KR20210076472A - Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus - Google Patents

Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20210076472A
KR20210076472A KR1020190167724A KR20190167724A KR20210076472A KR 20210076472 A KR20210076472 A KR 20210076472A KR 1020190167724 A KR1020190167724 A KR 1020190167724A KR 20190167724 A KR20190167724 A KR 20190167724A KR 20210076472 A KR20210076472 A KR 20210076472A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
block
blocks
die
film
vacuum hole
Prior art date
Application number
KR1020190167724A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102382558B1 (en
Inventor
우중범
이병호
유재영
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020190167724A priority Critical patent/KR102382558B1/en
Publication of KR20210076472A publication Critical patent/KR20210076472A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102382558B1 publication Critical patent/KR102382558B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a die pick-up device comprises: a main body including first and second blocks individually having a vacuum hole on an upper surface to be opposed to a film adhered to a die of a wafer; a driving unit for vertically moving the first and second blocks, respectively; an adsorption unit for vacuum-adsorbing the film through the vacuum hole; and a control unit configured to control the operation of the driving unit and the adsorption unit, control the driving unit to simultaneously or vertically move the first block and the second block, respectively, and control the adsorption unit to absorb the film through the vacuum hole when the first block or the second block is lowered. Therefore, the die pick-up device can pick up each die from a wafer without damage between dies when a film adhered to the wafer is peeled.

Description

다이 픽업 장치 및 다이 픽업 장치의 동작방법{Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus}Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼로부터 반도체 칩을 분리시키기 위한 다이 픽업 장치 및 다이 픽업 장치의 동작방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a die pickup device for separating a semiconductor chip from a wafer, and a method of operating the die pickup device.

원형의 웨이퍼로부터 개별의 다이를 분리할 때, 다이 픽업 장치는 메탈 재질의 이젝터를 이용하여 웨이퍼 하단부의 베이스 필름을 밀어 올려 개별 다이가 베이스 필름으로부터 박리 및 떨어지게 할 수 있다.When separating individual dies from the circular wafer, the die pickup device may push up the base film at the lower end of the wafer using an ejector made of a metal material so that the individual dies are peeled off and separated from the base film.

이때, 이젝터는 필름이 접착된 다이에 접촉되는 부분이 메탈 재질로 이루어지기 때문에 다이 간의 절단 영역과 같은 특정 부위에 스트레스로 작용하여 다이에 크랙(crack)이 발생할 수 있다. In this case, since the part in contact with the die to which the film is attached is made of a metal material, the ejector may act as a stress in a specific area such as a cut area between the dies, thereby causing cracks in the die.

또한, 웨이퍼가 박형화 되고 있는 추세를 고려할 때, 상술한 현상은 더욱 증가하게 될 것이다.In addition, in consideration of the trend in which wafers are becoming thinner, the above-described phenomenon will further increase.

본 발명의 실시 예는 웨이퍼에 접착된 필름의 박리 시, 다이 간의 손상 없이 웨이퍼로부터 개별 다이를 픽업할 수 있는 다이 픽업 장치 및 다이 픽업 장치의 동작방법을 제공하기 위한 것이다.An embodiment of the present invention is to provide a die pickup apparatus capable of picking up individual dies from a wafer without damage between dies when a film adhered to a wafer is peeled off, and an operating method of the die pickup apparatus.

본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치는, 웨이퍼의 다이에 접착된 필름과 대향될 상부면에 진공홀을 각각 구비한 제1 및 제2 블록을 포함하는 본체; 상기 제1 및 제2 블록을 각각 상하 이동시키기 위한 구동부; 상기 진공홀을 통해 상기 필름을 진공 흡착시키기 위한 흡착부; 및 상기 구동부 및 상기 흡착부의 동작을 제어하되, 상기 제1 블록과 제2 블록을 동시 또는 각각 상하 이동시키도록 상기 구동부를 제어하고, 상기 제1 블록 또는 제2 블록이 하강할 때 상기 진공홀을 통해 상기 필름을 흡착시키도록 상기 흡착부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.A die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a main body including first and second blocks each having vacuum holes on an upper surface to be opposed to a film adhered to a die of a wafer; a driving unit for vertically moving the first and second blocks, respectively; an adsorption unit for vacuum adsorbing the film through the vacuum hole; and controlling the operation of the driving unit and the adsorption unit, controlling the driving unit to move the first block and the second block up and down simultaneously or respectively, and closing the vacuum hole when the first block or the second block is lowered. It may include a control unit for controlling the adsorption unit to adsorb the film through the.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 다이 픽업 장치는, 상부면에 진공홀을 구비한 메탈 재질의 제1 블록; 및 상부면에 진공홀을 구비하고 연성 재질로 형성되며 상기 제1 블록과 독립적으로 상하 이동이 가능하도록 형성된 제2 블록을 포함하고, 상기 제1 및 제2 블록은 서로 동일 평면 상에 형성되되, 상기 제1 블록은 테두리 형태로 형성되고, 상기 제2 블록은 상기 제1 블록의 내부에 형성될 수 있다.A die pickup apparatus according to another embodiment of the present invention includes: a first block made of a metal material having a vacuum hole on an upper surface thereof; and a second block having a vacuum hole in its upper surface, formed of a flexible material, and formed to be vertically movable independently of the first block, wherein the first and second blocks are formed on the same plane as each other, The first block may be formed in the shape of an edge, and the second block may be formed inside the first block.

본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 동작방법은, 다이 픽업 장치가 상부면에 진공홀을 각각 구비한 제1 및 제2 블록을 포함하는 본체를 웨이퍼의 다이에 접착된 필름에 접촉되도록 상승시키는 단계; 상기 진공홀을 통해 상기 필름을 흡착시킨 상태로 상기 제1 블록을 하강시키는 단계; 및 상기 진공홀을 통해 상기 필름을 흡착시킨 상태로 상기 제2 블록을 하강시키는 단계를 포함할 수 있다.In the method of operating a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention, the die pickup apparatus raises a body including first and second blocks each having a vacuum hole on an upper surface thereof in contact with a film adhered to a die of a wafer. making; lowering the first block in a state in which the film is adsorbed through the vacuum hole; and lowering the second block in a state in which the film is adsorbed through the vacuum hole.

