KR20040017484A - Exposing equipment and method for inspecting wafer alignment state - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An exposure apparatus and a method for checking a wafer alignment state are provided to be capable of periodically and automatically checking the wafer alignment state for preventing wafer failure. CONSTITUTION: An exposure apparatus(100) is provided with a wafer storing stage(110) for storing exposure process object wafers and notch wafers, an alignment stage(120) for aligning the wafers, an exposure stage(130), and a plurality of transfer parts(150) for transferring the wafers to the wafer storing stage, the alignment stage, and the exposure stage. At this time, the exposure apparatus is connected to a server and host on line. The wafer storing stage includes a process progressing pot(112), a reproducibility measuring wafer pot(114), a notch wafer port(116) for loading a cassette inserted with notch wafers in order to correct misalignment, and a transfer pot(118).

Description

노광장치 및 웨이퍼 얼라인먼트 상태 점검 방법{Exposing equipment and method for inspecting wafer alignment state}Exposing equipment and method for inspecting wafer alignment state

본 발명은 노광장치 및 웨이퍼 얼라인먼트 상태 점검 방법에 관한 것으로, 특히, 얼라인먼트의 재현성을 확인하기 위한 재현성 측정 웨이퍼들과 웨이퍼의 플랫존을 감지하여 레티클에 대하여 웨이퍼를 얼라인먼트 시키는 광센서의 틀어짐 정도를 측정하는 나치(notch) 웨이퍼를 노광설비의 포트에 항상 비치해 놓은 상태에서 사용자가 설정한 주기마다 자동적으로 얼라인먼트 상태의 점검이 이루어질 수 있도록 한 노광장치 및 웨이퍼 얼라인먼트 상태 점검 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and a method for checking a wafer alignment state. In particular, a reproducibility measurement wafer for checking the reproducibility of alignment and a flat zone of the wafer are sensed to measure the degree of distortion of the optical sensor for aligning the wafer with respect to the reticle. The present invention relates to an exposure apparatus and a wafer alignment state checking method in which an alignment state can be automatically checked at a cycle set by a user while a notch wafer is always provided in a port of an exposure apparatus.

반도체 소자 또는 반도체 칩 등은 일반적으로 실리콘으로 형성되는 웨이퍼에 리소그래피, 노광, 이온주입, CMP(chemical and mechanical polishing), 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 식각 등의 공정을 진행함으로써 여러개의 회로 패턴층들을 적층시켜 형성한다. 이러한 회로패턴들은 포토레지스트가 적층된 웨이퍼를 자외선에 노출시켜 마스크의 상을 웨이퍼로 옮기는 노광공정과 노광에 따라 포토레지스트막을 선택적으로 식각하는 식각공정에 의해 형성된다.A semiconductor device or a semiconductor chip is generally laminated with a plurality of circuit pattern layers by performing lithography, exposure, ion implantation, chemical and mechanical polishing (CMP), chemical or physical vapor deposition, and plasma etching on a wafer formed of silicon. To form. These circuit patterns are formed by an exposure process in which a wafer on which photoresist is stacked is exposed to ultraviolet rays to transfer an image of a mask to a wafer, and an etching process of selectively etching a photoresist film according to the exposure.

제품의 신뢰성을 향상시키기 위해서는 웨이퍼 상에 이미 형성된 회로패턴들과 노광공정을 통해 새롭게 형성될 회로 패턴이 정확히 정렬(align)되어야 하며, 이는 노광공정을 진행하기 전에 노광공정이 진행될 웨이퍼를 마스크에 대해 정렬시키는 얼라인(Align)을 통하여 이루어진다.In order to improve the reliability of the product, the circuit patterns already formed on the wafer and the circuit patterns to be newly formed through the exposure process must be exactly aligned. This means that the wafer to be exposed before the exposure process is performed with respect to the mask. This is done through Align to align.

웨이퍼를 얼라인 시키는 방법에는 웨이퍼 셀(Cell) 영역의 스크라이브 라인(Scribe Line)에 형성된 얼라인 마크를 광학계가 인식하여 얼라인을 수행하는 방법과, 웨이퍼의 플랫존 부분을 감지하는 광센서를 이용하여 얼라인먼트를 수행하는 방법 등이 있다.In order to align the wafer, the optical system recognizes the alignment mark formed on the scribe line of the wafer cell area and performs the alignment, and an optical sensor that detects the flat zone portion of the wafer. To perform the alignment.

광센서를 이용하여 웨이퍼를 얼라인 시키는 노광설비는 크게 소정의 웨이퍼들이 적재된 카세트가 놓여지는 포트가 형성된 웨이퍼 보관 스테이지, 상부면 소정부분에 웨이퍼의 플랫존을 감지하는 광센서가 설치되어 노광공정을 진행하기 전에 웨이퍼를 얼라인 시키는 얼라인 스테이지, 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼를 자외선에 노출시켜 마스크의 상을 웨이퍼로 옮기는 노광공정이 진행되는 노광 스테이지 및 웨이퍼를 웨이퍼 보관 스테이지, 얼라인 스테이지 및 노광 스테이지로 이송시키는 이송장치를 포함한다.The exposure equipment for aligning wafers using an optical sensor includes a wafer storage stage in which a port into which a cassette loaded with predetermined wafers is placed, and an optical sensor for detecting a flat zone of a wafer on a predetermined portion of an upper surface thereof. Alignment stage for aligning the wafer before proceeding, exposure stage in which the exposure process for transferring the image of the mask to the wafer by exposing the wafer on which the photoresist film is formed to the wafer and the wafer storage stage, alignment stage and exposure stage It includes a conveying device for transferring to.

