KR20210082861A - 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물, 이를 이용한 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법, 및 이에 따라 제조된 전자 디바이스 - Google Patents
텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물, 이를 이용한 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법, 및 이에 따라 제조된 전자 디바이스 Download PDFInfo
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Abstract
(A) 아민-N-옥사이드 화합물, (B) 인산염, (C) 과산화물 및 (D) 물을 포함하는 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물, 이를 이용한 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법, 이를 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 전자 디바이스를 제공한다.
Description
본 발명은 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물, 이를 이용한 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 이에 따라 제조된 전자 디바이스에 관한 것이다.
티탄계 금속인 질화티타늄(TiN)은 반도체 디바이스, 액정 디스플레이, 미세전자제어기술(Micro Electro Mechanical Systems, MEMS) 디바이스, 프린트 배선기판 등에 귀금속이나 알루미늄(Al), 구리(Cu) 배선의 하지층, 캡층으로서 이용된다. 또한, 반도체 디바이스에서는 배리어 메탈, 게이트 메탈, 메탈 희생막으로 사용되는 경우도 있다.
한편, 텅스텐 또는 텅스텐계 금속은 액정 디스플레이, 반도체 디바이스의 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 배선, 배리어층이나 콘택트홀, 비아홀의 매립 등에 사용되어 왔다. 또한, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 분야에서는 텅스텐 히터로서도 이용된다.
상기 텅스텐과 질화티탄을 함께 CVD 또는 스퍼터(sputter)로 성막할 때, 반도체 디바이스의 경우, 실제의 소자 형성부 이외의 부분이나 기판(웨이퍼) 이면, 기판(웨이퍼) 엣지, 성막 장치 외벽, 배기관내 등에도 부착되고 이들이 박리하여 소자 형성부에 이물이 발생한다는 문제가 있다.
특히, 기판 상의 배선이나 비아홀 등 반도체 디바이스의 소자형성공정에 필요한 텅스텐 또는 텅스텐 합금만을 남기고 불필요한 부분을 제거하는 공정이 필요하며, 소자의 제조 특성에 따라 또는 식각액의 특성에 따라 텅스텐이나 텅스텐 합금만을 제거하고 질화티탄 등의 배리어층의 식각은 억제시키거나, 반대로 텅스텐 또는 텅스텐 합금의 식각을 억제하면서 질화티탄의 식각을 높여야 하는 공정이 있는 경우도 있으나, 텅스텐이나 텅스텐 합금, 또는 질화티탄 등과 같은 배리어막 층도 함께 제거하는 공정이 적용되기 한다. 이러한 이유는 반도체 제조공정의 특성상 소자의 특성으로 고려하여 적용하는 경우가 대부분이다.
이러한 경우 소자의 제조공정 중 불필요한 부분을 제거하여 소자의 특성을 나타내어야 하며, 텅스텐 또는 텅스텐 합금과 배리어 막의 소재로 사용되는 질화티탄막을 한번에 제거할 수 있는 식각액을 이용하여 빠른 속도로 제거할 필요가 있다.
이 경우, 반도체 디바이스, 액정 디스플레이, MEMS 디바이스, 프린트 배선기판 등의 제조공정에 있어서, 텅스텐 또는 텅스텐 합금은 건식 식각보다도 생산성이 우수한 습식 식각으로 가공하는 것이 바람직하다.
반도체 공정에서 구조를 형성하기 위해서는 텅스텐(W) 및 TiN을 희생막으로 증착한 후 다음 공정을 위해 상기 증착된 희생막을 모두 완전히 제거하여야 한다. 텅스텐(W) 및 TiN 막 식각과 관련하여, 대한민국 공개특허 제10-2018-0045185호는 TiN/W 식각 선택비를 향상시키기 위한 금속 질화막의 식각액 조성물에 관한 것으로서, 상기 식각액 조성물은 과산화물; 유기산 및 유기산염 중에서 선택되는 1종 이상; 및 물 잔량을 포함하는 식각액 조성물을 개시한다. 그러나, 텅스텐막 및 질화티탄막을 충분히 빠른 속도로 동시에 완전히 식각할 수 없고, 또한 텅스텐 및 질화티탄을 식각할 때 변성막질(TiOx)이 생성되는데 이러한 변성막질까지는 제거가 어렵다는 문제를 갖는 바, 이에 대한 해결이 필요한 실정이다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 텅스텐막 및 질화티탄막을 동시에 빠르게 제거할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 식각 과정에서 발생하는 변성막질(TiOx)을 동시에 제거할 수 있는 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 (A) 아민-N-옥사이드 화합물, (B) 인산염, (C) 과산화물 및 (D) 물을 포함하는 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은, 식각액 조성물을 사용하여 기판으로부터 텅스텐막 및 질화티탄막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기 식각 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기 제조 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스를 제공한다.
본 발명의 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물은 실리콘산화막과 실리콘질화막 등의 손상 없이 텅스텐막 및 질화티탄막을 동시에 빠른 속도로 식각할 수 있고, 텅스텐막 및 질화티탄막을 식각할 때 발생하는 변성막질(TiOx) 또한 동시에 제거할 수 있는 효과를 제공한다.
본 발명은, (A) 아민-N-옥사이드 화합물, (B) 인산염, (C) 과산화물 및 (D) 물을 포함하는 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물, 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법, 상기 식각액 조성물을 사용하여 기판으로부터 텅스텐막 및 질화티탄막을 제거하는 공정을 포함하는 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법, 및 상기 식각 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 이에 따라 제조되는 전자 디바이스에 관한 것이다.
본 발명의 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물은, 실리콘산화막과 실리콘질화막 등의 손상 없이 텅스텐막 및 질화티탄막을 빠른 속도로 동시 식각하고, 식각 과정에서 발생하는 변성막질(TiOx) 또한 동시에 제거할 수 있는 특징을 갖는다.
본 발명에 있어서, 상기 텅스텐막 및 질화티탄막은 기판 상에 각각 형성되거나, 적층되어 형성된 것일 수 있고, 바람직하게는, 질화티탄막 상에 텅스텐막이 적층된 형태를 포함한다.
< 식각액 조성물 >
본 발명의 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물은, (A) 아민-N-옥사이드 화합물, (B) 인산염, (C) 과산화물 및 (D) 물을 포함할 수 있다.
(A) 아민-N-옥사이드 화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 아민-N-옥사이드 화합물은 보조산화제로서, pH 조절을 통하여 질화티탄(TiN) 및 텅스텐(W)의 식각 속도를 향상시키는 역할을 수행한다.
상기 아민-N-옥사이드 화합물은 피리딘-N-옥사이드, 4-니트로피리딘-N-옥사이드, 트리메틸아민-N-옥사이드 및 N-메틸 모르폴린-N-옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것일 수 있으며, 바람직하게는, N-메틸 모르폴린 N-옥사이드 (Methyl morpholine N-oxide, NMMO) 또는 트리메틸아민 N-옥사이드(Trimethyl amine N-oxide, TMAO)일 수 있다.
상기 아민-N-옥사이드 화합물은 본 발명의 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 20 중량%로 포함되며, 바람직하게는 1 내지 15 중량%로 포함된다. 상기 아민-N-옥사이드 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만이면 식각하고자 하는 금속막에 대한 식각 속도가 떨어지고, 20 중량%를 초과하면 조성물의 용해도가 감소되어 석출이 발생될 가능성이 높아진다.
(B) 인산염
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 인산염은 질화티탄(TiN) 및 텅스텐(W)의 식각 속도를 향상시키는 촉진제로서의 역할을 수행한다.
상기 인산염으로는 트리메틸포스페이트, 트리에틸포스페이트, 트리프로필포스페이트, 트리부틸포스페이트, 트리페닐포스페이트, 디에틸포스페이트, 디부틸포스페이트, 디페닐포스페이트, 디벤질포스페이트, 암모늄포스페이트, 디암모늄포스페이트, 트리암모늄포스페이트, 트리에틸암모늄포스페이트, 테트라부틸암모늄포스페이트, 디헥사데실포스페이트, 트리이소프로필포스페이트, 에틸헥실포스페이트 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 인산암모늄 (Ammonium phosphate), 트리메틸포스페이트 (Trimethylphospahte), 트리에틸포스페이트 (Triethylphosphate), 디암모늄포스페이트, 또는 트리암모늄포스페이트를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 인산암모늄, 트리메틸포스페이트, 또는 트리에틸포스페이트를 사용할 수 있다.
상기 인산염은 조성물의 총 중량에 대하여 0.05 내지 3 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2.5 중량%로 포함될 수 있다. 인산염의 함량이 0.05 중량% 미만인 경우 식각 대상 금속막에 대한 식각 속도 향상 효과가 미미한 문제가 발생할 수 있으며, 3 중량%를 초과하는 경우 조성물의 용해도 저하로 패턴 내 파티클이 발생되어 후속공정에 결함을 일으킬 수 있다.
(C) 과산화물
상기 과산화물은 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각속도를 증가시키며, 텅스텐막 및 질화티탄막을 산화시켜 공정 상 필요한 만큼의 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각속도를 조절하는 기능을 수행한다.
상기 과산화물로는 과산화수소(H2O2), tert-부틸하이드로퍼옥사이드, 라우로일 퍼옥사이드, tert-부틸퍼아세테이트, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, 2-부탄퍼옥사이드, tert-부틸메틸에틸케톤 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, 다이커밀퍼옥사이드 등으로부터 선택될 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
상기 과산화물은 조성물 총 중량에 대하여, 5 내지 30 중량%로 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 식각액 조성물에 상기 과산화물이 상기 범위를 만족하도록 포함되면 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 공정에 적합한 식각속도를 가질 수 있다.
(D) 물
상기 물은 질화티탄(TiN) 및 텅스텐(W)의 산화물을 용해하는 기능을 수행한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 반도체 공정용 탈이온수일 수 있으며, 바람직하게는 18 ㏁/㎝ 이상의 상기 탈이온수를 사용할 수 있다.
본 발명에서 물은 잔량으로 포함될 수 있으며, 상기 잔량은, 본 발명의 필수 성분 및 그 외 다른 성분들을 더 포함한 총 조성물의 중량이 100 중량%가 되도록 하는 잔량을 의미한다.
구체적으로, 본 발명은 조성물의 총 중량 대비 20 내지 99 중량%로 포함될 수 있다.
상기 식각액 조성물은 변성막질을 추가 식각할 수 있다. 상기 변성막질은 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 시 발생하는 TiOx를 의미한다.
한편, 본 발명의 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물이 불소이온을 내는 화합물을 포함하는 경우, 산화막질을 손상시키는 문제점을 초래할 수 있다. 따라서, 본 발명의 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물은 불소이온을 내는 화합물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 상기 불소이온을 내는 화합물은 구체적으로 불산 등을 들 수 있다.
< 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법 >
또한, 본 발명은, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용하여 기판으로부터 텅스텐막 및 질화티탄막을 제거하는 공정을 포함하는 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 텅스텐막 및 질화티탄막은 희생막으로서 형성된 것일 수 있고, 본 발명에 따른 식각액 조성물에 의해 완전히 제거되는 것이 바람직하다.
상기 텅스텐막 및 질화티탄막 식각방법은 당 업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행될 수 있다. 예컨대, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무를 이용한 방법 등이 사용될 수 있으며, 이 경우, 식각 조건으로서 온도는 대개 30~80℃, 바람직하게는 50~70℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 10분, 바람직하게는 1분 내지 5분이다. 상기 분무는 노즐로부터 토출되는 형태를 포함한다. 그러나, 이러한 조건은 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이하거나 적합한 조건으로 선택될 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물을 이용하는 경우, 텅스텐막에 대하여 500 내지 900 Å/분의 식각 속도를 나타낼 수 있으며, 질화티탄막에 대하여는 150 Å/분 내지 300 Å/분의 식각 속도를 나타낼 수 있다. 상기 식각 속도가 빠를수록 증착된 희생막 제거 공정 시간을 단축시킬 수 있고, 사용되는 식각액의 양을 줄여 공정 비용을 감소시킬 수 있다.
< 전자 디바이스의 제조 방법 >
또한, 본 발명은, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 이용하는 전자 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 표시장치용 전자 디바이스의 제조 방법은, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용하는 점을 제외하고는, 공지의 전자 디바이스의 제조 방법에 따라 전자 디바이스를 제조 할 수 있다.
일 예로, 상기 전자 디바이스의 제조 방법은, 상술한 식각 방법을 포함하며, 구체적으로, a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층(a-Si:H)을 형성하는 단계; d) 상기 반도체 층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및 e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계;를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 a)단계 또는 d)단계는 상기 기판 상에 텅스텐막 및 질화티탄막을 형성하는 단계, 및 상기 형성된 텅스텐막 및 질화티탄막을 본 발명에 따른 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
< 전자 디바이스 >
또한, 본 발명은 상술한 전자 디바이스의 제조 방법에 따라 제조된 전자 디바이스를 포함할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물의 제조
하기 표 1을 참조하여, 실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물을 제조하였다.
| 구분 (중량부) |
N-옥사이드 화합물 및 아민 화합물 |
포스페이트계 화합물 | 포스페이트계 이외 화합물 | DIW | 과산화수소 (농도 31%) | 총합 | |||||
| A-1 | A-2 | A-3 | A-4 | B-1 | B-2 | C-1 | C-2 | ||||
| 실시예 1 | 5 | 0.1 | 94.9 | 100 | 200 | ||||||
| 실시예 2 | 10 | 0.1 | 89.9 | 100 | 200 | ||||||
| 실시예 3 | 5 | 2.5 | 92.5 | 100 | 200 | ||||||
| 실시예 4 | 5 | 0.1 | 94.9 | 100 | 200 | ||||||
| 실시예 5 | 5 | 0.1 | 94.9 | 100 | 200 | ||||||
| 실시예 6 | 15 | 0.5 | 84.5 | 100 | 200 | ||||||
| 실시예 7 | 5 | 0.1 | 94.9 | 50 | 150 | ||||||
| 실시예 8 | 5 | 0.1 | 94.9 | 200 | 300 | ||||||
| 비교예 1 | 5 | 0.1 | 94.9 | 100 | 200 | ||||||
| 비교예 2 | 5 | 0.1 | 94.9 | 100 | 200 | ||||||
| 비교예 3 | 0.5 | 99.5 | 100 | 200 | |||||||
| 비교예 4 | 5 | 95.0 | 100 | 200 | |||||||
| 비교예 5 | 5 | 0.1 | 94.9 | 100 | 200 | ||||||
| 비교예 6 | 5 | 0.1 | 94.9 | 100 | 200 | ||||||
A-1: N-메틸 모폴린 옥사이드(NMMO)
A-2: 트리메틸아민 N-옥사이드(Trimethylamine N-oxide, TMAO)
A-3: 하이드록실아민 (Hydroxylamine, HA)
A-4: 모노에탄올아민 (Monoethanolamine, MEA)
B-1: 인산암모늄 (Ammonium phosphate, AP)
B-2: 트리에틸포스페이트 (Triethylphosphate, TEP)
C-1: 황산암모늄 (Ammonium sulfate, AS)
C-2: 질산암모늄 (Ammonium nitrate, AN)
시험예
실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물에 대해, 성능 평가를 다음과 같이 실시하였다.
평가 1: 텅스텐막 및 질화티탄막에 대한 식각 속도 평가
질화티탄막 (TiN) 및 텅스텐막 (W)이 각각 형성된 웨이퍼를 2X2㎠의 크기로 잘라 준비한 후, 상기 실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물에 상기 준비된 각 기판을 60℃에서 400rpm으로 회전시키면서 1분 동안 침지시켰다. 이후, 탈이온수 및 이소프로필알코올로 세정 및 건조하고, 막두께 측정기 및 엘립소미터를 이용해 막 두께를 측정하여 식각 속도를 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
평가 2: 변성막질(TiO
x
) 제거에 관한 평가
변성막질(TiOx)이 형성된 웨이퍼에 대한 제거 평가를 위해 TiOx이 형성된 웨이퍼를 2X2㎠의 크기로 잘라 준비한 후, 상기 실시예 및 비교예에 따른 식각액 조성물에 상기 준비된 각 기판을 60℃에서 400 rpm으로 회전시키면서 3분 동안 침지시켰다. 이후, 탈이온수 및 이소프로필알코올로 세정 및 건조하고, 막두께 측정기 및 엘립소미터를 이용해 막 두께를 측정하여 식각 속도를 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 구분 | 제거 대상 | 안정성 | 변성막질 | |
| TiN 식각 속도 (Å/min) |
W 식각 속도 (Å/min) |
TiOx 식각속도 (Å/min) |
||
| 실시예 1 | 177.1 | 674.5 | 양호 | 3.7 |