본 실시 예들에 따르면, 다이를 필름으로부터 박리할 때, 다이에 가해지는 스트레스를 최소화하여 다이에 발생할 수 있는 크랙 등의 손상을 미연에 방지할 수 있고, 박리 성능 향상으로 인해 생산성 향상 효과를 기대할 수 있다.According to the present embodiments, when the die is peeled from the film, damage such as cracks that may occur in the die can be prevented in advance by minimizing the stress applied to the die, and the productivity improvement effect can be expected due to the improvement of the peeling performance. have.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼와 다이 픽업 장치의 배치 관계를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 상부면을 나타내는 도면이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 일 부분을 상세하게 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 실시 예에 따른 필름을 박리시키는 방법을 설명하기 위한 예시도이다.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 필름을 박리시키는 방법을 순서에 따라 나타낸 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 동작방법을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a diagram illustrating an arrangement relationship between a semiconductor wafer and a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing the configuration of a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are views illustrating an upper surface of a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 to 6 are views illustrating in detail a portion of a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 and 8 are views showing another embodiment of a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.
9A and 9B are exemplary views for explaining a method of peeling a film according to an embodiment of the present invention.
10 to 13 are views sequentially showing a method of peeling a film according to an embodiment of the present invention.
14 is a flowchart illustrating a method of operating a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하도록 한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described based on the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼와 다이 픽업 장치의 배치 관계를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating an arrangement relationship between a semiconductor wafer and a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 발명의 실시 예에 따른 필름을 박리시키는 방법을 설명하기 위한 예시도인 도 9a 및 도 9b를 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, it will be described with reference to FIGS. 9A and 9B, which are exemplary views for explaining a method of peeling a film according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 다이 픽업 장치(100)는 웨이퍼의 복수의 다이(10)에 접착된 필름을 박리시키기 위한 구성일 수 있다.Referring to FIG. 1 , the die pickup apparatus 100 may be configured to peel a film adhered to a plurality of dies 10 of a wafer.

도 1을 참고하면, 다이 픽업 장치(100)는 상부면에 진공홀(도 2의 113)을 구비한 메탈 재질의 제1 블록(120) 및 상부면에 진공홀(도 2의 113)을 구비하고 연성 재질로 형성되며 제1 블록(120)과 독립적으로 상하 이동이 가능하도록 형성된 제2 블록(130)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the die pickup device 100 includes a first block 120 made of a metal material having a vacuum hole (113 in FIG. 2 ) on its upper surface and a vacuum hole ( 113 in FIG. 2 ) on the upper surface. and a second block 130 formed of a flexible material and formed to be vertically movable independently of the first block 120 .

이때, 연성 재질은 고무(rubber)일 수 있으며, 이에 한정되지 않고 접촉되는 다이(10)에 충격을 줄일 수 있는 연성 재질이라면 모두 가능하다 할 것이다. 제2 블록(130)이 연성 재질로 형성되기 때문에, 다이(10)에 직접 접촉되어도 가해지는 충격이 덜 해 다이(10)에 발생될 수 있는 크랙 등을 미연에 방지할 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.At this time, the soft material may be rubber, and the present invention is not limited thereto, and any soft material capable of reducing an impact to the contact die 10 will be possible. Since the second block 130 is formed of a soft material, even if it comes in direct contact with the die 10, the impact applied is less, so that it is possible to expect the effect of preventing cracks that may occur in the die 10 in advance. have.

제1 및 제2 블록(120, 130)은 서로 동일 평면 상에 형성되되, 제1 블록(120)은 테두리 형태로 형성되고, 제2 블록(130)은 제1 블록(120)의 내부에 형성될 수 있다. 즉, 제1 블록(120)은 아웃 블록(out block)일 수 있고, 제2 블록(130)은 이너 블록(inner block)일 수 있는 것이다.The first and second blocks 120 and 130 are formed on the same plane as each other, the first block 120 is formed in the shape of an edge, and the second block 130 is formed inside the first block 120 . can be That is, the first block 120 may be an out block, and the second block 130 may be an inner block.

도 6을 참고하면, 제1 및 제2 블록(120, 130) 각각은 상부면을 기준으로 오목부(123, 133)와 볼록부(121, 131)를 포함하는 요철 형태로 형성되며, 볼록부(121, 131)의 상부면으로부터 하부면을 관통하도록 진공홀(113)이 형성될 수 있다. 흡착부(160)의 구동에 따라 상기 진공홀(113)을 통해 필름(15)이 제1 및 제2 블록(120, 130)에 밀착될 수 있는 것이다.Referring to FIG. 6 , each of the first and second blocks 120 and 130 is formed in a concave-convex shape including concave portions 123 and 133 and convex portions 121 and 131 with respect to the upper surface, and the convex portions A vacuum hole 113 may be formed to pass through the lower surface from the upper surface of the 121 and 131 . According to the driving of the adsorption unit 160 , the film 15 may be in close contact with the first and second blocks 120 and 130 through the vacuum hole 113 .

도 9a를 참고하면, 다이(10)에 접착된 필름은 다이(10)에 접착된 순서로 접착층(adhesive layer)(11) 및 UV 접착제(13)가 도포된 베이스 필름(15)을 포함할 수 있다. 상기 UV 접착제는 UV curable PSA(Ultra violet　curable　pressure sensitive adhesives)일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 9A , the film adhered to the die 10 may include a base film 15 to which an adhesive layer 11 and a UV adhesive 13 are applied in the order of adhesion to the die 10 . have. The UV adhesive may be UV curable PSA (Ultra violet curable pressure sensitive adhesives), but is not limited thereto.

도 1 및 도 9b를 참고하면, 다이 픽업 장치(100)는 제1 블록(120) 및 제2 블록(130)을 상하 이동시켜 접착층(11)과 UV 접착제(13)가 도포된 베이스 필름(15)을 서로 분리시키는 것이다. 이에 대한 상세 설명은 후술하기로 한다.1 and 9b, the die pickup device 100 moves the first block 120 and the second block 130 up and down to the base film 15 to which the adhesive layer 11 and the UV adhesive 13 are applied. ) to separate them from each other. A detailed description thereof will be given later.

이하에서 개시하는 필름은 베이스 필름(15)을 의미할 수 있으며, 설명의 편의를 위해 필름에 베이스 필름을 나타내는 참조번호 15를 부여하여 설명하기로 한다.The film disclosed below may mean the base film 15, and for convenience of description, the reference number 15 indicating the base film will be assigned to the film to be described.

