KR20210075642A - 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템 - Google Patents

테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20210075642A
KR20210075642A KR1020190166973A KR20190166973A KR20210075642A KR 20210075642 A KR20210075642 A KR 20210075642A KR 1020190166973 A KR1020190166973 A KR 1020190166973A KR 20190166973 A KR20190166973 A KR 20190166973A KR 20210075642 A KR20210075642 A KR 20210075642A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inspection
terahertz wave
image
examination
terahertz
Prior art date
Application number
KR1020190166973A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102648081B1 (ko
Inventor
김성훈
Original Assignee
(주)미래컴퍼니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)미래컴퍼니 filed Critical (주)미래컴퍼니
Priority to KR1020190166973A priority Critical patent/KR102648081B1/ko
Priority to PCT/KR2020/018211 priority patent/WO2021118316A2/ko
Publication of KR20210075642A publication Critical patent/KR20210075642A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102648081B1 publication Critical patent/KR102648081B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 테라헤르츠파를 이용하여 검사대상체를 검사하여 상기 검사대상체의 불량유무를 판단하여 검사데이터를 생성하는 검사장치를 포함하되, 상기 검사장치는, 상기 테라헤르츠파를 소정 각도 범위에서 일정 속도 이상으로 반사하여 기준 포커스 위치를 기준으로 복수의 각도로 상기 검사대상체에 상기 테라헤르츠파가 입사되도록 포커싱하여 획득한 복수의 스캔정보를 통합처리하여 영상을 생성하고, 상기 검사장치는, 상기 영상을 분석하여 상기 검사데이터를 생성할 수 있다.

Description

테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템 {INSPECTION SYSTEM USING TERAHERTZ WAVE}
본 발명은 테라헤르츠파가 가지고 있는 고정된 한계 해상도를 넘는 고해상도 이미지를 획득할 수 있도록 MEMS 미러 및 TSOM 알고리즘을 이용하여 이미지를 획득할 수 있는 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템에 관한 것이다.
테라헤르츠파(Terahertz wave)는 적외선과 마이크로파의 사이 영역에 위치한 전자기파로서, 일반적으로 0.1THz에서 10THz 사이의 진동수를 가진다.
이러한 테라헤르츠파에 대해서는 지속적인 연구 개발이 이루어져 왔으나, 아직까지 다른 파장 대역의 전자기파에 비해 그 연구는 상대적으로 미진한 상태이다. 따라서, 이러한 파장 대역을 테라헤르츠 갭(terahertz gap)이라 부르기도 한다.
하지만, 지속적인 개발 노력과 함께 다른 여러 기술 분야, 이를테면 광자 공학이나 나노기술 등의 발전이 동반되면서, 최근 이러한 테라헤르츠파에 대한 기술은 더욱 향상되고 있다.
특히, 직진성, 물질에 대한 투과성, 생체에 대한 안전성, 정성적 확인 가능성 등 여러 특성으로 인해, 테라헤르츠파에 대한 관심은 계속해서 높아져 가고 있다.
이로 인해 테라헤르츠파는, 최근에는, 공항이나 보안 시설의 검색 장치, 식품이나 제약 회사의 품질 검사 장치, 반도체 검사 장치, 치과용 검사 장비, 가스 검출 장치, 폭발물 검사 장치, Lab-on-a-chip 검출기 등 여러 분야에 적용시키고자 하는 노력이 행해지고 있다.
이처럼 다양한 영역에서, 테라헤르츠파를 이용한 물체 검사가 행해지고 있으며, 그 방식 또한 여러 가지 형태로 행해지고 있다. 그러나, 종래의 테라헤르츠파를 이용한 여러 검사 방식들은 비용 및 시간이 많이 소요되고, 넓은 면적의 피검물을 검사하는 것이 어렵다는 등 여러 가지 문제점이 있다. 뿐만 아니라, 종래의 테라헤르츠파를 이용한 물체 검사 장치의 경우, 테라헤르츠파 검출 이미지의 해상도가 좋지 않다는 문제점도 있었다.
