KR102493877B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 본 발명의 기판처리장치는 기판을 안착하는 스핀척과, 약액이 도포되는 기판 가장자리 부분의 에지비드를 제거하는 에지비드제거(EBR) 노즐이 구비되는 공정챔버; 상기 공정챔버에 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇; 상기 기판의 EBR 상태를 계측하여 계측데이터를 생성하는 계측챔버; 상기 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 노즐의 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭제어부; 상기 티칭데이터를 기반으로 에지비드제거 노즐의 위치를 티칭하는 공정챔버 제어부 및; 상기 티칭데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 위치를 티칭하는 이송로봇 제어부를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and the substrate processing apparatus of the present invention includes a process chamber provided with a spin chuck for seating a substrate and an edge bead removal (EBR) nozzle for removing an edge bead at an edge of a substrate to which a liquid chemical is applied; a transfer robot loading/unloading a substrate into the process chamber; a measurement chamber for generating measurement data by measuring the EBR state of the substrate; a teaching control unit generating teaching data including a first position teaching value corresponding to the eccentric amount of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to the width of the edge bead removal nozzle based on the measurement data; a process chamber controller for teaching the position of an edge bead removal nozzle based on the teaching data; and a transfer robot controller for teaching the location of the transfer robot based on the teaching data.

Figure R1020190179348
Figure R1020190179348

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing device {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에지비드제거(EBR) 공정이 수행되는 기판처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus in which an edge bead removal (EBR) process is performed.

반도체 공정은 다수의 공정을 포함한다. 이 중 포토 공정에서는 기판에 포토레지스트(PR)액을 도포하고, 기판에 도포된 PR을 노광함으로써 기판 상에 PR 패턴을 형성한다. Semiconductor processing includes a number of processes. Among them, in the photo process, a photoresist (PR) liquid is applied to the substrate, and a PR pattern is formed on the substrate by exposing the PR applied to the substrate.

공정챔버 내의 노즐에서 도포된 PR액은 회전하는 기판에 의해 기판의 전면적으로 확산된다. 한편 기판의 가장자리 부분에 확산되어 고형화된 PR액, 즉 에지비드는, 이후 공정에서 오염원으로 작용하기 때문에, 공정챔버 내의 에지비드제거(EBR, edge bead removal) 노즐을 이용하여 제거된다. 한편 공정챔버 내에 안착되는 기판의 센터링이 틀어지거나, EBR 노즐이 틀어지는 경우, EBR 상태가 공정 스펙을 만족하지 못할 수 있다. EBR 상태가 공정 스펙을 만족하지 못하는 경우, 기판의 센터링을 맞추기 위해 이송로봇을 티칭하거나, EBR폭을 조절하기 위해 EBR 노즐을 티칭한다. 이때 작업자는 공정처리가 완료된 기판을 계측기에서 계측한 후, 기판처리장치가 공정진행 중이 아닐 때, 수동으로 티칭값을 입력하여 EBR 상태를 조정해야 한다.The PR liquid applied from the nozzle in the process chamber is spread over the entire surface of the substrate by the rotating substrate. Meanwhile, since the PR liquid, that is, the edge bead, which is diffused and solidified at the edge of the substrate, acts as a contamination source in a subsequent process, it is removed using an edge bead removal (EBR) nozzle in the process chamber. On the other hand, if the centering of the substrate seated in the process chamber is distorted or the EBR nozzle is distorted, the EBR state may not satisfy the process specification. If the EBR state does not satisfy the process specification, the transfer robot is taught to adjust the centering of the substrate or the EBR nozzle is taught to adjust the EBR width. At this time, after measuring the substrate on which processing has been completed, the operator must adjust the EBR state by manually inputting a teaching value when the substrate processing apparatus is not in progress.

이 경우, EBR 계측은 공정이 완료된 후에 가능하고, 티칭작업은 기판처리장치가 공정 진행중이 않을 때에 가능하므로, EBR계측과 티칭작업 사이의 시간차이로 수율이 감소될 수 있다.In this case, since the EBR measurement is possible after the process is completed and the teaching operation is possible when the substrate processing apparatus is not in progress, the yield may be reduced due to the time difference between the EBR measurement and the teaching operation.

또한 EBR 계측 시, 특정 기판용기에 담긴 기판만을 계측하므로, 오계측 또는 해당 기판의 불량에 이해 티칭작업에 대한 신뢰성이 떨어질 수 있다. In addition, when measuring EBR, since only the substrate contained in a specific substrate container is measured, the reliability of the teaching operation may be reduced due to mismeasurement or defective substrate.

상기와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 EBR 티칭의 신뢰성을 향상시킨 기판처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus with improved reliability of EBR teaching.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판을 안착하는 스핀척과, 약액이 도포되는 기판 가장자리 부분의 에지비드를 제거하는 에지비드제거(EBR) 노즐이 구비되는 공정챔버; 상기 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 노즐의 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭제어부; 상기 티칭데이터를 기반으로 에지비드제거 노즐의 위치를 티칭하는 공정챔버 제어부 및; 상기 티칭데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 위치를 티칭하는 이송로봇 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber provided with a spin chuck for seating a substrate and an edge bead removal (EBR) nozzle for removing an edge bead at an edge of a substrate to which a chemical solution is applied; a teaching control unit generating teaching data including a first position teaching value corresponding to the eccentric amount of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to the width of the edge bead removal nozzle based on the measurement data; a process chamber controller for teaching the position of an edge bead removal nozzle based on the teaching data; and a transfer robot controller for teaching the location of the transfer robot based on the teaching data.

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭제어부는, 상기 계측데이터를 누적하여 저장하는 계측데이터 저장부; 상기 계측데이터를 기반으로 상기 기판의 EBR상태가 정상인지 판단하는 계측데이터 판단부; 상기 기판의 EBR상태가 정상인 경우 상기 계측데이터 각각이 미리 설정된 범위 내인지 판단하고, 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 계측데이터를 제공하는 계측데이터 추출부; 상기 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭데이터 산출저장부; 미리 설정된 티칭주기의 도과 여부를 판단하는 티칭주기 판단부; 상기 티칭주기가 도과된 경우, 상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값 각각이 미리 설정된 티칭가능범위 내에 있는지 판단하는 티칭범위 판단부; 상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값 중 적어도 하나가 상기 티칭가능범위 내에 있는 경우, 상기 노즐제어부 및 상기 로봇제어부 중 적어도 하나에 티칭작업을 요청하는 티칭요청부를 포함한다.In another embodiment, the teaching control unit may include a measurement data storage unit that accumulates and stores the measurement data; a measurement data determination unit determining whether the EBR state of the board is normal based on the measurement data; a measurement data extraction unit determining whether each of the measurement data is within a preset range when the EBR state of the board is normal, and providing measurement data located within a preset measurement range; a teaching data calculation and storage unit generating teaching data including a first position teaching value corresponding to the amount of eccentricity of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to the edge bead removal width based on the measurement data; a teaching period determination unit for determining whether a preset teaching period has elapsed; a teaching range judging unit determining whether each of the first position teaching value and the second position teaching value is within a preset teachable range when the teaching period has elapsed; and a teaching request unit requesting a teaching operation to at least one of the nozzle control unit and the robot controller when at least one of the first position teaching value and the second position teaching value is within the teachable range.

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭주기는 상기 공정챔버 내에서 공정처리가 완료된 기판의 총 매수를 기반으로 설정된다.In an embodiment, the teaching cycle is set based on the total number of substrates on which processing has been completed in the process chamber.

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭요청부는, 상기 공정챔버 내에 기판이 공정처리 중이지 않은 경우 또는 상기 이송로봇이 기판을 이송 중이지 않은 경우, 상기 공정챔버 제어부 및 상기 이송로봇 제어부 중 적어도 하나에 티칭작업을 요청한다.In an embodiment, the teaching request unit may teach at least one of the process chamber control unit and the transfer robot control unit when the substrate is not being processed in the process chamber or when the transfer robot is not transferring the substrate. request work

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭데이터 산출저장부는, 상기 계측데이터에 대해 제1 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제1 사전 위치티칭값을 제1 합산 사전위치티칭값에 합산하여 상기 제1 합산 사전위치티칭값을 업데이트하고, 상기 제1 합산 사전위치티칭값을 계측데이터의 총계수로 나누어 상기 제1 위치티칭값을 산출하고, 상기 계측데이터에 대해 제2 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제2 사전 위치티칭값을 제2 합산 사전위치티칭값에 합산하여 상기 제2 합산 사전위치티칭값을 업데이트하고, 상기 제2 합산 사전위치티칭값을 계측데이터수로 나누어 상기 제2 위치티칭값을 산출한다.In an embodiment, the teaching data calculation and storage unit calculates a first pre-position teaching value for the measurement data, and adds the calculated first pre-position teaching value to a first sum pre-position teaching value to determine the first pre-position teaching value. Updating the summed pre-position teaching value, calculating the first position teaching value by dividing the first summed pre-position teaching value by the total count of measurement data, and calculating a second pre-position teaching value for the measurement data; The calculated second pre-position teaching value is added to the second sum pre-position teaching value to update the second sum pre-position teaching value, and the second sum pre-position teaching value is divided by the number of measurement data to obtain the second position teaching value. Calculate the value.

또한 실시예에 있어서, 상기 티칭데이터 산출저장부는, 상기 추출된 계측데이터 각각에 대해 제1 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제1 사전 위치티칭값의 미디언(median)값을 이용하여 상기 제1 위치티칭값을 산출하고, 상기 추출된 계측데이터 각각에 대해 제2 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제2 사전 위치티칭값의 미디언값을 이용하여 상기 제2 위치티칭값을 산출한다.In an embodiment, the teaching data calculation and storage unit calculates a first pre-position teaching value for each of the extracted measurement data, and uses a median value of the calculated first pre-position teaching value to obtain the information. A first position teaching value is calculated, a second preliminary position teaching value is calculated for each of the extracted measurement data, and the second position teaching value is calculated using a median value of the calculated second position teaching value. .

본 발명에 따르면, 기판의 에지비드제거 상태에 대한 티칭작업이 미리 설정된 티칭기간 도과시에 이루어지며, 기판처리장치가 진행 중에 이루어지므로 기판의 에지비드제거 상태 불량을 사전에 예방할 수 있다. According to the present invention, the teaching operation for the edge bead removal state of the substrate is performed when the preset teaching period has elapsed, and since the substrate processing apparatus is performed while the substrate processing apparatus is in progress, it is possible to prevent the edge bead removal state defect of the substrate in advance.

또한 본 발명에 따르면, 계측데이터에 대해 사전 위치티칭값을 산출하여 저장하고, 복수의 사전 위치티칭값들의 평균값 또는 미디언값을 위치티칭값으로 산출하므로 EBR 상태 티칭작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since a preliminary position teaching value is calculated and stored for measurement data, and an average value or a median value of a plurality of preliminary position teaching values is calculated as a position teaching value, the reliability of the EBR state teaching operation can be improved.

또한 본 발명에 따르면, 계측데이터 각각에 대해 일정 계측범위 내에 존재하는 계측데이터만를 추출하고, 추출된 계측데이터를 기반으로 위치티칭값을 산출하므로, EBR 상태 티칭작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since only measurement data existing within a certain measurement range is extracted for each measurement data and a position teaching value is calculated based on the extracted measurement data, the reliability of the EBR state teaching task can be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 간략히 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 계측챔버에서 계측된 계측데이터를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 이송로봇 제어부의 티칭과정을 설명한 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 공정챔버 제어부의 티칭과정을 설명한 도면이다.1 is a diagram briefly showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram for explaining measurement data measured in the measurement chamber shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a diagram explaining a teaching process of the control unit of the transfer robot shown in FIG. 1. Referring to FIG.
FIG. 4 is a diagram explaining a teaching process of the process chamber control unit shown in FIG. 1 .

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 간략히 도시한 도면이다.1 is a diagram briefly showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판처리장치(10)는 기판 상에 포토레지스트(PR)액을 도포하여 패턴을 형성하는 포토공정에 이용되는 설비이다. Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 10 is equipment used in a photo process of forming a pattern by applying a photoresist (PR) solution on a substrate.

기판처리장치(10)는 공정챔버(100), 이송로봇(200), 계측챔버(300), 티칭제어부(400), 공정챔버 제어부(500), 이송로봇 제어부(600), 인터페이스 제어부(700)를 포함한다. The substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a transfer robot 200, a measurement chamber 300, a teaching control unit 400, a process chamber control unit 500, a transfer robot control unit 600, and an interface control unit 700. includes

공정챔버(100)는 기판을 안착하는 스핀척(110)과, 약액이 도포되는 기판 가장자리 부분의 에지비드를 제거하는 에지비드제거(Edge Bead Removal, EBR) 노즐(120)과, 포토레지스트(Photo Resist)액 등의 약액을 도포하는 약액노즐(미도시)을 포함한다. The process chamber 100 includes a spin chuck 110 for seating a substrate, an edge bead removal (EBR) nozzle 120 for removing an edge bead at the edge of the substrate to which a chemical liquid is applied, and a photoresist (Photoresist) It includes a chemical nozzle (not shown) for applying a chemical solution such as resist).

스핀척(110)은 기판을 흡착하여 지지하며, 공정 중에 기판을 회전시킨다. 약액노즐(미도시)은 회전하는 기판의 중심으로 이동하여, 기판의 상부 중심에 약액을 분사한다. 회전하는 기판에 의해, 약액은 기판 상부의 전면으로 확산된다. 이때 기판의 에지부분에 도포된 약액 즉, 에지비드(Edge Bead)는 이후 공정에서 오염원이 될 수 있다. 이에 에지비드의 제거를 위한 에지비드제거(Edge Bead Removal, EBR) 노즐(120)가 공정챔버(100) 내에 구비된다.The spin chuck 110 adsorbs and supports the substrate and rotates the substrate during the process. A chemical nozzle (not shown) moves toward the center of the rotating substrate and sprays the chemical liquid to the upper center of the substrate. With the rotating substrate, the chemical solution is spread over the entire surface of the upper portion of the substrate. At this time, the chemical liquid applied to the edge portion of the substrate, that is, the edge bead, may become a source of contamination in a subsequent process. Accordingly, an edge bead removal (EBR) nozzle 120 for removing the edge bead is provided in the process chamber 100 .

