KR20210083206A - 묘화 방법, 소거 방법 및 묘화 장치 - Google Patents

묘화 방법, 소거 방법 및 묘화 장치 Download PDF

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light transmitting
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켄이치 쿠리하라
타이치 타케우치
아스카 테지마
아야 슈토
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Abstract

본 개시의 일 실시형태의 묘화 방법은, 기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대하여 묘화할 때, 광투과 부재의 정보를 취득하고, 광투과 부재의 정보로부터, 기록층에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고, 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산한다.

Description

묘화 방법, 소거 방법 및 묘화 장치
본 개시는, 예를 들면, 표면에 요철 형상을 갖는 감열성 기록 매체에의 묘화 방법, 소거 방법 및 묘화 장치에 관한 것이다.
최근, 주문제작에 대한 고객 요구가 높아짐에 따라, 소위 비접촉 방식의 온디맨드(on-demand) 장식 기술의 하나로서, 레이저를 이용하여 묘화를 행하는 감열 기록 기술의 개발이 진행되고 있다. 레이저를 이용하는 감열 기록 기술에서는, 예를 들면, 서멀 헤드(thermal head)를 이용하는 접촉 방식의 기록 방법과는 달리, 비접촉으로 기록할 수 있기 때문에, 감열 기록층이 최표면에 존재하지 않아도 정보의 기입(묘화)이 가능하게 되어 있다.
레이저를 이용하여 묘화를 행하는 묘화 장치로서는, 예를 들면, 특허문헌 1에 있어서, 발색 색조가 다른 복수의 가역성 감열 발색성 조성물을 포함하는 가역성 다색 기록 매체에 대해, 파장이 다른 복수의 레이저광을 조사하는 레이저광 발진 수단과, 레이저광을 가역성 다색 기록 매체의 면 상에서 주사하는 주사 수단과, 레이저광의 출력을, 주사 위치와 기록 정보에 대응하여 선택적으로 변조시키는 변조 수단과, 파장이 다른 복수의 레이저광을, 다른 방향으로부터의 광편광기에 입사하는 렌즈계를 구비한 기록 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본특허공개 제2004-188827호 공보
그런데, 장식 용도에 이용되는 감열성 기록 매체는, 감열 기록층 상에 마련되는 표장(表裝) 부재가 반드시 균일한 두께로 한정되지 않고, 예를 들면 기하학적인 단면 형상을 갖는 경우가 상정된다. 그러한 경우, 레이저광은 표장 부재의 표면에서 굴절 또는 빔 직경의 변화 등이 생기고, 묘화 화상의 왜곡(distortion)이나 묘화 얼룩이 발생하고, 표시 품위가 저하될 우려가 있다. 장식 용도에 있어서의 표시 품위의 저하는 제품의 가치를 현저하게 손상시키는 것이다.
그 때문에, 표시 품위를 향상시키는 것이 가능한 묘화 방법, 소거 방법 및 묘화 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 개시의 일 실시형태의 묘화 방법은, 기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대하여 묘화할 때, 광투과 부재의 정보를 취득하고, 광투과 부재의 정보로부터, 기록층에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고, 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산하는 것이다.
본 개시의 일 실시형태의 소거 방법은, 기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체로부터 화상을 소거할 때, 광투과 부재의 정보를 취득하고, 광투과 부재의 정보로부터, 기록층에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고, 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산하는 것이다.
본 개시의 일 실시형태의 묘화 장치는, 레이저광을 출사하는 광원부와, 광원부로부터 출사된 레이저광을, 기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체 상에서 주사하는 스캐너부와, 광투과 부재의 정보를 취득하는 접수부와, 접수부에서 취득된 광투과 부재의 정보로부터 광투과 부재를 투과한 레이저광의 기록층에 있어서의 광축 어긋남을 예측하고, 그 예측 결과로부터 보정량을 계산하는 보정부를 구비한 것이다.
본 개시의 일 실시형태의 묘화 방법 및 일 실시형태의 소거 방법 및 일 실시형태의 묘화 장치에서는, 광투과 부재의 정보를 취득하고, 광투과 부재의 정보로부터, 기록층 상에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고, 레이저광의 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산함으로써, 광투과 부재의 형상에 관계없이, 기록층에의 묘화 또는 기록층에 묘화된 화상의 소거를 행한다.
도 1은 본 개시의 제1 실시형태에 관련되는 감열성 기록 매체에의 묘화 방법의 순서를 나타내는 도면이다.
도 2는 감열성 기록 매체의 구성의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.
도 3은 본 개시의 제1 실시형태에 관련되는 묘화 및 소거 장치의 시스템 구성예를 나타내는 도면이다.
도 4a는 보정이 없는 상태에서의 기록층에의 묘화를 설명하는 도면이다.
도 4b는 광투과 부재에의 레이저광의 입사각을 보정하는 것에 의한 기록층에의 묘화를 설명하는 도면이다.
도 4c는 광투과 부재에의 레이저광의 입사 위치를 보정하는 것에 의한 기록층에의 묘화를 설명하는 도면이다.
도 5는 요철면에 있어서의 레이저광의 굴절을 설명하는 도면이다.
도 6은 표장 부재의 두께와 레이저광의 축 어긋남량의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 7은 표면이 평탄한 표장 부재를 표면에 갖는 일반적인 감열성 기록 매체에 레이저광을 조사했을 때의 묘화 위치를 나타내는 도면이다.
도 8은 마이크로렌즈 어레이의 모식도이다.
도 9는 표면에 요철을 갖는 표장 부재를 표면에 갖는 감열성 기록 매체에 레이저광을 조사했을 때의 묘화 위치를 나타내는 도면이다.
도 10은 표면이 평탄한 유리 기판에 빔을 조사한 경우의 스폿 위치(spot position)를 나타내는 도면이다.
도 11은 마이크로렌즈의 구성을 나타내는 사시도(A) 및 단면 모식도(B)이다.
도 12는 도 11에 나타낸 마이크로렌즈에 빔을 조사한 경우에 스폿 위치를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 개시의 제2 실시형태에 관련되는 감열성 기록 매체에의 묘화 방법의 순서를 나타내는 도면이다.
도 14는 본 개시의 제2 실시형태에 관련되는 묘화 및 소거 장치의 시스템 구성예를 나타내는 도면이다.
도 15a는 스테이지를 이동시킴으로써 광투과 부재에의 레이저광의 입사 위치를 보정한 기록층에의 묘화를 설명하는 도면이다.
도 15b는 스테이지를 기울임으로써 광투과 부재에의 레이저광의 입사각을 보정한 기록층에의 묘화를 설명하는 도면이다.
도 16은 본 개시의 제3 실시형태에 관련되는 감열성 기록 매체에의 묘화 방법의 순서를 나타내는 도면이다.
도 17은 본 개시의 제3 실시형태에 관련되는 묘화 및 소거 장치의 시스템 구성예를 나타내는 도면이다.
도 18a는 입력 화상의 일례이다.
도 18b는 시뮬레이션에 의한 입력 화상의 왜곡 예측의 일례이다.
도 18c는 도 18a에 나타낸 입력 화상을 왜곡 예측으로부터 보정한 보정 화상의 일례이다.
도 19는 적용예 1의 외관의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 20a는 적용예 2의 외관(전면측)의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 20b는 적용예 2의 외관(배면측)의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 21a는 적용예 3의 외관(상면)의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 21b는 적용예 3의 외관(측면)의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 22는 적용예 4의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 23은 적용예 5의 구성의 일례를 나타내는 모식도이다.
이하, 본 개시에 있어서의 실시형태에 대해, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 이하의 설명은 본 개시의 일 구체예이며, 본 개시는 이하의 태양에 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 개시는, 각 도면에 나타내는 각 구성요소의 배치나 치수, 치수비 등에 대해서도, 그들에 한정되는 것이 아니다. 또한, 설명하는 순서는 하기와 같다.
1. 제1 실시형태(광학 부재를 사용하여 광투과 부재에 의한 광축 어긋남을 보정하는 묘화 방법 및 소거 방법의 예)
1-1. 감열성 기록 매체의 구성
1-2. 감열성 기록 매체의 제조 방법
1-3. 묘화 및 소거 장치의 구성
1-4. 묘화 방법 및 소거 방법
1-5. 작용·효과
2. 제2 실시형태(스테이지를 움직여서 광투과 부재에 의한 광축 어긋남을 보정하는 묘화 방법 및 소거 방법의 예)
2-1. 묘화 및 소거 장치의 구성
2-2. 묘화 방법 및 소거 방법
2-3. 작용·효과
3. 제3 실시형태(입력 화상을 보정한 보정 화상 신호를 이용하여 묘화 또는 소거를 행하는 묘화 방법 및 소거 방법의 예)
3-1. 묘화 및 소거 장치의 구성
3-2. 묘화 방법 및 소거 방법
3-3. 작용·효과
4. 적용예
5. 실시예
<1. 제1 실시형태>
도 1은 본 개시의 제1 실시형태에 관련되는 감열성 기록 매체(감열성 기록 매체(100))에의 묘화 방법의 순서를 나타낸 것이다. 도 2는 감열성 기록 매체(100)의 단면 구성의 일례를 모식적으로 드러낸 것이다. 도 3은 본 개시의 제1 실시형태에 관련되는 묘화 및 소거 장치(묘화 및 소거 장치(1))의 시스템 구성예를 나타낸 것이다. 감열성 기록 매체(100)는, 예를 들면, 열에 의해 가역적으로 정보의 기록이나 소거가 가능한 가역성 기록 매체이며, 예를 들면, 지지 기재(111) 상에 마련된 기록 상태 및 소거 상태를 가역적으로 변화시키는 것이 가능한 기록층(12) 상에, 면내에 요철 형상을 갖는 광투과 부재(113)가 마련된 것이다.
본 실시형태의 묘화 방법 및 소거 방법은, 광투과 부재(113)의 정보를 취득하고, 광투과 부재(113)의 정보로부터, 기록층(112) 상에 있어서의 레이저광(L)의 광축 어긋남을 예측하고, 이 레이저광(L)의 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산한 후, 기록층(112)에의 묘화 또는 기록층(112)에 묘화된 화상의 소거를 행하는 것이다. 본 실시형태에서는, 광학 부재(1축 스캐너(51))를 이용하여, 감열성 기록 매체(100)의 광투과 부재(113)에 대한 레이저광(L)의 입사각 또는 입사 위치를 보정한다. 이에 의해, 기록층(112)에의 균일한 묘화가 가능해진다.
먼저, 감열성 기록 매체(100), 묘화 및 소거 장치(1)의 순서대로 설명하고, 그 후에 감열성 기록 매체(100)에의 묘화 방법 및 소거 방법에 대해 상세하게 설명한다.
(1-1. 감열성 기록 매체의 구성)
도 2는 도 1에 나타낸 감열성 기록 매체(100)의 일 구체예인 감열성 기록 매체(100A)의 단면 구성을 나타낸 것이다. 또한, 도 2에 나타낸 감열성 기록 매체(100A)는 단면 구성을 모식적으로 나타낸 것이며, 실제의 치수, 형상과는 다른 경우가 있다. 감열성 기록 매체(100A)는, 예를 들면, 지지 기재(111) 상에, 기록 상태 및 소거 상태를 가역적으로 변화시키는 것이 가능한 기록층(112)이 마련된 것이다. 이 기록층(112)은, 예를 들면, 서로 발색 색조가 다른 3개의 층(기록층(112M), 기록층(112C), 기록층(112Y))이 이 순서대로 적층된 구성을 갖는다. 기록층(112M)과 기록층(112C) 사이 및 기록층(112C)과 기록층(112Y) 사이에는, 각각, 복수의 층(여기서는, 3층)으로 이루어지는 단열층(114, 115)이 마련되어 있다. 기록층(112Y) 상에는, 광투과 부재(113)가 마련되어 있다.
지지 기재(111)는 기록층(112)을 지지하기 위한 것이다. 지지 기재(111)는, 내열성이 우수하고, 또한, 평면 방향의 치수 안정성이 우수한 재료에 의해 구성되어 있다. 지지 기재(111)는, 광투과성 및 비광투과성의 어느 쪽의 특성을 가지고 있어도 된다. 지지 기재(111)는, 예를 들면, 웨이퍼 등의 강성을 갖는 기판이어도 되고, 가요성을 갖는 박층 유리, 필름 또는 종이 등에 의해 구성하여도 된다. 지지 기재(111)로서 가요성 기판을 사용함으로써, 플렉시블(절곡 가능)한 가역성 기록 매체를 실현할 수 있다.
지지 기재(111)의 구성 재료로서는, 예를 들면, 무기 재료, 금속 재료 및 플라스틱 등의 고분자 재료 등을 들 수 있다. 구체적으로, 무기 재료로서는, 예를 들면, 규소(Si), 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화알루미늄(AlOx) 및 산화마그네슘(MgOx) 등을 들 수 있다. 산화규소에는, 유리 또는 스핀온글래스(SOG) 등이 포함된다. 금속 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 주석(Sn), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 니오브(Nb), 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 비스무트(Bi), 안티몬(Sb) 및 납(Pb) 등의 금속 단체, 또는, 이들을 2종 이상 포함하는 합금을 들 수 있다. 합금의 구체예로서는, 스테인리스강(SUS), 알루미늄 합금, 마그네슘 합금 및 티탄 합금 등을 들 수 있다. 고분자 재료로서는, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐(PVC), 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리아세트산비닐, 폴리우레탄, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 수지(ABS), 아크릴 수지(PMMA), 폴리아미드, 나일론, 폴리아세탈, 폴리카보네이트(PC), 변성 폴리페닐렌 에테르, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 환상 폴리올레핀, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 비정질 폴리아릴레이트, 액정 폴리머, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리아미드 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 및 트리아세틸 셀룰로오스, 셀룰로오스 또는 이들의 공중합체, 유리섬유 강화 플라스틱, 탄소섬유 강화 플라스틱(CFRP) 등을 들 수 있다.
또한, 지지 기재(11)의 상면 또는 하면에는, 반사층(도시하지 않음)을 마련하는 것이 바람직하다. 반사층을 마련함으로써, 보다 선명한 색 표시가 가능해진다.
기록층(112)은, 열에 의해 가역적으로 정보의 기입이나 소거가 가능한 것이며, 안정된 반복 기록이 가능한, 소색 상태와 발색 상태를 제어할 수 있는 재료를 이용하여 구성되어 있다. 기록층(112)은, 예를 들면, 마젠타 색(M)을 띠는 기록층(112M)과, 시안 색(C)을 띠는 기록층(112C)과, 황색(Y)을 띠는 기록층(112Y)을 갖는다.