한국등록특허 제10-1316568호, 2013.10.02
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 테라헤르츠파가 가지고 있는 고정된 한계 해상도를 넘는 고해상도 이미지를 획득할 수 있도록 MEMS 미러 및 TSOM 알고리즘을 이용하여 이미지를 획득할 수 있는 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템은, 테라헤르츠파를 이용하여 검사대상체를 검사하여 상기 검사대상체의 불량유무를 판단하여 검사데이터를 생성하는 검사장치를 포함하되, 상기 검사장치는, 상기 테라헤르츠파를 소정 각도 범위에서 일정 속도 이상으로 반사하여 기준 포커스 위치를 기준으로 복수의 각도로 상기 검사대상체에 상기 테라헤르츠파가 입사되도록 포커싱하여 획득한 복수의 스캔정보를 통합처리하여 영상을 생성하고, 상기 검사장치는, 상기 영상을 분석하여 상기 검사데이터를 생성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 검사장치는, MEMS 미러를 구비하고, 상기 MEMS 미러를 제어하여 상기 검사대상체에 상기 테라헤르츠파가 입사되도록 포커싱할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 검사장치는, TSOM 알고리즘을 이용하여 상기 복수의 스캔정보를 보정하고, 상기 보정된 복수의 스캔정보를 통합처리하여 상기 영상을 생성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 검사대상체의 상기 검사데이터를 생성하는 관리서버를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 프로그램은 하드웨어인 컴퓨터와 결합되어, 컴퓨터가 수행하는 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템을 수행할 수 있도록 컴퓨터에서 독출가능한 컴퓨터에서 독출가능한 기록매체에 저장된다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명에 따르면, 테라헤르츠파를 이용한 이미지를 획득할 때, MEMS 미러 및 TSOM 알고리즘을 이용하여 이미지를 획득함으로써, 테라헤르츠파가 가지고 있는 고정된 한계 해상도를 넘는 고해상도 이미지를 획득할 수 있다. 즉, 고해상도 이미지를 획득함으로써, 검사대상체에 대한 검사시간을 단축시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 고해상도 이미지를 획득함으로써, 검사대상체에 대한 불량을 더욱 정확하게 판단하여 불량 제품 생산을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급된 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 일실시예에 따른 검사장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 도면 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 구성요소들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 비록 "제1", "제2" 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 명세서에서 "컴퓨터"는 연산처리를 수행하여 이용자에게 결과를 제공할 수 있는 다양한 장치들이 모두 포함된다. 예를 들어, 컴퓨터는 데스크 탑 PC, 노트북(Note Book) 뿐만 아니라 스마트폰(Smart phone), 태블릿 PC, 셀룰러폰(Cellularphone), 피씨에스폰(PCS phone; Personal Communication Service phone), 동기식/비동기식 IMT-2000(International Mobile Telecommunication-2000)의 이동 단말기, 팜 PC(Palm Personal Computer), 개인용 디지털 보조기(PDA; Personal Digital Assistant) 등도 해당될 수 있다. 또한, 헤드마운트 디스플레이(Head Mounted Display; HMD) 장치가 컴퓨팅 기능을 포함하는 경우, HMD장치가 컴퓨터가 될 수 있다. 또한, 컴퓨터는 클라이언트로부터 요청을 수신하여 정보처리를 수행하는 서버가 해당될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템을 설명하기 위한 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 일실시예에 따른 검사장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템(1)은 검사장치(10) 및 검사관리서버(20)를 포함할 수 있다. 이때, 검사관리서버(20)는 생략될 수도 있다.
여기서, 검사장치(10) 및 검사관리서버(20)는 무선통신망을 이용하여 실시간으로 동기화되어 데이터를 송수신할 수 있다. 무선통신망은 다양한 원거리 통신 방식이 지원될 수 있으며, 예를 들어 무선랜(Wireless LAN: WLAN), DLNA(Digital Living Network Alliance), 와이브로(Wireless Broadband: Wibro), 와이맥스(World Interoperability for Microwave Access: Wimax), GSM(Global System for Mobile communication), CDMA(Code Division Multi Access), CDMA2000(Code Division Multi Access 2000), EV-DO(Enhanced Voice-Data Optimized or Enhanced Voice-Data Only), WCDMA(Wideband CDMA), HSDPA(High Speed Downlink Packet Access), HSUPA(High Speed Uplink Packet Access), IEEE 802.16, 롱 텀 에볼루션(Long Term Evolution: LTE), LTEA(Long Term Evolution-Advanced), 광대역 무선 이동 통신 서비스(Wireless Mobile Broadband Service: WMBS), BLE(Bluetooth Low Energy), 지그비(Zigbee), RF(Radio Frequency), LoRa(Long Range) 등과 같은 다양한 통신 방식이 적용될 수 있으나 이에 한정되지 않으며 널리 알려진 다양한 무선통신 또는 이동통신 방식이 적용될 수도 있다. 이와 달리, 검사장치(10) 및 검사관리서버(20)는 유선통신 방식을 통해 데이터를 송수신할 수도 있다.
우선, 검사장치(10)는 테라헤르츠파를 이용하여 검사대상체(11)를 3차원적으로 검사할 수 있는 장치일 수 있다. 예를 들어, 검사장치(10)는 식품, 반도체 장비, 제조 장비 등의 여러 물체나 물질 등에 대한 검사대상체(11)를 스캔하여 이에 대한 3차원 영상을 획득하여 검사할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 검사장치(10)는 테라파생성부(100), 테라파조사부(110), 포커스조정부(120), 영상획득부(130), 통신부(140), 메모리부(150) 및 장치제어부(160)를 포함할 수 있다. 이때, 검사장치(10)는 외부환경의 영향을 최소화하기 위해 챔버 내에 위치할 수도 있다.
본실시예에서, 테라파는 테라헤르츠파와 동일한 용어로 해석될 수 있으므로, 테라파와 테라헤르츠파는 동시에 사용될 수 있다.
테라파생성부(100)는 테라헤르츠파를 생성할 수 있다. 이때, 생성되는 테라헤르츠파는 검사대상체(11)에 조사되어 반사 및 투과될 수 있는 강도 및 펄스폭을 가질 수 있지만, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 테라파생성부(100)는 주파수 0.1THz~10THz의 전자파로 이루어진 테라헤르츠파를 생성할 수 있다.
테라파조사부(110)는 생성된 테라헤르츠파를 검사대상체(11)에 조사할 수 있는 장치로서, 검사대상체(11)에 따라 테라헤르츠파의 주파수 및 조사위치를 조절하여 임의의 입사각을 갖는 테라헤르츠파를 검사대상체(11)에 조사할 수 있다. 즉, 테라파조사부(110)는 검사대상체(11)에 대하여 포커스(focus) 위치를 x방향, y 방향 및 z 방향으로 변경하여 테라헤르츠파를 조사할 수 있다.
실시예에 따라, 입사각은 검사대상체(11)에 평행하게 입사되거나 소정의 각도를 갖는 비스듬하게 입사될 수 있다.
실시예에 따라, 테라파조사부(110)는 검사대상체(11)에 입사되는 테라헤르츠파의 입사각을 보정하는 렌즈(미도시)를 포함할 수 있다. 즉, 렌즈는 입사되는 광의 양을 크게 또는 작게 조절할 수 있다. 이때, 렌즈는 배율 렌즈 또는 입사각을 집광하기 위한 광학 렌즈 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 배율 렌즈는 고배율 렌즈일 수 있다.