상술한 구성을 갖는 노광설비의 작용을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.The operation of the exposure apparatus having the above-described configuration is briefly described as follows.

이송장치는 웨이퍼 보관 스테이지의 포트에 놓여진 카세트에서 노광공정이 진행될 웨이퍼를 한 장 꺼내어 얼라인 스테이지로 이송시킨다.The transfer apparatus removes one wafer to be subjected to the exposure process from the cassette placed in the port of the wafer storage stage and transfers it to the alignment stage.

얼라인 스테이지로 이송된 웨이퍼는 얼라인 스테이지에 설치된 회전장치에 의해 소정속도로 회전하게 되며, 웨이퍼의 회전은 광센서가 웨이퍼의 플랫존을 검출할 때까지 계속된다. 이와 같이 광센서에 의해 웨이퍼의 플랫존이 검출되면 웨이퍼는 노광 스테이지의 상부에 설치된 마스크와 얼라인 된 상태이다.The wafer transferred to the alignment stage is rotated at a predetermined speed by a rotating device installed in the alignment stage, and the rotation of the wafer is continued until the optical sensor detects the flat zone of the wafer. When the flat zone of the wafer is detected by the optical sensor in this manner, the wafer is in alignment with the mask provided on the exposure stage.

이후, 얼라인 된 웨이퍼는 이송장치에 의해 노광 스테이지에 놓여진다. 그러면, 노광 스테이지와 소정간격 이격되어 노광 스테이지의 상부에 설치된 마스크를 개재하여 자외선이 웨이퍼 상에 조사되는 노광공정이 진행된다.The aligned wafer is then placed on the exposure stage by the transfer device. Then, an exposure process is performed in which ultraviolet rays are irradiated onto the wafer through a mask provided at an upper portion of the exposure stage at a predetermined interval from the exposure stage.

상술한 과정을 거쳐 노광공정이 진행되는 동안 설비의 기계적 결함 또는 얼라인 스테이지의 진동으로 인해 광센서가 틀어져 광센서가 웨이퍼의 얼라인 위치를 잘못 설정하여 대량의 웨이퍼 품질사고가 발생된 경우, 또는 노광설비의 주기적인 점검이 진행될 때 얼라인먼트 상태를 검사하는 공정이 진행된다.If the optical sensor is misaligned due to mechanical defects in the equipment or vibration of the align stage during the exposure process through the above-described process, and the optical sensor incorrectly sets the alignment position of the wafer, As the periodic inspection of the exposure equipment proceeds, the process of inspecting the alignment condition is performed.

얼라인먼트 상태 검사는 플랫존이 형성된 소정매수의 재현성 측정 웨이퍼들이 형성된 카세트를 찾아 작업자가 포트에 놓은 상태에서 재현성 측정 웨이퍼들을 노광설비에 차례대로 투입시켜 웨이퍼 얼라인의 재현성을 측정한다.The alignment condition inspection finds a cassette on which a predetermined number of reproducibility measurement wafers on which a flat zone is formed is placed, and the reproducibility measurement wafers are sequentially introduced into an exposure facility while the operator puts them in a port to measure the reproducibility of the wafer alignment.

그리고, 재현성 측정 웨이퍼들의 재현성이 떨어지거나 얼라인 오차 허용 범위를 벗어난 경우 작업자는 다시 웨이퍼 외주면에 톱니 모양의 나치가 형성된 나치웨이퍼를 찾아 포트에 나치 웨이퍼가 적재된 카세트를 놓는다. 그러면, 이송장치가 나치 웨이퍼를 얼라인 스테이지에 올려놓게 되고, 나치 웨이퍼는 회전을 통해 광센서의 틀어진 정도를 측정한 후 웨이퍼가 얼라인 오차 허용 범위 내에 위치할 수 있도록 보정해준다.When the reproducibility measurement wafers are inferior in reproducibility or out of alignment error tolerance, the operator again finds a nazi wafer having a sawtooth shaped nazi on the outer circumferential surface of the wafer and places a cassette on which the nazi wafer is loaded. Then, the transfer device places the Nazi wafer on the alignment stage, and the Nazi wafer measures the degree of distortion of the optical sensor through rotation, and then corrects the wafer to be within the tolerance range.

상술한 방식의 얼라인먼트 상태 검사는 대형 웨이퍼 품질 사고가 발생되었을 때 사후처리로 만족해야 하며, 이미 웨이퍼 품질 사고가 발생된 상태이므로 제품의 신뢰성이 수율이 저하되는 문제점이 있다.The alignment state inspection of the above-described method should be satisfied with post-processing when a large wafer quality accident occurs, and there is a problem in that the reliability of the product is lowered since the wafer quality accident has already occurred.

또한, 얼라인먼트 상태 검사를 진행할 때마다 재현성 측정 웨이퍼 및 나치 웨이퍼를 찾아야 하고, 작업자가 직접 재현성 측정 웨이퍼 및 나지 웨이퍼가 적재된 카세트를 포트로 이송하여야 하기 때문에 작업자의 노동력이 증대된다.In addition, the reproducibility measuring wafer and the Nazi wafer must be found every time the alignment state inspection is performed, and the worker's labor force is increased because the operator must transfer the cassette loaded with the reproducibility measuring wafer and the bare wafer to the port.

그리고, 관리자가 재현성 측정 웨이퍼의 재현성 수치와 광센서가 얼마만큼 틀어졌는지 모니터링할 수 없는 문제점이 있다.In addition, there is a problem that the administrator can not monitor the reproducibility value of the reproducibility measurement wafer and how much the optical sensor is distorted.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로, 본 발명의 목적은 관리자가 설정한 주기마다 자동적으로 얼라인먼트 상태의 점검이 이루어질 수 있도록 하여 웨이퍼 품질사고를 미연에 방지하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to prevent wafer quality accidents by allowing the inspection of alignment status to be automatically performed at every cycle set by an administrator.