EBR 노즐(120)은 기판의 가장자리에 신너와 같은 약액을 분사하여 PR액 성분의 에지비드를 제거할 수 있다. 에지비드제거 노즐(120)은 공정챔버 가장자리에 대기하며, 공정 진행 시 기판의 가장자리로 이동한다. EBR 노즐(120)은 공정챔버 제어부(500)에 의해 그 위치가 제어되며, 해당 기판의 공정스텝별로 다르게 구비될 수 있다.The EBR nozzle 120 may spray a chemical solution such as thinner on the edge of the substrate to remove the edge bead of the PR liquid component. The edge bead removal nozzle 120 stands by at the edge of the process chamber and moves to the edge of the substrate during the process. The position of the EBR nozzle 120 is controlled by the process chamber controller 500, and may be provided differently for each process step of the substrate.

이송로봇(200)은 공정챔버(100)에 기판을 로딩하거나 또는 공정챔버(100)로부터 기판을 언로딩한다. 이때 공정챔버(100)의 스핀척(110)에 안착되는 기판의 센터링은 이송로봇(200)을 티칭하여 조절될 수 있다. 이송로봇(200)은 이송로봇 제어부(600)에 의해 제어된다. The transfer robot 200 loads a substrate into the process chamber 100 or unloads a substrate from the process chamber 100 . At this time, the centering of the substrate seated on the spin chuck 110 of the process chamber 100 may be adjusted by teaching the transfer robot 200 . The transfer robot 200 is controlled by the transfer robot control unit 600.

인터페이스 제어부(700)(IF_PMC)는 각 유닛 간 통신을 담당한다. 구체적으로 인터페이스 제어부(700)는 계측챔버(300), 티칭제어부(400), 공정챔버 제어부(500), 이송로봇 제어부(600) 및 그 외의 유닛 서로 간의 데이터 통신을 허용한다.The interface controller 700 (IF_PMC) is in charge of communication between units. Specifically, the interface control unit 700 allows data communication between the measurement chamber 300, the teaching control unit 400, the process chamber control unit 500, the transfer robot control unit 600, and other units.

계측챔버(300)는 기판처리장치(10) 내부에 구비되어, 공정챔버(100)에서 공정처리된 기판의 에지비드제거(EBR) 상태를 계측하여 계측데이터를 생성하고, 생성된 계측데이터를 티칭제어부(400)에 제공한다.The measurement chamber 300 is provided inside the substrate processing apparatus 10, measures the edge bead removal (EBR) state of the substrate processed in the process chamber 100, generates measurement data, and teaches the generated measurement data It is provided to the controller 400.

도 2는 도 1에 도시된 계측챔버에서 계측된 계측데이터를 설명하기 위한 도면이다. 2 is a diagram for explaining measurement data measured in the measurement chamber shown in FIG. 1;

계측챔버(300)는 기판의 노치 방향이 135도에 위치할 때, 0도, 90도, 180도, 270도 상에서 기판가장자리 단부와 EBR 경계 사이의 거리인 d0, d90, d180, d270를 계측하고, 계측결과를 티칭제어부(400)의 계측데이터 저장부(410)로 전송한다. The measurement chamber 300 measures d0, d90, d180, and d270, which are the distances between the edge of the substrate and the EBR boundary, at 0 degrees, 90 degrees, 180 degrees, and 270 degrees when the notch direction of the substrate is located at 135 degrees, , The measurement result is transmitted to the measurement data storage unit 410 of the teaching control unit 400.

한편, 공정챔버(100)의 개수가 n개인 경우, 계측챔버(300)는 하나의 기판수용용기 내에 수용되는 복수매의 기판 들 중 적어도 n개의 기판에 대한 에지비드제거 상태를 계측함으로써 n개의 공정챔버(100) 각각에 대한 계측이 이루어지도록 한다. 또한 복수의 기판수용용기에 대해 일부의 기판수용용기에 대해서 계측할 수 있으며, 공정 스텝별로 계측될 수도 있다. On the other hand, when the number of process chambers 100 is n, the measurement chamber 300 measures the edge bead removal state of at least n substrates among a plurality of substrates accommodated in one substrate accommodating container, thereby measuring the n number of process chambers. Measurements are made for each of the chambers 100 . In addition, the measurement may be performed for some substrate accommodation containers for a plurality of substrate accommodation containers, or may be measured for each process step.

다시 도 1을 참조하면, 티칭제어부(400)(EMAC)는 계측데이터를 저장하고, 계측데이터에 기반하여 기판의 EBR 상태를 판단한다. 그리고 티칭제어부(400)는, 기판의 EBR상태가 정상인 경우, 피드백 제어에 따른 EBR 상태 티칭을 위해 저장된 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드제거 노즐의 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성한다. 그러나 기판의 EBR상태가 정상인 경우, 티칭제어부(400)(EMAC)은 설비 알람을 발생시킨다.Referring back to FIG. 1 , the teaching control unit 400 (EMAC) stores measurement data and determines the EBR state of the substrate based on the measurement data. In addition, the teaching control unit 400, when the EBR state of the substrate is normal, the first position teaching value corresponding to the eccentric amount of the transfer robot and the edge bead removal nozzle based on the stored measurement data for teaching the EBR state according to feedback control Teaching data including a second position teaching value corresponding to the width of is generated. However, when the EBR state of the board is normal, the teaching control unit 400 (EMAC) generates a facility alarm.

구체적으로 티칭제어부(EMAC)(400)는 계측데이터 저장부(410), 계측데이터 판단부(420), 계측데이터 추출부(430), 티칭데이터 산출저장부(440), 티칭주기 판단부(450), 티칭범위 판단부(460), 티칭 요청부(470)를 포함한다. 티칭제어부(400)은 기판처리장치(10)의 메인 제어부일 수 있다.Specifically, the teaching control unit (EMAC) 400 includes a measurement data storage unit 410, a measurement data determination unit 420, a measurement data extraction unit 430, a teaching data calculation and storage unit 440, and a teaching cycle determination unit 450. ), a teaching range determination unit 460, and a teaching request unit 470. The teaching control unit 400 may be a main control unit of the substrate processing apparatus 10 .

계측데이터 저장부(410)는 계측챔버(300)로부터 제공되는 계측데이터를 누적하여 저장한다. 계측데이터 판단부(420)는 계측데이터 저장부(410)에 새로운 계측데이터가 저장되면, 새로운 계측데이터에 기반하여 기판의 에지비드제거(EBR) 상태의 이상유무를 판단한다. 기판의 EBR 상태의 이상유무는 공정상 설정된 EBR 스펙에 따른 범위 내인지 판단함으로써 결정된다. 계측데이터 판단부(420)는 EBR 상태가 비정상으로 판단되는 경우, 알람을 발생시켜 사용자에게 알린다. 이후 비정상적으로 판단된 경우, 사용자가 직접 EBR 상태 조정을 하거나, 사용자의 감독 하에 오토로 EBR상태가 조정될 수 있다. The measurement data storage unit 410 accumulates and stores measurement data provided from the measurement chamber 300 . When new measurement data is stored in the measurement data storage unit 410, the measurement data determination unit 420 determines whether or not an edge bead removal (EBR) state of the board is abnormal based on the new measurement data. Whether or not the EBR state of the board is abnormal is determined by determining whether it is within the range according to the EBR specification set in the process. When the EBR state is determined to be abnormal, the measurement data determination unit 420 notifies the user by generating an alarm. Afterwards, if it is determined to be abnormal, the user may directly adjust the EBR state, or the EBR state may be automatically adjusted under the supervision of the user.

EBR 상태가 정상으로 판단되는 경우, 피드백 제어에 의해 티칭주기 도과 시 EBR상태가 자동 티칭되도록 한다. 피드백 제어 사용유무는 사용자에 의해 미리 선택될 수 있다. If the EBR state is determined to be normal, the EBR state is automatically taught when the teaching cycle is over by feedback control. Whether or not to use feedback control can be selected in advance by the user.

계측데이터 추출부(430)는, 기판의 EBR 상태가 정상인 경우, EBR상태가 정상인 계측데이터가 미리 설정된 계측범위 내에 있는지 판단하고, EBR상태가 정상인 계측데이터가 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 경우, 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 데이터를 추출하여 티칭데이터 산출저장부(440)에 제공한다. 이는 정상적으로 계측된 계측데이터를 활용하여 티칭데이터를 산출하기 위함이다.When the EBR state of the board is normal, the measurement data extractor 430 determines whether the measurement data with a normal EBR state is within a preset measurement range, and if the measurement data with a normal EBR state is located within a preset measurement range, in advance Data located within the set measurement range is extracted and provided to the teaching data calculation and storage unit 440 . This is to calculate teaching data by utilizing the normally measured measurement data.

구체적으로 계측데이터 추출부(430)는, 계측데이터 각각의 d0, d90, d180, d270 각각이 사용자에 의해 미리 설정된 계측범위인 하한값(rf1) 내지 상한값(rf2) 범위 내에 있는지 판단한다. 그리고 계측데이터에 포함된 d0, d90, d180, d270이 미리 설정된 계측범위 이내에 위치하는 경우, 계측데이터 추출부(430)는 해당 계측데이터를 티칭데이터 산출저장부(440)에 제공한다. Specifically, the measurement data extractor 430 determines whether each of the measurement data d0, d90, d180, and d270 is within the range of the lower limit value rf1 to the upper limit value rf2, which is a measurement range preset by the user. In addition, when d0, d90, d180, and d270 included in the measurement data are located within a preset measurement range, the measurement data extractor 430 provides the corresponding measurement data to the teaching data calculation and storage unit 440.

한편 계측데이터에 포함된 d0, d90, d180, d270 중 어느 하나라도 하한값(rf1) 내지 상한값(rf2) 범위 밖으로 벗어나는 경우, 해당 계측데이터는 티칭데이터 산출저장부(440)에 제공되지 않는다. 즉, 계측데이터의 신뢰도를 높이기 위해, 계측데이터 중 일정 계측 범위 내에 위치하는 계측데이터만을 이용하여 티칭데이터를 산출한다. Meanwhile, if any one of d0, d90, d180, and d270 included in the measurement data is out of the range of the lower limit value rf1 to the upper limit value rf2, the corresponding measurement data is not provided to the teaching data calculation and storage unit 440. That is, in order to increase the reliability of measurement data, teaching data is calculated using only measurement data located within a certain measurement range among measurement data.

하한값(rf1) 내지 상한값(rf2) 사이 범위는 미리 설정된 값으로써, 계측데이터 판단부(420)에서 EBR 스펙에 따른 범위 내에 위치한다. 본 발명의 경우, EBR 스펙 범위 내에 위치하더라도 티칭 주기 도과시 보정되기 때문에 하한값(rf1) 내지 상한값(rf2) 사이 범위는 EBR 스펙 범위보다 작게 설정된다.The range between the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2 is a preset value, and is located within the range according to the EBR specification in the measurement data determination unit 420 . In the case of the present invention, the range between the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2 is set smaller than the EBR specification range because it is corrected when the teaching period passes even if it is located within the EBR specification range.

다른 예로써, 하한값(rf1), 상한값(rf2)은 어느 하나의 공정챔버에서 공정처리된 기판에 대한 계측데이터의 변화량값의 하한치, 상한치에 대응될 수 있다. 즉, 공정챔버에서 공정처리된 n번째 기판의 ebr계측값이 d0xn, d90xn, d180xn, d270xn이고, 공정챔버에서 공정처리된 n+1번째 기판의 계측값이 d0xn+1, d90xn+1, d180xn+1, d270xn+1라고 가정하면, d0xn과 d0xn+1 사이의 변화량값이 하한값 rf1 내지 상하값 rf2 사이에 위치하고, d90xn과 d90xn+1 사이의 변화량값이 하한값 rf1 내지 상하값 rf2 사이에 위치하고, d180xn과 d180xn+1 사이의 변화량값이 하한값 rf1 내지 상한값 rf2 사이에 위치하고, d270xn과 d270xn+1 사이의 변화량값이 하한값 rf1 내지 상한값 rf2 사이에 위치하는 경우, 계측데이터 추출부(430)는 해당 계측데이터를 티칭데이터 산출저장부(440)에 제공할 수 있다. As another example, the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2 may correspond to a lower limit value and an upper limit value of a variation value of measurement data for a substrate processed in any one process chamber. That is, the ebr measured values of the nth substrate processed in the process chamber are d0xn, d90xn, d180xn, d270xn, and the measured values of the n+1th substrate processed in the process chamber are d0xn+1, d90xn+1, d180xn+ Assuming 1, d270xn+1, the change value between d0xn and d0xn+1 is located between the lower limit value rf1 and the upper and lower value rf2, and the change value between d90xn and d90xn+1 is located between the lower limit value rf1 and the upper and lower value rf2, and d180xn and d180xn + 1 are located between the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2, and when the change value between d270xn and d270xn + 1 is located between the lower limit value rf1 and the upper limit value rf2, the measurement data extractor 430 obtains the corresponding measurement data may be provided to the teaching data calculation and storage unit 440 .

티칭데이터 산출저장부(440)는, 계측데이터 추출부(430)에서 제공되는 계측데이터를 기반으로 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값(dX1, dY1) 및 에지비드제거 폭에 대응되는 제2 위치티칭값(dW)을 포함하는 티칭데이터를 산출한다. 이때 티칭데이터 산출저장부(440)는 계측데이터 추출부(430)로부터 제공된 계측데이터에 대해 제1 및 제2 위치티칭값을 산출한다. 이때 제1 및 제2 위치티칭값은 복수의 계측데이터를 기반으로 산출됨으로써, 티칭의 신뢰성을 향상시킨다. 이하 티칭데이터 산출저장부(440)에 대해 상세히 설명한다.The teaching data calculation and storage unit 440, based on the measurement data provided from the measurement data extraction unit 430, first position teaching values (dX1, dY1) corresponding to the eccentric amount of the transfer robot and the edge bead removal width corresponding to Teaching data including the second position teaching value dW is calculated. At this time, the teaching data calculation and storage unit 440 calculates first and second position teaching values for the measurement data provided from the measurement data extraction unit 430 . At this time, the first and second position teaching values are calculated based on a plurality of measurement data, thereby improving the reliability of teaching. Hereinafter, the teaching data calculation and storage unit 440 will be described in detail.

우선 티칭데이터 산출저장부(440)는, 계측데이터 추출부(430)에서 제공되는 계측데이터를 기반으로 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 사전 위치티칭값(dX', dY') 및 에지비드제거 노즐의 폭에 대응되는 제2 사전 위치티칭값(dW')을 산출한다.First, the teaching data calculation and storage unit 440, based on the measurement data provided from the measurement data extraction unit 430, first pre-position teaching values corresponding to the amount of eccentricity of the transfer robot (dX', dY') and edge bead removal A second pre-position teaching value dW' corresponding to the width of the nozzle is calculated.