포커스조정부(120)는 테라파조사부(110)와 검사대상체(11) 사이에 위치하여 테라헤르츠파를 포커싱(focusing)할 수 있다.
포커스조정부(120)는 MEMS 미러(121) 및 렌즈(122)를 포함할 수 있다.
MEMS 미러(121)는 테라헤르츠파를 소정 각도 범위에서 고속으로 반사할 수 있다. 즉, MEMS 미러(121)는 소정 각도 범위에서 고속으로 회전할 수 있다. 이에 따라, MEMS 미러(121)로 입사된 테라헤르츠파는 소정 각도 범위에서 고속으로 반사되어, 렌즈(122)로 입사될 수 있다. 이때, 테라헤르츠파가 1축 방향으로 반사되도록 하기 위해, MEMS 미러(121)는 소정 각도 범위에서 1축 방향으로 회전할 수 있다.
MEMS 미러(121)의 회전은 다양한 형태로 구현될 수 있다. 예를 들어, MEMS 미러(121)의 모터(미도시)에 일정한 주파수의 구형파나 사인파를 갖는 전류를 인가함으로써, MEMS 미러(121)의 원하는 반복 회전 동작을 얻을 수 있다. 여기서, MEMS 미러(121)의 회전 속도는 60Hz 내지 100Hz일 수 있다.
실시예에 따라, MEMS 미러(121)의 회전 각도, 동작, 속도 등은 검사대상체(11)로부터 획득한 이미지에 따라 제어될 수 있다.
한편, MEMS 미러(121) 대신 일정 각도 범위에서 고속으로 반사할 수 있는 Galvano mirror 또는 Polygon mirror가 사용될 수 있다.
렌즈(122)는 MEMS 미러(121)에 의해 반사된 테라헤르츠파를 콜리메이팅할 수 있다. 즉, 렌즈(122)는 MEMS 미러(121)에 의해 반사된 테라헤르츠파를 평행하게 반사하여 검사대상체(11)로 입사시킬 수 있다. 이때, 렌즈(122)는 포물면경에 의해 구현될 수 있다.
이때, 렌즈(122)는 포물면경에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 포물면경의 구경은 200mm일 수 있다.
렌즈(122)는 포물면경의 초점과 MEMS 미러(121)의 회전축이 일치할 수 있다. 이에 따라, 테라헤르츠파가 MEMS 미러(121)의 회전에 의해 일정한 각도로 반사되어 렌즈(122)에 의해 평행하게 반사되어 검사대상체(11)로 입사될 수 있다. 이때, 렌즈(122)에 의해 평행하게 반사된 테라헤르츠파는 검사대상체(11)에 대해 수직으로 입사하도록 하는 것이 좋다.
이와 같은 구조의 포커스조정부(120)는 검사대상체(11)로 조사되는 테라헤르츠파의 포커스의 위치를 변경하여 고속으로 다양한 포커스 위치에서 스캔된 검사대상체(11)의 스캔영상을 획득할 수 있다.
영상획득부(130)는 다양한 포커스 위치에 따라 검사대상체(11)로부터 획득한 복수의 스캔영상를 통합처리하여 검사대상체(11)에 대한 TSOM(Through focus Scanning Optical Microscopy; 쓰루-포커스 스캔 광학 현미경) 영상을 획득할 수 있다. 이때, 스캔영상은 검사대상체(11)에 대하여 x방향, y 방향 및 z 방향으로 스캔된 복수의 영상일 수 있다.
렌즈(122)와 검사대상체(11) 사이의 상대거리(광축상 거리)가 바뀌면서 얻어지는 복수의 스캔영상을 통합하여 TSOM 영상을 획득할 수 있다.
본 실시예에서, 영상획득부(130)는 쓰루-포커스 스캔 광학현미경을 통해 TSOM 영상(TSOM Iimage)을 획득할 수 있다.