또한, 본 발명의 다른 목적은 관리자가 선택한 데이터를 관리자 컴퓨터에서 실시간으로 모니터링할 수 있도록 작업자의 편의를 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide the convenience of the operator to monitor the data selected by the administrator in real time on the administrator computer.

본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 보관 스테이지에 포트를 증설하여 재현성 측정 웨이퍼들이 적재된 카세트 및 나치 웨이퍼가 적재된 카세트를 항상 웨이퍼 보관 스테이지에 비치시켜 작업자의 노동력을 절감시키는데 있다.It is still another object of the present invention to reduce the labor of an operator by adding a port to a wafer storage stage and always storing a cassette loaded with reproducibility measurement wafers and a cassette loaded with a Nazi wafer on the wafer storage stage.

도 1은 본 발명에 의한 노광장치의 구조를 개략적으로 도시한 개념도이다.1 is a conceptual diagram schematically showing the structure of an exposure apparatus according to the present invention.

도 2는 얼라인먼트 상태를 점검하는 과정에서 얼라인 미스가 발생되었을 때 광센서의 틀어짐을 측정하는 나치 웨이퍼를 도시한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating a Nazi wafer measuring misalignment of an optical sensor when an alignment miss occurs in a process of checking an alignment state.

도 3a와 도 3b는 웨이퍼 얼라인먼트 상태의 점검 방법을 나타낸 순서도이다.3A and 3B are flowcharts illustrating a method of checking a wafer alignment state.

도 4는 본 발명에 의한 노광설비와 호스트 및 설비서버가 온라인으로 연결된 상태를 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram illustrating a state in which an exposure apparatus, a host, and a facility server are connected online according to the present invention.

이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 설비 서버, 호스트가 온라인된 노광설비에 포토레지스트막이 도포된 웨이퍼를 투입시켜 노광공정을 진행하는 단계, 노광설비에 투입된 웨이퍼가 정확히 얼라인되고 있는지의 상태를 확인해야할 시점인지를 판단하는 단계, 웨이퍼의 얼라인 상태를 확인해야할 시점이면, 소정개수의 재현성 측정 웨이퍼를 노광설비에 투입시켜 재현성 측정 웨이퍼들이 얼라인 오차 허용 범위 내에서 얼라인 재현성을 갖는지를 판단하는 단계, 얼라인 재현성을 갖지 못하면, 나치 웨이퍼를 노광장치에 투입시켜 웨이퍼를 얼라인시키는 광센서의 틀어짐 정도를 측정하고, 얼라인 미스가 발생되지 않도록 노광공정이 진행되는 노광 스테이지의 위치를 보정하는 단계를 포함하는 웨이퍼 얼라인먼트 상태 점검 방법을 제공한다.In order to achieve the object of the present invention, the present invention comprises the steps of exposing the photoresist film-coated wafer to an on-line exposure facility by the installation server and the host. If it is time to check the alignment state of the wafer, and if it is time to check the alignment state of the wafer, a predetermined number of reproducibility measuring wafers are put into the exposure equipment, and the reproducibility measuring wafers are aligned and reproducible within the alignment error tolerance. In the step of determining whether or not to have alignment reproducibility, the Nazi wafer is put into the exposure apparatus to measure the degree of distortion of the optical sensor that aligns the wafer, and the exposure stage is subjected to the exposure process to prevent alignment misalignment. Wafer alignment status check method comprising the step of correcting the position to provide.

바람직하게, 각 단계에서 발생되는 데이터들은 호스트를 통해 설비 서버로 전송되고, 설비 서버는 인가 받은 데이터를 실시간으로 설비 서버의 모니터에 디스플레이시킨다.Preferably, the data generated in each step is transmitted to the facility server through the host, and the facility server displays the authorized data in real time on the monitor of the facility server.

본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 웨이퍼 보관 스테이지를 노광공정이 진행될 웨이퍼들이 적재된 카세트가 놓여지는 공정 진행용 포트, 얼라인의 재현성 정도를 측정하기 위한 재현성 측정 웨이퍼들이 적재된 카세트가 놓여지는 재현성 측정 웨이퍼 포트, 얼라인 미스가 발생되었을 때 이를 보정하기 위한 나치 웨이퍼가 삽입된 카세트가 놓여지는 나치 웨이퍼 포트 및 노광 스테이지를통과하여 반출된 웨이퍼들이 종류별로 각각의 카세트에 삽입되는 반출포트로 구분한다.In order to achieve another object of the present invention, the present invention provides a wafer storage stage, a process port for placing a cassette on which wafers to be subjected to an exposure process, and a cassette on which reproducibility measurement wafers are loaded for measuring the degree of reproducibility of alignment. Reproducibility measurement wafer port on which the wafer is placed, Nazi wafer port on which a Nazi wafer is inserted to correct an alignment miss, and wafers taken out through the exposure stage are inserted into each cassette by type. Separated by ports.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 노광설비 및 얼라인먼트 상태 점검 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an exposure apparatus and an alignment state checking method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 노광장치를 도시한 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면 노광장치(100)는 웨이퍼 보관 스테이지(110), 얼라인 스테이지(120), 노광 스테이지(130), 언로딩 스테이지(140), 이송장치(150,152) 및 노광설비(100)를 전반적으로 제어하는 제어부(도시 안됨)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the exposure apparatus 100 includes a wafer storage stage 110, an alignment stage 120, an exposure stage 130, an unloading stage 140, a transfer device 150, 152, and an exposure apparatus 100. A control unit (not shown) for controlling overall.

웨이퍼 보관 스테이지(110)에는 노광공정이 진행될 웨이퍼들이 적재된 카세트가 놓여지는 공정 진행용 포트(112), 얼라인의 재현성 정도를 측정하기 위한 재현성 측정 웨이퍼들(10)이 적재된 카세트가 놓여지는 재현성 측정 웨이퍼 포트(114), 얼라인 미스가 발생되었을 때 이를 보정하기 위한 나치 웨이퍼(20; 도 2 참조)가 삽입된 카세트가 놓여지는 나치 웨이퍼 포트(116) 및 언로딩 스테이지(140)에 놓여진 웨이퍼들이 반출되어 빈 캐리어에 적재되는 반출포트(118)가 설치된다.The wafer storage stage 110 includes a process port 112 in which a cassette on which wafers to be exposed are to be loaded is placed, and a cassette on which reproducibility measurement wafers 10 are measured to measure the degree of reproducibility of alignment. Reproducibility measurement wafer port 114, placed on the nazi wafer port 116 and the unloading stage 140 on which a cassette into which a nazi wafer 20 (see FIG. 2) is inserted to correct an alignment miss occurs. An export port 118 is provided in which wafers are taken out and loaded into empty carriers.

여기서, 도 1에 도시된 바와 같이 재현성 측정 웨이퍼(10)는 에지면 소정부분이 평평하게 깎인 플랫존(12)이 형성된 웨이퍼이고, 나치 웨이퍼(20)는 도 2에 도시된 바와 같이 나치 웨이퍼(20)의 에지면 소정부분이 톱니 형상의 나치 홈(22)이 파여진 웨이퍼이며, 재현성 측정 웨이퍼(10) 및 나치 웨이퍼(11)는 웨이퍼 보관 스테이지(110)에 항상 비치되어 있다.Here, as shown in FIG. 1, the reproducibility measurement wafer 10 is a wafer having a flat zone 12 in which a predetermined portion is cut flat on the edge surface, and the Nazi wafer 20 is a Nazi wafer (as shown in FIG. 2). A predetermined portion of the edge surface of 20 is a wafer having a sawtooth shaped Nazi groove 22, and the reproducibility measuring wafer 10 and the Nazi wafer 11 are always stored in the wafer storage stage 110.

얼라인 스테이지(120)는 공정이 진행될 웨이퍼를 노광 스테이지(130)로 이송시키기 전에 웨이퍼의 플랫존을 검출하여 미리 웨이퍼를 마스크에 대해 얼라인시키는 부분으로, 얼라인 스테이지(120)의 소정부분에는 웨이퍼의 플랫존을 검출하기 위한 광센서(122)가 설치된다. 도시되지는 않았지만 광센서(122)는 레이저광을 조사하는 발광소자와 발광소자에서 조사된 빛을 수광하여 플랫존을 감지하는 수광소자로 구성된다.The alignment stage 120 detects the flat zone of the wafer and aligns the wafer with respect to the mask in advance before transferring the wafer to be processed to the exposure stage 130. An optical sensor 122 is installed for detecting the flat zone of the wafer. Although not shown, the optical sensor 122 includes a light emitting device for irradiating a laser light and a light receiving device for detecting a flat zone by receiving light emitted from the light emitting device.

노광 스테이지(130)는 노광공정이 진행될 웨이퍼가 놓여지는 부분이다. 도시되지는 않았지만, 노광 스테이지(130)로부터 소정거리 이격된 노광 스테이지(130)의 상부에는 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위한 마스크가 형성되고, 마스크의 상부에는 자외선 조사장치가 설치된다.The exposure stage 130 is a portion where a wafer to be subjected to an exposure process is placed. Although not shown, a mask for forming a pattern on the wafer is formed on the exposure stage 130 spaced apart from the exposure stage 130 by a predetermined distance, and an ultraviolet irradiation device is provided on the mask.

한편, 언로딩 스테이지(140)는 노광공정이 완료된 웨이퍼가 반출포트(118)로 이송되기 전에 잠시 대기하는 부분으로, 얼라인 스테이지(120)와 동일 선상에 위치하도록 설치된다.On the other hand, the unloading stage 140 is a portion which waits for a while before the wafer, after the exposure process is completed, is transferred to the export port 118, and is installed to be aligned with the alignment stage 120.

여기서, 얼라인 스테이지(120)와 언로딩 스테이지(140)는 웨이퍼 보관 스테이지(110)와 노광 스테이지(130) 사이에 설치된다.Here, the alignment stage 120 and the unloading stage 140 are installed between the wafer storage stage 110 and the exposure stage 130.

한편, 이송장치(150,152)는 제 1 이송 로봇(150)과 제 2 이송로봇(152)으로 구성된다. 제 1 이송로봇(150)은 각 포트들(112 내지 116)에 위치한 카세트로부터 소정의 웨이퍼를 꺼내고 공정이 완료된 웨이퍼를 반송 포트(118)에 놓여진 카세트에 적재시키는 것으로, 제 1 이송로봇(150)은 웨이퍼 보관 스테이지(110)와 언로딩 스테이지(140) 사이에 설치된다.On the other hand, the transfer device (150,152) is composed of a first transfer robot 150 and a second transfer robot (152). The first transfer robot 150 removes a predetermined wafer from a cassette located at each of the ports 112 to 116 and loads a wafer on which a process is completed into a cassette placed at a transfer port 118. The first transfer robot 150 Is installed between the wafer storage stage 110 and the unloading stage 140.

제 2 이송 로봇(152)은 제 1 이송 로봇(150)으로부터 공정이 진행될 소정의 웨이퍼를 받아 얼라인, 노광 및 언로딩 스테이지(120,130,140)로 해당 웨이퍼를 이송시키는 것으로, 얼라인 스테이지(120)와 언로딩 스테이지(140) 사이에 설치된다.The second transfer robot 152 receives a predetermined wafer to be processed from the first transfer robot 150 and transfers the wafer to the alignment, exposure, and unloading stages 120, 130, and 140. It is installed between the unloading stage 140.

이와 같이 구성된 노광 설비에서 사용자가 설정된 주기마다 웨이퍼의 얼라인 상태를 점검하는 방법에 대해 첨부된 도면 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of checking an alignment state of a wafer at a set period by a user in the exposure apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. 3A and 3B.

웨이퍼의 얼라인 상태를 점검하기 위해 사용자가는 얼라인 상태 점검 주기를 일단위, 주단위 및 웨이퍼 개수 단위로 설정하여 노광설비(100)에 전달한다.In order to check the alignment state of the wafer, the user sets the alignment state checking cycle in units of one day, a main unit, and a number of wafers, and transmits them to the exposure facility 100.

그리고, 웨이퍼 보관 스테이지(110)의 재현성 측정 웨이퍼 포트(114)와 나치 웨이퍼 포트(116)에 이들 웨이퍼들(10, 20)이 적재된 카세트를 넣고, 공정용 포트(112)에는 선행공정에서 포트레이스트막이 형성된 웨이퍼들이 적재된 카세트를 넣는다.Then, a cassette in which these wafers 10 and 20 are loaded is placed in the reproducibility measurement wafer port 114 and the nazi wafer port 116 of the wafer storage stage 110, and the process port 112 is a port in the preceding process. The cassette in which the wafers on which the race film was formed were loaded is placed.

이와 같이 웨이퍼 보관 스테이지(110)에 각각의 캐리어들이 놓여지면, 도 3a에 도시된 순서에 따라 공정을 진행한다.When the carriers are placed on the wafer storage stage 110 as described above, the process is performed in the order shown in FIG. 3A.

즉, 공정용 포트(112)에서 공정이 진행될 웨이퍼를 꺼내어 포토레지스트막에 마스크의 패턴을 옮기는 노광공정을 진행한다(단계200).That is, an exposure process of removing the wafer to be processed from the process port 112 and transferring the mask pattern to the photoresist film is performed (step 200).

노광공정을 진행하는 도중에 제어부는 계속적으로 관리자가 기 설정한 얼라인 상태 점검 주기를 토대로 얼라인 상태 점검을 해야되는 지를 판단하게 된다(단계210).During the exposure process, the controller continuously determines whether to perform the alignment state check based on the alignment state check period preset by the manager (step 210).

판단결과 얼라인 상태를 점검해야할 시점이 아니면 단계 200으로 피드백되어계속 노광공정을 진행한다.If it is determined that the alignment state is not to be checked, the flow returns to step 200 to continue the exposure process.

그러나, 얼라인 상태 점검해야 할 시점이면 제어부는 이송장치(150,152)에 전기적 신호를 전달한다. 그러면, 제 1 이송 로봇(150)은 재현성 측정 웨이퍼 포트(114)의 카세트로부터 재현성 측정 웨이퍼(10)를 한 장씩 꺼내어 제 2 이송 로봇(152)에게 전달하고, 제 2 이송 로봇(152)은 전달받은 재현성 측정 웨이퍼(10)를 얼라인 스테이지(120)에 올려놓는다(단계 220).However, if it is time to check the alignment state, the control unit transmits an electrical signal to the transfer apparatus (150,152). Then, the first transfer robot 150 takes out the reproducibility measurement wafer 10 one by one from the cassette of the reproducibility measurement wafer port 114 and transfers it to the second transfer robot 152, and the second transfer robot 152 transfers the transfer. The received reproducibility measurement wafer 10 is placed on the alignment stage 120 (step 220).

여기서, 제 1 이송 로봇(150)은 기 설정된 개수만큼, 예를 들어 5매의 재현성 측정 웨이퍼(10)를 꺼내어 차례대로 제 2 이송 로봇(152)에게 전달한다.Here, the first transfer robot 150 takes out 5 reproducibility measurement wafers 10 for a predetermined number and transfers them to the second transfer robot 152 in turn.

얼라인 스테이지(120)에 재현성 측정 웨이퍼(10)가 놓여지면 얼라인 스테이지(120)에 설치된 회전장치에 의해 재현성 측정 웨이퍼(10)가 소정속도로 회전하게 되며, 재현성 측정 웨이퍼(10)의 회전은 광센서(122)가 플랫존(12)을 검출할 때까지 계속된다.When the reproducibility measurement wafer 10 is placed on the alignment stage 120, the reproducibility measurement wafer 10 is rotated at a predetermined speed by a rotation apparatus installed on the alignment stage 120, and the rotation of the reproducibility measurement wafer 10 is rotated. The process continues until the light sensor 122 detects the flat zone 12.

광센서(122)의 플랫존 검출로 얼라인이 완료된 재현성 측정 웨이퍼(10)가 제 2 이송 로봇(152)에 의해 노광 스테이지(130)에 놓여지면, 제어부는 얼라인이 완료된 재현성 측정 웨이퍼(10)가 얼라인 오차 허용 범위 내에서 얼마만큼의 재현성을 갖는지를 측정한다.When the reproducibility measurement wafer 10 whose alignment has been completed by the flat zone detection of the optical sensor 122 is placed on the exposure stage 130 by the second transfer robot 152, the control unit controls the reproducibility measurement wafer 10 whose alignment has been completed. ) Is measured how much reproducibility is within the alignment error tolerance.

기 설정된 5매의 재현성 측정 웨이퍼(10)가 모두 노광장치(130)로 투입되어 얼라인에 재현성에 대한 측정이 완료되면, 제어부는 재현성 측정 결과 값을 토대로 5매의 재현성 측정 웨이퍼(10)가 모두 얼라인 오차 허용 범위 내에 존재하였는지를 판단하게 된다(단계230).When all five preset reproducibility measuring wafers 10 are input to the exposure apparatus 130 and the measurement of reproducibility is completed in the alignment, the controller determines that the five reproducibility measuring wafers 10 are based on the reproducibility measurement result values. It is determined whether all of them are within the allowable tolerance range (step 230).

재현성 측정 웨이퍼들(10)이 얼라인 허용 범위 내에 존재하였으면 포토레지스트막이 도포된 웨이퍼를 노광설비(100)로 투입시켜 노광공정을 다시 진행한다(단계240).If the reproducibility measurement wafers 10 existed within the alignment tolerance range, the photoresist-coated wafer is introduced into the exposure facility 100 to resume the exposure process (step 240).

한편, 재현성 측정 웨이퍼들(10) 중 한개라도 얼라인 오차 허용 범위를 벗어났을 경우에는 도 3b에 도시된 순서도에 의해 소정의 공정을 진행하게 된다.On the other hand, if any one of the reproducibility measuring wafers 10 is beyond the tolerance tolerance range, a predetermined process is performed by the flowchart shown in FIG. 3B.

즉, 제어부는 제 1 이송 로봇(150)에 전기적 신호를 전달하고, 제 1 이송 로봇(150)은 제어부의 전기적 신호에 따라 나치 웨이퍼 포트(116)에 놓여진 나치 웨이퍼(20) 한장을 카세트로부터 인출시켜 제 2 이송 로봇(152)에 전달한다. 그러면, 제 2 이송로봇(152)은 나치 웨이퍼(20)를 얼라인 스테이지(120)의 상부면에 올려놓는다(단계300).That is, the control unit transmits an electrical signal to the first transfer robot 150, and the first transfer robot 150 draws a piece of Nazi wafer 20 placed on the Nazi wafer port 116 from the cassette according to the electrical signal of the control unit. To the second transfer robot 152. Then, the second transfer robot 152 places the Nazi wafer 20 on the upper surface of the alignment stage 120 (step 300).

이와 같이 얼라인 스테이지(120)에 나치 웨이퍼(20)가 놓여지면 얼라인 스테이지(120)에 설치된 회전장치가 나치 웨이퍼(20)를 회전시켜 나치 홈(22)을 광센서(122)에 위치시킨다. 그러면, 제어부는 나치 홈(22)의 면적과 나치 홈(122)을 통해 수광부로 입사된 빛의 양 등의 정보를 이용하여 광센서(122)가 기 설정된 값과 어느 정도 틀어졌는지를 측정한다(단계310).When the Nazi wafer 20 is placed on the alignment stage 120 as described above, the rotating device installed on the alignment stage 120 rotates the Nazi wafer 20 to position the nazi groove 22 on the optical sensor 122. . Then, the controller measures how much the optical sensor 122 is displaced from the preset value by using information such as the area of the nazi groove 22 and the amount of light incident on the light receiving unit through the nazi groove 122 ( Step 310).

그리고, 노광 스테이지(130)에 전기적 신호를 전달하여 광센서(122)가 틀어진 값만큼 노광 스테이지(130)를 X, Y방향으로 미세하게 이동시켜 웨이퍼가 마스크에 대해 오차 허용범위 내에 들어오도록 얼라인 미스를 보정한다(단계320).Then, the electrical signal is transmitted to the exposure stage 130 so that the optical sensor 122 finely moves the exposure stage 130 in the X and Y directions by a distorted value so that the wafer is aligned within the error tolerance with respect to the mask. The miss is corrected (step 320).

이후, 단계 320에서 보정이 정확히 이루어졌는지를 확인하기 위해 제어부는 이송장치에 전기적 신호를 전달한다. 그러면, 제 1 이송 로봇(150)은 재현성 측정웨이퍼 포트(114)의 카세트로부터 재현성 측정 웨이퍼들(10)을 한장씩 꺼내어 제 2 이송로봇(152)에게 전달하고, 제 2 이송 로봇(152)은 전달받은 재현성 측정 웨이퍼(10)를 얼라인 스테이지(120)에 올려놓는다(단계330).Thereafter, in step 320, the controller transmits an electrical signal to the transfer apparatus to check whether the correction is made correctly. Then, the first transfer robot 150 takes out the reproducibility measurement wafers 10 one by one from the cassette of the reproducibility measurement wafer port 114 and transfers them to the second transfer robot 152, and the second transfer robot 152 transfers them. The received reproducibility measurement wafer 10 is placed on the alignment stage 120 (step 330).

이후, 얼라인 스테이지(120)에 재현성 측정 웨이퍼(10)가 놓여지면 얼라인 스테이지(120)에 설치된 회전장치에 의해 재현성 측정 웨이퍼(10)가 소정속도로 회전하게 되며, 재현성 측정 웨이퍼(10)의 회전은 광센서(122)가 플랫존(12)을 검출할 때까지 계속된다.Subsequently, when the reproducibility measurement wafer 10 is placed on the alignment stage 120, the reproducibility measurement wafer 10 is rotated at a predetermined speed by a rotation apparatus installed in the alignment stage 120, and the reproducibility measurement wafer 10 is disposed on the alignment stage 120. Rotation continues until the optical sensor 122 detects the flat zone 12.

광센서(122)의 플랫존 검출로 얼라인이 완료된 재현성 측정 웨이퍼(10)가 제 2 이송 로봇(152)에 의해 노광 스테이지(130)에 놓여지면, 제어부는 얼라인이 완료된 재현성 측정 웨이퍼(10)가 얼라인 오차 허용 범위 내에서 얼마만큼의 재현성을 갖는지를 측정한다.When the reproducibility measurement wafer 10 whose alignment has been completed by the flat zone detection of the optical sensor 122 is placed on the exposure stage 130 by the second transfer robot 152, the control unit controls the reproducibility measurement wafer 10 whose alignment has been completed. ) Is measured how much reproducibility is within the alignment error tolerance.

그리고, 기 설정된 5매의 재현성 측정 웨이퍼(10)가 모두 노광장치(130)로 투입되어 얼라인에 재현성에 대한 측정이 완료되면, 제어부는 재현성 측정 결과 값을 토대로 5매의 재현성 측정 웨이퍼(10)가 모두 얼라인 오차 허용 범위 내에 존재하였는지를 판단하게 된다(단계340).When all of the five reproducibility measuring wafers 10 set in advance are input to the exposure apparatus 130 and the measurement of reproducibility is completed in the alignment, the controller determines five reproducibility measuring wafers 10 based on the reproducibility measurement result values. In step 340, it is determined whether all of?) Are within the tolerance tolerance range.

재현성 측정 웨이퍼(10)가 얼라인 오차 허용 범위 내에 모두 존재하면 포토레지스트막이 도포된 웨이퍼를 노광설비로 투입시켜 노광공정을 진행한다(단계350).If all of the reproducibility measurement wafers 10 are within the allowable tolerance range, the wafer coated with the photoresist film is introduced into an exposure facility and the exposure process is performed (step 350).

그리고, 재현성 측정 웨이퍼들(10) 중 어느 하나라도 얼라인 오차 허용 범위를 벗어났을 경우에는 다시 단계 300으로 피드백시켜 얼라인 미스를 재 보정한다.If any of the reproducibility measuring wafers 10 is out of the alignment error tolerance range, the feedback is fed back to step 300 to re-correct the alignment miss.

한편, 얼라인먼트 상태를 점검하는 과정에서 발생된 모든 데이터를 관리자가 모니터링할 수 있도록 도 4에 도시된 바와 같이 노광설비(100)는 설비 서버(400) 및 호스트(500)와 온라인된다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 4, the exposure facility 100 is online with the facility server 400 and the host 500 so that an administrator can monitor all data generated in the process of checking the alignment state.

즉, 호스트(500)는 노광에 필요한 각종 데이터를 노광설비(100)에 제공하고, 노광설비(100)로부터 전송된 모든 데이터, 즉 노광 공정과 얼라인먼트 상태를 점검하는 과정에서 발생된 데이터를 입력하여 저장한다.That is, the host 500 provides various data necessary for exposure to the exposure facility 100, inputs all data transmitted from the exposure facility 100, that is, data generated in the process of checking the exposure process and the alignment state. Save it.

또한, 호스트(500)는 소정 프로토콜, 예를 들면, 반도체 장비간 사용되는 프로토콜인 SECS 프로토콜 등을 사용하여 설비 서버(400)를 통해 관리자가 요구한 데이터, 즉, 얼라인먼트 상태를 점검하는데서 발생된 데이터를 실시간으로 설비 서버(400)로 전송한다.In addition, the host 500 uses a predetermined protocol, for example, the SECS protocol, which is a protocol used between semiconductor devices, and the like, the data requested by the administrator through the facility server 400, that is, data generated by checking the alignment state. Send to the facility server 400 in real time.

그러면, 설비 서버(400)는 관리자가 요구한 얼라인먼트 상태 점검 데이터를 호스트(500)로부터 입력받아 저장하고, 관리자가 인식할 수 있도록 얼라인먼트 상태 점검 데이터를 설비 서버(400)의 모니터(도시 안됨)에 실시간으로 디스플레이시킨다.Then, the facility server 400 receives and stores the alignment status check data requested by the manager from the host 500, and stores the alignment status check data on the monitor (not shown) of the facility server 400 so that the manager can recognize the alignment status check data. Display in real time.

이상에서 상세히 설명한 바에 의하면, 웨이퍼 보관 스테이지에 나치 웨이퍼 및 재현성 측정 웨이퍼들을 보관할 수 있는 포트들을 설치하고, 관리자가 설정한 주기마다 자동으로 얼라인먼트 상태가 점검될 수 있도록 함으로써, 작업자의 노동력을 절감시키고, 웨이퍼의 품질사고를 미연에 방지하여 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, by installing ports for storing Nazi wafers and reproducible measurement wafers in the wafer storage stage, and allowing the alignment status to be automatically checked at intervals set by the administrator, the labor of the worker is reduced, There is an effect that can improve the yield of the product by preventing the quality of the wafer in advance.

또한, 노광설비와 설비 서버 및 호스트를 온라인시켜 얼라인먼트 상태를 점검하는 과정에서 발생된 모든 데이터를 관리자가 설비 서버에서 모니터링할 수 있도록 편의를 제공하는 효과가 있다.In addition, there is an effect of providing convenience for the administrator to monitor all data generated in the process of checking the alignment status by the exposure equipment, the facility server and the host online.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the scope of the invention described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims (5)

설비 서버, 호스트가 온라인된 노광설비에 웨이퍼가 얼라인먼트되는 상태를 점검하는 방법에 있어서,In the facility server, the host checks the state that the wafer is aligned to the online exposure equipment, 상기 노광설비에 포토레지스트막이 도포된 웨이퍼를 투입시켜 노광공정을 진행하는 단계;Injecting a wafer coated with a photoresist film into the exposure apparatus to perform an exposure process; 상기 노광설비에 투입된 상기 웨이퍼가 정확히 얼라인되고 있는지의 상태를 확인해야할 시점인지를 판단하는 단계;Determining whether it is time to check the state of whether the wafer placed in the exposure apparatus is correctly aligned; 상기 웨이퍼의 얼라인 상태를 확인해야할 시점이면, 소정개수의 재현성 측정 웨이퍼를 상기 노광설비에 투입시켜 상기 재현성 측정 웨이퍼들이 얼라인 오차 허용 범위 내에서 얼라인 재현성을 갖는지를 판단하는 단계;When the alignment state of the wafer is to be checked, determining whether the reproducibility measurement wafers have an alignment reproducibility within an alignment error tolerance range by inserting a predetermined number of reproducibility measurement wafers into the exposure apparatus; 상기 얼라인 재현성을 갖지 못하면, 외주면 소정부분에 나치 홈이 형성된 나치 웨이퍼를 상기 노광장치에 투입시켜 상기 웨이퍼를 얼라인시키는 광센서의 틀어짐 정도를 측정하고, 얼라인 미스가 발생되지 않도록 노광공정이 진행되는 노광 스테이지의 위치를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 얼라인먼트 상태 점검 방법.If the alignment is not reproducible, a Nazi wafer having a Nazi groove formed on a predetermined portion of the outer circumferential surface thereof is introduced into the exposure apparatus to measure the degree of distortion of the optical sensor for aligning the wafer, and the exposure process is performed so that an alignment miss does not occur. And correcting the position of the exposure stage in progress. 제 1 항에 있어서, 상기 각 단계에서 발생되는 데이터들은 상기 호스트를 통해 상기 설비 서버로 전송되고, 상기 설비 서버는 인가 받은 상기 데이터를 실시간으로 상기 설비 서버의 모니터에 디스플레이시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 얼라인먼트 상태 점검 방법.The wafer alignment as claimed in claim 1, wherein the data generated in each step is transmitted to the facility server through the host, and the facility server displays the authorized data on a monitor of the facility server in real time. How to check the status. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 얼라인 상태를 점검해야 할 시점인지를 판단하는 단계에서 상기 얼라인 상태를 점검하는 시점은 일 단위, 주 단위 및 웨이퍼 매수 단위 중 관리자가 기 설정해 놓은 하나의 단위를 토대로 판단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 얼라인먼트 상태 점검 방법.The method of claim 1, wherein the checking of the alignment state in the determining of whether the alignment state of the wafer is to be checked is one unit previously set by a manager among a daily unit, a main unit, and a wafer number unit. Wafer alignment status check method, characterized in that determined based on. 노광 공정이 진행될 웨이퍼가 적재된 카세트가 보관되며, 얼라인 재현성을 측정하는 웨이퍼 및 얼라인 미스를 보정하기 위한 나치 웨이퍼들이 삽입된 각각의 카세트들을 항상 보관하는 웨이퍼 보관 스테이지;A wafer storage stage in which a cassette on which a wafer to be subjected to the exposure process is to be stored is stored, and each cassette into which a wafer for measuring alignment reproducibility and Nazi wafers for inserting an alignment miss is inserted is always stored; 상부면 소정부분에 광센서가 설치되어 상기 노광공정을 진행하기 전에 상기 웨이퍼를 얼라인시키는 얼라인 스테이지;An alignment stage on which an optical sensor is installed on a predetermined portion of the upper surface to align the wafer before the exposure process; 상기 얼라인 스테이지에서 얼라인된 상기 웨이퍼가 놓여지며 상기 웨이퍼를 마스크 패턴에 따라 노광하는 노광 스테이지; 및An exposure stage on which the wafer aligned in the alignment stage is placed and exposing the wafer according to a mask pattern; And 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 보관 스테이지, 얼라인 스테이지 및 노광 스테이지로 이송시키는 이송장치를 포함하며,A transfer device for transferring the wafer to the wafer storage stage, the alignment stage, and the exposure stage, 설비 서버와 호스트에 온라인 연결되는 것을 특징으로 하는 노광설비.Exposure equipment, characterized in that connected to the server and the host online. 제 4 항에 있어서, 웨이퍼 보관 스테이지는5. The wafer storage stage of claim 4 wherein the wafer storage stage is 상기 노광공정이 진행될 웨이퍼들이 적재된 카세트가 놓여지는 공정 진행용포트;A process progress port on which a cassette on which wafers to be subjected to the exposure process will be placed is placed; 상기 얼라인의 재현성 정도를 측정하기 위한 상기 재현성 측정 웨이퍼들이 적재된 카세트가 놓여지는 재현성 측정 웨이퍼 포트;A reproducibility measurement wafer port on which a cassette loaded with the reproducibility measurement wafers for measuring the reproducibility degree of the alignment is placed; 상기 얼라인 미스가 발생되었을 때 이를 보정하기 위한 나치 웨이퍼가 삽입된 카세트가 놓여지는 나치 웨이퍼 포트; 및A Nazi wafer port on which a cassette into which a Nazi wafer is inserted to correct the misalignment occurs; And 상기 노광 스테이지를 통과하여 반출된 상기 웨이퍼들이 종류별로 각각의 상기 카세트에 삽입되는 반출포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광설비.And an export port into which the wafers carried out through the exposure stage are inserted into the respective cassettes for each type.
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KR20080003618A (en) * 2006-07-03 2008-01-08 삼성전자주식회사 Method of aligning a wafer in an exposure apparatus and an exposure system using the same

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