도 2를 참조하면, 0도, 90도, 180도, 270도 방향 각각에서 기판의 단부로부터 EBR 경계까지의 거리가 d0, d90, d180, d270이라고 가정하면, 제1 사전 위치티칭값(dX', dY') 및 제2 사전 위치티칭값(dW')은 다음과 같이 산출될 수 있다.Referring to FIG. 2, assuming that the distances from the end of the substrate to the EBR boundary in directions of 0 degrees, 90 degrees, 180 degrees, and 270 degrees are d0, d90, d180, and d270, the first pre-position teaching value dX' , dY') and the second preliminary position teaching value dW' can be calculated as follows.

1. 제1 사전 위치티칭값(dX', dY') 산출1. Calculation of the first preliminary position teaching values (dX', dY')

(180도 방향이 양의 X축 방향이고, 90도 방향이 양의 Y축 방향)(The 180-degree direction is the positive X-axis direction, and the 90-degree direction is the positive Y-axis direction.)

(1) d90 > (d90+d270)/2 인 경우, dY' = -|d90 - (d90+d270)/2| (1) If d90 > (d90+d270)/2, dY' = -|d90 - (d90+d270)/2|

(2) d90 < (d90+d270)/2 인 경우, dY' = +|d90 - (d90+d270)/2| (2) If d90 < (d90+d270)/2, dY' = +|d90 - (d90+d270)/2|

(3) d180 > (d0+d180)/2 인 경우, dX' = -|d180 - (d0+d180)/2|(3) If d180 > (d0+d180)/2, dX' = -|d180 - (d0+d180)/2|

(4) d180 < (d0+d180)/2 인 경우, dX' = +|d180 - (d0+d180)/2|(4) If d180 < (d0+d180)/2, dX' = +|d180 - (d0+d180)/2|

2. 제2 사전 위치티칭값(dW') 산출2. Calculation of the second preliminary position teaching value (dW')

(1) EBR 타겟폭 > (90°+270°)/2 인 경우, dW' = +|EBR Target-(d90+d270) / 2| 또는 dW' = -|EBR Target-(d90+d270) / 2|(1) If EBR target width > (90°+270°)/2, dW' = +|EBR Target-(d90+d270) / 2| or dW' = -|EBR Target-(d90+d270)/2|

이후 티칭데이터 산출저장부(440)는, 산출된 제1 사전 위치티칭값(dX', dY')을 제1 합산 사전 위치티칭값(dXsum, dYsum)에 합산하여 제1 합산 사전 위치티칭값(dXsum, dYsum)을 업데이트한다. 제1, 제2 합산 사전 위치 티칭값 각각은 제1, 제2 사전 위치티칭값 각각이 누적 합산된 값이다. Thereafter, the teaching data calculation and storage unit 440 adds the calculated first pre-position teaching values dX' and dY' to the first sum pre-position teaching values dXsum and dYsum, and then adds the first sum pre-position teaching value (dXsum, dYsum). dXsum, dYsum). Each of the first and second summed pre-position teaching values is a cumulative sum of the first and second pre-position teaching values.

여기서 X축에 따른 제1 합산 사전 위치티칭값(dXsum)은, 최초 계측데이터에서 산출된 dx1'와, 두번째 계측 계측데이터에서 산출된 dx2'와,....현재 n번째 계측데이터에서 산출된 dXn'의 합으로 산출된다.Here, the first summation pre-position teaching value (dXsum) along the X-axis is dx1' calculated from the first measurement data, dx2' calculated from the second measurement measurement data, and... calculated from the current nth measurement data. It is calculated as the sum of dXn'.

그리고 Y축에 따른 제1 합산 사전 위치티칭값(dYsum)은 최초 계측데이터에서 산출된 dY1'과, 이후 두번? 계측 계측데이터에서 산출된 dY2'와,....현재 n번째 계측데이터에서 산출된 dYn'의 합으로 산출된다.And the first summation advance position teaching value (dYsum) along the Y-axis is dY1' calculated from the first measurement data, and the second? Measurement It is calculated as the sum of dY2' calculated from the measurement data and dYn' calculated from the current n-th measurement data.

그리고 제2 합산 사전 위치티칭값(dWsum)은 최초 계측데이터에서 산출된 dW1'과, 이후 두번? 계측 계측데이터에서 산출된 dW2'와,....현재 n번째 계측데이터에서 산출된 dWn'의 합으로 산출된다.And the second summation pre-position teaching value (dWsum) is dW1' calculated from the first measurement data, and the second? It is calculated as the sum of dW2' calculated from measurement data and dWn' calculated from current n-th measurement data.

이후 티칭데이터 산출저장부(440)는, 제1 합산 사전 위치티칭값(dXsum, dYsum)을 구성하는 dXsum, dYsum, 제2 합산 사전 위치티칭값(dWsum) 각각을 계측데이터의 총개수 n으로 나누어 제1 위치티칭값(dX, dY) 및 제2 위치티칭값(dW)를 산출한다. Thereafter, the teaching data calculation and storage unit 440 divides each of the dXsum, dYsum, and the second summed pre-position teaching values dWsum constituting the first summed pre-position teaching values dXsum and dYsum by the total number n of measurement data. The first position teaching values dX and dY and the second position teaching value dW are calculated.

또는 이와는 달리, 티칭데이터 산출저장부(440)는, 계측데이터로부터 제1 사전 위치티칭값(dX', dY'), 제2 사전 위치티칭값(dW')를 산출한 후 누적하여 저장하고, 누적하여 저장된 제1 사전 위치티칭값(dX', dY1'), 제2 사전 위치티칭값(dW')에 미디언(median)값을 적용하여 제1 위치티칭값(dX, dY)을 산출할 수 있다. 이때 미디언 값은 복수 개의 값을 크기 순서대로 늘어놓았을 때, 가운데에 위치하는 값을 의미한다. 미디언 값을 이용하는 방법은, 평균값을 이용하는 방법에 비해, 오계측에 의한 영향을 덜 받을 수 있다. Alternatively, the teaching data calculation and storage unit 440 calculates the first preliminary position teaching values (dX', dY') and the second preliminary position teaching value (dW') from the measurement data, accumulates and stores them, To calculate the first position teaching values (dX, dY) by applying a median value to the first position teaching values (dX', dY1') and the second position teaching values (dW') that are accumulated and stored. can In this case, the median value means a value located in the middle when a plurality of values are arranged in order of size. The method using the median value may be less affected by mismeasurement than the method using the average value.

티칭주기 판단부(450)는 기판의 EBR 상태의 티칭을 위한 티칭주기의 도과 여부를 판단한다. 티칭주기가 미리 설정된 티칭주기를 도과한 경우, 티치요청부(470)의 요청에 의해 티칭과정이 수행된다. The teaching cycle determination unit 450 determines whether the teaching cycle for teaching the EBR state of the substrate has elapsed. When the teaching period exceeds the preset teaching period, the teaching process is performed at the request of the teach requesting unit 470 .

이때 미리 설정된 티칭주기는 공정챔버(100) 내에서 공정처리가 완료된 기판의 총 매수로 설정될 수 있다. 또는 이와는 달리 티칭주기는 시간으로 설정되거나, 계측챔버(300)에서 측정된 기판의 매수로 설정될 수도 있다.In this case, the preset teaching period may be set to the total number of substrates on which processing has been completed in the process chamber 100 . Alternatively, the teaching period may be set by time or by the number of substrates measured in the measurement chamber 300 .

티칭범위 판단부(460)는 티칭데이터 산출저장부(440)에서 산출된 제1 위치티칭값(dX, dY) 및 상기 제2 위치티칭값(dW)이 각각에 대해 미리 설정된 티칭가능범위 내에 있는지 판단한다. 이송로봇의 공정챔버(100)에 대한 티칭 가능 범위는 제한되어 있으며, 티칭가능범위는 이에 대응되도록 사전에 설정될 수 있다. The teaching range determination unit 460 checks whether the first position teaching values dX and dY and the second position teaching values dW calculated in the teaching data calculation and storage unit 440 are within a preset teachable range. judge The teachable range for the process chamber 100 of the transfer robot is limited, and the teachable range may be set in advance to correspond thereto.

티칭범위 판단부(460)는 제1 위치티칭값 중 dX가 제1 위치티칭값 중 dx에 대한 제1 티칭상한값(dXmax)과 제1 티칭하한값(dXmin) 사이에 위치하는지 판단하고, 제1 위치티칭값 중 dY가 제1 위치티칭값 중 dy에 대한 제1 티칭상한값(dYmax)과 제1 티칭하한값(dYmin) 사이에 위치하는지 판단한다. 그리고 티칭범위 판단부(430)는 제2 위치티칭값(dW)이 제2 위치티칭값(dW) 중 dw에 대한 제2 티칭상한값(dWmax)과 제2 티칭하한값(dWmin) 사이에 위치하는지 판단한다. The teaching range determination unit 460 determines whether dX among the first position teaching values is located between the first upper teaching limit value dXmax and the first lower teaching limit value dXmin for dx among the first position teaching values, and It is determined whether dY among the teaching values is located between the first upper teaching limit value dYmax and the first lower teaching limit value dYmin for dy among the first position teaching values. Further, the teaching range determination unit 430 determines whether the second position teaching value dW is located between the second upper teaching limit value dWmax and the second lower teaching limit value dWmin for dw among the second position teaching values dW. do.

제1 위치티칭값(dX, dY) 및 제2 위치티칭값(dW) 각각이 티칭가능범위 내에 위치하는 경우, 티칭범위 판단부(430)는 티칭요청부(460)로 하여금 공정챔버 제어부(500) 또는 이송로봇 제어부(600)에 티칭을 위한 요청신호를 전송하도록 할 수 있다.When each of the first position teaching values (dX, dY) and the second position teaching value (dW) is located within the teachable range, the teaching range determination unit 430 causes the teaching request unit 460 to send the process chamber control unit 500 ) or a request signal for teaching may be transmitted to the transfer robot control unit 600.

제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값이 제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값 각각에 대한 티칭상한값을 초과하는 경우, 하드웨어 문제 발생 여지를 없애기 위해 EBR상태 조정이 이루어지지 않는다. 또한, 제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값이, 제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값에 대한 티칭하한값 미만인 경우 설비의 안정상태를 유지하기 위해 EBR상태 조정이 이루어지지 않는다. 제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값이 보정가능범위 내에 위치하지 않는 경우, 인터락을 발생시킬 수 있다.When the first position teaching value and the second position teaching value exceed the teaching upper limit value for each of the first position teaching value and the second position teaching value, the EBR state is not adjusted to eliminate the possibility of a hardware problem. In addition, when the first position teaching value and the second position teaching value are less than the lower teaching limit for the first position teaching value and the second position teaching value, the EBR state is not adjusted to maintain the stable state of the facility. When the first position teaching value and the second position teaching value are not positioned within the correctable range, an interlock may be generated.

제1 위치티칭값 및 제2 위치티칭값 각각에 대한 티칭상한값은 공정스텝별로 상이하게 존재할 수 있다. 이 경우 제2 위치티칭값은 공정스텝별로 산출되어 구분되어 저장되어 있을 수 있다. An upper teaching limit value for each of the first position teaching value and the second position teaching value may be different for each process step. In this case, the second position teaching value may be calculated, classified, and stored for each process step.

티칭요청부(470)는, 티칭주기가 도과되고, 제1 위치티칭값(dX, dY) 및 제2 위치티칭값(dW)이 미리 설정된 티칭가능범위 내에 있는 경우, 공정챔버 제어부(500) 및 로봇제어부(600) 중 적어도 하나가 티칭작업을 수행하도록 공정챔버 제어부(500) 및 로봇제어부(600) 중 적어도 하나에 티칭요청신호 및 티칭데이터를 전송한다. The teaching request unit 470, when the teaching cycle has elapsed and the first position teaching values dX and dY and the second position teaching value dW are within a preset teachable range, the process chamber control unit 500 and At least one of the robot controllers 600 transmits a teaching request signal and teaching data to at least one of the process chamber controller 500 and the robot controller 600 to perform a teaching operation.

이때 티칭요청부(470)는 공정챔버 제어부(500) 및 로봇제어부(600)에 티칭요청신호 및 티칭데이터 외에 공정스텝에 관한 정보, 어떤 공정챔버에 관한 티칭요청인지에 대한 정보, 어떤 EBR노즐인지에 대한 정보를 함께 전송할 수 있다.At this time, the teaching request unit 470 sends the process chamber control unit 500 and the robot control unit 600 information on process steps, information on which process chamber teaching is requested, and which EBR nozzle, in addition to the teaching request signal and teaching data. information can be transmitted together.

특히 티칭요청부(470)는 공정챔버(100) 내에 기판이 공정처리 중이지 않은 경우 또는 이송로봇(200)이 기판을 이송 중이지 않은 경우, 공정챔버 제어부(500) 및 로봇제어부(600) 중 적어도 하나에 티칭작업을 수행하도록 요청할 수 있다.In particular, the teaching request unit 470, among the process chamber controller 500 and the robot controller 600, when a substrate is not being processed in the process chamber 100 or when the transfer robot 200 is not transferring a substrate. At least one may be requested to perform the teaching operation.

공정챔버 제어부(500)는 티칭제어부(400)에서 제공되는 제2 위치티칭값(dW)을 포함하는 티칭데이터를 기반으로 에지비드제거 노즐의 위치를 오토로 티칭한다. 공정챔버 제어부(500)는 노즐 위치를 티칭 후 티칭이 완료되었다는 신호를 티칭제어부(400)에 전송한다. 티칭제어부(400)는 티칭시각을 저장하고, 티칭데이터를 초기화한다. 초기화되기 전 상태의 티칭데이터에 대한 정보는 인터페이스 제어부(700)를 포함하는 인터페이스부 또는 티칭제어부(400)에 별도로 저장될 수 있다. The process chamber control unit 500 automatically teaches the position of the edge bead removal nozzle based on teaching data including the second position teaching value dW provided from the teaching control unit 400 . After teaching the nozzle position, the process chamber control unit 500 transmits a signal indicating that the teaching has been completed to the teaching control unit 400 . The teaching control unit 400 stores the teaching time and initializes teaching data. Information on the teaching data in a state before being initialized may be separately stored in the interface unit including the interface control unit 700 or the teaching control unit 400 .

이송로봇 제어부(600)은 티칭제어부(400)에서 제공되는 제1 위치티칭값(dX, dY)을 포함하는 티칭데이터를 기반으로 이송로봇의 위치를 사용자에 의하지 않고 오토로 티칭한다.The transfer robot control unit 600 automatically teaches the position of the transfer robot based on teaching data including the first position teaching values (dX and dY) provided by the teaching control unit 400 without a user intervention.

티칭이 완료되면, 티칭데이터 산출저장부(430)에 저장되어 있는 티칭데이터는 초기화될 수 있다.When teaching is completed, teaching data stored in the teaching data calculation storage unit 430 may be initialized.

도 3은 도 1에 도시된 이송로봇 제어부의 티칭과정을 설명한 도면이고, 도 4는 도 1에 도시된 공정챔버 제어부의 티칭과정을 설명한 도면이다.FIG. 3 is a diagram explaining the teaching process of the transfer robot controller shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a diagram explaining the teaching process of the process chamber controller shown in FIG.

도 3을 참조하면, 계측챔버 내 제어부(PMC(DIM))는 기판의 EBR 상태 계측이 종료되면, 인터페이스 제어부(IF_PMC)를 통해 티칭제어부(EMAC)에 계측데이터를 제공한다. 그리고 도 4를 참조하면, 공정챔버 제어부(PMC(SCW))는 공정이 종료되면, 인터페이스 제어부(IF_PMC)를 통해 티칭제어부(EMAC)에 공정이 완료되었음을 알린다.Referring to FIG. 3 , the control unit PMC (DIM) within the measurement chamber provides measurement data to the teaching control unit EMAC through the interface control unit IF_PMC when the measurement of the EBR state of the board is finished. Referring to FIG. 4 , when the process is finished, the process chamber controller (PMC (SCW)) notifies the teaching control unit (EMAC) of the completion of the process through the interface controller (IF_PMC).

도 3 및 도 4를 참조하면, 티칭제어부(EMAC)은 계측 데이터를 저장하고, 계측 데이터에 기반하여 EBR 상태를 판단한다. EBR 상태가 정상이 아닌 경우 알람을 발생시킨다. 한편 EBR 상태가 정상인 경우 피드백(feedback) 제어 사용여부, 즉 EBR 상태가 정상인 경우에 티칭주기 도과시 EBR 상태를 티칭할 지 여부를 판단한다. 피드백 제어가 사용되는 경우, 계측데이터를 기반으로 티칭데이터를 생성한다. 티칭제어부(EMAC)는 티칭주기의 도과여부를 판단하고, 티칭주기 도과 시 이송로봇 제어부(TS_MTR) 또는 공정챔버 제어부(PMC(SCW))에 티칭요청신호(actREQ)를 전송하여 티칭작업을 요청한다. Referring to FIGS. 3 and 4 , the teaching control unit EMAC stores measurement data and determines an EBR state based on the measurement data. An alarm is generated when the EBR status is not normal. On the other hand, if the EBR state is normal, it is determined whether to use feedback control, that is, whether to teach the EBR state when the teaching cycle elapses when the EBR state is normal. When feedback control is used, teaching data is generated based on measurement data. The teaching control unit (EMAC) determines whether the teaching period has elapsed, and when the teaching period has elapsed, sends a teaching request signal (actREQ) to the transfer robot control unit (TS_MTR) or the process chamber control unit (PMC (SCW)) to request a teaching operation. .

이때 이송로봇 제어부에는 티칭요청신호(actREQ)와 함께, 티칭데이터 정보, 어떤 공정챔버에 관한 티칭요청인지에 대한 정보가 더 전송될 수 있다. 그리고 공정챔버 제어부(600)에는 티칭데이터 정보, 어떤 공정챔버에 관한 티칭요청인지에 대한 정보, 어떤 EBR 노즐에 관한 것인지에 대한 정보, 어떤 공정스텝에 해당되는 것인지에 대한 정보가 함께 전송될 수 있다. At this time, teaching data information and information on which process chamber is requested for teaching may be further transmitted to the transfer robot control unit along with the teaching request signal actREQ. In addition, teaching data information, information on which process chamber the teaching request is for, information on which EBR nozzle is related to, and information on which process step corresponds to can be transmitted to the process chamber control unit 600 together.

이송로봇제어부(TS_MTR) 또는 공정챔버 제어부(PMC(SCW))는 티칭요청신호(actREQ)을 수신하면, 티칭작업을 수행한다. 티칭작업이 완료되면, 이송로봇제어부(TS_MTR) 또는 공정챔버 제어부(PMC(SCW))는 티칭제어부(EMAC)에 티칭완료신호(actOK)를 전송한다. 티칭제어부(EMAC)은 티칭데이터를 초기화하고, 티칭시각을 기록한다. 이때 티칭데이터는 인터페이스 제어부를 포함하는 인터페이스부 또는 티칭제어부(400)에 별도로 저장된다. When the transfer robot controller (TS_MTR) or the process chamber controller (PMC (SCW)) receives the teaching request signal (actREQ), it performs a teaching operation. When the teaching operation is completed, the transfer robot controller (TS_MTR) or the process chamber controller (PMC (SCW)) transmits a teaching completion signal (actOK) to the teaching controller (EMAC). The teaching control unit EMAC initializes the teaching data and records the teaching time. At this time, the teaching data is separately stored in the interface unit including the interface control unit or the teaching control unit 400 .

본 발명에 따르면, 기판의 에지비드제거 상태에 대한 티칭작업이 미리 설정된 티칭기간 도과시에 이루어지며, 기판처리장치가 진행 중에 이루어지므로 기판의 에지비드제거 상태 불량을 사전에 예방할 수 있다. According to the present invention, the teaching operation for the edge bead removal state of the substrate is performed when the preset teaching period has elapsed, and since the substrate processing apparatus is performed while the substrate processing apparatus is in progress, it is possible to prevent the edge bead removal state defect of the substrate in advance.

또한 본 발명에 따르면, 계측데이터에 대해 사전 위치티칭값을 산출하여 저장하고, 복수의 사전 위치티칭값들의 평균값 또는 미디언값을 위치티칭값으로 산출하므로 EBR 상태 티칭작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since a preliminary position teaching value is calculated and stored for measurement data, and an average value or a median value of a plurality of preliminary position teaching values is calculated as a position teaching value, the reliability of the EBR state teaching operation can be improved.

또한 본 발명에 따르면, 계측데이터 각각에 대해 일정 계측범위 내에 존재하는 계측데이터만를 추출하고, 추출된 계측데이터를 기반으로 위치티칭값을 산출하므로, EBR 상태 티칭작업의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, since only measurement data existing within a certain measurement range is extracted for each measurement data and a position teaching value is calculated based on the extracted measurement data, the reliability of the EBR state teaching task can be improved.

10: 기판처리장치 100: 공정챔버
110: 스핀척 120: 에지비드제거 노즐
200: 이송로봇 300: 계측챔버
400: 티칭제어부 410: 계측데이터 저장부
420: 계측데이터 판단부 430: 계측데이터 추출부
440: 티칭데이터 산출저장부 450: 티칭주기 판단부
460: 티칭범위 판단부 470: 티칭요청부
500: 공정챔버 제어부 600: 이송로봇 제어부 10: substrate processing device 100: process chamber
110: spin chuck 120: edge bead removal nozzle
200: transfer robot 300: measurement chamber
400: teaching control unit 410: measurement data storage unit
420: measurement data determination unit 430: measurement data extraction unit
440: Teaching data calculation unit 450: Teaching cycle determination unit
460: teaching range determination unit 470: teaching request unit
500: process chamber control unit 600: transfer robot control unit

Claims (6)

기판을 안착하는 스핀척과, 약액이 도포되는 기판 가장자리 부분의 에지비드를 제거하는 에지비드제거(EBR) 노즐이 구비되는 공정챔버;
상기 공정챔버에 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇;
상기 기판의 에지비드제거 상태를 계측하여 계측데이터를 생성하는 계측챔버;
상기 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드를 제거한 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭제어부;
상기 티칭데이터를 기반으로 에지비드제거 노즐의 위치를 티칭하는 공정챔버 제어부 및;
상기 티칭데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 위치를 티칭하는 이송로봇 제어부를 포함하고,
상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값은, 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 복수의 기판에 대한 복수의 계측데이터를 기반으로 산출되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. a process chamber equipped with a spin chuck for seating a substrate and an edge bead removal (EBR) nozzle for removing edge beads at an edge of the substrate to which the chemical solution is applied;
a transfer robot loading/unloading a substrate into the process chamber;
a measurement chamber for generating measurement data by measuring the edge bead removal state of the substrate;
a teaching control unit generating teaching data including a first position teaching value corresponding to the amount of eccentricity of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to a width from which the edge bead is removed, based on the measurement data;
a process chamber controller for teaching the position of an edge bead removal nozzle based on the teaching data;
A transfer robot control unit for teaching the position of the transfer robot based on the teaching data;
The first position teaching value and the second position teaching value are calculated based on a plurality of measurement data for a plurality of substrates located within a preset measurement range. 제1항에 있어서,
상기 티칭제어부는,
상기 계측데이터를 누적하여 저장하는 계측데이터 저장부;
상기 계측데이터를 기반으로 상기 기판의 에지비드제거 상태가 정상인지 판단하는 계측데이터 판단부;
상기 기판의 에지비드제거 상태가 정상인 경우 상기 계측데이터 각각이 미리 설정된 범위 내인지 판단하고, 미리 설정된 계측범위 내에 위치하는 계측데이터를 추출하여 제공하는 계측데이터 추출부;
상기 추출된 계측데이터를 기반으로 상기 이송로봇의 편심량에 대응되는 제1 위치티칭값 및 상기 에지비드를 제거한 폭에 대응되는 제2 위치티칭값을 포함하는 티칭데이터를 생성하는 티칭데이터 산출저장부;
미리 설정된 티칭주기의 도과 여부를 판단하는 티칭주기 판단부;
상기 티칭주기가 도과된 경우, 상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값 각각이 미리 설정된 티칭가능범위 내에 있는지 판단하는 티칭범위 판단부;
상기 제1 위치티칭값 및 상기 제2 위치티칭값 중 적어도 하나가 상기 티칭가능범위 내에 있는 경우, 상기 공정챔버 제어부 및 상기 이송로봇 제어부 중 적어도 하나에 티칭작업을 요청하는 티칭요청부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The teaching control unit,
a measurement data storage unit that accumulates and stores the measurement data;
a measurement data determination unit that determines whether an edge bead removal state of the substrate is normal based on the measurement data;
a measurement data extraction unit determining whether each of the measurement data is within a preset range when the edge bead removal state of the substrate is normal, and extracting and providing measurement data located within a preset measurement range;
A teaching data calculation and storage unit for generating teaching data including a first position teaching value corresponding to the amount of eccentricity of the transfer robot and a second position teaching value corresponding to the width from which the edge bead is removed, based on the extracted measurement data;
a teaching period determination unit for determining whether a preset teaching period has elapsed;
a teaching range judging unit determining whether each of the first position teaching value and the second position teaching value is within a preset teachable range when the teaching period has elapsed;
and a teaching request unit requesting a teaching operation to at least one of the process chamber control unit and the transfer robot control unit when at least one of the first position teaching value and the second position teaching value is within the teachable range. A substrate processing apparatus to be. 제2항에 있어서,
상기 티칭주기는 상기 공정챔버 내에서 공정처리가 완료된 기판의 총 매수를 기반으로 설정되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The teaching period is set based on the total number of substrates on which processing has been completed in the process chamber. 제2항에 있어서,
상기 티칭요청부는,
상기 공정챔버 내에 기판이 공정처리 중이지 않은 경우 또는 상기 이송로봇이 기판을 이송 중이지 않은 경우, 상기 공정챔버 제어부 및 상기 이송로봇 제어부 중 적어도 하나에 티칭작업을 요청하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The teaching request unit,
When the substrate is not being processed in the process chamber or the transfer robot is not transferring the substrate, a teaching operation is requested to at least one of the process chamber control unit and the transfer robot control unit. . 제2항에 있어서,
상기 티칭데이터 산출저장부는,
상기 추출된 계측데이터에 대해 제1 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제1 사전 위치티칭값을 제1 합산 사전위치티칭값에 합산하여 상기 제1 합산 사전위치티칭값을 업데이트하고, 상기 제1 합산 사전위치티칭값을 상기 추출된 계측데이터의 개수로 나누어 상기 제1 위치티칭값을 산출하고,
상기 계측데이터에 대해 제2 사전 위치티칭값을 산출하고, 산출된 제2 사전 위치티칭값을 제2 합산 사전위치티칭값에 합산하여 상기 제2 합산 사전위치티칭값을 업데이트하고, 상기 제2 합산 사전위치티칭값을 상기 추출된 계측데이터의 개수로 나누어 상기 제2 위치티칭값을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The teaching data calculation and storage unit,
A first pre-position teaching value is calculated for the extracted measurement data, and the first sum pre-position teaching value is updated by adding the calculated first pre-position teaching value to a first sum pre-position teaching value, and the first pre-position teaching value is updated. 1 dividing the pre-position teaching value by the number of the extracted measurement data to calculate the first position teaching value;
A second pre-position teaching value is calculated for the measurement data, the calculated second pre-position teaching value is added to the second sum pre-position teaching value, the second sum pre-position teaching value is updated, and the second sum pre-position teaching value is updated. The second position teaching value is calculated by dividing the pre-position teaching value by the number of the extracted measurement data. 제2항에 있어서,
상기 티칭데이터 산출저장부는,
상기 추출된 계측데이터에 대해 제1 사전 위치티칭값을 산출하여 누적하여 저장하고, 상기 누적하여 저장된 제1 사전 위치티칭값들의 미디언(median)값을 기반으로 상기 제1 위치티칭값을 산출하고,
상기 추출된 계측데이터에 대해 제2사전 위치티칭값을 산출하여 누적하여 저장하고, 상기 누적하여 저장된 제2 사전 위치티칭값들의 미디언(median)값을 기반으로 상기 제1 위치티칭값을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 2,
The teaching data calculation and storage unit,
A first position teaching value is calculated, accumulated, and stored for the extracted measurement data, and the first position teaching value is calculated based on a median value of the accumulated and stored first position teaching values. ,
Calculating, accumulating, and storing a second pre-position teaching value for the extracted measurement data, and calculating the first position teaching value based on a median value of the accumulated and stored second pre-position teaching values A substrate processing apparatus characterized in that.
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