구체적으로, 영상획득부(130)는 복수의 스캔영상 중 TSOM 알고리즘을 적용하여 포커스 위치에 따라 포커스가 맞지 않는 스캔영상을 기초영상을 이용하여 보정하고, 보정된 스캔영상을 합성하여 한계 해상도보다 높은 고해상도의 TSOM 영상을 획득할 수 있다.
통신부(140)는 검사대상체(11)에 대한 검사데이터를 검사관리서버(20)로 전송할 수 있다. 여기서, 검사데이터는 검사대상체(11)의 불량유무가 판단된 데이터를 포함할 수 있다. 즉, 검사데이터는 3차원 영상(3-dimensional image)인 TSOM 영상(TSOM Iimage)으로 검사대상체(11)의 불량유무가 판단된 데이터일 수 있다.
실시예에 따라, 통신부(140)는 스캔영상 또는 TSOM 영상을 검사관리서버(20)로 전송할 수 있다.
메모리부(150)는 통신부(140)를 통해 송수신되는 데이터와 검사장치(10)의 다양한 기능을 지원하는 데이터를 저장할 수 있다. 메모리부(150)는 검사장치(10)에서 구동되는 다수의 응용 프로그램(application program 또는 애플리케이션(application)), 검사장치(10)의 동작을 위한 데이터들, 명령어들을 저장할 수 있다. 이러한 응용 프로그램 중 적어도 일부는, 무선통신을 통해 검사관리서버(20) 또는 외부 서버로부터 다운로드 될 수 있다.
장치제어부(160)는 복수의 스캔영상를 통합처리하여 검사대상체(11)에 대한 TSOM 영상(TSOM Iimage)을 분석하여 검사데이터를 생성할 수 있다.
구체적으로, 장치제어부(160)는 획득한 TSOM 영상(TSOM Iimage)에 포함된 복수의 스캔영상을 분석하여 검사대상체(11)의 흠결이 의심되는 흠결 영역을 판단하여 검사대상체(11)의 불량 유무를 판별할 수 있는 검사데이터를 생성할 수 있다.
이때, 장치제어부(160)는 검사대상체(11) 및 검사대상체(11)의 검사데이터에 대응하여 MEMS 미러(121)의 회전 각도, 동작, 속도 등을 제어할 수 있다. 하지만, 이에 한정하지 않고, 검사관리서버(20)로부터 MEMS 미러(121)의 제어신호를 수신할 수 있다.
실시예에 따라, 장치제어부(160)는 검사대상체(11)를 검사함과 동시에, 불량이 발생한 경우, 레이저 또는 별도의 리페어 수단을 구비하여 리페어(repair)를 수행할 수 있다. 이에 따라, 검사대상체(11)에 대한 검사 및 리페어를 동시에 수행함으로써, 공정시간을 단축시킬 수 있다.
이와 같은 검사장치(10)는 검사대상체(11)에 대하여 테라헤르츠파의 포커스 위치를 조절하고, 다양한 포커스 위치에 따라 다양한 스캔영상을 획득하고, 획득한 복수의 스캔영상를 통합처리하여 생성된 TSOM 영상를 이용하여 검사대상체(11)에 대한 검사데이터를 생성할 수 있다. 더욱 정확하게 검사대상체(11)의 흠결이 의심되는 흠결 영역을 판단하여 검사대상체(11)의 불량 유무를 판별할 수 있다.
검사관리서버(20)는 데이터통신부(200), 데이터베이스부(210), 디스플레이부(220) 및 관리제어부(230)를 포함할 수 있다.
데이터통신부(200)는 검사데이터를 검사장치(10)로부터 수신할 수 있다.
실시예에 따라, 데이터통신부(200)는 스캔영상 또는 TSOM 영상을 검사장치(10)로부터 수신할 수 있다.
실시예에 따라, 데이터통신부(200)는 MEMS 미러(121)의 제어신호를 검사장치(10)로부터 전송할 수 있다.
데이터베이스부(210)는 유무선통신망을 통해 검사장치(10)와 송수신되는 데이터를 저장할 수 있다.
데이터베이스부(210)는 검사관리서버(20)의 다양한 기능을 지원하는 데이터를 저장할 수 있다. 데이터베이스부(210)는 검사관리서버(20)에서 구동되는 다수의 응용 프로그램(application program 또는 애플리케이션(application)), 검사관리서버(20)의 동작을 위한 데이터들, 명령어들을 저장할 수 있다. 이러한 응용 프로그램 중 적어도 일부는, 무선통신을 통해 외부 서버로부터 다운로드 될 수 있다
디스플레이부(220) 사용자 조작에 의한 검사장치(10)의 동작상태, 검사관리서버(20)의 동작상태, 그리고 검사장치(10)와 검사관리서버(20) 사이의 송수신되는 데이터 등을 화면을 통해 모니터링 할 수 있다. 즉, 검사장치(10)의 동작 상태를 실시간으로 확인함으로써, 오류 또는 고장이 발생하는 경우 관리자가 빠르게 대처할 수 있다.
관리제어부(230)는 검사데이터를 수신하여 검사대상체(11)의 상태를 관리하여 검사대상체(11)에 의한 불량제품 생산을 방지할 수 있다.
실시예에 따라, 관리제어부(230)는 검사장치(10)로부터 수신된 스캔영상 또는 TSOM 영상을 분석하여 검사대상체(11)의 검사데이터를 생성할 수 있다.
실시예에 따라, 관리제어부(230)는 검사대상체(11) 및 검사대상체(11)의 검사데이터에 대응하여 MEMS 미러(121)의 제어신호를 생성할 수 있다.
이와 같은 구조의 검사관리서버(20)는 하드웨어 회로(예를 들어, CMOS 기반 로직 회로), 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합에 의해 구현되는 컴퓨팅 장치일 수 있다. 예를 들어, 다양한 전기적 구조의 형태로 트랜지스터, 로직게이트 및 전자회로를 활용하여 구현될 수 있다.
이와 같은 구성의 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
본 실시예에서, 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템(1)은 검사장치(10)에서 동작하는 것으로 개시하였지만, 이에 한정하지 않는다.
우선, 도 3에 도시된 바와 같이, 검사장치(10)는 테라헤르츠파를 생성할 수 있다(S100). 예를 들어, 신호생성부(100)는 주파수 0.1THz~10THz의 전자파로 이루어진 테라헤르츠파를 생성할 수 있다.
다음으로, 검사장치(10)는 검사대상체(11)의 기준 포커스 위치를 설정할 수 있다(S110).
검사대상체(11)를 x방향, y 방향 및 z 방향으로 이동시킬 수 있는 스테이지(미도시)를 이용하여 기준 포커스 위치를 설정할 수 있다.
다음으로, 검사장치(10)는 검사대상체(11)의 기준 포커스 위치를 기준으로 검사대상체(11)로 입사되는 테라헤르츠파를 1차로 포커싱할 수 있다(S120).
구체적으로, 검사장치(10)는 MEMS 미러(121)를 제어하여 테라헤르츠파를 소정 각도 범위에서 고속으로 반사하여 기준 포커스 위치를 기준으로 다양한 각도로 검사대상체(11)에 테라헤르츠파가 입사되도록 포커싱할 수 있다.
다음으로, 검사장치(10)는 기준 포커스 위치를 기준으로 다양한 각도에서 검사대상체(11)를 스캔한 복수의 제1 스캔영상을 획득할 수 있다(S130).
다음으로, 검사장치(10)는 검사대상체(11)의 포커스 위치를 x방향, y 방향 및 z 방향으로 조절할 수 있다(S140).
구체적으로, 테라파조사부(110)는 검사대상체(11)에 대하여 기준 포커스 위치를 기준으로 x방향, y 방향 및 z 방향으로 변경하여 테라헤르츠파를 조사할 수 있다.
다음으로, 검사장치(10)는 검사대상체(11)의 이동된 포커스 위치를 기준으로 검사대상체(11)로 입사되는 테라헤르츠파를 2차로 포커싱할 수 있다(S150).
구체적으로, 검사장치(10)는 MEMS 미러(121)를 제어하여 테라헤르츠파를 소정 각도 범위에서 고속으로 반사하여 이동 포커스 위치를 기준으로 다양한 각도로 검사대상체(11)에 테라헤르츠파가 입사되도록 2차로 포커싱할 수 있다.
다음으로, 검사장치(10)는 이동 포커스 위치를 기준으로 다양한 각도에서 검사대상체(11)를 스캔한 복수의 제2 스캔영상을 획득할 수 있다(S160).
다음으로, 검사장치(10)는 복수의 제1 및 제2 스캔영상을 이용하여 고해상도의 TSOM 영상을 생성할 수 있다(S170).
구체적으로, 검사장치(10)는 복수의 제1 및 제2 스캔영상 중 TSOM 알고리즘을 적용하여 포커스 위치에 따라 포커스가 맞지 않는 스캔영상을 기초영상을 이용하여 보정하고, 보정된 스캔영상을 합성하여 한계 해상도보다 높은 고해상도의 TSOM 영상을 획득할 수 있다.
마지막으로, 검사장치(10)는 고해상도의 TSOM 영상을 이용하여 검사대상체(11)에 대한 정확한 데이터를 분석하여 검사데이터를 생성할 수 있다(S180).
본 발명의 실시예와 관련하여 설명된 방법 또는 알고리즘의 단계들은 하드웨어로 직접 구현되거나, 하드웨어에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로 구현되거나, 또는 이들의 결합에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어 모듈은 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), EPROM(Erasable Programmable ROM), EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM), 플래시 메모리(Flash Memory), 하드 디스크, 착탈형 디스크, CD-ROM 또는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 잘 알려진 임의의 형태의 컴퓨터 판독가능 기록매체에 상주할 수도 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며, 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1 : 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
10 : 검사장치
20 : 검사관리서버

Claims (5)

  1. 테라헤르츠파를 이용하여 검사대상체를 검사하여 상기 검사대상체의 불량유무를 판단하여 검사데이터를 생성하는 검사장치를 포함하되,
    상기 검사장치는,
    상기 테라헤르츠파를 소정 각도 범위에서 일정 속도 이상으로 반사하여 기준 포커스 위치를 기준으로 복수의 각도로 상기 검사대상체에 상기 테라헤르츠파가 입사되도록 포커싱하여 획득한 복수의 스캔정보를 통합처리하여 영상을 생성하고,
    상기 검사장치는,
    상기 영상을 분석하여 상기 검사데이터를 생성하는, 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검사장치는,
    MEMS 미러를 구비하고,
    상기 MEMS 미러를 제어하여 상기 검사대상체에 상기 테라헤르츠파가 입사되도록 포커싱하는, 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 검사장치는,
    TSOM 알고리즘을 이용하여 상기 복수의 스캔정보를 보정하고, 상기 보정된 복수의 스캔정보를 통합처리하여 상기 영상을 생성하는, 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 검사대상체의 상기 검사데이터를 생성하는 관리서버를 더 포함하는, 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템.
  5. 하드웨어인 컴퓨터와 결합되어, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 시스템을 수행할 수 있도록 컴퓨터에서 독출가능한 기록매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.