기록층(112)은, 즉, 기록층(112M, 112C, 112Y)은, 서로 다른 색을 띠는 정색성(呈色性; coloring) 화합물(가역성 감열 발색성 조성물)과, 각 정색성 화합물에 대응하는 현색제(顯色劑; developer) 또는 현색/감색제(顯色/減色劑; developing/reducing agent)와, 서로 다른 파장역의 광을 흡수하여 발열하는 광열 변환제를 포함하는, 예를 들면, 고분자 재료에 의해 형성되어 있다. 이에 의해, 감열성 기록 매체(100A)는, 다색 표시로서의 착색이 가능해진다. 구체적으로, 기록층(112M)은, 예를 들면, 마젠타 색을 띠는 정색성 화합물, 이에 대응하는 현색/감색제 및 예를 들면, 발광 파장(λ1)의 적외선을 흡수하여 발열하는 광열 변환제를 포함하여 구성되어 있다. 기록층(112C)은, 예를 들면, 시안 색을 발색하는 정색성 화합물, 이에 대응하는 현색/감색제 및 예를 들면, 발광 파장(λ2)의 적외선을 흡수하여 나타내는 광열 변환제를 포함하여 구성되어 있다. 기록층(112Y)은, 예를 들면, 옐로우 색을 띠는 정색성 화합물, 이에 대응하는 현색/감색제 및 예를 들면, 발광 파장(λ3)의 적외선을 흡수하여 발열하는 광열 변환제를 포함하여 구성되어 있다. 발광 파장(λ1, λ2, λ3)은 서로 다르고, 이에 의해, 다색 표시가 가능한 표시 매체가 얻어진다.
또한, 기록층(112M, 112C, 112Y)은, 소색 상태에서는 투명해진다. 이에 의해, 감열성 기록 매체(100A)는, 넓은 색영역에서의 기록이 가능해진다. 기록층(112M, 112C, 112Y)의 적층 방향의 두께(이하, 단지 두께라고 함)는, 예를 들면, 각각 1㎛ 이상 20㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 예를 들면 2㎛ 이상 15㎛ 이하이다. 기록층(112M, 112C, 112Y)의 두께가 1㎛ 미만이면 충분한 발색 농도가 얻어지지 않을 우려가 있기 때문이다. 또한, 각 층(22, 23, 24)의 두께가 20㎛보다 두꺼운 경우에는, 기록층(112M, 112C, 112Y)의 열 이용량이 커지고, 발색성이나 소색성이 열화할 우려 있기 때문이다.
정색성 화합물은, 예를 들면, 류코(leuco) 색소를 들 수 있다. 류코 색소로서는, 예를 들면, 기존의 감열지용 색소를 들 수 있다. 정색성 화합물의 일례로서는, 하기 식(1)에 나타낸, 분자 내에, 예를 들면 전자 공여성을 갖는 기를 포함하는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00001
기록층(112M, 112C, 112Y)에 사용되는 정색성 화합물은, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 구체적인 정색성 화합물로서는, 상기 식(1)에 나타낸 화합물 외에, 예를 들면, 플루오란계 화합물, 트리페닐메탄프탈리드계 화합물, 아자프탈리드계 화합물, 페노티아진계 화합물, 류코 아우라민계 화합물 및 인돌리노프탈리드계 화합물 등을 들 수 있다. 그 밖에, 예를 들면, 2-아닐리노-3-메틸-6-디에틸아미노플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-디(n-부틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-n-프로필-N-메틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(Ｎ-이소프로필-N-메틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-이소부틸-N-메틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-n-아밀-N-메틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-sec-부틸-N-메틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-n-아밀-N-에틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-iso-아밀-N-에틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-n-프로필-Ｎ-이소프로필아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-시클로헥실-N-메틸아미노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-에틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-아닐리노-3-메틸-6-(N-메틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-(m-트리클로로메틸아닐리노)-3-메틸-6-디에틸아미노플루오란, 2-(m-트리클로로메틸아닐리노)-3-메틸-6-디에틸아미노플루오란, 2-(m-트리클로로메틸아닐리노)-3-메틸-6-(N-시클로헥실-N-메틸아미노) 플루오란, 2-(2,4-디메틸아닐리노)-3-메틸-6-디에틸아미노플루오란, 2-(N-에틸-p-톨루이디노)-3-메틸-6-(N-에틸아닐리노) 플루오란, 2-(N-에틸-p-톨루이디노)-3-메틸-6-(N-프로필-p-톨루이디노) 플루오란, 2-아닐리노-6-(N-n-헥실-N-에틸아미노) 플루오란, 2-(o-클로로아닐리노)-6-디에틸아미노플루오란, 2-(o-클로로아닐리노)-6-디부틸아미노플루오란, 2-(m-트리플루오로메틸아닐리노)-6-디에틸아미노플루오란, 2,3-디메틸-6-디메틸아미노플루오란, 3-메틸-6-(N-에틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-클로로-6-디에틸아미노플루오란, 2-브로모-6-디에틸아미노플루오란, 2-클로로-6-디프로필아미노플루오란, 3-클로로-6-시클로헥실아미노플루오란, 3-브로모-6-시클로헥실아미노플루오란, 2-클로로-6-(N-에틸-N-이소아밀아미노) 플루오란, 2-클로로-3-메틸-6-디에틸아미노플루오란, 2-아닐리노-3-클로로-6-디에틸아미노플루오란, 2-(o-클로로아닐리노)-3-클로로-6-시클로헥실아미노플루오란, 2-(m-트리플루오로메틸아닐리노)-3-클로로-6-디에틸아미노플루오란, 2-(2,3-디클로로아닐리노)-3-클로로-6-디에틸아미노플루오란, 1,2-벤조-6-디에틸아미노플루오란, 3-디에틸아미노-6-(m-트리플루오로메틸아닐리노) 플루오란, 3-(1-에틸-2-메틸인돌-3-일)-3-(2-에톡시-4-디에틸아미노페닐)-4-아자프탈리드, 3-(1-에틸-2-메틸인돌-3-일)-3-(2-에톡시-4-디에틸아미노페닐)-7-아자프탈리드, 3-(1-옥틸-2-메틸인돌-3-일)-3-(2-에톡시-4-디에틸아미노페닐)-4-아자프탈리드, 3-(1-에틸-2-메틸인돌-3-일)-3-(2-메틸-4-디에틸아미노페닐)-4-아자프탈리드, 3-(1-에틸-2-메틸인돌-3-일)-3-(2-메틸-4-디에틸아미노페닐)-7-아자프탈리드, 3-(1-에틸-2-메틸인돌-3-일)-3-(4-디에틸아미노페닐)-4-아자프탈리드, 3-(1-에틸-2-메틸인돌-3-일)-3-(4-N-n-아밀-N-메틸아미노페닐)-4-아자프탈리드, 3-(1-메틸-2-메틸인돌-3-일)-3-(2-헥실옥시-4-디에틸아미노페닐)-4-아자프탈리드, 3,3-비스(2-에톡시-4-디에틸아미노페닐)-4-아자프탈리드, 3,3-비스(2-에톡시-4-디에틸아미노페닐)-7-아자프탈리드, 2-(p-아세틸아닐리노)-6-(N-n-아밀-N-n-부틸아미노) 플루오란, 2-벤질아미노-6-(N-에틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-벤질아미노-6-(N-메틸-2,4-디메틸아닐리노) 플루오란, 2-벤질아미노-6-(N-에틸-2,4-디메틸아닐리노) 플루오란, 2-벤질아미노-6-(N-메틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-벤질아미노-6-(N-에틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-(디-p-메틸벤질아미노)-6-(N-에틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-(α-페닐에틸아미노)-6-(N-에틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-메틸아미노-6-(N-메틸아닐리노) 플루오란, 2-메틸아미노-6-(N-에틸아닐리노) 플루오란, 2-메틸아미노-6-(N-프로필아닐리노) 플루오란, 2-에틸아미노-6-(N-메틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-메틸아미노-6-(N-메틸-2,4-디메틸아닐리노) 플루오란, 2-에틸아미노-6-(N-에틸-2,4-디메틸아닐리노) 플루오란, 2-디메틸아미노-6-(N-메틸아닐리노) 플루오란, 2-디메틸아미노-6-(N-에틸아닐리노) 플루오란, 2-디에틸아미노-6-(N-메틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-디에틸아미노-6-(N-에틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-디프로필아미노-6-(N-메틸아닐리노) 플루오란, 2-디프로필아미노-6-(N-에틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-메틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-에틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-프로필아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-메틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-에틸-p-톨루이디노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-프로필-p-톨루이디노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-메틸-p-에틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-에틸-p-에틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-프로필-p-에틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-메틸-2,4-디메틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-에틸-2,4-디메틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-프로필-2,4-디메틸아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-메틸-p-클로로아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-에틸-p-클로로아닐리노) 플루오란, 2-아미노-6-(N-프로필-p-클로로아닐리노) 플루오란, 1,2-벤조-6-(N-에틸-N-이소아밀아미노) 플루오란, 1,2-벤조-6-디부틸아미노플루오란, 1,2-벤조-6-(N-메틸-N-시클로헥실아미노) 플루오란 및 1,2-벤조-6-(N-에틸-N-톨루이디노) 플루오란 등을 들 수 있다. 기록층(112M, 112C, 112Y)에는, 상기 정색성 화합물을 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합시켜 사용해도 된다.
현색/감색제는, 예를 들면, 무색의 정색성 화합물을 발색 또는, 소정의 색을 띠고 있는 정색성 화합물을 소색시키기 위한 것이다. 현색/감색제로서는, 예를 들면, 페놀 유도체, 살리실산 유도체 및 우레아 유도체 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 하기 일반식(2)에 나타낸 살리실산 골격을 가지며, 분자 내에 전자 수용성을 갖는 기를 포함하는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00002
(X는 -NHCO-, -CONH-, -NHCONH-, -CONHCO-, -NHNHCO-, -CONHNH-, -CONHNHCO-, -NHCOCONH-, -NHCONHCO-, -CONHCONH-, -NHNHCONH-, -NHCONHNH-, -CONHNHCONH-, -NHCONHNHCO-, -CONHNHCONH- 중 어느 하나이다. R은 탄소수 25 이상 34 이하의 직쇄상의 탄화수소기이다.)
현색/감색제로서는, 그 밖에, 예를 들면, 4,4'-이소프로필리덴비스페놀, 4,4'-이소프로필리덴비스(o-메틸페놀), 4,4'-세컨더리 부틸리덴 비스페놀, 4,4'-이소프로필리덴비스(2-터셔리 부틸페놀), p-니트로벤조산 아연, 1,3,5-트리스(4-터셔리 부틸-3-히드록시-2,6-디메틸벤질) 이소시아누르산, 2,2-(3,4'-디히드록시디페닐) 프로판, 비스(4-히드록시-3-메틸페닐) 술피드, 4-{β-(p-메톡시페녹시)에톡시}살리실산, 1,7-비스(4-히드록시페닐티오)-3,5-디옥사헵탄, 1,5-비스(4-히드록시페니티오)-5-옥사펜탄, 프탈산 모노벤질에스테르 모노칼슘염, 4,4'-시클로헥실리덴디페놀, 4,4'-이소프로필리덴비스(2-클로로페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-터셔리 부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(6-터셔리 부틸-2-메틸) 페놀, 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-터셔리 부틸페닐) 부탄, 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-시클로헥실 페닐) 부탄, 4,4'-티오비스(6-터셔리 부틸-2-메틸) 페놀, 4,4'-디페놀 술폰, 4-이소프로폭시-4'-히드록시디페닐술폰(4-히드록시-4'-이소프로폭시디페닐술폰), 4-벤질옥시-4'-히드록시디페닐 술폰, 4,4'-디페놀 술폭시드, p-히드록시벤조산 이소프로필, p-히드록시벤조산 벤질, 프로토카데츄산 벤질, 갈산 스테아릴, 갈산 라우릴, 갈산 옥틸, 1,3-비스(4-히드록시페닐티오)-프로판, N,N'-디페닐티오우레아, N,N'-디(m-클로로페닐)티오우레아, 살리실아닐리드, 비스(4-히드록시페닐)아세트산 메틸 에스테르, 비스(4-히드록시페닐)아세트산 벤질 에스테르, 1,3-비스(4-히드록시큐밀) 벤젠, 1,4-비스(4-히드록시큐밀) 벤젠, 2,4'-디페놀 술폰, 2,2'-디알릴-4,4'-디페놀 술폰, 3,4-디히드록시페닐-4'-메틸디페닐 술폰, 1-아세틸옥시-2-나프토산아연, 2-아세틸옥시-1-나프토산아연, 2-아세틸옥시-3-나프토산아연, α,α-비스(4-히드록시페닐)-α-메틸톨루엔, 티오시안산아연의 안티피린 착체, 테트라브로모비스페놀 A, 테트라브로모비스페놀 S, 4,4'-티오비스(2-메틸페놀), 4,4'-티오비스(2-클로로페놀), 도데실포스폰산, 테트라데실포스폰산, 헥사데실포스폰산, 옥타데실포스폰산, 에이코실포스폰산, 도코실포스폰산, 테트라코실포스폰산, 헥사코실포스폰산, 옥타코실포스폰산, α-히드록시도데실포스폰산, α-히드록시테트라데실포스폰산, α-히드록시헥사데실포스폰산, α-히드록시옥타데실포스폰산, α-히드록시에이코실포스폰산, α-히드록시도코실포스폰산, α-히드록시테트라코실포스폰산, 디헥사데실 포스페이트, 디옥타데실 포스페이트, 디에이코실 포스페이트, 디도코실 포스페이트, 모노헥사데실 포스페이트, 모노옥타데실 포스페이트, 모노에이코실 포스페이트, 모노도코실 포스페이트, 메틸 헥사데실 포스페이트, 메틸 옥타데실 포스페이트, 메틸 에이코실 포스페이트, 메틸 도코실 포스페이트, 아밀 헥사데실 포스페이트, 옥틸 헥사데실 포스페이트 및 라우릴 헥사데실 포스페이트 등을 들 수 있다. 기록층(112M, 112C, 112Y)에는, 상기 현색/감색제를 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합시켜 사용해도 된다.
광열 변환제는, 예를 들면 근적외 영역의 소정의 파장역의 광을 흡수하여 발열하는 것이다. 광열 변환제로서는, 예를 들면 파장 700nm 이상 2000nm 이하의 범위에 흡수 피크를 가지며, 가시영역에 거의 흡수를 갖지 않는 근적외선 흡수 색소를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 시아닌 골격을 갖는 화합물(시아닌계 색소), 프탈로시아닌 골격을 갖는 화합물(프탈로시아닌계 색소), 나프탈로시아닌 골격을 갖는 화합물(나프탈로시아닌계 색소), 스쿠아릴륨 골격을 갖는 화합물(스쿠아릴륨계 색소), 디티오 착체 등의 금속 착체, 디이모늄염, 아미늄염 및 무기 화합물 등을 들 수 있다. 무기 화합물로서는, 예를 들면 그래파이트, 카본 블랙, 금속 분말 입자, 사삼산화 코발트, 산화철, 산화크롬, 산화구리, 티탄 블랙, ITO 등의 금속 산화물, 질화니오브 등의 금속 질화물, 탄화탄탈 등의 금속 탄화물, 금속 황화물, 각종 자성 분말 등을 들 수 있다.
고분자 재료는, 정색성 화합물, 현색/감색제 및 광열 변환제가 균질하게 분산되기 쉬운 것이 바람직하다. 고분자 재료로서는, 예를 들면, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 폴리염화비닐, 폴리아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 에틸 셀룰로오스, 폴리스티렌, 스티렌계 공중합체, 페녹시 수지, 폴리에스테르, 방향족 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리아크릴산 에스테르, 폴리메타크릴산 에스테르, 아크릴산계 공중합체, 말레산계 중합체, 시클로올레핀 코폴리머, 폴리비닐 알콜, 변성 폴리비닐 알콜, 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 페놀, 폴리비닐 피롤리돈, 히드록시에틸 셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스, 전분, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 우레탄 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리아미드 이미드 등을 들 수 있다. 상기 고분자 재료는 가교시켜 사용해도 된다.
기록층(112M, 112C, 112Y)은, 상기 정색성 화합물, 현색/감색제 및 광열 변환제를, 각각 적어도 1종씩 포함하여 구성되어 있다. 또한, 기록층(112M, 112C, 112Y)은, 각각, 정색성 화합물 및 현색/감색제를 포함하는 층과, 광열 변환제를 포함하는 층의, 예를 들면 2층 구조로 해도 된다. 기록층(112M, 112C, 112Y)은, 상기 재료 외에, 예를 들면 증감제나 자외선 흡수제 등의 각종 첨가제를 포함하여 구성되어 있어도 된다.
단열층(114, 115)은, 기록층(112M)과 기록층(112C) 사이, 기록층(112C)과 기록층(112Y) 사이에서 함유 분자의 확산이나 묘화 시의 전열을 억제하기 위한 것이다. 단열층(114, 115)은, 예를 들면 일반적인 광투과성을 갖는 고분자 재료를 사용하여 구성되어 있다. 구체적인 재료로서는, 예를 들면, 폴리염화비닐, 폴리아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 에틸 셀룰로오스, 폴리스티렌, 스티렌계 공중합체, 페녹시 수지, 폴리에스테르, 방향족 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리아크릴산 에스테르, 폴리메타크릴산 에스테르, 아크릴산계 공중합체, 말레산계 중합체, 폴리비닐 알콜, 변성 폴리비닐 알콜, 히드록시에틸 셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스 및 전분 등을 들 수 있다. 또한, 단열층(114, 115)은, 예를 들면 자외선 흡수제 등의 각종 첨가제를 포함하여 구성되어 있어도 된다. 또한, 단열층(114, 115)은, 예를 들면, 기록층(112M, 112C, 112Y)과의 밀착성을 향상시키거나 할 목적으로, 복수의 층으로 이루어지는 적층 구조로 해도 된다.
또한, 단열층(114, 115)은 광투과성을 갖는 무기 재료를 사용하여 형성하도록 해도 된다. 예를 들면, 다공질 실리카, 알루미나, 티타니아, 카본, 또는 이들의 복합체 등을 사용하면, 열전도율이 낮아져 단열 효과가 높아 바람직하다. 단열층(114, 115)은, 예를 들면 졸겔법(sol-gel method)에 의해 형성할 수 있다.
단열층(114, 115)의 두께는, 예를 들면 3 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 예를 들면 5㎛ 이상 50㎛ 이하이다. 단열층(114, 115)의 두께가 지나치게 얇으면 충분한 단열 효과가 얻어지지 않고, 지나치게 두꺼우면, 감열성 기록 매체(100A) 전체를 균일 가열할 때에 열전도성이 열화하거나, 광투과성이 저하되거나 하기 때문이다.
광투과 부재(113)는, 기록층(112)(도 3에서는, 기록층(112Y))의 표면을 보호하기 위한 것이다. 나아가, 본 실시형태의 광투과 부재(113)는, 상기한 바와 같이, 그 표면(면(113S1)) 면내에 요철 형상을 갖는 것이며, 그 형상은 특별히 한정되지 않고, 면내에서, 광투과 부재(113)의 표면(면(113S1))으로부터 기록층(12)까지의 거리가, 면내의 임의의 위치에서 다른 것이다. 또한, 광투과 부재(113)는, 기록층(12)에 면하는 광투과 부재(113)의 이면(123S2)에, 기록층(112)과 광투과 부재(113) 사이에 중공(中空) 구조를 형성하는 오목부가 마련되어 있어도 된다.
광투과 부재(113)는, 광투과성을 갖는 재료에 의해 구성되고, 그 구성 재료로서는, 예를 들면, 플라스틱 등의 고분자 재료 및 무기 재료 등을 들 수 있다. 구체적으로, 고분자 재료로서는, 예를 들면, 아크릴 수지, 폴리카보네이트(PC), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 수지(ABS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 멜라민 수지 및 에폭시 수지 또는 이들의 공중합체 등을 들 수 있다. 무기 재료로서는, 유리 또는 사파이어 유리 등을 포함하는 산화규소(SiOx) 등을 들 수 있다.
또한, 기록층(112)의 하면에는, 도시하지 않지만, 예를 들면 점착제나 접착제 등을 포함하는 층이 마련되어 있으며, 이것을 통해 지지 기재(111) 상에 접합되어 있다.
(1-2. 감열성 기록 매체의 제조 방법)
본 실시형태의 감열성 기록 매체(100A)는, 예를 들면, 도포법을 이용하여 제조할 수 있다. 또한, 이하에 설명하는 제조 방법은, 감열성 기록 매체(100A)를 구성하는 각 층을 지지 기재(111) 상에 직접 형성하는 방법의 일례이다.
먼저, 지지 기재(111)로서, 두께 0.188mm의 백색의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 기판을 준비한다. 다음으로, 용매(메틸에틸케톤(MEK)) 8.8g에, 하기 식(3)에 나타낸 류코 색소(마젠타 색) 0.23g, 상기 식(2)에 나타낸 현색/감색제(살리실산알킬) 0.4g, 프탈로시아닌계 광열 변환제 A(흡수 파장: 915nm) 0.01g 및 고분자 재료(폴리(염화비닐-co-아세트산비닐(9:1))) 0.8g를 첨가하고, 로킹 밀(rocking mill)을 사용하여 2시간 분산하여 균일한 분산액(도료 A)을 조제한다. 도료 A를 지지 기재(111) 상에, 와이어 바로 도포한 후, 70℃에서 5분간 가열 건조 처리를 실시하여, 두께 3㎛의 마젠타 색을 띠는 기록층(112M)을 형성한다.
Figure pct00003
이어서, 기록층(112M) 상에 와이어 바를 사용하여 단열층(114)을 도포 형성한다. 다음으로, 용매(메틸에틸케톤(MEK)) 8.8g에, 하기 식(4)에 나타낸 류코 색소(시안 색) 0.2g, 상기 식(2)에 나타낸 현색/감색제(살리실산알킬) 0.4g, 프탈로시아닌계 광열 변환제 B(흡수 파장: 860nm) 0.01g 및 고분자 재료(폴리(염화비닐-co-아세트산비닐(9:1))) 0.8g를 첨가하고, 로킹 밀을 사용하여 2시간 분산하여 균일한 분산액(도료 B)을 조제한다. 도료 B를 단열층(114) 상에 도포하고, 70℃에서 5분간 가열 건조 처리를 실시하여, 두께 3㎛의 시안 색을 띠는 기록층(112C)을 형성한다.
Figure pct00004
이어서, 기록층(112C) 상에 와이어 바를 사용하여 단열층(115)을 도포 형성한다. 다음으로, 용매(메틸에틸케톤(MEK)) 8.8g에, 하기 식(5)에 나타낸 류코 색소(옐로우 색) 0.115g, 상기 식(2)에 나타낸 현색/감색제(살리실산알킬) 0.4g, 프탈로시아닌계 광열 변환제 C(흡수 파장: 760nm) 0.01g 및 폴리머(폴리(염화비닐-co-아세트산비닐(9:1))) 0.8g를 첨가하고, 로킹 밀을 사용하여 2시간 분산하여 균일한 분산액(도료 C)을 조제하고, 단열층(115) 상에 도포하고, 70℃에서 5분간 가열 건조 처리를 실시하여, 두께 3㎛의 옐로우 색을 띠는 기록층(112Y)을 형성한다.
Figure pct00005
마지막으로, 기록층(112Y) 상에, 예를 들면 인몰드 성형(in-mold molding) 등에 의해 형성된, 표면(면(113S1))에 요철 형상을 갖는 광투과 부재(113)를, 예를 들면 핫 멜트(hot melt)나 점착제, 접착제 등을 통해 접합한다. 이상에 의해, 도 3에 나타낸 감열성 기록 매체(100A)가 완성된다.
또한, 기록층(112M, 112C, 112Y) 및 단열층(114, 115)은, 상기 도포 이외의 방법을 이용하여 형성해도 상관없다. 예를 들면, 그라비어 도포, 스프레이 도포, 스핀 코트, 슬릿 코트 등의 일반적인 성막 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 이 외에, 웨트 온 웨트(Wet on Wet)와 같이 연속 적층하거나, 웨트 온 드라이(Wet on Dry)와 같이 그때마다 건조시키고 나서 다음 층을 성막하거나, 라미네이트법과 같이 드라이 필름을 접합하도록 해도 되고, 적층 방법은 특별히 한정되지 않는다. 그 밖에, 기록층(112M, 112C, 112Y)은, 예를 들면, 지지 기재(111)를 도료에 침지하여 기록층(112M, 112C, 112Y)을 각각 형성하도록 해도 된다.
(1-3. 묘화 및 소거 장치의 구성)
다음으로, 본 실시형태에 관련되는 묘화 및 소거 장치(1)에 대해 설명한다.
묘화 및 소거 장치(1)는, 예를 들면, 신호 처리 회로(10)(제어부), 레이저 구동 회로(20), 광원부(30), 합파부(40), 스캐너부(50), 스캐너 구동 회로(60), 조정 기구(70), 보정 기구(80) 및 스테이지(90)를 구비하고 있다.
신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 입력된 신호(Din)(묘화 신호 또는 소거 신호)를 광원부(30)의 각 광원(예를 들면, 후술하는 각 광원(31A, 31B, 31C))의 파장에 따른 화상 신호로 변환(색영역 변환)하는 것이다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 스캐너부(50)의 스캐너 동작에 동기한 투영 영상 클록 신호를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 생성한 화상 신호대로 레이저광이 발광하도록 한 투영 화상 신호(묘화용의 투영 화상 신호 또는 소거용의 투영 화상 신호)를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 생성한 투영 화상 신호를, 레이저 구동 회로(20)에 출력한다. 또한, 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 필요에 따라, 투영 화상 클록 신호를, 레이저 구동 회로(20)에 출력한다. 여기서, 「필요에 따라」란, 후술하는 바와 같이, 고주파 신호의 신호원을 화상 신호에 동기시킬 때에 투영 화상 클록 신호를 사용하는 경우 등이다. 본 실시형태에서, 신호 처리 회로(10)는, 나아가, 후술하는 보정부(82)로부터 피드백된 보정량의 계산 결과에 기초하여 보정량을 결정하고, 1축 스캐너(51)를 제어하는 보정 신호를 생성하고, 조정 기구(83)에 출력하는 것이다.
레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 각 파장에 따른 투영 영상 신호에 따라 광원부(30)의 각 광원(31A, 31B, 31C)을 구동하는 것이다. 레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 투영 화상 신호에 따른 화상(묘화용의 화상 또는 소거용의 화상)을 묘화하기 위해 레이저광의 휘도(명암)를 컨트롤한다. 레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 광원(31A)을 구동하는 구동 회로(21A)와, 광원(31B)을 구동하는 구동 회로(21B)와, 광원(31C)을 구동하는 구동 회로(21C)를 가지고 있다. 광원(31A, 31B, 31C)은, 근적외 영역(700nm∼2500nm)의 레이저광을 출사한다. 광원(31A)은, 예를 들면, 발광 파장(λ1)의 레이저광(La)을 출사하는 반도체 레이저이다. 광원(31B)은, 예를 들면, 발광 파장(λ2)의 레이저광(Lb)을 출사하는 반도체 레이저이다. 광원(31C)은, 예를 들면, 발광 파장(λ3)의 레이저광(Lc)을 출사하는 반도체 레이저이다. 발광 파장(λ1, λ2, λ3)은, 예를 들면, 이하의 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하고 있다.
λa1-20nm < λ1 < λa1+20nm … (1)
λa2-20nm < λ2 < λa2+20nm … (2)
λa3-20nm < λ3 < λa3+20nm … (3)
여기서, λa1은, 예를 들면 기록층(112M)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 915nm이다. λa2는, 예를 들면 기록층(112C)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 860nm이다. λa3은, 예를 들면 기록층(112Y)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 760nm이다. 또한, 식(1), 식(2) 및 식(3)에 있어서의 「±20nm」는, 허용오차 범위를 의미하고 있다. 발광 파장(λ1, λ2, λ3)이 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하는 경우, 발광 파장(λ1)은, 예를 들면 915nm이며, 발광 파장(λ2)은, 예를 들면 860nm이며, 발광 파장(λ3)은, 예를 들면 760nm이다.
광원부(30)는, 감열성 기록 매체(100)에의 정보의 기입 및 기입된 정보의 소거에 이용되는 광원을 갖는 것이다. 광원부(30)는, 예를 들면 3개의 광원(31A, 31B, 31C)을 가지고 있다.
합파부(40)는, 예를 들면, 2개의 반사 미러(41a, 41d)와, 2개의 다이크로익 미러(dichroic mirror)(41b, 41c)를 갖는 것이다. 광원(31A, 31B, 31C)으로부터 출사된 각 레이저광(La, Lb, Lc)은, 예를 들면, 콜리메이트 렌즈에 의해 거의 평행광(콜리메이트광)으로 된다. 그 후, 예를 들면, 레이저광(La)은, 반사 미러(41a)에 의해 반사됨과 함께 다이크로익 미러(41b)에 의해 반사된다. 레이저광(Lb)은, 다이크로익 미러(41b, 41c)를 투과한다. 레이저광(Lc)은, 반사 미러(41d)에 의해 반사됨과 함께 다이크로익 미러(41c)에 의해 반사된다. 이에 의해, 레이저광(La), 레이저광(Lb) 및 레이저광(Lc)이 합파된다. 광원부(30)는, 또한 합파에 의해 얻어진 합파광(Lm)의 빔 형상을 조정하는 렌즈(42)를 갖는다. 합파부(40)는, 예를 들면, 합파에 의해 얻어진 합파광(Lm)을 스캐너부(50)에 출력한다.
스캐너부(50)는, 예를 들면, 합파부(40)로부터 입사된 합파광(Lm)을, 감열성 기록 매체(100)의 표면 상에서 선 순차로 주사시키는 것이다. 스캐너부(50)는, 예를 들면, 1축 스캐너(51)와, 1축 스캐너(52)와, fθ 렌즈(53)를 가지고 있다. 1축 스캐너(51)는, 예를 들면 갈바노 미러(galvanometer mirror)이며, 광투과 부재(113)에 있어서의 합파광(Lm)의 입사각 또는 입사 위치를 보정하는 것이다. 1축 스캐너(52)는, 예를 들면 갈바노 미러이며, 1축 스캐너(52)에 의한 주사 방향이, 예를 들면 주 주사 방향이 된다.
스캐너 구동 회로(60)는, 예를 들면, 신호 처리 회로(10)로부터 입력된 투영 영상 클록 신호에 동기하여, 스캐너부(50)를 구동하는 것이다. 또한, 스캐너 구동 회로(60)는, 예를 들면, 스캐너부(50)로부터 2축 스캐너(51) 등의 조사 각도에 관한 신호가 입력되는 경우에는, 그 신호에 기초하여, 원하는 조사 각도가 되도록 스캐너부(50)를 구동한다.
조정 기구(70)는, 합파광(Lm)의 초점을 조정하기 위한 기구이다. 조정 기구(70)는, 예를 들면, 사용자에 의한 수동 조작에 의해 렌즈(42)의 위치를 조정하는 기구이다. 또한, 조정 기구(70)는, 기계에 의한 조작에 의해 렌즈(42)의 위치를 조정하는 기구여도 된다.
보정 기구(80)는, 예를 들면, 접수부(81)와, 보정부(82)와, 조정 기구(83)를 갖는다. 접수부(81)는, 예를 들면, 광투과 부재(113)의 정보를 취득하는 것이다. 보정부(82)는, 접수부(81)에서 취득된 광투과 부재(113)의 정보를 기초로, 광투과 부재(113)를 투과한 합파광(Lm)의 기록층(112)에 있어서의 광축 어긋남을 예측하고, 그 예측 결과로부터, 입력된 신호(Din)에 의거한 묘화 화상을 얻기 위해 필요한 보정량을 계산하는 것이다. 나아가, 보정부(82)는, 입력된 신호(Din)에 의거한 묘화 화상을 얻는 데에 필요한, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각도나 입사 위치의 시프트량을 계산하고, 신호 처리 회로(10)에 계산 결과를 피드백하는 것이다. 조정 기구(83)는, 신호 처리 회로(10)로부터 입력된 보정 신호에 기초하여, 1축 스캐너(51)의 각도를 조정하고, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각 및 입사 위치를 조정한다.
스테이지(90)는, 감열성 기록 매체(100)를 고정함과 함께, 감열성 기록 매체(100)를, 주 주사 방향과 직교하는 부 주사 방향으로 이동시키는 것이다.
(1-4. 묘화 방법 및 소거 방법)
다음으로, 감열성 기록 매체(100)에의 정보의 기입(묘화) 및 소거에 대해 도 1을 이용하여 설명한다.
(기입)
먼저, 감열성 기록 매체(100)를 준비한다(스텝(S101)). 다음으로, 감열성 기록 매체(100)의 기록층(112) 상에 마련된 광투과 부재(113)의 정보를 취득한다(스텝(S102)). 여기서, 정보란, 예를 들면 광투과 부재(113)의 표면 형상 및 굴절률 등이다. 이들은, 외부로부터 입력해도 되고, 묘화 및 소거 장치(1)에서 측정해도 된다.
이어서, 광투과 부재(113)의 정보를 기초로, 광투과 부재(113)를 투과한 합파광(Lm)의 광축 어긋남을 예측한다(스텝(S103)). 이 합파광(Lm)의 광축 어긋남은, 예를 들면, 광학 시뮬레이션으로부터 예측한다.
다음으로, 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산한다(스텝(S104)). 본 실시형태에서, 보정량은, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각의 경사나 입사 위치의 시프트량이다. 도 4a는, 표면이 평탄한 광투과 부재를 갖는 기록층에 묘화할 때, 즉, 보정 없는 상태로 레이저광(L)을 조사했을 때의 원하는 묘화 위치(X0)와 실제의 묘화 위치(X1)의 어긋남량(Δ)을 나타낸 것이다. 본 실시형태에서는, 이 어긋남량(Δ)을 스텝(S103)에서 예측하고, 그 예측 결과를 기초로, 스텝(S104)에 있어서, 원하는 묘화 위치(X0)에 묘화하는 데에 필요한 광투과 부재(113)에 대한 레이저광(L)의 입사각의 경사(도 4b)나, 광투과 부재(113)에의 레이저광(L)의 입사 위치의 시프트량(도 4c)을 계산한다.
이어서, 이 계산 결과를, 예를 들면 신호 처리 회로(10)에 피드백한다(스텝(S105)). 신호 처리 회로(10)에서는, 이 계산 결과에 기초하여 보정량을 결정(스텝(S106))하고, 감열성 기록 매체(100)에의 묘화를 개시한다(스텝(S107)).
감열성 기록 매체(100)에의 묘화는 다음과 같이 행해진다. 먼저, 감열성 기록 매체(100)를 스테이지(90)에 세트한다. 다음으로, 신호 처리 회로(10)는, 입력 화상 신호(묘화 신호(D1in))에 기초하여, 구동하는 광원을 선택한다. 신호 처리 회로(10)는, 묘화 신호(D1in)에 기초하여 선택한 광원을 구동하기 위한 투영 영상 신호를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 생성한 투영 화상 신호를 레이저 구동 회로(20)에 출력하여 광원부(30)를 제어한다. 이에 의해, 예를 들면 발광 파장 915nm의 레이저광(La), 860nm의 레이저광(Lb) 및 760nm의 레이저광(Lc)을 적절히 합파함으로써 얻어진 합파광(Lm1)이, 묘화 및 소거 장치(1)의 세트로부터 감열성 기록 매체(100)에 조사된다.
그 결과, 예를 들면, 발광 파장 915nm의 레이저광(La 광)이 기록층(112M) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112M) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 마젠타 색을 발색한다. 마젠타 색의 발색 농도는, 발광 파장 915nm의 레이저광의 강도에 따른다. 또한, 발광 파장 860nm의 레이저광이, 기록층(112C) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 그로 인해, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112C) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 시안 색을 발색한다. 시안 색의 발색 농도는, 발광 파장 860nm의 레이저광의 강도에 따른다. 또한, 발광 파장 760nm의 레이저광이, 기록층(112Y) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 그로 인해, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112Y) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 황색을 발색한다. 황색의 발색 농도는, 발광 파장 760nm의 레이저광의 강도에 따른다. 그 결과, 마젠타 색, 시안 색 및 황색의 혼색에 의해, 원하는 색이 발색한다. 이와 같이 하여, 감열성 기록 매체(100)에 있어서의 정보의 기입이 행해진다.
본 실시형태에서는, 스캐너부(50)에 1축 스캐너를 2개(1축 스캐너(51, 52)) 배치하고, 일방을 합파부(40)로부터 입사된 합파광(Lm)의 광축 보정 미러로서 사용하고, 신호 처리 회로(10)로부터 조정 기구(83)에 출력된 보정 신호에 기초하여, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각 및 입사 위치의 일방 또는 그 양쪽 모두를 조정하도록 하였다. 이에 의해, 기록층(112)에는, 입력 화상 신호에 의거한 기입이 행해지게 된다.
(소거)
도 1에 나타낸 묘화 방법의 순서는, 감열성 기록 매체(100)에 기입된 정보의 소거에도 적용된다. 먼저, 상기와 같이 하여 정보가 기입된 감열성 기록 매체(100)를 준비(스텝(S101))하고, 묘화 및 소거 장치(1)에 세트한 후, 기입 시와 마찬가지로, 감열성 기록 매체(100)의 기록층(112) 상에 마련된 광투과 부재(113)의 정보를 취득(스텝(S102))하고, 광축 어긋남의 예측(스텝(S103)), 보정량의 계산(스텝(S104)), 신호 처리 회로(10)에의 계산 결과의 피드백(스텝(S105)) 및 보정량의 결정(스텝(S106))을 거쳐, 다음과 같이 소거 조작을 개시한다.
묘화 및 소거 장치(1)에 세트된 감열성 기록 매체(100)에 레이저광을 조사하기 위해 광원부(30)를 제어한다. 이 때, 신호 처리 회로(10)는, 감열성 기록 매체(100)에의 레이저광의 조사 시에, 발광 파장이 λ1인 레이저광(La)과, 발광 파장이 λ2인 레이저광(Lb)과, 발광 파장이 λ3인 레이저광(Lc)을 사용한다.
여기서, 파장(λ1, λ2, λ3)이, 상기 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하고 있는 것으로 한다. 이 경우에는, 발광 파장(λ1)(예를 들면, 915nm)의 레이저광(La)이, 예를 들면, 기록층(112M) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 또한, 발광 파장(λ2)(예를 들면, 860nm)의 레이저광(Lb)이, 예를 들면, 기록층(112C) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 또한, 발광 파장(λ3)(예를 들면, 760nm)의 레이저광(Lc)이, 예를 들면, 기록층(113Y) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 이들에 의해, 기록층(112M, 112C, 112Y) 내의 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 각 기록층(112) 내의 류코 색소가 소거 온도에 도달하고, 현색/감색제와 분리하여 소색한다. 이와 같이 하여, 묘화 및 소거 장치(1)는, 감열성 기록 매체(100)에 기입된 정보(묘화 화상)의 소거를 행한다.
이 때, 스캐너부(50)에 1축 스캐너를 2개(1축 스캐너(51, 52)) 배치하고, 일방을 합파부(40)로부터 입사된 합파광(Lm)의 광축 보정 미러로서 사용하고, 신호 처리 회로(10)로부터 조정 기구(83)에 출력된 보정 신호에 기초하여, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각 및 입사 위치의 일방 또는 그 양쪽 모두를 조정한다. 이에 의해, 기록층(112)에는, 입력 화상 신호에 의거한 소거가 행해지게 된다.
(1-5. 작용·효과)
전술한 바와 같이, 레이저를 이용하는 감열 기록 기술에서는, 예를 들면, 서멀 헤드를 이용하는 접촉 방식의 기록 방법과는 달리, 비접촉으로 기록할 수 때문에, 감열 기록층이 최표면에 존재하지 않아도 묘화가 가능하게 되어 있다. 예를 들면, 두꺼운 유리 너머로 묘화할 수 있고, 지금까지 없던 정보 기록, 또는, 장식 기술 등에 응용할 수 있는 것으로 기대되고 있다.
그런데, 감열 기록 매체의 상부에는 광투과성을 갖는 구조체가 표장에 배치되어 있지만, 장식 용도에서는, 표장에 마련되는 광투과성을 갖는 구조체(표장 부재)는, 반드시 균일한 두께를 갖고 있는 것으로 한정되지 않고, 예를 들면 기하학적인 단면 형상을 갖는 경우도 상정된다. 그 경우, 레이저광은, 표장 부재의 표면에서 굴절 또는 빔 직경의 변화 등이 생기고, 의도하는 화상 정보가 2차원 좌표로서 일대일로 감열 기록 매체에 옮길 수 없으며, 묘화 화상의 왜곡이나, 묘화 얼룩이 발생하고, 표시 품위가 저하될 우려가 있다.
일례로서, 본 실시형태와 같이 표면에 요철 형상을 갖는 광투과 부재(113)에 대해, 그 요철 형상을 구성하는 경사면에 레이저광(L)을 직접 입사시키면, 레이저광(L)은, 광투과 부재(113)의 표면에서 굴절하고, 예를 들면 도 5에 나타낸 바와 같이, 상정한 묘화 위치로부터 Δ만큼 축 어긋남이 발생한다. 또는, 광투과 부재(113)의 렌즈 효과에 의해 레이저광(L)의 스폿 직경이 변화하고, 파워 밀도가 변화한다. 레이저광(L)의 축 어긋남은 묘화 화상의 왜곡으로, 파워 밀도의 변화는 묘화 얼룩으로 이어지며, 균질한 묘화를 할 수 없게 되는 것이 염려된다.
도 6은 표장 부재의 두께와 레이저광의 축 어긋남량의 관계를 나타낸 것이다. 예를 들면, 도 5에 나타낸 바와 같은 경사면을 갖는 표장 부재에 있어서의 축 어긋남량은, 레이저광의 입사 위치에 있어서의 부재의 두께(h) 및 경사각(θ)에 따라 다르지만, 예를 들면 n=1.5의 경우, 수백 ㎛ 이상의 축 어긋남이 생기는 경우가 있다. 그 경우, 분명히 시인할 수 있는 묘화 화상의 왜곡으로 되고, 상품성이 저하된다.
도 7 내지 도 12는, 표장 부재의 표면 형상의 묘화 화상에의 영향을 보다 상세하게 설명한 것이다. 예를 들면, 도 7에 나타낸 바와 같이, 표면이 평탄한 표장 부재(1113)에 소정의 피치로 레이저광(L1, L2, L3, L4)을 조사하면, 기록층(1112)에는, 레이저광(L1, L2, L3, L4)의 피치에 의거한 묘화가 행해진다(묘화 위치(X1, X2, X3, X4)). 이에 대해, 도 8에 나타낸 바와 같은 마이크로렌즈 어레이(표장 부재(2113))에 레이저광(L1, L2, L3, L4)을 조사하면, 기록층(1112)에의 묘화 위치는, 레이저광(L1, L2, L3, L4)의 입사 위치에 있어서의 마이크로렌즈 어레이의 표면 형상에 의해 변동한다(묘화 위치(X1, X2', X3', X4)).
또한, 예를 들면, 도 7에 나타낸 바와 같은 표면이 평탄한 유리 기판에, X, Y 함께 400㎛ 피치로 빔을 조사한 경우, 그 스폿 위치는, 도 10에 나타낸 바와 같이 균일한 배치가 된다. 한편, 도 11의 (A), (B)에 나타낸 바와 같은, 예를 들면, 마이크로렌즈 어레이 파라미터(MLA 파라미터)로서, 평행 방향의 어레이 피치(PP): 10mm, 수직 방향의 어레이 피치(PV): 10mm, 렌즈 중심 두께(TC): 2mm, 렌즈 곡률반경(R): 10mm(볼록 형상) 및 MLA의 굴절률(n): 1.452322를 갖는 마이크로렌즈 어레이에 상기 빔을 조사한 경우, 그 스폿 위치는, 도 12에 나타낸 바와 같은 불균일한 배치가 된다. 또한, 도 11의 (B)는, 도 11의 (A)에 나타낸 점선 상의 단면을 나타낸 것이다.
이에 대해, 본 실시형태의 감열성 기록 매체(100)에의 묘화 방법 및 소거 방법에서는, 광투과 부재(113)의 정보를 취득하고, 광투과 부재(113)의 정보로부터, 기록층(112) 상에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고, 이 레이저광의 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산한 후, 기록층(112)에의 묘화 또는 기록층(112)에 묘화된 화상의 소거를 행하도록 하였다. 구체적으로는, 스캐너부(50)에, 보정용의 광학 부재로서 1축 스캐너(51)를 추가하고, 신호 처리 회로(10)로부터 조정 기구(83)에 출력된 보정 신호에 기초하여, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각 및 입사 위치를 조정하도록 하였다.
이상과 같이, 본 실시형태의 감열성 기록 매체(100)에의 묘화 방법 및 소거 방법에서는, 미리, 광투과 부재(113)에 의한 레이저광(L)의 광축 어긋남을 보정하는 보정량을 결정한 후, 감열성 기록 매체(100)에의 묘화를 개시하고, 예를 들면, 1축 스캐너(51)에 의해 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각 및 입사 위치를 조정하도록 하였다. 이에 의해, 감열성 기록 매체(100)에는, 입력된 신호(Gin)에 의거한 기입이 행해진다. 즉, 기록층(112)에는, 왜곡이 없는 묘화가 가능해지고, 표시 품위를 향상시키는 것이 가능해진다.
다음으로, 본 개시의 제2, 제3 실시형태에 대해 설명한다. 이하에서는, 상기 제1 실시형태와 같은 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 적절히 그 설명을 생략한다.
<2. 제2 실시형태>
도 13은 본 개시의 제2 실시형태에 관련되는 감열성 기록 매체(감열성 기록 매체(100))에의 묘화 방법의 순서를 나타낸 것이다. 도 14는 본 개시의 제2 실시형태에 관련되는 묘화 및 소거 장치(묘화 및 소거 장치(2))의 시스템 구성예를 나타낸 것이다. 본 실시형태의 묘화 방법 및 소거 방법은, 광투과 부재(113)의 정보를 취득하고, 광투과 부재(113)의 정보로부터, 기록층(112) 상에 있어서의 레이저광(L)의 광축 어긋남을 예측하고, 이 레이저광(L)의 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산한 후, 기록층(112)에의 묘화 또는 기록층(112)에 묘화된 화상의 소거를 행하는 것이다. 본 실시형태에서는, 감열성 기록 매체(100)를 고정하는 대좌부(스테이지(90))를 가동시켜, 감열성 기록 매체(100)의 광투과 부재(113)에 대한 레이저광(L)의 입사각 또는 입사 위치를 보정한다. 이에 의해, 예를 들면 기록층(112)에의 균일한 묘화가 가능해진다.
(2-1. 묘화 및 소거 장치의 구성)
묘화 및 소거 장치(2)는, 예를 들면, 신호 처리 회로(10)(제어부), 레이저 구동 회로(20), 광원부(30), 합파부(40), 스캐너부(50), 스캐너 구동 회로(60), 조정 기구(70), 보정 기구(80) 및 스테이지(90)를 구비하고 있다.
신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 입력된 신호(Din)(묘화 신호 또는 소거 신호)를 광원부(30)의 각 광원(예를 들면, 후술하는 각 광원(31A, 31B, 31C))의 파장에 따른 화상 신호로 변환(색영역 변환)하는 것이다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 스캐너부(50)의 스캐너 동작에 동기한 투영 영상 클록 신호를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 생성한 화상 신호대로 레이저광이 발광하도록 한 투영 화상 신호(묘화용의 투영 화상 신호 또는 소거용의 투영 화상 신호)를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 생성한 투영 화상 신호를, 레이저 구동 회로(20)에 출력한다. 또한, 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 필요에 따라, 투영 화상 클록 신호를, 레이저 구동 회로(20)에 출력한다. 여기서, 「필요에 따라」란, 후술하는 바와 같이, 고주파 신호의 신호원을 화상 신호에 동기시킬 때에 투영 화상 클록 신호를 이용하는 경우 등이다. 본 실시형태에서, 신호 처리 회로(10)는, 나아가, 후술하는 보정부(82)로부터 피드백된 보정량의 계산 결과에 기초하여 보정량을 결정하고, 스테이지(90)의 움직임을 제어하는 보정 신호를 생성하고, 조정 기구(84)에 출력하는 것이다.
레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 각 파장에 따른 투영 영상 신호에 따라 광원부(30)의 각 광원(31A, 31B, 31C)을 구동하는 것이다. 레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 투영 화상 신호에 따른 화상(묘화용의 화상 또는 소거용의 화상)을 묘화하기 위해 레이저광의 휘도(명암)를 컨트롤한다. 레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 광원(31A)을 구동하는 구동 회로(21A)와, 광원(31B)을 구동하는 구동 회로(21B)와, 광원(31C)을 구동하는 구동 회로(21C)를 가지고 있다. 광원(31A, 31B, 31C)은, 근적외 영역(700nm∼2500nm)의 레이저광을 출사한다. 광원(31A)은, 예를 들면, 발광 파장(λ1)의 레이저광(La)을 출사하는 반도체 레이저이다. 광원(31B)은, 예를 들면, 발광 파장(λ2)의 레이저광(Lb)을 출사하는 반도체 레이저이다. 광원(31C)은, 예를 들면, 발광 파장(λ3)의 레이저광(Lc)을 출사하는 반도체 레이저이다. 발광 파장(λ1, λ2, λ3)은, 예를 들면, 이하의 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하고 있다.
λa1-20nm < λ1 < λa1+20nm … (1)
λa2-20nm < λ2 < λa2+20nm … (2)
λa3-20nm < λ3 < λa3+20nm … (3)
여기서, λa1은, 예를 들면 기록층(112M)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 915nm이다. λa2는, 예를 들면 기록층(112C)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 860nm이다. λa3은, 예를 들면 기록층(112Y)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 760nm이다. 또한, 식(1), 식(2) 및 식(3)에 있어서의 「±20nm」는, 허용오차 범위를 의미하고 있다. 발광 파장(λ1, λ2, λ3)이 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하는 경우, 발광 파장(λ1)은, 예를 들면 915nm이며, 발광 파장(λ2)은, 예를 들면 860nm이며, 발광 파장(λ3)은, 예를 들면 760nm이다.
광원부(30)는, 감열성 기록 매체(100)에의 정보의 기입 및 기입된 정보의 소거에 이용되는 광원을 갖는 것이다. 광원부(30)는, 예를 들면 3개의 광원(31A, 31B, 31C)을 가지고 있다.
합파부(40)는, 예를 들면, 2개의 반사 미러(41a, 41d)와, 2개의 다이크로익 미러(41b, 41c)를 갖는 것이다. 광원(31A, 31B, 31C)으로부터 출사된 각 레이저광(La, Lb, Lc)은, 예를 들면, 콜리메이트 렌즈에 의해 거의 평행광(콜리메이트광)으로 된다. 그 후, 예를 들면, 레이저광(La)은, 반사 미러(41a)에 의해 반사됨과 함께 다이크로익 미러(41b)에 의해 반사된다. 레이저광(Lb)은, 다이크로익 미러(41b, 41c)를 투과한다. 레이저광(Lc)은, 반사 미러(41d)에 의해 반사됨과 함께 다이크로익 미러(41c)에 의해 반사된다. 이에 의해, 레이저광(La), 레이저광(Lb) 및 레이저광(Lc)이 합파된다. 광원부(30)는, 또한 합파에 의해 얻어진 합파광(Lm)의 빔 형상을 조정하는 렌즈(42)를 갖는다. 합파부(40)는, 예를 들면, 합파에 의해 얻어진 합파광(Lm)을 스캐너부(50)에 출력한다.
스캐너부(50)는, 예를 들면, 합파부(40)로부터 입사된 합파광(Lm)을, 감열성 기록 매체(100)의 표면 상에서 선 순차로 주사시키는 것이다. 스캐너부(50)는, 예를 들면, 1축 스캐너(52)와, fθ 렌즈(53)를 가지고 있다. 1축 스캐너(52)는, 예를 들면 갈바노 미러이며, 1축 스캐너(52)에 의한 주사 방향이, 예를 들면 주 주사 방향이 된다.
스캐너 구동 회로(60)는, 예를 들면, 신호 처리 회로(10)로부터 입력된 투영 영상 클록 신호에 동기하여, 스캐너부(50)를 구동하는 것이다. 또한, 스캐너 구동 회로(60)는, 예를 들면, 스캐너부(50)로부터 2축 스캐너(51) 등의 조사 각도에 관한 신호가 입력되는 경우에는, 그 신호에 기초하여, 원하는 조사 각도가 되도록 스캐너부(50)를 구동한다.
조정 기구(70)는, 합파광(Lm)의 초점을 조정하기 위한 기구이다. 조정 기구(70)는, 예를 들면, 사용자에 의한 수동 조작에 의해 렌즈(42)의 위치를 조정하는 기구이다. 또한, 조정 기구(70)는, 기계에 의한 조작에 의해 렌즈(42)의 위치를 조정하는 기구여도 된다.
보정 기구(80)는, 예를 들면, 접수부(81)와, 보정부(82)와, 조정 기구(83)를 갖는다. 접수부(81)는, 예를 들면, 광투과 부재(113)의 정보를 취득하는 것이다. 보정부(82)는, 접수부(81)에서 취득된 광투과 부재(113)의 정보를 기초로, 광투과 부재(113)를 투과한 합파광(Lm)의 기록층(112)에 있어서의 광축 어긋남을 예측하고, 그 예측 결과로부터, 입력된 신호(Din)에 의거한 묘화 화상을 얻기 위해 필요한 보정량을 계산하는 것이다. 나아가, 보정부(82)는, 입력된 신호(Din)에 의거한 묘화 화상을 얻는 데에 필요한, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각도나 입사 위치의 시프트량을 계산하고, 신호 처리 회로(10)에 계산 결과를 피드백하는 것이다. 조정 기구(84)는, 신호 처리 회로(10)로부터 입력된 보정 신호에 기초하여, 스테이지(90)의 위치 및 경사를 조정하여, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각 및 입사 위치를 조정하는 것이다.
스테이지(90)는, 감열성 기록 매체(100)를 고정함과 함께, 감열성 기록 매체(100)를, 주 주사 방향과 직교하는 부 주사 방향으로 이동시키는 것이다. 또한, 본 실시형태에서는, 감열성 기록 매체(100)의 경사를 조정하기 위한 것이다.
(2-2. 묘화 방법 및 소거 방법)
다음으로, 감열성 기록 매체(100)에의 정보의 기입(묘화) 및 소거에 대해 도 13을 이용하여 설명한다.
(기입)
먼저, 감열성 기록 매체(100)를 준비한다(스텝(S201)). 다음으로, 감열성 기록 매체(100)의 기록층(112) 상에 마련된 광투과 부재(113)의 정보를 취득한다(스텝(S202)). 여기서, 정보란, 예를 들면 광투과 부재(113)의 표면 형상 및 굴절률 등이다. 이들은, 외부로부터 입력해도 되고, 묘화 및 소거 장치(1)에서 측정해도 된다.
이어서, 광투과 부재(113)의 정보를 기초로, 광투과 부재(113)를 투과한 합파광(Lm)의 광축 어긋남을 예측한다(스텝(S203)). 이 합파광(Lm)의 광축 어긋남은, 예를 들면, 광학 시뮬레이션으로부터 예측한다.
다음으로, 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산한다(스텝(S204)). 본 실시형태에서는, 보정량은, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각의 경사나 입사 위치의 시프트량이다.
이어서, 이 계산 결과를, 예를 들면 신호 처리 회로(10)에 피드백한다(스텝(S205)). 신호 처리 회로(10)에서는, 이 계산 결과에 기초하여 보정량을 결정(스텝(S206))하고, 감열성 기록 매체(100)에의 묘화를 개시한다(스텝(S207)).
감열성 기록 매체(100)에의 묘화는 다음과 같이 행해진다. 먼저, 감열성 기록 매체(100)를 스테이지(90)에 세트한다. 다음으로, 신호 처리 회로(10)는, 입력 화상 신호(묘화 신호(D1in))에 기초하여, 구동하는 광원을 선택한다. 신호 처리 회로(10)는, 묘화 신호(D1in)에 기초하여 선택한 광원을 구동하기 위한 투영 영상 신호를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 생성한 투영 화상 신호를 레이저 구동 회로(20)에 출력하여 광원부(30)를 제어한다. 이에 의해, 예를 들면 발광 파장 915nm의 레이저광(La), 860nm의 레이저광(Lb) 및 760nm의 레이저광(Lc)을 적절히 합파함으로써 얻어진 합파광(Lm1)이, 묘화 및 소거 장치(1)의 세트로부터 감열성 기록 매체(100)에 조사된다.
그 결과, 예를 들면, 발광 파장 915nm의 레이저광(La 광)이 기록층(112M) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112M) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 마젠타 색을 발색한다. 마젠타 색의 발색 농도는, 발광 파장 915nm의 레이저광의 강도에 따른다. 또한, 발광 파장 860nm의 레이저광이, 기록층(112C) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 그로 인해, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112C) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 시안 색을 발색한다. 시안 색의 발색 농도는, 발광 파장 860nm의 레이저광의 강도에 따른다. 또한, 발광 파장 760nm의 레이저광이, 기록층(112Y) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 그로 인해, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112Y) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 황색을 발색한다. 황색의 발색 농도는, 발광 파장 760nm의 레이저광의 강도에 따른다. 그 결과, 마젠타 색, 시안 색 및 황색의 혼색에 의해, 원하는 색이 발색한다. 이와 같이 하여, 감열성 기록 매체(100)에 있어서의 정보의 기입이 행해진다.
본 실시형태에서는, 스테이지(90)를, 평면 방향(부 주사 방향)의 이동 외에, 예를 들면, ±90°의 범위에서 회전할 수 있도록 하여, 조정 기구(84)에 의해 스테이지(90)의 움직임을 제어하도록 하였다. 이에 의해, 예를 들면 도 15a에 나타낸 바와 같이, 스테이지(90)를, 예를 들면 X축 방향으로 이동시킴으로써, 광투과 부재(113)에의 레이저광(L)의 입사 위치를 조정하는 것이 가능해진다. 또한, 예를 들면 도 15b에 나타낸 바와 같이, 스테이지(90)를 회전시킴으로써, 광투과 부재(113)에 대한 레이저광(L)의 입사각을 조정하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 기록층(112)에는, 입력 화상 신호에 의거한 기입이 행해진다.
(소거)
도 13에 나타낸 묘화 방법의 순서는, 감열성 기록 매체(100)에 기입된 정보의 소거에도 적용된다. 먼저, 상기와 같이 하여 정보가 기입된 감열성 기록 매체(100)를 준비(스텝(S201))하고, 묘화 및 소거 장치(2)에 세트한 후, 기입 시와 마찬가지로, 감열성 기록 매체(100)의 기록층(112) 상에 마련된 광투과 부재(113)의 정보를 취득(스텝(S202))하고, 광축 어긋남의 예측(스텝(S203)), 보정량의 계산(스텝(S204)), 신호 처리 회로(10)에의 계산 결과의 피드백(스텝(S205)) 및 보정량의 결정(스텝(S206))을 거쳐, 다음과 같이 소거 조작을 개시한다.
묘화 및 소거 장치(1)에 세트된 감열성 기록 매체(100)에 레이저광을 조사하기 위해 광원부(30)를 제어한다. 이 때, 신호 처리 회로(10)는, 감열성 기록 매체(100)에의 레이저광의 조사 시에, 발광 파장이 λ1인 레이저광(La)과, 발광 파장이 λ2인 레이저광(Lb)과, 발광 파장이 λ3인 레이저광(Lc)을 이용한다.
여기서, 파장(λ1, λ2, λ3)이, 상기 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하고 있는 것으로 한다. 이 경우에는, 발광 파장(λ1)(예를 들면, 915nm)의 레이저광(La)이, 예를 들면, 기록층(112M) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 또한, 발광 파장(λ2)(예를 들면, 860nm)의 레이저광(Lb)이, 예를 들면, 기록층(112C) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 또한, 발광 파장(λ3)(예를 들면, 760nm)의 레이저광(Lc)이, 예를 들면, 기록층(113Y) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 이들에 의해, 기록층(112M, 112C, 112Y) 내의 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 각 기록층(112) 내의 류코 색소가 소거 온도에 도달하고, 현색/감색제와 분리하여 소색한다. 이와 같이 하여, 묘화 및 소거 장치(1)는, 감열성 기록 매체(100)에 기입된 정보(묘화 화상)의 소거를 행한다.
이 때, 기입 시와 마찬가지로, 스테이지(90)를, 평면 방향(부 주사 방향)의 이동 외에, 예를 들면, ±90°의 범위에서 회전할 수 있도록 하여, 조정 기구(84)에 의해 스테이지(90)의 움직임을 제어한다. 이에 의해, 기록층(112)에는, 입력 화상 신호에 의거한 소거가 행해진다.
(2-3. 작용·효과)
이상과 같이, 본 실시형태의 감열성 기록 매체(100)에의 묘화 방법 및 소거 방법에서는, 미리, 광투과 부재(113)에 의한 레이저광(L)의 광축 어긋남을 보정하는 보정량을 결정한 후, 감열성 기록 매체(100)에의 묘화를 개시하고, 예를 들면, 감열성 기록 매체(100)를 고정하는 스테이지(90)를 가동시킴으로써, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각 및 입사 위치를 조정하도록 하였다. 이에 의해, 감열성 기록 매체(100)에는, 입력된 신호(Gin)에 의거한 기입이 행해진다. 즉, 기록층(112)에는, 왜곡이 없는 묘화가 가능해지고, 표시 품위를 향상시키는 것이 가능해진다.
<3. 제3 실시형태>
도 16은 본 개시의 제3 실시형태에 관련되는 감열성 기록 매체(감열성 기록 매체(100))에의 묘화 방법의 순서를 나타낸 것이다. 도 17은 본 개시의 제3 실시형태에 관련되는 묘화 및 소거 장치(묘화 및 소거 장치(3))의 시스템 구성예를 나타낸 것이다. 본 실시형태의 묘화 방법 및 소거 방법은, 광투과 부재(113)의 정보를 취득하고, 광투과 부재(113)의 정보로부터, 기록층(112) 상에 있어서의 레이저광(L)의 광축 어긋남을 예측하고, 이 레이저광(L)의 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산한 후, 기록층(112)에의 묘화 또는 기록층(112)에 묘화된 화상의 소거를 행하는 것이다. 본 실시형태에서는, 입력된 신호(Din)를 보정하고, 상기 예측 결과로부터 계산된 보정량을 가미한 보정 화상 신호에 기초하여 묘화 또는 소거를 행한다. 이에 의해, 예를 들면 기록층(112)에의 균일한 묘화가 가능해진다.
(3-1. 묘화 및 소거 장치의 구성)
묘화 및 소거 장치(2)는, 예를 들면, 신호 처리 회로(10)(제어부), 레이저 구동 회로(20), 광원부(30), 합파부(40), 스캐너부(50), 스캐너 구동 회로(60), 조정 기구(70), 보정 기구(80) 및 스테이지(90)를 구비하고 있다.
신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 입력된 신호(Din)(묘화 신호 또는 소거 신호)를 광원부(30)의 각 광원(예를 들면, 후술하는 각 광원(31A, 31B, 31C))의 파장에 따른 화상 신호로 변환(색영역 변환)하는 것이다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 스캐너부(50)의 스캐너 동작에 동기한 투영 영상 클록 신호를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 생성한 화상 신호(후술하는 보정 화상 신호)대로 레이저광이 발광하도록 한 투영 화상 신호(묘화용의 투영 화상 신호 또는 소거용의 투영 화상 신호)를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 생성한 투영 화상 신호를, 레이저 구동 회로(20)에 출력한다. 또한, 신호 처리 회로(10)는, 예를 들면, 필요에 따라, 투영 화상 클록 신호를, 레이저 구동 회로(20)에 출력한다. 여기서, 「필요에 따라」란, 후술하는 바와 같이, 고주파 신호의 신호원을 화상 신호에 동기시킬 때에 투영 화상 클록 신호를 이용하는 경우 등이다. 본 실시형태에서, 신호 처리 회로(10)는, 나아가, 후술하는 보정부(82)로부터 피드백된 보정량의 계산 결과에 기초하여 보정량을 결정하고, 입력된 신호(Din)에 이 보정량을 가미한 보정 화상 신호를 생성한다.
레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 각 파장에 따른 투영 영상 신호에 따라 광원부(30)의 각 광원(31A, 31B, 31C)을 구동하는 것이다. 레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 투영 화상 신호에 따른 화상(묘화용의 화상 또는 소거용의 화상)을 묘화하기 위해 레이저광의 휘도(명암)를 컨트롤한다. 레이저 구동 회로(20)는, 예를 들면, 광원(31A)을 구동하는 구동 회로(21A)와, 광원(31B)을 구동하는 구동 회로(21B)와, 광원(31C)을 구동하는 구동 회로(21C)를 가지고 있다. 광원(31A, 31B, 31C)은, 근적외 영역(700nm∼2500nm)의 레이저광을 출사한다. 광원(31A)은, 예를 들면, 발광 파장(λ1)의 레이저광(La)을 출사하는 반도체 레이저이다. 광원(31B)은, 예를 들면, 발광 파장(λ2)의 레이저광(Lb)을 출사하는 반도체 레이저이다. 광원(31C)은, 예를 들면, 발광 파장(λ3)의 레이저광(Lc)을 출사하는 반도체 레이저이다. 발광 파장(λ1, λ2, λ3)은, 예를 들면, 이하의 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하고 있다.
λa1-20nm < λ1 < λa1+20nm … (1)
λa2-20nm < λ2 < λa2+20nm … (2)
λa3-20nm < λ3 < λa3+20nm … (3)
여기서, λa1은, 예를 들면 기록층(112M)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 915nm이다. λa2는, 예를 들면 기록층(112C)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 860nm이다. λa3은, 예를 들면 기록층(112Y)의 흡수 파장(흡수 피크 파장)이며, 예를 들면 760nm이다. 한편, 식(1), 식(2) 및 식(3)에 있어서의 「±20nm」는, 허용오차 범위를 의미하고 있다. 발광 파장(λ1, λ2, λ3)이 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하는 경우, 발광 파장(λ1)은, 예를 들면 915nm이며, 발광 파장(λ2)은, 예를 들면 860nm이며, 발광 파장(λ3)은, 예를 들면 760nm이다.
광원부(30)는, 감열성 기록 매체(100)에의 정보의 기입 및 기입된 정보의 소거에 이용되는 광원을 갖는 것이다. 광원부(30)는, 예를 들면 3개의 광원(31A, 31B, 31C)을 가지고 있다.
합파부(40)는, 예를 들면, 2개의 반사 미러(41a, 41d)와, 2개의 다이크로익 미러(41b, 41c)를 갖는 것이다. 광원(31A, 31B, 31C)으로부터 출사된 각 레이저광(La, Lb, Lc)은, 예를 들면, 콜리메이트 렌즈에 의해 거의 평행광(콜리메이트광)으로 된다. 그 후, 예를 들면, 레이저광(La)은, 반사 미러(41a)에 의해 반사됨과 함께 다이크로익 미러(41b)에 의해 반사된다. 레이저광(Lb)은, 다이크로익 미러(41b, 41c)를 투과한다. 레이저광(Lc)은, 반사 미러(41d)에 의해 반사됨과 함께 다이크로익 미러(41c)에 의해 반사된다. 이에 의해, 레이저광(La), 레이저광(Lb) 및 레이저광(Lc)이 합파된다. 광원부(30)는, 또한 합파에 의해 얻어진 합파광(Lm)의 빔 형상을 조정하는 렌즈(42)를 갖는다. 합파부(40)는, 예를 들면, 합파에 의해 얻어진 합파광(Lm)을 스캐너부(50)에 출력한다.
스캐너부(50)는, 예를 들면, 합파부(40)로부터 입사된 합파광(Lm)을, 감열성 기록 매체(100)의 표면 상에서 선 순차로 주사시키는 것이다. 스캐너부(50)는, 예를 들면, 1축 스캐너(52)와, fθ 렌즈(53)를 가지고 있다. 1축 스캐너(52)는, 예를 들면 갈바노 미러이며, 1축 스캐너(52)에 의한 주사 방향이, 예를 들면 주 주사 방향이 된다.
스캐너 구동 회로(60)는, 예를 들면, 신호 처리 회로(10)로부터 입력된 투영 영상 클록 신호에 동기하여, 스캐너부(50)를 구동하는 것이다. 또한, 스캐너 구동 회로(60)는, 예를 들면, 스캐너부(50)로부터 2축 스캐너(51) 등의 조사 각도에 관한 신호가 입력되는 경우에는, 그 신호에 기초하여, 원하는 조사 각도가 되도록 스캐너부(50)를 구동한다.
조정 기구(70)는, 합파광(Lm)의 초점을 조정하기 위한 기구이다. 조정 기구(70)는, 예를 들면, 사용자에 의한 수동 조작에 의해 렌즈(42)의 위치를 조정하는 기구이다. 또한, 조정 기구(70)는, 기계에 의한 조작에 의해 렌즈(42)의 위치를 조정하는 기구여도 된다.
보정 기구(80)는, 예를 들면, 접수부(81)와, 보정부(82)를 갖는다. 접수부(81)는, 예를 들면, 광투과 부재(113)의 정보를 취득하는 것이다. 보정부(82)는, 접수부(81)에서 취득된 광투과 부재(113)의 정보를 기초로, 광투과 부재(113)를 투과한 합파광(Lm)의 기록층(112)에 있어서의 광축 어긋남을 예측하고, 그 예측 결과로부터, 입력된 신호(Din)에 의거한 묘화 화상을 얻기 위해 필요한 보정량을 계산하는 것이다. 나아가, 보정부(82)는, 입력된 신호(Din)에 의거한 묘화 화상을 얻는 데에 필요한, 광투과 부재(113)에 대한 합파광(Lm)의 입사각도나 입사 위치의 시프트량을 계산하고, 신호 처리 회로(10)에 계산 결과를 피드백하는 것이다.
스테이지(90)는, 감열성 기록 매체(100)를 고정함과 함께, 감열성 기록 매체(100)를, 주 주사 방향과 직교하는 부 주사 방향으로 이동시키는 것이다.
(3-2. 묘화 방법 및 소거 방법)
다음으로, 감열성 기록 매체(100)에의 정보의 기입(묘화) 및 소거에 대해 도 16을 이용하여 설명한다.
(기입)
먼저, 감열성 기록 매체(100)를 준비한다(스텝(S301)). 다음으로, 감열성 기록 매체(100)의 기록층(112) 상에 마련된 광투과 부재(113)의 정보를 취득한다(스텝(S302)). 여기서, 정보란, 예를 들면 광투과 부재(113)의 표면 형상 및 굴절률 등이다. 이들은, 외부로부터 입력해도 되고, 묘화 및 소거 장치(1)에서 측정해도 된다.
이어서, 광투과 부재(113)의 정보를 기초로, 광투과 부재(113)를 투과한 합파광(Lm)의 광축 어긋남을 예측한다(스텝(S303)). 도 18a는 입력 화상의 일례를 나타낸 것이다. 도 18b는 시뮬레이션에 의한 입력 화상의 왜곡 예측을 나타낸 것이다.
다음으로, 상기 예측 결과로부터 보정량을 계산한다(스텝(S304)). 이어서, 이 계산 결과를, 예를 들면 신호 처리 회로(10)에 피드백한다(스텝(S305)). 신호 처리 회로(10)에서는, 이 계산 결과에 기초하여 보정량을 결정(스텝(S306))한 후, 입력된 신호(Din)를 보정한 보정 화상 신호를 생성(예를 들면, 도 18c)하고, 이 보정 화상 신호를 이용하여 감열성 기록 매체(100)에의 묘화를 개시한다(스텝(S307).
감열성 기록 매체(100)에의 묘화는 다음과 같이 행해진다. 먼저, 감열성 기록 매체(100)를 스테이지(90)에 세트한다. 다음으로, 신호 처리 회로(10)는, 입력 화상 신호(묘화 신호(D1in))에 기초하여, 구동하는 광원을 선택한다. 신호 처리 회로(10)는, 묘화 신호(D1in)에 기초하여 선택한 광원을 구동하기 위한 투영 영상 신호를 생성한다. 신호 처리 회로(10)는, 생성한 투영 화상 신호를 레이저 구동 회로(20)에 출력하여 광원부(30)를 제어한다. 이에 의해, 예를 들면 발광 파장 915nm의 레이저광(La), 860nm의 레이저광(Lb) 및 760nm의 레이저광(Lc)을 적절히 합파함으로써 얻어진 합파광(Lm1)이, 묘화 및 소거 장치(1)의 세트로부터 감열성 기록 매체(100)에 조사된다.
그 결과, 예를 들면, 발광 파장 915nm의 레이저광(La 광)이 기록층(112M) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112M) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 마젠타 색을 발색한다. 마젠타 색의 발색 농도는, 발광 파장 915nm의 레이저광의 강도에 따른다. 또한, 발광 파장 860nm의 레이저광이, 기록층(112C) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 그로 인해, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112C) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 시안 색을 발색한다. 시안 색의 발색 농도는, 발광 파장 860nm의 레이저광의 강도에 따른다. 또한, 발광 파장 760nm의 레이저광이, 기록층(112Y) 내의 광열 변환제에 흡수되고, 그로 인해, 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 기록층(112Y) 내의 류코 색소가 기입 온도에 도달하고, 현색/감색제와 결합하여 황색을 발색한다. 황색의 발색 농도는, 발광 파장 760nm의 레이저광의 강도에 따른다. 그 결과, 마젠타 색, 시안 색 및 황색의 혼색에 의해, 원하는 색이 발색한다. 이와 같이 하여, 감열성 기록 매체(100)에 있어서의 정보의 기입이 행해진다.
(소거)
도 16에 나타낸 묘화 방법의 순서는, 감열성 기록 매체(100)에 기입된 정보의 소거에도 적용된다. 먼저, 상기와 같이 하여 정보가 기입된 감열성 기록 매체(100)를 준비(스텝(S301))하고, 묘화 및 소거 장치(2)에 세트한 후, 기입 시와 마찬가지로, 감열성 기록 매체(100)의 기록층(112) 상에 마련된 광투과 부재(113)의 정보를 취득(스텝(S302))하고, 광축 어긋남의 예측(스텝(S303)), 보정량의 계산(스텝(S304)), 신호 처리 회로(10)에의 계산 결과의 피드백(스텝(S305)) 및 보정량의 결정(스텝(S306))을 거쳐, 소거용의 입력 화상 정보를 보정한 보정 화상 신호를 생성하고, 소거 조작을 개시한다.
묘화 및 소거 장치(1)에 세트된 감열성 기록 매체(100)에 레이저광을 조사하기 위해 광원부(30)를 제어한다. 이 때, 신호 처리 회로(10)는, 감열성 기록 매체(100)에의 레이저광의 조사 시에, 발광 파장이 λ1인 레이저광(La)과, 발광 파장이 λ2인 레이저광(Lb)과, 발광 파장이 λ3인 레이저광(Lc)을 이용한다.
여기서, 파장(λ1, λ2, λ3)이, 상기 식(1), 식(2) 및 식(3)을 만족하고 있는 것으로 한다. 이 경우에는, 발광 파장(λ1)(예를 들면, 915nm)의 레이저광(La)이, 예를 들면, 기록층(112M) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 또한, 발광 파장(λ2)(예를 들면, 860nm)의 레이저광(Lb)이, 예를 들면, 기록층(112C) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 또한, 발광 파장(λ3)(예를 들면, 760nm)의 레이저광(Lc)이, 예를 들면, 기록층(113Y) 내의 광열 변환제에 흡수된다. 이들에 의해, 기록층(112M, 112C, 112Y) 내의 광열 변환제로부터 발생한 열에 의해 각 기록층(112) 내의 류코 색소가 소거 온도에 도달하고, 현색/감색제와 분리하여 소색한다. 이와 같이 하여, 묘화 및 소거 장치(1)는, 감열성 기록 매체(100)에 기입된 정보(묘화 화상)의 소거를 행한다.
(3-3. 작용·효과)
이상과 같이, 본 실시형태의 감열성 기록 매체(100)에의 묘화 방법 및 소거 방법에서는, 미리, 광투과 부재(113)에 의한 레이저광의 광축 어긋남의 보정량을 결정한 후, 입력 화상 신호를 보정한 보정 화상 신호를 생성하고, 이것에 기초하여 감열성 기록 매체(100)에의 묘화를 개시하도록 하였다. 이에 의해, 감열성 기록 매체(100)에는, 입력 화상 신호에 의거한 기입이 행해진다. 즉, 기록층(112)에는, 왜곡이 없는 묘화가 가능해지고, 표시 품위를 향상시키는 것이 가능해진다.
<4. 적용예>
상기 제1 내지 제3 실시형태에 있어서 설명한 묘화 방법 및 소거 방법은, 예를 들면, 도 19 내지 도 23에 나타낸 전자시계(400), 스마트폰(500), 자동차(600), 가열식 담배(700) 및 3D 인쇄물(800) 등에 적용된 감열성 기록 매체(감열성 기록 매체(100))에의 묘화 및 소거에 적용할 수 있다. 단, 이하에서 설명하는 감열성 기록 매체(100)를 사용한 전자시계(400) 등의 구성은 어디까지나 일례이며, 적절히 변경 가능하다. 감열성 기록 매체(100)는, 각종의 전자기기 또는 복식품의 일부에 적용 가능하다. 예를 들면, 소위 웨어러블 단말로서, 예를 들면 시계(손목시계), 가방, 의복, 모자, 헬멧, 헤드폰, 안경 및 구두 등의 복식품의 일부에 적용 가능하다. 그 밖에, 예를 들면, 헤드업 디스플레이 및 헤드마운트 디스플레이 등의 웨어러블 디스플레이나, 포터블 음악 플레이어 및 휴대폰형 게임기 등의 휴대 가능한 포터블 디바이스, 로봇, 또는, 냉장고 및 세탁기 등, 전자기기의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 전자기기나 복식품에 한정되지 않고, 예를 들면, 장식 부재로서, 가열식 담배나 전자 담배 등의 홀더나 케이스의 외장, 자동차의 내장이나 외장, 건조물(建造物)의 벽 등의 내장이나 외장, 책상 등의 가구의 외장 등에도 적용할 수 있다.
(적용예 1)
도 19는 전자시계(400)(손목시계 일체형 전자기기)의 외관을 나타낸 것이다. 이 전자시계는, 예를 들면 문자반(문자 정보 표시 부분)(410)과, 보호 유리(420)와, 밴드부(430)를 가지고 있으며, 문자반(410)이, 예를 들면 기록층(112)에, 보호 유리(420)가 광투과 부재(113)에 상당한다. 문자반(410)에는, 상술한 묘화 방법 및 소거 방법에 의해, 예를 들면 다양한 문자나 도안의 고쳐 쓰기가 가능하다. 밴드부(430)는, 예를 들면 팔 등에 장착 가능한 부위이다. 이 밴드부(430)에도 기록층(112)을 마련함으로써, 다양한 색과 무늬를 표시할 수 있고, 밴드부(430)의 의장을 변경할 수 있다.
(적용예 2)
도 20a는 스마트폰(500)의 전면의 외관 구성을, 도 20b는 도 20a에 나타낸 스마트폰의 배면의 외관 구성을 나타낸 것이다. 이 스마트폰은, 예를 들면, 표시부(510) 및 비표시부(520)와, 케이스(530)를 구비하고 있다. 배면측의 케이스(530)의, 예를 들면 일면에는, 케이스(530)의 외장 부재로서, 예를 들면 감열성 기록 매체(100)가 마련되어 있고, 이에 의해, 다양한 색과 무늬를 표시할 수 있다. 또한, 여기서는, 스마트폰을 예로 들었지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 노트형 퍼스널 컴퓨터(PC)나 태블릿 PC 등에도 적용할 수 있다.
(적용예 3)
도 21a는 자동차(600)의 상면의 외관을, 도 21b는 자동차의 측면의 외관을 나타낸 것이다. 본 개시의 감열성 기록 매체(100) 등은, 예를 들면, 보닛(611), 범퍼(612), 루프(613), 트렁크 커버(614), 프런트 도어(615), 리어 도어(616) 및 리어 범퍼(617) 등의 차체에 마련함으로써 각 부에 다양한 정보나 색과 무늬를 표시할 수 있다. 또한, 자동차의 내장, 예를 들면, 핸들이나 대시보드 등에 감열성 기록 매체(100)를 마련함으로써, 다양한 색과 무늬를 표시할 수 있다.
(적용예 4)
도 22는 가열식 담배(700)의 담배 홀더(710) 및 케이스(720)의 외관을 나타낸 것이다. 본 개시의 감열성 기록 매체(100)는, 예를 들면 가열식 담배의 담배 홀더(710) 및 케이스(720) 등의 케이스 표면에 마련함으로써, 각 부에 다양한 정보나 색과 무늬의 표시 및 그 고쳐 쓰기를 행하는 것이 가능해진다.
(적용예 5)
도 23은 3D 인쇄물(800)의 구성을 나타내는 모식도이다. 3D 인쇄물(800)은, 보는 각도에 따라 무늬가 변화하거나, 입체감이 얻어지는 인쇄물이다. 3D 인쇄물(800)은, 예를 들면, 반원통형의 볼록 렌즈가 라인 형상으로 늘어선 렌티큘러 시트(810)와, 볼록 렌즈의 피치에 맞춰 라인 형상으로 합성된 화상이 인쇄된 기재(820)가 접합된 것이다. 이 렌티큘러 시트(810)에 본 개시의 감열성 기록 매체(100)의 광투과 부재(113)를, 기재(820)에 기록층(112)을 사용함으로써, 다양한 정보나 색과 무늬의 표시 및 그 고쳐 쓰기를 행하는 것이 가능한 3D 인쇄물을 구성하는 것이 가능해진다.
<5. 실시예>
다음으로, 상기 제1 내지 제3 실시형태에 관련되는 묘화 방법 및 소거 방법의 실시예에 대해 설명한다.
먼저, 지지 기재 상에 시안(C), 마젠타(M) 및 옐로우(Y)를 발색하는 기록층을 순서대로 형성하고, 옐로우(Y)를 발색하는 기록층 상에, 소정의 요철 형상을 갖는 광투과 부재를 형성하여, 감열성 기록 매체를 작성하였다. 이것에, 표 1에 나타낸 각 보정 방법을 이용하여, 5cm×5cm의 영역에 CMY의 각 색의 솔리드 묘화(solid drawing)를 행하였다(실험예 1 내지 실험예 23). 묘화 조건은, 각 색의 광학 농도(OD)가 옐로우(Y): 1.2, 마젠타(M): 1.6, 시안(C): 1.6이 되는 레이저 파워를 선정하였다. 그 때, 면내 25군데 중에서의 최대 OD(ODmax)과 최소 OD(ODmin)의 차분(OD(max-min))을 묘화 얼룩으로 정의하였다. 또한, 아울러 목시(目視)에 의해 묘화 얼룩의 유무를 평가하고, 얼룩이 확인되지 않은 경우를 A, 얼룩이 확인된 경우를 B로 하였다.
광투과 부재의 각 파라미터(피치(l), 높이(h), 경사각(θ), 굴절률(n))는, 도 5에 대응하는 것으로 한다. 표 1은, 각 실험예 1∼23에서 사용한 광투과 부재의 구성과, 이용한 보정 방법과, 각 색(C, M, Y)에 있어서의 OD 차(OD(max-min))와, 목시(目視) 얼룩의 결과를 정리한 것이다. 보정 방법 1은 상기 제1 실시형태에서 설명한 광학 부재를 이용하는 보정 방법이다. 보정 방법 2는 상기 제2 실시형태에서 설명한 스테이지를 가동시키는 보정 방법이다. 보정 방법 3은 상기 제3 실시형태에서 설명한 보정 화상 신호를 이용한 보정 방법이다.
(실험예 1)
실험예 1에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 1을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 2)
실험예 2에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 1mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 1을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 3)
실험예 3에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 3mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 1을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 4)
실험예 4에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 5°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 1을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 5)
실험예 5에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 10°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 1을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 6)
실험예 6에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 30°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 1을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 7)
실험예 7에서는, 피치(l) 5mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 1을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 8)
실험예 8에서는, 피치(l) 20mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 1을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 9)
실험예 9에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 2를 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 10)
실험예 10에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 5°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 2를 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 11)
실험예 11에서는, 피치(l) 20mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 2를 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 12)
실험예 12에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 3을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 13)
실험예 13에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 5°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 3을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 14)
실험예 14에서는, 피치(l) 20mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 방법 3을 이용하여 묘화를 행하였다.
(실험예 15)
실험예 15에서는, 높이(h) 5mm, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
(실험예 16)
실험예 16에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
(실험예17)
실험예 17에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 1mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
(실험예 18)
실험예 18에서는, 피치(l) 5mm, 높이(h) 3mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
(실험예 19)
실험예 19에서는, 피치(l) 20mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 5°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
(실험예 20)
실험예 20에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 10°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
(실험예 21)
실험예 21에서는, 피치(l) 10mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 30°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
(실험예 22)
실험예 22에서는, 피치(l) 5mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
(실험예 23)
실험예 23에서는, 피치(l) 20mm, 높이(h) 5mm, 경사각(θ) 20°, 굴절률(n) 1.5를 갖는 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대해 보정 없이 묘화를 행하였다.
Figure pct00006
표 1로부터, 표면이 평탄한 광투과 부재를 갖는 실험예 15에서는, 실험예 1∼14와 마찬가지로, 목시 얼룩은 확인되지 않고, 광학 농도차(OD(max-min))도 0.1 이하로 작았다. 한편, 표면에 요철 형상을 갖는 광투과 부재를 가짐과 함께, 보정 방법을 이용하지 않고 묘화한 실험예 16∼23에서는, 모두 시인 얼룩이 확인되고, 광 굴절의 영향이 큰 광투과 부재를 갖는 것일수록 광학 농도차가 컸다. 이에 대해, 보정 방법 1∼3을 이용한 실험예 1∼14에서는, 광투과 부재의 형상에 관계없이, 목시 얼룩은 확인되지 않았다. 또한, 광학 농도차(OD(max-min))는 0.1 이하로 작았다.
이상의 결과로부터, 광투과 부재의 형상 및 굴절률에 따른 왜곡을 시뮬레이트하고, 그 결과를 피드백하여 묘화 또는 소거를 행함으로써, 왜곡이 없는 양질의 묘화 또는 소거가 가능한 것을 알았다. 또한, 그 보정 방법은, 광학 부재에 의한 보정, 스테이지에 의한 보정 및 화상의 보정 등을 들 수 있고, 그 종류는 한정되지 않는 것을 알았다.
이상, 제1 내지 제3 실시형태 및 변형예 및 실시예를 들어 본 개시를 설명했지만, 본 개시는 상기 실시형태 등에서 설명한 태양에 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태 등에서 설명한 모든 구성요소를 구비할 필요는 없고, 다른 구성요소를 더 포함하고 있어도 된다. 또한, 상술한 구성요소의 재료나 두께는 일례이며, 기재한 것에 한정되는 것이 아니다.
예를 들면, 상기 제1 실시형태에서는, 지지 기재(111) 상에 직접 기록층(112)(도 3에서는 기록층(112M))을 마련한 예를 나타냈지만, 예를 들면, 지지 기재(111)와 기록층(112M) 사이에, 예를 들면 단열층(114, 115) 등과 마찬가지의 구성을 갖는 층을 추가하도록 해도 된다.
나아가, 상기 제1 실시형태에서는, 감열성 기록 매체(100)로서, 서로 다른 색을 띠는 3종의 기록층(112)(112M, 112C, 112Y)이 단열층(114, 115)을 사이에 적층한 예를 나타냈지만, 이것에 한정하지 않는다. 예를 들면, 각각 마이크로캡슐에 봉입된, 서로 다른 색을 띠는, 예를 들면 3종류의 정색성 화합물이 혼합된, 단층 구조에서의 다색 표시가 가능한 가역성 기록 매체를 이용해도 된다. 나아가, 또한, 마이크로캡슐에 한정되지 않고, 예를 들면, 섬유 형상의 3차원 입체 구조물로 구성한 기록층을 갖는 가역성 기록 매체를 이용해도 된다. 여기서 사용되는 섬유는, 예를 들면, 원하는 색을 띠는 정색성 화합물, 이에 대응하는 현색/감색제 및 광열 변환제를 함유하는 코어부와, 이 코어부를 피복함과 함께, 단열 재료에 의해 구성되는 시스부(sheath)로 구성되는 소위 코어-시스 구조(core-sheath structure)를 갖는 것이 바람직하다. 코어-시스 구조를 가지며, 각각 다른 색을 띠는 정색성 화합물을 포함하는 복수 종류의 섬유를 사용하여 3차원 입체 구조물을 형성함으로써, 다색 표시가 가능한 가역성 기록 매체를 제작할 수 있다.
또한, 상기 실시형태 등에서는, 다색 표시가 가능한 감열성 기록 매체(100)를 이용하여 본 기술을 설명했지만, 예를 들면, 1종류의 정색성 화합물을 사용한 단색 표시의 감열성 기록 매체여도 된다.
나아가, 상기 실시형태 등은, 감열성 기록 매체(100)에의 묘화 및 감열성 기록 매체(100)에 기입된 묘화 화상의 소거를 하나의 장치를 사용하여 행하는 예를 나타냈지만, 각각 다른 장치를 사용하여 행하도록 해도 된다. 나아가, 또한, 상기 실시형태 등에서는, 감열성 기록 매체로서, 정보의 기록 및 소거가 가능한 가역성을 갖는 기록 매체를 예로 본 기술을 설명했지만, 가역성은 반드시 필수가 아니고, 본 기술은, 레이저를 이용한 비접촉 묘화를 행하는 감열성 기록 매체라면, 형상, 정색성 화합물의 발색 및 소색의 가역성 유무 및 용도를 묻지 않는다.
또한, 본 개시는 이하와 같은 구성도 취할 수 있다. 이하의 구성의 본 기술에 의하면, 광투과 부재의 정보를 취득하고, 광투과 부재의 정보로부터, 기록층 상에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고, 레이저광의 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산하도록 하였으므로, 광투과 부재의 형상에 관계없이, 기록층에의 묘화 또는 기록층에 묘화된 화상의 소거가 가능해진다. 따라서, 표시 품위를 향상시키는 것이 가능해진다. 나아가, 본 기술의 묘화 방법 및 소거 방법은, 고객의 요청에 따른 온디맨드 묘화가 가능해진다. 또한, 미리 인쇄된 제품과 달리, 예를 들면, 상품 재고를 갖는 것이 불필요해진다. 나아가, 반복 기입 및 소거가 가능한 감열성 기록 매체에서는, 필요에 따라 고쳐 쓰기도 가능해진다. 또한, 상기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 개시 중에 기재된 어떠한 효과여도 된다.
(1)
기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대하여 묘화할 때,
상기 광투과 부재의 정보를 취득하고,
상기 광투과 부재의 정보로부터, 상기 기록층에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고,
상기 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산하는 묘화 방법.
(2)
상기 보정량을 계산한 후, 상기 감열성 기록 매체에 레이저광을 조사하는, 상기 (1)에 기재된 묘화 방법.
(3)
광학 부재를 사용하여 상기 광투과 부재에 대한 상기 레이저광의 입사각 및 입사 위치 중 적어도 일방을 조정하여 상기 레이저광의 광축 어긋남을 보정하는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 묘화 방법.
(4)
상기 감열성 기록 매체가 고정되는 대좌부를 가동시켜 상기 광투과 부재에 대한 상기 레이저광의 입사각 및 입사 위치 중 적어도 일방을 조정하여, 상기 레이저광의 광축 어긋남을 보정하는, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 묘화 방법.
(5)
상기 레이저광의 광축 어긋남의 계산 결과를 기초로 보정량을 산출하고, 상기 보정량에 기초하여 입력 화상 정보를 보정하는, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 묘화 방법.
(6)
상기 광투과 부재의 정보로서, 상기 광투과 부재의 표면 형상의 정보 및 상기 광투과 부재의 굴절률의 정보를 취득하는, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 묘화 방법.
(7)
상기 기록층은, 전자 공여성을 갖는 정색성 화합물, 전자 수용성을 갖는 현색제, 광열 변환제 및 고분자 재료를 포함하고,
상기 레이저광의 조사에 의해 상기 기록층에의 묘화를 행하는, 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 묘화 방법.
(8)
기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체로부터 화상을 소거할 때,
상기 광투과 부재의 정보를 취득하고,
상기 광투과 부재의 정보로부터, 상기 기록층에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고,
상기 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산하는 소거 방법.
(9)
상기 기록층은, 전자 공여성을 갖는 정색성 화합물, 전자 수용성을 갖는 현색/감색제, 광열 변환제 및 고분자 재료를 포함하고,
상기 레이저광의 조사에 의해 상기 기록층에 묘화된 화상을 소거하는, 상기 (8)에 기재된 소거 방법.
(10)
레이저광을 출사하는 광원부와,
상기 광원부로부터 출사된 레이저광을, 기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체 상에서 주사하는 스캐너부와,
상기 광투과 부재의 정보를 취득하는 접수부와,
상기 접수부에서 취득된 상기 광투과 부재의 정보로부터 상기 광투과 부재를 투과한 레이저광의 상기 기록층에 있어서의 광축 어긋남을 예측하고, 그 예측 결과로부터 보정량을 계산하는 보정부를 구비한 묘화 장치.
(11)
제어부를 더 구비하고,
상기 보정부는, 상기 보정량의 계산 결과를 상기 제어부에 피드백시키는, 상기 (10)에 기재된 묘화 장치.
(12)
상기 제어부는, 상기 보정부로부터 피드백된 상기 보정량의 계산 결과에 기초하여 보정량을 결정하는, 상기 (11)에 기재된 묘화 장치.
(13)
상기 스캐너부는, 상기 광원부로부터 출사된 레이저광을, 상기 기록층의 상방에 상기 광투과 부재를 구비한 상기 감열성 기록 매체 상에서 주사하는 제1 광학 부재와, 상기 광투과 부재에 입사하는 상기 레이저광의 입사각 및 입사 위치 중 적어도 일방을 조정하는 제2 광학 부재를 갖는, 상기 (10) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 묘화 장치.
(14)
상기 보정부에서 계산된 보정량에 기초하여, 상기 제2 광학 부재를 조정하는 제1 조정 기구를 더 구비하는, 상기 (13)에 기재된 묘화 장치.
(15)
상기 감열성 기록 매체를 고정하는 대좌부를 더 구비하는, 상기 (10) 내지 (14) 중 어느 하나에 기재된 묘화 장치.
(16)
상기 보정부에서 계산된 보정량에 기초하여, 상기 대좌부의 위치 및 각도를 조정하는 제2 조정 기구를 더 구비하는, 상기 (15)에 기재된 묘화 장치.
(17)
상기 제어부는, 결정된 상기 보정량에 기초하여 입력 화상 신호를 보정하는, 상기 (12) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 묘화 장치.
(18)
상기 기록층은, 전자 공여성을 갖는 정색성 화합물과, 전자 수용성을 갖는 현색제 또는 현색/감색제와, 광열 변환제와, 고분자 재료를 포함하는, 상기 (10) 내지 (17) 중 어느 하나에 기재된 묘화 장치.
본 출원은, 일본국 특허청에서 2018년 10월 30일에 출원된 일본특허출원번호 2018-204198호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이 출원의 모든 내용을 참조에 의해 본 출원에 원용한다.
당업자라면, 설계상의 요건이나 다른 요인에 따라, 다양한 수정, 콤비네이션, 서브콤비네이션, 및 변경을 생각할 수 있지만, 그들은 첨부된 청구범위나 그 균등물의 범위에 포함된다는 것이 이해된다.

Claims (18)

  1. 기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체에 대하여 묘화할 때,
    상기 광투과 부재의 정보를 취득하고,
    상기 광투과 부재의 정보로부터, 상기 기록층에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고,
    상기 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산하는, 묘화 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보정량을 계산한 후, 상기 감열성 기록 매체에 레이저광을 조사하는, 묘화 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    광학 부재를 사용하여 상기 광투과 부재에 대한 상기 레이저광의 입사각 및 입사 위치 중 적어도 일방을 조정하여 상기 레이저광의 광축 어긋남을 보정하는, 묘화 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 감열성 기록 매체가 고정되는 대좌부를 가동시켜 상기 광투과 부재에 대한 상기 레이저광의 입사각 및 입사 위치 중 적어도 일방을 조정하여, 상기 레이저광의 광축 어긋남을 보정하는, 묘화 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 레이저광의 광축 어긋남의 계산 결과를 기초로 보정량을 산출하고, 상기 보정량에 기초하여 입력 화상 정보를 보정하는, 묘화 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광투과 부재의 정보로서, 상기 광투과 부재의 표면 형상의 정보 및 상기 광투과 부재의 굴절률의 정보를 취득하는, 묘화 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기록층은, 전자 공여성을 갖는 정색성(coloring) 화합물, 전자 수용성을 갖는 현색제(developer), 광열 변환제 및 고분자 재료를 포함하고,
    상기 레이저광의 조사에 의해 상기 기록층에의 묘화를 행하는, 묘화 방법.
  8. 기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체로부터 화상을 소거할 때,
    상기 광투과 부재의 정보를 취득하고,
    상기 광투과 부재의 정보로부터, 상기 기록층에 있어서의 레이저광의 광축 어긋남을 예측하고,
    상기 광축 어긋남의 예측 결과로부터 보정량을 계산하는, 소거 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기록층은, 전자 공여성을 갖는 정색성 화합물, 전자 수용성을 갖는 현색/감색제(developing/reducing agent), 광열 변환제 및 고분자 재료를 포함하고,
    상기 레이저광의 조사에 의해 상기 기록층에 묘화된 화상을 소거하는, 소거 방법.
  10. 레이저광을 출사하는 광원부와,
    상기 광원부로부터 출사된 레이저광을, 기록층의 상방에 광투과 부재를 구비한 감열성 기록 매체 상에서 주사하는 스캐너부와,
    상기 광투과 부재의 정보를 취득하는 접수부와,
    상기 접수부에서 취득된 상기 광투과 부재의 정보로부터 상기 광투과 부재를 투과한 레이저광의 상기 기록층에 있어서의 광축 어긋남을 예측하고, 그 예측 결과로부터 보정량을 계산하는 보정부를 구비한, 묘화 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    제어부를 더 구비하고,
    상기 보정부는, 상기 보정량의 계산 결과를 상기 제어부에 피드백시키는, 묘화 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 보정부로부터 피드백된 상기 보정량의 계산 결과에 기초하여 보정량을 결정하는, 묘화 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 스캐너부는, 상기 광원부로부터 출사된 레이저광을, 상기 기록층의 상방에 상기 광투과 부재를 구비한 상기 감열성 기록 매체 상에서 주사하는 제1 광학 부재와, 상기 광투과 부재에 입사하는 상기 레이저광의 입사각 및 입사 위치 중 적어도 일방을 조정하는 제2 광학 부재를 갖는, 묘화 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 보정부에서 계산된 보정량에 기초하여, 상기 제2 광학 부재를 조정하는 제1 조정 기구를 더 구비하는, 묘화 장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 감열성 기록 매체를 고정하는 대좌부를 더 구비하는, 묘화 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 보정부에서 계산된 보정량에 기초하여, 상기 대좌부의 위치 및 각도를 조정하는 제2 조정 기구를 더 구비하는, 묘화 장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 제어부는, 결정된 상기 보정량에 기초하여 입력 화상 신호를 보정하는, 묘화 장치.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 기록층은, 전자 공여성을 갖는 정색성 화합물과, 전자 수용성을 갖는 현색제 또는 현색/감색제와, 광열 변환제와, 고분자 재료를 포함하는, 묘화 장치.
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