| 실시예 2 | 188.5 | 700.2 | 양호 | 3.9 |
| 실시예 3 | 214.0 | 865.3 | 양호 | 4.5 |
| 실시예 4 | 165.1 | 620.7 | 양호 | 3.5 |
| 실시예 5 | 160.7 | 627.3 | 양호 | 3.4 |
| 실시예 6 | 222.5 | 875.2 | 양호 | 4.9 |
| 실시예 7 | 158.5 | 578.5 | 양호 | 3.2 |
| 실시예 8 | 208.5 | 925.3 | 양호 | 4.8 |
| 비교예 1 | X | X | 발열 | - |
| 비교예 2 | X | X | 발열 | - |
| 비교예 3 | 87.3 | 240.5 | 양호 | 0.2 |
| 비교예 4 | 90.2 | 245.2 | 양호 | 0.4 |
| 비교예 5 | 104.8 | 340.7 | 양호 | 1.2 |
| 비교예 6 | 116.2 | 378.6 | 양호 | 1.5 |
상기 표 2를 참조하면, 비교예에 따른 식각액 조성물을 사용하는 경우 TiN 및 W의 식각이 전혀 불가능하거나, TiN 식각속도가 120 Å/min 이하, W 식각속도가 380 Å/min 이하로 나타났으며, 본원 실시예에 따른 식각액 조성물을 사용하는 경우 질화티탄막 (TiN)에 대한 식각 속도가 150 Å/min 이상, 텅스텐막 (W)에 대한 식각 속도가 600 Å/min 이상으로서 비교예의 식각액 조성물들에 비해 TiN 및 W에 대한 식각속도가 현저히 우수한 것을 알 수 있었다.
또한, 본원 실시예에 따른 식각액 조성물을 사용하는 경우 텅스텐 및 질화티탄을 식각할 때 생성되는 변성막질(TiOx) 또한 약 3 Å/min 이상의 속도로 식각이 가능하였으나, 비교예의 식각액 조성물을 사용하는 경우 TiOx의 식각이 전혀 불가능하거나 1.5 Å/min 이하로 현저히 낮은 속도를 나타내었다.
Claims (9)
- (A) 아민-N-옥사이드 화합물, (B) 인산염, (C) 과산화물 및 (D) 물을 포함하는, 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
조성물 총 중량에 대하여,
(A) 상기 아민-N-옥사이드 화합물 0.1 내지 20 중량%,
(B) 상기 인산염 0.05 내지 3 중량%,
(C) 상기 과산화물 5 내지 30 중량% 및
(D) 상기 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 아민-N-옥사이드 화합물은 피리딘-N-옥사이드, 4-니트로피리딘-N-옥사이드, 트리메틸아민-N-옥사이드 및 N-메틸모르폴린-N-옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는, 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 인산염은 트리메틸포스페이트, 트리에틸포스페이트, 트리프로필포스페이트, 트리부틸포스페이트, 트리페닐포스페이트, 디에틸포스페이트, 디부틸포스페이트, 디페닐포스페이트, 디벤질포스페이트, 암모늄포스페이트, 트리에틸암모늄포스페이트, 테트라부틸암모늄포스페이트, 디헥사데실포스페이트, 트리이소프로필포스페이트 및 에틸헥실포스페이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는, 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 식각액 조성물은 변성막질(TiOx)을 추가 식각하는 것을 특징으로 하는, 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 식각액 조성물은 불소이온을 내는 화합물을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물.
- 청구항 1의 식각액 조성물을 사용하여 기판으로부터 텅스텐막 및 질화티탄막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법.
- 청구항 7의 식각 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자 디바이스의 제조 방법.
- 청구항 8의 제조 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는, 전자 디바이스.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190175242A KR20210082861A (ko) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 텅스텐막 및 질화티탄막 식각액 조성물, 이를 이용한 텅스텐막 및 질화티탄막의 식각 방법, 및 이에 따라 제조된 전자 디바이스 |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR20180045185A (ko) | 2016-10-25 | 2018-05-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속 질화막의 식각액 조성물 |
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