KR1020190166973A 2019-12-13 2019-12-13 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템 KR102648081B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190166973A KR102648081B1 (ko) 2019-12-13 2019-12-13 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
PCT/KR2020/018211 WO2021118316A2 (ko) 2019-12-13 2020-12-11 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190166973A KR102648081B1 (ko) 2019-12-13 2019-12-13 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210075642A true KR20210075642A (ko) 2021-06-23
KR102648081B1 KR102648081B1 (ko) 2024-03-18

Family

ID=76599501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190166973A KR102648081B1 (ko) 2019-12-13 2019-12-13 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102648081B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002207013A (ja) * 2001-01-05 2002-07-26 Naberu:Kk 卵殻の表面状態検出方法及びこの方法を用いる卵殻の表面状態検出装置
KR20120137918A (ko) * 2011-06-13 2012-12-24 한국전기연구원 라인 빔을 이용한 실시간 T-ray 시스템 및 이에 적용되는 토릭 렌즈
KR20130056886A (ko) * 2010-06-25 2013-05-30 노스이스턴 유니버시티 스펙트럼 이미징에 의해 생물 표본을 분석하는 방법
KR101316568B1 (ko) 2012-03-14 2013-10-15 한국식품연구원 테라파를 이용한 고 분해능 물체 검사 장치
KR20160149429A (ko) * 2015-06-18 2016-12-28 한국표준과학연구원 THz 빔 스캔을 이용한 고속 3차원 영상 탐지 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002207013A (ja) * 2001-01-05 2002-07-26 Naberu:Kk 卵殻の表面状態検出方法及びこの方法を用いる卵殻の表面状態検出装置
KR20130056886A (ko) * 2010-06-25 2013-05-30 노스이스턴 유니버시티 스펙트럼 이미징에 의해 생물 표본을 분석하는 방법
KR20120137918A (ko) * 2011-06-13 2012-12-24 한국전기연구원 라인 빔을 이용한 실시간 T-ray 시스템 및 이에 적용되는 토릭 렌즈
KR101316568B1 (ko) 2012-03-14 2013-10-15 한국식품연구원 테라파를 이용한 고 분해능 물체 검사 장치
KR20160149429A (ko) * 2015-06-18 2016-12-28 한국표준과학연구원 THz 빔 스캔을 이용한 고속 3차원 영상 탐지 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102648081B1 (ko) 2024-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5328319B2 (ja) テラヘルツ波を用いた検査装置及び検査方法
CN107843560B (zh) 一种高空间分辨的泵浦-探测微区测量装置、系统及方法
CN106441571A (zh) 一种光源模块及应用其的线扫描多光谱成像系统
EP2775288A1 (en) Inspecting device and inspecting method
JP2023134712A (ja) 反射標本のマクロ検査のためのシステム、方法および装置
CN107106009B (zh) 眼底成像装置
WO2012014727A1 (ja) 遠赤外撮像装置およびそれを用いた撮像方法
TWI695164B (zh) 寬頻晶圓缺陷偵測系統及寬頻晶圓缺陷偵測方法
CN206248212U (zh) 一种光源模块及应用其的线扫描多光谱成像系统
KR102648081B1 (ko) 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
KR20210076598A (ko) 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
KR101701409B1 (ko) 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고해상도 영상 생성 장치 및 영상 생성 방법
Zhou et al. Bifocal dual reflector system for active terahertz imaging
JP2016186424A (ja) 情報取得装置及び固定具
EP2554974B1 (en) Device for measuring terahertz waves
KR20210076596A (ko) 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
CN114207420A (zh) 一种在工业生产线中操作质量控制的装置、对应的方法和计算机程序产品
KR20210076597A (ko) 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
KR20210076599A (ko) 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
JP4534027B1 (ja) 電磁波波面整形素子及びそれを備えた電磁波イメージング装置、並びに電磁波イメージング方法
CN107106003B (zh) 眼底成像装置
KR20210073932A (ko) 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
KR20210073933A (ko) 테라헤르츠파를 이용한 기판 검사 시스템
US20190187452A1 (en) Microscope
CN109841533B (zh) 宽频晶圆缺陷侦测系统及宽频晶圆缺陷侦测方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant