beads from the edge of the substrate to which the chemical is applied;
a transfer robot for loading/unloading a substrate into the process chamber;
a measurement chamber for generating measurement data by measuring the EBR state of the substrate;
a teaching control unit for generating teaching data including a first position teaching value corresponding to the eccentricity of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to the edge bead removal width based on the measurement data;
a process chamber control unit for teaching the position of the edge bead removal nozzle based on the teaching data;
and a transfer robot control unit for teaching the position of the transfer robot based on the teaching data. 제1항에 있어서,
상기 티칭제어부는,
상기 계측데이터를 누적하여 저장하는 계측데이터 저장부;
상기 계측데이터를 기반으로 상기 기판의 EBR상태가 정상인지 판단하는 계측데이터 판단부;
상기 기판의 EBR상태가 정상인 경우 상기 계측데이터 각각이 미리 설정된 범위 내인지 판단하고, 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 계측데이터를 제공하는 계측데이터 추출부;
상기 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭데이터 산출저장부;
미리 설정된 티칭주기의 도과 여부를 판단하는 티칭주기 판단부;
상기 티칭주기가 도과된 경우, 상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값 각각이 미리 설정된 티칭가능범위 내에 있는지 판단하는 티칭범위 판단부;
상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값 중 적어도 하나가 상기 티칭가능범위 내에 있는 경우, 상기 공정챔버 제어부 및 상기 이송로봇 제어부 중 적어도 하나에 티칭작업을 요청하는 티칭요청부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The teaching control unit,
a measurement data storage unit for accumulating and storing the measurement data;
a measurement data determination unit for determining whether the EBR state of the substrate is normal based on the measurement data;
a measurement data extraction unit that determines whether each of the measurement data is within a preset range when the EBR state of the substrate is normal, and provides measurement data located within a preset measurement range;
a teaching data calculation and storage unit for generating teaching data including a first position teaching value corresponding to the eccentricity of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to the edge bead removal width based on the measurement data;
a teaching period determining unit that determines whether a preset teaching period has elapsed;
a teaching range determining unit for determining whether each of the first position teaching value and the second position teaching value is within a preset teaching possible range when the teaching period has elapsed;
and a teaching request unit for requesting a teaching operation from at least one of the process chamber control unit and the transfer robot control unit when at least one of the first position teaching value and the second position teaching value is within the teaching available range A substrate processing apparatus with 제2항에 있어서,
상기 티칭주기는 상기 공정챔버 내에서 공정처리가 완료된 기판의 총 매수를 기반으로 설정되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
The teaching period is a substrate processing apparatus, characterized in that set based on the total number of substrates that have been processed in the process chamber. 제2항에 있어서,
상기 티칭요청부는,
상기 공정챔버 내에 기판이 공정처리 중이지 않은 경우 또는 상기 이송로봇이 기판을 이송 중이지 않은 경우, 상기 공정챔버 제어부 및 상기 이송로봇 제어부 중 적어도 하나에 티칭작업을 요청하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
The teaching request unit,
When the substrate is not being processed in the process chamber or when the transfer robot is not transferring the substrate, a teaching operation is requested from at least one of the process chamber controller and the transfer robot controller. . 제2항에 있어서,
상기 티칭데이터 산출저장부는,
상기 계측데이터에 대해 제1 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제1 사전 위치티칭값을 제1 합산 사전위치티칭값에 합산하여 상기 제1 합산 사전위치티칭값을 업데이트하고, 상기 제1 합산 사전위치티칭값을 계측데이터의 총계수로 나누어 상기 제1 위치티칭값을 산출하고,
상기 계측데이터에 대해 제2 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제2 사전 위치티칭값을 제2 합산 사전위치티칭값에 합산하여 상기 제2 합산 사전위치티칭값을 업데이트하고, 상기 제2 합산 사전위치티칭값을 계측데이터수로 나누어 상기 제2 위치티칭값을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
The teaching data calculation and storage unit,
A first pre-position teaching value is calculated for the measurement data, and the calculated first pre-position teaching value is added to the first summed pre-position teaching value to update the first summed pre-position teaching value, and the first summation The first position teaching value is calculated by dividing the prior position teaching value by the total coefficient of the measurement data,
A second pre-position teaching value is calculated for the measurement data, and the calculated second pre-position teaching value is added to the second summed pre-position teaching value to update the second summed pre-position teaching value, and the second summation The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second position teaching value is calculated by dividing the previous position teaching value by the number of measurement data. 제2항에 있어서,
상기 티칭데이터 산출저장부는,
상기 추출된 계측데이터에 대해 제1 사전 위치티칭값을 산출하여 누적하여 저장하고, 상기 누적하여 저장된 제1 사전 위치티칭값들의 미디언(median)값을 기반으로 상기 제1 위치티칭값을 산출하고,
상기 추출된 계측데이터에 대해 제2사전 위치티칭값을 산출하여 누적하여 저장하고, 상기 누적하여 저장된 제2 사전 위치티칭값들의 미디언(median)값을 기반으로 상기 제1 위치티칭값을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
The teaching data calculation and storage unit,
Calculating and accumulating a first prior position teaching value for the extracted measurement data, calculating the first position teaching value based on a median value of the accumulated and stored first position teaching values, ,
Calculating and accumulating a second prior position teaching value with respect to the extracted measurement data, calculating the first position teaching value based on a median value of the accumulated and stored second position teaching values A substrate processing apparatus, characterized in that.
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