상술한 다이 픽업 장치(100)는 이젝터(ejector)일 수 있다.The above-described die pickup apparatus 100 may be an ejector.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 구성을 나타내는 도면이다.2 is a diagram showing the configuration of a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 상부면을 나타내는 도 3a 및 3b, 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 일 부분을 상세하게 나타내는 도 4 내지 도 6, 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 다른 실시예를 나타내는 도 7 및 도 8, 본 발명의 실시 예에 따른 필름을 박리시키는 방법을 순서에 따라 나타낸 도 10 내지 도 13을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, FIGS. 3A and 3B showing an upper surface of a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention, FIGS. 4 to 6 showing a part of a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention in detail, an embodiment of the present invention A method of peeling a film according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8 showing another embodiment of a die pickup device according to an embodiment, and FIGS. 10 to 13 showing sequentially.

도 2를 참고하면, 다이 픽업 장치(100)는 본체(110), 구동부(150), 흡착부(160) 및 제어부(170)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the die pickup apparatus 100 may include a body 110 , a driving unit 150 , an adsorption unit 160 , and a control unit 170 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 본체(110)는 웨이퍼의 다이(10)에 접착된 필름(15)과 대향될 상부면(111)에 진공홀(113)을 각각 구비한 제1 및 제2 블록(120, 130)을 포함할 수 있다.1 and 2 , the main body 110 includes first and second vacuum holes 113 on the upper surface 111 to be opposed to the film 15 adhered to the die 10 of the wafer, respectively. Blocks 120 and 130 may be included.

도 1, 도 3a 및 3b을 참고하면, 제1 및 제2 블록(120, 130)은 서로 동일 평면 상에 형성되되, 제1 블록(120)은 테두리 형태로 형성되고, 제2 블록(130)은 제1 블록(120)의 내부에 형성될 수 있다. 즉, 제1 블록(120)이 제2 블록(130)을 감싸는 형태로 형성될 수 있는 것이다. 1, 3A and 3B, the first and second blocks 120 and 130 are formed on the same plane as each other, the first block 120 is formed in the form of a border, the second block 130 may be formed inside the first block 120 . That is, the first block 120 may be formed to surround the second block 130 .

도 3a은 다이(10)들을 포함하는 웨이퍼의 하단부에 본체(110)가 위치하는 상태를 나타낸 것으로서, 본체(110)의 상부면(111)에 도 5의 제1 및 제2 블록(120, 130)이 형성될 수 있다.FIG. 3A shows a state in which the body 110 is positioned at the lower end of the wafer including the dies 10 , and the first and second blocks 120 and 130 of FIG. 5 are placed on the upper surface 111 of the body 110 . ) can be formed.

도 3b를 참고하면, 본체(110)의 상부면(111)에는 제1 및 제2 블록(120, 130) 이외에도 진공홀(113)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3B , a vacuum hole 113 may be formed on the upper surface 111 of the body 110 in addition to the first and second blocks 120 and 130 .

도 4를 참고하면, 본체(110)는 상부면(111)을 기준으로 제1 블록(120)의 외곽에 형성되는 사이드 블록(140)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the body 110 may further include a side block 140 formed outside the first block 120 with respect to the upper surface 111 .

도 4에서 도시하는 바와 같이, 제1 블록(120)에는 참조번호 10a의 다이가 접촉되고, 사이드 블록(140)에는 참조번호 10b의 다이가 접촉될 수 있다. 즉, 제1 블록(120)과 사이드 블록(140)에 접촉되는 다이(10a, 10b)는 서로 다른 다이일 수 있는 것이다.As shown in FIG. 4 , the die 10a may be in contact with the first block 120 , and the die 10b may be in contact with the side block 140 . That is, the dies 10a and 10b contacting the first block 120 and the side block 140 may be different dies.

도 5를 참고하면, 제1 블록(120)은 메탈 재질로 형성되고, 제2 블록(130)은 연성 재질로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5 , the first block 120 may be formed of a metal material, and the second block 130 may be formed of a flexible material.

다른 예로, 제1 및 제2 블록(120, 130)은 메탈 재질로 형성되는 것 역시 가능하다 할 것이다.As another example, the first and second blocks 120 and 130 may also be formed of a metal material.

도 1에서 도시하는 바와 같이, 제1 및 제2 블록(120, 130)의 상부면(111)의 사이즈는 대향되는 웨이퍼의 개별 다이(10) 사이즈에 대응되는 사이즈로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 1 , the size of the upper surface 111 of the first and second blocks 120 and 130 may be formed to have a size corresponding to the size of the individual die 10 of the opposing wafer.

즉, 제1 블록(120)의 상부면과 제2 블록(130)의 상부면을 결합한 사이즈가 하나의 다이(10) 사이즈와 동일 또는 유사한 크기일 수 있다는 것이다.That is, the combined size of the upper surface of the first block 120 and the upper surface of the second block 130 may be the same or similar to the size of one die 10 .

도 5 및 도 6을 참고하면, 제1 및 제2 블록(120, 130)은 각각 상부면(111)을 기준으로 오목부(123, 133)와 볼록부(121, 131)를 포함하는 요철 형태로 형성될 수 있다.5 and 6 , the first and second blocks 120 and 130 have concave-convex shapes including concave portions 123 and 133 and convex portions 121 and 131 with respect to the upper surface 111, respectively. can be formed with

제1 및 제2 블록(120, 130)은 각각 볼록부(121, 131)의 상부면(111)으로부터 하부면을 관통하도록 진공홀(113)이 형성될 수 있다. 흡착부(160)가 구동하면, 관통 형태의 진공홀(113)을 통해 본체(110)의 상부에 위치하는 필름(15)을 진공 흡착시켜 제1 블록(120) 또는 제2 블록(130)과 필름(15)이 서로 밀착되는 것이다.In each of the first and second blocks 120 and 130 , a vacuum hole 113 may be formed to penetrate from the upper surface 111 to the lower surface of the convex portions 121 and 131 . When the adsorption unit 160 is driven, the first block 120 or the second block 130 and the first block 120 or the second block 130 by vacuum adsorbing the film 15 positioned on the upper portion of the body 110 through the vacuum hole 113 of the penetrating type. The films 15 are in close contact with each other.

도 7 및 도 8을 참고하면, 제2 블록(130)은 구동부(150)의 제어에 따라 서로 별도로 상하 이동을 수행할 수 있는 복수의 그룹으로 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8 , the second block 130 may be formed into a plurality of groups capable of vertically moving separately from each other under the control of the driving unit 150 .

일 예로, 도 7과 같이, 제2 블록(130)는 제1 그룹(130a)이 테두리 형태로 형성되고, 제2 그룹(130b)이 제1 그룹(130a)의 내부에 위치하는 형태로 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 7 , in the second block 130 , the first group 130a is formed in the form of an edge, and the second group 130b is positioned inside the first group 130a. can

다른 예로, 도 8과 같이, 제2 블록(130)은 제1 그룹(130a)과 제2 그룹(130b)이 제1 블록(120) 내부에 그룹을 이루며 위치하는 형태로 형성될 수 있다.As another example, as shown in FIG. 8 , the second block 130 may be formed in such a way that the first group 130a and the second group 130b are positioned as a group inside the first block 120 .

제2 블록(130)이 복수의 그룹으로 형성되는 예는 도 7 및 도 8에 한정되지 않고, 운용자의 필요에 따라 변경 가능하다 할 것이다. 제2 블록(130)이 복수의 그룹 형태로 형성됨에 따라 다이 픽업 동작 시, 다양한 다이 사이즈에 대처할 수 있어 다이 픽업 성능이 향상될 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.An example in which the second block 130 is formed into a plurality of groups is not limited to FIGS. 7 and 8 , and may be changed according to the needs of the operator. As the second block 130 is formed in the form of a plurality of groups, it is possible to cope with various die sizes during a die pickup operation, so that the die pickup performance can be improved.

구동부(150)는 제1 및 제2 블록(120, 130)을 각각 상하 이동시키기 위한 구성일 수 있다.The driving unit 150 may be configured to vertically move the first and second blocks 120 and 130 , respectively.

이때, 구동부(150)는 제1 및 제2 블록(120, 130)을 상하 이동시킬 수 있는 모터를 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.In this case, the driving unit 150 may include a motor capable of moving the first and second blocks 120 and 130 up and down, but is not limited thereto.

흡착부(160)는 진공홀(113)을 통해 필름(15)을 진공 흡착시키기 위한 구성일 수 있다.The adsorption unit 160 may be configured to vacuum adsorb the film 15 through the vacuum hole 113 .

제어부(170)는 구동부(150) 및 흡착부(160)의 동작을 제어하되, 제1 블록(120)과 제2 블록(130)을 동시 또는 각각 상하 이동시키도록 구동부(150)를 제어할 수 있다.The control unit 170 may control the operation of the driving unit 150 and the adsorption unit 160, but may control the driving unit 150 to move the first block 120 and the second block 130 up and down simultaneously or respectively. have.

제어부(170)는 제1 블록(120) 또는 제2 블록(130)이 하강할 때 진공홀(113)을 통해 필름(15)을 흡착시키도록 흡착부(160)를 제어할 수 있다.The controller 170 may control the adsorption unit 160 to adsorb the film 15 through the vacuum hole 113 when the first block 120 or the second block 130 descends.

본 실시예는 제1 블록(120) 또는 제2 블록(130)이 하강할 때, 하강하는 방향과 동일 방향으로 필름(15)을 진공 흡착시키기 때문에, 다이(15)로부터 필름(15)을 박리하는 효과를 더욱 증대시킬 수 있는 것이다. 이때, 필름(15)이 박리된 상태의 다이(10)는 도 9b와 같이 접착층(11)이 접착된 상태를 의미할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 또한, 다이(10)로부터 박리된 필름(15)은 도 9b와 같이 UV 접착제(13)가 도포된 상태의 베이스 필름을 의미할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.In this embodiment, when the first block 120 or the second block 130 descends, since the film 15 is vacuum-adsorbed in the same direction as the descending direction, the film 15 is peeled off from the die 15 . The effect can be further increased. At this time, the die 10 in a state in which the film 15 is peeled may mean a state in which the adhesive layer 11 is adhered as shown in FIG. 9B , but is not limited thereto. In addition, the film 15 peeled from the die 10 may mean a base film in a state in which the UV adhesive 13 is applied as shown in FIG. 9B , but is not limited thereto.

제어부(170)는 제1 및 제2 블록(120, 130)이 필름(15)과 접촉되도록 동시에 상승시킨 후, 제1 블록(120)을 제2 블록(130) 보다 우선적으로 하강시키고 이후 제2 블록(130)을 하강시키도록 구동부(150)를 제어할 수 있다.The control unit 170 raises the first and second blocks 120 and 130 at the same time so that they are in contact with the film 15 , and then lowers the first block 120 preferentially than the second block 130 , and then lowers the second block 120 . The driving unit 150 may be controlled to lower the block 130 .

도 10을 참고하면, 다이 픽업 동작을 수행하기 전 본체(110)의 제1 블록(120), 제2 블록(130) 및 사이드 블록(140)은 서로 동일한 평면에 위치하도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 다이 픽업 동작은 다이 어태치 동작일 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 필름을 박리하는 동작이면 모두 적용 가능하다 할 것이다. 이후, 다이 픽업 동작을 시작하면, 도 10과 같이, 제1 블록(120), 제2 블록(130) 및 사이드 블록(140)을 포함하는 본체(110)를 필름(15)에 인접하게 위치시킬 수 있다. 이때, 필름(15)은 박리하고자 하는 다이(10)에 접착된 필름(15)일 수 있다.Referring to FIG. 10 , before the die pickup operation is performed, the first block 120 , the second block 130 , and the side block 140 of the main body 110 may be disposed to be positioned on the same plane. Specifically, the die pickup operation may be a die attach operation, and is not limited thereto, and any operation of peeling a film may be applied. Thereafter, when the die pickup operation starts, as shown in FIG. 10 , the body 110 including the first block 120 , the second block 130 and the side block 140 is positioned adjacent to the film 15 . can In this case, the film 15 may be a film 15 attached to the die 10 to be peeled off.

다음, 도 11을 참고하면, 제어부(170)는 제1 및 제2 블록(120, 130)이 필름(15)과 접촉되도록 동시에 상승시키도록 구동부(150)를 제어할 수 있다. 이때, 제어부(170)는 다이(10)와 필름(15) 간의 박리 능력을 향상시키기 위해 본체(110)의 상승 정도를 조정할 수 있다.Next, referring to FIG. 11 , the control unit 170 may control the driving unit 150 to simultaneously raise the first and second blocks 120 and 130 to contact the film 15 . In this case, the control unit 170 may adjust the degree of elevation of the body 110 in order to improve peeling ability between the die 10 and the film 15 .

제어부(170)는 제1 및 제2 블록(120, 130)이 필름(15)에 접촉되도록 상승했거나, 또는 제1 및 제2 블록(120, 130)이 필름(15)에 접촉된 후 기 설정된 시간이 경과하는 등의 조건이 만족할 때까지 대기할 수 있다. The control unit 170 rises so that the first and second blocks 120 and 130 come into contact with the film 15 , or after the first and second blocks 120 and 130 come into contact with the film 15 , a preset setting You can wait until a condition such as the passage of time is satisfied.

다음, 도 12를 참고하면, 제어부(170)는 제1 블록(120)만 독립적으로 먼저 하강시킬 수 있도록 구동부(150)를 제어할 수 있다. 이때, 제어부(170)는 제1 블록(120)이 하강할 때 진공홀(113)을 통해 필름(15)을 흡착시키도록 흡착부(160)를 제어할 수 있다. 즉, 제1 블록(120)은 필름(15)을 다이(10)로부터 박리시키는 방향으로 진공 흡착시키는 상태로 이동할 수 있는 것이다.Next, referring to FIG. 12 , the controller 170 may control the driving unit 150 so that only the first block 120 can be independently first descended. In this case, the controller 170 may control the adsorption unit 160 to adsorb the film 15 through the vacuum hole 113 when the first block 120 descends. That is, the first block 120 may be moved in a state of vacuum adsorption in a direction in which the film 15 is peeled from the die 10 .

도 12에서 도시하는 바와 같이, 흡착부(160)의 구동에 따라, 진공홀(113) 뿐만 아니라 사이드 블록(140)과 제1 블록(110) 간의 이격 공간 또는 제1 블록(110)과 제2 블록(130) 간의 이격 공간을 통해서도 흡착력이 발생할 수 있다.As shown in FIG. 12 , according to the driving of the adsorption unit 160 , not only the vacuum hole 113 , but also a space between the side block 140 and the first block 110 or the first block 110 and the second block 110 . Adsorption force may also be generated through the space between the blocks 130 .

도 13을 참고하면, 제어부(170)는 제2 블록(130)을 하강시키도록 구동부(150)를 제어할 수 있다. 이때, 제어부(170)는 제2 블록(130)이 하강할 때 진공홀(113)을 통해 필름(15)을 흡착시키도록 흡착부(160)를 제어할 수 있다. 즉, 제2 블록(130)은 필름(15)을 다이(10)로부터 박리시키는 방향으로 진공 흡착시키는 상태로 이동할 수 있는 것이다. Referring to FIG. 13 , the control unit 170 may control the driving unit 150 to lower the second block 130 . In this case, the controller 170 may control the adsorption unit 160 to adsorb the film 15 through the vacuum hole 113 when the second block 130 descends. That is, the second block 130 may move in a state of vacuum adsorption in a direction in which the film 15 is peeled from the die 10 .

이때, 제어부(170)는 운용자의 필요에 따라 제1 블록(110)과 제2 블록(130)의 하강 순서를 변경할 수 있음은 당연하다 할 것이다. 예를 들어, 제어부(170)는 제1 블록(130)을 우선적으로 하강시킨 후, 제1 블록(110)을 하강시킬 수 있는 것이다.In this case, it will be natural that the controller 170 may change the descending order of the first block 110 and the second block 130 according to the needs of the operator. For example, the control unit 170 may lower the first block 130 first and then lower the first block 110 .

또한, 제어부(170)는 제1 블록(110)과 제2 블록(130)의 하강 속도, 하강 시작 시간 및 하강 높이 정도 중 적어도 하나 이상을 조정할 수 있다.In addition, the controller 170 may adjust at least one of the descending speed, the descending start time, and the descending height of the first block 110 and the second block 130 .

상술한 바와 같이, 제어부(170)가 제1 블록(110)과 제2 블록(130)을 동시에 하강시키지 않고 순차적으로 하강시키기 때문에, 필름(15)의 박리로 인해 다이(10)에 가해지는 충격이 제1 블록(110)과 제2 블록(130)을 동시에 하강시키는 것에 비해 줄어들 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.As described above, since the control unit 170 descends sequentially without lowering the first block 110 and the second block 130 at the same time, the impact applied to the die 10 due to the peeling of the film 15 . Compared to lowering the first block 110 and the second block 130 at the same time, the effect that it can be reduced can be expected.

상술한 필름의 박리 동작이 완료되면, 도 9b와 같이, UV 접착제(13)가 도포된 베이스 필름(15)은 접착층(11)과 서로 분리된 상태가 되는 것이다.When the above-described peeling operation of the film is completed, as shown in FIG. 9b , the base film 15 to which the UV adhesive 13 is applied is in a state separated from the adhesive layer 11 .

도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 다이 픽업 장치의 동작방법을 설명하기 위한 흐름도이다.14 is a flowchart illustrating a method of operating a die pickup apparatus according to an embodiment of the present invention.

먼저, 다이 픽업 장치(100)는 상부면(도 3의 111)에 진공홀(113)을 각각 구비한 제1 및 제2 블록(120, 130)을 포함하는 본체(111)를 웨이퍼의 다이(10)에 접착된 필름(15)에 접촉되도록 상승시킬 수 있다(S101). 제1 및 제2 블록(120, 130)은 모두 동시에 상승하는 것이다.First, the die pickup apparatus 100 uses a body 111 including first and second blocks 120 and 130 each having a vacuum hole 113 on an upper surface (111 in FIG. 3 ) of a wafer die ( 10) may be raised to contact the film 15 adhered to (S101). The first and second blocks 120 and 130 all rise at the same time.

도 11을 참고하면, 다이 픽업 장치(100)는 제1 및 제2 블록(120, 130)이 필름(15)과 접촉되도록 동시에 상승시킬 수 있다. 이때, 다이 픽업 장치(100)는 다이(10)와 필름(15) 간의 박리 능력을 향상시키기 위해 본체(110)의 상승 정도를 조정할 수 있다.Referring to FIG. 11 , the die pickup apparatus 100 may simultaneously raise the first and second blocks 120 and 130 to contact the film 15 . In this case, the die pickup apparatus 100 may adjust the elevation of the body 110 in order to improve peeling ability between the die 10 and the film 15 .

다이 픽업 장치(100)는 제1 및 제2 블록(120, 130)이 필름(15)에 접촉되도록 상승했거나, 또는 제1 및 제2 블록(120, 130)이 필름(15)에 접촉된 후 기 설정된 시간이 경과하는 등의 조건이 만족할 때까지 대기할 수 있다. The die pickup device 100 is raised so that the first and second blocks 120 and 130 come into contact with the film 15 , or after the first and second blocks 120 and 130 come into contact with the film 15 . It may wait until a condition such as the lapse of a preset time is satisfied.

상술한 제1 및 제2 블록(120, 130)은 서로 동일 평면 상에 형성되되, 제1 블록(120)은 테두리 형태로 형성되고, 제2 블록(130)은 제1 블록(120)의 내부에 형성될 수 있다.The above-described first and second blocks 120 and 130 are formed on the same plane as each other, the first block 120 is formed in the form of an edge, and the second block 130 is formed inside the first block 120 . can be formed in

도 7 및 도 8과 같이, 제2 블록(130)은 서로 별도로 상하 이동을 수행할 수 있는 복수의 그룹으로 형성될 수 있다.7 and 8 , the second block 130 may be formed into a plurality of groups capable of vertically moving separately from each other.

일 예로, 제1 블록(120)은 메탈 재질로 형성되고, 제2 블록(130)은 연성 재질로 형성될 수 있다. 제2 블록(130)이 연성 재질로 형성되기 때문에, 다이(10)에 직접 접촉되어도 가해지는 충격이 덜 해 다이(10)에 발생될 수 있는 크랙 등이 미연에 방지될 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.For example, the first block 120 may be formed of a metal material, and the second block 130 may be formed of a flexible material. Since the second block 130 is formed of a soft material, even if it is in direct contact with the die 10, the impact applied is less, so that cracks that may occur in the die 10 can be prevented in advance. have.

다른 예로, 제1 및 제2 블록(120, 130)은 메탈 재질로 형성될 수 있다.As another example, the first and second blocks 120 and 130 may be formed of a metal material.

제1 및 제2 블록(120, 130)의 상부면의 사이즈는 대향되는 웨이퍼의 개별 다이(10) 사이즈에 대응되는 사이즈로 형성될 수 있다.The size of the upper surfaces of the first and second blocks 120 and 130 may be formed to have a size corresponding to the size of the individual die 10 of the opposing wafer.

제1 및 제2 블록(120, 130)은 각각 상부면을 기준으로 오목부(123, 133)와 볼록부(121, 131)를 포함하는 요철 형태로 형성되며, 볼록부(121, 131)의 상부면으로부터 하부면을 관통하도록 진공홀(113)이 형성될 수 있다.The first and second blocks 120 and 130 are formed in a concave-convex shape including concave portions 123 and 133 and convex portions 121 and 131 with respect to the upper surface, respectively, and of the convex portions 121 and 131 , respectively. A vacuum hole 113 may be formed to pass through the lower surface from the upper surface.

본체(110)는 상부면을 기준으로 제1 블록(120)의 외곽에 형성되는 사이드 블록(140)을 더 포함할 수 있다.The body 110 may further include a side block 140 formed outside the first block 120 with respect to the upper surface.

다음, 다이 픽업 장치(100)는 진공홀(113)을 통해 필름(15)을 흡착시킨 상태로 제1 블록(120)을 하강시킬 수 있다(S103).Next, the die pickup apparatus 100 may lower the first block 120 in a state in which the film 15 is adsorbed through the vacuum hole 113 ( S103 ).

도 12를 참고하면, 다이 픽업 장치(100)는 제1 블록(120)만 독립적으로 먼저 하강시킬 수 있다. 이때, 다이 픽업 장치(100)는 제1 블록(120)이 하강할 때 진공홀(113)을 통해 필름(15)을 흡착시킬 수 있다. 즉, 제1 블록(120)은 필름(15)을 다이(10)로부터 박리시키는 방향으로 진공 흡착시키는 상태로 이동할 수 있는 것이다.Referring to FIG. 12 , the die pickup apparatus 100 may first independently lower only the first block 120 . In this case, the die pickup apparatus 100 may adsorb the film 15 through the vacuum hole 113 when the first block 120 descends. That is, the first block 120 may be moved in a state of vacuum adsorption in a direction in which the film 15 is peeled from the die 10 .

도 12에서 도시하는 바와 같이, 진공홀(113) 뿐만 아니라 사이드 블록(140)과 제1 블록(110) 간의 이격 공간 또는 제1 블록(110)과 제2 블록(130) 간의 이격 공간을 통해서도 흡착력이 발생할 수 있다.As shown in FIG. 12 , the suction force is not only through the vacuum hole 113 , but also through the space between the side block 140 and the first block 110 or the space between the first block 110 and the second block 130 . This can happen.

다음, 다이 픽업 장치(100)는 진공홀(113)을 통해 필름(15)을 흡착시킨 상태로 제2 블록(130)을 하강시킬 수 있다(S105).Next, the die pickup apparatus 100 may lower the second block 130 in a state in which the film 15 is adsorbed through the vacuum hole 113 ( S105 ).

도 13을 참고하면, 다이 픽업 장치(100)는 제2 블록(130)을 하강시킬 수 있다. 이때, 다이 픽업 장치(100)는 제2 블록(130)이 하강할 때 진공홀(113)을 통해 필름(15)을 흡착시킬 수 있다. 즉, 제2 블록(130)은 필름(15)을 다이(10)로부터 박리시키는 방향으로 진공 흡착시키는 상태로 이동할 수 있는 것이다. Referring to FIG. 13 , the die pickup apparatus 100 may lower the second block 130 . In this case, the die pickup apparatus 100 may adsorb the film 15 through the vacuum hole 113 when the second block 130 descends. That is, the second block 130 may move in a state of vacuum adsorption in a direction in which the film 15 is peeled from the die 10 .

이때, 다이 픽업 장치(100)는 운용자의 필요에 따라 제1 블록(110)과 제2 블록(130)의 하강 순서를 변경할 수 있음은 당연하다 할 것이다. 예를 들어, 다이 픽업 장치(100)는 제1 블록(130)을 우선적으로 하강시킨 후, 제1 블록(110)을 하강시킬 수 있는 것이다.In this case, it will be natural that the die pickup apparatus 100 may change the descending order of the first block 110 and the second block 130 according to the needs of the operator. For example, the die pickup apparatus 100 may lower the first block 130 after preferentially lowering the first block 130 .

또한, 다이 픽업 장치(100)는 제1 블록(110)과 제2 블록(130)의 하강 속도, 하강 시작 시간 및 하강 높이 정도 중 적어도 하나 이상을 조정할 수 있다.Also, the die pickup apparatus 100 may adjust at least one of a descending speed, a descending start time, and a descending height of the first block 110 and the second block 130 .

상술한 바와 같이, 다이 픽업 장치(100)가 제1 블록(110)과 제2 블록(130)을 동시에 하강시키지 않고 순차적으로 하강시키기 때문에, 필름(15)의 박리로 인해 다이(10)에 가해지는 충격이 제1 블록(110)과 제2 블록(130)을 동시에 하강시키는 것에 비해 줄어들 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.As described above, since the die pickup device 100 descends sequentially without lowering the first block 110 and the second block 130 at the same time, it is applied to the die 10 due to peeling of the film 15 . It can be expected that the impact can be reduced compared to lowering the first block 110 and the second block 130 at the same time.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, since the present invention can be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics thereof, the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting. have to understand The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

10 : 다이 100 : 다이 픽업 장치
110 : 본체 120 : 제1 블록
130 : 제2 블록 140 : 사이드 블록
150 : 구동부 160 : 흡착부
170 : 제어부10: die 100: die pickup device
110: body 120: first block
130: second block 140: side block
150: driving unit 160: adsorption unit
170: control unit

Claims (20)

웨이퍼의 다이에 접착된 필름과 대향될 상부면에 진공홀을 각각 구비한 제1 및 제2 블록을 포함하는 본체;
상기 제1 및 제2 블록을 각각 상하 이동시키기 위한 구동부;
상기 진공홀을 통해 상기 필름을 진공 흡착시키기 위한 흡착부; 및
상기 구동부 및 상기 흡착부의 동작을 제어하되, 상기 제1 블록과 제2 블록을 동시 또는 각각 상하 이동시키도록 상기 구동부를 제어하고, 상기 제1 블록 또는 제2 블록이 하강할 때 상기 진공홀을 통해 상기 필름을 흡착시키도록 상기 흡착부를 제어하는 제어부;
를 포함하는 다이 픽업 장치.a body including first and second blocks each having a vacuum hole on an upper surface to be opposed to the film adhered to the die of the wafer;
a driving unit for vertically moving the first and second blocks, respectively;
an adsorption unit for vacuum adsorbing the film through the vacuum hole; and
Control the operation of the driving unit and the adsorption unit, but control the driving unit to move the first block and the second block up and down simultaneously or respectively, and when the first block or the second block is lowered, through the vacuum hole a control unit controlling the adsorption unit to adsorb the film;
A die pickup device comprising a. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록은 서로 동일 평면 상에 형성되되, 상기 제1 블록은 테두리 형태로 형성되고, 상기 제2 블록은 상기 제1 블록의 내부에 형성되는 다이 픽업 장치.According to claim 1,
The first and second blocks are formed on the same plane as each other, the first block is formed in the shape of an edge, the second block is formed inside the first block die pickup device. 제2항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 제1 및 제2 블록이 상기 필름과 접촉되도록 동시에 상승시킨 후, 상기 제1 블록을 상기 제2 블록 보다 우선적으로 하강시키고 이후 상기 제2 블록을 하강시키도록 상기 구동부를 제어하는 다이 픽업 장치.3. The method of claim 2,
The control unit is
After simultaneously raising the first and second blocks to be in contact with the film, the first block is preferentially lowered than the second block, and then the driving unit is controlled to lower the second block. 제2항에 있어서,
상기 제2 블록은 상기 구동부의 제어에 따라 서로 별도로 상하 이동을 수행할 수 있는 복수의 그룹으로 형성되는 다이 픽업 장치.3. The method of claim 2,
The second block is formed into a plurality of groups capable of vertically moving separately from each other under the control of the driving unit. 제1항에 있어서,
상기 제1 블록은 메탈 재질로 형성되고, 상기 제2 블록은 연성 재질로 형성되는 다이 픽업 장치.According to claim 1,
The die pickup device in which the first block is formed of a metal material, and the second block is formed of a flexible material. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록은 메탈 재질로 형성되는 다이 픽업 장치.According to claim 1,
The first and second blocks are die pickup devices formed of a metal material. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록의 상부면의 사이즈는 대향되는 상기 웨이퍼의 개별 다이 사이즈에 대응되는 사이즈로 형성된 다이 픽업 장치.According to claim 1,
The size of the upper surfaces of the first and second blocks is a die pickup device formed to have a size corresponding to the individual die size of the opposite wafer. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록은 각각 상부면을 기준으로 오목부와 볼록부를 포함하는 요철 형태로 형성되는 다이 픽업 장치.According to claim 1,
The first and second blocks are each formed in a concave-convex shape including a concave portion and a convex portion with respect to an upper surface thereof. 제8항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록은 각각 상기 볼록부의 상부면으로부터 하부면을 관통하도록 상기 진공홀이 형성되는 다이 픽업 장치.9. The method of claim 8,
In each of the first and second blocks, the vacuum hole is formed so as to penetrate from the upper surface to the lower surface of the convex part. 제1항에 있어서,
상기 본체는,
상기 상부면을 기준으로 상기 제1 블록의 외곽에 형성되는 사이드 블록을 더 포함하는 다이 픽업 장치.According to claim 1,
The body is
The die pickup device further comprising a side block formed on the outside of the first block with respect to the upper surface. 상부면에 진공홀을 구비한 메탈 재질의 제1 블록; 및
상부면에 진공홀을 구비하고 연성 재질로 형성되며 상기 제1 블록과 독립적으로 상하 이동이 가능하도록 형성된 제2 블록을 포함하고,
상기 제1 및 제2 블록은 서로 동일 평면 상에 형성되되, 상기 제1 블록은 테두리 형태로 형성되고, 상기 제2 블록은 상기 제1 블록의 내부에 형성되는 다이 픽업 장치.A first block made of a metal material having a vacuum hole on the upper surface; and
It includes a second block having a vacuum hole in the upper surface and formed of a flexible material to be able to move up and down independently of the first block,
The first and second blocks are formed on the same plane as each other, the first block is formed in the shape of an edge, the second block is formed inside the first block die pickup device. 제11항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록 각각은 상부면을 기준으로 오목부와 볼록부를 포함하는 요철 형태로 형성되며, 상기 볼록부의 상부면으로부터 하부면을 관통하도록 상기 진공홀이 형성되는 다이 픽업 장치.12. The method of claim 11,
Each of the first and second blocks is formed in a concave-convex shape including a concave portion and a convex portion with respect to an upper surface thereof, and the vacuum hole is formed to pass through the lower surface from the upper surface of the convex portion. 다이 픽업 장치가 상부면에 진공홀을 각각 구비한 제1 및 제2 블록을 포함하는 본체를 웨이퍼의 다이에 접착된 필름에 접촉되도록 상승시키는 단계;
상기 진공홀을 통해 상기 필름을 흡착시킨 상태로 상기 제1 블록을 하강시키는 단계; 및
상기 진공홀을 통해 상기 필름을 흡착시킨 상태로 상기 제2 블록을 하강시키는 단계;
를 포함하는 다이 픽업 장치의 동작방법.elevating, by the die pickup device, a main body including first and second blocks each having a vacuum hole on an upper surface thereof so as to be in contact with the film adhered to the die of the wafer;
lowering the first block in a state in which the film is adsorbed through the vacuum hole; and
lowering the second block in a state in which the film is adsorbed through the vacuum hole;
A method of operating a die pickup device comprising a. 제13항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록은 서로 동일 평면 상에 형성되되, 상기 제1 블록은 테두리 형태로 형성되고, 상기 제2 블록은 상기 제1 블록의 내부에 형성되는 다이 픽업 장치의 동작방법.14. The method of claim 13,
The first and second blocks are formed on the same plane as each other, the first block is formed in the shape of an edge, and the second block is formed inside the first block. 제13항에 있어서,
상기 제2 블록은 서로 별도로 상하 이동을 수행할 수 있는 복수의 그룹으로 형성되는 다이 픽업 장치의 동작방법.14. The method of claim 13,
The second block is formed into a plurality of groups capable of vertically moving separately from each other. 제13항에 있어서,
상기 제1 블록은 메탈 재질로 형성되고, 상기 제2 블록은 연성 재질로 형성되는 다이 픽업 장치의 동작방법.14. The method of claim 13,
The first block is formed of a metal material, and the second block is formed of a flexible material. 제13항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록은 메탈 재질로 형성되는 다이 픽업 장치의 동작방법.14. The method of claim 13,
The method of operating a die pickup device in which the first and second blocks are formed of a metal material. 제13항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록의 상부면의 사이즈는 대향되는 상기 웨이퍼의 개별 다이 사이즈에 대응되는 사이즈로 형성된 다이 픽업 장치의 동작방법.14. The method of claim 13,
The size of the upper surfaces of the first and second blocks is formed to have a size corresponding to the individual die sizes of the opposing wafers. 제13항에 있어서,
상기 제1 및 제2 블록은 각각 상부면을 기준으로 오목부와 볼록부를 포함하는 요철 형태로 형성되며, 상기 볼록부의 상부면으로부터 하부면을 관통하도록 상기 진공홀이 형성된 다이 픽업 장치의 동작방법.14. The method of claim 13,
The first and second blocks are each formed in a concave-convex shape including a concave portion and a convex portion with respect to an upper surface thereof, and the vacuum hole is formed so as to pass through the lower surface from the upper surface of the convex portion. 제13항에 있어서,
상기 본체는,
상기 상부면을 기준으로 상기 제1 블록의 외곽에 형성되는 사이드 블록을 더 포함하는 다이 픽업 장치의 동작방법.14. The method of claim 13,
The body is
The method of operating a die pickup apparatus further comprising a side block formed on the outside of the first block with respect to the upper surface.
KR1020190167724A 2019-12-16 2019-12-16 Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus KR102382558B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190167724A KR102382558B1 (en) 2019-12-16 2019-12-16 Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190167724A KR102382558B1 (en) 2019-12-16 2019-12-16 Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210076472A true KR20210076472A (en) 2021-06-24
KR102382558B1 KR102382558B1 (en) 2022-04-05

Family

ID=76607078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190167724A KR102382558B1 (en) 2019-12-16 2019-12-16 Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102382558B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050111946A (en) * 2004-05-24 2005-11-29 삼성전자주식회사 Method for separating thin chip
KR100834837B1 (en) * 2006-12-29 2008-06-03 삼성전자주식회사 Semiconductor die pick up apparatus and semiconductor die pick up methoe thereof
KR20090085262A (en) * 2008-02-04 2009-08-07 에스티에스반도체통신 주식회사 Die attach equipment operating reverse pyramid type and operation method thereof
KR20130088245A (en) * 2012-01-31 2013-08-08 한국기술교육대학교 산학협력단 Method of ejecting a die from a wafer, die ejecting unit and die bonding apparatus including the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050111946A (en) * 2004-05-24 2005-11-29 삼성전자주식회사 Method for separating thin chip
KR100834837B1 (en) * 2006-12-29 2008-06-03 삼성전자주식회사 Semiconductor die pick up apparatus and semiconductor die pick up methoe thereof
KR20090085262A (en) * 2008-02-04 2009-08-07 에스티에스반도체통신 주식회사 Die attach equipment operating reverse pyramid type and operation method thereof
KR20130088245A (en) * 2012-01-31 2013-08-08 한국기술교육대학교 산학협력단 Method of ejecting a die from a wafer, die ejecting unit and die bonding apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102382558B1 (en) 2022-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000353710A (en) Manufacture of pellet pickup device and semiconductor device
KR101190442B1 (en) Method of ejecting a die from a wafer, die ejecting unit and method of picking up a die and apparatus of picking up a die
JP4816654B2 (en) Chip peeling device, chip peeling method, and chip pickup device
KR20130091293A (en) Die bonder and pickup device
JP2012199456A (en) Die bonder and pick up method of die bonder
JP2015198251A (en) Chip detaching apparatus and chip detaching method
JP2002270542A (en) Method of picking up die, and picking-up apparatus
KR20150090452A (en) Apparatus for ejecting a die
JP2013065757A (en) Pickup method of semiconductor chip and pickup device of semiconductor chip
JP2015076410A (en) Bonding method and die bonder
TWI808515B (en) Apparatus for transferring die in bonding equipment and method thereof
JP5201990B2 (en) Semiconductor chip pickup device
KR101322516B1 (en) Method of ejecting a die from a wafer, die ejecting unit and die bonding apparatus including the same
JP4924316B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
KR101322571B1 (en) Apparatus for picking up semiconductor devices
KR102382558B1 (en) Die Pick-up Apparatus and Operating Method of Die Pick-up Apparatus
WO2008053673A1 (en) Pickup device for semiconductor chip
JP4816598B2 (en) Chip peeling device, chip peeling method, and chip pickup device
KR101496024B1 (en) Apparatus for ejecting a die
JPH0376139A (en) Upward pushing movement of semiconductor element
JP5214739B2 (en) Chip peeling method, semiconductor device manufacturing method, and chip peeling apparatus
JP7489929B2 (en) Chip peeling method, semiconductor device manufacturing method, and chip peeling device
JP6907384B1 (en) Pickup device
TWI834450B (en) Method for stripping die with pushing means and air control means
JP4704516B2 (en) Chip peeling method, chip peeling apparatus, and semiconductor device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant